CN111312604B - 一种残胶检测工具、制作方法以及残胶检测方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种残胶检测工具、制作方法以及残胶检测方法，该残胶检测工具包括至少一种均匀排布的几何图形，通过使用该残胶检测工具在涂覆有胶层的基片上进行曝光并显影；检测基片表面的光泽；根据基片表面的光泽的均匀性检测残胶区域，可以提高残胶检测的效率；并且，通过均匀排布有掩膜图案的残胶检测工具在涂有胶层的基片上进行曝光并显影，可以放大残胶产生后对基片表面反射率的影响，有利于发现基片表面轻微残胶，提高残胶检测的诊断率，进而提高产品良率。

Description

一种残胶检测工具、制作方法以及残胶检测方法

技术领域

本发明实施例涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种残胶检测工具、制作方法以及残胶检测方法。

背景技术

随着半导体制造技术的不断发展，特征尺寸越来越小，对工艺控制的要求也越来越严格，在生产制造的过程中为能及时发现工艺缺陷，需要对产品进行在线检测。

残胶是生产工艺过程中经常出现的一种工艺缺陷，其出现概率高，形式多样，有些残胶的出现还及其隐蔽。现有技术中的残胶检测方式通常是通过显微镜来对半导体集成电路或器件进行抽检，或者通过AOI检测设备进行检测。

然而，通过显微镜抽检的方式容易出现漏检，通过AOI检测设备检测虽然可以发现大部分的残胶缺陷，但是通过AOI设备检测需要花费的时间较长，且对于轻微残胶的检测能力偏弱，对残胶问题的诊断并无明显的提升作用。

发明内容

本发明提供一种残胶检测工具、制作方法以及残胶检测方法，以实现提高残胶检测效率，提升残胶问题的诊断率。

第一方面，本发明实施例提供了一种残胶检测工具，包括至少一种均匀排布的几何图形。

可选的，残胶检测工具中，同一种若干几何图形均匀排布形成一种子像素图形，至少一种若干子像素图形排布成一个像素图形。

可选的，每个像素图形中的子像素图形的形状和尺寸相同，且每个像素图形中子像素图形的个数小于或者等于4个。

可选的，子像素图形的面积大于或者等于4平方毫米，且子像素图形在任意方向上的长度大于或者等于1毫米。

可选的，子像素图形的形状为规则的多边形。

可选的，均匀排布的方式为相邻两个几何图形在一特定方向上距离固定。

可选的，几何图形为中心对称图形时，均匀排布的方式为相邻两个几何图形的中心距离固定。

第二方面，本发明实施例还提供了一种残胶检测工具的制作方法，包括：

提取目标工艺层的图形的几何特征形成特征图形；

将同一种若干特征图形均匀排布形成一种子像素图形；

将至少一种若干子像素图形排布形成一个多边形的像素图形；

将若干像素图形排布使其填充满曝光区域形成版图，根据版图制作成残胶检测工具。

可选的，目标工艺层的图形的几何特征包括目标工艺层的图形形状特征、尺寸特征和分布特征。

可选的，特征图形为与目标工艺层中的图形形状相同的图形，特征图形的尺寸与目标工艺层中的几何图形的尺寸之差的绝对值小于目标工艺层中几何图形尺寸的20％，且特征图形的分布特征与目标工艺层中相同图形的分布特征相同。

可选的，特征图形为与目标工艺层中的图形形状相似的几何图形，多个特征图形拼接后的尺寸与目标工艺层中的图形形状相同，且分布特征相同。

可选的，特征图形为对称图形。

可选的，目标工艺层中具有拐角结构的几何图形的特征图形为带有拐角结构的封闭对称图形。

第三方面，本发明实施例还提供了一种残胶检测方法，包括：

使用残胶检测工具在涂覆有胶层的基片上进行曝光并显影，其中残胶检测工具上包括至少一种均匀排布的几何图形；

检测基片表面的光泽；

根据基片表面的光泽的均匀性检测残胶区域。

本发明实施例提供的残胶检测工具、制作方法以及残胶检测方法，该残胶检测工具包括至少一种均匀排布的几何图形，通过使用该残胶检测工具在涂有胶层的基片上进行曝光并显影，使得基片表面形成比较均匀的反光面，而基片上存在残胶的区域会破坏基片表面的均匀性，使得基片上存在残胶区域的光泽相对较弱，通过检测基片表面的光泽，根据基片表面光泽的均匀性即可检测残胶所在区域，提高了残胶检测的效率；并且，通过均匀排布有掩膜图案的残胶检测工具在涂有胶层的基片上进行曝光并显影，可以放大残胶产生后对基片表面反射率的影响，有利于发现基片表面轻微残胶，提高残胶检测的诊断率，进而提高产品良率。

附图说明

图1为本发明实施例提供的残胶检测工具的一种像素图形的结构示意图；

图2为本发明实施例提供的残胶检测工具的另一种像素图形的结构示意图；

图3是本发明实施例提供的一种残胶检测工具的部分示意图；

图4是本发明实施例提供的另一种残胶检测工具的部分示意图；

图5是本发明实施例提供的一种残胶检测工具的制作方法的流程图；

图6是本发明实施例提供的一种残胶检测工具的结构示意图；

图7是本发明实施例提供的目标工艺层中图形为矩形和其对应的特征图形的结构示意图；

图8是本发明实施例提供的目标工艺层中的带拐角图形及其对应的特征图形的结构示意图；

图9是本发明实施例提供的一种残胶检测方法的流程图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。

在实际生产工艺中，光刻工艺完成后，由于光刻设备参数调节不准确或者曝光镜头出现问题等原因，会导致基片表面残留一部分光刻胶，残留光刻胶的存在会影响下一步的生产工艺，例如可能会导致后续蚀刻过程中出现蚀刻不完全的问题，导致产品良率低下。而现有的残胶检测方式，例如通过显微镜来抽检会出现漏检，或者通过AOI检测设备进行检测的方式，会导致检测花费时间较长，且对轻微残胶能力检测偏弱，对残胶问题的诊断并无明显的提升作用。

基于上述问题，本发明实施例提供了一种残胶检测工具，该残胶检测工具包括至少一种均匀排布的几何图形。使用该残胶检测工具在涂有胶层的基片上进行曝光并显影，可以使得基片表面形成比较均匀的反光面，而基片上存在残胶的区域会破坏基片表面的均匀性，使得基片上存在残胶区域的光泽相对较弱，通过检测基片表面的光泽，根据基片表面光泽的均匀性即可检测残胶所在区域，提高了残胶检测的效率；并且，通过均匀排布有几何图形的残胶检测工具在涂有胶层的基片上进行曝光并显影，可以放大残胶产生后对基片表面反射率的影响，有利于发现基片表面轻微残胶，提高残胶检测的诊断率，进而提高产品良率。

以上在本发明的核心思想，下面结合实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下，所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

图1是本发明实施例提供的残胶检测工具的一种像素图形的示意图，图2是本发明实施例提供的残胶检测工具的另一种像素图形的示意图。参考图1和图2，该残胶检测工具中，同一种若干几何图形均匀排布形成一种子像素图形，至少一种若干子像素图形排布成一个像素图形100。

图1示出了残胶检测工具中的几何图形为正方形的情形，多个正方形101均匀排布形成子像素图形110，为了尽量模拟实际生产工艺情况，残胶检测工具中的几何图形之间的间距应与实际生产用的几何图形间距尽量保持一致。继续参考图1，包含正方形101的同种子像素图形110排布成像素图形100。参考图2，图2示出了两种子像素图形，包括子像素图形110和子像素图形120，其中子像素图形120由几何图形圆形102均匀排布而成，排布成一个像素图形100的情形。为与实际工艺层更加接近，像素图,100中子像素图形的种类可以根据实际工艺层的种类和位置进行设定，以使残胶检测工具以及残胶检测工具中的几何图形更加贴近与实际生产工艺状态。

在上述方案的基础上，可选的，每个像素图形100中的子像素图形的形状和尺寸相同，且每个像素图形中子像素图形的个数小于或者等于4个。

将每个像素图形100的子像素图形设置为形状相同，尺寸相同，可以使得残胶检测工具上的几何图形均匀一致，有利于发现残胶所在位置，方便检测。因过多的子像素图形会形成大量的边界影响残胶结果的诊断，因此，将每个像素图形中子像素图形的个数设置为小于或者等于四个，可以尽量减少子像素图形拼接的边界，提高残胶检测结果诊断的正确率。

可选的，子像素图形的面积大于或者等于4平方毫米，且子像素图形在任意方向上的长度大于或者等于1毫米。

子像素图形的面积过小或者边长过短，都会导致大量的子像素图形边界的产生，故设置子像素图形的面积大于4平方毫米，且子像素图形在任意方向上的长度大于1毫米，以尽量减少子像素图形的边界，进而提高残胶检测结果诊断的正确率。

可选的，子像素图形的形状为规则的多边形。

子像素图形的形状为规则的多边形，可以使得各个子像素图形排布为像素图形时更加方便，例如子像素图形为矩形，四个子像素图形排布成一个像素图形的情形下，可以将第一子像素图形的宽边和第二子像素图形的宽边相拼接，第一子像素图形的长边和第三子像素图形的长边相拼接，第二子像素图形的长边与第四子像素图形的长边相拼接，第三子像素图形的宽边和第四子像素图形的宽边相拼接，形成一个矩形的像素图形。需要说明的是，以上每个像素图形中子像素图形的形状、尺寸不同，每个像素图形中子像素的尺寸也可以不同，保证多个子像素图形排布形成的像素图形为规则的多边形即可。以上实施例仅以子像素图形的形状为四边形为例进行了示意性说明，子像素图形的形状还可以为规则的五边形、六边形等，本发明不做具体限定。

图3是本发明实施例提供的一种残胶检测工具的部分示意图。参考图3，可选的，均匀排布的方式为相邻两个几何图形在一特定方向上距离固定。

示例性的，对于矩形，其均匀排布的方式可以是沿矩形的长所在方向上，两个相邻的矩形之间的距离为一特定距离，也可以是沿矩形的宽所在的方向上，两个相邻的矩形之间的距离为一特定距离。可参考图3，沿矩形的长所在第一方向x上，两个相邻的矩形201之间的距离为a，沿矩形201的宽所在的第二方向y上，两个相邻的矩形201之间的距离为b。通过设置几何图形为以上均匀排布的方式，使得使用该残胶检测工具在涂有胶层的基片上进行曝光并显影后，基片表面形成比较均匀的反光面，而基片上存在残胶的区域会破坏基片表面的均匀性，使得基片上存在残胶区域的光泽相对较弱，通过检测基片表面的光泽，根据基片表面光泽的均匀性即可检测残胶所在区域，提高了残胶检测的效率；并且，通过均匀排布有几何图形的残胶检测工具在涂有胶层的基片上进行曝光并显影，可以放大残胶产生后对基片表面反射率的影响，有利于发现基片表面轻微残胶，提高残胶检测的诊断率，进而提高产品良率。

图4是本发明另一实施例提供的残胶检测工具的部分示意图，参考图4，可选的，几何图形为中心对称图形时，均匀排布的方式为相邻两个几何图形的中心距离固定。

示例性的，对于圆形、正方形以及正八边形等中心对称图形，可以为正四边形排布也可以是正六边形排布以及其他满足相邻两个几何图形的中心距离固定的排布方式。相邻两圆形202的中心距离都为c。通过设置中心对称的几何图形为以上均匀排布的方式，可以使得使用该残胶检测工具在涂有胶层的基片上进行曝光并显影后，基片表面形成更加均匀的反光面，更加有利于发现残胶所在位置，进而更加有利于提高了残胶检测的效率。

本发明实施例提供的残胶检测工具，通过设置每个像素图形中的子像素图形的形状和尺寸相同，且每个像素图形中子像素图形的个数小于或者等于4个，以及设置子像素图形的面积大于或者等于4平方毫米，且子像素图形在任意方向上的长度大于或者等于1毫米，可以尽量减少子像素图形拼接的边界，提高残胶检测结果诊断的正确率；以及通过设置相邻两个几何图形在一特定方向上距离固定，使得该残胶检测工具在涂有胶层的基片上进行曝光并显影后，基片表面形成比较均匀的反光面，而基片上存在残胶的区域会破坏基片表面的均匀性，使得基片上存在残胶区域的光泽相对较弱，通过检测基片表面的光泽，根据基片表面光泽的均匀性即可检测残胶所在区域，提高了残胶检测的效率；并且，通过均匀排布有几何图形的残胶检测工具在涂有胶层的基片上进行曝光并显影，可以放大残胶产生后对基片表面反射率的影响，有利于发现基片表面轻微残胶，提高残胶检测的诊断率，进而提高产品良率。

本发明实施例还提供了一种残胶检测工具的制作方法。图5是本发明实施例提供的一种残胶检测工具的制作方法的流程图，参考图5，该残胶检测工具的制作方法包括：

步骤310、提取目标工艺层的图形的几何特征形成特征图形；

其中，目标工艺层可以是实际生产时要制造出的工艺图层。为了尽可能模拟实际生产工艺状态，使得使用残胶检测工具在涂有胶层的基片上进行曝光、显影后的图案与目标工艺层尽可能接近，可提取目标工艺层的图形的几何特征，形成特征图形。

步骤320、将同一种若干特征图形均匀排布形成一种子像素图形；

其中，均匀排布的方式可选为本发明上述实施例提供的排布方式。示例性地，将同种子像素图形呈阵列排布，形成子像素图形，例如可以参考上述实施例中图3和图4所示出的排布方式。

步骤330、将至少一种若干子像素图形排布形成一个多边形的像素图形；

示例性的，可参见图1，像素图形100由4个子像素图形110排布形成，图2中，像素图形100由三个子像素图形110和一个子像素图形120排布而成。可选的，子像素图形可以拼接排布，即相邻两个子像素图形的边缘重合，使得各个子像素图形紧密地排布形成像素图形，使得整个像素图形内各个特征图形排布较为均匀。

步骤340、将若干像素图形排布使其填充满曝光区域形成版图，根据版图制作成残胶检测工具。

图6是本发明实施例提供的一种残胶检测工具的结构示意图，例如，其可由图1或图2所示的像素图形100排布成版图后，根据版图制成。当目标工艺层具有多种几何图形时，版图可由多种特征图形排布形成的像素图形填充曝光区域后得到。可选的，将若干像素图形拼接排布，即相邻两个像素图形的边缘重合，使得各个像素图形紧密地排布在曝光区域，使得整个版图内各个特征图形排布较为均匀。将像素图形填充满整个曝光区域，在像素图形填充过程中应保证像素图形的完整性，即在版图的边缘区域不出现不完整的像素图形，方便对测试结果进行场(曝光场)内对比。所以可选的，设计像素图形大尺寸与子像素图形尺寸时，该将曝光区域的尺寸考虑进去，在保证曝光区域完全填充的同时保像素的完整性。其中，该残胶检测工具可以是残胶检测掩膜板。

本发明实施例提供的残胶检测工作的制作方法，通过提取目标工艺层的图形的几何特征形成特征图形；将同一种若干特征图形均匀排布形成一种子像素图形；将至少一种若干子像素图形排布形成一个多边形的像素图形；将若干像素图形排布使其填充满曝光区域形成版图，根据版图制作成残胶检测工具，使得制作出的残胶检测工具与实际生产工艺中使用的掩膜板在组成结构上尽可能相同，同时通过特征图形的均匀排布，使该残胶检测工具相较与实际生产工艺中的掩膜板的掩膜图案更加均匀规则，使得使用残胶检测工具检测残胶时，可以快速地检测残胶所在位置，有利于提高残胶检测效率。

在上述方案的基础上，可选的，目标工艺层的图形的几何特征包括目标工艺层的图形形状特征、尺寸特征和分布特征。以目标工艺层的图形的为矩形为例，可设置特征图形也为矩形。根据目标工艺层的图形形状特征、尺寸特征和分布特征设置残胶检测工具上特征图形的形状、尺寸和分布，更加有利于模拟实际生产工艺情况。

可选的，特征图形为与目标工艺层中的图形形状相同的图形，特征图形的尺寸与目标工艺层中的几何图形的尺寸之差的绝对值小于目标工艺层中几何图形尺寸的20％，且特征图形的分布特征与目标工艺层中相同图形的分布特征相同。

示例性的，目标工艺层为集成电路时，目标工艺层中的图形可能包括圆形，此时特征图形也可以为圆形，可参考图4中示出的特征图形排布方式，其半径与目标工艺层中圆形的半径之差的绝对值小于目标工艺层中圆形半径的20％，且其分布特征与目标工艺层中圆形的分布特征相同，例如，在残胶检测工具中，与目标工艺层中圆形的分布位置对应处也设置形状为圆形202的特征图形，以更加贴近实际生产工艺情况。

可选的，特征图形为与目标工艺层中的图形形状相似的几何图形，多个特征图形拼接后的尺寸与目标工艺层中的图形形状相同，且分布特征相同。

示例性的，目标工艺层为集成电路时，目标工艺层中的图形还可能包括矩形，此时可设置残胶检测工具的特征图形也为矩形，当目标工艺层中矩形长边过长时，可设置特征图形为长度较短的矩形，可以参考图7，图7是本发明实施例提供的目标工艺层中图形为矩形和其对应的特征图形的结构示意图，当目标工艺层中图形长宽比较大时，例如图7中203所表示的矩形，可以对特征图形的长宽比适当缩小，可以参见图7中特征图形301，这样设置的好处在于，可以增加特征图形301的密度，进而提高残胶检测的精度。

可选的，特征图形为对称图形。

将特征图形设置为对称图形，可以使得使用残胶检测工具在涂有胶层的基片上曝光并显影后，基片表面也形成对称图形，使得基片表面向各个方向反射的光较为均匀，当有残胶存在时，基片表面向某一方向反射的光会加强或变弱，进而可以快捷地检测出残胶所在位置。

图8是本发明实施例提供的目标工艺层中的带拐角图形及其对应的特征图形的结构示意图。参考图8，可选的，目标工艺层中具有拐角结构的几何图形204的特征图形为带有拐角结构的封闭对称图形302。

在实际的工艺层结构中，带有拐角的几何图形204也是较为常见的，对于带有拐角的几何图形204，可设置残胶检测工具中的特征图形为带有拐角的封闭对称图形302，以使得用残胶检测工具在涂有胶层的基片上曝光并显影后，基片表面向各个方向反射的光能够较为均匀，有利于快速检测出残胶所在位置。需要说明的是，实际生产工艺层中的带拐角的几何图形并不限于本发明实施例提供的图形，还可以是其他形式，可根据本实施例提供由带拐角的几何图形的特征图形的变换方式得到相应的特征图形。

本发明实施例还提供了一种残胶检测方法，图9是本发明实施例提供的一种残胶检测方法的流程图，参考图9，该残胶检测方法包括：

步骤410、使用残胶检测工具在涂覆有胶层的基片上进行曝光并显影，其中残胶检测工具上包括至少一种均匀排布的几何图形；

为了防止由于光刻设备的参数调节不准确等原因造成残胶问题的出现，可以预先使用残胶检测掩膜板在涂覆有胶层的基片上进行曝光并显影。示例性地，可在检测用的基片上涂覆光刻胶，使用残胶检测掩膜板在该涂覆有光刻胶的基片上进行曝光并显影，残胶检测掩膜板上包括若干均匀排布的掩膜图案，使得经过曝光显影后，基片上形成排布有均匀掩膜图案的均匀表面。掩膜板上掩膜图案的均匀排布，可以使得基片上无残胶时，基片表面的反射率均匀一致；而当有残胶出现时，残胶区域的反射率会与其他不存在残胶区域的表面的反射率相差较大。因此，通过在掩膜板上设置均匀排布的掩膜图案，可放大残胶产生后对基片表面反射率的影响，有利于快速检测出残胶，且有利于发现轻微残胶。

步骤420、检测基片表面的光泽；

当基片上无残胶时，基片表面的反射率大致相同，因而人眼或检测仪器观测到基片表面的光泽是均匀的，通过检测基片表面的光泽，可以发现残胶所在区域。

步骤430、根据基片表面的光泽的均匀性检测残胶区域。

当基片表面出现残胶，会使基片表面的均匀性受到破坏，导致存在残胶区域的不均匀表面的反射率会低于不存在残胶区域的均匀表面的反射率，通过检测基片表面的光泽，即可检测出残胶所在区域。例如，基片表面光泽较暗，存在暗斑的区域即可确定为残胶区域。确定残胶区域后，可以对残胶区域进行进一步地检测，以识别残胶的细节结构，根据残胶的分布位置和残胶细节结构来对残胶产生原因进行分析，及时发现残胶产生原因，进而及时调整设备参数，以避免实际生产时在实际生产工艺层中残胶的产生，进而提高产品良率。并且，通过根据基片表面的光泽的均匀性检测残胶区域的方式，方便快捷，有利于提高残胶检测的效率。

在上述方案的基础上，可选的，根据基片表面的光泽的均匀性检测残胶区域，包括：

通过目检基片表面光泽的均匀性，排查出暗斑区域；

使用显微镜或AOI检测设备观测暗斑区域的结构细节。

具体的，通过目检基片表面光泽的均匀性排查暗斑区域，快速识别残胶所在区域，提高残胶检测速度；通过显微镜或AOI检测设备观测暗斑区域的结构细节，可通过对残胶区域细节结构的分析，得出残胶产生原因，进而及时调整设备参数，以避免实际生产时在实际生产工艺层中残胶的产生，进而提高产品良率。

本实施例提供的残胶检测方法，通过使用包括至少一种均匀排布几何图形的残胶检测工具在涂有胶层的基片上进行曝光并显影，使得基片表面形成比较均匀的反光面，而基片上存在残胶的区域会破坏基片表面的均匀性，使得基片上存在残胶区域的光泽度相对较弱，通过检测基片表面的光泽，根据基片表面光泽的均匀性即可检测残胶所在区域，提高了残胶检测的效率；并且，通过均匀排布有至少一种几何图形的残胶检测工具在涂有胶层的基片上进行曝光并显影，可以放大残胶产生后对基片表面反射率的影响，有利于发现基片表面轻微残胶，提高残胶检测的诊断率，进而提高产品良率。

注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (14)

1.一种残胶检测工具，其特征在于，所述残胶检测工具包括至少一种均匀排布的几何图形，所述几何图形的尺寸与目标工艺层中的几何图形的尺寸之差的绝对值小于所述目标工艺层中所述几何图形尺寸的20％，所述残胶检测工具中，同一种若干所述几何图形均匀排布形成一种子像素图形，至少一种若干子像素图形排布成一个像素图形。

2.根据权利要求1所述的残胶检测工具，其特征在于，每个所述像素图形中的所述子像素图形的形状和尺寸相同，且每个所述像素图形中所述子像素图形的个数小于或者等于4个。

3.根据权利要求1所述的残胶检测工具，其特征在于，所述子像素图形的面积大于或者等于4平方毫米，且所述子像素图形在任意方向上的长度大于或者等于1毫米。

4.根据权利要求1所述的残胶检测工具，其特征在于，所述子像素图形的形状为规则的多边形。

5.根据权利要求1所述的残胶检测工具，其特征在于，所述均匀排布的方式为相邻两个所述几何图形在一特定方向上距离固定。

6.根据权利要求5所述的残胶检测工具，其特征在于，所述几何图形为中心对称图形时，所述均匀排布的方式为相邻两个所述几何图形的中心距离固定。

7.一种残胶检测工具的制作方法，其特征在于，包括：

提取目标工艺层的图形的几何特征形成特征图形；所述特征图形的尺寸与所述目标工艺层中的几何图形的尺寸之差的绝对值小于所述目标工艺层中所述几何图形尺寸的20％；

将同一种若干所述特征图形均匀排布形成一种子像素图形；

将至少一种若干所述子像素图形排布形成一个多边形的像素图形；

将若干像素图形排布使其填充满曝光区域形成版图，根据所述版图制作成残胶检测工具。

8.根据权利要求7所述的残胶检测工具的制作方法，其特征在于，所述目标工艺层的图形的几何特征包括目标工艺层的图形形状特征、尺寸特征和分布特征。

9.根据权利要求8所述的残胶检测工具的制作方法，其特征在于，所述特征图形为与所述目标工艺层中的图形形状相同的图形，且所述特征图形的分布特征与所述目标工艺层中相同图形的分布特征相同。

10.根据权利要求8所述的残胶检测工具的制作方法，其特征在于，所述特征图形为与所述目标工艺层中的图形形状相似的几何图形，多个所述特征图形拼接后的尺寸与所述目标工艺层中的图形形状相同，且分布特征相同。

11.根据权利要求9或10所述的残胶检测工具的制作方法，其特征在于，所述特征图形为对称图形。

12.根据权利要求8所述的残胶检测工具的制作方法，其特征在于，所述目标工艺层中具有拐角结构的几何图形的特征图形为带有拐角结构的封闭对称图形。

13.一种残胶检测方法，其特征在于，包括：

使用残胶检测工具在涂覆有胶层的基片上进行曝光并显影，其中所述残胶检测工具上包括至少一种均匀排布的几何图形；所述几何图形的尺寸与目标工艺层中的几何图形的尺寸之差的绝对值小于所述目标工艺层中所述几何图形尺寸的20％；所述残胶检测工具中，同一种若干所述几何图形均匀排布形成一种子像素图形，至少一种若干子像素图形排布成一个像素图形；

检测所述基片表面的光泽；

根据所述基片表面的光泽的均匀性检测残胶区域。

14.根据权利要求13所述的残胶检测方法，其特征在于，所述根据所述基片表面的光泽的均匀性检测残胶区域，包括：

通过目检基片表面光泽的均匀性，排查出暗斑区域；

使用显微镜或AOI检测设备观测暗斑区域的结构细节。

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