KR101887327B1 - 반도체 제조설비용 가스 공급 장치 - Google Patents

반도체 제조설비용 가스 공급 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101887327B1
KR101887327B1 KR1020180009007A KR20180009007A KR101887327B1 KR 101887327 B1 KR101887327 B1 KR 101887327B1 KR 1020180009007 A KR1020180009007 A KR 1020180009007A KR 20180009007 A KR20180009007 A KR 20180009007A KR 101887327 B1 KR101887327 B1 KR 101887327B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gas
gas supply
door
storage cells
supply device
Prior art date
Application number
KR1020180009007A
Other languages
English (en)
Inventor
이형섭
Original Assignee
이형섭
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 이형섭 filed Critical 이형섭
Priority to KR1020180009007A priority Critical patent/KR101887327B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101887327B1 publication Critical patent/KR101887327B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67772—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving removal of lid, door, cover

Abstract

본 발명의 일실시예에 따른 반도체 제조설비용 가스 공급 장치는, 프로세스 챔버에 공정 가스를 공급하는 가스 공급기, 상기 가스 공급기를 수납하기 위한 복수개의 수납셀이 형성된 장치 캐비닛, 및 상기 장치 캐비닛의 일측에 배치되고 상기 가스 공급기들의 작동을 통합적으로 제어하도록 상기 가스 공급기들에 연결된 컨트롤러를 포함하는 반도체 제조설비용 가스 공급 장치를 제공한다.

Description

반도체 제조설비용 가스 공급 장치 {GAS SUPPLYING APPARATUS FOR SEMICONDUCTOR MANUFACTURING EQUIPMENT}
본 발명은 반도체 제조설비용 가스 공급 장치에 관한 것으로서, 더 상세하게는 가스 공급 장치를 더욱 효율적으로 사용할 수 있고, 가스 공급 장치의 안전성 및 작동 신뢰성을 향상시킬 수 있는 반도체 제조설비용 가스 공급 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 제조공정은 확산, 박막증착, 노광, 식각 등의 공정을 반복적으로 수행하여 반도체를 제조하는 공정이다. 반도체 제조공정에 의해 제조되는 반도체로는 웨이퍼가 대표적이다.
상기와 같은 반도체 제조공정은 밀폐된 프로세스 챔버 내에서 이루어진다. 이때, 프로세스 챔버에는 반도체 제조공정의 종류에 따라 적절한 공정 가스가 공급되어야 한다.
공정 가스는 프로세스 챔버의 공정에 사용되기 위한 화학약품으로 이루어진 가스로서, 헬륨(He)과 같은 불활성 캐리어 가스를 이용하여 프로세스 챔버에 공급하고 있다.
일례로, 화학약품으로는 TEOS(Tetra Ethyl Ortho Silicate), TMA(Tri Methyl Aluminum), TEB(Tri ethyl Borate), TMB(Tri Methyl Borate), TMPI(Tri Methyl Phosphite), TMOP(Tri Methyl Phosphate), TEOP(Tri Ethyl Phosphate) 등이 대표적이며, 반도체 제조공정에 따라 선택적으로 사용한다.
한편, 반도체 제조공정에는 다양한 역할을 수행하는 반도체 제조설비가 사용되고 있다. 그 중에서, 가스 공급 장치는 공정 가스를 프로세스 챔버에 공급하는 반도체 제조설비이다.
최근에는 가스 공급 장치의 성능, 안전성, 작동 신뢰성 등을 개선하기 위한 연구 개발이 진행되고 있다.
예를 들면, 한국등록특허 제10-0675276호 (발명의 명칭: 반도체 제조설비용 가스공급장치, 등록일: 2007.01.22)에는, 가스공급용기를 복수개로 설치하여 적은 용량의 가스공급용기를 자주 교체하고, 뿐만 아니라 안전장치가 공정 진행시 또는 가스공급용기의 설치 오류시 반응가스의 누설을 감지하면 공정을 중단시켜 화재로 인한 인적, 물적 피해를 방지하는 기술이 개시되어 있다.
또한, 한국등록특허 제10-1010573호 (발명의 명칭: 반도체 제조용 케미컬 공급 장치 및 반도체 제조용 케미컬공급방법, 등록일: 2011.01.24)에는, 반도체 공정 챔버에 반도체 제조용 케미컬을 공급할 때, 반도체 공정을 진행하는 챔버에 공정변수를 일으키지 않을 만한 범위 이내의 압력에서 케미컬을 공급하고, 용기는 자동적으로 케미컬이 보충되어 반도체 공정 챔버에 계속적으로 케미컬을 공급할 수 있는 기술이 개시되어 있다.
상기와 같은 가스 공급 장치는 프로세스 챔버에 공정 가스를 더 안정적이고 효율적으로 공급하는 것이 바람직하며, 뿐만 아니라 공정 가스의 누출로 인한 사고 발생을 방지하는 것이 바람직하다.
본 발명의 실시예는, 하나의 장치에서 복수개의 공정 가스를 프로세스 챔버에 원활하게 공급할 수 있고, 단수개의 컨트롤러를 사용하여 공정 가스들의 공급 작동을 통합적으로 제어할 수 있는 반도체 제조설비용 가스 공급 장치를 제공한다.
또한, 본 발명의 실시예는, 공정 가스들을 공급하는 과정에서 누출 위험을 미연에 방지할 수 있고, 공정 가스들의 누출을 신속하고 정확하게 경고할 수 있는 반도체 제조설비용 가스 공급 장치를 제공한다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 프로세스 챔버에 공정 가스를 공급하는 가스 공급기, 상기 가스 공급기를 수납하기 위한 복수개의 수납셀이 형성된 장치 캐비닛, 및 상기 장치 캐비닛의 일측에 배치되고 상기 가스 공급기들의 작동을 통합적으로 제어하도록 상기 가스 공급기들에 연결된 컨트롤러를 포함하는 반도체 제조설비용 가스 공급 장치를 제공한다.
일측면에 따르면, 상기 장치 캐비닛은, 일측이 개방된 박스 형상의 상기 수납셀들이 형성된 캐비닛 본체, 및 상기 수납셀의 내부 공간을 개폐하도록 상기 수납셀들의 일측에 각각 배치된 메인 도어를 포함할 수 있다.
상기 컨트롤러는, 상기 수납셀들 또는 상기 메인 도어들에 각각 배치되고 상기 메인 도어들의 개폐 상태를 감지하는 도어 개폐 센서, 및 상기 도어 개폐 센서들에 연결되고 상기 도어 개폐 센서들 중 적어도 하나가 상기 메인 도어의 열림 상태를 감지하면 상기 메인 도어가 열린 수납셀에 수납된 상기 가스 공급기의 작동을 정지시키는 제어부를 포함할 수 있다.
여기서, 상기 컨트롤러는, 상기 도어 개폐 센서들 중 적어도 하나가 상기 메인 도어의 열림 상태를 감지하면 상기 메인 도어의 열림 상태를 경고하는 경고부를 더 포함할 수 있다.
상기와 같은 경고부는 상기 수납셀들과 대응하는 개수로 상기 장치 캐비닛에 마련될 수 있다. 상기 제어부는 상기 경고부들에 연결되어 상기 메인 도어가 열린 수납셀에 대응하는 경고부를 선택적으로 작동시킬 수 있다.
한편, 상기 장치 캐비닛은, 상기 메인 도어를 차폐시킨 상태에서 상기 가스 공급기의 작동을 조작하도록 상기 메인 도어들에 형성된 개구부에 각각 개폐 가능하게 배치된 서브 도어를 더 포함할 수 있다.
상기와 같은 서브 도어의 적어도 일부에는 상기 가스 공급기의 작동을 육안으로 확인 하기 위한 투명창이 형성될 수 있다.
일측면에 따르면, 상기 컨트롤러는, 상기 가스 공급기들 또는 상기 수납셀들 중 어느 하나에 각각 배치되고 상기 가스 공급기들에서 누출되는 상기 공정 가스를 감지하는 가스 누출 센서, 및 상기 가스 누출 센서들에 연결되고 상기 가스 누출 센서들 중 적어도 하나가 상기 공정 가스를 감지하면 상기 공정 가스가 감지된 적어도 하나의 수납셀에 수납된 상기 가스 공급기의 작동을 정지시키는 제어부를 포함할 수 있다.
여기서, 상기 컨트롤러는, 상기 가스 누출 센서들 중 적어도 하나가 상기 공정 가스를 감지하면 상기 가스 공급기의 가스 누출을 경고하는 경고부를 더 포함할 수 있다.
상기와 같은 경고부는 상기 수납셀들과 대응하는 개수로 상기 장치 캐비닛에 마련될 수 있다. 상기 제어부는 상기 경고부들에 연결되어 상기 가스 누출 센서에 의해 상기 공정 가스가 감지된 수납셀에 대응하는 경고부를 선택적으로 작동시킬 수 있다.
한편, 상기 컨트롤러는, 상기 수납셀들의 바닥면에 각각 배치되고 상기 가스 공급기에서 액체 상태로 누출된 상기 공정 가스를 감지하는 액체 누출 센서를 더 포함할 수 있다. 상기 제어부는 상기 액체 누출 센서에 연결되어 상기 액체 누출 센서에 의해 액체 상태의 상기 공정 가스가 감지된 수납셀에 대응하는 경고부를 작동시킬 수 있다.
상기와 같은 수납셀들의 바닥면은 상기 액체 누출 센서의 설치 위치를 향해 하향 경사지게 함몰될 수 있다.
일측면에 따르면, 상기 가스 공급기들은 서로 다른 종류의 상기 공정 가스를 공급하도록 형성되거나 또는 서로 다른 종류의 상기 프로세스 챔버에 상기 공정 가스를 공급하도록 형성될 수 있다. 여기서, 상기 컨트롤러는 상기 가스 공급기들의 작동 시점, 작동 시간, 작동 순서, 또는 작동 방식에 따라 상기 가스 공급기들을 통합적으로 제어할 수 있다.
일측면에 따르면, 상기 가스 공급기는, 상기 공정 가스가 저장된 프로세스 탱크, 상기 프로세스 탱크에서 상기 프로세스 챔버로 상기 공정 가스를 공급하도록 상기 프로세스 탱크와 상기 프로세스 챔버에 연결된 공급 배관 모듈, 상기 프로세스 탱크에 보충하기 위한 상기 공정 가스가 저장된 벌크 탱크, 및 상기 벌크 탱크에서 상기 프로세스 탱크로 상기 공정 가스를 보충하도록 상기 프로세스 탱크와 상기 벌크 탱크에 연결된 보충 배관 모듈을 포함할 수 있다.
상기 수납셀들은 상기 장치 캐비닛에 좌우 방향으로 서로 이웃하게 배치될 수 있다. 상기 프로세스 탱크 및 상기 벌크 탱크는 상기 수납셀들의 폭을 줄일 수 있도록 상기 수납셀의 내부에 전후 방향으로 일렬로 배치될 수 있다.
일측면에 따르면, 상기 프로세스 챔버는 반도체 제조 공정 중 CVD(Chemical Vapor Deposition) 공정이 이루어지는 챔버이고, 상기 공정 가스는 TEOS(Tetra Ethyl Ortho Silicate)를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조설비용 가스 공급 장치.
본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조설비용 가스 공급 장치는, 복수개의 가스 공급기를 단수개의 컨트롤러로 제어하는 구조이므로, 단수개의 컨트롤러가 가스 공급기들에서 프로세스 챔버로 공급되는 공정 가스들을 통합적으로 제어할 수 있고, 공정 가스들의 공급 제어를 하나의 장치에서 효율적으로 관리할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조설비용 가스 공급 장치는, 가스 공급기들과 컨트롤러를 장치 캐비닛에 모두 배치한 구조이므로, 가스 공급 장치를 매우 콤팩트하게 형성할 수 있고, 가스 공급 장치의 크기 및 제조 비용도 줄일 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조설비용 가스 공급 장치는, 장치 캐비닛의 메인 도어를 이용하여 가스 공급기가 수납된 수납셀들을 개폐하는 구조이므로, 메인 도어와 수납셀이 형성하는 공간은 가스 공급기들에서 누출된 공정 가스를 일시적으로 수용하여 가스 공급기들에서 발생된 공정 가스의 누출로 인한 위험을 방지할 수 있으며, 가스 공급 장치의 안전성 및 작동 신회성을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조설비용 가스 공급 장치는, 장치 캐비닛의 메인 도어들을 이용하여 가스 공급기들의 유지 보수를 원활하게 실시할 수 있고, 메인 도어들에 배치된 서브 도어들을 이용하여 가스 공급기들의 작동을 실시간으로 확인하거나 간단히 조절할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조설비용 가스 공급 장치는, 복수개의 도어 개폐 센서를 이용하여 메인 도어들의 열림 상태 및 열림 위치를 감지할 수 있으며, 복수개의 경고부를 이용하여 메인 도어의 열림 상태를 실시간으로 경고함과 아울러 메인 도어의 열림 위치를 정확하게 알려줄 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조설비용 가스 공급 장치는, 복수개의 가스 누출 센서 또는 복수개의 액체 누출 센서를 이용하여 공정 가스의 누출 여부 및 누출 위치를 감지할 수 있으며, 복수개의 경고부를 이용하여 공정 가스의 누출을 실시간으로 경고함과 아울러 공정 가스의 누출 위치를 정확하게 알려줄 수 있다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 제조설비용 가스 공급 장치가 도시된 정면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 반도체 제조설비용 가스 공급 장치를 나타낸 우측면도이다.
도 3은 도 1에 도시된 반도체 제조설비용 가스 공급 장치를 나타낸 평면도이다.
도 4는 도 1에 도시된 반도체 제조설비용 가스 공급 장치의 일부를 절개시켜 나타낸 좌측면도이다.
도 5는 도 1에 도시된 반도체 제조설비용 가스 공급 장치의 일부를 절개시켜 나타낸 배면도이다.
도 6은 도 1에 도시된 반도체 제조설비용 가스 공급 장치의 제어 구성을 나타낸 도면이다.
이하에서, 본 발명에 따른 실시예들을 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 그러나, 본 발명이 실시예들에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 각 도면에 제시된 동일한 참조 부호는 동일한 부재를 나타낸다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 제조설비용 가스 공급 장치(100)가 도시된 정면도이고, 도 2와 도 3은 도 1에 도시된 반도체 제조설비용 가스 공급 장치(100)를 나타낸 우측면도 및 평면도이다. 도 4와 도 5는 도 1에 도시된 반도체 제조설비용 가스 공급 장치(100)의 일부를 절개시켜 나타낸 좌측면도 및 배면도이다. 도 6은 도 1에 도시된 반도체 제조설비용 가스 공급 장치(100)의 제어 구성을 나타낸 도면이다.
도 1 내지 도 4, 도 6을 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 제조설비용 가스 공급 장치(100)는 가스 공급기(200), 장치 캐비닛(300), 및 컨트롤러(400)를 포함한다.
이하, 본 실시예에서는 설명의 편의를 위하여 3개의 가스 공급기(200)가 장치 캐비닛(300)에 배치되는 것으로 설명하지만, 이에 한정되는 것은 아니며 반도체 제조설비용 가스 공급 장치(100)의 설계 조건 및 상황에 따라 가스 공급기(200)의 설치 개수도 다양하게 변경할 수 있다.
또한, 본 실시예에서 사용되는 공정 가스 및 그 공정 가스가 사용되는 프로세스 챔버(미도시)는, 기존의 공정 가스 및 프로세스 챔버와 동일 유사하게 형성되므로, 이하에서 그에 대한 설명은 생략하기로 한다. 예를 들면, 본 실시예에 따른 반도체 제조설비용 가스 공급 장치(100)는, 반도체 제조 공정 중 CVD(Chemical Vapor Deposition) 공정의 프로세스 챔버에 적용될 수 있으며, 특히 프로세스 챔버에 공급하는 공정 가스는 TEOS(Tetra Ethyl Ortho Silicate)를 포함할 수 있다.
도 4와 도 6을 참조하면, 본 실시예에 따른 가스 공급기(200)는 프로세스 챔버에 공정 가스를 공급하기 위한 구성이다. 상기와 같은 가스 공급기(200)는 후술하는 장치 캐비닛(300)의 수납셀(312, 314, 316)들에 각각 배치될 수 있으며, 컨트롤러(400)와 연결되어 컨트롤러(400)에 의해 작동이 제어될 수 있다.
예를 들면, 가스 공급기(200)는, 공정 가스가 저장된 프로세스 탱크(212), 프로세스 탱크(212)에서 프로세스 챔버로 공정 가스를 공급하도록 프로세스 탱크(212)와 프로세스 챔버에 연결된 공급 배관 모듈(214), 프로세스 탱크(212)에 보충하기 위한 공정 가스가 저장된 벌크 탱크(216), 및 벌크 탱크(216)에서 프로세스 탱크(212)로 공정 가스를 보충하도록 프로세스 탱크(212)와 벌크 탱크(216)에 연결된 보충 배관 모듈(218)을 포함할 수 있다.
즉, 프로세스 탱크(212) 내의 공정 가스는 공급 배관 모듈(214)에 의해서 프로세스 챔버로 공급될 수 있고, 벌크 탱크(216) 내의 공정 가스는 보충 배관 모듈(218)에 의해서 프로세스 탱크(212)에 보충될 수 있다. 여기서, 공급 배관 모듈(214)과 보충 배관 모듈(218)은 컨트롤러(400)와 신호 전달 가능하게 연결되어 컨트롤러(400)에 의해 작동이 제어될 수 있다. 그리고, 프로세스 탱크(212)와 벌크 탱크(216)는 동일 종류의 공정 가스가 저장될 수 있으며, 수납셀(312, 314, 316)들의 폭을 줄일 수 있도록 수납셀(312, 314, 316)의 내부에 전후 방향으로 일렬로 배치될 수 있다.
상기와 같은 프로세스 탱크(212)와 벌크 탱크(216)가 수납셀(312, 314, 316)의 내부에 전후 방향으로 일렬 배치되면, 프로세스 탱크(212)와 벌크 탱크(216)가 수납셀(312, 314, 316)의 내부에 좌우 방향으로 일렬 배치되는 구조에 비하여 수납셀(312, 314, 316)의 폭을 현저하게 감소시킬 수 있으며, 수납셀(312, 314, 316)의 폭 감소는 장치 캐비닛(300)의 폭을 감소시킬 수 있다.
도 1과 도 6에 도시된 바와 같이, 가스 공급기(200)는 장치 캐비닛(300)에 좌우 방향으로 서로 이웃하도록 3개가 배치될 수 있다. 예를 들면, 가스 공급기(200)는 제1 가스 공급기(202), 제2 가스 공급기(204), 및 제3 가스 공급기(206)를 포함할 수 있다. 제1 가스 공급기(202)는 장치 캐비닛(300)의 좌측부에 배치될 수 있고, 제2 가스 공급기(204)는 장치 캐비닛(300)의 중간부에 배치될 수 있으며, 제3 가스 공급기(206)는 장치 캐비닛(300)의 우측부에 배치될 수 있다.
상기와 같은 제1,2,3 가스 공급기(202, 204, 206)는, 프로세스 챔버에 동일 종류의 공정 가스를 모두 공급하거나, 또는 프로세스 챔버에 서로 다른 종류의 공정 가스를 각각 공급할 수 있다. 뿐만 아니라, 제1,2,3 가스 공급기(202, 204, 206)는, 동일한 종류의 프로세스 챔버에 공정 가스를 모두 공급하거나, 또는 서로 다른 종류의 프로세스 챔버에 공정 가스를 각각 공급할 수 있다.
도 1 내지 도 5를 참조하면, 본 실시예에 따른 장치 캐비닛(300)은 제1,2,3 가스 공급기(202, 204, 206)와 컨트롤러(400)가 설치되기 위한 구성이다. 장치 캐비닛(300)에는 제1,2,3 가스 공급기(202, 204, 206)를 개별적으로 수납하기 위한 3개의 수납셀(312, 314, 316)이 형성될 수 있다.
상기와 같은 3개의 수납셀(312, 314, 316)은 제1 수납셀(312), 제2 수납셀(314), 및 제3 수납셀(316)을 포함할 수 있다. 제1 수납셀(312)은 제1 가스 공급기(202)를 수납하도록 장치 캐비닛(300)의 좌측부에 형성될 수 있고, 제2 수납셀(314)은 제2 가스 공급기(204)를 수납하도록 장치 캐비닛(300)의 중간부에 형성될 수 있으며, 제3 수납셀(316)은 제3 가스 공급기(206)를 수납하도록 장치 캐비닛(300)의 우측부에 형성될 수 있다.
도 1 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 장치 캐비닛(300)은, 전면부가 개방된 박스 형상의 제1,2,3 수납셀(312, 314, 316)이 형성된 캐비닛 본체(310), 및 제1,2,3 수납셀(312, 314, 316)의 내부 공간을 개폐하도록 제1,2,3 수납셀(312, 314, 316)의 전면부에 각각 배치된 메인 도어(320)를 포함할 수 있다.
캐비닛 본체(310)의 상부에는 제1,2,3 가스 공급기(202, 204, 206)와 신호 전달 가능하게 연결된 컨트롤러(400)가 배치될 수 있다. 캐비닛 본체(310)의 하부에는 제1,2,3 가스 공급기(202, 204, 206)를 설치하기 위한 제1,2,3 수납셀(312, 314, 316)이 형성될 수 있다.
여기서, 제1,2,3 수납셀(312, 314, 316)의 바닥면에는 함몰 가이드부(318)가 각각 형성될 수 있다. 함몰 가이드부(318)는 제1,2,3 수납셀(312, 314, 316)의 바닥면에 배치된 후술하는 액체 누출 센서(430)의 설치 위치를 향해 하향 경사지게 함몰된 구조로 형성될 수 있다. 따라서, 함몰 가이드부(318)는, 액체 상태로 누출된 공정 가스를 액체 누출 센서(430)로 안내하는 역할을 수행할 수 있고, 뿐만 아니라 액체 상태의 공정 가스가 수납셀(312, 314, 316)의 개구부를 향해 유동되는 현상도 미연에 방지할 수 있다.
도 5에 도시된 바와 같이, 함몰 가이드부(318)는, 제1 수납셀(312)의 바닥면에 형성된 제1 함몰 가이드부(318a), 제2 수납셀(314)의 바닥면에 형성된 제2 함몰 가이드부(318b), 및 제3 수납셀(316)의 바닥면에 형성된 제3 함몰 가이드부(318c)를 포함할 수 있다.
메인 도어(320)는 수납셀(312, 314, 316)의 전면부를 덮는 패널 형상으로 형성될 수 있다. 메인 도어(320)에 의해 수납셀(312, 314, 316)이 개방되면, 수납셀(312, 314, 316)에 수납된 가스 공급기(200)의 유지 보수 작업이 원활하게 실시될 수 있으며, 그에 따라 가스 공급기(200)의 점검, 정비, 교체, 조정 등의 작업이 진행될 수 있다.
상기와 같은 메인 도어(320)는 제1,2,3 수납셀(312, 314, 316)의 전면부를 개폐하도록 캐비닛 본체(310)에 회전 또는 이동 가능하게 연결될 수 있다. 이하, 본 실시예에서는 메인 도어(320)가 캐비닛 본체(310)에 여닫이 구조로 배치된 것으로 설명하지만, 이에 한정되는 것은 아니며 캐비닛 본체(310)에 미닫이 구조나 다른 개폐 구조로 배치될 수도 있다.
예를 들면, 메인 도어(320)는, 제1 수납셀(312)의 전면부를 개폐시키도록 캐비닛 본체(310)의 좌측부에 회전 가능하게 연결된 제1 메인 도어(322), 제2 수납셀(314)의 전면부를 개폐시키도록 캐비닛 본체(310)의 중간부에 회전 가능하게 연결된 제2 메인 도어(324), 제3 수납셀(316)의 전면부를 개폐시키도록 캐비닛 본체(310)의 우측부에 회전 가능하게 연결된 제3 메인 도어(326)를 포함할 수 있다.
여기서, 제1,2,3 메인 도어(322, 324, 326)는 제1,2,3 수납셀(312, 314, 316)과 함께 제1,2,3 가스 공급기(202, 204, 206)가 수납되기 위한 밀폐 공간을 형성할 수 있다. 따라서, 가스 공급기(200)로부터 공정 가스의 누출이 발생되더라도, 메인 도어(320)와 수납셀(312, 314, 316)의 밀폐 공간에 의해서 공정 가스가 가스 공급 장치(100)의 외부로 누출되는 것이 충분히 지연될 수 있다.
그리고, 제1,2,3 메인 도어(322, 324, 326)에는 후술하는 서브 도어(330)를 설치하기 위한 개구부가 각각 형성될 수 있다. 제1,2,3 가스 공급기(202, 204, 206)에는 제1,2,3 가스 공급기(202, 204, 206)의 작동 상태를 표시하는 표시부 및 제1,2,3 가스 공급기(202, 204, 206)의 작동을 조작하는 조작부가 마련될 수 있으며, 제1,2,3 메인 도어(322, 324, 326)의 개구부는 제1,2,3 가스 공급기(202, 204, 206)의 표시부 및 조작부에 대향되는 위치에 형성될 수 있다.
또한, 제1,2,3 메인 도어(322, 324, 326)에는 제1,2,3 메인 도어(322, 324, 326)를 캐비닛 본체(310)의 전면부에 잠그기 위한 메인 도어 잠금부(328)가 구비될 수 있다. 메인 도어 잠금부(328)는 제1,2,3 메인 도어(322, 324, 326)가 임의로 열리는 것을 방지하기 위한 것으로써, 반도체 제조설비용 가스 공급 장치(100)의 관리자에 의해서 메인 도어 잠금부(328)의 잠금 상태를 해제하기 위한 열쇠나 비밀번호 등이 안전하게 관리될 수 있다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 장치 캐비닛(300)은 제1,2,3 메인 도어(322, 324, 326)의 개구부에 개폐 가능하게 배치된 서브 도어(330)를 더 포함할 수 있다. 상기와 같은 서브 도어(330)는 메인 도어(320)를 차폐시킨 상태에서 신속 간편하게 개폐시키는 구조로 형성될 수 있다. 서브 도어(330)는 가스 공급기(200)의 작동을 실시간으로 직접 확인하거나 가스 공급기(200)의 작동을 수동으로 조작하는데 활용될 수 있다.
상기와 같은 서브 도어(330)는 제1 서브 도어(332), 제2 서브 도어(334), 제3 서브 도어(336)를 포함할 수 있다. 제1 서브 도어(332)는 제1 메인 도어(322)의 개구부에 배치될 수 있고, 제2 서브 도어(334)는 제2 메인 도어(324)의 개구부에 배치될 수 있으며,제3 서브 도어(336)는 제3 메인 도어(326)의 개구부에 배치될 수 있다.
여기서, 제1,2,3 서브 도어(330)의 적어도 일부에는 투명창(339)이 형성될 수 있다. 상기와 같은 투명창(339)를 이용하면, 제1,2,3 서브 도어(330)를 개폐시키지 않고서도 제1,2,3 수납셀(312, 314, 316)의 내부를 간편하게 확인할 수 있다. 일례로, 제1,2,3 서브 도어(330)의 전체가 투명창(339)으로 형성되거나, 또는 제1,2,3 서브 도어(330)의 일부분이 투명창(339)으로 형성될 수 있다. 이하, 본 실시예에서는 도 1에 도시된 바와 같이 제1,2,3 서브 도어(330)의 중앙 부위에 투명창(339)이 형성된 것으로 설명한다.
그리고, 제1,2,3 서브 도어(330)에는 제1,2,3 서브 도어(330)를 제1,2,3 메인 도어(322, 324, 326)의 전면부에 잠그기 위한 서브 도어 잠금부(338)가 구비될 수 있다. 서브 도어 잠금부(338)는 제1,2,3 서브 도어(330)의 임의 열림을 방지하도록 메인 도어 잠금부(328)와 같이 형성되어 관리자에 의해 관리될 수도 있다.
도 1 내지 도 6를 참조하면, 본 실시예에 따른 컨트롤러(400)는 반도체 제조설비용 가스 공급 장치(100)의 작동을 제어하는 구성이다. 즉, 컨트롤러(400)는 제1,2,3 가스 공급기(202, 204, 206)의 작동을 통합적으로 제어할 수 있으며, 공정 가스의 누출 감지, 누출 경고, 누출 사고 방지 등을 수행할 수 있다.
예를 들면, 컨트롤러(400)는 제1,2,3 가스 공급기(202, 204, 206)의 작동 시점, 작동 시간, 작동 순서, 또는 작동 방식 등에 따라 제1,2,3 가스 공급기(202, 204, 206)의 작동을 통합적으로 제어할 수 있다. 또한, 컨트롤러(400)는 각종 센서를 이용하여 반도체 제조설비용 가스 공급 장치(100)의 작동 상태를 실시간으로 감지할 수 있고, 반도체 제조설비용 가스 공급 장치(100)의 작동 상태에 이상이 발생되면 경고음과 경고광으로 경고할 수 있다.
상기와 같은 컨트롤러(400)는 장치 캐비닛(300)의 상부에 배치될 수 있다. 컨트롤러(400)의 전면부에는 컨트롤러 커버(402)가 장탈착 가능하게 배치되어 컨트롤러 커버(402)는 컨트롤러(400)의 유지 보수시 간편하게 탈거될 수 있다. 컨트롤러 커버(402)에는 필요에 따라 반도체 제조설비용 가스 공급 장치(100)의 작동 상태를 표시하기 위한 표시부 또는 반도체 제조설비용 가스 공급 장치(100)의 작동을 조절하기 위한 조작부 등이 구비될 수 있다.
구체적으로, 컨트롤러(400)는 도어 개폐 센서(410), 가스 누출 센서(420), 액체 누출 센서(430), 제어부(440), 및 경고부(450)를 포함할 수 있다.
도1과 도 6에 도시된 바와 같이, 도어 개폐 센서(410)는 메인 도어(320)의 개폐 상태를 감지하는 센서이다. 상기와 같은 도어 개폐 센서(410)는, 제1,2,3 메인 도어(322, 324, 326)의 주위에 각각 배치될 수 있으며, 제어부(440)에 신호 전달 가능하게 연결될 수 있다.
도어 개폐 센서(410)는, 제1 메인 도어(322)의 개폐 여부를 감지하는 제1 도어 개폐 센서(412), 제2 메인 도어(324)의 개폐 여부를 감지하는 제2 도어 개폐 센서(414), 제3 메인 도어(326)의 개폐 여부를 감지하는 제3 도어 개폐 센서(416)를 포함할 수 있다.
여기서, 제1,2,3 도어 개폐 센서(412, 414, 416)는 제1,2,3 메인 도어(322, 324, 326)의 개폐 여부를 감지할 수 있는 다양한 종류의 센서가 사용될 수 있다. 예를 들면, 제1,2,3 도어 개폐 센서(412, 414, 416)로는 접촉 센서, 근접 센서, 광센서, 엔코더 센서, 거리 센서 등이 다양하게 활용될 수 있다.
그리고, 제1,2,3 도어 개폐 센서(412, 414, 416)는 제1,2,3 수납셀(312, 314, 316) 또는 제1,2,3 메인 도어(322, 324, 326) 중 적어도 어느 하나에 배치될 수 있다. 일례로, 제1,2,3 도어 개폐 센서(412, 414, 416)는, 제1,2,3 메인 도어(322, 324, 326)의 닫힘시 제1,2,3 메인 도어(322, 324, 326)와 간섭되는 제1,2,3 수납셀(312, 314, 316)의 전면부에 설치되거나, 또는 제1,2,3 메인 도어(322, 324, 326)의 닫힘시 제1,2,3 수납셀(312, 314, 316)과 간섭되는 제1,2,3 메인 도어(322, 324, 326)의 가장자리부에 설치될 수 있다.
하지만, 본 실시예에서는 제1,2,3 도어 개폐 센서(412, 414, 416)가 제1,2,3 메인 도어(322, 324, 326)의 닫힘시 상호 간섭되는 제1,2,3 수납셀(312, 314, 316)의 전면부와 제1,2,3 메인 도어(322, 324, 326)의 가장자리부에 대향되게 설치된 것으로 설명한다. 즉, 도 1에 도시된 바와 같이, 제1 도어 개폐 센서(412)는, 제1 메인 도어(322)의 상단부에 배치된 도어 센서부(412a), 및 제1 메인 도어(322)의 닫힘시 도어 센서부(412a)에 근접하도록 제1 수납셀(312)의 전면부에 배치된 캐비닛 센서부(412b)를 포함할 수 있다.
상기와 같은 도어 센서부(412a)와 캐비닛 센서부(412b)는, 제1 메인 도어(322)의 닫힘시 서로 마주보는 위치에 배치되어 제1 메인 도어(322)의 닫힘 신호가 발생될 수 있고, 제1 메인 도어(322)의 열림시 서로 마주보지 않는 이격된 위치에 배치되어 제1 메인 도어(322)의 열림 신호가 발생될 수 있다. 도어 센서부(412a)는 도어 센서 브라켓(413a)에 의해서 제1 메인 도어(322)의 상단부에 장착될 수 있고, 캐비닛 센서부(412b)는 캐비닛 센서 브라켓(413b)에 의해서 제1 수납셀(312)의 전면부에 장착될 수 있다.
도 1과 도 6에 도시된 바와 같이, 가스 누출 센서(420)는 가스 공급기(200)에서 누출되는 공정 가스를 감지하는 센서이다. 상기와 같은 가스 누출 센서(420)는, 제1,2,3 가스 공급기(202, 204, 206) 또는 제1,2,3 수납셀(312, 314, 316) 중 적어도 어느 하나에 각각 배치될 수 있으며, 제어부(440)에 신호 전달 가능하게 연결될 수 있다. 이하, 본 실시예에서는 가스 누출 센서(420)가 제1,2,3 수납셀(312, 314, 316)의 내부에 각각 배치되는 것으로 설명하지만, 이에 한정되는 것은 아니며 제1,2,3 가스 공급기(202, 204, 206)에 각각 설치될 수도 있다.
가스 누출 센서(420)는, 제1 수납셀(312)의 내부에서 제1 가스 공급기(202)에서 누출되는 공정 가스를 감지하는 제1 가스 누출 센서(422), 제2 수납셀(314)의 내부에서 제2 가스 공급기(204)에서 누출되는 공정 가스를 감지하는 제2 가스 누출 센서(424), 제3 수납셀(316)의 내부에서 제3 가스 공급기(206)에서 누출되는 공정 가스를 감지하는 제3 가스 누출 센서(426)를 포함할 수 있다.
여기서, 제1,2,3 가스 누출 센서(422, 424, 426)는 제1,2,3 가스 공급기(202, 204, 206)에 의해 공급되는 공정 가스의 종류에 따라 다양한 종류가 사용될 수 있다.
도 5와 도 6에 도시된 바와 같이, 액체 누출 센서(430)는 가스 공급기(200)에서 누출되는 액체 상태의 공정 가스를 감지하는 센서이다. 액체 상태의 공정 가스는 가스 공급기(200)의 프로세스 탱크(212)와 벌크 탱크(216)에는 저장된 상태이므로, 프로세스 탱크(212) 또는 벌크 탱크(216)의 조립 불량이나 파손 등에 의해 프로세스 탱크(212) 또는 벌크 탱크(216)의 외부로 누출될 수 있다.
상기와 같은 액체 누출 센서(430)는, 제1,2,3 수납셀(312, 314, 316)의 바닥면에 형성된 제1,2,3 함몰 가이드부(318a, 318b, 318c)에 각각 배치될 수 있으며, 제어부(440)에 신호 전달 가능하게 연결될 수 있다.
즉, 액체 누출 센서(430)는, 제1 가스 공급기(202)에서 누출된 액체 상태의 공정 가스를 감지하도록 제1 함몰 가이드부(318a)에 배치된 제1 액체 누출 센서(432), 제2 가스 공급기(204)에서 누출된 액체 상태의 공정 가스를 감지하도록 제2 함몰 가이드부(318b)에 배치된 제2 액체 누출 센서(434), 및 제3 가스 공급기(206)에서 누출된 액체 상태의 공정 가스를 감지하도록 제3 함몰 가이드부(318c)에 배치된 제3 액체 누출 센서(436)를 포함할 수 있다.
도 6에 도시된 바와 같이, 제어부(440)는 반도체 제조설비용 가스 공급 장치(100)의 작동을 제어하는 부재이다. 상기와 같은 제어부(440)는 제1,2,3 도어 개폐 센서(412, 414, 416), 제1,2,3 가스 누출 센서(422, 424, 426) 또는 제1,2,3 액체 누출 센서(432, 434, 436)의 감지 신호에 따라 반도체 제조설비용 가스 공급 장치(100)의 작동을 적절하게 제어할 수 있다. 이를 위하여, 제어부(440)는 제1,2,3 도어 개폐 센서(412, 414, 416), 제1,2,3 가스 누출 센서(422, 424, 426), 및 제1,2,3 액체 누출 센서(432, 434, 436)에 신호 전달 가능하게 연결될 수 있다.
즉, 제어부(440)는 제1,2,3 도어 개폐 센서(412, 414, 416)의 감지 신호를 전달 받아 제1,2,3 메인 도어(322, 324, 326)의 열림 여부를 판별할 수 있다. 만약, 메인 도어(320)가 열려진 상태이면, 가스 공급기(200)의 수납 공간이 메인 도어(320)와 수납셀(312, 314, 316)에 의해 밀폐된 상태가 아니기 때문에 가스 공급기(200)에서 누출된 공정 가스가 바로 대기 중으로 확산될 수 있다. 상기와 같이 제1,2,3 메인 도어(322, 324, 326) 중 어느 하나가 열린 상태로 확인되면, 제어부(440)는 메인 도어(320)가 열린 상태의 수납셀(312, 314, 316)에 수납된 가스 공급기(200)의 작동을 정지시켜 공정 가스의 누출로 인한 사고를 미연에 방지할 수 있다.
또한, 제어부(440)는 제1,2,3 가스 누출 센서(422, 424, 426)의 감지 신호를 전달 받아 제1,2,3 가스 공급기(202, 204, 206)의 누출 여부를 판별할 수 있다. 상기와 같이 제1,2,3 가스 공급기(202, 204, 206) 중 어느 하나에서 공정 가스의 누출이 확인되면, 제어부(440)는 공정 가스의 누출이 발생된 가스 공급기(200)의 작동을 정지시켜 공정 가스의 누출로 인한 사고를 미연에 방지할 수 있다.
또한, 제어부(440)는 제1,2,3 액체 누출 센서(432, 434, 436)의 감지 신호를 전달 받아 제1,2,3 가스 공급기(202, 204, 206)의 누출 여부를 판별할 수 있다. 상기와 같이 제1,2,3 가스 공급기(202, 204, 206) 중 어느 하나에서 액체 상태의 공정 가스의 누출이 확인되면, 제어부(440)는 액체 상태의 공정 가스가 누출된 가스 공급기(200)의 작동을 정지시켜 공정 가스의 누출로 인한 사고를 미연에 방지할 수 있다.
도 1 및 도 6에 도시된 바와 같이, 경고부(450)는 가스 공급기(200)의 가스 누출에 따른 위험을 경고하는 부재이다. 경고부(450)는 제어부(440)에 의해 작동이 조절되기 위하여 제어부(440)에 신호 전달 가능하게 연결될 수 있다.
상기와 같은 경고부(450)는 경고음 또는 경고광 등을 이용하여 반도체 제조설비용 가스 공급 장치(100)의 주변에 경고 신호를 전달할 수 있다. 즉, 본 실시예에서는 경고부(450)가 메인 도어(320)의 열림 상태 또는 가스 공급기(200)의 누출 상태를 외부에 신속하게 알려주어 메인 도어(320)의 열림이나 가스 공급기(200)의 누출에 효과적으로 대처 가능할 수 있다.
예를 들면, 경고부(450)에는 정상 표시 램프(450a), 1단계 위험 표시 램프(450b), 및 2단계 위험 표시 램프(450c)가 형성될 수 있다. 정상 표시 램프(450a)는 반도체 제조설비용 가스 공급 장치(100)의 정상 구동시 작동되는 램프로서, 반도체 제조설비용 가스 공급 장치(100)가 정상적으로 구동되고 있음을 표시할 수 있다. 1단계 위험 표시 램프(450b)는 덜 치명적인 문제의 발생시 작동되는 램프로서, 메인 도어(320)의 개방 상태와 같이 치명적인 사고로 바로 진행되지 않는 경우를 표시할 수 있다. 2단계 위험 표시 램프(450c)는 매우 치명적인 문제의 발생시 작동되는 램프로서, 가스 공급기(200)의 공정 가스가 누출되는 것과 같이 치명적인 사고를 유발하는 경우를 표시할 수 있다.
한편, 경고부(450)는, 제1 메인 도어(322)와 제1 가스 공급기(202)의 작동 이상을 경고하도록 제1 수납셀(312)과 대응되는 위치에 배치된 제1 경고부(452), 제2 메인 도어(324)와 제2 가스 공급기(204)의 작동 이상을 경고하도록 제2 수납셀(314)과 대응되는 위치에 배치된 제2 경고부(454), 및 제3 메인 도어(326)와 제3 가스 공급기(206)의 작동 이상을 경고하도록 제3 수납셀(316)과 대응되는 위치에 배치된 제3 경고부(456)를 포함할 수 있다.
상기와 같은 제1,2,3 경고부(452, 454, 456)는 제1,2,3 수납셀(312, 314, 316)의 배치 구조에 대응하도록 장치 캐비닛(300)의 상면부에 좌우 방향으로 서로 이격되게 배치될 수 있다. 따라서, 제1,2,3 경고부(452, 454, 456)의 작동 상태를 확인하는 것만으로도, 제1,2,3 메인 도어(322, 324, 326) 또는 제1,2,3 가스 공급기(202, 204, 206) 중 어느 것에서 문제가 발생되었는지를 직관적으로 파악할 수 있다.
상기와 같이 구성된 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 제조설비용 가스 공급 장치(100)의 작동 및 작용 효과를 살펴보면 다음과 같다.
먼저, 반도체 제조설비용 가스 공급 장치(100)를 작동시키면, 컨트롤러(400)의 제어부(440)가 제1,2,3 가스 공급기(202, 204, 206)의 작동을 통합적으로 제어하여 제1,2,3 가스 공급기(202, 204, 206)가 공정 가스를 프로세스 챔버에 공급한다.
상기와 같은 제1,2,3 가스 공급기(202, 204, 206)는, 서로 다른 3개의 공정 가스를 하나의 프로세스 챔버에 선택적으로 공급하거나, 동일한 종류의 공정 가스를 3개의 프로세스 챔버에 개별적으로 공급한다.
이때, 제1,2,3 가스 공급기(202, 204, 206)의 작동은 제어부(440)에 기설정된 프로그램에 의해 적절하게 제어되거나 다양하게 변경될 수 있다.
한편, 반도체 제조설비용 가스 공급 장치(100)가 정상적으로 작동되면, 제어부(440)를 제1,2,3 경고부(452, 454, 456)의 정상 표시 램프(450a)를 작동시켜 반도체 제조설비용 가스 공급 장치(100)의 정상 작동을 주위에 알려준다.
반면에, 제1,2,3 메인 도어(322, 324, 326) 중 적어도 하나가 열려지면, 제1,2,3 도어 개폐 센서(412, 414, 416)가 제1,2,3 메인 도어(322, 324, 326)의 열린 상태를 감지하고, 제어부(440)는 제1,2,3 도어 개폐 센서(412, 414, 416)의 감지 신호를 전달 받아 제1,2,3 메인 도어(322, 324, 326) 중 어느 메인 도어가 열려 있는지를 판별한다.
제1,2,3 메인 도어(322, 324, 326)는, 제1,2,3 가스 공급기(202, 204, 206)의 유지 보수시 정상적으로 열려질 수 있지만, 관리자의 부주의 또는 외부의 충격 등에 의해서 임의로 열릴 수도 있다. 상기와 같이 제1,2,3 메인 도어(322, 324, 326)가 열린 상태로 장시간 방치되면, 제1,2,3 가스 공급기(202, 204, 206)를 안전하게 보호하지 못할 뿐만 아니라 제1,2,3 가스 공급기(202, 204, 206)의 누출시 공정 가스가 가스 공급 장치(100)의 주변으로 바로 확산될 수 있다.
따라서, 제1,2,3 메인 도어(322, 324, 326) 중에서 열린 상태의 메인 도어가 판별되면, 제1,2,3 경고부(452, 454, 456) 중에서 열린 상태의 메인 도어에 대응하는 경고부의 1단계 위험 표시 램프(450b)를 작동시켜 제1,2,3 메인 도어(322, 324, 326)의 열림 상태를 경고한다. 이때, 반도체 제조설비용 가스 공급 장치(100)의 관리자는 제1,2,3 경고부(452, 454, 456)의 경고 여부를 육안으로 확인함으로써, 제1,2,3 메인 도어(322, 324, 326) 중에서 열린 상태의 메인 도어를 직관적으로 알 수 있다.
또한, 제1,2,3 가스 공급기(202, 204, 206)로부터 공정 가스가 누출되면, 제1,2,3 가스 누출 센서(422, 424, 426) 또는 제1,2,3 액체 누출 센서(432, 434, 436)가 제1,2,3 가스 공급기(202, 204, 206)의 누출 상태를 감지하고, 제어부(440)는 제1,2,3 가스 누출 센서(422, 424, 426) 또는 제1,2,3 액체 누출 센서(432, 434, 436)의감지 신호를 전달 받아 제1,2,3 가스 공급기(202, 204, 206) 중 어느 하나에서 공정 가스가 누출되고 있는지를 판별한다.
공정 가스가 가스 공급기(200)에서 가스 형태로 누출되면, 제1,2,3 가스 누출 센서(422, 424, 426)가 공정 가스를 감지하여 제어부(440)에 감지 신호를 전송한다. 그에 반하며, 공정 가스가 가스 공급기(200)에서 액체 형태로 누출되면, 제1,2,3 액체 누출 센서(432, 434, 436)가 공정 가스를 감지하여 제어부(440)에 감지 신호를 전송한다.
상기와 같은 제1,2,3 가스 공급기(202, 204, 206)의 공정 가스는 매우 유독성이 높기 때문에 공정 가스의 누출로 인한 인명 피해의 위험이 아주 높다.
따라서, 제어부(440)는, 제1,2,3 가스 누출 센서(422, 424, 426)와 제1,2,3 액체 누출 센서(432, 434, 436)의 감지 신호를 이용하여 제1,2,3 가스 공급기(202, 204, 206) 중에서 공정 가스를 누출하는 가스 공급기를 신속하고 정확하게 판별한다.
그런 다음에, 제어부(440)는 공정 가스의 누출이 발생된 가스 공급기에 대응하는 경보부의 2단계 위험 표시 램프(450c)를 작동시켜 제1,2,3 가스 공급기(202, 204, 206)의 누출 상태를 경고한다. 이때, 반도체 제조설비용 가스 공급 장치(100)의 관리자는 제1,2,3 경고부(452, 454, 456)의 경고 여부를 육안으로 확인함으로써, 제1,2,3 가스 공급기(202, 204, 206) 중에서 공정 가스를 누출하는 가스 공급기를 직관적으로 알 수 있다.
이상과 같이 본 발명의 실시예에서는 구체적인 구성 요소 등과 같은 특정 사항들과 한정된 실시예 및 도면에 의해 설명되었으나 이는 본 발명의 보다 전반적인 이해를 돕기 위해서 제공된 것일 뿐, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상적인 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 따라서, 본 발명의 사상은 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 청구범위뿐 아니라 이 청구범위와 균등하거나 등가적 변형이 있는 모든 것들은 본 발명 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.
100: 반도체 제조설비용 가스 공급 장치
200: 가스 공급기
212: 프로세스 탱크
216: 벌크 탱크
300: 장치 캐비닛
310: 캐비닛 본체
312, 314, 316: 수납셀
320: 메인 도어
330: 서브 도어
400: 컨트롤러
410: 도어 개폐 센서
420: 가스 누출 센서
430: 액체 누출 센서
440: 제어부
450: 경고부

Claims (13)

  1. 프로세스 챔버에 공정 가스를 공급하는 가스 공급기;
    상기 가스 공급기를 수납하기 위한 복수개의 수납셀이 형성된 장치 캐비닛; 및
    상기 장치 캐비닛의 일측에 배치되고, 상기 가스 공급기들의 작동을 통합적으로 제어하도록 상기 가스 공급기들에 연결된 컨트롤러;를 포함하며,
    상기 장치 캐비닛은, 일측이 개방된 박스 형상의 상기 수납셀들이 형성된 캐비닛 본체; 및 상기 수납셀의 내부 공간을 개폐하도록 상기 수납셀들의 일측에 각각 배치된 메인 도어;를 포함하고,
    상기 컨트롤러는, 상기 수납셀들 또는 상기 메인 도어들에 각각 배치되고, 상기 메인 도어들의 개폐 상태를 감지하는 도어 개폐 센서; 상기 가스 공급기들 또는 상기 수납셀들 중 어느 하나에 각각 배치되고, 상기 가스 공급기들에서 누출되는 상기 공정 가스를 감지하는 가스 누출 센서; 상기 수납셀들의 바닥면에 각각 배치되고, 상기 가스 공급기에서 액체 상태로 누출된 상기 공정 가스를 감지하는 액체 누출 센서; 및 상기 도어 개폐 센서들과 상기 가스 누출 센서들 및 상기 액체 누출 센서들에 연결된 제어부;를 포함하며,
    상기 제어부는, 상기 도어 개폐 센서들 중 적어도 하나가 상기 메인 도어의 열림 상태를 감지하면 상기 메인 도어가 열린 수납셀에 수납된 상기 가스 공급기의 작동을 정지시키고, 상기 가스 누출 센서들 중 적어도 하나가 상기 공정 가스를 감지하면 상기 공정 가스가 감지된 적어도 하나의 수납셀에 수납된 상기 가스 공급기의 작동을 정지시키며,
    상기 컨트롤러는, 상기 도어 개폐 센서들 중 적어도 하나가 상기 메인 도어의 열림 상태를 감지하면 상기 메인 도어의 열림 상태를 경고하고, 상기 가스 누출 센서들 중 적어도 하나가 상기 공정 가스를 감지하면 상기 가스 공급기의 가스 누출을 경고하는 경고부;를 더 포함하며,
    상기 경고부는 상기 수납셀들과 대응하는 개수로 상기 장치 캐비닛에 마련되고, 상기 제어부는 상기 경고부들에 연결되며,
    상기 제어부는, 상기 메인 도어가 열린 수납셀에 대응하는 경고부를 선택적으로 작동시키거나, 상기 가스 누출 센서에 의해 상기 공정 가스가 감지된 수납셀에 대응하는 경고부를 선택적으로 작동시키며,
    상기 제어부는 상기 액체 누출 센서에 연결되어 상기 액체 누출 센서에 의해 액체 상태의 상기 공정 가스가 감지된 수납셀에 대응하는 경고부를 작동시키고,
    상기 경고부에는 정상 표시 램프, 1단계 위험 표시 램프, 및 2단계 위험 표시 램프가 형성되며,
    상기 정상 표시 램프는 정상 구동시 작동되는 램프이고, 상기 1단계 위험 표시 램프는 상기 메인 도어의 개방 상태와 같이 치명적인 사고로 바로 진행되지 않는 경우에 작동되는 램프이며, 상기 2단계 위험 표시 램프는 상기 가스 공급기의 상기 공정 가스가 누출되는 것과 같이 치명적인 사고를 유발하는 경우에 작동되는 램프인 것을 특징으로 하는 반도체 제조설비용 가스 공급 장치.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서,
    상기 장치 캐비닛은, 상기 메인 도어를 차폐시킨 상태에서 상기 가스 공급기의 작동을 조작하도록 상기 메인 도어들에 형성된 개구부에 각각 개폐 가능하게 배치된 서브 도어;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조설비용 가스 공급 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 서브 도어의 적어도 일부에는 상기 가스 공급기의 작동을 육안으로 확인 하기 위한 투명창이 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 제조설비용 가스 공급 장치.
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 제1항에 있어서,
    상기 가스 공급기들은 서로 다른 종류의 상기 공정 가스를 공급하도록 형성되거나 또는 서로 다른 종류의 상기 프로세스 챔버에 상기 공정 가스를 공급하도록 형성되고,
    상기 컨트롤러는 상기 가스 공급기들의 작동 시점, 작동 시간, 작동 순서, 또는 작동 방식에 따라 상기 가스 공급기들을 통합적으로 제어하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조설비용 가스 공급 장치.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 가스 공급기는, 상기 공정 가스가 저장된 프로세스 탱크; 상기 프로세스 탱크에서 상기 프로세스 챔버로 상기 공정 가스를 공급하도록 상기 프로세스 탱크와 상기 프로세스 챔버에 연결된 공급 배관 모듈; 상기 프로세스 탱크에 보충하기 위한 상기 공정 가스가 저장된 벌크 탱크; 및 상기 벌크 탱크에서 상기 프로세스 탱크로 상기 공정 가스를 보충하도록 상기 프로세스 탱크와 상기 벌크 탱크에 연결된 보충 배관 모듈;을 포함하며,
    상기 수납셀들은 상기 장치 캐비닛에 좌우 방향으로 서로 이웃하게 배치되고, 상기 프로세스 탱크 및 상기 벌크 탱크는 상기 수납셀들의 폭을 줄일 수 있도록 상기 수납셀의 내부에 전후 방향으로 일렬로 배치된 것을 특징으로 하는 반도체 제조설비용 가스 공급 장치.
  13. 제1항, 제5항, 제6항, 제11항 또는 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 프로세스 챔버는 반도체 제조 공정 중 CVD 공정이 이루어지는 챔버이고, 상기 공정 가스는 TEOS를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조설비용 가스 공급 장치.
KR1020180009007A 2018-01-24 2018-01-24 반도체 제조설비용 가스 공급 장치 KR101887327B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180009007A KR101887327B1 (ko) 2018-01-24 2018-01-24 반도체 제조설비용 가스 공급 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180009007A KR101887327B1 (ko) 2018-01-24 2018-01-24 반도체 제조설비용 가스 공급 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR101887327B1 true KR101887327B1 (ko) 2018-08-09

Family

ID=63251029

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180009007A KR101887327B1 (ko) 2018-01-24 2018-01-24 반도체 제조설비용 가스 공급 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101887327B1 (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102047633B1 (ko) * 2019-09-10 2019-12-04 윤진해 운송대차를 구비한 반도체 제조라인 모니터링 장치
KR20200131094A (ko) * 2019-05-13 2020-11-23 버슘머트리얼즈한양기공 주식회사 반도체 제조설비의 원격제어 관리시스템
KR20230013574A (ko) * 2021-07-19 2023-01-26 주식회사 제이토탈솔루션 반도체 전용 안전하고 편리한 특별 공급 시스템 박스

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06300198A (ja) * 1993-04-12 1994-10-28 Teisan Kk シリンダーキャビネットの構造
JPH08159399A (ja) * 1994-12-08 1996-06-21 Kawasaki Steel Corp Ｂ２ ｈ６ ガス収納・供給方法およびその設備
KR20010021710A (ko) * 1997-07-11 2001-03-15 프레드릭 제이. 시질리, 더글라스 네우골드 벌크형 화학제 전달 시스템
KR20090060020A (ko) * 2007-12-07 2009-06-11 세메스 주식회사 오존수를 사용하는 반도체 제조 설비와, 그의 오토 도어 락시스템 및 그의 처리 방법
KR20090101994A (ko) * 2008-03-25 2009-09-30 웰텍인더스 주식회사 케미컬 공급장치

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06300198A (ja) * 1993-04-12 1994-10-28 Teisan Kk シリンダーキャビネットの構造
JPH08159399A (ja) * 1994-12-08 1996-06-21 Kawasaki Steel Corp Ｂ２ ｈ６ ガス収納・供給方法およびその設備
KR20010021710A (ko) * 1997-07-11 2001-03-15 프레드릭 제이. 시질리, 더글라스 네우골드 벌크형 화학제 전달 시스템
KR20090060020A (ko) * 2007-12-07 2009-06-11 세메스 주식회사 오존수를 사용하는 반도체 제조 설비와, 그의 오토 도어 락시스템 및 그의 처리 방법
KR20090101994A (ko) * 2008-03-25 2009-09-30 웰텍인더스 주식회사 케미컬 공급장치

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200131094A (ko) * 2019-05-13 2020-11-23 버슘머트리얼즈한양기공 주식회사 반도체 제조설비의 원격제어 관리시스템
KR102194593B1 (ko) * 2019-05-13 2020-12-23 버슘머트리얼즈한양기공 주식회사 반도체 제조설비의 원격제어 관리시스템
KR102047633B1 (ko) * 2019-09-10 2019-12-04 윤진해 운송대차를 구비한 반도체 제조라인 모니터링 장치
KR20230013574A (ko) * 2021-07-19 2023-01-26 주식회사 제이토탈솔루션 반도체 전용 안전하고 편리한 특별 공급 시스템 박스
KR102502315B1 (ko) 2021-07-19 2023-02-23 주식회사 제이토탈솔루션 반도체 전용 안전하고 편리한 특별 공급 시스템 박스

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101887327B1 (ko) 반도체 제조설비용 가스 공급 장치
KR102043767B1 (ko) 물품 보관 설비 및 물품 보관 방법
US10553467B2 (en) Purge load port
US9230845B2 (en) Article storage facility and article storage method
KR101009855B1 (ko) 기판처리장치 및 그 기판반송방법
KR102303026B1 (ko) 가스 검출 장치
US20180076078A1 (en) Container Storage Facility
KR20140145076A (ko) 불활성 가스 주입 장치 및 불활성 가스 주입 방법
US20080032502A1 (en) Safety features for semiconductor processing apparatus using pyrophoric precursor
CN117038541A (zh) 装载端口
JP2006308030A (ja) ガス漏れ検出装置とそれを用いたガス充填装置
JP5829962B2 (ja) 成膜装置
CN218893457U (zh) 半导体制造用化学品供给装置
KR20080012125A (ko) 자연발화성 전구체를 이용한 반도체 처리 장치를 위한 안전특징들
EP1017613B1 (en) Bulk chemical delivery system
KR101415262B1 (ko) 기판 처리 장치의 유지 보수 시점을 모니터링하는 방법
JP2020097991A (ja) 水素充填システム
WO2010124174A2 (en) Ampoule with integrated hybrid valve
KR101275890B1 (ko) 가스분배 공급장치
KR102123068B1 (ko) 밸브매니폴드 구조체를 이용한 무정지 가스공급시스템
KR20070061942A (ko) 도어를 갖는 챔버
JP2009158786A (ja) 基板処理装置
WO2022070866A1 (ja) 燃料ガス充填装置
JP2006349139A (ja) 筐体の接合機構
KR20190081553A (ko) 웨이퍼 가스 공급장치

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant