KR101952055B1 - 프로그램 가능 센서 - Google Patents

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Abstract

인코더용 센서. 상기 센서는 감지 회로, 활성 설정 모듈, 비활성 설정 모듈, 및 센서 인터페이스를 포함한다. 상기 감지 회로 모듈은 감지된 특성과 관련된 출력 신호를 생성하도록 구성된다. 활성 설정 모듈은 제1 극 폭 설정을 포함한다. 상기 제1 극 폭 설정은 인코더에 대한 제1 극 폭과 연관된다. 제1 극 폭 설정은 감지 회로 모듈에 의해 액세스 가능하다. 비활성 설정 모듈은 제2 극 폭 설정을 포함한다. 제2 극 폭 설정은 인코더에 대한 제2 극 폭과 연관된다. 제2 극 폭 설정은 감지 회로 모듈에 의해 액세스 가능하지 않다. 센서 인터페이스는 비활성 설정 모듈로부터 제2 극 폭 설정을 불러오고 상기 제2 극 폭 설정을 활성 설정 모듈에 쓰도록 구성된다.

Description

프로그램 가능 센서{PROGRAMMABLE SENSOR}
이 출원은 2014년 12월 29일에 출원된 미국 가특허출원 번호 62/097,314의 이익을 주장하고, 이의 전체 내용이 본 명세서에 참조로서 포함된다.
본 발명은 프로그램 가능한 센서와 관련된다.
인코더 기법(가령, 자기 인코더 기법)이 모션 제어 응용예, 가령, 모터 제어, 벡터 제어, 리졸버 교체, 전력 조향, 풍력 에너지, 스테이지 조명, 로봇, 웹 프로세싱, 인쇄 등을 위한 신뢰할만한 고분해능 성능을 제안한다. 특히 자기 인코더가 고온, 쇼크, 및 진동을 겪는 환경에 대해 바람직하다. 인코더는 예를 들어 이동 부재 및 상기 이동 부재의 위치 또는 속도를 검출하는 데 사용될 수 있는 하나 이상의 센서의 어레이를 포함할 수 있다. 센서로부터의 출력 신호를 기초로, 인코더에 대한 정밀한 위치 또는 속도 정보가 결정될 수 있다.
그러나 하나의 이동 부재에 대한 정확한 위치 또는 속도 데이터를 생성하는 센서의 어레이가 서로 다른 이동 부재에 대한 정확한 위치 또는 속도 데이터를 생성하지 않을 수 있다. 센서가 하나의 이동 부재에 대해서는 정확하고 신뢰할만한 데이터를 생성하고 또 다른 이동 부재에 대해서는 신뢰할 수 없고 부정확한 데이터를 제공할 수 있는 다양한 이유가 존재한다. 예를 들어, 각각의 회전 부재가 주기 패턴으로 코딩되고 센서 어레이 내 하나 이상의 감지 요소(가령, 홀 효과 감지 요소)가 패턴의 길이에 걸쳐 사용되어 위치 및/또는 속도와 관련된 출력 신호를 발생시킬 수 있다. 특히 회전 증분 인코더(rotary incremental encoder)(가령, 속도 및 위치 검출을 위한 회전 부재를 포함하는 회전 인코더)를 참조하면, 하나의 회전 부재가 또 다른 회전 부재보다 클 수 있고, 하나의 회전 부재는 다른 회전 부재와 상이한 분해능 또는 극 폭(pole width)(가령, 동일 극성의 극 사이의 거리)을 가질 수 있다.
회전 부재의 위치 또는 속도를 검출하도록 설계된 센서 또는 센서 칩이 외부 측정 장비를 이용하여 설정 동안 트리밍되어, 예를 들어 특정 극 폭을 검출하기 위해 센서 칩에서의 오프셋 값을 최적화할 수 있다. 트리밍과 연관된 오프셋 값 또는 극 폭 데이터가 1회 칩에 저장되거나 재프로그램 가능한 비휘발성 메모리에 저장된다. "0(zero)" 오프셋으로의 이러한 동작이 복수의 센서 칩 신호로의 액세스를 필요로 하고 센서가 동작하기 전에 완료된다.
본 발명은 프로그램 가능한 센서 또는 센서 칩(가령, 선형 또는 회전 인코더를 위한 자기 위치 센서) 및 센서 또는 센서 칩을 프로그래밍 또는 재프로그래밍하기 위한 프로세스와 관련된다. 일반적으로 상기 센서는 집적 회로(가령, 주문형 집적 회로(ASIC))에서 사용되지 않거나 비활성 프로그램 가능한 메모리를 사용해, 설정 정보를 저장할 수 있다. 상기 설정 정보는 불러와 져서, 센서가 서로 다른 분해능 또는 극 폭을 갖는 복수의 서로 다른 자기 타깃과 동작하도록 신속하게 구성 또는 재프로그래밍될 수 있다. 센서를 구성하거나 재프로그래밍하는 것이 특수 하드웨어 또는 소프트웨어를 이용하지 않고 이뤄질 수 있다.
하나의 실시예에서, 본 발명은 인코더를 위한 센서를 제공한다. 상기 센서는 감지 회로, 활성 설정 모듈, 비활성 설정 모듈, 및 센서 인터페이스를 포함한다. 감지 회로 모듈은 감지된 특성과 관련된 출력 신호를 생성하도록 동작한다. 활성 설정 모듈은 제1 물리 메모리 위치에 저장되는 제1 극 폭 설정을 포함한다. 제1 극 폭 설정은 인코더에 대한 제1 극 폭과 연관된다. 제1 극 폭 설정은 감지 회로 모듈에 의해 제1 물리 메모리 위치로부터 액세스 가능할 수 있다. 비활성 설정 모듈은 제2 물리 메모리 위치에 저장되는 제2 극 폭 설정을 포함한다. 제2 극 폭 설정은 인코더에 대한 제2 극 폭과 연관된다. 제2 극 폭 설정은 감지 회로 모듈에 의해 제2 물리 메모리 위치로부터 액세스 가능하지 않다. 센서 인터페이스는 비활성 설정 모듈 내 제2 물리 메모리 위치로부터 제2 극 폭 설정을 불러오고 상기 제2 극 폭 설정을 활성 설정 모듈 내 제1 물리 메모리 위치에 쓰도록 동작 가능하다.
또 다른 실시예에서, 본 발명은 인코더에 대한 센서를 프로그램하기 위한 방법을 제공한다. 상기 방법은 활성 설정 모듈의 제1 물리 메모리 위치에 제1 극 폭 설정을 저장하는 단계를 포함한다. 제1 극 폭 설정은 인코더에 대한 제1 극 폭과 연관되며, 제1 극 폭 설정은 감지 회로 모듈에 의해 제1 물리 메모리 위치로부터 액세스 가능하다. 상기 방법은 비활성 설정 모듈의 제2 물리 메모리 위치에 제2 극 폭 설정을 저장하는 단계를 더 포함한다. 제2 극 폭 설정은 인코더에 대한 제2 극 폭과 연관되며, 제2 극 폭 설정은 감지 회로 모듈에 의해 제2 물리 메모리 위치로부터 액세스 가능하지 않다. 상기 방법은 또한 감지 회로 모듈에 의해, 활성 설정 모듈의 제1 물리 메모리 위치로부터 제1 극 폭 설정을 불러오는 단계, 비활성 설정 모듈의 제2 물리 메모리 위치로부터 제2 극 폭 설정을 불러오는 단계, 활성 설정 모듈의 제1 물리 메모리 위치에 제2 극 폭 설정을 쓰는 단계, 및 감지 회로 모듈에 의해, 활성 설정 모듈의 제1 물리 메모리 위치로부터 제2 극 폭 설정을 불러오는 단계를 포함한다.
또 다른 실시예에서, 본 발명은 인코더용 센서를 포함한다. 상기 센서는 감지 회로, 활성 데이터 모듈, 비활성 데이터 모듈, 및 센서 인터페이스를 포함한다. 감지 회로 모듈은 감지된 특성과 관련된 출력 신호를 생성하도록 구성된다. 활성 데이터 모듈은 제1 극 폭 데이터를 포함한다. 제1 극 폭 데이터는 인코더에 대한 제1 극 폭과 연관된다. 제1 극 폭 데이터는 감지 회로 모듈에 의해 액세스 가능하다. 비활성 데이터 모듈은 제2 극 폭 데이터를 포함한다. 상기 제2 극 폭 데이터는 인코더에 대한 제2 극 폭과 연관된다. 제2 극 폭 데이터는 감지 회로 모듈에 의해 액세스 가능하지 않다. 최종 사용자에 의해 사용되는 센서 인터페이스는 비활성 데이터 모듈로부터 제2 극 폭 데이터를 불러오고 상기 제2 극 폭 데이터를 활성 데이터 모듈에 쓰도록 구성된다.
본 발명의 또 다른 양태가 상세한 설명과 이하의 도면을 참조할 때 자명해질 것이다.
도 1은 센서 시스템의 일부분을 도시한다.
도 2a는 교대하는 자극을 포함하는 회전 가능한 부재에 인접하게 위치하는 센서 어레이를 포함하는 센서 시스템을 도시한다.
도 2b는 교대하는 자극을 포함하고 도 2a의 센서 시스템에서 사용될 수 있는 선형 이동 가능 부재를 도시한다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따르는 센서 시스템의 블록도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따르는 프로그램 가능한 센서의 블록도이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따르는 센서를 동작, 및 설정, 또는 재프로그램하기 위한 프로세스이다.
본 발명의 임의의 실시예를 상세히 설명하기 전에, 본 발명은 다음의 상세한 설명에서 제공되거나 도면에 도시된 구성요소들의 구조 및 배열에 대한 상세사항의 적용으로 한정되지 않음이 이해되어야 한다. 본 발명은 다양한 방식으로 실시되거나 수행될 수 있다. 또한 본 명세서에서 사용되는 구문 및 용어는 설명 목적으로 제공되는 것이며 한정으로 간주되어서는 안 된다. "포함하는(including, comprising, 또는 having)" 및 이들의 변형이 사용되는 것은 이들 앞에 나열되는 아이템들 및 이들의 등가물뿐 아니라 추가 아이템까지 포함하는 것을 의미한다. 용어 "장착되는", "연결되는" 및 "결합되는"은 광의로 사용되고 직접적인 장착, 연결 및 결합과 간접적인 장착, 연결 및 결합을 모두 포함한다. 또한, "연결되는" 및 "결합되는"은 직접이나 간접에 상관없이, 물리적 또는 기계적 연결 또는 결합에 한정되지 않고 전기적 연결 또는 결합을 포함할 수 있다. 또한, 전자 통신 및 통지는 직접 연결, 무선 연결 등을 포함해 임의의 알려진 수단을 이용해 수행될 수 있다.
복수의 하드웨어 및 소프트웨어 기반 장치뿐 아니라 복수의 서로 다른 구조 구성요소가 본 발명을 구현하는 데 사용될 수 있다. 또한, 이하에서 기재되는 바와 같이, 도면에서 도시되는 특정 구성이 본 발명의 실시예의 예시를 들기 위한 것이며, 또 다른 대안 구성이 가능하다. 달리 언급되지 않는 한, 용어 "프로세서", "중앙 처리 장치", 및 "CPU" 가 교환 가능할 수 있다. 용어 "프로세서" 또는 "중앙 처리 장치" 또는 "CPU"가 특정 기능을 수행하는 유닛을 식별하는 것으로 사용될 때, 달리 언급되지 않는 한, 이들 기능은 디지털 로직, 상태 머신, 단일 프로세서, 또는 임의의 형태로 배열된 복수의 프로세서, 가령, 병렬 프로세서, 직렬 프로세서, 탠뎀 프로세서(tandem processor) 또는 클라우드 처리/클라우드 컴퓨팅 구성에 의해 수행될 수 있는 것으로 이해되어야 한다.
발명의 상세한 설명
본 발명은 다양한 인코더 또는 인코딩 부재(가령, 회전 인코딩 부재)의 위치 및 속도를 정확하게 검출하기 위해 프로그램 또는 재-프로그램될 수 있는 센서와 관련된다. 예를 들어, 회전 증분 인코더가 회전 부재의 위치 및 속도를 결정하기 위한 회전 부재 및 센서 어레이(가령, 하나 이상의 센서를 포함함)를 포함한다. 회전 부재는 예를 들어, 교대하는 북 자극과 남 자극을 포함하는 패턴 길이를 갖는 패턴을 포함한다. 자극은 개별 극의 폭 또는 동일 극성을 갖는 극들 사이의 폭에 대응하는 극 폭(가령, 1-5mm 극 폭), 및 단 하나의 극 폭 설정 또는 트림 설정이 센서에 대해 활성화될 수 있다. 그러나 센서는 또한 제조 동안 복수의 서로 다른 구성 또는 극 폭에 대해서도 트리밍된다. 이들 추가 구성 또는 극 폭에 대해 센서를 최적화하는 데 필요한 데이터 또는 설정이 센서의 비활성 메모리 위치에 저장된다. 정규 동작 동안 비활성 메모리는 센서에 의해 액세스되지 않거나 액세스될 수 없다. 그 후 사용자는 저장된 설정을 불러오며 특별한 측정 또는 프로그래밍 장비 없이 이를 이용해 센서를 재구성 또는 재프로그래밍할 수 있다. 저장된 설정은 비활성 메모리 위치로부터 불러와 지며 센서가 새로운 또는 상이한 극 폭 설정에 대해 구성되도록 센서 내 활성 메모리 위치에 써진다(즉, 활성 및 비활성 메모리 위치가 센서 내 물리 메모리 위치에 대응한다).
본 발명이 자극을 이용하는 회전 증분 인코더 및 홀 효과 센서와 관련하여 주로 기재되지만, 본 발명은 다양한 유형의 센서, 절대 인코더, 선형 인코더, 및 홀 효과 센서가 아니 다른 센서를 이용하는 인코더에도 적용될 수 있다. 특히 도 1은 센서 어레이(105)를 포함하는 센서 시스템(100)의 일부분을 도시한다. 일부 구성에서, 센서 시스템(100)의 센서 요소는 단일 집적 회로(115) 상에 포함된다. 센서 어레이 내 센서는 아날로그 또는 디지털 출력 신호를 생성한다.
도 1의 센서 시스템(100)의 일부분이 도 2a에 도시된 바와 같이 이동 부재, 가령, 회전 부재(130)(가령, 회전 인코더의 휠 또는 샤프트)와 함께 사용될 수 있다. 도 1의 센서 시스템(100)의 일부분이 회로 기판(125) 상에 장착되는 집적 회로(115)로서 도 2a에 도시되어 있다. 고분해능 센서 어레이(105)는 복수의 교대하는 자극(145)이 매립된 외부 에지에 자기 영역(140)을 갖는 원형 플레이트(135)에 인접하게 배치된다. 원형 플레이트(135)는 회전 부재(130)에 연결되거나 회전 부재(130)의 일체 부분일 수 있다. 상기 센서 시스템(100)은 선형 인코더, 가령, 도 2b에 도시된 선형 인코더(150)와 함께 구현되거나 사용될 수 있다.
도 3은 제어기(205)를 포함하는 센서 시스템(200)을 도시한다. 상기 제어기(205)는 시스템(200)의 다양한 모듈 또는 구성요소에 전기적 및/또는 통신 가능하게 연결된다. 예를 들어, 도시된 제어기(205)는 하나 이상의 작동 장치(가령, 모터) 및 구동부(210), 전력 공급 모듈(215), 출력 장치(220) 및 (대응하는 전단부 회로(230A-230N)를 통해) 복수의 센서(225A-225N)에 연결되며, 여기서 N은 시스템(200)에 포함되는 센서의 유한 개수를 가리킨다. 제어기(205)는 시스템(200)의 동작을 모니터링 및/또는 제어, 작동 장치(210)의 운동을 제어, 홀 효과 센서(225)의 출력을 모니터링 등을 하도록 동작 가능한 하드웨어 및 소프트웨어의 조합을 포함한다.
일부 실시예에서, 제어기(205)는 시스템(200)으로 전력, 모니터링 및 제어를 제공하는 복수의 전기 및 전자 구성요소를 포함한다. 예를 들어, 제어기(205)는, 처리 유닛(235)(가령, 마이크로프로세서, 마이크로제어기, 또는 또 다른 적합한 프로그래머블 장치), 물리 메모리(240), 입력 유닛(245), 및 출력 유닛(250) 등을 포함한다. 처리 유닛(235)은 제어 유닛(255), 산술 로직 유닛("ALU")(260), 및 복수의 레지스터(265)(도 3에서 레지스터의 그룹으로 나타남)를 포함하며, 알려진 컴퓨터 아키텍처, 가령, 수정 하바드 아키텍처(modified Harvard architecture), 폰 노이만 아키텍처(von Neumann architecture) 등을 이용해 구현된다. 처리 유닛(235), 메모리(240), 입력 유닛(245), 및 출력 유닛(250)뿐 아니라 제어기(205)에 연결되는 다양한 모듈이 하나 이상의 제어 및/또는 데이터 버스(가령, 공통 버스(270))에 의해 연결된다. 일반적으로, 제어 및/또는 데이터 버스가 예시 목적으로 도 3에 도시된다. 다양한 모듈 및 구성요소들 간 상호접속 및 통신을 위한 하나 이상의 제어 및/또는 데이터 버스의 사용이 본 명세서에 기재되는 본 발명의 관점에서 해당 분야의 통상의 기술자에게 자명할 것이다. 일부 실시예에서, 시스템(200)은 반도체 칩(가령, 맞춤 집적 회로["ASIC"], 현장 프로그램 가능한 게이트 어레이["FPGA"] 반도체 등) 상에 부분적으로 또는 전체적으로 구현된다.
물리 메모리(240)는, 예를 들어, 프로그램 저장 영역 및 데이터 저장 영역을 포함한다. 프로그램 저장 영역 및 데이터 저장 영역은 서로 다른 유형의 메모리, 가령, 리드-온리 메모리("ROM"), 랜덤 액세스 메모리("RAM")(가령, 동적 RAM["DRAM"], 동기식 DRAM["SDRAM"] 등), 전기 소거 프로그램 가능한 판독 메모리("EEPROM"), 플래시 메모리, 하드 디스크, SD 카드, 또는 그 밖의 다른 적합한 자기, 광학, 물리, 또는 전자 메모리 장치의 조합을 포함할 수 있다. 처리 유닛(235)은 메모리(240)에 연결되고 (가령, 실행 동안) 메모리(240)의 RAM, (가령, 일반적으로 영속 베이스 상에) 메모리(240)의 ROM, 또 다른 비일시적 컴퓨터 판독 매체, 가령, 또 다른 메모리 또는 디스크에 저장될 수 있는 소프트웨어 명령을 실행한다. 시스템(200)의 구현에 포함되는 소프트웨어가 제어기(205)의 메모리(240)에 저장될 수 있다. 소프트웨어는, 예를 들어, 펌웨어, 하나 이상의 애플리케이션, 프로그램 데이터, 필터, 규칙, 하나 이상의 프로그램 모듈, 및 그 밖의 다른 실행 명령을 포함한다. 제어기(205)는 메모리로부터 본 명세서에 기재된 제어 프로세서 및 방법과 관련된 명령을 불러오고 실행하도록 구성된다. 또 다른 구성에서, 제어기(205)는 추가, 더 적은, 또는 상이한 구성요소를 포함한다.
전력 공급 모듈(215)은 제어기(205)의 공칭 AC 또는 DC 전압을 제어기(205) 또는 시스템(200)의 그 밖의 다른 구성요소 또는 모듈로 공급한다. 전력 공급 모듈(215)은, 예를 들어, 100V 내지 240V AC 및 대략 50-60Hz의 주파수의 공칭 라인 전압을 갖는 전원에 의해 전력을 공급 받는다. 전력 공급 모듈(215)은 또한 제어기(205) 내 회로 및 구성요소를 동작시키도록 더 낮은 전압을 공급하도록 구성된다. 또 다른 구성에서, 제어기(205) 또는 시스템(200) 내 그 밖의 다른 구성요소 및 모듈에 하나 이상의 배터리 또는 배터리 팩, 또는 또 다른 그리드-독립적인 전원(가령, 발전기, 태양 패널 등)에 의해 전력이 공급된다.
도 4는 감지 회로 모듈(305)을 포함하는 센서 또는 센서 집적 회로("IC")(300)의 단순화된 블록도이다. 감지 회로 모듈(305)은 프로세서 또는 처리 유닛을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 센서(300)는 도 3과 관련하여 앞서 기재된 시스템(200)과 유사한 회로 및 기능(가령, 처리 유닛, 물리 메모리, 복수의 센서 등) 을 포함한다. 감지 회로 모듈(305)은 감지 회로의 분해능 또는 극 폭 오프셋을 "0"으로 만들기 위해 트림 설정 또는 극 폭 설정(가령, 극 폭 오프셋 설정)을 이용한다. 센서(300)는 또한 활성 트림 설정 모듈(310), 비활성/저장된 트림 설정 모듈(315), 제1 인터페이스(320), 및 제2 인터페이스(325)를 포함한다. 각각의 활성 트림 설정 모듈(310) 및 비활성/저장된 트림 설정 모듈(315) 각각은 앞서 기재된 메모리, 가령, 메모리(240)를 포함한다. 일부 실시예에서, 제1 인터페이스(320)에 의해, 측정 및 감지 데이터를 수신하도록 구성된 장치로의 외부 연결이 가능하다. 제1 인터페이스(320)는, 예를 들어, 장치와 통신하기 위한 4개의 와이어를 포함할 수 있다. 제2 인터페이스(325)는 활성 트림 설정 모듈(310) 내에 있는 트림 설정을 프로그래밍 또는 재프로그래밍하기 위한 외부 인터페이스를 제공한다. 일부 실시예에서, 제2 인터페이스(325)는 2-와이어 인터페이스("TWI")를 제공하기 위한 2개의 와이어를 포함한다. 또 다른 실시예에서, 제2 인터페이스(325)는 3개의 와이어를 포함할 수 있다.
활성 트림 설정 모듈(310) 내 트림 설정에 대한 값이 감지 회로 모듈(305)에 의해 사용된 트림 설정이며, 사용되는 인코딩 부재의 분해능 또는 극 폭에 대응해야 한다. 센서(300)는 활성 트림 설정 모듈(310) 내 트림 설정에 대한 서로 다른 활성 값을 이용하도록 프로그램 또는 재프로그램될 수 있다. 예를 들어, 트림 설정은 비활성/저장된 트림 설정 모듈(315) 내 제2 물리 메모리 위치로부터 불러와 지고 인터페이스(325)를 이용해 활성 트림 설정 모듈(310) 내 제1 물리 메모리로 써질 수 있다. 일부 실시예에서, 이 재프로그램 기능의 트리거링이 제어되거나 제한되어, 활성 트림 설정 모듈(310) 내 트림 설정의 값을 의도치 않게 변경하는 것을 피할 수 있다. 활성 트림 설정의 원치 않는 재프로그래밍을 피하기 위해, 활성 트림 설정의 프로그래밍 또는 재프로그래밍이, 외부 활성화 핀에 추가로, TWI를 이용해 획득될 수 있다. 일부 실시예에서, TWI에 센서(300)를 위한 센서 케이블이 포함된다. 활성화 기능은, 예를 들어, 센서 PCB 상의 리드 스위치 또는 홀 효과 스위치에 의해 또는 특정 검출 가능한 임계 전압으로 센서 출력 핀을 후방 구동함으로써 트리거될 수 있다. 센서(300)의 재프로그래밍이 활성화된 후, TWI 프로토콜, 가령, I2C("I-제곱-C")가 센서(300)를 재프로그램하는 데 사용될 수 있다.
센서(300)를 이용 및 프로그램 또는 재프로그램하기 위한 프로세서(400)가 도 5에 도시된다. 프로세스(400)는 하나 또는 복수의 인코더와 관련된 트림 설정 또는 극 폭 설정 값을 결정하는 단계(단계(405))로 시작한다. 트림 설정은 센서(300)(가령, 활성 트림 설정 모듈(310))의 활성 메모리 위치에 선택적으로 저장될 수 있다(단계(410)). 추가로, 트림 설정 또는 극 폭 설정이 또한 센서(300)(가령, 비활성/저장된 트림 설정 모듈(315))의 비활성 메모리 위치에 저장된다(단계(415)). 센서(300)의 활성 메모리 위치에 저장되는 트림 설정 또는 극 폭 설정이, 예를 들어, 특성을 감지 또는 검출할 때(가령, 속도 및/또는 위치 검출 동안) 감지 회로 모듈(305)에 의해, 불러와 지고 사용된다. 센서(300)의 비활성 메모리 위치에 저장되는 트림 설정 또는 극 폭 설정이 감지 회로 모듈(305)에 의해 액세스 가능하지 않거나, 및/또는 사용되지 않는다. 프로그래밍 또는 재프로그래밍 동작이 개시될 때, 인터페이스는 센서(300)에 연결된다(단계(420)). 그 후 트림 설정 또는 극 폭 설정이 센서(300)의 비활성 메모리 위치로부터 불러와 진다(단계(425)). 비활성 메모리 위치로부터 불러와 진 트림 설정 또는 극 폭 설정이 센서의 활성 메모리 위치에 써진다(단계(430)). 불러와 진 트림 설정 또는 극 폭 설정을 활성 메모리 위치에 씀으로써, 활성 메모리 위치에 저장된 이전 트림 설정 또는 극 폭 설정이 다시 써지거나 교체된다. 센서(300)의 활성 메모리 위치에 저장되는 새 트림 설정 또는 극 폭 설정이 불러와 지고(단계(435)), 특성을 감지 또는 검출할 때(가령, 속도 및/또는 위치 검출 동안) 감지 회로 모듈(305)에 의해 사용된다.
따라서 본 발명은, 상이한 분해능 또는 극 폭을 갖는 다양한 자기 타깃에 대해 프로그램 또는 재프로그램될 수 있는 센서 등을 제공한다. 본 발명의 다양한 특징 및 이점이 다음의 청구항에서 제공된다.

Claims (20)

  1. 인코더용 센서로서, 상기 센서는
    감지된 특성과 관련된 출력 신호를 생성하도록 동작하는 감지 회로 모듈,
    제1 물리 메모리 위치에 저장되는 제1 극 폭 설정을 포함하는 활성 설정 모듈 - 제1 극 폭 설정은 인코더에 대한 제1 극 폭과 연관되며, 제1 극 폭 설정은 인코더에 대한 제1 극 폭을 검출하기 위한 감지 회로 모듈을 구성하는데 사용되도록 동작되고, 제1 극 폭 설정은 감지 회로 모듈에 의해 제1 물리 메모리 위치로부터 액세스 가능함 - ,
    제2 물리 메모리 위치에 저장되는 제2 극 폭 설정을 포함하는 비활성 설정 모듈 - 제2 극 폭 설정은 인코더에 대한 제2 극 폭과 연관되고, 제2 극 폭 설정은 인코더에 대한 제2 극 폭을 검출하기 위한 감지 회로 모듈을 구성하는데 사용되도록 동작되고, 제2 극 폭 설정은 감지 회로 모듈에 의해 제2 물리 메모리 위치로부터 액세스 가능하지 않음 - , 및
    비활성 설정 모듈 내 제2 물리 메모리 위치로부터 제2 극 폭 설정을 불러오고 제2 극 폭 설정을 활성 설정 모듈 내 제1 물리 메모리 위치에 쓰기 위한 센서 인터페이스를 포함하되,
    제2 극 폭 설정은 제1 극 폭 설정과 상이한, 센서.
  2. 제1항에 있어서, 상기 센서는 홀 효과 센서(Hall Effect sensor)를 포함하는, 센서.
  3. 제1항에 있어서, 상기 센서는 2-와이어 인터페이스("TWI")인, 센서.
  4. 제1항에 있어서, 상기 센서는 맞춤 집적 회로(application specific integrated circuit)("ASIC")에 포함되는, 센서.
  5. 제1항에 있어서, 비활성 설정 모듈은 제1 극 폭 설정 및 제2 극 폭 설정을 포함하는, 센서.
  6. 제5항에 있어서, 인코더는 회전 인코더인, 센서.
  7. 제5항에 있어서, 인코더는 선형 인코더인, 센서.
  8. 인코더용 센서를 프로그램하는 방법으로서, 상기 방법은
    활성 설정 모듈의 제1 물리 메모리 위치에 제1 극 폭 설정을 저장하는 단계 - 상기 제1 극 폭 설정은 인코더에 대한 제1 극 폭과 연관되고, 제1 극 폭 설정은 인코더에 대한 제1 극 폭을 검출하기 위한 감지 회로 모듈을 구성하는데 사용되도록 동작되고, 제1 극 폭 설정은 감지 회로 모듈에 의해 제1 물리 메모리 위치로부터 액세스 가능함 - ,
    비활성 설정 모듈의 제2 물리 메모리 위치에 제2 극 폭 설정을 저장하는 단계 - 상기 제2 극 폭 설정은 인코더에 대한 제2 극 폭과 연관되고, 제2 극 폭 설정은 인코더에 대한 제2 극 폭을 검출하기 위한 감지 회로 모듈을 구성하는데 사용되도록 동작되고, 제2 극 폭 설정은 감지 회로 모듈에 의해 제2 물리 메모리 위치로부터 액세스 가능하지 않음 - ,
    감지 회로 모듈에 의해, 활성 설정 모듈의 제1 물리 메모리 위치로부터 제1 극 폭 설정을 불러오는 단계,
    비활성 설정 모듈의 제2 물리 메모리 위치로부터 제2 극 폭 설정을 불러오는 단계,
    활성 설정 모듈의 제1 물리 메모리 위치에 제2 극 폭 설정을 쓰는 단계, 및
    감지 회로 모듈에 의해, 활성 설정 모듈의 제1 물리 메모리 위치로부터 제2 극 폭 설정을 불러오는 단계를 포함하되,
    제2 극 폭 설정은 제1 극 폭 설정과 상이한, 인코더용 센서를 프로그램하는 방법.
  9. 제8항에 있어서, 센서는 홀 효과 센서를 포함하는, 인코더용 센서를 프로그램하는 방법.
  10. 제8항에 있어서, 제2 극 폭 설정은 2-선 인터페이스("TWI")를 이용해 비활성 설정 모듈로부터 불러와지는, 인코더용 센서를 프로그램하는 방법.
  11. 제8항에 있어서, 센서는 맞춤 집적 회로(application specific integrated circuit)("ASIC")에 포함되는, 인코더용 센서를 프로그램하는 방법.
  12. 제8항에 있어서, 제1 극 폭 설정을 비활성 설정 모듈에 저장하는 단계를 더 포함하는, 인코더용 센서를 프로그램하는 방법.
  13. 제12항에 있어서, 인코더는 회전 인코더인, 인코더용 센서를 프로그램하는 방법.
  14. 제12항에 있어서, 인코더는 선형 인코더인, 인코더용 센서를 프로그램하는 방법.
  15. 인코더용 센서로서, 상기 센서는
    감지된 특성과 관련된 출력 신호를 생성하도록 구성된 감지 회로 모듈,
    제1 극 폭 데이터를 포함하는 활성 데이터 모듈 - 제1 극 폭 데이터는 인코더용 제1 극 폭과 연관되며, 제1 극 폭 데이터는 인코더에 대한 제1 극 폭을 검출하기 위한 감지 회로 모듈을 구성하는데 사용되도록 동작되고, 제1 극 폭 데이터는 감지 회로 모듈에 의해 액세스됨 - ,
    제2 극 폭 데이터를 포함하는 비활성 데이터 모듈 - 상기 제2 극 폭 데이터는 인코더에 대한 제2 극 폭과 연관되며, 제2 극 폭 데이터는 인코더에 대한 제2 극 폭을 검출하기 위한 감지 회로 모듈을 구성하는데 사용되도록 동작되고, 제2 극 폭 데이터는 감지 회로 모듈에 의해 액세스 가능하지 않음 - , 및
    비활성 데이터 모듈로부터 제2 극 폭 데이터를 불러오고 활성 데이터 모듈에 제2 극 폭 데이터를 쓰도록 구성된 센서 인터페이스를 포함하되,
    제2 극 폭 데이터는 제1 극 폭 데이터와 상이한, 센서.
  16. 제15항에 있어서, 센서는 홀 효과 센서를 포함하는, 센서.
  17. 제15항에 있어서, 센서 인터페이스는 2-와이어 인터페이스("TWI")인, 센서.
  18. 제15항에 있어서, 상기 센서는 맞춤 집적 회로("ASIC")에 포함되는, 센서.
  19. 제15항에 있어서, 비활성 데이터 모듈은 제1 극 폭 데이터 및 제2 극 폭 데이터를 포함하는, 센서.
  20. 제19항에 있어서, 인코더는 회전 인코더 및 선형 인코더로 구성된 군 중에서 선택되는, 센서.
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