KR101850127B1 - 초음파 지문 센서 제조 방법 - Google Patents

초음파 지문 센서 제조 방법 Download PDF

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박상영
박영태
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Abstract

초음파 지문 센서의 제조 방법이 제공된다. 초음파 지문 센서의 제조 방법은, 불완전 소결 조건에 따라 소결된 압전 시트 형태의 세라믹 소결체가 마련되는 단계; 상기 세라믹 소결체의 제1 표면의 방향에서 제2 표면 측에 잔존 영역이 남는 깊이로 미리 지정된 간격마다 제1 방향으로 평행하게 절삭 가공되고, 상기 세라믹 소결체의 제2 표면의 방향에서 상기 제1 표면 측에 잔존 영역이 남는 깊이로 미리 지정된 간격마다 제1 방향에 수직한 제2 방향으로 평행하게 절삭 가공되어 세라믹 가공체가 형성되는 단계; 상기 세라믹 가공체가 미리 지정된 완전 소결 조건에 따라 소결 처리되는 단계; 절삭 가공에 의해 상기 세라믹 가공체에 형성된 홈에 절연재가 전충되는 단계; 및 제1 표면의 방향과 제2 표면의 방향에서 압전 로드가 각각 어레이 형태로 배열되어 노출되도록 제1 표면 측과 제2 표면 측에 각각 존재하는 잔존 영역이 제거되도록 연마 처리되는 단계를 포함한다.

Description

초음파 지문 센서 제조 방법{Manufacturing method for ultrasonic fingerprint sensor}
본 발명은 초음파 지문 센서 제조 방법에 관한 것이다.
생체 인식(biometrics)은 고도의 보안 레벨을 제공하는 기술이며, 지문 인식 기술은 중요한 생체 인식 기술 중 하나이다.
일반적으로 지문 인식은 사용자에게서 지문을 입력받아 형성한 지문 영상에서 특정 패턴이나 특징점(예를 들어, 지문의 융선이 분기되는 분기점, 융선이 끝나는 단점 등)을 추출하고, 미리 저장된 지문 영상의 패턴 또는 특징점과 대비하도록 수행된다.
사용자의 지문을 인식하는 지문 센서는 예를 들어 주변 부품이나 구조를 포함하는 모듈의 형태로 제조될 수 있고, 물리적인 기능키에 일체화되어 구현될 수도 있기 때문에, 최근 각종 전자기기에 다양하게 장착되고 있다.
도 1에는 종래기술에 따른 초음파 지문 센서의 구성이 개략적으로 도시되어 있다.
도 1을 참조하면, 초음파 지문 센서는 m x n 형태의 센서 어레이(array)를 형성하도록 배열되는 복수의 압전 로드(rod)(100), 복수의 압전 로드(100)의 상측 단부에 전기적으로 접속되도록 제1 방향으로 배열되는 복수의 제1 전극바(106), 복수의 압전 로드(100)의 하측 단부에 전기적으로 접속되도록 제1 방향에 직교하는 제2 방향으로 배열되는 복수의 제2 전극바(108)를 포함한다.
도시된 참조부호 102는 손가락이 센서 어레이에 근접하게 놓여지도록 하기 위해 제1 전극바(106)의 상부에 형성된 보호 코팅인 차폐층을 나타내고, 참조부호 104는 차폐층(102)에 반대되는 센서 어레이의 단부에 부착되어 복수의 압전 로드(100)를 하부에서 지지하는 지지체를 나타낸다.
여기서, 압전 로드(100)는 피에조(Piezo) 특성을 가지는 소재로 형성되며, 예를 들어 PZT(납 지르콘산염 티탄산염), PST, Quartz, (Pb, Sm)TiO3, PMN(Pb(MgNb)O3)-PT(PbTiO3), PVDF 또는 PVDF-TrFe 중 적어도 하나의 물질이 포함된 소재가 이에 해당될 수 있다.
압전 로드(100)의 상측 단부에 접속된 제1 전극바(106)와 하측 단부에 접속된 제2 전극바(108)에 초음파 대역의 공진 주파수를 갖는 전압을 인가하여 압전 로드(100)를 상하로 진동시키면, 도 2에 예시된 바와 같이 소정의 주파수를 가지는 초음파 신호가 생성되어 방출된다.
차폐층(102)에 손가락이 접촉되지 않은 상태에서는, 압전 로드(100)에서 방출된 초음파 신호는 압전 로드(100)와 공기의 계면을 통과하지 못하고 압전 로드(100) 내부로 되돌아온다.
그러나, 손가락이 접촉된 상태에서는, 방출된 초음파 신호의 일부가 손가락의 피부와 압전 로드(100)의 경계면을 뚫고 손가락 내부로 진행하게 되며, 이때 반사되어 되돌아오는 신호의 강도가 낮아져 이를 이용하여 지문 패턴이 감지될 수 있다.
전술한 초음파 지문 센서는 센서 어레이를 구성하기 위해 각각의 압전 로드(100)를 형성하는 공정, 압전 로드(100)의 상측에 복수의 제1 전극바(330)를 형성하는 공정, 압전 로드(100)의 하측에 제1 전극바(330)의 형성 방향에 직교하도록 복수의 제2 전극바(340)를 형성하는 공정 등이 순차적으로 실시되어 제조된다.
그러나, 종래의 초음파 지문 센서는 완전 소결(full sintering)된 세라믹 소결체를 이용하여 압전 로드(100)를 형성하기 때문에 공정 속도가 지나치게 지연되는 문제점이 있다.
한국공개특허 제10-2011-0138257호(개량된 압전 식별 장치 및 그 응용) 한국등록특허 제10-0561851호(지문 인식 센서 및 그 제조 방법)
본 발명은 불완전 소결 상태의 세라믹 소결체를 이용하여 압전 로드를 형성하기 때문에 초음파 지문 센서의 제조 공정을 신속화할 수 있는 초음파 지문 센서 제조 방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명은 압전 로드의 형성을 위해 홈이 형성된 세라믹 가공체에 대해 추가 소결 공정을 실시함으로써 보다 높은 해상도를 가지는 초음파 지문 센서의 제조가 가능해지는 초음파 지문 센서 제조 방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 이외의 목적들은 하기의 설명을 통해 쉽게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 초음파 지문 센서의 제조 방법에 있어서, (a) 미리 지정된 불완전 소결 조건에 따라 소결된 압전 시트 형태의 세라믹 소결체가 마련되는 단계; (b) 상기 세라믹 소결체의 제1 표면의 방향에서 상기 제1 표면에 접촉하지 않는 반대측 표면인 제2 표면 측에 잔존 영역이 남는 깊이로 미리 지정된 간격마다 제1 방향으로 평행하게 절삭(dicing) 가공되고, 상기 세라믹 소결체의 제2 표면의 방향에서 상기 제1 표면 측에 잔존 영역이 남는 깊이로 미리 지정된 간격마다 제1 방향에 수직한 제2 방향으로 평행하게 절삭(dicing) 가공되어 세라믹 가공체가 형성되는 단계; (c) 상기 세라믹 가공체가 미리 지정된 완전 소결 조건에 따라 소결 처리되는 단계; (d) 상기 단계 (b)의 절삭 가공에 의해 상기 세라믹 가공체에 형성된 홈에 절연재가 전충(filling)되는 단계; 및 (e) 제1 표면의 방향과 제2 표면의 방향에서 압전 로드가 각각 어레이 형태로 배열되어 노출되도록 제1 표면 측과 제2 표면 측에 각각 존재하는 잔존 영역이 제거되도록 연마 처리되는 단계를 포함하되, 상기 잔존 영역은 절삭 가공하는 표면의 방향에서 반대측 표면까지 절삭되지 않아 남겨진 세라믹 소결체이고, 상기 잔존 영역에 의해 상기 압전 로드로 형성될 세라믹 소결체 영역의 양 단부 각각이 서로 다른 압전 로드로 형성될 세라믹 소결체 영역과 서로 연결되며, 상기 불완전 소결 조건은 상기 완전 소결 조건에 비해 가열 온도 및 가열 시간 중 하나 이상이 상대적으로 열악하게 지정되고, 상기 불완전 소결 조건에 의해 생성된 세라믹 소결체는 상기 완전 소결 조건에 의해 생성된 세라믹 소결체에 비해 상대적으로 낮은 밀도를 가지도록 형성되는 것을 특징으로 하는, 초음파 지문 센서의 제조 방법이 제공된다.
상기 단계 (e)는, 제1 표면의 방향에서 압전 로드가 각각 어레이 형태로 배열되어 노출되도록 제1 표면 측에 존재하는 잔존 영역이 제거되도록 연마 처리되는 단계; 노출된 복수의 압전 로드의 단부에 전기적으로 접속되도록, 제1 방향과 제2 방향 중 어느 하나인 제3 방향으로 복수의 제1 전극바가 제1 표면측에 각각 형성되는 단계; 제2 표면의 방향에서 압전 로드가 각각 어레이 형태로 배열되어 노출되도록 제2 표면 측에 존재하는 잔존 영역이 제거되도록 연마 처리되는 단계; 및 노출된 복수의 압전 로드의 단부에 전기적으로 접속되도록, 제1 방향과 제2 방향 중 다른 하나인 제4 방향으로 복수의 제2 전극바가 제2 표면측에 각각 형성되는 단계를 포함할 수 있다.
삭제
본 발명의 다른 측면에 따르면, 전술한 초음파 지문 센서의 제조 방법에 의해 제조된 초음파 지문 센서가 제공된다.
전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점이 이하의 도면, 특허청구범위 및 발명의 상세한 설명으로부터 명확해질 것이다.
본 발명의 실시예에 따르면, 불완전 소결 상태의 세라믹 소결체를 이용하여 압전 로드를 형성하기 때문에 초음파 지문 센서의 제조 공정이 신속화될 수 있는 효과가 있다.
또한, 압전 로드의 형성을 위해 홈이 형성된 세라믹 가공체에 대해 추가 소결 공정을 실시함으로써 보다 높은 해상도를 가지는 초음파 지문 센서의 제조가 가능해지는 효과도 있다.
도 1은 종래기술에 따른 초음파 지문 센서의 구성을 개략적으로 나타낸 도면.
도 2는 종래기술에 따른 압전 로드의 형상 및 동작을 설명하기 위한 도면.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 초음파 지문 센서의 형상을 예시한 도면.
도 4 및 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 초음파 지문 센서의 제조 공정을 예시한 도면.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
본 명세서에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
층, 영역 또는 기판과 같은 요소가 다른 요소 "위(on)"에 존재하는 것으로 또는 "위로(onto)" 확장되는 것으로 기술되는 경우, 그 요소는 다른 요소의 직접 위에 있거나 직접 위로 확장될 수 있고, 또는 중간의 개입 요소가 존재할 수도 있다. 반면에, 하나의 요소가 다른 요소 "바로 위(directly on)"에 있거나 "바로 위로(directly onto)" 확장된다고 언급되는 경우, 다른 중간 요소들은 존재하지 않는다. 또한, 하나의 요소가 다른 요소에 "연결(connected)"되거나 "결합(coupled)"된다고 기술되는 경우, 그 요소는 다른 요소에 직접 연결되거나 직접 결합될 수 있고, 또는 중간의 개입 요소가 존재할 수도 있다. 반면에, 하나의 요소가 다른 요소에 "직접 연결(directly connected)"되거나 "직접 결합(directly coupled)"된다고 기술되는 경우에는 다른 중간 요소가 존재하지 않는다.
"아래의(below)" 또는 "위의(above)" 또는 "상부의(upper)" 또는 "하부의(lower)" 또는 "수평의(horizontal)" 또는 "측면의(lateral)" 또는 "수직의(vertical)" 등과 같은 상대적인 용어들은 여기에서 도면에 도시된 바와 같이 하나의 요소, 층 또는 영역의 다른 요소, 층 또는 영역에 대한 관계를 기술하는데 사용될 수 있다. 이들 용어들은 도면에 묘사된 방향(orientation)에 부가하여 장치의 다른 방향을 포괄하기 위한 의도를 갖는 것으로 이해되어야 한다.
또한, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 도면 부호에 관계없이 동일한 구성 요소는 동일하거나 관련된 참조부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 초음파 지문 센서의 형상을 예시한 도면이고, 도 4 및 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 초음파 지문 센서의 제조 공정을 예시한 도면이다.
도 3을 참조하면, 초음파 지문 센서는 복수의 압전 로드(100)가 m x n 형태의 센서 어레이로 배열된 압전층, 압전층의 제1 표면에 소정의 방향으로 배열된 복수의 제1 전극바(330), 압전층의 제1 표면에 접촉되지 않는 제2 표면에 제1 전극바(330)의 배열 방향에 직교하는 방향으로 배열된 복수의 제2 전극바(340)를 포함할 수 있다.
소정의 길이를 가지는 바(bar) 또는 봉 등의 형상으로 형성되는 각각의 압전 로드(100)는 피에조(Piezo) 특성을 가지도록 예를 들어 지르콘산 티탄산 납(PZT), 티탄산바륨(barium titanate), 티탄산납(lead titanate), 지르콘산납(lead zirconate), 티탄산 납 니오븀(PNT), 티탄산 납 스칸듐 니오븀(PSNT) 등의 압전 세라믹 분말을 이용하여 형성될 수 있다.
센서 어레이를 이루는 각각의 압전 로드(100)들 사이의 공간은 절연재(320)로 채워질 수 있다. 절연재(320)는 제1 및 제2 전극바(330, 340)를 이용하여 전압 인가된 압전 로드(100)의 상하 진동을 억제하지 않는 특성을 가지는 재질로 결정될 수 있을 것이다.
이하, 도 4 및 도 5를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 초음파 지문 센서의 제조 방법에 대해 설명한다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 단계 (a)에서 압전 시트(sheet) 형태의 세라믹 소결체(310)가 마련된다. 세라믹 소결체(310)는 후술되는 바와 같이, 센서 어레이가 형성되어 전술한 압전층으로 기능된다.
압전 시트는 예를 들어 PZT 등의 압전 세라믹 분말이 열처리하여 박형(薄型) 시트(sheet)화된 것으로, 그 두께에 따라 시트 또는 필름으로 달리 호칭되는 경우가 있으나 본 명세서에서는 시트로 통칭하기로 한다.
단계 (a)에서 마련되는 압전 시트 형태의 세라믹 소결체는 불완전 소결(half sintering) 조건에 의해 소결 처리되어 생성된다.
압전 시트 형태를 포함하여 일반적으로 세라믹 소결체는 PZT 등과 같은 압전 재료에 대한 완전 소결(Full sintering) 조건에 의해 형성된다. 형성된 세라믹 소결체가 예를 들어 이론적인 밀도의 약 97~99% 밀도를 가지도록 하기 위하여 완전 소결 조건으로 지정되는 온도 조건과 시간 조건은 다양할 수 있다.
그러나 완전 소결 조건에 의해 생성된 세라믹 소결체는, 압전 세라믹으로서의 특성은 우수하지만, 절삭 속도가 초당 약 1-3mm의 속도로 제한되는 등 상대적으로 기계적 가공성이 부족한 단점이 있다.
이에 비해, 단계 (a)에서 마련된 압전 시트 형태의 세라믹 소결체(310)는 불완전 소결(Half sintering) 조건에 의해 생성된 것이다.
여기서, 불완전 소결 조건은 전술한 완전 소결 조건에 비해 가열 온도, 가열 시간 등 중 하나 이상이 상대적으로 열악하게 지정되며, 따라서 생성된 세라믹 소결체는 완전 소결 조건의 경우에 비해 상대적으로 낮은 밀도(예를 들어, 이론적인 밀도의 약 80~90% 밀도)를 가지게 된다.
불완전 소결 조건에 의해 생성된 세라믹 소결체(310)는 완전 소결 조건에 의해 생성된 세라믹 소결체에 비해 소결 수준이 상대적으로 낮아, 압전 세라믹으로서의 특성은 상대적으로 부족하지만, 기계적 가공성은 상대적으로 우수한 장점이 있다.
단계 (b)에서, 압전 시트 형태의 세라믹 소결체(310)의 제1 표면(예를 들어 상측 표면) 방향에서 제1 방향으로 평행하게 미리 지정된 간격(도시된 L2)으로 절삭(dicing) 가공하여, 홈이 형성된 세라믹 소결체(310)인 세라믹 가공체(315)가 형성된다. 여기서, 절삭 깊이는 제2 표면측에 잔존 영역이 남도록 세라믹 소결체(310)의 두께에 비해 상대적으로 작은 길이를 가지는 깊이로 한정된다.
이어서, 단계 (c)에서, 제1 방향으로 평행한 홈이 형성된 세라믹 가공체(315)를 제1 표면에 접촉되지 않는 제2 표면(예를 들어 하측 표면)에 대해 제1 방향에 직교하는 제2 방향으로 평행하게 미리 지정된 간격으로 절삭(dicing) 가공된다. 이 경우에도 절삭 깊이는 제1 표면측에 잔존 영역이 남도록 세라믹 소결체(310)의 두께에 비해 상대적으로 작은 길이를 가지는 깊이로 한정된다. 단계 (c)에서의 홈 형성은 작업의 편의상 세라믹 가공체(315)의 상하 방향으로 뒤집은 상태에서 실시될 수 있을 것이다.
이어서, 단계 (d)에서, 제1 표면 방향에서 제1 방향으로 홈이 형성되고, 제2 표면 방향에서 제2 방향으로 홈이 형성된 세라믹 가공체(315)가 전술한 완전 소결 조건에 따라 소결 처리된다.
불완전 소결된 세라믹 가공체(315)가 완전 소결 조건에 따라 소결 처리되는 과정에서 세라믹 가공체(315)에 대한 수축이 발생되고, 따라서 세라믹 가공체(315)의 길이와 홈의 폭은 각각 감소(즉, L1 > L3, L2 > L4)된다.
이로 인해, 후술될 압전 로드(100)의 배치 간격이 보다 조밀해져 보다 높은 해상도를 가지는 초음파 지문 센서의 제작이 가능해질 수 있는 장점이 있다.
이어서, 단계 (e)에서, 제1 방향과 제2 방향으로 각각 절삭되어 세라믹 가공체(315)에 형성된 홈이 절연재(320)로 전충(塡充, filling)된다.
이어서, 단계 (f)에서, 절연재(320)로 각 홈이 전충된 세라믹 가공체(315)의 제1 표면이 연마(CMP) 가공되어 제1 표면측에 유지되는 잔존 영역이 제거된다.
단계 (f)의 연마 가공에 의해 제1 표면측에 m x n 어레이 형태로 배열된 압전 로드(100)들이 노출되고, 단계 (g)에서 제3 방향(즉, 제1 방향 및 제2 방향 중 어느 하나)으로 각각 배열되어 복수의 압전 로드(100)의 상측 단부에 전기적으로 접속되는 복수의 제1 전극바(330)가 각각 형성된다.
이어서, 단계 (h)에서, 절연재(320)로 각 홈이 전충된 세라믹 가공체(315)의 제2 표면이 연마(CMP) 가공되어 제2 표면측에 유지되는 잔존 영역이 제거된다.
단계 (h)의 연마 가공에 의해 제2 표면측에 m x n 어레이 형태로 배열된 압전 로드(100)들이 노출되고, 단계 (i)에서 제4 방향(즉, 제1 방향 및 제2 방향 중 다른 하나)으로 각각 배열되어 복수의 압전 로드(100)의 상측 단부에 전기적으로 접속되는 복수의 제2 전극바(340)가 각각 형성된다. 전술한 단계 (h)와 (i)는 작업의 편의상 세라믹 가공체(315)의 상하 방향으로 뒤집은 상태에서 실시될 수도 있을 것이다.
전술한 바와 같이, 본 실시예에 따른 초음파 지문 센서 제조 방법은 불완전 소결 조건에 따라 형성된 세라믹 소결체(310)에 대해 홈 가공을 실시하여 가공의 용이성과 공정 속도의 가속화를 도모할 수 있고, 또한 홈이 형성된 세라믹 가공체(315)에 대해 완전 소결 조건에 따라 재소결을 실시함으로써 형성된 압전 로드(100)의 특성 향상과 해상도의 향상을 도모할 수 있는 장점이 있다.
상기에서는 본 발명의 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
100 : 압전 로드 104 : 지지체
106, 330 : 제1 전극바 108, 340 : 제2 전극바
310 : 세라믹 소결체 315 : 세라믹 가공체
320 : 절연재

Claims (4)

  1. 초음파 지문 센서의 제조 방법에 있어서,
    (a) 미리 지정된 불완전 소결 조건에 따라 소결된 압전 시트 형태의 세라믹 소결체가 마련되는 단계;
    (b) 상기 세라믹 소결체의 제1 표면의 방향에서 상기 제1 표면에 접촉하지 않는 반대측 표면인 제2 표면 측에 잔존 영역이 남는 깊이로 미리 지정된 간격마다 제1 방향으로 평행하게 절삭(dicing) 가공되고, 상기 세라믹 소결체의 제2 표면의 방향에서 상기 제1 표면 측에 잔존 영역이 남는 깊이로 미리 지정된 간격마다 제1 방향에 수직한 제2 방향으로 평행하게 절삭(dicing) 가공되어 세라믹 가공체가 형성되는 단계;
    (c) 상기 세라믹 가공체가 미리 지정된 완전 소결 조건에 따라 소결 처리되는 단계;
    (d) 상기 단계 (b)의 절삭 가공에 의해 상기 세라믹 가공체에 형성된 홈에 절연재가 전충(filling)되는 단계; 및
    (e) 제1 표면의 방향과 제2 표면의 방향에서 압전 로드가 각각 어레이 형태로 배열되어 노출되도록 제1 표면 측과 제2 표면 측에 각각 존재하는 잔존 영역이 제거되도록 연마 처리되는 단계를 포함하되,
    상기 잔존 영역은 절삭 가공하는 표면의 방향에서 반대측 표면까지 절삭되지 않아 남겨진 세라믹 소결체이고, 상기 잔존 영역에 의해 상기 압전 로드로 형성될 세라믹 소결체 영역의 양 단부 각각이 서로 다른 압전 로드로 형성될 세라믹 소결체 영역과 서로 연결되며,
    상기 불완전 소결 조건은 상기 완전 소결 조건에 비해 가열 온도 및 가열 시간 중 하나 이상이 상대적으로 열악하게 지정되고, 상기 불완전 소결 조건에 의해 생성된 세라믹 소결체는 상기 완전 소결 조건에 의해 생성된 세라믹 소결체에 비해 상대적으로 낮은 밀도를 가지도록 형성되는 것을 특징으로 하는, 초음파 지문 센서의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 단계 (e)는,
    제1 표면의 방향에서 압전 로드가 각각 어레이 형태로 배열되어 노출되도록 제1 표면 측에 존재하는 잔존 영역이 제거되도록 연마 처리되는 단계;
    노출된 복수의 압전 로드의 단부에 전기적으로 접속되도록, 제1 방향과 제2 방향 중 어느 하나인 제3 방향으로 복수의 제1 전극바가 제1 표면측에 각각 형성되는 단계;
    제2 표면의 방향에서 압전 로드가 각각 어레이 형태로 배열되어 노출되도록 제2 표면 측에 존재하는 잔존 영역이 제거되도록 연마 처리되는 단계; 및
    노출된 복수의 압전 로드의 단부에 전기적으로 접속되도록, 제1 방향과 제2 방향 중 다른 하나인 제4 방향으로 복수의 제2 전극바가 제2 표면측에 각각 형성되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 초음파 지문 센서의 제조 방법.
  3. 삭제
  4. 제1항 내지 제2항 중 어느 한 항에 기재된 초음파 지문 센서의 제조 방법에 의해 제조된 초음파 지문 센서.
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