KR101660968B1 - Planar heater device for thermal process of substrate - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일 실시예는 기판 열처리용 평판 히터 장치에 관한 것으로, 해결하고자 하는 기술적 과제는 평판 디스플레이 패널에 이용되는 대형 유리 기판을 균일하게 가열할 수 있는 기판 열처리용 평판 히터 장치를 제공하는데 있다.
이를 위해 본 발명은 상판; 하판; 및 상판과 하판 사이에 수평 방향으로 개재된 다수의 히터 모듈로 이루어진 기판 열처리용 평판 히터 장치를 개시한다.An embodiment of the present invention relates to a flat panel heater for a substrate heat treatment, and a technical problem to be solved is to provide a flat panel heater for a substrate heat treatment capable of uniformly heating a large glass substrate used in a flat panel display panel.
To this end, Lower plate; And a plurality of heater modules interposed between the upper plate and the lower plate in a horizontal direction.

Description

기판 열처리용 평판 히터 장치{Planar heater device for thermal process of substrate}Technical Field [0001] The present invention relates to a planar heater device for a substrate,

본 발명은 평판 히터 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게 설명하면, 평판 디스플레이 패널에 이용되는 대형 유리 기판을 균일하게 가열할 수 있는 기판 열처리용 평판 히터 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a flat plate heater device, and more particularly, to a flat plate heater device for a substrate heat treatment capable of uniformly heating a large glass plate used in a flat panel display panel.

평판표시장치의 하나인 액정표시장치의 제조 과정에서 2200×2500㎜ 이상의 대형 유리 기판을 투입해 50 인치 이상의 액정표시장치 패널을 생산하는 라인을 8세대 생산 라인이라 하며, 최근 주요 액정표시장치 패널의 제조업체는 생산 수율 향상을 위해 이러한 8세대 생산 라인을 확충하고 있다. 이와 같이 유리 기판이 대형화됨에 따라 유리 기판의 열처리를 위한 평판 히터 장치 역시 대형화되어야 한다. 이는 평판표시장치의 하나인 OLED표시장치용 패널의 경우도 동일하다. In the manufacturing process of a liquid crystal display device, which is one of the flat panel display devices, a line for producing a liquid crystal display panel of 50 inches or more by inputting a large glass substrate of 2200 × 2500 mm or more is called an 8th generation production line. Manufacturers are expanding these 8G production lines to improve production yields. As the glass substrate becomes larger in size, the flat plate heater for heat treatment of the glass substrate must also be enlarged. This also applies to a panel for an OLED display device which is one of the flat panel display devices.

그러나, 평판 히터 장치가 대형화될 경우, 다단 승온 프로파일의 특성상 대형 유리 기판이 전체적으로 균일하게 가열되기 어려운 문제가 있다. 또한, 평판 히터 장치의 각종 부품이 열팽창 계수 차이에 의해 고온에서 열변형되거나 파손되기 쉽고, 다양한 부품 사용으로 인해 이물이 발생되기 쉽다. 더욱이, 평판 히터 장치에는 유리 기판을 지지하기 위한 별도의 기판 지지대가 설치되는데, 이러한 기판 지지대의 높이 편차로 인해, 유리 기판에 무라(mura) 현상이 발생되기 쉽다.However, when the flat panel heater device is enlarged, there is a problem that the large glass substrate is hardly uniformly heated as a whole due to the characteristic of the multi-stage heating profile. In addition, various components of the flat plate heater device are likely to be thermally deformed or broken at a high temperature due to the difference in thermal expansion coefficient, and foreign matter is likely to be generated due to the use of various components. Furthermore, the flat plate heater apparatus is provided with a separate substrate support for supporting the glass substrate. Due to the height deviation of the substrate support, a mura phenomenon easily occurs in the glass substrate.

본 발명의 해결하고자 하는 기술적 과제는 평판 디스플레이 패널에 이용되는 대형 유리 기판을 균일하게 가열할 수 있는 기판 열처리용 평판 히터 장치를 제공하는데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a flat panel heater for a substrate heat treatment capable of uniformly heating a large glass substrate used in a flat panel display panel.

본 발명의 다른 해결하고자 하는 기술적 과제는 열팽창 계수 차이에 의한 고온에서의 열변형 및 파손을 방지하고, 또한 이물 발생을 억제할 수 있는 기판 열처리용 평판 히터 장치를 제공하는데 있다.It is another object of the present invention to provide a flat plate heater for heat treatment of a substrate which can prevent thermal deformation and breakage at a high temperature due to a difference in thermal expansion coefficient and can suppress foreign matter generation.

본 발명의 또 다른 해결하고자 하는 기술적 과제는 열처리용 기판을 지지하는 지지핀이 상판에 결합되도록 형성됨으로써, 기판의 무라 현상을 억제할 수 있는 기판 열처리용 평판 히터 장치를 제공하는데 있다.Another aspect of the present invention is to provide a flat plate heater for heat treatment of a substrate, wherein the support pins for supporting the heat treatment plate are formed to be coupled to the upper plate, thereby suppressing the unevenness of the substrate.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리용 평판 히터 장치는 상판, 하판 및 수평 방향으로 배열되며 수평 방향에 직각인 방향으로 서로 이격되는 다수의 튜브 히터를 포함하며, 상기 상판과 하판 사이에 수평 방향으로 개재된 히터 모듈을 포함함을 특징으로 한다.A plurality of tube heaters arranged in a horizontal direction and spaced apart from each other in a direction perpendicular to the horizontal direction, wherein a plurality of tube heaters are arranged between the upper and lower plates in a horizontal direction And a heater module interposed therebetween.

또한, 상기 튜브 히터는 튜브관과, 상기 튜브관의 내측에 결합된 발열선을 포함여 형성될 수 있다. 또한, 상기 튜브관은 단면 형상이 원형, 사각형 또는 다각형 형상으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 튜브관은 쿼츠, 알루미나, 실리콘 카바이드, 지르코니아, 실리콘옥사이드 또는 이들의 혼합물로 형성될 수 있다. 상기 튜브관은 니켈, 크롬, 스테인리스 스틸, 인코넬, 코바합금, 텅스텐, 티타늄, 하스텔로이 또는 이들의 혼합물로 형성되며, 상기 튜브관은 내주면에 절연층 또는 절연 튜브를 더 포함하여 형성될 수 있다. 상기 절연층은 알루미나, 실리콘 카바이드, 지르코니아, 실리콘옥사이드 또는 이들의 혼합물로 형성될 수 있다.In addition, the tube heater may include a tube tube and a heating wire coupled to the inside of the tube tube. In addition, the tube tube may have a circular, square or polygonal cross-sectional shape. Further, the tube tube may be formed of quartz, alumina, silicon carbide, zirconia, silicon oxide, or a mixture thereof. The tube tube may be formed of nickel, chromium, stainless steel, Inconel, Koba alloy, tungsten, titanium, Hastelloy or a mixture thereof, and the tube tube may further include an insulating layer or an insulating tube on an inner peripheral surface thereof. The insulating layer may be formed of alumina, silicon carbide, zirconia, silicon oxide, or a mixture thereof.

또한, 상기 발열선은 FeCrAl합금, NiCr합금, 티타늄, 텅스텐합금, 스테인레스 스틸, MoSi2 또는 이들의 혼합물로 형성될 수 있다.The heating wire may be formed of a FeCrAl alloy, a NiCr alloy, a titanium alloy, a tungsten alloy, stainless steel, MoSi 2, or a mixture thereof.

또한, 상기 히터 모듈은 복수 개로 이루어져 상기 평판 히터를 복수 개의 제어 영역으로 구분하며, 상기 히터 모듈은 각각 독립적으로 제어되도록 형성될 수 있다.The plurality of heater modules may be divided into a plurality of control areas, and the heater modules may be independently controlled.

또한, 상기 히터 모듈은 상기 튜브 히터의 양측 단부에 각각 결합된 지지 블록을 더 포함하여 형성될 수 있다.The heater module may further include support blocks coupled to both ends of the tube heater.

또한, 상기 지지 블록은 상기 상판과 하판 사이에 결합될 수 있다.Further, the support block may be coupled between the upper plate and the lower plate.

또한, 상기 상판과 하판은 유리, 쿼츠, 알루미나, 실리콘카바이드, 지르코니아, 스테인리스 스틸, 인코넬, 코바합금, 텅스텐, 티타늄, 하스텔로이로 이루어진 군에서 선택되는 하나 또는 이들의 혼합물로 형성될 수 있다.The upper plate and the lower plate may be formed of one or a mixture thereof selected from the group consisting of glass, quartz, alumina, silicon carbide, zirconia, stainless steel, inconel, cobalt alloy, tungsten, titanium and Hastelloy.

또한, 상기 기판 열처리용 평판 히터는 상기 상판에 안착되는 유리 기판의 지지를 위해 상기 상판에 다수의 지지핀이 결합되도록 형성될 수 있다. 또한, 상기 지지핀은 상기 상판에 나사 결합될 수 있다. 또한, 상기 지지핀은 상기 상판에 나사 결합되는 깊이에 따라 높이가 조절도리 수 있다.In addition, the flat plate heater for heat treatment of the substrate may be formed such that a plurality of support pins are coupled to the upper plate for supporting the glass substrate that is seated on the upper plate. Further, the support pin may be screwed to the upper plate. In addition, the height of the support pin may be adjusted according to the depth of the support pin.

또한, 상기 지지핀은 유리, 쿼츠, 알루미나, 실리콘카바이드, 지르코니아, 스테인리스 스틸, 인코넬, 코바합금, 텅스텐, 티타늄, 하스텔로이로 이루어진 군에서 선택되는 하나 또는 이들의 혼합물로 형성될 수 있다.The support pin may be formed of one or a mixture of glass, quartz, alumina, silicon carbide, zirconia, stainless steel, inconel, cobalt alloy, tungsten, titanium and Hastelloy.

또한, 상기 지지핀은 상면에 볼 요홈이 형성되며, 상기 볼 요홈에는 세라믹 볼이 회전 가능하게 결합되도록 형성될 수 있다.The support pin may have a ball groove formed on its upper surface, and a ceramic ball may be rotatably coupled to the ball groove.

또한, 상기 튜브 히터는 외주면이 상기 상판의 하면으로부터 이격되도록 형성될 수 있다. 또한, 상기 튜브 히터는 외주면이 상기 하판의 상면으로부터 이격되도록 형성될 수 있다.In addition, the tube heater may be formed such that an outer circumferential surface thereof is spaced apart from a lower surface of the upper plate. The tube heater may be formed such that an outer circumferential surface thereof is spaced from an upper surface of the lower plate.

본 발명은 평판 디스플레이 패널에 이용되는 대형 유리 기판을 균일하게 가열할 수 있는 기판 열처리용 평판 히터 장치를 제공한다. 즉, 대형 세라믹 상판과 대형 세라믹 하판의 사이에 다수의 히터 모듈이 개재 및 배열됨으로써, 세라믹 상판에 대형 유리 기판이 안착되어 균일하게 가열될 수 있다.The present invention provides a flat plate heater apparatus for substrate heat treatment capable of uniformly heating a large glass substrate used in a flat panel display panel. That is, since a plurality of heater modules are interposed and arranged between the large ceramic upper plate and the large ceramic lower plate, the large glass substrate can be placed on the ceramic upper plate and heated uniformly.

또한, 본 발명은 열팽창 계수 차이에 의한 고온에서의 열변형 및 파손을 방지하고, 또한 이물 발생을 억제할 수 있는 기판 열처리용 평판 히터 장치를 제공한다. 즉, 상판, 하판 및 이를 연결하는 지지 블록이 모두 동일한 재질의 세라믹으로 제조됨으로써, 이들간에 열팽창 계수차가 동일하거나 없기 때문에, 고온에서의 열변형, 파손 및 이물 발생 현상이 억제된다.Further, the present invention provides a flat plate heater device for substrate heat treatment which can prevent thermal deformation and breakage at a high temperature due to a difference in thermal expansion coefficient, and can suppress generation of foreign matter. That is, since the upper plate, the lower plate, and the supporting block connecting the upper plate and the lower plate are made of ceramics of the same material, the thermal expansion coefficient, breakage and foreign matter generation at high temperature are suppressed.

또한, 본 발명은 지지핀과 상판이 세라믹 재질로 형성되어 열팽창 계수가 작으므로, 열처리용 기판을 지지하는 지지핀이 상판에 직접 결합되어 고정될 수 있으며, 기판의 무라 현상을 억제할 수 있는 기판 열처리용 평판 히터 장치를 제공한다. 즉, 상판과 지지핀의 열팽창 계수가 낮으므로 지지핀이 세라믹 상판에 직접 결합되어 고정되며, 각각의 지지핀의 나사 결합 깊이를 제어하여 높이가 균일하게 조절됨으로써, 열처리 공정 동안 기판의 휨 현상이나 기울임 현상이 억제되어 기판의 무라 현상이 억제된다.In addition, since the support pin and the upper plate are made of a ceramic material and have a small thermal expansion coefficient, the support pin supporting the heat treatment substrate can be directly coupled to the upper plate and fixed, A flat-plate heater apparatus for heat treatment is provided. That is, since the thermal expansion coefficient of the top plate and the support pins is low, the support pins are directly coupled to the ceramic top plate and fixed. By controlling the screwing depth of each support pin, the height is uniformly controlled, The tilting phenomenon is suppressed, so that the unevenness of the substrate is suppressed.

또한, 본 발명은 상판이 히터 모듈로부터 상부로 이격되어 설치되므로 히터 모듈이 보다 균일하게 상판 및 열처리용 기판을 가열할 수 있는 기판 열처리용 평판 히터를 제공한다. 즉, 히터 모듈에서 생성되는 열은 히터 모듈과 상판 사이의 공기층에서 확산되면서 상판을 가열하게 되므로, 히터 모듈과 상판이 직접 접촉되는 경우보다 상판 및 열처리용 기판이 보다 균일하게 가열될 수 있다. In addition, the present invention provides a flat plate heater for substrate heat treatment in which the top plate is spaced upward from the heater module, so that the heater module can more uniformly heat the top plate and the substrate for heat treatment. That is, since the heat generated in the heater module is diffused in the air layer between the heater module and the upper plate to heat the upper plate, the upper plate and the substrate for heat treatment can be more uniformly heated than when the heater module and the upper plate are in direct contact.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리용 평판 히터 장치를 도시한 개략 평면도이다.
도 2a 내지 2c는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리용 평판 히터 장치를 평면도, 정단면도 및 측단면도이다.
도 3은 도 2a의 3 영역을 확대 도시한 확대 평면도이다.
도 4는 도 2b의 4 영역을 확대 도시한 확대 정단면도이다.
도 5는 도 2b의 5 영역을 확대 도시한 확대 측단면도이다.
도 6은 도 2c의 6 영역을 확대 도시한 확대 측단면도이다.1 is a schematic plan view showing a flat plate heater for substrate heat treatment according to an embodiment of the present invention.
FIGS. 2A to 2C are a plan view, a front sectional view, and a side sectional view, respectively, of a flat plate heater apparatus for substrate heat treatment according to an embodiment of the present invention.
Fig. 3 is an enlarged plan view showing the area 3 in Fig.
Fig. 4 is an enlarged sectional front view of the region 4 of Fig. 2B enlarged.
5 is an enlarged side sectional view showing an enlarged view of the region 5 in Fig. 2B.
Fig. 6 is an enlarged side sectional view showing an enlarged view of the region 6 in Fig. 2C.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려, 이들 실시예는 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다.The embodiments of the present invention are described in order to more fully explain the present invention to those skilled in the art, and the following embodiments may be modified into various other forms, The present invention is not limited to the embodiment. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be more faithful and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art.

또한, 이하의 도면에서 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위해 과장된 것이며, 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 용어 "및/또는"은 해당 열거된 항목 중 어느 하나 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.In the following drawings, thickness and size of each layer are exaggerated for convenience and clarity of description, and the same reference numerals denote the same elements in the drawings. As used herein, the term "and / or" includes any and all combinations of one or more of the listed items.

본 명세서에서 사용된 용어는 특정 실시예를 설명하기 위하여 사용되며, 본 발명을 제한하기 위한 것이 아니다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 단수 형태는 문맥상 다른 경우를 분명히 지적하는 것이 아니라면, 복수의 형태를 포함할 수 있다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 경우 "포함한다(comprise)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급한 형상, 단계, 숫자, 동작, 부재, 요소 및/또는 이들 그룹의 존재를 특정하는 것이며, 하나 이상의 다른 형상, 단계, 숫자, 동작, 부재, 요소 및/또는 이들 그룹의 존재 또는 부가를 배제하는 것이 아니다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. As used herein, the singular forms "a," "an," and "the" include singular forms unless the context clearly dictates otherwise. Also, " comprise "and / or" comprising "when used in this specification are taken to specify the presence of stated features, steps, numbers, operations, elements, elements and / Steps, numbers, operations, elements, elements, and / or groups.

본 명세서에서 제1, 제2 등의 용어가 다양한 부재, 부품, 영역, 층들 및/또는 부분들을 설명하기 위하여 사용되지만, 이들 부재, 부품, 영역, 층들 및/또는 부분들은 이들 용어에 의해 한정되어서는 안된다. 이들 용어는 하나의 부재, 부품, 영역, 층 또는 부분을 다른 영역, 층 또는 부분과 구별하기 위하여만 사용된다. 따라서, 이하 상술한 제1부재, 부품, 영역, 층 또는 부분은 본 발명의 가르침으로부터 벗어나지 않고서도 제2부재, 부품, 영역, 층 또는 부분을 지칭할 수 있다.
Although the terms first, second, etc. are used herein to describe various elements, components, regions, layers and / or portions, these members, components, regions, layers and / Should not. These terms are only used to distinguish one member, component, region, layer or section from another region, layer or section. Thus, the first member, component, region, layer or section described below may refer to a second member, component, region, layer or section without departing from the teachings of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리용 평판 히터 장치(100)에 대한 개략 평면도가 도시되어 있다.Referring to FIG. 1, a schematic plan view of a flat plate heater apparatus 100 for substrate heat treatment according to an embodiment of the present invention is shown.

도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 기판 열처리용 평판 히터 장치(100)는 상판(110), 하판(120) 및 그 사이에 개재된 히터 모듈(130)을 포함한다. As shown in FIG. 1, a flat plate heater apparatus 100 for substrate heat treatment according to the present invention includes a top plate 110, a bottom plate 120, and a heater module 130 interposed therebetween.

여기서, 히터 모듈(130)은, 예를 들면, 3개가 구비될 수 있으며, 평면 형상이 각각 같거나 다른 사각 형상을 이루도록 형성될 수 있다. 히터 모듈(130)은 바람직하게는 열처리용 기판에 대응되는 평면 형상을 이루도록 상판(110)과 하판(120) 사이에서 수평 방향으로 배열될 수 있다. 또한, 이러한 3개의 히터 모듈(130)은 각각 독립적으로 제어될 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 평판 히터 장치(100)는 3개의 영역에서 가열 온도 및 승온율이 독립적으로 제어될 수 있고, 이에 따라 다양한 열처리 프로파일을 구현할 수 있다.Here, for example, three heater modules 130 may be provided, and the heater modules 130 may be formed to have the same rectangular shape or different rectangular shapes. The heater module 130 may be arranged horizontally between the upper plate 110 and the lower plate 120 so as to have a planar shape corresponding to the substrate for heat treatment. In addition, these three heater modules 130 can be independently controlled. Accordingly, in the flat heater device 100 according to the present invention, the heating temperature and the heating rate can be independently controlled in three zones, and various heat treatment profiles can be realized.

한편, 도 1에서 3개의 영역으로 구분된 3개의 히터 모듈(130)이 도시되었으나, 본 발명은 이로서 한정되지 않으며, 필요 넓이에 따라 다양한 갯수의 히터 모듈(130)이 구비될 수 있다.
Although FIG. 1 shows three heater modules 130 divided into three regions, the present invention is not limited thereto, and a variety of heater modules 130 may be provided according to the required area.

도 2a 내지 2c를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리용 평판 히터 장치(100)에 대한 평면도, 정단면도 및 측단면도가 도시되어 있다. 또한, 도 3을 참조하면, 도 2a의 3 영역에 대한 확대 평면도가 도시되어 있다.2A to 2C, a plan view, a front section view, and a side sectional view of a flat plate heater apparatus 100 for substrate heat treatment according to an embodiment of the present invention are shown. 3, an enlarged plan view for the three regions of FIG. 2A is shown.

도 2a 내지 도 2c에 도시된 바와 같이, 상판(110)은 대략 평평한 형태를 하며, 열전도율이 높고 열팽창 계수가 작은 세라믹 재질로 형성될 수 있다. 또한, 하판(120)은 상판(110)의 하부에 위치되며, 이는 대략 평평한 형태로서, 열전도율이 높고 열팽창 계수가 작은 세라믹 재질로 형성될 수 있다. 상판(110)과 하판(120)은 바람직하게는 동일한 재질로 형성된다. As shown in FIGS. 2A to 2C, the upper plate 110 may have a substantially flat shape, and may be formed of a ceramic material having a high thermal conductivity and a small thermal expansion coefficient. Further, the lower plate 120 is located at the lower portion of the upper plate 110, and may be formed of a ceramic material having a substantially flat shape and a high thermal conductivity and a small thermal expansion coefficient. The upper plate 110 and the lower plate 120 are preferably made of the same material.

또한, 히터 모듈(130)은 다수의 튜브 히터(131) 및 이들의 양단에 결합된 한 쌍의 지지 블록(132)을 포함한다. 튜브 히터(131)는 대략 기다란 원통 형태로 형성되며 상판(110)과 하판(120)사이에서 수평 방향으로 배열된다. 또한 튜브 히터(131)는 길이 방향에 수직인 방향으로 서로 이격되도록 배열된다. 또한, 지지 블록(132)은 튜브 히터(131)의 양측 단부에 대략 수직 방향으로 각각 결합됨으로써, 튜브 히터(131)가 상판(110)과 하판(120) 사이에 안정적으로 위치되도록 한다. In addition, the heater module 130 includes a plurality of tube heaters 131 and a pair of support blocks 132 coupled to both ends thereof. The tube heater 131 is formed in an approximately cylindrical shape and arranged in a horizontal direction between the upper plate 110 and the lower plate 120. Further, the tube heaters 131 are arranged to be spaced apart from each other in a direction perpendicular to the longitudinal direction. The support block 132 is coupled to both ends of the tube heater 131 in a substantially vertical direction so that the tube heater 131 is stably positioned between the upper plate 110 and the lower plate 120.

또한, 튜브 히터(131)는 전기적으로 직렬로 연결될 수 있다. 즉, 나란히 수평 방향으로 배열된 튜브 히터(131)에는 니켈 와이어(133)가 연결되며, 이러한 니켈 와이어(133)를 통하여 튜브 히터(131)가 전기적으로 직렬로 연결될 수 있다. 더불어, 튜브 히터(131)와 니켈 와이어(133)의 사이에는 전기적 연결 신뢰성이 향상되도록 스텐레스 스틸 슬리브가 더 개재될 수 있다. 즉, 니켈 와이어(133)는 스텐레스 스틸 슬리브를 통하여 튜브 히터(131) (즉, 하기할 발열선(131b))에 전기적으로 연결될 수 있다.Further, the tube heaters 131 may be electrically connected in series. That is, a nickel wire 133 is connected to the tube heater 131 arranged in the horizontal direction side by side, and the tube heater 131 can be electrically connected in series through the nickel wire 133. In addition, a stainless steel sleeve may be interposed between the tube heater 131 and the nickel wire 133 so as to improve electrical connection reliability. That is, the nickel wire 133 can be electrically connected to the tube heater 131 (that is, the heating line 131b to be hereinafter) through the stainless steel sleeve.

도면중 미설명 부호 134는 히터 모듈(130)에 전원 공급을 위한 전원 공급선이다.
Reference numeral 134 in the drawing denotes a power supply line for supplying power to the heater module 130.

또한, 히터 모듈(130) 즉, 튜브 히터(131)는 외주면이 균일한 열 확산을 위해 상판(110)이 하면으로부터 일정 거리 이격되어 위치될 수 있다. 또한, 튜브 히터(130)는 하판(120)의 상면으로부터 이격되어 위치될 수 있다. 즉, 튜브 히터(131)가 상판(110) 또는 하판(120)에 직접 접촉될 경우, 튜브 히터(131)의 상부가 상판(110)과 선 접촉을 하거나 하판(120)과 선 접촉을 하며, 선 접촉 영역은 빠르게 가열되고, 접촉되지 않은 영역은 서서히 가열되므로, 상판(110) 또는 하판(120)의 균일한 가열 및 균일한 승온율을 얻기 어렵다. 그러나, 튜브 히터(131)가 상판(110)의 하면 또는 하판(120)의 상면으로부터 일정 거리 이격되어 설치될 경우에는, 튜브 히터(131)로부터 방사상으로 발산하는 열이 상판(110)의 하부 또는 하판(120)의 상부의 공기층을 통하여 상판(110) 또는 하판(120)에 비교적 균일하게 전달됨으로써, 상판(110) 또는 하판(120)이 균일하게 가열되고 또한 균일한 승온율을 갖게 된다. 또한, 상판의 상부에 안착되는 열처리용 기판도 균일하게 가열될 수 있다.
In addition, the heater module 130, that is, the tube heater 131, may be positioned at a distance from the bottom surface of the top plate 110 for uniform thermal diffusion of the outer circumferential surface. In addition, the tube heater 130 may be positioned away from the upper surface of the lower plate 120. That is, when the tube heater 131 directly contacts the upper plate 110 or the lower plate 120, the upper portion of the tube heater 131 makes a line contact with the upper plate 110 or the line contact with the lower plate 120, It is difficult to achieve uniform heating of the upper plate 110 or the lower plate 120 and a uniform heating rate since the non-contact area is heated gradually. However, when the tube heater 131 is installed at a certain distance from the lower surface of the upper plate 110 or the upper surface of the lower plate 120, heat radially radiating from the tube heater 131 may be radiated from the lower portion of the upper plate 110 The upper plate 110 or the lower plate 120 is uniformly heated and uniformly heated by being uniformly transferred to the upper plate 110 or the lower plate 120 through the upper air layer of the lower plate 120. Further, the substrate for heat treatment which is seated on the upper surface of the upper plate can be uniformly heated.

도 4를 참조하면, 도 2b의 4 영역에 대한 확대 정단면도가 도시되어 있다.Referring to Figure 4, there is shown an enlarged section view of the four regions of Figure 2b.

도 4에 도시된 바와 같이, 히터 모듈(130)은 튜브 히터(131)와 이들의 양단에 결합된 지지 블록(132)을 포함한다. 여기서, 지지 블록(132)은 튜브 히터(131)를 향하여 블록 요홈(132a)이 형성되고, 이러한 블록 요홈(132a)에 튜브 히터(131)가 결합된다. 또한, 지지 블록(132)은 상판(110) 및 하판(120)에 결합될 수 있도록 형성된 돌기(132b, 132c)를 포함하고, 상판(110) 및 하판(120)은 돌기(132b, 132c)에 결합될 수 있도록 지지 요홈(111, 121)을 포함한다. 물론, 그 반대도 가능하다. 또한, 지지 블록(132)의 두께는 튜브 히터(131)의 직경보다 크다. 따라서, 튜브 히터(131)는 자연스럽게 상판(110)으로부터 일정 거리 이격되고, 이에 따라 상판(110)은 튜브 히터(131)에 의해 균일하게 가열되고, 균일한 승온율을 갖게 된다.As shown in FIG. 4, the heater module 130 includes a tube heater 131 and support blocks 132 coupled to both ends thereof. Here, the support block 132 is formed with a block groove 132a toward the tube heater 131, and the tube heater 131 is coupled to the block groove 132a. The support block 132 includes protrusions 132b and 132c formed to be coupled to the upper plate 110 and the lower plate 120 and the upper plate 110 and the lower plate 120 are connected to the protrusions 132b and 132c And includes support grooves 111 and 121 so as to be coupled. Of course, the opposite is also possible. In addition, the thickness of the support block 132 is larger than the diameter of the tube heater 131. Accordingly, the tube heater 131 is naturally spaced from the top plate 110 by a certain distance, so that the top plate 110 is uniformly heated by the tube heater 131 and has a uniform heating rate.

한편, 지지 블록(132)은 세라믹으로 형성될 수 있다. 이와 같이 하여, 상판(110), 하판(120) 및 지지 블록(132)이 모두 동일한 세라믹으로 형성됨으로써, 이들 사이에는 열팽창 계수 차이가 존재하지 않게 된다. 따라서, 종래와 같은 열팽창 계수의 차이에 의한 고온에서의 열변형 및 파손 현상이 발생하지 않고, 또한 이물 발생이 억제된다.
Meanwhile, the support block 132 may be formed of ceramic. In this way, since the upper plate 110, the lower plate 120, and the support block 132 are all formed of the same ceramic, there is no difference in thermal expansion coefficient therebetween. Therefore, thermal deformation and breakage at a high temperature due to the difference in thermal expansion coefficient as in the prior art do not occur, and generation of foreign matter is suppressed.

도 5를 참조하면, 도 2b의 5 영역에 대한 확대 측단면도가 도시되어 있다.Referring to Fig. 5, there is shown an enlarged side cross-sectional view of the region 5 of Fig. 2b.

도 5에 도시된 바와 같이, 상판(110)에는 유리 기판(미도시)의 지지를 위한 지지핀(112)이 상부 방향으로 일정 길이 연장되어 형성될 수 있다. 특히, 지지핀(112)과 상판(110)은 나사 결합되어 일체화될 수 있다. 즉, 지지핀(112)의 외경면에 나사산이 형성되고, 상판(110)에 형성된 상판 요홈(113)의 측벽에도 나사산이 형성됨으로써, 지지핀(112)이 상판(110)에 나사 결합되어 일체화된다. As shown in FIG. 5, a support pin 112 for supporting a glass substrate (not shown) may be formed on the upper plate 110 by extending a predetermined length in the upward direction. In particular, the support pin 112 and the top plate 110 can be screwed together and integrated. That is, a screw thread is formed on the outer diameter surface of the support pin 112, and a thread is formed on the side wall of the upper plate groove 113 formed in the upper plate 110 so that the support pin 112 is screwed to the upper plate 110, do.

이와 같이 하여, 본 발명에서는 지지핀(112)의 나사 결합 깊이가 제어됨으로써, 지지핀(112)의 높이가 정밀하게 조절될 수 있다. 따라서, 이러한 지지핀(112)에 의해 지지되는 유리 기판의 평평도가 균일하게 유지됨으로써, 유리 기판의 무라 현상이 억제된다.Thus, in the present invention, the depth of the support pin 112 can be precisely controlled by controlling the screwing depth of the support pin 112. Therefore, the uniformity of the flatness of the glass substrate supported by the support pins 112 is maintained, thereby suppressing the unevenness of the glass substrate.

또한, 지지핀(112)은 상면에 핀 요홈(112a)을 구비하여 형성될 수 있다. 지지판의 핀 요홈(112a)에는 세라믹 볼(114)이 회전 가능하게 결합될 수 있다. 세라믹 볼(114)은 열처리용 기판을 지지하며, 기판이 이송될 때 회전하면서 기판의 하면에 스크래치가 형성되는 것을 방지한다. 세라믹 볼(114)은 핀 요홈(112a)에 다양한 형태로 회전 가능하게 결합될 수 있다.Further, the support pin 112 may be formed with a pin groove 112a on its upper surface. A ceramic ball 114 may be rotatably coupled to the pin groove 112a of the support plate. The ceramic ball 114 supports the substrate for heat treatment and prevents scratches from being formed on the bottom surface of the substrate while the substrate is being rotated. The ceramic ball 114 may be rotatably coupled to the pin groove 112a in various forms.

지지핀(112)은 세라믹으로 형성될 수 있다. 이와 같이 하여, 상판(110), 하판(120), 지지 블록(132) 및 지지핀(112)이 모두 동일한 세라믹으로 형성됨으로써, 이들 사이에는 열팽창 계수차가 존재하지 않게 된다. 따라서, 종래와 같은 열팽창 계수차에 의한 고온에서의 열변형 및 파손 현상이 발생하지 않고, 이물 발생이 최대한 억제된다.The support pins 112 may be formed of ceramic. In this way, the upper plate 110, the lower plate 120, the support block 132, and the support pins 112 are all formed of the same ceramic, so that there is no difference in thermal expansion coefficient therebetween. Therefore, thermal deformation and breakage at a high temperature due to the difference in thermal expansion coefficient as in the prior art do not occur, and generation of foreign matter is suppressed as much as possible.

상판(110), 하판(120), 지지 블록(132) 및 지지핀(112)은 유리, 네오 세라믹(Neoceramic), 알루미나(Al2O3), 실리콘 카바이드(SiC), 지르코니아(ZrO2), 또는 석영(쿼쯔, Quartz) 또는 이들의 혼합물로 형성될 수 있다. The top plate 110, bottom plate 120, the support block 132 and a support pin 112 is glass, neo-ceramic (Neoceramic), alumina (Al 2 O 3), silicon carbide (SiC), zirconia (ZrO 2), Or quartz (quartz), or a mixture thereof.

또한, 상판(110), 하판(120), 지지 블록(132) 및 지지핀(112)은 스테인리스 스틸, 인코넬, 코바합금, 텅스텐, 티타늄, 하스텔로이로 이루어진 군에서 선택되는 하나 또는 이들의 혼합물로 형성될 수 있다.
The upper plate 110, the lower plate 120, the support block 132 and the support pins 112 may be made of one or a mixture selected from the group consisting of stainless steel, Inconel, Coba alloy, tungsten, titanium and Hastelloy .

도 6을 참조하면, 도 2c의 6 영역에 대한 확대 측단면도가 도시되어 있다.Referring to Fig. 6, there is shown an enlarged cross-sectional view of the region 6 of Fig. 2C.

도 6에 도시된 바와 같이, 튜브 히터(131)는 튜브관(131a) 및 발열선(131b)을 포함한다. As shown in Fig. 6, the tube heater 131 includes a tube tube 131a and a heating wire 131b.

튜브관(131a)은 단면 형태가 대략 내부가 중공인 통 형태이며, 단면 형상이 원형, 사각형 또는 다각형 형상으로 형성될 수 있다. The tube tube 131a may be formed in a tubular shape having a substantially hollow inside and a cross-sectional shape of a circular, square or polygonal shape.

여기서, 튜브관(131a)은 최고순도가 대략 99.99 % 이상의 무수규산(SiO2)으로 제조되며, 가스 함유량이 상대적으로 작다. 따라서, 화학적으로 안정하고, 이에 따라 고온에서 안정성을 요구하는 반도체 산업에 적절하다. 또한, 튜브관(131a)은 연화점이 대략 1683℃로서 고온에서의 사용이 가능하고, 열팽창 계수(5×19-7 cm/℃)가 적기 때문에 급냉 및 급열에 대해서도 잘 견딘다. 또한, 튜브관(131a)은 일반 유리관이 자외선을 투과시키지 못하는 것에 반해 자외선 영역대 파장의 빛은 물론 적외선대 파장의 빛도 모두 투과시켜 에너지 효율이 우수하다. 더욱이, 튜브관(131a)은 전기 절연성이 높고, 내산성이 매우 높다.Here, the tube tube 131a is made of anhydrous silicic acid (SiO 2 ) having a maximum purity of about 99.99% or more, and the gas content is relatively small. Therefore, it is suitable for a semiconductor industry which is chemically stable and therefore requires stability at high temperatures. The tube tube 131a has a softening point of about 1683 캜 and can be used at a high temperature. Since the coefficient of thermal expansion (5 × 19 -7 cm / ° C.) is small, the tube tube 131a is also resistant to quenching and rapid heat. In addition, the tube tube 131a is excellent in energy efficiency because it transmits not only ultraviolet rays but also light of wavelengths and wavelengths, as opposed to an ordinary glass tube which does not transmit ultraviolet rays. Furthermore, the tube tube 131a has high electrical insulation property and very high acid resistance.

또한, 튜브관(131a)은 알루미나, 실리콘 카바이드, 지르코니아, 실리콘옥사이드 또는 이들의 혼합물로 형성될 수 있다. 또한, 튜브관(131a)은 스테인리스 스틸, 인코넬, 코바합금, 텅스텐, 티타늄, 하스텔로이 또는 이들의 혼합물로 형성될 수 있다. 이때는, 튜브관(131a)은 내주면에 알루미나, 실리콘 카바이드, 지르코니아, 실리콘옥사이드 또는 이들의 혼합물과 같은 재질로 형성되는 절연층 또는 절연 튜브(미도시)를 더 포함하여 형성될 수 있다.Further, the tube tube 131a may be formed of alumina, silicon carbide, zirconia, silicon oxide, or a mixture thereof. The tube tube 131a may be formed of stainless steel, inconel, cobalt alloy, tungsten, titanium, Hastelloy or a mixture thereof. In this case, the tube tube 131a may further include an insulating layer or an insulating tube (not shown) formed on the inner circumferential surface of a material such as alumina, silicon carbide, zirconia, silicon oxide, or a mixture thereof.

발열선(131b)은 튜브관의 내부에 설치된다.The heating line 131b is installed inside the tube tube.

발열선(131b)은 Fe-Cr-Al계의 전기 저항 발열체로서, 전열 저항 합금 중에서 가장 높은 온도로 사용할 수 있다. 또한, 발열선(131b)은 NiCr합금, 티타늄, 텅스텐합금, 스테인레스 스틸, MoSi2 또는 이들의 혼합물로 형성될 수 있다.The heating line 131b is an Fe-Cr-Al-based electric resistance heating body, which can be used at the highest temperature among the heat resistance resistant alloys. Further, the heating line 131b may be formed of a NiCr alloy, titanium, a tungsten alloy, stainless steel, MoSi 2, or a mixture thereof.

이와 같이 하여, 본 발명에서는 대면적의 상판(110)과 하판(120) 사이에 다수의 히터 모듈(130)이 수평 방향으로 배열되고, 또한 히터 모듈(130)이 튜브관(131a)과 발열선(131b)으로 이루어짐으로써, 평판 디스플레이 패널에 이용되는 대형 유리 기판이 균일하게 가열된다. 또한, 본 발명에서는 상판(110), 하판(120) 및 히터 모듈(130) 사이의 열팽창 계수 차이가 없거나 매우 작기 때문에, 열팽창 계수의 차이에 의한 고온에서의 열변형 및 파손이 방지되고, 또한 이물 발생이 억제된다. 또한, 본 발명에서는 유리 기판을 지지하는 지지핀(112)이 상판(110)과 일체로 형성됨으로써, 유리 기판의 무라 현상이 억제된다.
In this way, in the present invention, a plurality of heater modules 130 are arranged in a horizontal direction between the upper plate 110 and the lower plate 120, and the heater module 130 is arranged between the tube tube 131a and the heating plate The large glass substrate used for the flat panel display panel is uniformly heated. Further, in the present invention, since there is no or a small difference in thermal expansion coefficient between the upper plate 110, the lower plate 120, and the heater module 130, thermal deformation and breakage at a high temperature due to the difference in thermal expansion coefficient are prevented, Generation is suppressed. Further, in the present invention, since the support pins 112 for supporting the glass substrate are integrally formed with the top plate 110, the glass substrate is prevented from being scattered.

이상에서 설명한 것은 본 발명에 따른 기판 열처리용 평판 히터 장치를 실시하기 위한 하나의 실시예에 불과한 것으로서, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 이하의 특허청구범위에서 청구하는 바와 같이 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능한 범위까지 본 발명의 기술적 정신이 있다고 할 것이다.As described above, the present invention is not limited to the above-described embodiments, but can be applied to a flat heater apparatus for heat treatment of a substrate according to the present invention, It will be understood by those of ordinary skill in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the present invention.

100; 본 발명에 따른 기판 열처리용 평판 히터 장치
110; 상판 111; 지지 요홈
112; 지지핀 113; 상판 요홈
120; 하판 121; 지지 요홈
130; 히터 모듈 131; 튜브 히터
131a; 튜브관 131b; 발열선
132; 지지 블록 132a; 블록 요홈
132b, 132c; 돌기 133; 니켈 와이어100; A flat plate heater for substrate heat treatment according to the present invention
110; Top plate 111; Support groove
112; Support pins 113; Upper groove groove
120; Lower plate 121; Support groove
130; Heater module 131; Tube heater
131a; Tube tube 131b; Heating line
132; Support block 132a; Block groove
132b, 132c; A projection 133; Nickel wire

Claims (18)

상판,
하판, 및
수평 방향으로 배열되며 수평 방향에 직각인 방향으로 서로 이격되는 다수의 튜브 히터를 포함하며, 상기 상판과 하판 사이에 수평 방향으로 개재된 히터 모듈을 포함하며,
상기 히터 모듈은 상기 튜브 히터의 양측 단부에 각각 결합된 지지 블록을 더 포함하고, 상기 지지 블록은 상기 상판과 하판 사이에 결합되며,
상기 히터 모듈은 복수 개로 이루어져 평판 히터를 복수 개의 제어 영역으로 구분하며,
상기 히터 모듈은 각각 독립적으로 제어되며,
상기 히터 모듈은 다수의 상기 튜브 히터가 나란히 수평 방향으로 배열되며 전기적으로 직렬로 연결되는 것을 특징으로 하는 기판 열처리용 평판 히터.Top plate,
Bottom plate, and
A heater module including a plurality of tube heaters arranged in a horizontal direction and spaced apart from each other in a direction perpendicular to the horizontal direction and horizontally interposed between the upper plate and the lower plate,
The heater module further includes a support block coupled to both end portions of the tube heater, wherein the support block is coupled between the upper plate and the lower plate,
The heater module is divided into a plurality of control areas,
The heater modules are independently controlled,
Wherein the heater module includes a plurality of tube heaters arranged in a horizontal direction and electrically connected in series. 제 1 항에 있어서,
상기 튜브 히터는
튜브관 및
상기 튜브관의 내측에 결합된 발열선을 포함함을 특징으로 하는 기판 열처리용 평판 히터.The method according to claim 1,
The tube heater
Tube tube and
And a heating line coupled to the inside of the tube tube. 제 2 항에 있어서,
상기 튜브관은 단면 형상이 원형, 사각형 또는 다각형 형상인 것을 특징으로 하는 기판 열처리용 평판 히터.3. The method of claim 2,
Wherein the tube tube has a circular, rectangular or polygonal cross-sectional shape. 제 2 항에 있어서,
상기 튜브관은 쿼츠, 알루미나, 실리콘 카바이드, 지르코니아, 실리콘옥사이드 또는 이들의 혼합물로 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 열처리용 평판 히터.3. The method of claim 2,
Wherein the tube tube is formed of quartz, alumina, silicon carbide, zirconia, silicon oxide or a mixture thereof. 제 2 항에 있어서,
상기 튜브관은 니켈, 크롬, 스테인리스 스틸, 인코넬, 코바합금, 텅스텐, 티타늄, 하스텔로이 또는 이들의 혼합물로 형성되며,
상기 튜브관은 내주면에 절연층 또는 절연 튜브를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 열처리용 평판 히터.3. The method of claim 2,
Wherein the tube tube is formed of nickel, chromium, stainless steel, inconel, cobalt alloy, tungsten, titanium, Hastelloy or mixtures thereof,
Wherein the tube tube further comprises an insulating layer or an insulating tube on an inner peripheral surface thereof. 제 5 항에 있어서,
상기 절연층은 알루미나, 실리콘 카바이드, 지르코니아, 실리콘옥사이드 또는 이들의 혼합물로 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 열처리용 평판 히터.6. The method of claim 5,
Wherein the insulating layer is formed of alumina, silicon carbide, zirconia, silicon oxide, or a mixture thereof. 제 2 항에 있어서,
상기 발열선은 FeCrAl합금, NiCr합금, 티타늄, 텅스텐합금, 스테인레스 스틸, MoSi2 또는 이들의 혼합물로 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 열처리용 평판 히터.3. The method of claim 2,
Wherein the heating line is formed of a FeCrAl alloy, a NiCr alloy, a titanium, a tungsten alloy, stainless steel, MoSi 2 or a mixture thereof. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제 2 항에 있어서,
상기 상판과 하판은 유리, 쿼츠, 알루미나, 실리콘카바이드, 지르코니아, 스테인리스 스틸, 인코넬, 코바합금, 텅스텐, 티타늄, 하스텔로이로 이루어진 군에서 선택되는 하나 또는 이들의 혼합물로 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 열처리용 평판 히터.3. The method of claim 2,
Wherein the upper plate and the lower plate are formed of one or a mixture selected from the group consisting of glass, quartz, alumina, silicon carbide, zirconia, stainless steel, inconel, cobalt alloy, tungsten, titanium, and Hastelloy. Flat plate heater. 제 1 항에 있어서,
상기 상판에 안착되는 유리 기판의 지지를 위해 상기 상판에 다수의 지지핀이 결합된 것을 특징으로 하는 기판 열처리용 평판 히터.The method according to claim 1,
And a plurality of support pins are coupled to the upper plate for supporting the glass substrate mounted on the upper plate. 제 12 항에 있어서,
상기 지지핀은 상기 상판에 나사 결합된 것을 특징으로 하는 기판 열처리용 평판 히터.13. The method of claim 12,
And the support pins are screwed to the upper plate. 제 12 항에 있어서,
상기 지지핀은 상기 상판에 나사 결합되는 깊이에 따라 높이가 조절됨을 특징으로 하는 기판 열처리용 평판 히터.13. The method of claim 12,
Wherein a height of the support pin is adjusted according to a depth of the support pin to be screwed to the upper plate. 제 12 항에 있어서,
상기 지지핀은
유리, 쿼츠, 알루미나, 실리콘카바이드, 지르코니아, 스테인리스 스틸, 인코넬, 코바합금, 텅스텐, 티타늄, 하스텔로이로 이루어진 군에서 선택되는 하나 또는 이들의 혼합물로 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 열처리용 평판 히터.13. The method of claim 12,
The support pin
Wherein the flat heater is formed of one selected from the group consisting of glass, quartz, alumina, silicon carbide, zirconia, stainless steel, inconel, cobalt alloy, tungsten, titanium, and Hastelloy or a mixture thereof. 제 12 항에 있어서,
상기 지지핀은 상면에 볼 요홈이 형성되며,
상기 볼 요홈에는 세라믹 볼이 회전 가능하게 결합되는 것을 특징으로 하는 기판 열처리용 평판 히터.13. The method of claim 12,
Wherein the support pin has a ball groove formed on an upper surface thereof,
And a ceramic ball is rotatably coupled to the ball groove. 제 1 항에 있어서,
상기 튜브 히터는 외주면이 상기 상판의 하면으로부터 이격된 것을 특징으로 하는 기판 열처리용 평판 히터.The method according to claim 1,
Wherein the tube heater has an outer circumferential surface spaced from a lower surface of the upper plate. 제 17 항에 있어서,
상기 튜브 히터는 외주면이 상기 하판의 상면으로부터 이격된 것을 특징으로 하는 기판 열처리용 평판 히터.18. The method of claim 17,
Wherein the tube heater has an outer circumferential surface spaced from an upper surface of the lower plate.
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