KR100921026B1 - Vacuum processing apparatus and vacuum processing method - Google Patents

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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

본 발명의 과제는 용기 본체와 덮개체에 의하여 이루어지는 각진 통 형상의 처리 용기를 가열함에 있어서 처리 용기의 승온시에 상기 용기 본체와 덮개체 사이에 형성되는 간극을 좁히는 것이다. 각형의 처리 용기(40)는 용기 본체(41)와, 이 용기 본체(41) 위에 착탈 가능하게 설치된 덮개체(42)에 의하여 구성된다. 상기 덮개체(42)의 천장부에는 상기 처리 용기(40)의 승온시에 있어서, 상기 덮개체(42) 및 용기 본체(41)의 접합부에 있어서의 휘어짐을 억제하기 위하여, 상기 덮개체(42)의 중앙부의 온도가, 처리 용기(40)의 측벽 모서리부의 온도보다 높거나, 또는 상기 덮개체(42)의 중앙부의 온도가 상기 측벽 모서리부의 온도보다 약간 낮아지도록 가열하는 제 1 온도 조절 수단(5A)이 설치되는 동시에, 상기 용기 본체(41)의 측벽부(41b)에는 제 2 온도 조절 수단(5B)이 설치된다. 이렇게 하여 상기 접합부에 있어서의 덮개체(42)의 휘어짐을 억제하면서 처리 용기(40)를 가열함으로써, 상기 덮개체(42)와 용기 본체(41) 사이의 간극이 좁혀진다.The subject of this invention is narrowing the clearance gap formed between the said container main body and a cover body at the time of temperature rising of a processing container in heating the angular cylindrical shape processing container which consists of a container main body and a cover body. The square processing container 40 is comprised by the container main body 41 and the cover body 42 detachably attached on this container main body 41. In the ceiling part of the said lid | cover 42, at the time of the temperature of the said process container 40, in order to suppress the curvature in the junction part of the said lid | cover body 42 and the container main body 41, the said lid | cover body 42 is carried out. First temperature regulating means 5A for heating so that the temperature at the center of the heat treatment is higher than the temperature at the side wall edge of the processing container 40 or the temperature at the center of the lid 42 is slightly lower than the temperature of the side wall edge. ) Is installed, and the second temperature control means 5B is provided on the side wall portion 41b of the container body 41. The gap between the lid 42 and the container body 41 is narrowed by heating the processing container 40 while suppressing the warpage of the lid 42 at the junction.

Description

진공 처리 장치 및 진공 처리 방법{VACUUM PROCESSING APPARATUS AND VACUUM PROCESSING METHOD}VACUUM PROCESSING APPARATUS AND VACUUM PROCESSING METHOD}

본 발명은 각진 통 형상의 처리 용기 내에 있어서, 예를 들면 FPD(Flat Panel Display; 평판 디스플레이) 기판 등의 각형(角型) 기판에 소정의 진공 처리를 행하는 진공 처리 장치 및 진공 처리 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a vacuum processing apparatus and a vacuum processing method in which a predetermined vacuum treatment is performed on a rectangular substrate such as a flat panel display (FPD) substrate in an angled cylindrical processing container. .

예를 들면 FPD 기판의 제조 공정에 있어서는, 감압 분위기 하에서 FPD 기판에 에칭 처리나, 성막 처리 등의 소정의 진공 처리를 실시하는 공정이 있고, 예를 들면, 이들 처리는 각진 통 형상의 처리 용기를 구비한 진공 처리 장치에서 행해지고 있다. 이 진공 처리 장치의 일례에 대하여, 상기 에칭 처리를 행하는 장치를 예로 들어 도 19에 의거하여 간단하게 설명하면, 도 19에서 도면부호(1)는 각형의 처리 챔버이며, 이 처리 챔버(1)는 용기 본체(11)와 이 용기 본체(11)를 개폐할 수 있는 덮개체(12)에 의하여 구성되어 있다.For example, in the manufacturing process of an FPD board | substrate, there exists a process of giving predetermined vacuum processing, such as an etching process and a film-forming process, to a FPD board | substrate in a pressure-reduced atmosphere, For example, these processes can process an angle-cylindrical process container. It is performed by the provided vacuum processing apparatus. An example of this vacuum processing apparatus will be described simply with reference to FIG. 19 by taking the apparatus for performing the etching process as an example. In FIG. 19, reference numeral 1 denotes a rectangular processing chamber, and the processing chamber 1 The container main body 11 and the cover body 12 which can open and close this container main body 11 are comprised.

상기 처리 챔버(1)의 내부에는, FPD 기판(S)을 탑재하기 위한 탑재대(10)가 설치되는 동시에, 이 탑재대(10)에 대향하도록 플라즈마 발생용의 상부 전극을 이루는 처리 가스 공급부(13)가 설치되어 있다. 그리고 처리 가스 공급부(13)로부터 처리 챔버(1) 내에 처리 가스를 공급하고, 배기로(14)를 거쳐 처리 챔버(1) 내를 진공 배기하는 한편, 고주파 전원(15)으로부터 처리 가스 공급부(13)에 고주파 전력을 인가함으로써, 기판(S)의 상방의 공간에 처리 가스의 플라즈마가 형성되어, 이에 의하여 기판(S)에 대한 에칭 처리가 행해지게 되어 있다.In the processing chamber 1, a mounting table 10 for mounting the FPD substrate S is provided, and a processing gas supply unit forming an upper electrode for plasma generation so as to face the mounting table 10 ( 13) is installed. Then, the processing gas is supplied from the processing gas supply unit 13 into the processing chamber 1, and the vacuum gas is exhausted into the processing chamber 1 via the exhaust passage 14, while the processing gas supply unit 13 is supplied from the high frequency power source 15. By applying a high frequency power to the substrate), plasma of the processing gas is formed in the space above the substrate S, whereby an etching process for the substrate S is performed.

상기 덮개체(12)는 내부의 유지보수가 가능하도록, 용기 본체(11)에 대하여 착탈 가능하게 설치되어 있고, 용기 본체(11)와 덮개체(12)의 접합면에는 도 19에 나타낸 바와 같이 처리 챔버(1) 내부를 기밀 공간으로 하여 진공 배기 가능하게 하기 위한 시일 부재(16)가 설치되는 동시에, 용기 본체(11)와 덮개체(12)를 서로 도통시키기 위한 실드 스파이럴(shield spiral)(17)이 설치되어 있다.The cover body 12 is detachably installed with respect to the container body 11 so that internal maintenance is possible, and as shown in FIG. 19 on the joining surface of the container body 11 and the cover body 12. A seal member 16 is provided for enabling vacuum evacuation by allowing the inside of the processing chamber 1 to be an airtight space, and at the same time, a shield spiral for conducting the container body 11 and the lid 12 to each other ( 17) is installed.

또, 용기 본체(11)와 덮개체(12)의 측벽부(11A, 12A)에는, 도 19, 도 20에 나타낸 바와 같이, 온도 조절 유체를 통류(通流)시키기 위한 온도 조절 유로(18a, 18b)가 처리 챔버(1)의 내부 공간을 원주방향으로부터 둘러싸도록 각각 형성되어 있다. 그리고 이 온도 조절 유로(18a, 18b)에 온도 조절 유체 공급부(19)로부터 소정의 온도로 온도 조정된 온도 조절 유체를 통류시킴으로써, 처리 챔버(1)의 내부가 소정의 온도, 예를 들면 60℃ 내지 120℃로 조정되도록 되어 있다.Moreover, as shown to FIG.19, FIG.20, in the side wall part 11A, 12A of the container main body 11 and the cover body 12, the temperature control flow path 18a for flowing a temperature control fluid. 18b) is formed so as to surround the internal space of the processing chamber 1 from the circumferential direction. And the inside of the process chamber 1 is made into predetermined temperature, for example, 60 degreeC, by letting the temperature control fluid 18a, 18b flow through the temperature control fluid adjusted to the predetermined temperature from the temperature control fluid supply part 19. To 120 ° C.

그런데, FPD 기판(S)은 대형이기 때문에, 처리 챔버(1)도 평면 형상에 있어서의 한 변의 크기가 각각 2.5m, 2.2m인 대형의 각진 통형 챔버가 되지만, 이 처리 챔버(1)를 가열하면, 도 21에 나타낸 바와 같이, 처리 챔버(1)의 네 개의 모서리부 에 있어서, 용기 본체(11)와 덮개체(12)의 접합면에 간극(100)이 형성되게 된다. 이 원인에 대해서는 다음과 같이 생각할 수 있다. 즉, 상기 온도 조절 유로(18)는 용기 본체(11)와 덮개체(12)의 측벽부(11A, 12A) 내부에 형성되어 있으므로, 가열 시에는 처리 챔버(1)는 주연(周緣) 측(측벽부 측)부터 가열되어 간다.By the way, since the FPD board | substrate S is large, the processing chamber 1 also turns into a large angled cylindrical chamber whose size of one side in planar shape is 2.5 m and 2.2 m, respectively, but heats this processing chamber 1 As shown in FIG. 21, in the four corner portions of the processing chamber 1, the gap 100 is formed at the joining surface of the container body 11 and the lid 12. This cause can be considered as follows. That is, since the said temperature control flow path 18 is formed in the inside of the side wall part 11A, 12A of the container main body 11 and the lid | cover 12, the processing chamber 1 is a peripheral side at the time of heating. It heats from the side wall part side).

이 때문에 용기 본체(11) 및 덮개체(12)에서는 그 중앙부보다 용기 본체(11)와 덮개체(12)와의 측벽부 쪽이 먼저 승온하므로, 상기 용기 본체(11) 및 덮개체(12)의 접합부는 상기 중앙부보다 온도가 높아진다. 여기서 온도가 높을수록 열팽창에 의하여 신장되는 정도가 크므로, 상기 접합부 쪽이, 용기 본체(11)의 저면 및 덮개체(12)의 천장부보다 열 팽창에 의하여 신장되는 정도가 크다. 이 때문에 도 22에 나타낸 바와 같이, 상기 접합부의 모서리부(이하 「접합 모서리부」라 함)로부터 덮개체(12)[또는 용기 본체(11)]를 향하는 힘이 발생하여, 상기 접합 모서리부는 덮개체(12)에서는 위를 향하여, 용기 본체(11)에서는 아래를 향하여 각각 이동하므로, 상기 접합 모서리부에 있어서 덮개체(12) 및 용기 본체(11)의 휘어짐이 발생하는 것이라고 추정된다.For this reason, in the container main body 11 and the cover body 12, since the side wall part of the container main body 11 and the cover body 12 heats up earlier than the center part, the container main body 11 and the cover body 12 The junction is higher in temperature than the center. The higher the temperature, the greater the elongation by thermal expansion, and therefore, the junction portion is larger in elongation by thermal expansion than the bottom of the container body 11 and the ceiling of the lid body 12. For this reason, as shown in FIG. 22, the force generate | occur | produces toward the cover body 12 (or the container main body 11) from the edge part (henceforth a "joining edge part") of the said joining part, and the said joining edge part is a cover | cover Since it moves upward in the sieve 12 and downwards in the container main body 11, it is estimated that the cover body 12 and the container main body 11 generate | occur | produce in the said junction edge part.

여기서 처리 챔버(1)의 가열시에 용기 본체(11)와 덮개체(12) 사이에 형성되는 간극(100)은, 처리 챔버(1)의 승온시에 챔버 온도가 높아짐에 따라서 커져 가고, 처리 챔버(1)의 온도가 챔버 전체에 있어서 균일해짐에 따라, 점차로 수속(收束)되어 가는 경향에 있다. 그러나, 처리 챔버(1)의 주연부에 이어서 중앙부의 온도가 평형 상태에 도달한 시점에서도 상기 간극(100)은 존재하고, 그 크기는 설정 온도에 비례한다.Here, the clearance gap 100 formed between the container main body 11 and the lid | cover body 12 at the time of the processing chamber 1 becomes large as the chamber temperature becomes high at the time of the temperature rising of the processing chamber 1, and the process As the temperature of the chamber 1 becomes uniform throughout the chamber, it tends to gradually converge. However, even when the temperature of the center portion reaches the equilibrium state after the periphery of the processing chamber 1, the gap 100 is present and its size is proportional to the set temperature.

용기 본체(11)와 덮개체(12) 사이의 간극(100)이 얼마 안되는 경우는, 처리 챔버(1) 내를 진공 배기함으로써, 용기 본체(11)와 덮개체(12)가 밀착되고, 이에 따라 소정의 진공도를 유지할 수 있으나, 상기 간극(1OO)이 예를 들어 1㎜ 정도 이상의 크기가 되면, 처리 챔버(1) 내를 진공 배기하더라도 용기 본체(11)와 덮개체(12)가 밀착되지 않아, 소정의 진공도에 도달할 수 없게 된다.When the gap 100 between the container main body 11 and the lid 12 is few, the container main body 11 and the lid 12 are brought into close contact with each other by vacuum evacuating the inside of the processing chamber 1. According to this, a predetermined degree of vacuum can be maintained. However, when the gap 100 is, for example, about 1 mm or more in size, the container body 11 and the lid 12 do not come into close contact with each other even if the process chamber 1 is evacuated. Therefore, the predetermined vacuum cannot be reached.

그런데, 상기 에칭 처리를 행함에 있어서, 처리를 개시할 때나 유지보수 등에 의하여 처리 챔버(1)를 일단 대기에 개방한 후 다시 처리를 행하는 경우에는, 스루풋(throughput)을 고려하여 처리 챔버(1)의 진공 배기와 처리 챔버(1)의 가열을 동시에 행하는 것이 일반적이다. 이 경우, 진공 배기 쪽이 처리 챔버(1)의 가열보다 일찍 완료되나, 이미 설명한 바와 같이 처리 챔버(1)의 승온시에 용기 본체(11)와 덮개체(12) 사이에 간극(100)이 형성되고 점차로 커져 가므로, 설정 온도가 높은 경우에는 처리 챔버(1)를 가열하고 있는 동안에, 일단 진공 배기가 종료된 처리 챔버(1)의 진공도를 유지할 수 없게 되어, 상기 간극(100)이 예를 들어 1㎜를 넘어 버리면 진공 파괴[리크(leak)]가 발생하게 될 우려가 있다.By the way, in performing the said etching process, when the process chamber 1 is once opened to air | atmosphere by the start of a process, maintenance, etc., and a process is performed again, the processing chamber 1 is considered in consideration of the throughput. It is common to simultaneously perform vacuum evacuation and heating of the processing chamber 1. In this case, the vacuum evacuation is completed earlier than the heating of the processing chamber 1, but as described above, a gap 100 is formed between the container body 11 and the lid 12 at the time of raising the temperature of the processing chamber 1. Since the formed temperature is gradually increased, when the set temperature is high, while the processing chamber 1 is being heated, the vacuum degree of the processing chamber 1 once the vacuum exhaust is completed cannot be maintained, so that the gap 100 is an example. For example, when it exceeds 1 mm, there exists a possibility that vacuum breakdown (leak) may arise.

또, 처리에 따라서는 처리 챔버(1)를 진공 상태로 유지한 채, 처리 챔버(1)의 온도를 변경하는 일이 있으며, 예를 들어 설정 온도 60℃의 조건으로 에칭 처리를 행한 후, 설정 온도를 90℃ 또는 120℃ 정도까지 상승시키는 일이 있으나, 이 경우에 있어서도 처리 챔버(1)를 가열하고 있는 동안에, 용기 본체(11)와 덮개체(12) 사이의 간극(100)이 점차로 커져 가서, 처리 챔버(1)의 진공도를 유지할 수 없게 되어, 진공 파괴가 발생하게 될 우려도 있다.Moreover, depending on a process, the temperature of the process chamber 1 may be changed, maintaining the process chamber 1 in a vacuum state, for example, setting after performing an etching process on condition of 60 degreeC of set temperature. Although the temperature may be raised to about 90 ° C or 120 ° C, even in this case, the gap 100 between the container body 11 and the lid 12 gradually increases while the processing chamber 1 is being heated. In addition, there is a possibility that the vacuum degree of the processing chamber 1 cannot be maintained, and vacuum breakage may occur.

이들의 경우, 처리 프로세스는 처리 챔버(1)의 온도와 진공도가 규정값으로 안정되고 나서 행하기 때문에, 승온시에 형성된 처리 챔버(1)의 간극(1OO)이 예를 들어 1㎜ 정도 이하의 크기로 수속될 때까지 기다렸다가, 다시 진공 배기를 행하게 된다. 이 때문에 에칭 처리를 행할 수 없는 시간이 길어지게 되므로, 장치 가동률이 저하되어 버리고 운전 비용도 증대되어 버린다.In these cases, the processing process is performed after the temperature and vacuum degree of the processing chamber 1 are stabilized at the prescribed values, so that the gap 100 of the processing chamber 1 formed at the time of temperature increase is, for example, about 1 mm or less. It waits until the procedure reaches the size, and vacuum evacuation is performed again. For this reason, since the time which an etching process cannot be performed becomes long, an apparatus operation rate will fall and operation cost will also increase.

또, 용기 본체(11)와 덮개체(12) 사이의 간극(100)이 예를 들어 0.75㎜ 정도 이상의 크기가 되면, 용기 본체(11)와 덮개체(12) 사이에 있어서 실드 스파이럴(17)의 접촉이 나빠져서 전기적 접촉이 불충분하게 된다. 이 결과, 처리 챔버(1) 내에 있어서의 플라즈마의 분포가 불균일해지거나, 용기 본체(11)와 덮개체(12)의 간극(100) 근방에서 스파크가 일어나는 등의 사태가 발생하게 되어, 안정된 플라즈마 처리를 행할 수 없게 되어, 제품의 수율이 악화되어 버린다.Moreover, when the clearance gap 100 between the container main body 11 and the lid 12 becomes a magnitude | size of about 0.75 mm or more, for example, the shield spiral 17 between the container main body 11 and the lid 12 is carried out. The contact becomes poor and the electrical contact is insufficient. As a result, the plasma distribution in the processing chamber 1 becomes uneven, or a situation such as sparking occurs in the vicinity of the gap 100 between the container body 11 and the lid body 12, resulting in a stable plasma. The process cannot be performed, and the yield of the product deteriorates.

이를 회피하기 위해서는, 플라즈마 처리를 행하는 경우 등에는 승온시에 형성된 처리 챔버(1)의 간극(100)이 예를 들어 0.75㎜ 정도 이하의 크기로 수속되는 것을 기다렸다가 처리를 행하는 것이 바람직하나, 이 경우에는 상기 간극(100)이 수속되기까지의 동안에 에칭 처리를 행할 수 없게 되어 장치 가동률이 저하되어 버린다.In order to avoid this, in the case of performing a plasma treatment, it is preferable to wait for the gap 100 of the processing chamber 1 formed at an elevated temperature to converge at a size of about 0.75 mm or less, but then perform the treatment. In the meantime, the etching process cannot be performed until the gap 100 converges, and the apparatus operation rate is lowered.

본 발명은 이와 같은 사정 하에 이루어진 것으로서, 본 발명의 목적은, 용기 본체와 덮개체를 서로 접합시켜서 형성되는 각진 통 형상의 처리 용기에 있어서, 이 처리 용기를 가열하는 경우에 처리 용기의 승온시에 있어서 상기 용기 본체와 덮개체 사이에 형성되는 간극을 좁힐 수 있는 기술을 제공하는 데에 있다.The present invention has been made under such circumstances, and an object of the present invention is to provide an angled cylindrical processing container which is formed by joining a container body and a lid to each other, and when the processing container is heated when the processing container is heated. The present invention provides a technique capable of narrowing the gap formed between the container body and the lid.

이를 위하여 본 발명의 진공 처리 장치는, 그 내부에 기판이 유지되고, 일단측이 개구되는 용기 본체와, 이 용기 본체의 개구부를 폐쇄하도록 착탈 가능하게 설치된 덮개체를 구비하고, 그 내부에 있어서 기판에 대하여 진공 처리가 행해지는 각진 통 형상의 처리 용기와, 이 처리 용기를 가열하기 위하여, 상기 덮개체 및/또는 용기 본체에 있어서의 상기 개구부에 대향하는 면부에 설치된 온도 조절 수단과, 상기 처리 용기의 내부를 진공 배기하기 위한 진공 배기 수단을 구비하며, 상기 온도 조절 수단은 상기 처리 용기의 승온시에 있어서 상기 덮개체 및 용기 본체의 접합부에 있어서의 휘어짐을 억제하기 위하여, 상기 온도 조절 수단이 설치된 면부의 중앙부의 온도가 처리 용기의 측벽 모서리부의 온도보다 높거나, 또는 상기 온도 조절 수단이 설치된 면부의 중앙부의 온도가 상기 측벽 모서리부의 온도보다 약간 낮아지도록 설치되어 있는 것을 특징으로 한다.To this end, the vacuum processing apparatus of the present invention includes a container body in which a substrate is held therein, one end of which is opened, and a lid body detachably provided to close the opening of the container body, and in which the substrate is placed. An angular cylindrical processing container subjected to vacuum treatment with respect to it, a temperature regulating means provided on a surface portion opposed to the opening portion in the lid and / or the container body for heating the processing container, and the processing container. Vacuum evacuation means for evacuating the inside of the apparatus, wherein the temperature regulating means is provided with the temperature regulating means for suppressing warpage at the junction between the lid and the container body when the temperature rises in the processing container. The temperature of the central portion of the surface portion is higher than the temperature of the side wall edge portion of the processing vessel, or the temperature adjusting means is installed Characterized in that the temperature of the surface of the central portion is provided so that a little lower than a temperature of the side wall of the edge portions.

여기서 상기 처리 용기를 설정 온도까지 가열할 때에, 처리 용기의 승온시에 있어서 상기 온도 조절 수단이 설치된 면부의 중앙부의 온도가, 상기 측벽 모서리부의 온도보다 약간 낮은 경우에는, 상기 온도 조절 수단이 설치된 면부의 외면의 중앙부의 온도와, 상기 측벽 모서리부에 있어서의 덮개체와 용기 본체와의 접합부의 외면의 온도의 차이의 평균값이 상기 설정 온도의 9% 미만이 된다.Here, when heating the said processing container to a preset temperature, when the temperature of the center part of the surface part in which the said temperature control means was provided at the time of temperature rising of a processing container is slightly lower than the temperature of the said side wall edge part, the surface part provided with the said temperature control means The average value of the difference between the temperature of the center part of the outer surface and the temperature of the outer surface of the junction part of the lid | cover body and the container main body in the said side wall edge part is less than 9% of the said set temperature.

상기 온도 조절 수단은, 상기 덮개체 및/또는 용기 본체에 있어서의 상기 개구부에 대향하는 면부의 내부에, 상기 처리 용기의 측벽 모서리부를 우회하도록 형성된 온도 조절 유로와, 이 온도 조절 유로에 설정 온도로 조정된 온도 조절 유체를 통류시키는 수단을 포함하는 것을 이용할 수 있다. 또, 상기 온도 조절 수단은, 상기 처리 용기의 온도 조절 수단이 설치되는 면부 이외의 측벽부에, 해당 측벽부를 주회하도록 형성된 온도 조절 유로를 포함하는 것이어도 좋다. 여기서, 상기 덮개체 및/또는 용기 본체에 형성된 모든 온도 조절 유로는 하나의 연속된 유로인 것으로 해도 좋고, 상기 덮개체 및/또는 용기 본체에 형성된 온도 조절 유로는 분기한 복수의 유로를 갖는 것이어도 좋다.The temperature regulating means includes a temperature regulating flow passage formed so as to bypass a side wall edge portion of the processing container in a face portion opposed to the opening portion in the lid and / or the container body, and at a predetermined temperature in the temperature regulating flow passage. It may be used to include a means for flowing the regulated temperature control fluid. Moreover, the said temperature control means may also include the temperature control flow path formed so that the said side wall part may be circumferentially formed in the side wall parts other than the surface part in which the temperature control means of the said processing container is provided. Here, all the temperature control flow paths formed in the lid and / or the container body may be one continuous flow path, and the temperature control flow paths formed in the lid and / or the container body may have a plurality of branched flow paths. good.

또, 상기 온도 조절 수단은 상기 덮개체 및/또는 용기 본체에 있어서의 상기 개구부에 대향하는 면부에 설치된 히터를 포함하는 것이어도 좋다. 여기서 상기 덮개체 및/또는 용기 본체의 상기 개구부에 대향하는 면부의 한쪽은 덮개체의 천장부이며, 다른 쪽은 용기 본체의 바닥부이다. 또한, 상기 처리 용기의 내부에, 각형의 기판을 탑재하기 위한 탑재대와, 상기 기판에 대하여 플라즈마 처리를 행하기 위한, 상기 처리 용기의 내부에 플라즈마를 발생시키기 위한 수단을 구비하도록 해도 좋다.Moreover, the said temperature control means may include the heater provided in the surface part which opposes the said opening part in the said lid | cover body and / or a container main body. Here, one side of the face portion facing the opening of the lid and / or the container body is the ceiling of the lid, and the other is the bottom of the container body. In addition, a mounting table for mounting a rectangular substrate in the processing container and means for generating a plasma in the processing container for performing plasma processing on the substrate may be provided.

또, 본 발명의 진공 처리 방법은, 일단측이 개구되는 용기 본체와, 이 용기 본체의 개구부를 폐쇄하도록 착탈 가능하게 설치된 덮개체를 구비한 각진 통 형상의 처리 용기의 내부에서, 기판에 대하여 진공 처리를 행하는 진공 처리 방법에 있어서, 상기 용기 본체의 내부에서 기판을 유지하는 공정과, 그 내부에 기판이 유지된 처리 용기를 진공 배기하는 공정과, 상기 처리 용기의 승온시에 있어서, 상기 덮개체 및 용기 본체의 접합부에 있어서의 휘어짐을 억제하기 위하여, 상기 덮개체 및/또는 용기 본체의 상기 개구부에 대향하는 면부에 설치된 온도 조절 수단에 의하여, 상기 온도 조절 수단이 설치된 면부의 중앙부의 온도가, 처리 용기의 측벽 모서리부의 온도보다 높거나, 또는 상기 온도 조절 수단이 설치된 면의 중앙부의 온도가 상기 측벽 모서리부의 온도보다 약간 낮아지도록 상기 처리 용기를 가열하는 공정과, 진공 배기되어 가열된 처리 용기의 내부에 있어서, 기판에 대하여 진공 처리를 행하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.Moreover, the vacuum processing method of this invention vacuums with respect to a board | substrate in the inside of the angular cylindrical shape processing container provided with the container main body which one end side opens, and the cover body detachably attached so that the opening part of this container main body may be closed. A vacuum processing method of performing a process, comprising: a step of holding a substrate inside the container body, a step of vacuum evacuating a processing container held by the substrate therein, and a temperature increase of the processing container. And the temperature adjusting means provided in the face portion opposite to the opening of the lid and / or the container body so as to suppress the warping at the joining portion of the container body, the temperature of the central portion of the face portion where the temperature adjusting means is provided, The temperature of the side wall edge of the processing container is higher than the temperature of the side wall edge of the processing vessel, or the temperature of the center portion of the surface on which the temperature control means is installed is And a step of heating the processing container so as to be slightly lower than the negative temperature, and a step of performing a vacuum treatment on the substrate in the inside of the processing container heated by vacuum evacuation.

본 발명에 의하면, 후술하는 실시예에 의하여 명백한 바와 같이, 용기 본체와 덮개체를 서로 접합시켜서 형성되는 각진 통 형상의 처리 용기에 있어서, 이 처리 용기를 가열하는 경우에 처리 용기의 승온시에 있어서 상기 용기 본체와 덮개체 사이에 형성되는 간극을 좁힐 수 있다.According to the present invention, in an angled cylindrical processing container which is formed by joining a container body and a lid to each other, as is apparent from the examples described later, when the processing container is heated when the processing container is heated. The gap formed between the container body and the lid can be narrowed.

이하에 본 발명의 실시형태에 대하여, FPD 기판에 대해서 에칭 처리를 행하기 위한 진공 처리 시스템에 본 발명의 진공 처리 장치를 이용한 경우를 예로 들어 설명한다. 도 1은 상기 진공 처리 시스템의 개관을 도시한 사시도, 도 2는 그 내부를 도시한 수평 단면도이다. 도면에서 도면부호(2A, 2B)는 외부로부터, 다수의 FPD 기판(S)을 수용한 캐리어(C1, C2)를 탑재하기 위한 캐리어 탑재부이며, 이들 캐리어(C1, C2)는 예를 들어 승강 기구(21)에 의하여 승강 가능하게 구성되고, 한쪽의 캐리어(C1)에는 미처리 기판(S1)이 수용되고, 다른 쪽의 캐리어(C2)에는 처리완료 기판(S2)이 수용되도록 되어 있다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Below, embodiment of this invention is described taking the case where the vacuum processing apparatus of this invention is used for the vacuum processing system for performing an etching process with respect to an FPD board | substrate. 1 is a perspective view showing an overview of the vacuum processing system, and FIG. 2 is a horizontal sectional view showing the inside thereof. In the drawings, reference numerals 2A and 2B denote carrier mounting portions for mounting the carriers C1 and C2 that accommodate the plurality of FPD substrates S from the outside, and these carriers C1 and C2 are, for example, lift mechanisms. It is comprised so that elevation is possible by 21, and the unprocessed board | substrate S1 is accommodated in one carrier C1, and the processed board | substrate S2 is accommodated in the other carrier C2.

또, 캐리어 탑재부(2A, 2B)의 안쪽에는 로드 로크실(22)과 반송실(23)이 연접(連接)되는 동시에, 캐리어 탑재부(2A, 2B) 사이에는, 상기 두 개의 캐리어(C1, C2)와, 로드 로크실(22)과의 사이에서 기판(S)을 주고받기 위한 기판 반송 수단(31)이 지지대(24) 위에 설치되어 있고, 이 기판 반송 수단(31)은 상하 2단으로 설치된 아암(arm)(32, 33)과, 이들을 진퇴 가능하고 회전 가능하게 지지하는 기대(基臺)(34)를 구비하고 있다. 상기 로드 로크실(22)은 소정의 감압 분위기로 유지되도록 구성되고, 그 내부에는 도 2에 도시한 바와 같이, 기판(S)을 지지하기 위한 버퍼 랙(26)이 배치되어 있다. 도면에서 도면부호(25)는 포지셔너이다. 또, 상기 반송실(23)의 주위에는 세 개의 에칭 처리 장치(4)가 배치되어 있다.In addition, the load lock chamber 22 and the transfer chamber 23 are connected to the inside of the carrier mounting parts 2A and 2B, and the two carriers C1 and C2 are formed between the carrier mounting parts 2A and 2B. ) And the substrate conveying means 31 for exchanging the substrate S between the load lock chamber 22 is provided on the support 24, and the substrate conveying means 31 is provided in two upper and lower stages. Arms 32 and 33 and bases 34 that support and rotatably support them are provided. The load lock chamber 22 is configured to be maintained in a predetermined reduced pressure atmosphere, and as shown in FIG. 2, a buffer rack 26 for supporting the substrate S is disposed therein. In the drawings, reference numeral 25 is a positioner. In addition, three etching processing apparatuses 4 are arranged around the transfer chamber 23.

상기 반송실(23)은 소정의 감압 분위기로 유지되도록 구성되고, 그 내부에는 도 2에 도시한 바와 같이 반송 기구(35)가 배치되어 있다. 그리고 이 반송 기구(35)에 의하여, 상기 로드 로크실(22) 및 세 개의 에칭 처리 장치(4)와의 사이에 서 기판(S)이 반송되도록 되어 있다. 상기 반송 기구(35)는 승강 가능하고 회전 가능하게 설치된 기대(36)와, 이 기대(36)의 일단에 설치되고, 해당 기대(36)에 회동 가능하게 설치된 제 1 아암(37)과, 제 1 아암(37)의 선단부에 회동 가능하게 설치된 제 2 아암(38)과, 제 2 아암(38)에 회동 가능하게 설치되고, 기판(S)을 지지하는 포크 형상의 기판 지지 플레이트(39)를 갖고 있으며, 기대(36)에 내장된 구동 기구에 의하여 제 1 아암(37), 제 2 아암(38) 및 기판 지지 플레이트(39)를 구동시킴으로써, 기판(S)을 반송하는 것이 가능하도록 되어 있다.The conveyance chamber 23 is comprised so that it may be maintained in a predetermined | prescribed pressure-reduced atmosphere, and the conveyance mechanism 35 is arrange | positioned inside it as shown in FIG. And by this conveyance mechanism 35, the board | substrate S is conveyed between the said load lock chamber 22 and the three etching processing apparatuses 4. The said conveyance mechanism 35 is the base 36 provided up and down rotatably, the 1st arm 37 provided in the end of this base 36, and rotatably attached to the said base 36, and The fork-shaped board | substrate support plate 39 which is rotatably attached to the 2nd arm 38 provided in the front-end | tip part of the 1st arm 37, and the 2nd arm 38, and supports the board | substrate S is carried out. The substrate S can be conveyed by driving the first arm 37, the second arm 38, and the substrate support plate 39 by a drive mechanism built in the base 36. .

또, 상기 로드 로크실(22)과 반송실(23) 사이, 반송실(23)과 각 에칭 처리 장치(4) 사이, 및 로드 로크실(22)과 외측의 대기 분위기를 연통(連通)하는 개구부에는, 이들의 사이를 기밀하게 시일하고, 또한 개폐 가능하게 구성된 게이트 밸브(27)가 각각 삽입되어 있다.Moreover, between the said load lock chamber 22 and the conveyance chamber 23, between the conveyance chamber 23 and each etching processing apparatus 4, and the load lock chamber 22 and the outer atmospheric atmosphere, it communicates. In the openings, gate valves 27 configured to be hermetically sealed between them and to be opened and closed are respectively inserted.

다음으로 도면을 참조하여 에칭 처리 장치(4)에 대하여 설명한다. 이 에칭 처리 장치(4)는 본 발명의 진공 처리 장치에 상당하는 것이며, 도 3은 에칭 처리 장치(4)의 종단 단면도이다. 에칭 처리 장치(4)는 그 내부에 있어서 FPD 기판(S)에 대하여, 에칭 처리를 실시하기 위한 각진 통 형상의 처리 용기(40)를 구비하고 있다. 이 처리 용기(40)는 평면 형상이 사각 형상으로 구성되고, 천장부가 개구되는 용기 본체(41)와, 이 용기 본체(41)의 천장 개구부를 개폐하도록 설치된 덮개체(42)를 구비하며, 이 덮개체(42)는 착탈 기구(43)에 의하여 용기 본체(41)에 대하여 착탈 가능하게 구성되어 있다. 상기 착탈 기구(43)는 도 5에 도시한 바와 같이 가이드 레일(43a)을 구비하며, 예를 들어 유지보수할 때 등에 덮개체(42)를 이 가이드 레일(43a)을 따라, 용기 본체(41)로부터 벗어난 위치까지 슬라이딩 이동시켜서 용기 본체(41)로부터 분리하고, 반대의 조작으로 덮개체(42)를 용기 본체(41)에 장착하도록 구성되어 있다. 또한, 도 3, 도 5에는 착탈 기구(43)는 간략하게 묘사되어 있다.Next, the etching process apparatus 4 is demonstrated with reference to drawings. This etching processing apparatus 4 is corresponded to the vacuum processing apparatus of this invention, and FIG. 3 is a longitudinal cross-sectional view of the etching processing apparatus 4. As shown in FIG. The etching processing apparatus 4 is equipped with the processing chamber 40 of the angular cylinder shape for performing an etching process with respect to the FPD board | substrate S in the inside. The processing container 40 has a planar shape having a rectangular shape, and includes a container main body 41 having a ceiling opening and a lid 42 provided to open and close the ceiling opening of the container main body 41. The lid 42 is configured to be detachable from the container body 41 by the attachment / detachment mechanism 43. The attachment / detachment mechanism 43 is provided with the guide rail 43a as shown in FIG. 5, For example, when carrying out maintenance, the lid | cover body 42 is along this guide rail 43a, and the container main body 41 is carried out. It is comprised so that the cover body 42 may be attached to the container main body 41 by carrying out sliding operation to the position out of (), and removing it from the container main body 41 in the opposite operation. 3 and 5, the detachable mechanism 43 is briefly depicted.

상기 FPD 기판(S)은 예를 들어 한 변이 1500㎜, 다른 변이 1850㎜ 정도의 크기인 각형 기판이며, 상기 처리 용기(40)는 수평 단면의 한 변이 2.5m, 다른 변이 2.2m 정도의 크기로 설정되어 있다. 상기 용기 본체(41)와 덮개체(42)는 예를 들어 알루미늄(Al) 등의 열전도성이 양호한 재질에 의해 구성되어 있다.The FPD substrate S is, for example, a square substrate having a size of about 1500 mm on one side and about 1850 mm on the other side, and the processing container 40 has a size of about 2.5 m on one side and about 2.2 m on the other side of the horizontal cross section. It is set. The container body 41 and the lid 42 are made of a material having good thermal conductivity such as aluminum (Al).

이와 같은 처리 용기(40)는 온도 조절 수단(5)에 의하여 가열되도록 구성되어 있다. 이 온도 조절 수단(5)은 예를 들어 상기 덮개체(42) 및/또는 용기 본체(41)에 있어서의 상기 개구부에 대향하는 면부, 예를 들면 상기 덮개체(42)의 천장부에 설치되고, 처리 용기(40)를 설정 온도로 가열하기 위한 제 1 온도 조절 수단(5A)을 구비하는 동시에, 상기 용기 본체(41)의 측벽부(41a)에 설치되고, 처리 용기(40)를 설정 온도로 가열하기 위한 제 2 온도 조절 수단(5B)을 구비하고 있다. 상기 제 1 온도 조절 수단(5A)은 상기 처리 용기(40)의 승온시에 있어서 상기 덮개체(42) 및 용기 본체(41)의 접합부에 있어서의 휘어짐을 억제하기 위하여, 상기 덮개체(42)의 중앙부의 온도가 처리 용기(40)의 측벽 모서리부의 온도보다 높거나, 또는 상기 덮개체(42)의 중앙부의 온도가 상기 측벽 모서리부의 온도보다 약간 낮아지도록 설치된 것이다.Such a processing container 40 is configured to be heated by the temperature regulating means 5. This temperature regulating means 5 is provided in the surface part which opposes the said opening part in the said lid | cover body 42 and / or the container main body 41, for example, the ceiling part of the said lid | cover body 42, It is equipped with the 1st temperature control means 5A for heating the process container 40 to a preset temperature, and is provided in the side wall part 41a of the said container main body 41, and makes the process container 40 to a preset temperature. 2nd temperature control means 5B for heating is provided. The said lid | cover body 42 is the said 1st temperature control means 5A in order to suppress the curvature in the junction part of the said lid | cover body 42 and the container main body 41 at the time of the temperature of the said processing container 40. Is installed so that the temperature of the central portion of the processing vessel 40 is higher than the temperature of the side wall edge portion of the processing container 40 or the temperature of the central portion of the lid 42 is slightly lower than the temperature of the side wall edge portion.

상기 덮개체(42)의 중앙부란, 예를 들면 도 6에 도시한 바와 같이, 덮개 체(42)의 천장부에 있어서의 2개의 대각선(L1, L2)의 교점(P1)을 말하며, 이 중앙부(P1)의 온도란 덮개체(42)의 외면의 중앙부의 온도를 말한다. 또, 상기 접합 모서리부란, 상기 덮개체(42) 및 용기 본체(41)의 접합부의 네 개의 모서리부(P2, P3, P4, P5) 중 적어도 하나를 말하며, 접합 모서리부의 온도란 해당 접합 모서리부의 외면의 온도를 말한다. 또한, 상기 측벽 모서리부란, 온도 조절 수단(5)이 설치된 면에 직교하는 처리 용기(40)의 네 코너의 능선(L3∼L6)을 말하고, 상기 접합 모서리부(P2∼P5)를 포함하는 것이며, 측벽 모서리부의 온도란 해당 측벽 모서리부의 외면의 온도를 말한다.As shown in FIG. 6, the center part of the said lid | cover body 42 means the intersection P1 of the two diagonal lines L1 and L2 in the ceiling part of the lid | cover body 42, and this center part ( The temperature of P1) means the temperature of the center part of the outer surface of the cover body 42. In addition, the said joint edge part means at least one of the four corner parts P2, P3, P4, P5 of the junction part of the said lid | cover body 42 and the container main body 41, and the temperature of a junction edge part is the said junction edge part. It is the temperature of the outer surface. In addition, the said side wall edge part means the ridgeline L3-L6 of the four corners of the processing container 40 orthogonal to the surface in which the temperature control means 5 was installed, and includes the said joining edge parts P2-P5. The temperature of the side wall edge portion refers to the temperature of the outer surface of the side wall edge portion.

여기서 상기 덮개체(42)의 천장부의 중앙부의 온도가, 상기 측벽 모서리부의 온도보다 높은 조건에 의하여 처리 용기(40)를 가열하면, 온도가 높을수록 열 팽창에 의하여 신장하는 정도가 크기 때문에, 덮개체(42)의 천장부 쪽이 상기 측벽 모서리부보다 열 팽창에 의하여 신장하는 정도가 크다. 이 때문에 도 7에 도시한 바와 같이, 덮개체(42)로부터 접합 모서리부를 향하여 하부 방향으로 향하는 힘이 발생하여, 상기 덮개체(42)는 접합 모서리부를 향하여 이동하므로, 상기 접합 모서리부에 있어서의 덮개체(42)의 휘어짐의 발생이 억제되고, 결과적으로 상기 접합 모서리부에 있어서 간극의 형성이 억제된다고 추정된다.Here, when the temperature of the center of the ceiling of the lid 42 is higher than the temperature of the edge of the side wall, the processing vessel 40 is heated. The ceiling side of the sieve 42 is larger than the side wall edge portion by thermal expansion. For this reason, as shown in FIG. 7, since the force which descends from the lid | cover body 42 toward the junction edge part generate | occur | produces, and the said lid | cover body 42 moves toward a junction corner part, It is estimated that generation | occurrence | production of the curvature of the cover body 42 is suppressed, and, as a result, formation of a clearance gap at the said joining edge part is suppressed.

또, 상기 덮개체(42)의 중앙부의 온도가, 상기 측벽 모서리부의 온도보다 약간 낮은 경우이더라도, 상기 접합 모서리부에 있어서의 덮개체(42)의 휘어짐은 억제되어, 상기 접합 모서리부의 간극의 형성이 억제된다. 여기서 본 발명자들은, 상기 덮개체(42)의 중앙부의 온도가 상기 측벽 모서리부의 온도보다 약간 낮은 경 우란, 예를 들면, 처리 용기(40)의 승온시에 있어서의 상기 덮개체(42)의 천장 외면의 중앙부의 온도와, 상기 측벽 모서리부에 있어서의 덮개체(42)와 용기 본체(41)와의 접합부의 외면의 온도의 차이의 평균값이 상기 설정 온도의 9% 미만이 되는 조건이라고 파악하고 있다. 이 조건은 예를 들면, 설정 온도가 90℃인 경우에는 처리 용기(40)의 승온시에 있어서 소정 시간마다 덮개체(42)의 천장 외면의 중앙부의 온도(D1)와, 접합 모서리부 외면의 온도(D2)를 측정하여, 이들 온도의 차이(D2-D1)의 평균값을 구했을 때에, 이 차이의 평균값이 8.1℃ 미만인 것을 말하며, 설정 온도가 60℃인 경우에는 상기 차이(D2-D1)의 평균값이 5.4℃ 미만인 경우인 것을 말한다.Moreover, even when the temperature of the center part of the said lid | cover body 42 is slightly lower than the temperature of the said side wall edge part, the curvature of the lid | cover body 42 in the said junction corner part is suppressed, and formation of the clearance gap of the said junction edge part is carried out. This is suppressed. Here, the inventors believe that the temperature of the center portion of the lid 42 is slightly lower than the temperature of the side wall edge portion, for example, the ceiling of the lid 42 at the time of raising the temperature of the processing container 40. The average value of the difference of the temperature of the center part of an outer surface, and the temperature of the outer surface of the junction part of the lid | cover body 42 and the container main body 41 in the said side wall edge part is a condition which becomes less than 9% of the said set temperature. . This condition is, for example, when the set temperature is 90 ° C, the temperature D1 of the central portion of the ceiling outer surface of the lid 42 and the outer edges of the bonded corners at predetermined time periods during the temperature rise of the processing container 40. When the temperature (D2) is measured and the average value of the differences (D2-D1) of these temperatures is obtained, the mean value of the differences is less than 8.1 ° C. When the set temperature is 60 ° C, the mean value of the difference (D2-D1) It is a case where an average value is less than 5.4 degreeC.

이와 같이 처리 용기(40)의 승온시에 있어서 상기 중앙부의 외면의 온도와 상기 접합 모서리부의 외면의 온도의 차이의 평균값이 설정 온도의 9% 미만이면, 상기 중앙부의 온도와 상기 접합 모서리부의 온도의 온도차가 작으므로, 상기 덮개체(42) 및 용기 본체(41)와의 접합 모서리부에서는, 덮개체(42)의 휘어짐의 정도가 작아지고, 상기 덮개체(42) 및 용기 본체(41)와의 접합 모서리부에 형성되는 간극을 종래에 비하여 좁힐 수 있다. 또한, 이 조건은 실험에 의하여 시행착오적으로 도출된 것이다.Thus, when the temperature of the processing container 40 is raised, if the average value of the difference between the temperature of the outer surface of the center portion and the temperature of the outer surface of the junction corner portion is less than 9% of the set temperature, the temperature of the center portion and the temperature of the junction corner portion Since the temperature difference is small, the degree of warpage of the lid 42 becomes small at the joining edge portion of the lid 42 and the container main body 41, and the bonding of the lid 42 and the container main body 41. The gap formed at the corner portion can be narrowed as compared with the prior art. In addition, this condition was derived by trial and error by experiment.

또, 온도 조절 수단(5)에 의한 처리 용기(40)의 가열 방법에 대하여, 상기 덮개체(42)의 천장부의 중앙부의 온도와 상기 접합 모서리부의 온도의 온도차에 착안한 것은, 덮개체(42)의 천장부 외면의 중앙부(P1)와, 예를 들어 덮개체(42)의 천장부의 모서리부(P6)(도 6 참조)의 외면 사이의 온도차가 작은 상태에서 가열하더 라도, 해당 모서리부(P6)의 외면과 접합 모서리부(P4)의 외면과의 사이에서의 온도차가 크고, 예를 들면, 접합 모서리부(P4)의 외면의 온도가 모서리부(P6)의 외면의 온도보다 높은 경우에는, 상기 접합 모서리부(P4)에서는 상기 모서리부(P6)보다 열 팽창에 의하여 신장하려고 하는 힘이 크므로, 결과적으로 접합 모서리부(P4)에서는 상부 방향으로 이동하는 힘이 작용하여, 덮개체(42)가 휘어지기 쉬워져서 상기 접합 모서리부(P4)의 간극이 커져 버리기 때문이다.Moreover, about the heating method of the processing container 40 by the temperature control means 5, what paid attention to the temperature difference of the temperature of the center part of the ceiling part of the said lid | cover body 42 and the temperature of the said junction edge part is a lid | cover body 42 Even if the temperature difference between the center part P1 of the ceiling outer surface of the ceiling part and the outer surface of the corner part P6 (refer FIG. 6) of the ceiling part of the cover body 42 is small, the said corner part P6 When the temperature difference between the outer surface of) and the outer surface of the bonding edge portion P4 is large, for example, when the temperature of the outer surface of the bonding edge portion P4 is higher than the temperature of the outer surface of the corner portion P6, Since the force which tries to extend by thermal expansion is larger than the said edge part P6 in the said joining edge part P4, the force which moves upwards at the joining edge part P4 acts, and the cover body 42 ) Tends to bend and the gap between the joining edge portions P4 becomes large. Because.

계속해서 본 발명의 온도 조절 수단(5)에 대하여 구체적으로 설명한다. 도 3 및 도 8에 본 발명의 제 1 실시형태의 온도 조절 수단(5)에 대하여 도시한다. 이 예에서는, 상기 제 1 온도 조절 수단(5A)은 덮개체(42)의 천장부 내부에 설치된 온도 조절 수단과, 덮개체(42)의 측벽부 내부에 설치된 온도 조절 수단을 구비하고 있다. 또, 제 1 및 제 2 온도 조절 수단(5A, 5B)은 소정의 온도 조절 유체가 통류되는 온도 조절 유로를 구비하고 있어, 제 1 온도 조절 수단(5A)은 덮개체(42)를 가열하기 위한 제 1 온도 조절 유로(51)를 구비하는 동시에, 제 2 온도 조절 수단(5B)은 용기 본체(42)를 가열하기 위한 제 2 온도 조절 유로(52)를 구비하고 있다.Then, the temperature control means 5 of this invention is demonstrated concretely. 3 and 8 show the temperature regulating means 5 of the first embodiment of the present invention. In this example, the first temperature regulating means 5A includes a temperature regulating means provided inside the ceiling of the lid 42 and a temperature regulating means provided in the side wall of the lid 42. Moreover, the 1st and 2nd temperature control means 5A and 5B are equipped with the temperature control flow path through which the predetermined | prescribed temperature control fluid flows, and the 1st temperature control means 5A is for heating the lid | cover body 42. The 1st temperature control flow path 51 is provided, and the 2nd temperature control means 5B is equipped with the 2nd temperature control flow path 52 for heating the container main body 42. As shown in FIG.

또한, 상기 제 1 온도 조절 유로(51)는 덮개체(42)의 천장부 내부에 형성된 온도 조절 유로(51a)와, 덮개체(42)의 측벽부(42a)의 내부에 형성된 온도 조절 유로(51b)에 의하여 구성되어 있고, 이들은 하나의 연속된 유로로서 서로 접속되어 있다. 여기서 상기 온도 조절 유로(51a)는 상기 처리 용기(40)의 승온시에 상기 덮개체(42)의 중앙부를 처리 용기(40)의 측벽 모서리부보다 적극적으로 가열함으로 써, 상기 접합 모서리부에 있어서의 덮개체(42)의 휘어짐을 억제하기 위하여 설치된 것이며, 그 형상은 도 8에 도시한 바와 같이 덮개체(42)의 중앙부를 덮개체(42)의 네 개의 모서리부보다 적극적으로 가열하는 것과 같은 온도 구배를 준 상태에서 가열하도록 형성된다.In addition, the first temperature control passage 51 includes a temperature control passage 51a formed inside the ceiling of the lid 42 and a temperature control passage 51b formed inside the side wall 42a of the lid 42. ), And they are connected to each other as one continuous flow path. Here, the temperature control flow passage (51a) by heating the central portion of the lid 42 more aggressively than the side wall edge of the processing container 40 at the time of the temperature rise of the processing container 40, It is provided in order to suppress the bending of the cover body 42, the shape is such as to actively heat the central portion of the cover body 42 than the four corners of the cover body 42, as shown in FIG. It is formed to heat under a given temperature gradient.

구체적으로는 상기 온도 조절 유로(51a)는 처리 용기(40)의 각 측벽 모서리부를 우회하도록, 덮개체(42)의 네 개의 모서리부를 우회하여 각각의 모서리부에 있어서 내측으로 들어가고, 또한 덮개체(42)의 변의 중앙 영역에 있어서 측벽부 근방 영역에 위치하도록, 예를 들면, 온도 조절 유로(51a)에 의하여 십자 형상의 외측 프레임이 형성되어, 십자 형상의 네 개의 오목부 부분이 각각 덮개체(42)의 네 개의 모서리부에 대응하는 형상으로 구성되어 있다. 또, 상기 온도 조절 유로(51b)는 덮개체(42)의 측벽부(42a)의 내부에, 해당 측벽부(42a)를 수평 방향으로 주회하도록 형성되어 있다.Specifically, the temperature control flow passage 51a bypasses the four corner portions of the lid 42 so as to bypass the corner portions of the side walls of the processing container 40 and enters inward at the respective corner portions. For example, a cross-shaped outer frame is formed by the temperature control flow passage 51a so as to be located near the side wall portion in the central region of the side of the side 42, and the four recessed portions of the cross-shaped portions are respectively covered with a lid ( It is comprised in the shape corresponding to the four corner parts of 42. Moreover, the said temperature control flow path 51b is formed in the inside of the side wall part 42a of the lid | cover 42 so that the said side wall part 42a may be circulated in a horizontal direction.

또한, 상기 제 2 온도 조절 유로(52)는 이 예에서는 용기 본체(41)의 측벽부(41a)의 내부에, 해당 측벽부(41a)를 수평 방향으로 주회하도록, 상하로 2개 형성되어 있고, 이들 2개의 온도 조절 유로는 하나의 연속된 유로로서 형성되어 있다. 이들 제 1 및 제 2 온도 조절 유로(51, 52)에는 온도 조절 유체 공급부(53)로부터 처리 용기(40)의 설정 온도로 조정된 온도 조절 유체가 공급되고, 제 1 및 제 2 온도 조절 유로(51)을 통류한 온도 조절 유체는, 다시 온도 조절 유체 공급부(53)로 리턴되도록 되어 있어, 이 온도 조절 유체의 통류에 의해서 처리 용기(40)가 설정 온도로 온도 조정되도록 되어 있다.In addition, two said 2nd temperature control flow paths 52 are formed in this example up and down in the inside of the side wall part 41a of the container main body 41 so that the said side wall part 41a may be wound in a horizontal direction. These two temperature control flow passages are formed as one continuous flow passage. The first and second temperature regulating flow passages 51 and 52 are supplied with a temperature regulating fluid adjusted to the set temperature of the processing vessel 40 from the temperature regulating fluid supply part 53, and the first and second temperature regulating passages ( The temperature control fluid passed through 51 is returned to the temperature control fluid supply part 53 again, and the processing container 40 is temperature-controlled to the set temperature by the flow of this temperature control fluid.

계속해서 도 3 및 도 4로 되돌아가서 처리 용기(40)의 내부에 대하여 설명하면, 용기 본체(41)의 내부에는, 용기 본체(41)의 저면 위에 절연 부재(43)를 개재하여, 기판(S)을 탑재하기 위한 탑재대(44)가 배치되고, 이 탑재대(44)는 접지되어 있다. 또, 용기 본체(41)의 측벽 하부에는 배기로(45)를 개재하여, 예를 들면 진공 펌프로 이루어지는 진공 배기 수단(46)이 접속되어 있고, 이에 의하여 처리 용기(40)의 내부 공간이 진공 배기되어, 소정의 감압 분위기로 유지되게 되어 있다.3 and 4, the inside of the processing container 40 will be described. In the inside of the container main body 41, the substrate (with an insulating member 43 on the bottom surface of the container main body 41) is provided. A mounting table 44 for mounting S) is disposed, and the mounting table 44 is grounded. Moreover, the vacuum exhaust means 46 which consists of a vacuum pump, for example is connected to the lower part of the side wall of the container main body 41 via the exhaust path 45, and the internal space of the processing container 40 is vacuumed by this. It exhausts and is maintained in a predetermined pressure-reduced atmosphere.

한편, 처리 용기(40)의 상기 탑재대(44)의 상방에는, 이 탑재대(44)의 표면과 대향하도록, 처리 용기(40) 내에 플라즈마를 발생하기 위한 수단인 상부 전극으로서 처리 가스 공급부(6)가 설치되어 있다. 이 처리 가스 공급부(6)는 그 주위에 배치된 절연 부재(61)를 개재하여 덮개체(42)의 내부에 돌출하는 지지부(62)에 의하여 지지되어 있다. 이 처리 가스 공급부(6)의 하면에는 다수의 가스 토출 구멍(6a)이 형성되는 동시에, 이 처리 가스 공급부(6)에는 가스 공급관(63)을 개재하여 에칭 처리를 위한 처리 가스를 해당 처리 가스 공급부(6)에 공급하는 처리 가스 공급계(64)가 접속되어 있고, 이에 의하여 상기 처리 가스가 처리 가스 공급부(6)의 가스 토출 구멍(6a)을 거쳐서 탑재대(44) 위의 기판(S)을 향하여 토출되게 되어 있다.On the other hand, above the mounting table 44 of the processing container 40, the processing gas supply part (as an upper electrode which is a means for generating plasma in the processing container 40 so as to face the surface of the mounting table 44) 6) is installed. This processing gas supply part 6 is supported by the support part 62 which protrudes inside the lid | cover body 42 through the insulating member 61 arrange | positioned around it. A plurality of gas discharge holes 6a are formed in the lower surface of the process gas supply part 6, and the process gas supply part receives process gas for etching treatment through the gas supply pipe 63 in the process gas supply part 6. The processing gas supply system 64 to be supplied to (6) is connected, whereby the processing gas passes through the gas discharge hole 6a of the processing gas supply unit 6 and the substrate S on the mounting table 44. It is discharged toward.

또, 처리 가스 공급부(6)의 천장부의 중앙에는 급전봉(65), 정합기(66)를 개재하여 고주파 발생 수단인 고주파 전원(67)이 접속되어 있다. 따라서, 진공 펌프(46)에 의하여 처리 용기(40)의 내부 공간을 소정의 감압 상태까지 진공 배기한 후, 고주파 전원(67)으로부터 정합기(66) 및 급전봉(65)을 개재하여 처리 가스 공 급부(6)에 고주파 전력을 인가함으로써, 기판(S)의 상방의 공간에는 처리 가스의 플라즈마가 형성되고, 이에 의하여 기판(S)에 대한 에칭 처리가 진행하도록 되어 있다.Moreover, the high frequency power supply 67 which is a high frequency generation means is connected to the center of the ceiling part of the process gas supply part 6 via the feed rod 65 and the matching device 66. As shown in FIG. Therefore, after evacuating the internal space of the processing container 40 to a predetermined pressure reduction state by the vacuum pump 46, the processing gas is supplied from the high frequency power supply 67 via the matching device 66 and the feed rod 65. By applying the high frequency power to the supply part 6, plasma of a process gas is formed in the space above the board | substrate S, and the etching process with respect to the board | substrate S advances by this.

또한, 용기 본체(41)와 덮개체(42)의 접합면에는, 예를 들면 도 4에 도시한 바와 같이, 예를 들면 용기 본체(41) 측에, 처리 용기(40) 내를 기밀 공간으로 하여 진공 배기 가능하게 하기 위한 예를 들어 O-링으로 이루어지는 시일 부재(47)와, 용기 본체(41)와 덮개체(42) 사이를 전기적으로 도통시키기 위한 탄성체로 이루어지는 도통 부재를 이루는 실드 스파이럴(48)이 설치되어 있다.In addition, as shown, for example, in the joint surface of the container main body 41 and the lid | cover 42, the inside of the processing container 40 is a hermetic space on the container main body 41 side, for example. Shield spirals formed of, for example, a seal member 47 made of an O-ring and a conducting member made of an elastic body for electrically conducting between the container body 41 and the lid 42. 48) is installed.

다음으로, 이상과 같이 구성된 진공 처리 시스템의 처리 동작에 대하여 설명한다. 먼저, 기판 반송 수단(31)의 2매의 아암(32, 33)을 진퇴 구동시켜서, 미처리 기판(S1)을 수용한 한쪽의 캐리어(C1)로부터 2매의 기판(S1)을 한번에 로드 로크실(22)에 반입한다. 로드 로크실(22) 내에 있어서는, 버퍼 랙(25)에 의하여 기판(S1)을 유지하고, 아암(32, 33)이 퇴피한 후, 로드 로크실(22) 내를 배기하여, 내부를 소정의 진공도까지 감압한다. 진공 배기 종료후, 포지셔너(25)에 의하여 기판(S1)의 위치맞춤을 행한다.Next, the processing operation of the vacuum processing system comprised as mentioned above is demonstrated. First, the two arms 32 and 33 of the board | substrate conveying means 31 drive forward and backward, and load the board lock chamber of two board | substrates S1 at one time from one carrier C1 which accommodated the unprocessed board | substrate S1. Bring in to (22). In the load lock chamber 22, the board | substrate S1 is hold | maintained by the buffer rack 25, after the arms 32 and 33 have retreated, the inside of the load lock chamber 22 is exhausted, and the inside is prescribed | regulated. Reduce the pressure to vacuum. After completion of the vacuum evacuation, the positioner 25 performs alignment of the substrate S1.

기판(S1)이 위치맞춤된 후, 로드 로크실(22)과 반송실(23) 사이의 게이트 밸브(27)를 개방하여, 반송 기구(35)에 의하여 2매의 기판(S1) 중 1매를 기판 지지 플레이트(39) 위에 수취하고, 상기 게이트 밸브(27)를 폐쇄한다. 이어서 반송실(23)과 소정의 에칭 처리 장치(4) 사이의 게이트 밸브(27)를 개방하여, 상기 기판(S1)을 반송 기구(35)에 의하여 해당 에칭 처리 장치(4)에 반입하고, 상기 게이 트 밸브(27)를 폐쇄한다.After the substrate S1 is aligned, the gate valve 27 between the load lock chamber 22 and the transfer chamber 23 is opened, and one of the two substrates S1 is carried out by the transfer mechanism 35. Is received over the substrate support plate 39 and the gate valve 27 is closed. Next, the gate valve 27 between the conveyance chamber 23 and the predetermined etching processing apparatus 4 is opened, and the said board | substrate S1 is carried in to the said etching processing apparatus 4 by the conveyance mechanism 35, The gate valve 27 is closed.

에칭 처리 장치(4)에 있어서는, 미리 처리 용기(40)의 내부를 온도 조절 수단(5)에 의하여 설정 온도, 예를 들어 80℃까지 가열해 둔다. 기판(S1)이 탑재대(44) 위에 탑재된 상태에서, 처리 가스 공급계(64)로부터 에칭 처리용의 처리 가스를 처리 가스 공급부(6)를 거쳐 기판(S1)을 향하여 토출하는 동시에, 처리 용기(40)의 내부 공간을 소정의 압력으로 조절한 후, 고주파 전원(67)으로부터 정합기(66) 및 급전봉(65)을 거쳐 처리 가스 공급부(6)에 고주파 전력을 공급하고, 이렇게 해서 기판(S1) 위의 공간에 플라즈마를 형성하여, 기판(S1)에 대한 에칭 처리를 진행시킨다.In the etching processing apparatus 4, the inside of the processing container 40 is previously heated by the temperature adjusting means 5 to a preset temperature, for example, 80 degreeC. In the state where the substrate S1 is mounted on the mounting table 44, the processing gas for etching processing is discharged from the processing gas supply system 64 toward the substrate S1 via the processing gas supply unit 6, and the processing is performed. After adjusting the internal space of the container 40 to a predetermined pressure, high frequency power is supplied from the high frequency power supply 67 to the processing gas supply part 6 via the matching device 66 and the feed rod 65, and thus Plasma is formed in the space above the substrate S1, and the etching process is performed on the substrate S1.

이 에칭 처리 종료후, 반송 기구(35)의 기판 지지 플레이트(39)에 의하여 처리완료 기판을 수취하여, 로드 로크실(22)에 반송한다. 로드 로크실(22)에 2매의 처리완료 기판(S2)이 반송된 시점에서 처리완료 기판(S2)은 반송 수단(31)의 아암(32, 33)에 의하여, 처리완료 기판용의 캐리어(C2)에 반송된다. 이에 의하여 1매의 기판(S)에 있어서의 처리가 종료되지만, 이 처리를 미처리 기판용의 캐리어(C1)에 탑재된 모든 미처리 기판(S1)에 대하여 행한다.After completion of the etching treatment, the substrate is processed by the substrate support plate 39 of the transfer mechanism 35 and transferred to the load lock chamber 22. When the two processed substrates S2 are conveyed to the load lock chamber 22, the processed substrates S2 are formed by the carriers for the processed substrates by the arms 32 and 33 of the conveying means 31. It is returned to C2). Thereby, although the process in one board | substrate S is complete | finished, this process is performed with respect to all the unprocessed board | substrates S1 mounted in the carrier C1 for unprocessed board | substrates.

이와 같은 에칭 처리 장치(4)에서는, 처리 용기(40)는, 덮개체(42)는 제 1 온도 조절 수단(5A)에 의하여, 용기 본체(41)는 제 2 온도 조절 수단(5B)에 의하여 각각 가열되고, 이 때 덮개체(42) 및 용기 본체(41)는 온도 조절 유로가 설치되어 있는 영역부터 가열된다. 이 때문에 용기 본체(41)에서는 측벽부(41a) 측부터 승온되어 가고, 덮개체(42)에서는, 천장부의 중앙부에, 각각의 모서리부를 우회하는 형상으로 설치된 온도 조절 유로(51a)와, 측벽부(42a) 내에 설치된 온도 조절 유로(51b)의 조합에 의하여, 천장부의 중앙부와 측벽부로부터 승온되어 간다. 그리고 이 때, 제 1 및 제 2 온도 조절 수단(5A, 5B)이 이미 설명한 바와 같이 구성되어 있으므로, 처리 용기(40)에서는, 후술하는 실시예로부터 명백한 바와 같이, 상기 처리 용기(40)의 승온시에 있어서의 상기 덮개체(42)의 천장부 외면의 중앙부의 온도와, 상기 덮개체(42) 및 용기 본체(41)와의 접합 모서리부의 외면의 온도의 차이의 평균값이 상기 설정 온도의 9% 미만이 되도록 가열된다.In such an etching processing apparatus 4, the processing container 40 includes the lid 42 by the first temperature regulating means 5A, and the container main body 41 by the second temperature regulating means 5B. It heats, respectively, and the lid | cover body 42 and the container main body 41 are heated from the area | region in which the temperature control flow path is provided at this time. For this reason, in the container main body 41, it heats up from the side wall part 41a side, and in the cover body 42, the temperature control flow path 51a and the side wall part which were provided in the shape which bypasses each corner part in the center part of a ceiling part, By the combination of the temperature control flow path 51b provided in 42a, it heats up from the center part and side wall part of a ceiling part. At this time, since the first and second temperature regulating means 5A and 5B are configured as described above, in the processing container 40, as is apparent from the embodiment described later, the temperature of the processing container 40 is increased. The average value of the temperature of the center part of the ceiling outer surface of the said lid | cover body 42 and the temperature of the outer surface of the junction edge part with the said lid | cover body 42 and the container main body 41 in city is less than 9% of the said set temperature. It is heated to become.

이 때문에, 후술하는 실시예로부터 명백한 바와 같이, 용기 본체(41)와 덮개체(42)와의 접합 모서리부에 형성되는 간극이, 설정 온도가 60℃인 경우에는 크더라도 0.42㎜ 정도, 설정 온도가 90℃인 경우에는 크더라도 0.62㎜ 정도가 되어, 종래의 온도 조절 수단을 이용하는 경우에 비하여 상기 간극을 좁힐 수 있다. 여기서 이미 설명한 바와 같이, 상기 간극이 예를 들어 0.75㎜ 이상이 되면, 용기 본체(41)와 덮개체(42) 사이에서 실드 스파이럴(48)의 접촉이 나빠져서 전기적 접촉이 악화되고, 또한 상기 간극이 예를 들어 1.0㎜ 이상이 되면, 진공 파괴가 발생할 우려가 있으나, 본 발명의 온도 조절 수단(5)을 이용하여 처리 용기(40)를 가열함으로써, 대형의 각진 통 형상의 처리 용기(40)를 이용하여 설정 온도가 90℃로 높은 처리를 행하는 경우이더라도, 처리 용기(40)의 가열(승온)시에, 처리 용기(40)의 덮개체(42)와 용기 본체(41)와의 접합 모서리부에 형성되는 간극이 0.75㎜ 미만으로 작아진다.For this reason, as apparent from the below-mentioned Example, even if the clearance gap formed in the junction edge part of the container main body 41 and the lid | cover body 42 is large when set temperature is 60 degreeC, about 0.42 mm and set temperature will be In the case of 90 degreeC, even if it is large, it becomes about 0.62 mm, and the said clearance gap can be narrowed compared with the case of using the conventional temperature control means. As already explained here, when the said gap becomes 0.75 mm or more, for example, the contact of the shield spiral 48 will worsen between the container main body 41 and the lid | cover 42, and electrical contact will worsen, and the said clearance will be made. For example, when it becomes 1.0 mm or more, there exists a possibility that vacuum breakage may generate | occur | produce, but the process container 40 of a large angular cylindrical shape is heated by heating the process container 40 using the temperature control means 5 of this invention. Even in the case where the set temperature is high at 90 ° C., the joint portion of the lid 42 and the container body 41 of the processing container 40 is heated at the time of heating (heating up) the processing container 40. The gap formed is small to less than 0.75 mm.

이에 의하여 처리 용기(40)에 있어서는, 처리 용기(40)의 가열과 진공 배기 를 동시에 행함에 있어서, 일단 진공 배기한 처리 용기(40)에 있어서, 처리 용기(40)의 가열시에 진공 파괴가 발생할 우려가 없어, 장치 가동률의 저하가 억제된다. 또, 용기 본체(41)와 덮개체(42) 사이의 전기적 접촉이 악화될 우려가 없어, 플라즈마 밀도의 균일성이 악화되거나 스파크가 발생하는 일이 없으므로, 안정된 플라즈마 처리를 행할 수 있어, 제품의 수율이 향상한다.As a result, in the processing container 40, in performing the heating and vacuum evacuation of the processing container 40 at the same time, in the processing container 40 once evacuated, vacuum breakdown occurs during the heating of the processing container 40. There is no possibility of occurrence, and the fall of apparatus operation rate is suppressed. In addition, there is no fear that the electrical contact between the container body 41 and the lid 42 is deteriorated, and the uniformity of the plasma density is not deteriorated or sparks are generated, so that stable plasma treatment can be performed. Yield is improved.

계속해서 온도 조절 수단(71)의 다른 예에 대하여 도 9를 이용하여 설명한다. 이 예의 온도 조절 수단(71)이, 도 8에 도시한 상술한 온도 조절 수단(5)과 다른 점은, 덮개체(42)에 설치되는 제 1 온도 조절 수단이 덮개체(42)의 천장부 내부에 설치되는 온도 조절 유로(72)만을 구비하고, 덮개체(42)의 측벽부(42a)에는 온도 조절 유로가 형성되어 있지 않은 것이며, 제 1 온도 조절 유로(72)의 형상이나 용기 본체(41)에 설치되는 제 2 온도 조절 유로(52)에 대해서는 도 8에 도시한 온도 조절 수단(5)과 동일하도록 구성되어 있다.Next, another example of the temperature regulating means 71 will be described with reference to FIG. 9. The temperature regulating means 71 of this example differs from the above-described temperature regulating means 5 shown in FIG. 8 in that the first temperature regulating means provided on the lid 42 is inside the ceiling of the lid 42. It is provided with only the temperature control flow path 72 is provided in the side, the temperature control flow path is not formed in the side wall portion 42a of the lid 42, the shape of the first temperature control flow path 72 and the container body 41 The second temperature control flow passage 52 provided in the) is configured to be the same as the temperature control means 5 shown in FIG.

이와 같은 구성에서는 덮개체(42)의 측벽부(42a)에 온도 조절 유로가 형성되어 있지 않으므로, 덮개체(42)에서는, 천장부의 중앙부에, 각각의 모서리부를 우회하는 형상으로 설치된 온도 조절 유로(72)에 의하여, 천장의 중앙부부터 승온되어 가고, 용기 본체(41)에서는 측벽부(41a) 측부터 승온되어 간다. 그리고, 이들 제 1 온도 조절 유로(72)와 제 2 온도 조절 유로(52)의 조합에 의하여, 처리 용기(40)에서는 후술하는 실시예로부터 명백한 바와 같이, 덮개체(42)의 천장부 외면의 중앙부가 상기 측벽 모서리부 외면보다 온도가 높은 상태에서 가열된다.In this structure, since the temperature control flow path is not formed in the side wall part 42a of the cover body 42, in the cover body 42, the temperature control flow path provided in the shape which bypasses each edge part in the center part of a ceiling part ( By 72, it heats up from the center part of the ceiling, and it heats up from the side wall part 41a side in the container main body 41. FIG. And by the combination of these 1st temperature control flow path 72 and the 2nd temperature control flow path 52, in the processing container 40, as is clear from the Example mentioned later, the center part of the ceiling outer surface of the cover body 42 is carried out. Is heated at a temperature higher than the outer surface of the side wall edge portion.

이 때문에, 후술하는 실시예로부터 명백한 바와 같이, 용기 본체(41)와 덮개 체(42)와의 접합 모서리부에 형성되는 간극이, 설정 온도가 90℃인 경우에는 크더라도 0.41㎜ 정도, 설정 온도가 120℃인 경우에는 크더라도 0.69㎜ 정도가 되어, 종래의 온도 조절 수단을 이용하는 경우나 상술한 도 8에 도시한 예에 비하여 상기 간극을 좁힐 수 있다. 이에 의하여, 대형의 각형 처리 용기(40)를 이용하여 설정 온도가 90℃나 120℃로 높은 처리를 행하는 경우이더라도, 처리 용기(40)의 가열(승온)시에, 처리 용기(40)의 진공 파괴가 발생할 우려가 없어, 장치 가동률의 저하가 억제된다. 또, 용기 본체(41)와 덮개체(42)의 전기적 접촉이 악화될 우려가 없어, 안정된 플라즈마 처리를 행할 수 있으므로, 제품의 수율이 향상한다.For this reason, as apparent from the below-mentioned Example, even if the clearance gap formed in the joint edge part of the container main body 41 and the lid | cover body 42 is about 0.41 mm, even if the preset temperature is 90 degreeC, In the case of 120 degreeC, even if it is large, it becomes about 0.69 mm, and the said clearance gap can be narrowed compared with the case of using the conventional temperature control means or the example shown in FIG. Thereby, even when the process temperature is high at 90 degreeC or 120 degreeC using the large square processing container 40, the vacuum of the processing container 40 at the time of heating (heating up) of the processing container 40 is carried out. There is no fear of breakage, and a decrease in apparatus operation rate is suppressed. In addition, since there is no fear that the electrical contact between the container body 41 and the lid 42 is deteriorated, stable plasma treatment can be performed, so that the yield of the product is improved.

이어서, 온도 조절 수단(73)의 또 다른 예에 대하여 도 10을 이용하여 설명한다. 이 예의 온도 조절 수단(73)이, 도 8에 도시한 상술한 온도 조절 수단(5)과 다른 점은, 덮개체(42)에 설치되는 제 1 온도 조절 수단이 덮개체(42)의 천장부 내부에 설치되는 온도 조절 유로(74)만을 구비하며, 덮개체(42)의 측벽부(42a)에는 온도 조절 유로가 형성되어 있지 않고, 제 1 온도 조절 유로(74)와 용기 본체(41)에 설치된 제 2 온도 조절 유로(52)가 서로 접속되어, 이들에 의하여 하나의 연속된 유로가 형성되고, 제 1 온도 조절 유로(74)에 공급된 온도 조절 유체가, 제 1 온도 조절 유로(74)로부터 제 2 온도 조절 유로(52)로 통류되어 가서, 제 2 온도 조절 유로(52)로부터 온도 조절 유로 공급부(53)로 리턴되는 것이다. 이 때 제 1 온도 조절 유로(74)의 형상이나, 용기 본체(41)에 설치되는 제 2 온도 조절 유로(52)의 형상에 대해서는, 도 8에 도시한 온도 조절 수단(5)과 동일하게 구성되어 있다.Next, another example of the temperature adjusting means 73 will be described with reference to FIG. 10. The temperature regulating means 73 of this example differs from the above-described temperature regulating means 5 shown in FIG. 8 in that the first temperature regulating means provided on the lid 42 is inside the ceiling of the lid 42. Only the temperature control flow path 74 is installed in the side, the side wall portion 42a of the lid 42 is not formed with a temperature control flow path, provided in the first temperature control flow path 74 and the container body 41 The 2nd temperature control flow path 52 is mutually connected, and one continuous flow path is formed by these, and the temperature control fluid supplied to the 1st temperature control flow path 74 from the 1st temperature control flow path 74 is carried out. It flows into the 2nd temperature control flow path 52, and is returned to the temperature control flow path supply part 53 from the 2nd temperature control flow path 52. As shown in FIG. At this time, the shape of the 1st temperature control flow path 74 and the shape of the 2nd temperature control flow path 52 provided in the container main body 41 are comprised similarly to the temperature control means 5 shown in FIG. It is.

이와 같은 구성에서는, 덮개체(42)에서는, 천장부의 중앙부에, 각각의 모서리부를 우회하는 형상으로 설치된 온도 조절 유로(72)에 의하여, 천장의 중앙부부터 승온되어 가고, 용기 본체(41)에서는 측벽부(41a) 측부터 승온되어 간다. 또, 이 예에서는 제 1 온도 조절 유로(74)와 제 2 온도 조절 유로(52)에 의하여 하나의 연속된 유로가 형성되고, 온도 조절 유체가 통류되어 가므로, 제 1 온도 조절 유로(74)를 통류할 때에 온도 조절 유체의 열을 서서히 빼앗겨, 제 2 온도 조절 유로(52)에 통류할 때에는 제 1 온도 조절 유로(74)에 통류할 때보다 온도 조절 유체의 온도가 낮아진다. 이에 의하여 용기 본체(41)의 승온 속도가 도 9에 도시한 예보다 늦어진다. 그 결과, 덮개체(42)에 있어서의 천장부의 중앙부부터의 가열과의 조합에 의하여, 처리 용기(40)는, 덮개체(42)의 천장부 외면의 중앙부가 상기 측벽 모서리부의 외면보다 온도가 높은 상태에서 설정 온도까지 가열된다.In such a structure, in the lid | cover body 42, it heats up from the center part of the ceiling by the temperature control flow path 72 provided in the shape which bypasses each edge part in the center part of a ceiling part, and the container main body 41 has a side wall. It heats up from the part 41a side. In this example, one continuous flow path is formed by the first temperature control flow path 74 and the second temperature control flow path 52, and the temperature control fluid flows through the first temperature control flow path 74. When the heat is passed through, the heat of the temperature regulating fluid is gradually taken away, and when passing through the second temperature regulating flow path 52, the temperature of the temperature regulating fluid is lower than when passing through the first temperature regulating flow path 74. Thereby, the temperature increase rate of the container main body 41 becomes slower than the example shown in FIG. As a result, by the combination with the heating from the center part of the ceiling part in the cover body 42, the process container 40 has the central part of the outer surface of the ceiling part of the cover body 42 whose temperature is higher than the outer surface of the said side wall edge part. It is heated up to the set temperature in the state.

이 때문에 후술하는 실시예로부터 명백한 바와 같이, 용기 본체(41)와 덮개체(42)와의 접합 모서리부에 형성되는 간극은, 설정 온도가 120℃인 경우에는 크더라도 0.41㎜ 정도가 되어, 도 9에 도시한 온도 조절 수단을 이용하는 경우보다 상기 간극을 더 좁힐 수 있음이 확인되었다. 이에 의하여, 대형의 각형 처리 용기(40)를 이용하여 설정 온도가 90℃나 120℃로 높은 처리를 행하는 경우이더라도, 처리 용기(40)의 가열(승온)시에, 처리 용기(40)의 진공 파괴가 발생할 우려가 없어, 장치 가동률의 저하가 억제된다. 또, 용기 본체(41)와 덮개체(42)와의 전기적 접촉이 악화될 우려가 없어, 안정된 플라즈마 처리를 행할 수 있으므로, 제품의 수율이 향상한다.For this reason, as is evident from the embodiment described later, the gap formed at the joining corner portion between the container body 41 and the lid 42 is about 0.41 mm even when the set temperature is 120 ° C., and FIG. 9. It has been confirmed that the gap can be further narrowed than in the case of using the temperature control means shown in FIG. Thereby, even when the process temperature is high at 90 degreeC or 120 degreeC using the large square processing container 40, the vacuum of the processing container 40 at the time of heating (heating up) of the processing container 40 is carried out. There is no fear of breakage, and a decrease in apparatus operation rate is suppressed. In addition, since there is no fear that the electrical contact between the container body 41 and the lid 42 is deteriorated, stable plasma treatment can be performed, so that the yield of the product is improved.

계속해서 온도 조절 수단(8)의 또 다른 예에 대하여 도 11을 이용하여 설명한다. 이 예의 온도 조절 수단(8)이, 도 8에 도시한 상술한 온도 조절 수단(5)과 다른 점은, 덮개체(42)의 천장 외면의 중앙부에, 온도 조절 수단으로서, 상기 처리 용기의 승온시에, 상기 덮개체의 중앙부와, 상기 덮개체(42) 및 용기 본체(41)의 접합 모서리부의 온도차를 작게 하여, 상기 접합 모서리부에 있어서의 덮개체(42)의 휘어짐을 억제하기 위하여 히터(81)를 설치하는 동시에, 용기 본체(41)의 저면 외면의 중앙부에 상기 접합 모서리부에 있어서의 용기 본체(41)의 휘어짐을 억제하기 위하여 히터(82)를 설치한 것이며, 이들 히터(81, 82)는 예를 들어 저항 발열선에 의하여 형성된다. 또, 덮개체(42)에 설치되는 제 1 온도 조절 유로(51b)와, 용기 본체(41)에 설치되는 제 2 온도 조절 유로(52)는, 이 예에서는 종래와 같이 각각의 측벽부(42a, 41a)의 내부에 이들 측벽부(42a, 41a)를 수평 방향으로 주회하도록 형성되어 있다.Next, another example of the temperature adjusting means 8 will be described with reference to FIG. 11. The temperature control means 8 of this example differs from the above-described temperature control means 5 shown in FIG. 8 in that the temperature control means is a temperature control means at a central portion of the ceiling outer surface of the lid 42. In order to reduce the temperature difference between the central portion of the lid and the junction edges of the lid 42 and the container body 41, the heater is suppressed from bending of the lid 42. The heaters 82 are provided in order to suppress the warpage of the container main body 41 at the joining corners at the center of the outer surface of the bottom face of the container main body 41. , 82 is formed by, for example, a resistance heating wire. In addition, the 1st temperature control flow path 51b provided in the cover body 42, and the 2nd temperature control flow path 52 provided in the container main body 41 are each side wall part 42a like this conventionally. And 41a, the side wall portions 42a and 41a are formed in a horizontal direction.

이 예에서는, 상기 히터(81, 82)는 처리 용기(40)의 중앙부 외면의 상하에 설치되고, 처리 용기(40)의 천장부 및 저면부의 중앙부에 있어서는 해당 히터(81, 82)에 의해서 가열된다. 한편, 처리 용기(40)의 주연부에 있어서는, 용기 본체(41)와 덮개체(42)의 각각의 측벽부(41a, 42a)에 설치된 온도 조절 유로(51, 52)를 거쳐 온도 조절 유체에 의해서 가열된다.In this example, the heaters 81 and 82 are provided above and below the outer surface of the center portion of the processing container 40, and are heated by the heaters 81 and 82 in the center portions of the ceiling and bottom portions of the processing container 40. . On the other hand, in the peripheral part of the processing container 40, the temperature control fluid passes through the temperature control flow paths 51 and 52 provided in the side wall parts 41a and 42a of the container main body 41 and the lid | cover body 42, respectively. Heated.

이 때문에, 처리 용기(40)에서는 천장부와 저면부의 중앙부를 히터(81, 82)에 의하여 적극적으로 가열할 수 있으므로, 온도 조절 유체로부터 가열되는 측벽 모서리부 근방 영역에 대하여 온도 구배를 준 상태에서 가열하기 쉽다. 이에 의하 여 처리 용기(40)의 승온시에 있어서, 덮개체(42)의 천장부의 중앙부 또는 용기 본체(41)의 저면부의 중앙부가 상기 측벽 모서리부보다 온도가 높거나, 또는 덮개체(42) 또는 용기 본체(41)의 중앙부가 상기 측벽 모서리부보다 온도가 낮더라도, 상기 덮개체(42)의 천장 외면 또는 용기 본체(41)의 저면 외면의 중앙부의 온도와 상기 접합 모서리부의 외면의 온도의 차이의 평균값이 상기 설정 온도의 9% 미만이 되는 조건에서의 상기 처리 용기의 가열을 보다 용이하게 행할 수 있다.For this reason, in the processing container 40, since the center part of the ceiling part and the bottom part can be actively heated by the heaters 81 and 82, it heats in the state which gave the temperature gradient with respect to the area | region near the side wall edge part heated from a temperature control fluid. easy to do. As a result, at the time of raising the temperature of the processing container 40, the central portion of the ceiling of the lid 42 or the central portion of the bottom of the vessel body 41 is higher in temperature than the sidewall edge, or the lid 42. Alternatively, even if the central portion of the container body 41 is lower in temperature than the side wall edge portion, the temperature of the center portion of the ceiling outer surface of the lid 42 or the bottom surface of the bottom surface of the container body 41 and the temperature of the outer surface of the joining edge portion are different. The processing vessel can be heated more easily under the condition that the average value of the difference is less than 9% of the set temperature.

그 결과, 상기 접합 모서리부에 있어서의 덮개체(42)의 휘어짐이 억제되어, 용기 본체(41)와 덮개체(42) 사이에 형성되는 간극이 작아진다. 이 때문에, 대형의 각형 처리 용기(40)를 이용하여 설정 온도가 높은 처리를 행하는 경우이더라도, 처리 용기(40)의 가열(승온)시에, 처리 용기(40)의 진공 파괴가 발생할 우려가 없어, 장치 가동률의 저하가 억제된다. 또, 용기 본체(41)와 덮개체(42)와의 전기적 접촉이 악화될 우려가 없어, 안정된 플라즈마 처리를 행할 수 있으므로, 제품의 수율이 향상한다.As a result, the warpage of the lid 42 at the joining edge is suppressed, and the gap formed between the container body 41 and the lid 42 is reduced. For this reason, even in the case of performing a process having a high set temperature using the large-sized square processing container 40, there is no possibility that vacuum breakdown of the processing container 40 occurs when the processing container 40 is heated (heated up). The fall of the apparatus operation rate is suppressed. In addition, since there is no fear that the electrical contact between the container body 41 and the lid 42 is deteriorated, stable plasma treatment can be performed, so that the yield of the product is improved.

또, 본 발명에서는, 도 12에 도시한 바와 같이, 용기 본체(41)와 덮개체(42)의 각각의 측벽부(41a, 42a)의 외측에, 처리 용기(40) 측면의 변형을 방지하기 위한 예를 들어 알루미늄이나 스테인리스 등의 재료에 의하여 구성된 플레이트를 장착하도록 해도 좋다. 이 예에서는, 용기 본체(41)와 덮개체(42)의 측벽부(41a, 42a)의 서로 대향하는 부위에 한 쌍의 플레이트[(83, 83), (84, 84)]가 각각 설치되어 있다. 이 플레이트(83, 84)는 도 8 내지 도 11에 도시한 온도 조절 수단과 조합하여 이용할 수 있고, 용기 본체(41)와 덮개체(42) 중 어느 한쪽에 설치하도록 해도 좋다.Moreover, in this invention, as shown in FIG. 12, the deformation | transformation of the processing container 40 side surface is prevented in the outer side of each side wall part 41a, 42a of the container main body 41 and the lid | cover body 42. FIG. For example, you may mount the plate comprised from materials, such as aluminum and stainless steel. In this example, a pair of plates [(83, 83), (84, 84)] are provided at portions of the container body 41 and the side walls 41a, 42a of the lid 42 facing each other, respectively. have. These plates 83 and 84 can be used in combination with the temperature adjusting means shown in FIGS. 8 to 11, and may be provided on either the container body 41 or the lid 42.

이와 같이 플레이트(83, 84)를 설치하면, 처리 용기(40)의 승온시에, 덮개체(42)의 중앙부와 접합 모서리부와의 사이에서 온도차가 생겨, 열 팽창에 의하여 처리 용기(40)가 변형되려고 하더라도, 플레이트(83, 84)에 의해서 열 팽창에 의하여 신장하려고 하는 힘이 억제된다. 그 결과, 처리 용기(40) 측면의 변형을 방지할 수 있고, 용기 본체(41)와 덮개체(42) 사이의 접합 모서리부에 있어서의 용기 본체(41)와 덮개체(42)의 휘어짐이 억제되므로, 용기 본체(41)와 덮개체(42) 사이의 간극의 발생을 방지할 수 있다.In this way, when the plates 83 and 84 are provided, a temperature difference occurs between the central portion of the lid 42 and the joining edge at the time of the temperature rise of the processing container 40, and the processing container 40 is formed by thermal expansion. Even if is going to be deformed, the force which tries to expand by thermal expansion by the plates 83 and 84 is suppressed. As a result, the deformation | transformation of the processing container 40 side surface can be prevented, and the curvature of the container main body 41 and the lid | cover body 42 in the joint edge part between the container main body 41 and the lid | cover body 42 is prevented. Since it is suppressed, generation | occurrence | production of the clearance gap between the container main body 41 and the cover body 42 can be prevented.

실제로, 본 발명자들은, 처리 용기(40)의 승온시의 상기 간극의 크기에 대하여, 도 1에 도시한 진공 처리 시스템의 에칭 처리 장치에 있어서 측정했으나, 처리 용기(40)의 네 개의 접합 모서리부 중, 반송실(23)과 게이트 밸브(27)로 접속되어 있는 쪽의 접합 모서리부(도 6에서 P2, P3)의 간극은, 게이트 밸브(27)로부터 떨어진 쪽의 접합 모서리부(도 6에서 P4, P5)의 간극보다 작다는 것이 확인되었다. 이 경우에는 게이트 밸브(27)이 플레이트(83, 84)와 동일하도록 처리 용기(40)의 측면의 변형 방지의 역할을 하고 있다고 추정되기 때문에, 플레이트(83, 84)의 유효성이 이해된다.In fact, the present inventors measured the size of the gap at the time of raising the temperature of the processing container 40 in the etching processing apparatus of the vacuum processing system shown in FIG. 1, but the four junction edges of the processing container 40 were used. In the meantime, the gap between the joint edge portions (P2 and P3 in FIG. 6) connected to the transfer chamber 23 and the gate valve 27 is the joint edge portion away from the gate valve 27 (in FIG. 6). It was confirmed that it is smaller than the gap of P4, P5). In this case, since the gate valve 27 is assumed to play a role of preventing deformation of the side surface of the processing container 40 so as to be the same as the plates 83 and 84, the effectiveness of the plates 83 and 84 is understood.

이상에 있어서, 도 8 내지 도 11의 구성에 있어서는 온도 조절 유로의 위치나, 구멍 직경, 온도 조절 유체의 유량이나 온도 조절 유체의 종류를 조정하거나, 가열 수단(81, 82)의 형상이나 배치, 크기를 조정함으로써, 처리 용기(40)의 온도 구배 분포를 제어할 수 있다. 또, 상술한 예에서는 덮개체(42) 또는 용기 본 체(41)에 형성되는 온도 조절 유로가 수직 방향으로 2개 이상 형성되고, 이들이 서로 접속되어 있을 때와, 덮개체(42)에 형성되는 온도 조절 유로와 용기 본체(41)에 형성되는 온도 조절 유로가 서로 접속되어 있을 때의 각각의 경우를, 하나의 연속된 유로로 하고, 또한 분기한 복수의 유로에는 동일한 형상의 유로가 수직 방향으로 2개 이상 형성되어 있을 때와, 다른 형상의 유로가 조합되어 형성되어 있을 때의 각각의 경우가 포함된다.In the above, in the configuration of FIGS. 8 to 11, the position of the temperature control flow path, the hole diameter, the flow rate of the temperature control fluid, the type of the temperature control fluid are adjusted, the shape and arrangement of the heating means 81, 82, By adjusting the size, the temperature gradient distribution of the processing container 40 can be controlled. Moreover, in the above-mentioned example, two or more temperature control flow paths formed in the lid 42 or the container body 41 are formed in the vertical direction, and when they are connected to each other, they are formed in the lid 42. Each case when the temperature control flow path and the temperature control flow paths formed in the container main body 41 are connected to each other is one continuous flow path, and flow paths having the same shape are vertical in the plurality of branched flow paths. Each case when two or more are formed and when the flow path of a different shape is formed in combination is included.

또한, 상술한 예에 있어서는, 용기 본체(41)는 그 내부의 중앙부에 탑재대(44)가 설치되어 있고, 그 저면의 중앙부에는 구동 부분이 있으므로, 저면 내부의 중앙 영역에 온도 조절 유로를 배치하기 어렵기 때문에, 측벽부(41a)에 온도 조절 유로(52)를 설치하는 구성으로 하고 있으나, 용기 본체(41)에 제약이 없는 경우에는, 용기 본체(41)의 저면 내부에, 상기 처리 용기(40)의 승온시에 있어서, 상기 덮개체(42) 또는 용기 본체(41)의 중앙부의 온도가, 상기 덮개체(42) 및 용기 본체(41)의 측벽 모서리부의 온도보다 높거나, 또는 용기 본체(41)의 중앙부의 온도가 상기 측벽 모서리부의 온도보다 약간 낮은 조건으로, 상기 용기 본체(41)를 가열함으로써, 상기 접합 모서리부에 있어서의 용기 본체(41)의 휘어짐을 억제하기 위한 제 1 온도 조절 수단을 설치하도록 해도 좋다.In addition, in the above-mentioned example, since the mounting base 44 is provided in the center part of the inside of the container main body 41, and the drive part is provided in the center part of the bottom face, the temperature control flow path is arrange | positioned in the center area inside a bottom face. Since the temperature control flow path 52 is provided in the side wall part 41a, since there is no restriction | limiting in the container main body 41, in the bottom surface of the container main body 41, the said process container is difficult. At the time of temperature increase of 40, the temperature of the center part of the said lid | cover body 42 or the container main body 41 is higher than the temperature of the side wall edge part of the said lid | cover body 42 and the container main body 41, or a container. 1st for suppressing the bending of the container main body 41 in the said joint edge part by heating the said container main body 41 on the condition that the temperature of the center part of the main body 41 is slightly lower than the temperature of the said side wall edge part. You may install a temperature control means. All.

이 때, 용기 본체(41)의 저면부에는 제 1 온도 조절 수단으로서, 도 8 내지 도 11에 도시한 덮개체(42)에 설치된 제 1 온도 조절 수단과 동일한 구성의 것을 설치하고, 한편, 덮개체(42)에는 제 2 온도 조절 수단으로서, 도 8 내지 도 11에 도시한 용기 본체(41)에 설치된 제 2 온도 조절 수단과 동일한 구성의 것을 설치하 도록 해도 좋고, 덮개체(42)와 용기 본체(41)의 양쪽에, 도 8 내지 도 11에 도시한 덮개체(42)에 설치된 제 1 온도 조절 수단과 동일한 구성의 온도 조절 수단을 설치하도록 해도 좋다. 또, 상기 히터(81, 82)는 덮개체(42) 또는 용기 본체(41) 중 어느 한쪽에 설치하도록 해도 좋으며, 구성상의 제약이 없는 경우에는 덮개체(42)의 천장부 내측 또는 용기 본체 측의 저면부 내측에 설치해도 좋다.At this time, the bottom part of the container main body 41 is provided with the thing of the same structure as the 1st temperature control means provided in the cover body 42 shown in FIGS. 8-11 as a 1st temperature control means, and a cover The sieve 42 may be provided with the same structure as the 2nd temperature regulating means provided in the container main body 41 shown in FIGS. 8-11 as a 2nd temperature regulating means, and the cover body 42 and a container are provided. On both sides of the main body 41, temperature adjusting means having the same configuration as that of the first temperature adjusting means provided in the lid 42 shown in FIGS. 8 to 11 may be provided. The heaters 81 and 82 may be provided on either the lid 42 or the container main body 41. If there is no restriction in configuration, the heaters 81 and 82 may be placed inside the ceiling of the lid 42 or on the container main body side. You may install in the bottom part inside.

또한, 이와 같이 처리 용기(40)의 승온시의 덮개체(42)의 온도 또는 용기 본체(41)의 온도 중 어느 한쪽에 착안한 것은, 덮개체(42) 또는 용기 본체(41) 중 어느 한쪽의 온도 제어를 행함으로써, 덮개체(42)와 용기 본체(41)와의 접합 모서리부에 있어서의 덮개체(42) 또는 용기 본체(41)의 휘어짐의 발생이 억제되므로, 만약 다른 쪽의 용기 본체(41) 또는 덮개체(42)에 있어서 어느 정도의 휘어짐이 발생했다고 하더라도 결과적으로 상기 접합 모서리부에 있어서의 간극이 좁혀지기 때문이다.In addition, what focuses on either the temperature of the cover body 42 or the temperature of the container main body 41 at the time of the temperature of the process container 40 in this way is either the cover body 42 or the container main body 41. By performing the temperature control of the cover body 42, the occurrence of the warpage of the cover body 42 or the container body 41 in the joint edge portion of the cover body 42 and the container body 41 is suppressed, so that if the other container body This is because even if a certain amount of warpage occurs in the 41 or the lid 42, the gap in the joint edge portion is narrowed as a result.

이와 같은 것 때문에, 온도 조절 수단은 상기 덮개체(42)의 천장부 또는 용기 본체(41)의 저면부의 중앙부의 온도가, 덮개체(42) 및 용기 본체(41)의 측벽 모서리부의 온도보다도 높거나, 또는 상기 덮개체(42)의 천장부 외면 또는 용기 본체(41)의 저면부 외면의 중앙부의 온도와, 상기 접합 모서리부의 외면의 온도의 차이의 평균값이 설정 온도의 9% 미만이 되도록 가열한다는 조건으로 처리 용기(40)를 가열함으로써, 온도 조절 수단의 형상이나 배치 장소에는 관계없이 상기 접합 모서리부에 형성되는 간극이 좁혀진다고 파악하고 있다. 이 때문에 덮개체(42)의 천장부 또는 용기 본체(41)의 저면부의 어느 한쪽에 온도 조절 수단을 설치하고, 다른 쪽의 측벽부에는 온도 조절 수단을 설치하지 않는 경우이더라도, 처리 용기(40)는 알루미늄 등의 열전도성이 양호한 재질에 의하여 형성되어 있으므로 처리 용기(40)를 충분히 가열할 수 있고, 상기 덮개체(42) 또는 용기 본체(41)의 접합 모서리부의 휘어짐의 발생을 억제할 수 있어, 형성되는 간극이 좁혀지는 것이라고 생각하고 있다. 이 때, 온도 조절 수단의 형상은 상술한 형상에 한정하지 않고, 원형 형상이나 다각형 형상이더라도 상관없고, 덮개체(42)의 천장부 또는 용기 본체(41)의 저면부의 중앙부에 각각 설치하는 가열 수단(81, 82)의 형상도 상술한 형상에 한정하지 않고 원형 형상이나 다각형 형상이더라도 상관없다.For this reason, in the temperature control means, the temperature of the center of the ceiling of the lid 42 or the bottom of the bottom of the container body 41 is higher than the temperature of the edge of the side wall of the lid 42 and the container body 41. Or a condition in which the average value of the difference between the temperature at the center of the ceiling outer surface of the lid 42 or the outer surface of the bottom surface of the container body 41 and the temperature of the outer surface of the bonding edge is less than 9% of the set temperature. By heating the processing vessel 40, it is understood that the gap formed in the joining edge portion is narrowed regardless of the shape of the temperature control means and the placement position. For this reason, even if it is a case where the temperature control means is provided in the ceiling part of the cover body 42 or the bottom part of the container main body 41, and the temperature control means is not provided in the other side wall part, the processing container 40 is Since it is formed of a material having good thermal conductivity such as aluminum, the processing container 40 can be sufficiently heated, and the occurrence of warpage of the joining edge portion of the lid 42 or the container body 41 can be suppressed. The gap formed is thought to be narrowing. At this time, the shape of the temperature adjusting means is not limited to the above-described shape, and may be a circular shape or a polygonal shape, and heating means provided in the center of the ceiling of the lid 42 or the bottom of the bottom of the container body 41, respectively ( The shapes of 81 and 82 are not limited to the above-described shapes, and may be circular or polygonal.

또한, 본 발명은 덮개체가 천장판에 의해서만 구성되어, 용기 본체의 상부 개구부를 천장판으로 이루어지는 덮개체로 폐쇄하는 타입의 진공 용기에도 적용할 수 있다. 이 경우에도 덮개체 및/또는 용기 본체의 상기 개구부에 대향하는 면부의 한쪽은 덮개체의 천장부이고, 다른 쪽은 용기 본체의 바닥부이다.Moreover, this invention is applicable also to the vacuum container of the type in which a cover body is comprised only by a ceiling plate, and the upper opening part of a container main body is closed by the cover body which consists of a ceiling plate. Also in this case, one side of the surface portion facing the opening of the lid and / or the container body is the ceiling of the lid, and the other is the bottom of the container body.

또한, 본 발명은 용기 본체의 개구부가 처리 용기의 좌우 방향에 있고, 이 개구부를 덮개체에 의해 가로 방향으로부터 폐쇄하는 타입의 처리 용기에도 적용할 수 있다. 이 경우에는 온도 조절 수단은 상기 덮개체의 개구부와 대향하는 면부 또는, 용기 본체의 개구부와 대향하는 면부의 적어도 한쪽에 설치되고, 처리 용기의 측벽 모서리부는 처리 용기의 온도 조절 수단이 설치되어 있는 면에 직교하는 4개의 능선에 상당한다.Moreover, this invention is applicable also to the processing container of the type in which the opening part of a container main body exists in the left-right direction of a processing container, and this opening part is closed from a horizontal direction by a cover body. In this case, the temperature regulating means is provided on at least one surface portion facing the opening of the lid or on the surface portion facing the opening of the container body, and the side wall edge of the processing container is the surface on which the temperature adjusting means of the processing container is provided. It is equivalent to four ridges orthogonal to.

[실시예]EXAMPLE

이하에 본 발명의 효과를 확인하기 위하여 행한 실시예에 대하여 설명한다. 이하의 실험에 있어서는, 도 1에 도시한 진공 처리 시스템의 하나의 에칭 처리 장치(4)를 이용하여 소정의 실험을 하였다.Hereinafter, the Example performed in order to confirm the effect of this invention is demonstrated. In the following experiment, predetermined experiment was performed using one etching apparatus 4 of the vacuum processing system shown in FIG.

1. 설정 온도가 60℃인 경우의 처리 용기(40)의 온도의 경시 변화와 간극의 크기에 대하여1. About the temporal change of the temperature of the processing container 40 and the magnitude | size of a clearance gap when a preset temperature is 60 degreeC

(실시예 1)(Example 1)

도 8에 도시한 온도 조절 수단이 형성된 처리 용기(40)에 있어서, 설정 온도를 60℃로 하고, 처리 용기(40)의 덮개체(42)의 천장 외면의 중앙부(P1)와, 덮개체(42) 및 용기 본체(41)와의 접합 모서리부(P3)의 외면의 온도를 소정 시간마다 측정하고, 덮개체(42)와 용기 본체(41)와의 접합 모서리부(P4)에 형성되는 간극의 크기에 대하여 측정하였다. 여기서 설정 온도가 60℃라는 것은 온도 조절 유체의 온도가 60℃라는 것이다. 상기 중앙부(P1) 및 접합 모서리부(P3)의 위치에 대해서는 각각 도 6에 도시한다. 이 때 상기 중앙부(P1)와 접합 모서리부(P3)의 온도는 백금 저항 온도 센서에 의하여 측정하였다. 또, 상기 간극의 크기는 해당 간극의 높이를 측정함으로써 행하였다. 또한, 접합 모서리부(P2∼P5)의 온도는 모두 거의 동일하기 때문에 여기에서는 접합 모서리부(P3)의 온도를 나타내는 것으로 하였다.In the processing container 40 in which the temperature control means shown in FIG. 8 was formed, setting temperature shall be 60 degreeC, and the center part P1 of the ceiling outer surface of the cover body 42 of the processing container 40, and the cover body ( 42 and the temperature of the outer surface of the bonding edge portion P3 between the container body 41 are measured at predetermined times, and the size of the gap formed in the bonding edge portion P4 between the lid 42 and the container body 41 is measured. Measured against. Here, the set temperature is 60 ° C that the temperature of the temperature control fluid is 60 ° C. The position of the said center part P1 and the junction edge part P3 is shown in FIG. 6, respectively. At this time, the temperature of the center portion P1 and the junction edge portion P3 was measured by a platinum resistance temperature sensor. The size of the gap was measured by measuring the height of the gap. In addition, since the temperature of junction edge parts P2-P5 is almost the same, it is assumed here that the temperature of junction edge part P3 is shown here.

이 온도의 측정 데이터를 표 1에, 이 측정 데이터에 의거한 온도의 경시 변화를 도 13에, 간극의 크기의 경시 변화를 도 14에 각각 나타낸다.The measurement data of this temperature is shown in Table 1, the temporal change of the temperature based on this measurement data is shown in FIG. 13, and the temporal change of the magnitude | size of a gap is shown in FIG.

Figure 112007062716216-pat00001
Figure 112007062716216-pat00001

여기서, 표 1에 있어서 차이란, 상기 중앙부(P1)의 온도와 상기 접합 모서리부(P3)의 온도의 차이로서, [중앙부(P1)의 온도]-[접합 모서리부(P3)의 온도]에 의하여 구해지는 값이다. 또, 평균값이란 상기 차이의 평균값이며, 이 값이 마이너스인 경우에는 중앙부(P1) 쪽이 접합 모서리부(P3)보다 온도가 낮고, 플러스인 경우에는 중앙부(P1) 쪽이 접합 모서리부(P3)보다 온도가 높다는 것을 나타내고 있다. 또, 온도 분포란 상기 평균값을 설정 온도인 60℃로 나누어서 얻어지는 값이며, 이 값이 0에 가까울수록 덮개체(42)의 중앙부(P1)와 접합 모서리부(P3) 사이의 온도차가 작아, 덮개체(42)의 면 내에 있어서의 온도 균일성이 양호하다는 것을 나타내고 있다.Here, in Table 1, a difference is a difference between the temperature of the said center part P1 and the temperature of the said joining edge part P3, and is [the temperature of the center part P1]-[the temperature of the joining edge part P3]. Is a value obtained by In addition, an average value is an average value of the said difference, and when this value is negative, the center part P1 has a lower temperature than the junction edge part P3, and when it is positive, the center part P1 side is a junction edge part P3. It shows that temperature is higher. Moreover, a temperature distribution is a value obtained by dividing the said average value by 60 degreeC which is a set temperature, and when this value approaches 0, the temperature difference between the center part P1 of the cover body 42 and the junction edge part P3 is small, and a cover It shows that the temperature uniformity in surface inside of the sieve 42 is favorable.

또한, 도 13에 있어서는 중앙부(P1)에 대해서는 ○에 의하여, 접합 모서리부(P3)에 대해서는 ●에 의하여 각각의 측정 데이터를 나타내고, 도 13에 있어서 가로축은 경과 시간, 세로축은 온도를 각각 나타내고 있다. 또한, 도 14에 있어서는 실시예 1에 대해서는 ○에 의하여 측정 데이터를 나타내고, 도 14에 있어서 가로축은 경과 시간, 세로축은 간극의 크기를 각각 나타내고 있다.In addition, in FIG. 13, each measurement data is shown by (circle) about center part P1 and by (circle) about junction edge part P3, In FIG. 13, the horizontal axis has shown elapsed time, and the vertical axis has shown temperature, respectively. . In addition, in FIG. 14, the measurement data are represented by (circle) in Example 1, and in FIG. 14, the horizontal axis | shaft has shown the elapsed time, and the vertical axis | shaft has shown the magnitude | size of a clearance | gap, respectively.

(비교예 1)(Comparative Example 1)

도 20에 도시한 온도 조절 수단이 형성된 종래의 처리 용기에 있어서, 설정 온도를 60℃로 하고, 실시예 1과 동일하게, 처리 용기의 덮개체의 천장 외면의 중앙부(P1)의 온도와, 상기 접합 모서리부(P3)의 외면 온도를 소정 시간마다 각각 측정하는 동시에, 이 때에 형성되는 접합 모서리부(P4)에 있어서의 간극의 크기를 측정하였다. 그 결과를 표 2, 도 13 및 도 14에 각각 나타내고, 도 13에서는 중앙부(P1)에 대해서는 △에 의하여, 접합 모서리부(P3)에 대해서는 ▲에 의하여, 도 14에서는 △에 의하여 각각의 데이터를 나타내고 있다.In the conventional processing container in which the temperature control means shown in FIG. 20 was formed, setting temperature shall be 60 degreeC, similarly to Example 1, the temperature of the center part P1 of the ceiling outer surface of the cover body of a processing container, and the said The outer surface temperature of the junction edge part P3 was measured every predetermined time, and the magnitude | size of the clearance gap in the junction edge part P4 formed at this time was measured. The results are shown in Table 2, Fig. 13 and Fig. 14, respectively. In Fig. 13, each data is represented by? For the central portion P1,? For the joint edge portion P3, and? For Fig. 14. It is shown.

Figure 112007062716216-pat00002
Figure 112007062716216-pat00002

(실험 결과)(Experiment result)

그 결과, 실시예 1 및 비교예 1 모두 덮개체(42)의 온도는 중앙부(P1)보다 접합 모서리부(P3) 쪽이 높다는 것이 확인되었으나, 실시예 1 쪽이 비교예 1보다 중앙부(P1)의 온도가 높아지는 것, 또한 상기 온도 분포는 실시예 1이 -6.53%인 것에 대하여, 비교예 1은 -9.04%이기 때문에, 실시예 1의 온도 조절 수단(5)은 비교 예 1의 온도 조절 수단보다, 중앙부(P1)와 접합 모서리부(P3)의 온도차가 작은 상태에서 처리 용기(40)를 가열할 수 있다는 것이 확인되었다.As a result, in Example 1 and the comparative example 1, it was confirmed that the temperature of the cover body 42 is higher in the junction edge part P3 side than the center part P1, but the Example 1 side is center part P1 rather than the comparative example 1 The temperature control means 5 of Example 1 is the temperature control means of the comparative example 1, since the temperature of the said temperature distribution is high and the said temperature distribution is -6.53% of Example 1, and the comparative example 1 is -9.04%. Furthermore, it was confirmed that the processing container 40 can be heated in a state where the temperature difference between the central portion P1 and the joining edge portion P3 is small.

또한, 덮개체(42)와 용기 본체(41) 사이에 형성되는 간극에 대해서는, 실시예 1, 비교예 1 모두 처리 용기(40)의 승온시에는 점차로 커지기는 하나, 일정 시간이 경과하면 간극이 수속되는 경향에 있는 것, 및 160분 경과후에는 실시예 1의 간극은 0.42㎜, 비교예 1의 간극은 0.53㎜로서, 실시예 1의 간극 쪽이 작아진다는 것이 확인되었다.In addition, about the clearance gap formed between the lid | cover body 42 and the container main body 41, although both the Example 1 and the comparative example 1 increase gradually at the time of temperature rising of the processing container 40, when a certain time passes, a clearance will be made. It was confirmed that the gap in Example 1 was 0.42 mm and the gap in Comparative Example 1 was 0.53 mm, which tended to converge and after 160 minutes had elapsed.

이와 같이 비교예 1의 온도 조절 수단을 이용하여 처리 용기(40)를 가열한 경우에는, 처리 용기(40)의 승온시에는, 상기 중앙부(P1)의 온도와 상기 접합 모서리부(P3)의 온도의 차이의 평균값(-5.42℃)이 상기 설정 온도의 9% 이상이 되고, 그 결과, 덮개체(42)와 용기 본체(41)와의 접합 모서리부에 형성되는 간극이 실시예 1보다 커져 버리기 때문에, 비교예 1의 온도 조절 수단을 이용하여 처리 용기(40)를 가열한 경우보다 상기 중앙부(P1)의 온도와 상기 접합 모서리부(P3)의 온도의 온도차가 작은 조건으로 처리 용기(40)를 가열함으로써, 종래에 비하여 덮개체(42)와 용기 본체(41)와의 접합 모서리부에 형성되는 간극이 좁혀지는 것이 이해되었다. 이에 의하여 상기 중앙부(P1)의 온도가 상기 접합 모서리부(P3)의 온도보다 낮더라도, 상기 중앙부(P1)의 온도와 상기 접합 모서리부(P3)의 온도의 차이의 평균값이 상기 설정 온도의 9% 미만이면, 덮개체(42)와 용기 본체(41)와의 접합 모서리부에 형성되는 간극이 종래의 예에 비하여 좁혀져서, 이와 같은 처리 용기(40)에서는 진공 파괴나 덮개체(42)와 용기 본체(41) 사이의 전기적 접촉의 악화가 발생하기 어렵다는 것이 이해된다.Thus, when the process container 40 is heated using the temperature control means of the comparative example 1, when the temperature of the process container 40 is heated, the temperature of the said center part P1 and the temperature of the said junction edge part P3. The average value (-5.42 ° C.) of the difference between is equal to or greater than 9% of the set temperature, and as a result, the gap formed at the joining corner portion between the lid 42 and the container body 41 becomes larger than in Example 1. The process vessel 40 is formed under a condition that a temperature difference between the temperature of the center portion P1 and the temperature of the junction edge portion P3 is smaller than that of the case where the process vessel 40 is heated using the temperature adjusting means of Comparative Example 1. By heating, it was understood that the gap formed in the joint edge part of the lid | cover body 42 and the container main body 41 is narrowed compared with the past. Thereby, even if the temperature of the center portion P1 is lower than the temperature of the joining edge portion P3, the average value of the difference between the temperature of the center portion P1 and the temperature of the joining edge portion P3 is 9 of the set temperature. If it is less than%, the clearance gap formed in the joint edge part of the lid | cover body 42 and the container main body 41 will be narrowed compared with the conventional example, and in such a processing container 40, a vacuum breakage and the lid | cover body 42 and a container are carried out. It is understood that deterioration of the electrical contact between the main bodies 41 is unlikely to occur.

이 때, 이 실험예에서는 접합 모서리부(P4)의 위치에서의 간극의 크기를 비교하였으나, 실시예 1 및 비교예 1 모두 접합 모서리부(P2, P3)에 대해서는 접합 모서리부(P4)보다 간극이 작고, 접합 모서리부(P5)의 간극은 접합 모서리부(P4)와 거의 동일한 크기이기 때문에, 접합 모서리부(P4)의 간극에 대하여 평가함으로써, 처리 용기(40)의 진공 파괴나 덮개체(42)와 용기 본체(41)와의 전기적 접촉에 대하여 충분히 검토할 수 있다.At this time, in this experimental example, the size of the gap at the position of the joint edge portion P4 was compared, but in Example 1 and Comparative Example 1, the gaps of the joint edge portions P2 and P3 were larger than the joint edge portions P4. This small, gap between the joining edge portions P5 is almost the same size as the joining edge portions P4, so that the gaps between the joining edge portions P4 are evaluated to evaluate the vacuum breakage of the processing container 40 or the lid ( The electrical contact between 42 and the container body 41 can be examined sufficiently.

2. 설정 온도가 90℃인 경우의 처리 용기(40)의 온도의 경시 변화와 간극의 크기에 대하여2. About the time-dependent change of the temperature of the processing container 40 and the magnitude | size of a clearance gap when a preset temperature is 90 degreeC

(실시예 1)(Example 1)

도 8에 도시한 온도 조절 수단(5)이 형성된 처리 용기(40)에 있어서 설정 온도를 90℃로 하고, 그 외의 조건은 이미 서술한 설정 온도가 60℃인 실시예 1의 경우와 동일하게 하여, 처리 용기(40)의 덮개체(42)의 천장 외면의 중앙부(P1)와, 상기 접합 모서리부(P3)의 외면의 온도를 소정 시간마다 측정하고, 덮개체(42)와 용기 본체(41)와의 접합 모서리부에 형성되는 간극의 크기에 대하여 측정하였다. 여기서 상기 중앙부(P1) 및 접합 모서리부(P3)의 위치나, 온도의 측정 방법은 이미 서술한 대로 하였으나, 상기 간극의 크기는 도 6의 접합 모서리부(P5)에 있어서 해당 간극의 높이를 측정함으로써 행하였다. 또한, 이와 같이 접합 모서리부(P5)의 위치에서의 간극의 크기를 평가하는 것에 의해서도, 이미 서술한 바와 같이, 접합 모서리부(P2, P3)에 대해서는 접합 모서리부(P5)보다 간극이 작고, 접합 모서리부(P4)의 간극은 접합 모서리부(P5)와 거의 동일한 크기이기 때문에, 처리 용기(40)의 진공 파괴나 덮개체(42)와 용기 본체(41)와의 전기적 접촉에 대하여 충분히 검토할 수 있다.In the processing container 40 in which the temperature control means 5 shown in FIG. 8 was formed, setting temperature shall be 90 degreeC, and other conditions were carried out similarly to the case of Example 1 with the preset temperature of 60 degreeC already mentioned. The temperature of the central portion P1 of the ceiling outer surface of the lid 42 of the processing container 40 and the outer surface of the bonding edge portion P3 is measured every predetermined time, and the lid 42 and the container body 41 are measured. It was measured for the size of the gap formed in the junction edge portion with). Here, the position of the center portion P1 and the junction edge portion P3 and the measuring method of the temperature have been described as described above, but the size of the gap is the height of the gap in the junction edge portion P5 of FIG. 6. It did by doing. Moreover, also by evaluating the magnitude | size of the clearance gap at the position of the junction edge part P5 in this way, as previously mentioned, about the junction edge parts P2 and P3, the clearance gap is smaller than the junction edge part P5, Since the gap between the joining edge portions P4 is almost the same size as the joining edge portions P5, the vacuum breakage of the processing container 40 and the electrical contact between the lid 42 and the container body 41 are sufficiently examined. Can be.

(실시예 2)(Example 2)

도 9에 도시한 온도 조절 수단(71)이 형성된 처리 용기(40)에 있어서 설정 온도를 90℃로 하고, 그 외의 조건은 실시예 1과 동일하게 하여, 처리 용기(40)의 덮개체(42)의 중앙부(P1)와 접합 모서리부(P3)의 온도를 소정 시간마다 측정하고, 덮개체(42)와 용기 본체(41)와의 접합 모서리부(P5)에 형성되는 간극의 크기에 대하여 측정하였다.In the processing container 40 in which the temperature control means 71 shown in FIG. 9 was formed, setting temperature shall be 90 degreeC, and other conditions are the same as Example 1, and the cover body 42 of the processing container 40 is carried out. The temperature of the center portion P1 and the joining edge portion P3 of) is measured every predetermined time, and the size of the gap formed in the joining edge portion P5 between the lid 42 and the container body 41 was measured. .

이 온도의 측정 데이터를 표 3에 실시예 1, 표 4에 실시예 2에 대하여 각각 나타내고, 이 측정 데이터에 의거한 온도의 경시 변화를 도 15, 간극의 크기의 경시 변화를 도 16에 각각 나타낸다.The measurement data of this temperature is shown in Table 3 about Example 1 and Table 4 about Example 2, respectively, and the aging change of temperature based on this measurement data is shown in FIG. 15, and the aging change of the magnitude | size of a gap is shown in FIG. 16, respectively. .

Figure 112007062716216-pat00003
Figure 112007062716216-pat00003

Figure 112007062716216-pat00004
Figure 112007062716216-pat00004

여기서 도 15에 있어서는, 실시예 1에 대해서는 중앙부(P1)는 ○, 접합 모서리부(P3)는 ●, 실시예 2에 대해서는 중앙부(P1)는 □, 접합 모서리부(P3)는 ■에 의하여 각각의 측정 데이터를 나타내고, 도 15에 있어서 가로축은 경과 시간, 세로축은 온도를 각각 나타내고 있다. 또한, 도 16에 있어서는 실시예 1에 대해서는 ○에 의하여, 실시예 2에 대해서는 □에 의하여 각각 나타내고, 도 16에 있어서 가로축은 경과 시간, 세로축은 간극의 크기를 각각 나타내고 있다.In FIG. 15, in Example 1, the center part P1 is (circle), the joining edge part P3 is ●, and in Example 2, the center part P1 is □, and the joining edge part P3 is respectively represented by ■. In Fig. 15, the horizontal axis represents elapsed time and the vertical axis represents temperature. In addition, in FIG. 16, it represents with (circle) about Example 1 and (square) about Example 2, and in FIG. 16, the horizontal axis | shaft has shown the elapsed time, and the vertical axis | shaft has shown the magnitude | size of a clearance | gap, respectively.

(실험 결과)(Experiment result)

그 결과, 덮개체(42)의 온도는 실시예 1에 대해서는 접합 모서리부(P3) 쪽이 중앙부(P1)보다 높으나, 실시예 2에 대해서는 중앙부(P1) 쪽이 접합 모서리부(P3)보다 높다는 것이 확인되었다. 또, 상기 온도 분포는 실시예 1이 -7.32%, 실시예 2는 7.64%이며, 덮개체(42)와 용기 본체(41) 사이에 형성되는 간극에 대해서는, 실시예 1에서는 0.62㎜ 정도가 되어, 설정 온도 60℃인 경우에 비하여 커지나, 실시예 2에서는 0.41㎜ 정도가 되어, 실시예 2 쪽이 보다 작아진다는 것이 확인되었다. 이와 같이 실시예 2에서는 설정 온도가 90℃로 높은 경우이더라도, 설정 온도 60℃인 경우의 비교예보다 상기 간극은 작아, 진공 파괴나 덮개체(42)와 용기 본체(41) 사이의 전기적 접촉의 악화가 발생하기 어렵다는 것이 이해된다.As a result, the temperature of the lid body 42 is higher than the center portion P1 in the bonding corner portion P3 in the first embodiment, but in the second embodiment, the center portion P1 is higher than the bonding corner portion P3 in the second embodiment. It was confirmed. In addition, the said temperature distribution is -7.32% in Example 1, and 7.64% in Example 2, and about the clearance gap formed between the lid | cover body 42 and the container main body 41, it becomes about 0.62 mm in Example 1, In comparison with the case where the set temperature is 60 ° C, the size was increased to about 0.41 mm in Example 2, and it was confirmed that the Example 2 became smaller. As described above, even in the case where the set temperature is as high as 90 DEG C in Example 2, the gap is smaller than that in the comparative example when the set temperature is 60 DEG C, so that the vacuum breakage or the electrical contact between the lid 42 and the container body 41 is prevented. It is understood that deterioration is unlikely to occur.

또, 실시예 2에서는 덮개체(42)의 중앙부(P1)와 접합 모서리부(P3)와의 온도차는 실시예 1보다 다소 커지기는 하나, 상기 접합 모서리부의 간극이 실시예 1보다 작기 때문에, 실시예 2와 같이 덮개체(42)의 중앙부(P1)의 온도를 접합 모서리부(P3)의 온도보다 높아지는 상태에서 처리 용기(40)를 가열함으로써, 온도 분포에 관계없이 상기 간극을 보다 작게 할 수 있다는 것이 확인되었다.Moreover, in Example 2, although the temperature difference between the center part P1 of the lid | cover body 42 and the junction edge part P3 becomes a little larger than Example 1, since the clearance gap of the said junction edge part is smaller than Example 1, Example By heating the processing container 40 in a state where the temperature of the central portion P1 of the lid 42 becomes higher than the temperature of the bonding edge portion P3 as in 2, the gap can be made smaller regardless of the temperature distribution. It was confirmed.

3. 설정 온도가 120℃인 경우의 처리 용기(40)의 간극의 크기에 대하여3. About the magnitude | size of the clearance gap of the processing container 40 when the preset temperature is 120 degreeC

(실시예 2)(Example 2)

도 9에 도시한 온도 조절 수단(71)이 형성된 처리 용기(40)에 있어서 설정 온도를 120℃로 하고, 그 외의 조건은 설정 온도가 90℃인 경우의 실시예 2와 동일하게 하여, 덮개체(42)와 용기 본체(41)와의 접합 모서리부(P5)에 형성되는 간극의 크기에 대하여 측정하였다.In the processing container 40 in which the temperature control means 71 shown in FIG. 9 was formed, setting temperature shall be 120 degreeC, and other conditions are the same as Example 2 in the case where setting temperature is 90 degreeC, and a lid | cover body It measured about the magnitude | size of the clearance gap formed in the junction edge part P5 of (42) and the container main body 41. As shown in FIG.

(실시예 3)(Example 3)

도 10에 도시한 온도 조절 수단(73)이 형성된 처리 용기(40)에 있어서 설정 온도를 120℃로 하고, 그 외의 조건은 이미 서술한 실시예 2와 동일하게 하여, 처리 용기(40)의 덮개체(42)의 중앙부(P1)와 접합 모서리부(P3)의 온도를 소정 시간마다 측정하고, 덮개체(42)와 용기 본체(41)와의 접합 모서리부(P5)에 형성되는 간극의 크기에 대하여 측정하였다.In the processing container 40 in which the temperature control means 73 shown in FIG. 10 was formed, setting temperature shall be 120 degreeC, and other conditions are the same as that of Example 2 mentioned above, and the cover of the processing container 40 is carried out. The temperature of the center portion P1 and the bonding edge portion P3 of the sieve 42 is measured every predetermined time, and the size of the gap formed in the bonding edge portion P5 between the lid body 42 and the container body 41 is measured. Was measured.

이 실시예 3의 온도의 측정 데이터를 표 5에, 이 측정 데이터에 의거한 온도의 경시 변화를 도 17, 실시예 2와 실시예 3의 간극의 크기의 경시 변화를 도 18에 각각 나타낸다.The measurement data of the temperature of this Example 3 is shown in Table 5, and the time-dependent change of the temperature based on this measurement data is shown in FIG. 17, and the time-dependent change of the magnitude | size of the clearance gap of Example 2 and Example 3 is shown in FIG.

Figure 112007062716216-pat00005
Figure 112007062716216-pat00005

여기서 도 17에 있어서는, 중앙부(P1)에 대해서는 ◇, 접합 모서리부(P3)에 대해서는 ◆에 의하여 각각의 측정 데이터를 나타내고, 도 17에 있어서 가로축은 경과 시간, 세로축은 온도를 각각 나타내고 있다. 또한, 도 18에 있어서는 실시예 2에 대해서는 □에 의하여, 실시예 3에 대해서는 ◇에 의하여 각각 나타내고, 도 18에 있어서 가로축은 경과 시간, 세로축은 간극의 크기를 각각 나타내고 있다.In FIG. 17, the respective measurement data are indicated by ◇ for the central portion P1 and ◆ for the junction edge portion P3, and in FIG. 17, the horizontal axis represents elapsed time and the vertical axis represents temperature. In addition, in FIG. 18, it represents with (square) about Example 2, and (circle) for Example 3, respectively, and the horizontal axis | shaft has shown the elapsed time, and the vertical axis | shaft has shown the magnitude | size of the clearance | gap, respectively.

(실험 결과)(Experiment result)

그 결과, 실시예 3에 있어서의 덮개체(42)의 온도에 대해서는 중앙부(P1) 쪽이 접합 모서리부(P3)보다 높은 상태에서 승온되어 가고, 양자 모두 처리 용기(40)의 가열을 개시한 직후에는 급격하게 높아져 가나, 그 후에는 점차로 안정되는 것이 확인되고, 온도 분포는 18.4%였다.As a result, about the temperature of the cover body 42 in Example 3, the center part P1 is heated up in the state higher than the joining edge part P3, and both started heating of the processing container 40. Immediately after, it increased rapidly, but after that, it became gradually stabilized and the temperature distribution was 18.4%.

또, 간극의 크기에 대해서는 실시예 2에 대해서는 시간의 경과와 함께 점차로 수속되고, 0.7㎜ 정도의 크기에서 안정되나, 분명히 설정 온도 90℃에 비하여 간극은 크고, 처리 용기(40)의 가열을 개시한 직후에는 급격하게 커지고 있다. 한편, 실시예 3에 대해서는 처리 용기(40)의 가열을 개시하고 나서 서서히 간극이 커지고는 있으나, 0.6㎜ 정도의 크기에서 안정되는 것이 확인되었다. 이 실험 결과에 의해서도 덮개체(42)의 중앙부(P1)의 온도를 접합 모서리부(P3)의 온도보다 높아지는 상태에서 처리 용기(40)를 가열함으로써, 온도 분포에 관계없이 상기 간극을 보다 작게 할 수 있다는 것이 이해된다.In addition, the size of the gap is gradually converged with the passage of time with respect to Example 2, and is stable at a size of about 0.7 mm, but the gap is largely larger than the set temperature of 90 ° C., and heating of the processing container 40 is started. Immediately after, it is growing rapidly. On the other hand, in Example 3, although the clearance gradually became large after starting processing of the processing container 40, it was confirmed that it is stabilized in the magnitude | size of about 0.6 mm. According to the results of this experiment, the processing vessel 40 is heated in a state where the temperature of the central portion P1 of the lid 42 is higher than the temperature of the bonding edge portion P3, so that the gap can be made smaller regardless of the temperature distribution. It is understood that it can.

이에 의하여 실시예 3의 온도 조절 수단을 이용하여 처리 용기(40)를 가열함으로써, 설정 온도가 120℃로 상당히 높은 처리에 있어서도 진공 파괴나 덮개체(42)와 용기 본체(41) 사이의 전기적 접촉의 악화가 발생하기 어렵다는 것이 이해된다.Thereby, the process container 40 is heated using the temperature adjusting means of Example 3, so that even in a process where the set temperature is considerably high at 120 ° C, vacuum breakage or electrical contact between the lid 42 and the container body 41 is achieved. It is understood that the deterioration of is difficult to occur.

4. 고찰4. Consideration

이상의 실험에서, 처리 용기(40)의 덮개체(42)와 용기 본체(41)와의 접합 모서리부에 형성되는 간극은 실시예 3(도 10)의 온도 조절 수단(73)을 이용한 경우가 가장 작아지고, 이어서 실시예 2(도 9)의 온도 조절 수단(71), 실시예 1(도 8)의 온도 조절 수단(5)의 순서대로 작아진다는 것이 확인되었다. 이것으로부터, 처리 용기(40)의 승온시에는, 상기 덮개체(42)의 천장 외면의 중앙부(P1)의 온도가, 상기 접합 모서리부(P3)의 외면의 온도보다 높은 조건이면, 상기 덮개체(42)와 용기 본체(41) 사이에 형성되는 간극을 좁힐 수 있는 것, 또한 상기 덮개체(42)의 천장 외면의 중앙부(P1)의 온도가, 상기 접합 모서리부(P3)의 외면의 온도보다 낮더라도, 처리 용기(40)의 승온시에 있어서, 상기 덮개체(42)의 천장 외면의 중앙부(P1)의 온도와, 상기 접합 모서리부(P3)의 외면의 온도의 차이의 평균값이 상기 설정 온도의 9% 미만이 되는 조건이면, 종래에 비하여 상기 간극이 좁혀진다는 것이 이해되었다.In the above experiment, the gap formed in the joint edge portion of the lid 42 of the processing container 40 and the container body 41 is the smallest in the case of using the temperature adjusting means 73 of the third embodiment (Fig. 10). Subsequently, it was confirmed that the temperature adjusting means 71 of Example 2 (Fig. 9) and the temperature adjusting means 5 of Example 1 (Fig. 8) become smaller in order. From this, at the time of temperature rising of the processing container 40, if the temperature of the center part P1 of the ceiling outer surface of the said cover body 42 is a condition higher than the temperature of the outer surface of the said joining edge part P3, the said cover body The gap formed between the 42 and the container body 41 can be narrowed, and the temperature of the central portion P1 of the ceiling outer surface of the lid 42 is the temperature of the outer surface of the joining edge portion P3. Even if lower, the average value of the difference between the temperature of the center portion P1 of the ceiling outer surface of the lid 42 and the temperature of the outer surface of the joining edge portion P3 at the time of the temperature increase of the processing container 40 is the above. It was understood that the gap was narrowed as compared with the related art as long as it was less than 9% of the set temperature.

이상에 있어서 본 발명의 진공 처리 장치는 에칭 처리 뿐만 아니라, 애싱이나 CVD 등, 다른 진공 처리를 행하는 처리에 적용할 수 있다. 또, 진공 처리는 반드시 플라즈마 처리에 한정되는 것이 아니라, 다른 가스 처리이더라도 상관없고 가스 처리 이외의 진공 처리이더라도 상관없다.As mentioned above, the vacuum processing apparatus of this invention is applicable not only to an etching process but to the process which performs other vacuum processes, such as ashing and CVD. In addition, a vacuum process is not necessarily limited to a plasma process, It may be any other gas process, and it may be a vacuum process other than a gas process.

도 1은 본 발명의 진공 처리 장치를 구비한 진공 처리 시스템의 개관을 도시한 사시도,1 is a perspective view showing an overview of a vacuum processing system having a vacuum processing apparatus of the present invention;

도 2는 상기 진공 처리 시스템을 도시한 수평 단면도,2 is a horizontal sectional view of the vacuum processing system,

도 3은 상기 진공 처리 시스템에 설치되는 본 발명의 일 실시형태에 관련된 에칭 처리 장치를 도시한 단면도,3 is a cross-sectional view showing an etching processing apparatus according to an embodiment of the present invention installed in the vacuum processing system.

도 4는 상기 에칭 처리 장치의 용기 본체의 덮개체와의 접합면을 도시한 평면도,4 is a plan view showing a bonding surface with a lid of the container body of the etching processing apparatus;

도 5는 상기 에칭 처리 장치에 있어서, 용기 본체에 대하여 덮개체를 착탈하는 모습을 도시한 사시도,5 is a perspective view showing a state in which the lid is attached to and detached from the container body in the etching processing apparatus;

도 6은 상기 에칭 처리 장치에 있어서, 덮개체의 중앙부와 접합 모서리부를 설명하기 위한 사시도,6 is a perspective view for explaining a central portion and a bonding edge portion of a lid in the etching apparatus;

도 7은 상기 에칭 처리 장치의 처리 용기에 있어서 간극이 형성되는 모습을 도시한 사시도,7 is a perspective view showing a state where a gap is formed in a processing container of the etching processing apparatus;

도 8은 상기 에칭 처리 장치의 처리 용기에 설치되는 온도 조절 수단의 일 실시형태를 도시한 사시도와 평면도,8 is a perspective view and a plan view showing one embodiment of a temperature adjusting means provided in a processing vessel of the etching processing apparatus;

도 9는 상기 온도 조절 수단의 다른 실시형태를 도시한 사시도,9 is a perspective view showing another embodiment of the temperature adjusting means;

도 10은 상기 온도 조절 수단의 또 다른 실시형태를 도시한 사시도,10 is a perspective view showing still another embodiment of the temperature adjusting means;

도 11은 상기 온도 조절 수단의 또 다른 실시형태를 도시한 사시도와 단면도,11 is a perspective view and a sectional view showing yet another embodiment of the temperature adjusting means;

도 12는 상기 에칭 처리 장치의 처리 용기의 다른 실시형태를 도시한 사시도,12 is a perspective view showing another embodiment of the processing container of the etching apparatus;

도 13은 본 발명의 효과를 확인하기 위하여 행한 실시예 1과 비교예 1의 온도 측정 데이터를 도시한 특성도,FIG. 13 is a characteristic diagram showing temperature measurement data of Example 1 and Comparative Example 1 performed to confirm the effect of the present invention; FIG.

도 14는 본 발명의 효과를 확인하기 위하여 행한 실시예 1과 비교예 1의 간극의 크기의 측정 데이터를 도시한 특성도,14 is a characteristic diagram showing measurement data of the size of the gap between Example 1 and Comparative Example 1, which was performed to confirm the effect of the present invention;

도 15는 본 발명의 효과를 확인하기 위하여 행한 실시예 1과 실시예 2의 온도 측정 데이터를 도시한 특성도,FIG. 15 is a characteristic diagram showing temperature measurement data of Example 1 and Example 2 performed to confirm the effect of the present invention; FIG.

도 16은 본 발명의 효과를 확인하기 위하여 행한 실시예 1과 실시예 2의 간극의 크기의 측정 데이터를 도시한 특성도,FIG. 16 is a characteristic diagram showing measurement data of the size of the gap between Example 1 and Example 2 performed to confirm the effect of the present invention; FIG.

도 17은 본 발명의 효과를 확인하기 위하여 행한 실시예 3의 온도 측정 데이터를 도시한 특성도,17 is a characteristic diagram showing temperature measurement data of Example 3 carried out to confirm the effect of the present invention;

도 18은 본 발명의 효과를 확인하기 위하여 행한 실시예 2와 실시예 3의 간극의 크기의 측정 데이터를 도시한 특성도,Fig. 18 is a characteristic diagram showing measurement data of the size of the gap between Example 2 and Example 3, which was performed to confirm the effect of the present invention;

도 19는 종래의 에칭 처리 장치를 도시한 단면도,19 is a cross-sectional view showing a conventional etching processing apparatus;

도 20은 종래의 에칭 처리 장치의 처리 챔버에 설치된 온도 조절 수단을 도시한 사시도,20 is a perspective view showing a temperature adjusting means provided in a processing chamber of a conventional etching processing apparatus;

도 21은 종래의 에칭 처리 장치의 처리 챔버에 형성되는 간극을 도시한 사시도,21 is a perspective view showing a gap formed in a processing chamber of a conventional etching processing apparatus;

도 22는 종래의 에칭 처리 장치의 처리 챔버에 있어서 간극이 형성되는 모습 을 도시한 사시도.Fig. 22 is a perspective view showing how a gap is formed in a processing chamber of a conventional etching processing apparatus.

도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명Explanation of symbols for the main parts of the drawings

4 : 에칭 처리 장치 40 : 처리 용기4: etching processing apparatus 40: processing container

41 : 용기 본체 42 : 덮개체41: container body 42: cover body

44 : 탑재대 46 : 진공 배기 수단44: mounting table 46: vacuum exhaust means

47 : 시일 부재 48 : 실드 스파이럴47: seal member 48: shield spiral

5, 71, 73 : 온도 조절 수단 51, 72, 74 : 제 1 온도 조절 유로5, 71, 73: temperature control means 51, 72, 74: 1st temperature control flow path

52 : 제 2 온도 조절 유로 53 : 온도 조절 유체 공급부52: second temperature control flow path 53: temperature control fluid supply

6 : 처리 가스 공급부 81, 82 : 가열 수단6: process gas supply part 81, 82: heating means

83, 84 : 플레이트 P1 : 덮개체의 중앙부83, 84: plate P1: center portion of the lid

P2∼P5 : 덮개체의 접합 모서리부 L3∼L6 : 처리 용기의 측벽 모서리부P2 to P5: joining edge portions of the cover body L3 to L6: side wall edge portions of the processing container

S : FPD 기판S: FPD Board

Claims (12)

그 내부에 기판이 유지되고, 일단측이 개구되는 용기 본체와, 이 용기 본체의 개구부를 폐쇄하도록 착탈 가능하게 설치된 덮개체를 구비하고, 그 내부에 있어서 기판에 대하여 진공 처리가 행해지는 각진 통 형상의 처리 용기와,An angled cylindrical shape in which the substrate is held therein, the container body having one end side opened, and a lid body detachably provided to close the opening of the container body, and in which the vacuum treatment is performed on the substrate. With processing container, 이 처리 용기를 가열하기 위하여, 상기 덮개체 및/또는 용기 본체에 있어서의 상기 개구부에 대향하는 면부에 설치된 온도 조절 수단과,Temperature control means provided in a surface portion opposed to the opening portion in the lid and / or the container body to heat the processing container; 상기 처리 용기의 내부를 진공 배기하기 위한 진공 배기 수단을 구비하며,Vacuum evacuation means for evacuating the interior of the processing vessel; 상기 처리 용기를 설정 온도까지 가열할 때에, 상기 온도 조절 수단은 상기 처리 용기의 승온시에 있어서 상기 덮개체 및 용기 본체의 접합부에 있어서의 휘어짐을 억제하기 위하여, 상기 온도 조절 수단이 설치된 면부의 중앙부의 온도가 처리 용기의 측벽 모서리부의 온도보다 높거나, 또는 상기 온도 조절 수단이 설치된 면부의 중앙부의 온도가 상기 측벽 모서리부의 온도보다 낮아지도록 설치되며,When heating the said processing container to a preset temperature, the said temperature control means is a center part of the surface part in which the said temperature control means was provided in order to suppress the curvature at the junction part of the said lid | cover body and a container main body at the time of the temperature increase of the said processing container. The temperature of the side of the processing vessel is higher than the temperature of the side wall edge portion, or the temperature of the central portion of the surface portion on which the temperature control means is installed is set to be lower than the temperature of the side wall edge portion, 상기 온도 조절 수단이 설치된 면부의 중앙부의 온도가 상기 측벽 모서리부의 온도보다 낮은 경우에는, 상기 온도 조절 수단이 설치된 면부의 외면의 중앙부의 온도와, 상기 측벽 모서리부에 있어서의 덮개체와 용기 본체와의 접합부의 외면의 온도의 차이의 평균값이 상기 설정 온도의 9% 미만이 되는 것을 특징으로 하는When the temperature of the center part of the surface part in which the said temperature control means was installed is lower than the temperature of the side wall edge part, the temperature of the center part of the outer surface of the surface part in which the said temperature control means was provided, the cover body in the said side wall edge part, and the container main body; The average value of the difference in temperature of the outer surface of the junction portion of less than 9% of the set temperature, characterized in that 진공 처리 장치.Vacuum processing unit. 삭제delete 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 온도 조절 수단은, 상기 덮개체 및/또는 용기 본체에 있어서의 상기 개구부에 대향하는 면부의 내부에, 상기 처리 용기의 측벽 모서리부를 우회하도록 형성된 온도 조절 유로와, 이 온도 조절 유로에 설정 온도로 조정된 온도 조절 유체를 통류시키는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는The temperature regulating means includes a temperature regulating flow passage formed so as to bypass a side wall edge portion of the processing container in a face portion opposed to the opening portion in the lid and / or the container body, and at a predetermined temperature in the temperature regulating flow passage. Means for flowing the regulated temperature control fluid 진공 처리 장치.Vacuum processing unit. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 온도 조절 수단은, 상기 처리 용기의 온도 조절 수단이 설치되는 면부 이외의 측벽부에, 해당 측벽부를 주회하도록 형성된 온도 조절 유로를 포함하는 것을 특징으로 하는The temperature regulating means includes a temperature regulating flow passage formed so as to circumscribe the side wall part in a side wall part other than a surface part where the temperature adjusting means of the processing container is installed. 진공 처리 장치.Vacuum processing unit. 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,The method according to claim 3 or 4, 상기 덮개체 및/또는 용기 본체에 형성된 모든 온도 조절 유로는 하나의 연속된 유로인 것을 특징으로 하는All the temperature control flow path formed in the lid and / or the container body is one continuous flow path, characterized in that 진공 처리 장치.Vacuum processing unit. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, wherein 상기 덮개체 및/또는 용기 본체에 형성된 온도 조절 유로는 분기한 복수의 유로를 갖는 것을 특징으로 하는The temperature control flow path formed in the lid and / or the container body has a plurality of branched flow paths. 진공 처리 장치.Vacuum processing unit. 제 1 항, 제 3 항 또는 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1, 3 or 4, 상기 온도 조절 수단은 상기 덮개체 및/또는 용기 본체에 있어서의 상기 개구부에 대향하는 면부에 설치된 히터를 포함하는 것을 특징으로 하는The temperature regulating means includes a heater provided on a surface portion of the lid and / or the container body opposite to the opening. 진공 처리 장치.Vacuum processing unit. 제 1 항, 제 3 항 또는 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1, 3 or 4, 상기 덮개체 및/또는 용기 본체의 상기 개구부에 대향하는 면부의 한쪽은 덮개체의 천장부이며, 다른 쪽은 용기 본체의 바닥부인 것을 특징으로 하는One side of the face portion facing the opening of the lid and / or the container body is the ceiling of the lid, and the other is the bottom of the container body. 진공 처리 장치.Vacuum processing unit. 제 1 항, 제 3 항 또는 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1, 3 or 4, 상기 처리 용기의 내부에, 각형의 기판을 탑재하기 위한 탑재대와,A mounting table for mounting a rectangular substrate in the processing container; 상기 기판에 대하여 플라즈마 처리를 행하기 위한, 상기 처리 용기의 내부에 플라즈마를 발생시키기 위한 수단을 구비한 것을 특징으로 하는Means for generating a plasma inside said processing container for performing a plasma processing on said substrate. 진공 처리 장치.Vacuum processing unit. 일단측이 개구되는 용기 본체와, 이 용기 본체의 개구부를 폐쇄하도록 착탈 가능하게 설치된 덮개체를 구비한 각진 통 형상의 처리 용기의 내부에서, 기판에 대하여 진공 처리를 행하는 진공 처리 방법에 있어서,In the vacuum processing method which performs a vacuum process with respect to a board | substrate in the inside of the angular cylindrical-shaped processing container provided with the container main body which one end side opens, and the lid body detachably attached so that the opening of this container main body may be closed, 상기 용기 본체의 내부에서 기판을 유지하는 공정과,Holding a substrate in the container body; 그 내부에 기판이 유지된 처리 용기를 진공 배기하는 공정과,Evacuating the processing vessel in which the substrate is held therein; 상기 처리 용기를 설정 온도까지 가열할 때에, 상기 처리 용기의 승온시에 있어서, 상기 덮개체 및 용기 본체의 접합부에 있어서의 휘어짐을 억제하기 위하여, 상기 덮개체 및/또는 용기 본체의 상기 개구부에 대향하는 면부에 설치된 온도 조절 수단에 의하여, 상기 온도 조절 수단이 설치된 면부의 중앙부의 온도가, 처리 용기의 측벽 모서리부의 온도보다 높거나, 또는 상기 온도 조절 수단이 설치된 면의 중앙부의 온도가 상기 측벽 모서리부의 온도보다 낮아지도록 상기 처리 용기를 가열하는 공정과,When heating the said processing container to a preset temperature, in order to suppress the curvature in the junction part of the said lid | cover body and a container main body at the time of temperature rising of the said processing container, it opposes the said opening body and / or the said opening part of a container main body. By the temperature adjusting means provided in the surface part, the temperature of the center part of the surface part in which the said temperature control means is installed is higher than the temperature of the side wall edge part of a processing container, or the temperature of the center part of the surface in which the said temperature control means was provided is the said side wall edge. Heating the processing vessel to be lower than a negative temperature, 진공 배기되어, 가열된 처리 용기의 내부에 있어서, 기판에 대하여 진공 처리를 행하는 공정을 포함하며,In the inside of the processing container heated by vacuum evacuation, the process of performing a vacuum process with respect to a board | substrate is included, 상기 온도 조절 수단이 설치된 면부의 중앙부의 온도가 상기 측벽 모서리부의 온도보다 낮은 경우에는, 상기 온도 조절 수단이 설치된 면부의 외면의 중앙부의 온도와, 상기 측벽 모서리부에 있어서의 덮개체와 용기 본체와의 접합부의 외면의 온도의 차이의 평균값이 상기 설정 온도의 9% 미만이 되는 것을 특징으로 하는When the temperature of the center part of the surface part in which the said temperature control means was installed is lower than the temperature of the side wall edge part, the temperature of the center part of the outer surface of the surface part in which the said temperature control means was provided, the cover body in the said side wall edge part, and the container main body; The average value of the difference in temperature of the outer surface of the junction portion of less than 9% of the set temperature, characterized in that 진공 처리 방법.Vacuum processing method. 삭제delete 제 10 항에 있어서,The method of claim 10, 상기 덮개체 및/또는 용기 본체의 상기 개구부에 대향하는 면의 내부에, 상기 처리 용기의 측벽 모서리부를 우회하도록 형성된 온도 조절 유로와, 이 온도 조절 유로에 설정 온도로 조정된 온도 조절 유체를 통류시키는 수단을 포함하는 온도 조절 수단에 의하여 처리 용기를 가열하는 것을 특징으로 하는A temperature regulating flow passage formed to bypass the side wall edge of the processing container and a temperature regulating fluid adjusted to a set temperature in the inside of the surface opposing the opening of the lid and / or the container body; Heating the processing vessel by means of temperature control means comprising means; 진공 처리 방법.Vacuum processing method.
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