KR101969248B1 - 접속체의 제조 방법, 전자 부품의 접속 방법, 접속체 - Google Patents

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Abstract

광 경화형의 접착제를 사용함으로서 저온에서 전자 부품의 접속을 행함과 함께, 전자 부품의 얼라인먼트 어긋남을 방지한다. 광 중합 개시제를 함유하는 회로 접속용 접착제(1)를 투명 기판(12) 상에 형성하는 접착제 배치 공정과, 회로 접속용 접착제(1)를 개재하여 투명 기판(12) 상에 전자 부품(18)을 배치하고, 전자 부품(18)의 투명 기판(12)에의 압박, 및 회로 접속용 접착제(1)에의 광 조사를 행하는 가압착 공정과, 전자 부품(18)을 투명 기판에 대해 압박하면서, 가열 및 광 조사를 행하는 본압착 공정을 갖고, 가압착 공정에 있어서의 광의 조사량은 본압착 공정에 있어서의 광의 조사량보다 작다.

Description

접속체의 제조 방법, 전자 부품의 접속 방법, 접속체{METHOD FOR PRODUCING CONNECTED BODY, METHOD FOR CONNECTING ELECTRONIC COMPONENT, AND CONNECTED BODY}
본 발명은 광 중합 개시제를 함유하는 회로 접속용 접착제를 개재하여 투명 기판 상에 전자 부품이 접속된 접속체의 제조 방법, 광 중합 개시제를 함유하는 회로 접속용 접착제를 개재하여 투명 기판 상에 전자 부품을 접속하는 접속 방법 및 이것을 사용하여 제조된 접속체에 관한 것이다. 본 출원은, 일본에 있어서 2015년 1월 20일에 출원된 일본 출원 번호 특허출원 2015-8950, 및 일본에 있어서 2016년 1월 20일에 출원된 일본 출원 번호 특허출원 2016-8718을 기초로 해서 우선권을 주장하는 것이고, 이들 출원은 참조됨으로써 본 출원에 원용된다.
종래부터, 텔레비전이나 PC 모니터, 휴대 전화, 휴대형 게임기, 타블렛 PC 혹은 차재용 모니터 등의 각종 표시 수단으로서 액정 표시 장치가 많이 이용되고 있다. 최근, 이와 같은 액정 표시 장치에 있어서는 파인 피치화, 경량 박형화 등의 관점에서, 액정 구동용 IC를 직접 액정 표시 패널의 기판 상에 실장하는 이른바 COG(chip on glass)나, 액정 구동 회로가 형성된 플렉시블 기판을 직접 액정 표시 패널의 기판 상에 실장하는 이른바 FOG(film on glass)가 채용되고 있다.
예를 들어 COG 실장 방식이 채용된 액정 표시 장치(100)는 도 14에 나타내는 바와 같이, 액정 표시를 위한 주기능을 달성하는 액정 표시 패널(104)을 가지고 있고, 이 액정 표시 패널(104)은 유리 기판 등으로 이루어지는 서로 대향하는 2장의 투명 기판(102, 103)을 가지고 있다. 그리고, 액정 표시 패널(104)은 이들 양 투명 기판(102, 103)이 프레임상의 시일(105)에 의해 서로 첩합(貼合)됨과 함께, 양 투명 기판(102, 103) 및 시일(105)에 의해 둘러싸인 공간 내에 액정(106)이 봉입된 패널 표시부(107)가 형성되어 있다.
투명 기판(102, 103)은 서로 대향하는 양 내측 표면에, ITO(산화인듐주석) 등으로 이루어지는 호상(縞狀)의 한 쌍의 투명 전극(108, 109)이 서로 교차하도록 형성되어 있다. 그리고, 양 투명 기판(102, 103)은 이들 양 투명 전극(108, 109)의 당해 교차 부위에 의해 액정 표시의 최소 단위로서의 화소가 구성되도록 되어 있다.
양 투명 기판(102, 103) 중, 일방의 투명 기판(103)은 타방의 투명 기판(102)보다 평면 치수가 크게 형성되어 있고, 이 크게 형성된 투명 기판(103)의 가장자리부(103a)에는 투명 전극(109)의 단자부(109a)가 형성되어 있다. 또, 양 투명 전극(108, 109) 상에는 소정의 러빙 처리가 실시된 배향막(111, 112)이 형성되어 있고, 이 배향막(111, 112)에 의해 액정 분자의 초기 배향이 규제되도록 되어 있다. 또한, 양 투명 전극(108, 109)의 외측에는 1쌍의 편광판(118, 119)이 배치 형성되어 있고, 이들 양 편광판(118, 119)에 의해 백라이트 등의 광원(120)으로부터의 투과광의 진동 방향이 규제되도록 되어 있다.
단자부(109a) 상에는 이방성 도전 필름(114)을 개재하여 액정 구동용 IC(115)가 열 압착되어 있다. 이방성 도전 필름(114)은 열 경화형의 바인더 수지에 도전성 입자를 혼합하여 필름상으로 한 것으로, 2개의 도체 사이에서 가열 압착됨으로써 도전 입자에 의해 도체 간의 전기적 도통이 취해지고, 바인더 수지에 의해 도체 간의 기계적 접속이 유지된다. 액정 구동용 IC(115)는 화소에 대해 액정 구동 전압을 선택적으로 인가함으로써, 액정의 배향을 부분적으로 변화시켜 소정의 액정 표시를 행할 수 있도록 되어 있다. 또한, 이방성 도전 필름(114)을 구성하는 접착제로서는 통상 가장 신뢰성이 높은 열 경화성의 접착제를 사용하도록 되어 있다.
이와 같은 이방성 도전 필름(114)을 개재하여 액정 구동용 IC(115)를 단자부(109a)에 접속하는 경우에는, 먼저 투명 전극(109)의 단자부(109a) 상에 이방성 도전 필름(114)을 도시하지 않은 가압착 수단에 의해 가압착한다. 계속해서, 이방성 도전 필름(114) 상에 액정 구동용 IC(115)를 재치(載置)한 후, 도 15에 나타내는 바와 같이 열 압착 헤드 등의 열 압착 수단(121)에 의해 액정 구동용 IC(115)를 이방성 도전 필름(114)과 함께 단자부(109a)측으로 압박하면서 열 압착 수단(121)을 발열시킨다. 이 열 압착 수단(121)에 의한 발열에 의해 이방성 도전 필름(114)은 열 경화 반응을 일으키고, 이것에 의해 이방성 도전 필름(114)을 개재하여 액정 구동용 IC(115)가 단자부(109a) 상에 접착된다.
그러나, 이와 같은 이방성 도전 필름을 사용한 접속 방법에 있어서는 열 가압 온도가 높아, 액정 구동용 IC(115) 등의 전자 부품이나 투명 기판(103)에 대한 열충격이 커진다. 또한, 이방성 도전 필름이 접속된 후 상온까지 온도가 저하할 때에 그 온도차에서 기인해 바인더가 수축하고, 투명 기판(103)의 단자부(109a)에 휨이 생길 수 있다. 그 때문에, 표시 불균일이나 액정 구동용 IC(115)의 접속 불량 등의 문제를 일으킬 우려가 있었다.
특허문헌 2에는 광 경화형의 접착제를 개재하여 접속 대상물과, 피접속 대상물을 첩합하는 방법에 있어서, 가열 압박 헤드에 의한 열 가압을 개시한 후에, 광 조사를 행하는 것이 기재되어 있다.
일본 특허공개 2008-252098호 공보 일본 특허공개 2012-253282호 공보
그래서, 이와 같은 열 경화형의 접착제를 사용한 이방성 도전 필름(114) 대신에, 자외선 경화형의 접착제를 사용한 접속 방법도 제안되어 있다. 자외선 경화형의 접착제를 사용하는 접속 방법에 있어서는, 접착제가 열에 의해 연화 유동하고, 투명 전극(109)의 단자부(109a)와 액정 구동용 IC(115)의 전극 간에 도전성 입자를 포착하는 데에 충분한 온도까지 가열하는 데에 그치고, 자외선 조사에 의해 접착제를 경화시킨다.
이러한 자외선 경화형의 접착제를 사용하는 접속 방법에 있어서는 바인더 수지를 경화시키기 위해서 고열을 가할 필요가 없어, 액정 구동용 IC(115)나 투명 기판(103)에 대한 열충격에 의한 문제를 방지할 수 있다. 이와 같은 자외선 경화형의 접착제를 사용한 저온 접속을 행하기 위해서는 자외선 경화형의 이방성 도전 필름의 바인더 수지의 점도 그 자체를 낮출 필요가 있다.
그러나, 바인더 수지의 점도를 낮추면, 액정 구동용 IC(115) 등의 전자 부품을 탑재하고, 열 압착 수단(112)에 의해 압박했을 때나, 액정 구동용 IC(115)로부터 열 압착 수단(112)이 이간할 때에 얼라인먼트 어긋남이 발생하는 것이 염려된다. 그리고, COG 접속 등에 있어서는 파인 피치화가 진행되어 단자 간 거리가 협소화되고 있는 점에서, 얼라인먼트 어긋남은 액정 구동용 IC(115)의 전극 단자와, 당해 전극 단자와 접속되는 투명 기판(103)의 단자부(109a)에 인접하는 단자부의 피치가 좁아지고, 도전성 입자를 개재하여 단락하는 단자 간 쇼트를 일으키는 요인이 될 수 있다.
또, 이방성 도전 필름(1)을 사용하여 플렉시블 기판(21)과 같이 비교적 강성이 낮은 전자 부품을 투명 기판(12)에 접속하는 경우, 특허문헌 2에 기재된 기술과 같이 압박 헤드의 열로 접착제의 점도가 충분히 내려가 있는 상태에서 압력을 가하면, 압착 시에 도 16 중의 화살표로 나타내는 플렉시블 기판(21)의 단자(21a) 사이가 휘어짐으로써 응력이 잔존한다. 그리고, 플렉시블 기판(21)은 가열 압박 헤드(30)의 이간 시(프레스 아웃 시)에 플렉시블 기판(21)의 잔류 응력이 개방되고, 도 17에 나타내는 바와 같이 플렉시블 기판(21)의 잔류 응력에 의해 단자(21a) 사이가 압박 방향과 반대 방향으로 되돌아가는 힘이 작용한다. 그리고, 플렉시블 기판(21)의 잔류 응력이 개방되면, 도 18에 나타내는 바와 같이 플렉시블 기판(21)의 단자(21a) 사이에서, 이방성 도전 필름의 바인더 수지층(3)과 플렉시블 기판(21)의 계면에 있어서 박리(갭(44))가 발생하기 쉬워진다. 이와 같은 박리가 접속체의 도통 저항값 저하, 이방성 도전 필름과 피착체의 접착력 저하 등의 접속 불량으로 이어질 우려가 있다.
예를 들어 FOG용 이방성 도전 필름은 접착 강도를 확보하기 위해서, 압착 시에 충분히 젖어 확산되는 유연한 바인더 수지, 즉 점도가 낮은 바인더 수지를 사용하는 것이 바람직하다. 그러나, 바인더 수지의 점도를 지나치게 낮추면, 압착 시에 배선 사이의 플렉시블 기판이 보다 휘기 쉬워지는 결과, 상기 플렉시블 기판의 잔류 응력의 개방에 의한 영향이 보다 현저하게 나타나는 경향이 있다.
본 발명은 상기 서술한 과제를 해결하는 것으로, 광 경화형의 접착제를 사용함으로써 저온에서 전자 부품의 접속을 행함과 함께, 전자 부품의 얼라인먼트 어긋남을 방지해, 접속 불량을 개선하는 접속체의 제조 방법, 전자 부품의 접속 방법 및 이것을 사용하여 제조된 접속체를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 서술한 과제를 해결하기 위해서, 본 발명에 관련된 접속체의 제조 방법은 광 중합 개시제를 함유하는 회로 접속용 접착제를 투명 기판 상에 형성하는 접착제 배치 공정과, 상기 회로 접속용 접착제를 개재하여 상기 투명 기판 상에 전자 부품을 배치하고, 상기 회로 접속용 접착제에의 광 조사를 행하는 광 조사 공정과, 상기 전자 부품을 상기 투명 기판에 대해 압박하면서 가열 및 광 조사를 행하는 본압착 공정을 갖고, 상기 광 조사 공정에 있어서의 광의 조사량은 상기 본압착 공정에 있어서의 광의 조사량보다 작은 것이다.
또, 본 발명에 관련된 접속체의 제조 방법은 광 중합 개시제를 함유하는 회로 접속용 접착제를 투명 기판 상에 형성하는 접착제 배치 공정과, 상기 회로 접속용 접착제를 개재하여 상기 투명 기판 상에 전자 부품을 배치하고, 상기 전자 부품의 상기 투명 기판에의 압박, 및 상기 회로 접속용 접착제에의 광 조사를 행하는 가압착 공정과, 상기 전자 부품을 상기 투명 기판에 대해 압박하면서 가열 및 광 조사를 행하는 본압착 공정을 갖고, 상기 가압착 공정에 있어서의 광의 조사량은 상기 본압착 공정에 있어서의 광의 조사량보다 작은 것이다.
또, 본 발명에 관련된 전자 부품의 접속 방법은 광 중합 개시제를 함유하는 회로 접속용 접착제를 투명 기판 상에 형성하는 접착제 배치 공정과, 상기 회로 접속용 접착제를 개재하여 상기 투명 기판 상에 전자 부품을 배치하고, 상기 회로 접속용 접착제에의 광 조사를 행하는 광 조사 공정과, 상기 전자 부품을 상기 투명 기판에 대해 압박하면서 가열 및 광 조사를 행하는 본압착 공정을 갖고, 상기 광 조사 공정에 있어서의 광의 조사량은 상기 본압착 공정에 있어서의 광의 조사량보다 작은 것이다.
또, 본 발명에 관련된 접속체는 상기 서술한 전자 부품의 접속 방법에 의해 제조된 것이다.
본 발명에 의하면, 광 중합 개시제를 함유하는 회로 접속용 접착제에 적정한 조사량으로 광을 조사함으로써 경화를 개시시키고, 점도가 상승된 상태에서 전자 부품의 가압착을 행할 수 있다. 따라서, 광 조사 공정(가압착 공정)이나 본압착 공정에 있어서, 전자 부품이 압착 툴에 의해 압박되었을 때나, 전자 부품으로부터 압착 툴이 이간할 때에 전자 부품이 소정의 위치로부터 어긋나는 얼라인먼트 어긋남을 억제할 수 있다.
도 1은 본 발명이 적용된 실장 공정을 나타내는 단면도이다.
도 2는 이방성 도전 필름을 나타내는 단면도이다.
도 3은 이방성 도전 필름의 가부착 공정을 나타내는 단면도이다.
도 4는 액정 구동용 IC를 투명 기판 상에 배치하는 공정을 나타내는 단면도이다.
도 5는 액정 구동용 IC의 가압착 공정을 나타내는 단면도이다.
도 6은 액정 구동용 IC의 본압착 공정을 나타내는 단면도이다.
도 7은 액정 구동용 IC가 투명 기판 상에 접속된 접속체를 나타내는 단면도이다.
도 8은 투명 기판 상에 이방성 도전 필름을 개재하여 플렉시블 기판을 배치하는 공정의 일례를 나타내는 단면도이다.
도 9는 투명 기판 상에 이방성 도전 필름을 개재하여 플렉시블 기판을 배치한 후에, 이방성 도전 필름에 자외선 조사하는 공정의 일례를 나타내는 단면도이다.
도 10은 플렉시블 기판의 본압착 공정의 일례를 나타내는 단면도이다.
도 11은 실시예 및 비교예에 관련된 도통 저항의 측정 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 12는 접속체 샘플의 단자의 폭 방향의 얼라인먼트 어긋남량의 측정 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 13은 제 2 실시예에 있어서의 본압착 전의 광 조사와, 본압착 시의 광 조사 및 열 가압의 타이밍을 설명하기 위한 도면이다.
도 14는 종래의 액정 표시 패널을 나타내는 단면도이다.
도 15는 종래의 액정 표시 패널의 COG 실장 공정을 나타내는 단면도이다.
도 16은 종래의 플렉시블 기판의 제조 방법에 있어서, 적층체의 가열 압박 공정의 일례를 나타내는 단면도이다.
도 17은 종래의 플렉시블 기판의 제조 방법에 있어서, 가열 툴의 프레스 아웃 시에 응력이 개방된 상태의 적층체의 일례를 나타내는 단면도이다.
도 18은 종래의 플렉시블 기판의 제조 방법에 있어서, 플렉시블 기판에 잔류 응력의 개방이 생긴 상태의 적층체의 일례를 나타내는 단면도이다.
이하, 본 발명이 적용된 접속체의 제조 방법, 전자 부품의 접속 방법, 접속체에 대해 도면을 참조하면서 상세하게 설명한다. 또한, 본 발명은 이하의 실시형태에만 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위 내에 있어서 여러 가지 변경이 가능한 것은 물론이다. 또, 도면은 모식적인 것이고, 각 치수의 비율 등은 현실의 것과는 상이한 경우가 있다. 구체적인 치수 등은 이하의 설명을 참작해 판단해야 할 것이다. 또, 도면 상호 간에 있어서도 서로의 치수 관계나 비율이 상이한 부분이 포함되어 있는 것은 물론이다.
＜제 1 실시형태＞
이하의 제 1 실시형태에서는 액정 표시 패널의 유리 기판에, 전자 부품으로서 액정 구동용의 IC 칩을 실장하는 이른바 COG(chip on glass) 실장을 행하는 경우를 예로 설명한다. 이 액정 표시 패널(10)은 도 1에 나타내는 바와 같이, 유리 기판 등으로 이루어지는 2장의 투명 기판(11, 12)이 대향 배치되고, 이들 투명 기판(11, 12)이 프레임상의 시일(13)에 의해 서로 첩합되어 있다. 그리고, 액정 표시 패널(10)은 투명 기판(11, 12)에 의해 둘러싸인 공간 내에 액정(14)이 봉입됨으로써 패널 표시부(15)가 형성되어 있다.
투명 기판(11, 12)은 서로 대향하는 양 내측 표면에 ITO(산화인듐주석) 등으로 이루어지는 호상의 한 쌍의 투명 전극(16, 17)이 서로 교차하도록 형성되어 있다. 그리고, 양 투명 전극(16, 17)은 이들 양 투명 전극(16, 17)의 당해 교차 부위에 의해 액정 표시의 최소 단위로서의 화소가 구성되도록 되어 있다.
양 투명 기판(11, 12) 중, 일방의 투명 기판(12)은 타방의 투명 기판(11)보다 평면 치수가 크게 형성되어 있고, 이 크게 형성된 투명 기판(12)의 가장자리부(12a)에는 전자 부품으로서 액정 구동용 IC(18)가 실장되는 COG 실장부(20)가 형성되고, 또 COG 실장부(20)의 외측 근방에는 전자 부품으로서 액정 구동 회로가 형성된 플렉시블 기판(21)이 실장되는 FOG 실장부(22)가 형성되어 있다.
또한, 액정 구동용 IC나 액정 구동 회로는 화소에 대해 액정 구동 전압을 선택적으로 인가함으로써, 액정의 배향을 부분적으로 변화시켜 소정의 액정 표시를 행할 수 있도록 되어 있다.
각 실장부(20, 22)에는 투명 전극(17)의 단자부(17a)가 형성되어 있다. 단자부(17a) 상에는 광 중합 개시제를 함유하는 회로 접속용 접착제로서 이방성 도전 필름(1)을 사용하여 액정 구동용 IC(18)나 플렉시블 기판(21)이 접속된다. 이방성 도전 필름(1)은 도전성 입자(4)를 함유하고 있고, 액정 구동용 IC(18)나 플렉시블 기판(21)의 전극과 투명 기판(12)의 가장자리부(12a)에 형성된 투명 전극(17)의 단자부(17a)를, 도전성 입자(4)를 개재하여 전기적으로 접속시키는 것이다. 이 이방성 도전 필름(1)은 자외선 경화형의 접착제이고, 후술하는 가열 압박 헤드(30)에 의해 열 압착됨으로써 유동화해 도전성 입자(4)가 단자부(17a)와 액정 구동용 IC(18)나 플렉시블 기판(21)의 각 전극 사이에서 눌려 찌부러지고, 자외선 조사기(31)에 의해 자외선이 조사됨으로써 도전성 입자(4)가 눌려 찌부러진 상태로 경화한다. 이것에 의해, 이방성 도전 필름(1)은 투명 기판(12)과 액정 구동용 IC(18)나 플렉시블 기판(21)을 전기적, 기계적으로 접속한다.
또, 양 투명 전극(16, 17) 상에는 소정의 러빙 처리가 실시된 배향막(24)이 형성되어 있고, 이 배향막(24)에 의해 액정 분자의 초기 배향이 규제되도록 되어 있다. 또한, 양 투명 기판(11, 12)의 외측에는 1쌍의 편광판(25, 26)이 배치 형성되어 있고, 이들 양 편광판(25, 26)에 의해 백라이트 등의 광원(도시 생략)으로부터의 투과광의 진동 방향이 규제되도록 되어 있다.
[이방성 도전 필름]
이방성 도전 필름(ACF : Anisotropic Conductive Film)(1)은 도 2에 나타내는 바와 같이, 통상 기재가 되는 박리 필름(2) 상에 도전성 입자를 함유하는 바인더 수지층(접착제층)(3)이 형성된 것이다. 이방성 도전 필름(1)은 도 1에 나타내는 바와 같이, 액정 표시 패널(10)의 투명 기판(12)에 형성된 투명 전극(17)과 액정 구동용 IC(18)나 플렉시블 기판(21) 사이에 바인더 수지층(3)을 개재시킴으로써, 액정 표시 패널(10)과 액정 구동용 IC(18) 혹은 플렉시블 기판(21)을 접속하고, 도통시키기 위해서 사용된다.
박리 필름(2)으로서는 이방성 도전 필름에 있어서 일반적으로 사용되고 있는 예를 들어 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 등의 기재를 사용할 수 있다.
바인더 수지층(3)은 바인더 중에 도전성 입자(4)를 분산시켜 이루어지는 것이다. 바인더는 막 형성 수지, 경화성 수지, 경화제, 실란 커플링제 등을 함유하는 것이고, 통상적인 이방성 도전 필름에 사용되는 바인더와 마찬가지이다.
막 형성 수지로서는 평균 분자량이 10000∼80000 정도인 수지가 바람직하다. 막 형성 수지로서는 페녹시 수지, 에폭시 수지, 변형 에폭시 수지, 우레탄 수지 등의 각종 수지를 들 수 있다. 그 중에서도 막 형성 상태, 접속 신뢰성 등의 관점에서 페녹시 수지가 특히 바람직하다.
경화성 수지로서는 특별히 한정되지 않고, 에폭시 수지, 아크릴 수지 등을 들 수 있다.
에폭시 수지로서는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있다. 구체예로서 예를 들어, 나프탈렌형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀형 에폭시 수지, 스틸벤형 에폭시 수지, 트리페놀메탄형 에폭시 수지, 페놀아르알킬형 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지, 트리페닐메탄형 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 이들은 단독이라도, 2종 이상의 조합이어도 된다.
아크릴 수지로서는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있으며, 구체예로서 예를 들어 메틸아크릴레이트, 에틸아크릴레이트, 이소프로필아크릴레이트, 이소부틸아크릴레이트, 에폭시아크릴레이트, 에틸렌글리콜디아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 디메틸올트리시클로데칸디아크릴레이트, 테트라메틸렌글리콜테트라아크릴레이트, 2-하이드록시-1,3-디아크릴옥시프로판, 2,2-비스[4-(아크릴옥시메톡시)페닐]프로판, 2,2-비스[4-(아크릴옥시에톡시)페닐]프로판, 디시클로펜테닐아크릴레이트, 트리시클로데카닐아크릴레이트, 트리스(아크릴옥시에틸)이소시아누레이트, 우레탄아크릴레이트, 에폭시아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들은 단독이라도, 2종 이상의 조합이어도 된다.
경화제로서는 광 경화형이면 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있지만, 경화성 수지가 에폭시 수지인 경우에는 카티온계 경화제가 바람직하고, 아니온계 경화제여도 된다. 경화성 수지가 아크릴 수지인 경우에는 라디칼계 경화제가 바람직하다. 경화성 수지는 에폭시 수지와 아크릴 수지를 각각 구비하고 있어도 된다.
카티온계 경화제로서는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있으며, 예를 들어 술포늄염, 오늄염 등을 들 수 있고, 이들 중에서도 방향족 술포늄염이 바람직하다. 라디칼계 경화제로서는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있으며, 예를 들어 유기 과산화물을 들 수 있다.
실란 커플링제로서는 에폭시계, 아미노계, 메르캅토·술파이드계, 우레이도계 등을 들 수 있다. 실란 커플링제를 첨가함으로써, 유기 재료와 무기 재료의 계면에 있어서의 접착성이 향상된다.
도전성 입자(4)로서는 이방성 도전 필름에 있어서 사용되고 있는 공지된 어느 도전성 입자를 들 수 있다. 도전성 입자(4)로서는, 예를 들어 니켈, 철, 구리, 알루미늄, 주석, 납, 크롬, 코발트, 은, 금 등의 각종 금속이나 금속 합금의 입자, 금속 산화물, 카본, 그라파이트, 유리, 세라믹, 플라스틱 등의 입자의 표면에 금속을 코트한 것, 혹은 이들 입자의 표면에 추가로 절연 박막을 코트한 것 등을 들 수 있다. 수지 입자의 표면에 금속을 코트한 것인 경우, 수지 입자로서는 예를 들어 에폭시 수지, 페놀 수지, 아크릴 수지, 아크릴로니트릴·스티렌(AS) 수지, 벤조구아나민 수지, 디비닐벤젠계 수지, 스티렌계 수지 등의 입자를 들 수 있다.
[제조 방법]
이어서, 이방성 도전 필름(1)을 개재하여 액정 구동용 IC(18)나 플렉시블 기판(21)이 투명 기판(12)의 투명 전극(17) 상에 접속된 접속체의 제조 공정에 대해 설명한다.
＜구체예 1-1＞
[가부착 공정]
먼저, 이방성 도전 필름(1)을 투명 기판(12) 상에 가부착한다(접착제 배치 공정). 이방성 도전 필름을 가부착하는 방법은 도 3에 나타내는 바와 같이, 투명 기판(12)의 투명 전극(17) 상에 바인더 수지층(3)이 투명 전극(17)측이 되도록 이방성 도전 필름(1)을 배치한다. 바인더 수지층(3)을 투명 전극(17) 상에 배치한 후, 박리 필름(2)측으로부터 바인더 수지층(3)을 예를 들어 열 압착 툴로 가열 및 가압하고, 열 압착 툴을 박리 필름(2)으로부터 떼고, 박리 필름(2)을 바인더 수지층(3)으로부터 박리한다. 또한, 이방성 도전 필름(1)의 가부착은 열 압착 툴에 의한 가압 및 광 조사에 의해 행해도 되고, 열 가압과 광 조사를 병용해 행해도 된다.
[얼라인먼트 공정/가압착 공정]
이어서, 이방성 도전 필름(1)을 개재하여 투명 기판(12) 상에 액정 구동용 IC(18)를 배치고, 액정 구동용 IC(18)의 투명 기판(12)에의 압박, 및 이방성 도전 필름(1)에의 광 조사를 행한다(가압착 공정). 먼저, 도 4에 나타내는 바와 같이 액정 구동용 IC(18)와 투명 전극(17)의 얼라인먼트를 행한다. 구체적으로, 투명 전극(17)의 각 단자부(17a)와 액정 구동용 IC(18)의 전극 단자(18a)가 바인더 수지층(3)을 개재하여 대향하도록 액정 구동용 IC를 배치한다.
다음으로, 도 5에 나타내는 바와 같이 액정 구동용 IC(18)의 상면을 소정의 가열 온도로 승온된 열 압착 툴(30)에 의해, 완충재(32)를 개재하여, 후술하는 본압착 공정보다 저온, 저압으로 열 가압함과 함께, 투명 기판(12)의 이면측에 설치된 자외선 조사기(31)에 의해 이방성 도전 필름(1)의 바인더 수지층(3)에 자외선을 조사한다.
열 압착 툴(30)에 의한 열 가압 온도는 경화 개시 전에 바인더 수지층이 용융했을 때의 점도(최저 용융 점도)를 나타내는 소정의 온도에 대해 ±10∼20℃의 온도(예를 들어 80℃ 전후)로 설정된다. 이것에 의해, 투명 기판의 휨을 최소로 억제하고, 또 액정 구동용 IC에 열에 의한 손상을 가하는 일도 없다.
자외선 조사기(31)로부터 발광된 자외선은 투명 기판(12)을 지지하는 유리 등의 투명한 지지대 및 이 지지대에 지지된 투명 기판(12)을 투과해 바인더 수지층(3)에 조사된다. 이 자외선 조사기(31)로서는 LED 램프, 수은 램프, 메탈 할라이드 램프 등을 사용할 수 있다.
여기서, 가압착 공정에 있어서의 이방성 도전 필름(1)에 조사하는 자외선의 조사량(=자외선 조도(mW/㎠)×조사 시간(초))은 본압착 공정에 있어서의 광의 조사량보다 작고, 본압착 공정에 있어서의 조사량의 3∼20％로 하는 것이 바람직하다. 예를 들어 본압착 공정에 있어서의 조사량을 100mW/㎠, 1초로 한 경우, 가압착 공정에 있어서의 자외선의 조사량은 3∼15mW/㎠, 0.5∼2초로 하는 것이 바람직하다.
가압착 공정에서는 액정 구동용 IC(18)의 최소의 배선 간 스페이스(최소 범프 간 스페이스)에 따라 광의 조사량을 변경하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 액정 구동용 IC(18)의 최소 배선 간 스페이스가 8∼20㎛인 경우, 가압착 공정에 있어서의 광의 조사량은 본압착 공정에 있어서의 광의 조사량의 4∼20％로 하는 것이 바람직하다. 이와 같은 광 조사의 조건에 따라, 이방성 도전 필름의 바인더 수지의 점도를 매번 조정할 필요가 없어진다.
또, 가압착 공정에 있어서의 액정 구동용 IC(18)에의 압박력은 본압착 공정에 있어서의 액정 구동용 IC(18)에의 압박력의 40∼90％로 하는 것이 바람직하고, 70∼80％로 하는 것이 보다 바람직하다.
가압착 공정에 있어서, 이방성 도전 필름(1)에 적정한 조사량으로 자외선을 조사함으로써 바인더 수지층(3)의 경화를 개시시켜, 점도가 상승된 상태로 액정 구동용 IC(18)의 가압착을 행할 수 있다. 따라서, 가압착 공정이나 후술하는 본압착 공정에 있어서, 액정 구동용 IC(18)가 열 압착 툴(30)에 의해 압박되었을 때나, 액정 구동용 IC(18)로부터 열 압착 툴(30)이 이간할 때에, 액정 구동용 IC(18)가 소정의 위치로부터 어긋나는 얼라인먼트 어긋남을 억제할 수 있다.
[본압착 공정]
이어서, 도 6에 나타내는 바와 같이 액정 구동용 IC(18)를 투명 기판(12)에 대해 압박하면서 가압 및 광 조사를 행해, 액정 구동용 IC(18)와 투명 기판(12)을 전기적, 기계적으로 접속한다(본압착 공정). 본압착 공정에서는 열 압착 툴(30)에 의해, 도전성 입자(4)를 액정 구동용 IC(18)의 전극 단자(18a) 및 투명 전극(17)의 단자부(17a)와의 사이에서 협지시키는 소정의 압력으로 가압한다. 또, 본압착 공정에서는 바인더 수지층(3)을 경화시키는 조도 및 시간으로 자외선이 조사된다.
이것에 의해, 액정 구동용 IC(18)의 전극 단자(18a) 및 투명 전극(17)의 단자부(17a)와의 사이로부터 바인더 수지가 유출됨과 함께, 도전성 입자(4)가 협지됨으로써 도통이 도모되고, 이 상태에서 바인더 수지가 경화된다. 이것에 의해, 도 7에 나타내는 바와 같이 액정 구동용 IC(18)가 투명 기판(12) 상에 전기적, 기계적으로 접속된 접속체로서 액정 표시 패널(10)이 형성된다.
이때 본 제조 공정에 의하면, 가압착 공정에 있어서 이방성 도전 필름(1)에 본압착 공정에 있어서의 광의 조사량보다 작은 조사량으로 자외선을 조사함으로써, 바인더 수지의 점도가 어느 정도 높아져 있기 때문에, 열 압착 툴(30)에 의한 가압 시나 열 압착 툴(30)의 이간 시 등에 있어서 액정 구동용 IC(18)의 얼라인먼트 어긋남을 방지할 수 있다. 따라서, 파인 피치화된 액정 구동용 IC(18)의 전극 단자(18a)와, 당해 전극 단자(18a)와 접속되는 투명 전극(17)의 단자부(17a)에 인접하는 단자부의 피치가 좁아져, 도전성 입자(4)를 개재하여 단락하는 단자 간 쇼트를 방지할 수 있다.
또한, 자외선 조사는 가부착 공정부터 개시해도 된다. 이때, 가부착 공정의 조도는 가압착 공정의 조도보다 낮게 해도 된다.
＜구체예 1-2＞
본 제조 방법은 상기 서술한 가압착 공정에 있어서, 투명 기판(12)측이 아니라, 액정 구동용 IC(18)측으로부터 자외선 조사를 행해도 된다.
＜구체예 1-3＞
본 제조 방법은, 이방성 도전 필름(1)을 투명 기판(12) 상에 형성하는 공정과, 이방성 도전 필름(1) 상에 액정 구동용 IC(18)를 배치하는 공정과, 액정 구동용 IC(18)측으로부터 광 조사를 행하는 공정(광 조사 공정)과, 액정 구동용 IC(18)를 투명 기판(12)에 대해 압박하면서, 가열 및 광 조사를 행하는 공정(본압착 공정)을 갖고, 광 조사 공정에 있어서의 광의 조사량이 본압착 공정에 있어서의 광의 조사량보다 작아지도록 해도 된다.
＜구체예 1-4＞
본 제조 방법은 구체예 1-3에 있어서의 광 조사 공정의 전후에 있어서, 가열 툴에 의해 액정 구동용 IC(18)를 압박하는 공정을 추가로 가지고 있어도 된다.
＜구체예 1-5＞
본 제조 방법은 구체예 1-3에 있어서의, 이방성 도전 필름(1)을 투명 기판(12) 상에 형성하는 공정과, 이방성 도전 필름(1) 상에 액정 구동용 IC(18)를 배치하는 공정 사이에, 이방성 도전 필름(1) 전체면에 대해 광 조사를 행하는 공정을 추가로 가지고 있어도 된다.
＜구체예 1-6＞
본 제조 방법은 이방성 도전 필름(1)을 투명 기판(12) 상에 형성하는 공정과, 이방성 도전 필름(1)측으로부터 이방성 도전 필름(1) 전체면에 대해 광 조사를 행하는 공정(선조사(先照射) 공정)과, 선조사 공정 후의 이방성 도전 필름(1)에 액정 구동용 IC(18)를 배치하는 공정과, 투명 기판(12)측으로부터 광 조사를 행하는 공정(광 조사 공정)과, 액정 구동용 IC(18)를 투명 기판(12)에 대해 압박하면서 가열 및 광 조사를 행하는 공정(본압착 공정)을 갖고, 선조사 공정과 광 조사 공정의 광의 조사량의 합계가 본압착 공정에 있어서의 광의 조사량보다 작아지도록 해도 된다.
＜제 2 실시형태＞
제 2 실시형태에서는 액정 표시 패널의 유리 기판에, 전자 부품으로서 플렉시블 기판을 실장(FOG 실장)하는 경우를 예로 설명한다. 제 2 실시형태에 있어서, 제 1 실시형태와 동일한 부호를 붙인 구성은 제 1 실시형태와 동의이다.
[접속체의 제조 방법]
＜구체예 2-1＞
일례로서의 본 제조 방법은 이방성 도전 필름을 투명 기판 상에 형성하는 공정과, 이방성 도전 필름을 개재하여 투명 기판 상에 플렉시블 기판을 배치하고, 이방성 도전 필름에의 광 조사를 행하는 공정과, 플렉시블 기판을 투명 기판에 대해 압박하면서 가열 및 광 조사를 행하는 공정을 갖는다.
[가부착 공정]
가부착 공정은 상기 서술한 제 1 실시형태에 있어서의 가부착 공정과 마찬가지로 행할 수 있다.
[광 조사 공정]
광 조사 공정에 있어서, 예를 들어 도 8에 나타내는 바와 같이 이방성 도전 필름(1)을 개재하여, 투명 기판(12) 상에 플렉시블 기판(21)을 배치하고, 이방성 도전 필름(1)에의 광 조사를 행한다. 광 조사는 예를 들어 도 9에 나타내는 바와 같이, 투명 기판(12)측에 배치된 자외선 조사기(31)에 의해 이방성 도전 필름(1)의 바인더 수지층(3)에 자외선을 조사할 수 있다. 광 조사는 투명 기판(12)측이 아니라, 플렉시블 기판(21)측으로부터 행해도 된다.
광 조사 공정에 있어서, 이방성 도전 필름(1)에 조사하는 자외선의 조사량은 후술하는 본압착 공정에 있어서의 광의 조사량보다 작게 한다. 또, 광 조사 공정에서는 플렉시블 기판(21)의 최소 배선 간 스페이스에 따라 광의 조사량을 변경하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 플렉시블 기판(21)의 최소 배선 간 스페이스가 25㎛를 초과하는 경우, 광 조사 공정에 있어서의 광의 조사량은 본압착 공정에 있어서의 광의 조사량의 5∼25％로 하는 것이 바람직하고, 5∼15％로 하는 것이 보다 바람직하다. 또, 예를 들어 플렉시블 기판(21)의 최소 배선 간 스페이스가 25㎛ 이하인 경우, 광 조사 공정에 있어서의 광의 조사량은 본압착 공정에 있어서의 광의 조사량의 2∼15％로 하는 것이 바람직하고, 5∼10％로 하는 것이 보다 바람직하다.
광 조사 공정에 있어서 조사하는 자외선 조도, 및 자외선 조사 시간은 상기 서술한 조건을 만족하는 범위에서 적절히 선택할 수 있다. 예를 들어, 자외선 조도를 1∼400mW/㎠로 하고, 자외선 조사 시간을 0.5∼2초로 할 수 있다. 특히, 본압착 공정 전에 이방성 도전 필름(1)이 완전히 경화하지 않도록 하는 관점에서, 광 조사 공정에 있어서의 광의 조사 시간은 본압착 공정에 있어서의 압착 시간에 대해 1/5 이하인 것이 바람직하다.
[본압착 공정]
본압착 공정에 있어서, 예를 들어 도 10에 나타내는 바와 같이 플렉시블 기판(21)을 투명 기판(17)에 대해 압박하면서 가열 및 광 조사를 행한다. 이것에 의해, 플렉시블 기판(21)과 투명 기판(17)을 접속시키고, 예를 들어 플렉시블 기판(21)이 투명 기판(17) 상에 접속된 접속체로서 액정 표시 패널이 형성된다.
본압착 공정에서는 먼저, 플렉시블 기판(21)과 투명 전극(17)의 얼라인먼트를 행하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 투명 전극(17)의 각 단자부(17a)와 플렉시블 기판(21)의 단자부(21a)가 바인더 수지층(3)을 개재하여 대향하도록 플렉시블 기판(21)을 배치한다.
다음으로, 플렉시블 기판(21)의 상면을 소정의 가열 온도로 승온된 열 압착 툴(30)에 의해, 완충재(32)를 개재하여 열 가압함과 함께, 투명 기판(12)의 이면측에 설치된 자외선 조사기(31)에 의해 이방성 도전 필름(1)의 바인더 수지층(3)에 자외선을 조사한다. 본압착 공정에 있어서의 열 가압은 도전성 입자(4)를 플렉시블 기판(21)의 단자부(21a), 및 투명 전극(17)의 단자부(17a) 사이에서 협지시키는 소정의 압력으로 가압한다. 또, 본압착 공정에 있어서의 광 조사는 바인더 수지층(3)을 경화시키는 것이 가능한 조건으로 행한다.
이와 같은 접속체의 제조 방법에 의하면, 광 조사 공정에 있어서의 광의 조사량을 본압착 공정에 있어서의 광의 조사량보다 작게 함으로써, 본압착 공정 전에 이방성 도전 필름(1)의 바인더 수지의 점도가 어느 정도 높아져 있기 때문에, 열 압착 툴(30)에 의한 가압 시나 열 압착 툴(30)의 이간 시 등에 있어서 플렉시블 기판(21)의 얼라인먼트 어긋남을 방지할 수 있다.
또, 본 제조 방법에 의하면, 압착 시에 플렉시블 기판의 잔류 응력의 개방에 의한 영향을 억제할 수 있기 때문에, 이방성 도전 필름의 바인더 수지층과 플렉시블 기판의 계면에 있어서의 박리를 억제할 수 있다. 그 때문에, 접속체의 도통 저항값 저하, 이방성 도전 필름과 피착체의 접착력 저하 등의 접속 불량을 억제할 수 있다.
또, 본 제조 방법에 의하면, 플렉시블 기판의 배선 레이아웃이나 최소 배선 간 스페이스에 맞춰 이방성 도전 필름의 바인더 수지의 점도를 매번 조정하지 않아도, 광 조사의 조건에 의해 잔류 응력의 개방에 의한 영향을 억제할 수 있다. 그 때문에, 접속체의 제조 효율을 보다 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 서술한 광 조사 공정에 있어서는 열 압착 툴에 의해, 완충재를 개재하여, 본압착 공정보다 저온, 저압으로 열 가압하면서, 자외선 조사기(31)에 의해 이방성 도전 필름(1)의 바인더 수지층(3)에 자외선을 조사해도 된다. 열 압착 툴에 의한 열 가압 온도, 및 압박력은 예를 들어 상기 서술한 제 1 실시형태에 있어서의 가압착 공정과 마찬가지의 조건으로 할 수 있다.
＜구체예 2-2＞
본 제조 방법은 구체예 2-1에 있어서의 광 조사 공정의 전후에 있어서, 가열 툴에 의해 플렉시블 기판(21)을 압박하는 공정을 추가로 가지고 있어도 된다.
＜구체예 2-3＞
본 제조 방법은 구체예 2-1에 있어서의 이방성 도전 필름(1)을 투명 기판(12) 상에 형성하는 공정과, 플렉시블 기판(21)을 배치하는 공정 사이에, 이방성 도전 필름(1) 전체면에 대해 광 조사를 행하는 공정을 추가로 가지고 있어도 된다.
＜구체예 2-4＞
본 제조 방법은 이방성 도전 필름(1)을 투명 기판(12) 상에 형성하는 가부착 공정과, 이방성 도전 필름(1) 전체면에 대해 광 조사를 행하는 공정(선조사 공정)과, 선조사 공정 후의 이방성 도전 필름(1) 상에 플렉시블 기판(21)을 배치하는 공정과, 투명 기판(12)측으로부터 광 조사를 행하는 공정(광 조사 공정)과, 플렉시블 기판(21)을 투명 기판(12)에 대해 압박하면서 가열 및 광 조사를 행하는 공정(본압착 공정)을 갖고, 선조사 공정과 광 조사 공정의 광의 조사량의 합계가 본압착 공정에 있어서의 광의 조사량보다 작아지도록 해도 된다.
실시예
＜제 1 실시예＞
이어서, 본 기술의 실시예에 대해 설명한다. 본 실시예에서는, 가압착 공정에 있어서의 자외선의 조사 조건을 다르게 해 제조한 투명 기판과 IC 칩의 각 접속체 샘플에 대해, 접속 초기 및 신뢰성 시험 후에 있어서의 IC 칩과 투명 기판의 투명 전극의 도통 저항값(Ω), 및 IC 칩의 얼라인먼트 어긋남량(㎛)을 측정했다.
접속에 사용하는 접착제로서, 광산 발생제와 카티온 중합성 화합물을 함유하는 바인더 수지층으로 이루어지는 이방성 도전 필름을 준비했다.
이 바인더 수지층은,
페녹시 수지(YP-50 : 신닛테츠스미킹카가쿠가부시키가이샤 제조) ; 45질량부
이소시아누르산 EO 변성 디아크릴레이트(M-215 : 토아고세이가부시키가이샤 제조) ; 45질량부
실란 커플링제(KBM-403 : 신에츠카가쿠코교가부시키가이샤 제조) ; 2질량부
광 라디칼 발생제(이르가큐어369 : BASF 재팬 가부시키가이샤 제조) ; 8 질량부
를 아세트산에틸, 톨루엔으로 고형분 50％가 되도록 혼합 용액을 제조하고, 도전성 입자(AUL704 : 평균 입자경 4㎛, 세키스이카가쿠코교가부시키가이샤 제조)를 입자 밀도가 약 50,000개/㎟가 되도록 분산시켰다. 이 혼합 용액을 두께 50㎛의 PET 필름 상에 도포하고, 70℃ 오븐으로 5분간 건조해, 두께 20㎛의 필름상으로 성형했다.
평가 소자로서,
외형 ; 1.8㎜×20㎜,
범프 높이 ; 15㎛,
범프 사이즈 ; 30×60㎛(최소 범프 간 스페이스 10㎛)
의 평가용 IC를 사용했다. 또한, 범프는 평가용 IC 외형의 장변 방향 양 단부(端部)의 내측에 범프의 단변측이 평가용 IC 외형 장변 방향과 평행이 되도록 배열하고 있다. 이 배열 방향에 있어서의 범프 간의 거리가 본 평가 소자의 최소 범프 간 스페이스다.
평가용 IC가 접속되는 평가 기재로서 두께 0.5㎜의 ITO 코팅 유리를 사용하였다.
이 유리 기판에 상기 이방성 도전 필름을 개재하여 평가용 IC를 배치하고, 열 압착 툴에 의한 열 가압 및 자외선 조사기(ZUV-C30H : 오므론가부시키가이샤 제조)에 의해 자외선을 조사해 가압착 및 본압착을 행해, 접속체 샘플을 형성했다.
가압착 조건은 실시예 1∼6, 비교예 1∼8 모두 80℃, 2㎫, 2초이고, 압박 시에는 열 압착 툴과 평가용 IC 사이에는 완충재로서 두께 50㎛의 테플론(등록상표) 시트를 개재하고 있다. 또, 자외선 조사는 열 압착 툴에 의한 가열 가압과 동시에 개시했다. 가압착 시의 자외선 조사는 유리 기판측으로부터 행했다.
본압착 조건은 실시예 1∼6, 비교예 1∼8 모두 100℃, 80㎫, 5초이고, 압박 시에는 열 압착 툴과 평가용 IC 사이에는 완충재로서 두께 50㎛의 테플론(등록상표) 시트를 개재하고 있다. 또, 자외선 조사는 열 압착 툴에 의한 가열 가압으로부터 4초 후에 개시하고, 조사 시간은 1초, 조도는 100mW/㎠로 했다. 본압착 시의 자외선 조사는 유리 기판측으로부터 행했다.
그리고, 각 실시예 및 비교예에 관련된 접속체 샘플에 대해 초기 도통 저항값(Ω) 및 신뢰성 시험 후의 도통 저항값(Ω)을 측정했다. 신뢰성 시험의 조건은 85℃ 85％ RH 500hr 이다. 도통 저항값의 측정은 도 11에 나타내는 바와 같이, 평가용 IC의 범프(42)와 접속된 ITO 코팅 유리의 배선(43)에 디지털 멀티미터를 접속하고, 이른바 4단자법으로 전류 2mA를 흘렸을 때의 도통 저항값을 측정했다.
또, 각 실시예 및 비교예에 관련된 접속체 샘플에 대해, 실체 현미경을 사용하여 얼라인먼트 어긋남량을 측정했다. 얼라인먼트 어긋남량의 허용 범위는 1.0㎛ 이하로 했다.
[실시예 1]
실시예 1에서는 가압착 공정에 있어서의 열 가압 조건을 60㎫, 80℃로 하고, 자외선의 조사 조건을 3mW/㎠, 1초로 했다. 실시예 1의 가압착 공정에 있어서의 자외선의 조사량은 본압착 공정에 있어서의 조사량의 3％이다. 실시예 1에 관련된 접속체 샘플은 초기 도통 저항이 1.4Ω으로 낮고, 신뢰성 시험 후의 도통 저항도 4.3Ω이었다. 또, 실시예 1에 관련된 접속체 샘플의 얼라인먼트 어긋남량은 0.9㎛였다.
[실시예 2]
실시예 2에서는 가압착 공정에 있어서의 열 가압 조건을 60㎫, 80℃로 하고, 자외선의 조사 조건을 5mW/㎠, 1초로 했다. 실시예 2의 가압착 공정에 있어서의 자외선의 조사량은 본압착 공정에 있어서의 조사량의 5％이다. 실시예 2에 관련된 접속체 샘플은 초기 도통 저항이 1.0Ω으로 낮고, 신뢰성 시험 후의 도통 저항도 4.1Ω이었다. 또, 실시예 2에 관련된 접속체 샘플의 얼라인먼트 어긋남량은 0.7㎛였다.
[실시예 3]
실시예 3에서는 가압착 공정에 있어서의 열 가압 조건을 60㎫, 80℃로 하고, 자외선의 조사 조건을 15mW/㎠, 1초로 했다. 실시예 3의 가압착 공정에 있어서의 자외선의 조사량은 본압착 공정에 있어서의 조사량의 15％이다. 실시예 3에 관련된 접속체 샘플은 초기 도통 저항이 1.2Ω으로 낮고, 신뢰성 시험 후의 도통 저항도 4.4Ω이었다. 또, 실시예 3에 관련된 접속체 샘플의 얼라인먼트 어긋남량은 0.3㎛였다.
[실시예 4]
실시예 4에서는 가압착 공정에 있어서의 열 가압 조건을 60㎫, 80℃로 하고, 자외선의 조사 조건을 20mW/㎠, 1초로 했다. 실시예 4의 가압착 공정에 있어서의 자외선의 조사량은 본압착 공정에 있어서의 조사량의 20％이다. 실시예 4에 관련된 접속체 샘플은 초기 도통 저항이 2.4Ω으로 낮고, 신뢰성 시험 후의 도통 저항도 4.4Ω이었다. 또, 실시예 4에 관련된 접속체 샘플의 얼라인먼트 어긋남량은 0.3㎛였다.
[실시예 5]
실시예 5에서는 가압착 공정에 있어서의 열 가압 조건을 60㎫, 80℃로 하고, 자외선의 조사 조건을 10mW/㎠, 0.5초로 했다. 실시예 5의 가압착 공정에 있어서의 자외선의 조사량은 본압착 공정에 있어서의 조사량의 5％이다. 실시예 5에 관련된 접속체 샘플은 초기 도통 저항이 1.2Ω으로 낮고, 신뢰성 시험 후의 도통 저항도 4.5Ω이었다. 또, 실시예 5에 관련된 접속체 샘플의 얼라인먼트 어긋남량은 0.6㎛였다.
[실시예 6]
실시예 6에서는 가압착 공정에 있어서의 열 가압 조건을 60㎫, 80℃로 하고, 자외선의 조사 조건을 10mW/㎠, 2초로 했다. 실시예 6의 가압착 공정에 있어서의 자외선의 조사량은 본압착 공정에 있어서의 조사량의 20％이다. 실시예 6에 관련된 접속체 샘플은 초기 도통 저항이 1.3Ω으로 낮고, 신뢰성 시험 후의 도통 저항도 4.2Ω이었다. 또, 실시예 6에 관련된 접속체 샘플의 얼라인먼트 어긋남량은 0.6㎛였다.
[비교예 1]
비교예 1에서는 가압착 공정에 있어서의 열 가압 조건을 7㎫, 50℃로 하고, 자외선의 조사는 행하지 않았다. 비교예 1의 가압착 공정에 있어서의 자외선의 조사량은 본압착 공정에 있어서의 조사량의 0％이다. 비교예 1에 관련된 접속체 샘플은 초기 도통 저항이 3.4Ω으로 높고, 신뢰성 시험 후의 도통 저항도 6.1Ω이 되었다. 또, 비교예 1에 관련된 접속체 샘플의 얼라인먼트 어긋남량은 3.1㎛으로 커졌다.
[비교예 2]
비교예 2에서는 가압착 공정에 있어서의 열 가압 조건을 7㎫, 60℃로 하고, 자외선의 조사는 행하지 않았다. 비교예 2의 가압착 공정에 있어서의 자외선의 조사량은 본압착 공정에 있어서의 조사량의 0％이다. 비교예 2에 관련된 접속체 샘플은 초기 도통 저항이 1.5Ω으로 낮았지만, 신뢰성 시험 후의 도통 저항이 5.1Ω으로 높아졌다. 또, 비교예 2에 관련된 접속체 샘플의 얼라인먼트 어긋남량은 4.3㎛로 커졌다.
[비교예 3]
비교예 3에서는 가압착 공정에 있어서의 열 가압 조건을 7㎫, 50℃로 하고, 자외선의 조사 조건을 15mW/㎠, 1초로 했다. 비교예 3의 가압착 공정에 있어서의 자외선의 조사량은 본압착 공정에 있어서의 조사량의 1.5％이다. 비교예 3에 관련된 접속체 샘플은 초기 도통 저항이 2.3Ω이고, 신뢰성 시험 후의 도통 저항은 5.3Ω이었다. 또, 비교예 3에 관련된 접속체 샘플의 얼라인먼트 어긋남량은 1.8㎛였다.
[비교예 4]
비교예 4에서는 가압착 공정에 있어서의 열 가압 조건을 60㎫, 80℃로 하고, 자외선의 조사는 행하지 않았다. 비교예 4의 가압착 공정에 있어서의 자외선의 조사량은 본압착 공정에 있어서의 조사량의 0％이다. 비교예 4에 관련된 접속체 샘플은 초기 도통 저항이 1.2Ω으로 낮고, 신뢰성 시험 후의 도통 저항도 4.3Ω이었다. 그러나, 비교예 4에 관련된 접속체 샘플의 얼라인먼트 어긋남량은 6.4㎛로 커졌다.
[비교예 5]
비교예 5에서는 가압착 공정에 있어서의 열 가압 조건을 60㎫, 80℃로 하고, 자외선의 조사 조건을 2mW/㎠, 1초로 했다. 비교예 5의 가압착 공정에 있어서의 자외선의 조사량은 본압착 공정에 있어서의 조사량의 2％이다. 비교예 5에 관련된 접속체 샘플은 초기 도통 저항이 1.2Ω으로 낮고, 신뢰성 시험 후의 도통 저항도 4.3Ω이었다. 그러나, 비교예 5에 관련된 접속체 샘플의 얼라인먼트 어긋남량은 3.1㎛로 커졌다.
[비교예 6]
비교예 6에서는 가압착 공정에 있어서의 열 가압 조건을 60㎫, 80℃로 하고, 자외선의 조사 조건을 25mW/㎠, 1초로 했다. 비교예 6의 가압착 공정에 있어서의 자외선의 조사량은 본압착 공정에 있어서의 조사량의 25％이다. 비교예 6에 관련된 접속체 샘플은 초기 도통 저항이 6.3Ω으로 높고, 신뢰성 시험 후의 도통 저항도 9.3Ω으로 높아졌다. 그러나, 비교예 6에 관련된 접속체 샘플의 얼라인먼트 어긋남량은 0.3㎛였다.
[비교예 7]
비교예 7에서는 가압착 공정에 있어서의 열 가압 조건을 60㎫, 80℃로 하고, 자외선의 조사 조건을 10mW/㎠, 0.2초로 했다. 비교예 7의 가압착 공정에 있어서의 자외선의 조사량은 본압착 공정에 있어서의 조사량의 2％이다. 비교예 7에 관련된 접속체 샘플은 초기 도통 저항이 1.1Ω으로 낮고, 신뢰성 시험 후의 도통 저항도 4.5Ω이었다. 그러나, 비교예 7에 관련된 접속체 샘플의 얼라인먼트 어긋남량은 3.1㎛로 커졌다.
[비교예 8]
비교예 8에서는 가압착 공정에 있어서의 열 가압 조건을 60㎫, 80℃로 하고, 자외선의 조사 조건을 10mW/㎠, 2.5초로 했다. 비교예 8의 가압착 공정에 있어서의 자외선의 조사량은 본압착 공정에 있어서의 조사량의 25％이다. 비교예 8에 관련된 접속체 샘플은 초기 도통 저항이 5.2Ω으로 높고, 신뢰성 시험 후의 도통 저항도 7.5Ω으로 높아졌다. 또, 비교예 8에 관련된 접속체 샘플의 얼라인먼트 어긋남량은 1.2㎛로 커졌다.
Figure 112017037055912-pct00001
표 1에 나타내는 바와 같이, 실시예 1∼6은 가압착 공정에 있어서 조도를 3∼20mW/㎠, 조사 시간을 0.5∼2초로 자외선을 조사했다. 이것은 본압착 공정에 있어서의 조사량의 3∼20％이다. 이 때문에, 실시예 1∼6에서는 바인더 수지의 경화 반응을 적당히 진행시켜 점도를 상승시킬 수 있어, 도전성 입자의 압입을 저해하는 일 없이, 평가용 IC의 얼라인먼트 어긋남량을 1.0㎛ 미만으로 할 수 있었다.
비교예 1, 2는 가압착 공정에 있어서 자외선을 조사하고 있지 않기 때문에, 저온 저압력으로 압박하면 열 압착 툴에 의한 압박 시 등에 평가용 IC의 얼라인먼트 어긋남량이 커졌다. 또, 저압력으로 압박하였으므로 도전성 입자의 압입이 부족해, 신뢰성 시험 후에 도통 저항이 상승했다.
비교예 3은 가압착 공정에 있어서 적정한 조도 및 시간으로 자외선을 조사했지만, 평가용 IC의 압박력이 낮아, 도전성 입자의 압입이 부족해, 도통 저항이 상승했다.
비교예 4는 자외선을 조사하지 않고 가압착 공정을 행할 때에, 고압력으로 압박한 바, 도전성 입자의 압입에 의해 도통성을 확보할 수 있었지만, 얼라인먼트 어긋남량이 커졌다.
비교예 5는 가압착 공정에 있어서의 자외선 조도가 2mW/㎠ 로 낮은 것으로부터, 바인더 수지의 경화 반응이 진행되지 않고, 점도가 낮았기 때문에, 도전성 입자의 압입에 의해 도통성을 확보할 수 있었지만, 얼라인먼트 어긋남량이 커졌다.
비교예 6은 가압착 공정에 있어서의 자외선 조도가 25mW/㎠로 높은 것으로부터, 얼라인먼트 어긋남을 억제할 수 있었던 반면, 바인더 수지의 경화 반응이 지나치게 진행되어, 본압착 공정에 있어서 도전성 입자를 충분히 압입할 수 없고, 도통 저항이 상승했다.
비교예 7은 가압착 공정에 있어서의 자외선 조사 시간이 0.2초로 짧은 것으로부터, 바인더 수지의 경화 반응이 진행되지 않고, 점도가 낮았기 때문에, 도전성 입자의 압입에 의해 도통성을 확보할 수 있었지만, 얼라인먼트 어긋남량이 커졌다.
비교예 8은 가압착 공정에 있어서의 자외선 조사 시간이 2.5초로 긴 것으로부터, 얼라인먼트의 큰 어긋남은 억제할 수 있었지만, 바인더 수지의 경화 반응이 지나치게 진행되어, 본압착 공정에 있어서 도전성 입자를 충분히 압입할 수 없고, 도통 저항이 상승했다.
이상의 점으로부터, 가압착 공정에 있어서 바인더 수지의 점도를 적당히 상승시켜 둠으로써, 도전성 입자의 압입을 저해하는 일 없이, 얼라인먼트 어긋남을 억제할 수 있는 것을 알 수 있다. 또, 가압착 공정에 있어서의 광의 조사량은 본압착 공정에 있어서의 광의 조사량의 3∼20％가 바람직한 것을 알 수 있다.
[실시예 7∼9]
실시예 7∼9에서는 상기 서술한 실시예 1, 2, 5와 마찬가지로 ITO 코팅 유리에 이방성 도전 필름을 첩부(貼付)하고, 이방성 도전 필름측으로부터 필름의 전체면에 대해 가압착과 동일한 조건으로 이방성 도전 필름측으로부터 자외선을 조사(선조사)했다. 자외선 조사 후의 이방성 도전 필름 상에 평가용 IC를 배치하고, 실시예 1, 2, 5와 마찬가지의 조건으로 가압착(광 조사)을 행했다. 또한, 이방성 도전 필름측으로부터의 선조사는 투명 기판측으로부터의 광 조사와 대략 동일한 광원을 사용하였다. 그리고, 본압착을 행해, 접속체 샘플을 얻었다. 실시예 7∼9에서는 실시예 1, 2, 5와 대략 동등한 결과가 얻어졌다.
＜제 2 실시예＞
본 실시예에서는 가압착 공정에 있어서의 자외선의 조사 조건을 다르게 하여, 투명 기판(크롬/알루미늄 코팅 유리 : 평가 기재)과, 전자 부품(플렉시블 기판(FPC) : 평가 소자)의 접속을 행해, 접속체를 얻었다. 그리고, 얻어진 각 접속체 샘플에 대해, 접속 초기 및 신뢰성 시험 후에 있어서의 플렉시블 기판의 전극과 크롬/알루미늄 코팅 유리의 전극(알루미늄)의 도통 저항값(Ω), 신뢰성 시험 후에 있어서의 접착제층의 표면과 플렉시블 기판의 표면의 갭의 양, 및 얼라인먼트 어긋남량을 측정했다.
크롬/알루미늄 코팅 유리와 플렉시블 기판의 접속에는, 접착제로서 이하의 이방성 도전 필름을 사용했다. 먼저, 30질량부의 페녹시 수지(YP-70 : 신닛테츠스미킹카가쿠가부시키가이샤 제조)와, 30질량부의 액상 에폭시 수지(EP808 : 미츠비시카가쿠가부시키가이샤 제조)와, 20질량부의 고형 에폭시 수지(YD014 : 신닛테츠스미킹카가쿠가부시키가이샤 제조)와, 3질량부의 도전성 입자(AUL704 : 평균 입자경 4㎛, 세키스이카가쿠코교가부시키가이샤 제조)와, 5질량부의 광 카티온 경화제(LW-S1 : 산아프로가부시키가이샤 제조)와, 10질량부의 카티온계 경화제(SI-60L, 산신카가쿠가부시키가이샤 제조)를 교반 장치를 사용하여 균일하게 혼합했다. 이 혼합 용액을 박리 처리한 PET 필름(두께 50㎛) 상에 도포하여, 두께 20㎛의 필름상으로 성형했다. 이것에 의해 이방성 도전 필름을 얻었다.
플렉시블 기판으로서는 200㎛P 또는 50㎛P(Line/Space=1/1), Cu 8㎛t-Sn 도금, 38㎛t-S'perflex 기재를 사용했다.
크롬/알루미늄 코팅 유리로서는 알루미늄 패턴 유리(200㎛P 또는 50㎛P, 두께 1.1㎜)를 사용했다.
[실시예 10]
크롬/알루미늄 코팅 유리에, 1.5㎜ 폭의 이방성 도전 필름을 첩부하고, 이 이방성 도전 필름 상에 플렉시블 기판을 위치 맞춤했다. 위치 맞춤한 적층체의 크롬/알루미늄 코팅 유리측으로부터 360㎚에 최대 발광 파장을 갖는 LED 램프(컨트롤러 : ZUV-C20H, 헤드 유닛 : ZUV-H20MB, 렌즈 유닛 : ZUV-212L, 오므론사 제조)를 사용하여 조도 40mW/㎠로 1초간(조사량 : 40mJ/㎠) 자외선 조사를 행했다.
자외선 조사 후, 열 압착 툴(1.5㎜ 폭)로 완충재(두께 50㎛의 테플론(등록상표) 시트)를 사용하고, 120℃, 6㎫, 5초간의 조건으로 가열 압박을 행함과 함께, 가열 압박을 개시하고 나서 3초 후부터 상기 LED 램프를 사용하여, 조도 200mW/㎠로 2초간(조사량 : 400mJ/㎠), 크롬/알루미늄 코팅 유리측으로부터 자외선 조사를 행했다.
(초기 도통 저항값, 및 신뢰성 시험 후의 도통 저항값)
얻어진 접속체 샘플에 대해, 디지털 멀티미터(상품명 : 디지털 멀티미터 7561, 요코가와덴키가부시키가이샤 제조)를 사용하고, 상기 서술한 제 1 실시예와 마찬가지의 방법으로 초기 도통 저항값, 및 신뢰성 시험 후의 도통 저항값을 측정했다. 초기 도통 저항값이 3Ω 미만인 경우를 「A」라고 평가하고, 3Ω 이상 5Ω 미만인 경우를 「B」라고 평가하고, 5Ω 이상인 경우를 「C」라고 평가했다. 또, 신뢰성 시험 후의 도통 저항값이 5Ω 미만인 경우를 「A」라고 평가하고, 5Ω 이상 10Ω 미만인 경우를 「B」라고 평가하고, 10Ω 이상인 경우를 「C」라고 평가했다. 실용상 도통 저항값의 평가는 「A」 또는 「B」가 바람직하다.
(신뢰성 시험 후의 갭)
얻어진 접속체 샘플에 대해, 신뢰성 시험 후의 이방성 도전 필름의 경화물과 플렉시블 기판의 계면의 갭을 3지점 측정하고, 그 평균값을 산출했다. 갭이 3.5μ 이하(도전성 입자의 평균 입경의 70％ 이하)인 경우를 「A」라고 평가하고, 3.5㎛를 초과 4.5㎛ 미만(도전성 입자의 평균 입경의 70％를 초과 90％ 미만)인 경우를 「B」라고 평가하고, 4.5㎛ 이상(도전성 입자의 평균 입경의 90％ 이상)인 경우를 「C」라고 평가했다. 실용상 갭의 평가는 「A」 또는 「B」가 바람직하다.
(얼라인먼트 어긋남량)
얻어진 접속체 샘플에 대해, 실체 현미경을 사용하여, 크롬/알루미늄 코팅 유리의 단자(45)와 플렉시블 기판의 단자(46)의 폭 방향의 얼라인먼트 어긋남량을 측정했다(도 12 참조). 얼라인먼트 어긋남량이 3㎛ 이하인 경우를 「A」라고 평가하고, 3㎛를 초과 5㎛ 미만인 경우를 「B」라고 평가하고, 5㎛ 이상인 경우를 「C」라고 평가했다.
얼라인먼트 어긋남량의 평가 기준은, 예를 들어 도 12에 나타내는 바와 같이 50㎛P, 접속폭 600㎛의 단자(45)와 단자(46)를 상정한 경우, 1배선당의 접속 면적이 약 10000㎛2 이하가 되는 조건을 NG로 했다. 즉, 얼라인먼트 어긋남량이 8㎛ 이상인 경우((25-8)㎛×(600-8)㎛=10064㎛2)를 NG로 했다. 그리고, 장치에 의한 얼라인먼트 공차를 3㎛ 정도로 상정하고, 얼라인먼트 어긋남량이 5㎛ 미만인 경우를 실용상 바람직하다고 판단했다. 얼라인먼트 어긋남량은 5㎛ 이상이어도 실용상 문제 없지만, 접속 구조체의 품질 관리의 관점에서 적을수록 바람직하다.
[실시예 11]
실시예 11에서는 본압착 전의 자외선 조사의 조건을 조도 20mW/㎠로 1초간(조사량 : 20mJ/㎠)으로 변경해 접속체 샘플을 얻은 것 이외에는, 실시예 10과 마찬가지로 행했다.
[실시예 12]
실시예 12에서는 본압착 전의 자외선 조사의 조건을 조도 100mW/㎠로 1초간(조사량 : 100mJ/㎠)으로 변경해 접속체 샘플을 얻은 것 이외에는, 실시예 10과 마찬가지로 행했다.
[비교예 9]
비교예 9에서는 본압착 전의 자외선 조사를 행하지 않고 접속체 샘플을 얻은 것 이외에는, 실시예 10과 마찬가지로 행했다.
[비교예 10]
비교예 10에서는 본압착 전의 자외선 조사의 조건을 조도 8mW/㎠로 1초간(조사량 : 8mJ/㎠)으로 변경해 접속체 샘플을 얻은 것 이외에는, 실시예 10과 마찬가지로 행했다.
[비교예 11]
비교예 11에서는 본압착 전의 자외선 조사의 조건을 조도 120mW/㎠로 1초간(조사량 : 120mJ/㎠)으로 변경해 접속체 샘플을 얻은 것 이외에는, 실시예 10과 마찬가지로 행했다.
[실시예 13]
실시예 13에서는 200㎛P의 플렉시블 기판으로 바꾸고, 50㎛P의 플렉시블 기판을 사용하여 접속체 샘플을 얻은 것 이외에는, 실시예 10과 마찬가지로 행했다.
[실시예 14]
실시예 14에서는 본압착 전의 자외선 조사의 조건을, 조도 8mW/㎠로 1초간(조사량 : 8mJ/㎠)으로 변경해 접속체 샘플을 얻은 것 이외에는, 실시예 13과 마찬가지로 행했다.
[실시예 15]
실시예 15에서는 본압착 전의 자외선 조사의 조건을 조도 60mW/㎠로 1초간(조사량 : 60mJ/㎠)으로 변경해 접속체 샘플을 얻은 것 이외에는, 실시예 13과 마찬가지로 행했다.
[비교예 12]
비교예 12에서는 본압착 전의 자외선 조사를 행하지 않고 접속체 샘플을 얻은 것 이외에는, 실시예 13과 마찬가지로 행했다.
[비교예 13]
비교예 13에서는 본압착 전의 자외선 조사의 조건을 조도 4mW/㎠로 1초간(조사량 : 4mJ/㎠)으로 변경해 접속체 샘플을 얻은 것 이외에는, 실시예 13과 마찬가지로 행했다.
[비교예 14]
비교예 14에서는 본압착 전의 자외선 조사의 조건을 조도 80mW/㎠로 1초간(조사량 : 80mJ/㎠)으로 변경해 접속체 샘플을 얻은 것 이외에는, 실시예 13과 마찬가지로 행했다.
하기 표 중 「(1) 본압착 전」이란, 도 13 중의 (1)로 나타내는 본압착 전의 광 조사의 조건을 나타낸다. 또, 「(2) 본압착 시」란, 도 13 중의 (2)로 나타내는 본압착 시의 광 조사의 조건을 나타낸다.
Figure 112017037055912-pct00002
플렉시블 기판의 최소 배선 간 스페이스가 25㎛를 초과하는 실시예 10∼12에서는, 광 조사 공정에 있어서의 광의 조사량을 본압착 공정에 있어서의 광의 조사량의 5∼25％로 했다. 이것에 의해, 초기 도통 저항값, 신뢰성 시험 후의 도통 저항값, 신뢰성 시험 후의 갭, 및 얼라인먼트 어긋남량의 평가가 모두 양호한 것을 알 수 있었다.
플렉시블 기판의 최소 배선 간 스페이스가 25㎛ 이하인 실시예 13∼15에서는, 광 조사 공정에 있어서의 광의 조사량을 본압착 공정에 있어서의 광의 조사량의 2∼15％로 했다. 이것에 의해, 초기 도통 저항값, 신뢰성 시험 후의 도통 저항값, 신뢰성 시험 후의 갭, 및 얼라인먼트 어긋남량의 평가가 모두 양호한 것을 알 수 있었다.
비교예 9, 12에서는 광 조사 공정에 있어서 자외선을 조사하지 않았기 때문에, 본압착 공정에 있어서의 가열 압박 시에 신뢰성 시험 후의 도통 저항값, 신뢰성 시험 후의 갭, 및 플렉시블 기판의 얼라인먼트 어긋남의 평가가 양호하지 않은 것을 알 수 있었다. 또, 비교예 10, 13에서는 광 조사 공정에 있어서의 자외선 조사량이 본압착 공정에 있어서의 자외선 조사량에 대해 지나치게 적었기 때문에, 신뢰성 시험 후의 도통 저항값, 및 신뢰성 시험 후의 갭의 평가가 양호하지 않은 것을 알 수 있었다. 또, 비교예 13에서는 플렉시블 기판의 얼라인먼트 어긋남의 평가도 양호하지 않은 것을 알 수 있었다. 이들 결과는 본압착 공정에 있어서의 가열 압박 시에, 이방성 도전 필름을 구성하는 바인더 수지의 유동성이 지나치게 커져 버려, 플렉시블 기판의 배선 간이 휜 상태로 가열 툴의 프레스 아웃 시에 플렉시블 기판의 잔류 응력이 개방되었을 때에, 이방성 도전 필름과 플렉시블 기판의 계면에 있어서의 박리가 발생하기 쉽게 되어 버렸기 때문이라고 생각된다.
비교예 11, 14에서는 광 조사 공정에 있어서의 자외선 조사량이 본압착 공정에 있어서의 자외선 조사량에 대해 지나치게 많았기 때문에, 초기 도통 저항값, 신뢰성 시험 후의 도통 저항값, 및 신뢰성 시험 후의 갭의 평가가 양호하지 않은 것을 알 수 있었다. 이 결과는, 이방성 도전 필름을 구성하는 바인더 수지의 경화 반응이 지나치게 진행되어, 본압착 공정에 있어서 도전성 입자를 충분히 압입할 수 없었기 때문이라고 생각된다.
[실시예 16∼19]
실시예 16∼19에서는 실시예 10, 11, 13, 14와 마찬가지로 크롬/알루미늄 코팅 유리에 이방성 도전 필름을 첩부하고, 이방성 도전 필름측으로부터 이방성 도전 필름의 전체면에 대해 자외선을 20mJ/㎠(본압착 시의 5％) 조사(선조사)했다. 이 이방성 도전 필름측으로부터의 선조사는 투명 기판측으로부터의 광 조사와 대략 동일한 광원을 사용했다. 자외선 조사 후, 이방성 도전 필름 상에 플렉시블 기판을 위치 맞춤해 적층체를 얻었다. 이 적층체에 대해 실시예 10, 11, 13, 14와 마찬가지의 조건으로 광 조사 및 본압착을 행했다. 실시예 16∼19에서는 실시예 10, 11, 13, 14와 대략 동등한 결과가 얻어졌다.
[실시예 20∼29]
실시예 20∼29에서는 실시예 10∼19와 마찬가지로 크롬/알루미늄 코팅 유리에 이방성 도전 필름을 첩부하고, 가압착 공정에서 투명 기판측으로부터 광 조사할 때에, 60℃, 1㎫로 압박하는 것 이외에는 동등의 조작을 반복해, 본압착을 행했다. 실시예 20∼29에서는 실시예 10∼19와 대략 동등의 결과가 얻어졌다.
1 : 이방성 도전 필름
2 : 박리 필름
3 : 바인더 수지층
4 : 도전성 입자
10 : 액정 표시 패널
11, 12 : 투명 기판
13 : 시일
14 : 액정
15 : 패널 표시부
16, 17 : 투명 전극
18 : 액정 구동용 IC
20 : COG 실장부
21 : 플렉시블 기판
22 : FOG 실장부
24 : 배향막
25, 26 : 편광판
30 : 가열 압박 헤드
31 : 자외선 조사기
42 : 범프
43 : 배선
44 : 갭
45, 46 : 단자

Claims (19)

  1. 광 중합 개시제를 함유하는 회로 접속용 접착제를 투명 기판 상에 형성하는 접착제 배치 공정과,
    상기 회로 접속용 접착제를 개재하여 상기 투명 기판 상에 전자 부품을 배치하고, 상기 회로 접속용 접착제에의 광 조사를 행하는 광 조사 공정과,
    상기 전자 부품을 상기 투명 기판에 대해 압박하면서 가열 및 광 조사를 행하는 본압착 공정을 갖고,
    상기 본압착 공정에 있어서, 도전성 입자의 압입을 저해하는 일 없이 상기 회로 접속용 접착제의 점도를 상승시키도록, 상기 광 조사 공정에 있어서의 광의 조사량은, 상기 본압착 공정에 있어서의 광의 조사량보다 작은 접속체의 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 접착제 배치 공정과 상기 광 조사 공정 사이에, 상기 회로 접속용 접착제측으로부터 상기 회로 접속용 접착제 전체면에 대해 광 조사를 행하는 선조사 공정을 추가로 갖고,
    상기 선조사 공정과 상기 광 조사 공정의 합계의 광 조사량은, 상기 본압착 공정의 광 조사량보다 작은, 접속체의 제조 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 광 조사 공정은, 상기 투명 기판측으로부터 광 조사를 행하는, 접속체의 제조 방법.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 광 조사 공정에서는, 상기 전자 부품의 최소 배선 간 스페이스에 따라 광의 조사량을 변경하는, 접속체의 제조 방법.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 광 조사 공정에 있어서의 광의 조사 시간은, 상기 본압착 공정에 있어서의 압착 시간에 대해 1/5 이하인, 접속체의 제조 방법.
  6. 광 중합 개시제를 함유하는 회로 접속용 접착제를 투명 기판 상에 형성하는 접착제 배치 공정과,
    상기 회로 접속용 접착제를 개재하여 상기 투명 기판 상에 전자 부품을 배치하고, 상기 전자 부품의 상기 투명 기판에의 압박, 및 상기 회로 접속용 접착제에의 광 조사를 행하는 가압착 공정과,
    상기 전자 부품을 상기 투명 기판에 대해 압박하면서 가열 및 광 조사를 행하는 본압착 공정을 갖고,
    상기 본압착 공정에 있어서, 도전성 입자의 압입을 저해하는 일 없이 상기 회로 접속용 접착제의 점도를 상승시키도록, 상기 가압착 공정에 있어서의 광의 조사량은, 상기 본압착 공정에 있어서의 광의 조사량보다 작은 접속체의 제조 방법.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 접착제 배치 공정과 상기 가압착 공정 사이에, 상기 회로 접속용 접착제측으로부터, 상기 회로 접속용 접착제 전체면에 대해 광 조사를 행하는 선조사 공정을 추가로 갖고,
    상기 선조사 공정과 상기 가압착 공정의 합계의 광 조사량은, 상기 본압착 공정의 광 조사량보다 작은, 접속체의 제조 방법.
  8. 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서, 상기 가압착 공정은, 상기 투명 기판측으로부터 광 조사를 행하는, 접속체의 제조 방법.
  9. 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서, 상기 가압착 공정에서는, 상기 전자 부품의 최소 배선 간 스페이스에 따라 광의 조사량을 변경하는, 접속체의 제조 방법.
  10. 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서, 상기 가압착 공정에 있어서의 광의 조사량은, 상기 본압착 공정에 있어서의 광의 조사량의 3∼20％인 접속체의 제조 방법.
  11. 제 10 항에 있어서, 상기 가압착 공정에 있어서의 광의 조도는, 3∼20mW/㎠인 접속체의 제조 방법.
  12. 제 10 항에 있어서, 상기 가압착 공정에 있어서의 광의 조사 시간은 0.5∼2초인 접속체의 제조 방법.
  13. 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서, 상기 가압착 공정에 있어서의 상기 전자 부품에의 압박력은, 상기 본압착 공정에 있어서의 상기 전자 부품에의 압박력의 40∼90％인 접속체의 제조 방법.
  14. 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서, 상기 가압착 공정은, 압착 툴이 상기 전자 부품의 압박면에 접촉됨과 동시에 광 조사를 개시하는 접속체의 제조 방법.
  15. 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서, 상기 접착제 배치 공정부터 상기 회로 접속용 접착제에의 광 조사를 행하는 접속체의 제조 방법.
  16. 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서, 상기 가압착 공정에 있어서의 상기 전자 부품의 압착 온도가, 상기 본압착 공정에 있어서의 상기 전자 부품의 압착 온도와 동등한 접속체의 제조 방법.
  17. 광 중합 개시제를 함유하는 회로 접속용 접착제를 투명 기판 상에 형성하는 접착제 배치 공정과,
    상기 회로 접속용 접착제를 개재하여 상기 투명 기판 상에 전자 부품을 배치하고, 상기 회로 접속용 접착제에의 광 조사를 행하는 광 조사 공정과,
    상기 전자 부품을 상기 투명 기판에 대해 압박하면서 가열 및 광 조사를 행하는 본압착 공정을 갖고,
    상기 본압착 공정에 있어서, 도전성 입자의 압입을 저해하는 일 없이 상기 회로 접속용 접착제의 점도를 상승시키도록, 상기 광 조사 공정에 있어서의 광의 조사량은, 상기 본압착 공정에 있어서의 광의 조사량보다 작은 전자 부품의 접속 방법.
  18. 제 17 항에 있어서, 상기 광 조사 공정은, 상기 회로 접속용 접착제를 개재하여 상기 투명 기판 상에 전자 부품을 배치하고, 상기 전자 부품의 상기 투명 기판에의 압박, 및 상기 회로 접속용 접착제에의 광 조사를 행하는 가압착 공정인, 전자 부품의 접속 방법.
  19. 삭제
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