KR101884632B1 - 기판식각장치의 기판 식각 제어방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판식각장치의 기판 식각 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 기판 식각 방법은 복수개의 기판이 안착되며 고유번호를 가지는 기판 안착부가 안착되는 로드 포트와 상기 로드 포트와 연결되는 대기 이송 모듈을 포함하는 기판 이송부, 상기 기판 이송부와 연결되어 기판에 대한 식각공정을 수행하는 시퀀스제어부를 구비하는 기판식각장치의 기판 식각 제어방법에 있어서, 상기 고유번호를 가지는 상기 기판 안착부가 상기 로드 포트에 안착되는 단계, 상기 로드 포트에 안착된 상기 기판 안착부의 고유번호를 센싱하는 단계, 상기 센싱된 고유번호를 시퀀스제어부로 전송하는 단계 및 상기 시퀀스제어부에서 상기 센싱된 고유번호에 따라 기판 식각 공정을 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

기판식각장치의 기판 식각 제어방법 {Substrate etching control method of substrate etching}
본 발명은 기판식각장치의 기판 식각 제어방법에 대한 것이다.
일반적으로 기판은 다양한 제조 공정이 반복 수행됨에 따라 반도체 장치로 제작되고, 이들 반도체 제조공정 가운데 자주 이루어지는 공정 중 하나가 식각 공정이다. 기판식각장치의 경우 복수개의 기판이 안착된 기판 안착부가 로드 포트에 안착되고, 대기 이송 모듈, 로드락 챔버, 이송 챔버를 거쳐 공정 챔버로 기판이 로딩되고, 식각공정을 마친 경우 반대의 순서로 기판 안착부에 기판이 안착된다.
상기 기판 안착부는 복수 개의 슬롯(slot)이 구비된 캐리어(carrier)와 상기 캐리어를 적재한 상태로 이송하는 캐리어 박스 등과 같은 이송 도구를 통합한 정면 개구 통합형 포드(Front Opening Unified Pod; 'FOUP')로 이루어진다.
이러한 기판 안착부는 고유번호를 가지게 되며, 상기 기판식각장치의 로드 포트에 안착되기 전에 상기 고유번호가 확인된다. 상기 기판 안착부에 수용된 기판에 대한 식각 조건은 미리 결정되어 상기 기판식각장치의 제어부에 입력되며, 상기 기판 안착부의 고유번호에 따라 상기 기판 안착부에 수용된 기판에 대한 식각 조건이 확인된다. 전술한 식각 조건은 기판식각장치의 다수의 공정 챔버를 따라 이송하는 경로, 식각 가스의 종류, 식각 시간, 식각량 중에 적어도 하나의 정보를 포함하게 된다.
그런데, 종래 기판식각장치의 경우 개별 고유번호를 가지는 기판 안착부에 대해서 각각 개별 식각 조건을 적용하였다. 즉, 하나의 고유번호를 가지는 기판 안착부에 대해서는 하나의 식각 조건만을 부여할 수 있었다. 따라서, 하나의 기판 안착부에 안착된 복수개의 기판에 대해 상이한 식각 조건에 따라 식각 공정을 수행하기 위해서는 연속적으로 수행하지 못하고 중간에 기판 안착부를 분리하고 새로운 식각 조건을 부여하는 단계를 거쳐야 했다.
예를 들어, 첫번째 식각 조건을 기판 안착부에 부여하고, 상기 식각 조건에 따라 식각 공정을 마친 후에 기판 안착부를 로드 포트에서 분리하고 두번째 식각 조건을 기판 안착부에 부여하여 두번째 식각 공정을 수행하였다.
종래 기판식각장치는 연속적인 식각 공정을 수행하는 것이 곤란하여 식각 공정의 쓰루풋(throughput)이 매우 떨어졌으며, 특히 복수회의 공정을 수행하는 경우에 매우 심각한 쓰루풋 저하를 유발하였다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 연속적인 식각 공정을 수행하는 경우에 기판 안착부를 로드 포트에서 분리하지 않고 연속적으로 식각 공정을 수행할 수 있는 기판식각장치의 기판 식각 제어방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기와 같은 본 발명의 목적은 복수개의 기판이 안착되며 고유번호를 가지는 기판 안착부가 안착되는 로드 포트와 상기 로드 포트와 연결되는 대기 이송 모듈을 포함하는 기판 이송부, 상기 기판 이송부와 연결되어 기판에 대한 식각공정을 수행하는 시퀀스제어부를 구비하는 기판식각장치의 기판 식각 제어방법에 있어서, 상기 고유번호를 가지는 상기 기판 안착부가 상기 로드 포트에 안착되는 단계, 상기 로드 포트에 안착된 상기 기판 안착부의 고유번호를 센싱하는 단계, 상기 센싱된 고유번호를 시퀀스제어부로 전송하는 단계 및 상기 시퀀스제어부에서 상기 센싱된 고유번호에 따라 기판 식각 공정을 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판식각장치의 기판 식각 제어방법에 의해 달성된다.
여기서, 상기 시퀀스제어부에서 기판 식각 공정을 수행하는 단계는 상기 기판 안착부에 안착된 복수개의 기판 중에 어느 하나의 기판을 상기 기판 이송부를 통해 로드락 챔버부로 이송시키는 제1 단계, 상기 로드락 챔버부에서 이송챔버로 이송시키는 제2 단계, 미리 정해진 제1 식각조건에 따라 복수개의 공정챔버 중에 어느 하나의 공정챔버로 상기 기판을 이송하고 식각하는 제3 단계, 식각처리된 기판을 상기 공정챔버에서 상기 이송챔버로 반송하는 제4 단계, 상기 이송챔버에서 상기 로드락 챔버 및 기판 이송부를 거쳐 상기 기판 안착부로 상기 기판을 반송하는 제5 단계, 상기 기판 안착부의 복수개의 기판 중에 제1 식각조건에 따른 식각처리가 되지 않은 기판에 대해 전술한 제1 내지 제5 단계를 반복하는 제6 단계 및 상기 기판 안착부가 상기 로드 포트에서 분리되지 않은 상태에서 미리 정해진 제2 식각조건에 따라 전술한 제1 내지 제6 단계를 반복하는 단계를 포함한다.
여기서, 상기 제1 식각조건은 상기 제2 식각조건과 상이할 수 있다. 이 경우, 상기 제1 식각조건과 상기 제2 식각조건은 상기 기판식각장치의 다수의 공정 챔버 중 어느 하나의 공정챔버로 상기 기판이 이송되는 경로, 식각 가스의 종류, 식각 시간, 식각량 중에 적어도 하나가 다를 수 있다.
한편, 상기와 같은 본 발명의 목적은 로드락 챔버, 이송챔버 및 공정챔버를 구비하며, 고유번호를 가지는 기판안착부가 안착되어 식각 공정이 수행되는 경우에 상기 기판안착부에 수용된 기판에 대한 공정 히스토리가 저장되는 공정히스토리저장부를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 식각 장치에 의해 달성된다.
여기서, 상기 로드락 챔버, 이송챔버 및 공정챔버별로 공정 히스토리를 각각 저장할 수 있다.
전술한 구성을 가지는 본 발명에 따르면, 연속적인 식각 공정을 수행하는 경우에 기판 안착부를 로드 포트에서 분리하지 않고 연속적으로 식각 공정을 수행할 수 있게 되어 식각 공정의 쓰루풋을 현저히 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치를 도시한 개략도이다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 기판식각장치에 대해서 먼저 살펴보고 이어서 기판 식각 방법에 대해서 상세하게 살펴보도록 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판식각장치(100)를 도시한 개략도이다.
도 1을 참조하면, 상기 기판식각장치(100)는 기판 이송부(105)와 시퀀스제어부(200)를 포함한다.
상기 기판 이송부(105)는 그 내부에 제2 기판 이송암(132)이 배치되는 대기이송모듈(130), 상기 대기이송모듈(130)의 외부에 배치되고 기판(W)들이 수용되어 있는 기판 안착부(110)를 지지하기 위한 적어도 하나의 로드 포트(120a, 120b)를 구비한다.
상기 기판 안착부(110)는 FOUP(Front Opening Unified Pod)으로 구성될 수 있으며, 상기 제2 기판 이송암(132)은 기판(W)을 지지하며 상기 기판(W)을 이동시키기 위한 로봇으로 구성된다. 상기 대기이송모듈(130)와 상기 기판 안착부(110) 사이에는 도어(122a, 122b)가 구비된다. 상기 도어(122a, 122b)의 개폐에 따라 상기 기판이 상기 기판 안착부(110)에서 상기 대기이송모듈(130)로 이송되거나, 또는 반대로 상기 대기이송모듈(130)에서 상기 기판 안착부(110)로 반송된다.
상기 기판 이송부(105)는 상기 시퀀스제어부(200)로 연결된다. 여기서, 상기 시퀀스제어부(200)는 로드락 챔버부(145)와 기판 처리부(165)를 포함한다.
상기 로드락 챔버부(145)는 상대적으로 고진공의 공정 챔버(160a, 160b, 160c)의 입/출력 포트 사이에서 버퍼 역할을 하는 저진공의 로드락 챔버(140a 140b)를 포함한다.
상기 로드락 챔버(140a, 140b)는 상기 대기이송모듈(130)과 사이에 각각 제1 게이트 밸브(142a, 142b)를 구비하며, 상기 이송 챔버(150)와의 사이에 각각 제2 게이트 밸브(144a, 144b)를 구비한다.
상기 로드락 챔버부(145)는 전술한 기판 처리부(165)로 연결된다. 상기 기판 처리부(165)는 제1 기판 이송암(156)이 배치되는 이송 챔버(150)와 상기 이송 챔버에 각각 연결되는 복수개의 공정 챔버(160a, 160b, 160c)를 구비한다. 여기서, 상기 공정 챔버(160)는 전술한 기판에 대한 식각 공정을 수행할 수 있다.
상기 이송 챔버(150)와 공정 챔버(160) 사이에는 제3 게이트 밸브(162a, 162b, 162c)가 구비된다. 상기 제1 기판 이송암(156)에 의해 상기 로드락 챔버(140)에서 상기 공정 챔버(160)로 상기 기판(W)이 이송되며, 상기 공정 챔버(160)에서 식각 공정이 끝난 상기 기판(W)은 상기 이송 챔버(150)의 제1 기판 이송암(156)에 의해 상기 로드락 챔버(140)로 반송된다.
이때, 상기 공정 챔버(160)에서 공정이 끝난 기판(W)은 상기 로드락 챔버(140), 대기이송모듈(130)를 거쳐 상기 기판 안착부(110)로 언로딩된다.
그런데, 상기 기판 안착부(110)는 각각 고유번호(serial number)를 가지게 되며, 상기 기판식각장치(100)의 로드 포트(120)에 안착되기 전에 상기 고유번호가 확인된다. 상기 기판 안착부(110)에 수용된 기판에 대한 식각 조건은 미리 결정되어 상기 기판식각장치(100)의 제어부(미도시)에 입력되며, 상기 기판 안착부(110)의 고유번호에 따라 상기 기판 안착부(110)에 수용된 기판에 대한 식각 조건이 확인된다. 이때, 상기 식각 조건은 기판식각장치(100)의 다수의 공정 챔버(160)를 따라 이송되는 경로, 공정 챔버(160)에서 기판에 대한 식각공정을 수행하기 위한 식각 가스의 종류, 식각 시간, 식각량 중에 적어도 하나의 정보를 포함하게 된다.
그런데, 종래 기판식각장치의 경우 개별 고유번호를 가지는 기판 안착부에 대해서 각각 개별 식각 조건을 적용하였다. 즉, 하나의 고유번호를 가지는 기판 안착부에 대해서는 하나의 식각 조건만을 부여할 수 있었다. 따라서, 하나의 기판 안착부에 안착된 복수개의 기판에 대해 상이한 식각 조건에 따라 식각 공정을 수행하기 위해서는 연속적으로 수행하지 못하고 중간에 기판 안착부를 분리하고 새로운 식각 조건을 부여하는 단계를 거쳐야 했다.
예를 들어, 첫번째 식각 조건을 하나의 고유번호를 가지는 기판 안착부에 부여하고, 상기 식각 조건에 따라 식각 공정을 마친 후에 상기 기판 안착부를 로드 포트에서 분리하고 두번째 식각 조건을 상기 고유번호를 가지는 기판 안착부에 부여하여 두번째 식각 공정을 수행하였다.
이러한 방식은 연속적인 식각 공정을 수행하는 것이 곤란하여 식각 공정의 쓰루풋(throughput)이 매우 떨어졌으며, 특히 복수회의 공정을 수행하는 경우에 매우 심각한 쓰루풋 저하를 유발하였다.
이하, 전술한 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 기판 식각 방법에 대해서 살펴보기로 한다.
본 발명에 따른 기판 식각 방법은 상기 고유번호를 가지는 상기 기판 안착부(110)가 상기 로드 포트(120)에 안착되는 단계, 상기 로드 포트(120)에 안착된 상기 기판 안착부(110)의 고유번호를 센싱하는 단계, 상기 센싱된 고유번호를 상기 시퀀스제어부(200)로 전송하는 단계, 상기 시퀀스제어부(200)에서 상기 센싱된 고유번호에 따라 기판 식각 공정을 수행하는 단계를 포함한다.
먼저, 상기 고유번호를 가지는 기판 안착부(110)가 상기 로드 포트(120)에 안착되며, 이어 상기 기판 안착부(110)의 고유번호를 센싱하게 된다. 이를 위하여 상기 로드 포트(120)에는 상기 기판 안착부(110)의 고유번호를 센싱하는 센싱부(미도시)를 구비할 수 있다.
센싱된 고유번호는 시퀀스제어부(200)로 전달되며, 상기 시퀀스제어부(200)는 센싱된 고유번호에 따라 기판의 이송 및 식각 공정을 수행하게 된다.
이때, 상기 시퀀스제어부(200)에는 기판 안착부(110)의 고유번호에 대응하는 기판 이송 경로와, 각각의 공정챔버(160a, 160b, 160c) 마다 마련되는 적어도 하나의 식각 공정에 대한 식각 조건이 미리 입력될 수 있다. 따라서, 상기 로드 포트(120)에 안착된 기판 안착부(110)의 고유번호를 확인한 다음, 상기 고유번호에 대응하는 기판 이송 경로와, 기판 식각 공정의 식각조건을 불러와 기판 이송 및 식각 공정을 수행할 수 있다. 이때, 상기 식각 공정은 하나의 식각 공정으로 이루어지거나, 또는 둘 이상의 복수의 식각 공정으로 이루어질 수 있다. 또한, 복수의 식각 공정으로 이루어지는 경우에 각각의 식각 공정에 대한 식각 조건은 서로 동일하거나, 또는 상이할 수 있다. 이러한 식각 조건을 포함하는 식각 공정에 대한 정보는 상기 시퀀스제어부(200)의 제어부(미도시)에 저장되거나, 또는 상기 시퀀스제어부(200)의 저장매체에 프로그램 형태로 내장될 수 있다. 또는 상기 시퀀스제어부(200)의 로드락 챔버(140a, 140b), 이송챔버(150), 공정챔버(160a, 160b, 160c)의 각각에 마련된 제어부에 저장되거나 전술한 챔버들의 저장매체에 프로그램 형태로 내장될 수 있다. 상기 로드락 챔버(140a, 140b), 이송챔버(150), 공정챔버(160a, 160b, 160c)의 각각에 각 챔버별 공정 정보를 저장하는 경우 해당 챔버의 공정히스토리를 별도로 관리할 수 있는 이점이 있다.
상기 시퀀스제어부(200)에서 기판 식각 공정을 수행하는 단계는 상기 기판 안착부(110)에 안착된 복수개의 기판 중에 어느 하나의 기판을 상기 기판 이송부(105)를 통해 상기 로드락 챔버부(145)로 이송시키는 제1 단계, 상기 로드락 챔버부(145)에서 상기 기판 처리부(165)의 이송 챔버(150)로 이송시키는 제2 단계, 미리 정해진 제1 식각조건에 따라 복수개의 공정 챔버(160a, 160b, 160c) 중에 어느 하나의 공정 챔버로 상기 기판을 이송하고 식각하는 제3 단계, 상기 기판을 상기 공정 챔버(160)에서 상기 이송 챔버(150)로 반송하는 제4 단계, 상기 이송 챔버(150)에서 상기 로드락 챔버부(145) 및 기판 이송부(105)를 통해 상기 기판 안착부(110)로 상기 기판을 반송하는 제5 단계를 포함한다.
이어서, 상기 기판 안착부(110)의 복수개의 기판 중에 제1 식각조건에 다른 식각 처리가 되지 않은 기판에 대해 전술한 제1 내지 제5 단계를 반복하는 제6 단계 및 상기 기판 안착부(110)가 상기 로드 포트(120)에서 분리되지 않은 상태에서 미리 정해진 제2 식각조건에 따라 전술한 제1 내지 제6 단계를 반복하는 단계를 포함한다.
먼저, 상기 기판 안착부(110)에 안착된 복수개의 기판 중에 어느 하나의 기판을 상기 기판 이송부(105)를 통해 상기 로드락 챔버부(145)로 이송시킨다. 이때, 상기 기판 이송부(105)의 대기이송모듈(130)의 내부에 배치된 제2 기판 이송암(132)에 의해 상기 기판 안착부(110)에서 상기 로드락 챔버부(145)의 로드락 챔버(140a, 140b)로 상기 기판이 이송된다.
상기 로드락 챔버(140a, 140b)로 이송된 상기 기판은 상기 이송 챔버(150)의 제1 기판 이송암(156)에 의해 상기 이송 챔버(150)로 이송된다.
이어서, 미리 정해진 제1 식각조건에 따라 복수개의 공정 챔버(160) 중에 어느 하나의 공정 챔버(160)로 상기 기판을 이송하고 식각 공정을 수행한다. 이때, 상기 기판이 안착되어 있던 상기 기판 안착부(110)의 고유번호에 의해 상기 제1 식각 조건이 결정된다. 상기 제1 식각 조건은 상기 기판식각장치(100)의 다수의 공정 챔버(160a, 160b, 160c) 중 제1 식각 조건을 포함하는 있는 공정 챔버를 따라 이송되는 경로, 제1 식각 조건으로 식각 공정을 수행하기 위한 식각 가스의 종류, 식각 시간, 식각량 중에 적어도 하나의 정보를 포함하게 된다.
이와 같이 미리 결정된 상기 제1 식각 조건에 따라 제1 식각 공정을 수행하고 상기 기판은 상기 공정 챔버(160)에서 상기 이송 챔버(150)로 반송된다.
이어, 상기 이송 챔버(150)에서 상기 로드락 챔버(140)를 거쳐 상기 기판 안착부(110)로 상기 기판이 반송된다.
전술한 기판 안착부(110)의 복수개의 기판을 수용하며, 예를 들어 대략 25개 정도의 기판을 수용한다.
따라서, 상기 기판식각장치(100)는 상기 기판 안착부(110)에 안착된 복수개의 기판에 대해 전술한 단계, 즉 제1 식각 조건에 따른 제1 식각 공정을 반복하게 된다.
상기 제1 식각 조건에 따른 상기 제1 식각 공정을 상기 기판 안착부(110)에 수용된 기판 모두에 대해 수행한 다음, 상기 기판 안착부(110)가 상기 로드 포트(120)에서 분리되지 않은 상태에서 미리 정해진 제2 식각조건에 따라 전술한 기판 식각 공정을 반복하게 된다.
즉, 상기 제1 식각 조건에 따른 제1 식각 공정을 수행한 다음 상기 기판 안착부(110)를 상기 로드 포트(120)에서 분리하지 않고, 또는 상기 기판 안착부(110)의 고유번호를 다시 확인하지 않고 연속하여 다음 식각 공정을 수행하게 된다.
이때, 제2 식각 공정의 구체적인 제2 식각 조건은 전술한 바와 같이 상기 기판식각장치(100)의 시퀀스제어부(200)의 제어부 또는 로드락 챔버(140a, 140b), 이송챔버(150), 공정챔버(160a, 160b, 160c)의 각각의 제어부에 미리 입력된 상태이다.
따라서, 상기 기판식각장치(100)는 미리 입력된 상기 제2 식각 조건에 따른 제2 식각공정을 상기 기판 안착부(110)에 수용된 기판에 모두에 대해 수행하게 된다.
한편, 전술한 바와 같이, 상기 제1 식각조건은 상기 제2 식각조건과 상이할 수 있으며, 예를 들어 상기 기판식각장치(100)의 다수의 공정 챔버(160a, 160b, 160c) 중 어느 하나의 공정 챔버로 기판을 이송하는 경로, 식각 가스의 종류, 식각 시간, 식각량 중에 적어도 하나가 다를 수 있다.
결국, 본 실시예에 따른 기판식각장치(100)는 고유번호를 가지는 기판 안착부(110)가 기판식각장치에 안착되어 식각 공정이 수행되는 경우에 상기 기판 안착부(110)에 수용된 기판에 대한 공정 히스토리(history)를 일괄적으로 저장하여 관리할 수 있다.
즉, 종래에는 개별 식각 공정이 수행되기 위해서 상기 기판 안착부가 하나의 식각 공정을 마친 후에 상기 기판식각장치에서 분리되어 새로운 식각 공정에 대한 정보를 다시 부여받아 다시 식각 공정을 수행해야 했다. 따라서, 종래에는 하나의 기판 안착부에 대해 여러 개의 식각 공정을 수행한 경우에 이를 일괄적으로 저장 및 관리하는 것이 매우 힘들고 불편하였다.
하지만, 본 발명에 따른 기판식각장치에서는 복수개의 식각 공정을 수행하는 경우에도 기판 안착부(110)가 기판식각장치(100)에서 분리되지 않고 연속적으로 식각 공정이 수행되므로, 하나의 기판 안착부(110)에 대해 수행된 복수의 식각 공정에 대한 공정 히스토리를 일괄적으로 저장하여 관리할 수 있다. 이때, 상기 시퀀스제어부(200)에는 전술한 공정 히스토리가 저장되는 공정히스토리저장부(미도시)를 구비할 수 있다. 상기 공정히스토리저장부는 전술한 시퀀스제어부(200)의 제어부로 구성되거나, 또는 별도의 저장부로 구성될 수 있다.
또한, 전술한 바와 같이 상기 로드락 챔버(140a, 140b), 이송챔버(150), 공정챔버(160a, 160b, 160c)의 각각에 제어부를 구비하는 경우에 각 챔버별로 해당 챔버의 공정히스토리를 별도로 관리할 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 당업자는 이하에서 서술하는 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경 실시할 수 있을 것이다. 그러므로 변형된 실시가 기본적으로 본 발명의 특허청구범위의 구성요소를 포함한다면 모두 본 발명의 기술적 범주에 포함된다고 보아야 한다.
100..기판처리장치
110..기판 안착부
120..로드 포트
130..대기이송모듈
140..로드락 챔버
150..이송 챔버
160..공정 챔버

Claims (6)

  1. 복수개의 기판이 안착되며 고유번호를 가지는 기판 안착부가 안착되는 로드 포트와 상기 로드 포트와 연결되는 대기 이송 모듈을 포함하는 기판 이송부, 상기 기판 이송부와 연결되어 기판에 대한 식각공정을 수행하는 시퀀스제어부를 구비하는 기판식각장치의 기판 식각 제어방법에 있어서,
    상기 고유번호를 가지는 상기 기판 안착부가 상기 로드 포트에 안착되는 단계;
    상기 로드 포트에 안착된 상기 기판 안착부의 고유번호를 센싱하는 단계;
    상기 센싱된 고유번호를 시퀀스제어부로 전송하는 단계; 및
    상기 시퀀스제어부에서 상기 센싱된 고유번호에 따라 기판 식각 공정을 수행하는 단계;를 포함하고,
    상기 시퀀스제어부는 상기 고유번호에 대응하는 복수의 식각 공정에 대응하는 식각조건이 미리 입력되어 있으며, 상기 기판 식각 공정을 수행하는 단계는 상기 기판 안착부가 상기 로드 포트에서 분리되지 않은 상태에서 복수의 식각 공정을 연속적으로 수행하는 것을 특징으로 하는 기판식각장치의 기판 식각 제어방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 시퀀스제어부에서 기판 식각 공정을 수행하는 단계는
    상기 기판 안착부에 안착된 복수개의 기판 중에 어느 하나의 기판을 상기 기판 이송부를 통해 로드락 챔버부로 이송시키는 제1 단계;
    상기 로드락 챔버부에서 이송챔버로 이송시키는 제2 단계;
    미리 정해진 제1 식각조건에 따라 복수개의 공정챔버 중에 어느 하나의 공정챔버로 상기 기판을 이송하고 식각하는 제3 단계;
    식각처리된 기판을 상기 공정챔버에서 상기 이송챔버로 반송하는 제4 단계;
    상기 이송챔버에서 상기 로드락 챔버 및 기판 이송부를 거쳐 상기 기판 안착부로 상기 기판을 반송하는 제5 단계;
    상기 기판 안착부의 복수개의 기판 중에 제1 식각조건에 따른 식각처리가 되지 않은 기판에 대해 전술한 제1 내지 제5 단계를 반복하는 제6 단계; 및
    상기 기판 안착부가 상기 로드 포트에서 분리되지 않은 상태에서 미리 정해진 제2 식각조건에 따라 전술한 제1 내지 제6 단계를 반복하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판식각장치의 기판 식각 제어방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1 식각조건은 상기 제2 식각조건과 상이한 것을 특징으로 하는 기판식각장치의 기판 식각 제어방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제1 식각조건과 상기 제2 식각조건은 상기 기판식각장치의 다수의 공정 챔버 중 어느 하나의 공정챔버로 상기 기판이 이송되는 경로, 식각 가스의 종류, 식각 시간, 식각량 중에 적어도 하나가 다른 것을 특징으로 하는 기판식각장치의 기판 식각 제어방법.
  5. 로드락 챔버, 이송챔버 및 공정챔버를 구비하며, 고유번호를 가지는 기판안착부가 안착되어 식각 공정이 수행되는 경우에 상기 기판안착부에 수용된 기판에 대한 공정 히스토리가 저장되는 공정히스토리저장부를 구비하고, 상기 로드락 챔버, 이송챔버 및 공정챔버별로 공정 히스토리를 각각 저장하는 것을 특징으로 하는 기판 식각 장치.
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002506285A (ja) * 1998-03-03 2002-02-26 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド マルチチャンバ半導体ウェハ加工システムでウェハを順序付けるための方法および装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3200952B2 (ja) * 1992-04-30 2001-08-20 松下電器産業株式会社 マルチリアクタタイプのプロセス設備制御装置
KR20060077561A (ko) * 2004-12-30 2006-07-05 삼성전자주식회사 반도체 제조설비의 제어 방법
KR20080072265A (ko) * 2007-02-01 2008-08-06 세메스 주식회사 기판 처리 장치, 기판 이송 로봇, 기판 이송 로봇의 구동방법
KR20090002930A (ko) * 2007-07-05 2009-01-09 세메스 주식회사 이송 로봇 및 기판 처리 장치
KR20100040067A (ko) * 2008-10-09 2010-04-19 주식회사 아토 웨이퍼 이송 방법
KR101939353B1 (ko) * 2012-06-26 2019-01-16 세메스 주식회사 기판 이송 방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002506285A (ja) * 1998-03-03 2002-02-26 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド マルチチャンバ半導体ウェハ加工システムでウェハを順序付けるための方法および装置

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