KR101877071B1 - 태양 전지 제조 공정에서의 막 적층물의 융삭 - Google Patents

태양 전지 제조 공정에서의 막 적층물의 융삭 Download PDF

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Abstract

태양 전지(105)의 유전체 막 적층물이 레이저를 사용하여 융삭된다. 유전체 막 적층물은 레이저원(102)의 동작 파장에서 흡수성인 층을 포함한다. 소정의 펄스 반복률로 레이저 펄스(103)를 발생시키는 레이저원(102)은 막 적층물을 융삭하여 아래에 있는 물질층을 노출시키도록 구성된다. 레이저원(102)은 단일 단계에서 완전한 융삭을 달성하기 위해 단일 펄스 반복 내에서 2개의 레이저 펄스들의 연속발생 또는 단일의 시간상 비대칭인 레이저 펄스를 발생시키도록 구성될 수 있다.

Description

태양 전지 제조 공정에서의 막 적층물의 융삭{ABLATION OF FILM STACKS IN SOLAR CELL FABRICATION PROCESSES}
연방 후원 연구 또는 개발에 관한 선언
본 발명은 미국 에너지부에 의해 주어진 협정 번호 DEFC36-07GO17043 하에서의 정부 지원을 받아 이루어졌다.
본 발명은 일반적으로 태양 전지(solar cell)에 관한 것으로, 보다 상세하게는 태양 전지 제조 공정 및 구조물에 관한 것이지만, 이것으로만 제한되지는 않는다.
태양 전지는 태양 방사선을 전기 에너지로 변환하는 잘 알려진 장치이다. 태양 전지는 반도체 가공 기술을 사용하여 반도체 웨이퍼 상에 제조될 수 있다. 태양 전지는 P-형 및 N-형 확산 영역(diffusion region)들을 포함한다. 태양 전지에 충돌하는 태양 방사선은 확산 영역들로 이동하는 전자 및 정공을 생성하며, 그로써 확산 영역들 사이에 전압차를 생성한다. 배면 접점(backside contact) 태양 전지에서, 확산 영역 및 이에 결합된 금속 접점 핑거(finger) 둘 모두는 태양 전지의 배면에 있다. 접점 핑거는 외부 전기 회로가 태양 전지에 결합되고 태양 전기에 의해 전원을 공급받게 한다.
태양 전지 유전체 막은 제조 및 동작 요건을 만족시키기 위해 다양한 특성의 다수의 층들을 포함할 수 있다. 이들 층은 태양 전지의 확산 영역에 대한 금속 접점을 형성하기 위해 제조 동안 제거된다. 이들 층의 특성은 이들 층의 제거에 영향을 미치고 제거를 복잡하게 할 수 있다.
일 실시예에서, 태양 전지의 유전체 막 적층물(dielectric film stack)이 레이저를 사용하여 융삭(ablation)된다. 유전체 막 적층물은 레이저원(laser source)의 동작 파장에서 흡수성인 층을 포함한다. 소정의 펄스 반복률(pulse repetition rate)로 레이저 펄스를 발생시키는 레이저원은 막 적층물을 융삭하여 아래에 있는 물질층을 노출시키도록 구성된다. 레이저원은 단일 단계에서 완전한 융삭을 달성하기 위해 단일 펄스 반복 내에서 2개의 레이저 펄스들의 연속발생(burst) 또는 단일의 시간상 비대칭인 레이저 펄스를 발생시키도록 구성될 수 있다.
본 발명의 이들 및 다른 특징은 첨부 도면 및 특허청구범위를 포함하는 본 개시 내용 전체를 읽음으로써 당업자에게 용이하게 명백해질 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지 융삭 시스템(100)을 개략적으로 도시하는 도면.
도 2 내지 도 4는 본 발명의 실시예에 따라 제조되는 태양 전지의 단면도.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지의 막 적층물을 융삭하기 위한 레이저 펄스들의 연속발생을 개략적으로 도시하는 도면.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 태양 전지의 막 적층물을 융삭하기 위한 시간상 비대칭인 레이저 펄스를 개략적으로 도시하는 도면.
도 7은 유전체 막을 통해 융삭하기 위한 2개의 레이저 펄스들의 연속발생, 높은 펄스 에너지를 갖는 단일 레이저 펄스, 및 가변 펄스 에너지를 갖는 3개의 레이저 펄스들의 사용을 비교하는 시험의 요약을 나타내는 도면.
여러 도면들에서 동일한 도면 부호의 사용은 동일하거나 유사한 구성요소를 가리킨다. 도면들은 축적에 맞게 도시된 것은 아니다.
본 개시 내용에서, 본 발명의 실시예의 완전한 이해를 제공하기 위해 장치, 공정 파라미터, 재료, 공정 단계, 및 구조물의 예와 같은 다수의 구체적인 상세가 제공된다. 그러나, 당업자는 본 발명이 구체적인 상세들 중 하나 이상이 없이도 실시될 수 있다는 것을 인식할 것이다. 다른 경우에, 본 발명의 태양을 불명료하게 하는 것을 피하기 위해 주지된 상세는 도시되거나 기술되지 않는다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지 융삭 시스템(100)을 개략적으로 도시한다. 도 1의 예에서, 융삭 시스템(100)은 레이저원(102) 및 레이저 스캐너(104)를 포함한다. 레이저원(102)은 구매가능한 레이저원일 수 있다. 레이저 스캐너(104)는 독일의 스캔랩스(ScanLabs)로부터 구매가능한 것들과 같은 갈바노미터 레이저 스캐너를 포함할 수 있다. 동작 시, 레이저원(102)은, 환경설정(101)에 따라, 소정의 파장의 레이저 펄스(103)들을 발생시킨다. 환경설정(101)은 스위치/노브 배열, 컴퓨터 판독가능 프로그램 코드, 소프트웨어 인터페이스 설정, 및/또는 레이저원(102)의 구성가능 파라미터들을 설정하는 다른 방식을 포함할 수 있다. 환경설정(101)은 레이저원(102)의 펄스 반복률, 반복당 발생되는 펄스의 수, 펄스 형상, 펄스 진폭, 펄스 세기 또는 에너지, 및 다른 파라미터를 설정할 수 있다. 레이저 스캐너(104)는 제조되는 태양 전지(105)를 가로질러 레이저 펄스(103)들을 스캔하여 태양 전지(105)로부터 물질을 제거한다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따라 제조되는 태양 전지(105)의 단면을 도시한다. 도 2의 예에서, 태양 전지(105)는 N-형 규소 웨이퍼를 포함하는 태양 전지 기판(201)을 포함한다. 유전체 막 적층물(210)은, 본 예에서, 폴리실리콘을 포함하는 층(202) 상에 형성된다. 막 적층물(210)은, 도 2의 예에서, 막(211), 막(212) 및 막(213)을 포함하는 다수의 물질층들을 포함한다. 도 2에 도시된 바와 같이, 막(211)은 막(212) 상에 형성될 수 있고, 막(212)은 이어서 막(213) 상에 형성된다. 일 실시예에서, 막(211)은 0.03 내지 0.1 ㎛(300 내지 1000 옹스트롬)의 두께로 형성되는 질화규소 층을 포함하고, 막(212)은 0.003 내지 0.005 ㎛(30 내지 50 옹스트롬)의 두께로 형성되는 비정질 규소 층을 포함하며, 막(213)은 약 0.012 ㎛(120 옹스트롬)의 두께로 형성되는 이산화규소를 포함한다. 막(212)은 또한 응용에 따라 폴리실리콘 또는 다결정 규소를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 층(202)은 약 0.2 ㎛(2000 옹스트롬)의 두께로 형성되는 폴리실리콘을 포함한다. P-형 확산 영역(203) 및 N-형 확산 영역(204)이 층(214)에 형성된다. 태양 전지에 수 개의 확산 영역들이 있지만, 예시의 명확함을 위해 각각의 전도 유형의 하나의 확산 영역만이 도 2에 도시되어 있다. 태양 전지(105)는 확산 영역(203, 204)들 - 이들에 전기적으로 결합된 금속 접점들을 포함함(도 4 참조) - 이 태양 전지의 배면측에서 기판(201)의 배면 위에 형성된다는 점에서 배면 접점 태양 전지의 예이다. 정상 동작 동안 태양 방사선을 집광하기 위해 태양을 향하는 태양 전지(105)의 전면은 배면의 반대쪽에 있다. 도 2의 예에서, 기판(201)의 전면 표면은 랜덤한 피라미드(230)들로 텍스처화된다. 질화규소를 포함하는 반사방지 층(231)이 전면 상의 텍스처화된 표면 상에 형성된다.
비정질 규소 막(212)은, 다른 유익한 기능들 중에서도, HV 열화를 방지하고, UV 안정성을 제공한다. 비정질 규소는 또한 유해한 편광을 방지하는 측방향 전도성 경로를 제공하기 위해 막 적층물(210)의 전도성을 향상시킨다. 태양 전지에서의 비정질 규소의 사용은 또한 2010년 3월 30일자로 출원된, 발명의 명칭이 "태양 전지의 누설 경로 층(Leakage Pathway Layer for Solar Cell)"인 공동 소유의 미국 특허 출원 제12/750,320호에 개시되어 있다.
일반적으로 말하면, 전형적인 태양 전지는 UV-IR 범위에서 흡수하는 반도체 물질을 포함하며, 패시베이션 및 신뢰성을 위해 투명한 유전체 막 적층물을 갖는다. 고효율 반도체 소자에서 유전체 막의 저손상 융삭을 위해, 열 및 광 흡수를 최소화하기 위해 짧은 펄스 길이 및 긴 파장을 갖는 레이저가 요구된다. 투명한 막 적층물의 이러한 유형의 융삭은 비-열적 유형의 간접 유도 융삭(indirectly induced ablation)이라 알려져 있으며, 이에 의해 레이저 에너지가 막 적층물을 통과하고 반도체에 흡수되어 융삭을 야기한다. 이는 융삭 힘(ablation force)이 유전체 막을 뚫고 지나가게 하며, 단일 펄스 내에서 달성가능하다.
태양 전지(105) 등의 다른 태양 전지에서, 유전체 막 적층물 내의 얇은 흡수 막은 전도성 또는 태양 전지에 유익한 다른 전기적 특성을 향상시킨다. 얇은 막이 융삭에서 사용되는 레이저의 파장에서 충분히 흡수성인 경우, 얇은 막의 융삭 공정이 직접 유도되는 것이 가능하며, 이는 얇은 막이 먼저 융삭될 것이고, 따라서 얇은 막과 반도체 사이의 임의의 나머지 층의 융삭을 방해하고 방지할 수 있다는 것을 의미한다. 이는 불완전한 융삭을 초래하고, 나머지 층을 제거하는 레이저후(post-laser) 단계, 다른 융삭 단계, 또는 다른 파장을 갖는 레이저로의 절환을 필요로 한다. 이들 해결책은 추가의 가공 단계 및/또는 추가의 장비를 필요로 하고, 이는 제조 비용을 증가시킨다.
막 적층물 내의 모든 층들에 투과성인 레이저 파장을 사용하는 것은 바람직한 잠재적인 해결책이다. 그러나, 막 적층물 내의 흡수성 물질이 반도체 기판, 예를 들어 태양 전지(105)에서와 같은 비정질 규소 및 규소와 유사한 경우, 얇은 막에 대해 투과성인 파장이 또한 반도체 기판에도 투과성일 것이다. 이는 기판 물질을 손상시키는 일 없이, 즉 이미터 재결합을 유도하는 일 없이 간접 융삭의 발생을 달성하는 것을 어렵게 만든다. 이는 다른 형태의 재결합을 갖는 저효율 태양 전지 구조에서 허용가능할 수 있지만, 고효율 태양 전지에서는 광 및 열 흡수가 최소화될 필요가 있다.
불완전한 융삭 문제점에 대한 하나의 가능한 해결책은 막 적층물의 층들을 뚫기 위해 다수의 레이저 펄스들을 사용하는 것이다. 그러나, 다수의 패스(pass)들을 추가하는 것에 의해 또는 레이저를 특정의 지점에 고정시켜 유지하는 것에 의해 재료 처리량을 증가시키는 것 없이 웨이퍼를 뚫는 것은 비교적 어렵다. 이는 갈바노미터 기반 시스템에서 행하기가 특히 어려운데, 그 이유는 레이저 펄스가 동일한 위치에서 발생할 필요가 있고, 높은 재료 처리량을 위해 레이저 빔을 고속으로 이동시키는 것이 필요하기 때문이다. 또한, 다수의 펄스들을 사용할 때, 임의의 재결합 결함 및 기판에 대한 기계적 손상을 방지하기 위해 열 비용이 잘 관리되어야만 한다.
도 2의 예에서, 질화규소 막(211), 비정질 규소 막(212), 및 산화물 막(213)을 융삭하여 이들을 관통하는 구멍을 형성하고 확산 영역(203, 204)들을 노출시키기 위해 도 1의 융삭 시스템(100)이 채용된다. 융삭 공정이 도 3에 도시되어 있으며, 여기서 융삭 단계는 구멍(220)을 형성하여 확산 영역(203, 204)들을 노출시켰다. 이는 도 4에 도시된 바와 같이, 구멍(220)에 형성될 금속 접점(221)의 형성을 허용한다. 금속 접점(221)은 외부 전기 회로가 확산 영역(203, 204)들에 전기적으로 접속하게 한다.
일 실시예에서, 비정질 규소 막(212)은 레이저원(102)에 의해 발생된 레이저의 파장에서 흡수성이다. 즉, 비정질 규소 막(212)은 레이저원(102)의 동작 파장에서 레이저 펄스(103)의 에너지를 흡수하여, 하나의 반복 내에서 단일 레이저 펄스를 사용하여 산화물 막(213)의 완전한 융삭을 달성하는 것을 비교적 어렵게 만든다. 일 실시예에서, 레이저원(102)은 532㎚ 파장의 레이저 빔을 발생시킨다는 점에서 532㎚ 레이저이다.
일 실시예에서, 레이저원(102)은 단일 융삭 단계에서 구멍(220)을 형성하기 위해 단일 펄스 반복에서 레이저 펄스들의 연속발생을 발생시키도록 구성된다. 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 레이저원(102)에 의해 발생된 레이저 펄스들의 연속발생을 개략적으로 도시한다. 도 5의 예에서, 레이저 펄스(510, 511)들의 연속발생이 레이저원(102)에 의해 연달아 발생된다. 레이저원(102)은 소정의 반복률(repetition rate)로 레이저 펄스(510, 511)들을 발생시키도록 구성된다. 각각의 펄스 반복이 도 5에서 501(즉, 501-1, 501-2 등)로 표기되어 있다. 도 5 및 도 6에 2개의 반복이 도시되어 있지만, 본 발명의 실시예가 하나의 반복에서 막 적층물의 완전한 융삭을 허용한다는 것에 주목한다. 단일 반복(501) 내에서, 레이저 펄스(511)는 레이저 펄스(510)로부터 시간 지연(502로 표기됨) 후에 발생된다. 지연 시간(502)은, 예를 들어 1ns 내지 1㎲일 수 있다. 일반적으로, 레이저 펄스(510)와 레이저 펄스(511) 사이의 지연 시간은, 레이저 스캐너(104)의 비교적 더 느린 움직임으로 인해, 레이저 펄스(510, 511)들이 태양 전지 상의 융삭 지점에서 눈에 띄게 떨어져 있지 않도록 선택된다. 레이저 펄스(511)의 진폭은 레이저 펄스(510)의 진폭보다 더 낮다. 즉, 레이저 펄스(511)는 레이저 펄스(510)보다 더 작은 펄스 에너지(예를 들어, 약 37% 내지 50% 더 작은 에너지)를 갖는다. 레이저 펄스(510)는 질화규소 막(211) 및 비정질 규소 막(212)을 융삭하여 이들을 관통하는 구멍을 형성한다. 레이저 펄스(511)는, 동일한 반복 내에서의 지연 시간(502) 후에, 산화물 막(213)을 융삭하여, 막 적층물(210)을 관통하는 구멍을 완성하고 이에 의해 폴리실리콘 층(202)을 노출시킨다. 레이저 펄스(511)의 더 작은 에너지는 산화물 막(213) 아래의 물질에 대한 손상을 최소화시킨다. 응용에 따라, 레이저 펄스(511)의 에너지는 또한 레이저 펄스(510)의 에너지보다 작거나 같을 수 있다.
융삭되는 막의 유형 및 두께에 따라 레이저 펄스(510, 511)들의 펄스 에너지가 달라질 수 있다. 일 실시예에서, 질화규소 막(211)의 두께가 0.03㎛(300 옹스트롬)이고, 비정질 규소 막(212)의 두께가 0.04㎛(40 옹스트롬)이며, 산화물 막(213)의 두께가 0.012㎛(120 옹스트롬)인 경우에, 레이저 펄스(510)의 펄스 에너지는 10μJ이다. 그 예에서, 레이저 펄스(511)의 펄스 에너지는 레이저 펄스(510)의 펄스 에너지의 대략 37%로 설정된다.
여전히 도 5를 참조하면, 레이저 펄스(510)는 펄스 폭(503)을 가지고, 레이저 펄스(511)는 펄스 폭(504)을 갖는다. 레이저 펄스(510, 503)들은 서로 비교적 가까이 발생된다는 점에서 "연속발생"이다. 연속발생 모드를 갖는 구매가능한 레이저(103)는 독일의 루메라 레이저 게엠베하(Lumera Laser GmbH)로부터 입수가능하다. 일 실시예에서, 200kHz의 펄스 반복률(501-1에 대한 간격)에서, 20ns의 지연(502)을 가지고, 펄스 폭(503)은 14ps이고 펄스 폭(504)은 또한 14ps이다.
다른 실시예에서, 레이저원(102)은 단일 융삭 단계에서 구멍(220)을 형성하기 위해 단일 펄스 반복에서 단일의 시간상 비대칭인 레이저 펄스를 발생시키도록 구성된다. 이 실시예는 도 6에 개략적으로 도시되어 있으며, 여기서 소정의 펄스 반복률로 작동하는 레이저원(102)은 단일 펄스 반복(601)(즉, 601-1, 601-2 등) 내에서 단일의 시간상 비대칭인 레이저 펄스(610)를 발생시킨다. 그 명칭이 암시하는 바와 같이, 레이저 펄스(610)는 시간상 비대칭이며, 레이저 펄스(610)의 앞쪽 부분에서 제1 피크(605)를 갖고 펄스의 뒤쪽 부분에서 제2 피크(606)를 갖는다. 일반적으로, 도 6에 도시된 바와 같이, 레이저 펄스(610)의 앞쪽 시간 부분은 레이저 펄스(610)의 뒤쪽 시간 부분에 비해 더 높은 세기를 갖도록 구성된다. 레이저 손상의 유도 없이 완전한 레이저 융삭을 달성하기 위해 앞쪽 부분 이후의 나머지가 뒤쪽 부분 동안 제거되도록 레이저 펄스(610)의 2개의 부분들 사이의 상대 세기가 제어된다. 레이저 에너지가 융삭 동안 연속적으로 유지되기 때문에, 앞쪽 부분으로부터 남은 나머지가 여전히 승온에 있고, 실온 융삭에서보다 더 작은 플루언스(fluence)로 제거될 수 있다. 반복당 단일의 시간상 비대칭인 펄스를 생성하도록 구성될 수 있는 예시적인 레이저원(102)이 에스피아이 레이저스(SPI Lasers)로부터 구매가능하다.
일 실시예에서, 피크(605)는 질화규소 막(211) 및 비정질 규소 막(212)을 융삭하여 이들을 관통하는 구멍을 형성하고, 피크(606)는 산화물 막(213)을 융삭하여, 막 적층물(210)을 관통하는 구멍을 완성하고 이에 의해 폴리실리콘 층(202)을 노출시킨다. 피크(606)의 보다 작은 세기는 산화물 막(213) 아래의 물질에 대한 손상을 최소화시킨다. 일 실시예에서, 레이저 펄스(610)는 파장이 532㎚이다.
융삭되는 막의 유형 및 두께에 따라 피크(605, 606)들의 세기가 달라질 수 있다. 일 실시예에서, 질화규소 막(211)의 두께가 0.03㎛(300 옹스트롬)이고, 비정질 규소 막(212)의 두께가 0.004㎛(40 옹스트롬)이며, 산화물 막(213)의 두께가 0.012㎛(120 옹스트롬)인 경우에, 피크(605)의 세기가 10μJ이고, 피크(606)의 세기가 3μJ이다. 펄스(610)는 펄스 폭(604)을 가지고, 피크(605)는 폭(602)을 가지며, 피크(606)는 폭(603)을 가진다. 방금 언급한 예에서, 200kHz의 펄스 반복률에서 펄스 폭(604)은 20ns이고, 펄스 폭(602)은 10ps이며, 펄스 폭(603)은 20ns이다.
도 7은 유전체 막(210)을 통해 융삭하기 위한, 도 5에 도시된 바와 같은 2개의 레이저 펄스들의 연속발생, 높은 펄스 에너지를 갖는 단일 레이저 펄스, 및 가변 펄스 에너지를 갖는 3개의 레이저 펄스들의 사용을 비교하는 시험의 요약을 나타낸다. 도 7에서, 수직축은 노출된 확산 영역에 대한 측정된 접촉 저항을 나타내고, 타깃은 상대 비교를 위한 제어 접촉 저항을 나타낸다. "1"로 표기된 열(column)은 단일 펄스 레이저에 대한 시험 결과를 나타내고, "2"는 2개의 레이저 펄스들의 연속발생에 대한 시험 결과를 나타내며, "3"은 3개의 레이저 펄스들에 대한 시험 결과를 나타낸다. 도 7에서 명백한 바와 같이, 연속발생 모드로 발생된 2개의 레이저 펄스들은 유리하게도 최저 접촉 저항이 얻어지게 하였다.
태양 전지 제조 공정에서 막 적층물을 융삭하는 기술이 개시되었다. 본 발명의 구체적인 실시예가 제공되었지만, 이들 실시예가 예시의 목적을 위한 것이고 제한되지 않는다는 것을 이해하여야 한다. 많은 추가의 실시예가 본 개시 내용을 읽음으로써 당업자에게 명백할 것이다.

Claims (21)

  1. 태양 전지(solar cell)를 제조하는 방법으로서,
    레이저원(laser source)으로부터 제1 피크 및 제2 피크를 포함하는 레이저 펄스를 조사하여 제1 막(212), 제2 막(213) 및 제3 막(202)을 관통하는 구멍을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 제2 피크는, 상기 제1 피크보다 적은 에너지를 갖고, 상기 제1 피크 조사로부터 지연 시간 이후에 조사되고,
    상기 제1 피크는 상기 제1 막 및 상기 제2 막을 관통하는 구멍을 형성하고,
    상기 제2 피크는 상기 제3 막을 관통하는 구멍을 형성하고,
    상기 제1 막은 상기 제2 막 위에 형성되고, 상기 제2막은 상기 제3막 위에 형성되고, 상기 제3 막은 규소 기판(201) 위에 형성되고,
    상기 제1 막은 규소를 포함하고,
    상기 태양 전지는 상기 제1 막, 상기 제2 막, 상기 제3 막 및 상기 규소 기판을 포함하는,
    태양 전지를 제조하는 방법.
  2. 태양 전지(solar cell)를 제조하는 방법으로서,
    레이저원(laser source)으로부터 제1 피크 및 제2 피크를 포함하는 시간상 비대칭인 레이저 펄스를 조사하여 제1 막(212), 제2 막(213) 및 제3 막(202)을 관통하는 구멍을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 제2 피크는, 상기 제1 피크보다 적은 에너지를 갖고, 상기 제1 피크 조사로부터 지연 시간 이후에 조사되고,
    상기 제1 피크는 상기 제1 막 및 상기 제2 막을 관통하는 구멍을 형성하고,
    상기 제2 피크는 상기 제3 막을 관통하는 구멍을 형성하고,
    상기 제1 막은 상기 제2 막 위에 형성되고, 상기 제2막은 상기 제3막 위에 형성되고, 상기 제3 막은 규소 기판(201) 위에 형성되고,
    상기 제1 막은 규소를 포함하고,
    상기 태양 전지는 상기 제1 막, 상기 제2 막, 상기 제3 막 및 상기 규소 기판을 포함하는,
    태양 전지를 제조하는 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제1 막은 비정질 규소를 포함하는,
    태양 전지를 제조하는 방법.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제2 막은 이산화 규소를 포함하는,
    태양 전지를 제조하는 방법.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 구멍은 태양 전지의 확산 영역(diffusion region)을 노출시키는,
    태양 전지를 제조하는 방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제3 막은 폴리실리콘 층이며,
    상기 확산 영역은 상기 폴리실리콘 층 내에 형성되는,
    태양 전지를 제조하는 방법.
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