KR102007523B1

KR102007523B1 - Substrate cleaning system

Info

Publication number: KR102007523B1
Application number: KR1020170104575A
Authority: KR
Inventors: 최대규; 이국환
Original assignee: 엔피홀딩스
Priority date: 2017-08-18
Filing date: 2017-08-18
Publication date: 2019-08-06
Also published as: KR20190019510A

Abstract

본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 세정 시스템은 기판을 처리하는 공간을 구비하는 챔버, 상기 기판의 세정 대상면이 하부를 향하도록 상기 기판을 챔버 내부에 홀딩하는 홀더, 및 상기 기판의 하부에 상기 기판과 이격되어 위치하고, 분사구가 상기 세정 대상면 방향을 향하도록 설치되어, 상기 세정 대상면으로 혼상유체를 분사하는 세정부를 포함한다.A substrate cleaning system according to an embodiment of the present invention includes a chamber having a space for processing a substrate, a holder for holding the substrate inside the chamber so that the surface to be cleaned of the substrate faces downward, and the lower portion of the substrate. It is located apart from the substrate, the injection port is provided so as to face the direction of the cleaning target surface, and includes a cleaning unit for injecting a mixed fluid to the cleaning target surface.

Description

Substrate Cleaning System {SUBSTRATE CLEANING SYSTEM}

본 발명은 기판 하부에서 스팀을 분사하는 기판 세정 시스템에 관한 것이다. The present invention relates to a substrate cleaning system that injects steam under the substrate.

반도체 장치가 고집적화 되면서 기판 상에 구현해야 하는 회로의 패턴 역시 점차 미세화 되고 있다. 기판 상의 패턴은 미세한 오염물에 의해 반도체 소자의 불량을 발생시킬 수 있으며, 이에 따라 세정공정의 중요성이 더욱 더 부각되고 있다. 세정공정은 초음파 발진기를 거친 순수를 분사하거나, 고압 노즐을 사용하여 순수를 분사한다.As semiconductor devices become highly integrated, circuit patterns that must be implemented on substrates are also becoming smaller. The pattern on the substrate may cause defects in the semiconductor device due to fine contaminants, and thus the importance of the cleaning process is becoming more and more important. The cleaning process sprays pure water through an ultrasonic oscillator or sprays pure water using a high pressure nozzle.

기판의 표면에 단순 부착된 오염물은 초음파 또는 고압의 순수 만을 이용하여 쉽게 제거될 수 있다. 이에 반해, 기판의 표면 또는 패턴에 강하게 결합된 오염물은 단시간 내에 효과적으로 제거될 수 없다. 그 결과, 제거되지 않은 오염물에 의해 후속 공정에서 막질의 균일도를 저하시키고, 기판의 결함을 초래할 수 있다.Contaminants that are simply attached to the surface of the substrate can be easily removed using only ultrasonic or high pressure pure water. In contrast, contaminants strongly bound to the surface or pattern of the substrate cannot be effectively removed in a short time. As a result, contaminants that have not been removed can lower the uniformity of the film quality in subsequent processes and lead to defects in the substrate.

일반적으로, 오염물의 제거방법으로는 순수의 높은 압력을 이용할 수 있다. 그러나 분사 압력이 증가함에 따라 미세한 반도체 회로의 패턴이 무너지는 문제 및 반도체 회로의 동작 문제가 발생할 수 있다.In general, a high pressure of pure water can be used as a method of removing contaminants. However, as the injection pressure increases, there may occur a problem that the pattern of the fine semiconductor circuit collapses and an operation problem of the semiconductor circuit.

또한, 분사 압력이 증가함에 따라 순수의 입자크기가 증가되고, 이에 따라 반도체 회로의 패턴 사이에 존재하는 오염물이 존재하는 문제가 발생할 수 있다.In addition, as the injection pressure is increased, the particle size of the pure water is increased, thereby causing a problem that contaminants existing between the patterns of the semiconductor circuit exist.

마지막으로, 스팀이 기판 세정을 수행한 후에, 오염물을 포함하게 되고, 이후, 오염물을 포함하는 스팀이 사방으로 비산되어, 이미 세정이 완료된 기판에 재오염을 야기할 수 있다.Finally, after the steam has performed the substrate cleaning, the contaminants may be contaminated, and thereafter, the steam containing the contaminants may be scattered in all directions, causing recontamination on the substrate which has already been cleaned.

본 발명의 목적은 파티클 또는 혼상유체에 의한 기판의 재오염을 방지하는 기판 세정 시스템을 제공하는데 있다.It is an object of the present invention to provide a substrate cleaning system that prevents recontamination of a substrate by particles or mixed fluids.

본 발명의 다른 목적은 기판의 세정 효율을 증가시키는 기판 세정 시스템을 제공하는데 있다.Another object of the present invention is to provide a substrate cleaning system that increases the cleaning efficiency of a substrate.

본 발명의 또 다른 목적은 기판 패턴의 손상을 감소시키는 기판 세정 시스템을 제공하는데 있다.It is yet another object of the present invention to provide a substrate cleaning system that reduces damage to the substrate pattern.

상기와 같은 기술적 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 세정 시스템은 기판을 처리하는 공간을 구비하는 챔버, 상기 기판의 세정 대상면이 하부를 향하도록 상기 기판을 챔버 내부에 홀딩하는 홀더, 및 상기 기판의 하부에 상기 기판과 이격되어 위치하고, 분사구가 상기 세정 대상면 방향을 향하도록 설치되어, 상기 세정 대상면으로 혼상유체를 분사하는 세정부를 포함한다.In order to solve the above technical problem, a substrate cleaning system according to an embodiment of the present invention, the chamber having a space for processing the substrate, holding the substrate in the chamber so that the cleaning surface of the substrate facing downward And a cleaning unit positioned below the substrate and spaced apart from the substrate, such that an injection hole is directed toward the cleaning target surface and injects a mixed fluid to the cleaning target surface.

실시 예에 있어서, 상기 세정부로 스팀을 공급하는 스팀(Steam) 공급부, 상기 세정부로 압축건조공기를 공급하는 CDA(Compressed dry air) 공급부, 및 상기 세정부로 순수를 공급하는 DIW(Deionized water) 공급부를 더 포함할 수 있다.In an embodiment, a steam supply unit for supplying steam to the cleaning unit, a compressed dry air (CDA) supply unit for supplying compressed dry air to the cleaning unit, and DIW (Deionized water) for supplying pure water to the cleaning unit ) May further include a supply unit.

실시 예에 있어서, 상기 챔버는 상기 세정 대상면에서 비산하는 상기 혼상유체 및 세정으로 발생된 파티클을 외부로 배출하는 적어도 하나 이상의 배출구를 포함할 수 있다.In an embodiment, the chamber may include at least one discharge port for discharging the mixed fluid and the particles generated by the cleaning to the outside to scatter from the surface to be cleaned.

실시 예에 있어서, 상기 적어도 하나 이상의 배출구는 상기 챔버의 상단 및 하단 중 적어도 어느 한 곳 이상에 설치될 수 있다.In at least one outlet, the at least one outlet may be installed at least one of the upper and lower ends of the chamber.

실시 예에 있어서, 상기 세정부는 상기 분사구의 주변에 석션부를 구비하고, 상기 석션부는 상기 배출구와 연결되어, 상기 혼상유체 및 상기 파티클을 상기 배출구에 전달할 수 있다.In an embodiment, the cleaning part may include a suction part around the injection hole, and the suction part may be connected to the discharge port to transfer the mixed fluid and the particle to the discharge port.

실시 예에 있어서, 상기 챔버는 상기 기판의 상부에 위치하여, 비산하는 혼상유체 및 세정으로 발생된 파티클로부터 상기 홀더를 보호하는 상부 커버, 및 상기 세정부의 하부에 위치하여, 상기 비산하는 상기 혼상유체 및 상기 파티클로부터 상기 세정부를 보호하는 하부 커버를 포함할 수 있다.In an embodiment, the chamber may be positioned above the substrate to protect the holder from scattered mixed fluid and particles generated by cleaning, and may be located below the cleaning unit to scatter the mixed phase. It may include a lower cover to protect the cleaning unit from the fluid and the particles.

실시 예에 있어서, 상기 상부 커버 및 하부 커버 중 적어도 하나 이상은 상기 비산하는 상기 혼상유체 및 상기 파티클이 상기 챔버 외부로 배출되도록, 상기 비산하는 혼상유체 및 상기 파티클의 경로를 형성하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 세정 시스템.In some embodiments, at least one of the upper cover and the lower cover may include forming a path of the scattering mixed fluid and the particles such that the scattering mixed fluid and the particles are discharged out of the chamber. Substrate cleaning system.

실시 예에 있어서, 상기 혼상유체는 상기 스팀, 상기 순수 및 상기 압축건조공기 중 적어도 둘 이상이 혼합된 유체를 포함할 수 있다.In an embodiment, the mixed fluid may include a fluid in which at least two or more of the steam, the pure water, and the compressed dry air are mixed.

실시 예에 있어서, 상기 순수는 탈이온수(DIW, deionized water) 및 초순수(UPW, ultrapure water) 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다.In some embodiments, the pure water may include at least one of deionized water (DIW) and ultrapure water (UPW).

실시 예에 있어서, 상기 압축건조공기는 청정공기(CDA, clean dry air), 질소(N2), 산소(O2) 및 스팀 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다.In some embodiments, the compressed dry air may include at least one of clean air (CDA), nitrogen (N 2), oxygen (O 2), and steam.

본 발명에 따른 기판 세정 시스템의 효과에 대해 설명하면 다음과 같다.The effect of the substrate cleaning system according to the present invention will be described below.

본 발명의 실시 예들 중 적어도 하나에 의하면, 기판 세정 시스템은 파티클 또는 혼상유체에 의한 기판의 재오염을 방지할 수 있다.According to at least one of the embodiments of the present invention, the substrate cleaning system may prevent recontamination of the substrate by the particles or the mixed fluid.

또한, 본 발명의 실시 예들 중 적어도 하나에 의하면, 기판 세정 시스템은 기판의 세정 효율을 증가시킬 수 있다.In addition, according to at least one of the embodiments of the present invention, the substrate cleaning system may increase the cleaning efficiency of the substrate.

또한, 본 발명의 실시 예들 중 적어도 하나에 의하면, 기판 세정 시스템은 기판 패턴의 손상을 감소시킬 수 있다.In addition, according to at least one of the embodiments of the present invention, the substrate cleaning system may reduce damage of the substrate pattern.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 세정 시스템을 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 다른 일 실시 예에 따른 기판 세정 시스템을 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 또 다른 일 실시 예에 따른 기판 세정 시스템의 예들을 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 일 실시 예에 따른 기판 세정 시스템의 예들을 나타내는 도면이다.1 is a diagram illustrating a substrate cleaning system according to an exemplary embodiment.
2 is a diagram illustrating a substrate cleaning system according to another exemplary embodiment.
3 is a diagram illustrating examples of a substrate cleaning system according to another exemplary embodiment.
4 is a diagram illustrating examples of a substrate cleaning system according to another exemplary embodiment.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서에 개시된 실시 예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 유사한 구성요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 이하의 설명에서 사용되는 구성요소에 대한 접미사 "모듈" 및 "부"는 명세서 작성의 용이함만이 고려되어 부여되거나 혼용되는 것으로서, 그 자체로 서로 구별되는 의미 또는 역할을 갖는 것은 아니다. 또한, 본 명세서에 개시된 실시 예를 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 명세서에 개시된 실시 예의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 첨부된 도면은 본 명세서에 개시된 실시 예를 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것일 뿐, 첨부된 도면에 의해 본 명세서에 개시된 기술적 사상이 제한되지 않으며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. Hereinafter, embodiments of the present disclosure will be described in detail with reference to the accompanying drawings, and the same or similar components are denoted by the same reference numerals regardless of the reference numerals, and redundant description thereof will be omitted. The suffixes "module" and "unit" for components used in the following description are given or used in consideration of ease of specification, and do not have distinct meanings or roles from each other. In addition, in describing the embodiments disclosed herein, when it is determined that the detailed description of the related known technology may obscure the gist of the embodiments disclosed herein, the detailed description thereof will be omitted. In addition, the accompanying drawings are intended to facilitate understanding of the embodiments disclosed herein, but are not limited to the technical spirit disclosed herein by the accompanying drawings, all changes included in the spirit and scope of the present invention. It should be understood to include equivalents and substitutes.

제1, 제2 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.Terms including ordinal numbers such as first and second may be used to describe various components, but the components are not limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another.

어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다.When a component is referred to as being "connected" or "connected" to another component, it may be directly connected to or connected to that other component, but it may be understood that other components may be present in between. Should be. On the other hand, when a component is said to be "directly connected" or "directly connected" to another component, it should be understood that there is no other component in between.

단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise.

본 출원에서, "포함한다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.In this application, the terms "comprises" or "having" are intended to indicate that there is a feature, number, step, operation, component, part, or combination thereof described in the specification, and one or more other features. It is to be understood that the present invention does not exclude the possibility of the presence or the addition of numbers, steps, operations, components, components, or a combination thereof.

이하, 도면들을 참조하여 본 발명의 실시 예에 대해 상세히 설명하기로 한다. 본 발명은 본 발명의 정신 및 필수적 특징을 벗어나지 않는 범위에서 다른 특정한 형태로 구체화될 수 있음은 당업자에게 자명하다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. It is apparent to those skilled in the art that the present invention can be embodied in other specific forms without departing from the spirit and essential features of the present invention.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 세정 시스템을 나타내는 도면이다.1 is a diagram illustrating a substrate cleaning system according to an exemplary embodiment.

도 1을 참조하면, 기판 세정 시스템은 챔버(110), 홀더(120), 세정부(130), 기판(140), 커버(150), 스팀(Steam) 공급부(160), CDA(Compressed dry air) 공급부(170) 및 DIW(Deionized water) 공급부(180)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, the substrate cleaning system includes a chamber 110, a holder 120, a cleaning unit 130, a substrate 140, a cover 150, a steam supply unit 160, and compressed dry air (CDA). ) Supply unit 170 and DIW (Deionized water) supply unit 180 may be included.

챔버(110)는 기판(140)을 처리하는 영역을 포함하는 밀폐된 공간으로 형성될 수 있고, 대표적으로 진공 챔버(Vacuum chamber)를 포함할 수 있다. 챔버(110)는 홀더(120) 및 세정부(130)를 챔버(110)의 내부 공간에 구비할 수 있다.The chamber 110 may be formed as a closed space including an area for processing the substrate 140, and may typically include a vacuum chamber. The chamber 110 may include a holder 120 and a cleaning unit 130 in an inner space of the chamber 110.

또한, 챔버(110)는 홀더(120) 및 세정부(130)를 보호하는 커버(150)를 구비할 수 있다. 챔버(110)는 챔버(110)의 상단 및 하단 중 어느 한 곳 이상에 적어도 하나 이상의 배출구(112, 114)를 구비할 수 있다.In addition, the chamber 110 may include a cover 150 that protects the holder 120 and the cleaning unit 130. The chamber 110 may include at least one or more outlets 112 and 114 at any one or more of the top and bottom of the chamber 110.

배출구(112, 114)는 챔버(110)의 상단 및 하단 중 적어도 어느 한 곳 이상에 구비될 수 있다. 구체적으로, 배출구(112, 114)는 상단에 위치하는 제1배출구(112) 및 하단에 위치하는 제2배출구(114)를 포함할 수 있다. The outlets 112 and 114 may be provided at at least one of the upper and lower ends of the chamber 110. In detail, the outlets 112 and 114 may include a first outlet 112 positioned at an upper end and a second outlet 114 positioned at a lower end.

배출구(112, 114)는 진공펌프(미도시)와 연결될 수 있다. 진공펌프는 배출구(112, 114)를 통하여 챔버(110) 내부를 진공상태 또는 대기압 상태로 형성할 수 있다. 또한, 배출구(112, 114)는 배기펌프와 연결될 수 있다. 배기펌프는 세정작용으로 발생되는 챔버(110) 내부의 비산하는 유체, 혼상유체 및 파티클 중 적어도 하나 이상을 배출구(112, 114)를 통하여 외부로 배출할 수 있다.Outlets 112 and 114 may be connected to a vacuum pump (not shown). The vacuum pump may form the interior of the chamber 110 in a vacuum state or an atmospheric pressure state through the outlets 112 and 114. In addition, the outlets 112 and 114 may be connected to the exhaust pump. The exhaust pump may discharge at least one or more of scattering fluid, mixed fluid and particles in the chamber 110 generated by the cleaning operation to the outside through the outlets 112 and 114.

홀더(120)는 챔버(110) 내부 중심부에 위치하는 기판(140)을 홀딩시켜, 기판(140)의 폭 방향 흔들림을 방지할 수 있다. The holder 120 may hold the substrate 140 positioned in the center of the chamber 110 to prevent the substrate 140 from shaking in the width direction.

홀더(120)는 챔버(110)의 상단으로부터 하단 방향으로 설치될 수 있고, 하단에 기판(140)을 홀딩하기 위한 척(122)을 구비할 수 있다. 기판(140)은 척(122)에 홀딩되어 세정부(130) 분사구(미도시)의 인접한 영역에 형성될 수 있다. The holder 120 may be installed in a lower direction from the top of the chamber 110, and may include a chuck 122 for holding the substrate 140 at the bottom. The substrate 140 may be held in the chuck 122 and formed in an adjacent region of the jetting hole (not shown) of the cleaning unit 130.

기판(140)은 세정 대상면(142)이 하단 방향을 향하도록 형성될 수 있다. 여기서, 기판(140)은 글라스(Glass) 기판, 반도체 기판 및 포토마스크 중 하나를 포함할 수 있다. The substrate 140 may be formed such that the cleaning target surface 142 faces the lower direction. Here, the substrate 140 may include one of a glass substrate, a semiconductor substrate, and a photomask.

척(122)은 금속 또는 세라믹 재질로 이루어질 수 있다. 척(122)은 진공을 이용하여 기판(140)을 고정시킬 수 있고, 전하를 대전시켜 척(122)과 기판(140) 사이에 발생하는 정전기력(Coulomb’s Force)을 통하여 기판(140)을 고정시킬 수도 있다.The chuck 122 may be made of metal or ceramic material. The chuck 122 may fix the substrate 140 using a vacuum, and charge the electric charge to fix the substrate 140 through a coulomb's force generated between the chuck 122 and the substrate 140. It may be.

세정부(130)는 챔버(110)내부에 위치하고, 적어도 하나 이상의 분사구를 구비할 수 있다. 세정부(130)에 위치하는 분사구는 세정 대상면(142)의 방향을 향하여 혼상유체를 발생시키도록 설치될 수 있다.The cleaning unit 130 may be located inside the chamber 110 and may include at least one injection hole. The injection hole located in the cleaning unit 130 may be installed to generate a mixed fluid toward the cleaning target surface 142.

세정부(130)는 스팀 공급부(160), CDA 공급부(170) 및 DIW 공급부(180) 중 적어도 하나 이상과 연결될 수 있다. 세정부(130)는 스팀 공급부(160), CDA 공급부(170) 및 DIW 공급부(180) 중 적어도 하나 이상의 유체를 공급받아, 분사구를 통하여 유체가 분사 될 수 있다. 또한, 세정부(130)의 분사구는 스팀 공급부(160), CDA 공급부(170) 및 DIW 공급부(180) 중 적어도 둘 이상이 혼합된 혼상유체를 분사시킬 수 있다. The cleaning unit 130 may be connected to at least one of the steam supply unit 160, the CDA supply unit 170, and the DIW supply unit 180. The cleaning unit 130 receives at least one fluid from the steam supply unit 160, the CDA supply unit 170, and the DIW supply unit 180, and the fluid may be injected through the injection hole. In addition, the injection hole of the cleaning unit 130 may inject a mixed fluid in which at least two or more of the steam supply unit 160, CDA supply unit 170 and DIW supply unit 180 is mixed.

세정부(130)는 X축 및 Y축의 기계적인 움직임을 통하여 세정 대상면(142)을 세정할 수 있고, 분사구의 각도 변환을 통하여 세정 대상면(142)을 세정할 수도 있다.The cleaning unit 130 may clean the object to be cleaned 142 through mechanical movement of the X and Y axes, and may clean the object to be cleaned 142 by changing the angle of the injection hole.

세정부(130)는 스팀(Steam) 공급부(160), CDA(Compressed dry air) 공급부(170) 및 DIW(Deionized water) 공급부(180)를 통하여 세정 대상면(142)에 부유된 유기/무기 성분의 파티클이 중력방향으로 떨어질 수 있다.The cleaning unit 130 is an organic / inorganic component suspended on the surface to be cleaned 142 through the steam supply unit 160, the compressed dry air supply unit 170, and the DIW supplying unit 180. The particles of may fall in the direction of gravity.

스팀 공급부(160)는 스팀을 세정부(130)로 공급할 수 있다.The steam supply unit 160 may supply steam to the cleaning unit 130.

스팀은 100℃ 내지 150℃ 범위에서 파티클이 제거된 포화수를 가열하여 생성되는 수증기형태로, 극 미량의 양이온과 음이온을 포함하는 파티클이 제거된 고순도의 스팀일 수 있다. 또한 과열증기는 180℃ 내지 220℃ 범위에서 파티클이 제거된 포화수를 가열하여 생성되는 고온의 가스체 형태로, 극 미량의 양이온과 음이온을 포함하는 파티클이 제거된 기체일 수 있다. The steam is in the form of steam generated by heating saturated water from which particles are removed in a range of 100 ° C. to 150 ° C., and may be high purity steam from which particles containing an extremely small amount of cations and anions are removed. In addition, the superheated steam is in the form of a hot gas body generated by heating saturated water from which particles are removed in a range of 180 ° C. to 220 ° C., and may be a gas from which particles containing an extremely small amount of cations and anions are removed.

CDA 공급부(170)는 세정부(130)로 청정공기(CDA; Clean dry air), 질소(N2) 및 산소(O2) 중 적어도 하나 이상을 포함하는 압축건조공기를 공급한다.The CDA supply unit 170 supplies compressed dry air including at least one of clean dry air (CDA), nitrogen (N 2), and oxygen (O 2) to the cleaning unit 130.

DIW 공급부(180)는 이온을 포함하지 않는 탈이온수(DIW, deionized water) 및 이온과 이온 이외의 불순물들을 포함하지 않는 초순수(UPW, ultrapure water) 중 적어도 하나 이상을 포함하는 순수를 세정부(130)로 공급한다.The DIW supply unit 180 cleans the pure water including at least one of deionized water (DIW) containing no ions and ultrapure water (UPW) containing no impurities other than ions and ions. ).

순수는 증류수 및 초순수를 이용하여 반도체 및 글라스 기판(140)을 세정하는 액체로, 일반적으로 양이온(양전하를 띈 이온)과 음이온(음전하를 띈 이온)을 제거한 수지컬럼 방법으로 제조되거나, 원수에 녹아 있는 염을 제거하는 탈염장치를 통한 역삼투 방법 등으로 제조된 순수를 포함할 수 있다. 또한 순수를 가열하여 포화수를 생성할 수 있다. Pure water is a liquid that cleans the semiconductor and glass substrate 140 using distilled water and ultrapure water. Generally, pure water is manufactured by a resin column method that removes positive ions (positive charge ions) and anions (negative charge ions), or dissolves in raw water. It may include a pure water prepared by a reverse osmosis method through a desalting apparatus for removing the salt. Pure water can also be heated to produce saturated water.

구체적으로, 포화수는 내부 에너지(압력 및 온도)가 포화상태에 도달한 물로써 1기압(표준대기압)에서는 100℃의 온도에서 포화수가 생성된다. 이러한 포화수는 압력에 따라 100℃ 이상일 수 있으며, 100℃ 이하일 수 있다.Specifically, saturated water is water in which internal energy (pressure and temperature) reaches saturation, and saturated water is produced at a temperature of 100 ° C. at 1 atmosphere (standard atmospheric pressure). The saturated water may be 100 ° C. or more, or 100 ° C. or less, depending on the pressure.

커버(150)는 상부커버(152) 및 하부커버(154) 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다.The cover 150 may include at least one of the upper cover 152 and the lower cover 154.

상부커버(152)는 홀더(120) 상부에 인접하여 형성될 수 있다. 상부커버(152)는 일면에 개구부를 구비할 수 있고, 개구부는 홀더(120) 측으로 향하도록 설치되어, 홀더(120)를 덮을 수 있다. 상부커버(152)는 챔버(110) 내에서 세정작용을 통하여 발생하고, 챔버(110) 내부로 비산하는 유체를 포함하는 혼상유체 및 오염물질로부터 홀더(120)를 보호할 수 있다.The upper cover 152 may be formed adjacent to the upper portion of the holder 120. The upper cover 152 may have an opening on one surface, and the opening may be installed to face the holder 120 to cover the holder 120. The upper cover 152 may be generated through a cleaning operation in the chamber 110, and may protect the holder 120 from contaminant fluids and contaminants including fluids scattering into the chamber 110.

하부커버(154)는 세정부(130)의 하부에 인접하여 형성될 수 있다. 하부커버(154)는 일면에 개구부를 구비할 수 있고, 개구부는 세정부(130) 측으로 향하도록 설치되어, 세정부(130)를 덮을 수 있다. 하부커버(154)는 챔버(110) 내에서 세정작용으로 발생하여, 챔버(110) 내부로 비산하는 유체를 포함하는 혼상유체 및 오염물질로부터 세정부(130)를 보호할 수 있다.The lower cover 154 may be formed adjacent to the lower portion of the cleaning unit 130. The lower cover 154 may have an opening on one surface thereof, and the opening may be installed to face the cleaning part 130, and cover the cleaning part 130. The lower cover 154 may be generated by a cleaning operation in the chamber 110 to protect the cleaning unit 130 from contaminants and contaminants including fluids scattering into the chamber 110.

도 2는 본 발명의 다른 일 실시 예에 따른 기판 세정 시스템을 나타내는 도면이다.2 is a diagram illustrating a substrate cleaning system according to another exemplary embodiment.

도 2를 참조하면, 기판 세정 시스템은 챔버(210), 홀더(220), 세정부(230), 기판(240) 및 커버(250)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 2, the substrate cleaning system may include a chamber 210, a holder 220, a cleaner 230, a substrate 240, and a cover 250.

챔버(210)는 기판(240)을 처리하는 영역을 포함하는 밀폐된 공간으로 형성될 수 있고, 대표적으로 진공 챔버(Vacuum chamber)를 포함할 수 있다. 챔버(210)는 홀더(220) 및 세정부(230)를 챔버(210)의 내부 공간에 구비할 수 있다.The chamber 210 may be formed as a closed space including an area for processing the substrate 240, and may typically include a vacuum chamber. The chamber 210 may include a holder 220 and a cleaning unit 230 in an inner space of the chamber 210.

또한, 챔버(210)는 홀더(220) 및 세정부(230)를 보호하는 커버(250)를 구비할 수 있다. 챔버(210)는 챔버(210)의 상단 및 하단 중 어느 한 곳 이상에 적어도 하나 이상의 배출구(212, 214)를 구비할 수 있다.In addition, the chamber 210 may include a cover 250 that protects the holder 220 and the cleaning unit 230. The chamber 210 may have at least one outlet 212, 214 at any one or more of the top and bottom of the chamber 210.

배출구(212, 214)는 챔버(210)의 상단 및 하단 중 적어도 어느 한 곳 이상에 구비될 수 있다. 구체적으로, 배출구(212, 214)는 상단에 위치하는 제1배출구(212) 및 하단에 위치하는 제2배출구(214)를 포함할 수 있다. The outlets 212 and 214 may be provided at at least one of the upper and lower ends of the chamber 210. Specifically, the outlets 212 and 214 may include a first outlet 212 located at the top and a second outlet 214 located at the bottom.

배출구(212, 214)는 진공펌프와 연결될 수 있다. 진공펌프는 배출구(212, 214)를 통하여 챔버(210) 내부를 진공상태 또는 대기압 상태로 형성할 수 있다. 또한, 배출구(212, 214)는 배기펌프와 연결될 수 있다. 배기펌프는 세정작용으로 발생되는 챔버(210) 내부의 비산하는 유체, 혼상유체 및 파티클 중 적어도 하나 이상을 배출구(212, 214)를 통하여 외부로 배출할 수 있다.Outlets 212 and 214 may be connected to a vacuum pump. The vacuum pump may form the inside of the chamber 210 in a vacuum state or an atmospheric pressure state through the outlets 212 and 214. In addition, the outlets 212 and 214 may be connected to the exhaust pump. The exhaust pump may discharge at least one or more of scattering fluid, mixed fluid and particles in the chamber 210 generated by the cleaning operation to the outside through the discharge ports 212 and 214.

홀더(220)는 챔버(210) 내부 중심부에 위치하는 기판(240)을 홀딩시켜, 기판(240)의 폭 방향 흔들림을 방지할 수 있다. The holder 220 may hold the substrate 240 positioned in the center of the chamber 210 to prevent the substrate 240 from shaking in the width direction.

홀더(220)는 챔버(210)의 상단으로부터 하단 방향으로 설치될 수 있고, 하단에 기판(240)을 홀딩하기 위한 척(222)을 구비할 수 있다. 기판(240)은 척(222)에 홀딩되어 세정부(230) 분사구의 인접한 영역에 형성될 수 있다. The holder 220 may be installed in a lower direction from an upper end of the chamber 210, and may include a chuck 222 for holding the substrate 240 at the lower end. The substrate 240 may be held in the chuck 222 and formed in an adjacent region of the jetting hole of the cleaning unit 230.

기판(240)은 세정 대상면(242)이 하단 방향을 향하도록 형성될 수 있다. 여기서, 기판(240)은 글라스(Glass) 기판, 반도체 기판 및 포토마스크 중 하나를 포함할 수 있다. The substrate 240 may be formed such that the cleaning target surface 242 faces the lower direction. Here, the substrate 240 may include one of a glass substrate, a semiconductor substrate, and a photomask.

척(222)은 금속 또는 세라믹 재질로 이루어질 수 있다. 척(222)은 진공을 이용하여 기판(240)을 고정시킬 수 있고, 전하를 대전시켜 척(222)과 기판(240) 사이에 발생하는 정전기력(Coulomb’s Force)을 통하여 기판(240)을 고정시킬 수도 있다.The chuck 222 may be made of metal or ceramic material. The chuck 222 may fix the substrate 240 by using a vacuum, and charge the electric charge to fix the substrate 240 through a coulomb's force generated between the chuck 222 and the substrate 240. It may be.

세정부(230)는 챔버(210)내부에 위치하고, 적어도 하나 이상의 분사구를 구비할 수 있다. 세정부(230)에 위치하는 분사구는 세정 대상면(242)의 방향을 향하여 혼상유체를 발생시키도록 설치될 수 있다.The cleaning unit 230 may be located in the chamber 210 and may include at least one injection hole. The injection hole located in the cleaning unit 230 may be installed to generate a mixed fluid toward the cleaning target surface 242.

세정부(230)는 도 1을 참조하여 보다 구체적으로 설명될 수 있다.The cleaning unit 230 may be described in more detail with reference to FIG. 1.

세정부(230)는 스팀(Steam) 공급부(160), CDA(Compressed dry air) 공급부(170) 및 DIW(Deionized water) 공급부(180) 중 적어도 하나 이상과 연결될 수 있다. 세정부(230)는 스팀 공급부(160), CDA 공급부(170) 및 DIW 공급부(180) 중 적어도 하나 이상의 유체를 공급받아, 분사구에서 유체가 분사 될 수 있다. 또한, 세정부(230)의 분사구는 스팀 공급부(160), CDA 공급부(170) 및 DIW 공급부(180) 중 적어도 둘 이상이 혼합된 혼상유체를 분사시킬 수 있다.The cleaning unit 230 may be connected to at least one of the steam supply unit 160, the compressed dry air supply unit 170, and the DIW supply unit 180. The cleaning unit 230 receives at least one or more fluids from the steam supply unit 160, the CDA supply unit 170, and the DIW supply unit 180, and the fluid may be injected from the injection hole. In addition, the injection port of the cleaning unit 230 may inject a mixed fluid in which at least two or more of the steam supply unit 160, CDA supply unit 170 and DIW supply unit 180 is mixed.

세정부(230)는 X축 및 Y축의 기계적인 움직임을 통하여 세정 대상면(242)을 세정할 수 있고, 분사구의 각도 변환을 통하여 세정 대상면(242)을 세정할 수도 있다.The cleaning unit 230 may clean the object to be cleaned 242 through mechanical movements of the X and Y axes, and may clean the object to be cleaned 242 by changing the angle of the injection hole.

커버(250)는 상부커버(252) 및 하부커버(254) 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다.The cover 250 may include at least one of the upper cover 252 and the lower cover 254.

상부커버(252)는 홀더(220) 상부에 인접하여 형성될 수 있다. 상부커버(252)는 일면에 개구부를 구비할 수 있고, 개구부는 홀더(220)측으로 향하도록 설치되어, 홀더(220)를 덮을 수 있다. 상부커버(252)는 챔버(210)내에서 세정작용을 통하여 발생하고, 챔버(210)내부로 비산하는 유체를 포함하는 혼상유체 및 오염물질로부터 홀더(220)를 보호할 수 있다.The upper cover 252 may be formed adjacent to the upper portion of the holder 220. The upper cover 252 may have an opening on one surface thereof, and the opening may be installed to face the holder 220 to cover the holder 220. The upper cover 252 may be generated through a cleaning operation in the chamber 210, and may protect the holder 220 from contaminant fluids and contaminants including fluids scattering into the chamber 210.

하부커버(254)는 세정부(230)의 하부에 인접하여 형성될 수 있다. 하부커버(254)는 일면에 개구부를 구비할 수 있고, 개구부는 세정부(230) 측으로 향하도록 설치되어, 세정부(230)를 덮을 수 있다. 하부커버(254)는 챔버(210) 내에서 세정작용으로 발생하여, 챔버(210) 내부로 비산하는 유체를 포함하는 혼상유체 및 오염물질로부터 세정부(230)를 보호할 수 있다.The lower cover 254 may be formed adjacent to the lower portion of the cleaning unit 230. The lower cover 254 may have an opening on one surface thereof, and the opening may be installed to face the cleaning part 230, and cover the cleaning part 230. The lower cover 254 may be generated by a cleaning operation in the chamber 210 to protect the cleaning unit 230 from contaminants and contaminants including fluids scattering into the chamber 210.

세정부(230)는 스팀 공급부(160), CDA 공급부(170) 및 DIW 공급부(180)를 통하여 세정 대상면(242)에 부유된 유기/무기 성분의 파티클이 중력방향으로 떨어질 수 있다.In the cleaning unit 230, particles of organic / inorganic components suspended in the cleaning target surface 242 through the steam supply unit 160, the CDA supply unit 170, and the DIW supply unit 180 may fall in the gravity direction.

이와 같은, 유기/무기 성분의 파티클은 상부커버(252) 및 하부커버(254) 의 외부 영역을 통하여 배출구(212, 214)로 배출될 수 있다. As such, particles of organic / inorganic components may be discharged to the outlets 212 and 214 through the outer regions of the upper cover 252 and the lower cover 254.

도 2에 도시된 화살표는 혼상유체 이동경로의 일 예를 나타낸다. 구체적으로, 혼상유체 중 일부는 상부커버(252)의 외부 영역을 통하여 상당에 위치하는 배출구(212)로 배출될 수 있고, 다른 일부는 하부커버(254)의 외부 영역을 통하여 하단에 위치하는 배출구(214)로 배출될 수 있다. Arrows shown in FIG. 2 represent an example of a mixed fluid flow path. Specifically, some of the mixed fluid may be discharged to the discharge port 212 located at a considerable amount through the outer region of the upper cover 252, and the other portion is discharged at the bottom through the outer region of the lower cover 254 May be discharged to 214.

도 2에 도시된 도면의 설명을 바탕으로 혼상유체의 이동경로는 상부커버(252)의 외부에 위치하는 파티클이 하단에 위치하는 배출구(214)로 배출되는 예 및 하부커버(254)의 외부에 위치하는 파티클이 상단에 위치하는 배출구(212)로 배출되는 예도 포함될 수 있다.Based on the description of the drawing shown in FIG. 2, the moving path of the mixed fluid is discharged to the discharge hole 214 located at the lower end of the particles located outside the upper cover 252 and to the outside of the lower cover 254. It may also include an example that the particles are located to be discharged to the outlet 212 located at the top.

도 3은 본 발명의 또 다른 일 실시 예에 따른 기판 세정 시스템의 예들을 나타내는 도면이다.3 is a diagram illustrating examples of a substrate cleaning system according to another exemplary embodiment.

도 3a 내지 도 3c를 참조하면, 기판 세정 시스템은 챔버(310), 배출구(312, 314), 홀더(320), 세정부(330), 기판(340), 제1석션부(392a), 제2석션부(392b) 및 제3석션부(392c)를 포함할 수 있다.3A to 3C, the substrate cleaning system includes a chamber 310, an outlet 312 and 314, a holder 320, a cleaning unit 330, a substrate 340, a first suction unit 392a, and a first cleaning unit. The second suction part 392b and the third suction part 392c may be included.

챔버(310)는 기판(340)을 처리하는 영역을 포함하는 밀폐된 공간으로 형성될 수 있고, 대표적으로 진공 챔버(Vacuum chamber)를 포함할 수 있다. 챔버(310)는 홀더(320) 및 세정부(330)를 챔버(310)의 내부 공간에 구비할 수 있다.The chamber 310 may be formed as a closed space including an area for processing the substrate 340, and may typically include a vacuum chamber. The chamber 310 may include a holder 320 and a cleaning unit 330 in an inner space of the chamber 310.

또한, 챔버(310)는 챔버(310)의 상단 및 하단 중 어느 한 곳 이상에 적어도 하나 이상의 배출구(312, 314)를 구비할 수 있다.In addition, the chamber 310 may include at least one outlet 312 and 314 at any one or more of the top and bottom of the chamber 310.

배출구(312, 314)는 챔버(310)의 상단 및 하단 중 적어도 어느 한 곳 이상에 구비될 수 있다. 구체적으로, 배출구(312, 314)는 상단에 위치하는 제1배출구(312) 및 하단에 위치하는 제2배출구(314)를 포함할 수 있다. The outlets 312 and 314 may be provided in at least one of the upper and lower ends of the chamber 310. In detail, the outlets 312 and 314 may include a first outlet 312 positioned at an upper end and a second outlet 314 positioned at a lower end.

배출구(312, 314)는 진공펌프와 연결될 수 있다. 진공펌프는 배출구(312, 314)를 통하여 챔버(310) 내부를 진공상태 또는 대기압 상태로 형성할 수 있다. 또한, 배출구(312, 314)는 배기펌프와 연결될 수 있다. 배기펌프는 세정작용으로 발생되는 챔버(310) 내부의 비산하는 유체, 혼상유체 및 파티클 중 적어도 하나 이상을 배출구(312, 314)를 통하여 외부로 배출할 수 있다.The outlets 312 and 314 may be connected to the vacuum pump. The vacuum pump may form the interior of the chamber 310 in a vacuum state or an atmospheric pressure state through the outlets 312 and 314. In addition, the outlets 312 and 314 may be connected to the exhaust pump. The exhaust pump may discharge at least one or more of scattering fluid, mixed fluid and particles in the chamber 310 generated by the cleaning operation to the outside through the discharge ports 312 and 314.

홀더(320)는 챔버(310) 내부 중심부에 위치하는 기판(340)을 홀딩시켜, 기판(340)의 폭 방향 흔들림을 방지할 수 있다. The holder 320 may hold the substrate 340 positioned in the center of the chamber 310 to prevent the substrate 340 from shaking in the width direction.

홀더(320)는 챔버(310)의 상단으로부터 하단 방향으로 설치될 수 있고, 하단에 기판(340)을 홀딩하기 위한 척(322)을 구비할 수 있다. 기판(340)은 척(322)에 홀딩되어 세정부(330) 분사구의 인접한 영역에 형성될 수 있다.The holder 320 may be installed in the lower direction from the top of the chamber 310, and may be provided with a chuck 322 for holding the substrate 340 at the bottom. The substrate 340 may be held in the chuck 322 to be formed in an area adjacent to the jet of the cleaning unit 330.

기판(340)은 세정 대상면(342)이 하단 방향을 향하도록 형성될 수 있다. 여기서, 기판(340)은 글라스(Glass) 기판, 반도체 기판 및 포토마스크 중 하나를 포함할 수 있다. The substrate 340 may be formed such that the cleaning target surface 342 faces the lower direction. Here, the substrate 340 may include one of a glass substrate, a semiconductor substrate, and a photomask.

척(322)은 금속 또는 세라믹 재질로 이루어질 수 있다. 척(322)은 진공을 이용하여 기판(340)을 고정시킬 수 있고, 전하를 대전시켜 척(322)과 기판(340) 사이에 발생하는 정전기력(Coulomb’s Force)을 통하여 기판(340)을 고정시킬 수도 있다.The chuck 322 may be made of metal or ceramic material. The chuck 322 may fix the substrate 340 by using a vacuum, and charge the electric charge to fix the substrate 340 through a coulomb's force generated between the chuck 322 and the substrate 340. It may be.

세정부(330)는 챔버(310)내부에 위치하고, 적어도 하나 이상의 분사구를 구비할 수 있다. 세정부(330)에 위치하는 분사구는 세정 대상면(342)의 방향을 향하여 혼상유체를 발생시키도록 설치될 수 있다.The cleaning unit 330 may be located in the chamber 310 and may include at least one injection hole. The injection hole located in the cleaning unit 330 may be installed to generate a mixed fluid toward the direction of the cleaning target surface 342.

세정부(330)는 스팀(Steam) 공급부(도 1의 160), CDA(Compressed dry air) 공급부(도 1의 170) 및 DIW(Deionized water) 공급부(도 1의 180) 중 적어도 하나 이상과 연결될 수 있다. 세정부(330)는 스팀 공급부(도 1의 160), CDA 공급부(도 1의 170) 및 DIW 공급부(도 1의 180) 중 적어도 하나 이상의 유체를 공급받아, 분사구에서 유체가 분사 될 수 있다. 또한, 세정부(330)의 분사구는 스팀 공급부(도 1의 160), CDA 공급부(도 1의 170) 및 DIW 공급부(도 1의 180) 중 적어도 둘 이상이 혼합된 혼상유체를 분사시킬 수 있다.The cleaning unit 330 may be connected to at least one of a steam supply (160 in FIG. 1), a compressed dry air (CDA) supply (170 in FIG. 1), and a DIW (Deionized water) supply (180 in FIG. 1). Can be. The cleaning unit 330 may receive at least one fluid from the steam supply unit 160 (FIG. 1), the CDA supply unit (170 of FIG. 1), and the DIW supply unit (180 of FIG. 1), and the fluid may be injected from the injection hole. In addition, the injection hole of the cleaning unit 330 may inject a mixed fluid in which at least two or more of the steam supply unit (160 of FIG. 1), the CDA supply unit (170 of FIG. 1) and the DIW supply unit (180 of FIG. 1) are mixed. .

세정부(330)는 X축 및 Y축의 기계적인 움직임을 통하여 세정 대상면(342)을 세정할 수 있고, 분사구의 각도 변환을 통하여 세정 대상면(342)을 세정할 수도 있다.The cleaning unit 330 may clean the object to be cleaned 342 through mechanical movement of the X and Y axes, and may clean the object to be cleaned 342 by changing the angle of the injection hole.

또한, 세정부(330)는 세정부(330)에 구비된 분사구를 둘러싸는 형상으로 석션부(392a, 392b, 392c)를 구비할 수 있다.In addition, the cleaning unit 330 may include suction units 392a, 392b, and 392c in a shape surrounding the injection holes provided in the cleaning unit 330.

석션부(392a, 392b, 392c)는 관 및 호스 중 적어도 하나 이상으로 형성되어 배출구(312, 314)에 연결될 수 있다. 석션부(392a, 392b, 392c)는 분사구를 둘러싸는 형상으로 세정 대상면(342)에 비산하는 무기/유기 성분의 파티클, 혼상유체 및 오염물질 중 적어도 하나 이상을 흡입하여 배출구(312, 314)로 전달할 수 있다. 구체적으로, 석션부(392a, 392b, 392c)에 도시된 화살표는 파티클, 혼상유체 및 오염물질의 이동경로를 나타낸다.Suction units 392a, 392b, and 392c may be formed of at least one of a pipe and a hose and connected to the outlets 312 and 314. The suction portions 392a, 392b, and 392c surround the injection holes and suck at least one or more of inorganic / organic particles, mixed fluid, and contaminants scattered on the surface to be cleaned 342 to discharge holes 312 and 314. Can be delivered to. Specifically, the arrows shown in the suction parts 392a, 392b, and 392c indicate movement paths of particles, mixed fluids, and contaminants.

도 3a는 석션부(392a)가 챔버(310)의 상단에 위치하는 제1배출구(312)에 연결되는 예를 나타내는 도면이다.3A illustrates an example in which the suction part 392a is connected to the first discharge port 312 positioned at the upper end of the chamber 310.

또한, 도 3b는 석션부(392b)가 챔버(310)의 하단에 위치하는 제2배출구(314)에 연결되는 예를 나타내는 도면이다.3B is a diagram illustrating an example in which the suction part 392b is connected to the second outlet 314 positioned at the lower end of the chamber 310.

또한, 도 3c는 석션부(392c)가 챔버(310)의 상단 및 하단에 위치하는 제1배출구(312) 및 제2배출구(314)에 연결되는 예를 나타내는 도면이다.3C is a diagram illustrating an example in which the suction unit 392c is connected to the first outlet 312 and the second outlet 314 positioned at the top and bottom of the chamber 310.

도 4는 본 발명의 또 다른 일 실시 예에 따른 기판 세정 시스템을 나타내는 도면이다.4 is a diagram illustrating a substrate cleaning system according to another exemplary embodiment.

도 4a 내지 도 4c를 참조하면, 기판 세정 시스템은 챔버(410), 배출구(412, 414), 홀더(420), 세정부(430), 기판(440), 상부커버(452), 하부커버(454), 제1석션부(492a), 제2석션부(492b) 및 제3석션부(492c)를 포함할 수 있다.4A to 4C, the substrate cleaning system includes a chamber 410, an outlet 412 and 414, a holder 420, a cleaning unit 430, a substrate 440, an upper cover 452, and a lower cover ( 454, a first suction part 492a, a second suction part 492b, and a third suction part 492c.

도 4에 도시된 기판 세정 시스템은 도 3에 도시된 기판 세정 시스템에서 상부커버(452) 및 하부커버(454)가 추가된 도면의 예들을 나타낸다.The substrate cleaning system shown in FIG. 4 shows examples of the drawings in which the top cover 452 and the bottom cover 454 are added in the substrate cleaning system shown in FIG. 3.

도 4에 도시된 상부커버(452) 및 하부커버(454)는 선택적으로 사용될 수도 있다.The top cover 452 and the bottom cover 454 shown in FIG. 4 may optionally be used.

챔버(410)는 기판(440)을 처리하는 영역을 포함하는 밀폐된 공간으로 형성될 수 있고, 대표적으로 진공 챔버(Vacuum chamber)를 포함할 수 있다. 챔버(410)는 홀더(420) 및 세정부(430)를 챔버(410)의 내부 공간에 구비할 수 있다.The chamber 410 may be formed as a closed space including an area for processing the substrate 440, and may typically include a vacuum chamber. The chamber 410 may include a holder 420 and a cleaning unit 430 in an inner space of the chamber 410.

또한, 챔버(410)는 홀더(420) 및 세정부(430)를 보호하는 상부커버(452) 및 하부커버(454)를 구비할 수 있다. 챔버(410)는 챔버(410)의 상단 및 하단 중 어느 한 곳 이상에 적어도 하나 이상의 배출구(412, 414)를 구비할 수 있다.In addition, the chamber 410 may include an upper cover 452 and a lower cover 454 protecting the holder 420 and the cleaning unit 430. The chamber 410 may have at least one outlet 412, 414 at any one or more of the top and bottom of the chamber 410.

배출구(412, 414)는 챔버(410)의 상단 및 하단 중 적어도 어느 한 곳 이상에 구비될 수 있다. 구체적으로, 배출구(412, 414)는 상단에 위치하는 제1배출구(412) 및 하단에 위치하는 제2배출구(414)를 포함할 수 있다.The outlets 412 and 414 may be provided in at least one of the upper and lower ends of the chamber 410. In detail, the outlets 412 and 414 may include a first outlet 412 positioned at an upper end and a second outlet 414 positioned at a lower end.

배출구(412, 414)는 진공펌프와 연결될 수 있다. 진공펌프는 배출구(412, 414)를 통하여 챔버(410) 내부를 진공상태 또는 대기압 상태로 형성할 수 있다. 또한, 배출구(412, 414)는 배기펌프와 연결될 수 있다. 배기펌프는 세정작용으로 발생되는 챔버(410) 내부의 비산하는 유체, 혼상유체 및 파티클 중 적어도 하나 이상을 배출구(412, 414)를 통하여 외부로 배출할 수 있다.Outlets 412 and 414 may be connected to a vacuum pump. The vacuum pump may form the inside of the chamber 410 in a vacuum state or an atmospheric pressure state through the outlets 412 and 414. In addition, the outlets 412 and 414 may be connected to the exhaust pump. The exhaust pump may discharge at least one or more of scattering fluid, mixed fluid and particles in the chamber 410 generated by the cleaning operation to the outside through the discharge ports 412 and 414.

홀더(420)는 챔버(410) 내부 중심부에 위치하는 기판(440)을 홀딩시켜, 기판(440)의 폭 방향 흔들림을 방지할 수 있다.The holder 420 may hold the substrate 440 positioned in the center of the chamber 410 to prevent the substrate 440 from shaking in the width direction.

홀더(420)는 챔버(410)의 상단으로부터 하단 방향으로 설치될 수 있고, 하단에 기판(440)을 홀딩하기 위한 척(422)을 구비할 수 있다. 기판(440)은 척(422)에 홀딩되어 세정부(430) 분사구의 인접한 영역에 형성될 수 있다.The holder 420 may be installed in the lower direction from the top of the chamber 410, and may be provided with a chuck 422 for holding the substrate 440 at the bottom. The substrate 440 may be held in the chuck 422 to be formed in an adjacent region of the jetting hole of the cleaner 430.

기판(440)은 세정 대상면(442)이 하단 방향을 향하도록 형성될 수 있다. 여기서, 기판(440)은 글라스(Glass) 기판, 반도체 기판 및 포토마스크 중 하나를 포함할 수 있다. The substrate 440 may be formed such that the surface to be cleaned 442 faces in the lower direction. Here, the substrate 440 may include one of a glass substrate, a semiconductor substrate, and a photomask.

척(422)은 금속 또는 세라믹 재질로 이루어질 수 있다. 척(422)은 진공을 이용하여 기판(440)을 고정시킬 수 있고, 전하를 대전시켜 척(422)과 기판(440) 사이에 발생하는 정전기력(Coulomb’s Force)을 통하여 기판(440)을 고정시킬 수도 있다.The chuck 422 may be made of metal or ceramic material. The chuck 422 may fix the substrate 440 by using a vacuum, and charge the electric charge to fix the substrate 440 through a coulomb's force generated between the chuck 422 and the substrate 440. It may be.

세정부(430)는 챔버(410)내부에 위치하고, 적어도 하나 이상의 분사구를 구비할 수 있다. 세정부(430)에 위치하는 분사구는 세정 대상면(442)의 방향을 향하여 혼상유체를 발생시키도록 설치될 수 있다.The cleaning unit 430 may be located in the chamber 410 and may include at least one injection hole. The injection hole located in the cleaning unit 430 may be installed to generate a mixed fluid toward the direction of the cleaning target surface 442.

세정부(430)는 스팀(Steam) 공급부(도 1의 160), CDA(Compressed dry air) 공급부(도 1의 170) 및 DIW(Deionized water) 공급부(도 1의 180) 중 적어도 하나 이상과 연결될 수 있다. 세정부(430)는 스팀 공급부(도 1의 160), CDA 공급부(도 1의 170) 및 DIW 공급부(도 1의 180) 중 적어도 하나 이상의 유체를 공급받아, 분사구에서 유체가 분사 될 수 있다. 또한, 세정부(430)의 분사구는 스팀 공급부(도 1의 160), CDA 공급부(도 1의 170) 및 DIW 공급부(도 1의 180) 중 적어도 둘 이상이 혼합된 혼상유체를 분사시킬 수 있다.The cleaning unit 430 may be connected to at least one of a steam supply unit 160 (FIG. 1), a compressed dry air (CDA) supply unit (170 of FIG. 1), and a DIW (Deionized water) supply unit (180 of FIG. 1). Can be. The cleaning unit 430 may receive at least one fluid from the steam supply unit 160 (FIG. 1), the CDA supply unit (170 of FIG. 1), and the DIW supply unit (180 of FIG. 1), and the fluid may be injected from the injection hole. In addition, the injection hole of the cleaning unit 430 may inject a mixed fluid in which at least two or more of the steam supply unit (160 of FIG. 1), the CDA supply unit (170 of FIG. 1) and the DIW supply unit (180 of FIG. 1) are mixed. .

세정부(430)는 X축 및 Y축의 기계적인 움직임을 통하여 세정 대상면(442)을 세정할 수 있고, 분사구의 각도 변환을 통하여 세정 대상면(442)을 세정할 수도 있다.The cleaning unit 430 may clean the object to be cleaned 442 through mechanical movement of the X and Y axes, and may clean the object to be cleaned 442 by changing the angle of the injection hole.

또한, 세정부(430)는 세정부(430)에 구비된 분사구를 둘러싸는 형상으로 석션부(492a, 492b, 492c)를 구비할 수 있다.In addition, the cleaning unit 430 may include suction units 492a, 492b, and 492c in a shape surrounding the injection holes provided in the cleaning unit 430.

석션부(492a, 492b, 492c)는 관 및 호스 중 적어도 하나 이상으로 형성되어 배출구(412, 414)에 연결될 수 있다. 석션부(492a, 492b, 492c)는 분사구를 둘러싸는 형상으로 세정 대상면(442)에 비산하는 무기/유기 성분의 파티클, 혼상유체 및 오염물질 중 적어도 하나 이상을 흡입하여 배출구(412, 414)로 전달할 수 있다.The suction portions 492a, 492b, and 492c may be formed of at least one of a pipe and a hose and connected to the outlets 412 and 414. The suction portions 492a, 492b, and 492c surround the injection holes and suck at least one or more of inorganic / organic particles, mixed fluids, and contaminants scattered on the surface to be cleaned 442, and discharge holes 412 and 414. Can be delivered to.

도 4a는 석션부(492a)가 챔버(410)의 상단에 위치하는 제1배출구(412)에 연결되는 예를 나타내는 도면이다.4A illustrates an example in which the suction unit 492a is connected to the first outlet 412 positioned at the upper end of the chamber 410.

또한, 도 4b는 석션부(492b)가 챔버(410)의 하단에 위치하는 제2배출구(414)에 연결되는 예를 나타내는 도면이다.4B is a diagram illustrating an example in which the suction part 492b is connected to the second outlet 414 located at the lower end of the chamber 410.

또한, 도 4c는 석션부(492c)가 챔버(410)의 상단 및 하단에 위치하는 제1배출구(412) 및 제2배출구(414)에 연결되는 예를 나타내는 도면이다.4C is a diagram illustrating an example in which the suction unit 492c is connected to the first outlet 412 and the second outlet 414 located at the top and bottom of the chamber 410.

상부커버(452)는 홀더(420) 상부에 인접하여 형성될 수 있다. 상부커버(452)는 일면에 개구부를 구비할 수 있고, 개구부는 홀더(420) 측으로 향하도록 설치되어, 홀더(420)를 덮을 수 있다. 상부커버(452)는 챔버(410) 내에서 세정작용을 통하여 발생하고, 챔버(410) 내부로 비산하는 유체를 포함하는 혼상유체 및 오염물질로부터 홀더(420)를 보호할 수 있다.The upper cover 452 may be formed adjacent to the upper portion of the holder 420. The upper cover 452 may have an opening on one surface thereof, and the opening may be installed to face the holder 420 to cover the holder 420. The upper cover 452 may be generated through a cleaning action in the chamber 410, and may protect the holder 420 from contaminants and contaminants including fluids scattering into the chamber 410.

하부커버(454)는 세정부(430)의 하부에 인접하여 형성될 수 있다. 하부커버(454)는 일면에 개구부를 구비할 수 있고, 개구부는 세정부(430) 측으로 향하도록 설치되어, 세정부(430)를 덮을 수 있다. 하부커버(454)는 챔버(410) 내에서 세정작용으로 발생하여, 챔버(410) 내부로 비산하는 유체를 포함하는 혼상유체 및 오염물질로부터 세정부(430)를 보호할 수 있다.The lower cover 454 may be formed adjacent to the lower portion of the cleaning unit 430. The lower cover 454 may include an opening on one surface thereof, and the opening may be installed to face the cleaning part 430, and cover the cleaning part 430. The lower cover 454 may be generated by a cleaning operation in the chamber 410 to protect the cleaning unit 430 from contaminants and contaminants including fluids scattering into the chamber 410.

상부커버(452) 및 하부커버(454) 중 적어도 하나 이상은 석션부(492a, 492b, 492c)에서 흡입되지 못한 무기/유기 성분의 파티클, 혼상유체 및 오염물질 등으로부터 기판(440)을 보호할 수 있다.At least one of the upper cover 452 and the lower cover 454 may protect the substrate 440 from particles, mixed fluids, and contaminants of inorganic / organic components that are not sucked from the suction parts 492a, 492b, and 492c. Can be.

결국 본 발명에 따른 기판 세정 시스템은 파티클 또는 혼상유체에 의한 기판의 재오염을 방지하고, 기판의 세정 효율을 증가시키며, 기판 패턴의 손상을 감소시킬 수 있다.As a result, the substrate cleaning system according to the present invention can prevent recontamination of the substrate by the particles or the mixed fluid, increase the cleaning efficiency of the substrate, and reduce the damage of the substrate pattern.

이상의 상세한 설명은 모든 면에서 제한적으로 해석되어서는 아니되고 예시적인 것으로 고려되어야 한다. 본 발명의 범위는 첨부된 청구항의 합리적 해석에 의해 결정되어야 하고, 본 발명의 등가적 범위 내에서의 모든 변경은 본 발명의 범위에 포함된다.The above detailed description should not be construed as limiting in all aspects but considered as illustrative. The scope of the invention should be determined by reasonable interpretation of the appended claims, and all changes within the equivalent scope of the invention are included in the scope of the invention.

Claims

A chamber having a space for processing a substrate;
A holder for holding the substrate inside the chamber such that the cleaning target surface of the substrate faces downward; And
Located in the lower portion of the substrate and spaced apart from the substrate, the injection port is provided to face toward the cleaning target surface, including a cleaning unit for injecting a mixed fluid to the cleaning target surface,
The chamber,
An upper cover positioned on the substrate and covering the upper and left and right sides of the holder, the upper cover protecting the holder from particles generated by scattered mixed fluid and cleaning; And
Located below the washing unit, provided to cover the lower and left and right sides of the washing unit, and includes a lower cover to protect the washing unit from the mixed fluid and the particles scattering,
The holder is installed in the lower direction from the top of the chamber, the substrate cleaning system, characterized in that the lower end of the holder is provided with a chuck for holding the substrate.

The method of claim 1,
A steam supply unit supplying steam to the cleaning unit;
Compressed dry air (CDA) supply unit for supplying compressed dry air to the cleaning unit; And
And a DIW supply unit for supplying pure water to the cleaning unit.

The method of claim 1,
The chamber,
And at least one outlet for discharging the mixed fluid and the particles generated by the cleaning to the outside.

The method of claim 3,
The at least one outlet is,
And at least one of upper and lower ends of the chamber.

The method of claim 3,
The cleaning unit,
A suction part is provided around the injection hole,
The suction unit,
A substrate cleaning system connected to the outlet to deliver the mixed fluid and the particles to the outlet.

delete

The method of claim 1,
At least one of the upper cover and the lower cover,
And forming a path of the scattering mixed fluid and the particles such that the scattering mixed fluid and the particles are discharged out of the chamber.

The method of claim 2,
The mixed fluid,
And at least two or more of the steam, the pure water, and the compressed dry air.

The method of claim 2,
The pure water is
A substrate cleaning system comprising at least one of deionized water (DIW) and ultrapure water (UPW).

The method of claim 2,
The compressed dry air,
A substrate cleaning system comprising at least one of clean dry air (CDA), nitrogen (N 2), oxygen (O 2) and steam.