JPH0766181A - プラズマ処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 パーティクルの発生を防止することができ、
また試料Ｓに均一なプラズマ処理を施すことができ、さ
らに例えば試料Ｓにエッチング処理を施す場合における
試料Ｓの金属汚染を防止することができながら、しかも
低コスト化及び装置製造の効率化を図ることができるプ
ラズマ処理装置１０を提供すること。 【構成】 マイクロ波による電界と磁石または電磁コイ
ルによる磁界とを利用してプラズマを発生させるプラズ
マ室１１、及び試料Ｓを装着する試料台１５と試料台１
５を囲むように配置された防着板１７とが配設された反
応室１３を備えたプラズマ処理装置１０において、防着
板１７には１個以上のノズル孔１７ａが形成され、反応
室１３の周壁１３ｃにはガス吹出孔２０ｂを有する反応
ガス導入部２８が配設され、ガス吹出孔２０ｂには耐プ
ラズマ性の材料を用いて形成されたガス導入ノズル２２
がノズル孔１７ａを貫通して着脱可能に差し込まれてい
るプラズマ処理装置１０。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はプラズマ処理装置に関
し、より詳細には反応室内に反応ガスを供給しつつプラ
ズマを利用し、半導体素子基板等の試料にエッチング処
理、アッシング処理あるいは薄膜形成処理等を施す装置
として使用されるプラズマ処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】ドライ処理プロセスは、ＬＳＩ製作時に
必要とされる高精細なパターン形成工程等において欠か
せないもののひとつとなっている。

【０００３】プラズマを発生させてドライ処理を行なう
装置としては、ＲＦを用いるプラズマ処理装置、あるい
は有磁場中にマイクロ波を供給し、電子サイクロトロン
共鳴（ＥＣＲ）を利用するプラズマ処理装置等があり、
電子サイクロトロン共鳴励起によりプラズマを発生させ
る装置は低ガス圧下において活性度の高いプラズマを生
成させることができ、イオンエネルギーの広範囲な選択
が可能であり、また大きなイオン電流が得られ、イオン
流の指向性、均一性に優れる等の利点を有している。こ
のため、高集積半導体素子等を製造する際の薄膜形成や
エッチング等のプロセスにおける重要な装置としてその
研究開発が進められている。

【０００４】しかし、一般的に用いられている電子サイ
クロトロン共鳴を利用したプラズマ処理装置では、繰り
返し使用するうちにプラズマ処理によって生成した反応
生成物が反応室の内壁に堆積し、該反応生成物と前記反
応室部材との熱膨張係数差に起因して前記反応生成物に
装置内温度の昇降による亀裂が生じ、該反応生成物が前
記反応室内壁から剥離し、パーティクルが発生する。該
パーティクルが試料の表面に付着すると、該試料上に形
成される配線がショートしやすくなる等の障害が生じて
しまう。したがって、このような問題を解決するために
は前記反応室内壁に付着した前記反応生成物を除去する
必要があるが、前記反応室のメンテナンスは非常に困難
であるため、パーティクルの発生を防止することができ
ないという問題があった。

【０００５】また、プラズマが反応ガス供給系に照射さ
れると、該反応ガス供給系の構成部材であるステンレス
等がエッチングされ、前記試料の表面に付着するため、
該試料に金属汚染が発生するという問題があった。

【０００６】これらの問題を同時に解決する装置とし
て、着脱可能な防着板が配設されたプラズマ処理装置が
使用されている。

【０００７】図４は従来の着脱可能な防着板が配設され
たプラズマ処理装置を模式的に示した縦断面図である。
図中４０はプラズマ処理装置を示しており、プラズマ処
理装置４０は主にプラズマ室１１と反応室１３とから構
成されている。プラズマ室１１周壁は２重構造になって
おり、その内部には冷却水の流通室１１ａが形成され、
またプラズマ室１１の一側壁中央には石英ガラス板１１
ｂにより封止されたマイクロ波導入口１１ｃが形成さ
れ、さらにプラズマ室１１の他側壁中央にはマイクロ波
導入口１１ｃと対向する位置にプラズマ引き出し窓１１
ｄが形成されている。マイクロ波導入口１１ｃには他端
がマイクロ波発振器（図示せず）に接続されたマイクロ
波導波管１２の一端が接続され、またプラズマ引き出し
窓１１ｄに臨ませて反応室１３が配設されている。さら
にプラズマ室１１及びこれに接続されたマイクロ波導波
管１２の一端部にわたってこれらを囲繞する態様でこれ
らと同心状に励磁コイル１４が配設されている。

【０００８】一方、反応室１３内にはプラズマ引き出し
窓１１ｄと対向する位置に試料台１５が配設され、試料
台１５上にはウエハ等の試料Ｓが静電吸着等の手段にて
着脱可能に装着されている。また、試料台１５内には試
料台１５及び試料Ｓを冷却するための冷却水流通路（図
示せず）と、試料Ｓを静電吸着するための電極１５ｂと
が埋設されており、前記冷却水流通路には冷却水供給管
１５ａが、また電極１５ｂには直流電源１８が接続され
ている。

【０００９】また、装置チャンバー１６にはガス導入口
１６ｄが形成され、このガス導入口１６ｄには反応ガス
供給系１３ｇが接続されており、反応ガス供給系１３ｇ
から供給された反応ガスがガス導入口１６ｄを通じて反
応室１３内に直接供給されるようになっており、反応室
１３の右側壁には図示しない排気装置に接続される排気
口１３ａが形成されている。また、反応室１３の周壁１
３ｃと試料台１５との間であって周壁１３ｃ近傍には石
英ガラス等を用いて形成された円筒形状の防着板１７が
着脱可能に配設されており、この防着板１７によりプラ
ズマ処理の際に生成した反応生成物が周壁１３ｃに付着
するのを防止するようになっている。

【００１０】また、図中１１ｇはプラズマ室１１に連な
る反応ガス供給系を示しており、図中１１ｈ、１１ｉは
冷却水の供給系、排出系を示している。

【００１１】このように構成されたプラズマ処理装置４
０を用い、試料台１５に装着した試料Ｓ処理面にプラズ
マ処理を施すには、まずプラズマ室１１及び反応室１３
内を所定の真空度に設定し、この後プラズマ室１１内に
反応ガス供給系１１ｇを通じて所要のガス圧力が得られ
るように反応ガスを供給し、励磁コイル１４により磁界
を形成しつつマイクロ波導入口１１ｃを通じてプラズマ
室１１内にマイクロ波を導入し、プラズマ室１１を空洞
共振器として反応ガスを共鳴励起し、プラズマを生成さ
せる。これと同時に反応ガス供給系１３ｇから反応ガス
を供給すると、生成したプラズマが励磁コイル１４によ
り形成される反応室１３側に向かうに従い磁束密度が低
下する発散磁界によって反応室１３内の試料Ｓ周辺に投
射され、かつ供給された反応ガスがガス導入口１６ｄを
通じて反応室１３内に供給されることにより、試料Ｓ処
理面にプラズマ処理が施される。

【００１２】また、防着板１７のメンテナンスを行うに
は、まず防着板１７を取りはずし、次にこの防着板１７
に付着した前記反応生成物を洗浄して取りつけるか、あ
るいは洗浄済の防着板１７と交換する。

【００１３】しかしプラズマ処理装置４０では、試料に
プラズマ処理を施す際、反応ガスが防着板１７を迂回し
て反応室１３内に供給されるため、ガス圧が不均一にな
り、反応ガスの供給が不均一になる。このため、試料Ｓ
処理面の下部や周辺部に反応ガスが供給されにくくな
り、処理速度にばらつきが生じ、試料Ｓに均一なプラズ
マ処理を施すことができないという問題があった。

【００１４】そこで、均一なプラズマ処理を行うため
に、環状ガスノズルが配設されたプラズマ処理装置や反
応ガス導入フランジが配設されたプラズマ処理装置が考
案されている。

【００１５】図５は従来の環状ガスノズルが配設された
プラズマ処理装置を模式的に示した縦断面図であり、図
中５０はプラズマ処理装置を示している。プラズマ処理
装置５０は図４に示したプラズマ処理装置４０と略同じ
構成を有しているが、反応室１３内の周壁１３ｃと試料
台１５との間であって周壁１３ｃ近傍にはノズル孔１７
ａを有する防着板１７が着脱可能に配設されている。ま
た、試料台１５とプラズマ引き出し窓１１ｄとの間であ
って、プラズマ引き出し窓１１ｄを通して試料台１５に
導かれるプラズマ流の周囲には、試料台１５と略同心状
に環状ガスノズル５１が配設され、この環状ガスノズル
５１には装置チャンバー１６下部及びノズル孔１７ａを
貫通する反応ガス導入管５１ｃが接続されており、反応
ガス導入管５１ｃには反応ガス供給系１３ｇが接続され
ている。また環状ガスノズル５１の周壁であって試料台
１５の周縁部または試料Ｓの周縁部と対向する位置に
は、試料台１５の周縁部または試料Ｓの周縁部に向けて
反応性ガスを供給するための多数のガス吹出孔５１ａが
形成されており、反応ガス供給系１３ｇから供給された
反応性ガスが反応ガス導入管５１ｃから環状ガスノズル
５１を通り試料Ｓの周縁部に吹き出されるようになって
いる。なお、環状ガスノズル５１の試料台１５からの設
置高さや、ガス吹出孔５１ａの数、開口面積、開口形
状、吹出し速度、ガス吹出し角度等については、試料Ｓ
全体で反応性ガスが均一化され得るよう設定される。

【００１６】また、従来の反応ガス導入フランジが配設
されたプラズマ処理装置では、図６に示したように装置
チャンバー１６にはＡｌを用いて形成された円筒形状の
反応ガス導入フランジ６１が介装されており、この反応
ガス導入フランジ６１内にはＳＵＳ３１６を用いて形成
された反応ガス導入管６１ｃが埋設されるとともに反応
ガス導入管６１ｃに通じるガス導入孔６１ａ及び１個以
上のガス吹出孔６１ｂが形成されている。また、ガス導
入孔６１ａには反応ガス供給系１３ｇが接続されてお
り、また防着板１７には１個以上のガス吹出孔１７ａが
形成されており、反応ガス供給系１３ｇから供給された
反応ガスが反応ガス導入管６１ｃからガス吹出孔６１ｂ
を通りガス吹出孔１７ａから試料の処理面に供給される
ようになっている。

【００１７】

【発明が解決しようとする課題】図５に示した従来の環
状ガスノズル５１が配設されたプラズマ処理装置５０に
おいては、環状ガスノズル５１に形成された多数のガス
吹出孔５１ａから反応ガスが吹き出すため、試料Ｓにプ
ラズマ処理を施す際、試料Ｓの処理面への均一なガスの
供給が行われ、ガス圧力が均一化され、処理速度の一様
化が図られ、試料Ｓに均一なプラズマ処理が施される。

【００１８】しかしながら、環状ガスノズル５１及び反
応ガス導入管５１ｃが直接プラズマにさらされる位置に
配設されているため、環状ガスノズル５１及び反応ガス
導入管５１ｃに反応生成物が付着しやすく、しかもこれ
らはメンテナンスを行うことが難しく、前記反応生成物
の除去が困難であり、パーティクルの発生を防止するこ
とができないという課題があった。また、環状ガスノズ
ル５１及び反応ガス導入管５１ｃの構成部材が耐プラズ
マ性でない場合、例えば試料Ｓにエッチング処理を施す
際には前記構成部材がエッチングされやすく、試料Ｓに
金属汚染が発生しやすいという課題があった。そこで、
前記構成部材として石英やチタン等の耐プラズマ性の材
料を用いると、金属汚染は防止されるものの、これらの
材料は加工が難しいため、生産効率が低下するという課
題があり、また高価であるため、製造コストが高くつく
という課題があった。

【００１９】また、上記した従来の反応ガス導入フラン
ジ６１が配設されたプラズマ処理装置においては、ガス
吹出孔６１ｂから吹き出した反応ガスが防着板１７を迂
回することなくガス吹出孔１７ａから前記試料の処理面
に供給されるため、前記試料にプラズマ処理を施す際、
該試料の処理面に反応ガスが均一に供給され、ガス圧力
が均一化され、処理速度の一様化が図られ、均一なプラ
ズマ処理が施されるものの、反応ガス導入管６１ｃがプ
ラズマに対して露出しているため、ガス吹出孔６１ｂ周
辺の反応ガス導入フランジ６１に反応生成物が付着しや
すく、また反応ガス導入フランジ６１のメンテナンスが
難しく、パーティクルの発生を防止することができない
という課題があった。また、反応ガス導入管６１ｃがプ
ラズマに攻撃されやすく、例えば試料Ｓにエッチング処
理を施す際には反応ガス導入管６１ｃの構成部材がエッ
チングされやすく、前記試料に金属汚染が発生しやすい
という課題があった。

【００２０】本発明はこのような課題に鑑み発明された
ものであって、パーティクルの発生を防止することがで
き、また試料に均一なプラズマ処理を施すことができ、
さらに例えば試料にエッチング処理を施す場合における
試料の金属汚染を防止することができながら、しかも低
コスト化及び装置製造の効率化を図ることができるプラ
ズマ処理装置を提供することを目的としている。

【００２１】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明に係るプラズマ処理装置は、マイクロ波による
電界と磁石または電磁コイルによる磁界とを利用してプ
ラズマを発生させるプラズマ室、及び試料を載置する試
料台と該試料台を囲むように配置された防着板とが配設
された反応室を備えたプラズマ処理装置において、前記
防着板には１個以上のノズル孔が形成され、反応室の周
壁にはガス吹出孔を有する反応ガス導入部が配設され、
前記ガス吹出孔には耐プラズマ性の材料を用いて形成さ
れたガス導入ノズルが前記ノズル孔を貫通して着脱可能
に差し込まれていることを特徴としている。

【００２２】

【作用】上記した構成のプラズマ処理装置によれば、前
記防着板には１個以上の前記ノズル孔が形成され、前記
反応室の周壁には前記ガス吹出孔を有する前記反応ガス
導入部が配設され、前記ガス吹出孔には耐プラズマ性の
材料を用いて形成された前記ガス導入ノズルが前記ノズ
ル孔を貫通して着脱可能に差し込まれているので、前記
ガス導入ノズルのメンテナンスが容易となり、パーティ
クルの発生が防止される。また、反応ガスが前記防着板
を迂回することなく直接前記試料処理面側に導入され、
該試料に均一なプラズマ処理が施される。さらに、例え
ば該試料にエッチング処理を施す場合、プラズマによる
前記反応ガス導入部のエッチングが防止され、前記試料
の金属汚染が防止されるとともに、安価でしかも加工が
容易なステンレス等の材料を用いて前記反応ガス導入部
を形成することが可能となり、低コスト化及び装置製造
の効率化が図られ、しかもプラズマによる前記ガス導入
ノズルのエッチングが防止され、前記試料の金属汚染が
防止される。

【００２３】

【実施例及び比較例】以下、本発明に係るプラズマ処理
装置の実施例及び比較例を図面に基づいて説明する。

【００２４】なお、実施例に係るプラズマ処理装置の構
成は図４に示した従来のプラズマ処理装置装置の構成と
略同様であるため、ここでは同じ部分の説明は省略し、
従来のものと相違する箇所についてのみその構成を説明
する。また、従来例と同一の構成部品には同一の符合を
付すこととする。図１は実施例に係るプラズマ処理装置
の実施例を模式的に示した縦断面図であり、図２は実施
例に係る反応ガス導入部、ガス導入ノズル及び防着板の
関係を模式的に示した左側面図であり、図３は図１にお
けるＡ部分を拡大して示した断面図である。図中１０は
プラズマ処理装置を、図中１３は反応室を示しており、
反応室１３の装置チャンバー１６には左右に分割可能な
凸部１６ａが周設されており、この分割部分にはＯリン
グ２４が介装され、凸部１６ａには接続部材１６ｂが嵌
合され、前記分割部分は密着性を保持して接続されてい
る。凸部１６ａの内側には凹部１６ｃが形成され、凹部
１６ｃの下部には反応ガス供給系１３ｇが接続されてい
る。

【００２５】また、反応室１３内にはプラズマ引き出し
窓１１ｄと対向する位置に試料台１５が配設されてお
り、試料台１５上にはウエハ等の試料Ｓが静電吸着等の
手段により着脱可能に装着されている。また、試料台１
５内には試料台１５及び試料Ｓを冷却するための冷却水
流通路（図示せず）と、試料Ｓを静電吸着するための電
極１５ｂとが埋設されており、前記冷却水流通路には冷
却水供給管１５ａが、また電極１５ｂには直流電源１８
が接続されている。また、周壁１３ｃと試料台１５との
間には石英ガラスやアルミニウム（Ａｌ）等を用いて形
成された内径が４４０ｍｍの円筒形状の防着板１７が着
脱可能に配設され、この防着板１７の所定箇所には４個
のノズル孔１７ａが同心円状に形成されている。

【００２６】また、反応ガス供給系１３ｇが接続された
凹部１６ｃ部分には、ガス流通孔１９ａ及びガス導入孔
１９ｂを構成するＴ字孔（図示せず）を有する１個のＳ
ＵＳ３０４製のガス導入ブロック１９が、ガス導入孔１
９ｂと凹部１６ｃに接続された反応ガス供給１３ｇとが
重合するように嵌め込まれており、また凹部１６ｃの所
定箇所にはガス流通孔２０ａ及びガス吹出孔２０ｂを構
成するＴ字孔２７を有する４個のＳＵＳ３０４製のガス
吹出ブロック２０が嵌め込まれている。また、ガス流通
孔１９ａ及びガス流通孔２０ａには凹部１６ｃに嵌め込
まれた複数本のＳＵＳ３０４製の反応ガス導入管２１の
両端が接続され、この接続部分はフッ素ゴム製のＯリン
グ２６及びＳＵＳ３０４製のＯリング押え板２３により
シールされている。そして、これらガス導入ブロック１
９、ガス吹出ブロック２０及び反応ガス導入管２１によ
り反応ガス導入部２８が構成されている。また、ガスケ
ット２５が装着されたガス吹出孔２０ｂ内には石英製の
ガス導入ノズル２２がノズル孔１７ａを貫通して着脱可
能に差し込まれており、ガス導入ノズル２２がガスケッ
ト２５によりシールされている。ガス導入ノズル２２の
差し込み部分はテーパ形状になっており、差し込みやす
く、しかも反応ガスが漏れにくくなっている。

【００２７】そして、反応ガス供給系１３ｇから供給さ
れた反応ガスが反応ガス導入部２８内を通り４個のガス
吹出孔２０ｂに差し込まれたガス導入ノズル２２から試
料Ｓの処理面に導入されるようになっている。

【００２８】このように構成されたプラズマ処理装置１
０にあっては、プラズマ室１１及び反応室１３内を所定
の真空度に設定した後、プラズマ室１１内に反応ガス供
給系１１ｇを通じて所要のガス圧力が得られるように反
応ガスを供給し、励磁コイル１４により磁界を形成しつ
つマイクロ波導入口１１ｃを通じてプラズマ室１１内に
マイクロ波を導入し、プラズマ室１１を空洞共振器とし
て反応ガスを共鳴励起し、プラズマを生成させる。そし
て生成したプラズマが励磁コイル１４により形成される
反応室１３側に向かうに従い磁束密度が低下する発散磁
界によって反応室１３内の試料Ｓ周辺に投射され、かつ
供給された反応ガスが反応ガス導入部２８内を通ってガ
ス導入ノズル２２から試料台１５左面に装着された試料
Ｓの処理面に導入されることにより、試料Ｓにプラズマ
処理が施される。

【００２９】またメンテナンスの際には、直接プラズマ
にさらされるガス導入ノズル２２のみを取りはずして付
着した反応生成物等を洗浄して取りつけるか、あるいは
洗浄済のガス導入ノズル２２と交換する。

【００３０】実施例に係るプラズマ処理装置１０を使用
し、Ｃｌ₂ 及びＯ₂ の混合ガスを用いて試Ｓ上のＷ−ｐ
ｏｌｉｃｉｄｅをエッチングし、これを２５０回行なっ
た後、全てのガス導入ノズル２２を洗浄済のものと交換
する。この後、試料Ｓとして直径が８インチのウエハを
用い、Ｃｌ₂ 及びＯ₂ の混合ガスを用いて試料Ｓ上のベ
アＳｉをエッチングした後、試料Ｓ処理面に付着したパ
ーティクルの大きさと個数とを調べ、その結果を表１に
示した。また表１には併わせて、比較例として従来のガ
ス導入フランジ６１が配設されたプラズマ処理装置（図
６参照）を使用し、直径が６インチのウエハを試料とし
て用い、実施例と同様にエッチングを行った場合の結果
も示した。

【００３１】

【表１】

【００３２】表１から明らかなように比較例に係るもの
の場合、試料Ｓ処理面に付着した０．５μｍ以上のパー
ティクルの数は数百個と大きな値となっている。これに
対して実施例に係るものの場合は、試料Ｓ処理面に付着
した０．５μｍ以上のパーティクルの数は十数個と比較
例に比べて５０分の１近い小さな値となっており、大幅
に減少している。また、０．３μｍ以上のパーティクル
の数でも数十個と非常に小さな値となっている。このよ
うに、直接プラズマにさらされるガス導入ノズル２２の
メンテナンスを行うことによりパーティクルの数を大幅
に低減することができた。

【００３３】以上説明したように実施例に係るプラズマ
処理装置１０にあっては、防着板１７には１個以上のノ
ズル孔１７ａが形成され、反応室１３の周壁１３ｃには
ガス吹出孔２０ｂを有する反応ガス導入部２８が配設さ
れ、ガス吹出孔２０ｂには耐プラズマ性の材料を用いて
形成されたガス導入ノズル２２がノズル孔１７ａを貫通
して着脱可能に差し込まれているので、ガス導入ノズル
２２のメンテナンスを容易に行うことができ、パーティ
クルの発生を防止することができる。また、反応ガスを
防着板１７を迂回することなく直接試料Ｓ処理面側に導
入することができ、試料Ｓに均一なプラズマ処理を施す
ことができる。さらに、例えば試料Ｓにエッチング処理
を施す場合、プラズマによる反応ガス導入部２８のエッ
チングを防止することができ、試料Ｓの金属汚染を防止
することができるとともに、安価でしかも加工が容易な
ステンレス等の材料を用いて反応ガス導入部２８を形成
することができ、低コスト化及び装置製造の効率化を図
ることができ、しかもプラズマによるガス導入ノズル２
２のエッチングを防止することができ、試料Ｓの金属汚
染を防止することができる。

【００３４】なお、本実施例では反応ガス導入管２１、
ガス導入ブロック１９、ガス吹出ブロック２０及びＯリ
ング押え板２３がＳＵＳ３０４を用いて形成されている
が、別の実施例では反応ガス導入管２１、ガス導入ブロ
ック１９、ガス吹出ブロック２０及びＯリング押え板２
３を他のＳＵＳ材、Ａｌ材、テフロン等の樹脂材料、、
石英、チタン及びチタン化合物、ニッケル及びニッケル
化合物、アルミナ及びアルミナ化合物等の耐プラズマ性
の材料を用いて形成してもよい。

【００３５】また、本実施例では反応ガス導入部２８が
環形状の閉状構造である場合を例にとって説明したが、
別の実施例では反応ガス導入部２８が四角形、六角形等
の多角形形状もしくは不定形状の閉状構造であってもよ
い。

【００３６】さらに、本実施例では反応ガス導入部２８
が凹部１６ｃに嵌め込まれているが、別の実施例では反
応ガス導入部２８がガス導入フランジに内設されていて
もよい。

【００３７】また、本実施例ではガス導入ノズル２２が
石英を用いて形成されているが、別の実施例では使用す
るプラズマ種によって、ガス導入ノズル２２をチタン及
びチタン化合物、アルミナ及びアルミナ化合物、工業用
サファイア等を用いて形成してもよい。

【００３８】さらに、本実施例ではガス導入ノズル２２
が４ケ所に差し込まれている場合を例にとって説明した
が、別の実施例ではガス導入ノズル２２が１ケ所以上で
あれば何ケ所に差し込まれていてもよく、ガス導入ノズ
ル２２の数が多いほど処理を均一に行うことができる。

【００３９】また、本実施例ではガス導入ノズル２２を
水平に差し込むことによりガス導入方向が反応室１３の
中心に向かう垂直方向に設定されているが、別の実施例
ではガス導入ノズル２２を左右方向に傾けることにより
ガス導入方向を所望の方向に設定してもよい。

【００４０】さらに、本実施例ではフッ素ゴム製のＯリ
ング２６及びＳＵＳ３０４製のＯリング押え板２３を用
いたため、ガスケット２５としてゴアテックス製のガス
ケットを用いた場合について説明したが、別の実施例で
は各種Ｏリング及び／または金属製ガスノズルを用いる
場合は、ガスケット２５としてメタルシールガスケット
を用いてもよい。

【００４１】また、本実施例では反応室１３内への反応
ガス供給系１３ｇ及びガス導入ブロック１９により構成
されるガス導入部が１ケ所である場合を例にとって説明
したが、別の実施例では前記ガス導入部を２ケ所以上形
成してもよい。

【００４２】さらに、本実施例ではプラズマ処理装置１
０がエッチング処理装置である場合を例にとって説明し
たが、プラズマ処理装置１０がその他アッシング処理装
置や薄膜形成処理装置等である場合においても同様に本
発明を適用することができる。

【００４３】

【発明の効果】以上詳述したように本発明に係るプラズ
マ処理装置においては、マイクロ波による電界と磁石ま
たは電磁コイルによる磁界とを利用してプラズマを発生
させるプラズマ室、及び試料を載置する試料台と該試料
台を囲むように配置された防着板とが配設された反応室
を備えたプラズマ処理装置において、前記防着板には１
個以上のノズル孔が形成され、前記反応室の周壁にはガ
ス吹出孔を有する反応反応ガス導入部が配設され、前記
ガス吹出孔には耐プラズマ性の材料を用いて形成された
ガス導入ノズルが前記ノズル孔を貫通して着脱可能に差
し込まれているので、前記ガス導入ノズルのメンテナン
スを容易に行うことができ、パーティクルの発生を防止
することができる。また、反応ガスを前記防着板を迂回
することなく直接前記試料処理面側に導入することがで
き、該試料に均一なプラズマ処理を施すことができる。
さらに、例えば該試料にエッチング処理を施す場合、プ
ラズマによる前記反応ガス導入部のエッチングを防止す
ることができ、前記試料の金属汚染を防止することがで
きるとともに、安価でしかも加工が容易なステンレス等
の材料を用いて前記反応ガス導入部を形成することがで
き、低コスト化及び装置製造の効率化を図ることがで
き、しかもプラズマによる前記ガス導入ノズルのエッチ
ングを防止することができ、前記試料の金属汚染を防止
することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のプラズマ処理装置の実施例を模式的に
示した縦断面図である。

【図２】実施例に係る反応ガス導入部、ガス導入ノズル
及び防着板の関係を模式的に示した左側面図である。

【図３】図１におけるＡ部分を拡大して示した断面図で
ある。

【図４】従来のプラズマ処理装置を模式的に示した縦断
面図である。

【図５】別の従来のプラズマ処理装置を模式的に示した
縦断面図である。

【図６】さらに別の従来のプラズマ処理装置におけるガ
ス導入フランジ部分を拡大して示した縦断面図である。

【符号の説明】

１０ プラズマ処理装置 １１ プラズマ室 １３ 反応室 １３ｃ 周壁 １５ 試料台 １７ 防着板 １７ａ ノズル孔 ２０ｂ ガス吹出孔 ２２ ガス導入ノズル ２８ 反応ガス導入部 Ｓ 試料

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 マイクロ波による電界と磁石または電磁
   コイルによる磁界とを利用してプラズマを発生させるプ
   ラズマ室、及び試料を載置する試料台と該試料台を囲む
   ように配置された防着板とが配設された反応室を備えた
   プラズマ処理装置において、前記防着板には１個以上の
   ノズル孔が形成され、前記反応室の周壁にはガス吹出孔
   を有する反応ガス導入部が配設され、前記ガス吹出孔に
   は耐プラズマ性の材料を用いて形成されたガス導入ノズ
   ルが前記ノズル孔を貫通して着脱可能に差し込まれてい
   ることを特徴とするプラズマ処理装置。