KR101702718B1 - 이방성 도전 필름, 이의 조성물 및 이를 이용한 반도체 장치 - Google Patents

이방성 도전 필름, 이의 조성물 및 이를 이용한 반도체 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 이방성 도전 필름, 이의 조성물 및 이를 이용한 반도체 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 이방성 도전 필름 조성물 고형분 총 중량에 대하여 분자량 500 g/mol이하인 라디칼 중합성 물질을 1 중량% 내지 25 중량%로 함유하는 이방성 도전 필름 조성물을 제공하여, 별도의 층 구비 없이 통전성 및 절연성을 동시에 확보하고, 저온 및 고온 모두에서 우수한 신뢰성 접속 저항을 갖는 이방성 도전 필름을 제공한다.

Description

이방성 도전 필름, 이의 조성물 및 이를 이용한 반도체 장치{ANISOTROPIC CONDUCTIVE FILM, THE COMPOSITION THEREOF AND THE SEMICONDUCTOR DEVICE USING THEREOF}
본 발명은 이방성 도전 필름, 이의 조성물 및 이를 이용한 반도체 장치에 관한 것이다.
이방성 도전 필름 (Anisotropic conductive film, ACF)이란 일반적으로 도전 입자를 에폭시 등의 수지에 분산시킨 필름 형상의 접착제를 말하는 것으로, 필름의 막 두께 방향으로는 도전성을 띠고 면 방향으로는 절연성을 띠는 전기 이방성 및 접착성을 갖는 고분자 막을 의미한다.
상기 이방성 도전 필름을 접속시키고자 하는 회로 사이에 위치시킨 후 일정 조건 하에서 가열 및 가압 공정을 거치게 되면, 회로 단자들 사이는 도전성 입자에 의해 전기적으로 접속되고 인접하는 전극 사이에는 절연성 접착 수지가 충진되어 도전성 입자가 서로 독립하여 존재하게 됨으로써 높은 절연성을 부여하게 된다.
종래 이방성 도전 필름의 제조에 있어서, 단층 구조의 경우 접속성 및 절연성을 동시에 확보하기 어려웠다. 이에 점도가 상이한 2층 이상의 복층 구조의 이방성 도전 필름이 제시되었으나 (대한민국 공개특허 제10-2012-0122943호), 입자 포집율은 높아지나 절연성 수지의 흐름성이 저하되어 전극 간 충분한 흐름이 발생하지 못하여 전극 사이에서 도전입자가 충분히 압착되지 않으므로, 경화 후 전극 간격이 넓어져, 이로 인해 압흔 특성, 접속 저항 등이 저하될 수 있는 한계가 있었다.
대한민국 공개특허 제10-2012-0122943호 (2012.11.07 공개)
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 단층 구조의 이방성 도전 필름에 있어서, 필름의 최저 용융 점도를 조절하여 도전 입자로 인한 접속성 달성과 동시에 필름의 흐름성 개선을 통한 절연성을 동시에 확보하고자 한다.
또한, 압흔 및 접속 저항이 우수하여 접속 신뢰성이 개선된 이방성 도전 필름을 제공하며, 이를 이용하여 장기간 사용이 가능한 반도체 장치를 제공하고자 한다.
본 발명의 일 양태에 따르면, 도전입자를 함유하고, ARES 측정에 따른 80 내지 140 ℃에서의 최저 용융 점도가 900 Pa·s 내지 90,000 Pa·s인, 이방성 도전 필름을 제공한다.
또한, 본 발명의 다른 양태에 따르면, 고분자 수지; 분자량 500 g/mol 이하의 라디칼 중합성 물질; 라디칼 중합 개시제; 및 도전입자를 포함하고, 이방성 도전 필름 고형분 총 중량에 대하여 상기 분자량 500 g/mol 이하의 라디칼 중합성 물질을 1 중량% 내지 25 중량% 로 함유하는, 이방성 도전 필름 조성물을 제공한다.
본 발명의 또 다른 일 양태에 따르면, 본 발명의 일 양태의 이방성 도전 필름에 의해 접속된, 반도체 장치를 제공한다.
본 발명은 분자량 500 g/mol 이하의 라디칼 중합성 물질 1 중량% 내지 25 중량% 로 함유하여 최저 용융 점도를 조절함으로써, 단층구조에서도 접속성과 함께 절연성을 동시에 확보할 수 있는 이방성 도전 필름을 제공할 수 있다.
또한, 본 발명은 압흔 특성 및 접속 저항이 우수한 이방성 도전 필름을 제공할 수 있다.
또한, 본 발명은 접속 신뢰성 및 버블특성이 우수한 이방성 도전 필름에 의해 접속되어 고온 및/또는 고습 조건하에서도 장기간 사용할 수 있는 반도체 장치를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 양태에 따른 이방성 도전 필름의 최저 용융 점도 및 이를 측정하는 방법을 설명하기 위한 개념도이다.
도 2는 본 발명의 일 양태에 따른 이방성 도전 필름으로, 서로 접속된 제1 전극(70) 및 제2 전극(80)을 포함하는 제1 피접속부재(50)와 제2 피접속부재(60)를 포함하는 반도체 장치를 도시한다. 제1 전극(70)이 형성된 제1 피접속부재(50)와 제2 전극(80)이 형성된 제2 피접속부재(60) 사이에 이방성 도전 필름(10)을 위치시키고 압착시키면 제1 전극(70)와 제2 전극(80)이 도전 입자(40)를 통해 서로 통전된다.
도 3은 본 발명의 일 양태에 따른 이방성 도전 필름에 함유된 도전입자의 압착율을 측정하기 위한 모식도이다.
이하, 본 발명에 대하여 보다 상세히 설명한다. 본 명세서에 기재되지 않은 내용은 본 발명의 기술 분야 또는 유사 분야에서 숙련된 자이면 충분히 인식하고 유추할 수 있는 것이므로 그 설명을 생략한다.
본 발명의 일 양태에 따르면, ARES 측정에 따른 이방성 도전 필름의 80 ℃ 내지 140 ℃에서의 최저 용융 점도 범위가 900 Pa·s 내지 90,000 Pa·s인 이방성 도전 필름일 수 있다.
일반적으로 접착제의 온도를 올리면 초기(A1 구간)에서는 온도 상승에 의해 점도가 점차 감소하게 되며, 어느 순간(T0)에 이르면 접착제는 용융되어 최저의 점도(η0)를 나타내게 된다. 이후 온도를 더 올리게 되면 경화가 진행되어(A2 구간) 점도가 점차 상승하게 되며, 경화가 완료되면(A3 구간) 점도는 대체로 일정하게 유지되게 된다. 상기 온도 T0에서의 점도 η0는 "최저 용융 점도"를 의미한다(도 1 참조).
본 발명에서의 "ARES 측정에 따른 이방성 도전 필름의 80 ℃ 내지 140 ℃에서의 최저 용융 점도" 란, ARES(Advanced Rheometric Expansion System)를 이용하여 측정한 해당 필름의 80 ℃ 내지 140 ℃ 범위의 용융 점도 중 가장 낮은 용융 점도값을 의미한다.
구체적으로, 본 발명의 이방성 도전 필름의 80 ℃ 내지 140 ℃에서의 최소 용융 점도 범위는 900 Pa·s 내지 90,000 Pa·s 일 수 있으며, 보다 구체적으로 1,000 Pa·s 내지 80,000 Pa·s 일 수 있고, 예를 들어 1,500 Pa·s 내지 50,000 Pa·s 일 수 있다.
상기 범위 내에서, 최저 용융 점도의 조절을 통해 별도의 층 구비 없이 단층 구조에서도 도전 입자의 포집율을 향상시켜 충분한 통전성을 확보함과 동시에 필름의 흐름성을 확보하여 절연 신뢰성이 개선되고, 전극과 전극 사이에서 도전 입자가 충분히 눌려져 압흔이 향상되고 저항이 감소될 수 있다.
상기 최저 용융 점도를 측정하는 방법의 비제한적인 예는 다음과 같다: ARES G2 레오미터(TA Instruments)를 이용하여, 샘플 두께 150 μm, 승온속도 10 ℃/분, 프리퀀시 1 rad/초로 30 내지 200 ℃ 구간에서 승온하면서, 80 ℃ 내지 140 ℃ 에서의 최저 용융 점도를 측정한다.
또한, 본 양태의 이방성 도전 필름은 50 ℃ 내지 90 ℃, 1초 내지 5초, 1 MPa 내지 5 MPa 의 조건에서 가압착 및 130 ℃ 내지 200 ℃, 3초 내지 20초, 1 MPa 내지 5 MPa 의 조건에서 본압착 후 측정한 접속 저항이 3 Ω 이하일 수 있으며, 구체적으로, 1.5 Ω 이하일 수 있으며, 보다 구체적으로 1 Ω 이하일 수 있다.
또한, 상기 조건에서 가압착 및 본압착 후, 온도 85℃ 및 상대 습도 85%의 조건하에서 500 시간 동안 방치하여 측정한 신뢰성 후 접속 저항이 15 Ω 이하일 수 있다. 구체적으로, 10 Ω 이하일 수 있고, 보다 구체적으로 8 Ω 이하일 수 있으며, 예를 들어 5 Ω 이하일 수 있다.
상기 범위에서 고온 고습 조건 하에서도 낮은 접속 저항을 유지할 수 있어 접속 신뢰성을 개선시킬 수 있을 뿐만 아니라, 안정적인 신뢰성 저항을 갖는 이방성 도전 필름에 의해 접속된 반도체 장치는 고온 및/또는 고습 조건하에서도 장기간 사용할 수 있는 이점이 있다.
상기 접속 저항을 측정하는 방법은 특별히 제한되지 아니하며, 비제한적인 예는 다음과 같다 : 60℃ 에서 1초, 1 MPa의 가압착 조건과, 160℃, 6초, 3 MPa의 본압착 조건으로 접속하여 상기 각각의 시편을 5개씩 준비하고, 이들 각각을 4단자 측정 방법으로 각각 5회 측정한 후(ASTM F34-64T 방법에 준함), 그 평균값을 계산한다. 상기 가압착 및 본압착 수행 후, 온도 85℃ 및 상대 습도 85%의 조건하에서 500 시간 동안 방치하여 고온ㆍ고습 신뢰성 평가를 진행한 후, 이들 각각의 신뢰성 접속 저항을 상기와 동일한 방법으로 측정하여 평균값을 계산한다.
또한, 본 양태의 이방성 도전 필름은 하기 식 1의 도전입자의 압착율이 20 % 내지 70 % 일 수 있으며, 구체적으로, 30 % 내지 65 %일 수 있고, 보다 구체적으로 40 % 내지 60 % 일 수 있다.
[식 1]
도전입자 압착율(%) = [(C1-C2)/C1] × 100
상기 식 1에서, C1은 압착 전 도전 입자의 입경을 의미하고, C2는 50 ℃ 내지 90 ℃, 1초 내지 5초, 1 MPa 내지 5 MPa 의 조건에서 가압착 및 130 ℃ 내지 200 ℃, 3초 내지 20초, 1 MPa 내지 5 MPa 의 조건에서 본압착한 후 도전 입자의 입경을 의미한다.
도 3을 참조하면, 상기 압착 후 도전입자의 입경(C2)은 상하 전극(70, 80) 사이에 압착된 후, 압착된 도전입자(10)의 압착방향으로 최단거리(D, 전극방향의 수직)를 의미한다.
도전 입자의 압착율이 상기 범위이면, 이방성 도전 필름의 80 ℃ 내지 140 ℃에서의 최소 용융 점도 범위가 900 Pa·s 내지 90,000 Pa·s 인 필름의 충분한 흐름성으로 인해 전극 간 도전 입자의 충분한 눌림이 가능하여, 압흔 특성 및 접속 저항을 개선할 수 있다.
상기 도전입자 압착율의 측정 방법은 특별히 제한되지 아니하며 당해 기술 분야에서 통상적으로 사용하는 방법을 사용할 수 있다. 상기 도전입자 압착율 측정방법의 비제한적인 예는 다음과 같다 : 현미경 (BX51, Olympus)를 이용하여 도전입자의 압착전 입경을 측정하고, 60 ℃에서 1초, 1 MPa의 가압착 조건과, 160 ℃, 6초, 3 MPa의 본압착 조건으로 압착한 후, 전극 압착 방향으로의 도전입자의 최단거리를 도전입자의 입경으로 하여 측정한다.
또한, 본 양태의 이방성 도전 필름은, 50 ℃내지 90 ℃, 1 초 내지 5초, 1 MPa 내지 5 MPa 의 조건에서 가압착 및 130 ℃ 내지 200 ℃, 3초 내지 20초, 1 MPa 내지 5 MPa의 조건에서 본압착 후, 온도 85℃ 및 상대 습도 85%의 조건에서 500 시간 동안 방치한 후의 스페이스부 버블 면적이, 전극 간 스페이스부 면적을 기준으로 20 % 이하로 나타나 양호한 버블 특성을 나타낼 수 있다.
상기 범위 내에서, 기판 접착 부위의 초기 버블 발생을 억제할 수 있을 뿐만 아니라, 고온, 고습하에 장시간 방치한 후의 스페이스부 버블 면적의 증가가 억제되어, 접속 저항 등의 신뢰성 물성이 우수한 효과를 나타낼 수 있으며, 반도체 장치의 장기간 사용을 가능하게 할 수 있다.
상기 스페이스부 버블 면적의 측정 방법은 특별히 제한되지 아니하며 당해 기술 분야에서 통상적으로 사용하는 방법을 사용할 수 있다. 상기 스페이스부 버블 면적 측정 방법의 비제한적인 예는 다음과 같다 : 60 ℃에서 1초, 1 MPa의 가압착 및 160 ℃, 6초, 3 MPa의 본압착 후, 온도 85℃ 및 상대 습도 85%의 조건에서 500 시간 동안 방치한 후, 상기 필름 조성물이 충진된 전극 간 스페이스부를 현미경으로 관찰(또는 사진 촬영)하여 이미지 아날라이져 또는 눈금 격좌표 등을 이용하여 스페이스부 버블 면적을 계산할 수 있다.
또한, 본 양태의 이방성 도전 필름은 50 ℃ 내지 90 ℃, 1초 내지 5초, 1 MPa 내지 5 MPa에서 가압착 및 130 ℃ 내지 200 ℃, 3초 내지 20 초, 1 MPa 내지 5 MPa에서 본압착 후 압흔이 선명하게 나타날 수 있다.
“압흔”이란 이방성 도전 필름을 본딩하였을 때 상기 필름 중 피착재에 실제로 접착되고 압착되는 피착재의 단자와 단자 사이의 공간(이하, '단자 간 스페이스부')에 위치한 필름 부분에 형성되는 눌린 자국을 의미한다. 이러한 압흔은 이방성 도전 필름의 압착 시 필름에 가하여지는 압력이 고르게 분배되었는지를 직ㆍ간접적으로 보여주는 척도가 될 수 있다. 따라서, 압흔의 상태로 이방성 도전 필름이 기판 등에 충분히 접착되었는지, 이에 따라 해당 반도체 장치가 충분히 접속되었는지를 판단할 수 있다.
상기 압흔 상태 측정 방법은 방법은 특별히 제한되지 아니하며 당해 기술 분야에서 통상적으로 사용하는 방법을 사용할 수 있다. 상기 압흔 상태 측정 방법의 비제한적인 예는 다음과 같다 : 60 ℃에서 1초, 1 MPa의 가압착 및 160 ℃에서 6초, 3 MPa의 본압착 후 상기 필름 조성물이 충진된 단자 간 스페이스부를 현미경으로 관찰하여 압흔이 선명한지 여부를 판단할 수 있다.
본 양태의 이방성 도전 필름은 본딩 후, 압흔이 명확하게 나타나 접속 신뢰성이 향상된 반도체 장치를 제공할 수 있다.
본 발명의 다른 양태에 따른 이방성 도전 필름 조성물은 고분자 수지, 분자량 500 g/mol 이하의 라디칼 중합성 물질, 라디칼 중합 개시제 및 도전입자를 포함할 수 있다.
이하, 본 양태에 따른 이방성 도전 필름을 제조하기 위한 조성물의 각 조성에 대하여 구체적으로 설명하도록 한다. 각 조성의 함량은 이방성 도전 필름 조성물 고형분 총 중량을 기준으로 함유되는 것이며, 이방성 도전 필름 제조시, 각 조성들을 유기용제에 용해시켜 액상화 한 후 이형 필름에 도포한 후 일정 시간 건조로 유기용제를 휘발시키므로, 이방성 도전 필름 고형분은 이방성 도전 필름 조성물에 함유된 각 성분들을 그대로 함유할 수 있다.
분자량 500 g/mol 이하의 라디칼 중합성 물질
본 양태의 라디칼 중합성 물질은 분자량 500 g/mol 이하일 수 있다. 구체적으로, 분자량은 400 g/mol 이하일 수 있다.
구체적으로, 메틸(메타)아크릴레이트, 에틸(메타)아크릴레이트, n-부틸(메타)아크릴레이트, 이소부틸(메타)아크릴레이트, t-부틸(메타)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메타)아크릴레이트, 이소데실(메타)아크릴레이트, n-라우릴(메타)아크릴레이트, C12-C15 알킬(메타)아크릴레이트, n-스테아릴(메타)아크릴레이트, n-부톡시에틸(메타)아크릴레이트, 부톡시디에틸렌글리콜(메타)아크릴레이트, 메톡시트리에틸렌글리콜(메타)아 크릴레이트, 사이클로헥실(메타)아크릴레이트, 테트라하이드로퍼퓨릴(tetrahydrofurfuryl)(메타)아크릴레이트, 벤질(메타)아크릴레이트, 2-페녹시에틸(메타)아크릴레이트, 이소보닐(메타)아크릴레이트, 2-하이드록시에틸(메타)아크릴레이트, 2-하이드록시프로필(메타)아크릴레이트, 2-하이드록시부틸(메타)아크릴레이트, 4-하이드록시부틸(메타)아크릴레이트, 디메틸아미노에틸(메타)아크릴레이트, 디에틸아미노에틸(메타)아크릴레이트, (메타)아크릴산, 2-(메타)아크릴로일옥시에틸숙신산, 2-(메타)아크릴로일옥시에틸헥사하이드로프탈레이트, 2-(메타)아크릴로일옥시에틸-2-하이드록시프로필프탈레이트, 글리시딜(메타)아크릴레이트, 2-(메타)아크릴로일옥시에틸엑시드포스페이트, 에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 1,4-부탄디올디(메타)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메타)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메타)아크릴레이트, 1,9-노난디올디(메타)아크릴레이트, 1,10-데칸디올디(메타)아크릴레이트, 글리세린디(메타)아크릴레이트, 2-하이드록시-3-아크릴로일옥시프로필(메타)아크릴레이트, 디메틸올트리사이클로데칸디(메타)아크릴레이트, 트리플루오로에틸(메타)아크릴레이트, 퍼플루오로옥틸에틸(메타)아크릴레이트, 이소아밀 아크릴레이트, 라우로일 아크릴레이트, 비스페놀 A 에틸렌옥사이드의 디(메타)아크릴레이트, 비스페놀 A 디글리시딜 디(메타)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨트리(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있으며, 이들은 단독으로 사용되거나 2 종 이상 혼합하여 사용될 수 있다.
보다 구체적으로, 4-하이드록시부틸(메타)아크릴레이트, 디메틸올트리사이클로데칸디(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨트리(메타)아크릴레이트로 이루어지는 군에서 선택된 1종 이상을 사용할 수 있다.
또한, 상기 분자량 500 g/mol 이하의 라디칼 중합성 물질은 이방성 도전 필름 조성물 고형분 총 중량에 대하여 1 중량% 내지 25 중량%로 함유될 수 있으며, 구체적으로 5 중량% 내지 25 중량%로 함유될 수 있고, 예를 들어, 5 중량% 내지 23 중량%로 함유될 수 있다. 분자량이 500 g/mol 이하인 라디칼 중합성 물질을 상기 범위 내로 사용하여, 조성물의 최저 용융 점도를 조절함으로써, 단층 구조에서도 통전성 및 절연성을 동시에 확보할 수 있고, 경화물의 경도가 지나치게 높아지는 것을 방지하여 버블이 다량 생성되는 것을 방지할 수 있다.
일 예에서, 4-하이드록시부틸(메타)아크릴레이트, 디메틸올트리사이클로데칸디(메타)아크릴레이트, 및 펜타에리스리톨트리(메타)아크릴레이트 3종을 사용할 수 있으며, 이 경우, 분자량 500 g/mol 이하의 라디칼 중합성 물질 100 중량부에 대하여, 4-하이드록시부틸(메타)아크릴레이트는 30 내지 50 중량부, 디메틸올트리사이클로데칸디(메타)아크릴레이트는 20 내지 40 중량부, 펜타에리스리톨트리(메타)아크릴레이트는 10 내지 30 중량부로 함유될 수 있다.
본 양태의 이방성 도전 필름 조성물은 분자량 500 g/mol 이하의 라디칼 중합성 물질 외에 고분자 수지를 함유할 수 있으며, 상기 분자량 500 g/mol 이하의 라디칼 중합성 물질과 고분자 수지의 중량비는 1:2 내지 1:9일 수 있으며, 구체적으로 1:3 내지 1:8.5일 수 있다.
상기 중량비 범위 내에서, 조성물의 흐름성을 조절함과 동시에 적절한 최저 용융 점도를 나타내어, 단층 구조에서도 절연성 및 통전성을 동시에 확보할 수 있다.
이하, 상기에서 언급한 고분자 수지에 대하여 상술한다.
고분자 수지
본 발명에서 사용되는 고분자 수지는 특별히 제한되지 아니하며, 당해 기술 분야에서 통상적으로 사용하는 수지를 사용할 수 있다.
구체적으로, 분자량을 기준으로 중량 평균 분자량 5,000 g/mol 내지 40,000 g/mol 인 제1 고분자 수지 및 중량 평균 분자량 40,000 g/mol 초과인 제2 고분자 수지를 사용할 수 있으며, 제1 고분자 수지 및 제2 고분자 수지간의 중량비는 3:1 내지 1:2 일 수 있으며, 구체적으로 3:1 내지 1:1.5일 수 있다.
상기 고분자 수지는 이방성 도전 필름 조성물 고형분 총 중량에 대하여 50 중량% 내지 90 중량% 함유될 수 있다.
또한, 제1 고분자 수지는 이방성 도전 필름 조성물 고형분 총 중량에 대하여, 20 중량% 내지 70 중량% 포함될 수 있으며, 구체적으로 20 중량% 내지 60 중량 % 포함될 수 있고 제2 고분자 수지는 10 중량% 내지 60 중량%, 구체적으로 10 중량% 내지 50 중량% 포함될 수 있다.
또한, 분자량 500 g/mol 이하의 라디칼 중합성 물질 및 분자량 5,000 g/mol 내지 40,000 g/mol 인 제1 고분자 수지의 중량비는 1: 0.5 내지 1: 8, 구체적으로 1:1 내지 1: 6일 수 있다.
상기 라디칼 중합성 물질 및 제1 고분자 수지의 중량비 범위 내에서, 단층구조에서도 충분한 흐름성을 확보할 수 있음과 동시에 통전성을 향상시킬 수 있다.
상기 제1 고분자 수지의 비제한적인 예로는, 열경화성 수지를 사용할 수 있으며, 구체적으로, 요소수지, 멜라민수지, 페놀수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 폴리우레탄 수지 등이 있으며, 이들 중 1종 이상을 사용할 수 있다.
보다 구체적으로 5,000 g/mol 내지 40,000 g/mol 의 분자량을 가진 폴리우레탄 수지를 사용할 수 있다.
상기 제2 고분자 수지의 비제한적인 예로는, 중량 평균 분자량 40,000 g/mol 초과인 폴리우레탄 수지 또는 중량 평균 분자량 40,000 g/mol 초과인 열가소성 수지를 사용할 수 있으며, 구체적으로 상기 중량 평균 분자량 40,000 g/mol 초과인 열가소성 수지는 폴리에틸렌계, 폴리프로필렌계 등을 포함하는 올레핀계 수지, 부타디엔계 수지, 에폭시계 수지, 페녹시계 수지, 폴리아미드계 수지, 폴리이미드 수지, 폴리에스테르계 수지, 실리콘계 수지, 아크릴로니트릴계 수지, 폴리비닐부티랄 수지, 에틸렌-비닐아세테이트 공중합체, 아크릴 공중합체 등이 있으며, 이들 중 1종 이상을 사용할 수 있다. 일 예에서, 중량 평균 분자량 40,000 g/mol 초과인 폴리우레탄과 중량 평균 분자량 40,000 g/mol 초과인 열가소성 수지를 함께 사용할 수 있다.
보다 구체적으로, 부타디엔계 수지 및 아크릴 공중합체를 사용할 수 있다.
상기 부타디엔계 수지로는 아크릴로니트릴-부타디엔 공중합체, 스티렌 부타디엔 공중합체, (메타)아크릴레이트-부타디엔 공중합체, (메타)아크릴레이트-아크릴로니트릴-부타디엔-스티렌 공중합체, 카르복실기 변성 아크릴로니트릴-부타디엔 공중합체 등이 사용될 수 있으며, 상기 아크릴 공중합체는 에틸, 메틸, 프로필, 부틸, 헥실, 옥실, 도데실, 라우로일 아크릴레이트, 메타 아크릴레이트 등과 이들의 변성으로 이루어진 아크릴레이트, 아크릴릭 애시드, 메타 아크릴릭 애시드, 메틸 메타아크릴레이트, 비닐 아세테이트, 이로부터 변성된 아크릴 모노머 등의 아크릴 모노머를 중합하여 만든 아크릴 공중합체를 사용할 수 있다.
라디칼 중합 개시제
본 발명에 사용되는 라디칼 중합 개시제로서, 유기 과산화물을 사용할 수 있으며, 이는 가열 또는 광에 의해 유리라디칼을 발생시키는 경화제로 작용한다.
상기 유기과산화물로는 t-부틸 퍼옥시라우레이트, 1,1,3,3-t-메틸부틸퍼옥시-2-에틸 헥사노네이트, 2,5-디메틸-2,5-디(2-에틸헥사노일 퍼옥시) 헥산, 1-사이클로헥실-1-메틸에틸 퍼옥시-2-에틸 헥사노네이트, 2,5-디메틸-2,5-디(m-톨루오일 퍼옥시) 헥산, t-부틸 퍼옥시 이소프로필 모노카보네이트, t-부틸 퍼옥시-2-에틸헥실 모노카보네이트, t-헥실 퍼옥시 벤조에이트, t-부틸 퍼옥시 아세테이트, 디큐밀 퍼옥사이드, 2,5,-디메틸-2,5-디(t-부틸 퍼옥시) 헥산, t-부틸 큐밀 퍼옥사이드, t-헥실 퍼옥시 네오데카노에이트, t-헥실 퍼옥시-2-에틸 헥사노네이트, t-부틸 퍼옥시-2-2-에틸헥사노네이트, t-부틸 퍼옥시 이소부틸레이트, 1,1-비스(t-부틸 퍼옥시)사이클로헥산, t-헥실 퍼옥시 이소프로필 모노카보네이트, t-부틸 퍼옥시-3,5,5-트리메틸 헥사노네이트, t-부틸 퍼옥시 피발레이트, 큐밀 퍼옥시 네오데카노에이트, 디-이소프로필 벤젠 하이드로퍼옥사이드, 큐멘 하이드로퍼옥사이드, 이소부틸 퍼옥사이드, 2,4-디클로로 벤조일 퍼옥사이드, 3,5,5-트리메틸 헥사노일 퍼옥사이드, 옥타노일 퍼옥사이드, 라우로일 퍼옥사이드, 스테아로일 퍼옥사이드, 숙신 퍼옥사이드, 벤조일 퍼옥사이드, 3,5,5-트리메틸 헥사노일 퍼옥사이드, 벤조일 퍼옥시 톨루엔, 1,1,3,3-테트라메틸 부틸 퍼옥시 네오데카노에이트, 1-사이클로헥실-1-메틸 에틸 퍼옥시 노에데카노에이트, 디-n-프로필 퍼옥시 디카보네이트, 디-이소프로필 퍼옥시 카보네이트, 비스(4-t-부틸 사이클로헥실) 퍼옥시 디카보네이트, 디-2-에톡시 메톡시 퍼옥시 디카보네이트, 디(2-에틸 헥실 퍼옥시) 디카보네이트, 디메톡시 부틸 퍼옥시 디카보네이트, 디(3-메틸-3-메톡시 부틸 퍼옥시) 디카보네이트, 1,1-비스(t-헥실 퍼옥시)-3,3,5-트리메틸 사이클로헥산, 1,1-비스(t-헥실 퍼옥시) 사이클로헥산, 1,1-비스(t-부틸 퍼옥시)-3,3,5-트리메틸 사이클로헥산, 1,1-(t-부틸 퍼옥시) 사이클로도데칸, 2,2-비스(t-부틸 퍼옥시)데칸, t-부틸 트리메틸 실릴 퍼옥사이드, 비스(t-부틸) 디메틸 실릴 퍼옥사이드, t-부틸 트리알릴 실릴 퍼옥사이드, 비스(t-부틸) 디알릴 실릴 퍼옥사이드,트리스(t-부틸) 아릴 실릴 퍼옥사이드로 이루어지는 군에서 선택된 1종 이상 또는 2 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
구체적으로, 라우로일 퍼옥사이드, 벤조일 퍼옥사이드, 이소부틸 퍼옥사이드일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 라디칼 중합 개시제는 이방성 도전 필름 조성물 고형분 총 중량에 대하여 0.5 중량% 내지 10 중량%로 포함할 수 있고, 구체적으로 1 내지 10 중량 %로 포함할 수 있으며, 보다 구체적으로, 1 중량% 내지 5 중량%로 포함할 수 있다.
상기 범위 내에서 접착제 중 경화하려는 성질과 접착제의 보존성을 균형있게 구현할 수 있다.
도전입자
본 발명에서 사용되는 도전입자는 특별히 제한되지 아니하며 당해 기술 분야에서 통상적으로 사용하는 도전입자를 사용할 수 있다.
본 발명에서 사용 가능한 도전 입자의 비제한적인 예로는 Au, Ag, Ni, Cu, 땜납 등을 포함하는 금속 입자; 탄소; 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리에스테르, 폴리스타이렌, 폴리비닐알코올 등을 포함하는 수지 및 그 변성 수지를 입자로 하여 Au, Ag, Ni 등을 포함하는 금속으로 도금 코팅한 입자; 그 위에 절연성 입자를 추가로 코팅한 절연화 처리된 도전성 입자 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 사용되거나 2 종 이상 혼합하여 사용될 수 있다.
상기 도전입자의 평균 입경 크기는 적용되는 회로의 피치(pitch)에 의해 다양할 수 있으며, 1 ㎛ 내지 50 ㎛ 범위에서 용도에 따라 선택하여 사용할 수 있으며, 구체적으로 3 ㎛ 내지 20 ㎛ 의 평균 입경을 가지는 도전입자를 사용할 수 있다.
상기 도전입자는 이방성 도전 필름 조성물 고형분 총 중량에 대하여 1 중량% 내지 20 중량%를 포함할 수 있으며, 구체적으로 1 중량% 내지 15 중량%를 포함할 수 있고, 보다 구체적으로 1 중량% 내지 10 중량%를 포함할 수 있다.
상기 범위에서 안정적인 접속 신뢰성을 확보할 수 있으며, 낮은 접속 저항을 나타낼 수 있다.
본 양태의 이방성 도전 필름 조성물은 상기 성분들 외에 추가적으로 절연입자를 포함할 수 있다.
절연입자
절연 입자는 무기 입자, 유기 입자 또는 유/무기 혼합형 입자일 수 있으며, 상기 무기 입자의 비제한적인 예로, 실리카(silica, SiO2), Al2O3, TiO2, ZnO, MgO, ZrO2, PbO, Bi2O3, MoO3, V2O5, Nb2O5, Ta2O5, WO3 및 In2O3 로 이루어지는 군에서 선택된 1종 이상일 수 있고, 상기 유기 입자의 비제한적인 예로, 아크릴 비드 등을 들 수 있으며, 무기 입자의 표면에 유기성 물질이 코팅된 유/무기 혼합형 입자일 수도 있다.
구체적으로, 상기 절연 입자는 무기 입자일 수 있고, 보다 구체적으로는 산화 티타늄(TiO2) 또는 실리카일 수 있다. 상기 실리카는 졸겔법, 침전법 등 액상법에 의한 실리카, 화염산화(flame oxidation)법 등 기상법에 의해 생성된 실리카일 수 있으며, 실리카겔을 미분쇄한 비분말 실리카를 사용할 수도 있고, 건식 실리카(fumed silica), 용융 실리카(fused silica)를 사용할 수도 있으며 그 형상은 구형, 파쇄형, 에지리스(edgeless)형 등일 수 있으며, 이에 제한되지 않는다. 용융 실리카는 천연수정 또는 규석을 아크(불꽃)방전이나 산수소불꽃으로 용융시켜 제조하는 천연 실리카 유리와 사염화규소 또는 실란 등의 기체원료를 산수소불꽃이나 산소 플라즈마 중에서 열분해하여 합성하는 합성 실리카 유리가 있으며 양자 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.
상기 절연입자는 도전입자보다 사이즈(평균입경)가 크면 통전에 문제가 생길 수 있으므로 도전입자보다 그 사이즈가 작은 것이 바람직한데, 평균입경이 0.1㎛ 내지 20㎛, 1㎛ 내지 10㎛ 의 범위에서 용도에 따라 선택하여 사용할 수 있다.
상기 절연입자는 이방성 도전 필름 조성물 고형분 총 중량에 대하여 0.1 중량% 내지 20 중량 % 일 수 있으며, 구체적으로 0.1 중량% 내지 10 중량%일 수 있으며, 보다 구체적으로 0.1 중량% 내지 5 중량% 일 수 있다.
상기 범위에서 상기 절연 입자에 의해 이방성 도전 필름에 절연성을 부여하고 접속 신뢰성이 높은 이방성 도전 필름을 형성할 수 있다.
본 양태의 이방성 도전 필름 조성물을 이용하여 이방성 도전 필름을 형성하는 방법은 선술한 특별한 장치나 설비가 필요치 않으며, 고분자 수지를 유기용제에 용해시켜 액상화 한 후 나머지 성분을 첨가하여 일정시간 교반하고, 이를 이형 필름 위에 10 ㎛ 내지 50 ㎛의 두께로 상기 조성물을 도포한 다음 일정 시간 건조하여 유기용제를 휘발시킴으로써 단층 구조를 가지는 이방성 도전 필름을 얻을 수 있다.
이 때, 상기 유기용제로는 통상의 유기용제를 제한 없이 사용할 수 있다.
본 발명의 또 다른 양태에 따르면, 전술한 본 발명의 이방성 도전 필름 중 어느 하나로 접속된 반도체 장치를 제공한다. 구체적으로, 구체적으로, 상기 반도체 장치는 제1 전극을 함유하는 제1 피접속부재; 제2 전극을 함유하는 제2 피접속부재; 및 상기 제1 피접속부재와 상기 제2 피접속부재 사이에 위치하여 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극을 접속시키는, 본 발명의 일 양태의 이방성 도전 필름을 포함하는 반도체 장치일 수 있으며, 상기 배선 기판, 반도체 칩은 특별히 한정되지 아니하며, 당해 기술 분야에서 알려진 것을 사용할 수 있다.
또한, 본 양태의 반도체 장치를 제조하는 방법은 특별히 한정되지 아니하며, 당해 기술 분야에서 알려진 방법으로 수행될 수 있다.
이하, 실시예, 비교예 및 실험예를 기술함으로써 본 발명을 보다 상세히 설명한다. 다만, 하기의 실시예, 비교예 및 실험예는 본 발명의 일 예시에 불과하며, 본 발명의 내용이 이에 한정되는 것으로 해석되어서는 아니된다.
실시예 및 비교예
하기의 표 1과 같은 조성과 함량으로 이방성 도전 필름 조성물을 제조하였다.
단위(중량%) 실시예 비교예
1 2 3 4 1 2
분자량 500 g/mol 이하의 라디칼 중합성 물질 20 20 20 10 30
분자량 500 g/mol 초과의 라디칼 중합성 물질 - - - - 20
고분자
수지		 제1 고분자 수지 50 45 30 50 40 50
제2 고분자 수지 23 23 43 33 23 23
라디칼 중합 개시제 3 3 3 3 3 3
도전입자 4 4 4 4 4 4
절연입자 - 5 - - - -
합계 100 100 100 100 100 100
실시예 1
제1 고분자 수지 및 제2 고분자 수지 조성물의 제조
제1 고분자 수지 : 중량 평균 분자량이 30,000g/mol 인 폴리우레탄 수지
제2 고분자 수지 : 중량 평균 분자량이 1,000,000g/mol 인 NBR 계 수지 50중량% 및 중량 평균 분자량이 100,000g/mol인 폴리우레탄 수지 50중량%를 혼합한 수지
이방성 도전 필름 조성물의 제조
제1 고분자 수지 조성물 및 제2 고분자 수지 조성물을 표 1의 함량으로 혼합하고, 펜타에리스리톨 트리(메타)아크릴레이트(분자량 340 g/mol)　20　중량%; 디메틸올트리사이클로데칸디아크릴레이트(분자량 304 g/mol)　40 중량%; 및 4-하이드록시부틸(메타)아크릴레이트(분자량 144 g/mol)　40 중량%을 혼합한 분자량 500 g/mol 이하의 라디칼 중합성 물질을 이방성 도전 필름 조성물 고형분 총 중량에 대하여 20 중량%가 되도록 혼합하였다.
추가로, 하기 조성물을 표 1의 함량으로 혼합하여 최종 이방성 도전 필름 조성물을 제조하였다.
1) 라디칼 중합 개시제 : 라우릴 퍼옥사이드 (Aldrich, Luperox LP)
2) 절연입자 : 실리카 (EVONIK, AEROSIL R812)
3) 도전입자 : (Sekisui, NIEYB00475)
이방성 도전 필름의 제조
상기 이방성 도전 필름 조성물을 도전 입자가 분쇄되지 않는 속도 범위 내에서 상온(25℃)에서 60 분간 교반하였다. 상기 조성물을 실리콘 이형 표면 처리된 폴리에틸렌 베이스 필름에 25㎛의 두께의 필름으로 형성시키며, 필름 형성을 위해서 캐스팅 나이프(Casting knife)를 사용하고, 60 ℃에서 5 분 건조하여, 이방성 도전 필름을 제조하였다.
실시예 2
상기 실시예 1에 있어서, 표 1과 같이 절연입자(EVONIK社, AEROSIL R812) 5 중량%를 추가로 첨가하는 것을 제외하고, 상기 실시예 1과 동일한 방법에 의하여 이방성 도전 필름을 제조하였다.
실시예 3
상기 실시예 1에 있어서, 상기 실시예 1과 동일한 방법에 의하여 표 1에 조성으로 이방성 도전 필름을 제조하였다.
실시예 4
상기 실시예 1에 있어서, 상기 실시예 1과 동일한 방법에 의하여 표 1에 조성으로 이방성 도전 필름을 제조하였다.
비교예 1
상기 실시예 1에 있어서, 상기 실시예 1과 동일한 방법에 의하여 표 1에 조성으로 이방성 도전 필름을 제조하였다.
비교예 2
상기 실시예 1에 있어서, 상기 실시예 1과 동일한 방법에 의하여 표 1에 조성으로 이방성 도전 필름을 제조하였다. 상기 표 1에서 분자량 500 g/mol 초과의 라디칼 중합성 물질로 프로폭실레이티드 에톡실레이티드 비스-A 디아크릴레이트(분자량 1296 g/mol) 20 중량%를 사용하였다.
실험예 1
최저 용융 점도의 측정
25 μm의 이방성 도전 필름 6장을 겹쳐 만든 150 μm 두께의 샘플에 대해, ARES G2 레오미터(TA Instruments)를 이용하여, 승온속도 10 ℃/분, 프리퀀시 1 rad/초로 30 ℃ 내지 200 ℃구간에서 승온하면서, 80 ℃ 내지 140 ℃ 에서의 최저 용융 점도를 측정하였다.
실험예 2
초기 및 신뢰성 접속 저항의 측정
(1) 시편의 제조
전극 면적 75,000㎛2, 두께 2,200 Å의 인듐틴옥사이드(ITO) 회로 상에 두께 1,000 Å의 크롬(Cr)이 증착되어 있는 유리 기판, 및 범프 면적 75,000㎛2, 전극 두께 12㎛의 FPC를 사용하여, 상기 실시예 및 비교예들에 따른 각각의 이방성 도전 필름을 상, 하 계면 간을 압착한 후, 하기 조건에서 가압, 가열하여 각 샘플당 5개씩의 시편을 제조하였다.
1) 가압착 조건 ; 60℃, 1초, 1 MPa
2) 본압착 조건 ; 160℃, 6초, 3 MPa
(2) 초기 접속 저항값의 측정
상기 가압착 및 본압착이 완료된 각 샘플마다 접속 저항을 4단자 측정 방법으로 각각 5회 측정한 후(ASTM F34-64T 방법에 준함), 그 평균값을 계산하였다.
(3) 신뢰성 접속 저항값의 측정
상기 초기 접속 저항 측정을 완료한 각 샘플을 85℃, 습도 85%의 고온ㆍ고습 조건에 투입하고, 각 샘플을 500 시간 후 꺼내어 접속 저항을 상기와 동일한 방법으로 측정하고, 그 평균값을 계산하였다.
실험예 3
도전입자 압착율의 측정
상기 실시예 및 비교예들에서 제조된 이방성 도전 필름의 도전입자 압착율을 하기의 방법으로 측정하였다.
현미경 (BX51, Olympus)를 이용하여 도전입자의 압착 전 입경을 측정하고, 상기 접속저항 측정 시의 시편 제조 방법과 동일한 방법으로 시편을 제조하였다. 이 후, 이온 밀러(Hitachi, IM4000)로 본딩 부위의 단면 시편을 제조한 후 전극 사이의 도전입자의 입경을 측정하여 하기 식 1에 의해 계산하였다.
[식 1]
도전입자 압착율(%) = [(C1-C2)/C1] × 100
상기 식 1에서, C1은 압착 전 도전 입자의 입경(㎛)을 의미하고, C2는 상기 가압착 및 본압착 조건에서 압착한 후 도전 입자의 입경(㎛)을 의미한다.
실험예 4
버블 특성 관찰
상기 실시예 및 비교예들에서 제조된 이방성 도전 필름의 버블 특성을 관찰하기 위하여 하기의 실험을 수행하였다.
상기 접속저항 측정 시의 시편 제조 방법과 동일한 방법으로 시편을 제조한 후, 온도 85℃ 및 상대 습도 85%의 조건에서 500 시간 동안 방치하고, 상기 필름 조성물이 충진된 전극 간 스페이스부를 현미경으로 관찰(또는 사진 촬영)하여 이미지 아날라이져 또는 눈금 격좌표 등을 이용하여 스페이스부 버블 면적을 계산하였다.
스페이스부 버블 면적이 0 % 내지 20 % 인 경우를 ○, 20 % 초과 내지 60%인 경우를 △, 60% 초과 내지 100%인 경우를 ×로 나타내었다.
실험예 5
압흔 상태 측정
상기 실시예 및 비교예들에 따라 제조된 각각의 이방성 도전 필름의 압흔 상태를 측정하기 위하여 하기의 방법으로 실험을 수행하였다.
상기 제조된 6 개의 이방성 도전 필름 각각을 이용하여 상기 접속저항 측정 시의 시편 제조 방법과 동일한 방법으로 시편을 제조한 후, 글래스 배면을 통해 크롬 전극 부위에 형성된 압흔의 상태를 광학 현미경 (올림푸스 GX-41)으로 관찰하였다.
상기 압착된 이방성 도전 필름에 형성된 압흔이 선명한 경우에는 'O'으로 평가하고, 압흔이 나타나지 않은 경우에는 'X'으로 평가하였다.
상기 실험예 1 내지 4에 따른 측정결과를 하기 표 2 에 정리한다.
실시예 비교예
1 2 3 4 1 2
최저 용융 점도(Pa?s) 2,000 4,000 30,000 25,000 800 130,000
접속저항
(Ω)		 초기 0.8 0.9 1.0 1.0 0.8 5.8
신뢰성 2.2 2.0 2.1 2.0 12.3 7.5
도전입자 압착율(%) 60 60 58 59 62 15
버블 상태 O O O O X O
압흔 상태 O O O O O X

이상으로 본 발명의 특정한 부분을 상세히 기술하였는 바, 당업계의 통상의 지식을 가진 자에게 있어서, 이러한 구체적 기술은 단지 바람직한 실시예일 뿐이며, 이에 의해 본 발명의 범위가 제한되는 것이 아닌 점은 명백할 것이다. 따라서, 본 발명의 실질적인 범위는 첨부된 청구항들과 그것들의 등가물에 의하여 정의된다고 할 것이다.

Claims (21)

  1. 도전 입자 및 분자량 500 g/mol 이하의 라디칼 중합성 물질을 함유하는 이방성 도전 필름이고,
    상기 이방성 도전 필름은 ARES 측정에 따른 80 ℃ 내지 140 ℃에서의 최저 용융 점도가 900 Pa·s 내지 90,000 Pa·s이고,
    상기 라디칼 중합성 물질은 4-하이드록시부틸(메타)아크릴레이트, 디메틸올트리사이클로데칸디(메타)아크릴레이트, 및 펜타에리스리톨트리(메타)아크릴레이트로 이루어진 군으로부터 선택된 단독 또는 이들의 혼합물이고,
    상기 이방성 도전 필름은 하기 식 1의 도전 입자의 압착율이 40 % 내지 70 % 인, 이방성 도전 필름:
    [식 1]
    도전입자 압착율(%) = [(C1-C2)/C1] × 100
    상기 식 1에서, C1은 압착 전 도전 입자의 입경(㎛)을 의미하고, C2는 50 ℃ 내지 90 ℃, 1초 내지 5초, 1 MPa 내지 5 MPa 의 가압착 조건 및 130 ℃ 내지 200 ℃, 3초 내지 20초, 1 MPa 내지 5 MPa의 본압착 조건에서 압착한 후 도전 입자의 입경(㎛)을 의미한다.
  2. 제1항에 있어서, 상기 이방성 도전 필름 고형분 총 중량에 대하여, 상기 분자량 500 g/mol 이하의 라디칼 중합성 물질을 1 중량% 내지 25 중량% 로 함유하는, 이방성 도전 필름.
  3. 삭제
  4. 제2항에 있어서, 상기 라디칼 중합성 물질 100 중량부에 대하여, 30 중량부 내지 50 중량부의 4-하이드록시부틸(메타)아크릴레이트, 20 중량부 내지 40 중량부의 디메틸올트리사이클로데칸디(메타)아크릴레이트, 10 중량부 내지 30 중량부의 펜타에리스리톨트리(메타)아크릴레이트를 포함하는, 이방성 도전 필름.
  5. 제1항에 있어서, 50 ℃ 내지 90 ℃, 1초 내지 5초, 1 MPa 내지 5 MPa의 조건에서 가압착 및 130 ℃ 내지 200 ℃, 3초 내지 20초, 1 MPa 내지 5 MPa의 조건에서 본압착 후 측정한 접속 저항이 3 Ω 이하인, 이방성 도전 필름.
  6. 제5항에 있어서, 상기 가압착 및 본압착 후, 온도 85℃ 및 상대 습도 85%의 조건하에서 500 시간 동안 방치하여 측정한 접속 저항이 15 Ω 이하인, 이방성 도전 필름.
  7. 삭제
  8. 제1항에 있어서, 50 ℃ 내지 90 ℃, 1 초 내지 5초, 1 MPa 내지 5 MPa 의 가압착 조건 및 130 ℃ 내지 200 ℃, 3초 내지 20초, 1 MPa 내지 5 MPa의 본압착 조건에서 압착하고, 온도 85℃ 및 상대 습도 85%의 조건에서 500 시간 동안 방치한 후의 스페이스부 버블 면적이 20% 이하인, 이방성 도전 필름.
  9. 고분자 수지;
    분자량 500 g/mol이하의 라디칼 중합성 물질;
    라디칼 중합 개시제; 및
    도전입자를 포함하고,
    이방성 도전 필름 고형분 총 중량에 대하여 상기 분자량 500 g/mol 이하의 라디칼 중합성 물질을 1 중량% 내지 25 중량% 로 함유하는, 이방성 도전 필름 조성물이고,
    상기 라디칼 중합성 물질은 4-하이드록시부틸(메타)아크릴레이트, 디메틸올트리사이클로데칸디(메타)아크릴레이트, 및 펜타에리스리톨트리(메타)아크릴레이트로 이루어진 군으로부터 선택된 단독 또는 이들의 혼합물이고,
    상기 이방성 도전 필름 조성물로 형성된 이방성 도전 필름은,
    50 ℃ 내지 90 ℃, 1 초 내지 5초, 1 MPa 내지 5 MPa 의 가압착 조건 및 130 ℃ 내지 200 ℃, 3초 내지 20초, 1 MPa 내지 5 MPa의 본압착 조건에서 압착하고, 온도 85℃ 및 상대 습도 85%의 조건에서 500 시간 동안 방치한 후의 스페이스부 버블 면적이 20% 이하인, 이방성 도전 필름 조성물.
  10. 삭제
  11. 제9항에 있어서, 상기 라디칼 중합성 물질 100 중량부에 대하여, 30 중량부 내지 50 중량부의 4-하이드록시부틸(메타)아크릴레이트, 20 중량부 내지 40 중량부의 디메틸올트리사이클로데칸디(메타)아크릴레이트, 10 중량부 내지 30 중량부의 펜타에리스리톨트리(메타)아크릴레이트를 포함하는, 이방성 도전 필름 조성물.
  12. 제9항에 있어서, 상기 분자량 500 g/mol이하의 라디칼 중합성 물질과 고분자 수지의 중량비는 1:2 내지 1:9인, 이방성 도전 필름 조성물.
  13. 제9항에 있어서, 상기 고분자 수지는 중량 평균 분자량 5,000 g/mol 내지 40,000 g/mol인 제1 고분자 수지 및 중량 평균 분자량 40,000 g/mol 초과인 제2 고분자 수지를 포함하는, 이방성 도전 필름 조성물.
  14. 제13항에 있어서, 상기 제1 고분자 수지 및 제2 고분자 수지의 중량비는 3:1 내지 1:2 인, 이방성 도전 필름 조성물.
  15. 제13항에 있어서, 분자량 500 g/mol 이하의 라디칼 중합성 물질 및 분자량 5,000 내지 40,000 g/mol 인 제1 고분자 수지의 중량비는 1: 0.5 내지 1: 8인, 이방성 도전 필름 조성물.
  16. 제9항에 있어서, 이방성 도전 필름 조성물 고형분 총 중량에 대하여,
    고분자 수지 50 중량% 내지 90 중량%;
    라디칼 중합 개시제 0.5 중량% 내지 10 중량%; 및
    도전 입자 1 중량% 내지 20 중량% 를 함유하는, 이방성 도전 필름 조성물.
  17. 제13항에 있어서, 상기 제1 고분자 수지는 이방성 도전 필름 조성물 고형분 총 중량에 대하여 20 중량% 내지 70 중량% 포함하고, 상기 제2 고분자 수지는 10 중량% 내지 60 중량% 포함하는, 이방성 도전 필름 조성물.
  18. 제9항에 있어서, 절연입자를 추가로 포함하는, 이방성 도전 필름 조성물.
  19. 제18항에 있어서, 상기 절연입자가 이방성 도전 필름 조성물 고형분 총 중량에 대하여, 0.1 중량% 내지 20 중량% 인, 이방성 도전 필름 조성물.
  20. 제9항, 제11항 내지 제19항 중 어느 한 항의 이방성 도전 필름 조성물로 제조된 이방성 도전 필름.
  21. 제1항, 제2항, 제4항, 제5항, 제6항, 제8항 중 어느 하나의 항에 따른 이방성 도전 필름 또는 제9항, 제11항 내지 제19항 중 어느 한 항에 따른 이방성 도전 필름 조성물로 제조된 이방성 도전 필름에 의해 접속된, 반도체 장치.
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