KR101976799B1 - Steam cleaning system and steam cleaning method using the same - Google Patents
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Abstract
본 발명의 일 실시 예에 따른 스팀세정시스템은 스팀을 발생시키고, 상기 스팀의 압력과 온도를 조절하는 스팀발생장치, 상기 스팀을 세정노즐로 이동시키는 스팀이송관, 및 스팀세정을 수행하는 상기 세정노즐을 포함하고, 상기 세정노즐은 외부공간으로부터 내부공간을 분리시키는 몸체, 상기 몸체 내부로 상기 스팀을 들이는 스팀유입관, 상기 몸체 내부로 액체를 들이는 액체유입관, 및 상기 액체 및 상기 스팀을 구비하는 분사유체를 세정하고자 하는 대상에 분사하는 분사구를 포함할 수 있다.Steam cleaning system according to an embodiment of the present invention generates steam, a steam generator for controlling the pressure and temperature of the steam, a steam transfer pipe for moving the steam to the cleaning nozzle, and the cleaning to perform the steam cleaning And a nozzle, wherein the cleaning nozzle comprises a body separating the internal space from the external space, a steam inlet pipe for introducing the steam into the body, a liquid inlet pipe for introducing liquid into the body, and the liquid and the steam. It may include an injection hole for spraying the injection fluid having a cleaning target.
Description
본 발명은 반도체 기판의 세정에 이용되는 스팀세정시스템 및 이를 이용한 스팀세정방법에 관한 것이다.The present invention relates to a steam cleaning system used for cleaning a semiconductor substrate and a steam cleaning method using the same.
최근 반도체 장치가 고집적화 되면서 기판 상에 구현해야 하는 회로의 패턴 역시 점차 미세화 되고 있다. 그래서 기판 상의 패턴은 아주 미세한 오염물에 의해서도 반도체 소자의 불량을 발생하게 할 수 있으며, 이에 따라 세정공정의 중요성이 더욱 더 부각되고 있다.Recently, as semiconductor devices have been highly integrated, circuit patterns that must be implemented on substrates have also become increasingly finer. Therefore, the pattern on the substrate may cause defects in the semiconductor device even by very fine contaminants, and thus the importance of the cleaning process is becoming more and more important.
이러한 세정공정에서 일반적으론, 초음파 발진기를 거친 순수를 분사하거나, 고압 노즐을 사용하여 순수를 분사한다. 그러나 이러한 초음파가 인가되거나 또는 고압의 순수 등 만을 이용해서 기판을 세정하면, 기판의 표면에 단순 부착되어 있는 오염물은 제거할 수 있으나, 포토레지스트 같은 기판의 표면에 강하게 결합되어 있거나 패턴에 강하게 부착되어 있는 오염물의 경우에는 이를 단시간 내에 효과적으로 제거할 수 없다. 따라서 제거되지 않은 오염물에 의해서 후속 공정에서 막질의 균일도를 저하시키거나 기판의 결함을 초래할 수 있다. In this cleaning process, generally, pure water passed through an ultrasonic oscillator is injected or pure water is sprayed using a high pressure nozzle. However, if the ultrasonic wave is applied or the substrate is cleaned using only high pressure pure water, contaminants that are simply attached to the surface of the substrate can be removed, but are strongly bonded to the surface of the substrate such as photoresist or strongly attached to the pattern. Pollutants present cannot be effectively removed in a short time. Therefore, the contaminants that have not been removed may reduce the uniformity of the film quality or cause defects in the substrate in subsequent processes.
이에 따라 잘 제거되지 않는 오염물을 제거하기 위해서 분사하는 순수의 압력을 높여, 고압순수세정을 실행해왔다. 그러나 분사압력이 높아짐에 따라서 미세한 반도체 회로의 패턴들이 무너지고 이로 인해 반도체 회로가 제대로 작동하지 않는 문제가 생겼다.Accordingly, in order to remove contaminants that are difficult to remove, the pressure of pure water to be injected is increased to perform high pressure pure water cleaning. However, as the injection pressure increases, the pattern of the fine semiconductor circuit collapses, which causes a problem that the semiconductor circuit does not work properly.
또한 분사압력을 높인다 하여도, 순수의 입자 크기 자체가 반도체 회로의 패턴간의 사이사이에 들어가기에 충분히 작지 않기 때문에, 세정이 불가능한 패턴간의 사이가 여전히 존재한다는 문제가 있다.Moreover, even if the injection pressure is increased, there is a problem that there is still a gap between the patterns which cannot be cleaned because the particle size of pure water is not small enough to enter between the patterns of the semiconductor circuit.
본 발명의 목적은 순수 분사의 세정방법보다 낮은 압력을 사용하는 스팀세정시스템 및 이를 이용한 스팀세정방법을 제공하는 데 있다.An object of the present invention is to provide a steam cleaning system using a lower pressure than the cleaning method of pure water injection, and a steam cleaning method using the same.
본 발명의 다른 목적은 순수 분사의 세정방법보다 작은 입자를 사용하는 스팀세정시스템 및 이를 이용한 스팀세정방법을 을 제공하는 데 있다.Another object of the present invention is to provide a steam cleaning system using a smaller particle than the cleaning method of pure water injection, and a steam cleaning method using the same.
상기와 같은 기술적 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 일 실시 예에 따른 스팀세정시스템은 스팀을 발생시키고, 상기 스팀의 압력과 온도를 조절하는 스팀발생장치, 상기 스팀을 세정노즐로 이동시키는 스팀이송관, 및 스팀세정을 수행하는 상기 세정노즐을 포함하고, 상기 세정노즐은 외부공간으로부터 내부공간을 분리시키는 몸체, 상기 몸체 내부로 상기 스팀을 들이는 스팀유입관, 상기 몸체 내부로 액체를 들이는 액체유입관, 및 상기 액체 및 상기 스팀을 구비하는 분사유체를 세정하고자 하는 대상에 분사하는 분사구를 포함한다.In order to solve the technical problem as described above, the steam cleaning system according to an embodiment of the present invention generates steam, a steam generator for controlling the pressure and temperature of the steam, the steam to move the steam to the cleaning nozzle is And a cleaning nozzle configured to perform an air pipe and steam cleaning, wherein the cleaning nozzle includes a body separating the internal space from an external space, a steam inlet pipe for introducing the steam into the body, and a liquid into the body. It includes a liquid inlet pipe, and the injection hole for injecting the injection fluid having the liquid and the steam to the object to be cleaned.
실시 예에 있어서, 상기 대상은 웨이퍼(wafer)를 포함할 수 있다.In an embodiment, the object may include a wafer.
실시 예에 있어서, 상기 액체는 순수 또는 오존수를 포함할 수 있다.In an embodiment, the liquid may comprise pure water or ozone water.
실시 예에 있어서, 상기 순수는 탈이온수(DIW, deionized water) 및 초순수(UPW, ultrapure water) 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다.In some embodiments, the pure water may include at least one of deionized water (DIW) and ultrapure water (UPW).
실시 예에 있어서, 상기 세정노즐은 상기 몸체 내부로 기체를 들이는 기체유입관을 더 포함하여, 상기 스팀, 상기 액체 및 상기 기체 중 적어도 하나 이상을 상기 분사구를 통하여 분사할 수 있다.In an embodiment, the cleaning nozzle may further include a gas inlet pipe for introducing gas into the body, and inject at least one of the steam, the liquid, and the gas through the injection hole.
실시 예에 있어서, 상기 기체는 청정공기(CDA, clean dry air), 질소(N2), 산소(O2) 및 스팀 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다.In some embodiments, the gas may include at least one of clean dry air (CDA), nitrogen (N 2 ), oxygen (O 2 ), and steam.
실시 예에 있어서, 상기 스팀유입관, 상기 액체유입관 및 상기 기체유입관은 각각 독립적으로 개폐될 수 있다.In an embodiment, the steam inlet pipe, the liquid inlet pipe and the gas inlet pipe may be independently opened and closed.
상기와 같은 기술적 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 다른 일 실시 예에 따른 스팀세정방법은 스팀발생창치가 스팀을 발생시키고, 상기 스팀의 압력과 온도를 조절하는 단계, 스팀이송관이 상기 스팀을 세정노즐로 이동시키는 단계; 및 상기 세정노즐이 스팀세정을 수행하는 단계를 포함하고, 상기 세정노즐이 스팀세정을 수행하는 단계는 스팀유입관이 외부공간으로부터 내부공간을 분리시키는 몸체 내부로 스팀을 들이는 단계, 액체유입관이 상기 몸체 내부로 액체를 들이는 단계, 및 분사구가 상기 액체 및 상기 스팀을 구비하는 분사유체를 세정하고자 하는 대상에 분사하는 단계를 포함한다.In order to solve the above technical problem, in the steam cleaning method according to another embodiment of the present invention, the steam generating device generates steam, adjusting the pressure and temperature of the steam, the steam transfer pipe to the steam Moving to a cleaning nozzle; And the washing nozzle performing steam cleaning, wherein the washing nozzle performing steam cleaning comprises injecting steam into a body in which the steam inlet pipe separates the internal space from the external space, and the liquid inlet pipe. And injecting a liquid into the body, and spraying the ejection hole to a target to be cleaned by spraying the spray fluid including the liquid and the steam.
실시 예에 있어서, 상기 스팀발생창치가 스팀을 발생시키고, 상기 스팀의 압력과 온도를 조절하는 단계는 상기 스팀발생장치가 0.1Mpa 이상 0.4Mpa 이하에 해당하는 상기 스팀을 발생시키는 단계를 포함하고, 상기 액체유입관이 상기 몸체 내부로 액체를 들이는 단계는 상기 액체유입관이 상기 분사구의 장축의 길이 150mm 당, 0.1 ℓ/min 이상 5 ℓ/min 이하의 부피에 해당하는 상기 액체를 들이는 단계를 포함하고, 상기 분사구가 상기 스팀 및 상기 액체를 구비하는 분사유체를 세정하고자 하는 대상에 분사하는 단계는 상기 분사구로부터 분사되는 분사유체가 1μm 이상 15 μm 이하의 지름에 해당하는 미세물방울(cavity, 공동)을 포함하는 단계, 상기 분사유체를 상기 분사구로부터 20 m/s 이상 300 m/s 이하의 속도로 분사하는 단계, 및 상기 분사구로부터 상기 대상까지의 거리가, 5mm 이상 400mm 이하에 해당되는 단계를 포함할 수 있다.In an embodiment, the steam generating window generates steam, and adjusting the pressure and temperature of the steam includes generating the steam corresponding to 0.1 Mpa or more and 0.4 Mpa or less, The step of introducing the liquid into the body by the liquid inlet pipe is the step of introducing the liquid corresponding to the volume of 0.1 L / min or more and 5 L / min or less per 150 mm length of the long axis of the injection port The spraying port may include spraying a spray fluid having the steam and the liquid to a target to be cleaned, wherein the spray fluid sprayed from the spray hole has a diameter corresponding to a diameter of 1 μm or more and 15 μm or less. Cavity), spraying the injection fluid at a speed of 20 m / s or more and 300 m / s or less from the injection hole, and from the injection hole to the target. Is the distance, may include steps corresponding to a range from 5mm 400mm.
실시 예에 있어서, 상기 스팀발생창치가 스팀을 발생시키고 상기 스팀의 압력과 온도를 조절하는 단계는 상기 스팀발생장치가 0.2Mpa 이상 0.4Mpa 이하에 해당하는 상기 스팀을 발생시키는 단계를 포함하고, 상기 액체유입관이 상기 몸체 내부로 액체를 들이는 단계는 상기 액체유입관이 상기 분사구의 장축의 길이 150mm 당, 0.1 ℓ/min 이상 5 ℓ/min 이하의 부피에 해당하는 상기 액체를 들이는 단계를 포함하고, 상기 분사구가 상기 스팀 및 상기 액체를 구비하는 분사유체를 세정하고자 하는 대상에 분사하는 단계는 상기 분사구로부터 분사되는 분사유체가 10μm 이상 15 μm 이하의 지름에 해당하는 미세물방울(cavity, 공동)을 포함하는 단계, 상기 분사유체를 상기 분사구로부터 100 m/s 이상 300 m/s 이하의 속도로 분사하는 단계, 및 상기 분사구로부터 상기 대상까지의 거리가, 100mm 이상 400mm 이하에 해당되는 단계를 포함하고, 상기 대상은, 풉(foup, front opening unified pod, front opening universal pod)을 포함할 수 있다.In an embodiment, the step of generating the steam generating steam and adjusting the pressure and temperature of the steam may include generating, by the steam generator, steam corresponding to 0.2 Mpa or more and 0.4 Mpa or less. The step of introducing the liquid into the body by the liquid inlet pipe may include the step of introducing the liquid corresponding to a volume of 0.1 L / min or more and 5 L / min or less per 150 mm of the long axis of the injection hole. The spraying port may include spraying a spray fluid including the steam and the liquid to a target to be cleaned, wherein the spray fluid sprayed from the spray hole corresponds to a diameter of 10 μm or more and 15 μm or less. ), Injecting the injection fluid at a speed of 100 m / s or more and 300 m / s or less from the injection hole, and from the injection hole to the target. The distance of the limb may include a step corresponding to 100 mm or more and 400 mm or less, and the object may include a foup, a front opening unified pod, and a front opening universal pod.
실시 예에 있어서, 상기 스팀발생창치가 스팀을 발생시키고 상기 스팀의 압력과 온도를 조절하는 단계는 상기 스팀발생장치가 0.2Mpa 이상 0.4Mpa 이하에 해당하는 상기 스팀을 발생시키는 단계를 포함하고, 상기 액체유입관이 상기 몸체 내부로 액체를 들이는 단계는 상기 액체유입관이 상기 분사구의 장축의 길이 150mm 당, 0.1 ℓ/min 이상 5 ℓ/min 이하의 부피에 해당하는 상기 액체를 들이는 단계를 포함하고, 상기 분사구가 상기 스팀 및 상기 액체를 구비하는 분사유체를 세정하고자 하는 대상에 분사하는 단계는 상기 분사구로부터 분사되는 분사유체가 5μm 이상 15 μm 이하의 지름에 해당하는 미세물방울(cavity, 공동)을 포함하는 단계, 상기 분사유체를 상기 분사구로부터 100 m/s 이상 300 m/s 이하의 속도로 분사하는 단계, 및 상기 분사구로부터 상기 대상까지의 거리가, 5mm 이상 20mm 이하에 해당되는 단계를 포함하고, 상기 대상은 화학적, 기계적 연마공정이 처리된 웨이퍼를 포함할 수 있다.In an embodiment, the step of generating the steam generating steam and adjusting the pressure and temperature of the steam may include generating, by the steam generator, steam corresponding to 0.2 Mpa or more and 0.4 Mpa or less. The step of introducing the liquid into the body by the liquid inlet pipe may include the step of introducing the liquid corresponding to a volume of 0.1 L / min or more and 5 L / min or less per 150 mm of the long axis of the injection hole. The spraying nozzle may include spraying a spray fluid including the steam and the liquid to a target to be cleaned, wherein the spray fluid sprayed from the spray hole has a diameter corresponding to a diameter of 5 μm or more and 15 μm or less. ), Injecting the injection fluid at a speed of 100 m / s or more and 300 m / s or less from the injection hole, and from the injection hole to the target. Of the distance, a step corresponding to 5mm or less than 20mm, and the target may include a wafer in chemical mechanical polishing step is processed.
실시 예에 있어서, 상기 스팀발생창치가 스팀을 발생시키고 상기 스팀의 압력과 온도를 조절하는 단계는 상기 스팀발생장치가 0.1Mpa 이상 0.3Mpa 이하에 해당하는 상기 스팀을 발생시키는 단계를 포함하고, 상기 액체유입관이 상기 몸체 내부로 액체를 들이는 단계는 상기 액체유입관이 상기 분사구의 장축의 길이 150mm 당, 0.1 ℓ/min 이상 5 ℓ/min 이하의 부피에 해당하는 상기 액체를 들이는 단계를 포함하고, 상기 분사구가 상기 스팀 및 상기 액체를 구비하는 분사유체를 세정하고자 하는 대상에 분사하는 단계는 상기 분사구로부터 분사되는 분사유체가 5μm 이상 15 μm 이하의 지름에 해당하는 미세물방울(cavity, 공동)을 포함하는 단계, 상기 분사유체를 상기 분사구로부터 100 m/s 이상 300 m/s 이하의 속도로 분사하는 단계, 및 상기 분사구로부터 상기 대상까지의 거리가, 5mm 이상 20mm 이하에 해당되는 단계를 포함하고, 상기 대상은, 증착공정이 처리된 웨이퍼를 포함할 수 있다.In an embodiment, the step of generating the steam generating steam and adjusting the pressure and temperature of the steam may include generating, by the steam generator, the steam corresponding to 0.1 Mpa or more and 0.3 Mpa or less. The step of introducing the liquid into the body by the liquid inlet pipe may include the step of introducing the liquid corresponding to a volume of 0.1 L / min or more and 5 L / min or less per 150 mm of the long axis of the injection hole. The spraying nozzle may include spraying a spray fluid including the steam and the liquid to a target to be cleaned, wherein the spray fluid sprayed from the spray hole has a diameter corresponding to a diameter of 5 μm or more and 15 μm or less. ), Injecting the injection fluid at a speed of 100 m / s or more and 300 m / s or less from the injection hole, and from the injection hole to the target. It is the distance, a step corresponding to 5mm or less than 20mm, and the target can comprise a wafer deposition process is processed.
실시 예에 있어서, 상기 스팀발생창치가 스팀을 발생시키고 상기 스팀의 압력과 온도를 조절하는 단계는 상기 스팀발생장치가 0.1Mpa 이상 0.3Mpa 이하에 해당하는 상기 스팀을 발생시키는 단계를 포함하고, 상기 액체유입관이 상기 몸체 내부로 액체를 들이는 단계는 상기 액체유입관이 상기 분사구의 장축의 길이 150mm 당, 0.1 ℓ/min 이상 5 ℓ/min 이하의 부피에 해당하는 상기 액체를 들이는 단계를 포함하고, 상기 분사구가 상기 스팀 및 상기 액체를 구비하는 분사유체를 세정하고자 하는 대상에 분사하는 단계는 상기 분사구로부터 분사되는 분사유체가 1μm 이상 10 μm 이하의 지름에 해당하는 미세물방울(cavity, 공동)을 포함하는 단계, 상기 분사유체를 상기 분사구로부터 20 m/s 이상 150 m/s 이하의 속도로 분사하는 단계, 및 상기 분사구로부터 상기 대상까지의 거리가, 5mm 이상 20mm 이하에 해당되는 단계를 포함하고, 상기 대상은 포토마스크 레티클(reticle, reticule)을 구비하는 웨이퍼를 포함할 수 있다.In an embodiment, the step of generating the steam generating steam and adjusting the pressure and temperature of the steam may include generating, by the steam generator, the steam corresponding to 0.1 Mpa or more and 0.3 Mpa or less. The step of introducing the liquid into the body by the liquid inlet pipe may include the step of introducing the liquid corresponding to a volume of 0.1 L / min or more and 5 L / min or less per 150 mm of the long axis of the injection hole. The spraying nozzle may include spraying a spray fluid including the steam and the liquid to a target to be cleaned, wherein the spray fluid sprayed from the spray hole has a diameter corresponding to a diameter of 1 μm or more and 10 μm or less. ), Injecting the injection fluid at a speed of 20 m / s or more and 150 m / s or less from the injection hole, and from the injection hole to the target. It is the distance, a step corresponding to 5mm or less than 20mm, and the target may comprise a wafer having a photomask reticle (reticle, reticule).
실시 예에 있어서, 상기 스팀발생창치가 스팀을 발생시키고 상기 스팀의 압력과 온도를 조절하는 단계는 상기 스팀발생장치가 0.1Mpa 이상 0.3Mpa 이하에 해당하는 상기 스팀을 발생시키는 단계를 포함하고, 상기 액체유입관이 상기 몸체 내부로 액체를 들이는 단계는 상기 액체유입관이 상기 분사구의 장축의 길이 150mm 당, 0.1 ℓ/min 이상 5 ℓ/min 이하의 부피에 해당하는 상기 액체를 들이는 단계를 포함하고, 상기 분사구가 상기 스팀 및 상기 액체를 구비하는 분사유체를 세정하고자 하는 대상에 분사하는 단계는 상기 분사구로부터 분사되는 분사유체가 1μm 이상 10 μm 이하의 지름에 해당하는 미세물방울(cavity, 공동)을 포함하는 단계, 상기 분사유체를 상기 분사구로부터 20 m/s 이상 100 m/s 이하의 속도로 분사하는 단계, 및 상기 분사구로부터 상기 대상까지의 거리가, 5mm 이상 20mm 이하에 해당되는 단계를 포함하고, 상기 대상은 식각 후 포토레지스트(photoresist, 감광성 수지) 제거공정이 처리된 웨이퍼를 포함할 수 있다.In an embodiment, the step of generating the steam generating steam and adjusting the pressure and temperature of the steam may include generating, by the steam generator, the steam corresponding to 0.1 Mpa or more and 0.3 Mpa or less. The step of introducing the liquid into the body by the liquid inlet pipe may include the step of introducing the liquid corresponding to a volume of 0.1 L / min or more and 5 L / min or less per 150 mm of the long axis of the injection hole. The spraying nozzle may include spraying a spray fluid including the steam and the liquid to a target to be cleaned, wherein the spray fluid sprayed from the spray hole has a diameter corresponding to a diameter of 1 μm or more and 10 μm or less. ), Injecting the injection fluid at a speed of 20 m / s or more and 100 m / s or less from the injection hole, and from the injection hole to the target. Is the distance, above, and a step corresponding to at least 5mm 20mm below the target may comprise a wafer of a photoresist removal (photoresist, a photosensitive resin), after an etching process process.
실시 예에 있어서, 상기 액체유입관이 상기 몸체 내부로 액체를 들이는 단계는 순수 또는 30ppm이하의 농도에 해당하는 오존수를 들이는 단계를 더 포함할 수 있다.In an embodiment, the step of introducing the liquid into the body of the liquid inlet pipe may further include adding ozone water corresponding to a concentration of 30 ppm or less of pure water.
실시 예에 있어서, 상기 액체유입관이 상기 몸체 내부로 액체를 들이는 단계는 순수 또는 30ppm이하의 농도에 해당하는 오존수를 들이는 단계, 및 기체유입관이 상기 몸체 내부로 기체를 들이는 단계를 더 포함하고, 상기 분사구가 상기 스팀 및 상기 액체를 구비하는 분사유체를 세정하고자 하는 대상에 분사하는 단계는 상기 스팀, 상기 액체 및 상기 기체 중 적어도 하나 이상을 구비하는 분사유체를 분사하는 단계를 더 포함할 수 있다.In an embodiment, the step of introducing the liquid into the body may include introducing pure water or ozone water corresponding to a concentration of 30 ppm or less, and the step of introducing the gas into the body. The spraying apparatus may further include spraying an injection fluid including at least one of the steam, the liquid, and the gas. It may include.
본 발명에 따른 스팀세정시스템 및 이를 이용한 스팀세정방법의 효과에 대해 설명하면 다음과 같다.Referring to the effects of the steam cleaning system and the steam cleaning method using the same according to the present invention.
본 발명의 실시 예들 중 적어도 하나에 의하면, 스팀을 분사하는 세정을 통하여, 순수를 분사하는 세정방법보다 낮은 압력을 사용하여 세정할 수 있고, 이로 인해, 미세한 반도체 회로의 패턴을 무너뜨리지 않고, 반도체 공정의 수율을 향상시킬 수 있다.According to at least one of the embodiments of the present invention, the cleaning by spraying steam, can be cleaned using a lower pressure than the cleaning method of spraying pure water, thereby, without breaking the pattern of the fine semiconductor circuit, The yield of the process can be improved.
또한, 본 발명의 실시 예들 중 적어도 하나에 의하면, 스팀을 분사하는 세정을 통하여, 순수를 분사하는 세정방법보다 작은 입자를 사용하여 세정할 수 있고, 이로 인해, 미세한 반도체 회로의 패턴의 사이사이를 세정할 수 있고, 반도체 공정의 수율을 향상시킬 수 있다.In addition, according to at least one of the embodiments of the present invention, the cleaning by spraying steam, it is possible to clean using a smaller particle than the cleaning method for spraying pure water, thereby, between the patterns of the fine semiconductor circuit It can wash | clean and can improve the yield of a semiconductor process.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른, 스팀세정시스템의 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 다른 일 실시 예에 따른, 스팀세정시스템에 포함된 세정노즐의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 또 다른 일 실시 예에 따른, 스팀세정시스템에 포함된 세정노즐의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 일 실시 예에 따른, 스팀세정시스템의 세정노즐과 세정하고자 하는 대상까지의 간격을 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 일 실시 예에 따른, 스팀세정방법을 나타내는 순서도이다.1 is a view schematically showing a steam cleaning system according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view of a cleaning nozzle included in a steam cleaning system according to another embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view of a cleaning nozzle included in a steam cleaning system according to another embodiment of the present invention.
4 is a diagram illustrating an interval between a cleaning nozzle of a steam cleaning system and an object to be cleaned, according to another embodiment of the present invention.
5 is a flowchart illustrating a steam cleaning method according to another embodiment of the present invention.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서에 개시된 실시 예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 유사한 구성요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 이하의 설명에서 사용되는 구성요소에 대한 접미사 "모듈" 및 "부"는 명세서 작성의 용이함만이 고려되어 부여되거나 혼용되는 것으로서, 그 자체로 서로 구별되는 의미 또는 역할을 갖는 것은 아니다. 또한, 본 명세서에 개시된 실시 예를 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 명세서에 개시된 실시 예의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 첨부된 도면은 본 명세서에 개시된 실시 예를 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것일 뿐, 첨부된 도면에 의해 본 명세서에 개시된 기술적 사상이 제한되지 않으며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. Hereinafter, embodiments of the present disclosure will be described in detail with reference to the accompanying drawings, and the same or similar components are denoted by the same reference numerals regardless of the reference numerals, and redundant description thereof will be omitted. The suffixes "module" and "unit" for components used in the following description are given or used in consideration of ease of specification, and do not have distinct meanings or roles from each other. In addition, in describing the embodiments disclosed herein, when it is determined that the detailed description of the related known technology may obscure the gist of the embodiments disclosed herein, the detailed description thereof will be omitted. In addition, the accompanying drawings are intended to facilitate understanding of the embodiments disclosed herein, but are not limited to the technical spirit disclosed herein by the accompanying drawings, all changes included in the spirit and scope of the present invention. It should be understood to include equivalents and substitutes.
제1, 제2 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.Terms including ordinal numbers such as first and second may be used to describe various components, but the components are not limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다.When a component is referred to as being "connected" or "connected" to another component, it may be directly connected to or connected to that other component, but it may be understood that other components may be present in between. Should be. On the other hand, when a component is said to be "directly connected" or "directly connected" to another component, it should be understood that there is no other component in between.
단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise.
본 출원에서, "포함한다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.In this application, the terms "comprises" or "having" are intended to indicate that there is a feature, number, step, operation, component, part, or combination thereof described in the specification, and one or more other features. It is to be understood that the present invention does not exclude the possibility of the presence or the addition of numbers, steps, operations, components, components, or a combination thereof.
이하, 도면들을 참조하여 본 발명의 실시 예에 대해 상세히 설명하기로 한다. 본 발명은 본 발명의 정신 및 필수적 특징을 벗어나지 않는 범위에서 다른 특정한 형태로 구체화될 수 있음은 당업자에게 자명하다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. It is apparent to those skilled in the art that the present invention can be embodied in other specific forms without departing from the spirit and essential features of the present invention.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른, 스팀세정시스템의 개략적으로 나타내는 도면이고, 도 5는 본 발명의 또 다른 일 실시 예에 따른, 스팀세정방법을 나타내는 순서도이다.1 is a view schematically showing a steam cleaning system according to an embodiment of the present invention, Figure 5 is a flow chart showing a steam cleaning method according to another embodiment of the present invention.
도 1 및 도 5을 참조하면, 스팀세정시스템은 스팀발생장치(1), 스팀이송관(2) 및 세정노즐(3)을 포함할 수 있다. 여기서, 스팀발생장치(1)는 스팀을 발생시키고, 발생시키는 스팀의 압력과 온도를 조절할 수 있다(S100).1 and 5, the steam cleaning system may include a steam generator 1, a
온도 및 압력이 조절된 스팀은 스팀이송관(2)을 통하여 세정노즐(3)로 이동될 수 있다(S200). 이후, 세정노즐(3)이 해당 스팀과 액체유입관을 통해 들여진 액체를 몸체 내부로 들이고(S310) 세정하고자 하는 대상(40)에 분사함(S320)으로써 스팀세정을 수행할 수 있다. 여기서, 세정하고자 하는 대상(40)의 반도체 제작에 쓰이는 웨이퍼(wafer)를 포함할 수 있다. The temperature and pressure controlled steam may be moved to the cleaning nozzle (3) through the steam transfer pipe (2) (S200). Thereafter, the cleaning
한편, 일반적으로, 스팀발생장치가 발생시키는 스팀의 압력은 낮으면 세정력이 저조하고, 높으면 세정력은 높아진다. 그러나, 각각의 공정마다 어느 이상의 압력을 인가하면 미세한 패턴의 무너짐 등의 문제가 발생할 수 있다.On the other hand, in general, when the pressure of steam generated by the steam generator is low, the cleaning power is low, and when the steam pressure is high, the cleaning power is high. However, if more than one pressure is applied to each process, problems such as collapse of a fine pattern may occur.
하지만, 본 발명의 스팀세정시스템 및 이를 이용한 스팀세정방법은 일반적인 세정방법과 견주었을 때 얻을 수 있는 두 가지 이점이 있다.However, the steam cleaning system of the present invention and the steam cleaning method using the same have two advantages that can be obtained when compared with a general cleaning method.
첫째로, 세정하고자 하는 대상에 위치하는 패턴의 무너짐과 뭉개짐을 회피 할 수 있는 것이다. 일반적인 세정방법에서는, 세정하고자 하는 기판상의 패턴이 충격을 받아 무너지거나 뭉개질 수 있었다. 그러나, 본 발명의 스팀세정시스템 및 이를 이용한 스팀세정방법은, 패턴에 고압의 마찰을 인가하지 않음으로써 기판상의 패턴의 무너짐과 뭉개짐을 회피할 수 있다.First, it is possible to avoid the collapse and crushing of the pattern located on the object to be cleaned. In the general cleaning method, the pattern on the substrate to be cleaned could be impacted and collapsed or crushed. However, the steam cleaning system and the steam cleaning method using the same of the present invention can avoid the collapse and crushing of the pattern on the substrate by not applying high pressure friction to the pattern.
둘째로, 세정하고자 하는 대상에 위치하는 패턴이 미세 패턴을 포함하는 경우에도, 해당 미세 패턴의 사이사이까지 세정할 수 있는 것이다. 최근의 패턴은 점점 더 미세화되고 있다. 그러나, 일반적인 세정방법에서 사용되는 브러쉬의 솔 및 순수의 물방울은 미세 패턴의 사이사이를 침투하기에 충분히 작지 않다.Secondly, even when the pattern located on the object to be cleaned includes a fine pattern, it is possible to clean between the fine patterns. Recent patterns are becoming more and more refined. However, the brushes and pure water droplets of pure water used in the general cleaning method are not small enough to penetrate between the fine patterns.
그러나, 본 발명인 스팀세정시스템 및 이를 이용한 스팀세정방법의 스팀 크기는 미세 패턴 사이사이에 침투할 수 있을 만큼 충분히 작다. 따라서, 본 발명의 스팀세정시스템 및 이를 이용한 스팀세정방법은, 미세 패턴의 사이사이까지 세정 할 수 있다.However, the steam size of the present invention steam cleaning system and steam cleaning method using the same is small enough to penetrate between the fine patterns. Therefore, the steam cleaning system of the present invention and the steam cleaning method using the same can be cleaned even between fine patterns.
도 2는 본 발명의 다른 일 실시 예에 따른, 스팀세정시스템에 포함된 세정노즐의 단면도이고, 도 3은 본 발명의 또 다른 일 실시 예에 따른, 스팀세정시스템에 포함된 세정노즐의 단면도이다.2 is a cross-sectional view of the cleaning nozzle included in the steam cleaning system according to another embodiment of the present invention, Figure 3 is a cross-sectional view of the cleaning nozzle included in the steam cleaning system according to another embodiment of the present invention. .
도 2를 참조하면, 본 발명에 따른, 스팀세정시스템의 세정노즐(3)은 외부공간으로부터 내부공간을 분리시키는 몸체(100), 해당 몸체 내부(101)로 스팀(20)을 들이는 스팀유입관(204), 액체(5)를 들여오는 액체유입관(202) 및 들여온 스팀(20)을 세정하고자 하는 대상(40)에 분사하는 분사구(222)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 2, the cleaning
본 발명의 일 실시 예에 따른 세정노즐(3)을 보다 상세히 설명하자면 다음과 같다. 우선, 스팀(20)이 스팀유입관(204)을 통하여 몸체 내부(101)로 들여지고 동시에 액체(5)가 액체유입관(202)를 통하여 몸체 내부(101)로 들여진다. 여기서, 액체(5)는 순수 또는 오존수일 수 있고, 순수는 이온을 포함하지 않는 탈이온수(DIW, deionized water) 및 이온과 이온 이외의 불순물들을 포함하지 않는 초순수(UPW, ultrapure water) 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다.The cleaning
이어서, 몸체 내부(101)에 위치되는 스팀(20) 및 액체(5)를 구비하는 분사유체(30)는 분사관(220) 및 분사구(222)를 통해서 세정하고자 하는 대상(40)에 분사된다. 여기서, 분사유체(30)는 작은 크기의 미세물방울(cavity, 공동)을 포함할 수 있다. Subsequently, the
이때, 액체(5)가 스팀(20)과 함께 몸체 내부(101)로 들여짐으로써, 미세물방울의 지름이 증가할 수 있고, 분사유체(30)가 세정하고자 하는 대상(40)의 오염물을 밀어내는 타력을 증가시킬 수 있다. 오염물을 밀어내는 타력은 클수록 세정률을 증가시킬 수 있다.At this time, the liquid (5) is introduced into the
도 3을 참조하면, 스팀세정시스템의 세정노즐(3)은 몸체 내부(101)로 기체(22)를 들이는 기체유입관(206)을 더 포함하여, 스팀(20), 액체(5) 및 기체(22) 중 적어도 하나 이상을 구비하는 분사유체(30)를 분사구(222)를 통하여 분사할 수 있다.Referring to FIG. 3, the cleaning
여기서, 기체(22)는 청정공기(CDA, clean dry air), 질소(N2), 산소(O2) 및 스팀(20) 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다.Herein, the
도 3에 도시된 바와 같이 스팀세정시스템이 기체(22)를 더 구비하는 분사유체(30)를 분사하여 세정하는 경우, 스팀만을 분사유체로 분사하는 것보다 효과적인 세정을 할 수 있다.As shown in FIG. 3, when the steam cleaning system sprays and sprays the
또한, 도 3의경우, 스팀(20) 및 액체(5)만을 몸체 내부(101)로 들이는 경우보다, 분사유체(30)의 부피가 증가할 수 있다. 이에 따라, 분사유체(30)는 부피가 증가하기 전과 동일한 시간비율로 배출되기 위해서, 전보다 증가된 속력으로 대상에 분사될 수 있다. 여기서, 증가된 속력은 세정하고자 하는 대상 표면의 오염물을 밀어내는 압력으로 작용하여 스팀세정의 효율을 높일 수 있다.In addition, in the case of Figure 3, the volume of the
한편, 스팀유입관(204), 액체유입관(202) 및 기체유입관(206)은 각각 독립적으로 개폐될 수 있고, 이에 따라, 본 발명에 따른 스팀세정시스템은 필요한 유체(스팀(20), 액체(5), 기체(22) 중 하나)만을 선택하여 스팀세정에 활용할 수 있다. 예를 들어, 스팀유입관(204)과 기체유입관(206)을 닫고, 액체유입관(202)을 통하여 액체(5)로서 오존수 만을 몸체 내부로 들이고, 이에 따라, 오존수 만을 분사유체(30)로서 분사하는 세정을 수행할 수 있다.On the other hand, the
도 4는 본 발명의 또 다른 일 실시 예에 따른, 스팀세정시스템의 세정노즐과 세정하고자 하는 대상까지의 간격을 나타내는 도면이다.4 is a diagram illustrating an interval between a cleaning nozzle of a steam cleaning system and an object to be cleaned, according to another embodiment of the present invention.
도 4를 참조하면, 분사유체를 분사하는 분사구(222)로부터 세정하고자 하는 대상(40)까지는 일정한 거리(225)가 있을 수 있다. 해당 거리(225)가 너무 짧으면 분사구(222)가 해당 대상(40)과 부딪힐 수 있고, 너무 길면 세정률이 현저히 감소할 수 있다.Referring to FIG. 4, there may be a
도 1 내지 도 4를 참조하여, 본 발명을 보다 구체적으로 설명한다.1 to 4, the present invention will be described in more detail.
일 실시 예에 있어서, 본 발명인 스팀세정 시스템은, 스팀발생장치(1)가 0.1Mpa 이상 0.4Mpa 이하에 해당하는 스팀(20)을 발생시키고, 액체유입관(202)이 분사구(222)의 장축 길이 150mm 당, 0.1 ℓ/min 이상 5 ℓ/min 이하의 부피에 해당하는 액체(5)를 들이고, 분사유체(30)에 포함된 미세물방울의 지름이 1μm 이상 15 μm 이하에 해당하고, 분사유체(30)가 상기 분사구(222)로부터 20 m/s 이상 300 m/s 이하의 속도로 분사되고, 분사구(222)로부터 대상(40)까지의 거리(225)가, 5mm 이상 400mm 이하에 해당될 때, 최적의 효율로 세정을 수행한다.In one embodiment, the steam cleaning system according to the present invention, the steam generator 1 generates
구체적으로 대상(40)이 풉(foup, Front Opening Unified Pod, Front Opening Universal Pod)인 경우, 다음과 같은 스팀세정방법이 바람직하다.Specifically, if the
스팀발생장치(1)가 0.2Mpa 이상 0.4Mpa 이하에 해당하는 스팀(20)을 발생시키고, 액체유입관(202)이 분사구(222)의 장축 길이 150mm 당, 0.1 ℓ/min 이상 5 ℓ/min 이하의 부피에 해당하는 액체(5)를 들이고, 분사유체(30)에 포함된 미세물방울의 지름이 10μm 이상 15 μm 이하에 해당하고, 분사유체(30)가 분사구(222)로부터 100 m/s 이상 300 m/s 이하의 속도로 분사되고, 분사구(222)로부터 대상(40)까지의 거리(225)가, 100mm 이상 400mm 이하에 해당될 때, 최적의 효율로 세정을 수행할 수 있다.The steam generator 1 generates
구체적으로 대상(40)이 화학적 기계적 연마공정이 처리된 웨이퍼 인 경우, 다음과 같은 스팀세정방법이 바람직하다.Specifically, when the
스팀발생장치(1)가 0.2Mpa 이상 0.4Mpa 이하에 해당하는 스팀(20)을 발생시키고, 액체유입관(202)이 분사구(222)의 장축 길이 150mm 당, 0.1 ℓ/min 이상 5 ℓ/min 이하의 부피에 해당하는 액체(5)를 들이고, 분사유체(30)에 포함된 미세물방울의 지름이 5μm 이상 15 μm 이하에 해당하고, 분사유체(30)가 분사구(222)로부터 100 m/s 이상 300 m/s 이하의 속도로 분사되고, 분사구로부터 대상(40)까지의 거리(225)가, 5mm 이상 20mm 이하에 해당될 때, 최적의 효율로 세정을 수행할 수 있다.The steam generator 1 generates
구체적으로 대상(40)이 증착공정이 처리된 웨이퍼 인 경우, 다음과 같은 스팀세정방법이 바람직하다.Specifically, when the
스팀발생장치(1)가 0.1Mpa 이상 0.3Mpa 이하에 해당하는 스팀(20)을 발생시키고, 액체유입관(202)이 분사구(222)의 장축 길이 150mm 당, 0.1 ℓ/min 이상 5 ℓ/min 이하의 부피에 해당하는 액체(5)를 들이고, 분사유체(30)에 포함된 미세물방울의 지름이 5μm 이상 15 μm 이하에 해당하고, 분사유체(30)가 분사구(222)로부터 100 m/s 이상 300 m/s 이하의 속도로 분사되고, 분사구(222)로부터 대상(40)까지의 거리(225)가, 5mm 이상 20mm 이하에 해당될 때, 최적의 효율로 세정을 수행할 수 있다.The steam generator 1 generates
구체적으로 대상(40)이 포토마스크 레티클(reticle, reticule)을 세정하려는 웨이퍼 인 경우, 다음과 같은 스팀세정방법이 바람직하다.Specifically, when the
스팀발생장치(1)가 0.1Mpa 이상 0.3Mpa 이하에 해당하는 스팀(20)을 발생시키고, 액체유입관(202)이 분사구(222)의 장축 길이 150mm 당, 0.1 ℓ/min 이상 5 ℓ/min 이하의 부피에 해당하는 액체(5)를 들이고, 분사유체(30)에 포함된 미세물방울의 지름이 1μm 이상 10 μm 이하에 해당하고, 분사유체(30)가 상기 분사구(222)로부터 20 m/s 이상 150 m/s 이하의 속도로 분사되고, 분사구(222)로부터 대상(40)까지의 거리(225)가, 5mm 이상 20mm 이하에 해당될 때, 최적의 효율로 세정을 수행할 수 있다.The steam generator 1 generates
구체적으로 대상이 식각 후 포토레지스트(photoresist, 감광성 수지) 제거공정이 처리된 웨이퍼 인 경우, 다음과 같은 스팀세정방법이 바람직하다.Specifically, when the object is a wafer treated with a photoresist (photoresist) removal process after etching, the following steam cleaning method is preferable.
스팀발생장치(1)가 0.1Mpa 이상 0.3Mpa 이하에 해당하는 스팀(20)을 발생시키고, 액체유입관(202)이 분사구(222)의 장축 길이 150mm 당, 0.1 ℓ/min 이상 5 ℓ/min 이하의 부피에 해당하는 액체(5)를 들이고, 분사유체(30)에 포함된 미세물방울의 지름이 1μm 이상 10 μm 이하에 해당하고, 분사유체(30)가 상기 분사구로부터 20 m/s 이상 100 m/s 이하의 속도로 분사되고, 분사구(222)로부터 대상까지의 거리(225)가, 5mm 이상 20mm 이하에 해당될 때, 최적의 효율로 세정을 수행할 수 있다.The steam generator 1 generates
또한, 이 경우, 30ppm이하의 농도에 해당하는 오존수를 액체(5)로서 들일 수 있다. 이때, 액체유입관(202), 스팀유입관(204) 및 기체유입관(206)의 선택적 개폐를 제어하여, 스팀(22), 액체(5) 및 기체(22) 중 적어도 하나 이상을 구비하는 분사유체(30)를 분사하는 세정을 수행할 수 있다.In this case, ozone water corresponding to a concentration of 30 ppm or less can be used as the
따라서, 이상의 상세한 설명은 모든 면에서 제한적으로 해석되어서는 아니되고 예시적인 것으로 고려되어야 한다. 본 발명의 범위는 첨부된 청구항의 합리적 해석에 의해 결정되어야 하고, 본 발명의 등가적 범위 내에서의 모든 변경은 본 발명의 범위에 포함된다.Accordingly, the above detailed description should not be construed as limiting in all aspects and should be considered as illustrative. The scope of the invention should be determined by reasonable interpretation of the appended claims, and all changes within the equivalent scope of the invention are included in the scope of the invention.
1: 스팀발생장치
2: 스팀이송관
3: 세정노즐
5: 액체
20: 스팀
22: 기체
30: 분사유체
40: 대상
100: 몸체
101: 몸체 내부
102: 상부몸체
104: 하부제1몸체
106: 하부제2몸체
202: 액체유입관
204: 스팀유입관
206: 기체유입관
220: 분사관
222: 분사구
1: steam generator
2: steam transfer pipe
3: cleaning nozzle
5: liquid
20: steam
22: gas
30: injection fluid
40: destination
100: body
101: inside the body
102: upper body
104: lower first body
106: lower second body
202: liquid inlet pipe
204: steam inlet pipe
206: gas inlet pipe
220: injection pipe
222: nozzle
Claims (16)
상기 스팀을 세정노즐로 이동시키는 스팀이송관; 및
스팀세정을 수행하는 상기 세정노즐을 포함하고,
상기 세정노즐은,
외부공간으로부터 내부공간을 분리시키는 몸체;
상기 몸체 내부로 상기 스팀을 들이는 스팀유입관;
상기 몸체 내부로 액체를 들이는 액체유입관; 및
상기 액체 및 상기 스팀을 구비하는 분사유체를 세정하고자 하는 대상에 분사하는 분사구를 포함하되,
상기 몸체(100)는,
상부 몸체(110); 및
제1하부 몸체(120) 및 제2하부 몸체(130)로 구성된 하부 몸체(140)를 포함하고,
상기 하부 몸체(140)의 내부 영역은,
상기 분사구(222) 방향으로 갈수록 설정된 길이만큼 폭이 좁아지는 제1영역(141);
상기 제1영역(141) 아래에 구비된 영역으로, 상기 분사구(222) 방향으로 갈수록 폭이 일정한 제2영역(142);
상기 제2영역(142) 아래에 구비된 영역으로, 상기 분사구(222) 방향으로 갈수록 상기 제2영역(142)의 폭보다 폭이 설정된 길이만큼 더 좁아지는 제3영역(143); 및
상기 제3영역(143) 아래에 구비된 영역으로, 상기 분사구 방향으로 갈수록 폭이 일정한 분사관(220)을 포함하고,
상기 스팀 유입관(204)은 상기 상부 몸체(110)의 윗면과 연결되어 있고, 상기 액체 유입관(202)은 상기 제2영역(142)의 외측면과 연결되어 있고,
상기 상부 몸체(110)의 외측면과 연결되어, 상기 상부 몸체(110) 내부로 기체를 들이는 기체유입관을 더 포함하는 스팀세정시스템.
A steam generator for generating steam and controlling pressure and temperature of the steam;
Steam transfer pipe for moving the steam to the cleaning nozzle; And
Including the cleaning nozzle for performing steam cleaning,
The cleaning nozzle,
A body separating the inner space from the outer space;
A steam inlet pipe for introducing the steam into the body;
A liquid inlet pipe for introducing liquid into the body; And
Including an injection hole for injecting to the target to clean the injection fluid having the liquid and the steam,
The body 100,
Upper body 110; And
It includes a lower body 140 consisting of a first lower body 120 and a second lower body 130,
The inner region of the lower body 140,
A first region 141 whose width is narrowed by a predetermined length toward the injection hole 222;
A second area 142 provided below the first area 141, the width of which is constant toward the injection hole 222;
A third region 143 provided below the second region 142, the width of which is narrower by a set length than the width of the second region 142 toward the injection hole 222; And
An area provided below the third area 143, and includes a spray pipe 220 having a constant width toward the spray hole.
The steam inlet pipe 204 is connected to the upper surface of the upper body 110, the liquid inlet pipe 202 is connected to the outer surface of the second region 142,
Is connected to the outer surface of the upper body 110, the steam cleaning system further comprises a gas inlet pipe for introducing gas into the upper body (110).
상기 대상은,
웨이퍼(wafer)를 포함하는 스팀세정시스템.
The method of claim 1,
The object is,
Steam cleaning system comprising a wafer (wafer).
상기 액체는,
순수 또는 오존수를 포함하는 스팀세정시스템.
The method of claim 1,
The liquid,
Steam cleaning system containing pure or ozone water.
상기 순수는,
탈이온수(DIW, deionized water) 및 초순수(UPW, ultrapure water) 중 적어도 하나 이상을 포함하는 스팀세정시스템.
The method of claim 3, wherein
The pure water is
Steam cleaning system comprising at least one of deionized water (DIW, deionized water) and ultrapure water (UPW).
상기 기체는,
청정공기(CDA, clean dry air), 질소(N2), 산소(O2) 및 스팀 중 적어도 하나 이상을 포함하는 스팀세정시스템
The method of claim 1,
The gas,
Steam cleaning system comprising at least one of clean dry air (CDA), nitrogen (N 2 ), oxygen (O 2 ) and steam
상기 스팀유입관, 상기 액체유입관 및 상기 기체유입관은,
각각 독립적으로 개폐되는 스팀세정시스템.
The method of claim 1,
The steam inlet pipe, the liquid inlet pipe and the gas inlet pipe,
Steam cleaning system that opens and closes independently of each other.
스팀이송관이 상기 스팀을 세정노즐로 이동시키는 단계; 및
상기 세정노즐이 스팀세정을 수행하는 단계를 포함하고,
상기 세정노즐이 스팀세정을 수행하는 단계는,
스팀유입관이 외부공간으로부터 내부공간을 분리시키는 몸체 내부로 스팀을 들이는 단계;
액체유입관이 상기 몸체 내부로 액체를 들이는 단계; 및
분사구가 상기 액체 및 상기 스팀을 구비하는 분사유체를 세정하고자 하는 대상에 분사하는 단계를 포함하되,
상기 몸체(100)는,
상부 몸체(110); 및
제1하부 몸체(120) 및 제2하부 몸체(130)로 구성된 하부 몸체(140)를 포함하고,
상기 하부 몸체(140)의 내부 영역은,
상기 분사구(222) 방향으로 갈수록 설정된 길이만큼 폭이 좁아지는 제1영역(141);
상기 제1영역(141) 아래에 구비된 영역으로, 상기 분사구(222) 방향으로 갈수록 폭이 일정한 제2영역(142);
상기 제2영역(142) 아래에 구비된 영역으로, 상기 분사구(222) 방향으로 갈수록 상기 제2영역(142)의 폭보다 폭이 설정된 길이만큼 더 좁아지는 제3영역(143); 및
상기 제3영역(143) 아래에 구비된 영역으로, 상기 분사구 방향으로 갈수록 폭이 일정한 분사관(220)을 포함하고,
상기 스팀 유입관(204)은 상기 상부 몸체(110)의 윗면과 연결되어 있고, 상기 액체 유입관(202)은 상기 제2영역(142)의 외측면과 연결되어 있는 스팀세정방법.
Generating steam by the steam generator and adjusting the pressure and temperature of the steam;
Moving the steam to the cleaning nozzle by a steam transport pipe; And
The cleaning nozzle comprises the step of performing steam cleaning,
In the cleaning nozzle performing steam cleaning,
Steam inlet pipe into the body to separate the inner space from the outer space;
The liquid inlet pipe introduces liquid into the body; And
Injecting the injection port to the object to be cleaned to the injection fluid having the liquid and the steam,
The body 100,
Upper body 110; And
It includes a lower body 140 consisting of a first lower body 120 and a second lower body 130,
The inner region of the lower body 140,
A first region 141 whose width is narrowed by a predetermined length toward the injection hole 222;
A second area 142 provided below the first area 141, the width of which is constant toward the injection hole 222;
A third region 143 provided below the second region 142, the width of which is narrower by a set length than the width of the second region 142 toward the injection hole 222; And
An area provided below the third area 143, and includes a spray pipe 220 having a constant width toward the spray hole.
The steam inlet pipe (204) is connected to the upper surface of the upper body (110), the liquid inlet pipe (202) is connected to the outer surface of the second region (142) steam cleaning method.
상기 스팀발생장치가 스팀을 발생시키고, 상기 스팀의 압력과 온도를 조절하는 단계는,
상기 스팀발생장치가 0.1Mpa 이상 0.4Mpa 이하에 해당하는 상기 스팀을 발생시키는 단계를 포함하고,
상기 액체유입관이 상기 몸체 내부로 액체를 들이는 단계는,
상기 액체유입관이 상기 분사구의 장축의 길이 150mm 당, 0.1 ℓ/min 이상 5 ℓ/min 이하의 부피에 해당하는 상기 액체를 들이는 단계를 포함하고,
상기 분사구가 상기 스팀 및 상기 액체를 구비하는 분사유체를 세정하고자 하는 대상에 분사하는 단계는,
상기 분사구로부터 분사되는 분사유체가 1μm 이상 15 μm 이하의 지름에 해당하는 미세물방울(cavity, 공동)을 포함하는 단계;
상기 분사유체를 상기 분사구로부터 20 m/s 이상 300 m/s 이하의 속도로 분사하는 단계; 및
상기 분사구로부터 상기 대상까지의 거리가, 5mm 이상 400mm 이하에 해당되는 단계를 포함하는 스팀세정방법.
The method of claim 8,
The steam generating device generates steam, and adjusting the pressure and temperature of the steam,
The steam generator comprises the step of generating the steam corresponding to 0.1Mpa or more and 0.4Mpa or less,
Wherein the liquid inlet pipe into the liquid into the body,
The liquid inlet pipe comprises the step of introducing the liquid corresponding to the volume of 0.1 l / min or more and 5 l / min or less per 150 mm of the long axis of the injection port,
The spraying step of spraying the injection fluid containing the steam and the liquid to the object to be cleaned,
The injection fluid injected from the injection port comprises a fine droplet (cavity, cavity) corresponding to the diameter of 1 μm or more and 15 μm or less;
Injecting the injection fluid from the injection hole at a speed of 20 m / s or more and 300 m / s or less; And
Steam cleaning method comprising the step of the distance from the injection port to the target, 5mm or more and 400mm or less.
상기 스팀발생장치가 스팀을 발생시키고 상기 스팀의 압력과 온도를 조절하는 단계는,
상기 스팀발생장치가 0.2Mpa 이상 0.4Mpa 이하에 해당하는 상기 스팀을 발생시키는 단계를 포함하고,
상기 액체유입관이 상기 몸체 내부로 액체를 들이는 단계는,
상기 액체유입관이 상기 분사구의 장축의 길이 150mm 당, 0.1 ℓ/min 이상 5 ℓ/min 이하의 부피에 해당하는 상기 액체를 들이는 단계를 포함하고,
상기 분사구가 상기 스팀 및 상기 액체를 구비하는 분사유체를 세정하고자 하는 대상에 분사하는 단계는,
상기 분사구로부터 분사되는 분사유체가 10μm 이상 15 μm 이하의 지름에 해당하는 미세물방울(cavity, 공동)을 포함하는 단계;
상기 분사유체를 상기 분사구로부터 100 m/s 이상 300 m/s 이하의 속도로 분사하는 단계; 및
상기 분사구로부터 상기 대상까지의 거리가, 100mm 이상 400mm 이하에 해당되는 단계를 포함하고,
상기 대상은,
풉(foup, front opening unified pod, front opening universal pod)을 포함하는 스팀세정방법.
The method of claim 8,
The steam generating device to generate steam and to adjust the pressure and temperature of the steam,
The steam generating device comprises the step of generating the steam corresponding to 0.2Mpa or more and 0.4Mpa or less,
Wherein the liquid inlet pipe into the liquid into the body,
The liquid inlet pipe comprises the step of introducing the liquid corresponding to the volume of 0.1 l / min or more and 5 l / min or less per 150 mm of the long axis of the injection port,
The spraying step of spraying the injection fluid containing the steam and the liquid to the object to be cleaned,
The injection fluid is injected from the injection port comprises a fine droplet (cavity, cavity) corresponding to the diameter of 10 ㎛ or more and 15 ㎛ or less;
Injecting the injection fluid from the injection hole at a speed of 100 m / s or more and 300 m / s or less; And
A distance from the injection port to the object corresponds to 100 mm or more and 400 mm or less,
The object is,
Steam cleaning method comprising a (foup, front opening unified pod, front opening universal pod).
상기 스팀발생장치가 스팀을 발생시키고 상기 스팀의 압력과 온도를 조절하는 단계는,
상기 스팀발생장치가 0.2Mpa 이상 0.4Mpa 이하에 해당하는 상기 스팀을 발생시키는 단계를 포함하고,
상기 액체유입관이 상기 몸체 내부로 액체를 들이는 단계는,
상기 액체유입관이 상기 분사구의 장축의 길이 150mm 당, 0.1 ℓ/min 이상 5 ℓ/min 이하의 부피에 해당하는 상기 액체를 들이는 단계를 포함하고,
상기 분사구가 상기 스팀 및 상기 액체를 구비하는 분사유체를 세정하고자 하는 대상에 분사하는 단계는,
상기 분사구로부터 분사되는 분사유체가 5μm 이상 15 μm 이하의 지름에 해당하는 미세물방울(cavity, 공동)을 포함하는 단계;
상기 분사유체를 상기 분사구로부터 100 m/s 이상 300 m/s 이하의 속도로 분사하는 단계; 및
상기 분사구로부터 상기 대상까지의 거리가, 5mm 이상 20mm 이하에 해당되는 단계를 포함하고,
상기 대상은,
화학적, 기계적 연마공정이 처리된 웨이퍼를 포함하는 스팀세정방법.
The method of claim 8,
The steam generating device to generate steam and to adjust the pressure and temperature of the steam,
The steam generating device comprises the step of generating the steam corresponding to 0.2Mpa or more and 0.4Mpa or less,
Wherein the liquid inlet pipe into the liquid into the body,
The liquid inlet pipe comprises the step of introducing the liquid corresponding to the volume of 0.1 l / min or more and 5 l / min or less per 150 mm of the long axis of the injection port,
The spraying step of spraying the injection fluid containing the steam and the liquid to the object to be cleaned,
The injection fluid is injected from the injection port comprises a fine droplet (cavity, cavity) corresponding to the diameter of 5 μm or more and 15 μm or less;
Injecting the injection fluid from the injection hole at a speed of 100 m / s or more and 300 m / s or less; And
And a step in which the distance from the injection hole to the object corresponds to 5 mm or more and 20 mm or less,
The object is,
Steam cleaning method comprising a wafer subjected to chemical and mechanical polishing process.
상기 스팀발생장치가 스팀을 발생시키고 상기 스팀의 압력과 온도를 조절하는 단계는,
상기 스팀발생장치가 0.1Mpa 이상 0.3Mpa 이하에 해당하는 상기 스팀을 발생시키는 단계를 포함하고,
상기 액체유입관이 상기 몸체 내부로 액체를 들이는 단계는,
상기 액체유입관이 상기 분사구의 장축의 길이 150mm 당, 0.1 ℓ/min 이상 5 ℓ/min 이하의 부피에 해당하는 상기 액체를 들이는 단계를 포함하고,
상기 분사구가 상기 스팀 및 상기 액체를 구비하는 분사유체를 세정하고자 하는 대상에 분사하는 단계는,
상기 분사구로부터 분사되는 분사유체가 5μm 이상 15 μm 이하의 지름에 해당하는 미세물방울(cavity, 공동)을 포함하는 단계;
상기 분사유체를 상기 분사구로부터 100 m/s 이상 300 m/s 이하의 속도로 분사하는 단계; 및
상기 분사구로부터 상기 대상까지의 거리가, 5mm 이상 20mm 이하에 해당되는 단계를 포함하고,
상기 대상은,
증착공정이 처리된 웨이퍼를 포함하는 스팀세정방법.
The method of claim 8,
The steam generating device to generate steam and to adjust the pressure and temperature of the steam,
The steam generating device comprises the step of generating the steam corresponding to 0.1Mpa or more and 0.3Mpa or less,
Wherein the liquid inlet pipe into the liquid into the body,
The liquid inlet pipe comprises the step of introducing the liquid corresponding to the volume of 0.1 l / min or more and 5 l / min or less per 150 mm of the long axis of the injection port,
The spraying step of spraying the injection fluid containing the steam and the liquid to the object to be cleaned,
The injection fluid is injected from the injection port comprises a fine droplet (cavity, cavity) corresponding to the diameter of 5 μm or more and 15 μm or less;
Injecting the injection fluid from the injection hole at a speed of 100 m / s or more and 300 m / s or less; And
And a step in which the distance from the injection hole to the object corresponds to 5 mm or more and 20 mm or less,
The object is,
Steam cleaning method comprising a wafer subjected to the deposition process.
상기 스팀발생장치가 스팀을 발생시키고 상기 스팀의 압력과 온도를 조절하는 단계는,
상기 스팀발생장치가 0.1Mpa 이상 0.3Mpa 이하에 해당하는 상기 스팀을 발생시키는 단계를 포함하고,
상기 액체유입관이 상기 몸체 내부로 액체를 들이는 단계는,
상기 액체유입관이 상기 분사구의 장축의 길이 150mm 당, 0.1 ℓ/min 이상 5 ℓ/min 이하의 부피에 해당하는 상기 액체를 들이는 단계를 포함하고,
상기 분사구가 상기 스팀 및 상기 액체를 구비하는 분사유체를 세정하고자 하는 대상에 분사하는 단계는,
상기 분사구로부터 분사되는 분사유체가 1μm 이상 10 μm 이하의 지름에 해당하는 미세물방울(cavity, 공동)을 포함하는 단계;
상기 분사유체를 상기 분사구로부터 20 m/s 이상 150 m/s 이하의 속도로 분사하는 단계; 및
상기 분사구로부터 상기 대상까지의 거리가, 5mm 이상 20mm 이하에 해당되는 단계를 포함하고,
상기 대상은,
포토마스크 레티클(reticle, reticule)을 구비하는 웨이퍼를 포함하는 스팀세정방법.
The method of claim 8,
The steam generating device to generate steam and to adjust the pressure and temperature of the steam,
The steam generating device comprises the step of generating the steam corresponding to 0.1Mpa or more and 0.3Mpa or less,
Wherein the liquid inlet pipe into the liquid into the body,
The liquid inlet pipe comprises the step of introducing the liquid corresponding to the volume of 0.1 l / min or more and 5 l / min or less per 150 mm of the long axis of the injection port,
The spraying step of spraying the injection fluid containing the steam and the liquid to the object to be cleaned,
The injection fluid injected from the injection port comprises a fine droplet (cavity, cavity) corresponding to the diameter of 1 μm or more and 10 μm or less;
Spraying the injection fluid at a speed of 20 m / s or more and 150 m / s or less from the injection hole; And
And a step in which the distance from the injection hole to the object corresponds to 5 mm or more and 20 mm or less,
The object is,
Steam cleaning method comprising a wafer having a photomask reticle (reticle, reticule).
상기 스팀발생장치가 스팀을 발생시키고 상기 스팀의 압력과 온도를 조절하는 단계는,
상기 스팀발생장치가 0.1Mpa 이상 0.3Mpa 이하에 해당하는 상기 스팀을 발생시키는 단계를 포함하고,
상기 액체유입관이 상기 몸체 내부로 액체를 들이는 단계는,
상기 액체유입관이 상기 분사구의 장축의 길이 150mm 당, 0.1 ℓ/min 이상 5 ℓ/min 이하의 부피에 해당하는 상기 액체를 들이는 단계를 포함하고,
상기 분사구가 상기 스팀 및 상기 액체를 구비하는 분사유체를 세정하고자 하는 대상에 분사하는 단계는,
상기 분사구로부터 분사되는 분사유체가 1μm 이상 10 μm 이하의 지름에 해당하는 미세물방울(cavity, 공동)을 포함하는 단계;
상기 분사유체를 상기 분사구로부터 20 m/s 이상 100 m/s 이하의 속도로 분사하는 단계; 및
상기 분사구로부터 상기 대상까지의 거리가, 5mm 이상 20mm 이하에 해당되는 단계를 포함하고,
상기 대상은,
식각 후 포토레지스트(photoresist, 감광성 수지) 제거공정이 처리된 웨이퍼를 포함하는 스팀세정방법.
The method of claim 8,
The steam generating device to generate steam and to adjust the pressure and temperature of the steam,
The steam generating device comprises the step of generating the steam corresponding to 0.1Mpa or more and 0.3Mpa or less,
Wherein the liquid inlet pipe into the liquid into the body,
The liquid inlet pipe comprises the step of introducing the liquid corresponding to the volume of 0.1 l / min or more and 5 l / min or less per 150 mm of the long axis of the injection port,
The spraying step of spraying the injection fluid containing the steam and the liquid to the object to be cleaned,
The injection fluid injected from the injection port comprises a fine droplet (cavity, cavity) corresponding to the diameter of 1 μm or more and 10 μm or less;
Injecting the injection fluid from the injection hole at a speed of 20 m / s or more and 100 m / s or less; And
And a step in which the distance from the injection hole to the object corresponds to 5 mm or more and 20 mm or less,
The object is,
Steam cleaning method comprising a wafer subjected to the photoresist (photosensitive resin) removal process after etching.
상기 액체유입관이 상기 몸체 내부로 액체를 들이는 단계는,
순수 또는 30ppm이하의 농도에 해당하는 오존수를 들이는 단계를 더 포함하는 스팀세정방법.
The method of claim 14,
Wherein the liquid inlet pipe into the liquid into the body,
Steam cleaning method further comprises the step of introducing pure water or ozone water corresponding to a concentration of 30ppm or less.
상기 액체유입관이 상기 몸체 내부로 액체를 들이는 단계는,
순수 또는 30ppm이하의 농도에 해당하는 오존수를 들이는 단계; 및
기체유입관이 상기 몸체 내부로 기체를 들이는 단계를 더 포함하고,
상기 분사구가 상기 스팀 및 상기 액체를 구비하는 분사유체를 세정하고자 하는 대상에 분사하는 단계는,
상기 스팀, 상기 액체 및 상기 기체 중 적어도 하나 이상을 구비하는 분사유체를 분사하는 단계를 더 포함하는 스팀세정방법.
The method of claim 14,
Wherein the liquid inlet pipe into the liquid into the body,
Injecting pure water or ozone water corresponding to a concentration of 30 ppm or less; And
The gas inlet pipe further comprises the step of introducing gas into the body,
The spraying step of spraying the injection fluid containing the steam and the liquid to the object to be cleaned,
And injecting an injection fluid having at least one of the steam, the liquid and the gas.
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