KR101666241B1 - 열안정성이 향상된 고분자 코팅제 - Google Patents

열안정성이 향상된 고분자 코팅제 Download PDF

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Abstract

본 발명은 전기 전도성 고분자, 갈산 에스테르(esters of gallic acid) 및 당 에스테르를 포함하는 코팅제, 상기 코팅제의 제조 및 용도, 그리고 그와 같은 코팅제의 제조를 위한 분산물(dispersion)에 관한 것이다.

Description

열안정성이 향상된 고분자 코팅제 {POLYMER COATINGS WITH IMPROVED HEAT STABILITY}
본 발명은 전기 전도성 고분자, 갈산 에스테르(esters of gallic acid) 및 당 에스테르를 포함하는 코팅제, 상기 코팅제의 제조 및 용도, 그리고 그와 같은 코팅제의 제조를 위한 분산물(dispersions)에 관한 것이다.
폴리피롤, 폴리아닐린 및 폴리티오펜의 분류로부터 전기 전도성 고분자는 문헌들에 기재되어 있다. 특히 폴리(3,4-알킬렌디옥시티오펜) 분산물은 최근 요구되는 기술적 중요성을 가지고 있는데, 이는 예를 들어, 상기 분산물이 전도성 또는 대전방지용 코팅제의 제조를 위해 이용될 수 있기 때문이다(EP-A 440 957 참조).
그러나, 실제로는 이와 같은 분산물로부터 제조된 코팅제들의 전기 전도도는, 고온 및/또는 자외선 조사 하에서 실용적으로 충분히 안정적인 것은 아님이 알려졌다.
EP 1798259 A1 및 WO 2008/055834 A1 는, 예를 들어, 폴리티오펜 분산물을 포함하는 코팅제의 전기 전도도의 열 안정성 또는 UV 안정성은 갈산 (3,4,5-트리히드록시벤조익산)의 유도체들(예를 들면, 갈산 프로필에스테르)이 첨가되는 경우에 증가될 수 있음을 개시하고 있다. 그럼에도 불구하고, 이러한 안정화 작용(특히, 열적 안정성에서의 작용)은 장기간의 용도로는 충분하지 않다.
그러므로, 종래 코팅제에 비해 열 또는 UV 안정성이 향상된 전도성 또는 대전방지용 코팅제 및 그러한 코팅제의 제조를 위한 적합한 분산물들이 지속적으로 요구되었다.
따라서, 본 발명의 목적은 열 또는 UV 안정성이 향상된 상기 코팅제 및 그러한 코팅제의 제조를 위한 적합한 분산물을 제공하는 데에 있다.
놀랍게도, 적어도 하나의 전도성 고분자, 그리고 적어도 하나의 갈산 및 당 에스테르를 포함하는 분산물(하기에서 갈산 에스테르로 지칭)이 상당히 더 나은 열 안정성을 가지는 코팅제 제조에 적합할 수 있음이 발견되었다.
그러므로 본 발명은 적어도 하나의 전기 전도성 고분자, 적어도 하나의 카운터 이온(counter-ion) 및 적어도 하나의 분산제를 포함하는 분산물을 제공하는 것으로, 상기 분산물이 적어도 하나의 갈산 및 당 에스테르를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 분산물은 상온(특히 80℃를 넘는 온도) 상에서 상당히 더 높은 안정성을 보이고, 그로부터 제조된 코팅제들의 전기적 특성들 역시 마찬가지이다.
본 발명과 관련하여 갈산 에스테르(gallic acid esters)는 문헌들에서 타닌(tannin)이라는 이름 또는 갈산의 타닌 물질로 요약되는 에스테르를 의미하는 것으로 이해된다(예를 들어, 타닌 키워드 아래에 http://www.roempp.com/prod/index1.html 또는 or http://www.biologie.uni-hamburg.de/b-online/d26/11.htm 참조).
하기 b-1,2,3,4,5-pentagalloyl-O-D-glucose의 구조식은 갈산 에스테르의 일 예를 나타낸다.
Figure 112011080017305-pct00001
여기에서, 상기 구조식에서 보여지는 갈로일 라디컬(galloyl radical)은 예를 들어, 디갈로일 라디컬(digalloyl radical)로 대체될 수 있다. 상기 갈산 에스테르는 다양한 갈산 에스테르의 순수한 물질 또는 혼합물을 이용할 수 있다. 이와 같은 분산물에 사용될 수 있는 갈산 에스테르는 통상적으로 입수할 수 있다.
갈산 에스테르는 본 발명에 따른 분산물에 상기 분산물 내의 전기 전도성 고분자(예를 들면, 일반식(I)과 같은 폴리티오펜)의 고형분을 기반으로 하여, 1 내지 100 wt.%, 바람직하게는 5 내지 50 wt.%, 더욱 바람직하게는 10 내지 40 wt.%의 양으로 첨가될 수 있다.
본 발명과 관련하여, 전기 전도성 고분자는 특히 산화 또는 환원 후에 전기 전도도를 갖는 p-콘쥬게이트(p-conjugated) 고분자의 화합물 클래스를 의미하는 것으로 이해된다. 전도성 고분자는 산화 후, 건조상태에서 적어도 대략 0.01 S cm-1 -의 비전도도를 갖는 p-콘쥬게이트 고분자를 의미하는 것으로 이해되는 것이 바람직하다.
바람직한 분산물에서 적어도 하나의 전기 전도성 고분자는 선택적으로(optionally) 치환된 폴리티오펜, 선택적으로 치환된 폴리아닐린 또는 선택적으로 치환된 폴리피롤이다.
상기 전도성 고분자 또는 전도성 고분자들은 하기 일반식(I)의 반복 단위를 포함하는 폴리알킬렌디옥시티오펜으로부터 선택되는 것이 특히 바람직하다.
[일반식 I]
Figure 112011080017305-pct00002
여기에서
A는 선택적으로 치환된 C1-C5-알킬렌 라디컬, 바람직하게는 선택적으로 치환된 C2-C3-알킬렌 라디컬이고,
R은 각각 독립적으로 수소, 선형 또는 분지형의, 선택적으로 치환된 C1- C18-알킬 라디컬; 선택적으로 치환된 C5-C12-사이클로알킬 라디컬; 선택적으로 치환된 C6-C14-아릴 라디컬; 선택적으로 치환된 C7-C18-아랄킬 라디컬; 선택적으로 치환된 C1-C4-히드록시알킬 라디컬; 또는 히드록시 라디컬이고, 바람직하게는 선형 또는 분지형의, 선택적으로 치환된 C1-C4-알킬 라디컬; 선택적으로 치환된 C1-C4-히드록시알킬라디컬; 또는 히드록시 라디컬이고, 더욱 바람직하게는 선형 또는 분지형의 선택적으로 치환된 C1-C4-알킬 라디컬 또는 히드록시 라디컬이고,
x는 0 내지 8의 정수, 바람직하게는 0 내지 2의 정수, 더욱 바람직하게는 0 또는 1이며, 그리고, 복수의 라디컬 R이 A에 결합되는 경우, 상기 복수의 라디컬 R은 같거나 다를 수 있다.
상기 일반식 (I)은 x 치환된 R이 알킬렌 라디컬 A에 결합되는 의미로 이해된다.
상기 일반식 (I)의 반복 단위를 갖는 폴리티오펜에서 A는 선택적으로 치환된 C2-C3-알킬렌 라디컬을 나타내고, x는 0 또는 1을 나타내는 것이 특히 바람직하다.
더욱 바람직하게는, 적어도 하나의 전기 전도성 고분자는 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)이고, 이것이 선택적으로 치환되는 것이다.
본 발명과 관련하여, 접두사 poly-는 상기 고분자 또는 폴리티오펜이 1 이상의 같거나 다른 반복 단위를 포함하는 것을 의미하는 것으로 이해된다. 상기 폴리티오펜은 총 n개의 일반식 (I)의 반복 단위를 포함하고, 여기에서 n은 2 내지 2,000의 정수, 바람직하게는 2 내지 100의 정수이다. 상기 일반식 (I)의 반복 단위는 하나의 폴리티오펜 내에서 각각 같거나 다를 수 있다. 각각의 경우에 있어, 일반식 (I)의 반복 단위와 동일한 반복 단위를 갖는 폴리티오펜이 바람직하다.
상기 폴리티오펜은 말단기의 각각에 H를 갖는 것이 바람직하다.
본 발명의 바람직한 구체예에서, 분산물은 일반식 (I)의 반복 단위를 포함하는 적어도 하나의 폴리알킬렌디옥시티오펜을 포함하는데, 건조상태에서 적어도 대략 0.05 S cm-1, 바람직하게는 적어도 0.5　S cm-1의 비전도도를 갖는다.
분산물에서 전기 전도성 고분자(특히, 일반식 (I)의 반복 단위를 포함하는 폴리알킬렌디옥시티오펜)의 고형분(solids content)은 0.05와 3.0wt.%, 바람직하게는 0.1과 1.5 wt.%, 더욱 바람직하게는 0.3과 1.0 wt.% 사이에 있다.
본 발명과 관련하여, C1-C5-알킬렌 라디컬 A는 메틸렌, 에틸렌, n-프로필렌, n-부틸렌 또는 n-펜틸렌이 바람직하다. C1-C18-알킬 R은 선형 또는 분지형의 C1-C18-알킬 라디컬인 것이 바람직하고, 예를 들면, 메틸, 에틸, n- 또는 이소프로필, n-, iso-, sec- 또는 tert-부틸, n-펜틸, 1-메틸부틸, 2-메틸부틸, 3-메틸부틸, 1-에틸프로필, 1,1-디메틸프로필, 1,2-디메틸프로필, 2,2-디메틸프로필, n-헥실, n-헵틸, n-옥틸, 2-에틸헥실, n-노닐, n-데실, n-언데실, n-도데실, n-트리데실, n-테트라데실, n-헥사데실 또는 n-옥타데실이다. C1-C4-알킬은 선형 또는 분지형의 C1-C4-알킬 라디컬인 것이 바람직하고, 예를 들면, 메틸, 에틸, n- 또는 이소프로필, n-, iso-, sec- 또는 tert-부틸이다. 게다가 C1-C8-알킬은 예를 들어, n-펜틸, 1-메틸부틸, 2-메틸부틸, 3-메틸부틸, neo-펜틸, 1-에틸프로필, 사이클로헥실, 사이클로펜틸, n-헥실, 1,1-디메틸프로필, 1,2-디메틸프로필, 1-메틸펜틸, 2-메틸펜틸, 3-메틸펜틸, 4-메틸펜틸, 1,1-디메틸부틸, 1,2-디메틸부틸, 1,3-디메틸부틸, 2,2-디메틸부틸, 2,3-디메틸부틸, 3,3-디메틸부틸, 1-에틸부틸, 2-에틸부틸, 1,1,2-트리메틸프로필, 1,2,2-트리메틸프로필, 1-에틸-1-메틸프로필, 1-에틸-2-메틸프로필 또는 1-에틸-2-메틸프로필을 나타낸다; 본 발명과 관련하여, C1-C4-히드록시알킬 R은 하나 또는 그 이상으로 치환되는(바람직하게는 하나의 히드록실기) 직쇄(straight-chain), 고리형, 분지형 또는 비분지형의 C1-C4-알킬 라디컬인 것이 바람직하다; C5-C12-사이클로알킬 라디컬 R은 예를 들어, 사이클로펜틸, 사이클로헥실, 사이클로헵틸, 사이클로옥틸, 사이클로노닐 또는 사이클로데실이다; C6-C14-아릴 라디컬 R은 예를 들면 페닐 또는 나프틸이다. 그리고 C7-C18-아랄킬 라디컬 R은 예를 들면 벤질, o-(오르소), m-(메타), p-(파라) 톨릴, 2,3-, 2,4-, 2,5-, 2,6-, 3,4-, 3,5-자일릴 또는 메시틸이다. 상기 열거된 것들은 예로서 본 발명을 설명하기 위함이고, 본 발명이 상기 열거된 것으로 한정되는 것은 아니다.
본 발명과 관련하여, 많은 유기 기(group)들은 상기 라디컬 A 및/또는 상기 라디컬 R의 선택적 추가 치환기들, 예를 들면, 알킬, 사이클로알킬, 아릴, 아랄킬, 알콕시, 할로겐, 에테르, 티오에테르, 디설파이드, 설폭시드, 설폰, 설포네이트, 아미노, 알데히드, 케토, 카르복시산 에스테르, 카르복시산, 카보네이트, 카르복시레이트, 시아노, 알킬실란 및 알콕시실란 기들, 그리고 카르복사마이드 기들일 수 있다.
폴리아닐린 또는 폴리피롤을 위해 가능한 치환기들은, 예를 들면, 위에서 열거된 상기 라디컬 A와 R 및/또는 상기 라디컬 A와 R의 추가 치환기들이다. 비치환된 폴리아닐린 또는 폴리피롤이 이용되는 것이 바람직하다.
본 발명의 맥락은 상기의 모든 라디컬 정의, 파라미터, 및 설명을 포함하고, 하기에서 주어진, 일반적이거나 선호 범위에서 서로 언급된, 다시 말해 특정 범위와 선호 범위 사이의 임의의 결합에 대해 언급되는 것도 포함한다.
분산물에서 전도성 고분자로 이용되는 상기 폴리티오펜은 중립성(neutral) 또는 양이온성일 수 있다. 바람직한 구체예에서 상기 폴리티오펜은 양이온이고, 양이온"은 폴리티오펜 주쇄(main chain)상에 존재하는 전하에만 관련있다. 상기 폴리티오펜은 라디컬 R 상의 치환기에 따라 구조적 단위(structural unit)내에 양전하 및 음전하를 전달할 수 있으며, 상기 양전하는 사이 폴리티오펜 주쇄 상에 존재하고, 상기 음전하는 설포네이트 또는 카르복실레이트로 치환된 R라디컬 상에 선택적으로 존재할 수 있다. 이와 관련하여, 상기 폴리티오펜 주쇄의 양전하는 라디컬 R 상에 선택적으로 존재하는 양이온성 그룹에 의해 부분적으로 또는 완전히 포화될 수 있다. 전체적으로, 이 경우에 상기 폴리티오펜은 양이온성, 중립성 또는 심지어 음이온성일 수 있다. 그럼에도 불구하고, 본 발명과 관련하여 상기 폴리티오펜은 모두 양이온성 폴리티오펜으로 간주되는데, 왜냐하면 상기 폴리티오펜 주쇄 상의 양전하가 결정적이기 때문이다. 상기 양전하들은 화학식들에서는 나타나지 않는데, 왜냐하면 그들의 정확한 개수 및 위치가 명확하게 결정될 수 없기 때문이다. 그러나, 상기 양전하들의 개수는 적어도 1 그리고 기껏해야 n이고, 여기에서 n은 상기 폴리티오펜 내의 (동일하거나 다른) 반복 단위의 총 개수이다.
선택적으로 설포네이트- 또는 카르복실레이트-로 치환되어 음하전된 라디컬 R에 의하여 보상이 이루어지지 않는다면, 상기 양전하를 보상하기 위하여 상기 양이온성 폴리티오펜은 카운터이온(counter-ions)으로서 음이온을 필요로 한다.
카운터이온은 단량체 또는 고분자 음이온일 수 있는데, 후자는 이하에서 다중음이온(polyanions)으로 부르기로 한다.
고분자 음이온은 단량체 음이온보다 더 바람직한데, 왜냐하면 상기 고분자 음이온은 필름 형성에 기여하고 그들의 크기(size)는 열에 더욱 안정한 전기 전도성 필름을 유도하기 때문이다. 그러나, 상기 고분자 음이온 이외에도, 분산물은 단량체 음이온을 포함할 수 있다.
고분자 음이온은 여기서, 예를 들면, 고분자 카르복시산(예를 들어 폴리아크릴산, 폴리메타크릴산 또는 폴리말레산)의 음이온, 또는 고분자 설폰산(예를 들어 폴리스티렌설폰산 및 폴리비닐설폰산)일 수 있다. 이러한 폴리카르복시산과 폴리설폰산은 또한 비닐카르복시산 및 비닐설폰산과, 다른 중합가능한 단량체의 공중합체일 수 있고, 상기 중합가능한 단량체의 예로는 아크릴산 에스테르 및 스티렌이 있다.
바람직하게는, 본 발명에 따른 분산물은 카운터이온으로서 적어도 하나의 고분자 카르복시산 또는 고분자 설폰산을 포함한다.
특히 폴리스티렌설폰산(PSS)의 음이온이 고분자 음이온으로서 바람직하다.
다중음이온을 제공하는 중합산(polyacid)의 분자량은 바람직하게는 1,000 내지 2,000,000, 더 바람직하게는 2,000 내지 500,000이다. 상기 중합산 또는 이의 알칼리금속염(예를 들면, 폴리스티렌설폰산 및 폴리아크릴산)은 상업적으로 입수하거나, 공지의 방법으로 제조할 수 있다(Houben Weyl, Methoden der organischen Chemie, vol. E 20 Makromolekulare Stoffe, part 2, (1987), p. 1141 et seq 참조).
특히, 분산물은 0.5:1 내지 50:1, 바람직하게는 1:1 내지 30:1, 더욱 바람직하게는 2:1 내지 20:1의 중량비(weight ratio)로 고분자 음이온(들) 및 전기 전도성 고분자들을 포함할 수 있다. 상기 중합반응 동안에 완전한 전환이 발생한다고 가정할 경우, 여기에서 상기 전기 전도성 고분자의 중량은 이용되는 상기 단량체의 중량에 대응한다.
사용된 단량체 음이온의 예로는 C1-C20-알칸설폰산(예를 들면, 메탄-, 에탄-, 프로판-, 또는 부탄-설폰산, 또는 도데칸설폰산과 같은 보다 높은 설폰산); 지방족 C1-C20-퍼플루오로설폰산(트리플루오로메탄설폰산, 퍼플루오로부탄설폰산 또는 퍼플루오로옥탄설폰산); 지방족 C1-C20-카르복시산(예를 들면, 2-에틸헥실카르복시산); 지방족 C1-C20-퍼플루오로카르복시산(예를 들면, 트리플루오로아세트산 또는 퍼플루오로옥탄산); C1-C20-알킬기에 의하여 선택적으로 치환된 방향족 설폰산(예를 들면, 벤젠설폰산, o-톨루엔설폰산, p-톨루엔설폰산, 도데실벤젠설폰산); 및 사이클로알칸설폰산(예를 들면, 캄포설폰산)의 음이온들, 또는 테트라플루오로보레이트, 헥사플루오로포스페이트, 퍼클로레이트(perchlorate), 헥사플루오로안티몬네이트, 헥사플루오로아세네이트(hexafluoroarsenate) 또는 헥사클로로안티모네이트(hexachloroantimonate)이다.
p-톨루엔설폰산, 메타설폰산 또는 캄포설폰산의 음이온들이 단량체 음이온으로 바람직하다.
전하 보상을 위한 카운터이온으로서 음이온들을 포함하는 양이온성 폴리티오펜은 또한 당해 기술분야에서 흔히 폴리티오펜/(폴리)음이온 착물(complex)로 불리기도 한다.
이와 같은 고분자/카운터이온 착물의 형태를 예로 들면, 상기 전기 전도성 고분자 및 카운터 이온의 총 함량은, 본 발명에 따른 분산물에서 상기 분산물의 총 중량에 기반할 경우, 예를 들어 0.05 내지 10 wt.%, 바람직하게는 0.1 내지 2 wt.%이다.
본 발명에 따른 분산물은 하나 또는 그 이상의 분산제를 포함할 수 있다. 언급될 수 있는 분산제들은 예로 들면, 하기 용매들이다: 지방족 알코올(예를 들면, 메탄올, 에탄올, i-프로판올 및 부탄올); 지방족 케톤(예를 들면, 아세톤 및 메틸에틸케톤); 지방족 카르복시산 에스테르(예를 들면, 에틸 아세테이트 및 부틸 아세테이트); 방향족 탄화수소(예를 들면, 톨루엔 및 자일렌); 지방족 탄화수소(예를 들면, 헥산, 헵탄 및 사이클로헥산); 염화탄화수소(예를 들면, 메틸렌 클로라이드 및 디클로로에탄); 지방족 니트릴(예를 들면, 아세토니트릴); 지방족 설폭사이드 및 설폰(예를 들면, 디메틸 설폭사이드 및 설포레인); 지방족 카르복시산 아마이드(예를 들면, 메틸아세트아마이드, 디메틸아세트아마이드 및 디메틸포름아마이드); 및 지방족 및 방향지방족 에테르(예를 들면, 디에틸에테르 및 아니솔). 게다가, 물 또는 상기 언급된 유기 용매를 갖는 물의 혼합물도 분산제로 이용될 수 있다.
바람직한 분산제는 물 또는 알코올(예를 들면, 메탄올, 에탄올, i-프로판올 및 부탄올)과 같이 다른 양성자성 용매(protic solvent) 및 이러한 알코올들을 갖는 물의 혼합물들이고, 물이 특히 바람직한 용매이다.
분산물은 추가적으로 표면활성물질(예를 들면, 이온성 및 양이온성 계면활성제, 또는 접착 촉진제)와 같은 성분을 포함할 수 있고, 상기 접착 촉진제의 예로는 유기 기능성 실란(organofunctional silane) 또는 이의 가수분해들, 예를 들면, 3-글리시드옥시프로필트리알콕시실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란, 3-머캅토프로필트리메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 비닐트리메톡시실란 또는 옥틸트리에톡시실란이다.
본 발명에 따른 분산물은 추가적으로 전도도를 향상시키는 첨가제를 포함할 수 있는데, 예를 들면 에테르 그룹을 포함하는 화합물이고, 예를 들면, 테트라히드로퓨란; 락톤기(예를 들어, g-부티로락톤, g-발레로락톤)를 포함하는 화합물; 아마이드 또는 락톤기(예를 들면, 카프로락탐, N-메틸카프로락탐, N,N-디메틸아세트아마이드, N-메틸아세트아마이드, N,N-디메틸포름아마이드(DMF), N-메틸포름아마이드); N-메틸포름아닐라이드, N-메틸피롤리돈(NMP), N-옥틸피롤리돈, 피롤리돈, 설폰 및 설폭사이드(예를 들면, 설폰레인(테트라메틸렌 설폰), 디메틸설폭사이드(DMSO)), 당 또는 당 유도체(예를 들면, 수크로스, 글루코스, 프룩토스, 락토스); 당 알코올(예를 들면, 소비톨, 마니톨); 퓨란 유도체들(예를 들면, 2-퓨란카르복시산, 3-퓨란카르복시산); 및/또는 디- 또는 폴리알코올(예를 들면, 에틸렌 글리콜, 글리세롤, 디- 및 트리에틸렌 글리콜)이 있다. 테트라히드로퓨란, N-메틸포름아마이드, N-메틸피롤리돈, 에틸렌 글리콜, 디메틸설폭사이드 또는 소비톨이 전도도 향상 첨가제로서 사용되는 것이 특히 바람직하다.
본 발명에 따른 분산물은 추가적으로 하나 또는 그 이상의 유기 바인더를 포함할 수 있고, 상기 유기 바인더는 유기 용매에 용해되거나 수용성이고, 예를 들면 폴리비닐아세테이트, 폴리카보네이트, 폴리비닐부티랄, 폴리아크릴산에스테르, 폴리아크릴아마이드, 폴리메타크릴산에스테르, 폴리메타크릴아마이드, 폴리스티렌, 폴리아크릴로니트릴, 염화폴리비닐, 폴리비닐피롤리돈, 폴리부타디엔, 폴리이소프렌, 폴리에테르, 폴리에스터, 폴리우레탄, 폴리아마이드, 폴리이미드, 폴리설폰, 실리콘, 에폭시 수지, 스티렌/아크릴산에스테르, 비닐아세테이트/아크릴산에스테르 및 에틸렌/비닐아세테이트 공중합체, 폴리비닐알콜 또는 셀룰로오스이다.
본 발명에 따른 분산물에서 상기 고분자 바인더의 함량은, 상기 분산물의 총 중량에 기반하여, 0.1 내지 90 wt.%, 바람직하게는 0.5 내지 30 wt.%, 더욱 바람직하게는 0.5 내지 10 wt.%이다.
분산물에서 선택적으로 포함되는 이와 같은 유기 바인더는, 주어진 온도에서 액상일 경우에 분산제로서 선택적으로 기능할 수도 있다.
본 발명에 따른 분산물은 1 내지 14의 pH, 바람직하게는 1 내지 8의 pH를 가질 수 있다.
예를 들어, 염기 또는 산들이 상기 pH를 조정하기 위하여 상기 분산물에 첨가될 수 있다. 이들 첨가제는 분산물의 필름 형성을 손상시키지 않고 고온(예를 들어, 솔더링 온도)에서 휘발되지 않는데, 예를 들면, 염기로는 2-(디메틸아미노)-에탄올, 2,2'-이미노디에탄올 또는 2,2'-2''-니트릴로트리에탄올이고, 산으로는 폴리스티렌설폰산이 바람직하다.
본 발명에 따른 분산물의 점도는 도포 방법에 따라 0.1 내지 100,000 mPa·s(100s-1의 전단 속도로 20℃에서 측정함)이고, 바람직하게는 1 내지 10,000 mPa·s, 특히 바람직하게는 10 내지 1,000 mPa·s이다.
본 발명에 따른 분산물의 제조는 예를 들어, EP-A 440 957에 기재된 조건과 유사하도록 카운터 이온의 존재하에서 전도성 고분자, 전기 전도성 고분자의 분산물의 제조를 위해 대응되는 전구체로부터 제1제조방법에 의해 수행된다. 이런 분산물의 제조를 위한 향상된 변형체(variant)는 무기 염 함량의 제거 또는 부분 제거를 위한 이온 교환제의 사용이다. 그와 같은 변형체는 예를 들어, DE-A196 27 071에 기재되어 있다. 상기 이온 교환제는 제품과 교반될 수 있고, 예를 들면, 상기 제품이 이온 교환제 컬럼으로 채워진 컬럼 위로 전달된다.
분산물에서의 상기 입자의 입자크기는, 예를 들어 고압분산기를 이용한 탈염(desalination) 후에 감소될 수 있다. 이러한 동작은 효과를 향상시키기 위해 반복될 수도 있다. 특히, 100 내지 2,000 bar의 고압은 입자 크기를 크게 감소시키는 데에 특히 장점을 가짐이 입증되었다.
폴리아닐린/다중음이온, 폴리피롤/다중음이온 또는 폴리티오펜/다중음이온 착물의 제조 및 1 또는 그 이상의 분산제(들)에서의 후속적 분산 또는 재분산 또한 가능하다.
본 발명에 따른 분산제 제조를 위해, 추가 성분들(예를 들면, 갈산 에스테르), 선택적인 추가 분산제 및 선택적인 추가 첨가제, 유기 바인더 등이 이들 분산제에 첨가되고, 상기 성분들이 예를 들어 교반을 통해 혼합된다.
예를 들어, 상응하는 단량체들은 전도성 고분자의 제조를 위한 전구체들로 이해되어지고, 또한 하기에서 전구체로 불려진다. 다양한 전구체들의 혼합물들이 또한 이용될 수 있다. 적합한 단량체 전구체들은, 예를 들면, 선택적으로 치환되는 티오펜, 피롤, 또는 아닐린, 바람직하게는 선택적으로 치환되는 티오펜, 특히 바람직하게는 선택적으로 치환되는 3,4-알킬렌디옥시티오펜이다.
치환되는 3,4-알킬렌디옥시티오펜은 하기 일반식(II)의 화합물을 실시예로 하여 언급될 수 있다.
[일반식 II]
Figure 112011080017305-pct00003
여기에서,
A는 선택적으로 치환된 C1-C5-알킬렌 라디컬, 바람직하게는 선택적으로 치환된 C2-C3-알킬렌 라디컬이고,
R은 각각 독립적으로 수소, 선형 또는 분지형의, 선택적으로 치환된 C1- C18-알킬 라디컬; 선택적으로 치환된 C5-C12-사이클로알킬 라디컬; 선택적으로 치환된 C6-C14-아릴 라디컬; 선택적으로 치환된 C7-C18-아랄킬 라디컬; 선택적으로 치환된 C1-C4-히드록시알킬 라디컬; 또는 히드록시 라디컬이고, 바람직하게는 선형 또는 분지형의, 선택적으로 치환된 C1-C4-알킬 라디컬; 선택적으로 치환된 C1-C4-히드록시알킬라디컬; 또는 히드록시 라디컬이고, 더욱 바람직하게는 선형 또는 분지형의 선택적으로 치환된 C1-C4-알킬 라디컬 또는 히드록시 라디컬이고,
x는 0 내지 8의 정수, 바람직하게는 0 내지 2의 정수, 더욱 바람직하게는 0 또는 1이며, 그리고, 복수의 라디컬 R이 A에 결합되는 경우, 상기 복수의 라디컬 R은 같거나 다를 수 있다.
매우 특히 바람직한 단량체 전구체들은 선택적으로 치환된 3,4-에틸렌디옥시티오펜, 바람직한 구체예에서 비치환된 3,4-에틸렌디옥시티오펜이다.
상기 언급된 전구체들을 위해(특히, 티오펜, 바람직하게는 3,4-알킬렌디옥시티오펜) 가능한 치환기들은 일반식 (III)에서 R로 언급되는 라디컬들이다.
피롤 및 아닐린을 위해 가능한 치환기들은, 예를 들면, 상기 열거된 라디컬 A 그리고 R 및/또는 상기 라디컬 A 그리고 R의 추가적 치환기들이다.
상기 라디컬 A 및/또는 라디컬 R의 가능한 선택적 추가 치환기들은 일반식 (I)과 관련하여 언급된 유기 기들이다.
전도성 고분자의제조를 위한 단량체 전구체들의 제조 공정들은 당업자에게 알려져 있고, 예를 들면, L. Groenendaal, F.　Jonas, D. Freitag, H. Pielartzik & J. R. Reynolds, Adv. Mater. 12 (2000) 481-494 및 여기에서 인용된 문헌들에 기재되어 있다.
본 발명에 따른 분산물들은 전기적 특성들 중의 열 안정성을 갖는 전기 전도성 또는 대전방지용 코팅제의 제조를 위해 특히 적합하다.
그러므로 본 발명은 추가적으로 본 발명에 따른 분산물로부터 얻어지는 전기 전도성 또는 대전방지용 코팅제를 제공한다.
본 발명에 따른 코팅제의 제조를 위해, 본 발명에 따른 분산물이 0.5mm 내지 250mm의, 바람직하게는 2mm 내지 50mm의 습도막 두께(wet film thickness)에서 적절한 기판에 도포되고(예를 들면, 스핀코팅, 함침(impregnation), 푸어링(pouring), 드리핑(dripping on), 스프레이(spraying), 미스팅(misting), 나이프 코팅(knife coating), 브러싱(brushing) 또는 프린팅(예를 들면, 잉크젯, 스크린, 그라비어, 옵셋 또는 탐폰 프린팅) 등과 같은 알려진 방법을 사용), 다음으로는 적어도 20℃ 내지 200℃의 온도에서 건조된다.
본 발명에 따른 분산물은 상온(특히 80℃를 넘는 온도) 상에서 상당히 더 높은 안정성을 보이고, 그로부터 제조된 코팅제들의 전기적 특성들 역시 마찬가지이다.
하기 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것이고, 한정되는 것으로 해석되어서는 안된다.
실시예
비교예 1
테스트 프린트가 140/cm의 메쉬 넘버(mesh number)를 갖는 폴리에스터 직물 스크린을 이용하여 상업용 스크린 프린팅 페이스트 Clevios S V3(H.C. Starck GmbH, Goslar제조)로 수행되었다. 프린트된 면적은 10 x 2 cm2의 크기를 가졌다. 상기 프린트는 15분 동안 순환 에어 오븐(circulating air oven)에서 130℃로 건조되었다. 다음으로 2개의 전도성 실버 전극이 세로 방향으로 오른쪽 각도에서 2cm 거리로 필름 중앙에 도포되었고, 상기 시스템은 24시간동안 상온에서 건조되었다. 상기 전도성 실버 전극들은 클램프를 이용한 멀티미터로 연결되었고, 표면 저항이 측정되었다:
면 저항: 400 ohm/square (sq.)
본 발명에 따른 실시예 1
타닌(Aldrich) 1.0g이 상기 비교예의 스크린 프린팅 페이스트 200g에 교반을 통해 용해되었고, 테스트 프린트가 상기 비교예에 기재된 데에 따라 수행되었으며 표면 저항이 측정되었다.
면 저항: 450 ohm/square (sq.)
다음으로 상기 테스트 프린트는 120℃에서 공기 중에 저장되었고, 312시간 후에 표면 저항이 측정되었다.
(단위: ohm/sq)
저장 전 120℃에서 312시간 후
비교예 1 400 2,600
실시예 1 450 660
본 발명에 따른 갈산 에스테르 첨가제가 첨가된 폴리티오펜 분산물로부터 제조된 코팅제에서 본 발명에 따른 갈산 에스테르 첨가제의 안정화 작용이 이러한 비교로부터 명백하게 된다.
비교예 2 (EP 1798259에 따름)
갈산 프로필 에스테르(Aldrich) 1.0g이 상기 비교예 1의 스크린 프린팅 페이스트 200g에 교반을 통해 용해되었고, 테스트 프린트가 상기 비교예 1에 기재된 데에 따라 수행되었으며 표면 저항이 측정되었다.
본 발명에 따른 실시예 2
타닌(Aldrich) 1.0g이 상기 비교예 1의 스크린 프린팅 페이스트 200g에 교반을 통해 용해되었고, 테스트 프린트가 상기 비교예 2에 기재된 데에 따라 수행되었으며 표면 저항이 측정되었다.
다음으로 상기 테스트 프린트는 150℃에서 공기 중에 저장되었고, 216시간 후에 표면 저항이 측정되었으며, 시작 값에 대해 상기 저항에서의 증가도가 %로 계산되었다.
저항에서의 증가도(%, 150℃에서 저장 후의 R/수행 후의 R ×100)
비교예1 520
비교예2 350
실시예2 230

Claims (13)

  1. 적어도 하나의 전기 전도성 고분자, 적어도 하나의 카운터 이온 및 적어도 하나의 분산제를 포함하는 분산물로서, 적어도 하나의 갈산 에스테르 및 당 에스테르를 포함하는 것을 특징으로 하는 분산물.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 적어도 하나의 전기 전도성 고분자는 선택적으로 치환된 폴리티오펜, 선택적으로 치환된 폴리아닐린 또는 선택적으로 치환된 폴리피롤의 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 분산물.
  3. 청구항 2에 있어서, 상기 전도성 고분자는 하기 일반식(I)의 반복 단위를 포함하는 폴리알킬렌디옥시티오펜인 것을 특징으로 하는 분산물.
    [일반식 I]

    Figure 112011080017305-pct00004

    여기에서
    A는 선택적으로 치환된 C1-C5-알킬렌 라디컬이고,
    R은 선형 또는 분지형의, 선택적으로 치환된 C1- C18-알킬 라디컬, 선택적으로 치환된 C5-C12-사이클로알킬 라디컬, 선택적으로 치환된 C6-C14-아릴 라디컬, 선택적으로 치환된 C7-C18-아랄킬 라디컬, 선택적으로 치환된 C1-C4-히드록시알킬 라디컬, 또는 히드록시 라디컬이고,
    x는 0 내지 8의 정수이며, 복수의 라디컬 R이 A에 결합되는 경우, 상기 복수의 라디컬 R은 같거나 다를 수 있음.
  4. 청구항 3에 있어서, 상기 적어도 하나의 전도성 고분자는 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜인 것을 특징으로 하는 분산물.
  5. 청구항 1에 있어서, 상기 적어도 하나의 카운터 이온은 단량체 또는 고분자 음이온인 것을 특징으로 하는 분산물.
  6. 청구항 5에 있어서, 상기 고분자 음이온은 고분자 카르복시산 또는 설폰산인 것을 특징으로 하는 분산물.
  7. 청구항 6에 있어서, 상기 고분자 음이온은 폴리스티렌설폰산인 것을 특징으로 하는 분산물.
  8. 청구항 1 내지 4, 6 및 7 중 어느 한 항에 있어서, 상기 갈산 에스테르 및 당 에스테르는 하기 화학식에 해당하는 것을 특징으로 하는 분산물.
    Figure 112016043391012-pct00005
  9. 청구항 1 내지 4, 6 및 7 중 어느 한 항에 있어서, 상기 분산물에서의 전기 전도성 고분자의 고형분에 기반하여 1 내지 100 wt.%의 양에 해당하는 갈산 에스테르 또는 에스테르를 포함하는 것을 특징으로 하는 분산물.
  10. 청구항 1 내지 4, 6 및 7 중 어느 한 항에 있어서, 상기 분산물은 적어도 하나의 고분자 유기 바인더를 포함하는 것을 특징으로 하는 분산물.
  11. 청구항 1 내지 4, 6 및 7 중 어느 한 항에 있어서, 상기 분산물은 분산제로써 물, 지방족 알코올, 지방족 케톤, 지방족 카르복시산 에스테르, 방향족 탄화수소, 지방족 탄화수소, 염화탄화수소, 지방족 니트릴, 지방족 설폭사이드 및 설폰, 지방족 카르복시산 아마이드, 지방족 및 방향지방족 에테르 또는 상기 언급된 분산제 중 적어도 2종의 혼합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 분산물.
  12. 청구항 1 내지 4, 6 및 7 중 적어도 한 항에 따른 분산물을 전기 전도성 또는 대전방지용 코팅제를 제조하는데 사용하는 방법.
  13. 청구항 1 내지 4, 6 및 7 중 적어도 한 항에 따른 분산물로부터 얻어지는 전기 전도성 또는 대전방지용 코팅제.
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Families Citing this family (52)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8094434B2 (en) 2008-04-01 2012-01-10 Avx Corporation Hermetically sealed capacitor assembly
DE102009012660A1 (de) * 2009-03-13 2010-09-16 H.C. Starck Clevios Gmbh Polymerbeschichtungen mit verbesserter Temperaturstabilität
US8194395B2 (en) 2009-10-08 2012-06-05 Avx Corporation Hermetically sealed capacitor assembly
US8279584B2 (en) 2010-08-12 2012-10-02 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor assembly
DE102010047086A1 (de) * 2010-10-01 2012-04-05 Heraeus Clevios Gmbh Schichtaufbauten mit verbesserten elektrischen Kenngrößen beinthaltend PEDOT/PSS sowie einen Stabilisator
US8824122B2 (en) 2010-11-01 2014-09-02 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor for use in high voltage and high temperature applications
US8848342B2 (en) 2010-11-29 2014-09-30 Avx Corporation Multi-layered conductive polymer coatings for use in high voltage solid electrolytic capacitors
US8576543B2 (en) 2010-12-14 2013-11-05 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor containing a poly(3,4-ethylenedioxythiophene) quaternary onium salt
US8493713B2 (en) 2010-12-14 2013-07-23 Avx Corporation Conductive coating for use in electrolytic capacitors
US8451588B2 (en) 2011-03-11 2013-05-28 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor containing a conductive coating formed from a colloidal dispersion
US8947857B2 (en) 2011-04-07 2015-02-03 Avx Corporation Manganese oxide capacitor for use in extreme environments
US8379372B2 (en) 2011-04-07 2013-02-19 Avx Corporation Housing configuration for a solid electrolytic capacitor
US9767964B2 (en) 2011-04-07 2017-09-19 Avx Corporation Multi-anode solid electrolytic capacitor assembly
DE102013101443A1 (de) 2012-03-01 2013-09-05 Avx Corporation Ultrahigh voltage solid electrolytic capacitor
US8971019B2 (en) 2012-03-16 2015-03-03 Avx Corporation Wet capacitor cathode containing an alkyl-substituted poly(3,4-ethylenedioxythiophene)
JP2013219362A (ja) 2012-04-11 2013-10-24 Avx Corp 過酷な条件下で強化された機械的安定性を有する固体電解コンデンサ
JP5933397B2 (ja) 2012-08-30 2016-06-08 エイヴィーエックス コーポレイション 固体電解コンデンサの製造方法および固体電解コンデンサ
TWI490885B (zh) * 2012-10-05 2015-07-01 Far Eastern New Century Corp 於基板上形成透明導電層的方法
WO2014083102A1 (de) * 2012-11-30 2014-06-05 Basf Se Verwendung von antistatika in beschichtungsmitteln
US9324503B2 (en) 2013-03-15 2016-04-26 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor
GB2514486B (en) 2013-05-13 2018-08-29 Avx Corp Solid electrolytic capacitor containing a pre-coat layer
US9824826B2 (en) 2013-05-13 2017-11-21 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor containing conductive polymer particles
GB2516529B (en) 2013-05-13 2018-08-29 Avx Corp Solid electrolytic capacitor containing a multi-layered adhesion coating
US9236193B2 (en) 2013-10-02 2016-01-12 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor for use under high temperature and humidity conditions
US9589733B2 (en) 2013-12-17 2017-03-07 Avx Corporation Stable solid electrolytic capacitor containing a nanocomposite
KR101582812B1 (ko) * 2014-06-11 2016-01-07 (주)제이캠 치수안정성 및 투명성이 우수한 전도성 고분자 조성물 및 이를 이용한 전도성 필름
US10297393B2 (en) 2015-03-13 2019-05-21 Avx Corporation Ultrahigh voltage capacitor assembly
US10014108B2 (en) 2015-03-13 2018-07-03 Avx Corporation Low profile multi-anode assembly
US9928963B2 (en) 2015-03-13 2018-03-27 Avx Corporation Thermally conductive encapsulant material for a capacitor assembly
US9754730B2 (en) 2015-03-13 2017-09-05 Avx Corporation Low profile multi-anode assembly in cylindrical housing
US9672989B2 (en) 2015-05-29 2017-06-06 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor assembly for use in a humid atmosphere
US9972444B2 (en) 2015-05-29 2018-05-15 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor element for use in dry conditions
US9991055B2 (en) 2015-05-29 2018-06-05 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor assembly for use at high temperatures
US9767963B2 (en) 2015-05-29 2017-09-19 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor with an ultrahigh capacitance
US10431389B2 (en) 2016-11-14 2019-10-01 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor for high voltage environments
EP3354689B1 (en) 2017-01-30 2024-01-24 Heraeus Epurio GmbH Compositions useful for the formation of an antistatic layer or an electromagnetic radiation shield
JP6910854B2 (ja) * 2017-06-02 2021-07-28 信越ポリマー株式会社 導電性高分子分散液、導電性基板及びその製造方法
WO2020033819A1 (en) 2018-08-10 2020-02-13 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor containing an intrinsically conductive polymer
JP7426986B2 (ja) 2018-08-10 2024-02-02 キョーセラ・エイブイエックス・コンポーネンツ・コーポレーション ポリアニリンを含む固体電解キャパシタ
WO2020033820A1 (en) 2018-08-10 2020-02-13 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor formed from conductive polymer particles
US11081288B1 (en) 2018-08-10 2021-08-03 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor having a reduced anomalous charging characteristic
US11380492B1 (en) 2018-12-11 2022-07-05 KYOCERA AVX Components Corporation Solid electrolytic capacitor
WO2020123577A1 (en) 2018-12-11 2020-06-18 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor containing an intrinsically conductive polymer
JP7042208B2 (ja) * 2018-12-21 2022-03-25 信越ポリマー株式会社 キャパシタ及びその製造方法、並びに導電性高分子分散液
JP7225879B2 (ja) * 2019-02-13 2023-02-21 荒川化学工業株式会社 組成物、硬化物及び物品
KR20210156847A (ko) 2019-05-17 2021-12-27 에이브이엑스 코포레이션 고체 전해질 커패시터
DE112020004416T5 (de) 2019-09-18 2022-06-15 KYOCERA AVX Components Corporation Festelektrolytkondensator zur Verwendung bei hohen Spannungen
US11756742B1 (en) 2019-12-10 2023-09-12 KYOCERA AVX Components Corporation Tantalum capacitor with improved leakage current stability at high temperatures
CN114787952A (zh) 2019-12-10 2022-07-22 京瓷Avx元器件公司 包含预涂层和本征导电聚合物的固体电解电容器
WO2021119088A1 (en) 2019-12-10 2021-06-17 Avx Corporation Tantalum capacitor with increased stability
US11763998B1 (en) 2020-06-03 2023-09-19 KYOCERA AVX Components Corporation Solid electrolytic capacitor
US11631548B2 (en) 2020-06-08 2023-04-18 KYOCERA AVX Components Corporation Solid electrolytic capacitor containing a moisture barrier

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5300575A (en) 1990-02-08 1994-04-05 Bayer Aktiengesellschaft Polythiophene dispersions, their production and their use

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19507413A1 (de) * 1994-05-06 1995-11-09 Bayer Ag Leitfähige Beschichtungen
DE19627071A1 (de) 1996-07-05 1998-01-08 Bayer Ag Elektrolumineszierende Anordnungen
JP3086806B1 (ja) * 1999-07-16 2000-09-11 東北ムネカタ株式会社 熱可塑性樹脂の熱安定化法
WO2003048227A1 (en) * 2001-12-04 2003-06-12 Agfa-Gevaert Process for preparing an aqueous or non-aqueous solution or dispersion of a polythiophene or thiophene copolymer
DE102004012319A1 (de) * 2004-03-11 2005-09-22 H.C. Starck Gmbh Funktionsschichten für optische Anwendungen auf Basis von Polythiophenen
US7842196B2 (en) 2004-10-08 2010-11-30 Shin-Etsu Polymer Co., Ltd. Conductive composition and production method thereof, antistatic coating material, antistatic coating, antistatic film, optical filter, and optical information recording medium, and capacitors and production method thereof
TWI460741B (zh) 2006-02-09 2014-11-11 Shinetsu Polymer Co 導電性高分子溶液、導電性塗膜、電容器，以及電容器之製造方法
JP4991228B2 (ja) * 2006-09-22 2012-08-01 信越ポリマー株式会社 帯電防止フィルムの製造方法
WO2008055834A1 (en) 2006-11-06 2008-05-15 Agfa-Gevaert Layer configuration with improved stability to sunlight exposure
CA2701534C (en) * 2007-10-03 2017-02-21 Eisai R&D Management Co., Ltd. Intermediates and methods for the synthesis of halichondrin b analogs
JP5232462B2 (ja) * 2007-10-05 2013-07-10 信越ポリマー株式会社 導電性高分子溶液、導電性塗膜および入力デバイス
EP2400508B1 (en) 2007-10-05 2015-08-12 Shin-Etsu Polymer Co., Ltd. Conductive polymer solution, conductive coating film and input device
DE102009012660A1 (de) * 2009-03-13 2010-09-16 H.C. Starck Clevios Gmbh Polymerbeschichtungen mit verbesserter Temperaturstabilität

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5300575A (en) 1990-02-08 1994-04-05 Bayer Aktiengesellschaft Polythiophene dispersions, their production and their use

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