CN104375378A - 光掩模制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种光掩模制造方法。根据本发明的方法，首先，采用包含曝光及蚀刻等在内的工艺来形成待检光掩模；随后，在待检光掩模经过清洗后，进行图案检查以确定所述待检光掩模是否能采用修补设备进行修补，当确定所述待检光掩模采用修补设备已无法修补时，基于缺陷的相关信息来判断缺陷是否能通过再加工来消除，并当确定缺陷能通过再加工消除时，基于缺陷的位置对所述待检光掩模重新进行加工处理以消除相应缺陷，并于检验合格后进行贴膜处理。本发明能有效消除孤立且巨大之缺陷，提高光掩模的生产良率。

Description

光掩模制造方法
技术领域
本发明涉及半导体工艺领域，特别是涉及一种光掩模制造方法。
背景技术
半导体集成电路制作过程通常需要经过多次光刻工艺，例如，在半导体基底的介质层上开凿各种掺杂窗口、电极接触孔或在导电层上刻蚀金属互连图形等。光刻工艺需要一整套（几块多至十几块）相互间能精确套准的、具有特定几何图形的光掩模。光掩模是光刻工艺中复印光致抗蚀掩蔽层的“印相底片”，因此，光掩模版质量的优劣直接影响光刻工艺的质量，从而影响半导体器件或集成电路的电学性能、可靠性和芯片成品率。随着大规模集成电路工艺技术的迅速发展，对光掩模的质量，包括各种掩模精度、缺陷密度和光掩模的耐用性能等都提出了极高的要求。
由于光掩模的质量是影响集成电路功能和芯片成品率的重要因素之一。为保证光掩模的质量，必须对光掩模的缺陷密度、精度及图形质量等进行严格的控制，如图1所示，其为现有光掩模制造流程。
首先，采用包含曝光及蚀刻在内的工艺来形成待检光掩模后，对该待检光掩模进行清洗，随后再进行图形检查以确定该待检光掩模是否合格，如果合格则送入贴膜机进行贴膜后出货，否则进一步判断是否可以采用修补设备进行修补，如果可以采用修补设备修补则对该待检光掩模进行修补，并于修补后再进行清洗，并再次进行图案检查，如果判断是不可采用修补设备修补，则将该待检光掩模废弃。
由于判断缺陷是否可修补是基于修补设备来确定，若待检光掩模存在超出修补设备能力之外的缺陷，则该待检光掩模会被废弃。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种光掩模制造方法，以消除光掩模中孤立巨大的缺陷。
为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种光掩模制造方法，其至少包括：
1）采用包含曝光及蚀刻在内的工艺来形成待检光掩模；
2）在待检光掩模经过清洗后，进行图案检查以确定所述待检光掩模是否能采用修补设备进行修补；
3）当确定所述待检光掩模采用修补设备已无法修补时，基于缺陷的相关信息来判断缺陷是否能通过再加工来消除；
4）当确定缺陷能通过再加工消除时，基于缺陷的位置对所述待检光掩模重新进行加工处理以消除相应缺陷，并于检验合格后进行贴膜处理。
优选地，当确定缺陷能通过再加工消除时，基于缺陷的位置对所述待检光掩模重新进行加工处理以消除相应缺陷后，并于清洗后再次进行图案检查。
优选地，所述光掩模制造方法还包括：当确定所述待检光掩模需要修补时，则采用相应修补设备来修补所述待检光掩模，并于清洗后再次进行图案检查。
优选地，所述缺陷的相关信息包括缺陷的尺寸及缺陷与相邻图案区域是否相连；更为优选地，当缺陷的尺寸超过30微米且与相邻图案区域不相连，则判断缺陷能能通过再加工来消除；更进一步地，当缺陷的尺寸超过30微米且与相邻图案区域有10微米以上间隔，则判断缺陷能通过再加工来消除。
如上所述，本发明的光掩模制造方法，具有以下有益效果：能有效消除光掩模中孤立巨大的缺陷，进而提高光掩模的产品良率。
附图说明
图1显示为现有技术中的光掩模制造方法流程图。
图2显示为本发明的光掩模制造方法流程图。
图3a至3f显示为消除光掩模缺陷的流程图。
元件标号说明
1      待检光掩模
11     缺陷
2      光刻胶
S1～S8 步骤
具体实施方式
以下由特定的具体实施例说明本发明的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点及功效。
请参阅图2至图3f。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本发明可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本发明所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本发明所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中间”及“一”等的用语，亦仅为便于叙述的明了，而非用以限定本发明可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更技术内容下，当亦视为本发明可实施的范畴。
如图2所示，本发明提供一种光掩模制造方法。
在步骤S1中，采用包含曝光及蚀刻在内的工艺来形成待检光掩模。
例如，如图3a所示，其为采用曝光及蚀刻在内的工艺所形成的待检光掩模示意图，该待检光掩模1包含有缺陷11。
在步骤S2中，对待检光掩模进行清洗后，进行图案检查以确定所述待检光掩模是否合格，如果合格，则进入步骤S3，否则进入步骤S4。
在步骤S3中，将所述待检光掩模放入贴膜机进行贴膜后出货。
在步骤S4中，进一步判断所述待检光掩模是否可采用修补设备进行修补，如果能则进入步骤S5，否则进入步骤S6。
在步骤S5中，采用修补设备对所述待检光掩模进行修补后进入步骤S2，即再次进行清洗后，接着进行图案检查等。
在步骤S6中，基于缺陷的相关信息来判断缺陷是否能通过再加工来消除，如果能则进入步骤S7，否则进入步骤S8。
具体地，当缺陷的尺寸超过30微米以上，且该缺陷为孤立缺陷，也就是该缺陷未与相邻图案区域相连，则判断该缺陷能通过再加工被消除；更为优选地，当缺陷的尺寸超过30微米且与相邻图案区域有10微米以上间隔，则判断缺陷能通过再加工来消除
例如，如图3a所示，该待检光掩模1包含的缺陷11尺寸巨大且孤立。
在步骤S7中，基于缺陷的位置对所述待检光掩模重新进行加工处理以消除相应缺陷，随后再返回步骤S2。
例如，对于图3a所示的待检光掩模1，先在该待检光掩模1表面涂布光刻胶2，如图3b所示；随后，再对基于缺陷11的位置对该待检光掩模1进行局部曝光，如图3c所示，由此使得缺陷11位置显影，如图3d所示，随后再对该缺陷11进行蚀刻以去除该缺陷11，如图3e所示，最后再去除残余的光刻胶，如图3f所示，接着再对已去除缺陷11的待检光掩模1进行清洗后，接着再进行图案检查等。
在步骤S8中，废弃所述待检光掩模。
综上所述，本发明的光掩模制造方法能对出现在孤立区域之巨大缺陷进行再加工，有效提升光掩模的生产良率。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

Claims (6)

1.一种光掩模制造方法，其特征在于，所述光掩模制造方法至少包括：
1）采用包含曝光及蚀刻在内的工艺来形成待检光掩模；
2）在待检光掩模经过清洗后，进行图案检查以确定所述待检光掩模是否能采用修补设备进行修补；
3）当确定所述待检光掩模采用修补设备已无法修补时，基于缺陷的相关信息来判断缺陷是否能通过再加工来消除；
4）当确定缺陷能通过再加工消除时，基于缺陷的位置对所述待检光掩模重新进行加工处理以消除相应缺陷，并于检验合格后进行贴膜处理。
2.根据权利要求1所述的光掩模制造方法，其特征在于：
当确定缺陷能通过再加工消除时，基于缺陷的位置对所述待检光掩模重新进行加工处理以消除相应缺陷后，并于清洗后再次进行图案检查。
3.根据权利要求1所述的光掩模制造方法，其特征在于还包括：
当确定所述待检光掩模需要修补时，则采用相应修补设备来修补所述待检光掩模，并于清洗后再次进行图案检查。
4.根据权利要求1所述的光掩模制造方法，其特征在于：所述缺陷的相关信息包括缺陷的尺寸及缺陷与相邻图案区域是否相连。
5.根据权利要求4所述的光掩模制造方法，其特征在于：当缺陷的尺寸超过30微米且与相邻图案区域不相连，则判断缺陷能通过再加工来消除。
6.根据权利要求5所述的光掩模制造方法，其特征在于：当缺陷的尺寸超过30微米且与相邻图案区域有10微米以上间隔，则判断缺陷能通过再加工来消除。
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