JP6725374B2 - Substrate processing apparatus and substrate processing method - Google Patents
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Description
この発明は、基板を処理するための処理液をポンプからノズルに送液し、当該ノズルから基板に吐出する基板処理装置および基板処理方法に関するものである。なお、上記基板には、半導体基板、フォトマスク用基板、液晶表示用基板、有機EL表示用基板、プラズマ表示用基板、FED(Field Emission Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板などが含まれる。 The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method in which a processing liquid for processing a substrate is sent from a pump to a nozzle and discharged from the nozzle onto the substrate. The above-mentioned substrates include semiconductor substrates, photomask substrates, liquid crystal display substrates, organic EL display substrates, plasma display substrates, FED (Field Emission Display) substrates, optical disc substrates, magnetic disc substrates, and optical substrates. A magnetic disk substrate and the like are included.
半導体装置や液晶表示装置などの電子部品等の製造工程では、基板の表面に処理液を吐出し、当該処理液により基板を処理する基板処理装置が用いられている。例えば特許文献1に記載の基板処理装置は、基板の裏面に気体を吹き付けて基板を浮上させた状態で当該基板を搬送しながらポンプによって処理液をスリットノズルに送液してスリットノズルの吐出口から基板の表面に吐出して基板のほぼ全体に処理液を塗布する。また、特許文献2に記載の基板処理装置は、ステージ上で基板を吸着保持しながら、ポンプから送液されてくる処理液をスリットノズルの吐出口から基板の表面に向けて吐出した状態で基板に対して相対移動させて基板のほぼ全体に処理液を塗布する。このように、特許文献1および特許文献2に記載の装置は基板処理として塗布処理を実行する。
In the manufacturing process of electronic components such as semiconductor devices and liquid crystal display devices, a substrate processing apparatus that discharges a processing liquid onto the surface of the substrate and processes the substrate with the processing liquid is used. For example, the substrate processing apparatus described in
ところで、これらの基板処理装置では、一の基板に対する塗布処理が完了すると、次の基板に対して塗布処理を開始するまでに種々の準備動作を実行する。例えば、ノズルの吐出口からの塗布液の漏れを防止するために、いわゆるサックバック処理を施すことがあるが、この場合、ノズルの吐出口の近傍に気泡が巻き込まれていることがある。そこで、ポンプから処理液を送液して気泡をノズルの吐出口から除去する気泡除去動作を上記準備動作のひとつとして行うことがある。 By the way, in these substrate processing apparatuses, when the coating process for one substrate is completed, various preparatory operations are executed before starting the coating process for the next substrate. For example, so-called suck back treatment may be performed in order to prevent the coating liquid from leaking from the ejection port of the nozzle. In this case, air bubbles may be trapped near the ejection port of the nozzle. Therefore, a bubble removing operation of sending a treatment liquid from a pump to remove bubbles from a discharge port of a nozzle may be performed as one of the above-mentioned preparatory operations.
また、ノズル洗浄待機ユニットなどを有するメンテナンス部が設けられており、塗布処理が行われた後のスリットノズルの吐出口の洗浄が行われる。また、メンテナンス部では次のような予備吐出動作が実行される。すなわち、ローラの外周面にスリットノズルを近接させた状態で吐出口から一定の処理液を吐出させると、吐出口に処理液の液だまりが形成される。このように吐出口に液だまりが均一に形成されると、次の基板に対する塗布処理を高精度に行うことが可能となる。そこで、上記基板処理装置では、塗布処理の前に、ポンプに処理液を充填して充填状態に至らしめた後で、当該ポンプによって一定量の処理液をスリットノズルに圧送して吐出口を初期化する、いわゆる予備吐出動作が上記準備動作として行われることがある。 In addition, a maintenance unit having a nozzle cleaning standby unit and the like is provided, and the discharge port of the slit nozzle is cleaned after the coating process is performed. Further, the following preliminary ejection operation is executed in the maintenance section. That is, when a certain amount of processing liquid is discharged from the discharge port with the slit nozzle being close to the outer peripheral surface of the roller, a pool of the processing liquid is formed at the discharge port. When the liquid pool is uniformly formed at the ejection port in this way, it becomes possible to perform the coating process on the next substrate with high accuracy. Therefore, in the above substrate processing apparatus, before the coating process, the pump is filled with the processing liquid to reach the filled state, and then the pump pumps a fixed amount of the processing liquid to the slit nozzle to initialize the discharge port. A so-called preliminary ejection operation of changing to a certain state may be performed as the preparatory operation.
しかしながら、従来技術では、上記した準備動作と、ポンプの充填動作との関係について十分な検討がなされておらず、1枚の基板に対する塗布処理に要する時間、いわゆるタクトタイムを短縮する余地が残されていた。例えば、ポンプが充填状態となった後で予備吐出動作を行っていたため、タクトタイムが長くなり、これを短縮する技術の提供が望まれていた。 However, in the prior art, the relationship between the above-described preparatory operation and the filling operation of the pump has not been sufficiently examined, and there is room for shortening the time required for the coating process for one substrate, that is, the so-called tact time. Was there. For example, since the preliminary discharge operation is performed after the pump is in the filled state, the takt time becomes long, and it has been desired to provide a technique for shortening the takt time.
この発明は上記課題に鑑みなされたものであり、メンテナンス部でメンテナンスを受けたノズルを吐出位置で基板に対して相対的に移動させながら、処理液を充填した充填状態のポンプから処理液をノズルに送液し、ノズルから処理液を基板に吐出させる基板処理技術において、タクトタイムを短縮することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and while moving the nozzle, which has undergone maintenance in the maintenance section, relative to the substrate at the discharge position, the processing liquid is discharged from the pump in a filled state filled with the processing liquid. It is an object of the present invention to shorten the tact time in a substrate processing technique in which the liquid is sent to the substrate and the processing liquid is discharged from the nozzle onto the substrate.
本発明の一の態様は、メンテナンス部でメンテナンスを受けたノズルを吐出位置で基板に対して相対的に移動させながら、処理液を充填した充填状態のポンプから処理液をノズルに送液し、ノズルから処理液を基板に吐出させる基板処理装置であって、ポンプに処理液を補充する補充部と、メンテナンス部および吐出位置にノズルを相対的に移動させる移動部と、移動部によって吐出位置からメンテナンス部を経由して吐出位置にノズルを移動させる間にポンプから処理液をノズルに向けて送液することで次の基板に処理液を吐出するための準備動作を行う制御部と、を備え、制御部は、準備動作の前に、第1量の処理液をポンプに補充する第1補充動作と、準備動作の後に第2量の処理液をポンプに補充してポンプを充填状態に回復させる第2補充動作とを、補充部に実行させ、 第1量は、準備動作を開始するのに必要な処理液の量よりも多く且つ基板に吐出する処理液の量よりも少ない量であることを特徴としている。 One aspect of the present invention, while moving the nozzle subjected to maintenance in the maintenance unit relative to the substrate at the discharge position, the processing liquid is sent to the nozzle from a pump in a filled state filled with the processing liquid, A substrate processing apparatus that discharges a processing liquid from a nozzle onto a substrate, wherein a replenishing unit that replenishes the processing liquid into a pump, a moving unit that relatively moves the nozzle to a maintenance unit and a discharging position, and a moving unit that discharges the processing liquid from the discharging position. And a control unit that performs a preparatory operation for discharging the processing liquid to the next substrate by sending the processing liquid from the pump toward the nozzle while moving the nozzle to the discharging position via the maintenance unit. The controller replenishes the pump with a first replenishing operation that replenishes the pump with the first amount of processing liquid before the preparatory operation, and replenishes the pump with the second amount of processing liquid after the preparatory operation. The second replenishing operation is performed by the replenishing unit, and the first amount is an amount larger than the amount of the processing liquid required to start the preparatory operation and smaller than the amount of the processing liquid discharged onto the substrate. It is characterized by that.
また、本発明の他の態様は、吐出位置で基板に対してノズルを相対的に移動させながら、処理液を充填した充填状態のポンプから処理液をノズルに送液し、ノズルから処理液を基板に吐出させる基板処理方法であって、記吐出位置からメンテナンス部を経由して吐出位置にノズルを移動させる間にポンプから処理液をノズルに向けて送液することで次の基板に処理液を吐出するための準備動作を行う準備工程と、準備工程の前に、準備動作を開始するのに必要な処理液の量よりも多く且つ基板に吐出する処理液の量よりも少ない、第1量の処理液をポンプに補充する第1補充工程と、準備工程の後に、第2量の処理液をポンプに補充してポンプを充填状態に回復させる第2補充工程と、を備えることを特徴としている。 Further, according to another aspect of the present invention, while moving the nozzle relative to the substrate at the ejection position, the processing liquid is sent to the nozzle from a filling pump filled with the processing liquid, and the processing liquid is discharged from the nozzle. A method of processing a substrate to be discharged onto a substrate, wherein the pump sends the processing liquid toward the nozzle while the nozzle is moved from the discharging position to the discharging position via the maintenance section to the next substrate. A preparatory step of performing a preparatory operation for ejecting the liquid, and before the preparatory step, an amount of the processing liquid required to start the preparatory operation is larger than the amount of the processing liquid ejected onto the substrate; A first replenishing step of replenishing the pump with a predetermined amount of treatment liquid; and a second replenishing step of replenishing the pump with a second amount of treatment liquid to restore the pump to a filled state after the preparation step. I am trying.
このように構成された発明では、第1量の処理液をポンプに補充した段階で予備吐出を実行する。つまり、ポンプが充填状態に回復するのを待たずに、予備吐出が実行され、ポンプが充填状態になるのを待って予備吐出を行う従来技術よりも早く予備吐出が実行される。そして、予備吐出後に第2量の処理液がポンプに補充されてポンプは充填状態に戻り、次の基板への処理液の吐出準備が整う。 In the invention thus configured, the preliminary discharge is executed when the first amount of the processing liquid is replenished in the pump. That is, the preliminary discharge is executed without waiting for the pump to recover to the filled state, and the preliminary discharge is executed earlier than the conventional technique in which the preliminary discharge is performed after waiting for the pump to be in the filled state. Then, after the preliminary discharge, the second amount of the processing liquid is replenished in the pump, the pump returns to the filling state, and the preparation for discharging the processing liquid to the next substrate is completed.
以上のように、本発明によれば、予備吐出動作で消費される処理液の量よりも多く且つ基板に吐出する処理液の量よりも少ない、第1量の処理液をポンプに補充した後で予備吐出を行う、つまりポンプが充填状態となるのを待たずに予備吐出を行っている。その結果、タクトタイムを短縮することができる。 As described above, according to the present invention, after the pump is replenished with the first amount of the processing liquid that is larger than the amount of the processing liquid consumed in the preliminary discharge operation and smaller than the amount of the processing liquid discharged onto the substrate. The preliminary discharge is performed in the above step, that is, the preliminary discharge is performed without waiting for the pump to be in the filling state. As a result, the tact time can be shortened.
図1Aは本発明にかかる基板処理装置の第1実施形態である塗布装置を示す図であり、鉛直上方から見た平面図である、また、図1Bは図1Aから塗布機構を取り外した平面図である。また、図2は図1Aに示す塗布装置を制御する制御機構を示すブロック図である。なお、図1A、図1Bおよび後で説明する各図では、装置各部の配置関係を明確にするために、基板Wの搬送方向を「X方向」とし、図1A、図1Bの左手側から右手側に向かう水平方向を「+X方向」と称し、逆方向を「−X方向」と称する。また、X方向と直交する水平方向Yのうち、装置の正面側を「−Y方向」と称するとともに、装置の背面側を「+Y方向」と称する。さらに、鉛直方向Zにおける上方向および下方向をそれぞれ「+Z方向」および「−Z方向」と称する。 FIG. 1A is a diagram showing a coating apparatus which is a first embodiment of a substrate processing apparatus according to the present invention, and is a plan view seen from vertically above, and FIG. 1B is a plan view showing a coating mechanism removed from FIG. 1A. Is. FIG. 2 is a block diagram showing a control mechanism for controlling the coating device shown in FIG. 1A. Note that in FIGS. 1A and 1B and in each of the drawings to be described later, in order to clarify the positional relationship of each part of the apparatus, the transport direction of the substrate W is set to the “X direction”, and the left-hand side to the right-hand side in FIGS. 1A and 1B. The horizontal direction toward the side is referred to as "+X direction", and the opposite direction is referred to as "-X direction". Further, in the horizontal direction Y orthogonal to the X direction, the front side of the device is referred to as "-Y direction" and the back side of the device is referred to as "+Y direction". Further, the upward direction and the downward direction in the vertical direction Z are referred to as "+Z direction" and "-Z direction", respectively.
塗布装置1は、コロコンベア100から搬送されてくる水平姿勢の矩形基板Wを受け入れ、当該基板Wの表面Wfに塗布液を塗布するスリットコータである。この塗布装置1では、コロコンベア100に隣接して移載機構2が設けられている。この移載機構2は、コロコンベア100から基板Wを受け取って浮上機構3に移載する。
The
浮上機構3は3つの浮上ユニット3A〜3Cを有している。これらの浮上ユニット3A〜3Cは、図1Bに示すように、基板Wの搬送方向Xに配列されている。より詳しくは、最も上流側、つまり(−X)方向側に上流浮上ユニット3Aが移載機構2に隣接して配置され、最も下流側、つまり(+X)方向側に下流浮上ユニット3Cが配置されている。また、上流浮上ユニット3Aと下流浮上ユニット3Cとの間に中央浮上ユニット3Bが配置されている。
The
図3Aは浮上機構の平面図であり、図3Bは浮上機構と塗布機構との関係を模式的に示す側面図である。なお、これらの図面では、中央浮上ユニット3Bの全部と、上流浮上ユニット3Aおよび下流浮上ユニット3Cの一部分とを模式的に示している。
FIG. 3A is a plan view of the levitation mechanism, and FIG. 3B is a side view schematically showing the relationship between the levitation mechanism and the coating mechanism. In addition, in these drawings, all of the
上流浮上ユニット3Aおよび下流浮上ユニット3Cは、ともに多数の空気の噴出孔31が1枚の板状のステージ面32の全面にわたってマトリックス状に分散して形成されている。そして、各噴出孔31に対して圧縮空気が与えられることで、各噴出孔31からの圧縮空気の噴出による気体圧力によって基板Wを浮上させる。これによって、上流浮上ユニット3Aおよび下流浮上ユニット3Cでは、基板Wは上記ステージ面32から所定の浮上高さ、例えば10〜500マイクロメートルだけ浮上する。なお、各噴出孔31に圧縮空気を供給するために、例えば特許文献1に記載の構成を用いることができる。
Both the
また、図3Aおよび図3Bへの図示を省略しているが、下流浮上ユニット3Cは上記噴出孔31以外に複数のリフトピンおよびリフトピン昇降機構を有している。複数のリフトピンは噴出孔31の合間を縫って所定間隔をおいて、基板Wの裏面Wb全体に対向可能に設けられている。そして、リフトピンはステージ面32の下方に設置されたリフトピン昇降機構によって、鉛直方向(Z軸方向)に昇降駆動される。つまり、下降時はリフトピンの先端が下流浮上ユニット3Cのステージ面32よりも(−Z)方向側に下降し、上昇時はリフトピンの先端が基板Wを移載ロボット(図示省略)に受け渡す位置まで上昇する。こうして上昇したリフトピンによって基板Wの下面は支持され、持ち上げられるので、基板Wは下流浮上ユニット3Cのステージ面32から上昇する。これによって、移載ロボットによる基板Wの塗布装置1からのアンローディングが可能となる。
Although not shown in FIGS. 3A and 3B, the
一方、中央浮上ユニット3Bは、次のように構成されて、上流浮上ユニット3Aおよび下流浮上ユニット3Cよりも高い浮上精度を有している。すなわち、中央浮上ユニット3Bは、矩形形状の板状のステージ面33を有している。このステージ面33には、上流浮上ユニット3Aおよび下流浮上ユニット3Cに設けられた噴出孔31よりも狭いピッチで複数の孔がマトリックス状に分散して設けられている。また、上流浮上ユニット3Aおよび下流浮上ユニット3Cと異なり、中央浮上ユニット3Bでは、孔のうち半分は圧縮空気の噴出孔34aとして機能し、残りの半分は吸引孔34bとして機能する。つまり、噴出孔34aから圧縮空気を基板Wの裏面Wbに向けて噴出してステージ面33と基板Wの裏面Wbとの間の空間SP(図3B)に圧縮空気を送り込む。一方、吸引孔34bを介して空間SPから空気を吸引するように構成されている。このように上記空間SPに対して空気の噴出と吸引とが行われることで、上記空間SPでは各噴出孔34aから噴出された圧縮空気の空気流は水平方向に広がった後、当該噴出孔34aに隣接する吸引孔34bから吸引されることになり、上記空間SPに広がる空気層(圧力気体層)における圧力バランスは、より安定的となり、基板Wの浮上高さを高精度に、しかも安定して制御することができる。なお、各噴出孔34aへの圧縮空気の供給および吸引孔34bからの空気の吸引を行うために、例えば特許文献1に記載の構成を用いることができる。
On the other hand, the
塗布装置1では、上流浮上ユニット3Aにより浮上された状態の基板Wを搬送方向Xに間欠的に搬送するために、搬送機構4が設けられている。以下、図1A、図1Bと図4を参照しつつ搬送機構4の構成について説明する。
The
図4は図1Aに示す塗布装置の側面図である。搬送機構4は、浮上機構3により浮上状態で支持されている基板WのY方向の両側端部を吸引して保持しながら浮上機構3により基板Wを浮上させたまま搬送方向Xに搬送する機能を有している。搬送機構4は、図1Bに示すように、基板Wを吸着保持するチャック部41を複数個備えている。ここでは、2つのチャック部材41aをX方向に配列して一体的にX方向に移動自在なチャック部41を、(+Y)側および(−Y)方向側にそれぞれ1個、合計2個設けているが、各チャック部材41aをチャック部41として設けてもよい。本実施形態では、上記した2つのチャック部41は、左右対称(+Y側と−Y側とで対称)構造となっており、左右それぞれで、基板Wを吸着保持する。また、搬送機構4は、搬送チャック走行ガイド42と、搬送チャックリニアモータ43と、搬送チャックリニアスケール44と、チャック昇降シリンダ45とを、備えている。チャック部41はチャック昇降シリンダ45の動作により昇降させることが可能となっている。このため、装置全体を制御する制御部9からの保持指令に応じてチャック昇降シリンダ45が作動することで、チャック部41が上昇して(+Y)側、(−Y)側の基板Wの両端部の下面を支持して吸着保持する。また、搬送チャック走行ガイド42は塗布装置1の基台10上でX方向に延設されており、制御部9からの搬送指令に応じて搬送チャックリニアモータ43が作動することで、チャック部41を搬送チャック走行ガイド42に沿って搬送方向Xに往復駆動させる。これによって、チャック部41により保持された基板Wが搬送方向Xに搬送される。なお、本実施形態では、搬送方向Xにおける基板Wの位置を搬送チャックリニアスケール44によって検出可能となっており、制御部9は搬送チャックリニアスケール44の検出結果に基づいて搬送チャックリニアモータ43を駆動制御する。
FIG. 4 is a side view of the coating device shown in FIG. 1A. The
上記した搬送機構4により基板Wは表面Wfを鉛直上方に向けた、いわゆるフェースアップ状態で搬送方向Xに搬送されるが、当該搬送中に塗布液を基板Wの表面Wfに塗布するために、塗布機構5が設けられている。塗布機構5は、図1Aおよび図2に示すように、基台10に対して搬送方向Xに移動可能なノズルユニット51と、搬送方向Xにおいて当該ノズルユニット51の上流側(図1Aの左手側)で基台10に固定されたノズル洗浄待機ユニット52と、塗布液をノズルユニット51に供給する塗布液供給ユニット58と、塗布液補充ユニット59とを有している。
The substrate W is transported in the transport direction X in the so-called face-up state with the front surface Wf facing vertically upward by the
ノズルユニット51は、図4に示すように、Y方向に基板Wの表面Wfに対向して延設されたスリットノズル511と、スリットノズル511を支持するノズル支持部材512と、Y方向において搬送機構4よりも外側に設けられた左右対称(+Y側と−Y側とで対称)構造を有する昇降部513とを備えている。この実施形態では、一対の昇降部513でノズル支持部材512を介してスリットノズル511を鉛直方向Zに昇降させるように構成されている。より詳しくは、各昇降部513は、柱状部材514と、鉛直方向Zに平行に延びた状態で柱状部材514に取り付けられたボールネジ515と、ボールネジ515の上端部に連結された回転モータ516と、ボールネジ515に螺合されたブラケット517とを備えている。そして、制御部9からの回転指令に応じて回転モータ516が作動すると、ボールネジ515が回転し、その回転量に応じてブラケット517が鉛直方向Zに昇降する。このように構成された(+Y)方向側および(−Y)方向側のブラケット517に対してノズル支持部材512の両端部がそれぞれ取り付けられ、ノズル支持部材512を介して昇降可能に支持されている。
As shown in FIG. 4, the
また、各昇降部513は、図4に示すように、塗布機構5の移動機構518によって搬送方向Xに往復移動される。この移動機構518は、図4に示すように、昇降部513を下方から支持するベース部518aと、走行ガイド518bと、リニアモータ518cとを備えている。走行ガイド518bは、図1Aや図1Bに示すように、塗布装置1の基台10上でX方向に延設されており、制御部9からの移動指令に応じてリニアモータ518cが作動することで昇降部513を走行ガイド518bに沿って搬送方向Xに往復移動させ、昇降部513とともにスリットノズル511をメンテナンス位置と吐出位置とに位置決め可能となっている。ここで、「メンテナンス位置」とはノズル洗浄待機ユニット52で予備吐出を含むメンテナンス動作を行う位置を意味し、「吐出位置」とは基板Wに向けて塗布液を吐出する動作を行う位置、つまり中央浮上ユニット3Bの直上位置を意味している。
Further, as shown in FIG. 4, each elevating
ノズル支持部材512の下端部にスリットノズル511が吐出口511aを下方に向けた状態で取り付けられている。このため、制御部9による回転モータ516の制御によってスリットノズル511を昇降させて吐出口511aを搬送機構4により搬送される基板Wの表面Wfに近接させたり、逆に上方に離間させることが可能となっている。また、後述する浮上高さ検出センサ(図3B中の符号53)の出力に基づいて制御部9が回転モータ516を制御しており、これによって基板Wの表面Wfと吐出口511aとの間隔を高精度に調整可能となっている。そして、吐出口511aを基板Wの表面Wfに近接させた状態で塗布液供給ユニット58から塗布液がスリットノズル511に圧送されると、吐出口511aから基板Wの表面Wfに向けて吐出される。なお、スリットノズル511には、ノズル先端を保護するための保護部材(図3B中の符号6B1)、浮上高さ検出センサ(図3B中の符号53)および振動センサ(図3B中の符号6B2)が取り付けられている。
A
この塗布液供給ユニット58は、図4に示すように、塗布液をスリットノズル511に圧送するための圧送源として、チューブポンプやベローズポンプ等の、体積変化により塗布液を送液するポンプ581を用いている。このポンプ581の出力側には、配管582の一方端が接続されている。また、この配管582の他方端は2本に分岐しており、図4に示すように、そのうちの一方の配管583はスリットノズル511の(−Y)方向側の端部に接続され、他方の配管584はスリットノズル511の(+Y)方向側の端部に接続されている。これらの配管583、584には、それぞれ開閉弁585、586が介挿されており、制御部9からの開閉指令に応じて開閉し、これによってスリットノズル511への塗布液の送液と送液停止を切替可能となっている。
As shown in FIG. 4, the coating
また、スリットノズル511への塗布液の供給によってポンプ581に充填されている塗布液の割合、つまりポンプ充填率が減少する。そこで、塗布液補充ユニット59が設けられている。この塗布液補充ユニット59は、図3Bに示すように、塗布液を貯留する貯留タンク591と、当該貯留タンク591をポンプ581に接続する配管592と、配管592に介挿された開閉弁593とを備えている。この開閉弁593は制御部9から補充指令に応じて開成し、貯留タンク591内の塗布液をポンプ581に補充可能とする。逆に、制御部9から補充停止指令に応じて閉成し、貯留タンク591からポンプ581への塗布液の補充を規制する。なお、本実施形態では、上記した開閉弁593のみならず塗布液供給ユニット58の開閉弁585、586の開閉も制御しながら塗布液の補充動作を行う。つまり、補充動作を行わない間、開閉弁593は閉成され、貯留タンク591からポンプ581への塗布液の流入を規制する。これに対し、開閉弁585、586を閉成する一方、開閉弁593を開成した状態でポンプ581が作動することで貯留タンク591内の塗布液がポンプ581に引き込まれて充填される。なお、本実施形態では、ノズル洗浄待機ユニット52においてメンテナンスの一つである予備吐出動作を準備動作(次の基板に塗布液を良好に吐出するための動作)として行うことに関連し、後で詳述するように、準備動作前および準備動作後の2回に分けて塗布液をポンプ581に補充し、ポンプ充填率が100%あるいはほぼ100%の充填状態に回復させる。
Further, the supply of the coating liquid to the
ノズル洗浄待機ユニット52は基板Wの表面Wfへの塗布液の供給を行ったスリットノズル511の先端部からレジスト液を洗浄除去する装置であり、当該洗浄処理によってスリットノズル511の吐出口511aは次の塗布処理に適した状態に整えられる。このノズル洗浄待機ユニット52は、図3Bおよび図4に示すように、主にローラ521、洗浄ユニット522、ローラバット523などで構成されてノズル洗浄および予備吐出を行う洗浄待機部524を備えている。この洗浄待機部524では、塗布処理が行われた後のスリットノズル511の吐出口511aの洗浄が行われる。また、ローラ521の外周面にスリットノズル511を近接させた状態で吐出口511aから一定の塗布液を吐出させると、吐出口511aに塗布液の液だまりが形成される(予備吐出動作)。このように吐出口511aに液だまりが均一に形成されると、その後の塗布処理を高精度に行うことが可能となる。このように、スリットノズル511の吐出口511aは初期化され、次の塗布処理に備える。なお、ローラ521の回転は制御部9からの回転指令に応じてローラ回転モータ(図示省略)の駆動により行われる。また、ローラ521に付着した塗布液は、ローラ521が回転する際にローラバット523内に貯留された洗浄液に下端が浸漬されることで、除去される。
The nozzle
上記したように、本実施形態では、スリットノズル511を基板Wの表面Wfに近接させて塗布処理を行うため、表面Wfに異物が存在すると、異物とスリットノズル511との衝突によってスリットノズル511が損傷することがある。また、上記衝突によってスリットノズル511の位置に誤差が生じると、その後における塗布処理を継続することができなくなる。そこで、本実施形態では、基板Wの表面Wfに存在する異物を検出するために、2種類の異物検出機構6A、6Bが設けられている。
As described above, in the present embodiment, since the
異物検出機構6Aは、搬送方向Xにおいて塗布機構に設けられたスリットノズル511の上流側で上記異物を非接触方式で検出するものであり、投光部6A1および受光部6A2を有している。投光部6A1および受光部6A2は、図1Bに示すように、Y方向において中央浮上ユニット3Bを外側から挟み込むように配置されている。投光部6A1および受光部6A2はそれぞれ基台10の上面から鉛直方向Zに立設された支持部材(図示省略)の上端部に取り付けられ、投光部6A1および受光部6A2の高さ位置が調整されている。より具体的には、図3Bに示すように投光部6A1から照射されたレーザ光が基板Wの表面Wf上を通過して受光部6A2に入射されるように、投光部6A1および受光部6A2が配設されている。そして、投光部6A1は受光部6A2に向けてレーザ光を照射する。一方、受光部6A2は投光部6A1から照射されたレーザ光を受光し、その受光量を計測して制御部9に出力する。そして、制御部9は当該受光量に基づいて異物検出を行う。
The foreign
もう一方の異物検出機構6Bは接触方式で上記異物を検出するものであり、本実施形態では、塗布機構5のスリットノズル511に取り付けられている。異物検出機構6Bは、搬送方向Xにおける吐出口511aの上流側でスリットノズル511に取り付けられた保護部材6B1と、スリットノズル511の振動を検出する振動センサ6B2とを有している。保護部材6B1は、スリットノズル511のノズル先端を保護するために水平方向Yに延設されたプレート部材であり、プレート面が基板Wの表面Wfに対して直交するように配置されている。このため、ノズルユニット51の直下位置を基板Wが搬送される際に、基板W上に異物が存在した場合、保護部材6B1は、スリットノズル511のノズル先端と異物との接触によるスリットノズル511の破損を抑制する。また、異物が存在した場合、保護部材6B1が異物と接触して当該保護部材6B1に振動が発生し、スリットノズル511に伝達される。この振動を振動センサ6B2が検出して制御部9に出力する。そして、制御部9は当該振動に基づいて異物検出を行う。なお、スリットノズル511には、上記異物検出機構6B以外に、保護部材6B1よりも先に基板Wの上方領域に進入する位置に、基板Wの浮上高さを非接触で検知するための浮上高さ検出センサ53が設置されている。この浮上高さ検出センサ53によって、浮上した基板Wと、中央浮上ユニット3Bのステージ面33の上面との離間距離を測定することが可能であり、その検出値に伴って、制御部9を介して、スリットノズル511が下降する位置を調整することができる。なお、浮上高さ検出センサ53としては、光学式センサや、超音波式センサなどを用いることができる。
The other foreign
このように、本実施形態では、2種類の異物検出機構6A、6Bを設けることで異物検出を確実に行うことができる。しかも、異物検出時には制御部9は基板Wの搬送を強制的に停止してスリットノズル511の破損や基板Wのダメージなどを未然に防止する。
As described above, in the present embodiment, by providing the two types of foreign
制御部9は上記したように塗布装置1の装置各部を制御する機能を有している。この制御部9には、予め定められた処理プログラムを実行して各部の動作を制御するCPU91と、CPU91により実行される処理プログラムや処理中に生成されるデータ等を記憶保存するためのメモリ92と、処理の進行状況や異物検出などを必要に応じてユーザーに報知するための表示部93とが設けられている。そして、塗布装置1では、CPU91が処理プログラムにしたがって装置各部を以下のように制御することで塗布処理が実行される。
The
次に、塗布装置1により基板Wの表面Wfに塗布液を塗布する動作について図3B、図5、図6Aないし図6Fを参照しつつ説明する。ここでは、n枚目の基板Wnに対する塗布液の塗布終了(図5中のタイミングt11)から次の(n+1)枚目の基板W(n+1)への塗布液の塗布開始(図5中のタイミングt16)までの動作について説明する。また、本実施形態における各種動作の技術的意義を明確にするために、図1Aに示す塗布装置1に対して従来技術(ポンプ581の充填状態への回復後に準備動作として予備吐出を実行する)を敢えて適用した例を比較例として図5(a)に図示している。
Next, the operation of applying the application liquid to the front surface Wf of the substrate W by the
図5は図1Aに示す塗布装置の動作(第1実施形態)と比較例とを示す図である。また、図6Aないし6Fは装置各部の動作を模式的に示す図である。なお、図6Aないし6Fにおいて、「CLOSE」および「OPEN」は塗布液供給ユニット58および塗布液補充ユニット59に設けられた開閉弁585、586、593の開閉状況を示している。また、「吐出」および「補充」は、ポンプ581による塗布液の送液によって塗布液の吐出が行われている状況か、塗布液を補充している状況かを示している。さらに、括弧中のパーセントはポンプ充填率を示している。
FIG. 5 is a diagram showing an operation (first embodiment) of the coating apparatus shown in FIG. 1A and a comparative example. 6A to 6F are diagrams schematically showing the operation of each part of the apparatus. In FIGS. 6A to 6F, “CLOSE” and “OPEN” indicate the open/close states of the open/
n枚目の基板Wnに対する塗布処理では、基板WnがX方向に浮上搬送される一方、スリットノズル511は中央浮上ユニット3Bの直上位置(吐出位置)に位置している。また、図6Aに示すように、開閉弁585、586、593はそれぞれ開成、開成および閉成されており、ポンプ581により塗布液がスリットノズル511に圧送され、スリットノズル511から塗布液が基板Wnの表面に向けて吐出される。これによって、基板Wnの表面に塗布層CLが形成される。そして、基板Wnへの塗布液の塗布が終了した時点(タイミングt11)では、ポンプ充填率は0%あるいは数%程度に低下している。
In the coating process for the n-th substrate Wn, the substrate Wn is levitation-transferred in the X direction, while the
こうして、n枚目の基板Wnに対する塗布処理が終了すると、開閉弁585、586、593はそれぞれ閉成、閉成および開成に切り替わった後で、吐出位置からメンテナンス位置へのスリットノズル511の移動が開始される。ここで、開閉弁585、586、593を上記のように切り替えることで、スリットノズル511の移動中に吐出口511aから塗布液が漏れるのを効果的に防止しながらポンプ581への塗布液の補充を行う。したがって、時間経過に伴ってポンプ充填率は徐々に上昇し、例えばタイミングt12では図5および図6Bに示すようにポンプ充填率は30%程度に上昇している。
In this way, when the coating process on the nth substrate Wn is completed, the opening/closing
このように予備吐出を行う前にスリットノズル511の移動と並行して塗布液の補充を行う点については、比較例も全く同じであるが、比較例ではポンプ581が充填状態に回復するタイミングt03を待って予備吐出を開始するのに対し、本実施形態ではタイミングt03よりも早いタイミングt13で塗布液の補充を中断し、比較例よりも時間Δt(=t03−t13)だけ早期に予備吐出を開始する。なお、予備吐出動作および予備吐出後のスリットノズル511の移動動作は比較例も実施形態も同一であり、比較例および実施形態における予備吐出開始から次の基板W(n+1)の塗布開始までの時間、つまり、
比較例:時間=t06−t03
実施形態:時間=t16−t13
は同一である。ただし、後で説明するように本実施形態では予備吐出後に塗布液の追加補充を行うのに対し、比較例では当該補充を一切行わない点で相違している。
The comparative example is exactly the same in that the coating liquid is replenished in parallel with the movement of the
Comparative Example: Time=t06-t03
Embodiment: Time=t16-t13
Are the same. However, as will be described later, in the present embodiment, the supplemental replenishment of the coating liquid is performed after the preliminary ejection, whereas the comparative example is different in that the supplementation is not performed at all.
図5(b)の下段のグラフに戻って説明を続ける。本実施形態では、スリットノズル511がメンテナンス位置、つまり吐出口511aがノズル洗浄待機ユニット52のローラ521の外周面に近接した位置に到達した時点を塗布液の補充を中断するタイミングt13としている。また、図5(b)の上段のグラフに示すように、ノズル洗浄待機ユニット52へのスリットノズル511の移動開始からタイミングt13に達する間に、量M1の塗布液がポンプ581に補充され、スリットノズル511は充填状態に達していないものの、そのポンプ充填率は例えば80%に達している(図6C参照)。
The description will be continued by returning to the lower graph of FIG. In the present embodiment, the timing t13 at which the replenishment of the coating liquid is interrupted is the time when the
そして、タイミングt13で、開閉弁585、586、593はそれぞれ開成、開成および閉成に切り替わり、ポンプ581への塗布液の補充が中断される一方、一定時間(=t14−t13)を掛けてポンプ581から一定量M3の塗布液がスリットノズル511に圧送される。これによって、図6Dに示すように、吐出口511aから塗布液が吐出されて吐出口511aに塗布液の液だまりLDが形成される(予備吐出動作)。ここでは、予備吐出によってポンプ充填率は80%から70%に低下する。
Then, at timing t13, the on-off
このようにローラ521を用いて予備吐出を行った後においては、一定時間(=t15−t14)の間、吐出口511aをローラ521に近接させた状態のままスリットノズル511を待機させた後で、スリットノズル511の吐出位置への移動を開始させる。
After performing the preliminary ejection using the
一方、開閉弁585、586、593は、予備吐出が完了したタイミングt14で、それぞれ閉成、閉成および開成に切り替わり、ポンプ581への塗布液の補充が再開される。そして、上記待機期間(t14〜t15)およびスリットノズル511の吐出位置への移動期間(t15〜t16)を利用して量M2(=100−M1+M3)の塗布液をポンプ581に補充して充填状態に回復させる(図6E参照)。この実施形態では、予備吐出後の塗布液の補充量M2は予備吐出前の塗布液の補充量M1よりも少ないため、図5(b)に示すように予備吐出後の補充速度(グラフの傾き)を予備吐出前のそれよりも小さく設定している。このため、予備吐出後の補充段階で塗布液が陰圧になることによるキャビテーションの発生を効果的に防止することができる。
On the other hand, the opening/closing
また、スリットノズル511を吐出位置に移動させている間(t15〜t16)、開閉弁585、586はともに閉成されているため、次の作用効果が得られる。本実施形態では、ポンプ581は図4に示すように吐出口511aよりも高い位置に配置されているため、水頭差によって吐出口511aからの塗布液の漏れが問題となるが、開閉弁585、586を閉成することで塗布液の漏れを効果的に防止することができる。
Further, while the
上記のようにポンプ581が充填状態に回復し、さらにスリットノズル511が吐出位置に位置決めされる(タイミングt16)と、図6Fに示すように、開閉弁585、586、593はそれぞれ開成、開成および閉成に切り替わり、ポンプ581から塗布液がスリットノズル511に圧送され、X方向に浮上搬送される(n+1)枚目の基板W(n+1)の表面Wfに向けて塗布液が吐出され、塗布層CLが形成される。
When the
以上のように、第1実施形態では、図5に示すように、準備動作として予備吐出動作を開始するのに必要な量(予備吐出動作で使用される塗布液の量M2)以上の塗布液がポンプ581に貯留されると、ポンプ581が充填状態に回復する(タイミングt03)よりも時間Δtだけ早く予備吐出が準備動作として実行される。そのため、従来技術(ポンプ581が充填状態になるのを待って予備吐出を行う技術)よりも上記時間Δtだけタクトタイムを短縮することができる。このことは、視点を変えると、次の作用効果が得られることを意味している。比較例において本実施形態と同程度のタクトタイムを獲得するためには、塗布液の補充速度を高める必要がある。しかしながら、補充速度の増大により塗布液が陰圧になり、塗布液中にキャビテーションが発生するというリスクが伴う。これに対し、本実施形態では、従来技術と同じ速度で塗布液を補充することができ、上記リストを回避しつつタクトタイムを短縮することができるという優れた作用効果を有している。
As described above, in the first embodiment, as shown in FIG. 5, the coating liquid is equal to or more than the amount required to start the preliminary ejection operation as the preparatory operation (the amount M2 of the coating liquid used in the preliminary ejection operation). Is stored in the
また、ポンプ581とスリットノズル511とを接続する配管583、584に開閉弁585、586を介挿し、スリットノズル511の移動中に開閉弁585、586を閉成しているため、当該移動中に吐出口511aから塗布液が漏れるのを効果的に防止することができる。
Further, since the opening/closing
さらに、従来技術では予備吐出後に塗布液の補充を行うことができないため、次の塗布液開始時点におけるポンプ充填率は100%から予備吐出での消費量M3を減算した値となる。すなわち、消費量M3を考慮して少し能力の高いポンプを用いる必要があった。これに対し、本実施形態では上記考慮が不要となり、従来技術よりも小型のポンプ581を用いることができ、装置重量やコストの低減を図ることができる。
Furthermore, in the prior art, since the coating liquid cannot be replenished after the preliminary discharge, the pump filling rate at the start of the next coating liquid is 100% minus the consumption amount M3 in the preliminary discharge. That is, it was necessary to use a pump having a slightly higher capacity in consideration of the consumption amount M3. On the other hand, in the present embodiment, the above consideration is not necessary, and the
以上、本実施形態では、ノズル洗浄待機ユニット52が本発明の「メンテナンス部」の一例に相当している。移動機構518が本発明の「移動部」の一例に相当している。塗布液補充ユニット59が本発明の「補充部」の一例に相当している。塗布液の量M1、M2がそれぞれ本発明の「第1量」および「第2量」の一例に相当している。開閉弁585、586が本発明の「切替部」の一例に相当している。図5中のタイミングt11からタイミングt13までの間に実行される補充動作が本発明の「第1補充動作」および「第1補充工程」の一例に相当し、タイミングt13からタイミングt14までの間に実行される予備的な吐出動作が本発明の「予備吐出工程」および「準備工程」の一例に相当し、タイミングt14からタイミングt16までの間に実行される補充動作が本発明の「第2補充動作」および「第2補充工程」の一例に相当している。
As described above, in the present embodiment, the nozzle
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば上記第1実施形態では、ノズル洗浄待機ユニット52のローラ521にスリットノズル511の吐出口511aを近接させて予備吐出処理を準備動作として行う塗布装置1に対して本発明を適用しているが、タイミングt14〜t15で洗浄ユニット522によるスクレイパ処理を伴う塗布装置1にも本発明をそのまま適用することができる。
The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications other than those described above can be made without departing from the spirit of the present invention. For example, in the above-described first embodiment, the present invention is applied to the
また、上記第1実施形態では、第1補充動作(タイミングt11〜t13)によりポンプ充填率を80%まで回復させ、予備吐出動作(タイミングt13〜t14)によりポンプ充填率を10%減少させ、第2補充動作(タイミングt14〜t16)によりポンプ充填率を充填状態(100%)まで回復させているが、これらの数値は一例であって、塗布すべき塗布液の量や物性などに応じた数値に設定することができる。ただし、上記したように予備吐出を確実に行うためには第1補充動作において量M3以上の塗布液を補充する必要がある。 In the first embodiment, the pump filling rate is restored to 80% by the first refilling operation (timing t11 to t13), and the pump filling rate is reduced by 10% by the preliminary discharge operation (timing t13 to t14). 2 The pump filling rate is restored to the filled state (100%) by the replenishment operation (timing t14 to t16), but these numerical values are examples, and numerical values corresponding to the amount of the coating liquid to be applied and the physical properties are applied. Can be set to. However, as described above, in order to reliably perform the preliminary ejection, it is necessary to replenish the amount of the coating liquid of M3 or more in the first replenishment operation.
また、上記第1実施形態では、吐出位置からノズル洗浄待機ユニット52に移動する際にスリットノズル511の吐出口511aからの塗布液の漏れを防止するために、開閉弁585、586を閉成しているが、さらにn枚目の基板に対する塗布処理が完了したタイミングt11でいわゆるサックバック動作を実行して塗布液の漏れをさらに高度に防止することができる。この場合、サックバック動作に伴い、スリットノズル511の吐出口511aの近傍に気泡を巻き込むことがある。そこで、サックバック動作を併用する場合には、次に説明するように上記予備吐出動作以外に気泡除去動作を準備動作として実行するのが望ましい(第2実施形態)。
Further, in the first embodiment, the opening/closing
図7は本発明にかかる基板処理装置の第2実施形態である塗布装置の動作を示す図である。この第2実施形態では、n枚目の基板に対する塗布処理が完了したタイミングt21でいわゆるサックバック動作が実行されるため、同図に示すようにメンテナンス位置で気泡除去動作と予備吐出動作とをこの順序で準備動作として実行している。なお、塗布液の補充自体は準備動作と直接関係するものではないが、気泡除去動作から予備吐出動作に移行するための時間を利用して塗布液の補充、つまり中間補充を準備動作に含めている。 FIG. 7 is a diagram showing the operation of the coating apparatus that is the second embodiment of the substrate processing apparatus according to the present invention. In the second embodiment, since the so-called suck back operation is executed at the timing t21 when the coating process on the nth substrate is completed, the bubble removing operation and the preliminary ejection operation are performed at the maintenance position as shown in FIG. It is executed as a preparatory operation in order. Note that the replenishment of the coating liquid itself is not directly related to the preparatory operation, but the replenishment of the coating liquid, that is, the intermediate replenishment is included in the preparatory operation by utilizing the time for shifting from the bubble removal operation to the preliminary ejection operation There is.
この第2実施形態では、スリットノズル511がメンテナンス位置、つまり吐出口511aがノズル洗浄待機ユニット52のローラ521の外周面に近接した位置に到達した時点を塗布液の補充を中断するタイミングt22としている。また、ノズル洗浄待機ユニット52へのスリットノズル511の移動開始からタイミングt22に達する間に、塗布液がポンプ581に補充され、スリットノズル511は充填状態に達していないものの、タイミングt22〜t23で気泡除去動作を実行するのに必要な量(当該気泡除去動作中にスリットノズル511に向けて送液される塗布液の量)以上の塗布液がポンプ581に貯留される。
In the second embodiment, the timing when the
そして、タイミングt22で、開閉弁585、586、593はそれぞれ開成、開成および閉成に切り替わり、ポンプ581への塗布液の補充が中断される一方、一定時間(=t23−t22)を掛けてポンプ581から一定量の塗布液がスリットノズル511に送液され、吐出口511aから塗布液が吐出されないものの、吐出口511aに滲み出る程度に塗布液が存在することとなり、その送液動作によって吐出口511aの近傍に存在していた気泡が吐出口511aから除去される(気泡除去動作)。
Then, at timing t22, the on-off
一方、開閉弁585、586、593は、気泡除去動作が完了したタイミングt23で、それぞれ閉成、閉成および開成に切り替わり、ポンプ581への塗布液の補充が再開される(中間補充)。そして、予備吐出が可能となるタイミングt24で第1実施形態と同様にして予備吐出動作が実行される。こうして、準備動作(=気泡除去動作+予備吐出動作)が完了する(タイミングt25)と、第1実施形態と同様に、待機期間およびスリットノズル511の吐出位置への移動期間を利用してポンプ581への塗布液の補充が再開され、ポンプ581を充填状態に回復させる。そして、ポンプ581が充填状態に回復し、さらにスリットノズル511が吐出位置に位置決めされる(タイミングt26)と、開閉弁585、586、593はそれぞれ開成、開成および閉成に切り替わり、ポンプ581から塗布液がスリットノズル511に圧送され、X方向に浮上搬送される(n+1)枚目の基板W(n+1)の表面Wfに向けて塗布液が吐出され、塗布層CLが形成される。
On the other hand, the opening/closing
以上のように、第2実施形態では、予備吐出動作に加えて気泡除去動作を準備動作として行っているため、スリットノズル511の吐出口511aから気泡を確実に取り除き、基板Wに対して塗布液を良好に塗布することができる。このように、第2実施形態では、タイミングt22〜t25で実行される動作が本発明の「準備工程」の一例に相当している。
As described above, in the second embodiment, the bubble removing operation is performed as the preparatory operation in addition to the preliminary ejection operation. Therefore, the bubbles are reliably removed from the
また、上記第2実施形態では、メンテナンス位置で気泡除去動作を実行しているが、例えば図8に示すようにスリットノズル511が吐出位置からノズル洗浄待機ユニット52に移動している途中の期間(タイミングt32〜t33)に気泡除去動作を実行してもよい。上記タイミングt32では、第2実施形態に比べてポンプ充填率は低いものの、上記気泡除去動作を実行するのに必要な量以上の塗布液が既にポンプ581に貯留されている。なお、図8中の符号t31、t34〜t36はそれぞれ第2実施形態でのタイミングt21、t24〜t26と同じタイミングを示している。
In addition, in the second embodiment, the bubble removing operation is executed at the maintenance position. However, for example, as shown in FIG. 8, a period during which the
また、上記第2実施形態および第3実施形態では、準備動作として予備吐出動作と気泡除去動作が含まれているが、例えば図9に示すように気泡除去動作のみを準備動作として実行してもよい(第4実施形態)。なお、図9中の符号t41〜t43、t46はそれぞれ第2実施形態でのタイミングt21〜t23、t26と同じタイミングを示している。 In the second and third embodiments described above, the preliminary ejection operation and the bubble removing operation are included as the preparatory operations, but even if only the bubble removing operation is executed as the preparatory operation as shown in FIG. 9, for example. Good (4th Embodiment). Note that reference numerals t41 to t43 and t46 in FIG. 9 indicate the same timings as the timings t21 to t23 and t26 in the second embodiment, respectively.
また、上記第1実施形態ないし第4実施形態では、基板Wを浮上させて搬送しながら処理液として塗布液を基板Wの表面に塗布する塗布装置1に対して本発明を適用しているが。本発明の適用対象はこれに限定されるものではなく、特許文献2に記載の装置を含め、ノズルから処理液を基板に吐出して処理する基板処理装置全般に本発明を適用することができる。
Further, in the above-described first to fourth embodiments, the present invention is applied to the
本発明は、基板を処理するための処理液をポンプからノズルに送液し、当該ノズルから基板に吐出する基板処理装置および基板処理方法全般に適用することができる。 INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention can be applied to all substrate processing apparatuses and substrate processing methods in which a processing liquid for processing a substrate is sent from a pump to a nozzle and then discharged from the nozzle onto the substrate.
1…塗布装置(基板処理装置)
5…塗布機構
9…制御部
52…ノズル洗浄待機ユニット(メンテナンス部)
59…塗布液補充ユニット(補給部)
511…(スリット)ノズル
511a…吐出口
518…移動機構(移動部)
581…ポンプ
582〜584…配管
585,586…開閉弁(切替部)
M1…補充量(第1量)
M2…補充量(第2量)
W…基板
1 coating device (substrate processing device)
5...
59... Coating liquid replenishing unit (replenishing section)
511 (slit)
581... Pump 582-584... Piping 585, 586... Open/close valve (switching part)
M1... Replenishment amount (first amount)
M2... Replenishment amount (second amount)
W... substrate
Claims (10)
前記ポンプに前記処理液を補充する補充部と、
前記メンテナンス部および前記吐出位置に前記ノズルを相対的に移動させる移動部と、
前記移動部によって前記吐出位置から前記メンテナンス部を経由して前記吐出位置に前記ノズルを移動させる間に前記ポンプから前記処理液を前記ノズルに向けて送液することで次の前記基板に前記処理液を吐出するための準備動作を行う制御部と、を備え、
前記制御部は、前記準備動作の前に、第1量の前記処理液を前記ポンプに補充する第1補充動作と、前記準備動作の後に第2量の前記処理液を前記ポンプに補充して前記ポンプを充填状態に回復させる第2補充動作とを、前記補充部に実行させ、
前記第1量は、前記準備動作を開始するのに必要な前記処理液の量よりも多く且つ前記基板に吐出する前記処理液の量よりも少ない量であることを特徴とする基板処理装置。 While moving the nozzle that has undergone maintenance in the maintenance unit relative to the substrate at the discharge position, the processing liquid is fed to the nozzle from a filling pump filled with the processing liquid, and the processing liquid is discharged from the nozzle. A substrate processing apparatus for ejecting
A replenishing unit that replenishes the processing liquid to the pump,
A moving unit that relatively moves the nozzle to the maintenance unit and the discharge position;
While the nozzle is moved from the discharge position to the discharge position via the maintenance unit by the moving unit, the processing liquid is sent toward the nozzle from the pump to perform the processing on the next substrate. A control unit that performs a preparatory operation for discharging the liquid,
The control unit replenishes the pump with a first amount of the processing liquid before the preparatory operation, and replenishes the pump with a second amount of the processing liquid after the preparatory operation. A second replenishment operation for recovering the pump to a filled state is performed by the replenishment unit,
The substrate processing apparatus is characterized in that the first amount is larger than the amount of the processing liquid required to start the preparatory operation and smaller than the amount of the processing liquid discharged onto the substrate.
前記準備動作は前記メンテナンス部において前記ノズルから前記処理液を予備的に吐出する予備吐出動作であり、
前記準備動作を開始するのに必要な前記処理液の量は、前記予備吐出動作で消費される前記処理液の量である基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein
The preparatory operation is a preliminary ejection operation of preliminarily ejecting the processing liquid from the nozzle in the maintenance unit,
The substrate processing apparatus, wherein the amount of the processing liquid required to start the preparation operation is the amount of the processing liquid consumed in the preliminary ejection operation.
前記準備動作は前記処理液の前記ノズルへの送液によって前記ノズルの吐出口の近傍に存在する気泡を前記吐出口から除去する気泡除去動作であり、
前記準備動作を開始するのに必要な前記処理液の量は、前記気泡除去動作において送液される前記処理液の量である基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein
The preparatory operation is a bubble removing operation of removing from the discharge port bubbles existing in the vicinity of the discharge port of the nozzle by feeding the treatment liquid to the nozzle,
The substrate processing apparatus, wherein the amount of the processing liquid required to start the preparation operation is the amount of the processing liquid sent in the bubble removal operation.
前記準備動作は、前記処理液の前記ノズルへの送液によって前記ノズルの吐出口の近傍に存在する気泡を前記吐出口から除去する気泡除去動作と、前記気泡除去動作後に前記メンテナンス部において前記ノズルから前記処理液を予備的に吐出する予備吐出動作とを含み、
前記準備動作を開始するのに必要な前記処理液の量は、前記気泡除去動作において送液される前記処理液の量である基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein
The preparatory operation includes a bubble removing operation for removing bubbles existing in the vicinity of the discharge port of the nozzle from the discharge port by feeding the processing liquid to the nozzle, and the nozzle in the maintenance unit after the bubble removing operation. And a preliminary ejection operation for preliminarily ejecting the processing liquid from
The substrate processing apparatus, wherein the amount of the processing liquid required to start the preparation operation is the amount of the processing liquid sent in the bubble removal operation.
前記気泡除去動作は、前記吐出位置から前記メンテナンス部への移動中または前記メンテナンス部で実行される基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 3 or 4, wherein
The substrate processing apparatus, wherein the bubble removal operation is performed during or while moving from the discharge position to the maintenance unit.
前記制御部は、前記第1補充動作中および前記第2補充動作中に前記移動部により前記ノズルを相対移動させる基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 5,
The control unit is a substrate processing apparatus in which the nozzle is relatively moved by the moving unit during the first replenishing operation and the second replenishing operation.
前記制御部は、前記第1補充動作中に前記移動部により前記ノズルを前記吐出位置から前記メンテナンス部に相対移動させる基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 6, wherein
The control unit is a substrate processing apparatus in which the moving unit relatively moves the nozzle from the ejection position to the maintenance unit during the first replenishing operation.
前記制御部は、前記第2補充動作中に前記移動部により前記ノズルを前記メンテナンス部から前記吐出位置に相対移動させる基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 6 or 7, wherein
The control unit is a substrate processing apparatus in which the moving unit relatively moves the nozzle from the maintenance unit to the ejection position during the second replenishment operation.
前記ポンプから送液される前記処理液を前記ノズルに案内する配管と、
前記配管に介挿されて前記ポンプから前記ノズルへの前記処理液の送液と送液停止とを切り替える切替部と、をさらに備え、
前記制御部は、前記ノズルの位置に応じて前記切替部を制御して前記処理液の送液と送液停止とを切り替える基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 8, wherein
A pipe for guiding the processing liquid fed from the pump to the nozzle,
Further comprising a switching unit that is inserted in the pipe and switches between feeding and stopping feeding of the processing liquid from the pump to the nozzle,
The substrate processing apparatus wherein the control unit controls the switching unit according to the position of the nozzle to switch between feeding and stopping the feeding of the treatment liquid.
前記吐出位置からメンテナンス部を経由して前記吐出位置に前記ノズルを移動させる間に前記ポンプから前記処理液を前記ノズルに向けて送液することで次の前記基板に前記処理液を吐出するための準備動作を行う準備工程と、
前記準備工程の前に、前記準備動作を開始するのに必要な前記処理液の量よりも多く且つ前記基板に吐出する前記処理液の量よりも少ない、第1量の前記処理液を前記ポンプに補充する第1補充工程と、
前記準備工程の後に、第2量の前記処理液を前記ポンプに補充して前記ポンプを充填状態に回復させる第2補充工程と、
を備えることを特徴とする基板処理方法。 A substrate in which the processing liquid is delivered to the nozzle from a filling pump filled with the processing liquid and the processing liquid is ejected from the nozzle onto the substrate while moving the nozzle relative to the substrate at the ejection position. A processing method,
To discharge the processing liquid to the next substrate by sending the processing liquid from the pump toward the nozzle while moving the nozzle from the discharging position to the discharging position via the maintenance unit. A preparatory step for performing the preparatory operation of
Before the preparatory step, the pump supplies a first amount of the processing liquid that is larger than the amount of the processing liquid required to start the preparatory operation and smaller than the amount of the processing liquid to be discharged onto the substrate. A first replenishment step of replenishing
A second replenishment step of replenishing the pump with a second amount of the processing liquid to restore the pump to a filled state after the preparation step;
A substrate processing method, comprising:
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