KR101739014B1 - Substrate Processing Apparatus - Google Patents

Substrate Processing Apparatus Download PDF

Info

Publication number
KR101739014B1
KR101739014B1 KR1020110124161A KR20110124161A KR101739014B1 KR 101739014 B1 KR101739014 B1 KR 101739014B1 KR 1020110124161 A KR1020110124161 A KR 1020110124161A KR 20110124161 A KR20110124161 A KR 20110124161A KR 101739014 B1 KR101739014 B1 KR 101739014B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
susceptor
support
spacing member
sliding plate
spacing
Prior art date
Application number
KR1020110124161A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20130058249A (en
Inventor
이병우
위규용
Original Assignee
주식회사 원익아이피에스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 원익아이피에스 filed Critical 주식회사 원익아이피에스
Priority to KR1020110124161A priority Critical patent/KR101739014B1/en
Publication of KR20130058249A publication Critical patent/KR20130058249A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101739014B1 publication Critical patent/KR101739014B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/50—Substrate holders
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 증착, 식각 등 기판에 대한 기판처리를 수행하는 기판처리장치에 관한 것이다.
본 발명은 기판처리를 위한 처리공간을 형성하는 공정챔버와; 상기 공정챔버에 설치되어 기판이 직접 또는 트레이를 통하여 안착되는 서셉터와; 상기 서셉터의 중심으로부터 이격된 복수의 각 지점에서 상기 서셉터의 저면을 지지하도록 설치되어 상하이동에 의하여 상기 서셉터를 상하로 이동시키는 복수의 서셉터지지부들을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치를 개시한다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus that performs substrate processing on a substrate such as deposition, etching, and the like.
The present invention provides a process chamber comprising: a process chamber for forming a processing space for substrate processing; A susceptor installed in the process chamber and mounted directly or through a tray; And a plurality of susceptor supporting portions installed to support the bottom surface of the susceptor at a plurality of points spaced apart from the center of the susceptor and vertically moving the susceptor by up and down movement. .

Description

기판처리장치 {Substrate Processing Apparatus}[0001] Substrate Processing Apparatus [0002]

본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 증착, 식각 등 기판에 대한 기판처리를 수행하는 기판처리장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus that performs substrate processing on a substrate such as deposition, etching, and the like.

기판처리장치는 기판처리에 따라서 다양한 구성이 가능하며, 일예로서, 밀폐된 처리공간을 형성하고 전원을 인가하거나 열을 가하여 처리환경을 형성하면서 서셉터에 안착된 기판을 증착, 식각 등 소정의 기판처리를 수행하는 장치가 있다.The substrate processing apparatus can be configured in various ways according to the substrate processing. For example, a substrate which is seated on the susceptor while forming a closed processing space and applying a power or heat to form a processing environment is deposited on a predetermined substrate There is an apparatus that performs processing.

이때 상기 기판처리장치는 처리공간을 형성하는 챔버본체와, 챔버본체의 상측에 설치되어 기판처리를 위한 가스를 처리공간으로 분사하는 가스분사부와, 챔버본체에 설치되어 기판을 지지하는 서셉터를 포함하여 구성된다.The substrate processing apparatus includes a chamber body forming a processing space, a gas spraying unit installed on the chamber body for spraying a gas for processing the substrate into the processing space, and a susceptor installed on the chamber body to support the substrate .

한편 대형기판의 처리 또는 많은 수의 기판들을 처리하기 위하여 기판처리장치의 전체 크기가 커지면서 기판이 안착되는 서셉터의 크기 또한 대형화되고 있다.On the other hand, the size of the susceptor on which the substrate is mounted is also becoming larger as the entire size of the substrate processing apparatus is increased in order to process a large substrate or a large number of substrates.

여기서 종래의 기판처리장치의 서셉터는 중앙부분에서만 지지되는 구조를 가지고 있다.Here, the susceptor of the conventional substrate processing apparatus has a structure which is supported only at the center portion.

그런데 서셉터가 대형화되면서 크기 및 자중이 증가하게 되고, 종래의 기판처리장치의 서셉터는 크기 및 자중의 증가로 인하여 끝단 부분에서 처짐이 발생한다.However, as the susceptor becomes larger, the size and weight of the susceptor increase, and the susceptor of the conventional substrate processing apparatus causes deflection at the end portion due to increase in size and weight.

그리고 상기 서셉터는 끝단 부분에서의 처짐에 의하여 기판을 지지하는 지지면이 수평상태를 유지하지 못하여 가스분사부와의 수직거리 변화 등을 야기하여 균일한 기판처리를 저해하는 문제점이 있다.In addition, the susceptor can not maintain a horizontal support surface for supporting the substrate due to sagging at the end portion, thereby causing a vertical distance change with respect to the gas spraying portion, and the like, thereby hindering uniform substrate processing.

본 발명의 목적은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 서셉터의 끝단 부분에서의 처짐을 방지할 수 있는 구조를 가지는 기판처리장치를 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus having a structure capable of preventing deflection at an end portion of a susceptor in order to solve the above problems.

본 발명은 상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 창출된 것으로서, 본 발명은 기판처리를 위한 처리공간을 형성하는 공정챔버와; 상기 공정챔버에 설치되어 기판이 직접 또는 트레이를 통하여 안착되는 서셉터와; 상기 서셉터의 중심으로부터 이격된 복수의 각 지점에서 상기 서셉터의 저면을 지지하도록 설치되어 상하이동에 의하여 상기 서셉터를 상하로 이동시키는 복수의 서셉터지지부들을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치를 개시한다.The present invention has been made in order to achieve the above-mentioned object of the present invention, and it is an object of the present invention to provide a process chamber for forming a process space for processing a substrate, A susceptor installed in the process chamber and mounted directly or through a tray; And a plurality of susceptor supporting portions installed to support the bottom surface of the susceptor at a plurality of points spaced apart from the center of the susceptor and vertically moving the susceptor by up and down movement. .

상기 서셉터의 저면과 상기 서셉터지지부의 상면이 서로 이격되도록 하나 이상의 이격부가 상기 서셉터의 저면과 상기 서셉터지지부 사이에 설치될 수 있다.At least one spacing may be provided between the bottom of the susceptor and the susceptor support so that a bottom surface of the susceptor and an upper surface of the susceptor support are spaced from each other.

상기 이격부는 상기 서셉터 또는 상기 서셉터지지부에 결합되는 이격부재를 포함할 수 있다.The spacing portion may include a spacing member coupled to the susceptor or the susceptor support portion.

상기 이격부는 상기 서셉터의 저면에 설치되는 이격부재와, 상기 이격부재에 대응되는 위치에 상기 서셉터지지부에 결합되어 상기 이격부재와 슬라이딩가능하게 상기 이격부재를 지지하는 슬라이딩플레이트를 포함할 수 있다.The spacing portion may include a spacing member provided on a bottom surface of the susceptor and a sliding plate coupled to the susceptor support portion at a position corresponding to the spacing member and supporting the spacing member so as to be slidable with the spacing member .

상기 이격부재는 상기 서셉터의 저면에 끼움 결합되거나 체결부재에 의하여 고정 결합될 수 있다.The spacing member may be fitted to the bottom surface of the susceptor or may be fixedly coupled by a fastening member.

상기 이격부들 중 일부의 이격부재는 상기 서셉터지지부에 대하여 상기 서셉터의 중심을 기준으로 반경 방향으로만 슬라이딩 가능하게 설치될 수 있다.The spacing members of some of the spacers may be slidable only in the radial direction with respect to the center of the susceptor with respect to the susceptor support.

상기 슬라이딩플레이트에 대하여 상기 서셉터의 중심으로부터 반경방향으로의 상기 이격부재의 슬라이딩을 가이드하는 하나 이상의 가이드부재가 상기 슬라이딩플레이트에 또는 상기 슬라이딩플레이트 부근에 설치될 수 있다.One or more guide members for guiding the sliding of the spacing member in the radial direction from the center of the susceptor with respect to the sliding plate may be installed on the sliding plate or in the vicinity of the sliding plate.

상기 이격부재는 상기 서셉터의 저면에 끼움 결합되거나 체결부재에 의하여 고정 결합되는 제1이격부재와, 상기 제1이격부재 및 상기 슬라이딩플레이트에 대하여 슬라이딩이 가능하게 상기 제1이격부재 및 상기 슬라이딩플레이트 사이에 개재되는 제2이격부재를 포함할 수 있다.Wherein the spacing member comprises a first spacing member which is fitted to the bottom surface of the susceptor or is fixedly coupled to the susceptor by a fastening member and a second spacing member which is slidably engaged with the first spacing member and the sliding plate, And a second spacing member interposed between the first and second spacing members.

상기 제1이격부재 및 상기 슬라이딩플레이트는 알루미늄 또는 알루미늄합금재질을 가지며, 상기 제2이격부재는 세라믹재질을 가질 수 있다.The first spacing member and the sliding plate may have aluminum or an aluminum alloy material, and the second spacing member may have a ceramic material.

상기 슬라이딩플레이트는 아노다이징 처리되는 것이 바람직하다.The sliding plate is preferably anodized.

상기 서셉터지지부는 상기 공정챔버를 관통하도록 설치되며 승강구동장치에 의하여 상하로 구동되는 지지로드와, 상기 지지로드의 상단에 설치되어 상기 서셉터의 저면을 지지하는 지지플레이트를 포함할 수 있다.The susceptor support unit may include a support rod installed to penetrate the process chamber and driven up and down by an elevation driving device, and a support plate installed at an upper end of the support rod and supporting a bottom surface of the susceptor.

상기 지지플레이트는 상기 서셉터를 향하는 상면과 반대쪽 면인 저면 쪽에는 구조보강을 위하여 상기 지지로드를 중심으로 방사상으로 형성된 복수의 리브가 형성될 수 있다.The support plate may have a plurality of ribs formed radially around the support rod for structural reinforcement on the bottom surface opposite to the upper surface facing the susceptor.

상기 지지플레이트의 두께는 적어도 일부분에서 상기 지지로드로부터 끝단으로 가면서 감소할 수 있다.The thickness of the support plate may decrease at least in part from the support rod to the end.

상기 공정챔버는 복수개의 상기 서셉터지지부들의 지지로드의 하단과 연결되는 구동플레이트가 추가로 설치되며, 상기 승강구동장치는 상기 구동플레이트를 상하로 이동시켜 상기 서셉터지지부에 지지되는 상기 서셉터를 상하로 이동시키도록 구성될 수 있다.The process chamber is further provided with a drive plate connected to a lower end of a plurality of support rods of the susceptor supports, and the raising / lowering drive device moves the drive plate up and down to support the susceptor, And can be configured to move up and down.

본 발명에 따른 기판처리장치는 서셉터의 중심으로부터 이격된 복수의 지점에서 서셉터를 지지하는 복수의 서셉터지지부들을 포함함으로써 대형의 서셉터의 경우 그 지지되는 부분이 끝단 부분에 가까워져 서셉터의 끝단 부분에서 증가된 자중에 의한 처짐을 방지할 수 있는 이점이 있다.The substrate processing apparatus according to the present invention includes a plurality of susceptor supports for supporting the susceptor at a plurality of points spaced apart from the center of the susceptor, so that in the case of a large susceptor, There is an advantage that it is possible to prevent sag due to an increased self weight at the end portion.

또한 본 발명에 따른 기판처리장치는 서셉터의 저면 및 서셉터를 지지하는 서셉터 지지부 사이에 하나 이상의 이격부를 설치하여 서셉터지지부가 서셉터의 저면과 간격을 두고 서셉터를 지지함으로써 서셉터로부터 서셉터지지부로의 열전달을 최소화하여 열방출을 최소화함으로써 균일한 기판처리환경을 유지할 수 있는 이점이 있다.In the substrate processing apparatus according to the present invention, at least one spacing portion is provided between the bottom surface of the susceptor and the susceptor supporting portion for supporting the susceptor so that the susceptor supporting portion supports the susceptor at a distance from the bottom surface of the susceptor, The heat transfer to the susceptor support is minimized, minimizing the heat dissipation and advantageously maintaining a uniform substrate processing environment.

다시 말하면 종래의 기판처리장치는 서셉터를 지지하는 서셉터지지부를 통하여 열이 전달되는 경우 서셉터지지부로의 열전달에 의하여 열이 외부로 방출됨에 따라서 서셉터의 온도가 불균일하게 되고 서셉터의 온도가 불균일해지게 되면 서셉터에 지지되는 기판의 온도 또한 불균일해져 균일한 기판처리가 불가능하나, 본 발명에 따른 기판처리장치는 서셉터지지부로의 열전달을 최소화하여 균일한 기판처리환경을 유지할 수 있는 것이다.In other words, in the conventional substrate processing apparatus, when heat is transferred through the susceptor support portion supporting the susceptor, heat is released to the outside due to heat transfer to the susceptor support portion, the temperature of the susceptor becomes uneven, The temperature of the substrate supported by the susceptor becomes uneven and the uniform substrate processing can not be performed. However, the substrate processing apparatus according to the present invention can minimize the heat transfer to the susceptor support portion and maintain a uniform substrate processing environment will be.

또한 본 발명에 따른 기판처리장치는 서셉터가 서셉터지지부에 대하여 수평방향으로 이동 가능하도록 서셉터지지부가 서셉터를 지지하도록 구성함으로써 서셉터의 열변형을 흡수할 수 있는 이점이 있다.Further, the substrate processing apparatus according to the present invention has an advantage that the susceptor can absorb the thermal deformation of the susceptor by configuring the susceptor supporting portion to support the susceptor so that the susceptor can move in the horizontal direction with respect to the susceptor supporting portion.

도 1은 본 발명에 따른 기판처리장치의 단면도로서, 도 2에서 I-I방향의 단면도이다.
도 2는 도 1의 기판처리장치의 서셉터를 보여주는 일부 평면도이다.
도 3은 도 2에서 서셉터의 대각선 방향의 기판처리장치의 Ⅲ-Ⅲ 방향 단면을 보여주는 일부 단면도이다.
도 4a 및 도 4b는 도 1의 기판처리장치의 서셉터에 설치된 이격부의 예들을 보여주는 단면도들이다.
도 5는 도 1의 기판처리장치의 서셉터지지부를 보여주는 일부 평면도이다.FIG. 1 is a cross-sectional view of the substrate processing apparatus according to the present invention, taken along line II in FIG. 2. FIG.
2 is a partial plan view showing a susceptor of the substrate processing apparatus of FIG.
Fig. 3 is a partial cross-sectional view showing a sectional view in the III-III direction of the substrate processing apparatus in the diagonal direction of the susceptor in Fig. 2;
FIGS. 4A and 4B are cross-sectional views showing examples of spacers provided on a susceptor of the substrate processing apparatus of FIG.
5 is a partial plan view showing a susceptor support of the substrate processing apparatus of FIG.

이하 본 발명에 따른 기판처리장치에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a substrate processing apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명에 따른 기판처리장치의 단면도로서, 도 2에서 I-I방향의 단면도이고, 도 2는 도 1의 기판처리장치의 서셉터를 보여주는 일부 평면도이고, 도 3은 도 2에서 서셉터의 대각선 방향의 기판처리장치의 Ⅲ-Ⅲ 방향 단면을 보여주는 일부 단면도이고, 도 4a 및 도 4b는 도 1의 기판처리장치의 서셉터에 설치된 이격부의 예들을 보여주는 단면도들이고, 도 5는 도 1의 기판처리장치의 서셉터지지부를 보여주는 일부 평면도이다.2 is a partial plan view showing a susceptor of the substrate processing apparatus of FIG. 1, and FIG. 3 is a cross-sectional view of the susceptor of FIG. 4A and 4B are cross-sectional views showing examples of spacers provided on a susceptor of the substrate processing apparatus of FIG. 1, and FIG. 5 is a cross-sectional view of the substrate processing apparatus of FIG. Figure 2 is a partial plan view showing the susceptor support of the processing apparatus.

본 발명에 따른 기판처리장치는 도 1에 도시된 바와 같이, 기판처리를 위한 처리공간(S)을 형성하는 공정챔버(100)와; 공정챔버(100)에 설치되어 기판(10)이 직접 또는 트레이를 통하여 안착되는 서셉터(130)와; 서셉터(130)의 중심으로부터 수평방향으로 이격된 복수의 각 지점에서 서셉터(130)의 저면을 지지하도록 설치되어 상하이동에 의하여 서셉터(130)를 상하로 이동시키는 복수의 서셉터지지부(200)들을 포함한다.As shown in FIG. 1, a substrate processing apparatus according to the present invention includes a process chamber 100 forming a process space S for substrate processing; A susceptor (130) installed in the process chamber (100) to mount the substrate (10) directly or through a tray; A plurality of susceptor supports (not shown) installed to support the bottom surface of the susceptor 130 at a plurality of points spaced horizontally from the center of the susceptor 130 to move the susceptor 130 up and down by vertical movement 200).

여기서 상기 기판처리장치의 기판처리대상은 증착, 식각 등 기판처리의 대상이면 어떠한 대상도 가능하며, 태양전지용 기판 등이 그 대상이 될 수 있다.The substrate processing apparatus of the substrate processing apparatus may be any substrate as long as it is subject to substrate processing such as deposition, etching, etc., and may be a substrate for a solar cell or the like.

한편 상기 기판처리장치는 기판(10)이 이송로봇 등에 의하여 직접 이송되거나, 복수의 기판(10)들이 적재된 트레이(미도시)에 의하여 이송될 수 있다. On the other hand, in the substrate processing apparatus, the substrate 10 may be directly transferred by a transfer robot or the like, or may be transferred by a tray (not shown) on which a plurality of substrates 10 are loaded.

여기서 상기 트레이는 하나 이상, 바람직하게는 복수개의 기판(10)들을 적재하여 한꺼번에 이송하기 위한 구성으로 설계 및 디자인에 따라서 다양한 구성이 가능하다.Here, the tray is configured to transport at least one, preferably a plurality of substrates 10, at one time, and various configurations are possible according to design and design.

그리고 상기 트레이는 기판(10)의 증착공정 등 기판처리에 영향을 주지 않는 재질이면 그레파이트(graphite), 석영 등의 비금속, 알루미늄, 알루미늄 합금 등 어떠한 재질 및 구조도 가능하다.The tray may be made of any material and structure such as graphite, non-metal such as quartz, aluminum, aluminum alloy, or the like, provided that the material does not affect the substrate processing such as the deposition process of the substrate 10.

상기 공정챔버(100)는 증착공정 등과 같은 기판처리를 수행하는 장치로서 기판처리에 따라서 다양한 구성이 가능하며, 도 1에 도시된 바와 같이, 상측이 개방된 챔버본체(110)와 챔버본체(110)와 탈착 가능하게 결합되는 상부리드(120)를 포함하여 구성될 수 있다.As shown in FIG. 1, the process chamber 100 includes a chamber body 110 and a chamber body 110. The chamber body 110 includes an upper chamber 110 and a lower chamber 110, And an upper lead 120 detachably coupled to the upper lead 120.

상기 챔버본체(110)는 상측이 개방된 그릇 형태를 가지며, 기판(10)이 입출될 수 있는 게이트(111, 112)가 하나 이상 형성된다. 본 실시예에서는 장방형의 챔버본체(110)에서 한 쌍의 게이트(111, 112)들이 서로 대향되도록 형성된다.One or more gates 111 and 112 are formed in the chamber main body 110 to allow the substrate 10 to enter and exit. In this embodiment, a pair of gates 111 and 112 are formed to face each other in the rectangular chamber body 110.

상기 상부리드(120)는 챔버본체(110)의 상측에 실링부재(미도시)가 개재되어 결합되어 밀폐된 처리공간(S)을 형성하기 위한 구성으로서, 플레이트 또는 하측이 개방된 그릇 형태를 가질 수 있다.The upper lead 120 has a plate shape or a shape of a lower vessel that is open at the lower side, and a sealing member (not shown) is coupled to the upper side of the chamber body 110 to form a closed processing space S. .

상기 가스공급부(140)는 기판처리를 수행할 수 있도록 처리공간(S)의 상측에 설치되어 가스공급장치(미도시)로부터 가스를 공급받아 처리공간(S)으로 공급하기 위한 구성으로서, 공정 및 가스공급방식에 따라서 다양한 구성이 가능하다.The gas supply unit 140 is provided on the upper side of the processing space S so as to perform the substrate processing and supplies the gas to the processing space S from the gas supply unit Various configurations are possible depending on the gas supply system.

상기 서셉터(130)는 공정이 원활하게 수행될 수 있도록 기판(10)을 지지하기 위한 구성으로서, 설계조건 및 공정조건에 따라서 다양한 구성이 가능하다.The susceptor 130 has a structure for supporting the substrate 10 so that the process can be smoothly performed. The susceptor 130 can have various configurations according to design conditions and process conditions.

또한 상기 서셉터(130)는 공정이 원활하게 수행될 수 있도록 소정의 온도를 유지하기 위한 히터(미도시)가 설치될 수 있으며, 더 나아가 서셉터(130)는 히터로만 구성될 수 있다.Further, the susceptor 130 may be provided with a heater (not shown) for maintaining a predetermined temperature so that the process can be performed smoothly. Further, the susceptor 130 may be constituted only by a heater.

한편 기판처리를 수행하기 위해서는 공정챔버(100)에 전원이 인가되도록 구성될 수 있는데 이 경우 그 전원인가방식에 따라서 다양한 구성이 가능하며, 일예로서, 가스공급부(140)에 하나 이상의 RF전원, 하나 이상의 LF전원 등을 인가하여 상부전원을 구성하고, 서셉터(130)를 접지시킴으로써 하부전원을 구성할 수 있다.Meanwhile, in order to perform the substrate processing, power may be applied to the process chamber 100. In this case, various configurations are possible according to the power application method. For example, one or more RF power sources, one The above-described LF power source or the like may be applied to constitute the upper power source, and the susceptor 130 may be grounded to constitute the lower power source.

상기 서셉터지지부(200)는 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 서셉터(130)의 중심으로부터 이격된 복수의 각 지점에서 서셉터(130)의 저면을 지지하도록 설치되어 상하이동에 의하여 서셉터(130)를 상하로 이동시키는 구성으로서 다양한 구성이 가능하다.1 to 3, the susceptor supporter 200 is installed to support the bottom surface of the susceptor 130 at a plurality of points spaced apart from the center of the susceptor 130, Various configurations are possible as the configuration for moving the susceptor 130 up and down.

특히 상기 서셉터지지부(200)는 서셉터(130)의 중심으로부터 이격된 복수의 각 지점에서 설치될 수 있도록 복수개로 구성됨이 바람직하다. In particular, it is preferable that the susceptor supporter 200 is configured to be installed at a plurality of points spaced from the center of the susceptor 130.

예를 들면, 상기 서셉터지지부(200)는 평면형상이 실질적으로 직사각형 형상을 가지는 서셉터(130)를 평면방향에서 4등분 하였을 때, 4등분으로 분할된 각 영역 내에서 4개로 설치될 수 있다.For example, when the susceptor 130 having a substantially rectangular planar shape is divided into four regions in the planar direction, the susceptor support portion 200 may be provided in four regions in each of four regions. .

그리고 상기 서셉터지지부(200)가 서셉터(130)를 지지하는 중심위치는 서셉터(130)의 전체 하중, 중앙부 및 끝단 부분에서의 처짐 등을 종합적으로 고려하여 위치될 수 있다.The center position at which the susceptor support 200 supports the susceptor 130 can be positioned in consideration of the total load of the susceptor 130, deflection at the center and end portions, and the like.

한편 상기 서셉터지지부(200)는 공정챔버(100)를 관통하도록 설치되며 승강구동장치(미도시)에 의하여 상하로 구동되는 지지로드(250)와, 지지로드(250)의 상단에 설치되어 서셉터(130)의 저면을 지지하는 지지플레이트(210)를 포함할 수 있다.The susceptor support unit 200 includes a support rod 250 installed to pass through the process chamber 100 and driven up and down by an elevation driving device, And a support plate 210 for supporting the bottom surface of the susceptor 130.

상기 지지로드(250)는 공정챔버(100)를 관통하도록 설치되며 공정챔버(100)의 외부에 설치된 구동장치에 의하여 상하로 구동되는 구성으로서 다양한 구성이 가능하다.The support rod 250 may be configured to pass through the process chamber 100 and may be vertically driven by a drive unit installed outside the process chamber 100, and may have various configurations.

여기서 상기 공정챔버(100)에는 지지로드(250)의 설치에 따른 밀폐를 위하여 상하로 신축이 가능한 벨로우즈(미도시)와 같은 부재가 설치된다.Here, the process chamber 100 is provided with a member such as a bellows (not shown) capable of expanding and contracting up and down for sealing according to the installation of the support rod 250.

그리고 상기 공정챔버(100)는 복수개의 서셉터지지부(200)의 지지로드(250)들의 상하구동을 위하여, 지지로드(250)들의 하단과 연결되는 구동플레이트(미도시)와, 구동플레이트를 상하로 이동시켜 서셉터지지부(200)에 지지되는 서셉터(130)를 상하로 이동시키는 승강구동장치가 더 설치될 수 있다.The process chamber 100 includes a drive plate (not shown) connected to the lower ends of the support rods 250 for vertically driving the support rods 250 of the plurality of susceptor supports 200, To move the susceptor 130 supported by the susceptor supporting unit 200 up and down.

상기 구동플레이트는 일예로서, 복수의 지지로드(250)들을 모두 지지하도록 복수의 지지로드(250)들과 모두 결합되어 상하이동에 의하여 지지로드(250)를 상하로 구동할 수 있는 구성이면 어떠한 구성도 가능하다.The driving plate may be configured to be capable of driving the support rod 250 up and down by being coupled with the plurality of support rods 250 so as to support all of the plurality of support rods 250, It is also possible.

상기 승강구동장치는 구동플레이트를 상하로 구동할 수 있는 구성이면 어떠한 구성도 가능하며, 하나 또는 복수의 구동원을 포함하며 구동원으로부터 동력전달은 벨트 및 풀리의 조합, 스크류구조 등 다양한 구성이 가능하다.The lifting / driving apparatus can have any structure as long as it can drive the driving plate up and down. The lifting / driving apparatus includes one or a plurality of driving sources. Power transmission from the driving source can be variously configured such as a combination of a belt and a pulley, and a screw structure.

한편 상기 지지로드(250)의 상하구동은 본 실시예에서의 예시한 예 이외에 다양한 구동이 가능함을 물론이다.Needless to say, the support rod 250 can be driven in various manners other than the example of the present embodiment.

상기 지지플레이트(210)는 지지로드(250)와 결합되어 서셉터(130)를 지지하기 위한 구성으로서 지지플레이트(210)와 일체로 형성되거나 별도의 부재로서 구성되는 등 다양한 구성이 가능하다.The support plate 210 may be formed integrally with the support plate 210 to support the susceptor 130 in combination with the support rod 250 or may be formed as a separate member.

상기 지지플레이트(210)는 도 1 및 도 3에 도시된 바와 같이 그 두께가 적어도 일부분에서 지지로드(210)로부터 끝단으로 가면서 감소하도록 형성될 수 있다.The support plate 210 may be formed so that its thickness decreases at least in part from the support rod 210 to the end as shown in FIGS.

그리고 상기 지지플레이트(210)는 서셉터(130)를 향하는 상면은 상측에서 보았을 때 다각형, 원형 등 다양한 형상을 가질 수 있다.The upper surface of the support plate 210 facing the susceptor 130 may have various shapes such as a polygonal shape and a circular shape when viewed from above.

특히 상기 지지플레이트(210)는 서셉터(130)를 향하는 상면의 형상은 서셉터(130)의 저면형상과 유사한 형상을 이룸이 바람직한바, 도 3에 도시된 바와 같이, 서셉터(130)의 저면형상과 실질적으로 동일한 형상을 이루는 것이 바람직하다.The upper surface of the support plate 210 facing the susceptor 130 preferably has a shape similar to that of the susceptor 130. As shown in Figure 3, It is preferable to form substantially the same shape as the bottom shape.

그리고 상기 지지프레이트(210)는 상면에서 지지로드(210)로 결합되는 부분으로 가면서 적어도 일부가 원뿔대 또는 각뿔대 등의 형상을 이룰 수 있다.The support plate 210 may have a shape such as a truncated cone or a truncated pyramid, at least a part of which is connected to the support rod 210 at the upper surface thereof.

또한 상기 지지플레이트(210)는 서셉터(130)를 향하는 상면과 반대쪽 면인 저면 쪽에는 구조보강을 위하여 지지로드(210)를 중심으로 방사상으로 형성된 복수의 리브(미도시)가 형성될 수 있다.A plurality of ribs (not shown) formed radially around the support rod 210 may be formed on the bottom surface of the support plate 210 opposite to the top surface thereof facing the susceptor 130 for structural reinforcement.

한편 상기 서셉터(130)는 앞서 설명한 바와 같이, 히터가 설치되는 경우 히터의 열이 서셉터지지부(200)에 전달되어 외부로 방출될 수 있는바 이를 방지할 필요가 있다.Meanwhile, as described above, when the heater is installed, the susceptor 130 needs to prevent the heat of the heater from being transmitted to the susceptor support 200 and released to the outside.

따라서 상기 서셉터(130)의 저면과 서셉터지지부(200)의 상면이 서로 이격되도록 하나 이상의 이격부(300)가 서셉터(130)의 저면과 서셉터지지부(200) 사이에 설치되는 것이 바람직하다.It is preferable that at least one spacing part 300 is provided between the bottom surface of the susceptor 130 and the susceptor supporting part 200 so that the bottom surface of the susceptor 130 and the top surface of the susceptor supporting part 200 are spaced from each other Do.

상기 이격부(300)는 서셉터(130)의 저면과 서셉터지지부(200)의 상면을 서로 이격시킬 수 있는 구성이면 어떠한 구성도 가능하며, 서셉터(130) 또는 서셉터지지부(200)에 결합되는 하나 이상의 이격부재(310, 320)를 포함할 수 있다.The spacers 300 may have any structure as long as the spacers 300 can separate the bottom surface of the susceptor 130 from the top surface of the susceptor support 200. The spacers 300 may be formed on the susceptor 130 or the susceptor support 200 And may include one or more spacing members 310, 320 coupled thereto.

예를 들면, 상기 이격부(300)는 도 4a 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 서셉터(130)의 저면에 설치되는 이격부재(310)와, 이격부재(310)에 대응되는 위치에 서셉터지지부(200)의 지지플레이트(210)에 결합되어 서셉터(130)의 열팽창 시 서셉터지지부(200)에 대하여 슬라이딩 가능하게 이격부재(310)를 지지하는 슬라이딩플레이트(320)를 포함할 수 있다.For example, as shown in FIGS. 4A and 5, the spacers 300 may include a spacing member 310 disposed on the bottom surface of the susceptor 130, And may include a sliding plate 320 coupled to the support plate 210 of the susceptor support 200 to support the spacer member 310 in a slidable manner with respect to the susceptor support 200 during thermal expansion of the susceptor 130 have.

상기 이격부재(310)는 도 4a 및 도 4b에 도시된 바와 같이, 서셉터(130)의 저면에 끼움 결합되거나 체결부재(313)에 의하여 고정 결합되는 등 다양한 방식에 의하여 서셉터(130)의 저면에 설치될 수 있다. 4A and 4B, the spacers 310 may be fixed to the bottom surface of the susceptor 130 or may be fixedly coupled to the susceptor 130 by various means such as a fastening member 313, It can be installed on the bottom.

여기서 상기 이격부재(310)는 서셉터(130)의 저면으로부터 적어도 일부가 돌출되도록 설치되며, 열전달을 최소화할 수 있도록 세라믹재질과 같이 열전도성이 낮은 재질을 가지는 것이 바람직하다.Here, the spacing member 310 may be at least partially protruded from the bottom surface of the susceptor 130, and may have a low thermal conductivity material such as a ceramic material to minimize heat transfer.

예로서 상기 이격부재(310)는 도 4a에 도시된 바와 같이, 서셉터(130)의 저면에 끼움 결합되거나 체결부재(313)에 의하여 고정 결합되는 제1이격부재(311)와, 제1이격부재(311) 및 슬라이딩플레이트(320)에 대하여 슬라이딩이 가능하게 제1이격부재(311) 및 슬라이딩플레이트(320) 사이에 개재되는 제2이격부재(312)를 포함할 수 있다.4A, the spacing member 310 may include a first spacing member 311 fitted to the bottom surface of the susceptor 130 or fixedly coupled by the fastening member 313, And a second spacing member 312 interposed between the first spacing member 311 and the sliding plate 320 so as to be slidable with respect to the member 311 and the sliding plate 320.

여기서 상기 제1이격부재(311) 및 슬라이딩플레이트(320)는 알루미늄 또는 알루미늄합금재질을 가지며, 제2이격부재(312)는 세라믹재질을 가지는 것이 바람직하다. 특히 상기 슬라이딩플레이트(320)는 아노다이징 처리가 되는 것이 더욱 바람직하다.Here, the first spacing member 311 and the sliding plate 320 are made of aluminum or an aluminum alloy, and the second spacing member 312 is made of a ceramic material. More preferably, the sliding plate 320 is subjected to an anodizing treatment.

상기와 같은 구성에 의하여 서셉터(130)를 견고하게 지지하면서 이격부(300)를 통한 서셉터지지부(200)로의 열전달을 최소화할 수 있다.The heat transfer to the suscepter supporting portion 200 through the spacing portion 300 can be minimized while the susceptor 130 is firmly supported.

상기 이격부재(310)의 다른 예로서, 도 4b에 도시된 바와 같이, 서셉터(130)의 저면에 끼움 결합되거나 체결부재(미도시)에 의하여 고정 결합될 수 있다.As another example of the spacing member 310, as shown in FIG. 4B, the bottom surface of the susceptor 130 may be fitted or fixed by a fastening member (not shown).

이때 상기 이격부재(310)는 단일 재질의 부재로 구성되거나, 도 4a의 구성에서 제1이격부재(311) 및 제2이격부재(312)가 서로 고정 결합되어 구성될 수 있다.In this case, the spacing member 310 may be formed of a single material member, or the first spacing member 311 and the second spacing member 312 may be fixedly coupled to each other in the configuration of FIG. 4A.

한편 상기 슬라이딩플레이트(320)는 이격부재(310)에 대응되는 위치에 서셉터지지부(200)에 결합되어 이격부재(310)와 슬라이딩가능하게 이격부재(310)를 지지하는 구성이면 어떠한 구성도 가능하다.The sliding plate 320 may be any structure as long as it is coupled to the susceptor support 200 at a position corresponding to the spacing member 310 and supports the spacing member 310 so as to be slidable with the spacing member 310 Do.

그리고 상기 슬라이딩플레이트(320)는 알루미늄 또는 알루미늄합금재질을 가질 수 있으며, 이때 서셉터지지부(200)와 접촉되는 면에 열전달을 최소화하기 위하여 아노다이징 처리되는 것이 바람직하다.The sliding plate 320 may have an aluminum or aluminum alloy material, and the sliding plate 320 may be anodized to minimize heat transfer to the surface contacting the susceptor support 200.

한편 상기 서셉터(130)는 히터에 의하여 가열되는 경우 열변형이 발생되는 데 열변형 상태에 따라서 서셉터(130)의 중심을 기준으로 비틀어지는 비틀림이 발생될 수 있다. 이에 상기 서셉터(130)의 열변형에 따른 비틀림을 방지할 필요가 있다.On the other hand, when the susceptor 130 is heated by a heater, thermal deformation occurs, and twisting due to the center of the susceptor 130 may be generated depending on the thermal deformation state. It is necessary to prevent the susceptor 130 from being twisted due to thermal deformation.

따라서 상기 서셉터(130)가 평면형상이 실질적으로 직사각형 형상을 가질 때, 도 3 및 도 4b에 도시된 바와 같이, 상기 이격부(300)들 중 일부는 이격부재(310)가 서셉터지지부(200)에 대하여 서셉터(130)의 중심을 기준으로 반경 방향으로만 슬라이딩 가능하게 설치됨이 바람직하다.3 and 4B, when the susceptor 130 has a substantially rectangular shape in plan view, some of the spacers 300 may be spaced apart from the susceptor support 310 200 to be slidable only in the radial direction with respect to the center of the susceptor 130.

특히 직사각형의 서셉터(130)의 열변형이 대각선을 기준으로 대칭이 됨을 고려하여 직사각형의 대각선에 대응되는 위치에 설치된 이격부(300)들의 적어도 일부의 이격부재(310)가 서셉터(130)의 중심을 기준으로 반경 방향으로만 슬라이딩 가능하게 설치됨이 더욱 바람직하다.Particularly, in consideration of the fact that the thermal deformation of the rectangular susceptor 130 is symmetrical with respect to the diagonal line, at least a part of the spacing members 310 of the spacing portions 300 provided at positions corresponding to the diagonal line of the rectangle, It is more preferable to be provided so as to be slidable only in the radial direction with respect to the center of the shaft.

이때 상기 이격부(300)들 중 직사각형의 대각선에 대응되는 위치에 설치된 이격부(300) 또한 복수 개로 설치될 수 있는바 대각선에 위치된 이격부(300)들 모두 또는 서로 대칭된 위치에 있는 일부의 이격부(300)들만 이격부재(310)가 서셉터(130)의 중심을 기준으로 반경 방향으로만 슬라이딩 가능하게 설치될 수 있다.At this time, the spacing part 300 provided at the position corresponding to the diagonal line of the rectangle of the spacing parts 300 may be provided in plural, or all of the diagonal spacing parts 300, Only the spacing portions 300 of the susceptor 130 can be slidably installed only in the radial direction with respect to the center of the susceptor 130.

상기 이격부재(310)가 서셉터(130)의 중심을 기준으로 반경 방향으로만 슬라이딩 가능하게 하는 설치되는 구성으로서, 상기 이격부(300)의 슬라이딩플레이트(320) 또는 그 주변에는 이격부재(310)가 슬라이딩플레이트(320)에 대하여 서셉터(130)의 중심으로부터 반경방향으로의 슬라이딩을 가이드하는 하나 이상의 가이드부재(330)가 설치될 수 있다.The spacing member 310 is installed to be slidable only in the radial direction with respect to the center of the susceptor 130. The spacing member 310 is provided at or near the sliding plate 320 of the spacing portion 300, May be provided with one or more guide members 330 for guiding the sliding in the radial direction from the center of the susceptor 130 with respect to the sliding plate 320.

상기 가이드부재(330)는 서셉터(130)의 열변형이 있는 경우 서셉터(130)를 지지하는 이격부재(310)가 슬라이딩될 때 그 슬라이딩을 가이드하기 위한 구성으로서 어떠한 구성도 가능하며, 슬라이딩플레이트(320)와 함께 서셉터지지부(200)에 고정 결합될 수 있다.The guide member 330 may be configured to guide the sliding of the spacer 310 supporting the susceptor 130 when the susceptor 130 is thermally deformed, And may be fixedly coupled to the susceptor support 200 together with the plate 320.

상기 가이드부재(330)는 이격부재(310)가 서셉터(130)의 중심을 기준으로 반경 방향으로만 슬라이딩 가능하게 하는 목적으로 설치되는 것 이외에 이격부재(310)의 슬라이딩을 가이드하기 위한 구성으로도 사용될 수 있음은 물론이다.The guide member 330 is provided for the purpose of allowing the spacer 310 to slide only in the radial direction with respect to the center of the susceptor 130 and also for guiding the sliding of the spacer 310 May also be used.

한편 상기 이격부(300)는 서셉터(130)의 저면에 설치되는 이격부재(310)와, 서셉터지지부(200)에 결합되는 이격부재(310)를 실시예로서 설명되었으나, 다양한 실시예가 가능하다.The spacers 300 are spaced apart from each other by a spacing member 310 disposed on a bottom surface of the susceptor 130 and a spacing member 310 coupled to the susceptor support 200. However, Do.

예를 들면, 상기 이격부는 세라믹재질의 이격부재와, 이격부재와 고정 결합되는 금속재질의 슬라이딩플레이트를 포함하며, 이격부재 및 슬라이딩플레이트로 구성되는 이격부는 서셉터(130)의 저면에 고정 결합되고 서셉터지지부(300)의 상면에 슬라이딩가능하게 설치될 수 있다.For example, the spacing portion includes a spacing member made of a ceramic material and a sliding plate made of a metal fixedly coupled to the spacing member. The spacing portion formed of the spacing member and the sliding plate is fixedly coupled to the bottom surface of the susceptor 130 And may be slidably mounted on the upper surface of the suscepter supporting portion 300.

한편 앞서 설명한 실시예에서는 이격부재(310)가 서셉터(130)의 저면에 설치되고 서셉터지지부(200)에 대하여 슬라이딩 가능하게 이동하는 구성을 가지는 것으로 설명하였으나, 그 반대로서 이격부재(310)가 서셉터지지부(200)에 설치되고 서셉터(130)가 이격부재(310)에 대하여 슬라이딩 가능하도록 구성될 수 있다.The spacer 310 is provided on the bottom surface of the susceptor 130 and slidably moves with respect to the susceptor support 200. In the opposite embodiment, The susceptor 130 can be configured to be slidable with respect to the spacing member 310. The susceptor 130,

예를 들면, 상기 이격부는 서셉터지지부(200)에 고정 결합되며 서셉터(130)의 저면을 슬라이딩 가능하게 지지하는 하나 이상의 이격부재를 포함할 수 있다.For example, the spacers may include one or more spacing members fixedly coupled to the susceptor support 200 and slidably supporting the bottom surface of the susceptor 130.

이때 상기 서셉터(130)는 이격부재에 의하여 지지되는 부분에서 그 저면을 보호하고 슬라이딩이 원활하도록 슬라이딩플레이트가 고정결합될 수 있다.At this time, the susceptor 130 protects the bottom surface of the susceptor 130 at a portion supported by the spacing member, and the sliding plate may be fixedly coupled to facilitate the sliding.

또한 상기 서셉터(130)는 이격부재의 일부가 삽입되도록 이격부재에 의하여 지지되는 부분이 요홈부로서 형성될 수 있다. 여기서 상기 요홈부는 서셉터(130)의 슬라이딩이 가능하도록 이격부재의 크기보다 크게 형성된다.Also, the susceptor 130 may be formed as a recessed portion that is supported by the spacing member so that a part of the spacing member is inserted. Here, the recess is formed to be larger than the spacing member so that the susceptor 130 can be slid.

상기 이격부재는 서셉터(130)를 지지하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하며 도 4a에 도시된 구성과 유사하게 서셉터(130)의 저면을 지지하는 제1이격부재 및 제1이격부재와 고정 결합되는 제2이격부재를 포함할 수 있다.The spacing member supports the susceptor 130 and may have a variety of configurations. Similar to the configuration shown in FIG. 4A, the spacing member may include a first spacing member and a first spacing member for supporting the bottom surface of the susceptor 130 And a second spacing member coupled thereto.

여기서 상기 제1이격부재는 알루미늄 또는 알루미늄합금재질을 가지며, 제2이격부재는 세라믹재질을 가지는 것이 바람직하다.
Here, the first spacing member may be made of aluminum or an aluminum alloy, and the second spacing member may be made of a ceramic material.

이상은 본 발명에 의해 구현될 수 있는 바람직한 실시예의 일부에 관하여 설명한 것에 불과하므로, 주지된 바와 같이 본 발명의 범위는 위의 실시예에 한정되어 해석되어서는 안 될 것이며, 위에서 설명된 본 발명의 기술적 사상과 그 근본을 함께하는 기술적 사상은 모두 본 발명의 범위에 포함된다고 할 것이다. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention as defined in the appended claims. It is to be understood that both the technical idea and the technical spirit of the invention are included in the scope of the present invention.

100 : 공정챔버 130 : 서셉터
200 : 서셉터지지부 300 : 이격부100: process chamber 130: susceptor
200: susceptor support part 300:

Claims (14)

기판처리를 위한 처리공간을 형성하는 공정챔버와;
상기 공정챔버에 설치되어 기판이 직접 또는 트레이를 통하여 안착되는 서셉터와;
상기 서셉터의 중심으로부터 이격된 복수의 각 지점에서 상기 서셉터의 저면을 지지하도록 설치되어 상하이동에 의하여 상기 서셉터를 상하로 이동시키는 복수의 서셉터지지부들을 포함하며,
상기 서셉터의 저면과 상기 서셉터지지부의 상면이 서로 이격되도록 하나 이상의 이격부가 상기 서셉터의 저면과 상기 서셉터지지부 사이에 설치되며,
상기 이격부는,
상기 서셉터의 저면에 설치되는 이격부재와,
상기 이격부재에 대응되는 위치에 상기 서셉터지지부에 결합되어 상기 이격부재와 슬라이딩가능하게 상기 이격부재를 지지하는 슬라이딩플레이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.A process chamber for forming a processing space for substrate processing;
A susceptor installed in the process chamber and mounted directly or through a tray;
And a plurality of susceptor supports installed to support the bottom surface of the susceptor at a plurality of points spaced apart from the center of the susceptor and moving the susceptor up and down by upward and downward movement,
One or more spaced apart portions are provided between the bottom surface of the susceptor and the susceptor support so that the bottom surface of the susceptor and the top surface of the susceptor support are spaced apart,
The spacing portion
A spacing member provided on a bottom surface of the susceptor,
And a sliding plate coupled to the susceptor supporting portion at a position corresponding to the spacing member and supporting the spacing member so as to be slidable with the spacing member. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 청구항 1에 있어서,
상기 이격부재는 상기 서셉터의 저면에 끼움 결합되거나 체결부재에 의하여 고정 결합되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to claim 1,
Wherein the spacing member is fitted to the bottom surface of the susceptor or is fixedly coupled by a fastening member. 청구항 1에 있어서,
상기 이격부들 중 일부의 이격부재는 상기 서셉터지지부에 대하여 상기 서셉터의 중심을 기준으로 반경 방향으로만 슬라이딩 가능하게 설치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to claim 1,
Wherein a part of the spacers is slidable only in the radial direction with respect to the center of the susceptor with respect to the susceptor support portion. 청구항 1에 있어서,
상기 슬라이딩플레이트에 대하여 상기 서셉터의 중심으로부터 반경방향으로의 상기 이격부재의 슬라이딩을 가이드하는 하나 이상의 가이드부재가 상기 슬라이딩플레이트에 또는 상기 슬라이딩플레이트 부근에 설치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to claim 1,
Wherein at least one guide member for guiding the sliding of the spacing member in the radial direction from the center of the susceptor with respect to the sliding plate is provided on the sliding plate or in the vicinity of the sliding plate. 청구항 1에 있어서,
상기 이격부재는
상기 서셉터의 저면에 끼움 결합되거나 체결부재에 의하여 고정 결합되는 제1이격부재와, 상기 제1이격부재 및 상기 슬라이딩플레이트에 대하여 슬라이딩이 가능하게 상기 제1이격부재 및 상기 슬라이딩플레이트 사이에 개재되는 제2이격부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to claim 1,
The spacing member
A first spacing member which is fitted or fixed to the bottom surface of the susceptor by a fastening member and a second spacer which is interposed between the first spacing member and the sliding plate so as to be slidable with respect to the first spacing member and the sliding plate And a second spacing member. 청구항 8에 있어서,
상기 제1이격부재 및 상기 슬라이딩플레이트는 알루미늄 또는 알루미늄합금재질을 가지며, 상기 제2이격부재는 세라믹재질을 가지는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 8,
Wherein the first spacing member and the sliding plate have aluminum or aluminum alloy material, and the second spacing member has a ceramic material. 청구항 9에 있어서,
상기 슬라이딩플레이트는 아노다이징 처리된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 9,
Wherein the sliding plate is anodized. 청구항 1 및 청구항 5 내지 청구항 10 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 서셉터지지부는
상기 공정챔버를 관통하도록 설치되며 승강구동장치에 의하여 상하로 구동되는 지지로드와, 상기 지지로드의 상단에 설치되어 상기 서셉터의 저면을 지지하는 지지플레이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to any one of claims 1 and 5 to 10,
The susceptor support
A support rod installed to pass through the process chamber and driven up and down by an elevation driving device; and a support plate installed at an upper end of the support rod to support a bottom surface of the susceptor. 청구항 11에 있어서,
상기 지지플레이트는 상기 서셉터를 향하는 상면과 반대쪽 면인 저면 쪽에는 구조보강을 위하여 상기 지지로드를 중심으로 방사상으로 형성된 복수의 리브가 형성된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 11,
Wherein the support plate has a plurality of ribs formed radially around the support rod for structural reinforcement on the bottom surface opposite to the upper surface facing the susceptor. 청구항 11에 있어서,
상기 지지플레이트의 두께는 적어도 일부분에서 상기 지지로드로부터 끝단으로 가면서 감소하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 11,
Wherein the thickness of the support plate decreases at least in part from the support rod to the end. 청구항 11에 있어서,
상기 공정챔버는 복수개의 상기 서셉터지지부들의 지지로드의 하단과 연결되는 구동플레이트가 추가로 설치되며,
상기 승강구동장치는 상기 구동플레이트를 상하로 이동시켜 상기 서셉터지지부에 지지되는 상기 서셉터를 상하로 이동시키는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 11,
The process chamber may further include a drive plate connected to a lower end of a plurality of support rods of the susceptor supports,
Wherein the elevation driving apparatus moves the driving plate up and down to move the susceptor supported by the susceptor supporting portion up and down.
KR1020110124161A 2011-11-25 2011-11-25 Substrate Processing Apparatus KR101739014B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110124161A KR101739014B1 (en) 2011-11-25 2011-11-25 Substrate Processing Apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110124161A KR101739014B1 (en) 2011-11-25 2011-11-25 Substrate Processing Apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130058249A KR20130058249A (en) 2013-06-04
KR101739014B1 true KR101739014B1 (en) 2017-05-24

Family

ID=48857558

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110124161A KR101739014B1 (en) 2011-11-25 2011-11-25 Substrate Processing Apparatus

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101739014B1 (en)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100792397B1 (en) * 2005-08-29 2008-01-08 주식회사 유진테크 Susceptor for lcd manufacturing equipment having reinforcement structure

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100792397B1 (en) * 2005-08-29 2008-01-08 주식회사 유진테크 Susceptor for lcd manufacturing equipment having reinforcement structure

Also Published As

Publication number Publication date
KR20130058249A (en) 2013-06-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102021163B1 (en) Radiation shielding for a substrate holder
TWI624893B (en) Edge ring for a thermal processing chamber
KR100491161B1 (en) Semiconductor manufacturing system for thermal process
KR101405299B1 (en) Substrate supporting plate and apparatus for depositing thin film having the same
JP2008270721A (en) Substrate mounting base and substrate processing device
JP6600990B2 (en) Plasma processing equipment
KR101318174B1 (en) Susceptor and apparatus for CVD including the same
KR101199954B1 (en) Boat For Processing A Substrate
KR101739014B1 (en) Substrate Processing Apparatus
KR100921026B1 (en) Vacuum processing apparatus and vacuum processing method
KR101411385B1 (en) Substrate supporting plate and apparatus for depositing thin film having the same
US9052145B2 (en) Substrate firing device
KR102342329B1 (en) substrate processing equipment
KR101862829B1 (en) Vaccum dry heating apparatus
KR101990533B1 (en) Batch type semiconductor manufacturing device
KR101167977B1 (en) Heater support
KR101447888B1 (en) Substrate treating apparatus
KR20060124815A (en) Vacuum treatment apparatus of which reinforcing member is combined at open portion of chamber
KR102170150B1 (en) Separation type heat treatment apparatus for substrate
KR101800915B1 (en) Chemical Vapor Deposition Apparatus for Flat Panel Display
KR20120057238A (en) Flexible shower head
KR20110009358A (en) Boat
KR20160127867A (en) RTP device with susceptor unit
KR200480806Y1 (en) Susceptor for chemical of vapor deposition apparatus
JPWO2020145190A1 (en) Vacuum processing equipment

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
E902 Notification of reason for refusal
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200309

Year of fee payment: 4