KR102071487B1 - Producing method of mask and mask - Google Patents

Producing method of mask and mask Download PDF

Info

Publication number
KR102071487B1
KR102071487B1 KR1020190067432A KR20190067432A KR102071487B1 KR 102071487 B1 KR102071487 B1 KR 102071487B1 KR 1020190067432 A KR1020190067432 A KR 1020190067432A KR 20190067432 A KR20190067432 A KR 20190067432A KR 102071487 B1 KR102071487 B1 KR 102071487B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
mask
mask pattern
frame
pattern
thickness
Prior art date
Application number
KR1020190067432A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20200006485A (en
Inventor
장택용
Original Assignee
주식회사 티지오테크
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 티지오테크 filed Critical 주식회사 티지오테크
Priority to KR1020190067432A priority Critical patent/KR102071487B1/en
Publication of KR20200006485A publication Critical patent/KR20200006485A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102071487B1 publication Critical patent/KR102071487B1/en

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/02—Local etching
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D1/00—Electroforming
    • C25D1/10—Moulds; Masks; Masterforms
    • H01L51/0011—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask

Abstract

본 발명은 마스크의 제조 방법 및 마스크에 관한 것이다. 본 발명에 따른 마스크의 제조 방법은, (a) 마스크 금속막(110)의 일면 상에 패턴화된 제1 절연부(M1)를 형성하는 단계, (b) 마스크 금속막(110)의 일면에서 습식 식각(WE1)으로 소정 깊이만큼 제1 마스크 패턴(P1)을 형성하는 단계, (c) 제1 마스크 패턴(P1) 내에 제2 절연부(M2)를 채우는 단계, (d) 제1 절연부(M2)의 상부에서 노광하고, 제1 절연부(M1)의 수직 하부에 위치한 제2 절연부(M2')만 남기는 단계, 및 (e) 마스크 금속막(110)의 일면에서 습식 식각(WE2)으로 제1 마스크 패턴(P1)에서부터 마스크 금속막(110)의 타면을 관통하는 제2 마스크 패턴(P2)을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.The present invention relates to a mask manufacturing method and a mask. In the method for manufacturing a mask according to the present invention, (a) forming a patterned first insulating portion M1 on one surface of the mask metal film 110, (b) at one surface of the mask metal film 110 Forming a first mask pattern P1 with a predetermined depth by wet etching WE1, (c) filling the second insulating portion M2 in the first mask pattern P1, and (d) first insulating portion Exposing from the upper portion of the M2 and leaving only the second insulating portion M2 ′ positioned below the vertical portion of the first insulating portion M1, and (e) wet etching WE2 from one surface of the mask metal layer 110. ) To form a second mask pattern P2 penetrating from the first mask pattern P1 to the other surface of the mask metal film 110.

Description

마스크의 제조 방법 및 마스크{PRODUCING METHOD OF MASK AND MASK}Manufacturing method and mask of mask {PRODUCING METHOD OF MASK AND MASK}

본 발명은 마스크의 제조 방법 및 마스크에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 마스크 패턴의 크기와 위치를 명확하게 제어할 수 있는 마스크의 제조 방법 및 마스크에 관한 것이다.The present invention relates to a mask manufacturing method and a mask. More specifically, the present invention relates to a mask manufacturing method and a mask capable of clearly controlling the size and position of the mask pattern.

최근에 박판 제조에 있어서 전주 도금(Electroforming) 방법에 대한 연구가 진행되고 있다. 전주 도금 방법은 전해액에 양극체, 음극체를 침지하고, 전원을 인가하여 음극체의 표면상에 금속박판을 전착시키므로, 극박판을 제조할 수 있으며, 대량 생산을 기대할 수 있는 방법이다.Recently, studies on electroforming methods have been underway in thin plate manufacturing. The electroplating method is to immerse the positive electrode and the negative electrode in the electrolyte, and to apply the power to electrodeposit the metal thin plate on the surface of the negative electrode, it is possible to manufacture the ultra-thin plate, it is a method that can be expected to mass production.

한편, OLED 제조 공정에서 화소를 형성하는 기술로, 박막의 금속 마스크(Shadow Mask)를 기판에 밀착시켜서 원하는 위치에 유기물을 증착하는 FMM(Fine Metal Mask) 법이 주로 사용된다.Meanwhile, as a technology of forming pixels in an OLED manufacturing process, a fine metal mask (FMM) method of depositing an organic material at a desired position by closely attaching a thin metal mask to a substrate is mainly used.

기존의 마스크 제조 방법은, 마스크로 사용될 금속 박판을 마련하고, 금속 박판 상에 PR 코팅 후 패터닝을 하거나, 패턴을 가지도록 PR 코팅한 후, 식각을 통해 패턴을 가지는 마스크를 제조하였다. 하지만, 새도우 이펙트(Shadow Effect)를 막기 위해 테이퍼(Taper) 형상으로 경사지도록 마스크 패턴을 형성하는 것은 쉽지 않고, 별도의 공정이 수반되므로, 공정 시간, 비용이 증가하고, 생산성이 낮아지는 문제점이 있었다.In the conventional mask manufacturing method, a metal thin plate to be used as a mask is prepared, patterned after PR coating on the metal thin plate, or PR coated to have a pattern, and then a mask having a pattern is manufactured by etching. However, it is not easy to form a mask pattern to be inclined in a taper shape in order to prevent the shadow effect, and since it involves a separate process, there is a problem in that process time, cost, and productivity are decreased. .

초고화질의 OLED의 경우, 현재 QHD 화질은 500~600 PPI(pixel per inch)로 화소의 크기가 약 30~50㎛에 이르며, 4K UHD, 8K UHD 고화질은 이보다 높은 ~860 PPI, ~1600 PPI 등의 해상도를 가지게 된다. 따라서, 마스크 패턴의 크기를 정밀하게 조절하는 기술 개발이 필요한 실정이다.In the case of ultra-high-definition OLED, QHD image quality is 500 ~ 600 pixel per inch (PPI), and the pixel size is about 30 ~ 50㎛, and 4K UHD, 8K UHD high definition is higher than 860 PPI, ~ 1600 PPI, etc. It has a resolution of. Therefore, there is a need to develop a technology for precisely adjusting the size of the mask pattern.

한편, 기존의 OLED 제조 공정에서는 마스크를 스틱 형태, 플레이트 형태 등으로 제조한 후, 마스크를 OLED 화소 증착 프레임에 용접 고정시켜 사용한다. 대면적 OLED 제조를 위해서 여러 개의 마스크를 OLED 화소 증착 프레임에 고정시킬 수 있는데, 프레임에 고정하는 과정에서 각 마스크가 평평하게 되도록 인장을 하게 된다. 여러 개의 마스크를 하나의 프레임에 고정시키는 과정에서 마스크 상호간에, 그리고 마스크 셀들의 상호간에 정렬이 잘 되지 않는 문제점이 있었다. 또한, 마스크를 프레임에 용접 고정하는 과정에서 마스크 막의 두께가 너무 얇고 대면적이기 때문에 하중에 의해 마스크가 쳐지거나 뒤틀어지는 문제점이 있었다.Meanwhile, in the conventional OLED manufacturing process, the mask is manufactured in the form of a stick, a plate, and the like, and then the mask is welded and fixed to the OLED pixel deposition frame. For large area OLED manufacturing, several masks can be fixed to the OLED pixel deposition frame, which in turn is tensioned to make each mask flat. In the process of fixing several masks in one frame, there is a problem in that the alignment between the mask cells and the mask cells is not well aligned. In addition, in the process of welding and fixing the mask to the frame, the thickness of the mask film is too thin and the large area has a problem that the mask is struck or warped by load.

이렇듯 초고화질의 OLED의 화소 크기를 고려하여 각 셀들간의 정렬 오차를 수 ㎛ 정도로 감축시켜야 하며, 이를 벗어나는 오차는 제품의 실패로 이어지게 되므로 수율이 매우 낮아지게 될 수 있다. 그러므로, 마스크가 쳐지거나 뒤틀리는 등의 변형을 방지하고, 정렬을 명확하게 할 수 있는 기술, 마스크를 프레임에 고정하는 기술 등의 개발이 필요한 실정이다.As such, in consideration of the pixel size of the ultra-high-definition OLED, the alignment error between the cells must be reduced to several μm, and the error beyond this can lead to product failure, resulting in a very low yield. Therefore, there is a need for development of a technique for preventing deformation, such as knocking or twisting of a mask and making alignment clear, a technique for fixing a mask to a frame, and the like.

따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 제반 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 마스크 패턴의 크기를 정밀하게 제어할 수 있는 마스크의 제조 방법 및 마스크를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a mask manufacturing method and a mask capable of precisely controlling the size of a mask pattern.

본 발명의 상기의 목적은, (a) 마스크 금속막의 일면 상에 패턴화된 제1 절연부를 형성하는 단계; (b) 마스크 금속막의 일면에서 습식 식각으로 소정 깊이만큼 제1 마스크 패턴을 형성하는 단계; (c) 제1 마스크 패턴 내에 제2 절연부를 채우는 단계; (d) 제1 절연부의 상부에서 노광하고, 제1 절연부의 수직 하부에 위치한 제2 절연부만 남기는 단계; 및 (e) 마스크 금속막의 일면에서 습식 식각으로 제1 마스크 패턴에서부터 마스크 금속막의 타면을 관통하는 제2 마스크 패턴을 형성하는 단계를 포함하는, 마스크의 제조 방법.에 의해 달성된다.The above object of the present invention, (a) forming a patterned first insulating portion on one surface of the mask metal film; (b) forming a first mask pattern by wet etching on one surface of the mask metal film by a predetermined depth; (c) filling the second insulating portion in the first mask pattern; (d) exposing at the top of the first insulator and leaving only a second insulator located below the vertical insulator of the first insulator; And (e) forming a second mask pattern penetrating through the other surface of the mask metal film from the first mask pattern by wet etching on one surface of the mask metal film.

그리고, 본 발명의 상기의 목적은, (a) 마스크 금속막의 일면 상에 패턴화된 제1 절연부를 형성하는 단계; (b) 마스크 금속막의 일면에서 습식 식각으로 소정 깊이만큼 제1 마스크 패턴을 형성하는 단계; (c) 제1 절연부에 열을 가하여 제1 절연부를 제1 마스크 패턴의 일부로 리플로우(reflow)하는 단계; (d) 마스크 금속막의 일면에서 습식 식각으로 제1 마스크 패턴에서부터 마스크 금속막의 타면을 관통하는 제2 마스크 패턴을 형성하는 단계를 포함하는, 마스크의 제조 방법에 의해 달성된다.In addition, the above object of the present invention, (a) forming a patterned first insulating portion on one surface of the mask metal film; (b) forming a first mask pattern by wet etching on one surface of the mask metal film by a predetermined depth; (c) reheating the first insulating portion as part of the first mask pattern by applying heat to the first insulating portion; (d) forming a second mask pattern penetrating through the other surface of the mask metal film from the first mask pattern by wet etching on one surface of the mask metal film.

제1 마스크 패턴보다 제2 마스크 패턴의 폭이 좁을 수 있다.The width of the second mask pattern may be narrower than that of the first mask pattern.

제1 마스크 패턴의 소정 깊이의 값은 마스크 금속막의 두께보다 적을 수 있다.The value of the predetermined depth of the first mask pattern may be smaller than the thickness of the mask metal film.

제1 마스크 패턴 및 제2 마스크 패턴의 형상의 합은 전체적으로 테이퍼 형상 또는 역테이퍼 형상을 나타낼 수 있다.The sum of the shapes of the first mask pattern and the second mask pattern may represent a tapered shape or an inverse tapered shape as a whole.

(c) 단계에서, 제1 마스크 패턴은 제1 절연부의 패턴 사이 간격보다 넓은 폭을 가지도록 형성할 수 있다.In step (c), the first mask pattern may be formed to have a width wider than an interval between the patterns of the first insulating part.

제1 마스크 패턴의 두께가 제2 마스크 패턴의 두께보다 두꺼울 수 있다.The thickness of the first mask pattern may be thicker than the thickness of the second mask pattern.

(c) 단계에서, 제1 절연부의 일부를 제1 절연부의 수직 하부에 위치한 제1 마스크 패턴의 부분으로 리플로우(reflow) 할 수 있다.In step (c), a portion of the first insulation portion may be reflowed into a portion of the first mask pattern positioned below the vertical portion of the first insulation portion.

(d) 단계에서, 제1 마스크 패턴의 부분으로 리플로우된 제1 절연부의 사이 공간에서 습식 식각이 수행되어 제2 마스크 패턴을 형성할 수 있다.In operation (d), wet etching may be performed in a space between the first insulating parts reflowed into a portion of the first mask pattern to form a second mask pattern.

그리고, 본 발명의 상기의 목적은, 복수의 마스크 패턴이 형성된 OLED 화소 형성용 마스크로서, 마스크 패턴은, 상부의 제1 마스크 패턴; 및 하부의 제2 마스크 패턴을 포함하며, 제1 마스크 패턴의 두께가 제2 마스크 패턴의 두께보다 두꺼운, 마스크에 의해 달성된다.The above object of the present invention is to provide an OLED pixel forming mask having a plurality of mask patterns, the mask pattern comprising: an upper first mask pattern; And a lower second mask pattern, wherein the thickness of the first mask pattern is thicker than the thickness of the second mask pattern.

제1 마스크 패턴보다 제2 마스크 패턴의 폭이 좁을 수 있다.The width of the second mask pattern may be narrower than that of the first mask pattern.

제2 마스크 패턴의 폭은 적어도 35㎛보다 작을 수 있다.The width of the second mask pattern may be at least 35 μm.

제1 마스크 패턴 및 제2 마스크 패턴의 형상의 합은 전체적으로 테이퍼 형상 또는 역테이퍼 형상을 나타낼 수 있다.The sum of the shapes of the first mask pattern and the second mask pattern may represent a tapered shape or an inverse tapered shape as a whole.

제1 마스크 패턴의 상단 모서리에서 제2 마스크 패턴의 하단 모서리까지 이어지는 임의의 직선과 수평선이 이루는 각도가 테이퍼 각도를 이룰 수 있다.An angle formed by a straight line and a horizontal line extending from an upper edge of the first mask pattern to a lower edge of the second mask pattern may form a taper angle.

제1 마스크 패턴 및 제2 마스크 패턴의 양측면은 곡률을 가지도록 형성될 수 있다.Both sides of the first mask pattern and the second mask pattern may be formed to have a curvature.

제1 마스크 패턴 및 제2 마스크 패턴의 양측면은 오목한 곡률 형태일 수 있다.Both sides of the first mask pattern and the second mask pattern may have a concave curvature form.

제1 마스크 패턴 및 제2 마스크 패턴의 양측면의 곡률은 동일할 수 있다.Curvatures of both sides of the first mask pattern and the second mask pattern may be the same.

그리고, 본 발명의 상기의 목적은, 복수의 마스크와 마스크를 지지하는 프레임이 일체로 형성된 프레임 일체형 마스크로서, 프레임은, 중공 영역을 포함하는 테두리 프레임부; 복수의 마스크 셀 영역을 구비하며, 테두리 프레임부에 연결되는 마스크 셀 시트부를 포함하고, 각각의 마스크는 마스크 셀 시트부의 상부에 연결되며, 마스크는 복수의 마스크 패턴이 형성되며, 마스크 패턴은, 상부의 제1 마스크 패턴; 및 하부의 제2 마스크 패턴을 포함하며, 제1 마스크 패턴의 두께가 제2 마스크 패턴의 두께보다 두꺼운, 프레임 일체형 마스크에 의해 달성된다.The above object of the present invention is a frame-integrated mask in which a plurality of masks and a frame for supporting the mask are integrally formed, the frame comprising: an edge frame portion including a hollow area; A mask cell sheet portion having a plurality of mask cell regions and connected to an edge frame portion, each mask is connected to an upper portion of the mask cell sheet portion, a mask is formed with a plurality of mask patterns, and a mask pattern is A first mask pattern of; And a lower second mask pattern, wherein the thickness of the first mask pattern is thicker than the thickness of the second mask pattern.

상기와 같이 구성된 본 발명에 따르면, 마스크 패턴의 크기와 위치를 정밀하게 제어할 수 있는 효과가 있다.According to the present invention configured as described above, there is an effect that can accurately control the size and position of the mask pattern.

도 1은 종래의 OLED 화소 증착용 마스크를 나타내는 개략도이다.
도 2는 종래의 마스크를 프레임에 접착하는 과정을 나타내는 개략도이다.
도 3은 종래의 마스크를 인장하는 과정에서 셀들간의 정렬 오차가 발생하는 것을 나타내는 개략도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 프레임 일체형 마스크를 나타내는 정면도 및 측단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 프레임을 나타내는 정면도 및 측단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크를 나타내는 개략도이다.
도 7은 종래의 마스크의 제조 과정을 나타내는 개략도이다.
도 8 내지 도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크의 제조 과정을 나타내는 개략도이다.
도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 마스크의 제조 과정을 나타내는 개략도이다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 테이퍼 각도 조절을 나타내는 개략도이다.
도 13은 본 발명의 일 실시 예에 따른 열처리 후의 마스크의 열팽창계수(coefficient of expansion, CTE)를 나타내는 그래프이다.
도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크를 프레임의 셀 영역에 대응시키는 상태를 나타내는 개략도이다.
도 15은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크를 프레임의 셀 영역에 대응하여 접착하는 과정을 나타내는 개략도이다.
도 16는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크를 프레임의 셀 영역에 접착한 후 공정 영역의 온도를 하강시키는 과정을 나타내는 개략도이다.
도 17는 본 발명의 일 실시예에 따른 프레임 일체형 마스크를 이용한 OLED 화소 증착 장치를 나타내는 개략도이다.1 is a schematic view showing a conventional mask for OLED pixel deposition.
2 is a schematic diagram illustrating a process of adhering a conventional mask to a frame.
3 is a schematic view showing that alignment errors between cells occur in the process of tensioning a conventional mask.
4 is a front and side cross-sectional view showing a frame-integrated mask according to an embodiment of the present invention.
5 is a front and side cross-sectional view showing a frame according to an embodiment of the present invention.
6 is a schematic diagram illustrating a mask according to an embodiment of the present invention.
7 is a schematic view showing a manufacturing process of a conventional mask.
8 to 10 are schematic diagrams showing a manufacturing process of a mask according to an embodiment of the present invention.
11 is a schematic diagram showing a manufacturing process of a mask according to another embodiment of the present invention.
12 is a schematic diagram illustrating a taper angle adjustment according to an embodiment of the present invention.
FIG. 13 is a graph illustrating a coefficient of expansion (CTE) of a mask after heat treatment according to an embodiment of the present invention.
14 is a schematic diagram illustrating a state in which a mask according to an embodiment of the present invention corresponds to a cell area of a frame.
15 is a schematic diagram illustrating a process of bonding a mask in accordance with an embodiment of the present invention corresponding to a cell region of a frame.
16 is a schematic diagram illustrating a process of lowering a temperature of a process region after attaching a mask to a cell region of a frame according to an embodiment of the present invention.
17 is a schematic diagram illustrating an OLED pixel deposition apparatus using an integrated frame mask according to an embodiment of the present invention.

후술하는 본 발명에 대한 상세한 설명은, 본 발명이 실시될 수 있는 특정 실시예를 예시로서 도시하는 첨부 도면을 참조한다. 이들 실시예는 당업자가 본 발명을 실시할 수 있기에 충분하도록 상세히 설명된다. 본 발명의 다양한 실시예는 서로 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 구조 및 특성은 일 실시예에 관련하여 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예로 구현될 수 있다. 또한, 각각의 개시된 실시예 내의 개별 구성요소의 위치 또는 배치는 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 따라서, 후술하는 상세한 설명은 한정적인 의미로서 취하려는 것이 아니며, 본 발명의 범위는, 적절하게 설명된다면, 그 청구항들이 주장하는 것과 균등한 모든 범위와 더불어 첨부된 청구항에 의해서만 한정된다. 도면에서 유사한 참조부호는 여러 측면에 걸쳐서 동일하거나 유사한 기능을 지칭하며, 길이 및 면적, 두께 등과 그 형태는 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다.DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The following detailed description of the invention refers to the accompanying drawings that show, by way of illustration, specific embodiments in which the invention may be practiced. These embodiments are described in sufficient detail to enable those skilled in the art to practice the invention. It is to be understood that the various embodiments of the invention are different but need not be mutually exclusive. For example, certain shapes, structures, and characteristics described herein may be embodied in other embodiments without departing from the spirit and scope of the invention with respect to one embodiment. In addition, it is to be understood that the location or arrangement of individual components within each disclosed embodiment may be changed without departing from the spirit and scope of the invention. The following detailed description, therefore, is not to be taken in a limiting sense, and the scope of the present invention is defined only by the appended claims, along with the full scope of equivalents to which such claims are entitled. In the drawings, like reference numerals refer to the same or similar functions throughout the several aspects, and length, area, thickness, and the like may be exaggerated for convenience.

이하에서는, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있도록 하기 위하여, 본 발명의 바람직한 실시예들에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily implement the present invention.

도 1은 종래의 OLED 화소 증착용 마스크(10)를 나타내는 개략도이다.1 is a schematic diagram showing a conventional mask for OLED pixel deposition 10.

도 1을 참조하면, 종래의 마스크(10)는 스틱형(Stick-Type) 또는 판형(Plate-Type)으로 제조될 수 있다. 도 1의 (a)에 도시된 마스크(10)는 스틱형 마스크로서, 스틱의 양측을 OLED 화소 증착 프레임에 용접 고정시켜 사용할 수 있다. 도 1의 (b)에 도시된 마스크(100)는 판형(Plate-Type) 마스크로서, 넓은 면적의 화소 형성 공정에서 사용될 수 있다.Referring to FIG. 1, the mask 10 may be manufactured in a stick type or a plate type. The mask 10 shown in FIG. 1A is a stick type mask, and both sides of the stick may be welded and fixed to the OLED pixel deposition frame. The mask 100 illustrated in FIG. 1B is a plate-type mask and may be used in a large area pixel forming process.

마스크(10)의 바디(Body)[또는, 마스크 막(11)]에는 복수의 디스플레이 셀(C)이 구비된다. 하나의 셀(C)은 스마트폰 등의 디스플레이 하나에 대응한다. 셀(C)에는 디스플레이의 각 화소에 대응하도록 화소 패턴(P)이 형성된다. 셀(C)을 확대하면 R, G, B에 대응하는 복수의 화소 패턴(P)이 나타난다. 일 예로, 셀(C)에는 70 X 140의 해상도를 가지도록 화소 패턴(P)이 형성된다. 즉, 수많은 화소 패턴(P)들은 군집을 이루어 셀(C) 하나를 구성하며, 복수의 셀(C)들이 마스크(10)에 형성될 수 있다.A plurality of display cells C are provided in the body (or mask film 11) of the mask 10. One cell C corresponds to one display such as a smartphone. In the cell C, a pixel pattern P is formed to correspond to each pixel of the display. When the cell C is enlarged, a plurality of pixel patterns P corresponding to R, G, and B appear. For example, the pixel pattern P is formed in the cell C to have a resolution of 70 × 140. That is, a large number of pixel patterns P may be clustered to form one cell C, and a plurality of cells C may be formed in the mask 10.

도 2는 종래의 마스크(10)를 프레임(20)에 접착하는 과정을 나타내는 개략도이다. 도 3은 종래의 마스크(10)를 인장(F1~F2)하는 과정에서 셀들간의 정렬 오차가 발생하는 것을 나타내는 개략도이다. 도 1의 (a)에 도시된 6개의 셀(C: C1~C6)을 구비하는 스틱 마스크(10)를 예로 들어 설명한다.2 is a schematic diagram illustrating a process of adhering the mask 10 to the frame 20. 3 is a schematic view showing that alignment errors between cells occur in the process of tensioning the mask 10 (F1 to F2). A stick mask 10 having six cells C: C1 to C6 shown in FIG. 1A will be described as an example.

도 2의 (a)를 참조하면, 먼저, 스틱 마스크(10)를 평평하게 펴야한다. 스틱 마스크(10)의 장축 방향으로 인장력(F1~F2)을 가하여 당김에 따라 스틱 마스크(10)가 펴지게 된다. 그 상태로 사각틀 형태의 프레임(20) 상에 스틱 마스크(10)를 로딩한다. 스틱 마스크(10)의 셀(C1~C6)들은 프레임(20)의 틀 내부 빈 영역 부분에 위치하게 된다. 프레임(20)은 하나의 스틱 마스크(10)의 셀(C1~C6)들이 틀 내부 빈 영역에 위치할 정도의 크기일 수 있고, 복수의 스틱 마스크(10)의 셀(C1~C6)들이 틀 내부 빈 영역에 위치할 정도의 크기일 수도 있다.Referring to FIG. 2A, first, the stick mask 10 should be flattened. The stick mask 10 is unfolded as the tensile force F1 to F2 is applied in the major axis direction of the stick mask 10 and pulled. In this state, the stick mask 10 is loaded onto the frame 20 having a rectangular frame shape. The cells C1 to C6 of the stick mask 10 are positioned in the empty area of the frame 20 of the frame 20. The frame 20 may be large enough so that the cells C1 to C6 of one stick mask 10 are located in an empty area inside the frame, and the cells C1 to C6 of the plurality of stick masks 10 are framed. It may also be large enough to fit inside the empty area.

도 2의 (b)를 참조하면, 스틱 마스크(10)의 각 측에 가하는 인장력(F1~F2)을 미세하게 조절하면서 정렬을 시킨 후, 스틱 마스크(10) 측면의 일부를 용접(W)함에 따라 스틱 마스크(10)와 프레임(20)을 상호 연결한다. 도 2의 (c)는 상호 연결된 스틱 마스크(10)와 프레임의 측단면을 나타낸다.Referring to (b) of FIG. 2, after aligning while finely adjusting the tensile forces F1 to F2 applied to each side of the stick mask 10, a part of the side surface of the stick mask 10 is welded (W). Accordingly, the stick mask 10 and the frame 20 are interconnected. 2 (c) shows the side surface of the stick mask 10 and the frame connected to each other.

도 3을 참조하면, 스틱 마스크(10)의 각 측에 가하는 인장력(F1~F2)을 미세하게 조절함에도 불구하고, 마스크 셀(C1~C3)들의 상호간에 정렬이 잘 되지 않는 문제점이 나타난다. 가령, 셀(C1~C3)들의 패턴(P)간에 거리(D1~D1", D2~D2")가 상호 다르게 되거나, 패턴(P)들이 비뚤어지는 것이 그 예이다. 스틱 마스크(10)는 복수(일 예로, 6개)의 셀(C1~C6)을 포함하는 대면적이고, 수십 ㎛ 수준의 매우 얇은 두께를 가지기 때문에, 하중에 의해 쉽게 쳐지거나 뒤틀어지게 된다. 또한, 각 셀(C1~C6)들을 모두 평평하게 하도록 인장력(F1~F2)을 조절하면서, 각 셀(C1~C6)들간의 정렬 상태를 현미경을 통해 실시간으로 확인하는 것은 매우 어려운 작업이다.Referring to FIG. 3, in spite of finely adjusting the tensile forces F1 to F2 applied to each side of the stick mask 10, problems of misalignment of the mask cells C1 to C3 appear. For example, the distances D1 to D1 ″ and D2 to D2 ″ may be different from each other or the patterns P may be skewed between the patterns P of the cells C1 to C3. The stick mask 10 is a large area including a plurality of (eg, six) cells C1 to C6 and has a very thin thickness on the order of tens of micrometers, and thus is easily struck or warped by a load. In addition, it is very difficult to check the alignment between the cells C1 to C6 in real time through a microscope while adjusting the tensile forces F1 to F2 to flatten each of the cells C1 to C6.

따라서, 인장력(F1~F2)의 미세한 오차는 스틱 마스크(10) 각 셀(C1~C3)들이 늘어나거나, 펴지는 정도에 오차를 발생시킬 수 있고, 그에 따라 마스크 패턴(P)간에 거리(D1~D1", D2~D2")가 상이해지게 되는 문제점을 발생시킨다. 물론, 완벽하게 오차가 0이 되도록 정렬하는 것은 어려운 것이지만, 크기가 수 내지 수십 ㎛인 마스크 패턴(P)이 초고화질 OLED의 화소 공정에 악영향을 미치지 않도록 하기 위해서는, 정렬 오차가 3㎛를 초과하지 않는 것이 바람직하다. 이렇게 인접하는 셀 사이의 정렬 오차를 PPA(pixel position accuracy)라 지칭한다.Therefore, the minute error of the tensile force (F1 ~ F2) may cause an error in the extent that the cells (C1 ~ C3) of the stick mask 10 is extended or unfolded, and thus the distance (D1) between the mask pattern (P) ~ D1 ", D2-D2") cause a problem that becomes different. Of course, it is difficult to perfectly align the error to 0, but in order that the mask pattern P having a size of several to several tens of micrometers does not adversely affect the pixel process of the ultra-high definition OLED, the alignment error does not exceed 3 micrometers. It is preferable not to. This alignment error between adjacent cells is referred to as pixel position accuracy (PPA).

이에 더하여, 대략 6~20개 정도의 복수의 스틱 마스크(10)들을 프레임(20) 하나에 각각 연결하면서, 복수의 스틱 마스크(10)들간에, 그리고 스틱 마스크(10)의 복수의 셀(C~C6)들간에 정렬 상태를 명확히 하는 것도 매우 어려운 작업이고, 정렬에 따른 공정 시간이 증가할 수밖에 없게 되어 생산성을 감축시키는 중대한 이유가 된다.In addition, between the plurality of stick masks 10 and the plurality of cells C of the stick masks 10 while connecting the plurality of stick masks 10 of about 6 to 20 to each of the frames 20, respectively. It is also very difficult to clarify the alignment between ~ C6), and the process time due to alignment is inevitably increased, which is a significant reason for reducing productivity.

한편, 스틱 마스크(10)를 프레임(20)에 연결 고정시킨 후에는, 스틱 마스크(10)에 가해졌던 인장력(F1~F2)이 프레임(20)에 역으로 작용할 수 있다. 즉, 인장력(F1~F2)에 의해 팽팽히 늘어났던 스틱 마스크(10)가 프레임(20)에 연결된 후에 프레임(20)에 장력(tension)을 작용할 수 있다. 보통 이 장력이 크지 않아서 프레임(20)에 큰 영향을 미치지 않을 수 있으나, 프레임(20)의 크기가 소형화되고 강성이 낮아지는 경우에는 이러한 장력이 프레임(20)을 미세하게 변형시킬 수 있다. 그리하면 복수의 셀(C~C6)들간에 정렬 상태가 틀어지는 문제가 발생할 수 있다.On the other hand, after fixing the stick mask 10 to the frame 20, the tensile force (F1 ~ F2) applied to the stick mask 10 may act inversely to the frame 20. That is, the stick mask 10, which is stretched by the tension forces F1 to F2, may be tensioned to the frame 20 after being connected to the frame 20. In general, the tension may not be large and may not have a large influence on the frame 20. However, when the size of the frame 20 is miniaturized and the rigidity is low, the tension may slightly change the frame 20. Thus, a problem may arise in that the alignment state is changed between the plurality of cells C to C6.

이에, 본 발명은 마스크(100)가 프레임(200)과 일체형 구조를 이룰 수 있게 하는 프레임(200) 및 프레임 일체형 마스크를 제안한다. 프레임(200)에 일체로 형성되는 마스크(100)는 쳐지거나 뒤틀리는 등의 변형이 방지되고, 프레임(200)에 명확히 정렬될 수 있다. 마스크(100)가 프레임(200)에 연결될 때 마스크(100)에 어떠한 인장력도 가하지 않으므로, 마스크(100)가 프레임(200)에 연결된 후 프레임(200)이 변형될 정도의 장력을 가하지 않을 수 있다. 그리고, 마스크(100)를 프레임(200)에 일체로 연결하는 제조시간을 현저하게 감축시키고, 수율을 현저하게 상승시킬 수 있는 이점을 가진다.Accordingly, the present invention proposes a frame 200 and a frame integrated mask that allow the mask 100 to form an integrated structure with the frame 200. The mask 100 integrally formed in the frame 200 may be prevented from being deformed or warped, and may be clearly aligned with the frame 200. Since no tensile force is applied to the mask 100 when the mask 100 is connected to the frame 200, the tension may not be applied to the frame 200 after the mask 100 is connected to the frame 200. . In addition, the manufacturing time for integrally connecting the mask 100 to the frame 200 may be significantly reduced, and the yield may be significantly increased.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 프레임 일체형 마스크를 나타내는 정면도[도 4의 (a)] 및 측단면도[도 4의 (b)]이고, 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 프레임을 나타내는 정면도[도 5의 (a)] 및 측단면도[도 5의 (b)]이다.4 is a front view (FIG. 4 (a)) and a side cross-sectional view (FIG. 4 (b)) showing a frame-integrated mask according to an embodiment of the present invention, Figure 5 is according to an embodiment of the present invention It is a front view (FIG. 5 (a)) and a side cross-sectional view (FIG. 5 (b)) which show a frame.

도 4 및 도 5를 참조하면, 프레임 일체형 마스크는, 복수의 마스크(100) 및 하나의 프레임(200)을 포함할 수 있다. 다시 말해, 복수의 마스크(100)들을 각각 하나씩 프레임(200)에 접착한 형태이다. 이하에서는, 설명의 편의상 사각 형태의 마스크(100)를 예로 들어 설명하나, 마스크(100)들은 프레임(200)에 접착되기 전에는 양측에 클램핑되는 돌출부를 구비한 스틱 마스크 형태일 수 있으며, 프레임(200)에 접착된 후에 돌출부가 제거될 수 있다.4 and 5, the frame integrated mask may include a plurality of masks 100 and one frame 200. In other words, each of the plurality of masks 100 is bonded to the frame 200. Hereinafter, for convenience of description, the rectangular mask 100 will be described as an example, but the masks 100 may be in the form of a stick mask having protrusions clamped at both sides before being bonded to the frame 200, and the frame 200. The protrusions can be removed after they have been glued to them.

각각의 마스크(100)에는 복수의 마스크 패턴(P)이 형성되며, 하나의 마스크(100)에는 하나의 셀(C)이 형성될 수 있다. 하나의 마스크 셀(C)은 스마트폰 등의 디스플레이 하나에 대응할 수 있다. 얇은 두께로 형성할 수 있도록, 마스크(100)는 전주도금(electroforming)으로 형성될 수 있다. 마스크(100)는 열팽창계수가 약 1.0 X 10-6/℃인 인바(invar), 약 1.0 X 10-7/℃ 인 슈퍼 인바(super invar) 재질일 수 있다. 이 재질의 마스크(100)는 열팽창계수가 매우 낮기 때문에 열에너지에 의해 마스크의 패턴 형상이 변형될 우려가 적어 고해상도 OLED 제조에서 있어서 FMM(Fine Metal Mask), 새도우 마스크(Shadow Mask)로 사용될 수 있다. 이 외에, 최근에 온도 변화값이 크지 않은 범위에서 화소 증착 공정을 수행하는 기술들이 개발되는 것을 고려하면, 마스크(100)는 이보다 열팽창계수가 약간 큰 니켈(Ni), 니켈-코발트(Ni-Co) 등의 재질일 수도 있다. 마스크의 두께는 약 2㎛ 내지 50㎛ 정도로 형성될 수 있다.A plurality of mask patterns P may be formed in each mask 100, and one cell C may be formed in one mask 100. One mask cell C may correspond to one display such as a smartphone. In order to form a thin thickness, the mask 100 may be formed by electroforming. The mask 100 may be an invar having a thermal expansion coefficient of about 1.0 × 10 −6 / ° C. and a super invar material having about 1.0 × 10 −7 / ° C. Since the mask 100 of this material has a very low coefficient of thermal expansion, there is little possibility that the pattern shape of the mask is deformed by thermal energy, and thus, the mask 100 may be used as a fine metal mask (FMM) or a shadow mask in high-resolution OLED manufacturing. In addition, in consideration of the recent development of techniques for performing the pixel deposition process in a range where the temperature change is not large, the mask 100 has a slightly larger thermal expansion coefficient than that of nickel (Ni) and nickel-cobalt (Ni-Co). It may be a material such as). The mask may have a thickness of about 2 μm to 50 μm.

프레임(200)은 복수의 마스크(100)를 접착시킬 수 있도록 형성된다. 프레임(200)은 최외곽 테두리를 포함해 제1 방향(예를 들어, 가로 방향), 제2 방향(예를 들어, 세로 방향)으로 형성되는 여러 모서리를 포함할 수 있다. 이러한 여러 모서리들은 프레임(200) 상에 마스크(100)가 접착될 구역을 구획할 수 있다.The frame 200 is formed to bond the plurality of masks 100. The frame 200 may include various edges formed in a first direction (eg, a horizontal direction) and a second direction (eg, a vertical direction) including an outermost edge. These various corners may define the area to which the mask 100 is to be bonded on the frame 200.

프레임(200)은 대략 사각 형상, 사각틀 형상의 테두리 프레임부(210)를 포함할 수 있다. 테두리 프레임부(210)의 내부는 중공 형태일 수 있다. 즉, 테두리 프레임부(210)는 중공 영역(R)을 포함할 수 있다. 프레임(200)은 인바, 슈퍼인바, 알루미늄, 티타늄 등의 금속 재질로 구성될 수 있으며, 열변형을 고려하여 마스크와 동일한 열팽창계수를 가지는 인바, 슈퍼 인바, 니켈, 니켈-코발트 등의 재질로 구성되는 것이 바람직하고, 이 재질들은 프레임(200)의 구성요소인 테두리 프레임부(210), 마스크 셀 시트부(220)에 모두 적용될 수 있다.The frame 200 may include an edge frame portion 210 having a substantially rectangular shape and a rectangular frame shape. The inside of the frame frame 210 may be hollow. That is, the frame frame 210 may include a hollow region (R). The frame 200 may be made of a metal material such as Invar, Super Invar, Aluminum, Titanium, etc., and may be made of Inbar, Super Invar, Nickel, or Nickel-Cobalt having the same thermal expansion coefficient as a mask in consideration of thermal deformation. Preferably, the materials may be applied to both the edge frame portion 210 and the mask cell sheet portion 220 which are components of the frame 200.

이에 더하여, 프레임(200)은 복수의 마스크 셀 영역(CR)을 구비하며, 테두리 프레임부(210)에 연결되는 마스크 셀 시트부(220)를 포함할 수 있다. 마스크 셀 시트부(220)는 마스크(100)와 마찬가지로 전주도금으로 형성되거나, 그 외의 막 형성 공정을 사용하여 형성될 수 있다. 또한, 마스크 셀 시트부(220)는 평면의 시트(sheet)에 레이저 스크라이빙, 에칭 등을 통해 복수의 마스크 셀 영역(CR)을 형성한 후, 테두리 프레임부(210)에 연결할 수 있다. 또는, 마스크 셀 시트부(220)는 평면의 시트를 테두리 프레임부(210)에 연결한 후, 레이저 스크라이빙, 에칭 등을 통해 복수의 마스크 셀 영역(CR)을 형성할 수 있다. 본 명세서에서는 마스크 셀 시트부(220)에 먼저 복수의 마스크 셀 영역(CR)을 형성한 후, 테두리 프레임부(210)에 연결한 것을 주로 상정하여 설명한다.In addition, the frame 200 may include a plurality of mask cell regions CR and may include a mask cell sheet portion 220 connected to the edge frame portion 210. Like the mask 100, the mask cell sheet part 220 may be formed by electroplating or may be formed using another film forming process. In addition, the mask cell sheet part 220 may be connected to the edge frame part 210 after forming a plurality of mask cell areas CR through laser scribing, etching, etc. on a flat sheet. Alternatively, the mask cell sheet unit 220 may form a plurality of mask cell regions CR through laser scribing, etching, etc. after connecting the planar sheet to the edge frame unit 210. In the present specification, a plurality of mask cell regions CR are first formed in the mask cell sheet part 220, and then the main parts of the mask cell sheet part 220 are connected to the edge frame part 210.

마스크 셀 시트부(220)는 테두리 시트부(221) 및 제1, 2 그리드 시트부(223, 225) 중 적어도 하나를 포함하여 구성될 수 있다. 테두리 시트부(221) 및 제1, 2 그리드 시트부(223, 225)는 동일한 시트에서 구획된 각 부분을 지칭하며, 이들은 상호간에 일체로 형성된다.The mask cell sheet unit 220 may include at least one of the edge sheet unit 221 and the first and second grid sheet units 223 and 225. The edge sheet portion 221 and the first and second grid sheet portions 223 and 225 refer to respective portions partitioned from the same sheet, which are integrally formed with each other.

테두리 시트부(221)가 실질적으로 테두리 프레임부(210)에 연결될 수 있다. 따라서, 테두리 시트부(221)는 테두리 프레임부(210)와 대응하는 대략 사각 형상, 사각틀 형상을 가질 수 있다.The edge sheet portion 221 may be substantially connected to the edge frame portion 210. Accordingly, the edge sheet part 221 may have a substantially rectangular shape and a rectangular frame shape corresponding to the edge frame part 210.

또한, 제1 그리드 시트부(223)는 제1 방향(가로 방향)으로 연장 형성될 수 있다. 제1 그리드 시트부(223)는 직선 형태로 형성되어 양단이 테두리 시트부(221)에 연결될 수 있다. 마스크 셀 시트부(220)가 복수의 제1 그리드 시트부(223)를 포함하는 경우, 각각의 제1 그리드 시트부(223)는 동등한 간격을 이루는 것이 바람직하다.In addition, the first grid sheet part 223 may extend in a first direction (horizontal direction). The first grid sheet part 223 may be formed in a straight line shape and both ends thereof may be connected to the edge sheet part 221. When the mask cell sheet portion 220 includes a plurality of first grid sheet portions 223, each of the first grid sheet portions 223 may be equally spaced apart.

또한, 이에 더하여, 제2 그리드 시트부(225)가 제2 방향(세로 방향)으로 연장 형성될 수 있다. 제2 그리드 시트부(225)는 직선 형태로 형성되어 양단이 테두리 시트부(221)에 연결될 수 있다. 제1 그리드 시트부(223)와 제2 그리드 시트부(225)는 서로 수직 교차될 수 있다. 마스크 셀 시트부(220)가 복수의 제2 그리드 시트부(225)를 포함하는 경우, 각각의 제2 그리드 시트부(225)는 동등한 간격을 이루는 것이 바람직하다.In addition, in addition, the second grid sheet part 225 may be formed to extend in a second direction (vertical direction). The second grid sheet part 225 may be formed in a straight line shape and both ends thereof may be connected to the edge sheet part 221. The first grid sheet part 223 and the second grid sheet part 225 may vertically cross each other. When the mask cell sheet portion 220 includes a plurality of second grid sheet portions 225, each of the second grid sheet portions 225 may be equally spaced apart.

한편, 제1 그리드 시트부(223)들 간의 간격과, 제2 그리드 시트부(225)들 간의 간격은 마스크 셀(C)의 크기에 따라서 동일하거나 상이할 수 있다.Meanwhile, the spacing between the first grid sheet portions 223 and the spacing between the second grid sheet portions 225 may be the same or different according to the size of the mask cell C. FIG.

제1 그리드 시트부(223) 및 제2 그리드 시트부(225)는 박막 형태의 얇은 두께를 가지지만, 길이 방향에 수직하는 단면의 형상은 직사각형, 평행사변형과 같은 사각형 형상, 삼각형 형상 등일 수 있고, 변, 모서리 부분이 일부 라운딩 될 수도 있다. 단면 형상은 레이저 스크라이빙, 에칭 등의 과정에서 조절 가능하다.The first grid sheet portion 223 and the second grid sheet portion 225 have a thin thickness in the form of a thin film, but the shape of the cross section perpendicular to the longitudinal direction may be a rectangle, a square shape such as a parallelogram, a triangular shape, or the like. The edges, edges and corners may be partially rounded. The cross-sectional shape is adjustable in the process of laser scribing, etching and the like.

테두리 프레임부(210)의 두께는 마스크 셀 시트부(220)의 두께보다 두꺼울 수 있다. 테두리 프레임부(210)는 프레임(200)의 전체 강성을 담당하기 때문에 수mm 내지 수cm의 두께로 형성될 수 있다.The thickness of the edge frame portion 210 may be thicker than the thickness of the mask cell sheet portion 220. The edge frame part 210 may be formed to a thickness of several mm to several cm because it is responsible for the overall rigidity of the frame 200.

마스크 셀 시트부(220)의 경우는, 실질적으로 두꺼운 시트를 제조하는 공정이 어렵고, 너무 두꺼우면 OLED 화소 증착 공정에서 유기물 소스(600)[도 17 참조]가 마스크(100)를 통과하는 경로를 막는 문제를 발생시킬 수 있다. 반대로, 두께가 너무 얇아지면 마스크(100)를 지지할 정도의 강성 확보가 어려울 수 있다. 이에 따라, 마스크 셀 시트부(220)는 테두리 프레임부(210)의 두께보다는 얇지만, 마스크(100)보다는 두꺼운 것이 바람직하다. 마스크 셀 시트부(220)의 두께는, 약 0.1mm 내지 1mm 정도로 형성될 수 있다. 그리고, 제1, 2 그리드 시트부(223, 225)의 폭은 약 1~5mm 정도로 형성될 수 있다.In the case of the mask cell sheet part 220, a process of manufacturing a substantially thick sheet is difficult, and if the thickness is too thick, a path through which the organic source 600 (see FIG. 17) passes through the mask 100 in the OLED pixel deposition process. This can cause problems. On the contrary, if the thickness is too thin, it may be difficult to secure rigidity enough to support the mask 100. Accordingly, the mask cell sheet portion 220 is thinner than the thickness of the edge frame portion 210, but preferably thicker than the mask 100. The mask cell sheet part 220 may have a thickness of about 0.1 mm to about 1 mm. In addition, the widths of the first and second grid sheet parts 223 and 225 may be formed to about 1 to 5 mm.

평면의 시트에서 테두리 시트부(221), 제1, 2 그리드 시트부(223, 225)가 점유하는 영역을 제외하여, 복수의 마스크 셀 영역(CR: CR11~CR56)이 제공될 수 있다. 다른 관점에서, 마스크 셀 영역(CR)이라 함은, 테두리 프레임부(210)의 중공 영역(R)에서 테두리 시트부(221), 제1, 2 그리드 시트부(223, 225)가 점유하는 영역을 제외한, 빈 영역을 의미할 수 있다.A plurality of mask cell areas CR: CR11 to CR56 may be provided except for an area occupied by the edge sheet part 221 and the first and second grid sheet parts 223 and 225 in the planar sheet. In another aspect, the mask cell region CR is a region occupied by the edge sheet portion 221 and the first and second grid sheet portions 223 and 225 in the hollow region R of the edge frame portion 210. Except for, it may mean an empty area.

이 마스크 셀 영역(CR)에 마스크(100)의 셀(C)이 대응됨에 따라, 실질적으로 마스크 패턴(P)을 통해 OLED의 화소가 증착되는 통로로 이용될 수 있게 된다. 전술하였듯이 하나의 마스크 셀(C)은 스마트폰 등의 디스플레이 하나에 대응한다. 하나의 마스크(100)에는 하나의 셀(C)을 구성하는 마스크 패턴(P)들이 형성될 수 있다. 또는, 하나의 마스크(100)가 복수의 셀(C)을 구비하고 각각의 셀(C)이 프레임(200)의 각각의 셀 영역(CR)에 대응할 수도 있으나, 마스크(100)의 명확한 정렬을 위해서는 대면적 마스크(100)를 지양할 필요가 있고, 하나의 셀(C)을 구비하는 소면적 마스크(100)가 바람직하다. 또는, 프레임(200)의 하나의 셀 영역(CR)에 복수의 셀(C)을 가지는 하나의 마스크(100)가 대응할 수도 있다. 이 경우, 명확한 정렬을 위해서는 2-3개 정도의 소수의 셀(C)을 가지는 마스크(100)를 대응하는 것을 고려할 수 있다.As the cell C of the mask 100 corresponds to the mask cell region CR, the mask C may be used as a passage through which the pixels of the OLED are deposited through the mask pattern P. FIG. As described above, one mask cell C corresponds to one display such as a smartphone. Mask patterns P that form one cell C may be formed in one mask 100. Alternatively, one mask 100 may include a plurality of cells C and each cell C may correspond to each cell region CR of the frame 200. It is necessary to avoid the large area mask 100, and the small area mask 100 provided with one cell C is preferable. Alternatively, one mask 100 having a plurality of cells C may correspond to one cell region CR of the frame 200. In this case, for the sake of clear alignment, it may be considered to correspond to the mask 100 having a few cells C of about 2-3.

프레임(200)은 복수의 마스크 셀 영역(CR)을 구비하고, 각각의 마스크(100)는 각각 하나의 마스크 셀(C)이 마스크 셀 영역(CR)에 대응되도록 접착될 수 있다.The frame 200 may include a plurality of mask cell regions CR, and each mask 100 may be bonded such that one mask cell C corresponds to the mask cell region CR.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크(100)를 나타내는 개략도이다.6 is a schematic diagram illustrating a mask 100 according to an embodiment of the present invention.

각각의 마스크(100)는 복수의 마스크 패턴(P)이 형성된 마스크 셀(C) 및 마스크 셀(C) 주변의 더미[셀(C)을 제외한 마스크 막(110) 부분에 대응]를 포함할 수 있다. 더미는 마스크 막(110)만을 포함하거나, 마스크 패턴(P)과 유사한 형태의 소정의 더미 패턴이 형성된 마스크 막(110)을 포함할 수 있다. 마스크 셀(C)은 프레임(200)의 마스크 셀 영역(CR)에 대응하고, 더미의 일부 또는 전부가 프레임(200)[마스크 셀 시트부(220)]에 접착될 수 있다. 이에 따라, 마스크(100)와 프레임(200)이 일체형 구조를 이룰 수 있게 된다.Each mask 100 may include a mask cell C on which a plurality of mask patterns P are formed and a dummy (corresponding to a portion of the mask film 110 except for the cell C) around the mask cell C. have. The dummy may include only the mask film 110 or the mask film 110 having a predetermined dummy pattern having a similar shape to the mask pattern P. FIG. The mask cell C may correspond to the mask cell region CR of the frame 200, and part or all of the dummy may be adhered to the frame 200 (mask cell sheet portion 220). Accordingly, the mask 100 and the frame 200 may form an integrated structure.

한편, 다른 실시예에 따르면, 프레임은 테두리 프레임부(210)에 마스크 셀 시트부(220)를 접착하여 제조하지 않고, 테두리 프레임부(210)의 중공 영역(R) 부분에 테두리 프레임부(210)와 일체인 그리드 프레임[그리드 시트부(223, 225)에 대응]을 곧바로 형성한 프레임을 사용할 수도 있다. 이러한 형태의 프레임도 적어도 하나의 마스크 셀 영역(CR)을 포함하며, 마스크 셀 영역(CR)에 마스크(100)를 대응시켜 프레임 일체형 마스크를 제조할 수 있게 된다.On the other hand, according to another embodiment, the frame is not manufactured by adhering the mask cell sheet portion 220 to the edge frame portion 210, the frame frame portion 210 in the hollow region (R) portion of the edge frame portion 210 ), A frame in which a grid frame (corresponding to the grid sheet portions 223 and 225) which is integral with the frame) is formed immediately. The frame of this type also includes at least one mask cell region CR, and the mask integrated region may be manufactured by corresponding the mask 100 to the mask cell region CR.

이하에서는, 마스크(100)를 제조하는 과정에 대해 설명한다.Hereinafter, a process of manufacturing the mask 100 will be described.

도 7은 종래의 마스크의 제조 과정을 나타내는 개략도이다.7 is a schematic view showing a manufacturing process of a conventional mask.

도 7을 참조하면, 종래의 마스크의 제조 과정은, 습식 식각(wet etching)만으로 수행된다.Referring to FIG. 7, the manufacturing process of the conventional mask is performed only by wet etching.

먼저, 도 7의 (a)처럼 평면 도금막(110') 상에 패턴화된 포토레지스트(M)를 형성할 수 있다. 다음으로, 도 7의 (b)처럼 패턴화된 포토레지스트(M)의 사이 공간을 통하여 습식 식각(WE)을 수행한다. 습식 식각(WE) 후에 도금막(110')의 일부 공간이 관통되어 마스크 패턴(P')이 형성될 수 있다. 다음으로, 포토레지스트(M)를 세척하면 마스크 패턴(P')이 형성된 도금막(110'), 즉 마스크(100')의 제조를 완료할 수 있다.First, as shown in FIG. 7A, a patterned photoresist M may be formed on the planar plating layer 110 ′. Next, wet etching (WE) is performed through the space between the patterned photoresist (M) as shown in FIG. After wet etching WE, a portion of the plating layer 110 ′ may be penetrated to form a mask pattern P ′. Next, when the photoresist M is washed, the manufacturing of the plating film 110 ′, that is, the mask 100 ′ on which the mask pattern P ′ is formed, may be completed.

도 7의 (b)처럼, 종래의 마스크(100')는 마스크 패턴(P')들의 크기가 일정하지 않은 문제점이 있다. 습식 식각(WE)은 등방성으로 수행되기 때문에, 식각되는 형태는 대략 원호 형상을 나타내게 마련이다. 또한, 습식 식각(WE) 과정에서 각각의 부분에 식각되는 속도를 똑같이 수행하기는 매우 어렵기 때문에, 도금막(110')이 관통된 후에 관통된 패턴의 폭(R1', R1", R1"')은 각각 상이할 수 밖에 없다. 특히, 언더컷(undercut; UC)이 많이 발생한 패턴에서 마스크 패턴(P')의 하부 폭(R1")뿐만 아니라 상부 폭(R2")까지도 넓게 형성될 수 있고, 언더컷(UC)이 덜 발생한 패턴에서는 하부 폭(R1', R1"') 및 상부 폭(R2', R2"')이 상대적으로 좁게 형성될 수 있다.As shown in FIG. 7B, the size of the mask pattern P 'is not constant in the conventional mask 100 ′. Since wet etching (WE) is performed isotropically, the etched forms tend to exhibit an arc shape. In addition, since it is very difficult to perform the same etching rate on each part in the wet etching process, the widths R1 ', R1 ", and R1" of the penetrated pattern after the plating film 110' is penetrated. ') Is different from each other. Particularly, in the pattern in which the undercut UC is frequently generated, not only the lower width R1 ″ of the mask pattern P ′ but also the upper width R2 ″ may be widely formed, and in the pattern in which the undercut UC is less, The lower widths R1 'and R1 "' and the upper widths R2 'and R2"' may be relatively narrow.

결국, 종래의 마스크(100')는 각 마스크 패턴(P')들의 크기가 균일하지 않은 문제점이 있었다. 초고화질의 OLED의 경우, 현재 QHD 화질은 500~600 PPI(pixel per inch)로 화소의 크기가 약 30~50㎛에 이르며, 4K UHD, 8K UHD 고화질은 이보다 높은 ~860 PPI, ~1600 PPI 등의 해상도를 가지게 되므로, 사소한 크기 차이도 제품의 실패로 이어질 위험이 있다.As a result, the conventional mask 100 'has a problem in that the size of each mask pattern P' is not uniform. In the case of ultra-high-definition OLED, QHD image quality is 500 ~ 600 pixel per inch (PPI), and the pixel size is about 30 ~ 50㎛. As a result, the small size difference may lead to product failure.

따라서, 본 발명은 습식 식각을 2회 수행하여, 습식 식각 과정에서 절연 마스크의 패턴 정밀도를 향상시킨 것을 특징으로 한다.Accordingly, the present invention is characterized in that the wet etching is performed twice, thereby improving the pattern precision of the insulating mask during the wet etching process.

도 8 내지 도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크의 제조 과정을 나타내는 개략도이다.8 to 10 are schematic diagrams showing a manufacturing process of a mask according to an embodiment of the present invention.

도 8의 (a)를 참조하면, 먼저, 전도성 기재(50)[또는, 기재(50)]를 준비하고, 전도성 기재(50) 상에 전주도금으로 도금막(110)[또는, 마스크 금속막(110)]을 형성할 수 있다. 전도성 기재(50)는 전주도금에서 음극체(cathode body)로 사용될 수 있다. 기재(50)의 재질은 인바(Invar), 슈퍼 인바(Super Invar), Si, Ti, Cu, Ag, GaN, SiC, GaAs, GaP, AlN, InN, InP, Ge, Al2O3, 흑연(graphite), 그래핀(graphene) 등일 수 있다.Referring to FIG. 8A, first, the conductive substrate 50 (or the substrate 50) is prepared, and the plating film 110 (or the mask metal film) is electroplated on the conductive substrate 50. (110)] can be formed. The conductive substrate 50 may be used as a cathode body in electroplating. The material of the base material 50 is Invar, Super Invar, Si, Ti, Cu, Ag, GaN, SiC, GaAs, GaP, AlN, InN, InP, Ge, Al 2 O 3 , Graphite ( graphite, graphene, or the like.

한편, 메탈 기재의 경우에는 표면에 메탈 옥사이드들이 생성되어 있을 수 있고, 메탈 제조 과정에서 불순물이 유입될 수 있으며, 다결정 실리콘 기재의 경우에는 개재물 또는 결정립계(Grain Boundary)가 존재할 수 있으며, 전도성 고분자 기재의 경우에는 불순물이 함유될 가능성이 높고, 강도. 내산성 등이 취약할 수 있다. 이하에서는 메탈 옥사이드, 불순물, 개재물, 결정립계 등과 같이 음극체(50)의 표면에 전기장이 균일하게 형성되는 것을 방해하는 요소를 "결함"(Defect)으로 지칭한다. 결함(Defect)에 의해, 상술한 재질의 음극체에는 균일한 전기장이 인가되지 못하여 도금막(110)의 일부가 불균일하게 형성될 수 있다.Meanwhile, in the case of the metal substrate, metal oxides may be generated on the surface, impurities may be introduced during the metal manufacturing process, and in the case of the polycrystalline silicon substrate, inclusions or grain boundaries may exist, and the conductive polymer substrate may be present. In the case of impurity is likely to contain, strength. Acid resistance may be weak. Hereinafter, elements that prevent the electric field from being uniformly formed on the surface of the negative electrode body 50, such as metal oxides, impurities, inclusions, grain boundaries, etc., are referred to as "defects." Due to a defect, a uniform electric field may not be applied to the cathode body of the material described above, and thus a part of the plating film 110 may be formed unevenly.

UHD 급 이상의 초고화질 화소를 구현하는데 있어서 도금막(110) 및 도금막 패턴(P)의 불균일은 화소의 형성에 악영향을 미칠 수 있다. 예를 들어, 현재 QHD 화질의 경우는 500~600 PPI(pixel per inch)로 화소의 크기가 약 30~50㎛에 이르며, 4K UHD, 8K UHD 고화질의 경우는 이보다 높은 ~860 PPI, ~1600 PPI 등의 해상도를 가지게 된다. VR 기기에 직접 적용되는 마이크로 디스플레이, 또는 VR 기기에 끼워서 사용되는 마이크로 디스플레이는 약 2,000 PPI 이상급의 초고화질을 목표로 하고 있고, 화소의 크기는 약 5~10㎛ 정도에 이르게 된다. 이에 적용되는 FMM, 새도우 마스크의 패턴 폭은 수~수십㎛의 크기, 바람직하게는 30㎛보다 작은 크기로 형성될 수 있으므로, 수㎛ 크기의 결함조차 마스크의 패턴 사이즈에서 큰 비중을 차지할 정도의 크기이다.In realizing an ultra-high definition pixel of UHD level or higher, unevenness of the plating layer 110 and the plating layer pattern P may adversely affect the formation of the pixel. For example, QHD image quality is 500 ~ 600 pixel per inch (PPI), and the size of pixels is about 30 ~ 50㎛. For 4K UHD and 8K UHD high definition, it is higher than 860 PPI and ~ 1600 PPI. Have the same resolution. The micro display applied directly to the VR device, or the micro display used in the VR device, aims at an ultra high resolution of about 2,000 PPI or more, and the size of the pixel reaches about 5 to 10 μm. The pattern width of the FMM and shadow mask applied to this may be formed in a size of several to several tens of micrometers, preferably smaller than 30 micrometers, so that even a defect having a size of several micrometers occupies a large proportion in the pattern size of the mask. to be.

또한, 상술한 재질의 음극체에서의 결함을 제거하기 위해서는 메탈 옥사이드, 불순물 등을 제거하기 위한 추가적인 공정이 수행될 수 있으며, 이 과정에서 음극체 재료가 식각되는 등의 또 다른 결함이 유발될 수도 있다.In addition, an additional process for removing metal oxides, impurities, and the like may be performed to remove the defects in the cathode material of the above-described material, and another defect such as etching of the anode material may be caused in this process. have.

이에 따라, 본 발명의 음극체의 전도성 기재(50)는 단결정 재질의 기재를 사용할 수 있다. 전도성 기재(50)는 단결정 실리콘 재질인 것이 바람직하다. 전도성을 가지도록, 기재(50)는 1019 이상의 고농도 도핑이 수행될 수 있다. 도핑은 기재(50)의 전체에 수행될 수도 있으며, 기재(50)의 표면 부분에만 수행될 수도 있다.Accordingly, the conductive base 50 of the negative electrode body of the present invention may use a single crystal base material. The conductive substrate 50 is preferably made of a single crystal silicon material. In order to have conductivity, the substrate 50 may be subjected to high concentration doping of 10 19 or more. Doping may be performed on the entirety of the substrate 50, or only on the surface portion of the substrate 50.

한편, 단결정 재질로는, Ti, Cu, Ag 등의 금속, GaN, SiC, GaAs, GaP, AlN, InN, InP, Ge 등의 반도체, 흑연(graphite), 그래핀(graphene) 등의 탄소계 재질, CH3NH3PbCl3, CH3NH3PbBr3, CH3NH3PbI3, SrTiO3 등을 포함하는 페로브스카이트(perovskite) 구조 등의 초전도체용 단결정 세라믹, 항공기 부품용 단결정 초내열합금 등이 사용될 수 있다. 금속, 탄소계 재질의 경우는 기본적으로 전도성 재질이다. 반도체 재질의 경우에는, 전도성을 가지도록 1019 이상의 고농도 도핑이 수행될 수 있다. 기타 재질의 경우에는 도핑을 수행하거나 산소 공공(oxygen vacancy) 등을 형성하여 전도성을 형성할 수 있다.On the other hand, the single crystal material is a metal such as Ti, Cu, Ag, carbon-based materials such as semiconductors such as GaN, SiC, GaAs, GaP, AlN, InN, InP, Ge, graphite, graphene , CH 3 NH 3 PbCl 3, CH 3 NH 3 PbBr 3, CH 3 NH 3 PbI 3, SrTiO 3 , etc. page containing the perovskite (perovskite) superconductor single crystalline ceramic, aircraft single crystal second heat-resistant alloy for components for such structures And the like can be used. Metal and carbon-based materials are basically conductive materials. In the case of a semiconductor material, high concentration doping of 10 19 or more may be performed to have conductivity. In the case of other materials, conductivity may be formed by performing doping or forming oxygen vacancies.

단결정 재질의 경우는 결함이 없기 때문에, 전주 도금 시에 표면 전부에서 균일한 전기장 형성으로 인한 균일한 도금막(110)이 생성될 수 있는 이점이 있다. 균일한 도금막(110)을 통해 제조하는 FMM(100)은 OLED 화소의 화질 수준을 더욱 개선할 수 있다. 그리고, 결함을 제거, 해소하는 추가 공정이 수행될 필요가 없으므로, 공정비용이 감축되고, 생산성이 향상되는 이점이 있다.In the case of a single crystal material, since there is no defect, there is an advantage that a uniform plating film 110 may be generated due to the formation of a uniform electric field on all surfaces during electroplating. The FMM 100 manufactured through the uniform plating layer 110 may further improve the image quality level of the OLED pixel. In addition, since an additional process of removing and eliminating defects does not have to be performed, there is an advantage in that process costs are reduced and productivity is improved.

양극체(Anode Body, 미도시)는 음극체(50)와 대향하도록 소정 간격 이격 설치되고, 음극체(50)에 대응하는 일측이 평평한 평판 형상 등을 가지며, 도금액 내에 양극체의 전체가 침지될 수 있다. 양극체는 티타늄(Ti), 이리듐(Ir), 루테늄(Ru) 등과 같은 불용성 재료로 구성될 수 있다. 음극체(50)와 양극체는 수cm 정도로 이격 설치될 수 있다.The anode body (not shown) is provided to be spaced apart from the cathode body 50 by a predetermined interval, and one side corresponding to the cathode body 50 has a flat plate shape or the like, and the whole of the anode body may be immersed in the plating solution. Can be. The positive electrode may be made of an insoluble material such as titanium (Ti), iridium (Ir), ruthenium (Ru), or the like. The negative electrode body 50 and the positive electrode body may be spaced apart by about several centimeters.

전원공급부(미도시)는 음극체(50)와 양극체에 전기 도금에 필요한 전류를 공급할 수 있다. 전원공급부의 (-) 단자는 음극체(50), (+) 단자는 양극체에 연결될 수 있다.The power supply unit (not shown) may supply a current required for electroplating to the cathode body 50 and the anode body. The negative terminal of the power supply unit may be connected to the negative electrode body 50, and the positive terminal may be connected to the positive electrode body.

한편, 전주 도금으로 도금막(110)을 형성한 후, 도금막(110)에 열처리를 수행할 수 있다. 전주 도금막(110)의 열팽창계수를 낮춤과 전주 도금막(110)의 열에 의한 변형을 방지하기 위해, 음극체(50)[전도성 기재(50)] 상에 도금막(110)이 부착된 상태에서 열처리(H)를 수행할 수 있다. 열처리는 300℃ 내지 800℃의 온도로 수행할 수 있다[도 10 참조].Meanwhile, after the plating film 110 is formed by electroplating, the plating film 110 may be heat treated. In order to lower the coefficient of thermal expansion of the electroplating film 110 and to prevent deformation due to heat of the electroplating film 110, the plated film 110 is attached on the cathode body 50 (conductive base 50). Heat treatment (H) may be performed at. Heat treatment may be carried out at a temperature of 300 ℃ to 800 ℃ (see FIG. 10).

일반적으로 압연으로 생성한 인바 박판에 비해, 전주 도금으로 생성한 인바 박판이 열팽창계수가 높다. 그리하여 인바 박판에 열처리를 수행함으로써 열팽창계수를 낮출 수 있는데, 이 열처리 과정에서 인바 박판에 약간의 변형이 생길 수 있다. 따라서, 전도성 기재(50)와 도금막(110)이 접착된 상태에서 열처리를 수행하면, 열처리로 인한 미세한 변형을 방지할 수 있는 이점이 있다.In general, the Invar thin plate produced by electroplating has a higher coefficient of thermal expansion as compared to the Invar thin plate produced by rolling. Thus, by performing heat treatment on the Invar thin plate, the coefficient of thermal expansion can be lowered. In this heat treatment, slight deformation may occur in the Invar thin plate. Therefore, when the heat treatment is performed in a state in which the conductive substrate 50 and the plating film 110 are adhered to each other, there is an advantage of preventing the minute deformation due to the heat treatment.

도 13은 본 발명의 일 실시 예에 따른 열처리 후의 마스크의 열팽창계수(coefficient of expansion, CTE)를 나타내는 그래프이다. 80 X 200mm의 샘플에 대해서, 300℃, 350℃, 400℃, 450℃, 500℃, 550℃, 800℃의 7가지의 온도 구간에서 열처리를 수행한 인바 박판의 열팽창계수를 측정하였다. 도 13의 (a)는 상온(25℃)에서 약 240℃까지 온도를 올리면서 각 샘플의 열팽창계수를 측정한 결과를 나타내고, 도 13의 (b)는 약 240℃에서 상온(25℃)까지 온도를 하강하면서 각 샘플의 열팽창계수를 측정한 결과를 나타낸다. 도 13의 (a) 및 도 13의 (b)를 참조하면, 열처리 온도에 따라 전주 도금으로 생성한 인바박판[또는, 도금막(110)]의 열팽창계수가 변화하며, 특히, 800℃의 열처리에서 가장 열팽창계수가 낮게 나타남을 확인할 수 있다.FIG. 13 is a graph illustrating a coefficient of expansion (CTE) of a mask after heat treatment according to an embodiment of the present invention. For the samples of 80 × 200 mm, the thermal expansion coefficient of the Invar thin plate was heat-treated in seven temperature ranges of 300 ° C., 350 ° C., 400 ° C., 450 ° C., 500 ° C., 550 ° C. and 800 ° C. Figure 13 (a) shows the result of measuring the thermal expansion coefficient of each sample while raising the temperature from room temperature (25 ℃) to about 240 ℃, Figure 13 (b) is from about 240 ℃ to room temperature (25 ℃) The result of measuring the coefficient of thermal expansion of each sample is shown while decreasing temperature. Referring to FIGS. 13A and 13B, the coefficient of thermal expansion of the Invar thin plate (or the plated film 110) produced by electroplating is changed according to the heat treatment temperature, and in particular, the heat treatment at 800 ° C. It can be seen that the coefficient of thermal expansion is lowest at.

따라서, 도금막(110)의 열팽창계수를 더 낮춤에 따라, ㎛ 스케일의 패턴(P)의 변형을 방지하고, 초고화질의 OLED 화소를 증착할 수 있는 마스크(100)를 제조할 수 있는 이점이 있다.Therefore, as the thermal expansion coefficient of the plating film 110 is further lowered, there is an advantage in that a mask 100 capable of preventing deformation of the pattern P having a micrometer scale and depositing an ultra-high definition OLED pixel can be manufactured. have.

다음으로, 도 8의 (b)를 참조하면, 도금막(110)의 일면(상면) 상에 패턴화된 제1 절연부(M1)를 형성할 수 있다. 제1 절연부(M1)는 프린팅 법 등을 이용하여 포토레지스트 재질로 형성할 수 있다. 절연부(M)를 형성하기 전에 도금막(110)[또는, 마스크 금속막(110)]과 전도성 기재(50)[또는, 기재(50)]를 분리할 수도 있다.Next, referring to FIG. 8B, a patterned first insulating portion M1 may be formed on one surface (upper surface) of the plating film 110. The first insulating portion M1 may be formed of a photoresist material using a printing method or the like. The plating film 110 (or the mask metal film 110) and the conductive substrate 50 (or the substrate 50) may be separated before the insulating portion M is formed.

다음으로, 도 8의 (c)를 참조하면, 도금막(110)[또는, 마스크 금속막(110)]의 일면(상면)에서 습식 식각(WE1)으로 소정 깊이만큼 제1 마스크 패턴(P1)을 형성할 수 있다. 습식 식각(WE1)을 수행할 때, 도금막(110)이 관통되지 않도록 해야한다. 그리하여, 제1 마스크 패턴(P1)은 도금막(110)을 관통하지는 않고 대략 원호 형상으로 형성될 수 있다. 즉, 제1 마스크 패턴(P1)의 깊이 값은 도금막(110)의 두께보다는 적을 수 있다.Next, referring to FIG. 8C, the first mask pattern P1 is formed by wet etching WE1 from one surface (upper surface) of the plating film 110 (or the mask metal film 110) by a predetermined depth. Can be formed. When performing wet etching WE1, the plating film 110 should not be penetrated. Thus, the first mask pattern P1 may be formed in a substantially arc shape without penetrating the plating film 110. That is, the depth value of the first mask pattern P1 may be smaller than the thickness of the plating film 110.

습식 식각(WE1)은 등방성 식각 특성을 가지기 때문에, 제1 마스크 패턴(P1)의 폭(R2)은 제1 절연부(M1)의 패턴 사이 간격(R3)과 동일한 폭을 가지지 않고, 제1 절연부(M1)의 패턴 사이 간격(R3)보다 넓은 폭을 가질 수 있다. 다시 말해, 제1 절연부(M1)의 양측 하부에 언더컷(undercut, UC)이 형성되므로, 제1 마스크 패턴(P1)의 폭(R2)은 제1 절연부(M1)의 패턴 사이 간격(R3)보다는 언더컷(UC)이 형성된 폭만큼 더 클 수 있다.Since the wet etching WE1 has an isotropic etching characteristic, the width R2 of the first mask pattern P1 does not have the same width as the gap R3 between the patterns of the first insulation portion M1, and the first insulation. It may have a wider width than the gap R3 between the patterns of the portion M1. In other words, since undercuts UC are formed under both sides of the first insulation portion M1, the width R2 of the first mask pattern P1 is equal to the interval R3 between the patterns of the first insulation portion M1. The undercut UC may be larger than the width formed.

다음으로, 도 9의 (d)를 참조하면, 도금막(110)의 일면(상면) 상에 제2 절연부(M2)를 형성할 수 있다. 제2 절연부(M2)는 프린팅 법 등을 이용하여 포토레지스트 재질로 형성할 수 있다. 제2 절연부(M2)는 후술할 언더컷(UC)이 형성되는 공간에 남겨야 하기 때문에, 포지티브 타입의 포토레지스트 재질인 것이 바람직하다.Next, referring to FIG. 9D, the second insulating portion M2 may be formed on one surface (upper surface) of the plating film 110. The second insulating portion M2 may be formed of a photoresist material by using a printing method or the like. Since the second insulation portion M2 should be left in the space where the undercut UC, which will be described later, is formed, it is preferable that the second insulation portion M2 is a positive photoresist material.

도금막(110)의 일면(상면) 상에 제2 절연부(M2)가 형성되므로, 일부는 제1 절연부(M1) 상에 형성되고, 일부는 제1 마스크 패턴(P1) 내에 채워질 수 있다.Since the second insulation portion M2 is formed on one surface (upper surface) of the plating film 110, a portion may be formed on the first insulation portion M1, and a portion may be filled in the first mask pattern P1. .

다음으로, 도 9의 (e)를 참조하면, 도금막(110)의 일면(상면) 상에서 노광(L)을 수행할 수 있다. 제1 절연부(M1)의 상부에서 노광(L) 시에 제1 절연부(M1)는 노광 마스크로 작용할 수 있다. 그리하여, 제1 절연부(M1)의 수직 하부에 위치한 제2 절연부(M2')는 노광(L)되지 않을 수 있고, 나머지 절연부(M2)는 노광(L)될 수 있다.Next, referring to FIG. 9E, the exposure L may be performed on one surface (upper surface) of the plating film 110. The first insulating portion M1 may serve as an exposure mask during the exposure L on the upper portion of the first insulating portion M1. Thus, the second insulation portion M2 ′ positioned below the vertical portion of the first insulation portion M1 may not be exposed (L), and the remaining insulation portion M2 may be exposed (L).

다음으로, 도 9의 (f)를 참조하면, 노광(L) 후 현상하면, 노광(L)되지 않은 제2 절연부(M2')의 부분은 남고, 나머지 제2 절연부(M2)는 제거될 수 있다. 제2 절연부(M2)는 포지티브 타입의 포토레지스트이므로, 노광(L)된 부분이 제거될 수 있다. 제2 절연부(M2')가 남는 공간은 제1 절연부(M1)의 양측 하부에 언더컷(UC)이 형성[도 8의 (c) 단계 참조]되는 공간에 대응할 수 있다.Next, referring to FIG. 9F, when developing after exposure L, a portion of the second insulation portion M2 ′ that is not exposed L remains, and the remaining second insulation portion M2 is removed. Can be. Since the second insulating portion M2 is a positive type photoresist, the exposed portion L may be removed. The space in which the second insulation portion M2 ′ remains may correspond to a space in which undercuts UC are formed in both lower portions of the first insulation portion M1 (see step (c) of FIG. 8).

다음으로, 도 10의 (g)를 참조하면, 도금막(110)의 제1 마스크 패턴(P1) 상에 습식 식각(WE2)을 수행할 수 있다. 습식 식각액은 제1 절연부(M1)의 패턴 사이 공간 및 제1 마스크 패턴(P1) 공간으로 침투하여 습식 식각(WE2)을 수행할 수 있다. 제2 마스크 패턴(P2)은 도금막(110)을 관통하여 형성될 수 있다. 즉, 제1 마스크 패턴(P1)의 하단에서부터 도금막(110)의 타면을 관통하여 형성될 수 있다.Next, referring to FIG. 10G, wet etching WE2 may be performed on the first mask pattern P1 of the plating layer 110. The wet etching solution may penetrate into the space between the patterns of the first insulating portion M1 and the space of the first mask pattern P1 to perform wet etching WE2. The second mask pattern P2 may be formed through the plating film 110. That is, it may be formed through the other surface of the plating film 110 from the lower end of the first mask pattern (P1).

이때, 제1 마스크 패턴(P1)에는 제2 절연부(M2')가 남아 있다. 남아 있는 제2 절연부(M2')는 식각액을 마스킹하기 때문에, 제2 마스크 패턴(P2)은 제1 절연부(M1)의 패턴 사이 간격(R3)에 대해서 습식 식각(WE2)을 수행한 것이나 마찬가지이게 된다. 따라서, 제2 마스크 패턴(P2)의 폭(R1)은 제1 마스크 패턴(P1)의 폭(R2)보다 좁게 형성될 수 있다. 제2 마스크 패턴(P2)의 폭은 화소의 폭을 규정하기 때문에, 제2 마스크 패턴(P2)의 폭은 35㎛보다는 작은 것이 바람직하다. 또한, 제2 마스크 패턴(P2)의 두께가 너무 두꺼우면, 제2 마스크 패턴(P2)의 폭(R1)을 제어하기 어렵고 폭(R1)들의 균일성이 낮아지며, 마스크 패턴(P)의 형상이 전체적으로 테이퍼/역테이퍼 형상으로 나타나지 않는 문제가 발생할 수 있으므로, 제2 마스크 패턴(P2)의 두께는 제1 마스크 패턴(P1)의 두께보다 작은 것이 바람직하다. 제2 마스크 패턴(P2)의 두께는 가급적 0에 가까운 것이 바람직하며, 화소의 크기를 고려하면, 예를 들어, 제2 마스크 패턴(P2)의 두께는 약 0.5 내지 3.0 ㎛인 것이 바람직하고, 0.5 내지 2.0 ㎛ 인 것이 더 바람직하다.At this time, the second insulating portion M2 ′ remains in the first mask pattern P1. Since the remaining second insulating portion M2 ′ masks the etchant, the second mask pattern P2 performs wet etching WE2 with respect to the gap R3 between the patterns of the first insulating portion M1. The same is true. Therefore, the width R1 of the second mask pattern P2 may be smaller than the width R2 of the first mask pattern P1. Since the width of the second mask pattern P2 defines the width of the pixel, the width of the second mask pattern P2 is preferably smaller than 35 μm. In addition, when the thickness of the second mask pattern P2 is too thick, it is difficult to control the width R1 of the second mask pattern P2 and the uniformity of the widths R1 may be lowered, and the shape of the mask pattern P may be reduced. Since a problem of not appearing in a taper / reverse taper shape as a whole may occur, the thickness of the second mask pattern P2 is preferably smaller than the thickness of the first mask pattern P1. Preferably, the thickness of the second mask pattern P2 is as close to 0 as possible, and considering the size of the pixel, for example, the thickness of the second mask pattern P2 is preferably about 0.5 to 3.0 μm, and 0.5 More preferably, it is 2.0 micrometers.

이어진 제1 마스크 패턴(P1)과 제2 마스크 패턴(P2)의 형상의 합이 마스크 패턴(P)을 구성할 수 있다.The sum of the shapes of the subsequent first mask pattern P1 and the second mask pattern P2 may constitute the mask pattern P. FIG.

다음으로, 도 10의 (h)를 참조하면, 제1 절연부(M1) 및 제2 절연부(M2)를 제거하여 마스크(100)의 제조를 완료할 수 있다. 제1, 2 마스크 패턴(P1)은 기울어진 면을 포함하여 형성되고, 제2 마스크 패턴(P2)의 높이는 매우 낮게 형성되므로, 제1 마스크 패턴(P1)과 제2 마스크 패턴(P2)의 형상을 합하면, 전체적으로 테이퍼 형상 또는 역테이퍼 형상을 나타낼 수 있다.Next, referring to FIG. 10 (h), the manufacture of the mask 100 may be completed by removing the first insulation portion M1 and the second insulation portion M2. Since the first and second mask patterns P1 are formed to include inclined surfaces, and the heights of the second mask patterns P2 are very low, the shapes of the first mask pattern P1 and the second mask pattern P2 are formed. When summed up, the total taper shape or the reverse taper shape can be obtained.

도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 마스크의 제조 과정을 나타내는 개략도이다.11 is a schematic diagram showing a manufacturing process of a mask according to another embodiment of the present invention.

먼저, 도 8의 (a) 내지 (c) 단계를 수행할 수 있다. 이는 상술하였으므로 구체적인 설명은 생략한다.First, steps (a) to (c) of FIG. 8 may be performed. Since this is described above, a detailed description thereof will be omitted.

다음으로, 도 11의 (d)를 참조하면, 제1 절연부(M1)에 열(H)을 가하여 제1 절연부(M1)를 리플로우(reflow)할 수 있다. 제1 절연부(M1)에만 국부적으로 열(H)을 가하는 것이 바람직하지만, 이에 제한되지는 않고 전체 부분에 열을 가하여 제1 절연부(M1)에도 열(H)이 인가되도록 할 수 있다.Next, referring to FIG. 11D, heat H may be applied to the first insulation portion M1 to reflow the first insulation portion M1. Although it is preferable to apply heat H locally only to the first insulation part M1, heat is applied to the first insulation part M1 by applying heat to the entire portion, without being limited thereto.

다음으로, 도 11의 (e)를 참조하면, 제1 절연부(M1)가 리플로우(reflow)되면서 도금막(110)에 의해 지지되지 않는, 제1 마스크 패턴(P1)의 수직 상부에 위치하는 제1 절연부(M1)가 아래로 흐를 수 있다. 다시 말해, 제1 절연부의 일부(M1')가 수직 하부에 위치한 제1 마스크 패턴(P1) 공간의 일부(양측)으로 리플로우 될 수 있다. 리플로우된 제1 절연부의 일부(M1')가 제1 마스크 패턴(P1) 공간에서 차지하는 부분은 도 9 (f)의 제2 절연부(M2')의 부분과 중첩될 수 있다. 제1 절연부의 일부(M1')가 제1 마스크 패턴(P1)의 일부를 채우고, 제1 마스크 패턴(P1)이 노출되는 폭은 원래 제1 절연부(M1)의 패턴 사이 간격(R3)과 동일할 수 있다.Next, referring to FIG. 11E, the first insulating portion M1 is reflowed and is not supported by the plating film 110 to be positioned on the vertical upper portion of the first mask pattern P1. The first insulating portion M1 may flow downward. In other words, a portion M1 ′ of the first insulation portion may be reflowed into a portion (both sides) of the space of the first mask pattern P1 positioned below the vertical portion. A portion of the reflowed first insulating portion M1 ′ occupies the space of the first mask pattern P1 may overlap with a portion of the second insulating portion M2 ′ of FIG. 9 (f). A portion M1 ′ of the first insulation portion fills a portion of the first mask pattern P1, and a width at which the first mask pattern P1 is exposed is substantially equal to a gap R3 between the patterns of the first insulation portion M1. May be the same.

다음으로, 도 11의 (f)를 참조하면, 도금막(110)의 제1 마스크 패턴(P1) 상에 습식 식각(WE2)을 수행할 수 있다. 습식 식각액은 제1 마스크 패턴(P1)의 일부(양측)으로 리플로우된 제1 절연부(M1')의 사이 공간으로 침투하여 습식 식각(WE2)을 수행할 수 있다. 제2 마스크 패턴(P2)은 도금막(110)을 관통하여 형성될 수 있다. 즉, 제1 마스크 패턴(P1)의 하단에서부터 도금막(110)의 타면을 관통하여 형성될 수 있다.Next, referring to FIG. 11F, wet etching WE2 may be performed on the first mask pattern P1 of the plating layer 110. The wet etchant may penetrate into a space between the first insulating portions M1 ′ reflowed into a portion (both sides) of the first mask pattern P1 to perform wet etching WE2. The second mask pattern P2 may be formed through the plating film 110. That is, it may be formed through the other surface of the plating film 110 from the lower end of the first mask pattern (P1).

이때, 제1 마스크 패턴(P1)에는 리플로우된 제1 절연부(M1')가 남아 있어 식각액을 마스킹하고, 리플로우된 제1 절연부(M1')의 사이 간격은 R3이기 때문에, 제2 마스크 패턴(P2)은 제1 절연부(M1)의 패턴 사이 간격(R3)에 대해서 습식 식각(WE2)을 수행한 것이나 마찬가지이게 된다. 따라서, 제2 마스크 패턴(P2)의 폭(R1)은 제1 마스크 패턴(P1)의 폭(R2)보다 좁게 형성될 수 있다. 제2 마스크 패턴(P2)의 폭은 화소의 폭을 규정하기 때문에, 제2 마스크 패턴(P2)의 폭은 35㎛보다는 작은 것이 바람직하다. 또한, 제2 마스크 패턴(P2)의 두께가 너무 두꺼우면, 제2 마스크 패턴(P2)의 폭(R1)을 제어하기 어렵고 폭(R1)들의 균일성이 낮아지며, 마스크 패턴(P)의 형상이 전체적으로 테이퍼/역테이퍼 형상으로 나타나지 않는 문제가 발생할 수 있으므로, 제2 마스크 패턴(P2)의 두께는 제1 마스크 패턴(P1)의 두께보다 작은 것이 바람직하다. 제2 마스크 패턴(P2)의 두께는 가급적 0에 가까운 것이 바람직하며, 화소의 크기를 고려하면, 예를 들어, 제2 마스크 패턴(P2)의 두께는 약 0.5 내지 3.0 ㎛인 것이 바람직하고, 0.5 내지 2.0 ㎛ 인 것이 더 바람직하다.In this case, since the reflowed first insulating portion M1 ′ remains in the first mask pattern P1 to mask the etchant, and the interval between the reflowed first insulating portions M1 ′ is R3, the second mask portion P1 may be a second insulating layer. The mask pattern P2 may be the same as performing wet etching WE2 with respect to the gap R3 between the patterns of the first insulating portion M1. Therefore, the width R1 of the second mask pattern P2 may be smaller than the width R2 of the first mask pattern P1. Since the width of the second mask pattern P2 defines the width of the pixel, the width of the second mask pattern P2 is preferably smaller than 35 μm. In addition, when the thickness of the second mask pattern P2 is too thick, it is difficult to control the width R1 of the second mask pattern P2 and the uniformity of the widths R1 may be lowered, and the shape of the mask pattern P may be reduced. Since a problem of not appearing in a taper / reverse taper shape as a whole may occur, the thickness of the second mask pattern P2 is preferably smaller than the thickness of the first mask pattern P1. Preferably, the thickness of the second mask pattern P2 is as close to 0 as possible, and considering the size of the pixel, for example, the thickness of the second mask pattern P2 is preferably about 0.5 to 3.0 μm, and 0.5 More preferably, it is 2.0 micrometers.

이어진 제1 마스크 패턴(P1)과 제2 마스크 패턴(P2)의 형상의 합이 마스크 패턴(P)을 구성할 수 있다.The sum of the shapes of the subsequent first mask pattern P1 and the second mask pattern P2 may constitute the mask pattern P. FIG.

다음으로, 도 11의 (g)를 참조하면, 제1 절연부(M1) 및 리플로우된 제1 절연부(M1')를 제거하여 마스크(100)의 제조를 완료할 수 있다. 제1, 2 마스크 패턴(P1)은 기울어진 면을 포함하여 형성되고, 제2 마스크 패턴(P2)의 높이는 매우 낮게 형성되므로, 제1 마스크 패턴(P1)과 제2 마스크 패턴(P2)의 형상을 합하면, 전체적으로 테이퍼 형상 또는 역테이퍼 형상을 나타낼 수 있다.Next, referring to FIG. 11G, the manufacture of the mask 100 may be completed by removing the first insulating portion M1 and the reflowed first insulating portion M1 ′. Since the first and second mask patterns P1 are formed to include inclined surfaces, and the heights of the second mask patterns P2 are very low, the shapes of the first mask pattern P1 and the second mask pattern P2 are formed. When summed up, the total taper shape or the reverse taper shape can be obtained.

위와 같이, 본 발명은 마스크 제조 방법은 습식 식각을 2회 수행함에 따라, 마스크 패턴(P)을 원하는 크기로 형성할 수 있는 효과가 있다. 특히, 일부 제2 절연부(M2')를 남겨두거나, 제1 절연부를 리플로우(M1')함에 따라, 2번째 습식 식각은 1번째 습식보다 얇은 폭 및 얇은 두께에 대해 행해지기 때문에, 제2 마스크 패턴(P2)의 폭(R1)을 제어하기 용이한 이점이 있다. 게다가, 습식 식각으로 기울어진 면을 형성할 수 있기 때문에, 새도우 이펙트를 방지하는 마스크 패턴(P)을 구현할 수 있게 된다.As described above, the mask manufacturing method according to the present invention has the effect of forming the mask pattern P to a desired size by performing wet etching twice. In particular, since the second wet etching is performed for a width and a thinner thickness than the first wet, as the second insulation M2 'is left or the first insulation is reflowed M1', the second insulation is performed. There is an advantage that it is easy to control the width R1 of the mask pattern P2. In addition, since the inclined surface can be formed by wet etching, the mask pattern P which prevents the shadow effect can be realized.

도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 테이퍼 각도(a1, a2) 조절을 나타내는 개략도이다.Figure 12 is a schematic diagram showing the adjustment of the taper angle (a1, a2) according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 마스크 제조 방법은 제1, 2 마스크 패턴(P1, P2)이 구성하는 마스크 패턴(P)이 테이퍼 각도를 형성하기 유리한 이점이 있다. 또한, 테이퍼 각도(a1, a2)를 조절하기 용이한 효과가 있다. 도 12의 (a)를 참조하면, 제2 마스크 패턴(P2)의 두께(T1)가 얇아지면, 테이퍼 각도(a1)가 커질 수 있다. 다시 말해, 제1 마스크 패턴(P1)의 두께가 두껍고, 제2 마스크 패턴(P2)의 두께(T1)가 얇아지면, 등방성 습식 식각(R1 반경으로 나타냄)이 수행되는 결과, 테이퍼 각도(a1)가 커질 수 있다. 반대로, 도 12의 (b)를 참조하면, 제2 마스크 패턴(P2)의 두께(T2)가 두꺼워지면, 테이퍼 각도(a2)가 작아질 수 있다. 다시 말해, 도 12의 (a)의 경우보다 제1 마스크 패턴(P1)의 두께가 얇고, 제2 마스크 패턴(P2)의 두께(T2)가 두꺼워지면, 등방성 습식 식각(R1 반경으로 나타냄)이 수행되는 결과, 테이퍼 각도(a2)가 커질 수 있다. 이에 따라, 제2 마스크 패턴(P2)의 두께를 조절하여 테이퍼 각도(a1, a2)를 조절할 수 있는 이점이 있다.The mask manufacturing method of this invention has the advantage that the mask pattern P comprised by the 1st, 2nd mask patterns P1 and P2 forms a taper angle. In addition, there is an effect that it is easy to adjust the taper angles a1 and a2. Referring to FIG. 12A, when the thickness T1 of the second mask pattern P2 becomes thin, the taper angle a1 may increase. In other words, when the thickness of the first mask pattern P1 is thick and the thickness T1 of the second mask pattern P2 is thin, as a result of performing isotropic wet etching (represented by R1 radius), the taper angle a1 becomes Can be large. On the contrary, referring to FIG. 12B, when the thickness T2 of the second mask pattern P2 becomes thick, the taper angle a2 may be reduced. In other words, when the thickness of the first mask pattern P1 is thinner than the case of FIG. 12A and the thickness T2 of the second mask pattern P2 is thick, the isotropic wet etching (represented by R1 radius) is performed. As a result, the taper angle a2 can be increased. Accordingly, the taper angles a1 and a2 may be adjusted by adjusting the thickness of the second mask pattern P2.

이하에서는, 본 발명의 프레임 일체형 마스크를 제조하는 과정을 더 설명한다.Hereinafter, the process of manufacturing the frame-integrated mask of the present invention will be further described.

먼저, 도 4 및 도 5에서 상술한 프레임(200)을 제공할 수 있다. 중공 영역(R)을 포함한 사각 틀 형상의 테두리 프레임부(210)를 제공할 수 있다.First, the frame 200 described above with reference to FIGS. 4 and 5 may be provided. An edge frame portion 210 having a rectangular frame shape including the hollow region R may be provided.

다음으로, 마스크 셀 시트부(220)를 제조한다. 마스크 셀 시트부(220)는 전주도금 또는 그 외의 막 형성 공정을 사용하여 평면의 시트를 제조한 후, 레이저 스크라이빙, 에칭 등을 통해 마스크 셀 영역(CR) 부분을 제거함에 따라 제조할 수 있다. 본 명세서에서는 6 X 5의 마스크 셀 영역(CR: CR11~CR56)을 형성한 것을 예로 들어 설명한다. 5개의 제1 그리드 시트부(223) 및 4개의 제2 그리드 시트부(225)가 존재할 수 있다.Next, the mask cell sheet part 220 is manufactured. The mask cell sheet unit 220 may be manufactured by fabricating a flat sheet using pre-plating or other film forming process, and then removing the mask cell region CR through laser scribing or etching. have. In the present specification, a description is given taking an example of forming a 6 × 5 mask cell region (CR: CR11 to CR56). There may be five first grid sheet portions 223 and four second grid sheet portions 225.

다음으로, 마스크 셀 시트부(220)를 테두리 프레임부(210)에 대응할 수 있다. 대응시키는 과정에서, 마스크 셀 시트부(220)의 모든 측을 인장(F1~F4)하여 마스크 셀 시트부(220)를 평평하게 편 상태로 테두리 시트부(221)를 테두리 프레임부(210)에 대응할 수 있다. 한 측에서도 여러 포인트[도 6의 (b)의 예로, 1~3포인트]로 마스크 셀 시트부(220)를 잡고 인장할 수 있다. 한편, 모든 측이 아니라, 일부 측 방향을 따라 마스크 셀 시트부(220)를 인장(F1, F2) 할 수도 있다.Next, the mask cell sheet part 220 may correspond to the edge frame part 210. In the corresponding process, all the sides of the mask cell sheet part 220 are stretched (F1 to F4), and the edge sheet part 221 is connected to the edge frame part 210 while the mask cell sheet part 220 is flattened. It can respond. On one side, the mask cell sheet part 220 may be grasped and tensioned at various points (for example, 1 to 3 points in FIG. 6B). On the other hand, the mask cell sheet portion 220 may be stretched (F1, F2) not in all sides but in some lateral direction.

다음으로, 마스크 셀 시트부(220)를 테두리 프레임부(210)에 대응하면, 마스크 셀 시트부(220)의 테두리 시트부(221)를 용접(W)하여 접착할 수 있다. 마스크 셀 시트부(220)가 테두리 프레임부(220)에 견고하게 접착될 수 있도록, 모든 측을 용접(W)하는 것이 바람직하다. 용접(W)은 테두리 프레임부(210)의 모서리쪽에 최대한 가깝게 수행하여야 테두리 프레임부(210)와 마스크 셀 시트부(220) 사이의 들뜬 공간을 최대한 줄이고 밀착성을 높일 수 있게 된다. 용접(W) 부분은 라인(line) 또는 스팟(spot) 형태로 생성될 수 있으며, 마스크 셀 시트부(220)와 동일한 재질을 가지고 테두리 프레임부(210)와 마스크 셀 시트부(220)를 일체로 연결하는 매개체가 될 수 있다.Next, when the mask cell sheet part 220 corresponds to the border frame part 210, the edge sheet part 221 of the mask cell sheet part 220 may be welded (W) and bonded. It is preferable to weld (W) all sides so that the mask cell sheet portion 220 can be firmly adhered to the edge frame portion 220. Welding (W) should be performed as close as possible to the edge of the edge frame portion 210 as much as possible to reduce the excited space between the edge frame portion 210 and the mask cell sheet portion 220 as much as possible to increase the adhesion. The welding (W) portion may be generated in a line or spot form, and may have the same material as the mask cell sheet portion 220 and integrate the edge frame portion 210 and the mask cell sheet portion 220. It can be a medium to connect to.

한편, 평면의 시트를 테두리 프레임부(210)에 접착한 후에, 마스크 셀 영역(CR) 부분을 레이저 스크라이빙, 에칭 등을 통해 제거하여 마스크 셀 시트부(220)를 구성할 수도 있다. Meanwhile, after the planar sheet is adhered to the edge frame portion 210, the mask cell sheet portion 220 may be formed by removing the mask cell region CR through laser scribing or etching.

도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크(100)를 프레임(200)의 셀 영역(CR)에 대응시키는 상태를 나타내는 개략도이다. 이하에서는, 본 발명의 실시예에 따라, 제조된 프레임(200)에 마스크(100)를 접착하는 일련의 과정에 대해서 설명한다.14 is a schematic diagram illustrating a state in which the mask 100 according to an embodiment of the present invention corresponds to the cell region CR of the frame 200. Hereinafter, according to an embodiment of the present invention, a series of processes for bonding the mask 100 to the manufactured frame 200 will be described.

다음으로, 도 14를 참조하면, 마스크(100)를 프레임(200)의 하나의 마스크 셀 영역(CR)에 대응할 수 있다. 본 발명은 마스크(100)를 프레임(200)의 마스크 셀 영역(CR)에 대응하는 과정에서, 마스크(100)에 어떠한 인장력도 가하지 않을 수 있다.Next, referring to FIG. 14, the mask 100 may correspond to one mask cell region CR of the frame 200. The present invention may not apply any tensile force to the mask 100 while the mask 100 corresponds to the mask cell region CR of the frame 200.

프레임(200)의 마스크 셀 시트부(220)는 얇은 두께를 가지기 때문에, 마스크(100)에 인장력이 가해진 채로 마스크 셀 시트부(220)에 접착이 되면, 마스크(100)에 잔존하는 인장력이 마스크 셀 시트부(220) 및 마스크 셀 영역(CR)에 작용하게 되어 이들을 변형시킬 수도 있다. 따라서, 마스크(100)에 인장력을 가하지 않은 채로 마스크 셀 시트부(220)에 마스크(100)의 접착을 수행해야 한다. 그리하여, 마스크(100)에 가해진 인장력이 반대로 프레임(200)에 장력(tension)으로 작용하여 프레임(200)[또는, 마스크 셀 시트부(220)]을 변형시키는 것을 방지할 수 있게 된다.Since the mask cell sheet portion 220 of the frame 200 has a thin thickness, when the mask cell sheet portion 220 is bonded to the mask cell sheet portion 220 while the tensile force is applied to the mask 100, the tensile force remaining in the mask 100 is masked. The cell sheet 220 and the mask cell region CR may act on the cell sheet 220 and may be modified. Therefore, the mask 100 should be adhered to the mask cell sheet part 220 without applying a tensile force to the mask 100. Thus, it is possible to prevent the tensile force applied to the mask 100 from acting as a tension on the frame 200 to deform the frame 200 (or the mask cell sheet part 220).

다만, 마스크(100)에 인장력을 가하지 않고 프레임(200)[또는, 마스크 셀 시트부(220)]에 접착시켜 프레임 일체형 마스크를 제조하고, 이 프레임 일체형 마스크를 화소 증착 공정에 사용할 때 한가지 문제가 발생할 수 있다. 약 25~45 ℃ 정도에서 수행되는 화소 증착 공정에서 마스크(100)가 소정 길이만큼 열팽창 하는 것이다. 인바 재질의 마스크(100)라고 하더라도, 화소 증착 공정 분위기를 형성하기 위한 10℃ 정도의 온도 상승에 따라 약 1~3 ppm 만큼의 길이가 변할 수 있다. 예를 들어, 마스크(100)의 총 길이가 500 mm 경우, 약 5~15 ㎛만큼의 길이가 늘어날 수 있다. 그러면, 마스크(100)가 자중에 의해 쳐지거나, 프레임(200)에서 고정된 상태에서 늘어나 뒤틀리는 등의 변형을 일으키면서 패턴(P)들의 정렬 오차가 커지는 문제점이 발생하게 된다.However, there is one problem when the frame integrated mask is manufactured by adhering to the frame 200 (or the mask cell sheet part 220) without applying a tensile force to the mask 100, and using the frame integrated mask in a pixel deposition process. May occur. In the pixel deposition process performed at about 25 to 45 ° C., the mask 100 thermally expands by a predetermined length. Even in the mask 100 made of Invar, a length of about 1 to 3 ppm may be changed according to a temperature rise of about 10 ° C. for forming a pixel deposition process atmosphere. For example, when the total length of the mask 100 is 500 mm, the length of about 5 to 15 μm may be increased. Then, a problem arises in that the alignment error of the patterns P becomes large while causing deformation such as the mask 100 is struck by its own weight or stretched and twisted while being fixed in the frame 200.

따라서, 본 발명은 상온이 아닌 이보다 높은 온도 상에서, 마스크(100)에 인장력을 가하지 않은 채로, 프레임(200)의 마스크 셀 영역(CR)에 대응하고 접착할 수 있다. 본 명세서에서는 공정 영역의 온도를 제1 온도로 상승(ET)시킨 후에 마스크(100)를 프레임(200)에 대응하고 접착한다고 표현한다.Accordingly, the present invention may correspond to and adhere to the mask cell region CR of the frame 200 without applying a tensile force to the mask 100 at a temperature higher than the normal temperature. In the present specification, after the temperature of the process region is raised to the first temperature (ET), the mask 100 is expressed to correspond to and adhere to the frame 200.

"공정 영역"이라 함은 마스크(100), 프레임(200) 등의 구성 요소들이 위치하고, 마스크(100)의 접착 공정 등이 수행되는 공간을 의미할 수 있다. 공정 영역은 폐쇄된 챔버 내에 공간일 수도 있고, 개방된 공간일 수도 있다. 또한, "제1 온도"라 함은 프레임 일체형 마스크를 OLED 화소 증착 공정에 사용할 때, 화소 증착 공정 온도보다는 높거나 같은 온도를 의미할 수 있다. 화소 증착 공정 온도가 약 25~45℃인 것을 고려하면, 제1 온도는 약 25℃ 내지 60℃일 수 있다. 공정 영역의 온도 상승은, 챔버에 가열 수단을 설치하거나, 공정 영역 주변에 가열 수단을 설치하는 방법 등으로 수행할 수 있다.The “process area” may refer to a space in which components such as the mask 100 and the frame 200 are located and an adhesion process of the mask 100 is performed. The process region may be a space in a closed chamber or may be an open space. In addition, “first temperature” may mean a temperature that is higher than or equal to the pixel deposition process temperature when the frame integrated mask is used in the OLED pixel deposition process. Considering that the pixel deposition process temperature is about 25 ° C to 45 ° C, the first temperature may be about 25 ° C to 60 ° C. The temperature rise of the process region may be performed by providing a heating means in the chamber, or installing a heating means around the process region.

다시, 도 14를 참조하면, 마스크(100)를 마스크 셀 영역(CR)에 대응한 후에, 프레임(200)이 포함된 공정 영역의 온도를 제1 온도로 상승(ET)시킬 수 있다. 또는, 프레임(200)이 포함된 공정 영역의 온도를 제1 온도로 상승(ET)시킨 후에, 마스크(100)를 마스크 셀 영역(CR)에 대응시킬 수도 있다. 도면에는 하나의 마스크(100)만을 하나의 마스크 셀 영역(CR)에 대응시킨 것이 도시되어 있지만, 마스크 셀 영역(CR)마다 마스크(100)들을 대응시킨 후에 공정 영역의 온도를 제1 온도로 상승(ET)시킬 수도 있다.Referring back to FIG. 14, after the mask 100 corresponds to the mask cell region CR, the temperature of the process region including the frame 200 may be raised to the first temperature (ET). Alternatively, after the temperature ET of the process region including the frame 200 is raised to the first temperature, the mask 100 may correspond to the mask cell region CR. Although only one mask 100 corresponds to one mask cell region CR in the drawing, the temperature of the process region is increased to the first temperature after the masks 100 correspond to each mask cell region CR. (ET).

종래의 도 1의 마스크(10)는 셀 6개(C1~C6)를 포함하므로 긴 길이를 가지는데 반해, 본 발명의 마스크(100)는 셀 1개(C)를 포함하여 짧은 길이를 가지므로 PPA(pixel position accuracy)가 틀어지는 정도가 작아질 수 있다. 예를 들어, 복수의 셀(C1~C6, ...)들을 포함하는 마스크(10)의 길이가 1m이고, 1m 전체에서 10㎛의 PPA 오차가 발생한다고 가정하면, 본 발명의 마스크(100)는 상대적인 길이의 감축[셀(C) 개수 감축에 대응]에 따라 위 오차 범위를 1/n 할 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 마스크(100)의 길이가 100mm라면, 종래 마스크(10)의 1m에서 1/10로 감축된 길이를 가지므로, 100mm 길이의 전체에서 1㎛의 PPA 오차가 발생하게 되며, 정렬 오차가 현저히 감소하게 되는 효과가 있다.Since the mask 10 of FIG. 1 includes six cells C1 to C6, the mask 10 has a long length, whereas the mask 100 of the present invention has a short length including one cell C. The degree of distortion of the pixel position accuracy (PPA) can be reduced. For example, assuming that the length of the mask 10 including the plurality of cells C1 to C6, ... is 1 m, and a PPA error of 10 µm occurs in the entire 1 m, the mask 100 of the present invention May reduce the above error range by 1 / n according to the reduction of the relative length (corresponding to the reduction of the number of cells C). For example, if the length of the mask 100 of the present invention is 100mm, it has a length reduced to 1/10 at 1m of the conventional mask 10, the PPA error of 1㎛ occurs in the entire 100mm length As a result, the alignment error is significantly reduced.

한편, 마스크(100)가 복수의 셀(C)을 구비하고, 각각의 셀(C)이 프레임(200)의 각각의 셀 영역(CR)에 대응하여도 정렬 오차가 최소화되는 범위 내에서라면, 마스크(100)는 프레임(200)의 복수의 마스크 셀 영역(CR)에 대응할 수도 있다. 또는, 복수의 셀(C)을 가지는 마스크(100)가 하나의 마스크 셀 영역(CR)에 대응할 수도 있다. 이 경우에도, 정렬에 따른 공정 시간과 생산성을 고려하여, 마스크(100)는 가급적 적은 수의 셀(C)을 구비하는 것이 바람직하다.On the other hand, if the mask 100 is provided with a plurality of cells (C), each cell (C) corresponding to each cell region (CR) of the frame 200 within the range that the alignment error is minimized, The mask 100 may correspond to the plurality of mask cell regions CR of the frame 200. Alternatively, the mask 100 having the plurality of cells C may correspond to one mask cell region CR. Also in this case, in consideration of the process time and productivity according to the alignment, the mask 100 preferably has as few cells C as possible.

마스크(100)에 인장력을 가하지 않고, 마스크 셀 영역(CR)에 대응하도록 평평한 정도만 유지하면서, 현미경을 통해 실시간으로 정렬 상태를 확인할 수 있다. 본 발명의 경우는, 마스크(100)의 하나의 셀(C)을 대응시키고 정렬 상태를 확인하기만 하면 되므로, 복수의 셀(C: C1~C6)을 동시에 대응시키고 정렬 상태를 모두 확인하여야 하는 종래의 방법[도 2 참조]보다, 제조시간을 현저하게 감축시킬 수 있다.The alignment state may be confirmed in real time through a microscope while maintaining a flat degree to correspond to the mask cell region CR without applying a tensile force to the mask 100. In the case of the present invention, since only one cell C of the mask 100 needs to be corresponded and the alignment state is confirmed, the plurality of cells C: C1 to C6 must be simultaneously associated and the alignment state must be confirmed. In comparison with the conventional method (see Fig. 2), the production time can be significantly reduced.

즉, 본 발명의 프레임 일체형 마스크 제조 방법은, 6개의 마스크(100)에 포함되는 각각의 셀(C11~C16)을 각각 하나의 셀 영역(CR11~CR16)에 대응시키고 각각 정렬 상태를 확인하는 6번의 과정을 통해, 6개의 셀(C1~C6)을 동시에 대응시키고 6개 셀(C1~C6)의 정렬 상태를 동시에 모두 확인해야 하는 종래의 방법보다 훨씬 시간이 단축될 수 있다.That is, in the method of manufacturing a frame-integrated mask of the present invention, each cell C11 to C16 included in the six masks 100 corresponds to one cell region CR11 to CR16, respectively, and checks the alignment state. Through the process, the time can be much shorter than the conventional method of simultaneously matching six cells C1 to C6 and confirming the alignment of all six cells C1 to C6 at the same time.

또한, 본 발명의 프레임 일체형 마스크 제조 방법은, 30개의 셀 영역(CR: CR11~CR56)에 30개의 마스크(100)를 각각 대응시키고 정렬하는 30번의 과정에서의 제품 수득률이, 6개의 셀(C1~C6)을 각각 포함하는 5개의 마스크(10)[도 2의 (a) 참조]를 프레임(20)에 대응시키고 정렬하는 5번의 과정에서의 종래의 제품 수득률보다 훨씬 높게 나타날 수 있다. 한번에 6개씩의 셀(C)이 대응하는 영역에 6개의 셀(C1~C6)을 정렬하는 종래의 방법이 훨씬 번거롭고 어려운 작업이므로 제품 수율이 낮게 나타나는 것이다.In addition, in the method of manufacturing a frame-integrated mask of the present invention, the product yield in 30 processes of matching and aligning 30 masks 100 with 30 cell areas CR: CR11 to CR56 respectively is 6 cells (C1). 5 masks 10 (see FIG. 2A), each comprising ˜C6), may appear much higher than the conventional product yield in 5 steps of matching and aligning the frame 20. Since the conventional method of aligning six cells C1 to C6 in a region corresponding to six cells C at a time is a much more cumbersome and difficult task, product yield is low.

한편, 마스크(100)를 프레임(200)에 대응한 후, 프레임(200)에 소정의 접착제를 개재하여 마스크(100)를 임시로 고정할 수도 있다. 이후에, 마스크(100)의 접착 단계를 진행할 수 있다.Meanwhile, after the mask 100 corresponds to the frame 200, the mask 100 may be temporarily fixed to the frame 200 through a predetermined adhesive. Thereafter, the bonding step of the mask 100 may be performed.

도 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크(100)를 프레임(200)의 셀 영역(CR)에 대응하여 접착하는 과정을 나타내는 평면도[도 15의 (a)] 및 측단면도[도 15의 (b)]를 나타낸다.15 is a plan view (FIG. 15A) and a side cross-sectional view (FIG. 15A) illustrating a process of bonding the mask 100 corresponding to the cell region CR of the frame 200 according to an embodiment of the present invention. (b)].

다음으로, 도 15를 참조하면, 마스크(100)의 테두리의 일부 또는 전부를 프레임(200)에 접착할 수 있다. 접착은 용접(W)으로 수행될 수 있고, 바람직하게는 레이저 용접(W)으로 수행될 수 있다. 용접(W)된 부분은 마스크(100)/프레임(200)과 동일한 재질을 가지고 일체로 연결될 수 있다. Next, referring to FIG. 15, some or all of the edges of the mask 100 may be attached to the frame 200. The adhesion can be carried out by welding (W), preferably by laser welding (W). The welded portion W may be integrally connected with the same material as that of the mask 100 / frame 200.

레이저를 마스크(100)의 테두리 부분[또는, 더미]의 상부에 조사하면, 마스크(100)의 일부가 용융되어 프레임(200)과 용접(W)될 수 있다. 용접(W)은 프레임(200)의 모서리쪽에 최대한 가깝게 수행하여야 마스크(100)와 프레임(200) 사이의 들뜬 공간을 최대한 줄이고 밀착성을 높일 수 있게 된다. 용접(W) 부분은 라인(line) 또는 스팟(spot) 형태로 생성될 수 있으며, 마스크(100)와 동일한 재질을 가지고 마스크(100)와 프레임(200)을 일체로 연결하는 매개체가 될 수 있다.When the laser is irradiated to the upper portion of the edge portion (or the dummy) of the mask 100, a portion of the mask 100 may be melted and welded to the frame 200. Welding (W) should be performed as close as possible to the edge of the frame 200 as possible to reduce the excited space between the mask 100 and the frame 200 as much as possible to increase the adhesion. The welding (W) part may be generated in the form of a line or a spot, and may be a medium having the same material as the mask 100 and integrally connecting the mask 100 and the frame 200. .

제1 그리드 시트부(223)[또는, 제2 그리드 시트부(225)]의 상면에 두 개의 이웃하는 마스크(100)의 일 테두리가 각각 접착(W)된 형태가 나타난다. 제1 그리드 시트부(223)[또는, 제2 그리드 시트부(225)]의 폭, 두께는 약 1~5mm 정도로 형성될 수 있고, 제품 생산성 향상을 위해, 제1 그리드 시트부(223)[또는, 제2 그리드 시트부(225)]와 마스크(100)의 테두리가 겹치는 폭을 약 0.1~2.5mm 정도로 최대한 감축시킬 필요가 있다.One edges of two neighboring masks 100 are adhered to the top surface of the first grid sheet unit 223 (or the second grid sheet unit 225). The width and thickness of the first grid sheet portion 223 (or the second grid sheet portion 225) may be formed to about 1 to 5 mm, and to improve product productivity, the first grid sheet portion 223 [ Alternatively, it is necessary to reduce the width where the edges of the second grid sheet portion 225 and the mask 100 overlap with each other at about 0.1 to 2.5 mm.

용접(W) 방법은 마스크(100)를 프레임(200)에 접착하는 하나의 방법일 뿐이며, 이러한 실시예로 국한되지 않고 다양한 접착 방법을 사용할 수 있다.The welding (W) method is only one method of adhering the mask 100 to the frame 200, and various bonding methods may be used without being limited to this embodiment.

마스크(100)에 인장력을 가하지 않은 채로 마스크 셀 시트부(220) 상에 용접(W)을 수행하므로, 마스크 셀 시트부(220)[또는, 테두리 시트부(221), 제1, 2 그리드 시트부(223, 225)]에는 장력이 가해지지 않는다.Since welding (W) is performed on the mask cell sheet portion 220 without applying a tensile force to the mask 100, the mask cell sheet portion 220 (or the edge sheet portion 221, the first and second grid sheets) is formed. (223, 225) is not applied to the tension.

하나의 마스크(100)를 프레임(200)에 접착하는 공정을 완료하면, 나머지 마스크(100)들을 나머지 마스크 셀(C)에 순차적으로 대응시키고, 프레임(200)에 접착하는 과정을 반복할 수 있다. 이미 프레임(200)에 접착된 마스크(100)가 기준 위치를 제시할 수 있으므로, 나머지 마스크(100)들을 셀 영역(CR)에 순차적으로 대응시키고 정렬 상태를 확인하는 과정에서의 시간이 현저하게 감축될 수 있는 이점이 있다. 그리고, 하나의 마스크 셀 영역에 접착된 마스크(100)와 이에 이웃하는 마스크 셀 영역에 접착된 마스크(100) 사이의 PPA(pixel position accuracy)가 3㎛를 초과하지 않게 되어, 정렬이 명확한 초고화질 OLED 화소 형성용 마스크를 제공할 수 있는 이점이 있다.When the process of adhering one mask 100 to the frame 200 is completed, the remaining masks 100 may be sequentially corresponded to the remaining mask cells C, and the process of adhering to the frame 200 may be repeated. . Since the mask 100 already bonded to the frame 200 may present a reference position, the time required to sequentially match the remaining masks 100 to the cell region CR and to confirm the alignment state is significantly reduced. There is an advantage that can be. In addition, the pixel position accuracy (PPA) between the mask 100 adhered to one mask cell region and the mask 100 adhered to the mask cell region adjacent thereto does not exceed 3 μm, and the alignment is very high. There is an advantage that a mask for forming an OLED pixel can be provided.

도 16은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크(100)를 프레임(200)의 셀 영역(CR)에 접착한 후 공정 영역의 온도를 하강(LT)시키는 과정을 나타내는 평면도[도 16의 (a)] 및 측단면도[도 16의 (b)]이다.FIG. 16 is a plan view illustrating a process of lowering the temperature of the process region LT after attaching the mask 100 to the cell region CR of the frame 200 according to an embodiment of the present invention [FIG. )] And a side cross-sectional view (FIG. 16B).

다음으로, 도 16을 참조하면, 공정 영역의 온도를 제2 온도로 하강(LT)시킨다. "제2 온도"라 함은 제1 온도보다 낮은 온도를 의미할 수 있다. 제1 온도가 약 25℃ 내지 60℃인 것을 고려하면, 제2 온도는 제1 온도보다 낮은 것을 전제로 약 20℃ 내지 30℃일 수 있고, 바람직하게, 제2 온도는 상온일 수 있다. 공정 영역의 온도 하강은, 챔버에 냉각 수단을 설치하거나, 공정 영역 주변에 냉각 수단을 설치하는 방법, 상온으로 자연 냉각하는 방법 등으로 수행할 수 있다.Next, referring to FIG. 16, the temperature of the process region is lowered to the second temperature LT. The “second temperature” may mean a temperature lower than the first temperature. Considering that the first temperature is about 25 ° C. to 60 ° C., the second temperature may be about 20 ° C. to 30 ° C. provided that it is lower than the first temperature, and preferably, the second temperature may be room temperature. The temperature drop in the process region may be performed by providing a cooling means in the chamber, installing a cooling means around the process region, naturally cooling to room temperature, or the like.

공정 영역의 온도가 제2 온도로 하강(LT)되면, 마스크(100)는 소정 길이만큼 열수축 할 수 있다. 마스크(100)는 모든 측면 방향을 따라 등방성으로 열수축 할 수 있다. 다만, 마스크(100)는 프레임(200)[또는, 마스크 셀 시트부(220)]에 용접(W)으로 고정 연결되어 있으므로, 마스크(100)의 열수축은 주변의 마스크 셀 시트부(220)에 자체적으로 장력(TS)을 인가하게 된다. 마스크(100)의 자체적인 장력(TS) 인가에 의해 마스크(100)는 더욱 팽팽하게 프레임(200) 상에 접착될 수 있다.When the temperature of the process region is lowered to the second temperature LT, the mask 100 may heat shrink by a predetermined length. The mask 100 may be thermally contracted isotropically along all lateral directions. However, since the mask 100 is fixedly connected to the frame 200 (or the mask cell sheet part 220) by welding (W), thermal contraction of the mask 100 may be performed on the peripheral mask cell sheet part 220. The tension TS is applied by itself. By applying a tension (TS) of the mask 100, the mask 100 may be more tightly bonded onto the frame 200.

또한, 각각의 마스크(100)들이 모두 대응되는 마스크 셀 영역(CR) 상에 접착된 후에 공정 영역의 온도가 제2 온도로 하강(LT)되므로, 모든 마스크(100)들이 동시에 열수축을 일으키게 되어 프레임(200)이 변형되거나 패턴(P)들이 정렬 오차가 커지는 문제가 방지될 수 있다. 더 설명하면, 장력(TS)이 마스크 셀 시트부(220)에 인가된다고 해도, 복수의 마스크(100)들이 상호 반대방향으로 장력(TS)을 인가하기 때문에, 그 힘이 상쇄되어 마스크 셀 시트부(220)에는 변형이 일어나지 않게 된다. 예를 들어, CR11 셀 영역에 부착된 마스크(100)와 CR12 셀 영역에 부착된 마스크(100) 사이의 제1 그리드 시트부(223)는 CR11 셀 영역에 부착된 마스크(100)의 우측 방향으로 작용하는 장력(TS)과 CR12 셀 영역에 부착된 마스크(100)의 좌측 방향으로 작용하는 장력(TS)이 상쇄될 수 있다. 그리하여, 장력(TS)에 의한 프레임(200)[또는, 마스크 셀 시트부(220)]에는 변형이 최소화되어 마스크(100)[또는, 마스크 패턴(P)]의 정렬 오차가 최소화 될 수 있는 이점이 있다.In addition, since each of the masks 100 is bonded onto the corresponding mask cell region CR, the temperature of the process region is lowered to the second temperature (LT), so that all the masks 100 simultaneously cause thermal contraction. The problem that the 200 is deformed or the patterns P are large in alignment error can be prevented. In more detail, even when the tension TS is applied to the mask cell sheet part 220, since the plurality of masks 100 apply the tension TS in opposite directions, the force is canceled to the mask cell sheet part. Deformation does not occur at 220. For example, the first grid sheet portion 223 between the mask 100 attached to the CR11 cell region and the mask 100 attached to the CR12 cell region may move in the right direction of the mask 100 attached to the CR11 cell region. The acting tension TS and the acting tension TS acting toward the left side of the mask 100 attached to the CR12 cell region may be offset. Therefore, the deformation is minimized in the frame 200 (or the mask cell sheet part 220) due to the tension TS, thereby minimizing the alignment error of the mask 100 (or the mask pattern P). There is this.

도 17은 본 발명의 일 실시예에 따른 프레임 일체형 마스크(100, 200)를 이용한 OLED 화소 증착 장치(1000)를 나타내는 개략도이다.17 is a schematic diagram illustrating an OLED pixel deposition apparatus 1000 using frame-integrated masks 100 and 200 according to an embodiment of the present invention.

도 17을 참조하면, OLED 화소 증착 장치(1000)는, 마그넷(310)이 수용되고, 냉각수 라인(350)이 배설된 마그넷 플레이트(300)와, 마그넷 플레이트(300)의 하부로부터 유기물 소스(600)를 공급하는 증착 소스 공급부(500)를 포함한다.Referring to FIG. 17, the OLED pixel deposition apparatus 1000 includes a magnet plate 300 in which a magnet 310 is accommodated and a coolant line 350 is disposed, and an organic material source 600 from a lower portion of the magnet plate 300. And a deposition source supply unit (500) for supplying ().

마그넷 플레이트(300)와 소스 증착부(500) 사이에는 유기물 소스(600)가 증착되는 유리 등의 대상 기판(900)이 개재될 수 있다. 대상 기판(900)에는 유기물 소스(600)가 화소별로 증착되게 하는 프레임 일체형 마스크(100, 200)[또는, FMM]이 밀착되거나 매우 근접하도록 배치될 수 있다. 마그넷(310)이 자기장을 발생시키고 자기장에 의해 대상 기판(900)에 밀착될 수 있다.A target substrate 900 such as glass on which the organic source 600 is deposited may be interposed between the magnet plate 300 and the source deposition unit 500. The frame integrated masks 100 and 200 (or FMMs) for allowing the organic source 600 to be deposited pixel by pixel may be disposed on the target substrate 900 to be in close contact with or very close to each other. The magnet 310 may generate a magnetic field and may be in close contact with the target substrate 900 by the magnetic field.

증착 소스 공급부(500)는 좌우 경로를 왕복하며 유기물 소스(600)를 공급할 수 있고, 증착 소스 공급부(500)에서 공급되는 유기물 소스(600)들은 프레임 일체형 마스크(100, 200)에 형성된 패턴(P)을 통과하여 대상 기판(900)의 일측에 증착될 수 있다. 프레임 일체형 마스크(100, 200)의 패턴(P)을 통과한 증착된 유기물 소스(600)는 OLED의 화소(700)로서 작용할 수 있다.The deposition source supply unit 500 may supply the organic source 600 while reciprocating the left and right paths, and the organic source 600 supplied from the deposition source supply unit 500 may have patterns P formed in the frame integrated masks 100 and 200. ) May be deposited on one side of the target substrate 900. The deposited organic source 600 passing through the pattern P of the frame-integrated masks 100 and 200 may serve as the pixel 700 of the OLED.

새도우 이펙트(Shadow Effect)에 의한 화소(700)의 불균일 증착을 방지하기 위해, 마스크 패턴(P)은 경사지게 형성(S)[또는, 테이퍼 형상(S)으로 형성]될 수 있다. 경사진 면을 따라서 대각선 방향으로 패턴을 통과하는 유기물 소스(600)들도 화소(700)의 형성에 기여할 수 있으므로, 화소(700)는 전체적으로 두께가 균일하게 증착될 수 있다. 도 10에서 상술한 바와 같이, 마스크 패턴(P)의 경사진 면은 습식 식각으로 형성하고, 유기물 소스(600)가 최종적으로 통과하는 제2 마스크 패턴(P2)은 제2 절연부(M2') 사이의 폭(R3) 및 얇은 두께에 대해 습식 식각(WE2)으로 형성하므로, 제2 마스크 패턴(P2)의 크기에 맞게 화소(700)의 폭이 정의될 수 있다.In order to prevent uneven deposition of the pixel 700 by the shadow effect, the mask pattern P may be formed to be inclined S (or formed into a tapered shape S). Since the organic sources 600 passing through the pattern in the diagonal direction along the inclined surface may also contribute to the formation of the pixel 700, the pixel 700 may be uniformly deposited in overall thickness. As described above with reference to FIG. 10, the inclined surface of the mask pattern P is formed by wet etching, and the second mask pattern P2 through which the organic material source 600 finally passes may have a second insulating portion M2 ′. Since it is formed by wet etching WE2 with respect to the width R3 and the thin thickness therebetween, the width of the pixel 700 may be defined according to the size of the second mask pattern P2.

마스크(100)는 화소 증착 공정 온도보다 높은 제1 온도 상에서 프레임(200)에 접착 고정되므로, 화소 증착을 위한 공정 온도로 상승시킨다고 하더라도, 마스크 패턴(P)의 위치에는 영향이 거의 없게 되며, 마스크(100)와 이에 이웃하는 마스크(100) 사이의 PPA는 3㎛를 초과하지 않도록 유지될 수 있다.Since the mask 100 is adhesively fixed to the frame 200 at a first temperature higher than the pixel deposition process temperature, even if the mask 100 is raised to the process temperature for pixel deposition, the position of the mask pattern P is hardly affected. The PPA between the 100 and the neighboring mask 100 may be maintained not to exceed 3 μm.

본 발명은 상술한 바와 같이 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기 실시예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형과 변경이 가능하다. 그러한 변형예 및 변경예는 본 발명과 첨부된 특허청구범위의 범위 내에 속하는 것으로 보아야 한다.Although the present invention has been shown and described with reference to preferred embodiments as described above, it is not limited to the above embodiments and various modifications made by those skilled in the art without departing from the spirit of the present invention. Modifications and variations are possible. Such modifications and variations are intended to be within the scope of the invention and the appended claims.

50: 전도성 기재
100: 마스크
110: 마스크 막, 도금막
200: 프레임
210: 테두리 프레임부
220: 마스크 셀 시트부
221: 테두리 시트부
223: 제1 그리드 시트부
225: 제2 그리드 시트부
1000: OLED 화소 증착 장치
C: 셀, 마스크 셀
CR: 마스크 셀 영역
ET: 공정 영역의 온도를 제1 온도로 상승
LE: 레이저 식각 또는 건식 식각
LT: 공정 영역의 온도를 제2 온도로 하강
M1: 제1 절연부
M2: 제2 절연부
M2': 노광 후 남은 제2 절연부
R: 테두리 프레임부의 중공 영역
P: 마스크 패턴
P1: 제1 마스크 패턴
P2: 제2 마스크 패턴
W: 용접
WE1, WE2: 습식 식각50: conductive substrate
100: mask
110: mask film, plating film
200: frame
210: border frame portion
220: mask cell sheet portion
221: border sheet portion
223: first grid sheet portion
225: second grid sheet portion
1000: OLED pixel deposition device
C: cell, mask cell
CR: mask cell area
ET: raise the temperature of the process region to the first temperature
LE: laser etching or dry etching
LT: Lower the temperature of the process area to the second temperature
M1: first insulation
M2: second insulation
M2 ': second insulation remaining after exposure
R: Hollow area of the border frame portion
P: mask pattern
P1: first mask pattern
P2: second mask pattern
W: welding
WE1, WE2: wet etching

Claims (18)

(a) 마스크 금속막의 일면 상에 패턴화된 제1 절연부를 형성하는 단계;
(b) 마스크 금속막의 일면에서 습식 식각으로 소정 깊이만큼 제1 마스크 패턴을 형성하는 단계;
(c) 제1 마스크 패턴 내에 제2 절연부를 채우는 단계;
(d) 제1 절연부의 상부에서 노광하고, 제1 절연부의 수직 하부에 위치한 제2 절연부만 남기는 단계; 및
(e) 마스크 금속막의 일면에서 습식 식각으로 제1 마스크 패턴에서부터 마스크 금속막의 타면을 관통하는 제2 마스크 패턴을 형성하는 단계
를 포함하고,
제1 마스크 패턴의 두께가 제2 마스크 패턴의 두께보다 두꺼우며,
제1 마스크 패턴 및 제2 마스크 패턴의 형상의 합은 전체적으로 테이퍼 형상 또는 역테이퍼 형상을 나타내고,
제1 마스크 패턴 및 제2 마스크 패턴의 양측면은 오목한 곡률을 가지도록 형성되는, 마스크의 제조 방법.(a) forming a patterned first insulating portion on one surface of the mask metal film;
(b) forming a first mask pattern by wet etching on one surface of the mask metal film by a predetermined depth;
(c) filling the second insulating portion in the first mask pattern;
(d) exposing at the top of the first insulator and leaving only a second insulator located below the vertical insulator of the first insulator; And
(e) forming a second mask pattern penetrating the other surface of the mask metal film from the first mask pattern by wet etching on one surface of the mask metal film;
Including,
The thickness of the first mask pattern is thicker than the thickness of the second mask pattern,
The sum of the shapes of the first mask pattern and the second mask pattern represents a tapered shape or an inverse tapered shape as a whole.
Both side surfaces of the first mask pattern and the second mask pattern are formed to have a concave curvature. (a) 마스크 금속막의 일면 상에 패턴화된 제1 절연부를 형성하는 단계;
(b) 마스크 금속막의 일면에서 습식 식각으로 소정 깊이만큼 제1 마스크 패턴을 형성하는 단계;
(c) 제1 절연부에 열을 가하여 제1 절연부를 제1 마스크 패턴의 일부로 리플로우(reflow)하는 단계;
(d) 마스크 금속막의 일면에서 습식 식각으로 제1 마스크 패턴에서부터 마스크 금속막의 타면을 관통하는 제2 마스크 패턴을 형성하는 단계
를 포함하고,
제1 마스크 패턴의 두께가 제2 마스크 패턴의 두께보다 두꺼우며,
제1 마스크 패턴 및 제2 마스크 패턴의 형상의 합은 전체적으로 테이퍼 형상 또는 역테이퍼 형상을 나타내고,
제1 마스크 패턴 및 제2 마스크 패턴의 양측면은 오목한 곡률을 가지도록 형성되는, 마스크의 제조 방법.(a) forming a patterned first insulating portion on one surface of the mask metal film;
(b) forming a first mask pattern by wet etching on one surface of the mask metal film by a predetermined depth;
(c) reheating the first insulating portion as part of the first mask pattern by applying heat to the first insulating portion;
(d) forming a second mask pattern penetrating through the other surface of the mask metal film from the first mask pattern by wet etching on one surface of the mask metal film;
Including,
The thickness of the first mask pattern is thicker than the thickness of the second mask pattern,
The sum of the shapes of the first mask pattern and the second mask pattern represents a tapered shape or an inverse tapered shape as a whole.
Both side surfaces of the first mask pattern and the second mask pattern are formed to have a concave curvature. 제1항 또는 제2항에 있어서,
제1 마스크 패턴보다 제2 마스크 패턴의 폭이 좁은, 마스크의 제조 방법.The method according to claim 1 or 2,
The method of manufacturing a mask, wherein the width of the second mask pattern is narrower than that of the first mask pattern. 제1항 또는 제2항에 있어서,
제1 마스크 패턴의 소정 깊이의 값은 마스크 금속막의 두께보다 적은, 마스크의 제조 방법.The method according to claim 1 or 2,
The method of manufacturing a mask, wherein the value of the predetermined depth of the first mask pattern is smaller than the thickness of the mask metal film. 삭제delete 제1항 또는 제2항에 있어서,
(c) 단계에서,
제1 마스크 패턴은 제1 절연부의 패턴 사이 간격보다 넓은 폭을 가지도록 형성하는, 마스크의 제조 방법.The method according to claim 1 or 2,
in step (c),
The first mask pattern is formed to have a width wider than the interval between the patterns of the first insulating portion. 삭제delete 제2항에 있어서,
(c) 단계에서,
제1 절연부의 일부를 제1 절연부의 수직 하부에 위치한 제1 마스크 패턴의 부분으로 리플로우(reflow)하는, 마스크의 제조 방법.The method of claim 2,
in step (c),
And reflowing a portion of the first insulation portion to a portion of the first mask pattern located below the vertical portion of the first insulation portion. 제8항에 있어서,
(d) 단계에서, 제1 마스크 패턴의 부분으로 리플로우된 제1 절연부의 사이 공간에서 습식 식각이 수행되어 제2 마스크 패턴을 형성하는, 마스크의 제조 방법.The method of claim 8,
In step (d), wet etching is performed in a space between the first insulating portions reflowed into a portion of the first mask pattern to form a second mask pattern. 복수의 마스크 패턴이 형성된 OLED 화소 형성용 마스크로서,
마스크 패턴은, 상부의 제1 마스크 패턴; 및 하부의 제2 마스크 패턴을 포함하며,
제1 마스크 패턴의 두께가 제2 마스크 패턴의 두께보다 두껍고,
제1 마스크 패턴 및 제2 마스크 패턴의 형상의 합은 전체적으로 테이퍼 형상 또는 역테이퍼 형상을 나타내며,
제1 마스크 패턴 및 제2 마스크 패턴의 양측면은 오목한 곡률을 가지도록 형성되는, 마스크.An OLED pixel forming mask having a plurality of mask patterns formed thereon,
The mask pattern may include an upper first mask pattern; And a lower second mask pattern,
The thickness of the first mask pattern is thicker than the thickness of the second mask pattern,
The sum of the shapes of the first mask pattern and the second mask pattern represents a tapered shape or an inverse tapered shape as a whole.
Both side surfaces of the first mask pattern and the second mask pattern are formed to have a concave curvature. 제10항에 있어서,
제1 마스크 패턴보다 제2 마스크 패턴의 폭이 좁은, 마스크.The method of claim 10,
A mask, wherein the width of the second mask pattern is narrower than the first mask pattern. 제10항에 있어서,
제2 마스크 패턴의 폭은 적어도 35㎛보다 작은, 마스크.The method of claim 10,
The width of the second mask pattern is less than at least 35 μm. 삭제delete 제10항에 있어서,
제1 마스크 패턴의 상단 모서리에서 제2 마스크 패턴의 하단 모서리까지 이어지는 임의의 직선과 수평선이 이루는 각도가 테이퍼 각도를 이루는, 마스크.The method of claim 10,
Wherein the angle formed by any straight line and the horizontal line from the top edge of the first mask pattern to the bottom edge of the second mask pattern is a taper angle. 삭제delete 삭제delete 제10항에 있어서,
제1 마스크 패턴 및 제2 마스크 패턴의 양측면의 곡률은 동일한, 마스크.The method of claim 10,
The mask of both sides of a 1st mask pattern and a 2nd mask pattern is the same. 복수의 마스크와 마스크를 지지하는 프레임이 일체로 형성된 프레임 일체형 마스크로서,
프레임은,
중공 영역을 포함하는 테두리 프레임부;
복수의 마스크 셀 영역을 구비하며, 테두리 프레임부에 연결되는 마스크 셀 시트부
를 포함하고,
각각의 마스크는 마스크 셀 시트부의 상부에 연결되며,
마스크는 복수의 마스크 패턴이 형성되며,
마스크 패턴은, 상부의 제1 마스크 패턴; 및 하부의 제2 마스크 패턴을 포함하며,
제1 마스크 패턴의 두께가 제2 마스크 패턴의 두께보다 두껍고,
제1 마스크 패턴 및 제2 마스크 패턴의 형상의 합은 전체적으로 테이퍼 형상 또는 역테이퍼 형상을 나타내며,
제1 마스크 패턴 및 제2 마스크 패턴의 양측면은 오목한 곡률을 가지도록 형성되는, 프레임 일체형 마스크.A frame integrated mask in which a plurality of masks and a frame supporting the mask are integrally formed,
The frame is
An edge frame portion including a hollow region;
A mask cell sheet portion having a plurality of mask cell regions and connected to an edge frame portion
Including,
Each mask is connected to the top of the mask cell sheet portion,
The mask is formed with a plurality of mask patterns,
The mask pattern may include an upper first mask pattern; And a lower second mask pattern,
The thickness of the first mask pattern is thicker than the thickness of the second mask pattern,
The sum of the shapes of the first mask pattern and the second mask pattern represents a tapered shape or an inverse tapered shape as a whole.
Both side surfaces of the first mask pattern and the second mask pattern are formed to have a concave curvature, the frame-integrated mask.
KR1020190067432A 2019-06-07 2019-06-07 Producing method of mask and mask KR102071487B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190067432A KR102071487B1 (en) 2019-06-07 2019-06-07 Producing method of mask and mask

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190067432A KR102071487B1 (en) 2019-06-07 2019-06-07 Producing method of mask and mask

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180079989A Division KR101989531B1 (en) 2018-07-10 2018-07-10 Producing method of mask

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200006485A KR20200006485A (en) 2020-01-20
KR102071487B1 true KR102071487B1 (en) 2020-01-30

Family

ID=69321374

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190067432A KR102071487B1 (en) 2019-06-07 2019-06-07 Producing method of mask and mask

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102071487B1 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022092847A1 (en) * 2020-10-30 2022-05-05 에이피에스홀딩스 주식회사 Deposition mask

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100623419B1 (en) * 2005-06-29 2006-09-13 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Shadow mask and method for manufacturing of the same
KR101867467B1 (en) * 2016-11-22 2018-06-15 주식회사 티지오테크 Mask integrated frame and producing method thereof

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101900281B1 (en) * 2016-07-26 2018-09-20 에이피시스템 주식회사 Manufacturing method of shadow mask using hybrid processing

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100623419B1 (en) * 2005-06-29 2006-09-13 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Shadow mask and method for manufacturing of the same
KR101867467B1 (en) * 2016-11-22 2018-06-15 주식회사 티지오테크 Mask integrated frame and producing method thereof

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Yong bum park등. coatings. 2018.05.02., 8, 169, pp.1~9*

Also Published As

Publication number Publication date
KR20200006485A (en) 2020-01-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101986525B1 (en) Producing method of mask
KR102236538B1 (en) Producing method of mask and producing method of mask integrated frame
KR101989531B1 (en) Producing method of mask
KR20200006349A (en) Producing method of mask integrated frame
KR20190096577A (en) Mask integrated frame and producing method of mask integrated frame
KR102071487B1 (en) Producing method of mask and mask
KR20200010856A (en) Mask for forming oled picture element and producing method of mask integrated frame
TWI821376B (en) Producing method of mask, mask and mask integrated frame
KR102202531B1 (en) Mask integrated frame and producing method thereof
KR20200023337A (en) Producing method of mask
KR20190105977A (en) Producing method of mask integrated frame
KR20190141965A (en) Producing method of mask
KR20200009616A (en) Producing method of mask integrated frame
KR102342737B1 (en) Producing method of mask
KR102236539B1 (en) Producing method of mask integrated frame
KR20200017217A (en) Transfer system of mask and producing method of mask integrated frame
KR20200044747A (en) Producing method of mask and producing method of mask integrated frame
KR102241770B1 (en) Producing method of mask integrated frame
KR102138799B1 (en) Mask and mask integrated frame
KR102254375B1 (en) Producing method of mask integrated frame
KR20200006346A (en) Producing method of mask integrated frame and mask for forming oled picture element
KR20200006350A (en) Producing method of mask integrated frame
KR102325256B1 (en) Device for forming pattern of mask and producing method of mask
KR102152688B1 (en) Producing method of mask integrated frame
KR102026456B1 (en) Template for supporting mask and producing methoe thereof and producing method of mask integrated frame

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant