KR101858793B1 - 강판의 후처리 검사 장치 및 방법 - Google Patents

강판의 후처리 검사 장치 및 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명의 일 기술적 측면에 따른 강판의 후처리 검사 장치는, 강판에 후처리 용액을 코팅하여 후처리 피막을 형성하는 후처리 코팅부, 상기 강판에 형성된 상기 후처리 피막의 검출량을 검출하는 검출부 및 상기 후처리 용액의 농도 변화에 대응하여 상기 검출량을 보정하여 상기 후처리 피막의 부착량을 연산하는 제어부를 포함할 수 있다.

Description

강판의 후처리 검사 장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD FOR INSPECTING POST PROCESS OF STEEL SHEET}
본 발명은 강판의 후처리 검사 장치 및 방법에 관한 것이다.
강판의 연속 용융 도금 공정을 살펴보면, 용융아연 도금조를 통과한 강판은 아연과 철의 합금상을 생성시키기 위해 고열의 열을 가하는 과정을 거친다. 이러한 가열 과정에서 강판 표면이 갖는 요철로 인하여 표면 거칠기가 발생하므로, 이러한 표면 거칠기를 조정하기 위해 조질 압연을 수행하게 된다.
이러한 조질 압연이 이루어진 후에, 일정의 윤활성을 부여하기 위하여 후처리 피막을 형성한다.
이러한 후처리 피막은 강판 최종 성형성에 영향을 미치므로, 균일하고 설계된 사양대로 후처리 피막을 형성하는 것이 중요하다. 이에 따라, 후처리 피막의 부착량을 확인하는 것이 요구된다.
종래에는 이러한 후처리 피막에 대하여, 생산자에 의하여 부분적으로 샘플을 측정하는 방식이 사용되었다. 이에 따라, 측정의 지연이 발생하는 등의 문제가 있다.
한편, 후처리 피막이 아닌 다른 피막을 검출하는 유사한 선행 기술들도 존재하나, 이러한 종래 기술의 경우, 피막 자체의 성분만을 검출하여 검사하므로, 피막을 형성하는 용액의 농도가 변화하는 경우에는 그 검사 결과가 부정확한 문제가 있다.
일본 공개특허공보 제1993-115832호 한국 공개특허공보 제10-2009-0023785호
본 발명은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 일 기술적 측면은 후처리 용액의 농도가 변동되는 경우에도 정확하게 후처리 피막의 부착량을 검출할 수 있는 강판의 후처리 검사 장치 및 방법을 제공한다.
본 발명의 일 기술적 측면은 강판의 후처리 검사 장치를 제공한다. 상기 강판의 후처리 검사 장치는, 강판에 후처리 용액을 코팅하여 후처리 피막을 형성하는 후처리 코팅부, 상기 강판에 형성된 상기 후처리 피막의 검출량을 검출하는 검출부 및 상기 후처리 용액의 농도 변화에 대응하여 상기 검출량을 보정하여 상기 후처리 피막의 부착량을 연산하는 제어부를 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 일 기술적 측면은 강판의 후처리 검사 방법을 제공한다. 상기 강판의 후처리 검사 방법은, 강판에 형성된 후처리 피막의 검출량을 검출하는 단계 및 상기 후처리 용액의 농도 변화에 대응하여 상기 검출량을 보정하여 상기 후처리 피막의 부착량을 연산하는 단계를 포함할 수 있다.
상기한 과제의 해결 수단은, 본 발명의 특징을 모두 열거한 것은 아니다. 본 발명의 과제 해결을 위한 다양한 수단들은 이하의 상세한 설명의 구체적인 실시형태를 참조하여 보다 상세하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 강판의 후처리 검사 장치는 후처리 용액의 농도가 변동되는 경우에도 정확하게 후처리 피막의 부착량을 검출할 수 있는 효과를 제공한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 강판의 후처리 검사 장치를 도시하는 블록도이다.
도 2는 도 1에 도시된 후처리 코팅부의 일 실시예를 도시하는 도면이다.
도 3은 도 1에 도시된 검출부의 일 실시예를 도시하는 도면이다.
도 4는 도 3에 도시된 적외선 캘리브레이터의 일 실시예를 도시하는 도면이다.
도 5 내지 도 7은 적외선 검출기에서 검출된 흡광도를 도시하는 그래프들이다.
도 8 및 도 9는 후처리된 강판에서 검출된 흡광도와 피막 부착량의 관계를 도시하는 그래프이다.
도 10 및 도 11은 농도에 따라 보정된 피막 부착량과 흡광도의 관계를 도시하는 그래프이다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 강판의 후처리 검사 방법을 도시하는 순서도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 형태들을 설명한다.
그러나, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 당해 기술분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 강판의 후처리 검사 장치를 도시하는 블록도이다.
도 1을 참조하면, 강판의 후처리 검사 장치(10)는 연속 이송되는 강판(20)에 후처리를 수행하여 후처리 피막(21)을 형성하고, 형성된 후처리 피막(21)의 부착량을 확인할 수 있다.
이러한 강판의 후처리 검사 장치(10)는 후처리 코팅부(100), 검출부(200) 및 제어부(300)를 포함할 수 있다.
후처리 코팅부(100)는 강판(20)에 후처리 용액을 코팅하여 후처리 피막(21)을 형성할 수 있다.
검출부(200)는 강판(20)에 형성된 후처리 피막(21)의 검출량을 검출할 수 있다. 검출부(200)는 적외선 검출 방식으로 후처리 피막(21)의 검출량을 검출할 수 있다.
다만, 후처리 피막(21)의 검출량은 후처리 용액에 따라 변동 가능한 인자이므로, 제어부(300)는 후처리 용액의 농도 변화에 대응하여 검출량을 보정하여 후처리 피막의 부착량을 연산할 수 있다.
즉, 본 명세서에서, 검출량은 검출부(200)에서 검출된 수치를 의미하고, 부착량은 제어부에 의하여 검출량을 보정하여 산출된 수치를 의미한다.
제어부(300)는 후처리 코팅부(100)로부터 후처리 용액의 현재 농도에 대한 정보를 제공받고, 검출부(200)로부터 상기 검출량에 대한 정보를 제공받을 수 있다.
제어부(300)는 컴퓨팅 디바이스로 구성될 수 있다. 컴퓨팅 디바이스(1100)는 적어도 하나의 프로세싱 유닛(1110) 및 메모리(1120)를 포함할 수 있다. 여기서, 프로세싱 유닛(1110)은 예를 들어 중앙처리장치(CPU), 그래픽처리장치(GPU), 마이크로프로세서, 주문형 반도체(Application Specific Integrated Circuit, ASIC), Field Programmable Gate Arrays(FPGA) 등을 포함할 수 있으며, 복수의 코어를 가질 수 있다. 메모리(1120)는 휘발성 메모리(예를 들어, RAM 등), 비휘발성 메모리(예를 들어, ROM, 플래시 메모리 등) 또는 이들의 조합일 수 있다.
일 실시예에서, 제어부(300)는 후처리 용액 중 인(P)의 농도 변화에 대응하여, 상기 검출량을 보정할 수 있다. 즉, 제어부(300)는 인(P)의 현재 농도와 인(P)의 기준 농도 간의 차이를 검출하고, 인(P)의 기준 농도에 대한 차이의 비를 이용하여 검출량을 보정할 수 있다. 이를 수식으로 표현하면, 아래의 수학식 1과 같다.
[수학식 1]
Figure 112015105571885-pat00001
여기에서, Ya는 부착량, Y는 검출량, a는 인(P)의 현재 농도, m은 인(P)의 기준 농도이다.
후처리 피막의 부착량 Ya은 후처리 피막의 최종 검사치이므로, 이러한 후처리 피막의 부착량을 이용하여 해당 후처리 피막이 오차 범위 내에 속하는지 등을 판단할 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 일 실시예에서는, 후처리 용액의 농도 변화에 대응하여 후처리 피막의 검출치를 보정하므로, 보다 정확하게 후처리 피막을 검사할 수 있다.
이하 도 2 내지 도 4를 참조하여, 상술한 강판의 후처리 검사 장치(10)의 다양한 실시예들에 대하여 설명한다.
도 2는 도 1에 도시된 후처리 코팅부의 일 실시예를 도시하는 도면이다.
이하, 도 2를 참조하여, 후처리 코팅부에 대하여 보다 상세히 설명한다.
강판(20)은 전처리 장치(31, 32)를 통과한 후, 후처리 코팅부(110, 120, 130, 140)를 통과할 수 있다. 전처리 장치(31, 32)는 예를 들면, 온수 린스기(31) 및 건조기(32) 일 수 있다.
후처리 코팅부는 저장 탱크(110), 롤 코터(120) 및 농도계(130)를 포함할 수 있다. 실시예에 따라, 후처리 코팅부는 필터기(140)를 더 포함할 수 있다.
저장 탱크(110)는 후처리 용액을 저장할 수 있다.
롤 코터(120)는 저장 탱크(110)로부터 제공된 후처리 용액을 강판에 코팅할 수 있다.
농도계(130)는 후처리 용액에 포함된 인(P)의 현재 농도를 검출할 수 있다. 농도계(130)는 검출한 인(P)의 현재 농도를 제어부(300, 도 1에 도시됨)에 제공할 수 있다.
필터기(140)는 저장 탱크(110)로부터 후처리 용액을 공급받고, 이를 필터링하여 롤 코터(120)에 제공할 수 있다. 필터기(140)는 후처리 용액의 이물질 등을 필터링하므로, 후처리 용액의 농도에는 영향을 미치지 아니한다.
저장 탱크(110)에서 필터기(140)로 후처리 용액이 공급되는 제1 라인에 농도계(130)가 연결될 수 있다. 필터기(140) 및 롤 코터(120)에 의하여 용액의 농도가 거의 변화하지 않으므로, 실시예에 따라 농도계(130)는 후처리 코팅부의 다른 라인에 연결될 수도 있다.
필터기(140)는 피딩 라인(점선 도시)를 통하여 롤 코터(120)에 필터링된 후처리 용액을 공급할 수 있다.
롤 코터(120)는 필터기(140)에서 필터링 된 후처리 용액을 강판에 코팅할 수 있다.
후처리 코팅부(110, 120, 130, 140)에 의하여 후처리 피막이 형성되면, 검출부(200)는 후처리 피막(21)의 검출량을 검출할 수 있다.
도 3은 도 1에 도시된 검출부의 일 실시예를 도시하는 도면이다.
이하, 도 3을 참조하여, 검출부에 대하여 보다 상세히 설명한다.
강판(20)은 전처리 장치(31, 32)를 통과한 후, 후처리 코팅부(110, 120, 130, 140)를 통과할 수 있다. 전처리 장치(31, 32)는 예를 들면, 온수 린스기(31) 및 건조기(32) 일 수 있다. 후처리 코팅부(110, 120, 130, 140)는 도 2를 참조하여 상술한 바와 같이, 강판에 후처리 피막을 형성할 수 있다.
검출부는 적외선 검출기(210) 및 검출량 산출기(미도시)를 포함할 수 있다. 실시예에 따라, 검출부는 이송기(220) 또는 적외선 캘리브레이터(230)를 더 포함할 수 있다.
적외선 검출기(210)는 후처리 피막에 적외선을 조사하고, 그에 대한 반사 광선을 감지하여 후처리 피막의 흡광도를 검출할 수 있다.
검출량 산출기는 흡광도로부터 상기 후처리 피막의 검출량을 산출할 수 있다.
적외선의 흡광도는 롤 코터에 의해 도포된 강판의 후처리 피막의 두께와 상관성을 가진다. 즉, 후처리 피막의 두께는 최종적으로 건조된 후 남게 되는 후처리 피막의 고형분의 양과 상관성을 갖게 된다. 이와 같은 상관성을 바탕으로 흡광도와 후처리 피막 고형분의 도포량 사이의 상관성에 대한 수식을 도출함으로써, 흡광도로부터 후처리 피막의 검출량을 산출할 수 있다.
이송기(220)는 적외선 검출기(210)와 기구적으로 연결되어 있어, 적외선 검출기(210)를 이송시킬 수 있다. 예를 들어, 이송기(220)는 강판의 폭 방향으로 적외선 검출기(210)를 이송시킬 수 있다.
일 실시예에서, 적외선 검출기(211, 212) 및 이송기(221, 222)는 한 쌍으로 구비될 수 있다. 따라서, 도시된 예와 같이, 한 쌍의 적외선 검출기(211, 212) 및 이송기(221, 222)는 각각 강판의 일면과 타면에 대하여 후처리 피막의 흡광도를 검출할 수 있다.
일 실시예에서, 적외선 검출기(211, 212)는 강판의 폭으로 복수회 흡광도를 검출할 수 있다. 예를 들어, 적외선 검출기(211, 212)는 강판의 폭 방향으로 세 지점에서 흡광도를 검출할 수 있다. 이를 위하여, 이송기(220)는 제어부(300, 도 1에 도시됨)의 제어에 따라 적외선 검출기(210)를 이송시킬 수 있다. 다른 예를 들어, 적외선 검출기(211, 212)는 강판의 폭 방향으로 모든 지점에서 이동하면서 흡광도를 검출할 수 있다.
적외선 캘리브레이터(230)는 적외선 검출기(220)의 적외선의 영점을 보정하기 위한 것이다. 적외선 캘리브레이터(230)는 적외선 검출기(211, 212)의 이송 방향에 인접하여 위치할 수 있다. 즉, 이송기(220)의 이송 동작에 의하여 적외선 검출기(211, 212)는 강판을 벗어나 적외선 캘리브레이터(230)에 대응하는 위치에 이송될 수 있다.
이러한 적외선 캘리브레이터(230)에 대해서는 도 4를 참조하여 이하에서 보다 상세히 설명한다.
도 4는 도 3에 도시된 적외선 캘리브레이터의 일 실시예를 도시하는 도면이다.
도 4를 참조하면, 적외선 캘리브레이터(230)는 체크 플레이트(231), 하우징(232), 보호 덮개(233) 및 실린더(234)를 포함할 수 있다.
체크 플레이트(231)는 적외선 검출기의 적외선 조사 방향에 대한 영점을 잡을 수 있다. 체크 플레이트는 적외선 반사될 때, 적외선이 흡수가 일어나지 않도록 제작된, 즉 흡광도가 0인 흡광도 검출기 영점 조정용 시편일 수 있다. 따라서, 적외선 캘리브레이터(230)는 체크 플레이트(231)에 적외선을 조사 한후 검출된 흡광도가 0이 되도록 적외선을 조절함으로써, 적외선의 영점을 조절할 수 있다.
외부의 영향으로부터 체크 플레이트(231)를 보호하기 위하여, 체크 플레이트(231)는 하우징(232)과 보호 덮개(233)의 내부에 내포될 수 있다. 하우징(232)은 일부 영역이 개방된 박스 형태로 형성될 수 있으며, 보호 덮개(233)는 하우징의 개방 영역을 개폐할 수 있도록 구동 실린더(234)에 의하여 동작될 수 있다. 즉, 적외선 영점 조정이 일어나지 않는 경우, 보호 덮개(233)는 체크 플레이트(231)의 외측에 위치하여, 하우징의 개방 영역을 막을 수 있다. 한편, 적외선 영점 조정이 수행되는 경우, 보호 덮개(233)는 이동하여 하우징의 개방 영역이 노출되고, 그에 따라 체크 플레이트(231)도 외부에 노출될 수 있다.
도 4에서는, 판형의 보호 덮개(233)가 도시되어 있으나, 이는 예시적인 것이므로, 보호 덮개(233)는 좌우 개폐형 도어 등과 같이 다양한 구조로 구성될 수도 있다.
도 5 내지 도 7은 적외선 검출기에서 검출된 흡광도를 도시하는 그래프들이다.
도 5는 강판의 센터 부분에 대하여 1점 검출 방식으로 흡광도를 검출한 경우의 그래프를, 도 6은 강판의 폭 방향으로 3점 검출 방식으로 흡광도를 검출한 예를, 도 7은 강판의 폭 방향 전체에 대하여 흡광도를 검출한 예를 도시하고 있다.
세 그래프 공통적으로 상면의 경우는 대략 3%, 하면의 경우는 대략 4% 영역의 흡광도를 가짐을 알 수 있다.
또한, 도 5에 도시된 1점 검출 방식에 비하여, 도 6에 도시된 3점 검출 방식이나 도 7에 도시된 폭 방향 전체 검출 방식이 보다 일정한 검출값을 가짐을 알 수 있다.
다만, 도 5에 도시된 1점 검출 방식에서도 흡광도의 유효한 수치가 검출되고 있음을 알 수 있다.
도 8 및 도 9는 후처리된 강판에서 검출된 흡광도와 피막 부착량의 관계를 도시하는 그래프이다.
도 8은 강판의 상면에서 검출된 데이터를, 도 9는 강판의 하면에서 검출된 데이터를 도시하고 있다.
도 8 및 도 9에 도시된 바와 같이, 유효한 핀 중심으로부터의 거리(-400mm 내지 400mm)의 범위에서, 피막 부착량과 흡광도는 유사한 변동 경향성을 가지고 있음을 알 수 있다. 따라서, 흡광도로부터 피막 부착량을 산출하는 본 발명의 실시예들이 유효하게 적용될 수 있음을 데이터로부터 확인할 수 있다.
도 10 및 도 11은 농도에 따라 보정된 피막 부착량과 흡광도의 관계를 도시하는 그래프이다. 도 10 및 도 11에 도시된 바와 같이, 농도를 반영함으로써 상관도의 산포를 크게 개선됨을 알 수 있다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 강판의 후처리 검사 방법을 도시하는 순서도이다. 도 12에 도시된 강판의 후처리 검사 방법은 도 1 내지 도 4를 참조하여 상술한 강판의 후처리 검사 장치에서 수행되므로, 상술한 설명을 참조하여 쉽게 이해할 수 있다.
도 12를 참조하면, 후처리 검사 장치는 강판에 형성된 후처리 피막의 검출량을 검출할 수 있다(S1210).
후처리 검사 장치는 후처리 용액의 농도 변화에 대응하여 검출량을 보정하여 상기 후처리 피막의 부착량을 연산할 수 있다(S1220).
일 실시예에서, 후처리 피막의 검출량을 검출하는 단계는, 후처리 피막에 적외선을 조사하고 그에 대한 반사 광선을 감지하는 단계, 감지된 반사 광선에 대응하는 상기 후처리 피막의 흡광도를 검출하는 단계 및 흡광도로부터 후처리 피막의 검출량을 산출하는 단계를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 후처리 피막의 검출량을 검출하는 단계는, 상기 반사 광선을 감지하는 단계 이전에, 상기 적외선의 영점을 보정하는 단계를 더 포함할 수 있다. 즉, 후처리 검사 장치는 적외선의 영점을 보정한 후, 적외선을 이용하여 후처리 피막의 검출량을 검출할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 후처리 피막의 부착량을 연산하는 단계는, 저장 탱크에 저장된 상기 후처리 용액에 포함된 인(P)의 현재 농도를 검출하는 단계, 상기 인(P)의 상기 현재 농도와 상기 인(P)의 기준 농도 간의 차이를 산출하는 단계 및 상기 인(P)의 상기 기준 농도에 대한 상기 차이의 비를 이용하여 상기 검출량을 보정하여 상기 부착량을 연산하는 단계를 포함할 수 있다.
여기에서, 상기 검출량을 보정하여 상기 부착량을 연산하는 단계는, 상기 수학식 1에 따라, 부착량을 연산할 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고 후술하는 특허청구범위에 의해 한정되며, 본 발명의 구성은 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 그 구성을 다양하게 변경 및 개조할 수 있다는 것을 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 쉽게 알 수 있다.
10 : 강판의 후처리 검사 장치
100 : 후처리 코팅부
110 : 저장 탱크
120 : 롤 코터
130 : 농도계
140 : 필터기
200 : 검출부
210 : 적외선 검출기
220 : 이송기
230 : 적외선 캘리브레이터
300 : 제어부
20 : 강판
21 : 후처리 피막
31 : 온수 린스기
32 : 건조기

Claims (12)

  1. 강판에 후처리 용액을 코팅하여 후처리 피막을 형성하는 후처리 코팅부;
    상기 강판에 형성된 상기 후처리 피막의 검출량을 검출하는 검출부; 및
    상기 후처리 용액의 농도 변화에 대응하여 상기 검출량을 보정하여 상기 후처리 피막의 부착량을 연산하는 제어부;
    를 포함하고,
    상기 검출부는
    상기 후처리 피막에 적외선을 조사하고 그에 대한 반사 광선을 감지하여 상기 후처리 피막의 흡광도를 검출하는 적외선 검출기; 및
    상기 흡광도로부터 상기 후처리 피막의 검출량을 산출하는 검출량 산출기; 를 포함하고
    상기 제어부는
    수식
    Figure 112017113487972-pat00015
    에 따라 상기 부착량을 연산하고,
    상기 Ya는 상기 부착량, Y는 상기 검출량, a는 후처리 용액에 포함된 인(P)의 현재 농도, m은 상기 인(P)의 기준 농도인 강판의 후처리 검사 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 후처리 코팅부는
    상기 후처리 용액을 저장하는 저장 탱크;
    상기 저장 탱크로부터 제공된 상기 후처리 용액을 상기 강판에 코팅하는 롤 코터; 및
    상기 후처리 용액에 포함된 인(P)의 현재 농도를 검출하는 농도계;
    를 포함하는 강판의 후처리 검사 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제어부는
    상기 인(P)의 상기 현재 농도와 상기 인(P)의 기준 농도 간의 차이를 검출하고, 상기 인(P)의 상기 기준 농도에 대한 상기 차이의 비를 이용하여 상기 검출량을 보정하는 강판의 후처리 검사 장치.
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 강판에 후처리 용액을 코팅하여 후처리 피막을 형성하는 후처리 코팅부;
    상기 강판에 형성된 상기 후처리 피막의 검출량을 검출하는 검출부; 및
    상기 후처리 용액의 농도 변화에 대응하여 상기 검출량을 보정하여 상기 후처리 피막의 부착량을 연산하는 제어부;
    를 포함하고,
    상기 검출부는
    상기 후처리 피막에 적외선을 조사하고 그에 대한 반사 광선을 감지하여 상기 후처리 피막의 흡광도를 검출하는 적외선 검출기;
    상기 흡광도로부터 상 후처리 피막의 검출량을 산출하는 검출량 산출기; 및
    상기 적외선 검출기의 적외선의 영점을 보정하는 적외선 캘리브레이터; 를 포함하고,
    상기 적외선 캘리브레이터는
    체크 플레이트;
    상기 체크 플레이트의 외측에 형성되어, 상기 체크 플레이트를 내포하는 보호 덮개; 및
    상기 보호 덮개를 개폐시키는 구동 실린더;
    를 포함하는 강판의 후처리 검사 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 검출부는
    상기 적외선 검출기를 이송시키는 이송기;
    를 더 포함하고,
    상기 제어부는
    상기 적외선 검출기가 상기 강판의 폭 방향으로 복수회 검출 동작을 수행하도록 상기 이송기를 제어하는 강판의 후처리 검사 장치.
  8. 강판에 형성된 후처리 피막의 검출량을 검출하는 단계; 및
    후처리 용액의 농도 변화에 대응하여 상기 검출량을 보정하여 상기 후처리 피막의 부착량을 연산하는 단계;
    를 포함하고,
    상기 후처리 피막의 검출량은 후처리 피막에 조사된 적외선에 대한 반사 광선에 대응하여 검출되는 흡광도로부터 산출되는 값이며,
    상기 후처리 피막의 부착량을 연산하는 단계는
    저장 탱크에 저장된 상기 후처리 용액에 포함된 인(P)의 현재 농도를 검출하는 단계;
    상기 인(P)의 상기 현재 농도와 상기 인(P)의 기준 농도 간의 차이를 산출하는 단계; 및
    상기 인(P)의 상기 기준 농도에 대한 상기 차이의 비를 이용하여 상기 검출량을 보정하여 상기 부착량을 연산하는 단계; 를 포함하고,
    상기 검출량을 보정하여 상기 부착량을 연산하는 단계는
    수식
    Figure 112017113487972-pat00016
    에 따라, 부착량을 연산하는 단계; 를 포함하고,
    상기 Ya는 상기 부착량, Y는 상기 검출량, a는 상기 현재 농도, m은 상기 기준 농도인 강판의 후처리 검사 방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 후처리 피막의 검출량을 검출하는 단계는
    상기 후처리 피막에 적외선을 조사하고 그에 대한 반사 광선을 감지하는 단계;
    상기 감지된 반사 광선에 대응하는 상기 후처리 피막의 흡광도를 검출하는 단계; 및
    상기 흡광도로부터 상기 후처리 피막의 검출량을 산출하는 단계;
    를 포함하는 강판의 후처리 검사 방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 후처리 피막의 검출량을 검출하는 단계는
    상기 반사 광선을 감지하는 단계 이전에,
    상기 적외선의 영점을 보정하는 단계;
    를 더 포함하는 강판의 후처리 검사 방법.
  11. 삭제
  12. 삭제
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