KR101942656B1 - Substrate processing apparatus and substrate processing method - Google Patents
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Abstract
(과제) 노즐을 기판에 대해 상대적으로 이동시키면서, 처리액을 충전한 충전 상태의 펌프로부터 처리액을 노즐에 송액하고, 노즐로부터 처리액을 기판에 토출시키는 기판 처리 장치의 택트 타임을 단축시킨다.
(해결 수단) 펌프에 처리액을 보충하는 보충부와, 메인터넌스부 및 토출 위치에 노즐을 상대적으로 이동시키는 이동부와, 이동부에 의해 토출 위치로부터 메인터넌스부를 경유하여 토출 위치에 노즐을 이동시키는 동안에 펌프로부터 처리액을 노즐을 향하여 송액함으로써 다음의 기판에 처리액을 토출하기 위한 준비 동작을 실시하는 제어부를 구비하고, 제어부는, 준비 동작 전에 제 1 량의 처리액을 펌프에 보충하는 제 1 보충 동작과, 준비 동작 후에 제 2 량의 처리액을 펌프에 보충하여 펌프를 충전 상태로 회복시키는 제 2 보충 동작을 보충부에 실행시키고, 제 1 량은, 준비 동작을 개시하는 데에 필요한 처리액의 양보다 많고 또한 기판에 토출하는 처리액의 양보다 적은 양이다. A tact time of a substrate processing apparatus that feeds a process liquid from a pump filled with a process liquid to a nozzle and discharges the process liquid from the nozzle to the substrate while moving the nozzle relative to the substrate is shortened.
A moving part for moving the nozzle relatively to the maintenance part and the discharge position; and a control part for moving the nozzle from the discharge position to the discharge position via the maintenance part, And a control section for performing a preparatory operation for delivering the process liquid to the next substrate by feeding the process liquid from the pump toward the nozzle, wherein the control section performs a first supplement And a second replenishing operation for replenishing the second amount of the processing liquid to the pump and restoring the pump to the charged state after the preparatory operation is carried out by the replenishing unit and the first amount is the processing amount necessary for starting the preparatory operation And is smaller than the amount of the treatment liquid to be discharged onto the substrate.
Description
이 발명은, 기판을 처리하기 위한 처리액을 펌프로부터 노즐에 송액하고, 당해 노즐로부터 기판에 토출하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다. 또한, 상기 기판에는, 반도체 기판, 포토마스크용 기판, 액정 표시용 기판, 유기 EL 표시용 기판, 플라즈마 표시용 기판, FED (Field Emission Display) 용 기판, 광 디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광자기 디스크용 기판 등이 포함된다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for transferring a processing liquid for processing a substrate from a pump to a nozzle, and discharging the processing liquid from the nozzle to the substrate. In addition, the substrate may be a semiconductor substrate, a photomask substrate, a liquid crystal display substrate, an organic EL display substrate, a plasma display substrate, a substrate for an FED (Field Emission Display), an optical disk substrate, Substrates for magnetic disks, and the like.
반도체 장치나 액정 표시 장치 등의 전자 부품 등의 제조 공정에서는, 기판의 표면에 처리액을 토출하고, 당해 처리액에 의해 기판을 처리하는 기판 처리 장치가 사용되고 있다. 예를 들어 일본 공개특허공보 2010-227850호에 기재된 기판 처리 장치는, 기판의 이면에 기체를 분사하여 기판을 부상시킨 상태에서 당해 기판을 반송하면서 펌프에 의해 처리액을 슬릿 노즐에 송액하여 슬릿 노즐의 토출구로부터 기판의 표면에 토출하여 기판의 거의 전체에 처리액을 도포한다. 또, 일본 공개특허공보 2015-66482호에 기재된 기판 처리 장치는, 스테이지 상에서 기판을 흡착 유지하면서, 펌프로부터 송액되어 오는 처리액을 슬릿 노즐의 토출구로부터 기판의 표면을 향하여 토출한 상태에서 기판에 대해 상대 이동시켜 기판의 거의 전체에 처리액을 도포한다. 이와 같이, 일본 공개특허공보 2010-227850호 및 일본 공개특허공보 2015-66482호에 기재된 장치는 기판 처리로서 도포 처리를 실행한다. BACKGROUND ART [0002] In a manufacturing process of an electronic component such as a semiconductor device or a liquid crystal display device, a substrate processing apparatus for discharging a treatment liquid onto the surface of the substrate and treating the substrate with the treatment liquid is used. For example, in the substrate processing apparatus disclosed in Japanese Unexamined Patent Publication No. 2010-227850, a treatment liquid is delivered to a slit nozzle by a pump while the substrate is transported while a substrate is floated by spraying gas on the back surface of the substrate, To the surface of the substrate to apply the treatment liquid to almost the entire surface of the substrate. Further, in the substrate processing apparatus disclosed in Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2015-66482, while the substrate is being attracted and held on the stage, the treatment liquid fed from the pump is discharged from the discharge port of the slit nozzle toward the surface of the substrate, And the process liquid is applied to almost the entire substrate. As described above, the apparatus described in JP-A-2010-227850 and JP-A-2015-66482 performs a coating process as a substrate process.
그런데, 이들의 기판 처리 장치에서는, 하나의 기판에 대한 도포 처리가 완료되면, 다음의 기판에 대해 도포 처리를 개시하기까지 여러 가지의 준비 동작을 실행한다. 예를 들어, 노즐의 토출구로부터의 도포액의 누설을 방지하기 위하여, 이른바 석 백 처리를 실시하는 경우가 있는데, 이 경우, 노즐의 토출구의 근방에 기포가 휩쓸려 들어가 있는 경우가 있다. 그래서, 펌프로부터 처리액을 송액하여 기포를 노즐의 토출구로부터 제거하는 기포 제거 동작을 상기 준비 동작 중 하나로서 실시하는 경우가 있다. By the way, in these substrate processing apparatuses, when the coating process for one substrate is completed, various preparatory operations are performed on the next substrate until the coating process is started. For example, in order to prevent the leakage of the coating liquid from the discharge port of the nozzle, a so-called quenching process may be carried out. In this case, bubbles may be swept away in the vicinity of the discharge port of the nozzle. Therefore, there is a case where the bubble removing operation of feeding the treatment liquid from the pump and removing the bubble from the discharge port of the nozzle is performed as one of the preparatory operations.
또, 노즐 세정 대기 유닛 등을 갖는 메인터넌스부가 형성되어 있고, 도포 처리가 실시된 후의 슬릿 노즐에 대해 토출구의 세정이 실시된다. 또, 메인터넌스부에서는 다음과 같은 예비 토출 동작이 실행된다. 즉, 롤러의 외주면에 슬릿 노즐을 근접시킨 상태에서 토출구로부터 일정한 처리액을 토출시키면, 토출구에 처리액의 액 고임이 형성된다. 이와 같이 토출구에 액 고임이 균일하게 형성되면, 다음의 기판에 대한 도포 처리를 고정밀도로 실시하는 것이 가능해진다. 그래서, 상기 기판 처리 장치에서는, 도포 처리 전에, 펌프에 처리액을 충전하여 충전 상태에 이르게 한 후에, 당해 펌프에 의해 일정량의 처리액을 슬릿 노즐에 압송하여 토출구를 초기화하는, 이른바 예비 토출 동작이 상기 준비 동작으로서 실시되는 경우가 있다. Further, a maintenance section having a nozzle cleaning waiting unit or the like is formed, and the discharge port is cleaned with respect to the slit nozzle after the coating treatment. In the maintenance section, the following preliminary discharge operation is performed. That is, when a certain treatment liquid is discharged from the discharge port in a state in which the slit nozzle is brought close to the outer peripheral surface of the roller, a liquid droplet of the treatment liquid is formed at the discharge port. When the liquid droplets are uniformly formed on the discharge port as described above, the coating process for the next substrate can be performed with high accuracy. Thus, in the above-described substrate processing apparatus, a so-called preliminary discharge operation for initializing the discharge port by feeding a certain amount of the processing solution to the slit nozzle by the pump after the pump is filled with the treatment liquid to reach the charged state May be performed as the preparation operation.
그러나, 종래 기술에서는, 상기한 준비 동작과 펌프의 충전 동작의 관계에 대해 충분한 검토가 이루어져 있지 않고, 1 장의 기판에 대한 도포 처리에 필요로 하는 시간, 이른바 택트 타임을 단축할 여지가 남겨져 있었다. 예를 들어, 펌프가 충전 상태가 된 후에 예비 토출 동작을 실시하고 있었기 때문에, 택트 타임이 길어져, 이것을 단축하는 기술의 제공이 요망되고 있었다. However, in the prior art, the relationship between the preparatory operation and the charging operation of the pump has not been thoroughly examined, and the time required for the coating process on one substrate, that is, the so-called tact time, has been left. For example, since the preliminary discharge operation is performed after the pump is in a charged state, the tact time is increased, and it has been desired to provide a technique for shortening the tact time.
이 발명은 상기 과제를 감안하여 이루어진 것으로, 메인터넌스부에서 메인터넌스를 받은 노즐을 토출 위치에서 기판에 대해 상대적으로 이동시키면서, 처리액을 충전한 충전 상태의 펌프로부터 처리액을 노즐에 송액하고, 노즐로부터 처리액을 기판에 토출시키는 기판 처리 기술에 있어서, 택트 타임을 단축하는 것을 목적으로 한다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and has an object of providing a process liquid transfer device for transferring a process liquid from a pump in a charged state filled with a process liquid to a nozzle while relatively moving a nozzle maintained at a maintenance section relative to a substrate at a discharge position, The object of the present invention is to shorten a tact time in a substrate processing technique for discharging a process liquid onto a substrate.
본 발명의 일 양태는, 메인터넌스부에서 메인터넌스를 받은 노즐을 토출 위치에서 기판에 대해 상대적으로 이동시키면서, 처리액을 충전한 충전 상태의 펌프로부터 처리액을 노즐에 송액하고, 노즐로부터 처리액을 기판에 토출시키는 기판 처리 장치로서, 펌프에 처리액을 보충하는 보충부와, 메인터넌스부 및 토출 위치에 노즐을 상대적으로 이동시키는 이동부와, 이동부에 의해 토출 위치로부터 메인터넌스부를 경유하여 토출 위치에 노즐을 이동시키는 동안에 펌프로부터 처리액을 노즐을 향하여 송액함으로써 다음의 기판에 처리액을 토출하기 위한 준비 동작을 실시하는 제어부를 구비하고, 제어부는, 준비 동작 전에 제 1 량의 처리액을 펌프에 보충하는 제 1 보충 동작과, 준비 동작 후에 제 2 량의 처리액을 펌프에 보충하여 펌프를 충전 상태로 회복시키는 제 2 보충 동작을, 보충부에 실행시키고, 제 1 량은, 준비 동작을 개시하는 데에 필요한 처리액의 양보다 많고 또한 기판에 토출하는 처리액의 양보다 적은 양인 것을 특징으로 하고 있다. According to one aspect of the present invention, a process liquid is fed from a pump in a charged state filled with a process liquid to a nozzle while moving the nozzle, which has undergone maintenance in the maintenance section, relative to the substrate at a discharge position, A moving part for relatively moving the nozzle to the maintenance part and the discharging position; and a moving part for moving the nozzle from the discharging position to the discharging position via the maintenance part, And a controller for performing a preparatory operation to dispense the treatment liquid onto the next substrate by feeding the treatment liquid from the pump toward the nozzle while moving the first treatment liquid to the pump, A second replenishing operation that replenishes the second amount of the processing liquid to the pump after the preparation operation, And the first amount is smaller than the amount of the processing liquid necessary for starting the preparation operation and smaller than the amount of the processing liquid discharged onto the substrate .
또, 본 발명의 다른 양태는, 토출 위치에서 기판에 대해 노즐을 상대적으로 이동시키면서, 처리액을 충전한 충전 상태의 펌프로부터 처리액을 노즐에 송액하고, 노즐로부터 처리액을 기판에 토출시키는 기판 처리 방법으로서, 토출 위치로부터 메인터넌스부를 경유하여 토출 위치에 노즐을 이동시키는 동안에 펌프로부터 처리액을 노즐을 향하여 송액함으로써 다음의 기판에 처리액을 토출하기 위한 준비 동작을 실시하는 준비 공정과, 준비 공정 전에, 준비 동작을 개시하는 데에 필요한 처리액의 양보다 많고 또한 기판에 토출하는 처리액의 양보다 적은, 제 1 량의 처리액을 펌프에 보충하는 제 1 보충 공정과, 준비 공정 후에, 제 2 량의 처리액을 펌프에 보충하여 펌프를 충전 상태로 회복시키는 제 2 보충 공정을 구비하는 것을 특징으로 하고 있다. According to another aspect of the present invention, there is provided a liquid ejection apparatus comprising: a substrate for feeding a process liquid from a pump in a charged state filled with the process liquid to a nozzle while discharging the process liquid from the nozzle to the substrate while relatively moving the nozzle relative to the substrate at the ejection position; A preparation step of delivering a treatment liquid from a pump toward a nozzle while the nozzle is moved from the discharge position to the discharge position via the maintenance part to perform a preparation operation for discharging the treatment liquid to the next substrate; A first replenishing step of replenishing a first amount of the processing liquid to the pump before the amount of the processing liquid required to start the preparation operation and less than the amount of the processing liquid discharged onto the substrate; And a second replenishing step of replenishing the two amounts of the treatment liquid to the pump to restore the pump to a charged state.
이와 같이 구성된 발명에서는, 제 1 량의 처리액을 펌프에 보충한 단계에서 예비 토출을 실행한다. 요컨대, 펌프가 충전 상태로 회복되는 것을 기다리지 않고, 예비 토출이 실행되어, 펌프가 충전 상태가 되는 것을 기다려 예비 토출을 실시하는 종래 기술보다 빨리 예비 토출이 실행된다. 그리고, 예비 토출 후에 제 2 량의 처리액이 펌프에 보충되어 펌프는 충전 상태로 되돌아와, 다음의 기판에 대한 처리액의 토출 준비가 갖추어진다.In the invention constituted as described above, the preliminary ejection is performed in the step of replenishing the first amount of the processing liquid to the pump. That is, the preliminary discharge is performed earlier than the prior art in which the preliminary discharge is performed and the preliminary discharge is performed by waiting for the pump to be charged, without waiting for the pump to recover to the charged state. After the preliminary discharge, the second amount of the processing liquid is replenished to the pump so that the pump returns to the charged state, and the processing liquid is ready for discharging to the next substrate.
이상과 같이, 본 발명에 의하면, 예비 토출 동작으로 소비되는 처리액의 양보다 많고 또한 기판에 토출하는 처리액의 양보다 적은 제 1 량의 처리액을 펌프에 보충한 후에 예비 토출을 실시하는, 요컨대 펌프가 충전 상태가 되는 것을 기다리지 않고 예비 토출을 실시하고 있다. 그 결과, 택트 타임을 단축시킬 수 있다.As described above, according to the present invention, it is possible to perform the preliminary ejection after replenishing the first amount of the processing liquid, which is larger than the amount of the processing liquid consumed in the preliminary ejecting operation and smaller than the amount of the processing liquid ejected to the substrate, That is, the preliminary discharge is performed without waiting for the pump to be charged. As a result, the tact time can be shortened.
도 1a 는 본 발명에 관련된 기판 처리 장치의 제 1 실시형태인 도포 장치를 나타내는 도면이다.
도 1b 는 도 1a 로부터 도포 기구를 떼어낸 평면도이다.
도 2 는 도 1a 에 나타내는 도포 장치를 제어하는 제어 기구를 나타내는 블록도이다.
도 3a 는 부상 기구의 평면도이다.
도 3b 는 부상 기구와 도포 기구의 관계를 모식적으로 나타내는 측면도이다.
도 4 는 도 1a 에 나타내는 도포 장치의 측면도이다.
도 5 는 도 1a 에 나타내는 도포 장치의 동작 (실시형태) 과 비교예를 나타내는 도면이다.
도 6a ∼ 6f 는 장치 각 부의 동작을 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 7 은 본 발명에 관련된 기판 처리 장치의 제 2 실시형태인 도포 장치의 동작을 나타내는 도면이다.
도 8 은 본 발명에 관련된 기판 처리 장치의 제 3 실시형태인 도포 장치의 동작을 나타내는 도면이다.
도 9 는 본 발명에 관련된 기판 처리 장치의 제 4 실시형태인 도포 장치의 동작을 나타내는 도면이다. BRIEF DESCRIPTION OF DRAWINGS FIG. 1A is a view showing a coating apparatus which is a first embodiment of a substrate processing apparatus according to the present invention. FIG.
Fig. 1B is a plan view of the applicator removed from Fig. 1A.
Fig. 2 is a block diagram showing a control mechanism for controlling the coating apparatus shown in Fig. 1A; Fig.
3A is a plan view of a floating mechanism.
3B is a side view schematically showing the relationship between the floating mechanism and the coating mechanism.
4 is a side view of the coating device shown in Fig.
Fig. 5 is a view showing an operation (embodiment) and a comparative example of the applicator shown in Fig. 1a.
6A to 6F are diagrams schematically showing the operation of each part of the apparatus.
7 is a view showing the operation of a coating apparatus according to a second embodiment of the substrate processing apparatus according to the present invention.
8 is a view showing the operation of the coating apparatus according to the third embodiment of the substrate processing apparatus according to the present invention.
9 is a view showing the operation of a coating apparatus according to a fourth embodiment of the substrate processing apparatus according to the present invention.
도 1a 는 본 발명에 관련된 기판 처리 장치의 제 1 실시형태인 도포 장치를 나타내는 도면이고, 연직 상방으로부터 본 평면도이며, 또, 도 1b 는 도 1a 로부터 도포 기구를 떼어낸 평면도이다. 또, 도 2 는 도 1a 에 나타내는 도포 장치를 제어하는 제어 기구를 나타내는 블록도이다. 또한, 도 1a, 도 1b 및 이후에 설명하는 각 도면에서는, 장치 각 부의 배치 관계를 명확하게 하기 위해서, 기판 (W) 의 반송 방향을「X 방향」으로 하고, 도 1a, 도 1b 의 왼편측으로부터 오른편측을 향하는 수평 방향을「+X 방향」으로 칭하고, 역방향을「-X 방향」으로 칭한다. 또, X 방향과 직교하는 수평 방향 (Y) 중, 장치의 정면측을「-Y 방향」으로 칭함과 함께, 장치의 배면측을「+Y 방향」으로 칭한다. 또한, 연직 방향 (Z) 에 있어서의 상방향 및 하방향을 각각「+Z 방향」 및 「-Z 방향」으로 칭한다.FIG. 1A is a plan view of a coating apparatus according to a first embodiment of the present invention; FIG. 1B is a plan view of the coating apparatus removed from FIG. 1A. FIG. 2 is a block diagram showing a control mechanism for controlling the application device shown in Fig. 1A. 1A, 1B and the following drawings, in order to clarify the arrangement relationship of each part of the apparatus, the conveying direction of the substrate W is defined as "X direction", and the left side of FIGS. 1A and 1B Quot; + X direction ", and the reverse direction is referred to as " -X direction ". In the horizontal direction (Y) orthogonal to the X direction, the front side of the apparatus is referred to as "-Y direction" and the back side of the apparatus is referred to as "+ Y direction". The upward and downward directions in the vertical direction Z are referred to as a "+ Z direction" and a "-Z direction", respectively.
도포 장치 (1) 는, 롤러 컨베이어 (100) 로부터 반송되어 오는 수평 자세의 사각형 기판 (W) 을 받아들여, 당해 기판 (W) 의 표면 (Wf) 에 도포액을 도포하는 슬릿 코터이다. 이 도포 장치 (1) 에서는, 롤러 컨베이어 (100) 에 인접하여 이재 (移載) 기구 (2) 가 형성되어 있다. 이 이재 기구 (2) 는, 롤러 컨베이어 (100) 로부터 기판 (W) 을 수취하여 부상 기구 (3) 로 이재한다. The
부상 기구 (3) 는 3 개의 부상 유닛 (3A ∼ 3C) 을 갖고 있다. 이들의 부상 유닛 (3A ∼ 3C) 은, 도 1b 에 나타내는 바와 같이, 기판 (W) 의 반송 방향 (X) 으로 배열되어 있다. 보다 상세하게는, 가장 상류측, 요컨대 (-X) 방향측에 상류 부상 유닛 (3A) 이 이재 기구 (2) 에 인접하여 배치되고, 가장 하류측, 요컨대 (+X) 방향측에 하류 부상 유닛 (3C) 이 배치되어 있다. 또, 상류 부상 유닛 (3A) 과 하류 부상 유닛 (3C) 사이에 중앙 부상 유닛 (3B) 이 배치되어 있다.The
도 3a 는 부상 기구의 평면도이고, 도 3b 는 부상 기구와 도포 기구의 관계를 모식적으로 나타내는 측면도이다. 또한, 이들의 도면에서는, 중앙 부상 유닛 (3B) 의 전부와, 상류 부상 유닛 (3A) 및 하류 부상 유닛 (3C) 의 일부분을 모식적으로 나타내고 있다. Fig. 3A is a plan view of the lifting mechanism, and Fig. 3B is a side view schematically showing the relationship between the lifting mechanism and the coating mechanism. In these drawings, all of the
상류 부상 유닛 (3A) 및 하류 부상 유닛 (3C) 은, 모두 다수의 공기의 분출공 (31) 이 1 장의 판상의 스테이지면 (32) 의 전체면에 걸쳐서 매트릭스상으로 분산되어 형성되어 있다. 그리고, 각 분출공 (31) 에 대해 압축 공기가 부여됨으로써, 각 분출공 (31) 으로부터의 압축 공기의 분출에 의한 기체 압력에 의해 기판 (W) 을 부상시킨다. 이로써, 상류 부상 유닛 (3A) 및 하류 부상 유닛 (3C) 에서는, 기판 (W) 은 상기 스테이지면 (32) 으로부터 소정의 부상 높이, 예를 들어 10 ∼ 500 마이크로미터만큼 부상한다. 또한, 각 분출공 (31) 에 압축 공기를 공급하기 위하여, 예를 들어 일본 공개특허공보 2010-227850호에 기재된 구성을 사용할 수 있다. The upstream floating
또, 도 3a 및 도 3b 로의 도시를 생략하고 있지만, 하류 부상 유닛 (3C) 은 상기 분출공 (31) 이외에 복수의 리프트 핀 및 리프트 핀 승강 기구를 갖고 있다. 복수의 리프트 핀은 분출공 (31) 의 틈을 누비며 소정 간격을 두고, 기판 (W) 의 이면 (Wb) 전체에 대향 가능하게 형성되어 있다. 그리고, 리프트 핀은 스테이지면 (32) 의 하방에 설치된 리프트 핀 승강 기구에 의해, 연직 방향 (Z 축 방향) 으로 승강 구동된다. 요컨대, 하강시에는 리프트 핀의 선단 (先端) 이 하류 부상 유닛 (3C) 의 스테이지면 (32) 보다 (-Z) 방향측으로 하강하고, 상승시에는 리프트 핀의 선단이 기판 (W) 을 이재 로봇 (도시생략) 에 주고받는 위치까지 상승한다. 이렇게 하여 상승한 리프트 핀에 의해 기판 (W) 의 하면은 지지되고, 들어올려지므로, 기판 (W) 은 하류 부상 유닛 (3C) 의 스테이지면 (32) 으로부터 상승한다. 이로써, 이재 로봇에 의한 기판 (W) 의 도포 장치 (1) 로부터의 언로딩이 가능해진다. Although not shown in Figs. 3A and 3B, the downstream floating
한편, 중앙 부상 유닛 (3B) 은, 다음과 같이 구성되어, 상류 부상 유닛 (3A) 및 하류 부상 유닛 (3C) 보다 높은 부상 정밀도를 갖고 있다. 즉, 중앙 부상 유닛 (3B) 은, 사각형 형상의 판상의 스테이지면 (33) 을 갖고 있다. 이 스테이지면 (33) 에는, 상류 부상 유닛 (3A) 및 하류 부상 유닛 (3C) 에 형성된 분출공 (31) 보다 좁은 피치로 복수의 구멍이 매트릭스상으로 분산되어 형성되어 있다. 또, 상류 부상 유닛 (3A) 및 하류 부상 유닛 (3C) 과 달리, 중앙 부상 유닛 (3B) 에서는, 구멍 중 절반은 압축 공기의 분출공 (34a) 으로서 기능하고, 나머지 절반은 흡인공 (34b) 으로서 기능한다. 요컨대, 분출공 (34a) 으로부터 압축 공기를 기판 (W) 의 이면 (Wb) 을 향하여 분출하여 스테이지면 (33) 과 기판 (W) 의 이면 (Wb) 사이의 공간 (SP) (도 3b) 에 압축 공기를 송입한다. 한편, 흡인공 (34b) 을 통하여 공간 (SP) 으로부터 공기를 흡인하도록 구성되어 있다. 이와 같이 상기 공간 (SP) 에 대해 공기의 분출과 흡인이 실시됨으로써, 상기 공간 (SP) 에서는 각 분출공 (34a) 으로부터 분출된 압축 공기의 공기류는 수평 방향으로 확산된 후, 당해 분출공 (34a) 에 인접하는 흡인공 (34b) 으로부터 흡인되게 되고, 상기 공간 (SP) 으로 확산되는 공기층 (압력 기체층) 에 있어서의 압력 밸런스는, 보다 안정적이 되어, 기판 (W) 의 부상 높이를 고정밀도로, 게다가 안정적으로 제어할 수 있다. 또한, 각 분출공 (34a) 으로의 압축 공기의 공급 및 흡인공 (34b) 으로부터의 공기의 흡인을 실시하기 위하여, 예를 들어 일본 공개특허공보 2010-227850호에 기재된 구성을 사용할 수 있다. On the other hand, the
도포 장치 (1) 에서는, 상류 부상 유닛 (3A) 에 의해 부상된 상태의 기판 (W) 을 반송 방향 (X) 으로 간헐적으로 반송하기 위하여, 반송 기구 (4) 가 형성되어 있다. 이하, 도 1a, 도 1b 와 도 4 를 참조하면서 반송 기구 (4) 의 구성에 대해 설명한다. The
도 4 는 도 1a 에 나타내는 도포 장치의 측면도이다. 반송 기구 (4) 는, 부상 기구 (3) 에 의해 부상 상태로 지지되고 있는 기판 (W) 의 Y 방향의 양측 단부 (端部) 를 흡인하여 유지하면서 부상 기구 (3) 에 의해 기판 (W) 을 부상시킨 채로 반송 방향 (X) 으로 반송하는 기능을 갖고 있다. 반송 기구 (4) 는, 도 1b 에 나타내는 바와 같이, 기판 (W) 을 흡착 유지하는 척부 (41) 를 복수 개 구비하고 있다. 여기서는, 2 개의 척 부재 (41a) 를 X 방향으로 배열하여 일체적으로 X 방향으로 자유롭게 이동할 수 있는 척부 (41) 를, (+Y) 측 및 (-Y) 방향측에 각각 1 개, 합계 2 개 형성하고 있는데, 각 척 부재 (41a) 를 척부 (41) 로 하여 형성해도 된다. 본 실시형태에서는, 상기한 2 개의 척부 (41) 는, 좌우 대칭 (+Y 측과 -Y 측에서 대칭) 구조로 되어 있고, 좌우 각각에서 기판 (W) 을 흡착 유지한다. 또, 반송 기구 (4) 는, 반송 척 주행 가이드 (42) 와, 반송 척 리니어 모터 (43) 와, 반송 척 리니어 스케일 (44) 과, 척 승강 실린더 (45) 를 구비하고 있다. 척부 (41) 는 척 승강 실린더 (45) 의 동작에 의해 승강시키는 것이 가능하게 되어 있다. 이 때문에, 장치 전체를 제어하는 제어부 (9) 로부터의 유지 지령에 따라 척 승강 실린더 (45) 가 작동함으로써, 척부 (41) 가 상승하여 (+Y) 측, (-Y) 측의 기판 (W) 의 양단부의 하면을 지지하여 흡착 유지한다. 또, 반송 척 주행 가이드 (42) 는 도포 장치 (1) 의 기대 (10) 상에서 X 방향으로 연장 형성되어 있고, 제어부 (9) 로부터의 반송 지령에 따라 반송 척 리니어 모터 (43) 가 작동함으로써, 척부 (41) 를 반송 척 주행 가이드 (42) 를 따라 반송 방향 (X) 으로 왕복 구동시킨다. 이로써, 척부 (41) 에 의해 유지된 기판 (W) 이 반송 방향 (X) 으로 반송된다. 또한, 본 실시형태에서는, 반송 방향 (X) 에 있어서의 기판 (W) 의 위치를 반송 척 리니어 스케일 (44) 에 의해 검출 가능하게 되어 있고, 제어부 (9) 는 반송 척 리니어 스케일 (44) 의 검출 결과에 기초하여 반송 척 리니어 모터 (43) 를 구동 제어한다. 4 is a side view of the coating device shown in Fig. The
상기한 반송 기구 (4) 에 의해 기판 (W) 은 표면 (Wf) 을 연직 상방을 향하게 한, 이른바 페이스 업 상태에서 반송 방향 (X) 으로 반송되지만, 당해 반송 중에 도포액을 기판 (W) 의 표면 (Wf) 에 도포하기 위하여, 도포 기구 (5) 가 형성되어 있다. 도포 기구 (5) 는, 도 1a 및 도 2 에 나타내는 바와 같이, 기대 (10) 에 대해 반송 방향 (X) 으로 이동 가능한 노즐 유닛 (51) 과, 반송 방향 (X) 에 있어서 당해 노즐 유닛 (51) 의 상류측 (도 1a 의 왼편측) 에서 기대 (10) 에 고정된 노즐 세정 대기 유닛 (52) 과, 도포액을 노즐 유닛 (51) 에 공급하는 도포액 공급 유닛 (58) 과, 도포액 보충 유닛 (59) 을 갖고 있다. The substrate W is conveyed in the conveying direction X in a so-called face-up state in which the surface Wf is directed vertically upward by the above-described conveying
노즐 유닛 (51) 은, 도 4 에 나타내는 바와 같이, Y 방향으로 기판 (W) 의 표면 (Wf) 에 대향하여 연장 형성된 슬릿 노즐 (511) 과, 슬릿 노즐 (511) 을 지지하는 노즐 지지 부재 (512) 와, Y 방향에 있어서 반송 기구 (4) 보다 외측에 형성된 좌우 대칭 (+Y 측과 -Y 측에서 대칭) 구조를 갖는 승강부 (513) 를 구비하고 있다. 이 실시형태에서는, 1 쌍의 승강부 (513) 에서 노즐 지지 부재 (512) 를 통하여 슬릿 노즐 (511) 을 연직 방향 (Z) 으로 승강시키도록 구성되어 있다. 보다 상세하게는, 각 승강부 (513) 는, 기둥상 부재 (514) 와, 연직 방향 (Z) 에 평행하게 연장된 상태에서 기둥상 부재 (514) 에 장착된 볼 나사 (515) 와, 볼 나사 (515) 의 상단부에 연결된 회전 모터 (516) 와, 볼 나사 (515) 에 나사 결합된 브래킷 (517) 을 구비하고 있다. 그리고, 제어부 (9) 로부터의 회전 지령에 따라 회전 모터 (516) 가 작동하면, 볼 나사 (515) 가 회전하고, 그 회전량에 따라 브래킷 (517) 이 연직 방향 (Z) 으로 승강한다. 이와 같이 구성된 (+Y) 방향측 및 (-Y) 방향측의 브래킷 (517) 에 대해 노즐 지지 부재 (512) 의 양단부가 각각 장착되고, 노즐 지지 부재 (512) 를 통하여 승강 가능하게 지지되어 있다. 4, the
또, 각 승강부 (513) 는, 도 4 에 나타내는 바와 같이, 도포 기구 (5) 의 이동 기구 (518) 에 의해 반송 방향 (X) 으로 왕복 이동된다. 이 이동 기구 (518) 는, 도 4 에 나타내는 바와 같이, 승강부 (513) 를 하방으로부터 지지하는 베이스부 (518a) 와, 주행 가이드 (518b) 와, 리니어 모터 (518c) 를 구비하고 있다. 주행 가이드 (518b) 는, 도 1a 나 도 1b 에 나타내는 바와 같이, 도포 장치 (1) 의 기대 (10) 상에서 X 방향으로 연장 형성되어 있다. 제어부 (9) 로부터의 이동 지령에 따라 리니어 모터 (518c) 가 작동함으로써 승강부 (513) 를 주행 가이드 (518b) 를 따라 반송 방향 (X) 으로 왕복 이동시키고, 승강부 (513) 와 함께 슬릿 노즐 (511) 을 메인터넌스 위치와 토출 위치에 위치 결정 가능하게 되어 있다. 여기서,「메인터넌스 위치」란 노즐 세정 대기 유닛 (52) 에서 예비 토출을 포함하는 메인터넌스 동작을 실시하는 위치를 의미하고,「토출 위치」란 기판 (W) 을 향하여 도포액을 토출하는 동작을 실시하는 위치, 요컨대 중앙 부상 유닛 (3B) 의 바로 윗쪽 위치를 의미하고 있다. 4, each elevating
노즐 지지 부재 (512) 의 하단부에 슬릿 노즐 (511) 이 토출구 (511a) 를 하방을 향하게 한 상태에서 장착되어 있다. 이 때문에, 제어부 (9) 에 의한 회전 모터 (516) 의 제어에 의해 슬릿 노즐 (511) 을 승강시켜 토출구 (511a) 를 반송 기구 (4) 에 의해 반송되는 기판 (W) 의 표면 (Wf) 에 근접시키거나, 반대로 상방으로 이간시키는 것이 가능하게 되어 있다. 또, 후술하는 부상 높이 검출 센서 (도 3b 중의 부호 53) 의 출력에 기초하여 제어부 (9) 가 회전 모터 (516) 를 제어하고 있고, 이로써 기판 (W) 의 표면 (Wf) 과 토출구 (511a) 의 간격을 고정밀도로 조정 가능하게 되어 있다. 그리고, 토출구 (511a) 를 기판 (W) 의 표면 (Wf) 에 근접시킨 상태에서 도포액 공급 유닛 (58) 으로부터 도포액이 슬릿 노즐 (511) 로 압송되면, 토출구 (511a) 로부터 기판 (W) 의 표면 (Wf) 을 향하여 토출된다. 또한, 슬릿 노즐 (511) 에는, 노즐 선단을 보호하기 위한 보호 부재 (도 3b 중의 부호 6B1), 부상 높이 검출 센서 (도 3b 중의 부호 53) 및 진동 센서 (도 3b 중의 부호 6B2) 가 장착되어 있다. A
이 도포액 공급 유닛 (58) 은, 도 4 에 나타내는 바와 같이, 도포액을 슬릿 노즐 (511) 에 압송하기 위한 압송원으로서, 튜브 펌프나 벨로스 펌프 등의, 체적 변화에 의해 도포액을 송액하는 펌프 (581) 를 사용하고 있다. 이 펌프 (581) 의 출력측에는, 배관 (582) 의 일방단이 접속되어 있다. 또, 이 배관 (582) 의 타방단은 2 개로 분기되어 있고, 도 4 에 나타내는 바와 같이, 그 중 일방의 배관 (583) 은 슬릿 노즐 (511) 의 (-Y) 방향측의 단부에 접속되고, 타방의 배관 (584) 은 슬릿 노즐 (511) 의 (+Y) 방향측의 단부에 접속되어 있다. 이들의 배관 (583, 584) 에는, 각각 개폐 밸브 (585, 586) 가 개재 삽입되어 있고, 제어부 (9) 로부터의 개폐 지령에 따라 개폐하고, 이로써 슬릿 노즐 (511) 로의 도포액의 송액과 송액 정지를 전환 가능하게 되어 있다. As shown in Fig. 4, this coating
또, 슬릿 노즐 (511) 로의 도포액의 공급에 의해 펌프 (581) 에 충전되어 있는 도포액의 비율, 요컨대 펌프 충전율이 감소한다. 그래서, 도포액 보충 유닛 (59) 이 형성되어 있다. 이 도포액 보충 유닛 (59) 은, 도 3b 에 나타내는 바와 같이, 도포액을 저류시키는 저류 탱크 (591) 와, 당해 저류 탱크 (591) 를 펌프 (581) 에 접속시키는 배관 (592) 과, 배관 (592) 에 개재 삽입된 개폐 밸브 (593) 를 구비하고 있다. 이 개폐 밸브 (593) 는 제어부 (9) 로부터 보충 지령에 따라 개방하고, 저류 탱크 (591) 내의 도포액을 펌프 (581) 에 보충 가능하게 한다. 반대로, 제어부 (9) 로부터 보충 정지 지령에 따라 폐쇄하고, 저류 탱크 (591) 로부터 펌프 (581) 로의 도포액의 보충을 규제한다. 또한, 본 실시형태에서는, 상기한 개폐 밸브 (593) 뿐만 아니라 도포액 공급 유닛 (58) 의 개폐 밸브 (585, 586) 의 개폐도 제어하면서 도포액의 보충 동작을 실시한다. 요컨대, 보충 동작을 실시하지 않는 동안, 개폐 밸브 (593) 는 폐쇄되고, 저류 탱크 (591) 로부터 펌프 (581) 로의 도포액의 유입을 규제한다. 이에 반하여, 개폐 밸브 (585, 586) 를 폐쇄하는 한편, 개폐 밸브 (593) 를 개방한 상태에서 펌프 (581) 가 작동함으로써 저류 탱크 (591) 내의 도포액이 펌프 (581) 로 끌여들여져 충전된다. 또한, 본 실시형태에서는, 노즐 세정 대기 유닛 (52) 에 있어서 메인터넌스 중 하나인 예비 토출 동작을 준비 동작 (다음의 기판에 도포액을 양호하게 토출하기 위한 동작) 으로서 실시하는 것에 관련하여, 이후에 상세히 서술하는 바와 같이, 준비 동작 전 및 준비 동작 후의 2 회로 나누어 도포액을 펌프 (581) 에 보충하여, 펌프 충전율이 100 % 혹은 거의 100 % 인 충전 상태로 회복시킨다. In addition, the proportion of the coating liquid filled in the
노즐 세정 대기 유닛 (52) 은 기판 (W) 의 표면 (Wf) 으로의 도포액의 공급을 실시한 슬릿 노즐 (511) 의 선단부로부터 레지스트액을 세정 제거하는 장치이고, 당해 세정 처리에 의해 슬릿 노즐 (511) 의 토출구 (511a) 는 다음의 도포 처리에 적합한 상태로 갖추어진다. 이 노즐 세정 대기 유닛 (52) 은, 도 3b 및 도 4 에 나타내는 바와 같이, 주로 롤러 (521), 세정 유닛 (522), 롤러 배트 (523) 등으로 구성되고, 노즐 세정 및 예비 토출을 실시하는 세정 대기부 (524) 를 구비하고 있다. 이 세정 대기부 (524) 에서는, 도포 처리가 실시된 후의 슬릿 노즐 (511) 의 토출구 (511a) 의 세정이 실시된다. 또, 롤러 (521) 의 외주면에 슬릿 노즐 (511) 을 근접시킨 상태에서 토출구 (511a) 로부터 일정한 도포액을 토출시키면, 토출구 (511a) 에 도포액의 액 고임이 형성된다 (예비 토출 동작). 이와 같이 토출구 (511a) 에 액 고임이 균일하게 형성되면, 그 후의 도포 처리를 고정밀도로 실시하는 것이 가능해진다. 이와 같이, 슬릿 노즐 (511) 의 토출구 (511a) 는 초기화되고, 다음의 도포 처리에 대비한다. 또한, 롤러 (521) 의 회전은 제어부 (9) 로부터의 회전 지령에 따라 롤러 회전 모터 (도시 생략) 의 구동에 의해 실시된다. 또, 롤러 (521) 에 부착된 도포액은, 롤러 (521) 가 회전할 때에 롤러 배트 (523) 내에 저류된 세정액에 하단이 침지됨으로써 제거된다. The nozzle
상기한 바와 같이, 본 실시형태에서는, 슬릿 노즐 (511) 을 기판 (W) 의 표면 (Wf) 에 근접시켜 도포 처리를 실시하기 때문에, 표면 (Wf) 에 이물질이 존재하면, 이물질과 슬릿 노즐 (511) 의 충돌에 의해 슬릿 노즐 (511) 이 손상되는 경우가 있다. 또, 상기 충돌에 의해 슬릿 노즐 (511) 의 위치에 오차가 발생하면, 그 후에 있어서의 도포 처리를 계속할 수 없어진다. 그래서, 본 실시형태에서는, 기판 (W) 의 표면 (Wf) 에 존재하는 이물질을 검출하기 위해서, 2 종류의 이물질 검출 기구 (6A, 6B) 가 형성되어 있다. As described above, in the present embodiment, the
이물질 검출 기구 (6A) 는, 반송 방향 (X) 에 있어서 도포 기구에 형성된 슬릿 노즐 (511) 의 상류측에서 상기 이물질을 비접촉 방식으로 검출하는 것으로, 투광부 (6A1) 및 수광부 (6A2) 를 갖고 있다. 투광부 (6A1) 및 수광부 (6A2) 는, 도 1b 에 나타내는 바와 같이, Y 방향에 있어서 중앙 부상 유닛 (3B) 을 외측으로부터 끼워넣도록 배치되어 있다. 투광부 (6A1) 및 수광부 (6A2) 는 각각 기대 (10) 의 상면으로부터 연직 방향 (Z) 으로 세워 형성된 지지 부재 (도시생략) 의 상단부에 장착되고, 투광부 (6A1) 및 수광부 (6A2) 의 높이 위치가 조정되어 있다. 보다 구체적으로는, 도 3b 에 나타내는 바와 같이 투광부 (6A1) 로부터 조사된 레이저광이 기판 (W) 의 표면 (Wf) 상을 통과하여 수광부 (6A2) 에 입사되도록, 투광부 (6A1) 및 수광부 (6A2) 가 배치 형성되어 있다. 그리고, 투광부 (6A1) 는 수광부 (6A2) 를 향하여 레이저광을 조사한다. 한편, 수광부 (6A2) 는 투광부 (6A1) 로부터 조사된 레이저광을 수광하고, 그 수광량을 계측하여 제어부 (9) 에 출력한다. 그리고, 제어부 (9) 는 당해 수광량에 기초하여 이물질 검출을 실시한다. The foreign
다른 일방의 이물질 검출 기구 (6B) 는 접촉 방식으로 상기 이물질을 검출하는 것이고, 본 실시형태에서는, 도포 기구 (5) 의 슬릿 노즐 (511) 에 장착되어 있다. 이물질 검출 기구 (6B) 는, 반송 방향 (X) 에 있어서의 토출구 (511a) 의 상류측에서 슬릿 노즐 (511) 에 장착된 보호 부재 (6B1) 와, 슬릿 노즐 (511) 의 진동을 검출하는 진동 센서 (6B2) 를 갖고 있다. 보호 부재 (6B1) 는, 슬릿 노즐 (511) 의 노즐 선단을 보호하기 위하여 수평 방향 (Y) 으로 연장 형성된 플레이트 부재이고, 플레이트면이 기판 (W) 의 표면 (Wf) 에 대해 직교하도록 배치되어 있다. 이 때문에, 노즐 유닛 (51) 의 바로 아래 위치를 기판 (W) 이 반송될 때에, 기판 (W) 상에 이물질이 존재한 경우, 보호 부재 (6B1) 는, 슬릿 노즐 (511) 의 노즐 선단과 이물질의 접촉에 의한 슬릿 노즐 (511) 의 파손을 억제한다. 또, 이물질이 존재한 경우, 보호 부재 (6B1) 가 이물질과 접촉하여 당해 보호 부재 (6B1) 에 진동이 발생하여, 슬릿 노즐 (511) 에 전달된다. 이 진동을 진동 센서 (6B2) 가 검출하여 제어부 (9) 에 출력한다. 그리고, 제어부 (9) 는 당해 진동에 기초하여 이물질 검출을 실시한다. 또한, 슬릿 노즐 (511) 에는, 상기 이물질 검출 기구 (6B) 이외에, 보호 부재 (6B1) 보다 먼저 기판 (W) 의 상방 영역에 진입하는 위치에, 기판 (W) 의 부상 높이를 비접촉으로 검지하기 위한 부상 높이 검출 센서 (53) 가 설치되어 있다. 이 부상 높이 검출 센서 (53) 에 의해, 부상한 기판 (W) 과, 중앙 부상 유닛 (3B) 의 스테이지면 (33) 의 상면의 이간 거리를 측정하는 것이 가능하고, 그 검출치에 수반하여, 제어부 (9) 를 통하여 슬릿 노즐 (511) 이 하강하는 위치를 조정할 수 있다. 또한, 부상 높이 검출 센서 (53) 로는, 광학식 센서나, 초음파식 센서 등을 사용할 수 있다. The other foreign
이와 같이, 본 실시형태에서는, 2 종류의 이물질 검출 기구 (6A, 6B) 를 형성함으로써 이물질 검출을 확실하게 실시할 수 있다. 또한, 이물질 검출시에는 제어부 (9) 는 기판 (W) 의 반송을 강제적으로 정지시켜 슬릿 노즐 (511) 의 파손이나 기판 (W) 의 데미지 등을 미연에 방지한다. As described above, in the present embodiment, foreign matter can be reliably detected by forming two kinds of foreign
제어부 (9) 는 상기한 바와 같이 도포 장치 (1) 의 장치 각 부를 제어하는 기능을 갖고 있다. 이 제어부 (9) 에는, 미리 정해진 처리 프로그램을 실행하여 각 부의 동작을 제어하는 CPU (91) 와, CPU (91) 에 의해 실행되는 처리 프로그램이나 처리 중에 생성되는 데이터 등을 기억 보존하기 위한 메모리 (92) 와, 처리의 진행 상황이나 이물질 검출 등을 필요에 따라 사용자에 알리기 위한 표시부 (93) 가 형성되어 있다. 그리고, 도포 장치 (1) 에서는, CPU (91) 가 처리 프로그램에 따라 장치 각 부를 이하와 같이 제어함으로써 도포 처리가 실행된다. The
다음으로, 도포 장치 (1) 에 의해 기판 (W) 의 표면 (Wf) 에 도포액을 도포하는 동작에 대해 도 3b, 도 5, 도 6a 내지 도 6f 를 참조하면서 설명한다. 여기서는, n 장째의 기판 (Wn) 에 대한 도포액의 도포 종료 (도 5 중의 타이밍 (t11)) 에서 다음의 (n + 1) 장째의 기판 (W(n + 1)) 으로의 도포액의 도포 개시 (도 5 중의 타이밍 (t16)) 까지의 동작에 대해 설명한다. 또, 본 실시형태에 있어서의 각종 동작의 기술적 의의를 명확하게 하기 위하여, 도 1a 에 나타내는 도포 장치 (1) 에 대해 종래 기술 (펌프 (581) 의 충전 상태로의 회복 후에 준비 동작으로서 예비 토출을 실행한다) 을 굳이 적용한 예를 비교예로서 도 5(a) 에 도시하고 있다. Next, the operation of applying the coating liquid to the surface Wf of the substrate W by the
도 5 는 도 1a 에 나타내는 도포 장치의 동작 (제 1 실시형태) 과 비교예를 나타내는 도면이다. 또, 도 6a 내지 6f 는 장치 각 부의 동작을 모식적으로 나타내는 도면이다. 또한, 도 6a 내지 6f 에 있어서,「CLOSE」 및 「OPEN」은 도포액 공급 유닛 (58) 및 도포액 보충 유닛 (59) 에 형성된 개폐 밸브 (585, 586, 593) 의 개폐 상황을 나타내고 있다. 또,「토출」 및 「보충」은, 펌프 (581) 에 의한 도포액의 송액에 의해 도포액의 토출이 실시되고 있는 상황인지, 도포액을 보충하고 있는 상황인지를 나타내고 있다. 또한, 괄호 중의 퍼센트는 펌프 충전율을 나타내고 있다. Fig. 5 is a view showing an operation (first embodiment) and a comparative example of the application device shown in Fig. 1a. 6A to 6F are diagrams schematically showing the operation of each part of the apparatus. 6A to 6F, " CLOSE " and " OPEN " show the opening and closing states of the opening / closing
n 장째의 기판 (Wn) 에 대한 도포 처리에서는, 기판 (Wn) 이 X 방향으로 부상 반송되는 한편, 슬릿 노즐 (511) 은 중앙 부상 유닛 (3B) 의 바로 윗쪽 위치 (토출 위치) 에 위치하고 있다. 또, 도 6a 에 나타내는 바와 같이, 개폐 밸브 (585, 586, 593) 는 각각 개방, 개방 및 폐쇄되어 있고, 펌프 (581) 에 의해 도포액이 슬릿 노즐 (511) 로 압송되고, 슬릿 노즐 (511) 으로부터 도포액이 기판 (Wn) 의 표면을 향하여 토출된다. 이로써, 기판 (Wn) 의 표면에 도포층 (CL) 이 형성된다. 그리고, 기판 (Wn) 으로의 도포액의 도포가 종료된 시점 (타이밍 (t11)) 에서는, 펌프 충전율은 0 % 혹은 수 % 정도로 저하되었다. In the coating process for the nth substrate Wn, the substrate Wn is lifted and transported in the X direction while the
이렇게 하여, n 장째의 기판 (Wn) 에 대한 도포 처리가 종료되면, 개폐 밸브 (585, 586, 593) 는 각각 폐쇄, 폐쇄 및 개방으로 전환된 후에, 토출 위치로부터 메인터넌스 위치로의 슬릿 노즐 (511) 의 이동이 개시된다. 여기서, 개폐 밸브 (585, 586, 593) 를 상기와 같이 전환함으로써, 슬릿 노즐 (511) 의 이동 중에 토출구 (511a) 로부터 도포액이 누설되는 것을 효과적으로 방지하면서 펌프 (581) 로의 도포액의 보충을 실시한다. 따라서, 시간 경과에 수반하여 펌프 충전율은 서서히 상승하고, 예를 들어 타이밍 (t12) 에서는 도 5 및 도 6b 에 나타내는 바와 같이 펌프 충전율은 30 % 정도로 상승하고 있다. After the coating process for the nth substrate Wn is completed, the open /
이와 같이 예비 토출을 실시하기 전에 슬릿 노즐 (511) 의 이동과 병행하여 도포액의 보충을 실시하는 점에 대해서는, 비교예도 완전히 동일하지만, 비교예에서는 펌프 (581) 가 충전 상태로 회복되는 타이밍 (t03) 을 기다려 예비 토출을 개시하는 데에 반하여, 본 실시형태에서는 타이밍 (t03) 보다 빠른 타이밍 (t13) 에서 도포액의 보충을 중단하고, 비교예보다 시간 (Δt) (= t03 - t13) 만큼 조기에 예비 토출을 개시한다. 또한, 예비 토출 동작 및 예비 토출 후의 슬릿 노즐 (511) 의 이동 동작은 비교예도 실시형태도 동일하고, 비교예 및 실시형태에 있어서의 예비 토출 개시부터 다음의 기판 (W(n + 1)) 의 도포 개시까지의 시간, 요컨대,The comparative example is completely the same as that in which the coating liquid is replenished in parallel with the movement of the
비교예 : 시간 = t06 - t03Comparative Example: Time = t06 - t03
실시형태 : 시간 = t16 - t13Embodiment: Time = t16 - t13
은 동일하다. 단, 이후에 설명하는 바와 같이 본 실시형태에서는 예비 토출 후에 도포액의 추가 보충을 실시하는 데에 반하여, 비교예에서는 당해 보충을 일절 실시하지 않는 점에서 상이하다. Are the same. However, as will be described later, in this embodiment, the coating liquid is supplemented after the preliminary ejection, whereas the comparative example is different in that no supplement is performed.
도 5(b) 의 하단의 그래프로 되돌아와 설명을 계속한다. 본 실시형태에서는, 슬릿 노즐 (511) 이 메인터넌스 위치, 요컨대 토출구 (511a) 가 노즐 세정 대기 유닛 (52) 의 롤러 (521) 의 외주면에 근접한 위치에 도달한 시점을 도포액의 보충을 중단하는 타이밍 (t13) 으로 하고 있다. 또, 도 5(b) 의 상단의 그래프에 나타내는 바와 같이, 노즐 세정 대기 유닛 (52) 으로의 슬릿 노즐 (511) 의 이동 개시부터 타이밍 (t13) 에 도달하는 동안에, 양 (M1) 의 도포액이 펌프 (581) 에 보충되고, 슬릿 노즐 (511) 은 충전 상태에 도달하지 않기는 하지만, 그 펌프 충전율은 예를 들어 80 % 에 도달하고 있다 (도 6c 참조).Returning to the graph at the bottom of Fig. 5 (b), description will be continued. In this embodiment, the timing at which the
그리고, 타이밍 (t13) 에서, 개폐 밸브 (585, 586, 593) 는 각각 개방, 개방 및 폐쇄로 전환되고, 펌프 (581) 로의 도포액의 보충이 중단되는 한편, 일정 시간 (= t14 - t13) 을 걸쳐 펌프 (581) 로부터 일정량 (M3) 의 도포액이 슬릿 노즐 (511) 로 압송된다. 이로써, 도 6d 에 나타내는 바와 같이, 토출구 (511a) 로부터 도포액이 토출되고, 토출구 (511a) 에 도포액의 액 고임 (LD) 이 형성된다 (예비 토출 동작). 여기서는, 예비 토출에 의해 펌프 충전율은 80 % 에서 70 % 로 저하된다. At the timing t13, the open /
이와 같이 롤러 (521) 를 사용하여 예비 토출을 실시한 후에 있어서는, 일정 시간 (= t15 - t14) 의 동안, 토출구 (511a) 를 롤러 (521) 에 근접시킨 상태인 채 슬릿 노즐 (511) 을 대기시킨 후에, 슬릿 노즐 (511) 의 토출 위치로의 이동을 개시시킨다. After the preliminary discharge is performed using the
한편, 개폐 밸브 (585, 586, 593) 는, 예비 토출이 완료된 타이밍 (t14) 에서, 각각 폐쇄, 폐쇄 및 개방으로 전환되고, 펌프 (581) 로의 도포액의 보충이 재개된다. 그리고, 상기 대기 기간 (t14 ∼ t15) 및 슬릿 노즐 (511) 의 토출 위치로의 이동 기간 (t15 ∼ t16) 을 이용하여 양 (M2) (= 100 - M1 + M3) 의 도포액을 펌프 (581) 에 보충하여 충전 상태로 회복시킨다 (도 6e 참조). 이 실시형태에서는, 예비 토출 후의 도포액의 보충량 (M2) 은 예비 토출 전의 도포액의 보충량 (M1) 보다 적기 때문에, 도 5(b) 에 나타내는 바와 같이 예비 토출 후의 보충 속도 (그래프의 기울기) 를 예비 토출 전의 그것보다 작게 설정하고 있다. 이 때문에, 예비 토출 후의 보충 단계에서 도포액이 음압 (陰壓) 이 되는 것에 의한 캐비테이션의 발생을 효과적으로 방지할 수 있다. On the other hand, the open /
또, 슬릿 노즐 (511) 을 토출 위치에 이동시키고 있는 동안 (t15 ∼ t16), 개폐 밸브 (585, 586) 는 모두 폐쇄되어 있기 때문에, 다음의 작용 효과가 얻어진다. 본 실시형태에서는, 펌프 (581) 는 도 4 에 나타내는 바와 같이 토출구 (511a) 보다 높은 위치에 배치되어 있기 때문에, 수두차에 의해 토출구 (511a) 로부터의 도포액의 누설이 문제가 되지만, 개폐 밸브 (585, 586) 를 폐쇄함으로써 도포액의 누설을 효과적으로 방지할 수 있다. While the
상기와 같이 펌프 (581) 가 충전 상태로 회복되고, 또한 슬릿 노즐 (511) 이 토출 위치에 위치 결정되면 (타이밍 (t16)), 도 6f 에 나타내는 바와 같이, 개폐 밸브 (585, 586, 593) 는 각각 개방, 개방 및 폐쇄로 전환되고, 펌프 (581) 로부터 도포액이 슬릿 노즐 (511) 로 압송되고, X 방향으로 부상 반송되는 (n + 1) 장째의 기판 (W(n + 1)) 의 표면 (Wf) 을 향하여 도포액이 토출되고, 도포층 (CL) 이 형성된다.Closing
이상과 같이, 제 1 실시형태에서는, 도 5 에 나타내는 바와 같이, 준비 동작으로서 예비 토출 동작을 개시하는 데에 필요한 양 (예비 토출 동작에서 사용되는 도포액의 양 (M2)) 이상의 도포액이 펌프 (581) 에 저류되면, 펌프 (581) 가 충전 상태로 회복되는 것 (타이밍 (t03)) 보다 시간 (Δt) 만큼 빨리 예비 토출이 준비 동작으로서 실행된다. 그 때문에, 종래 기술 (펌프 (581) 가 충전 상태가 되는 것을 기다려 예비 토출을 실시하는 기술) 보다 상기 시간 (Δt) 만큼 택트 타임을 단축시킬 수 있다. 이 것은, 시점을 바꾸면, 다음의 작용 효과가 얻어지는 것을 의미하고 있다. 비교예에 있어서 본 실시형태와 동일한 정도의 택트 타임을 획득하기 위해서는, 도포액의 보충 속도를 높일 필요가 있다. 그러나, 보충 속도의 증대에 의해 도포액이 음압이 되고, 도포액 중에 캐비테이션이 발생한다는 리스크가 수반된다. 이에 반하여, 본 실시형태에서는, 종래 기술과 동일한 속도로 도포액을 보충할 수 있어, 상기 리스트를 회피하면서 택트 타임을 단축시킬 수 있다는 우수한 작용 효과를 갖고 있다. As described above, in the first embodiment, as shown in Fig. 5, the coating liquid equal to or larger than the amount necessary for starting the preliminary ejection operation (the amount of the coating liquid M2 used in the preliminary ejection operation) The preliminary discharge is performed as the preparatory operation as soon as the time t is reached than when the
또, 펌프 (581) 와 슬릿 노즐 (511) 을 접속하는 배관 (583, 584) 에 개폐 밸브 (585, 586) 를 개재 삽입하고, 슬릿 노즐 (511) 의 이동 중에 개폐 밸브 (585, 586) 를 폐쇄하고 있기 때문에, 당해 이동 중에 토출구 (511a) 로부터 도포액이 누설되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. Closing
또한, 종래 기술에서는 예비 토출 후에 도포액의 보충을 실시할 수 없기 때문에, 다음의 도포액 개시 시점에 있어서의 펌프 충전율은 100 % 로부터 예비 토출에서의 소비량 (M3) 을 감산한 값이 된다. 즉, 소비량 (M3) 을 고려하여 조금 능력이 높은 펌프를 사용할 필요가 있었다. 이에 반하여, 본 실시형태에서는 상기 고려가 불필요해져, 종래 기술보다 소형의 펌프 (581) 를 사용할 수 있고, 장치 중량이나 비용의 저감을 도모할 수 있다. In the prior art, since the coating liquid can not be replenished after the preliminary discharge, the pump filling rate at the start of the next coating liquid is a value obtained by subtracting the consumed amount (M3) from the preliminary discharge from 100%. In other words, it is necessary to use a pump having a little ability in consideration of the consumption amount (M3). On the other hand, in the present embodiment, the consideration is not necessary, and a
이상, 본 실시형태에서는, 노즐 세정 대기 유닛 (52) 이 본 발명의 「메인터넌스부」의 일례에 상당하고 있다. 이동 기구 (518) 가 본 발명의 「이동부」의 일례에 상당하고 있다. 도포액 보충 유닛 (59) 이 본 발명의 「보충부」의 일례에 상당하고 있다. 도포액의 양 (M1, M2) 이 각각 본 발명의 「제 1 량」 및 「제 2 량」의 일례에 상당하고 있다. 개폐 밸브 (585, 586) 가 본 발명의 「전환부」의 일례에 상당하고 있다. 도 5 중의 타이밍 (t11) 에서 타이밍 (t13) 까지의 사이에 실행되는 보충 동작이 본 발명의 「제 1 보충 동작」 및 「제 1 보충 공정」의 일례에 상당하고, 타이밍 (t13) 에서 타이밍 (t14) 까지의 사이에 실행되는 예비적인 토출 동작이 본 발명의 「예비 토출 공정」 및 「준비 공정」의 일례에 상당하고, 타이밍 (t14) 에서 타이밍 (t16) 까지의 사이에 실행되는 보충 동작이 본 발명의 「제 2 보충 동작」 및 「제 2 보충 공정」의 일례에 상당하고 있다.As described above, in the present embodiment, the nozzle
또한, 본 발명은 상기한 실시형태에 한정되는 것이 아니고, 그 취지를 일탈하지 않는 한에 있어서 상기 서술한 것 이외에 여러 가지의 변경을 실시하는 것이 가능하다. 예를 들어 상기 제 1 실시형태에서는, 노즐 세정 대기 유닛 (52) 의 롤러 (521) 에 슬릿 노즐 (511) 의 토출구 (511a) 를 근접시켜 예비 토출 처리를 준비 동작으로서 실시하는 도포 장치 (1) 에 대해 본 발명을 적용하고 있는데, 타이밍 (t14 ∼ t15) 에서 세정 유닛 (522) 에 의한 스크레이퍼 처리를 수반하는 도포 장치 (1) 에도 본 발명을 그대로 적용할 수 있다. The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications other than those described above can be made without departing from the spirit of the present invention. For example, in the first embodiment described above, the
또, 상기 제 1 실시형태에서는, 제 1 보충 동작 (타이밍 (t11 ∼ t13)) 에 의해 펌프 충전율을 80 % 까지 회복시키고, 예비 토출 동작 (타이밍 (t13 ∼ t14)) 에 의해 펌프 충전율을 10 % 감소시키고, 제 2 보충 동작 (타이밍 (t14 ∼ t16)) 에 의해 펌프 충전율을 충전 상태 (100 %) 까지 회복시키고 있지만, 이들의 수치는 일례로서, 도포해야 할 도포액의 양이나 물성 등에 따른 수치로 설정할 수 있다. 단, 상기한 바와 같이 예비 토출을 확실하게 실시하기 위해서는 제 1 보충 동작에 있어서 양 (M3) 이상의 도포액을 보충할 필요가 있다. In the first embodiment, the pump filling rate is restored to 80% by the first replenishing operation (timings t11 to t13), and the pump filling rate is reduced by 10% by the preliminary discharging operation (the timing (t13 to t14) And the pump filling rate is restored to the charged state (100%) by the second replenishing operation (the timing (t14 to t16)). These numerical values are, by way of example, numerical values depending on the amount and physical properties of the coating liquid to be applied . However, in order to reliably perform the preliminary ejection as described above, it is necessary to replenish the coating liquid of the amount (M3) or more in the first replenishing operation.
또, 상기 제 1 실시형태에서는, 토출 위치로부터 노즐 세정 대기 유닛 (52) 으로 이동할 때에 슬릿 노즐 (511) 의 토출구 (511a) 로부터의 도포액의 누설을 방지하기 위하여, 개폐 밸브 (585, 586) 를 폐쇄하고 있는데, 추가로 n 장째의 기판에 대한 도포 처리가 완료된 타이밍 (t11) 에서 이른바, 석 백 동작을 실행하여 도포액의 누설을 더욱 고도로 방지할 수 있다. 이 경우, 석 백 동작에 수반하여, 슬릿 노즐 (511) 의 토출구 (511a) 의 근방에 기포를 휩쓸려들어가게 하는 경우가 있다. 그래서, 석 백 동작을 병용하는 경우에는, 다음에 설명하는 바와 같이 상기 예비 토출 동작 이외에 기포 제거 동작을 준비 동작으로서 실행하는 것이 바람직하다 (제 2 실시형태).Closing
도 7 은 본 발명에 관련된 기판 처리 장치의 제 2 실시형태인 도포 장치의 동작을 나타내는 도면이다. 이 제 2 실시형태에서는, n 장째의 기판에 대한 도포 처리가 완료된 타이밍 (t21) 에서 이른바, 석 백 동작이 실행되기 때문에, 동 도면에 나타내는 바와 같이 메인터넌스 위치에서 기포 제거 동작과 예비 토출 동작을 이 순서로 준비 동작으로서 실행하고 있다. 또한, 도포액의 보충 자체는 준비 동작과 직접 관계되는 것은 아니지만, 기포 제거 동작으로부터 예비 토출 동작으로 이행하기 위한 시간을 이용하여 도포액의 보충, 요컨대 중간 보충을 준비 동작에 포함시키고 있다. 7 is a view showing the operation of a coating apparatus according to a second embodiment of the substrate processing apparatus according to the present invention. In this second embodiment, the so-called quenching operation is performed at the timing t21 when the coating process for the nth substrate is completed. Therefore, as shown in the figure, the bubble removing operation and the preliminary ejecting operation are performed at the maintenance position As a preparatory operation in this order. The replenishing of the coating liquid itself is not directly related to the preparatory operation, but the replenishment of the coating liquid, that is, the intermediate replenishment, is included in the preparatory operation by using the time for shifting from the bubble removing operation to the preliminary ejection operation.
이 제 2 실시형태에서는, 슬릿 노즐 (511) 이 메인터넌스 위치, 요컨대 토출구 (511a) 가 노즐 세정 대기 유닛 (52) 의 롤러 (521) 의 외주면에 근접한 위치에 도달한 시점을 도포액의 보충을 중단하는 타이밍 (t22) 으로 하고 있다. 또, 노즐 세정 대기 유닛 (52) 으로의 슬릿 노즐 (511) 의 이동 개시부터 타이밍 (t22) 에 도달하는 동안에, 도포액이 펌프 (581) 에 보충되고, 슬릿 노즐 (511) 은 충전 상태에 도달하지 않기는 하지만, 타이밍 (t22 ∼ t23) 에서 기포 제거 동작을 실행하는 데에 필요한 양 (당해 기포 제거 동작 중에 슬릿 노즐 (511) 을 향하여 송액되는 도포액의 양) 이상의 도포액이 펌프 (581) 에 저류된다. In this second embodiment, the time at which the
그리고, 타이밍 (t22) 에서, 개폐 밸브 (585, 586, 593) 는 각각 개방, 개방및 폐쇄로 전환되고, 펌프 (581) 로의 도포액의 보충이 중단되는 한편, 일정 시간 (= t23 - t22) 을 걸쳐 펌프 (581) 로부터 일정량의 도포액이 슬릿 노즐 (511) 로 송액되고, 토출구 (511a) 로부터 도포액이 토출되지 않기는 하지만, 토출구 (511a) 에 스며나올 정도로 도포액이 존재하게 되어, 그 송액 동작에 의해 토출구 (511a) 의 근방에 존재하고 있던 기포가 토출구 (511a) 로부터 제거된다 (기포 제거 동작).At the timing t22, the open /
한편, 개폐 밸브 (585, 586, 593) 는, 기포 제거 동작이 완료된 타이밍 (t23) 에서, 각각 폐쇄, 폐쇄 및 개방으로 전환되고, 펌프 (581) 로의 도포액의 보충이 재개된다 (중간 보충). 그리고, 예비 토출이 가능해지는 타이밍 (t24) 에서 제 1 실시형태와 마찬가지로 하여 예비 토출 동작이 실행된다. 이렇게 하여, 준비 동작 (= 기포 제거 동작 + 예비 토출 동작) 이 완료되면 (타이밍 (t25)), 제 1 실시형태와 마찬가지로, 대기 기간 및 슬릿 노즐 (511) 의 토출 위치로의 이동 기간을 이용하여 펌프 (581) 로의 도포액의 보충이 재개되고, 펌프 (581) 를 충전 상태로 회복시킨다. 그리고, 펌프 (581) 가 충전 상태로 회복되고, 또한 슬릿 노즐 (511) 이 토출 위치에 위치 결정되면 (타이밍 (t26)), 개폐 밸브 (585, 586, 593) 는 각각 개방, 개방 및 폐쇄로 전환되고, 펌프 (581) 로부터 도포액이 슬릿 노즐 (511) 로 압송되고, X 방향으로 부상 반송되는 (n + 1) 장째의 기판 (W(n + 1)) 의 표면 (Wf) 을 향하여 도포액이 토출되고, 도포층 (CL) 이 형성된다.On the other hand, the open /
이상과 같이, 제 2 실시형태에서는, 예비 토출 동작에 더하여 기포 제거 동작을 준비 동작으로서 실시하고 있기 때문에, 슬릿 노즐 (511) 의 토출구 (511a) 로부터 기포를 확실하게 제거하고, 기판 (W) 에 대해 도포액을 양호하게 도포할 수 있다. 이와 같이, 제 2 실시형태에서는, 타이밍 (t22 ∼ t25) 에서 실행되는 동작이 본 발명의 「준비 공정」의 일례에 상당하고 있다. As described above, in the second embodiment, bubbles are reliably removed from the
또, 상기 제 2 실시형태에서는, 메인터넌스 위치에서 기포 제거 동작을 실행하고 있는데, 예를 들어 도 8 에 나타내는 바와 같이 슬릿 노즐 (511) 이 토출 위치로부터 노즐 세정 대기 유닛 (52) 으로 이동하고 있는 도중의 기간 (타이밍 (t32 ∼ t33)) 에 기포 제거 동작을 실행해도 된다 (제 3 실시형태). 상기 타이밍 (t32) 에서는, 제 2 실시형태에 비하여 펌프 충전율은 낮기는 하지만, 상기 기포 제거 동작을 실행하는 데에 필요한 양 이상의 도포액이 이미 펌프 (581) 에 저류되어 있다. 또한, 도 8 중의 부호 t31, t34 ∼ t36 은 각각 제 2 실시형태에서의 타이밍 t21, t24 ∼ t26 과 동일한 타이밍을 나타내고 있다. In the second embodiment, the bubble removing operation is performed at the maintenance position. For example, as shown in Fig. 8, while the
또, 상기 제 2 실시형태 및 제 3 실시형태에서는, 준비 동작으로서 예비 토출 동작과 기포 제거 동작이 포함되어 있지만, 예를 들어 도 9 에 나타내는 바와 같이 기포 제거 동작만을 준비 동작으로서 실행해도 된다 (제 4 실시형태). 또한, 도 9 중의 부호 t41 ∼ t43, t46 은 각각 제 2 실시형태에서의 타이밍 t21 ∼ t23, t26 과 동일한 타이밍을 나타내고 있다. Although the preliminary discharge operation and the bubble removal operation are included as the preparatory operations in the second embodiment and the third embodiment, only the bubble removal operation may be performed as a preparatory operation as shown in Fig. 9 4 embodiments). Signs t41 to t43 and t46 in Fig. 9 indicate the same timings as timings t21 to t23 and t26 in the second embodiment, respectively.
또, 상기 제 1 실시형태 내지 제 4 실시형태에서는, 기판 (W) 을 부상시켜 반송하면서 처리액으로서 도포액을 기판 (W) 의 표면에 도포하는 도포 장치 (1) 에 대해 본 발명을 적용하고 있지만, 본 발명의 적용 대상은 이것에 한정되는 것이 아니며, 일본 공개특허공보 2015-66482호에 기재된 장치를 포함하여, 노즐로부터 처리액을 기판에 토출하여 처리하는 기판 처리 장치 전반에 본 발명을 적용할 수 있다.In the first to fourth embodiments, the present invention is applied to the
본 발명은, 기판을 처리하기 위한 처리액을 펌프로부터 노즐에 송액하고, 당해 노즐로부터 기판에 토출하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 전반에 적용할 수 있다. INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention can be applied to a substrate processing apparatus and a substrate processing method in which a processing solution for processing a substrate is fed from a pump to a nozzle and is discharged from the nozzle to the substrate.
1 : 도포 장치 (기판 처리 장치)
5 : 도포 기구
9 : 제어부
52 : 노즐 세정 대기 유닛 (메인터넌스부)
59 : 도포액 보충 유닛 (보급부)
511 : (슬릿) 노즐
511a : 토출구
518 : 이동 기구 (이동부)
581 : 펌프
582 ∼ 584 : 배관
585, 586 : 개폐 밸브 (전환부)
M1 : 보충량 (제 1 량)
M2 : 보충량 (제 2 량)
W : 기판1: Coating apparatus (substrate processing apparatus)
5: dispensing mechanism
9:
52: nozzle cleaning waiting unit (maintenance part)
59: Coating liquid replenishing unit (replenishing unit)
511: (Slit) Nozzle
511a:
518: Moving mechanism (moving part)
581: Pump
582 to 584: Piping
585, 586: opening / closing valve (switching portion)
M1: Replenishment amount (first amount)
M2: Replenishment amount (second amount)
W: substrate
Claims (10)
상기 펌프에 상기 처리액을 보충하는 보충부와,
상기 메인터넌스부 및 상기 토출 위치에 상기 노즐을 상대적으로 이동시키는 이동부와,
상기 이동부에 의해 상기 토출 위치로부터 상기 메인터넌스부를 경유하여 상기 토출 위치에 상기 노즐을 이동시키는 동안에 상기 펌프로부터 상기 처리액을 상기 노즐을 향하여 송액함으로써 다음의 상기 기판에 상기 처리액을 토출하기 위한 준비 동작을 실시하는 제어부를 구비하고,
상기 제어부는, 상기 준비 동작 전에 제 1 량의 상기 처리액을 상기 펌프에 보충하는 제 1 보충 동작과, 상기 준비 동작 후에 제 2 량의 상기 처리액을 상기 펌프에 보충하여 상기 펌프를 충전 상태로 회복시키는 제 2 보충 동작을 상기 보충부에 실행시키고,
상기 제 1 량은, 상기 준비 동작을 개시하는 데에 필요한 상기 처리액의 양보다 많고 또한 상기 기판에 토출하는 상기 처리액의 양보다 적은 양인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The processing liquid is fed from the pump in a charged state filled with the processing liquid to the nozzle while the nozzle having undergone maintenance in the maintenance section is moved relative to the substrate at the discharge position and the processing liquid is discharged from the nozzle to the substrate Wherein:
A replenishing portion for replenishing the processing liquid to the pump,
A moving part for relatively moving the nozzle to the maintenance part and the discharge position,
And a process for discharging the processing liquid to the next substrate by feeding the processing liquid from the pump to the nozzle while moving the nozzle from the discharging position to the discharging position via the maintenance section by the moving section And a control unit for performing an operation,
Wherein the controller is configured to perform a first replenishing operation to replenish the first amount of the processing liquid to the pump before the preparation operation and a second replenishing operation to replenish the second amount of the processing liquid to the pump, Performing a second replenishing operation for restoring the replenishing unit,
Wherein the first amount is an amount that is larger than an amount of the processing liquid necessary for starting the preparation operation and smaller than an amount of the processing liquid to be discharged onto the substrate.
상기 준비 동작은 상기 메인터넌스부에 있어서 상기 노즐로부터 상기 처리액을 예비적으로 토출하는 예비 토출 동작이고,
상기 준비 동작을 개시하는 데에 필요한 상기 처리액의 양은, 상기 예비 토출 동작에서 소비되는 상기 처리액의 양인, 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
The preparation operation is a preliminary discharge operation for preliminarily discharging the process liquid from the nozzle in the maintenance section,
Wherein the amount of the processing liquid required to start the preparation operation is the amount of the processing liquid consumed in the preliminary ejecting operation.
상기 준비 동작은 상기 처리액의 상기 노즐로의 송액에 의해 상기 노즐의 토출구의 근방에 존재하는 기포를 상기 토출구로부터 제거하는 기포 제거 동작이고,
상기 준비 동작을 개시하는 데에 필요한 상기 처리액의 양은, 상기 기포 제거 동작에 있어서 송액되는 상기 처리액의 양인, 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the preparation operation is a bubble removing operation for removing bubbles present in the vicinity of the discharge port of the nozzle from the discharge port by feeding the treatment liquid to the nozzle,
Wherein the amount of the processing liquid required to start the preparation operation is an amount of the processing liquid to be fed in the bubble removing operation.
상기 준비 동작은, 상기 처리액의 상기 노즐로의 송액에 의해 상기 노즐의 토출구의 근방에 존재하는 기포를 상기 토출구로부터 제거하는 기포 제거 동작과, 상기 기포 제거 동작 후에 상기 메인터넌스부에 있어서 상기 노즐로부터 상기 처리액을 예비적으로 토출하는 예비 토출 동작을 포함하고,
상기 준비 동작을 개시하는 데에 필요한 상기 처리액의 양은, 상기 기포 제거 동작에 있어서 송액되는 상기 처리액의 양인, 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the preparing operation includes a bubble removing operation for removing bubbles present in the vicinity of the discharge port of the nozzle by feeding the processing liquid to the nozzle from the discharge port and a bubble removing operation for removing bubbles from the nozzle And a preliminary discharge operation for preliminarily discharging the treatment liquid,
Wherein the amount of the processing liquid required to start the preparation operation is an amount of the processing liquid to be fed in the bubble removing operation.
상기 기포 제거 동작은, 상기 토출 위치로부터 상기 메인터넌스부로의 이동 중 또는 상기 메인터넌스부에서 실행되는, 기판 처리 장치.The method according to claim 3 or 4,
Wherein the bubble removing operation is performed during movement from the discharge position to the maintenance section or at the maintenance section.
상기 제어부는, 상기 제 1 보충 동작 중 및 상기 제 2 보충 동작 중에 상기 이동부에 의해 상기 노즐을 상대 이동시키는, 기판 처리 장치.5. The method according to any one of claims 1 to 4,
Wherein the control section relatively moves the nozzle by the moving section during the first replenishing operation and the second replenishing operation.
상기 제어부는, 상기 제 1 보충 동작 중에 상기 이동부에 의해 상기 노즐을 상기 토출 위치로부터 상기 메인터넌스부에 상대 이동시키는, 기판 처리 장치.The method according to claim 6,
And the control section moves the nozzle relative to the maintenance section from the discharge position by the moving section during the first replenishing operation.
상기 제어부는, 상기 제 2 보충 동작 중에 상기 이동부에 의해 상기 노즐을 상기 메인터넌스부로부터 상기 토출 위치에 상대 이동시키는, 기판 처리 장치.The method according to claim 6,
And the control section moves the nozzle relative to the discharge position from the maintenance section by the moving section during the second replenishing operation.
상기 펌프로부터 송액되는 상기 처리액을 상기 노즐에 안내하는 배관과,
상기 배관에 개재 삽입되어 상기 펌프로부터 상기 노즐로의 상기 처리액의 송액과 송액 정지를 전환하는 전환부를 추가로 구비하고,
상기 제어부는, 상기 노즐의 위치에 따라 상기 전환부를 제어하여 상기 처리액의 송액과 송액 정지를 전환하는, 기판 처리 장치.5. The method according to any one of claims 1 to 4,
A pipe for guiding the treatment liquid fed from the pump to the nozzle;
Further comprising a switching portion interposed in the pipe for switching the feeding of the treatment liquid from the pump to the nozzle and stopping the feeding of the treatment liquid,
Wherein the control section controls the switching section in accordance with the position of the nozzle to switch the feeding and feeding stop of the processing liquid.
상기 토출 위치로부터 메인터넌스부를 경유하여 상기 토출 위치에 상기 노즐을 이동시키는 동안에 상기 펌프로부터 상기 처리액을 상기 노즐을 향하여 송액함으로써 다음의 상기 기판에 상기 처리액을 토출하기 위한 준비 동작을 실시하는 준비 공정과,
상기 준비 공정 전에, 상기 준비 동작을 개시하는 데에 필요한 상기 처리액의 양보다 많고 또한 상기 기판에 토출하는 상기 처리액의 양보다 적은 제 1 량의 상기 처리액을 상기 펌프에 보충하는 제 1 보충 공정과,
상기 준비 공정 후에 제 2 량의 상기 처리액을 상기 펌프에 보충하여 상기 펌프를 충전 상태로 회복시키는 제 2 보충 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.There is provided a substrate processing method for transferring a process liquid from a pump in a charged state filled with a process liquid to the nozzle while relatively moving a nozzle relative to a substrate at a discharge position and discharging the process liquid from the nozzle to the substrate,
A preparatory operation for discharging the processing liquid to the next substrate by feeding the processing liquid from the pump toward the nozzle while moving the nozzle from the discharging position to the discharging position via the maintenance part and,
A first replenishing step of replenishing the processing liquid to the pump in a first amount which is larger than the amount of the processing liquid necessary for starting the preparation operation and smaller than the amount of the processing liquid to be discharged onto the substrate, The process,
And a second replenishing step of replenishing the second amount of the processing liquid to the pump after the preparation step to restore the pump to a charged state.
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Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009141078A (en) * | 2007-12-05 | 2009-06-25 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Coating device |
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Family Cites Families (9)
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---|---|---|---|---|
KR970005686B1 (en) * | 1994-04-28 | 1997-04-18 | 한국베리안 주식회사 | Thermal treatment process of thin layer in semiconductor device |
AU2219299A (en) * | 1998-01-09 | 1999-07-26 | Fastar, Ltd. | Moving head, coating apparatus and method |
KR100302609B1 (en) * | 1999-05-10 | 2001-09-13 | 김영환 | Temperature controllable gas distributor |
US7094440B2 (en) * | 2002-01-22 | 2006-08-22 | Tokyo Electron Limited | Substrate treatment method and substrate treatment apparatus |
US20050208774A1 (en) * | 2004-01-08 | 2005-09-22 | Akira Fukunaga | Wet processing method and processing apparatus of substrate |
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US8137467B2 (en) * | 2007-10-16 | 2012-03-20 | Novellus Systems, Inc. | Temperature controlled showerhead |
JP6013302B2 (en) * | 2013-10-04 | 2016-10-25 | 東京エレクトロン株式会社 | Bubble removal method, bubble removal apparatus, deaeration apparatus, and computer-readable recording medium |
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---|---|---|---|---|
JP2009141078A (en) * | 2007-12-05 | 2009-06-25 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Coating device |
JP2015026744A (en) * | 2013-07-26 | 2015-02-05 | 東京エレクトロン株式会社 | Liquid processing device |
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