KR101809277B1 - Light emitting device package and lighting apparatus having the same - Google Patents
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Abstract
실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 개방된 상부를 갖는 캐비티를 포함하는 몸체; 상기 캐비티에 배치된 복수의 리드 프레임; 상기 복수의 리드 프레임 중 적어도 한 리드 프레임 위에 배치된 발광 칩; 및 상기 발광 칩 위에 몰딩되며 상기 캐비티에 형성된 몰딩 부재를 포함하며, 상기 몰딩 부재의 외측 상단면은 상기 몸체의 상면보다 낮은 제1깊이로 배치되며, 상기 제1깊이는 상기 몸체의 상면으로부터 상기 캐비티 바닥까지의 제2깊이의 6.5% 이하 범위를 포함한다. A light emitting device package according to an embodiment includes: a body including a cavity having an open top; A plurality of lead frames disposed in the cavity; A light emitting chip disposed on at least one of the plurality of lead frames; And a molding member molded on the light emitting chip and formed on the cavity, wherein an outer upper end surface of the molding member is disposed at a first depth lower than an upper surface of the body, To 6.5% of the second depth to the floor.
Description
본 발명은 발광소자 패키지 및 이를 구비한 조명 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting device package and a lighting apparatus having the same.
발광소자, 예컨대 발광 다이오드(Light Emitting Device)는 전기 에너지를 빛으로 변환하는 반도체 소자의 일종으로, 기존의 형광등, 백열등을 대체하여 차세대 광원으로서 각광받고 있다.BACKGROUND ART A light emitting device, for example, a light emitting device (Light Emitting Device) is a type of semiconductor device that converts electrical energy into light, and has been widely recognized as a next generation light source in place of existing fluorescent lamps and incandescent lamps.
발광 다이오드는 반도체 소자를 이용하여 빛을 생성하므로, 텅스텐을 가열하여 빛을 생생하는 백열등이나, 또는 고압 방전을 통해 생성된 자외선을 형광체에 충돌시켜 빛을 생성하는 형광등에 비해 매우 낮은 전력만을 소모한다.Since the light emitting diode generates light by using a semiconductor device, the light emitting diode consumes very low power compared to a fluorescent lamp that generates light by heating tungsten to generate light by incandescent lamps or by colliding ultraviolet rays generated through high-voltage discharges with phosphors .
또한, 발광 다이오드는 반도체 소자의 전위 갭을 이용하여 빛을 생성하므로 기존의 광원에 비해 수명이 길고 응답특성이 빠르며, 친환경적 특징을 갖는다.In addition, since the light emitting diode generates light using the potential gap of the semiconductor device, it has a longer lifetime, faster response characteristics, and an environment-friendly characteristic as compared with the conventional light source.
이에 따라, 기존의 광원을 발광 다이오드로 대체하기 위한 많은 연구가 진행되고 있으며, 발광 다이오드는 실내외에서 사용되는 각종 램프, 액정표시장치, 전광판, 가로등 등의 조명 장치의 광원으로서 사용이 증가하고 있다. Accordingly, much research has been conducted to replace an existing light source with a light emitting diode, and a light emitting diode is increasingly used as a light source for various lamps used for indoor and outdoor use, lighting devices such as a liquid crystal display, an electric signboard, and a streetlight.
실시예는 몰딩 부재의 표면 높이를 낮춘 발광소자 패키지를 제공한다. The embodiment provides a light emitting device package having a reduced surface height of a molding member.
실시 예는 몰딩 부재의 표면 높이를 낮추어 상기 몰딩 부재가 팽창되더라도 상기 몸체의 상면보다 돌출되는 것을 방지할 수 있도록 한 발광소자 패키지 및 이를 구비한 조명 장치를 제공한다.Embodiments provide a light emitting device package and a lighting device having the same that can prevent the molding member from protruding from the upper surface of the body even if the molding member is inflated by lowering the surface height of the molding member.
실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 개방된 상부를 갖는 캐비티를 포함하는 몸체; 상기 캐비티에 배치된 복수의 리드 프레임; 상기 복수의 리드 프레임 중 적어도 한 리드 프레임 위에 배치된 발광 칩; 및 상기 발광 칩 위에 몰딩되며 상기 캐비티에 형성된 몰딩 부재를 포함하며, 상기 몰딩 부재의 외측 상단면은 상기 몸체의 상면보다 낮은 제1깊이로 배치되며, 상기 제1깊이는 상기 몸체의 상면으로부터 상기 캐비티 바닥까지의 제2깊이의 6.5% 이하 범위를 포함한다. A light emitting device package according to an embodiment includes: a body including a cavity having an open top; A plurality of lead frames disposed in the cavity; A light emitting chip disposed on at least one of the plurality of lead frames; And a molding member molded on the light emitting chip and formed on the cavity, wherein an outer upper end surface of the molding member is disposed at a first depth lower than an upper surface of the body, To 6.5% of the second depth to the floor.
실시 예에 따른 조명 장치는, 상기의 발광 소자 패키지를 포함한다. The lighting apparatus according to the embodiment includes the light emitting device package described above.
실시 예는 발광소자 패키지와 도광판의 접촉을 방지하여, 도광판 내에서의 색 균일도 저하를 방지할 수 있다. Embodiments can prevent the light emitting device package from contacting the light guide plate, and prevent color uniformity from deteriorating in the light guide plate.
실시 예는 온도에 따른 발광소자 패키지의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다. The embodiment can improve the reliability of the light emitting device package according to the temperature.
실시 예는 발광소자 패키지를 갖는 조명 장치의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다.Embodiments can improve the reliability of a lighting apparatus having a light emitting device package.
도 1은 제1실시 예에 따른 발광소자 패키지의 사시도를 나타낸다.
도 2는 도 1의 발광소자 패키지의 측 단면도이다.
도 3은 비교 예의 발광소자 패키지를 나타낸 측 단면도이다.
도 4는 비교 예의 발광소자 패키지의 온도 분포를 나타낸 도면이다.
도 5는 비교 예의 발광소자 패키지에서 몰딩 부재의 영역별 팽창 예를 나타낸 도면이다.
도 6은 실시 예 및 비교 예의 발광소자 패키지에서 몰딩 부재의 영역별 온도 분포와 X축 방향에서의 팽창 정도를 나타낸 그래프이다.
도 7은 제2실시 예에 따른 발광소자 패키지를 나타낸 도면이다.
도 8은 도 1의 발광소자 패키지를 갖는 표시 장치를 나타낸 사시도이다.
도 9는 도 1의 발광소자 패키지를 갖는 표시 장치의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 10은 도 1의 발광소자 패키지를 갖는 조명 장치를 나타낸 도면이다.1 is a perspective view of a light emitting device package according to a first embodiment.
2 is a side sectional view of the light emitting device package of Fig.
3 is a side sectional view showing a light emitting device package of a comparative example.
4 is a diagram showing the temperature distribution of the light emitting device package of the comparative example.
5 is a view showing an example of expansion of a molding member in each light emitting device package of a comparative example.
FIG. 6 is a graph showing the temperature distribution and the degree of expansion in the X-axis direction of the molding member in the light emitting device package of the embodiment and the comparative example.
7 is a view illustrating a light emitting device package according to the second embodiment.
8 is a perspective view showing a display device having the light emitting device package of FIG.
9 is a view showing another example of a display device having the light emitting device package of FIG.
10 is a view showing a lighting device having the light emitting device package of FIG.
실시 예의 설명에 있어서, 각 기판, 프레임, 시트, 층 또는 패턴 등이 각 기판, 프레임, 시트, 층 또는 패턴 등의 "상/위(on)"에 또는 "아래/하(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"과 "아래/하(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.In the description of the embodiments, each substrate, frame, sheet, layer or pattern is formed "on" or "under" each substrate, frame, sheet, Quot; on "and" under "include both being formed" directly "or" indirectly " . In addition, the upper or lower reference of each component is described with reference to the drawings. The size of each component in the drawings may be exaggerated for the sake of explanation and does not mean the size actually applied.
이하, 실시 예들은 첨부된 도면 및 실시 예들에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다. 도면에서 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다. 또한 동일한 참조번호는 도면의 설명을 통하여 동일한 요소를 나타낸다. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The above and other features and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description taken in conjunction with the accompanying drawings, in which: FIG. In the drawings, dimensions are exaggerated, omitted, or schematically illustrated for convenience and clarity of illustration. Also, the size of each component does not entirely reflect the actual size. The same reference numerals denote the same elements throughout the description of the drawings.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시예에 따른 발광소자 패키지를 설명한다.Hereinafter, a light emitting device package according to an embodiment will be described with reference to the accompanying drawings.
도 1은 제1실시예에 따른 발광소자 패키지의 사시도를 나타내며, 도 2는 도 1의 발광소자 패키지의 측 단면도이다. FIG. 1 is a perspective view of a light emitting device package according to a first embodiment, and FIG. 2 is a side sectional view of the light emitting device package of FIG.
도 1 및 도 2를 참조하면, 발광소자 패키지(100)는 오목부(60)를 갖는 몸체(10), 제1캐비티(25)를 갖는 제1리드 프레임(21), 제2캐비티(35)를 갖는 제2리드 프레임(31), 연결 프레임(46), 발광 칩들(71,72), 와이어들(73 내지 76) 및 몰딩 부재(81)를 포함한다. 실시 예의 설명의 위해, 상기 발광소자 패키지(100)는 X축 방향의 길이가 7.0mm, Y축 방향의 길이가 3.0mm, 두께가 800㎛ 범위로 형성될 수 있으며, 내부에 복수의 발광 칩(71,72)이 배치된 구성을 일 예로 설명하기로 하며, 상기 각 수치의 오차는 ±10% 범위를 포함하며, 상기의 구조로 본 발명을 한정하지는 않는다. 1 and 2, a light
몸체(10)는 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide)와 같은 수지 재질, 실리콘(Si), 금속 재질, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3), 인쇄회로기판(PCB) 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 몸체(10)는 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide)와 같은 수지 재질로 이루어질 수 있다. The
다른 예로서, 상기 몸체(10)는 전도성을 갖는 도체로 형성될 수 있다. 몸체(10)가 전기 전도성을 갖는 재질로 형성되는 경우, 몸체(10)의 표면에는 절연막(미도시)이 더 형성되어 전도성의 몸체(10)가 제1캐비티(25), 제2캐비티(35) 및 연결 프레임(46)과 전기적으로 쇼트(short) 되는 것을 방지하도록 구성될 수 있다.As another example, the
몸체(10)의 형상은 위에서 볼 때, 삼각형, 사각형, 다각형, 및 원형, 곡면을 갖는 형상 등 다양한 형상을 가질 수 있다. 상기 몸체(10)는 복수의 측면부(11~14)을 포함하며, 상기 복수의 측면부(11~14) 중 적어도 하나는 상기 몸체(10)의 하면에 대해 수직하거나 경사지게 배치될 수 있다. 상기 몸체(10)는 제1 내지 제4측면부(11~14)을 그 예로 설명하며, 제1측면부(11)와 제2측면부(12)는 서로 반대측 면이며, 상기 제3측면부(13)와 상기 제4측면부(14)는 서로 반대측 면이다. 상기 제1측면부(11) 및 제2측면부(12) 각각의 길이는 제3측면부(13) 및 제4측면부(14)의 길이와 다를 수 있으며, 예컨대 상기 제1측면부(11)와 상기 제2측면부(12)의 길이(즉, 장변 길이)는 상기 제3측면부(13) 및 제4측면부(14)의 길이보다 더 길게 형성될 수 있다. 상기 제1측면부(11) 또는 제2측면부(12)의 길이는 상기 제3측면부(13) 및 제4측면부(14) 사이의 간격일 수 있으며, 상기의 길이 방향은 제2 및 제3캐비티(25,35)의 중심을 지나는 방향일 수 있다. The shape of the
상기 제1리드 프레임(21) 및 제2리드 프레임(31)은 몸체(10)의 하면에 배치되어 직하 타입으로 기판 상에 탑재될 수 있으며, 상기 몸체(10)의 측면에 배치되어 에지 타입으로 기판 상에 탑재될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제1리드 프레임(21) 및 제2리드 프레임(31)의 두께는 0.2mm±0.05 mm 로 형성될 수 있다.The
몸체(10)는 상부가 개방되고, 측면과 바닥(16)으로 이루어진 오목부(60)를 갖는다. 상기 오목부(60)는 상기 몸체(10)의 상면(15)으로부터 오목한 컵 구조, 캐비티 구조, 또는 리세스 구조와 같은 형태로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 오목부(60)의 둘레 면은 바닥(16)에 대해 수직하거나 경사질 수 있다. 오목부(60)를 위에서 바라본 형상은 원형, 타원형, 다각형(예컨대, 사각형), 모서리가 곡면인 다각형 형상일 수 있다. The
상기 제1리드 프레임(21)은 상기 오목부(60)의 제1영역에 배치되며, 상기 오목부(60)의 바닥(16)에 일부가 배치되고 그 중심부에 상기 오목부(60)의 바닥(16)보다 더 낮은 깊이를 갖도록 오목한 제1캐비티(25)가 배치된다. 상기 제1캐비티(25)는 상기 오목부(60)의 바닥(16)부터 상기 몸체(10)의 하면 방향으로 오목한 형상, 예컨대, 컵(Cup) 구조 또는 리세스(recess) 형상을 포함한다. The
상기 제1캐비티(25)의 측면 및 바닥은 상기 제1리드 프레임(21)에 의해 형성되며, 상기 제1캐비티(25)의 둘레 측면은 상기 제1캐비티(25)의 바닥으로부터 경사지거나 수직하게 절곡될 수 있다. 상기 제1캐비티(25)의 측면 중에서 대향되는 두 측면은 동일한 각도로 경사지거나 서로 다른 각도로 경사질 수 있다. The side surface and the bottom of the
상기 제2리드 프레임(31)은 상기 오목부(60)의 제1영역과 이격되는 제2영역에 배치되며, 상기 오목부(60)의 바닥(16)에 일부가 배치되고, 그 중심부에는 상기 오목부(60)의 바닥(16)보다 더 낮은 깊이를 갖도록 오목한 제2캐비티(35)가 형성된다. 상기 제2캐비티(35)는 상기 제2리드 프레임(31)의 상면으로부터 상기 몸체(10)의 하면 방향으로 오목한 형상, 예컨대, 컵(Cup) 구조 또는 리세스(recess) 형상을 포함한다. 상기 제2캐비티(35)의 바닥 및 측면은 상기 제2리드 프레임(31)에 의해 형성되며, 상기 제2캐비티(35)의 측면은 상기 제2캐비티(35)의 바닥으로부터 경사지거나 수직하게 절곡될 수 있다. 상기 제2캐비티(35)의 측면 중에서 대향되는 두 측면은 동일한 각도로 경사지거나 서로 다른 각도로 경사질 수 있다. The
상기 제1캐비티(25)와 상기 제2캐비티(35)는 위에서 볼 때, 동일한 형상으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
상기 제1리드 프레임(21) 및 상기 제2리드 프레임(31)의 중심부 각각은 상기 몸체(10)의 하부로 노출되며, 상기 몸체(10)의 하면과 동일 평면 또는 다른 평면 상에 배치될 수 있다. Each of the center portions of the
상기 제1리드 프레임(21)은 제1리드부(23)를 포함하며, 상기 제1리드부(23)는 상기 몸체(10)의 하부에 배치되고 상기 몸체(10)의 제3측면부(13)로 돌출될 수 있다. 상기 제2리드 프레임(31)은 제2리드부(33)를 포함하며, 상기 제2리드부(33)는 상기 몸체(10)의 하부에 배치되고 상기 몸체(10)의 제3측면부(13)의 반대측 제4측면부(14)로 돌출될 수 있다. The
상기 제1리드 프레임(21), 제2리드 프레임(31) 및 연결 프레임(46)은 금속 재질, 예를 들어, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P) 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 단일 금속층 또는 다층 금속층으로 형성될 수 있다. 상기 제1, 제2리드 프레임(21,31)의 두께는 동일한 두께로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
상기 제1캐비티(25) 및 상기 제2캐비티(35)의 바닥 형상은 직사각형, 정 사각형 또는 곡면을 갖는 원 또는 타원 형상일 수 있다.The bottom shapes of the
상기 오목부(60)의 바닥(16)에는 연결 프레임(46)이 배치되며, 상기 연결 프레임(46)은 상기 제1리드 프레임(21)과 제2리드 프레임(31) 사이에 배치되어, 중간 연결 단자로 사용된다.A
상기 제1리드 프레임(21)의 제1캐비티(25) 내에는 제1발광 칩(71)이 배치되며, 상기 제2리드 프레임(31)의 제2캐비티(35) 내에는 제2발광 칩(72)이 배치될 수 있다. The first
상기 제1 및 제2발광 칩(71,72)은 가시광선 대역부터 자외선 대역의 범위 중에서 선택적으로 발광할 수 있으며, 예컨대 레드 LED 칩, 블루 LED 칩, 그린 LED 칩, 엘로우 그린(yellow green) LED 칩 중에서 선택될 수 있다. 상기 제1 및 제2발광 칩(71,72)은 III족-V족 원소의 화합물 반도체 발광소자를 포함한다.The first and second
상기 제1발광 칩(71)은 제1와이어(73)로 상기 오목부(60)의 바닥(16)에 배치된 제1리드 프레임(21)과 연결되며, 제2와이어(74)로 상기 연결 프레임(46)과 연결된다. 상기 제2발광 칩(72)은 제3와이어(75)로 상기 연결 프레임(46)과 연결되며, 제4와이어(76)로 상기 오목부(60)의 바닥(16)에 배치된 제2리드 프레임(31)과 연결된다. 상기 연결 프레임(46)은 상기 제1발광 칩(71)과 상기 제2발광 칩(72)을 전기적으로 연결해 준다.The first
보호 소자는 상기 제1리드 프레임(21) 또는 상기 제2리드 프레임(31)의 일부 상에 배치될 수 있다. 상기 보호 소자는 싸이리스터, 제너 다이오드, 또는 TVS(Transient voltage suppression)로 구현될 수 있으며, 상기 제너 다이오드는 상기 발광 칩을 ESD(electro static discharge)로 부터 보호하게 된다. 상기 보호 소자는 제1발광 칩(71) 및 제2발광 칩(72)의 연결 회로에 병렬로 연결됨으로써, 상기 발광 칩들(71,72)을 보호할 수 있다.The protection element may be disposed on a part of the
상기 오목부(60), 제1캐비티(25) 및 상기 제2캐비티(35)에는 몰딩 부재(81)가 형성될 수 있다. 상기 몰딩 부재(81)는 실리콘 또는 에폭시와 같은 투광성 수지층을 포함하며, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. The
상기 몰딩 부재(81)는 상기 발광 칩(71,72) 상으로 방출되는 빛의 파장을 변환하기 위한 형광체를 포함할 수 있으며, 상기 형광체는 상기 제1캐비티(25) 및 상기 제2캐비티(35) 중 적어도 한 영역에 형성된 몰딩 부재(81)에 첨가될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 형광체는 발광 칩(71,72)에서 방출되는 빛의 일부를 여기시켜 다른 파장의 빛으로 방출하게 된다. 상기 형광체는 YAG, TAG, Silicate, Nitride, Oxy-nitride 계 물질 중에서 선택적으로 형성될 수 있다. 상기 형광체는 적색 형광체, 황색 형광체, 녹색 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 몰딩 부재(81)의 표면은 플랫한 형상, 오목한 형상, 볼록한 형상 등으로 형성될 수 있으며, 예를 들면 상기 몰딩 부재(81)의 표면은 오목한 곡면으로 형성될 수 있으며, 상기 오목한 곡면은 광 출사면이 될 수 있다. The
상기 오목부(60)와 상기 몸체(10)의 상면(15) 사이의 둘레에는 상기 상면(15)보다 낮은 깊이로 단차진 제1상면(15-1)이 형성된다. 상기 제1상면(15-1)은 상기 오목부(60)의 둘레에 배치되며, 상기 몸체(10)의 상면(15)으로부터 제1깊이(T1)로 형성된다. 상기 몰딩 부재(81)는 상기 제2상면(15-1)의 연장 선상 이하로 형성될 수 있다. 즉, 상기 몰딩 부재(81)의 최 상단면은 상기 제2상면(15-1)의 연장 선과 같거나 더 낮게 형성될 수 있으며, 상기 제2상면(15-1)보다 더 낮은 경우, 와이어(73-76)가 노출되거나, 몰딩 부재(81) 내에서의 혼색성이 저하될 수 있다. 상기 몰딩 부재(81)의 최 상단면은 상기 제2상면(15-1)의 연장 선과 동일 선상에 형성되거나, 상기 몸체(10)의 상면(15)으로부터 제1깊이(T1)로서 10㎛ 이상 예컨대, 12㎛ 내지 16㎛의 범위로 형성될 수 있다. 상기 제1깊이(T1)는 후술한 바와 같이, 발광 칩(71,72)의 동작시 상승하게 되는 온도 범위 내에서의 상기 몰딩 부재(81)의 팽창을 고려한 임계적인 수치이다. A first upper surface 15-1 having a step lower than the
또한 상기 제1깊이(T1)는 제2깊이(T2)의 6.5% 이하 예컨대, 3.4%~6.5% 정도로 형성될 수 있다. 상기 제1캐비티(25) 또는 상기 제2캐비티(35)의 제2깊이(T2)는 상기 몸체(10)의 상면(15)으로부터 600㎛±50㎛ 범위로 형성될 수 있다. The first depth T1 may be about 6.5% or less, for example, about 3.4% to about 6.5% of the second depth T2. The second depth T2 of the
상기 몰딩 부재(81)는 경화 후 표면이 오목한 곡면 형상으로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 몰딩 부재(81)의 표면은 외측 영역(C1,C3)에서 센터 영역(C2)으로 갈수록 깊이가 점차 낮아지고, 센터 영역(C2)이 가장 낮은 깊이로 형성된다. 상기 몰딩 부재(81)의 표면에서 센터 영역(C2)과 외측 영역(C1,C3) 사이의 깊이 차이는 최대가 되며, 그 값은 30㎛±3㎛ 정도의 차이가 발생된다. 즉, 상기 몰딩 부재(81)의 표면 중 최 상단면과 최 하단면 사이의 차이가 25㎛ 이상 예컨대, 30㎛±3㎛의 차이를 갖게 된다.The
상기 몰딩 부재(81)는 내부 열에 의해 팽창되며, 이로 인해 상기 몰딩 부재(81)의 표면은 변형되고, 표면 영역과 외부적인 요인에 의해 서로 다르게 돌출된다. 여기서, 상기 몰딩 부재(81)는 외측 영역(C1)이 몸체(10)의 오목부 측면과 접촉되고 내부에서 와이어(73,74,75,76)와 접촉되므로, 이러한 접촉 영역에서는 장력이 발생하게 된다. 상기 몰딩 부재(81)가 열 팽창되면, 상기와 같이 장력이 없는 영역이 장력이 있는 영역보다 더 위로 돌출된다. The
실시 예는 상기 몰딩 부재(81)가 팽창될 때, 상기 몸체(10)의 상면보다 더 돌출되지 않도록 차단하기 위해, 상기 몰딩 부재(81)의 최 상단면을 제1상면(15-1)보다 낮게 형성하여 주게 된다. 이에 따라 상기 몰딩 부재(81)의 최 상단면 또는 다른 부분이 돌출되더라도, 상기 몸체(10)의 상면보다 더 돌출되는 것을 차단할 수 있다.
The uppermost surface of the
도 6은 제1실시 예의 발광소자 패키지에서 X방향의 제1영역(C1-C2)에서의 제1리드 프레임의 온도에 따른 변형된 몰딩 부재의 변형 정도를 나타낸 도면이다.6 is a view showing a degree of deformation of the deformed molding member according to the temperature of the first lead frame in the first region (C1-C2) in the X direction in the light emitting device package of the first embodiment.
도 6 및 도 2를 참조하면, 제1리드 프레임(21)의 온도가 100℃, 110℃, 120℃ 및 130℃일 때, 상기 몰딩 부재(81)의 표면은 상기 몰딩 부재(81)가 변형 전(예: 22℃)의 표면보다 적어도 5㎛ 이상 돌출되게 된다. 상기 몰딩 부재(81)는 외측 영역(C1)과 제1장력 지점(P2) 사이의 영역(P1)이 팽창되고, 또 제1장력 지점(P2)과 제2장력 지점(P4) 사이의 영역(P3)이 팽창되며, 제2장력 지점(P4)과 센터 영역(C2) 사이의 영역(P5)이 팽창된다. 여기서, 상기 제1장력 지점(P2)은 제1와이어(73)가 배치된 영역이며, 제2장력 지점(P4)은 제2와이어(74)가 배치된 영역이 된다.6 and FIG. 2, when the temperature of the
도 6과 같이, 몰딩 부재의 영역을 보면, 상기 영역 P1은 상기 몰딩 부재의 변형 전의 최 상단면(0 위치)보다 10㎛ 이상 예컨대, 12.6㎛ 이상 변형되어 돌출되며, 상기 영역 P5와 센터 영역(C2)은 상기 몰딩 부재의 변형 전의 최 상단면(0 위치)보다 낮은 위치에 배치된다. 즉, 상기 몰딩 부재(81)의 센터 영역(C2)은 상기 몰딩 부재(81)의 최 상단면보다 30㎛ 정도로 경화 수축되었기 때문에, 팽창되더라도 변형 전의 몰딩 부재(81)의 최 상단면보다 낮은 위치에 배치된다. 또한 상기 몰딩 부재의 표면의 최대 변형 량은 제1발광 칩과 대응되는 영역에서 20㎛ 이상 예컨대, 26.4㎛ 정도 변형된다.6, the region P1 is deformed by 10 .mu.m or more, for example, 12.6 .mu.m or more from the uppermost surface (0 position) of the molding member before deformation, and the region P5 and the center region C2) is disposed at a lower position than the uppermost surface (0 position) of the molding member before deformation. That is, since the center region C2 of the
도 2에서, 상기의 몰딩 부재의 제2영역(C2-C3)에서의 변형 예는 상기와 같은 변형 분포를 가지게 되므로, 이에 대한 구체적인 설명은 생략하기로 한다.In FIG. 2, the modification in the second region C2-C3 of the molding member has the strain distribution as described above, so a detailed description thereof will be omitted.
따라서, 실시 예는 몰딩 부재(81)의 최 상단면보다 돌출되는 상기 영역 P1의 돌출 높이를 낮추어 주어, 상기 영역 P1에서 상기 몰딩 부재(81)의 표면이 돌출되더라도, 상기 몸체(10)의 상면(15)보다 더 돌출되지 않도록 할 수 있다. 이러한 몰딩 부재(81)의 표면이 상기 몸체(10)의 상면보다 더 돌출되지 않도록 함으로써, 도 9와 같은 도광판(1041)의 입광부와의 접촉에 의한 간섭을 방지할 수 있다. Accordingly, although the protruding height of the region P1, which protrudes from the uppermost surface of the
상기 몰딩 부재(81)의 최 상단면은 상기 몰딩 부재(81)의 둘레 면으로서, 상기 몰딩 부재(81)의 외측 영역(C1,C3)이 될 수 있다. 상기 몰딩 부재(81)의 최 상단면은 상기 몸체(10)의 상면(15)보다 낮은 제2상면(15-1) 또는 그 이하로 형성될 수 있다. 이에 따라 상기 몰딩 부재(81)의 표면이 열 팽창에 의해 돌출되더라도, 상기 몸체(10)의 상면(15)보다 낮게 배치된다. 또한 상기 제1상면(15-1)이 상기 몸체(10)의 상면(15)으로부터 10㎛ 이상 예컨대, 12㎛ 내지 16㎛의 범위를 갖는 제1깊이(T1)로 형성됨으로써, 상기 발광 칩(71,72)의 동작시 상승하게 되는 온도 범위 내에서의 상기 몰딩 부재(81)의 외측 영역이 팽창되더라도, 상기 몸체(10)의 상면(15)보다 더 돌출되지 않게 된다. 상기 제1깊이(T1)는 제2깊이(T2)의 6.5% 이하 예컨대, 3.4%-6.5% 정도로 형성될 수 있다. 상기 제1캐비티(25) 또는 상기 제2캐비티(35)의 제2깊이(T2)는 상기 몸체(10)의 상면(15)으로부터 600㎛±50㎛ 범위로 형성될 수 있다.
The uppermost surface of the
비교 예의 발광소자 패키지의 문제를 설명하면 다음과 같다. The problem of the light emitting device package of the comparative example will be described as follows.
도 3과 같이 몰딩 부재(81A)의 최 상단면을 상기 몸체(10)의 상면(15)과 동일한 높이로 형성할 경우, 상기 몰딩 부재(81A)의 표면이 도 6과 같이 영역(P1-P5)별로 팽창하게 되고, 영역 P1 부분은 상기 몸체(10)의 상면(15)보다 더 돌출된다. When the uppermost surface of the
도 4는 비교 예의 발광소자 패키지의 영역별 온도 분포와 상기 몰딩 부재의 표면 차이를 나타낸 구성이며, 도 5는 몰딩 부재의 표면 영역별 변형 량을 나타낸 도면이다.FIG. 4 is a view showing the temperature distribution of the light emitting device package of the comparative example and the surface difference of the molding member, and FIG. 5 is a diagram showing the deformation amount of the molding member by the surface region.
도 4를 참조하면, 리드 프레임의 온도가 130℃ 조건에서, 상기 몰딩 부재의 온도 분포는 센터 영역이 가장 높은 온도 분포를 갖고, 외측 영역이 가장 낮은 온도 분포를 가지게 된다. 또한 상기 몰딩 부재의 표면 간의 최대 차이는 상기 몰딩 부재의 센터 영역으로서 26.392㎛로 나타난다.4, when the temperature of the lead frame is 130 ° C, the temperature distribution of the molding member has the highest temperature distribution in the center region and the lowest temperature region in the outer region. And the maximum difference between the surfaces of the molding member is 26.392 占 퐉 as the center area of the molding member.
도 5를 참조하면, 몰딩 부재의 영역 A1/A2에서는 상기 몰딩 부재의 최 상단면의 기준 라인(L1)보다 더 돌출되며, 영역 A3은 상기 몰딩 부재의 최 상단면의 기준 라인(L1)보다 더 낮게 형성된다. 이때 상기 몰딩 부재의 영역 P1에서 팽창된 부분이 상기 몸체의 상면보다 더 돌출된다. 이에 따라 비교 예의 발광소자 패키지에서 몰딩 부재의 외측 영역이 도 9와 같은 도광판의 입광부에 접촉된다. 이러한 몰딩 부재의 일부 표면과 상기 도광판의 입광부가 접촉된 영역과 접촉되지 않은 영역 사이의 색 분포의 차이가 발생되어, 전체적인 색 분포가 문제가 된다.
Referring to FIG. 5, the area A1 / A2 of the molding member protrudes more than the reference line L1 of the uppermost surface of the molding member, and the area A3 is larger than the reference line L1 of the uppermost surface of the molding member . At this time, the portion expanded in the region P1 of the molding member protrudes more than the upper surface of the body. Accordingly, the outer region of the molding member in the light emitting device package of the comparative example is brought into contact with the light-incoming portion of the light guide plate as shown in Fig. There arises a difference in color distribution between a part of the surface of the molding member and an area not in contact with the light-incoming part of the light guide plate and an area not in contact with the light-incoming part.
도 7은 제2실시 예에 따른 발광소자 패키지를 나타낸 도면이다.7 is a view illustrating a light emitting device package according to the second embodiment.
도 7을 참조하면, 발광소자 패키지(200)는 상부(215)에 캐비티(214)를 갖는 몸체(210)와, 상기 몸체(210)에 설치된 제1리드 프레임(211) 및 제2리드 프레임(212)과, 몰딩 부재(220), 및 발광 칩(201)을 포함한다.7, the light emitting device package 200 includes a
상기 몸체(231)는 고반사 수지 계열(예; PPA), 폴리머 계열, 플라스틱 계열 중에서 선택적으로 사출 성형되거나, 단층 또는 다층의 기판 적층 구조로 형성될 수 있다. 상기 몸체(210)는 상부(215)가 개방된 캐비티(214)를 포함하며, 상기 캐비티(214)의 둘레면은 경사지거나 캐비티 바닥에 대해 수직하게 형성될 수 있다. The body 231 may be injection molded selectively from a highly reflective resin-based (e.g., PPA), polymer-based, or plastic-based, or may be formed as a single layer or multilayered substrate laminate structure. The
상기 캐비티(214)의 바닥에는 제1리드 프레임(211) 및 제2리드 프레임(212)이 배치되며, 상기 제1리드 프레임(211) 및 제2리드 프레임(212)은 서로 이격된다. A
상기 제1리드 프레임(211) 및 제2리드 프레임(212) 중 적어도 하나의 상에 발광 칩(201)이 배치되며, 제1리드 프레임(211)과 제2리드 프레임(212)에 와이어(216)로 연결된다. The
상기 캐비티(214) 내에는 몰딩 부재(220)가 형성되며, 상기 몰딩 부재(220)는 실리콘 또는 에폭시와 같은 투광성 수지 재질로 형성될 수 있으며, 형광체를 포함할 수 있다.A
여기서, 상기 몰딩 부재(220)의 상면은 오목한 곡면 형상으로 형성되며, 센터 영역으로 갈수록 더 낮은 깊이로 형성된다. 상기 몸체(210)의 상면(215-1)으로부터 상기 몰딩 부재(220)의 최 상단면까지의 깊이(T3)는 10㎛ 내지 16㎛의 범위로 형성할 수 있다. 이러한 깊이(T3)는 상기 발광 칩(71,72)의 동작시 상승하게 되는 온도 범위 내에서의 상기 몰딩 부재(220)의 외측 영역이 팽창되더라도, 상기 몸체(210)의 상면(215-1)보다 더 돌출되지 않게 된다. Here, the upper surface of the
상기 제1리드 프레임(211)과 제2리드 프레임(212)을 통해 전원이 공급되면, 상기 발광 칩(201)의 상면 및 측면을 통해 대부분의 광이 추출되며, 상기 추출된 광은 상기 몰딩 부재(220)를 통해 외부로 방출될 수 있다.
When power is supplied through the
실시예에 따른 발광소자 패키지는 각 종 조명 장치에 적용될 수 있다. 상기 조명 장치는 복수의 발광소자 패키지가 어레이된 구조를 포함하며, 도 8 및 도 9에 도시된 표시 장치, 도 10에 도시된 조명 장치를 포함하고, 조명등, 신호등, 차량 전조등, 전광판 등이 포함될 수 있다.The light emitting device package according to the embodiment can be applied to various illumination devices. The lighting device includes a structure in which a plurality of light emitting device packages are arrayed and includes the display device shown in Figs. 8 and 9, the lighting device shown in Fig. 10, and includes an illumination lamp, a traffic light, a vehicle headlight, .
도 8은 실시 예에 따른 표시 장치의 분해 사시도이다. 8 is an exploded perspective view of the display device according to the embodiment.
도 8을 참조하면, 표시 장치(1000)는 도광판(1041)과, 상기 도광판(1041)에 빛을 제공하는 발광 모듈(1031)와, 상기 도광판(1041) 아래에 반사 부재(1022)와, 상기 도광판(1041) 위에 광학 시트(1051)와, 상기 광학 시트(1051) 위에 표시 패널(1061)과, 상기 도광판(1041), 발광 모듈(1031) 및 반사 부재(1022)를 수납하는 바텀 커버(1011)를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.8, a
상기 바텀 커버(1011), 반사시트(1022), 도광판(1041), 광학 시트(1051)는 라이트 유닛(1050)으로 정의될 수 있다.The
상기 도광판(1041)은 상기 발광 모듈(1031)로부터 제공된 빛을 확산시켜 면광원화 시키는 역할을 한다. 상기 도광판(1041)은 투명한 재질로 이루어지며, 예를 들어, PMMA(polymethyl metaacrylate)와 같은 아크릴 수지 계열, PET(polyethylene terephthlate), PC(poly carbonate), COC(cycloolefin copolymer) 및 PEN(polyethylene naphthalate) 수지 중 하나를 포함할 수 있다. The
상기 발광모듈(1031)은 상기 도광판(1041)의 적어도 일 측면에 배치되어 상기 도광판(1041)의 적어도 일 측면에 빛을 제공하며, 궁극적으로는 표시 장치의 광원으로써 작용하게 된다.The
상기 발광모듈(1031)은 상기 바텀 커버(1011) 내에 적어도 하나가 배치되며, 상기 도광판(1041)의 일 측면에서 직접 또는 간접적으로 광을 제공할 수 있다. 상기 발광 모듈(1031)은 보드(1033)과 상기에 개시된 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)를 포함하며, 상기 발광소자 패키지(100)는 상기 보드(1033) 상에 소정 간격으로 어레이될 수 있다. 상기 보드는 인쇄회로기판(printed circuit board)일 수 있지만, 이에 한정하지 않는다. 또한 상기 보드(1033)은 메탈 코어 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성 PCB(FPCB, Flexible PCB) 등을 포함할 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광소자 패키지(100)는 상기 바텀 커버(1011)의 측면 또는 방열 플레이트 상에 탑재될 경우, 상기 보드(1033)는 제거될 수 있다. 상기 방열 플레이트의 일부는 상기 바텀 커버(1011)의 상면에 접촉될 수 있다. 따라서, 발광소자 패키지(100)에서 발생된 열은 방열 플레이트를 경유하여 바텀 커버(1011)로 방출될 수 있다.At least one light emitting
상기 복수의 발광소자 패키지(100)는 상기 보드(1033) 상에 빛이 방출되는 출사면이 상기 도광판(1041)과 소정 거리 이격되도록 탑재될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광소자 패키지(100)는 상기 도광판(1041)의 일 측면인 입광부에 광을 직접 또는 간접적으로 제공할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 실시 예에 따른 복수의 발광소자 패키지(100)는 도 2와 같이, 몰딩 부재(81)의 최 상단면을 상기 몸체(10)의 상면보다 적어도 12㎛ 이상 낮게 형성함으로써, 상기 복수의 발광소자 패키지(100)의 몰딩 부재(81)의 표면과 상기 도광판(1041)의 입광부 사이의 거리는 적어도 15㎛ 이상 이격될 수 있다. 이에 따라 상기 도광판(1041)에서의 광 균일도를 제공할 수 있다. 또한 도광판(1041)과 상기 보드(1033) 사이의 간격을 이격시켜 주기 위해, 나사와 같은 별도의 스페이서를 구비할 필요가 없게 된다. The plurality of light emitting device packages 100 may be mounted on the
상기 도광판(1041) 아래에는 상기 반사 부재(1022)가 배치될 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 도광판(1041)의 하면으로 입사된 빛을 반사시켜 상기 표시 패널(1061)로 공급함으로써, 상기 표시 패널(1061)의 휘도를 향상시킬 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 예를 들어, PET, PC, PVC 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 바텀 커버(1011)의 상면일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
상기 바텀 커버(1011)는 상기 도광판(1041), 발광모듈(1031) 및 반사 부재(1022) 등을 수납할 수 있다. 이를 위해, 상기 바텀 커버(1011)는 상면이 개구된 박스(box) 형상을 갖는 수납부(1012)가 구비될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 바텀 커버(1011)는 탑 커버(미도시)와 결합될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
상기 바텀 커버(1011)는 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있으며, 프레스 성형 또는 압출 성형 등의 공정을 이용하여 제조될 수 있다. 또한 상기 바텀 커버(1011)는 열 전도성이 좋은 금속 또는 비 금속 재료를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
상기 표시 패널(1061)은 예컨대, LCD 패널로서, 서로 대향되는 투명한 재질의 제 1 및 제 2기판, 그리고 제 1 및 제 2기판 사이에 개재된 액정층을 포함한다. 상기 표시 패널(1061)의 적어도 일면에는 편광판이 부착될 수 있으며, 이러한 편광판의 부착 구조로 한정하지는 않는다. 상기 표시 패널(1061)은 상기 발광 모듈(1031)로부터 제공된 광을 투과 또는 차단시켜 정보를 표시하게 된다. 이러한 표시 장치(1000)는 각 종 휴대 단말기, 노트북 컴퓨터의 모니터, 랩탑 컴퓨터의 모니터, 텔레비전과 같은 영상 표시 장치에 적용될 수 있다. The
상기 광학 시트(1051)는 상기 표시 패널(1061)과 상기 도광판(1041) 사이에 배치되며, 적어도 한 장 이상의 투광성 시트를 포함한다. 상기 광학 시트(1051)는 예컨대 확산 시트(diffusion sheet), 수평 및 수직 프리즘 시트(horizontal/vertical prism sheet), 및 휘도 강화 시트(brightness enhanced sheet) 등과 같은 시트 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 또는/및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 상기 표시 패널(1061)로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다. 또한 상기 표시 패널(1061) 위에는 보호 시트가 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
상기 발광 모듈(1031)의 광 경로 상에는 광학 부재로서, 상기 도광판(1041), 및 광학 시트(1051)를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
The optical path of the
도 9는 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 갖는 표시 장치를 나타낸 도면이다. 9 is a view illustrating a display device having a light emitting device package according to an embodiment.
도 9를 참조하면, 표시 장치(1100)는 바텀 커버(1152), 상기에 개시된 발광소자 패키지(100)가 어레이된 보드(1120), 광학 부재(1154), 및 표시 패널(1155)을 포함한다. 9, the
상기 보드(1120)과 상기 발광소자 패키지(100)는 발광 모듈(1060)로 정의될 수 있다. 상기 바텀 커버(1152), 적어도 하나의 발광 모듈(1060), 광학 부재(1154)는 라이트 유닛(미도시)으로 정의될 수 있다. The
상기 바텀 커버(1152)에는 수납부(1153)를 구비할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
상기 광학 부재(1154)는 렌즈, 도광판, 확산 시트, 수평 및 수직 프리즘 시트, 및 휘도 강화 시트 등에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 도광판은 PC 재질 또는 PMMA(Poly methy methacrylate) 재질로 이루어질 수 있으며, 이러한 도광판은 제거될 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 상기 표시 패널(1155)으로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다. The
상기 광학 부재(1154)는 상기 발광 모듈(1060) 위에 배치되며, 상기 발광 모듈(1060)로부터 방출된 광을 면 광원하거나, 확산, 집광 등을 수행하게 된다.
The
도 10은 실시 예에 따른 조명 장치의 사시도이다.10 is a perspective view of a lighting apparatus according to an embodiment.
도 10을 참조하면, 조명 장치(1500)는 케이스(1510)와, 상기 케이스(1510)에 설치된 발광모듈(1530)과, 상기 케이스(1510)에 설치되며 외부 전원으로부터 전원을 제공받는 연결 단자(1520)를 포함할 수 있다.10, the
상기 케이스(1510)는 방열 특성이 양호한 재질로 형성되는 것이 바람직하며, 예를 들어 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있다.The
상기 발광 모듈(1530)은 보드(1532)과, 상기 보드(1532)에 탑재되는 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)를 포함할 수 있다. 상기 발광소자 패키지(100)는 복수개가 매트릭스 형태 또는 소정 간격으로 이격되어 어레이될 수 있다. The
상기 보드(1532)은 절연체에 회로 패턴이 인쇄된 것일 수 있으며, 예를 들어, 일반 인쇄회로기판(PCB: Printed Circuit Board), 메탈 코아(Metal Core) PCB, 연성(Flexible) PCB, 세라믹 PCB, FR-4 기판 등을 포함할 수 있다. The
또한, 상기 보드(1532)은 빛을 효율적으로 반사하는 재질로 형성되거나, 표면이 빛이 효율적으로 반사되는 컬러, 예를 들어 백색, 은색 등의 코팅층될 수 있다.In addition, the
상기 보드(1532) 상에는 적어도 하나의 발광소자 패키지(100)가 탑재될 수 있다. 상기 발광소자 패키지(100) 각각은 적어도 하나의 LED(LED: Light Emitting Diode) 칩을 포함할 수 있다. 상기 LED 칩은 적색, 녹색, 청색 또는 백색 등과 같은 가시 광선 대역의 발광 다이오드 또는 자외선(UV, Ultra Violet)을 발광하는 UV 발광 다이오드를 포함할 수 있다.At least one light emitting
상기 발광모듈(1530)은 색감 및 휘도를 얻기 위해 다양한 발광소자 패키지(100)의 조합을 가지도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 고 연색성(CRI)을 확보하기 위해 백색 발광 다이오드, 적색 발광 다이오드 및 녹색 발광 다이오드를 조합하여 배치할 수 있다.The
상기 연결 단자(1520)는 상기 발광모듈(1530)과 전기적으로 연결되어 전원을 공급할 수 있다. 상기 연결 단자(1520)는 소켓 방식으로 외부 전원에 돌려 끼워져 결합되지만, 이에 대해 한정하지는 않는다. 예를 들어, 상기 연결 단자(1520)는 핀(pin) 형태로 형성되어 외부 전원에 삽입되거나, 배선에 의해 외부 전원에 연결될 수도 있는 것이다.The
이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The features, structures, effects and the like described in the embodiments are included in at least one embodiment of the present invention and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects and the like illustrated in the embodiments can be combined and modified by other persons skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.
또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be taken by way of illustration, It can be seen that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.
10,210: 몸체 25,35,214: 캐비티
21,31,211,212: 리드 프레임 46: 연결 프레임
60: 오목부 71,72,201: 발광 칩
81,220: 몰딩 부재 100: 발광소자 패키지
1041: 도광판10, 210:
21, 31, 211, 212: lead frame 46: connection frame
60:
81, 220: molding member 100: light emitting device package
1041: light guide plate
Claims (10)
상기 몸체와 접하는 제1리드 프레임, 제2리드 프레임 및 연결프레임;
상기 제1리드 프레임에 배치되는 제1발광 칩과 상기 제2리드 프레임에 배치되는 제2발광 칩;
상기 제1리드 프레임 또는 상기 제2리드 프레임 상에 배치되는 보호소자; 및
상기 오목부에 배치되는 몰딩 부재를 포함하며,
상기 몸체는 제1 방향으로 연장되는 제1 측면부와 제2 측면부, 상기 제1 방향과 직교하는 제2 방향으로 연장되는 제3 측면부와 제4 측면부 및 바닥부를 가지며,
상기 오목부는 상기 제1측면부 내지 상기 제4측면부의 내측면, 상기 바닥부의 상면, 상기 제1리드 프레임과 상기 제2 리드프레임의 상면 및 연결 프레임의 상면으로 구성되며,
상기 제1 리드 프레임은 상기 제3 측면부로 노출되며,
상기 제2 리드 프레임은 상기 제3 측면부와 마주보는 상기 제4 측면부로 노출되며,
상기 제1발광 칩이 배치된 상기 제1 리드 프레임의 중심부는 상기 바닥부의 하면으로 노출되며,
상기 제2발광 칩이 배치된 상기 제2 리드 프레임의 중심부는 상기 바닥부의 하면으로 노출되며,
상기 바닥부의 하면으로 노출된 상기 제1리드 프레임 및 상기 제2 리드 프레임의 중심부는 상기 바닥부의 하면과 동일 평면이며,
상기 연결 프레임은 상기 제1리드 프레임, 상기 제2리드 프레임 및 상기 제1 측면부 사이에 배치되며,
상기 제1 발광칩과 상기 제2 발광칩은 상기 연결 프레임을 통하여 직렬 연결되며,
상기 몰딩 부재의 표면은 외측 영역보다 센터 영역이 깊이가 낮은 발광소자 패키지.A body including a recess having an open top;
A first lead frame, a second lead frame, and a connection frame in contact with the body;
A first light emitting chip disposed in the first lead frame and a second light emitting chip disposed in the second lead frame;
A protective element disposed on the first lead frame or the second lead frame; And
And a molding member disposed in the recess,
The body has a first side portion and a second side portion extending in a first direction, a third side portion extending in a second direction orthogonal to the first direction, a fourth side portion and a bottom portion,
Wherein the concave portion is composed of an inner surface of the first side surface portion to the fourth side surface portion, an upper surface of the bottom portion, an upper surface of the first lead frame and the upper surface of the second lead frame,
The first lead frame is exposed to the third side portion,
The second lead frame is exposed to the fourth side portion facing the third side portion,
The central portion of the first lead frame, on which the first light emitting chip is disposed, is exposed to the bottom surface of the bottom portion,
The central portion of the second lead frame, on which the second light emitting chip is disposed, is exposed to the bottom surface of the bottom portion,
The central portions of the first lead frame and the second lead frame exposed to the bottom surface of the bottom portion are flush with the bottom surface of the bottom portion,
Wherein the connection frame is disposed between the first lead frame, the second lead frame, and the first side portion,
Wherein the first light emitting chip and the second light emitting chip are connected in series through the connection frame,
Wherein the surface of the molding member has a lower center region than an outer region.
상기 몰딩 부재의 최하면은 상기 오목부의 외곽 영역에 배치된 상기 몰딩 부재의 최상면보다 27㎛ 내지 33㎛ 낮은 발광소자 패키지.The method according to claim 1,
And the lowermost surface of the molding member is 27 占 퐉 to 33 占 퐉 lower than the uppermost surface of the molding member disposed in the outer region of the recess.
상기 보호 소자는 싸이리스터, 제너 다이오드 또는 TVS(Transient Voltage Suppression) 중 하나이며,
상기 제1발광 칩은 제1와이어에 의해 상기 오목부의 바닥에 배치된 상기 제1리드 프레임과 연결되고 제2와이어에 의해 상기 연결프레임과 연결되며,
상기 제2발광 칩은 제3와이어에 의해 상기 연결프레임과 연결되고 제4와이어에 의해 상기 오목부의 바닥에 배치된 상기 제2리드 프레임과 연결되며,
상기 연결프레임은 상기 제1발광칩과 상기 제2발광 칩을 전기적으로 연결시키는 발광소자 패키지.3. The method according to claim 1 or 2,
The protection element is one of a thyristor, a zener diode or a TVS (Transient Voltage Suppression)
Wherein the first light emitting chip is connected to the first lead frame disposed at the bottom of the concave portion by a first wire and connected to the connection frame by a second wire,
The second light emitting chip is connected to the connection frame by a third wire and is connected to the second lead frame disposed at the bottom of the recess by a fourth wire,
And the connection frame electrically connects the first light emitting chip and the second light emitting chip.
상기 몰딩 부재는 형광체를 더 포함하고,
상기 제1리드 프레임은 상기 몸체의 하부에 배치되고 상기 몸체의 제3측면부로 돌출되는 제1리드부를 포함하고,
상기 제2리드 프레임은 상기 몸체의 하부에 배치되고 상기 몸체의 제4측면부로 돌출되는 제2리드부를 포함하는 발광소자 패키지.The method of claim 3,
Wherein the molding member further comprises a phosphor,
The first lead frame includes a first lead portion disposed at a lower portion of the body and protruding toward a third side portion of the body,
And the second lead frame includes a second lead portion disposed at a lower portion of the body and protruding toward a fourth side portion of the body.
상기 몸체와 접하는 제1 리드 프레임 및 제2 리드 프레임
상기 제1 리드 프레임에 배치되는 제1발광 칩 및 상기 제2 리드 프레임에 배치되는 제2발광 칩;
상기 제1 리드 프레임 또는 제2 리드 프레임 상에 배치되는 보호 소자; 및
상기 오목부에 배치된 몰딩 부재를 포함하며,
상기 몸체는 제1 방향으로 연장되는 제1 측면부와 제2 측면부, 상기 제1 방향과 직교하는 제2 방향으로 연장되는 제3 측면부와 제4 측면부 및 바닥부를 가지며,
상기 오목부는 상기 제1측면부 내지 상기 제4측면부의 내측면, 상기 바닥부의 상면, 상기 제1리드 프레임과 상기 제2리드프레임의 상면 및 연결 프레임의 상면으로 구성되며,
상기 제1 리드 프레임은 상기 제3 측면부로 노출되며,
상기 제2 리드 프레임은 상기 제3 측면부와 마주보는 상기 제4 측면부로 노출되며,
상기 제1발광 칩이 배치된 상기 제1 리드 프레임의 중심부는 상기 바닥부의 하면으로 노출되며,
상기 제2발광 칩이 배치된 상기 제2 리드 프레임의 중심부는 상기 바닥부의 하면으로 노출되며,
상기 바닥부의 하면으로 노출된 상기 제1리드 프레임 및 상기 제2리드 프레임의 중심부는 상기 바닥부의 하면과 동일 평면이며,
상기 몸체의 상면과 상기 오목부의 상면 사이의 둘레는 단차진 구조를 포함하며,
상기 단차진 구조의 상면과 상기 몸체 상면의 깊이인 제1깊이는 상기 몸체의 상면과 상기 제1리드 프레임 또는 상기 제2리드 프레임의 중심부 상면까지의 깊이인 제2깊이의 6.5%이하이며,
상기 몰딩 부재의 최하면은 상기 오목부의 외곽 영역에 배치된 상기 몰딩 부재의 최상면보다 27㎛ 내지 33㎛ 낮은 발광소자 패키지.A body including a recess having an open top;
The first lead frame and the second lead frame, which are in contact with the body,
A first light emitting chip disposed in the first lead frame and a second light emitting chip disposed in the second lead frame;
A protective element disposed on the first lead frame or the second lead frame; And
And a molding member disposed in the recess,
The body has a first side portion and a second side portion extending in a first direction, a third side portion extending in a second direction orthogonal to the first direction, a fourth side portion and a bottom portion,
Wherein the concave portion is composed of an inner surface of the first side surface portion to the fourth side surface portion, an upper surface of the bottom portion, an upper surface of the first lead frame and the upper surface of the second lead frame,
The first lead frame is exposed to the third side portion,
The second lead frame is exposed to the fourth side portion facing the third side portion,
The central portion of the first lead frame, on which the first light emitting chip is disposed, is exposed to the bottom surface of the bottom portion,
The central portion of the second lead frame, on which the second light emitting chip is disposed, is exposed to the bottom surface of the bottom portion,
The central portions of the first lead frame and the second lead frame exposed to the bottom surface of the bottom portion are flush with the bottom surface of the bottom portion,
The periphery between the upper surface of the body and the upper surface of the concave portion includes a stepped structure,
The first depth being the depth of the top surface of the stepped structure and the top surface of the body is not more than 6.5% of the second depth which is the depth from the top surface of the body to the top surface of the center portion of the first lead frame or the second lead frame,
And the lowermost surface of the molding member is 27 占 퐉 to 33 占 퐉 lower than the uppermost surface of the molding member disposed in the outer region of the recess.
상기 제1리드 프레임은 상기 오목부의 제1영역에 배치된 제1 캐비티를 더 포함하며,
상기 제2리드 프레임은 상기 오목부의 제2영역에 배치된 제2 캐비티를 더 포함하는 발광소자 패키지.6. The method of claim 5,
The first lead frame further comprises a first cavity disposed in a first region of the recess,
And the second lead frame further includes a second cavity disposed in a second region of the concave portion.
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