KR101767303B1 - 표시 장치, 표시 장치의 제조 방법 및 전자 기기 - Google Patents

표시 장치, 표시 장치의 제조 방법 및 전자 기기 Download PDF

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Abstract

기판상의 제1의 영역과 제2의 영역과의 사이에, 상기 기판에서 보아 상기 제1의 영역이 상기 제2의 영역보다도 높아지도록 단차를 형성하는 단차 형성 부재와, 상기 제1의 영역에 전사되는 제1의 발광층과, 상기 제1의 영역 및 상기 제2의 영역에 전사되고, 발광 파장이 상기 제1의 발광층의 발광 파장보다도 짧은 제2의 발광층을 포함하는 표시 장치가 제공된다.

Description

표시 장치, 표시 장치의 제조 방법 및 전자 기기{DISPLAY DEVICE, MANUFACTURING METHOD OF DISPLAY DEVICE, AND ELECTRONIC APPARATUS}
본 개시는 표시 장치, 표시 장치의 제조 방법 및 전자 기기에 관한 것이다.
본 개시는 2012년 7월 30일자로 일본 특허청에 특허출원된 일본 특허원 제 2012-168111호를 우선권으로 주장한다.
근래, 유기 EL(Electro Luminescence) 디스플레이의 발광층(유기층)을, 인쇄법에 의해 형성하는 것이 제안되어 있다. 인쇄법은, 진공 증착법에 비하여 프로세스 비용이 낮고, 또한 장치의 대형화도 용이하다는 이점을 갖는다.
이 인쇄법은, 비접촉 방식과 접촉 방식으로 대별된다. 비접촉 방식의 방법으로서는, 예를 들면 잉크젯법이나 노즐 프린팅법이 알려져 있다. 이들의 방법은, 장치의 대형화가 용이하고, 또한 재료 이용 효율이 높다는 이점을 갖는다. 그러나, 이들의 방법에서는, 잉크의 도포 위치를 규정하기 위해 뱅크(격벽)를 마련하여야 하여, 뱅크에의 잉크가 젖어오름(spreading) 등에 의해 화소 내에서 막두께에 얼룩이 생기는 경우가 있다.
한편, 접촉 방식의 방법으로서는, 예를 들면 플렉소 인쇄법이나, 그라비어 오프셋 인쇄법, 반전 오프셋 인쇄법 등이 알려져 있다. 플렉소 인쇄법은, 기판상에서의 막두께 정밀도가 비교적 높고, 인쇄에 필요로 하는 시간이 짧고, 또한 인쇄기의 대형화가 가능하다는 이점을 갖지만, 판(plate)의 정밀도가 낮고, 표시 장치의 고정밀화나 대형화에 대응하는 것은 어렵다. 그라비어 오프셋 인쇄법은, 판의 정밀도가 높고, 고정밀화나 대형화에 대응 가능하지만, 화소 내의 막두께 분포가 산형(crest shaped)이 되고, 발광 휘도에 얼룩이 생기는 경우가 있다.
그와 같은 것 중에서 주목되고 있는 것이, 반전 오프셋 인쇄법이다. 반전 오프셋 인쇄법은, 전사체상에 잉크를 균일하게 성막한 것을 판에 가압 접촉시켜서 비인쇄 부분의 잉크를 제거하고, 전사체상에 남은 패턴을 전사 패턴으로서 피인쇄체에 전사하는 방법이다. 이 반전 오프셋 인쇄법에서는, 막두께 분포가 보다 균일하게 되는 것에 더하여, 고정밀 패터닝도 가능하다.
그 때문에, 반전 오프셋 인쇄법은, 유기 EL 디스플레이의 발광층의 인쇄뿐만 아니라, 이른바 프린티드 일렉트로닉스의 분야 전체에서의 적용이 기대되고 있다. 구체적으로는, 예를 들면, 프린트 기판의 배선/절연 패턴, 포토 리소그래피 공정으로 이용되는 포토레지스트, 디스플레이용의 컬러 필터, 및 유기 박막 트랜지스터(TFT : Thin Film Transistor)의 유기층 등의 인쇄에, 반전 오프셋 인쇄법을 적용하는 것이 검토되고 있다. 이들의 반전 오프셋 인쇄법을 이용한 기술의 예는, 예를 들면 특허 문헌 1에 기재되어 있다.
특허 문헌 1 : 일본 특개2010-158799호 공보
그러나, 상기한 바와 같이 판을 이용하는 반전 오프셋 인쇄법에서는, 인쇄할 때마다 판의 세정이 필요하기 때문에, 장치 비용이나 프로세스 비용이 상승하는 경향이 있다. 또한, 고정밀 패터닝이 가능하지만, 그 경우는 전사체를 피인쇄체에 대해 높은 정밀도로 얼라인먼트시키지 않으면 안되어, 고정밀 인쇄는 반드시 용이한 공정이 아니었다.
그래서, 본 개시에서는, 인쇄법에 의해 발광층을 형성하는 경우에, 판(版)을 이용하지 않고 복수의 발광층을 형성하는 것이 가능한, 신규이면서 개량된 표시 장치, 표시 장치의 제조 방법 및 전자 기기를 제안한다.
본 개시에 의하면, 기판상의 제1의 영역과 제2의 영역과의 사이에, 상기 기판에서 보아 상기 제1의 영역이 상기 제2의 영역보다도 높아지도록 단차를 형성하는 단차 형성 부재와, 상기 제1의 영역에 전사되는 제1의 발광층과, 상기 제1의 영역 및 상기 제2의 영역에 전사되고, 발광 파장이 상기 제1의 발광층의 발광 파장보다도 짧은 제2의 발광층을 포함하는 표시 장치가 제공된다.
또한, 본 개시에 의하면, 전사체상에 균일하게 도포된 제1의 발광층을 기판상의 제1의 영역에 전사하면서, 상기 제1의 영역과 상기 기판상의 제2의 영역과의 사이에 형성된 단차에 의해 상기 제1의 발광층이 상기 제2의 영역에 부착하는 것을 막는 공정과, 상기 제1의 영역 및 상기 제2의 영역에, 발광 파장이 상기 제1의 발광층의 발광 파장보다도 짧은 제2의 발광층을 전사하는 공정을 포함하는, 표시 장치의 제조 방법이 제공된다.
또한, 본 개시에 의하면, 기판상의 제1의 영역과 제2의 영역과의 사이에, 상기 기판에서 보아 상기 제1의 영역이 상기 제2의 영역보다도 높아지도록 단차를 형성하는 단차 형성 부재와,
상기 제1의 영역에 전사되는 제1의 발광층과, 상기 제1의 영역 및 상기 제2의 영역에 전사되고, 발광 파장이 상기 제1의 발광층의 발광 파장보다도 짧은 제2의 발광층을 포함하는 표시 장치를 갖는 전자 기기가 제공된다.
제1의 영역과 제2의 영역과의 사이에 단차를 마련함에 의해, 보다 발광 파장이 길고 발광하기 쉬운 제1의 발광층이 제2의 영역에 전사되는 것을 막는 것을 할 수 있다. 따라서, 제2의 영역에 전사되는 제2의 발광층에 의한 발광은, 제1의 발광층의 영향을 받지 않는다. 한편, 제2의 발광층은 제1의 영역에 전사되는 제1의 발광층에 겹쳐져서 전사되지만, 제1의 발광층의 쪽이 보다 발광하기 쉽기 때문에, 제2의 발광층의 영향을 억제하는 것이 가능하다.
이상 설명한 바와 같이 본 개시에 의하면, 인쇄법에 의해 발광층을 형성하는 경우에, 판을 이용하지 않고서 복수의 발광층을 형성할 수 있다.
도 1은 본 개시된 제1의 실시 형태에 관한 표시 장치의 전체 구성의 예를 도시하는 도면.
도 2는 본 개시된 제1의 실시 형태에 관한 표시 장치의 화소 구동 회로의 구성예를 도시하는 도면.
도 3은 본 개시된 제1의 실시 형태에 관한 표시 장치의 표시 영역의 평면 구성의 예를 도시하는 도면.
도 4는 도 3의 I-I 단면도.
도 5는 본 개시된 제1의 실시 형태에 관한 표시 장치의 제조 방법을 도시하는 플로 차트.
도 6a는 도 5의 제조 방법의 공정을 도시하는 도면.
도 6b는 도 5의 제조 방법의 공정을 도시하는 도면.
도 6c는 도 5의 제조 방법의 공정을 도시하는 도면.
도 6d는 도 5의 제조 방법의 공정을 도시하는 도면.
도 7은 도 5의 제조 방법에서의 발광층의 전사에 관해 설명하기 위한 도면.
도 8은 본 개시된 제1의 실시 형태에 관한 표시 장치를 갖는 전자 기기의 구성을 도시하는 개략적인 블록도.
도 9는 본 개시된 제2의 실시 형태에 관한 표시 장치의 표시 영역의 단면도.
도 10은 본 개시된 제2의 실시 형태에 관한 표시 장치의 제조 방법을 도시하는 플로 차트.
도 11a는 도 10의 제조 방법의 공정을 도시하는 도면.
도 11b는 도 10의 제조 방법의 공정을 도시하는 도면.
도 11c는 도 10의 제조 방법의 공정을 도시하는 도면.
도 11d는 도 10의 제조 방법의 공정을 도시하는 도면.
도 12는 본 개시된 제2의 실시 형태의 변형예를 도시하는 도면.
도 13은 본 개시된 제2의 실시 형태의 다른 변형예를 도시하는 도면.
도 14는 본 개시된 제3의 실시 형태에 관한 표시 장치의 표시 영역의 단면도.
이하에 첨부 도면을 참조하면서, 본 개시된 알맞은 실시의 형태에 관해 상세히 설명한다. 또한, 본 명세서 및 도면에서, 실질적으로 동일한 기능 구성을 갖는 구성 요소에 관해서는, 동일한 부호를 붙임에 의해 중복 설명을 생략한다.
또한, 설명은 이하의 순서로 행하는 것으로 한다.
1. 제1의 실시 형태(적색, 녹색, 및 청색의 발광층을 각각 전사하는 예)
1-1. 표시 장치의 구성
1-2. 표시 장치의 제조 방법
1-3. 전자 기기에의 적용
1-4. 변형예
2. 제2의 실시 형태(청색의 발광층을 공통층으로 하는 예)
2-1. 표시 장치의 구성
2-2. 표시 장치의 제조 방법
2-3. 변형예
3. 제3의 실시 형태(황색 및 청색의 발광층을 각각 전사하는 예)
3-1. 표시 장치의 구성
3-2. 변형예
4. 보충
(1. 제1의 실시 형태)
(1-1. 표시 장치의 구성)
우선, 도 1 내지 도 4를 참조하여, 본 개시된 제1의 실시 형태에 관한 표시 장치의 구성에 관해 설명한다. 도 1 및 도 2는, 표시 장치의 전체 구성을 설명하기 위한 도면이다. 도 3 및 도 4는, 표시 장치의 표시 영역에 관해 보다 상세하게 설명하기 위한 도면이다.
(전체 구성)
도 1은, 본 개시된 제1의 실시 형태에 관한 표시 장치의 구성의 예를 도시하는 도면이다. 본 실시 형태에 관한 표시 장치는, 유기 EL 디스플레이(100)이다.
도 1을 참조하면, 유기 EL 디스플레이(100)는, 기판(11)상에, 적색 발광 소자(10R), 녹색 발광 소자(10G), 및 청색 발광 소자(10B)가 매트릭스형상으로 배열된 표시 영역(110)을 갖는다. 1조(組)의 적색 발광 소자(10R), 녹색 발광 소자(10G), 및 청색 발광 소자(10B)에 의해, 화소(10)가 구성된다. 표시 영역(110)의 주변에는, 영상 표시용의 드라이버로서, 신호선 구동 회로(120) 및 주사선 구동 회로(130)가 마련된다.
또한, 표시 영역(110)에는, 적색 발광 소자(10R), 녹색 발광 소자(10G), 및 청색 발광 소자(10B)에 각각 접속된 화소 구동 회로(140)가 마련된다. 이 화소 구동 회로(140)의 구성에 관해, 이하에서 도 2를 참조하여 다시 설명한다.
(화소 구동 회로의 구성)
도 2는, 유기 EL 디스플레이(100)에 마련되는 화소 구동 회로(140)의 구성예를 도시하는 도면이다. 본 실시 형태에서, 화소 구동 회로(140)는, 후술하는 발광 소자의 하부 전극의 하층에 형성된 액티브형의 구동 회로이다.
도 2를 참조하면, 화소 구동 회로(140)에는, 구동 트랜지스터(Tr1) 및 기록 트랜지스터(Tr2)가 마련되고, 구동 트랜지스터(Tr1)와 기록 트랜지스터(Tr2)와의 사이에는 커패시터(Cs)가 접속된다. 적색 발광 소자(10R), 녹색 발광 소자(10G), 또는 청색 발광 소자(10B)는, 제1의 전원 라인(Vcc)과 제2의 전원 라인(GND)과의 사이에서 구동 트랜지스터(Tr1)에 직렬로 접속된다.
여기서, 구동 트랜지스터(Tr1) 및 기록 트랜지스터(Tr2)는, 일반적인 박막 트랜지스터(TFT : Thin Film Transistor)이다. TFT의 구조로서는, 예를 들면 역스태거 구조(보텀 게이트형), 또는 스태거 구조(톱 게이트형) 등, 각종의 구조가 이용될 수 있다.
또한, 화소 구동 회로(140)에서는, 열방향의 신호선(120A)과 행방향의 주사선(130A)이, 각각 복수 배열된다. 신호선(120A)과 주사선(130A)과의 교점은, 각각이 적색 발광 소자(10R), 녹색 발광 소자(10G), 또는 청색 발광 소자(10B)의 어느 하나에 대응한다. 각각의 신호선(120A)은 상기한 신호선 구동 회로(120)에 접속되고, 신호선 구동 회로(120)는 신호선(120A)을 통하여 기록 트랜지스터(Tr2)의 소스 전극에 화상 신호를 공급한다. 마찬가지로, 각각의 주사선(130A)은 상기한 주사선 구동 회로(130)에 접속되고, 주사선 구동 회로(130)는 주사선(130A)을 통하여 기록 트랜지스터(Tr2)의 게이트 전극에 주사 신호를 순차적으로 공급한다.
(표시 영역의 구성)
도 3은, 유기 EL 디스플레이(100)에서의 표시 영역(110)의 평면 구성의 예를 도시하는 도면이다. 도 4는, 도 3의 I-I 단면도이다. 도 3에 도시하는 바와 같이, 표시 영역(110)에는, 적색 발광 소자(10R), 녹색 발광 소자(10G), 및 청색 발광 소자(10B)가 매트릭스형상으로 배열된다. 1조의 적색 발광 소자(10R), 녹색 발광 소자(10G), 및 청색 발광 소자(10B)는, 화소(10)를 구성한다.
도 4에 도시하는 바와 같이, 기판(11)상에는, 기판(11)측부터 차례로, TFT층(13), 평탄화절연막(14), 하부 전극(15), 개구 절연막(16), 유기층(17), 상부 전극(18), 접착층(22), 및 밀봉용 기판(21)이 마련된다. 이 중, 하부 전극(15), 개구 절연막(16), 유기층(17), 상부 전극(18)에 의해, 적색 발광 소자(10R), 녹색 발광 소자(10G), 및 청색 발광 소자(10B)(이하, 「발광 소자」로서 총칭하는 경우가 있다)가 각각 구성된다. 또한, 유기 EL 디스플레이(100)는, 발광 소자의 광이 기판(11)측에서 취출되는 보텀 이미션형이다.
(기판 내지 평탄화절연막)
기판(11)은, 평탄면을 갖는 지지체이다. 기판(11)으로서는, 예를 들면, 석영, 유리, 금속박, 또는 수지제의 필름이나 시트 등이 이용된다. 수지제의 필름이나 시트를 이용하는 경우, 그 재질로서는, 예를 들면 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA) 등의 메타크릴 수지류, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리부틸렌나프탈레이트(PBT) 등의 폴리에스테르류, 또는 폴리카보네이트 수지 등이 사용될 수 있다. 이 경우, 투수성이나 투가스성을 억제하기 위해, 기판(11)을 적층 구조로 하여 표면 처리를 하는 것이 바람직하다.
TFT층(13)은, 상기에서 도 2를 참조하여 설명한 화소 구동 회로(140)가 형성되는 층이다. 화소 구동 회로(140)에 마련되는 구동 트랜지스터(Tr1)는, 하부 전극(15)에 전기적으로 접속된다.
평탄화절연막(14)은, TFT층(13)의 표면을 평탄화하기 위해 마련된다. 평탄화절연막(14)에는, TFT층(13)의 구동 트랜지스터(Tr1)와 하부 전극(15)을 접속하기 위한 접속 구멍(14H)이 형성된다. 그 때문에, 평탄화절연막(14)은, 예를 들면 폴리이미드계의 유기 재료, 또는 산화규소(SiO2) 등의 무기 재료와 같은, 패턴 정밀도가 좋은 재료에 의해 형성되는 것이 바람직하다.
본 실시 형태에서, 평탄화절연막(14)의 두께(d)는, 적색 발광 소자(10R)가 형성되는 제1의 영역(R1)과, 녹색 발광 소자(10G)가 형성되는 제2의 영역(R2)과, 청색 발광 소자(10B)가 형성되는 제3의 영역(R3)의 사이에서, 각각 다르다. 보다 구체적으로는, 제1의 영역(R1)에서의 두께(d1)는, 제2의 영역(R2)에서의 두께(d2)보다 크다. 또한, 제2의 영역(R2)에서의 두께(d2)는, 제3의 영역(R3)에서의 두께(d3)보다 크다.
이에 의해, 기판(11)에서 보아, 제1의 영역(R1)이 제2의 영역(R2)보다도 높아지고, 제2의 영역(R2)이 제3의 영역(R3)보다도 높아지도록, 단차가 형성된다. 즉, 본 실시 형태에서는, 평탄화절연막(14)이, 단차 형성 부재로서 기능한다. 후술하는 바와 같이, 이 단차는, 제1의 영역(R1)에 전사되는 적색 발광층(173R)이 제2의 영역(R2) 및 제3의 영역(R3)에 부착하는 것을 막고, 또한 제1의 영역(R1) 및 제2의 영역(R2)에 전사되는 녹색 발광층(173G)이 제3의 영역(R3)에 부착하는 것을 막는다.
여기서, 제1의 영역(R1)과 제2의 영역(R2) 사이의 단차의 크기(d1-d2), 및 제2의 영역(R2)과 제3의 영역(R3) 사이의 단차의 크기(d2-d3)는, 예를 들면 발광층의 전사에 사용되는 전사체의 재질이나, 전사체의 꽉 누르는 압력력 등에 응하여, 적절히 설정될 수 있다. 하나의 설정예로서, 단차의 크기((d1-d2) 및 (d2-d3))는, 각각의 단차로 하단에 닿는 제2의 영역(R2) 또는 제3의 영역(R3)의 폭의 1/100 이상인 것이 바람직하고, 500㎚ 이상인 것이 또한 바람직하다.
유기 EL 디스플레이의 해상도는, 휴대 전화 등의 모바일 기기로부터 대형 텔레비전까지 포함하여, 일반적으로 300ppi로부터 20ppi 정도이다. 그 때문에, 예를 들면, 도 3에 도시하는 화소(10)의 피치(W10)는, 84㎛ 내지 1270㎛ 정도이다. 따라서, 제1의 영역(R1), 제2의 영역(R2), 및 제3의 영역(R3)의 폭(WR1, WR2, WR3)은, 각각 28㎛ 내지 420㎛ 정도가 된다. 이 경우, 단차의 크기((d1-d2) 및 (d2-d3))는, 1㎛ 내지 10㎛ 정도 있으면 충분하다.
또한, 도시되지 않지만, 기판(11)과 평탄화절연막(14)과의 사이에는, 컬러 필터가 마련되어도 좋다. 컬러 필터는, 예를 들면, 적색 필터, 녹색 필터, 및 청색 필터를 포함할 수 있다. 적색 필터는 적색 발광 소자(10R)가 형성되는 제1의 영역(R1)에, 녹색 필터는 녹색 발광 소자(10G)가 형성되는 제2의 영역(R2)에, 청색 필터는 청색 발광 소자(10B)가 형성되는 제3의 영역(R3)에, 각각 배치된다. 적색 필터, 녹색 필터, 및 청색 필터는, 각각 예를 들면 안료를 포함하는 수지에 의해 형성된다. 안료를 적절히 선택함에 의해, 각각 적색, 녹색, 또는 청색의 파장역의 광의 투과율이 다른 파장역보다도 높아지도록 조정하는 것이 가능하다.
컬러 필터에는, 적색 필터, 녹색 필터, 또는 청색 필터와 함께, 블랙 매트릭스로서의 차광막이 마련되어도 좋다. 이에 의해, 각 발광 소자에서 발생한 광이 취출됨과 함께, 각 발광 소자 또는 그 사이의 배선 부분에서 반사한 외광이 흡수되고, 콘트라스트가 향상한다. 차광막은, 예를 들면 흑색의 착색제를 포함하고, 광학 농도가 1 이상의 흑색의 수지막 또는 박막 필터에 의해 형성된다. 흑색의 수지막은, 비교적 염가이고, 용이하게 형성할 수 있다. 한편, 박막 필터는, 예를 들면, 금속, 금속질화물, 또는 금속산화물의 박막을 적어도 1층 가지며, 박막의 간섭을 이용하여 광을 감쇠시킨다. 박막 필터는, 예를 들면, 크롬(Cr)과 산화크롬(Cr2O3)을 교대로 적층함에 의해 형성될 수 있다.
또한, 본 실시 형태에서는, 적색, 녹색, 및 청색에 관해 각각 발광 소자가 마련되기 때문에, 적색 필터, 녹색 필터, 및 청색 필터 중의 어느 하나, 또는 모두가 마련되지 않아도 좋다.
(발광 소자)
하부 전극(15)은, 발광 소자가 양극이고, 상술한 바와 같이 TFT층(13)의 구동 트랜지스터(Tr1)에 접속된다. 하부 전극(15)은, 발광 소자마다 마련되고, 예를 들면 크롬(Cr), 금(Au), 백금(Pt), 니켈(Ni), 구리(Cu), 텅스텐(W), 또는 은(Ag) 등의 금속 원소의 단체 또는 합금의 투명 재료에 의해 형성된다. 또는, 상기한 금속재료로 형성되는 금속막과 투명 도전막을 적층하여 하부 전극(15)을 형성하여도 좋다. 이 경우, 투명 도전막으로서는, 예를 들면 산화인듐주석(ITO : Indium Tin Oxide), 산화인듐아연(InZnO), 또는 산화아연(ZnO)과 알루미늄(Al)과의 합금 등이 사용될 수 있다.
개구 절연막(16)은, 하부 전극(15)과 상부 전극(18)과의 사이의 절연성을 확보함과 함께, 발광 영역을 소망하는 형상으로 성형하기 위한 개구를 형성한다. 개구 절연막(16)의 위에 마련되는 유기층(17) 및 상부 전극(18)은, 개구의 부분 이외의 개구 절연막(16)의 위에 형성되어도 좋지만, 발광이 생기는 것은 개구의 부분이다. 개구 절연막(16)은, 예를 들면 산화규소 등의 무기 절연 재료에 의해 형성되어도 좋다. 또는, 개구 절연막(16)은, 상기한 무기 절연 재료의 위에, 포지형 감광성 폴리벤조옥사졸 또는 포지형 감광성 폴리이미드 등의 감광성 수지를 적층하여 형성되어도 좋다.
여기서, 도 3에 도시되는 바와 같이, 각 발광 소자의 발광 영역에 대응하여 개구 절연막(16)에 의해 형성된 개구는, 폭(WL), 길이(DL)이다. 한 예로서, 화소(10)의 피치(W10)가 360㎛, 제1의 영역(R1), 제2의 영역(R2), 및 제3의 영역(R3)의 폭(WR1, WR2, WR3)이 모두 120㎛인 경우, 폭(WL)은 60㎛, 길이(DL)는 280㎛으로 설정될 수 있다.
유기층(17)은, 기판(11)측부터 차례로, 정공 주입층(HIL : Hole Injection Layer)(171), 정공 수송층(HTL : Hole Transport Layer)(172), 발광층(EML : Emitting Layer)(173), 전자 수송층(ETL : Electron Transport Layer)(174), 및 전자 주입층(EIL : Electron Injection Layer)(175)을 포함한다. 발광층(173)으로서, 적색 발광 소자(10R)에 대응하여 적색 발광층(173R)이, 녹색 발광 소자(10G)에 대응하여 녹색 발광층(173G)이, 청색 발광 소자(10B)에 대응하여 청색 발광층(173B)이, 각각 마련된다.
정공 주입층(171)은, 각 발광 소자에 공통되게 마련된다. 정공 주입층(171)은, 정공 주입 효율을 향상시킴과 함께, 정공의 리크를 방지하는 버퍼층으로서 기능한다. 정공 주입층(171)의 재료는, 전극이나 인접하는 층의 재료와의 관계에 응하여 적절히 선택될 수 있는데, 예를 들면, 폴리아닐린 및 그 유도체, 폴리티오펜 및 그 유도체, 폴리피롤 및 그 유도체, 폴리페닐렌 및 그 유도체, 폴리티에닐렌비닐렌 및 그 유도체, 폴리퀴놀린 및 그 유도체, 폴리퀴녹살린 및 그 유도체, 방향족 아민 구조를 주쇄 또는 측쇄에 포함하는 중합체 등의 도전성 고분자, 금속프탈로시아닌(구리프탈로시아닌 등), 또는 카본 등이 사용될 수 있다. 정공 주입층(171)의 두께는, 예를 들면 5㎚ 내지 100㎚ 정도이고, 8㎚ 내지 50㎚ 정도인 것이 보다 바람직하다.
여기서, 정공 주입층(171)이 고분자 재료에 의해 형성되는 경우, 중량평균분자량(Mw)은, 예를 들면 2000 내지 300000 정도이고, 5000 내지 200000 정도인 것이 보다 바람직하다. Mw가 5000 미만인 경우, 정공 수송층(172) 이후의 층을 형성할 때에 용해할 가능성이 있다. 또한, Mw가 300000을 초과하는 경우, 재료의 겔화에 의해 성막이 곤란해질 가능성이 있다. 또한, 중량평균분자량(Mw)은, 테트라하이드로푸란을 용매로 하여, GPC(Gel Permeation Chromatography)에 의해, 폴리스티렌 환산의 중량평균분자량을 구한 값이다.
상기한 경우, 정공 주입층(171)은, 예를 들면, 폴리아닐린, 올리고아닐린, 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)(PEDOT) 등의 폴리디옥시티오펜과 같은 고분자 재료에 의해 형성되어도 좋다. 이러한 재료로서, 보다 구체적으로는, 에이치·씨·스탈쿠제의 상품명 Nafion(등록상표) 및 상품명 Liquion(등록상표), 닛산화학제의 상품명 엘소스(등록상표) 및 소켄화학제의 도전성 포리마베라졸 등을 사용될 수 있다.
또한, 하부 전극(15)을 발광 소자의 양극으로서 이용하는 경우, 정공 주입성이 높은 재료로 형성하는 것이 바람직한데, 예를 들면 알루미늄 합금과 같은 일 함수의 크기가 비교적 작은 재료도, 정공 주입층(171)을 적절하게 형성함에 의해 양극으로서 이용하는 것이 가능하다.
정공 수송층(172)은, 각 발광 소자에 공통되게 마련된다. 정공 수송층(172)은, 발광층(173)에의 정공 수송 효율을 향상시키는 기능을 갖는다. 정공 수송층(172)을 형성하는 재료로서는, 유기 용매에 가용의 발광 재료, 예를 들면, 폴리비닐카르바졸 및 그 유도체, 폴리플루오렌 및 그 유도체, 폴리아닐린 및 그 유도체, 폴리실란 및 그 유도체, 측쇄 또는 주쇄에 방향족 아민을 갖는 폴리실록산 유도체, 폴리티오펜 및 그 유도체, 또는 폴리피롤 등이 사용될 수 있다. 정공 수송층(172)의 두께는, 예를 들면 10㎚ 내지 200㎚ 정도이고, 15㎚ 내지 150㎚ 정도인 것이 보다 바람직하다.
여기서, 정공 수송층(172)이 고분자 재료에 의해 형성되는 경우, 중량평균분자량(Mw)은, 예를 들면 50000 내지 300000 정도이고, 100000 내지 200000 정도인 것이 보다 바람직하다. Mw가 50000 미만인 경우, 발광층(173)을 형성할 때에 고분자 재료중의 저분자 성분이 탈락하여 정공 주입층(171) 및 정공 수송층(172)에 도트가 생겨, 발광 소자의 초기 성능이 저하되거나 소자의 열화를 일으키거나 할 가능성이 있다. 또한, Mw가 300000을 초과한 경우, 재료의 겔화에 의해 성막이 곤란해질 가능성이 있다.
발광층(173), 즉 적색 발광층(173R), 녹색 발광층(173G), 및 청색 발광층(173B)은, 전계가 걸림에 의해 전자와 정공과의 재결합이 생겨서 발광한다. 적색 발광층(173R)은, 기판(11)상의 제1의 영역(R1)에 형성된다. 녹색 발광층(173G)은, 기판(11)상의 제1의 영역(R1) 및 제2의 영역(R2)에 형성된다. 청색 발광층(173B)은, 기판(11)상의 제1의 영역(R1), 제2의 영역(R2), 및 제3의 영역(R3)의 전부에 형성된다. 적색 발광층(173R)은, 예를 들면 620㎚ 내지 750㎚의 범위에 적어도 하나의 피크 파장을 갖는 발광 재료로 형성된다. 녹색 발광층(173G)은, 예를 들면 495㎚ 내지 570㎚의 범위에 적어도 하나의 피크 파장을 갖는 발광 재료로 형성된다. 또한, 청색 발광층(173B)은, 예를 들면 450㎚ 내지 495㎚의 범위에 적어도 하나의 피크 파장을 갖는 발광 재료로 형성된다.
보다 구체적으로는, 발광층(173)은, 고분자(발광) 재료에 저분자 재료(모노머 또는 올리고머)를 첨가한 혼합 재료에 의해 형성될 수 있다. 예를 들면, 발광층(173)은, 폴리플루오렌계 고분자 유도체, (폴리)파라페닐렌비닐렌 유도체, 폴리페닐렌 유도체, 폴리비닐카르바졸 유도체, 폴리티오펜 유도체, 페릴렌계 색소, 쿠마린계 색소, 로다민계 색소, 또는 상기한 고분자 재료에, 유기 EL 재료를 도프함에 의해 형성된다. 도프 재료로서는, 예를 들면, 루브렌, 페릴렌, 9, 10-디페닐안트라센, 테트라페닐부타디엔, 나일레도, 또는 쿠마린6 등이 사용될 수 있다. 발광층(173)의 두께는, 예를 들면 10㎚ 내지 200㎚ 정도이고, 15㎚ 내지 100㎚인 것이 보다 바람직하다.
본 실시 형태에서, 적색 발광층(173R), 녹색 발광층(173G), 및 청색 발광층(173B)은, 모두, 전사체상에 균일하게 도포되어, 기판(11)상에 전사된다. 이 때, 상기한 바와 같이, 평탄화절연막(14)에 의해 형성된 단차에 의해, 제1의 영역(R1)에 전사되는 적색 발광층(173R)이 제2의 영역(R2) 및 제3의 영역(R3)에 부착하는 것, 및 제2의 영역(R2)에 전사되는 녹색 발광층(173G)이 제3의 영역(R3)에 부착하는 것이 방지된다. 따라서, 각 발광층(173)은, 파장이 보다 길고 발광하기 쉬운 다른 발광층이 부착함에 의한 혼색 등의 영향을 받는 일이 없다.
그 한편으로, 녹색 발광층(173G)은, 본래 전사되어야 할 제2의 영역(R2) 이외에 제1의 영역(R1)에도 전사된다. 또한, 청색 발광층(173B)은, 본래 전사되어야 할 제3의 영역(R3) 이외에 제1의 영역(R1) 및 제2의 영역(R2)에도 전사된다. 그러나, 이들의 경우는, 여기 에너지 준위가 낮은 장파장측의 발광층(173)의 쪽이 발광할 확률이 높기 때문에, 파장이 보다 긴 적색 발광층(173R)(제1의 영역(R1)의 경우)이나 녹색 발광층(173G)(제2의 영역(R2)의 경우)이 보다 강하게 발광하고, 겹쳐져서 전사되는 다른 발광층의 영향은 적다.
전자 수송층(174)은, 각 발광 소자에 공통되게 마련된다. 전자 수송층(174)은, 발광층(173)에의 전자 수송 효율을 향상시키는 기능을 갖는다. 전자 수송층(174)의 재료로서는, 예를 들면, 퀴놀린, 페릴렌, 페난트롤린, 페난트렌, 피렌, 비스스티릴, 피라진, 트리아졸, 옥사졸, 플러렌, 옥사디아졸 플루오레논, 안트라센, 나프탈렌, 부타디엔, 쿠마린, 아크리딘, 스틸벤, 또는 이들의 유도체나 금속 착체, 예를 들면 트리스(8-히드록시퀴놀린)알루미늄(Alq3) 등이 사용될 수 있다.
전자 주입층(175)은, 각 발광 소자에 공통되게 마련된다. 전자 주입층(175)은, 전자 주입 효율을 향상시키는 기능을 갖는다. 전자 주입층(175)의 재료로서는, 예를 들면, 리튬(Li)의 산화물인 산화리튬(Li2O)이나, 세슘(Cs)의 복합 산화물인 탄산 세슘(Cs2CO3), 또는 이들의 혼합물이 사용될 수 있다. 또한, 칼슘(Ca), 바륨(Ba) 등의 알칼리토류 금속, 리튬, 세슘 등의 알칼리 금속, 인듐(In), 또는 마그네슘(Mg) 등의 일 함수가 작은 금속이, 단체 또는 합금으로 사용되어도 좋다. 또한, 이들의 금속의 산화물, 복합 산화물, 불화물이, 단체 또는 혼합물로서 사용되어도 좋다.
상부 전극(18)은, 발광 소자의 음극이고, 각 발광 소자에 공통되게 전자 주입층(175)상에 마련된다. 즉, 상부 전극(18)은, 적색 발광 소자(10R), 녹색 발광 소자(10G), 및 청색 발광 소자(10B)의 공통 전극이다. 상술한 바와 같이, 상부 전극(18)과 하부 전극(15)은 절연되어 있다. 상부 전극(18)은, 예를 들면 200㎚의 두께로 알루미늄(Al)에 의해 형성될 수 있다.
본 실시 형태에서, 각 영역에서의 하부 전극(15)과 상부 전극(18)과의 간격(s)은, 제1의 영역(R1) 내지 제3의 영역(R3)의 사이에서, 각각 다르다. 보다 구체적으로는, 제1의 영역(R1)에서는, 적색 발광층(173R), 녹색 발광층(173G), 및 청색 발광층(173B)이 중첩되기 때문에, 간격(s1)은 3개의 영역 중에서 가장 크다. 제2의 영역(R2)에서는, 녹색 발광층(173G), 및 청색 발광층(173B)이 중첩되기 때문에, 간격(s2)은 다음으로 크다. 제3의 영역(R3)에서는, 청색 발광층(173B)만이 형성되기 때문에, 간격(s3)은 3개의 영역 중에서 가장 작다.
여기서, 간격(s1 내지 s3)이, 예를 들면 각각의 영역의 본래의 발광층의 발광 파장의 정수배가 되도록 설정하면, 캐비티 효과에 의해, 각 색의 광을 보다 강하게 취출할 수 있다. 보다 구체적으로는, 제3의 영역(R3)에서는, 간격(s3)이 청색 발광층(173B)의 발광 파장의 정수배가 되도록, 청색 발광층(173B)의 두께를 설정하면 좋다. 또한, 제2의 영역(R2)에서는, 간격(s2)이 녹색 발광층(173G)의 발광 파장의 정수배가 되도록, 청색 발광층(173B)에 중첩된 녹색 발광층(173G)의 두께를 설정하면 좋다. 또한, 제1의 영역(R1)에서는, 간격(s1)이 적색 발광층(173R)의 발광 파장의 정수배가 되도록, 녹색 발광층(173G) 및 청색 발광층(173B)에 중첩된 적색 발광층(173R)의 두께를 설정하면 좋다.
또한, 간격(s)을 발광 파장에 응하여 설정하는 경우, 반드시 간격(s1 내지 s3)의 전부를 발광 파장에 응하여 설정할 필요는 없고, 그 중의 일부만을 발광 파장에 응하여 설정하여도 좋다. 본 실시 형태에서는, 각 영역에서 중첩되는 발광층의 수가 다르기 때문에, 복수의 영역에서, 각 영역의 본래의 발광층의 발광 파장에 대응한 전극 간격을 설정하고, 각 색에 관한 캐비티 효과를 얻는 것이 가능하다.
(접착층 및 밀봉 기판)
상부 전극(18)상에는, 열 경화형 수지 또는 자외선 경화형 수지 등의 접착층(22)이 형성되고, 접착층(22)상에 유리 등의 밀봉용 기판(21)이 접착된다. 상기한 바와 같이, 유기 EL 디스플레이(100)는 보텀 이미션형이지만, 이것을 톱 이미션형으로 하는 것도 가능하다. 그 경우, 컬러 필터 기판이 밀봉용 기판(21)으로서 사용되어도 좋다.
또한, 도시되지 않지만, 상부 전극(18)과 접착층(22)과의 사이에는, 각 발광 소자에 공통되게 보호층이 마련되어도 좋다. 보호층은, 예를 들면, 어모퍼스실리콘(α-실리콘), 어모퍼스탄화실리콘(α-SiC), 어모퍼스질화실리콘(α-Si1-xNx)또는 어모퍼스카본(α-C) 등의 무기 어모퍼스성의 절연성 재료로 형성될 수 있다. 상기한 재료로 보호층을 형성한 경우, 그레인이 구성되지 않기 때문에, 보호층의 투수성이 낮아지고, 보호막으로서의 특성이 향상한다. 또한, 보호층은, 다른 절연성 재료 또는 도전성 재료로 형성되어도 좋다.
(1-2. 표시 장치의 제조 방법)
다음에, 도 5 내지 도 7을 참조하여, 본 개시된 제1의 실시 형태에 관한 표시 장치의 제조 방법에 관해 설명한다. 도 5는, 제조 방법의 플로 차트이다. 도 6a 내지 도 6d는, 제조 방법의 각 공정에서의 표시 장치의 상태를 도시하는 도면이다. 도 7은, 제조 방법에서의 발광층의 전사에 관해 보다 상세하게 설명하기 위한 도면이다. 이하에서는, 도 5에 따라 제조 방법을 설명하면서, 도 6a 내지 도 6d 및 도 7을 적절히 참조한다.
(TFT 기판 공정 내지 정공 수송층의 형성)
도 5를 참조하면, 본 실시 형태에 관한 표시 장치인 유기 EL 디스플레이(100)의 제조 방법에서는, 우선, TFT 기판 공정이 실행된다(스텝 S101). TFT 기판 공정은, 기판(11)상에 TFT층(13), 평탄화절연막(14), 하부 전극(15), 및 개구 절연막(16)을 형성하는 처리이다.
이 중, 평탄화절연막(14)은, 예를 들면 감광성 폴리이미드를 이용하여 형성된다. 이 경우, 우선, 감광성 폴리이미드로 형성된 절연막을 TFT층(13)상에 배치하고, 접속 구멍(14H)에 대응하는 부분에 개구를 갖는 마스크를 이용하여 노광한다. 다음에, 제2의 영역(R2) 및 제3의 영역(R3)에 대응하는 부분에 개구를 갖는 마스크를 이용하여 하프 노광한다. 다음에, 제3의 영역(R3)에 대응하는 부분에 개구를 갖는 마스크를 이용하여 또한 하프 노광한다. 이에 의해, 접속 구멍(14H)이 형성되고, 제1의 영역(R1)에서의 두께(d1)가 제2의 영역(R2)에서의 두께(d2)보다도 크고, 제2의 영역(R2)에서의 두께(d2)가 제3의 영역(R3)에서의 두께(d3)보다도 큰 평탄화절연막(14)이 형성된다.
또한, 하부 전극(15)은, 예를 들면, 기판(11)상에 형성된 ITO 등의 투명 도전막을 패터닝함에 의해 형성된다. 이 때, 하부 전극(15)은, 평탄화절연막(14)의 접속 구멍(14H)을 통하여, TFT층(13)에 있는 구동 트랜지스터(Tr1)의 드레인 전극에 접속된다.
또한, 개구 절연막(16)은, 예를 들면, 기판(11)상에 화학 기상 성장법(CVD : Chemical Vapor Deposition)에 의해 산화규소 등의 무기 절연 재료를 성막한 후, 이것에 감광성 수지를 적층시켜서 패터닝함에 의해 형성된다.
개구 절연막(16)의 형성 후, 기판(11)의 표면, 즉 하부 전극(15) 및 개구 절연막(16)이 형성된 측의 면을 산소 플라즈마 처리한다. 이에 의해, 기판(11)의 표면에 부착한 불필요한 유기물 등이 제거되고, 젖음성이 향상한다. 산소 플라즈마 처리에서는, 예를 들면, 기판(11)을 70℃ 내지 80℃ 정도의 소정의 온도로 가열하고, 대기압하에서 산소를 반응 가스로 하여 플라즈마 처리한다(O2 플라즈마 처리). 이상으로, 스텝 S101의 TFT 기판 공정이 종료된다.
다음에, 기판(11)상에 정공 주입층(HIL)(171)을 형성한다(스텝 S103). 여기서, 정공 주입층(171)은, 예를 들면 스핀 코트법에 의해 상기한 재료를 하부 전극(15) 및 개구 절연막(16)의 위에 성막하고, 대기 중에서 1시간 베이크함에 의해 형성된다.
다음에, 기판(11)상에 정공 수송층(HTL)(172)을 형성한다(스텝 S105). 여기서, 정공 수송층(172)은, 예를 들면 스핀 코트법에 의해 상기한 재료를 정공 주입층(171)상에 성막하고, 질소(N2)분위기하, 180℃로 1시간 베이크함에 의해 형성된다.
도 6a에는, 이상의 스텝 S105까지의 공정이 종료된 상태가 도시되어 있다. 상기한 바와 같이, 여기까지의 공정에서는, 단차 형성 부재인 평탄화절연막(14)에 의해 각 영역의 사이에 단차가 형성되고, 그 위에 하부 전극(15), 개구 절연막(16), 정공 주입층(171), 및 정공 수송층(172)이 각 영역에 공통되게 형성된다.
그 때문에, 기판(11)상의 정공 수송층(172)의 표면은, 평탄화절연막(14)에 의해 형성된 단차에 대응한 단차를 갖는다. 즉, 제1의 영역(R1)의 정공 수송층(172)의 표면은, 제2의 영역(R2)의 정공 수송층(172)의 표면보다도 (d1-d2)만큼 높다. 또한, 제2의 영역(R2)의 정공 수송층(172)의 표면은, 제3의 영역(R3)의 정공 수송층(172)의 표면보다도 (d2-d3)만큼 높다.
(청색 발광층의 형성)
다음에, 청색 발광층(173B)을 기판(11)상에 전사한다(스텝 S107). 청색 발광층(173B)은, 전사체상에 균일하게 도포되고, 기판(11)상의 제1의 영역(R1) 내지 제3의 영역(R3)의 전부에 전사된다.
도 6b에는, 스텝 S107에서 청색 발광층(173B)이 전사되고 있을 때의 상태가 도시되어 있다. 청색 발광층(173B)은, 표면이 실리콘 고무(예를 들면 STD700 : 후지쿠라고무공업) 등의 탄성 재료로 형성된 블랭킷(41)(전사체)상에 균일하게 도포되고, 제1의 영역(R1), 제2의 영역(R2), 및 제3의 영역(R3)의 전부에서 정공 수송층(172)상에 전사된다. 이 때, 정공 수송층(172)의 표면에는 단차가 형성되어 있기 때문에, 청색 발광층(173B)이 본래 전사되어야 할 제3의 영역(R3)은, 다른 영역에 비하여 오목하게 되어 있다. 그 때문에, 청색 발광층(173B)을 전사에 의해 형성하는 공정에서는, 블랭킷(41)의 표면에 도포된 청색 발광층(173B)이 단차를 초과하여 제3의 영역(R3)의 정공 수송층(172)에 접촉하도록, 블랭킷(41)의 기판(11)에의 접촉 압력이 조정된다. 보다 구체적으로는, 청색 발광층(173B)을 전사할 때의 블랭킷(41)의 접촉 압력은, 다른 2개의 발광층(173)을 전사할 때의 접촉 압력보다도 커지도록 조정된다.
또한, 이 때, 블랭킷(41)은, 당연히, 제1의 영역(R1) 및 제2의 영역(R2)의 정공 수송층(172)에도 접촉한다. 그 때문에, 제1의 영역(R1) 및 제2의 영역(R2)에도, 청색 발광층(173B)이 전사된다. 그러나, 상술한 바와 같이, 발광 파장이 보다 긴 발광층의 쪽이 발광하기 쉽기 때문에, 적색 발광층(173R) 및 녹색 발광층(173G)은, 청색 발광층(173B)보다도 발광하기 쉽다. 따라서, 제1의 영역(R1) 및 제2의 영역(R2)에서는, 청색 발광층(173B)이 전사되어 있어도, 그것에 중첩하여 전사되는 적색 발광층(173R) 또는 녹색 발광층(173G)에 의해, 적색이나 녹색의 발광을 얻을 수 있다.
여기서, 단파장측의 발광 재료로부터의 발광을 더욱 억제하기 위해, 예를 들면 기판(11)상에 컬러 필터를 마련하여, 단파장측의 발광을 컷트하여도 좋다. 또한, 발광층(173)을 형성하는 재료의 선택이나, 정공 수송성 또는 전자 수송성의 재료를 발광층(173)에 블렌드하여 캐리어 밸런스를 조정함에 의해, 단파장측의 발광을 억제하여도 좋다.
(녹색 발광층의 형성)
다음에, 녹색 발광층(173G)을 기판(11)상에 전사한다(스텝 S109). 녹색 발광층(173G)도, 블랭킷(41)상에 균일하게 도포되고 기판(11)상에 전사되지만, 청색 발광층(173B)과는 달리, 제3의 영역(R3)에는 전사되지 않는다. 그 때문에, 녹색 발광층(173G)의 전사의 공정에서는, 상기한 바와 같이 기판(11)상에 형성된 단차를 이용하여, 전사체를 적절한 접촉 압력으로 기판(11)에 접촉시킴에 의해, 녹색 발광층(173G)을 기판(11)상에 선택적으로 전사한다.
도 7에는, 녹색 발광층(173G)을 기판(11)상에 선택적으로 전사하는 공정의 예가 도시되어 있다. 또한, 본 실시 형태에서는, 적색 발광층(173R)도, 동같은 공정에 의해 기판(11)상에 선택적으로 전사된다.
우선, 전사체인 블랭킷(41)의 표면에 녹색 발광층(173G)을 균일하게 도포한다. 여기서, 블랭킷(41)은, 원통형상의 롤(42)에 권회(卷回)되어 있다. 녹색 발광층(173G)의 재료는, 유기 용매에 용해되고, 슬릿 코트 다이(43)을 이용하여 블랭킷(41)의 표면에 도포된다.
다음에, 블랭킷(41)을 적절한 접촉 압력으로 기판(11)에 접촉시킨 상태에서 롤(42)을 전동시킴에 의해, 녹색 발광층(173G)을 기판(11)상에 전사한다. 이 때, 기판(11)상에 형성된 단차 때문에, 녹색 발광층(173G)은, 단차의 상측에 닿는 부분, 즉 제1의 영역(R1) 및 제2의 영역(R2)에 선택적으로 전사된다. 블랭킷(41)에 남은 녹색 발광층(173G)은, 예를 들면 클리닝 롤러를 이용하여 제거된다. 또는, 블랭킷(41)에 남은 녹색 발광층(173G)은, 다음번의 녹색 발광층(173G) 전사할 때에 재이용되어도 좋다.
도 6c에는, 스텝 S109에서 녹색 발광층(173G)이 전사되고 있을 때의 상태가 도시되어 있다. 녹색 발광층(173G)은, 청색 발광층(173B)과 마찬가지로 블랭킷(41)상에 균일하게 도포되지만, 제1의 영역(R1), 제2의 영역(R2), 및 제3의 영역(R3)의 전부에서 전사되는 청색 발광층(173B)과는 달리, 제1의 영역(R1) 및 제2의 영역(R2)의 정공 수송층(172)상에 선택적으로 전사된다. 이 때, 정공 수송층(172)의 표면에 형성된 단차 때문에, 제2의 영역(R2)은, 제3의 영역(R3)에 비하여 높아져 있다. 그 때문에, 제3의 영역(R3)에서는, 블랭킷(41)이 정공 수송층(172)에 접촉하지 않고, 녹색 발광층(173G)은, 제3의 영역(R3)에는 부착하지 않는다.
한편, 정공 수송층(172)의 표면에 형성된 단차 때문에, 제2의 영역(R2)은, 제1의 영역(R1)에 비하여 낮게 되어 있다. 그 때문에, 녹색 발광층(173G)을 전사에 의해 형성하는 공정에서는, 블랭킷(41)상의 전사 패턴이, 제1의 영역(R1)과 제2의 영역(R2) 사이의 단차를 넘어 제2의 영역(R2)의 정공 수송층(172)에 접촉하도록, 블랭킷(41)의 기판(11)에의 접촉 압력을 조정한다. 보다 구체적으로는, 녹색 발광층(173G)을 전사할 때의 블랭킷(41)의 접촉 압력은, 적색 발광층(173R)을 전사할 때의 접촉 압력보다도 커지도록 조정된다.
또한, 이 때, 블랭킷(41)은, 당연히, 제1의 영역(R1)의 정공 수송층(172)에도 접촉한다. 그 때문에, 제1의 영역(R1)에도, 녹색 발광층(173G)이 전사된다. 그러나, 적색 발광층(173R)은, 녹색 발광층(173G)보다도 광의 파장이 길고, 발광하기 쉽다. 따라서, 제1의 영역(R1)에서는, 녹색 발광층(173G)이 전사되어 있어도, 그것에 중첩하여 전사된 적색 발광층(173R)에 의해, 적색의 발광을 얻을 수 있다. 또한, 상기한 청색 발광층(173B)의 경우와 마찬가지로, 제1의 영역(R1)에서는, 컬러 필터나 발광층(173)의 캐리어 밸런스의 조정 등에 의해, 녹색 발광층(173G)(및 청색 발광층(173B))의 발광이 더욱 억제되어도 좋다.
(적색 발광층의 형성)
다음에, 적색 발광층(173R)을 기판(11)상에 전사한다(스텝 S111). 적색 발광층(173R)도, 블랭킷(41)상에 균일하게 도포되어 기판(11)상에 전사되지만, 적색 발광층(173R)은, 제1의 영역(R1)에만 전사된다. 그 때문에, 적색 발광층(173R)의 전사의 공정에서는, 상기한 바와 같이 기판(11)상에 형성된 단차를 이용하여, 전사체를 적절한 접촉 압력으로 기판(11)에 접촉시킴에 의해, 적색 발광층(173R)을 기판(11)상에 선택적으로 전사한다.
도 6d에는, 스텝 S111에서 적색 발광층(173R)이 전사되고 있을 때의 상태가 도시되어 있다. 적색 발광층(173R)은, 제1의 영역(R1)의 정공 수송층(172)상에 선택적으로 전사된다. 여기서, 정공 수송층(172)의 표면에 형성된 단차 때문에, 제1의 영역(R1)은, 다른 영역에 비하여 볼록하게 되어 있다. 그 때문에, 적색 발광층(173R)을 전사에 의해 형성하는 공정에서는, 블랭킷(41)상에 도포된 적색 발광층(173R)이, 제1의 영역(R1)과 제2의 영역(R2) 사이의 단차를 넘지 않고, 제2의 영역(R2) 및 제3의 영역(R3)의 정공 수송층(172)에는 부착하지 않도록, 블랭킷(41)의 접촉 압력이 조정된다. 보다 구체적으로는, 적색 발광층(173R)을 전사할 때의 블랭킷(41)의 접촉 압력은, 다른 2개의 발광층(173)을 전사할 때의 접촉 압력보다도 작아지도록 조정된다.
다음에, 스텝 S107 내지 S111에서 각각 전사된 청색 발광층(173B), 녹색 발광층(173G), 및 적색 발광층(173R)을, 예를 들면 질소 분위기하, 130℃로 2시간 베이크함에 의해 건조시킨다(스텝 S113).
(공통층의 형성 내지 밀봉)
다음에, 발광층(173)이 형성된 기판(11)상에, 공통층을 증착한다(스텝 S115). 본 실시 형태에서, 공통층은, 전자 주입층(175) 및 상부 전극(18)이다. 이들의 공통층은, 동일한 성막 장치 내에서 연속하여 형성되는 것이 바람직하다. 각각의 층의 형성의 사이에 기판(11)이 대기에 폭로되면, 대기 중의 수분에 의해 재료의 열화가 생길 가능성이 있기 때문이다. 또한, 이 공정에서, 상부 전극(18)의 위에 보호층이 형성되어도 좋다.
다음에, 상기한 공정에 의해 형성된 각 층을, 밀봉용 기판(21)에 의해 밀봉한다(스텝 S117). 보다 구체적으로는, 스텝 S115에서 형성된 공통층의 위에, 접착층(22)의 수지 등을 도포한 후, 밀봉용 기판(21)을 얼라인먼트하여 접합하고, 접착층(22)을 경화시킨다.
이상의 공정에 의해, 유기 EL 디스플레이(100)가 완성된다.
(1-3. 전자 기기에의 적용)
다음에, 도 8을 참조하여, 본 개시된 제1의 실시 형태에 관한 표시 장치를 갖는 전자 기기의 구성에 관해 설명한다. 도 8은, 전자 기기의 구성을 도시하는 개략적인 블록도이다.
도 8을 참조하면, 전자 기기(1000)는, 유기 EL 디스플레이(100), 제어 회로(500), 조작부(600), 기억부(700), 및 통신부(800)를 포함한다. 전자 기기(1000)는, 예를 들면, 텔레비전, 휴대 전화(스마트 폰), 디지털 카메라, 퍼스널 컴퓨터 등, 표시부로서 유기 EL 디스플레이(100)를 갖는 어떠한 기기이다.
제어 회로(500)는, 예를 들면 CPU(Central Processing Unit), RAM(Random Access Memory), 및 ROM(Read Only Memory) 등에 의해 구성되고, 전자 기기(1000)의 각 부분을 제어한다. 유기 EL 디스플레이(100)도, 이 제어 회로(500)에 의해 제어된다.
조작부(600)는, 예를 들면 터치 패드, 버튼, 키보드, 또는 마우스 등에 의해 구성되고, 전자 기기(1000)에 대한 유저의 조작 입력을 접수한다. 제어 회로(500)는, 조작부(600)가 취득한 조작 입력에 따라 전자 기기(1000)를 제어한다.
기억부(700)는, 예를 들면 반도체 메모리, 자기 디스크, 또는 광디스크 등에 의해 구성되고, 전자 기기(1000)가 기능하기 위해 필요한 각종의 데이터를 격납한다. 제어 회로(500)는, 기억부(700)에 격납된 프로그램을 판독하여 실행함에 의해 동작하여도 좋다.
통신부(800)는, 부가적으로 마련된다. 통신부(800)는, 유선 또는 무선의 네트워크(900)에 접속되는 통신 인터페이스이고, 예를 들면 모뎀이나 포트, 또는 안테나 등에 의해 구성된다. 제어 회로(500)는, 통신부(800)를 통하여, 네트워크(900)로부터 데이터를 수신하고, 또한 네트워크(900)에 데이터를 송신한다.
상기로 설명한 유기 EL 디스플레이(100)만이 아니고, 이것을 갖는 전자 기기(1000)도 또한, 본 개시된 실시 형태에 포함된다.
(1-4. 변형예)
이상으로 설명한 본 개시된 제1의 실시 형태의 변형예에 관해 설명한다.
예를 들면, 상술한 바와 같이, 유기 EL 디스플레이(100)는, 도시되지 않은 컬러 필터나 보호층 등, 다른 구성 요소를 포함하고 구성되어도 좋다. 유기 EL 디스플레이(100)는, 도시된 예와 같은 보텀 이미션형으로는 한정되지 않고, 톱 이미션형이라도 좋다. 또한, 화소 구동 회로(140)는, 액티브형의 구동 회로로는 한정되지 않고, 패시브형의 구동 회로라도 좋다.
또한, 상기한 예에서는, 청색 발광층(173B)이 전사에 의해 형성되었지만, 청색 발광층(173B)은 다른 방법, 예를 들면 도포나 증착 등에 의해 형성되어도 좋다. 청색 발광층(173B)은, 제1의 영역(R1) 내지 제3의 영역(R3)의 전부에 형성되기 때문에, 그 형성 방법은 임의로 선택될 수 있다.
또한, 상기한 예에서는, 단차 형성 부재로서 평탄화절연막(14)이 사용되었지만, 다른 부재가 단차 형성 부재로서 사용되어도 좋다. 예를 들면, 기판(11)상에 컬러 필터가 마련되는 경우, 컬러 필터의 유무, 또는 두께의 차에 의해 상기한 단차가 형성되어도 좋다. 또한, TFT층(13)의 표면의 요철이, 상기한 단차로서 이용되어도 좋다. 또한, 정공 주입층(171) 또는 정공 수송층(172)의 두께의 차, 또는 개구 절연막(16)의 리브에 의해 상기한 단차가 형성되어도 좋다. 즉, 단차 형성 부재로서는, 발광층(173)보다도 기판(11)측에 위치한 모든 구성 요소를 이용하는 것이 가능하다. 또한, 컬러 필터를 이용하는 예, 및 TFT층(13)을 이용한 예에 관해서는, 계속되는 제2의 실시 형태의 변형예에서 보다 상세하게 설명한다.
(2. 제2의 실시 형태)
(2-1. 표시 장치의 구성)
다음에, 도 9를 참조하여, 본 개시된 제2의 실시 형태에 관한 표시 장치의 구성에 관해 설명한다. 도 9는, 표시 장치의 표시 영역에 관해 설명하기 위한 도면이다.
본 실시 형태에 관한 표시 장치는, 유기 EL 디스플레이(200)이다. 또한, 표시 장치의 전체 구성, 및 표시 영역의 평면 구성에 관해, 본 실시 형태에서의 구성은 상기한 제1의 실시 형태에서 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명한 구성과 거의 같기 때문에, 상세한 설명은 생략한다.
도 9에 도시하는 바와 같이, 기판(11)상에는, 기판(11)측부터 차례로, TFT층(13), 평탄화절연막(14), 하부 전극(15), 개구 절연막(16), 유기층(27), 상부 전극(18), 접착층(22), 및 밀봉용 기판(21)이 마련된다. 이 중, 유기층(27) 이외에 관해, 본 실시 형태에서의 구성은 상기한 제1의 실시 형태에서 도 4를 참조하여 설명한 구성과 거의 같기 때문에, 상세한 설명은 생략한다.
유기층(27)은, 기판(11)측부터 차례로, 정공 주입층(HIL)(171), 정공 수송층(HTL)(172), 발광층(EML)(273), 전자 수송층(ETL)(174), 및 전자 주입층(EIL)(175)을 포함한다. 발광층(273)으로서, 적색 발광 소자(10R)에서는 적색 발광층(273R)이, 녹색 발광 소자(10G)에서는 녹색 발광층(273G)이 각각 마련된다. 또한, 청색 발광 소자(10B)를 포함하는 각 발광 소자에 공통되게, 청색 발광층(273B)이 마련된다.
또한, 정공 주입층(171), 정공 수송층(172), 전자 수송층(174), 및 전자 주입층(175)에 관해서는, 상기한 제1의 실시 형태와 거의 같은 구성 요소이기 때문에, 상세한 설명을 생략한다. 또한, 적색 발광층(273R) 및 녹색 발광층(273G)은, 형성 순서를 제외하고는 제1의 실시 형태의 적색 발광층(173R) 및 녹색 발광층(173G)과 거의 같은 구성 요소이기 때문에, 이들에 대해서 상세한 설명을 생략한다.
청색 발광층(273B)은, 다른 발광층과 마찬가지로, 전계가 걸림에 의해 전자와 정공과의 재결합이 생겨서 발광한다. 청색 발광층(273B)은, 예를 들면 450㎚ 내지 495㎚의 범위에 적어도 하나의 피크 파장을 갖는 발광 재료로 형성된다. 보다 구체적으로는, 청색 발광층(273B)은, 호스트 재료로서의 안트라센 화합물에, 게스트 재료로서 청색 또는 녹색의 저분자 형광성 색소, 인광 색소, 또는 금속 착체 등의 유기 발광 재료를 도핑함에 의해 형성될 수 있다.
본 실시 형태에서는, 적색 발광층(273R) 및 녹색 발광층(273G)이 전사에 의해 형성됨에 대해, 청색 발광층(273B)은, 증착에 의해, 제1의 영역(R1), 제2의 영역(R2), 및 제3의 영역(R3)에 공통되게 형성된다. 청색 발광층(273B)은, 다른 발광층(273)이 전사된 후에 형성되기 때문에, 제1의 영역(R1)에서는 적색 발광층(273R) 및 녹색 발광층(273G)의 위에 청색 발광층(273B)이 형성되고, 제2의 영역(R2)에서는 녹색 발광층(273G)의 위에 청색 발광층(273B)이 형성된다.
또한, 본 실시 형태에서는, 적색 발광층(273R)과 녹색 발광층(273G)과의 형성 순서가, 상기한 제1의 실시 형태와는 다르다. 후술하는 바와 같이, 본 실시 형태에서는, 우선 적색 발광층(273R)이 전사되고, 그 후에 녹색 발광층(273G)이 전사된다. 여기서, 제1의 실시 형태와 마찬가지로, 녹색 발광층(273G)은, 제2의 영역(R2)만이 아니라 제1의 영역(R1)에도 전사된다. 따라서, 제1의 영역(R1)에서는, 적색 발광층(273R)의 위에 녹색 발광층(273G)이 형성된다.
이와 같이, 본 개시된 실시 형태에서, 각 발광층의 형성 순서는 임의로 설정될 수 있다. 예를 들면, 제1 및 제2의 실시 형태와 같이 R(적), G(녹), B(청)의 3 색의 발광층이 형성되는 경우, 형성 순서는 제1의 실시 형태의 (B, G, R), 제2의 실시 형태의 (R, G, B) 외에도, (B, R, G), (R, B, G), (G, R, B), (G, B, R)과 같이, 임의의 순서로 하는 것이 가능하다. 이것은, 3색 이외, 예를 들면 2색이나 4색 이상의 발광층이 형성되는 경우도 마찬가지이다.
(2-2. 표시 장치의 제조 방법)
다음에, 도 10 및 도 11a 내지 D를 참조하여, 본 개시된 제2의 실시 형태에 관한 표시 장치의 제조 방법에 관해 설명한다. 도 10은, 제조 방법의 플로 차트이다. 도 11a 내지 D는, 제조 방법의 각 공정에서의 표시 장치의 상태를 도시하는 도면이다. 이하에서는, 도 10에 따라 제조 방법을 설명하면서, 도 11a 내지 D를 적절히 참조한다.
(TFT 기판 공정 내지 정공 수송층의 형성)
도 10을 참조하면, 본 실시 형태에 관한 표시 장치인 유기 EL 디스플레이(200)의 제조 방법에서는, 스텝 S101 내지 S105로서, 상기한 제1의 실시 형태에서 도 5를 참조하여 설명한 공정과 마찬가지로 하여, 기판(11)상에 TFT층(13), 평탄화절연막(14), 하부 전극(15), 개구 절연막(16), 정공 주입층(HIL)(171), 및 정공 수송층(HTL)(172)이 형성된다.
도 11a에는, 이상의 스텝 S105까지의 공정이 종료된 상태가 도시되어 있다. 여기까지의 공정에서는, 제1의 실시 형태와 마찬가지로, 단차 형성 부재인 평탄화절연막(14)에 의해 각 영역의 사이에 단차가 형성되고, 그 위에 하부 전극(15), 개구 절연막(16), 정공 주입층(171), 및 정공 수송층(172)이 각 영역에 공통되게 형성된다.
(적색 발광층 및 녹색 발광층의 형성)
다음에, 적색 발광층(273R), 및 녹색 발광층(273G)을, 각각 기판(11)상에 전사하여 형성한다(스텝 S207, S209).
도 11b에는, 스텝 S107로 적색 발광층(173R)이 전사되고 있을 때의 상태가 도시되어 있다. 적색 발광층(173R)은, 제1의 실시 형태와 마찬가지로, 정공 수송층(172)의 표면에 형성된 단차를 이용하여, 제1의 영역(R1)에 선택적으로 전사된다. 블랭킷(41)상에 도포된 적색 발광층(173R)이, 제1의 영역(R1)과 제2의 영역(R2) 사이의 단차를 넘지 않고, 제2의 영역(R2) 및 제3의 영역(R3)의 정공 수송층(172)에는 부착하지 않도록, 블랭킷(41)의 접촉 압력이 조정된다.
도 11c에는, 스텝 S109로 녹색 발광층(173G)이 전사되고 있을 때의 상태가 도시되어 있다. 녹색 발광층(173G)은, 제1의 실시 형태와 마찬가지로, 정공 수송층(172)의 표면에 형성된 단차를 이용하여, 제1의 영역(R1) 및 제2의 영역(R2)에 선택적으로 전사된다. 블랭킷(41)상에 도포된 녹색 발광층(173G)이, 제2의 영역(R2)과 제3의 영역(R3) 사이의 단차를 넘지 않고, 제3의 영역(R3)의 정공 수송층(172)에는 부착하지 않도록, 블랭킷(41)의 접촉 압력이 조정된다.
또한, 도시된 예에서는, 청색 발광층(273B)이 증착에 의해 형성되지만, 청색 발광층(273B)도, 적색 발광층(273R) 및 녹색 발광층(273G)과 마찬가지로 전사에 의해 형성되어도 좋다. 이 경우, 상기한 스텝 S209의 후에, 청색 발광층(273B)을 기판(11)상에 전사하여 형성하는 공정(스텝 S211)이 실행된다. 이 경우, 청색 발광층(173B)이 단차를 초과하여 제3의 영역(R3)의 정공 수송층(172)에 전사되도록, 블랭킷(41)의 접촉 압력이 조정된다.
다음에, 스텝 S207, S209에서 각각 전사된 적색 발광층(273R) 및 녹색 발광층(273G)을, 예를 들면, 질소 분위기하, 130℃에서 2시간 베이크함에 의해 건조시킨다(스텝 S113).
(공통층의 형성 내지 밀봉)
다음에, 적색 발광층(273R) 및 녹색 발광층(273G)이 형성된 기판(11)상에, 공통층을 증착한다(스텝 S215). 본 실시 형태에서, 공통층은, 청색 발광층(273B), 전자 수송층(174), 전자 주입층(175), 및 상부 전극(18)이다. 도 11의 (d)에는, 스텝 S215에서 청색 발광층(273B)을 증착한 때의 상태가 도시되어 있다. 제1의 실시 형태와 마찬가지로, 이들의 공통층은, 동일한 성막 장치 내에서 연속하여 형성되는 것이 바람직하다. 또한, 이 공정에서, 상부 전극(18)의 위에 보호층이 형성되어도 좋다.
다음에, 상기한 공정에 의해 형성된 각 층을, 제1의 실시 형태와 마찬가지로, 밀봉용 기판(21)에 의해 밀봉한다(스텝 S117). 이상의 공정에 의해, 유기 EL 디스플레이(200)가 완성된다.
또한, 상기한 제1의 실시 형태의 경우와 마찬가지로, 유기 EL 디스플레이(200)를 갖는 전자 기기도 또한, 본 개시된 실시 형태에 포함된다.
(2-3. 변형예)
이상으로 설명한 본 개시된 제2의 실시 형태의 변형예에 관해 설명한다.
(단차 형성 부재로서 컬러 필터를 이용한 예)
도 12는, 본 실시 형태에서, 단차 형성 부재로서 평탄화절연막(14)에 대신하여 컬러 필터(12)를 이용한 변형예를 도시하는 도면이다.
도 12를 참조하면, 컬러 필터(12)는, 예를 들면 TFT층(13)과 평탄화절연막(14)과의 사이에 마련되는 온 칩 컬러 필터이다. 컬러 필터(12)는, 적색 발광 소자(10R)에 대응하는 적색 필터(12R), 녹색 발광 소자(10G)에 대응하는 녹색 필터(12G), 및 청색 발광 소자(10B)에 대응하는 청색 필터(12B)를 포함한다. 여기서, 제1의 영역(R1)에 마련되는 적색 필터(12R)의 두께(t1)는, 제2의 영역(R2)에 마련되는 녹색 필터(12G)의 두께보다도 크다. 또한, 제2의 영역(R2)에 마련되는 녹색 필터(12G)의 두께(t2)는, 제3의 영역(R3)에 마련되는 청색 필터(12B)의 두께(t3)보다도 크다.
이에 의해, 제1의 영역(R1)과 제2의 영역(R2)과의 사이에는, 크기가 (t1-t2)의 단차가 형성된다. 또한, 제2의 영역(R2)과 제3의 영역(R3)과의 사이에는, 크기가 (t2-t3)의 단차가 형성된다. 즉, 본 변형예에서는, 컬러 필터(12)가, 단차 형성 부재로서 기능한다.
또한, 상기한 예에서는, 적색 필터(12R), 녹색 필터(12G), 및 청색 필터(12B)의 모두가 마련되지만, 예를 들면 이 중 청색 필터(12B)가 마련되지 않아도 좋다. 이 경우, 제2의 영역(R2)과 제3의 영역(R3)과의 사이에는, 크기가 t2의 단차가 형성된다. 이와 같이, 컬러 필터(12)는, 각각의 영역에서의 두께가 다른 것에 의해 단차를 형성하여도 좋고, 단차의 상단에 닿는 영역에 한하여 마련되는 됨에 의해 단차를 형성하여도 좋다.
이와 같이, 단차 형성 부재로서 컬러 필터(12)를 이용하는 경우, 평탄화절연막(14)에 단차를 형성하는 공정이 불필요해진다. 또한, 컬러 필터가 필요한 경우에, 컬러 필터 기판과 같은 별도의 컬러 필터를 마련하지 않아도 좋다.
(단차 형성 부재로서 TFT층을 이용한 예)
도 13은, 본 실시 형태에서, 단차 형성 부재로서 평탄화절연막(14)에 대신하여 TFT층(13)을 이용한 변형예를 도시하는 도면이다.
도 13을 참조하면, 본 변형예에서는, TFT층(13)의 표면의 요철이, 기판(11)상에 단차를 형성하기 위해 이용된다. 이 요철은, 예를 들면, TFT층(13)에 형성되는 화소 구동 회로(140)에 포함되는 트랜지스터나 커패시터에 의해 형성된다. 이 요철이, 기판(11)상에 소망하는 단차를 형성하도록 화소 구동 회로(140)를 설계하면, TFT층(13)을 단차 형성 부재로서 이용하는 것도 가능하다.
이와 같이, 단차 형성 부재로서 TFT층(13)을 이용하는 경우, 평탄화절연막(14)에 단차를 형성하는 공정이 불필요해진다. 또한, 컬러 필터는 임의의 형상으로 마련하여도 좋고 마련하지 않아도 좋다라는 바와 같이, 다른 구성 요소의 설계의 자유도가 향상한다.
또한, 이 밖에, 상기에서 제1의 실시 형태의 변형예로서 설명된 각각의 구성도, 본 실시 형태에 적용하는 것이 가능하다.
(3. 제3의 실시 형태)
(3-1. 표시 장치의 구성)
다음에, 도 14를 참조하여, 본 개시된 제3의 실시 형태에 관한 표시 장치의 구성에 관해 설명한다. 도 14는, 표시 장치의 표시 영역에 관해 설명하기 위한 도면이다.
본 실시 형태에 관한 표시 장치는, 유기 EL 디스플레이(300)이다. 또한, 표시 장치의 전체 구성, 및 표시 영역의 평면 구성에 관해, 본 실시 형태에서의 구성은 상기한 제1의 실시 형태에서 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명한 구성과 거의 마찬가지이기 때문에, 상세한 설명은 생략한다.
도 14에 도시하는 바와 같이, 기판(11)상에는, 기판(11)측부터 차례로, TFT층(13), 평탄화절연막(34), 하부 전극(15), 개구 절연막(16), 유기층(37), 상부 전극(18), 접착층(22), 및 밀봉용 기판(21)이 마련된다. 이 중, 평탄화절연막(34) 및 유기층(37) 이외에 관해, 본 실시 형태에서의 구성은 상기한 제1의 실시 형태에서 도 4를 참조하여 설명한 구성과 거의 마찬가지이기 때문에, 상세한 설명은 생략한다.
유기층(37)은, 기판(11)측부터 차례로, 정공 주입층(HIL)(171), 정공 수송층(HTL)(172), 발광층(EML)(373), 전자 수송층(ETL)(174), 및 전자 주입층(EIL)(175)을 포함한다. 발광층(373)으로서, 적색 발광 소자(10R) 및 녹색 발광 소자(10G)에서는 황색 발광층(373Y)이, 청색 발광 소자(10B)에서는 청색 발광층(373B)이, 각각 마련된다.
또한, 정공 주입층(171), 정공 수송층(172), 전자 수송층(174), 및 전자 주입층(175)에 관해서는, 상기한 제1의 실시 형태와 거의 같은 구성 요소이기 때문에, 상세한 설명을 생략한다.
발광층(373), 즉 황색 발광층(373Y) 및 청색 발광층(373B)은, 전계가 걸림에 의해 전자와 정공과의 재결합이 생겨서 발광한다. 황색 발광층(373Y)은, 적색 발광 소자(10R) 및 녹색 발광 소자(10G)가 형성되는 기판(11)상의 제1의 영역(R1)에 형성된다. 청색 발광층(373B)은, 기판(11)상의 제1의 영역(R1) 및 제2의 영역(R2)의 양쪽에 형성된다. 또한, 본 실시 형태에서는, 발광층(373)이 황색 발광층(373Y) 및 청색 발광층(373B)의 2종류밖에 마련되지 않기 때문에, 기판(11)상의 영역은 제1의 영역(R1) 또는 제2의 영역(R2)의 어느 하나이다.
또한, 황색 발광층(373Y)은, 예를 들면 500㎚ 내지 750㎚의 범위에 적어도 하나의 피크를 갖는 발광 재료로 형성된다. 또한, 청색 발광층(173B)은, 예를 들면 450㎚ 내지 495㎚의 범위에 적어도 하나의 피크 파장을 갖는 발광 재료로 형성된다. 황색 발광층(373Y) 및 청색 발광층(373B)의 구체적인 재료는, 제1의 실시 형태의 발광층(173)과 마찬가지이다.
또한, 황색 발광층(373Y) 및 청색 발광층(373B)은, 제1의 실시 형태의 발광층(173)과 마찬가지로, 블랭킷 위에 균일하게 도포된 것을 기판(11)상의 소정의 영역에 전사함에 의해 형성된다. 이 때, 평탄화절연막(34)에 의해 형성된 단차에 의해, 제1의 영역(R1)에 전사되는 황색 발광층(373Y)이 제2의 영역(R2)에 부착하는 것이 방지되다. 따라서, 청색 발광층(373B)은, 파장이 보다 길고 발광하기 쉬운 황색 발광층(373Y)이 부착함에 의한 혼색 등의 영향을 받는 일이 없다.
그 한편으로, 청색 발광층(373B)은, 본래 전사되어야 할 제2의 영역(R2) 이외에 제1의 영역(R1)에도 전사된다. 그러나, 후술하는 바와 같이, 파장이 보다 짧고 발광하기 어려운 청색 발광층(373B)이 부착함에 의한 황색 발광층(373Y)에의 영향은 적다.
황색 발광층(373Y)의 광은, 기판(11)상에 마련되는 컬러 필터(도시 생략), 예를 들면 적색 발광 소자(10R)에 대응하여 마련되는 적색 컬러 필터, 및 녹색 발광 소자(10G)에 대응하여 마련되는 녹색 컬러 필터를 투과함에 의해, 적색 또는 녹색의 광으로서 취출된다.
평탄화절연막(34)은, 제1의 실시 형태의 평탄화절연막(14)과 마찬가지로, TFT층(13)의 표면을 평탄화하고, 또한 기판(11)상에 단차를 형성한다. 황색 발광층(373Y)이 형성되는 제1의 영역(R1)에서의 평탄화절연막(34)의 두께(d1)는, 청색 발광층(373B)이 형성되는 제2의 영역(R2)에서의 평탄화절연막(34)의 두께(d2)보다도 크다. 이에 의해, 제1의 영역(R1)과 제2의 영역(R2)과의 사이에는, 크기가 (d1-d2)의 단차가 형성된다. 이 단차에 의해, 제1의 영역(R1)에 전사된 황색 발광층(373Y)이 제2의 영역(R2)에 부착하는 것이 방지된다.
상술한 바와 같이, 본 실시 형태에서는, 발광층(373)이 2종류밖에 마련되지 않는다. 그 때문에, 단차 생성부재인 평탄화절연막(34)에 의해 형성되는 기판(11)상의 단차도, 제1의 실시 형태에서는 3단이었던 것에 대해 본 실시 형태에서는 2단이다. 이와 같이, 본 개시된 실시 형태에서는, 기판상에 형성되는 단차의 수는, 발광층의 종류의 수에 대응한다.
또한, 유기 EL 디스플레이(300)는, 상기에서 도 5를 참조하여 설명된 제1의 실시 형태의 제조 방법중, 적색 발광층 및 녹색 발광층을 형성하는 스텝 S107, S109의 2개의 공정을, 황색 발광층(373Y)을 형성하는 하나의 공정으로 치환한 제조 방법에 의해 제조된다.
또한, 상기한 제1의 실시 형태의 경우와 마찬가지로, 유기 EL 디스플레이(300)를 갖는 전자 기기도 또한, 본 개시된 실시 형태에 포함된다.
(3-2. 변형예)
이상으로 설명한 본 개시된 제3의 실시 형태의 변형예에 관해 설명한다.
예를 들면, 상술한 바와 같이, 유기 EL 디스플레이(300)는, 도시되지 않은 컬러 필터나 보호층 등, 다른 구성 요소를 포함하여 구성되어도 좋다. 또한, 본 실시 형태와 같이 황색 발광층(373Y)을 마련한 경우, 상기한 예와 같이 적색, 녹색, 청색의 3원색 표시를 하기 위해서는, 적색 및 녹색에 관해 컬러 필터가 필요하다. 그러나, 예를 들면 황색, 청색의 2원색 표시를 하는 경우이라면, 컬러 필터를 마련하지 않고 황색 발광층(373Y)의 광을 그대로 취출하여도 좋다.
또한, 상기한 예에서는, 청색 발광층(373B)이 전사에 의해 형성되었지만, 청색 발광층(373B)은, 제2의 실시 형태의 청색 발광층(273B)과 같이, 공통층으로서 증착 등에 의해 형성되어도 좋다.
또한, 이 밖에, 상기에서 제1의 실시 형태 또는 제2의 실시 형태의 변형예로서 설명된 각각의 구성도, 본 실시 형태에 적용하는 것이 가능하다.
(4. 보충)
이상, 첨부 도면을 참조하면서 본 개시된 알맞은 실시 형태에 관해 상세히 설명했지만, 본 개시된 기술적 범위는 이러한 예로 한정되지 않는다. 본 개시된 기술 분야에서의 통상의 지식을 갖는 자라면, 특허청구의 범위에 기재된 기술적 사상의 범주 내에서, 각종의 변경예 또는 수정예에 상도할 수 있음은 분명하고, 이들에 대해서도, 당연히 본 개시된 기술적 범위에 속하는 것으로 이해된다.
또한, 이하와 같은 구성도 본 개시된 기술적 범위에 속한다.
(1) 기판상의 제1의 영역과 제2의 영역과의 사이에, 상기 기판에서 보아 상기 제1의 영역이 상기 제2의 영역보다도 높아지도록 단차를 형성하는 단차 형성 부재와,
상기 제1의 영역에 전사되는 제1의 발광층과,
상기 제1의 영역 및 상기 제2의 영역에 전사되고, 발광 파장이 상기 제1의 발광층의 발광 파장보다도 짧은 제2의 발광층을 구비하는 표시 장치.
(2) 상기 단차 형성 부재는, 또한, 상기 제2의 영역과 상기 기판상의 제3의 영역과의 사이에, 상기 기판에서 보아 상기 제2의 영역이 상기 제3의 영역보다도 높아지도록 단차를 형성하고,
상기 표시 장치는, 적어도 상기 제3의 영역에 형성되고, 발광 파장이 상기 제2의 발광층의 발광 파장보다도 짧은 제3의 발광층을 또한 구비하는, 상기 (1)에 기재된 표시 장치.
(3) 상기 제3의 발광층은, 상기 제1의 영역, 상기 제2의 영역, 및 상기 제3의 영역에 형성되는, 상기 (2)에 기재된 표시 장치.
(4) 상기 제3의 발광층은, 상기 제1의 영역, 상기 제2의 영역, 및 상기 제3의 영역에 전사되는, 상기 (3)에 기재된 표시 장치.
(5) 상기 단차 형성 부재는, 상기 기판과 상기 제1의 발광층 및 상기 제2의 발광층과의 사이에 마련되는 평탄화절연막인, 상기 (1) 내지 (4)의 어느 한 항에 기재된 표시 장치.
(6) 상기 단차는, 상기 평탄화절연막의 상기 제1의 영역에서의 두께가 상기 제2의 영역에서의 두께보다도 큰 것에 의해 형성되는, 상기 (5)에 기재된 표시 장치.
(7) 상기 단차 형성 부재는, 상기 기판과 상기 제1의 발광층과의 사이에 마련되는 제1의 컬러 필터, 및 상기 기판과 상기 제2의 발광층과의 사이에 마련되는 제2의 컬러 필터이고,
상기 단차는, 상기 제1의 컬러 필터의 두께가 상기 제2의 컬러 필터의 두께보다도 큰 것에 의해 형성되는, 상기 (1) 내지 (4)의 어느 한 항에 기재된 표시 장치.
(8) 상기 단차 형성 부재는, 상기 기판과 제1의 발광층과의 사이에 마련되는 컬러 필터인, 상기 (1) 내지 (4)의 어느 한 항에 기재된 표시 장치.
(9) 상기 단차 형성 부재는, 상기 기판과 상기 제1의 발광층 및 상기 제2의 발광층과의 사이에 마련되는 박막 트랜지스터층이고,
상기 단차는, 상기 박막 트랜지스터층의 표면의 요철에 의해 형성되는, 상기 (1) 내지 (4)의 어느 한 항에 기재된 표시 장치.
(10) 상기 단차의 높이는, 상기 제2의 영역의 폭의 1/100 이상, 또는 500㎚ 이상인, 상기 (1) 내지 (9)의 어느 한 항에 기재된 표시 장치.
(11) 상기 제1의 영역에서, 중첩된 상기 제1의 발광층 및 상기 제2의 발광층을 끼우고 마련되는 한 쌍의 전극층을 또한 구비하고,
기 제1의 발광층 및 상기 제2의 발광층의 두께는, 상기 제1의 영역에서의 상기 한 쌍의 전극층의 간격이 상기 제1의 발광층의 발광 파장의 정수배가 되도록 설정되는, 상기 (1) 내지 (10)의 어느 한 항에 기재된 표시 장치.
(12) 상기 한 쌍의 전극층은, 상기 제2의 영역에서는 상기 제2의 발광층을 끼우고 마련되고, 상기 제2의 발광층의 두께는, 상기 제2의 영역에서의 상기 한 쌍의 전극층의 간격이 상기 제2의 발광층의 발광 파장의 정수배가 되도록 설정되는, 상기 (11)에 기재된 표시 장치.
(13) 전사체상에 균일하게 도포된 제1의 발광층을 기판상의 제1의 영역에 전사하면서, 상기 제1의 영역과 상기 기판상의 제2의 영역과의 사이에 형성된 단차에 의해 상기 제1의 발광층이 상기 제2의 영역에 부착하는 것을 막는 공정과,
상기 제1의 영역 및 상기 제2의 영역에, 발광 파장이 상기 제1의 발광층의 발광 파장보다도 짧은 제2의 발광층을 전사하는 공정을 포함하는, 표시 장치의 제조 방법.
(14) 상기 제2의 발광층은, 전사체상에 균일하게 도포되어 상기 제1의 영역 및 상기 제2의 영역에 전사되고,
상기 제2의 발광층을 전사할 때에, 상기 제2의 발광층이 상기 제2의 영역에 전사되도록 상기 전사체의 접촉 압력을 조정하는 상기 (13)에 기재된 표시 장치의 제조 방법.
(15) 상기 제2의 발광층을 전사하는 공정에서는, 상기 제2의 영역과 상기 기판상의 제3의 영역과의 사이에 형성된 단차에 의해 상기 제2의 발광층이 상기 제3의 영역에 부착하는 것을 막는, 상기 (13) 또는(14)에 기재된 표시 장치의 제조 방법.
(16) 상기 제1의 영역, 상기 제2의 영역, 및 상기 제3의 영역에 제3의 발광층을 형성하는 공정을 또한 포함하는, 상기 (15)에 기재된 표시 장치의 제조 방법.
(17) 상기 제2의 발광층은, 전사체상에 균일하게 도포되어 상기 제1의 영역, 상기 제2의 영역, 및 상기 제3의 영역에 전사됨에 의해 형성되는, 상기 (16)에 기재된 표시 장치의 제조 방법.
(18) 기판상의 제1의 영역과 제2의 영역과의 사이에, 상기 기판에서 보아 상기 제1의 영역이 상기 제2의 영역보다도 높아지도록 단차를 형성하는 단차 형성 부재와,
상기 제1의 영역에 전사되는 제1의 발광층과,
상기 제1의 영역 및 상기 제2의 영역에 전사되고, 발광 파장이 상기 제1의 발광층의 발광 파장보다도 짧은 제2의 발광층을 포함하는 표시 장치를 구비하는 전자 기기.
100, 200, 300 : 표시 장치(유기 EL 디스플레이)
11 : 기판
12 : 컬러 필터
13 : TFT층
14 : 평탄화절연막
15 : 하부 전극
16 : 개구 절연막
17, 27, 37 : 유기층
171 : 정공 주입층(HIL)
172 : 정공 수송층(HTL)
173, 273, 373 : 발광층(EML)
174 : 전자 수송층(ETL)
175 : 전자 주입층(EIL)
18 : 상부 전극
21 : 밀봉용 기판
41 : 블랭킷
1000 : 전자 기기

Claims (18)

  1. 기판상의 제1의 영역과 제2의 영역과의 사이에, 상기 기판에서 보아 상기 제1의 영역이 상기 제2의 영역보다도 높아지도록 단차를 형성하는 단차 형성 부재와,
    상기 제1의 영역에 전사되는 제1의 발광층과,
    상기 제1의 영역 및 상기 제2의 영역에 전사되고, 발광 파장이 상기 제1의 발광층의 발광 파장보다도 짧은 제2의 발광층을 구비하고,
    상기 단차 형성 부재는, 상기 기판과 상기 제1의 발광층과의 사이에 마련되는 제1의 컬러 필터, 및 상기 기판과 상기 제2의 발광층과의 사이에 마련되는 제2의 컬러 필터를 포함하고,
    상기 단차는, 상기 제1의 컬러 필터의 두께가 상기 제2의 컬러 필터의 두께보다도 큰 것에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 단차 형성 부재는, 또한, 상기 제2의 영역과 상기 기판상의 제3의 영역과의 사이에, 상기 기판에서 보아 상기 제2의 영역이 상기 제3의 영역보다도 높아지도록 단차를 형성하고,
    상기 표시 장치는, 적어도 상기 제3의 영역에 형성되고, 발광 파장이 상기 제2의 발광층의 발광 파장보다도 짧은 제3의 발광층을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 제3의 발광층은, 상기 제1의 영역, 상기 제2의 영역, 및 상기 제3의 영역에 형성되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 제3의 발광층은, 상기 제1의 영역, 상기 제2의 영역, 및 상기 제3의 영역에 전사되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 기판상의 제1의 영역과 제2의 영역과의 사이에, 상기 기판에서 보아 상기 제1의 영역이 상기 제2의 영역보다도 높아지도록 단차를 형성하는 단차 형성 부재와,
    상기 제1의 영역에 전사되는 제1의 발광층과,
    상기 제1의 영역 및 상기 제2의 영역에 전사되고, 발광 파장이 상기 제1의 발광층의 발광 파장보다도 짧은 제2의 발광층을 구비하고,
    상기 단차 형성 부재는, 상기 기판과 상기 제1의 발광층 및 상기 제2의 발광층과의 사이에 마련되는 박막 트랜지스터층을 포함하고,
    상기 단차는, 상기 박막 트랜지스터층의 표면의 요철에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  10. 제 1항에 있어서,
    상기 단차의 높이는, 상기 제2의 영역의 폭의 1/100 이상, 또는 500㎚ 이상인 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  11. 제 1항에 있어서,
    상기 제1의 영역에 있어서, 중첩된 상기 제1의 발광층 및 상기 제2의 발광층을 끼우고 마련되는 한 쌍의 전극층을 더 구비하고,
    상기 제1의 발광층 및 상기 제2의 발광층의 두께는, 상기 제1의 영역에서의 상기 한 쌍의 전극층의 간격이 상기 제1의 발광층의 발광 파장의 정수배가 되도록 설정되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  12. 제 11항에 있어서,
    상기 한 쌍의 전극층은, 상기 제2의 영역에서는 상기 제2의 발광층을 끼우고 마련되고,
    상기 제2의 발광층의 두께는, 상기 제2의 영역에서의 상기 한 쌍의 전극층의 간격이 상기 제2의 발광층의 발광 파장의 정수배가 되도록 설정되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  13. 전사체상에 균일하게 도포된 제1의 발광층을 기판상의 제1의 영역에 전사하면서, 상기 제1의 영역과 상기 기판상의 제2의 영역과의 사이에 형성된 단차에 의해 상기 제1의 발광층이 상기 제2의 영역에 부착하는 것을 막는 공정과,
    상기 제1의 영역 및 상기 제2의 영역에, 발광 파장이 상기 제1의 발광층의 발광 파장보다도 짧은 제2의 발광층을 전사하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
  14. 제 13항에 있어서,
    상기 제2의 발광층은, 전사체상에 균일하게 도포되어 상기 제1의 영역 및 상기 제2의 영역에 전사되고,
    상기 제2의 발광층을 전사할 때에, 상기 제2의 발광층이 상기 제2의 영역에 전사되도록 상기 전사체의 접촉 압력을 조정하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
  15. 제 13항에 있어서,
    상기 제2의 발광층을 전사하는 공정에서는, 상기 제2의 영역과 상기 기판상의 제3의 영역과의 사이에 형성된 단차에 의해 상기 제2의 발광층이 상기 제3의 영역에 부착하는 것을 막는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
  16. 제 15항에 있어서,
    상기 제1의 영역, 상기 제2의 영역, 및 상기 제3의 영역에 제3의 발광층을 형성하는 공정을 또한 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
  17. 제 16항에 있어서,
    상기 제2의 발광층은, 전사체상에 균일하게 도포되어 상기 제1의 영역, 상기 제2의 영역, 및 상기 제3의 영역에 전사됨에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
  18. 기판상의 제1의 영역과 제2의 영역과의 사이에, 상기 기판에서 보아 상기 제1의 영역이 상기 제2의 영역보다도 높아지도록 단차를 형성하는 단차 형성 부재와,
    상기 제1의 영역에 전사되는 제1의 발광층과,
    상기 제1의 영역 및 상기 제2의 영역에 전사되고, 발광 파장이 상기 제1의 발광층의 발광 파장보다도 짧은 제2의 발광층을 포함하고,
    상기 단차 형성 부재는, 상기 기판과 상기 제1의 발광층과의 사이에 마련되는 제1의 컬러 필터, 및 상기 기판과 상기 제2의 발광층과의 사이에 마련되는 제2의 컬러 필터를 포함하고,
    상기 단차는, 상기 제1의 컬러 필터의 두께가 상기 제2의 컬러 필터의 두께보다도 큰 것에 의해 형성되는 표시 장치를 구비하는 것을 특징으로 하는 전자 기기.
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