KR101757639B1 - 실리콘산화막 및 실리콘질화막 에칭액 조성물 - Google Patents
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- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 50
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 47
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 43
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 28
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 28
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 10
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 21
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 claims abstract description 17
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 15
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 claims abstract description 14
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims abstract description 11
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 23
- -1 cyclic amine compound Chemical class 0.000 claims description 20
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- GLUUGHFHXGJENI-UHFFFAOYSA-N Piperazine Chemical compound C1CNCCN1 GLUUGHFHXGJENI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 claims description 9
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 claims description 9
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 8
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 7
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 7
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N Ascorbic acid Chemical compound OC[C@H](O)[C@H]1OC(=O)C(O)=C1O CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N 0.000 claims description 6
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 6
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 claims description 6
- 235000006708 antioxidants Nutrition 0.000 claims description 6
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 6
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 6
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 6
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 claims description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 125000004103 aminoalkyl group Chemical group 0.000 claims description 5
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 claims description 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N Methanesulfonic acid Chemical compound CS(O)(=O)=O AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PVOAHINGSUIXLS-UHFFFAOYSA-N 1-Methylpiperazine Chemical compound CN1CCNCC1 PVOAHINGSUIXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 235000010323 ascorbic acid Nutrition 0.000 claims description 3
- 239000011668 ascorbic acid Substances 0.000 claims description 3
- 229960005070 ascorbic acid Drugs 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- IQXXEPZFOOTTBA-UHFFFAOYSA-N 1-benzylpiperazine Chemical compound C=1C=CC=CC=1CN1CCNCC1 IQXXEPZFOOTTBA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- JOMNTHCQHJPVAZ-UHFFFAOYSA-N 2-methylpiperazine Chemical compound CC1CNCCN1 JOMNTHCQHJPVAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- WDJHALXBUFZDSR-UHFFFAOYSA-N acetoacetic acid Chemical compound CC(=O)CC(O)=O WDJHALXBUFZDSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 2
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 claims description 2
- 235000015165 citric acid Nutrition 0.000 claims description 2
- CCIVGXIOQKPBKL-UHFFFAOYSA-M ethanesulfonate Chemical compound CCS([O-])(=O)=O CCIVGXIOQKPBKL-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- NBZBKCUXIYYUSX-UHFFFAOYSA-N iminodiacetic acid Chemical compound OC(=O)CNCC(O)=O NBZBKCUXIYYUSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 claims description 2
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- 229940098779 methanesulfonic acid Drugs 0.000 claims description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- IMUDHTPIFIBORV-UHFFFAOYSA-N aminoethylpiperazine Chemical compound NCCN1CCNCC1 IMUDHTPIFIBORV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 claims 1
- ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N silicon tetrafluoride Chemical compound F[Si](F)(F)F ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 61
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 24
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 20
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 5
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 5
- VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 2,2,2-tetramine Chemical compound NCCNCCNCCN VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910017855 NH 4 F Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 3
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 125000002768 hydroxyalkyl group Chemical group 0.000 description 3
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WFCSWCVEJLETKA-UHFFFAOYSA-N 2-piperazin-1-ylethanol Chemical compound OCCN1CCNCC1 WFCSWCVEJLETKA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N Furan Chemical compound C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002015 acyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- VHRGRCVQAFMJIZ-UHFFFAOYSA-N cadaverine Chemical compound NCCCCCN VHRGRCVQAFMJIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001923 cyclic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002390 heteroarenes Chemical class 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006259 organic additive Substances 0.000 description 2
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 2
- 150000003335 secondary amines Chemical class 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 description 2
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- CWERGRDVMFNCDR-UHFFFAOYSA-N thioglycolic acid Chemical compound OC(=O)CS CWERGRDVMFNCDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- IMNIMPAHZVJRPE-UHFFFAOYSA-N triethylenediamine Chemical compound C1CN2CCN1CC2 IMNIMPAHZVJRPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XFNJVJPLKCPIBV-UHFFFAOYSA-N trimethylenediamine Chemical compound NCCCN XFNJVJPLKCPIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 1H-benzimidazole Chemical compound C1=CC=C2NC=NC2=C1 HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFSMVVDJSNMRAR-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-ethoxyethoxy)ethoxy]ethanol Chemical compound CCOCCOCCOCCO WFSMVVDJSNMRAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WSYFJVWSMYIIQS-UHFFFAOYSA-N 2-piperazin-1-ylethanol Chemical compound OCCN1CCNCC1.OCCN1CCNCC1 WSYFJVWSMYIIQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ULRPISSMEBPJLN-UHFFFAOYSA-N 2h-tetrazol-5-amine Chemical compound NC1=NN=NN1 ULRPISSMEBPJLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XZGLNCKSNVGDNX-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-2h-tetrazole Chemical compound CC=1N=NNN=1 XZGLNCKSNVGDNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HHMQOJZHLKFQBP-UHFFFAOYSA-N CC1NCCNC1.CC1NCCNC1 Chemical compound CC1NCCNC1.CC1NCCNC1 HHMQOJZHLKFQBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N Diethylenetriamine Chemical compound NCCNCCN RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUJNEKJLAYXESH-REOHCLBHSA-N L-Cysteine Chemical compound SC[C@H](N)C(O)=O XUJNEKJLAYXESH-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N Oxazole Chemical compound C1=COC=N1 ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical group CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N Pyrazole Chemical compound C=1C=NNC=1 WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical compound C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005090 alkenylcarbonyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003973 alkyl amines Chemical class 0.000 description 1
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 1
- LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-N ammonium fluoride Chemical compound [NH4+].[F-] LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002280 amphoteric surfactant Substances 0.000 description 1
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 239000003093 cationic surfactant Substances 0.000 description 1
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- UFULAYFCSOUIOV-UHFFFAOYSA-N cysteamine Chemical compound NCCS UFULAYFCSOUIOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUJNEKJLAYXESH-UHFFFAOYSA-N cysteine Natural products SCC(N)C(O)=O XUJNEKJLAYXESH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000018417 cysteine Nutrition 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000816 ethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 1
- 229940093915 gynecological organic acid Drugs 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004404 heteroalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002391 heterocyclic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 1
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 150000002462 imidazolines Chemical class 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229960003151 mercaptamine Drugs 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920000233 poly(alkylene oxides) Polymers 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 150000003141 primary amines Chemical class 0.000 description 1
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- AOHJOMMDDJHIJH-UHFFFAOYSA-N propylenediamine Chemical compound CC(N)CN AOHJOMMDDJHIJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930195734 saturated hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- FAGUFWYHJQFNRV-UHFFFAOYSA-N tetraethylenepentamine Chemical compound NCCNCCNCCNCCN FAGUFWYHJQFNRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000383 tetramethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 150000003536 tetrazoles Chemical class 0.000 description 1
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H—ELECTRICITY
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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Abstract
본 발명은 실리콘산화막과 실리콘질화막의 동시 식각에 유용한 에칭액에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 에칭액은 불소화합물, 질소원자를 2개 이상 포함하고 있는 아민계 포화화합물 및 물을 포함하는 것을 특징으로 한다. 실리콘산화막과 실리콘질화막의 식각 속도 차이를 줄여 균일한 식각이 가능하며, 그 결과 절연막의 패턴 형성시 실리콘산화막의 언더컷(undercut) 현상이 발생하지 않는 우수한 프로파일을 형성할 수 있다.
Description
본 발명은 실리콘산화막 및 실리콘질화막을 균일하게 에칭할 수 있는 에칭액 조성물에 관한 것이다.
TFT-LCD 등과 같은 박막 디스플레이 장치 및 반도체 제조공정에서는 전기회로 설계에 있어 금속 배선간 전기적인 고립을 위하여 실리콘산화막 혹은 질화막이 사용되며, 각각 단독으로 사용되거나, 1층 이상의 실리콘산화막 및 1층 이상의 실리콘질화막이 교대로 적층되어 사용되기도 한다.
종래에는 실리콘산화막 및 실리콘질화막이 적층된 절연막을 에칭하여 패턴을 형성하는 방법으로 상부의 실리콘질화막을 건식에칭 방법으로 먼저 에칭한 후, HF 및 NH4F를 포함하는 에칭액 (BOE, Buffered Oxide Etchant)을 이용하여 하부의 실리콘산화막을 습식에칭하여 절연막 패턴을 형성하였다.
기존의 BOE로는 실리콘질화막 보다 실리콘산화막에 대한 에칭속도가 매우 높아 에칭 후 프로파일에서 실리콘산화막의 측면으로 과다하게 에칭되는 언더컷(undercut) 현상이 발생하는 문제점이 발생하였다. 상기와 같이 언더컷 현상이 발생하는 경우 후속 공정에서 증착되는 금속 막의 스텝커버리지(step coverage) 불량을 유발하게 되고 심한 경우에는 증착금속막의 단락(short)을 유발하게 된다.
따라서, 실리콘산화막 및 실리콘질화막에 대한 에칭 속도의 차이를 감소시키는 에칭액이 요구된다.
본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 실리콘산화막 및 실리콘질화막을 동시에 균일하게 에칭할 수 있는 에칭액을 제공하는 데 목적이 있다.
상기 과제를 해결하기 위하여 본 발명은,
불소화합물, 질소원자를 2개 이상 포함하고 있는 아민계 포화화합물 및 잔량의 물을 포함하는 에칭액을 제공한다.
본 발명에 따른 에칭액은 실리콘산화막 및 실리콘질화막에 대한 에칭속도의 차이가 작아 실리콘산화막 및 실리콘질화막을 균일하게 에칭할 수 있으며, 그 결과 실리콘산화막 및 실리콘질화막으로 이루어지는 절연막의 패턴 형성시 실리콘산화막의 언더컷(undercut) 현상이 발생하지 않는 우수한 프로파일을 형성할 수 있다.
도 1 및 도 2는 각각 실시예 5 및 비교예 2 의 에칭액을 사용하여 실리콘산화막과 실리콘질화막을 동시에 식각한 결과를 보여주는 SEM 이미지이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
이하, 본 발명에 따른 에칭액에 대하여 보다 상세히 설명한다.
본 발명에 따른 에칭액은 실리콘산화막과 실리콘질화막을 동시에 식각하는데 유용한 조성물로서, 구체적으로 불소화합물, 질소원자를 2개 이상 포함하고 있는 아민계 포화화합물 및 물을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서 상기 아민계 포화화합물은 실리콘산화막 표면에 선택적으로 흡착되어 실리콘산화막의 에칭량을 효율적으로 제어함으로써 실리콘산화막과 실리콘질화막의 에칭 속도 차이를 감소 시킬 수 있다.
상기 질소원자를 2개 이상 포함하고 있는 아민계 포화화합물은, 1차 아민, 2차 아민 및 3차 아민으로부터 선택되는 아민기를 2개 이상 함유하고 있는 비고리형 또는 고리형 아민 화합물로부터 선택되는 하나 이상일 수 있다.
상기 질소원자를 2개 이상 포함하고 있는 아민계 포화화합물은 상기 에칭액 내에서 약 0.01 내지 약 10중량%, 바람직하게는 약 0.1 내지 약 5중량%의 함량으로 사용될 수 있다. 이하 구체적으로 설명한다.
고리형 아민 화합물
질소원자를 2개 이상 포함하고 있는 아민계 포화화합물 중에서 고리형 아민화합물은 2차 아민 또는 3차 아민을 고리 중에 포함하는 화합물 일 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 고리형 아민화합물은, 고리내 질소 원자를 2개 이상 함유하는 3원환 내지 12원환 포화 헤테로 고리 화합물일 수 있다.
고리형 아민 화합물들은 3원환 내지 12원환, 또는 4원환 내지 10원환 또는 융합 고리(fused ring)의 형태를 가질 수 있으며, 고리를 구성하는 탄소원자 중 2개 이상이 질소원자로 치환된 형태를 가지고, 그 외에 산소원자, 또는 황원자로 더 치환된 형태를 가질 수 있다.
상기 고리형 아민 화합물에 존재하는 수소 원자 중 하나 이상은 할로겐원자, 카르복실기, 티올기, 히드록시기, 아미노기, 니트로기, 시아노기, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 탄소수 1 내지 20의 헤테로알킬기, 탄소수 2 내지 20의 알킬카르보닐기, 탄소수 2 내지 20의 알케닐카르보닐기, 탄소수 1 내지 20의 알콕시기, 탄소수 2 내지 20의 알케닐기, 탄소수 2 내지 20의 헤테로알케닐기, 탄소수 2 내지 20의 헤테로 알키닐기, 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 탄소수 4 내지 30의 헤테로아릴기, 탄소수 7 내지 30의 아릴알킬기 등으로 치환될 수 있다.
일 구현예에 따르면, 고리형 아민 화합물은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물일 수 있다.
[화학식 1]
상기 식에서, A는 탄소수 2 내지 10의 포화 고리이며,
R1 및 R2 는 각각 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 5의 알킬, 하이드록시 알킬, 아미노알킬, 또는 탄소수 6 내지 10의 방향족기이다.
일 구현예에 따르면, 상기 고리형 아민 화합물이 하기 화학식 2의 화합물일 수 있다.
[화학식 2]
상기 식에서, R3 및 R4는 각각 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 5의 알킬, 하이드록시 알킬, 아미노알킬, 또는 탄소수 6 내지 10의 방향족기이다.
일 구현예에 따르면, 상기 고리형 아민 화합물이 피페라진, 1-메틸피페라진, 2-메틸피페라진, 1-(2-하이드록시에틸)피페라진, 1-(2-아미노에틸)피페라진, 및 벤질피페라진 중에서 선택될 수 있다.
비고리형 아민 화합물
질소원자를 2개 이상 포함하고 있는 아민계 포화화합물 중에서 비고리형 아민 화합물은 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물일 수 있다.
[화학식 3]
상기 식에서, l, m 및 n은 각각 독립적으로 1 내지 10의 정수이고,
p 및 q는 각각 독립적으로 0 내지 5의 정수이며,
R5 및 R6는 각각 독립적으로 수소, 수소, 탄소수 1 내지 5의 알킬, 하이드록시 알킬 또는 아미노알킬이다.
바람직하게는 상기 비고리형 아민 화합물에 포함된 질소원자가 3개 이상이다.
상기 비고리형 아민 화합물에 존재하는 알킬렌기는 탄소수가 2개 이상의 포화 탄화수소 구조로 에틸렌기(-C2H4-), 프로필렌기(-C3H6-), 부틸렌기(-C4H8-), 펜탄기(-C5H10-)가 질소원자를 사이에 두고 반복적으로 포함될 수 있다
바람직한 구현예에 따르면, 상기 비고리형 아민 화합물로서는 1,2-에틸렌디아민, 1,2-디아미노프로판, 1,3-디아미노프로판, 1,5-디아미노펜탄, 트리에틸렌디아민, 프로판-(1,2,3)-트리아민, 디에틸렌트리아민, 트리에틸렌테트라민, 테트라에틸렌펜타아민 중 하나 이상을 포함하는 것일 수 있다.
불소화합물
일 구현예에 따르면, 에칭액은 에칭액 총중량을 기준으로 불소화합물 0.01 내지 60중량%를 포함할 수 있다.
본 발명에 있어서, 불소화합물은 실리콘 산화막의 식각성분으로 사용될 수 있으며, 불화수소산(HF) 또는 불화수소산의 염으로부터 선택되는 1종이상의 것을 사용할 수 있다.
본 발명에 있어서 불화수소산의 염은 대표적으로 불화암모늄(NH4F), 이불화암모늄(NH4HF2)으로부터 선택되는 1종이상의 것을 사용할 수 있으나 여기에 한정되는 것은 아니며 당업계에 알려져 있는 것이라면 제한 없이 사용할 수 있다.
상기의 불소화합물은 상기 실리콘 산화막 에칭액 총 중량을 기준으로 0.01 내지 60 중량%로 포함될 수 있으며, 바람직하게는 5 내지 50 중량%, 또는 10 내지 50 중량%를 포함될 수 있다.
본 발명에 있어서, 불화수소산의 염을 사용하는 경우 에칭액 총 중량을 기준으로 1 내지 50 중량% 포함될 수 있고, 바람직하게는 5 내지 50 중량%, 또는 10 내지 50 중량% 포함될 수 있다.
불화수소산의 경우에는 0.01 내지 10중량%, 바람직하게는 0.1 내지 5 중량% 포함될 수 있다.
일 구현예에 따르면, 불화수소간과 불화수소산의 염을 함께 사용할 수 있다.
기타 첨가제
본 발명에 있어서, 상기 실리콘 산화막 에칭액은 산성분으로서 무기산, 유기산 또는 이들의 혼합물을 사용할 수 있다.
상기 무기산으로서는 인산, 염산, 황산, 질산, 과산화수소산 또는 붕산으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상 일 수 있다.
상기 유기산으로서는 포름산, 아세트산, 디아세트산, 이미노디아세트산, 메탄술폰산, 에탄술폰산, 락트산, 아스코빅산, 옥살산 또는 시트르산으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상 일 수 있으며, 당업계에 알려져 있는 것이라면 제한 없이 사용할 수 있다.
상기 무기산과 유기산은 단독으로 사용할 수 있으나, 혼합하여 사용하는 것도 가능하다.
상기 무기산, 유기산의 단독 또는 혼합물은 상기 실리콘 산화막 에칭액 총 중량을 기준으로 60 중량% 이하로 포함될 수 있으며, 바람직하게는 1 내지 30 중량%를 포함할 수 있다. 이와 같은 범위에서 실리콘 산화막을 에칭하는 역할을 충분히 수행할 수 있게 된다. 일구현예에 따르면, 상기 무기산, 유기산 또는 이들의 혼합물과 불화암모늄의 농도를 조절하여 실리콘 산화막의 에칭 속도를 제어할 수 있다.
실리콘 산화막 에칭액에 포함되는 물은 특별히 한정되지 않지만 탈이온수를 사용할 수 있으며, 바람직하게는 물 속 이온이 제거된 정도를 보여주는 물의 비저항 값이 18㏁/㎝ 이상인 탈이온수를 사용할 수 있다. 물 함량은 조성물 총중량이 100 이 되도록 하는 나머지 양이다.
일 구현예에 있어서, 에칭액은 계면활성제, 부식방지제, 산화방지제 및 유기용제와 같은 첨가제를 하나 이상 포함할 수 있다.
구체적으로, 에칭액은 계면활성제를 더 포함할 수 있으며, 이들은 상기 에칭액의 젖음성 향상, 첨가제의 거품 특성 개선 및 기타 유기 첨가제에 대한 용해성을 높여 주는 목적으로 추가 첨가될 수 있다.
상기 계면활성제는 비이온성 계면활성제, 음이온성 계면활성제, 양이온성 계면활성제, 양쪽성 계면활성제에서 선택되는 1종 혹은 2종 이상에 대하여 상기 에칭액의 총 중량을 기준으로 5 중량% 이하, 또는 0.0005 내지 5중량%로 첨가할 수 있으며, 바람직하게는 0.001 내지 2 중량% 첨가할 수 있다. 상기 계면활성제 함량이 에칭액 총 중량에 대해 0.0005 중량% 이하인 경우 효과를 기대할 수 없으며, 5중량% 이상으로 첨가할 경우 용해도 문제가 발생하거나 과도한 거품발생으로 인해 공정상의 문제를 발생시킬 수 있다.
상기 계면활성제로는 본 발명에 의한 실리콘 산화막 에칭액에 용해되는 것이면 제한없이 사용할 수 있으며, 예를 들면, 폴리알킬렌옥시드알킬페닐에테르계 계면활성제, 알킬카르복시산, 알킬황산 에스테르, 알킬술폰산, 알킬벤젠술폰산, 알킬아민, 이미다졸린계 등 다양한 계면활성제를 사용할 수 있으며 상기에 열거된 계면활성제에 국한되지 않는다.
본 발명에 따르면, 상기 실리콘 산화막 에칭액은 에칭액 처리시 반도체 소자 재료로 사용되는 금속 또는 금속화합물의 보호를 위해 산화방지제 및 부식방지제를 첨가할 수 있다. 상기 산화방지제 및 부식방지제로는 업계에서 사용되는 것이면 제한없이 사용 가능하며, 에칭액 총 중량을 기준으로 0.01 내지 10중량%로 첨가할 수 있다.
상기 산화방지제 및 부식방지제의 일례를 들면, 시스테인, 티오글리콜산, 시스테아민과 같은 티올화합물, 아스코빅산, 고리 헤테로 방향족 화합물, 고리 헤테로 지방족 화합물, 방향족 다가알콜 및 직쇄구조 다가알콜류에서 선택되는 하나이상일 수 있다. 상기 고리 헤테로 방향족 화합물은 대표적으로 퓨란, 티오펜, 피롤, 옥사졸, 티아졸, 이미다졸, 피라졸, 트리아졸, 테트라졸, 벤조트리아졸, 벤조이미다졸, 아미노테트라졸, 메틸테트라졸, 톨루트리아졸, 하이드로톨루트리아졸로 이루어지는 군에서 선택될 수 있으며, 상기 고리 헤테로 지방족 화합물은 대표적으로 피페라진, 메틸피페라진, 하이드록실에틸피페라진으로 이루어지는 군에서 선택될 수 있다.
본 발명에 따르면, 상기 에칭액은 유기용제를 추가로 첨가할 수 있다. 상기 유기용제는 전술한 계면활성제와 마찬가지로 젖음성 향상 및 유기 첨가제에 대한 용해성을 높여 주거나 에칭액 성분 중 물을 일부 또는 전부를 대체하는 용매의 역할로 사용할 수 있으며, 경우에 따라서 제품의 저온보관에 따른 보관 안정성을 개선 시킬 수 있게 한다.
상기 유기용제는 알코올류일 수 있다. 구체적으로 메탄올, 에탄올, 프로판올, 에틸글리콜, 에틸디글리콜, 에틸트리글리콜, 부틸디글리콜, 폴리에틸렌글리콜 및 폴리프로필렌글리콜로부터 선택되는 하나 이상 일 수 있다.
유기용제는 에칭액 총 중량을 기준으로 0.1 내지 99중량%, 또는 50중량% 이하 첨가할 수 있다.
상술한 바와 같은 일구현예에 따른 실리콘산화막 에칭액은 다음과 같은 방법으로 제조할 수 있다.
일구현예에 따른 실리콘산화막 에칭액의 제조방법은 불소화합물 및 물을 혼합하여 수용액을 제조하는 단계; 및 상기 수용액에 함질소 포화 고리 화합물을 첨가하는 단계를 포함할 수 있으며, 필요에 따라 무기산, 유기산 또는 이들의 혼합물을 첨가하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 제조방법에서 불소화합물; 무기산, 유기산 또는 이들의 혼합물; 함질소 포화 고리 화합물; 및 물의 함량은 이미 상술한 바와 같으며, 이들의 예시 또한 이미 상술한 바와 같다.
상기 제조방법에는 필요에 따라 계면활성제, 산화방지제, 부식방지제 및 유기용제에서 선택되는 하나 이상의 첨가물을 첨가하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 제조방법은 용량에 제한을 받지 않으며 소량 생산 및 대량 생산에 모두 적용할 수 있으며, 상기 에칭액을 제조할 수 있는 온도 및 압력 또한 특별히 한정되지 않으나 상온, 예를 들어 20 내지 25℃ 및 상압, 예를 들어 1기압의 조건을 사용할 수 있다.
본 발명에 따른 실리콘산화막 및 실리콘질화막 에칭액은 실리콘산화막과 실리콘질화막을 동시에 식각하여 반도체 구조의 소자를 제조하는 단계를 포함하는 반도체 소자의 제조 방법에 활용될 수 있다.
이하, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예를 들어 보다 상세하게 설명한다. 그러나 이들 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐, 본 발명의 내용이 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.
실시예 및 비교예
실리콘산화막/실리콘질화막을 동시에 에칭할 수 있는 에칭액을 제조하여 에칭속도 및 선택비를 평가하였다.
하기 표 1에 기재된 성분 함량으로 각 성분을 혼합하여 실시예 1 내지 6의 에칭액 및 비교예 1 내지 6의 에칭액을 제조하였다. 물 함량은 조성물 총중량이 100중량%가 되도록 하는 나머지 양으로 하였다.
| 구 분 | 불소화합물 조성 (중량 %) | 첨가제 | ||
| HF | NH4F | 종류 | 함량(중량%) | |
| 비교예 5 | 1 | 35 | TETA | 1 |
| 비교예 6 | 1 | 35 | HEPz | 1 |
| 실시예 1 | 1 | 35 | MEPz | 1 |
| 실시예 2 | 0.9 | 35 | Pz | 1 |
| 실시예 3 | 1 | 35 | Pz | 1 |
| 실시예 4 | 1.3 | 35 | Pz | 1 |
| 실시예 5 | 1.5 | 35 | Pz | 1 |
| 실시예 6 | 1.5 | 35 | Pz | 0.5 |
| 비교예 1 | 0.9 | 35 | - | - |
| 비교예 2 | 1 | 35 | - | - |
| 비교예 3 | 1.3 | 35 | - | - |
| 비교예 4 | 1.5 | 35 | - | - |
- TETA: Triethylenetetramine (트리에틸렌테트라민)
- HEPz: 1-(2-Hydroxyethyl)piperazine (1-(2-하이드록시에틸)피페라진)
- MEPz: 2-Methylpiperazine (2-메틸피페라진)
- Pz: Piperazine (피페라진)
상기 표 1에 기재된 바와 같이, 실시예 1, 3 및 비교예 2 및 5는 불소화합물인 HF 와 NH4F 의 함량이 각각 동일하고, 다만 포화 고리 화합물의 첨가여부나 종류에 있어 차이가 있다. 또한 실시예 2와 비교예 1, 실시예 4와 비교예 3, 실시예 5 및 6과 비교예 4는 불소화합물의 함량은 각각 동일하고 고리형 또는 비고리형 다가 아민 화합물 첨가여부에 차이가 있다.
상기 실시예 1 내지 6 및 비교예 1 내지 6에서 제조한 에칭액의 실리콘질화막 대비 실리콘산화막의 선택비를 평가하기 위하여, 다음과 같이 실리콘산화막 및 실리콘질화막의 에칭 속도를 비교하였다.
평가에 이용된 시편은 실리콘산화막(thermal oxide) 및 실리콘질화막에 포토레지스트로 패터닝된 막을 20mm x 30mm 크기로 잘라서 사용하였다.
평가 방법은 평가 약액 100g을 투명 플라스틱 용기에 채운 후, 항온 수조를 이용하여 25℃ 온도로 맞춰 미리 준비한 평가 시편을 에칭 속도에 따라 시간을 조절하여 에칭 처리하였다.
막 두께의 측정은 접촉식 박막 두께 측정기(Alpha-step)를 이용하였다.
| 구 분 | 식각 속도 (Å/min) | 선택비 | |
| SiO2 | SiNx | SiO2/SiNx | |
| 비교예 5 | 253 | 147 | 1.72 |
| 비교예 6 | 240 | 144 | 1.67 |
| 실시예 1 | 209 | 129 | 1.62 |
| 실시예 2 | 153 | 128 | 1.20 |
| 실시예 3 | 176 | 131 | 1.34 |
| 실시예 4 | 251 | 165 | 1.52 |
| 실시예 5 | 284 | 187 | 1.52 |
| 실시예 6 | 373 | 215 | 1.74 |
| 비교예 1 | 292 | 105 | 2.78 |
| 비교예 2 | 327 | 117 | 2.79 |
| 비교예 3 | 366 | 124 | 2.95 |
| 비교예 4 | 407 | 139 | 2.93 |
상기 표 2의 결과로부터, 동일한 불화수소산/불화암모늄 함량을 갖는 실시예와 비교예를 비교할 때, 포화 고리 화합물을 함유하는 실시예 1 내지 6이 비교예 1 내지 6에 대비하여 선택비가 크게 감소한 것을 볼 수 있다. 선택비가 감소하였다는 것은 실리콘산화막과 실리콘질화막에 대한 식각 속도 차이가 감소하였음을 의미한다.
또한 실시예 5 및 6과 각각 동등한 SiO2 식각율을 나타내는 비교예 1 및 3에 대비하여 보더라도 선택비가 크게 감소한 것을 확인 할 수 있다.
구체적으로 도 1 및 도 2는 실시예 5 와 비교예 2 의 에칭액을 사용하여 식각한 결과를 보여주는 SEM 이미지이다.
이상과 같은 결과로부터, 본 발명에 따른 에칭액을 사용하여 실리콘산화막과 실리콘질화막을 동시에 식각하게 되면 균일한 식각이 가능하고 그 결과 절연막의 패터닝시 실리콘산화막의 언더컷(undercut) 현상이 발생하지 않는 우수한 프로파일을 얻을 수 있음을 알 수 있다.
이상으로 본 발명 내용의 특정한 부분을 상세히 기술하였는바, 당업계의 통상의 지식을 가진 자에게 있어서, 이러한 구체적 기술은 단지 바람직한 실시 양태일 뿐이며, 이에 의해 본 발명의 범위가 제한되는 것이 아닌 점은 명백할 것이다. 따라서 본 발명의 실질적인 범위는 첨부된 청구항들과 그것들의 등가물에 의하여 정의된다고 할 것이다.
Claims (15)
- 불소화합물;
질소원자를 2개 이상 포함하고 있는 아민계 포화화합물; 및
물;을 포함하되,
상기 아민계 포화화합물이 하기 화학식 1로 표시되는 화합물인, 실리콘산화막 및 실리콘질화막 에칭액
[화학식 1]
상기 식에서, A는 고리내에 2개 이상의 질소원자를 포함하는 탄소수 2 내지 10의 포화 헤테로 고리이며,
R1 및 R2 는 각각 독립적으로 수소원자, 탄소수 1 내지 5의 알킬, 아미노알킬, 또는 탄소수 6 내지 10의 방향족기이다. - 삭제
- 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 고리형 아민 화합물이 하기 화학식 2의 화합물로부터 선택되는 것인 실리콘산화막 및 실리콘질화막 에칭액:
[화학식 2]
상기 식에서, R3 및 R4는 각각 독립적으로 수소원자, 탄소수 1 내지 5의 알킬, 아미노알킬, 또는 탄소수 6 내지 10의 방향족기이다. - 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 고리형 아민 화합물이 피페라진, 1-메틸피페라진, 2-메틸피페라진, 1-(2-아미노에틸)피페라진, 및 벤질피페라진 중 하나 이상을 포함하는 실리콘산화막 및 실리콘질화막 에칭액. - 삭제
- 제1항에 있어서,
에칭액 총중량을 기준으로 불소화합물 0.01 내지 60 중량%; 질소원자를 2개 이상 포함하고 있는 아민계 포화화합물 0.01 내지 10 중량%; 및 나머지 양의 물;을 포함하는 실리콘산화막 및 실리콘질화막 에칭액. - 제1항에 있어서,
불소화합물이 불화수소산 및 불화수소산 염으로부터 선택되는 1종 이상인 실리콘산화막 및 실리콘질화막 에칭액. - 제9항에 있어서,
불화수소산 염이 불화암모늄, 이불화암모늄 및 이들로부터 선택되는 1종 이상인 실리콘산화막 및 실리콘질화막 에칭액. - 제1항에 있어서,
상기 에칭액이 유기산 및 무기산 또는 이들의 혼합물을 더 포함하는 것인 실리콘산화막 및 실리콘질화막 에칭액. - 제11항에 있어서,
상기 무기산이 인산, 염산, 황산, 질산, 과산화수소산 및 붕산으로부터 선택되는 하나 이상인 실리콘산화막 및 실리콘질화막 에칭액. - 제11항에 있어서,
상기 유기산이 포름산, 아세트산, 디아세트산, 이미노디아세트산, 메탄술폰산, 에탄술폰산, 락트산, 아스코빅산, 옥살산 및 시트르산으로부터 선택되는 하나 이상인 실리콘산화막 및 실리콘질화막 에칭액. - 제1항에 있어서,
상기 에칭액이 계면활성제, 산화방지제, 부식방지제 및 유기용제로부터 선택되는 하나 이상을 더 포함하는 것인 실리콘산화막 및 실리콘질화막 에칭액. - 제1항에 따른 실리콘산화막 및 실리콘질화막 에칭액을 이용하여 반도체 구조의 소자를 제조하는 단계를 포함하는 반도체 소자의 제조 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1020140116817A KR101757639B1 (ko) | 2014-09-03 | 2014-09-03 | 실리콘산화막 및 실리콘질화막 에칭액 조성물 |
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20160028152A KR20160028152A (ko) | 2016-03-11 |
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Family
ID=55582832
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| KR1020140116817A KR101757639B1 (ko) | 2014-09-03 | 2014-09-03 | 실리콘산화막 및 실리콘질화막 에칭액 조성물 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101757639B1 (ko) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102668708B1 (ko) * | 2016-09-05 | 2024-05-23 | 동우 화인켐 주식회사 | 폴리실리콘 식각액 조성물 및 반도체 소자의 제조 방법 |
| KR102362365B1 (ko) * | 2018-04-11 | 2022-02-11 | 삼성에스디아이 주식회사 | 실리콘 질화막 에칭 조성물 및 이를 이용한 에칭 방법 |
| KR102584616B1 (ko) * | 2019-01-28 | 2023-10-05 | 오씨아이 주식회사 | 실리콘 기판 식각 용액 및 이를 사용한 반도체 소자의 제조 방법 |
| CN110878208A (zh) * | 2019-11-08 | 2020-03-13 | 湖北兴福电子材料有限公司 | 一种提高氮化硅蚀刻均匀性的酸性蚀刻液 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101344541B1 (ko) | 2007-02-02 | 2013-12-26 | 동우 화인켐 주식회사 | 실리콘 산화막에 대한 선택적 에칭액 조성물 |
-
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- 2014-09-03 KR KR1020140116817A patent/KR101757639B1/ko active IP Right Grant
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101344541B1 (ko) | 2007-02-02 | 2013-12-26 | 동우 화인켐 주식회사 | 실리콘 산화막에 대한 선택적 에칭액 조성물 |
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|---|---|
| KR20160028152A (ko) | 2016-03-11 |
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