CN110416103B - 一种残胶标准片及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明实施例提供了一种残胶标准片及其制备方法，其中残胶标准片包括基底；设置于基底上的透明薄膜层；设置于基底上的保护层，保护层包括多个曝光场，曝光场包括呈阵列排布的多个比对单元，比对单元包括标准比对单元和残胶比对单元，标准比对单元和残胶比对单元均包括至少两个不同检测类型的检测区域，每个检测区域内均包括至少一个通孔；透明薄膜层设置于残胶比对单元的至少一个通孔内。本发明实施例可以制作出与实际的光刻胶残留性质相同的残胶标准片，实现了对AOI设备的残胶检出率以及误检率等性能进行全面的验证。

Description

一种残胶标准片及其制备方法

技术领域

本发明涉及半导体设备检测领域，尤其涉及一种残胶标准片及其制备方法。

背景技术

在集成电路封装领域，由于工艺控制的问题，在生产过程中较易产生超薄的光刻胶残留，其厚度只有百纳米级别，呈现透明性质，此类型的残留光刻胶很难在光刻工艺阶段被检出，这将导致后续电镀工艺发生异常，降低生产效率。因此，封装厂商希望使用AOI(Automatic Optic Inspection，自动光学检测)设备进行残胶检测。在AOI设备的整机调试及日常监控过程中，通常通过对带残余光刻胶样本的残胶标准片进行检测，来对AOI设备的缺陷检出率及误检率等性能进行验证。

然而，现有的残胶标准片缺陷类型单一，不利于对AOI设备的缺陷检出率及误检率进行全面验证。并且，现有的残胶标准片通过与实际生产制程接近的工艺方法进行制作，无法得到百纳米级别厚度的透明残胶，且所得残胶形貌随机，无法精确控制残胶厚度，且透明度也不佳，无法真实反映生产过程中光刻胶残留的性质。

发明内容

本发明提供了一种残胶标准片及其制备方法，以制作出与实际的光刻胶残留性质相同的残胶标准片，实现对AOI设备的残胶检出率以及误检率等性能进行全面的验证。

第一方面，本发明实施例提供了一种残胶标准片，包括：

基底；

设置于所述基底上的透明薄膜层；

设置于所述基底上的保护层，所述保护层包括多个曝光场，所述曝光场包括呈阵列排布的多个比对单元，所述比对单元包括标准比对单元和残胶比对单元，所述标准比对单元和所述残胶比对单元均包括至少两个不同检测类型的检测区域，每个所述检测区域内均包括至少一个通孔；

所述透明薄膜层设置于所述残胶比对单元的至少一个所述通孔内。

可选的，所述透明薄膜层的光线透过率大于或等于95％。

可选的，所述透明薄膜层的材料为金属氧化物。

可选的，所述透明薄膜层的材料为氧化铟锡或氧化锌，所述保护层材料为无机物或者光敏型聚酰亚胺。

可选的，所述透明薄膜层的厚度为50nm～300nm。

可选的，所述检测区域包括圆形特征比较区域、方形特征比较区域、竖条形特征比较区域和横条形特征比较区域；

所述圆形特征比较区域包括多个圆形通孔，所述方形特征比较区域包括多个正方形通孔，所述竖条形特征比较区域包括多个沿第一方向的第一尺寸大于沿第二方向的第二尺寸的第一矩形通孔，所述横条形特征比较区域包括多个沿第一方向的第三尺寸小于沿第二方向的第四尺寸的第二矩形通孔；其中，所述第一方向与所述第二方向垂直。

可选的，所述圆形特征比较区域包括至少两个圆形子比较区域，不同所述圆形子比较区域中的所述圆形通孔的孔径不同，每一所述圆形子比较区域中的所述圆形通孔呈阵列排布；

所述方形特征比较区域包括至少两个方形子比较区域，不同所述方形子比较区域中的所述正方形通孔的孔径不同，每一所述方形子比较区域中的所述正方形通孔呈阵列排布；

所述竖条形特征比较区域中的多个所述第一矩形通孔呈阵列排布，多个所述第一矩形通孔的所述第一尺寸相等，且沿所述第二方向所述第一矩形通孔的所述第二尺寸逐渐增大；

所述横条形特征比较区域中的多个所述第二矩形通孔呈阵列排布，多个所述第二矩形通孔的所述第四尺寸相等，且沿所述第一方向所述第二矩形通孔的所述第三尺寸逐渐减小。

可选的，每一所述圆形子比较区域中的相邻两个所述圆形通孔的间距和该圆形子比较区域中的所述圆形通孔的孔径相同；

每一所述方形子比较区域中的相邻两个所述正方形通孔的间距和该方形子比较区域中的所述正方形通孔的孔径相同；

每一所述竖条形特征比较区域中，沿所述第二方向，前一个所述第一矩形通孔和后一个所述第一矩形通孔的间距与前一个所述第一矩形通孔的第二尺寸相同；

每一所述横条形特征比较区域中，沿所述第一方向，前一个所述第二矩形通孔和后一个所述第二矩形通孔的间距和后一个所述第二矩形通孔的第三尺寸相同。

可选的，所述透明薄膜层为中间型结构或边缘型结构；

所述中间型结构的透明薄膜层在所述基底的垂直投影与所述通孔在所述基底的垂直投影不交叠；

所述边缘型结构的透明薄膜层与所述通孔内壁贴合。

可选的，所述中间型结构的透明薄膜层的形状为圆形、正方形、矩形或多边形；

所述边缘型结构的透明薄膜层的结构为环形或线形。

可选的，沿同一方向，相邻两个所述比对单元之间的间距与相邻两个所述曝光场之间的间距相同。

可选的，其特征在于，所述残胶比对单元在所述曝光场内周期分布。

第二方面，本发明实施例还提供了一种残胶标准片的制备方法，该方法包括：

提供一基底；

在所述基底上形成透明薄膜层；

在所述透明薄膜层上形成保护层；所述保护层包括多个曝光场，所述曝光场包括呈阵列排布的多个比对单元，所述比对单元包括标准比对单元和残胶比对单元，所述标准比对单元和所述残胶比对单元均包括至少两个不同检测类型的检测区域，每个所述检测区域内均包括至少一个通孔；所述透明薄膜层设置于所述残胶比对单元的至少一个所述通孔内。

可选的，所述透明薄膜层的光线透过率大于或等于95％。

可选的，在所述基底上形成透明薄膜层包括：

在所述基底上形成透明材料层；

在所述透明材料层上形成第一光刻胶层，通过光刻工艺图案化所述第一光刻胶层；

刻蚀所述透明材料层并去除图案化的所述第一光刻胶层，形成所述透明薄膜层。

可选的，若所述保护层的材料为无机物，则在所述透明薄膜层上形成保护层包括：

在所述透明薄膜层上形成无机材料层；

在所述无机材料层上形成第二光刻胶层；

通过光刻工艺图案化所述第二光刻胶层；

刻蚀所述无机材料层并去除图案化的所述第二光刻胶层，形成所述保护层。

可选的，若所述保护层的材料为光敏型聚酰亚胺，则在所述透明薄膜层上形成保护层包括：

在所述透明薄膜层上形成光敏型聚酰亚胺材料层；

通过光刻工艺图案化所述光敏型聚酰亚胺材料层，形成所述保护层。

本发明实施例提供了一种残胶标准片及其制备方法，通过在基底上设置保护层，保护层包括多个曝光场，曝光场包括呈阵列排布的多个比对单元，比对单元包括标准比对单元和残胶比对单元，且残胶比对单元的至少一个通孔内设置透明薄膜层，标准比对单元和残胶比对单元均包括至少两个不同检测类型的检测区域，实现了同时检测至少两种缺陷类型的残胶，并且通过本发明实施例提供的残胶标准片的制备方法，可制作出与实际光刻胶残留性质相同的残胶标准片，本发明解决了现有残胶标准片缺陷类型单一及制作困难的问题，实现了对AOI设备的残胶检出率以及误检率等性能进行全面的验证。

附图说明

图1为本发明实施例提供的一种残胶标准片的俯视图；

图2为图1沿AA′的剖面结构示意图；

图3为本发明实施例提供的一种曝光场的俯视图；

图4为图3沿BB′的剖面结构示意图；

图5为图3沿CC′的剖面结构示意图；

图6为本发明实施例提供的一种比对单元的俯视图；

图7为本发明实施例提供的一种圆形特征比较区域的俯视图；

图8为本发明实施例提供的一种方形特征比较区域的俯视图；

图9为本发明实施例提供的一种竖条形特征比较区域的俯视图；

图10为本发明实施例提供的一种横条形特征比较区域的俯视图；

图11为本发明实施例提供的一种残胶比对单元的俯视图；

图12为图11沿DD′的剖面结构示例图；

图13为本发明实施例提供的一种残胶标准片的制备方法流程图；

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。

图1为本发明实施例提供的一种残胶标准片的俯视图，图2为图1沿AA′的剖面结构示意图，参见图1和图2，该残胶标准片包括基底100，设置于基底100上的保护层200，以及设置于基底100上的透明薄膜层300(图1和图2未示出),保护层200包括多个曝光场210。图3为本发明实施例提供的一种曝光场的俯视图，图4为图3沿BB′的剖面结构示意图，图5为图3沿CC′的剖面结构示意图，参见图3，在该残胶标准片中，曝光场210包括呈阵列排布的多个比对单元，比对单元包括标准比对单元211和残胶比对单元212，标准比对单元211和残胶比对单元212均包括至少两个不同检测类型的检测区域，参见图3-图5，每个检测区域内均包括至少一个通孔230；透明薄膜层300设置于残胶比对单元212的至少一个通孔230内。

一般情况下，AOI设备对残胶标准片进行检测的过程为先采用缺陷扫描机台所用的CCD(Charge Coupled Device，电荷耦合器件)对残胶检测用标准片进行扫描，获得残胶检测用标准片的扫描图像，通过分析扫描图像确定AOI设备的检测结果。为了使检测结果准确，确保残胶检测的可靠性，可以选用CCD扫描图像中对比度清晰的材质制作残胶标准片的各个膜层。

其中，保护层200划分为多个曝光场210，通过逐个检测曝光场210完成对整个残胶标准片的检测。图1仅示例性地示出曝光场210呈阵列排布，并非对本发明的限定。

在检测过程中，为了使CCD扫描图像清晰，在平行基底表面的平面上，曝光场210之间的距离必须大于缺陷扫描机台所用的CCD结构的最小分辨率，具体的，沿第二方向X，相邻曝光场210之间的间距为x1，沿第一方向Y，相邻曝光场210之间的间距为y1，x1和y1均大于缺陷检测机台所用CCD结构的最小分辨率。

请继续参见图3，标准比对单元211和残胶比对单元212均包括至少两个不同检测类型的检测区域，在图3中，示例性地，标准比对单元211和残胶比对单元212均包括四个不同类型的检测区域(213、214、215和216)，这仅是本发明的一个具体示例，而非对本发明的限制。

请继续参见图4和图5，每个检测区域内均包括至少一个通孔230，不同检测类型的检测区域内的通孔230的形貌不同，可选的，通孔230为圆形通孔或多边形通孔等。

请继续参见图5，透明薄膜层300用于表征实际生产过程中的残余光刻胶，透明薄膜层300设置于残胶比对单元212的至少一个通孔230内。在图5中，示例性的，透明薄膜层300设置在两个通孔230内，这仅是本发明的一个具体示例，而非对本发明的限制。

在本实施例中，通过在基底100上设置透明薄膜层300和保护层200，保护层200包括多个曝光场210，曝光场210包括呈阵列排布的多个比对单元，比对单元包括标准比对单元211和残胶比对单元212，且透明薄膜层300设置于残胶比对单元212的至少一个通孔230内，标准比对单元211和残胶比对单元212均包括至少两个不同检测类型的检测区域，提供了一种具有多种缺陷样本的残胶标准片，本实施例解决了现有残胶标准片缺陷类型单一的问题，实现了对AOI设备的残胶检出率以及误检率等性能进行全面的验证。

在AOI设备残胶检测中，由于需要被检测出的残胶非常薄，且光线透过率好，因此残胶标准片中作为残胶样本的透明薄膜层需要制备得非常薄且满足光线透过率好。具体的，在上述方案的基础上，可选的，透明薄膜层的光线透过率大于或等于95％。可选的，透明薄膜层的厚度为50nm～300nm。

进一步地，透明薄膜层的材料可选为金属氧化物。进一步地，透明薄膜层的材料为氧化铟锡或氧化锌。具体的，由于氧化铟锡和氧化锌等金属氧化物成膜特性较好，使得透明薄膜层可以做成多种形状，更好的表征实际生产过程中的残胶的形状，使得残胶标准片具备多种残胶缺陷样本，实现对AOI设备的残胶检出率以及误检率等性能进行全面的验证。

可选的，保护层材料为无机物或者光敏型聚酰亚胺。具体的，由于无机物易刻蚀，使得保护层可以通过图形化工艺刻蚀形成多种形状的通孔，保证残胶标准片可以具备多种不同检测类型的检测区域，从而具备多种残胶缺陷样本，实现对AOI设备的残胶检出率以及误检率等性能进行全面的验证。进一步地，保护层的材料可选为SiO₂或SiN_x。另外，由于光敏型聚酰亚胺可以通过曝光、显影进行图形化，使得保护层可以直接通过光刻工艺图案化光敏型聚酰亚胺形成多种形状的通孔，制备工艺简单，生产效率高，成本低廉。可选的，保护层的厚度为10μm～100μm。

请继续参见图1和图3，沿同一方向，相邻两个比对单元之间的间距与相邻两个曝光场210之间的间距相同。即沿第二方向X，相邻两个曝光场210之间的间距x1和相邻两个比对单元之间的间距x2相同；沿第一方向Y，相邻两个曝光场210之间的间距y1和相邻两个比对单元之间的间距y2相同。通过这样的设置使AOI设备在检测过程中不需要调节CCD的扫描步长，方便操作。

请继续参见图3，可选的，残胶比对单元212在曝光场210内周期分布。通过这样的设置有利于验证AOI设备检测的残胶缺陷位置与实际残胶标准片中残胶缺陷的位置是否一致，方便操作。

图6为本发明实施例提供的一种比对单元的俯视图，该比对单元包括四个检测区域，四个检测区域分别为圆形特征比较区域221、方形特征比较区域222、竖条形特征比较区域223和横条形特征比较区域224。圆形特征比较区域221包括多个圆形通孔231，方形特征比较区域222包括多个正方形通孔232，竖条形特征比较区域223包括多个沿第一方向Y的第一尺寸L1大于沿第二方向X的第二尺寸L2的第一矩形通孔233，横条形特征比较区域224包括多个沿第一方向Y的第三尺寸L3小于沿第二方向X的第四尺寸L4的第二矩形通孔234；其中，第一方向Y与第二方向X垂直。

其中，圆形通孔231、正方形通孔232、第一矩形通孔233和第二矩形通孔234为集成电路封装工艺中常见的图形特征，在实际检测中，常需要检测圆形通孔231、正方形通孔232、第一矩形通孔233和第二矩形通孔234内是否有残胶残留，因此，通过设置检测区域分别为圆形特征比较区域221、方形特征比较区域222、竖条形特征比较区域223和横条形特征比较区域224可以实现采用同一残胶标准片即可完成对圆形特征图形、正方形特征图形和矩形特征图形中的残胶缺陷检测，解决了现有残胶标准片缺陷类型单一的问题，实现了对AOI设备的残胶检出率以及误检率等性能进行全面的验证。

图7为本发明实施例提供的一种圆形特征比较区域的俯视图，参见图7，可选的，圆形特征比较区域221包括至少两个圆形子比较区域2211，不同圆形子比较区域2211中的圆形通孔231的孔径不同，每一圆形子比较区域2211中的圆形通孔231呈阵列排布。在图7中，示例性地，圆形特征比较区域221包括四个圆形子比较区域2211，且四个圆形子比较区域2211呈2×2的矩阵排列，这仅是本发明的一个具体示例，而非对本发明的限制。

图8为本发明实施例提供的一种方形特征比较区域的俯视图，参见图8，可选的，方形特征比较区域222包括至少两个方形子比较区域2221，不同方形子比较区域2221中的正方形通孔232的孔径不同，每一方形子比较区域2221中的正方形通孔232呈阵列排布。在图8中，示例性地，方形特征比较区域222包括四个方形子比较区域2221，且四个方形子比较区域2221呈2×2的矩阵排列，这仅是本发明的一个具体示例，而非对本发明的限制。

图9为本发明实施例提供的一种竖条形特征比较区域的俯视图，参见图9，可选的，竖条形特征比较区域223中的多个第一矩形通孔233呈阵列排布，多个第一矩形通孔233的第一尺寸L1相等，且沿第二方向X，第一矩形通孔233的第二尺寸L2逐渐增大。

图10为本发明实施例提供的一种横条形特征比较区域的俯视图，参见图10，可选的，横条形特征比较区域224中的多个第二矩形通孔234呈阵列排布，多个第二矩形通孔234的第四尺寸L4相等，且沿第一方向Y，第二矩形通孔234的第三尺寸L3逐渐减小。

在本实施例中，通过设置不同圆形子比较区域2211中的圆形通孔231的孔径不同，不同方形子比较区域2221中的正方形通孔232的孔径不同，多个第一矩形通孔233的第一尺寸L1相等，且沿第二方向X，第一矩形通孔233的第二尺寸L2逐渐增大，多个第二矩形通孔234的第四尺寸L4相等，且沿第一方向Y，第二矩形通孔234的第三尺寸L3逐渐减小，使得残胶标准片的缺陷样本更加丰富，能够更好的表征实际生产中的缺陷，解决了现有残胶标准片缺陷类型单一的问题，实现了对AOI设备的残胶检出率以及误检率等性能进行更全面的验证。

请继续参见图7，在上述方案的基础上，可选的，每一圆形子比较区域2211中的相邻两个圆形通孔231的间距D2和该圆形子比较区域2211中的圆形通孔231的孔径D1相同。

请继续参见图8，在上述方案的基础上，可选的，每一方形子比较区域2221中的相邻两个正方形通孔232的间距D4和该方形子比较区域2221中的正方形通孔232的孔径D3相同。

请继续参见图9，在上述方案的基础上，可选的，每一竖条形特征比较区域223中，沿第二方向X，前一个第一矩形通孔223和后一个第一矩形通孔223的间距D5与前一个第一矩形通孔223的第二尺寸L2相同。

请继续参见图10，在上述方案的基础上，可选的，每一横条形特征比较区域224中，沿第一方向Y，前一个第二矩形通孔234和后一个第二矩形通孔234的间距D6和后一个第二矩形通孔234的第三尺寸L3相同。

在实际生产中，通常情况下制备的特征图形间距大于或等于特征图形的孔径，因此，在本发明实施例中，通过验证AOI设备在特征图形小间距情况下的残胶检出率和误检率，即可满足大间距特征图形内残胶的检出率和误检率。这仅是本发明的一个具体示例，具体特征图形的间距可根据实际应用进行设计。

需要说明的是，本发明实施例图8-图10中的比对单元以及各检测区域的结构示意图均未示出基底和透明薄膜层，图8中的比对单元可以为标准比对单元，也可以为残胶比对单元。

图11为本发明实施例提供的一种残胶比对单元的俯视图，图12为图11沿DD′的剖面结构示例图，参见图11和图12，残胶比对单元212包括至少两个不同检测类型的检测区域，每个检测区域内均包括至少一个通孔230。透明薄膜层设置于残胶比对单元212的至少一个通孔230内。可选的，透明薄膜层为中间型结构的透明薄膜层310或边缘型结构透明薄膜层320，中间型结构的透明薄膜层310在基底100的垂直投影与通孔在基底的垂直投影不交叠；边缘型结构的透明薄膜层320与通孔230的内壁贴合。

在本实施中，通过设置残胶比对单元212的至少一个通孔230内包括中间型结构的透明薄膜层310或边缘型结构透明薄膜层320，使得残胶标准片中的透明薄膜层形貌多样化，能够更好的表征实际生产中的缺陷，解决了现有残胶标准片缺陷类型单一的问题，实现了对AOI设备的残胶检出率以及误检率等性能进行更全面的验证。

请继续参见图11，在上述方案的基础上，可选的，中间型结构的透明薄膜层310的形状为圆形、正方形、矩形或多边形，边缘型结构的透明薄膜层320的结构为环形或线形。

图13为本发明实施例提供的一种残胶标准片的制备方法流程图，参见图13，该方法适用于制备本发明实施例提供的任意一种残胶标准片，该方法具体包括：

S110、提供一基底；

S120、在基底上形成透明薄膜层；

S130、在透明薄膜层上形成保护层；保护层包括多个曝光场，曝光场包括呈阵列排布的多个比对单元，比对单元包括标准比对单元和残胶比对单元，标准比对单元和残胶比对单元均包括至少两个不同检测类型的检测区域，每个检测区域内均包括至少一个通孔；透明薄膜层设置于残胶比对单元的至少一个通孔内。

在本实施例中，通过在基底上形成透明薄膜层，透明薄膜层上形成保护层，保护层包括多个曝光场，曝光场包括呈阵列排布的多个比对单元，比对单元包括标准比对单元和残胶比对单元，标准比对单元和残胶比对单元均包括至少两个不同检测类型的检测区域，每个检测区域内均包括至少一个通孔，透明薄膜层设置于残胶比对单元的至少一个通孔内，可制作出与实际光刻胶残留性质相同的残胶标准片，且制得的残胶标准片具有多种缺陷样本，本实施例解决了现有残胶标准片缺陷类型单一及制作困难的问题，实现了对AOI设备的残胶检出率以及误检率等性能进行全面的验证。

可选的，透明薄膜层的光线透过率大于或等于95％。

可选的，在基底上形成透明薄膜层包括：

在基底上形成透明材料层；

在透明材料层上形成第一光刻胶层，通过光刻工艺图案化第一光刻胶层；

刻蚀透明材料层并去除图案化的第一光刻胶层，形成透明薄膜层。

本实施例通过在基底上形成透明材料层；在透明材料层上形成第一光刻胶层，通过光刻工艺图案化第一光刻胶层；刻蚀透明材料层并去除图案化的第一光刻胶层，可制得多种形貌的透明薄膜层，使得残胶标准片中的透明薄膜层形貌多样化，能够更好的表征实际生产中的缺陷，解决了现有残胶标准片缺陷类型单一的问题，实现了对AOI设备的残胶检出率以及误检率等性能进行更全面的验证。

可选的，若保护层的材料为无机物，则在透明薄膜层上形成保护层包括：

在透明薄膜层上形成无机材料层；

在无机材料层上形成第二光刻胶层；

通过光刻工艺图案化第二光刻胶层；

刻蚀无机材料层并去除图案化的第二光刻胶层，形成保护层。

其中，由于无机物易刻蚀，使得保护层可以通过图形化工艺刻蚀形成多种形状的通孔，更好的表征实际生产过程中的缺陷的类型。进一步地，保护层的材料可选为SiO₂或SiN_x。

可选的，若保护层的材料为光敏型聚酰亚胺，则在透明薄膜层上形成保护层包括：

在透明薄膜层上形成光敏型聚酰亚胺材料层；

通过光刻工艺图案化光敏型聚酰亚胺材料层，形成保护层。

其中，由于光敏型聚酰亚胺材料层可以通过曝光、显影进行图形化，因此本实施例无需使用第二光刻胶层，直接通过光刻工艺图案化光敏型聚酰亚胺即可形成保护层，通过这样的设置可以简化残胶标准片的制备工艺，提高生产效率，降低成本。

注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (17)

1.一种残胶标准片，其特征在于，包括：

基底；

设置于所述基底上的透明薄膜层；

设置于所述基底上的保护层，所述保护层包括多个曝光场，所述曝光场包括呈阵列排布的多个比对单元，所述比对单元包括标准比对单元和残胶比对单元，所述标准比对单元和所述残胶比对单元均包括至少两个不同检测类型的检测区域，每个所述检测区域内均包括至少一个通孔；

所述透明薄膜层设置于所述残胶比对单元的至少一个所述通孔内。

2.根据权利要求1所述的残胶标准片，其特征在于，所述透明薄膜层的光线透过率大于或等于95％。

3.根据权利要求2所述的残胶标准片，其特征在于，所述透明薄膜层的材料为金属氧化物。

4.根据权利要求3所述的残胶标准片，其特征在于，所述透明薄膜层的材料为氧化铟锡或氧化锌，所述保护层材料为无机物或者光敏型聚酰亚胺。

5.根据权利要求1所述的残胶标准片，其特征在于，所述透明薄膜层的厚度为50nm～300nm。

6.根据权利要求1所述的残胶标准片，其特征在于，所述检测区域包括圆形特征比较区域、方形特征比较区域、竖条形特征比较区域和横条形特征比较区域；

所述圆形特征比较区域包括多个圆形通孔，所述方形特征比较区域包括多个正方形通孔，所述竖条形特征比较区域包括多个沿第一方向的第一尺寸大于沿第二方向的第二尺寸的第一矩形通孔，所述横条形特征比较区域包括多个沿第一方向的第三尺寸小于沿第二方向的第四尺寸的第二矩形通孔；其中，所述第一方向与所述第二方向垂直。

7.根据权利要求6所述的残胶标准片，其特征在于，所述圆形特征比较区域包括至少两个圆形子比较区域，不同所述圆形子比较区域中的所述圆形通孔的孔径不同，每一所述圆形子比较区域中的所述圆形通孔呈阵列排布；

所述方形特征比较区域包括至少两个方形子比较区域，不同所述方形子比较区域中的所述正方形通孔的孔径不同，每一所述方形子比较区域中的所述正方形通孔呈阵列排布；

所述竖条形特征比较区域中的多个所述第一矩形通孔呈阵列排布，多个所述第一矩形通孔的所述第一尺寸相等，且沿所述第二方向所述第一矩形通孔的所述第二尺寸逐渐增大；

所述横条形特征比较区域中的多个所述第二矩形通孔呈阵列排布，多个所述第二矩形通孔的所述第四尺寸相等，且沿所述第一方向所述第二矩形通孔的所述第三尺寸逐渐减小。

8.根据权利要求7所述的残胶标准片，其特征在于，每一所述圆形子比较区域中的相邻两个所述圆形通孔的间距和该圆形子比较区域中的所述圆形通孔的孔径相同；

每一所述方形子比较区域中的相邻两个所述正方形通孔的间距和该方形子比较区域中的所述正方形通孔的孔径相同；

每一所述竖条形特征比较区域中，沿所述第二方向，前一个所述第一矩形通孔和后一个所述第一矩形通孔的间距与前一个所述第一矩形通孔的第二尺寸相同；

每一所述横条形特征比较区域中，沿所述第一方向，前一个所述第二矩形通孔和后一个所述第二矩形通孔的间距和后一个所述第二矩形通孔的第三尺寸相同。

9.根据权利要求1所述的残胶标准片，其特征在于，所述透明薄膜层为中间型结构或边缘型结构；

所述中间型结构的透明薄膜层在所述基底的垂直投影与所述通孔在所述基底的垂直投影不交叠；

所述边缘型结构的透明薄膜层与所述通孔内壁贴合。

10.根据权利要求9所述的残胶标准片，其特征在于，所述中间型结构的透明薄膜层的形状为圆形、正方形、矩形或多边形；

所述边缘型结构的透明薄膜层的结构为环形或线形。

11.根据权利要求1所述的残胶标准片，其特征在于，沿同一方向，相邻两个所述比对单元之间的间距与相邻两个所述曝光场之间的间距相同。

12.根据权利要求1所述的残胶标准片，其特征在于，所述残胶比对单元在所述曝光场内周期分布。

13.一种残胶标准片的制备方法，其特征在于，包括：

提供一基底；

在所述基底上形成透明薄膜层；

在所述透明薄膜层上形成保护层；所述保护层包括多个曝光场，所述曝光场包括呈阵列排布的多个比对单元，所述比对单元包括标准比对单元和残胶比对单元，所述标准比对单元和所述残胶比对单元均包括至少两个不同检测类型的检测区域，每个所述检测区域内均包括至少一个通孔；所述透明薄膜层设置于所述残胶比对单元的至少一个所述通孔内。

14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述透明薄膜层的光线透过率大于或等于95％。

15.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，在所述基底上形成透明薄膜层包括：

在所述基底上形成透明材料层；

在所述透明材料层上形成第一光刻胶层，通过光刻工艺图案化所述第一光刻胶层；

刻蚀所述透明材料层并去除图案化的所述第一光刻胶层，形成所述透明薄膜层。

16.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，若所述保护层的材料为无机物，则在所述透明薄膜层上形成保护层包括：

在所述透明薄膜层上形成无机材料层；

在所述无机材料层上形成第二光刻胶层；

通过光刻工艺图案化所述第二光刻胶层；

刻蚀所述无机材料层并去除图案化的所述第二光刻胶层，形成所述保护层。

17.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，若所述保护层的材料为光敏型聚酰亚胺，则在所述透明薄膜层上形成保护层包括：

在所述透明薄膜层上形成光敏型聚酰亚胺材料层；

通过光刻工艺图案化所述光敏型聚酰亚胺材料层，形成所述保护层。

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