KR101650903B1 - Photosensitive resin composition, method for forming cured film, cured film, organic el display device, and liquid crystal display device - Google Patents

Photosensitive resin composition, method for forming cured film, cured film, organic el display device, and liquid crystal display device Download PDF

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Abstract

경화 후의 투과율이 높으며, 또한 가열해도 투과율의 저하가 작은 경화막을 얻을 수 있고, PEB를 행하지 않을 경우에도, 매우 높은 감도를 갖는 감광성 수지 조성물을 제공한다. 상기 조성물은, (A) 아세탈계 수지, (B) 광산발생제, 및 (C) 용제를 함유하고, 당해 (A) 아세탈계 수지가, 산(酸)에 의해 카르복시기를 생성하는 구조를 갖는 구조 단위(a1), 카르복시기 또는 페놀성 수산기를 갖는 구조 단위(a2), 에폭시기 또는 옥세타닐기를 갖는 구조 단위(a3), 및 수산기 또는 알킬렌옥시기를 갖는 구조 단위(a4)를 함유하고, (a1)∼(a4)의 함유 비율이, 몰 환산으로, (a1):(a2):(a3):(a4)=0.2∼0.65:0.02∼0.2:0.2∼0.6:0.005∼0.3이며, 또한, 당해 (A) 아세탈계 수지에 있어서의 (a4)의 함유량이 3∼30질량%의 범위이다.A cured film having a high transmittance after curing and a small decrease in transmittance even when heated can be obtained and a photosensitive resin composition having extremely high sensitivity can be provided even when PEB is not performed. Wherein the composition comprises (A) an acetal resin, (B) a photoacid generator, and (C) a solvent, wherein the acetal resin (A) has a structure having a structure in which a carboxy group is produced by an acid (A1), a structural unit (a2) having a carboxyl group or a phenolic hydroxyl group, a structural unit (a3) having an epoxy group or an oxetanyl group, and a structural unit (a4) having a hydroxyl group or an alkyleneoxy group, (A2): (a3) :( a4) = 0.2 to 0.65: 0.02 to 0.2: 0.2 to 0.6: 0.005 to 0.3 in terms of molar ratio, (A4) in the acetal-based resin is in the range of 3 to 30 mass%.

Description

감광성 수지 조성물, 경화막의 형성 방법, 경화막, 유기 EL 표시 장치, 및 액정 표시 장치{PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, METHOD FOR FORMING CURED FILM, CURED FILM, ORGANIC EL DISPLAY DEVICE, AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a photosensitive resin composition, a method of forming a cured film, a cured film, an organic EL display device, and a liquid crystal display device,

본 발명은 감광성 수지 조성물, 경화막의 형성 방법, 경화막, 유기 EL 표시 장치, 및 액정 표시 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a photosensitive resin composition, a method of forming a cured film, a cured film, an organic EL display, and a liquid crystal display.

유기 EL 표시 장치나, 액정 표시 장치 등에는, 패턴 형성된 층간 절연막이 마련되어 있다. 이 층간 절연막의 형성에는, 필요로 하는 패턴 형상을 얻기 위한 공정수가 적고, 게다가 충분한 평탄성이 얻어진다는 점에서, 감광성 수지 조성물이 널리 사용되고 있다.In an organic EL display device, a liquid crystal display device, or the like, a patterned interlayer insulating film is provided. In forming this interlayer insulating film, a photosensitive resin composition is widely used in that the number of steps for obtaining a required pattern shape is small, and furthermore, sufficient flatness is obtained.

상기 표시 장치에 있어서의 층간 절연막에는, 절연성, 내(耐)용제성, 내열성, 및 산화인듐주석(ITO) 스퍼터 적성이 우수하다는 경화막의 물성에 가하여, 높은 투명성이 요망되고 있다. 이 때문에, 투명성이 우수한 아크릴계 수지를 막형성 성분으로서 사용하는 것이 시도되어지고 있다.The interlayer insulating film in the display device is required to have high transparency in addition to physical properties of a cured film which is excellent in insulating property, solvent resistance, heat resistance, and indium tin oxide (ITO) sputter suitability. For this reason, it has been attempted to use an acrylic resin having excellent transparency as a film forming component.

한편, 팩시밀리, 전자 복사기, 고체 촬영 소자 등의 온 칩 컬러 필터의 결상 광학계 혹은 광파이버 커넥터의 광학계 재료로서 3㎛∼100㎛ 정도의 렌즈경을 갖는 마이크로 렌즈, 또는 그들 마이크로 렌즈를 규칙적으로 배열한 마이크로 렌즈 어레이가 사용되고 있다.On the other hand, as an optical system material of an optical system or an optical fiber connector of an on-chip color filter such as a facsimile, an electronic copying machine, or a solid-state imaging element, a micro lens having a lens diameter of about 3 m to 100 m, A lens array is used.

마이크로 렌즈 또는 마이크로 렌즈 어레이의 형성에는, 렌즈에 상당하는 레지스트 패턴을 형성한 후, 가열 처리함으로써 멜트플로우시켜, 그대로 렌즈로서 이용하는 방법이나, 멜트플로우시킨 렌즈 패턴을 마스크로 하여 드라이 에칭함으로써 바탕에 렌즈 형상을 전사시키는 방법 등이 알려져 있다. 상기 렌즈 패턴의 형성에는, 감방사선성 수지 조성물이 폭넓게 사용되고 있다.In order to form a microlens or a microlens array, a method in which a resist pattern corresponding to a lens is formed and then subjected to a heat treatment to perform a melt flow to use it as a lens or a dry etching process using a lens pattern to be subjected to a melt flow as a mask, And a method of transferring a shape are known. For the formation of the lens pattern, a radiation-sensitive resin composition is widely used.

이와 같은 감광성 수지 조성물로서, 예를 들면 일본국 특개평5-165214호 공보에는, (A) (a) 불포화 카르복시산 또는 불포화 카르복시산 무수물, (b) 에폭시기를 갖는 라디칼 중합성 화합물, 및 (c) 다른 라디칼 중합성 화합물의 공중합체인 알카리 수용액에 가용한 수지, 그리고 (B) 감방사선성(感放射線性) 산 생성 화합물을 갖는 감광성 수지 조성물이 제안되어 있다.(A) an unsaturated carboxylic acid or an unsaturated carboxylic acid anhydride, (b) a radically polymerizable compound having an epoxy group, and (c) a A resin soluble in an aqueous alkali solution, which is a copolymer of a radically polymerizable compound, and (B) a radiation-sensitive (radiation sensitive) acid-generating compound.

또한, 일본국 특개2004-264623호 공보에는, (A) 아세탈 구조 및/또는 케탈 구조, 및 에폭시 구조를 갖고, 겔투과 크로마토그래피로 측정한 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량이 2000 이상인 고분자량체, 및 (B) 방사선의 조사(照射)에 의해 pKa이 4.0 이하의 산을 발생시키는 화합물을 함유하는 감방사선성 수지 조성물이 제안되어 있다.Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-264623 discloses a high molecular weight material having (A) an acetal structure and / or a ketal structure and an epoxy structure and having a weight average molecular weight of 2000 or more as measured by gel permeation chromatography, and (B A radiation-sensitive resin composition containing a compound capable of generating an acid having a pKa of 4.0 or less by irradiation with radiation has been proposed.

또한, 일본국 특개2009-98616호 공보에는, (A) 산 해리성기를 함유하는 특정 구조를 갖는 구조 단위와, 카르복시기와 반응하여 공유 결합을 형성할 수 있는 관능기를 갖는 구조 단위를 함유하고, 알칼리 불용성 혹은 알칼리 난용성이며, 또한, 당해 산 해리성기가 분해했을 때에 알칼리 가용성이 되는 수지, 및 (B) 활성 광선 또는 방사선의 조사에 의해 산을 발생시키는 화합물을 적어도 함유하는 포지티브형 감광성 수지 조성물이 기재되어 있다.Japanese Patent Application Laid-Open No. 2009-98616 discloses a resin composition containing (A) a structural unit having a specific structure containing an acid-dissociable group and a structural unit having a functional group capable of reacting with a carboxyl group to form a covalent bond, A positive photosensitive resin composition containing at least a resin that is insoluble or alkali-sparingly soluble and becomes alkali-soluble when the acid-dissociable group is decomposed, and (B) a compound that generates an acid upon irradiation with an actinic ray or radiation, .

상기 일본국 특개평5-165214호 공보에 기재된 감광성 수지 조성물은, 감도,및 경시(經時) 안정성이 충분하지 않고, 또한 당해 감광성 수지 조성물에 의해 얻어진 경화막은 베이크에 의한 착색이 크다는 문제가 있었다.The photosensitive resin composition described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-165214 does not have sufficient sensitivity and stability over time, and the cured film obtained by the photosensitive resin composition has a problem of large coloring due to bake .

또한, 상기 일본국 특개2004-264623호 공보 및 일본국 특개2009-98616호 공보에 기재된 감광성 수지 조성물에 대해서도, 충분한 감도는 얻어지지 않았다.Further, even in the photosensitive resin compositions described in JP-A-2004-264623 and JP-A-2009-98616, sufficient sensitivity was not obtained.

본 발명의 과제는, 경화 후의 투과율이 높으며, 또한 가열해도 투과율의 저하가 작은 경화막을 얻을 수 있고, 노광 후에 가열(PEB: post exposure baking)을 행하지 않을 경우에도, 매우 높은 감도를 갖는 감광성 수지 조성물을 제공하는 것에 있다.It is an object of the present invention to provide a cured film having a high transmittance after curing and a small decrease in transmittance even when heated, and a photosensitive resin composition having a very high sensitivity even when heating (PEB: post exposure baking) And the like.

또한, 본 발명의 새로운 과제는, 본 발명의 감광성 수지 조성물을 사용한 경화막 및 그 제조 방법, 당해 경화막을 구비한 유기 EL 표시 장치, 및 액정 표시 장치를 제공하는 것에 있다.It is another object of the present invention to provide a cured film using the photosensitive resin composition of the present invention and a method for producing the same, an organic EL display device provided with the cured film, and a liquid crystal display device.

본 발명의 태양을 이하에 기재한다.An aspect of the present invention is described below.

<1> (A) 아세탈계 수지, (B) 광산발생제, 및 (C) 용제를 함유하는 감광성 수지 조성물로서,<1> A photosensitive resin composition containing (A) an acetal resin, (B) a photoacid generator, and (C)

당해 (A) 아세탈계 수지가, 산에 의해 카르복시기를 생성하는 구조를 갖는 구조 단위(a1), 카르복시기 또는 페놀성 수산기를 갖는 구조 단위(a2), 에폭시기 또는 옥세타닐기를 갖는 구조 단위(a3), 및 수산기 또는 알킬렌옥시기를 갖는 구조 단위(a4)를 함유하며, 또한, 아세탈 구조 또는 케탈 구조를 갖는 중합체이며,(A3) having a carboxyl group or a phenolic hydroxyl group, a structural unit (a3) having an epoxy group or an oxetanyl group, a structural unit (a1) having a structure capable of forming a carboxyl group by an acid, , And a structural unit (a4) having a hydroxyl group or an alkyleneoxy group, and having an acetal structure or a ketal structure,

당해 (A) 아세탈계 수지에 있어서의 상기 구조 단위(a1)∼(a4)의 함유 비율이, (A) 아세탈계 수지를 1로 했을 경우에 있어서의 몰 환산으로, 구조 단위(a1):구조 단위(a2):구조 단위(a3):구조 단위(a4)=0.2∼0.65:0.02∼0.2:0.2∼0.6:0.005∼0.3이며, 또한,Wherein the content ratio of the structural units (a1) to (a4) in the acetal-based resin (A) is in the molar ratio of the acetal-based resin (A) (A2): structural unit (a3): structural unit (a4) = 0.2 to 0.65: 0.02 to 0.2: 0.2 to 0.6: 0.005 to 0.3,

당해 (A) 아세탈계 수지에 있어서의 구조 단위(a4)의 함유량이 질량 기준으로 3∼30질량%의 범위인 감광성 수지 조성물.The content of the structural unit (a4) in the acetal-based resin (A) is in the range of 3 to 30 mass% based on mass.

<2> (M) 현상 촉진제를 더 함유하고, 당해 (M) 현상 촉진제가, 분자 내에 카르복시기, 페놀성 수산기, 및 알킬렌옥시기에서 선택되는 적어도 1종의 구조를 갖고, 분자량이 100∼2000의 범위에 있는 화합물인 <1>에 기재된 감광성 수지 조성물.&Lt; 2 > The positive photosensitive composition as described in any one of (1) to (3), further comprising (M) a development accelerator and the (M) development accelerator having at least one structure selected from a carboxyl group, a phenolic hydroxyl group, &Lt; 1 >.

<3> (E) 가교제를 더 함유하는 <1> 또는 <2>에 기재된 감광성 수지 조성물.<3> The photosensitive resin composition according to <1> or <2>, further comprising (E) a crosslinking agent.

<4> 상기 (B) 광산발생제가, 옥심설포네이트 화합물인 <1>∼<3> 중 어느 1항에 기재된 감광성 수지 조성물.<4> The photosensitive resin composition according to any one of <1> to <3>, wherein the photoacid generator (B) is an oxime sulfonate compound.

<5> 상기 (B) 광산발생제가, 하기 일반식 (OS-3), 일반식 (OS-4), 및 일반식 (OS-5)로 표시되는 화합물로 이루어지는 선택되는 적어도 1종의 화합물인 <1>∼<4> 중 어느 1항에 기재된 감광성 수지 조성물:(5) The photo-acid generator (B) is at least one selected from compounds represented by the following formulas (OS-3), OS-4 and OS- The photosensitive resin composition according to any one of < 1 > to < 4 &

Figure 112012056225030-pct00001
Figure 112012056225030-pct00001

일반식 (OS-3)∼일반식 (OS-5) 중, R1은 알킬기, 아릴기, 또는 헤테로아릴기를 나타내고, 복수 존재하는 R2은 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기, 아릴기, 또는 할로겐 원자를 나타내며, 복수 존재하는 R6은 각각 독립적으로, 할로겐 원자, 알킬기, 알킬옥시기, 설폰산기, 아미노설포닐기, 또는 알콕시설포닐기를 나타내고, X는 O 또는 S를 나타내며, n은 1 또는 2를 나타내고, m은 0∼6인 정수를 나타낸다.In the general formulas (OS-3) to (OS-5), R 1 represents an alkyl group, an aryl group or a heteroaryl group, and the plurality of R 2 s present each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, R 6 represents a halogen atom, a halogen atom, an alkyl group, an alkyloxy group, a sulfonic acid group, an aminosulfonyl group, or an alkoxysulfonyl group, X represents O or S, and n represents 1 or 2, and m represents an integer of 0 to 6;

<6> (N) 증감제를 더 함유하는 <1>∼<5> 중 어느 1항에 기재된 감광성 수지 조성물.<6> The photosensitive resin composition according to any one of <1> to <5>, further containing (N) a sensitizer.

<7> 상기 (A) 아세탈계 수지에 있어서의 상기 구조 단위(a3)가, 아크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸, 및 메타크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸 중 어느 하나에 유래하는 구조 단위인 <1>∼<6> 중 어느 1항에 기재된 감광성 수지 조성물.<7> The resin composition according to <7>, wherein the structural unit (a3) in the acetal-based resin is at least one selected from the group consisting of acrylic acid (3-ethyloxetan- Methyl group, or a methyl group. The photosensitive resin composition according to any one of < 1 > to &lt; 6 &gt;

<8> (F) 밀착 개량제를 더 함유하는 <1>∼<7> 중 어느 1항에 기재된 감광성 수지 조성물.<8> The photosensitive resin composition according to any one of <1> to <7>, further comprising (F) an adhesion improver.

<9> (G) 염기성 화합물을 더 함유하는 <1>∼<8> 중 어느 1항에 기재된 감광성 수지 조성물.<9> The photosensitive resin composition according to any one of <1> to <8>, further comprising (G) a basic compound.

<10> 또한, 불소계 계면 활성제 또는 실리콘계 계면 활성제를 함유하는 <1>∼<9> 중 어느 1항에 기재된 감광성 수지 조성물.<10> The photosensitive resin composition according to any one of <1> to <9>, further comprising a fluorine-based surfactant or a silicon-based surfactant.

또한, 본 발명의 감광성 수지 조성물은 상기 구성으로 했기 때문에 경화 감도가 높고, 노광 후의 경화막에 대하여 가열 처리를 행하지 않아도 양호한 형상의 패턴이 형성된다. 또한, 이를 사용하여 마이크로 렌즈의 형성을 행할 경우에는, 높은 투과율을 갖는 마이크로 렌즈를 형성할 수 있다는 이점도 갖는 것이다.Further, since the photosensitive resin composition of the present invention has the above-described constitution, the curing sensitivity is high, and a pattern of a good shape is formed on the cured film after exposure without performing a heat treatment. In addition, when the microlenses are formed by using them, there is an advantage that a microlens having a high transmittance can be formed.

<11> (1) <1>∼<10> 중 어느 1항에 기재된 감광성 수지 조성물을 기판 위에 도포하는 것,(11) A method for producing a photosensitive resin composition, which comprises applying the photosensitive resin composition according to any one of <1> to <10>

(2) 도포된 감광성 수지 조성물로부터 용제를 제거하는 것,(2) removing the solvent from the applied photosensitive resin composition,

(3) 도포된 감광성 수지 조성물을 활성 광선에 의해 노광하는 것,(3) exposing the applied photosensitive resin composition to actinic rays,

(4) 노광된 감광성 수지 조성물을 수성 현상액에 의해 현상하는 것, 및(4) developing the exposed photosensitive resin composition with an aqueous developer, and

(5) 현상된 감광성 수지 조성물을 열경화하는 것(5) heat-curing the developed photosensitive resin composition

을 포함하는 경화막의 형성 방법.To form a cured film.

<12> <11>에 기재된 방법에 의해 형성된 경화막.<12> A cured film formed by the method according to <11>.

<13> 층간 절연막인 <12>에 기재된 경화막.<13> The cured film according to <12>, which is an interlayer insulating film.

<14> <12> 또는 <13>에 기재된 경화막을 구비하는 유기 EL 표시 장치.<14> An organic EL display device comprising a cured film according to <12> or <13>.

<15> <12> 또는 <13>에 기재된 경화막을 구비하는 액정 표시 장치.<15> A liquid crystal display device comprising the cured film according to <12> or <13>.

본 발명의 일 태양에 의하면, 경화 후의 투과율이 높으며, 또한 가열해도 투과율의 저하가 작은 경화막을 얻을 수 있고, 노광 후에 가열(PEB)을 행하지 않을 경우에도, 매우 높은 감도를 갖는 감광성 수지 조성물이 제공된다.According to one aspect of the present invention, a cured film having a high transmittance after curing and a small decrease in transmittance even when heated can be obtained and a photosensitive resin composition having extremely high sensitivity can be provided even when heating (PEB) is not performed after exposure do.

또한, 본 발명의 다른 태양에 의하면, 상기 감광성 수지 조성물을 사용한 경화막 및 그 제조 방법, 당해 경화막을 구비한 유기 EL 표시 장치, 및 액정 표시 장치가 제공된다.According to another aspect of the present invention, there is provided a cured film using the photosensitive resin composition, a method of manufacturing the same, an organic EL display device provided with the cured film, and a liquid crystal display device.

도 1은 본 발명의 감광성 수지 조성물을 사용한 경화막을 절연막, 평탄화막으로서 적용한 유기 EL 표시 장치의 일례의 구성 개념도.
도 2는 본 발명의 감광성 수지 조성물을 사용한 경화막을 적용한 액정 표시 장치의 일례의 구성 개념도.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a configuration diagram of an example of an organic EL display device in which a cured film using the photosensitive resin composition of the present invention is used as an insulating film and a planarization film.
Fig. 2 is a structural view of an example of a liquid crystal display device to which a cured film using the photosensitive resin composition of the present invention is applied. Fig.

감광성 수지 조성물Photosensitive resin composition

이하, 본 발명의 감광성 수지 조성물에 대해서 상세하게 설명한다.Hereinafter, the photosensitive resin composition of the present invention will be described in detail.

본 발명의 감광성 수지 조성물은, (A) 아세탈계 수지, (B) 광산발생제, 및 (C) 용제를 함유하고, 당해 (A) 아세탈계 수지가, 산에 의해 카르복시기를 생성하는 구조를 갖는 구조 단위(a1), 카르복시기 또는 페놀성 수산기를 갖는 구조 단위(a2), 에폭시기 또는 옥세타닐기를 갖는 구조 단위(a3), 및 수산기 또는 알킬렌옥시기를 갖는 구조 단위(a4)를 함유하며, 또한, 아세탈 구조 또는 케탈 구조를 갖는 중합체이며, 당해 (A) 아세탈계 수지에 있어서의 상기 구조 단위(a1)∼(a4)의 함유 비율이, (A) 아세탈계 수지를 1로 했을 경우에 있어서의 몰 환산으로, 구조 단위(a1):구조 단위(a2):구조 단위(a3):구조 단위(a4)=0.2∼0.65:0.02∼0.2:0.2∼0.6:0.005∼0.3이며, 또한, 당해 (A) 아세탈계 수지에 있어서의 구조 단위(a4)의 함유량이 질량 기준으로 3∼30질량%의 범위이다.The photosensitive resin composition of the present invention comprises (A) an acetal resin, (B) a photoacid generator, and (C) a solvent, wherein the acetal resin (A) has a structure in which a carboxyl group is formed by an acid (A2) a structural unit having a carboxyl group or a phenolic hydroxyl group, a structural unit (a3) having an epoxy group or an oxetanyl group, and a structural unit (a4) having a hydroxyl group or an alkyleneoxy group, (A1) to (a4) in the acetal-based resin (A) is a polymer having an acetal structure or a ketal structure and the content ratio of the structural units (A2): structural unit (a3): structural unit (a4) = 0.2 to 0.65: 0.02 to 0.2: 0.2 to 0.6: 0.005 to 0.3, ) The content of the structural unit (a4) in the acetal-based resin is in the range of 3 to 30 mass% on a mass basis.

본 발명의 감광성 수지 조성물은, 포지티브형 감광성 수지 조성물이다.The photosensitive resin composition of the present invention is a positive photosensitive resin composition.

또한, 본 발명의 감광성 수지 조성물은, 화학 증폭형의 포지티브형 감광성 수지 조성물(화학 증폭 포지티브형 감광성 수지 조성물)인 것이 바람직하다.The photosensitive resin composition of the present invention is preferably a chemically amplified positive photosensitive resin composition (chemically amplified positive photosensitive resin composition).

또한, 본 명세서 중에서는, 노광 후의 가열 처리(Post exposure baking)를 PEB라고 하는 경우가 있다.In the present specification, post exposure baking after exposure is sometimes referred to as PEB.

본 발명의 감광성 수지 조성물은, 상기한 (A)∼(C) 성분을 함유함으로써, 매우 높은 감도를 갖는 감광성 수지 조성물이 된다. 또한, 경화 후의 투과율이 높으며, 또한 가열해도 투과율의 저하가 작은 경화막이 얻어지는 감광성 수지 조성물을 제공할 수 있다.The photosensitive resin composition of the present invention contains the above-mentioned components (A) to (C), whereby a photosensitive resin composition having extremely high sensitivity is obtained. Further, it is possible to provide a photosensitive resin composition which has a high transmittance after curing and a cured film having a small decrease in transmittance even when heated.

본 발명에 있어서, 경화 후의 투과율이 높으며, 또한 가열해도 투과율의 저하가 작은 성질을 「내열 투명성」이라고 한다.In the present invention, the property that the transmittance after curing is high and the decrease in transmittance is small even when heated is referred to as &quot; heat resistance transparency &quot;.

이하, 감광성 수지 조성물을 구성하는 각 성분에 대해서 설명한다.Hereinafter, each component constituting the photosensitive resin composition will be described.

또한, 본 명세서에 있어서의 기(원자단)의 표기에 있어서, 치환 및 무치환을 기재하고 있지 않은 표기는 치환기를 갖지 않은 것과 함께 치환기를 갖는 것도 포함하는 것이다. 예를 들면 「알킬기」란, 치환기를 갖지 않은 알킬기(무치환 알킬기)뿐만 아니라, 치환기를 갖는 알킬기(치환 알킬기)도 포함하는 것이다.In the notation of the group (atomic group) in the present specification, the notation in which substitution and non-substitution are not described includes those having a substituent as well as those having a substituent. For example, the "alkyl group" includes not only an alkyl group having no substituent (an unsubstituted alkyl group) but also an alkyl group having a substituent (substituted alkyl group).

(A) 아세탈계 수지(A) acetal resin

본 발명의 감광성 수지 조성물은, (A) 아세탈계 수지를 함유한다.The photosensitive resin composition of the present invention contains (A) an acetal resin.

본 발명의 감광성 수지 조성물이 함유하는 (A) 아세탈계 수지는, 산에 의해 카르복시기를 생성하는 구조를 갖는 구조 단위(a1), 카르복시기 또는 페놀성 수산기를 갖는 구조 단위(a2), 에폭시기 또는 옥세타닐기를 갖는 구조 단위(a3), 및 수산기 또는 알킬렌옥시기를 갖는 구조 단위(a4)를 함유하며, 또한, 아세탈 구조 또는 케탈 구조를 갖는다.The acetal-based resin (A) contained in the photosensitive resin composition of the present invention is preferably a structural unit (a1) having a structure which generates a carboxyl group by an acid, a structural unit (a2) having a carboxyl group or a phenolic hydroxyl group, (A3) having a hydroxyl group or an alkyleneoxy group and a structural unit (a4) having a hydroxyl group or an alkyleneoxy group, and further has an acetal structure or a ketal structure.

또한, (A) 아세탈계 수지는, 상기의 구조 단위(a1)∼(a4) 이외의 구조인 구조 단위(a5)를 더 함유해도 된다.The acetal-based resin (A) may further contain a structural unit (a5) having a structure other than the above structural units (a1) to (a4).

(A) 아세탈계 수지는, 알칼리 불용성이며, 산에 의해 카르복시기를 생성하는 구조를 갖는 구조 단위(a1)에 있어서의 산 분해성기가 분해했을 때에 알칼리 가용성이 되는 수지인 것이 바람직하다.The acetal-based resin (A) is preferably a resin that is alkali-insoluble and becomes alkali-soluble when the acid-decomposable group in the structural unit (a1) having a structure generating a carboxyl group by an acid decomposes.

또한, 본 발명에 있어서의 「알칼리 가용성」이란, 당해 화합물 (수지)의 용액을 기판 위에 도포하고, 90℃에서 2분간 가열함으로써 형성되는 당해 화합물 (수지)의 도막(두께 3㎛)의, 23℃에서의 0.4질량% 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액에 대한 용해 속도가 0.01㎛/초 이상임을 말한다. 또한, 「알칼리 불용성」이란, 당해 화합물 (수지)의 용액을 기판 위에 도포하고, 90℃에서 2분간 가열함으로써 형성되는 당해 화합물 (수지)의 도막(두께 3㎛)의, 23℃에서의 0.4질량% 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액에 대한 용해 속도가 0.01㎛/초 미만, 바람직하게는 0.005㎛/초 미만임을 말한다."Alkali solubility" in the present invention means that the solution of the compound (resin) is coated on a substrate and the coating film (thickness: 3 μm) of the compound (resin) formed by heating at 90 ° C. for 2 minutes is 23 The dissolution rate in 0.4 mass% aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide at 0.01 占 폚 / ° C is 0.01 占 퐉 / second or more. "Alkali insoluble" means that a solution of the compound (resin) is coated on a substrate, and a coating film (thickness 3 μm) of the compound (resin) formed by heating at 90 ° C. for 2 minutes at 0.4 ° C. % &Lt; / RTI &gt; aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide is less than 0.01 mu m / second, preferably less than 0.005 mu m / second.

상기 (A) 아세탈계 수지는, 아크릴계 중합체인 것이 바람직하다.The acetal resin (A) is preferably an acrylic polymer.

본 발명에 있어서의 「아크릴계 중합체」는 부가 중합형의 수지이며, (메타)아크릴산 또는 그 에스테르에 유래하는 구조 단위를 함유하는 중합체이며, (메타)아크릴산 또는 그 에스테르에 유래하는 구조 단위 이외의 구조 단위, 예를 들면 스티렌류에 유래하는 구조 단위나 비닐 화합물에 유래하는 구조 단위 등을 갖고 있어도 된다. 또한. (메타)아크릴산 및 그 에스테르에 유래하는 구조 단위의 양쪽을 함유해도 된다.The "acrylic polymer" in the present invention is an addition polymerizable type resin, which is a polymer containing a structural unit derived from (meth) acrylic acid or an ester thereof, and has a structure other than a structural unit derived from (meth) acrylic acid or an ester thereof Units, for example, structural units derived from styrene, structural units derived from vinyl compounds, and the like. Also. (Meth) acrylic acid and a structural unit derived from the ester thereof.

상기 (A) 아세탈계 수지는, (메타)아크릴산 또는 그 에스테르에 유래하는 구조 단위를, (A) 아세탈계 수지에 있어서의 전 구조 단위에 대하여, 50몰% 이상 함유하는 것이 바람직하고, 80몰% 이상 함유하는 것이 보다 바람직하며, (메타)아크릴산 또는 그 에스테르에 유래하는 구조 단위만으로 이루어지는 중합체인 것이 특히 바람직하다.The acetal-based resin (A) preferably contains a structural unit derived from (meth) acrylic acid or an ester thereof in an amount of 50 mol% or more based on the total structural units in the acetal-based resin (A) % Or more, and is particularly preferably a polymer comprising only structural units derived from (meth) acrylic acid or an ester thereof.

또한, 본 명세서에서는, 「(메타)아크릴산 또는 그 에스테르에 유래하는 구조 단위」를 「아크릴계 구조 단위」라고도 한다. 또한, (메타)아크릴산은, 메타크릴산 및 아크릴산을 총칭하는 것으로 한다.In the present specification, the "structural unit derived from (meth) acrylic acid or an ester thereof" is also referred to as "acrylic structural unit". Further, (meth) acrylic acid is collectively referred to as methacrylic acid and acrylic acid.

상기 (A) 아세탈계 수지는, 아세탈 구조 또는 케탈 구조를 갖고, 아세탈 구조 및 케탈 구조의 양쪽을 갖고 있어도 된다.The acetal-based resin (A) has an acetal structure or a ketal structure, and may have both an acetal structure and a ketal structure.

아세탈 구조 또는 케탈 구조로서는, 하기 일반식 (Ⅰ)로 표시되는 구조인 것이 바람직하다.The acetal structure or ketal structure is preferably a structure represented by the following general formula (I).

Figure 112012056225030-pct00002
Figure 112012056225030-pct00002

일반식 (Ⅰ) 중, R1 및 R2은 각각 독립하여, 수소 원자, 직쇄상 혹은 분기상 알킬기 또는 시클로알킬기를 나타낸다. 단, R1 및 R2 중 적어도 하나는 알킬기 또는 시클로알킬기를 나타낸다.In the general formula (I), R 1 and R 2 each independently represent a hydrogen atom, a linear or branched alkyl group or a cycloalkyl group. Provided that at least one of R 1 and R 2 represents an alkyl group or a cycloalkyl group.

R3은 직쇄상 혹은 분기상 알킬기, 시클로알킬기, 또는 아랄킬기를 나타낸다.R 3 represents a linear or branched alkyl group, a cycloalkyl group, or an aralkyl group.

R1과 R3이 연결하여 환상(環狀) 에테르를 형성해도 되고, R2과 R3이 연결하여 환상 에테르를 형성해도 된다.R 1 and R 3 may be connected to form a cyclic ether, or R 2 and R 3 may be connected to form a cyclic ether.

일반식 (Ⅰ)에 있어서의 R1 또는 R2으로서의 알킬기는, 탄소수 1∼6인 직쇄상 혹은 분기상 알킬기가 바람직하다. R1 또는 R2으로서의 시클로알킬기는, 탄소수 3∼6인 시클로알킬기가 바람직하다.The alkyl group as R 1 or R 2 in the general formula (I) is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms. The cycloalkyl group as R 1 or R 2 is preferably a cycloalkyl group having 3 to 6 carbon atoms.

R3으로서의 알킬기는, 탄소수 1∼10인 직쇄상 혹은 분기상 알킬기가 바람직하다. R3으로서의 시클로알킬기는, 탄소수 3∼10인 시클로알킬기가 바람직하다.The alkyl group as R 3 is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms. The cycloalkyl group as R 3 is preferably a cycloalkyl group having 3 to 10 carbon atoms.

R3으로서의 아랄킬기는, 탄소수 7∼10인 아랄킬기가 바람직하다.The aralkyl group as R 3 is preferably an aralkyl group having 7 to 10 carbon atoms.

R1과 R3이, 또는 R2과 R3이 연결하여 환상 에테르를 형성할 때에는, R1과 R3이, 또는 R2과 R3이 연결하여 탄소수 2∼5인 알킬렌쇄를 형성하는 것이 바람직하다.When R 1 and R 3 or R 2 and R 3 are connected to form a cyclic ether, R 1 and R 3 or R 2 and R 3 are connected to form an alkylene chain having 2 to 5 carbon atoms desirable.

R3으로서의 알킬기, 시클로알킬기, 아랄킬기는, 치환기를 갖고 있어도 되고, 치환기로서는, 예를 들면, 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자를 들 수 있으며, 치환기의 탄소수는 6 이하가 바람직하다.The alkyl group, cycloalkyl group and aralkyl group as R 3 may have a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group, an alkoxy group and a halogen atom. The substituent preferably has 6 or less carbon atoms.

상기 일반식 (Ⅰ)에 있어서, R1 및 R2 중 한쪽이 수소 원자일 경우의 카르복시산의 아세탈에스테르 구조(-COOR7)에 있어서의 R7으로서는, 예를 들면 1-메톡시에틸기, 1-에톡시에틸기, 1-n-프로폭시에틸기, 1-i-프로폭시에틸기, 1-n-부톡시에틸기, 1-i-부톡시에틸기, 1-sec-부톡시에틸기, 1-t-부톡시에틸기, 1-시클로펜틸옥시에틸기, 1-시클로헥실옥시에틸기, 1-노르보르닐옥시에틸기, 1-보르닐옥시에틸, 1-벤질옥시에틸기, 1-페네틸옥시에틸기, (시클로헥실)(메톡시)메틸기, (시클로헥실)(에톡시)메틸기, (시클로헥실)(n-프로폭시)메틸기, (시클로헥실)(i-프로폭시)메틸기, (시클로헥실)(시클로헥실옥시)메틸기, (시클로헥실)(벤질옥시)메틸기, (페닐)(메톡시)메틸기, (페닐)(에톡시)메틸기, (페닐)(n-프로폭시)메틸기, (페닐)(i-프로폭시)메틸기, (페닐)(시클로헥실옥시)메틸기, (페닐)(벤질옥시)메틸기, (벤질)(메톡시)메틸기, (벤질)(에톡시)메틸기, (벤질)(n-프로폭시)메틸기, (벤질)(i-프로폭시)메틸기, (벤질)(시클로헥실옥시)메틸기, (벤질)(벤질옥시)메틸기, 2-테트라히드로푸라닐기, 2-테트라히드로피라닐기 등을 들 수 있다.Examples of R 7 in the acetal ester structure (-COOR 7 ) of the carboxylic acid when one of R 1 and R 2 in the general formula (I) is a hydrogen atom include 1-methoxyethyl group, 1- Butoxyethyl group, 1-sec-butoxyethyl group, 1-t-butoxyethyl group, 1-n-propoxyethyl group, 1- (1-cyclohexyloxy) ethyl, 1-cyclohexyloxyethyl, 1-cyclohexyloxyethyl, 1-norbornyloxyethyl, 1-bornyloxyethyl, 1-benzyloxyethyl, (Cyclohexyl) (cyclohexyl) methyl group, (cyclohexyl) (ethoxy) methyl group, (cyclohexyl) (Phenyl) (n-propoxy) methyl group, (phenyl) (i-propoxy) methyl group, (Phenyl) (cyclohexyloxy) methyl (Benzyl) (n-propoxy) methyl group, (benzyl) (i-propoxy) methyl group, (Benzyl) (cyclohexyloxy) methyl group, (benzyl) (benzyloxy) methyl group, 2-tetrahydrofuranyl group and 2-tetrahydropyranyl group.

상기 일반식 (Ⅰ)에 있어서 R1 및 R2 모두가 수소 원자가 아닐 경우의, 카르복시산의 케탈에스테르 구조(-COOR8)에 있어서의 R8으로서는, 예를 들면 1-메틸-1-메톡시에틸기, 1-메틸-1-에톡시에틸기, 1-메틸-1-n-프로폭시에틸기, 1-메틸-1-i-프로폭시에틸기, 1-메틸-1-n-부톡시에틸기, 1-메틸-1-i-부톡시에틸기, 1-메틸-1-sec-부톡시에틸기, 1-메틸-1-t-부톡시에틸기, 1-메틸-1-시클로펜틸옥시에틸기, 1-메틸-1-시클로헥실옥시에틸기, 1-메틸-1-노르보르닐옥시에틸기, 1-메틸-1-보르닐옥시에틸기, 1-메틸-1-벤질옥시에틸기, 1-메틸-1-페네틸옥시에틸기, 1-시클로헥실-1-메톡시에틸기, 1-시클로헥실-1-에톡시에틸기, 1-시클로헥실-1-n-프로폭시에틸기, 1-시클로헥실-1-i-프로폭시에틸기, 1-시클로헥실-1-시클로헥실옥시에틸기, 1-시클로헥실-1-벤질옥시에틸기, 1-페닐-1-메톡시에틸기, 1-페닐-1-에톡시에틸기, 1-페닐-1-n-프로폭시에틸기, 1-페닐-1-i-프로폭시에틸기, 1-페닐-1-시클로헥실옥시에틸기, 1-페닐-1-벤질옥시에틸기, 1-벤질-1-메톡시에틸기, 1-벤질-1-에톡시에틸기, 1-벤질-1-n-프로폭시에틸기, 1-벤질-1-i-프로폭시에틸기, 1-벤질-1-시클로헥실옥시에틸기, 1-벤질-1-벤질옥시에틸기, 2-메틸-2-테트라히드로푸라닐기, 2-메틸-2-테트라히드로피라닐기, 1-메톡시시클로펜틸기, 1-메톡시-시클로헥실기 등을 들 수 있다.Examples of R 8 in the ketal ester structure (-COOR 8 ) of the carboxylic acid in the case where both of R 1 and R 2 in the general formula (I) are not hydrogen atoms include 1-methyl-1-methoxyethyl Methyl-1-n-propoxyethyl group, 1-methyl-1-n-butoxyethyl group, 1-methyl Methyl-1-t-butoxyethyl group, 1-methyl-1-cyclopentyloxyethyl group, 1-methyl- Methyl-1-norbornyloxyethyl group, 1-methyl-1-bornyloxyethyl group, 1-methyl-1-benzyloxyethyl group, 1-methyl- -Cyclohexyl-1-i-propoxyethyl group, 1-cyclohexyl-1-i-propoxyethyl group, 1-cyclohexyl- 1-cyclohexyloxyethyl group, 1-cyclohexyl-1-benzyloxyethyl group, 1-phenyl-1-methoxyethyl group, 1- Phenyl-1-i-propoxyethyl group, 1-phenyl-1-cyclohexyloxyethyl group, 1-phenyl-1-benzyl Benzyl-1-i-propoxyethyl group, 1-benzyl-1-i-propoxyethyl group, 1-benzyl- Methyl-2-tetrahydropyranyl group, a 1-methoxycyclopentyl group, a 1-benzyl-1-benzyloxyethyl group, Methoxy-cyclohexyl group, and the like.

상기 카르복시산의 아세탈 구조 또는 케탈 구조에 있어서, 프로세스 안정성의 관점에서, 아세탈 구조가 보다 바람직하다. 카르복시산의 아세탈에스테르 구조(-COOR7)에 있어서의 바람직한 R7으로서는, 1-에톡시에틸기, 1-시클로헥실옥시에틸기, 2-테트라히드로푸라닐기, 2-테트라히드로피라닐기가 바람직하고, 감도의 관점에서 1-에톡시에틸기, 1-시클로헥실옥시에틸기가 특히 바람직하다.In the acetal structure or the ketal structure of the carboxylic acid, an acetal structure is more preferable from the viewpoint of process stability. As preferable R 7 in the acetal ester structure (-COOR 7 ) of carboxylic acid, a 1-ethoxyethyl group, a 1-cyclohexyloxyethyl group, a 2-tetrahydrofuranyl group and a 2-tetrahydropyranyl group are preferable, From the viewpoint of solubility, 1-ethoxyethyl group and 1-cyclohexyloxyethyl group are particularly preferable.

산에 의해 카르복시기를 생성하는 구조를 갖는 구조 단위(a1)(A1) having a structure which forms a carboxy group by an acid,

본 발명에 있어서의 (A) 아세탈계 수지는, 산에 의해 카르복시기를 생성하는 구조를 갖는 구조 단위(a1)(이하, 적절히 「구조 단위(a1)」라고 함)를 함유한다. 구조 단위(a1)는, 카르복시기가 보호된 구조를 함유한다.The acetal-based resin (A) in the present invention contains a structural unit (a1) (hereinafter appropriately referred to as "structural unit (a1)") having a structure which generates a carboxyl group by an acid. The structural unit (a1) contains a structure in which a carboxyl group is protected.

구조 단위(a1)를 형성하기 위해 사용되는 화합물로서는, 카르복시기가 보호 됨으로써, 구조 단위(a1)를 형성하기 위해 사용되는 화합물이 될 수 있는 것이면 사용할 수 있다. 카르복시기를 갖는 화합물로서는, 예를 들면 아크릴산, 메타크릴산, 크로톤산, α-메틸-p-카르복시스티렌 등의 모노카르복시산; 말레산, 푸마르산, 시트라콘산, 메사콘산, 이타콘산 등의 디카르복시산을 들 수 있고, 특히 아크릴산, 메타크릴산이 바람직하다. 또한, 구조 단위(a1)로서는, 이들 카르복시기가 보호된 카르복시산 유래의 구조 단위를 바람직한 것으로서 들 수 있다.The compound used for forming the structural unit (a1) can be used as long as it can be a compound used for forming the structural unit (a1) by protecting the carboxyl group. Examples of the compound having a carboxyl group include monocarboxylic acids such as acrylic acid, methacrylic acid, crotonic acid and? -Methyl-p-carboxystyrene; And dicarboxylic acids such as maleic acid, fumaric acid, citraconic acid, mesaconic acid and itaconic acid. Of these, acrylic acid and methacrylic acid are particularly preferable. As the structural unit (a1), a structural unit derived from a carboxylic acid in which these carboxyl groups are protected is preferable.

구조 단위(a1)를 형성하기 위해 사용되는 라디칼 중합성 단량체의 바람직한 구체예로서는, 예를 들면 1-에톡시에틸메타크릴레이트, 1-에톡시에틸아크릴레이트, 1-메톡시에틸메타크릴레이트, 1-메톡시에틸아크릴레이트, 1-n-부톡시에틸메타크릴레이트, 1-n-부톡시에틸아크릴레이트, 1-이소부톡시에틸메타크릴레이트, 1-i-부톡시에틸아크릴레이트, 1-(2-에틸헥실옥시)에틸메타크릴레이트, 1-(2-에틸헥실옥시)에틸아크릴레이트, 1-n-프로폭시에틸메타크릴레이트, 1-n-프로폭시에틸아크릴레이트, 1-시클로헥실옥시에틸메타크릴레이트, 1-시클로헥실옥시에틸아크릴레이트, 1-(2-시클로헥실에톡시)에틸메타크릴레이트, 1-(2-시클로헥실에톡시)에틸아크릴레이트, 1-벤질옥시에틸메타크릴레이트, 1-벤질옥시에틸아크릴레이트, 메타크릴산테트라히드로-2H-피란-2-일, 아크릴산테트라히드로-2H-피란-2-일, 메타크릴산테트라히드로푸란-2-일, 아크릴산테트라히드로푸란-2-일 등을 들 수 있고, 특히 바람직한 것으로서는, 1-에톡시에틸메타크릴레이트, 1-에톡시에틸아크릴레이트, 메타크릴산테트라히드로푸란-2-일, 아크릴산테트라히드로푸란-2-일, 1-시클로헥실옥시에틸메타크릴레이트, 및 1-시클로헥실옥시에틸아크릴레이트이다. 이들의 구조 단위(a1)는, 1종 단독 또는 2종류 이상을 조합시켜 사용할 수 있다.Specific preferred examples of the radical polymerizable monomer used for forming the structural unit (a1) include 1-ethoxyethyl methacrylate, 1-ethoxyethyl acrylate, 1-methoxyethyl methacrylate, 1 1-n-butoxyethyl acrylate, 1-i-butoxyethyl acrylate, 1- (n-butoxyethyl methacrylate, 1-n-propyl methacrylate, 1-n-propyl methacrylate, 1-n-propyl methacrylate, 1- (1-cyclohexylethoxy) ethyl acrylate, 1-cyclohexyloxyethyl acrylate, 1- (2-cyclohexylethoxy) ethyl methacrylate, 1- Methacrylate, 1-benzyloxyethyl acrylate, tetrahydro-2H-pyran-2-yl methacrylate, 2-yl methacrylate, tetrahydrofuran-2-yl methacrylate, tetrahydrofuran-2-yl acrylate and the like. Particularly preferred examples thereof include 1-ethoxyethyl methacrylate , 1-ethoxyethyl acrylate, tetrahydrofuran-2-methacrylate tetrahydrofuran-2-yl acrylate, 1-cyclohexyloxyethyl methacrylate, and 1-cyclohexyloxyethyl acrylate. These structural units (a1) may be used alone or in combination of two or more.

구조 단위(a1)를 형성하기 위해 사용되는 라디칼 중합성 단량체는, 시판하는 것을 사용해도 되고, 공지의 방법으로 합성한 것을 사용할 수도 있다. 예를 들면 하기의 식 (Ⅱ)로 표시되는 단량체이면, 하기에 나타내는 바와 같이 (메타)아크릴산을 산 촉매의 존재 하에서 비닐에테르 화합물과 반응시킴으로써 합성할 수 있다.The radically polymerizable monomer used for forming the structural unit (a1) may be a commercially available product, or a product synthesized by a known method may be used. For example, the monomer represented by the following formula (II) can be synthesized by reacting (meth) acrylic acid with a vinyl ether compound in the presence of an acid catalyst as shown below.

Figure 112012056225030-pct00003
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식 (Ⅱ)에 있어서, R6은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R5은 식 (Ⅰ)에 있어서의 R3과 동의이다.In the formula (II), R 6 represents a hydrogen atom or a methyl group, and R 5 is the same as R 3 in the formula (I).

또한, 구조 단위(a1)는, 보호되는 카르복시기를 후술하는 구조 단위(a2)∼(a5)나 그 전구체(前驅體)와 중합한 후에, 카르복시기를 비닐에테르 화합물과 반응시킴으로써도 형성할 수 있다. 또한, 이와 같이 하여 형성되는 바람직한 구조 단위의 구체예는, 상기 라디칼 중합성 단량체의 바람직한 구체예 유래의 구조 단위와 같다.The structural unit (a1) can also be formed by reacting a carboxyl group with a vinyl ether compound after the protected carboxyl group is polymerized with the structural units (a2) to (a5) described below or a precursor thereof. Specific examples of the preferable structural unit thus formed are the same as the structural units derived from the preferred specific examples of the radical polymerizable monomer.

구조 단위(a1)는, 하기 일반식 (5)로 표시되는 구조 단위가 바람직하다.The structural unit (a1) is preferably a structural unit represented by the following general formula (5).

Figure 112012056225030-pct00004
Figure 112012056225030-pct00004

일반식 (5) 중, R1은 수소 원자 또는 탄소수 1∼4인 알킬기를 나타내고, L1은 카르보닐기 또는 페닐렌기를 나타내며, R21∼R27은 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 탄소수 1∼4인 알킬기를 나타낸다.In the general formula (5), R 1 represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, L 1 represents a carbonyl group or a phenylene group, R 21 to R 27 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms Alkyl group.

구조 단위(a1)의 바람직한 구체예로서는, 하기의 구조 단위(a1-1)∼(a1-8)를 예시할 수 있다. 이들 중에서 특히 바람직한 것은 (a1-1)∼(a1-4), (a1-7) 및 (a1-8)로 표시되는 구조 단위이다.As specific preferred examples of the structural unit (a1), the following structural units (a1-1) to (a1-8) can be exemplified. Especially preferred among these are structural units represented by (a1-1) to (a1-4), (a1-7) and (a1-8).

Figure 112012056225030-pct00005
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Figure 112012056225030-pct00006
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Figure 112012056225030-pct00007
Figure 112012056225030-pct00007

(A) 아세탈계 수지를 구성하는 전 구조 단위 중, 구조 단위(a1)의 함유율은 20∼60몰%이며, 25∼60몰%가 더 바람직하고, 25∼55몰%가 특히 바람직하다. 구조 단위(a1)를 상기의 비율로 함유시킴으로써, 고(高)감도인 감광성 수지 조성물을 얻을 수 있다.The content of the structural unit (a1) in the total structural units constituting the acetal-based resin (A) is 20 to 60 mol%, more preferably 25 to 60 mol%, and particularly preferably 25 to 55 mol%. By containing the structural unit (a1) in the above ratio, a photosensitive resin composition having high sensitivity can be obtained.

카르복시기 또는 페놀성 수산기를 갖는 구조 단위(a2)The structural unit (a2) having a carboxyl group or a phenolic hydroxyl group

(A) 아세탈계 수지는, 카르복시기 또는 페놀성 수산기를 갖는 구조 단위(a2)(이하, 적절히 「구조 단위(a2)」라고 함)를 함유한다.The acetal-based resin (A) contains a structural unit (a2) having a carboxyl group or a phenolic hydroxyl group (hereinafter appropriately referred to as "structural unit (a2)").

카르복시기를 갖는 구조 단위(a2-1)로서는, 예를 들면 불포화 모노카르복시산, 불포화 디카르복시산, 불포화 트리카르복시산 등의, 분자 중에 적어도 1개의 카르복시기를 갖는 불포화 카르복시산 등에 유래하는 구조 단위를 들 수 있다.Examples of the structural unit (a2-1) having a carboxyl group include a structural unit derived from an unsaturated carboxylic acid having at least one carboxyl group in the molecule, such as an unsaturated monocarboxylic acid, an unsaturated dicarboxylic acid or an unsaturated tricarboxylic acid.

카르복시기를 갖는 구조 단위(a2-1)를 얻기 위해 사용되는 불포화 카르복시산으로서는, 이하에 예시하는 것을 사용할 수 있다.As the unsaturated carboxylic acid used for obtaining the structural unit (a2-1) having a carboxyl group, those exemplified below can be used.

즉, 불포화 모노카르복시산으로서는, 아크릴산, 메타크릴산, 크로톤산, α-클로로아크릴산, 신남산 등을 예시할 수 있다.That is, examples of the unsaturated monocarboxylic acid include acrylic acid, methacrylic acid, crotonic acid,? -Chloroacrylic acid, cinnamic acid, and the like.

또한, 불포화 디카르복시산으로서는, 말레산, 푸마르산, 이타콘산, 시트라콘산, 메사콘산 등을 예시할 수 있다.Examples of the unsaturated dicarboxylic acid include maleic acid, fumaric acid, itaconic acid, citraconic acid, and mesaconic acid.

또한, 카르복시기를 갖는 구조 단위(a2-1)를 얻기 위해 사용되는 불포화 다가 카르복시산은, 그 산무수물이어도 된다. 구체적으로는, 무수 말레산, 무수 이타콘산, 무수 시트라콘산 등을 들 수 있다. 또한, 불포화 다가 카르복시산은, 다가 카르복시산의 모노(2-메타크릴로일옥시알킬)에스테르여도 되고, 예를 들면 숙신산모노(2-아크릴로일옥시에틸), 숙신산모노(2-메타크릴로일옥시에틸), 프탈산모노(2-아크릴로일옥시에틸), 프탈산모노(2-메타크릴로일옥시에틸) 등을 들 수 있다.The unsaturated polycarboxylic acid used for obtaining the structural unit (a2-1) having a carboxyl group may be an acid anhydride thereof. Specific examples thereof include maleic anhydride, itaconic anhydride, and citraconic anhydride. The unsaturated polycarboxylic acid may be a mono (2-methacryloyloxyalkyl) ester of a polyvalent carboxylic acid, and examples thereof include monosaccharide mono (2-acryloyloxyethyl), succinic acid mono Ethyl), phthalic acid mono (2-acryloyloxyethyl), phthalic acid mono (2-methacryloyloxyethyl), and the like.

또한, 불포화 다가 카르복시산은, 그 양말단 디카르복시폴리머의 모노(메타)아크릴레이트여도 되고, 예를 들면 ω-카르복시폴리카프로락톤모노아크릴레이트, ω-카르복시폴리카프로락톤모노메타크릴레이트 등을 들 수 있다.Further, the unsaturated polycarboxylic acid may be mono (meth) acrylate of the dicarboxylic polymer of both ends thereof, and examples thereof include ω-carboxypolycaprolactone monoacrylate, ω-carboxypolycaprolactone monomethacrylate, have.

또한, 불포화 카르복시산으로서는, 아크릴산-2-카르복시에틸에스테르, 메타크릴산-2-카르복시에틸에스테르, 말레산모노알킬에스테르, 푸마르산모노알킬에스테르, 4-카르복시스티렌 등도 사용할 수 있다.Examples of the unsaturated carboxylic acid include acrylic acid-2-carboxyethyl ester, methacrylic acid-2-carboxyethyl ester, maleic acid monoalkyl ester, fumaric acid monoalkyl ester and 4-carboxystyrene.

그 중에서도, 현상성의 관점에서, 카르복시기를 갖는 구조 단위(a2-1)를 형성하기 위해서는, 아크릴산, 메타크릴산을 사용하는 것이 바람직하다.Among them, acrylic acid and methacrylic acid are preferably used in order to form the structural unit (a2-1) having a carboxyl group from the viewpoint of developability.

또한, 카르복시기를 갖는 구조 단위(a2-1)는, 수산기를 갖는 구조 단위와, 산 무수물을 반응시킴으로써도 얻을 수 있다.The structural unit (a2-1) having a carboxyl group can also be obtained by reacting a structural unit having a hydroxyl group with an acid anhydride.

산 무수물로서는, 공지의 것을 사용할 수 있고, 구체적으로는, 무수 말레산, 무수 숙신산, 무수 이타콘산, 무수 프탈산, 테트라히드로 무수 프탈산, 헥사히드로 무수 프탈산, 무수 크로렌드산 등의 이염기산 무수물; 무수 트리멜리트산, 무수 피로멜리트산, 벤조페논테트라카르복시산 무수물, 비페닐테트라카르복시산 무수물 등의 산 무수물을 들 수 있다. 이들 중에서는, 현상성의 관점에서, 무수 프탈산, 테트라히드로 무수 프탈산, 또는 무수 숙신산이 바람직하다.As the acid anhydride, known dicarboxylic acid anhydrides such as maleic anhydride, succinic anhydride, itaconic anhydride, phthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride and anhydride anhydride; Acid anhydrides such as trimellitic anhydride, pyromellitic anhydride, benzophenonetetracarboxylic anhydride and biphenyltetracarboxylic anhydride. Of these, phthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, or succinic anhydride are preferable from the viewpoint of developability.

페놀성 수산기를 갖는 구조 단위(a2-2)를 형성하기 위해 사용되는 라디칼 중합성 단량체로서는, 예를 들면 p-히드록시스티렌, α-메틸-p-히드록시스티렌 등의 히드록시스티렌류, 일본국 특개2008-40183호 공보의 단락 〔0011〕∼〔0016〕에 기재된 화합물, 일본국 특허 제2888454호 공보의 단락 〔0007〕∼〔0010〕에 기재된 4-히드록시벤조산 유도체류, 4-히드록시벤조산과 메타크릴산글리시딜의 부가 반응물, 4-히드록시벤조산과 아크릴산글리시딜의 부가 반응물 등을 바람직한 것으로서 들 수 있다.Examples of the radically polymerizable monomer used for forming the structural unit (a2-2) having a phenolic hydroxyl group include hydroxystyrenes such as p-hydroxystyrene and? -Methyl-p-hydroxystyrene, Compounds described in paragraphs [0011] to [0016] of JP-A-2008-40183, 4-hydroxybenzoic acid derivatives described in paragraphs 0007 to 0010 of JP 2888454, 4-hydroxy- An addition reaction product of benzoic acid and glycidyl methacrylate, an addition reaction product of 4-hydroxybenzoic acid and glycidyl acrylate, and the like.

구조 단위(a2)를 형성하기 위해 사용되는 라디칼 중합성 단량체 중에서도, 메타크릴산, 아크릴산, 일본국 특개2008-40183호 공보의 단락 0011∼0016에 기재된 화합물, 일본국 특허 제2888454호 공보의 단락 0007∼0010에 기재된 4-히드록시벤조산 유도체류, 4-히드록시벤조산과 메타크릴산글리시딜의 부가 반응물, 4-히드록시벤조산과 아크릴산글리시딜의 부가 반응물이 더 바람직하지만, 투명성의 관점에서 메타크릴산, 아크릴산이 특히 바람직하다. 이들의 구조 단위는, 1종 단독 또는 2종류 이상을 조합시켜 사용할 수 있다.Of the radical polymerizable monomers used for forming the structural unit (a2), methacrylic acid, acrylic acid, compounds described in paragraphs 0011 to 001 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-40183, Hydroxyhexanoic acid derivative as described in JP-A-11010, an addition reaction product of 4-hydroxybenzoic acid and glycidyl methacrylate, an addition reaction product of 4-hydroxybenzoic acid and glycidyl acrylate are more preferable, Methacrylic acid, and acrylic acid are particularly preferable. These structural units may be used alone or in combination of two or more.

구조 단위(a2)는, (A) 아세탈계 수지가 알칼리 가용성이 되지 않는 범위에서 도입하는 것이 바람직하다. 상기 (A) 아세탈계 수지를 구성하는 전 구조 단위 중, 구조 단위(a2)의 함유율은 2∼20몰%이며, 2∼15몰%가 더 바람직하고, 3∼15몰%가 특히 바람직하다. 구조 단위(a2)를 상기의 비율로 함유시킴으로써, 고감도를 얻을 수 있고, 또한 현상성도 양호해진다. 특히 후술하는 구조 단위(a4)와 구조 단위(a2)를 병용함으로써, 매우 높은 감도를 얻을 수 있다.The structural unit (a2) is preferably introduced in such a range that the acetal resin (A) does not become alkali soluble. The content of the structural unit (a2) in the total structural units constituting the acetal-based resin (A) is 2 to 20 mol%, more preferably 2 to 15 mol%, and particularly preferably 3 to 15 mol%. By containing the structural unit (a2) in the above ratio, a high sensitivity can be obtained and the developing property can be improved. In particular, by using the structural unit (a4) and the structural unit (a2) described later in combination, a very high sensitivity can be obtained.

에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 구조 단위(a3)(A3) having an epoxy group and / or an oxetanyl group,

(A) 아세탈계 수지는, 에폭시기 또는 옥세타닐기를 갖는 구조 단위(a3)(이하, 적절히 「구조 단위(a3)」라고 함)를 함유한다. 구조 단위(a3)는 에폭시기 및 옥세타닐기를 갖는 구조 단위의 양쪽을 함유하고 있어도 된다.The acetal-based resin (A) contains a structural unit (a3) having an epoxy group or an oxetanyl group (hereinafter appropriately referred to as "structural unit (a3)"). The structural unit (a3) may contain both a structural unit having an epoxy group and an oxetanyl group.

에폭시기를 갖는 기로서는, 에폭시환을 갖고 있으면, 특별히 제한은 없지만, 글리시딜기, 3,4-에폭시시클로헥실메틸기를 바람직하게 예시할 수 있다.As the group having an epoxy group, a glycidyl group and a 3,4-epoxycyclohexylmethyl group can be preferably exemplified, as long as they have an epoxy ring, although there is no particular limitation.

옥세타닐기를 갖는 기로서는, 옥세탄환을 갖고 있으면 특별히 제한은 없지만, (3-에틸옥세탄-3-일)메틸기를 바람직하게 예시할 수 있다.The group having an oxetanyl group is not particularly limited as long as it has an oxetanyl ring, and (3-ethyloxetan-3-yl) methyl group is preferably exemplified.

구조 단위(a3)는, 1개의 구조 단위 중에 에폭시기 또는 옥세타닐기를 적어도 1개 갖고 있으면 되고, 1개 이상의 에폭시기 및 1개 이상 옥세타닐기, 2개 이상의 에폭시기, 또는, 2개 이상의 옥세타닐기를 갖고 있어도 되며, 특별히 한정되지 않지만, 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 합계 1∼3개 갖는 것이 바람직하고, 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 합계 1 또는 2개 갖는 것이 보다 바람직하며, 에폭시기 또는 옥세타닐기를 1개 갖는 것이 더 바람직하다.The structural unit (a3) may contain at least one epoxy group or oxetanyl group in one structural unit, and may contain at least one epoxy group and at least one oxetanyl group, at least two epoxy groups, or at least two oxetanyl groups Group, and it is preferable that the epoxy group and / or oxetanyl group have 1 to 3 epoxy groups and / or oxetanyl groups in total, more preferably 1 or 2 epoxy groups and / or oxetanyl groups in total, And it is more preferable to have one setlanyl group.

에폭시기를 갖는 구조 단위를 형성하기 위해 사용되는 라디칼 중합성 단량체의 구체예로서는, 예를 들면 아크릴산글리시딜, 메타크릴산글리시딜, α-에틸아크릴산글리시딜, α-n-프로필아크릴산글리시딜, α-n-부틸아크릴산글리시딜, 아크릴산-3,4-에폭시부틸, 메타크릴산-3,4-에폭시부틸, 아크릴산-6,7-에폭시헵틸, 메타크릴산-6,7-에폭시헵틸, α-에틸아크릴산-6,7-에폭시헵틸, o-비닐벤질글리시딜에테르, m-비닐벤질글리시딜에테르, p-비닐벤질글리시딜에테르, 일본국 특허 제4168443호 공보의 단락 〔0031〕∼〔0035〕에 기재된 지환식 에폭시 골격을 함유하는 화합물 등을 들 수 있다.Specific examples of the radical polymerizable monomer used to form the structural unit having an epoxy group include glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate, glycidyl? -Ethyl acrylate, glycidyl? -N-propyl acrylate Dicumyl acrylate, glycidyl alpha-n-butyl acrylate, 3,4-epoxybutyl acrylate, methacrylic acid-3,4-epoxybutyl acrylate, Heptyl,? -Ethyl acrylate-6,7-epoxyheptyl, o-vinylbenzyl glycidyl ether, m-vinylbenzyl glycidyl ether, p- vinylbenzyl glycidyl ether, paragraphs of Japanese Patent No. 4168443 Compounds containing an alicyclic epoxy skeleton described in [0031] to [0035], and the like.

옥세타닐기를 갖는 구조 단위를 형성하기 위해 사용되는 라디칼 중합성 단량체의 예로서는, 예를 들면 일본국 특개2001-330953호 공보의 단락 〔0011〕∼〔0016〕에 기재된 옥세타닐기를 갖는 (메타)아크릴산에스테르 등을 들 수 있다.Examples of the radically polymerizable monomer used for forming the oxetanyl group-containing structural unit include (meth) acrylates having an oxetanyl group as described in paragraphs [0011] to [0016] of JP 2001-330953 A, Acrylic acid esters and the like.

(a3) 구조 단위를 형성하기 위해 사용되는 라디칼 중합성 단량체의 예로서는, 메타크릴산에스테르 구조를 함유하는 모노머, 아크릴산에스테르 구조를 함유하는 모노머인 것이 바람직하다.Examples of the radically polymerizable monomer used for forming the structural unit (a3) include monomers containing a methacrylic acid ester structure and monomers containing an acrylic ester structure.

이들 모노머 중에서, 더 바람직한 것으로서는, 메타크릴산글리시딜, 아크릴산글리시딜, 일본국 특허 제4168443호 공보의 단락 〔0034〕∼〔0035〕에 기재된 지환식 에폭시 골격을 함유하는 화합물 및 일본국 특개2001-330953호 공보의 단락 〔0011〕∼〔0016〕에 기재된 옥세타닐기를 갖는 (메타)아크릴산에스테르이다.Of these monomers, glycidyl methacrylate, glycidyl acrylate, compounds containing an alicyclic epoxy skeleton described in paragraphs [0034] to [0035] of Japanese Patent No. 4168443, (Meth) acrylic acid ester having an oxetanyl group as described in paragraphs [0011] to [0016] of JP-A-2001-330953.

내열 투명성의 관점에서 특히 바람직한 것으로서는, 아크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸, 및 메타크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸 중 어느 것에 유래하는 구조 단위이다.Particularly preferable structural units derived from acrylic acid (3-ethyloxetan-3-yl) methyl and methacrylic acid (3-ethyloxetan-3-yl) methyl are particularly preferable from the viewpoint of heat resistance transparency.

이들의 구조 단위(a3)는, 1종 단독 또는 2종류 이상을 조합시켜 사용할 수 있다.These structural units (a3) may be used alone or in combination of two or more.

구조 단위(a3)의 바람직한 구체예로서는, 하기의 구조 단위를 예시할 수 있다.As specific preferred examples of the structural unit (a3), the following structural units can be exemplified.

Figure 112012056225030-pct00008
Figure 112012056225030-pct00008

상기 (A) 아세탈계 수지를 구성하는 전 구조 단위 중, 구조 단위(a3)의 함유율은 20∼55몰%이며, 25∼55몰%가 더 바람직하고, 25∼50몰%가 특히 바람직하다. 구조 단위(a3)를 상기의 비율로 함유시킴으로써, 경화막의 물성이 양호해진다.The content of the structural unit (a3) in the total structural units constituting the acetal-based resin (A) is 20 to 55 mol%, more preferably 25 to 55 mol%, and particularly preferably 25 to 50 mol%. By containing the structural unit (a3) in the above ratio, physical properties of the cured film are improved.

수산기 또는 알킬렌옥시기를 갖는 구조 단위(a4)The structural unit (a4) having a hydroxyl group or an alkyleneoxy group

상기 (A) 아세탈계 수지는, 수산기 또는 알킬렌옥시기를 갖는 구조 단위(a4)(이하, 적절히 「구조 단위(a4)」라고 함)를 함유한다. 수산기 및 알킬렌옥시기를 갖는 구조 단위의 양쪽을 함유하고 있어도 된다.The acetal-based resin (A) contains a structural unit (a4) having a hydroxyl group or an alkyleneoxy group (hereinafter appropriately referred to as "structural unit (a4)"). And may contain both a hydroxyl group and a structural unit having an alkyleneoxy group.

구조 단위(a4)에 있어서의 수산기란, 페놀성 수산기 이외의 수산기를 가리킨다. 또한, 상기한 구조 단위(a1)∼(a3)가 수산기를 가질 경우에는 구조 단위(a4)로서 취급하지 않고, 각각의 구조 단위(a1)∼(a3)로서 취급한다.The hydroxyl group in the structural unit (a4) refers to a hydroxyl group other than the phenolic hydroxyl group. When the above structural units (a1) to (a3) have a hydroxyl group, they are not treated as the structural unit (a4) but are treated as the respective structural units (a1) to (a3).

구조 단위(a4)로서는, 수산기 및/또는 알킬렌옥시기를 갖는 구조 단위이면 임의의 것을 사용할 수 있지만, 바람직한 것으로서는, 수산기 함유 (메타)아크릴산에스테르, 알킬기 말단 폴리알킬렌글리콜의 (메타)아크릴산에스테르 및 아릴기 말단 폴리알킬렌글리콜의 (메타)아크릴산에스테르 등에 유래하는 구조 단위를 들 수 있다.As the structural unit (a4), any structural unit having a hydroxyl group and / or an alkyleneoxy group can be used, and preferred examples thereof include a (meth) acrylic acid ester containing a hydroxyl group, a (meth) acrylic acid ester of an alkyl group-terminated polyalkylene glycol And (meth) acrylic acid esters of aryl-terminated polyalkylene glycols.

수산기 함유 (메타)아크릴산에스테르로서는, 예를 들면 (메타)아크릴산2-히드록시에틸, (메타)아크릴산2-히드록시프로필, (메타)아크릴산3-히드록시프로필, (메타)아크릴산 2,3-디히드록시프로필, (메타)아크릴산 4-히드록시부틸 등의 (메타)아크릴산의 히드록시알킬에스테르, 폴리에틸렌글리콜모노(메타)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜모노(메타)아크릴레이트, 폴리(에틸렌글리콜·프로필렌글리콜)-모노(메타)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜·폴리프로필렌글리콜-모노(메타)아크릴레이트, 폴리(에틸렌글리콜·테트라메틸렌글리콜)-모노(메타)아크릴레이트, 폴리(프로필렌글리콜·테트라메틸렌글리콜)-모노(메타)아크릴레이트, 프로필렌글리콜·폴리부틸렌글리콜-모노(메타)아크릴레이트를 바람직한 예로서 들 수 있다.Examples of the hydroxyl group-containing (meth) acrylic acid esters include 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 3-hydroxypropyl (meth) acrylate, Hydroxyalkyl esters of (meth) acrylic acid such as dihydroxypropyl and 4-hydroxybutyl (meth) acrylate, polyethyleneglycol mono (meth) acrylate, polypropyleneglycol mono (meth) acrylate, poly Propylene glycol-mono (meth) acrylate, poly (ethylene glycol-tetramethylene glycol) -mono (meth) acrylate, polyethylene glycol-polypropylene glycol- ) -Mono (meth) acrylate, and propylene glycol · polybutylene glycol-mono (meth) acrylate.

알킬기 말단폴리알킬렌글리콜의 (메타)아크릴산에스테르로서는, 예를 들면 메톡시폴리에틸렌글리콜-(메타)아크릴레이트, 옥톡시폴리에틸렌글리콜-폴리프로필렌글리콜-(메타)아크릴레이트, 라우록시폴리에틸렌글리콜-(메타)아크릴레이트, 스테아르옥시폴리에틸렌글리콜-(메타)아크릴레이트를 바람직한 예로서 들 수 있다.Examples of the (meth) acrylic acid esters of alkyl-terminated polyalkylene glycols include methoxypolyethylene glycol- (meth) acrylate, octoxypolyethylene glycol-polypropylene glycol- (meth) acrylate, lauroxypolyethylene glycol- ) Acrylate, and stearoxypolyethylene glycol- (meth) acrylate.

아릴기 말단 폴리알킬렌글리콜의 (메타)아크릴산에스테르로서는, 예를 들면 페녹시폴리에틸렌글리콜-(메타)아크릴레이트, 페녹시폴리에틸렌글리콜-폴리프로필렌글리콜-(메타)아크릴레이트, 노닐페녹시-폴리에틸렌글리콜-(메타)아크릴레이트, 노닐페녹시-폴리프로필렌글리콜-(메타)아크릴레이트, 노닐페녹시-폴리(에틸렌글리콜-프로필렌글리콜)-(메타)아크릴레이트를 바람직한 예로서 들 수 있다.Examples of the (meth) acrylic acid ester of the aryl group-terminated polyalkylene glycol include phenoxypolyethylene glycol- (meth) acrylate, phenoxypolyethylene glycol-polypropylene glycol- (meth) acrylate, nonylphenoxypolyethylene glycol (Meth) acrylate, nonylphenoxy-polypropylene glycol- (meth) acrylate and nonylphenoxy-poly (ethylene glycol-propylene glycol) - (meth) acrylate.

상기 수산기 함유 (메타)아크릴산에스테르, 알킬기 말단 폴리알킬렌글리콜의 (메타)아크릴산에스테르 및 아릴기 말단 폴리알킬렌글리콜의 (메타)아크릴산에스테르는, 시판하는 것을 사용하는 것이 가능하다. 대표예를 나타내면, 블렘머 E, 블렘머 PE-90, 블렘머 PE-200, 블렘머 PE-350, 블렘머 P, 블렘머 PP-1000, 블렘머 PP-500, 블렘머 PP-800, 블렘머 50PEP-300, 블렘머 70PEP-350B, 블렘머 55PET-800, 블렘머 PPT 시리즈, 블렘머 10PPB-500B, 블렘머 AE-90, 블렘머 AE-200, 블렘머 AE-400, 블렘머 AP-150, 블렘머 AP-400, 블렘머 AP-550, 블렘머 PME-100, 블렘머 PME-200, 블렘머 PME-400, 블렘머 PME-1000, 블렘머 50POEP-800B, 블렘머 PLE-200, 블렘머 PSE-400, 블렘머 PSE-1300, 블렘머 PAE-50, 블렘머 PAE-100, 블렘머 43PAPE-600B, 블렘머 AME-400, 블렘머 ALE 시리즈, 블렘머 ANP-300, 블렘머 75ANP- 600, 블렘머 AAE-50, 블렘머 AAE-300(이상, 상품명, 니치유 가부시키가이샤제) 등을 들 수 있다.A commercially available (meth) acrylic acid ester of a hydroxyl group, a (meth) acrylic acid ester of an alkyl group-terminated polyalkylene glycol and a (meth) acrylic acid ester of an aryl-terminated polyalkylene glycol can be used. Representative examples include, but are not limited to, blemmers E, blemmer PE-90, blemmer PE-200, blemmer PE-350, blemmer p, blemmer PP-1000, Blemmer AE-200, Blemmer AE-400, Blemmer AP-300, Blemmer 70PEP-350, Blemmer 55PET-800, 150, Blemmer AP-400, Blemmer AP-550, Blemmer PME-100, Blemmer PME-200, Blemmer PME-400, BLEMER PSE-400, BLEMMER PSE-1300, BLEMMER PAE-50, BLEMMER PAE-100, BLEMMER 43PAPE-600B, BLEMMER AME-400, BLEMMER ALE series, BLEMMER ANP-300, - 600, Blemmer AAE-50, Blemmer AAE-300 (trade name, manufactured by Nichiyu K.K.) and the like.

구조 단위(a4)에 있어서의, 수산기의 수는 1∼10개가 바람직하고, 1∼5개가 보다 바람직하며, 최적으로는 1∼3개이다. 또한, 알킬렌옥시기의 반복 단위수로서는 1∼25가 바람직하고, 1∼15가 보다 바람직하며, 1∼10이 가장 바람직하다.In the structural unit (a4), the number of hydroxyl groups is preferably 1 to 10, more preferably 1 to 5, and most preferably 1 to 3. The number of repeating units of the alkyleneoxy group is preferably 1 to 25, more preferably 1 to 15, and most preferably 1 to 10.

구조 단위(a4)의 바람직한 구체적인 구조로서는, (메타)아크릴산2-히드록시에틸, (메타)아크릴산2-히드록시프로필, (메타)아크릴산3-히드록시프로필, (메타)아크릴산 2,3-디히드록시프로필, 에틸렌글리콜 반복 단위가 2∼10개인 메톡시폴리에틸렌글리콜-(메타)아크릴레이트, 프로필렌글리콜 반복 단위가 2∼10개인 메톡시폴리프로필렌글리콜-(메타)아크릴레이트, 에틸렌글리콜 반복 단위와 프로필렌글리콜 반복 단위의 합이 2∼10개인 메톡시폴리에틸렌글리콜-폴리프로필렌글리콜-(메타)아크릴레이트, 에틸렌글리콜 반복 단위와 프로필렌글리콜 반복 단위의 합이 2∼10개인 옥톡시폴리에틸렌글리콜-폴리프로필렌글리콜-(메타)아크릴레이트, 에틸렌글리콜 반복 단위가 2∼10개인 폴리에틸렌글리콜모노(메타)아크릴레이트, 프로필렌글리콜 반복 단위가 2∼10개인 폴리프로필렌글리콜모노(메타)아크릴레이트, 에틸렌글리콜 반복 단위와 프로필렌글리콜 반복 단위의 합이 3∼10개인 폴리(에틸렌글리콜·프로필렌글리콜)-모노(메타)아크릴레이트, 에틸렌글리콜 반복 단위와 프로필렌글리콜 반복 단위의 합이 3∼10개인 폴리에틸렌글리콜·폴리프로필렌글리콜-모노(메타)아크릴레이트 등이며, 더 바람직하게는 (메타)아크릴산2-히드록시에틸, (메타)아크릴산2-히드록시프로필, (메타)아크릴산3-히드록시프로필, (메타)아크릴산 2,3-디히드록시프로필, 에틸렌글리콜 반복 단위가 2∼10개인 메톡시폴리에틸렌글리콜-(메타)아크릴레이트, 에틸렌글리콜 반복 단위와 프로필렌글리콜 반복 단위의 합이 2∼10개인 옥톡시폴리에틸렌글리콜-폴리프로필렌글리콜-(메타)아크릴레이트이며, 가장 바람직하게는 에틸렌글리콜 반복 단위가 2∼10개인 메톡시폴리에틸렌글리콜-(메타)아크릴레이트 및 2-히드록시에틸 (메타)아크릴레이트이다.Specific preferred structures of the structural unit (a4) include 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 3-hydroxypropyl (meth) acrylate, Methoxypolyethylene glycol- (meth) acrylate having 2 to 10 ethylene glycol repeating units, methoxypolypropylene glycol- (meth) acrylate having 2 to 10 propylene glycol repeating units, ethylene glycol repeating units and Methoxypolyethylene glycol-polypropylene glycol- (meth) acrylate having a sum of propylene glycol repeating units of 2 to 10, octoxypolyethylene glycol-polypropylene glycol having a sum of repeating units of ethylene glycol and propylene glycol of 2 to 10 - (meth) acrylate, polyethylene glycol mono (meth) acrylate having 2 to 10 ethylene glycol repeating units, 2 to 10 propylene glycol repeating units Poly (ethylene glycol-propylene glycol) -mono (meth) acrylate having a sum of ethylene glycol repeating units and propylene glycol repeating units of 3 to 10, ethylene glycol repeating units and propylene glycol (meth) Polypropylene glycol mono (meth) acrylate having a sum of repeating units of 3 to 10, and more preferably 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) (Meth) acrylate, 2,3-dihydroxypropyl (meth) acrylate, methoxypolyethylene glycol (meth) acrylate having 2 to 10 ethylene glycol repeating units, ethylene glycol repeating units and propylene glycol repeating units Octoxypolyethylene glycol-polypropylene glycol- (meth) acrylate having a sum of units of 2 to 10, and most preferably an ethylene glycol repeating unit Methoxypolyethylene glycol- (meth) acrylate and 2-hydroxyethyl (meth) acrylate having a stericity of 2 to 10.

구조 단위(a4)는 1종 단독 또는 2종류 이상을 조합시켜 사용할 수 있다.The structural unit (a4) may be used alone or in combination of two or more.

(A) 아세탈계 수지를 구성하는 전 구조 단위 중, 구조 단위(a4)의 함유율은 0.5∼30몰%이며, 0.5∼25몰%가 더 바람직하고, 1∼25몰%가 특히 바람직하다.The content of the structural unit (a4) in the total structural units constituting the acetal-based resin (A) is 0.5 to 30 mol%, more preferably 0.5 to 25 mol%, and particularly preferably 1 to 25 mol%.

또한, (A) 아세탈계 수지를 구성하는 전 구조 단위 중, 구조 단위(a4)의 함유량은 3∼30질량%이며, 3∼25질량%가 더 바람직하고, 5∼25질량%가 특히 바람직하다. 구조 단위(a4)를 상기의 비율로 함유시킴으로써, 현상성이 양호해지며, 고감도의 감광성 조성물을 얻을 수 있다. 특히, 상술한 구조 단위(a2)와 구조 단위(a4)를 조합시킴으로써, 매우 높은 감도의 감광성 수지 조성물을 얻을 수 있다.The content of the structural unit (a4) in the total structural units (A) constituting the acetal resin is 3 to 30 mass%, more preferably 3 to 25 mass%, and particularly preferably 5 to 25 mass% . By containing the structural unit (a4) in the above ratio, the developability is improved and a photosensitive composition with high sensitivity can be obtained. Particularly, by combining the above-mentioned structural unit (a2) and structural unit (a4), a photosensitive resin composition with extremely high sensitivity can be obtained.

그 밖의 구조 단위(a5)Other structural units (a5)

(A) 아세탈계 수지는, 본 발명의 효과를 방해하지 않는 범위에서, 상기 구조 단위(a1)∼(a4) 이외의 구조(이하, 적절히 「구조 단위(a5)」라고 함)를 함유해도 된다.The acetal-based resin (A) may contain a structure other than the above structural units (a1) to (a4) (hereinafter appropriately referred to as "structural unit (a5)") within a range not hindering the effect of the present invention .

구조 단위(a5)를 형성하기 위해 사용되는 라디칼 중합성 단량체로서는, 예를 들면 일본국 특개2004-264623호 공보의 단락 〔0021〕∼〔0024〕에 기재된 화합물을 들 수 있다(단, 상술한 구조 단위(a1)∼(a4)를 제외함).Examples of the radical polymerizable monomer used for forming the structural unit (a5) include the compounds described in paragraphs [0021] to [0024] of JP 2004-264623 A (however, Excluding units (a1) to (a4)).

이들 중에서도, 전기 특성 향상의 관점에서 (메타)아크릴산디시클로펜타닐, (메타)아크릴산시클로헥실, 아크릴산시클로헥실과 같은 지환 구조 함유의 (메타)아크릴산에스테르류가 바람직하다. 또한, 투명성의 관점에서는 (메타)아크릴산메틸이 바람직하다. 또한, 에칭 내성의 관점에서는 스티렌이나 α-메틸스티렌 등의 스티렌류가 바람직하다.Among them, (meth) acrylic acid esters containing an alicyclic structure such as dicyclopentanyl (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate and cyclohexyl acrylate are preferable from the viewpoint of improvement of electrical characteristics. From the viewpoint of transparency, methyl (meth) acrylate is preferable. From the viewpoint of etching resistance, styrenes such as styrene and? -Methylstyrene are preferable.

구조 단위(a5)는 1종 단독 또는 2종류 이상을 조합시켜 사용할 수 있다.The structural unit (a5) may be used alone or in combination of two or more.

(A) 아세탈계 수지를 구성하는 전 구조 단위 중, 구조 단위(a5)의 함유율은 0∼40몰%이다. (A) 아세탈계 수지가 구조 단위(a5)를 함유할 경우에는, (A) 아세탈계 수지를 구성하는 전 구조 단위 중, 구조 단위(a5)의 함유율은 1∼40몰%가 바람직하고, 5∼30몰%가 보다 바람직하며, 5∼25몰%가 특히 바람직하다.The content of the structural unit (a5) in the total structural units constituting the acetal-based resin (A) is 0 to 40 mol%. When the acetal resin (A) contains the structural unit (a5), the content of the structural unit (a5) in the total structural units (A) constituting the acetal-based resin is preferably from 1 to 40 mol% To 30 mol%, and particularly preferably from 5 to 25 mol%.

본 발명에 있어서의 (A) 아세탈계 수지의 중량 평균 분자량은 1,000∼50,000 인 것이 바람직하고, 2,000∼30,000인 것이 보다 바람직하며, 가장 바람직하게는 3,000∼12,000이다.The weight average molecular weight of the acetal resin (A) in the present invention is preferably 1,000 to 50,000, more preferably 2,000 to 30,000, and most preferably 3,000 to 12,000.

또한, 본 발명에 있어서의 중량 평균 분자량은, 겔투과 크로마토그래피(GPC)에 의한 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량이다.The weight average molecular weight in the present invention is the polystyrene reduced weight average molecular weight determined by gel permeation chromatography (GPC).

또한, 본 발명에 사용하는 (A) 아세탈계 수지가 함유하는 각 구조 단위를 도 입하는 방법은, 중합법이어도 되고, 고분자 반응법이어도 된다.The method for introducing each structural unit contained in the acetal-based resin (A) used in the present invention may be a polymerization method or a polymer reaction method.

중합법에서는, 소정의 관능기를 함유하는 모노머를 미리 합성한 후에, 이들의 모노머를 공중합한다. 즉, 구조 단위(a1), 구조 단위(a2), 구조 단위(a3), 구조 단위(a4), 및 필요에 따라 구조 단위(a5)를 형성하기 위해 사용되는 라디칼 중합성 단량체를 함유하는 라디칼 중합성 단량체 혼합물을 유기 용제 중, 라디칼 중합 개시제를 사용하여 중합함으로써 합성할 수 있다.In the polymerization method, monomers containing a predetermined functional group are synthesized in advance, and these monomers are copolymerized. That is, the radical polymerization (hereinafter also referred to as &quot; radical polymerization &quot;) containing a radical polymerizable monomer used for forming the structural unit (a1), the structural unit (a2), the structural unit (a3), the structural unit Can be synthesized by polymerization of a monomeric monomer mixture in an organic solvent using a radical polymerization initiator.

고분자 반응법에서는, 중합 반응을 행한 후에, 얻어진 공중합체의 구조 단위에 함유되는 반응성기를 이용하여 필요한 관능기를 구조 단위 중에 도입한다.In the polymer reaction method, a necessary functional group is introduced into the structural unit by using a reactive group contained in the structural unit of the obtained copolymer after the polymerization reaction.

상기한 구조 단위(a1)∼(a5)의 상기 (A) 아세탈계 수지에의 도입은, 중합법이어도 고분자 반응법이어도 되고, 이들 2 방법을 병용해도 된다.The introduction of the above structural units (a1) to (a5) into the acetal-based resin (A) may be carried out by a polymerization method or a polymer reaction method.

이하, 본 발명에서 사용되는 (A) 아세탈계 수지로서, 바람직한 것을 예시하지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니다.Preferred examples of the acetal resin (A) used in the present invention are illustrated below, but the present invention is not limited thereto.

또한, 하기에 예시한 (A) 아세탈계 수지의 중량 평균 분자량은 2,000∼30,000이다. ( ) 내에 조성비를 몰%로 나타낸다.The weight average molecular weight of the acetal-based resin (A) shown below is 2,000 to 30,000. (%) In mole%.

메타크릴산1-에톡시에틸/메타크릴산/메타크릴산글리시딜/메타크릴산2-히드록시에틸 공중합체(45/8/35/12),1-ethoxyethyl methacrylate / methacrylic acid / glycidyl methacrylate / 2-hydroxyethyl methacrylate copolymer (45/8/35/12),

메타크릴산1-에톡시에틸/메타크릴산/메타크릴산글리시딜/메타크릴산2-히드록시에틸/스티렌 공중합체(40/8/35/12/5),Methoxyethyl methacrylate / methacrylic acid / glycidyl methacrylate / 2-hydroxyethyl methacrylate / styrene copolymer (40/8/35/12/5),

메타크릴산1-시클로헥실옥시에틸/메타크릴산/메타크릴산글리시딜/메타크릴산2-히드록시에틸/스티렌 공중합체(40/8/35/12/5),1-cyclohexyloxyethyl methacrylate / methacrylic acid / glycidyl methacrylate / 2-hydroxyethyl methacrylate / styrene copolymer (40/8/35/12/5),

메타크릴산테트라히드로푸란-2-일/메타크릴산/메타크릴산글리시딜/메타크릴산2-히드록시에틸 공중합체(40/10/30/20),2-yl methacrylate / methacrylic acid / glycidyl methacrylate / 2-hydroxyethyl methacrylate copolymer (40/10/30/20),

메타크릴산테트라히드로푸란-2-일/메타크릴산/메타크릴산글리시딜/메타크릴산2-히드록시에틸/스티렌 공중합체(35/10/30/15/10),2-yl methacrylate / methacrylic acid / glycidyl methacrylate / 2-hydroxyethyl methacrylate / styrene copolymer (35/10/30/15/10),

메타크릴산1-에톡시에틸/메타크릴산/메타크릴산글리시딜/메타크릴산2-히드록시에틸/메타크릴산디시클로펜타닐 공중합체(42/11/25/18/4),Ethoxyethyl methacrylate / methacrylic acid / glycidyl methacrylate / 2-hydroxyethyl methacrylate / dicyclopentyl methacrylate copolymer (42/11/25/18/4),

메타크릴산1-에톡시에틸/메타크릴산/메타크릴산글리시딜/메타크릴산2-히드록시에틸/메타크릴산시클로헥실 공중합체(35/10/30/20/5),Methoxyethyl methacrylate, 1-ethoxyethyl methacrylate / methacrylic acid / glycidyl methacrylate / 2-hydroxyethyl methacrylate / cyclohexyl methacrylate copolymer (35/10/30/20/5),

메타크릴산1-에톡시에틸/메타크릴산/메타크릴산글리시딜/폴리(에틸렌글리콜·프로필렌글리콜)-모노메타크릴레이트(블렘머 50PEP-300, 니치유(주)제)/메타크릴산디시클로펜타닐 공중합체(55/9/30/2/4),Methacrylic acid / glycidyl methacrylate / poly (ethylene glycol / propylene glycol) -monomethacrylate (Blemmer 50PEP-300, manufactured by Nichiyu Corporation) / methacrylic acid Acid dicyclopentyl copolymer (55/9/30/2/4),

메타크릴산1-에톡시에틸/메타크릴산/메타크릴산글리시딜/메톡시폴리에틸렌글리콜메타크릴레이트(블렘머 PME-400, 니치유(주)제) 공중합체(44/4.5/50/1.5),Methacrylic acid / glycidyl methacrylate / methoxypolyethylene glycol methacrylate (Blemmer PME-400, manufactured by Nichiyu Corporation) copolymer (44 / 4.5 / 50 / 1.5),

메타크릴산1-시클로헥실옥시에틸/아크릴산/메타크릴산글리시딜/메톡시폴리에틸렌글리콜메타크릴레이트(블렘머 PME-400, 니치유(주)제) 공중합체(45/10/43/2),Copolymer of 1-cyclohexyloxyethyl methacrylate / acrylic acid / glycidyl methacrylate / methoxypolyethylene glycol methacrylate (Blemmer PME-400, manufactured by Nichiyu Corporation) (45/10/43/2 ),

메타크릴산1-시클로헥실옥시에틸/메타크릴산/메타크릴산글리시딜/메톡시폴리에틸렌글리콜메타크릴레이트(블렘머 PME-400, 니치유(주)제)/메타크릴산디시클로펜타닐 공중합체(43/15/30/2/10),Methacrylic acid / glycidyl methacrylate / methoxypolyethylene glycol methacrylate (Blemmer PME-400, manufactured by Nichiyu Corporation) / di-cyclopentanyl methacrylate copolymer (43/15/30/2/10),

메타크릴산테트라히드로-2H-피란-2-일/메타크릴산/메타크릴산글리시딜/메타크릴산2-히드록시에틸 공중합체(40/12/28/20),Methacrylic acid / glycidyl methacrylate / 2-hydroxyethyl methacrylate copolymer (40/12/28/20), methacrylic acid / glycidyl methacrylate /

메타크릴산테트라히드로-2H-피란-2-일/메타크릴산/메타크릴산글리시딜/메타크릴산2-히드록시에틸/스티렌 공중합체(35/12/28/15/10),Methacrylic acid / glycidyl methacrylate / 2-hydroxyethyl methacrylate / styrene copolymer (35/12/28/15/10), methacrylic acid / glycidyl methacrylate /

메타크릴산1-에톡시에틸/메타크릴산/메타크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸/메타크릴산2-히드록시에틸 공중합체(40/10/30/20),Methacrylic acid / methacrylic acid (3-ethyloxetan-3-yl) methyl / methacrylic acid 2-hydroxyethyl copolymer (40/10/30/20), 1-ethoxyethyl methacrylate /

메타크릴산테트라히드로푸란-2-일/메타크릴산/메타크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸/메타크릴산2-히드록시에틸 공중합체(40/10/30/20),(40/10/30/20) methacrylic acid tetrahydrofuran-2-yl / methacrylic acid / methacrylic acid (3-ethyloxetan-3-yl) methyl / methacrylic acid 2-hydroxyethyl copolymer ,

메타크릴산테트라히드로푸란-2-일/메타크릴산/메타크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸/메타크릴산2-히드록시에틸 공중합체(35/10/33/12/10),Methacrylic acid / 3-ethyloxetane-3-yl) methyl / methacrylic acid 2-hydroxyethyl copolymer (35/10/33/12 / 10),

메타크릴산1-에톡시에틸/메타크릴산/메타크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸/메톡시폴리에틸렌글리콜메타크릴레이트(블렘머 PME-400, 니치유(주)제) 공중합체(40/10/46/4),Methacrylic acid / methacrylic acid (3-ethyloxetan-3-yl) methyl / methoxypolyethylene glycol methacrylate (Blemmer PME-400, manufactured by Nichiyu Corporation) Copolymer (40/10/46/4),

메타크릴산1-에톡시에틸/메타크릴산/메타크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸/메톡시폴리에틸렌글리콜메타크릴레이트(블렘머 PME-400, 니치유(주)제)/메타크릴산2-히드록시에틸 공중합체(45/10/30/1/14),Methacrylic acid / methacrylic acid (3-ethyloxetan-3-yl) methyl / methoxypolyethylene glycol methacrylate (Blemmer PME-400, manufactured by Nichiyu Corporation) / Methacrylic acid 2-hydroxyethyl copolymer (45/10/30/1/14),

메타크릴산1-에톡시에틸/메타크릴산/메타크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸/메타크릴산2-히드록시에틸/메타크릴산디시클로펜타닐 공중합체(40/10/25/20/5),Methacrylic acid / 3-ethyloxetane-3-yl) methyl methacrylate / 2-hydroxyethyl methacrylate / dicyclopentyl methacrylate copolymer (40/10 / 25/20/5),

메타크릴산1-에톡시에틸/메타크릴산/메타크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸/메타크릴산2-히드록시에틸/메타크릴산메틸 공중합체(38/7/35/15/5),Methacrylic acid / 3-ethyloxetane-3-yl) methyl methacrylate / 2-hydroxyethyl methacrylate / methyl methacrylate copolymer (38/7/35 / 15/5),

메타크릴산1-에톡시에틸/메타크릴산/메타크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸/메톡시폴리에틸렌글리콜메타크릴레이트(블렘머 PME-200, 니치유(주)제) 공중합체(50/8/37/5),Methacrylic acid / methacrylic acid (3-ethyloxetan-3-yl) methyl / methoxypolyethylene glycol methacrylate (Blemmer PME-200, manufactured by Nichiyu K.K.) Copolymer (50/8/37/5),

메타크릴산1-에톡시에틸/메타크릴산/메타크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸/메타크릴산 2,3-디히드록시프로필 공중합체(40/7/30/23),Methacrylic acid / methacrylic acid (3-ethyloxetan-3-yl) methyl / methacrylic acid 2,3-dihydroxypropyl copolymer (40/7/30/23 ),

메타크릴산1-시클로헥실옥시에틸/메타크릴산/메타크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸/메톡시폴리에틸렌글리콜메타크릴레이트(블렘머 PME-400, 니치유(주)제) 공중합체(41/14/41/4),Methacrylic acid / methacrylic acid (3-ethyloxetan-3-yl) methyl / methoxypolyethylene glycol methacrylate (Blemmer PME-400, manufactured by Nichiyu K.K.) ) Copolymer (41/14/41/4),

메타크릴산1-시클로헥실옥시에틸/메타크릴산/메타크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸/메타크릴산2-히드록시에틸 공중합체(40/10/25/25),(40/10/25/25), methacrylic acid / methacrylic acid (3-ethyloxetan-3-yl) methyl methacrylate / 2-hydroxyethyl copolymer

메타크릴산테트라히드로-2H-피란-2-일/메타크릴산/메타크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸/메타크릴산 2,3-디히드록시프로필 공중합체(40/5/30/25),2-yl methacrylate / methacrylic acid (3-ethyloxetan-3-yl) methyl / methacrylic acid 2,3-dihydroxypropyl copolymer (40 / 5/30/25),

메타크릴산1-시클로헥실옥시에틸/아크릴산/아크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸/메톡시폴리에틸렌글리콜메타크릴레이트(블렘머 PME-200, 니치유(주)제) 공중합체(40/12/44/4),(Blemmer PME-200, manufactured by Nichiyu Corporation) copolymer (manufactured by Nippon Oil & Fats Co., Ltd.) (methacrylic acid-1-cyclohexyloxyethyl methacrylate / acrylic acid / 40/12/44/4),

메타크릴산1-에톡시에틸/메타크릴산/아크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸/메타크릴산2-히드록시에틸 공중합체(40/10/32/18),Methacrylic acid / (3-ethyloxetan-3-yl) methyl methacrylate / 2-hydroxyethyl copolymer (40/10/32/18), methacrylic acid /

메타크릴산1-에톡시에틸/메타크릴산/메타크릴산3,4-에폭시시클로헥실메틸/메타크릴산2-히드록시에틸 공중합체(40/5/35/20),Methacrylic acid / 3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate / 2-hydroxyethyl methacrylate copolymer (40/5/35/20), methacrylic acid / methacrylic acid /

메타크릴산1-에톡시에틸/아크릴산/메타크릴산3,4-에폭시시클로헥실메틸/메톡시폴리에틸렌글리콜메타크릴레이트(블렘머 PME-200, 니치유(주)제)/메타크릴산메틸 공중합체(40/15/35/5/5),Methacrylic acid / methacrylic acid / 3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate / methoxypolyethylene glycol methacrylate (Blemmer PME-200, manufactured by Nichiyu Corporation) / methyl methacrylate copolymer Coalescence (40/15/35/5/5),

메타크릴산1-에톡시에틸/4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시-2-히드록시프로필)에스테르/메타크릴산글리시딜/메타크릴산2-히드록시에틸 공중합체(30/12/38/20),(3-methacryloyloxy-2-hydroxypropyl) ester / glycidyl methacrylate / 2-hydroxyethyl methacrylate copolymer (30 / 12/38/20),

메타크릴산1-에톡시에틸/4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시프로필)에스테르/메타크릴산글리시딜/메타크릴산2-히드록시에틸 공중합체(40/7/35/18).Methacrylic acid / glycidyl methacrylate / 2-hydroxyethyl methacrylate copolymer (40/7/35/35) was added to the mixture of 1-ethoxyethyl methacrylate / 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxypropyl) 18).

(A) 아세탈계 수지는, 감광성 수지 조성물에 1종 단독 또는 2종류 이상을 조합시켜 사용할 수 있다.The acetal-based resin (A) may be used alone or in combination of two or more kinds in the photosensitive resin composition.

(A) 아세탈계 수지에 있어서의 구조 단위(a1)∼(a5)의 함유비는, (A) 아세탈계 수지를 1로 했을 경우에 몰 환산으로, 구조 단위(a1):구조 단위(a2):구조 단위(a3):구조 단위(a4):구조 단위(a5)=(0.2∼0.65):(0.02∼0.2):(0.2∼0.60):(0.005∼0.3):(0∼0.4)이며, (0.25∼0.6):(0.02∼0.15):(0.25∼0.55):(0.005∼0.25):(0∼0.3)인 것이 보다 바람직하고, (0.25∼0.55):(0.03∼0.15):(0.25∼0.5):(0.01∼0.25):(0∼0.25)인 것이 더 바람직하다.The content ratio of the structural units (a1) to (a5) in the acetal-based resin (A) is preferably in a molar ratio of the structural unit (a1) : Structural unit (a3): structural unit (a4): structural unit (a5) = (0.2-0.65): (0.02-0.2) :( 0.2-0.60) :( 0.005-0.3): (0-0.4) (0.25 to 0.6) :( 0.02 to 0.15) :( 0.25 to 0.55) :( 0.005 to 0.25) :( 0 to 0.3), more preferably (0.25 to 0.55) :( 0.03 to 0.15) 0.5): (0.01 to 0.25): (0 to 0.25).

또한, (A) 아세탈계 수지를 구성하는 전 구조 단위 중, 구조 단위(a4)의 함유량은 3∼30질량%이며, 3∼25질량%가 더 바람직하고, 5∼25질량%가 특히 바람직하다.The content of the structural unit (a4) in the total structural units (A) constituting the acetal resin is 3 to 30 mass%, more preferably 3 to 25 mass%, and particularly preferably 5 to 25 mass% .

본 발명의 감광성 수지 조성물 중의 (A) 아세탈계 수지의 함유량은, 감광성 수지 조성물의 전 고형분에 대하여 20∼99질량%인 것이 바람직하고, 40∼97질량%인 것이 보다 바람직하며, 60∼95질량%인 것이 더 바람직하다. 함유량이 이 범위이면, 현상했을 때의 패턴 형성성이 양호해진다. 또한, 감광성 수지 조성물의 고형분량이란, 용제 등의 휘발성 성분을 제외한 양을 나타낸다.The content of the acetal-based resin (A) in the photosensitive resin composition of the present invention is preferably 20 to 99% by mass, more preferably 40 to 97% by mass, more preferably 60 to 95% by mass with respect to the total solid content of the photosensitive resin composition % Is more preferable. When the content is within this range, the pattern forming property upon development becomes good. The solid content of the photosensitive resin composition means an amount excluding a volatile component such as a solvent.

또한, 본 발명의 감광성 수지 조성물 중에서는, 본 발명의 효과를 방해하지 않는 범위에서 (A) 아세탈계 수지 이외의 수지를 병용해도 된다. 단, (A) 아세탈계 수지 이외의 수지의 함유량은, 현상성의 관점에서 (A) 아세탈계 수지의 함유량보다 적은 쪽이 바람직하다.In the photosensitive resin composition of the present invention, a resin other than the acetal resin (A) may be used in combination within a range not hindering the effect of the present invention. However, the content of the resin other than the acetal-based resin (A) is preferably smaller than the content of the acetal-based resin (A) from the viewpoint of developability.

(B) 광산발생제(B)

본 발명의 감광성 수지 조성물은 (B) 광산발생제를 함유한다.The photosensitive resin composition of the present invention contains (B) a photoacid generator.

본 발명에서 사용되는 (B) 광산발생제로서는, 파장 300㎚ 이상, 바람직하게는 파장 300∼450㎚의 활성 광선에 감응하여, 산을 발생시키는 화합물이 바람직하지만, 그 화학 구조는 제한되는 것이 아니다. 또한, 파장 300㎚ 이상의 활성 광선에 직접 감응하지 않은 광산발생제에 대해서도, 증감제와 병용함으로써 파장 300㎚ 이상의 활성 광선에 감응하여, 산을 발생시키는 화합물이면, 증감제와 조합시켜 바람직하게 사용할 수 있다.As the (B) photoacid generator used in the present invention, a compound which generates an acid upon exposure to an actinic ray having a wavelength of 300 nm or longer, preferably 300-450 nm is preferable, but its chemical structure is not limited . In the case of a photoacid generator which does not directly react with an actinic ray having a wavelength of 300 nm or more, a compound capable of generating an acid upon exposure to an actinic ray having a wavelength of 300 nm or more by being used in combination with a sensitizer, have.

본 발명에서 사용되는 광산발생제로서는, pKa이 4 이하의 산을 발생시키는 광산발생제가 바람직하고, pKa이 3 이하의 산을 발생시키는 광산발생제가 보다 바람직하다.As the photoacid generator used in the present invention, a photoacid generator that generates an acid with a pKa of 4 or less is preferable, and a photoacid generator that generates an acid with a pKa of 3 or less is more preferable.

광산발생제의 예로서, 트리클로로메틸-s-트리아진류, 설포늄염이나 요오도늄염, 제4급 암모늄염류, 디아조메탄 화합물, 이미드설포네이트 화합물, 및 옥심설포네이트 화합물 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 고감도인 관점에서, 옥심설포네이트 화합물을 사용하는 것이 바람직하다. 이들 광산발생제는, 1종 단독 또는 2종류 이상을 조합시켜 사용할 수 있다.Examples of the photoacid generator include trichloromethyl-s-triazine, sulfonium salts and iodonium salts, quaternary ammonium salts, diazomethane compounds, imide sulfonate compounds and oxime sulfonate compounds . Of these, oxime sulfonate compounds are preferably used from the viewpoint of high sensitivity. These photoacid generators may be used alone or in combination of two or more.

이들 광산발생제의 구체예로서는, 이하를 예시할 수 있다:Specific examples of these photoacid generators include the following:

트리클로로메틸-s-트리아진류로서, 2-(3-클로로페닐)-비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(4-메톡시페닐)-비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(4-메틸티오페닐)-비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(4-메톡시-β-스티릴)-비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-피페로닐-비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-[2-(푸란-2-일)에테닐]-비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-[2-(5-메틸푸란-2-일)에테닐]-비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-[2-(4-디에틸아미노-2-메틸페닐)에테닐]-비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진, 또는, 2-(4-메톡시나프틸)-비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진 등;As trichloromethyl-s-triazines, 2- (3-chlorophenyl) -bis (4,6-trichloromethyl) -s-triazine, 2- (4-methoxyphenyl) -S-triazine, 2- (4-methylthiophenyl) -bis (4,6-trichloromethyl) Triazine, 2-piperonyl-bis (4,6-trichloromethyl) -s-triazine, 2- [2- (furan- (4,6-trichloromethyl) -s-triazine, 2- [2- (5-methylfuran-2-yl) ethenyl] -bis (4,6-trichloromethyl) -s-triazine, or 2- (4-methylphenyl) ethenyl] -bis Naphthyl) -bis (4,6-trichloromethyl) -s-triazine;

디아릴요오도늄염류로서, 디페닐요오도늄트리플루오로아세테이트, 디페닐요오도늄트리플루오로메탄설포네이트, 4-메톡시페닐페닐요오도늄트리플루오로메탄설포네이트, 4-메톡시페닐페닐요오도늄트리플루오로아세테이트, 페닐-4-(2'-히드록시-1'-테트라데카옥시)페닐요오도늄트리플루오로메탄설포네이트, 4-(2'-히드록시-1'-테트라데카옥시)페닐요오도늄헥사플루오로안티모네이트, 또는, 페닐-4-(2'-히드록시-1'-테트라데카옥시)페닐요오도늄p-톨루엔설포네이트 등;As the diaryl iodonium salts, diphenyl iodonium trifluoroacetate, diphenyl iodonium trifluoromethane sulfonate, 4-methoxyphenylphenyl iodonium trifluoromethane sulfonate, 4-methoxy (2'-hydroxy-1'-tetradecarboxy) phenyl iodonium trifluoromethanesulfonate, phenyl 4- (2'-hydroxy-1'- -Tetradecaoxy) phenyliodonium hexafluoroantimonate or phenyl-4- (2'-hydroxy-1'-tetradecarboxy) phenyl iodonium p-toluenesulfonate;

트리아릴설포늄염류로서, 트리페닐설포늄트리플루오로메탄설포네이트, 트리페닐설포늄트리플루오로아세테이트, 4-메톡시페닐디페닐설포늄트리플루오로메탄설포네이트, 4-메톡시페닐디페닐설포늄트리플루오로아세테이트, 4-페닐티오페닐디페닐설포늄트리플루오로메탄설포네이트, 또는 4-페닐티오페닐디페닐설포늄트리플루오로아세테이트 등;As the triarylsulfonium salts, triphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, triphenylsulfonium trifluoroacetate, 4-methoxyphenyldiphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, 4-methoxyphenyldiphenyl Sulfonium trifluoroacetate, 4-phenylthiophenyldiphenylsulfonium trifluoromethane sulfonate, or 4-phenylthiophenyldiphenylsulfonium trifluoroacetate; and the like;

제4급 암모늄염류로서, 테트라메틸암모늄부틸트리스(2,6-디플루오로페닐)보레이트, 테트라메틸암모늄헥실트리스(p-클로로페닐)보레이트, 테트라메틸암모늄헥실트리스(3-트리플루오로메틸페닐)보레이트, 벤질디메틸페닐암모늄부틸트리스(2,6-디플루오로페닐)보레이트, 벤질디메틸페닐암모늄헥실트리스(p-클로로페닐)보레이트, 벤질디메틸페닐암모늄헥실트리스(3-트리플루오로메틸페닐)보레이트 등;Examples of the quaternary ammonium salts include tetramethylammonium butyltris (2,6-difluorophenyl) borate, tetramethylammonium hexyltris (p-chlorophenyl) borate, tetramethylammonium hexyltris (3-trifluoromethylphenyl) (P-chlorophenyl) borate, benzyldimethylphenylammonium hexyltris (3-trifluoromethylphenyl) borate, and the like can be used. ;

디아조메탄 유도체로서, 비스(시클로헥실설포닐)디아조메탄, 비스(t-부틸설포닐)디아조메탄, 비스(p-톨루엔설포닐)디아조메탄 등;Diazomethane derivatives such as bis (cyclohexylsulfonyl) diazomethane, bis (t-butylsulfonyl) diazomethane, bis (p-toluenesulfonyl) diazomethane and the like;

이미드설포네이트 유도체로서, 트리플루오로메틸설포닐옥시비시클로[2.2.1]-헵토-5-엔-디카르복시이미드, 숙신이미드트리플루오로메틸설포네이트, 프탈이미드트리플루오로메틸설포네이트, N-히드록시나프탈이미드메탄설포네이트, N-히드록시-5-노르보르넨-2,3-디카르복시이미드프로판설포네이트 등.As the imide sulfonate derivative, trifluoromethylsulfonyloxybicyclo [2.2.1] -hept-5-ene-dicarboxyimide, succinimide trifluoromethylsulfonate, phthalimide trifluoromethylsulfone N-hydroxynaphthalimide methanesulfonate, N-hydroxy-5-norbornene-2,3-dicarboxyimidopropane sulfonate, and the like.

본 발명의 감광성 수지 조성물은, (B) 광산발생제로서 하기 구조 (1)로 표시되는 옥심설포네이트 잔기를 적어도 1개 갖는 옥심설포네이트 화합물을 함유하는 것이 바람직하다.The photosensitive resin composition of the present invention preferably contains an oxime sulfonate compound having at least one oxime sulfonate moiety represented by the following structure (1) as the (B) photoacid generator.

Figure 112012056225030-pct00009
Figure 112012056225030-pct00009

상기 구조 (1)로 표시되는 옥심설포네이트 잔기를 적어도 1개 갖는 화합물로서는, 하기 일반식 (OS-3), 일반식 (OS-4), 또는 일반식 (OS-5)로 표시되는 옥심설포네이트 화합물인 것이 바람직하다.Examples of the compound having at least one oxime sulfonate residue represented by the above structure (1) include oximesulfosuccinimide represented by the following general formula (OS-3), general formula (OS-4) It is preferably a compound of the formula (I).

Figure 112012056225030-pct00010
Figure 112012056225030-pct00010

일반식 (OS-3)∼(OS-5) 중, R1은 알킬기, 아릴기, 또는 헤테로아릴기를 나타내고, 복수 존재하는 R2은 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기, 아릴기, 또는 할로겐 원자를 나타내며, 복수 존재하는 R6은 각각 독립적으로, 할로겐 원자, 알킬기, 알킬옥시기, 설폰산기, 아미노설포닐기, 또는 알콕시설포닐기를 나타내고, X는 O 또는 S를 나타내며, n은 1 또는 2를 나타내고, m은 0∼6인 정수를 나타낸다.In the general formulas (OS-3) to (OS-5), R 1 represents an alkyl group, an aryl group, or a heteroaryl group, and the plurality of R 2 s present may be independently selected from the group consisting of a hydrogen atom, an alkyl group, R 6 represents a halogen atom, an alkyl group, an alkyloxy group, a sulfonic acid group, an aminosulfonyl group or an alkoxysulfonyl group, X represents O or S, and n represents 1 or 2, And m represents an integer of 0 to 6;

상기 일반식 (OS-3)∼(OS-5) 중, R1으로 표시되는 알킬기, 아릴기 또는 헤테로아릴기는, 치환기를 갖고 있어도 된다.In the general formulas (OS-3) to (OS-5), the alkyl group, aryl group or heteroaryl group represented by R 1 may have a substituent.

상기 일반식 (OS-3)∼(OS-5) 중, R1으로 표시되는 알킬기로서는, 치환기를 갖고 있어도 되는 총 탄소수 1∼30인 알킬기인 것이 바람직하다.In the general formulas (OS-3) to (OS-5), the alkyl group represented by R 1 is preferably an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms in total which may have a substituent.

R1으로 표시되는 알킬기가 갖고 있어도 되는 치환기로서는, 할로겐 원자, 알킬옥시기, 아릴옥시기, 알킬티오기, 아릴티오기, 알킬옥시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 아미노카르보닐기를 들 수 있다.Examples of the substituent which the alkyl group represented by R 1 may have include a halogen atom, an alkyloxy group, an aryloxy group, an alkylthio group, an arylthio group, an alkyloxycarbonyl group, an aryloxycarbonyl group and an aminocarbonyl group.

상기 일반식 (OS-3)∼(OS-5) 중, R1으로 표시되는 알킬기로서는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, s-부틸기, t-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-옥틸기, n-데실기, n-도데실기, 트리플루오로메틸기, 퍼플루오로프로필기, 퍼플루오로헥실기, 벤질기 등을 들 수 있다.Examples of the alkyl group represented by R 1 in the general formulas (OS-3) to (OS-5) include an alkyl group such as a methyl group, ethyl group, n-propyl group, N-hexyl group, n-decyl group, n-dodecyl group, trifluoromethyl group, perfluoropropyl group, perfluorohexyl group, benzyl group, etc. .

또한, 상기 일반식 (OS-3)∼(OS-5) 중, R1으로 표시되는 아릴기로서는, 치환기를 가져도 되는 총 탄소수 6∼30인 아릴기가 바람직하다.In the general formulas (OS-3) to (OS-5), the aryl group represented by R 1 is preferably an aryl group having a total of 6 to 30 carbon atoms and may have a substituent.

R1으로 표시되는 아릴기가 갖고 있어도 되는 치환기로서는, 할로겐 원자, 알킬기, 알킬옥시기, 아릴옥시기, 알킬티오기, 아릴티오기, 알킬옥시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 아미노카르보닐기, 설폰산기, 아미노설포닐기, 알콕시설포닐기를 들 수 있다.Examples of the substituent which the aryl group represented by R 1 may have include halogen atoms, alkyl groups, alkyloxy groups, aryloxy groups, alkylthio groups, arylthio groups, alkyloxycarbonyl groups, aryloxycarbonyl groups, aminocarbonyl groups, An alkoxy group, an alkoxy group, an alkoxy group, an alkoxy group,

R1으로 표시되는 아릴기로서는, 페닐기, p-메틸페닐기, p-클로로페닐기, 펜타클로로페닐기, 펜타플루오로페닐기, o-메톡시페닐기, p-페녹시페닐기가 바람직하다. As the aryl group represented by R 1 , a phenyl group, p-methylphenyl group, p-chlorophenyl group, pentachlorophenyl group, pentafluorophenyl group, o-methoxyphenyl group and p-phenoxyphenyl group are preferable.

또한, 상기 일반식 (OS-3)∼(OS-5) 중, R1으로 표시되는 헤테로아릴기로서는, 치환기를 가져도 되는 총 탄소수 4∼30인 헤테로아릴기가 바람직하다.Of the above general formulas (OS-3) to (OS-5), the heteroaryl group represented by R 1 is preferably a heteroaryl group having 4 to 30 total carbon atoms which may have a substituent.

R1으로 표시되는 헤테로아릴기가 갖고 있어도 되는 치환기로서는, 할로겐 원자, 알킬기, 알킬옥시기, 아릴옥시기, 알킬티오기, 아릴티오기, 알킬옥시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 아미노카르보닐기, 설폰산기, 아미노설포닐기, 알콕시설포닐기를 들 수 있다.Examples of the substituent which the heteroaryl group represented by R 1 may have include a halogen atom, an alkyl group, an alkyloxy group, an aryloxy group, an alkylthio group, an arylthio group, an alkyloxycarbonyl group, an aryloxycarbonyl group, an aminocarbonyl group, A sulfonyl group, and an alkoxysulfonyl group.

상기 일반식 (OS-3)∼(OS-5) 중, R1으로 표시되는 헤테로아릴기는, 적어도 1개의 복소 방향환이면 되고, 예를 들면 복소 방향환과 벤젠환이 축환(縮環)해 있어도 된다.In the above general formulas (OS-3) to (OS-5), the heteroaryl group represented by R 1 may be at least one heteroaromatic ring, and for example, a heterocyclic ring and a benzene ring may be condensed .

R1으로 표시되는 헤테로아릴기로서는, 치환기를 갖고 있어도 되는 티오펜환, 피롤환, 티아졸환, 이미다졸환, 푸란환, 벤조티오펜환, 벤조티아졸환, 및 벤조이미다졸환으로 이루어지는 군에서 선택된 환으로부터 1개의 수소 원자를 제외한 기를 들 수 있다.Examples of the heteroaryl group represented by R 1 include a group consisting of a thiophene ring, a pyrrole ring, a thiazole ring, an imidazole ring, a furan ring, a benzothiophene ring, a benzothiazole ring, and a benzoimidazole ring which may have a substituent And a group excluding one hydrogen atom from the selected ring.

상기 일반식 (OS-3)∼(OS-5) 중, R2은 수소 원자, 알킬기, 또는 아릴기인 것이 바람직하고, 수소 원자 또는 알킬기인 것이 보다 바람직하다.In the general formulas (OS-3) to (OS-5), R 2 is preferably a hydrogen atom, an alkyl group or an aryl group, more preferably a hydrogen atom or an alkyl group.

상기 일반식 (OS-3)∼(OS-5) 중, 화합물 중에 2 이상 존재하는 R2 중, 1개 또는 2개가 알킬기, 아릴기 또는 할로겐 원자인 것이 바람직하고, 1개가 알킬기, 아릴기 또는 할로겐 원자인 것이 보다 바람직하며, 1개가 알킬기이며, 또한 나머지가 수소 원자인 것이 특히 바람직하다.Of the general formulas (OS-3) to (OS-5), one or two of R 2 present in two or more of the compounds are preferably an alkyl group, an aryl group or a halogen atom, More preferably a halogen atom, particularly preferably one is an alkyl group and the remainder is a hydrogen atom.

상기 일반식 (OS-3)∼(OS-5) 중, R2으로 표시되는 알킬기 또는 아릴기는, 치환기를 갖고 있어도 된다.In the general formulas (OS-3) to (OS-5), the alkyl group or aryl group represented by R 2 may have a substituent.

R2으로 표시되는 알킬기 또는 아릴기가 갖고 있어도 되는 치환기로서는, 상기 R1에 있어서의 알킬기 또는 아릴기가 갖고 있어도 되는 치환기와 같은 기를 예시할 수 있다.Examples of the substituent that the alkyl group or aryl group represented by R 2 may have include the same group as the substituent that the alkyl group or aryl group in R 1 may have.

상기 일반식 (OS-3)∼(OS-5) 중, R2으로 표시되는 알킬기로서는, 치환기를 가져도 되는 총 탄소수 1∼12인 알킬기인 것이 바람직하고, 치환기를 가져도 되는 총 탄소수 1∼6인 알킬기인 것이 보다 바람직하다.In the general formulas (OS-3) to (OS-5), the alkyl group represented by R 2 is preferably an alkyl group having a total of 1 to 12 carbon atoms which may have a substituent, More preferably an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms.

R2으로 표시되는 알킬기로서는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, i-부틸기, s-부틸기, n-헥실기, 아릴기, 클로로메틸기, 브로모메틸기, 메톡시메틸기, 벤질기가 바람직하고, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, i-부틸기, s-부틸기, n-헥실기가 보다 바람직하며, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기, n-헥실기가 더 바람직하고, 메틸기가 특히 바람직하다.Examples of the alkyl group represented by R 2 include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an i-propyl group, an n-butyl group, an i-butyl group, More preferably methyl, ethyl, n-propyl, i-propyl, n-butyl, i-butyl, , An ethyl group, an n-propyl group, an n-butyl group and an n-hexyl group are more preferable, and a methyl group is particularly preferable.

상기 일반식 (OS-3)∼(OS-5) 중, R2으로 표시되는 아릴기로서는, 치환기를 가져도 되는 총 탄소수 6∼30인 아릴기인 것이 바람직하다.In the general formulas (OS-3) to (OS-5), the aryl group represented by R 2 is preferably an aryl group having 6 to 30 total carbon atoms which may have a substituent.

R2으로 표시되는 아릴기로서는, 페닐기, p-메틸페닐기, o-클로로페닐기, p-클로로페닐기, o-메톡시페닐기, p-페녹시페닐기가 바람직하다.As the aryl group represented by R 2 , a phenyl group, p-methylphenyl group, o-chlorophenyl group, p-chlorophenyl group, o-methoxyphenyl group and p-phenoxyphenyl group are preferable.

R2으로 표시되는 할로겐 원자로서는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자를 들 수 있다. 이들 중에서도, 염소 원자, 브롬 원자가 바람직하다.Examples of the halogen atom represented by R 2 include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom. Of these, a chlorine atom and a bromine atom are preferable.

상기 일반식 (OS-3)∼(OS-5) 중, X는 O 또는 S를 나타내고, O인 것이 바람직하다.In the general formulas (OS-3) to (OS-5), X represents O or S, and is preferably O.

일반식 (OS-3)∼(OS-5)에 있어서, X를 환원으로서 함유하는 환은, 5원환 또는 6원환이다.In the general formulas (OS-3) to (OS-5), the ring containing X as a reduction is a 5-membered ring or a 6-membered ring.

상기 일반식 (OS-3)∼(OS-5) 중, n은 1 또는 2를 나타내고, X가 O일 경우, n은 1인 것이 바람직하며, 또한 X가 S일 경우, n은 2인 것이 바람직하다.In the general formulas (OS-3) to (OS-5), n represents 1 or 2, and when X is O, n is preferably 1. When X is S, n is 2 desirable.

상기 일반식 (OS-3)∼(OS-5) 중, R6으로 표시되는 알킬기 및 알킬옥시기는, 치환기를 갖고 있어도 된다.In the general formulas (OS-3) to (OS-5), the alkyl group and alkyloxy group represented by R 6 may have a substituent.

상기 일반식 (OS-3)∼(OS-5) 중, R6으로 표시되는 알킬기로서는, 치환기를 갖고 있어도 되는 총 탄소수 1∼30인 알킬기인 것이 바람직하다.In the general formulas (OS-3) to (OS-5), the alkyl group represented by R 6 is preferably an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms in total which may have a substituent.

R6으로 표시되는 알킬기가 갖고 있어도 되는 치환기로서는, 할로겐 원자, 알킬옥시기, 아릴옥시기, 알킬티오기, 아릴티오기, 알킬옥시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 아미노카르보닐기를 들 수 있다.Examples of the substituent which the alkyl group represented by R 6 may have include a halogen atom, an alkyloxy group, an aryloxy group, an alkylthio group, an arylthio group, an alkyloxycarbonyl group, an aryloxycarbonyl group and an aminocarbonyl group.

상기 일반식 (OS-3)∼(OS-5) 중, R6으로 표시되는 알킬기로서는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, s-부틸기, t-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-옥틸기, n-데실기, n-도데실기, 트리플루오로메틸기, 퍼플루오로프로필기, 퍼플루오로헥실기, 벤질기가 바람직하다.In the above general formulas (OS-3) to (OS-5), examples of the alkyl group represented by R 6 include a methyl group, ethyl group, n-propyl group, i- Pentyl group, n-pentyl group, n-hexyl group, n-octyl group, n-decyl group, n-dodecyl group, trifluoromethyl group, perfluoropropyl group, perfluorohexyl group and benzyl group are preferable.

상기 일반식 (OS-3)∼(OS-5) 중, R6으로 표시되는 알킬옥시기로서는, 치환기를 가져도 되는 총 탄소수 1∼30인 알킬옥시기인 것이 바람직하다.In the general formulas (OS-3) to (OS-5), the alkyloxy group represented by R 6 is preferably an alkyloxy group having 1 to 30 total carbon atoms which may have a substituent.

R6으로 표시되는 알킬옥시기가 갖고 있어도 되는 치환기로서는, 할로겐 원자, 알킬옥시기, 아릴옥시기, 알킬티오기, 아릴티오기, 알킬옥시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 아미노카르보닐기를 들 수 있다.Examples of the substituent which the alkyloxy group represented by R 6 may have include a halogen atom, an alkyloxy group, an aryloxy group, an alkylthio group, an arylthio group, an alkyloxycarbonyl group, an aryloxycarbonyl group and an aminocarbonyl group.

상기 일반식 (OS-3)∼(OS-5) 중, R6으로 표시되는 알킬옥시기로서는, 메틸옥시기, 에틸옥시기, 부틸옥시기, 헥실옥시기, 페녹시에틸옥시기, 트리클로로메틸옥시기, 또는, 에톡시에틸옥시기가 바람직하다.In the general formulas (OS-3) to (OS-5), examples of the alkyloxy group represented by R 6 include a methyloxy group, an ethyloxy group, a butyloxy group, a hexyloxy group, a phenoxyethyloxy group, A methyloxy group, or an ethoxyethyloxy group is preferable.

R6에 있어서의 아미노설포닐기로서는, 메틸아미노설포닐기, 디메틸아미노설포닐기, 페닐아미노설포닐기, 메틸페닐아미노설포닐기, 아미노설포닐기를 들 수 있다.Examples of the aminosulfonyl group for R 6 include a methylaminosulfonyl group, a dimethylaminosulfonyl group, a phenylaminosulfonyl group, a methylphenylaminosulfonyl group and an aminosulfonyl group.

R6으로 표시되는 알콕시설포닐기로서는, 메톡시설포닐기, 에톡시설포닐기, 프로필옥시설포닐기, 부틸옥시설포닐기를 들 수 있다.Examples of the alkoxysulfonyl group represented by R 6 include a methoxysulfonyl group, an ethoxysulfonyl group, a propyloxysulfonyl group and a butyloxysulfonyl group.

또한, 상기 일반식 (OS-3)∼(OS-5) 중, m은 0∼6인 정수를 나타내고, 0∼2인 정수인 것이 바람직하며, 0 또는 1인 것이 보다 바람직하고, 0인 것이 특히 바람직하다.In the general formulas (OS-3) to (OS-5), m represents an integer of 0 to 6, preferably an integer of 0 to 2, more preferably 0 or 1, desirable.

또한, 상기 일반식 (OS-3)으로 표시되는 화합물은, 하기 일반식 (OS-6), (OS-10) 또는 (OS-11)로 표시되는 화합물인 것이 특히 바람직하고, 상기 일반식 (OS-4)로 표시되는 화합물은, 하기 일반식 (OS-7)로 표시되는 화합물인 것이 특히 바람직하며, 상기 일반식 (OS-5)로 표시되는 화합물은, 하기 일반식 (OS-8) 또는 (OS-9)로 표시되는 화합물인 것이 특히 바람직하다.The compound represented by the above general formula (OS-3) is particularly preferably a compound represented by the following general formula (OS-6), (OS-10) or (OS- OS-4) is particularly preferably a compound represented by the following general formula (OS-7), and the compound represented by the general formula (OS-5) Or (OS-9).

Figure 112012056225030-pct00011
Figure 112012056225030-pct00011

일반식 (OS-6)∼(OS-11) 중, R1은 알킬기, 아릴기 또는 헤테로아릴기를 나타내고, R7은 수소 원자 또는 브롬 원자를 나타내며, R8은 수소 원자, 탄소수 1∼8인 알킬기, 할로겐 원자, 클로로메틸기, 브로모메틸기, 브로모에틸기, 메톡시메틸기, 페닐기 또는 클로로페닐기를 나타내고, R9은 수소 원자, 할로겐 원자, 메틸기 또는 메톡시기를 나타내며, R10은 수소 원자또는 메틸기를 나타낸다.In the general formulas (OS-6) to (OS-11), R 1 represents an alkyl group, an aryl group or a heteroaryl group, R 7 represents a hydrogen atom or a bromine atom, R 8 represents a hydrogen atom, R 9 represents a hydrogen atom, a halogen atom, a methyl group or a methoxy group, R 10 represents a hydrogen atom or a methyl group, a halogen atom, a chlorine atom, .

상기 일반식 (OS-6)∼(OS-11)에 있어서의 R1은, 상기 일반식 (OS-3)∼(OS-5)에 있어서의 R1과 동의이며, 바람직한 태양도 같다.R 1 in the general formula (OS-6) ~ (OS -11) is, and R 1 and agreed in the general formula (OS-3) ~ (OS -5), as a preferred aspect.

상기 일반식 (OS-6)에 있어서의 R7은, 수소 원자 또는 브롬 원자를 나타내고, 수소 원자인 것이 바람직하다.R 7 in the above general formula (OS-6) represents a hydrogen atom or a bromine atom, and is preferably a hydrogen atom.

상기 일반식 (OS-6)∼(OS-11)에 있어서의 R8은, 수소 원자, 탄소수 1∼8인 알킬기, 할로겐 원자, 클로로메틸기, 브로모메틸기, 브로모에틸기, 메톡시메틸기, 페닐기 또는 클로로페닐기를 나타내고, 탄소수 1∼8인 알킬기, 할로겐 원자 또는 페닐기인 것이 바람직하며, 탄소수 1∼8인 알킬기인 것이 보다 바람직하고, 탄소수 1∼6인 알킬기인 것이 더 바람직하며, 메틸기인 것이 특히 바람직하다.R 8 in formulas (OS-6) to (OS-11) represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, a halogen atom, a chloromethyl group, a bromomethyl group, a bromoethyl group, a methoxymethyl group, Or a chlorophenyl group and is preferably an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, a halogen atom or a phenyl group, more preferably an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, further preferably an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, desirable.

상기 일반식 (OS-8) 및 (OS-9)에 있어서의 R9은, 수소 원자, 할로겐 원자, 메틸기 또는 메톡시기를 나타내고, 수소 원자인 것이 바람직하다.R 9 in the general formulas (OS-8) and (OS-9) represents a hydrogen atom, a halogen atom, a methyl group or a methoxy group, and is preferably a hydrogen atom.

상기 일반식 (OS-8)∼(OS-11)에 있어서의 R10은, 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, 수소 원자인 것이 바람직하다.R 10 in formulas (OS-8) to (OS-11) represents a hydrogen atom or a methyl group, and is preferably a hydrogen atom.

또한, 상기 옥심설포네이트 화합물에 있어서, 옥심의 입체 구조 (E, Z)에 대해서는, 어느 한쪽이어도, 혼합물이어도 된다.In the oxime sulfonate compound, any of the three-dimensional structures (E, Z) of oxime may be a mixture or a mixture thereof.

상기 일반식 (OS-3)∼일반식 (OS-5)로 표시되는 옥심설포네이트 화합물의 구체예로서는, 하기 예시 화합물을 들 수 있지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것이 아니다.Specific examples of the oxime sulfonate compounds represented by the general formulas (OS-3) to (OS-5) include the following exemplified compounds, but the present invention is not limited thereto.

Figure 112012056225030-pct00012
Figure 112012056225030-pct00012

Figure 112012056225030-pct00013
Figure 112012056225030-pct00013

Figure 112012056225030-pct00014
Figure 112012056225030-pct00014

Figure 112012056225030-pct00015
Figure 112012056225030-pct00015

Figure 112012056225030-pct00016
Figure 112012056225030-pct00016

Figure 112012056225030-pct00017
Figure 112012056225030-pct00017

Figure 112012056225030-pct00018
Figure 112012056225030-pct00018

상기 구조 (1)로 표시되는 옥심설포네이트기를 적어도 1개를 갖는 옥심설포네이트 화합물의 호적(好適)한 다른 태양으로서는, 하기 일반식 (OS-1)로 표시되는 화합물을 들 수 있다.Another favorable embodiment of the oxime sulfonate compound having at least one oxime sulfonate group represented by the above structure (1) includes a compound represented by the following general formula (OS-1).

Figure 112012056225030-pct00019
Figure 112012056225030-pct00019

상기 일반식 (OS-1) 중, R1은 수소 원자, 알킬기, 알케닐기, 알콕시기, 알콕시카르보닐기, 아실기, 카르바모일기, 설파모일기, 설포기, 시아노기, 아릴기, 또는 헤테로아릴기를 나타낸다. R2은 알킬기, 또는 아릴기를 나타낸다.In the general formula (OS-1), R 1 represents a hydrogen atom, an alkyl group, an alkenyl group, an alkoxy group, an alkoxycarbonyl group, an acyl group, a carbamoyl group, a sulfamoyl group, a sulfo group, a cyano group, Lt; / RTI &gt; R 2 represents an alkyl group or an aryl group.

X는 -O-, -S-, -NH-, -NR5-, -CH2-, -CR6H-, 또는 -CR6R7-을 나타내고, R5∼R7은 알킬기, 또는 아릴기를 나타낸다.X is -O-, -S-, -NH-, -NR 5 -, -CH 2 -, -CR 6 H-, or -CR 6 R 7 - represents a, R 5 ~R 7 is an alkyl group, or aryl Lt; / RTI &gt;

R21∼R24은 각각 독립적으로, 수소 원자, 할로겐 원자, 알킬기, 알케닐기, 알콕시기, 아미노기, 알콕시카르보닐기, 알킬카르보닐기, 아릴카르보닐기, 아미드기, 설포기, 시아노기, 또는 아릴기를 나타낸다. R21∼R24 중 2개는, 각각 서로 결합하여 환을 형성해도 된다.R 21 to R 24 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, an alkenyl group, an alkoxy group, an amino group, an alkoxycarbonyl group, an alkylcarbonyl group, an arylcarbonyl group, an amide group, a sulfo group, a cyano group or an aryl group. Two of R 21 to R 24 may be bonded to each other to form a ring.

R21∼R24으로서는, 수소 원자, 할로겐 원자, 및 알킬기가 바람직하고, 또한 R21∼R24 중 적어도 2개가 서로 결합하여 아릴기를 형성하는 태양도 또한 바람직하게 들 수 있다. 그 중에서도, R21∼R24이 모두 수소 원자인 태양이 감도의 관점에서 바람직하다.As R 21 to R 24 , a hydrogen atom, a halogen atom, and an alkyl group are preferable, and at least two of R 21 to R 24 are bonded to each other to form an aryl group. Among them, the case where all of R 21 to R 24 are hydrogen atoms is preferable from the viewpoint of sensitivity.

상기한 치환기는, 모두 치환기를 더 갖고 있어도 된다.Each of the substituents described above may further have a substituent.

상기 일반식 (OS-1)로 표시되는 화합물은, 하기 일반식 (OS-2)로 표시되는 화합물인 것이 보다 바람직하다.The compound represented by the above general formula (OS-1) is more preferably a compound represented by the following general formula (OS-2).

Figure 112012056225030-pct00020
Figure 112012056225030-pct00020

상기 일반식 (OS-2) 중, R1, R2, R21∼R24은 각각 일반식 (OS-1)에 있어서의 R1, R2, R21∼R24과 동의이며, 바람직한 예도 또한 같다.The formula (OS-2) of, R 1, R 2, R 21 ~R 24 is each and R 1, R 2, R 21 ~R 24 and copper in the formula (OS-1), preferred examples It is also the same.

이들 중에서도, 일반식 (OS-1), 및 일반식 (OS-2)에 있어서의 R1이 시아노기, 또는 아릴기인 태양이 보다 바람직하고, 일반식 (OS-2)로 표시되며, R1이 시아노기, 페닐기 또는 나프틸기인 태양이 가장 바람직하다.Of these, formula (OS-1), and in the formula (OS-2) R 1 is a cyano group, or an aryl group sun is more preferred, and represented by the formula (OS-2), R 1 A cyano group, a phenyl group or a naphthyl group is most preferable.

또한, 상기 옥심설포네이트 화합물에 있어서, 옥심이나 벤조티아졸환의 입체 구조 (E, Z 등)에 대해서는 각각, 어느 한쪽이어도, 혼합물이어도 된다.In the oxime sulfonate compound, the stereostructure (E, Z, etc.) of oxime or benzothiazole ring may be either or both of them.

이하에, 본 발명에 호적하게 사용할 수 있는 일반식 (OS-1)로 표시되는 화합물의 구체예(예시 화합물 b-1∼b-34)를 나타내지만, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 또한, 구체예 중, Me는 메틸기를 나타내고, Et는 에틸기를 나타내며, Bn은 벤질기를 나타내고, Ph는 페닐기를 나타낸다.Specific examples (Exemplary Compounds b-1 to b-34) of the compound represented by the general formula (OS-1) which can be used in the present invention are shown below, but the present invention is not limited thereto. In the specific examples, Me represents a methyl group, Et represents an ethyl group, Bn represents a benzyl group, and Ph represents a phenyl group.

Figure 112012056225030-pct00021
Figure 112012056225030-pct00021

Figure 112012056225030-pct00022
Figure 112012056225030-pct00022

Figure 112012056225030-pct00023
Figure 112012056225030-pct00023

Figure 112012056225030-pct00024
Figure 112012056225030-pct00024

상기 화합물 중에서도, 감도와 안정성의 양립의 관점에서, b-9, b-16, b-31, b-33이 바람직하다.Among these compounds, b-9, b-16, b-31 and b-33 are preferable from the viewpoint of compatibility between sensitivity and stability.

상기 구조 (1)로 표시되는 옥심설포네이트 잔기 중 적어도 1개를 갖는 옥심설포네이트 화합물은, 하기 일반식 (2)로 표시되는 화합물인 것이 바람직하다.The oxime sulfonate compound having at least one of the oxime sulfonate moieties represented by the above structure (1) is preferably a compound represented by the following general formula (2).

R1A-C (R2A) = N-O-SO2-R3A (2) R 1A -C (R 2A) = NO-SO 2 -R 3A (2)

일반식 (2) 중, R1A은 탄소 원자수 1∼6인 알킬기, 탄소 원자수 1∼4인 할로겐화 알킬기, 페닐기, 비페닐기, 나프틸기, 2-푸릴기, 2-티에닐기, 탄소 원자수 1∼4인 알콕시기 또는 시아노기를 나타내고, R1A이 페닐기, 비페닐기, 나프틸기 또는 안트라닐기일 경우, 이들의 기는, 할로겐 원자, 수산기, 탄소 원자수 1∼4인 알킬기, 탄소 원자수 1∼4인 알콕시기 및 니트로기로 이루어지는 군에서 선택된 치환기에 의해 치환되어 있어도 된다. R2A은 탄소 원자수 1∼10인 알킬기, 탄소 원자수 1∼10인 알콕시기, 탄소 원자수 1∼5인 할로겐화 알킬기, 탄소 원자수 1∼5인 할로겐화 알콕시기, W로 치환되어 있어도 되는 페닐기, W로 치환되어 있어도 되는 나프틸기 또는 W로 치환되어 있어도 되는 안트라닐기, 디알킬아미노기, 모르폴리노기,또는 시아노기를 나타낸다. R2A과 R1A은 서로 결합하여 5원환 또는 6원환을 형성해도 되고, 당해 5원환 또는 6원환은 1개 또는 2개의 임의의 치환기를 가져도 되는 벤젠환과 결합해 있어도 된다. R3A은 탄소 원자수 1∼10인 알킬기, 탄소 원자수 1∼10인 알콕시기, 탄소 원자수 1∼5인 할로겐화 알킬기, 탄소 원자수 1∼5인 할로겐화 알콕시기, W로 치환되어 있어도 되는 페닐기, W로 치환되어 있어도 되는 나프틸기 또는 W로 치환되어 있어도 되는 안트라닐기를 나타낸다. W는, 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 탄소 원자수 1∼10인 알킬기, 탄소 원자수 1∼10인 알콕시기, 탄소 원자수 1∼5인 할로겐화 알킬기 또는 탄소 원자수 1∼5인 할로겐화 알콕시기를 나타낸다.In the general formula (2), R 1A is an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a halogenated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, a phenyl group, a biphenyl group, a naphthyl group, a 2-furyl group, A halogen atom, a hydroxyl group, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms or a cyano group, and when R 1A is a phenyl group, a biphenyl group, a naphthyl group or an anthranyl group, An alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, and a nitro group. R 2A is an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a halogenated alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, a phenyl group optionally substituted with W , A naphthyl group which may be substituted with W, or an anthranyl group, a dialkylamino group, a morpholino group, or a cyano group which may be substituted with W; R 2A and R 1A may be bonded to each other to form a 5-membered ring or a 6-membered ring, and the 5-membered ring or 6-membered ring may be bonded to a benzene ring which may have 1 or 2 arbitrary substituents. R 3A is an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a halogenated alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, a phenyl group , A naphthyl group which may be substituted with W, or an anthranyl group which may be substituted with W, W represents a halogen atom, a cyano group, a nitro group, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or a halogenated alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms Lt; / RTI &gt;

R1A으로 표시되는 탄소 원자수 1∼6인 알킬기는, 직쇄 또는 분기쇄 알킬기여도 되고, 예를 들면 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, 이소아밀기, n-헥실기, 또는 2-에틸부틸기를 들 수 있다.The alkyl group having 1 to 6 carbon atoms represented by R 1A may be a straight chain or branched chain alkyl group, and examples thereof include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a n-butyl group, An n-pentyl group, an isoamyl group, an n-hexyl group, or a 2-ethylbutyl group.

R1A으로 표시되는 탄소 원자수 1∼4인 할로겐화 알킬기로서는, 예를 들면 클로로메틸기, 트리클로로메틸기, 트리플루오로메틸기, 또는 2-브로모프로필기를 들 수 있다.Examples of the halogenated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms represented by R 1A include a chloromethyl group, a trichloromethyl group, a trifluoromethyl group, and a 2-bromopropyl group.

R1A으로 표시되는 탄소 원자수 1∼4인 알콕시기로서는, 메톡시기 또는 에톡시기를 들 수 있다.Examples of the alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms represented by R 1A include a methoxy group and an ethoxy group.

R1A이, 페닐기, 비페닐기, 나프틸기 또는 안트라닐기를 나타낼 경우, 이들의 기는, 할로겐 원자(예를 들면 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등), 수산기, 탄소 원자수 1∼4인 알킬기(예를 들면 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기), 탄소 원자수 1∼4인 알콕시기(예를 들면 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, i-프로폭시기, n-부톡시기) 및 니트로기로 이루어지는 군에서 선택된 치환기에 의해 치환되어 있어도 된다.When R 1 A represents a phenyl group, a biphenyl group, a naphthyl group or an anthranyl group, these groups may be substituted with a halogen atom (for example, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom and the like), a hydroxyl group, Butyl group, a tert-butyl group), an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms (e.g., a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, Propoxy group, i-propoxy group, n-butoxy group) and a nitro group.

R2A으로 표시되는 탄소 원자수 1∼10인 알킬기의 구체예로서는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, i-부틸기, s-부틸기, t-부틸기, n-아밀기, i-아밀기, s-아밀기, n-헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, n-노닐기, n-데실기 등을 들 수 있다.Specific examples of the alkyl group having 1 to 10 carbon atoms represented by R 2A include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an i-propyl group, an n-butyl group, an i- , n-amyl group, i-amyl group, s-amyl group, n-hexyl group, n-heptyl group, n-octyl group, n-nonyl group and n-decyl group.

R2A으로 표시되는 탄소 원자수 1∼10인 알콕시기의 구체예로서는, 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, i-프로폭시기, n-부톡시기, n-아밀옥시기, n-옥틸옥시기, n-데실옥시기 등을 들 수 있다.Specific examples of the alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms represented by R 2A include methoxy, ethoxy, n-propoxy, i-propoxy, n-butoxy, N-decyloxy group, n-decyloxy group and the like.

R2A으로 표시되는 탄소 원자수 1∼5인 할로겐화 알킬기의 구체예로서는, 트리플루오로메틸기, 펜타플루오로에틸기, 퍼플루오로-n-프로필기, 퍼플루오로-n-부틸기, 퍼플루오로-n-아밀기 등을 들 수 있다.Specific examples of the halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms represented by R 2A include a trifluoromethyl group, a pentafluoroethyl group, a perfluoro-n-propyl group, a perfluoro-n-butyl group, n-amyl group and the like.

R2A으로 표시되는 탄소 원자수 1∼5인 할로겐화 알콕시기의 구체예로서는, 트리플루오로메톡시기, 펜타플루오로에톡시기, 퍼플루오로-n-프로폭시기, 퍼플루오로-n-부톡시기, 퍼플루오로-n-아밀옥시기 등을 들 수 있다.Specific examples of the halogenated alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms represented by R 2A include a trifluoromethoxy group, a pentafluoroethoxy group, a perfluoro-n-propoxy group, a perfluoro-n-butoxy group , Perfluoro-n-amyloxy group, and the like.

R2A으로 표시되는 W로 치환되어 있어도 되는 페닐기의 구체예로서는, o-톨릴기, m-톨릴기, p-톨릴기, o-에틸페닐기, m-에틸페닐기, p-에틸페닐기, p-(n-프로필)페닐기, p-(i-프로필)페닐기, p-(n-부틸)페닐기, p-(i-부틸)페닐기, p-(s-부틸)페닐기, p-(t-부틸)페닐기, p-(n-아밀)페닐기, p-(i-아밀)페닐기, p-(t-아밀)페닐기, o-메톡시페닐기, m-메톡시페닐기, p-메톡시페닐기, o-에톡시페닐기, m-에톡시페닐기, p-에톡시페닐기, p-(n-프로폭시)페닐기, p-(i-프로폭시)페닐기, p-(n-부톡시)페닐기, p-(i-부톡시)페닐기, p-(s-부톡시)페닐기, p-(t-부톡시)페닐기, p-(n-아밀옥시)페닐기, p-(i-아밀옥시)페닐기, p-(t-아밀옥시)페닐기, p-클로르페닐기, p-브로모페닐기, p-플루오로페닐기, 2,4-디클로르페닐기, 2,4-디브로모페닐기, 2,4-디플루오로페닐기, 2,4,6-디클로르페닐기, 2,4,6-트리브로모페닐기, 2,4,6-트리플루오로페닐기, 펜타클로로페닐기, 펜타브로모페닐기, 펜타플루오로페닐기, p-비페니릴기 등을 들 수 있다.Specific examples of the phenyl group which may be substituted with W represented by R 2A include o-tolyl, m-tolyl, p-tolyl, o-ethylphenyl, m-ethylphenyl, p- (Propyl) phenyl group, p- (i-propyl) phenyl group, p- p-phenylphenyl group, o-methoxyphenyl group, m-methoxyphenyl group, p-methoxyphenyl group, o-ethoxyphenyl group, (n-butoxy) phenyl group, p- (i-butoxy) phenyl group, p- (P-amyloxy) phenyl group, p- (t-butoxy) phenyl group, p- ) Phenyl group, p-chlorophenyl group, p-bromophenyl group, p-fluorophenyl group, 2,4-dichlorophenyl group, 2,4-dibromophenyl group, 6-dichlorophenyl group, 2,4,6-tribromophenyl group, 2,4 , A 6-trifluorophenyl group, a pentachlorophenyl group, a pentabromophenyl group, a pentafluorophenyl group, and a p-biphenylyl group.

R2A으로 표시되는 W로 치환되어 있어도 되는 나프틸기의 구체예로서는, 2-메틸-1-나프틸기, 3-메틸-1-나프틸기, 4-메틸-1-나프틸기, 5-메틸-1-나프틸기, 6-메틸-1-나프틸기, 7-메틸-1-나프틸기, 8-메틸-1-나프틸기, 1-메틸-2-나프틸기, 3-메틸-2-나프틸기, 4-메틸-2-나프틸기, 5-메틸-2-나프틸기, 6-메틸-2-나프틸기, 7-메틸-2-나프틸기, 8-메틸-2-나프틸기 등을 들 수 있다.Specific examples of the naphthyl group which may be substituted with W represented by R 2A include a 2-methyl-1-naphthyl group, a 3-methyl-1-naphthyl group, Methyl-1-naphthyl group, 1-methyl-2-naphthyl group, 3-methyl-2-naphthyl group, 4- Methyl-2-naphthyl group, 6-methyl-2-naphthyl group, 7-methyl-2-naphthyl group and 8-methyl-2-naphthyl group.

R2A으로 표시되는 W로 치환되어 있어도 되는 안트라닐기의 구체예로서는, 2-메틸-1-안트라닐기, 3-메틸-1-안트라닐기, 4-메틸-1-안트라닐기, 5-메틸-1-안트라닐기, 6-메틸-1-안트라닐기, 7-메틸-1-안트라닐기, 8-메틸-1-안트라닐기, 9-메틸-1-안트라닐기, 10-메틸-1-안트라닐기, 1-메틸-2-안트라닐기, 3-메틸-2-안트라닐기, 4-메틸-2-안트라닐기, 5-메틸-2-안트라닐기, 6-메틸-2-안트라닐기, 7-메틸-2-안트라닐기, 8-메틸-2-안트라닐기, 9-메틸-2-안트라닐기, 10-메틸-2-안트라닐기 등을 들 수 있다.Specific examples of the anthranyl group which may be substituted with W represented by R 2A include a 2-methyl-1-anthranyl group, a 3-methyl-1-anthranyl group, Anthranyl group, a 10-methyl-1-anthranyl group, a 1- methyl-1-anthranyl group, Anthranyl group, 6-methyl-2-anthranyl group, 7-methyl-2-anthranyl group, Methyl-2-anthranyl group, 9-methyl-2-anthranyl group and 10-methyl-2-anthranyl group.

R2A으로 표시되는 디알킬아미노기로서는, 디메틸아미노기, 디에틸아미노기, 디프로필아미노기, 디부틸아미노기, 디페닐아미노기 등을 들 수 있다. Examples of the dialkylamino group represented by R 2A include dimethylamino group, diethylamino group, dipropylamino group, dibutylamino group and diphenylamino group.

R3A으로 표시되는 탄소 원자수 1∼10인 알킬기의 구체예로서는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, i-부틸기, s-부틸기, t-부틸기, n-아밀기, i-아밀기, s-아밀기, n-헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, n-노닐기, n-데실기 등을 들 수 있다.Specific examples of the alkyl group having 1 to 10 carbon atoms represented by R 3A include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an i-propyl group, an n-butyl group, an i- , n-amyl group, i-amyl group, s-amyl group, n-hexyl group, n-heptyl group, n-octyl group, n-nonyl group and n-decyl group.

R3A으로 표시되는 탄소 원자수 1∼10인 알콕시기의 구체예로서는, 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, i-프로폭시기, n-부톡시기, n-아밀옥시기, n-옥틸옥시기, n-데실옥시기 등을 들 수 있다.Specific examples of the alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms represented by R 3A include methoxy, ethoxy, n-propoxy, i-propoxy, n-butoxy, N-decyloxy group, n-decyloxy group and the like.

R3A으로 표시되는 탄소 원자수 1∼5인 할로겐화 알킬기의 구체예로서는, 트리플루오로메틸기, 펜타플루오로에틸기, 퍼플루오로-n-프로필기, 퍼플루오로-n-부틸기, 퍼플루오로-n-아밀기 등을 들 수 있다.Specific examples of the halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms represented by R 3A include a trifluoromethyl group, a pentafluoroethyl group, a perfluoro-n-propyl group, a perfluoro-n-butyl group, n-amyl group and the like.

R3A으로 표시되는 탄소 원자수 1∼5인 할로겐화 알콕시기의 구체예로서는, 트리플루오로메톡시기, 펜타플루오로에톡시기, 퍼플루오로-n-프로폭시기, 퍼플루오로-n-부톡시기, 퍼플루오로-n-아밀옥시기 등을 들 수 있다.Specific examples of the halogenated alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms represented by R 3A include a trifluoromethoxy group, a pentafluoroethoxy group, a perfluoro-n-propoxy group, a perfluoro-n-butoxy group , Perfluoro-n-amyloxy group, and the like.

R3A으로 표시되는 W로 치환되어 있어도 되는 페닐기의 구체예로서는, o-톨릴기, m-톨릴기, p-톨릴기, o-에틸페닐기, m-에틸페닐기, p-에틸페닐기, p-(n-프로필)페닐기, p-(i-프로필)페닐기, p-(n-부틸)페닐기, p-(i-부틸)페닐기, p-(s-부틸)페닐기, p-(t-부틸)페닐기, p-(n-아밀)페닐기, p-(i-아밀)페닐기, p-(t-아밀)페닐기, o-메톡시페닐기, m-메톡시페닐기, p-메톡시페닐기, o-에톡시페닐기, m-에톡시페닐기, p-에톡시페닐기, p-(n-프로폭시)페닐기, p-(i-프로폭시)페닐기, p-(n-부톡시)페닐기, p-(i-부톡시)페닐기, p-(s-부톡시)페닐기, p-(t-부톡시)페닐기, p-(n-아밀옥시)페닐기, p-(i-아밀옥시)페닐기, p-(t-아밀옥시)페닐기, p-클로르페닐기, p-브로모페닐기, p-플루오로페닐기, 2,4-디클로르페닐기, 2,4-디브로모페닐기, 2,4-디플루오로페닐기, 2,4,6-디클로르페닐기, 2,4,6-트리브로모페닐기, 2,4,6-트리플루오로페닐기, 펜타클로로페닐기, 펜타브로모페닐기, 펜타플루오로페닐기, p-비페니릴기 등을 들 수 있다.Specific examples of the phenyl group which may be substituted with W represented by R 3A include o-tolyl, m-tolyl, p-tolyl, o-ethylphenyl, m- (Propyl) phenyl group, p- (i-propyl) phenyl group, p- p-phenylphenyl group, o-methoxyphenyl group, m-methoxyphenyl group, p-methoxyphenyl group, o-ethoxyphenyl group, (n-butoxy) phenyl group, p- (i-butoxy) phenyl group, p- (P-amyloxy) phenyl group, p- (t-butoxy) phenyl group, p- ) Phenyl group, p-chlorophenyl group, p-bromophenyl group, p-fluorophenyl group, 2,4-dichlorophenyl group, 2,4-dibromophenyl group, 6-dichlorophenyl group, 2,4,6-tribromophenyl group, 2,4 , A 6-trifluorophenyl group, a pentachlorophenyl group, a pentabromophenyl group, a pentafluorophenyl group, and a p-biphenylyl group.

R3A으로 표시되는 W로 치환되어 있어도 되는 나프틸기의 구체예로서는, 2-메틸-1-나프틸기, 3-메틸-1-나프틸기, 4-메틸-1-나프틸기, 5-메틸-1-나프틸기, 6-메틸-1-나프틸기, 7-메틸-1-나프틸기, 8-메틸-1-나프틸기, 1-메틸-2-나프틸기, 3-메틸-2-나프틸기, 4-메틸-2-나프틸기, 5-메틸-2-나프틸기, 6-메틸-2-나프틸기, 7-메틸-2-나프틸기, 8-메틸-2-나프틸기 등을 들 수 있다.Specific examples of the naphthyl group which may be substituted with W represented by R 3A include a 2-methyl-1-naphthyl group, a 3-methyl-1-naphthyl group, Methyl-1-naphthyl group, 1-methyl-2-naphthyl group, 3-methyl-2-naphthyl group, 4- Methyl-2-naphthyl group, 6-methyl-2-naphthyl group, 7-methyl-2-naphthyl group and 8-methyl-2-naphthyl group.

R3A으로 표시되는 W로 치환되어 있어도 되는 안트라닐기의 구체예로서는, 2-메틸-1-안트라닐기, 3-메틸-1-안트라닐기, 4-메틸-1-안트라닐기, 5-메틸-1-안트라닐기, 6-메틸-1-안트라닐기, 7-메틸-1-안트라닐기, 8-메틸-1-안트라닐기, 9-메틸-1-안트라닐기, 10-메틸-1-안트라닐기, 1-메틸-2-안트라닐기, 3-메틸-2-안트라닐기, 4-메틸-2-안트라닐기, 5-메틸-2-안트라닐기, 6-메틸-2-안트라닐기, 7-메틸-2-안트라닐기, 8-메틸-2-안트라닐기, 9-메틸-2-안트라닐기, 10-메틸-2-안트라닐기 등을 들 수 있다. Specific examples of the anthranyl group which may be substituted with W represented by R 3A include a 2-methyl-1-anthranyl group, a 3-methyl-1-anthranyl group, Anthranyl group, a 10-methyl-1-anthranyl group, a 1- methyl-1-anthranyl group, Anthranyl group, 6-methyl-2-anthranyl group, 7-methyl-2-anthranyl group, Methyl-2-anthranyl group, 9-methyl-2-anthranyl group and 10-methyl-2-anthranyl group.

W로 표시되는 탄소 원자수 1∼10인 알킬기, 탄소 원자수 1∼10인 알콕시기, 탄소 원자수 1∼5인 할로겐화 알킬기, 및 탄소 원자수 1∼5인 할로겐화 알콕시의 구체예로서는, R2A 또는 R3A으로 표시되는 탄소 원자수 1∼10인 알킬기, 탄소 원자수 1∼10인 알콕시기, 탄소 원자수 1∼5인 할로겐화 알킬기, 및 탄소 원자수 1∼5인 할로겐화 알콕시기의 구체예로서 든 것과 같은 것을 들 수 있다.Specific examples of the alkyl group having 1 to 10 carbon atoms represented by W, the alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, the halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and the halogenated alkoxy having 1 to 5 carbon atoms include R 2A or Specific examples of the alkyl group having 1 to 10 carbon atoms represented by R 3A , the alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, the halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and the halogenated alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms And the like.

R2A과 R1A은 서로 결합하여 5원환 또는 6원환을 형성해도 된다.R 2A and R 1A may be bonded to each other to form a 5-membered or 6-membered ring.

R2A과 R1A이 서로 결합하여 5원환 또는 6원환을 형성할 경우, 당해 5원환 또는 6원환으로서는, 탄소 환식기 및 복소 환식 환기를 들 수 있고, 예를 들면 시클로펜탄, 시클로헥산, 시클로헵탄, 피롤, 푸란, 티오펜, 이미다졸, 옥사졸, 티아졸, 피란, 피리딘, 피라진, 모르폴린, 피페리딘 또는 피페라진환이어도 된다. 당해 5원환 또는 6원환은, 임의의 치환기를 가져도 되는 벤젠환과 결합해 있어도 되고, 그 예로서는, 테트라히드로나프탈렌, 디히드로안트라센, 인덴, 크로만, 플루오렌, 크산텐 또는 티오크산텐환계를 들 수 있다. 당해 5원환 또는 6원환은, 카르보닐기를 함유해도 되고, 그 예로서는, 시클로헥사디에논, 나프탈레논 및 안트론환계를 들 수 있다.When R 2A and R 1A are bonded to each other to form a 5-membered or 6-membered ring, examples of the 5-membered or 6-membered ring include a carbon ring group and a heterocyclic ring group, and examples thereof include cyclopentane, cyclohexane, , Pyrrole, furan, thiophene, imidazole, oxazole, thiazole, pyran, pyridine, pyrazine, morpholine, piperidine or piperazine ring. The 5-membered or 6-membered ring may be bonded to a benzene ring which may have an arbitrary substituent. Examples thereof include tetrahydronaphthalene, dihydroanthracene, indene, chroman, fluorene, xanthene or thioxanthene ring systems. . The 5-membered or 6-membered ring may contain a carbonyl group, and examples thereof include cyclohexadieneone, naphthalenone and anthrone ring systems.

일반식 (2)로 표시되는 화합물의 호적한 태양의 하나는, 하기 일반식 (2-1)로 표시되는 화합물이다. 당해 일반식 (2-1)로 표시되는 화합물은, 일반식 (2)에 있어서의 R2A과 R1A이 결합하여 5원환을 형성하고 있는 화합물이다.One of the favorable aspects of the compound represented by the general formula (2) is a compound represented by the following general formula (2-1). The compound represented by the general formula (2-1) is a compound in which R 2A and R 1A in the general formula (2) combine to form a 5-membered ring.

Figure 112012056225030-pct00025
Figure 112012056225030-pct00025

일반식 (2-1) 중, R3A은 일반식 (2)에 있어서의 R3A과 동의이며, X는 알킬기, 알콕시기, 또는 할로겐 원자를 나타내고, t는 0∼3인 정수를 나타내며, t가 2 또는 3일 때, 복수의 X는 동일해도 상이해도 된다.In the general formula (2-1), R 3A are R 3A and copper in the formula (2), X is an alkyl group, an alkoxy group, or a halogen atom, t represents an integer 0 to 3 a, t Is 2 or 3, the plural Xs may be the same or different.

X로 표시되는 알킬기로서는, 탄소 원자수 1∼4인, 직쇄상 또는 분기상 알킬기가 바람직하다.The alkyl group represented by X is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.

X로 표시되는 알콕시기로서는, 탄소 원자수 1∼4인 직쇄상 또는 분기상 알콕시기가 바람직하다.The alkoxy group represented by X is preferably a linear or branched alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms.

X로 표시되는 할로겐 원자로서는, 염소 원자 또는 불소 원자가 바람직하다.The halogen atom represented by X is preferably a chlorine atom or a fluorine atom.

t로서는, 0 또는 1이 바람직하다.As t, 0 or 1 is preferable.

일반식 (2-1) 중, t가 1이며, X가 메틸기이며, X의 치환 위치가 오르토 위치이며, R3A이 탄소 원자수 1∼10인 직쇄상 알킬기, 7,7-디메틸-2-옥소노르보르닐메틸기, 또는, p-톨루일기인 화합물이 특히 바람직하다.In the general formula (2-1), t is 1, X is a methyl group, X is a substituted position in an ortho position, R 3A is a straight-chain alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, 7,7- Oxonoboronylmethyl group, or p-toluyl group is particularly preferable.

일반식 (2-1)로 표시되는 옥심설포네이트 화합물의 구체예로서는, 하기 화합물 (ⅰ), 화합물 (ⅱ), 화합물 (ⅲ), 화합물 (ⅳ) 등을 들 수 있고, 이들의 화합물은 1종 단독으로 사용해도 되고, 2종류 이상을 병용할 수도 있다. 화합물 (ⅰ)∼(ⅳ)는 시판품으로서 입수할 수 있다.Specific examples of the oxime sulfonate compound represented by the general formula (2-1) include the following compounds (i), (ii), (iii) and (iv) They may be used alone or in combination of two or more. The compounds (i) to (iv) are commercially available.

또한, 이들의 화합물과, 다른 종류의 특정 광산발생제와 조합시켜 사용할 수도 있다.These compounds may be used in combination with other kinds of specific photoacid generators.

Figure 112012056225030-pct00026
Figure 112012056225030-pct00026

일반식 (2)로 표시되는 광산발생제의 바람직한 태양의 하나로서는,As a preferred embodiment of the photoacid generator represented by the general formula (2)

R1A이 탄소 원자수 1∼4인 알킬기, 트리플루오로메틸기, 페닐기, 클로로페닐기, 디클로로페닐기, 메톡시페닐기, 4-비페닐기, 나프틸기 또는 안트라닐기를 나타내고;R 1A represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, a trifluoromethyl group, a phenyl group, a chlorophenyl group, a dichlorophenyl group, a methoxyphenyl group, a 4-biphenyl group, a naphthyl group or an anthranyl group;

R2A이 시아노기를 나타내며;R 2A represents a cyano group;

R3A이 탄소 원자수 1∼10인 알킬기, 탄소 원자수 1∼10인 알콕시기, 탄소 원자수 1∼5인 할로겐화 알킬기, 탄소 원자수 1∼5인 할로겐화 알콕시기, W로 치환되어 있어도 되는 페닐기, W로 치환되어 있어도 되는 나프틸기 또는 W로 치환되어 있어도 되는 안트라닐기를 나타내고, W는 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 탄소 원자수 1∼10인 알킬기, 탄소 원자수 1∼10인 알콕시기, 탄소 원자수 1∼5인 할로겐화 알킬기 또는 탄소 원자수 1∼5인 할로겐화 알콕시기를 나타내는 것이다.R 3A is an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a halogenated alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, a phenyl group optionally substituted with W , A naphthyl group which may be substituted with W, or an anthranyl group which may be substituted with W, W represents a halogen atom, a cyano group, a nitro group, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms , A halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or a halogenated alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms.

일반식 (2)로 표시되는 화합물로서는, 하기 일반식 (2-2)로 표시되는 화합물인 것이 바람직하다.The compound represented by the general formula (2) is preferably a compound represented by the following general formula (2-2).

Figure 112012056225030-pct00027
Figure 112012056225030-pct00027

일반식 (2-2) 중, R4A은 할로겐 원자, 수산기, 탄소 원자수 1∼4인 알킬기, 탄소 원자수 1∼4인 알콕시기, 또는 니트로기를 나타내고, l은 0∼5인 정수를 나타낸다. R3A은 탄소 원자수 1∼10인 알킬기, 탄소 원자수 1∼10인 알콕시기, 탄소 원자수 1∼5인 할로겐화 알킬기, 탄소 원자수 1∼5인 할로겐화 알콕시기, W로 치환되어 있어도 되는 페닐기, W로 치환되어 있어도 되는 나프틸기 또는 W로 치환되어 있어도 되는 안트라닐기를 나타내고, W는 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 탄소 원자수 1∼10인 알킬기, 탄소 원자수 1∼10인 알콕시기, 탄소 원자수 1∼5인 할로겐화 알킬기 또는 탄소 원자수 1∼5인 할로겐화 알콕시기를 나타낸다.In formula (2-2), R 4A represents a halogen atom, a hydroxyl group, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, or a nitro group, and 1 represents an integer of 0 to 5 . R 3A is an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a halogenated alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, a phenyl group , A naphthyl group which may be substituted with W, or an anthranyl group which may be substituted with W, W represents a halogen atom, a cyano group, a nitro group, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms , A halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or a halogenated alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms.

일반식 (2-2)에 있어서의 R3A으로서는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기, n-옥틸기, 트리플루오로메틸기, 펜타플루오로에틸기, 퍼플루오로-n-프로필기, 퍼플루오로-n-부틸기, p-톨릴기, 4-클로로페닐기 또는 펜타플루오로페닐기가 바람직하고, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기 또는 p-톨릴기인 것이 특히 바람직하다.Examples of R 3A in general formula (2-2) include a methyl group, ethyl group, n-propyl group, n-butyl group, n-octyl group, trifluoromethyl group, pentafluoroethyl group, Propyl group, an n-butyl group or a p-tolyl group is particularly preferable, and a perfluoro-n-butyl group, a p-tolyl group, a 4-chlorophenyl group or a pentafluorophenyl group is preferable, and a methyl group, Do.

R4A으로 표시되는 할로겐 원자로서는, 불소 원자, 염소 원자 또는 브롬 원자가 바람직하다.As the halogen atom represented by R 4A , a fluorine atom, a chlorine atom or a bromine atom is preferable.

R4A으로 표시되는 탄소 원자수 1∼4인 알킬기로서는, 메틸기 또는 에틸기가 바람직하다.The alkyl group having 1 to 4 carbon atoms represented by R 4A is preferably a methyl group or an ethyl group.

R4A으로 표시되는 탄소 원자수 1∼4인 알콕시기로서는, 메톡시기 또는 에톡시기가 바람직하다.As the alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms represented by R 4A , a methoxy group or an ethoxy group is preferable.

l로서는 0∼2가 바람직하고, 0∼1이 특히 바람직하다.l is preferably 0 to 2, and particularly preferably 0 to 1.

일반식 (2)로 표시되는 광산발생제 중, 일반식 (2-2)로 표시되는 광산발생제에 포함되는 화합물의 바람직한 태양으로서는, 일반식 (2) 중, R1A이, 페닐기 또는 4-메톡시페닐기를 나타내고, R2A이 시아노기를 나타내며, R3A이 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기 또는 4-톨릴기를 나타내는 태양이다.Among the photoacid generators represented by the general formula (2), preferable examples of the compound contained in the photoacid generator represented by the general formula (2-2) include those in which R 1A is a phenyl group or 4- R 2A represents cyano group, and R 3A represents a methyl group, ethyl group, n-propyl group, n-butyl group or 4-tolyl group.

이하, 일반식 (2)로 표시되는 광산발생제 중, 일반식 (2-2)로 표시되는 광산발생제에 포함되는 화합물의 특히 바람직한 예를 나타내지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것이 아니다.Hereinafter, among the photoacid generators represented by the general formula (2), particularly preferred examples of the compound included in the photoacid generator represented by the general formula (2-2) are shown, but the present invention is not limited thereto.

α-(메틸설포닐옥시이미노)벤질 시아니드(R1A=페닐기, R2A=-CN기, R3A=메틸기)? - (methylsulfonyloxyimino) benzyl cyanide (R 1A = phenyl group, R 2A = -CN group, R 3A = methyl group)

α-(에틸설포닐옥시이미노)벤질 시아니드(R1A=페닐기, R2A=-CN기, R3A=에틸기)? - (ethylsulfonyloxyimino) benzyl cyanide (R 1A = phenyl group, R 2A = -CN group, R 3A = ethyl group)

α-(n-프로필설포닐옥시이미노)벤질 시아니드(R1A=페닐기, R2A=-CN기, R3A=n-프로필기)(R 1A = phenyl group, R 2A = -CN group, R 3A = n-propyl group)

α-(n-부틸설포닐옥시이미노)벤질 시아니드(R1A=페닐기, R2A=-CN기, R3A=n-부틸기)? - (n-butylsulfonyloxyimino) benzyl cyanide (R 1A = phenyl group, R 2A = -CN group, R 3A = n-butyl group)

α-(4-톨루엔설포닐옥시이미노)벤질 시아니드(R1A=페닐기, R2A=-CN기, R3A=4-톨릴기)(R 1A = phenyl group, R 2A = -CN group, R 3A = 4-tolyl group)

α-〔(메틸설포닐옥시이미노)-4-메톡시페닐〕아세토니트릴(R1A=4-메톡시페닐기, R2A=-CN기, R3A=메틸기)methoxyphenyl] acetonitrile (R 1A = 4-methoxyphenyl group, R 2A = -CN group, R 3A = methyl group)

α-〔(에틸설포닐옥시이미노)-4-메톡시페닐〕아세토니트릴(R1A=4-메톡시페닐기, R2A=-CN기, R3A=에틸기)methoxyphenyl) acetonitrile (R 1A = 4-methoxyphenyl group, R 2A = -CN group, R 3A = ethyl group)

α-〔(n-프로필설포닐옥시이미노)-4-메톡시페닐〕아세토니트릴(R1A=4-메톡시페닐기, R2A=-CN기, R3A=n-프로필기)methoxyphenyl) acetonitrile (R 1A = 4-methoxyphenyl group, R 2A = -CN group, R 3A = n-propyl group)

α-〔(n-부틸설포닐옥시이미노)-4-메톡시페닐〕아세토니트릴(R1A=4-메톡시페닐기, R2A=-CN기, R3A=n-부틸기)(R 1A = 4-methoxyphenyl group, R 2A = -CN group, R 3A = n-butyl group)

α-〔(4-톨루엔설포닐옥시이미노)-4-메톡시페닐〕아세토니트릴(R1A=4-메톡시페닐기, R2A=-CN기, R3A=4-톨릴기)methoxyphenyl) acetonitrile (R 1A = 4-methoxyphenyl group, R 2A = -CN group, R 3A = 4-tolyl group)

본 발명의 감광성 수지 조성물은, 활성 광선에 감응하는 (B) 광산발생제로서 1,2-퀴논디아지드 화합물을 함유하지 않는 것이 바람직하다. 그 이유는, 1,2-퀴논디아지드 화합물은, 축차형 광화학 반응에 의해 카르복시기를 생성하지만, 그 양자(量子) 수율은 1 이하이며, 옥심설포네이트 화합물에 비해 감도가 낮기 때문이다.The photosensitive resin composition of the present invention preferably does not contain a 1,2-quinonediazide compound as the photoacid generator (B) which is sensitive to an actinic ray. The reason is that the 1,2-quinonediazide compound generates a carboxy group by a sequential photochemical reaction, but its quantum yield is 1 or less, and the sensitivity is lower than that of the oxime sulfonate compound.

이에 대하여 옥심설포네이트 화합물은, 활성 광선에 감응하여 생성되는 산이 보호된 산성기의 탈보호에 대하여 촉매로서 작용하므로, 1개의 광량자의 작용에 의해 생성된 산이, 다수의 탈보호 반응에 기여하고, 양자 수율은 1을 초과하고, 예를 들면 10의 수승(數乘)과 같은 큰 값이 되어, 소위 화학 증폭의 결과로서, 고감도를 얻을 수 있는 것으로 추측된다.On the other hand, the oxime sulfonate compound acts as a catalyst against deprotection of an acidic group protected by an acid generated by the action of an actinic ray, so that an acid generated by the action of one photon contributes to a number of deprotection reactions, It is presumed that the quantum yield exceeds 1 and becomes a large value such as, for example, a power of 10, resulting in a high sensitivity as a result of so-called chemical amplification.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서, (B) 광산발생제는, (A) 아세탈계 수지 100질량부에 대하여, 0.1∼10질량부 사용하는 것이 바람직하고, 0.5∼10질량부 사용하는 것이 보다 바람직하다.In the photosensitive resin composition of the present invention, the photoacid generator (B) is preferably used in an amount of 0.1 to 10 parts by mass, more preferably 0.5 to 10 parts by mass, per 100 parts by mass of the acetal resin (A) Do.

(C) 용제(C) Solvent

본 발명의 감광성 수지 조성물은, (C) 용제를 함유한다.The photosensitive resin composition of the present invention contains (C) a solvent.

본 발명의 감광성 수지 조성물은, 필수 성분인 (A) 아세탈계 수지, 및 (B) 광산발생제, 그리고 바람직한 성분인 후술하는 각종 첨가제의 임의 성분을, (C) 용제에 용해한 용액으로서 조제되는 것이 바람직하다.The photosensitive resin composition of the present invention is prepared by preparing an acetal-based resin (A) as an essential component, a photoacid generator (B), and optional components of various additives described below as preferable components in a solution of desirable.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 사용되는 (C) 용제로서는, 공지의 용제를 사용할 수 있고, 에틸렌글리콜모노알킬에테르류, 에틸렌글리콜디알킬에테르류, 에틸렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류, 프로필렌글리콜모노알킬에테르류, 프로필렌글리콜디알킬에테르류, 프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류, 디에틸렌글리콜디알킬에테르류, 디에틸렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류, 디프로필렌글리콜모노알킬에테르류, 디프로필렌글리콜디알킬에테르류, 디프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류, 에스테르류, 케톤류, 아미드류, 락톤류 등을 예시할 수 있다.As the solvent (C) used in the photosensitive resin composition of the present invention, known solvents can be used, and examples thereof include ethylene glycol monoalkyl ethers, ethylene glycol dialkyl ethers, ethylene glycol monoalkyl ether acetates, propylene glycol monoalkyl ethers Propylene glycol dialkyl ethers, propylene glycol monoalkyl ether acetates, diethylene glycol dialkyl ethers, diethylene glycol monoalkyl ether acetates, dipropylene glycol monoalkyl ethers, dipropylene glycol dialkyl ethers, Dipropylene glycol monoalkyl ether acetates, esters, ketones, amides, lactones, and the like.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 사용되는 (C) 용제로서는, 예를 들면 (1) 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노프로필에테르, 에틸렌글리콜모노부틸에테르 등의 에틸렌글리콜모노알킬에테르류; (2) 에틸렌글리콜디메틸에테르, 에틸렌글리콜디에틸에테르, 에틸렌글리콜디프로필에테르 등의 에틸렌글리콜디알킬에테르류; (3) 에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트 등의 에틸렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류; (4) 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노프로필에테르, 프로필렌글리콜모노부틸에테르 등의 프로필렌글리콜모노알킬에테르류; (5) 프로필렌글리콜디메틸에테르, 프로필렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르 등의 프로필렌글리콜디알킬에테르류;Examples of the solvent (C) used in the photosensitive resin composition of the present invention include (1) ethylene glycol monoalkyl ethers such as ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monopropyl ether, and ethylene glycol monobutyl ether; Ethers; (2) ethylene glycol dialkyl ethers such as ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether and ethylene glycol dipropyl ether; (3) ethylene glycol monoalkyl ether acetates such as ethylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, ethylene glycol monopropyl ether acetate and ethylene glycol monobutyl ether acetate; (4) propylene glycol monoalkyl ethers such as propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monopropyl ether and propylene glycol monobutyl ether; (5) propylene glycol dialkyl ethers such as propylene glycol dimethyl ether, propylene glycol diethyl ether, diethylene glycol monomethyl ether and diethylene glycol monoethyl ether;

(6) 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노부틸에테르아세테이트 등의 프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류; (7) 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르 등의 디에틸렌글리콜디알킬에테르류; (8) 디에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트 등의 디에틸렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류; (9) 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜모노에틸에테르, 디프로필렌글리콜모노프로필에테르, 디프로필렌글리콜모노부틸에테르 등의 디프로필렌글리콜모노알킬에테르류; (10) 디프로필렌글리콜디메틸에테르, 디프로필렌글리콜디에틸에테르, 디프로필렌글리콜에틸메틸에테르 등의 디프로필렌글리콜디알킬에테르류;(6) propylene glycol monoalkyl ether acetates such as propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate and propylene glycol monobutyl ether acetate; (7) diethylene glycol dialkyl ethers such as diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether and diethylene glycol ethyl methyl ether; (8) diethylene glycol monoalkyl ether acetates such as diethylene glycol monomethyl ether acetate, diethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol monopropyl ether acetate and diethylene glycol monobutyl ether acetate; (9) dipropylene glycol monoalkyl ethers such as dipropylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monoethyl ether, dipropylene glycol monopropyl ether and dipropylene glycol monobutyl ether; (10) dipropylene glycol dialkyl ethers such as dipropylene glycol dimethyl ether, dipropylene glycol diethyl ether and dipropylene glycol ethyl methyl ether;

(11) 디프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 디프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디프로필렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, 디프로필렌글리콜모노부틸에테르아세테이트 등의 디프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류; (12) 젖산메틸, 젖산에틸, 젖산n-프로필, 젖산이소프로필, 젖산n-부틸, 젖산이소부틸, 젖산n-아밀, 젖산이소아밀 등의 젖산에스테르류; (13) 아세트산n-부틸, 아세트산이소부틸, 아세트산n-아밀, 아세트산이소아밀, 아세트산n-헥실, 아세트산2-에틸헥실, 프로피온산에틸, 프로피온산n-프로필, 프로피온산이소프로필, 프로피온산n-부틸, 프로피온산이소부틸, 부티르산메틸, 부티르산에틸, 부티르산에틸, 부티르산n-프로필, 부티르산이소프로필, 부티르산n-부틸, 부티르산이소부틸 등의 지방족 카르복시산에스테르류; (14) 히드록시아세트산에틸, 2-히드록시-2-메틸프로피온산에틸, 2-히드록시-3-메틸부티르산에틸, 메톡시아세트산에틸, 에톡시아세트산에틸, 3-메톡시프로피온메틸, 3-메톡시프로피온에틸, 3-에톡시프로피온메틸, 3-에톡시프로피온에틸, 3-메톡시부틸아세테이트, 3-메틸-3-메톡시부틸아세테이트, 3-메틸-3-메톡시부틸프로피오네이트, 3-메틸-3-메톡시부틸부티레이트, 아세토아세트산메틸, 아세토아세트산에틸, 피루브산메틸, 피루브산에틸 등의 다른 에스테르류;(11) dipropylene glycol monoalkyl ether acetates such as dipropylene glycol monomethyl ether acetate, dipropylene glycol monoethyl ether acetate, dipropylene glycol monopropyl ether acetate and dipropylene glycol monobutyl ether acetate; (12) Lactic acid esters such as methyl lactate, ethyl lactate, n-propyl lactate, isopropyl lactate, isobutyl lactate, isobutyl lactate, n-amyl lactate, and lactic acid / (13) A process for producing a compound represented by the following formula (1), wherein n is 1, Aliphatic carboxylic acid esters such as isobutyl propionate, methyl butyrate, ethyl butyrate, ethyl butyrate, n-propyl butyrate, isopropyl butyrate, n-butyl butyrate and isobutyl butyrate; (14) A process for producing a compound represented by the above formula (1), which comprises dissolving at least one compound selected from the group consisting of ethyl hydroxyacetate, ethyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, ethyl 2-hydroxy- 3-methoxybutyl acetate, 3-methyl-3-methoxybutyl propionate, 3-methoxypropionyl acetate, 3-methoxypropionyl acetate, Methyl-3-methoxybutyl butyrate, methyl acetoacetate, ethyl acetoacetate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate and the like;

(15) 메틸에틸케톤, 메틸프로필케톤, 메틸-n-부틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 2-헵탄온, 3-헵탄온, 4-헵탄온, 시클로헥산온 등의 케톤류; (16) N-메틸포름아미드, N,N-디메틸포름아미드, N-메틸아세트아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈 등의 아미드류; (17) γ-부티로락톤 등의 락톤류 등을 들 수 있다.(15) ketones such as methyl ethyl ketone, methyl propyl ketone, methyl n-butyl ketone, methyl isobutyl ketone, 2-heptanone, 3-heptanone, 4-heptanone and cyclohexanone; (16) amides such as N-methylformamide, N, N-dimethylformamide, N-methylacetamide, N, N-dimethylacetamide and N-methylpyrrolidone; (17) lactones such as? -Butyrolactone, and the like.

또한, 이들의 용제에 필요에 따라, 벤질에틸에테르, 디헥실에테르, 에틸렌글리콜모노페닐에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 이소포론, 카프로산, 카프릴산, 1-옥탄올, 1-노난올, 벤질알코올, 아니솔, 아세트산벤질, 벤조산에틸, 옥살산디에틸, 말레산디에틸, 탄산에틸렌, 탄산프로필렌 등의 용제를 더 첨가할 수도 있다.These solvents may optionally contain one or more solvents selected from the group consisting of benzyl ethyl ether, dihexyl ether, ethylene glycol monophenyl ether acetate, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, isophorone, caproic acid, caprylic acid, It is also possible to add a solvent such as octanol, 1-nonanol, benzyl alcohol, anisole, benzyl acetate, ethyl benzoate, diethyl oxalate, diethyl maleate, ethylene carbonate and propylene carbonate.

상기한 용제 중, 특히 바람직하게는 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트이다.Of the above solvents, particularly preferred are diethylene glycol ethyl methyl ether and propylene glycol monomethyl ether acetate.

본 발명에 사용할 수 있는 용제는, 1종 단독, 또는, 2종을 병용하는 것이 바람직하고, 2종을 병용하는 것이 보다 바람직하며, 프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류와 디에틸렌글리콜디알킬에테르류를 병용하는 것이 더 바람직하다.The solvent which can be used in the present invention is preferably a single solvent or a combination of two solvents, more preferably two solvents, more preferably propylene glycol monoalkyl ether acetates and diethylene glycol dialkyl ethers It is more preferable to use them in combination.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 (C) 용제의 함유량은, (A) 아세탈계 수지 100질량부당, 50∼3,000질량부인 것이 바람직하고, 100∼2,000질량부인 것이 보다 바람직하며, 150∼1,500질량부인 것이 더 바람직하다.The content of the solvent (C) in the photosensitive resin composition of the present invention is preferably from 50 to 3,000 parts by mass, more preferably from 100 to 2,000 parts by mass, and still more preferably from 150 to 1,500 parts by mass per 100 parts by mass of the acetal resin (A) It is more desirable to deny it.

그 밖의 성분Other components

본 발명의 감광성 수지 조성물에는, 그 밖의 성분을 함유하는 것이 바람직하다.The photosensitive resin composition of the present invention preferably contains other components.

그 밖의 성분으로서는, 감도의 관점에서 (M) 현상 촉진제를 함유하는 것이 바람직하고, 또한 막 물성의 관점에서 (E) 가교제를 함유하는 것이 바람직하다. 또한, 감도의 관점에서, (N) 증감제를 첨가하는 것이 바람직하다.As other components, it is preferable to contain a (M) developing accelerator from the viewpoint of sensitivity, and (E) a crosslinking agent in view of the physical properties of the film. Further, from the viewpoint of sensitivity, it is preferable to add (N) sensitizer.

또한, 본 발명의 감광성 수지 조성물은, 기판 밀착성의 관점에서 (F) 밀착 개량제를 함유하는 것이 바람직하고, 액보존 안정성의 관점에서 (G) 염기성 화합물을 함유하는 것이 바람직하며, 도포성의 관점에서 (H) 계면 활성제(불소계 계면 활성제, 실리콘계 계면 활성제 등)를 함유하는 것이 바람직하다.The photosensitive resin composition of the present invention preferably contains (F) an adhesion improver from the viewpoint of substrate adhesion, and preferably contains (G) a basic compound from the viewpoint of liquid storage stability, H) surfactant (a fluorine-based surfactant, a silicon-based surfactant, etc.).

또한, 필요에 따라, 본 발명의 감광성 수지 조성물에는, (D) 산화 방지제, (I) 가소제, 및 (J) 열 라디칼 발생제, (K) 열산 발생제, (L) 산 증식제, 자외선 흡수제, 증점제, 및 유기 또는 무기의 침전 방지제 등의, 공지의 첨가제를 더할 수 있다.(D) an antioxidant, (I) a plasticizer, (J) a heat radical generator, (K) a thermal acid generator, (L) an acid generator, an ultraviolet absorber , A thickener, and an organic or inorganic precipitation inhibitor.

이하, 본 발명의 감광성 수지 조성물에 함유할 수 있는 그 밖의 성분을 설명한다.Hereinafter, other components that can be contained in the photosensitive resin composition of the present invention will be described.

(N) 증감제(N) Thinner

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서, 상술한 (B) 광산발생제와의 조합에 있어서, 그 분해를 촉진시키기 위해 (N) 증감제를 첨가하는 것이 바람직하다. 증감제는, 활성 광선 또는 방사선을 흡수하여 전자 여기(勵起) 상태가 된다. 전자 여기 상태가 된 증감제는, 광산발생제와 접촉하여, 전자 이동, 에너지 이동, 발열 등의 작용이 생긴다. 이에 따라 광산발생제는 화학 변화를 일으켜 분해하고, 산을 생성한다.In the photosensitive resin composition of the present invention, in combination with the above-mentioned (B) photoacid generator, it is preferable to add (N) sensitizer to accelerate the decomposition thereof. The sensitizer absorbs an actinic ray or radiation to become an electron-excited state. The sensitizer in the electron-excited state comes into contact with the photoacid generator to generate electron transfer, energy transfer, heat generation, and the like. As a result, the photoacid generator decomposes by chemical change and generates acid.

바람직한 증감제의 예로서는, 이하의 화합물류에 속해 있으며, 또한 350㎚ 내지 450㎚역에 흡수 파장을 갖는 화합물을 들 수 있다.Examples of preferred sensitizers include compounds having an absorption wavelength in the range of 350 nm to 450 nm belonging to the following compounds.

증감제의 예로서는, 다핵 방향족류(예를 들면 피렌, 페릴렌, 트리페닐렌, 안트라센), 크산텐류(예를 들면 플루오레세인, 에오신, 에리트로신, 로다민 B, 로즈벵갈), 크산톤류(예를 들면 크산톤, 티오크산톤, 디메틸티오크산톤, 디에틸티오크산톤), 시아닌류(예를 들면 티아카르보시아닌, 옥사카르보시아닌), 멜로시아닌류(예를 들면 멜로시아닌, 카르보멜로시아닌), 로다시아닌류, 옥소놀류, 티아진류(예를 들면 티오닌, 메틸렌 블루, 톨루이딘 블루), 아크리딘류(예를 들면 아크리딘 오렌지, 클로로플라빈, 아크리플라빈), 아크리돈류(예를 들면 아크리돈, 10-부틸-2-클로로아크리돈), 안트라퀴논류(예를 들면 안트라퀴논), 스쿠아릴륨류(예를 들면스쿠아릴륨), 스티릴류, 베이스 스티릴류, 쿠마린류(예를 들면 7-디에틸아미노 4-메틸쿠마린)를 들 수 있다. 이들 증감제 중에서도, 활성 광선 또는 방사선을 흡수하여 전자 여기 상태가 되고, 광산발생제에의 전자 이동 작용을 갖는 증감제가 바람직하고, 특히 다환 방향족류, 아크리돈류, 쿠마린류, 베이스 스티릴류가 바람직하다. 그 중에서도 안트라센 화합물이 가장 바람직하다.Examples of the sensitizer include polynuclear aromatic compounds (e.g., pyrene, perylene, triphenylene, anthracene), xanthenes (such as fluorescein, eosine, erythrosine, rhodamine B and rose bengal), xanthones For example, xanthone, thioxanthone, dimethylthioxanthone, diethylthioxanthone), cyanines (e.g., thiacarbocyanine, oxacarbocyanine), melothiocyanates (For example, thiophene, methylene blue, toluidine blue), acridines (for example, acridine orange, chloroflavin, (Such as acridine, 10-butyl-2-chloroacridone), anthraquinones (such as anthraquinone), squaryliums (such as squarylium) Diethylamino, 4-methylcoumarin), and the like. Of these sensitizers, a sensitizer having an electron-transporting effect to the photoacid generator is preferable, and a polycyclic aromatic compound, acridone, coumarin, and base styryl Do. Among them, anthracene compounds are most preferable.

증감제는 시판하는 것을 사용해도 되고, 공지의 합성 방법에 의해 합성해도 된다.A commercially available sensitizer may be used, or may be synthesized by a known synthesis method.

증감제의 첨가량은, 감도, 투명성의 양립의 관점에서, (B) 광산발생제 100질량부에 대하여 20∼300질량부가 바람직하고, 30∼200질량부가 특히 바람직하다.The addition amount of the sensitizer is preferably from 20 to 300 parts by mass, more preferably from 30 to 200 parts by mass, based on 100 parts by mass of the (B) photoacid generator from the viewpoints of both sensitivity and transparency.

(M) 현상 촉진제(M) Development accelerator

본 발명의 감광성 수지 조성물은, (M) 현상 촉진제를 함유하는 것이 바람직하다.The photosensitive resin composition of the present invention preferably contains (M) a development accelerator.

(M) 현상 촉진제로서는, 현상 촉진 효과가 있는 임의의 화합물을 사용할 수 있지만, 카르복시기, 페놀성 수산기, 및 알킬렌옥시기의 군에서 선택되는 적어도 1종의 구조를 갖는 화합물인 것이 바람직하고, 카르복시기 또는 페놀성 수산기를 갖는 화합물이 보다 바람직하며, 페놀성 수산기를 갖는 화합물이 가장 바람직하다.(M) As the development accelerator, any compound having a phenomenon of promoting development may be used, but it is preferably a compound having at least one structure selected from the group consisting of a carboxyl group, a phenolic hydroxyl group and an alkyleneoxy group, Compounds having a phenolic hydroxyl group are more preferable, and compounds having a phenolic hydroxyl group are most preferred.

또한, (M) 현상 촉진제의 분자량으로서는 100∼2000이 바람직하고, 150∼1500이 더 바람직하며, 최적으로는 150∼1000이다.The molecular weight of the development accelerator (M) is preferably 100 to 2000, more preferably 150 to 1500, and most preferably 150 to 1,000.

현상 촉진제의 예로서, 알킬렌옥시기를 갖는 것으로서는, 폴리에틸렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜의 모노메틸에테르, 폴리에틸렌글리콜의 디메틸에테르, 폴리에틸렌글리콜글리세릴에스테르, 폴리프로필렌글리콜글리세릴에스테르, 폴리프로필렌글리콜디글리세릴에스테르, 폴리부틸렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜-비스페놀A에테르, 폴리프로필렌글리콜-비스페놀A에테르, 폴리옥시에틸렌의 알킬에테르, 폴리옥시에틸렌의 알킬에스테르, 및 일본국 특개평9-222724호 공보에 기재된 화합물 등을 들 수 있다.As examples of the development accelerator, those having an alkyleneoxy group include polyethylene glycol, monomethyl ether of polyethylene glycol, dimethyl ether of polyethylene glycol, polyethylene glycol glyceryl ester, polypropylene glycol glyceryl ester, polypropylene glycol diglyceryl ester , Polybutylene glycol, polyethylene glycol-bisphenol A ether, polypropylene glycol-bisphenol A ether, alkyl ether of polyoxyethylene, alkyl ester of polyoxyethylene, and compounds described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-222724 .

카르복시기를 갖는 것으로서는, 일본국 특개2000-66406호 공보, 일본국 특개평9-6001호 공보, 일본국 특개평10-20501호 공보, 일본국 특개평11-338150호 공보등에 기재된 화합물을 들 수 있다.Examples of compounds having a carboxyl group include compounds described in JP 2000-66406 A, JP 9-6001 B, JP 10-20501 A, JP 11-338150 A, and the like have.

페놀성 수산기를 갖는 것으로서는, 일본국 특개2005-346024호 공보, 일본국 특개평10-133366호 공보, 일본국 특개평9-194415호 공보, 일본국 특개평9-222724호 공보, 일본국 특개평11-171810호 공보, 일본국 특개2007-121766호 공보, 일본국 특개평9-297396호 공보, 일본국 특개2003-43679호 공보 등에 기재된 화합물을 들 수 있다. 이들 중에서도, 벤젠환수가 2∼10개인 페놀 화합물이 호적하며, 벤젠환수가 2∼5개인 페놀 화합물이 더 호적하다. 특히 바람직한 것으로서는, 일본국 특개평10-133366호 공보에 용해 촉진제로서 개시되어 있는 페놀성 화합물을 들 수 있다.Examples of those having a phenolic hydroxyl group include those disclosed in JP-A-2005-346024, JP-A-10-133366, JP-A-9-194415, JP-A-9-222724, The compounds described in JP-A-11-171810, JP-A-2007-121766, JP-A-9-297396, JP-A-2003-43679, etc. Among them, phenol compounds having 2 to 10 benzene ring numbers are favorable, and phenol compounds having 2 to 5 benzene ring numbers are more favorable. Particularly preferred examples include phenolic compounds disclosed as dissolution accelerators in JP-A-10-133366.

(M) 현상 촉진제는, 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용하는 것도 가능하다.(M) The development accelerator may be used alone or in combination of two or more.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 (M) 현상 촉진제의 첨가량은, 감도와 잔막율의 관점에서, (A) 아세탈계 수지를 100질량부로 했을 때, 0.1∼30질량부가 바람직하고, 0.2∼20질량부가 보다 바람직하며, 0.5∼10질량부인 것이 가장 바람직하다.The addition amount of the development promoter (M) in the photosensitive resin composition of the present invention is preferably 0.1 to 30 parts by mass, more preferably 0.2 to 20 parts by mass based on 100 parts by mass of the acetal resin (A) from the viewpoints of sensitivity and residual film- More preferably 0.5 to 10 parts by mass.

(E) 가교제(E) Crosslinking agent

본 발명의 감광성 수지 조성물은, 필요에 따라 (E) 가교제를 함유하는 것이 바람직하다. (E) 가교제를 첨가함으로써, 경화막을 보다 강고한 막으로 할 수 있다.The photosensitive resin composition of the present invention preferably contains (E) a crosslinking agent, if necessary. By adding the crosslinking agent (E), the cured film can be made into a stronger film.

(E) 가교제로서는, 예를 들면 이하에 서술하는 분자 내에 2개 이상의 에폭시기 또는 옥세타닐기를 갖는 화합물, 알콕시메틸기 함유 가교제, 또는, 적어도 1개의 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물을 첨가할 수 있다.As the crosslinking agent (E), for example, a compound having two or more epoxy groups or oxetanyl groups in the molecule described below, an alkoxymethyl group-containing crosslinking agent, or a compound having at least one ethylenically unsaturated double bond can be added .

이들의 가교제 중에서, 특히 바람직한 것은, 분자 내에 2개 이상의 에폭시기 또는 옥세타닐기를 갖는 화합물이다.Of these crosslinking agents, particularly preferred are compounds having two or more epoxy groups or oxetanyl groups in the molecule.

분자 내에 2개 이상의 에폭시기 또는 옥세타닐기를 갖는 화합물A compound having two or more epoxy groups or oxetanyl groups in the molecule

분자 내에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 화합물의 구체예로서는, 비스페놀A형 에폭시 수지, 비스페놀F형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 지방족 에폭시 수지 등을 들 수 있다.Specific examples of the compound having two or more epoxy groups in the molecule include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin, cresol novolak type epoxy resin and aliphatic epoxy resin.

이들은 시판품으로서 입수할 수 있다. 예를 들면, 비스페놀A형 에폭시 수지로서는, JER827, JER828, JER834, JER1001, JER1002, JER1003, JER1055, JER1007, JER1009, JER1010(이상, 쟈판에폭시레진(주)제), EPICLON860, EPICLON1050, EPICLON1051, EPICLON1055(이상, DIC(주)제) 등이며, 비스페놀F형 에폭시 수지로서는, JER806, JER807, JER4004, JER4005, JER4007, JER4010(이상, 상품명, 쟈판에폭시레진(주)제), EPICLON830, EPICLON835(이상, 상품명, DIC(주)제), LCE-21, RE-602S(이상, 상품명, 니혼가야쿠(주)제) 등을 들 수 있고, 페놀노볼락형 에폭시 수지로서는, JER152, JER154, JER157S70, JER157S65(이상, 상품명, 쟈판에폭시레진(주)제), EPICLON N-740, EPICLON N-740, EPICLON N-770, EPICLON N-775(이상, 상품명, DIC(주)제) 등을 들 수 있고, 크레졸노볼락형 에폭시 수지로서는, EPICLON N-660, EPICLON N-665, EPICLON N-670, EPICLON N-673, EPICLON N-680, EPICLON N-690, EPICLON N-695(이상, 상품명, DIC(주)제), EOCN-1020(이상, 상품명, 니혼가야쿠(주)제) 등을 들 수 있고, 지방족 에폭시 수지로서는, ADEKA RESIN EP-4080S, 동(同) EP-4085S, 동 EP-4088S(이상, 상품명, (주)ADEKA제), 세록사이드 2021P, 세록사이드 2081, 세록사이드 2083, 세록사이드 2085, EHPE3150, EPOLEAD PB 3600, 동 PB 4700(이상, 상품명, 다이세루가가쿠고교(주)제) 등을 들 수 있다. 그 밖에도, ADEKA RESIN EP-4000S, 동 EP-4003S, 동 EP-4010S, 동 EP-4011S(이상, 상품명, (주)ADEKA제), NC-2000, NC-3000, NC-7300, XD-1000, EPPN-501, EPPN-502(이상, 상품명, (주)ADEKA제) 등을 들 수 있다. 이들은 1종 단독 또는 2종 이상을 조합시켜 사용할 수 있다.These are available as commercial products. Examples of the bisphenol A epoxy resin include epoxy resins such as JER827, JER828, JER834, JER1001, JER1002, JER1003, JER1055, JER1007, JER1009, JER1010 (manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd.), EPICLON860, EPICLON1050, EPICLON1051, EPICLON1055 (Trade names, manufactured by Japan Epoxy Resins Co., Ltd.), EPICLON 830, EPICLON 835 (manufactured by DIC Corporation), and the like. Examples of the bisphenol F type epoxy resin include JER806, JER807, JER4004, JER4005, JER4007 and JER4010 JER152, JER157S70, JER157S65 (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), and the like can be given as phenol novolak type epoxy resins. EPICLON N-770, EPICLON N-770 and EPICLON N-775 (all trade names, manufactured by DIC Corporation), and the like, and cresol (trade name, manufactured by Japan Epoxy Resin Co., EPICLON N-660, EPICLON N-660, EPICLON N-670, EPICLON N-670, EPICLON N-680, EPICLON N-690, EPICLON N- ), EOCN-1020 (Trade name, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), and examples of the aliphatic epoxy resin include ADEKA RESIN EP-4080S, EP-4085S, EP-4088S ), Suloxide 2021P, Suloxide 2081, Suloxide 2083, Suloxide 2085, EHPE 3150, EPOLEAD PB 3600 and PB 4700 (trade names, manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd.). NC-2000, NC-3000, NC-7300, XD-1000 (trade name, manufactured by ADEKA Corporation), and EP- , EPPN-501, and EPPN-502 (all trade names, manufactured by ADEKA). These may be used alone or in combination of two or more.

이들 중에서 바람직한 것으로서는, 비스페놀A형 에폭시 수지, 비스페놀F형 에폭시 수지, 및 페놀노볼락형 에폭시 수지를 들 수 있다. 특히 비스페놀A형 에폭시 수지가 바람직하다.Among these, preferred are bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, and phenol novolak type epoxy resin. Particularly, a bisphenol A type epoxy resin is preferable.

분자 내에 2개 이상의 옥세타닐기를 갖는 화합물의 구체예로서는, 아론옥세탄 OXT-121, OXT-221, OX-SQ, PNOX(이상, 상품명, 도오아고세이(주)제)를 사용할 수 있다.As specific examples of the compound having two or more oxetanyl groups in the molecule, Aromoxetane OXT-121, OXT-221, OX-SQ and PNOX (trade name, manufactured by Dowa Kosei) can be used.

또한, 옥세타닐기를 함유하는 화합물은, 단독으로 또는 에폭시기를 함유하는 화합물과 혼합하여 사용할 수 있다.The oxetanyl group-containing compound may be used alone or in combination with a compound containing an epoxy group.

분자 내에 2개 이상의 에폭시기 또는 옥세타닐기를 갖는 화합물의 감광성 수지 조성물에의 첨가량은 (A) 아세탈계 수지 성분의 총량을 100질량부로 했을 때 1∼50질량부가 바람직하고, 3∼30질량부가 보다 바람직하다.The amount of the compound having two or more epoxy groups or oxetanyl groups in the molecule to be added to the photosensitive resin composition is preferably 1 to 50 parts by mass, more preferably 3 to 30 parts by mass based on 100 parts by mass of the total amount of the acetal resin component (A) desirable.

알콕시메틸기 함유 가교제Crosslinking agent containing alkoxymethyl group

알콕시메틸기 함유 가교제로서는, 알콕시메틸화 멜라민, 알콕시메틸화 벤조구아나민, 알콕시메틸화 글리콜우릴 및 알콕시메틸화 요소 등이 바람직하다. 이들은, 각각 메틸올화 멜라민, 메틸올화 벤조구아나민, 메틸올화 글리콜우릴, 또는, 메틸올화 요소의 메틸올기를 알콕시메틸기로 변환함으로써 얻을 수 있다. 이 알콕시메틸기의 종류에 대해서는 특별히 한정되는 것이 아니라, 예를 들면 메톡시메틸기, 에톡시메틸기, 프로폭시메틸기, 부톡시메틸기 등을 들 수 있지만, 아웃 가스의 발생량의 관점에서, 특히 메톡시메틸기가 바람직하다.As the alkoxymethyl group-containing crosslinking agent, alkoxymethylated melamine, alkoxymethylated benzoguanamine, alkoxymethylated glycoluril and alkoxymethylated urea are preferable. These can be obtained by converting methylol melamine, methylol benzoguanamine, methylol glycoluryl, or the methylol group of the methylol moiety into an alkoxymethyl group, respectively. The kind of the alkoxymethyl group is not particularly limited, and examples thereof include a methoxymethyl group, an ethoxymethyl group, a propoxymethyl group, and a butoxymethyl group. From the viewpoint of the amount of generated outgas, in particular, a methoxymethyl group desirable.

이들의 가교성 화합물 중, 알콕시메틸화 멜라민, 알콕시메틸화 벤조구아나민, 알콕시메틸화 글리콜우릴이 바람직한 가교성 화합물로서 들 수 있고, 투명성의 관점에서, 알콕시메틸화 글리콜우릴이 특히 바람직하다.Among these crosslinkable compounds, alkoxymethylated melamine, alkoxymethylated benzoguanamine, and alkoxymethylated glycoluril are preferable crosslinking compounds, and from the viewpoint of transparency, alkoxymethylated glycoluril is particularly preferable.

이들 알콕시메틸기 함유 가교제는, 시판품으로서 입수 가능하여, 예를 들면 사이멜 300, 301, 303, 370, 325, 327, 701, 266, 267, 238, 1141, 272, 202, 1156, 1158, 1123, 1170, 1174, UFR65, 300(이상, 상품명, 미츠이사이아나미드(주)제), 니카락 MX-750, -032, -706, -708, -40, -31, -270, -280, -290, 니카락 MS-11, 니카락 MW-30HM, -100LM, -390, (이상, 상품명, (주) 산와케미컬제) 등을 바람직하게 사용할 수 있다.These alkoxymethyl group-containing crosslinking agents are commercially available, for example, as Cymel 300, 301, 303, 370, 325, 327, 701, 266, 267, 238, 1141, 272, 202, 1156, 1158, 1123, 1170, 1174, UFR65, 300 (trade names, manufactured by Mitsui Cyanamid Co., Ltd.), NIKARAK MX-750, -032, -706, -708, -40, -31, -270, -280, 290, NIKARAK MS-11, NIKARAK MW-30HM, -100 LM, and -390 (trade names, manufactured by Sanwa Chemical Co., Ltd.).

본 발명의 감광성 수지 조성물에 알콕시메틸기 함유 가교제를 사용할 경우의 알콕시메틸기 함유 가교제의 첨가량은, (A) 아세탈계 수지 성분 100질량부에 대하여 0.05∼50질량부인 것이 바람직하고, 0.5∼10질량부인 것이 보다 바람직하다. 이 범위로 첨가함으로써, 현상시의 바람직한 알칼리 용해성과, 경화 후의 막이 우수한 내용제성을 얻을 수 있다.When the crosslinking agent having an alkoxymethyl group is used in the photosensitive resin composition of the present invention, the amount of the alkoxymethyl group-containing crosslinking agent to be added is preferably 0.05 to 50 parts by mass, more preferably 0.5 to 10 parts by mass, per 100 parts by mass of the acetal resin component (A) More preferable. When added in this range, it is possible to obtain favorable alkali solubility at the time of development and excellent solvent resistance of the film after curing.

적어도 1개의 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물A compound having at least one ethylenically unsaturated double bond

적어도 1개의 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물로서는, 단관능 (메타)아크릴레이트, 2관능 (메타)아크릴레이트, 3관능 이상의 (메타)아크릴레이트 등의 (메타)아크릴레이트 화합물을 호적하게 사용할 수 있다.As the compound having at least one ethylenic unsaturated double bond, a (meth) acrylate compound such as monofunctional (meth) acrylate, bifunctional (meth) acrylate or trifunctional or higher functional (meth) have.

단관능 (메타)아크릴레이트로서는, 예를 들면 2-히드록시에틸 (메타)아크릴레이트, 카르비톨 (메타)아크릴레이트, 이소보로닐 (메타)아크릴레이트, 3-메톡시부틸 (메타)아크릴레이트, 2-(메타)아크릴로일옥시에틸-2-히드록시프로필프탈레이트 등을 들 수 있다.Examples of the monofunctional (meth) acrylate include 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, carbitol (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate, 3-methoxybutyl And 2- (meth) acryloyloxyethyl-2-hydroxypropyl phthalate.

2관능 (메타)아크릴레이트로서는, 예를 들면 에틸렌글리콜 (메타)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메타)아크릴레이트, 1,9-노난디올디(메타)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 비스페녹시에탄올플루오렌디아크릴레이트, 비스페녹시에탄올플루오렌디아크릴레이트 등을 들 수 있다.Examples of the bifunctional (meth) acrylate include ethylene glycol (meth) acrylate, 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, 1,9-nonanediol (meth) acrylate, polypropylene glycol di (Meth) acrylate, tetraethylene glycol di (meth) acrylate, bisphenoxyethanol fluorene diacrylate, and bisphenoxyethanol fluorene diacrylate.

3관능 이상의 (메타)아크릴레이트로서는, 예를 들면 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메타)아크릴레이트, 트리((메타)아크릴로일옥시에틸)포스페이트, 펜타에리트리톨테트라(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타 (메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사 (메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다.Examples of trifunctional or higher (meth) acrylates include trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, tri ((meth) acryloyloxyethyl) phosphate, pentaerythritol tetra (Meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, and the like.

이들 중 적어도 1개의 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물은, 1종 단독 또는 2종 이상을 조합시켜 사용할 수 있다.These compounds having at least one ethylenic unsaturated double bond among them may be used alone or in combination of two or more.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 적어도 1개의 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물의 사용 비율은, (A) 아세탈계 수지 성분 100질량부에 대하여 50질량부 이하인 것이 바람직하고, 30질량부 이하인 것이 보다 바람직하다. 이와 같은 비율로 적어도 1개의 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물을 함유시킴으로써, 본 발명의 감광성 수지 조성물로부터 얻어지는 경화막의 내열성 및 표면 경도 등을 향상시킬 수 있다. 적어도 1개의 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물을 가할 경우에는, 후술하는 (J) 열 라디칼 발생제를 첨가하는 것이 바람직하다.The proportion of the compound having at least one ethylenically unsaturated double bond in the photosensitive resin composition of the present invention is preferably 50 parts by mass or less based on 100 parts by mass of the acetal resin component (A), more preferably 30 parts by mass or less More preferable. By containing a compound having at least one ethylenically unsaturated double bond in such a ratio, the heat resistance and surface hardness of the cured film obtained from the photosensitive resin composition of the present invention can be improved. When a compound having at least one ethylenically unsaturated double bond is added, it is preferable to add a heat radical generator (J) described later.

(F) 밀착 개량제(F) Adhesion improver

본 발명의 감광성 수지 조성물은, (F) 밀착 개량제를 함유하는 것이 바람직하다.The photosensitive resin composition of the present invention preferably contains (F) an adhesion improver.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 사용할 수 있는 (F) 밀착 개량제는, 기판이 되는 무기물, 예를 들면 실리콘, 산화 실리콘, 질화 실리콘 등의 실리콘 화합물, 금, 구리, 알루미늄 등의 금속과 절연막의 밀착성을 향상시키는 화합물이다. 구체적으로는, 실란커플링제, 티올계 화합물 등을 들 수 있다. 본 발명에서 사용되는 (F) 밀착 개량제로서의 실란커플링제는, 계면의 개질을 목적으로 하는 것이며, 특별히 한정하지 않고, 공지의 것을 사용할 수 있다.The adhesion improver (F) that can be used in the photosensitive resin composition of the present invention is a compound which improves the adhesiveness between an inorganic substance to be a substrate and a silicon compound such as silicon, silicon oxide, or silicon nitride, metal such as gold, . Specific examples thereof include silane coupling agents and thiol compounds. The silane coupling agent as the (F) adhesion improver used in the present invention is intended to modify the interface and is not particularly limited, and a known silane coupling agent can be used.

바람직한 실란커플링제로서는, 예를 들면 γ-아미노프로필트리메톡시실란, γ-아미노프로필트리에톡시실란, γ-글리시독시프로필트리알콕시실란, γ-글리시독시프로필알킬디알콕시실란, γ-메타크리록시프로필트리알콕시실란, γ-메타크리록시프로필알킬디알콕시실란, γ-클로로프로필트리알콕시실란, γ-메르캅토프로필트리알콕시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리알콕시실란, 비닐트리알콕시실란을 들 수 있다.Preferable silane coupling agents include, for example,? -Aminopropyltrimethoxysilane,? -Aminopropyltriethoxysilane,? -Glycidoxypropyltrialkoxysilane,? -Glycidoxypropylalkyldialkoxysilane,? - Methacryloxypropyltrialkoxysilane,? -Mercaptopropyltrialkoxysilane,? - (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrialkoxysilane,? -Methacryloxypropyltrialkoxysilane,? - Silane, and vinyltrialkoxysilane.

이들 중, γ-글리시독시프로필트리알콕시실란, 및 γ-메타크리록시프로필트리알콕시실란이 보다 바람직하고, γ-글리시독시프로필트리알콕시실란이 더 바람직하다.Among these,? -Glycidoxypropyltrialkoxysilane and? -Methacryloxypropyltrialkoxysilane are more preferable, and? -Glycidoxypropyltrialkoxysilane is more preferable.

이들은 1종 단독 또는 2종 이상을 조합시켜 사용할 수 있다. 이들은 기판과의 밀착성의 향상에 유효함과 함께, 기판과의 테이퍼각의 조정에도 유효하다.These may be used alone or in combination of two or more. These are effective for improving the adhesion with the substrate, and are also effective for adjusting the taper angle with the substrate.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 (F) 밀착 개량제의 함유량은, (A) 아세탈계 수지 성분 100질량부에 대하여 0.1∼20질량부가 바람직하고, 0.5∼10질량부가 보다 바람직하다.The content of the (F) adhesion improver in the photosensitive resin composition of the present invention is preferably 0.1 to 20 parts by mass, more preferably 0.5 to 10 parts by mass, per 100 parts by mass of the acetal resin component (A).

(G) 염기성 화합물(G) Basic compound

본 발명의 감광성 수지 조성물은, (G) 염기성 화합물을 함유하는 것이 바람직하다.The photosensitive resin composition of the present invention preferably contains (G) a basic compound.

(G) 염기성 화합물로서는, 화학 증폭 레지스터로 사용되는 화합물 중에서 임의로 선택하여 사용할 수 있다. 예를 들면 지방족 아민, 방향족 아민, 복소환식 아민, 제4급 암모늄히드록시드, 및 카르복시산의 제4급 암모늄염 등을 들 수 있다.As the basic compound (G), any of chemical compounds used as a chemical amplification resistor may be selected and used. For example, aliphatic amines, aromatic amines, heterocyclic amines, quaternary ammonium hydroxides, and quaternary ammonium salts of carboxylic acids.

지방족 아민으로서는, 예를 들면 트리메틸아민, 디에틸아민, 트리에틸아민, 디-n프로필아민, 트리-n-프로필아민, 디-n-펜틸아민, 트리-n-펜틸아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 디시클로헥실아민, 디시클로헥실메틸아민 등을 들 수 있다.Examples of the aliphatic amine include aliphatic amines such as trimethylamine, diethylamine, triethylamine, di-n-propylamine, tri-n-propylamine, di- Amine, dicyclohexylamine, dicyclohexylmethylamine, and the like.

방향족 아민으로서는, 예를 들면 아닐린, 벤질아민, N,N-디메틸아닐린, 디페닐아민 등을 들 수 있다.Examples of the aromatic amine include aniline, benzylamine, N, N-dimethylaniline, and diphenylamine.

복소환식 아민으로서는, 예를 들면 피리딘, 2-메틸피리딘, 4-메틸피리딘, 2-에틸피리딘, 4-에틸피리딘, 2-페닐피리딘, 4-페닐피리딘, N-메틸-4-페닐피리딘, 4-디메틸아미노피리딘, 이미다졸, 벤즈이미다졸, 4-메틸이미다졸, 2-페닐벤즈이미다졸, 2,4,5-트리페닐이미다졸, 니코틴, 니코틴산, 니코틴산아미드, 퀴놀린, 8-옥시퀴놀린, 피라진, 피라졸, 피리다진, 푸린, 피롤리딘, 피페리딘, 피페라진, 모르폴린, 4-메틸모르폴린, 1,5-디아자비시클로[4.3.0]-5-노넨, 1,8-디아자비시클로[5.3.0]-7-운데센 등을 들 수 있다.Examples of the heterocyclic amine include pyridine, 2-methylpyridine, 4-methylpyridine, 2-ethylpyridine, 4-ethylpyridine, 2-phenylpyridine, 4-phenylpyridine, N-methyl- Benzimidazole, 2-phenylbenzimidazole, 2,4,5-triphenylimidazole, nicotine, nicotinic acid, nicotinic acid amide, quinoline, 8-oxy 4-methyl morpholine, 1,5-diazabicyclo [4.3.0] -5-nonene, 1, 2-diazabicyclo [4.3.0] -naphthalene, pyrazine, pyridazine, pyridine, pyrrolidine, piperidine, piperazine, morpholine, , 8-diazabicyclo [5.3.0] -7-undecene, and the like.

제4급 암모늄히드록시드로서는, 예를 들면 테트라메틸암모늄히드록시드, 테트라에틸암모늄히드록시드, 테트라-n-부틸암모늄히드록시드, 테트라-n-헥실암모늄히드록시드 등을 들 수 있다.Examples of quaternary ammonium hydroxides include tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, tetra-n-butylammonium hydroxide and tetra-n-hexylammonium hydroxide .

카르복시산의 제4급 암모늄염으로서는, 예를 들면 테트라메틸암모늄아세테이트, 테트라메틸암모늄벤조에이트, 테트라-n-부틸암모늄아세테이트, 테트라-n-부틸암모늄벤조에이트 등을 들 수 있다.Examples of the quaternary ammonium salt of carboxylic acid include tetramethylammonium acetate, tetramethylammonium benzoate, tetra-n-butylammonium acetate and tetra-n-butylammonium benzoate.

본 발명에 사용할 수 있는 염기성 화합물은, 1종 단독으로 사용해도, 2종 이상을 병용해도 되지만, 2종 이상을 병용하는 것이 바람직하고, 2종을 병용하는 것이 보다 바람직하며, 복소환식 아민을 2종 병용하는 것이 더 바람직하다.The basic compounds which can be used in the present invention may be used singly or in combination of two or more kinds. However, two or more kinds of basic compounds are preferably used together, and more preferably two kinds of basic compounds are used. It is more preferable to use them in combination.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 (G) 염기성 화합물의 함유량은, (A) 아세탈계 수지 성분 100질량부에 대하여 0.001∼1질량부인 것이 바람직하고, 0.002∼0.2질량부인 것이 보다 바람직하다.The content of the basic compound (G) in the photosensitive resin composition of the present invention is preferably 0.001 to 1 part by mass, more preferably 0.002 to 0.2 part by mass based on 100 parts by mass of the acetal resin component (A).

(H) 계면 활성제(불소계 계면 활성제, 실리콘계 계면 활성제 등)(H) Surfactants (fluorine surfactants, silicone surfactants, etc.)

본 발명의 감광성 수지 조성물은, (H) 계면 활성제(불소계 계면 활성제, 또는 실리콘계 계면 활성제 등)를 함유하는 것이 바람직하다.The photosensitive resin composition of the present invention preferably contains (H) a surfactant (such as a fluorine-based surfactant or a silicon-based surfactant).

계면 활성제로서는, 하기에 나타내는 반복 단위 A와 반복 단위 B를 함유하는 공중합체 (3)을 바람직한 예로서 들 수 있다. 당해 공중합체의 중량 평균 분자량(Mw)은 1000 이상 10000 이하이며, 1500 이상 5000 이하가 바람직하다. 중량 평균 분자량은, 겔투과 크로마토그래피에 의해 측정되는 폴리스티렌 환산의 값이다.As the surfactant, a copolymer (3) containing the repeating unit A and the repeating unit B shown below may be mentioned as a preferable example. The weight average molecular weight (Mw) of the copolymer is 1000 or more and 10000 or less, preferably 1500 or more and 5000 or less. The weight average molecular weight is a value in terms of polystyrene measured by gel permeation chromatography.

Figure 112012056225030-pct00028
Figure 112012056225030-pct00028

공중합체 (3) 중, R21 및 R23은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R22은 탄소수 1 이상 4 이하의 직쇄 알킬렌기를 나타내며, R24은 수소 원자 또는 탄소수 1 이상 4 이하의 알킬기를 나타내고, L은 탄소수 3 이상 6 이하의 알킬렌기를 나타내며, p 및 q는 중합비를 나타내는 질량 백분율이며, p는 10질량% 이상 80질량% 이하의 수치를 나타내고, q는 20질량% 이상 90질량% 이하의 수치를 나타내며, r은 1 이상 18 이하의 정수를 나타내고, n은 1 이상 10 이하의 정수를 나타낸다.In the copolymer (3), R 21 and R 23 each independently represent a hydrogen atom or a methyl group, R 22 represents a straight chain alkylene group having 1 to 4 carbon atoms and R 24 represents a hydrogen atom or a C1- P represents an integer of not less than 10 mass% and not more than 80 mass%, q represents an amount of not less than 20 mass% N is an integer of 1 or more and 10 or less;

반복 단위 B 중에 있어서의 L은, 하기 식 (4)로 표시되는 알킬렌기인 것이 바람직하다.L in the repeating unit B is preferably an alkylene group represented by the following formula (4).

Figure 112012056225030-pct00029
Figure 112012056225030-pct00029

식 (4) 중, R25은 탄소수 1 이상 4 이하의 알킬기를 나타내고, 상용성(相溶性)과 피(被)도포면에 대한 젖음성의 점에서, 탄소수 1 이상 3 이하의 알킬기가 바람직하고, 탄소수 2 또는 3인 알킬기가 보다 바람직하다.In the formula (4), R 25 represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms and is preferably an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms in terms of compatibility and wettability to a coated surface, 2 or 3 is more preferable.

또한, p와 q의 합(p+q)은 p+q=100, 즉, 100질량%인 것이 바람직하다.It is also preferable that the sum (p + q) of p and q is p + q = 100, that is, 100 mass%.

불소계 계면 활성제, 실리콘계 계면 활성제의 예로서 구체적으로는, 일본국 특개소62-36663호, 일본국 특개소61-226746호, 일본국 특개소61-226745호, 일본국 특개소62-170950호, 일본국 특개소63-34540호, 일본국 특개평7-230165호, 일본국 특개평8-62834호, 일본국 특개평9-54432호, 일본국 특개평9-5988호, 일본국 특개2001-330953호 등의 각 공보에 기재된 계면 활성제를 들 수 있고, 시판하는 계면 활성제를 사용할 수도 있다. 사용할 수 있는 시판하는 계면 활성제로서, 예를 들면 에프톱 EF301, EF303, (이상, 상품명, 신아키다가세이(주)제), 프로라이드 FC430, 431(이상, 상품명, 스미토모쓰리엠(주)제), 메가팩 F171, F173, F176, F189, R08(이상, 상품명, DIC(주)제), 서프론 S-382, SC101, 102, 103, 104, 105, 106(이상, 상품명, 아사히가라스(주)제), PolyFox 시리즈(상품명, OMNOVA샤제) 등의 불소계 계면 활성제 또는 실리콘계 계면 활성제를 들 수 있다. 또한, 폴리실록산 폴리머 KP-341(상품명, 신에츠가가쿠고교(주)제)도 실리콘계 계면 활성제로서 사용할 수 있다.Specific examples of the fluorine-based surfactant and the silicon-based surfactant include those described in JP 62-36663 A, JP 61-226746 A, JP 61-226745 A, JP 62-170950 A, JP-B-63-34540, JP-A-7-230165, JP-A-8-62834, JP-A-9-54432, JP-A-9-5988, 330953, etc., and commercially available surfactants may be used. As commercial surfactants that can be used, for example, FEFTAX EF301 and EF303 (trade names, manufactured by Shin-Aida Chemical Industry Co., Ltd.), Prolide FC 430 and 431 (products of Sumitomo 3M Co., , Megafac F171, F173, F176, F189 and R08 (trade names, manufactured by DIC Corporation), Surflon S-382, SC101, 102, 103, 104, 105 and 106 (trade names, available from Asahi Glass Co., (Trade name), and PolyFox series (trade name, OMNOVA SHAHASE), and silicone surfactants. In addition, polysiloxane polymer KP-341 (trade name, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) can also be used as a silicone surfactant.

이들 계면 활성제는, 1종 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. 또한, 불소계 계면 활성제와 실리콘계 계면 활성제를 병용해도 된다.These surfactants may be used singly or in combination of two or more. Further, a fluorine-based surfactant and a silicon-based surfactant may be used in combination.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 (H) 계면 활성제(불소계 계면 활성제 및/또는 실리콘계 계면 활성제를 함유함)의 첨가량은, (A) 아세탈계 수지 성분 100질량부에 대하여, 10질량부 이하인 것이 바람직하고, 0.01∼10질량부인 것이 보다 바람직하며, 0.01∼1질량부인 것이 더 바람직하다.The amount of the (H) surfactant (containing the fluorine surfactant and / or the silicon surfactant) in the photosensitive resin composition of the present invention is preferably 10 parts by mass or less based on 100 parts by mass of the acetal resin component (A) More preferably from 0.01 to 10 parts by mass, and still more preferably from 0.01 to 1 part by mass.

(D) 산화 방지제(D) Antioxidants

본 발명의 감광성 수지 조성물은, (D) 산화 방지제를 함유해도 된다. (D) 산화 방지제로서는, 공지의 산화 방지제를 함유할 수 있다. (D) 산화 방지제를 첨가함으로써, 경화막의 착색을 방지할 수 있으며, 또는, 분해에 의한 막두께 감소를 저감할 수 있고, 또한 내열 투명성이 우수하다는 이점이 있다.The photosensitive resin composition of the present invention may contain (D) an antioxidant. As the antioxidant (D), a known antioxidant may be contained. (D) the addition of an antioxidant can prevent coloring of the cured film, reduce the film thickness reduction due to decomposition, and have an advantage of excellent heat-resistant transparency.

이와 같은 산화 방지제로서는, 예를 들면 인계 산화 방지제, 히드라지드류, 힌더드아민계 산화 방지제, 황계 산화 방지제, 페놀계 산화 방지제, 아스코르브산류, 황산아연, 당류, 아질산염, 아황산염, 티오황산염, 히드록실아민 유도체 등을 들 수 있다. 이들 중에서는, 경화막의 착색, 막두께 감소의 관점에서 특히 페놀계 산화 방지제가 바람직하다. 이들은 1종 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 혼합하여 사용해도 된다.Examples of such antioxidants include phosphorus antioxidants, hydrazides, hindered amine antioxidants, sulfur antioxidants, phenol antioxidants, ascorbic acids, zinc sulfate, sugars, nitrite salts, sulfites, thiosulfates, hydroxyl Amine derivatives and the like. Among them, a phenol-based antioxidant is particularly preferable from the viewpoint of coloring of the cured film and reduction of the film thickness. These may be used alone or in combination of two or more.

페놀계 산화 방지제의 시판품으로서는, 예를 들면 아데카스탑 AO-60, 아데카스탑 AO-80(이상, 상품명, (주)ADEKA제), 이루가녹스 1098(상품명, 치바쟈판(주)제)을 들 수 있다.Examples of commercially available products of phenolic antioxidants include ADEKASTOP AO-60, ADEKA STOP AO-80 (trade name, manufactured by ADEKA), Irganox 1098 (trade name, manufactured by Ciba Japan Co., Ltd.) .

(D) 산화 방지제의 함유량은, 감광성 수지 조성물의 전 고형분에 대하여, 0.1∼6질량%인 것이 바람직하고, 0.2∼5질량%인 것이 보다 바람직하며, 0.5∼4질량%인 것이 특히 바람직하다. 이 범위로 함으로써, 형성된 막의 충분한 투명성을 얻을 수 있으며, 또한, 패턴 형성시의 감도도 양호해진다.The content of the antioxidant (D) is preferably 0.1 to 6% by mass, more preferably 0.2 to 5% by mass, and particularly preferably 0.5 to 4% by mass based on the total solid content of the photosensitive resin composition. Within this range, sufficient transparency of the formed film can be obtained, and sensitivity at the time of pattern formation is also improved.

또한, 산화 방지제 이외의 첨가제로서, “고분자 첨가제의 신전개((주)일간 공업 신문사)”에 기재된 각종 자외선 흡수제나, 금속 불활성화제 등을 본 발명의 감광성 수지 조성물에 첨가해도 된다.As the additives other than the antioxidant, various ultraviolet absorbers, metal deactivators, and the like described in &quot; New developments of the polymer additive &quot; (Ilgan Kogyo Shimbun) may be added to the photosensitive resin composition of the present invention.

(I) 가소제(I) a plasticizer

본 발명의 감광성 수지 조성물은, (I) 가소제를 함유해도 된다.The photosensitive resin composition of the present invention may contain (I) a plasticizer.

(I) 가소제로서는, 예를 들면 디부틸프탈레이트, 디옥틸프탈레이트, 디도데실프탈레이트, 폴리에틸렌글리콜, 글리세린, 디메틸글리세린프탈레이트, 타르타르산디부틸, 아디프산디옥틸, 트리아세틸글리세린 등을 들 수 있다.Examples of the plasticizer (I) include dibutyl phthalate, dioctyl phthalate, didodecyl phthalate, polyethylene glycol, glycerin, dimethyl glycerin phthalate, dibutyl tartrate, dioctyl adipate and triacetyl glycerin.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 (I) 가소제의 함유량은, (A) 아세탈계 수지 성분 100질량부에 대하여 0.1∼30질량부인 것이 바람직하고, 1∼10질량부인 것이 보다 바람직하다.The content of the plasticizer (I) in the photosensitive resin composition of the present invention is preferably 0.1 to 30 parts by mass, more preferably 1 to 10 parts by mass, per 100 parts by mass of the acetal resin component (A).

(J) 열 라디칼 발생제(J) Thermal radical generator

본 발명의 감광성 수지 조성물은, (J) 열 라디칼 발생제를 함유하고 있어도 되고, 상술한 적어도 1개의 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물과 같은 에틸렌성 불포화 화합물을 함유할 경우, (J) 열 라디칼 발생제를 더 함유하는 것이 바람직하다.The photosensitive resin composition of the present invention may contain (J) a thermal radical generator, and when it contains an ethylenically unsaturated compound such as a compound having at least one ethylenically unsaturated double bond as described above, (J) a thermal radical It is preferable to further contain an initiator.

본 발명에 있어서의 열 라디칼 발생제로서는, 공지의 열 라디칼 발생제를 사용할 수 있다.As the thermal radical generator in the present invention, a known thermal radical generator may be used.

열 라디칼 발생제는, 열의 에너지에 의해 라디칼을 발생하여, 중합성 화합물의 중합 반응을 개시 또는 촉진시키는 화합물이다. 열 라디칼 발생제를 첨가함으로써, 얻어진 경화막이 보다 강인해져, 내열성, 내용제성이 향상될 경우가 있다.The thermal radical generator is a compound that generates radicals by heat energy to initiate or promote the polymerization reaction of the polymerizable compound. The addition of the thermal radical generator makes the obtained cured film stronger, which may improve heat resistance and solvent resistance.

바람직한 열 라디칼 발생제로서는, 방향족 케톤류, 오늄염 화합물, 유기 과산화물, 티오 화합물, 헥사아릴비이미다졸 화합물, 케토옥심에스테르 화합물, 보레이트 화합물, 아지늄 화합물, 메탈로센 화합물, 활성 에스테르 화합물, 탄소 할로겐 결합을 갖는 화합물, 아조계 화합물, 비벤질 화합물 등을 들 수 있다.Preferred thermal radical generators include aromatic ketones, onium salt compounds, organic peroxides, thio compounds, hexaarylbimidazole compounds, ketooxime ester compounds, borate compounds, azinium compounds, metallocene compounds, active ester compounds, A compound having a bond, an azo-based compound, and a non-benzyl compound.

(J) 열 라디칼 발생제는, 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용 하는 것도 가능하다.As the thermal radical generator (J), one kind may be used alone, or two or more kinds may be used in combination.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 (J) 열 라디칼 발생제의 함유량은, 막 물성 향상의 관점에서, (A) 아세탈계 수지를 100질량부로 했을 때, 0.01∼50질량부가 바람직하고, 0.1∼20질량부가 보다 바람직하며, 0.5∼10질량부인 것이 가장 바람직하다.The content of the heat radical generator (J) in the photosensitive resin composition of the present invention is preferably 0.01 to 50 parts by mass, more preferably 0.1 to 50 parts by mass, based on 100 parts by mass of the acetal resin (A) More preferably 20 to 20 parts by mass, and most preferably 0.5 to 10 parts by mass.

(K) 열산 발생제(K) Thermal acid generator

본 발명에서는, 저온 경화에 의한 막 물성 등을 개량하기 위해, (K) 열산 발생제를 사용해도 된다.In the present invention, a (K) thermal acid generator may be used in order to improve physical properties of the film due to low-temperature curing.

본 발명의 열산 발생제란, 열에 의해 산이 발생하는 화합물이며, 통상, 열 분해점이 130℃∼250℃, 바람직하게는 150℃∼220℃의 범위의 화합물이며, 예를 들면 가열에 의해 설폰산, 카르복시산, 디설포닐이미드 등의 저(低)구핵성의 산을 발생시키는 화합물이다.The thermal acid generator of the present invention is a compound which generates acid by heat and is generally a compound having a thermal decomposition point in the range of 130 to 250 캜, preferably 150 to 220 캜, for example, (Lower) nucleophilic acid such as carboxylic acid, disulfonylimide and the like.

발생산으로서는 pKa이 2 이하로 강한, 설폰산이나 전자 흡인기의 치환한 알킬카르복시산 또는 아릴카르복시산, 동일하게 전자 흡인기를 치환한 디설포닐이미드 등이 바람직하다. 전자 흡인기로서는 불소 원자 등의 할로겐 원자, 트리플루오로메틸기 등의 할로알킬기, 니트로기, 시아노기를 들 수 있다.As the generated acid, a strong or stronger pKa of 2 or less, such as a sulfonic acid or an alkylcarboxylic acid or an arylcarboxylic acid substituted with an electron attractive group, or a disulfonylimide in which an electron attractive group is substituted is preferable. Examples of the electron-withdrawing group include a halogen atom such as a fluorine atom, a haloalkyl group such as a trifluoromethyl group, a nitro group, and a cyano group.

또한, 본 발명에 있어서는 노광광의 조사에 의해 실질적으로 산을 발생시키지 않고, 열에 의해 산을 발생시키는 설폰산에스테르를 사용하는 것도 바람직하다.In the present invention, it is also preferable to use a sulfonic acid ester which generates an acid by heat without generating an acid substantially by irradiation with exposure light.

노광광의 조사에 의해 실질적으로 산을 발생시키고 있지 않은 것은, 화합물의 노광 전후에서의 IR 스펙트럼, NMR 스펙트럼 측정에 의해, 스펙트럼에 변화가 없는 것으로 판정할 수 있다.It can be judged that there is no change in the spectrum by measurement of the IR spectrum and NMR spectrum before and after exposure of the compound, in which substantially no acid is generated by irradiation of the exposure light.

설폰산에스테르의 분자량은, 일반적으로는 230∼1000, 바람직하게는 230∼800이다.The molecular weight of the sulfonic acid ester is generally 230 to 1000, preferably 230 to 800.

본 발명에서 사용 가능한 설폰산에스테르는, 시판하는 것을 사용해도 되고, 공지의 방법으로 합성한 것을 사용해도 된다. 설폰산에스테르는, 예를 들면 염기성 조건 하에서, 설포닐클로리드 내지는 설폰산 무수물을 대응하는 다가 알코올과 반응시킴으로써 합성할 수 있다.The sulfonic acid ester which can be used in the present invention may be a commercially available sulfonic acid ester or may be synthesized by a known method. Sulfonic acid esters can be synthesized, for example, by reacting a sulfonyl chloride or a sulfonic acid anhydride with a corresponding polyhydric alcohol under basic conditions.

설폰산에스테르의 감광성 수지 조성물 중의 함유량은, (A) 아세탈계 수지 성분을 100질량부로 했을 때 0.5∼20질량부가 바람직하고, 특히 바람직하게는 1∼15질량부이다.The content of the sulfonic acid ester in the photosensitive resin composition is preferably from 0.5 to 20 parts by mass, more preferably from 1 to 15 parts by mass, based on 100 parts by mass of the acetal resin component (A).

(L) 산 증식제(L) Acid growth agent

본 발명의 감광성 수지 조성물은, 감도 향상을 목적으로, (L) 산 증식제를 사용할 수 있다. 본 발명에 있어서 사용하는 산 증식제는, 산 촉매 반응에 의해 산을 더 발생시켜 반응계 내의 산 농도를 상승시킬 수 있는 화합물이며, 산이 존재하지 않은 상태에서는 안정하게 존재하는 화합물이다. 이와 같은 화합물은, 1회의 반응으로 1개 이상의 산이 증가하기 때문에, 반응의 진행에 따라 가속적으로 반응이 진행되지만, 발생한 산 자체가 자기 분해를 유기(誘起)하기 때문에, 여기에서 발생하는 산의 강도는, 산 해리 정수, pKa로서 3 이하인 것이 바람직하고, 특히 2 이하인 것이 바람직하다.In the photosensitive resin composition of the present invention, (L) an acid propagating agent may be used for the purpose of improving the sensitivity. The acid-proliferating agent used in the present invention is a compound that can generate an acid by further catalyzing acid-catalysis to increase the acid concentration in the reaction system, and is a compound stably present in the absence of acid. In such a compound, since at least one acid increases in a single reaction, the reaction proceeds acceleratively with the progress of the reaction. However, since the generated acid itself induces self-decomposition, The strength is preferably 3 or less, more preferably 2 or less, as the acid dissociation constant, pKa.

산 증식제의 구체예로서는, 일본국 특개평10-1508호 공보 〔0203〕∼〔0223〕, 일본국 특개평10-282642호 공보 〔0016〕∼〔0055〕, 및 일본국 특표평9-512498호 공보 제39쪽 12째줄∼제47쪽 2째줄에 기재된 화합물을 들 수 있다.Specific examples of acid proliferating agents include the compounds described in JP-A-10-1508 [0203] to [0223], JP-A-10-282642 [0016] to [0055] A compound described in the publication line 2 on page 39 line 12 to page 47 line 2 can be mentioned.

본 발명에서 사용할 수 있는 산 증식제로서는, 산 발생제로부터 발생한 산에 의해 분해하고, 디클로로아세트산, 트리클로로아세트산, 메탄설폰산, 벤젠설폰산, 트리플루오로메탄설폰산, 페닐포스폰산 등의 pKa이 3 이하의 산을 발생시키는 화합물을 들 수 있다.Examples of the acidic proliferative agent that can be used in the present invention include acids decomposed by acids generated from an acid generator and decomposed with pKa such as dichloroacetic acid, trichloroacetic acid, methanesulfonic acid, benzenesulfonic acid, trifluoromethanesulfonic acid and phenylphosphonic acid And compounds capable of generating an acid of 3 or less.

산 증식제의 감광성 수지 조성물 중의 함유량은, (B) 광산발생제 100질량부에 대하여 10∼1000질량부로 하는 것이, 노광부와 미노광부의 용해 콘트라스트의 관점에서 바람직하고, 20∼500질량부로 하는 것이 더 바람직하다.The content of the acid proliferating agent in the photosensitive resin composition is preferably 10 to 1000 parts by mass based on 100 parts by mass of the (B) photoacid generator from the viewpoint of dissolution contrast between the exposed portion and the unexposed portion, and is preferably 20 to 500 parts by mass Is more preferable.

경화막의 형성 방법Method of forming a cured film

다음으로, 본 발명에 있어서의 경화막의 형성 방법을 설명한다.Next, a method of forming a cured film in the present invention will be described.

본 발명에 있어서의 경화막의 형성 방법은, 이하의 (1)∼(5)의 공정을 포함한다:The method for forming a cured film in the present invention includes the following steps (1) to (5):

(1) 본 발명의 감광성 수지 조성물을 기판 위에 도포하는 것(도포 공정);(1) applying the photosensitive resin composition of the present invention on a substrate (coating step);

(2) 도포된 감광성 수지 조성물로부터 용제를 제거하는 것(용제 제거 공정);(2) removing the solvent from the applied photosensitive resin composition (solvent removing step);

(3) 도포된 감광성 수지 조성물을 활성 광선에 의해 노광하는 것(노광 공정);(3) exposing the applied photosensitive resin composition by an actinic ray (exposure step);

(4) 노광된 감광성 수지 조성물을 수성 현상액에 의해 현상하는 것(현상 공정);(4) developing the exposed photosensitive resin composition with an aqueous developing solution (development step);

(5) 현상된 감광성 수지 조성물을 열경화하는 것(포스트베이킹 공정).(5) Heat-curing the developed photosensitive resin composition (post-baking step).

이하에 각 공정을 순서대로 설명한다.Each step will be described below in order.

(1)의 도포 공정에서는, 본 발명의 감광성 수지 조성물을 기판 위에 도포하여 용제를 함유하는 습윤막을 형성한다.(1), the photosensitive resin composition of the present invention is applied onto a substrate to form a wet film containing a solvent.

(2)의 용제 제거 공정에서는, 도포된 상기의 막으로부터, 감압(배큠) 및/또는 가열에 의해, 용제를 제거하여 기판 위에 건조 도막을 형성시킨다.In the solvent removing step of (2), the solvent is removed from the coated film by reduced pressure (baking) and / or heating to form a dried coating film on the substrate.

(3)의 노광 공정에서는, 얻어진 도막에 파장 300㎚ 이상 450㎚ 이하의 활성 광선을 조사한다. 이 공정에서는, (B) 광산발생제가 분해하여 산이 발생한다. 발생한 산의 촉매 작용에 의해, (A) 아세탈계 수지 중에 함유되는 구조 단위(a1) 중의 산 분해성기가 분해되어, 카르복시기가 생성된다.In the exposure step of (3), an active ray having a wavelength of 300 nm or more and 450 nm or less is irradiated to the obtained coating film. In this step, (B) the photoacid generator is decomposed to generate acid. By the catalytic action of the generated acid, the acid-decomposable group in the structural unit (a1) contained in the acetal-based resin (A) is decomposed to produce a carboxyl group.

산 촉매가 생성된 영역에서, 상기의 분해 반응을 가속시키기 위해, 필요에 따라, PEB(노광 후 가열 처리)를 행할 수 있다. PEB에 의해, 산 분해성기로부터의 카르복시기 생성을 촉진시킬 수 있다.In the region where the acid catalyst is produced, PEB (post-exposure heat treatment) can be performed as needed in order to accelerate the decomposition reaction. By PEB, the generation of carboxyl groups from the acid decomposable group can be promoted.

본 발명에 있어서의 구조 단위(a1) 중의 산 분해성기는, 산 분해의 활성화 에너지가 낮고, 노광에 의한 산 발생제 유래의 산에 의해 용이하게 분해하며, 카르복시기를 생기게 하기 때문에, 반드시 PEB를 행하지 않고, 현상에 의해 포지티브 화상을 형성할 수도 있다.The acid-decomposable group in the structural unit (a1) in the present invention has a low activation energy for acid decomposition and is easily decomposed by an acid derived from an acid generator by exposure to generate a carboxyl group. Therefore, , And a positive image may be formed by development.

또한, 비교적 저온에서 PEB를 행함으로써, 가교 반응을 일으키지 않고, 산 분해성기의 가수 분해를 촉진할 수도 있다. PEB를 행할 경우의 온도는 30℃ 이상 130℃ 이하인 것이 바람직하고, 40℃ 이상 110℃ 이하가 보다 바람직하며, 50℃ 이상 90℃ 이하가 특히 바람직하다.Further, by performing PEB at a relatively low temperature, the hydrolysis of the acid decomposable group can be promoted without causing a crosslinking reaction. The temperature at which PEB is carried out is preferably 30 占 폚 to 130 占 폚, more preferably 40 占 폚 to 110 占 폚, and particularly preferably 50 占 폚 to 90 占 폚.

(4)의 현상 공정에서는, 유리(遊離)한 카르복시기를 갖는 (A) 아세탈계 수지를, 알칼리성 현상액을 사용하여 현상한다. 알칼리성 현상액에 용해하기 쉬운 카르복시기를 갖는 수지 조성물을 함유하는 노광부 영역을 제거함으로써, 포지티브 화상이 형성된다.(A) acetal resin having a liberated carboxyl group is developed using an alkaline developer in the developing step of (4). A positive image is formed by removing the exposed region containing a resin composition having a carboxyl group which is liable to dissolve in an alkaline developer.

(5)의 포스트베이킹 공정에 있어서, 얻어진 포지티브 화상을 가열함으로써, 구조 단위(a1) 중의 산 분해성기를 열분해하여 카르복시기를 생성시키고, 에폭시기 및/또는 옥세타닐기와 가교시킴으로써, 경화막을 형성할 수 있다. 이 가열은 150℃ 이상의 고온으로 가열하는 것이 바람직하고, 180∼250℃로 가열하는 것이 보다 바람직하며, 200∼250℃로 가열하는 것이 특히 바람직하다. 가열 시간은, 가열 온도 등에 의해 적절히 설정할 수 있지만, 10∼90분의 범위 내로 하는 것이 바람직하다.A cured film can be formed by thermally decomposing an acid-decomposable group in the structural unit (a1) to produce a carboxyl group by heating the obtained positive image in the post-baking step of the step (5) and crosslinking the epoxy group and / or oxetanyl group . The heating is preferably performed at a high temperature of 150 ° C or higher, more preferably 180 ° C to 250 ° C, and particularly preferably 200 ° C to 250 ° C. The heating time can be appropriately set depending on the heating temperature and the like, but is preferably within a range of 10 to 90 minutes.

포스트베이킹 공정 전에 활성 광선, 바람직하게는 자외선을, 현상 패턴으로 전면 조사하는 공정을 더하면, 활성 광선 조사에 의해 발생하는 산에 의해 가교 반응을 촉진할 수 있다.When a step of irradiating the active ray, preferably ultraviolet ray, with the development pattern in front of the post-baking step is added, the crosslinking reaction can be promoted by the acid generated by the actinic ray irradiation.

다음으로, 본 발명의 감광성 수지 조성물을 사용한 경화막의 형성 방법을 구체적으로 설명한다.Next, a method for forming a cured film using the photosensitive resin composition of the present invention will be described in detail.

감광성 수지 조성물의 조제 방법Method for preparing photosensitive resin composition

(A) 아세탈계 수지, (B) 광산발생제, 및 (C) 용제의 필수 성분을 소정의 비율로 또한 임의의 방법으로 혼합하고, 교반 용해하여 감광성 수지 조성물을 조제한다. 예를 들면 (A) 아세탈계 수지 또는 (B) 광산발생제를, 각각 미리 (C) 용제에 용해시킨 용액을 작성한 후, 이들을 소정의 비율로 혼합하여 감광성 수지 조성물을 조제할 수도 있다. 이상과 같이 조제한 감광성 수지 조성물의 용액은, 공경(孔徑) 0.1㎛의 필터 등을 사용하여 여과한 후에, 사용에 제공할 수도 있다.The essential components of the acetal resin (A), the photoacid generator (B), and the solvent (C) are mixed in an arbitrary manner at a predetermined ratio, and the mixture is stirred and dissolved to prepare a photosensitive resin composition. For example, a solution prepared by previously dissolving (A) an acetal resin or (B) a photoacid generator in a solvent beforehand may be prepared and then mixed at a predetermined ratio to prepare a photosensitive resin composition. The solution of the photosensitive resin composition prepared as described above may be used after being filtered using a filter having a pore diameter of 0.1 mu m or the like.

도포 공정 및 용제 제거 공정Application Process and Solvent Removal Process

수지 조성물을, 소정의 기판에 도포하고, 감압 및/또는 가열(프리베이킹)에 의해 용매를 제거함으로써, 원하는 건조 도막을 형성할 수 있다. 상기한 기판으로서는, 예를 들면 액정 표시 장치의 제조에 있어서는, 편광판, 필요에 따라 블랙 매트릭스층, 칼라 필터층을 더 마련하고, 투명 도전 회로층을 더 마련한 유리판 등을 예시할 수 있다. 기판에의 도포 방법은 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 슬릿 코팅법, 스프레이법, 롤 코팅법, 회전 도포법 등의 방법을 사용할 수 있다. 그 중에서도 슬릿 코팅법이 대형 기판에 적합하다는 관점에서 바람직하다. 여기에서 대형 기판이란, 각 변이 1m 이상의 크기의 기판을 말한다.A desired dry film can be formed by applying the resin composition to a predetermined substrate and removing the solvent by reduced pressure and / or heating (prebaking). Examples of the above-mentioned substrates include glass plates in which a polarizing plate, a black matrix layer and a color filter layer are additionally provided, and a transparent conductive circuit layer is further provided, for example, in the production of a liquid crystal display device. The coating method on the substrate is not particularly limited, and for example, a slit coating method, a spraying method, a roll coating method, and a spin coating method can be used. Among them, the slit coating method is preferable from the viewpoint of being suitable for a large substrate. Here, a large substrate refers to a substrate having a size of 1 m or more on each side.

또한, (2) 용제 제거 공정의 가열 조건은, 미노광부에 있어서의 (A) 아세탈계 수지 중의 (a1) 구조 단위에 있어서 산 분해성기가 분해하여, 또한, (A) 아세탈계 수지를 알칼리 현상액에 가용성으로 하지 않은 범위이며, 각 성분의 종류나 배합비에 따라서도 상이하지만, 바람직하게는 70∼120℃에서 30∼300초간 정도이다.(2) The heating condition of the solvent removal step is such that the acid decomposable group decomposes in the structural unit (a1) in the acetal-based resin (A) in the unexposed portion, and the acetal- And it varies depending on the kind of each component and blending ratio, and is preferably about 70 to 120 DEG C for 30 to 300 seconds.

노광 공정Exposure process

(3) 노광 공정에서는, 건조 도막을 마련한 기판에 소정의 패턴의 활성 광선을 조사한다. 노광은 마스크를 거쳐 행해도 되고, 소정의 패턴을 직접 묘화(描畵)해도 된다. 파장 300㎚ 이상 450㎚ 이하의 파장을 갖는 활성 광선을 바람직하게 사용할 수 있다. 노광 공정 후, 필요에 따라 PEB를 행한다.(3) In the exposure step, an actinic ray of a predetermined pattern is irradiated to the substrate provided with the dry film. The exposure may be performed via a mask, or a predetermined pattern may be directly drawn. An active ray having a wavelength of 300 nm or more and 450 nm or less can be preferably used. After the exposure process, PEB is performed if necessary.

활성 광선에 의한 노광에는, 저압 수은등, 고압 수은등, 초고압 수은등, 케미컬 램프, 레이저 발생 장치, LED 광원 등을 사용할 수 있다.A low-pressure mercury lamp, a high-pressure mercury lamp, an ultra-high-pressure mercury lamp, a chemical lamp, a laser generator, an LED light source, or the like can be used for exposure by an actinic ray.

수은등을 사용할 경우에는 g선(436㎚), i선(365㎚), h선(405㎚) 등의 파장을 갖는 활성 광선을 바람직하게 사용할 수 있다. 수은등은 레이저에 비하면, 대면적의 노광에 적합하다는 점에서 바람직하다.When a mercury lamp is used, an actinic ray having a wavelength of g-line (436 nm), i-line (365 nm) and h-line (405 nm) can be preferably used. The mercury lamp is preferable in that it is suitable for exposure of a large area as compared with a laser.

레이저를 사용할 경우에는 고체(YAG) 레이저로는 343㎚, 355㎚가 사용되고, 엑시머 레이저로는 351㎚(XeF)가 사용되며, 또한 반도체 레이저로는 375㎚, 405㎚를 사용할 수 있다. 이 중에서도 안정성, 비용 등의 점에서 355㎚, 405㎚가 보다 바람직하다. 레이저는 1회 혹은 복수회에 나눠, 도막에 조사할 수 있다.When a laser is used, 343 nm and 355 nm are used as the solid (YAG) laser, 351 nm (XeF) is used as the excimer laser, and 375 nm and 405 nm are available as the semiconductor laser. Of these, 355 nm and 405 nm are more preferable in terms of stability and cost. The laser can be applied to the coating film once or plural times.

레이저의 1 펄스당 에너지 밀도는 0.1mJ/㎠ 이상 10000mJ/㎠ 이하인 것이 바람직하다. 도막을 충분히 경화시키기 위해서는, 0.3mJ/㎠ 이상이 보다 바람직하고, 0.5mJ/㎠ 이상이 가장 바람직하며, 어블레이션(ablation) 현상에 의해 도막을 분해시키지 않도록 하기 위해서는, 1000mJ/㎠ 이하가 보다 바람직하고, 100mJ/㎠ 이하가 가장 바람직하다.The energy density per pulse of the laser is preferably from 0.1 mJ / cm 2 to 10000 mJ / cm 2. More preferably not less than 0.3 mJ / cm 2, most preferably not less than 0.5 mJ / cm 2, and more preferably not more than 1000 mJ / cm 2 in order to prevent the coating film from being decomposed by the ablation phenomenon , And most preferably 100 mJ / cm 2 or less.

또한, 펄스폭은 0.1nsec 이상 30000nsec 이하인 것이 바람직하다. 어블레이션 현상에 의해 색 도막을 분해시키지 않도록 하기 위해서는 0.5nsec 이상이 보다 바람직하고, 1nsec 이상이 가장 바람직하며, 스캔 노광시에 맞춤 정밀도를 향상시키기 위해서는, 1000nsec 이하가 보다 바람직하고, 50nsec 이하가 가장 바람직하다.The pulse width is preferably from 0.1 nsec to 30000 nsec. In order to prevent decomposition of the color coating film due to ablation, it is more preferably 0.5 nsec or more, most preferably 1 nsec or more, and more preferably 1000 nsec or less and 50 nsec or less desirable.

또한, 레이저의 주파수는 1∼50000㎐가 바람직하고, 10∼1000㎐가 보다 바람직하다. 레이저의 주파수가 1㎐ 미만에서는, 노광 처리 시간이 많아지고, 50000㎐를 초과하면, 스캔 노광시에 맞춤 정밀도가 저하한다.The frequency of the laser is preferably 1 to 50000 Hz, more preferably 10 to 1000 Hz. When the frequency of the laser is less than 1 Hz, the exposure processing time is increased. When the frequency is more than 50000 Hz, the accuracy of alignment at the time of scanning exposure is lowered.

또한, 레이저의 주파수는 1㎐ 이상 50000㎐ 이하인 것이 바람직하다. 노광 처리 시간을 짧게 하기 위해서는 10㎐ 이상이 보다 바람직하고, 100㎐ 이상이 가장 바람직하며, 스캔 노광시에 맞춤 정밀도를 향상시키기 위해서는, 10000㎐ 이하가 보다 바람직하고, 1000㎐ 이하가 가장 바람직하다.The frequency of the laser is preferably 1 Hz or more and 50000 Hz or less. In order to shorten the exposure processing time, more preferably 10 Hz or more, most preferably 100 Hz or more, and more preferably 10000 Hz or less, and most preferably 1000 Hz or less, in order to improve the fitting precision at the time of the scan exposure.

레이저는 수은등과 비교하면, 초점을 좁히는 것이 용이하며, 노광 공정에서의 패턴 형성의 마스크가 불필요하여 비용 다운할 수 있다는 점에서 바람직하다.Compared with a mercury lamp, a laser is preferable in that it is easy to narrow the focus, and a mask for forming a pattern in an exposure process is unnecessary, and cost can be reduced.

본 발명에 사용 가능한 노광 장치로서는, 특별히 제한은 없지만 시판되고 있는 것으로서는, Callisto(상품명, 브이테크놀로지 가부시키가이샤제)나 AEGIS(상품명, 브이테크놀로지 가부시키가이샤제)나 DF2200G(상품명, 다이니혼스크린 가부시키가이샤제) 등이 사용 가능하다. 또한 상기 이외의 장치도 호적하게 사용할 수 있다.Examples of the exposure apparatus that can be used in the present invention include, but are not limited to, commercially available products such as Callisto (trade name, manufactured by V Technology Corporation), AEGIS (trade name, manufactured by V Technology Corporation), DF2200G Ltd.) and the like can be used. Also, devices other than those described above can be used suitably.

또한, 필요에 따라 장파장 커트 필터, 단파장 커트 필터, 밴드패스 필터와 같은 분광 필터를 통과시켜 조사광을 조정할 수도 있다.If necessary, the irradiation light may be adjusted by passing through a spectral filter such as a long wavelength cut filter, a short wavelength cut filter, or a band pass filter.

현상 공정Development process

(4) 현상 공정에서는, 염기성 현상액을 사용하여 노광부 영역을 제거하여 화상 패턴을 형성한다. 염기성 화합물로서는, 예를 들면 수산화리튬, 수산화나트륨, 수산화칼륨 등의 알칼리 금속 수산화물류; 탄산나트륨, 탄산칼륨 등의 알칼리 금속 탄산염류; 중탄산나트륨, 중탄산칼륨 등의 알칼리 금속 중탄산염류; 테트라메틸암모늄히드록시드, 테트라에틸암모늄히드록시드, 콜린히드록시드 등의 암모늄히드록시드류; 규산나트륨, 메타규산나트륨 등의 수용액을 사용할 수 있다. 또한, 상기 알칼리류의 수용액에 메탄올이나 에탄올 등의 수용성 유기 용제나 계면 활성제를 적당량 첨가한 수용액을 현상액으로서 사용할 수도 있다.(4) In the developing process, an exposed pattern area is removed by using a basic developing solution to form an image pattern. Examples of the basic compound include alkali metal hydroxide such as lithium hydroxide, sodium hydroxide and potassium hydroxide; Alkali metal carbonates such as sodium carbonate and potassium carbonate; Alkali metal bicarbonates such as sodium bicarbonate and potassium bicarbonate; Ammonium hydroxides such as tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, and choline hydroxide; An aqueous solution of sodium silicate, sodium metasilicate or the like can be used. An aqueous solution in which an appropriate amount of a water-soluble organic solvent such as methanol or ethanol or a surfactant is added to the aqueous alkaline solution may be used as a developer.

현상액의 pH는 바람직하게는 10.0∼14.0이다.The pH of the developing solution is preferably 10.0 to 14.0.

현상 시간은 통상 30∼180초간이며, 또한, 현상의 방법은 액성법(液盛法), 디프법, 샤워법 등 중 어느 것이어도 된다. 현상 후는, 유수(流水) 세정을 10∼90초간 행하여, 원하는 패턴을 형성시킬 수 있다.The developing time is usually from 30 to 180 seconds, and the developing method may be any of a liquid method, a dipping method, and a shower method. After the development, a desired pattern can be formed by performing an aqueous (water) cleaning for 10 to 90 seconds.

포스트베이킹 공정(가교 공정)Post baking process (crosslinking process)

현상에 의해 얻어진 미노광 영역에 대응하는 패턴에 대해서, 핫 플레이트나 오븐 등의 가열 장치를 사용하여, 소정의 온도, 예를 들면 180∼250℃에서 소정의 시간, 예를 들면 핫 플레이트 위라면 5∼60분간, 오븐이면 30∼90분간 가열 처리를 함으로써, (A) 아세탈계 수지 중의 산 분해성기를 분해하여, 카르복시기를 발생시키고, (A) 아세탈계 수지 중의 에폭시기 및/또는 옥세타닐기인 가교성기와 반응하여 가교시킴으로써, 내열성, 경도 등이 우수한 보호막이나 층간 절연막을 형성할 수 있다. 또한, 가열 처리를 행할 때에는 질소 분위기 하에서 행함으로써 투명성을 향상시킬 수도 있다.For a predetermined time at a predetermined temperature, for example, 180 to 250 캜 for a predetermined time, for example, on a hot plate, using a heating apparatus such as a hot plate or an oven for a pattern corresponding to the unexposed region obtained by development (A) decomposing an acid-decomposable group in the acetal-based resin to generate a carboxyl group, and (A) reacting an epoxy group and / or an oxetanyl group in the acetal-based resin with a crosslinkable group And a crosslinking reaction is carried out to form a protective film or an interlayer insulating film excellent in heat resistance, hardness and the like. Further, when the heat treatment is performed, transparency can be improved by performing the heat treatment in a nitrogen atmosphere.

또한, 가열 처리에 앞서, 패턴을 형성한 기판에 활성 광선에 의해 재노광한 후, 포스트베이킹(재노광/포스트베이킹)함으로써 미노광 부분에 존재하는 (B) 광산발생제로부터 산을 발생시키고, 가교를 촉진하는 촉매로서 기능시키는 것이 바람직하다.In addition, prior to the heat treatment, an acid is generated from the (B) photoacid generator present in the unexposed portion by post-baking (re-exposure / post-baking) It is preferable to function as a catalyst for promoting crosslinking.

즉, 본 발명에 있어서의 경화막의 형성 방법은, 현상 공정과 포스트베이킹 공정 사이에, 활성 광선에 의해 재노광하는 재노광 공정을 포함하는 것이 바람직하다.That is, the method of forming a cured film in the present invention preferably includes a re-exposure step of re-exposing the resist film by the actinic ray between the developing step and the post-baking step.

재노광 공정에 있어서의 노광은, 상기 노광 공정과 같은 수단에 의해 행하면 되지만, 상기 재노광 공정에서는, 기판의 본 발명의 감광성 수지 조성물에 의해 막이 형성된 측에 대하여, 전면 노광을 행하는 것이 바람직하다. 재노광 공정의 바람직한 노광량으로서는 100∼1,000mJ/㎠이다.The exposure in the re-exposure step may be performed by the same means as in the exposure step, but in the re-exposure step, it is preferable to perform the entire exposure on the side of the substrate where the film is formed by the photosensitive resin composition of the present invention. The preferable exposure amount of the re-exposure process is 100 to 1,000 mJ / cm &lt; 2 &gt;.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 의해, 절연성이 우수하고, 고온에서 베이킹되었을 경우에도 높은 투명성을 갖는 경화막이 얻어져, 층간 절연막으로서 유용하다. 본 발명의 감광성 수지 조성물을 사용하여 이루어지는 층간 절연막은, 높은 투명성을 갖고, 경화막 물성이 우수하기 때문에, 유기 EL 표시 장치나 액정 표시 장치의 용도로 유용하다.With the photosensitive resin composition of the present invention, a cured film having excellent insulating properties and having high transparency even when baked at a high temperature can be obtained and is useful as an interlayer insulating film. The interlayer insulating film formed using the photosensitive resin composition of the present invention is useful for an organic EL display device or a liquid crystal display device because it has high transparency and excellent physical properties of a cured film.

본 발명의 유기 EL 표시 장치나 액정 표시 장치로서는, 상기 본 발명의 감광성 수지 조성물을 사용하여 형성되는 경화막을 평탄화막이나 층간 절연막으로서 사용하는 것 이외는 특별히 제한되지 않고, 다양한 구조를 취하는 공지의 각종 유기 EL 표시 장치나 액정 표시 장치를 들 수 있다.The organic EL display device and the liquid crystal display device of the present invention are not particularly limited except that the cured film formed using the photosensitive resin composition of the present invention is used as a planarizing film or an interlayer insulating film, Organic EL display devices and liquid crystal display devices.

도 1은 유기 EL 표시 장치의 일례의 구성 개념도를 나타낸다. 보톰 에미션형 유기 EL 표시 장치에 있어서의 기판의 모식적 단면도를 나타내며, 평탄화막(4)을 갖고 있다.Fig. 1 shows a configuration diagram of an example of an organic EL display device. Sectional view of a substrate in a bottom emission type organic EL display device and has a planarizing film 4. [

유리 기판(6) 위에 보톰 게이트형 TFT(1)를 형성하고, 이 TFT(1)를 덮는 상태로 Si3N4로 이루어지는 절연막(3)이 형성되어 있다. 절연막(3)에, 여기에서는 도시를 생략한 콘택트홀을 형성한 후, 이 콘택트홀을 거쳐 TFT(1)에 접속되는 배선(2)(높이 1.0㎛)이 절연막(3) 위에 형성되어 있다. 배선(2)은 TFT(1)간 또는, 후의 공정에서 형성되는 유기 EL 소자와 TFT(1)를 접속하기 위한 것이다.A bottom gate type TFT 1 is formed on a glass substrate 6 and an insulating film 3 made of Si 3 N 4 is formed so as to cover the TFT 1. A wiring 2 (height 1.0 mu m) connected to the TFT 1 via the contact hole is formed on the insulating film 3 after forming a contact hole (not shown) in the insulating film 3 here. The wiring 2 is for connecting the organic EL element formed between the TFTs 1 or a later step to the TFT 1. [

또한, 배선(2)의 형성에 의한 요철을 평탄화하기 위해, 배선(2)에 의한 요철을 메워넣는 상태로 절연막(3) 위에 평탄화막(4)이 형성되어 있다.The flattening film 4 is formed on the insulating film 3 so as to fill the irregularities formed by the wirings 2 in order to planarize the irregularities due to the formation of the wirings 2.

평탄화막(4) 위에는, 보톰 에미션형 유기 EL 소자가 형성되어 있다. 즉, 평탄화막(4) 위에, ITO로 이루어지는 제1 전극(5)이, 콘택트홀(7)을 거쳐 배선(2)에 접속시켜 형성되어 있다. 제1 전극(5)은, 유기 EL 소자의 양극에 상당한다.On the flattening film 4, a bottom emission type organic EL element is formed. That is, a first electrode 5 made of ITO is formed on the planarization film 4 by being connected to the wiring 2 through the contact hole 7. The first electrode 5 corresponds to the anode of the organic EL element.

제1 전극(5)의 주연(周緣)을 덮는 형상의 절연막(8)이 형성되어 있으며, 이 절연막(8)을 마련함으로써, 제1 전극(5)과 이 후의 공정에서 형성하는 제2 전극 사이의 쇼트를 방지할 수 있다.The insulating film 8 is formed so as to cover the periphery of the first electrode 5. By providing the insulating film 8, the first electrode 5 and the second electrode Can be prevented.

또한, 도 1에는 도시하고 있지 않지만, 원하는 패턴 마스크를 거쳐, 정공 수송층, 유기 발광층, 전자 수송층을 순차 증착하여 마련하고, 계속하여, 기판 상방의 전면에 Al으로 이루어지는 제2 전극을 형성하고, 봉지용(封止用) 유리판과 자외선 경화형 에폭시 수지를 사용하여 첩합(貼合)시킴으로써 봉지하고, 각 유기 EL 소자에 이를 구동하기 위한 TFT(1)가 접속되어 이루어지는 액티브 매트릭스형 유기 EL 표시 장치를 얻을 수 있다.Although not shown in FIG. 1, a hole transporting layer, an organic light emitting layer, and an electron transporting layer are sequentially deposited by a desired pattern mask, and subsequently, a second electrode made of Al is formed on the entire upper surface of the substrate, An active matrix type organic EL display device in which an encapsulating glass plate and an ultraviolet curing type epoxy resin are used to encapsulate and seal each organic EL element and a TFT 1 for driving each organic EL element is connected is obtained .

도 2는 액티브 매트릭스 방식의 액정 표시 장치(10)의 일례를 나타내는 개념적 단면도이다. 이 컬러 액정 표시 장치(10)는, 배면에 백라이트 유닛(12)을 갖는 액정 패널로서, 액정 패널은, 편광 필름이 첩부(貼付)된 2매의 유리 기판(14, 15) 사이에 배치된 모든 화소에 대응하는 TFT(16)의 소자가 배치되어 있다. 유리 기판 위에 형성된 각 소자에는, 경화막(17) 중에 형성된 콘택트홀(18)을 통과시켜, 화소 전극을 형성하는 ITO 투명 전극(19)이 배선되어 있다. ITO 투명 전극(19) 위에는, 액정(20)의 층과 블랙 매트릭스를 배치한 RGB 칼라 필터(22)가 마련되어 있다.Fig. 2 is a conceptual cross-sectional view showing an example of the active matrix type liquid crystal display device 10. Fig. This color liquid crystal display device 10 is a liquid crystal panel having a backlight unit 12 on its back surface and the liquid crystal panel is a liquid crystal display panel in which all of the two glass substrates 14 and 15 that are stuck Elements of the TFT 16 corresponding to the pixel are disposed. Each element formed on the glass substrate is wired with an ITO transparent electrode 19 which passes through the contact hole 18 formed in the cured film 17 and forms a pixel electrode. On the ITO transparent electrode 19, an RGB color filter 22 in which a layer of the liquid crystal 20 and a black matrix are arranged is provided.

실시예Example

다음으로, 실시예에 의해 본 발명을 더 구체적으로 설명한다. 단, 본 발명은, 이들의 실시예에 의해 한정되는 것이 아니다. 또한, 특히 명시하지 않는 한, 「부」, 「%」는 질량 기준이다.Next, the present invention will be described more specifically with reference to Examples. However, the present invention is not limited by these examples. Unless otherwise specified, &quot; part &quot; and &quot;% &quot; are based on mass.

이하의 합성예에 있어서, 이하의 약호는 각각 이하의 화합물을 나타낸다.In the following Synthesis Examples, the following abbreviations respectively represent the following compounds.

V-65: 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴)V-65: 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile)

GMA: 글리시딜메타크릴레이트GMA: glycidyl methacrylate

PGMEA: 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트PGMEA: Propylene glycol monomethyl ether acetate

중합체 A-1의 합성Synthesis of Polymer A-1

에틸비닐에테르 144.2부(2몰 당량)에 페노티아진 0.5부를 첨가하여, 반응계 중을 10℃ 이하로 냉각하면서 메타크릴산 86.1부(1몰 당량)를 적하 후, 실온(25℃)에서 4시간 교반했다. p-톨루엔설폰산피리디늄 5.0부를 첨가 후, 실온에서 2시간 교반하고, 하룻밤 실온 방치했다. 반응액에 탄산수소나트륨 5부 및 황산나트륨 5부를 첨가하고, 실온에서 1시간 교반하고, 불용물을 여과 후 40℃ 이하에서 감압 농축하고, 잔사(殘渣)의 황색 유상물(油狀物)을 감압 증류하여 비점(bp.) 43∼45℃/7mmHg 유분(留分)의 메타크릴산1-에톡시에틸 134.0부를 무색 유상물로서 얻었다.(1 molar equivalent) of methacrylic acid was added dropwise to 144.2 parts (2 molar equivalents) of ethyl vinyl ether while 0.5 part of phenothiazine was added to the reaction system while cooling the reaction system to 10 DEG C or lower, and the mixture was stirred at room temperature (25 DEG C) for 4 hours Lt; / RTI &gt; 5.0 parts of p-toluenesulfonic acid pyridinium was added, and the mixture was stirred at room temperature for 2 hours and allowed to stand at room temperature overnight. 5 parts of sodium hydrogencarbonate and 5 parts of sodium sulfate were added to the reaction mixture, and the mixture was stirred at room temperature for 1 hour. The insoluble material was filtered and then concentrated under reduced pressure at 40 DEG C or lower to obtain a yellow oil- Distillation to obtain 134.0 parts of 1-ethoxyethyl methacrylate having a boiling point (bp.) Of 43 to 45 DEG C / 7 mmHg as a colorless oil.

얻어진 메타크릴산1-에톡시에틸 66.41부(0.4몰 당량), 메타크릴산 6.89부(0.08몰 당량), GMA 49.75부(0.35몰 당량), 메타크릴산2-히드록시에틸 19.52부(0.15몰 당량), 및 PGMEA 132.5부의 혼합 용액을 질소 기류 하에서, 70℃로 가열했다. 이 혼합 용액을 교반하면서, 라디칼 중합 개시제 V-65(와코쥰야쿠고교(주)제, 12.4부), 및 PGMEA 100.0부의 혼합 용액을 2.5시간 걸쳐 적하했다. 적하가 종료되고 나서, 70℃에서 4시간 반응시킴으로써 중합체 A-1의 PGMEA 용액(고형분 농도: 40%)을 얻었다. 얻어진 중합체 A-1의 겔투과 크로마토그래피(GPC)에 의해 측정한 중량 평균 분자량은 8,000이었다.The obtained methacrylic acid was mixed with 66.41 parts (0.4 molar equivalent) of methacrylic acid, 6.89 parts (0.08 molar equivalent) of methacrylic acid, 49.75 parts (0.35 molar equivalent) of GMA, 19.52 parts (0.15 mol) of 2-hydroxyethyl methacrylate Equivalent) and 132.5 parts of PGMEA was heated to 70 占 폚 under a nitrogen stream. While stirring the mixed solution, a mixed solution of a radical polymerization initiator V-65 (12.4 parts by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) and 100.0 parts of PGMEA was added dropwise over 2.5 hours. After completion of the dropwise addition, the PGMEA solution (solid content concentration: 40%) of Polymer A-1 was obtained by reacting at 70 DEG C for 4 hours. The polymer A-1 thus obtained had a weight average molecular weight of 8,000 as determined by gel permeation chromatography (GPC).

중합체 A-2∼A-19, A-30, A-31, A-34∼A-36, 및 A'-20∼29의 합성Synthesis of Polymers A-2 to A-19, A-30, A-31, A-34 to A-36, and A'-20 to 29

중합체 A-1의 합성에서 사용한 각 모노머를 표 1에 기재된 각 구조 단위(a1)∼(a5)로 변경하고, 각 구조 단위의 사용량을 표 1에 기재된 것으로 변경한 이외는, 중합체 A-1의 합성과 같이 하여, 중합체 A-2∼19, A-30, A-31, A-34∼A-36, 및 A'-20∼29를 각각 합성했다. 또한, 라디칼 중합 개시제 V-65의 첨가량은, 표 1에 기재된 분자량이 되도록 각각 조정했다.Polymer A-1 was obtained in the same manner as in Polymer A-1 except that the respective monomers used in the synthesis of Polymer A-1 were changed to the respective structural units (a1) to (a5) shown in Table 1 and the usage amounts of the respective structural units were changed to those shown in Table 1. Polymers A-2 to 19, A-30, A-31, A-34 to A-36, and A'-20 to 29 were synthesized in the same manner as in Synthesis. The addition amount of the radical polymerization initiator V-65 was adjusted so as to have the molecular weights shown in Table 1, respectively.

[표 1][Table 1]

Figure 112012056225030-pct00030
Figure 112012056225030-pct00030

또한, 표 1에 기재된 몰비는 각 구조 단위의 공중합비이며, (a4) 구조 단위의 질량%는 중합체 중에 있어서의 (a-4) 구조 단위의 질량%이다. 표 1 중 「-」는 그 구조 단위를 사용하고 있지 않음을 나타내고, 중합체 A-8에 있어서는 (a4) 구조 단위로서 HEMA를 10몰%와 PME-400을 1몰%를 사용하고, 중합체 A'-26에 있어서는 (a4) 구조 단위로서 HEMA를 10몰%와 PME-400을 5몰%를 사용했음을 나타낸다.In addition, the molar ratio shown in Table 1 is the copolymerization ratio of each structural unit, and (a4) the mass% of the structural unit is the mass% of the structural unit (a-4) in the polymer. "-" in Table 1 indicates that the structural unit thereof is not used, and in the polymer A-8, (a4) HEMA and PME-400 are used as structural units of 10 mol% and 1 mol% respectively, -26, (a4) indicates that 10 mol% of HEMA and 5 mol% of PME-400 were used as structural units.

또한, 표 1 중의 약호는 이하와 같다.The abbreviations in Table 1 are as follows.

MAEVE: 메타크릴산1-에톡시에틸MAEVE: 1-ethoxyethyl methacrylate

CHOEMA: 메타크릴산1-(시클로헥실옥시)에틸CHOEMA: 1- (cyclohexyloxy) ethyl methacrylate

MATHF: 메타크릴산테트라히드로푸란-2-일MATHF: tetrahydrofuran-2-yl methacrylate

GMA: 글리시딜메타크릴레이트GMA: glycidyl methacrylate

OXE-30: 메타크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸(상품명, 오사카유기가가쿠고교(주)제)OXE-30: Methacrylic acid (3-ethyloxetan-3-yl) methyl (trade name, manufactured by Osaka Organic Chemical Industry Co., Ltd.)

OXE-10: 아크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸(상품명, 오사카유기가가쿠고교(주)제)OXE-10: Acrylic acid (3-ethyloxetan-3-yl) methyl (trade name, manufactured by Osaka Organic Chemical Industry Co., Ltd.)

M100: 메타크릴산3,4-에폭시시클로헥실메틸(상품명, 다이세루가가쿠고교(주)제)M100: 3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate (trade name, manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd.)

MAA: 메타크릴산MAA: methacrylic acid

AA: 아크릴산AA: Acrylic acid

Ph-2: 4-히드록시벤조산(2-메타크릴로일옥시에틸)에스테르Ph-2: 4-hydroxybenzoic acid (2-methacryloyloxyethyl) ester

HEMA: 메타크릴산2-히드록시에틸HEMA: 2-hydroxyethyl methacrylate

PME-400: 메틸 말단 폴리에틸렌글리콜메타크릴레이트(블렘머 PME-400, 상품명, 니치유(주)제)PME-400: methyl-terminated polyethylene glycol methacrylate (Blemmer PME-400, trade name, manufactured by Nichiyu Corporation)

MMA: 메타크릴산메틸MMA: methyl methacrylate

DCPM: 메타크릴산디시클로펜타닐DCPM: di-cyclopentanyl methacrylate

CHMA: 메타크릴산시클로헥실CHMA: cyclohexyl methacrylate

BzMA: 벤질메타크릴레이트BzMA: Benzyl methacrylate

St: 스티렌St: Styrene

C1: 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트C1: Propylene glycol monomethyl ether acetate

C2: 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르C2: diethylene glycol ethyl methyl ether

또한, CHOEMA, 및 MATHF는, 상기 메타크릴산1-에톡시에틸과 같은 방법으로 합성했다.CHOEMA and MATHF were synthesized by the same method as the above-mentioned 1-ethoxyethyl methacrylate.

또한, Ph-2는 이하의 방법으로 합성했다.Ph-2 was synthesized by the following method.

4-히드록시벤조산(2-히드록시에틸)에스테르 21g의 아세토니트릴 100㎖ 용액에, 교반 하에서, N,N-디메틸아세트아미드 20㎖를 가하고, 메타크릴산클로리드 20g을 더 가했다. 35℃에서 8시간 교반하면서 반응시킨 후, 반응 혼합물을 빙수에 부어, 석출한 결정을 여취(濾取)하고, 아세트산에틸/n-헥산으로부터 재결정하여, 4-히드록시벤조산(2-메타크릴로일옥시에틸)에스테르를 얻었다.20 ml of N, N-dimethylacetamide was added to a solution of 21 g of 4-hydroxybenzoic acid (2-hydroxyethyl) ester in 100 ml of acetonitrile under stirring, and 20 g of methacrylic chloride was further added. The reaction mixture was poured into ice water and the precipitated crystals were collected by filtration and recrystallized from ethyl acetate / n-hexane to give 4-hydroxybenzoic acid (2-methacryloyl Yloxyethyl) ester.

중합체 A'-32의 합성Synthesis of polymer A'-32

3구 플라스크에 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르(25g)를 넣고, 질소 분위기 하에 두어 70℃로 승온했다. 그 용액에 MAA(3.44g), MAEVE(14.23g), 벤질메타크릴레이트(12.33g), V-65(3.477g, 모노머에 대하여 7mol%)를 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르(25g)에 용해시켜, 2시간 걸쳐 적하했다. 적하 종료 후 4시간 교반하고, 반응을 종료시켜, 중합체 A'-32의 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르 용액(고형분 농도: 40%)을 얻었다. 얻어진 중합체 A'-32의 겔투과 크로마토그래피(GPC)에 의해 측정한 중량 평균 분자량은 7,200이었다.Diethylene glycol ethyl methyl ether (25 g) was added to the three-necked flask, and the flask was placed under a nitrogen atmosphere and the temperature was raised to 70 占 폚. MAA (1444 g), MAEVE (14.23 g), benzyl methacrylate (12.33 g) and V-65 (3.477 g, 7 mol% based on the monomer) were dissolved in diethylene glycol ethyl methyl ether , And the mixture was added dropwise over 2 hours. After completion of the dropwise addition, the mixture was stirred for 4 hours, and the reaction was terminated to obtain a diethylene glycol ethyl methyl ether solution (solid concentration: 40%) of the polymer A'-32. The polymer A'-32 thus obtained had a weight average molecular weight measured by gel permeation chromatography (GPC) of 7,200.

중합체 A-33의 합성Synthesis of Polymer A-33

3구 플라스크에 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르(24.5g)를 넣고, 질소 분위기 하에서 70℃로 승온했다. 그 용액에 MAEVE(12.65g), GMA(10.23g), HEMA(6.24), V-65(3.477g, 모노머에 대하여 7mol%)를 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르(24.5g)에 용해시켜, 2시간 걸쳐 적하했다. 적하 종료 후 4시간 교반했다. 그 후에, 소량의 MAEVE를 열분해시키는 숙성 공정으로서 온도를 90℃로 승온하고, 3시간 교반하여 반응을 종료시켜, 중합체 A-33의 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르 용액(고형분 농도: 40%)을 얻었다. NMR 및 실측한 산가 측정으로부터, 중합체 A-33의 조성비(몰비)는 MAA/MAVEV/GMA/HEMA=4.5/35.5/36/24이며, 겔투과 크로마토그래피(GPC)에 의해 측정한 중량 평균 분자량은 7,500이었다. 또한, (a4) 구조 단위의 질량%는 22%였다.Diethylene glycol ethyl methyl ether (24.5 g) was added to the three-necked flask, and the temperature was raised to 70 占 폚 in a nitrogen atmosphere. MAEVE (12.65 g), GMA (10.23 g), HEMA (6.24) and V-65 (3.477 g, 7 mol% based on monomer) were dissolved in diethylene glycol ethyl methyl ether (24.5 g) . After completion of dropwise addition, the mixture was stirred for 4 hours. Thereafter, the temperature was elevated to 90 DEG C as an aging step of thermally decomposing a small amount of MAEVE, and the reaction was terminated by stirring for 3 hours to obtain a diethylene glycol ethyl methyl ether solution (solid concentration: 40%) of the polymer A-33 . NMR and the measured acid value, the composition ratio (molar ratio) of the polymer A-33 was MAA / MAVEV / GMA / HEMA = 4.5 / 35.5 / 36/24 and the weight average molecular weight measured by gel permeation chromatography 7,500. The mass% of the structural unit (a4) was 22%.

실시예 1∼119, 비교예 1∼11, 비교예 14Examples 1 to 119, Comparative Examples 1 to 11, and Comparative Example 14

(1) 감광성 수지 조성물의 조제(1) Preparation of Photosensitive Resin Composition

하기 표 2에 나타내는 각 성분을 혼합하여 균일한 용액으로 한 후, 0.1㎛의 포어사이즈를 갖는 폴리테트라플루오로에틸렌제 필터를 사용하여 여과하여, 실시예 1∼119, 비교예 1∼11, 비교예 14의 감광성 수지 조성물의 용액을 각각 조제했다.Each of the components shown in Table 2 below was mixed to obtain a homogeneous solution, which was then filtered using a polytetrafluoroethylene filter having a pore size of 0.1 mu m to obtain a comparative example 1 to a comparative example 1 to 11, A solution of the photosensitive resin composition of Example 14 was prepared.

표 2∼5에 있어서, 실시예 30, 실시예 70, 실시예 107에서는 중합체로서 A'-32와 A-33의 2종을 사용했다. 또한, 표 중에서 종류가 2종 기재되어 있는 것은 2종을 사용하고, 그 양은 예를 들면 실시예 37에 있어서의 가교제는 E2를 8부와 E3을 1.5부 사용했음을 나타낸다.In Tables 2 to 5, in Example 30, Example 70, and Example 107, two kinds of polymers A'-32 and A-33 were used. In Table 2, two types are used, and two types are used. For example, the amount of crosslinking agent in Example 37 is 8 parts of E2 and 1.5 parts of E3.

[표 2][Table 2]

Figure 112012056225030-pct00031
Figure 112012056225030-pct00031

[표 3][Table 3]

Figure 112012056225030-pct00032
Figure 112012056225030-pct00032

[표 4][Table 4]

Figure 112012056225030-pct00033
Figure 112012056225030-pct00033

[표 5][Table 5]

Figure 112012056225030-pct00034
Figure 112012056225030-pct00034

또한, 표 2∼5 중의 약호는 이하와 같다.The abbreviations in Tables 2 to 5 are as follows.

B1: CGI1397(상품명, 하기의 구조, 치바쟈판(주)제)B1: CGI1397 (trade name, the following structure, manufactured by Ciba Japan Co., Ltd.)

B2: CGI1325(상품명, 하기의 구조, 치바쟈판(주)제)B2: CGI1325 (trade name, the following structure, manufactured by Ciba Japan K.K.)

B3: PAI-1001(상품명, 하기의 구조, 미도리가가쿠(주)제)B3: PAI-1001 (trade name, the following structure, manufactured by Midori Kagaku Co., Ltd.)

B4: PAI-101(상품명, 하기의 구조, 미도리가가쿠(주)제)B4: PAI-101 (trade name, the following structure, manufactured by Midori Kagaku Co., Ltd.)

B5: α-(p-톨루엔설포닐옥시이미노)페닐아세토니트릴(합성 방법은 하기에 나타냈음)B5:? - (p-toluenesulfonyloxyimino) phenylacetonitrile (synthesis method is shown below)

B6: 하기의 화합물B6: Compound

B7: 하기의 화합물B7: The following compounds

B8: 하기의 화합물B8: Compound

B9: 하기의 화합물B9: Compound

N1: NBCA(상품명, 하기의 구조, 구로가네가세이(주)제)N1: NBCA (trade name, the following structure, manufactured by Kuraray Chemical Industries, Ltd.)

N2: DBA(상품명, 9,10-디부톡시안트라센, 하기의 구조, 가와사키가세이고교)N2: DBA (trade name, 9,10-dibutoxyanthracene, structure shown below, Kawasaki Chemical Industries, Ltd.)

C1: 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트C1: Propylene glycol monomethyl ether acetate

C2: 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르C2: diethylene glycol ethyl methyl ether

E1: JER-157S70(상품명, 다관능 노볼락형 에폭시 수지(에폭시 당량 200∼220g/eq), 쟈판에폭시레진(주)제)E1: JER-157S70 (trade name, polyfunctional novolak type epoxy resin (epoxy equivalent: 200 to 220 g / eq), Japan Epoxy Resin Co.,

E2: JER-157S65(상품명, 다관능 노볼락형 에폭시 수지(에폭시 당량 200∼220g/eq), 쟈판에폭시레진(주)제)E2: JER-157S65 (trade name, polyfunctional novolac epoxy resin (epoxy equivalents: 200 to 220 g / eq), Japan Epoxy Resin Co.,

E3: 니카락 MW-100LM(상품명, 산와케미컬(주)제)E3: NIKARAK MW-100LM (trade name, manufactured by Sanwa Chemical Co., Ltd.)

E4: 니카락 MX-270(상품명, 산와케미컬(주)제)E4: NIKARAK MX-270 (trade name, manufactured by Sanwa Chemical Co., Ltd.)

E5: KAYARAD DPHA(상품명, 니혼가야쿠(주)제)E5: KAYARAD DPHA (trade name, manufactured by Nihon Kayaku Co., Ltd.)

H1: PolyFox PF-6320(상품명, 불소계 계면 활성제, OMNOVA샤제)H1: PolyFox PF-6320 (trade name, fluorine-based surfactant, OMNOVA ShaZee)

H2: 하기 구조의 화합물 W-3H2: Compound W-3 of the following structure

G1: 4-디메틸아미노피리딘G1: 4-Dimethylaminopyridine

G2: 1,5-디아자비시클로[4.3.0]-5-노넨G2: 1,5-Diazabicyclo [4.3.0] -5-nonene

G3: 트리페닐이미다졸G3: Triphenylimidazole

G4: 디아자비시클로운데센G4: Diazabicyclo undecene

G5: 1,4-디아자비시클로[2.2.2]옥탄G5: 1,4-diazabicyclo [2.2.2] octane

F1: 3-글리시독시프로필트리메톡시실란(KBM-403(상품명, 신에츠가가쿠고교(주)제))F1: 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane (KBM-403 (trade name, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.))

M1: 하기의 화합물M1: The following compounds

M2: 하기의 화합물M2: The following compounds

J1: (2,3-디메틸-2,3-디페닐부탄) (노푸마 BC-90(상품명, 니치유(주)제))J1: (2,3-dimethyl-2,3-diphenylbutane) (NOFUMAR BC-90 (trade name, manufactured by Nichiyu Corporation))

K1: 하기 구조의 화합물 K-1K1: Compound K-1 shown below

L1: 하기 구조의 화합물 L-1L1: Compound L-1 of the following structure

Figure 112012056225030-pct00035
Figure 112012056225030-pct00035

Figure 112012056225030-pct00036
Figure 112012056225030-pct00036

Figure 112012056225030-pct00037
Figure 112012056225030-pct00037

Figure 112012056225030-pct00038
Figure 112012056225030-pct00038

Figure 112012056225030-pct00039
Figure 112012056225030-pct00039

Figure 112012056225030-pct00040
Figure 112012056225030-pct00040

Figure 112012056225030-pct00041
Figure 112012056225030-pct00041

Figure 112012056225030-pct00042
Figure 112012056225030-pct00042

B5의 합성Synthesis of B5

일본국 특표2002-528451호 공보의 단락 번호 〔0108〕에 기재된 방법에 따라, α-(p-톨루엔설포닐옥시이미노)페닐아세토니트릴을 합성했다.Α- (p-toluenesulfonyloxyimino) phenylacetonitrile was synthesized according to the method described in the paragraph [0108] of Japanese Patent Application No. 2002-528451.

B6의 합성Synthesis of B6

1-1. 합성 중간체 B-6A의 합성1-1. Synthesis of Synthetic Intermediate B-6A

2-아미노벤젠티올: 31.3g(도쿄가세이고교(주)제)을 톨루엔: 100mL(와코쥰야쿠고교(주)제)에 실온(25℃) 하에서 용해시켰다. 다음으로, 페닐아세틸클로리드: 40.6g(도쿄가세이고교(주)제)을 적하하고, 실온 하에서 1시간, 계속하여 100℃에서 2시간 교반하여 반응시켰다. 얻어진 반응액에 물 500mL를 넣어 석출한 염을 용해시키고, 톨루엔 유분을 추출, 추출액을 로터리 이베이퍼레이터로 농축시켜, 합성 중간체 B-6A를 얻었다.31.3 g (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) of 2-aminobenzenethiol was dissolved in 100 mL of toluene (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) at room temperature (25 占 폚). Subsequently, 40.6 g of phenylacetyl chloride (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) was added dropwise, and the mixture was reacted at room temperature for 1 hour and then at 100 占 폚 for 2 hours with stirring. To the reaction solution obtained, 500 mL of water was added to dissolve the precipitated salt, the toluene oil was extracted, and the extract was concentrated with a rotary evaporator to obtain a synthetic intermediate B-6A.

1-2. B-6의 합성1-2. Synthesis of B-6

상기와 같이 하여 얻어진 합성 중간체 B-6A 2.25g을 테트라히드로푸란: 10mL(와코쥰야쿠고교(주)제)에 혼합시킨 후, 빙욕(氷浴)에 담궈 반응액을 5℃ 이하로 냉각했다. 다음으로, 테트라메틸암모늄히드록시드: 4.37g(25중량% 메탄올 용액, Alfa Acer샤제)을 적하하고, 빙욕 하에서 0.5시간 교반하여 반응시켰다. 또한, 아질산이소펜틸: 7.03g을 내온 20℃ 이하로 유지하면서 적하하고, 적하 종료 후에 반응액을 실온까지 승온 후, 한 시간 교반했다.2.25 g of the thus-obtained synthetic intermediate B-6A was mixed with 10 mL of tetrahydrofuran (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) and then immersed in an ice bath to cool the reaction solution to 5 ° C or less. Next, 4.37 g of tetramethylammonium hydroxide (25% by weight methanol solution, Alfa Acer Co., Ltd.) was added dropwise and the mixture was reacted with stirring in an ice bath for 0.5 hour. Further, 7.03 g of isopentyl nitrite was added dropwise while keeping the temperature at 20 ° C or lower, and after the dropwise addition, the reaction solution was heated to room temperature and stirred for one hour.

계속하여, 반응액을 5℃ 이하로 냉각한 후, p-톨루엔설포닐클로리드(1.9g)(도쿄가세이고교(주)제)를 투입하고, 10℃ 이하를 유지하면서 1시간 교반했다. 그 후 물 80mL를 투입하고, 0℃에서 1시간 교반했다. 얻어진 석출물을 여과한 후, 이소프로필알코올(IPA) 60mL를 투입하고, 50℃로 가열하여 1시간 교반하고, 열시 여과, 건조시킴으로써(B6: 상기 구조) 1.8g을 얻었다.Subsequently, the reaction solution was cooled to 5 캜 or lower, p-toluenesulfonyl chloride (1.9 g, manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) was added thereto, and the mixture was stirred for 1 hour while maintaining the temperature at 10 캜 or lower. Then, 80 mL of water was added, and the mixture was stirred at 0 ° C for 1 hour. The resulting precipitate was filtered, and 60 mL of isopropyl alcohol (IPA) was added. The mixture was heated to 50 DEG C and stirred for 1 hour, filtered and dried (B6: the above structure) to obtain 1.8 g.

얻어진 B6의 1H-NMR 스펙트럼(300㎒, 중DMSO((D3C)2S=O))은, δ=8.2∼8.17(m,1H), 8.03∼8.00(m,1H), 7.95∼7.9(m,2H), 7.6∼7.45(m,9H), 2.45(s,3H)였다.The resulting 1 H-NMR spectrum of the obtained B6 (300 MHz, DMSO ((D 3 C) 2 S = O)) was found to be δ = 8.2-8.17 (m, 1H), 8.03-8.00 7.9 (m, 2H), 7.6-7.45 (m, 9H), 2.45 (s, 3H).

상기의 1H-NMR 측정 결과로부터 얻어진 B6은, 1종 단독의 시스 또는 트랜스 이성체임이 추정된다.It is estimated that B6 obtained from the above 1 H-NMR measurement results is a single cis or trans isomer.

B7의 합성Synthesis of B7

2-나프톨(10g), 클로로벤젠(30mL)의 현탁 용액에 염화알루미늄(10.6g), 2-클로로프로피오닐클로리드(10.1g)를 첨가하고, 혼합액을 40℃로 가열하여 2시간 반응시켰다. 빙냉 하에서, 반응액에 4N HCl 수용액(60mL)을 적하하고, 아세트산에틸(50mL)을 첨가하여 분액했다. 유기층에 탄산칼륨(19.2g)을 가하고, 40℃에서 1시간 반응시킨 후, 2N HCl 수용액(60mL)을 첨가하여 분액하고, 유기층을 농축 후, 결정을 디이소프로필에테르(10mL)로 리슬러리하고, 여과, 건조하여 케톤 화합물(6.5g)을 얻었다.Aluminum chloride (10.6 g) and 2-chloropropionyl chloride (10.1 g) were added to a suspension of 2-naphthol (10 g) and chlorobenzene (30 mL), and the mixture was heated to 40 캜 for reaction for 2 hours. Under ice-cooling, 4N HCl aqueous solution (60 mL) was added dropwise to the reaction solution, and ethyl acetate (50 mL) was added to separate the layers. Potassium carbonate (19.2 g) was added to the organic layer, and the mixture was reacted at 40 占 폚 for 1 hour. 2N HCl aqueous solution (60 mL) was added to separate the layers. The organic layer was concentrated, and the crystals were reslurried with diisopropyl ether , Filtered and dried to obtain a ketone compound (6.5 g).

얻어진 케톤 화합물(3.0g), 메탄올(30mL)의 현탁 용액에 아세트산(7.3g), 50질량% 히드록실아민 수용액(8.0g)을 첨가하고, 가열 환류했다. 방냉 후, 물(50mL)을 가하고, 석출한 결정을 여과, 냉(冷)메탄올 세정 후, 건조하여 옥심 화합물(2.4g)을 얻었다.Acetic acid (7.3 g) and a 50 mass% hydroxylamine aqueous solution (8.0 g) were added to the resulting suspension of the ketone compound (3.0 g) and methanol (30 ml), and the mixture was heated to reflux. After allowing to cool, water (50 mL) was added, and the precipitated crystals were filtered, washed with cold methanol, and dried to obtain an oxime compound (2.4 g).

얻어진 옥심 화합물(1.8g)을 아세톤(20mL)에 용해시켜, 빙냉 하 트리에틸아민(1.5g), p-톨루엔설포닐클로리드(2.4g)를 첨가하고, 실온에 승온하여 1시간 반응시켰다. 반응액에 물(50mL)을 첨가하고, 석출한 결정을 여과 후, 메탄올(20mL)로 리슬러리하고, 여과, 건조하여 B7(2.3g)을 얻었다.The obtained oxime compound (1.8 g) was dissolved in acetone (20 mL), triethylamine (1.5 g) and p-toluenesulfonyl chloride (2.4 g) were added under ice-cooling, and the mixture was allowed to react at room temperature for 1 hour. Water (50 mL) was added to the reaction solution, and the precipitated crystals were filtered out and then slurry was rinsed with methanol (20 mL), followed by filtration and drying to obtain B7 (2.3 g).

또한, B7의 1H-NMR 스펙트럼(300㎒, CDCl3)은, δ=8.3(d,1H), 8.0(d,2H), 7.9(d,1H), 7.8(d,1H), 7.6(dd,1H), 7.4(dd,1H), 7.3(d,2H), 7.1(d.1H), 5.6(q,1H), 2.4(s,3H), 1.7(d,3H)이었다.In addition, 1 H-NMR spectrum of the B7 (300㎒, CDCl 3) is, δ = 8.3 (d, 1H ), 8.0 (d, 2H), 7.9 (d, 1H), 7.8 (d, 1H), 7.6 ( (d, 1H), 7.4 (dd, 1H), 7.3 (d, 2H), 7.1 (d.1H), 5.6

B8의 합성Synthesis of B8

2-나프톨(20g)을 N,N-디메틸아세트아미드(150mL)에 용해시켜, 탄산칼륨(28.7g), 2-브로모옥탄산에틸(52.2g)을 첨가하여 100℃에서 2시간 반응시켰다. 반응액에 물(300mL), 아세트산에틸(200mL)을 첨가하여 분액하고, 유기층을 농축 후, 48중량% 수산화나트륨 수용액(23g), 에탄올(50mL), 물(50mL)을 첨가하여, 2시간 반응시켰다. 반응액을 1N HCl 수용액(500mL)에 부어, 석출한 결정을 여과, 수세하여 카르복시산 조체(粗體)를 얻은 후, 폴리인산 30g을 첨가하여 170℃에서 30분 반응시켰다. 반응액을 물(300mL)에 부어, 아세트산에틸(300mL)을 첨가하여 분액하고, 유기층을 농축한 후 실리카겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하고, 케톤 화합물(10g)을 얻었다.2-Naphthol (20 g) was dissolved in N, N-dimethylacetamide (150 ml). Potassium carbonate (28.7 g) and ethyl 2-bromoacetate (52.2 g) were added and reacted at 100 ° C for 2 hours. Water (300 mL) and ethyl acetate (200 mL) were added to the reaction mixture and the mixture was separated. The organic layer was concentrated, and 48 wt% aqueous sodium hydroxide solution (23 g), ethanol (50 mL) and water (50 mL) . The reaction solution was poured into 1N HCl aqueous solution (500 mL), and the precipitated crystals were filtered and washed with water to obtain a crude carboxylic acid. Then, 30 g of polyphosphoric acid was added and reacted at 170 DEG C for 30 minutes. The reaction solution was poured into water (300 mL), and ethyl acetate (300 mL) was added thereto for liquid separation. The organic layer was concentrated and purified by silica gel column chromatography to obtain a ketone compound (10 g).

얻어진 케톤 화합물(10.0g), 메탄올(100mL)의 현탁 용액에 아세트산나트륨(30.6g), 염산히드록실아민(25.9g), 황산마그네슘(4.5g)을 첨가하고, 24시간 가열 환류했다. 방냉 후, 물(150mL), 아세트산에틸(150mL) 첨가하여 분액하고, 유기층을 물 80mL에서 4회 분액하고, 농축한 후 실리카겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 옥심 화합물(5.8g)을 얻었다.Sodium acetate (30.6 g), hydroxylamine hydrochloride (25.9 g) and magnesium sulfate (4.5 g) were added to the resulting suspension of the ketone compound (10.0 g) and methanol (100 mL) and the mixture was refluxed for 24 hours. After cooling, water (150 mL) and ethyl acetate (150 mL) were added to separate the layers. The organic layer was separated into four portions of 80 mL of water, concentrated, and then purified by silica gel column chromatography to obtain an oxime compound (5.8 g).

얻어진 옥심(3.1g)에 대하여, B7과 같이 설포네이트화를 행하여, B8(3.2g)을 얻었다.The resulting oxime (3.1 g) was sulfonated as in B7 to give B8 (3.2 g).

또한, B8의 1H-NMR 스펙트럼(300㎒, CDCl3)은, δ=8.3(d,1H), 8.0(d,2H), 7.9(d,1H), 7.8(d,1H), 7.6(dd,1H), 7.5(dd,1H), 7.3(d,2H), 7.1(d.1H), 5.6(dd,1H), 2.4(s,3H), 2.2(ddt,1H), 1.9(ddt,1H), 1.4∼1.2(m,8H), 0.8(t,3H)이었다.In addition, 1 H-NMR spectrum of B8 (300㎒, CDCl 3) is, δ = 8.3 (d, 1H ), 8.0 (d, 2H), 7.9 (d, 1H), 7.8 (d, 1H), 7.6 ( (dd, 1H), 7.5 (dd, 1H), 7.3 (d, 2H), 7.1 (d, 1H), 5.6 , 1H), 1.4-1.2 (m, 8H), 0.8 (t, 3H).

B9의 합성Synthesis of B9

B7의 합성에 있어서의 p-톨루엔설포닐클로리드 대신에 벤젠설포닐클로리드를 사용한 것 이외는, B7의 합성과 같이 하여 B9를 합성했다.B9 was synthesized in the same manner as B7 except that benzenesulfonyl chloride was used instead of p-toluenesulfonyl chloride in the synthesis of B7.

또한, B9의 1H-NMR 스펙트럼(300㎒, CDCl3)은, δ=8.3(d,1H), 8.1(d,2H), 7.9(d,1H), 7.8(d,1H), 7.7-7.5(m,4H), 7.4(dd,1H), 7.1(d.1H), 5.6(q,1H), 1.7(d,3H)이었다.In addition, 1 H-NMR spectrum of B9 (300㎒, CDCl 3) is, δ = 8.3 (d, 1H ), 8.1 (d, 2H), 7.9 (d, 1H), 7.8 (d, 1H), 7.7- (M, 4H), 7.4 (dd, 1H), 7.1 (d, 1H), 5.6 (q,

또한, 비교예 12에서 사용한 조성물은, 일본국 특개2004-264623호 공보의 실시예 1에 기재된 조성물이다. 비교예 13에서 사용한 조성물은, 일본국 특개2009-98616호 공보의 실시예 7에 기재된 조성물이다. 비교예 14에서 사용한 조성물은, 일본국 특개평10-26829호 공보의 실시예 1에 기재된 조성물이다.The composition used in Comparative Example 12 is the composition described in Example 1 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-264623. The composition used in Comparative Example 13 is the composition described in Example 7 of JP-A-2009-98616. The composition used in Comparative Example 14 is the composition described in Example 1 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-26829.

(2) 감광성 수지 조성물의 평가(2) Evaluation of Photosensitive Resin Composition

(2-1) 감도의 평가(PEB 없음)(2-1) Evaluation of sensitivity (without PEB)

실리콘 산화막을 갖는 실리콘 웨이퍼 위에 실시예 1∼119, 비교예 1∼14의 감광성 수지 조성물의 용액을 각각 스핀 도포한 후, 90℃에서 120초간 핫 플레이트 위에서 프리베이킹하여 막두께 3㎛의 도막을 형성했다.The solutions of the photosensitive resin compositions of Examples 1 to 119 and Comparative Examples 1 to 14 were each spin-coated on a silicon wafer having a silicon oxide film and then pre-baked on a hot plate at 90 캜 for 120 seconds to form a coating film having a film thickness of 3 탆 did.

다음으로 i선 스테퍼(캐논(주)제, 상품명: FPA-3000i5+)를 사용하여, 소정의 마스크를 거쳐 노광했다. 노광 후 10분간 기판을 실온에서 방치한 후, 0.4%의 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액에 의해 23℃에서 60초간 액성법으로 현상하고, 또한 초순수(超純水)로 45초간 린스했다. 이들의 조작에 의해 10㎛의 라인 앤드 스페이스를 1:1로 해상할 때의 최적 노광량(Eopt)을 감도로 했다. 감도는 70mJ/㎠보다 저(低)노광량일 경우에, 고(高)감도라고 할 수 있다. 평가 결과를 표 6, 7에 나타낸다.Next, using an i-line stepper (trade name: FPA-3000i5 +, manufactured by Canon Inc.), exposure was performed through a predetermined mask. The substrate was allowed to stand at room temperature for 10 minutes after exposure, developed with a 0.4% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution at 23 占 폚 for 60 seconds by a liquid method, and further rinsed with ultrapure water for 45 seconds. With these operations, the optimum exposure amount (Eopt) when resolving a line-and-space of 10 mu m at a ratio of 1: 1 was taken as sensitivity. The sensitivity can be said to be high sensitivity when the amount of exposure is lower than 70 mJ / cm 2. The evaluation results are shown in Tables 6 and 7.

또한, 표 6, 7의 감도(PEB 없음)의 란에서 「**」라고 있는 것은, 현상시에 벗겨짐이 생겨, 패터닝을 할 수 없었음을 나타내고, 또한 「*」라고 있는 것은, 200mJ/㎠로 패턴 형성할 수 없었음을 나타낸다."**" in the column of sensitivity (PEB free) in Tables 6 and 7 means that the patterning could not be performed due to peeling at the time of development, and "*" indicates that the patterning was impossible at 200 mJ / Indicating that the pattern could not be formed.

(2-2) 내열 투명성의 평가(2-2) Evaluation of heat resistance transparency

유리 기판(상품명: 이글 2000, 코닝샤제)에 실시예 1∼119, 및 비교예 1∼14(200mJ/㎠로 패턴 형성할 수 없었던 것을 제외함)의 감광성 수지 조성물의 용액을 스핀 도포한 후, 90℃에서 120초간 핫 플레이트 위에서 프리베이킹하여 막두께 3㎛의 도막을 형성했다. 얻어진 도막을 0.4%의 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액에 의해 23℃에서 60초간 액성법으로 현상하고, 또한 초순수로 45초간 린스한 후, 캐논(주)제 PLA-501F 노광기(상품명; 초고압 수은 램프)로 적산 조사량이 300mJ/㎠(조도: 20mW/㎠)가 되도록 노광하고, 그 후, 이 기판을 오븐에서 230℃로 1시간 가열하여 경화막을 얻었다. 얻어진 경화막을 오븐에서 230℃로 2시간 더 가열한 후, 광선 투과율을 분광 광도계 「150-20형 더블 빔(상품명, (주)히타치세이사쿠쇼제)」을 사용하여 400∼800㎚의 범위의 파장으로 측정했다. 그때의 최저 광선 투과율의 평가(내열 투명성의 평가)를 표 6, 7에 나타낸다.A solution of the photosensitive resin composition of Examples 1 to 119 and Comparative Examples 1 to 14 (except that the pattern could not be formed at 200 mJ / cm 2) was spin-coated on a glass substrate (trade name: Eagle 2000, Corning) And then prebaked on a hot plate at 90 캜 for 120 seconds to form a coating film having a film thickness of 3 탆. The obtained coating film was developed with a 0.4% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution at 23 占 폚 for 60 seconds by a liquid method and further rinsed with ultrapure water for 45 seconds. Thereafter, a PLA-501F exposure device (trade name: Ultra High Pressure Mercury Lamp ) So as to have an integrated irradiation amount of 300 mJ / cm 2 (light intensity: 20 mW / cm 2). Thereafter, this substrate was heated in an oven at 230 ° C for 1 hour to obtain a cured film. The obtained cured film was further heated in an oven at 230 DEG C for 2 hours, and then the light transmittance was measured using a spectrophotometer &quot; 150-20 type double beam (trade name, manufactured by Hitachi Seisakusho Co., Ltd.) . The evaluation of the lowest light transmittance (evaluation of heat resistance and transparency) at that time is shown in Tables 6 and 7.

평가 기준은 하기와 같다. 또한, 최저 광선 투과율의 값은 230℃에서 2시간 가열 후의 막두께 2㎛당 값으로 환산하고 있다.The evaluation criteria are as follows. Further, the value of the lowest light transmittance is converted into a value per 2 mu m of film thickness after heating at 230 DEG C for 2 hours.

0: 92% 이상0: 92% or more

1: 87% 이상 92% 미만1: 87% or more and less than 92%

2: 85% 이상 87% 미만2: 85% or more and less than 87%

3: 82% 이상 85% 미만3: 82% or more and less than 85%

4: 82% 미만4: less than 82%

(2-3) ITO 스퍼터 내성의 평가(2-3) Evaluation of ITO sputter resistance

유리 기판 「이글 2000(상품명, 코닝샤제)」위에 실시예 1∼119, 비교예 1∼14(200mJ/㎠로 패턴 형성할 수 없었던 것을 제외함)의 감광성 수지 조성물을 스핀 도포한 후, 90℃에서 120초간 핫 플레이트 위에서 프리베이킹하여 막두께 3㎛의 도막을 형성했다. 얻어진 도막에 캐논(주)제 PLA-501F 노광기(상품명, 초고압 수은 램프)로 적산 조사량이 300mJ/㎠(조도: 20mW/㎠)가 되도록 노광하고, 그 후, 이 기판을 오븐에서 230℃로 1시간 가열하여 경화막을 얻었다. 얻어진 각각의 경화막을, ULVAC샤제 SIH-3030(상품명)에서 기판 온도 210℃로 ITO 스퍼터를 행하고, 0.14㎛의 ITO막을 경화막 위에 제작했다. 스퍼터 후의 표면을 광학 현미경으로 관찰하여, 표면 거칠음의 유무를 평가했다. 평가 결과를 표 6, 7에 나타낸다. 또한, 평가 기준은 이하와 같이 했다.The photosensitive resin compositions of Examples 1 to 119 and Comparative Examples 1 to 14 (except that the pattern could not be formed at 200 mJ / cm 2) were spin-coated on a glass substrate &quot; Eagle 2000 (trade name, On a hot plate for 120 seconds to form a coating film having a thickness of 3 m. The resulting coating film was exposed with a PLA-501F exposure apparatus (trade name, ultra-high pressure mercury lamp) manufactured by Canon Inc. so as to have a cumulative dose of 300 mJ / cm 2 (illuminance: 20 mW / cm 2) And heated for a time to obtain a cured film. Each of the obtained cured films was subjected to ITO sputtering at a substrate temperature of 210 DEG C in ULVAC SHARSE SIH-3030 (trade name), and an ITO film of 0.14 mu m was formed on the cured film. The surface after the sputtering was observed with an optical microscope to evaluate the surface roughness. The evaluation results are shown in Tables 6 and 7. The evaluation criteria were as follows.

1: 표면 거칠음이 관찰되지 않음1: no surface roughness observed

2: 근소하게 표면 거칠음이 관찰되지만, 실용상 문제없는 레벨2: Surface roughness slightly observed, but practically no problem level

3: 표면 거칠음이 관찰되며, 실용상 허용되지 않는 레벨3: Surface roughness is observed, and practically unacceptable levels

4: 표면이 격렬하게 거칠어있음4: The surface is violently rough

(2-4) PEB(노광 후 가열)를 행한 경우의 감도(2-4) Sensitivity when PEB (post exposure baking) is performed

실시예 9∼실시예 12, 실시예 50∼실시예 52, 실시예 87∼실시예 89 및 비교예 13의 감광성 수지 조성물에 대해서, 노광 후 1분 후에 핫 플레이트로 80℃ 60초의 PEB를 실시하는 것 이외는, 상기 (2-1) 감도의 평가(PEB 없음)와 같이 하여, PEB를 행한 경우의 감도를 평가했다. 결과를 표 6, 표 7에 나타낸다.The photosensitive resin compositions of Examples 9 to 12, Examples 50 to 52, Examples 87 to 89, and Comparative Example 13 were subjected to PEB at 80 캜 for 60 seconds with a hot plate 1 minute after exposure (2-1) Evaluation of sensitivity (without PEB), the sensitivity in the case of performing PEB was evaluated. The results are shown in Tables 6 and 7.

[표 6][Table 6]

Figure 112012056225030-pct00043
Figure 112012056225030-pct00043

[표 7][Table 7]

Figure 112012056225030-pct00044
Figure 112012056225030-pct00044

표 6, 표 7로부터, 본 발명의 감광성 수지 조성물은 모두, PEB를 행하지 않은 경우에도 매우 감도가 높고, 내열 투명성이 양호하며, ITO 스퍼터 내성이 우수함을 알 수 있다. 또한, 본 발명의 감광성 수지 조성물은, PEB를 행하지 않아도 매우 감도가 높지만, PEB를 행함으로써 더 감도가 높아짐을 알 수 있다.From Table 6 and Table 7, it can be seen that all the photosensitive resin compositions of the present invention have high sensitivity even when PEB is not performed, good heat-resistant transparency, and excellent ITO sputter resistance. Further, in the photosensitive resin composition of the present invention, the sensitivity is very high even without PEB, but it can be seen that the sensitivity is further increased by performing PEB.

이에 대하여 본 발명을 사용하고 있지 않은 비교예는 PEB를 행하지 않을 경우에 감도는 낮으며, PEB를 시행해도 본 발명의 실시예에 비해 감도가 낮음을 알 수 있다.On the other hand, the comparative example in which the present invention is not used shows low sensitivity when PEB is not performed and low sensitivity compared to the embodiment of the present invention even when PEB is performed.

(2-5) 유리 기판 위의 밀착성(2-5) Adhesion on glass substrate

또한, 실시예 1∼실시예 119의 감광성 수지 조성물에 대해서, 상기 (2-1) 감도의 평가(PEB 없음)에 있어서 실리콘 웨이퍼 대신에 유리 기판 「이글 2000(상품명, 코닝샤제)」을 사용한 것 이외는, 상기 (2-1)과 같이 도막을 형성하고, 프록시미티 노광 장치(우시오덴키샤제, 상품명: UX-1000SM)를 사용하여, 소정의 마스크를 밀착시켜 365㎚에서의 광 강도가 16mW/㎠인 자외선을 사용하여 노광했다. 유리 기판은 통상의 세정을 행한 것과, 세정 후 헥사메틸디실라잔 증기에 3분간 데시케이터 중에서 더 노출시킨 것의 2종을 각각의 감광성 수지 조성물에 대하여 사용했다.The photosensitive resin compositions of Examples 1 to 119 were prepared by using the glass substrate "Eagle 2000 (trade name, Corning Co.)" instead of the silicon wafer in the evaluation of the sensitivity (PEB) (2-1) A coating film was formed as in the above (2-1) except that a predetermined mask was closely contacted with a proximity exposure apparatus (UX-1000SM, product name: UX-1000SM), so that the light intensity at 365 nm was 16 mW / Cm &lt; 2 &gt;. The glass substrate was subjected to ordinary cleaning, and two kinds of the photosensitive resin composition were further washed and then exposed to hexamethyldisilazane vapor for 3 minutes in a desiccator.

노광은, 10㎛의 라인 앤드 스페이스를 1:1로 해상하는 노광량으로 행했다. 다음으로 상기 (2-1)과 같이 노광 후 10분간 기판을 실온에서 방치한 후, 0.4%의 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액에 의해 23℃에서 60초간 액성법으로 현상하고, 또한 초순수로 45초간 린스했다. 이때, 패턴의 이지러짐, 및 벗겨짐은, 실시예 1∼실시예 119의 감광성 수지 조성물 중 어디에도 발생하지 않았다.The exposure was carried out at an exposure amount of 1: 1 in a line-and-space of 10 mu m. Subsequently, the substrate was allowed to stand at room temperature for 10 minutes after the exposure as described in (2-1), and developed with a 0.4% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution at 23 DEG C for 60 seconds by the liquid method. Rinse. At this time, patterning of the pattern and peeling did not occur in any of the photosensitive resin compositions of Examples 1 to 119.

(2-6) 355㎚ 레이저 노광(2-6) 355 nm laser exposure

또한, 실시예 1∼실시예 119의 감광성 수지 조성물에 대해서, 상기 (2-1) 감도의 평가(PEB 없음)에 있어서 노광을 이하와 같이 변경한 것 이외는 상기 (2-1)과 같이 하여, 패턴 형성을 행했다. 즉, 도막으로부터 150㎛의 간격을 거쳐, 소정의 포토마스크를 세트하고, 파장 355㎚의 레이저를, 노광량 10∼100mJ/㎠로 조사했다. 또한, 레이저 장치는, 가부시키가이샤 브이테크놀로지샤제의 「AEGIS」(상품명)를 사용하고(파장 355㎚, 펄스폭 6nsec), 노광량은 OPHIR샤제의 「PE10B-V2」(상품명)를 사용하여 측정했다.The photosensitive resin compositions of Examples 1 to 119 were subjected to the same procedure as in (2-1) above except that the exposure was evaluated in the evaluation of the sensitivity (PEB) (2-1) , And pattern formation was performed. That is, a predetermined photomask was set through an interval of 150 mu m from the coating film, and a laser beam having a wavelength of 355 nm was irradiated at an exposure amount of 10 to 100 mJ / cm &lt; 2 &gt;. The laser device used was "AEGIS" (trade name) manufactured by Kabushiki Kaisha V Technology Co., Ltd. (wavelength: 355 nm, pulse width: 6 nsec) and the exposure amount was measured using "PE10B-V2" (trade name) .

실시예 1∼실시예 119의 감광성 수지 조성물 중 어디에도, 355㎚ 레이저 노광이어도 패턴 형성 가능함을 알 수 있었다.It was found that patterns could be formed even at 355 nm laser exposure in any of the photosensitive resin compositions of Examples 1 to 119.

(2-7) UV-LED 노광(2-7) UV-LED exposure

또한, 실시예 1∼실시예 119의 감광성 수지 조성물에 대해서, 노광을 i선 스테퍼로부터 UV-LED 광원 노광기로 변경한 것 이외는, 상기 (2-1) 감도의 평가(PEB 없음)와 같은 평가를 실시한 바, 모두 패턴 형성 가능함을 알 수 있었다.Evaluation of the sensitivity (without PEB) was carried out in the same manner as in the above (2-1) evaluation of sensitivity (PEB free), except that the exposure was changed from an i-line stepper to a UV- It was found that pattern formation was possible in all cases.

실시예 120Example 120

박막 트랜지스터(TFT)를 사용한 유기 EL 표시 장치를 이하의 방법으로 제작했다(도 1 참조).An organic EL display device using a thin film transistor (TFT) was produced by the following method (see Fig. 1).

유리 기판(6) 위에 보톰 게이트형 TFT(1)를 형성하고, 이 TFT(1)를 덮는 상태로 Si3N4로 이루어지는 절연막(3)을 형성했다. 다음으로, 이 절연막(3)에, 콘택트홀을 형성한 후, 이 콘택트홀을 거쳐 TFT(1)에 접속되는 배선(2)(높이 1.0㎛)을 절연막(3) 위에 형성했다.The bottom gate type TFT 1 was formed on the glass substrate 6 and the insulating film 3 made of Si 3 N 4 was formed so as to cover the TFT 1. Next, after a contact hole was formed in the insulating film 3, a wiring 2 (height 1.0 mu m) connected to the TFT 1 via the contact hole was formed on the insulating film 3.

또한, 배선(2)의 형성에 의한 요철을 평탄화하기 위해, 배선(2)에 의한 요철을 메워넣는 상태로 절연막(3) 위에 평탄화막(4)을 형성했다. 절연막(3) 위에의 평탄화막(4)의 형성은, 실시예 11의 감광성 수지 조성물을 기판 위에 스핀 도포하고, 핫 플레이트 위에서 프리베이킹(90℃×2분)한 후, 마스크 위로부터 고압 수은등을 사용하여 i선(365㎚)을 25mJ/㎠(조도 20mW/㎠) 조사한 후, 알칼리 수용액으로 현상하여 패턴을 형성하고, 230℃에서 60분간의 가열 처리를 행했다. 당해 감광성 수지 조성물을 도포할 때의 도포성은 양호하며, 노광, 현상, 소성 후에 얻어진 경화막에는, 주름이나 크랙의 발생은 보이지 않았다. 또한, 배선(2)의 평균 단차는 500㎚, 제작한 평탄화막(4)의 막두께는 2.000㎚였다.In order to planarize the irregularities due to the formation of the wirings 2, the flattening film 4 was formed on the insulating film 3 in a state in which the irregularities by the wirings 2 were filled. The planarizing film 4 on the insulating film 3 was formed by spin-coating the photosensitive resin composition of Example 11 on a substrate, pre-baking it on a hot plate (90 占 폚 for 2 minutes) (365 nm) was irradiated with 25 mJ / cm 2 (illuminance: 20 mW / cm 2) and then developed with an aqueous alkali solution to form a pattern, and heat treatment was performed at 230 ° C. for 60 minutes. The coating properties upon application of the photosensitive resin composition were satisfactory, and wrinkles and cracks were not observed in the cured films obtained after exposure, development and firing. The average step of the wiring 2 was 500 nm, and the film thickness of the planarization film 4 was 2.000 nm.

다음으로, 얻어진 평탄화막(4) 위에, 보톰 에미션형 유기 EL 소자를 형성했다. 우선, 평탄화막(4) 위에, ITO로 이루어지는 제1 전극(5)을, 콘택트홀(7)을 거쳐 배선(2)에 접속시켜 형성했다. 그 후, 레지스트를 도포, 프리베이킹하고, 원하는 패턴의 마스크를 거쳐 노광하고, 현상했다. 이 레지스트 패턴을 마스크로서, ITO 에천트(etchant)를 사용한 웨트 에칭에 의해 패턴 가공을 행했다. 그 후, 레지스트 박리액(리무버 100, AZ 일렉트로닉마테리얼즈샤제)을 사용하여 당해 레지스트 패턴을 50℃에서 박리했다. 이렇게 하여 얻어진 제1 전극(5)은, 유기 EL 소자의 양극에 상당한다.Next, a bottom emission type organic EL device was formed on the obtained planarization film 4. Then, First, a first electrode 5 made of ITO was formed on the flattening film 4 by being connected to the wiring 2 via the contact hole 7. Thereafter, the resist was coated and prebaked, exposed through a mask of a desired pattern, and developed. Using this resist pattern as a mask, patterning was carried out by wet etching using ITO etchant. Thereafter, the resist pattern was peeled off at 50 캜 using a resist stripping solution (Remover 100, AZ Electronic Materials Co., Ltd.). The first electrode 5 thus obtained corresponds to the anode of the organic EL element.

다음으로, 제1 전극(5)의 주연을 덮는 형상의 절연막(8)을 형성했다. 절연막(8)은, 실시예 12의 감광성 수지 조성물을 사용하여, 상기와 같은 방법으로 형성했다.Next, an insulating film 8 having a shape covering the periphery of the first electrode 5 was formed. The insulating film 8 was formed using the photosensitive resin composition of Example 12 by the same method as described above.

또한, 진공 증착 장치 내에서 원하는 패턴 마스크를 거쳐, 정공 수송층, 유기 발광층, 전자 수송층을 순차 증착하여 마련했다. 계속하여, 기판 상방의 전면에 Al으로 이루어지는 제2 전극을 형성했다. 얻어진 상기 기판을 증착기로부터 꺼내어, 봉지용 유리판과 자외선 경화형 에폭시 수지를 사용하여 첩합시킴으로써 봉지했다.Further, a hole transporting layer, an organic light emitting layer, and an electron transporting layer were sequentially deposited by evaporation through a desired pattern mask in a vacuum vapor deposition apparatus. Subsequently, a second electrode made of Al was formed on the entire upper surface of the substrate. The obtained substrate was taken out of the evaporator and sealed by bonding using a sealing glass plate and an ultraviolet curable epoxy resin.

이상과 같이 하여, 각 유기 EL 소자에 이를 구동하기 위한 TFT(1)가 접속하여 이루어지는 액티브 매트릭스형 유기 EL 표시 장치를 얻을 수 있었다. 구동 회로를 거쳐 전압을 인가한 바, 양호한 표시 특성을 나타내어, 신뢰성이 높은 유기 EL 표시 장치임을 알 수 있었다.As described above, an active matrix type organic EL display device in which TFTs 1 for driving each organic EL element are connected is obtained. When the voltage was applied through the driving circuit, it was found that the organic EL display device exhibited good display characteristics and was highly reliable.

실시예 121Example 121

실시예 120에 있어서, 평탄화막(4)을 형성하는 실시예 11의 감광성 수지 조성물, 및 절연막(8)을 형성하는 실시예 12의 감광성 수지 조성물을 모두 실시예 43의 감광성 수지 조성물로 변경한 것 이외는, 실시예 120과 같이 하여 유기 EL 표시 장치를 제작했다. 얻어진 유기 EL 표시 장치는, 양호한 표시 특성을 나타내어, 신뢰성이 높은 유기 EL 표시 장치임을 알 수 있었다.The photosensitive resin composition of Example 11 in which the planarizing film 4 was formed and the photosensitive resin composition of Example 12 in which the insulating film 8 was formed were all changed to the photosensitive resin composition of Example 43 An organic EL display device was produced in the same manner as in Example 120 except for the above. The obtained organic EL display device exhibited good display characteristics and was found to be an organic EL display device with high reliability.

실시예 122Example 122

실시예 120에 있어서, 평탄화막(4)을 형성하는 실시예 11의 감광성 수지 조성물, 및 절연막(8)을 형성하는 실시예 12의 감광성 수지 조성물을 모두 실시예 80의 감광성 수지 조성물로 변경한 것 이외는, 실시예 120과 같이 하여 유기 EL 표시 장치를 제작했다. 얻어진 유기 EL 표시 장치는, 양호한 표시 특성을 나타내어, 신뢰성이 높은 유기 EL 표시 장치임을 알 수 있었다.The photosensitive resin composition of Example 11 in which the planarizing film 4 was formed in Example 120 and the photosensitive resin composition of Example 12 in which the insulating film 8 was formed were all changed to the photosensitive resin composition of Example 80 An organic EL display device was produced in the same manner as in Example 120 except for the above. The obtained organic EL display device exhibited good display characteristics and was found to be an organic EL display device with high reliability.

실시예 123Example 123

실시예 120에 있어서, 평탄화막(4)을 형성하는 실시예 11의 감광성 수지 조성물, 및 절연막(8)을 형성하는 실시예 12의 감광성 수지 조성물을 모두 실시예 119의 감광성 수지 조성물로 변경한 것 이외는, 실시예 120과 같이 하여 유기 EL 표시 장치를 제작했다. 얻어진 유기 EL 표시 장치는, 양호한 표시 특성을 나타내어, 신뢰성이 높은 유기 EL 표시 장치임을 알 수 있었다.The photosensitive resin composition of Example 11 in which the planarizing film 4 was formed in Example 120 and the photosensitive resin composition of Example 12 in which the insulating film 8 was formed were all changed to the photosensitive resin composition of Example 119 An organic EL display device was produced in the same manner as in Example 120 except for the above. The obtained organic EL display device exhibited good display characteristics and was found to be an organic EL display device with high reliability.

실시예 124Example 124

일본국 특허 제3321003호 공보의 도 1 및 도 2에 기재된 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치에 있어서, 층간 절연막으로서 경화막(17)을 이하와 같이 하여 형성하여, 실시예 124의 액정 표시 장치를 얻었다.In the active matrix type liquid crystal display device described in Figs. 1 and 2 of Japanese Patent No. 3321003, a cured film 17 as an interlayer insulating film was formed as follows to obtain a liquid crystal display device of Example 124. [

즉, 실시예 11의 감광성 수지 조성물을 사용하여, 상기 실시예 120에 있어서의 유기 EL 표시 장치의 평탄화막(4)의 형성 방법과 같은 방법으로, 층간 절연막으로서 경화막(17)을 형성했다.That is, using the photosensitive resin composition of Example 11, a cured film 17 was formed as an interlayer insulating film in the same manner as in the method of forming the planarization film 4 of the organic EL display device in Example 120. [

얻어진 액정 표시 장치에 대하여, 구동 전압을 인가한 바, 양호한 표시 특성을 나타내어, 신뢰성이 높은 액정 표시 장치임을 알 수 있었다.When the driving voltage was applied to the obtained liquid crystal display device, good display characteristics were exhibited and it was found that the liquid crystal display device was highly reliable.

실시예 125Example 125

실시예 11의 감광성 수지 조성물을 실시예 43의 감광성 수지 조성물로 변경한 것 이외는, 실시예 124와 같이 하여 액정 표시 장치를 제작했다. 얻어진 액정 표시 장치는, 양호한 표시 특성을 나타내어, 신뢰성이 높은 액정 표시 장치임을 알 수 있었다.A liquid crystal display device was produced in the same manner as in Example 124 except that the photosensitive resin composition of Example 11 was changed to the photosensitive resin composition of Example 43. The obtained liquid crystal display device exhibited good display characteristics, and it was found that the liquid crystal display device was highly reliable.

실시예 126Example 126

실시예 11의 감광성 수지 조성물을 실시예 80의 감광성 수지 조성물로 변경한 것 이외는, 실시예 124와 같이 하여 액정 표시 장치를 제작했다. 얻어진 액정 표시 장치는, 양호한 표시 특성을 나타내어, 신뢰성이 높은 액정 표시 장치임을 알 수 있었다.A liquid crystal display device was produced in the same manner as in Example 124 except that the photosensitive resin composition of Example 11 was changed to the photosensitive resin composition of Example 80. [ The obtained liquid crystal display device exhibited good display characteristics, and it was found that the liquid crystal display device was highly reliable.

실시예 127Example 127

실시예 11의 감광성 수지 조성물을 실시예 119의 감광성 수지 조성물로 변경한 것 이외는, 실시예 124와 같이 하여 액정 표시 장치를 제작했다. 얻어진 액정 표시 장치는, 양호한 표시 특성을 나타내어, 신뢰성이 높은 액정 표시 장치임을 알 수 있었다.A liquid crystal display device was produced in the same manner as in Example 124 except that the photosensitive resin composition of Example 11 was changed to the photosensitive resin composition of Example 119. [ The obtained liquid crystal display device exhibited good display characteristics, and it was found that the liquid crystal display device was highly reliable.

실시예 128Example 128

일본국 특개2008-146004호 공보의 도 2에 기재된 액정 표시 장치에 있어서, 보호막(141)을 실시예 119의 감광성 수지 조성물을 사용하여 형성하여, 실시예 128의 액정 표시 장치를 얻었다.In the liquid crystal display device shown in Fig. 2 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-146004, a protective film 141 was formed by using the photosensitive resin composition of Example 119 to obtain a liquid crystal display device of Example 128. Fig.

얻어진 액정 표시 장치에 대하여, 구동 전압을 인가한 바, 양호한 표시 특성을 나타내어, 신뢰성이 높은 액정 표시 장치임을 알 수 있었다.When the driving voltage was applied to the obtained liquid crystal display device, good display characteristics were exhibited and it was found that the liquid crystal display device was highly reliable.

실시예 129Example 129

일본국 특개2000-267073호 공보의 도 1에 기재된 액정 표시 장치에 있어서, 오버코트(15)를 실시예 119의 감광성 수지 조성물을 사용하여 형성하여, 실시예 129의 액정 표시 장치를 얻었다.In the liquid crystal display device shown in Fig. 1 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-267073, an overcoat 15 was formed by using the photosensitive resin composition of Example 119 to obtain a liquid crystal display device of Example 129. Fig.

얻어진 액정 표시 장치에 대하여, 구동 전압을 인가한 바, 양호한 표시 특성을 나타내어, 신뢰성이 높은 액정 표시 장치임을 알 수 있었다.When the driving voltage was applied to the obtained liquid crystal display device, good display characteristics were exhibited and it was found that the liquid crystal display device was highly reliable.

Claims (15)

(A) 아세탈계 수지, (B) 광산발생제, 및 (C) 용제를 함유하는 감광성 수지 조성물로서,
당해 (A) 아세탈계 수지가, 산에 의해 카르복시기를 생성하는 구조를 갖는 구조 단위(a1), 카르복시기 또는 페놀성 수산기를 갖는 구조 단위(a2), 에폭시기 또는 옥세타닐기를 갖는 구조 단위(a3), 및 수산기 또는 알킬렌옥시기를 갖고, 상기 구조 단위(a1)∼(a3)에 해당하지 않는 구조 단위인 구조 단위(a4)를 함유하고, 또한, 아세탈 구조 또는 케탈 구조를 갖는 중합체이며,
당해 (A) 아세탈계 수지에 있어서의 상기 구조 단위(a1)∼(a4)의 함유 비율이, (A) 아세탈계 수지를 1로 했을 경우에 있어서의 몰 환산으로, 구조 단위(a1):구조 단위(a2):구조 단위(a3):구조 단위(a4)=0.2∼0.65:0.02∼0.2:0.2∼0.6:0.005∼0.3이며, 또한,
당해 (A) 아세탈계 수지에 있어서의 구조 단위(a4)의 함유량이 질량 기준으로 3∼30질량%의 범위인 감광성 수지 조성물.
1. A photosensitive resin composition comprising (A) an acetal resin, (B) a photoacid generator, and (C) a solvent,
(A3) having a carboxyl group or a phenolic hydroxyl group, a structural unit (a3) having an epoxy group or an oxetanyl group, a structural unit (a1) having a structure capable of forming a carboxyl group by an acid, And a structural unit (a4) which is a structural unit which does not correspond to the structural units (a1) to (a3) and which has a hydroxyl group or an alkyleneoxy group and has an acetal structure or a ketal structure,
Wherein the content ratio of the structural units (a1) to (a4) in the acetal-based resin (A) is in the molar ratio of the acetal-based resin (A) (A2): structural unit (a3): structural unit (a4) = 0.2 to 0.65: 0.02 to 0.2: 0.2 to 0.6: 0.005 to 0.3,
The content of the structural unit (a4) in the acetal-based resin (A) is in the range of 3 to 30 mass% based on mass.
제1항에 있어서,
(M) 현상 촉진제를 더 함유하고, 당해 (M) 현상 촉진제가, 분자 내에 카르복시기, 페놀성 수산기, 및 알킬렌옥시기에서 선택되는 적어도 1종의 구조를 갖고, 분자량이 100∼2000의 범위에 있는 화합물인 감광성 수지 조성물.
The method according to claim 1,
(M) a development accelerator, wherein the (M) development accelerator has at least one structure selected from the group consisting of a carboxyl group, a phenolic hydroxyl group and an alkyleneoxy group in the molecule and has a molecular weight in the range of 100 to 2000 &Lt; / RTI &gt;
제1항 또는 제2항에 있어서,
(E) 가교제를 더 함유하는 감광성 수지 조성물.
3. The method according to claim 1 or 2,
(E) a crosslinking agent.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 (B) 광산발생제가, 옥심설포네이트 화합물인 감광성 수지 조성물.
3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the photoacid generator (B) is an oxime sulfonate compound.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 (B) 광산발생제가, 하기 일반식 (OS-3), 일반식 (OS-4), 및 일반식 (OS-5)로 표시되는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 화합물인 감광성 수지 조성물:
Figure 112012065576635-pct00045

일반식 (OS-3)∼일반식 (OS-5) 중, R1은 알킬기, 아릴기, 또는 헤테로아릴기를 나타내고, 복수 존재하는 R2은 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기, 아릴기, 또는 할로겐 원자를 나타내며, 복수 존재하는 R6은 각각 독립적으로, 할로겐 원자, 알킬기, 알킬옥시기, 설폰산기, 아미노설포닐기, 또는 알콕시설포닐기를 나타내고, X는 O 또는 S를 나타내며, n은 1 또는 2를 나타내고, m은 0∼6인 정수를 나타낸다.
3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the photoacid generator (B) is at least one compound selected from the group consisting of compounds represented by the following general formula (OS-3), general formula (OS-4), and general formula (OS- Resin composition:
Figure 112012065576635-pct00045

In the general formulas (OS-3) to (OS-5), R 1 represents an alkyl group, an aryl group or a heteroaryl group, and the plurality of R 2 s present each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, R 6 represents a halogen atom, a halogen atom, an alkyl group, an alkyloxy group, a sulfonic acid group, an aminosulfonyl group, or an alkoxysulfonyl group, X represents O or S, and n represents 1 or 2, and m represents an integer of 0 to 6;
제1항 또는 제2항에 있어서,
(N) 증감제를 더 함유하는 감광성 수지 조성물.
3. The method according to claim 1 or 2,
(N) a sensitizer.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 (A) 아세탈계 수지에 있어서의 상기 구조 단위(a3)가, 아크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸, 및 메타크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸 중 어느 하나에 유래하는 구조 단위인 감광성 수지 조성물.
3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the structural unit (a3) in the acetal resin (A) is at least one selected from the group consisting of acrylic acid (3-ethyloxetan-3-yl) methyl and methacrylic acid (3-ethyloxetan- Wherein the photosensitive resin composition is a structural unit derived from one.
제1항 또는 제2항에 있어서,
(F) 밀착 개량제를 더 함유하는 감광성 수지 조성물.
3. The method according to claim 1 or 2,
(F) an adhesion improver.
제1항 또는 제2항에 있어서,
(G) 염기성 화합물을 더 함유하는 감광성 수지 조성물.
3. The method according to claim 1 or 2,
(G) a basic compound.
제1항 또는 제2항에 있어서,
불소계 계면 활성제 또는 실리콘계 계면 활성제를 더 함유하는 감광성 수지 조성물.
3. The method according to claim 1 or 2,
A fluorine-based surfactant or a silicone-based surfactant.
(1) 제1항 또는 제2항에 기재된 감광성 수지 조성물을 기판 위에 도포하는 것,
(2) 도포된 감광성 수지 조성물로부터 용제를 제거하는 것,
(3) 도포된 감광성 수지 조성물을 활성 광선에 의해 노광하는 것,
(4) 노광된 감광성 수지 조성물을 수성 현상액에 의해 현상하는 것, 및
(5) 현상된 감광성 수지 조성물을 열경화하는 것
을 포함하는 경화막의 형성 방법.
(1) applying the photosensitive resin composition according to any one of claims 1 to 3 on a substrate,
(2) removing the solvent from the applied photosensitive resin composition,
(3) exposing the applied photosensitive resin composition to actinic rays,
(4) developing the exposed photosensitive resin composition with an aqueous developer, and
(5) heat-curing the developed photosensitive resin composition
To form a cured film.
제11항에 기재된 경화막의 형성 방법에 의해 형성된 경화막.A cured film formed by the method for forming a cured film according to claim 11. 제12항에 있어서,
층간 절연막인 경화막.
13. The method of claim 12,
A cured film which is an interlayer insulating film.
제12항에 기재된 경화막을 구비하는 유기 EL 표시 장치.An organic EL display device comprising the cured film according to claim 12. 제12항에 기재된 경화막을 구비하는 액정 표시 장치.A liquid crystal display device comprising the cured film according to claim 12.
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