KR101320138B1 - 지문 인식 센서 및 그 제조 방법 - Google Patents

지문 인식 센서 및 그 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101320138B1
KR101320138B1 KR1020110127166A KR20110127166A KR101320138B1 KR 101320138 B1 KR101320138 B1 KR 101320138B1 KR 1020110127166 A KR1020110127166 A KR 1020110127166A KR 20110127166 A KR20110127166 A KR 20110127166A KR 101320138 B1 KR101320138 B1 KR 101320138B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
piezoelectric sensors
fingerprint
piezoelectric
sensor
fingerprint recognition
Prior art date
Application number
KR1020110127166A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20130060874A (ko
Inventor
이승섭
정일권
최재혁
나준경
Original Assignee
삼성전기주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전기주식회사 filed Critical 삼성전기주식회사
Priority to KR1020110127166A priority Critical patent/KR101320138B1/ko
Priority to US13/401,327 priority patent/US20130133428A1/en
Publication of KR20130060874A publication Critical patent/KR20130060874A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101320138B1 publication Critical patent/KR101320138B1/ko

Links

Images

Classifications

    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
    • A61B5/00—Measuring for diagnostic purposes; Identification of persons
    • A61B5/117—Identification of persons
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L1/00—Measuring force or stress, in general
    • G01L1/16—Measuring force or stress, in general using properties of piezoelectric devices
    • G01L1/162—Measuring force or stress, in general using properties of piezoelectric devices using piezoelectric resonators
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F18/00—Pattern recognition
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
    • G06V40/00—Recognition of biometric, human-related or animal-related patterns in image or video data
    • G06V40/10—Human or animal bodies, e.g. vehicle occupants or pedestrians; Body parts, e.g. hands
    • G06V40/12—Fingerprints or palmprints
    • G06V40/13—Sensors therefor
    • G06V40/1306—Sensors therefor non-optical, e.g. ultrasonic or capacitive sensing
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
    • G06V40/00—Recognition of biometric, human-related or animal-related patterns in image or video data
    • G06V40/10—Human or animal bodies, e.g. vehicle occupants or pedestrians; Body parts, e.g. hands
    • G06V40/12—Fingerprints or palmprints
    • G06V40/1382—Detecting the live character of the finger, i.e. distinguishing from a fake or cadaver finger
    • G06V40/1394—Detecting the live character of the finger, i.e. distinguishing from a fake or cadaver finger using acquisition arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/01—Manufacture or treatment
    • H10N30/09—Forming piezoelectric or electrostrictive materials
    • H10N30/092—Forming composite materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/80—Constructional details
    • H10N30/85—Piezoelectric or electrostrictive active materials
    • H10N30/852—Composite materials, e.g. having 1-3 or 2-2 type connectivity
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/42—Piezoelectric device making

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Animal Behavior & Ethology (AREA)
  • Evolutionary Computation (AREA)
  • Evolutionary Biology (AREA)
  • Data Mining & Analysis (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Biomedical Technology (AREA)
  • Heart & Thoracic Surgery (AREA)
  • Medical Informatics (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Surgery (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Veterinary Medicine (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Bioinformatics & Computational Biology (AREA)
  • Bioinformatics & Cheminformatics (AREA)
  • Artificial Intelligence (AREA)
  • Image Input (AREA)
  • Measurement Of The Respiration, Hearing Ability, Form, And Blood Characteristics Of Living Organisms (AREA)

Abstract

본 발명은 지문 인식 센서 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 2차원 평면에서 어레이로 배열되며 소정의 높이를 갖는 복수의 압전 센서, 상기 복수의 압전 센서 사이에 마련되어 상기 복수의 압전 센서를 진동 절연 시키는 충진재, 및 상기 압전 센서를 통해 소정의 출력 신호를 방출시켜 상기 복수의 압전 센서에 접촉 또는 근접한 물체의 정보를 감지하는 제어부를 포함하고, 상기 복수의 압전 센서는 상기 높이 방향의 양 끝에 마련되는 제1면과 제2면을 포함하고, 상기 제1면과 제2면은 그 면적이 서로 다른 지문 감지 센서를 제안한다.

Description

지문 인식 센서 및 그 제조 방법{FINGERPRINT SENSOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}
본 발명은 기둥 형상을 갖는 복수의 압전 센서를 어레이로 배열하되, 물체와 가까이에 위치하는 복수의 압전 센서 각각의 표면의 면적을 작게 하여 지문 감지의 해상도를 증가시킬 수 있는 지문 인식 센서 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
지문 인식 센서는 사람의 지문을 감지하는 센서로서, 기존에 널리 적용되던 도어락 등의 장치는 물론, 최근에는 전자 기기 전원의 온/오프 또는 슬립(sleep) 모드의 해제 여부를 결정하는 데에도 널리 이용되고 있다. 특히 최근에는 일반적으로 도어락에 적용되는 지문 인식 센서와 달리 작은 부피로 구현할 수 있는 스와이프(swipe) 타입의 지문 인식 센서도 개발되어 모바일 기기에도 지문 인식 센서가 그 적용 비율을 점차 늘려가는 추세이다.
지문 인식 센서는 그 동작 원리에 따라 초음파 방식, 적외선 방식, 정전용량 방식 등으로 구분할 수 있다. 이 가운데 초음파 방식은 복수의 압전 센서에서 방출되는 일정 주파수의 초음파 신호가 지문의 골(VALLEY)과 마루(RIDGE)에서 반사되는 경우 각각의 골과 마루에서의 음향 임피던스(Acoustic Impedance)차이를 초음파 발생원인 해당 복수의 압전 센서를 이용해 측정하여 지문을 감지하는 방식으로, 특히 초음파 방식의 장점은 단순한 지문 인식의 기능을 넘어서 초음파를 펄스(pulse) 형으로 발생시켜 그 반향파에 의한 도플러 효과를 검출함으로써 손가락 내부의 혈류 흐름을 파악할 수 있는 기능을 갖고 있으므로, 이를 이용하여 위조 지문 여부까지 판단할 수 있는 장점을 갖는다.
초음파 방식 지문 인식 센서에서 지문 감지의 정확도를 높이기 위해서는 복수의 압전 센서의 숫자를 늘려야 하며, 특히 지문의 골과 마루 사이의 간격이 매우 조밀한 어린 아이와 여성의 지문을 정확히 인식하기 위해서는 단위 면적 당 배치되는 복수의 압전 센서 숫자 - 해상도 - 를 높이는 것이 중요하다. 그러나 복수의 압전 센서의 해상도를 높이기 위해서는 압전 센서 각각의 면적이 줄어들어야 하고, 이는 제조 공정 상의 문제로 이어져 수율 저하 및 가격 경쟁력 저하에 따른 역효과를 불러오는 문제점이 있다.
본 발명은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 복수의 압전 센서를 포함하는 지문 인식 센서에서, 압전 센서의 높이 방향으로 마주보는 제1면과 제2면의 면적이 서로 다르고, 면적이 더 작은 면이 물체에 더욱 가까이 배치되는 것을 특징으로 한다. 따라서, 지문 인식 센서 전체의 부피는 종래의 센서와 동일하게 유지하면서, 단위 면적당 배치되는 압전 센서의 수를 증가시켜 해상도를 높임으로써, 지문의 골과 마루 사이의 간격이 조밀한 어린 아이, 또는 여성의 지문까지도 정확하게 감지할 수 있다.
본 발명의 제1 기술적인 측면에 따르면, 2차원 평면에서 어레이로 배열되며 소정의 높이를 갖는 복수의 압전 센서, 상기 복수의 압전 센서 사이에 마련되어 상기 복수의 압전 센서를 진동 절연 시키는 충진재, 및 상기 압전 센서를 통해 소정의 출력 신호를 방출시켜 상기 복수의 압전 센서에 접촉 또는 근접한 물체의 정보를 감지하는 제어부를 포함하고, 상기 복수의 압전 센서는 상기 높이 방향의 양 끝에 마련되는 제1면과 제2면을 포함하고, 상기 제1면과 제2면은 그 면적이 서로 다른 지문 감지 센서를 제안한다.
또한, 상기 복수의 압전 센서의 상기 제1면은 상기 제2면보다 작은 면적을 가지며, 상기 제1면은 상기 물체에 상기 제2면보다 가까이 마련되는 지문 감지 센서를 제안한다.
또한, 상기 복수의 압전 센서는 상기 제1면이 상기 2차원 평면에서 500 DPI(Dots Per Inch) 이상의 해상도를 갖도록 배열되는 지문 감지 센서를 제안한다.
또한, 상기 제어부는, 상기 복수의 압전 센서를 통해 소정의 주파수를 갖는 초음파 출력 신호를 방출시키고, 상기 출력 신호에 의해 상기 물체의 골(valley)과 마루(ridge)에서 생성되는 음향 임피던스 차이를 측정하여 상기 물체의 지문 정보를 감지하는 지문 인식 센서를 제안한다.
또한, 상기 제어부는, 상기 출력 신호가 상기 물체의 골에서 반사되어 생성되는 제1 음향 임피던스와, 상기 물체의 마루에서 전달되는 상기 초음파 출력 신호에 의해 발생하는 제2 음향 임피던스의 차이에 기초하여 상기 물체의 지문 정보를 감지하는 지문 인식 센서를 제안한다.
또한, 상기 제어부는, 상기 물체의 지문 패턴을 감지하는 지문 인식 센서를 제안한다.
또한, 상기 복수의 압전 센서 사이에 배치되는 복수의 폴리머 충진재; 를 더 포함하는 지문 인식 센서를 제안한다.
또한, 상기 복수의 압전 센서 위에 마련되는 보호층; 을 더 포함하는 지문 감지 센서를 제안한다.
한편, 본 발명의 제2 기술적인 측면에 따르면, 접촉 또는 근접하는 물체의 정보를 판단하는 지문 인식 센서의 제조 방법에 있어서, 2차원 평면에서 어레이로 배열되며 높이 방향에서 서로 마주보는 제1면과 제2면의 면적이 서로 다른 복수의 압전 센서를 마련하는 단계, 상기 복수의 압전 센서 사이에 폴리머 충진재를 배치하는 단계, 및 상기 복수의 압전 센서를 통해 소정의 출력 신호를 방출시키는 제어부를 상기 복수의 압전 센서와 연결하는 단계; 를 포함하는 지문 인식 센서의 제조 방법을 제안한다.
또한, 상기 제1면의 면적은 상기 제2면의 면적보다 작은 지문 인식 센서의 제조 방법을 제안한다.
또한, 상기 복수의 압전 센서 마련 단계는, 접촉 또는 근접하는 상기 물체에 상기 제2면보다 상기 제1면이 가까이 위치하도록 상기 복수의 압전 센서를 마련하는 지문 인식 센서의 제조 방법을 제안한다.
또한, 상기 제어부 연결 단계는, 상기 복수의 압전 센서를 통해 방출되는 출력 신호의 주파수와, 소정의 물체로부터 반사되는 반사 신호의 주파수를 비교하여 상기 물체의 정보를 판단하는 제어부를 상기 복수의 압전 센서에 연결하는 지문 인식 센서의 제조 방법을 제안한다.
또한, 상기 복수의 압전 센서 마련 단계는, 상기 물체가 접촉 또는 근접하는 상기 2차원 평면에서 상기 복수의 압전 센서가 700 DPI(Dots Per Inch) 이상의 해상도를 갖도록 상기 복수의 압전 센서를 마련하는 지문 인식 센서의 제조 방법을 제안한다.
본 발명에 따르면, 지문 인식 센서의 전체 크기를 증가시키지 않고서도 높은 해상도를 갖는 지문 인식 센서를 제공할 수 있다. 따라서, 지문의 골과 마루 사이의 간격이 좁은 지문, 특히 어린 아이와 여성의 지문까지도 정확하게 감지할 수 있는 높은 정확도의 지문 인식 센서를 구현할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 지문 인식 센서를 나타낸 도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 지문 인식 센서를 간단하게 나타낸 블록도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 지문 인식 센서에 포함되는 복수의 압전 센서를 나타낸 단면도이다.
도 4 및 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 지문 인식 센서의 동작 원리를 설명하는 데에 제공되는 도이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 지문 인식 센서의 제조 방법을 설명하는 데에 제공되는 흐름도이다.
후술하는 본 발명에 대한 상세한 설명은, 본 발명이 실시될 수 있는 특정 실시예를 예시로서 도시하는 첨부 도면을 참조한다. 이들 실시예는 당업자가 본 발명을 실시할 수 있기에 충분하도록 상세히 설명된다. 본 발명의 다양한 실시예는 서로 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 구조 및 특성은 일 실시예에 관련하여 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예로 구현될 수 있다. 또한, 각각의 개시된 실시예 내의 개별 구성요소의 위치 또는 배치는 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 따라서, 후술하는 상세한 설명은 한정적인 의미로서 취하려는 것이 아니며, 본 발명의 범위는, 적절하게 설명된다면, 그 청구항들이 주장하는 것과 균등한 모든 범위와 더불어 첨부된 청구항에 의해서만 한정된다. 도면에서 유사한 참조부호는 여러 측면에 걸쳐서 동일하거나 유사한 기능을 지칭한다.
이하에서는, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있도록 하기 위하여, 본 발명의 실시예들에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 지문 인식 센서를 나타낸 도이다.
도 1을 참조하면, 본 실시예에 따른 지문 인식 센서(100)는, 복수의 압전 센서(110), 복수의 압전 센서(110)와 전기적으로 연결되어 지문을 감지하는 제어부(120), 및 복수의 압전 센서(110) 사이에 마련되는 폴리머 충진재(130)를 포함할 수 있다. 복수의 압전 센서(110)는 폴리머 충진재(130)와 함께 2차원 평면 상에서 행렬 구조로 어레이를 이루도록 배치될 수 있다.
제어부(120)는 복수의 압전 센서(110) 각각에 연결되며, 특히, 각 압전 센서(110)의 높이 방향으로 상하에 마련되는 전극과 연결된다. 압전 센서(110)는 1-3 압전 복합체(piezo composite)일 수 있으며, 높이 방향으로 길게 연장되는 기둥부(pillar)의 상, 하면에 전극을 배치함으로써 제조될 수 있다. 기둥부는 PZT, PST, Quartz, (Pb, Sm)TiO3, PMN(Pb(MgNb)O3)-PT(PbTiO3), PVDF 또는 PVDF-TrFe 중 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.
제어부(120)는 기둥부의 상 하면에 마련되는 전극에 초음파 대역의 공진 주파수를 갖는 전압을 인가하여 기둥부를 상하로 진동시킴으로써 초음파 신호를 생성할 수 있다. 복수의 압전 센서(110) 각각의 상, 하면은 한 변 또는 그 지름이 40 내지 50㎛인 사각형 또는 원일 수 있다.
복수의 압전 센서(110)의 사이에 마련되는 폴리머 충진재(130)는 복수의 압전 센서(110) 각각의 진동이 서로 영향을 미치지 않도록 차단할 수 있다. 기둥 형상을 갖는 복수의 압전 센서(110)를 조밀하게 배치하고 그 사이에 폴리머 충진재(130)를 형성하는 방식으로 압전 센서(110)를 포함하는 어레이 구조물이 제조된다. 따라서, 동일한 면적 내에 많은 수의 압전 센서(110)가 배치될수록 제조 공정의 난이도가 증가하여 수율 저하 등과 같은 문제가 발생할 수 있다. 그러나, 각각의 압전 센서(110)에서 생성되는 초음파 신호에 의해 지문의 골(valley)과 마루(ridge)로부터 생성된 음향 임피던스 차를 측정함으로써 지문을 정확하게 감지할 수 있으므로, 지문을 정확히 감지하기 위해서는 동일한 면적 내에 가능한 많은 수의 압전 센서(110)를 배치할 필요가 있다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 지문 인식 센서를 간단하게 나타낸 블록도이다.
도 2를 참조하면, 본 실시예에 따른 지문 인식 센서(200)는 복수의 압전 센서(110)와 폴리머 충진재(130)를 포함하는 압전 센서 어레이(210), 및 제어부(220)를 포함한다. 제어부(220)는 신호 생성부(222), 신호 감지부(224), 연산부(226) 등을 포함할 수 있다.
압전 센서 어레이(210)는 도 1에 도시된 바와 같이 행렬 형태로 조밀하게 배치되는 복수의 압전 센서(110)와, 그 사이에 배치되어 각 압전 센서(110) 사이의 진동을 절연시키는 폴리머 충진재(130)를 포함할 수 있다. 압전 센서(110) 각각은 진동에 용이한 재료로 마련되는 기둥부(pillar)와, 기둥부의 상 하면에 전도성 물질로 마련되는 전극을 포함할 수 있다. 앞서 설명한 바와 같이, 기둥부는 PZT와 같은 재료로 마련될 수 있으며, 전극은 전도성이 우수한 금속(Cu, Ag, Ni, Mo 또는 이의 합금 등)으로 형성될 수 있다.
신호 생성부(222)는 압전 센서 어레이(210)에 포함되는 압전 센서(110)의 전극과 전기적으로 연결되고, 각 전극에 소정의 주파수를 갖는 교류 전압을 인가한다. 전극에 인가되는 교류 전압에 의해 압전 센서(110)의 기둥부가 상하로 진동하면서 소정의 공진 주파수(ex> 10MHz)를 갖는 초음파 신호가 외부로 방출된다.
압전 센서 어레이(210) 상에는 소정의 보호층이 추가로 구비될 수 있으며, 보호층의 일면에 특정 물체가 접촉될 수 있다. 보호층의 일면에 접촉되는 물체가 지문을 포함하는 사람의 손가락인 경우, 지문에 존재하는 미세한 골(valley)과 마루(ridge)에 따라 압전 센서(110)가 방출하는 초음파 신호의 반사 패턴이 다르게 결정된다.
보호층의 일면과 같은 접촉면에 어떠한 물체도 접촉되지 않은 경우를 가정하면, 접촉면과 공기(air)의 매질 차이로 인해 압전 센서(110)에서 생성되는 초음파 신호는 거의 대부분이 접촉면을 통과하지 못하고 반사되어 되돌아온다. 반면, 접촉면에 지문을 포함하는 특정 물체가 접촉된 경우에는, 지문의 마루(ridge)에 직접 맞닿은 압전 센서(110)에서 생성되는 초음파 신호의 일부가 접촉면과 지문의 계면을 통과하게 되고, 생성된 초음파 신호의 일부만이 반사되어 되돌아온다. 이와 같이 반사되어 돌아오는 초음파 신호의 세기는 각 물질의 음향 임피던스에 따라 결정될 수 있다. 결국 신호 감지부(224)는 지문의 골(valley)과 마루(ridge)에서 초음파 신호에 의해 생성되는 음향 임피던스 차이를 각 압전 센서(110)로부터 측정하여 해당 압전 센서(110)가 지문의 마루(ridge)에 맞닿은 센서인지 여부를 판단할 수 있다.
연산부(226)는 신호 감지부(224)가 감지한 신호를 분석하여 지문 패턴을 연산한다. 앞서 설명한 바와 같이, 반사 신호의 강도가 낮게 생성된 압전 센서(110)는 지문의 마루(ridge)에 맞닿은 압전 센서(110)이며, 반사 신호의 강도가 높게 생성된 - 이상적으로는 출력되는 초음파 신호의 강도와 거의 동일하게 생성된 - 압전 센서(110)는 지문의 골(valley)에 대응하는 압전 센서(110)이다. 따라서, 각 압전 센서(110)에서 검출되는 음향 임피던스의 차이로부터 지문 패턴을 연산할 수 있다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 지문 인식 센서에 포함되는 복수의 압전 센서를 나타낸 단면도이다. 도 3a와 도 3b는 지문 인식 센서(200)에 포함되는 압전 센서 어레이(210)의 단면 구조를 나타낸 도이다.
우선 도 3a를 참조하면, 기둥 형상을 갖는 복수의 압전 센서(310a)와 폴리머 충진재(320a)가 교대로 배치된다. 앞서 설명한 바와 같이 복수의 압전 센서(310a)는 진동 가능한 재료로 마련되는 기둥부를 포함하며, 기둥부의 상하에는 전도성을 갖는 전극이 배치된다. 폴리머 충진재(320a)는 압전 센서(310a)의 사이사이에 배치되어 진동을 절연시킨다. 도 3a에 도시된 압전 센서(310a)는 상하면의 전극이 동일한 면적을 갖는 원기둥 또는 다각 기둥 형상을 갖는다.
지문 인식 센서의 해상도는 압전 센서 어레이에서 단위 면적당 포함되는 압전 센서(310a)의 개수로 정의된다. 일반적으로 지문을 감지하기 위해서는 500dpi(Dots Per Inch)의 해상도가 필요하나, 상대적으로 지문의 골과 마루 사이의 간격이 좁은 어린 아이나 여성의 지문까지 정확하게 감지하기 위해서는 500dpi보다 높은 해상도 - 바람직하게는 700dpi 이상의 해상도 - 가 요구된다.
500dpi보다 높은 해상도를 얻기 위해서는 압전 센서(310a)의 상하면의 면적을 줄이는 등의 방식으로 압전 센서(310a)를 조밀하게 배치할 필요가 있다. 그러나 압전 센서(310a)가 조밀하게 배치될수록 제조 공정상의 어려움이 증가하며, 특히 압전 센서(310a) 배치 이후 폴리머 충진재(320a)를 압전 센서(310a) 사이의 공간에 배치하는 공정에서 불량이 발생할 확률이 높아져 전체적은 수율이 저하될 수 있다.
도 3b는 이와 같은 문제점을 해결하기 위해 본 실시예에서 제안하고자 하는 방식이다. 도 3b를 참조하면, 복수의 압전 센서(310b)와 폴리머 충진재(320b)가 교대로 배치되는 점에서 도 3a의 압전 센서 어레이와 유사하다. 그러나, 압전 센서(310b)의 단면이 도 3a와 달리 사다리꼴로 표현된다는 점에서 차이가 있다.
즉, 기둥부의 높이 방향에서 서로 마주보는 압전 센서(310b)의 상 하면의 면적이 도 3b에서는 서로 다르다. 상면을 제1면, 하면을 제2면으로 정의하면, 압전 센서(310b)의 제1면의 면적이 제2면보다 작게 형성될 수 있다. 제1면은 지문이 접촉되는 접촉면에 제2면보다 가까이 배치되는 면이며, 따라서 압전 센서 어레이의 단위 면적당 제1면이 얼마나 많이 배치되느냐에 따라서 지문 인식 센서의 전체 해상도가 결정된다.
즉, 도 3a와 도 3b를 비교하면, 지문 센서 어레이의 동일한 폭에서 총 5개의 압전 센서(310a)가 배치되는 도 3a의 경우에 비해, 도 3b에서는 총 7개의 압전 센서(310b)가 배치되므로 전체적인 해상도를 높일 수 있다. 또한, 제1면의 면적이 제2면보다 작기 때문에 폴리머 충진재(310b)를 제1면으로부터 제2면을 향하는 방향으로 주입하는 경우에는 도 3a에 도시된 경우와 거의 유사한 수율을 얻을 수 있다.
도 4 및 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 지문 인식 센서의 동작 원리를 설명하는 데에 제공되는 도이다.
도 4를 참조하면, 지문 인식 센서(400) 위에 손가락(430) 등의 물체가 접촉된다. 지문 인식 센서(400)의 단면 일부를 확대 도시한 원을 살펴보면, 지문 인식 센서(400)는 압전 센서(410)와 폴리머 충진재(420)가 교대로 배치되며, 압전 센서(410)의 제1면을 통해 소정의 주파수를 갖는 초음파 신호가 손가락(430)으로 방출된다.
손가락(430)이 접촉되지 않은 경우를 가정하면, 초음파 신호가 방출되는 압전 센서(410)와 공기 사이의 음향 임피던스 차이로 인해, 압전 센서(410)에서 방출되는 초음파 신호의 대부분이 압전 센서(410)와 공기의 계면을 통과하지 못하고 압전 센서(410) 내부로 되돌아 온다. 반면, 손가락(430)이 접촉된 경우에는 압전 센서(410)에서 방출되는 초음파 신호의 일부가 손가락(430)의 피부와 초음파 센서(410)의 경계면을 뚫고 손가락(430) 내부로 진행하게 되며, 따라서 반사되어 돌아오는 신호의 강도가 낮아져 이로부터 지문 패턴을 감지할 수 있다.
육안으로는 확인이 어려우나, 손가락(430)의 지문은 수많은 골(430)과 마루(435)가 반복되어 나타나는 패턴을 가지며, 골(430)과 마루(435)가 반복되면서 높이 차를 나타낸다. 따라서, 도 4의 확대 단면도 부분에 나타난 바와 같이, 지문의 골(430)에서는 압전 센서(410)가 피부와 직접 맞닿지 않으며, 지문의 마루(435)에서는 압전 센서(410)가 피부와 직접 맞닿게 된다.
결국 지문의 골(430)에 대응하는 압전 센서(410)에서 방출되는 초음파 신호(440)는 외부로 극히 적은 신호만이 방출되고 거의 대부분의 초음파 신호가 내부로 반사되며, 지문의 마루(435)에 대응하는 압전 센서(410)에서 방출되는 초음파 신호(445)는 상당량이 손가락(430) 경계면을 통과하고 진행하여 반사되는 초음파 신호의 강도가 상대적으로 크게 감소한다. 따라서, 각 압전 센서(410)에서 지문의 골(430)과 마루(435)에 따른 음향 임피던스 차이로부터 발생하는 초음파 신호(440, 445)가 반사되어 되돌아오는 반사 신호의 세기 또는 반사 계수를 측정함으로써 손가락(430)의 지문 패턴을 감지할 수 있다.
도 5는 초음파 신호를 이용하여 유체의 흐름을 감지하는 방법을 나타낸 도이다. 손가락(430) 지문의 마루(435)에 대응하는 압전 센서(410)에서 생성되는 초음파 신호(445)는 손가락(430)의 경계면을 뚫고 내부로 진행할 수 있으며, 따라서 손가락(430) 내의 모세 혈관 등에서 흐르는 피의 흐름(혈류)을 감지할 수 있다. 다만, 도 5a 및 도 5b에 도시한 바와 같이 도플러 효과를 이용하기 때문에, 초음파 신호가 모세 혈관에 입사하는 입사각이 90°인 경우에는 혈류의 흐름을 감지할 수가 없으며, 입사각이 90°보다 작은 경우에 도플러 효과를 이용하여 혈류를 감지할 수 있다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 지문 인식 센서의 제조 방법을 설명하는 데에 제공되는 흐름도이다.
도 6을 참조하면, 본 실시예에 따른 지문 인식 센서의 제조 방법은 제1면과 제2면의 면적이 서로 다른 복수의 압전 센서(110)를 마련하는 것으로 시작된다(S600). 이때, 서로 다른 면적을 갖는 제1면과 제2면은 압전 센서(110)의 높이 방향을 따라 서로 마주보는 면일 수 있다. 즉, 기둥 형상을 갖는 압전 센서(110)를 가정하면, 압전 센서(110)의 상면과 하면이 각각 제1면과 제2면에 해당할 수 있다.
도 3b에 도시한 바와 같이, 압전 센서(310b)는 그 단면이 사다리꼴 형상을 갖도록 제1면의 면적이 제2면의 면적보다 작게 형성될 수 있다. 제1면을 통해 초음파 신호가 방출되고, 제1면이 손가락의 접촉면에 가깝게 배치되는 것을 가정하면, 압전 센서 어레이의 단위 면적당 포함되는 제1면의 개수에 따라 지문 인식 센서의 해상도가 결정된다. 따라서, 손가락의 접촉면에 가까운 제1면의 면적을 제2면보다 작게 형성함으로써 제조 공정의 난이도가 높아짐 없이 전체적인 지문 인식 센서의 해상도를 높일 수 있다.
복수의 압전 센서(110) 사이에는 폴리머 충진재(130)가 배치된다(S610). 지문 인식 센서(100)의 해상도를 높이기 위해 본 발명의 실시예와 달리 압전 센서(110)의 개수 자체를 증가시키면, 압전 센서(110) 사이의 간격이 좁아지고 따라서 폴리머 충진재(130)를 주입하는 공정에서 불량이 발생할 가능성이 높아진다.
본 실시예와 같이 손가락 접촉면에 가까운 제1면의 면적을 작게 하면, 압전 센서(110)의 개수 자체가 증가하는 점에서는 차이가 없으나, 폴리머 충진재(130)가 주입될 수 있는 공간을 충분히 확보할 수 있어 폴리머 충진재(130) 주입 공정의 수율이 낮아지는 현상을 막을 수 있다. 도 3b에 도시된 바와 같이, 압전 센서(310b)의 제1면의 면적이 작아서 폴리머 충진재(320b)가 주입될 수 있는 충분한 공간이 확보되므로, 제1면과 제2면의 면적이 같은 압전 센서(310a)의 개수를 늘리는 도 3a의 경우와 달리 공정을 더욱 손쉽게 가져갈 수 있다.
복수의 압전 센서(110)는 제어부(130)와 연결된다(S620). 제어부(130)는 복수의 압전 센서(110)를 통해 초음파 신호를 방출하고, 방출된 초음파 신호가 반사되어 되돌아오는 반사 신호를 음향 임피던스 차이로부터 감지하여 지문 패턴을 감지할 수 있다.
이상에서 본 발명이 구체적인 구성요소 등과 같은 특정 사항들과 한정된 실시예 및 도면에 의해 설명되었으나, 이는 본 발명의 보다 전반적인 이해를 돕기 위해서 제공된 것일 뿐, 본 발명이 상기 실시예들에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상적인 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형을 꾀할 수 있다.
따라서, 본 발명의 사상은 상기 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등하게 또는 등가적으로 변형된 모든 것들은 본 발명의 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.
100, 200, 400 : 지문 인식 센서
110, 310a, 310b, 410 : 압전 센서
120, 220 : 제어부
130, 320a, 320b, 420 : 폴리머 충진재
433 : 지문의 골(valley)
435 : 지문의 마루(ridge)

Claims (13)

  1. 2차원 평면에서 어레이로 배열되며 소정의 높이를 갖는 복수의 압전 센서;
    상기 복수의 압전 센서 사이에 마련되어 상기 복수의 압전 센서를 진동 절연 시키는 충진재; 및
    상기 압전 센서를 통해 소정의 출력 신호를 방출시켜 상기 복수의 압전 센서에 접촉 또는 근접한 물체의 정보를 감지하는 제어부; 를 포함하고,
    상기 복수의 압전 센서는 상기 높이 방향의 양 끝에 마련되는 제1면과 제2면을 포함하고, 상기 제1면과 제2면은 그 면적이 서로 다른 지문 인식 센서.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 압전 센서의 상기 제1면은 상기 제2면보다 작은 면적을 가지며, 상기 제1면은 상기 물체에 상기 제2면보다 가까이 마련되는 지문 인식 센서.
  3. 제2항에 있어서, 상기 복수의 압전 센서는
    상기 제1면이 상기 2차원 평면에서 500 DPI(Dots Per Inch) 이상의 해상도를 갖도록 배열되는 지문 인식 센서.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제어부는,
    상기 복수의 압전 센서를 통해 소정의 주파수를 갖는 초음파 출력 신호를 방출시키고, 상기 출력 신호에 의해 상기 물체의 골(valley)과 마루(ridge)에서 생성되는 음향 임피던스 차이를 측정하여 상기 물체의 지문 정보를 감지하는 지문 인식 센서.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제어부는,
    상기 물체의 골에 대응하는 제1 음향 임피던스와, 상기 물체의 마루에 대응하는 제2 음향 임피던스의 차이에 기초하여 상기 물체의 지문 정보를 감지하는 지문 인식 센서.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제어부는,
    상기 물체의 지문 패턴을 감지하는 지문 인식 센서.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 압전 센서 사이에 배치되는 복수의 폴리머 충진재; 를 더 포함하는 지문 인식 센서.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 압전 센서 위에 마련되는 보호층; 을 더 포함하는 지문 인식 센서.
  9. 접촉 또는 근접하는 물체의 정보를 판단하는 지문 인식 센서의 제조 방법에 있어서,
    2차원 평면에서 어레이로 배열되며 높이 방향에서 서로 마주보는 제1면과 제2면의 면적이 서로 다른 복수의 압전 센서를 마련하는 단계;
    상기 복수의 압전 센서 사이에 폴리머 충진재를 배치하는 단계; 및
    상기 복수의 압전 센서를 통해 소정의 출력 신호를 방출시키는 제어부를 상기 복수의 압전 센서와 연결하는 단계; 를 포함하는 지문 인식 센서의 제조 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제1면의 면적은 상기 제2면의 면적보다 작은 지문 인식 센서의 제조 방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 복수의 압전 센서 마련 단계는,
    접촉 또는 근접하는 상기 물체에 상기 제2면보다 상기 제1면이 가까이 위치하도록 상기 복수의 압전 센서를 마련하는 지문 인식 센서의 제조 방법.
  12. 제9항에 있어서, 상기 제어부 연결 단계는,
    상기 복수의 압전 센서를 통해 방출되는 출력 신호의 주파수와, 소정의 물체로부터 반사되는 반사 신호의 주파수를 비교하여 상기 물체의 정보를 판단하는 제어부를 상기 복수의 압전 센서에 연결하는 지문 인식 센서의 제조 방법.
  13. 제9항에 있어서, 상기 복수의 압전 센서 마련 단계는,
    상기 물체가 접촉 또는 근접하는 상기 2차원 평면에서 상기 복수의 압전 센서가 500 DPI(Dots Per Inch) 이상의 해상도를 갖도록 상기 복수의 압전 센서를 마련하는 지문 인식 센서의 제조 방법.
KR1020110127166A 2011-11-30 2011-11-30 지문 인식 센서 및 그 제조 방법 KR101320138B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110127166A KR101320138B1 (ko) 2011-11-30 2011-11-30 지문 인식 센서 및 그 제조 방법
US13/401,327 US20130133428A1 (en) 2011-11-30 2012-02-21 Fingerprint detection sensor and method of manufacturing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110127166A KR101320138B1 (ko) 2011-11-30 2011-11-30 지문 인식 센서 및 그 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130060874A KR20130060874A (ko) 2013-06-10
KR101320138B1 true KR101320138B1 (ko) 2013-10-23

Family

ID=48465584

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110127166A KR101320138B1 (ko) 2011-11-30 2011-11-30 지문 인식 센서 및 그 제조 방법

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20130133428A1 (ko)
KR (1) KR101320138B1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017183879A1 (ko) * 2016-04-19 2017-10-26 크루셜텍(주) 이미지 스캐닝 모듈 및 이를 포함하는 전자기기
WO2018169299A1 (ko) * 2017-03-16 2018-09-20 주식회사 베프스 초음파 지문 센서 제조 방법

Families Citing this family (58)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9618405B2 (en) 2014-08-06 2017-04-11 Invensense, Inc. Piezoelectric acoustic resonator based sensor
US9511994B2 (en) 2012-11-28 2016-12-06 Invensense, Inc. Aluminum nitride (AlN) devices with infrared absorption structural layer
US10497747B2 (en) 2012-11-28 2019-12-03 Invensense, Inc. Integrated piezoelectric microelectromechanical ultrasound transducer (PMUT) on integrated circuit (IC) for fingerprint sensing
US10726231B2 (en) 2012-11-28 2020-07-28 Invensense, Inc. Integrated piezoelectric microelectromechanical ultrasound transducer (PMUT) on integrated circuit (IC) for fingerprint sensing
US9114977B2 (en) 2012-11-28 2015-08-25 Invensense, Inc. MEMS device and process for RF and low resistance applications
EP2946517B1 (en) * 2013-01-18 2020-08-26 Telefonaktiebolaget LM Ericsson (publ) Avoiding serving cell interruption
KR101883209B1 (ko) 2013-12-12 2018-08-30 퀄컴 인코포레이티드 마이크로기계식 초음파 트랜스듀서 및 디스플레이
EP2983108A3 (en) 2014-08-05 2016-07-13 LG Innotek Co., Ltd. Fingerprint sensor and touch device including the same
CN104156710A (zh) * 2014-08-26 2014-11-19 南昌欧菲生物识别技术有限公司 指纹识别装置及终端设备
US9582705B2 (en) 2014-08-31 2017-02-28 Qualcomm Incorporated Layered filtering for biometric sensors
US9195879B1 (en) * 2014-08-31 2015-11-24 Qualcomm Incorporated Air/object determination for biometric sensors
US9665763B2 (en) * 2014-08-31 2017-05-30 Qualcomm Incorporated Finger/non-finger determination for biometric sensors
CN104681711B (zh) * 2014-11-24 2017-06-06 麦克思智慧资本股份有限公司 超声波传感器及其制造方法
US9928398B2 (en) 2015-08-17 2018-03-27 Invensense, Inc. Always-on sensor device for human touch
KR101705200B1 (ko) * 2015-08-18 2017-02-09 재단법인대구경북과학기술원 초음파를 이용한 손가락혈관 패턴인식 장치
US10670716B2 (en) 2016-05-04 2020-06-02 Invensense, Inc. Operating a two-dimensional array of ultrasonic transducers
US10325915B2 (en) 2016-05-04 2019-06-18 Invensense, Inc. Two-dimensional array of CMOS control elements
US10315222B2 (en) 2016-05-04 2019-06-11 Invensense, Inc. Two-dimensional array of CMOS control elements
US10445547B2 (en) 2016-05-04 2019-10-15 Invensense, Inc. Device mountable packaging of ultrasonic transducers
US10656255B2 (en) 2016-05-04 2020-05-19 Invensense, Inc. Piezoelectric micromachined ultrasonic transducer (PMUT)
US10452887B2 (en) 2016-05-10 2019-10-22 Invensense, Inc. Operating a fingerprint sensor comprised of ultrasonic transducers
US11673165B2 (en) 2016-05-10 2023-06-13 Invensense, Inc. Ultrasonic transducer operable in a surface acoustic wave (SAW) mode
US10600403B2 (en) 2016-05-10 2020-03-24 Invensense, Inc. Transmit operation of an ultrasonic sensor
US10706835B2 (en) 2016-05-10 2020-07-07 Invensense, Inc. Transmit beamforming of a two-dimensional array of ultrasonic transducers
US10408797B2 (en) 2016-05-10 2019-09-10 Invensense, Inc. Sensing device with a temperature sensor
US10562070B2 (en) 2016-05-10 2020-02-18 Invensense, Inc. Receive operation of an ultrasonic sensor
US10632500B2 (en) 2016-05-10 2020-04-28 Invensense, Inc. Ultrasonic transducer with a non-uniform membrane
US10441975B2 (en) 2016-05-10 2019-10-15 Invensense, Inc. Supplemental sensor modes and systems for ultrasonic transducers
US10539539B2 (en) 2016-05-10 2020-01-21 Invensense, Inc. Operation of an ultrasonic sensor
WO2018169300A1 (ko) * 2017-03-16 2018-09-20 주식회사 베프스 초음파 지문 센서 제조 방법
WO2018169301A1 (ko) * 2017-03-16 2018-09-20 주식회사 베프스 초음파 지문 센서 및 그 제조 방법
US10891461B2 (en) 2017-05-22 2021-01-12 Invensense, Inc. Live fingerprint detection utilizing an integrated ultrasound and infrared sensor
US10474862B2 (en) 2017-06-01 2019-11-12 Invensense, Inc. Image generation in an electronic device using ultrasonic transducers
US10643052B2 (en) 2017-06-28 2020-05-05 Invensense, Inc. Image generation in an electronic device using ultrasonic transducers
KR102376692B1 (ko) 2017-07-31 2022-03-21 엘지이노텍 주식회사 압전 초음파 변환 장치, 이 장치를 포함하는 생체 정보 측정 장치 및 이 장치를 포함하는 디스플레이 장치
CN107832594A (zh) * 2017-09-28 2018-03-23 芯海科技（深圳）股份有限公司 一种低成本的指纹童锁实现方法
KR102541554B1 (ko) * 2017-09-29 2023-06-08 엘지이노텍 주식회사 압전 초음파 변환 장치, 이 장치를 포함하는 생체 정보 측정 장치 및 이 장치를 포함하는 디스플레이 장치
KR101907324B1 (ko) * 2017-11-27 2018-10-11 재단법인대구경북과학기술원 초음파 센서, 초음파 센서의 제조 방법 및 보안 시스템
US10984209B2 (en) 2017-12-01 2021-04-20 Invensense, Inc. Darkfield modeling
WO2019109010A1 (en) 2017-12-01 2019-06-06 Invensense, Inc. Darkfield tracking
US10997388B2 (en) 2017-12-01 2021-05-04 Invensense, Inc. Darkfield contamination detection
US11151355B2 (en) 2018-01-24 2021-10-19 Invensense, Inc. Generation of an estimated fingerprint
US10755067B2 (en) 2018-03-22 2020-08-25 Invensense, Inc. Operating a fingerprint sensor comprised of ultrasonic transducers
CN110506299A (zh) * 2018-11-02 2019-11-26 深圳市汇顶科技股份有限公司 活体识别的装置和门锁
US10936843B2 (en) 2018-12-28 2021-03-02 Invensense, Inc. Segmented image acquisition
KR20200145967A (ko) 2019-06-21 2020-12-31 삼성디스플레이 주식회사 초음파 감지 장치를 포함하는 표시 장치
FR3097668B1 (fr) * 2019-06-24 2021-07-02 Commissariat Energie Atomique Dispositif a surface tactile
US11188735B2 (en) 2019-06-24 2021-11-30 Invensense, Inc. Fake finger detection using ridge features
US11216681B2 (en) 2019-06-25 2022-01-04 Invensense, Inc. Fake finger detection based on transient features
US11176345B2 (en) 2019-07-17 2021-11-16 Invensense, Inc. Ultrasonic fingerprint sensor with a contact layer of non-uniform thickness
US11216632B2 (en) 2019-07-17 2022-01-04 Invensense, Inc. Ultrasonic fingerprint sensor with a contact layer of non-uniform thickness
US11232549B2 (en) 2019-08-23 2022-01-25 Invensense, Inc. Adapting a quality threshold for a fingerprint image
US11392789B2 (en) 2019-10-21 2022-07-19 Invensense, Inc. Fingerprint authentication using a synthetic enrollment image
EP4100176A1 (en) 2020-03-09 2022-12-14 InvenSense, Inc. Ultrasonic fingerprint sensor with a contact layer of non-uniform thickness
US11243300B2 (en) 2020-03-10 2022-02-08 Invensense, Inc. Operating a fingerprint sensor comprised of ultrasonic transducers and a presence sensor
US11328165B2 (en) 2020-04-24 2022-05-10 Invensense, Inc. Pressure-based activation of fingerprint spoof detection
US11995909B2 (en) 2020-07-17 2024-05-28 Tdk Corporation Multipath reflection correction
CN114397369B (zh) * 2021-12-31 2023-12-22 临沂大学 一种用于混凝土损伤监测的可埋入多维声发射传感器

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4394773A (en) 1980-07-21 1983-07-19 Siemens Corporation Fingerprint sensor
JPH0862068A (ja) * 1993-10-19 1996-03-08 Enitsukusu:Kk 圧電型面圧入力パネル
WO2010110867A2 (en) 2009-03-23 2010-09-30 Sonavation, Inc. Improved piezoelectric identification device and applications thereof

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3102395B2 (ja) * 1997-11-27 2000-10-23 日本電気株式会社 指紋検出装置
JP2001046368A (ja) * 1999-08-04 2001-02-20 Olympus Optical Co Ltd 超音波探触子の製造方法
AU2001245936A1 (en) * 2000-03-23 2001-10-03 Cross Match Technologies, Inc. Piezoelectric identification device and applications thereof
US7067962B2 (en) * 2000-03-23 2006-06-27 Cross Match Technologies, Inc. Multiplexer for a piezo ceramic identification device
JP3846271B2 (ja) * 2001-11-05 2006-11-15 松下電器産業株式会社 薄膜圧電体素子およびその製造方法
EP1460759A4 (en) * 2001-12-28 2009-09-02 Panasonic Corp SURFACE ACOUSTIC WAVE PROCESSING DEVICE, ELECTRONIC COMPONENT USING THE SAME, AND COMPOSITE MODULE
CA2430317A1 (en) * 2003-05-29 2004-11-29 Vincent Hayward Method and apparatus to record and reproduce tactile sensations
US7009328B2 (en) * 2003-06-20 2006-03-07 Ngk Insulators, Ltd. Piezoelectric/electrostrictive device made of piezoelectric/electrostrictive film and manufacturing method
US7496216B2 (en) * 2005-06-21 2009-02-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Fingerprint capture
US7874648B2 (en) * 2006-07-14 2011-01-25 Canon Kabushiki Kaisha Manufacturing method for piezoelectric body, piezoelectric element, and liquid discharge head
US20090108710A1 (en) * 2007-10-29 2009-04-30 Visualsonics Inc. High Frequency Piezocomposite And Methods For Manufacturing Same
US8283840B2 (en) * 2009-06-15 2012-10-09 Farrokh Mohamadi High-efficiency compact miniaturized energy harvesting and storage device
US8882245B2 (en) * 2011-07-01 2014-11-11 Toshiba Tec Kabushiki Kaisha Inkjet head and method of manufacturing the same
KR101288178B1 (ko) * 2011-11-30 2013-07-19 삼성전기주식회사 지문 인식 센서 및 지문 인식 방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4394773A (en) 1980-07-21 1983-07-19 Siemens Corporation Fingerprint sensor
JPH0862068A (ja) * 1993-10-19 1996-03-08 Enitsukusu:Kk 圧電型面圧入力パネル
WO2010110867A2 (en) 2009-03-23 2010-09-30 Sonavation, Inc. Improved piezoelectric identification device and applications thereof

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017183879A1 (ko) * 2016-04-19 2017-10-26 크루셜텍(주) 이미지 스캐닝 모듈 및 이를 포함하는 전자기기
WO2018169299A1 (ko) * 2017-03-16 2018-09-20 주식회사 베프스 초음파 지문 센서 제조 방법
US10643050B2 (en) 2017-03-16 2020-05-05 Befs Co., Ltd. Manufacturing method for ultrasonic fingerprint sensor

Also Published As

Publication number Publication date
US20130133428A1 (en) 2013-05-30
KR20130060874A (ko) 2013-06-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101320138B1 (ko) 지문 인식 센서 및 그 제조 방법
KR101288178B1 (ko) 지문 인식 센서 및 지문 인식 방법
US11016186B2 (en) Defective ultrasonic transducer detection in an ultrasonic sensor
US10846502B2 (en) Ultrasonic fingerprint sensor with a non-uniform contact layer
TWI751156B (zh) 壓電微機械超音波換能器
US9898640B2 (en) Capacitive fingerprint sensing device and method for capturing a fingerprint using the sensing device
US10408797B2 (en) Sensing device with a temperature sensor
US10632500B2 (en) Ultrasonic transducer with a non-uniform membrane
US20200050817A1 (en) Operating a fingerprint sensor comprised of ultrasonic transducers
KR101865371B1 (ko) 초음파를 이용한 이중 인증 장치 및 방법
US20090279751A1 (en) Mechanical resonator optimization using shear wave damping
US20110279662A1 (en) Reflex Longitudinal Imaging Using Through Sensor Insonification
US11682228B2 (en) Ultrasonic fingerprint sensor with a contact layer of non-uniform thickness
US8331633B2 (en) Method and system for multi-mode mechanical resonator
KR101899493B1 (ko) 3차원 지정맥 패턴을 이용한 생체 인증 장치 및 이를 이용한 생체 인증 방법
US11243300B2 (en) Operating a fingerprint sensor comprised of ultrasonic transducers and a presence sensor
KR20180061826A (ko) 생체정보 인식 장치, 시스템 및 방법
US11216632B2 (en) Ultrasonic fingerprint sensor with a contact layer of non-uniform thickness
KR102541554B1 (ko) 압전 초음파 변환 장치, 이 장치를 포함하는 생체 정보 측정 장치 및 이 장치를 포함하는 디스플레이 장치
KR20190081398A (ko) 생체 정보 측정 장치 및 이 장치를 포함하는 디스플레이 장치
US20200150092A1 (en) Acoustic sensing through a barrier
KR102568647B1 (ko) 압전 센서 및 압전 센서의 제조 방법
KR20200057464A (ko) 도파관 어레이 및 이를 포함하는 초음파 센서

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161004

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171011

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181001

Year of fee payment: 6