KR101719180B1 - 무전해 팔라듐 도금 또는 무전해 팔라듐 합금 도금의 전처리용 활성화액 - Google Patents

무전해 팔라듐 도금 또는 무전해 팔라듐 합금 도금의 전처리용 활성화액 Download PDF

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Abstract

무전해 니켈 피막이나 동 소재 등의 각종 금속 재료 상에 무전해 팔라듐 도금 또는 무전해 팔라듐 합금 도금을 실시할 때에 양호한 석출성이고, 커버링성이 우수한 팔라듐 또는 팔라듐 합금 도금 피막을 형성하기 위해 유용한 신규의 전처리제 및 해당 전처리제를 이용하는 무전해 팔라듐 또는 팔라듐 합금 도금법을 제공한다.
환원제를 유효 성분으로서 함유하는 수용액으로 이루어지는 무전해 팔라듐 도금 또는 무전해 팔라듐 합금 도금의 전처리용 활성화액 및 해당 활성화액을 피처리물에 접촉시킨 후, 물헹굼을 실시하지 않고, 무전해 팔라듐 도금 또는 무전해 팔라듐 합금 도금을 실시하는 것을 특징으로 하는 무전해 팔라듐 도금 또는 무전해 팔라듐 합금 도금 방법.

Description

무전해 팔라듐 도금 또는 무전해 팔라듐 합금 도금의 전처리용 활성화액{ACTIVATING SOLUTION FOR PRETREATMENT OF ELECTROLESS PALLADIUM PLATING OR ELECTROLESS PALLDIUM ALLOY PLATING}
본 발명은 무전해 팔라듐 도금 또는 무전해 팔라듐 합금 도금의 전처리용 활성화액 및 해당 활성화액을 이용하는 무전해 팔라듐 도금 또는 무전해 팔라듐 합금 도금 방법에 관한 것이다.
종래부터 일렉트로닉스 관련 분야에 있어서, 커넥터, 리드 프레임 등에 대한 기능성 박막의 형성 방법으로서, 무전해 니켈 도금 피막 상에 무전해 금 도금 피막을 형성하는 무전해 니켈／금 도금 처리가 널리 응용되고 있다. 근래, 프린트 배선판의 고밀도화, 표면 실장 기판(독립 회로 기판)의 증가 등에 동반하여, 프린트 배선판의 동 회로 표면의 산화를 방지하여 양호한 땜납 접속 성능을 발휘시키는 것이나 반도체 패키지와 그 위에 실장되는 전자 부품의 와이어 본딩성을 향상시키는 것 등을 목적으로 하여 무전해 니켈 도금을 실시한 후, 무전해 팔라듐 도금을 실시하고, 그 후, 무전해 금 도금을 실시하는 무전해 니켈／팔라듐／금 도금 처리가 증가하고 있다(하기 특허 문헌 1 참조).
향후, 프린트 배선판의 더한층의 파인 패턴화가 예상되는데, 상기한 무전해 니켈／팔라듐／금 도금 처리를 실시하는 경우에는 소재 동의 상태나 전처리(탈지, 에칭)의 정도에 따라서 무전해 팔라듐 도금의 석출성이 불충분하게 되기 쉽고, 커버링 성능이 악화하여 땜납 접합 강도가 낮아지는 일이 있다는 문제점이 있다.
또한, 세라믹 기판에 있어서는, 은 페이스트나 동 페이스트가 회로의 배선에 이용되고 있으며, 이와 같은 회로를 형성한 세라믹 기판에 대해서도 마찬가지로 무전해 니켈／팔라듐／금 도금 공법이 검토되고 있다. 이 경우에도 역시 소재의 상태나 전처리의 영향에 의하여 무전해 팔라듐 도금의 석출성이 저하되는 일이 있다. 이 때문에, 상기한 재료에 대해서도 무전해 팔라듐 도금의 석출성을 향상시킬 수 있는 전처리 방법이 요구되고 있다.
[특허 문헌 1] 일본국 특개평9―8438호 공보
본 발명은 상기한 종래 기술의 현상을 감안하여 이루어진 것으로, 그 주요한 목적은 무전해 니켈 피막이나 동 소재 등의 각종 금속 재료 상에 무전해 팔라듐 도금 또는 무전해 팔라듐 합금 도금을 실시할 때에 양호한 석출성이고, 커버링성이 우수한 팔라듐 또는 팔라듐 합금 도금 피막을 형성하기 위해 유용한 신규의 전처리제 및 해당 전처리제를 이용하는 무전해 팔라듐 또는 팔라듐 합금 도금법을 제공하는 것이다.
본 발명자는 상기한 목적을 달성하기 위해 예의 연구를 거듭해 왔다. 그 결과, 무전해 팔라듐 도금 또는 무전해 팔라듐 합금 도금을 실시하기 전에 피처리물을 환원제를 함유하는 수용액에 접촉시킨 후, 물헹굼을 실시하지 않고, 직접 무전해 팔라듐 도금 또는 무전해 팔라듐 합금 도금을 실시하는 경우에는 각종 금속 재료 상에 석출성이 좋고, 커버링성이 우수한 무전해 팔라듐 도금 피막 또는 무전해 팔라듐 합금 도금 피막을 형성하는 것이 가능하게 되는 것을 발견하고, 여기에 본 발명을 완성하는 데 이르렀다.
즉, 본 발명은 하기의 무전해 팔라듐 도금 또는 무전해 팔라듐 합금 도금의 전처리용 활성화액 및 해당 활성화액을 이용하는 무전해 팔라듐 도금 또는 무전해 팔라듐 합금 도금 방법을 제공하는 것이다.
1.환원제를 유효 성분으로서 함유하는 수용액으로 이루어지는 무전해 팔라듐 도금 또는 무전해 팔라듐 합금 도금의 전처리용 활성화액.
2.환원제가 차아인산염, 디메틸아민보란, 수소화 붕소나트륨, 아인산염 및 포름산염으로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종인 상기 항 1에 기재된 무전해 팔라듐 또는 팔라듐 합금 도금의 전처리용 활성화액.
3.피처리물의 처리 대상 부분이 금속 재료인 상기 항 1 또는 2에 기재된 무전해 팔라듐 또는 팔라듐 합금 도금의 전처리용 활성화액.
4.상기 항 1∼3 중 어느 한 항에 기재된 무전해 팔라듐 도금 또는 무전해 팔라듐 합금 도금의 전처리용 활성화액을 피처리물에 접촉시킨 후, 물헹굼을 실시하지 않고, 무전해 팔라듐 도금 또는 무전해 팔라듐 합금 도금을 실시하는 것을 특징으로 하는 무전해 팔라듐 도금 또는 무전해 팔라듐 합금 도금 방법.
이하, 본 발명의 무전해 팔라듐 도금 또는 무전해 팔라듐 합금 도금의 전처리용 활성화액에 대하여 구체적으로 설명한다.
전처리용 활성화액
본 발명의 무전해 팔라듐 또는 팔라듐 도금의 전처리용 활성화액은 환원제를 유효 성분으로서 함유하는 수용액이다.
환원제로서는, 환원 작용을 갖는 수용성 화합물이면 특별히 한정 없이 사용할 수 있다. 특히, 자기 촉매형의 무전해 도금액에 배합되는 환원제이면 후공정에서 이용하는 무전해 팔라듐 도금욕 또는 무전해 팔라듐 합금 도금욕에 대한 악영향이 적은 점에서 가장 적합하며, 후공정에서 이용하는 무전해 팔라듐 도금욕 또는 무전해 팔라듐 합금 도금욕에 배합되는 환원제와 동일한 환원제를 이용하는 것이 특히 바람직하다.
이와 같은 환원제의 구체예로서는, 차아인산염(암모늄, 칼륨, 나트륨염 등), 디메틸아민보란, 수소화 붕소나트륨, 아인산염(암모늄, 칼륨, 암모늄염 등), 포름산염(암모늄, 나트륨, 칼륨, 칼슘염 등) 등을 들 수 있다. 이들의 환원제는 1종 단독 또는 2종 이상 혼합하여 이용할 수 있다.
본 발명의 활성화액에 있어서의 환원제의 농도에 대해서는 특별히 한정은 없지만, 예를 들면, 0.05∼200g／L 정도로 하는 것이 바람직하고, 0.1∼150g／L 정도로 하는 것이 보다 바람직하다. 환원제의 농도가 지나치게 낮은 경우에는 무전해 팔라듐 도금의 석출성을 향상시키는 효과가 충분하게는 발휘되지 않고, 한편, 환원제의 농도가 지나치게 높은 경우에는 특별히 문제는 없지만, 사용량의 증가에 알맞은 효과가 얻어지지 않기 때문에 비경제적이다.
본 발명의 활성화액의 pH에 대해서는 특별히 한정은 없지만, 물헹굼을 실시하지 않고, 계속해서 무전해 팔라듐 도금 또는 무전해 팔라듐 합금 도금을 실시하기 때문에 사용하는 도금액의 pH에 가까운 pH값으로 하는 것이 바람직하다.
본 발명의 활성화액에는 해당 활성화액의 특성에 악영향을 미치지 않는 한, 다른 성분이 포함되어 있어도 좋다. 예를 들면, 계면 활성제를 첨가함으로써 피처리물에 대한 활성화액의 젖음성을 향상시켜서 처리 효율을 올릴 수 있다.
활성화 처리 방법
(ⅰ) 피처리물
본 발명의 활성화액은 금속 재료 상에 무전해 팔라듐 도금 또는 무전해 팔라듐 합금 도금을 실시할 때에 전처리로서 실시하는 활성화 처리에 이용하는 것이다.
처리 대상의 금속 재료의 종류에 대해서는 특별히 한정은 없고, 그 구체예로서는, 프린트 배선판에 있어서의 동 등의 도체 회로 부분, 세라믹 기판에 있어서의 은 페이스트, 동 페이스트, 금 페이스트, 백금 페이스트, 텅스텐 페이스트, 몰리브덴 페이스트 등에 의한 배선 부분, 무전해 니켈／팔라듐／금 도금 처리를 실시할 때의 무전해 니켈 도금 피막 등을 들 수 있다.
(ⅱ) 처리 공정
본 발명의 활성화액에 의한 활성화 처리는 피처리물을 본 발명의 활성화액에 접촉시킴으로써 실시할 수 있다.
구체적인 접촉 방법에 대해서는 특별히 한정은 없고, 예를 들면, 본 발명의 활성화액을 피처리물에 분무하는 방법이어도 좋지만, 통상은 본 발명의 활성화액 중에 피처리물을 침지하는 방법에 따르면, 효율 좋은 처리가 가능하다.
침지법에 의하여 처리를 실시하는 경우에는 예를 들면, 20∼80℃ 정도의 활성화액 중에 피처리물을 30초∼10분 정도 침지하면 좋다.
또한, 피처리물에 대해서는, 본 발명의 활성화액에 의한 처리에 앞서서 통상의 전처리를 실시할 수 있다. 예를 들면, 필요에 따라서 탈지, 에칭 등의 처리를 실시할 수 있다. 또한, 무전해 팔라듐 도금에 대하여 촉매 활성이 없는 금속을 피처리물로 하는 경우에는 센서타이저ㆍ액티베이터법, 카탈리스트법 등의 공지의 방법에 의하여 Pd 등의 촉매를 부여한 후, 본 발명의 활성화액에 의한 활성화 처리를 실시하면 좋다.
(ⅲ) 무전해 팔라듐 도금 또는 무전해 팔라듐 합금 도금 공정
상기한 방법으로 본 발명의 활성화액에 의한 활성화 처리를 실시한 후, 물헹굼을 실시하지 않고, 직접 무전해 팔라듐 도금 또는 무전해 팔라듐 합금 도금을 실시한다. 이에 따라, 양호한 석출성이고, 커버링성이 우수한 팔라듐 또는 팔라듐 합금 도금 피막을 형성할 수 있다. 또한, 본 발명의 활성화액을 이용함으로써 동 소재 상에 직접 무전해 팔라듐 도금 또는 무전해 팔라듐 합금 도금을 실시할 때에도 양호한 팔라듐 또는 팔라듐 합금 도금 피막을 형성할 수 있다.
이 방법으로 형성되는 무전해 팔라듐 도금 피막 또는 팔라듐 합금 도금 피막은 종래의 방법으로 얻어지는 피막과 비교하여 핀홀이 적은 양호한 도금 피막이고, 땜납 접합 강도가 높은 피막으로 된다. 은 페이스트나 동 페이스트에 의한 도체 회로를 형성한 세라믹 기판에 처리를 실시하는 경우에도 양호한 석출성이나 땜납 접합 강도를 얻을 수 있다.
본 발명에 있어서 사용할 수 있는 무전해 팔라듐 도금욕 및 무전해 팔라듐 합금 도금욕의 종류에 대해서는 특별히 한정은 없고, 환원제를 함유하는 자기 촉매형의 무전해 팔라듐 도금욕 또는 무전해 팔라듐 합금 도금욕이면 좋다. 환원제의 종류에 대해서도 특별히 한정은 없고, 차아인산염, 디메틸아민보란, 수소화 붕소나트륨, 아인산염, 포름산염 등을 환원제로서 포함하는 공지의 무전해 팔라듐 도금욕 또는 무전해 팔라듐 합금 도금욕을 이용할 수 있다. 팔라듐 합금으로서는 예를 들면, Pd―P, Pd―B, Pd―Ni 등을 들 수 있다.
무전해 팔라듐 도금 또는 무전해 팔라듐 합금 도금의 조건에 대해서는 특별히 한정은 없고, 구체적으로 사용하는 도금욕의 조성에 따라서 공지의 조건에서 적절히 결정하면 좋다.
무전해 팔라듐 도금 또는 무전해 팔라듐 합금 도금을 실시한 후, 필요에 따라서, 공지의 방법에 따라서 예를 들면, 무전해 금 도금 처리 등을 실시할 수 있다.
본 발명의 활성화제를 이용하여 각종 금속 재료에 대해서 활성화 처리를 실시함으로써 무전해 팔라듐 도금 또는 무전해 팔라듐 합금 도금의 석출성을 개선하여 커버링성을 향상시킬 수 있다. 이에 따라, 동 회로 상이나 은 페이스트, 동 페이스트 등으로 이루어지는 배선 부분에 양호한 팔라듐 또는 팔라듐 합금 도금 피막을 형성하는 것이 가능하게 된다. 또한, 무전해 니켈 도금 피막 상에 무전해 팔라듐 또는 무전해 팔라듐 합금 도금 피막을 형성할 때에도 양호한 팔라듐 또는 팔라듐 합금 도금 피막을 형성하는 것이 가능하게 된다. 이에 따라, 반도체 패키지나 회로 부분 등에 대한 와이어 본딩성, 땜납 접속 성능 등을 개선하여 우수한 성능을 갖는 전자 부품을 제조하는 것이 가능하게 된다.
도 1은 실시예 1 및 2에 있어서 피처리물로서 이용한 동에 의한 패드부를 갖는 회로 기판의 개략을 나타내는 평면도.
도 2는 실시예 3 및 4에 있어서 피처리물로서 이용한 은 페이스트에 의한 패턴을 갖는 세라믹 기판의 개략을 나타내는 평면도.
이하, 실시예를 들어서 본 발명을 더욱 상세히 설명한다.
실시예 1
피처리물로서, 수지 기재 상에 동에 의한 패드부(BGA패턴)를 형성한 독립 회로 기판을 이용했다. 도 1에 피처리물의 개략의 평면도를 나타낸다. 패드부의 지름은 0.2㎜와 0.6㎜의 2종류이다.
우선, 상기한 피처리물에 대하여 수지 기판용의 전처리제를 이용해서 탈지, 에칭 및 팔라듐 촉매의 부여를 실시하고, 이어서, 시판하는 무전해 니켈 도금액(오쿠노 제약 공업제: ICP니코론SOF)을 이용하여 두께 약 5㎛의 니켈 도금 피막을 형성했다.
이어서, 하기 표 1 및 표 2에 나타내는 각 활성화액에 1분간 침지 후, 물헹굼을 실시하지 않고, 표 3에 나타내는 무전해 팔라듐 도금액에 침지하여 두께 약 0.2㎛의 팔라듐 도금 피막을 형성했다.
한편, 비교 시험으로서, 상기한 방법과 마찬가지로 하여 무전해 니켈 도금을 5㎛ 실시한 후, 물헹굼을 1분간 실시하고, 활성화 처리를 실시하지 않고, 표 3에 나타내는 무전해 팔라듐 도금액에 직접 침지하여 팔라듐 도금 피막을 0.2㎛ 형성했다.
이상의 시험은 수지 기재의 동 패드 부분에 형성한 니켈 도금 피막 상에 무전해 팔라듐 도금을 실시할 때의 본 발명의 활성화액의 유효성을 평가하는 것이다.
활성화액 조성(g／L) 활성화액No.
1 2 3 4 5
아인산 암모늄 100 ― ― ― ―
차아인산 칼륨 ― 50 ― ― ―
포름산 나트륨 ― ― 50 ― ―
디메틸아민보란 ― ― ― 100 ―
수소화 붕소나트륨 ― ― ― ― 20
처리 온도 50 50 50 50 50
액pH 5 6 5.5 7 4
pH는 황산 또는 수산화나트륨 용액으로 조정했다.
활성화액 조성(g／L) 활성화액No.
6 7 8 9 10
아인산 암모늄 50 ― ― 10 ―
차아인산 칼륨 50 ― 50 10 ―
포름산 나트륨 ― 30 ― 10 ―
디메틸아민보란 ― ― 50 ― 30
수소화 붕소나트륨 ― 70 ― ― 30
처리 온도 60 60 70 70 70
액pH 4 7 7 4.5 4.5
pH는 황산 또는 수산화나트륨 용액으로 조정했다.
무전해 Pd도금욕 조성
염화 팔라듐(g／L) 2
에틸렌디아민(g／L) 5
차아인산나트륨(g／L) 4
티오디글리콜산(g／L) 0.02
처리 온도 60
액pH 8
pH는 황산 또는 수산화나트륨 용액으로 조정했다.
상기한 방법으로 얻어진 각 시료에 대하여, 하기의 방법으로 무전해 팔라듐 도금 피막의 외관, 석출성 및 땜납 접합 강도를 평가했다. 결과를 하기 표 4에 나타낸다.
(1) 석출 외관
육안에 의해 팔라듐 도금 피막의 외관을 평가했다.
(2) 석출성
패드 지름 0.6㎜의 BGA탑재용 패턴 부분에 대하여, 패드 20개당의 무전해 팔라듐 도금이 석출한 갯수를 육안으로 카운트하여 석출성을 평가했다.
(3) 땜납 접합 강도
패드 지름 0.6㎜의 BGA탑재용 패턴 부분에 대하여, 무전해 팔라듐 도금 피막 상에 시판하는 무전해 금 도금액(오쿠노 제약 공업제: 플래시 골드330)을 이용하여 두께 약 0.03㎛의 금 도금 피막을 형성했다. 그 후, Sn―3Ag―0.5Cu의 땜납 볼을 탑재하고, 리플로 장치에서 가열한 후, 상온식 땜납 볼 풀 시험 장치를 이용하여 땜납 접합 강도를 측정했다. 1조건에 대해 20개 측정하고, 그 평균값으로 평가를 실시했다. 또한, 활성화 처리를 실시하고 있지 않은 시험편에 대해서는, 무전해 팔라듐 도금이 석출한 부분에 대해서만 상기한 방법으로 땜납 접합 강도를 측정했다.
활성화액No. 팔라듐 도금의 석출 외관 팔라듐 도금 석출성
(20개 중의 갯수)		 땜납 접합 강도
(N)
없음 석출한 부분은 양호 18 25.8
1 양호 20 31.0
2 양호 20 31.3
3 양호 20 30.9
4 양호 20 32.6
5 양호 20 31.9
6 양호 20 30.0
7 양호 20 32.0
8 양호 20 31.5
9 양호 20 32.4
10 양호 20 30.1
실시예 2
실시예 1에서 이용한 것과 같은 동에 의한 패드부(BGA패턴)를 형성한 독립 회로 기판을 피처리물로서 이용하고, 실시예 1과 마찬가지로 하여 수지 기판용의 전처리제를 이용하여 탈지, 에칭 및 팔라듐 촉매 부여를 실시한 후, 무전해 니켈 도금을 실시하지 않고, 상기 표 1 및 표 2에 나타내는 실시예 1에서 이용한 각 활성화액에 1분간 침지 후, 물헹굼을 실시하지 않고, 표 3에 나타내는 무전해 팔라듐 도금액에 침지하여 두께 약 0.2㎛의 팔라듐 도금 피막을 형성했다.
한편, 비교 시험으로서, 상기한 방법과 마찬가지로 하여 탈지, 에칭 및 팔라듐 촉매 부여를 실시한 후, 활성화 처리를 실시하지 않고, 표 3에 나타내는 무전해 팔라듐 도금액에 직접 침지하여 팔라듐 도금 피막을 0.2㎛ 형성했다.
이상의 시험은 수지 기재의 동 패드 부분에 직접 무전해 팔라듐 도금을 실시할 때의 본 발명의 활성화액의 유효성을 평가하는 것이다.
실시예 1과 마찬가지로 하여 무전해 팔라듐 도금 피막의 외관, 석출성 및 땜납 접합 강도를 평가했다. 결과를 하기 표 5에 나타낸다.
활성화액No. 팔라듐 도금의 석출 외관 팔라듐 도금 석출성
(20개 중의 갯수)		 땜납 접합 강도
(N)
없음 석출한 부분은 양호 11 27.0
1 양호 20 33.0
2 양호 20 31.1
3 양호 20 32.9
4 양호 20 30.6
5 양호 20 32.5
6 양호 20 30.1
7 양호 20 31.9
8 양호 20 32.5
9 양호 20 32.9
10 양호 20 31.5
이상의 실시예 1 및 실시예 2의 결과에서 명백한 바와 같이, BGA기판에 대하여 무전해 니켈 도금을 실시한 후, 무전해 팔라듐 도금을 실시하는 경우 및 BGA기판의 동 소재 상에 직접 무전해 팔라듐 도금을 실시하는 경우 중 어느 하나의 경우에도 무전해 팔라듐 도금을 실시하기 전에 본 발명의 활성화액을 이용하여 활성화 처리를 실시함으로써 무전해 팔라듐 도금 피막의 외관 및 석출성이 양호하게 되고, 땜납 접합 강도에 대해서도 향상되는 것을 확인할 수 있었다.
실시예 3
피처리물로서, 세라믹스로 이루어지는 기재 상에 인쇄법에 의하여 은 페이스트에 의한 패턴을 형성한 기판을 이용했다. 도 2에 피처리물의 개략의 평면도를 나타낸다.
우선, 상기한 피처리물에 대하여, 세라믹스용의 전처리제를 이용하여 탈지, 에칭 및 팔라듐 촉매의 부여를 실시하고, 이어서, 시판하는 무전해 니켈 도금액(오쿠노 제약 공업제: NNP니코론LTC)을 이용하여 두께 약 5㎛의 니켈 도금 피막을 형성했다.
이어서, 상기 표 1 및 표 2에 나타내는 실시예 1에서 이용한 각 활성화액에 1분간 침지 후, 물헹굼을 실시하지 않고, 실시예 1의 표 3에 나타내는 무전해 팔라듐 도금액에 침지하여 두께 약 0.2㎛의 팔라듐 도금 피막을 형성했다.
한편, 비교 시험으로서, 상기한 방법과 마찬가지로 하여 무전해 니켈 도금을 5㎛ 실시한 후, 물헹굼을 1분간 실시하고, 활성화 처리를 실시하지 않고, 표 3에 나타내는 무전해 팔라듐 도금액에 침지하여 팔라듐 도금 피막을 0.2㎛ 형성했다.
이상의 시험은 세라믹 기재 상의 은 페이스트에 의한 패턴 부분에 형성한 니켈 도금 피막 상에 무전해 팔라듐 도금을 실시할 때의 본 발명의 활성화액의 유효성을 평가하는 것이다.
상기한 방법으로 얻어진 각 시료에 대하여, 실시예 1과 마찬가지로 하여 팔라듐 도금 피막의 석출 외관 및 석출성을 평가했다. 석출성에 대해서는, 패드 20개당의 무전해 팔라듐 도금이 석출한 갯수를 육안으로 카운트하여 평가했다. 결과를 하기 표 6에 나타낸다.
활성화액No. 팔라듐 도금의 석출 외관 팔라듐 도금 석출성
(20개 중의 갯수)
없음 석출한 부분은 양호 3
1 양호 20
2 양호 20
3 양호 20
4 양호 20
5 양호 20
6 양호 20
7 양호 20
8 양호 20
9 양호 20
10 양호 20
실시예 4
실시예 3에서 이용한 것과 같은 은 페이스트에 의한 패턴을 갖는 기판을 피처리물로서 이용하고, 실시예 3과 마찬가지로 하여 세라믹스용의 전처리제를 이용하여 탈지, 에칭 및 팔라듐 촉매 부여를 실시한 후, 무전해 니켈 도금을 실시하지 않고, 상기 표 1 및 표 2에 나타내는 각 활성화액에 1분간 침지 후, 물헹굼을 실시하지 않고, 표 3에 나타내는 무전해 팔라듐 도금액에 침지하여 두께 약 0.2㎛의 팔라듐 도금 피막을 형성했다.
한편, 비교 시험으로서, 상기한 방법과 마찬가지로 하여 탈지, 에칭 및 팔라듐 촉매 부여를 실시한 후, 활성화 처리를 실시하지 않고, 표 3에 나타내는 무전해 팔라듐 도금액에 직접 침지하여 팔라듐 도금 피막을 0.2㎛ 형성했다.
이상의 시험은 세라믹스 기재 상에 형성한 은 페이스트 패턴 부분에 직접 무전해 팔라듐 도금을 실시할 때의 본 발명의 활성화액의 유효성을 평가하는 것이다.
실시예 3과 마찬가지로 하여 무전해 팔라듐 도금 피막의 외관 및 석출성을 평가했다. 결과를 하기 표 7에 나타낸다.
활성화액No. 팔라듐 도금의 석출 외관 팔라듐 도금 석출성
(20개 중의 갯수)
없음 석출한 부분은 양호 7
1 양호 20
2 양호 20
3 양호 20
4 양호 20
5 양호 20
6 양호 20
7 양호 20
8 양호 20
9 양호 20
10 양호 20
이상의 실시예 3 및 실시예 4의 결과에서 명백한 바와 같이, 세라믹스 기재 상에 형성한 은 페이스트 패턴 부분에 대하여 무전해 니켈 도금을 실시한 후, 무전해 팔라듐 도금을 실시하는 경우 및 은 페이스트 패턴 부분에 직접 무전해 팔라듐 도금을 실시하는 경우 중 어느 하나의 경우에도 무전해 팔라듐 도금을 실시하기 전에 본 발명의 활성화액을 이용하여 활성화 처리를 실시함으로써 무전해 팔라듐 도금 피막의 외관 및 석출성이 양호하게 되는 것을 알 수 있다.

Claims (4)

  1. 아인산염 및 포름산염으로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종의 환원제를 함유하고, 또한, 착화제를 함유하지 않는 수용액으로 이루어지는 무전해 팔라듐 도금 또는 무전해 팔라듐 합금 도금의 전처리용 활성화액으로서, 피처리물의 처리 대상 부분이 금속 재료인 무전해 팔라듐 도금 또는 무전해 팔라듐 합금 도금의 전처리용 활성화액.
  2. 제1항에 있어서,
    환원제를 0.05∼200g/L 함유하는
    무전해 팔라듐 도금 또는 무전해 팔라듐 합금 도금의 전처리용 활성화액.
  3. 제1항 또는 제2항에 기재된 무전해 팔라듐 도금 또는 무전해 팔라듐 합금 도금의 전처리용 활성화액을 피처리물에 접촉시킨 후, 물헹굼을 실시하지 않고, 무전해 팔라듐 도금 또는 무전해 팔라듐 합금 도금을 실시하는 것을 특징으로 하는
    무전해 팔라듐 도금 또는 무전해 팔라듐 합금 도금 방법.
  4. 삭제
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