KR101825902B1 - 피에조 저항성 마이크로메커니컬 센서 소자 및 측정 방법 - Google Patents
피에조 저항성 마이크로메커니컬 센서 소자 및 측정 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101825902B1 KR101825902B1 KR1020127024175A KR20127024175A KR101825902B1 KR 101825902 B1 KR101825902 B1 KR 101825902B1 KR 1020127024175 A KR1020127024175 A KR 1020127024175A KR 20127024175 A KR20127024175 A KR 20127024175A KR 101825902 B1 KR101825902 B1 KR 101825902B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- substrate
- piezoresistive
- bars
- bar
- vibrating mass
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 53
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 29
- 230000008859 change Effects 0.000 claims abstract description 18
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims description 9
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 claims 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 claims 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 6
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 19
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 10
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 9
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P15/09—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by piezoelectric pick-up
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P15/0802—Details
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P15/12—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by alteration of electrical resistance
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P15/12—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by alteration of electrical resistance
- G01P15/123—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by alteration of electrical resistance by piezo-resistive elements, e.g. semiconductor strain gauges
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Micromachines (AREA)
Abstract
본 발명은 피에조 저항성 마이크로메커니컬 센서 소자 및 상응하는 측정 방법에 관한 것이다. 피에조 저항성 마이크로메커니컬 센서 소자는 기판(1); 상기 기판에 변위 가능하게 현수된 진동 질량체(3); 상기 기판과 상기 진동 질량체 사이에 제공된 적어도 하나의 피에조 저항성 바아(1a, 1b; 1a', 1b'), 및 측정 장치(M1; M2; M1'; M1")를 포함하고, 상기 피에조 저항성 바아는 진동 질량체의 변위시 저항 변화되며 측면 및/또는 상부면 및/또는 하부면의 도체 트랙(2a, 2b; 2a', 2b')을 포함하고, 상기 도체 트랙은 피에조 저항성 바아를 적어도 부분적으로 커버하며 상기 기판의 영역까지 연장되고, 상기 측정 장치는 기판 및 상기 도체 트랙에 전기 접속되며, 기판으로부터 피에조 저항성 바아를 통해 그리고 피에조 저항성 바아로부터 측면 및/또는 상부면 및/또는 하부면의 도체 트랙을 통해 연장하는 회로 경로를 통한 저항 변화를 측정하도록 설계된다.
Description
본 발명은 피에조 저항성 마이크로메커니컬 센서 소자 및 상응하는 측정 방법에 관한 것이다.
본 발명 및 그것에 기초가 되는 문제는 임의의 피에조 저항성 마이크로메커니컬 센서 소자들에 적용될 수 있지만, 피에조 저항성 마이크로메커니컬 가속 센서와 관련해서 설명된다.
최신 가속 센서들은 통상 용량적으로 평가된다. 마찬가지로 실제 피에조 저항성 평가는 점점 더 추구되는 소형화와 관련해서 큰 잠재력을 갖는다. 여기서는 피에조 저항성 가속 센서라고 하는 피에조 저항으로 평가되는 가속 센서의 경우, 하기 2가지 변형예로 구분될 수 있다.
하나의 변형예는 구조화된 도핑에 있고, 피에조 저항은 변위시 최대 기계적 응력이 나타나는 벤딩 바아 상의 지점에서 도핑된다.
다른 변형예는 균일한 도핑에 있고, 균일하게 도핑된 전체 벤딩 바아는 평가를 위해 사용된다. 이를 위해, 바아 내에 균일하게 분포된 기계적 응력이 필요하다. 균일한 도핑시 전체 벤딩 바아가 평가를 위해 사용되기 때문에, 균일한 도핑은 소형화와 관련한 장점을 제공한다.
J. Micromech. Microeng. 15(2005), 페이지 993-1000(Shusen Huang 등)에는 균일하게 도핑된 벤딩 바아를 가진 피에조 저항성 마이크로메커니컬 가속 센서가 공지되어 있다.
도 6은 상기 공지된 피에조 저항성 마이크로메커니컬 가속 센서의 사시도이다.
도 6에서 도면 부호 1은 기판을 표시하고, 상기 기판 상에 희생 산화물 층(S1) 및 커버 층(S2)이 제공된다. 상기 커버 층(S2)으로부터 진동 질량체(3; seismic mass)가 구조화되고, 상기 진동 질량체는 도핑되지 않은 벤딩 바아(B)를 통해 기판(1)에 고정된다. 진동 질량체(3)의 피크에는 스토퍼(30)가 제공되고, 상기 스토퍼(30)는 진동 질량체(3)를 너무 큰 변위로부터 보호한다. 진동 질량체(3) 및 벤딩 바아(B) 하부에 공동부(K)가 놓인다.
벤딩 바아(B)와 더불어, 진동 질량체(3)가 2개의 균일하게 도핑된 피에조 저항성 바아(PR1, PR2)를 통해 기판에 연결된다. 기판 평면 내에서 진동 질량체(3)의 변위시 피에조 저항성 바아(PR1, PR2)의 저항 변화를 검출하기 위해, 금속화 영역들(M1, M2, M3, M4, M5)이 제공되고, 상기 금속화 영역들은 하프 브릿지 평가를 가능하게 하도록 피에조 저항성 바아(PR1, PR2)와 결선된다.
진동 질량체(3)로부터 기판(1)으로 신호 피드백을 위해, 상기 회로 장치 내에 피에조 저항성 바아들(PR1, PR2)에 추가해서 벤딩 바아(B)가 반드시 필요하다. 그러나, 추가의 벤딩 바아(B)는 기계적 감도를 떨어뜨리고 및/또는 동일한 요구가 전제되면 필요한 트렌치와 관련해서 프로세스 비용을 증가시킨다. 특히, 바아들(PR1, PR2) 사이에 가능한 좁은 트렌치 절연(STI)이 필요하고, 이러한 절연은 프로세스 비용의 증가를 의미한다.
본 발명의 과제는 소형화를 가능하게 하는 간단하고 경제적인 구성을 갖는 피에조 저항성 마이크로메커니컬 센서 소자 및 상응하는 측정 방법을 제공하는 것이다.
상기 과제는 청구항 제 1항에 따른 센서 소자 및 청구항 제 12항에 따른 측정 방법에 의해 해결된다.
청구항 제 1항에 따른 피에조 저항성 마이크로메커니컬 센서 소자 및 청구항 제 12항에 따른 상응하는 측정 방법은 공지된 해결책들에 비해, 소형화를 가능하게 하는 간단하고 경제적인 구성이 가능해진다는 장점을 갖는다.
본 발명에 기초가 되는 사상은 피에조 저항성 바아(들)의 상부 면에서 측정 신호의 전기적 피드백을 위해 구조화된 도체 트랙 층, 예컨대 금속 층을 사용하는 것이다.
본 발명에 따른 피에조 저항성 마이크로메커니컬 센서 소자에서 전기적 평가는 다양한 장점을 갖는다. 피에조 저항성 바아의 상부 면 상에 제공된 도체 트랙 또는 리턴 라인은 도핑된 바아 내의 리턴 라인에 비해 더 작은 기생 저항을 갖는다. 저항 변화는 각각의 피에조 저항성 바아에서 별도로 평가될 수 있다. 이는 전류 없는 전압 측정(3점 및 4점 측정)을 가능하게 하므로, 기생 라인 저항이 측정 결과를 왜곡시키지 않는다. 직류 분리(galvanic separation)는 전류 미러를 기초로 간단한 차동 평가 회로를 가능하게 한다. 이러한 평가 방법은 회로 내에서 파라미터 변화에 비해 민감하지 않다.
기술적 장점으로는 동일한 감도일 때 바아들 사이의 절연 트렌치가 더 넓게 구현될 수 있다는 것이다. 이는 균일한 도핑에 기초한 피에조 저항성 가속 센서의 기술적 실시를 용이하게 한다.
종속 청구항들에는 본 발명의 각각의 대상의 바람직한 실시예 및 개선예가 제시된다.
바람직한 실시예에서, 진동 질량체는 피에조 저항성 바아(들)를 통해 기판에 현수된다. 이는 전체 기계적 현수 구성이 검출 또는 평가에 사용될 수 있다는 장점을 갖는다. 이는 가능한 더 작은 진동 질량체로 인해 더 높은 기계적 감도 또는 면 이득을 가능하게 한다.
다른 바람직한 실시예에 따라 진동 질량체가 연결 바아를 통해 기판에 현수되고, 피에조 저항성 바아는 연결 바아와 기판 사이에 제공된다. 이는 디자인 자유도를 현저히 높인다.
본 발명에 의해, 소형화를 가능하게 하는 간단하고 경제적인 구성을 갖는 피에조 저항성 마이크로메커니컬 센서 소자 및 상응하는 측정 방법이 제공된다.
본 발명의 실시예들이 도면에 도시되며 하기에서 상세히 설명된다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 마이크로메커니컬 가속 센서 장치 형태의 피에조 저항성 마이크로메커니컬 센서 소자의 평면도.
도 2a 내지 도 2c는 선 AA', BB' 및 CC'을 따른 도 1의 마이크로메커니컬 가속 센서 장치 형태의 피에조 저항성 마이크로메커니컬 센서 소자의 횡단면도.
도 3은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 마이크로메커니컬 가속 센서 장치 형태의 피에조 저항성 마이크로메커니컬 센서 소자의 평면도.
도 4는 본 발명에 따른 피에조 저항성 마이크로메커니컬 센서 소자를 사용한 측정 방법의 제 1 실시예를 설명하기 위한 제 1 측정 장치.
도 5는 본 발명에 따른 피에조 저항성 마이크로메커니컬 센서 소자를 사용한 측정 방법의 제 2 실시예를 설명하기 위한 제 2 측정 장치.
도 6은 마이크로메커니컬 가속 센서 장치 형태의 공지된 피에조 저항성 마이크로메커니컬 센서 소자의 사시도.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 마이크로메커니컬 가속 센서 장치 형태의 피에조 저항성 마이크로메커니컬 센서 소자의 평면도.
도 2a 내지 도 2c는 선 AA', BB' 및 CC'을 따른 도 1의 마이크로메커니컬 가속 센서 장치 형태의 피에조 저항성 마이크로메커니컬 센서 소자의 횡단면도.
도 3은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 마이크로메커니컬 가속 센서 장치 형태의 피에조 저항성 마이크로메커니컬 센서 소자의 평면도.
도 4는 본 발명에 따른 피에조 저항성 마이크로메커니컬 센서 소자를 사용한 측정 방법의 제 1 실시예를 설명하기 위한 제 1 측정 장치.
도 5는 본 발명에 따른 피에조 저항성 마이크로메커니컬 센서 소자를 사용한 측정 방법의 제 2 실시예를 설명하기 위한 제 2 측정 장치.
도 6은 마이크로메커니컬 가속 센서 장치 형태의 공지된 피에조 저항성 마이크로메커니컬 센서 소자의 사시도.
도면들에서 동일한 도면 부호는 동일한 또는 기능상 동일한 부품을 나타낸다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 마이크로메커니컬 가속 센서 장치 형태의 피에조 저항성 마이크로메커니컬 센서 소자의 평면도이다. 도 2a 내지 도 2c는 선 AA', BB' 및 CC'을 따른 도 1의 마이크로메커니컬 가속 센서 장치 형태의 피에조 저항성 마이크로메커니컬 센서 소자의 횡단면도이다.
도 1에서 도면 부호 5는 피에조 저항성 마이크로메커니컬 가속 센서를 나타낸다. 기판(1)으로부터 2개의 균일하게 도핑된 피에조 저항성 바아(1a, 1b)가 진동 질량체(3)까지 연장되므로, 상기 진동 질량체는 상기 바아들(1a, 1b)을 통해 기판(1)에 결합된다. 바아들(1a, 1b) 및 진동 진동체(3) 하부에 공동부(K)가 배치된다.
피에조 저항성 바아들(1a, 1b) 사이의 절연 트렌치(G)는 좁은 절연 트렌치(STI)로서도 구현될 수 있다. 이로 인해, 바아들(1a, 1b)은 회전점에 더 가까이 장착될 수 있고, 이는 레버 작용을 증대시킨다.
진동 질량체(3)의 중심(6)에 작용하는 x-y 평면(기판 평면)에서의 가속은 바아(1a)의 압축 및 바아(1b)의 회전을 일으키거나 또는 바아(1a)의 회전 및 바아(1b)의 압축을 일으킨다. 바아(1a, 1b)의 균일한 피에조 저항성 도핑은 바아의 전기 저항을 변화시킨다. 상기 저항 변화는 측정 장치들(M1, M2)에 의해 검출될 수 있고, 상기 측정 장치들은 R1a 또는 R1b로 표시된 바아(1a, 1b)의 현재 저항을 검출한다. 상기 검출된 저항 변화는 평형 위치로부터 진동 질량체(3)의 변위에 대한 척도이다.
바람직한 실시예에서, 2개의 피에조 저항성 바아(1a, 1b)에 대한 상기 검출은 별도로 이루어지고, 이를 위해 절연 트렌치(11a)가 직류 분리를 위해 기판(1) 내에 제공된다.
또한, 기판(1)의 2개의 직류 분리된 절반이 그 아래 놓인 기판(1)에 기계적으로 결합되어야 하지만 전기적으로는 분리되어야 한다(예컨대 전체 센서 하부의 직류-절연 희생층에 의해). 에칭시 질량체 및 바아 하부의 희생층이 제거되어야 하고 기판(1) 하부의 희생층은 유지되어야 한다.
저항 변화를 검출하기 위해, 기판(1)과 각각의 바아(1a 또는 1b) 및 상기 바아(1a, 1b)의 상부면에 제공된 각각의 도체 트랙(2a, 2b)의 직렬 접속이 주어진다. 도체 트랙들(2a, 2b)은 상부면을 부분적으로 또는 완전히 커버하고, 이 실시예에서는 금속 층으로 구조화된다. 특히, 본 실시예에서 각각의 도체 트랙(2a, 2b)은 진동 질량체(3)로부터 전체 바아(1a, 1b)를 통해 기판(1)의 영역까지 연장된다. 기판(1)과의 단락을 방지하기 위해, 도체 트랙들(2a, 2b) 하부에서 기판(1)의 영역에 전기 절연 층이 도체 트랙들(2a, 2b)과 기판(1) 사이에 배치된다. 마찬가지로, 절연층(I)이 도체 트랙들(2a, 2b)과 바아들(1a, 1b) 사이에서 각각의 접촉 영역(K)까지 제공되고, 상기 접촉 영역에서 도체 트랙들(2a, 2b)은 바아들(1a, 1b)과 전기 접촉된다. 상기 절연층(I)은 특히 도 2b 및 도 2c에 명확히 나타난다.
측정 장치들(M1 또는 M2)은 한편으로는 라인 영역들(L1, L2) 및 콘택(K1)을 통해 기판에 접속되고, 다른 한편으로는 라인들(L3 또는 L4) 및 콘택(K3) 또는 콘택(K4)을 통해 도체 트랙들(2a, 2b)에 접속된다.
이 실시예에서 피에조 저항성 바아들(1a, 1b)의 저항들(R1a, R1b)의 저항 변화의 별도 평가가 제공됨에도 불구하고, 전술한 바와 같이, 도 6과 유사하게 예컨대 하프 브릿지 회로에서 바아들(1a, 1b)이 공통으로 평가될 수도 있다. 또한, 필요한 안정성 기준이 충족될 수 있다면, 단일 피에조 저항성 바아를 제공하는 것도 가능하다.
또한, 단일 피에조 저항성 바아에서 별도로 평가되는 다수의 피드백이 제공될 수 있다.
도 3은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 마이크로메커니컬 가속 센서 장치(5') 형태의 피에조 저항성 마이크로메커니컬 센서 소자의 평면도이다.
도 3에 도시된 제 2 실시예에서, 도핑되지 않은 벤딩 바아(7)가 제공되고, 상기 바아는 진동 질량체(3)를 기판(1)에 연결한다. 여기서는, 균일하게 도핑된 피에조 저항성 바아(1a', 1b')가 기판(1)과 진동 질량체(3) 사이에 제공되지 않고, 기판(1)과 상기 바아(7) 사이에 제공된다. 피에조 저항성 바아들(1a', 1b')이 바아(7)에 대해 일정한 각(α)(여기서는 90°)으로 장착되는 이러한 실시예는 더 높은 구조 자유도를 가능하게 한다. 예컨대, 진동 질량체(3)의 중심점(6)과 기판(1)에 대한 현수점 사이의 간격이 일정할 때 바아들(1a, 1b)의 길이 변화를 가능하게 한다(레버 암 길이).
물론 상기 각이 90°로 제한되지 않으며, 자유로이 변화될 수 있다. 바아들(1a', 1b')이 동일한 각(α)을 가질 필요는 없다.
피에조 저항성 바아들(1a', 1b')에 제공된 도체 트랙들(2a', 2b')은 도 1에 따른 제 1 실시예에서와 정확히 똑같이 구조화되고, 도 1과 관련해서 이미 설명된, 피에조 저항성 바아들(1a', 1b')의 저항 변화의 평가를 가능하게 한다. 제 1 실시예에서와 같이, 절연 층(I)이 도체 트랙들(2a', 2b')과 바아들(1a', 1b') 또는 기판(1) 사이에서 각각의 접촉 영역(K')까지 제공되고, 상기 접촉 영역에서 도체 트랙들(2a', 2b')이 바아들(1a', 1b')과 전기 접촉된다.
도 4는 본 발명에 따른 피에조 저항성 마이크로메커니컬 센서 소자를 사용한 측정 방법의 제 1 실시예를 설명하기 위한 제 1 측정 장치이다.
도 4에 도시된 측정 장치(M1')는 연결 노드(J1, J2, J3, J4)를 통해 쌍으로 평행하게 공급 전위(U0)와 기준 전위(REF) 사이에 접속되는 4개의 피에조 저항성 바아(1a, 1b, 1c, 1d)의 풀 브릿지 접속에 기초한다. 저항 변화를 검출하기 위한 탭은 연결 노드들(J3, J4)에서 이루어지고, 공지된 바대로 진동 질량체(3)의 변위시 저항 변화에 대한 직접적인 척도인 전압 값들 U+ 및 U-를 공급한다.
4개의 피에조 저항성 바아들(1a, 1b, 1c, 1d)은 단일 진동 질량체(3)에 제공되거나 또는 2개의 나란히 놓인 가속 센서들을 통해 구현될 수 있고, 경우에 따라 관련된 2개의 진동 질량체가 서로 기계적으로 결합될 수 있다.
도 5는 본 발명에 따른 피에조 저항성 마이크로메커니컬 센서 소자를 사용한 측정 방법의 제 2 실시예를 설명하기 위한 측정 장치이다.
도 5에 도시된 측정 장치(M1")는 시그마-델타 변조를 가진 전류 미러 회로 장치이다. 기준 전압(VREF)이 인가되는 차동 증폭기(10)는 피에조 저항성 바아(1a)를 통해 강하하는 전압이 항상 기준 전압(VREF)과 동일하게 한다. 이는 다른 트랜지스터(T2)와 함께 피에조 저항성 바아(1a)에 대해 직렬 접속되는 트랜지스터(T1)의 상응하는 제어에 의해 이루어진다. 피에조 저항성 바아(1a)를 통한 전류 흐름(I)은 공급 전압원(VBD)으로부터 트랜지스터(T2) 및 트랜지스터(T1)를 통해 그리고 피에조 저항성 바아(1a)를 통해 기준 전압원(Vss)(통상 접지 전위)으로 이루어진다. 이러한 분기에서 발생하는 전류는 바아에 연결된 진동 질량체(3)의 변위로 인한 피에조 저항성 바아(1a)의 저항 변화에 따라 변화된다.
다른 분기는 직렬 접속된 트랜지스터들(T3, T5) 및 직렬 접속된 트랜지스터들(T4, T6)을 형성하고, 이들은 각각 전류 미러로서 접속되므로, 각각 관련된 제어 가능한 스위치(C 또는 C')가 폐쇄되면, 피에조 저항성 바아(1a)를 통해 흐르는 포지티브 전류 값(I+)이 트랜지스터(T4)를 통해 흐르고, 피에조 저항성 바아(1a)를 통해 흐르는 네거티브 전류 값(I-)은 트랜지스터(T6)을 통해 흐른다.
로직 장치(L)는 교대로 스위치(C, C')의 폐쇄를 제어하고, 폐쇄시 각각의 전류 흐름이 적분기(20)에서 적분되고, 그 평균 값은 제로이다. 스위치(C, C')의 듀티 사이클은 피에조 저항성 바아를 통해 흐르는 전류(I)를 나타내며, 상기 전류(I)는 측정 장치(M1")에 의해 출력 신호 OUT(I)로서 공급된다.
본 발명이 바람직한 실시예로 설명되지만, 본 발명이 그것에 제한되는 것은 아니며 다른 방식으로도 설명될 수 있다.
2가지 실시예에서 도체 트랙들(1a, 1b 또는 1a', 1b')은 금속 층으로부터 구조화된다. 그러나, 상기 바아를 고도핑된 반도체 층 또는 그 밖의 도체 트랙 층에 의해 형성하는 것도 가능하다.
본 발명이 피에조 저항성 마이크로메커니컬 가속 센서와 관련해서 설명되었지만, 그것에 제한되는 것은 아니며, 다른 피에조 저항성 마이크로메커니컬 소자, 예컨대 회전률 센서, 압력 센서 등에도 적용될 수 있다.
x-y 평면에서 검출 방향을 가진 도시된 가속 센서와 더불어, 본 발명에 따른 피에조 저항성 마이크로메커니컬 센서 소자는 Z-방향의 검출을 위해서도 사용될 수 있다. 도체 트랙(2a, 2b)은 비대칭 증대를 형성하며, 상기 증대는 z-가속의 작용시 바아들(1a, 1b) 내에서 균일한 기계적 응력을 야기한다. 이 경우, 바아들(1a, 1b) 내의 기계적 응력은 조정된다. 이로 인해, 피드백을 위한 하나의 금속 도체 트랙 및 단 하나의 바아를 구비한 z-가속 센서가 구현될 수 있다.
기본적으로 xyz-센서 소자가 하나 또는 다수의 측면의 도체 트랙 및 하나 또는 다수의 상부면 및/또는 하부면의 도체 트랙에 의해 구현될 수 있다.
1 기판
1a, 1b; 1a', 1b' 바아
2a, 2b; 2a', 2b' 도체 트랙
3 진동 질량체
M1;M2;M1'; M1" 측정 장치
1a, 1b; 1a', 1b' 바아
2a, 2b; 2a', 2b' 도체 트랙
3 진동 질량체
M1;M2;M1'; M1" 측정 장치
Claims (15)
- 피에조 저항성 마이크로메커니컬 센서 소자로서,
기판(1);
상기 기판(1)에 변위 가능하게 현수되는 진동 질량체(3);
상기 기판(1)과 상기 진동 질량체(3) 사이에 제공되며, 상기 진동 질량체(3)의 변위시 저항 변화되는 적어도 하나의 피에조 저항성 바아(1a, 1b; 1a', 1b')로서, 상기 피에조 저항성 바아(1a, 1b; 1a', 1b')는 측면 및/또는 상부면 및/또는 하부면의 도체 트랙(2a, 2b; 2a', 2b')을 포함하고, 상기 도체 트랙은 상기 피에조 저항성 바아(1a, 1b; 1a', 1b')를 적어도 부분적으로 커버하며 상기 기판(1)의 영역까지 연장되는, 상기 적어도 하나의 피에조 저항성 바아(1a, 1b; 1a', 1b'); 및
상기 기판(1) 및 상기 도체 트랙(2a, 2b; 2a', 2b')에 전기적으로 접속되는 측정 장치(M1; M2; M1'; M1")로서, 상기 기판(1)으로부터 상기 피에조 저항성 바아(1a, 1b; 1a', 1b')를 통해 그리고 상기 피에조 저항성 바아(1a, 1b; 1a', 1b')로부터 상기 측면 및/또는 상부면 및/또는 하부면의 도체 트랙(2a, 2b; 2a', 2b')을 통해 연장하는 회로 경로상에서의 상기 저항 변화를 측정하도록 구성되는, 상기 측정 장치(M1; M2; M1'; M1");를 포함하고,
상기 측정 장치(M1; M2; M1'; M1")는 피에조 저항성 바아(들)(1a, 1b; 1a', 1b')의 저항 변화를 전류 미러 회로 장치(M1")에서 시그마-델타 변조를 사용하여 평가하도록 구성되는 센서 소자. - 제 1항에 있어서, 상기 진동 질량체(3)는 상기 피에조 저항성 바아(1a, 1b; 1a', 1b')를 통해 상기 기판(1)에 현수되는 것을 특징으로 하는 센서 소자.
- 제 1항에 있어서, 상기 진동 질량체(3)는 연결 바아(7)를 통해 상기 기판(1)에 현수되고, 상기 피에조 저항성 바아(1a, 1b; 1a', 1b')는 상기 연결 바아(7)와 상기 기판(1) 사이에 제공되는 것을 특징으로 하는 센서 소자.
- 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판(1)의 영역에서 연장하는 상기 도체 트랙(2a, 2b; 2a', 2b')의 영역과 상기 기판(1) 사이에 전기 절연층(I)이 제공되는 것을 특징으로 하는 센서 소자.
- 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판(1)과 상기 진동 질량체(3) 사이에 다수의 피에조 저항성 바아(1a, 1b; 1a', 1b')가 제공되고, 상기 다수의 피에조 저항성 바아(1a, 1b; 1a', 1b') 각각은 상부면의 도체 트랙(2a, 2b; 2a', 2b')을 포함하고, 상기 상부면의 도체 트랙(2a, 2b; 2a', 2b')은 관련된 상기 피에조 저항성 바아(1a, 1b; 1a', 1b')를 적어도 부분적으로 커버하며 상기 기판(1)의 영역까지 연장하고, 상기 기판(1) 및 상기 도체 트랙(2a, 2b; 2a', 2b')에 전기적으로 접속되는 상기 측정 장치(M1; M2; M1'; M1")는 상기 기판(1)으로부터 상기 각각의 피에조 저항성 바아(1a, 1b; 1a', 1b')를 통해 그리고 각각의 상기 피에조 저항성 바아(1a, 1b; 1a', 1b')로부터 관련된 상기 상부면의 도체 트랙(2a, 2b; 2a', 2b')을 통해 연장하는 각각의 회로 경로상에서의 상기 저항 변화를 측정하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 센서 소자.
- 제 5항에 있어서, 상기 측정 장치(M1; M2; M1'; M1")는 상기 다수의 피에조 저항성 바아(1a, 1b; 1a', 1b')의 저항 변화를 개별적으로 평가하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 센서 소자.
- 제 5항에 있어서, 상기 측정 장치(M1; M2; M1'; M1")는 상기 다수의 피에조 저항성 바아(1a, 1b; 1a', 1b')의 저항 변화를 하프 브릿지 회로 장치 또는 풀 브릿지 회로 장치(M1')에서 조합해서 평가하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 센서 소자.
- 삭제
- 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판(1)은 2개의 인접한 피에조 저항성 바아(1a, 1b; 1a', 1b')를 통해 상기 회로 경로의 직류 분리를 위한 트렌치(11a)를 포함하는 것을 특징으로 하는 센서 소자.
- 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 도체 트랙들(2a, 2b; 2a', 2b')은 금속화 층으로부터 구조화되는 금속 도체 트랙인 것을 특징으로 하는 센서 소자.
- 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서, 다수의 결합된 진동 질량체(3)가 제공되는 것을 특징으로 하는 센서 소자.
- 기판(1)과 진동 질량체(3) 사이에 제공되며 상기 진동 질량체(3)의 변위시 저항 변화되는 피에조 저항성 바아(1a, 1b; 1a', 1b')의 저항 변화에 의해 상기 기판(1)에 변위 가능하게 현수되는 진동 질량체(3)의 변위를 검출하기 위한 측정 방법으로서,
상기 기판(1)으로부터 상기 피에조 저항성 바아(1a, 1b; 1a', 1b')를 통해 그리고 상기 피에조 저항성 바아(1a, 1b; 1a', 1b')로부터 측면 및/또는 상부면 및/또는 하부면의 도체 트랙(2a, 2b; 2a', 2b')을 통해 연장하는 회로 경로를 설치하는 단계로서, 상기 도체 트랙(2a, 2b; 2a', 2b')은 상기 피에조 저항성 바아(1a, 1b; 1a', 1b')를 적어도 부분적으로 커버하며 상기 기판(1)의 영역까지 연장하는 , 상기 설치 단계; 및
상기 진동 질량체(3)의 변위를 검출하기 위해 상기 회로 경로에 연결되는 측정 장치(M1; M2; M1'; M1")에 의해 상기 저항 변화를 평가하는 단계;를 포함하고,
하나 또는 다수의 피에조 저항성 바아(1a, 1b; 1a', 1b')의 상기 저항 변화는 상기 측정 장치(M1; M2; M1'; M1")에 의해 전류 미러 회로 장치(M1")에서 시그마-델타 변조를 사용하여 평가되는 측정 방법. - 제 12항에 있어서, 상기 기판(1)과 상기 진동 질량체(3) 사이에 제공되는 다수의 피에조 저항성 바아(1a, 1b; 1a', 1b')의 상기 저항 변화가 상기 측정 장치(M1; M2; M1'; M1")에 의해 개별적으로 평가되는 것을 특징으로 하는 측정 방법.
- 제 12항에 있어서, 상기 기판(1)과 상기 진동 질량체(3) 사이에 제공되는 다수의 피에조 저항성 바아(1a, 1b; 1a', 1b')의 상기 저항 변화가 하프 브릿지 회로 장치 또는 풀 브릿지 회로 장치(M1')에서 상기 측정 장치(M1; M2; M1'; M1")에 의해 조합해서 평가되는 것을 특징으로 하는 측정 방법.
- 삭제
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102010002994.7 | 2010-03-18 | ||
DE102010002994A DE102010002994A1 (de) | 2010-03-18 | 2010-03-18 | Piezoresistives mikromechanisches Sensorbauelement und entsprechendes Messverfahren |
PCT/EP2011/050641 WO2011113625A1 (de) | 2010-03-18 | 2011-01-19 | Piezoresistives mikromechanisches sensorbauelement und entsprechendes messverfahren |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20130007574A KR20130007574A (ko) | 2013-01-18 |
KR101825902B1 true KR101825902B1 (ko) | 2018-02-06 |
Family
ID=43981414
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020127024175A KR101825902B1 (ko) | 2010-03-18 | 2011-01-19 | 피에조 저항성 마이크로메커니컬 센서 소자 및 측정 방법 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9110090B2 (ko) |
EP (1) | EP2548032B1 (ko) |
JP (1) | JP5665892B2 (ko) |
KR (1) | KR101825902B1 (ko) |
CN (1) | CN102792169B (ko) |
DE (1) | DE102010002994A1 (ko) |
WO (1) | WO2011113625A1 (ko) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102010030345B4 (de) | 2010-06-22 | 2019-05-09 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer piezoresistiven Sensoranordnung und Sensoranordnung |
GB2492798B (en) | 2011-07-12 | 2013-08-14 | Weston Aerospace Ltd | Dual output accelerometer system |
DE102012215262B4 (de) * | 2012-08-28 | 2020-08-20 | Robert Bosch Gmbh | Mikromechanische Struktur und entsprechendes Herstellungsverfahren |
JP5849993B2 (ja) | 2013-06-07 | 2016-02-03 | 株式会社安川電機 | パラレルリンクロボット及びロボットシステム並びに搬送設備の構築方法 |
FR3110284B1 (fr) * | 2020-05-14 | 2023-01-13 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif de détection utilisant une transduction piézorésistive |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008143191A1 (ja) * | 2007-05-17 | 2008-11-27 | Rohm Co., Ltd. | Memsセンサおよびその製造方法 |
Family Cites Families (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4488445A (en) | 1983-10-28 | 1984-12-18 | Honeywell Inc. | Integrated silicon accelerometer with cross-axis compensation |
JPS62124777A (ja) * | 1985-11-25 | 1987-06-06 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体力学量センサ |
US4691568A (en) * | 1985-12-09 | 1987-09-08 | Motorola, Inc. | Semi-conductor accelerometer |
FR2604791B1 (fr) * | 1986-10-02 | 1988-11-25 | Commissariat Energie Atomique | Procedes de fabrication d'une jauge piezoresistive et d'un accelerometre comportant une telle jauge |
JPH01222489A (ja) | 1988-03-01 | 1989-09-05 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPH03202777A (ja) | 1989-12-29 | 1991-09-04 | Ricoh Co Ltd | 加速度センサ |
JP2540973B2 (ja) | 1990-03-13 | 1996-10-09 | 日本電気株式会社 | 半導体加速度センサ |
JPH04284644A (ja) * | 1991-03-14 | 1992-10-09 | Fuji Electric Co Ltd | ピエゾセンサ回路 |
JPH04302175A (ja) | 1991-03-29 | 1992-10-26 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体加速度センサの製造方法 |
JP3072354B2 (ja) | 1991-06-07 | 2000-07-31 | 日本航空電子工業株式会社 | 振動子型加速度計 |
JPH0575468A (ja) * | 1991-09-12 | 1993-03-26 | Yokogawa Electric Corp | Σδ変調器 |
JP2940293B2 (ja) | 1992-03-31 | 1999-08-25 | 日産自動車株式会社 | 半導体加速度センサの製造方法 |
JPH08297137A (ja) | 1995-04-26 | 1996-11-12 | Kansai Gas Meter Co Ltd | 簡易形加速度センサ |
US5668320A (en) | 1995-06-19 | 1997-09-16 | Cardiometrics, Inc. | Piezoresistive pressure transducer circuitry accommodating transducer variability |
JPH09311138A (ja) | 1996-05-24 | 1997-12-02 | Japan Aviation Electron Ind Ltd | シリコン加速度センサ |
JPH09318655A (ja) | 1996-05-27 | 1997-12-12 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 半導体加速度センサおよびその製造方法 |
US6389899B1 (en) * | 1998-06-09 | 2002-05-21 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | In-plane micromachined accelerometer and bridge circuit having same |
JP2003042870A (ja) * | 2001-08-02 | 2003-02-13 | Denso Corp | センサ用温度特性補正回路装置及びセンサの温度特性補正方法 |
JP2003249825A (ja) * | 2002-02-22 | 2003-09-05 | Mitsubishi Electric Corp | デルタシグマ変調を用いるd級増幅器 |
JP4516264B2 (ja) | 2002-08-08 | 2010-08-04 | パナソニック電工株式会社 | 物理量センサ装置 |
US7481112B2 (en) * | 2004-09-30 | 2009-01-27 | University Of Southern California | Silicon inertial sensors formed using MEMS |
JP2006133161A (ja) * | 2004-11-09 | 2006-05-25 | Fujitsu Media Device Kk | 加速度センサー |
JP2006275961A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Yamagata Prefecture | 半導体センサおよびその製造方法 |
JP2006275896A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Yokohama Rubber Co Ltd:The | 半導体加速度センサ |
JP2007003211A (ja) | 2005-06-21 | 2007-01-11 | Sharp Corp | 加速度センサおよびその出力補正方法 |
US7481113B2 (en) * | 2005-07-27 | 2009-01-27 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor sensor with projection for preventing proof mass from sticking to cover plate |
CN1851472A (zh) | 2006-05-29 | 2006-10-25 | 东南大学 | 基于微机械技术的压阻非热式流速流向传感器 |
US20090223292A1 (en) * | 2006-09-28 | 2009-09-10 | Hitachi Metals, Ltd. | Acceleration sensor |
JP4952217B2 (ja) | 2006-11-29 | 2012-06-13 | 株式会社村田製作所 | センサ装置 |
JP4328349B2 (ja) | 2006-11-29 | 2009-09-09 | 株式会社日立製作所 | 残留応力測定方法及び装置 |
CN101329361B (zh) * | 2008-05-30 | 2011-06-15 | 无锡市纳微电子有限公司 | 兼有测量压强、温度变化功能的微型硅加速度计及其加工方法 |
JP5195102B2 (ja) * | 2008-07-11 | 2013-05-08 | 大日本印刷株式会社 | センサおよびその製造方法 |
EP2341618A1 (en) * | 2009-12-23 | 2011-07-06 | Nxp B.V. | Piezo-resistive MEMS resonator |
-
2010
- 2010-03-18 DE DE102010002994A patent/DE102010002994A1/de not_active Withdrawn
-
2011
- 2011-01-19 US US13/635,581 patent/US9110090B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2011-01-19 JP JP2012557457A patent/JP5665892B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-01-19 KR KR1020127024175A patent/KR101825902B1/ko active IP Right Grant
- 2011-01-19 WO PCT/EP2011/050641 patent/WO2011113625A1/de active Application Filing
- 2011-01-19 EP EP11709023.3A patent/EP2548032B1/de not_active Not-in-force
- 2011-01-19 CN CN201180014220.4A patent/CN102792169B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008143191A1 (ja) * | 2007-05-17 | 2008-11-27 | Rohm Co., Ltd. | Memsセンサおよびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE102010002994A1 (de) | 2011-09-22 |
WO2011113625A1 (de) | 2011-09-22 |
US9110090B2 (en) | 2015-08-18 |
US20130098154A1 (en) | 2013-04-25 |
CN102792169A (zh) | 2012-11-21 |
JP5665892B2 (ja) | 2015-02-04 |
CN102792169B (zh) | 2016-10-19 |
JP2013525747A (ja) | 2013-06-20 |
EP2548032A1 (de) | 2013-01-23 |
KR20130007574A (ko) | 2013-01-18 |
EP2548032B1 (de) | 2013-11-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8549922B2 (en) | Motion detection using capacitor having different work function materials | |
KR101825902B1 (ko) | 피에조 저항성 마이크로메커니컬 센서 소자 및 측정 방법 | |
US6360605B1 (en) | Micromechanical device | |
US8407905B1 (en) | Multiple magneto meters using Lorentz force for integrated systems | |
US8443671B2 (en) | Micromechanical structure and method for manufacturing a micromechanical structure | |
KR102115504B1 (ko) | 센서의 댐핑 | |
US10913652B2 (en) | Micromechanical z-inertial sensor | |
US11543229B2 (en) | Sensor misalignment measuring device | |
US9664753B2 (en) | Hall-effect-based magnetic field sensor having an improved output bandwidth | |
US9612254B2 (en) | Microelectromechanical systems devices with improved lateral sensitivity | |
JP5292600B2 (ja) | 加速度センサ | |
US20050066704A1 (en) | Method and device for the electrical zero balancing for a micromechanical component | |
KR101624638B1 (ko) | 측면 게이트를 구비하는 나노와이어 공진기 | |
US20120266672A1 (en) | Heated air mass WCSP package and method for accelerometer | |
JP2002529684A (ja) | 歪み測定器 | |
WO2008026331A1 (fr) | Capteur capacitif d'accélération | |
US9903883B2 (en) | Angular acceleration sensor and acceleration sensor | |
JP5333354B2 (ja) | 力学量センサ | |
CN102538773A (zh) | 微机电的元件以及用于制造这样的微机电的元件的方法 | |
JP2650623B2 (ja) | 半導体加速度センサ | |
JP2001272414A (ja) | 内燃機関のノッキングを検出するためのセンサ | |
US20160313365A1 (en) | Micromechanical structure for an acceleration sensor | |
Choubey et al. | Validation of inverse eigenvalue technique for characterisation of coupled micro/nano resonators | |
KR20140116696A (ko) | 관성센서 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right |