KR101931863B1 - 박막 트랜지스터 - Google Patents

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Abstract

기판 상에, 게이트 전극과, 반도체층과, 상기 게이트 전극과, 그 반도체층의 사이에 마련된, 유기 고분자 화합물로 형성된 게이트 절연층과, 그 반도체층에 접하여 마련되고, 그 반도체층을 통하여 연결된 소스 전극 및 드레인 전극을 갖는 박막 트랜지스터로서,
상기 게이트 절연층 중, Mg, Ca, Ba, Al, Sn, Pb, Cr, Mn, Fe, Ni, Cu, Zn 및 Ag로부터 선택되는 금속의 함유량이 총량으로 10ppb~1ppm이거나, 또는 할로젠 이온, 황산 이온, 질산 이온 및 인산 이온으로부터 선택되는 비금속 이온성 물질의 함유량이 총량으로 1ppm~100ppm인, 박막 트랜지스터.

Description

박막 트랜지스터{THIN-FILM TRANSISTOR}
본 발명은, 박막 트랜지스터에 관한 것이다.
액정 디스플레이, 유기 EL 디스플레이 및 전기 영동형(泳動型) 디스플레이 등의 표시 장치의 대부분은 박막 트랜지스터(이하, "TFT"라고도 함)가 표시 스위칭 디바이스로서 장착되어 있다. TFT는, 기판 상에, 게이트 전극, 반도체층, 게이트 전극과 반도체층의 사이에 마련된 게이트 절연층으로 이루어지는 구조체를 갖고 있으며, 또한 반도체층에 접하여 소스 전극 및 드레인 전극이 마련되어 있다. TFT는, 게이트 전극에 전압을 인가함으로써 구동된다. 게이트 전극에 전압을 인가함으로써 반도체 중의 전자 또는 홀로 이루어지는 캐리어양을 컨트롤하여, 소스 전극-드레인 전극 간에 흐르는 전류가 제어된다.
TFT에 이용하는 반도체로는, 종래부터 어모퍼스 혹은 다결정의 박막 실리콘과 같은 무기 반도체가 이용되어 왔다. 그러나, TFT의 반도체층을 무기 반도체로 형성하는 경우, 진공 프로세스나 300℃ 이상의 고온 프로세스를 필요로 하여, 생산성의 향상에는 제약이 있다.
이에 대하여 최근에는, 유기 반도체를 이용한 TFT도 보급되고 있다. 유기 반도체층은, 잉크젯, 스핀 코트, 플렉소 인쇄 등의 방법에 의하여 성막할 수 있으므로, 성막 프로세스를 보다 저온에서, 고속·효율적으로, 저비용으로 행할 수 있다.
반도체층에 유기 반도체를 이용한 TFT의 대부분은, 게이트 절연층으로서 실리콘을 열산화한 산화 규소를 이용하고 있다. 산화 규소막을 이용하는 경우, 그 위에 형성하는 유기 반도체의 캐리어 전도 성능을 충분히 이끌어 내기 위하여, 통상은 산화 규소막 표면을 헥사메틸다이실라제인(HMDS)이나 옥타데실트라이클로로실레인(OTS) 등에 의하여 처리하고, 표면을 발수성으로 한다. 이 표면 처리에 의하여, 산화 규소막 표면의 하이드록실기가 ?칭되고, 또, 게이트 절연막의 표면 에너지가 저하되어 반도체의 결정성이 향상되므로, 캐리어 이동도가 향상된다. 그러나, HMDS나 OTS는, 게이트 절연막 표면에서 응집하거나 폴리머화하거나 하는 경우가 있다. 그렇게 되면 반도체가 결정 성장하기 어려워져, 충분한 캐리어 이동도가 얻어지지 않는다.
또, 게이트 절연막을 유기 고분자 화합물로 형성한 TFT도 알려져 있으며, 예를 들면 특허문헌 1에는, 수지와 가교제를 이용하여 형성한 경화물로 게이트 절연층을 형성한 TFT가 기재되어 있다. 이 특허문헌 1에는, 게이트 절연층의 알칼리 금속의 함유량을 적게 하여 유기 반도체층의 오염을 방지하는 것이 바람직하다는 것이 기재되어 있고, 또한 나트륨의 양을 20ppm 이하로 하는 것이 바람직하다는 것이 기재되어 있다.
특허문헌 1: 일본 공개특허공보 2006-303465호
본 발명은, 우수한 캐리어 이동도와 높은 전류 증폭률을 양립하여, 스위칭 동작을 보다 빠르고 확실하게 행할 수 있고, 또한, 임곗값 전압이 낮아 소비 전력도 억제한 박막 트랜지스터를 제공하는 것을 과제로 한다.
본 발명자들은 상기 과제를 감안하여 예의 검토를 거듭했다. 그 결과, 게이트 절연층에 유기 고분자 화합물을 함유하는 박막 트랜지스터에 있어서, 게이트 절연층 중에 포함되는 특정 금속 또는 특정 비금속 이온성 물질의 양을 특정 범위 내로 하면, 우수한 전류 증폭률(on/off비)을 나타내고, 또한, 전류 증폭률과 통상은 정(正)의 상관을 나타내는 임곗값 전압이, 의외로 낮게 억제되며, 또한 캐리어 이동도도 향상되는 것을 발견했다. 본 발명은 이러한 발견에 근거하여 완성되기에 이르렀다.
상기의 과제는 이하의 수단에 의하여 달성되었다.
〔1〕
기판 상에, 게이트 전극과, 반도체층과, 상기 게이트 전극과 상기 반도체층의 사이에 마련된, 유기 고분자 화합물로 형성된 게이트 절연층과, 반도체층에 접하여 마련되고, 반도체층을 통하여 연결된 소스 전극 및 드레인 전극을 갖는 박막 트랜지스터로서,
게이트 절연층 중, Mg, Ca, Ba, Al, Sn, Pb, Cr, Mn, Fe, Ni, Cu, Zn 및 Ag로부터 선택되는 금속의 함유량이 총량으로 10ppb~1ppm이거나, 또는 할로젠 이온, 황산 이온, 질산 이온 및 인산 이온으로부터 선택되는 비금속 이온성 물질의 함유량이 총량으로 1ppm~100ppm인, 박막 트랜지스터.
〔2〕
상기 게이트 절연층 중, Mg, Ca, Ba, Al, Sn, Pb, Cr, Mn, Fe, Ni, Cu, Zn 및 Ag로부터 선택되는 금속의 함유량이 총량으로 10ppb~1ppm이며, 또한, 할로젠 이온, 황산 이온, 질산 이온 및 인산 이온으로부터 선택되는 비금속 이온성 물질의 함유량이 총량으로 1ppm~100ppm인, 〔1〕에 따른 박막 트랜지스터.
〔3〕
상기 게이트 절연층 중, Mg, Ca, Al, Cr, Fe 및 Zn으로부터 선택되는 금속의 함유량이 총량으로 10ppb~1ppm인, 〔1〕 또는〔2〕에 따른 박막 트랜지스터.
〔4〕
상기 게이트 절연층 중, 염소 이온, 황산 이온, 질산 이온 및 인산 이온으로부터 선택되는 비금속 이온성 물질의 함유량이 총량으로 1ppm~100ppm인, 〔1〕 내지 〔3〕 중 어느 하나에 따른 박막 트랜지스터.
〔5〕
상기 게이트 절연층 중, 염소 이온 및 황산 이온으로부터 선택되는 비금속 이온성 물질의 함유량이 총량으로 1ppm~100ppm인, 〔1〕 내지 〔4〕 중 어느 하나에 따른 박막 트랜지스터.
〔6〕
상기 유기 고분자 화합물이, 폴리바이닐페놀, 노볼락 수지, 폴리스타이렌, 폴리(메트)아크릴레이트, 에폭시 수지, 에폭시(메트)아크릴레이트 수지, 폴리바이닐알코올, 불소 수지, 폴리사이클로올레핀, 폴리실세스퀴옥세인, 폴리실록세인, 폴리에스터, 폴리에터설폰, 폴리에터케톤, 및 폴리이미드로부터 선택되는 유기 고분자 화합물인, 〔1〕 내지 〔5〕 중 어느 하나에 따른 박막 트랜지스터.
〔7〕
상기 반도체층이 유기 반도체를 포함하는, 〔1〕 내지 〔6〕 중 어느 하나에 따른 박막 트랜지스터.
〔8〕상기 유기 반도체가, 하기 일반식 (C)~(T) 중 어느 하나로 나타나는, 〔7〕에 따른 박막 트랜지스터.
[화학식 1]
Figure 112016075690918-pct00001
일반식 (C) 중, AC1, AC2는 산소 원자, 황 원자 또는 셀레늄 원자를 나타낸다. RC1~RC6은 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, RC1~RC6 중 적어도 하나가 하기 일반식 (W)로 나타나는 치환기이다.
일반식 (D) 중, XD1 및 XD2는 NRD9, 산소 원자 또는 황 원자를 나타낸다. AD1은 CRD7 또는 질소 원자를 나타내고, AD2는 CRD8 또는 질소 원자를 나타내며, RD9는 수소 원자, 알킬기, 알켄일기, 알카인일기 또는 아실기를 나타낸다. RD1~RD8은 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, RD1~RD8 중 적어도 하나가 하기 일반식 (W)로 나타나는 치환기이다.
일반식 (E) 중, XE1 및 XE2는 산소 원자, 황 원자 또는 NRE7을 나타낸다. AE1 및 AE2는 CRE8 또는 질소 원자를 나타낸다. RE1~RE8은 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, RE1~RE8 중 적어도 하나가 하기 일반식 (W)로 나타나는 치환기이다.
일반식 (F) 중, XF1 및 XF2는 산소 원자, 황 원자 또는 셀레늄 원자를 나타낸다. RF1~RF10, RFa 및 RFb는 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, RF1~RF10, RFa 및 RFb 중 적어도 하나는 일반식 (W)로 나타나는 치환기이다. p 및 q는 0~2의 정수를 나타낸다.
일반식 (G) 중, XG1 및 XG2는 NRG9, 산소 원자 또는 황 원자를 나타낸다. AG1은 CRG7 또는 질소 원자를 나타내고, AG2는 CRG8 또는 질소 원자를 나타낸다. RG9는 수소 원자, 알킬기, 알켄일기, 알카인일기, 아실기, 아릴기 또는 헤테로아릴기를 나타내고, RG1~RG8은 수소 원자 또는 치환기를 나타내며, RG1~RG8 중 적어도 하나가 하기 일반식 (W)로 나타나는 치환기이다.
일반식 (H) 중, XH1~XH4는 NRH7, 산소 원자 또는 황 원자를 나타내고, RH7은 수소 원자, 알킬기, 알켄일기, 알카인일기, 아실기, 아릴기 또는 헤테로아릴기를 나타낸다. RH1~RH6은 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, RH1~RH6 중 적어도 하나가 하기 일반식 (W)로 나타나는 치환기이다.
일반식 (J) 중, XJ1 및 XJ2는 산소 원자, 황 원자, 셀레늄 원자 또는 NRJ9를 나타낸다. XJ3 및 XJ4는 산소 원자, 황 원자 또는 셀레늄 원자를 나타낸다. RJ1~RJ9는 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, RJ1~RJ9 중 적어도 하나가 하기 일반식 (W)로 나타나는 치환기이다.
일반식 (K) 중, XK1 및 XK2는 산소 원자, 황 원자, 셀레늄 원자 또는 NRK9를 나타낸다. XK3 및 XK4는 산소 원자, 황 원자 또는 셀레늄 원자를 나타낸다. RK1~RK9는 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, RK1~RK9 중 적어도 하나가 하기 일반식 (W)로 나타나는 치환기이다.
일반식 (L) 중, XL1 및 XL2는 산소 원자, 황 원자 또는 NRL11을 나타낸다. RL1~RL11은 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, RL1~RL11 중 적어도 하나가 하기 일반식 (W)로 나타나는 치환기이다.
일반식 (M) 중, XM1 및 XM2는 산소 원자, 황 원자, 셀레늄 원자 또는 NRM9를 나타낸다. RM1~RM9는 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, RM1~RM9 중 적어도 하나는 하기 일반식 (W)로 나타나는 치환기이다.
일반식 (N) 중, XN1 및 XN2는 산소 원자, 황 원자, 셀레늄 원자 또는 NRN13을 나타낸다. RN1~RN13은 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, RN1~RN13 중 적어도 하나는 하기 일반식 (W)로 나타나는 치환기이다.
일반식 (P) 중, XP1 및 XP2는 산소 원자, 황 원자, 셀레늄 원자 또는 NRP13을 나타낸다. RP1~RP13은 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, RP1~RP13 중 적어도 하나는 하기 일반식 (W)로 나타나는 치환기이다.
일반식 (Q) 중, XQ1 및 XQ2는 산소 원자, 황 원자, 셀레늄 원자 또는 NRQ13을 나타낸다. RQ1~RQ13은 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, RQ1~RQ13 중 적어도 하나는 하기 일반식 (W)로 나타나는 치환기이다.
일반식 (R) 중, XR1, XR2 및 XR3은 산소 원자, 황 원자, 셀레늄 원자 또는 NRR9를 나타낸다. RR1~RR9는 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, RR1~RR9 중 적어도 하나는 하기 일반식 (W)로 나타나는 치환기이다.
일반식 (S) 중, XS1, XS2, XS3 및 XS4는 산소 원자, 황 원자, 셀레늄 원자 또는 NRS7을 나타낸다. RS1~RS7은 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, RS1~RS7 중 적어도 하나는 하기 일반식 (W)로 나타나는 치환기이다.
일반식 (T) 중, XT1, XT2, XT3 및 XT4는 산소 원자, 황 원자, 셀레늄 원자 또는 NRT7을 나타낸다. RT1~RT7은 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, RT1~RT7 중 적어도 하나는 하기 일반식 (W)로 나타나는 치환기이다.
일반식 (W): -L-RW
일반식 (W) 중, L은 하기 일반식 (L-1)~(L-25) 중 어느 하나로 나타나는 2가의 연결기 또는 2 이상의 하기 일반식 (L-1)~(L-25) 중 어느 하나로 나타나는 2가의 연결기가 결합한 2가의 연결기를 나타낸다.
RW는 치환 또는 무치환의 알킬기, 사이아노기, 바이닐기, 에타인일기, 옥시에틸렌기, 옥시에틸렌 단위의 반복수 v가 2 이상인 올리고옥시에틸렌기, 실록세인기, 규소 원자수가 2 이상인 올리고실록세인기, 혹은 치환 또는 무치환의 트라이알킬실릴기를 나타낸다.
[화학식 2]
Figure 112016075690918-pct00002
일반식 (L-1)~(L-25) 중, 파선(波線) 부분은 상기 일반식 (C)~(T)로 나타나는 각 골격을 형성하는 어느 하나의 환과의 결합 위치를 나타낸다. *는 Rw와의 연결 위치 또는 일반식 (L-1)~(L-25)의 파선 부분과의 결합 위치를 나타낸다.
일반식 (L-13)에 있어서의 m은 4를 나타내고, 일반식 (L-14) 및 (L-15)에 있어서의 m은 3을 나타내며, 일반식 (L-16)~(L-20)에 있어서의 m은 2를 나타내고, 일반식 (L-22)에 있어서의 m은 6을 나타낸다.
일반식 (L-1), (L-2), (L-6) 및 (L-13)~(L-19) 및 (L-21)~(L-24)에 있어서의 RLZ는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환기를 나타낸다.
RN은 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, Rsi는 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 알켄일기 또는 알카인일기를 나타낸다.
〔9〕
상기 유기 반도체가, 일반식 (C), (F), (J) 및 (L) 중 어느 하나로 나타나는, 〔8〕에 따른 박막 트랜지스터.
본 명세서에 있어서, 특정 부호로 표시된 치환기나 연결기 등(이하, 치환기 등이라고 함)이 복수 있을 때, 혹은 복수의 치환기 등을 동시 혹은 택일적으로 규정할 때에는, 각각의 치환기 등은 서로 동일해도 되고 상이해도 되는 것을 의미한다. 이는, 치환기 등의 수의 규정에 대해서도 동일하다. 또, 식 중에 동일한 표시로 나타난 복수의 부분 구조의 반복이 존재하는 경우는, 각 부분 구조 내지 반복 단위는 동일해도 되고 상이해도 된다. 또, 특별히 설명하지 않는 한, 복수의 치환기 등이 근접(특히 인접)할 때에는 그들이 서로 연결되거나 축환하거나 하여 환을 형성하고 있어도 된다는 의미이다.
본 명세서에 있어서 화합물(폴리머를 포함함)의 표시에 대해서는, 당해 화합물 자체 외에, 그 염, 그 이온을 포함하는 의미로 이용한다. 또, 원하는 효과를 나타내는 범위에서, 구조의 일부를 변화시킨 것을 포함하는 의미이다.
본 명세서에 있어서 치환·무치환을 명기하지 않은 치환기(연결기에 대해서도 동일)에 대해서는, 원하는 효과를 저해하지 않는 범위에서, 그 기에 치환기를 더 갖고 있어도 된다는 의미이다. 이는 치환·무치환을 명기하지 않은 화합물에 대해서도 동의이다.
본 명세서에 있어서 "ppm" 및 "ppb"는 질량 기준이다.
또한, 본 명세서에 있어서 "~"를 이용하여 나타나는 수치 범위는, "~" 전후에 기재되는 수치를 하한값 및 상한값으로서 포함하는 범위를 의미한다.
본 발명의 박막 트랜지스터는, 우수한 캐리어 이동도를 나타내고, 또한, 전류 증폭률도 높아져 있으므로, 스위칭 동작을 보다 빠르고, 보다 확실하게 행할 수 있으며, 또한 임곗값 전압이 낮아, 소비 전력도 억제된다.
본 발명의 상기 및 다른 특징 및 이점은, 적절히 첨부한 도면을 참조하여, 하기의 기재로부터 보다 명확해질 것이다.
도 1은 본 발명의 박막 트랜지스터의 바람직한 형태를 모식적으로 나타내는 도이다.
이하, 본 발명에 대하여 상세하게 설명한다.
[박막 트랜지스터]
본 발명의 박막 트랜지스터(이하, 간단히 "본 발명의 TFT"라고 함)의 형태를 이하에 설명한다.
본 발명의 TFT는, 기판 상에, 게이트 전극과, 반도체층과, 상기 게이트 전극과 상기 반도체층의 사이에 마련된 게이트 절연층과, 상기 반도체층에 접하여 마련되고, 상기 반도체를 통하여 연결된 소스 전극 및 드레인 전극을 갖는다. 게이트 전극에 전압이 인가되면, 소스 전극-드레인 전극 간의 반도체층과 인접하는 층의 계면에 전류의 유로(채널)가 형성된다. 즉, 게이트 전극에 인가되는 입력 전압에 따라, 소스 전극과 드레인 전극의 사이를 흐르는 전류가 제어된다.
본 발명의 TFT의 바람직한 형태를 도면에 근거하여 설명한다. 각 도면에 나타나는 TFT는, 본 발명의 이해를 용이하게 하기 위한 모식도이며, 각 부재의 사이즈 내지 상대적인 대소 관계 등은 설명의 편의상 대소를 변경하고 있는 경우가 있고, 실제의 관계를 그대로 나타내는 것은 아니다. 또, 본 발명에서 규정하는 사항 이외에는 이들 도면에 나타난 외형, 형상에 한정되는 것도 아니다. 예를 들면, 도 1(A) 및 (B)에 있어서, 게이트 전극은 반드시 기판 전부를 덮고 있을 필요는 없고, 기판의 중앙 부분에 마련된 형태도, 본 발명의 TFT의 형태로서 바람직하다.
도 1(A)~(D)는, 각각, 본 발명의 TFT의 대표적인 바람직한 형태를 모식적으로 나타내는 종단면도이다. 도 1(A)~(D)에 있어서, 1은 반도체층, 2는 게이트 절연층, 3은 소스 전극, 4는 드레인 전극, 5는 게이트 전극, 6은 기판을 나타낸다.
또, 도 1(A)는, 보텀 게이트·보텀 콘택트형, 도 1(B)는, 보텀 게이트·톱 콘택트형, 도 1(C)는 톱 게이트·보텀 콘택트형, 도 1(D)는 톱 게이트·톱 콘택트형의 TFT를 나타내고 있다. 본 발명의 TFT에는 상기 4개의 형태 모두가 포함된다. 도시를 생략하지만, 각 TFT의 도면 최상부(기판(6)에 대하여 반대측)에는, 오버 코트층이 형성되어 있는 경우도 있다.
이하, 본 발명의 TFT의 구성 내지 재료에 대하여 더 상세하게 설명한다.
[기판]
기판은, TFT 및 그 위에 제작되는 표시 패널 등을 지지할 수 있는 것이면 된다. 기판은, 표면에 절연성이 있고, 시트 형상이며, 표면이 평탄하면 특별히 한정되지 않는다.
기판의 재료로서, 무기 재료를 이용해도 된다. 무기 재료로 이루어지는 기판으로서, 예를 들면, 소다 라임 유리, 석영 유리 등의 각종 유리 기판이나, 표면에 절연막이 형성된 각종 유리 기판, 표면에 절연막이 형성된 석영 기판, 표면에 절연막이 형성된 실리콘 기판, 사파이어 기판, 스테인리스강, 알루미늄, 니켈 등의 각종 합금이나 각종 금속으로 이루어지는 금속 기판, 금속박, 종이 등을 들 수 있다.
기판이 스테인리스 시트, 알루미늄박, 구리박 또는 실리콘 웨이퍼 등의 도전성 혹은 반도체성의 재료로 형성되어 있는 경우, 통상은, 표면에 절연성의 고분자 재료 혹은 금속 산화물 등을 도포 또는 적층하여 이용된다.
또, 기판의 재료로서, 유기 재료를 이용해도 된다. 예를 들면, 폴리메틸메타크릴레이트(폴리메타크릴산 메틸, PMMA)나 폴리바이닐알코올(PVA), 폴리바이닐페놀(PVP), 폴리에터설폰(PES), 폴리이미드, 폴리아마이드, 폴리아세탈, 폴리카보네이트(PC), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리에틸에터케톤, 폴리올레핀, 폴리사이클로올레핀으로 예시되는 유기 폴리머로 구성된 가요성을 갖는 플라스틱 기판(플라스틱 필름, 플라스틱 시트라고도 함)을 들 수 있다. 또 운모로 형성한 것도 들 수 있다.
이와 같은 가요성을 갖는 플라스틱 기판 등을 사용하면, 예를 들면 곡면 형상을 갖는 디스플레이 장치나 전자 기기에 대한 TFT의 도입 혹은 일체화가 가능하게 된다.
기판을 형성하는 유기 재료는, 다른 층의 적층 시나 가열 시에 연화되기 어려운 점에서, 유리 전이점이 높은 것이 바람직하고, 유리 전이점이 40℃ 이상인 것이 바람직하다. 또, 제조 시의 열처리에 의하여 치수 변화를 일으키기 어렵고, 트랜지스터 성능의 안정성이 우수한 점에서, 선팽창 계수가 작은 것이 바람직하다. 예를 들면, 선팽창 계수가 25×10-5cm/cm·℃ 이하인 재료가 바람직하고, 10×10-5cm/cm·℃ 이하인 재료가 더 바람직하다.
또, 기판을 구성하는 유기 재료는, TFT 제작 시에 이용하는 용매에 대한 내성을 갖는 재료가 바람직하고, 또, 게이트 절연층 및 전극과의 밀착성이 우수한 재료가 바람직하다.
또한, 가스 배리어성이 높은 유기 폴리머로 이루어지는 플라스틱 기판을 이용하는 것도 바람직하다.
기판의 적어도 편면에 치밀한 실리콘 산화막 등을 마련하거나, 무기 재료를 증착 또는 적층하거나 하는 것도 바람직하다.
기판으로서, 상기 외에, 도전성 기판(금이나 알루미늄 등의 금속으로 이루어지는 기판, 고배향성 그래파이트로 이루어지는 기판, 스테인리스강제 기판 등)도 들 수 있다.
기판에는, 밀착성이나 평탄성을 개선하기 위한 버퍼층, 가스 배리어성을 향상시키기 위한 배리어막 등의 기능성막, 또 표면에 이(易)접착층 등의 표면 처리층을 형성해도 되고, 코로나 처리, 플라즈마 처리, UV/오존 처리 등의 표면 처리를 실시해도 된다.
기판의 두께는, 10mm 이하인 것이 바람직하고, 2mm 이하인 것이 더 바람직하며, 1mm 이하인 것이 특히 바람직하다. 또, 한편, 0.01mm 이상인 것이 바람직하고, 0.05mm 이상인 것이 더 바람직하다. 특히, 플라스틱 기판의 경우는, 두께가 0.05~0.1mm 정도인 것이 바람직하다. 또, 무기 재료로 이루어지는 기판의 경우는, 두께가 0.1~10mm 정도인 것이 바람직하다.
[게이트 전극]
게이트 전극은, TFT의 게이트 전극으로서 이용되고 있는 종래 공지의 전극을 이용할 수 있다. 게이트 전극을 구성하는 도전성 재료(전극 재료라고도 함)로서는, 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 백금, 금, 은, 알루미늄, 크로뮴, 니켈, 구리, 몰리브데넘, 타이타늄, 마그네슘, 칼슘, 바륨, 나트륨, 팔라듐, 철, 망가니즈 등의 금속; InO2, SnO2, 인듐·주석 산화물(ITO), 불소 도프 산화 주석(FTO), 알루미늄 도프 산화 아연(AZO), 갈륨 도프 산화 아연(GZO) 등의 도전성 금속 산화물; 폴리아닐린, 폴리피롤, 폴리싸이오펜, 폴리아세틸렌, 폴리(3,4-에틸렌다이옥시싸이오펜)/폴리스타이렌설폰산(PEDOT/PSS) 등의 도전성 고분자; 염산, 황산, 설폰산 등의 산, PF6, AsF5, FeCl3 등의 루이스산, 아이오딘 등의 할로젠 원자, 나트륨, 칼륨 등의 금속 원자 등의 도펀트를 첨가한 상기 도전성 고분자, 및 카본 블랙, 그래파이트 가루, 금속 미립자 등을 분산시킨 도전성의 복합 재료 등을 들 수 있다. 이들 재료는, 1종만을 이용해도 되고, 2종 이상을 임의의 조합 및 비율로 병용해도 된다.
또, 게이트 전극은, 상기 도전성 재료로 이루어지는 1층이어도 되고, 2층 이상을 적층해도 된다.
게이트 전극의 형성 방법에 제한은 없다. 예를 들면, 진공 증착법 등의 물리 증착법(PVD), 화학 증착법(CVD법), 스퍼터링법, 인쇄법(도포법), 전사법, 졸젤법, 도금법 등에 의하여 형성된 막을, 필요에 따라서 원하는 형상으로 패터닝하는 방법을 들 수 있다.
도포법으로는, 상기 재료의 용액, 페이스트 또는 분산액을 조제, 도포하고, 건조, 소성, 광경화 또는 에이징 등에 의하여, 막을 형성하거나, 또는 직접 전극을 형성할 수 있다.
또, 잉크젯 인쇄, 스크린 인쇄, (반전)오프셋 인쇄, 볼록판 인쇄, 오목판 인쇄, 평판 인쇄, 열전사 인쇄, 마이크로 콘택트 프린팅법 등은, 원하는 패터닝이 가능하며, 공정의 간소화, 코스트 저감, 고속화의 점에서 바람직하다.
스핀 코트법, 다이 코트법, 마이크로 그라비어 코트법, 딥 코트법을 채용하는 경우도, 하기 포토리소그래피법 등과 조합하여 패터닝할 수 있다.
포토리소그래피법으로서는, 예를 들면, 포토레지스트의 패터닝과, 에칭액에 의한 웨트 에칭이나 반응성의 플라즈마에 의한 드라이 에칭 등의 에칭이나 리프트 오프법 등을 조합하는 방법 등을 들 수 있다.
다른 패터닝 방법으로서, 상기 재료에, 레이저나 전자선 등의 에너지선을 조사하여, 연마하거나, 또는 재료의 도전성을 변화시키는 방법도 들 수 있다.
또한, 기판 이외의 지지체에 인쇄한 게이트 전극용 조성물을 기판 등의 하지층(下地層) 위에 전사시키는 방법도 들 수 있다.
게이트 전극의 두께는, 임의이지만, 1nm 이상이 바람직하고, 10nm 이상이 특히 바람직하다. 또, 500nm 이하가 바람직하고, 200nm 이하가 특히 바람직하다.
[게이트 절연층]
본 발명의 TFT의 게이트 절연층은, 절연성을 갖는 유기 고분자 화합물로 형성된다. 유기 고분자 화합물은, 절연성을 갖는 것이면 특별히 한정되지 않고, 박막, 예를 들면 두께 1μm 이하의 박막을 형성할 수 있는 것이 바람직하다.
유기 고분자 화합물은, 각각, 1종을 이용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.
본 발명의 TFT를 구성하는 게이트 절연층은, Mg, Ca, Ba, Al, Sn, Pb, Cr, Mn, Fe, Ni, Cu, Zn 및 Ag(이하, 이들의 금속을 통틀어 "특정 금속"이라고 함)로부터 선택되는 금속의 함유량이 총량으로 10ppb~1ppm이거나, 또는 할로젠 이온, 황산 이온, 질산 이온 및 인산 이온(이하, 이들의 이온을 통틀어 "특정 비금속 이온성 물질"이라고 함)으로부터 선택되는 비금속 이온성 물질의 함유량이 총량으로 1ppm~100ppm이다. 보다 바람직하게는, 게이트 절연층은 특정 금속으로부터 선택되는 금속의 함유량이 총량으로 10ppb~1ppm이며, 또한, 특정 비금속 이온성 물질로부터 선택되는 비금속 이온성 물질의 함유량이 총량으로 1ppm~100ppm이다. 상기 특정 금속에는, 금속 자체 외에, 이온의 형태로 존재하는 것도 포함된다.
본 발명의 TFT는, 그 게이트 절연층 중의 특정 금속 또는 특정 비금속 이온성 물질의 함유량이 특정의 범위 내에 억제되어 있으므로 리크 패스(전도 패스)가 형성되기 어렵다. 이로 인하여, 본 발명의 TFT는 게이트 절연층의 우수한 절연성에 따라 높은 전류 증폭률을 나타낸다. 또한 의외로, 이 전류 증폭률은, 게이트 절연층 중의 특정 금속 또는 특정 비금속 이온성 물질이 본 발명에서 규정하는 것보다도 낮은 경우에 비하여(즉 리크 패스의 원인이 될 수 있는 물질을 보다 적게 한 경우에 비하여), 특정 금속 또는 특정 비금속 이온성 물질을 본 발명에서 규정하는 양으로 함유하는 경우(즉 리크 패스의 원인이 될 수 있는 물질을 일정 정도 함유하는 경우)에 있어서 높아진다. 또한, 본 발명의 TFT는 임곗값 전압이 낮다. 통상, 게이트 절연층의 절연성과 TFT의 임곗값 전압은 정으로 상관한다. 즉, 게이트 절연층의 절연성이 높으면 임곗값 전압도 높아진다. 그러나, 본 발명의 TFT는, 게이트 절연층 중의 특정 금속 또는 특정 비금속 이온성 물질의 함유량이 본 발명에서 규정하는 특정의 범위 내에 있음으로써, 게이트 절연층의 높은 절연성을 유지하면서 임곗값 전압은 낮게 억제된다. 즉, 본 발명에 의하여, 적은 소비 전력으로 보다 확실하게 스위칭 동작을 행할 수 있는 TFT가 제공된다. 또한 본 발명의 TFT는, 게이트 절연층 중의 특정 금속 또는 특정 비금속 이온성 물질의 함유량이 본 발명에서 규정하는 특정의 범위 내에 있음으로써 캐리어 이동도도 높일 수 있다. 또한, 게이트 절연층 중의 알칼리 금속의 양을 조절해도 상기와 같은 복합적인 성능 향상은 인정되지 않는다.
본 발명의 TFT에 있어서, 게이트 절연층 중, 특정 금속으로부터 선택되는 금속의 함유량은 총량으로 10ppb~500ppb가 바람직하고, 10ppb~200ppb가 보다 바람직하며, 12ppb~100ppb가 더 바람직하고, 14ppb~70ppb가 더 바람직하다. 또, 게이트 절연층 중, 특정 비금속 이온성 물질로부터 선택되는 비금속 이온성 물질의 함유량은 2ppm~70ppm이 바람직하고, 3ppm~50ppm이 보다 바람직하며, 5ppm~40ppm이 더 바람직하다.
게이트 절연층의 특정 금속이나 특정 비금속 이온성 물질의 양은, 게이트 절연층의 제조에 이용하는 재료를, 세정 처리나 정제 처리 등에 이용함으로써 조정할 수 있다.
본 발명의 TFT는, 그 게이트 절연층 중에 있어서의 Mg, Ca, Al, Cr, Fe 및 Zn으로부터 선택되는 금속의 함유량이 총량으로 10ppb~1ppm인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 10ppb~500ppb, 더 바람직하게는 10ppb~200ppb, 더 바람직하게는 12ppb~100ppb, 더 바람직하게는 13ppb~70ppb이다.
또, 본 발명의 TFT는, 그 게이트 절연층 중에 있어서의 염소 이온, 황산 이온, 질산 이온 및 인산 이온으로부터 선택되는 비금속 이온성 물질의 함유량이 총량으로 2ppm~70ppm인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 3ppm~50ppm, 더 바람직하게는 5ppm~40ppm이다. 또한 본 발명의 TFT는, 그 게이트 절연층 중에 있어서의 염소 이온 및 황산 이온으로부터 선택되는 비금속 이온성 물질의 함유량이 총량으로 2ppm~70ppm인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 3ppm~50ppm, 더 바람직하게는 5ppm~40ppm이다.
본 발명의 TFT의 게이트 절연층에 이용하는 유기 고분자 화합물의 바람직한 예로서, 예를 들면, 폴리바이닐페놀, 노볼락 수지, 폴리스타이렌, 폴리(메트)아크릴레이트, 에폭시 수지, 에폭시(메트)아크릴레이트 수지, 폴리바이닐알코올, 불소 수지, 폴리사이클로올레핀, 폴리실세스퀴옥세인, 폴리실록세인, 폴리에스터, 폴리에터설폰, 폴리에터케톤, 및 폴리이미드로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상을 들 수 있다.
상기 폴리(메트)아크릴레이트로서는, 폴리알킬메타크릴레이트가 바람직하고, 폴리메틸메타크릴레이트가 보다 바람직하다. 상기 불소 수지로서는, 예를 들면, 폴리불화 바이닐리덴, 폴리테트라플루오로에틸렌, CYTOP로 대표되는 환상 플루오로알킬폴리머를 들 수 있다. 상기 폴리실록세인으로서는, 다이알킬폴리실록세인이 바람직하고, 폴리다이메틸실록세인이 보다 바람직하다.
본 발명의 TFT의 게이트 절연층에 이용하는 유기 고분자 화합물은, 보다 바람직하게는 폴리바이닐페놀, 폴리스타이렌, 폴리(메트)아크릴레이트, 에폭시(메트)아크릴레이트, 불소 수지, 폴리사이클로올레핀, 폴리실세스퀴옥세인, 및 폴리실록세인으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상이며, 더 바람직하게는 폴리바이닐페놀, 폴리실세스퀴옥세인 및 불소 수지로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상이다.
상기 예시의 유기 고분자 화합물은, 상기 예시의 유기 고분자 화합물(폴리머)의 구성 성분을 구성 단위로 하는 공중합체의 형태여도 된다. 또, 상기 예시의 유기 고분자 화합물에는, 원하는 치환기를 갖고 있는 형태도 포함된다. 상기 유기 고분자 화합물은, 알콕시실릴기나 바이닐기, 아크릴로일옥시기, 에폭시기, 메틸올기 등의 반응성 치환기를 갖는 화합물과 병용할 수도 있다.
또, 유기 고분자 화합물을 이용하여 게이트 절연층을 형성하는 경우, 게이트 절연층의 내용제성이나 절연내성을 증가시킬 목적 등으로, 유기 고분자 화합물을 가교하고, 경화시키는 것도 바람직하다. 즉, 게이트 절연층에 포함되는 상기 예시의 유기 고분자 화합물에는, 가교 구조를 갖는 형태도 포함된다. 가교는, 광, 열 또는 이들 쌍방을 이용하여, 산 또는 라디칼을 발생시킴으로써 행하는 것이 바람직하다.
라디칼을 발생시켜 고분자 화합물에 가교 구조를 도입하는 경우, 광 또는 열에 의하여 라디칼을 발생시키는 라디칼 발생제로서, 예를 들면, 일본 공개특허공보 2013-214649호의 [0182]~[0186]에 기재된 열중합 개시제 (H1) 및 광중합 개시제 (H2), 일본 공개특허공보 2011-186069호의 [0046]~[0051]에 기재된 광 라디칼 발생제, 일본 공개특허공보 2010-285518호의 [0042]~[0056]에 기재된 광 라디칼 중합 개시제 등을 적합하게 이용할 수 있으며, 바람직하게는 이들의 내용은 본원 명세서에 원용된다.
또, 라디칼을 발생시켜 고분자 화합물에 가교 구조를 도입하는 경우, 일본 공개특허공보 2013-214649호의 [0167]~[0177]에 기재된 "수평균 분자량(Mn)이 140~5,000이며, 가교성 관능기를 갖고, 불소 원자를 갖지 않는 화합물 (G)"를 이용하는 것이 바람직하며, 이들의 내용은 바람직하게는 본원 명세서에 원용된다.
산을 발생시켜 고분자 화합물에 가교 구조를 도입하는 경우, 광에 의하여 산을 발생시키는 광산발생제로서, 예를 들면, 일본 공개특허공보 2010-285518호의 [0033]~[0034]에 기재된 광양이온 중합 개시제, 일본 공개특허공보 2012-163946호의 [0120]~[0136]에 기재된 산발생제, 특히 설포늄염, 아이오도늄염 등을 바람직하게 사용할 수 있으며, 바람직하게는 이들의 내용은 본원 명세서에 원용된다. 또, 열에 의하여 산을 발생시키는 열산발생제(촉매)로서, 예를 들면, 일본 공개특허공보 2010-285518호의 [0035]~[0038]에 기재된 열양이온 중합 개시제, 특히 오늄염 등이나, 일본 공개특허공보 2005-354012호의 [0034]~[0035]에 기재된 촉매, 특히 설폰산류 및 설폰산 아민염 등을 바람직하게 사용할 수 있으며, 바람직하게는 이들 내용은 본원 명세서에 원용된다.
또, 산을 발생시켜 고분자 화합물에 가교 구조를 도입하는 경우, 일본 공개특허공보 2005-354012호의 [0032]~[0033]에 기재된 가교제, 특히 2관능 이상의 에폭시 화합물, 옥세테인 화합물, 일본 공개특허공보 2006-303465호의 [0046]~[0062]에 기재된 가교제, 특히 2개 이상의 가교기를 갖고, 그 가교기 중 적어도 하나가 메틸올기 혹은 NH기인 것을 특징으로 하는 화합물, 및 일본 공개특허공보 2012-163946호의 [0137]~[0145]에 기재된, 하이드록시메틸기 또는 알콕시메틸기를 분자 내에 2개 이상 갖는 화합물을 이용하는 것이 바람직하며, 이들의 내용은 바람직하게는 본원 명세서에 원용된다.
게이트 절연층을 유기 고분자 화합물로 형성하는 방법으로서는, 예를 들면, 유기 고분자 화합물을 도공, 경화시키는 방법을 들 수 있다. 도공 방법은, 특별히 한정되지 않고, 상기의 각 인쇄법을 들 수 있다. 그 중에서도, 마이크로 그라비어 코트법, 딥 코트법, 스크린 코트 인쇄, 다이 코트법 또는 스핀 코트법 등의 웨트 코팅법이 바람직하다.
게이트 절연층은, 상기 방법 이외에도, 리프트 오프법, 졸젤법, 전착법 및 섀도 마스크법 중 어느 하나와, 필요에 따라서 패터닝법을 조합한 방법에 의하여, 마련할 수도 있다.
게이트 절연층은, 코로나 처리, 플라즈마 처리, UV/오존 처리 등의 표면 처리를 실시해도 되는데, 이 경우, 처리에 의한 표면 조도를 거칠게 하지 않는 것이 바람직하다. 바람직하게는, 게이트 절연층 표면의 산술 평균 조도 Ra 또는 제곱 평균 조도 RMS는 0.5nm 이하이다.
본 발명의 TFT에 있어서, 게이트 절연층은, 본 발명의 규정을 충족시키는 범위에서 무기 절연 재료를 포함해도 된다.
[자기 조직화 단분자막층(SAM)]
게이트 절연층 상에는, 자기 조직화 단분자막층을 형성할 수도 있다.
자기 조직화 단분자막층을 형성하는 화합물로서는, 자기 조직화하는 화합물이면 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 자기 조직화하는 화합물로서, 하기 식 1S로 나타나는 1종류 이상의 화합물을 이용할 수 있다.
식 1S: R1S-XS
식 1S 중, R1S는, 알킬기, 알켄일기, 알카인일기, 아릴기, 알콕시기, 아릴옥시기, 또는 헤테로환기(싸이엔일, 피롤일, 피리딜, 플루오렌일 등) 중 어느 하나를 나타낸다.
XS는 흡착성 또는 반응성 치환기를 나타내고, 구체적으로는, -SiX4X5X6기(X4는, 할라이드기 또는 알콕시기를 나타내며, X5, X6은 각각 독립적으로 할라이드기, 알콕시기, 알킬기, 아릴기를 나타낸다. X4, X5, X6은 각각 동일한 것이 바람직하고, 클로로기, 메톡시기, 에톡시기인 것이 보다 바람직함), 포스폰산기(-PO3H2), 포스핀산기(-PRO2H, R은 알킬기), 인산기, 아인산기, 아미노기, 할라이드기, 카복시기, 설폰산기, 붕산기(-B(OH)2), 하이드록시기, 싸이올기, 에타인일기, 바이닐기, 나이트로기 또는 사이아노기 중 어느 하나를 나타낸다.
R1S는, 바람직하게는 분기되어 있지 않고, 예를 들면, 직쇄상의 노말알킬(n-알킬)기나, 페닐기가 3개 직렬로 배치된 ter-페닐기나, 페닐기의 파라위의 양측에 n-알킬기가 배치된 구조가 바람직하다. 또, 알킬쇄 중에 에터 결합을 갖고 있어도 되고, 탄소-탄소의 이중 결합이나 삼중 결합을 갖고 있어도 된다.
자기 조직화 단분자막층은, 흡착성 또는 반응성 치환기 XS가, 대응하는 게이트 절연층 표면의 반응성 부위(예를 들면 -OH기)와 상호 작용, 흡착 또는 반응하여 결합을 형성함으로써, 게이트 절연층 상에 형성된다. 분자가 보다 치밀하게 충전됨으로써, 자기 조직화 단분자막층의 표면은, 보다 평활하고 표면 에너지가 낮은 표면을 부여하는 점에서, 상기 식 1S로 나타나는 화합물은, 주골격이 직선 형상이며, 분자 길이가 균일한 것이 바람직하다.
식 1S로 나타나는 화합물의 특히 바람직한 예로서 구체적으로는, 예를 들면, 메틸트라이클로로실레인, 에틸트라이클로로실레인, 뷰틸트라이클로로실레인, 옥틸트라이클로로실레인, 데실트라이클로로실레인, 옥타데실트라이클로로실레인, 펜에틸트라이클로로실레인 등의 알킬트라이클로로실레인 화합물, 메틸트라이메톡시실레인, 에틸트라이메톡시실레인, 뷰틸트라이메톡시실레인, 옥틸트라이메톡시실레인, 데실트라이메톡시실레인, 옥타데실트라이메톡시실레인 등의 알킬트라이알콕시실레인 화합물, 알킬포스폰산, 아릴포스폰산, 알킬카복실산, 알킬붕산기, 아릴붕산기, 알킬싸이올기, 아릴싸이올기 등을 들 수 있다.
자기 조직화 단분자막층은, 상기 화합물을 진공하에서 게이트 절연층에 증착하는 방법, 상기 화합물의 용액 중에 게이트 절연층을 침지하는 방법, Langmuir-Blodgett법 등을 이용하여, 형성할 수 있다. 또, 예를 들면, 알킬클로로실레인 화합물 또는 알킬알콕시실레인 화합물을 유기 용매 중에 1~10질량% 용해한 용액으로 게이트 절연층을 처리함으로써 형성할 수 있다. 본 발명에 있어서, 자기 조직화 단분자막층을 형성하는 방법은 이들에 한정하는 것은 아니다.
예를 들면, 보다 치밀한 자기 조직화 단분자막층을 얻는 바람직한 방법으로서, Langmuir 19, 1159(2003) 및 J. Phys. Chem. B 110, 21101(2006) 등에 기재된 방법을 들 수 있다.
구체적으로는, 상기 화합물을 분산시킨 휘발성이 높은 건조 용매 중에 게이트 절연층을 침지시켜 막을 형성하고, 게이트 절연층을 취출하여, 필요에 따라서 어닐링 등의 상기 화합물과 게이트 절연층의 반응 공정을 행한 후, 건조 용매로 씻어내고 나서, 건조시켜 자기 조직화 단분자막층을 형성할 수 있다.
건조 용매로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 클로로폼, 트라이클로로에틸렌, 아니솔, 다이에틸에터, 헥세인, 톨루엔 등을 단독 또는 혼합하여 이용할 수 있다.
또한, 건조 분위기 중 또는 건조 기체의 분사에 의하여, 막을 건조시키는 것이 바람직하다. 건조 기체로는 질소 등의 불활성 기체를 이용하는 것이 바람직하다. 이와 같은 자기 조직화 단분자막층의 제조 방법을 이용함으로써, 치밀하고 응집이나 결손이 없는 자기 조직화 단분자막층이 형성되는 점에서, 자기 조직화 단분자막층의 표면 조도를 0.3nm 이하로 억제할 수 있다.
[반도체층]
<유기 반도체층>
유기 반도체층은, 반도체성을 나타내고, 캐리어를 축적 가능한 층이다.
유기 반도체층은, 유기 반도체를 함유하는 층이면 된다.
유기 반도체로서는, 특별히 한정되지 않고, 유기 폴리머 및 그 유도체, 저분자 화합물 등을 들 수 있다.
본 발명에 있어서, 저분자 화합물은, 유기 폴리머 및 그 유도체 이외의 화합물을 의미한다. 즉, 반복 단위를 갖지 않는 화합물을 말한다. 저분자 화합물은, 이와 같은 화합물인 한, 분자량은 특별히 한정되는 것은 아니다. 저분자 화합물의 분자량은, 바람직하게는 300~2000이며, 더 바람직하게는 400~1000이다.
저분자 화합물로서는, 축합 다환 방향족 화합물을 들 수 있다. 예를 들면, 나프타센, 펜타센(2,3,6,7-다이벤조안트라센), 헥사센, 헵타센, 다이벤조펜타센, 테트라벤조펜타센 등의 아센, 안트라다이싸이오펜, 피렌, 벤조피렌, 다이벤조피렌, 크리센, 페릴렌, 코로넨, 터릴렌, 오발렌, 쿼터릴렌, 서컴안트라센, 및 이들의 탄소 원자의 일부를 N, S, O 등의 원자로 치환한 유도체 또는 상기 탄소 원자에 결합하고 있는 적어도 하나의 수소 원자를 카보닐기 등의 관능기로 치환한 유도체(페리잔텐옥산텐 및 그 유도체를 포함하는 다이옥사안탄트렌계 화합물, 트라이페노다이옥사진, 트라이페노다이싸이아진, 헥사센-6,15-퀴논 등)와, 상기 수소 원자를 다른 관능기로 치환한 유도체를 들 수 있다.
또, 구리 프탈로사이아닌으로 대표되는 금속 프탈로사이아닌, 테트라싸이아펜탈렌 및 그 유도체, 나프탈렌-1,4,5,8-테트라카복실산 다이이미드, N,N'-비스(4-트라이플루오로메틸벤질)나프탈렌-1,4,5,8-테트라카복실산 다이이미드, N,N'-비스(1H,1H-퍼플루오로옥틸), N,N'-비스(1H,1H-퍼플루오로뷰틸), N,N'-다이옥틸나프탈렌-1,4,5,8-테트라카복실산 다이이미드 유도체, 나프탈렌-2,3,6,7-테트라카복실산 다이이미드 등의 나프탈렌테트라카복실산 다이이미드, 안트라센-2,3,6,7-테트라카복실산 다이이미드 등의 안트라센테트라카복실산 다이이미드 등의 축합환 테트라카복실산 다이이미드, C60, C70, C76, C78, C84 등의 풀러렌 및 이들의 유도체, SWNT 등의 카본 나노 튜브, 메로사이아닌 색소, 헤미사이아닌 색소 등의 색소와 이들의 유도체 등을 들 수도 있다.
또한, 폴리안트라센, 트라이페닐렌, 퀴나크리돈을 들 수 있다.
또, 저분자 화합물로서는, 예를 들면, 4,4'-바이페닐다이싸이올(BPDT), 4,4'-다이아이소사이아노바이페닐, 4,4'-다이아이소사이아노-p-터페닐, 2,5-비스(5'-싸이오아세틸-2'-싸이오페닐)싸이오펜, 2,5-비스(5'-싸이오아세톡실-2'-싸이오페닐)싸이오펜, 4,4'-다이아이소사이아노페닐, 벤지딘(바이페닐-4,4'-다이아민), TCNQ(테트라사이아노퀴노다이메테인), 테트라싸이아풀발렌(TTF) 및 그 유도체, 테트라싸이아풀발렌(TTF)-TCNQ 착체, 비스에틸렌테트라싸이아풀발렌(BEDTTTF)-과염소산 착체, BEDTTTF-아이오딘 착체, TCNQ-아이오딘 착체로 대표되는 전하 이동 착체, 바이페닐-4,4'-다이카복실산, 1,4-다이(4-싸이오페닐아세틸렌일)-2-에틸벤젠, 1,4-다이(4-아이소사이아노페닐아세틸렌일)-2-에틸벤젠, 1,4-다이(4-싸이오페닐에타인일)-2-에틸벤젠, 2,2"-다이하이드록시-1,1':4',1"-터페닐, 4,4'-바이페닐다이에탄알, 4,4'-바이페닐다이올, 4,4'-바이페닐다이아이소사이아네이트, 1,4-다이아세틸렌일벤젠, 다이에틸바이페닐-4,4'-다이카복실레이트, 벤조[1,2-c;3,4-c';5,6-c"]트리스[1,2]다이싸이올-1,4,7-트라이싸이온, α-섹시싸이오펜, 테트라싸이아테트라센, 테트라셀레노테트라센, 테트라텔루륨테트라센, 폴리(3-알킬싸이오펜), 폴리(3-싸이오펜-β-에테인설폰산), 폴리(N-알킬피롤), 폴리(3-알킬피롤), 폴리(3,4-다이알킬피롤), 폴리(2,2'-싸이엔일피롤), 폴리(다이벤조싸이오펜설파이드)를 예시할 수 있다.
유기 반도체는 저분자 화합물이 바람직하고, 그 중에서도, 축합 다환 방향족 화합물이 바람직하다. 축합 다환 방향족 화합물은 캐리어 이동도 및 내구성의 향상 효과가 높고, 나아가서는 우수한 임곗값 전압의 저감 효과도 나타낸다.
축합 다환 방향족 화합물은, 식 (A1)~(A4) 중 어느 하나로 나타나는 아센, 및 하기 일반식 (C)~(T) 중 어느 하나로 나타나는 화합물이 바람직하고, 하기 일반식 (C)~(T) 중 어느 하나로 나타나는 화합물이 보다 바람직하다.
축합 다환 방향족 화합물로서 바람직한 아센은, 하기 식 (A1) 또는 (A2)로 나타나는 것이다.
[화학식 3]
Figure 112016075690918-pct00003
식 중, RA1~RA6, XA1 및 XA2는, 수소 원자 또는 치환기를 나타낸다.
ZA1 및 ZA2는, S, O, Se 또는 Te를 나타낸다.
nA1 및 nA2는 0~3의 정수를 나타낸다. 단, nA1 및 nA2가 동시에 0이 되는 경우는 없다.
RA1~RA6, XA1 및 XA2로 각각 나타나는 치환기로서는, 특별히 한정되지 않지만, 알킬기(예를 들면, 메틸, 에틸, 프로필, 아이소프로필, tert-뷰틸, 펜틸, tert-펜틸, 헥실, 옥틸, tert-옥틸, 도데실, 트라이데실, 테트라데실, 펜타데실 등), 사이클로알킬기(예를 들면, 사이클로펜틸, 사이클로헥실 등), 알켄일기(예를 들면, 바이닐, 알릴, 1-프로펜일, 2-뷰텐일, 1,3-뷰타다이엔일, 2-펜텐일, 아이소프로펜일 등), 알카인일기(예를 들면, 에타인일, 프로파길 등), 방향족 탄화 수소기(방향족 탄소환기, 아릴기 등이라고도 하며, 예를 들면, 페닐, p-클로로페닐, 메시틸, 톨릴, 자일릴, 나프틸, 안트릴, 아줄렌일, 아세나프텐일, 플루오렌일, 페난트릴, 인덴일, 피렌일, 바이페닐일 등), 방향족 복소환기(헤테로아릴기라고도 하고, 예를 들면, 피리딜기, 피리미딘일기, 퓨릴기, 피롤일기, 이미다졸일기, 벤조이미다졸일기, 피라졸일기, 피라진일기, 트라이아졸일기(예를 들면, 1,2,4-트라이아졸-1-일기, 1,2,3-트라이아졸-1-일기 등), 옥사졸일기, 벤조옥사졸일기, 싸이아졸일기, 아이소옥사졸일기, 아이소싸이아졸일기, 퓨라잔일기, 싸이엔일기, 퀴놀일기, 벤조퓨릴기, 다이벤조퓨릴기, 벤조싸이엔일기, 다이벤조싸이엔일기, 인돌일기, 카바졸일기, 카볼린일기, 다이아자카바졸일기(카볼린일기의 카볼린환을 구성하는 탄소 원자 중 1개가 질소 원자로 치환된 것을 나타냄), 퀴녹살린일기, 피리다진일기, 트라이아진일기, 퀴나졸린일기, 프탈라진일기 등), 복소환기(헤테로아릴환기 등이라고도 하며, 예를 들면, 피롤리딜기, 이미다졸리딜기, 모폴릴기, 옥사졸리딜기 등), 알콕시기(예를 들면, 메톡시, 에톡시, 프로필옥시, 펜틸옥시, 헥실옥시, 옥틸옥시, 도데실옥시 등), 사이클로알콕시기(예를 들면, 사이클로펜틸옥시, 사이클로헥실옥시 등), 아릴옥시기(예를 들면, 페녹시, 나프틸옥시 등), 알킬싸이오기(예를 들면, 메틸싸이오, 에틸싸이오, 프로필싸이오, 펜틸싸이오, 헥실싸이오, 옥틸싸이오, 도데실싸이오 등), 사이클로알킬싸이오기(예를 들면, 사이클로펜틸싸이오, 사이클로헥실싸이오 등), 아릴싸이오기(예를 들면, 페닐싸이오, 나프틸싸이오 등), 알콕시카보닐기(예를 들면, 메틸옥시카보닐, 에틸옥시카보닐, 뷰틸옥시카보닐, 옥틸옥시카보닐, 도데실옥시카보닐 등), 아릴옥시카보닐기(예를 들면, 페닐옥시카보닐, 나프틸옥시카보닐 등), 설파모일기(예를 들면, 아미노설폰일, 메틸아미노설폰일, 다이메틸아미노설폰일, 뷰틸아미노설폰일, 헥실아미노설폰일, 사이클로헥실아미노설폰일, 옥틸아미노설폰일, 도데실아미노설폰일, 페닐아미노설폰일, 나프틸아미노설폰일, 2-피리딜아미노설폰일 등), 아실기(예를 들면, 아세틸, 에틸카보닐, 프로필카보닐, 펜틸카보닐, 사이클로헥실카보닐, 옥틸카보닐, 2-에틸헥실카보닐, 도데실카보닐, 페닐카보닐, 나프틸카보닐, 피리딜카보닐 등), 아실옥시기(예를 들면, 아세틸옥시, 에틸카보닐옥시, 뷰틸카보닐옥시, 옥틸카보닐옥시, 도데실카보닐옥시, 페닐카보닐옥시 등), 아마이드기(예를 들면, 메틸카보닐아미노, 에틸카보닐아미노, 다이메틸카보닐아미노, 프로필카보닐아미노, 펜틸카보닐아미노, 사이클로헥실카보닐아미노, 2-에틸헥실카보닐아미노, 옥틸카보닐아미노, 도데실카보닐아미노, 페닐카보닐아미노, 나프틸카보닐아미노 등), 카바모일기(예를 들면, 아미노카보닐, 메틸아미노카보닐, 다이메틸아미노카보닐, 프로필아미노카보닐, 펜틸아미노카보닐, 사이클로헥실아미노카보닐, 옥틸아미노카보닐, 2-에틸헥실아미노카보닐, 도데실아미노카보닐, 페닐아미노카보닐, 나프틸아미노카보닐, 2-피리딜아미노카보닐 등), 유레이도기(예를 들면, 메틸유레이도, 에틸유레이도, 펜틸유레이도, 사이클로헥실유레이도, 옥틸유레이도, 도데실유레이도, 페닐유레이도, 나프틸유레이도, 2-피리딜아미노유레이도 등), 설핀일기(예를 들면, 메틸설핀일, 에틸설핀일, 뷰틸설핀일, 사이클로헥실설핀일, 2-에틸헥실설핀일, 도데실설핀일, 페닐설핀일, 나프틸설핀일, 2-피리딜설핀일 등), 알킬설폰일기(예를 들면, 메틸설폰일, 에틸설폰일, 뷰틸설폰일, 사이클로헥실설폰일, 2-에틸헥실설폰일, 도데실설폰일 등), 아릴설폰일기(페닐설폰일, 나프틸설폰일, 2-피리딜설폰일 등), 아미노기(예를 들면, 아미노, 에틸아미노, 다이메틸아미노, 뷰틸아미노, 사이클로펜틸아미노, 2-에틸헥실아미노, 도데실아미노, 아닐리노, 나프틸아미노, 2-피리딜아미노 등), 할로젠 원자(예를 들면, 불소 원자, 염소 원자, 브로민 원자 등), 불화 탄화 수소기(예를 들면, 플루오로메틸, 트라이플루오로메틸, 펜타플루오로에틸, 펜타플루오로페닐 등), 사이아노기, 나이트로기, 하이드록시기, 머캅토기, 실릴기(예를 들면, 트라이메틸실릴, 트라이아이소프로필실릴, 트라이페닐실릴, 페닐다이에틸실릴 등), 하기 일반식 (SG1)로 나타나는 기(단, XA는 Ge 또는 Sn) 등을 들 수 있다.
이들 치환기는, 또한 치환기를 복수 갖고 있어도 된다. 복수 갖고 있어도 되는 치환기로서는, 상기, RA1~RA6으로 나타나는 치환기를 들 수 있다.
상기 아센 중에서도, 하기 식 (A3) 또는 (A4)로 나타나는 것이 보다 바람직하다.
[화학식 4]
Figure 112016075690918-pct00004
식 중, RA7, RA8, XA1 및 XA2는, 수소 원자 또는 치환기를 나타낸다. RA7, RA8, XA1 및 XA2는 동일해도 되고 상이해도 된다. RA7 및 RA8로 나타나는 치환기는 식 (A1) 및 (A2)의 RA1~RA6으로서 채용할 수 있는 치환기로서 상기에서 열거한 것이 바람직하다.
ZA1 및 ZA2는, S, O, Se 또는 Te를 나타낸다.
nA1 및 nA2는 0~3의 정수를 나타낸다. 단, nA1과 nA2가 동시에 0이 되는 경우는 없다.
식 (A3) 또는 (A4)에 있어서, RA7 및 RA8은, 하기 식 (SG1)로 나타나는 것이 바람직하다.
[화학식 5]
Figure 112016075690918-pct00005
식 중, RA9~RA11은 치환기를 나타낸다. XA는 Si, Ge 또는 Sn을 나타낸다. RA9~RA11로 나타나는 치환기는, 식 (A1) 및 (A2)의 RA1~RA6으로서 채용할 수 있는 치환기로서 상기에서 열거한 것인 것이 바람직하다.
이하에, 식 (A1)~(A4)로 나타나는 아센 또는 아센 유도체의 구체예를 나타내지만, 이들에 한정되는 것은 아니다.
[화학식 6]
Figure 112016075690918-pct00006
[화학식 7]
Figure 112016075690918-pct00007
[화학식 8]
Figure 112016075690918-pct00008
[화학식 9]
Figure 112016075690918-pct00009
축합 다환 방향족 화합물로서는, 또한, 하기 일반식 (C)~(T)로 나타나는 화합물도 바람직하다.
[화학식 10]
Figure 112016075690918-pct00010
일반식 (C) 중, AC1, AC2는 산소 원자, 황 원자 또는 셀레늄 원자를 나타낸다. 바람직하게는 AC1, AC2 모두 산소 원자, 황 원자를 나타내며, 보다 바람직하게는 황 원자를 나타낸다. RC1~RC6은 수소 원자 또는 치환기를 나타낸다. RC1~RC6 중 적어도 하나가 하기 일반식 (W)로 나타나는 치환기이다.
일반식 (D) 중, XD1 및 XD2는 NRD9, 산소 원자 또는 황 원자를 나타낸다. AD1은 CRD7 또는 N원자를 나타내고, AD2는 CRD8 또는 N원자를 나타내며, RD9는 수소 원자, 알킬기, 알켄일기, 알카인일기 또는 아실기를 나타낸다. RD1~RD8은 수소 원자 또는 치환기를 나타내며, RD1~RD8 중 적어도 하나가 하기 일반식 (W)로 나타나는 치환기이다.
일반식 (E) 중, XE1 및 XE2는 산소 원자, 황 원자 또는 NRE7을 나타낸다. AE1 및 AE2는 CRE8 또는 질소 원자를 나타낸다. RE1~RE8은 수소 원자 또는 치환기를 나타낸다. RE1~RE8 중 적어도 하나가 하기 일반식 (W)로 나타나는 치환기이다.
일반식 (F) 중, XF1 및 XF2는 산소 원자, 황 원자 또는 셀레늄 원자를 나타낸다. 바람직하게는 XF1 및 XF2는 산소 원자, 황 원자를 나타내고, 보다 바람직하게는, 황 원자를 나타낸다. RF1~RF10, RFa 및 RFb는 수소 원자 또는 치환기를 나타낸다. RF1~RF10, RFa 및 RFb 중 적어도 하나는 일반식 (W)로 나타나는 치환기이다. p 및 q는 0~2의 정수를 나타낸다.
일반식 (G) 중, XG1 및 XG2는 NRG9, 산소 원자 또는 황 원자를 나타낸다. AG1은 CRG7 또는 N원자를 나타낸다. AG2는 CRG8 또는 N원자를 나타낸다. RG9는 수소 원자, 알킬기, 알켄일기, 알카인일기, 아실기, 아릴기 또는 헤테로아릴기를 나타낸다. RG1~RG8은 수소 원자 또는 치환기를 나타낸다. RG1~RG8 중 적어도 하나가 하기 일반식 (W)로 나타나는 치환기이다.
일반식 (H) 중, XH1~XH4는, NRH7, 산소 원자 또는 황 원자를 나타낸다. XH1~XH4는, 바람직하게는 황 원자를 나타낸다. RH7은 수소 원자, 알킬기, 알켄일기, 알카인일기, 아실기, 아릴기 또는 헤테로아릴기를 나타낸다. RH1~RH6은 수소 원자 또는 치환기를 나타낸다. RH1~RH6 중 적어도 하나가 하기 일반식 (W)로 나타나는 치환기이다.
일반식 (J) 중, XJ1 및 XJ2는 산소 원자, 황 원자, 셀레늄 원자 또는 NRJ9를 나타낸다. XJ3 및 XJ4는 산소 원자, 황 원자 또는 셀레늄 원자를 나타낸다. XJ1, XJ2, XJ3 및 XJ4는 바람직하게는 황 원자를 나타낸다. RJ1~RJ9는 수소 원자 또는 치환기를 나타낸다. RJ1~RJ9 중 적어도 하나가 하기 일반식 (W)로 나타나는 치환기이다.
일반식 (K) 중, XK1 및 XK2는 산소 원자, 황 원자, 셀레늄 원자 또는 NRK9를 나타낸다. XK3 및 XK4는 산소 원자, 황 원자 또는 셀레늄 원자를 나타낸다. XK1, XK2, XK3 및 XK4는 바람직하게는 황 원자를 나타낸다. RK1~RK9는 수소 원자 또는 치환기를 나타낸다. RK1~RK9 중 적어도 하나가 하기 일반식 (W)로 나타나는 치환기이다.
일반식 (L) 중, XL1 및 XL2는 산소 원자, 황 원자 또는 NRL11을 나타낸다. XL1 및 XL2는 바람직하게는 산소 원자 또는 황 원자를 나타낸다. RL1~RL11은 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, RL1~RL11 중 적어도 하나가 하기 일반식 (W)로 나타나는 치환기이다.
일반식 (M) 중, XM1 및 XM2는 산소 원자, 황 원자, 셀레늄 원자 또는 NRM9를 나타낸다. XM1 및 XM2는 바람직하게는 황 원자를 나타낸다. RM1~RM9는 수소 원자 또는 치환기를 나타낸다. RM1~RM9 중 적어도 하나는 하기 일반식 (W)로 나타나는 치환기이다.
일반식 (N) 중, XN1 및 XN2는 산소 원자, 황 원자, 셀레늄 원자 또는 NRN13을 나타낸다. XN1 및 XN2는 바람직하게는 황 원자를 나타낸다. RN1~RN13은 수소 원자 또는 치환기를 나타낸다. RN1~RN13 중 적어도 하나는 하기 일반식 (W)로 나타나는 치환기이다.
일반식 (P) 중, XP1 및 XP2는 산소 원자, 황 원자, 셀레늄 원자 또는 NRP13을 나타낸다. XP1 및 XP2는 바람직하게는 황 원자를 나타낸다. RP1~RP13은 수소 원자 또는 치환기를 나타낸다. RP1~RP13 중 적어도 하나는 하기 일반식 (W)로 나타나는 치환기이다.
일반식 (Q) 중, XQ1 및 XQ2는 산소 원자, 황 원자, 셀레늄 원자 또는 NRQ13을 나타낸다. XQ1 및 XQ2는 바람직하게는 황 원자를 나타낸다. RQ1~RQ13은 수소 원자 또는 치환기를 나타낸다. RQ1~RQ13 중 적어도 하나는 하기 일반식 (W)로 나타나는 치환기이다.
일반식 (R) 중, XR1, XR2 및 XR3은 산소 원자, 황 원자, 셀레늄 원자 또는 NRR9를 나타낸다. XR1, XR2 및 XR3은 바람직하게는 황 원자를 나타낸다. RR1~RR9는 수소 원자 또는 치환기를 나타낸다. RR1~RR9 중 적어도 하나는 하기 일반식 (W)로 나타나는 치환기이다.
일반식 (S) 중, XS1, XS2, XS3 및 XS4는 산소 원자, 황 원자, 셀레늄 원자 또는 NRS7을 나타낸다. XS1, XS2, XS3 및 XS4는 바람직하게는 황 원자를 나타낸다. RS1~RS7은 수소 원자 또는 치환기를 나타낸다. RS1~RS7 중 적어도 하나는 하기 일반식 (W)로 나타나는 치환기이다.
일반식 (T) 중, XT1, XT2, XT3, 및 XT4는 산소 원자, 황 원자, 셀레늄 원자 또는 NRT7을 나타낸다. XT1, XT2, XT3 및 XT4는 바람직하게는 황 원자를 나타낸다. RT1~RT7은 수소 원자 또는 치환기를 나타낸다. RT1~RT7 중 적어도 하나는 하기 일반식 (W)로 나타나는 치환기이다.
이하에, 상기 일반식 (C)~(T)에 있어서, 수소 원자 또는 치환기를 나타내는, RC1~RC6, RD1~RD8, RE1~RE8, RF1~RF10, RFa 및 RFb, RG1~RG8, RH1~RH6, RJ1~RJ9, RK1~RK9, RL1~RL11, RM1~RM9, RN1~RN13, RP1~RP13, RQ1~RQ13, RR1~RR9, RS1~RS7 및 RT1~RT7(이하, 치환기 RC~RT라고 함)에 대하여, 설명한다.
치환기 RC~RT가, 취할 수 있는 치환기로서, 할로젠 원자, 알킬기(메틸, 에틸, 프로필, 뷰틸, 펜틸, 헥실, 헵틸, 옥틸, 노닐, 데실, 운데실, 도데실, 트라이데실, 테트라데실, 펜타데실 등의 탄소수 1~40의 알킬기, 단, 2,6-다이메틸옥틸, 2-데실테트라데실, 2-헥실도데실, 2-에틸옥틸, 2-뷰틸데실, 1-옥틸노닐, 2-에틸옥틸, 2-옥틸테트라데실, 2-에틸헥실, 사이클로알킬, 바이사이클로알킬, 트라이사이클로알킬 등을 포함함), 알켄일기(1-펜텐일, 사이클로알켄일, 바이사이클로알켄일 등을 포함함), 알카인일기(1-펜타인일, 트라이메틸실릴에타인일, 트라이에틸실릴에타인일, 트라이-i-프로필실릴에타인일, 2-p-프로필페닐에타인일 등을 포함함), 아릴기(페닐, 나프틸, p-펜틸페닐, 3,4-다이펜틸페닐, p-헵톡시페닐, 3,4-다이헵톡시페닐의 탄소수 6~20의 아릴기 등을 포함함), 복소환기(헤테로환기라고 해도 된다. 2-헥실퓨란일 등을 포함함), 사이아노기, 하이드록시기, 나이트로기, 아실기(헥산오일, 벤조일 등을 포함함), 알콕시기(뷰톡시 등을 포함함), 아릴옥시기, 실릴옥시기, 헤테로환 옥시기, 아실옥시기, 카바모일옥시기, 아미노기(아닐리노기를 포함함), 아실아미노기, 아미노카보닐아미노기(유레이도기 포함함), 알콕시 및 아릴옥시카보닐아미노기, 알킬 및 아릴설폰일아미노기, 머캅토기, 알킬 및 아릴싸이오기(메틸싸이오, 옥틸싸이오 등을 포함함), 헤테로환 싸이오기, 설파모일기, 설포기, 알킬 및 아릴설핀일기, 알킬 및 아릴설폰일기, 알킬 및 아릴옥시카보닐기, 카바모일기, 아릴 및 헤테로환 아조기, 이미도기, 포스피노기, 포스핀일기, 포스핀일옥시기, 포스핀일아미노기, 포스포노기, 실릴기(다이트라이메틸실록시메틸뷰톡시 등), 하이드라지노기, 유레이도기, 보론산기(-B(OH)2), 포스페이토기(-OPO(OH)2), 설페이토기(-OSO3H), 그 외의 공지의 치환기를 들 수 있다.
이들 치환기는, 상기 치환기를 더 갖고 있어도 된다.
이들 중에서도, 치환기 RC~RT가 취할 수 있는 치환기로서, 알킬기, 아릴기, 알켄일기, 알카인일기, 복소환기, 알콕시기, 알킬싸이오기, 후술하는 일반식 (W)로 나타나는 기가 바람직하고, 탄소수 1~12의 알킬기, 탄소수 6~20의 아릴기, 탄소수 2~12의 알켄일기, 탄소수 2~12의 알카인일기, 탄소수 1~11의 알콕시기, 탄소수 5~12의 복소환기, 탄소수 1~12의 알킬싸이오기, 후술하는 일반식 (W)로 나타나는 기가 보다 바람직하며, 후술하는 일반식 (W)로 나타나는 기가 특히 바람직하다.
상기 RD9, RG9 및 RH7의, 알킬기, 알켄일기, 알카인일기, 아실기, 아릴기는, 각각, 치환기 RC~RT가 취할 수 있는 치환기에서 설명한, 알킬기, 알켄일기, 알카인일기, 아실기, 아릴기와 동의이다.
또, 헤테로아릴기는, RA1~RA6의 치환기에서 설명한 헤테로아릴기와 동의이다.
일반식 (W): -L-RW로 나타나는 기에 대하여 설명한다.
일반식 (W) 중, L은 하기 일반식 (L-1)~(L-25) 중 어느 하나로 나타나는 2가의 연결기 또는 하기 일반식 (L-1)~(L-25) 중 어느 하나로 나타나는 2가의 연결기가 2개 이상(바람직하게는 2~10개, 보다 바람직하게는 2~6개, 더 바람직하게는 2 또는 3개) 결합한 2가의 연결기를 나타낸다. RW는 치환 또는 무치환의 알킬기, 사이아노기, 바이닐기, 에타인일기, 옥시에틸렌기, 옥시에틸렌 단위의 반복수 v가 2 이상인 올리고옥시에틸렌기, 실록세인기, 규소 원자수가 2 이상인 올리고실록세인기, 혹은 치환 또는 무치환의 트라이알킬실릴기를 나타낸다.
[화학식 11]
Figure 112016075690918-pct00011
일반식 (L-1)~(L-25) 중, 파선 부분은 상기 일반식 (C)~(T)로 나타나는 각 골격을 형성하는 어느 하나의 환과의 결합 위치를 나타낸다. 또한, 본 명세서 중, L이 일반식 (L-1)~(L-25) 중 어느 하나로 나타나는 2가의 연결기가 2개 이상 결합한 2가의 연결기를 나타내는 경우, 파선 부분은 상기 일반식 (C)~(T)로 나타나는 각 골격을 형성하는 어느 하나의 환과의 결합 위치 및 일반식 (L-1)~(L-25)로 나타나는 2가의 연결기 중 어느 하나와의 결합 위치를 나타내도 된다.
*는 Rw와의 연결 위치 또는 일반식 (L-1)~(L-25)의 파선 부분과의 결합 위치를 나타낸다.
일반식 (L-13)에 있어서의 m은 4를 나타내고, 일반식 (L-14) 및 (L-15)에 있어서의 m은 3을 나타내며, 일반식 (L-16)~(L-20)에 있어서의 m은 2를 나타내고, 일반식 (L-22)에 있어서의 m은 6을 나타낸다.
일반식 (L-1), (L-2), (L-6) 및 (L-13)~(L-19) 및 (L-21)~(L-24)에 있어서의 RLZ는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, 일반식 (L-1) 및 (L-2) 중의 RLZ는 각각 L에 인접하는 RW와 결합하여 축합환을 형성해도 된다.
RN은 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, Rsi는 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 알켄일기 또는 알카인일기를 나타낸다.
이 중에서도, 일반식 (L-17)~(L-21), (L-23) 및 (L-24)로 나타나는 2가의 연결기는, 하기 일반식 (L-17A)~(L-21A), (L-23A) 및 (L-24A)로 나타나는 2가의 연결기인 것이 보다 바람직하다.
[화학식 12]
Figure 112016075690918-pct00012
여기에서, 치환 또는 무치환의 알킬기, 옥시에틸렌기, 옥시에틸렌 단위의 반복수 v가 2 이상인 올리고옥시에틸렌기, 실록세인기, 규소 원자수가 2 이상인 올리고실록세인기, 혹은 치환 또는 무치환의 트라이알킬실릴기가 치환기의 말단에 존재하는 경우는, 일반식 (W)에 있어서의 -RW 단독이라고 해석할 수도 있으며, 일반식 (W)에 있어서의 -L-RW라고 해석할 수도 있다.
본 발명에서는, 주쇄가 탄소수 N개인 치환 또는 무치환의 알킬기가 치환기의 말단에 존재하는 경우는, 치환기의 말단으로부터 가능한 만큼의 연결기를 포함시킨 후에 일반식 (W)에 있어서의 -L-RW라고 해석하는 것으로 하고, 일반식 (W)에 있어서의 -RW 단독이라고는 해석하지 않는다. 구체적으로는 "일반식 (W)에 있어서의 L에 상당하는 (L-1) 1개"와 "일반식 (W)에 있어서의 RW에 상당하는 주쇄가 탄소수 N-1개인 치환 또는 무치환의 알킬기"가 결합한 치환기로서 해석한다. 예를 들면, 탄소수 8의 알킬기인 n-옥틸기가 치환기의 말단에 존재하는 경우, 2개의 RLZ가 수소 원자인 (L-1) 1개와, 탄소수 7의 n-헵틸기가 결합한 치환기로서 해석한다. 또, 일반식 (W)로 나타나는 치환기가 탄소수 8의 알콕시기인 경우, -O-인 일반식 (L-4)로 나타나는 연결기 1개와, 2개의 RLZ가 수소 원자인 (L-1)로 나타나는 연결기 1개와, 탄소수 7의 n-헵틸기가 결합한 치환기로서 해석한다.
한편, 본 발명에서는, 옥시에틸렌기, 옥시에틸렌 단위의 반복수 v가 2 이상인 올리고옥시에틸렌기, 실록세인기, 규소 원자수가 2 이상인 올리고실록세인기, 혹은 치환 또는 무치환의 트라이알킬실릴기가 치환기의 말단에 존재하는 경우는, 치환기의 말단으로부터 가능한 만큼의 연결기를 포함시킨 후에, 일반식 (W)에 있어서의 RW 단독이라고 해석한다. 예를 들면, -(OCH2CH2)-(OCH2CH2)-(OCH2CH2)-OCH3기가 치환기의 말단에 존재하는 경우, 옥시에틸렌 단위의 반복수 v가 3인 올리고옥시에틸렌기 단독의 치환기로서 해석한다.
L이 일반식 (L-1)~(L-25) 중 어느 하나로 나타나는 2가의 연결기가 결합한 연결기를 형성하는 경우, 일반식 (L-1)~(L-25) 중 어느 하나로 나타나는 2가의 연결기의 결합수는 2~4인 것이 바람직하고, 2 또는 3인 것이 보다 바람직하다.
일반식 (L-1), (L-2), (L-6) 및 (L-13)~(L-24) 중의 치환기 RLZ로서는, 일반식 (C)~(T)의 치환기 RC~RT가 취할 수 있는 치환기로서 예시한 것을 들 수 있다. 그 중에서도 일반식 (L-6) 중의 치환기 RLZ는 알킬기인 것이 바람직하고, (L-6) 중의 RLZ가 알킬기인 경우는, 그 알킬기의 탄소수는 1~9인 것이 바람직하며, 4~9인 것이 화학적 안정성, 캐리어 수송성의 관점에서 보다 바람직하고, 5~9인 것이 더 바람직하다. (L-6) 중의 RLZ가 알킬기인 경우는, 그 알킬기는 직쇄 알킬기인 것이, 캐리어 이동도를 높일 수 있는 관점에서 바람직하다.
RN으로서는, 치환기 RC~RT가 취할 수 있는 치환기로서 예시한 것을 들 수 있다. 그 중에서도 RN으로서는 수소 원자 또는 메틸기가 바람직하다.
Rsi는, 알킬기인 것이 바람직하다. Rsi가 취할 수 있는 알킬기로서는 특별히 제한은 없지만, Rsi가 취할 수 있는 알킬기의 바람직한 범위는 RW가 실릴기인 경우에 그 실릴기가 취할 수 있는 알킬기의 바람직한 범위와 동일하다. Rsi가 취할 수 있는 알켄일기로서는 특별히 제한은 없지만, 치환 또는 무치환의 알켄일기가 바람직하고, 분지 알켄일기인 것이 보다 바람직하며, 그 알켄일기의 탄소수는 2~3인 것이 바람직하다. Rsi가 취할 수 있는 알카인일기로서는 특별히 제한은 없지만, 치환 또는 무치환의 알카인일기가 바람직하고, 분지 알카인일기인 것이 보다 바람직하며, 그 알카인일기의 탄소수는 2~3인 것이 바람직하다.
L은, 일반식 (L-1)~(L-5), (L-13), (L-17) 혹은 (L-18) 중 어느 하나로 나타나는 2가의 연결기, 또는 일반식 (L-1)~(L-5), (L-13), (L-17) 혹은 (L-18) 중 어느 하나로 나타나는 2가의 연결기가 2 이상 결합한 2가의 연결기인 것이 바람직하고, 일반식 (L-1), (L-3), (L-13) 혹은 (L-18) 중 어느 하나로 나타나는 2가의 연결기 또는 일반식 (L-1), (L-3), (L-13) 혹은 (L-18)로 나타나는 2가의 연결기가 2 이상 결합한 2가의 연결기인 것이 보다 바람직하며, 일반식 (L-1), (L-3), (L-13) 혹은 (L-18)로 나타나는 2가의 연결기, 혹은 일반식 (L-3), (L-13) 또는 (L-18) 중 어느 하나로 나타나는 2가의 연결기와 일반식 (L-1)로 나타나는 2가의 연결기가 결합한 2가의 연결기인 것이 특히 바람직하다. 일반식 (L-3), (L-13) 또는 (L-18) 중 어느 하나로 나타나는 2가의 연결기와 일반식 (L-1)로 나타나는 2가의 연결기가 결합한 2가의 연결기는, 일반식 (L-1)로 나타나는 2가의 연결기가 RW측에 결합하는 것이 바람직하다.
화학적 안정성, 캐리어 수송성의 관점에서 일반식 (L-1)로 나타나는 2가의 연결기를 포함하는 2가의 연결기인 것이 특히 바람직하고, 일반식 (L-1)로 나타나는 2가의 연결기인 것이 보다 특히 바람직하며, L이 일반식 (L-18) 및 (L-1)로 나타나는 2가의 연결기이고, (L-1)을 통하여 RW와 결합하며, RW가 치환 또는 무치환의 알킬기인 것이 보다 더 특히 바람직하고, L이 일반식 (L-18A) 및 (L-1)로 나타나는 2가의 연결기이며, (L-1)을 통하여 RW와 결합하고, RW가 치환 또는 무치환의 알킬기인 것이 보다 더 특히 바람직하다.
일반식 (W)에 있어서, RW는, 바람직하게는, 치환 또는 무치환의 알킬기이다. 일반식 (W)에 있어서, RW에 인접하는 L이 일반식 (L-1)로 나타나는 2가의 연결기인 경우는, RW는 치환 또는 무치환의 알킬기, 옥시에틸렌기, 옥시에틸렌 단위의 반복수가 2 이상인 올리고옥시에틸렌기, 실록세인기, 규소 원자수가 2 이상인 올리고실록세인기인 것이 바람직하며, 치환 또는 무치환의 알킬기인 것이 보다 바람직하다.
일반식 (W)에 있어서, RW에 인접하는 L이 일반식 (L-2) 및 (L-4)~(L-25)로 나타나는 2가의 연결기인 경우는, RW는 치환 또는 무치환의 알킬기인 것이 보다 바람직하다.
일반식 (W)에 있어서, RW에 인접하는 L이 일반식 (L-3)으로 나타나는 2가의 연결기인 경우는, RW는 치환 또는 무치환의 알킬기, 치환 또는 무치환의 실릴기인 것이 바람직하다.
RW가 치환 또는 무치환의 알킬기인 경우, 탄소수는 4~17인 것이 바람직하고, 6~14인 것이 화학적 안정성, 캐리어 수송성의 관점에서 보다 바람직하며, 6~12인 것이 더 바람직하다. RW가 상기의 범위의 장쇄 알킬기인 것, 특히 장쇄의 직쇄 알킬기인 것이, 분자의 직선성이 높아져, 캐리어 이동도를 높일 수 있는 관점에서 바람직하다.
RW가 알킬기를 나타내는 경우, 직쇄 알킬기여도 되고, 분지 알킬기여도 되며, 환상 알킬기여도 되지만, 직쇄 알킬기인 것이, 분자의 직선성이 높아져, 캐리어 이동도를 높일 수 있는 관점에서 바람직하다.
이들 중에서도, 일반식 (W)에 있어서의 RW와 L의 조합으로서는, 일반식 (C)~(T)의 L이 일반식 (L-1)로 나타나는 2가의 연결기이며, 또한, RW가 직쇄의 탄소수 4~17의 알킬기이거나; 혹은 L이 일반식 (L-3), (L-13) 또는 (L-18) 중 어느 하나로 나타나는 2가의 연결기와 일반식 (L-1)로 나타나는 2가의 연결기가 결합한 2가의 연결기이며, 또한, RW가 직쇄의 알킬기인 것이, 캐리어 이동도를 높이는 관점에서 바람직하다.
L이 일반식 (L-1)로 나타나는 2가의 연결기이며, 또한, RW가 직쇄의 탄소수 4~17의 알킬기인 경우, RW가 직쇄의 탄소수 6~14의 알킬기인 것이 캐리어 이동도를 높이는 관점에서 보다 바람직하며, 직쇄의 탄소수 6~12의 알킬기인 것이 특히 바람직하다.
L이 일반식 (L-3), (L-13) 또는 (L-18) 중 어느 하나로 나타나는 2가의 연결기와 일반식 (L-1)로 나타나는 2가의 연결기가 결합한 2가의 연결기이며, 또한, RW가 직쇄의 알킬기인 경우, RW가 직쇄의 탄소수 4~17의 알킬기인 것이 보다 바람직하고, 직쇄의 탄소수 6~14의 알킬기인 것이 화학적 안정성, 캐리어 수송성의 관점에서 보다 바람직하며, 직쇄의 탄소수 6~12의 알킬기인 것이 캐리어 이동도를 높이는 관점에서 특히 바람직하다.
한편, 유기 용매로의 용해도를 높이는 관점에서는, RW가 분지 알킬기인 것이 바람직하다.
RW가 치환기를 갖는 알킬기인 경우의 그 치환기로서는, 할로젠 원자 등을 들 수 있으며, 불소 원자가 바람직하다. 또한, RW가 불소 원자를 갖는 알킬기인 경우는 그 알킬기의 수소 원자가 모두 불소 원자로 치환되어 퍼플루오로알킬기를 형성해도 된다. 단, RW는 무치환의 알킬기인 것이 바람직하다.
RW가 에틸렌옥시기 또는 올리고에틸렌옥시기인 경우, RW가 나타내는 "올리고옥시에틸렌기"란 본 명세서 중, -(OCH2CH2)vOY로 나타나는 기를 말한다(옥시에틸렌 단위의 반복수 v는 2 이상의 정수를 나타내고, 말단의 Y는 수소 원자 또는 치환기를 나타낸다). 또한, 올리고옥시에틸렌기의 말단의 Y가 수소 원자인 경우는 하이드록시기가 된다. 옥시에틸렌 단위의 반복수 v는 2~4인 것이 바람직하고, 2~3인 것이 더 바람직하다. 올리고옥시에틸렌기의 말단의 하이드록시기는 봉지(封止)되어 있는 것, 즉 Y가 치환기를 나타내는 것이 바람직하다. 이 경우, 하이드록시기는, 탄소수가 1~3인 알킬기로 봉지되는 것, 즉 Y가 탄소수 1~3의 알킬기인 것이 바람직하고, Y가 메틸기나 에틸기인 것이 보다 바람직하며, 메틸기인 것이 특히 바람직하다.
RW가, 실록세인기 또는 올리고실록세인기인 경우, 실록세인 단위의 반복수는 2~4인 것이 바람직하고, 2~3인 것이 더 바람직하다. 또, Si 원자에는, 수소 원자나 알킬기가 결합하는 것이 바람직하다. Si 원자에 알킬기가 결합하는 경우, 알킬기의 탄소수는 1~3인 것이 바람직하고, 예를 들면, 메틸기나 에틸기가 결합하는 것이 바람직하다. Si 원자에는, 동일한 알킬기가 결합해도 되고, 상이한 알킬기 또는 수소 원자가 결합해도 된다. 또, 올리고실록세인기를 구성하는 실록세인 단위는 모두 동일해도 되고 상이해도 되지만, 모두 동일한 것이 바람직하다.
RW에 인접하는 L이 일반식 (L-3)으로 나타나는 2가의 연결기인 경우, RW가 치환 또는 무치환의 실릴기인 것도 바람직하다. RW가 치환 또는 무치환의 실릴기인 경우는 그 중에서도, RW가 치환 실릴기인 것이 바람직하다. 실릴기의 치환기로서는 특별히 제한은 없지만, 치환 또는 무치환의 알킬기가 바람직하고, 분지 알킬기인 것이 보다 바람직하다. RW가 트라이알킬실릴기인 경우, Si 원자에 결합하는 알킬기의 탄소수는 1~3인 것이 바람직하고, 예를 들면, 메틸기나 에틸기나 아이소프로필기가 결합하는 것이 바람직하다. Si 원자에는, 동일한 알킬기가 결합해도 되고, 상이한 알킬기가 결합해도 된다. RW가 알킬기 상에 치환기를 더 갖는 트라이알킬실릴기인 경우의 그 치환기로서는, 특별히 제한은 없다.
일반식 (W)에 있어서, L 및 RW에 포함되는 탄소수의 합계는 5~18인 것이 바람직하다. L 및 RW에 포함되는 탄소수의 합계가 상기 범위의 하한값 이상이면, 캐리어 이동도가 높아져, 구동 전압이 낮아진다. L 및 RW에 포함되는 탄소수의 합계가 상기 범위의 상한값 이하이면, 유기 용매에 대한 용해성이 높아진다.
L 및 RW에 포함되는 탄소수의 합계는 5~14인 것이 바람직하고, 6~14인 것이 보다 바람직하며, 6~12인 것이 특히 바람직하고, 8~12인 것이 보다 특히 바람직하다.
일반식 (C)~(T)로 나타나는 각 화합물에 있어서 치환기 RC~RT 중, 일반식 (W)로 나타나는 기는 1~4개인 것이, 캐리어 이동도를 높여, 유기 용매에 대한 용해성을 높이는 관점에서 바람직하고, 1 또는 2개인 것이 보다 바람직하며, 2개인 것이 특히 바람직하다.
치환기 RC~RT 중, 일반식 (W)로 나타나는 기의 위치에 특별히 제한은 없다.
일반식 (C)로 나타나는 화합물에 있어서는, RC1, RC2, RC3, RC6 중 어느 하나가 일반식 (W)로 나타나는 기인 것이 바람직하고, RC1과 RC2의 양쪽 모두 또는 RC3과 RC6의 양쪽 모두가 일반식 (W)로 나타나는 기인 것이 보다 바람직하다.
일반식 (D)로 나타나는 화합물에 있어서는, RD6이 일반식 (W)로 나타나는 기인 것이 바람직하고, RD5와 RD6의 양쪽 모두가 일반식 (W)로 나타나는 기인 것이 보다 바람직하다.
일반식 (E)로 나타나는 화합물에 있어서는, RE6이 일반식 (W)로 나타나는 기인 것이 바람직하고, RE5와 RE6의 양쪽 모두가 일반식 (W)로 나타나는 기인 것이 보다 바람직하다. 또, RE5 및 RE6이 일반식 (W)로 나타나는 기 이외의 치환기인 경우, 2개의 RE7이 일반식 (W)로 나타나는 기인 것도 바람직하다.
일반식 (F)로 나타나는 화합물에 있어서는, RF2, RF3, RF8 및 RF9 중 적어도 하나는 일반식 (W)로 나타나는 치환기인 것이 바람직하다.
일반식 (G)로 나타나는 화합물에 있어서는, RG5 또는 RG6이 일반식 (W)로 나타나는 기인 것이, 캐리어 이동도를 높이고, 유기 용매에 대한 용해성을 높이는 관점에서 바람직하다.
일반식 (H)로 나타나는 화합물에 있어서는, RH4 또는 RH6이 일반식 (W)로 나타나는 기인 것이 바람직하고, RH4 또는 RH6, 및 RH3 또는 RH5가 일반식 (W)로 나타나는 기인 것이 보다 바람직하다.
일반식 (J)로 나타나는 화합물에 있어서는, RJ8이 일반식 (W)로 나타나는 기인 것이 바람직하고, RJ8과 RJ4의 양쪽 모두가 일반식 (W)로 나타나는 기인 것이 보다 바람직하다.
일반식 (K)로 나타나는 화합물에 있어서는, RK7이 일반식 (W)로 나타나는 기인 것이 바람직하고, RK7과 RK3의 양쪽 모두가 일반식 (W)로 나타나는 기인 것이 보다 바람직하다.
일반식 (L)로 나타나는 화합물에 있어서는, RL2, RL3, RL6 및 RL7 중 적어도 하나가 일반식 (W)로 나타나는 기인 것이 보다 바람직하다.
일반식 (M)으로 나타나는 화합물에 있어서는, RM2가 일반식 (W)로 나타나는 기인 것이 바람직하고, RM2와 RM6의 양쪽 모두가 일반식 (W)로 나타나는 기인 것이 보다 바람직하다.
일반식 (N)으로 나타나는 화합물에 있어서는, RN3이 일반식 (W)로 나타나는 기인 것이 바람직하고, RN3과 RN9의 양쪽 모두가 일반식 (W)로 나타나는 기인 것이 보다 바람직하다.
일반식 (P)로 나타나는 화합물에 있어서는, RP2 또는 RP3이 일반식 (W)로 나타나는 기인 것이 바람직하고, RP2와 RP8의 양쪽 모두 또는 RP3과 RP9의 양쪽 모두가 일반식 (W)로 나타나는 기인 것이 보다 바람직하다.
일반식 (Q)로 나타나는 화합물에 있어서는, RQ3이 일반식 (W)로 나타나는 기인 것이 바람직하고, RQ3과 RQ9의 양쪽 모두가 일반식 (W)로 나타나는 기인 것이 보다 바람직하다.
일반식 (R)로 나타나는 화합물에 있어서는, RR2가 일반식 (W)로 나타나는 기인 것이 바람직하고, RR2와 RR7의 양쪽 모두가 일반식 (W)로 나타나는 기인 것이 보다 바람직하다.
일반식 (S)로 나타나는 화합물에 있어서는, RS2가 일반식 (W)로 나타나는 기인 것이 바람직하고, RS2와 RS5의 양쪽 모두가 일반식 (W)로 나타나는 기인 것이 보다 바람직하다.
일반식 (T)로 나타나는 화합물에 있어서는, RT2가 일반식 (W)로 나타나는 기인 것이 바람직하고, RT2와 RT5의 양쪽 모두가 일반식 (W)로 나타나는 기인 것이 보다 바람직하다.
치환기 RC~RT 중, 일반식 (W)로 나타나는 기 이외의 치환기는, 0~4개인 것이 바람직하고, 0~2개인 것이 보다 바람직하다.
이하에, 일반식 (C)~(T)로 나타나는 각 화합물의 구체예를 나타내지만, 본 발명에서 이용할 수 있는 화합물은, 이들 구체예에 의하여 한정적으로 해석되어야 하는 것은 아니다.
일반식 (C)로 나타나는 화합물 C의 구체예를 나타낸다.
[화학식 13]
Figure 112016075690918-pct00013
일반식 (C)로 나타나는 화합물은, 분자량이 3000 이하인 것이 바람직하고, 2000 이하인 것이 보다 바람직하며, 1000 이하인 것이 더 바람직하고, 850 이하인 것이 특히 바람직하다. 분자량이 상기 범위 내에 있으면, 용매에 대한 용해성을 높일 수 있다.
한편, 박막의 막질 안정성의 관점에서는, 분자량은 300 이상인 것이 바람직하고, 350 이상인 것이 보다 바람직하며, 400 이상인 것이 더 바람직하다.
일반식 (D)로 나타나는 화합물 D의 구체예를 나타낸다.
[화학식 14]
Figure 112016075690918-pct00014
[화학식 15]
Figure 112016075690918-pct00015
일반식 (D)로 나타나는 화합물의 분자량은, 상한이 일반식 (C)로 나타나는 화합물과 동일한 것이, 용매에 대한 용해성을 높일 수 있어, 바람직하다. 한편, 박막의 막질 안정성의 관점에서는, 분자량은 400 이상인 것이 바람직하고, 450 이상인 것이 보다 바람직하며, 500 이상인 것이 더 바람직하다.
일반식 (E)로 나타나는 화합물 E, 일반식 (F)로 나타나는 화합물 F, 일반식 (G)로 나타나는 화합물 G 및 일반식 (H)로 나타나는 화합물 H 각각의 구체예를, 순서대로 나타낸다.
[화학식 16]
Figure 112016075690918-pct00016
[화학식 17]
Figure 112016075690918-pct00017
[화학식 18]
Figure 112016075690918-pct00018
[화학식 19]
Figure 112016075690918-pct00019
[화학식 20]
Figure 112016075690918-pct00020
[화학식 21]
Figure 112016075690918-pct00021
상기 화합물 E, 화합물 F, 화합물 G 및 화합물 H의 분자량은, 각각, 상한이 일반식 (C)로 나타나는 화합물 C와 동일한 것이, 용매에 대한 용해성을 높일 수 있어, 바람직하다. 한편, 박막의 막질 안정성의 관점에서, 분자량의 하한은 일반식 (D)로 나타나는 화합물과 동일하다.
일반식 (J) 및 일반식 (K)로 나타나는 화합물 J 및 화합물 K의 구체예를 나타낸다.
[화학식 22]
Figure 112016075690918-pct00022
[화학식 23]
Figure 112016075690918-pct00023
상기 화합물 J 및 화합물 K의 분자량은, 각각, 상한이 일반식 (C)로 나타나는 화합물 C와 동일한 것이, 용매에 대한 용해성을 높일 수 있어, 바람직하다. 한편, 박막의 막질 안정성의 관점에서, 분자량의 하한은 일반식 (D)로 나타나는 화합물과 동일하다.
일반식 (L)로 나타나는 화합물 L, 일반식 (M)으로 나타나는 화합물 M, 일반식 (N)으로 나타나는 화합물 N, 일반식 (P)로 나타나는 화합물 P 및 일반식 (Q)로 나타나는 화합물 Q 각각의 구체예를, 순서대로 나타낸다.
[화학식 24]
Figure 112016075690918-pct00024
[화학식 25]
Figure 112016075690918-pct00025
[화학식 26]
Figure 112016075690918-pct00026
[화학식 27]
Figure 112016075690918-pct00027
[화학식 28]
Figure 112016075690918-pct00028
상기 화합물 L, 화합물 M, 화합물 N, 화합물 P 및 화합물 Q의 분자량은, 각각, 상한이 일반식 (C)로 나타나는 화합물 C와 동일한 것이, 용매에 대한 용해성을 높일 수 있어, 바람직하다. 한편, 박막의 막질 안정성의 관점에서, 분자량의 하한은 일반식 (D)로 나타나는 화합물과 동일하다.
일반식 (R)로 나타나는 화합물 R, 일반식 (S)로 나타나는 화합물 S 및 일반식 (T)로 나타나는 화합물 T 각각의 구체예를, 순서대로 나타낸다.
[화학식 29]
Figure 112016075690918-pct00029
[화학식 30]
Figure 112016075690918-pct00030
[화학식 31]
Figure 112016075690918-pct00031
상기 화합물 R, 화합물 S 및 화합물 T의 분자량은, 각각, 상한이 일반식 (C)로 나타나는 화합물 C와 동일한 것이, 용매에 대한 용해성을 높일 수 있어, 바람직하다. 한편, 박막의 막질 안정성의 관점에서, 분자량의 하한은 일반식 (D)로 나타나는 화합물과 동일하다.
유기 폴리머 및 그 유도체로서는, 예를 들면, 폴리피롤 및 그 유도체, 폴리다이케토피롤 및 그 유도체, 폴리싸이오펜 및 그 유도체, 폴리아이소싸이아나프텐 등의 아이소싸이아나프텐, 폴리싸이엔일렌바이닐렌 등의 싸이엔일렌바이닐렌, 폴리(p-페닐렌바이닐렌), 폴리아닐린 및 그 유도체, 폴리아세틸렌, 폴리다이아세틸렌, 폴리아줄렌, 폴리피렌, 폴리카바졸, 폴리셀레노펜, 폴리퓨란, 폴리(p-페닐렌), 폴리인돌, 폴리피리다진, 폴리텔루로펜, 폴리나프탈렌, 폴리바이닐카바졸, 폴리페닐렌설파이드, 폴리바이닐렌설파이드 등의 폴리머 및 축합 다환 방향족 화합물의 중합체 등을 들 수 있다.
폴리싸이오펜 및 그 유도체로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 폴리싸이오펜에 헥실기를 도입한 폴리-3-헥실싸이오펜(P3HT), 폴리에틸렌다이옥시싸이오펜, 폴리(3,4-에틸렌다이옥시싸이오펜)/폴리스타이렌설폰산(PEDOT/PSS) 등을 들 수 있다.
또, 이들 폴리머와 동일한 반복 단위를 갖는 올리고머(예를 들면, 올리고싸이오펜)를 들 수도 있다.
또, 유기 폴리머로서, 하기 일반식 (C)~(T)로 나타나는 화합물이 반복 구조를 갖는 고분자 화합물을 들 수 있다.
이와 같은 고분자 화합물로서는, 일반식 (C)~(T)로 나타나는 화합물이 적어도 하나 이상의 아릴렌기, 헤테로아릴렌기(싸이오펜, 바이싸이오펜 등)를 통하여 반복 구조를 나타내는 π 공액 폴리머나, 일반식 (C)~(T)로 나타나는 화합물이 고분자 주쇄에 측쇄를 통하여 결합한 팬던트형 폴리머를 들 수 있다. 고분자 주쇄로서는, 폴리아크릴레이트, 폴리바이닐, 폴리실록세인 등이 바람직하고, 측쇄로서는, 알킬렌기, 폴리에틸렌옥사이드기 등이 바람직하다. 팬던트형 폴리머의 경우, 고분자 주쇄는 치환기 RC~RT 중 적어도 하나가 중합성기 유래의 기를 가지며, 이것이 중합하여 이루어지는 것이어도 된다.
이들 유기 폴리머는, 중량 평균 분자량이 3만 이상인 것이 바람직하고, 5만 이상인 것이 보다 바람직하며, 10만 이상인 것이 더 바람직하다. 중량 평균 분자량을 상기 하한값 이상으로 함으로써, 분자간 상호 작용을 높일 수 있어, 높은 이동도가 얻어진다.
<무기 반도체층>
반도체층을 형성하는 무기 반도체 재료로서는, 특별히 한정되지 않지만, 도포형 반도체가 바람직하고, 그 바람직한 예로서 산화물 반도체를 들 수 있다.
산화물 반도체로서는, 금속 산화물로 이루어지는 것이면 특별히 한정되지 않는다. 산화물 반도체로 이루어지는 반도체층은, 산화물 반도체 전구체, 즉 열산화 등의 변환 처리에 의하여 금속 산화물로 이루어지는 반도체 재료로 변환되는 재료를 이용하여 형성하는 것이 바람직하다.
산화물 반도체는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면, 산화 인듐갈륨아연, 산화 인듐갈륨, 산화 인듐 주석 아연, 산화 갈륨 아연, 산화 인듐 주석, 산화 인듐 아연, 산화 주석 아연, 산화 아연, 산화 주석, 예를 들면, InGaZnOx, InGaOx, InSnZnOx, GaZnOx, InSnOx, InZnOx, SnZnOx(모두 x＞0), ZnO, SnO2를 들 수 있다.
상기 산화물 반도체 전구체로서는, 예를 들면, 금속의 질산염, 금속의 할로젠화물, 알콕사이드를 들 수 있다. 상기 산화물 반도체 전구체가 함유하는 금속은, 예를 들면, Li, Be, B, Na, Mg, Al, Si, K, Ca, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ga, Ge, Rb, Sr, Y, Zr, Nb, Mo, Cd, In, Ir, Sn, Sb, Cs, Ba, La, Hf, Ta, W, Tl, Pb, Bi, Ce, Pr, Nd, Pm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 들 수 있다.
산화물 반도체 전구체의 구체예로서는, 예를 들면, 질산 인듐, 질산 아연, 질산 갈륨, 질산 주석, 질산 알루미늄, 염화 인듐, 염화 아연, 염화 주석(2가), 염화 주석(4가), 염화 갈륨, 염화 알루미늄, 트라이-i-프로폭시 인듐, 다이에톡시 아연, 비스(다이피발로일메타네이토) 아연, 테트라에톡시 주석, 테트라-i-프로폭시 주석, 트라이-i-프로폭시갈륨, 트라이-i-프로폭시알루미늄을 들 수 있다.
[소스 전극, 드레인 전극]
본 발명의 TFT에 있어서, 소스 전극은, 배선을 통하여 외부로부터 전류가 유입되는 전극이다. 또, 드레인 전극은, 배선을 통하여 외부에 전류를 송출하는 전극 이며, 통상, 상기 반도체층에 접하여 마련된다.
소스 전극 및 드레인 전극의 재료로서는, 종래의 박막 트랜지스터에 이용되고 있는 도전성 재료를 이용할 수 있으며, 예를 들면, 상기 게이트 전극에서 설명한 도전성 재료 등을 들 수 있다.
소스 전극 및 드레인 전극은, 각각, 상기 게이트 전극의 형성 방법과 동일한 방법에 의하여 형성할 수 있다.
상기 포토리소그래피법으로서는, 리프트 오프법 또는 에칭법을 채용할 수 있다.
특히, 게이트 절연층이 에칭액이나 박리액에 대한 내성이 우수한 점에서, 소스 전극 및 드레인 전극은 에칭법으로도 적합하게 형성할 수 있다. 에칭법은, 도전성 재료를 성막한 후에 불필요한 부분을 에칭에 의하여 제거하는 방법이다. 에칭법에 의하여 패터닝하면, 레지스트 제거 시에 하지에 남은 도전성 재료가 박리되고, 레지스트 잔사나 제거된 도전성 재료의 하지로의 재부착을 방지할 수 있어, 전극 에지부의 형상이 우수하다. 이 점에서, 리프트 오프법보다 바람직하다.
리프트 오프법은, 하지의 일부에 레지스트를 도포하고, 이 위에 도전성 재료를 성막하여, 레지스트 등을 용매에 의하여 용출 또는 박리 등 함으로써, 레지스트 위의 도전성 재료와 함께 제거하고, 레지스트가 도포되어 있지 않았던 부분에만 도전성 재료의 막을 형성하는 방법이다.
소스 전극 및 드레인 전극의 두께는, 임의이지만, 각각, 1nm 이상이 바람직하고, 10nm 이상이 특히 바람직하다. 또, 500nm 이하가 바람직하고, 300nm 이하가 특히 바람직하다.
소스 전극과 드레인 전극의 사이의 간격(채널 길이)은, 임의이지만, 100μm 이하가 바람직하고, 50μm 이하가 특히 바람직하다. 또, 채널 폭은, 5000μm 이하가 바람직하고, 1000μm 이하가 특히 바람직하다.
[오버 코트층]
본 발명의 TFT는, 오버 코트층을 갖고 있어도 된다. 오버 코트층은, 통상, TFT의 표면에 보호층으로서 형성되는 층이다. 단층 구조여도 되고 다층 구조여도 된다.
오버 코트층은, 유기계의 오버 코트층이어도 되고 무기계의 오버 코트층이어도 된다.
유기계의 오버 코트층을 형성하는 재료로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 폴리스타이렌, 아크릴 수지, 폴리바이닐알코올, 폴리올레핀, 폴리이미드, 폴리유레테인, 폴리아세틸렌, 에폭시 수지 등의 유기 폴리머, 및 이들 유기 폴리머에 가교성기나 발수기(撥水基) 등을 도입한 유도체 등을 들 수 있다. 이들 유기 폴리머나 그 유도체는, 가교 성분, 불소 화합물, 실리콘 화합물 등과 병용할 수도 있다.
무기계의 오버 코트층을 형성하는 재료로서는, 특별히 한정되지 않지만, 산화 규소, 산화 알류미늄 등의 금속 산화물, 질화 규소 등의 금속 질화물 등을 들 수 있다.
이들 재료는, 1종을 이용해도 되고, 2종 이상을 임의의 조합 및 비율로 병용해도 된다.
오버 코트층의 형성 방법에 제한은 없고, 공지의 각종 방법에 의하여 형성할 수 있다.
예를 들면, 유기계의 오버 코트층은, 예를 들면, 그 하지가 되는 층에, 오버 코트층이 되는 재료를 포함하는 용액을 도포 후에 건조시키거나, 오버 코트층이 되는 재료를 포함하는 용액을 도포, 건조 후에 노광, 현상하여 패터닝하는 등의 방법에 의하여 형성할 수 있다. 또한, 오버 코트층의 패터닝은, 인쇄법이나 잉크젯법 등에 의하여 직접 형성할 수도 있다. 또, 오버 코트층의 패터닝 후에, 노광이나 가열함으로써, 오버 코트층을 가교시켜도 된다.
한편, 무기계의 오버 코트층은, 스퍼터링법, 증착법 등의 건식법이나 졸젤법과 같은 습식법에 의하여 형성할 수 있다.
[기타 층]
본 발명의 TFT는, 상기 이외의 층이나 부재를 마련해도 된다.
기타 층 또는 부재로서는, 예를 들면, 뱅크 등을 들 수 있다. 뱅크는, 잉크젯법 등에 의하여 반도체층이나 오버 코트층 등을 형성할 때에, 토출액을 소정의 위치에 막아 둘 목적 등으로 이용된다. 이로 인하여, 뱅크에는, 통상, 발액성(撥液性)이 있다. 뱅크의 형성 방법으로서는, 포토리소그래피법 등에 의하여 패터닝한 후에 불소 플라즈마법 등의 발액 처리를 실시하는 방법, 불소 화합물 등의 발액 성분을 포함하는 감광성 조성물 등을 경화시키는 방법 등을 들 수 있다.
본 발명의 박막 트랜지스터의 경우, 게이트 절연층이 유기층인 점에서, 후자의 발액 성분을 포함하는 감광성 조성물을 경화시키는 방법이, 게이트 절연층이 발액 처리의 영향을 받을 가능성이 없어, 바람직하다. 또한, 뱅크를 이용하지 않고 하지에 발액성의 콘트라스트를 갖게 하여 뱅크와 동일한 역할을 갖게 하는 기술을 이용해도 된다.
[TFT의 용도]
본 발명의 TFT는 바람직하게는 표시 패널에 탑재하여 사용된다. 표시 패널로서는, 예를 들면, 액정 패널, 유기 EL 패널, 전자 페이퍼 패널 등을 들 수 있다.
실시예
이하에 실시예에 근거하여 본 발명을 더 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다.
[합성예]
각 예에 이용한 유기 반도체로서의 화합물을 이하에 나타낸다.
[화학식 32]
Figure 112016075690918-pct00032
상기 화합물 L9는, 일반식 (L)로 나타나는 화합물이며, 응용 물리학회 유기 분자·바이오일렉트로닉스 분과회 회지, 2011, 22, 9-12., 국제 공개공보 제2009/148016호 등에 기재된 방법에 준하여, 합성했다.
상기 화합물 C16은, 일반식 (C)로 나타나는 화합물이며, 하기 화합물 C1의 하기 합성 방법에 준하여, 합성했다.
[화학식 33]
Figure 112016075690918-pct00033
(화합물 C1a의 합성)
1,5-다이아미노나프탈렌(10g)의 피리딘 용액(125mL)에, p-톨루엔설폰일 클로라이드(34g)를 천천히 첨가하여, 실온에서 2시간 교반했다. 반응액을 얼음물에 부어, 석출물을 감압 여과했다. 얻어진 조(粗)결정을 메탄올로 세정하여, 화합물 C1a(29g)를 얻었다.
(화합물 C1b의 합성)
화합물 C1a(10g)의 빙초산 용액을 95℃에서 가열 교반하고, 거기에 빙초산 10mL로 희석한 브로민(2mL)을 천천히 적하했다. 10분간 반응시켜, 방랭 후에 여과함으로써 조결정을 회색 고체로서 얻었다. 조결정을 나이트로벤젠 중에서 재결정함으로써 화합물 C1b(6.8g)를 얻었다.
(화합물 C1c의 합성)
화합물 C1b(5g)의 농황산 용액을 실온에서 24시간 교반했다. 반응액을 얼음물에 부어, 석출되어 있는 고체를 여과하여 회수했다. 그 고체를 얼음물 중에 다시 분산시키고, 암모니아수로 중화하여, 화합물 C1c(0.5g)를 얻었다.
(화합물 C1d의 합성)
실온하, 화합물 C1c(2g)의 피리딘 용액에 펜탄오일 클로라이드(발레르산 클로라이드)(2.6mL)를 적하하여 2시간 교반했다. 얼음물에 반응액을 부어, 고체를 감압 여과했다. 메탄올 중에 분산시켜 1시간 교반한 후, 고체를 여과함으로써 화합물 C1d(1.39g)를 얻었다.
(화합물 C1e의 합성)
THF(360mL) 및 톨루엔(72mL)의 혼합 용액 중에 화합물 C1d(1.2g)와 로손 시약(1.48g)을 첨가한 후, 가열 환류하면서 3시간 교반했다. 증발 건조로 THF만 제거하여 톨루엔 용액으로 한 후, 60℃에서 1시간 교반했다. 그 후, 불용물을 여과함으로써 화합물 C1e(0.5g)를 얻었다.
(화합물 C1의 합성)
화합물 C1e(0.4g)와 탄산 세슘(1.33g)을 다이메틸아세트아마이드 중, 120℃에서 2시간 반응시켰다. 반응액을 물에 부어 석출물을 여과했다. 여과한 고체를 THF 중에서 재결정을 반복하여, 목적 화합물 C1(0.12g)을 합성했다. 얻어진 화합물 C1의 동정(同定)은, 1H-NMR 및 Mass 스펙트럼에 의하여 행했다.
또한, 화합물 A6(TIPS-펜타센) 및 화합물 M3(C8-BTBT)은, 공지의 방법에 준하여, 합성했다.
[제조예 1] 보텀 게이트형 TFT의 제작-1
도 1(A)에 나타내는 보텀 게이트·보텀 콘택트형의 TFT를 제작했다. 기판(6)으로서 두께 1mm의 도프 실리콘 기판(게이트 전극(5)을 겸함)을 이용하고, 그 위에 게이트 절연층(2)을 형성했다.
게이트 절연층(2)은 이하와 같이 형성했다.
시판 중인 폴리(4-바이닐페놀) 6.3g과, 가교제로서 2,2-비스(3,5-다이하이드록시메틸-4-하이드록시)프로페인 2.7g을, 91g의 1-뷰탄올/에탄올=1/1의 혼합 용매로 실온에서 완전히 용해시켰다. 이 용해액을 φ0.2μm의 PTFE제 멤브레인 필터로 여과했다. 얻어진 여액에 산촉매로서 다이페닐아이오도늄헥사플루오로포스페이트염을 0.1wt%가 되도록 첨가하여, 기판(6) 상에 도포하고, 건조하여 성막했다. 그 후, 100℃로 가열하여 가교 구조를 형성시켜, 두께 0.7μm의 게이트 절연층(2)을 형성했다.
상기에서 형성한 게이트 절연층(2) 상에, 도 1(A)에 나타낸 바와 같이 소스 및 드레인 전극으로서 빗형으로 배치된 크로뮴/금(게이트 폭 W=100mm, 게이트 길이 L=100μm) 전극을, 마스크를 이용하여 진공 증착으로 형성했다.
이어서, 소스 전극 및 드레인 전극을 덮도록, 하기 표 1에 나타내는 유기 반도체 5mg을 톨루엔 1mL에 용해한 용액을 스핀 코트하여 성막하고, 도 1(A)에 나타나는 형태의 TFT를 제작했다. 유기 반도체층의 두께는 150nm로 했다.
[제조예 2] 보텀 게이트형 TFT의 제작-2
상기 제조예 1에 있어서, 게이트 절연층의 형성 시에 가교제 및 산촉매를 첨가하지 않았던 것 이외에는 제조예 1과 동일하게 하여 TFT를 제조했다.
[제조예 3] 보텀 게이트형 TFT의 제작-3
상기 제조예 1에 있어서, 게이트 절연층의 형성 시에 폴리(4-바이닐페놀) 대신에 시판 중인 폴리실세스퀴옥세인을 이용하고, 또한 용매로서 테트라하이드로퓨란을 이용하며, 가교제 및 산촉매를 첨가하지 않았던 것 이외에는 제조예 1과 동일하게 하여 TFT를 제조했다.
[게이트 절연층 중의 특정 금속 및 특정 비금속 이온성 물질 함유량의 조정]
상기 제조예 1~3에 의하여 실시예 1~3 및 비교예 1~3의 TFT를 얻었다. 보다 상세하게는, 하기 실시예 1~3의 TFT는, 제조예 1~3에 있어서, 게이트 절연층의 형성에 이용하는 폴리머, 또는 폴리머와 가교제의 혼합물을 순수로 1회 세정하고, 건조한 것을 게이트 절연층의 형성에 이용했다. 또, 하기 비교예 1~3의 TFT는, 제조예 1~3에 있어서, 게이트 절연층의 형성에 이용하는 폴리머, 또는 폴리머와 가교제의 혼합물을 순수로 3회 세정하고, 한외 여과 처리 후, 이온 교환 수지를 통하여 정제된 것을 게이트 절연층의 형성에 이용했다.
[게이트 절연층 중의 특정 금속 및 특정 비금속 이온성 물질 함유량의 측정]
게이트 절연층 중의 특정 금속의 함유량은, 게이트 절연층의 형성에 이용한 폴리머, 또는 폴리머와 가교제의 혼합물(상기의 순수로 1회 세정하고, 건조한 후의 것, 또는 상기의 정제 처리한 후의 것)을 회화(灰化)하고, 산용해한 후, ICP-MS HP7700(애질런트사제)를 이용하여 정량함으로써 결정했다. 게이트 절연층 중의 특정 금속의 함유량은, 즉 게이트 절연층의 형성에 이용한 폴리머, 또는 폴리머와 가교제의 혼합물의, 고형분 중의 특정 금속의 함유량이다.
게이트 절연층 중의 특정 비금속 이온성 물질의 함유량은, 게이트 절연층의 형성에 이용한 폴리머, 또는 폴리머와 가교제의 혼합물(상기의 순수로 1회 세정하고, 건조한 후의 것, 또는 상기의 정제 처리한 후의 것)을 유기 용제에 용해한 후, 초순수로 분액하고, 수상(水相)을, ICS-2000형 IC 장치(Dionex사제)를 이용한 그레이디언트법에 의하여 분석함으로써 결정했다. 게이트 절연층 중의 특정 비금속 이온성 물질의 함유량은, 즉 게이트 절연층의 형성에 이용한 폴리머, 또는 폴리머와 가교제의 혼합물의, 고형분 중의 특정 비금속 이온성 물질의 함유량이다.
실시예 1~3 및 비교예 1~3의 보텀 게이트형 TFT에 대하여, 게이트 절연층 중의 특정 금속 및 특정 비금속 이온성 물질의 측정 결과를 하기 표 1에 나타낸다. 또한, 하기 표 1에 있어서 검출 한계 이하의 금속 내지 비금속 이온성 물질은, 총량의 계산에 있어서 고려하지 않는 것으로 한다.
[표 1]
Figure 112016075690918-pct00034
[시험예 1] 게이트 절연층의 절연성의 평가(체적 저항률의 측정)
상기 실시예 1~3, 비교예 1~3과 완전히 동일하게 게이트 절연층을 형성 후, 그 위에 두께 100nm의 금 전극을 진공 증착에 의하여 형성했다. 이를 샘플로 하여, 소스메이저 유닛 237(Keithley사제)을 이용하여, 체적 저항률(Ω·cm)을 측정했다.
[시험예 2] 게이트 절연층의 절연성의 평가(비유전율의 측정)
상기 실시예 1~3, 비교예 1~3과 완전히 동일하게 게이트 절연층을 형성 후, 그 위에 두께 100nm의 금 전극을 진공 증착에 의하여 형성했다. 이를 샘플로 하여, 유전체 측정 시스템 126096W형(솔라트론사제)을 이용하여, 비유전율을 측정했다.
[시험예 3] TFT의 성능 평가
실시예 1~3, 비교예 1~3에서 얻어진 보텀 게이트형 TFT에 대하여, 임곗값 전압, 캐리어 이동도와 on/off비를 하기 방법에 의하여 평가함으로써 TFT의 성능을 조사했다.
(임곗값 전압의 측정)
소스 전극-드레인 전극 간에 -40V의 전압을 인가하고, 게이트 전압을 40V~-40V의 범위에서 변화시켜, 임곗값 전압을 측정했다.
(캐리어 이동도의 평가)
소스 전극-드레인 전극 간에 -40V의 전압을 인가하고, 게이트 전압을 40V~-40V의 범위에서 변화시켜, 드레인 전류 Id를 나타내는 하기 식을 이용하여 캐리어 이동도 μ를 산출했다.
Id=(w/2L)μCi(Vg-Vth)2
(식 중, L은 게이트 길이, w는 게이트 폭, Ci는 절연층의 단위 면적당 용량, Vg는 게이트 전압, Vth는 임곗값 전압)
(on/off비의 평가 기준)
소스 전극-드레인 전극 간에 가해지는 전압을 -40V로 고정하고, Vg을 40V부터 -40V까지 스위프시켰을 때의 (|Id|의 최댓값)/(|Id|의 최솟값)을 On/Off비로 했다.
결과를 하기 표 2에 나타낸다.
[표 2]
Figure 112016075690918-pct00035
또한, 실시예 1에 있어서, 유기 반도체로서, 상기 A26, A27, C1, C4, C7, D1, E2, F2, F5, F10, G12, G14, H10, H11, J2, J3, K2, K3, L2, L5, L6, L8, L15, M8, N4, P3, Q3, R1, S1 또는 T1을 이용한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 도 1(A)에 나타나는 TFT를, 각각, 제조했다.
제조한 TFT 각각에 대하여, 시험예 3과 동일하게 하여, 캐리어 이동도 μ, On/Off비 및 임곗값 전압 Vth를 평가했다. 그 결과, 모두 실시예 1과 동일하게, 게이트 절연층의 특정 금속 및 비금속 이온성 물질의 양이 본 발명에서 규정하는 범위 외에 있는 것에 비하여, 성능이 우수한 결과가 되었다.
[제조예 4] 톱 게이트형 TFT의 제작-1
도 1(C)에 나타내는 톱 게이트·보텀 콘택트형의 TFT를 제작했다. 유리 기판(NEC 코닝사제, OA10)을 물로 세정하고, 건조한 것을 기판(6)으로서 이용했다. 이 유리 기판 상에 소스 전극 및 드레인 전극으로서 크로뮴/금 전극을, 마스크를 이용하여 진공 증착에 의하여 형성했다. 이로써 두께 100nm의 소스 전극(3) 및 드레인 전극(4)을 마련했다. 게이트 폭 W는 100mm, 게이트 길이 L은 100μm로 했다.
기판(6), 소스 전극(3) 및 드레인 전극(4)을 덮도록, 표 2에 기재된 유기 반도체 5mg을 톨루엔 1mL에 용해한 용액을 스핀 코트하여 성막했다. 이로써 두께 150nm의 유기 반도체층을 형성했다.
이어서, 유기 반도체층을 덮도록 게이트 절연층을 형성했다. 보다 상세하게는, 시판 중인 폴리(4-바이닐페놀) 6.3g과, 가교제로서 2,2-비스(3,5-다이하이드록시메틸-4-하이드록시)프로페인 2.7g을, 91g의 1-뷰탄올/에탄올=1/1의 혼합 용매에 실온에서 완전히 용해시켰다. 이 용해액을 φ0.2μm의 PTFE제 멤브레인 필터로 여과했다. 얻어진 여액에 산촉매로서 다이페닐아이오도늄헥사플루오로포스페이트염을 0.1wt%가 되도록 첨가하여, 유기 반도체층 상에 도포하고, 건조하여 성막했다. 그 후, 100℃로 가열하여 가교 구조를 형성시켜, 두께 0.7μm의 게이트 절연층(2)을 형성했다.
이어서, 게이트 절연층 상에 Ag 미립자 수분산액을 잉크젯법에 의하여 도포하고, 건조하여 두께 200nm의 게이트 전극을 형성했다.
[제조예 5] 톱 게이트형 TFT의 제작-2
상기 제조예 4에 있어서, 게이트 절연층의 형성 시에 가교제 및 산촉매를 첨가하지 않았던 것 이외에는 제조예 4와 동일하게 하여 TFT를 제조했다.
[제조예 6] 톱 게이트형 TFT의 제작-3
상기 제조예 4에 있어서, 게이트 절연층의 형성 시에 폴리(4-바이닐페놀) 대신에 시판 중인 폴리실세스퀴옥세인을 이용하고, 추가로 용매로서 테트라하이드로퓨란을 이용하며, 가교제 및 산촉매를 첨가하지 않았던 것 이외에는 제조예 4와 동일하게 하여 TFT를 제조했다.
[게이트 절연층 중의 특정 금속 및 특정 비금속 이온성 물질 함유량의 조정]
상기 제조예 4~6에 의하여 실시예 4~6 및 비교예 4~6의 TFT를 얻었다. 보다 상세하게는, 하기 실시예 4~6의 TFT는, 제조예 4~6에 있어서, 게이트 절연층의 형성에 이용하는 폴리머, 또는 폴리머와 가교제의 혼합물을 순수로 1회 세정하고, 건조한 것을 게이트 절연층의 형성에 이용했다. 또, 하기 비교예 4~6의 TFT는, 제조예 4~6에 있어서, 게이트 절연층의 형성에 이용하는 폴리머, 또는 폴리머와 가교제의 혼합물을 순수로 3회 세정하고, 한외 여과 처리 후, 이온 교환 수지를 통하여 정제한 것을 게이트 절연층의 형성에 이용했다.
[게이트 절연층 중의 특정 금속 및 특정 비금속 이온성 물질 함유량의 측정]
실시예 4~6 및 비교예 4~6의 톱 게이트형 TFT에 대하여, 상기 보텀 게이트형 TFT의 경우와 동일하게 하여, 게이트 절연층 중의 특정 금속 및 특정 비금속 이온성 물질의 양을 측정했다. 결과를 하기 표 3에 나타낸다.
[표 3]
Figure 112016075690918-pct00036
상기 실시예 4~6 및 비교예 4~6의 톱 게이트형 TFT에 대하여, 상기 시험예 1~3과 동일하게 하여, 게이트 절연층의 절연성 및 TFT의 성능을 평가했다. 결과를 하기 표 4에 나타낸다.
[표 4]
Figure 112016075690918-pct00037
또한, 실시예 4에 있어서, 유기 반도체로서, 상기 A26, A27, C1, C4, C7, D1, E2, F2, F5, F10, G12, G14, H10, H11, J2, J3, K2, K3, L2, L5, L6, L8, L15, M8, N4, P3, Q3, R1, S1 또는 T1을 이용한 것 이외에는 실시예 4와 동일하게 하여, 도 1(C)에 나타나는 TFT를, 각각, 제조했다.
제조한 TFT 각각에 대하여, 시험예 3과 동일하게 하여, 캐리어 이동도 μ, On/Off비 및 임곗값 전압 Vth를 평가했다. 그 결과, 모두 실시예 4와 동일하게, 게이트 절연층의 특정 금속 및 비금속 이온성 물질의 양이 본 발명에서 규정하는 범위 외에 있는 것에 비하여, 성능이 우수한 결과가 되었다.
상기의 결과로부터, 특정 금속 및 특정 비금속 이온성 물질의 함유량이 본 발명에서 규정하는 범위 내에 있는 게이트 절연층은, 절연성(체적 저항률)을 유지한 채로 비유전율이 상승하고, 이로써 TFT의 임곗값 전압을 저하시킬 수 있었다. 또한 본 발명에서 규정하는 게이트 절연층을 갖는 TFT는, 게이트 절연층 중의 특정 금속 및 특정 비금속 이온성 물질의 함유량이 본 발명에서 규정하는 것보다도 적은 비교예의 TFT에 비하여, 캐리어 이동도와 on/off비가 모두 높은 값을 나타내는 것도 알 수 있었다. 즉, 본 발명의 TFT가, 우수한 캐리어 이동도와 전류 증폭률을 양립하고, 또한, 임곗값 전압이 낮아 소비 전력도 억제한 TFT인 것이 나타났다.
본 발명을 그 실시형태와 함께 설명했지만, 우리는 특별히 지정하지 않는 한 우리의 발명을 설명의 어느 세부에 있어서도 한정하고자 하는 것은 아니며, 첨부된 청구범위에 나타낸 발명의 정신과 범위에 반하지 않고 폭넓게 해석되야 한다고 생각한다.
본원은, 2014년 3월 7일에 일본에서 특허 출원된 특원 2014-45168에 근거하여 우선권을 주장하는 것이며, 이는 여기에 참조되어 그 내용을 본 명세서의 기재의 일부로서 원용한다.
1 반도체층
2 게이트 절연층
3 소스 전극
4 드레인 전극
5 게이트 전극
6 기판

Claims (9)

  1. 기판 상에, 게이트 전극과, 유기 반도체층과, 상기 게이트 전극과 상기 유기 반도체층의 사이에 마련된, 유기 고분자 화합물로 형성된 게이트 절연층과, 상기 유기 반도체층에 접하여 마련되고, 상기 유기 반도체층을 통하여 연결된 소스 전극 및 드레인 전극을 갖는 박막 트랜지스터로서,
    상기 게이트 절연층 중, Mg, Ca, Ba, Al, Sn, Pb, Cr, Mn, Fe, Ni, Cu, Zn 및 Ag로부터 선택되는 금속의 함유량이 총량으로 15ppb~1ppm이며, 또한, 할로젠 이온, 황산 이온, 질산 이온 및 인산 이온으로부터 선택되는 비금속 이온성 물질의 함유량이 총량으로 7ppm~100ppm인, 박막 트랜지스터.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 게이트 절연층 중, Mg, Ca, Ba, Al, Sn, Pb, Cr, Mn, Fe, Ni, Cu, Zn 및 Ag로부터 선택되는 금속의 함유량이 총량으로 15ppb~200ppb인, 박막 트랜지스터.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 게이트 절연층 중, Mg, Ca, Al, Cr, Fe 및 Zn으로부터 선택되는 금속의 함유량이 총량으로 15ppb~1ppm인, 박막 트랜지스터.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 게이트 절연층 중, 염소 이온, 황산 이온, 질산 이온 및 인산 이온으로부터 선택되는 비금속 이온성 물질의 함유량이 총량으로 7ppm~100ppm인, 박막 트랜지스터.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 게이트 절연층 중, 염소 이온 및 황산 이온으로부터 선택되는 비금속 이온성 물질의 함유량이 총량으로 7ppm~100ppm인, 박막 트랜지스터.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 유기 고분자 화합물이, 폴리바이닐페놀, 노볼락 수지, 폴리스타이렌, 폴리(메트)아크릴레이트, 에폭시 수지, 에폭시(메트)아크릴레이트 수지, 폴리바이닐알코올, 불소 수지, 폴리사이클로올레핀, 폴리실세스퀴옥세인, 폴리실록세인, 폴리에스터, 폴리에터설폰, 폴리에터케톤, 및 폴리이미드로부터 선택되는 유기 고분자 화합물인, 박막 트랜지스터.
  7. 삭제
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 유기 반도체층이, 하기 일반식 (C)~(H), (J)~(N), (P)~(T) 중 어느 하나로 나타나는 유기 반도체를 포함하는, 박막 트랜지스터.
    [화학식 1]
    Figure 112019500672475-pct00038

    일반식 (C) 중, AC1, AC2는 산소 원자, 황 원자 또는 셀레늄 원자를 나타낸다. RC1~RC6은 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, RC1~RC6 중 적어도 하나가 하기 일반식 (W)로 나타나는 치환기이다.
    일반식 (D) 중, XD1 및 XD2는 NRD9, 산소 원자 또는 황 원자를 나타낸다. AD1은 CRD7 또는 질소 원자를 나타내고, AD2는 CRD8 또는 질소 원자를 나타내며, RD9는 수소 원자, 알킬기, 알켄일기, 알카인일기 또는 아실기를 나타낸다. RD1~RD8은 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, RD1~RD8 중 적어도 하나가 하기 일반식 (W)로 나타나는 치환기이다.
    일반식 (E) 중, XE1 및 XE2는 산소 원자, 황 원자 또는 NRE7을 나타낸다. AE1 및 AE2는 CRE8 또는 질소 원자를 나타낸다. RE1~RE8은 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, RE1~RE8 중 적어도 하나가 하기 일반식 (W)로 나타나는 치환기이다.
    일반식 (F) 중, XF1 및 XF2는 산소 원자, 황 원자 또는 셀레늄 원자를 나타낸다. RF1~RF10, RFa 및 RFb는 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, RF1~RF10, RFa 및 RFb 중 적어도 하나는 일반식 (W)로 나타나는 치환기이다. p 및 q는 0~2의 정수를 나타낸다.
    일반식 (G) 중, XG1 및 XG2는 NRG9, 산소 원자 또는 황 원자를 나타낸다. AG1은 CRG7 또는 질소 원자를 나타내고, AG2는 CRG8 또는 질소 원자를 나타낸다. RG9는 수소 원자, 알킬기, 알켄일기, 알카인일기, 아실기, 아릴기 또는 헤테로아릴기를 나타내고, RG1~RG8은 수소 원자 또는 치환기를 나타내며, RG1~RG8 중 적어도 하나가 하기 일반식 (W)로 나타나는 치환기이다.
    일반식 (H) 중, XH1~XH4는 NRH7, 산소 원자 또는 황 원자를 나타내고, RH7은 수소 원자, 알킬기, 알켄일기, 알카인일기, 아실기, 아릴기 또는 헤테로아릴기를 나타낸다. RH1~RH6은 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, RH1~RH6 중 적어도 하나가 하기 일반식 (W)로 나타나는 치환기이다.
    일반식 (J) 중, XJ1 및 XJ2는 산소 원자, 황 원자, 셀레늄 원자 또는 NRJ9를 나타낸다. XJ3 및 XJ4는 산소 원자, 황 원자 또는 셀레늄 원자를 나타낸다. RJ1~RJ9는 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, RJ1~RJ9 중 적어도 하나가 하기 일반식 (W)로 나타나는 치환기이다.
    일반식 (K) 중, XK1 및 XK2는 산소 원자, 황 원자, 셀레늄 원자 또는 NRK9를 나타낸다. XK3 및 XK4는 산소 원자, 황 원자 또는 셀레늄 원자를 나타낸다. RK1~RK9는 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, RK1~RK9 중 적어도 하나가 하기 일반식 (W)로 나타나는 치환기이다.
    일반식 (L) 중, XL1 및 XL2는 산소 원자, 황 원자 또는 NRL11을 나타낸다. RL1~RL11은 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, RL1~RL11 중 적어도 하나가 하기 일반식 (W)로 나타나는 치환기이다.
    일반식 (M) 중, XM1 및 XM2는 산소 원자, 황 원자, 셀레늄 원자 또는 NRM9를 나타낸다. RM1~RM9는 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, RM1~RM9 중 적어도 하나는 하기 일반식 (W)로 나타나는 치환기이다.
    일반식 (N) 중, XN1 및 XN2는 산소 원자, 황 원자, 셀레늄 원자 또는 NRN13을 나타낸다. RN1~RN13은 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, RN1~RN13 중 적어도 하나는 하기 일반식 (W)로 나타나는 치환기이다.
    일반식 (P) 중, XP1 및 XP2는 산소 원자, 황 원자, 셀레늄 원자 또는 NRP13을 나타낸다. RP1~RP13은 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, RP1~RP13 중 적어도 하나는 하기 일반식 (W)로 나타나는 치환기이다.
    일반식 (Q) 중, XQ1 및 XQ2는 산소 원자, 황 원자, 셀레늄 원자 또는 NRQ13을 나타낸다. RQ1~RQ13은 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, RQ1~RQ13 중 적어도 하나는 하기 일반식 (W)로 나타나는 치환기이다.
    일반식 (R) 중, XR1, XR2 및 XR3은 산소 원자, 황 원자, 셀레늄 원자 또는 NRR9를 나타낸다. RR1~RR9는 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, RR1~RR9 중 적어도 하나는 하기 일반식 (W)로 나타나는 치환기이다.
    일반식 (S) 중, XS1, XS2, XS3 및 XS4는 산소 원자, 황 원자, 셀레늄 원자 또는 NRS7을 나타낸다. RS1~RS7은 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, RS1~RS7 중 적어도 하나는 하기 일반식 (W)로 나타나는 치환기이다.
    일반식 (T) 중, XT1, XT2, XT3 및 XT4는 산소 원자, 황 원자, 셀레늄 원자 또는 NRT7을 나타낸다. RT1~RT7은 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, RT1~RT7 중 적어도 하나는 하기 일반식 (W)로 나타나는 치환기이다.
    일반식 (W): -L-RW
    일반식 (W) 중, L은 하기 일반식 (L-1)~(L-25) 중 어느 하나로 나타나는 2가의 연결기 또는 2 이상의 하기 일반식 (L-1)~(L-25) 중 어느 하나로 나타나는 2가의 연결기가 결합한 2가의 연결기를 나타낸다.
    RW는 치환 또는 무치환의 알킬기, 사이아노기, 바이닐기, 에타인일기, 옥시에틸렌기, 옥시에틸렌 단위의 반복수 v가 2 이상인 올리고옥시에틸렌기, 실록세인기, 규소 원자수가 2 이상인 올리고실록세인기, 혹은 치환 또는 무치환의 트라이알킬실릴기를 나타낸다.
    [화학식 2]
    Figure 112019500672475-pct00039

    일반식 (L-1)~(L-25) 중, 파선 부분은 상기 일반식 (C)~(H), (J)~(N), (P)~(T)로 나타나는 각 골격을 형성하는 어느 하나의 환과의 결합 위치를 나타낸다. *는 Rw와의 연결 위치 또는 일반식 (L-1)~(L-25)의 파선 부분과의 결합 위치를 나타낸다.
    일반식 (L-13)에 있어서의 m은 4를 나타내고, 일반식 (L-14) 및 (L-15)에 있어서의 m은 3을 나타내며, 일반식 (L-16)~(L-20)에 있어서의 m은 2를 나타내고, 일반식 (L-22)에 있어서의 m은 6을 나타낸다.
    일반식 (L-1), (L-2), (L-6) 및 (L-13)~(L-19) 및 (L-21)~(L-24)에 있어서의 RLZ는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환기를 나타낸다.
    RN은 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, Rsi는 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 알켄일기 또는 알카인일기를 나타낸다.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 유기 반도체가, 일반식 (C), (F), (J) 및 (L) 중 어느 하나로 나타나는, 박막 트랜지스터.
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9882023B2 (en) * 2016-02-29 2018-01-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Sidewall spacers for self-aligned contacts
WO2018051860A1 (ja) * 2016-09-16 2018-03-22 東レ株式会社 電界効果トランジスタの製造方法および無線通信装置の製造方法
WO2018159699A1 (ja) * 2017-02-28 2018-09-07 国立大学法人名古屋大学 半導体ナノ粒子およびその製造方法ならびに発光デバイス
JP7070826B2 (ja) * 2017-02-28 2022-05-18 国立大学法人東海国立大学機構 半導体ナノ粒子およびその製造方法ならびに発光デバイス
TWI702186B (zh) * 2018-03-19 2020-08-21 日商理光股份有限公司 形成氧化物用的塗佈液、製造氧化物薄膜的方法及製造場效電晶體的方法
CN109037031B (zh) * 2018-07-11 2021-11-19 华东师范大学 一种掺镍氧化铜薄膜晶体管及制备方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007027524A (ja) 2005-07-20 2007-02-01 Sony Corp 有機絶縁膜の形成方法、有機絶縁膜、半導体装置の製造方法、および半導体装置
JP2011178832A (ja) * 2010-02-26 2011-09-15 Dic Corp 紫外線硬化型インクジェット記録用インク、それから得られた絶縁膜、電子素子及び電子素子の製造方法
US20120161110A1 (en) * 2010-12-23 2012-06-28 Xerox Corporation Semiconductor composition

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3729955B2 (ja) * 1996-01-19 2005-12-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP5037841B2 (ja) 2005-03-25 2012-10-03 キヤノン株式会社 有機半導体素子、電界効果型トランジスタおよびそれらの製造方法
WO2007023612A1 (ja) * 2005-08-26 2007-03-01 Konica Minolta Holdings, Inc. 薄膜トランジスタ
KR101249090B1 (ko) * 2006-11-14 2013-03-29 삼성전자주식회사 유기 절연막 형성용 조성물, 이를 이용하여 제조된 유기절연막
KR20100126407A (ko) * 2008-03-18 2010-12-01 도레이 카부시키가이샤 게이트 절연 재료, 게이트 절연막 및 유기 전계 효과형 트랜지스터
JP5564951B2 (ja) * 2010-01-05 2014-08-06 Ｊｓｒ株式会社 有機半導体配向用組成物、有機半導体配向膜、有機半導体素子及びその製造方法
JP5728908B2 (ja) * 2010-11-30 2015-06-03 東レ株式会社 ゲート絶縁材料、ゲート絶縁膜、および電界効果型トランジスタ。
CN102237493A (zh) * 2011-06-23 2011-11-09 康佳集团股份有限公司 有机薄膜晶体管制造中的栅介质材料的制备方法
US9379341B2 (en) * 2012-08-24 2016-06-28 Osaka University Organic thin film transistor and method for producing same
JP5896935B2 (ja) * 2012-08-27 2016-03-30 富士フイルム株式会社 有機薄膜トランジスタ、有機半導体薄膜および有機半導体材料

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007027524A (ja) 2005-07-20 2007-02-01 Sony Corp 有機絶縁膜の形成方法、有機絶縁膜、半導体装置の製造方法、および半導体装置
JP2011178832A (ja) * 2010-02-26 2011-09-15 Dic Corp 紫外線硬化型インクジェット記録用インク、それから得られた絶縁膜、電子素子及び電子素子の製造方法
US20120161110A1 (en) * 2010-12-23 2012-06-28 Xerox Corporation Semiconductor composition

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Publication number Publication date
US20160351824A1 (en) 2016-12-01
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CN106030823A (zh) 2016-10-12
EP3116033A1 (en) 2017-01-11
JP2015170759A (ja) 2015-09-28
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