KR101947251B1 - Emib 칩 상호접속을 위한 방법, 전자 어셈블리 및 장치 - Google Patents

Emib 칩 상호접속을 위한 방법, 전자 어셈블리 및 장치 Download PDF

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    • H01L2224/16111—Disposition the bump connector being disposed in a recess of the surface
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    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/16227—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bond pad of the item
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    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/16237—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bonding area disposed in a recess of the surface of the item
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    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/16238—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bonding area protruding from the surface of the item
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    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
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    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/812—Applying energy for connecting
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    • H01L2224/81203—Thermocompression bonding, e.g. diffusion bonding, pressure joining, thermocompression welding or solid-state welding
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    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
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    • H01L2224/81385—Shape, e.g. interlocking features
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    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/8138—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
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    • H01L2224/81438—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
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Abstract

집적 회로(IC)를 IC 패키지 기판에 부착하기 위한 방법은, IC 다이의 본드 패드 상에 솔더 범프를 형성하는 단계와, IC 패키지 기판의 본드 패드 상에 솔더 웨이팅 돌출부를 형성하는 단계와, IC 패키지 기판의 솔더 웨이팅 돌출부에 IC 다이의 솔더 범프를 본딩하는 단계를 포함한다.

Description

EMIB 칩 상호접속을 위한 방법, 전자 어셈블리 및 장치{METHOD, ELECTRONIC ASSEMBLY AND APPARATUS FOR EMIB CHIP INTERCONNECTIONS}
실시예들은 집적 회로의 패키징에 관한 것이다. 일부 실시예들은 패키징된 집적 회로를 위한 솔더 본드에 관한 것이다.
전자 디바이스는 기판 또는 마더보드와 같은 서브 어셈블리에 접속된 집적 회로(IC)를 종종 포함한다. IC가 상위 레벨의 어셈블리 내에 포함되기 이전에 IC는 IC 패키지 내로 삽입되어 제 1 레벨 어셈블리를 형성할 수 있다. 제 1 레벨 어셈블리는 하나 이상의 IC 다이의 컨택 패드로부터 IC 패키지의 컨택 패드로의 전자적 연속성(continuity)를 제공하는 제 1 레벨 상호접속부(first level interconnect: FLI)를 포함할 수 있다.
전자 시스템이 더 복잡하게 설계됨에 따라, 전자 디바이스에 요구되는 크기 제약사항을 충족시키는데 어려움이 있다. 일부 제조업자들은 패키징되는 IC 다이 보다 미세한 피치(finer pitch)를 갖는 IC 패키지 내에 FLI를 포함시킨다. 피처 공간(feature spacing)이 감소됨에 따라, IC 다이를 IC 패키지에 부착하는데 사용되는 현재 방법은 어려움이 있고 리스크가 증가한다. 이는 패키징 프로세스의 낮은 수율로 이어질 수 있다. 따라서, IC의 패키징에 대한 공간 도전과제들을 해결하고 또한 강건하고 비용 효율적인 설계를 제공하는 디바이스, 시스템 및 방법이 전반적으로 필요하다.
반드시 축적에 따라 도시된 것은 아닌 도면들에서, 유사 부호는 상이한 관점들에서 유사한 컴포넌트들을 설명할 수도 있다. 상이한 접미사를 갖는 유사 부호는 상이한 예시들에 관한 유사한 컴포넌트를 나타낼 수도 있다. 도면은 전반적으로 본 문서에 설명되는 다양한 예들을 제한이 아닌 예시로써 도시한다.
도 1은 IC 패키지 기판에 대한 IC 부착에 관한 간략화된 예를 도시한다.
도 2는 IC 패키지 기판에 대한 IC 부착에 관한 다른 예를 도시한다.
도 3은 일부 실시예들에 따라 IC 패키지 기판에 대한 IC 부착을 위한 방법에 관한 일 예의 다이어그램을 도시한다.
도 4는 일부 실시예들에 따라 IC 패키지 기판에 대한 IC 부착에 관한 또 다른 예를 도시한다.
도 5는 일부 실시예들에 따라 IC 패키지 기판에 대한 IC 부착에 관한 또 다른 예를 도시한다.
도 6은 일부 실시예들에 따라 IC 및 IC 패키지 기판에 관한 간략화된 예시를 도시한다.
도 7은 일부 실시예들에 따라 자동 레이저 직접 증착 스테이션에 관한 예의 일부를 도시한다.
도 8은 적어도 하나의 IC 부착을 포함하는 전자 디바이스 및/또는 적어도 하나의 실시예에 따른 방법에 관한 예에 관한 블록도이다.
IC를 다이 패키징에 부착하기 위한 기존 접근법은 솔더 볼 또는 범프를 IC 다이 상에 형성하는 것(솔더 온 다이 또는 SoD) 및 그 이후 IC 패키지의 기판의 본드 패드에 솔더 볼을 본딩하는 것을 포함한다. 더 밀집한 패키징을 수용하도록 IC 패키지 기판의 피처 크기가 더 미세해짐에 따라 문제가 발생할 수 있다. 예를 들어, 복수의 다이가 프로세서 IC 및 메모리 IC와 같은 단일 IC 패키지 내에 포함될 수도 있다. 다이 사이의 FLI의 피처 크기는 개별 IC 다이의 피처 크기보다 더 작아야할 수도 있다. 피처 크기의 미스매치는 솔더 범프들 사이의 브리징(bridging)으로 이어질 수도 있다.
도 1은 IC 패키지 기판에 대한 IC 부착에 관한 간략화된 예를 도시한다. IC 본드 패드(115)에 부착된 솔더 범프(110)를 갖는 IC 다이(105)는 기판 본드 패드(125)를 갖는 IC 패키지 기판(120)에 본딩되고 있다. IC 다이(105)는 IC 본드 패드(115) 주변의 웨이퍼 레벨 언더필(wafer level under fill: WLUF(130))과 함께 도시된다. 솔더 범프는 가열되어 본딩을 가능하게 한다. 칩 부착 프로세스의 일부로서 다이가 IC 패키지 기판 쪽으로 이동할 때, 솔더 범프(110)는 접촉하기 시작하여 이웃하는 IC 본드 패드(115) 및 이웃하는 기판 본드 패드(125) 중 하나 또는 둘 사이에서 의도치않은 전기적 단락을 형성할 수 있다.
도 2는 IC 패키지 기판에 대한 IC 부착에 관한 다른 예를 도시한다. 본 예에서, IC 패키지 기판(220)은 솔더 마스크(245)를 사용하여 정의되는 기판 본드 패드(225)(즉, 솔더 마스크 형성(solder mask defined) 또는 SMD)를 포함한다. 도면은 본딩 프로세스 동안, 용융 솔더 범프(molten solder bumps)가 계속 납작해지고 다시 접촉하기 시작하여 의도치않은 전기적 단락을 형성할 수 있다. 솔더 범프들 사이의 브리징을 피하는 접근법은 용융 솔더 범프가 접촉을 형성하게 하고 패키지 기판 본드 패드들 상에 놓인 물질을 적시는 것이다.
도 3은 IC 패키지 기판에 IC를 부착하는 방법(300)의 예에 관한 다이어그램을 도시한다. 305에서, 솔더 범프는 IC 다이의 본드 패드 상에 형성된다. 솔더 범프는, 예를 들어, SoD 솔더 볼, 볼 그리드 어레이 또는 BGA 컨택, 또는 C4(controlled collapse chip connection) 솔더 범프일 수도 있다. 솔더 범프는 자동 솔더 범핑 스테이션(automatic solder bumping station)에서 추가될 수도 있다. 솔더 범프는 하나 이상의 IC 다이에 걸쳐 놓인 솔더 마스크를 사용하고 솔더 마스크에 솔더를 적용하여 솔더 범프를 형성하여 추가될 수도 있다. 310에서, 솔더 웨이팅 돌출부(solder-wetting protrusion)가 IC 패키지 기판의 본드 패드 상에 형성된다.
도 4는 솔더 웨이팅 돌출부를 갖는 본드 패드에 관한 예를 도시한다. IC 다이(405) 및 IC 패키지 기판(420)이 도면에 도시된다. IC 패키지 기판은 다수의 기판 본드 패드(425)를 포함하고, 본드 패드는 IC 다이(405)에 대한 전기적 접속을 위한 표면을 포함한다. IC 다이(405)는 하나 이상의 프로세서 및 메모리를 포함할 수도 있다. 간략화를 위해 2개의 본드 패드만이 도면에 도시된다. 예에 도시된 2개의 기판 본드 패드(425)는 솔더 웨이팅 물질의 돌출부(430)를 포함한다. 솔더 웨이팅은 IC 및 IC 패키지 기판의 본드 패드에 부착하는 용융 솔더를 지칭한다. 솔더 웨이팅 물질은 금, 구리, 또는 은 중 적어도 하나 또는 텅스텐, 금, 구리, 또는 은 중 적어도 하나를 포함하는 합금을 포함할 수 있다. 특정 예들에서, 솔더 웨이팅 물질은 솔더 페이스트(paste)를 포함한다.
도 4의 예에서, 솔더는 IC 다이의 IC 본드 패드(415) 상에 위치한다. IC 본드 패드(415)는 용융 솔더를 제공하도록 가열될 수 있다. 기판 본드 패드(425)는 솔더 웨이팅 동안 또한 가열될 수도 있다. 솔더 웨이팅 물질의 돌출부(430)는 기판 본드 패드(425)의 표면으로부터 확장된다. 예에 도시된 돌출부(430)는 총알 형상(bullet-like shape)을 갖지만, 돌출부(430)는 원뿔(cone-like) 형상 또는 실질적 원뿔 형상과 같은 다른 형상을 가질 수도 있다. 실질적 원뿔 형상을 갖는 솔더 웨이팅 돌출부는 기저부(base) 및 첨부(apex)를 가질 수 있고, 기저부의 폭은 첨부의 폭보다 클 수 있다. 그러한 솔더 웨이팅 돌출부(430)는 백 마이크로미터(100 미크론) 이하의 폭을 갖는 기저부를 가질 수도 있다. 다른 예들에서, 솔더 웨이팅 돌출부는 범프 또는 스터드(stud)일 수도 있다. 솔더 웨이팅 돌출부의 폭은 IC 패키지 기판의 본드 패드의 표면의 폭보다 전형적으로 작다.
도 3을 다시 살펴보면, 315에서, IC 다이의 솔더 범프는 IC 패키지 기판의 솔더 웨이팅 돌출부에 본딩된다. 본딩에 관한 예시는 도 4의 우측에 도시된다. IC 다이의 솔더 범프(410)는 용융 솔더 범프를 형성하도록 가열될 수 있다. IC 다이의 솔더 범프(410)는 용융 솔더 범프를 솔더 웨이팅 돌출부와 접촉시킴으로써 솔더 웨이팅 돌출부에 본딩된다. 솔더 범프(410)의 용융 솔더가 솔더 웨이팅 물질의 돌출부와 접촉하게 될 때, 용융 솔더는 기판 본드 패드 쪽으로 위킹(wick)할 수 있고 형상을 변하게 할 수도 있다. 솔더 범프(410)는 솔더 브리징이 발생하기 전에 기판 본드 패드(425) 상의 물질을 적신다. IC와 IC 패키지 기판 사이의 이러한 본딩은 자동 IC 본딩 스테이션을 사용하여 달성될 수 있다. 일부 예들에서, IC 다이의 용융 솔더 범프는 본딩 프로세스의 일부로서 IC 패키지 기판의 솔더 웨이팅 돌출부를 향하여 눌린다. 이러한 타입의 본딩은 IC 패키지 기판에 IC 다이를 본딩하는 자동 TCB(thermal compressive bonding)을 사용하여 구현될 수 있다. 솔더 웨이팅 물질의 돌출부와 솔더 범프(410)의 접촉으로 인해, 압착(pressing) 동안 납작해진 솔더 범프들 사이의 솔더 브리지의 형성이 방지될 수 있다.
도 5는 IC 패키지 기판에 대한 IC 부착에 관한 다른 예를 도시한다. 이러한 예에서, IC 패키지 기판 패키지(520)는 SMD(solder mask define)인 기판 본드 패드(525)를 포함한다. 도 5의 예에 도시된 바와 같이, 솔더 범프(510)는 솔더 브리징이 발생하기 전에 기판 본드 패드(525) 상의 돌출부(530)를 다시 적신다.
도 4 및 도 5의 예에서 하나의 IC 다이만이 도시되지만, 복수의 IC 다이가 프로세서 IC 및 메모리 IC와 같은 단일 IC 패키지에 포함될 수도 있다. 필수 상호접속부를 달성하기 위해 다이 사이의 FLI의 피처 크기가 개별 IC의 피처 크기보다 작아야할 수도 있다.
도 6은 IC들 및 IC 패키지 기판에 관한 예를 도시한다. 2개의 IC(605, 606)는 IC 패키지 기판(620)을 갖는 하나의 IC 패키지에 포함될 수 있다. 이러한 예는 IC들 사이의 본드 패드들과 IC 패키지 기판(620)의 본드 패드들 사이에 다수의 상호접속부(635)를 보여준다. 이 예시는 또한 2개의 IC들 사이의 상호접속을 위한 임베디드 상호접속 브리지(embedded interconnect bridge: EmIB)(640)를 또한 보여준다. IC(605)는 백 마이크로미터(100μm) 다이 상호접속 피치를 갖는 프로세서(예를 들어, 중앙 처리 장치 또는 CPU)를 포함할 수도 있다. IC 패키지 기판(620)은 IC 패키지 내에 제 2 IC(606)에 대한 접속을 수용하도록 65μm 피처(예를 들어, FLI 및 EmIB 중 하나 또는 둘 모두)를 가질 수도 있다. IC 패키지 기판의 본드 패드 상의 하나 이상의 돌출부를 사용하는 솔더 웨이팅은 피처 크기의 미스매치에도 불구하고 솔더 범프들 사이의 브리징을 피할 수 있다.
이전에 본원에서 설명된 솔더 웨이팅 돌출부를 형성하는데 다른 접근법이 사용될 수 있다. 일부 예들에 따라, 본드 패드 상으로의 솔더 웨이팅 돌출부의 레이저 직접 증착에 의해 솔더 웨이팅 돌출부가 본드 패드 상에 형성될 수 있다.
도 7은 자동 레이저 직접 증착 스테이션(700)에 관한 예의 부분들을 도시한다. 증착 스테이션은 레이저 에너지 소스(750) 및 작업편을 홀딩하는 플랫폼을 포함한다. 레이저 에너지 소스(750)는 자외선(UV) 레이저 빔을 제공할 수 있다. 레이저 에너지는 레이저 펄스로 제공될 수 있다. 작업편은 본드 패드(725)를 포함하는 하나 이상의 IC 패키지 기판(720)을 포함할 수도 있다. 레이저 직접 증착 스테이션은 본드 패드 맞은편의 솔더 웨이팅 물질(755)의 필름을 홀딩하는 고정구(fixture)를 포함한다. 레이저 에너지는 솔더 웨이팅 물질(755)의 필름에 인가되어 솔더 웨이팅 물질을 IC 패키지 기판(720)의 본드 패드로 전사한다.
도 7에 도시된 예에서, 솔더 웨이팅 물질(755)의 필름은 한 면에 투명 물질(예를 들어, 유리 또는 투명 플라스틱의 기판)을 다른 측면에 솔더 웨이팅 물질을 포함한다. 레이저 에너지는 필름의 투명한 면에 인가된다. 레이저 에너지 소스(750)는 정해진 크기 및 기간의 레이저 에너지를 인가하여 투명 물질을 통해 솔더 웨이팅 물질을 조사한다(irradiate). 도시된 예에서, 레이저 빔은 레이저 에너지 소스(750)로부터 필름 및 본드 패드로 일직선으로 이동하는 것으로 도시된다. 그러나, 레이저 빔은 레이저 에너지 소스와 필름 사이에서 (예를 들어, 렌즈 또는 미러에 의해) 편향될 수도 있다.
투명 물질과 솔더 웨이팅 물질의 경계면에서의 빠른 기화는 솔더 웨이팅 물질로 하여금 본드 패드 상으로 나아가게 한다. 솔더 플럭스(flux)는 솔더 웨이팅 돌출부의 레이저 증착 이전에 IC 패키지 기판의 본드 패드에 인가될 수 있다. 솔더 플럭스의 추가는 본드 패드에 대한 웨이팅 물질의 접착을 개선할 수 있다. 전사 물질의 공간 크기는 레이저 스폿 크기만큼 작을 수 있고 공간 크기는 대략 수십 미크론일 수 있다. 공간 크기는 또한 필름 상의 전사 물질의 두께에 의해 그리고 본드 패드로부터의 필름의 거리에 의해 결정될 수 있다. 돌출부를 형성하는데 있어서 레이저 직접 증착 프로세스의 몇몇 이점은 프로세스가 마스크 없이 행해지고 다양한 물질을 사용하여 구현될 능력을 갖는다는 것이다. 레이저 에너지는 패키지 기판 본드 패드 상의 물질을 녹이거나 리플로우(reflow)하는데 또한 사용될 수 있다.
레이저 에너지 소스는 작업편에 대하여 이동가능할 수 있거나 작업편이 레이저 에너지 소스에 대하여 이동가능할 수 있다. 일부 예들에서, 레이저 에너지 소스(750)는 본드 패드(725) 맞은편의 솔더 웨이팅 물질(755)의 필름 상의 위치들에 대해 스캔가능하다. 레이저 에너지의 펄스는 솔더 웨이팅 물질의 필름에 인가되어 복수의 본드 패드로 솔더 웨이팅 물질을 전사할 수 있다. 특정 예들에서, 레이저 에너지 소스 및 작업편 양자는 실질적으로 정지되고 레이저 에너지는 레이저 에너지를 필름 상의 위치들로 안내하도록 렌즈 또는 미러를 제어함으로써 솔더 웨이팅 물질의 필름에 걸쳐 스캐닝되어 솔더 웨이팅 물질을 전사한다. 특정 예들에서, 레이저 에너지는 필름에 대해 (예를 들어, 갈바노 메커니즘(galvo mechanism)에 의해) 빠른 속도로 래스터(raster) 스캐닝된다. 레이저 에너지의 래스터 스캐닝을 위해, 수천 포인트 또는 위치가 초마다 스캐닝될 수 있다.
일부 예들에서, 작업편은 레이저 에너지 소스에 대하여 이동가능할 수 있다. 플랫폼은 솔더 웨이팅 물질 필름을 스캐닝할 수도 있고 하나 이상의 IC 패키지 기판은 레이저 에너지 소스를 지나간다. 본드 패드가 레이저 에너지 소스 맞은편에 위치될 때 레이저 에너지의 펄스는 투명 물질 필름에 인가되어 솔더 웨이팅 물질을 본드 패드 상으로 전사한다. 레이저 에너지 소스에 대해 작업편을 이동시키는 이러한 접근법은 래스터 스캔 접근법보다 전형적으로 느리다.
솔더 웨이팅 물질의 돌출부를 본드 패드 상에 형성하도록 다른 방법이 사용될 수 있다. 일부 예들에 따라, 솔더 웨이팅 돌출부는 본드 패드 상으로의 솔더 웨이팅 돌출부의 레이저 다이렉트 라이팅(laser direct writing)에 의해 IC 패키지 기판의 본드 패드 상에 형성될 수 있다. 직접 레이저 라이팅 또는 3차원 레이저 리소그래피는 감광 물질을 사용하여 3D 구조를 스캐닝하는 것을 지칭한다. 다른 예들에서, 솔더 웨이팅 돌출부는 솔더 페이스트를 포함할 수 있고 돌출부는 솔더 페이스트 프린팅에 의해 본드 패드 상에 형성될 수 있다. 특정 예들에서, 솔더 웨이팅 돌출부는 금속을 포함할 수 있고, 돌출부는, 예컨대, IC 마스킹 및 금속 증착 프로세스에 의해, 본드 패드 상으로 도금(plated)될 수 있다. 본드 패드 상에 돌출부를 형성하는 다른 방법들은 솔더 웨이팅 물질을 본딩 패드에 와이어 스터드 본딩(wire-stud bonding)하는 것, 솔더 웨이팅 마이크로 볼(solder-wetting micro-ball)을 본드 패드에 부착하는 것, 솔더 웨이팅 마이크로도트(solder-wetting microdot)를 본드 패드에 부착하는 것, 솔더 웨이팅 물질을 본드 패드 상으로 솔더 젯팅(solder jetting)하는 것, 및 솔더 웨이팅 물질을 본드 패드 상으로 인젝션 몰딩(injection molding)하는 것을 포함한다.
더 높은 레벨의 디바이스 응용을 보여주기 위해 본 개시물에서 설명된 바와 같은 솔더 웨이팅 돌출부 및 반도체 칩 어셈블리를 사용하는 전자 디바이스에 관한 예가 포함된다. 도 8은 적어도 하나의 솔더를 포함하는 전자 디바이스(800) 및 적어도 하나의 실시예에 따른 방법의 예에 관한 블록도이다. 전자 디바이스(800)는 실시예들이 사용될 수 있는 전자 시스템에 관한 하나의 예일 뿐이다. 전자 디바이스(800)에 관한 예들은, 퍼스널 컴퓨터, 태블릿 컴퓨터, 이동 전화, 게임 디바이스, MP3 또는 다른 디지털 뮤직 플레이어 등을 포함하나 이로 제한되지 않는다. 이러한 예에서, 전자 디바이스(800)는 시스템의 다양한 컴포넌트들을 연결하는 시스템 버스(802)를 포함하는 데이터 프로세싱 시스템을 포함한다. 시스템 버스(802)는 전자 디바이스(800)의 다양한 컴포넌트들 사이에 통신 링크를 제공하고 단일 버스로서, 버스들의 조합으로서, 또는 임의의 다른 적합한 방식으로 구현될 수 있다.
전자 어셈블리(810)는 시스템 버스(802)에 연결된다. 전자 어셈블리(810)는 임의의 회로 또는 회로들의 조합을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 전자 어셈블리(810)는 임의의 타입일 수 있는 프로세서(812)를 포함한다. 본원에 사용되는 바와 같이, "프로세서"는 임의의 타입의 컴퓨터 회로, 예컨대, 마이크로프로세서, 마이크로컨트롤러, 복합 명령어 세트 컴퓨팅(complex instruction set computing: CISC) 마이크로프로세서, 축소 명령어 세트 컴퓨팅(reduced instruction set computing: RISC) 마이크로프로세서, 긴 명령어 워드(very long instruction word: VLIW) 마이크로프로세서, 그래픽 프로세서, 디지털 신호 프로세서(digital signal processor: DSP), 멀티코어 프로세서, 또는 임의의 다른 타입의 프로세서 또는 프로세싱 회로를 의미한다.
전자 어셈블리(810)에 포함될 수 있는 다른 타입의 회로는, 전용 회로(custom circuit), 주문형 집적 회로(application-specific integrated circuit: ASIC) 또는 유사한 것, 예를 들어, 무선 전화, 개인 정보 단말기(personal data assistants), 휴대용 컴퓨터, 양방향 무선장치, 및 유사한 전자 시스템과 같은 무선 디바이스에서의 사용을 위한 하나 이상의 회로(예컨대, 통신 회로(814))이다. IC는 임의의 다른 타입의 기능을 수행할 수 있다.
전자 디바이스(800)는 랜덤 액세스 메모리(RAM)의 형태인 메인 메모리(822)와 같이 특정 애플리케이션에 적합한 하나 이상의 메모리 요소를 포함할 수 있는 외부 메모리(820), 하나 이상의 하드 드라이브(824), 및/또는 착탈가능 매체(826), 예컨대, 컴팩트 디스크(CD), 플래시 메모리 카드, 디지털 비디오 디스크(DVD) 등을 다루는 하나 이상의 드라이브를 또한 포함할 수 있다.
전자 디바이스(800)는 디스플레이 디바이스(816), 하나 이상의 스피커(818), 및 키보드 및/또는 마우스, 트랙볼, 터치 스크린, 음성 인식 디바이스를 포함할 수 있는 컨트롤러(830), 또는 시스템 사용자가 전자 디바이스(800)에 정보를 입력하고 그로부터 정보를 수신할 수 있게 하는 임의의 다른 디바이스를 또한 포함할 수 있다.
증가하는 디바이스 기능에 대한 수요와 함께 더 작은 전자 디바이스에 대한 수요는 IC 패키징에 대한 도전과제를 만든다. 앞서 설명된 바와 같이, IC 패키지의 피처 크기가 더 미세해져서 더 빽빽한 패키징을 수용해야 할 때 문제가 발생한다. 예를 들어, 다이 사이의 피처 크기는 개별 IC 다이의 피처 크기보다 작아야할 필요가 있을 수도 있다. 피처 크기의 미스매치는 솔더 범프들 사이의 브리징으로 이어질 수도 있다. IC 패키지 기판의 본드 패드 상의 솔더 웨이팅 물질의 하나 이상의 돌출부를 사용하는 솔더 웨이팅은 피처 사이즈의 미스매치에도 불구하고 솔더 범프들 사이의 브리징을 방지할 수 있다.
추가 노트 및 예
본원에 개시된 방법 및 장치를 더 잘 설명하기 위해, 예들에 대한 비제한적 리스트가 아래에서 제공된다.
예 1은, IC 다이의 본드 패드(bond pad) 상에 솔더 범프(solder bump)를 형성하는 것과, 상기 IC 패키지 기판의 본드 패드 상에 솔더 웨이팅 돌출부(solder-wetting protrusion)를 형성하는 것과, 상기 IC 패키지 기판의 솔더 웨이팅 돌출부에 상기 IC 다이의 상기 솔더 범프를 본딩하는 것을 포함하는 청구대상(예컨대, 방법, 동작을 수행하기 위한 수단, 또는 동작을 수행하게 하는 머신 판독가능 매체)을 포함할 수 있다.
예 2에서, 예 1의 청구 대상은 상기 IC 패키지 기판의 본드 패드 상에 상기 솔더 웨이팅 돌출부를 형성하는 것이 상기 IC 패키지 기판의 본드 패드 상으로의 상기 솔더 웨이팅 돌출부의 레이저 직접 증착(laser direct deposition)을 포함하는 것을 선택적으로 포함한다.
예 3에서, 예 2의 청구 대상은 상기 IC 패키지 기판의 본드 패드의 맞은편에 솔더 웨이팅 물질 필름을 배치하는 것과, 상기 솔더 웨이팅 물질 필름에 레이저 에너지를 인가하여 상기 IC 패키지 기판의 본드 패드로 상기 솔더 웨이팅 물질을 전사하는 것을 선택적으로 포함한다.
예 4에서, 예 2의 청구 대상은 상기 IC 패키지 기판의 본드 패드 맞은편에, 한 면에 솔더 웨이팅 물질을 갖고 다른 측면에 투명 물질을 갖는 필름을 배치하는 것과, 상기 필름의 투명한 면에 레이저 에너지를 인가하는 것을 선택적으로 포함한다.
예 5에서, 예 3 및 예 4 중 하나 또는 임의의 조합의 청구 대상은 하나 이상의 IC 패키지 기판의 복수의 본드 패드 맞은편에 상기 솔더 웨이팅 물질 필름을 배치하는 것, 상기 복수의 본드 패드 맞은편의 상기 솔더 웨이팅 물질 필름 상의 위치에 레이저 에너지 소스를 스캐닝하는 것 및 상기 솔더 웨이팅 물질 필름에 레이저 에너지의 펄스를 인가하여 상기 복수의 본드 패드에 상기 솔더 웨이팅 물질을 전사하는 것을 선택적으로 포함한다.
예 6에서, 예 3 및 예 4 중 하나 또는 임의의 조합의 청구 대상은 하나 이상의 IC 패키지 기판의 복수의 본드 패드 맞은편에 상기 솔더 웨이팅 물질 필름을 배치하는 것, 상기 레이저 에너지 소스를 지나가는 상기 복수의 본드를 스캐닝하는 것 및 상기 투명 물질 필름에 레이저 에너지 펄스를 인가하여 본드 패드가 상기 레이저 에너지 소스 맞은편에 위치될 때 상기 본드 패드 상으로 상기 솔더 웨이팅 물질을 전사하는 것을 선택적으로 포함한다.
예 7에서, 예 2 내지 예 6 중 하나 또는 임의의 조합의 청구 대상은 상기 솔더 웨이팅 돌출부의 레이저 증착 이전에 상기 IC 패키지 기판의 상기 본드 패드에 솔더 플럭스(solder flux)를 인가하는 것을 선택적으로 포함한다.
예 8에서, 예 1 내지 예 7 중 하나 또는 임의의 조합의 청구 대상은 상기 IC 패키지 기판의 본드 패드 상으로의 상기 솔더 웨이팅 돌출부의 레이저 다이렉트 라이팅(laser direct writing)을 선택적으로 포함한다.
예 9에서, 예 1 내지 예 8 중 하나 또는 임의의 조합의 청구 대상은 상기 본딩 패드에 솔더 웨이팅 물질을 와이어 스터드 본딩(wire-stud bonding)하는 것, 상기 본드 패드에 솔더 웨이팅 마이크로 볼을 부착하는 것, 상기 본드 패드에 솔더 웨이팅 마이크로도트(solder-wetting microdot)을 부착하는 것, 상기 본드 패드 상으로 상기 솔더 웨이팅 물질을 솔더 제팅(solder jetting)하는 것, 또는 상기 본드 패드 상으로 상기 솔더 웨이팅 물질을 인젝션 몰딩(injection molding)하는 것 중 적어도 하나를 포함한다.
예 10에서, 예 1 내지 예 9 중 하나 또는 임의의 조합의 청구 대상은 상기 본드 패드 상에 상기 솔더 웨이팅 돌출부를 솔더 페이스트 프린팅하는 것 또는 상기 본드 패드 상에 상기 솔더 웨이팅 돌출부를 도금하는(plating) 것 중 적어도 하나를 포함한다.
예 11에서, 예 1 내지 예 10 중 하나 또는 임의의 조합의 청구 대상은 상기 솔더 범프를 가열하여 용융 솔더 범프(molten solder bump)를 형성하는 것 및 상기 용융 솔더 범프를 상기 솔더 웨이팅 돌출부와 접촉시키는 것을 선택적으로 포함한다.
예 12에서, 예 1 내지 예 11 중 하나 또는 임의의 조합의 청구 대상은 상기 솔더 범프를 가열하여 용융 솔더 범프를 형성하는 것 및 상기 IC 다이의 상기 용융 솔더 범프를 상기 IC 패키지 기판의 상기 솔더 웨이팅 돌출부에 압착하는(pressing) 것을 선택적으로 포함한다.
예 13은, 집적 회로(IC) 다이의 본드 패드 상에 솔더 범프를 형성하기 위한 수단과, IC 패키지 기판의 본드 패드 상에 솔더 웨이팅 돌출부를 형성하기 위한 수단과, 상기 IC 패키지 기판의 상기 솔더 웨이팅 돌출부에 상기 IC 다이의 상기 솔더 범프를 본딩하기 위한 수단을 포함하는, 청구 대상(예컨대, 장치)을 포함할 수 있고, 또는 청구 대상을 포함하도록 예 1 내지 예 12 중 하나 또는 임의의 조합과 선택적으로 조합될 수 있다.
예 14에서, 예 13의 상기 본드 패드 상에 솔더 웨이팅 돌출부를 형성하기 위한 수단은, 자동 레이저 직접 증착 스테이션을 선택적으로 포함한다.
예 15에서, 예 14의 청구 대상은 상기 IC 패키지 기판의 상기 본드 패드 맞은편에 배치되고 투명 기판 상에 존재하는 솔더 웨이팅 물질 필름과, 상기 투명 기판에 레이저 에너지를 인가하여 상기 IC 패키지 기판의 본드 패드 상으로 상기 솔더 웨이팅 물질을 전사하는 레이저 에너지 소스를 선택적으로 포함한다.
예 16에서, 예 14 및 예 15 중 하나 또는 임의의 조합의 청구 대상은 하나 이상의 IC 패키지 기판의 복수의 본드 패드의 맞은편에 배치된 상기 솔더 웨이팅 물질 필름을 선택적으로 포함하고, 상기 인가된 레이저 에너지는 상기 복수의 본드 패드 맞은편의 전사 물질 필름 상의 위치에 대해 선택적으로 스캔가능하다.
예 17에서, 예 14 및 예 15 중 하나 또는 임의의 조합의 청구 대상은 하나 이상의 IC 패키지 기판의 복수의 본드 패드 맞은편에 배치되는 상기 솔더 웨이팅 물질 필름을 선택적으로 포함하고, 상기 솔더 웨이팅 물질 필름 및 하나 이상의 IC 패키지 기판은 상기 레이저 에너지 소스에 대해 이동가능하여 상기 인가된 레이저 에너지 맞은편에 솔더 웨이팅 물질 및 본드 패드를 위치시킨다.
예 18에서, 예 13 내지 예 17 중 어느 하나의 예의 상기 IC 다이의 상기 솔더 범프를 상기 IC 패키지 기판의 솔더 웨이팅 돌출부에 본딩하기 위한 수단은 상기 IC 다이를 상기 IC 패키지 기판에 본딩하도록 구성된 자동 TCB(thermal compressive bonding) 스테이션을 선택적으로 포함한다.
예 19는 집적 회로(IC) 패키지 기판과, 상기 IC 패키지 기판 상의 다수의 본드 패드 - 본드 패드는 IC 다이에 대한 전자적 접속을 위한 표면을 포함함 - 와, 상기 다수의 본드 패드 중 하나 이상의 본드 패드의 표면으로부터 연장되는 솔더 웨이팅 물질의 하나 이상의 돌출부를 포함하는, 청구 대상(예컨대, 전자 어셈블리)을 포함할 수 있고, 또는 청구 대상을 포함하도록 예 1 내지 예 18 중 하나 또는 임의의 조합과 선택적으로 조합될 수 있다.
예 20에서, 예 19의 청구 대상은 기저부(base) 및 첨부(apex)를 포함하는 솔더 웨이팅 돌출부를 선택적으로 포함하고, 상기 기저부의 폭은 상기 첨부의 폭보다 크다.
예 21에서, 예 20의 청구 대상은 백 마이크로미터(100 미크론) 이하의 기저부 폭을 갖는 솔더 웨이팅 돌출부를 선택적으로 포함할 수 있다.
예 22에서, 예 19 내지 예 21 중 하나 또는 임의의 조합의 청구 대상은 상기 IC 패키지 기판의 본드 패드의 표면의 폭보다 작은 폭을 갖는 솔더 웨이팅 돌출부를 선택적으로 포함한다.
예 23에서, 예 19 내지 예 22 중 하나 또는 임의의 조합의 청구 대상은 텅스텐, 금, 구리, 또는 은 중 적어도 하나를 포함하는 솔더 웨이팅 돌출부를 선택적으로 포함한다.
예 24에서, 예시 19 내지 23 중 하나 또는 임의의 조합의 청구 대상은 솔더 페이스트(paste)를 포함하는 솔더 웨이팅 돌출부를 선택적으로 포함한다.
예 25에서, 예 19 내지 예 23 중 하나 또는 임의의 조합의 청구 대상은 상기 IC 패키지 기판에 본딩된 상기 IC 다이를 선택적으로 포함하고, 상기 IC 다이는 프로세서와 메모리 중 적어도 하나를 포함한다.
이러한 비제한적 예들의 각각은 그 자체를 주장하거나, 다른 예들 중 하나 이상과의 조합 또는 다양한 치환으로 조합될 수 있다.
전술된 설명은 상세한 설명의 일부분을 형성하는 첨부된 도면에 대한 참조를 포함한다. 예시의 방법에 의해, 도면은 본 개시물이 실시될 수 있는 특정 실시예들을 도시한다. 이러한 실시예들은 본원에서 "예"로 지칭된다. 이러한 문서 및 참조로써 포함된 임의의 문서 사이의 모순되는 사용의 경우, 포함된 참조(들)의 사용은 본 문서의 사용에 대한 보충으로 고려되어야 하며, 양립할 수 없는 모순에 대해서는, 본 문서에서의 사용이 제어한다.
본 문서에서, 특허 문서들에서 공통인, 용어 "하나("a" 또는 "an")"는 임의의 다른 경우들 또는 "적어도 하나" 또는 "하나 이상"의 사용과 관계없이, 한 개 또는 한 개보다 많은 것을 포함하는데 사용된다. 본 문서에서, 용어 "또는"은 배타적이지 않은 것을 지칭하며, 이로써 달리 나타내지 않는 한 "A 또는 B"는 "A는 아닌 B", "B는 아닌 A" 및 "A 및 B"를 포함한다. 첨부된 특허청구범위에서, 용어 "포함하는(including)" 및 "여기서(in which)"는 용어 "포함하는(comprising)" 및 "여기서(wherein)" 각각의 쉬운 영어의 균등물로서 사용된다. 또한, 다음의 특허청구범위에서, 용어들 "포함하는(including 및 comprising)"은 제약을 두지 않는데, 다시 말해, 그러한 특허청구범위 내 용어 이후에 열거되는 것에 추가로 요소들을 포함하는 시스템, 디바이스, 물품, 또는 프로세스는 계속해서 그러한 특허청구범위의 범주 내에 있는 것으로 여겨진다. 더욱이, 다음의 특허청구범위에서, 용어 "제 1", "제 2" 및 "제 3" 등은 단지 라벨로서 사용되는 것으로, 그러한 대상에 수치적 요구사항을 부과하고자 하는 것은 아니다.
본원에 설명된 방법 예들은 적어도 부분적으로 머신으로 또는 컴퓨터로 구현될 수 있다. 일부 예들은 전술된 예들에서 설명된 바와 같은 방법을 수행하도록 전자 디바이스를 구성하도록 동작가능한 명령어를 사용하여 인코딩된 컴퓨터 판독가능 매체 또는 머신 판독가능 매체를 포함할 수 있다. 그러한 방법의 구현은 코드, 예컨대, 마이크로코드, 어셈블리 언어 코드, 고급 언어 코드 등을 포함할 수 있다. 그러한 코드는 다양한 방법을 수행하기 위한 컴퓨터 판독가능 명령어를 포함할 수 있다. 코드는 컴퓨터 프로그램 제품의 부분들을 형성할 수 있다. 또한, 코드는 실행 동안 또는 다른 때에 다른 하나 이상의 휘발성 또는 비휘발성 컴퓨터 판독가능 매체 상에 유형으로 저장될 수 있다. 이러한 컴퓨터 판독가능 매체는, 하드 디스크, 착탈식 자기 디스크, 착탈식 광학 디스크(예를 들어, 컴팩트 디스크 및 디지털 비디오 디스크), 자기 카세트, 메모리 카드 또는 스틱, 랜덤 액세스 메모리(RAM), 리드 온리 메모리(ROM) 등을 포함할 수 있으나 이로 제한되지 않는다. 일부 예들에서, 반송파 매체는 방법을 구현하는 코드를 전달할 수 있다. 용어 "반송파 매체"는 코드가 전송되는 반송파를 나타내는데 사용될 수 있다.
전술된 설명은 예시이며 제한적인 것은 아니다. 예를 들어, 전술된 예들(또는 이들의 하나 이상의 양태들)은 서로 조합되어 사용될 수도 있다. 다른 실시예들은, 예컨대, 위의 설명을 검토할 때 본 기술분야의 당업자에 의해, 사용될 수 있다. 본 기술 개시물의 본질을 빠르게 확인하게 하기 위한 본 요약은 37 C.F.R.§1.72(b)을 준수하도록 제공된다. 이는 특허청구범위의 범주 또는 의미를 해석하거나 제한하는데 사용되지 않을 것이라는 이해로 제출된다. 또한, 위의 상세한 설명에서, 다양한 특징들은 본 개시물을 간소화하기 위해 함께 그룹화될 수도 있다. 이는 특허청구되지 않는 개시된 특징이 임의의 특허청구항에 필수적이라는 것을 의미하는 것으로 해석되어서는 안 된다. 오히려, 발명의 청구 대상은 개시된 특정 실시예의 모든 특징들보다 적은 특징들로 존재할 수도 있다. 따라서, 다음의 특허청구범위는 상세한 설명에 포함될 수 있고, 각각의 특허청구항은 개별 실시예로서 그 자신을 주장한다. 본 발명의 범주는, 첨부된 특허청구항이 권리를 갖는 균등물의 전체 범주와 함께, 첨부된 특허청구항을 참조하여 결정되어야 한다.

Claims (25)

  1. 집적 회로(IC)를 IC 패키지 기판에 부착하기 위한 방법으로서,
    IC 다이의 본드 패드(bond pad) 상에 솔더 범프(solder bump)를 형성하는 단계와,
    상기 IC 패키지 기판의 본드 패드 상에 솔더 웨이팅 돌출부(solder-wetting protrusion)를 형성하는 단계 - 상기 솔더 웨이팅 돌출부는 기저부(base) 및 첨부(apex)를 포함하는 원뿔(cone-like) 형상을 가지고, 상기 기저부의 폭은 상기 첨부의 폭보다 큼 - 와,
    상기 IC 패키지 기판의 솔더 웨이팅 돌출부에 상기 IC 다이의 상기 솔더 범프를 본딩하는 단계 - 상기 솔더 범프의 용융 솔더 범프(molten solder bump)가 상기 솔더 웨이팅 돌출부의 첨부와 접촉할 때 상기 용융 솔더 범프의 형상이 변형됨 - 를 포함하는
    집적 회로(IC)를 IC 패키지 기판에 부착하기 위한 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 IC 패키지 기판의 본드 패드 상에 상기 솔더 웨이팅 돌출부를 형성하는 단계는 상기 IC 패키지 기판의 본드 패드 상으로 상기 솔더 웨이팅 돌출부를 레이저 직접 증착(laser direct deposition)하는 것을 포함하는
    집적 회로(IC)를 IC 패키지 기판에 부착하기 위한 방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 솔더 웨이팅 돌출부의 레이저 직접 증착은,
    상기 IC 패키지 기판의 본드 패드의 맞은편에 솔더 웨이팅 물질 필름을 배치하는 것과,
    상기 솔더 웨이팅 물질 필름에 레이저 에너지를 인가하여 상기 IC 패키지 기판의 본드 패드로 상기 솔더 웨이팅 물질을 전사하는 것을 포함하는
    집적 회로(IC)를 IC 패키지 기판에 부착하기 위한 방법.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 솔더 웨이팅 돌출부의 레이저 직접 증착은,
    상기 IC 패키지 기판의 본드 패드 맞은편에, 한 면에는 솔더 웨이팅 물질을 갖고 다른 면에는 투명 물질을 갖는 필름을 배치하는 것과,
    상기 필름의 투명한 면에 레이저 에너지를 인가하는 것을 포함하는
    집적 회로(IC)를 IC 패키지 기판에 부착하기 위한 방법.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 솔더 웨이팅 물질 필름을 배치하는 것은 하나 이상의 IC 패키지 기판의 복수의 본드 패드 맞은편에 상기 솔더 웨이팅 물질 필름을 배치하는 것을 포함하고,
    상기 레이저 에너지를 인가하는 것은 상기 복수의 본드 패드 맞은편의 상기 솔더 웨이팅 물질 필름 상의 위치에 레이저 에너지 소스를 스캐닝하는 것 및 상기 솔더 웨이팅 물질 필름에 레이저 에너지의 펄스를 인가하여 상기 복수의 본드 패드에 상기 솔더 웨이팅 물질을 전사하는 것을 포함하는
    집적 회로(IC)를 IC 패키지 기판에 부착하기 위한 방법.
  6. 제 3 항에 있어서,
    상기 솔더 웨이팅 물질 필름을 배치하는 것은 하나 이상의 IC 패키지 기판의 복수의 본드 패드 맞은편에 상기 솔더 웨이팅 물질 필름을 배치하는 것을 포함하고,
    상기 레이저 에너지를 인가하는 것은 레이저 에너지 소스를 지나가는 상기 복수의 본드 패드를 스캐닝하는 것 및 투명 물질 필름에 레이저 에너지 펄스를 인가하여 본드 패드가 상기 레이저 에너지 소스 맞은편에 위치될 때 상기 본드 패드 상으로 상기 솔더 웨이팅 물질을 전사하는 것을 포함하는
    집적 회로(IC)를 IC 패키지 기판에 부착하기 위한 방법.
  7. 제 2 항에 있어서,
    상기 솔더 웨이팅 돌출부의 레이저 증착 이전에 상기 IC 패키지 기판의 상기 본드 패드에 솔더 플럭스(solder flux)를 인가하는 단계를 포함하는
    집적 회로(IC)를 IC 패키지 기판에 부착하기 위한 방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 IC 패키지 기판의 상기 본드 패드 상에 솔더 웨이팅 돌출부를 형성하는 단계는 상기 IC 패키지 기판의 본드 패드 상으로 상기 솔더 웨이팅 돌출부를 레이저 다이렉트 라이팅(laser direct writing)하는 것을 포함하는
    집적 회로(IC)를 IC 패키지 기판에 부착하기 위한 방법.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 IC 패키지 기판의 상기 본드 패드 상에 솔더 웨이팅 돌출부를 형성하는 단계는, 상기 본드 패드에 솔더 웨이팅 물질을 와이어 스터드 본딩(wire-stud bonding)하는 단계, 상기 본드 패드에 솔더 웨이팅 마이크로 볼을 부착하는 단계, 상기 본드 패드에 솔더 웨이팅 마이크로도트(solder-wetting microdot)를 부착하는 단계, 상기 본드 패드 상으로 상기 솔더 웨이팅 물질을 솔더 제팅(solder jetting)하는 단계, 및 상기 본드 패드 상으로 상기 솔더 웨이팅 물질을 인젝션 몰딩(injection molding)하는 단계 중 하나를 포함하는
    집적 회로(IC)를 IC 패키지 기판에 부착하기 위한 방법.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 IC 패키지 기판의 상기 본드 패드 상에 솔더 웨이팅 돌출부를 형성하는 단계는, 상기 본드 패드 상에 상기 솔더 웨이팅 돌출부를 솔더 페이스트 프린팅하는 단계 및 상기 본드 패드 상에 상기 솔더 웨이팅 돌출부를 도금하는(plating) 단계 중 적어도 하나를 포함하는
    집적 회로(IC)를 IC 패키지 기판에 부착하기 위한 방법.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 IC 패키지 기판의 상기 솔더 웨이팅 돌출부에 상기 IC 다이의 솔더 범프를 본딩하는 단계는, 상기 솔더 범프를 가열하여 상기 용융 솔더 범프를 형성하는 단계 및 상기 용융 솔더 범프를 상기 솔더 웨이팅 돌출부와 접촉시키는 단계를 포함하는
    집적 회로(IC)를 IC 패키지 기판에 부착하기 위한 방법.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 IC 다이의 상기 솔더 범프를 상기 IC 패키지 기판의 상기 솔더 웨이팅 돌출부에 본딩하는 단계는, 상기 솔더 범프를 가열하여 상기 용융 솔더 범프를 형성하는 단계 및 상기 IC 다이의 상기 용융 솔더 범프를 상기 IC 패키지 기판의 상기 솔더 웨이팅 돌출부에 압착하는(pressing) 단계를 포함하는
    집적 회로(IC)를 IC 패키지 기판에 부착하기 위한 방법.
  13. 전자 어셈블리로서,
    집적 회로(IC) 패키지 기판과,
    상기 IC 패키지 기판 상의 다수의 본드 패드 - 본드 패드는 IC 다이에 전기 접속하기 위한 표면을 포함함 - 와,
    상기 다수의 본드 패드 중 하나 이상의 본드 패드의 표면으로부터 연장되는 솔더 웨이팅 물질의 하나 이상의 돌출부 - 솔더 웨이팅 돌출부는 기저부(base) 및 첨부(apex)를 포함하는 원뿔(cone-like) 형상을 가지고, 상기 기저부의 폭은 상기 첨부의 폭보다 크고, 상기 IC 다이 상의 용융 솔더 범프가 상기 솔더 웨이팅 돌출부의 첨부와 접촉할 때 상기 용융 솔더 범프의 형상이 변형됨 - 를 포함하는
    전자 어셈블리.
  14. 삭제
  15. 제 13 항에 있어서,
    상기 기저부는 백 마이크로미터(100 microns) 이하의 폭을 갖는
    전자 어셈블리.
  16. 제 13 항에 있어서,
    솔더 웨이팅 돌출부의 폭은 상기 IC 패키지 기판의 본드 패드의 표면의 폭보다 작은
    전자 어셈블리.
  17. 제 13 항에 있어서,
    상기 전자 어셈블리는, 상기 IC 패키지 기판에 본딩된 상기 IC 다이를 포함하고, 상기 IC 다이는 프로세서와 메모리 중 적어도 하나를 포함하는
    전자 어셈블리.
  18. IC 상호접속부를 형성하기 위한 장치로서,
    집적 회로(IC) 다이의 본드 패드 상에 솔더 범프를 형성하도록 구성된 솔더 범핑 스테이션(a solder bumping station)과,
    IC 패키지 기판의 본드 패드 상에 솔더 웨이팅 돌출부를 형성하도록 구성된 자동 레이저 직접 증착 스테이션(an automatic laser direct deposition station) - 상기 솔더 웨이팅 돌출부는 기저부(base) 및 첨부(apex)를 포함하는 원뿔(cone-like) 형상을 가지고, 상기 기저부의 폭은 상기 첨부의 폭보다 큼 - 과,
    상기 IC 패키지 기판의 상기 솔더 웨이팅 돌출부에 상기 IC 다이의 상기 솔더 범프를 본딩하도록 구성된 상기 IC 패키지 기판에 상기 IC 다이를 본딩하도록 구성된 자동 TCB(thermal compressive bonding) 스테이션 - 상기 솔더 범프의 용융 솔더 범프가 상기 솔더 웨이팅 돌출부의 첨부와 접촉할 때 상기 용융 솔더 범프의 형상이 변형됨 - 을 포함하는
    IC 상호접속부를 형성하기 위한 장치.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 레이저 직접 증착 스테이션은,
    상기 IC 패키지 기판의 상기 본드 패드 맞은편에 배치되고 투명 기판 상에 존재하는 솔더 웨이팅 물질 필름과,
    상기 투명 기판에 레이저 에너지를 인가하여 상기 IC 패키지 기판의 본드 패드 상으로 상기 솔더 웨이팅 물질을 전사하는 레이저 에너지 소스를 포함하는
    IC 상호접속부를 형성하기 위한 장치.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 솔더 웨이팅 물질 필름은 하나 이상의 IC 패키지 기판의 복수의 본드 패드의 맞은편에 배치되고,
    상기 인가된 레이저 에너지는 상기 복수의 본드 패드 맞은편의 전사 물질 필름 상의 위치에 대해 스캔가능한
    IC 상호접속부를 형성하기 위한 장치.
  21. 삭제
  22. 삭제
  23. 삭제
  24. 삭제
  25. 삭제
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Cited By (1)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI626723B (zh) * 2017-03-06 2018-06-11 力成科技股份有限公司 封裝結構
KR20180137888A (ko) * 2017-06-20 2018-12-28 주식회사 프로텍 반도체 칩 본딩 장치 및 반도체 칩 본딩 방법
US20190067232A1 (en) 2017-08-31 2019-02-28 Micron Technology, Inc. Method for Solder Bridging Elimination for Bulk Solder C2S Interconnects
US10121679B1 (en) 2017-09-29 2018-11-06 Intel Corporation Package substrate first-level-interconnect architecture
KR102121808B1 (ko) * 2018-03-15 2020-06-11 한국광기술원 레이저 전사 장치 및 방법
US10756041B1 (en) 2019-03-14 2020-08-25 International Business Machines Corporation Finned contact
CN110739236A (zh) * 2019-09-27 2020-01-31 浙江大学 一种具有防溢锡结构的新三维异构堆叠方法
US11508780B2 (en) 2020-01-14 2022-11-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of manufacturing display apparatus, display apparatus, and structure for manufacturing display apparatus
CN111422825B (zh) * 2020-06-11 2020-09-22 潍坊歌尔微电子有限公司 传感器的制造方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011176201A (ja) * 2010-02-25 2011-09-08 Nec Corp 半導体デバイス実装体とその製造方法

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2705132B2 (ja) * 1988-08-23 1998-01-26 日本電気株式会社 配線形成方法および装置
US5316205A (en) * 1993-04-05 1994-05-31 Motorola, Inc. Method for forming gold bump connection using tin-bismuth solder
JPH09129649A (ja) * 1995-11-06 1997-05-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 接合材料供給方法及び実装方法
JPH09135073A (ja) * 1995-11-10 1997-05-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半田バンプの形成方法
EP0922300B1 (en) * 1996-08-27 2007-11-28 Nippon Steel Corporation Process for producing semiconductor device provided with low melting point metal bumps
US5873511A (en) * 1997-05-08 1999-02-23 Shapiro; Herbert M. Apparatus and method for forming solder bonding pads
US6792326B1 (en) * 1999-05-24 2004-09-14 Potomac Photonics, Inc. Material delivery system for miniature structure fabrication
JP2001338947A (ja) * 2000-05-26 2001-12-07 Nec Corp フリップチップ型半導体装置及びその製造方法
TW456008B (en) * 2000-09-28 2001-09-21 Siliconware Precision Industries Co Ltd Flip chip packaging process with no-flow underfill method
US6762122B2 (en) * 2001-09-27 2004-07-13 Unitivie International Limited Methods of forming metallurgy structures for wire and solder bonding
US7551811B2 (en) * 2005-01-19 2009-06-23 Bridgestone Corporation Optical device and method for producing the same
KR101186292B1 (ko) * 2006-01-10 2012-09-27 삼성전자주식회사 트랜지스터와 트랜지스터의 제조방법 및 이를 적용하는유기발광 디스플레이 및 그 제조방법
US7713782B2 (en) * 2006-09-22 2010-05-11 Stats Chippac, Inc. Fusible I/O interconnection systems and methods for flip-chip packaging involving substrate-mounted stud-bumps
JP2008117828A (ja) * 2006-11-01 2008-05-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置
EP2206145A4 (en) * 2007-09-28 2012-03-28 Tessera Inc FLIP-CHIP CONNECTION WITH DOUBLE POSTS
JP4952527B2 (ja) * 2007-11-15 2012-06-13 富士通株式会社 半導体装置の製造方法及び半導体装置
TWI407538B (zh) * 2008-11-19 2013-09-01 Unimicron Technology Corp 封裝基板及其製法
US8637983B2 (en) * 2008-12-19 2014-01-28 Ati Technologies Ulc Face-to-face (F2F) hybrid structure for an integrated circuit
US9006887B2 (en) * 2009-03-04 2015-04-14 Intel Corporation Forming sacrificial composite materials for package-on-package architectures and structures formed thereby
KR101076685B1 (ko) * 2009-04-28 2011-10-26 이봉구 미세 전도성 패턴의 제조방법
JP2011044496A (ja) * 2009-08-19 2011-03-03 Panasonic Corp 半導体デバイス及びそれを用いた半導体装置
US20110285013A1 (en) * 2010-05-20 2011-11-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Controlling Solder Bump Profiles by Increasing Heights of Solder Resists
US8409979B2 (en) * 2011-05-31 2013-04-02 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor device and method of forming interconnect structure with conductive pads having expanded interconnect surface area for enhanced interconnection properties
US9230933B2 (en) * 2011-09-16 2016-01-05 STATS ChipPAC, Ltd Semiconductor device and method of forming conductive protrusion over conductive pillars or bond pads as fixed offset vertical interconnect structure
JP2017120800A (ja) * 2015-12-28 2017-07-06 富士通株式会社 半導体素子、半導体素子の製造方法及び電子機器

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011176201A (ja) * 2010-02-25 2011-09-08 Nec Corp 半導体デバイス実装体とその製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11289438B2 (en) 2019-10-07 2022-03-29 Samsung Electronics Co., Ltd. Die-to-wafer bonding structure and semiconductor package using the same
US11658141B2 (en) 2019-10-07 2023-05-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Die-to-wafer bonding structure and semiconductor package using the same

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