KR101704628B1 - 발광 모듈 - Google Patents

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신타로 하야시
도시히코 사토
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Abstract

LED 모듈(1)은, 절연성을 가지는 수지에 구리가 매립 형성된 제1 기판(10)과, 제1 기판(10)의 구리 상에 배치되고, 상기 구리와 땜납 접합된 제2 기판(20)과, 제2 기판(20) 상에 형성된 실장 전극(40)과, 제2 기판(20)의 위쪽에 배치되고, 실장 전극(40)과 AuSn 접합된 LED(30)를 구비한다.

Description

발광 모듈{LIGHT-EMITTING MODULE}
본 발명은, 발광 다이오드(LED: Light Emitting Diode) 등의 발광 소자를 구비하는 발광 모듈에 관한 것이다.
LED 등의 반도체 발광 소자는, 고효율 및 고수명이므로, 각종 기기(機器)의 광원으로서 널리 사용되고 있다. 예를 들면, LED는, 램프나 조명 장치 등에 있어서 조명용 광원으로서 사용되거나 액정 표시 장치에 있어서 백라이트 광원으로서 사용되거나 하고 있다.
일반적으로, LED는, LED 모듈로서 유닛화 또는 패키지화되어 각종 기기에 내장되어 있다. 구체적으로, LED 모듈은, 기판과, 기판 상에 배치된 1개 이상의 LED를 구비한다.
이 종류의 LED 모듈로서, 예를 들면, 특허 문헌 1에는, 기판과, 기판 상에 배치된 서브 마운트와, 서브 마운트 상에 플립 칩(flip chip) 실장(實裝)된 LED를 구비하는 플립 칩 디바이스가 개시되어 있다.
일본 공개특허 제2012―60173호 공보
최근, 보다 밝은 조명 장치가 요망되고 있고, LED 모듈의 고와트화가 요구되고 있다. 이 경우, LED 모듈에서의 LED의 수를 증가시키는 것을 생각할 수 있다.
한편, LED는, 발광에 의해 LED 자체로부터 열이 발생하고, 이 열에 의해 LED의 온도가 상승하여 발광 효율이 저하되고, 또한 신뢰성이 저하된다. 그러므로, LED의 수를 증가시키면 발열량도 증가하여, LED의 발광 효율 및 신뢰성이 저하된다.
그래서, LED를 배치하는 기판의 사이즈를 크게 하고, 인접하는 LED의 소자 간격을 넓히는 것에 의해 LED의 방열성을 향상시키는 것을 생각할 수 있다. 이로써, LED의 수의 증가에 의해 전체 발열량이 크게 되었다고 해도, LED의 온도 상승을 억제할 수 있다.
그러나, 협각(狹角) 배광용(配光用) 조명 장치 등도 있는 바와 같이, 일반적으로, 기기 내에서의 LED 모듈의 스페이스는 한정되어 있어, 기판의 사이즈를 크게 하는 데는 한계가 있다. 반대로, LED 모듈의 소형화가 요구되어 있고, 보다 작은 기판 사이즈로 종래와 동등 이상의 와트수를 확보하지 않으면 안되는 경우도 있다.
본 발명은, 이와 같은 문제점을 해결하기 위해 이루어진 것이며, 소형화가 가능하고, 또한 우수한 방열성을 가지는 신뢰성이 높은 발광 모듈을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 관한 발광 모듈의 일 태양(態樣)은, 절연성을 가지는 수지에 구리가 매립 형성된 제1 기판과, 상기 구리 상에 배치되고, 상기 구리와 땜납 접합된 제2 기판과, 상기 제2 기판 상에 형성된 실장 전극과, 상기 실장 전극의 위쪽에 배치되고, 상기 실장 전극과 금 주석 접합된 발광 소자를 구비한 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 관한 발광 모듈의 일 태양에 있어서, 상기 발광 소자는, 상기 실장 전극과 접합되는 소자 전극을 가지고, 상기 실장 전극은, 상기 소자 전극과 대략 동등한 외형이라도 된다.
또한, 본 발명에 관한 발광 모듈의 일 태양에 있어서, 상기 제2 기판의 상기 제1 기판측의 주면(主面)의 전체면이, 상기 구리와 땜납 접합되어 있어도 된다.
또한, 본 발명에 관한 발광 모듈의 일 태양에 있어서, 상기 제2 기판 상에는 알루미늄막이 형성되어 있고, 상기 알루미늄막은, 상기 발광 소자가 발하는 광을 반사하는 반사막이며, 또한 상기 발광 소자를 발광시키기 위한 전류가 흐르는 배선이며, 상기 실장 전극은, 상기 알루미늄막 상에, 또한 상기 알루미늄막과 접촉시켜 형성되어 있어도 된다.
또한, 본 발명에 관한 발광 모듈의 일 태양에 있어서, 상기 제2 기판 상에는 알루미늄막이 형성되어 있고, 상기 실장 전극은, 상기 알루미늄막 상에 형성되어 있고, 또한 상기 금 주석 접합에 의해 상기 실장 전극 상에 형성된 금 주석층을 구비하고, 상기 실장 전극은, 니켈, 팔라듐, 금, 티탄, 백금 및 구리 중에서 선택되는 적어도 1종류의 금속 재료 또는 상기 금속 재료를 포함하는 합금층에 의해 구성된 단층(單層) 또는 복수 층이라도 된다.
또한, 본 발명에 관한 발광 모듈의 일 태양에 있어서, 상기 알루미늄막 상에는 보호막이 형성되어 있어도 된다.
또한, 본 발명에 관한 발광 모듈의 일 태양에 있어서, 상기 보호막은, 상기 실장 전극이 형성된 개소(箇所)에는 형성되어 있지 않아도 된다.
또한, 본 발명에 관한 발광 모듈의 일 태양에 있어서, 상기 보호막은, 이산화 실리콘막이라도 된다.
또한, 본 발명에 관한 발광 모듈의 일 태양에 있어서, 상기 제1 기판은, 반사성을 가지는 레지스트로 덮혀 있어도 된다.
또한, 본 발명에 관한 발광 모듈의 일 태양에 있어서, 상기 레지스트는, 상기 제2 기판이 배치되는 개소를 개구하도록 형성되어 있어도 된다.
또한, 본 발명에 관한 발광 모듈의 일 태양에 있어서, 상기 제1 기판의 도전부와 상기 제2 기판의 도전부는, 알루미늄으로 이루어지는 와이어에 의해 접속되어 있어도 된다.
또한, 본 발명에 관한 발광 모듈의 일 태양에 있어서, 상기 제2 기판에 땜납 접합된 상기 구리를 제1 구리로 하면, 상기 제1 기판은, 또한 상기 수지에 매립 형성된 제2 구리를 가지고, 상기 제1 구리는, 전기적으로 부상된 동판(銅板)이며, 상기 제2 구리는, 상기 발광 소자를 발광시키기 위한 전류가 흐르는 구리 배선이라도 된다.
또한, 본 발명에 관한 발광 모듈의 일 태양에 있어서, 상기 제2 기판은, 실리콘 기판이라도 된다.
본 발명에 의하면, 소형화가 가능하고, 또한 우수한 방열성을 가지는 신뢰성이 높은 LED 모듈을 실현할 수 있다.
도 1의 (a)는, 본 발명의 실시형태에 관한 LED 모듈의 평면도이며, 도 1의 (b)는, (a)의 A―A'선에서의 동 LED 모듈의 단면도(斷面圖)이다.
도 2는, 본 발명의 실시형태에 관한 LED 모듈의 일부 절결(切缺) 사시도이다.
도 3의 (a)는, 비교예의 LED 모듈에서의 알루미늄막과 실장 전극과의 관계를 나타낸 도면이며, 도 3의 (b)는, (a)의 B―B'선에서의 단면도이다.
도 4의 (a)는, 본 발명의 실시형태에 관한 LED 모듈에서의 알루미늄막과 실장 전극과의 관계를 나타낸 도면이며, 도 4의 (b)는, (a)의 B―B'선에서의 단면도이다.
도 5의 (a)∼(e)는, 본 발명의 실시형태에 관한 LED 모듈의 제조 방법에서의 각각의 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 6은, 본 발명의 실시형태에 관한 LED 모듈에서의 제1 기판의 제작 방법을 설명하기 위한 도면이다.
이하, 본 발명의 실시형태에 대하여, 도면을 참조하면서 설명한다. 그리고, 이하에 설명하는 실시형태는, 모두 본 발명의 바람직한 일 구체예를 나타낸 것이다. 따라서, 이하의 실시형태에서 나타내는 수치, 형상, 재료, 구성 요소, 구성 요소의 배치 위치 및 접속 형태, 공정, 공정의 순서 등은, 일례로서 본 발명을 한정하는 주지는 아니다. 따라서, 이하의 실시형태에 있어서의 구성 요소 중, 본 발명의 최상위 개념을 나타내는 독립 청구항에 기재되어 있지 않은 구성 요소에 대해서는, 임의의 구성 요소로서 설명된다.
그리고, 각 도면은, 모식도이며, 반드시 엄밀하게 도시된 것은 아니다. 또한, 각 도면에 있어서, 실질적으로 동일한 구성에 대해서는 동일한 부호를 부여하고 있고, 중복되는 설명은 생략 또는 간략화한다.
(실시형태)
이하의 실시형태에서는, 발광 모듈(발광 장치)의 일례로서 LED 모듈에 대하여 설명한다.
먼저, 본 발명의 실시형태에 관한 LED 모듈(1)의 구성에 대하여, 도 1을 참조하여 설명한다. 도 1의 (a)는, 본 발명의 실시형태에 관한 LED 모듈의 평면도이며, 도 1의 (b)는, 도 1의 (a)의 A―A'선에서의 동 LED 모듈의 단면도이다.
도 1의 (a) 및 도 1의 (b)에 나타낸 바와 같이, 본 실시형태에 관한 LED 모듈(1)은, 제1 기판(10)과, 제1 기판(10)의 위쪽에 배치된 제2 기판(20)과, 제2 기판(20)의 위쪽에 배치된 LED(30)를 구비한다.
제2 기판(20) 상에는 한 쌍의 실장 전극(40)이 형성되어 있다. LED(30)는, 한 쌍의 실장 전극(40)과 AuSn 접합(금 주석 접합)되어 있고, LED(30)와 실장 전극(40)과의 사이에는 AuSn층(금 주석층)(50)이 형성되어 있다. AuSn층(50)으로서는, 예를 들면, AuSn 땜납을 사용할 수 있다.
또한, 제1 기판(10)과 제2 기판(20)과는 땜납 접합되어 있고, 제1 기판(10)과 제2 기판(20)과의 사이에는 땜납층(60)이 형성되어 있다. 땜납층(60)의 땜납 재료로서는, AuSn층(50)에서의 AuSn 땜납보다 융점이 낮은 것을 사용하는 것이 바람직하고, 예를 들면, Sn―Ag계 땜납을 사용할 수 있다. 이로써, LED(30)가 AuSn 접합된 제2 기판(20)을, 제1 기판(10)에 땜납 접합할 수 있다. 즉, 제2 기판(20)에 LED(30)를 AuSn 접합한 후에 제1 기판(10)과 제2 기판(20)을 땜납 접합하는 경우라도, 제1 기판(10)과 제2 기판(20)과의 땜납 접합 시에 AuSn층(50)이 재용융되지 않으므로, AuSn층(50)의 재용융에 의한 LED(30)의 위치 어긋남 등이 발생하지 않는다.
그리고, 땜납층(60)의 땜납 재료로서는, 그 외에, Sn계 또는 In계 등의 일반적인 전자 부품의 접합에 사용되는 범용의 땜납 재료를 사용해도 된다.
이하, LED 모듈(1)에서의 각각의 구성 부재 및 각각의 구성 부재의 접속 관계에 대하여 상세하게 설명한다.
제1 기판(10)은, 절연성을 가지는 수지에 구리가 매립 형성된 기판이다. 후술하는 바와 같이, 본 실시형태에 있어서의 제1 기판(10)은, 탑재하는 전자 부품과의 전기적인 도통(導通)을 행하는 배선 기판(배선판)으로서 기능하는 동시에, 탑재하는 전자 부품의 방열(heat dissipation)을 촉구하는 방열 기판[히트싱크(heatsink)]으로서 기능한다. 그리고, 본 실시형태에 있어서, 제1 기판(10)은 직사각형 기판이지만, 원형 또는 다각형 등의 직사각형 이외의 형상의 기판을 사용해도 된다.
제1 기판(10)은, 수지 재료로 이루어지는 베이스 수지부(11)와 구리 재료로 이루어지는 박판형(薄板形)의 동판부(銅板部)(12)에 의해 구성되어 있다. 베이스 수지부(11)를 구성하는 수지 재료로서는, 예를 들면, 열전도성 필러(filler)와 바인더 수지를 포함하는 열전도성 수지 조성물을 사용할 수 있다.
이 경우, 열전도성 필러는, 열전도율이 2W/m·K 이상의 것을 사용하면 된다. 또한, 열전도성 필러로서는, 모스 경도(Mohs hardness)가 상이한 복수의 무기 필러를 사용하는 것이 바람직하고, 예를 들면, 모스 경도가 5 이상의 경질 필러와, 모스 경도가 3 이하의 연질 필러를 혼합한 것 사용할 수 있다. 그리고, 모스 경도란, 긁힘 즉 스크래칭(scratching) 대한 견딤 정도를 나타내는 것이며, 10단계의 모스 경도(구 모스 경도)로서 나타내는 것이 가능하다.
모스 경도가 5 이상의 경질 필러의 구체예로서는, 예를 들면, 산화 알루미늄(모스 경도: 9), 산화마그네슘(모스 경도: 6), 용융 실리카(모스 경도: 7), 결정(結晶) 실리카(모스 경도: 7), 질화 알루미늄(모스 경도: 7), 질화 규소(모스 경도: 9), 탄화 규소(모스 경도: 9), 산화 아연(모스 경도: 4∼5)을 들 수 있다.
모스 경도가 3 이하의 연질 필러의 구체예로서는, 예를 들면, 규조토(모스 경도: 1∼1.5), 질화 붕소(모스 경도: 2), 수산화 알루미늄(모스 경도: 2.5), 수산화마그네슘(모스 경도: 2.5), 탄산칼슘(모스 경도: 3), 탈크(talc)(모스 경도: 1), 카올린(kaolin)(모스 경도: 1∼2), 진흙(모스 경도: 2.5∼3), 운모(모스 경도: 2.5∼3)를 들 수 있다.
또한, 바인더 수지로서는, 열경화성 수지 또는 열가소성 수지를 사용할 수 있고, 또한 이들 수지를 조합한 것을 사용해도 되지만, 열전도성 필러를 더욱 고밀도로 충전할 수 있어 열전도율 향상 효과가 높다는 관점에서는, 열경화성 수지를 사용하면 된다.
열경화성 수지로서는, 또한 성형성이나 기계적 강도가 우수하다는 관점에서, 불포화 폴리에스테르수지, 에폭시계 아크릴레이트 수지, 또는 에폭시 수지 등을 사용하면 된다. 또한, 열가소성 수지로서는, 폴리올레핀계 수지, 폴리아미드계 수지, 엘라스토머계 수지, 아크릴계 수지, 폴리에스테르계 수지, 엔지니어링 플라스틱 등을 사용할 수 있다.
또한, 열전도성 수지 조성물에 있어서, 바인더 수지 중의 열전도성 필러(경질 필러, 연질 필러)는 50 체적% 이상 95 체적% 미만으로 하면 된다. 열전도성 필러의 함유량이 50 체적% 미만으로 되면, 열전도성 필러를 배합하는 것에 의한 열전도성 수지 조성물의 열전도율 향상 효과가 얻어지지 않을 우려가 있다. 한편, 열전도성 필러의 함유량이 95 체적% 이상으로 되면, 열전도성 수지 조성물의 점도가 과도하게 높아져, 성형성이 급격하게 악화될 우려가 있다.
또한, 바인더 수지 중에 포함되는 경질 필러와 연질 필러와의 비율은, 경질 필러/연질 필러= 95/5∼50/50로 하면 된다. 경질 필러와 연질 필러의 비율이 이 범위로부터 벗어나 연질 필러의 비율이 작은 경우에는, 입자 변형을 일으키는 필러가 적기 때문에 입자 간에서의 접촉 면적이 작아져 충분한 열전도율 향상 효과가 얻어지지 않을 우려가 있다. 한편, 연질 필러의 비율이 많아져 상기 범위로부터 벗어나 있는 경우에는, 경질 필러에 의한 연질 필러의 변형이 충분히 일어나지 않으므로, 충분한 열전도율 향상 효과가 얻어지지 않을 우려가 있다. 경질 필러와 연질 필러와의 비율이 상기 범위에 포함되도록 구성함으로써, 높은 열전도율을 가지는 열전도성 수지 조성물을 얻을 수 있다.
이와 같이 하여 얻어지는 열전도성 수지 조성물을 압압(押壓; pressing) 가공에 의해 성형하여 형상을 고정화시키면, 연질 필러가 경질 필러에 의해 압압되고, 그 압압된 상태에서 연질 필러의 표면이 경질 필러에 의해 변형되어 연질 필러와 경질 필러가 면접촉한다. 이로써, 열전도율이 높은 베이스 수지부(11)를 얻을 수 있으므로, 방열성이 우수한 제1 기판(10)을 실현할 수 있다.
그리고, 베이스 수지부(11)의 수지 재료로서는, 상기한 열전도성 수지 조성물에 한정되지 않고, 다른 수지 조성물을 사용해도 된다. 이 경우, 열전도성 필러를 포함하지 않는 것을 사용해도 된다.
또한, 베이스 수지부(11)는, 동판부(12)를 수용하도록 성형되어 있고, 제1 기판(10)의 바닥부를 구성하는 평판형의 기부(基部)(11a)와, 기부(11a)로부터 제1 기판(10)의 주면(主面) 수직 방향으로 돌출되도록 설치된 환형(環形)의 벽부(11b)에 의해 구성되어 있다. 벽부(11b)는, 동판부(12)가 형성된 영역(구리 형성 영역)을 에워싸도록 설치되어 있다. 본 실시형태에 있어서의 벽부(11b)는, 평면에서 보았을 때, 직사각형 환형(액자형)으로 설치되어 있다.
동판부(12)는, 구리 표면이 노출되도록 하여 베이스 수지부(11)에 매립되어 있고, 본 실시형태에서는, 제1 동판부(제1 구리)(12a)와 제2 동판부(제2 구리)(12b)와의 복수 개에 패턴 형성되어 있다. 즉, 제1 동판부(12a)와 제2 동판부(12b)는, 동일한 동판을 패터닝함으로써 형성할 수 있다.
제1 동판부(12a) 상에는 제2 기판(20)이 배치된다. 제1 동판부(12a)와 제2 기판(20)는, 땜납 접합되어 있다. 제1 동판부(12a)는, 주로 히트싱크(방열 부재)로서 기능하므로, 일정 이상의 두께로 하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 제1 동판부(12a)의 두께를 150㎛ 이상으로 함으로써, 제1 기판(10)으로서 충분한 방열 성능을 확보할 수 있다. 본 실시형태에서는, 제1 동판부(12a)의 두께는, 175㎛으로 하고 있다.
본 실시형태에 있어서, 제1 동판부(12a)는 전기적으로 부상된 상태이며, 제1 동판부(12a)에는 LED(30)를 발광시키기 위한 전류가 흐르지 않는다. 즉, 제1 동판부(12a)는, 적어도 LED(30)의 소자 전극(31)[p측 전극(31a), n측 전극(31b)]의 전위에 대하여 전기적으로 부상되어 있다.
또한, 제1 동판부(12a)의 평면에서 볼 때의 면적은, 제2 기판(20)의 평면에서 볼 때의 면적보다 크다. 즉, 제1 기판(10)을 평면에서 보았을 때, 제1 동판부(12a)는, 제2 기판(20)으로부터 돌출하도록 형성되어 있다.
이와 같이, 열전도율이 높은 금속 재료인 납땜을 사용하여 제1 동판부(12a)와 제2 기판(20)을 땜납 접합함으로써, 수지 접착재를 사용하여 제1 동판부(12a)와 제2 기판(20)을 접합하는 경우와 비교하여, 제1 동판부(12a)와 제2 기판(20)과의 사이의 열저항을 작게 할 수 있다. 따라서, 제1 기판(10)과 제2 기판(20)과의 사이의 열전달 효율을 향상시킬 수 있다.
제2 동판부(12b)는 제1 동판부(12a)와 분리되어 형성되어 있다. 즉, 제2 동판부(12b)와 제1 동판부(12a)는 전기적으로도 물리적으로도 접속되어 있지 않고, 제2 동판부(12b)와 제1 동판부(12a)와의 사이에는 간극이 형성되어 있다.
본 실시형태에 있어서의 제2 동판부(12b)는, LED(30)를 발광시키기 위한 전류가 흐르는 구리 배선으로서 기능하고, 고전위 측의 구리 배선과 저전위 측의 구리 배선과의 2개의 구리 배선으로서 패터닝되어 있다. 후술하는 바와 같이, 본 실시형태에서는, 제1 기판(10)의 표면을 덮도록 레지스트(13)가 형성되어 있고, 제1 동판부(12a)와 제2 동판부(12b)와의 사이의 간극에는 레지스트(13)가 매립되어 있다.
그리고, 제2 동판부(12b)는, 제1 동판부(12a)와 같은 동판을 사용하여 형성되므로, 제2 동판부(12b)의 판두께는, 제1 동판부(12a)의 판두께와 같다.
제2 동판부(12b)에는, 제2 기판(20)의 상면에 형성된 알루미늄막(70)[제1 배선부(71), 제2 배선부(72)]와 전기적으로 접속하기 위한 본딩 패드부로서 한 쌍의 접속부(기판 접속부)(12b1)가 설치되어 있다. 한 쌍의 접속부(12b1)와 알루미늄막(70)[제1 배선부(71), 제2 배선부(72)]과는 와이어(80)에 의해 와이어 본딩되어 있다. 와이어(80)는, 예를 들면, 알루미늄(Al)으로 이루어지는 금속선(Al 와이어)이다. 이와 같이, 제1 기판(10)의 도전부[접속부(12b1)]와 제2 기판(20)의 도전부[알루미늄막(70)]를 알루미늄으로 이루어지는 와이어(80)에 의해 접속함으로써, 와이어(80)에 해당되는 광을 반사시킬 수 있다. 따라서, LED 모듈(1)의 광인출 효율을 향상시킬 수 있다.
한 쌍의 접속부(12b1)는, 레지스트(13)에 개구를 형성함으로써 구성되어 있다. 그리고, 접속부(12b1)에는, 별도의 패드 전극을 형성해도 된다.
또한, 제2 동판부(12b)에는, 외부 급전용 부재와 전기적으로 접속하기 위한 한 쌍의 접속 단자(외부 급전용 부재 접속부)(12b2)가 설치되어 있다. 접속 단자(12b2)는, LED 모듈(1)의 외부로부터 직류 전력을 수전(受電)하기 위한 외부 접속 단자이다. 한 쌍의 접속 단자(12b2)는, 예를 들면, 소켓형으로 구성할 수 있고, 수지제의 소켓과, 직류 전력을 수전하기 위한 도전핀을 가진다. 상기 도전핀은, 제2 동판부(12b)와 전기적으로 접속되어 있다.
접속 단자(12b2)에 예를 들면, 커넥터 선이 장착되는 것에 의해, 접속 단자(12b2)는, 커넥터 선을 통하여 전력을 공급받는다. 그리고, 접속 단자(12b2)로서는, 소켓에 급전용의 리드선의 금속 심선(芯線)을 직접 꽂는 것과 같은 구성으로 해도 되거나, 또는 소켓형이 아니고, 접속부(12b1)와 마찬가지로 금속 표면이 노출되도록 한 금속 전극이라도 된다.
본 실시형태에 있어서, 제1 기판(10)은, 레지스트(13)로 덮혀져 있다. 레지스트(13)는, 반사성 및 절연성을 가지는 수지 재료에 의해 구성된 절연막이며, 예를 들면, 고반사율의 백색 레지스트를 사용할 수 있다.
제1 기판(10)의 표면을 레지스트(13)로 덮는 것에 의해, 제1 기판(10)에 닿는 광을 반사시킬 수 있다. 이로써, LED 모듈(1)의 광인출 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 동판부(12)의 표면을 레지스트(13)로 피복함으로써, 동판부(12)의 표면 산화를 억제할 수 있다. 또한, 배선으로서 기능하는 제2 동판부(12b)가 절연성의 레지스트(13)로 피복되므로, 제1 기판(10)의 절연성[내압(耐壓)]도 향상시킬 수 있다.
또한, 본 실시형태에 있어서, 레지스트(13)는, 제2 기판(20)이 탑재되는 개소와, 제2 동판부(12b)에서의 접속부(12b1) 및 접속 단자(12b2)가 개구되도록 형성되어 있고, 이들 개소를 제외한 부분에 레지스트(13)가 형성되어 있다. 즉, 레지스트(13)는, 제1 기판(10)에서의 다른 부재와의 전기적 접속 개소 이외의 모든 부분에 형성되어 있다.
이로써, 제1 기판(10)을 평면에서 보았을 때, 제1 기판(10)의 주면 전체를 레지스트(13)로 덮을 수 있으므로, 레지스트(13)에 의한 광반사 면적을 최대화할 수 있다. 따라서, LED 모듈(1)에서의 광인출 효율을 한층 향상시킬 수 있다. 그리고, 제1 기판(10)에 그 외의 전자 부품을 실장하는 경우에는, 레지스트(13)는, 상기 전자 부품이 탑재되는 개소도 개구되도록 형성된다. 즉, 전자 부품의 탑재 개소에는 레지스트(13)를 형성하지 않는다.
제2 기판(20)은, 제1 기판(10)과 LED(30)와의 사이에 배치된다. 본 실시형태에 있어서의 제2 기판(20)은, LED(30)를 탑재하기 위한 인터포저(interposer; 배선 중계 기판)를 구성하는 베이스 기판이며, 제1 기판(10) 상에 실장된다. 따라서, 제2 기판(20)에는, 제1 기판(10)의 배선[제2 동판부(12b)와 LED(30)]를 전기적으로 도통시키기 위한 배선(중계 배선)이 형성되어 있다. 또한, 제2 기판(20)은, LED(30)에 의해 발생하는 열을 방열하기 위한 방열 부재로서도 기능한다.
제2 기판(20)으로서는, 실리콘 기판, 또는 알루미나(Al2O3)나 질화 알루미늄(AlN) 등으로 이루어지는 세라믹 기판 등을 사용할 수 있다. 본 실시형태에서는, 제2 기판(20)으로서, 직사각형의 실리콘 기판을 사용하고 있다.
제2 기판(20)의 상면에는, 알루미늄막(알루미늄층)(70)이 형성되어 있다. 알루미늄막(70)은, LED(30)가 발하는 광을 반사하는 반사막인 동시에, LED(30)를 발광시키기 위한 전류가 흐르는 배선이다.
알루미늄막(70)은, 고전위 측의 제1 배선부(71)와 저전위 측의 제2 배선부(72)와의 2개로 분리되어 형성되어 있다. 또한, 제2 기판(20)의 상면의 거의 전체는, 제1 배선부(71)와 제2 배선부(72)에 의해 덮혀져 있다. 이로써, 보다 많은 광을 반사시킬 수 있으므로, LED 모듈(1)의 광인출 효율을 향상시킬 수 있다.
제1 배선부(71) 및 제2 배선부(72)에는, 와이어(80)에 의해 제1 기판(10)에서의 제2 동판부(12b)의 한 쌍의 접속부(12b1)와 전기적으로 접속하기 위한 본딩 패드부로서, 접속부(71a 및 72a)가 설치되어 있다.
또한, 알루미늄막(70) 상에는 광투과성을 가지는 보호막(90)이 형성되어 있다. 이로써, 알루미늄막(70)이 산화되거나 황화되거나 하여 알루미늄막(70)의 광반사율이 저하되는 것을 억제할 수 있다.
본 실시형태에 있어서의 보호막(90)은, 알루미늄막(70) 상의 실장 전극(40)이 형성된 개소 및 접속부(71a 및 72a)를 제외하고 형성되어 있다. 이로써, 알루미늄막(70)의 산화 및 황화에 의한 광반사율의 저하를 최소화할 수 있다. 그리고, 접속부(71a 및 72a)는, 보호막(90)에 개구를 형성함으로써 구성되어 있다.
보호막(90)으로서는, 예를 들면, 이산화 실리콘막(SiO2막) 등의 투명 보호막을 사용할 수 있다. SiO2막 등의 투명 보호막은 광투과율이 높으므로, 보호막(90)으로서 투명 보호막을 사용함으로써, 알루미늄막(70)의 반사율을 유지하면서, 알루미늄막(70)의 산화 및 황화를 억제할 수 있다.
또한, 알루미늄막(70)의 일부의 표면 상에는, 실장 전극(40)이 형성되어 있다. 즉, 실장 전극(40)은, 알루미늄막(70)과 접촉되도록 하여 알루미늄막(70) 상에 형성되어 있다. 본 실시형태에서는, 한 쌍의 실장 전극(40)의 한쪽이 제1 배선부(71)의 표면 상에 형성되어 있고, 한 쌍의 실장 전극(40)의 다른 쪽이 제2 배선부(72)의 표면 상에 형성되어 있다.
실장 전극(40)은, LED(30)를 제2 기판(20)에 AuSn 접합할 때의 패드 부재(패드 전극)이며, 니켈(Ni), 팔라듐(Pd), 금(Au), 티탄(Ti), 백금(Pt) 및 구리(Cu) 중에서 선택되는 적어도 1종류의 금속 재료 또는 상기 금속 재료를 포함하는 합금층에 의해 구성된 단층 또는 복수 층이다. 이로써, 접합 신뢰성이 높은 AuSn층(50)을 사용하여 LED(30)를 제2 기판(20)에 실장할 수 있다.
본 실시형태에 있어서, 실장 전극(40)은, 알루미늄막(70)으로부터 AuSn층(50)을 향해[제2 기판(20)으로부터 LED(30)를 향하는 방향을 따라], Ni로 이루어지는 제1 금속층(41), Pd 또는 Pt로 이루어지는 제2 금속층(42), 및 Au로 이루어지는 제3 금속층(43)에 의해 구성되어 있다. 이들 금속층은, 스퍼터법, 증착법(蒸着法) 또는 도금법에 의해 형성할 수 있다.
또한, 실장 전극(40) 상에는 AuSn층(50)이 형성되어 있다. 본 실시형태에서는, 제3 금속층(73) 상에 AuSn층(50)이 형성되어 있다. LED(30)와 실장 전극(40)과의 사이에는 AuSn층(금 주석층)(50)이 형성되어 있다. 본 실시형태에서는, AuSn층(50)으로서, AuSn 땜납을 사용하고 있다. AuSn 땜납은, 도금법, 증착법, 또는 페이스트법에 의해 실장 전극(40) 상에 형성할 수 있다.
실장 전극(40)에 있어서, 제2 금속층(42)은, 배리어층으로서 기능한다. 또한, 제1 금속층(41)을 삽입함으로써, 알루미늄막(70)과 제2 금속층(42)과의 접합성을 향상시킬 수 있다. 또한, 제3 금속층(43)을 삽입함으로써, 제2 금속층(42)과 AuSn층(50)과의 접합성을 향상시킬 수 있다.
또한, 제2 기판(20)은, 제1 기판(10)에서의 제1 동판부(12a)와 땜납 접합되어 있고, 제2 기판(20)과 제1 동판부(12a)와의 사이에는, 땜납층(60)이 형성되어 있다. 본 실시형태에서는, 제2 기판(20)의 하면에는 패드 부재(패드 전극)(100)가 형성되어 있다. 제2 기판(20)은, 이 하면에 형성된 패드 부재(100)가 땜납 접합되는 것에 의해 제1 기판(10)에 고정되어 있다. 즉, 땜납층(60)은 패드 부재(100)와 제1 기판(10)[제1 동판부(12a)]와의 사이에 형성되어 있다.
패드 부재(100)는, 제2 기판(20)의 상면에 형성되는 금속층과 마찬가지의 금속 재료의 구성으로 되어 있고, 제2 기판(20)으로부터 땜납층(60)을 향해, 알루미늄으로 이루어지는 알루미늄막(170)과, Ni로 이루어지는 제1 금속층(141), Pd 또는 Pt로 이루어지는 제2 금속층(142) 및 Au로 이루어지는 제3 금속층(143)으로 이루어지는 실장 전극(140)과의 복수 층에 의해 구성되어 있다. 이들 금속층은, 스퍼터법, 증착법 또는 도금법에 의해 형성할 수 있다.
LED(30)는, 발광 소자의 일례로서, 소정의 전력에 의해 발광한다. 본 실시형태에 있어서, LED(30)는, 직류 전력이 통전되는 것에 의해 단색의 가시광을 발하는 베어 칩(bare chip)(LED 칩)이다. LED(30)로서는, 청색광을 발하는 청색 LED 칩, 적색광을 발하는 적색 LED 칩 또는 녹색광을 발하는 녹색 LED 칩의 가시역 파장대의 광을 발하는 LED 칩뿐 아니라, 자외선 발광의 LED 칩을 사용할 수도 있다.
LED(30)(LED 칩)는, 예를 들면, 기판 상에 적층된 복수의 질화물 반도체층과 상기 질화물 반도체층의 상면에 형성된 소자 전극(31)을 구비한다. 소자 전극(31)은, p측 전극(31a)과 n측 전극(31b)으로 이루어진다.
LED(30)는, 플립 칩 실장에 의해 제2 기판(20)에 실장되어 있고, 소자 전극(31)이 제2 기판(20)을 향하도록 하여 배치된다. LED(30)의 소자 전극(31)과 실장 전극(40)과는 AuSn 접합되어 있고, 소자 전극(31)과 실장 전극(40)과의 사이에는 AuSn층(50)이 형성되어 있다.
본 실시형태에서는, 또한 소자 전극(31)과 AuSn층(50)과의 사이에는, 금층(Au층)(32)이 형성되어 있다. 금층(32)을 형성함으로써, AuSn층(50)과 소자 전극(31)과의 접합성을 향상시킬 수 있다. 금층(32)은, 예를 들면, 스퍼터법, 증착법 또는 도금법에 의해 형성할 수 있다.
그리고, LED(30)에는, 소자 전극(31)이 형성되어 있지 않아도 상관없다. 이 경우, LED(30)에서의 p형 반도체층 및 n형 반도체층에 금층(32)을 직접 접속하면 된다.
또한, 도시하지 않지만, LED(30)를 덮도록 봉지(封止) 부재를 형성해도 된다. 봉지 부재는, 예를 들면, 투명 수지 또는 형광체 함유 수지이다. 형광체 함유 수지를 사용하는 경우, LED 모듈(1)로부터 백색광을 방출시키기 위해, 예를 들면, LED(30)로서 청색 LED 칩을 사용하고, 또한 봉지 부재로서, YAG[이트륨·알루미늄·가닛(garnet)]계의 황색 형광체 입자가 함유된 투광성(透光性) 실리콘 수지를 사용할 수 있다. 이로써, 청색 LED 칩이 발한 청색광의 일부는 봉지 부재에 포함되는 황색 형광체 입자에 의해 황색광으로 파장 변환되고, 황색 형광체 입자에 흡수되지 않았던 청색광과 황색 형광체 입자에 의해 파장 변환된 황색광이 섞여 백색광으로 되어 봉지 부재로부터 방출된다. 그리고, 청색 LED 칩으로서는, 예를 들면, InGaN계의 재료에 의해 구성된, 중심 파장이 440㎚∼470㎚의 질화 갈륨계의 반도체 발광 소자를 사용할 수 있다.
이상과 같이 하여, 본 실시형태에 있어서의 LED 모듈(1)을 구성할 수 있다.
그리고, 본 실시형태에서는, 제2 기판(20)에 탑재하는 LED(30)의 개수는 1개로 하였으나, 복수의 LED(30)를 제2 기판(20)에 탑재해도 된다.
예를 들면, 도 2에 나타낸 바와 같이, 제1 기판(10)의 제1 동판부(12a)와 땜납 접합된 제2 기판(20) 상에 복수의 LED(30)를 실장해도 된다. 이로써, 복수의 LED(30)가 실장된 LED 모듈을 실현할 수 있다.
이상, 본 실시형태에 관한 LED 모듈(1)에 의하면, LED(30)와 제2 기판(20)이 실장 전극(40)을 통하여 AuSn 접합되는 동시에, 제2 기판(20)과 제1 기판(10)의 제1 동판부(12a)가 땜납 접합되어 있다.
이로써, LED(30)와 제2 기판(20)을 고열전도 비율의 AuSn층(50)과 접합할 수 있다. 또한, 제2 기판(20)과 제1 기판(10)의 제1 동판부(12a)를 고열전도 비율의 땜납층(60)에 의해 접합할 수 있다. 이 결과, LED(30)에 의해 발생한 열을, 제2 기판(20)과 그 양면의 금속층[AuSn층(50), 땜납층(60)]을 통하여 효율적으로 제1 기판(10)의 제1 동판부(12a)에 전도시켜, 판형의 제1 동판부(12a)에 의해 2차원적으로 확산시킬 수 있다. 이로써, LED(30)의 방열을 효율적으로 행할 수 있으므로, LED(30)의 온도 상승을 억제할 수 있다.
이와 같이, 본 실시형태에 관한 LED 모듈(1)에 의하면, 높은 방열성을 얻을 수 있다. 이로써, 복수의 LED(30)가 제2 기판(20)의 일면 상에 비교적 조밀하게 배치된 경우라도, 각 LED(30)의 온도 상승을 충분히 억제할 수 있다. 따라서, LED 모듈(1)을 소형화할 수 있는 동시에, 복수의 LED(30)의 발열량 증가에 의한 발광 효율의 저하를 억제할 수 있다. 또한, 기판 사이즈를 변경하지 않고 LED(30)의 실장 수를 증가시킬 수 있으므로, 고와트(고광속)에 의해 밝은 LED 모듈을 실현할 수 있다.
따라서, 고광속화 및 소형화가 가능하며, 우수한 방열성 및 높은 신뢰성을 가지는 LED 모듈을 실현할 수 있다.
또한, 본 실시형태에서는, 각각의 실장 전극(40)은, LED(30)의 p측 전극(31a) 및 n측 전극(31b)의 외형과 대략 동등하다. 즉, 각각의 실장 전극(40)의 모든 측면과 p측 전극(31a)[n측 전극(31b)]의 모든 측면이 면이 일치하다. 이로써, LED(30)와 실장 전극(40)과의 사이의 열전도 경로를 최대화하여 열저항을 최소화할 수 있다. 따라서, LED(30)에 의해 발생하는 열을 효율적으로 제2 기판(20)에 전도시킬 수 있으므로, LED 모듈(1)의 방열성을 한층 향상시킬 수 있다.
또한, 본 실시형태에서는, 도 1의 (a)에 나타낸 바와 같이, 제1 동판부(12a)의 제2 기판측의 면적은, 제2 기판(20)의 제1 기판측의 주면의 면적보다 크다. 즉, 제2 기판(20)의 제1 기판측의 주면의 전체면이, 제1 동판부(12a)와 땜납 접합되어 있다. 이로써, 제1 기판[제1 동판부(12a)]과 제2 기판(20)과의 사이의 열전도 경로를 최대화하여 열저항을 최소화할 수 있다. 따라서, 제2 기판(20)에 전도한 LED(30)의 열을 효율적으로 제1 기판(10)에 전도할 수 있으므로, LED 모듈(1)의 방열성을 더욱 향상시키는 것이 가능하다.
또한, 본 실시형태에서는, 알루미늄막(70)은, 광반사막, 배선, 및 접속부(본딩 패드부)를 겸용하고 있으므로, 알루미늄막(70)의 면적을 최대화하는 것으로 할 수 있다. 이로써, LED 모듈(1)의 광인출 효율을 향상시킬 수 있다.
이 점에 대하여, 도 3 및 도 4를 참조하여 설명한다. 도 3은, 비교예의 LED 모듈에서의, 제2 기판, 알루미늄막 및 실장 전극의 구성을 나타낸 도면이며, (a)는 평면도, (b)는 (a)의 B―B'선에서의 단면도이다. 또한, 도 4는, 본 발명의 실시형태에 관한 LED 모듈에서의, 제2 기판, 알루미늄막 및 실장 전극의 구성을 나타낸 도면이며, (a)는 평면도, (b)는 (a)의 B―B'선에서의 단면도이다. 그리고, 도 4의 (a)는, 도 1의 (a)를 90° 회전시켰을 때 상태를 나타내고 있다.
도 3의 (a) 및 도 3의 (b)에 나타낸 바와 같이, 비교예의 LED 모듈(1A)에서는, 알루미늄막(70A)과, LED에 접합되는 한 쌍의 실장 전극(40A)은, 제2 기판(20A)의 동일면 상에서 분리되어 형성되어 있다. 구체적으로는, 실장 전극(40A)에는 인출 전극(40Aa)이 접속되어 있고, 알루미늄막(70A)은, 한 쌍의 실장 전극(40A)과 인출 전극(40Aa)을 피하도록 한 형상으로 패터닝되어 있다.
한편, 도 4의 (a) 및 도 4의 (b)에 나타낸 바와 같이, 본 실시형태에 있어서의 LED 모듈(1)에서는, 전술한 바와 같이, 알루미늄막(70)[제1 배선부(71), 제2 배선부(72)] 상에 한 쌍의 실장 전극(40)이 형성되어 있고, 알루미늄막(70)을 광반사막으로서 기능하게 할뿐 아니라, 배선 및 접속부(본딩 패드부)로서도 이용하고 있다.
이로써, 본 실시형태에 있어서의 알루미늄막(70)[도 4의 (a)]는, 비교예에서의 알루미늄막(70A)[도 3의 (a)]와 비교하여, 평면에서 보았을 때의 면적을 크게 할 수 있다. 즉, 알루미늄막의 반사 면적을 크게 할 수 있다. 따라서, LED 모듈의 광인출 효율을 향상시킬 수 있다.
다음에, 본 발명의 실시형태에 관한 LED 모듈의 제조 방법에 대하여, 도 5 및 도 6을 참조하여 설명한다. 도 5는, 본 발명의 실시형태에 관한 LED 모듈의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다. 그리고, 도 5에서는, 제2 기판(20)에 복수의 LED(30)가 실장된 LED 모듈의 제조 방법을 나타내고 있다. 또한, 도 6은, 본 발명의 실시형태에 관한 LED 모듈의 제조 방법에서의 제1 기판의 제작 방법을 설명하기 위한 도면이다.
먼저, 도 5의 (a)에 나타낸 바와 같이, 소정 형상의 수지에 구리가 매립 형성된 제1 기판(10)을 제작한다.
구체적으로는, 도 6의 (a)에 나타낸 바와 같이, 제작하는 제1 기판(10)의 외형과 같은 형상의 소정의 금형(201)에, 페이스트상 등의 소정의 수지 재료로 이루어지는 수지괴(樹脂塊)(11A)를 배치하고, 상기 수지괴(11A) 상에 동판(12A)을 배치한다. 수지괴(11A)로서는, 베이스 수지부(11)를 구성하는 수지 재료로서는, 상기한 열전도성 수지 조성물을 사용할 수 있다. 예를 들면, 모스 경도가 5 이상의 경질 필러와 모스 경도가 3 이하의 연질 필러를 포함하는 열전도성 필러와, 바인더 수지를 포함하는 열전도성 수지 조성물을 사용할 수 있다.
그 후, 예를 들면, 평판 가압 장치(202)에 의해 동판(12A)의 표면에 대하여 압압력(押壓力)을 가함으로써 수지괴(11A)를 가압 평탄화하고, 수지괴(11A)를 평면적으로 가압하여 넓혀 박막화한다. 이로써, 수지괴(11A)를 평판형으로 성형하는 동시에 수지괴(11A)의 외형을 금형(201)의 형상에 따른 형상으로 성형할 수 있다. 이와 같이 하여, 동판(12A)의 표면을 노출시킨 상태에서, 또한 상기 동판(12A)이 수지 재료에 매립된 상태에서, 베이스 수지부(11)를 형성할 수 있다. 그리고, 수지괴(11A)를 가압할 때, 열을 가해도 된다.
그 후, 동판(12A)이 매립된 수지 재료를 경화시킨다. 이 때, 가열함으로써 경화시켜도 된다.
그 후, 동판을 에칭 등 하여 동판을 패터닝함으로써, 동판을 복수의 동판부로 분리한다.
이로써, 도 5의 (a)에 나타낸 바와 같이, 베이스 수지부(11)에 복수의 동판부(12)가 매립 형성된 제1 기판(10)을 제작할 수 있다.
다음에, 도 5의 (b)에 나타낸 바와 같이, 실장 부품을 땜납 접합하기 위해, 제1 기판(10)에서의 동판부(12) 상의 소정의 개소에 땜납(60A)을 형성한다. 본 실시형태에서는, LED(30)가 탑재된 제2 기판(20)과 접속 단자(커넥터)(12b2)와 정전(靜電) 보호 소자(제너다이오드)를 실장하므로, 이들 실장 부분에 땜납을 인쇄한다.
다음에 도 5의 (c)에 나타낸 바와 같이, 제1 기판(10)의 땜납 인쇄한 개소에, LED(30)가 탑재된 제2 기판(20)과, 접속 단자(커넥터)(12b2)와, 정전 보호 소자를 마운트하여, 리플로우(reflow)에 의해 제2 기판(20)과 제1 기판(10)을 땜납 접합한다.
다음에, 도 5의 (d)에 나타낸 바와 같이, 와이어(80)에 의해 와이어 본딩을 행한다. 구체적으로는, 제1 기판(10)의 본딩 패드부와, 알루미늄막(70)(도시하지 않음)에서의 본딩 패드부를 와이어 본딩한다.
그 후, 도 5의 (e)에 나타낸 바와 같이, 필요에 따라, LED(30)를 밀봉하도록 봉지 부재(300)를 도포한다. 예를 들면, 복수의 LED(30)의 1개 1개에 봉지 부재(300)를 포팅(potting)한다.
이로써, 제2 기판(인터포저)(20)에 복수의 LED(30)가 탑재된 LED 모듈을 제작할 수 있다.
이상, 본 발명에 관한 LED 모듈에 대하여, 실시형태에 기초하여 설명하였으나, 본 발명은, 상기 실시형태에 한정되는 것은 아니다.
예를 들면, 상기한 실시형태에서는, 발광 소자로서 LED를 예시했지만, 발광 소자로서는, 반도체 레이저 등의 반도체 발광 소자, 유기 EL(Electro Luminescence) 또는 무기 EL 등의 EL 소자 등, 그 외의 고체 발광 소자를 사용해도 된다.
그 외에, 각 실시형태 및 변형예에 대하여 당업자가 생각할 수 있는 각종 변형을 행하여 얻어지는 형태나, 본 발명의 취지를 벗어나지 않는 범위에서 각 실시형태 및 변형예에서의 구성 요소 및 기능을 임의로 조합함으로써 실현되는 형태도 본 발명에 포함된다.
1, 1A; LED 모듈(발광 모듈)
10; 제1 기판
11; 베이스 수지부
11A; 수지괴
11a; 기부
11b; 벽부
12; 동판부
12A; 동판
12a; 제1 동판부
12b; 제2 동판부
12b1, 71a, 72a; 접속부
12b2; 접속 단자
13; 레지스트
20, 20A; 제2 기판
30; LED(발광 소자)
31; 소자 전극
31a; p측 전극
31b; n측 전극
32; 금층
40, 40A, 140; 실장 전극
40Aa; 인출 전극
41, 141; 제1 금속층
42, 142; 제2 금속층
43, 143; 제3 금속층
50; AuSn층
60; 땜납층
60A; 땜납
70, 70A, 170; 알루미늄막
71; 제1 배선부
72; 제2 배선부
80; 와이어
90; 보호막
100; 패드 부재
201; 금형
202; 평판 가압 장치
300; 봉지 부재

Claims (13)

  1. 절연성을 가지는 수지에 구리가 매립 형성된 제1 기판;
    상기 구리 상에 배치되고, 상기 구리와 땜납 접합된 제2 기판;
    상기 제2 기판 상에 형성된 실장(實裝) 전극; 및
    상기 실장 전극의 위쪽에 배치되고, 상기 실장 전극과 금 주석 접합된 발광 소자
    를 포함하고,
    상기 제2 기판 상에는 알루미늄막이 형성되어 있고,
    상기 알루미늄막은, 상기 발광 소자가 발하는 광을 반사하는 반사막이며, 또한 상기 발광 소자를 발광시키기 위한 전류가 흐르는 배선이며,
    상기 실장 전극은, 상기 알루미늄막 상에, 또한 상기 알루미늄막과 접촉시켜 형성되어 있는, 발광 모듈.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 발광 소자는, 상기 실장 전극과 접합되는 소자 전극을 구비하고,
    상기 실장 전극은, 상기 소자 전극과 동등한 외형인, 발광 모듈.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제2 기판의 상기 제1 기판측의 주면(主面)의 전체면이, 상기 구리와 땜납 접합되어 있는, 발광 모듈.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 금 주석 접합에 의해 상기 실장 전극 상에 형성된 금 주석층을 더 구비하고,
    상기 실장 전극은, 니켈, 팔라듐, 금, 티탄, 백금 및 구리 중에서 선택되는 적어도 1종류의 금속 재료 또는 상기 금속 재료를 포함하는 합금층에 의해 구성된 단층(單層) 또는 복수 층인, 발광 모듈.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 알루미늄막 상에는 보호막이 형성되어 있는, 발광 모듈.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 보호막은, 상기 실장 전극이 형성된 개소(箇所)에는 형성되어 있지 않은, 발광 모듈.
  7. 제5항 또는 제6항에 있어서,
    상기 보호막은, 이산화 실리콘막인, 발광 모듈.
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제1 기판은, 반사성을 가지는 레지스트로 덮혀져 있는, 발광 모듈.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 레지스트는, 상기 제2 기판이 배치되는 개소를 개구하도록 형성되는, 발광 모듈.
  10. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제1 기판의 도전부와 상기 제2 기판의 도전부는, 알루미늄으로 이루어지는 와이어에 의해 접속되어 있는, 발광 모듈.
  11. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제2 기판에 땜납 접합된 상기 구리를 제1 구리로 하면, 상기 제1 기판은, 상기 수지에 매립 형성된 제2 구리를 더 구비하고,
    상기 제1 구리는, 전기적으로 부상된 동판(銅板)이며,
    상기 제2 구리는, 상기 발광 소자를 발광시키기 위한 전류가 흐르는 구리 배선인, 발광 모듈.
  12. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제2 기판은, 실리콘 기판인, 발광 모듈.
  13. 삭제
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