KR101839879B1 - Deposition apparatus - Google Patents

Deposition apparatus Download PDF

Info

Publication number
KR101839879B1
KR101839879B1 KR1020160118317A KR20160118317A KR101839879B1 KR 101839879 B1 KR101839879 B1 KR 101839879B1 KR 1020160118317 A KR1020160118317 A KR 1020160118317A KR 20160118317 A KR20160118317 A KR 20160118317A KR 101839879 B1 KR101839879 B1 KR 101839879B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
deposition
deposition apparatus
deposition rate
thin film
film forming
Prior art date
Application number
KR1020160118317A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
문일권
황도원
Original Assignee
(주)알파플러스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by (주)알파플러스 filed Critical (주)알파플러스
Priority to KR1020160118317A priority Critical patent/KR101839879B1/en
Priority to PCT/KR2017/010016 priority patent/WO2018052236A2/en
Priority to JP2019534621A priority patent/JP6751820B2/en
Priority to CN201780054794.1A priority patent/CN109689926B/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101839879B1 publication Critical patent/KR101839879B1/en

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
    • C23C14/542—Controlling the film thickness or evaporation rate
    • C23C14/543—Controlling the film thickness or evaporation rate using measurement on the vapor source
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C23C14/243—Crucibles for source material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
    • C23C14/542—Controlling the film thickness or evaporation rate
    • C23C14/545—Controlling the film thickness or evaporation rate using measurement on deposited material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/568—Transferring the substrates through a series of coating stations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/02631—Physical deposition at reduced pressure, e.g. MBE, sputtering, evaporation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
    • H01L21/203—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy using physical deposition, e.g. vacuum deposition, sputtering

Abstract

The present invention relates to a deposition apparatus whose technical object is to provide the deposition apparatus capable of protecting a surface of a substrate from contaminants stuck to a nozzle for deposition. For the object above, the deposition apparatus of the present invention is the deposition apparatus for depositing one or more thin film forming materials on the substrate, and comprises: a first linear evaporation source having a plurality of nozzles for deposition for ejecting a first thin film forming material to the substrate, and a first conduction pipe arranged in the long direction in the first direction; a fixed type covering member provided between the first conduction pipe and the substrate and includes a passage region area for passing a part of the first thin film forming material to be injected to the substrate and a blocking region area for blocking the remainder of the first thin film forming material; and a first pollution prevention member provided on a stationary cover member to prevent the contaminants adhering to at least one nozzle for deposition of the plurality of nozzles for deposition from moving to the substrate.

Description

증착 장치{Deposition apparatus}[0001]

본 발명은 선형 증발원을 이용한 증착 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a deposition apparatus using a linear evaporation source.

일반적으로, 증착 장치는, 반도체 제조 공정에서 웨이퍼 표면에 특정 물질로 이루어진 박막을 형성하거나, 대형 평판 디스플레이 장치의 제조에 있어서, 유리 기판 등의 표면에 원하는 물질의 박막을 형성하는 데 사용되고 있다.In general, a deposition apparatus is used for forming a thin film made of a specific material on a wafer surface in a semiconductor manufacturing process, or for forming a thin film of a desired material on a surface of a glass substrate or the like in the manufacture of a large flat panel display device.

이러한 증착 장치는, 진공 챔버와, 웨이퍼나 기판 등(이하, "기판"이라 함)을 진공 챔버에 구비시키는 장착부와, 기판의 표면으로 박막 형성용 물질을 증발시키는 선형 증발원을 포함한다.Such a deposition apparatus includes a vacuum chamber, a mounting portion for providing a wafer or a substrate (hereinafter referred to as "substrate") in a vacuum chamber, and a linear evaporation source for evaporating the thin film forming material onto the surface of the substrate.

특히, 선형 증발원은, 박막 형성용 물질이 담기는 도가니와, 도가니를 가열하는 히터와, 그리고 가열된 박막 형성용 물질을 기판의 표면으로 분사시키기 위해 선형으로 배열된 복수의 증착용 노즐을 포함한다.In particular, the linear evaporation source includes a crucible containing a thin film forming material, a heater for heating the crucible, and a plurality of vapor deposition nozzles linearly arranged for jetting the heated thin film forming material onto the surface of the substrate .

하지만, 기존의 증착 장치는, 증착용 노즐에 달라붙은 오염 물질이 분사되거나 떨어져 기판의 표면을 오염시키는 문제가 있다.However, the conventional deposition apparatus has a problem that contaminants sticking to the vapor deposition nozzle are sprayed or fall and contaminate the surface of the substrate.

또한, 각각의 증착용 노즐의 분사량이 달라 기판의 표면에 증착되는 박막 형성된 물질의 증착두께에 편차가 발생되는 문제가 있다. 즉, 선형 증발원에서 박막 형성용 물질의 이동방향을 기준으로 각각의 증착용 노즐 중 상대적으로 후단측에 위치된 증착용 노즐의 분사량이 작을 수 있어 기판 상의 증착두께에 편차가 발생되는 문제가 있다.In addition, there is a problem that the deposition amount of the thin film-formed material deposited on the surface of the substrate is varied due to a difference in injection quantity of each of the vapor deposition nozzles. That is, the injection amount of the vapor deposition nozzle located at the rear end side relative to the moving direction of the thin film forming material in the linear evaporation source is relatively small among the vapor deposition nozzles, thereby causing a variation in the deposition thickness on the substrate.

또한, 두 개의 서로 다른 박막 형성용 물질을 증착시키기 위해 두 개의 선형 증발원을 사용한다 하더라도 요구되는 증착률을 발생시키는 온도(이하, "요구 증착률 발생 온도"라 함)가 서로 달라 두 가지의 박막 형성용 물질의 증착률에 편차가 발생되는 문제가 있다. 예를 들어, 각각의 선형 증발원의 도가니 온도가 동일할 경우 상대적으로 요구 증착률 발생 온도가 높은 박막 형성용 물질에 대해서는 증착률이 상대적으로 떨어지는 문제가 있고, 그 요구 증착률 발생 온도가 높은 박막 형성용 물질의 증착률을 높이기 위해 해당 선형 증발원의 도가니 온도를 높일 경우 선형 증발원의 열적 안정성이 떨어지는 문제가 있다.Further, even if two linear evaporation sources are used to deposit two different thin film forming materials, the temperature at which the required deposition rate is generated (hereinafter referred to as "required deposition rate generating temperature") is different, There is a problem that the deposition rate of the forming material is varied. For example, when the temperatures of the crucibles of the respective linear evaporation sources are the same, there is a problem that the deposition rate is relatively lower for a thin film forming material having a relatively high required deposition rate generation temperature. There is a problem that the thermal stability of the linear evaporation source is lowered when the crucible temperature of the linear evaporation source is increased in order to increase the deposition rate of the material.

본 발명의 기술적 과제는, 증착용 노즐에 달라붙은 오염 물질로부터 기판의 표면을 보호할 수 있는 증착 장치를 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a deposition apparatus capable of protecting the surface of a substrate from contaminants adhered to a deposition nozzle.

본 발명의 다른 기술적 과제는, 기판의 표면에 증착되는 박막 형성된 물질의 증착두께의 편차를 최소화할 수 있는 증착 장치를 제공하는 것이다.It is another object of the present invention to provide a deposition apparatus capable of minimizing a variation in the thickness of deposition of a thin film-formed material deposited on a surface of a substrate.

본 발명의 또 다른 기술적 과제는, 요구되는 증착률을 발생시키는 온도(이하, "요구 증착률 온도"라 함)가 서로 다른 적어도 두 가지의 박막 형성용 물질을 동시에 기판의 표면에 증착하면서도 증착률의 상대적 저감을 막음과 동시에 선형 증발원의 열적 안정성을 확보할 수 있는 증착 장치를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a method of manufacturing a thin film forming apparatus which is capable of simultaneously depositing at least two thin film forming materials having different required temperatures (hereinafter, referred to as "required deposition rate temperature" And to provide a deposition apparatus capable of securing thermal stability of a linear evaporation source.

본 발명의 또 다른 기술적 과제는, 서로 다른 적어도 두 가지의 박막 형성용 물질의 증착률 비를 기판 상의 모든 위치에 대해 최대한 동일하게 할 수 있는 증착 장치를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a deposition apparatus capable of making the deposition rate ratio of at least two different thin film forming materials as equal as possible to all positions on a substrate.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예에 따른 증착 장치는, 기판에 하나 이상의 박막 형성용 물질을 증착시키기 위한 증착 장치로서, 상기 기판으로 제1 박막 형성용 물질을 분사시키기 위한 복수의 증착용 노즐이 제1 방향으로 길게 배열된 제1 전도관을 가지는 제1 선형 증발원; 상기 제1 전도관과 상기 기판 사이에 구비되며 상기 분사되는 제1 박막 형성용 물질의 일부를 상기 기판으로 통과시키는 통과 영역부와 상기 제1 박막 형성용 물질의 나머지를 차단시키는 가림 영역부를 포함하는 고정형 가림 부재; 및 상기 고정형 가림 부재에 구비되어 상기 복수의 증착용 노즐 중 적어도 하나의 증착용 노즐에 묻은 오염 물질이 상기 기판으로 이동되는 것을 막는 제1 오염 방지 부재를 포함한다.In order to achieve the above object, a deposition apparatus according to an embodiment of the present invention is a deposition apparatus for depositing one or more thin film forming materials on a substrate, comprising: a plurality of deposits for spraying a first thin film forming material onto the substrate; A first linear evaporation source having a first conduit in which a wear nozzle is elongated in a first direction; And a blocking region provided between the first conduction tube and the substrate for blocking a portion of the first thin film forming material from passing through the substrate and blocking the rest of the first thin film forming material. Shielding member; And a first contamination preventing member provided on the stationary cover member to prevent contaminants adhering to at least one of the plurality of vapor deposition nozzles from being moved to the substrate.

상기 제1 오염 방지 부재는, 상기 통과 영역부를 가로질러 구비되어 상기 통과 영역부를 제1 및 제2 통과 영역으로 구분시킬 수 있다.The first antifouling member may be provided across the passage region to divide the passage region into first and second passage regions.

상기 제1 오염 방지 부재는, 상기 통과 영역부를 제1 방향으로 가로질러 길게 구비될 수 있고, 상기 복수의 증착용 노즐은, 상기 제1 오염 방지 부재에 대응되게 배열될 수 있다.The first contamination prevention member may be provided so as to extend in the first direction across the passage area, and the plurality of vapor deposition nozzles may be arranged corresponding to the first pollution prevention member.

상술한 본 발명의 실시예에 따른 증착 장치는, 상기 고정형 가림 부재에 제1 힌지 축에 의해 회동 가능하게 구비되며 상기 제1 통과 영역의 폭을 조절하는 제1 회전형 가림 부재를 더 포함할 수 있다.The deposition apparatus according to the present invention may further include a first rotatable shielding member rotatably supported by the first hinge shaft on the stationary shielding member and adjusting the width of the first passage region have.

상기 제1 힌지 축은, 상기 고정형 가림 부재의 상기 가림 영역부에 구비되되 상기 제1 오염 방지 부재의 측면의 중심에 대해 수직되는 위치에 구비될 수 있다.The first hinge axis may be provided at a position which is provided in the covering region of the fixed type covering member and perpendicular to the center of the side surface of the first contamination preventing member.

상기 제1 통과 영역의 폭은, 상기 제1 회전형 가림 부재의 회전에 의해 상기 제1 전도관의 선단으로 갈수록 선형적으로 점점 작아지고 상기 제1 전도관의 말단으로 갈수록 선형적으로 점점 커질 수 있다.The width of the first passage area may be linearly decreased gradually toward the tip of the first conduit by the rotation of the first rotatable blocking member and may gradually increase linearly toward the distal end of the first conduit.

상술한 본 발명의 실시예에 따른 증착 장치는, 상기 고정형 가림 부재에 제2 힌지 축에 의해 회동 가능하게 구비되며 상기 제2 통과 영역의 폭을 상기 제1 전도관의 선단으로 갈수록 선형적으로 점점 작아지고 상기 제1 전도관의 말단으로 갈수록 선형적으로 점점 커지게 조절하는 제2 회전형 가림 부재를 더 포함할 수 있다.The deposition apparatus according to an embodiment of the present invention may be provided with a stationary cover member rotatably supported by a second hinge shaft and linearly decreasing in width toward the tip of the first conduction pipe And a second rotatable blocking member for linearly increasing the distance from the end of the first conductive pipe to the end of the first conductive pipe.

상술한 본 발명의 실시예에 따른 증착 장치는, 상기 제1 및 제2 회전형 가림 부재에 각각 회전력을 가하는 제1 및 제2 구동부; 상기 고정형 가림 부재의 상기 가림 영역부 중 상기 제1 전도관의 선단부에 대응하는 제1 부분에 구비되어 증착률을 측정하는 선단측 증착률 센서; 및 상기 고정형 가림 부재의 상기 가림 영역부 중 상기 제1 전도관의 말단부에 대응하는 제2 부분에 구비되어 증착률을 측정하는 말단측 증착률 센서를 더 포함할 수 있다.The deposition apparatus according to an embodiment of the present invention may include first and second driving units applying rotational forces to the first and second rotatable type closure members, respectively; A tip side deposition rate sensor provided at a first portion corresponding to a front end portion of the first conductive pipe among the covering region of the fixed type covering member to measure a deposition rate; And a terminal side deposition rate sensor provided at a second portion of the shielding region of the fixed cover member corresponding to the distal end of the first conductive pipe to measure the deposition rate.

상기 선단측 증착률 센서에서 측정된 선단측 증착률이 상기 말단측 증착률 센서에서 측정된 말단측 증착률보다 크면, 상기 제1 및 제2 구동부 각각은, 상기 제1 및 제2 통과 영역의 각 폭이 상기 제1 전도관의 선단으로 갈수록 선형적으로 점점 작아지고 상기 제1 전도관의 말단으로 갈수록 선형적으로 점점 커지게 상기 제1 및 제2 회전형 가림 부재를 각각 회전시킬 수 있다.If the tip-side deposition rate measured by the tip-side deposition rate sensor is larger than the terminal-side deposition rate measured by the terminal-side deposition rate sensor, each of the first and second drive portions The first and second rotatable type shielding members can be rotated in such a manner that the width gradually decreases linearly toward the tip of the first conductive pipe and linearly increases toward the end of the first conductive pipe.

상술한 본 발명의 실시예에 따른 증착 장치는, 상기 제1 전도관의 좌측에 놓이며 제2 박막 형성용 물질을 안내하는 제2 전도관; 및 상기 제1 전도관의 우측에 놓이며 상기 제2 박막 형성용 물질과 동일한 물질인 제3 박막 형성용 물질을 안내하는 제3 전도관을 더 포함할 수 있고, 상기 제2 및 제3 박막 형성용 물질은 요구 증착률 발생 온도가 상기 제1 박막 형성용 물질보다 높은 물질일 수 있다.The deposition apparatus according to the embodiment of the present invention may further include: a second conduit disposed on the left side of the first conduction tube and guiding the second thin film formation material; And a third conduit located on the right side of the first conduction pipe and guiding a third thin film forming material which is the same material as the second thin film forming material, and the second and third thin film forming materials May be a material whose required deposition rate generation temperature is higher than that of the first thin film forming material.

상술한 본 발명의 실시예에 따른 증착 장치는, 상기 고정형 가림 부재에 구비되되 상기 제2 전도관에 대응되게 구비되는 제2 오염 방지 부재; 및 상기 고정형 가림 부재에 구비되되 상기 제3 전도관에 대응되게 구비되는 제3 오염 방지 부재를 더 포함할 수 있다.The deposition apparatus according to the embodiment of the present invention may further include a second pollution prevention member provided on the stationary cover member and corresponding to the second conduction pipe; And a third contamination prevention member provided on the fixed type covering member and corresponding to the third conduction pipe.

상기 제2 및 제3 전도관 각각은, 서로 다른 제2 및 제3 선형 증발원에 각각 포함될 수 있다.Each of the second and third conduits may be included in the second and third linear evaporation sources, respectively.

상기 제2 및 제3 전도관은, 제1 전도관에 대해 평행하게 놓일 수 있고, 상기 제2 전도관, 상기 제1 전도관, 그리고 상기 제3 전도관은, 이 순서로 원호를 그리며 놓일 수 있다.The second and third conduits may be placed parallel to the first conduit, and the second conduit, the first conduit, and the third conduit may be placed in an arc in this order.

상기 원호의 중심은, 상기 기판에 제1 부분에 위치될 수 있고, 상기 제1 부분은, 상기 통과 영역부의 중심에 대응되는 부분일 수 있다.The center of the arc may be located on the first portion of the substrate, and the first portion may be a portion corresponding to the center of the passage region.

상술한 본 발명의 실시예에 따른 증착 장치는, 상기 제1, 제2 및 제3 전도관 각각에 구비되어 각각의 증착률을 측정하는 하나 이상의 증착률 측정부를 더 포함할 수 있다.The deposition apparatus according to an embodiment of the present invention may further include at least one deposition rate measuring unit provided in each of the first, second, and third conduits to measure the deposition rate of each of the first, second, and third conduits.

상기 증착률 측정부는, 상기 제1, 제2 및 제3 전도관 각각에 연통되게 구비되는 측정용 노즐; 상기 제1, 제2 및 제3 전도관 각각에 일단이 구비되어 상기 측정용 노즐에서 분사되는 박막 형성용 물질을 안내하는 측정용 전도관; 및 상기 측정용 전도관의 타단에 구비되며 상기 분사되는 박막 형성용 물질의 증착률을 측정하는 전도관측 증착률 센서를 포함할 수 있다.The deposition rate measuring unit may include: a measurement nozzle communicating with the first, second, and third conduits; A measuring conduit provided at one end of each of the first, second and third conduits to guide the thin film forming material sprayed from the measuring nozzle; And a conduction measurement deposition rate sensor provided at the other end of the measurement conduction tube for measuring the deposition rate of the thin film formation material to be injected.

상기 하나 이상의 증착률 측정부는, 상기 제1, 제2 및 제3 전도관의 각 선단부에 구비되어 각각의 증착률을 측정하는 선단측 증착률 측정부; 및 상기 제1, 제2 및 제3 전도관의 각 말단부에 구비되어 각각의 증착률을 측정하는 말단측 증착률 측정부를 포함할 수 있다.The at least one deposition rate measuring unit may include a tip deposition rate measuring unit provided at each of the tip ends of the first, second, and third conduction tubes to measure a deposition rate of each of the first, second, and third conduction tubes. And a terminal deposition rate measuring unit provided at each end of the first, second, and third conduction tubes to measure a deposition rate of each of the first, second, and third conduction tubes.

상술한 본 발명의 실시예에 따른 증착 장치는, 상기 기판을 제2 방향으로 이송시키는 기판 이송부를 더 포함할 수 있고, 상기 제1 및 제2 방향은 서로 수직될 수 있다.The deposition apparatus according to an embodiment of the present invention may further include a substrate transferring unit for transferring the substrate in a second direction, and the first and second directions may be perpendicular to each other.

이상에서와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 증착 장치는 다음과 같은 효과를 가질 수 있다.As described above, the deposition apparatus according to the embodiment of the present invention can have the following effects.

본 발명의 실시예에 의하면, 제1 박막 형성용 물질을 안내하는 제1 전도관을 가지는 제1 선형 증발원과, 통과 영역부와 가림 영역부를 가지는 고정형 가림 부재와, 그리고 제1 오염 방지 부재를 포함하는 기술구성을 제공하므로, 제1 전도관의 복수의 증착용 노즐 중 하나 이상에 달라붙은 오염 물질이 기판의 표면으로 이동되기 전에 제1 오염 방지 부재에 의해 차단되어 기판의 표면을 오염 물질로부터 보호할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, there is provided a thin film forming apparatus including: a first linear evaporation source having a first conducting pipe for guiding a first thin film forming material; a stationary covering member having a passage region and a covering region; So that the surface of the substrate can be protected from contaminants by being blocked by the first contamination preventing member before the contaminants adhering to at least one of the plurality of vaporizing nozzles of the first conduit are moved to the surface of the substrate have.

또한, 본 발명의 실시예에 의하면, 제1 회전형 가림 부재를 더 포함하는 기술구성을 제공하므로, 각각의 증착용 노즐의 분사량이 제1 전도관의 후단으로 갈수록 점점 작아지더라도 고정형 가림 부재의 제1 통과 영역의 폭이 제1 회전형 가림 부재의 회전에 의해 제1 전도관의 선단으로 갈수록 선형적으로 점점 작아지고 제1 전도관의 후단으로 갈수록 선형적으로 점점 커질 수 있어, 제1 전도관의 길이 방향에 대해 발생될 수 있는 기판 상의 증착두께의 편차를 최소화할 수 있다.Further, according to the embodiment of the present invention, since the technical constitution further includes the first rotation type closure member, even if the injection amount of each of the vapor-deposition nozzles becomes gradually smaller toward the rear end of the first conduit, The width of the one passage area gradually decreases linearly toward the front end of the first conductive pipe due to the rotation of the first rotation type blocking member and gradually increases linearly toward the rear end of the first conductive pipe, The variation of the deposition thickness on the substrate that can be generated for the substrate can be minimized.

또한, 본 발명의 실시예에 의하면, 제2 및 제3 박막 형성용 물질을 각각 안내하는 제2 및 제3 전도관을 더 포함하는 기술구성을 제공하므로, 서로 동일한 물질인 제2 및 제3 박막 형성용 물질의 요구 증착률 발생 온도가 이와 다른 물질인 제1 박막 형성용 물질의 요구 증착률 발생 온도보다 높더라도, 동일한 물질인 제2 및 제3 박막 형성용 물질이 두 개의 전도관인 제2 및 제3 전도관에서 제공되어 이 물질에 대한 증착률의 상대적 저감을 막음과 동시에 상대적으로 낮은 제1 박막 형성용 물질의 요구 증착률 발생 온도로 충분히 가동될 수 있어 각각의 선형 증발원의 열적 안정성을 확보할 수 있다. 예를 들어, 제1, 제2 및 제3 선형 증발원의 도가니 온도가 동일할 경우 상대적으로 요구 증착률 발생 온도가 높은 박막 형성용 물질에 대해서도 두 개의 제2 및 제3 선형 증발원으로부터 동일한 물질인 제2 및 제3 박막 형성용 물질을 제공하게 되므로 이 물질에 대해 증착률이 상대적으로 떨어지는 것을 막을 수 있고, 이와 함께 상대적으로 낮은 제1 박막 형성용 물질의 요구 증착률 발생 온도로 가동될 수 있어 각각의 선형 증발원의 열적 안정성을 확보할 수 있다.In addition, according to the embodiment of the present invention, since the second and third conductive paths guide the second and third thin film forming materials, respectively, the second and third thin film formation Even if the required deposition rate generation temperature of the first material is higher than the required deposition rate of the first thin film forming material, which is another material, the second and third thin film forming materials, which are the same material, 3 conduction tube to prevent the relative reduction of the deposition rate on the material and to operate at the required deposition rate of the relatively low first film forming material temperature to ensure the thermal stability of each linear evaporation source. have. For example, when the crucible temperatures of the first, second, and third linear evaporation sources are the same, even for the thin film forming material having a relatively high required deposition rate generation temperature, the two materials from the second and third linear evaporation sources, 2 and the third thin film forming material, it is possible to prevent the deposition rate from being relatively low for the material, and at the same time, it can be operated at the required deposition rate generating temperature of the relatively low first thin film forming material The thermal stability of the linear evaporation source can be secured.

또한, 본 발명의 실시예에 의하면, 제2 및 제3 전도관이 제1 전도관에 대해 평행하게 놓이고, 제2 전도관, 제1 전도관, 그리고 제3 전도관이 이 순서로 원호를 그리며 놓이는 기술구성을 제공하므로, 서로 다른 적어도 두 가지의 박막 형성용 물질의 증착률 비를 기판 상의 모든 위치에 대해 최대한 동일하게 할 수 있다.According to the embodiment of the present invention, the second and third conduits are placed parallel to the first conduit, and the second conduit, the first conduit, and the third conduit are arranged in an arc in this order So that the deposition rate ratio of at least two different thin film forming materials can be maximized for all positions on the substrate.

도 1은 본 발명의 제1, 제2 및 제3 실시예에 따른 증착 장치에 각각 사용되는 선형 증발원을 개략적으로 나타낸 부분 절개 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 증착 장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 3은 도 2의 증착 장치를 제1 전도관에서 바라본 도면이다.
도 4는 본 발명의 제1 실시예의 변형례에 따른 증착 장치를 제1 전도관에서 바라본 도면이다.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 증착 장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 6은 본 발명의 제3 실시예에 따른 증착 장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 7은 도 5의 증착 장치에서 기판의 이송 좌표에 따른 증착률의 변화를 보인 그래프이다.
도 8은 도 6의 증착 장치에서 기판의 이송 좌표에 따른 증착률의 변화를 보인 그래프이다.
도 9는 도 5의 증착 장치(직선형 배치)와 도 6의 증착 장치(원호형 배치)를 함께 비교한 것으로, 기판의 이송 좌표에 따른 증착률 비의 변화를 보인 그래프이다.
도 10의 (a)은 각각의 전도관에 구비된 증착률 측정부를 개략적으로 나타낸 도면이고, (b)는 전도관의 전단과 후단에 각각 구비된 선단측 증착률 측정부와 말단측 증착률 측정부를 나타낸 도면이다.1 is a partial cutaway cross-sectional view schematically showing a linear evaporation source used in the deposition apparatus according to the first, second, and third embodiments of the present invention, respectively.
2 is a schematic view of a deposition apparatus according to a first embodiment of the present invention.
3 is a view of the deposition apparatus of FIG. 2 viewed from the first conduit.
4 is a view showing a deposition apparatus according to a modification of the first embodiment of the present invention as viewed from a first conduit.
5 is a schematic view of a deposition apparatus according to a second embodiment of the present invention.
6 is a schematic view of a deposition apparatus according to a third embodiment of the present invention.
7 is a graph showing a change in the deposition rate according to the transfer coordinates of the substrate in the deposition apparatus of FIG.
8 is a graph showing a change in the deposition rate according to the transfer coordinates of the substrate in the deposition apparatus of FIG.
FIG. 9 is a graph showing a change in the deposition rate ratio according to the transfer coordinates of the substrate, which is a comparison between the deposition apparatus (linear arrangement) in FIG. 5 and the deposition apparatus (arcuate arrangement) in FIG.
10 (a) is a schematic view of a deposition rate measuring unit provided in each of the conduits, and FIG. 10 (b) shows a tip deposition rate measuring unit and a terminal deposition rate measuring unit provided at the front end and the rear end of the conduit, respectively FIG.

이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, which will be readily apparent to those skilled in the art to which the present invention pertains. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein.

도 1은 본 발명의 제1, 제2 및 제3 실시예에 따른 증착 장치에 각각 사용되는 선형 증발원을 개략적으로 나타낸 부분 절개 단면도이고, 도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 증착 장치를 개략적으로 나타낸 도면이며, 그리고 도 3은 도 2의 증착 장치를 제1 전도관에서 바라본 도면이다.FIG. 1 is a partial cutaway cross-sectional view schematically showing a linear evaporation source used in the deposition apparatus according to the first, second and third embodiments of the present invention, FIG. 2 is a sectional view of the deposition apparatus according to the first embodiment of the present invention, And FIG. 3 is a view of the deposition apparatus of FIG. 2 viewed from the first conduit.

본 발명의 제1 실시예에 따른 증착 장치(100)는, 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 기판(10)에 하나 이상의 박막 형성용 물질을 증착시키기 위한 증착 장치로서, 제1 선형 증발원(110)과, 고정형 가림 부재(120)와, 그리고 제1 오염 방지 부재(130)를 더 포함한다. 이하, 도 1 내지 도 3을 계속 참조하여, 각 구성요소에 대해 상세히 설명한다.The deposition apparatus 100 according to the first embodiment of the present invention is a deposition apparatus for depositing one or more thin film forming materials on a substrate 10 as shown in FIGS. 1 to 3, (110), a stationary cover member (120), and a first pollution prevention member (130). Hereinafter, each of the constituent elements will be described in detail with continued reference to Figs. 1 to 3. Fig.

제1 선형 증발원(110)은, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 제1 박막 형성용 물질(A)을 증발시켜 기판(10)으로 분사하기 위한 장치이다. 예를 들어, 제1 선형 증발원(110)은, 도 1에 도시된 바와 같이, 제1 박막 형성용 물질(A)이 담기는 도가니(113)와, 도가니(113)의 제1 박막 형성용 물질(A)을 제1 방향으로 안내하기 위해 제1 방향으로 길다란 제1 전도관(112)과, 도가니(113)와 제1 전도관(112)을 가열하는 히터(114)와, 그리고 제1 전도관(112)의 길이 방향을 따라 선형으로 배열되어 제1 전도관(112)의 제1 박막 형성용 물질(A)을 기판(10)으로 분사시키는 복수의 증착용 노즐(111)을 포함할 수 있다. 참고로, 도 1을 기준으로 볼 때, 제1 전도관(112)의 선단은 도 1의 좌측 부분으로 도가니(113)에 인접된 부분이고, 제1 전도관(112)의 말단은 도 1의 우측 부분으로 도가니(113)에서 가장 멀리 떨어진 부분이다. 또한, 도 3을 기준으로 볼 때, 제1 전도관(112)이 도 3에는 도시되지 않았지만, 제1 전도관(112)의 선단은 도 3의 윗 부분을 향해 놓이고, 제1 전도관(112)의 말단은 도 1의 아랫 부분을 향해 놓이는 것으로 가정하여 도시하고 있다.The first linear evaporation source 110 is an apparatus for evaporating the first thin film forming material A and injecting the first thin film forming material A onto the substrate 10, as shown in FIGS. 1, the first linear evaporation source 110 includes a crucible 113 in which the first thin film forming material A is contained, a first thin film forming material 110 in the crucible 113, A heater 114 that heats the crucible 113 and the first conduit 112 and a second conduit 112 that heats the first conduit 112 in a first direction to guide the first conduit A in a first direction, And a plurality of vapor deposition nozzles 111 arranged linearly along the longitudinal direction of the substrate 110 for spraying the first thin film forming material A of the first conduction tube 112 onto the substrate 10. 1, the tip of the first conduit 112 is a portion adjacent to the crucible 113 on the left side of FIG. 1, and the distal end of the first conduit 112 is on the right side of FIG. 1, And is the furthest away from the crucible 113. 3, although the first conduit 112 is not shown in Fig. 3, the tip of the first conduit 112 is directed toward the upper part of Fig. 3, and the tip of the first conduit 112 The terminal is assumed to be oriented toward the bottom of FIG.

고정형 가림 부재(120)는, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 각각의 증착용 노즐(111)에서 분사되는 제1 박막 형성용 물질(A)이 기판(10)의 증착 영역으로만 안내되도록 일부를 가리는 구성요소이다. 예를 들어, 고정형 가림 부재(120)는, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 전도관(112)과 기판(10) 사이에 구비되며, 분사되는 제1 박막 형성용 물질(A)이 기판(10)의 증착 영역으로 안내되도록 제1 박막 형성용 물질(A)의 일부를 기판(10)으로 통과시키는 통과 영역부(121)와 제1 박막 형성용 물질(A) 중 기판(10)의 증착 영역 외로 향하는 나머지를 차단시키는 가림 영역부(122)를 포함할 수 있다.2 and 3, the fixed-type covering member 120 is formed so that the first thin film forming material A ejected from each of the vapor deposition nozzles 111 is guided only to the deposition region of the substrate 10 It is a component that shields parts as much as possible. 2 and 3, the fixed blocking member 120 is provided between the first conductive pipe 112 and the substrate 10, and the first thin film forming material A to be ejected is provided between the first conductive pipe 112 and the substrate 10, A passage region 121 through which a part of the first thin film forming material A is allowed to pass to the substrate 10 so as to be guided to the deposition region of the substrate 10 and a second thin film forming material A And a blocking region 122 for blocking the rest toward the outside of the deposition region.

제1 오염 방지 부재(130)는, 복수의 증착용 노즐(111) 중 적어도 하나의 증착용 노즐에 달라붙은 오염 물질이 기판(10)으로 이동되는 것을 막는 구성요로, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 고정형 가림 부재(120)에 구비될 수 있다. 따라서, 제1 전도관(112)의 복수의 증착용 노즐(111) 중 하나 이상에 달라붙은 오염 물질이 기판(10)의 표면으로 이동되기 전에 제1 오염 방지 부재(130)에 의해 차단되어 기판(10)의 표면을 오염 물질로부터 보호할 수 있다.The first contamination preventing member 130 is a constituent member that prevents contaminants adhered to at least one vapor deposition nozzle 111 of the plurality of vapor deposition nozzles 111 from moving to the substrate 10, It may be provided on the stationary cover member 120 as shown in FIG. Therefore, the contaminants stuck to at least one of the plurality of vapor deposition nozzles 111 of the first conduit 112 are blocked by the first pollution prevention member 130 before being moved to the surface of the substrate 10, 10 can be protected from contaminants.

이와 더불어, 제1 오염 방지 부재(130)는, 도 3에 도시된 바와 같이, 통과 영역부(121)를 가로질러 구비되어 통과 영역부(121)를 제1 및 제2 통과 영역(121a)(121b)으로 구분시킬 수 있다. 또한, 제1 오염 방지 부재(130)는 통과 영역부(121)를 가로질러 상술한 제1 방향으로 길게 구비될 수 있고(도 3 참조), 복수의 증착용 노즐(111)은 기판(10)에 대한 수직 거리를 기준으로 제1 오염 방지 부재(130)에 대응되게 배열될 수 있다(도 2 참조).3, the first anti-fouling member 130 is provided across the passage region 121 to divide the passage region 121 into first and second passage regions 121a (121a, 121b) 121b. 3), and a plurality of vapor deposition nozzles 111 are formed on the surface of the substrate 10 so as to cover the passage area 121. The first contamination prevention member 130 may be formed to extend in the above- Preventing member 130 (refer to FIG. 2). As shown in FIG.

이와 더불어, 상술한 본 발명의 제1 실시예에 따른 증착 장치(100)는, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 회전형 가림 부재(140)를 더 포함할 수 있다. 제1 회전형 가림 부재(140)는, 고정형 가림 부재(120)에 제1 힌지 축(141)에 의해 회동 가능하게 구비되며 제1 통과 영역(121a)의 폭(도 3의 "W" 참조)을 조절하는 역할을 한다. 따라서, 제1 통과 영역(121a)의 폭(도 3의 "W" 참조)을 조절하는 것으로, 기판(10)의 표면에 증착되는 제1 박막 형성용 물질(A)의 증착두께의 편차를 최소화할 수 있다.In addition, the deposition apparatus 100 according to the first embodiment of the present invention may further include a first rotatable shielding member 140, as shown in FIGS. 2 and 3. The first blocking type closure member 140 is provided on the fixed type blocking member 120 so as to be rotatable by the first hinge axis 141 and the width of the first passing area 121a (see "W" in FIG. 3) . Therefore, by controlling the width of the first passage region 121a (see "W" in FIG. 3), the deviation of the deposition thickness of the first thin film forming material A deposited on the surface of the substrate 10 can be minimized can do.

특히, 제1 힌지 축(141)은, 도 3에 도시된 바와 같이, 고정형 가림 부재(120)의 가림 영역부(122)에 구비되되 제1 오염 방지 부재(130)의 측면의 중심에 대해 수직되는 위치에 구비될 수 있다. 나아가, 제1 통과 영역(121a)의 폭(도 3의 "W" 참조)은, 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 회전형 가림 부재(140)의 회전에 의해 제1 전도관(112)의 선단으로 갈수록 선형적으로 점점 작아지고 제1 전도관(112)의 말단으로 갈수록 선형적으로 점점 커질 수 있다. 따라서, 각각의 증착용 노즐(111)의 분사량이 제1 전도관(112)의 후단으로 갈수록 점점 작아지더라도 고정형 가림 부재(120)의 제1 통과 영역(121a)의 폭(도 3의 "W" 참조)이 제1 회전형 가림 부재(140)의 회전에 의해 제1 전도관(112)의 선단으로 갈수록 선형적으로 점점 작아지고 제1 전도관(112)의 말단으로 갈수록 선형적으로 점점 커질 수 있어, 제1 전도관의 길이 방향에 대해 발생될 수 있는 기판(10) 상의 증착두께의 편차를 더욱 최소화할 수 있다.3, the first hinge shaft 141 is provided in the covering region 122 of the fixed cover member 120, and is disposed perpendicular to the center of the side surface of the first contamination preventing member 130 As shown in FIG. 3, the width of the first passage area 121a (refer to "W" in FIG. 3) is set to be larger than the width of the first conduction pipe 112 by the rotation of the first rotatable blocking member 140 And gradually increases linearly toward the distal end of the first conductive pipe 112. [0064] Therefore, even if the injection quantity of each of the vapor deposition nozzles 111 becomes smaller toward the rear end of the first conduit 112, the width of the first passage region 121a of the stationary cover member 120 ("W" Is gradually decreased linearly toward the tip of the first conduction pipe 112 by the rotation of the first type closing closure member 140 and gradually increases linearly toward the distal end of the first conduction tube 112, The deviation of the deposition thickness on the substrate 10 that may be generated with respect to the longitudinal direction of the first conduction pipe can be further minimized.

이와 더불어, 상술한 본 발명의 제1 실시예에 따른 증착 장치(100)는, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 고정형 가림 부재(120)에 제2 힌지 축(151)에 의해 회동 가능하게 구비되며, 제2 통과 영역(121b)의 폭(W)을 제1 전도관(112)의 선단으로 갈수록 선형적으로 점점 작아지고 제1 전도관(112)의 말단으로 갈수록 선형적으로 점점 커지게 조절하는 제2 회전형 가림 부재(150)를 더 포함할 수 있다. 따라서, 고정형 가림 부재(120)의 제2 통과 영역(121b)을 통과하는 제1 박막 형성용 물질(A)에 대해서도 기판(10) 상의 증착두께의 편차를 최소화할 수 있다.2 and 3, the deposition apparatus 100 according to the first embodiment of the present invention can be rotated by the second hinge shaft 151 on the fixed type closure member 120. In addition, The width W of the second passage area 121b is gradually decreased toward the tip of the first conduit 112 and gradually increased linearly toward the distal end of the first conduit 112 The second blocking cover 150 may be formed of a metal plate. Therefore, the deviation of the deposition thickness on the substrate 10 can be minimized also for the first thin film forming material A passing through the second passage region 121b of the fixed type shielding member 120. [

이와 더불어, 상술한 본 발명의 제1 실시예에 따른 증착 장치는, 도 2에 도시된 바와 같이, 기판(10)을 제2 방향으로 이송시키는 기판 이송부(190)를 더 포함할 수 있다. 여기서, 제2 방향은 상술한 제1 방향과 수직하게 놓일 수 있다.In addition, the deposition apparatus according to the first embodiment of the present invention may further include a substrate transfer unit 190 for transferring the substrate 10 in the second direction, as shown in FIG. Here, the second direction may be perpendicular to the first direction.

이하, 도 4를 참조하여, 본 발명의 제1 실시예의 변형례에 따른 증착 장치에 대해 설명한다.Hereinafter, a deposition apparatus according to a modification of the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

도 4는 본 발명의 제1 실시예의 변형례에 따른 증착 장치를 제1 전도관에서 바라본 도면이다.4 is a view showing a deposition apparatus according to a modification of the first embodiment of the present invention as viewed from a first conduit.

본 발명의 제1 실시예의 변형례에 따른 증착 장치는, 도 4에 도시된 바와 같이, 제1 및 제2 구동부(161)(162), 선단측 증착률 센서(170), 그리고 말단측 증착률 센서(180)를 더 포함하는 것을 제외하고는 상술한 본 발명의 제1 실시예와 동일하므로, 이하에서는 제1 및 제2 구동부(161)(162), 선단측 증착률 센서(170), 그리고 말단측 증착률 센서(180) 위주로 설명한다.As shown in FIG. 4, the deposition apparatus according to the modification of the first embodiment of the present invention includes first and second drive units 161 and 162, a tip deposition rate sensor 170, The first and second driving units 161 and 162, the front end deposition rate sensor 170, and the first and second driving units 161 and 162 are the same as those of the first embodiment of the present invention, Side deposition rate sensor 180 will be mainly described.

제1 및 제2 구동부(161)(162) 각각은, 제1 및 제2 회전형 가림 부재(140)(150)에 각각 회전력을 가하는 구성요소이다. 예를 들어, 제1 및 제2 구동부(161)(162)는 모터 등이 사용될 수 있다.Each of the first and second driving portions 161 and 162 is a component that applies rotational force to the first and second rotatable type shielding members 140 and 150, respectively. For example, a motor or the like may be used for the first and second driving units 161 and 162.

선단측 증착률 센서(170)는 고정형 가림 부재(120)의 가림 영역부(122) 중 제1 전도관(112)의 선단부에 대응하는 제1 부분에 구비되어 증착률을 측정하는 구성요소이고, 말단측 증착률 센서(180)는 고정형 가림 부재(120)의 가림 영역부(122) 중 제1 전도관(112)의 말단부에 대응하는 제2 부분에 구비되어 증착률을 측정하는 구성요소이다.The deposition rate sensor 170 at the tip side is a component that is provided in a first portion corresponding to the tip end portion of the first conductive pipe 112 in the covering region 122 of the fixed type covering member 120 to measure the deposition rate, Side deposition rate sensor 180 is provided at a second portion corresponding to the distal end of the first conductive pipe 112 of the covering region 122 of the fixed type covering member 120 to measure the deposition rate.

따라서, 선단측 증착률 센서(170)에서 측정된 선단측 증착률이 말단측 증착률 센서(180)에서 측정된 말단측 증착률보다 크면, 제1 및 제2 구동부(161)(162) 각각은, 제1 및 제2 통과 영역(121a)(121b)의 각 폭(W)이 제1 전도관(112)의 선단으로 갈수록 선형적으로 점점 작아지고 제1 전도관(112)의 말단으로 갈수록 선형적으로 점점 커지게 제1 및 제2 회전형 가림 부재(140)(150)를 각각 회전시킬 수 있어, 기판(10) 상의 증착두께의 편차를 보다 더 최소화할 수 있다.Therefore, if the tip-side deposition rate measured by the tip-side deposition rate sensor 170 is larger than the terminal-side deposition rate measured by the terminal-side deposition rate sensor 180, then each of the first and second drivers 161 and 162 The width W of each of the first and second passage regions 121a and 121b decreases linearly toward the tip of the first conduit 112 and linearly decreases toward the distal end of the first conduit 112 It is possible to rotate the first and second rotatable blocking members 140 and 150 in an increasingly larger size, respectively, so that the deviation of the deposition thickness on the substrate 10 can be further minimized.

이하, 도 5를 참조하여, 본 발명의 제2 실시예에 따른 증착 장치(200)에 대해 설명한다.Hereinafter, a deposition apparatus 200 according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 증착 장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.5 is a schematic view of a deposition apparatus according to a second embodiment of the present invention.

본 발명의 제2 실시예에 따른 증착 장치(200)는, 도 5에 도시된 바와 같이, 제2 전도관(222)과 제3 전도관(232)을 더 포함하는 것을 제외하고는 상술한 본 발명의 제1 실시예의 변형례와 동일하므로, 이하에서는 제2 전도관(222)과 제3 전도관(232) 위주로 설명한다.5, the deposition apparatus 200 according to the second embodiment of the present invention includes the second conduit 222 and the third conduit 232, The second conduit 222 and the third conduit 232 will be described below.

제2 전도관(222)은 제1 전도관(112)의 좌측(도 5를 기준으로 좌측)에 놓이며 제2 박막 형성용 물질(B-1)을 안내하고, 제3 전도관(232)은 제1 전도관(112)의 우측(도 5를 기준으로 우측)에 놓이며 제2 박막 형성용 물질(B-1)과 동일한 물질인 제3 박막 형성용 물질(B-2)을 안내한다. 특히, 동일한 물질인 제2 및 제3 박막 형성용 물질(B-1)(B-2)의 요구 증착률 발생 온도는 이와 다른 물질인 제1 박막 형성용 물질(A)의 요구 증착률 발생 온도보다 높을 수 있다. 나아가, 제2 전도관(222), 제1 전도관(112), 그리고 제3 전도관(232)은, 기판(10)에 대해 평행한 직선(L) 상에 놓여 직선형 배치를 이룰 수 있다. 또한, 제2 및 제3 전도관(222)(232) 각각은, 서로 다른 제2 및 제3 선형 증발원(220)(230)에 각각 포함될 수 있다(도 1 참조).The second conductive pipe 222 is placed on the left side (left side in FIG. 5) of the first conductive pipe 112 and guides the second thin film forming material B-1, and the third conductive pipe 232 is connected to the first The third thin film forming material B-2, which is the same substance as the second thin film forming material B-1, is placed on the right side of the conductive pipe 112 (right side in FIG. 5). Particularly, the required deposition rate generation temperatures of the second and third thin film forming materials (B-1) and (B-2) which are the same material are different from the required deposition rate generating temperatures of the first thin film forming material (A) Lt; / RTI > Further, the second conductive pipe 222, the first conductive pipe 112, and the third conductive pipe 232 may be arranged on a straight line L parallel to the substrate 10 to form a linear arrangement. In addition, each of the second and third conduits 222 and 232 may be included in the second and third linear evaporating sources 220 and 230, respectively (see FIG. 1).

따라서, 서로 동일한 물질인 제2 및 제3 박막 형성용 물질(B-1)(B-2)의 요구 증착률 발생 온도가 이와 다른 물질인 제1 박막 형성용 물질(A)의 요구 증착률 발생 온도보다 높더라도, 동일한 물질인 제2 및 제3 박막 형성용 물질(B-1)(B-2)이 두 개의 전도관인 제2 및 제3 전도관(222)(232)에서 제공되므로 이 물질에 대한 증착률의 상대적 저감을 막을 수 있음과 동시에 상대적으로 낮은 제1 박막 형성용 물질(A)의 요구 증착률 발생 온도로 충분히 원하는 증착률을 달성할 수 있어 각각의 선형 증발원(110)(220)(230)의 열적 안정성을 확보할 수 있다. 예를 들어, 제1, 제2 및 제3 선형 증발원(110)(220)(230)의 도가니(113)의 온도가 동일할 경우 상대적으로 요구 증착률 발생 온도가 높은 박막 형성용 물질에 대해서도 두 개의 제2 및 제3 선형 증발원(220)(230)으로부터 동일한 물질인 제2 및 제3 박막 형성용 물질(B-1)(B-2)을 제공하게 되므로 이 물질에 대해 증착률이 상대적으로 떨어지는 것을 막을 수 있고, 이와 함께 상대적으로 낮은 제1 박막 형성용 물질(A)의 요구 증착률 발생 온도로 충분히 원하는 증착률을 얻을 수 있어 각각의 선형 증발원(110)(220)(230)의 열적 안정성을 확보할 수 있다.Therefore, the required deposition rate of the second and third thin film forming materials (B-1) and (B-2), which are the same material, is different from that of the first thin film forming material (B-1) (B-2), which is the same material, is provided in the second and third conduits 222 and 232, which are two conduits, It is possible to prevent a relative reduction in the deposition rate of the first thin film forming material A and to achieve a desired deposition rate sufficiently at a required deposition rate of the first thin film forming material A, It is possible to secure the thermal stability of the heat sink 230. For example, when the temperature of the crucible 113 of the first, second, and third linear evaporation sources 110, 220, and 230 is the same, the thin film forming material having a relatively high required deposition rate generation temperature (B-1) (B-2), which are the same material, from the second and third linear evaporation sources 220 and 230, so that the deposition rate for the material is relatively low 220 and 230 of the respective linear evaporation sources 110, 220, and 230 can be prevented from falling, and a desired deposition rate can be sufficiently obtained at the required deposition rate generation temperature of the relatively low first material for film formation (A) Stability can be ensured.

이와 더불어, 상술한 본 발명의 제2 실시예에 따른 증착 장치(200)는, 도 5에 도시된 바와 같이, 제2 오염 방지 부재(240)와 제3 오염 방지 부재(250)를 더 포함할 수 있다. 제2 오염 방지 부재(240)는 고정형 가림 부재(120)에 구비되되 기판(10)에 대한 수직 거리를 기준으로 제2 전도관(222)에 대응되게 구비될 수 있고, 제3 오염 방지 부재(250)는 고정형 가림 부재(120)에 구비되되 기판(10)에 대한 수직 거리를 기준으로 제3 전도관(232)에 대응되게 구비될 수 있다. 따라서, 제2 전도관(222)의 증착용 노즐에 묻은 오염 물질은 제2 오염 방지 부재(240)에 의해 차단되어 기판(10)으로 이동되는 것을 막을 수 있고, 제3 전도관(232)의 증착용 노즐에 묻은 오염 물질은 제3 오염 방지 부재(250)에 의해 차단되어 기판(10)으로 이동되는 것을 막을 수 있다.5, the deposition apparatus 200 according to the second embodiment of the present invention may further include a second pollution prevention member 240 and a third pollution prevention member 250 . The second contamination prevention member 240 may be provided on the fixed cover member 120 and may be provided corresponding to the second conductive pipe 222 on the basis of the vertical distance with respect to the substrate 10, May be provided on the fixed cover member 120 and correspond to the third conductive pipe 232 based on the vertical distance to the substrate 10. [ Therefore, the contaminants adhering to the evaporation nozzle of the second conduit 222 can be prevented from being blocked by the second pollution prevention member 240 and moved to the substrate 10, The pollutant adhering to the nozzle can be blocked by the third pollution preventing member 250 and prevented from moving to the substrate 10. [

이하, 도 6 내지 도 10을 참조하여, 본 발명의 제3 실시예에 따른 증착 장치(300)에 대해 설명한다.Hereinafter, a deposition apparatus 300 according to a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 6 to 10. FIG.

도 6은 본 발명의 제3 실시예에 따른 증착 장치를 개략적으로 나타낸 도면이고, 도 7은 도 5의 증착 장치에서 기판의 이송 좌표에 따른 증착률의 변화를 보인 그래프이고, 도 8은 도 6의 증착 장치에서 기판의 이송 좌표에 따른 증착률의 변화를 보인 그래프이며, 그리고 도 9는 도 5의 증착 장치(직선형 배치)와 도 6의 증착 장치(원호형 배치)를 함께 비교한 것으로, 기판의 이송 좌표에 따른 증착률 비의 변화를 보인 그래프이다.FIG. 6 is a schematic view of a deposition apparatus according to a third embodiment of the present invention, FIG. 7 is a graph showing a change in deposition rate according to the transfer coordinates of the substrate in the deposition apparatus of FIG. 5, (Linear arrangement) of FIG. 5 and the deposition apparatus (arcuate arrangement) of FIG. 6 are compared with each other. FIG. 9 is a graph showing a change in the deposition rate according to the transfer coordinates of the substrate in the deposition apparatus of FIG. Of the deposition rate ratio according to the transfer coordinates of the deposition rate.

도 10의 (a)은 각각의 전도관에 구비된 증착률 측정부를 개략적으로 나타낸 도면이고, (b)는 전도관의 전단과 후단에 각각 구비된 선단측 증착률 측정부와 말단측 증착률 측정부를 나타낸 도면이다.10 (a) is a schematic view of a deposition rate measuring unit provided in each of the conduits, and FIG. 10 (b) shows a tip deposition rate measuring unit and a terminal deposition rate measuring unit provided at the front end and the rear end of the conduit, respectively FIG.

본 발명의 제3 실시예에 따른 증착 장치(300)는, 도 6에 도시된 바와 같이, 제1, 제2 및 제3 전도관(112)(222)(232)의 배치 형태를 제외하고는 상술한 본 발명의 제2 실시예와 동일하므로, 이하에서는 제1, 제2 및 제3 전도관(112)(222)(232)의 배치 형태 위주로 설명한다.6, the deposition apparatus 300 according to the third embodiment of the present invention has the same structure as that of the first embodiment except for the arrangement of the first, second and third conduits 112, 222, The first, second, and third conductive pipes 112, 222, and 232 are disposed in the same manner as in the second embodiment of the present invention.

제2 및 제3 전도관(222)(232)은 제1 전도관(112)에 대해 평행하게 놓일 수 있고, 제2 전도관(222), 제1 전도관(112), 그리고 제3 전도관(232)은, 이 순서로 원호(도 6의 310)를 그리며 배치될 수 있다. 따라서, 기판(10)에서의 증착률(증착두께)은 증착 노즐에서의 거리의 제곱에 반비례하므로, 위와 같이 제2 전도관(222)과 제3 전도관(232)을 그 중앙에 위치된 제1 전도관(112)을 기준으로 원호 형태로 기울어 줌으로써, 동일한 물질인 제2 및 제3 박막 형성용 물질(B-1)(B-2)의 증착률과 이와 다른 물질인 제1 박막 형성용 물질(A)의 증착률의 비의 편차를 최소화할 수 있다.The second and third conduits 222 and 232 may lie parallel to the first conduit 112 and the second conduit 222, the first conduit 112 and the third conduit 232 may be positioned parallel to the first conduit 112, (310 in Fig. 6) in this order. Accordingly, since the deposition rate (deposition thickness) in the substrate 10 is inversely proportional to the square of the distance in the deposition nozzle, the second conduit 222 and the third conduit 232 are arranged in the same direction as the first conduit (B-1) and (B-2), which are the same material, and the first thin film forming material A (B-1) ) Can be minimized.

실험을 통해 확인한 결과, 상술한 본 발명의 제2 실시예와 같이 제2 전도관(222), 제1 전도관(112), 그리고 제3 전도관(232)이 직선형 배치를 가질 경우, 도 7에 나타난 바와 같이, 기판(10)의 이송 좌표에 따라 제1, 제2 및 제3 박막 형성용 물질(A)(B-1)(B-2)의 증착률이 다르게 분포되는 것을 알 수 있었다.As a result of the experiment, when the second conductive pipe 222, the first conductive pipe 112, and the third conductive pipe 232 have a linear arrangement as in the second embodiment of the present invention, It was also found that the deposition rates of the first, second and third thin film forming materials A, B-1, and B-2 were differently distributed according to the transfer coordinates of the substrate 10.

이에 반해, 실험을 통해 확인한 결과, 상술한 본 발명의 제3 실시예와 같이 제2 전도관(222), 제1 전도관(112), 그리고 제3 전도관(232)이 원호형 배치를 가질 경우, 도 8에 나타난 바와 같이, 기판(10)의 이송 좌표에 따라 제1, 제2 및 제3 박막 형성용 물질(A)(B-1)(B-2)의 증착률이 최대한 동일하게 분포되는 것을 알 수 있었다. 특히, 도 9에 나타난 바와 같이, 실험을 통해 확인한 결과, 상술한 본 발명의 제2 실시예와 같이 직선형 배치인 경우, 기판(10) 상의 위치에 따라 증착률의 비가 달라지는 것을 알 수 있는 반면, 상술한 본 발명의 제3 실시예와 같이 원호형 배치인 경우, 동일 물질인 제2 및 제3 박막 형성용 물질(B-1)(B-2)의 증착률과 이와 다른 물질인 제1 박막 형성용 물질(A)의 증착률의 비가 기판 상의 모든 위치에서 대략 동일한 값(2.0)으로 나타남을 알 수 있었다. 이는, 상술한 본 발명의 제3 실시예와 같이 원호형 배치인 경우, 기판(10) 상의 모든 위치에서 동일한 조성비로 제2 및 제3 박막 형성용 물질(B-1)(B-2)의 합과 제1 박막 형성용 물질(A)이 2:1에 근접하는 화합물을 얻을 수 있음을 보인 것이다. On the contrary, when the second conduit 222, the first conduit 112, and the third conduit 232 have an arcuate arrangement as in the third embodiment of the present invention, The deposition rates of the first, second and third thin film forming materials A, B-1, and B-2 are maximally equally distributed according to the transfer coordinates of the substrate 10 Could know. In particular, as shown in FIG. 9, as a result of the experiment, it was found that the deposition rate was varied according to the position on the substrate 10 in the case of the linear arrangement as in the second embodiment of the present invention, In the case of the arcuate arrangement as in the third embodiment of the present invention, the deposition rate of the second and third thin film forming materials (B-1) and (B-2) It was found that the ratio of the deposition rate of the forming material A was approximately the same (2.0) at all positions on the substrate. This is because, in the case of the arcuate arrangement as in the third embodiment of the present invention described above, it is possible to form the second and third thin film forming materials (B-1) and (B-2) at the same composition ratio at all positions on the substrate 10 (A) in the vicinity of 2: 1 can be obtained.

나아가, 예를 들어, 상술한 원호(310)의 중심(AC)은, 도 6에 도시된 바와 같이, 기판(10)에 제1 부분에 위치될 수 있고, 제1 부분은 통과 영역부(121)의 중심에 대응되는 부분일 수 있다.Further, for example, the center AC of the above-described arc 310 can be located in the first portion on the substrate 10, as shown in Fig. 6, and the first portion can be positioned in the passage region 121 In the present embodiment.

이와 더불어, 상술한 본 발명의 제3 실시예에 따른 증착 장치(300)는, 도 10의 (a)에 도시된 바와 같이, 제1, 제2 및 제3 전도관(112)(222)(232) 각각에 구비되어 각각의 증착률을 측정하는 하나 이상의 증착률 측정부(320)를 더 포함할 수 있다. 따라서, 각각의 전도관(112)(222)(232)에 대해 독립적으로 증착률 측정할 수 있어, 보다 정확한 증착률 관리가 가능할 수 있다.In addition, the deposition apparatus 300 according to the third embodiment of the present invention includes the first, second, and third conduits 112, 222, and 232 (see FIG. 10 And one or more deposition rate measuring units 320 provided in each of the plurality of deposition rate measuring units 320 to measure respective deposition rates. Therefore, the deposition rate can be independently measured for each of the conduits 112, 222, and 232, and more accurate deposition rate management can be achieved.

예를 들어, 증착률 측정부(320) 각각은, 도 10의 (b)에 도시된 바와 같이, 측정용 노즐(321), 측정용 전도관(322), 그리고 전도관측 증착률 센서(323)를 포함할 수 있다. 측정용 노즐(321)은 제1, 제2 및 제3 전도관(112)(222)(232) 각각에 연통되게 구비될 수 있고, 측정용 전도관(322)은 제1, 제2 및 제3 전도관(112)(222)(232) 각각에 일단이 구비되어 측정용 노즐(321)에서 분사되는 박막 형성용 물질을 안내할 수 있으며, 그리고 전도관측 증착률 센서(323)는 측정용 전도관(322)의 타단에 구비되며 분사되는 박막 형성용 물질의 증착률을 측정할 수 있다. 특히, 측정용 전도관(322)의 내벽에서 방출되는 물질의 영향을 최소화하기 위하여 측정용 전도관(322)의 내벽을 냉각시키는 냉각 재킷(미도시)이 측정용 전도관(322)에 더 구비될 수 있다. 나아가, 측정용 전도관(322)의 일단은 플랜지 등의 체결 수단(미도시)을 통해 제1, 제2 및 제3 전도관(112)(222)(232) 각각에 체결되고, 측정용 전도관(322)의 타단 또한 플랜지 등의 체결 수단(미도시)을 통해 전도관측 증착률 센서(323)의 모듈에 체결될 수 있다.For example, each of the deposition rate measuring units 320 includes a measurement nozzle 321, a measurement conduit 322, and a conduction measurement deposition rate sensor 323 as shown in Fig. 10 (b) . The measuring nozzle 321 may be provided so as to communicate with each of the first, second and third conduits 112, 222 and 232 and the measuring conduit 322 may be connected to the first, And the conduction measurement deposition rate sensor 323 may be provided at one end of the measurement conduit 322 so as to guide the thin film deposition material injected from the measurement nozzle 321. [ And the deposition rate of the thin film forming material to be injected can be measured. In particular, a cooling jacket (not shown) that cools the inner wall of the measuring conduit 322 may be further included in the measuring conduit 322 to minimize the effect of material emitted from the inner wall of the measuring conduit 322 . Further, one end of the measuring conductive pipe 322 is fastened to each of the first, second and third conductive pipes 112, 222 and 232 through fastening means (not shown) such as a flange, and the measuring conductive pipe 322 May also be fastened to the module of the conductivity measurement deposition rate sensor 323 through fastening means such as flanges (not shown).

나아가, 하나 이상의 증착률 측정부(320)는, 전도관의 전단부와 말단부의 증착률이 다른 것을 감안할 경우, 도 10의 (b)에 도시된 바와 같이, 제1, 제2 및 제3 전도관(112)(222)(232)의 각 전단부에 구비되어 각각의 증착률을 측정하는 선단측 증착률 측정부(320a)과, 제1, 제2 및 제3 전도관(112)(222)(232)의 각 말단부에 구비되어 각각의 증착률을 측정하는 말단측 증착률 측정부(320b)를 포함할 수 있다.Further, in consideration of the fact that the deposition rate of the front end portion and the distal end portion of the conduit tube are different from each other, the at least one deposition rate measuring section 320 may be configured such that the first, 112 and 222 (232), and a first deposition rate measuring unit 320a for measuring the deposition rate of each of the first, second and third conduits 112, 222, 232 And a terminal deposition rate measuring unit 320b provided at each end of the deposition chamber 320 and measuring the deposition rate of each deposition rate.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, Of the right.

10: 기판 100, 200, 300: 증착 장치
110: 제1 선형 증발원 111: 복수의 증착용 노즐
112: 제1 전도관 120: 고정형 가림 부재
121: 통과 영역부 121a: 제1 통과 영역
121b: 제2 통과 영역 122: 가림 영역부
130: 제1 오염 방지 부재 140: 제1 회전형 가림 부재
141: 제1 힌지 축 150: 제2 회전형 가림 부재
151: 제2 힌지 축 161: 제1 구동부
161: 제2 구동부 170: 선단측 증착률 센서
180: 말단측 증착률 센서 190: 기판 이송부
220: 제2 선형 증발원 222: 제2 전도관
230: 제3 선형 증발원 232: 제3 전도관
240: 제2 오염 방지 부재 250: 제3 오염 방지 부재
310: 원호 320: 증착률 측정부
320a: 선단측 증착률 측정부 320b: 말단측 증착률 측정부
321: 측정용 노즐 322: 측정용 전도관
323: 전도관측 증착률 센서 A: 제1 박막 형성용 물질
B-1: 제1 박막 형성용 물질 B-2: 제2 박막 형성용 물질10: Substrate 100, 200, 300: Deposition device
110: first linear evaporation source 111: plural evaporation nozzles
112: first conduit 120: fixed cover member
121: passing area section 121a: first passing area
121b: second passage area 122:
130: first pollution prevention member 140: first rotation type clogging member
141: first hinge shaft 150: second rotary shielding member
151: second hinge shaft 161: first driving part
161: second driving unit 170: tip side deposition rate sensor
180: Terminal-side deposition rate sensor 190:
220: second linear evaporation source 222: second conduit
230: third linear evaporation source 232: third conduit
240: second pollution prevention member 250: third pollution prevention member
310: arc 320: deposition rate measuring unit
320a: tip side deposition rate measuring unit 320b: terminal side deposition rate measuring unit
321: Measuring nozzle 322: Measuring conduit
323: Conduction observation deposition rate sensor A: material for forming first thin film
B-1: First thin film forming material B-2: Second thin film forming material

Claims (18)

기판에 하나 이상의 박막 형성용 물질을 증착시키기 위한 증착 장치로서,
상기 기판으로 제1 박막 형성용 물질을 분사시키기 위한 복수의 증착용 노즐이 제1 방향으로 길게 배열된 제1 전도관을 가지는 제1 선형 증발원;
상기 제1 전도관과 상기 기판 사이에 구비되며 상기 분사되는 제1 박막 형성용 물질의 일부를 상기 기판으로 통과시키는 통과 영역부와 상기 제1 박막 형성용 물질의 나머지를 차단시키는 가림 영역부를 포함하는 고정형 가림 부재; 및
상기 고정형 가림 부재에 구비되어 상기 복수의 증착용 노즐 중 적어도 하나의 증착용 노즐에 묻은 오염 물질이 상기 기판으로 이동되는 것을 막는 제1 오염 방지 부재
를 포함하는
증착 장치.A deposition apparatus for depositing one or more thin film forming materials on a substrate,
A first linear evaporation source having a plurality of evaporation nozzles for ejecting the first thin film forming material to the substrate, the first evaporation source having a first conduction line long in the first direction;
And a blocking region provided between the first conduction tube and the substrate for blocking a portion of the first thin film forming material from passing through the substrate and blocking the rest of the first thin film forming material. Shielding member; And
A first contamination prevention member provided on the stationary cover member to prevent contaminants from being adhered to at least one vapor deposition nozzle of the plurality of vapor deposition nozzles from moving to the substrate,
Containing
Deposition apparatus. 제1항에서,
상기 제1 오염 방지 부재는,
상기 통과 영역부를 가로질러 구비되어 상기 통과 영역부를 제1 및 제2 통과 영역으로 구분시키는
증착 장치.The method of claim 1,
The first contamination prevention member
And a second passage region provided across the passage region to divide the passage region into first and second passage regions
Deposition apparatus. 제2항에서,
상기 제1 오염 방지 부재는, 상기 통과 영역부를 제1 방향으로 가로질러 길게 구비되고,
상기 복수의 증착용 노즐은, 상기 제1 오염 방지 부재에 대응되게 배열되는
증착 장치.3. The method of claim 2,
The first antifouling member may be formed to extend in the first direction across the passage region,
The plurality of vapor-deposition nozzles are arranged so as to correspond to the first pollution control member
Deposition apparatus. 제2항에서,
상기 증착 장치는,
상기 고정형 가림 부재에 제1 힌지 축에 의해 회동 가능하게 구비되며 상기 제1 통과 영역의 폭을 조절하는 제1 회전형 가림 부재
를 더 포함하는
증착 장치.3. The method of claim 2,
The deposition apparatus includes:
A first rotatable cover member which is rotatably provided on the fixed cover member by a first hinge axis and adjusts a width of the first passage area,
Further comprising
Deposition apparatus. 제4항에서,
상기 제1 힌지 축은,
상기 고정형 가림 부재의 상기 가림 영역부에 구비되되 상기 제1 오염 방지 부재의 측면의 중심에 대해 수직되는 위치에 구비되는
증착 장치.5. The method of claim 4,
The first hinge axis
And a second shielding member provided at a position perpendicular to the center of the side surface of the first contamination preventing member,
Deposition apparatus. 제5항에서,
상기 제1 통과 영역이 폭은,
상기 제1 회전형 가림 부재의 회전에 의해 상기 제1 전도관의 선단으로 갈수록 선형적으로 점점 작아지고 상기 제1 전도관의 말단으로 갈수록 선형적으로 점점 커지는
증착 장치.The method of claim 5,
The width of the first pass region
The first rotating shaft of the first rotating type shielding member is linearly decreased gradually toward the tip of the first conducting tube by the rotation of the first rotating type covering member and linearly increasing gradually toward the end of the first conducting tube
Deposition apparatus. 제6항에서,
상기 증착 장치는,
상기 고정형 가림 부재에 제2 힌지 축에 의해 회동 가능하게 구비되며 상기 제2 통과 영역의 폭을 상기 제1 전도관의 선단으로 갈수록 선형적으로 점점 작아지고 상기 제1 전도관의 말단으로 갈수록 선형적으로 점점 커지게 조절하는 제2 회전형 가림 부재
를 더 포함하는
증착 장치.The method of claim 6,
The deposition apparatus includes:
And a second hinge shaft which is rotatably supported by the stationary cover member, the width of the second passage area being linearly decreasing gradually toward the tip of the first conduit and gradually increasing linearly toward the distal end of the first conduit, The second rotary type cover member
Further comprising
Deposition apparatus. 제7항에서,
상기 증착 장치는,
상기 제1 및 제2 회전형 가림 부재에 각각 회전력을 가하는 제1 및 제2 구동부;
상기 고정형 가림 부재의 상기 가림 영역부 중 상기 제1 전도관의 선단부에 대응하는 제1 부분에 구비되어 증착률을 측정하는 선단측 증착률 센서; 및
상기 고정형 가림 부재의 상기 가림 영역부 중 상기 제1 전도관의 말단부에 대응하는 제2 부분에 구비되어 증착률을 측정하는 말단측 증착률 센서
를 더 포함하는
증착 장치.8. The method of claim 7,
The deposition apparatus includes:
First and second driving units respectively applying rotational forces to the first and second rotatable type closure members;
A tip side deposition rate sensor provided at a first portion corresponding to a front end portion of the first conductive pipe in the covering region of the fixed type covering member to measure a deposition rate; And
A deposition rate sensor provided at a second portion corresponding to a distal end portion of the first conductive pipe in the covering region of the fixed type covering member to measure a deposition rate,
Further comprising
Deposition apparatus. 제8항에서,
상기 선단측 증착률 센서에서 측정된 선단측 증착률이 상기 말단측 증착률 센서에서 측정된 말단측 증착률보다 크면,
상기 제1 및 제2 구동부 각각은, 상기 제1 및 제2 통과 영역의 각 폭이 상기 제1 전도관의 선단으로 갈수록 선형적으로 점점 작아지고 상기 제1 전도관의 말단으로 갈수록 선형적으로 점점 커지게 상기 제1 및 제2 회전형 가림 부재를 각각 회전시키는
증착 장치.9. The method of claim 8,
If the tip-side deposition rate measured by the tip-side deposition rate sensor is larger than the terminal-side deposition rate measured by the terminal-side deposition rate sensor,
Wherein each of the first and second driving portions is formed such that the width of each of the first and second passage regions gradually decreases linearly toward the tip of the first conduction tube and linearly increases toward the distal end of the first conduction tube Wherein the first and second rotatable closure members are rotated
Deposition apparatus. 제1항에서,
상기 증착 장치는,
상기 제1 전도관의 좌측에 놓이며 제2 박막 형성용 물질을 안내하는 제2 전도관; 및
상기 제1 전도관의 우측에 놓이며 상기 제2 박막 형성용 물질과 동일한 물질인 제3 박막 형성용 물질을 안내하는 제3 전도관을 더 포함하고,
상기 제2 및 제3 박막 형성용 물질은 요구되는 증착률을 발생시키는 요구 증착률 발생 온도가 상기 제1 박막 형성용 물질보다 높은 물질인
증착 장치.The method of claim 1,
The deposition apparatus includes:
A second conduit located on the left side of the first conduit and guiding the second thin film forming material; And
Further comprising a third conduit located on the right side of the first conduction tube and guiding a third thin film forming material which is the same material as the second thin film forming material,
The second and third thin film forming materials may have a desired deposition rate generating temperature that causes a required deposition rate to be higher than that of the first thin film forming material
Deposition apparatus. 제10항에서,
상기 증착 장치는,
상기 고정형 가림 부재에 구비되되 상기 제2 전도관에 대응되게 구비되는 제2 오염 방지 부재; 및
상기 고정형 가림 부재에 구비되되 상기 제3 전도관에 대응되게 구비되는 제3 오염 방지 부재
를 더 포함하는
증착 장치.11. The method of claim 10,
The deposition apparatus includes:
A second pollution prevention member provided on the stationary cover member and corresponding to the second conduction pipe; And
And a third contamination preventing member provided on the stationary cover member and corresponding to the third conduit,
Further comprising
Deposition apparatus. 제10항에서,
상기 제2 및 제3 전도관 각각은, 서로 다른 제2 및 제3 선형 증발원에 각각 포함되는
증착 장치.11. The method of claim 10,
Each of the second and third conduits is included in a second linear evaporation source and a third linear evaporation source,
Deposition apparatus. 제10항에서,
상기 제2 및 제3 전도관은, 제1 전도관에 대해 평행하게 놓이고,
상기 제2 전도관, 상기 제1 전도관, 그리고 상기 제3 전도관은, 이 순서로 원호를 그리며 놓이는
증착 장치.11. The method of claim 10,
The second and third conduits are placed parallel to the first conduit,
The second conduit, the first conduit, and the third conduit are arranged in a circular arc in this order
Deposition apparatus. 제13항에서,
상기 원호의 중심은, 상기 기판에 제1 부분에 위치되고,
상기 제1 부분은, 상기 통과 영역부의 중심에 대응되는 부분인
증착 장치.The method of claim 13,
The center of the arc being located in the first portion on the substrate,
Wherein the first portion is a portion corresponding to the center of the passage area portion
Deposition apparatus. 제10항에서,
상기 증착 장치는,
상기 제1, 제2 및 제3 전도관 각각에 구비되어 각각의 증착률을 측정하는 하나 이상의 증착률 측정부
를 더 포함하는
증착 장치.11. The method of claim 10,
The deposition apparatus includes:
And at least one deposition rate measuring unit provided in each of the first, second and third conduits to measure a deposition rate of each deposition rate,
Further comprising
Deposition apparatus. 제15항에서,
상기 증착률 측정부는,
상기 제1, 제2 및 제3 전도관 각각에 연통되게 구비되는 측정용 노즐;
상기 제1, 제2 및 제3 전도관 각각에 일단이 구비되어 상기 측정용 노즐에서 분사되는 박막 형성용 물질을 안내하는 측정용 전도관; 및
상기 측정용 전도관의 타단에 구비되며 상기 분사되는 박막 형성용 물질의 증착률을 측정하는 전도관측 증착률 센서
를 포함하는
증착 장치.16. The method of claim 15,
Wherein the deposition rate measuring unit comprises:
A measuring nozzle communicating with the first, second, and third conduits, respectively;
A measuring conduit provided at one end of each of the first, second and third conduits to guide the thin film forming material sprayed from the measuring nozzle; And
A conduction measurement deposition rate sensor provided at the other end of the measurement conduction tube for measuring a deposition rate of the thin film formation material to be injected;
Containing
Deposition apparatus. 제15항에서,
상기 하나 이상의 증착률 측정부는,
상기 제1, 제2 및 제3 전도관의 각 선단부에 구비되어 각각의 증착률을 측정하는 선단측 증착률 측정부; 및
상기 제1, 제2 및 제3 전도관의 각 말단부에 구비되어 각각의 증착률을 측정하는 말단측 증착률 측정부
를 포함하는
증착 장치.16. The method of claim 15,
Wherein the at least one deposition rate measuring unit comprises:
A tip deposition rate measuring unit provided at each of the tip ends of the first, second and third conduits to measure a deposition rate of each of the first, second and third conduits; And
A second deposition rate measuring unit provided at each end of the first, second and third conduits for measuring a deposition rate of each of the first,
Containing
Deposition apparatus. 제1항에서,
상기 증착 장치는,
상기 기판을 제2 방향으로 이송시키는 기판 이송부를 더 포함하고,
상기 제1 및 제2 방향은 서로 수직되는
증착 장치.The method of claim 1,
The deposition apparatus includes:
Further comprising a substrate transferring section for transferring the substrate in a second direction,
The first and second directions are perpendicular to each other
Deposition apparatus.
KR1020160118317A 2016-09-13 2016-09-13 Deposition apparatus KR101839879B1 (en)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160118317A KR101839879B1 (en) 2016-09-13 2016-09-13 Deposition apparatus
PCT/KR2017/010016 WO2018052236A2 (en) 2016-09-13 2017-09-13 Deposition apparatus
JP2019534621A JP6751820B2 (en) 2016-09-13 2017-09-13 Thin film deposition equipment
CN201780054794.1A CN109689926B (en) 2016-09-13 2017-09-13 Evaporation plating device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160118317A KR101839879B1 (en) 2016-09-13 2016-09-13 Deposition apparatus

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR101839879B1 true KR101839879B1 (en) 2018-03-19

Family

ID=61620104

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160118317A KR101839879B1 (en) 2016-09-13 2016-09-13 Deposition apparatus

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6751820B2 (en)
KR (1) KR101839879B1 (en)
CN (1) CN109689926B (en)
WO (1) WO2018052236A2 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113445006B (en) * 2020-04-09 2023-01-31 重庆康佳光电技术研究院有限公司 Evaporation lining pot

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013053374A (en) 2008-02-28 2013-03-21 Samsung Display Co Ltd Evaporation apparatus and thin film forming method

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080004816A (en) * 2006-07-06 2008-01-10 세메스 주식회사 Adaptive height evaporator
JP5281148B2 (en) * 2009-04-03 2013-09-04 東京エレクトロン株式会社 Vapor deposition head and film forming apparatus
JP2014132101A (en) * 2011-04-11 2014-07-17 Tokyo Electron Ltd Film deposition apparatus and film deposition method
KR101430660B1 (en) * 2012-08-24 2014-08-18 주식회사 에스에프에이 Apparatus to sputter
CN202968676U (en) * 2012-12-18 2013-06-05 汉能科技有限公司 Linear evaporation source device
KR102044461B1 (en) * 2013-05-20 2019-11-14 주식회사 선익시스템 Apparatus for measuring thickness of deposition
KR20140136650A (en) * 2013-05-21 2014-12-01 삼성디스플레이 주식회사 Method for depositing a thin film
US9048373B2 (en) * 2013-06-13 2015-06-02 Tsmc Solar Ltd. Evaporation apparatus and method
KR101599505B1 (en) * 2014-01-07 2016-03-03 주식회사 선익시스템 Evaporation source for deposition apparatus
JP2015183229A (en) * 2014-03-24 2015-10-22 株式会社日立ハイテクファインシステムズ Vacuum vapor deposition apparatus

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013053374A (en) 2008-02-28 2013-03-21 Samsung Display Co Ltd Evaporation apparatus and thin film forming method

Also Published As

Publication number Publication date
CN109689926A (en) 2019-04-26
WO2018052236A3 (en) 2018-08-09
WO2018052236A2 (en) 2018-03-22
JP6751820B2 (en) 2020-09-09
JP2019529720A (en) 2019-10-17
CN109689926B (en) 2021-02-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1803836B1 (en) Evaporation source and method of depositing thin film using the same
JP4767000B2 (en) Vacuum deposition equipment
JP6815390B2 (en) How to operate the depositor, how to deposit the evaporated source material on the substrate, and the depositor
KR20070118917A (en) Evaporation source
CN103774095A (en) Linear deposition source and vacuum deposition apparatus including the same
JP2018538429A (en) Measuring assembly, evaporation source, deposition apparatus and method therefor for measuring deposition rate
KR100666572B1 (en) Vapor deposition apparatus for organic material
JP2012510568A (en) Top-down material deposition system and method
KR101839879B1 (en) Deposition apparatus
KR20060059097A (en) Vapor deposition source for organic material
KR102082193B1 (en) Measuring assembly for measuring deposition rate and method therefor
KR101422533B1 (en) A Linear Type Evaporator with a Mixing Zone
KR100651258B1 (en) Multi-nozzle crucible assembly for OLED deposition process
JP6502528B2 (en) Diffusion barrier for oscillating quartz, measuring assembly for measuring deposition rate and method thereof
TW201926418A (en) Material deposition arrangement, vacuum deposition system and methods therefor
JP6411675B2 (en) Method for measuring deposition rate and deposition rate control system
JP7102418B2 (en) A source for depositing evaporated material on a substrate, a depositor, a method for measuring the vapor pressure of the evaporated material, and a method for determining the evaporation rate of the evaporated material.
KR101345409B1 (en) Evaporation source and apparatus for deposition having the same
KR100623719B1 (en) Vapor deposition source for organic material
KR20060084248A (en) Vapor deposition source for organic material and evaporating apparatus for organic material
KR100667076B1 (en) Vapor deposition source for organic material and evaporating apparatus for organic material
JP2014152365A (en) Vacuum evaporation system
KR100646514B1 (en) Apparatus for Depositing Organic Material
TW202026448A (en) Deposition apparatus
KR20190009527A (en) Deposition apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant