KR101891073B1 - 노광 균일도 측정 방법 및 이를 수행하는 노광 시스템 - Google Patents

노광 균일도 측정 방법 및 이를 수행하는 노광 시스템 Download PDF

Info

Publication number
KR101891073B1
KR101891073B1 KR1020110129667A KR20110129667A KR101891073B1 KR 101891073 B1 KR101891073 B1 KR 101891073B1 KR 1020110129667 A KR1020110129667 A KR 1020110129667A KR 20110129667 A KR20110129667 A KR 20110129667A KR 101891073 B1 KR101891073 B1 KR 101891073B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
pattern
light
test
test pattern
exposure
Prior art date
Application number
KR1020110129667A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20130063248A (ko
Inventor
박정인
김차동
심수연
윤상현
이희국
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020110129667A priority Critical patent/KR101891073B1/ko
Priority to US13/669,751 priority patent/US8902414B2/en
Publication of KR20130063248A publication Critical patent/KR20130063248A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101891073B1 publication Critical patent/KR101891073B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70133—Measurement of illumination distribution, in pupil plane or field plane
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

노광 시스템은 노광기, 마스크, 테스트 패턴부 및 균일도 측정부를 포함한다. 노광기는 서로 중첩하는 영역을 가지고 각각 광을 발생하는 제1 모듈 및 제2 모듈을 포함한다. 마스크는 제1 모듈 및 제2 모듈이 중첩하는 중첩 영역의 폭보다 작은 폭을 가지고 서로 이격되며 광이 투과하는 투과부들을 가진다. 테스트 패턴부는 투과부들을 투과한 광에 의해 패턴된 복수의 테스트 패턴들을 포함한다. 균일도 측정부는 테스트 패턴들의 균일도를 측정한다. 따라서, 기판을 포함하는 표시 패널의 불량률을 감소시킬 수 있다.

Description

노광 균일도 측정 방법 및 이를 수행하는 노광 시스템 {METHOD OF MEASURING UNIFORMITY OF EXPOSURE AND EXPOSURE SYSTEM FOR PERFORMING THE SAME}
본 발명은 노광 균일도 측정 방법 및 이를 수행하는 노광 시스템에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 노광기의 노광 균일도 측정 방법 및 이를 수행하는 노광 시스템에 관한 것이다.
액정 표시 장치, 전기 영동 표시 장치 및 MEMS(Micro Electro Mechanical System) 표시 장치를 비롯한 표시 장치의 기판에는 박막 트랜지스터와 같은 소자들이 형성된다. 상기 소자들은 포토 공정, 노광 공정, 식각 공정, 박리 공정 및 세정 공정 등을 통해 형성된다.
상기 노광 공정을 진행하는 노광기는 각각 광을 발생하는 복수의 광학 모듈들을 포함한다. 하지만, 상기 광학 모듈들로부터 상기 기판으로 출사되는 광의 조도가 균일하지 않으면, 미세한 패턴을 형성하는데 한계가 있고, 표시 장치의 영상 품질이 저하된다.
따라서, 노광기의 노광 균일도를 측정하는 기술이 요구된다.
이에, 본 발명의 기술적 과제는 이러한 점에서 착안된 것으로, 본 발명의 목적은 노광기의 노광 균일도를 측정하는 노광 균일도 측정 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기 노광 균일도 측정 방법을 수행하는 노광 시스템을 제공하는 것이다.
상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 노광 시스템은 노광기, 마스크, 테스트 패턴부 및균일도 측정부를 포함한다. 상기 노광기는 서로 중첩하는 영역을 가지고 각각 광을 발생하는 제1 모듈 및 제2 모듈을 포함한다. 상기 마스크는 상기 제1 모듈 및 상기 제2 모듈이 중첩하는 중첩 영역의 폭보다 작은 폭을가지고 서로 이격되며 상기 광이 투과하는 투과부들을 가진다. 상기 테스트 패턴부는 상기 투과부들을 투과한 상기 광에 의해 패턴된 복수의 테스트 패턴들을 포함한다. 상기 균일도 측정부는 상기 테스트 패턴들의 균일도를 측정한다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 각각의 테스트 패턴들은 상기 광에 의해 패턴된 금속 패턴을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 균일도 측정부는 상기 금속 패턴에 연결되어 상기 금속 패턴의 전기적 특성을 측정하는 제1 프로브 및 제2 프로브를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 금속 패턴은 중심이 잘록한 잘록부, 상기 잘록부의 양쪽에 형성된 제1 도전부 및 제2 도전부를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 잘록부들은 서로 다른 폭을 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 제1 프로브는 상기 제1 도전부에 연결되고 상기 제2 프로브는 제2 도전부에 연결되어, 상기 제1 도전부 및 상기 제2 도전부 사이에 전류가 흐르는지 측정할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 테스트 패턴부는 상기 제1 도전부들을 전기적으로 연결하는 도전바를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 제1 프로브는 상기 테스트 패턴의 일단에 연결되고 상기 제2 프로브는 상기 테스트 패턴의 타단에 연결되어, 상기 테스트 패턴의 저항 값을 측정할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 각각의 테스트 패턴들은 굴곡 형상을 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 각각의 테스트 패턴들은 상기 광에 의해 패턴된 포토 레지스트 패턴을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 균일도 측정부는 상기 포토 레지스트 패턴의 두께를 측정하는 두께 측정부를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 각각의 투과부들에는 슬릿이 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 각각의 투과부들은 반투과막을 가질 수있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 각각의 투과부들은 서로 다른 폭의 슬릿들을 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 테스트 패턴부는 상기 노광기에 의해 스캔되는 기판의 에지 부분에 형성될 수 있다.
상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 다른 실시예에 따른 노광 균일도 측정 방법에서, 각각 광을 발생하는 제1 모듈 및 상기 제2 모듈이 중첩하는 중첩 영역의 폭보다 작은 폭을 가지고 서로 이격되며 상기 광이 투과하는 투과부들을 포함하는 마스크가 배치된다. 상기 투과부들로 상기 광을 투과하여 복수의 테스트 패턴들을 포함하는 테스트 패턴부가 형성된다. 상기 테스트 패턴들의 균일도가 측정된다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 각각의 테스트 패턴들은 상기 광에 의해 패턴된 금속 패턴을 포함하고, 상기 금속 패턴은 중심이 잘록한 잘록부, 상기 잘록부의 양쪽에 형성된 제1 도전부 및 제2 도전부를 포함할 수 있고, 상기 제1 도전부에 제1 프로브가 연결되고 상기 제2 도전부에 제2 프로브가 연결되어, 상기 제1 도전부 및 상기 제2 도전부 사이에 전류가 흐르는지 측정됨으로써, 상기 테스트 패턴들의 균일도가 측정될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 각각의 테스트 패턴들은 상기 광에 의해 패턴된 금속 패턴을 포함할 수 있고, 상기 금속 패턴의 일단에 제1 프로브가 연결되고 상기 금속 패턴의 타단에 제2 프로브가 연결되어, 상기 금속 패턴의 저항 값이 측정됨으로써, 상기 테스트 패턴들의 균일도가 측정될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 각각의 테스트 패턴들은 상기 광에 의해 패턴된 포토 레지스트 패턴을 포함할 수 있고, 상기 포토 레지스트 패턴의 두께가 측정됨으로써, 상기 테스트 패턴들의 균일도가 측정될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 포토 레지스트 패턴이 남는 잔막부가 측정됨으로써, 상기 테스트 패턴들의 균일도가 측정될 수 있다.
이와 같은 노광 균일도 측정 방법 및 이를 수행하는 노광 시스템에 따르면, 노광기의 노광 균일도를 측정할 수 있고, 노광기의 노광 균일도가 설정된 기준에 비해 낮은 경우, 기판에서 수행되는 공정을 중지하여 기판을 포함하는 표시 패널의 불량률을 감소시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 노광 시스템을 나타내는 평면도이다.
도 2는 도 1의 노광기 및 마스크의 확대도이다.
도 3a, 도 3b, 도 3c 및 도 3d는 도 1의 노광기 및 마스크를 이용하여 테스트 패턴부를 형성하는 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 4a는 및 도 4b는 상기 테스트 패턴부를 이용한 노광 균일도 측정 방법을 나타내는 개념도들이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 테스트 패턴부를 나타내는 평면도이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 테스트 패턴부를 나타내는 평면도이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 테스트 패턴부를 나타내는 평면도이다.
도 8a는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 마스크를 나타내는 평면도이다.
도 8b는 도 8a에 도시된 마스크를 이용한 노광 균일도 측정 방법을 나타내는 개념도이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 마스크를 나타내는 평면도이다.
도 10a는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 마스크를 나타내는 평면도이다.
도 10b는 도 10a에 도시된 마스크를 이용한 노광 균일도 측정 방법을 나타내는 개념도이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다.
실시예 1
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 노광 시스템을 나타내는 평면도이고, 도 2는 도 1의 노광기(110) 및 마스크(130)의 확대도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 실시예에 따른 노광 시스템(100)은 노광기(110), 기판(120), 마스크(130), 및 균일도 측정부(170)를 포함한다.
상기 노광기(110)는 상기 마스크(130)를 통해 상기 기판(120) 상에 광을 출사하여 테스트 패턴부(도 3c의 140)를 형성한다. 상기 노광기(110)는 각각 광을 발생하는 복수의 광학 모듈들(111, 112)을 포함한다. 상기 각각의 광학 모듈들(111, 112)은 광원 및 복수의 렌즈들을 포함할 수 있다. 상기 광학 모듈들(111, 112)은 서로 중첩하는 영역을 가진다. 즉, 상기 광학 모듈들(111, 112) 중에서 제1 광학 모듈(111) 및 상기 제2 광학 모듈(112)이 중첩하는 영역은 제1 폭(W1)을 가질 수 있다.
상기 기판(120)은 표시 패널의 구성 요소일 수 있다. 예를 들면, 상기 기판(120)은 박막 트랜지스터가 형성되는 박막 트랜지스터 기판의 베이스 기판일 수 있다. 이와 달리, 상기 기판(120)은 컬러 필터가 형성되는 컬러 필터 기판의 베이스 기판일 수 있다. 상기 기판(120)은 유리 또는 플라스틱 물질을 포함할 수 있다.
상기 마스크(130)는 상기 노광기(110) 및 상기 기판(120) 사이에 배치된다. 상기 마스크(130)는 상기 노광기(110)로부터 출사되는 광을 차광하는 차광부, 및 상기 노광기(110)로부터 출사되는 광을 투과하고 서로 이격하는 투과부(132)들을 포함한다. 상기 각각의 투과부(132)들은 제2 폭(W2)을 가지고, 상기 제2 폭(W2)은 상기 제1 광학 모듈(111) 및 상기 제2 광학 모듈(112)이 중첩하는 영역의 폭인 상기 제1 폭(W1)에 비해 작다. 예를 들면, 상기 제1 폭(W1)은 16.8 mm이고 상기 제2 폭(W2)은 5 mm일 수 있다.
상기 균일도 측정부(170)는 상기 노광기(110) 및 상기 마스크(130)로부터 형성된 상기 테스트 패턴부의 균일도를 측정한다.
도 3a, 도 3b, 도 3c 및 도 3d는 도 1의 노광기(110) 및 마스크(130)를 이용하여 테스트 패턴부를 형성하는 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 3a를 참조하면, 상기 기판(120)은 박막 트랜지스터 및 화소 전극이 형성되어 영상을 표시하는 표시 영역(DA), 및 상기 테스트 패턴부가 형성되는 테스트 영역(TA)을 포함한다. 예를 들면, 상기 테스트 영역(TA)은 상기 기판(120)의 에지 부분일 수 있다.
상기 기판(120) 상의 상기 테스트 영역(TA)에는 제1 금속층(122) 및 제1 포토 레지스트층(124)이 순차적으로 적층된다. 상기 기판(120) 상의 상기 표시 영역(DA)에는 상기 박막 트래지스터의 게이트 전극을 형성하기 위해 제2 금속층(123) 및 제2 포토 레지스트층(125)이 순차적으로 적층된다.
상기 기판(120)의 상기 테스트 영역(TA) 상에는 상기 마스크(130)가 배치되고, 상기 표시 영역(DA) 상에는 마스크(162)가 배치된다.
상기 기판(120) 상으로 상기 노광기(110)의 광이 출사된다.
도 3b를 참조하면, 상기 제1 포토 레지스트층(124)이 상기 노광기(110)로부터 출사되고 상기 마스크(160)를 투과한 광에 의해 패턴되어, 제1 포토 레지스트 패턴(124a)이 형성된다. 또한, 상기 제2 포토 레지스트층(125)이 상기 노광기(110)로부터 출사되고 상기 마스크(162)를 투과한 광에 의해 패턴되어, 제2 포토 레지스트 패턴(125a)이 형성된다.
도 3c를 참조하면, 상기 테스트 영역(TA)에서 상기 제1 포토 레지스트 패턴(124a)을 기초로 상기 제1 금속층(122)을 식각하여 테스트 패턴부(140)를 형성한다. 상기 테스트 패턴부(140)는 상기 표시 영역(DA) 및 상기 테스트 영역(TA)이 배치되는 방향과 수직한 방향으로 서로 이격된 복수의 테스트 패턴들을 포함한다. 상기 표시 영역(DA)에서 상기 제2 포토 레지스트 패턴(123a)을 기초로 상기 제2 금속층(123)을 식각하여 상기 박막 트랜지스터의 게이트 전극(123a)을 형성한다.
도 3d를 참조하면, 상기 테스트 영역(TA)에서 상기 제1 포토 레지스트 패턴(124a)을 상기 테스트 패턴부(140)로부터 제거한다. 상기 표시 영역(DA)에서 제2 포토 레지스트 패턴(125a)을 상기 게이트 전극(123a)으로부터 제거한다. 도 1에 도시된 상기 균일도 측정부(170)를 이용하여 상기 테스트 패턴부(140)에 포함된 상기 테스트 패턴들의 균일도를 측정한다.
도 4a는 및 도 4b는 상기 테스트 패턴부(140)를 이용한 노광 균일도 측정 방법을 나타내는 개념도들이다.
도 4a 및 도 4b를 참조하면, 상기 테스트 패턴부(140)는 제1 테스트 패턴(141), 제2 테스트 패턴(142), 제3 테스트 패턴(143) 및 제4 테스트 패턴(144)을 포함한다.
상기 제1 테스트 패턴(141)에는 상기 노광기(110)의 상기 제1 광학 모듈(111)로부터 출사되는 제1 광(L1)이 인가되고, 상기 제2 테스트 패턴(142) 및 상기 제3 테스트 패턴(143)에는 상기 제1 광학 모듈(111) 및 상기 제2 광학 모듈(112)로부터 출사되는 제2 광(L2)이 인가되며, 상기 제4 테스트 패턴(144)에는 상기 제2 광학 모듈(112)로부터 출사되는 제3 광(L3)이 인가될 수 있다.
상기 제1 광(L1), 상기 제2 광(L2) 및 상기 제3 광(L3)의 조도가 균일한 경우에는, 도 4a에 도시된 바와 같이 상기 제1 테스트 패턴(141), 상기 제2 테스트 패턴(142), 상기 제3 테스트 패턴(143) 및 상기 제4 테스트 패턴(144)의 형상이 동일하다.
즉, 각각의 상기 제1 테스트 패턴(141), 상기 제2 테스트 패턴(142), 상기 제3 테스트 패턴(143) 및 상기 제4 테스트 패턴(144)은 서로 이격된 복수의 잘록 패턴들(151, 152, 153, 154)을 포함한다.
상기 제1 잘록 패턴(151)은 제1 도전부(151a), 제2 도전부(151b) 및 제1 잘록부(151c)를 포함한다. 상기 제1 도전부(151a) 및 상기 제2 도전부(151b)는 상기 제1 잘록부(151c) 사이에 배치된다. 상기 제1 잘록부(151c)는 마주하는 양쪽이 잘록한 형상을 가지고, 상기 제1 잘록부(151c)의 잘록한 형상은 상기 노광기(110)의 스캐닝 방향과 수직한 방향으로 제1 폭(T1)을 가진다.
상기 제2 잘록 패턴(152)은 제1 도전부(152a), 제2 도전부(152b) 및 제2 잘록부(152c)를 포함한다. 상기 제1 도전부(152a) 및 상기 제2 도전부(152b)는 상기 제2 잘록부(152c) 사이에 배치된다. 상기 제2 잘록부(152c)는 마주하는 양쪽이 잘록한 형상을 가지고, 상기 제2 잘록부(152c)의 잘록한 형상은 상기 노광기(110)의 스캐닝 방향과 수직한 방향으로 상기 제1 폭(T1)에 비해 넓은 제2 폭(T2)을 가진다.
상기 제3 잘록 패턴(153)은 제1 도전부(153a), 제2 도전부(153b) 및 제3 잘록부(153c)를 포함한다. 상기 제1 도전부(153a) 및 상기 제2 도전부(153b)는 상기 제3 잘록부(153c) 사이에 배치된다. 상기 제3 잘록부(153c)는 마주하는 양쪽이 잘록한 형상을 가지고, 상기 제3 잘록부(152c)의 잘록한 형상은 상기 노광기(110)의 스캐닝 방향과 수직한 방향으로 상기 제2 폭(T2)에 비해 넓은 제3 폭(T3)을 가진다.
상기 제4 잘록 패턴(154)은 제1 도전부(154a) 및 제2 도전부(154b)를 포함한다. 상기 제1 도전부(154a) 및 상기 제2 도전부(154b) 사이의 잘록한 형상은 단절되고, 따라서, 상기 제1 도전부(154a) 및 상기 제2 도전부(154b)는 서로 이격된다.
따라서, 상기 제1, 제2, 제3 및 제4 테스트 패턴들(141, 142, 143, 144)에 포함된 상기 제1, 제2 및 제3 잘록부들(151c, 152c, 153c)의 잘록한 형상들은 상기 노광기(110)의 스캐닝 방향과 수직한 방향에 대해 동일한 폭을 가진다.
상기 테스트 패턴부(140)는 각각의 상기 제1, 제2, 제3 및 제4 테스트 패턴들(141, 142, 143, 144)에 포함된 상기 제1 도전부들(151a, 152a, 153a, 154a)을 전기적으로 연결하는 도전바(180)를 더 포함한다. 즉, 상기 도전바(180)는 상기 제1 잘록 패턴(151)들에 포함된 상기 제1 도전부(151a)들을 전기적으로 연결하고, 상기 제2 잘록 패턴(152)들에 포함된 상기 제1 도전부(152a)들을 전기적으로 연결하며, 상기 제3 잘록 패턴(153)들에 포함된 상기 제1 도전부(153a)들을 전기적으로 연결하고, 상기 제4 잘록 패턴(154)들에 포함된 상기 제1 도전부(154a)들을 전기적으로 연결한다. 상기 도전바(180)에는 전기가 인가되어 전류가 흐른다.
상기 제1 도전부들(151a, 152a, 153a, 154a)과 전기적으로 연결되는 상기 도전바(180)는 상기 균일도 측정부(170)의 제1 프로브(172)가 연결되는 제1 접점(181)을 포함하고, 상기 각각의 제2 도전부들(151b, 152b, 153b, 154b)은 상기 균일도 측정부(170)의 제2 프로브(174)가 연결되는 제2 접점(182)을 포함한다.
상기 제1 프로브(172) 및 상기 제2 프로브(174)를 이용하여 상기 각각의 제1 도전부들(151a, 152a, 153a, 154a) 및 상기 각각의 제2 도전부들(151b, 152b, 153b, 154b) 사이에 전류가 흐르는지 측정함으로써, 상기 제1, 제2, 제3 및 제4 테스트 패턴들(141, 142, 143, 144)의 형상이 동일한지 판단할 수 있다. 상기 제1, 제2, 제3 및 제4 테스트 패턴들(141,142, 143, 144)의 형상이 동일하면, 상기 제1, 제2 및 상기 제3 광들(L1, L2, L3)의 조도가 균일한 것으로 판단할 수 있다.
상기 제1 광(L1), 상기 제2 광(L2) 및 상기 제3 광(L3)의 조도가 균일하지 않은 경우에는, 도 4b에 도시된 바와 같이 상기 제1 테스트 패턴(141), 상기 제2 테스트 패턴(142) 및 상기 제4 테스트 패턴(144)의 형상이 다르다.
상기 제1 광(L1)의 조도에 비해 상기 제2 광(L2)의 조도가 높은 경우에, 상기 제1 광(L1)이 인가되는 상기 제1 테스트 패턴(141)에 포함된 상기 제1 잘록 패턴(151)의 상기 제1 도전부(151a) 및 상기 제2 도전부(151b)는 서로 연결되지만, 상기 제2 광(L2)이 인가되는 상기 제2 테스트 패턴(142)에 포함된 상기 제1 잘록 패턴(151)의 상기 제1 도전부(151a) 및 상기 제2 도전부(151b)는 서로 이격된다.
따라서, 상기 제1 테스트 패턴(141)에 포함된 상기 제1 잘록 패턴(151)의 상기 제1 도전부(151a) 및 상기 제2 도전부(151b) 사이에는 전류가 흐르지만, 상기 제2 테스트 패턴(142)에 포함된 상기 제1 잘록 패턴(151)의 상기 제1 도전부(151a) 및 상기 제2 도전부(151b) 사이에는 전류가 흐르지 않는다.
따라서, 상기 제1 프로브(172) 및 상기 제2 프로브(174)를 상기 제1 접점(181) 및 상기 제2 접점(182)에 연결하여, 상기 제1 광(L1) 및 상기 제2 광(L2)의 균일도를 측정할 수 있다.
상기 제1 광(L1)의 조도에 비해 상기 제3 광(L3)의 조도가 낮은 경우에, 상기 제1 광(L1)이 인가되는 상기 제1 테스트 패턴(141)에 포함된 상기 제4 잘록 패턴(154)의 상기 제1 도전부(154a) 및 상기 제2 도전부(154b)는 서로 이격되지만, 상기 제3 광(L3)이 인가되는 상기 제4 테스트 패턴(142)에 포함된 상기 제4 잘록 패턴(154)의 상기 제1 도전부(154a) 및 상기 제2 도전부(154b)는 서로 연결된다.
따라서, 상기 제1 테스트 패턴(141)에 포함된 상기 제4 잘록 패턴(154)의 상기 제1 도전부(154a) 및 상기 제2 도전부(154b) 사이에는 전류가 흐르지 않지만, 상기 제4 테스트 패턴(144)에 포함된 상기 제4 잘록 패턴(154)의 상기 제1 도전부(154a) 및 상기 제2 도전부(154b) 사이에는 전류가 흐른다.
따라서, 상기 제1 프로브(172) 및 상기 제2 프로브(174)를 상기 제1 접점(181) 및 상기 제2 접점(182)에 연결하여, 상기 제1 광(L1) 및 상기 제3 광(L3)의 균일도를 측정할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 제1, 제2, 제3 및 제4 테스트 패턴들(141, 142, 143, 144)에 상기 제1 프로브(172) 및 상기 제2 프로브(174)를 연결하여 전류의 흐름을 측정함으로써, 상기 노광기(110)의 노광 균일도를 측정할 수있다. 따라서, 상기 노광기(110)의 노광 균일도가 설정된 기준에 비해 낮은 경우, 상기 기판(112)에서 수행되는 공정을 중지하여 상기 기판(112)을 포함하는 표시 패널의 불량률을 감소시킬 수 있다.
실시예 2
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 테스트 패턴부를 나타내는 평면도이다.
본 실시예에 따른 테스트 패턴부(240)는 이전의 실시예에 따른 도 1에 도시된 상기 노광기(110) 및 상기 마스크(130)에 의해 형성될 수 있다. 따라서, 이전의 실시예에 따른 도 1, 도 2, 도 3a, 도 3b, 도 3c 및 도 3d와 동일한 부재는 동일한 참조 부호로 나타내고, 중복되는 상세한 설명은 생략될 수 있다.
도 5를 참조하면, 상기 테스트 패턴부(240)는 제1 테스트 패턴(241), 제2 테스트 패턴(242), 제3 테스트 패턴(243) 및 제4 테스트 패턴(244)을 포함한다.
구체적으로, 각각의 상기 제1 테스트 패턴(241), 상기 제2 테스트 패턴(242), 상기 제3 테스트 패턴(243) 및 상기 제4 테스트 패턴(244)은 상기 제1 포토 레지스트(124)가 상기 노광기(110)로부터 출사되는 상기 광에 의해 패턴되어 상기 제1 포토 레지스트 패턴(124a)이 형성되고, 상기 제1 포토 레지스트 패턴(124a)을 기초로 상기 제1 금속층(122)이 식각되어 형성될 수 있다.
각각의 상기 제1 테스트 패턴(241), 상기 제2 테스트 패턴(242), 상기 제3 테스트 패턴(243) 및 상기 제4 테스트 패턴(244)은 저항 패턴(251), 제1 접점부(261) 및 제2 접점부(262)를 포함한다.
상기 저항 패턴(251)은 저항 값을 가지고, 상기 제1 접점부(261)는 제1 접점(271)을 가지고 상기 저항 패턴(251)의 일단에 형성되며, 상기 제2 접점부(262)는 제2 접점(272)을 가지고 상기 저항 패턴(251)의 타단에 형성된다.
상기 제1 테스트 패턴(241)에는 상기 노광기(110)의 상기 제1 광학 모듈(111)로부터 출사되는 제1 광(L1)이 인가되고, 상기 제2 테스트 패턴(242) 및 상기 제3 테스트 패턴(243)에는 상기 제1 광학 모듈(111) 및 상기 제2 광학 모듈(112)로부터 출사되는 제2 광(L2)이 인가되며, 상기 제4 테스트 패턴(244)에는 상기 제2 광학 모듈(112)로부터 출사되는 제3 광(L3)이 인가될 수 있다.
상기 제1 광(L1), 상기 제2 광(L2) 및 상기 제3 광(L3)의 조도가 균일한 경우에는, 상기 제1 테스트 패턴(241), 상기 제2 테스트 패턴(242), 상기 제3 테스트 패턴(243) 및 상기 제4 테스트 패턴(244)의 상기 저항 패턴(251)들은 균일한 임계 치수(CD)를 가지고, 상기 저항 패턴(251)들의 저항 값은 동일하다.
상기 제1 광(L1), 상기 제2 광(L2) 및 상기 제3 광(L3)의 조도가 균일하지 않은 경우에는, 상기 제1 테스트 패턴(241), 상기 제2 테스트 패턴(242), 상기 제3 테스트 패턴(243) 및 상기 제4 테스트 패턴(244)의 상기 저항 패턴(251)들은 서로 다른 임계 치수(CD)를 가지고, 상기 저항 패턴(251)들의 저항 값은 서로 다르다.
따라서, 상기 균일도 측정부의 제1 프로브(172)를 상기 제1 접점(271)들에 연결하고 제2 프로브(174)를 상기 제2 접점(272)들에 연결하여, 상기 제1 테스트 패턴(241), 상기 제2 테스트 패턴(242), 상기 제3 테스트 패턴(243) 및 상기 제4 테스트 패턴(244)에 포함된 상기 저항 패턴(251)들의 저항 값을 측정함으로써, 상기 노광기(110)의 노광 균일도를 측정할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 제1, 제2, 제3 및 제4 테스트 패턴들(241, 242, 243, 244)에 상기 제1 프로브(172) 및 상기 제2 프로브(174)를 연결하여 저항 값을 측정함으로써, 용이하고 간단하게 상기 노광기(110)의 노광 균일도를 측정할 수 있다.
실시예 3
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 테스트 패턴부를 나타내는 평면도이다.
본 실시예에 따른 테스트 패턴부(340)는 이전의 실시예에 따른 도 1에 도시된 상기 노광기(110) 및 상기 마스크(130)에 의해 형성될 수 있고, 도 5에 도시된 상기 테스트 패턴부(240)와 비교하여 상기 저항 패턴(251)을 제외하고는 도 5에 도시된 상기 테스트 패턴부(240)와 실질적으로 동일하다. 따라서, 이전의 실시예에 따른 도 1 및 도 5와 동일한 부재는 동일한 참조 부호로 나타내고, 중복되는 상세한 설명은 생략될 수 있다.
도 6을 참조하면, 상기 테스트 패턴부(340)는 제1 테스트 패턴(341), 제2 테스트 패턴(342), 제3 테스트 패턴(343) 및 제4 테스트 패턴(344)을 포함한다.
각각의 상기 제1 테스트 패턴(341), 상기 제2 테스트 패턴(342), 상기 제3 테스트 패턴(343) 및 상기 제4 테스트 패턴(344)은 저항 패턴(351), 상기 제1 접점부(261) 및 상기 제2 접점부(262)를 포함한다.
상기 저항 패턴(351)은 굴곡 형상이며 저항 값을 가진다. 따라서, 상기 저항패턴(351)은 가로 방향으로 제1 임계 치수(CD1)를 가지고 세로 방향으로 제2 임계 치수(CD2)를 가진다. 상기 제1 접점부(261)는 제1 접점(271)을 가지고 상기 저항 패턴(351)의 일단에 형성되며, 상기 제2 접점부(262)는 제2 접점(272)을 가지고 상기 저항 패턴(351)의 타단에 형성된다.
상기 제1 테스트 패턴(341)에는 상기 노광기(110)의 상기 제1 광학 모듈(111)로부터 출사되는 상기 제1 광(L1)이 인가되고, 상기 제2 테스트 패턴(242) 및 상기 제3 테스트 패턴(243)에는 상기 제1 광학 모듈(111) 및 상기 제2 광학 모듈(112)로부터 출사되는 상기 제2 광(L2)이 인가되며, 상기 제4 테스트 패턴(244)에는 상기 제2 광학 모듈(112)로부터 출사되는 상기 제3 광(L3)이 인가될 수 있다.
상기 제1 광(L1), 상기 제2 광(L2) 및 상기 제3 광(L3)의 조도가 균일한 경우에는, 상기 제1 테스트 패턴(341), 상기 제2 테스트 패턴(342), 상기 제3 테스트 패턴(343) 및 상기 제4 테스트 패턴(344)의 상기 저항 패턴(351)들은 균일한 제1 및 제2 임계 치수들(CD1, CD2)을 가지고, 상기 저항 패턴(351)들의 저항 값은 동일하다.
상기 제1 광(L1), 상기 제2 광(L2) 및 상기 제3 광(L3)의 조도가 균일하지 않은 경우에는, 상기 제1 테스트 패턴(341), 상기 제2 테스트 패턴(342), 상기 제3 테스트 패턴(343) 및 상기 제4 테스트 패턴(344)의 상기 저항 패턴(351)들은 서로 다른 제1 및 제2 임계 치수들(CD1, CD2)을 가지고, 상기 저항 패턴(351)들의 저항 값은 서로 다르다.
따라서, 상기 균일도 측정부의 제1 프로브(172)를 상기 제1 접점(271)들에 연결하고 제2 프로브(174)를 상기 제2 접점(272)들에 연결하여, 상기 제1 테스트 패턴(341), 상기 제2 테스트 패턴(342), 상기 제3 테스트 패턴(343) 및 상기 제4 테스트 패턴(344)에 포함된 상기 저항 패턴(351)들의 저항 값을 측정함으로써, 상기 노광기(110)의 노광 균일도를 측정할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 테스트 패턴부(340)는 가로 방향으로 제1 임계 치수(CD1)를 가지고 세로 방향으로 제2 임계 치수(CD2)를 가지는 상기 제1, 제2, 제3 및 제4 테스트 패턴들(341, 342, 343, 344)을 포함하고 있으므로, 이전의 실시예에 따라 도 5에 도시된 상기 테스트 패턴부(240)에 비해 정밀하게 상기 노광기(110)의 노광 균일도를 측정할 수 있다.
실시예 4
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 테스트 패턴부를 나타내는 평면도이다.
본 실시예에 따른 테스트 패턴부(440)는 이전의 실시예에 따른 도 1에 도시된 상기 노광기(110) 및 상기 마스크(130)에 의해 형성될 수 있고, 도 5에 도시된 상기 테스트 패턴부(240)와 비교하여 상기 저항 패턴(251)을 제외하고는 도 5에 도시된 상기 테스트 패턴부(240)와 실질적으로 동일하다. 따라서, 이전의 실시예에 따른 도 1 및 도 5와 동일한 부재는 동일한 참조 부호로 나타내고, 중복되는 상세한 설명은 생략될 수 있다.
도 7을 참조하면, 상기 테스트 패턴부(440)는 제1 테스트 패턴(441), 제2 테스트 패턴(442), 제3 테스트 패턴(443) 및 제4 테스트 패턴(444)을 포함한다.
각각의 상기 제1 테스트 패턴(441), 상기 제2 테스트 패턴(442), 상기 제3 테스트 패턴(443) 및 상기 제4 테스트 패턴(444)은 저항 패턴(451), 상기 제1 접점부(261) 및 상기 제2 접점부(262)를 포함한다.
상기 저항 패턴(351)은 굴곡 형상이며 저항 값을 가진다. 또한, 상기 저항 패턴(351)은 도 5에 도시된 상기 저항 패턴(251)에 비해 길이가 길다. 따라서, 본 실시예에 따른 저항 패턴(351)은 도 5에 도시된 상기 저항 패턴(251)에 비해 저항 값이 더 변화되기 쉽다.
상기 제1 접점부(261)는 제1 접점(271)을 가지고 상기 저항 패턴(451)의 일단에 형성되며, 상기 제2 접점부(262)는 제2 접점(272)을 가지고 상기 저항 패턴(451)의 타단에 형성된다.
상기 제1 테스트 패턴(441)에는 상기 노광기(110)의 상기 제1 광학 모듈(111)로부터 출사되는 상기 제1 광(L1)이 인가되고, 상기 제2 테스트 패턴(442) 및 상기 제3 테스트 패턴(443)에는 상기 제1 광학 모듈(111) 및 상기 제2 광학 모듈(112)로부터 출사되는 상기 제2 광(L2)이 인가되며, 상기 제4 테스트 패턴(444)에는 상기 제2 광학 모듈(112)로부터 출사되는 상기 제3 광(L3)이 인가될 수 있다.
상기 제1 광(L1), 상기 제2 광(L2) 및 상기 제3 광(L3)의 조도가 균일한 경우에는, 상기 제1 테스트 패턴(441), 상기 제2 테스트 패턴(442), 상기 제3 테스트 패턴(443) 및 상기 제4 테스트 패턴(444)의 상기 저항 패턴(451)들은 서로 동일한 저항 값을 가진다.
상기 제1 광(L1), 상기 제2 광(L2) 및 상기 제3 광(L3)의 조도가 균일하지 않은 경우에는, 상기 제1 테스트 패턴(441), 상기 제2 테스트 패턴(442), 상기 제3 테스트 패턴(443) 및 상기 제4 테스트 패턴(444)의 상기 저항 패턴(451)들은 서로 다른 저항 값을 가진다.
따라서, 상기 균일도 측정부의 제1 프로브(172)를 상기 제1 접점(271)들에 연결하고 제2 프로브(174)를 상기 제2 접점(272)들에 연결하여, 상기 제1 테스트 패턴(441), 상기 제2 테스트 패턴(442), 상기 제3 테스트 패턴(443) 및 상기 제4 테스트 패턴(444)에 포함된 상기 저항 패턴(451)들의 저항 값을 측정함으로써, 상기 노광기(110)의 노광 균일도를 측정할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 테스트 패턴부(440)는 도 5에 도시된 상기 저항 패턴(251)에 비해 길이가 긴 상기 저항 패턴(451)을 가지는 상기 제1, 제2, 제3 및 제4 테스트 패턴들(441, 442, 443, 444)을 포함하고 있으므로, 이전의 실시예에 따라 도 5에 도시된 상기 테스트 패턴부(240)에 비해 정밀하게 상기 노광기(110)의 노광 균일도를 측정할 수 있다.
실시예 5
도 8a는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 마스크를 나타내는 평면도이고, 도 8b는 도 8a에 도시된 마스크(540)를 이용한 노광 균일도 측정 방법을 나타내는 개념도이다.
본 실시예에 따른 상기 마스크(540)는 도 1에 도시된 상기 노광 시스템(100) 에포함될 수 있고, 본 실시예에 따른 상기 마스크(540)를 포함하는 노광 시스템은도1에 도시된 상기 노광 시스템(100)과 비교하여 상기 마스크(540)를 제외하고는 도 1에 도시된 상기 노광 시스템(100)과 실질적으로 동일하다. 따라서, 도 1과 동일한 부재는 동일한 참조 부호로 나타내고, 중복되는 상세한 설명은 생략될 수 있다.
도8a 및 도 8b를 참조하면, 본 실시예에 따른 상기 마스크(540)는 제1 마스크(541), 제2 마스크(542), 제3 마스크(543) 및 제4 마스크(544)를 포함한다. 각각의 상기 제1 마스크(541), 상기 제2 마스크(542), 상기 제3 마스크(543) 및 상기 제4 마스크(544)는 차광부(551) 및 투과부(561)를 포함하고, 상기 투과부(561)에는 슬릿이 형성된다. 상기 제1 마스크(541), 상기 제2 마스크(542), 상기 제3 마스크(543) 및 상기 제4 마스크(544)는 실질적으로 동일하다.
상기 제1 노광기(110)의 상기 제1 광학 모듈(111)로부터 출사된 제1 광(L1)이 상기 제1 마스크(541)를 통과하여 제1 포토 레지스트 패턴(581)을 형성한다. 상기 제1 노광기(110)의 상기 제1 광학 모듈(111) 및 상기 제2 광학 모듈(112)로부터 출사된 제2 광(L2)이 상기 제2 마스크(542) 및 상기 제3 마스크(543)를 통과하여 제2 포토 레지스트 패턴(582) 및 제3 포토 레지스트 패턴(583)을 형성한다. 상기 제1 노광기(110)의 상기 제2 광학 모듈(112)로부터 출사된 제3 광(L3)이 상기 제4 마스크(544)를 통과하여 제4 포토 레지스트 패턴(584)를 형성한다. 상기 제1, 제2, 제3 및 제4 포토 레지스트 패턴들(581, 582, 583, 584)은 상기 노광기(110)의 노광 균일도를 측정하는 테스트 패턴들일 수 있다.
상기 제1 광(L1), 상기 제2 광(L2) 및 상기 제3 광(L3)의 조도가 서로 동일하다면, 상기 제1 포토 레지스트 패턴(581)의 홈과 바닥면의 거리인 제1 두께(TPR1), 상기 제2 포토 레지스트 패턴(582) 및 상기 제3 포토 레지스트 패턴(583)의 홈과 바닥면의 거리인 제2 두께(TPR2), 및 상기 제4 포토 레지스트 패턴(584)의 홈과 바닥면의 거리인 제3 두께(TPR3)는서로 동일하다.
하지만, 상기 제2 광(L2)의 조도가 상기 제1 광(L1)의 조도에 비해 높고, 상기 제3 광(L3)의 조도가 상기 제2 광(L2)의 조도에 비해 높으면, 상기 제2 포토 레지스트 패턴(582) 및 상기 제3 포토 레지스트 패턴(583)의 상기 제2 두께(TPR2)는 상기 제1 포토 레지스트 패턴(581)의 상기 제1 두께(TPR1)에 비해 두껍고, 상기 제4 포토 레지스트 패턴(584)의 상기 제3 두께(TPR3)는 상기 제2 포토 레지스트 패턴(582) 및 상기 제3 포토 레지스트 패턴(583)의 상기 제2 두께(TPR2)에 비해 두껍다.
상기 균일도 측정부(170)는 상기 제1, 제2, 제3 및 제4 포토 레지스트 패턴들(581, 582, 583, 584)의 두께를 측정하는 두께 측정부를 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 두께 측정부는 표면 굴곡 분석 장치를 포함할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 노광기(110)로부터 출사된 상기 제1 광(L1), 상기 제2 광(L2) 및 상기 제3 광(L3)에 의해 형성된 상기 제1, 제2, 제3 및 제4 포토 레시스트 패턴들(581, 582, 583, 584)의 두께를 측정함으로써, 상기 노광기(110)의 노광 균일도를 측정할 수 있다. 따라서, 상기 노광기(110)로부터 출사되는 노광 균일도가 설정된 기준에 비해 낮은 경우, 상기 기판(112)에서 수행되는 공정을 중지하여 상기 기판(112)을 포함하는 표시 패널의 불량률을 감소시킬 수 있다.
실시예 6
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 마스크를 나타내는 평면도이다.
본 실시예에 따른 상기 마스크(640)는 도 1에 도시된 상기 노광 시스템(100) 에 포함될 수 있고, 본 실시예에 따른 상기 마스크(640)를 포함하는 노광 시스템은도 1에 도시된 상기 노광 시스템(100)과 비교하여 상기 마스크(640)를 제외하고는 도 1에 도시된 상기 노광 시스템(100)과 실질적으로 동일하다. 따라서, 도 1과 동일한 부재는 동일한 참조 부호로 나타내고, 중복되는 상세한 설명은 생략될 수 있다.
도 9를 참조하면, 마스크(640)는 제1 마스크(641), 제2 마스크(642), 제3 마스크(643) 및 제4 마스크(644)를 포함한다. 각각의 상기 제1 마스크(641), 상기 제2 마스크(642), ㅍ제3 마스크(643) 및 상기 제4 마스크(644)는 차광부(651) 및 투과부(661)를 포함하고, 상기 투과부(661)에는 반투과막이 형성된다.
본 실시예에 따르면, 상기 각각의 제1, 제2, 제3 및 제4 마스크들(641, 642, 643, 644)이 상기 반투과막을 가지는 상기 투과부(661)를 포함하고 있으므로, 슬릿을 포함한 마스크의 제조 공정에 비해 제조 공정을 단순화시킬 수 있다.
실시예 7
도 10a는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 마스크를 나타내는 평면도이고, 도 10b는 도 10a에 도시된 마스크를 이용한 노광 균일도 측정 방법을 나타내는 개념도이다.
본 실시예에 따른 상기 마스크(740)는 도 1에 도시된 상기 노광 시스템(100) 에 포함될 수 있고, 본 실시예에 따른 상기 마스크(740)를 포함하는 노광 시스템은도 1에 도시된 상기 노광 시스템(100)과 비교하여 상기 마스크(740)를 제외하고는 도 1에 도시된 상기 노광 시스템(100)과 실질적으로 동일하다. 따라서, 도 1과 동일한 부재는 동일한 참조 부호로 나타내고, 중복되는 상세한 설명은 생략될 수 있다.
도 10a 및 도 10b를 참조하면, 마스크(740)는 제1 마스크(741), 제2 마스크(742), 제3 마스크(743) 및 제4 마스크(744)를 포함한다. 각각의 상기 제1 마스크(741), 상기 제2 마스크(742), 상기 제3 마스크(743) 및 상기 제4 마스크(744)는 차광부(751) 및 투과부(761)를 포함하고, 상기 투과부(761)에는 크기가 서로 다른 복수의 슬릿들이 형성된다. 상기 제1 마스크(741), 상기 제2 마스크(742), 상기 제3 마스크(743) 및 상기 제4 마스크(744)는 실질적으로 동일하다.
제1 포토 레지스트 패턴(681), 제2 포토 레지스트 패턴(682), 제3 포토 레지스트 패턴(683) 및 제4 포토 레지스트 패턴(684)은 상기 노광기(110)의 노광 균일도를 측정하는 테스트 패턴들일 수 있다.
상기 제1 마스크(741), 상기 제2 마스크(742), 상기 제3 마스크(743) 및 상기 제4 마스크(744)로 상기 노광기(110)로부터 조도가 균일한 광이 인가되면, 상기 제1 포토 레지스트 패턴(681)에서 포토 레지스트가 남는 제1 잔막부(691), 상기 제2 포토 레지스트 패턴(682)에서 포토 레지스트가 남는 제2 잔막부(692), 상기 제3 포토 레지스트 패턴(683)에서 포토 레지스트가 남는 제3 잔막부(693), 및 상기 제4 포토 레지스트 패턴(684)에서 포토 레지스트가 남는 제4 잔막부(694)는 서로 동일한 형상을 가진다.
하지만, 상기 제1 마스크(741)로 인가되는 광의 조도에 비해 조도가 높은 광이 상기 제2 마스크(742) 및 상기 제3 마스크(743)로 인가되고, 상기 제2 마스크(742) 및 상기 제3 마스크(743)로 인가되는 상기 광의 조도에 비해 조도가 높은 광이 상기 제4 마스크(744)로 인가되면, 상기 제2 잔막부(692) 및 상기 제3 잔막부(693)는 상기 제1 잔막부(691)에 비해 작고, 상기 제4 잔막부(694)는 상기 제2 잔막부(692) 및 상기 제3 잔막부(693)에 비해 작다.
본실시예에 따르면, 상기 제1, 제2, 제3 및 제4 포토 레지스트 패턴들(681, 682, 683, 684)에 각각 형성되는 상기 제1, 제2, 제3 및 제4 잔막부들(691, 692, 693, 694)을 육안으로 관찰하여 상기 노광기(110)의 노광 균일도를 측정할 수 있다.
이상에서 설명된 바와 같이, 본 발명에 따른 노광 균일도 측정 방법 및 이를수행하는 노광 시스템에 의하면, 노광기의 노광 균일도를 측정할 수있고, 노광기의 노광 균일도가 설정된 기준에 비해 낮은 경우, 기판에서 수행되는 공정을 중지하여 기판을 포함하는 표시 패널의 불량률을 감소시킬 수 있다.
이상에서는 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
100, 800: 노광 시스템 110: 노광기
120: 기판 130, 530: 패턴부
132, 520: 패턴
140, 240, 340, 440: 테스트 패턴부
160: 마스크 170: 균일도 측정부

Claims (20)

  1. 서로 중첩하는 영역을 가지고 각각 광을 발생하는 제1 모듈 및 제2 모듈을 포함하는 노광기;
    상기 제1 모듈 및 상기 제2 모듈이 중첩하는 중첩 영역의 폭보다 작은 폭을가지고 서로 이격되며 상기 광이 투과하는 투과부들을 가지는 마스크;
    상기 투과부들을 투과한 상기 광에 의해 패턴된 금속 패턴을 포함하는 복수의 테스트 패턴들을 포함하는 테스트 패턴부; 및
    상기 금속 패턴에 연결되어 상기 금속 패턴의 전기적 특성을 측정하는 제1 프로브 및 제2 프로브를 포함하고, 상기 테스트 패턴들의 균일도를 측정하는 균일도 측정부를 포함하고,
    상기 금속 패턴은 중심이 잘록한 잘록부, 잘록부의 양쪽에 형성된 제1 도전부 및 제2 도전부를 포함하며,
    상기 제1 프로브는 상기 제1 도전부에 연결되고 상기 제2 프로브는 상기 제2 도전부에 연결되어, 상기 제1 도전부 및 상기 제2 도전부 사이에 전류가 흐르는 지 측정하는 것을 특징으로 하는 노광 시스템.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서, 상기 잘록부들은 서로 다른 폭을 가지는 것을 특징으로 하는 노광 시스템.
  6. 삭제
  7. 제1항에 있어서, 상기 테스트 패턴부는 상기 제1 도전부들을 전기적으로 연결하는 도전바를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 노광 시스템.
  8. 제1항에 있어서, 상기 제1 프로브는 상기 테스트 패턴의 일단에 연결되고 상기 제2 프로브는 상기 테스트 패턴의 타단에 연결되어, 상기 테스트 패턴의 저항 값을 측정하는 것을 특징으로 하는 노광 시스템.
  9. 제8항에 있어서, 상기 각각의 테스트 패턴들은 굴곡 형상을 가지는 것을 특징으로 하는 노광 시스템.
  10. 제1항에 있어서, 상기 각각의 테스트 패턴들은 상기 광에 의해 패턴된 포토 레지스트 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 노광 시스템.
  11. 제10항에 있어서, 상기 균일도 측정부는 상기 포토 레지스트 패턴의 두께를 측정하는 두께 측정부를 포함하는 것을 특징으로 하는 노광 시스템.
  12. 제1항에 있어서, 상기 각각의 투과부들에는 슬릿이 형성된 것을 특징으로 하는 노광 시스템.
  13. 제1항에 있어서, 상기 각각의 투과부들은 반투과막을 가지는 것을 특징으로 하는 노광 시스템.
  14. 제1항에 있어서, 상기 각각의 투과부들은 서로 다른 폭의 슬릿들을 가지는 것을 특징으로 하는 노광 시스템.
  15. 제1항에 있어서, 상기 테스트 패턴부는 상기 노광기에 의해 스캔되는 기판의 에지 부분에 형성되는 것을 특징으로 하는 노광 시스템.
  16. 각각 광을 발생하는 제1 모듈 및 제2 모듈이 중첩하는 중첩 영역의 폭보다 작은 폭을 가지고 서로 이격되며 상기 광이 투과하는 투과부들을 포함하는 마스크를 배치하는 단계;
    상기 투과부들로 상기 광을 투과하여 복수의 테스트 패턴들을 포함하는 테스트 패턴부를 형성하는 단계; 및
    상기 테스트 패턴들의 균일도를 측정하는 단계를 포함하고,
    상기 각각의 테스트 패턴들은 상기 광에 의해 패턴된 금속 패턴을 포함하고, 상기 금속 패턴은 중심이 잘록한 잘록부, 상기 잘록부의 양쪽에 형성된 제1 도전부 및 제2 도전부를 포함하며,
    상기 테스트 패턴들의 균일도를 측정하는 단계는,
    상기 제1 도전부에 제1 프로브를 연결하고 상기 제2 도전부에 제2 프로브를 연결하여, 상기 제1 도전부 및 상기 제2 도전부 사이에 전류가 흐르는지 측정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 노광 균일도 측정 방법.
  17. 삭제
  18. 제16항에 있어서, 상기 각각의 테스트 패턴들은 상기 광에 의해 패턴된 금속 패턴을 포함하고,
    상기 테스트 패턴들의 균일도를 측정하는 단계는,
    상기 금속 패턴의 일단에 제1 프로브를 연결하고 상기 금속 패턴의 타단에 제2 프로브를 연결하여, 상기 금속 패턴의 저항 값을 측정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 노광 균일도 측정 방법.
  19. 제16항에 있어서, 상기 각각의 테스트 패턴들은 상기 광에 의해 패턴된 포토 레지스트 패턴을 포함하고,
    상기 테스트 패턴들의 균일도를 측정하는 단계는,
    상기 포토 레지스트 패턴의 두께를 측정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 노광 균일도 측정 방법.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 테스트 패턴들의 균일도를 측정하는 단계는,
    상기 포토 레지스트 패턴이 남는 잔막부를 측정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 노광 균일도 측정 방법.
KR1020110129667A 2011-12-06 2011-12-06 노광 균일도 측정 방법 및 이를 수행하는 노광 시스템 KR101891073B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110129667A KR101891073B1 (ko) 2011-12-06 2011-12-06 노광 균일도 측정 방법 및 이를 수행하는 노광 시스템
US13/669,751 US8902414B2 (en) 2011-12-06 2012-11-06 Method of measuring uniformity of exposing light and exposure system for performing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110129667A KR101891073B1 (ko) 2011-12-06 2011-12-06 노광 균일도 측정 방법 및 이를 수행하는 노광 시스템

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130063248A KR20130063248A (ko) 2013-06-14
KR101891073B1 true KR101891073B1 (ko) 2018-08-24

Family

ID=48523799

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110129667A KR101891073B1 (ko) 2011-12-06 2011-12-06 노광 균일도 측정 방법 및 이를 수행하는 노광 시스템

Country Status (2)

Country Link
US (1) US8902414B2 (ko)
KR (1) KR101891073B1 (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180077781A (ko) * 2016-12-29 2018-07-09 에이치피프린팅코리아 주식회사 화상독취장치 및 화상독취방법
US11256379B2 (en) * 2019-09-26 2022-02-22 Samsung Display Co., Ltd. Display device and a method of fabricating the same

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080241486A1 (en) * 2007-03-30 2008-10-02 Seiji Ishikawa Liquid Crystal Display Device with Evaluation Patterns Disposed Thereon, and Method for Manufacturing the Same

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2723081B2 (ja) * 1995-05-15 1998-03-09 日本電気株式会社 スキャン露光方式における照度むら検出方法
JP2002075815A (ja) 2000-08-23 2002-03-15 Sony Corp パターン検査装置及びこれを用いた露光装置制御システム
JP4739461B2 (ja) * 2009-10-12 2011-08-03 Ｈｏｙａ株式会社 転写用マスクの製造方法及び半導体デバイスの製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080241486A1 (en) * 2007-03-30 2008-10-02 Seiji Ishikawa Liquid Crystal Display Device with Evaluation Patterns Disposed Thereon, and Method for Manufacturing the Same

Also Published As

Publication number Publication date
KR20130063248A (ko) 2013-06-14
US8902414B2 (en) 2014-12-02
US20130141714A1 (en) 2013-06-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9303969B2 (en) Method for detecting pattern offset amount of exposed regions and detecting mark
KR101028190B1 (ko) 프린트 도체 구조물을 검사하기 위한 센서 부재, 장치 및 방법, 센서 부재의 제조 방법
US20050250225A1 (en) Method and apparatus for forming patterned photoresist layer
WO2017000431A1 (zh) 阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置
KR101891073B1 (ko) 노광 균일도 측정 방법 및 이를 수행하는 노광 시스템
CN104795339B (zh) 薄膜晶体管阵列基板的检测装置及检测方法
JP2008244069A (ja) 表示装置、ｃｏｆの製造方法
KR100799004B1 (ko) 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102674578B1 (ko) 포토 레지스트 패턴의 임계 치수 검사 방법
JP2007178261A (ja) 電気光学装置用基板の検査方法、電気光学装置用基板の製造方法、及び検査装置
KR101670678B1 (ko) 평판표시장치 및 그의 제조방법
KR102435390B1 (ko) 모니터링 마크를 구비하는 포토 마스크
KR20150039456A (ko) 태그(teg) 패턴을 포함하는 표시 장치 및 태그 패턴을 이용한 식각 능력 검사 방법
KR20160044671A (ko) 마스크, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 표시 패널의 제조 방법
KR100498423B1 (ko) 전기저항 측정을 이용한 정렬 정도 측정방법
JP2010191128A (ja) 表示装置の製造方法および表示装置
KR101006008B1 (ko) 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법
KR100831675B1 (ko) 베스트 포커스를 설정하기 위한 포토 마스크 및 이를이용한 베스트 포커스 설정방법
JP2006276747A (ja) パターン形成方法及び液晶表示装置の製造方法
JP2002174644A (ja) プローブブロック
JP2006284221A (ja) プローブユニット、その製造方法及び電子デバイスの検査方法
CN104375378A (zh) 光掩模制造方法
JP5281335B2 (ja) 膜厚測定装置及び膜厚測定方法
JP2007163632A (ja) 表示装置の製造方法および表示装置ならびに露光装置
JP2016039166A (ja) インプリントモールドの検査方法及び製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right