KR101784277B1 - 멀티칩, 전지 보호 장치 및 전지 팩 - Google Patents

멀티칩, 전지 보호 장치 및 전지 팩

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KR101784277B1
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타카시 이마이즈미
히로미치 카지
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미쓰미덴기가부시기가이샤
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Abstract

패키지 외부로부터 감시 IC의 내부 노드에 액세스 가능한 외부 접속 단자를 설치해도 외부 접속 단자의 총 수를 억제할 수 있다.
이차전지의 과충전, 과방전 또는 과전류를 검출하여 보호 동작을 행하는 보호 IC와, 상기 이차전지의 전지 상태를 감시하는 감시 IC를 하나의 패키지 내에 구비하는 멀티칩으로서, 상기 패키지는 제1 측가장자리와, 상기 제1 측가장자리에 대향하는 제2 측가장자리를 가지고, 레귤레이터 출력 단자와, 그라운드 단자와, 전원 단자와, 전류 검출 단자가 상기 제1 측가장자리측에 배치되고, 통신 단자와, 방전 제어 단자와, 충전 제어 단자와, 과전류 검출 단자가 상기 제2 측가장자리측에 배치되고, 상기 감시 IC의 내부 회로의 복수의 노드의 접속처를 상기 전류 검출 단자로 선택적으로 전환하는 선택 회로를 구비하는 것을 특징으로 하는 멀티칩.

Description

멀티칩, 전지 보호 장치 및 전지 팩{MULTI-CHIP, BATTERY PROTECTION APPARATUS AND BATTERY PACK}
본 발명은 멀티칩, 전지 보호 장치 및 전지 팩에 관한 것이다.
종래 이차전지의 충전 또는 방전을 금지하는 보호 동작을 행하는 보호 IC와, 상기 이차전지의 전지 상태를 감시하는 감시 IC를 구비하는 보호 감시 회로가 알려져 있다(예를 들면, 특허문헌 1을 참조).
일본 특허 2011-172458호 공보
보호 IC와 감시 IC가 하나의 패키지 내에 패키지된 멀티칩에서는 패키지 외부와 패키지 내부를 접속하기 위한 외부 접속 단자를 설치할 필요가 있다. 예를 들면, 보호 IC는 외부 접속 단자로서 설치된 검출 단자를 통하여 패키지 외부의 상태(예를 들면, 이차전지에 흐르는 전류)를 검출할 수 있다. 또, 감시 IC의 내부 노드와 패키지 외부를 접속하기 위한 외부 접속 단자를 설치함으로써 검사 등을 위해서 당해 내부 노드에 패키지 외부로부터 액세스하는 것이 가능하게 된다.
그러나, 패키지 외부로부터 감시 IC의 내부 노드에 액세스하기 위한 전용의 외부 접속 단자를 설치하면 외부 접속 단자의 총 수가 늘어나버린다.
그래서, 패키지 외부로부터 감시 IC의 내부 노드에 액세스 가능한 외부 접속 단자를 설치해도 외부 접속 단자의 총 수를 억제할 수 있는 멀티칩, 전지 보호 장치 및 전지 팩의 제공을 목적으로 한다.
하나의 안으로는
이차전지의 과충전, 과방전 또는 과전류를 검출하여 보호 동작을 행하는 보호 IC와, 상기 이차전지의 전지 상태를 감시하는 감시 IC를 하나의 패키지 내에 구비하는 멀티칩으로서,
상기 보호 IC와 상기 감시 IC는 상기 멀티칩에 평면에서 보아 겹치지 않게 배치되고,
상기 패키지는 제1 측가장자리와, 상기 제1 측가장자리에 대향하는 제2 측가장자리를 가지고,
상기 감시 IC용의 레귤레이터 출력 단자와, 상기 보호 IC와 상기 감시 IC에 공통인 그라운드 단자와, 상기 보호 IC와 상기 감시 IC에 공통인 전원 단자와, 상기 보호 IC용의 전류 검출 단자가 상기 제1 측가장자리측에 외부 접속 단자로서 배치되고,
상기 감시 IC용의 통신 단자와, 상기 보호 IC용의 방전 제어 단자와, 상기 보호 IC용의 충전 제어 단자와, 상기 보호 IC용의 과전류 검출 단자가 상기 제2 측가장자리측에 외부 접속 단자로서 배치되고,
상기 보호 IC는
상기 전원 단자와 상기 그라운드 단자 사이의 전압 또는 상기 전류 검출 단자와 상기 그라운드 단자 사이의 전압에 기초하여, 상기 이차전지의 충전을 금지하는 충전 제어 신호를 상기 충전 제어 단자로부터 출력하는 충전 제어 회로와,
상기 전원 단자와 상기 그라운드 단자 사이의 전압, 상기 전류 검출 단자와 상기 그라운드 단자 사이의 전압 또는 상기 과전류 검출 단자와 상기 그라운드 단자 사이의 전압에 기초하여, 상기 이차전지의 방전을 금지하는 방전 제어 신호를 상기 방전 제어 단자로부터 출력하는 방전 제어 회로를 가지는 것이며,
상기 감시 IC는
상기 이차전지의 전압 또는 상기 감시 IC의 온도를 측정하는 측정 회로와,
상기 측정 회로에서 측정된 결과를 상기 통신 단자를 통하여 외부에 송신하는 통신 회로와,
상기 레귤레이터 출력 단자에 전압을 출력하는 레귤레이터를 가지는 것이며,
상기 감시 IC의 내부 회로의 복수의 노드의 접속처를 상기 전류 검출 단자로 선택적으로 전환하는 선택 회로를 구비하는 것을 특징으로 하는 멀티칩이 제공된다.
하나의 태양에 의하면, 패키지 외부로부터 감시 IC의 내부 노드에 액세스 가능한 외부 접속 단자를 설치해도 외부 접속 단자의 총 수를 억제할 수 있다.
도 1은 멀티칩을 구비하는 전지 팩의 구성의 일례를 나타내는 도면이다.
도 2는 멀티칩의 구성의 일례를 나타내는 도면이다.
도 3은 시퀀서의 동작의 일례를 나타내는 플로우차트이다.
도 4는 멀티칩의 단자 배치의 일례를 평면에서 보아 나타내는 도면이다.
도 5는 멀티칩의 구성의 일례를 나타내는 도면이다.
도 6은 감시 IC 내의 아날로그 회로의 트리밍 동작의 일례를 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 멀티칩의 와이어 본딩 구성의 일례를 나타내는 도면이다.
도 8은 멀티칩의 구성의 일례를 나타내는 도면이다.
도 9는 멀티칩의 와이어 본딩 구성의 일례를 나타내는 도면이다.
도 10은 멀티칩의 구성의 일례를 나타내는 도면이다.
도 11은 멀티칩의 와이어 본딩 구성의 일례를 나타내는 도면이다.
이하, 본 발명의 실시형태를 도면에 따라 설명한다.
도 1은 멀티칩(140)을 구비하는 전지 팩(100)의 구성의 일례를 나타내는 도면이다. 전지 팩(100)은 플러스 단자(5)와 마이너스 단자(6)에 접속되는 전자기기(130)에 전력을 공급 가능한 이차전지(200)와, 이차전지(200)를 보호하는 전지 보호 장치(110)를 내장하여 구비한다. 전지 팩(100)은 전자기기(130)에 내장되어도 되고, 외부 부착되어도 된다.
전자기기(130)는 전지 팩(100)의 이차전지(200)를 전원으로 하는 부하의 일례이다. 전자기기(130)의 구체예로서 휴대 가능한 휴대 단말 장치 등을 들 수 있다. 휴대 단말 장치의 구체예로서 휴대전화, 스마트폰, 태블릿형 컴퓨터, 게임기, 텔레비전, 음악이나 영상의 플레이어, 카메라 등의 전자기기를 들 수 있다.
이차전지(200)의 구체예로서 리튬 이온 전지나 리튬 폴리머 전지 등을 들 수 있다.
전지 보호 장치(110)는 이차전지(200)를 전원으로 하여 동작하고, 이차전지(200)의 충방전을 제어함으로써 이차전지(200)를 과전류 등으로부터 보호하는 전지용 장치의 일례이다. 전지 보호 장치(110)는 정극 접속 단자(3)와, 부극 접속 단자(4)와, 플러스 단자(5)와, 마이너스 단자(6)와, 통신 단자(15)와, 저항(1)과, 캐패시터(2)와, 캐패시터(14)와, 저항(9)과, 센스 저항(10)과, 스위치 회로(13)와, 멀티칩(140)을 구비한다.
정극 접속 단자(3)는 이차전지(200)의 정극(201)에 접속되는 단자이며, 부극 접속 단자(4)는 이차전지(200)의 부극(202)에 접속되는 단자이다. 플러스 단자(5)는 전자기기(130)의 기기 플러스 단자(131)에 접속되는 단자의 일례이며, 기기 플러스 단자(131)를 통하여 전자기기(130)의 기기 전원 경로(137)에 접속된다. 마이너스 단자(6)는 전자기기(130)의 기기 마이너스 단자(133)에 접속되는 단자의 일례이며, 기기 마이너스 단자(133)를 통하여 전자기기(130)의 기기 그라운드(138)에 접속된다. 통신 단자(15)는 전자기기(130)의 기기 통신 단자(132)에 접속되는 단자의 일례이며, 기기 통신 단자(132)를 통하여 전자기기(130)의 제어부(134)에 접속된다.
전자기기(130)는 기기 전원 경로(137)에 접속되는 충전 플러스 단자(135)와, 기기 그라운드(138)에 접속되는 충전 마이너스 단자(136)를 가진다. 이차전지(200)를 충전 가능한 충전기(180)는 충전 플러스 단자(135)와 충전 마이너스 단자(136)에 접속된다.
정극 접속 단자(3)와 플러스 단자(5)는 플러스측 전원 경로(8)에 의해 접속되고, 부극 접속 단자(4)와 마이너스 단자(6)는 마이너스측 전원 경로(7)에 의해 접속된다. 플러스측 전원 경로(8)는 정극 접속 단자(3)와 플러스 단자(5) 사이의 충방전 경로의 일례이며, 마이너스측 전원 경로(7)는 부극 접속 단자(4)와 마이너스 단자(6) 사이의 충방전 경로의 일례이다.
스위치 회로(13)는 제1 마이너스측 접속점(7a)과 제2 마이너스측 접속점(7b) 사이의 마이너스측 전원 경로(7)에 직렬로 삽입된다. 스위치 회로(13)는 예를 들면 충전 제어 트랜지스터(11)와 방전 제어 트랜지스터(12)가 직렬로 접속된 직렬 회로이다. 충전 제어 트랜지스터(11)의 오프에 의해 이차전지(200)의 충전 전류가 흐르는 마이너스측 전원 경로(7)가 차단되어, 이차전지(200)의 충전 전류의 흐름이 금지된다. 방전 제어 트랜지스터(12)의 오프에 의해 이차전지(200)의 방전 전류가 흐르는 마이너스측 전원 경로(7)가 차단되어, 이차전지(200)의 방전 전류의 흐름이 금지된다.
충전 제어 트랜지스터(11)와 방전 제어 트랜지스터(12)는 각각 예를 들면 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)이다. 충전 제어 트랜지스터(11)는 충전 제어 트랜지스터(11)의 기생 다이오드의 순방향을 이차전지(200)의 방전 방향에 일치시켜 마이너스측 전원 경로(7)에 삽입된다. 방전 제어 트랜지스터(12)는 방전 제어 트랜지스터(12)의 기생 다이오드의 순방향을 이차전지(200)의 충전 방향에 일치시켜 마이너스측 전원 경로(7)에 삽입된다.
스위치 회로(13)가 마이너스측 전원 경로(7)에 직렬로 삽입됨으로써, 스위치 회로(13)가 플러스측 전원 경로(8)에 직렬로 삽입되는 형태에 비해, 스위치 회로(13)의 방전 제어 트랜지스터(12) 및 충전 제어 트랜지스터(11)의 소형화가 가능하다.
멀티칩(140)은 이차전지(200)의 충방전을 제어함으로써 이차전지(200)를 과전류 등으로부터 보호하는 전지용 회로의 일례이다. 멀티칩(140)은 전원 단자(93)와, 그라운드 단자(92)와, 레귤레이터 출력 단자(91)와, 전류 검출 단자(94)와, 방전 제어 출력 단자(97)와, 충전 제어 출력 단자(96)와, 과전류 검출 단자(95), 통신 단자(98)를 구비한다.
전원 단자(93)는 보호 IC(120)와 감시 IC(150)에 공통인 전원 단자의 일례이며, 보호 IC(120)와 감시 IC(150)에 공통인 전원 전위부이다. 전원 단자(93)는 플러스측 접속점(8a) 및 정극 접속 단자(3)를 통하여 이차전지(200)의 정극(201)에 접속되는 정극측 전원 단자이며, VDD 단자라고 불리는 경우가 있다. 전원 단자(93)는 예를 들면 플러스측 전원 경로(8)에 일단이 접속되는 저항(1)의 타단과, 마이너스측 전원 경로(7)에 일단이 접속되는 캐패시터(2)의 타단의 접속점에 접속된다. 캐패시터(2)의 일단은 부극 접속 단자(4)와 센스 저항(10) 사이의 마이너스측 전원 경로(7)에 제1 마이너스측 접속점(7a)에서 접속된다.
그라운드 단자(92)는 보호 IC(120)와 감시 IC(150)에 공통인 그라운드 단자의 일례이며, 보호 IC(120)와 감시 IC(150)에 공통인 그라운드 전위부이다. 그라운드 단자(92)는 제1 마이너스측 접속점(7a) 및 부극 접속 단자(4)를 통하여 이차전지(200)의 부극(202)에 접속되는 부극측 전원 단자이며, VSS 단자라고 불리는 경우가 있다. 그라운드 단자(92)는 마이너스측 전원 경로(7)에 제1 마이너스측 접속점(7a)에서 접속되고, 방전 제어 트랜지스터(12)의 소스에 센스 저항(10)을 통하여 접속된다.
레귤레이터 출력 단자(91)는 감시 IC(150)가 사용하는 레귤레이터 출력 단자의 일례이다. 레귤레이터 출력 단자(91)는 감시 IC(150)에 탑재된 레귤레이터(158)(도 2 참조)의 출력 전압이 출력되는 단자이며, VREG 단자라고 불리는 경우가 있다. 레귤레이터 출력 단자(91)는 캐패시터(14)의 일단이 접속되고, 캐패시터(14)의 타단이 그라운드 단자(92)에 접속된다. 캐패시터(14)는 레귤레이터(158)의 출력 전압을 안정시키기 위한 소자이다.
방전 제어 출력 단자(97)는 보호 IC(120)가 사용하는 방전 제어 출력 단자의 일례이다. 방전 제어 출력 단자(97)는 이차전지(200)의 방전의 허가 여부를 제어하는 방전 제어 신호를 출력하는 단자이며, DOUT 단자라고 불리는 경우가 있다. 방전 제어 출력 단자(97)는 방전 제어 트랜지스터(12)의 제어 전극(예를 들면, MOSFET의 경우 게이트)에 접속된다.
충전 제어 출력 단자(96)는 보호 IC(120)가 사용하는 충전 제어 출력 단자의 일례이다. 충전 제어 출력 단자(96)는 이차전지(200)의 충전의 허가 여부를 제어하는 충전 제어 신호를 출력하는 단자이며, COUT 단자라고 불리는 경우가 있다. 충전 제어 출력 단자(96)는 충전 제어 트랜지스터(11)의 제어 전극(예를 들면 MOSFET의 경우 게이트)에 접속된다.
과전류 검출 단자(95)는 보호 IC(120)가 사용하는 과전류 검출 단자의 일례이다. 과전류 검출 단자(95)는 전자기기(130)의 기기 그라운드(139)에 접속되는 마이너스 단자(6)에 접속되는 단자이며, V- 단자라고 불리는 경우가 있다. 과전류 검출 단자(95)는 마이너스 단자(6)와 충전 제어 트랜지스터(11) 사이의 마이너스측 전원 경로(7)에 저항(9)을 통하여 제2 마이너스측 접속점(7b)에서 접속된다. 과전류 검출 단자(95)는 저항(9)을 통하여 충전 제어 트랜지스터(11)의 소스에 접속된다.
전류 검출 단자(94)는 보호 IC(120)가 사용하는 전류 검출 단자의 일례이다. 전류 검출 단자(94)는 센스 저항(10)에 대하여 제1 마이너스측 접속점(7a)과는 반대측의 제3 마이너스측 접속점(7c)에서 마이너스측 전원 경로(7)에 접속되는 단자이며, CS 단자라고 불리는 경우가 있다. 센스 저항(10)은 마이너스측 전원 경로(7)에 직렬로 삽입되는 전류 검출 저항이다. 센스 저항(10)의 일단은 제1 마이너스측 접속점(7a)을 통하여 이차전지(200)의 부극(202) 및 그라운드 단자(92)에 접속되고, 센스 저항(10)의 타단은 제3 마이너스측 접속점(7c)을 통하여 트랜지스터(12)의 소스 및 전류 검출 단자(94)에 접속된다.
통신 단자(98)는 감시 IC(150)가 사용하는 통신 단자의 일례이다. 통신 단자(98)는 감시 IC(150)에 탑재된 통신 회로(162)(도 2 참조)에 접속되는 단자이며, IF 단자라고 불리는 경우가 있다. 통신 단자(98)는 통신 단자(15)에 접속된다.
멀티칩(140)은 보호 IC(120)와, 감시 IC(150)와, 메모리 IC(170)를 구비한다.
보호 IC(120)는 이차전지(200)를 전원으로 하여 동작하고, 이차전지(200)의 부극(202)에 접속되는 마이너스측 전원 경로(7)에 직렬로 삽입되는 스위치 회로(13)를 오프로 함으로써 이차전지(200)를 과전류 등으로부터 보호하는 보호 IC의 일례이다. 보호 IC(120)는 이차전지(200)의 충방전을 스위치 회로(13)에 의해 제어함으로써 이차전지(200)를 과전류 등으로부터 보호하는 IC칩이다. 보호 IC(120)는 이차전지(200)로부터 급전되어 이차전지(200)를 보호한다. 보호 IC(120)는 스위치 회로(13)를 오프로 함으로써 이차전지(200)의 충전 또는 방전을 금지하는 보호 동작을 행한다.
도 2는 멀티칩(140)의 구성의 일례를 나타내는 도면이다. 보호 IC(120)는 이상 검출 회로(21)와, 보호 제어 회로(22)를 구비한다. 이상 검출 회로(21)는 이차전지(200)의 전류 또는 전압의 이상을 검출하는 수단의 일례이다. 보호 제어 회로(22)는 이상 검출 회로(21)에 의한 이상 검출 결과에 기초하여, 스위치 회로(13)의 스위치 동작을 제어하는 제어 신호를 출력함으로써, 트랜지스터(11, 12)의 온 및 오프를 제어한다.
보호 제어 회로(22)는 예를 들면 트랜지스터(11)를 제어함으로써 이차전지(200)를 과충전으로부터 보호하는 동작(과충전 보호 동작)을 행하는 충전 제어 회로(23)를 가진다. 예를 들면, 이상 검출 회로(21)는 전원 단자(93)와 그라운드 단자(92) 사이의 전압을 검출함으로써, 이차전지(200)의 전지 전압(셀 전압)을 감시한다. 이상 검출 회로(21)는 소정의 과충전 검출 전압 Vdet1 이상의 셀 전압을 검지함으로써, 이차전지(200)의 과충전이 검출된 것을 나타내는 과충전 검출 신호를 출력한다.
과충전 검출 신호를 검지한 보호 제어 회로(22)의 충전 제어 회로(23)는 소정의 과충전 검출 지연 시간 tVdet1의 경과를 기다려, 트랜지스터(11)를 오프로 하는 로우 레벨의 충전 제어 신호 COUT를 충전 제어 출력 단자(96)로부터 출력하는 과충전 보호 동작을 실행한다. 트랜지스터(11)가 오프가 됨으로써, 트랜지스터(12)의 온 상태 및 오프 상태에 관계없이 이차전지(200)의 충전이 금지되어, 이차전지(200)가 과충전되는 것을 방지할 수 있다.
보호 제어 회로(22)는 예를 들면 트랜지스터(12)를 제어함으로써 이차전지(200)를 과방전으로부터 보호하는 동작(과방전 보호 동작)을 행하는 방전 제어 회로(24)를 가진다. 예를 들면, 이상 검출 회로(21)는 전원 단자(93)와 그라운드 단자(92) 사이의 전압을 검출함으로써, 이차전지(200)의 전지 전압(셀 전압)을 감시한다. 이상 검출 회로(21)는 소정의 과방전 검출 전압 Vdet2 이하의 셀 전압을 검지함으로써, 이차전지(200)의 과방전이 검출된 것을 나타내는 과방전 검출 신호를 출력한다.
과방전 검출 신호를 검지한 보호 제어 회로(22)의 방전 제어 회로(24)는 소정의 과방전 검출 지연 시간 tVdet2의 경과를 기다려, 트랜지스터(12)를 오프로 하는 로우 레벨의 방전 제어 신호 DOUT를 방전 제어 출력 단자(97)로부터 출력하는 과방전 보호 동작을 실행한다. 트랜지스터(12)가 오프가 됨으로써, 트랜지스터(11)의 온 상태 및 오프 상태에 관계없이 이차전지(200)의 방전이 금지되어, 이차전지(200)가 과방전되는 것을 방지할 수 있다.
보호 제어 회로(22)는 예를 들면 트랜지스터(12)를 제어함으로써 이차전지(200)를 방전 과전류로부터 보호하는 동작(방전 과전류 보호 동작)을 행하는 방전 제어 회로(24)를 가진다. 예를 들면, 이상 검출 회로(21)는 센스 저항(10)에 흐르는 전류에 의해 전류 검출 단자(96)와 그라운드 단자(92) 사이에 발생하는 센스 전압을 검출한다. 이상 검출 회로(21)는 소정의 방전 과전류 검출 전압 Vdet3 이상의 센스 전압을 검지함으로써, 마이너스측 전원 경로(7)에 이차전지(200)의 방전 방향으로 흐르는 이상 전류인 방전 과전류가 검출된 것을 나타내는 방전 과전류 검출 신호를 출력한다.
방전 과전류 검출 신호를 검지한 보호 제어 회로(22)의 방전 제어 회로(24)는 소정의 방전 과전류 검출 지연 시간 tVdet3의 경과를 기다려, 트랜지스터(12)를 오프로 하는 로우 레벨의 방전 제어 신호 DOUT를 방전 제어 출력 단자(97)로부터 출력하는 방전 과전류 보호 동작을 실행한다. 트랜지스터(12)가 오프가 됨으로써, 트랜지스터(11)의 온 상태 및 오프 상태에 관계없이 이차전지(200)의 방전이 금지되어, 이차전지(200)를 방전하는 방향으로 과전류가 흐르는 것을 방지할 수 있다.
보호 제어 회로(22)는 예를 들면 트랜지스터(11)를 제어함으로써 이차전지(200)를 충전 과전류로부터 보호하는 동작(충전 과전류 보호 동작)을 행하는 충전 제어 회로(23)를 가진다. 예를 들면, 이상 검출 회로(21)는 센스 저항(10)에 흐르는 전류에 의해 전류 검출 단자(96)와 그라운드 단자(92) 사이에 발생하는 센스 전압을 검출한다. 이상 검출 회로(21)는 소정의 충전 과전류 검출 전압 Vdet4 이하의 센스 전압을 검지함으로써, 마이너스측 전원 경로(7)에 이차전지(200)의 충전 방향으로 흐르는 이상 전류인 충전 과전류가 검출된 것을 나타내는 충전 과전류 검출 신호를 출력한다.
충전 과전류 검출 신호를 검지한 보호 제어 회로(22)의 충전 제어 회로(23)는 소정의 충전 과전류 검출 지연 시간 tVdet4의 경과를 기다려, 트랜지스터(11)를 오프로 하는 로우 레벨의 충전 제어 신호 COUT를 충전 제어 출력 단자(96)로부터 출력하는 충전 과전류 보호 동작을 실행한다. 트랜지스터(11)가 오프가 됨으로써, 트랜지스터(12)의 온 상태 및 오프 상태에 관계없이 이차전지(200)의 충전이 금지되어, 이차전지(200)를 충전하는 방향으로 과전류가 흐르는 것을 방지할 수 있다.
보호 제어 회로(22)는 예를 들면 트랜지스터(12)를 제어함으로써 이차전지(200)를 단락 전류로부터 보호하는 동작(단락 보호 동작)을 행하는 방전 제어 회로(24)를 가진다. 예를 들면, 이상 검출 회로(21)는 과전류 검출 단자(95)와 그라운드 단자(92) 사이의 전압을 검출함으로써, 마이너스 단자(6)와 부극 접속 단자(4) 사이의 전압 P-를 감시한다. 이상 검출 회로(21)는 소정의 단락 검출 전압 Vshort 이상의 전압 P-를 검지함으로써, 플러스 단자(5)와 마이너스 단자(6) 사이의 단락 이상(단락 과전류)이 검출된 것을 나타내는 단락 검출 신호를 출력한다.
단락 검출 신호를 검지한 보호 제어 회로(22)의 방전 제어 회로(24)는 트랜지스터(12)를 오프로 하는 로우 레벨의 방전 제어 신호 DOUT를 방전 제어 출력 단자(97)로부터 출력하는 단락 보호 동작을 실행한다. 트랜지스터(12)가 오프가 됨으로써, 트랜지스터(11)의 온 상태 및 오프 상태에 관계없이 이차전지(200)의 방전이 금지되어, 이차전지(200)를 방전하는 방향으로 단락 전류가 흐르는 것을 방지할 수 있다.
감시 IC(150)는 이차전지(200)를 전원으로 하여 동작하고, 이차전지(200)의 전지 상태를 감시하는 감시 IC의 일례이다. 감시 IC(150)는 예를 들면 이차전지(200)의 전압과 전류와 온도와 잔용량의 적어도 하나의 전지 상태를 검출하는 IC칩이다.
감시 IC(150)는 측정 회로(167)와, 통신 회로(162)를 가진다. 측정 회로(167)는 멀티플렉서(152)와, AD 컨버터(ADC:Analog to Digital Converter)(153)와, 디지털 필터(154)를 가진다. 측정 회로(167)는 온도 센서(151)를 가져도 된다. 온도 센서(151)는 감시 IC(150)의 내부 온도를 측정한다.
측정 회로(167)는 이차전지(200)의 전지 전압(셀 전압)을 측정하는 회로의 일례이다. 측정 회로(167)는 예를 들면 전원 단자(93)와 그라운드 단자(92) 사이의 전원 전압을 검출함으로써, 이차전지(200)의 전지 전압을 측정한다. 그라운드 단자(92)가 부극(202)과 스위치 회로(13) 사이에서 마이너스측 전원 경로(7)에 접속됨으로써, 스위치 회로(13)의 기생 저항값에 따른 전압 강하분을 측정 회로(167)에 의해 측정되는 전지 전압에 포함시키지 않을 수 있다. 특히, 그라운드 단자(92)가 부극(202)과 센스 저항(10) 사이에서 마이너스측 전원 경로(7)에 접속됨으로써, 센스 저항(10)의 저항값에 따른 전압 강하분도 측정 회로(167)에 의해 측정되는 전지 전압에 포함시키지 않을 수 있다.
통신 회로(162)는 측정 회로(167)에서 측정된 결과를 통신 단자(98)를 통하여 멀티칩(140)의 외부에 송신하는 통신 회로의 일례이다. 통신 단자(98)는 외부 통신 단자(15)에 접속되고, 외부 통신 단자(15)는 전자기기(130)에 접속된다. 따라서, 통신 회로(162)는 측정 회로(167)에 의해 측정된 결과를 전자기기(130)에 송신할 수 있다. 통신 회로(162)는 보호 IC(120)를 경유하여 전자기기(130)에 송신해도 된다.
감시 IC(150)는 온도 센서(151)와, 멀티플렉서(152)와, AD 컨버터(ADC)(153)와, 디지털 필터(154)와, 시퀀서(155)와, 파워 온 리셋 회로(156)와, 발진기(157)와, 레귤레이터(158)와, OTP(159)와, EEPROM(160)과, 레지스터(161)와, 통신 회로(162)를 가진다.
멀티플렉서(152)는 온도 센서(151)로부터의 센서 전압과, 전원 단자(93)로부터의 전원 전압을 시퀀서(155)에 의해 선택적으로 전환하여 AD 컨버터(153)에 출력하는 선택 회로이다. 온도 센서(151)는 감시 IC(150)의 내부 온도를 측정하고, 내부 온도의 측정값에 대응하는 센서 전압을 출력한다. 시퀀서(155)는 외부 기기의 지시를 필요로 하지 않고, 전원 단자(93)로부터의 전원 전압의 AD 변환과, 온도 센서(151)로부터의 센서 전압의 AD 변환을 AD 컨버터(153)에 의해 정기적으로 반복하여 실행한다. AD 컨버터(153)에 의해 측정된 전원 전압 및 센서 전압은 디지털 필터(154)에 의한 필터 처리가 시행되어 시퀀서(155)에 입력된다.
시퀀서(155)는 AD 컨버터(153)에 의해 측정된 전원 전압(디지털 필터(154)에 의한 필터 처리 후의 전원 전압)으로부터 이차전지(200)의 전지 전압을 연산하고, 그 전지 전압의 연산값을 레지스터(161)에 격납한다. 또, 시퀀서(155)는 AD 컨버터(153)에 의해 측정된 센서 전압(디지털 필터(154)에 의한 필터 처리 후의 센서 전압)으로부터 감시 IC(150)의 내부 온도를 연산하고, 그 내부 온도의 연산값을 레지스터(161)에 격납한다.
시퀀서(155)는 감시 IC(150)의 내부 온도의 연산값에 따라 이차전지(200)의 전지 전압의 연산값을 보정하고, 그 보정 후의 전지 전압의 연산값을 레지스터(161)에 격납해도 된다. 통신 회로(162)는 그 보정 후의 전지 전압의 연산값이 소정의 이상값을 나타낸 경우, 호스트 기기인 전자기기(130)의 제어부(134)에 통신 단자(98)를 통하여 이상을 알리는 인터페이스이다.
도 3은 시퀀서(155)의 동작의 일례를 나타내는 플로우차트이다. 시퀀서(155)는 파워 온 리셋 회로(156)에 의한 리셋 해제에 의해 동작을 개시한다. 시퀀서(155)는 AD 컨버터(153)의 입력을 전압 입력으로부터 온도 입력으로 전환한다(스텝 S10). AD 컨버터(153)는 감시 IC(150)의 온도값에 따른 센서 전압을 측정하고(스텝 S20), 시퀀서(155)는 센서 전압의 측정값으로부터 감시 IC(150)의 온도값을 연산한다(스텝 S30). 이어서 시퀀서(155)는 AD 컨버터(153)의 입력을 온도 입력으로부터 전압 입력으로 전환한다(스텝 S40). AD 컨버터(153)는 전원 전압을 측정하고(스텝 S50), 시퀀서(155)는 전원 전압의 측정값으로부터 이차전지(200)의 전지 전압(셀 전압)을 연산한다(스텝 S60).
도 4는 멀티칩(140)의 단자 배치의 일례를 평면에서 보아 나타내는 도면이다. 멀티칩(140)은 평면에서 보아 직사각형상의 패키지(145)와, 복수의 외부 접속 단자(91~98)를 구비한다. 패키지(145)는 보호 IC(120), 감시 IC(150) 및 메모리 IC(170)를 덮는 피복 부재의 일례이다. 복수의 외부 접속 단자(91~98)는 단자 배치면(146)에 노출되어 배치된다.
단자 배치면(146)은 멀티칩(140)이 실장되는 배선 기판의 실장면에 면한다. 또, 패키지(145)는 제1 측가장자리(141)와, 제1 측가장자리(141)에 대향하는 제2 측가장자리(142)와, 제3 측가장자리(143)와, 제3 측가장자리(143)에 대향하는 제4 측가장자리(144)를 가진다.
멀티칩(140)은 단자 배치면(146)의 제1 측가장자리(141)측에 단자(91~94)가 이 순서로 늘어서서 배치되고, 단자 배치면(146)의 제2 측가장자리(142)측에 단자(95~98)가 이 순서로 늘어서서 배치된 구성을 가진다.
단자(91~94)는 패키지(145)의 제1 측가장자리(141)측의 측면 또는 바닥면으로부터 뻗는 리드선이어도 되고, 단자(95~98)는 패키지(145)의 제2 측가장자리(142)측의 측면 또는 바닥면으로부터 뻗는 리드선이어도 된다.
도 5는 멀티칩(140A)의 구성의 일례를 나타내는 도면이다. 멀티칩(140A)은 상기 서술한 멀티칩(140)의 일례이다. 감시 IC(150)는 복수의 아날로그 회로(1~n)와 선택 회로(163)를 가진다. 아날로그 회로(1~n)의 구체예로서 발진기(157), 온도 센서(151), AD 컨버터(153) 등을 들 수 있다.
선택 회로(163)는 아날로그 회로(1~n)의 복수의 노드의 접속처를 시퀀서(155)의 지령에 따라 전류 검출 단자(94)로 선택적으로 전환하는 선택 회로의 일례이다. 아날로그 회로(1~n)는 감시 IC(150)의 내부 회로의 예이다. 각 아날로그 회로(1~n)의 노드의 구체예로서 발진기(157)의 발진 신호를 출력하는 발진 출력 노드, 온도 센서(151)의 센서 전압 신호를 출력하는 센서 출력 노드, AD 컨버터(153)의 디지털 출력 신호를 출력하는 출력 노드 등을 들 수 있다.
선택 회로(163)가 설치됨으로써 테스트 모드시에 임의의 아날로그 회로로부터의 신호를 전류 검출 단자(94)로부터 출력할 수 있다. 한편, 통상 모드시 보호 IC(120)는 전류 검출 단자(94)를 통하여 과전류를 검출할 수 있다. 따라서, 패키지 외부로부터 감시 IC(150)의 내부 노드에 액세스 가능한 외부 접속 단자(이 경우, 전류 검출 단자(94))를 설치해도 외부 접속 단자의 총 수를 억제할 수 있다.
감시 IC(150)는 전류 검출 단자(94)에 제1 본딩 와이어(404)를 통하여 접속되는 제1 패드(304)를 가지고, 보호 IC(120)는 전류 검출 단자(94)에 제2 본딩 와이어(405)를 통하여 접속되는 제2 패드(124)를 가진다. 선택 회로(163)는 아날로그 회로(1~n)의 복수의 노드의 접속처를 제1 패드(304)로 선택적으로 전환한다.
감시 IC(150)는 보호 IC(120)로부터 감시 IC(150)에 입력되는 방전 제어 신호 DOUT를 무효화하는 마스크 회로(164)를 가진다. 보호 IC(120)는 테스트 모드시에 감시 IC(150)의 아날로그 회로로부터 전류 검출 단자(94)에 출력되는 신호를 오검출하여, 로우 레벨의 방전 제어 신호 DOUT를 출력해버릴 우려가 있다. 마스크 회로(164)는 보호 IC(120)로부터 감시 IC(150)에 입력되는 로우 레벨의 방전 제어 신호 DOUT에 따라 감시 IC(150)의 시퀀서(155)가 오동작하는 것을 방지한다.
도 6은 감시 IC(150) 내의 아날로그 회로의 트리밍 동작의 일례를 설명하기 위한 도면이다.
(1) 외부 검사 장치(190)는 명령 단자(191)로부터 명령을 송신하고, 보정 대상의 아날로그 회로의 출력 신호가 전류 검출 단자(94)로부터 출력되도록 레지스터(161)를 설정한다. 시퀀서(155)는 레지스터(161)의 설정값에 따라 선택 회로(163)의 선택 동작을 제어하고, 보정 대상의 아날로그 회로의 출력 신호를 전류 검출 단자(94)로부터 출력시킨다.
(2) 외부 검사 장치(190)는 전류 검출 단자(94)로부터 출력되는 보정 대상의 아날로그 회로의 출력 신호를 모니터 단자(192)로부터 취득하고, 보정 대상의 아날로그 회로의 출력 신호의 조정을 실시하기 위한 보정값을 산출한다.
(3) 외부 검사 장치(190)는 보정 대상의 아날로그 회로의 출력 신호를 조절하기 위한 레지스터(161) 내의 기억 소자에 (2)에서 산출된 보정값을 기입하고, 보정 대상의 아날로그 회로의 출력 신호의 조정을 실시한다.
(4) 외부 검사 장치(190)는 전류 검출 단자(94)로부터 출력되는 보정 대상의 아날로그 회로의 출력 신호를 모니터 단자(192)로부터 취득하고, 보정 대상의 아날로그 회로의 출력 신호의 조정 결과를 확인한다.
도 7은 멀티칩(140A)의 와이어 본딩 구성의 일례를 패키지(145)를 제거한 상태에서 평면에서 보아 나타내는 도면이다. 보호 IC(120)와 감시 IC(150)는 멀티칩(140A)의 평면에서 보아 겹치지 않게 배치되어 있다. 멀티칩(140A)은 감시 IC(150)의 상방에 메모리 IC(170)를 구비해도 된다.
보호 IC(120)는 6개의 패드(122~127)를 가지고, 감시 IC(150)는 12개의 패드(301~312)를 가지고, 메모리 IC(170)는 5개의 패드(171~175)를 가진다. 각 패드는 도시하는 바와 같이 본딩 와이어(401~415)로 접속된다.
메모리 IC(170)의 패드(173)와 감시 IC(150)의 패드(307)는 시리얼 클록 SCL이 통과하는 본딩 와이어(409)로 접속되고, 메모리 IC(170)의 패드(175)와 감시 IC(150)의 패드(310)는 시리얼 데이터 SDA가 통과하는 본딩 와이어(410)로 접속된다. 메모리 IC(170)는 라이트 프로텍트(WP)용의 패드(172)와, 전원 VCC용의 패드(171)와, 그라운드 VSS용의 패드(174)를 가진다.
감시 IC(150)는 전류 검출 단자(94)에 본딩 와이어(404)를 통하여 접속되는 패드(304)를 가지고, 패드(304)는 외부 검사 장치(190)가 전류 검출 단자(94)를 통하여 감시 IC(150)의 내부 회로를 모니터하기 위한 모니터 패드 MON이다. 감시 IC(150)는 감시 IC(150)의 동작 모드를 설정하기 위한 모드 설정 패드 MODE1, MODE2를 가져도 된다.
도 8은 멀티칩(140B)의 구성의 일례를 나타내는 도면이다. 멀티칩(140B)은 상기 서술한 멀티칩(140)의 일례이다. 멀티칩(140B)의 구성 중 멀티칩(140A)과 마찬가지의 구성에 대해서는 멀티칩(140A)에 대한 상기 서술한 설명을 원용한다.
선택 회로(163)가 설치됨으로써 테스트 모드시에 임의의 아날로그 회로로부터의 신호를 전류 검출 단자(94)로부터 출력할 수 있다. 한편, 통상 모드시 보호 IC(120)는 전류 검출 단자(94) 및 마스크 회로(165)를 통하여 입력되는 센스 전압에 기초하여 과전류를 검출할 수 있다. 따라서, 패키지 외부로부터 감시 IC(150)의 내부 노드에 액세스 가능한 외부 접속 단자(이 경우, 전류 검출 단자(94))를 설치해도 외부 접속 단자의 총 수를 억제할 수 있다.
감시 IC(150)는 전류 검출 단자(94)에 제1 본딩 와이어(404)를 통하여 접속되는 제1 패드(304)와, 전류 검출 단자(94)에 제2 본딩 와이어(417)를 통하여 접속되는 제2 패드(313)와, 제2 패드(313)에 소정의 회로를 통하여 접속되는 제3 패드(314)를 가진다. 소정의 회로는 도 8의 경우 마스크 회로(165)이다. 보호 IC(120)는 제3 패드(314)에 제3 본딩 와이어(418)를 통하여 접속되는 제4 패드(124)를 가진다. 선택 회로(163)는 아날로그 회로(1~n)의 복수의 노드의 접속처를 제1 패드(304)로 선택적으로 전환한다.
감시 IC(150)는 전류 검출 단자(94)로부터 보호 IC(120)에 입력되는 신호를 무효화하는 마스크 회로(165)를 가진다. 보호 IC(120)는 테스트 모드시에 감시 IC(150)의 아날로그 회로로부터 전류 검출 단자(94)에 출력되는 신호를 오검출하여 로우 레벨의 방전 제어 신호 DOUT를 출력해버릴 우려가 있다. 마스크 회로(165)는 전류 검출 단자(94)로부터 보호 IC(120)에 입력되는 신호를 무효화함으로써, 보호 IC(120)로부터 감시 IC(150)에 입력되는 로우 레벨의 방전 제어 신호 DOUT에 따라 감시 IC(150)의 시퀀서(155)가 오동작하는 것을 방지한다.
이와 같이, 마스크 회로(165)는 테스트 모드시 감시 IC(150)의 아날로그 회로로부터 전류 검출 단자(94)에 출력되는 신호를 보호 IC(120)가 센스 전압이라고 잘못해서 검출하는 것을 방지할 수 있다. 한편, 통상 모드시 보호 IC(120)는 전류 검출 단자(94)에 입력되는 센스 전압에 기초하여 과전류를 검출할 수 있다.
도 9는 멀티칩(140B)의 와이어 본딩 구성의 일례를 패키지(145)를 제거한 상태에서 평면에서 보아 나타내는 도면이다. 보호 IC(120)는 6개의 패드(122~127)를 가지고, 감시 IC(150)는 13개의 패드(301~313)를 가지고, 메모리 IC(170)는 5개의 패드(171~175)를 가진다. 각 패드는 도시하는 바와 같이 본딩 와이어(401~418)로 접속된다.
감시 IC(150)의 테스트 모니터 패드(304)와 전류 검출 패드(313)가 전류 검출 단자(94)에 접속되어 있다. 또, 감시 IC(150)의 패드(314)와 보호 IC(120)의 패드(124)가 접속되어 있다. 패드(314)는 전류 검출 단자(94)로부터 전류 검출 패드(313)에 입력된 신호를 보호 IC(120)의 전류 검출 패드(124)에 대하여 출력하는 패드 CS_OUT이다.
도 10은 멀티칩(140C)의 구성의 일례를 나타내는 도면이다. 멀티칩(140C)은 상기 서술한 멀티칩(140)의 일례이다. 멀티칩(140C)의 구성 중 멀티칩(140A, 140B)과 마찬가지의 구성에 대해서는, 멀티칩(140A, 140B)에 대한 상기 서술한 설명을 원용한다.
감시 IC(150)는 전류 검출 단자(94)에 제1 본딩 와이어(404)를 통하여 접속되는 제1 패드(304)를 가진다. 선택 회로(163)는 아날로그 회로(1~n)의 복수의 노드의 접속처를 시퀀서(155)의 지령에 따라 선택 회로(166)로 선택적으로 전환하는 제1 전환부의 일례이다. 선택 회로(166)는 선택 회로(163)의 접속처와 보호 IC(120)의 패드(124)의 접속처를 시퀀서(155)의 지령에 따라 제1 패드(304)로 선택적으로 전환하는 제2 전환부의 일례이다.
선택 회로(163, 166)가 설치됨으로써 테스트 모드시에 임의의 아날로그 회로로부터의 신호를 전류 검출 단자(94)로부터 출력할 수 있다. 한편, 통상 모드시 보호 IC(120)는 전류 검출 단자(94) 및 선택 회로(166)를 통하여 입력되는 센스 전압에 기초하여 과전류를 검출할 수 있다. 따라서, 패키지 외부로부터 감시 IC(150)의 내부 노드에 액세스 가능한 외부 접속 단자(이 경우, 전류 검출 단자(94))를 설치해도 외부 접속 단자의 총 수를 억제할 수 있다.
도 11은 멀티칩(140C)의 와이어 본딩 구성의 일례를 패키지(145)를 제거한 상태에서 평면에서 보아 나타내는 도면이다. 보호 IC(120)는 6개의 패드(122~127)를 가지고, 감시 IC(150)는 12개의 패드(301~312)를 가지고, 메모리 IC(170)는 5개의 패드(171~175)를 가진다. 각 패드는 도시하는 바와 같이 본딩 와이어(401~418)로 접속된다.
전류 검출 단자(94)는 감시 IC(150)의 테스트 모니터 패드(304)에 접속된다. 모니터 출력 패드(314)는 보호 IC(120)의 전류 검출 패드(124)에 접속된다.
이상, 멀티칩, 전지 보호 장치 및 전지 팩을 실시형태에 의해 설명했지만, 본 발명은 상기 실시형태에 한정되는 것은 아니다. 다른 실시형태의 일부 또는 전부와의 조합이나 치환 등의 각종 변형 및 개량이 본 발명의 범위 내에서 가능하다.
예를 들면, 패키지 외부로부터 감시 IC(150)의 내부 노드에 액세스 가능한 외부 접속 단자는 상기 서술한 실시형태와 같이 전류 검출 단자(94)에 한정되지 않고, 과전류 검출 단자(95)여도 된다. 예를 들면 도 5에 있어서 선택 회로(163)는 아날로그 회로(1~n)의 복수의 노드의 접속처를 시퀀서(155)의 지령에 따라 과전류 검출 단자(95)로 선택적으로 전환하는 것이어도 된다.
15…통신 단자
91…레귤레이터 출력 단자
98…통신 단자
100…전지 팩
110…전지 보호 장치
130…전자기기
140…멀티칩
145…패키지
167…측정 회로
180…충전기
200…이차전지

Claims (8)

  1. 이차전지의 과충전, 과방전 또는 과전류를 검출하여 보호 동작을 행하는 보호 IC와, 상기 이차전지의 전지 상태를 감시하는 감시 IC를 하나의 패키지 내에 구비하는 멀티칩으로서,
    상기 보호 IC와 상기 감시 IC는 상기 멀티칩에 평면에서 보아 겹치지 않게 배치되고,
    상기 패키지는 제1 측가장자리와, 상기 제1 측가장자리에 대향하는 제2 측가장자리를 가지고,
    상기 감시 IC용의 레귤레이터 출력 단자와, 상기 보호 IC와 상기 감시 IC에 공통인 그라운드 단자와, 상기 보호 IC와 상기 감시 IC에 공통인 전원 단자와, 상기 보호 IC용의 전류 검출 단자가 상기 제1 측가장자리측에 외부 접속 단자로서 배치되고,
    상기 감시 IC용의 통신 단자와, 상기 보호 IC용의 방전 제어 단자와, 상기 보호 IC용의 충전 제어 단자와, 상기 보호 IC용의 과전류 검출 단자가 상기 제2 측가장자리측에 외부 접속 단자로서 배치되고,
    상기 보호 IC는
    상기 전원 단자와 상기 그라운드 단자 사이의 전압 또는 상기 전류 검출 단자와 상기 그라운드 단자 사이의 전압에 기초하여, 상기 이차전지의 충전을 금지하는 충전 제어 신호를 상기 충전 제어 단자로부터 출력하는 충전 제어 회로와,
    상기 전원 단자와 상기 그라운드 단자 사이의 전압, 상기 전류 검출 단자와 상기 그라운드 단자 사이의 전압 또는 상기 과전류 검출 단자와 상기 그라운드 단자 사이의 전압에 기초하여, 상기 이차전지의 방전을 금지하는 방전 제어 신호를 상기 방전 제어 단자로부터 출력하는 방전 제어 회로를 가지고 있고,
    상기 감시 IC는
    상기 이차전지의 전압 또는 상기 감시 IC의 온도를 측정하는 측정 회로와,
    상기 측정 회로에서 측정된 결과를 상기 통신 단자를 통하여 외부에 송신하는 통신 회로와,
    상기 레귤레이터 출력 단자에 전압을 출력하는 레귤레이터를 가지고 있고,
    상기 감시 IC의 내부 회로의 복수의 노드의 접속처를 상기 전류 검출 단자로 선택적으로 전환하는 선택 회로를 구비하는 것을 특징으로 하는 멀티칩.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 감시 IC는 상기 전류 검출 단자에 제1 본딩 와이어를 통하여 접속되는 제1 패드를 가지고,
    상기 보호 IC는 상기 전류 검출 단자에 제2 본딩 와이어를 통하여 접속되는 제2 패드를 가지고,
    상기 선택 회로는 상기 복수의 노드의 접속처를 상기 제1 패드로 선택적으로 전환하는 것을 특징으로 하는 멀티칩.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 감시 IC는 상기 전류 검출 단자에 제1 본딩 와이어를 통하여 접속되는 제1 패드와, 상기 전류 검출 단자에 제2 본딩 와이어를 통하여 접속되는 제2 패드와, 상기 제2 패드에 소정의 회로를 통하여 접속되는 제3 패드를 가지고,
    상기 보호 IC는 상기 제3 패드에 제3 본딩 와이어를 통하여 접속되는 제4 패드를 가지고,
    상기 선택 회로는 상기 복수의 노드의 접속처를 상기 제1 패드로 선택적으로 전환하는 것을 특징으로 하는 멀티칩.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 감시 IC는 상기 전류 검출 단자에 제1 본딩 와이어를 통하여 접속되는 제1 패드를 가지고,
    상기 선택 회로는 제1 전환부와 제2 전환부를 가지고,
    상기 제1 전환부는 상기 복수의 노드의 접속처를 상기 제2 전환부로 선택적으로 전환하고,
    상기 제2 전환부는 상기 제1 전환부와 상기 보호 IC의 접속처를 상기 제1 패드로 선택적으로 전환하는 것을 특징으로 하는 멀티칩.
  5. 이차전지의 과충전, 과방전 또는 과전류를 검출하여 보호 동작을 행하는 보호 IC와, 상기 이차전지의 전지 상태를 감시하는 감시 IC를 하나의 패키지 내에 구비하는 멀티칩으로서,
    상기 보호 IC와 상기 감시 IC는 상기 멀티칩에 평면에서 보아 겹치지 않게 배치되고,
    상기 패키지는 제1 측가장자리와, 상기 제1 측가장자리에 대향하는 제2 측가장자리를 가지고,
    상기 감시 IC용의 레귤레이터 출력 단자와, 상기 보호 IC와 상기 감시 IC에 공통인 그라운드 단자와, 상기 보호 IC와 상기 감시 IC에 공통인 전원 단자와, 상기 보호 IC용의 전류 검출 단자가 상기 제1 측가장자리측에 외부 접속 단자로서 배치되고,
    상기 감시 IC용의 통신 단자와, 상기 보호 IC용의 방전 제어 단자와, 상기 보호 IC용의 충전 제어 단자와, 상기 보호 IC용의 과전류 검출 단자가 상기 제2 측가장자리측에 외부 접속 단자로서 배치되고,
    상기 보호 IC는
    상기 전원 단자와 상기 그라운드 단자 사이의 전압 또는 상기 전류 검출 단자와 상기 그라운드 단자 사이의 전압에 기초하여, 상기 이차전지의 충전을 금지하는 충전 제어 신호를 상기 충전 제어 단자로부터 출력하는 충전 제어 회로와,
    상기 전원 단자와 상기 그라운드 단자 사이의 전압, 상기 전류 검출 단자와 상기 그라운드 단자 사이의 전압 또는 상기 과전류 검출 단자와 상기 그라운드 단자 사이의 전압에 기초하여, 상기 이차전지의 방전을 금지하는 방전 제어 신호를 상기 방전 제어 단자로부터 출력하는 방전 제어 회로를 가지고 있고,
    상기 감시 IC는
    상기 이차전지의 전압 또는 상기 감시 IC의 온도를 측정하는 측정 회로와,
    상기 측정 회로에서 측정된 결과를 상기 통신 단자를 통하여 외부에 송신하는 통신 회로와,
    상기 레귤레이터 출력 단자에 전압을 출력하는 레귤레이터를 가지고 있고,
    상기 감시 IC의 내부 회로의 복수의 노드의 접속처를 상기 과전류 검출 단자로 선택적으로 전환하는 선택 회로를 구비하는 것을 특징으로 하는 멀티칩.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 노드는 신호를 출력하는 출력 노드인 것을 특징으로 하는 멀티칩.
  7. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 기재된 멀티칩과, 스위치 회로를 구비하고,
    상기 스위치 회로는 상기 충전 제어 신호에 따라 상기 이차전지의 충전을 금지하는 충전 제어 트랜지스터와, 상기 방전 제어 신호에 따라 상기 이차전지의 방전을 금지하는 방전 제어 트랜지스터를 가지는 전지 보호 장치.
  8. 제 7 항에 기재된 전지 보호 장치와, 상기 이차전지를 구비하는 전지 팩.
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