KR101769534B1 - 유전 가열을 이용한 증착 장치 및 증착 시스템 - Google Patents
유전 가열을 이용한 증착 장치 및 증착 시스템 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101769534B1 KR101769534B1 KR1020160000942A KR20160000942A KR101769534B1 KR 101769534 B1 KR101769534 B1 KR 101769534B1 KR 1020160000942 A KR1020160000942 A KR 1020160000942A KR 20160000942 A KR20160000942 A KR 20160000942A KR 101769534 B1 KR101769534 B1 KR 101769534B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- electrode
- unit
- dielectric heating
- deposition
- dielectric
- Prior art date
Links
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims abstract description 152
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 181
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 131
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 115
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 185
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 37
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 30
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 22
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 16
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000007743 anodising Methods 0.000 claims description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 18
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 15
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 12
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 12
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/26—Vacuum evaporation by resistance or inductive heating of the source
-
- H01L21/203—
-
- H01L51/0008—
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B6/00—Heating by electric, magnetic or electromagnetic fields
- H05B6/46—Dielectric heating
- H05B6/62—Apparatus for specific applications
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
본 발명은 유전 가열을 이용한 증착 장치 및 증착 시스템에 관한 것이다. 본 발명에 따른 증착 장치(100)는, 유전 가열(Dielectric Heating)을 이용한 증착 장치(100)로서, 챔버(110), 고주파 전압이 인가되는 제1 전극부(140), 제1 전극부(140)와 대향하게 배치되는 제2 전극부(150) 및 제1 전극부(140)와 제2 전극부(150)의 사이에 위치하는 유전 가열부(170)를 포함하고, 유전 가열부(170)에 의해 제1 전극부(140)가 가열(H)되고, 제1 전극부(140)의 적어도 일면에 형성된 증착 물질층(145)을 상기 일면과 대향되게 배치되는 대상 기판(130)에 증착하는 것을 특징으로 한다.
Description
본 발명은 유전 가열을 이용한 증착 장치 및 증착 시스템에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 유전 가열을 이용하여 낮은 전압, 적은 열용량으로 증착을 수행하고, 대면적 기판에 대한 증착을 구현하고, 증착 물질의 사용 효율과 증착막의 균일도를 향상시킨 유전 가열을 이용한 증착 장치 및 증착 시스템에 관한 것이다.
평판 디스플레이, 반도체 소자 등을 제조하기 위해서는 기판 상에 필요한 박막을 증착시키는 공정이 필수적으로 진행된다. 평판 디스플레이의 제조에는 유기물 또는 무기물을, 반도체 소자의 제조에는 금속을 증착하는 공정이 포함된다. 유기물 사용소자는 액정 표시장치(LCD: Liquid Crystal Display), 유기전계발광 표시장치(OELD: Organic Electro Luminescence Display) 등이 있으며, 무기물 사용소자는 플라스마 표시장치(PDP: Plasma Display Panel), 전계방출 표시장치(FED: Field Emission Display) 등이 있다.
증착 방법은 크게 화학기상증착(CVD: Chemical Vapor Deposition)과 물리기상증착(PVD: Physical Vapor Deposition) 등으로 분류된다. 화학기상증착은 소스 가스의 화학적 반응을 이용한다. 또한, 물리기상증착은 물리적 기구를 이용하는 것으로, 진공 열 증착(Evaporation), 이온 플레이팅(Ion-plating) 및 스퍼터링(Sputtering) 등을 포함한다. 이러한 증착 방법은 증착 대상물의 종류 및 공정의 조건에 따라 선택적으로 사용될 수 있으며, 각 방법은 각기 다른 증착 장치를 필요로 한다.
도 1은 종래의 증착 장치(1)의 개략적인 구성을 도시한 것이다. 도 1을 참조하면, 종래의 증착 장치(1)는 챔버(2), 챔버(2)의 하부에 배치되어 증착 물질(5)을 수용하는 도가니(3), 도가니(3)의 가열에 의해 증기화된 증착 물질(5)이 표면에 달라붙는 기판(10) 및, 기판(10)과 도가니(3) 사이에 배치되어 기판(10)의 증착될 부위를 노출시키는 마스크(4)를 포함한다.
위와 같은 종래의 증착 장치(1)는 도가니를 가열하고 증착하는 과정을 반복해야 하므로, 연속적인 증착을 수행할 수 없는 문제점이 있었다. 그리고, 기판이 대형화 될수록 마스크(4)도 대형화가 되어야 하며, 이때, 마스크(4)가 대형화 될수록 처짐 현상이 발생하는 문제점이 있었고, 마스크(4)의 얼라인이 제대로 이루어 지지 않게 되어 원하는 패턴을 박막을 형성하기 어려운 문제점이 있었다. 그리고, 증착 물질(5)의 소모량이 큰 문제점이 있는데, 특히, OLED의 증착에 사용되는 유기물은 단가가 비싼 편이며, 유기물 사용의 증대는 곧바로 생산원가의 증대로 이어지는 문제점이 있었다.
한편, 상기 문제를 피하기 위해, 습식 공정(Wet Coating)을 사용할 수도 있다. 습식 공정은 대면적 기판에 대하여 박막 형성이 용이하며, 박막 형성 물질의 소모량이 적어 생산원가를 낮출 수 있는 장점이 있다. 하지만, 습식 공정은 재료 선택에 있어서 많은 제한을 받고, 습식 공정에 의해 제조된 소자의 특성이 좋지 않은 문제점이 있었다.
따라서, 대면적의 기판에 적용 가능하고, 생산원가를 낮출 수 있으며, 박막의 품질을 향상시킬 수 있는 증착 장치가 필요한 실정이다.
따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 제반 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 낮은 전압, 적은 열용량을 이용하여 증착을 수행할 수 있는 증착 장치 및 증착 시스템을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 대면적 증착을 간단한 장비 구성으로 실현할 수 있는 증착 장치 및 증착 시스템을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 증착 재료의 사용 효율을 향상시킬 수 있는 증착 장치 및 증착 시스템을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 증착 공정 속도와 증착막의 품질을 향상시킬 수 있는 증착 장치 및 증착 시스템을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
본 발명의 상기의 목적은, 유전 가열(Dielectric Heating)을 이용한 증착 장치로서, 챔버; 고주파 전압이 인가되는 제1 전극부; 상기 제1 전극부와 대향하게 배치되는 제2 전극부; 및 상기 제1 전극부와 상기 제2 전극부의 사이에 위치하는 유전 가열부를 포함하고, 상기 유전 가열부에 의해 상기 제1 전극부가 가열되고, 상기 제1 전극부의 적어도 일면에 형성된 증착 물질층을 상기 일면과 대향되게 배치되는 대상 기판에 증착하는 것을 특징으로 하는 증착 장치에 의해 달성된다.
그리고, 본 발명의 상기의 목적은, 유전 가열(Dielectric Heating)을 이용한 증착 장치로서, 챔버; 고주파 전압이 인가되는 제1 전극부; 상기 제1 전극부와 대향하게 배치되는 제2 전극부; 및 상기 제1 전극부와 상기 제2 전극부의 사이에 위치하는 유전 가열부를 포함하고, 상기 유전 가열부에 의해 상기 제1 전극부 상에 접하게 배치된 소스 기판이 가열되고, 상기 소스 기판의 적어도 일면에 형성된 증착 물질층을 상기 일면과 대향되게 배치되는 대상 기판에 증착하는 것을 특징으로 하는 증착 장치에 의해 달성된다.
그리고, 본 발명의 상기의 목적은, 유전 가열(Dielectric Heating)을 이용한 증착 시스템으로서, 소스 코팅 장치, 증착 장치 및 이송부를 포함하고, 상기 증착 장치는, 챔버; 고주파 전압이 인가되는 제1 전극부; 상기 제1 전극부와 대향하게 배치되는 제2 전극부; 및 상기 제1 전극부와 상기 제2 전극부의 사이에 위치하는 유전 가열부를 포함하며, 상기 소스 코팅 장치는 습식 코팅(Wet Coating)을 이용하여 상기 제1 전극부의 적어도 일면에 증착 물질층을 형성하고, 상기 이송부는 상기 제1 전극부를 상기 소스 코팅 장치로부터 상기 증착 장치로 이송하며, 상기 증착 장치는 상기 유전 가열부에 의해 상기 제1 전극부가 가열되고, 상기 제1 전극부의 적어도 일면에 형성된 증착 물질층을 상기 일면과 대향되게 배치되는 대상 기판에 증착하는 것을 특징으로 하는 증착 시스템에 의해 달성된다.
그리고, 본 발명의 상기의 목적은, 유전 가열(Dielectric Heating)을 이용한 증착 시스템으로서, 소스 코팅 장치, 증착 장치 및 이송부를 포함하고, 상기 증착 장치는, 챔버; 고주파 전압이 인가되는 제1 전극부; 상기 제1 전극부와 대향하게 배치되는 제2 전극부; 및 상기 제1 전극부와 상기 제2 전극부의 사이에 위치하는 유전 가열부를 포함하며, 상기 소스 코팅 장치는 습식 코팅(Wet Coating)을 이용하여 소스 기판의 적어도 일면에 증착 물질층을 형성하고, 상기 이송부는 상기 소스 기판을 상기 소스 코팅 장치로부터 상기 증착 장치로 이송하며, 상기 증착 장치는 상기 유전 가열부에 의해 상기 제1 전극부 상에 접하게 배치된 상기 소스 기판이 가열되고, 상기 소스 기판의 적어도 일면에 형성된 증착 물질층을 상기 일면과 대향되게 배치되는 대상 기판에 증착하는 것을 특징으로 하는 증착 시스템에 의해 달성된다.
그리고, 본 발명의 상기의 목적은, 유전 가열(Dielectric Heating)을 이용한 증착 장치로서, 챔버; 고주파 전압이 인가되는 제1 전극부; 상기 제1 전극부와 대향하게 배치되는 제2 전극부; 및 상기 제1 전극부와 상기 제2 전극부의 사이에 위치하는 유전 가열부를 포함하고, 상기 유전 가열부에 의해 상기 제1 전극부 상에 접하게 배치된 소스 기판이 가열되고, 상기 소스 기판의 적어도 일면에 형성된 증착 물질층을 상기 일면과 대향되게 배치되는 대상 기판에 증착하는 것을 특징으로 하는 증착 장치에 의해 달성된다.
그리고, 본 발명의 상기의 목적은, 유전 가열(Dielectric Heating)을 이용한 증착 시스템으로서, 소스 코팅 장치, 증착 장치 및 이송부를 포함하고, 상기 증착 장치는, 챔버; 고주파 전압이 인가되는 제1 전극부; 상기 제1 전극부와 대향하게 배치되는 제2 전극부; 및 상기 제1 전극부와 상기 제2 전극부의 사이에 위치하는 유전 가열부를 포함하며, 상기 소스 코팅 장치는 습식 코팅(Wet Coating)을 이용하여 상기 제1 전극부의 적어도 일면에 증착 물질층을 형성하고, 상기 이송부는 상기 제1 전극부를 상기 소스 코팅 장치로부터 상기 증착 장치로 이송하며, 상기 증착 장치는 상기 유전 가열부에 의해 상기 제1 전극부가 가열되고, 상기 제1 전극부의 적어도 일면에 형성된 증착 물질층을 상기 일면과 대향되게 배치되는 대상 기판에 증착하는 것을 특징으로 하는 증착 시스템에 의해 달성된다.
그리고, 본 발명의 상기의 목적은, 유전 가열(Dielectric Heating)을 이용한 증착 시스템으로서, 소스 코팅 장치, 증착 장치 및 이송부를 포함하고, 상기 증착 장치는, 챔버; 고주파 전압이 인가되는 제1 전극부; 상기 제1 전극부와 대향하게 배치되는 제2 전극부; 및 상기 제1 전극부와 상기 제2 전극부의 사이에 위치하는 유전 가열부를 포함하며, 상기 소스 코팅 장치는 습식 코팅(Wet Coating)을 이용하여 소스 기판의 적어도 일면에 증착 물질층을 형성하고, 상기 이송부는 상기 소스 기판을 상기 소스 코팅 장치로부터 상기 증착 장치로 이송하며, 상기 증착 장치는 상기 유전 가열부에 의해 상기 제1 전극부 상에 접하게 배치된 상기 소스 기판이 가열되고, 상기 소스 기판의 적어도 일면에 형성된 증착 물질층을 상기 일면과 대향되게 배치되는 대상 기판에 증착하는 것을 특징으로 하는 증착 시스템에 의해 달성된다.
삭제
삭제
삭제
그리고, 본 발명의 상기의 목적은, (a) 습식 코팅을 이용하여 제1 전극부의 적어도 일면에 증착 물질층을 형성하는 단계; (b) 상기 제1 전극부를 진공 분위기의 챔버 내에 배치하는 단계; (c) 상기 제1 전극부와 제2 전극부의 사이에 위치하는 유전 가열부를 유전 가열하는 단계; 및 (d) 상기 유전 가열부에서 상기 제1 전극부에 열을 가하여, 상기 제1 전극부에 대향하게 배치된 대상 기판에 증기화된 상기 증착 물질층을 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 방법에 의해 달성된다.
그리고, 본 발명의 상기의 목적은, 유전 가열(Dielectric Heating)을 이용한 증착 방법으로서, (a) 습식 코팅을 이용하여 소스 기판의 적어도 일면에 증착 물질층을 형성하는 단계; (b) 상기 소스 기판을 진공 분위기의 챔버 내에 배치하는 단계; (c) 제1 전극부와 제2 전극부의 사이에 위치하는 유전 가열부를 유전 가열하는 단계; 및 (d) 상기 유전 가열부에서 상기 소스 기판에 열을 가하여, 상기 소스 기판에 대향하게 배치된 대상 기판에 증기화된 상기 증착 물질층을 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 방법에 의해 달성된다.
상기와 같이 구성된 본 발명에 따르면, 낮은 전압, 적은 열용량을 이용하여 증착을 수행할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 대면적 증착을 간단한 장비 구성으로 실현할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 증착 재료의 사용 효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 증착 공정 속도와 증착막의 품질을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
도 1은 종래의 증착 장치의 개략도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 유전 가열을 이용한 증착 장치를 나타내는 개략도이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 증착 과정을 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 유전 가열을 이용한 증착 장치를 나타내는 개략도이다.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 증착 과정을 나타내는 도면이다.
도 6은 본 발명의 제3 실시예에 따른 유전 가열을 이용한 증착 장치를 나타내는 개략도이다.
도 7은 본 발명의 제3 실시예에 따른 증착 과정을 나타내는 도면이다.
도 8은 본 발명의 제4 실시예에 따른 유전 가열을 이용한 증착 장치를 나타내는 개략도이다.
도 9는 본 발명의 제4 실시예에 따른 증착 과정을 나타내는 도면이다.
도 10 및 도 11은 본 발명의 제1 내지 제4 실시예에 따른 증착 시스템을 나타내는 개략도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 유전 가열을 이용한 증착 장치를 나타내는 개략도이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 증착 과정을 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 유전 가열을 이용한 증착 장치를 나타내는 개략도이다.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 증착 과정을 나타내는 도면이다.
도 6은 본 발명의 제3 실시예에 따른 유전 가열을 이용한 증착 장치를 나타내는 개략도이다.
도 7은 본 발명의 제3 실시예에 따른 증착 과정을 나타내는 도면이다.
도 8은 본 발명의 제4 실시예에 따른 유전 가열을 이용한 증착 장치를 나타내는 개략도이다.
도 9는 본 발명의 제4 실시예에 따른 증착 과정을 나타내는 도면이다.
도 10 및 도 11은 본 발명의 제1 내지 제4 실시예에 따른 증착 시스템을 나타내는 개략도이다.
후술하는 본 발명에 대한 상세한 설명은, 본 발명이 실시될 수 있는 특정 실시예를 예시로서 도시하는 첨부 도면을 참조한다. 이들 실시예는 당업자가 본 발명을 실시할 수 있기에 충분하도록 상세히 설명된다. 본 발명의 다양한 실시예는 서로 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 구조 및 특성은 일 실시예에 관련하여 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예로 구현될 수 있다. 또한, 각각의 개시된 실시예 내의 개별 구성요소의 위치 또는 배치는 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 따라서, 후술하는 상세한 설명은 한정적인 의미로서 취하려는 것이 아니며, 본 발명의 범위는, 적절하게 설명된다면, 그 청구항들이 주장하는 것과 균등한 모든 범위와 더불어 첨부된 청구항에 의해서만 한정된다. 도면에서 유사한 참조부호는 여러 측면에 걸쳐서 동일하거나 유사한 기능을 지칭하며, 길이 및 면적, 두께 등과 그 형태는 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다.
이하에서는, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있도록 하기 위하여, 본 발명의 바람직한 실시예들에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.
본 명세서에서 증착이 수행되는 대상 기판은 평판 디스플레이, 반도체 소자 등에 사용되는 기판을 모두 포함하는 개념으로 이해되어야 한다. 단, 본 명세서에서는 유기발광표시장치(OLED)에 적용되는 기판을 상정하여 설명한다.
또한, 본 명세서에서 증착 물질은 유기물, 무기물, 금속 등의 증착이 수행될 수 있는 물질을 모두 포함하는 개념으로 이해되어야 한다. 단, 본 명세서에서는 유기발광표시장치용 유기 재료(유기물)를 상정하여 설명한다.
또한, 본 명세서에서 유전 가열(Dielectric Heating)이라 함은, 고주파 유전 가열로써, 두 전극 사이에 피가열체를 넣고 고주파 전압을 가하면, 유전체(피가열체)를 구성하는 쌍극자가 고주파 전계(RF Electric Field, 또는 교류 전계)의 교번에 따라 방향을 변경하면서, 인가 주파수와 동일한 진동을 일으키며 유전체 내부에 마찰열이 발생되어 재료가 발열되는 현상을 의미하는 것으로 이해되어야 한다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 유전 가열을 이용한 증착 장치(100)를 나타내는 개략도이다.
도 2를 참조하면, 증착 장치(100)는 챔버(110), 제1 전극부(140), 제2 전극부(150) 및 유전 가열부(170)를 포함한다.
챔버(110)는 증착이 수행되는 공간을 제공하며, 챔버(110) 내부는 진공 분위기인 것이 바람직하다. 진공 분위기를 형성하기 위해 챔버(110)의 일측에는 진공 펌프(미도시)가 연결될 수 있다. 진공 분위기에서 후술할 증착 물질이 증기화되어 직진성을 가지며 확산될 수 있다.
한편, 대상 기판(130), 제1 전극부(140), 유전가열부(170) 및 제2 전극부(150)와, 도 4, 도 6, 도 8의 제2 내지 제4 실시예를 통해 후술할 소스 기판(120), 유전 가열부(180) 등을 로딩/언로딩하기 위한 통로인 출입구(미도시)가 챔버(110)의 일측에 형성될 수 있으며, 출입구를 개폐하는 도어(미도시)가 더 설치될 수 있다. 도어와 출입구의 사이는 실링 부재(미도시)가 개재되어 챔버(110) 내부를 외부로부터 밀폐시키는 것이 바람직하다.
대상 기판(130)은 증착 물질이 증착되는 기판이며, 증착 물질층(145)이 형성된 제1 전극부(140)의 일면과 대향되게 배치될 수 있다. 대상 기판(130)은 제1 전극부(140)와 수십 ㎛ 이하로 근접 배치되는 것이 바람직하다.
대상 기판(130)이 평판 디스플레이에 사용되는 대면적 기판이라면, 제1 전극부(140)도 그에 상응하는 대면적을 가지는 것이 바람직하다. 바람직하게는, 제1 전극부(140)는 대상 기판(130)보다 동일하거나 크게 형성됨에 따라, 제1 전극부(140)에서 증기화된 증착 물질이 모두 대상 기판(130)에 증착될 수 있다.
제1 전극부(140)에는 고주파 전압이 인가될 수 있다. 제2 전극부(150)는 제1 전극부(140)와 서로 간격을 두고 대향하게 배치될 수 있다. 제1 전극부(140)와 제2 전극부(150)는 소스 기판(120)의 하부에 배치되는 것이 바람직하나, 반드시 이에 한정되지는 않는다. 제1, 2 전극부(140)는 전도체 또는 반도체 재질인 것이 바람직하다.
고주파 전원 장치(160)는 제1 전극부(140)에 고주파 전압을 인가할 수 있다. 고주파 전원 장치(160)는 챔버(110) 외부에 배치되는 것이 바람직하다. 고주파 전원 장치(160)는 매칭 네트워크(165)에 의하여 제1 전극부(140)에 연결될 수 있다. 매칭 네트워크(165)는 고주파 전원 장치(160)에 내장형으로 구성될 수 있다. 또한, 고주파 전원 장치(160)는 매칭 네트워크(165) 없이 제1 전극부(140)의 임피던스에 매칭시킬 수도 있다. 제2 전극부(150)는 고주파 전원 장치(160)에 연결되어 있다. 고주파 전원 장치(160)의 작동에 의하여 제1 전극부(140)에 고주파 전압이 인가되면, 제1 전극부(140)와 제2 전극부(150) 사이에 고주파 전계(RF electric field)가 생성될 수 있다.
유전 가열부(170)는 제1 전극부(140)와 제2 전극부(150) 사이에 생성된 고주파 전계에 의하여 유전 가열될 수 있다. 유전 가열될 수 있도록, 유전 가열부(170)는 절연체 또는 유전체 재질인 것이 바람직하다. 일 예로, 유전 가열부(170)는 아노다이징(Anodizing) 처리된 알루미늄을 포함할 수 있다. 아노다이징은 양극(Anode)과 산화(Oxidizing)의 합성어로, 기재를 양극에 걸고 전해질 용액이 담긴 전해조 내에 함침한 후 전해시키면 양극에서 발생되는 산소에 의해 산화피막이 형성되는 공정이다. 알루미늄 기재에 아노다이징을 통해 유전 가열부(170)를 형성함에 따라 절연 효과를 얻을 수 있다. 또한, 알루미늄을 아노다이징 처리함에 따라 저비용으로 균일한 유전박막을 가진 유전 가열부(170)를 제조할 수 있는 효과가 있다.
제1 전극부(140)에 수백 KHz 내지 수백 MHz의 고주파 전압이 인가되면, 제1 전극부(140)와 제2 전극부(150) 사이의 고주파 전계에 의해, 유전 가열부(170)는 고주파 유전 가열(RF Dielectric Heating)되어 열(H)을 발생시킬 수 있다. 매칭 네트워크(165)는 전원의 임피던스와 부하의 임피던스를 매칭시킴으로써 유전 가열부(170)로 전력의 전달이 최적으로 이루어져 효율적인 가열이 수행되도록 할 수 있다.
제1 전극부(140)의 적어도 일면에는 증착 물질층(145)이 형성될 수 있다. 바람직하게는 제2 전극부(150), 유전 가열부(170)가 위치하는 측과 반대측의 일면 상에 증착 물질층(145)이 형성될 수 있다. 도 2에는 제1 전극부(140)의 상부면에 증착 물질층(145)이 형성된 것이 도시되어 있다. 또한, 증착 물질층(145)은 제1 전극부(140) 상에서 패턴을 이루며 형성될 수도 있다. 패턴은 대상 기판(130)에 형성하려는 증착막(131)[도 3의 (b) 참조]의 패턴과 동일한 것이 바람직하다. 또는, 제1 전극부(140)와 대상 기판(130) 사이에 섀도우 마스크(미도시)를 더 개재하여 패턴을 가지는 증착막(131)을 형성할 수도 있다.
증착 물질층(145)은 증기화되어 증착을 수행하는 물질인 유기물, 무기물, 금속 등으로 구성될 수 있으며, 수행하고자 하는 증착막의 두께에 따라서 증착 물질층(145)의 두께가 설정될 수 있다. 그리고, 증착 물질을 적게 사용하면서 동시에 대면적의 제1 전극부(140)에 균일하게 증착 물질층(145)을 형성할 수 있도록, 증착 물질층(145)은 습식 코팅(Wet Coating)을 이용하여 제1 전극부(140)에 형성하는 것이 바람직하다. 습식 코팅은 스핀 코팅(Spin Coating), 닥터블레이드(Dr. Blade), 스프레이 코팅(Spray Coating) 등 공지의 방법을 제한없이 사용할 수 있다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 증착 과정을 나타내는 도면이다. 도 3에서는 설명의 편의상 증착 물질층(145)이 형성된 제1 전극부(140), 제2 전극부, 유전 가열부(170)와 대상 기판(130) 부분만을 도시하고 나머지 구성요소는 도시를 생략하였다.
도 3의 (a)에 도시된 바와 같이, 제1 전극부(140)[및 제2 전극부(150), 유전 가열부(170)]와 대상 기판(130)이 마주보게 배치될 수 있다. 제1 전극부(140)의 적어도 일면에는 증착 물질층(145)이 형성될 수 있다. 도면에는 제1 전극부(140)[및 제2 전극부(150), 유전 가열부(170)]가 대상 기판(130)의 하부에 배치되어 있으나, 위치는 상호 바뀔 수 있다.
제1 전극부(140)와 제2 전극부(150) 사이에 고주파 전계가 생성되어 유전 가열부(170)가 가열되고, 유전 가열부(170)로부터 제1 전극부(140)에 열(H)이 전달될 수 있다. 열(H)을 전달받은 제1 전극부(140)는 고온으로 가열될 수 있다. 또는, 제1 전극부(140)를 개재함이 없이, 유전 가열부(170)로부터 직접 증착 물질층(145)으로 열(H)이 전달될 수 있다. 그리하여, 제1 전극부(140) 상의 증착 물질층(145)은 제1 전극부(140)의 가열에 의해 증기화될 수 있다.
이어서, 도 3의 (b)에 도시된 바와 같이, 증기화된 증착 물질층(145)은 챔버(110) 내의 진공 분위기에서 확산될 수 있다. 진공 상태에서 증기화된 증착 물질은 직진성을 가지며 확산되기 때문에, 대상 기판(130)의 하부면에 그대로 증착될 수 있다. 이때, 증착 물질층(145)이 패턴을 이루며 제1 전극부(140) 상에 형성된 경우라면, 대상 기판(130)의 하부면에도 패턴 그대로 증착막(131)이 형성될 수 있다. 또한, 제1 전극부(140)와 대상 기판(130) 사이에 섀도우 마스크(미도시)를 더 개재한 경우라면, 섀도우 마스크의 패턴에 해당하는 증착막(131)이 형성될 수 있다.
본 발명의 제1 실시예에 따르면, 제1 전극부(140)가 전극의 역할과 동시에 대상 기판(130)에 증착 물질을 전달하는 도너(Donor) 기판의 역할까지 하는 효과가 있다. 그리하여, 별도의 구성으로부터 간격을 조절하는 과정 없이, 대상 기판(130)과 제1 전극부(140)의 간격만을 조절하면 되고, 제1 전극부(140)에 열을 전달하여 증착 과정을 수행하면 되므로 공정을 용이하게 수행할 수 있는 효과가 있다.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 유전 가열을 이용한 증착 장치(100)를 나타내는 개략도이다. 도 4의 실시예에서 챔버(110), 대상 기판(130), 제2 전극부(150), 고주파 전원 장치(160), 유전 가열부(170)의 구성은 도 2의 제1 실시예와 동일하므로 자세한 설명은 생략하고, 차이점에 대해서만 설명한다.
도 4를 참조하면, 제1 전극부(140')는 패턴 형태를 가지며 유전 가열부(170) 상에 형성될 수 있다. 구체적으로, 유전 가열부(170) 상에 먼저 패턴을 가지는 제1 전극부(140')가 형성된 후에, 증착 물질층(145')이 유전 가열부(170) 및 제1 전극부(140')의 상부에 형성될 수 있다.
제1 전극부(140')의 패턴 형태는 형성하고자 하는 증착막(131')[도 5의 (b) 참조]의 패턴과 동일한 것이 바람직하다. 패턴을 가지는 제1 전극부(140')는 공지의 박막 형성방법을 제한없이 사용할 수 있다. 다만, 패턴을 가지는 제1 전극부(140')을 형성한 후, 증착 물질층(145')을 형성할 때에는, 증착 물질을 적게 사용하면서 동시에 대면적 제1 전극부(140') 및 유전 가열부(170)에 균일하게 증착 물질층(145')을 형성할 수 있도록, 습식 코팅(Wet Coating)을 이용하는 것이 바람직하다.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 증착 과정을 나타내는 도면이다. 도 5에서는 설명의 편의상 대상 기판(130), 제1 전극부(145'), 제2 전극부(150) 및 유전 가열부(170) 부분만을 도시하고 나머지 구성요소는 도시를 생략하였다.
도 5의 (a)에 도시된 바와 같이, 제1 전극부(145')[및 제2 전극부(150), 유전 가열부(170)]와 대상 기판(130)이 마주보게 배치될 수 있다. 패턴을 가지는 제1 전극부(145') 및 유전 가열부(170)의 상부에는 증착 물질층(145')이 형성되고, 증착 물질층(145')이 형성된 면이 대상 기판(130)과 마주보게 되어야 한다. 도면에는 제1 전극부(145')[및 제2 전극부(150), 유전 가열부(170)]가 대상 기판(130)의 하부에 배치되어 있으나, 위치는 상호 바뀔 수 있다.
제1 전극부(140') 및 제2 전극부(150) 사이에 고주파 전계가 생성되어 유전 가열부(170)가 가열되고, 유전 가열부(170)로부터 패턴을 가지는 제1 전극부(140')에 열(H)이 전달될 수 있다. 열(H)을 전달받은 제1 전극부(140')는 고온으로 가열될 수 있다. 그리하여, 패턴을 가지는 제1 전극부(140')의 직상면에 위치한 증착 물질층(145")만이 제1 전극부(140')의 가열에 의해 증기화될 수 있다.
이어서, 도 5의 (b)에 도시된 바와 같이, 증기화된 증착 물질층(145")은 챔버(110) 내의 진공 분위기에서 확산될 수 있다. 진공 상태에서 증기화된 증착 물질은 직진성을 가지며 확산되기 때문에, 대상 기판(130)의 하부면에 그대로 증착될 수 있다. 제1 전극부(140')의 패턴 그대로 증착 물질층(145")이 증기화되어 증착막(131')이 형성될 수 있다.
본 발명의 제2 실시예에 따르면, 제1 전극부(140')가 전극의 역할과 동시에 특정 패턴을 가지도록 하는 섀도우 마스크의 역할까지 하는 효과가 있다. 그리하여, 유전 가열부(170) 상에서 특정 패턴을 가지는 제1 전극부(140')에 열을 전달하여 증착 과정을 수행하면 되므로 패턴 증착 공정을 용이하게 수행할 수 있는 효과가 있다.
도 6은 본 발명의 제3 실시예에 따른 유전 가열을 이용한 증착 장치를 나타내는 개략도이다. 도 6의 제3 실시예에서 챔버(110), 대상 기판(130), 제1 전극부(140), 제2 전극부(150), 고주파 전원 장치(160), 유전 가열부(170)의 구성은 도 2의 제1 실시예와 동일하므로 자세한 설명은 생략하고, 차이점에 대해서만 설명한다.
도 6을 참조하면, 증착 장치(100)는 챔버(110), 제1 전극부(140), 제2 전극부(150) 및 유전 가열부(170)를 포함한다.
소스 기판(120)은 대상 기판(130)에 증착되는 증착 물질을 제공하는 기판으로, 유전 가열부(170)로부터 열(H)[도 7 참조]을 공급 받을 수 있다. 다시 말해, 유전 가열부(170)는 제1 전극부(140)와 제2 전극부(150) 사이에 생성된 고주파 전계에 의해 발열되고, 발열된 유전 가열부(170)로부터 열(H)이 소스 기판(120)에 전달되어 소스 기판(120)이 가열될 수 있다.
소스 기판(120)은 제1 전극부(140) 상에 접촉되도록 배치되는 것이 바람직하다. 다만, 반드시 이에 제한되는 것은 아니며, 유전 가열부(170)로부터 열(H)을 용이하게 공급받을 수 있는 목적의 범위 내에서는 제1 전극부(140)와 소정 간격 이격될 수도 있다.
소스 기판(120)의 적어도 일면에는 증착 물질층(125)이 형성될 수 있다. 도 4에는 소스 기판(120)의 상부면에 증착 물질층(125)이 형성된 것이 도시되어 있으나, 증착 물질층(125)이 형성된 면이 후술할 대상 기판(130)에 대향되게 배치되는 범위 내라면, 일부 또는 전면적에 형성될 수도 있다. 또한, 증착 물질층(125)은 소스 기판(120) 상에서 패턴을 이루며 형성될 수도 있다. 패턴은 대상 기판(130)에 형성하려는 증착막(131)[도 7의 (b) 참조]의 패턴과 동일한 것이 바람직하다. 또는, 소스 기판(120)과 대상 기판(130) 사이에 섀도우 마스크(미도시)를 더 개재하여 패턴을 가지는 증착막(131)을 형성할 수도 있다.
증착 물질층(125)은 증기화되어 증착을 수행하는 물질인 유기물, 무기물, 금속 등으로 구성될 수 있으며, 수행하고자 하는 증착막의 두께에 따라서 증착 물질층(125)의 두께가 설정될 수 있다. 그리고, 증착 물질을 적게 사용하면서 동시에 대면적의 소스 기판(120)에 균일하게 증착 물질층(125)을 형성할 수 있도록, 증착 물질층(125)은 습식 코팅(Wet Coating)을 이용하여 소스 기판(120)에 형성하는 것이 바람직하다. 습식 코팅은 스핀 코팅(Spin Coating), 닥터블레이드(Dr. Blade), 스프레이 코팅(Spray Coating) 등 공지의 방법을 제한없이 사용할 수 있다.
소스 기판(120)이 유전 가열부(170)로부터 열(H)을 공급받아 가열됨에 따라, 증착 물질층(125)이 가열되어 증기화되고, 증기화된 증착 물질이 대상 기판(130)에 증착될 수 있다.
도 7은 본 발명의 제3 실시예에 따른 증착 과정을 나타내는 도면이다. 도 7에서는 설명의 편의상 증착 물질층(125)이 형성된 소스 기판(120), 제1 전극부(140), 제2 전극부, 유전 가열부(170)와 대상 기판(130) 부분만을 도시하고 나머지 구성요소는 도시를 생략하였다.
도 7의 (a)에 도시된 바와 같이, 소스 기판(120)은 제1 전극부(140)와 접촉하게 배치되고, 소스 기판(120)과 대상 기판(130)이 마주보게 배치될 수 있다. 소스 기판(120)의 적어도 일면에는 증착 물질층(125)이 형성될 수 있다.
제1 전극부(140)와 제2 전극부(150) 사이에 고주파 전계가 생성되어 유전 가열부(170)가 가열되고, 유전 가열부(170)로부터 소스 기판(120)에 열(H)이 전달될 수 있다. 유전 가열부(170)로부터 제1 전극부(140)를 통해 전도의 방식으로 열(H)이 전달될 수 있고, 제1 전극부(140)와 소스 기판(120)에 간격이 있다면 대류의 방식으로 열(H)이 전달될 수도 있다. 열(H)을 전달받은 소스 기판(120)은 고온으로 가열될 수 있다. 그리하여, 소스 기판(120) 상의 증착 물질층(125)은 소스 기판(120)의 가열에 의해 증기화될 수 있다.
이어서, 도 7의 (b)에 도시된 바와 같이, 증기화된 증착 물질층(125)은 챔버(110) 내의 진공 분위기에서 확산될 수 있다. 진공 상태에서 증기화된 증착 물질은 직진성을 가지며 확산되기 때문에, 대상 기판(130)의 하부면에 그대로 증착될 수 있다. 이때, 증착 물질층(125)이 패턴을 이루며 소스 기판(120) 상에 형성된 경우라면, 대상 기판(130)의 하부면에도 패턴 그대로 증착막(131)이 형성될 수 있다. 또한, 소스 기판(120)과 대상 기판(130) 사이에 섀도우 마스크(미도시)를 더 개재한 경우라면, 섀도우 마스크의 패턴에 해당하는 증착막(131)이 형성될 수 있다.
도 8은 본 발명의 제4 실시예에 따른 유전 가열을 이용한 증착 장치(100)를 나타내는 개략도이다. 도 8의 실시예에서 챔버(110), 제1 전극부(140), 제2 전극부(150), 고주파 전원 장치(160), 유전 가열부(170)의 구성은 도 2의 제1 실시예와 동일하므로 자세한 설명은 생략하고, 차이점에 대해서만 설명한다.
도 8을 참조하면, 유전 가열부(170)의 적어도 일면에 증착 물질층(175)이 형성될 수 있다. 유전 가열부(170)는 제1 전극부(140)와 제2 전극부(150)의 사이에서 위치할 수 있으며, 제1 전극부(140) 또는 제2 전극부(150)와 대향하는 일면 상에 증착 물질층(175)이 형성될 수 있다. 유전 가열부(170)의 증착 물질층(175)이 형성된 면은 제1 전극부(140)[또는 제2 전극부(150)]와 수십 ㎛ 이하로 근접 배치되는 것이 바람직하다. 도 8에서는 제1 전극부(140)와 대향하는 일면 상에 증착 물질층(175)이 형성된 것이 도시되어 있다. 또한, 증착 물질층(175)은 유전 가열부(170) 상에서 패턴을 이루며 형성될 수도 있다. 패턴은 제1 전극부(140)에 형성하려는 증착막(141)[도 9의 (b) 참조]의 패턴과 동일한 것이 바람직하다. 또는, 유전 가열부(170)와 제1 전극부(140) 사이에 섀도우 마스크(미도시)를 더 개재하여 패턴을 가지는 증착막(141)을 형성할 수도 있다.
제1 전극부(140)와 제2 전극부(150) 사이의 고주파 전계에 의해, 유전 가열부(170)는 고주파 유전 가열되어 열(H)을 발생시킬 수 있다. 유전 가열부(170)가 가열됨에 따라, 증착 물질층(175)이 가열되어 증기화되고, 증기화된 증착 물질이 제1 전극부(140)[또는 제2 전극부(150)]에 증착될 수 있다.
도 9는 본 발명의 제4 실시예에 따른 증착 과정을 나타내는 도면이다. 도 7에서는 설명의 편의상 제1 전극부(140, 제2 전극부(150) 및 증착 물질층(175)이 형성된 유전 가열부(170) 부분만을 도시하고 나머지 구성요소는 도시를 생략하였다.
도 9의 (a)에 도시된 바와 같이, 제1 전극부(140) 및 제2 전극부(150)의 사이에 유전 가열부(170)가 배치될 수 있다. 유전 가열부(170)의 상면에는 증착 물질층(175)이 형성될 수 있다. 도면에는 유전 가열부(170)의 상면에 증착 물질층(175)이 형성된 것이 도시되어 있으나, 유전 가열부(170)의 하면에 증착 물질층(175)이 형성될 수도 있다.
제1 전극부(140)와 제2 전극부(150) 사이에 고주파 전계가 생성되어 유전 가열부(170)가 가열되고, 유전 가열부(170)로부터 증착 물질층(175)에 열(H)이 전달될 수 있다. 열(H)을 전달받은 증착 물질층(175)은 증기화될 수 있다.
이어서, 도 9의 (b)에 도시된 바와 같이, 증기화된 증착 물질층(175)은 챔버(110) 내의 진공 분위기에서 확산될 수 있다. 진공 상태에서 증기화된 증착 물질은 직진성을 가지며 확산되기 때문에, 제1 전극부(140)의 하부면에 그대로 증착될 수 있다. 이때, 증착 물질층(175)이 패턴을 이루며 유전 가열부(170) 상에 형성된 경우라면, 제1 전극부(140)의 하부면에도 패턴 그대로 증착막(141)이 형성될 수 있다. 또한, 유전 가열부(170)와 제1 전극부(140) 사이에 섀도우 마스크(미도시)를 더 개재한 경우라면, 섀도우 마스크의 패턴에 해당하는 증착막(141)이 형성될 수 있다.
본 발명의 제4 실시예에 따르면, 제1 전극부(140)[또는, 제2 전극부(150)]가 전극의 역할과 동시에 후속 공정에서 타겟 기판에 증착 물질을 전달할 수 있는 도너(Donor) 기판의 역할까지 하는 효과가 있다. 그리고, 별도 구성의 간격 조절 과정 없이 유전 가열부(170)와 제1 전극부(1400[또는, 제2 전극부(150)]의 간격만을 조절하면 되고, 유전 가열부(170)에 열을 전달하여 증착 과정을 수행하면 되므로 공정을 용이하게 수행할 수 있는 효과가 있다.
이하에서는 본 발명의 증착 장치(100)를 포함하는 증착 시스템에 대해서 설명한다.
도 10 및 도 11은 본 발명의 제1 내지 제4 실시예에 따른 증착 시스템을 나타내는 개략도이다.
도 10 및 도 11을 참조하면, 증착 시스템은 증착 장치(100), 소스 코팅 장치(200) 및 이송부(300)를 포함한다.
본 실시예의 증착 장치(100)는 도 2, 도 4, 도 6, 도 8의 증착 장치(100)와 동일한 구성을 가지므로 상세한 설명은 생략한다.
소스 코팅 장치(200)의 챔버(210)는 습식 코팅이 수행되는 공간을 제공한다. 챔버(210) 내에서는 제1 전극부(140)[도 10의 (a)], 제1 전극부(140')와 유전 가열부(170)[도 10의 (b)], 소스 기판(120)[도 11의 (a)], 유전 가열부(170)[도 11의 (b)]의 적어도 일면에 증착 물질층(125, 145, 145', 175)이 형성되는 공정이 수행될 수 있다. 증착 물질을 적게 사용하면서 동시에 대면적의 제1 전극부(140)[도 10의 (a)], 제1 전극부(140')와 유전 가열부(170)[도 10의 (b)], 소스 기판(120)[도 11의 (a)], 유전 가열부(170)[도 11의 (b)]에 균일하게 증착 물질층(125, 145, 145', 175)을 형성할 수 있도록, 증착 물질층(125, 145, 145', 175)은 습식 코팅(Wet Coating)을 이용하여 형성하는 것이 바람직하다. 습식 코팅은 스핀 코팅(Spin Coating), 닥터블레이드(Dr. Blade) 등 공지의 방법을 제한없이 사용할 수 있다. 도 10 및 도 11에는 소스 기판(120), 제1 전극부(140, 140'), 유전 가열부(170)의 상부면에 증착 물질층(125, 145, 145', 175)이 형성된 것이 도시되어 있으나, 습식 코팅 과정에서 일부 또는 전면적에 증착 물질층(125, 145, 145', 175)이 형성될 수도 있다. 이 경우에도, 진공 상태에서 증기화된 증착 물질은 직진성을 가지며 확산되기 때문에, 대상 기판(130)[도 10의 (a) 및 (b), 도 11의 (a)], 제1 전극부(140)[도 11의 (b)]와 대향하는 면에 형성된 증착 물질층(125, 145, 145', 175)만이 대상 기판(130)[도 10의 (a) 및 (b), 도 11의 (a)], 제1 전극부(140)[도 11의 (b)]의 하부면에 그대로 증착될 수 있다.
이송부(300)는 증착 물질층(125, 145, 145', 175)이 형성된 제1 전극부(140, 140'), 제2 전극부(150) 및 유전가열부(170)의 적층체[도 10의 (a) 및 (b)], 소스 기판(120)[도 11의 (a)], 유전 가열부(170)[도 11의 (b)]를 소스 코팅 장치(200)로부터 증착 장치(100)로 로딩할 수 있고, 증착 장치(100)로부터 증착 공정이 완료된 대상 기판(130)[도 10의 (a) 및 (b), 도 11의 (a)], 제1 전극부(140)[도 11의 (b)]를 언로딩할 수 있다. 이송부(300)는 다양한 형태로 구현될 수 있다. 즉, 이송부(300)는 리니어 모터, 안내레일, 이송 로봇, 컨베이어 벨트, 이송 롤러, 진공척, 에어 이송 등의 구성으로 이루어질 수 있다.
위와 같이, 본 발명의 유전 가열을 이용한 증착 장치(100)는, 유전 가열을 이용하기 때문에 진공 챔버 내에서도 낮은 전압으로 높은 에너지를 인가할 수 있으며, 적은 열용량을 이용하고도 증착을 수행할 수 있는 효과가 있다.
그리고, 본 발명의 유전 가열을 이용한 증착 장치(100)는, 증착 물질층(125, 145, 145', 175)이 형성된 소스 기판(120), 제1 전극부(140, 140'), 유전 가열부(170)를 가열하여 증착 물질층(125, 145, 145', 175)을 증기화시키므로, 적은 양의 증착 물질로도 증착을 수행할 수 있는 효과가 있다.
그리고, 본 발명의 유전 가열을 이용한 증착 장치(100)는, 유전 가열 방식을 이용하여 목적하는 가열 대상물만을 빠르게 승온시킬 수 있으므로, 증착 공정이 신속하게 수행될 수 있고, 가열 대상물의 저항 변화, 형상 등을 고려할 필요없이 절연체(또는 유전체) 전체에서 균일하게 열 발생이 행해질 수 있으므로, 특정 부분에 열이 집중되는 열 중첩(Superposition) 현상을 방지할 수 있어 증착막의 품질이 향상되는 효과가 있다.
그리고, 본 발명의 유전 가열을 이용한 증착 시스템은, 소스 코팅 장치(200) 내에서 습식 코팅을 이용하여 대면적의 소스 기판(120), 제1 전극부(140), 제1 전극부(140')와 유전 가열부(170), 유전 가열부(170)에 증착 물질층(125, 145, 145', 175)을 용이하게 형성할 수 있으며, 이를 이용하여 대면적 증착을 간단한 장비 구성으로 실현할 수 있는 효과가 있다.
본 발명은 상술한 바와 같이 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기 실시예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형과 변경이 가능하다. 그러한 변형예 및 변경예는 본 발명과 첨부된 특허청구범위의 범위 내에 속하는 것으로 보아야 한다.
100: 증착 장치
110, 210: 챔버
120: 소스 기판
125, 145, 145', 175: 증착 물질층
130: 대상 기판
131, 131', 141, 142: 증착막,
140: 제1 전극부
150: 제2 전극부
160: 고주파 전원 장치
165: 매칭 네트워크
170: 유전 가열부
200: 소스 코팅 장치
300: 이송부
110, 210: 챔버
120: 소스 기판
125, 145, 145', 175: 증착 물질층
130: 대상 기판
131, 131', 141, 142: 증착막,
140: 제1 전극부
150: 제2 전극부
160: 고주파 전원 장치
165: 매칭 네트워크
170: 유전 가열부
200: 소스 코팅 장치
300: 이송부
Claims (17)
- 유전 가열(Dielectric Heating)을 이용한 증착 장치로서,
챔버;
고주파 전압이 인가되는 제1 전극부;
상기 제1 전극부와 대향하게 배치되는 제2 전극부; 및
상기 제1 전극부와 상기 제2 전극부의 사이에 위치하는 유전 가열부
를 포함하고,
상기 유전 가열부는 유전체(Dielectric Substance)이고, 상기 제1 전극부와 상기 제2 전극부의 사이에 생성되는 고주파 전계(RF Electric Field)에 의해 상기 유전 가열부가 유전 가열되어 상기 제1 전극부에 열을 전달하며,
상기 유전 가열부에 의해 상기 제1 전극부가 가열되고, 상기 제1 전극부의 적어도 일면에 형성된 증착 물질층을 상기 일면과 대향되게 배치되는 대상 기판에 증착하는 것을 특징으로 하는 증착 장치. - 유전 가열(Dielectric Heating)을 이용한 증착 장치로서,
챔버;
고주파 전압이 인가되는 제1 전극부;
상기 제1 전극부와 대향하게 배치되는 제2 전극부; 및
상기 제1 전극부와 상기 제2 전극부의 사이에 위치하는 유전 가열부
를 포함하고,
상기 유전 가열부는 유전체(Dielectric Substance)이고, 상기 제1 전극부와 상기 제2 전극부의 사이에 생성되는 고주파 전계(RF Electric Field)에 의해 상기 유전 가열부가 유전 가열되어 소스 기판에 열을 전달하며,
상기 유전 가열부에 의해 상기 제1 전극부 상에 접하게 배치된 소스 기판이 가열되고, 상기 소스 기판의 적어도 일면에 형성된 증착 물질층을 상기 일면과 대향되게 배치되는 대상 기판에 증착하는 것을 특징으로 하는 증착 장치. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 챔버 내부는 진공 분위기인 것을 특징으로 하는 증착 장치. - 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 유전 가열부는 아노다이징(Anodizing) 처리된 알루미늄을 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 장치. - 제1항에 있어서,
상기 제1 전극부와 상기 대상 기판 사이에 섀도우 마스크가 개재되는 것을 특징으로 하는 증착 장치. - 제2항에 있어서,
상기 소스 기판과 상기 대상 기판 사이에 섀도우 마스크(Shadow Mask)가 개재되는 것을 특징으로 하는 증착 장치. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 증착 물질층은 습식 코팅(Wet Coating)을 이용하여 형성된 것을 특징으로 하는 증착 장치. - 제1항에 있어서,
상기 제1 전극부는 패턴을 이루며 형성된 것을 특징으로 하는 증착 장치. - 제9항에 있어서,
패턴을 이루는 상기 제1 전극부 상에 존재하는 상기 증착 물질층이 증기화되어 상기 대상 기판에 증착되는 것을 특징으로 하는 증착 장치. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 증착 물질층은 패턴을 이루며 형성된 것을 특징으로 하는 증착 장치. - 제1항에 있어서,
상기 제1 전극부의 크기는 상기 대상 기판의 크기와 같거나 큰 것을 특징으로 하는 증착 장치. - 제2항에 있어서,
상기 소스 기판은 크기는 상기 대상 기판의 크기와 같거나 큰 것을 특징으로 하는 증착 장치. - 유전 가열(Dielectric Heating)을 이용한 증착 시스템으로서,
소스 코팅 장치, 증착 장치 및 이송부를 포함하고,
상기 증착 장치는,
챔버;
고주파 전압이 인가되는 제1 전극부;
상기 제1 전극부와 대향하게 배치되는 제2 전극부; 및
상기 제1 전극부와 상기 제2 전극부의 사이에 위치하는 유전 가열부
를 포함하며,
상기 소스 코팅 장치는 습식 코팅(Wet Coating)을 이용하여 상기 제1 전극부의 적어도 일면에 증착 물질층을 형성하고,
상기 이송부는 상기 제1 전극부를 상기 소스 코팅 장치로부터 상기 증착 장치로 이송하며,
상기 유전 가열부는 유전체(Dielectric Substance)이고, 상기 제1 전극부와 상기 제2 전극부의 사이에 생성되는 고주파 전계(RF Electric Field)에 의해 상기 유전 가열부가 유전 가열되어 상기 제1 전극부에 열을 전달하며,
상기 증착 장치는 상기 유전 가열부에 의해 상기 제1 전극부가 가열되고, 상기 제1 전극부의 적어도 일면에 형성된 증착 물질층을 상기 일면과 대향되게 배치되는 대상 기판에 증착하는 것을 특징으로 하는 증착 시스템. - 유전 가열(Dielectric Heating)을 이용한 증착 시스템으로서,
소스 코팅 장치, 증착 장치 및 이송부를 포함하고,
상기 증착 장치는,
챔버;
고주파 전압이 인가되는 제1 전극부;
상기 제1 전극부와 대향하게 배치되는 제2 전극부; 및
상기 제1 전극부와 상기 제2 전극부의 사이에 위치하는 유전 가열부
를 포함하며,
상기 소스 코팅 장치는 습식 코팅(Wet Coating)을 이용하여 소스 기판의 적어도 일면에 증착 물질층을 형성하고,
상기 이송부는 상기 소스 기판을 상기 소스 코팅 장치로부터 상기 증착 장치로 이송하며,
상기 유전 가열부는 유전체(Dielectric Substance)이고, 상기 제1 전극부와 상기 제2 전극부의 사이에 생성되는 고주파 전계(RF Electric Field)에 의해 상기 유전 가열부가 유전 가열되어 상기 소스 기판에 열을 전달하며,
상기 증착 장치는 상기 유전 가열부에 의해 상기 제1 전극부 상에 접하게 배치된 상기 소스 기판이 가열되고, 상기 소스 기판의 적어도 일면에 형성된 증착 물질층을 상기 일면과 대향되게 배치되는 대상 기판에 증착하는 것을 특징으로 하는 증착 시스템. - 유전 가열(Dielectric Heating)을 이용한 증착 방법으로서,
(a) 습식 코팅을 이용하여 제1 전극부의 적어도 일면에 증착 물질층을 형성하는 단계;
(b) 상기 제1 전극부를 진공 분위기의 챔버 내에 배치하는 단계;
(c) 상기 제1 전극부와 제2 전극부의 사이에 위치하는 유전 가열부를 유전 가열하는 단계; 및
(d) 상기 유전 가열부에서 상기 제1 전극부에 열을 가하여, 상기 제1 전극부에 대향하게 배치된 대상 기판에 증기화된 상기 증착 물질층을 증착하는 단계
를 포함하며,
상기 유전 가열부는 유전체(Dielectric Substance)이고, 상기 제1 전극부와 상기 제2 전극부의 사이에 생성되는 고주파 전계(RF Electric Field)에 의해 상기 유전 가열부가 유전 가열되어 상기 제1 전극부에 열을 전달하는 것을 특징으로 하는 증착 방법. - 유전 가열(Dielectric Heating)을 이용한 증착 방법으로서,
(a) 습식 코팅을 이용하여 소스 기판의 적어도 일면에 증착 물질층을 형성하는 단계;
(b) 상기 소스 기판을 진공 분위기의 챔버 내에서 제1 전극부에 접하도록 배치하는 단계;
(c) 상기 제1 전극부와 제2 전극부의 사이에 위치하는 유전 가열부를 유전 가열하는 단계; 및
(d) 상기 유전 가열부에서 상기 소스 기판에 열을 가하여, 상기 소스 기판에 대향하게 배치된 대상 기판에 증기화된 상기 증착 물질층을 증착하는 단계
를 포함하며,
상기 유전 가열부는 유전체(Dielectric Substance)이고, 상기 제1 전극부와 상기 제2 전극부의 사이에 생성되는 고주파 전계(RF Electric Field)에 의해 상기 유전 가열부가 유전 가열되어 상기 소스 기판에 열을 전달하는 것을 특징으로 하는 증착 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020160000942A KR101769534B1 (ko) | 2016-01-05 | 2016-01-05 | 유전 가열을 이용한 증착 장치 및 증착 시스템 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020160000942A KR101769534B1 (ko) | 2016-01-05 | 2016-01-05 | 유전 가열을 이용한 증착 장치 및 증착 시스템 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20170081915A KR20170081915A (ko) | 2017-07-13 |
| KR101769534B1 true KR101769534B1 (ko) | 2017-08-30 |
Family
ID=59352584
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020160000942A KR101769534B1 (ko) | 2016-01-05 | 2016-01-05 | 유전 가열을 이용한 증착 장치 및 증착 시스템 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101769534B1 (ko) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102033460B1 (ko) * | 2018-04-30 | 2019-10-17 | 배재대학교 산학협력단 | Ｏｌｅｄ 에이징 시스템 및 방법 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002118236A (ja) | 2000-10-10 | 2002-04-19 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2009138244A (ja) * | 2007-12-10 | 2009-06-25 | Seiko Epson Corp | 蒸着装置 |
-
2016
- 2016-01-05 KR KR1020160000942A patent/KR101769534B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002118236A (ja) | 2000-10-10 | 2002-04-19 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2009138244A (ja) * | 2007-12-10 | 2009-06-25 | Seiko Epson Corp | 蒸着装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20170081915A (ko) | 2017-07-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5904961A (en) | Method of depositing organic layers in organic light emitting devices | |
| TWI524432B (zh) | 沉積薄膜電晶體之方法與系統 | |
| WO2007097329A1 (ja) | 成膜装置および発光素子の製造方法 | |
| US7615501B2 (en) | Method for making a thin film layer | |
| JP4648868B2 (ja) | 無機蒸着源の加熱源制御方法 | |
| KR20070056190A (ko) | 금속판 벨트 증발원을 이용한 선형 유기소자 양산장비 | |
| CN205088301U (zh) | 用于等离子体增强化学气相沉积的装置 | |
| US9234270B2 (en) | Electrostatic chuck, thin film deposition apparatus including the electrostatic chuck, and method of manufacturing organic light emitting display apparatus by using the thin film deposition apparatus | |
| WO2014198112A1 (zh) | 有机镀膜装置及镀膜方法 | |
| US8709837B2 (en) | Deposition apparatus and method for manufacturing organic light emitting diode display using the same | |
| CN111379007B (zh) | 用于电铸的设备以及用于水平电铸的设备 | |
| US8877557B2 (en) | Method of manufacturing organic light emitting display device | |
| KR101769534B1 (ko) | 유전 가열을 이용한 증착 장치 및 증착 시스템 | |
| TWI692137B (zh) | 連續式製造系統、連續式製造方法、有機膜裝置、施體基板組 | |
| KR101769547B1 (ko) | 유도 가열을 이용한 증착 장치 및 증착 시스템 | |
| KR101023815B1 (ko) | 대량생산 시스템의 줄 가열을 이용한 증착 장치 및 방법 | |
| KR101975289B1 (ko) | 유기 발광 소자의 제조 시스템 및 제조 방법 | |
| KR101072625B1 (ko) | 줄 가열을 이용한 증착 장치 및 방법 | |
| KR20100003697A (ko) | 유기 ｅｌ의 성막 장치 및 증착 장치 | |
| KR20200105942A (ko) | Rf 스퍼터링 장치를 이용한 oled용 유기 박막층 형성 방법 및 상기 rf 스퍼터링 장치, 그리고 상기 rf 스퍼터링 장치에서 사용되는 타겟을 성형하는 장치 | |
| US20230407458A1 (en) | Film formation apparatus | |
| TWI393162B (zh) | 真空連續式載台傳輸偏壓裝置 | |
| KR20110135783A (ko) | 플라즈마를 이용한 선형 기화증착기 | |
| KR20080081689A (ko) | 정전척 및 이를 이용한 기판 플라즈마 처리 장치 | |
| US20140050847A1 (en) | Deposition device and deposition method using joule heating |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right |