KR101949150B1

KR101949150B1 - Light emitting device package

Info

Publication number: KR101949150B1
Application number: KR1020110129924A
Authority: KR
Inventors: 정수정
Original assignee: 엘지이노텍 주식회사
Priority date: 2011-12-06
Filing date: 2011-12-06
Publication date: 2019-02-18
Also published as: KR20130063421A

Abstract

본 발명은 발광소자 패키지에 관한 것이다. 상기 발광 소자 패키지는 몸체; 상기 몸체 내에 배치된 복수의 전극; 상기 복수의 전극 중 적어도 하나의 위에 배치된 발광 소자; 및 상기 몸체의 표면 일부 상에 형성되고 상기 발광 소자의 동작 상태에 따라 반응하여 변색되는 제1상태표시부재를 포함한다.The present invention relates to a light emitting device package. The light emitting device package includes: a body; A plurality of electrodes disposed in the body; A light emitting element disposed on at least one of the plurality of electrodes; And a first state indicating member formed on a part of the surface of the body and responsive to the operation state of the light emitting element to change color.

Description

[0001] LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE [0002]

본 발명은 발광소자 패키지에 관한 것이다. The present invention relates to a light emitting device package.

발광 다이오드(LED: Light Emitting Diode)는 GaAs 계열, AlGaAs 계열, GaN 계열, InGaN 계열 및 InGaAlP 계열 등의 화합물 반도체 재료를 이용하여 발광 원을 구성할 수 있다. Light emitting diodes (LEDs) can be made of a compound semiconductor material such as GaAs-based, AlGaAs-based, GaN-based, InGaN-based, and InGaAlP-based.

이러한 발광 다이오드는 패키지화되어 다양한 색을 방출하는 발광소자 패키지로 이용되고 있으며, 발광소자 패키지는 칼라를 표시하는 점등 표시기, 문자 표시기 및 영상 표시기 등의 다양한 분야에 광원으로 사용되고 있다.Such a light emitting diode is used as a light emitting device package that is packaged and emits various colors, and the light emitting device package is used as a light source in various fields such as a lighting indicator, a character indicator, and an image indicator.

특히, 자외선 발광 다이오드(UV LED)의 경우, 245nm-405nm의 파장대에 분포되어 있는 빛을 발생하는 발광 다이오드로서, 상기 245nm-405nm 파장대 중에서 단파장의 경우, 살균, 정화 등에 사용되며, 장파장의 경우 노광기 또는 경화기 등에 사용될 수 있다. Particularly, in the case of ultraviolet light emitting diodes (UV LEDs), light emitting diodes emitting light distributed in a wavelength range of 245 nm-405 nm are used for sterilization and purification in the case of short wavelengths in the 245 nm-405 nm wavelength band. Or a hardener.

그러나, 자외선 발광 다이오드는 발광 시에 열이 많이 발생하여 소자 불량이 초래되고, 동작 신뢰성이 떨어지며, 방열을 위해 패키지의 크기를 키우는 경우, 집적도 및 경제성이 낮아진다.However, the ultraviolet light emitting diode generates a lot of heat at the time of light emission, resulting in poor device performance, low operating reliability, and low integration and economical efficiency when the size of the package is increased for heat dissipation.

실시예는 새로운 구조를 가지는 발광 소자 패키지를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device package having a new structure.

실시예는 몸체 및 리드 프레임 중 적어도 하나에 상태표시부재를 포함하는 발광소자 패키지를 제공한다.An embodiment provides a light emitting device package including a state display member on at least one of a body and a lead frame.

실시 예는 몸체 상에 발광 소자의 동작이나 온도를 나타낼 수 있는 상태표시부재를 포함하는 발광 소자 패키지를 제공한다.Embodiments provide a light emitting device package including a state indicating member capable of indicating an operation or a temperature of a light emitting device on a body.

실시 예는 동작 상태를 표시하는 상태표시부재를 이용하여 캐소드 마크로 사용하는 발광 소자 패키지를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device package that is used as a cathode mark by using a status display member indicating an operating state.

실시 예는 자외선 발광 소자의 동작 상태를 표시하여 사용자를 보호할 수 있는 자외선 발광 소자 패키지를 제공한다. Embodiments provide an ultraviolet light emitting device package capable of protecting a user by displaying an operation state of the ultraviolet light emitting element.

실시 예에 따른 발광 소자 패키지는, 몸체; 상기 몸체 내에 배치된 복수의 전극; 상기 복수의 전극 중 적어도 하나의 위에 배치된 발광 소자; 및 상기 몸체의 표면 일부 상에 형성되고 상기 발광 소자의 동작 상태에 따라 반응하여 변색되는 제1상태표시부재를 포함한다. A light emitting device package according to an embodiment includes a body; A plurality of electrodes disposed in the body; A light emitting element disposed on at least one of the plurality of electrodes; And a first state indicating member formed on a part of the surface of the body and responsive to the operation state of the light emitting element to change color.

실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 캐비티를 포함하는 몸체; 상기 캐비티 내에 배치된 복수의 리드 프레임; 상기 복수의 리드 프레임 중 적어도 하나의 위에 배치된 발광 소자; 상기 캐비티에 배치된 몰딩 부재; 및 상기 몸체의 표면 및 상기 복수의 리드 프레임 중 적어도 하나에 배치되어, 상기 몸체의 온도를 감지하여 변색되는 상태표시부재를 포함한다.A light emitting device package according to an embodiment includes a body including a cavity; A plurality of lead frames disposed in the cavity; A light emitting element disposed on at least one of the plurality of lead frames; A molding member disposed in the cavity; And a status display member disposed on at least one of the surface of the body and the plurality of lead frames, the status indicator indicating a change in color by sensing a temperature of the body.

실시 예는 자외선 발광 소자 패키지 내에서 상태표시부재를 배치하여, 발광소자의 동작 상태를 검출하여 사용자에게 시각적으로 알려줄 수 있는 효과가 있다.The embodiment has an effect that the state indicating member is disposed in the ultraviolet light emitting device package so that the operating state of the light emitting device can be detected to visually inform the user.

실시 예는 눈에 보이지 않은 파장 대역을 발광하는 발광 소자 패키지의 동작상태를 제공하여, 자외선 발광 소자 패키지로부터 사용자를 보호할 수 있는 효과가 있다. The embodiment provides an operation state of a light emitting device package that emits an invisible wavelength band, thereby protecting the user from the ultraviolet light emitting device package.

실시 예는 발광 소자 패키지의 온도에 따라 서로 다른 컬러를 표시할 수 있어, 사용자에게 시각적으로 발광 소자 패키지의 상태를 알려줄 수 있는 효과가 있다.The embodiment can display different colors according to the temperature of the light emitting device package, and thus it is possible to visually inform the user of the state of the light emitting device package.

실시 예는 발광 소자 패키지의 캐소드 마크와 같은 극성을 상태표시부재로 구분할 수 있는 효과가 있다.The embodiment has an effect that the polarity, such as the cathode mark, of the light emitting device package can be divided into the status display members.

도 1은 제1 실시예에 따른 발광소자 패키지의 사시도이다.
도 2는 도 1의 평면도이다.
도 3은 도 1의 발광소자 패키지의 A-A 측 단면도이다.
도 4는 제2실시 예에 따른 발광 소자 패키지의 측 단면도이다.
도 5는 제3실시 예에 따른 발광 소자 패키지의 측 단면도이다.
도 6은 제4실시 예에 따른 발광 소자 패키지의 측 단면도이다.
도 7은 제5실시 에에 따른 발광 소자 패키지의 측 단면도이다.
도 8은 제6실시 예에 따른 발광 소자 패키지의 측 단면도이다.
도 9는 실시 예에 따른 발광 소자를 나타낸 도면이다.
도 10은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 갖는 램프를 나타낸 사시도이다.1 is a perspective view of a light emitting device package according to a first embodiment.
2 is a plan view of Fig.
3 is a cross-sectional view of the light emitting device package of FIG. 1 taken along the line AA.
4 is a side sectional view of the light emitting device package according to the second embodiment.
5 is a side sectional view of the light emitting device package according to the third embodiment.
6 is a side sectional view of the light emitting device package according to the fourth embodiment.
7 is a side sectional view of the light emitting device package according to the fifth embodiment.
8 is a side sectional view of the light emitting device package according to the sixth embodiment.
9 is a view showing a light emitting device according to an embodiment.
10 is a perspective view illustrating a lamp having a light emitting device package according to an embodiment.

아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily carry out the present invention. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein.

실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.In the description of the embodiments, it is to be understood that each layer (film), region, pattern or structure may be formed "on" or "under" a substrate, each layer The terms " on " and " under " include both being formed "directly" or "indirectly" Also, the criteria for top, bottom, or bottom of each layer will be described with reference to the drawings.

층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우 뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. Whenever a portion of a layer, film, region, plate, or the like is referred to as being "on" another portion, it includes not only the case where it is "directly on" another portion, but also the case where there is another portion in between. On the contrary, when an element is referred to as being " directly over " another element, it means that there is no other element in between. Means not only excluding components but also including other components.

그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하고, 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.In order to clearly illustrate the present invention in the drawings, thicknesses are enlarged in order to clearly illustrate various layers and regions, and parts not related to the description are omitted, and like parts are denoted by similar reference numerals throughout the specification .

이하에서는 도 1 내지 도 3를 참고하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광소자 패키지를 설명한다.Hereinafter, a light emitting device package according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 3. FIG.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광소자 패키지의 사시도이고, 도 2는 도 1의 발광소자 패키지의 평면도이며, 도 3은 도 2의 발광 소자 패키지의 A-A 로 절단한 단면도이다.FIG. 1 is a perspective view of a light emitting device package according to a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a plan view of the light emitting device package of FIG. 1, and FIG. 3 is a sectional view taken along line A-A of the light emitting device package of FIG.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 발광 소자 패키지(100)는 캐비티(111)를 포함하는 몸체(110), 상기 캐비티(111) 내에 복수의 서브 캐비티(112,113), 상기 몸체(110)의 캐비티(111) 내에 배치된 복수의 전극(121,123,125), 상기 복수의 전극(121,123,125) 중 제1전극(121) 위에 배치된 발광 소자(131), 상기 복수의 서브 캐비티(112,113) 중 어느 하나에 보호소자(133)를 포함한다.1 to 3, the light emitting device package 100 includes a body 110 including a cavity 111, a plurality of sub-cavities 112 and 113 in the cavity 111, a cavity 110 of the body 110, A light emitting device 131 disposed on the first electrode 121 of the plurality of electrodes 121, 123 and 125 disposed in the plurality of sub-cavities 112 and 113, a plurality of electrodes 121, 133).

상기 몸체(110)는 도 3에 도시된 바와 같이, 복수의 절연층(L1-L7)의 적층 구조로 형성될 수 있다. 상기 복수의 절연층(L1-L7)은 상기 발광 소자(131)의 두께 방향으로 적층된다. 상기 복수의 절연층(L1-L7)은 세라믹 소재를 포함하며, 상기 세라믹 소재는 동시 소성되는 저온 소성 세라믹(LTCC: low temperature co-fired ceramic) 또는 고온 소성 세라믹(HTCC: high temperature co-fired ceramic)을 포함한다. 상기 몸체(110) 내에는 각 절연층(L1-L7)의 상면 및 하면 중 적어도 하나에 금속 패턴이 배치되며, 상기 각 절연층(L1-L7)에 수직하게 관통되며 상기 금속 패턴에 선택적으로 연결된 연결 부재(117)를 포함할 수 있다. 상기 연결 부재(117)는 비아 또는 비아 홀을 포함하며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 다른 예로서, 상기 복수의 절연층(L1-L7)은 질화물 또는 산화물과 같은 절연성 부재를 포함할 수 있으며, 바람직하게 열 전도도가 산화물 또는 질화물보다 높은 금속 질화물을 포함할 수 있다. 상기 몸체(110)의 재질은 Si0₂, Si_xO_y, Si₃N₄, Si_xN_y, SiO_xN_y, Al₂O₃, 또는 AlN일 수 있으며, 바람직하게는 질화알루미늄(AlN)으로 형성하거나, 열 전도도가 140 W/mK 이상인 금속 질화물로 형성할 수 있다. 상기 몸체(110)는 복수의 세라믹 층의 적층 구조를 포함할 수 있다.As shown in FIG. 3, the body 110 may have a laminated structure of a plurality of insulating layers L1-L7. The plurality of insulating layers (L1-L7) are stacked in the thickness direction of the light emitting device (131). The plurality of insulating layers L 1 -L 7 includes a ceramic material. The ceramic material may be a low temperature co-fired ceramic (LTCC) or a high temperature co-fired ceramic (HTCC) ). A metal pattern is disposed on at least one of the upper surface and the lower surface of each of the insulating layers L1 to L7 in the body 110. The metal pattern is vertically penetrated through the insulating layers L1 to L7, And may include a connecting member 117. The connecting member 117 includes vias or via holes, but is not limited thereto. As another example, the plurality of insulating layers (L1-L7) may include an insulating member such as a nitride or an oxide, and may preferably include a metal nitride having a higher thermal conductivity than the oxide or nitride. The material of the body 110 may be SiO ₂ , Si _x O _y , Si ₃ N ₄ , Si _x N _y , SiO _x N _y , Al ₂ O ₃ , or AlN, Or a metal nitride having a thermal conductivity of 140 W / mK or more. The body 110 may include a laminated structure of a plurality of ceramic layers.

상기 몸체(110)의 각 절연층(L1-L7)의 두께는 동일한 두께이거나 적어도 하나가 다른 두께일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 몸체(110)의 각 절연층(L1-L7)들은 제조 공정 상의 적층된 개별 층이며, 소성 완료 후 일체로 형성될 수 있다. 상기 몸체(110)는 절연층(L1-L7)이 7개의 층으로 적층된 구조를 도시하였으나, 3개 이상의 층으로 적층될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The thickness of each insulating layer L1-L7 of the body 110 may be the same or at least one different thickness, but the present invention is not limited thereto. The insulating layers L1 to L7 of the body 110 are individual layers stacked in the manufacturing process and can be integrally formed after the firing. Although the body 110 has a structure in which the insulating layers L1 to L7 are laminated in seven layers, the body 110 may be laminated in three or more layers, but the present invention is not limited thereto.

상기 몸체(110)의 상부(115)의 내측 둘레는 단차 구조에 의해 상면보다 낮은 깊이를 갖고 상기 캐비티(111)의 바닥보다 높은 제1상부(115)를 포함한다. 상기 제1상부 (115)는 상기 몸체(110)의 상면과 상기 캐비티(111)의 바닥 사이에 배치되며, 상기 캐비티(111)의 바닥보다 상기 몸체(110)의 상면에 가까운 영역에 배치되고 상기 캐비티(111)의 상부 둘레에 배치된다.The inner periphery of the upper portion 115 of the body 110 includes a first upper portion 115 having a lower depth than the upper surface due to the step structure and higher than the bottom of the cavity 111. The first upper portion 115 is disposed between the upper surface of the body 110 and the bottom of the cavity 111 and is disposed in a region closer to the upper surface of the body 110 than the bottom of the cavity 111, And is disposed around the upper portion of the cavity 111.

상기 캐비티(111)는 상기 몸체(110)의 상부에 배치되며, 상부가 개방된다. 여기서, 상기 캐비티(111)의 상부는 발광 소자(131)의 광이 방출되는 광 출사 영역이 될 수 있다.The cavity 111 is disposed on the upper portion of the body 110, and the upper portion of the cavity 111 is opened. Here, the upper portion of the cavity 111 may be a light output region through which the light of the light emitting device 131 is emitted.

상기 캐비티(111)는 다각형 형상을 포함하며, 상기 다각형 형상의 캐비티는 모서리 부분이 모따기 처리된 형상 예컨대, 곡면 형상으로 형성될 수 있다. 다른 예로서, 상기 캐비티(111)는 원 형상 또는 타원 형상을 포함하며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 여기서, 상기 캐비티(111)는 상기 몸체(110)의 제1상부 (115)를 제외한 영역을 포함한다.The cavity 111 may have a polygonal shape, and the polygonal cavity may have a chamfered shape, for example, a curved shape. As another example, the cavity 111 includes a circular or elliptical shape, but is not limited thereto. Here, the cavity 111 includes a region excluding the first portion 115 of the body 110.

상기 캐비티(111)의 하부 너비는 상기 캐비티(111)의 상부 너비와 동일한 너비로 형성될 수 있으며, 바람직하게 캐비티(111)의 둘레면(116)은 상기 캐비티(111)의 바닥에 대해 수직하게 형성될 수 있으며, 이러한 구조는 동일한 크기의 캐비티 너비를 갖는 절연층(L1-L7)을 적층할 수 있어, 제조 공정이 개선될 수 있다. 다른 예로서, 상기 캐비티(111)의 하부 너비와 상기 상부 너비는 다른 너비로 형성될 수 있으며, 이러한 구조는 상기 캐비티(111)에 몰딩되는 몰딩 부재와의 밀착력을 개선시킬 수 있고, 수분의 침투를 완화시켜 줄 수 있다. The bottom width of the cavity 111 may be the same as the width of the upper portion of the cavity 111. The circumferential surface 116 of the cavity 111 is preferably perpendicular to the bottom of the cavity 111 And this structure can laminate the insulating layers (L1-L7) having the same-sized cavity width, and the manufacturing process can be improved. As another example, the lower width of the cavity 111 and the upper width may be formed to have different widths. Such a structure may improve the adhesion with the molding member molded in the cavity 111, Can be mitigated.

상기 캐비티(111)의 둘레면(116)에는 선택적으로 금속층이 배치될 수 있으며, 상기 금속층은 반사율이 50% 이상인 금속이거나, 열 전도성이 높은 금속이 코팅될 수 있다. 상기 금속층에 의해 상기 캐비티(111) 내에서의 광 추출 효율은 향상되고 방열 특성은 개선될 수 있다. 여기서, 상기 금속층은 캐비티(111)의 둘레면(116) 중 일부 영역에 형성되거나, 모든 영역에 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 또한 상기 금속층은 상기 몸체(110)의 재질이 AlN과 같이 열 전도성이 좋은 재질인 경우, 형성하지 않을 수 있다. 또한 상기 금속층은 상기 캐비티(111)의 바닥에도 형성되어, 캐비티(111)의 바닥에서의 광 반사 효율을 개선시켜 줄 수 있다. 여기서, 상기 캐비티(111)의 바닥에 형성된 금속층은 상기 캐비티(111) 내의 전극과 회로적으로 오픈되게 배치될 수 있다. 상기의 금속층은 80% 이상의 반사율을 갖는 반사층으로 정의될 수 있다.A metal layer may be optionally disposed on the circumferential surface 116 of the cavity 111. The metal layer may be a metal having a reflectance of 50% or more or a metal having a high thermal conductivity. The light extraction efficiency in the cavity 111 can be improved and the heat radiation characteristic can be improved by the metal layer. Here, the metal layer may be formed in a part of the circumferential surface 116 of the cavity 111, or may be formed in all areas, but the present invention is not limited thereto. Also, the metal layer may not be formed when the material of the body 110 is a material having good thermal conductivity such as AlN. Also, the metal layer may be formed on the bottom of the cavity 111 to improve the light reflection efficiency at the bottom of the cavity 111. Here, the metal layer formed on the bottom of the cavity 111 may be arranged to be opened in circuit with the electrodes in the cavity 111. The metal layer may be defined as a reflective layer having a reflectance of 80% or more.

상기 캐비티(111) 내에는 도 1 및 도 2와 같이, 복수의 서브 캐비티(112,113)가 배치된다. 상기 복수의 서브 캐비티(112,113) 간의 간격은 상기 발광 소자(131)의 너비보다 더 넓게 이격될 수 있다. 상기 각 서브 캐비티(112,113)의 바닥면은 상기 캐비티(111)의 바닥면보다 더 낮은 높이로 배치되며, 상기 각 서브 캐비티(112,113)의 높이는 적어도 상기 보호소자(133)의 두께와 동일하거나 더 높을 수 있다. 상기 서브 캐비티(112,113)의 깊이는 상기 보호소자(133)가 상기 캐비티(111)의 바닥면으로 돌출되지 않는 깊이로 형성될 수 있으며, 상기 서브 캐비티(112,113)의 깊이는 예컨대, 150㎛±10㎛ 정도로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 복수의 서브 캐비티(112,113)의 깊이는 상기 캐비티(111)의 깊이의 1/2 - 1/4 깊이로 형성될 수 있다. 이러한 서브 캐비티(112,113)의 깊이는 발광 소자(131)로부터 방출된 광의 흡수를 최소화시켜 줄 수 있다. 따라 광 추출 효율의 저하를 방지하고, 광의 지향각이 왜곡되는 것을 방지할 수 있다.As shown in FIGS. 1 and 2, a plurality of sub-cavities 112 and 113 are disposed in the cavity 111. The spacing between the plurality of sub-cavities 112 and 113 may be greater than the width of the light emitting device 131. The bottom surfaces of the sub cavities 112 and 113 are disposed at a lower height than the bottom surface of the cavity 111. The height of the sub cavities 112 and 113 may be equal to or higher than the thickness of the protection device 133 have. The depth of the sub-cavities 112 and 113 may be a depth that does not protrude from the bottom surface of the cavity 111. The depth of the sub-cavities 112 and 113 may be, Lt; RTI ID = 0.0 > um, < / RTI > The depths of the plurality of sub-cavities 112 and 113 may be set to 1/2 to 1/4 the depth of the cavity 111. The depths of the sub-cavities 112 and 113 can minimize the absorption of light emitted from the light emitting device 131. It is possible to prevent deterioration of the light extraction efficiency and to prevent distortion of the light directing angle.

상기 복수의 서브 캐비티(112,113) 중 제1서브 캐비티(112)는 발광 소자(131)의 제1측면과 캐비티(111)의 일 측면 사이에 배치되며, 제2서브 캐비티(113)는 상기 발광 소자(131)의 제2측면과 캐비티(111)의 다른 측면 사이에 배치된다. 상기 발광 소자(131)의 제1측면과 제2측면은 서로 반대 면일 수 있다.The first sub-cavity 112 of the plurality of sub-cavities 112 and 113 is disposed between the first side of the light emitting device 131 and one side of the cavity 111 and the second sub- Is disposed between the second side of the cavity (131) and the other side of the cavity (111). The first side and the second side of the light emitting device 131 may be opposite to each other.

상기 제1서브 캐비티(112)와 상기 제2서브 캐비티(113)는 상기 발광 소자(131)를 기준으로 대각선 방향 또는 대칭되는 방향에 배치될 수 있다. The first sub-cavity 112 and the second sub-cavity 113 may be arranged diagonally or symmetrically with respect to the light emitting device 131.

상기 제2서브 캐비티(113)은 더미 캐비티로 배치될 수 있으며, 상기 더미 캐비티 내에는 보호 소자가 배치되지 않는다. 상기 제2서브 캐비티(113)는 상기 발광 소자(131)을 기준으로 상기 제1서브 캐비티(112)와 대칭적으로 배치되어, 상기 캐비티(111) 내에서 상기 발광 소자(131)와 대칭적으로 서브 캐비티(112,113)를 배치함으로써, 상기 발광 소자(131)로부터 발생된 열은 상기 캐비티(111) 내에서 균일하게 팽창될 수 있어 발광 소자 패키지의 열적 안정성을 개선시켜 줄 수 있다. 상기 복수의 서브 캐비티(112,113)는 형성하지 않을 수 있으며, 이 경우 상기 보호 소자(133)은 상기의 캐비티(111)의 바닥에 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 다른 예로서, 상기 제1 및 제2서브 캐비티(112,113)는 보호 소자가 탑재되지 않는 더미 캐비티로 사용될 수 있다.
The second sub-cavity 113 may be disposed in a dummy cavity, and no protective element is disposed in the dummy cavity. The second sub cavity 113 is symmetrically disposed with respect to the first sub cavity 112 with respect to the light emitting device 131 so as to be symmetric with respect to the light emitting device 131 in the cavity 111 By arranging the sub-cavities 112 and 113, the heat generated from the light emitting device 131 can be uniformly expanded in the cavity 111, thereby improving the thermal stability of the light emitting device package. The plurality of sub-cavities 112 and 113 may not be formed. In this case, the protection device 133 may be disposed at the bottom of the cavity 111, but the present invention is not limited thereto. As another example, the first and second sub-cavities 112 and 113 may be used as dummy cavities in which no protection element is mounted.

상기 캐비티(111) 및 서브 캐비티(112,113)에는 복수의 전극(121,123,125,127,129)이 배치되며, 상기 복수의 전극(121,123,125,127,129)은 상기 발광 소자(131) 및 상기 보호 소자(133)에 선택적으로 전원을 공급하게 된다. 상기 복수의 전극(121,123,125,127,129)은 백금(Pt), 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 탄탈늄(Ta), 알루미늄(Al)을 선택적으로 포함할 수 있으며, 단층 또는 다층의 금속층을 포함할 수 있다. 여기서, 다층의 전극 구조는 최 상층에는 본딩이 좋은 금(Au) 재질이 배치될 수 있으며, 최하층에는 몸체(110)와의 접착성이 좋은 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta)의 재질이 배치될 수 있고, 중간 층에는 백금(Pt), 니켈(Ni), 구리(Cu) 등이 배치될 수 있다. 이러한 전극의 적층 구조로 한정하지는 않는다.
A plurality of electrodes 121, 123, 125, 127 and 129 are disposed in the cavity 111 and the sub-cavities 112 and 113. The plurality of electrodes 121, 123, 125, 127 and 129 may selectively supply power to the light emitting device 131 and the protection device 133 do. The plurality of electrodes 121, 123, 125, 127, and 129 may selectively include Pt, Ti, Cu, Ni, Au, Ta, , Single layer or multi-layer metal layers. In the multilayered electrode structure, a gold (Au) material having good bonding can be disposed on the uppermost layer. Titanium (Ti), chromium (Cr), tantalum (Ta) Platinum (Pt), nickel (Ni), copper (Cu), or the like may be disposed on the intermediate layer. The present invention is not limited to a laminated structure of such electrodes.

상기 캐비티(111)에는 상기 발광 소자(131)가 탑재된 제1전극(121); 상기 제1전극(121)과 이격된 제2전극(123) 및 제3전극(125)을 포함한다. 상기 제1전극(121)은 캐비티(111)의 센터 영역에 배치되며, 제2전극(123) 및 상기 제3전극(125)은 상기 제1전극(121)의 양측에 배치된다. 상기 제2전극(123) 및 제3전극(125)은 상기 발광 소자(131)의 센터를 기준으로 서로 대칭된 위치에 서로 대칭된 형상을 갖고 배치될 수 있다.The cavity 111 includes a first electrode 121 on which the light emitting device 131 is mounted; And a second electrode 123 and a third electrode 125 spaced apart from the first electrode 121. The first electrode 121 is disposed in the center region of the cavity 111 and the second electrode 123 and the third electrode 125 are disposed on both sides of the first electrode 121. The second electrode 123 and the third electrode 125 may be arranged symmetrically with respect to each other with respect to the center of the light emitting device 131.

상기 제2전극(123)은 상기 캐비티(111)의 제1모서리 영역에 인접한 상기 캐비티(111)의 바닥면에 배치되며, 상기 제3전극(125)은 상기 캐비티(111)의 제2모서리 영역에 인접한 상기 캐비티(111)의 바닥면에 배치된다. 여기서, 상기 제1모서리 영역과 제2모서리 영역은 대각선 방향에 배치된다.
The second electrode 123 is disposed on the bottom surface of the cavity 111 adjacent to the first corner area of the cavity 111 and the third electrode 125 is disposed on the bottom edge of the second corner area 111 of the cavity 111. [ Is disposed on the bottom surface of the cavity (111) adjacent to the cavity (111). Here, the first corner area and the second corner area are disposed in a diagonal direction.

상기 제1서브 캐비티(112)에는 제4전극(127) 및 제2서브 캐비티(113)에는 제5전극(129)이 각각 배치된다. 상기 제2 및 제3전극(123,125)은 부 극성의 전원이 공급되며, 제1, 제4 및 제5전극(121,127,129)은 정 극성의 전원이 공급된다. 상기 각 전극(121,123,125,127,129)의 극성은 전극 패턴이나 각 소자와의 연결 방식에 따라 달라질 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The fourth electrode 127 is disposed in the first sub-cavity 112 and the fifth electrode 129 is disposed in the second sub-cavity 113. The second and third electrodes 123 and 125 are supplied with negative power, and the first, fourth and fifth electrodes 121, 127 and 129 are supplied with positive power. The polarity of each of the electrodes 121, 123, 125, 127, and 129 may vary depending on the electrode pattern or the manner of connection with each device, but is not limited thereto.

여기서, 상기 제1전극(121)은 상기 발광 소자(131)의 아래에 패드 또는 전도성 기판이 배치되지 않는 경우, 전극이 아닌 금속층 또는 방열 플레이트로 사용될 수 있다. 또한 상기의 각 전극(121,123,125,127,129)은 금속층으로 정의될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.Here, the first electrode 121 may be used as a metal layer or a heat dissipation plate instead of an electrode when a pad or a conductive substrate is not disposed below the light emitting device 131. Each of the electrodes 121, 123, 125, 127, and 129 may be defined as a metal layer, but is not limited thereto.

상기 제1전극(121)의 일부(121A)는 상기 몸체(110)의 사이드부를 통해 상기 몸체(110)의 하면까지 전기적으로 연결될 수 있다.A portion 121A of the first electrode 121 may be electrically connected to a lower surface of the body 110 through a side portion of the body 110. [

상기 몸체(110)의 하면에는 도 3에 도시된 바와 같이, 복수의 패드(141,143,145)가 배치된다. 상기 복수의 패드(141,143,145)는 적어도 3개의 패드를 포함하며, 예컨대, 제1패드(141), 제2패드(143), 제3패드(145)를 포함하며, 상기 제1패드(141)는 상기 몸체(110)의 하면 일측에 배치되며, 제2패드(143)는 상기 몸체(110)의 하면 센터에 배치되며, 제3패드(145)는 상기 몸체(110)의 하면 타측에 배치된다. 상기 제2패드(143)는 상기 제1패드(141)와 상기 제3패드(145)의 사이에 배치되며, 상기 제1패드(141) 또는 제3패드(145)의 너비(D1)보다 넓은 너비(D2>D1)를 가진다. 상기 각 패드(141,143,145)의 길이는 상기 몸체(110)의 하면 길이의 70% 이상의 길이로 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.As shown in FIG. 3, a plurality of pads 141, 143, and 145 are disposed on a lower surface of the body 110. The plurality of pads 141, 143, and 145 include at least three pads and include, for example, a first pad 141, a second pad 143, and a third pad 145, The second pad 143 is disposed on the bottom center of the body 110 and the third pad 145 is disposed on the other side of the bottom of the body 110. The second pad 143 is disposed between the first pad 141 and the third pad 145 and is wider than the width D1 of the first pad 141 or the third pad 145. [ Width (D2 > D1). The lengths of the pads 141, 143, and 145 may be 70% or more of the length of the bottom surface of the body 110, but the present invention is not limited thereto.

여기서, 상기 적어도 3개의 패드(141,143,145) 중 적어도 2개는 어느 하나의 극성의 전원을 공급하게 된다. 예컨대, 제1 및 제2패드(141,143)는 제1극성 예를 들면, 정 극성의 전원 단에 연결되고, 제3패드(145)는 제2극성 예컨대, 부 극성의 전원 단에 연결될 수 있다. 상기 정 극성의 전원 단에 2개의 패드(141,143)를 연결함으로써, 전류 경로를 분산시켜 주어 열을 분산시켜 주는 효과가 있고, 또한 전류 경로를 분산시켜 줌으로써, 전기적인 신뢰성을 확보할 수 있다.
Here, at least two of the at least three pads 141, 143, and 145 supply power of one polarity. For example, the first and second pads 141 and 143 may be connected to a first polarity power terminal, for example, a positive polarity power terminal, and the third pad 145 may be connected to a second polarity power terminal, for example, a negative polarity. By connecting the two pads 141 and 143 to the positive power terminal, the current path is dispersed and the heat is dispersed. In addition, electrical reliability can be ensured by dispersing the current path.

상기 몸체(110) 내에는 도 3에 도시된 바와 같이, 복수의 연결 부재(117)가 배치된다. 상기 연결 부재(117)는 상기 복수의 전극(121,123,125,127,129)과 상기 패드들을 선택적으로 연결시켜 주게 된다. 예컨대, 제1전극(121), 제4 및 제5전극(127,129)과 제1 및 제2패드(141,143)는 적어도 하나의 연결 부재에 의해 연결될 수 있고, 제2 및 제3전극(123,125)과 제3패드(145)는 적어도 하나의 다른 연결 부재에 의해 연결될 수 있다.
As shown in FIG. 3, a plurality of connecting members 117 are disposed in the body 110. The connection member 117 selectively connects the plurality of electrodes 121, 123, 125, 127, and 129 with the pads. For example, the first electrode 121, the fourth and fifth electrodes 127 and 129, and the first and second pads 141 and 143 may be connected by at least one connecting member, and the second and third electrodes 123 and 125, The third pad 145 may be connected by at least one other connecting member.

도 3에 도시된 바와 같이, 상기 몸체(110) 내에는 방열 부재(151)가 배치된다. 상기 방열 부재(151)는 상기 발광 소자(131)의 아래 즉, 제1전극(121) 아래에 배치될 수 있다. 상기 방열 부재(151)의 두께는 상기 캐비티(111)의 바닥과 상기 몸체(110) 하면 사이의 두께보다 더 얇은 두께로 배치될 수 있다. 상기 방열 부재(151)는 예컨대, 150㎛ 이상의 두께로 형성될 수 있다.As shown in FIG. 3, a heat dissipating member 151 is disposed in the body 110. The radiation member 151 may be disposed below the light emitting device 131, that is, below the first electrode 121. The thickness of the heat dissipating member 151 may be smaller than the thickness between the bottom of the cavity 111 and the bottom surface of the body 110. The radiation member 151 may be formed to a thickness of 150 mu m or more, for example.

상기 방열 부재(151)의 재질은 적어도 2물질의 합금일 수 있으며, 적어도 2 금속 중 어느 하나는 열 전도성이 좋은 Cu와 같은 금속 또는 합금을 포함한다. 상기 방열 부재(151)는 예컨대 Cu-W 합금을 포함한다.The material of the heat dissipation member 151 may be an alloy of at least two materials, and at least one of the two metals includes a metal or an alloy such as Cu having good thermal conductivity. The heat dissipation member 151 includes, for example, a Cu-W alloy.

상기 방열 부재(151)의 하부 너비는 상부 너비보다 더 넓은 너비로 형성될 수 있다. 상기 방열 부재(151)의 표면 형상은 원형 또는 다각형일 수 있다. 상기 방열 부재(151)의 상면 면적은 상기 발광 소자(131)의 하면 면적보다 적어도 넓은 면적으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The lower width of the heat radiating member 151 may be wider than the upper width. The surface shape of the heat radiation member 151 may be circular or polygonal. The top surface area of the heat dissipation member 151 may be formed to be at least wider than the bottom surface area of the light emitting device 131, but the present invention is not limited thereto.

상기 방열 부재(151)의 아래에는 제1절연층(L1)이 배치되며, 상기 제1절연층(L1)은 버퍼층으로 사용된다. 상기 버퍼층은 상기 방열 부재(151)와 상기 패드들(141,143,145) 사이에 배치되며, 상기 방열 부재(151)의 표면의 거칠기에 대해 버퍼 역할을 하며, 제2패드(143)와 접하는 상기 몸체(110)의 표면을 평탄하게 형성되도록 함으로써, 솔더 접착력을 개선시켜 줄 수 있다. 상기 방열 부재(151)의 하면 거칠기는 10㎛ 이하의 거칠기를 가지며, 바람직하게 5㎛ 이하의 거칠기를 가질 수 있다.A first insulating layer L 1 is disposed under the heat dissipating member 151, and the first insulating layer L 1 is used as a buffer layer. The buffer layer is disposed between the heat radiating member 151 and the pads 141 and 143 and 145 and functions as a buffer against the roughness of the surface of the heat radiating member 151, ) Can be formed to be flat, so that the solder adhesion force can be improved. The bottom surface roughness of the heat dissipating member 151 has a roughness of 10 탆 or less and preferably a roughness of 5 탆 or less.

상기 방열 부재(151)의 상면 위에는 제1전극(121)이 배치되며, 상기 제1전극(121)과 상기 발광 소자(131) 사이에는 본딩층이 배치된다. 상기 본딩층은 상기 방열 부재(151)의 상면 거칠기를 완화시켜 줄 수 있는 두께 예컨대, 5㎛ 정도의 두께로 형성될 수 있다. 상기 본딩층은 AuSn 등을 포함할 수 있다.
A first electrode 121 is disposed on the upper surface of the heat dissipating member 151 and a bonding layer is disposed between the first electrode 121 and the light emitting device 131. The bonding layer may be formed to have a thickness of, for example, about 5 탆 which can alleviate the surface roughness of the heat radiation member 151. The bonding layer may include AuSn or the like.

상기 캐비티(111) 내에는 발광 소자(131)가 배치될 수 있다. 상기 발광 소자(131)는 자외선 발광 다이오드로서, 245nm 내지 405nm대의 파장을 가지는 자외선 발광 다이오드일 수 있다. 즉, 280nm 내외의 단파장 자외선을 방출하거나, 365nm 또는 385nm의 장파장 자외선을 방출하는 발광 다이오드가 모두 적용될 수 있다. 여기서, 자외선 발광 다이오드로부터 방출된 광들을 보면, 280nm 파장보다 짧은 단 파장은 눈에 보이지 않는 파장이며, 280nm의 파장보다 긴 파장은 눈에 보이는 파장으로 구분할 수 있다.A light emitting device 131 may be disposed in the cavity 111. The light emitting device 131 may be an ultraviolet light emitting diode, and may be an ultraviolet light emitting diode having a wavelength of 245 nm to 405 nm. That is, all of the light emitting diodes emitting short wavelength ultraviolet rays of about 280 nm or emitting long wavelength ultraviolet rays of 365 nm or 385 nm can be applied. Here, in the light emitted from the ultraviolet light emitting diode, a short wavelength shorter than 280 nm wavelength is invisible wavelength, and a wavelength longer than 280 nm wavelength can be divided into visible wavelength.

발광 소자(131)는 와이어 본딩, 다이 본딩, 플립 본딩 방식을 선택적으로 이용하여 탑재할 수 있으며, 이러한 본딩 방식은 칩 종류 및 칩의 전극 위치에 따라 변경될 수 있다.The light emitting device 131 can be mounted by selectively using wire bonding, die bonding, and flip bonding. The bonding method can be changed depending on the chip type and the electrode position of the chip.

발광 소자(131)는 III족과 V족 원소의 화합물 반도체 예컨대 AlInGaN, InGaN, GaN, AlGaN, GaAs, InGaP, AllnGaP, InP, 및 InGaAs 중 선택적인 반도체로 제조된 반도체 발광소자를 포함할 수 있다. The light emitting device 131 may include a semiconductor light emitting device made of a compound semiconductor of Group III and Group V elements such as AlInGaN, InGaN, GaN, AlGaN, GaAs, InGaP, AllnGaP, InP, and InGaAs.

상기 발광 소자(131)는 제1전극(121)에 전도성 접착제로 부착되고, 와이어로 제2전극(123)에 전기적으로 연결될 수 있다.The light emitting device 131 may be attached to the first electrode 121 with a conductive adhesive and may be electrically connected to the second electrode 123 with a wire.

상기 캐비티(111) 및 서브 캐비티(112,113) 중 적어도 하나에는 몰딩 부재가 배치될 수 있으며, 이러한 몰딩 부재는 실리콘 또는 에폭시와 같은 투광성 수지 재료를 포함한다.A molding member may be disposed on at least one of the cavity 111 and the sub-cavities 112 and 113, and the molding member may include a light-transmitting resin material such as silicone or epoxy.

도 2를 참조하면, 상기 몸체(110)의 상부(S5)에는 상태표시부재(161,162)가 형성된다. 상기 상태표시부재(161,162)는 몸체(110)의 제1측면(S1)과 캐비티(111) 사이의 상부에 배치될 수 있다. 상기 상태표시부재(161,162)는 감열변색 물질로 형성되며, 상기 감열변색 물질은 상기 몸체(110)의 온도의 변화에 따라 색이 가역적으로 변화하는 서모크로미즘(Thermochromism) 물질을 포함한다. 상기 상태표시부재(161,162)는 서모크로미즘 기능을 가진 마이크로 캡슐을 수지에 첨가시켜 상기 몸체(110)의 상부에 형성되며, 상기 마이크로 캡슐에는 색소, 발색제, 소색제와 같은 감열색소 성분이 선택적으로 배합된다. 상기 감열색소는 시온색소, 시온안료, 또는 감열 완료와 같이 정의될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 감열변색 물질은 온도가 가해지면 색이 변했다가 다시 돌아오는 가역성 색소와, 한번 온도가 가해지면 색이 변화가 다시 돌아오지 않는 비가역성 색소 중에서 선택적으로 포함할 수 있다. 실시 예는 가역성 색소를 이용하여 몸체(110)의 온도 변화를 감지하여, 사용자에게 제공할 수 있다. 또한 몸체(110)의 온도 변화가 없을 때에는 캐소드 마크로 사용될 수 있다.Referring to FIG. 2, state indicators 161 and 162 are formed on the upper portion S5 of the body 110. FIG. The state indicating members 161 and 162 may be disposed at an upper portion between the first side surface S1 of the body 110 and the cavity 111. [ The state indicating members 161 and 162 are formed of a thermochromic material and the thermochromic material includes a thermochromic material whose color reversibly changes according to a change in temperature of the body 110. The state indicating members 161 and 162 are formed on the top of the body 110 by adding microcapsules having a thermochromic function to the resin. The microcapsules may include a thermosensitive coloring component such as a colorant, a coloring agent, . The thermal dye may be defined as a sion pigment, a sion pigment, or a thermal finish, but is not limited thereto. The thermochromic substance may selectively include a reversible coloring matter which changes its color when the temperature is applied, and an irreversible coloring matter which does not change its color once the temperature is applied. The embodiment can detect the temperature change of the body 110 using the reversible coloring material and provide the sensed change to the user. And can be used as a cathode mark when the temperature of the body 110 does not change.

다른 예로서, 상기 상태표시부재(161,162)는 감광 잉크를 포함할 수 있으며, 상기 감광잉크는 UV의 광을 흡수하여 화학적 구조 변화를 일으켜 발색 및 소색 현상으로 발광하게 된다.As another example, the state indicating members 161 and 162 may include a photosensitive ink, which absorbs UV light to cause a chemical structural change and emits light with color and decolorization phenomenon.

상기 상태표시부재(161,162) 중 상기 제1상태표시부재(161)는 상기 몸체(110)의 상부(S5) 영역 중에서 상기 몸체(110)의 제1측면(S1)과 제2측면(S2) 사이의 모서리 영역에 배치되며, 상기 제2상태표시부재(162)는 상기 몸체(110)의 상부(S5) 영역 중에서 상기 몸체(110)의 제1측면(S1)과 제3측면(S3) 사이의 모서리 영역에 배치될 수 있다. 또는 상기 제1상태표시부재(161)와 상기 제2상태표시부재(162)는 상기 몸체(110)의 제1상부의 양 모서리 영역에 인접하거나 노출되게 배치될 수 있다. 상기 복수의 상태표시부재(161,162) 중 어느 하나는 제거될 수 있으며, 또한 상기 상태표시부재(161,162)의 형성 위치는 모서리가 아닌 변 중심에 형성될 수 있으나, 이러한 구조는 캐비티의 너비가 좁아질 수 있다. The first state indicating member 161 of the state indicating members 161 and 162 is positioned between the first side face S1 and the second side face S2 of the body 110 in the upper portion S5 region of the body 110, And the second state indicating member 162 is disposed between the first side S1 and the third side S3 of the body 110 among the upper region S5 of the body 110, Can be arranged in the corner area. Alternatively, the first state indicating member 161 and the second state indicating member 162 may be disposed adjacent to or exposed to both corner regions of the first upper portion of the body 110. Any one of the plurality of state indicating members 161 and 162 can be removed and the forming position of the state indicating members 161 and 162 can be formed at the center of the side edge instead of the edge. .

상기 제1 및 제2상태표시부재(161,162)는 캐소드 마크로 사용될 수 있으며, 상기 캐소드 마크는 상기 몸체(110)의 아래에 배치된 제1극성를 표시하기 위한 영역이다. 상기 제1극성은 상기 몸체(110)의 센터를 기준으로 몸체(110)의 제2측면(S2)보다 제1측면(S1)에 더 근접하게 배치된다. 실시 예의 캐소드 마크는 제1극성 및 제2극성 중 어느 하나를 구분하는 영역에 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.
The first and second state indicating members 161 and 162 may be used as a cathode mark, and the cathode mark is an area for displaying a first polarity disposed under the body 110. [ The first polarity is disposed closer to the first side S1 than the second side S2 of the body 110 with respect to the center of the body 110. [ The cathode mark of the embodiment may be formed in an area separating any one of the first polarity and the second polarity, but the present invention is not limited thereto.

상기 제1상태표시부재(162)와 상기 제2상태표시부재(161,162)는 동일한 감열변색 물질로 형성되며, 발광 소자(131)의 구동에 따라 발생되는 몸체(110)의 온도 변화를 감지하여 변색하게 된다. 이에 따라, 385nm 이하의 파장과 같이 눈이 보이지 않는 파장을 발광하는 발광 소자의 동작 상태를 감열 변색을 통해 사용자에게 알려줄 수 있다. 또한 385nm 이상의 파장과 같이 눈에 보이는 파장이더라도, 발광 소자의 동작 상태를 감열 변색을 통해 사용자에게 알려줄 수 있고, 발광 소자 패키지의 몸체(110)의 온도 범위를 정확하게 전달할 수 있다.The first state indicating member 162 and the second state indicating members 161 and 162 are formed of the same thermochromic coloring material and detect a change in temperature of the body 110 generated by the driving of the light emitting element 131, . Accordingly, it is possible to notify the user of the operation state of the light emitting device that emits a wavelength at which visible light can not be seen, such as a wavelength of 385 nm or less, through thermal discoloration. In addition, even if the wavelength is visible, such as a wavelength of 385 nm or more, the operating state of the light emitting device can be informed to the user through heat discoloration and the temperature range of the body 110 of the light emitting device package can be accurately transmitted.

또한 제1상태표시부재(161)와 상기 제2상태표시부재(162)가 서로 다른 온도에 반응하는 서로 다른 감열변색 물질로 형성된 경우, 제1온도에서는 제1상태표시부재(161)가 제1컬러로 변색되어 표시하고, 상기 제1온도보다 높은 제2온도에서는 제2상태표시부재(162)가 제2컬러로 변색되어 표시할 수 있다. 예컨대, 제1컬러는 황색 또는 녹색일 수 있고, 제2컬러는 적색일 수 있다. 또한 발광 소자(131)로부터 방출된 파장이 사용자에게 해롭지 않는 파장인 경우, 초록색 또는 청색으로 표시하여, 사용자에게 안정성을 시각적으로 안내할 수 있다.In addition, when the first state indicating member 161 and the second state indicating member 162 are formed of different heat discoloring materials reacting with different temperatures, the first state indicating member 161 is positioned at the first position Color, and the second state indicating member 162 is turned to a second color and displayed at a second temperature higher than the first temperature. For example, the first color may be yellow or green and the second color may be red. Further, when the wavelength emitted from the light emitting element 131 is a wavelength which is not harmful to the user, it can be displayed in green or blue, thereby visually guiding the stability to the user.

실시 예는 발광 소자(131)가 구비된 몸체(110)의 온도를 감지하여, 다양한 컬러 중 적어도 한 컬러로 표시할 수 있는 상태표시부재(161,162)를 이용하여, 발광 소자(131)의 동작 상태뿐만 아니라, 발광 소자의 온도 범위를 사용자에게 통지할 수 있다.The embodiment can detect the operation state of the light emitting device 131 by using the state indicating members 161 and 162 which can detect the temperature of the body 110 provided with the light emitting device 131 and display at least one of the colors, In addition, the temperature range of the light emitting element can be notified to the user.

실시 예는 발광 소자 패키지(100)에 표시되는 극성 표시 영역에 감열 또는 감광 변색 물질인 상태표시부재(161,162)를 형성함으로써, 전극의 극성 표시와 함께, 발광 소자의 특성이나 동작 상태를 분석할 수 있는 수단으로 사용할 수 있다.
In the embodiment, state display members 161 and 162, which are heat sensitive or photochromic materials, are formed in the polarity display region displayed on the light emitting device package 100, so that the polarity of the electrodes can be displayed, It can be used as a means.

도 4는 제2실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 나타낸 측 단면도이다. 제2실시 예를 설명함에 있어서, 제1실시 예와 동일한 구성 요소에 대해서는 제1실시 예를 참조하기로 한다. 4 is a side sectional view showing a light emitting device package according to a second embodiment. In describing the second embodiment, the same components as those of the first embodiment will be described with reference to the first embodiment.

도 4를 참조하면, 발광 소자 패키지는 캐비티(111) 바닥에 배치된 제3상태표시부재(163), 캐비티(111)의 바닥과 몸체(110) 상부(S5) 사이의 제1상부(115)에 형성된 제4상태표시부재(164), 및 몸체(110) 상면에 배치된 제5상태표시부재(165) 중 적어도 하나를 포함한다.4, the light emitting device package includes a third state indicator 163 disposed at the bottom of the cavity 111, a first upper portion 115 between the bottom of the cavity 111 and the upper portion S5 of the body 110, And a fifth state indicating member 165 disposed on the upper surface of the body 110. The fourth state indicating member 165 is disposed on the upper surface of the body 110,

상기 제3상태표시부재(163), 제4상태표시부재(164) 및 제5상태표시부재(165)는 열에 의해 변색하는 감열 변색물질 또는 광 흡수에 의해 광 화학 반응을 일으키는 색소 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 예컨대 할로겐화은을 갖는 감광색소를 포함한다. 상기 할로겐화은은 취화은(AgBr)과 요오드화은(Agl)을 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The third status indicating member 163, the fourth status indicating member 164, and the fifth status indicating member 165 may include at least one of a heat discoloring substance which is discolored by heat or a dye which causes a photochemical reaction by light absorption For example, a photosensitive dye having silver halide. The silver halide may include silver bromide (AgBr) and silver iodide (AgI), but is not limited thereto.

상기 제3상태표시부재(163)와 상기 제4상태표시부재(164) 중 적어도 하나는 사용자에게 해롭지 않는 280nm 이상의 장 파장을 발광하는 발광 소자(131)의 파장에 반응하여, 감광 변색을 수행하게 된다. 이는 사용자가 발광 소자 패키지의 제3상태표시부재(163) 또는 제2상태표시부재(164)의 동작 상태를 확인하여, 발광 소자(131)로부터 방출된 파장이 사용자에게 조사되더라도, 사용자에게 큰 손해를 주지 않을 수 있다. 제5상태 표시부재(165)는 사용자에게 해로운 280nm 이하의 단 파장을 갖는 발광 소자(131)의 파장에 반응하여 감광 변색을 수행하게 된다. 이는 발광 소자 패키지의 동작 상태를 외부에서 확인할 수 있어, 사용자에게 광 출사 영역으로의 접근을 차단할 수 있다. 실시 예는 복수의 상태표시부재(163,164,165) 중 적어도 하나는 발광 소자(131)로부터 방출된 광에 반응하여 감광 변색을 수행하게 되며, 그 형성 위치는 캐비티(111)의 내부 또는 외부일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.At least one of the third state indicating member 163 and the fourth state indicating member 164 reacts to the wavelength of the light emitting device 131 emitting a long wavelength of 280 nm or more which is not harmful to the user, do. This is because the user confirms the operation state of the third state indicating member 163 or the second state indicating member 164 of the light emitting device package so that even if the wavelength emitted from the light emitting element 131 is irradiated to the user, . The fifth state indicating member 165 performs photochromic discoloration in response to the wavelength of the light emitting device 131 having a short wavelength of 280 nm or less, which is harmful to the user. This can confirm the operation state of the light emitting device package from the outside, and can prevent the user from accessing the light output area. At least one of the plurality of status indicating members 163, 164 and 165 may perform the photochromic coloration in response to the light emitted from the light emitting device 131, and the forming position may be internal or external to the cavity 111, It is not limited thereto.

제2실시 예는 캐비티(111)의 내/외부 영역에 서로 다른 제3 내지 제5상태표시부재(163,164,165)를 구비하여, 어느 하나의 상태표시부재를 통해 특정파장에 대해 감광 변색할 수 있도록 함으로써, 사용자에게 효과적으로 통지할 수 있어, 자외선 발광 소자 패키지의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다.The second embodiment is different from the first embodiment in that the third to fifth state indicating members 163, 164 and 165 are provided in the inside / outside area of the cavity 111 so that they can be discolored at a specific wavelength through one of the state indicating members , The user can be notified effectively, and the reliability of the ultraviolet light emitting device package can be improved.

몸체(110)의 상부에는 제1상태표시부재(161)를 배치할 수 있으며, 상기 제1상태표시부재(161)는 감열 변색 물질로 형성될 수 있다. 이러한 실시 예는 제1실시 예를 참조하기로 한다.
A first state indicating member 161 may be disposed on the upper portion of the body 110, and the first state indicating member 161 may be formed of a heat discoloring substance. This embodiment will be described with reference to the first embodiment.

도 5는 제3실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 나타낸 측 단면도이다. 제3실시 예를 설명함에 있어서, 제1실시 예와 동일한 구성 요소에 대해서는 제1실시 예를 참조하기로 한다. 5 is a side sectional view showing a light emitting device package according to a third embodiment. In describing the third embodiment, the same components as those of the first embodiment will be described with reference to the first embodiment.

도 5를 참조하면, 발광 소자 패키지는 몸체(110)의 상부(S5)에 제1상태표시부재(161)를 배치하고, 상기 몸체(110)의 적어도 한 표면에 제6상태표시부재(166)를 배치한다. 상기 제6상태표시부재(166)는 몸체(110)의 적어도 한 측면 예컨대, 제2측면(S2)에 형성될 수 있으며, 그 일부는 몸체(110)의 하면에 더 연장되어 형성될 수 있다.5, the light emitting device package includes a first state indicating member 161 disposed on an upper portion S5 of the body 110, a sixth state indicating member 166 on at least one surface of the body 110, . The sixth status indicating member 166 may be formed on at least one side surface, for example, the second side surface S2 of the body 110, and a part of the sixth status indicating member 166 may extend further to the lower surface of the body 110.

상기 제6상태표시부재(166)는 감열 변색 물질을 이용하여 형성될 수 있으며, 몸체(110)의 표면 온도에 따라 적어도 한 컬러를 표시하여, 사용자에게 발광 소자(111)의 동작 상태를 표시할 수 있다.The sixth status indicating member 166 may be formed using a thermochromic coloring material and may display at least one color according to the surface temperature of the body 110 to display the operation state of the light emitting device 111 to the user .

상기 제6상태표시부재(166)의 일부는 몸체(110)의 하부에 배치된 적어도 한 패드에 접촉될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
A portion of the sixth status indicating member 166 may be in contact with at least one pad disposed under the body 110, but is not limited thereto.

도 6은 제4실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 나타낸 측 단면도이다. 제4실시 예를 설명함에 있어서, 제1실시 예와 동일한 구성 요소에 대해서는 제1실시 예를 참조하기로 한다. 6 is a side sectional view showing a light emitting device package according to a fourth embodiment. In describing the fourth embodiment, the same components as those of the first embodiment will be described with reference to the first embodiment.

도 6을 참조하면, 몸체(110) 위에는 상기 캐비티(111)를 덮는 글라스 필름(glass film)(171)이 형성된다. 상기 글라스 필름(171)은 유리계열 재질이며, 상면이 플랫한 면으로 배치될 수 있다.Referring to FIG. 6, a glass film 171 covering the cavity 111 is formed on the body 110. The glass film 171 is made of a glass-based material, and the upper surface of the glass film 171 may be arranged as a flat surface.

상기 글라스 필름(171)은 LiF, MgF₂, CaF₂, BaF₂, Al₂O₃, SiO₂ 또는 광학유리(N-BK7○R)의 투명한 물질로 형성될 수 있으며, SiO₂의 경우, 쿼즈 결정 또는 UV Fused Silica일 수 있다. 또한, 상기 글라스 필름(171)은 저철분 글라스(low iron glass)일 수 있다. The glass film 171 may be formed of a transparent material of _{_{LiF, MgF 2, CaF 2,}} BaF 2, Al 2 O 3, SiO 2 or the optical glass (N-BK7 ○ R), the case of SiO _2, kwojeu Crystal or UV Fused Silica. In addition, the glass film 171 may be a low iron glass.

상기 몸체(110)의 상층부의 제5 및 제6절연층(L5,L6)과 하층부의 제4절연층(L4) 사이에는 너비 차이에 의해 단차 구조의 제1상부(115)가 형성되며, 상기 제1상부(115) 위에는 상기 글라스 필름(171)이 안착된다. 상기 글라스 필름(171)은 원형 또는 다각형 형상을 포함할 수 있다. 상기 글라스 필름(171)은 상기 몸체(110) 상에 체결 수단 또는/및 접착 수단 등으로 결합될 수 있다. 상기 제1상부(115)에는 상기 글라스 필름(161)을 지지 및 고정하기 위한 별도의 구조물이 더 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.A first upper portion 115 having a stepped structure is formed between the fifth and sixth insulating layers L5 and L6 on the upper portion of the body 110 and the fourth insulating layer L4 on the lower portion by a difference in width, The glass film 171 is seated on the first top 115. The glass film 171 may have a circular or polygonal shape. The glass film 171 may be coupled to the body 110 by fastening means and / or adhesive means. A separate structure for supporting and fixing the glass film 161 may be further formed on the first upper portion 115, but the present invention is not limited thereto.

상기 글라스 필름(171)의 두께는 상기 몸체(110)의 상층부(L5,L6)의 두께 이하일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 또한 상기 글라스 필름(171)의 두께는 상기 몸체(110)의 제5절연층(L5)와 제4절연층(L4) 사이의 너비 차이의 1/2 이하일 수 있다.The thickness of the glass film 171 may be equal to or less than the thickness of the upper layers L5 and L6 of the body 110, but is not limited thereto. The thickness of the glass film 171 may be equal to or less than half the width difference between the fifth insulating layer L5 and the fourth insulating layer L4 of the body 110. [

상기 글라스 필름(171)과 상기 몸체(110)의 제1상부(115)의 상면 사이에는 접착제(도시되지 않음)가 도포되어 있을 수 있으며, 상기 접착제는 Ag 페이스트, UV 접착제, Pb-free 저온유리, 아크릴 접착제 또는 세라믹 접착제 등일 수 있다.An adhesive agent (not shown) may be applied between the glass film 171 and the upper surface of the first upper portion 115 of the body 110. The adhesive agent may be an Ag paste, a UV adhesive, a Pb-free low temperature glass , An acrylic adhesive or a ceramic adhesive.

상기 캐비티(111) 및 서브 캐비티(112,113) 중 적어도 하나에는 몰딩 부재가 배치될 수 있다. 상기 캐비티(111)에는 별도의 몰딩 부재로 몰딩하지 않고, 비활성 기체로 채워질 수 있다. 즉, 질소와 같은 비활성 기체로 채워짐으로써 수분 및 산소 등과 같은 환경적 요인으로부터 상기 발광 소자(131)를 보호할 수 있다. 여기서, 상기 서브 캐비티(112,113)에는 몰딩 부재가 채워질 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.At least one of the cavity 111 and the sub-cavities 112 and 113 may be provided with a molding member. The cavity 111 may be filled with an inert gas without being molded with a separate molding member. That is, by filling with an inert gas such as nitrogen, the light emitting device 131 can be protected from environmental factors such as moisture and oxygen. Here, the sub-cavities 112 and 113 may be filled with a molding member, but the present invention is not limited thereto.

상기 몸체(110) 내에 방열 부재(151)를 배치하여 방열 효율을 개선시켜 줌으로써, 발광 소자(131)의 파장과 관계 없이 동일한 패키지 구조를 적용할 수 있어 파장에 관계 없이 패키지의 범용 사용이 가능하다.
Since the heat radiation efficiency is improved by disposing the heat radiation member 151 in the body 110, the same package structure can be applied regardless of the wavelength of the light emission element 131, so that the package can be used universally regardless of wavelengths .

상기 글라스 필름(171)의 상면 및 하면 중 적어도 하나의 둘레에는 원 형상 또는 링 형상을 갖는 제7상태표시부재(173)를 포함한다. 상기 제7상태표시부재(173)는 감광 변색 물질을 포함하며, 상기 감광 변색 물질은 발광 소자(131)로부터 방출된 광이 투과될 때 특정 컬러로 변색된다. 이에 따라 사용자에게 발광 소자(131)의 동작 상태를 표시할 수 있고, 또한 발광 소자(131)로부터 방출된 파장이 위험도를 알려줄 수 있다. 이에 따라 사용자의 손해를 방지할 수 있는 효과가 있다.
And a seventh state indicating member 173 having a circular or ring shape around at least one of the upper surface and the lower surface of the glass film 171. The seventh state indicating member 173 includes a photochromic material and the photochromic material is discolored to a specific color when the light emitted from the light emitting device 131 is transmitted. Accordingly, the operating state of the light emitting device 131 can be displayed to the user, and the wavelength emitted from the light emitting device 131 can inform the risk. Accordingly, there is an effect that damage to the user can be prevented.

도 7은 제5실시예에 따른 발광소자 패키지의 사시도를 나타낸 도면이다. 7 is a perspective view of a light emitting device package according to a fifth embodiment.

도 7을 참조하면, 발광소자 패키지(200)는 오목부(260)를 갖는 몸체(210), 제1캐비티(225)를 갖는 제1리드 프레임(221), 제2캐비티(235)를 갖는 제2리드 프레임(231), 연결 프레임(246), 상태표시부재(261), 발광 소자들(271,272), 와이어들(273 내지 276) 및 몰딩 부재(281)를 포함한다. 7, the light emitting device package 200 includes a body 210 having a concave portion 260, a first lead frame 221 having a first cavity 225, a second lead frame 221 having a second cavity 235, A lead frame 231, a connection frame 246, a status display member 261, light emitting elements 271 and 272, wires 273 through 276, and a molding member 281.

몸체(210)는 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide)와 같은 수지 재질, 실리콘(Si), 금속 재질, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al₂O₃), 인쇄회로기판(PCB) 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 몸체(210)는 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide)와 같은 수지 재질로 이루어질 수 있다. Body 210 includes a polyphthalamide comprising: at least one of (PPA Polyphthalamide) resin material, silicon (Si), metallic material, PSG, such as a (photo sensitive glass), sapphire (Al ₂ O _3), a printed circuit board (PCB) . For example, the body 210 may be made of a resin material such as polyphthalamide (PPA).

다른 예로서, 상기 몸체(210)는 전도성을 갖는 도체로 형성될 수 있다. 몸체(210)가 전기 전도성을 갖는 재질로 형성되는 경우, 몸체(210)의 표면에는 절연막(미도시)이 더 형성되어 전도성의 몸체(210)가 제1캐비티(225), 제2캐비티(235) 및 연결 프레임(246)과 전기적으로 쇼트(short) 되는 것을 방지하도록 구성될 수 있다.As another example, the body 210 may be formed of a conductor having conductivity. When the body 210 is formed of an electrically conductive material, an insulating film (not shown) is further formed on the surface of the body 210 so that the conductive body 210 covers the first cavity 225, the second cavity 235 And the connection frame 246, as shown in FIG.

몸체(210)의 형상은 위에서 볼 때, 삼각형, 사각형, 다각형, 및 원형, 곡면을 갖는 형상 등 다양한 형상을 가질 수 있다. 상기 몸체(10)는 복수의 측면(211-214)을 포함하며, 상기 복수의 측면(211-214) 중 적어도 하나는 상기 몸체(210)의 하면에 대해 수직하거나 경사지게 배치될 수 있다. 상기 몸체(210)는 제1 내지 제4측면(211-214)을 그 예로 설명하며, 제1측면(211)와 제2측면(212)는 서로 반대측 면이며, 상기 제3측면(213)와 상기 제4측면(214)는 서로 반대측 면이다. 상기 제1측면(211) 및 제2측면(212) 각각의 길이는 제3측면(213) 및 제4측면(214)의 길이와 다를 수 있으며, 예컨대 상기 제1측면(211)와 상기 제2측면(212)의 길이(즉, 단변 길이)는 상기 제3측면(213) 및 제4측면(214)의 길이보다 더 짧게 형성될 수 있다. 상기 제1측면(211) 또는 제2측면(212)의 길이는 상기 제3측면(213) 및 제4측면(214) 사이의 간격일 수 있으며, 상기의 길이 방향은 제2 및 제3캐비티(225,235)의 중심을 지나는 방향일 수 있다. The shape of the body 210 may have various shapes such as a triangular shape, a square shape, a polygonal shape, and a shape having a circular shape and a curved shape when viewed from above. The body 10 includes a plurality of side surfaces 211-214 and at least one of the plurality of side surfaces 211-214 may be disposed perpendicular or inclined with respect to a lower surface of the body 210. [ The first side surface 211 and the second side surface 212 are opposite to each other and the third side surface 213 and the second side surface 212 are opposite to each other. The fourth side surfaces 214 are opposite to each other. The length of each of the first side surface 211 and the second side surface 212 may be different from the length of the third side surface 213 and the fourth side surface 214. For example, The length of the side surface 212 (i.e., the short side length) may be shorter than the length of the third side surface 213 and the fourth side surface 214. The length of the first side surface 211 or the second side surface 212 may be a distance between the third side surface 213 and the fourth side surface 214 and the longitudinal direction may be a distance between the second and third cavities 225, 235).

상기 제1리드 프레임(221) 및 제2리드 프레임(231)은 몸체(210)의 하면에 배치되어 직하 타입으로 기판 상에 탑재될 수 있으며, 상기 몸체(210)의 측면에 배치되어 에지 타입으로 기판 상에 탑재될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제1리드 프레임(221) 및 제2리드 프레임(231)의 두께는 0.2mm±0.05 mm 로 형성될 수 있다.The first lead frame 221 and the second lead frame 231 may be disposed on a lower surface of the body 210 and may be mounted on a substrate of a direct lower type, But it is not limited thereto. The thicknesses of the first lead frame 221 and the second lead frame 231 may be 0.2 mm ± 0.05 mm.

몸체(210)는 상부가 개방되고, 측면과 바닥(216)으로 이루어진 오목부(260)를 갖는다. 상기 오목부(260)는 상기 몸체(210)의 상부(215)로부터 오목한 컵 구조, 캐비티 구조, 또는 리세스 구조와 같은 형태로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 오목부(260)의 둘레 면은 바닥(216)에 대해 수직하거나 경사질 수 있다. 오목부(260)를 위에서 바라본 형상은 원형, 타원형, 다각형(예컨대, 사각형), 모서리가 곡면인 다각형 형상일 수 있다. The body 210 has an opening at the top and a recess 260 made up of a side and a bottom 216. The recess 260 may be formed in the shape of a concave cup structure, a cavity structure, or a recess structure from the upper portion 215 of the body 210, but the present invention is not limited thereto. The circumferential surface of the recess 260 may be perpendicular or inclined to the bottom 216. The shape of the concave portion 260 viewed from the top may be a circular shape, an elliptical shape, a polygonal shape (e.g., a square shape), and a polygonal shape with a curved corner.

상기 제1리드 프레임(221)은 상기 오목부(260)의 제1영역에 배치되며, 상기 오목부(260)의 바닥(216)에 일부가 배치되고 그 중심부에 상기 오목부(260)의 바닥(216)보다 더 낮은 깊이를 갖도록 오목한 제1캐비티(225)가 배치된다. 상기 제1캐비티(225)는 상기 오목부(260)의 바닥(216)부터 상기 몸체(210)의 하면 방향으로 오목한 형상, 예컨대, 컵(Cup) 구조 또는 리세스(recess) 형상을 포함한다. The first lead frame 221 is disposed in a first area of the concave part 260 and is partially disposed on the bottom 216 of the concave part 260, A concave first cavity 225 is disposed to have a lower depth than the second cavity 216. The first cavity 225 includes a concave shape such as a cup shape or a recess shape from the bottom 216 of the concave portion 260 toward the bottom of the body 210.

상기 제1캐비티(225)의 측면 및 바닥은 상기 제1리드 프레임(221)에 의해 형성되며, 상기 제1캐비티(225)의 둘레 측면은 상기 제1캐비티(225)의 바닥으로부터 경사지거나 수직하게 절곡될 수 있다. 상기 제1캐비티(225)의 측면 중에서 대향되는 두 측면은 동일한 각도로 경사지거나 서로 다른 각도로 경사질 수 있다. The side surface and the bottom of the first cavity 225 are formed by the first lead frame 221 and the peripheral side surface of the first cavity 225 is inclined or perpendicular to the bottom of the first cavity 225 It can be bent. The opposite sides of the side surface of the first cavity 225 may be inclined at the same angle or may be inclined at different angles.

상기 제2리드 프레임(231)은 상기 오목부(260)의 제1영역과 이격되는 제2영역에 배치되며, 상기 오목부(260)의 바닥(216)에 일부가 배치되고, 그 중심부에는 상기 오목부(260)의 바닥(216)보다 더 낮은 깊이를 갖도록 오목한 제2캐비티(235)가 형성된다. 상기 제2캐비티(235)는 상기 제2리드 프레임(231)의 상면으로부터 상기 몸체(210)의 하면 방향으로 오목한 형상, 예컨대, 컵(Cup) 구조 또는 리세스(recess) 형상을 포함한다. 상기 제2캐비티(235)의 바닥 및 측면은 상기 제2리드 프레임(231)에 의해 형성되며, 상기 제2캐비티(235)의 측면은 상기 제2캐비티(235)의 바닥으로부터 경사지거나 수직하게 절곡될 수 있다. 상기 제2캐비티(235)의 측면 중에서 대향되는 두 측면은 동일한 각도로 경사지거나 서로 다른 각도로 경사질 수 있다. The second lead frame 231 is disposed in a second area spaced apart from the first area of the concave part 260. The second lead frame 231 is partially disposed on the bottom 216 of the concave part 260, A concave second cavity 235 is formed to have a lower depth than the bottom 216 of the concave portion 260. The second cavity 235 may have a concave shape such as a cup shape or a recess shape from the upper surface of the second lead frame 231 in the bottom direction of the body 210. The bottom and side surfaces of the second cavity 235 are formed by the second lead frame 231 and the side surfaces of the second cavity 235 are inclined from the bottom of the second cavity 235, . The opposite sides of the side surface of the second cavity 235 may be inclined at the same angle or may be inclined at different angles.

상기 제1캐비티(225)와 상기 제2캐비티(235)는 위에서 볼 때, 동일한 형상으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The first cavity 225 and the second cavity 235 may have the same shape as viewed from above, but the present invention is not limited thereto.

상기 제1리드 프레임(221) 및 상기 제2리드 프레임(231)의 중심부 각각은 상기 몸체(210)의 하부로 노출되며, 상기 몸체(210)의 하면과 동일 평면 또는 다른 평면 상에 배치될 수 있다. Each of the first lead frame 221 and the second lead frame 231 is exposed to the lower portion of the body 210 and may be disposed on the same plane as the lower surface of the body 210, have.

상기 제1리드 프레임(221)은 제1리드부(223)를 포함하며, 상기 제1리드부(223)는 상기 몸체(210)의 하부에 배치되고 상기 몸체(210)의 제1측면으로 돌출될 수 있다. 상기 제2리드 프레임(231)은 제2리드부를 포함하며, 상기 제2리드부는 상기 몸체(210)의 하부에 배치되고 상기 몸체(210)의 제1측면의 반대측 제2측면으로 돌출될 수 있다. The first lead frame 221 includes a first lead portion 223 and the first lead portion 223 is disposed at a lower portion of the body 210 and protrudes toward the first side of the body 210 . The second lead frame 231 may include a second lead portion and the second lead portion may be disposed below the body 210 and protrude from a second side of the body 210 opposite the first side .

상기 제1리드 프레임(221), 제2리드 프레임(231) 및 연결 프레임(246)은 금속 재질, 예를 들어, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P) 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 단일 금속층 또는 다층 금속층으로 형성될 수 있다. 상기 제1, 제2리드 프레임(221,231)의 두께는 동일한 두께로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The first lead frame 221, the second lead frame 231 and the connection frame 246 may be made of a metal material such as titanium (Ti), copper (Cu), nickel (Ni), gold (Au) And may include at least one of chromium (Cr), tantalum (Ta), platinum (Pt), tin (Sn), silver (Ag), and phosphorous (P) and may be formed of a single metal layer or a multilayer metal layer. The first and second lead frames 221 and 231 may have the same thickness, but the present invention is not limited thereto.

상기 제1캐비티(225) 및 상기 제2캐비티(235)의 바닥 형상은 직사각형, 정 사각형 또는 곡면을 갖는 원 또는 타원 형상일 수 있다.The bottom shapes of the first cavity 225 and the second cavity 235 may be circular or elliptical shapes having a rectangular shape, a square shape, or a curved shape.

상기 오목부(260)의 바닥(216)에는 연결 프레임(246)이 배치되며, 상기 연결 프레임(246)은 상기 제1리드 프레임(221)과 제2리드 프레임(231) 사이에 배치되어, 중간 연결 단자로 사용된다.A connection frame 246 is disposed on the bottom 216 of the recess 260 and the connection frame 246 is disposed between the first lead frame 221 and the second lead frame 231, It is used as a connection terminal.

상기 제1리드 프레임(221)의 제1캐비티(225) 내에는 제1발광 소자(271)가 배치되며, 상기 제2리드 프레임(231)의 제2캐비티(235) 내에는 제2발광 소자(272)가 배치될 수 있다. The first light emitting device 271 is disposed in the first cavity 225 of the first lead frame 221 and the second light emitting device 271 is disposed in the second cavity 235 of the second lead frame 231. [ 272 may be disposed.

상기 제1 및 제2발광 소자(271,272)는 가시광선 대역부터 자외선 대역의 범위 중에서 선택적으로 발광할 수 있으며, 예컨대 레드 LED 칩, 블루 LED 칩, 그린 LED 칩, 엘로우 그린(yellow green) LED 칩 중에서 선택될 수 있다. 상기 제1 및 제2발광 소자(271,272)는 III족-V족 원소의 화합물 반도체 발광소자를 포함한다.The first and second light emitting devices 271 and 272 may selectively emit light in a visible light band to an ultraviolet light band. For example, a red LED chip, a blue LED chip, a green LED chip, a yellow green LED chip, Can be selected. The first and second light emitting devices 271 and 272 include compound semiconductor light emitting devices of Group III-V elements.

상기 제1발광 소자(271)는 제1와이어(273)로 상기 오목부(260)의 바닥(216)에 배치된 제1리드 프레임(221)과 연결되며, 제2와이어(274)로 상기 연결 프레임(246)과 연결된다. 상기 제2발광 소자(272)는 제3와이어(275)로 상기 연결 프레임(246)과 연결되며, 제4와이어(276)로 상기 오목부(260)의 바닥(216)에 배치된 제2리드 프레임(231)과 연결된다. 상기 연결 프레임(246)은 상기 제1발광 소자(271)와 상기 제2발광 소자(272)를 전기적으로 연결해 준다.The first light emitting device 271 is connected to the first lead frame 221 disposed on the bottom 216 of the concave portion 260 with the first wire 273, And is connected to the frame 246. The second light emitting device 272 is connected to the connection frame 246 by a third wire 275 and is connected to a second lead 274 disposed on the bottom 216 of the recess 260 by a fourth wire 276. [ And is connected to the frame 231. The connection frame 246 electrically connects the first light emitting device 271 and the second light emitting device 272.

보호 소자는 상기 제1리드 프레임(221) 또는 상기 제2리드 프레임(231)의 일부 상에 배치될 수 있다. 상기 보호 소자는 싸이리스터, 제너 다이오드, 또는 TVS(Transient voltage suppression)로 구현될 수 있으며, 상기 제너 다이오드는 상기 발광 소자를 ESD(electro static discharge)로 부터 보호하게 된다. 상기 보호 소자는 제1발광 소자(271) 및 제2발광 소자(272)의 연결 회로에 병렬로 연결됨으로써, 상기 발광 소자들(271,272)을 보호할 수 있다.The protection element may be disposed on a part of the first lead frame 221 or the second lead frame 231. The protection device may be implemented with a thyristor, a zener diode, or a TVS (Transient Voltage Suppression), and the zener diode protects the light emitting device from electrostatic discharge (ESD). The protection element may be connected in parallel to the connection circuit of the first light emitting element 271 and the second light emitting element 272 to protect the light emitting elements 271 and 272.

상기 오목부(260), 제1캐비티(225) 및 상기 제2캐비티(235)에는 몰딩 부재(281)가 형성될 수 있다. 상기 몰딩 부재(281)는 실리콘 또는 에폭시와 같은 투광성 수지층을 포함하며, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. The molding member 281 may be formed in the concave portion 260, the first cavity 225, and the second cavity 235. The molding member 281 includes a light-transmitting resin layer such as silicon or epoxy, and may be formed as a single layer or a multilayer.

상기 몰딩 부재(281)는 상기 발광 소자(271,272) 상으로 방출되는 빛의 파장을 변환하기 위한 형광체를 포함할 수 있으며, 상기 형광체는 상기 제1캐비티(225) 및 상기 제2캐비티(235) 중 적어도 한 영역에 형성된 몰딩 부재(281)에 첨가될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 형광체는 발광 소자(271,272)에서 방출되는 빛의 일부를 여기시켜 다른 파장의 빛으로 방출하게 된다. 상기 형광체는 YAG, TAG, Silicate, Nitride, Oxy-nitride 계 물질 중에서 선택적으로 형성될 수 있다. 상기 형광체는 적색 형광체, 황색 형광체, 녹색 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 몰딩 부재(281)의 표면은 플랫한 형상, 오목한 형상, 볼록한 형상 등으로 형성될 수 있으며, 예를 들면 상기 몰딩 부재(281)의 표면은 오목한 곡면으로 형성될 수 있으며, 상기 오목한 곡면은 광 출사면이 될 수 있다. 상기 몰딩 부재(281)는 경화 후 표면이 오목한 곡면 형상으로 형성될 수 있다. The molding member 281 may include a phosphor for converting a wavelength of light emitted onto the light emitting devices 271 and 272. The phosphor may be disposed between the first cavity 225 and the second cavity 235 And may be added to the molding member 281 formed in at least one region, but the present invention is not limited thereto. The phosphor excites a part of the light emitted from the light emitting devices 271 and 272 to emit light of a different wavelength. The phosphor may be selectively formed from YAG, TAG, Silicate, Nitride, and Oxy-nitride based materials. The phosphor may include at least one of a red phosphor, a yellow phosphor, and a green phosphor, but the present invention is not limited thereto. The surface of the molding member 281 may be formed in a flat shape, a concave shape, a convex shape, or the like. For example, the surface of the molding member 281 may be formed as a concave curved surface, It can be an exit plane. The molding member 281 may be formed into a curved surface having a concave surface after curing.

상기 몸체(210)의 상면의 일 영역에는 상태표시부재(261)를 배치하고, 상기 상태표시부재(261)는 몸체(210)의 제1측면(211)과 제3측면(213) 사이의 모서리 영역에 배치되어, 캐소드 마크로 사용될 수 있다. 또한 상태표시부재(261)는 감열 변색 물질로 형성될 수 있으며, 몸체(210)의 표면 온도에 따라 적어도 한 컬러를 표시하여, 사용자에게 발광 소자(271,272)의 동작 상태를 표시할 수 있다.
A state indicating member 261 is disposed in one area of the upper surface of the body 210 and the state indicating member 261 is disposed at a corner between the first side surface 211 and the third side surface 213 of the body 210, Region, and can be used as a cathode mark. The state indicating member 261 may be formed of a heat discoloring material and may display at least one color according to the surface temperature of the body 210 to display the operation state of the light emitting elements 271 and 272 to the user.

도 8은 제6실시 예에 따른 발광소자 패키지를 나타낸 도면이다.8 is a view illustrating a light emitting device package according to a sixth embodiment.

도 8을 참조하면, 발광소자 패키지는 발광 소자(371), 상부에 캐비티(314)를 갖는 몸체(310), 상기 몸체(310)에 설치된 제1리드 프레임(321) 및 제2리드 프레임(331), 몰딩 부재(381), 및 상태표시부재(361)를 포함한다.Referring to FIG. 8, the light emitting device package includes a light emitting device 371, a body 310 having a cavity 314 at an upper portion thereof, a first lead frame 321 and a second lead frame 331 ), A molding member 381, and a state indicating member 361.

상기 몸체(310)는 고반사 수지 계열(예; PPA), 폴리머 계열, 플라스틱 계열 중에서 선택적으로 사출 성형되거나, 단층 또는 다층의 기판 적층 구조로 형성될 수 있다. 상기 몸체(310)는 상부가 개방된 캐비티(314)를 포함하며, 상기 캐비티(314)의 둘레면은 경사지거나 캐비티 바닥에 대해 수직하게 형성될 수 있다. The body 310 may be injection molded selectively from a highly reflective resin-based (e.g., PPA), polymer-based, or plastic-based, or may be formed as a single layer or multilayered substrate laminate structure. The body 310 includes a cavity 314 having an open top, and the circumferential surface of the cavity 314 may be inclined or perpendicular to the bottom of the cavity.

상기 캐비티(314)의 바닥에는 제1리드 프레임(321) 및 제2리드 프레임(331)이 배치되며, 상기 제1리드 프레임(321) 및 제2리드 프레임(331)은 서로 이격된다. A first lead frame 321 and a second lead frame 331 are disposed on the bottom of the cavity 314 and the first lead frame 321 and the second lead frame 331 are spaced apart from each other.

상기 제1리드 프레임(321) 및 제2리드 프레임(331) 중 적어도 하나의 상에 발광 소자(371)가 배치되며, 제1리드 프레임(321)과 제2리드 프레임(331)에 와이어(376)로 연결된다. A light emitting element 371 is disposed on at least one of the first lead frame 321 and the second lead frame 331 and a wire 376 is connected to the first lead frame 321 and the second lead frame 331. [ ).

상기 캐비티(314) 내에는 몰딩 부재(381)가 형성되며, 상기 몰딩 부재(381)는 실리콘 또는 에폭시와 같은 투광성 수지 재질로 형성될 수 있으며, 형광체를 포함할 수 있다.A molding member 381 is formed in the cavity 314 and the molding member 381 may be formed of a light transmitting resin material such as silicone or epoxy and may include a phosphor.

여기서, 상기 몰딩 부재(381)의 상면은 오목한 곡면 형상으로 형성되며, 센터 영역으로 갈수록 더 낮은 깊이로 형성된다. Here, the upper surface of the molding member 381 is formed in a concave curved shape and is formed to have a lower depth toward the center area.

상기 제1리드 프레임(321)과 제2리드 프레임(331)을 통해 전원이 공급되면, 상기 발광 소자(371)의 상면 및 측면을 통해 대부분의 광이 추출되며, 상기 추출된 광은 상기 몰딩 부재(381)를 통해 외부로 방출될 수 있다. When power is supplied through the first lead frame 321 and the second lead frame 331, most of the light is extracted through the upper surface and the side surface of the light emitting device 371, And may be discharged to the outside through the opening 381.

상기 제2리드 프레임(331)의 일부에는 구멍(316)이 형성되며, 상기 구멍(316)은 상기 몸체(310)의 제1측면(313)보다 더 외측에 배치된다. 상기 구멍(316)에는 상태표시부재(361)가 배치되며, 상기 상태표시부재(361)는 상기 몸체(310)의 하부가 아닌 몸체(310)의 하면으로부터 이격된 제2리드 프레임(331)의 구멍(316)에 형성될 수 있다. 이에 따라 상태 표시부재(361)는 제2리드 프레임(331)의 온도에 따라 감열 변색되어, 사용자에게 온도 및 동작 상태를 알려줄 수 있다. 또한 상기 상태표시부재(361)는 캐소드 마크로 사용할 수 있어, 캐소드 마크의 영역이 몸체 상부에 배치될 경우, 캐비티의 영역이 줄어들 수 있는 문제를 개선할 수 있다. A hole 316 is formed in a part of the second lead frame 331 and the hole 316 is disposed on the outer side of the first side 313 of the body 310. The state indicating member 361 is disposed in the hole 316 and the state indicating member 361 is disposed on the side of the second lead frame 331 spaced apart from the lower surface of the body 310, May be formed in the hole 316. Accordingly, the state indicating member 361 is thermally discolored according to the temperature of the second lead frame 331, thereby informing the user of the temperature and the operation state. Further, the state indicating member 361 can be used as a cathode mark, and when the region of the cathode mark is disposed on the body, the problem that the area of the cavity can be reduced can be solved.

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도 9는 실시 예에 따른 자외선 발광 소자(131)의 일 예를 나타낸 도면이다.9 is a view showing an example of the ultraviolet light emitting element 131 according to the embodiment.

도 9를 참조하면, 발광 소자(131)는 수직형 전극 구조를 갖는 발광소자로서, 제1전극층(21), 제1 도전형 반도체층(23), 활성층(25), 제2 도전형 반도체층(27) 및 제2전극층(29)을 포함한다. 상기 발광 소자(131)은 수평형 전극 구조를 갖는 발광 소자로 변경될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.9, the light emitting device 131 is a light emitting device having a vertical electrode structure, and includes a first electrode layer 21, a first conductive semiconductor layer 23, an active layer 25, (27) and a second electrode layer (29). The light emitting device 131 may be a light emitting device having a horizontal electrode structure, but is not limited thereto.

상기 제1전극층(21)은 전도성 지지 기판을 포함하거나, 패드로 기능할 수 있다. 상기 제1전극층(21)은 화합물 반도체가 성장되는 기판으로 사용될 수 있다.The first electrode layer 21 may include a conductive support substrate or may function as a pad. The first electrode layer 21 may be used as a substrate on which a compound semiconductor is grown.

상기 제1전극층(21) 위에는 III족-V족 질화물 반도체층이 형성되는 데, 반도체의 성장 장비는 전자빔 증착기, PVD(physical vapor deposition), CVD(chemical vapor deposition), PLD(plasma laser deposition), 이중형의 열증착기(dual-type thermal evaporator) 스퍼터링(sputtering), MOCVD(metal organic chemical vapor deposition) 등에 의해 형성할 수 있으며, 이러한 장비로 한정하지는 않는다. The Group III-V nitride semiconductor layer is formed on the first electrode layer 21. The growth equipment of the semiconductor may be an electron beam evaporator, physical vapor deposition (PVD), chemical vapor deposition (CVD), plasma laser deposition (PLD) For example, a dual-type thermal evaporator, sputtering, metal organic chemical vapor deposition (MOCVD), and the like.

제1전극층(21) 위에는 제1 도전형 반도체층(23)이 배치되며, 상기 제1도전형 반도체층(23)은 III족-V족 화합물 반도체 예컨대, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 제1도전형 반도체층(23)에는 제1 도전형 도펀트가 도핑될 수 있으며, 제1 도전형 도펀트는 n형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, Te 등에서 적어도 하나를 첨가될 수 있다. A first conductivity type semiconductor layer 23 is disposed on the first electrode layer 21 and the first conductivity type semiconductor layer 23 is a Group III-V compound semiconductor such as GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, and AlInN. The first conductivity type semiconductor layer 23 may be doped with a first conductivity type dopant and the first conductivity type dopant may be an n type dopant and at least one of Si, Ge, Sn, Se, and Te may be added.

상기 제1도전형 반도체층(23) 내에는 소정 영역에 전류 확산(current spreading) 구조를 포함한다. 전류 확산 구조는 수직 방향으로의 전류 확산 속도보다 수평 방향으로의 전류 확산 속도가 높은 반도체층들을 포함한다. 상기 전류 확산 구조는 예컨대, 도펀트의 농도 또는 전도성의 차이를 가지는 복수의 반도체층을 포함할 수 있다. The first conductive semiconductor layer 23 includes a current spreading structure in a predetermined region. The current diffusion structure includes semiconductor layers having a higher current diffusion speed in the horizontal direction than the current diffusion speed in the vertical direction. The current diffusion structure may include, for example, a plurality of semiconductor layers having a concentration of a dopant or a difference in conductivity.

상기 제1도전형 반도체층(23) 위에는 활성층(25)이 배치되며, 상기 활성층(25)은 단일 양자 우물 또는 다중 양자 우물(MQW) 구조로 형성될 수 있다. 활성층(25)의 한 주기는 InGaN/GaN의 주기, AlGaN/InGaN의 주기, InGaN/InGaN의 주기, 또는 AlGaN/GaN의 주기를 선택적으로 포함할 수 있다. An active layer 25 may be disposed on the first conductive semiconductor layer 23 and the active layer 25 may be formed of a single quantum well or a multiple quantum well (MQW) structure. One period of the active layer 25 may selectively include a period of InGaN / GaN, a period of AlGaN / InGaN, a period of InGaN / InGaN, or a period of AlGaN / GaN.

제1 도전형 반도체층(23)과 활성층(25) 사이에는 제1 도전형 클래드층(도시하지 않음)이 형성될 수 있으며, 상기 제2도전형 반도체층(27)과 상기 활성층(25) 사이에는 제2도전형 클래드층(도시하지 않음)이 배치될 수 있다. 상기 각 도전형 클래드층은 상기 활성층(25)의 우물층의 에너지 밴드 갭보다 높은 밴드 갭을 갖는 물질로 형성될 수 있다. A first conductivity type clad layer (not shown) may be formed between the first conductivity type semiconductor layer 23 and the active layer 25, and between the second conductivity type semiconductor layer 27 and the active layer 25 A second conductive type clad layer (not shown) may be disposed. Each of the conductive cladding layers may be formed of a material having a band gap higher than an energy band gap of the well layer of the active layer 25.

상기 활성층(25) 위에는 제2 도전형 반도체층(27)이 형성된다. 제2 도전형 반도체층(27)은 제2 도전형 도펀트가 도핑된 p형 반도체층으로 구현될 수 있다. p형 반도체층은 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN 등과 같은 화합물 반도체 중 어느 하나로 이루어질 수 있다. 제2 도전형 도펀트는 p형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba를 포함한다. A second conductive semiconductor layer 27 is formed on the active layer 25. The second conductive semiconductor layer 27 may be formed of a p-type semiconductor layer doped with a second conductive dopant. The p-type semiconductor layer may be formed of any one of compound semiconductors such as GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, and AlInN. The second conductivity type dopant is a p-type dopant including Mg, Zn, Ca, Sr, and Ba.

제2 도전형 반도체층(27) 내에는 소정 영역에 전류 확산(current spreading) 구조를 포함한다. 전류 확산 구조는 수직 방향으로의 전류 확산 속도보다 수평 방향으로의 전류 확산 속도가 높은 반도체층들을 포함한다. The second conductivity type semiconductor layer 27 includes a current spreading structure in a predetermined region. The current diffusion structure includes semiconductor layers having a higher current diffusion speed in the horizontal direction than the current diffusion speed in the vertical direction.

또한, 제1 도전형 반도체층(23)은 p형 반도체층, 제2 도전형 반도체층(27)은 n형 반도체층으로 구현될 수 있다. 발광 구조물은 n-p 접합 구조, p-n 접합 구조, n-p-n 접합 구조, p-n-p 접합 구조 중 어느 한 구조로 구현할 수 있다. 이하, 실시 예의 설명을 위해 반도체층의 최상층은 제2 도전형 반도체층(27)을 그 예로 설명하기로 한다.The first conductivity type semiconductor layer 23 may be a p-type semiconductor layer, and the second conductivity type semiconductor layer 27 may be an n-type semiconductor layer. The light emitting structure may be implemented by any one of an n-p junction structure, a p-n junction structure, an n-p-n junction structure, and a p-n-p junction structure. Hereinafter, for explanation of the embodiment, the uppermost layer of the semiconductor layer will be described as the second conductive type semiconductor layer 27 as an example thereof.

상기 제2도전형 반도체층(27) 위에는 제2전극층(29)이 배치된다. 상기 제2전극층(29)은 p측 패드 또는/및 전극층을 포함할 수 있다. 상기 전극층은 산화물 또는 질화물 계열의 투광층 예컨대, ITO(indium tin oxide), ITON(indium tin oxide nitride), IZO(indium zinc oxide), IZON(indium zinc oxide nitride), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IrO_x, RuO_x, NiO의 물질 중에서 선택되어 형성될 수 있다. A second electrode layer 29 is disposed on the second conductive type semiconductor layer 27. The second electrode layer 29 may include a p-side pad or / and an electrode layer. The electrode layer may be formed of an oxide or nitride based light-transmitting layer such as indium tin oxide (ITO), indium tin oxide nitride (ITON), indium zinc oxide (IZO), indium zinc oxide nitride (IZON) IAZO (indium aluminum zinc oxide), IGZO (indium gallium zinc oxide), IGTO (indium gallium tin oxide), AZO (aluminum zinc oxide), ATO (antimony tin oxide), GZO (gallium zinc oxide), IrO x, RuO x , NiO, and the like.

상기 제2전극층(29)은 전류를 확산시켜 줄 수 있는 전류 확산층으로 기능할 수 있다. 또한, 제2전극층(29)은 반사 전극층일 수 있으며, 반사 전극층은 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 및 이들의 선택적인 조합으로 구성된 물질 중에서 형성될 수 있다. 제2 전극층(29)은 단층 또는 다층 구조의 금속층을 포함할 수 있다.
The second electrode layer 29 may function as a current diffusion layer capable of diffusing a current. The second electrode layer 29 may be a reflective electrode layer and the reflective electrode layer may be formed of a material composed of Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf, As shown in FIG. The second electrode layer 29 may include a metal layer of a single layer or a multi-layer structure.

도 10은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 갖는 자외선 램프의 사시도이다.10 is a perspective view of an ultraviolet lamp having a light emitting device package according to an embodiment.

도 10을 참조하면, 조명 장치(1500)는 케이스(1510)와, 상기 케이스(1510)에 설치된 발광모듈(1530)과, 상기 케이스(1510)에 설치되며 외부 전원으로부터 전원을 제공받는 연결 단자(1520)를 포함할 수 있다. 10, the lighting apparatus 1500 includes a case 1510, a light emitting module 1530 installed in the case 1510, a connection terminal (not shown) installed in the case 1510 and supplied with power from an external power source 1520).

상기 케이스(1510)는 방열 특성이 양호한 재질로 형성되는 것이 바람직하며, 예를 들어 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있다.The case 1510 is preferably formed of a material having a good heat dissipation property, and may be formed of, for example, a metal material or a resin material.

상기 발광 모듈(1530)은 기판(1532)과, 상기 기판(1532)에 탑재되는 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(100)를 포함할 수 있다. 상기 발광 소자 패키지(100)는 복수개가 매트릭스 형태 또는 소정 간격으로 이격되어 어레이될 수 있다. The light emitting module 1530 may include a substrate 1532 and a light emitting device package 100 mounted on the substrate 1532. A plurality of the light emitting device packages 100 may be arrayed in a matrix or at a predetermined interval.

상기 기판(1532)은 절연체에 회로 패턴이 인쇄된 것일 수 있으며, 예를 들어, 일반 인쇄회로기판(PCB: Printed Circuit Board), 메탈 코아(Metal Core) PCB, 연성(Flexible) PCB, 세라믹 PCB, FR-4 기판 등을 포함할 수 있다. The substrate 1532 may be a circuit pattern printed on an insulator. For example, the substrate 1532 may be a printed circuit board (PCB), a metal core PCB, a flexible PCB, a ceramic PCB, FR-4 substrate, and the like.

또한, 상기 기판(1532)은 빛을 효율적으로 반사하는 재질로 형성되거나, 표면이 빛이 효율적으로 반사되는 컬러, 예를 들어 백색, 은색 등의 코팅층될 수 있다.In addition, the substrate 1532 may be formed of a material that efficiently reflects light, or may be a coating layer such as a white color, a silver color, or the like whose surface is efficiently reflected by light.

상기 기판(1532) 상에는 상기 실시 예에 개시된 적어도 하나의 발광 소자 패키지(100)가 탑재될 수 있다. 상기 발광 소자 패키지(100) 각각은 적어도 하나의 자외선 발광 다이오드(LED: Light Emitting Diode)을 포함할 수 있다. 상기 자외선 발광 다이오드는 245nm 내지 405nm대의 파장을 가지는 자외선 또는 가시광선 대역의 발광 다이오드일 수 있다. 즉, 280nm 내외의 단파장 자외선을 방출하거나, 365 또는 385nm의 장파장 자외선을 방출하는 발광 다이오드가 모두 적용될 수 있다.At least one light emitting device package 100 disclosed in the above embodiment may be mounted on the substrate 1532. Each of the light emitting device packages 100 may include at least one light emitting diode (LED). The ultraviolet light emitting diode may be an ultraviolet light or a visible light band light emitting diode having a wavelength of 245 nm to 405 nm. That is, all of the light emitting diodes emitting short wavelength ultraviolet rays of about 280 nm or emitting long wavelength ultraviolet rays of 365 or 385 nm can be applied.

상기 연결 단자(1520)는 상기 발광모듈(1530)과 전기적으로 연결되어 전원을 공급할 수 있다. 상기 연결 단자(1520)는 소켓 방식으로 외부 전원에 돌려 끼워져 결합되지만, 이에 대해 한정하지는 않는다. 예를 들어, 상기 연결 단자(1520)는 핀(pin) 형태로 형성되어 외부 전원에 삽입되거나, 배선에 의해 외부 전원에 연결될 수도 있는 것이다.The connection terminal 1520 may be electrically connected to the light emitting module 1530 to supply power. The connection terminal 1520 is connected to the external power source by being inserted in a socket manner, but the present invention is not limited thereto. For example, the connection terminal 1520 may be formed in a pin shape and inserted into an external power source or may be connected to an external power source through wiring.

이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, It belongs to the scope of right.

100,200,300: 발광소자 패키지, 110,210,310: 몸체, 111,225,235,314: 캐비티, 112,113: 서브 캐비티, 131,271,272,371: 발광 소자, 133: 보호 소자, 141,143,145:패드, 221.231,321,331: 리드 프레임, 161,162,163,164,165,166,173,261,361: 상태표시부재 171: 글라스 필름, 170,281,381: 몰딩 부재 A display device comprising: a light emitting device package including a light emitting device package, a light emitting device package, a body, a light emitting device package, 170,281,381: Molding member

Claims

A body having a cavity;
A plurality of electrodes disposed in the cavity;
An ultraviolet light emitting element disposed in the cavity and disposed on at least one of the plurality of electrodes and emitting ultraviolet light of 245 nm to 405 nm;
A glass film covering the cavity; And
And at least one status indicating member disposed on the upper portion of the body and the upper portion of the glass film,
Wherein the state indicating member comprises an ultraviolet sensitive photochromic material.

The method according to claim 1,
A first sub-cavity and a second sub-cavity disposed in the cavity,
The bottom surfaces of the first sub-cavity and the second sub-cavity are lower than the bottom surface of the cavity,
Wherein the first sub-cavity and the second sub-cavity are disposed symmetrically with respect to the ultraviolet light-emitting element.

The method according to claim 1,
And a heat dissipating member disposed in the body,
Wherein the heat dissipating member is disposed under the light emitting element,
The body includes a first side, a second side opposite the first side, a third side, and a fourth side opposite to the third side,
Wherein the status indicating member includes a first status indicating member,
Wherein the first state indicating member is disposed in an edge area between the first side and the second side of the body.

The method of claim 3,
The width of the upper surface of the heat dissipating member is smaller than the width of the lower surface of the heat dissipating member,
The area of the upper surface of the heat radiation member is larger than the area of the lower surface of the light emitting element,
Wherein the status indicating member further comprises a second status indicating member,
And the second state indicating member is disposed in an edge area between the first side and the third side of the body.

3. The method of claim 2,
Wherein the plurality of electrodes include a first electrode on which the light emitting element is mounted and a second electrode and a third electrode which are spaced apart from the first electrode and are respectively disposed on both sides of the first electrode,
Wherein the second electrode and the third electrode are formed to be symmetrical with respect to each other at symmetrical positions with respect to the light emitting element.

6. The method of claim 5,
Wherein the second electrode is disposed on a bottom surface of the cavity adjacent a first corner region of the cavity and the third electrode is disposed on a bottom surface of the cavity adjacent a second corner region of the cavity,
Wherein the first corner region and the second corner region are opposed to each other.

5. The method of claim 4,
Wherein the status indicating member includes a sixth status indicating member,
And the sixth status indicating member is disposed on a side surface of the body.

6. The method of claim 5,
And a fourth electrode of the plurality of electrodes is disposed in the first sub-cavity and a fifth electrode is disposed in the second sub-cavity.

5. The method of claim 4,
Wherein the ultraviolet light emitting device emits ultraviolet light in the range of 245 nm to 365 nm.

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