KR101844702B1 - 적층체 및 가스 배리어 필름 - Google Patents

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Abstract

적층체 (10) 가, 제 1 기재 (11) 와, 상기 제 1 기재의 제 1 면 (11a) 에 배치된 무기 산화물층인 원자층 퇴적막 (12) 과, 상기 원자층 퇴적막의 일면에 배치된 제 2 기재 (14) 와, 상기 원자층 퇴적막과 상기 제 2 기재 사이에 배치되고, 상기 원자층 퇴적막과 상기 제 2 기재를 접착시키는 제 1 접착제층 (13) 을 갖는다.

Description

적층체 및 가스 배리어 필름{STACKED BODY, AND GAS BARRIER FILM}
본 발명은, 적층체 및 가스 배리어 필름에 관한 것으로, 특히 원자층 퇴적법에 의해 기재의 면에 형성된 원자층 퇴적막을 포함하는 적층체 및 그 적층체를 포함하는 가스 배리어 필름에 관한 것이다.
본원은, 2013년 12월 11일에 일본에 출원된 일본 특허출원 2013-256411호에 기초하여 우선권을 주장하고, 그 내용을 여기에 원용한다.
종래, 물질을 기체와 같이 원자 또는 분자 레벨로 움직일 수 있는 상태로 하는 기상을 사용하여 물체의 표면에 박막을 형성하는 방법으로는, 화학 기상 성장 (CVD (Chemical Vapor Deposition) 라고도 한다. 이하,「CVD」라고 한다.) 법과, 물리 기상 성장 (PVD (Physical Vapor Deposition) 라고도 한다. 이하,「PVD」라고 한다.) 법이 있다.
PVD 법으로는, 예를 들어, 진공 증착법이나 스퍼터링법 등이 있다. 스퍼터링법은, 일반적으로 장치의 비용이 비싸지만, 막질 및 두께의 균일성이 우수한 고품질의 박막의 성막을 실시할 수 있다. 그 때문에, 스퍼터링법은 액정 디스플레이 등의 표시 디바이스에 널리 적용되고 있다.
CVD 법은, 진공 챔버 내에 원료 가스를 도입하고, 기판 상에 있어서, 열에너지에 의해, 1 종류 혹은 2 종류 이상의 가스를 분해 또는 반응시킴으로써, 고체 박막을 성장시키는 방법이다.
이 때, 성막시의 반응을 촉진시키거나, 반응 온도를 낮추거나 하기 위해, 플라즈마나 촉매 (Catalyst) 반응을 병용하는 경우가 있다.
이 중, 플라즈마 반응을 사용하는 CVD 법을 PECVD (Plasma Enhanced CVD) 법이라고 한다. 또, 촉매 반응을 이용하는 CVD 법을 Cat-CVD 법이라고 한다.
상기 서술한 CVD 법을 사용하면, 성막 결함이 적어진다. 그 때문에, 상기 서술한 CVD 법은, 예를 들어, 반도체 디바이스의 제조 공정 (예를 들어, 게이트 절연막의 성막 공정) 등에 적용되고 있다.
최근, 성막 방법으로서, 원자층 퇴적법 (ALD (Atomic Layer Deposition) 법. 이하,「ALD 법」이라고 한다.) 이 주목받고 있다.
ALD 법은, 표면 흡착된 물질을 표면에 있어서의 화학 반응에 의해 원자 레벨로 1 층씩 성막해 가는 방법이다. ALD 법은 CVD 법의 범주로 분류되고 있다.
이른바 CVD 법 (일반적인 CVD 법) 은, 단일의 가스 또는 복수의 가스를 동시에 사용하여 기판 상에서 반응시켜 박막을 성장시키는 방법이다. 그에 대하여, ALD 법은, 전구체 (제 1 전구체), 또는 프리커서라고도 하는 활성이 풍부한 가스와, 반응성 가스 (ALD 법에서는, 전구체 (제 2 전구체) 로 불린다) 를 교대로 사용한다. 이로써, ALD 법은, 기판 표면에 있어서의 흡착과 이것에 계속되는 화학 반응에 의해 원자 레벨로 1 층씩 박막을 성장시켜 가는 특수한 성막 방법이다.
ALD 법의 구체적인 성막 방법은, 이하와 같은 방법으로 실시된다.
처음에, 이른바 셀프·리미팅 효과 (기판 상의 표면 흡착에 있어서, 표면이 어느 종의 가스로 덮이면, 더 이상 그 가스의 흡착이 발생하지 않는 현상) 를 이용하여, 기판 상에 전구체가 1 층만 흡착된 시점에서 미반응의 전구체를 배기한다 (제 1 스텝).
이어서, 챔버 내에 반응성 가스를 도입하여, 앞의 전구체를 산화 또는 환원시켜 원하는 조성을 갖는 박막을 1 층만 형성한 후에 반응성 가스를 배기한다 (제 2 스텝).
ALD 법에서는, 상기 서술한 제 1 및 제 2 스텝을 1 사이클로 하여, 그 사이클을 반복하여 실시함으로써, 기판 상에 박막을 성장시킨다.
따라서, ALD 법에서는, 2 차원적으로 박막이 성장한다. 또, ALD 법은, 종래의 진공 증착법이나 스퍼터링법 등과의 비교에서는 물론이거니와, 일반적인 CVD 법과 비교해도 성막 결함이 적은 방법이다.
이 때문에, 식품 및 의약품 등의 포장 분야나 전자 부품 분야 등의 폭넓은 분야로의 응용이 기대되고 있다.
ALD 법 중 하나로서, 제 2 전구체를 분해시켜, 기판 상에 흡착되어 있는 제 1 전구체와 반응시키는 공정에 있어서, 반응을 활성화시키기 위해 플라즈마를 사용하는 방법이 있다. 이 방법은, 플라즈마 활성화 ALD (PEALD (Plasma Enhanced ALD)), 또는 간단히 플라즈마 ALD 로 불리고 있다.
ALD 법의 기술은, 1974년에 핀란드의 Dr. Tuomo Sumtola 에 의해 제창되었다. 일반적으로, ALD 법은 고품질·고밀도의 성막이 얻어지기 때문에, 반도체 디바이스 제조 분야 (예를 들어, 게이트 절연막의 형성 공정) 에서 응용이 진행되고 있으며, ITRS (International Technology Roadmap for Semiconductors) 에도 그러한 기재가 있다.
ALD 법은, 다른 성막법과 비교하여 사영 (斜影) 효과 (스퍼터링 입자가 기판 표면에 비스듬하게 입사되어 성막 편차가 발생하는 현상) 가 없기 때문에, 가스가 들어갈 수 있는 간극이 있으면 성막이 가능하다.
그 때문에, ALD 법은 깊이와 폭의 비가 큰 고애스펙트비를 갖는 기판 상의 라인이나 홀의 피막이나, 3 차원 구조물의 피막 용도인 MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) 관련 기술로의 응용이 기대되고 있다.
그러나, ALD 법에도 결점이 있다. ALD 법의 결점으로는, 예를 들어, 특수한 재료를 사용하는 점이나, 특수한 재료를 사용하는 것에 따른 비용 상승 등을 들 수 있다. ALD 법의 최대 결점으로는, 성막 속도가 느린 것이다. ALD 법의 성막 속도는, 예를 들어, 통상적인 진공 증착법이나 스퍼터링법 등의 성막법의 성막 속도의 1/5 ∼ 1/10 정도의 속도로서, 매우 느리다.
상기에서 설명한 ALD 법을 사용하여 박막이 형성되는 기판으로는, 예를 들어, 웨이퍼나 포토마스크 등의 작은 판상의 기판, 대면적이고 플렉시블성이 없는 기판 (예를 들어, 유리 기판), 필름 등과 같이 대면적이고 플렉시블성이 있는 기판 등이 있다.
이들 기판에 박막을 형성하기 위한 양산 설비에서는, 비용면, 취급의 용이성, 및 성막 품질 등에 따라 다양한 기판의 취급 방법이 제안되고, 또한 실용화되고 있다.
예를 들어, 웨이퍼에 박막을 성막하는 경우의 성막 장치로는, 매엽식 성막 장치나 배치식 성막 장치 등이 있다. 매엽식 성막 장치는, 1 장의 웨이퍼를 성막 장치의 챔버 내에 반송하여 성막한 후, 성막된 웨이퍼와 미처리의 웨이퍼를 교체하여 다시 성막 처리를 실시한다. 배치식 성막 장치는, 챔버 내에 복수의 웨이퍼를 모아서 세팅한 후, 모든 웨이퍼에 동일한 성막 처리를 실시한다.
또, 유리 기판에 박막을 성막하는 경우의 성막 장치로는, 인라인식 성막 장치가 있다. 인라인식 성막 장치는, 성막의 근원이 되는 부분에 대하여 유리 기판을 축차적으로 반송하면서 동시에 성막을 실시한다.
또한, 플렉시블 기판에 박막을 성막하는 경우의 성막 장치로는, 이른바 롤 투 롤을 채용한 코팅 성막 장치가 있다. 코팅 성막 장치는, 롤러로부터 플렉시블 기판을 풀면서 성막을 실시하고, 별도의 롤러로 플렉시블 기판을 권취한다.
또한, 코팅 성막 장치는, 플렉시블 기판뿐만 아니라, 성막 대상이 되는 기판을 연속 반송할 수 있는 플렉시블한 시트, 또는 일부가 플렉시블해지는 트레이에 얹어 연속 성막하는 web 코팅 성막 장치도 포함한다.
어느 성막 장치에 의한 성막 방법이나 기판 취급 방법에 대해서도, 비용면이나 품질면이나 취급의 용이성 등에서 판단하여, 성막 속도가 가장 빨라지는 성막 장치의 조합이 채용되고 있다.
종래, ALD 법에 의해 기재의 외면에 원자층 퇴적막이 형성된 적층체가 널리 알려져 있다. 이와 같은 적층체는, 높은 가스 배리어성을 갖는 가스 배리어 필름 등에 사용되고 있다.
특허문헌 1 에는, ALD 법에 의해 원자층 증착을 실시함으로써, 플라스틱 필름의 표면에 배리어층을 형성하는 기술이 개시되어 있다. 이 기술에 의하면, ALD 법에 의해 원자층 증착을 형성함으로써, 배리어 특성이 우수한 가스 배리어 필름을 실현하는 것이 가능해진다.
일본 공개특허공보 2012-96432호
그런데, 특허문헌 1 에 기재된 방법에 의해 형성되는 원자층 퇴적막은, 외력에 의해 용이하게 흠집 (핀홀도 포함한다) 이 나는 경우가 있다. 어떠한 외력에 의해 원자층 퇴적막에 흠집이 나면, 그 흠집이 기재에 도달하는 경우가 있다.
이와 같은 흠집이 발생하면, 성막 후의 대기 중에 있어서, 그 흠집을 통하여 원자층 퇴적막과 기재 사이에 가스가 출입하기 때문에, 가스 배리어성이 저하되거나, 기재와 원자층 퇴적막 사이의 라미네이트 강도가 저하되거나 한다.
또, 다른 문제점으로서, 이와 같이 흠집나기 쉬운 원자층 퇴적막을 포함하는 적층체를 갖는 가스 배리어 필름을 제조하는 경우, 원자층 퇴적막을 형성 후, 그 원자층 퇴적막에 강체가 접촉하지 않는 제조 라인이 아니면, 가스 배리어 필름의 가스 배리어성이 저하된다.
이 때문에, 적층체를 사용하여 가스 배리어 필름을 제조하는 경우, 제조 공정에 있어서 가스 배리어 필름을 롤상으로 권취하면, 가스 배리어 필름의 가스 배리어성의 저하를 초래한다. 이 때문에, 원자층 퇴적막을 포함하는 적층체를 갖는 가스 배리어 필름을 롤상으로 하여 반송, 보관할 수 없다는 문제가 있었다.
본 발명은, 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로서, 기재의 외면에 형성된 원자층 퇴적막이 외력으로 용이하게 흠집나지 않도록 함으로써, 가스 배리어성, 및 기재와 원자층 퇴적막 사이의 라미네이트 강도의 저하를 억제 가능하고, 또한 롤상으로 반송 및 보관한 경우에도 가스 배리어성의 저하를 억제 가능한 적층체 및 그 적층체를 갖는 가스 배리어 필름을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 제 1 양태에 관련된 적층체는, 제 1 기재와, 상기 제 1 기재의 제 1 면에 배치된 무기 산화물층인 원자층 퇴적막과, 상기 원자층 퇴적막의 일면에 배치된 제 2 기재와, 상기 원자층 퇴적막과 상기 제 2 기재 사이에 배치되고, 상기 원자층 퇴적막과 상기 제 2 기재를 접착시키는 제 1 접착제층을 갖는다.
본 발명의 상기 양태에 의하면, 원자층 퇴적막의 일면에, 제 1 접착제층을 개재하여, 원자층 퇴적막의 일면을 덮도록 첩부 (貼付) 된 제 2 기재를 갖는다. 그것에 의해, 제 2 기재가 원자층 퇴적막의 일면을 보호하는 기재로서 기능하기 때문에, 외력에 의해 원자층 퇴적막의 일면이 손상되는 것이 억제 가능해진다. 구체적으로는, 외력에 의해, 원자층 퇴적막의 일면측으로부터 제 1 기재에 도달하는 깊이의 흠집이 형성되는 것이 억제 가능해진다.
이로써, 외력에서 기인하는 가스 배리어성, 및 기재와 원자층 퇴적막 사이의 라미네이트 강도의 저하를 억제할 수 있음과 함께, 롤상으로 적층체를 반송 및 보관한 경우에도 가스 배리어성의 저하를 억제할 수 있다.
또, 상기 원자층 퇴적막의 일면은, 상기 제 1 접착제와의 친화성을 높이기 위한 처리가 실시되어 있는 면이어도 된다. 또, 상기 친화성을 높이기 위한 처리가, 코로나 처리, 플라즈마 처리, 및 오존 처리 중 어느 것이어도 된다.
이와 같이, 원자층 퇴적막의 일면으로서 접착제와의 친화성을 높인 면을 사용함으로써, 원자층 퇴적막의 일면에 대한 제 2 기재의 밀착성을 향상시킬 수 있다.
또, 상기 제 1 면의 반대측의 면인 상기 제 1 기재의 제 2 면에 배치된 제 3 기재와, 상기 원자층 퇴적막과 상기 제 3 기재 사이에 배치되고, 상기 원자층 퇴적막과 상기 제 3 기재를 접착시키는 제 2 접착제층을 가져도 된다.
이와 같이, 제 1 기재의 양면 (제 1 및 제 2 면) 에 기재 (제 2 및 제 3 기재) 를 배치함으로써, 제 2 기재를 형성하는 것에 의한 적층체의 내구성을 향상시킬 수 있다.
또, 상기 원자층 퇴적막의 두께는, 2 ㎚ 이상 500 ㎚ 이하여도 된다.
원자층 퇴적막의 두께가 2 ㎚ 보다 작으면, 가스 배리어층으로서의 기능을 충분히 하기 곤란해진다. 또, 원자층 퇴적막의 두께가 500 ㎚ 보다 크면, 원자층 퇴적막의 내부 응력에 의해 크랙 (균열) 이 발생하기 쉬워진다. 또, 원자층 퇴적막의 두께가 500 ㎚ 보다 크면, 광학적인 특성 (예를 들어, 광선 투과율) 을 제어하기 곤란해진다.
따라서, 원자층 퇴적막의 두께를 2 ㎚ 이상 500 ㎚ 이하로 함으로써, 가스 배리어층으로서의 기능을 충분히 가질 수 있고, 크랙의 발생을 억제할 수 있으며, 또한 광학적인 특성을 제어할 수 있다.
또, 상기 원자층 퇴적막이, Al, Ti, Si, Zn, 및 Sn 중 어느 것을 함유해도 된다.
원자 퇴적층이 상기 재료로 구성됨으로써, ALD 법에 의해 형성할 수 있고, 또 가스 배리어층 (배리어층) 으로서 기능시킬 수 있다.
또, 상기 본 발명의 제 2 양태에 관련된 가스 배리어 필름은, 상기 제 1 양태에 관련된 적층체를 포함한다.
가스 배리어 필름이, 상기 제 1 양태에 관련된 적층체를 포함함으로써, 가스 배리어 필름의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
상기 양태에 관련된 적층체 및 가스 배리어 필름에 의하면, 기재의 면에 형성된 원자층 퇴적막이 외력으로 용이하게 흠집나지 않도록 함으로써, 가스 배리어성, 및 기재와 원자층 퇴적막 사이의 라미네이트 강도의 저하를 억제할 수 있다. 또한, 롤상으로 반송 및 보관한 경우에도 가스 배리어성의 저하를 억제할 수 있다.
도 1 은 본 발명의 제 1 실시형태에 관련된 적층체 (가스 배리어 필름) 의 개략 구성을 나타내는 단면도이다.
도 2 는 본 발명의 제 2 실시형태에 관련된 적층체 (가스 배리어 필름) 의 개략 구성을 나타내는 단면도이다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명을 적용한 실시형태에 대해 상세하게 설명한다. 또한, 이하의 설명에서 사용하는 도면은, 본 발명의 실시형태의 구성을 설명하기 위한 것으로서, 도시되는 각 부의 크기나 두께나 치수 등은, 실제의 적층체 및 가스 배리어 필름의 치수 관계와는 상이한 경우가 있다.
(제 1 실시형태)
도 1 은 본 발명의 제 1 실시형태에 관련된 적층체 (가스 배리어 필름) 의 개략 구성을 나타내는 단면도이다. 제 1 실시형태의 경우, 도 1 에 나타내는 적층체 (10) 가 필름상이며, 이 필름상의 적층체 (10) 가 제 1 실시형태의 가스 배리어 필름 (20) 에 상당하는 구조체가 된다.
도 1 을 참조하면, 제 1 실시형태의 적층체 (10) (가스 배리어 필름 (20)) 는 필름상으로 된 구조체로서, 제 1 기재 (11) 와, 무기 산화물층인 원자층 퇴적막 (12) 과, 제 1 접착제층 (13) 과, 제 2 기재 (14) 를 갖는다.
제 1 기재 (11) 는, 평탄한 면으로 된 제 1 면 (11a) 과, 평탄한 면으로 되고, 제 1 면 (11a) 의 반대측에 배치된 제 2 면 (11b) 을 갖는다. 제 1 면 (11a) 은, 원자층 퇴적막 (12) 이 형성되는 면이다.
제 1 기재 (11) 로는, 예를 들어, 플라스틱 재료로 이루어지는 필름상의 기재를 사용할 수 있으며, 투명한 것이 바람직하다.
제 1 기재 (11) 의 재료로는, 예를 들어, 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET) 나, 폴리에틸렌나프탈레이트 (PEN), 폴리이미드 필름 (PI), 폴리에틸렌 (PE), 폴리프로필렌 (PP), 폴리스티렌 (PS) 등의 플라스틱 재료를 사용할 수 있다.
또한, 제 1 기재 (11) 의 재료는, 상기 재료에 한정되지 않으며, 내열성, 강도 물성, 및 전기 절연성 등을 고려하여 적절히 선택할 수 있다.
제 1 기재 (11) 의 재료의 유리 전이점 (Tg) 은, 50 ℃ 이상인 것이 바람직하지만, 이것에 한정되지 않는다. 제 1 기재 (11) 의 재료의 유리 전이점 (Tg) 을 50 ℃ 이상으로 함으로써, 내열성을 향상시킬 수 있다.
제 1 기재 (11) 의 두께로는, 예를 들어, 적층체 (10) 가 적용되는 일렉트로 루미네선스 소자 등의 전자 부품이나 정밀 부품의 포장 재료로서의 적정 및 가스 배리어 필름 (20) 으로서의 가공 적정을 고려하여, 12 ㎛ 이상 200 ㎛ 이하의 범위에서 적절히 선택할 수 있다.
원자층 퇴적막 (12) 은, 제 1 기재 (11) 의 제 1 면 (11a) 에 배치되어 있다. 원자층 퇴적막 (12) 은, ALD 법에 의해 형성되는 막으로서, 가스 배리어층 (배리어층) 으로서 기능하는 막이다.
원자층 퇴적막 (12) 으로는, 예를 들어, AlOx 나, TiOx, SiOx, ZnOx, SnOx 등의 무기 산화막, 이것들의 무기물로 이루어지는 질화막이나 산질화막, 또는 타원소로 이루어지는 산화막, 질화막, 산질화막 등을 사용할 수 있다. 또, 원자층 퇴적막 (12) 으로는, 예를 들어, 이들 막 혹은 원소 (예를 들어, Al, Ti, Si, Zn, Sn 등) 의 혼합막이어도 된다. 요컨대, 원자층 퇴적막 (12) 이 Al, Ti, Si, Zn, Sn 중 어느 것을 함유하는 것이 바람직하다.
또한, 이들 재료 중, 높은 가스 배리어성, 및 높은 내구성을 얻을 수 있음과 함께, 비용을 저감시키거나 하는 관점에서, 원자층 퇴적막 (12) 으로는, Al, Ti, 및 Si 중, 적어도 1 종의 원소를 함유하여 형성되는 막이 특히 바람직하다.
원자층 퇴적막 (12) 의 두께는, 예를 들어, 2 ㎚ 이상 500 ㎚ 이하로 하면 된다. 원자층 퇴적막 (12) 의 두께가 2 ㎚ 보다 얇으면, 가스 배리어층으로서의 기능을 충분히 하기 곤란해진다.
한편, 원자층 퇴적막의 두께가 500 ㎚ 보다 크면, 원자층 퇴적막의 내부 응력에 의해 크랙 (균열) 이 발생하기 쉬워진다. 또, 원자층 퇴적막의 두께가 500 ㎚ 보다 크면, 광학적인 특성 (예를 들어, 광선 투과율) 을 제어하기 곤란해진다.
따라서, 원자층 퇴적막의 두께를 2 ㎚ 이상 500 ㎚ 이하로 함으로써, 가스 배리어층으로서의 기능을 충분히 가질 수 있고, 크랙의 발생을 억제할 수 있으며, 또한 광학적인 특성을 제어할 수 있다.
또한, 원자층 퇴적막 (12) 의 두께는, 예를 들어, 2 ㎚ 이상 100 ㎚ 이하인 것이 보다 바람직하다.
원자층 퇴적막 (12) 은, 제 1 접착제층 (13) (원자층 퇴적막 (12) 의 일면 (12a) 에 제 2 기재 (14) 를 첩부하기 위한 접착제층) 이 배치되는 일면 (12a) (상면) 을 갖는다. 원자층 퇴적막 (12) 의 일면 (12a) 은, 예를 들어, 접착제와의 친화성을 높이기 위한 처리가 실시되어 있는 것이 바람직하다. 친화성을 높이기 위한 처리로는, 예를 들어, 코로나 처리나, 플라즈마 처리, 오존 처리 등의 처리를 사용할 수 있다.
이와 같이, 원자층 퇴적막 (12) 의 일면 (12a) 을 표면 처리함으로써, 일면 (12a) 상에 제 1 접착제층 (13) 을 적층하고, 그 위에 제 2 기재 (14) 를 첩부하였을 때, 제 1 기재 (11) 와 제 2 기재 (14) 사이의 밀착성을 향상시킬 수 있다. 이로써, 적층체 (10) 는 높은 가스 배리어성을 가질 수 있다.
제 1 접착제층 (13) 은, 원자층 퇴적막 (12) 의 일면 (12a) 과 제 2 기재 (14) 의 일면 (14a) 사이에 배치되고, 원자층 퇴적막 (12) 과 제 2 기재 (14) 를 접착시키고 있다. 제 1 접착제층 (13) 은, 원자층 퇴적막 (12) 의 일면 (12a), 및 제 2 기재 (14) 의 일면 (14a) 을 덮도록 배치되어 있다.
요컨대, 제 1 접착제층 (13) 은, 원자층 퇴적막 (12) 의 일면 (12a) 에 제 2 기재 (14) 를 첩부하기 위한 접착제층이다.
제 1 접착제층 (13) 은, 예를 들어, 드라이 라미네이트 접착제를 도포 후, 드라이 라미네이트 접착제를 경화시킴으로써 형성할 수 있다.
제 1 접착제층 (13) 의 모재가 되는 드라이 라미네이트 접착제로는, 예를 들어, 주제 및 경화제를 주성분으로 하는 접착제를 사용할 수 있다. 이 경우, 그 드라이 라미네이트 접착제로는, 분자 내에 복수의 수산기를 갖는 수지 화합물과, 폴리이소시아네이트 화합물을 함유하는 것을 사용하면 된다.
또한, 상기 드라이 라미네이트 접착제로는, 수지 화합물을 함유하는 주제와, 폴리이소시아네이트 화합물을 함유하는 경화제를 사용 직전에 혼합하는 것이 바람직하다.
상기 드라이 라미네이트 접착제를 구성하는 주제로는, 예를 들어, 분자 내에 복수의 수산기를 갖는 수지 화합물을 사용할 수 있다. 이 수지 화합물로는, 예를 들어, 폴리에스테르계 폴리올이나, 폴리우레탄계 폴리올, 폴리카보네이트계 폴리올, 아크릴계 폴리올, 폴리에테르계 폴리올, 폴리올레핀계 폴리올 등을 사용하는 것이 가능하지만, 이것들에 한정되지 않는다.
또, 상기 드라이 라미네이트 접착제를 구성하는 경화제로는, 예를 들어, 폴리이소시아네이트 화합물을 함유하는 재료를 사용할 수 있다. 이 폴리이소시아네이트 화합물로는, 예를 들어, 1 분자 중에 2 이상의 이소시아네이트기를 갖는 화합물을 사용할 수 있다.
상기 폴리이소시아네이트 화합물에서는, 이소시아네이트기가 상기 주제의 수산기와 반응함으로써 가교된다.
상기 폴리이소시아네이트 화합물은, 상기 주제를 가교시키는 것이 가능한 것이면 되며, 특별히 한정되지 않는다.
상기 드라이 라미네이트 접착제는, 제 2 기재 (14) 의 일면 (14a) 에 도포된 후, 가열이나 송풍에 의해, 드라이 라미네이트 접착제에 함유되는 용제가 제거되고, 경화된다. 그것에 의해, 제 1 접착제층 (13) 이 형성된다.
제 2 기재 (14) 의 일면 (14a) 에 드라이 라미네이트 접착제를 도포하는 방법은, 특별히 제한되지 않지만, 예를 들어, 그라비아 코터법이나, 롤 코터법, 와이어바 코트법, 브러시 도포법 등의 방법을 사용할 수 있다.
제 1 접착제층 (13) 의 두께는, 예를 들어, 1.0 ∼ 10 ㎛ 의 범위 내에서 설정할 수 있지만, 원하는 접착성 및 광학적인 특성을 확보할 수 있으면 이 범위 내에 한정되지 않는다.
제 2 기재 (14) 는, 제 1 접착제층 (13) 을 개재하여, 원자층 퇴적막 (12) 의 일면 (12a) 을 덮도록 첩부되어 있다.
이와 같이, 제 1 접착제층 (13) 을 개재하여, 원자층 퇴적막 (12) 의 일면 (12a) 을 덮도록 첩부된 제 2 기재 (14) 를 갖는다. 그것에 의해, 제 2 기재 (14) 가 원자층 퇴적막 (12) 의 일면 (12a) 을 보호하는 기재로서 기능한다. 그 때문에, 외력에 의해 원자층 퇴적막 (12) 의 일면 (12a) 이 손상되는 것이 억제 가능해진다. 원자층 퇴적막 (12) 의 일면 (12a) 의 손상이란, 구체적으로는, 외력에 의해, 원자층 퇴적막 (12) 의 일면 (12a) 측으로부터 제 1 기재 (11) 에 도달하는 깊이의 흠집이 형성되는 것을 말한다. 또, 원자층 퇴적막 (12) 의 일면 (12a) 의 손상의 억제란, 구체적으로는, 원자층 퇴적막 (12) 의 두께 방향으로 가스가 출입하는 흠집이 원자층 퇴적막 (12) 에 발생할 가능성을 억제하는 것을 말한다. 이하에 있어서도 동일하다.
이로써, 외력에서 기인하는 가스 배리어성, 및 기재와 원자층 퇴적막 사이의 라미네이트 강도의 저하를 억제할 수 있다.
제 2 기재 (14) 로는, 예를 들어, 플라스틱 재료로 이루어지는 필름상의 기재를 사용할 수 있으며, 투명한 것이 바람직하다.
제 2 기재 (14) 의 재료로는, 예를 들어, 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET) 나, 폴리에틸렌나프탈레이트 (PEN), 폴리이미드 필름 (PI), 폴리에틸렌 (PE), 폴리프로필렌 (PP), 폴리스티렌 (PS) 등의 플라스틱 재료를 사용할 수 있다.
또한, 제 2 기재 (14) 의 재료는, 상기 재료에 한정되지 않으며, 내열성, 강도 물성, 및 전기 절연성 등을 고려하여 적절히 선택할 수 있다.
제 2 기재 (14) 의 재료의 유리 전이점 (Tg) 은, 50 ℃ 이상인 것이 바람직하지만, 이것에 한정되지 않는다. 제 2 기재 (14) 의 재료의 유리 전이점 (Tg) 을 50 ℃ 이상으로 함으로써, 내열성을 향상시킬 수 있다.
제 2 기재 (14) 의 두께로는, 예를 들어, 12 ㎛ 이상 200 ㎛ 이하의 범위에서 적절히 선택할 수 있지만, 이것에 한정되지 않는다.
제 1 실시형태의 적층체 (10) (가스 배리어 필름 (20)) 에 의하면, 원자층 퇴적막 (12) 의 일면 (12a) 에, 제 1 접착제층 (13) 을 개재하여, 원자층 퇴적막 (12) 의 일면 (12a) 을 덮도록 첩부된 제 2 기재 (14) 를 갖는다. 그것에 의해, 제 2 기재 (14) 가 원자층 퇴적막 (12) 의 일면 (12a) 을 보호하는 기재로서 기능한다. 그 때문에, 외력에 의해 원자층 퇴적막 (12) 의 일면 (12a) 이 손상되는 것이 억제 가능해진다.
이로써, 외력에서 기인하는 가스 배리어성, 및 기재와 원자층 퇴적막 사이의 라미네이트 강도의 저하를 억제할 수 있음과 함께, 적층체 (10) 를 롤상으로 반송 및 보관한 경우에도 가스 배리어성의 저하를 억제할 수 있다.
요컨대, 제 1 실시형태의 가스 배리어 필름 (20) 의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
이어서, 도 1 을 참조하여, 제 1 실시형태의 적층체 (10) (가스 배리어 필름 (20)) 의 제조 방법에 대해 간단하게 설명한다.
처음에, 주지의 ALD 법에 의해, 제 1 기재 (11) 의 제 1 면 (11a) 에 원자층 퇴적막 (12) 을 형성한다.
이어서, 원자층 퇴적막 (12) 의 일면 (12a) 에 대하여 접착제와의 친화성을 높이는 표면 처리를 실시한다. 이 표면 처리로는, 예를 들어, 코로나 처리나, 플라즈마 처리, 오존 처리 등의 처리를 사용할 수 있다.
이어서, 제 2 기재 (14) 의 일면 (14a) 에 제 1 접착제층 (13) 의 모재가 되는 드라이 라미네이트 접착제를 도포한다. 드라이 라미네이트 접착제를 도포하는 방법은, 특별히 제한되지 않지만, 예를 들어, 그라비아 코터법이나, 롤 코터법, 와이어바 코트법, 브러시 도포법 등의 방법을 사용할 수 있다. 이 단계에서는, 드라이 라미네이트 접착제는 경화되어 있지 않다.
이어서, 드라이 라미네이트 접착제를 개재하여, 제 2 기재 (14) 를 원자층 퇴적막 (12) 의 일면 (12a) 에 첩부한다. 이로써, 제 2 기재 (14) 를 원자층 퇴적막 (12) 에 가접착시켜 접합체 (드라이 라미네이트 접착제가 경화되지 않은 상태의 적층체 (10)) 를 형성한다.
이 접합체는, 예를 들어, 권취 상태로 보관되며, 일정 기간 방치된다. 이 방치 기간 중, 접합체를 구성하는 드라이 라미네이트 접착제의 내부에서는, 주제에 함유되는 수지 화합물의 수산기와 경화제에 함유되는 폴리이소시아네이트 화합물의 이소시아네이트기가 반응하여, 우레탄 결합을 형성하는 반응이 진행된다.
이 반응에 의해, 상기 수지 화합물은 폴리이소시아네이트 화합물에 의해 가교되고, 고분자량화된다. 수지 화합물이 충분히 가교되면, 상기 드라이 라미네이트 접착제층은 경화되어, 제 1 접착제층 (13) 이 된다. 이로써, 원자층 퇴적막 (12) 과 제 2 기재 (14) 는 강고하게 접합되어, 적층체 (10) (가스 배리어 필름 (20)) 가 제조된다.
또한, 도 1 에 나타내는 적층체 (10) 를 가스 배리어 필름 (20) 으로서 사용하는 경우, 도 1 에 나타내는 상태인 채로 사용한다.
(제 2 실시형태)
도 2 는 본 발명의 제 2 실시형태에 관련된 적층체 (가스 배리어 필름) 의 개략 구성을 나타내는 단면도이다.
도 2 에 있어서, 도 1 에 나타내는 제 1 실시형태의 적층체 (10) (가스 배리어 필름 (20)) 와 동일 구성 부분에는, 동일 부호를 부여한다.
또, 제 2 실시형태에서는, 도 2 에 나타내는 적층체 (30) 가 필름상이며, 이 필름상의 적층체 (30) 가 제 2 실시형태의 가스 배리어 필름 (40) 에 상당하는 구조체이다.
도 2 에 나타내는 바와 같이, 제 2 실시형태의 적층체 (30) (가스 배리어 필름 (40)) 는, 제 1 실시형태의 적층체 (10) (가스 배리어 필름 (20)) 의 구성에 추가로 제 2 접착제층 (31) 과 제 3 기재 (32) 를 갖는 것 이외에는, 제 1 실시형태의 적층체 (10) (가스 배리어 필름 (20)) 와 동일한 구성이다.
제 2 접착제층 (31) 은, 제 1 기재 (11) 의 제 2 면 (11b) 과 제 3 기재 (32) 의 일면 (32a) 사이에 배치되고, 제 1 기재 (11) 와 제 3 기재 (32) 를 접착시키고 있다. 요컨대, 제 2 접착제층 (31) 은, 제 1 기재 (11) 의 제 2 면 (11b) 에 제 3 기재 (32) 의 일면 (32a) 을 첩부하기 위한 접착제층이다.
제 2 접착제층 (31) 으로는, 제 1 실시형태에서 설명한 제 1 접착제층 (13) 과 동일한 재료를 사용할 수 있으며, 제 1 접착제층 (13) 과 동일한 두께로 할 수 있다.
제 3 기재 (32) 는, 제 2 접착제층 (31) 을 개재하여, 제 1 기재 (11) 의 제 2 면 (11b) 에 첩부되어 있다. 제 3 기재 (32) 는 필름상의 기재이다.
제 3 기재 (32) 의 재료로는, 예를 들어, 제 1 실시형태에서 설명한 제 2 기재 (14) 의 재료와 동일한 재료를 사용할 수 있다. 그러나, 제 3 기재 (32) 의 재료는, 이와 같은 재료에 한정되지 않으며, 내열성, 강도 물성, 및 전기 절연성 등을 고려하여 적절히 선택할 수 있다.
제 3 기재 (32) 의 재료의 유리 전이점 (Tg) 은, 50 ℃ 이상인 것이 바람직하지만, 이것에 한정되지 않는다. 제 3 기재 (32) 의 재료의 유리 전이점 (Tg) 을 50 ℃ 이상으로 함으로써, 내열성을 향상시킬 수 있다.
제 3 기재 (32) 의 두께로는, 예를 들어, 12 ㎛ 이상 200 ㎛ 이하의 범위에서 적절히 선택할 수 있지만, 이것에 한정되지 않는다.
제 2 실시형태의 적층체 (30) (가스 배리어 필름 (40)) 에 의하면, 제 1 실시형태의 적층체 (10) 의 구성 외에, 추가로, 제 2 접착제층 (31) 을 개재하여, 제 1 기재 (11) 의 제 2 면 (11b) 에 일면 (32a) 이 첩부된 제 3 기재 (32) 를 갖는다. 이로써, 제 1 기재 (11) 의 양면 (제 1 및 제 2 면 (11a, 11b)) 에 기재 (제 2 및 제 3 기재 (14, 32)) 가 배치되므로, 적층체 (30) 의 내구성을 향상시킬 수 있다.
또, 제 2 실시형태의 적층체 (30) (가스 배리어 필름 (40)) 는, 제 1 실시형태의 적층체 (10) (가스 배리어 필름 (20)) 와 동일한 효과를 얻을 수 있다. 구체적으로는, 외력에서 기인하는 가스 배리어성, 및 제 1 기재 (11) 와 원자층 퇴적막 (12) 사이의 라미네이트 강도의 저하를 억제할 수 있다. 또한, 적층체 (30) 를 롤상으로 반송 및 보관한 경우에도 가스 배리어성의 저하를 억제할 수 있다.
이상, 본 발명의 바람직한 실시형태에 대해 상세히 서술하였지만, 본 발명은 이러한 특정 실시형태에 한정되지 않으며, 특허청구범위 내에 기재된 본 발명의 요지의 범위 내에 있어서, 다양한 변형·변경이 가능하다.
이하, 본 발명의 실시예 및 비교예에 대해 설명하지만, 본 발명은, 하기 실시예에 의해 전혀 한정되지 않는다.
(실시예 1)
＜실시예 1 의 적층체의 제조＞
실시예 1 에서는, 이하에 나타내는 방법에 의해, 도 1 에 나타내는 적층체 (10) (이하, 실시예 1 의 적층체 (10) 를 「적층체 (10-1)」이라고 한다) 를 제조하였다.
처음에, 제 1 기재 (11) 로서, 두께 100 ㎛ 의 PET 필름을 준비하였다. 이어서, 옥스포드·인스트루먼트 주식회사 제조의 ALD 장치인 OpAL (형번) 을 사용한 ALD 법에 의해, PET 필름의 제 1 면 (11a) 에 원자층 퇴적막 (12) 으로서 TiO2 막 (배리어층) 을 성막하였다.
TiO2 막을 성막할 때에는, 원료 가스로서 사염화티탄 (TiCl4) 을 사용하였다.
또, 상기 원료 가스와 동시에, 프로세스 가스인 N2 와, 퍼지 가스인 O2 및 N2 와, 반응 가스 겸 플라즈마 방전 가스인 O2 를 각각 성막실 (챔버) 내에 공급하였다. 이 때, 성막실 내의 압력은 10 ∼ 50 ㎩ 로 설정하였다.
또한, 플라즈마 여기용 전원으로서, 13.56 ㎒ 의 전원을 사용하여, ICP 모드에 의해 플라즈마 방전을 실시하였다.
또, 각 가스의 공급 시간은 이하와 같이 설정하였다. 구체적으로는, TiCl4 및 프로세스 가스의 공급 시간을 1 sec, 퍼지 가스의 공급 시간을 60 sec, 반응 가스 겸 방전 가스의 공급 시간을 5 sec 로 설정하였다.
그리고, 반응 가스 겸 방전 가스의 공급과 동시에, ICP 모드로 플라즈마 방전을 발생시켰다. 또, 이 때의 플라즈마 방전의 출력 전력은 250 watt 로 하였다. 또, 플라즈마 방전 후의 가스 퍼지로서, 퍼지 가스가 되는 O2 (공급량이 60 sccm), 및 N2 (공급량이 100 sccm) 를 4 sec 공급하였다. TiO2 막의 성막 온도는 90 ℃ 로 하였다.
상기와 같은 사이클 조건에 의한 TiO2 막의 성막 속도는, 다음과 같이 되었다. 즉, 단위 성막 속도가 약 1.1 Å/사이클이기 때문에, 176 사이클의 성막 처리를 실시하여 두께 20 ㎚ 의 성막을 실시한 결과, 성막 시간의 합계는 253 min 이 되었다.
이어서, TiO2 막의 일면 (원자층 퇴적막 (12) 의 일면 (12a)) 의 표면 처리를 실시하였다. 구체적으로는, 옥스포드·인스트루먼트 주식회사 제조의 ALD 장치인 OpAL (형번) 의 ICP 모드에 의한 플라즈마 방전을 실시하여, TiO2 막의 일면의 표면 처리를 실시하였다.
이 때의 표면 처리 조건으로서, 출력 전력을 300 watt, N2 가스의 공급량을 100 sccm, 처리 시간을 30 sec 로 설정하였다.
이어서, PET 필름의 제 1 면 (제 1 기재 (11) 의 제 1 면 (11a)) 측의 원자층 퇴적막 (12) 에, 수지 화합물을 함유하는 주제, 및 폴리이소시아네이트 화합물을 함유하는 경화제로 이루어지는 제 1 접착제층 (13) 을 개재하여, 제 2 기재 (14) 인 두께 100 ㎛ 의 PET 필름을 첩부하였다. 그것에 의해, 제 1 실시형태의 적층체 (10-1) 가 제조되었다. 이 때, 제 1 접착제층 (13) 의 두께는 10 ㎛ 였다.
또한, 제 1 실시형태의 적층체 (10-1) 는 2 개 제조하였다.
＜실시예 1 의 적층체의 라미네이트 강도 및 수증기 투과율의 측정＞
다음으로, 실시예 1 의 적층체 (10-1) 의 내구성 가속 시험으로서, 소정의 온습도 환경에 노출되기 전후의 적층체 (10-1) 의 라미네이트 강도 및 수증기 투과율 (WVTR) 을 측정하였다.
상기 2 개의 적층체 (10-1) 를 소정의 온습도 환경에 노출시키기 위한 장치로서, 에스펙 주식회사 제조의 고가속도 수명 시험 장치인 EHS211MD (형번) 를 사용하여 실시하였다.
이 때의 소정의 온습도 환경으로는, 105 ℃/100 ％RH 를 사용하였다. 또, 라미네이트 강도를 측정하는 경우에는, 상기 온습도 환경에 적층체 (10-1) 를 96 시간 노출시켰다. 또, 수증기 투과율을 측정하는 경우에는, 상기 온습도 환경에 적층체 (10-1) 를 24 시간 노출시켰다.
라미네이트 강도는, 일방의 적층체 (10-1) 를 10 ㎜ 폭으로 절단하여 라미네이트 강도 측정용 샘플을 제조하고, 제조된 라미네이트 강도 측정용 샘플을 구성하는 TiO2 막과 제 2 기재 (14) 사이의 180 도 박리로 측정하였다.
이 때, 라미네이트 강도를 시험하는 장치로는, 주식회사 오리엔텍 제조의 텐실론 만능 시험기인 RTC-1250 (형번) 을 사용하였다. 또, 박리 속도는 300 ㎜/min 으로 하였다.
그 결과, 내구성 가속 시험 전의 라미네이트 강도는 6.7 (N/10 ㎜) 이었다. 또, 내구성 가속 시험 후의 라미네이트 강도는 5.2 (N/10 ㎜) 였다.
또한, 내구성 가속 시험 전은 소정의 온습도 환경에 노출되기 전을 가리키고, 내구성 가속 시험 후는 소정의 온습도 환경에 노출된 후를 가리키며, 이후에도 동일하다.
수증기 투과율은, 모던 컨트롤사 제조의 수증기 투과도 측정 장치인 MOCON Aquatran (등록 상표), 또는 모던 컨트롤사 제조의 수증기 투과도 측정 장치인 MOCON Prematran (등록 상표) 을 사용하여, 40 ℃/90 ％RH 의 분위기하에서 측정하였다.
그 결과, 내구성 가속 시험 전의 수증기 투과율은 5.0 × 10-3 (g/㎡/day) 이었다. 또, 내구성 가속 시험 후의 수증기 투과율은 7.0 × 10-3 (g/㎡/day) 이었다.
상기 방법에 의해 측정한 실시예 1 의 적층체 (10-1) 의 라미네이트 강도 및 수증기 투과율을 표 1 에 나타낸다. 또, 표 1 에는, 실시예 2 ∼ 3 및 비교예 1 ∼ 5 의 적층체의 측정 결과도 나타낸다.
또한, 표 1 에는, 실시예 1 ∼ 3 및 비교예 1 ∼ 5 에 관한 배리어층의 종류, 두께 및 성막 방법과, 제 1 기재로의 다른 기재 (구체적으로는, 도 1 및 도 2 에 나타내는 제 2 기재 (14), 및 도 2 에 나타내는 제 3 기재 (32)) 의 첩합 (貼合) 의 유무와, 배리어층의 표면 처리의 유무 모두 기재한다.
Figure 112016062866694-pct00001
(실시예 2)
＜실시예 2 의 적층체의 제조＞
실시예 2 에서는, 이하에 나타내는 방법에 의해, 도 2 에 나타내는 적층체 (30) (이하, 실시예 2 의 적층체 (30) 를 「적층체 (30-1)」이라고 한다) 를 제조하였다.
구체적으로는, 실시예 1 의 적층체 (10-1) 를 제조 후, 주제 및 경화제로 이루어지는 제 2 접착제층 (31) 을 개재하여, 두께 100 ㎛ 의 PET 필름의 제 2 면 (제 1 기재 (11) 의 제 2 면 (11b)) 에 두께 100 ㎛ 의 다른 PET 필름의 일면 (제 3 기재 (32) 의 일면 (32a)) 을 첩부하였다. 그것에 의해, 실시예 2 의 적층체 (30-1) 를 제조하였다.
이 때, 제 2 접착제층 (31) 으로는, 실시예 1 에서 설명한 제 1 접착제층 (13) 과 동일한 종류의 접착제층을 사용하였다. 또, 제 2 접착제층 (31) 의 두께는, 실시예 1 에서 설명한 제 1 접착제층 (13) 과 동일한 두께로 하였다.
＜실시예 2 의 적층체의 라미네이트 강도 및 수증기 투과율의 측정＞
실시예 1 에서 사용한 조건 및 장치를 사용하여, 실시예 1 과 동일한 방법에 의해, 실시예 2 의 적층체 (30-1) 의 라미네이트 강도 및 수증기 투과율을 측정하였다.
그 결과, 내구성 가속 시험 전의 라미네이트 강도는 7.0 (N/10 ㎜) 이었다. 또, 내구성 가속 시험 후의 라미네이트 강도는 5.4 (N/10 ㎜) 였다.
또, 내구성 가속 시험 전의 수증기 투과율은 4.2 × 10-3 (g/㎡/day) 이었다. 또, 내구성 가속 시험 후의 수증기 투과율은 6.3 × 10-3 (g/㎡/day) 이었다.
(실시예 3)
앞서 설명한 실시예 1 과 동일한 방법에 의해, 실시예 1 의 적층체 (10-1) 와 동일한 구성인 실시예 3 의 적층체 (10-2) 를 제조하였다.
이어서, 직경이 300 ㎜ 인 권취용 롤러에 적층체 (10-2) 를 권취시키기 전후의 수증기 투과율을 측정하였다. 이 때, 수증기 투과율의 측정에는, 실시예 1 에서 설명한 장치를 사용하였다.
그 결과, 권취시키기 전의 적층체 (10-2) 의 수증기 투과율은 5.0 × 10-3 (g/㎡/day) 이고, 권취시킨 후의 적층체 (10-2) 의 수증기 투과율은 6.7 × 10-3 (g/㎡/day) 이었다.
(비교예 1)
비교예 1 에서는, 배리어층을 형성하는 공정이 상이하고, 또한 제 1 접착제층 (13) 을 개재하여 제 2 기재 (14) 를 첩부하는 공정을 갖지 않는 것 이외에는, 실시예 1 과 동일한 방법에 의해, 비교예 1 의 적층체 (이하, 「적층체 A」라고 한다) 를 제조하였다.
비교예 1 에서는, 원자층 퇴적법이 아닌 드라이 코팅 기술인 CVD 법을 사용하여, 두께 100 ㎛ 의 PET 필름의 제 1 면 (제 1 기재 (11) 의 제 1 면 (11a)) 에 두께 20 ㎚ 의 SiO2 막 (배리어층) 을 성막하였다.
그 후, 내구성 가속 시험을 실시하지 않고, 실시예 1 과 동일한 방법에 의해, 내구성 가속 시험 전의 수증기 투과율을 측정한 결과, 2.0 × 10-2 (g/㎡/day) 였다.
(비교예 2)
비교예 2 에서는, 배리어층을 표면 처리하는 공정과, 제 1 접착제층 (13) 을 개재하여 제 2 기재 (14) 를 첩부하는 공정을 갖지 않는 것 이외에는, 실시예 1 과 동일한 방법에 의해, 비교예 2 의 적층체 (이하, 「적층체 B」라고 한다) 를 제조하였다.
그 후, 내구성 가속 시험 (실시예 1 에서 설명한 내구성 가속 시험과 동일한 시험) 전후의 비교예 2 의 적층체 B 의 수증기 투과율을 측정하였다. 이 때, 적층체 B 의 수증기 투과율은, 실시예 1 에 기재한 장치를 사용하여 측정하였다.
그 결과, 내구성 가속 시험 전의 수증기 투과율은 5.5 × 10-3 (g/㎡/day) 이었다. 또, 내구성 가속 시험 후의 수증기 투과율은 9.5 × 10-1 (g/㎡/day) 이었다.
(비교예 3)
비교예 3 에서는, 앞서 설명한 비교예 2 와 동일한 방법에 의해, 비교예 2 의 적층체 B 와 동일한 구성의 적층체 C 를 제조하였다. 그 후, 내구성 가속 시험을 실시하지 않고, 직경이 300 ㎜ 인 권취용 롤러에 적층체 C 를 권취시키기 전후의 수증기 투과율을 측정하였다. 이 때, 수증기 투과율의 측정에는, 실시예 1 에서 설명한 장치를 사용하였다.
그 결과, 권취시키기 전의 적층체 C 의 수증기 투과율은 5.5 × 10-3 (g/㎡/day) 이고, 권취시킨 후의 적층체 C 의 수증기 투과율은 2.0 × 10-1 (g/㎡/day) 이었다.
(비교예 4)
비교예 4 에서는, 배리어층인 TiO2 막의 두께를 1 ㎚ 로 한 것 이외에는, 실시예 1 의 적층체 (10-1) 와 동일한 방법에 의해, 비교예 4 의 적층체 D 를 제조하였다.
그 후, 내구성 가속 시험을 실시하지 않고, 비교예 4 의 적층체 D 의 수증기 투과율을 측정하였다. 이 때, 적층체 D 의 수증기 투과율은, 실시예 1 에 기재한 장치를 사용하여 측정하였다.
그 결과, 내구성 가속 시험 전의 수증기 투과율은 1.4 (g/㎡/day) 였다.
(비교예 5)
비교예 5 에서는, 배리어층인 TiO2 막의 표면 처리 공정을 실시하지 않은 것 이외에는, 실시예 1 의 적층체 (10-1) 와 동일한 방법에 의해, 비교예 5 의 적층체 E 를 제조하였다.
이어서, 실시예 1 과 동일한 방법에 의해, 내구성 가속 시험 전의 라미네이트 강도를 측정한 결과, 2.0 (N/10 ㎜) 이었다.
이어서, 실시예 1 에서 사용한 고가속도 수명 시험 장치를 사용하여, 105 ℃/100 ％RH 의 온습도 환경하에서 적층체 E 를 96 시간 노출시켰다.
그 후, 실시예 1 과 동일한 방법에 의해, 비교예 5 의 적층체 E 의 내구성 가속 시험 후의 라미네이트 강도를 측정한 결과, 0.8 (N/10 ㎜) 이었다.
(실시예 1 ∼ 3 및 비교예 1 ∼ 5 의 측정 결과의 정리)
표 1 에 나타내는 바와 같이, 배리어층인 TiO2 막을 형성 후, TiO2 막의 일면의 접착제와의 친화성을 높이는 표면 처리를 실시함으로써, 내구성 가속 시험 후에도 라미네이트 강도 및 배리어성이 향상되었음을 확인할 수 있었다.
이러한 점에서, TiO2 막의 일면에 표면 처리를 실시 후, 제 1 접착제층 (13) 을 개재하여 제 2 기재 (14) 를 첩부함으로써, 환경 변화 등등의 스트레스에 의한 영향을 그다지 받지 않는다. 따라서, 적층체의 라미네이트 강도 및 가스 배리어성을 높게 할 수 있다.
또, 실시예 1 및 2 의 결과로부터, 제 1 기재 (11) 의 양면측에 다른 기재가 배치된 실시예 2 의 적층체 (30-1) 는, 제 1 기재 (11) 의 제 1 면 (11a) 측에만 다른 기재가 배치된 실시예 3 의 적층체 (10-2) 와 비교하여, 라미네이트 강도 및 가스 배리어성이 향상되는 것을 확인할 수 있었다.
산업상 이용가능성
본 발명은, 일렉트로 루미네선스 소자 (EL 소자), 액정 디스플레이, 반도체 웨이퍼 등의 전자 부품, 의약품이나 식료 등의 포장용 필름, 정밀 부품의 포장용 필름 등에 사용되는 적층체 및 가스 배리어 필름에 적용할 수 있다.
10, 30 : 적층체
11 : 제 1 기재
11a : 제 1 면
11b : 제 2 면
12 : 원자층 퇴적막
12a, 14a, 32a : 일면
13 : 제 1 접착제층
14 : 제 2 기재
20, 40 : 가스 배리어 필름
31 : 제 2 접착제층
32 : 제 3 기재

Claims (7)

  1. 제 1 기재와,
    상기 제 1 기재의 제 1 면에 배치된 무기 산화물층인 원자층 퇴적막과,
    상기 원자층 퇴적막의 일면에 배치된 제 2 기재와,
    상기 원자층 퇴적막과 상기 제 2 기재 사이에 배치되고, 상기 원자층 퇴적막과 상기 제 2 기재를 접착시키는 제 1 접착제층을 갖고,
    제 1 접착제층이, 분자 내에 복수의 수산기를 갖는 수지 화합물과, 폴리이소시아네이트 화합물을, 함유하고,
    직경이 300 ㎜ 인 권취용 롤러에 권취시킨 후의 수증기 투과율이 권취시키기 전에 비하여 저하되지 않는 적층체.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 원자층 퇴적막의 일면은, 상기 제 1 접착제와의 친화성을 높이기 위한 표면 처리가 실시되어 있는 면인 적층체.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 표면 처리가, 코로나 처리, 플라즈마 처리, 및 오존 처리 중 어느 것인 적층체.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 면의 반대측의 면인 상기 제 1 기재의 제 2 면에 배치된 제 3 기재와,
    상기 제 1 기재와 상기 제 3 기재 사이에 배치되고, 상기 제 1 기재와 상기 제 3 기재를 접착시키는 제 2 접착제층을 갖는 적층체.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 원자층 퇴적막의 두께는, 2 ㎚ 이상 500 ㎚ 이하인 적층체.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 원자층 퇴적막이, Al, Ti, Si, Zn, 및 Sn 중 어느 것을 함유하는 적층체.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 기재된 적층체를 포함하는 가스 배리어 필름.
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6524702B2 (ja) 2015-02-26 2019-06-05 凸版印刷株式会社 ガスバリア性フィルムの製造方法及びガスバリア性フィルム
CN107428126B (zh) * 2015-04-16 2020-11-03 凸版印刷株式会社 层叠体及阻气膜
WO2018181900A1 (ja) * 2017-03-31 2018-10-04 大日本印刷株式会社 ガスバリア積層体、及び該積層体からなるガスバリア包装材料とピロー包装袋
EP3694715B1 (en) * 2017-10-09 2021-07-07 Cryovac, LLC Use of high barrier and peelable polyester film for tray lidding, dual ovenable packaging applications and tray lidding dual ovenable packages obtained therefrom
US11586160B2 (en) * 2021-06-28 2023-02-21 Applied Materials, Inc. Reducing substrate surface scratching using machine learning
CN117301589A (zh) * 2023-11-02 2023-12-29 江苏思尔德科技有限公司 一种柔性显示用高阻隔膜制备方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080053512A1 (en) * 2006-08-30 2008-03-06 Koji Kawashima Back sheet for photovoltaic modules and photovoltaic module using the same
JP2011241421A (ja) 2010-05-17 2011-12-01 Toppan Printing Co Ltd ガスバリア性積層体の製造方法およびガスバリア性積層体
JP2012182303A (ja) * 2011-03-01 2012-09-20 Toppan Printing Co Ltd 太陽電池バックシート
JP2013502745A (ja) 2009-08-24 2013-01-24 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 薄膜太陽電池用バリア膜

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000138391A (ja) * 1998-10-29 2000-05-16 Dainippon Printing Co Ltd 太陽電池モジュ−ル用表面保護シ−トおよびそれを使用した太陽電池モジュ−ル
JP2004106350A (ja) * 2002-09-18 2004-04-08 Dainippon Printing Co Ltd レトルト用包材およびそれを使用したレトルト処理包装製品
US20060210723A1 (en) * 2005-03-21 2006-09-21 Tokyo Electron Limited Plasma enhanced atomic layer deposition system and method
KR20110102316A (ko) * 2008-12-08 2011-09-16 아사히 가라스 가부시키가이샤 불소 수지 필름 및 그 사용
CN103079816B (zh) * 2010-07-02 2018-01-02 3M创新有限公司 具有包封剂和光伏电池的阻挡组件
JP2012096432A (ja) 2010-11-01 2012-05-24 Sony Corp バリアフィルム及びその製造方法
JP2012148561A (ja) * 2010-12-28 2012-08-09 Mitsubishi Plastics Inc 積層防湿フィルム
CN103298610A (zh) * 2010-12-28 2013-09-11 三菱树脂株式会社 叠层防湿膜
JP2013028018A (ja) * 2011-07-27 2013-02-07 Daicel Corp ガスバリアフィルム及びデバイス
EP2740593A4 (en) * 2011-07-28 2015-04-15 Toppan Printing Co Ltd LAMINATE, GAS BARRIER FILM, PRODUCTION METHOD FOR LAMINATE AND DEVICE FOR PRODUCING LAMINATE
JP2013165129A (ja) * 2012-02-09 2013-08-22 Lintec Corp 太陽電池用保護シートおよび太陽電池モジュール

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080053512A1 (en) * 2006-08-30 2008-03-06 Koji Kawashima Back sheet for photovoltaic modules and photovoltaic module using the same
JP2013502745A (ja) 2009-08-24 2013-01-24 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 薄膜太陽電池用バリア膜
JP2011241421A (ja) 2010-05-17 2011-12-01 Toppan Printing Co Ltd ガスバリア性積層体の製造方法およびガスバリア性積層体
JP2012182303A (ja) * 2011-03-01 2012-09-20 Toppan Printing Co Ltd 太陽電池バックシート

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Publication number Publication date
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CN110053339A (zh) 2019-07-26
TW201522048A (zh) 2015-06-16
EP3081375A4 (en) 2017-08-16
JP6501715B2 (ja) 2019-04-17
US20160265111A1 (en) 2016-09-15

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