KR100952673B1 - 기판 처리 장치 및 이의 유체 공급 방법 - Google Patents

Abstract

유체 공급유닛은 유체가 이동하는 유로가 형성된 유체 분배부재, 유체 분배부재에 결합되어 유체를 분사하는 분사노즐, 및 분사노즐과 유체 분배부재와의 사이에 개재되어 분사노즐로의 유체 유량을 조절하는 유량 조절부를 포함한다. 이에 따라, 유체 공급유닛은 분사노즐의 분사량을 조절할 수 있다.

Description

기판 처리 장치 및 이의 유체 공급 방법{SUBSTRATE TREATING APPARATUS AND METHOD FOR SUPPLYING FLUID OF THE SAME}

본 발명은 반도체 소자를 제조하는 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 화학기상증착 방법을 이용하여 반도체 소자를 제조하는 기판 처리 장치 및 이의 유체 공급 방법에 관한 것이다.

화학기상증착(Chemical Vapor Deposition : CVD) 장치는 반도체 소자를 제조하는 장치 중 하나로서, 기판 표면에 소정의 박막을 형성한다.

고밀도 플라스마 화학기상 증착장치(High Density Plasma Chemical Vapor Deposition apparatus : 이하, 'HDP CVD 장치')는 화학기상증착 장치의 일종으로, 공정 가스를 고주파(RF:Radio Frequency)에 의해 여기시켜 저온에서 박막을 기판 표면에 증착시킨다.

구체적으로, HDP CVD 장치는 화학기상증착이 이루어지는 공간을 제공하는 챔버, 반응가스를 공급하는 가스링, 및 챔버에 구비된 기판에 반응가스를 분사하는 다수의 분사노즐을 구비한다. 가스링은 링 형상을 갖고, 기판의 상측에 위치하며, 평면상에서 볼 때 기판을 둘러싼다. 분사노즐은 가스링에 결합되어 가스링으로 반응가스를 공급받는다. 분사노즐의 내부에는 가스링으로부터의 반응가스가 유입되는 분사홀이 형성된다.

박막의 두께 및 규일도는 분사노즐로부터 분사되는 반응가스의 균일도에 따라 달라진다. 이러한 특성을 고려하여 반응가스의 분사위치를 조절한다. 즉, 평면상에서 볼 때 분사노즐과 기판 간의 거리를 조절하여 반응가스의 분사위치를 조절한다. 이러한 거리 조절은 분사노즐과 가스링과의 사이에 개재되는 테프론 실링의 두께 조절에 의해 이루어진다. 즉, 테프론 실링의 폭이 두꺼우면 분사노즐과 기판간의 거리가 좁아지고, 테프론 실링의 폭이 얇으면 분사노즐과 기판간의 거리가 멀어진다.

그러나, 테프론 실링의 폭이 너무 두꺼우면 분사노즐이 가스링으로부터 분리돌 수 있으므로, 테프론 실링의 폭에 의한 분사 위치의 조절은 그 한계가 있다.

본 발명의 목적은 유체의 유량 조절이 용이한 유체 공급유닛을 제공하는 것이다.

또한, 본 발명의 목적은 상기한 유체 공급유닛을 이용하여 유체를 공급하는 방법을 제공하는 것이다.

또한, 본 발명의 목적은 상기한 유체 공급유닛을 구비하는 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.

상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 하나의 특징에 따른 유체 공급유닛은, 유체 분배부재, 적어도 하나의 분사노즐 및 유량 조절부로 이루어진다.

구체적으로, 유체 분배부재는 유체가 이동하기 위한 유로를 제공한다. 분사노즐은 상기 유체 분배부재에 결합되고, 상기 유체 분재부재로부터 상기 유체를 공급받아 분사한다. 유량 조절부는 상기 분사노즐과 상기 유체 분배부재와의 사이에 위치하고, 상기 분사노즐에 제공되는 유체의 유량을 조절한다.

여기서, 상기 분사노즐은 상기 유체 분배부재의 유로와 연결되어 상기 유체가 유입되는 분사홀을 갖고, 상기 유량 조절부는 상기 분사노즐의 유량을 조절하는 조절홀을 가지며, 상기 유체 공급라인으로부터 배출된 상기 유체는 상기 조절홀을 통해 상기 분사홀에 유입된다.

상기 조절홀의 폭은 상기 분사노즐의 입력단에 대응하는 분사홀의 폭보다 작 거나 같다.

또한, 상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 하나의 특징에 따른 유체 공급 방법은 다음과 같다.

먼저, 분사 노즐의 입력단에 조절홀이 형성된 유량 조절부를 결합한다. 상기 분사 노즐을 유체 분배부재의 출력단에 결합하고, 상기 유체 분배부재의 유로에 유체를 제공한다. 상기 유체가 상기 유체 분배부재의 유로를 따라 이동하면서 상기 조절홀을 통해 상기 분사노즐에 유입된다. 상기 분사노즐로부터 상기 유체가 분사된다. 여기서, 상기 분사노즐에 공급되는 유체의 유량은 상기 조절홀의 크기에 따라 조절된다.

또한, 상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 하나의 특징에 따른 기판 처리 장치는 챔버와 지지부재 및 유체 공급유닛으로 이루어진다.

챔버는 공정 공간을 제공한다. 지지부재는 상기 공정 공간에 구비되고, 기판을 지지한다. 유체 공급유닛은 평면상에서 볼 때 상기 지지부재의 외측에 위치하고, 상기 기판을 처리하기 위한 유체를 공급한다.

구체적으로, 상기 유체 공급유닛은 유체 분배부재, 적어도 하나의 분사노즐 및 유량 조절부를 포함한다. 유체 분배부재는 평면상에서 볼 때 상기 지지부재의 외측에 위치하고, 상기 기판을 처리하기 위한 유체가 이동하는 유로를 제공한다. 분사노즐은 평면상에서 볼 때 상기 지지부재와 상기 유체 분배부재와의 사이에 위치하고, 상기 유체 분배부재에 결합되며, 상기 유체 분배부재로부터 상기 유체를 공급받아 분사한다. 유량 조절부는 상기 분사노즐과 상기 유체 분배부재와의 사이 에 위치하고, 상기 분사노즐에 제공되는 유체의 유량을 조절한다.

상술한 본 발명에 따르면, 유량 조절부의 조절홀 크기를 조절하여 분사노즐에 유입되는 유체 유량을 조절한다. 이에 따라, 분사노즐의 분사량이 조절되므로, 기판 처리의 균일도를 향상시킬 수 있다.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명한다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타낸 도면이다.

도 1을 참조하면, 본 발명의 기판 처리 장치(700)는 웨이퍼를 처리하는 공반도체 정을 수행한다. 이하에서는, 상기 반도체 공정으로 고밀도 플라스마 화학 기상 증착(High Density Plasma Chemical Vapor Deposition : HDPCVD) 공정을 일례로 하여 설명한다.

상기 기판 처리 장치(700)는 반응유닛(100), 제1 가스 공급유닛(201), 결합 플레이트(300), 커버(400), 플라스마 생성유닛(500), 및 제2 가스 공급유닛(600)을 포함한다.

상기 반응유닛(100)은 챔버(110), 지지부재(120), 및 배기라인(130)을 포함한다. 구체적으로, 상기 챔버(110)는 웨이퍼를 처리하기 위한 실질적인 증착 공정이 이루어지는 공정 공간(PS)을 제공한다. 본 발명의 일례로 상기 챔버(110)는 원 기둥 형상을 갖고, 상부가 개방된다.

상기 공정 공간(PS)에는 상기 지지부재(120)가 설치된다. 상기 지지부재(120)는 지지 플레이트(121), 구동축(123), 및 구동기(125)를 포함한다. 상기 지지 플레이트(121)는 상기 웨이퍼를 지지하고, 공정시 상기 웨이퍼를 고정한다. 상기 지지 플레이트(121)의 아래에는 상기 구동축(123)이 구비된다. 상기 구동축(123)은 상기 지지 플레이트(121)와 결합하고, 상기 구동기(125)의 구동에 의해 상기 지지 플레이트(121)를 회전시킨다.

상기 배기라인(130)은 상기 챔버(110)의 아래에 구비되어 상기 공정 공간(PS) 안의 가스를 배기하고, 상기 공정 공간(PS)의 압력을 조절한다. 즉, 상기 배기라인(130)은 상기 챔버(110)의 바닥면에 형성된 배기홀(111)과 연결되고, 외부의 펌프(미도시)와 연결된다. 공정시, 상기 챔버(110)의 공정 공간(PS)에 충진된 가스와 반응 부산물 등은 상기 배기홀(111)을 경유하여 상기 배기 라인(130)을 통해 외부로 배출된다. 또한, 상기 배기라인(130)은 상기 챔버(110) 내부의 가스를 외부로 배출하여 상기 챔버(110) 내부를 진공 상태로 유지시킨다. 상기 배기라인(130)에는 상기 배기라인(130)을 통한 가스 및 반응 부산물의 배출을 조절하는 조절 밸브(131)가 설치될 수 있다.

한편, 상기 챔버(110)의 일측에는 상기 챔버(110)의 측벽에 형성된 통로(113)를 개폐하는 도어(141)가 설치된다. 즉, 상기 웨이퍼는 상기 통로(113)를 통해 상기 공정공간(PS)으로 인입되고, 상기 공정공간(PS)으로부터 인출된다. 상기 도어(141)는 상기 통로(113)와 인접하게 위치하고, 도어 구동기(143)의 구동에 의 해 상기 통로(113)를 개폐한다.

상기 챔버(110)의 상부에는 상기 증착 공정에 필요한 반응 가스를 제공하는 상기 제1 가스 공급유닛(201)이 구비된다. 상기 제1 가스 공급유닛(201)에 대한 구체적인 설명은 후술하는 도 2 내지 도 4에서 구체적으로 하기로 한다.

상기 제1 가스 공급유닛(201)과 상기 챔버(110)와의 사이에 상기 결합 플레이트(300)가 구비된다. 상기 결합 플레이트(300)는 상기 챔버(110)의 상단부 및 상기 제1 가스 공급유닛(201)과 결합한다. 상기 결합 플레이트(300)는 상기 반응 가스가 이동하는 제1 가스 공급유닛(201)의 제1 및 제2 유로(211, 215)를 밀폐하여 상기 제1 및 제2 유로(211, 215)로부터 상기 반응 가스가 누설되는 것을 방지한다.

상기 제1 가스 공급유닛(201)의 상부에는 상기 커버(400)가 구비된다. 상기 커버(400)는 상기 챔버(110)의 바닥면과 마주하고, 상기 제1 가스 공급유닛(201)과 결합하여 상기 챔버(110)의 공정 공간(PS)을 밀폐한다.

상기 커버(400)의 상부에는 상기 챔버(100) 내부로 공급되는 상기 반응 가스를 플라스마 상태로 만들기 위한 상기 플라스마 생성부재(500)가 구비된다. 상기 플라스마 생성부재(500)는 상기 커버(400)의 상면에 구비되어 전자기장을 형성하는 코일(510), 및 상기 코일(510)을 고정하는 고정체(520)를 구비한다. 상기 코일(510)에는 고주파전원(미도시)이 연결된다. 본 발명의 일례로, 상기 커버(400)는 고주파 에너지가 전달되는 절연체 물질, 예컨대, 산화 알루미늄 또는 세라믹 재질로 만들어진다.

한편, 상기 제2 가스 공급유닛(600)은 상기 커버(400)의 중앙부에 설치되어 상기 반응 가스 및 상기 챔버(110)를 세정하는 세정 가스를 공급한다. 구체적으로, 상기 제2 가스 공급유닛(600)은 제1 및 제2 가스 공급관(610, 620) 및 중앙 노즐(640)을 구비한다. 상기 제1 가스 공급관(610)은 커버(400)의 중앙에 연결되며, 제1 가스라인(631)을 통하여 공급된 세정 가스를 상기 챔버(110)의 내부로 공급한다.

제2 가스 공급관(620)은 제1 가스 공급관(610)의 내부에 설치되며, 제2 가스라인(633)을 통하여 공급된 소스 가스를 중앙 노즐(640)에 제공한다. 상기 중앙 노즐(640)은 상기 제2 가스 공급관(620)의 출력단에 결합되고, 상기 제2 가스 공급관(620)으로부터의 소스 가스를 상기 공정 공간(PS)에 분사한다. 상기 중앙 노즐(640)은 상기 커버(400)의 내측에 설치되고, 상기 지지 플레이트(121)의 상부에서 상기 지지 플레이트(121)와 마주한다.

상기 제1 및 제2 가스라인(631, 633)에는 각각 상기 제1 및 제2 가스라인(631, 633)의 가스량을 조절하는 밸브(631a, 633a)가 설치된다.

상기 증착 공정시, 상기 반응 가스는 상기 제1 및 제2 가스 공급유닛(200, 600) 모두를 통해 상기 공정 공간(PS)에 제공될 수도 있고, 상기 제1 및 제2 가스 공급유닛(201, 600) 중 어느 하나를 통해서만 제공될 수도 있다.

이하, 도면을 참조하여 상기 제1 가스 공급유닛(200)에 대해 구체적으로 설명한다.

도 2는 도 1에 도시된 제1 가스 공급유닛을 나타낸 도면이고, 도 3은 도 2에 도시된 제1 노즐과 유량 조절부재를 나타낸 분해 사시도이며, 도 4는 도 3에 도시된 유량 조절부재를 나타낸 사시도이고, 도 5a 및 도 5b는 도 4에 도시된 유량 조절부재의 다른 일례를 나타낸 사시도이다.

도 2 및 도 3을 참조하면, 상기 제1 가스 공급유닛(201)은 상기 반응 가스의 유로를 제공하는 가스 분배링(210), 상기 반응 가스를 분사하는 다수의 노즐 유닛(NU), 및 유량 조절부(251)를 포함한다.

구체적으로, 상기 가스 분배링(210)은 상기 지지 플레이트(121)의 상부에 구비되고, 평면상에서 볼 때 상기 지지 플레이트(121)로부터 이격되어 상기 지지 플레이트(121)를 둘러싸는 링 형상을 갖는다. 본 발명의 일례로, 상기 가스 분배링(210)은 원형의 링 형상을 갖는다.

상기 가스 분배링(210)에는 상기 제1 및 제2 유로(211, 215)가 형성된다. 상기 제1 유로(211)는 상기 가스 분배링(210)과 동일한 링 형상을 갖고, 제1 가스 공급라인(241)과 연결된다. 상기 제1 가스 공급라인(241)은 제1 반응가스를 상기 제1 유로(211)에 제공하며, 상기 제1 반응가스는 상기 제1 유로(211)를 따라 이동한다. 본 발명의 일례로, 상기 제1 반응가스로는 실란(silane)(SiH₄)을 포함하는 실리콘-함유(silicon-containing) 가스가 이용될 수 있다. 상기 제1 가스 공급라인(241)에는 상기 제1 유로(211)에 제공되는 제1 반응가스의 유량을 조절하기 위한 제1 가스 밸브(241a)가 설치된다.

한편, 상기 제2 유로(215)는 상기 제1 유로(211)로부터 이격되어 위치하고, 상기 제1 유로(211)를 둘러싼다. 상기 제2 유로(215)는 제2 가스 공급라인(243)과 연결되고, 상기 제2 가스 공급라인(243)은 제2 반응가스를 상기 제2 유로(215)에 제공한다. 본 발명의 일례로, 상기 제2 반응가스로는 산소-포함(oxygen-containing) 가스가 이용될 수 있다. 상기 제2 가스 공급라인(243)에는 상기 제2 유로(215)에 제공되는 제2 반응가스의 유량을 조절하기 위한 제2 가스 밸브(243a)가 설치된다.

상기 가스 분배링(210)의 내측에는 상기 노즐 유닛들이 구비된다. 상기 노즐 유닛(NU)은 상기 가스 분배링(210)에 결합되어 상기 제1 및 제2 반응가스를 공급받는다. 상기 노즐 유닛들은 서로 이격되어 위치하고, 평면상에서 볼 때, 상기 지지 플레이트(121)를 둘러싼다. 평면상에서 볼 때, 상기 노즐 유닛들은 상기 제1 및 제2 반응가스를 분사하는 출력단이 상기 지지 플레이트(121)를 향하도록 배치된다.

구체적으로, 상기 노즐 유닛(NU)은 두 개의 제1 노즐(220)과 하나의 제2 노즐(230)을 포함한다. 상기 제1 노즐(220)은 제1 연결라인(213)을 통해 상기 제1 유로(211)와 연결되고, 상기 제1 유로(211)로부터 상기 제1 반응가스를 공급받아 분사한다.

상기 제2 노즐(230)은 상기 두 개의 제1 노즐들 사이에 배치되고, 제2 연결라인(217)을 통해 상기 제2 유로(215)와 연결되며, 상기 제2 유로(215)로부터 상기 제2 반응가스를 공급받아 분사한다.

이 실시예에 있어서, 상기 제1 및 제2 노즐(220, 230)은 동일한 구성을 갖고, 상기 가스 분배링(210)과의 결합관계 또한 동일하다. 따라서, 이하, 상기 제1 노즐(220)을 일례로 하여 상기 제1 및 제2 노즐(220, 230)의 구성 및 가스 분배링(210)과의 결합관계에 대해 구체적으로 설명한다.

상기 제1 노즐(220)은 일 방향으로 연장된 로드 형상을 갖고, 내부에 상기 제1 반응가스와 같은 유체가 유입되는 분사홀(221)이 형성된다. 상기 분사홀(221)은 상기 가스 분배링(210)의 제1 연결라인(213)과 연결되고, 상기 제1 유로(210)에 유입된 제1 반응가스를 상기 제1 연결라인(213)을 통해 제공받는다.

상기 제1 노즐(220)은 상기 가스 분배링(210)과 결합되는 입력단의 외주면에 상기 가스 분배링(210)과 결합하기 위한 나사산(223)이 형성된다. 상기 나사산(223)의 상측에는 상기 유량 조절부(251)가 결합되는 결합부(225)가 형성되고, 상기 결합부(225)는 상기 유량 조절부(251)에 삽입된다.

도 3 및 도 4를 참조하면, 상기 유량 조절부(251)는 링 형상으로 이루어지고, 상기 제1 노즐(220)에 유입되는 상기 제1 반응가스의 유량을 조절한다. 즉, 상기 유량 조절부(251)는 상기 제1 노즐(220)의 측면과 마주하는 상면(251a) 및 상기 상면(251a)으로부터 연장되어 상기 결합부(225)를 둘러싸는 측면(251b)으로 이루어진다. 상기 상면(251a)에는 상기 제1 반응가스의 유량을 조절하는 조절홀(251c)이 형성된다.

즉, 상기 제1 반응가스는 상기 조절홀(251c)을 통해 상기 분사홀(221)에 유입되므로, 상기 조절홀(251c)의 지름에 따라 상기 분사홀(221)로 유입되는 제1 반응가스의 양이 달라진다. 예컨대, 상기 조절홀(251c)의 지름이 작을수록 상기 제1 노즐(220)의 분사홀(221)에 유입되는 제1 반응가스의 유량이 감소된다. 여기서, 상 기 조절홀(251c)의 지름은 상기 제1 노즐(220)의 입력단에 대응하는 분사홀(221)의 지름보다 작거나 같다.

이와 같이, 상기 조절홀(251c)의 크기에 따라 상기 제1 노즐(220)에 공급되는 상기 제1 반응가스의 유량이 달라진다. 상기 제1 가스 공급유닛(201)은 서로 다른 크기의 조절홀이 형성된 유량 조절부들을 이용하여 상기 제1 노즐(220)의 유체 유량을 조절한다.

즉, 도 4, 도 5a 및 도 5b에 도시된 바와 같이, 유량 조절부들(251, 253, 255) 별로 조절홀(251c, 253a, 255a)의 크기를 다양하게 형성하여, 필요에 따라 적절한 크기의 조절홀을 갖는 유량 조절부유량 조절부기 제1 노즐(220)에 결합시킴으로써, 상기 제1 노즐(220)의 제1 반응가스 유량을 조절할 수 있다.

도 6은 도 2의 절단선 I-I'에 따른 단면도이다.

도 6을 참조하면, 상기 제1 노즐(220)은 상기 가스 분배링(210)의 결합부에 삽입되고, 상기 제1 노즐(220)의 입력단에 형성된 나사산(223)과 상기 가스 분배링(210)에 형성된 나사산이 결합하여 상기 제1 노즐(220)을 상기 가스 분배링(210)에 고정한다.

상기 유체 조절부(251)는 상기 제1 노즐(220)의 입력단에 결합되어 상기 가스 분배링(210) 내부로 삽입된다.

상기 가스 분배링(210)의 제1 연결라인(213)은 상기 유체 조절부(251)의 조절홀(251c)을 통해 상기 분사홀(221)과 연결되고, 상기 제1 연결라인(213)에 유입된 제1 반응가스는 상기 조절홀(251c)을 통해 상기 분사홀(221)에 제공된다.

또한, 상기 유체 조절부(251)는 수지 재질로 이루어지고, 상기 가스 분배링(210)과 상기 제1 노즐(220)의 결합부분에서 상기 제1 반응가스가 누설되는 것을 방지한다.

이하, 도면을 참조하여 상기 제1 가스 공급유닛(201)로부터 제공되는 반응가스의 량을 조절하는 과정을 구체적으로 설명한다.

도 7은 도 1에 도시된 기판 처리 장치를 이용하여 웨이퍼를 처리하는 과정을 나타낸 공정도이고, 도 8은 도 7에 도시된 제1 가스 공급유닛에서 반응가스를 분사하는 과정을 나타낸 공정도이다.

도 7 및 도 8을 참조하면, 먼저, 상기 제1 가스 공급유닛(200)의 각 제1 및 제2 노즐(220, 230)의 입력단에 각각 상기 유량 조절부(251)를 결합한다. 이때, 상기 각 제1 및 제2 노즐(220, 230)에는 서로 다른 크기의 조절홀을 갖는 유량 조절부들 중 해당 노즐의 기 설정된 분사 유량에 적합한 크기를 갖는 조절홀이 형성된 유량 조절부가 결합된다. 상기 각 노즐(220, 230)의 분사 유량은 상기 웨이퍼(10) 상에 형성할 박막의 두께와 상기 공정 공간(PS) 안에서 반응 가스의 흐름 등을 고려하여 설정된다.

이에 따라, 상기 제1 가스 공급유닛(200)의 각 제1 및 제2 노즐(220, 230) 별 분사 유량이 조절된다.

이어, 각 제1 및 제2 노즐(220, 230)을 상기 가스 분배링(210)의 출력단에 결합한다.

상기 노즐 유닛들과 상기 가스 분배링(210)의 결합이 완료된 이후에, 상기 도어 구동기(143)를 구동시켜 상기 챔버(110)에 형성된 통로(113)를 개방하고, 상기 웨이퍼(10)를 상기 통로(113)를 통해 상기 공정 공간(PS)에 인입시켜 상기 지지 플레이트(121)에 안착시킨다.

이어, 제1 및 제2 가스 공급유닛(200, 600)를 이용하여 상기 공정 공간(PS)에 상기 반응가스(RG)를 분사한다. 구체적으로, 상기 가스 분배링(210)의 제1 및 제2 유로(211, 215)에 상기 반응가스(RG)가 유입된다. 상기 제1 유로(211)에 유입된 상기 반응가스(RG)는 상기 제1 유로(211)를 따라 이동하면서 각 제1 노즐(220)에 결합된 각 유량 조절부(251)의 조절홀(251c)을 통해 상기 각 제1 노즐(220)에 제공되고, 제1 노즐들은 상기 반응가스(RG)를 분사한다. 마찬가지로, 상기 제2 유로(215)에 유입된 반응가스(RG)는 상기 제2 유로(215)를 따라 이동하면서 각 제2 노즐(230)에 결합된 각 유량 조절부(251)의 조절홀(251c)을 통해 상기 각 제2 노즐(230)에 제공되고, 제2 노즐들은 상기 반응가스(RG)를 분사한다.

한편, 상기 코일(520)은 고주파전원을 제공받아 고주파 에너지를 발생한다. 상기 고주파 에너지는 상기 커버(400)를 통하여 상기 웨이퍼(10)의 상부로 전달되어 웨이퍼(W)의 상부에 전자기장을 형성하고, 상기 전자기장과 상기 반응가스(RG)가 반응하여 플라스마를 생성한다.

상기 플라스마에 의해 상기 웨이퍼(10) 상에 상기 박막이 증착된다.

이상 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타낸 도면이다.

도 2는 도 1에 도시된 제1 가스 공급유닛을 나타낸 도면이다.

도 3은 도 2에 도시된 제1 노즐과 유량 조절부재를 나타낸 분해 사시도이다.

도 4는 도 3에 도시된 유량 조절부재를 나타낸 사시도이다.

도 5a 및 도 5b는 도 4에 도시된 유량 조절부재의 다른 일례를 나타낸 사시도이다.

도 6은 도 2의 절단선 I-I'에 따른 단면도이다.

도 7은 도 1에 도시된 기판 처리 장치를 이용하여 웨이퍼를 처리하는 과정을 나타낸 공정도이다.

도 8은 도 7에 도시된 제1 가스 공급유닛에서 반응가스를 분사하는 과정을 나타낸 공정도이다.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호 설명 *

100 : 반응유닛 201 : 제1 가스 공급유닛

300 : 결합 플레이트 400 : 커버

500 : 플라스마 생성유닛 600 : 제2 가스 공급유닛

700 : 기판 처리 장치

Claims (11)

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7. 기판을 처리하기 위한 기판 처리 장치에서 기판을 처리하는 유체를 공급하는 방법에 있어서,

   분사 노즐의 입력단에 조절홀이 형성된 유량 조절부를 결합하는 단계;

   상기 분사 노즐의 입력단에 형성된 나사산을 이용하여 상기 분사 노즐을 유체 분배부재의 출력단에 나사 결합하는 단계;

   상기 유체 분배부재의 유로에 상기 유체를 제공하는 단계;

   상기 유체가 상기 유체 분배부재의 유로를 따라 이동하면서 상기 조절홀을 통해 상기 분사노즐에 유입되는 단계; 및

   상기 분사노즐로부터 상기 기판에 상기 유체가 분사되는 단계를 포함하고,

   상기 분사 노즐과 상기 유량 조절부의 결합은, 상기 조절홀이 형성된 유량 조절부의 상면으로부터 연장된 유량 조절부의 측면이 상기 분사 노즐의 입력단을 둘러싸도록 상기 분사 노즐의 입력단이 상기 유량 조절부에 삽입되는 것에 의해 이루어지며,

   상기 분사노즐에 공급되는 유체의 유량은 상기 조절홀의 크기에 따라 조절되는 것을 특징으로 하는 유체 공급 방법.
8. 제7항에 있어서, 상기 유량 조절부를 상기 분사노즐에 결합하는 단계는, 서로 다른 크기의 조절홀을 갖는 유량 조절부들 중 기 설정된 상기 분사노즐의 유량에 대응하는 크기의 조절홀을 갖는 유량 조절부를 선택하여 상기 분사노즐에 결합하는 것을 특징으로 하는 유체 공급 방법.
9. 공정 공간을 제공하는 챔버;

   상기 공정 공간에 구비되고, 기판을 지지하는 지지부재; 및

   평면상에서 볼 때 상기 지지부재의 외측에 위치하고, 상기 기판을 처리하기 위한 유체를 공급하는 유체 공급유닛을 포함하고,

   상기 유체 공급유닛은,

   평면상에서 볼 때 상기 지지부재의 외측에 위치하고, 상기 기판을 처리하기 위한 유체가 이동하는 유로를 제공하는 유체 분배부재;

   평면상에서 볼 때 상기 지지부재와 상기 유체 분배부재와의 사이에 위치하고, 입력단이 상기 유체 분배부재에 삽입 결합되며, 로드 형상을 갖고, 내부에 상기 유체 분배부재로부터 상기 유체가 유입되는 분사홀이 구비되며, 상기 유체 분배부재로부터 상기 유체를 공급받아 분사하는 적어도 하나의 분사노즐; 및

   상기 분사노즐과 상기 유체 분배부재와의 사이에 위치하고, 상기 분사노즐에 결합되며, 상기 분사노즐에 제공되는 유체의 유량을 조절하는 유량 조절부를 포함하며,

   상기 분사노즐의 입력단은,

   상기 유체 분배부재와 나사 결합하기 위해 외주면에 형성된 나사산부; 및

   상기 나사산부로부터 상기 유체 분배부재측으로 연장되고, 링 형상을 가지며, 상기 유량 조절부에 삽입되는 상기 결합부를 포함하고,

   상기 유량 조절부는,

   상기 분사노즐에서 상기 분사홀이 형성된 면과 마주하고, 상기 분사노즐의 유량을 조절하는 조절홀을 가지며, 조절홀이 형성된 상면; 및

   상기 상면으로부터 연장되어 상기 결합부의 외주면을 둘러싸는 측면을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
10. 제9항에 있어서,

    상기 유체 분배부재는 상기 분사노즐이 삽입되는 부분에 상기 분사노즐의 나사산부에 대응하는 나사산이 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
11. 제10항에 있어서,

    상기 유체 분배부재는 링 형상을 갖고, 평면상에서 볼 때 상기 지지부재를 둘러싸며,

    상기 분사노즐은 상기 유체 분배부재의 내측에 위치하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.

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