KR101842281B1 - 잉크젯 애플리케이션에 있어 ａｌｄ/ｃｖｄ 기술에 의한 멀티-스케일 조도를 통하여 초내오염성을 강화하고 접착력을 감소시키는 방법 - Google Patents

잉크젯 애플리케이션에 있어 ａｌｄ/ｃｖｄ 기술에 의한 멀티-스케일 조도를 통하여 초내오염성을 강화하고 접착력을 감소시키는 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 멀티-스케일 초내오염성 표면을 가진 장치 및 장치를 제조하고 사용하는 방법에 관한 것으로, 금속-함유 입자를 포함하는 상기 입자 층은 반도체 층의 텍스처화 마이크론-/서브-마이크론 표면에 형성되어 장치에 멀티-스케일 거친 표면을 제공한다.

Description

잉크젯 애플리케이션에 있어 ＡＬＤ/ＣＶＤ 기술에 의한 멀티-스케일 조도를 통하여 초내오염성을 강화하고 접착력을 감소시키는 방법{ENHANCING SUPEROLEOPHOBICITY AND REDUCING ADHESION THROUGH MULTI-SCALE ROUGHNESS BY ALD/CVD TECHNIQUE IN INKJET APPLICATION}
본 발명은 멀티-스케일 초내오염성 표면을 가진 장치 및 장치를 제조하고 사용하는 방법에 관한 것으로, 금속-함유 입자를 포함하는 상기 입자 복합체 층은 반도체 층의 텍스처화 마이크론-/서브-마이크론 표면에 형성되어 장치에 멀티-스케일 거친 표면을 제공한다.
유동체(fluid) 잉크젯 시스템은 전형적으로 유동체의 액적(drops)을 기록 매체로 토출시키는 복수의 잉크젯을 가지는 하나 이상의 프린트 헤드를 포함한다. 프린트 헤드의 잉크젯은 프린트 헤드에서 잉크 공급 챔버(chamber) 또는 매니폴드(manifold)로부터 잉크를 받고 그 다음 용해된 잉크 저장소 또는 잉크 카트리지와 같은 소스(source)로부터 잉크를 받는다. 각각의 잉크젯은 유동체에서 잉크 공급 매니폴드(manifold)로 유체 전달되는 하나의 말단부를 가진 채널을 포함한다. 잉크 채널의 다른 말단부는 잉크 액적을 토출시키기 위한 오리피스(orifice) 또는 노즐을 갖는다. 잉크젯의 노즐은 잉크젯 노즐에 대응하는 개구부(openings)를 갖는 개구(aperture) 또는 노즐판으로 형성될 수 있다. 작동하는 동안, 액적 토출 신호는 잉크젯에서 작동기를 활성화시켜서 잉크젯 노즐로부터 기록 매체 위로 유동체 액적을 배출시킨다. 기록 매체 및/또는 프린트 헤드 에셈블리(assembly)가 서로에 대해 이동하는 동안에 선택적으로 잉크젯 작동기를 활성화시켜 액적을 토출시킴으로써, 증착된 액적은 특별한 텍스트와 그래픽 이미지를 기록 매체 위에 형성하도록 정확히 패턴화될 수 있다.
유동체 잉크젯 시스템에 의해 직면한 어려움은 프린트 헤드 전면부 위에 잉크가 습윤(wetting), 드룰링(drooling), 플러딩(flooding)하는 것이다. 프린트 헤드 전면부의 상기 오염은 잉크젯 노즐 및 채널의 블로킹(blocking)을 야기시키거나 기여할 수 있고, 단독으로 또는 습기찬, 오염된 전면부와 결합하여 기록 매체 위에 비발사(non-firing) 또는 누락된 액적, 작은 크기의 또는 잘못된-크기의 액적, 위성의, 또는 잘못된 방향으로 보낸 액적을 야기시키거나 제공(contribute)할 수 있고 결국 인쇄 품질을 저하시킨다.
현재 프린트 헤드 전면부 코팅은 전형적으로 스퍼터된(sputtered) 폴리테트라플루오로에틸렌 코팅이다. 프린트 헤드가 기울어졌을 때, 전형적인 분사 온도 75℃ 내지 95℃에서 UV 젤 잉크와 전형적인 분사 온도 약 105℃에서 고체 잉크는 프린트 헤드 전면부 표면에 잘 미끄러지지 않는다. 오히려, 상기 잉크들은 프린트 헤드 전면부를 따라서 부착되고 이동하여 분사에 방해될 수 있는 잉크 필름 또는 잔여물을 프린트 헤드에 남긴다. 상기 이유로 인해, UV 및 고체 잉크 프린트 헤드의 전면부는 UV 및 고체 잉크에 의해 오염되기 쉽다. 경우에 따라서, 오염된 프린트 헤드는 유지 보수 유닛(unit)으로 재생하거나 세척할 수 있다. 그러나 상기 접근법은 시스템 복잡성, 하드웨어 비용, 및 때때로 신뢰성의 문제를 유발한다.
초내오염성 단독 또는 초소수성과 결합한 특성을 가진 장치를 만들기 위한 물질 및 방법이 필요하다. 나아가, 잉크젯 프린트 헤드 전면부용으로 현재 이용가능한 코팅법은 그 소정의 목적에는 적합하지만, 습윤, 드룰링(drooling), 플러딩(flooding), 또는 프린트 헤드 전면부에 UV 또는 고체 잉크의 오염을 감소시키거나 제거하는 향상된 프린트 헤드 전면부 디자인의 필요성이 남아있다; 즉, 잉크 비친화성 또는 내오염성, 및 프린트 헤드 전면부의 와이핑(wiping)과 같은 유지 보수 공정을 견뎌내는 강건성(robust)을 가지며; 및/또는 용이 세척 또는 자가-세척(self-cleaning)할 수 있음으로 인해, 유지 보수 유닛의 필요와 같은 하드웨어 복잡성을 제거하고, 운용 비용을 감소시키며, 시스템 신뢰성을 향상시킨다.
다양한 실시형태에 따르면, 본 발명은 초내오염성 장치를 포함한다. 초내오염성 장치는 기재 위에 배치된 반도체 층을 포함할 수 있다. 반도체 층은 하나 이상의 기둥(pillar) 구조, 그루브(groove) 구조, 및 그 조합에 의해 형성된 텍스처화(textured) 표면을 가질 수 있다. 초내오염성 장치는 또한 반도체 층의 텍스처화 표면에 배치된 컨포멀(conformal) 입자 복합체 층을 포함할 수 있다. 컨포멀 입자복합체 층의 표면은 복수의 금속-포함 입자를 가질 수 있다. 초내오염성 장치는 추가로 컨포멀 입자 복합체 층에 배치된 컨포멀 내오염성의 코팅을 포함할 수 있어서 장치에 멀티-스케일의 초내오염성 표면을 제공한다.
다양한 실시형태에 따르면, 본 발명은 또한 초내오염성 장치 형성 방법을 포함한다. 초내오염성 장치는 하나 이상의 필라 구조, 그루브 구조, 및 그 조합에 의해 형성된 텍스처화 표면을 가지는 반도체 층을 포함하여 형성될 수 있다. 입자 복합체 층은 컨포멀 입자 복합체 층의 표면이 복수의 금속-함유 입자를 포함할 수 있도록 반도체 층의 텍스처화 표면에 정각으로(conformally) 형성될 수 있다. 상기 입자 복합체 층은 그 위에 정각으로 내오염성의 코팅을 배치함으로써 화학적으로 개질되어 장치에 멀티-스케일 내오염성 표면을 제공할 수 있다.
본 발명의 멀티-스케일 초내오염성 장치는 잉크 액적의 자외선 경화성 젤 잉크 및/또는 고체 잉크에 대한 낮은 접착력 및 높은 접촉각을 제공할 수 있으며, 추가로 드룰 압력을 향상시키거나 노즐 밖으로 잉크 흘러내림을 감소(또는 제거)시킨다.
도1a-1c는 본 발명의 다양한 실시형태에 따르는 다양한 제조 단계에서 멀티-스케일 초내오염성 표면을 가진 예시적인 장치를 도시한다.
도2a-2c는 본 발명의 다양한 실시형태에 따르는 다양한 제조 단계에서 멀티-스케일 초내오염성 표면을 가진 또 다른 예시적인 장치를 도시한다.
도3은 본 발명의 다양한 실시형태에 따르는 기둥 배열(array)로 형성된 텍스처화 표면을 가진 예시적인 반도체 층의 사시도를 도시한다.
도4는 본 발명의 다양한 실시형태에 따르는 그루브 구조로 형성된 텍스처화 표면을 가진 예시적인 반도체 층의 사시도를 도시한다.
도5는 본 발명의 다양한 실시형태에 따르는 멀티-스케일의 초내오염성 장치를 포함하는 예시적인 프린트 헤드를 도시한다.
본 발명은 멀티-스케일 초내오염성 표면을 가진 장치와 그 장치의 제조 및 사용 방법에 관한 것이다. 하나의 실시형태에서, 예시적인 장치는 기재 위에 배치된 반도체 층을 포함할 수 있다. 반도체 층은 장치 표면에 마이크론-(micron-) 및 서브마이크론-스케일 수준을 제공하면서, 그루브 구조 및/또는 기둥 구조로 형성된 텍스처화 표면을 포함할 수 있다. 반도체 층을 오버레이하면서(overlaying), 장치 표면에 예를 들어 나노-스케일 같은 추가 스케일 수준을 제공하고, 복수의 금속-함유 입자가 있는 표면을 가진 컨포멀 입자 복합체 층이 될 수 있다. 상기의 장치는 “멀티-스케일 표면”, 예를 들어, 마이크로-스케일에서 서브-마이크로-스케일, 나노-스케일까지 다양한 스케일 수준을 포함하는 표면을 가질 수 있다. 금속-함유 입자를 가진 표면을 오버레이하여, 컨포멀 내오염성 코팅을 함으로써, “멀티-스케일 초내오염성 표면”을 가진 장치를 제공할 수 있다.
도1a-1c 및 도2a-2c는 본 발명의 다양한 실시형태에 따르는 다양한 제조 단계에서 예시적인 장치를 도시한다. 본 발명에서 사용된 용어 “멀티-스케일 초내오염성의 표면을 가진 장치”는 “멀티-스케일 초내오염성 장치”로도 언급된다.
도1a에서, 장치(100A)는 기재(110) 위에 형성되거나 배치된 반도체 층(130)을 포함할 수 있다. 실시형태에서, 기재(110)는 예를 들어, 유연한(flexible) 기재일 수 있다. 임의의 적절한 물질이 상기 유연한 기재를 위해 선택될 수 있다. 상기 유연한 기재는 플라스틱 필름 또는 금속성 필름이 될 수 있다. 특정 실시형태에서, 유연한 기재는 이에 한정되지는 않으나, 폴리이미드 필름, 폴리에틸렌 나프탈레이트 필름, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름, 폴리에테르술폰, 폴리에테르이미드, 스테인리스 강철, 알루미늄, 니켈, 구리, 등, 또는 그 조합에서 선택될 수 있다. 유연한 기재는 임의의 적절한 두께일 수 있다. 본 발명의 실시형태에서, 기재는 약 5μm 내지 약 100μm, 또는 약 10μm 내지 약 50μm의 두께를 가질 수 있다.
반도체 층(130)은 예를 들어, 무정형 실리콘 층이 될 수 있다. 반도체 층(130)은 기재(110)의 넓은 영역 위에 무정형 실리콘의 박층(thin layer)을 증착시킴(depositing)으로써 만들 수 있다. 실리콘의 박층은 임의의 적절한 두께를 가질 수 있다. 실시형태에서, 실리콘 층은 기재(110) 위에 약 3μm와 같이, 약 500nm 내지 약 5μm, 또는 약 1μm 내지 약 5μm의 두께로 증착될 수 있다. 실리콘 층은 예를 들어, 스퍼터링, 화학적 기상 증착, 초고주파수 플라즈마-강화 화학적 기상 증착(chemical vapor deposition), 마이크로웨이브 플라즈마-강화 화학적 기상 증착, 플라즈마-강화 화학적 기상 증착, 인-라인 공정에서 초음파 노즐의 사용 등에 의해 형성될 수 있다.
반도체 층(130)은 예를 들어, 도3에 도시된 기둥 배열(300) 및/또는 도4에 도시된 그루브 구조(400)로 배열되듯이 기둥 구조를 포함하는 텍스처화 표면을 가질 수 있다. 도3에서 각각의 기둥 구조(330) 및/또는 도4에서 각각의 그루브 구조(430)는 예를 들어, 물결 모양의 측벽(sidewalls)(135) (도1a도 볼 것)을 추가로 포함할 수 있다.
도1a 및 도3-4에 도시된 물결 모양의 측벽을 가진 기둥 배열 및/또는 그루브 구조는 예를 들어, 반도체 층의 안에 또는 위에, 예를 들어, 당해 기술 분야의 통상의 기술자에게 알려진 다양한 적절한 패터닝(patterning) 및 에칭(etching) 방법과 같이, 포토리소그래피(photolithography) 기술을 사용하여 만들 수 있다. 장치(100A)를 형성하기 위한 예시적인 실시형태에서, 포토레지스트(photoresist) 층은 유연한 기재 위에 증착된 실리콘층에 형성될 수 있다. 포토레지스트 층은 그 다음 노광, 현상, 패턴화될 수 있고, 하부 실리콘의 에칭 공정(예를 들어, 습식 에칭, 심도 반응성 이온 에칭(deep reactive ion etching), 또는 플라즈마 에칭)용 에칭 마스크로 사용될 수 있다. 각각의 에칭 주기는 소정의 물결 모양 측벽(135)의 복수의 웨이브 중 하나에 맞출 수 있다.
실시형태에서, 도1a의 물결 모양의 측벽을 가지는 대신에, 기둥 배열에서 각각의 기둥 구조 및/또는 복수의 그루브 구조에서 각각의 그루브 구조는 예를 들어, 도2a의 하나 이상의 돌출부 구조를 포함할 수 있다.
예를 들어, 돌출부 구조(237)를 가지는 기둥 배열 및/또는 그루브 구조 각각은 반도체 층(230)(예를 들어, 실리콘 산화층)에 의해 형성될 수 있다. 반도체 층(230)은 실리콘의 두 번째 반도체 층과 같이 층(220) 위에 형성될 수 있다. 하나의 실시형태에서, 층(220) 위의 층(230)은 “T" 형이 될 수 있다. 층(220)은 기재(110) 위에 형성될 수 있고, 도1a의 기재(110)와 동일하거나 다를 수 있다.
예시적인 실시형태에서, 도2a의 장치(200A)는 먼저 유연한 기재를 제공함으로써 형성될 수 있다. 실리콘층은 그 후 유연한 기재에 증착될 수 있고, 그 후 세척된다. 예시적인 SiO2 막박은 세척된 실리콘층 위에, 예를 들어, 스퍼터링 또는 플라즈마 강화 화학적 기상 증착을 통하여 증착될 수 있다. 그 뒤에 예를 들어, 포토레지스트 물질을 유연한 기재 위의 실리콘 산화물로 코팅된 실리콘층에 도포하는 단계, 포토레지스트 물질을 노광 및 현상하여 예를 들어, 플루오린계(SF6/O2) 반응성 이온 에칭 공정을 사용하여 그루브 구조 및/또는 기둥 구조를 포함하는 SiO2층에 텍스처화 패턴을 분명히 나타내고, 이어서 핫 스트리핑(hot stripping)을 하여 돌출부 구조(237)를 만든다.
도1a 및 도2a를 다시 보면, 장치(100A) 및/또는 (200A)의 텍스처화 표면은 마이크론-스케일의 기둥 구조 및/또는 그루브 구조로 형성될 수 있는 반면에 각각의 기둥 구조 및/또는 그루브 구조는 서브-마이크론-스케일의 물결 모양의 측벽 구조 및/또는 돌출부 구조를 가질 수 있다.
예를 들어, 각각의 기둥 구조/그루브 구조는 약 0.3μm 내지 약 4μm, 또는 약 0.5μm 내지 약 3μm, 또는 약 1μm 내지 약 2.5μm의 범위의 높이를 가질 수 있다.
물결 모양의 측벽을 가지는 각각의 기둥 구조/그루브 구조는 약 1μm 내지 약 20μm, 또는 약 2μm 내지 약 15μm, 또는 약 2μm 내지 약 5μm의 범위의 평균 너비 또는 지름을 가질 수 있다. 물결 모양 측벽의 각각의 물질은 약 250nm와 같이, 약 100nm 내지 약 1000nm가 될 수 있다.
각각의 돌출부 구조는 예를 들어, T-형 구조를 가질 수 있는데, 바닥 구조보다 더 큰 정상(top) 너비 또는 지름 및 바닥 구조보다 더 낮은 정상 두께/높이를 가지는 정상 구조를 포함하며, 상기 정상 너비 또는 지름은 약 1μm 내지 약 20μm, 또는 약 2μm 내지 약 15μm, 또는 약 2μm 내지 약 5μm의 범위이고, 바닥 너비/지름 구조는 약 0.5μm 내지 약 15μm, 또는 약 1μm 내지 약 12μm, 또는 약 1.5μm 내지 4μm가 될 수 있다.
실시형태에서, 물결 모양의 측벽 및/또는 돌출부 구조를 가진 기둥 배열; 및/또는 물결 모양의 측벽 및/또는 돌출부 구조를 가진 그루브 구조가 텍스처화 표면을 형성하기 위해서는 장치 (100A) 및/또는 (200A)의 전체 표면부의 약 0.5% 내지 약 40%, 또는 약 1% 내지 약 30%, 또는 약 4% 내지 약 20%의 고체 영역 범위를 가질 수 있다. 실시형태에서, 기둥 배열 및/또는 그루브 구조의 크기, 모양, 및/또는 고체 영역 범위는 제한되지 않는다. 예를 들어, 기둥 및 그루브 구조는 원형, 타원형, 정사각형, 직사각형, 삼각형, 또는 별-모양을 포함하나 이에 한정되지는 않는 단면도 형태를 가질 수 있다.
도1b 및 도2b에 각각 도시된 입자 복합체 층(150)은 장치 (100A) 및/또는 (200A)의 텍스처화 표면의 전체 표면 위에 정각으로 배치될 수 있다. 컨포멀 입자 복합체 층(150)의 표면은 복수의 금속-함유 입자를 포함할 수 있으며, 적어도 하나의 차원(dimension)이 약 1nm 내지 약 200nm, 또는 약 5nm 내지 약 150nm, 또는 약 10nm 내지 약 100nm의 범위의 나노-스케일이며, 형성된 장치의 표면 형태를 추가로 제어할 수 있다.
복수의 금속-함유 입자는 예를 들어, Al2O3, TiO2, SiO2, SiC, TiC, Fe2O3, SnO2, ZnO, HfO2, TiN, TaN, GeO2, WN, NbN, Ru, Ir, Pt, ZnS, 및/또는 그 조합으로 형성될 수 있다. 실시형태에서, 컨포멀 입자 복합체 층(150)은 약 1nm 내지 약 200nm, 또는 약 5nm 내지 약 150nm, 또는 약 10nm 내지 약 100nm의 범위의 층 두께를 가질 수 있다. 경우에 따라서, 금속-함유 입자에 추가하여, 컨포멀 입자 복합체 층(150)은 예를 들어, 실란 산화물, 예를 들어 Al-O-Al(CH3)2 또는 AlOH, SiOx-(CH2)2-SiOx 같은 알킬 알루미늄 산화물, 산화 아연, 또는 주석 산화물 등을 포함할 수 있어서, 입자 층과 기재 사이에서 좋은 접착력을 갖게 할 수 있다.
적절한 방법과 공정이 금속-함유 입자를 포함하는 입자 복합체 층(150)을 형성하는데 사용될 수 있다. 예를 들어, 입자 복합체 층(150)은 원자층 증착법(ALD), 화학적 기상 증착(CVD), 또는 다른 적절한 공정들, 및/또는 그 조합에 의해 (100A) 및 (200A)의 전체 텍스처화 표면 위에 정각으로 형성될 수 있다. 예시적인 실시형태에서, 입자 복합체 층(150)은 예를 들어, ALD 및 CVD를 포함하는 하이브리드 공정에 의해 제조된, 복수의 Al2O3 입자 및 실란 산화물을 포함할 수 있다.
도1c 및 도2c에서, 입자 복합체 층(150)은 화학적으로 개질될 수 있어서, 장치 (100B) 및 (200B)의 멀티-스케일 표면의 내오염성 성질을 제공하거나 강화하는 것과 같이, 원하는 표면 특성을 추가로 제공할 수 있다. 입자 복합체 층(150)의 적절한 화학적 처리가 사용될 수 있다. 예를 들어, 과불소화 알킬 쇄를 포함하는 자가-조립(self-assembled) 층(160)이 입자 복합체 층(150)에 증착될 수 있다.
분자 기상 증착(molecular vapor deposition, MVD) 기술, CVD 기술, 또는 용액 코팅 기술과 같이, 다양한 기술들이 입자 복합체 층(150)의 표면 위에 과불소화 알킬 쇄의 자가-조립 층을 증착시키는데 사용될 수 있다. 실시형태에서, 텍스처화 기재를 화학적으로 개질(modification)시키는 단계는 MVD 기술, CVD 기술, 또는 용액 자가 조립 기술을 통하여 도1b 및/또는 2b에 도시된 멀티-스케일 표면 위에 정각으로 자가-조립하는 플루오로실란 코팅에 의한 화학적 개질을 포함할 수 있다. 특정 실시형태에서, 화학적 개질은 MVD 기술 또는 용액 코팅 기술을 사용하여 트리데카플루오로-1,1,2,2-테트라히드로옥틸트리클로로실란, 트리데카플루오로-1,1,2,2-테트라히드로옥틸트리메톡시실란, 트리데카플루오로-1,1,2,2-테트라히드로옥틸트리에톡시실란, 헵타데카플루오로-1,1,2,2-테트라히드로옥틸트리클로로실란, 헵타데카플루오로-1,1,2,2-테트라히드로옥틸트리메톡시실란, 헵타데카플루오로-1,1,2,2-테트라히드로옥틸트리에톡시실란, 또는 그 조합 등으로 조립된 층을 배치하는 것을 포함할 수 있다.
이와같은 방식으로, 예시적인 장치를 도1c 및 도2c에서 도시된 바와 같이 제조하여 초내오염성의 멀티-스케일 표면을 제공할 수 있다. 실시형태에서, 예시적인 장치는 초내오염성이고 초소수성인 표면을 가질 수 있다.
탄화수소계 액적(droplet), 예를 들어, 헥사데칸 또는 잉크의 액적은 장치 (100C) 및 (200C)의 멀티-스케일 초내오염성 표면을 갖고, 예를 들어, 약 100° 내지 약 175°, 또는 약 120° 내지 약 170°의 범위의, 접촉각 약 100° 또는 그 이상과 같은 초고접촉각을 형성할 수 있다. 탄화수소계 액적은 또한 개시된 멀티-스케일 초내오염성의 표면을 갖는, 약 1° 내지 약 30°, 또는 약 1° 내지 약 25°, 또는 약 1° 내지 약 20°의 흐름각(sliding angle)을 형성할 수 있다.
경우에 따라서, 물방울은 개시된 멀티-스케일 초내오염성의 표면을 갖는, 예를 들어, 약 120° 내지 약 175°, 또는 약 130° 내지 약 165°의 범위의, 약 120° 또는 그 이상의 접촉각과 같은 고접촉각을 형성할 수 있다. 물방울은 또한 멀티-스케일 초내오염성 표면을 갖고, 예를 들어, 약 1° 내지 약 30°, 또는 약 1° 내지 약 25°, 또는 약 1° 내지 약 20°의 흐름각을 형성할 수 있다.
실시형태에서, 멀티-스케일 초내오염성 장치를 잉크젯 프린트 헤드 전면부와 결합시켰을 때, 자외선(UV) 겔 잉크의 분사된 액적(이하 “UV 잉크”로도 함) 및/또는 고체 잉크의 분사된 액적은 멀티-스케일 초내오염성 표면에 낮은 접착력을 보일 수 있다. 본 발명에서 사용된 용어 “잉크 액적(drops)”은 자외선(UV) 겔 잉크의 분사된 액적 및/또는 고체 잉크의 분사된 액적을 말한다.
따라서, 멀티-스케일 초내오염성 장치는 잉크 액적과 표면 사이에 낮은 접착력 때문에, 잉크젯 프린트 헤드 전면부용 발수성(anti-wetting)의 용이 세척, 자가 세척 표면 장치로서 사용될 수 있다. 예를 들어, 멀티-스케일의 초내오염성 장치는 잉크젯 프린트 헤드의 스테인리스 강철 개구판과 같은 전면부에 연결될 수 있다.
도5는 본 발명의 다양한 실시형태에 따르는 멀티-스케일의 초내오염성 장치를 포함하는 예시적인 프린트 헤드(500)를 도시한다. 도시한 바와 같이, 예시적인 프린트 헤드(500)는 한쪽 면 위에 변환기(transducer)(504) 및 반대쪽 면 위에 어코스틱(acoustic) 렌즈(506)를 가진 기본의 기재(502)를 포함할 수 있다. 기본기재(502)로부터 일정간격 떨어져서 액체 수준 조절 판(508)이 위치할 수 있다. 본 발명의 다양한 실시형태에 따르는 멀티-스케일 초내오염성의 장치는 판(508)을 따라서 배치될 수 있다. 기본 기재(502)와 액체 수준 조절 판(508)은 흐르는 액체(512)를 잡아두는 경로의 경계를 정할 수 있다. 액체 수준 조절 판(508)은 개구(516)의 배열(514)을 포함할 수 있다. 변환기(504), 어코스틱 렌즈(506), 및 개구(516)는 모두 축방향으로 정렬될 수 있어서, 단일 변환기(504)에 의해 만들어진 어코스틱 웨이브는 정렬된 개구(516) 안에 대략 액체(512)의 자유도면(free surface)(518)에 정렬된 어코스틱(506)에 의해 집중될 수 있다. 충분한 힘이 가해졌을 때, 액적은 표면(518)에서 배출될 수 있다.
본 발명의 예시적인 프린트 헤드(500)는 잉크 액적이 프린트 헤드 전면부를 흘러내려 멀티-스케일 초내오염성 표면으로 인해 잔여물을 남기지 않기 때문에 잉크 오염을 막을 수 있다. 멀티-스케일 초내오염성 표면은 초내오염성으로 인하여 잉크젯 프린트 헤드 개구판에 높은 드룰 압력을 제공할 수 있다. 일반적으로, 잉크 접촉각이 클수록 드룰 압력은 더 높다. 드룰 압력은 잉크 탱크(저장소)의 압력이 증가할 때, 노즐 개구부로부터 잉크가 흐르는 것을 막는 개구판의 능력과 관계된다. 즉, 본 발명의 멀티-스케일 초내오염성 장치는 잉크 액적의 자외선 경화성 젤 잉크 및/또는 고체 잉크에 대한 낮은 접착력 및 높은 접촉각을 제공할 수 있으며, 추가로 드룰 압력을 향상시키거나 노즐 밖으로 잉크 흘러내림을 감소(또는 제거)시키는 장점을 제공한다.

Claims (14)

  1. 기재;
    기재 위에 배치되고, 텍스처화 표면을 포함하는 반도체 층으로서, 상기 텍스처화 표면은 하나 이상의 기둥 구조, 그루브 구조, 및 그 조합에 의해 형성되는 반도체 층;
    상기 반도체 층의 텍스처화 표면에 배치된 컨포멀(conformal) 입자 복합체 층으로서, 상기 컨포멀 입자 복합체 층의 표면은 복수의 금속-함유 입자를 포함하는 컨포멀 입자 복합체 층; 및
    멀티-스케일 초내오염성(superoleophobic) 표면을 가진 장치를 제공하기 위해 컨포멀 입자 복합체 층에 배치된 컨포멀 내오염성(oleophobic) 코팅;을 포함하고,
    상기 기둥 구조 및 그루브 구조 각각은 물결 모양의 측벽, 돌출부 구조, 또는 그 조합을 포함하며,
    상기 기둥 구조 및 그루브 구조 각각은 1μm 내지 20μm 범위의 지름을 가지며,
    상기 물결 모양의 측벽은 각각의 웨이브가 100nm 내지 1000nm 크기를 갖는 복수의 웨이브를 포함하며,
    상기 돌출부 구조는 1μm 내지 20μm 범위의 정상(top) 너비를 가진 정상 구조 및 0.5μm 내지 15μm 범위의 바닥(bottom) 너비를 가진 바닥 구조를 포함하는 T형 구조를 포함하는 초내오염성 장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 복수의 금속-함유 입자 각각은 Al2O3, TiO2, SnO2, ZnO, SiO2, SiC, TiC, Fe2O3, HfO2, TiN, TaN, WN, NbN, Ru, Ir, Pt, ZnS, GeO2 및 그 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 초내오염성 장치.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 복수의 금속-함유 입자는 적어도 하나의 차원(dimension)이 1nm 내지 100nm 범위를 갖는 초내오염성 장치.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 컨포멀 입자 복합체 층은 1nm 내지 200nm 범위의 층 두께를 가진 초내오염성 장치.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 컨포멀 입자 복합체 층은 추가로 실란 산화물, 알킬 알루미늄 산화물, 산화 아연 또는 주석 산화물을 포함하는 초내오염성 장치.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 멀티-스케일 초내오염성 표면은 헥사데칸과 120° 이상의 접촉각을 가진 초내오염성 장치.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 멀티-스케일 초내오염성 표면은 헥사데칸과 30° 이하의 흐름각(sliding angle)을 가진 초내오염성 장치.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 컨포멀 내오염성 코팅을 위한 전구체는 트리데카플루오로-1,1,2,2-테트라히드로옥틸트리클로로실란, 트리데카플루오로-1,1,2,2-테트라히드로옥틸트리메톡시실란, 트리데카플루오로-1,1,2,2-테트라히드로옥틸트리에톡시실란, 헵타데카플루오로-1,1,2,2-테트라히드로옥틸트리클로로실란, 헵타데카플루오로-1,1,2,2-테트라히드로옥틸트리메톡시실란, 헵타데카플루오로-1,1,2,2-테트라히드로옥틸트리에톡시실란, 또는 그 조합인 초내오염성 장치.
  9. 청구항 1에 있어서,
    상기 기둥 구조 및 그루브 구조 각각은 0.3μm 내지 4μm 범위의 높이를 가진 초내오염성 장치.
  10. 청구항 1에 있어서,
    상기 반도체 층 위에 하나 이상의 기둥 구조, 그루브 구조 및 그 조합의 고체 영역 범위는 0.5% 내지 40%인 초내오염성 장치.
  11. 삭제
  12. 청구항 1에 있어서,
    상기 기재는 유연(flexible)하고, 폴리이미드 필름, 폴리에틸렌 나프탈레이트 필름, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름, 폴리에테르술폰 필름, 폴리에테르이미드 필름, 스테인리스 강철 필름, 알루미늄 필름, 구리 필름, 또는 니켈 필름을 포함하는 초내오염성 장치.
  13. 전면부를 포함하는 잉크젯 프린트 헤드로서, 상기 전면부는 청구항 1의 초내오염성 장치를 포함하는 잉크젯 프린트 헤드.
  14. 청구항 13에 있어서,
    상기 전면부는 자가-세척(self cleaning)이며, 전면부의 표면과 고체 잉크 또는 UV 잉크의 잉크 액적은 30° 이하의 낮은 흐름각을 가진 잉크젯 프린트 헤드.
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