KR101886531B1 - 탄성파 장치 - Google Patents

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Abstract

IDT 전극끼리가 인접해 있는 부분에 있어서의 버스 바의 형성 불량이 발생하기 어렵고, 또한 소형화를 진척시킬 수 있는 탄성파 장치를 제공한다.
본 발명에 따른 탄성파 장치는, 압전 기판(2)과, 압전 기판(2)에 구성되어 있고, IDT 전극을 각각 갖는 복수의 탄성파 소자를 구비한다. 복수의 탄성파 소자 중 제1 탄성파 소자의 IDT 전극은 제1, 제2 버스 바(9a, 9b)를 갖고, 제2 탄성파 소자의 IDT 전극은 제3, 제4 버스 바(9c, 9d)를 갖는다. 제2 버스 바(9b)와 제3 버스 바(9c)가 대략 평행하게 연장되어 있고, 또한 탄성파 전반 방향에 수직인 방향에 있어서 갭을 두고 배치되어 있다. 제2, 제3 버스 바(9b, 9c)가 제1 전극층과, 해당 제1 전극층 위에 적어도 그 일부가 적층되어 있는 제2 전극층을 갖는다. 제2 버스 바(9b)의 제2 전극층이, 적어도 1군데에 있어서, 탄성파 전반 방향에 교차하는 방향으로 분단되어 있다.

Description

탄성파 장치{ELASTIC WAVE DEVICE}
본 발명은 탄성파 장치에 관한 것이다.
종래, 탄성파 장치가 휴대 전화기의 필터 등에 널리 사용되고 있다. 하기 특허문헌 1에는, IDT 전극을 갖는 탄성파 장치의 일례가 나타나 있다. 상기 IDT 전극의 버스 바는, 하층 배선과, 하층 배선 위에 적층된 상층 배선을 갖는다.
일본특허공개 제2002-100952호 공보
최근, 탄성파 장치의 보다 가일층의 소형화 요구에 부응하기 위해서, 탄성파 공진자가, 탄성파 전반(
Figure 112018027242190-pat00013
, propagating) 방향에 수직인 방향에 있어서 서로 한층 더 접근해서 배치되는 데 수반하여, 인접해 있는 IDT 전극의 버스 바간의 거리가 짧아지고 있다. 한편, 래더형 필터 등에 있어서는, 필터 특성을 높이기 위해서, 탄성파 공진자의 IDT 전극의, 탄성파 전반 방향을 따르는 치수가 크게 되어 있고, 버스 바도 길게 되어 있다. 이로 인해, 특허문헌 1의, 2층 버스 바를 채용한 가로로 긴 IDT 전극을 갖는 탄성파 공진자를 근접 배치하면, 버스 바의 형성 불량이 발생하기 쉽고, 또한 서로의 버스 바끼리가 단락할 우려가 있다.
따라서, IDT 전극끼리를 충분히 접근해서 배치하는 것이 곤란하여, 탄성파 장치의 소형화를 충분히 도모할 수 없었다.
본 발명의 목적은, IDT 전극끼리가 인접해 있는 부분에 있어서의 버스 바의 형성 불량이 발생하기 어렵고, 또한 소형화를 진척시킬 수 있는 탄성파 장치를 제공하는 데 있다.
본 발명에 따른 탄성파 장치는, 압전 기판과, 상기 압전 기판에 구성되어 있고, IDT 전극을 각각 갖는 복수의 탄성파 소자를 구비하고, 상기 복수의 탄성파 소자 중 제1 탄성파 소자의 상기 IDT 전극이, 서로 대향하고 있는 제1, 제2 버스 바를 갖고, 제2 탄성파 소자의 상기 IDT 전극이, 서로 대향하고 있는 제3, 제4 버스 바를 갖고, 상기 제2 버스 바와 상기 제3 버스 바가 대략 평행하게 연장되어 있고, 또한 탄성파 전반 방향에 수직인 방향에 있어서 갭을 두고 배치되어 있고, 상기 제2, 제3 버스 바가 제1 전극층과, 해당 제1 전극층 위에 적어도 그 일부가 적층되어 있는 제2 전극층을 갖고, 상기 제2 버스 바의 상기 제2 전극층이, 적어도 1군데에 있어서, 탄성파 전반 방향에 교차하는 방향으로 분단되어 있다.
본 발명에 따른 탄성파 장치의 어느 특정한 국면에서는, 상기 제2 버스 바의 상기 제2 전극층이, 탄성파 전반 방향에 수직인 방향으로 분단되어 있다.
본 발명에 따른 탄성파 장치의 다른 특정한 국면에서는, 상기 제3 버스 바의 상기 제2 전극층이, 적어도 1군데에 있어서, 탄성파 전반 방향에 교차하는 방향으로 분단되어 있다. 이 경우에는, 제2, 제3 버스 바의 형성 불량이 한층 더 발생하기 어렵다.
본 발명에 따른 탄성파 장치의 또 다른 특정한 국면에서는, 상기 제3 버스 바의 상기 제2 전극층이, 탄성파 전반 방향에 수직인 방향으로 분단되어 있다.
본 발명에 따른 탄성파 장치의 다른 특정한 국면에서는, 상기 제2 버스 바의 상기 제2 전극층이 분단되어 있는 부분으로부터의, 상기 제2 버스 바의 상기 제2 전극층이 분단되어 있는 방향의 연장선 상에 있어서, 상기 제3 버스 바의 상기 제2 전극층이 분단되어 있다.
본 발명에 따른 탄성파 장치의 또 다른 특정한 국면에서는, 상기 복수의 탄성파 소자가 직렬암 공진자 및 복수의 병렬암 공진자를 포함하고, 상기 제1, 제2 탄성파 소자가 모두 상기 병렬암 공진자이다. 이 경우에는, 병렬암 공진자의 탄성파 전반 방향에 있어서의 길이를 길게 해도, 병렬암 공진자의 버스 바의 형성 불량이 발생하기 어렵다. 따라서, 탄성파 장치의 필터 특성을 높일 수 있고, 또한 소형화를 한층 더 진척시킬 수 있다.
본 발명에 따른 탄성파 장치의 또 다른 특정한 국면에서는, 제1 대역 통과형 필터와, 상기 제1 대역 통과형 필터와는 통과 대역이 다른 제2 대역 통과형 필터를 갖고, 상기 제1 대역 통과형 필터가 상기 제1, 제2 탄성파 소자 중 적어도 한쪽을 포함한다.
본 발명에 따른 탄성파 장치의 또 다른 특정한 국면에서는, 상기 제1 대역 통과형 필터가 상기 제1, 제2 탄성파 소자 중 한쪽을 포함하고, 상기 제2 대역 통과형 필터가 상기 제1, 제2 탄성파 소자 중 다른 쪽을 포함한다. 이 경우에는, 제1 대역 통과형 필터와 제2 대역 통과형 필터의 거리를 한층 더 짧게 할 수 있다. 따라서, 탄성파 장치의 소형화를 한층 더 진척시킬 수 있다.
본 발명의 탄성파 장치에 따르면, IDT 전극끼리가 인접해 있는 부분에 있어서의 버스 바의 형성 불량이 발생하기 어렵고, 또한 소형화를 진척시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 탄성파 장치의 개략적인 평면도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 탄성파 장치의 회로도이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시 형태에 있어서의 직렬암 공진자의 전극 구성을 도시하는 평면도이다.
도 4는 본 발명의 제1 실시 형태에 있어서의 제1, 제2 종결합 공진자형 탄성파 필터의 전극 구성을 도시하는 평면도이다.
도 5는 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 탄성파 장치의 개략적인 확대 평면도이다.
도 6은 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 탄성파 장치의 제조 방법을 설명하기 위한, 제1, 제2 탄성파 소자에 상당하는 부분의 개략적인 평면도이다.
도 7은 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 탄성파 장치의 제조 방법을 설명하기 위한, 제1, 제2 탄성파 소자에 상당하는 부분의 개략적인 평면도이다.
도 8은 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 탄성파 장치의 제조 방법을 설명하기 위한, 제1, 제2 탄성파 소자에 상당하는 부분의 개략적인 평면도이다.
도 9는 본 발명의 제1 실시 형태 및 비교예에 있어서의 제1 대역 통과형 필터의 삽입 손실을 도시하는 도면이다.
도 10은 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 탄성파 장치의 개략적인 평면도이다.
이하, 도면을 참조하면서, 본 발명의 구체적인 실시 형태를 설명함으로써, 본 발명을 명확히 한다.
또한, 본 명세서에 기재된 각 실시 형태는, 예시적인 것이며, 다른 실시 형태간에 있어서, 구성의 부분적인 치환 또는 조합이 가능한 것을 지적해 둔다.
도 1은 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 탄성파 장치의 개략적인 평면도이다. 도 2는 제1 실시 형태에 따른 탄성파 장치의 회로도이다. 또한, 도 1에서는 각 탄성파 공진자 및 각 종결합 공진자형 탄성파 필터를, 다각형에 2개의 대각선을 그은 개략도로 나타낸다. 후술하는 도 5, 도 6, 도 8 및 도 10에 있어서도 마찬가지이다.
본 실시 형태에 따른 탄성파 장치는, 도 1에 도시하는 듀플렉서(1)이다. 듀플렉서(1)는 압전 기판(2)을 갖는다. 압전 기판(2)은 LiNbO3 또는 LiTaO3 등의 압전 단결정이나, 적당한 압전 세라믹스 등을 포함한다.
듀플렉서(1)는 압전 기판(2)에 구성되어 있는 제1 대역 통과형 필터(3a)와, 제1 대역 통과형 필터(3a)와는 통과 대역이 다른 제2 대역 통과형 필터(3b)를 갖는다. 제1 대역 통과형 필터(3a)는 송신 필터이고, 제2 대역 통과형 필터(3b)는 수신 필터이다.
듀플렉서(1)는 압전 기판(2) 위에 설치되어 있으며, 안테나에 접속되는 안테나 단자(5)를 갖는다. 제1, 제2 대역 통과형 필터(3a, 3b)는 안테나 단자(5)에 공통 접속되어 있다.
또한, 제1 대역 통과형 필터(3a)는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 탄성파 장치이다.
제1, 제2 대역 통과형 필터(3a, 3b)는 복수의 탄성파 소자를 갖는다. 복수의 탄성파 소자는 IDT 전극을 각각 갖는다. 보다 구체적으로는, 도 2에 도시한 바와 같이, 제1 대역 통과형 필터(3a)는 복수의 탄성파 소자로서의 직렬암 공진자 S1 내지 S4 및 병렬암 공진자 P1 내지 P3을 갖는다. 제1 대역 통과형 필터(3a)는 래더형 필터이다.
도 3은 제1 실시 형태에 있어서의 직렬암 공진자 S1의 전극 구성을 도시하는 평면도이다.
직렬암 공진자 S1은 압전 기판 위에 설치된 IDT 전극(10A)을 갖는다. IDT 전극(10A)의 탄성파 전반 방향 양측에 반사기(11A, 11A)가 설치되어 있다. 마찬가지로, 도 2에 도시하는 직렬암 공진자 S2 내지 S4, 병렬암 공진자 P1 내지 P3 및 후술하는 탄성파 공진자 S11, P11도, IDT 전극 및 한 쌍의 반사기를 갖는다.
한편, 제2 대역 통과형 필터(3b)는 복수의 탄성파 소자로서의 제1, 제2 종결합 공진자형 탄성파 필터(7a, 7b) 및 탄성파 공진자 S11, P11을 갖는다.
도 4는 제1 실시 형태에 있어서의 제1, 제2 종결합 공진자형 탄성파 필터의 전극 구성을 도시하는 평면도이다.
제1 종결합 공진자형 탄성파 필터(7a)는 IDT 전극(10Ba 내지 10Bc)을 갖는다. IDT 전극(10Ba 내지 10Bc)의 탄성파 전반 방향 양측에 반사기(11B, 11B)가 설치되어 있다. 제2 종결합 공진자형 탄성파 필터(7b)는 IDT 전극(10Ca 내지 10Cc)을 갖는다. IDT 전극(10Ca 내지 10Cc)의 탄성파 전반 방향 양측에 반사기(11C, 11C)가 설치되어 있다.
도 5는 제1 실시 형태에 따른 탄성파 장치의 개략적인 확대 평면도이다.
여기서, 제1 대역 통과형 필터의 병렬암 공진자 P1은, 본 발명에 있어서의 제1 탄성파 소자이다. 병렬암 공진자 P1의 IDT 전극은, 서로 대향하고 있는 제1, 제2 버스 바(9a, 9b)를 갖는다. 한편, 직렬암 공진자 S1은, 본 발명에 있어서의 제2 탄성파 소자이다. 직렬암 공진자 S1의 IDT 전극은, 서로 대향하고 있는 제3, 제4 버스 바(9c, 9d)를 갖는다.
제1 내지 제4 버스 바(9a 내지 9d)는 길이 방향을 각각 갖는다. 제2 버스 바(9b)와 제3 버스 바(9c)는 평행하게 연장되어 있다. 또한, 제2 버스 바(9b)가 연장되는 방향과 제3 버스 바(9c)가 연장되는 방향은 대략 평행이어도 된다. 본 실시 형태에서는, 해당 길이 방향은 병렬암 공진자 P1 및 직렬암 공진자 S1의 탄성파 전반 방향에 평행한 방향이다. 제2 버스 바(9b)와 제3 버스 바(9c)는 길이 방향에 수직인 방향에 있어서, 갭을 두고 배치되어 있다.
제2, 제3 버스 바(9b, 9c)는 제1 전극층과, 제1 전극층 위에 적층되어 있는 제2 전극층을 갖는다. 본 실시 형태에서는, 제1, 제4 버스 바(9a, 9d)도, 제1 전극층과, 제1 전극층 위에 적층되어 있는 제2 전극층을 갖는다. 그에 의해, 전기 저항을 낮게 할 수 있다. 또한, 적어도, 제2, 제3 버스 바(9b, 9c)가 제1, 제2 전극층을 갖고 있으면 된다. 또한, 제2 전극층은 적어도 그 일부가 제1 전극층 위에 적층되어 있으면 된다.
가장 바람직하게는 제1, 제2 대역 통과형 필터에 있어서, 모든 탄성파 소자에 있어서의 IDT 전극의 버스 바가, 상기 제1, 제2 전극층에 상당하는 전극층을 갖는 것이 바람직하다. 그에 의해, 전기 저항을 한층 더 낮게 할 수 있다.
제2 버스 바(9b)는 제2 전극층이 제2 버스 바(9b)의 길이 방향에 수직인 방향으로 분단되어 있는 분단부(9B)를 갖는다. 제2 버스 바(9b)의 제1 전극층은, 분단부(9B)에 있어서 노출되어 있다.
마찬가지로, 제3 버스 바(9c)도 제2 전극층이 제3 버스 바(9c)의 길이 방향에 수직인 방향으로 분단되어 있는 분단부(9C)를 갖는다. 보다 구체적으로는, 제3 버스 바(9c)의 제2 전극층은 제2 버스 바(9b)의 분단부(9B)로부터의 제2 버스 바(9b)의 제2 전극층이 분단되어 있는 방향의 연장선 상에 있어서 분단되어 있다. 제3 버스 바(9c)의 제1 전극층은 분단부(9C)에 있어서 노출되어 있다.
본 실시 형태의 특징은, 제2 버스 바(9b)의 제2 전극층 및 제3 버스 바(9c)의 제2 전극층이 상기와 같이 분단되어 있는 데 있다. 그에 의해, IDT 전극끼리가 인접해 있는 부분에 있어서의 버스 바의 형성 불량이 발생하기 어렵다. 게다가, 듀플렉서(1)의 소형화를 진척시킬 수 있다. 이것을, 듀플렉서(1)의 구성의 상세 및 제조 방법과 함께, 이하에 있어서 설명한다.
도 2에 도시한 바와 같이, 제1 대역 통과형 필터(3a)는 입력 단자(4)를 갖는다. 직렬암 공진자 S1 내지 S4는 입력 단자(4)와 안테나 단자(5) 사이에 서로 직렬로 접속되어 있다.
입력 단자(4)에 가장 가까운 직렬암 공진자 S1과 직렬암 공진자 S2 사이의 접속점과 접지 전위 사이에는, 병렬암 공진자 P1이 접속되어 있다. 직렬암 공진자 S2와 직렬암 공진자 S3 사이의 접속점과 접지 전위 사이에는, 병렬암 공진자 P2가 접속되어 있다. 직렬암 공진자 S3과 직렬암 공진자 S4 사이의 접속점과 접지 전위 사이에는, 병렬암 공진자 P3이 접속되어 있다. 또한, 제1 대역 통과형 필터(3a)의 회로 구성은 특별히 한정되지 않는다.
제2 대역 통과형 필터(3b)는 출력 단자(6)를 갖는다. 제1, 제2 종결합 공진자형 탄성파 필터(7a, 7b)는 안테나 단자(5)와 출력 단자(6) 사이에 서로 직렬로 접속되어 있다. 안테나 단자(5)와 제1 종결합 공진자형 탄성파 필터(7a) 사이에는, 특성 조정용 탄성파 공진자 S11이 접속되어 있다. 안테나 단자(5)와 특성 조정용 탄성파 공진자 S11 사이의 접속점과 접지 전위 사이에는, 특성 조정용 탄성파 공진자 P11이 접속되어 있다. 또한, 제2 대역 통과형 필터(3b)의 회로 구성은 특별히 한정되지 않는다.
도 1에 도시한 바와 같이, 압전 기판(2) 위에는, 복수의 접지 단자(8)가 설치되어 있다. 복수의 접지 단자(8)는 접지 전위에 접속된다.
이하에 있어서, 제1 실시 형태에 따른 탄성파 장치로서의, 듀플렉서(1)의 제조 방법의 일례를 설명한다.
도 6은 제1 실시 형태에 따른 탄성파 장치의 제조 방법을 설명하기 위한, 제1, 제2 탄성파 소자에 상당하는 부분의 개략적인 평면도이다. 도 7은 제1 실시 형태에 따른 탄성파 장치의 제조 방법을 설명하기 위한, 제1, 제2 탄성파 소자에 상당하는 부분의 개략적인 평면도이다. 도 8은 제1 실시 형태에 따른 탄성파 장치의 제조 방법을 설명하기 위한, 제1, 제2 탄성파 소자에 상당하는 부분의 개략적인 평면도이다. 또한, 도 6 내지 도 8에 있어서는, 압전 기판 위에 있어서의 제1, 제2 탄성파 소자 이외의 전극 구성은 생략하고 있다. 또한, 상술한 바와 같이, 제1 및 제2의 탄성파 소자는, 도 5에 도시한 병렬암 공진자 P1 및 직렬암 공진자 S1이다. 도 7에 있어서는, 후술하는 레지스트 패턴이 형성되어 있는 부분을, 사선부에 의해 나타낸다.
도 6에 도시한 바와 같이, 압전 기판(2)을 준비한다. 이어서, 압전 기판(2) 위에 금속막을 형성한다. 금속막은, 예를 들어 스퍼터링법이나 CVD법 등에 의해 형성할 수 있다. 이어서, 포토리소그래피법에 의해, 금속막을 패터닝하고, 제1 배선층(12)을 형성한다. 제1 배선층(12)은 각 IDT 전극 및 반사기의 1층째의 전극을 포함한다. 이에 의해, 상기 제1 내지 제4 버스 바의 제1 전극층(9a1 내지 9d1)을 형성한다.
이어서, 도 7에 도시한 바와 같이, 압전 기판(2) 위에 상기 제1 배선층의 일부를 덮도록, 레지스트 패턴(13)을 형성한다. 레지스트 패턴(13)은 각 IDT 전극의 전극 핑거를 덮고 있다. 레지스트 패턴(13)은 제1 내지 제4 버스 바의 제1 전극층(9a1 내지 9d1) 위에 있어서 개구되어 있는 부분을 갖는다. 이 개구되어 있는 부분에, 후술하는 공정에 있어서, 제1 내지 제4 버스 바의 제2 전극층이 형성된다.
레지스트 패턴(13)의 두께는, 도 6에 도시한 제1 배선층(12)의 두께보다 두꺼운 것이 바람직하다. 그에 의해, 제1 내지 제4 버스 바의 제2 전극층의 두께를 두껍게 할 수 있어, 전기 저항을 한층 더 낮게 할 수 있다.
레지스트 패턴(13)은 제2 버스 바의 제1 전극층(9b1)과, 제3 버스 바의 제1 전극층(9c1) 사이에 위치하고, 제1 전극층(9b1, 9c1)을 따라 연장되어 있는 협폭부(13a)를 갖는다. 협폭부(13a)는 제2, 제3 버스 바의 제1 전극층(9b1, 9c1)이 대향하고 있는 부분의 전체 길이에 걸쳐 있다. 또한, 협폭부(13a)의 폭은, 협폭부(13a)가 연장되는 방향을 횡단하는 방향의 길이이다. 제2 버스 바와 제3 버스 바의 거리가 짧을수록, 협폭부(13a)의 폭은 좁아진다.
도 7에 나타내는 공정에서는, 레지스트 패턴(13)을, 협폭부(13a)를 보강하는 보강부(13b, 13c)를 갖도록 형성한다. 보다 구체적으로는, 보강부(13b)를 제2 버스 바의 제1 전극층(9b1) 위에 형성한다. 보강부(13b)는 협폭부(13a)와 레지스트 패턴(13)의 다른 부분을 접속한다. 마찬가지로, 보강부(13c)를 제3 버스 바의 제1 전극층(9c1) 위에 형성한다. 보강부(13c)도, 협폭부(13a)와 레지스트 패턴(13)의 다른 부분을 접속한다. 후술하는 바와 같이, 보강부(13b) 및 보강부(13c)에 상당하는 부분에 있어서, 제2 버스 바의 제2 전극층 및 제3 버스 바의 제2 전극층이 각각 분단된다.
협폭부(13a)는, 폭이 좁고, 두께가 두꺼울수록, 위치 어긋남 등의 형성 불량이 발생하기 쉽다. 또한, 협폭부(13a)의 길이가 길수록, 형성 불량이 발생하기 쉽다. 여기서, 협폭부(13a)는 보강부(13b, 13c)에 의해 보강되어 있다. 그로 인해, 제2 버스 바와 제3 버스 바의 거리를 짧게 해도, 상기 형성 불량이 억제된다. 게다가, 제2, 제3 버스 바를 길게 해도, 협폭부(13a)의 형성 불량은 억제된다. 그에 의해, 레지스트 패턴(13)에 의해 패터닝되는 제2, 제3 버스 바의 형성 불량이 억제된다.
이와 같이, 보강부(13b, 13c)를 설치하고, 제2, 제3 버스 바의 제2 전극층을 분단함으로써, 제2, 제3 버스 바의 형성 불량이 억제된다.
또한, 적어도, 보강부(13b) 및 보강부(13c) 중 어느 한쪽을 1군데 형성하면 된다. 이 경우에 있어서도, 협폭부(13a)의 위치 어긋남은 발생하기 어렵다. 혹은, 보강부(13b) 또는 보강부(13c)를 복수 형성해도 된다.
이어서, 압전 기판(2) 위의 레지스트 패턴(13)에 덮여 있는 부분 및 덮여 있지 않은 부분에, 금속막을 형성한다. 이어서, 레지스트 패턴(13)을 박리한다. 이에 의해, 도 8에 도시한 바와 같이, 제1 내지 제4 버스 바(9a 내지 9d)의 제2 전극층(9a2 내지 9d2)을 형성한다.
상기 박리에 있어서, 도 7에 도시한 레지스트 패턴(13)의 보강부(13b, 13c) 위에 있어서의 상기 금속막은 제거된다. 그에 의해, 제2, 제3 버스 바(9b, 9c)의 분단부(9B, 9C)가 형성된다. 이에 의해, 병렬암 공진자 P1 및 직렬암 공진자 S1이 형성된다. 또한, 상기에 나타낸 각 공정에 있어서, 다른 각 탄성파 공진자 및 각 종결합 공진자형 탄성파 필터도 동시에 형성된다.
상술한 바와 같이, 레지스트 패턴(13)의 협폭부(13a)의 폭을 좁게 해도, 협폭부(13a)의 위치 어긋남은 발생하기 어렵다. 따라서, 제2, 제3 버스 바(9b, 9c)의 길이 방향에 수직인 방향에 있어서의, 제2, 제3 버스 바(9b, 9c)의 거리가 짧은 경우에 있어서도, 제2 전극층(9b2, 9c2)의 형성 불량이 발생하기 어렵다. 또한, 제2, 제3 버스 바(9b, 9c)를 길게 해도, 제2 전극층(9b2, 9c2)의 형성 불량은 발생하기 어렵다. 따라서, 제2 버스 바(9b)와 제3 버스 바(9c)의 단락도 발생하기 어렵다. 더욱이, 듀플렉서(1)의 소형화를 진척시킬 수 있다.
도 1로 되돌아가서, 듀플렉서(1)에 있어서는, 병렬암 공진자 P1 및 직렬암 공진자 S1의 탄성파 전반 방향을 따르는 길이가, 직렬암 공진자 S2 내지 S4의 탄성파 전반 방향을 따르는 길이보다 길다. 이에 의해, 병렬암 공진자 P1 및 직렬암 공진자 S1에 있어서의 IDT 전극의 전극 핑거의 쌍수를 많게 할 수 있으며, 예를 들어 Q값 등의 필터 특성을 높일 수 있다. 이때, 도 1에 도시한 바와 같이, 병렬암 공진자 P1 및 직렬암 공진자 S1을 탄성파 전반 방향에 수직인 방향으로 인접해서 배치함으로써, 듀플렉서(1)의 소형화를 적합하게 도모할 수 있다. 또한, 본 실시 형태에서는, 병렬암 공진자 P1 및 직렬암 공진자 S1의 상기 방향의 거리를 짧게 할 수 있다. 따라서, 필터 특성을 높일 수 있고, 또한 듀플렉서(1)의 소형화를 한층 더 진척시킬 수 있다.
병렬암 공진자 P1 및 직렬암 공진자 S1에 있어서의 제2, 제3 버스 바(9b, 9c)의 제2 전극층이 분단되어 있는 위치나 방향은, 특별히 한정되지 않는다. 제2, 제3 버스 바(9b, 9c)의 제2 전극층은, 서로 대향하고 있는 위치에 있어서 분단되어 있으면 된다. 제2, 제3 버스 바(9b, 9c)는 길이 방향에 수직인 방향 이외의, 길이 방향에 교차하는 방향으로 분단되어 있어도 된다. 또한, 제2, 제3 버스 바(9b, 9c)의 제2 전극층 중 어느 한쪽이, 적어도 1군데에 있어서 분단되어 있으면 된다. 이들 경우에 있어서도, 제2, 제3 버스 바(9b, 9c)의 형성 불량이 발생하기 어렵다.
여기서, 제1 실시 형태의 구성을 갖는 듀플렉서와, 비교예의 듀플렉서를 제작하여, 제1 대역 통과형 필터의 삽입 손실을 비교했다. 또한, 비교예의 듀플렉서는, 제1 실시 형태에 있어서의 제2, 제3 버스 바의 제2 전극층에 상당하는 부분이 분단되지 않은 점 이외에 있어서는, 제1 실시 형태의 듀플렉서와 마찬가지 구성을 갖는다.
또한, 제1 실시 형태 및 비교예의 듀플렉서의 직렬암 공진자 S1 내지 S4, 병렬암 공진자 P1 내지 P3 및 탄성파 공진자 S11, P11의 각 IDT 전극의 사양을, 하기의 표 1에 나타낸다. 제1, 제2 종결합 공진자형 탄성파 필터(7a, 7b)의 각 IDT 전극의 사양을, 하기의 표 2에 나타낸다. 또한, 각 반사기의 사양을, 표 1 및 표 2에 나타낸다.
Figure 112016122243386-pat00001
Figure 112016122243386-pat00002
도 9는 제1 실시 형태 및 비교예에 있어서의 제1 대역 통과형 필터의 삽입 손실을 도시하는 도면이다. 실선은 제1 실시 형태의 결과를 나타내고, 파선은 비교예의 결과를 나타낸다.
도 9에 도시한 바와 같이, 제1 실시 형태에 있어서의 제1 대역 통과형 필터의 삽입 손실은, 비교예의 제1 대역 통과형 필터의 삽입 손실과 거의 동일한 것을 알 수 있다. 따라서, 제1 실시 형태에 따르면, 탄성파의 회절에 의한 손실이나, 전기 저항의 증대를 초래하지 않고, 상기 효과를 얻을 수 있는 것을 알 수 있다.
도 10은 제2 실시 형태에 따른 탄성파 장치의 개략적인 평면도이다.
본 실시 형태의 탄성파 장치는, 도 10에 도시하는 듀플렉서(21)이다. 듀플렉서(21)는 제1, 제2 대역 통과형 필터(23a, 23b)가, 모두 본 발명에 있어서의 제1, 제2 탄성파 소자를 갖는 점에서, 제1 실시 형태와 다르다. 상기 이외의 점에 있어서는, 듀플렉서(21)는 제1 실시 형태의 듀플렉서(1)와 마찬가지 구성을 갖는다.
보다 구체적으로는, 제1 대역 통과형 필터(23a)의 병렬암 공진자 P3이 상기 제1 탄성파 소자이고, 제2 대역 통과형 필터(23b)의 탄성파 공진자 S11이 상기 제2 탄성파 소자이다. 병렬암 공진자 P3과 탄성파 공진자 S11은, 탄성파 전반 방향에 수직인 방향에 있어서 인접해 있다. 병렬암 공진자 P3은, 서로 대향하고 있는 제1, 제2 버스 바(29a, 29b)를 갖는다. 탄성파 공진자 S11은, 서로 대향하고 있는 제3, 제4 버스 바(29c, 29d)를 갖는다. 제2 버스 바(29b)와 제3 버스 바(29c)는 평행하게 연장되어 있다. 제2, 제3 버스 바(29b, 29c)는 길이 방향에 수직인 방향에 있어서 갭을 두고 배치되어 있다.
제2, 제3 버스 바(29b, 29c)는 제1 전극층과, 제1 전극층 위에 적어도 그 일부가 적층되어 있는 제2 전극층을 갖는다. 제2, 제3 버스 바(29b, 29c)의 제2 전극층은, 제1 실시 형태에 있어서의 제2, 제3 버스 바(9b, 9c)와 마찬가지로 분단되어 있다. 이와 같이, 제2, 제3 버스 바(29b, 29c)는 분단부(29B, 29C)를 갖는다.
듀플렉서(21)는 제1 실시 형태의 듀플렉서(1)와 마찬가지로 제조할 수 있다. 여기서, 제2, 제3 버스 바(29b, 29c)는, 병렬암 공진자 P1 및 직렬암 공진자 S1에 있어서의 제2, 제3 버스 바(9b, 9c)와 마찬가지로 제조할 수 있다. 따라서, 본 실시 형태에서는, 제1 실시 형태의 효과에 더하여, 병렬암 공진자 P3 및 탄성파 공진자 S11의 제2, 제3 버스 바(29b, 29c)의 형성 불량도 발생하기 어렵다.
또한, 제1 대역 통과형 필터(23a)와 제2 대역 통과형 필터(23b)의 거리를 한층 더 짧게 할 수 있다. 따라서, 듀플렉서(21)의 소형화를 한층 더 진척시킬 수 있다.
본 발명은, 듀플렉서에 한정되지 않고, 개개의 대역 통과형 필터에도 적합하게 적용할 수 있다. 또한, 본 발명은 3개 이상의 대역 통과형 필터를 갖는 멀티플렉서 등에도 적합하게 적용할 수 있다.
1 : 듀플렉서
2 : 압전 기판
3a, 3b : 제1, 제2 대역 통과형 필터
4 : 입력 단자
5 : 안테나 단자
6 : 출력 단자
7a, 7b : 제1, 제2 종결합 공진자형 탄성파 필터
8 : 접지 단자
9a ~ 9d : 제1 내지 제4 버스 바
9a1 ~ 9d1 : 제1 전극층
9a2 ~ 9d2 : 제2 전극층
9B, 9C : 분단부
10A, 10Ba ~ 10Bc, 10Ca ~ 10Cc : IDT 전극
11A ~ 11C : 반사기
12 : 제1 배선층
13 : 레지스트 패턴
13a : 협폭부
13b, 13c : 보강부
21 : 듀플렉서
23a, 23b : 제1, 제2 대역 통과형 필터
29a ~ 29d : 제1 내지 제4 버스 바
29B, 29C : 분단부
S1 ~ S4 : 직렬암 공진자
S11 : 탄성파 공진자
P1 ~ P3 : 병렬암 공진자
P11 : 탄성파 공진자

Claims (8)

  1. 압전 기판과,
    상기 압전 기판에 구성되어 있고, IDT 전극을 각각 갖는 복수의 탄성파 소자
    를 구비하고,
    상기 복수의 탄성파 소자 중 제1 탄성파 소자의 상기 IDT 전극이, 서로 대향하고 있는 제1, 제2 버스 바를 갖고, 제2 탄성파 소자의 상기 IDT 전극이, 서로 대향하고 있는 제3, 제4 버스 바를 갖고,
    상기 제2 버스 바와 상기 제3 버스 바가 갭을 두고 평행하게 배치되어 있고, 또한 탄성파 전반(
    Figure 112018027242190-pat00014
    , propagating) 방향에 수직인 방향에 있어서 갭을 두고 배치되어 있고,
    상기 제2, 제3 버스 바가 제1 전극층과, 해당 제1 전극층 위에 적어도 그 일부가 적층되어 있는 제2 전극층을 갖고,
    상기 제2 버스 바의 상기 제2 전극층이, 적어도 1군데에 있어서, 탄성파 전반 방향에 교차하는 방향으로 분단되어 있는 탄성파 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제2 버스 바의 상기 제2 전극층이, 탄성파 전반 방향에 수직인 방향으로 분단되어 있는 탄성파 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제3 버스 바의 상기 제2 전극층이, 적어도 1군데에 있어서, 탄성파 전반 방향에 교차하는 방향으로 분단되어 있는 탄성파 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제3 버스 바의 상기 제2 전극층이, 탄성파 전반 방향에 수직인 방향으로 분단되어 있는 탄성파 장치.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 제2 버스 바의 상기 제2 전극층이 분단되어 있는 부분으로부터의, 상기 제2 버스 바의 상기 제2 전극층이 분단되어 있는 방향의 연장선 상에 있어서, 상기 제3 버스 바의 상기 제2 전극층이 분단되어 있는 탄성파 장치.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 복수의 탄성파 소자가 직렬암 공진자 및 복수의 병렬암 공진자를 포함하고, 상기 제1, 제2 탄성파 소자가 모두 상기 병렬암 공진자인 탄성파 장치.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    제1 대역 통과형 필터와, 상기 제1 대역 통과형 필터와는 통과 대역이 다른 제2 대역 통과형 필터를 갖고,
    상기 제1 대역 통과형 필터가 상기 제1, 제2 탄성파 소자 중 적어도 한쪽을 포함하는 탄성파 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제1 대역 통과형 필터가 상기 제1, 제2 탄성파 소자 중 한쪽을 포함하고, 상기 제2 대역 통과형 필터가 상기 제1, 제2 탄성파 소자 중 다른 쪽을 포함하는 탄성파 장치.
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