KR20220026995A - 기판 처리 시스템 및 기판 처리 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 기술적 사상에 따른 기판 처리 시스템은, 복수의 공정 챔버를 가지는 제조 공정 설비 및 제조 공정 설비를 제어하는 컨트롤 서버에 있어서, 컨트롤 서버로부터 제조 공정 설비로 반도체 기판의 이송 순서를 전송하는 경우, 반도체 기판이 공정 챔버에 인입되어 소정의 공정이 수행되고 인출되기까지를 하나의 공정 싸이클로 정의하였을 때, 컨트롤 서버는 제1 이송 순서에 의해 N번째(여기서, N은 자연수)의 공정 싸이클을 수행하는 제조 공정 설비에 반도체 기판의 인입이 금지된 상태에 있던 적어도 하나의 공정 챔버 중 하나 이상에 대해 금지가 해제된 시점에 즉시 N+1번째의 공정 싸이클부터 제2 이송 순서로 전환을 명령한다.

Description

기판 처리 시스템 및 기판 처리 장치{SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
본 발명의 기술분야는 기판 처리 시스템 및 기판 처리 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 복수의 공정 챔버에서 반도체 기판의 이송 순서를 제어하는 기판 처리 시스템 및 기판 처리 장치에 관한 것이다.
일반적인 반도체 소자의 제조 공정에서, 반도체 기판 상에 물질층의 형성 또는 물질층의 식각과 같은 다양한 공정 과정이 반복적으로 수행될 수 있다. 이러한 공정 과정을 수행하는 기판 처리 장치에는 복수의 공정 챔버를 제어하는 기판 처리 시스템이 사용되고 있다. 따라서, 이러한 기판 처리 시스템에서는 복수의 공정 챔버 사이의 반도체 기판의 반송 및 로드 포트와의 사이에서 반도체 기판의 전달을 위하여 이송 순서를 효율적으로 제어하는 것이 요구된다.
본 발명의 기술적 사상이 해결하고자 하는 과제는, 복수의 공정 챔버를 가지는 매엽식 설비에서 반도체 기판의 인입이 금지된 상태에 있던 공정 챔버를 즉시 이용하는 경우에 컨트롤 서버에서 논리적으로 이송 순서를 제어함으로써, 기판 처리 시스템의 효율을 개선하는 것이다.
본 발명의 기술적 사상이 해결하고자 하는 과제는, 복수의 공정 챔버를 가지는 매엽식 설비에서 반도체 기판의 인입이 금지된 상태에 있던 공정 챔버를 즉시 이용하는 경우에 컨트롤 서버에서 논리적으로 이송 순서를 제어함으로써, 기판 처리 장치의 생산성을 향상하는 것이다.
본 발명의 기술적 사상이 해결하고자 하는 과제는, 이상에서 언급한 과제에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 기술적 사상에 따른 기판 처리 시스템은, 복수의 공정 챔버를 가지는 제조 공정 설비 및 상기 제조 공정 설비를 제어하는 컨트롤 서버에 있어서, 상기 컨트롤 서버로부터 상기 제조 공정 설비로 반도체 기판의 이송 순서를 전송하는 경우, 상기 반도체 기판이 상기 공정 챔버에 인입되어 소정의 공정이 수행되고 인출되기까지를 하나의 공정 싸이클로 정의하였을 때, 상기 컨트롤 서버는, 제1 이송 순서에 의해 N번째(여기서, N은 자연수)의 공정 싸이클을 수행하는 상기 제조 공정 설비에, 상기 반도체 기판의 인입이 금지된 상태에 있던 적어도 하나의 공정 챔버 중 하나 이상에 대해 금지가 해제된 시점에 즉시, N+1번째의 공정 싸이클부터 제2 이송 순서로 전환을 명령한다.
본 발명의 기술적 사상에 따른 기판 처리 장치는, 로드 포트; 복수의 공정 챔버를 가지는 제조 공정 설비; 및 상기 제조 공정 설비를 제어하는 컨트롤 서버;를 포함하고, 반도체 기판이 상기 로드 포트로부터 상기 공정 챔버에 인입되어 반도체 공정이 수행되고 상기 로드 포트로 되돌아가기까지를 하나의 공정 싸이클로 정의하였을 때, 최초 이송 순서에 의해 상기 공정 싸이클을 수행하는 상기 제조 공정 설비에, 상기 반도체 기판의 인입이 금지된 상태에 있던 적어도 하나의 공정 챔버 중 하나 이상에 대해 금지가 해제된 시점에 즉시, 새로운 공정 싸이클부터 새로운 이송 순서로 전환된다.
본 발명의 기술적 사상에 따른 기판 처리 장치는, 로드 포트; 반도체 기판을 이송하는 로봇 암; 복수의 공정 챔버를 가지는 제조 공정 설비; 및 상기 제조 공정 설비를 제어하는 컨트롤 서버;를 포함하고, 상기 반도체 기판이 상기 로봇 암을 통하여, 상기 로드 포트로부터 상기 공정 챔버에 인입되어 반도체 공정이 수행되고 상기 로드 포트로 되돌아가기까지를 하나의 공정 싸이클로 정의하였을 때, 상기 컨트롤 서버는, 상기 복수의 공정 챔버를 상기 반도체 기판의 인입이 허용된 가용 공정 챔버 및 상기 반도체 기판의 인입이 금지된 불용 공정 챔버로 구분하고, 상기 가용 공정 챔버에서 상기 로봇 암이 제1 이송 순서에 의해 N번째(여기서, N은 자연수)의 공정 싸이클을 수행하고, 상기 불용 공정 챔버 중 하나 이상에 대해 상기 금지가 해제된 제1 시점에 즉시, 상기 불용 공정 챔버를 가용 공정 챔버로 전환하여 상기 로봇 암이 제2 이송 순서에 의해 N+1번째의 공정 싸이클부터 수행하는 가동 정보를, 상기 제조 공정 설비로 제공한다.
본 발명의 기술적 사상에 따른 기판 처리 시스템 및 기판 처리 장치는, 복수의 공정 챔버를 가지는 매엽식 설비에서 반도체 기판의 인입이 금지된 상태에 있던 공정 챔버를 즉시 이용하는 경우에 컨트롤 서버에서 논리적으로 이송 순서를 제어함으로써 기판 처리 시스템의 효율을 개선하고, 기판 처리 장치의 생산성을 향상시키는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 기술적 사상의 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 2는 본 발명의 기술적 사상의 실시예에 따른 기판 처리 장치의 일부를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 기술적 사상의 실시예에 따른 기판 처리 시스템의 동작 순서를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명의 기술적 사상의 실시예에 따른 기판 처리 시스템이 기판 처리 장치에서 동작되는 과정을 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명의 기술적 사상의 실시예에 따른 기판 처리 시스템에서 각각의 공정 싸이클이 동작되는 과정을 선형적으로 나타내는 도면이다.
도 6은 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 기판 처리 시스템을 이용한 기판 진행 방법을 나타내는 순서도이다.
도 7은 본 발명의 기술적 사상의 다른 실시예에 따른 기판 처리 시스템을 이용한 기판 진행 방법을 나타내는 순서도이다.
도 8은 본 발명의 기술적 사상의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 시스템을 이용한 기판 진행 방법을 나타내는 순서도이다.
도 9 및 도 10은 본 발명의 기술적 사상의 실시예에 따른 기판 처리 장치를 이용하여 반도체 소자를 제조하는 공정을 나타내는 단면도들이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 기술적 사상의 실시예에 대해 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 기술적 사상의 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(1000)는 전방 단부 모듈(100), 이송 모듈(200), 로드락 챔버(300), 제조 공정 설비(400), 및 컨트롤 서버(500)를 포함할 수 있다.
전방 단부 모듈(100)은 기판 컨테이너(10)가 수용될 수 있는 내부 공간(111)을 제공하는 로드 포트(110)를 구비하며, 상기 로드 포트(110)의 내부 공간(111)을 진공압 또는 대기압으로 조절할 수 있다.
상기 전방 단부 모듈(100)은 로드 포트(110)의 내부 공간(111) 및 기판 컨테이너(10)의 내부를 진공압에서 대기압으로 승압시키기 위하여, 내부 공간(111) 및 기판 컨테이너(10)의 내부를 질소 가스, 불활성 가스, 또는 청정 건조 공기로 충진시킬 수 있다.
상기 전방 단부 모듈(100)은 반도체 기판(600)에 대한 제조 공정이 수행되는 동안 내부 공간(111)을 진공압으로 유지할 수 있다. 또한, 상기 전방 단부 모듈(100)은 로드 포트(110)의 내부 공간(111)을 대기압에서 진공압으로 감압시키기 위하여, 내부 공간(111)의 가스를 강제로 배기시킬 수 있다.
일부 실시예들에서, 상기 전방 단부 모듈(100)은 반도체 기판(600) 상에 반도체 제조 공정이 수행되는 동안 내부 공간(111)의 압력을 제조 공정 설비(400) 내의 진공 분위기보다 높은 압력이지만 외부 압력(예를 들어, 대기압)보다 낮은 진공압으로 유지할 수 있다. 이에 따라, 상기 전방 단부 모듈(100)에서 대기 중인 기판 컨테이너(10) 및 기판 컨테이너(10)에 수납되어 있는 복수의 반도체 기판(600)에 잔류하는 가스 또는 습기는 제거될 수 있다.
상기 전방 단부 모듈(100)의 내부 공간(111)의 압력을 제조 공정 설비(400)의 진공 분위기까지 감압하지 않더라도, 공정 조건에 따라 기판 처리 장치(1000)의 생산성을 낮추지 않으면서 기판 컨테이너(10) 및 반도체 기판(600)의 오염을 충분히 제거할 수 있다.
이송 모듈(200)은 전방 단부 모듈(100)의 후단에 배치될 수 있다. 상기 이송 모듈(200)은 전방 단부 모듈(100)에서 대기 중인 기판 컨테이너(10)에 수납된 복수의 반도체 기판(600)을 로딩 또는 언로딩하기 위하여 회동이 자유롭게 마련된 이송 로봇(210)을 구비할 수 있다. 상기 이송 모듈(200)의 이송 로봇(210)은 기판 컨테이너(10) 내의 미처리 상태의 반도체 기판(600)을 로드락 챔버(300)로 이송하고, 제조 공정 설비(400)에서 제조 공정이 완료되어 로드락 챔버(300)에서 대기 중인 반도체 기판(600)을 기판 컨테이너(10)로 이송할 수 있다.
일부 실시예들에서, 상기 이송 모듈(200)의 이송 로봇(210)이 반도체 기판(600)을 이송하는 동안 반도체 기판(600)이 외기에 노출되어 오염되는 것을 방지하기 위하여, 이송 모듈(200)은 그 내부를 진공 상태로 유지할 수 있다. 예를 들어, 상기 이송 모듈(200)은 내부의 밀폐 가능한 공간의 압력을 진공압으로 유지할 수 있다.
여기서, 상기 전방 단부 모듈(100)은 반도체 기판(600)의 이송을 위하여 제1 도어(141)를 개방하는 시기에 상기 이송 모듈(200)의 기압 상태가 변화되는 것을 방지하기 위하여 로드 포트(110) 내의 압력을 상기 이송 모듈(200)의 기압 상태와 동일하게 조정할 수 있다.
로드락 챔버(300)는 이송 모듈(200)과 제조 공정 설비(400) 사이에 배치될 수 있다. 로드락 챔버(300)는 이송 모듈(200) 및 제조 공정 설비(400)의 이송 챔버(410)의 기압 상태가 변화되는 것을 방지하기 위하여 진공압으로 내부의 압력을 조정할 수 있다. 상기 로드락 챔버(300) 내부에는 반도체 기판(600)이 임시로 대기하는 버퍼 스테이지(미도시)가 설치될 수 있으며, 이송 모듈(200)의 이송 로봇(210)으로부터 이송된 반도체 기판(600)은 로드락 챔버(300)의 압력이 조정되는 동안 상기 버퍼 스테이지에 대기하게 된다.
상기 로드락 챔버(300)는 이송 모듈(200)의 이송 로봇(210)이 반도체 기판(600)을 로딩 또는 언로딩하는 시기에는 이송 모듈(200)에 근접한 진공 분위기를 형성하여, 이송 모듈(200)의 이송 로봇(210)으로부터 미처리된 반도체 기판(600)을 공급받을 수 있다. 또한, 제조 공정 설비(400)의 이송 챔버(410) 내의 로봇 암(420)이 반도체 기판(600)을 로딩 또는 언로딩하는 시기에는 이송 챔버(410)에 근접한 진공 분위기를 형성하여, 로봇 암(420)으로부터 제조 공정이 완료된 반도체 기판(600)을 공급받을 수 있다.
제조 공정 설비(400)는 로드락 챔버(300)의 후단 측에 배치되며, 이송 챔버(410) 및 복수의 공정 챔버(430)를 포함할 수 있다. 상기 제조 공정 설비(400)는 건식 식각(dry etch) 설비, 화학 기상 증착(chemical vapor deposition) 설비, 열확산로(thermal furnace), 디벨로프(developing) 설비, 또는 세정(cleaning) 설비일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
이송 챔버(410)는 로드락 챔버(300)와 공정 챔버(430) 사이에 배치될 수 있다. 이송 챔버(410)는 회동이 자유롭게 마련된 로봇 암(420)을 구비하며, 공정 챔버(430)와 로드락 챔버(300) 내에서 대기 중인 반도체 기판(600)의 이송을 담당할 수 있다.
공정 챔버(430)는 반도체 기판(600)에 대한 반도체 제조 공정을 수행할 수 있다. 공정 챔버(430)와 이송 챔버(410) 사이에는 반도체 기판(600)이 반입 또는 반출되는 출입 게이트(미도시)가 설치될 수 있다. 공정 챔버(430)는 이송 챔버(410)의 각 변을 따라 복수로 설치될 수 있다. 상기 공정 챔버(430)는 시계 방향을 따라 제1 내지 제6 공정 챔버(CH1 내지 CH6)로 구성될 수 있다. 도면에는 상기 공정 챔버(430)가 6개로 도시되었으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
공정 챔버(430)에서 반도체 제조 공정이 완료된 반도체 기판(600)은 이송 챔버(410)의 로봇 암(420)에 의해 전방 단부 모듈(100) 내에서 대기 중인 기판 컨테이너(10)로 이송될 수 있다. 반도체 기판(600)이 기판 컨테이너(10)에 수납되는 동안 전방 단부 모듈(100)의 내부는 진공 상태를 유지할 수 있다. 기판 컨테이너(10)가 언로딩되기 전까지, 반도체 제조 공정이 완료된 반도체 기판(600)은 진공 상태의 전방 단부 모듈(100)에서 대기하므로, 반도체 기판(600) 상에 잔류하는 가스나 습기는 제거될 수 있다.
또한, 반도체 제조 공정이 완료된 반도체 기판(600)에 잔류하는 오염 물질은 전방 단부 모듈(100)에서 대기하는 동안 제거될 수 있으므로, 제조 공정이 완료된 반도체 기판(600)으로부터 방출된 부식성 가스로 인하여 기판 컨테이너(10)에 수납된 미처리된 반도체 기판(600)이 오염되는 것을 방지할 수 있다.
컨트롤 서버(500)는 장치 컨트롤러, 모듈 컨트롤러, 및 상기 장치 컨트롤러와 상기 모듈 컨트롤러를 접속하는 스위칭 허브를 포함할 수 있다. 도면에는 상기 컨트롤 서버(500)가 로드락 챔버(300)의 측면에 배치되는 것으로 도시되어 있으나, 상기 컨트롤 서버(500)의 배치가 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 컨트롤 서버(500)는 반도체 제조 공정이 수행되는 반도체 기판(600)에 대한 각종 처리를 실현하기 위한 제어 프로그램 및 공정 처리 조건 데이터 등이 기록된 공정 레시피에 기초하여 기판 처리 장치(1000)의 각각의 구성 요소에 제어 신호를 보냄으로써, 기판 처리 시스템(1000S, 도 4 참조)의 전체적인 동작에 관여할 수 있다. 상기 기판 처리 시스템(1000S, 도 4 참조)에 대한 상세한 내용은 후술하도록 한다.
한편, 기판 처리 장치(1000)에서 처리되는 반도체 기판(600)은 대표적으로 반도체 소자를 제조하기 위한 웨이퍼일 수 있다. 기판 처리 장치(1000)의 도시된 구성 외에도 반도체 집적 회로 또는 반도체 칩의 완전한 제조에 요구되는 제조 공정을 수행하기 위해 다수의 시스템들이 요구될 수 있다. 여기서, 본 발명의 명확한 설명을 위하여 통상적인 구성이나 당업자 수준에서 이해될 수 있는 구성은 생략하기로 한다.
도 2는 본 발명의 기술적 사상의 실시예에 따른 기판 처리 장치의 일부를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 2를 참조하면, 기판 처리 장치(1000)는 앞서 설명한 바와 같이 전방 단부 모듈(100)과 전방 단부 모듈(100)의 후단 측에 배치된 이송 모듈(200) 및 로드락 챔버(300)를 포함할 수 있다.
전방 단부 모듈(100)은 로드 포트(110), 제1 도어(141), 제2 도어(143), 진공 펌프(120), 및 가스 공급부(130)를 포함할 수 있다.
제1 도어(141)는 로드 포트(110)와 이송 모듈(200) 사이에 설치될 수 있으며, 로드 포트(110)의 개구부를 개폐할 수 있다. 상기 제1 도어(141)는 기판 컨테이너(10)에 적재된 미처리 상태의 반도체 기판(600)을 제조 공정 설비(400, 도 1 참조)로 반출하거나 제조 공정 설비(400, 도 1 참조)에서 제조 공정이 완료된 반도체 기판(600)을 기판 컨테이너(10)로 반입하기 위하여 개방될 수 있다. 또한, 상기 제1 도어(141)는 이송 모듈(200)의 기압 상태가 로드 포트(110)의 내부 공간(111)의 기압 상태로 인하여 변하는 것을 방지하기 위하여 폐쇄될 수 있다.
제2 도어(143)는 기판 컨테이너(10)의 반입 또는 반출을 위하여 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 도어(143)는 로드 포트(110)의 상부에 배치되어 로드 포트(110)의 개구부를 개폐할 수 있다. 제2 도어(143)는 기판 컨테이너(10)가 전방 단부 모듈(100)로 로딩되거나 기판 컨테이너(10)가 전방 단부 모듈(100)로부터 언로딩되는 동안 개방될 수 있다. 또한, 상기 제2 도어(143)는 로드 포트(110)의 내부 공간(111)을 외부와 단절시키기 위하여 폐쇄될 수 있다.
기판 컨테이너(10)가 수용되는 로드 포트(110)의 내부 공간(111)은 제1 도어(141) 및 제2 도어(143)의 폐쇄 동작에 의하여 밀폐될 수 있다. 제1 도어(141) 및 제2 도어(143)는 각각 내부 공간(111)의 밀폐된 상태를 유지하기 위하여 슬릿 밸브를 구비할 수 있다.
상기 제1 도어(141)는 기판 컨테이너(10)의 전면을 개방 또는 폐쇄하는 기판 컨테이너(10)의 컨테이너 도어(11)를 오픈시킬 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 도어(141)는 도어 홀더(141a) 및 지지대(141b)를 포함할 수 있다. 도어 홀더(141a)는 기판 컨테이너(10)의 컨테이너 도어(11)와 상응되는 크기 및 형상을 가질 수 있으며, 기판 컨테이너(10)의 컨테이너 도어(11)를 락(lock) 또는 언락(unlock)시키기 위한 개폐 장치를 구비할 수 있다.
지지대(141b)는 도어 홀더(141a)의 후면에 고정 결합되며, 도어 홀더(141a)를 이동시킬 수 있다. 상기 제1 도어(141)가 로드 포트(110)의 개구부를 폐쇄하는 동안 기판 컨테이너(10)가 상기 제1 도어(141)로 밀착되면, 도어 홀더(141a)는 기판 컨테이너(10)의 컨테이너 도어(11)의 락을 해제시킨 후 컨테이너 도어(11)를 흡착 고정하며, 후진되어 기판 컨테이너(10)의 컨테이너 도어(11)를 기판 컨테이너(10)의 본체로부터 분리시킬 수 있다.
진공 펌프(120)는 제1 도어(141) 및 제2 도어(143)의 폐쇄 동작에 의하여 밀폐된 내부 공간(111)의 가스를 배기시킬 수 있다. 상기 진공 펌프(120)는 로드 포트(110)에 구비된 배기 포트(121)를 통하여 내부 공간(111)의 가스를 배기시킬 수 있다.
상기 진공 펌프(120)는 배기 라인을 통하여 배기 포트(121)와 연결되며, 상기 배기 라인에는 압력 제어 밸브 및 유량 제어 밸브가 설치될 수 있다. 상기 진공 펌프(120)가 내부 공간(111) 내의 가스를 배기함에 따라, 내부 공간(111) 및 기판 컨테이너(10)의 내부는 진공 상태가 될 수 있다.
가스 공급부(130)는 제1 도어(141) 및 제2 도어(143)의 폐쇄 동작에 의하여 밀폐된 내부 공간(111)에 퍼지 가스를 주입할 수 있다. 예를 들어, 퍼지 가스는 질소 가스, 불활성 가스, 또는 청정 건조 공기일 수 있다. 상기 가스 공급부(130)는 로드 포트(110)에 구비된 주입 포트(131)를 통하여 퍼지 가스를 내부 공간(111)으로 공급하게 된다.
상기 가스 공급부(130)는 전기적인 신호에 의하여 퍼지 가스의 유동을 조절하기 위한 가스 공급 밸브 및 내부 공간(111)으로 공급되는 퍼지 가스에 함유된 이물질을 제거하기 위한 각종 필터를 구비할 수 있다. 상기 가스 공급부(130)가 퍼지 가스를 내부 공간(111)에 주입함에 따라, 내부 공간(111) 및 기판 컨테이너(10)의 내부는 퍼지 가스로 충진되어 대기압 상태가 될 수 있다.
상기 전방 단부 모듈(100)에서 대기 중인 기판 컨테이너(10)에 수납되어 있는 복수의 반도체 기판(600)은 이송 모듈(200)에 의하여 매엽식 설비인 제조 공정 설비(400, 도 1 참조)로 정해진 이송 순서에 따라 하나씩 반출될 수 있다.
본 발명에 따른 기판 처리 시스템(1000S, 도 4 참조)에서 상기 이송 순서는 제조 공정 설비(400, 도 1 참조)의 가용 상태에 따라 실시간으로 달라질 수 있으며, 이에 대한 상세한 내용은 후술하도록 한다.
도 3은 본 발명의 기술적 사상의 실시예에 따른 기판 처리 시스템의 동작 순서를 개략적으로 나타내는 도면이고, 도 4는 본 발명의 기술적 사상의 실시예에 따른 기판 처리 시스템이 기판 처리 장치에서 동작되는 과정을 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 3 및 도 4를 함께 참조하면, 기판 처리 시스템(1000S) 및 상기 기판 처리 시스템(1000S)을 수행하는 기판 처리 장치(1000)를 나타낸다.
본 발명에 따른 기판 처리 시스템(1000S)은, 복수의 공정 챔버(430)를 가지는 제조 공정 설비(400) 및 상기 제조 공정 설비(400)를 제어하는 컨트롤 서버(500)에 있어서, 상기 컨트롤 서버(500)로부터 상기 제조 공정 설비(400)로 반도체 기판(600)의 이송 순서에 대한 가동 정보를 제공하는 역할을 수행한다.
본 발명의 명확한 설명을 위하여, 반도체 기판(600)이 공정 챔버(430)에 인입되어 소정의 반도체 제조 공정이 수행되고, 다시 공정 챔버(430)로부터 인출되기까지를 하나의 공정 싸이클로 정의한다. 또한, 공정 챔버(430)는 시계 방향을 따라 제1 내지 제6 공정 챔버(CH1 내지 CH6)를 포함할 수 있다. 도면에는 상기 공정 챔버(430)가 6개로 도시되었으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 기판 처리 시스템(1000S)은, 상기 컨트롤 서버(500)에서 제1 이송 순서(ST1)에 의해 N번째(여기서, N은 자연수)의 공정 싸이클을 수행하는 제조 공정 설비(400)에, 반도체 기판(600)의 인입이 금지된 상태에 있던 적어도 하나의 공정 챔버(430) 중 하나 이상에 대해 금지가 해제된 시점에 즉시, N+1번째의 공정 싸이클부터 제2 이송 순서(ST2)로 전환을 명령하는 가동 정보를 제공할 수 있다.
구체적으로 설명하면, 상기 기판 처리 시스템(1000S)은, 상기 컨트롤 서버(500)에서 적어도 하나의 반도체 기판(600)이 수납된 기판 컨테이너(10)가 로드 포트(110)에 로드되는 시점에 즉시, 복수의 공정 챔버(430)에 대한 모든 가동 정보를 제조 공정 설비(400)로 전송하도록 명령할 수 있다. 이를 위하여, 상기 컨트롤 서버(500)는 복수의 공정 챔버(430)의 상기 가동 정보를 프로그램에 의하여 논리적으로 제어하도록 동작할 수 있다. 즉, 상기 기판 처리 시스템(1000S)은 물리적으로 공정 챔버(430)의 가동을 제어하는 것이 아니라, 이미 프로그램되어 있는 정보에 따라 논리적으로 공정 챔버(430)의 가동을 제어할 수 있다.
따라서, 기판 컨테이너(10)에 수납된 반도체 기판(600) 전부에 대하여, 초기 이송 상태(ST0)에 가동이 허용된 공정 챔버(430)에서만 반도체 공정이 진행되는 것은 아니다. 즉, 기판 컨테이너(10)에 수납된 반도체 기판(600)의 적어도 일부는 상기 제1 이송 순서(ST1)에 의해 반도체 제조 공정이 진행되고, 기판 컨테이너(10)에 수납된 반도체 기판(600)의 나머지 일부는 상기 제2 이송 순서(ST2)에 의해 반도체 제조 공정이 진행될 수 있다.
예를 들어, 초기 이송 상태(ST0)에 모든 공정 챔버(430)인 제1 내지 제6 공정 챔버(CH1 내지 CH6)의 가동 순서에 대한 프로그램이 컨트롤 서버(500)에서 제조 공정 설비(400)로 전송된다. 이 중에서, 가동이 가능한 제4 및 제6 공정 챔버(CH4, CH6)가 제1 이송 순서(ST1)에 포함된다. 따라서, 제4 및 제6 공정 챔버(CH4, CH6)에만 반도체 기판(600)이 인입될 수 있다. 이 후, 초기 이송 상태(ST0)는 가동이 불가능한 상태에 있던 제2 공정 챔버(CH2)가 가동이 가능한 상태로 변경되면, 제2, 제4, 및 제6 공정 챔버(CH2, CH4, CH6)가 제2 이송 순서(ST2)에 포함된다. 따라서, 제2, 제4, 및 제6 공정 챔버(CH2, CH4, CH6)에만 반도체 기판(600)이 인입될 수 있다.
이와 같이, 하나의 기판 컨테이너(10)에 수납된 모든 반도체 기판(600)이 초기 이송 상태(ST0)에 의하여 설정된 제4 및 제6 공정 챔버(CH4, CH6)에서 반도체 제조 공정이 진행되는 것뿐만 아니라, 추가적으로 제2 공정 챔버(CH2)에서도 반도체 제조 공정이 진행될 수 있다.
상기 기판 처리 시스템(1000S)의 가동 정보는, 복수의 공정 챔버(430) 중 반도체 기판(600)의 인입이 허용된 상태인 공정 챔버를 가용 공정 챔버(431)로, 복수의 공정 챔버(430) 중 반도체 기판(600)의 인입이 금지된 상태인 공정 챔버를 불용 공정 챔버(432)로 구분할 수 있다. 예를 들어, 도면에 도시된 바와 같이, 제1, 제2, 제3, 및 제5 공정 챔버(CH1, CH2, CH3, CH5)는 불용 공정 챔버(432)일 수 있고, 제4 및 제6 공정 챔버(CH4, CH6)는 가용 공정 챔버(431)일 수 있다.
여기서, 불용 공정 챔버(432)는 소정의 원인에 의해 반도체 기판(600)의 공정 진행이 금지된 상태로 존재하는 공정 챔버(430)를 의미한다. 예를 들어, 불용 공정 챔버(432)는 정기 유지 보수를 수행하는 경우 또는 공정 진행에 이상이 발생하는 경우와 같이 정상적인 반도체 제조 공정이 진행되는 것이 불가능한 상태에 있는 공정 챔버(430)를 의미한다.
다만, 불용 공정 챔버(432)는 정기 유지 보수가 종료되거나 발생된 이상의 원인이 해결되는 경우에는, 언제든지 가용 공정 챔버(431)로 변환될 수 있다. 따라서, 상기 컨트롤 서버(500)는 각각의 반도체 기판(600)이 공정 챔버(430)에 투입될 때마다 이송 순서를 새롭게 설정할 수 있다.
상기 기판 처리 시스템(1000S)의 가동 정보에 따라, 제조 공정 설비(400)는 상기 불용 공정 챔버(432)의 인입 금지가 해제된 시점에 상기 불용 공정 챔버(432)를 가용 공정 챔버(431)로 변환하고, 변환된 가용 공정 챔버(431)를 포함하여 상기 제2 이송 순서(ST2)를 수행할 수 있다. 예를 들어, 도면에 도시된 바와 같이, 제2 공정 챔버(CH2)는 불용 공정 챔버(432)에서 가용 공정 챔버(431)로 변환되는 공정 챔버(430)의 예시일 수 있다.
상기 기판 처리 시스템(1000S)은 공정 처리 조건 데이터 등이 기록된 공정 레시피에 기초하여 기판 처리 장치(1000)의 각각의 구성 요소에 제어 신호를 전송할 수 있다. 일부 실시예들에서, 상기 가용 공정 챔버(431) 중 적어도 일부는 반도체 기판(600)의 반도체 제조 공정 진행 순서에 따른 공정 레시피의 수행이 가능할 수 있다.
따라서, 상기 기판 처리 시스템(1000S)은 상기 공정 레시피의 수행이 가능한 상기 가용 공정 챔버(431)만을 상기 제1 이송 순서(ST1)에 포함할 수 있다. 또한, 상기 기판 처리 시스템(1000S)은 상기 공정 레시피의 수행이 가능한 상기 가용 공정 챔버(431)만을 상기 제2 이송 순서(ST2)에 포함할 수 있다. 여기서, 상기 제2 이송 순서(ST2)는 상기 제1 이송 순서(ST1)보다 더 많은 공정 챔버(430)를 포함하여 상기 공정 싸이클을 수행할 수 있다.
궁극적으로, 본 발명의 기술적 사상에 따른 기판 처리 시스템(1000S) 및 기판 처리 장치(1000)는, 복수의 공정 챔버(430)를 가지는 제조 공정 설비(400)에서 반도체 기판(600)의 인입이 금지된 상태에 있던 챔버를 즉시 이용하는 경우에, 컨트롤 서버(500)에서 논리적으로 이송 순서를 제어함으로써, 기판 처리 시스템(1000S)의 효율을 개선하고, 기판 처리 장치(1000)의 생산성을 향상시키는 효과가 있다.
도 5는 본 발명의 기술적 사상의 실시예에 따른 기판 처리 시스템에서 각각의 공정 싸이클이 동작되는 과정을 선형적으로 나타내는 도면이다.
도 5를 참조하면, 기판 처리 시스템(1000S)에서, N번째(여기서, N은 자연수)의 공정 싸이클을 수행하는 제조 공정 설비(400, 도 4 참조)를 나타낸다.
본 발명의 기판 처리 시스템(1000S)을 명확하게 설명하기 위하여, 반도체 기판(600, 도 4 참조)이 공정 챔버(430, 도 4 참조)에 인입되어 소정의 반도체 제조 공정이 수행되고, 다시 공정 챔버(430, 도 4 참조)로부터 인출되기까지를 하나의 공정 싸이클로 정의한다.
예를 들어, 공정 싸이클은 1번째 내지 5번째 공정 싸이클(C1 내지 C5)을 포함할 수 있다. 도면에는 상기 공정 싸이클이 5개로 도시되었으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
앞서 설명한 바와 같이, 상기 공정 싸이클은 제조 공정 설비(400, 도 4 참조) 중 가용 공정 챔버(431, 도 4 참조)에서만 가능할 수 있다. 구체적으로, 1번째 및 2번째 공정 싸이클(C1, C2)은 제4 및 제6 공정 챔버(CH4, CH6)에서 수행되고, 3번째 내지 5번째 공정 싸이클(C3, C4, C5)은 제2, 제4, 및 제6 공정 챔버(CH2, CH4, CH6)에서 수행될 수 있다. 다시 말해, 1번째 및 2번째 공정 싸이클(C1, C2)은 제1 이송 순서(ST1)에 의해 수행되고, 3번째 내지 5번째 공정 싸이클(C3, C4, C5)은 제2 이송 순서(ST2)에 의해 수행될 수 있다.
각각의 가용 공정 챔버(431, 도 4 참조)에서 상기 공정 싸이클은 동시에 수행되거나, 또는 시간차를 두고 수행될 수 있다. 이는 각각의 가용 공정 챔버(431, 도 4 참조)에서 수행될 수 있는 공정 레시피 등에 기인할 수 있다.
도 6은 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 기판 처리 시스템을 이용한 기판 진행 방법을 나타내는 순서도이다.
이하에서 설명하는 기판 처리 시스템(1000S, 도 4 참조)을 이용한 기판 진행 방법(S100)은, 어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 단계는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 수행될 수도 있다.
도 6을 참조하면, 앞서 설명한 기판 처리 시스템(1000S, 도 4 참조)을 이용한 기판 진행 방법(S100)을 순서대로 나타낸다.
먼저, 본 발명에 따른 기판 진행 방법(S100)은, 컨트롤 서버에서 제조 공정 설비로 모든 공정 챔버의 가동 순서를 프로그램으로 전송하는 제1 단계(S110)를 수행할 수 있다.
이어서, 본 발명에 따른 기판 진행 방법(S100)은, 각각의 공정 챔버의 가용 여부를 확인하는 제2 단계(S120)를 수행할 수 있다. 이 후, 가용 공정 챔버만으로 제1 이송 순서를 설정하는 제3 단계(S130)를 수행할 수 있다. 이 후, 제1 이송 순서에 의하여 가용 공정 챔버에서 공정 싸이클을 진행하는 제4 단계(S140)를 수행할 수 있다. 이 후, 불용 공정 챔버 중에서 가용 공정 챔버로 전환이 이루어진 공정 챔버를 확인하는 제5 단계(S150)를 수행할 수 있다. 이 후, 상기 제5 단계(S150)에서 가용 공정 챔버로 전환이 이루어진 공정 챔버가 존재한다면, 새로운 가용 공정 챔버를 포함하여 제2 이송 순서를 설정하는 제6 단계(S160)를 수행할 수 있다.
마지막으로, 본 발명에 따른 기판 진행 방법(S100)은, 제2 이송 순서에 의하여 가용 공정 챔버에서 공정 싸이클을 진행하는 제7 단계(S170)를 수행할 수 있다.
도 7은 본 발명의 기술적 사상의 다른 실시예에 따른 기판 처리 시스템을 이용한 기판 진행 방법을 나타내는 순서도이다.
도 7을 참조하면, 앞서 설명한 기판 처리 시스템(1000S, 도 4 참조) 중 공정 레시피를 확인하는 과정을 이용한 기판 진행 방법(S200)을 순서대로 나타낸다.
먼저, 본 발명에 따른 기판 진행 방법(S200)은, 반도체 기판의 제조 공정 순서에 따라 반도체 제조 공정을 진행할 공정 레시피를 확인하는 제1 단계(S210)를 수행할 수 있다.
이어서, 본 발명에 따른 기판 진행 방법(S200)은, 각각의 공정 챔버에서 상기 제1 단계(S210)에서 확인한 공정 레시피의 진행 여부를 파악하는 제2 단계(S220)를 수행할 수 있다. 이 후, 상기 제1 단계(S210)에서 확인한 공정 레시피의 진행이 가능한 공정 챔버를 가용 공정 챔버로 분류하는 제3 단계(S230)를 수행할 수 있다. 상기 제3 단계(S230)와 동시에, 상기 제1 단계(S210)에서 확인한 공정 레시피의 진행이 불가능한 공정 챔버를 불용 공정 챔버로 분류하는 제4 단계(S240)를 수행할 수 있다.
마지막으로, 본 발명에 따른 기판 진행 방법(S200)은, 제1 이송 순서에 의하여 가용 공정 챔버에서 공정 싸이클을 진행하는 제5 단계(S250)를 수행할 수 있다.
도 8은 본 발명의 기술적 사상의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 시스템을 이용한 기판 진행 방법을 나타내는 순서도이다.
이하에서 설명하는 기판 처리 시스템(1000S, 도 4 참조)을 이용한 기판 진행 방법(S300)은, 어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 단계는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 수행될 수도 있다.
도 8을 참조하면, 앞서 설명한 기판 처리 시스템(1000S, 도 4 참조)을 이용한 기판 진행 방법(S300)을 순서대로 나타낸다.
먼저, 본 발명에 따른 기판 진행 방법(S300)은, 도 6에서 설명한 기판 진행 방법(S100)의 제6 단계(S160)까지를 실질적으로 동일하게 수행할 수 있다. 따라서, 여기서는 상기 제1 내지 제6 단계(S110 내지 S160)에 대한 자세한 설명은 생략하도록 한다.
이어서, 본 발명에 따른 기판 진행 방법(S300)은, 제2 이송 순서에 의하여 가용 공정 챔버에서 공정 싸이클을 진행하는 제1 단계(S310)를 수행할 수 있다. 이 후, 불용 공정 챔버 중에서 가용 공정 챔버로 전환이 이루어진 공정 챔버를 확인하는 제2 단계(S320)를 수행할 수 있다. 이 후, 상기 제2 단계(S320)에서 가용 공정 챔버로 전환이 이루어진 공정 챔버가 존재한다면, 새로운 가용 공정 챔버를 포함하여 제3 이송 순서를 설정하는 제3 단계(S330)를 수행할 수 있다.
마지막으로, 본 발명에 따른 기판 진행 방법(S300)은, 제3 이송 순서에 의하여 가용 공정 챔버에서 공정 싸이클을 진행하는 제4 단계(S340)를 수행할 수 있다.
도 9 및 도 10은 본 발명의 기술적 사상의 실시예에 따른 기판 처리 장치를 이용하여 반도체 소자를 제조하는 공정을 나타내는 단면도들이다.
도 9를 참조하면, 본 발명의 기술적 사상에 따른 기판 처리 장치(1000, 도 1 참조)를 이용하여, 반도체 기판(600) 상에 층간 절연막들(620) 및 희생막들(640)을 교대로 형성할 수 있다.
반도체 기판(600)은, 예를 들어, 실리콘(Si)을 포함할 수 있다. 또는, 상기 반도체 기판(600)은 저머늄(Ge)과 같은 반도체 원소, 또는 SiC(silicon carbide), GaAs(gallium arsenide), InAs(indium arsenide), 및 InP(indium phosphide)와 같은 화합물 반도체를 포함할 수 있다. 또는, 상기 반도체 기판(600)은 SOI(silicon on insulator) 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 반도체 기판(600)은 BOX 층(buried oxide layer)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 반도체 기판(600)은 도전 영역, 예를 들어, 불순물이 도핑된 웰(well) 또는 불순물이 도핑된 구조물을 포함할 수 있다. 또한, 상기 반도체 기판(600)은 STI(shallow trench isolation) 구조와 같은 다양한 소자 분리 구조를 가질 수 있다.
또한, 상기 반도체 기판(600)은 약 0.1㎜ 내지 약 1㎜의 두께를 가질 수 있다. 상기 반도체 기판(600)의 두께가 너무 얇으면 기계적 강도가 미흡할 수 있고, 두께가 너무 두꺼우면 추후 그라인딩에 드는 시간이 길어져 반도체 제품의 생산성이 떨어질 수 있다.
일부 실시예들에서, 반도체 기판(600)과 최하층의 희생막(641)의 사이에는 적어도 하나의 트랜지스터를 포함하는 하부 구조체(미도시)가 배치될 수 있다.
층간 절연막들(620)은 복수의 층간 절연막(621 내지 626)을 포함하고, 희생막들(640)은 복수의 희생막(641 내지 646)을 포함할 수 있으며, 복수의 층간 절연막(621 내지 626)과 복수의 희생막(641 내지 646)은 도시된 바와 같이 최하층의 희생막(641)을 시작으로 반도체 기판(600) 상에 서로 교대로 적층될 수 있다.
희생막들(640)은 층간 절연막들(620)에 대해 식각 선택비(etch selectivity)를 가지고 식각될 수 있는 물질로 형성될 수 있다. 즉, 소정의 식각 레시피를 사용하여 희생막들(640)을 식각하는 공정에서, 희생막들(640)은 층간 절연막들(620)의 식각을 최소화하면서 식각될 수 있는 물질로 형성될 수 있다. 이러한 식각 선택비는 층간 절연막들(620)의 식각 속도에 대한 희생막들(640)의 식각 속도의 비율을 통해 정량적으로 표현될 수 있다.
일부 실시예들에서, 희생막들(640)은 층간 절연막들(620)에 대해 약 1:10 내지 약 1:200의 식각 선택비를 가지는 물질들 중의 하나일 수 있다. 예를 들어, 층간 절연막들(620)은 실리콘산화물 및 실리콘질화물 중에서 선택된 어느 하나일 수 있고, 희생막들(640)은 실리콘, 실리콘산화물, 실리콘카바이드, 및 실리콘질화물 중에서 선택된 어느 하나로서, 상기 층간 절연막들(620)과는 서로 다른 물질일 수 있다.
한편, 일부 실시예들에서, 제1 희생막(641)과 제6 희생막(646)은 제2 내지 제5 희생막들(642 내지 645)보다 두껍게 형성될 수 있다. 또한, 제1 층간 절연막(621)과 제5 층간 절연막(625)은 제2 내지 제4 층간 절연막들(622 내지 624)보다 두껍게 형성될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니고, 층간 절연막들(620) 및 희생막들(640)의 두께는 다양하게 변형될 수 있으며, 층간 절연막들(620) 및 희생막들(640)을 구성하는 막들의 층수 역시 다양하게 변형될 수 있다.
이와 같은 제조 공정을 진행함에 있어서, 본 발명의 기술적 사상에 따른 기판 처리 장치(1000, 도 1 참조)는, 복수의 공정 챔버(430, 도 1 참조)를 가지는 제조 공정 설비(400, 도 1 참조)에서 반도체 기판(600)의 인입이 금지된 상태에 있던 챔버를 즉시 이용하는 경우에 컨트롤 서버(500, 도 1 참조)에서 논리적으로 이송 순서를 제어함으로써, 기판 처리 장치(1000, 도 1 참조)의 생산성을 향상시키는 효과가 있다.
도 10을 참조하면, 본 발명의 기술적 사상에 따른 기판 처리 장치(1000, 도 1 참조)를 이용하여, 서로 교대로 적층된 층간 절연막들(620) 및 희생막들(640)을 관통하는 복수의 개구부(H1)를 형성할 수 있다.
복수의 개구부(H1)는 반도체 소자에서 반도체 영역이 형성될 공간을 한정할 수 있다. 복수의 개구부(H1)는 Z 방향의 깊이를 가지고, Y 방향으로 연장하는 트렌치일 수 있다. 또한, 복수의 개구부(H1)는 X 방향으로 소정의 거리만큼 이격되어 반복적으로 형성될 수 있다.
복수의 개구부(H1)를 형성하는 단계는, 서로 교대로 적층된 층간 절연막들(620) 및 희생막들(640) 상에 복수의 개구부(H1)의 위치를 정의하는 마스크 패턴을 형성하는 단계 및 상기 마스크 패턴을 식각 마스크로 이용하여 층간 절연막들(620) 및 희생막들(640)을 교대로 이방성 식각하는 단계를 포함할 수 있다.
한편, 일부 실시예들에서, 층간 절연막들(620) 및 희생막들(640)이 반도체 기판(600) 상에 직접 형성되는 경우, 복수의 개구부(H1)는 도시된 바와 같이 반도체 기판(600)의 상면의 일부를 노출하도록 형성될 수 있다. 이에 더하여, 상기 이방성 건식 식각 공정에서 과도 식각의 결과로서, 도시된 바와 같이, 복수의 개구부(H1) 아래의 반도체 기판(600)은 소정의 깊이로 리세스될 수 있다.
이와 같은 제조 공정을 진행함에 있어서, 본 발명의 기술적 사상에 따른 기판 처리 장치(1000, 도 1 참조)는, 복수의 공정 챔버(430, 도 1 참조)를 가지는 제조 공정 설비(400, 도 1 참조)에서 반도체 기판(600)의 인입이 금지된 상태에 있던 챔버를 즉시 이용하는 경우에 컨트롤 서버(500, 도 1 참조)에서 논리적으로 이송 순서를 제어함으로써, 기판 처리 장치(1000, 도 1 참조)의 생산성을 향상시키는 효과가 있다.
이상, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 기술적 사상의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형상으로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
100: 전방 단부 모듈 110: 로드 포트
120: 진공 펌프 130: 가스 공급부
200: 이송 모듈 300: 로드락 챔버
400: 제조 공정 설비 410: 이송 챔버
420: 로봇 암 430: 공정 챔버
500: 컨트롤 서버 600: 반도체 기판
1000: 기판 처리 장치 1000S: 기판 처리 시스템

Claims (10)

  1. 복수의 공정 챔버를 가지는 제조 공정 설비 및 상기 제조 공정 설비를 제어하는 컨트롤 서버에 있어서,
    상기 컨트롤 서버로부터 상기 제조 공정 설비로 반도체 기판의 이송 순서를 전송하는 경우,
    상기 반도체 기판이 상기 공정 챔버에 인입되어 소정의 공정이 수행되고 인출되기까지를 하나의 공정 싸이클로 정의하였을 때,
    상기 컨트롤 서버는,
    제1 이송 순서에 의해 N번째(여기서, N은 자연수)의 공정 싸이클을 수행하는 상기 제조 공정 설비에,
    상기 반도체 기판의 인입이 금지된 상태에 있던 적어도 하나의 공정 챔버 중 하나 이상에 대해 금지가 해제된 시점에 즉시,
    N+1번째의 공정 싸이클부터 제2 이송 순서로 전환을 명령하는,
    기판 처리 시스템.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 컨트롤 서버는,
    적어도 하나의 상기 반도체 기판이 수납된 기판 컨테이너가 로드되는 시점에 즉시,
    상기 복수의 공정 챔버의 모든 가동 정보를 상기 제조 공정 설비로 전송하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 컨트롤 서버는,
    상기 복수의 공정 챔버의 상기 가동 정보를 프로그램에 의하여 논리적으로 제어하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 기판 컨테이너에 수납된 상기 반도체 기판의 적어도 일부는 상기 제1 이송 순서에 의해 진행되고,
    상기 기판 컨테이너에 수납된 상기 반도체 기판의 나머지 일부는 상기 제2 이송 순서에 의해 진행되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 가동 정보는,
    상기 복수의 공정 챔버 중 상기 반도체 기판의 인입이 허용된 상태인 공정 챔버를 가용 공정 챔버로,
    상기 복수의 공정 챔버 중 상기 반도체 기판의 인입이 금지된 상태인 공정 챔버를 불용 공정 챔버로 구분하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제조 공정 설비는,
    상기 불용 공정 챔버의 인입 금지가 해제된 시점에 상기 불용 공정 챔버를 가용 공정 챔버로 변환하고,
    변환된 상기 가용 공정 챔버를 포함하여 상기 제2 이송 순서를 수행하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 가용 공정 챔버 중 적어도 일부는 상기 반도체 기판의 공정 진행 순서에 따른 공정 레시피의 수행이 가능하고,
    상기 공정 레시피의 수행이 가능한 상기 가용 공정 챔버만 상기 제1 이송 순서에 포함되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 공정 레시피의 수행이 가능한 상기 가용 공정 챔버만 상기 제2 이송 순서에 포함되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 제2 이송 순서는 상기 제1 이송 순서보다 더 많은 공정 챔버를 포함하여 상기 공정 싸이클을 수행하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 컨트롤 서버는,
    각각의 상기 반도체 기판이 상기 공정 챔버에 투입될 때마다 상기 이송 순서를 설정하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
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