KR101006008B1 - 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (6)
- 박막트랜지스터 어레이와;상기 박막트랜지스터 어레이의 주변에 형성되며, 상기 박막트랜지스터 어레이의 특성을 확인할 수 있는 테스트 패턴과;상기 박막트랜지스터 어레이에 포함된 다수의 박막층들 중 적어도 어느 한 층의 패턴가능정도를 지시하기 위한 더미패턴을 구비하고,상기 더미패턴은 상기 테스트 패턴과 일직선 상에 배치되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이 기판.
- 제 1 항에 있어서,상기 더미패턴은 상기 박막트랜지스터 어레이의 주변에 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이 기판.
- 제 1 항에 있어서,상기 다수의 박막층은게이트라인과 상기 박막트랜지스터의 게이트전극을 포함한 게이트 패턴과;상기 박막 트랜지스터의 소스전극, 드레인전극을 포함한 소스/드레인 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이 기판.
- 기판 상에 다수의 박막층들을 적층하여 박막트랜지스터 어레이를 형성하는 단계와;상기 다수의 박막층들 중 적어도 한 층과 동시에 형성되어 상기 박막층의 패턴가능정도를 지시하기 위한 더미패턴을 상기 기판 상에 형성하는 단계를 포함하고,상기 더미패턴은 상기 박막트랜지스터 어레이의 특성을 확인할 수 있는 테스트 패턴과 일직선 상에 위치하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조방법.
- 제 4 항에 있어서,상기 더미패턴은 상기 박막트랜지스터 어레이의 주변에 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조방법.
- 제 4 항에 있어서,상기 다수의 박막층은게이트라인과 상기 박막트랜지스터의 게이트전극을 포함한 게이트패턴과;상기 박막 트랜지스터의 소스전극, 드레인전극을 포함한 소스/드레인 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조방법.
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KR1020030096717A KR101006008B1 (ko) | 2003-12-24 | 2003-12-24 | 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법 |
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KR20000060452A (ko) * | 1999-03-16 | 2000-10-16 | 윤종용 | 패드 주위에 더미 패턴을 구비한 반도체소자 |
KR20030057124A (ko) * | 2001-12-28 | 2003-07-04 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | Tft 제조 공정 모니터링 방법 |
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2003
- 2003-12-24 KR KR1020030096717A patent/KR101006008B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (2)
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KR20000060452A (ko) * | 1999-03-16 | 2000-10-16 | 윤종용 | 패드 주위에 더미 패턴을 구비한 반도체소자 |
KR20030057124A (ko) * | 2001-12-28 | 2003-07-04 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | Tft 제조 공정 모니터링 방법 |
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