KR20130065325A - The light emitting device package and the light emitting system - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A light emitting device package and a lamp device are provided to improve the reliability of the package by preventing solder from penetrating between a lead frame and a heat radiation frame. CONSTITUTION: A body(110) has a cavity. A heat radiation frame(130) is arranged in the cavity. A first electrode and a second electrode are placed on both sides around the heat radiation frame in the cavity. A light emitting device(120) is arranged on the heat radiation frame. An insulating adhesive layer is made of different materials from the body and is formed between the heat radiation frame and the first and the second electrode. A transparent resin layer is placed in the cavity and covers the light emitting device.

Description

발광소자 패키지 및 조명 장치{The light emitting device package and the light emitting system}Light emitting device package and the light emitting device

본 실시예는 발광소자 패키지에 관한 것이다. The present embodiment relates to a light emitting device package.

발광 다이오드(LED: Light Emitting Diode)는 GaAs 계열, AlGaAs 계열, GaN 계열, InGaN 계열 및 InGaAlP 계열 등의 화합물 반도체 재료를 이용하여 발광 원을 구성할 수 있다. A light emitting diode (LED) may form a light emitting source using compound semiconductor materials such as GaAs series, AlGaAs series, GaN series, InGaN series, and InGaAlP series.

이러한 발광 다이오드는 패키지화되어 다양한 색을 방출하는 발광소자 패키지로 이용되고 있으며, 발광소자 패키지는 칼라를 표시하는 점등 표시기, 문자 표시기 및 영상 표시기 등의 다양한 분야에 광원으로 사용되고 있다.Such a light emitting diode is packaged and used as a light emitting device package that emits various colors, and the light emitting device package is used as a light source in various fields such as a lighting indicator, a color display, and an image display for displaying a color.

실시예는 새로운 구조를 가지는 발광소자 패키지를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device package having a new structure.

실시예는 리드 프레임과 별도의 방열부를 가질 때, 리드 프레임과 방열부를 별도의 절연층으로 절연하여 솔더 침투 경로를 차단함으로 신뢰성이 향상되는 발광소자 패키지를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device package in which reliability is improved by blocking a solder penetration path by insulating the lead frame and the heat dissipating part with a separate insulating layer when the lead frame and the heat dissipating part are separate.

실시예는 캐비티를 포함하는 몸체, 상기 캐비티 내에 배치되는 방열 프레임,Embodiments include a body including a cavity, a heat dissipation frame disposed in the cavity,

상기 캐비티 내에 상기 방열 프레임을 중심으로 양측에 위치하는 제1 전극 및 제2 전극, 상기 방열 프레임 위에 배치되는 적어도 하나의 발광 소자, 그리고 상기 방열 프레임과 상기 제1 및 제2 전극 사이에 상기 몸체와 다른 물질로 형성되는 절연성 접착층을 포함하는 발광소자 패키지를 제공한다.A first electrode and a second electrode positioned at both sides of the heat dissipation frame in the cavity, at least one light emitting element disposed on the heat dissipation frame, and the body between the heat dissipation frame and the first and second electrodes; Provided is a light emitting device package including an insulating adhesive layer formed of another material.

본 발명에 따르면, 발광소자 패키지에 있어서, 리드 프레임과 발광 소자가 실장되는 방열 프레임 사이에 절연층을 형성함으로써 이 별도 분리되어 형성될 때, 상기 리드프레임과 방열 프레임 사이로 솔더가 침투하는 것을 방지하여 패키지 신뢰성이 향상된다.According to the present invention, in the light emitting device package, when the insulating layer is formed separately by forming an insulating layer between the lead frame and the heat dissipation frame on which the light emitting element is mounted, it prevents solder from penetrating between the lead frame and the heat dissipation frame. Package reliability is improved.

또한, 상기 리드 프레임과 방열 프레임을 일부 겹쳐 구성함으로써 리드 프레임과 상기 방열 프레임 사이의 거리가 감소하여 와이어 길이를 줄일 수 있다.In addition, by partially overlapping the lead frame and the heat dissipation frame, the distance between the lead frame and the heat dissipation frame may be reduced, thereby reducing the wire length.

도 1a 및 도 1b는 제1 실시예에 따른 발광소자 패키지의 사시도이다.
도 2는 도 1a 및 도 1b의 발광소자 패키지를 Ⅰ-Ⅰ'으로 절단한 단면도이다.
도 3은 도 1의 발광 다이오드의 단면도이다.
도 4 내지 도 7은 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지의 단면도이다.
도 8은 발광소자 패키지를 포함하는 표시 장치를 나타낸 도면이다.
도 9는 발광소자 패키지를 포함하는 조명 장치의 예를 나타낸 도면이다.1A and 1B are perspective views of a light emitting device package according to a first embodiment.
2 is a cross-sectional view taken along the line II ′ of the light emitting device package of FIGS. 1A and 1B.
3 is a cross-sectional view of the light emitting diode of FIG. 1.
4 to 7 are cross-sectional views of light emitting device packages according to other embodiments.
8 is a diagram illustrating a display device including a light emitting device package.
9 is a diagram illustrating an example of a lighting device including a light emitting device package.

아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein.

명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. Throughout the specification, when a part is said to "include" a certain component, it means that it can further include other components, without excluding other components unless specifically stated otherwise.

그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하고, 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.In order to clearly illustrate the present invention in the drawings, thicknesses are enlarged in order to clearly illustrate various layers and regions, and parts not related to the description are omitted, and like parts are denoted by similar reference numerals throughout the specification .

실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "위(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "위(on)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 간접(indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.In the description of the embodiments, each layer, region, pattern, or structure is formed “on” or “under” of a substrate, each layer (film), region, pad, or pattern. When described as "on" and "under" include both "directly" or "indirectly through" another layer. In addition, the criteria for above or below each layer will be described with reference to the drawings.

이하에서는 도 1 내지 도 3을 참고하여 제1 실시예에 따른 발광소자 패키지를 설명한다.Hereinafter, the light emitting device package according to the first embodiment will be described with reference to FIGS. 1 to 3.

도 1a 및 도 1b는 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광소자 패키지의 상면도이고, 도 2는 도 1의 발광소자 패키지를 Ⅰ-Ⅰ'으로 절단한 단면도이고, 도 3은 도 1의 발광 다이오드의 단면도이다.1A and 1B are top views of a light emitting device package according to a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view of the light emitting device package of FIG. 1 taken along line II ′, and FIG. 3 is light emission of FIG. 1. Cross section of the diode.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 상기 발광 소자 패키지(100)는 몸체(110), 상기 몸체(110) 상에 배치되는 적어도 하나의 발광 소자(120), 그리고 상기 몸체(110) 상에 배치되어, 상기 발광 소자(120)와 전기적으로 연결되는 제1 전극(131) 및 제2 전극(132)을 포함한다.1 to 3, the light emitting device package 100 is disposed on the body 110, at least one light emitting device 120 disposed on the body 110, and the body 110. The first electrode 131 and the second electrode 132 are electrically connected to the light emitting device 120.

상기 발광소자 패키지(100)는 상기 발광 소자(120)를 실장하기 위한 방열 프레(130)임을 포함하며, 상기 발광 소자(120)를 보호하는 수지재(170)를 포함한다.The light emitting device package 100 includes a heat radiation frame 130 for mounting the light emitting device 120, and includes a resin material 170 that protects the light emitting device 120.

상기 몸체(110)는 폴리프탈아미드(PPA:Polyphthalamide)와 같은 수지 재질, 실리콘(Si), 금속 재질, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3), 인쇄회로기판(PCB) 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 상기 몸체(110)는 전도성을 갖는 도체로 형성될 수도 있다. 몸체(110)가 전기 전도성을 갖는 재질인 경우, 몸체(110)의 표면에는 절연막(미도시)이 형성되어 몸체(110)가 제1 전극 및 제2 전극과 전기적으로 쇼트(short)되는 것을 방지하도록 구성될 수 있다. 위에서 바라본 몸체(110)의 둘레 형상은 발광 소자 패키지(100)의 용도 및 설계에 따라 삼각형, 사각형, 다각형, 및 원형 등 다양한 형상을 가질 수 있다.The body 110 may include at least one of a resin material such as polyphthalamide (PPA), silicon (Si), a metal material, photo sensitive glass (PSG), sapphire (Al 2 O 3 ), and a printed circuit board (PCB). It can be formed as one. The body 110 may be formed of a conductive material. When the body 110 is made of an electrically conductive material, an insulating film (not shown) is formed on the surface of the body 110 to prevent the body 110 from being electrically shorted with the first electrode and the second electrode. It can be configured to. The circumferential shape of the body 110 viewed from above may have various shapes such as triangle, rectangle, polygon, and circle depending on the use and design of the light emitting device package 100.

상기 몸체(110)에는 상부가 개방되도록 캐비티(115)가 형성될 수 있다. 상기 캐비티(115)는 예를 들어, 사출 성형에 의해 형성되거나, 에칭에 의해 형성될 수 있다.The body 110 may be formed with a cavity 115 so that an upper portion thereof is opened. The cavity 115 may be formed by, for example, injection molding, or may be formed by etching.

상기 캐비티(115)는 컵 형상, 오목한 용기 형상 등으로 형성될 수 있으며, 그 내측면은 바닥면에 대하여 수직한 측면이거나 경사진 측면이 될 수 있다. 상기 경사진 측면은 상기 몸체(110)에 습식 식각(Wet Etching)을 실시하여 형성된 경우, 50°내지 60°의 경사를 가질 수 있다.The cavity 115 may be formed in a cup shape, a concave container shape, or the like, and an inner side surface thereof may be a vertical side surface or an inclined side surface with respect to the bottom surface. When the inclined side is formed by performing wet etching on the body 110, the inclined side may have a slope of 50 ° to 60 °.

또한, 상기 캐비티(115)를 위에서 바라본 형상은 원형, 사각형, 다각형, 타원형 등의 형상 일 수 있다.In addition, the shape of the cavity 115 as viewed from above may be circular, rectangular, polygonal, elliptical, or the like.

상기 몸체(110) 위에 상기 제1 전극(131), 제2 전극(132) 및 방열 프레임(130)이 형성될 수 있다. 상기 제1 전극(131) 및 상기 제2 전극(132)은 양극과 음극으로 전기적으로 분리되어, 상기 발광 소자(120)에 전원을 제공할 수 있다. 한편, 상기 발광 소자(120)의 설계에 따라, 상기 제1,2 전극(131,132) 외에 복수 개의 전극이 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The first electrode 131, the second electrode 132, and the heat dissipation frame 130 may be formed on the body 110. The first electrode 131 and the second electrode 132 may be electrically separated into an anode and a cathode to provide power to the light emitting device 120. Meanwhile, according to the design of the light emitting device 120, a plurality of electrodes may be formed in addition to the first and second electrodes 131 and 132, but embodiments are not limited thereto.

한편, 상기 제1, 2 전극(131,132)은 상기 캐비티(115) 내에 서로 분리되며 노출되어있으며, 도 2와 같이 몸체(110)의 측면을 감싸며 배면까지 연장되어 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. Meanwhile, the first and second electrodes 131 and 132 are separated from each other in the cavity 115 and are exposed to each other. The first and second electrodes 131 and 132 may be formed to surround the side surface of the body 110 and extend to the rear surface, but are not limited thereto. .

상기 제1, 2 전극(131,132)은 도 1a와 같이 상기 캐비티(115) 바닥면의 폭과 동일한 폭을 갖도록 형성될 수 있으며, 도 1b와 같이 상기 캐비티(115) 바닥면의 폭보다 작은 크기로 형성될 수 있다. The first and second electrodes 131 and 132 may be formed to have a width equal to the width of the bottom surface of the cavity 115 as shown in FIG. 1A, and may be smaller than the width of the bottom surface of the cavity 115 as shown in FIG. 1B. Can be formed.

상기 제1,2전극(131,132)은 단층 구조로 형성될 수 있다. 예를 들어, Cu, Cr, Au, Al, Ag, Sn, Ni, Pt, Pd 중 적어도 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 제1,2 전극(131,132)은 다층 구조로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1,2 전극(131,132)은 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au)이 순차적으로 적층된 Ti/Cu/Ni/Au층 일 수 있으나, 이것에 한정하지 않는다.The first and second electrodes 131 and 132 may have a single layer structure. For example, it may be formed of a metal or an alloy including at least one of Cu, Cr, Au, Al, Ag, Sn, Ni, Pt, and Pd. In addition, the first and second electrodes 131 and 132 may have a multilayer structure. For example, the first and second electrodes 131 and 132 may be a Ti / Cu / Ni / Au layer in which titanium (Ti), copper (Cu), nickel (Ni), and gold (Au) are sequentially stacked. It is not limited to this.

즉, 상기 제1,2 전극(131,132)의 최하층에는 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta)과 같이 상기 몸체와의 접착력이 우수한 재질이 적층되고, 상기 제1,2 전극(131,132)의 최상층에는 금(Au)과 같이 와이어(Wire) 등이 용이하게 부착되며, 전기 전도성이 우수한 재질이 적층되고, 상기 제1,2 전극(131,132)의 최상층과 최하층 사이에는 백금(Pt), 니켈(Ni), 구리(Cu) 등으로 형성되는 확산 방지층(diffusion barrier layer)이 적층될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.That is, a material having excellent adhesion to the body, such as titanium (Ti), chromium (Cr), and tantalum (Ta), is stacked on the lowermost layers of the first and second electrodes 131 and 132, and the first and second electrodes ( Wires, such as gold, are easily attached to the uppermost layers of the 131 and 132, and materials having excellent electrical conductivity are laminated, and platinum (Pt) is disposed between the uppermost and lowermost layers of the first and second electrodes 131 and 132. A diffusion barrier layer formed of nickel (Ni), copper (Cu), or the like may be stacked, but is not limited thereto.

상기 제1,2 전극(131,132)은 도금 방식, 증착 방식, 포토리소그래피 등을 이용하여 선택적으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The first and second electrodes 131 and 132 may be selectively formed using a plating method, a deposition method, a photolithography, and the like, but are not limited thereto.

또한, 상기 제1,2 전극(131,132)은 전도성 연결부재인 와이어(122)가 부착되어, 상기 제1,2 전극(131,132)을 상기 발광 소자(120)와 전기적으로 연결할 수 있다.In addition, the first and second electrodes 131 and 132 may be attached with a wire 122, which is a conductive connecting member, to electrically connect the first and second electrodes 131 and 132 to the light emitting device 120.

한편, 도 1 및 도 2에 도시된 것처럼, 상기 제1,2 전극(131,132)의 혼동 없이 구분하기 위해, 상기 몸체(110)에는 캐쏘드 마크(cathode mark)가 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 1 and 2, a cathode mark may be formed on the body 110 to distinguish the first and second electrodes 131 and 132 without confusion. I do not.

상기 제1, 2 전극(131, 132) 사이에 방열 프레임(130)이 배치되어 있다.The heat dissipation frame 130 is disposed between the first and second electrodes 131 and 132.

상기 방열 프레임(130)은 평면 형상을 가지고, 상기 캐비티(115) 내에 노출되어 있으며, 상기 발광 소자(120)를 직접 실장한다. The heat dissipation frame 130 has a planar shape, is exposed in the cavity 115, and directly mounts the light emitting device 120.

상기 방열 프레임(130)은 상기 제1 및 제2 전극(131, 132)과 동일한 물질로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 상기 방열 프레임(130)은 상기 제1 및 제2 전극(131, 132)보다 열전도성이 높은 물질로 형성될 수도 있다.The heat dissipation frame 130 may be formed of the same material as the first and second electrodes 131 and 132, but is not limited thereto. The heat dissipation frame 130 may be formed of a material having a higher thermal conductivity than the first and second electrodes 131 and 132.

상기 방열 프레임(130)은 도 2와 같이 상기 제1 및 제2 전극(131, 132)의 하부에 형성되어 있으며, 가장자리 영역의 일부가 상기 제1, 2 전극(131, 132)과 중첩되도록 배치된다.The heat dissipation frame 130 is formed under the first and second electrodes 131 and 132 as shown in FIG. 2, and a portion of the edge region overlaps with the first and second electrodes 131 and 132. do.

중첩되는 폭(d2)은 상기 방열 프레임(130)의 폭(d1)에 대하여 일 수 있다.The overlapping width d2 may be the width d1 of the heat dissipation frame 130.

상기 방열 프레임(130)과 상기 제1 및 제2 전극(131, 132) 사이에는 절연층(140)이 형성되어 있다.An insulating layer 140 is formed between the heat radiating frame 130 and the first and second electrodes 131 and 132.

상기 절연층(140)은 절연 접착제를 이용하여 형성할 수 있다.The insulating layer 140 may be formed using an insulating adhesive.

상기 절연층(140)은 몸체(110)와 서로 다른 물질로서, 접착성 수지, 접착성 무기물을 포함하는 접착제로 구성될 수 있다. The insulating layer 140 may be formed of a different material from the body 110 and an adhesive including an adhesive resin and an adhesive inorganic material.

일 예로, 상기 몸체(110)가 PPA로 형성될 때, 상기 절연층(140)은 SiO2를 포함하는 접착제일 수 있다.For example, when the body 110 is formed of PPA, the insulating layer 140 may be an adhesive including SiO 2 .

이와 같이, 상기 방열 프레임(130)과 상기 제1 및 제2 전극(131, 132) 사이에 별도의 절연층(140)을 형성함으로써, 방열 프레임(130) 상부로 솔더 및 수분이 침투하는 것을 차단할 수 있다.As such, by forming a separate insulating layer 140 between the heat dissipation frame 130 and the first and second electrodes 131 and 132, it is possible to prevent solder and moisture from penetrating into the heat dissipation frame 130. Can be.

상기 몸체(110)의 캐비티(115)의 측면에는 반사층(도시하지 않음)이 형성될 수 있다. A reflective layer (not shown) may be formed on the side surface of the cavity 115 of the body 110.

상기 발광 소자(120)는 상기 캐비티(115) 내의 방열 프레임(130) 위에 탑재될 수 있다. The light emitting device 120 may be mounted on the heat dissipation frame 130 in the cavity 115.

상기 발광 소자(120)는 상기 발광소자 패키지(100)의 설계에 따라 적어도 하나가 상기 방열 프레임(130) 상에 탑재될 수 있다. 상기 발광소자 패키지(100)가 복수 개 탑재된 경우, 복수 개의 발광소자 패키지(100)에 전원을 공급하는 복수 개의 전극(131, 132) 이 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.At least one light emitting device 120 may be mounted on the heat radiation frame 130 according to the design of the light emitting device package 100. When a plurality of light emitting device packages 100 are mounted, a plurality of electrodes 131 and 132 for supplying power to the plurality of light emitting device packages 100 may be formed, but is not limited thereto.

발광 소자(120)는 와이어 본딩, 다이 본딩, 플립 본딩 방식을 선택적으로 이용하여 탑재할 수 있으며, 이러한 본딩 방식은 칩 종류 및 칩의 전극 위치에 따라 변경될 수 있다.The light emitting device 120 may be mounted using a wire bonding, die bonding, or flip bonding method, and the bonding method may be changed according to the chip type and the electrode position of the chip.

또한, 도 1과 같이 와이어 본딩에 의해 제1 및 제2 전극(131, 132)과 부착하는 경우, 상기 방열 프레임(130)과 제1 및 제2 전극(131, 132)가 상하방향으로 중첩되어으로 와이어(122)의 길이가 줄어들어 비용이 절감될 수 있다. In addition, as shown in FIG. 1, when the first and second electrodes 131 and 132 are attached to each other by wire bonding, the heat dissipation frame 130 and the first and second electrodes 131 and 132 overlap each other in the vertical direction. As a result, the length of the wire 122 may be reduced, thereby reducing the cost.

발광 소자(120)는 III족과 V족 원소의 화합물 반도체 예컨대 AlInGaN, InGaN, GaN, GaAs, InGaP, AllnGaP, InP, InGaAs 등의 계열의 반도체를 이용하여 제조된 반도체 발광소자를 선택적으로 포함할 수 있다.  The light emitting device 120 may selectively include a semiconductor light emitting device manufactured using a compound semiconductor of Group III and Group V elements, such as AlInGaN, InGaN, GaN, GaAs, InGaP, AllnGaP, InP, InGaAs, and the like. have.

도 3을 참고하면, 발광 소자(120)는 기판(251), 제1도전형 반도체층(253), 활성층(255), 제2도전형 반도체층(257), 전극층(259)을 포함한다.Referring to FIG. 3, the light emitting device 120 includes a substrate 251, a first conductive semiconductor layer 253, an active layer 255, a second conductive semiconductor layer 257, and an electrode layer 259.

상기 기판(251)은 투광성, 절연성 또는 도전성 기판을 이용할 수 있으며, 예컨대, 사파이어(Al2O3), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge, Ga2O3, LiGaO3 중 적어도 하나를 이용할 수 있다. 상기 기판(251)의 상면에는 복수의 돌출부가 형성될 수 있으며, 상기의 복수의 돌출부는 상기 기판(251)의 식각을 통해 형성하거나, 별도의 러프니스와 같은 광 추출 구조로 형성될 수 있다. 상기 돌출부는 스트라이프 형상, 반구형상, 또는 돔(dome) 형상을 포함할 수 있다. 상기 기판(251)의 두께는 30㎛~300㎛ 범위로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The substrate 251 may be a light transmissive, insulating or conductive substrate, for example, sapphire (Al 2 O 3 ), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge, Ga 2 O 3 , LiGaO 3 At least one of may be used. A plurality of protrusions may be formed on an upper surface of the substrate 251, and the plurality of protrusions may be formed by etching the substrate 251 or may be formed of a light extraction structure such as a separate roughness. The protrusion may include a stripe shape, a hemispherical shape, or a dome shape. The thickness of the substrate 251 may be formed in the range of 30㎛ ~ 300㎛, but is not limited thereto.

상기 기판(251) 위에는 버퍼층(도시하지 않음)이 형성되며, 상기 버퍼층은 2족 내지 6족 화합물 반도체를 이용하여 적어도 한 층으로 형성될 수 있다. 상기 버퍼층은 III족-V족 화합물 반도체를 이용한 반도체층을 포함하며, 예컨대, InxAlyGa1 -x-yN (0=x=1, 0=y=1, 0=x+y=1)의 조성식을 갖는 반도체로서, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN 등과 같은 화합물 반도체 중 적어도 하나를 포함한다. 상기 버퍼층은 서로 다른 반도체층을 교대로 배치하여 초 격자 구조로 형성될 수 있다.A buffer layer (not shown) is formed on the substrate 251, and the buffer layer may be formed of at least one layer using a group 2 to 6 compound semiconductor. The buffer layer includes a semiconductor layer using a group III-V compound semiconductor, for example, In x Al y Ga 1 -xy N (0 = x = 1, 0 = y = 1, 0 = x + y = 1) As a semiconductor having a compositional formula of, at least one of compound semiconductors such as GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN and the like. The buffer layer may be formed in a super lattice structure by alternately arranging different semiconductor layers.

상기 버퍼층은 상기 기판(251)과 질화물 계열의 반도체층과의 격자 상수의 차이를 완화시켜 주기 위해 형성될 수 있으며, 결함 제어층으로 정의될 수 있다. 상기 버퍼층은 상기 기판(251)과 질화물 계열의 반도체층 사이의 격자 상수 사이의 값을 가질 수 있다. The buffer layer may be formed to mitigate the difference in lattice constant between the substrate 251 and the nitride-based semiconductor layer, and may be defined as a defect control layer. The buffer layer may have a value between a lattice constant between the substrate 251 and the nitride-based semiconductor layer.

상기 버퍼층 위에는 제1도전형 반도체층(253)이 형성될 수 있다. 상기 제1도전형 반도체층(253)은 제1도전형 도펀트가 도핑된 3족-5족 화합물 반도체로 구현되며, 예컨대 nxAlyGa1 -x- yN (0=x=1, 0=y=1, 0=x+y=1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있다. 상기 제1도전형 반도체층(253)이 N형 반도체층인 경우, 상기 제1도전형의 도펀트는 N형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, Te를 포함한다. The first conductive semiconductor layer 253 may be formed on the buffer layer. The first conductive semiconductor layer 253 is implemented as a group III -5 V compound semiconductor with a first conductivity type dopant doped, for example, n x Al y Ga 1 -x- y N (0 = x = 1, 0 = y = 1, 0 = x + y = 1). When the first conductive semiconductor layer 253 is an N-type semiconductor layer, the dopant of the first conductive type is an N-type dopant and includes Si, Ge, Sn, Se, and Te.

상기 버퍼층과 상기 제1도전형 반도체층(253) 사이에는 반도체층이 형성되며, 상기 반도체층은 서로 다른 제1층과 제2층이 교대로 배치된 초격자 구조로 형성될 수 있으며, 상기 제1층과 제2층의 두께는 수 Å이상으로 형성될 수 있다.A semiconductor layer may be formed between the buffer layer and the first conductive semiconductor layer 253, and the semiconductor layer may have a superlattice structure in which different first and second layers are alternately arranged. The thickness of the first layer and the second layer can be formed in several kPa or more.

상기 제1도전형 반도체층(253)과 상기 활성층(255) 사이에는 제1도전형 클래드층(미도시)이 형성될 수 있다. 상기 제1도전형 클래드층은 GaN계 반도체로 형성될 수 있으며, 그 밴드 갭은 상기 활성층(255)의 장벽층의 밴드 갭 이상으로 형성될 수 있다. 이러한 제1도전형 클래드층은 캐리어를 구속시켜 주는 역할을 한다. A first conductive cladding layer (not shown) may be formed between the first conductive semiconductor layer 253 and the active layer 255. The first conductive clad layer may be formed of a GaN-based semiconductor, and the band gap may be formed to be greater than or equal to the band gap of the barrier layer of the active layer 255. The first conductive clad layer serves to constrain the carrier.

상기 제1도전형 반도체층(253) 위에는 활성층(255)이 형성된다. 상기 활성층(255)은 이중 접합, 단일 양자 우물, 다중 양자 우물(MQW), 양자 선, 양자 점 구조 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 상기 활성층(255)은 우물층/장벽층이 교대로 배치되며, 상기 우물층/장벽층의 주기는 예컨대, InGaN/GaN, AlGaN/GaN, InGaN/AlGaN, InGaN/InGaN의 적층 구조를 이용하여 2~30주기로 형성될 수 있다. An active layer 255 is formed on the first conductive semiconductor layer 253. The active layer 255 may be formed of at least one of a double junction, a single quantum well, a multi quantum well (MQW), a quantum line, and a quantum dot structure. The active layer 255 has a well / barrier layer alternately disposed, and the period of the well layer / barrier layer is 2 using a stacked structure of InGaN / GaN, AlGaN / GaN, InGaN / AlGaN, InGaN / InGaN. It may be formed in ~ 30 cycles.

상기 활성층(255) 위에는 제2도전형 클래드층이 형성되며, 상기 제2도전형 클래드층은 상기 활성층(255)의 장벽층의 밴드 갭보다 더 높은 밴드 갭을 가지며, III족-V족 화합물 반도체 예컨대, GaN 계 반도체로 형성될 수 있다.A second conductive cladding layer is formed on the active layer 255, and the second conductive cladding layer has a higher band gap than the band gap of the barrier layer of the active layer 255, and a group III-V compound semiconductor. For example, it may be formed of a GaN-based semiconductor.

상기 제2도전형 클래드층 위에는 제2도전형 반도체층(257)이 형성되며, 상기 제2도전형 반도체층(257)은 제2도전형의 도펀트를 포함한다. 상기 제2도전형 반도체층(257)은 예컨대, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN 등과 같은 화합물 반도체 중 어느 하나로 이루어질 수 있다. 상기 제2도전형 반도체층(257)이 P형 반도체층인 경우, 상기 제2도전형 도펀트는 P형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등을 포함할 수 있다. A second conductive semiconductor layer 257 is formed on the second conductive cladding layer, and the second conductive semiconductor layer 257 includes a dopant of a second conductive type. The second conductive semiconductor layer 257 may be formed of any one of compound semiconductors such as GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, and the like. When the second conductive semiconductor layer 257 is a P-type semiconductor layer, the second conductive dopant may be a P-type dopant and may include Mg, Zn, Ca, Sr, and Ba.

발광 구조물 내에서 상기 제1도전형과 상기 제2도전형의 전도성 타입은 상기의 구조와 반대로 형성될 수 있으며, 예컨대 상기 제2도전형의 반도체층(257)은 N형 반도체층, 상기 제1도전형 반도체층(253)은 P형 반도체층으로 구현될 수 있다. 또한 상기 제2도전형 반도체층(257) 위에는 상기 제2도전형과 반대의 극성을 갖는 제3도전형 반도체층인 N형 반도체층이 더 형성할 수도 있다. 발광소자(250)는 상기 제1도전형 반도체층(253), 활성층(255) 및 상기 제2도전형 반도체층(257)을 발광 구조물(220)로 정의할 수 있으며, 상기 발광 구조물(220)은 N-P 접합 구조, P-N 접합 구조, N-P-N 접합 구조, P-N-P 접합 구조 중 어느 한 구조로 구현할 수 있다. 상기 N-P 및 P-N 접합은 2개의 층 사이에 활성층이 배치되며, N-P-N 접합 또는 P-N-P 접합은 3개의 층 사이에 적어도 하나의 활성층을 포함하게 된다.In the light emitting structure, the conductive type of the first conductive type and the second conductive type may be formed to be opposite to the structure described above. For example, the second conductive type semiconductor layer 257 may be an N type semiconductor layer and the first type. The conductive semiconductor layer 253 may be implemented as a P-type semiconductor layer. In addition, an N-type semiconductor layer, which is a third conductive semiconductor layer having a polarity opposite to that of the second conductive type, may be further formed on the second conductive semiconductor layer 257. The light emitting device 250 may define the first conductive semiconductor layer 253, the active layer 255, and the second conductive semiconductor layer 257 as the light emitting structure 220, and the light emitting structure 220. May be implemented as any one of an NP junction structure, a PN junction structure, an NPN junction structure, and a PNP junction structure. The N-P and P-N junctions have an active layer disposed between the two layers, and the N-P-N junction or P-N-P junction includes at least one active layer between the three layers.

상기 제1도전형 반도체층(253) 위에 제1전극 패드가 형성되며, 상기 제2도전형 반도체층(257) 위에 전극층(259) 및 제2전극 패드가 형성된다. A first electrode pad is formed on the first conductive semiconductor layer 253, and an electrode layer 259 and a second electrode pad are formed on the second conductive semiconductor layer 257.

상기 전극층(259)은 전류 확산층으로서, 투과성 및 전기 전도성을 가지는 물질로 형성될 수 있다. 상기 전극층(259)은 화합물 반도체층의 굴절률보다 낮은 굴절률로 형성될 수 있다. The electrode layer 259 is a current diffusion layer and may be formed of a material having transparency and electrical conductivity. The electrode layer 259 may be formed to have a refractive index lower than that of the compound semiconductor layer.

상기 전극층(259)은 상기 제2도전형 반도체층(257)의 상면에 형성되며, 그 물질은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), ZnO, IrOx, RuOx, NiO 등 중에서 선택되며, 적어도 한 층으로 형성될 수 있다. 상기 전극층(259)은 다른 예로서, 반사 전극층으로 형성될 수 있으며, 그 물질은 예컨대, Al, Ag, Pd, Rh, Pt, Ir와 같은 금속 물질 중에서 선택적으로 형성될 수 있다. The electrode layer 259 is formed on an upper surface of the second conductive semiconductor layer 257, and the material may be indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO), or indium aluminum zinc oxide (IGZO), indium gallium zinc oxide (IGZO), indium gallium tin oxide (IGTO), aluminum zinc oxide (AZO), antimony tin oxide (ATO), gallium zinc oxide (GZO), ZnO, IrOx, RuOx, NiO, etc. It may be selected from, and may be formed of at least one layer. As another example, the electrode layer 259 may be formed as a reflective electrode layer, and the material may be selectively formed among metal materials such as, for example, Al, Ag, Pd, Rh, Pt, and Ir.

상기 제1전극 패드와 상기 제2전극 패드는 전도성 물질로서, Ti, Ru, Rh, Ir, Mg, Zn, Al, In, Ta, Pd, Co, Ni, Si, Ge, Ag 및 Au와 이들의 선택적인 합금 중에서 선택될 수 있다.The first electrode pad and the second electrode pad are conductive materials and include Ti, Ru, Rh, Ir, Mg, Zn, Al, In, Ta, Pd, Co, Ni, Si, Ge, Ag, Au, and their It can be chosen from the optional alloys.

상기 발광 소자(120)의 표면에 절연층이 더 형성될 수 있으며, 상기 절연층은 발광 소자의 층간 쇼트(short)를 방지하고, 습기 침투를 방지할 수 있다. An insulating layer may be further formed on the surface of the light emitting device 120, and the insulating layer may prevent an interlayer short of the light emitting device and prevent moisture penetration.

상기 발광 소자(120)를 덮으며 상기 캐비티(115) 내에 상기 캐비티(115)를 매립하는 몰딩재(170)를 포함한다.A molding material 170 covering the light emitting device 120 and filling the cavity 115 in the cavity 115 is included.

상기 몰딩재(170)는 투광성 물질로 형성되며, 몸체(110)의 상부까지 형성된다. The molding material 170 is formed of a light transmissive material and is formed up to an upper portion of the body 110.

상기 몰딩재(170)는 투광성 수지 내에 형광체가 분산되어 있는 구조를 가지며, 상기 형광체는 상기 발광 소자(120)로부터 방출되는 빛의 파장을 변화하여 다른 파장의 빛으로 방출한다.The molding member 170 has a structure in which phosphors are dispersed in the light transmitting resin, and the phosphors emit light having different wavelengths by changing the wavelength of light emitted from the light emitting device 120.

예컨대, 발광 소자(120)가 청색 발광 다이오드이고, 형광체가 황색 형광체인 경우 황색 형광체는 청색 빛에 의해 여기되어 백색의 빛을 생성할 수 있다. 발광 소자(120)가 자외선(UV)을 방출하는 경우에는, Red, Green, Blue 삼색의 형광체가 첨가되어 백색광을 구현할 수도 있다. For example, when the light emitting device 120 is a blue light emitting diode and the phosphor is a yellow phosphor, the yellow phosphor may be excited by blue light to generate white light. When the light emitting device 120 emits ultraviolet (UV) light, red, green, and blue phosphors may be added to realize white light.

이하에서는 도 4 내지 도 7을 참고하여 다른 실시예를 설명한다.Hereinafter, another embodiment will be described with reference to FIGS. 4 to 7.

도 4를 참조하면, 상기 발광 소자 패키지(100A)는 몸체(110), 상기 몸체(110) 상에 배치되는 적어도 하나의 발광 소자(120), 그리고 상기 몸체(110) 상에 배치되어, 상기 발광 소자(120)와 전기적으로 연결되는 제1 전극(131) 및 제2 전극(132), 그리고 상기 발광 소자를 지지하는 방열 프레임(130A)을 포함한다.Referring to FIG. 4, the light emitting device package 100A is disposed on the body 110, at least one light emitting device 120 disposed on the body 110, and on the body 110. A first electrode 131 and a second electrode 132 electrically connected to the device 120 and a heat dissipation frame 130A supporting the light emitting device.

또한, 상기 발광 소자 패키지는(100A)는 상기 발광 소자(120)를 보호하는 수지재(170)를 포함한다.In addition, the light emitting device package 100A includes a resin material 170 that protects the light emitting device 120.

상기 몸체(110)는 폴리프탈아미드(PPA:Polyphthalamide)와 같은 수지 재질, 실리콘(Si), 금속 재질, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3), 인쇄회로기판(PCB) 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. The body 110 may include at least one of a resin material such as polyphthalamide (PPA), silicon (Si), a metal material, photo sensitive glass (PSG), sapphire (Al 2 O 3 ), and a printed circuit board (PCB). It can be formed as one.

상기 캐비티(115)는 컵 형상, 오목한 용기 형상 등으로 형성될 수 있으며, 그 내측면은 바닥면에 대하여 수직한 측면이거나 경사진 측면이 될 수 있다. 상기 경사진 측면은 상기 몸체(110)에 습식 식각(Wet Etching)을 실시하여 형성된 경우, 50°내지 60°의 경사를 가질 수 있다.The cavity 115 may be formed in a cup shape, a concave container shape, or the like, and an inner side surface thereof may be a vertical side surface or an inclined side surface with respect to the bottom surface. When the inclined side is formed by performing wet etching on the body 110, the inclined side may have a slope of 50 ° to 60 °.

상기 몸체(110) 위에 상기 제1 전극(131) 및 제2 전극(132)이 형성될 수 있다. 상기 제1 전극(131) 및 상기 제2 전극(132)은 양극과 음극으로 전기적으로 분리되어, 상기 발광 소자(120)에 전원을 제공할 수 있다. 한편, 상기 제1, 2 전극(131,132)은 상기 캐비티(115) 내에 서로 분리되며 노출되어있으며, 도 2와 같이 몸체(110)의 측면을 감싸며 배면까지 연장되어 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. The first electrode 131 and the second electrode 132 may be formed on the body 110. The first electrode 131 and the second electrode 132 may be electrically separated into an anode and a cathode to provide power to the light emitting device 120. Meanwhile, the first and second electrodes 131 and 132 are separated from each other in the cavity 115 and are exposed to each other. The first and second electrodes 131 and 132 may be formed to surround the side surface of the body 110 and extend to the rear surface, but are not limited thereto. .

또한, 상기 제1,2 전극(131,132)은 전도성 연결부재인 와이어(122)가 부착되어, 상기 제1,2 전극(131,132)을 상기 발광 소자(120)와 전기적으로 연결할 수 있다.In addition, the first and second electrodes 131 and 132 may be attached with a wire 122, which is a conductive connecting member, to electrically connect the first and second electrodes 131 and 132 to the light emitting device 120.

상기 제1, 2 전극(131, 132) 사이에 방열 프레임(130A)이 배치되어 있다.The heat dissipation frame 130A is disposed between the first and second electrodes 131 and 132.

상기 방열 프레임(130A)은 상기 캐비티(115) 내에 노출되어 있으며, 상기 발광 소자(120)를 직접 실장한다. The heat radiating frame 130A is exposed in the cavity 115 and directly mounts the light emitting device 120.

상기 방열 프레임(130A)은 상기 제1 및 제2 전극(131, 132)과 동일한 물질로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 상기 방열 프레임(130A)은 상기 제1 및 제2 전극(131, 132)보다 열전도성이 높은 물질로 형성될 수도 있다.The heat radiation frame 130A may be formed of the same material as the first and second electrodes 131 and 132, but is not limited thereto. The heat dissipation frame 130A may be formed of a material having a higher thermal conductivity than the first and second electrodes 131 and 132.

상기 방열 프레임(130A)은 도 4와 같이 상기 제1 및 제2 전극(131, 132)보다 하부에 형성되어 있으며, 일부가 상기 제1, 2 전극(131, 132)과 중첩되도록 배치된다.The heat dissipation frame 130A is formed below the first and second electrodes 131 and 132 as shown in FIG. 4, and part of the heat dissipation frame 130A overlaps the first and second electrodes 131 and 132.

상기 방열 프레임(130A)은 상기 발광 소자를 실장하기 위한 실장홈을 포함하며, 상기 실장홈은 상기 방열 프레임(130A)의 하면이 몸체(110) 바닥면에 노출되도록 함몰되어 있다.The heat dissipation frame 130A includes a mounting groove for mounting the light emitting device, and the mounting groove is recessed to expose the bottom surface of the heat dissipation frame 130A to the bottom surface of the body 110.

이와 같이, 방열 프레임(130A)이 몸체(110)의 바닥면에 노출되어 기판과 솔더링을 통해 직접 부착됨으로써 상기 발광 소자(120)의 발열을 기판으로 직접 전달할 수 있어 방열성이 향상된다.As such, the heat dissipation frame 130A is directly exposed to the bottom surface of the body 110 and directly attached to the substrate through soldering, so that heat generation of the light emitting device 120 can be directly transmitted to the substrate, thereby improving heat dissipation.

상기 방열 프레임(130A)과 상기 제1 및 제2 전극(131, 132) 사이에는 절연층(140A)이 형성되어 있다.An insulating layer 140A is formed between the heat radiating frame 130A and the first and second electrodes 131 and 132.

상기 절연층(140A)은 절연 접착제를 이용하여 형성할 수 있다.The insulating layer 140A may be formed using an insulating adhesive.

상기 절연층(140A)은 몸체와 서로 다른 물질로서, 접착성 수지, 접착성 무기물을 포함하는 접착제로 구성될 수 있다. The insulating layer 140A may be formed of a different material from the body and an adhesive including an adhesive resin and an adhesive inorganic material.

일 예로, 상기 몸체(110)가 PPA로 형성될 때, 상기 절연층(140A)은 SiO2를 포함하는 접착제일 수 있다.For example, when the body 110 is formed of PPA, the insulating layer 140A may be an adhesive including SiO 2 .

이와 같이, 상기 방열 프레임(130A)과 상기 제1 및 제2 전극(131, 132) 사이에 별도의 절연층(140A)을 형성함으로써, 방열 프레임(130A) 상부로 솔더 및 수분이 침투하는 것을 차단할 수 있다.As such, by forming a separate insulating layer 140A between the heat dissipation frame 130A and the first and second electrodes 131 and 132, it is possible to block solder and moisture from penetrating into the heat dissipation frame 130A. Can be.

상기 발광 소자(120)를 덮으며 상기 캐비티(115) 내에 상기 캐비티(115)를 매립하는 몰딩재(170)를 포함한다.A molding material 170 covering the light emitting device 120 and filling the cavity 115 in the cavity 115 is included.

상기 몰딩재(170)는 투광성 물질로 형성되며, 몸체(110)의 상부까지 형성된다. The molding material 170 is formed of a light transmissive material and is formed up to an upper portion of the body 110.

상기 몰딩재(170)는 투광성 수지 내에 형광체가 분산되어 있는 구조를 가지며, 상기 형광체는 상기 발광 소자(120)로부터 방출되는 빛의 파장을 변화하여 다른 파장의 빛으로 방출한다.The molding member 170 has a structure in which phosphors are dispersed in the light transmitting resin, and the phosphors emit light having different wavelengths by changing the wavelength of light emitted from the light emitting device 120.

예컨대, 발광 소자(120)가 청색 발광 다이오드(150)이고, 형광체가 황색 형광체인 경우 황색 형광체는 청색 빛에 의해 여기되어 백색의 빛을 생성할 수 있다. 발광 소자(120)가 자외선(UV)을 방출하는 경우에는, Red, Green, Blue 삼색의 형광체가 첨가되어 백색광을 구현할 수도 있다. For example, when the light emitting device 120 is the blue light emitting diode 150 and the phosphor is a yellow phosphor, the yellow phosphor may be excited by blue light to generate white light. When the light emitting device 120 emits ultraviolet (UV) light, red, green, and blue phosphors may be added to realize white light.

한편, 도 5의 발광소자 패키지(100B)의 경우, 몸체(110), 상기 몸체(110) 상에 배치되는 적어도 하나의 발광 소자(120), 그리고 상기 몸체(110) 상에 배치되어, 상기 발광 소자(120)와 전기적으로 연결되는 제1 전극(131) 및 제2 전극(132), 그리고 상기 발광 소자를 지지하는 방열 프레임(130B)을 포함한다.Meanwhile, in the light emitting device package 100B of FIG. 5, the light emitting device package 100B is disposed on the body 110, the at least one light emitting device 120 disposed on the body 110, and the light emitting device 110. The first electrode 131 and the second electrode 132 electrically connected to the device 120, and a heat dissipation frame 130B for supporting the light emitting device.

또한, 상기 발광 소자 패키지는(100B)는 상기 발광 소자(120)를 보호하는 수지재(170)를 포함한다.In addition, the light emitting device package 100B includes a resin material 170 that protects the light emitting device 120.

이하에서는 도 1의 실시예와 동일한 구성에 대한 설명은 생략한다.Hereinafter, a description of the same configuration as in the embodiment of FIG. 1 will be omitted.

발광소자 패키지(100B)의 방열 프레임(130B)은 도 5와 같이 평편한 형상을 가진다.The heat radiation frame 130B of the light emitting device package 100B has a flat shape as shown in FIG. 5.

상기 방열 프레임(130B)은 캐비티(115)의 바닥면으로부터 함몰되어 몸체(110)의 바닥면과 동일 평면 상에 배치됨으로써 몸체(110)의 바닥면에 외부로 노출되어 있다.The heat dissipation frame 130B is recessed from the bottom surface of the cavity 115 and disposed on the same plane as the bottom surface of the body 110, thereby being exposed to the bottom surface of the body 110.

상기 방열 프레임(130B)의 상면에는 발광 소자(120)가 부착되어 있으며, 상기 방열 프레임(130B)과 제1 및 제2 전극(131, 132)의 중첩 영역에는 접착성 절연층(140B)이 형성되어 있다.A light emitting device 120 is attached to an upper surface of the heat dissipation frame 130B, and an adhesive insulating layer 140B is formed in an overlapping region of the heat dissipation frame 130B and the first and second electrodes 131 and 132. It is.

이와 같이 접착성 절연층(140B)이 두껍게 형성되어 제1 및 제2 전극(131, 132)과 상기 방열 프레임(130B) 사이를 절연함으로써 상기 방열 프레임(130B)을 따라 캐비티(115) 내부로 침투하는 수분 및 솔더를 방지할 수 있다.As such, the adhesive insulating layer 140B is formed thick to insulate between the first and second electrodes 131 and 132 and the heat dissipation frame 130B, thereby penetrating into the cavity 115 along the heat dissipation frame 130B. To prevent moisture and solder.

상기 절연층(140B)의 높이는 상기 몸체(110)의 하부의 높이와 동일할 수 있다. The height of the insulating layer 140B may be the same as the height of the lower portion of the body 110.

한편, 도 6의 상기 발광 소자 패키지(100C)는 몸체(110), 상기 몸체(110) 상에 배치되는 적어도 하나의 발광 소자(120), 그리고 상기 몸체(110) 상에 배치되어, 상기 발광 소자(120)와 전기적으로 연결되는 제1 전극(131) 및 제2 전극(132), 그리고 상기 발광 소자를 지지하는 방열 프레임(130C)을 포함한다.Meanwhile, the light emitting device package 100C of FIG. 6 is disposed on the body 110, at least one light emitting device 120 disposed on the body 110, and on the body 110. A first electrode 131 and a second electrode 132 electrically connected to the 120 and a heat dissipation frame 130C supporting the light emitting device.

또한, 상기 발광 소자 패키지는(100C)는 상기 발광 소자(120)를 보호하는 수지재(170)를 포함한다.In addition, the light emitting device package 100C includes a resin material 170 that protects the light emitting device 120.

이하에서는 도 1의 실시예와 동일한 구성에 대한 설명은 생략한다.Hereinafter, a description of the same configuration as in the embodiment of FIG. 1 will be omitted.

발광소자 패키지(100C)의 방열 프레임은 도 6과 같이 평편한 형상을 가진다.The heat dissipation frame of the light emitting device package 100C has a flat shape as shown in FIG. 6.

상기 방열 프레임(130C)은 캐비티(115)의 바닥면으로부터 함몰되어 몸체(110)의 바닥면과 동일 평면 상에 배치됨으로써 몸체(110)의 바닥면에 외부로 노출되어 있다.The heat dissipation frame 130C is recessed from the bottom surface of the cavity 115 and is disposed on the same plane as the bottom surface of the body 110, thereby being exposed to the bottom surface of the body 110.

상기 방열 프레임(130C)의 상면에는 발광 소자(120)가 부착되어 있으며, 상기 방열 프레임(130C)과 제1 및 제2 전극(131, 132)의 중첩 영역에는 접착성 절연층(140C) 및 접착성 도전층(141)이 형성되어 있다.A light emitting device 120 is attached to an upper surface of the heat dissipation frame 130C, and an adhesive insulating layer 140C and an adhesive are formed on an overlapping region of the heat dissipation frame 130C and the first and second electrodes 131 and 132. The castle conductive layer 141 is formed.

상기 발광 소자(120C)가 도 3과 같은 수평형 발광 소자가 아닌 수직형 발광 소자로서, 상기 방열 프레임(130C)과 전기적으로 통전되도록 부착되는 경우, 제1 전극(131)과 방열 프레임(130C)은 상기 접착성 도전층(141)에 의해 통전되고, 상기 제2 전극(132)과 발광 소자(120)는 와이어(122)를 통해 통전된다.When the light emitting device 120C is a vertical light emitting device other than the horizontal light emitting device as illustrated in FIG. 3, and is attached to be electrically connected to the heat radiating frame 130C, the first electrode 131 and the heat radiating frame 130C may be used. Is energized by the adhesive conductive layer 141, and the second electrode 132 and the light emitting element 120 are energized through the wire 122.

이때, 상기 접착성 도전층(141)은 전기전도성이 높은 금속재로 형성될 수 있으며, 전도성 필러가 포함되어 있는 전도성 접착제를 이용하여 형성될 수도 있다.In this case, the adhesive conductive layer 141 may be formed of a metal material having high electrical conductivity, or may be formed using a conductive adhesive including a conductive filler.

한편, 상기 방열 프레임(130C)과 제2 전극(132) 사이의 접착성 절연층(140C)은 도 1과 같이 수지 또는 무기물이 포함되어 있는 접착제를 이용할 수 있다.Meanwhile, the adhesive insulating layer 140C between the heat dissipation frame 130C and the second electrode 132 may use an adhesive including a resin or an inorganic material as shown in FIG. 1.

이와 같이 수직형 발광 소자를 적용 하는 경우, 일 전극과의 연결을 전도성접착(141)제를 통해 형성할 수 있으며, 이와 달리 제1 전극(131)과 방열 프레임(130C)을 일체로 형성할 수도 있다.When the vertical light emitting device is applied as described above, the connection with one electrode may be formed through the conductive adhesive 141. Alternatively, the first electrode 131 and the heat dissipation frame 130C may be integrally formed. have.

한편, 도 7의 상기 발광 소자 패키지(100D)는 몸체(110), 상기 몸체(110) 상에 배치되는 적어도 하나의 발광 소자(120), 그리고 상기 몸체(110) 상에 배치되어, 상기 발광 소자(120)와 전기적으로 연결되는 제1 전극(131) 및 제2 전극(132), 그리고 상기 발광 소자를 지지하는 방열 프레임(130D)을 포함한다.Meanwhile, the light emitting device package 100D of FIG. 7 is disposed on the body 110, at least one light emitting device 120 disposed on the body 110, and the body 110. A first electrode 131 and a second electrode 132 electrically connected to the 120 and a heat dissipation frame 130D for supporting the light emitting device.

또한, 상기 발광 소자 패키지는(100D)는 상기 발광 소자(120)를 보호하는 수지재(170)를 포함한다.In addition, the light emitting device package 100D includes a resin material 170 that protects the light emitting device 120.

이하에서는 도 1의 실시예와 동일한 구성에 대한 설명은 생략한다.Hereinafter, a description of the same configuration as in the embodiment of FIG. 1 will be omitted.

상기 방열 프레임(130D)은 캐비티(115)의 바닥면으로부터 함몰되어 몸체(110)의 바닥면과 동일 평면 상에 배치됨으로써 몸체(110)의 바닥면에 외부로 노출되어 있다.The heat dissipation frame 130D is recessed from the bottom surface of the cavity 115 and disposed on the same plane as the bottom surface of the body 110, thereby being exposed to the bottom surface of the body 110.

상기 방열 프레임(130D)의 상면에는 발광 소자(120)가 부착되어 있으며, 상기 방열 프레임(130D)과 제1 및 제2 전극(131, 132)의 중첩되는 경사부가 형성되어 있다.The light emitting device 120 is attached to an upper surface of the heat dissipation frame 130D, and an inclined portion overlapping the heat dissipation frame 130D and the first and second electrodes 131 and 132 is formed.

상기 경사부는 도 7과 같이 하방으로 경사지게 형성되어 있어 상기 제1 및 제2 전극(131, 132)과 평행하게 형성되지 않는다.The inclined portion is formed to be inclined downward as shown in FIG. 7, so that the inclined portion is not formed in parallel with the first and second electrodes 131 and 132.

상기 경사부는 상기 제1 및 제2 전극(131, 132)과 경사를 가짐으로써 솔더의 침투를 방지할 수 있다.The inclined portion may have an inclination with the first and second electrodes 131 and 132 to prevent penetration of solder.

또한 상기 경사부는 복수의 절곡을 가짐으로써 솔더의 침투 경로를 연장하여 솔더가 발광 소자까지 침투하는 것을 방지할 수 있다.In addition, the inclined portion may have a plurality of bends to extend the penetration path of the solder to prevent the solder from penetrating to the light emitting device.

실시예에 따른 발광소자 패키지는 라이트 유닛에 적용될 수 있다. 상기 라이트 유닛은 복수의 발광 소자 패키지가 어레이된 구조를 포함하며, 도 8에 도시된 표시 장치, 도 9에 도시된 조명 장치를 포함하고, 조명등, 신호등, 차량 전조등, 전광판, 지시등과 같은 유닛에 적용될 수 있다.The light emitting device package according to the embodiment may be applied to the light unit. The light unit includes a structure in which a plurality of light emitting device packages are arranged, and includes a display device as shown in FIG. 8 and a lighting device as shown in FIG. 9, and include a light unit, a signal lamp, a vehicle headlight, an electric signboard, and an indicator light. Can be applied.

도 8은 실시 예에 따른 표시 장치의 분해 사시도이다. 8 is an exploded perspective view of the display device according to the embodiment.

도 8을 참조하면, 표시 장치(1000)는 도광판(1041)과, 상기 도광판(1041)에 빛을 제공하는 발광 모듈(1031)와, 상기 도광판(1041) 아래에 반사 부재(1022)와, 상기 도광판(1041) 위에 광학 시트(1051)와, 상기 광학 시트(1051) 위에 표시 패널(1061)과, 상기 도광판(1041), 발광 모듈(1031) 및 반사 부재(1022)를 수납하는 바텀 커버(1011)를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.Referring to FIG. 8, the display device 1000 includes a light guide plate 1041, a light emitting module 1031 providing light to the light guide plate 1041, a reflective member 1022 under the light guide plate 1041, and the light guide plate 1041. A bottom cover 1011 that houses an optical sheet 1051 on the light guide plate 1041, a display panel 1061 on the optical sheet 1051, the light guide plate 1041, a light emitting module 1031, and a reflective member 1022. ), But is not limited thereto.

상기 바텀 커버(1011), 반사시트(1022), 도광판(1041), 광학 시트(1051)는 라이트 유닛(1050)으로 정의될 수 있다.The bottom cover 1011, the reflective sheet 1022, the light guide plate 1041, and the optical sheet 1051 can be defined as a light unit 1050.

상기 도광판(1041)은 상기 발광 모듈(1031)로부터 제공된 빛을 확산시켜 면광원화 시키는 역할을 한다. 상기 도광판(1041)은 투명한 재질로 이루어지며, 예를 들어, PMMA(polymethyl metaacrylate)와 같은 아크릴 수지 계열, PET(polyethylene terephthlate), PC(poly carbonate), COC(cycloolefin copolymer) 및 PEN(polyethylene naphthalate) 수지 중 하나를 포함할 수 있다. The light guide plate 1041 serves to diffuse the light provided from the light emitting module 1031 to make a surface light source. The light guide plate 1041 is made of a transparent material, for example, acrylic resin-based such as polymethyl metaacrylate (PMMA), polyethylene terephthlate (PET), polycarbonate (PC), cycloolefin copolymer (COC), and polyethylene naphthalate (PEN). It may include one of the resins.

상기 발광모듈(1031)은 상기 도광판(1041)의 적어도 일 측면에 배치되어 상기 도광판(1041)의 적어도 일 측면에 빛을 제공하며, 궁극적으로는 표시 장치의 광원으로써 작용하게 된다.The light emitting module 1031 is disposed on at least one side of the light guide plate 1041 to provide light to at least one side of the light guide plate 1041, and ultimately serves as a light source of the display device.

상기 발광모듈(1031)은 적어도 하나를 포함하며, 상기 도광판(1041)의 일 측면에서 직접 또는 간접적으로 광을 제공할 수 있다. 상기 발광 모듈(1031)은 기판(1033)과 상기에 개시된 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(100)를 포함하며, 상기 발광 소자 패키지(100)는 상기 기판(1033) 상에 소정 간격으로 어레이될 수 있다. 상기 기판은 인쇄회로기판(printed circuit board)일 수 있지만, 이에 한정하지 않는다. 또한 상기 기판(1033)은 메탈 코어 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성 PCB(FPCB, Flexible PCB) 등을 포함할 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광 소자 패키지(100)는 상기 바텀 커버(1011)의 측면 또는 방열 플레이트 상에 탑재될 경우, 상기 기판(1033)은 제거될 수 있다. 상기 방열 플레이트의 일부는 상기 바텀 커버(1011)의 상면에 접촉될 수 있다. 따라서, 발광 소자 패키지(100)에서 발생된 열은 방열 플레이트를 경유하여 바텀 커버(1011)로 방출될 수 있다.The light emitting module 1031 may include at least one, and may provide light directly or indirectly at one side of the light guide plate 1041. The light emitting module 1031 may include a substrate 1033 and a light emitting device package 100 according to the above-described embodiment, and the light emitting device package 100 may be arrayed on the substrate 1033 at predetermined intervals. have. The substrate may be a printed circuit board, but is not limited thereto. In addition, the substrate 1033 may include a metal core PCB (MCPCB, Metal Core PCB), flexible PCB (FPCB, Flexible PCB) and the like, but is not limited thereto. When the light emitting device package 100 is mounted on the side surface of the bottom cover 1011 or the heat dissipation plate, the substrate 1033 may be removed. A part of the heat radiation plate may be in contact with the upper surface of the bottom cover 1011. Therefore, heat generated in the light emitting device package 100 may be discharged to the bottom cover 1011 via the heat dissipation plate.

상기 복수의 발광 소자 패키지(100)는 상기 기판(1033) 상에 빛이 방출되는 출사면이 상기 도광판(1041)과 소정 거리 이격되도록 탑재될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광 소자 패키지(100)는 상기 도광판(1041)의 일측면인 입광부에 광을 직접 또는 간접적으로 제공할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The plurality of light emitting device packages 100 may be mounted on the substrate 1033 such that an emission surface on which light is emitted is spaced apart from the light guide plate 1041 by a predetermined distance, but is not limited thereto. The light emitting device package 100 may directly or indirectly provide light to a light incident portion that is one side of the light guide plate 1041, but is not limited thereto.

상기 도광판(1041) 아래에는 상기 반사 부재(1022)가 배치될 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 도광판(1041)의 하면으로 입사된 빛을 반사시켜 상기 표시 패널(1061)로 공급함으로써, 상기 표시 패널(1061)의 휘도를 향상시킬 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 예를 들어, PET, PC, PVC 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 바텀 커버(1011)의 상면일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The reflective member 1022 may be disposed under the light guide plate 1041. The reflective member 1022 reflects the light incident on the lower surface of the light guide plate 1041 and supplies the reflected light to the display panel 1061 to improve the brightness of the display panel 1061. The reflective member 1022 may be formed of, for example, PET, PC, or PVC resin, but is not limited thereto. The reflective member 1022 may be an upper surface of the bottom cover 1011, but is not limited thereto.

상기 바텀 커버(1011)는 상기 도광판(1041), 발광모듈(1031) 및 반사 부재(1022) 등을 수납할 수 있다. 이를 위해, 상기 바텀 커버(1011)는 상면이 개구된 박스(box) 형상을 갖는 수납부(1012)가 구비될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 바텀 커버(1011)는 탑 커버(미도시)와 결합될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The bottom cover 1011 may house the light guide plate 1041, the light emitting module 1031, the reflective member 1022, and the like. To this end, the bottom cover 1011 may be provided with a housing portion 1012 having a box-like shape with an opened upper surface, but the present invention is not limited thereto. The bottom cover 1011 may be coupled to a top cover (not shown), but is not limited thereto.

상기 바텀 커버(1011)는 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있으며, 프레스 성형 또는 압출 성형 등의 공정을 이용하여 제조될 수 있다. 또한 상기 바텀 커버(1011)는 열 전도성이 좋은 금속 또는 비 금속 재료를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The bottom cover 1011 may be formed of a metal material or a resin material, and may be manufactured using a process such as press molding or extrusion molding. In addition, the bottom cover 1011 may include a metal or a non-metal material having good thermal conductivity, but the present invention is not limited thereto.

상기 표시 패널(1061)은 예컨대, LCD 패널로서, 서로 대향되는 투명한 재질의 제 1 및 제 2기판, 그리고 제 1 및 제 2기판 사이에 개재된 액정층을 포함한다. 상기 표시 패널(1061)의 적어도 일면에는 편광판이 부착될 수 있으며, 이러한 편광판의 부착 구조로 한정하지는 않는다. 상기 표시 패널(1061)은 상기 발광 모듈(1031)로부터 제공된 광을 투과 또는 차단시켜 정보를 표시하게 된다. 이러한 표시 장치(1000)는 각 종 휴대 단말기, 노트북 컴퓨터의 모니터, 랩탑 컴퓨터의 모니터, 텔레비전과 같은 영상 표시 장치에 적용될 수 있다. The display panel 1061 is, for example, an LCD panel, and includes a first and second substrates of transparent materials facing each other, and a liquid crystal layer interposed between the first and second substrates. A polarizing plate may be attached to at least one surface of the display panel 1061, but the present invention is not limited thereto. The display panel 1061 displays information by transmitting or blocking light provided from the light emitting module 1031. The display device 1000 can be applied to video display devices such as portable terminals, monitors of notebook computers, monitors of laptop computers, and televisions.

상기 광학 시트(1051)는 상기 표시 패널(1061)과 상기 도광판(1041) 사이에 배치되며, 적어도 한 장 이상의 투광성 시트를 포함한다. 상기 광학 시트(1051)는 예컨대 확산 시트(diffusion sheet), 수평 및 수직 프리즘 시트(horizontal/vertical prism sheet), 및 휘도 강화 시트(brightness enhanced sheet) 등과 같은 시트 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 또는/및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 상기 표시 패널(1061)로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다. 또한 상기 표시 패널(1061) 위에는 보호 시트가 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The optical sheet 1051 is disposed between the display panel 1061 and the light guide plate 1041 and includes at least one light-transmitting sheet. The optical sheet 1051 may include at least one of a sheet such as a diffusion sheet, a horizontal / vertical prism sheet, a brightness enhanced sheet, and the like. The diffusion sheet diffuses incident light, and the horizontal and / or vertical prism sheet concentrates incident light on the display panel 1061. The brightness enhancing sheet reuses the lost light to improve the brightness I will. A protective sheet may be disposed on the display panel 1061, but the present invention is not limited thereto.

상기 발광 모듈(1031)의 광 경로 상에는 광학 부재로서, 상기 도광판(1041), 및 광학 시트(1051)를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The light guide plate 1041 and the optical sheet 1051 may be included as an optical member on the optical path of the light emitting module 1031, but are not limited thereto.

도 9는 실시 예에 따른 조명 장치의 사시도이다.9 is a perspective view of a lighting apparatus according to an embodiment.

도 9를 참조하면, 조명 장치(1500)는 케이스(1510)와, 상기 케이스(1510)에 설치된 발광모듈(1530)과, 상기 케이스(1510)에 설치되며 외부 전원으로부터 전원을 제공받는 연결 단자(1520)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 9, the lighting device 1500 may include a case 1510, a light emitting module 1530 installed in the case 1510, and a connection terminal installed in the case 1510 and receiving power from an external power source. 1520).

상기 케이스(1510)는 방열 특성이 양호한 재질로 형성되며, 예를 들어 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있다.The case 1510 may be formed of a material having good heat dissipation characteristics, for example, a metal material or a resin material.

상기 발광 모듈(1530)은 기판(1532)과, 상기 기판(1532)에 탑재되는 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(100)를 포함할 수 있다. 상기 발광 소자 패키지(100)는 복수개가 매트릭스 형태 또는 소정 간격으로 이격되어 어레이될 수 있다. The light emitting module 1530 may include a substrate 1532 and a light emitting device package 100 according to an embodiment mounted on the substrate 1532. The plurality of light emitting device packages 100 may be arranged in a matrix form or spaced apart at predetermined intervals.

상기 기판(1532)은 절연체에 회로 패턴이 인쇄된 것일 수 있으며, 예를 들어, 일반 인쇄회로기판(PCB: Printed Circuit Board), 메탈 코아(Metal Core) PCB, 연성(Flexible) PCB, 세라믹 PCB, FR-4 기판 등을 포함할 수 있다. The substrate 1532 may be a circuit pattern printed on an insulator. For example, a general printed circuit board (PCB), a metal core PCB, a flexible PCB, a ceramic PCB, FR-4 substrates and the like.

또한, 상기 기판(1532)은 빛을 효율적으로 반사하는 재질로 형성되거나, 표면이 빛이 효율적으로 반사되는 컬러, 예를 들어 백색, 은색 등의 코팅층될 수 있다.In addition, the substrate 1532 may be formed of a material that reflects light efficiently, or a surface may be coated with a color, for example, white or silver, in which the light is efficiently reflected.

상기 기판(1532) 상에는 적어도 하나의 발광 소자 패키지(100)가 탑재될 수 있다. 상기 발광 소자 패키지(100) 각각은 적어도 하나의 LED(LED: Light Emitting Diode) 칩을 포함할 수 있다. 상기 LED 칩은 적색, 녹색, 청색 또는 백색 등과 같은 가시 광선 대역의 발광 다이오드 또는 자외선(UV, Ultra Violet)을 발광하는 UV 발광 다이오드를 포함할 수 있다.At least one light emitting device package 100 may be mounted on the substrate 1532. Each of the light emitting device packages 100 may include at least one light emitting diode (LED) chip. The LED chip may include a light emitting diode in a visible light band such as red, green, blue, or white, or a UV light emitting diode emitting ultraviolet (UV) light.

상기 발광모듈(1530)은 색감 및 휘도를 얻기 위해 다양한 발광 소자 패키지(100)의 조합을 가지도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 고 연색성(CRI)을 확보하기 위해 백색 발광 다이오드, 적색 발광 다이오드 및 녹색 발광 다이오드를 조합하여 배치할 수 있다.The light emitting module 1530 may be arranged to have a combination of various light emitting device packages 100 to obtain color and luminance. For example, a white light emitting diode, a red light emitting diode, and a green light emitting diode may be combined to secure high color rendering (CRI).

상기 연결 단자(1520)는 상기 발광모듈(1530)과 전기적으로 연결되어 전원을 공급할 수 있다. 상기 연결 단자(1520)는 소켓 방식으로 외부 전원에 돌려 끼워져 결합되지만, 이에 대해 한정하지는 않는다. 예를 들어, 상기 연결 단자(1520)는 핀(pin) 형태로 형성되어 외부 전원에 삽입되거나, 배선에 의해 외부 전원에 연결될 수도 있는 것이다.The connection terminal 1520 may be electrically connected to the light emitting module 1530 to supply power. The connection terminal 1520 is inserted into and coupled to an external power source in a socket manner, but is not limited thereto. For example, the connection terminal 1520 may be formed in a pin shape and inserted into an external power source, or may be connected to the external power source by a wire.

이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, It belongs to the scope of right.

발광소자 패키지 100, 100A, 100B, 100C, 100D
발광 소자 120
몸체 110
방열 프레임 130, 130A, 130B, 130C, 130DLight emitting device package 100, 100A, 100B, 100C, 100D
Light emitting element 120
Body 110
Heat dissipation frame 130, 130A, 130B, 130C, 130D

Claims (16)

캐비티를 포함하는 몸체,
상기 캐비티 내에 배치되는 방열 프레임,
상기 캐비티 내에 상기 방열 프레임을 중심으로 양측에 위치하는 제1 전극 및 제2 전극,
상기 방열 프레임 위에 배치되는 적어도 하나의 발광 소자, 그리고
상기 방열 프레임과 상기 제1 및 제2 전극 사이에 상기 몸체와 다른 물질로 형성되는 절연성 접착층을 포함하는 발광소자 패키지.A body containing a cavity,
A heat dissipation frame disposed in the cavity,
First and second electrodes positioned at both sides of the heat dissipation frame in the cavity;
At least one light emitting element disposed on the heat dissipation frame, and
A light emitting device package comprising an insulating adhesive layer formed of a material different from the body between the heat dissipation frame and the first and second electrodes. 제1항에 있어서,
상기 발광 소자를 덮으며 상기 캐비티에 위치하는 투광성 수지층을 더 포함하는 발광소자 패키지. The method of claim 1,
A light emitting device package covering the light emitting device and further comprising a translucent resin layer positioned in the cavity. 제2항에 있어서,
상기 제1 및 제2 전극과 상기 방열 프레임은 일부가 상하방향으로 중첩되어 있는 발광소자 패키지. The method of claim 2,
Part of the first and second electrodes and the heat dissipation frame are overlapped in the vertical direction. 제3항에 있어서,
상기 절연성 접착층은 상기 제1 및 제2 전극과 상기 방열 프레임의 중첩 영역에 위치하는 발광소자 패키지. The method of claim 3,
The insulating adhesive layer is a light emitting device package located in the overlapping region of the first and second electrodes and the heat dissipation frame. 제4항에 있어서,
상기 중첩 영역은 상기 방열 프레임의 가장자리 영역인 발광소자 패키지. 5. The method of claim 4,
The overlapping region is a light emitting device package of the edge region of the heat radiation frame. 제5항에 있어서,
상기 절연성 접착층은 SiO2를 포함하는 발광소자 패키지. The method of claim 5,
The insulating adhesive layer is a light emitting device package containing SiO 2 . 제6항에 있어서,
상기 방열 프레임은 상기 캐비티 내에 적어도 하나의 평탄부를 가지는 발광소자 패키지. The method according to claim 6,
The heat radiation frame has a light emitting device package having at least one flat portion in the cavity. 제6항에 있어서,
상기 방열 프레임은 상기 캐비티 내에 상기 발광 소자를 실장하는 수용부를포함하는 발광소자 패키지The method according to claim 6,
The heat dissipation frame includes a light emitting device package including a receiving unit to mount the light emitting device in the cavity. 제8항에 있어서,
상기 방열 프레임은 상기 몸체의 바닥면에 노출되어 있는 발광소자 패키지. 9. The method of claim 8,
The heat dissipation frame is a light emitting device package is exposed on the bottom surface of the body. 제7항에 있어서,
상기 평탄부 중 적어도 하나의 면은 상기 몸체 바닥면과 동일 평면 상에 평편하게 위치하는 발광소자 패키지.The method of claim 7, wherein
At least one surface of the flat portion is a light emitting device package is located on the same plane as the bottom surface of the body. 제6항에 있어서,
상기 제1 또는 제2 전극 중 하나는 상기 방열 프레임과전기적으로 통전하는 발광소자 패키지. The method according to claim 6,
One of the first or second electrode is a light emitting device package electrically conducting the heat radiation frame. 제11항에 있어서,
상기 발광 소자와 상기 방열 프레임이 전기적으로 통전하는 발광소자 패키지. The method of claim 11,
The light emitting device package electrically conducting the light emitting device and the heat dissipation frame. 제5항에 있어서,
상기 방열 프레임의 상기 중첩 영역 중 적어도 일부는 몸체 내에 위치하는 경사부를 가지는 발광소자 패키지. The method of claim 5,
At least a portion of the overlapping area of the heat dissipation frame has a light emitting device package having a slope located in the body. 제13항에 있어서,
상기 경사부는 적어도 하나의 절곡을 가지는 발광소자 패키지. The method of claim 13,
The inclined portion has a light emitting device package having at least one bent. 제1항에 있어서,
상기 제1 및 제2 전극과 상기 방열 프레임은 동일한 물질로 형성되어 있는 발광소자 패키지. The method of claim 1,
The first and second electrodes and the heat dissipation frame are formed of the same material. 제1항 내지 제15항 중 어느 한 항의 발광소자 패키지
를 포함하는 조명 장치.
The light emitting device package of any one of claims 1 to 15
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