KR101870662B1 - 기판 처리 장치 - Google Patents

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세메스 주식회사
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Abstract

기판 처리 장치가 개시된다. 기판 처리 장치는 내부에 공간이 형성된 공정 챔버; 상기 공정 챔버 내부에 위치하며, 기판을 지지하는 지지 부재; 상기 지지 부재의 상부에 위치하며, 공정 가스가 마이크로파에 의해 여기되는 여기 공간을 형성하는, 그리고 그 둘레를 따라 체결홀들이 복수개 형성된 라이너; 및 상기 체결홀들에 각각 위치되며, 상기 여기 공간으로 상기 공정 가스를 분사하는 분사홀이 형성된 가스 공급 노즐들을 포함한다.

Description

기판 처리 장치{APPARATUS FOR TREATING A SUBSTRATE}
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 플라스마를 이용하여 기판을 처리하는 장치에 관한 것이다.
반도체 소자 제조 공정에는 플라스마가 다양하게 활용된다. 플라스마를 생성하는 장치로, 마이크로파 안테나에서 마이크로파를 방사하여 공정가스를 여기시키는 마이크로파 플라스마 발생 장치가 사용된다.
일본 공개 특허 제2010-177420호(이하, '선행기술'이라 한다.)에는 마이크로파 플라스마 처리 장치가 개시된다. 선행기술은 처리 용기(11)의 측벽에 가스 공급부(15)가 설치되어 처리 용기(11)내부로 가스를 공급한다.
상기 선행기술의 가스 공급부는 처리 용기의 측벽에 형성되므로, 가스가 공급되는 영역을 조절하기 어렵다. 가스 공급부에서 분사된 가스는 대부분 특정 영역으로 공급되므로, 기판의 일부 영역에는 가스가 과잉 공급되고, 다른 영역에는 가스가 부족하게 공급되어 기판 처리 맵(Map)이 불균일하게 나타난다.
본 발명의 실시예들은 기판을 균일하게 처리할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하고자 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 내부에 공간이 형성된 공정 챔버; 상기 공정 챔버 내부에 위치하며, 기판을 지지하는 지지 부재; 상기 지지 부재의 상부에 위치하며, 공정 가스가 마이크로파에 의해 여기되는 여기 공간을 형성하는, 그리고 그 둘레를 따라 체결홀들이 복수개 형성된 라이너; 및 상기 체결홀들에 각각 위치되며, 상기 여기 공간으로 상기 공정 가스를 분사하는 분사홀이 형성된 가스 공급 노즐들을 포함한다.
또한, 상기 라이너는 그 둘레를 따라 제1체결홈들이 저면에 형성된 링 형상의 상부 바디; 및 상기 상부 바디의 하부에 위치하며, 그 둘레를 따라 제2체결홈들이 상면에 형성된 링 형상의 하부 바디를 포함하며, 상기 제1체결홈과 상기 제2체결홈은 서로 조합되어 상기 체결홀을 형성할 수 있다.
또한, 상기 공정 챔버의 상단에 위치하고, 상기 가스 공급 노즐에 공정 가스를 공급하는 가스 공급구가 형성된 링 형상의 가스 공급 링을 더 포함하고, 상기 가스 공급 노즐은 상기 체결홀 내에 위치하는 바디; 상기 몸체의 전단에 형성되고, 상기 여기 공간 내에 위치하는 전단부; 및 상기 몸체의 후단에 형성되고, 상기 라이너와 상기 가스 공급 링 사이에 위치하는 후단부를 포함하며, 상기 분사홀은 상기 전단부의 전방면으로부터 상기 후단부의 후방면으로 연장되며, 상기 가스 공급구와 직접 연결될 수 있다.
또한, 상기 가스 공급구는 상기 가스 공급 링의 둘레를 따라 링 형상으로 형성되고, 상기 가스 공급 노즐들의 분사홀은 상기 가스 공급구와 직접 연결될 수 있다.
또한, 상기 분사홀들 중 적어도 어느 하나는 상기 후단부로부터 상기 전단부로 갈수록 높이가 점점 높아지도록 상향 경사지게 배치될 수 있다.
또한, 상기 분사홀들은 제1직경을 가지는 제1분사홀; 및 상기 제1직경보다 큰 제2직경을 가지는 제2분사홀을 포함할 수 있다.
또한, 상기 가스 공급 노즐들의 전단부는 상기 라이너의 내측면으로부터 제1길이로 도출된 제1전단부; 및 상기 라이너의 내측면으로부터 제2길이로 도출된 제2전단부를 포함하되, 상기 제2길이는 상기 제1길이보다 길 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 기판 영역에 따라 공급되는 공정 가스 유량이 조절가능하므로, 기판 처리가 균일하게 이루어질 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 도면이다.
도 2는 도 1의 라이너와 가스 분사 노즐을 나타내는 분해 사시도이다.
도 3은 도 1의 라이너와 가스 분사 노즐을 나타내는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 가스 공급 노즐을 나타내는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 가스 공급 노즐을 나타내는 도면이다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 기판 처리장치를 상세히 설명한다. 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 도면이다.
도 1을 참조하면, 기판 처리 장치는 기판(W)에 대하여 플라스마 공정 처리를 수행한다. 기판 처리 장치는 공정 챔버(100), 기판 지지 부재(110), 배플(120), 라이너(130), 가스 공급부(200), 그리고 마이크로파 방사부재(300)를 포함한다.
공정 챔버(100)는 내부에 공간(101)이 형성되며, 내부공간(101)은 기판(W)에 대한 공정이 수행되는 공간으로 제공된다. 공정 챔버(100)의 일 측벽에는 개구(미도시)가 형성될 수 있다. 개구는 기판(W)이 공정 챔버(100) 내부로 출입할 수 있는 통로로 제공된다. 개구는 도어(미도시)에 의해 개폐된다. 공정 챔버(100)의 바닥면에는 배기홀(102)이 형성된다. 배기홀(102)은 배기 라인(131)과 연결된다. 공정 과정에서 발생한 반응 부산물 및 공정 챔버(100) 내부에 머무르는 가스는 배기 라인(151)을 통해 외부로 배출될 수 있다. 공정 챕버(100)는 금속 재질로 제공될 수 있다.
공정 챔버(100) 내부에는 기판 지지 부재(200)가 제공된다. 기판 지지 부재(200)는 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 부재(200)는 기판(W)을 진공 흡착하는 진공척으로 제공되거나, 정전기에 의해 기판(W)을 고정하는 정전척을 포함한다. 기판 지지 부재(100)의 내부에는 히터(미도시)가 제공될 수 있다. 히터는 외부 전원에서 공급된 전류에 저항함으로써 열을 발생시킨다. 발생된 열은 기판 지지 부재(110)를 통해 기판(W)으로 전달되며, 기판(W)을 소정 온도로 가열한다.
기판 지지 부재(110)의 상부에는 배플(120)이 제공된다. 배플(120)은 얇은 판 형상으로 제공되며, 복수개의 분사홀(121)들이 형성된다. 분사홀(121)들은 플라스마 상태로 여기된 공정 가스가 기판(W)으로 공급되는 통로로 제공된다. 공정 가스는 분사홀(121)들을 통해 균일하게 기판(W)으로 제공될 수 있다. 공정 챔버(120)의 내부는 배플(120)에 의해 상부 공간과 하부 공간으로 구획된다. 상부 공간은 공정 가스가 공급되며, 인가된 마이크로파에 의해 공정 가스가 여기되는 공간이다. 하부 공간은 기판(W)이 놓이며 여기된 공정가스에 의해 기판 처리가 수행되는 공간이다.
공정 챔버(100)의 상부 공간에는 라이너(130)가 제공된다.
도 2는 도 1의 라이너와 가스 분사 노즐을 나타내는 분해 사시도이고, 도 3은 도 1의 라이너와 가스 분사 노즐을 나타내는 단면도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 라이너(130)는 링 형상으로 제공된다. 라이너(130)의 내측 공간은 공정 가스가 마이크로파에 의해 여기되는 여기 공간(ES)으로 제공된다. 라이너(130)는 공정 챔버(100)와 상이한 재질로 제공될 수 있다. 라이너(130)는 알루미나, 석영등의 유전체로 제공될 수 있다. 라이너(130)는 상부 바디(131)와 하부 바디(135)를 포함한다. 상부 바디(131)는 링 형상으로 제공된다. 상부 바디(131)의 저면에는 상부 바디(131)의 둘레를 따라 제1체결홈(131a)들이 이격하여 형성된다. 하부 바디(132)는 상부 바디(131)에 대응하는 크기를 갖는 링 형상으로 제공된다. 하부 바디(132)의 상면에는 하부 바디(132)의 둘레를 따라 제2체결홈(132a)들이 이격하여 형성된다. 상부 바디(131)는 제1결홈들(131a)과 제2체결홈(132a)들이 일대일 대응하도록 하부 바디(132)에 놓인다. 제1체결홈(131a)과 제2체결홈(132a)은 서로 조합되어 체결홀(135)을 형성한다. 제1체결홈(131a)들과 제2체결홈(132a)들의 조합으로, 라이너(130)에는 체결홀(135)들이 라이너(130)의 둘레를 따라 서로 이격하여 형성된다. 체결홀(135)들은 라이너(130)의 외측면으로부터 내측면으로 연장된다.
가스 공급부(200)는 가스 공급 노즐(210)와 가스 공급 링(220), 그리고 가스 공급 라인(230)을 포함한다. 가스 공급 노즐(210)은 라이너(130)의 체결홀(135)들에 각각 삽입된다. 본 발명은 라이너(130)가 두 개의 분리 가능한 바디(131, 135)로 제공되므로, 가스 공급 노즐(210)을 체결홀(135) 내에 용이하게 위치될 수 있다. 가스 공급 노즐(210)은 몸체(211), 전단부(212), 후단부(213)를 가진다. 몸체(211)는 원형 블럭으로 제공되며, 라이너(130)의 체결홀(135) 내에 위치된다. 전단부(212)는 몸체(211)의 전단에 형성된다. 전단부(212)는 몸체(211)보다 큰 반경을 갖는 원형 블럭으로 제공되며, 여기 공간(ES) 내에 위치한다. 후단부(213)는 몸체(211)의 후단에 형성된다. 후단부(213)는 몸체(211)보다 큰 반경을 갖는 원형 블럭으로 제공되며, 라이너(130)의 외측에 위치한다. 가스 공급 노즐(210)에는 분사홀(215)이 형성된다. 분사홀(215)은 후단부(213)의 후방면으로부터 전단부(213)의 전방면으로 제공된다. 분사홀(215)은 여기 공간(ES)으로 공정 가스를 분사한다.
가스 공급 링(220)은 공정 챔버(100)의 상단에 위치한다. 가스 공급 링(220)은 링 형상으로 제공되며, 공정 챔버(100)와 상이한 재질로 제공될 수 있다. 가스 공급 링(220)은 비금속 재질로 제공될 수 있다. 가스 공급 링(220)은 알루미나, 석영등의 유전체로 제공될 수 있다. 가스 공급 링(220)의 내부에는 가스 공급 유로(221)와 가스 공급구(222)가 형성된다. 가스 공급 유로(221)는 가스 공급 라인(230)과 가스 공급구(222)를 연결한다. 가스 공급구(222)는 가스 공급 링(220)의 둘레를 따라 링 형상으로 형성된다. 가스 공급 유로(221)를 통해 가스 공급구(222)로 공급된 공정 가스는 가스 공급구(222)를 따라 이동한다. 가스 공급 노즐(220)들의 후단부(213)는 라이너(130)와 가스 공급 링(220) 사이에 위치하며, 분사홀(215)들은 가스 공급구(222)와 직접 연결된다. 이에 의하여, 가스 공급구(222)에 공급된 공정 가스들은 분사홀(215)들을 통해 여기 공간(ES)으로 공급된다. 가스 공급구(222)는 가스 공급 노즐(220)의 개수에 대응하여 형성될 수 있으며, 가스 공급 링(220)의 둘레를 따라 링 형상으로 배치될 수 있다.
마이크로파 방사 부재(300)는 여기 공간(ES)에 마이크로파를 인가하여 공정 가스를 여기시킨다. 마이크로파 방사 부재(300)는 마이크로파 전원(310), 도파관(320), 동축 변환기(330), 마이크로파 안테나(340), 냉각 판(350), 유전체 판(360) 그리고 유전체 블럭(370)을 포함한다.
마이크로파 전원(310)은 마이크로파를 발생시킨다. 도파관(320)은 마이크로파 전원(310)에 연결되며, 마이크로파 전원(310)에서 발생된 마이크로파가 전달되는 통로를 제공한다. 도파관(320)은 수평 방향으로 제공될 수 있다. 도파관(320)의 선단 내부에는 동축 변환기(330)가 설치된다. 동축 변환기(330)은 콘 형상으로 제공될 수 있다. 도파관(320)을 통해 전달된 마이크로파는 동축 변환기(330)에서 모드가 변환되어 상하방향으로 전파된다. 마이크로파는 TE 모드에서 TEM 모드로 변환될 수 있다.
마이크로파 안테나(340)는 동축 변환기(330)에서 모드 변환된 마이크로파를 수직 방향으로 전달한다. 마이크로파 안테나(340)는 외부 도체(341), 내부 도체(342), 그리고 슬롯판(343)을 포함한다. 외부 도체(341)는 도파관(320)의 하부에 위치한다. 외부 도체(341)의 내부에는 도파관(320)의 통로와 연결되는 공간이 수직방향으로 형성된다. 외부 도체(341)의 내부에는 내부 도체(342)가 위치한다. 내부 도체(342)는 로드 형상으로 제공되며, 수직 방향으로 배치된다.
내부 도체(342)의 하단에는 슬롯판(343)이 결합한다. 내부 도체(342)의 하단은 슬롯판(343)의 중심부에 결합한다. 슬롯판(343)은 두께가 얇은 원판으로 제공되며, 복수의 슬롯 홀(343a)들이 형성된다. 슬롯 홀(343a)들은 마이크로파를 투과시킨다.
유전체 판(360)은 슬롯판(343)의 상부에 위치한다. 유전체 판(360)은 알루미나, 석영등의 유전체로 제공된다. 마이크로파 안테나(340)에서 수직 방향으로 전파된 마이크로파는 유전체 판(360)의 반경 방향으로 전파된다. 유전체 판(360)에 전파된 마이크로파는 파장이 압축되며, 공진된다. 공진된 마이크로파는 슬롯 판(343)의 슬롯(343a)들에 투과된다.
유전체 판(360)의 상부에는 냉각 판(350)이 제공된다. 냉각 판(350)은 유전체 판(360)을 냉각한다. 냉각 판(350)은 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 냉각 판(350)은 내부에 형성된 냉각 유로(미도시)로 냉각 유체를 흘려 유전체 판(360)을 냉각할 수 있다. 냉각 방식은 수냉식 또는 공랭식을 포함한다.
슬롯 판(343)의 하부에는 유전체 블럭(370)이 제공된다. 유전체 블럭(370)은 알루미나, 석영등의 유전체로 제공된다. 슬롯 판(343)의 슬롯(343a)들을 투과한 마이크로파는 유전체 블럭(370)을 거쳐 공정 챔버(100) 내부로 방사된다. 방사된 마이크로파의 전계에 의하여 공정 챔버(100) 내에 공급된 공정 가스는 플라스마 상태로 여기된다.
상술한 본 발명의 실시예에 따르면, 공정 가스는 라이너(130)에 삽입된 가스 공급 노즐(210)들을 통해 여기 공간(ES)으로 공급되며, 여기 공간(ES)에서 공정 가스의 여기가 일어난다. 공정 가스는 가스 공급 링(220)의 가스 공급구(222)로부터 분사홀(215)들에 직접 공급되고, 라이너(130)의 외측벽와 공정 챔버(100)의 내측벽 사이 공간으로 유입이 최소화되므로, 공정 챔버(100)와의 접촉 반응으로 인한 금속 오염이 예방된다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 가스 공급 노즐을 나타내는 단면도이다. 도 4를 참조하면, 분사홀들 중 적어도 어느 하나(215a)는 경사지게 배치될 수 있다. 제1가스 공급 노즐(210a)에는 제1분사홀(215a)이 형성된다. 제1분사홀(215a)은 제1가스 공급 노즐(210a)의 후단부(213a)로부터 전단부(212a)로 상향 경사지게 형성된다. 이와 달리, 제2가스 공급 노즐(210b)에는 제2분사홀(215b)이 수평방향으로 형성된다. 제2분사홀(215b)은 동일 높이에서 제2가스 공급 노즐(210b)의 후단부(213b)로부터 전단부(212b)로 제공된다. 이와 같이, 분사홀(215a, 215b)의 경사를 가스 공급 노즐(210a, 210b)에 따라 달리할 수 있다. 분사홀(215a, 215b)들의 경사는 여기 공간(ES) 내 서로 상이한 영역으로 공정가스를 분사시킨다. 제1분사홀(215a)의 경우 상향 경사지게 형성되므로, 공정 가스는 대부분 여기 공간(ES)의 중심영역으로 분사될 수 있다. 이와 달리, 제2분사홀(215b)은 수평 방향으로 제공되므로, 공정가스는 여기 영역(ES)의 가장자리영역으로 분사될 수 있다. 분사홀(215b)들이 여기 영역의 가장자리영역으로 공정 가스를 분사할 경우, 분사된 공정 가스는 대부분 기판 가장자리영역으로 공급되고, 배기 라인(도 1의 151)의 압력에 의해 외부로 배기될 수 있다. 이 경우, 기판으로 공급되는 공정 가스의 유량이 적어 공정 처리가 불균일하게 일어날 수 있다. 본 발명은 분사홀(215a, 215b)들의 경사각을 달리함으로써, 여기 공간(ES) 각 영역으로 공정 가스가 균일하게 공급되므로, 기판 처리가 균일하게 일어날 수 있다.
상술한 도 4의 실시예에서는 제1가스 공급 노즐(210a) 내에서 제1분사홀(215a)이 상향 경사지게 형성된 것으로 설명하였으나, 이와 달리 제1분사홀(215a)은 제1가스 공급 노즐(210a)의 전단부(212a), 몸체(211a), 그리고 후단부(213a)의 중심영역에서 형성되고, 제1가스 공급 노즐(210a)의 전단부(212a)가 후단부(213a)보다 높게 위치하여 제1분사홀(215a)이 상향 경사지게 배치될 수 있다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 가스 공급 노즐을 나타내는 도면이다.
도 5를 참조하면, 가스 공급 노즐(210a, 210b, 210c)들의 전단부(212a, 212b, 212c)는 라이너(130)의 내측면으로부터 길이가 서로 상이하게 제공될 수 있다. 제1가스 공급 노즐(210a)의 제1전단부(212a)는 제1길이(L1)를 가지고, 제2가스 공급 노즐(210b)의 제2전단부(212b)는 제2길이(L2)를 가지고, 제3가스 공급 노즐(212c)의 제3전단부(212c)는 제3길이(L3)를 가질 수 있다. 제2길이(L2)는 제1길이(L1)보다 길고, 제3길이(L3)는 제2길이(L2)보다 길 수 있다. 제1길이(L1), 제2길이(L2), 그리고 제3길이(L3)는 순차적으로 길어질 수 있다. 전단부(212a, 212b, 212c)들의 길이 차이는 여기 공간(ES)내 서로 상이한 영역들로 공정 가스를 분사할 수 있다.
또한, 가스 공급 노즐(210a, 210b, 210c)들의 분사홀(215a, 215b, 215c)들은 서로 상기한 크기로 형성될 수 있다. 제1분사홀(215a)은 제1직경(R1)을 가지고, 제2분사홀(215b)은 제2직경(R2)을 가지고, 제3분사홀(215c)들은 제3직경(R3)을 가질 수 있다. 제2직경(R2)은 제1직경(R1)보다 크고, 제3직경(R3)은 제2직경(R1)보다 클 수 있다. 제1직경(R1), 제2직경(R2), 그리고 제3직경(R3)은 순차적으로 커질 수 있다. 분사홀(215a, 215b, 215c)들의 크기 차이는 분사되는 공정 가스의 유량을 달리하므로, 여기 공간(ES)의 각 영역으로 공급되는 공정 가스의 유량을 달리할 수 있다.
이와 같이, 본 발명은 분사홀들의 경사각 조절, 가스 공급 노즐들의 전단부 길이 조절, 그리고 분사홀들의 크기 조절을 통하여, 공정 가스가 분사되는 영역을 조절할 수 있으며, 여기 공간의 각 영역으로 공급되는 공정 가스의 유량을 달리할 수 있다. 기판 처리 맵(Map)이 불균일하게 나타하는 경우, 상술한 요소들 조절을 통해 처리가 불균일하게 발생된 기판 영역으로 공급되는 공정 가스 유량을 조절할 수 있으며, 이에 의해 기판 처리 맵이 균일하게 나타날 수 있다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100: 공정 챔버 110: 기판 지지 부재
120: 배플 130: 라이너
200: 가스 공급부 210: 가스 공급 노즐
220: 가스 공급 링 230: 가스 공급 라인
300: 마이크로파 방사부재

Claims (7)

  1. 내부에 공간이 형성된 공정 챔버;
    상기 공정 챔버 내부에 위치하며, 기판을 지지하는 지지 부재;
    상기 지지 부재의 상부에 위치하며, 공정 가스가 마이크로파에 의해 여기되는 여기 공간을 형성하는, 그리고 그 둘레를 따라 체결홀들이 복수개 형성된 라이너; 및
    상기 체결홀들에 각각 위치되며, 상기 여기 공간으로 상기 공정 가스를 분사하는 분사홀이 형성된 가스 공급 노즐들을 포함하고,
    상기 라이너는
    그 둘레를 따라 제1체결홈들이 저면에 형성된 링 형상의 상부 바디; 및
    상기 상부 바디의 하부에 위치하며, 그 둘레를 따라 제2체결홈들이 상면에 형성된 링 형상의 하부 바디를 포함하며,
    상기 제1체결홈과 상기 제2체결홈은 서로 조합되어 상기 체결홀을 형성하는 기판 처리 장치.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 공정 챔버의 상단에 위치하고, 상기 가스 공급 노즐에 공정 가스를 공급하는 가스 공급구가 형성된 링 형상의 가스 공급 링을 더 포함하고,
    상기 가스 공급 노즐은
    상기 체결홀 내에 위치하는 바디;
    상기 바디의 전단에 형성되고, 상기 여기 공간 내에 위치하는 전단부; 및
    상기 바디의 후단에 형성되고, 상기 라이너와 상기 가스 공급 링 사이에 위치하는 후단부를 포함하며,
    상기 분사홀은 상기 전단부의 전방면으로부터 상기 후단부의 후방면으로 연장되며, 상기 가스 공급구와 직접 연결되는 기판 처리 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 가스 공급구는 상기 가스 공급 링의 둘레를 따라 링 형상으로 형성되고,
    상기 가스 공급 노즐들의 분사홀은 상기 가스 공급구와 직접 연결되는 기판 처리 장치.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 분사홀들 중 적어도 어느 하나는
    상기 후단부로부터 상기 전단부로 갈수록 높이가 점점 높아지도록 상향 경사지게 배치되는 기판 처리 장치.
  6. 제 3 항에 있어서,
    상기 분사홀들은
    제1직경을 가지는 제1분사홀; 및
    상기 제1직경보다 큰 제2직경을 가지는 제2분사홀을 포함하는 기판 처리 장치.
  7. 제 3 항에 있어서,
    상기 가스 공급 노즐들의 전단부는
    상기 라이너의 내측면으로부터 제1길이로 도출된 제1전단부; 및
    상기 라이너의 내측면으로부터 제2길이로 도출된 제2전단부를 포함하되,
    상기 제2길이는 상기 제1길이보다 긴 기판 처리 장치.





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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0766181A (ja) * 1993-08-30 1995-03-10 Sumitomo Metal Ind Ltd プラズマ処理装置
US20050150452A1 (en) * 2004-01-14 2005-07-14 Soovo Sen Process kit design for deposition chamber
KR20080073001A (ko) * 2007-02-05 2008-08-08 삼성전자주식회사 반도체 디바이스 제조설비의 가스 링
KR100952673B1 (ko) * 2007-12-27 2010-04-13 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 이의 유체 공급 방법
KR101041452B1 (ko) * 2009-01-06 2011-06-16 세메스 주식회사 기판 지지부재, 이를 갖는 기판 연마 장치 및 이를 이용한 기판 연마 방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020101167A1 (en) 2000-12-22 2002-08-01 Applied Materials, Inc. Capacitively coupled reactive ion etch plasma reactor with overhead high density plasma source for chamber dry cleaning

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