KR101945752B1 - Positive type photosensitive resin composition, method for forming cured film, cured film, liquid crystal display device, and organic el display device - Google Patents

Positive type photosensitive resin composition, method for forming cured film, cured film, liquid crystal display device, and organic el display device Download PDF

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Abstract

본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물은, (성분 A) 적어도 (a1) 산기가 산분해성기로 보호된 잔기를 갖는 구성 단위와 (a2) 가교성기를 갖는 구성 단위를 갖는 공중합체, (성분 B) 산기가 산분해성기로 보호된 잔기를 갖는 구성 단위를 갖지 않고, 적어도 (b1) 산기를 갖는 구성 단위와 (b2) 가교성기를 갖는 구성 단위를 갖는 공중합체, (성분 C) 광산발생제, 및 (성분 D) 용제를 함유하는 것을 특징으로 한다.The positive photosensitive resin composition of the present invention is a positive photosensitive resin composition which comprises (Component A) a copolymer having at least (a1) a structural unit having an acid group protected with an acid-decomposable group and (a2) a structural unit having a crosslinkable group, (Component B) (B1) a structural unit having an acid group and (b2) a structural unit having a crosslinkable group, (C) a photoacid generator, and (component D) a solvent.

Description

포지티브형 감광성 수지 조성물, 경화막의 형성 방법, 경화막, 액정 표시 장치, 및 유기 EL 표시 장치{POSITIVE TYPE PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, METHOD FOR FORMING CURED FILM, CURED FILM, LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE, AND ORGANIC EL DISPLAY DEVICE}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a positive photosensitive resin composition, a method of forming a cured film, a cured film, a liquid crystal display device, and an organic EL display device using the positive photosensitive resin composition, a cured film,

본 발명은 포지티브형 감광성 수지 조성물, 경화막의 형성 방법, 경화막, 액정 표시 장치, 및 유기 EL 표시 장치에 관한 것이다. 더 상세하게는, 액정 표시 장치, 유기 EL 표시 장치, 집적 회로 소자, 고체 촬상 소자 등의 전자 부품의 평탄화막, 보호막이나 층간 절연막의 형성에 호적(好適)한, 포지티브형 감광성 수지 조성물 및 그것을 사용한 경화막의 형성 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a positive photosensitive resin composition, a method of forming a cured film, a cured film, a liquid crystal display, and an organic EL display. More particularly, the present invention relates to a positive type photosensitive resin composition suitable for forming a planarizing film, a protective film, or an interlayer insulating film of an electronic component such as a liquid crystal display, an organic EL display, an integrated circuit element, And a method for forming a cured film.

박막 트랜지스터(이하, 「TFT」라고 함)형 액정 표시 소자나 자기(磁氣) 헤드 소자, 집적 회로 소자, 고체 촬상 소자 등의 전자 부품에는, 일반적으로 층상(層狀)으로 배치되는 배선의 사이를 절연하기 위해 층간 절연막이 마련되어 있다. 층간 절연막을 형성하는 재료로서는, 필요로 하는 패턴 형상을 얻기 위한 공정수가 적고 게다가 평탄성을 갖는 것이 바람직하므로, 감광성 수지 조성물이 폭넓게 사용되고 있다(특허문헌 1 및 2 참조).BACKGROUND ART Electronic components such as thin film transistors (hereinafter referred to as " TFTs ") type liquid crystal display elements, magnetic head elements, integrated circuit elements, solid state image pickup elements, An interlayer insulating film is provided. As the material for forming the interlayer insulating film, it is preferable that the number of steps for obtaining a necessary pattern shape is small and further it is desired to have a flatness, and thus a photosensitive resin composition is widely used (see Patent Documents 1 and 2).

상기 전자 부품 중, 예를 들면 TFT형 액정 표시 소자는, 상기의 층간 절연막 위에, 투명 전극막(ITO)을 형성하고, 또한 그 위에 몰리브덴(Mo)이나 티타늄(Ti) 등의 금속으로 이루어지는 배선이 형성되며, 액정 배향막을 형성하는 공정을 거쳐 제조되기 때문에, 층간 절연막은, 투명 전극막의 형성 공정에 있어서 고온 조건에 노출되거나, 전극의 패턴 형성에 사용되는 레지스트의 박리액이나, 액정 배향막 형성시에 사용되는 NMP(N-메틸피롤리돈)에 노출되기 때문에, 이들에 대한 충분한 내성이 필요해진다.Among the above electronic components, for example, in a TFT type liquid crystal display device, a transparent electrode film (ITO) is formed on the interlayer insulating film and a wiring made of a metal such as molybdenum (Mo) or titanium (Ti) And the liquid crystal alignment film is formed. Therefore, the interlayer insulating film can be exposed to high-temperature conditions in the process of forming the transparent electrode film, or can be removed in the form of a stripping liquid of a resist used for pattern formation of an electrode, And is exposed to the NMP (N-methylpyrrolidone) used, so that sufficient resistance to these is required.

또한, 층간 절연막이 투명 전극막 혹은 그 위에 형성되는 배선(금속)과의 밀착성이 나쁠 경우에는, 패널의 표시에 불량이 생기기 쉬워지기 때문에, 투명 전극막이나 배선과의 밀착성도 요구된다. 층간 절연막은, 드라이 에칭 공정을 가할 경우도 있기 때문에, 드라이 에칭에 대한 충분한 내성도 필요해진다(특허문헌 2 및 특허문헌 3 참조).In addition, when the interlayer insulating film has poor adhesion to the transparent electrode film or the wiring (metal) formed thereon, the display of the panel tends to be defective, and adhesion with the transparent electrode film or wiring is also required. Since the interlayer insulating film may be subjected to a dry etching process, sufficient resistance to dry etching is required (see Patent Document 2 and Patent Document 3).

층간 절연막용 고감도의 감광성 수지 조성물로서, 예를 들면 특허문헌 4에는, (A1) 산해리성기를 갖는 구성 단위를 함유하는 수지와, (A3) 에폭시기 또는 옥세탄기를 갖는 구성 단위와 산해리성기를 함유하는 수지, 및 (B) 활성 광선 또는 방사선의 조사(照射)에 의해 산을 발생하는 화합물을 함유하는 포지티브형 감광성 수지 조성물, 혹은, (A1) 산해리성기를 갖는 구성 단위를 함유하는 수지와, (A2) 에폭시기 또는 옥세탄기를 갖는 구성 단위를 함유하는 수지, 및 (B) 활성 광선 또는 방사선의 조사에 의해 산을 발생하는 화합물을 함유하는 층간 절연막 형성용 포지티브형 감광성 수지 조성물이 제안되어 있다.As a high sensitive photosensitive resin composition for an interlayer insulating film, for example, Patent Document 4 discloses a resin composition containing (A1) a resin containing a structural unit having an acid-dissociable group, (A3) a resin containing a structural unit having an epoxy group or an oxetane group, (A1) a resin containing a structural unit having an acid-dissociable group, (A2) a resin containing a structural unit having an acid-dissociable group, and (A2) a resin containing an acid- ), A resin containing a structural unit having an epoxy group or an oxetane group, and (B) a compound which generates an acid upon irradiation with an actinic ray or radiation.

또한, 특허문헌 5에는, (A1) 산해리성기를 갖는 구성 단위를 함유하는 수지, (A2) 에폭시기 함유 라디칼 중합성 단량체로부터 유도되는 구성 단위를 갖는 중합체 혹은 공중합체, (B) 분자 내에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 화합물 및 (C) 파장 300㎚ 이상의 활성 광선의 조사에 의해 산을 발생하는 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 포지티브형 감광성 수지 조성물이 제안되어 있다.Patent Document 5 discloses a resin composition comprising (A1) a resin containing a structural unit having an acid-dissociable group, (A2) a polymer or copolymer having a structural unit derived from an epoxy group-containing radical polymerizable monomer, (B) A compound having an epoxy group and (C) a compound capable of generating an acid upon irradiation with an actinic ray having a wavelength of 300 nm or more.

또한, 특허문헌 6에 있어서는, (A) (a1) 아세탈 구조 또는 케탈 구조를 갖는 노르보르넨 화합물 혹은 아세탈 또는 케탈 구조를 갖는 (메타)아크릴산에스테르 화합물, (a2) 특정의 가교기를 갖는 구성 단위, 그리고 (a3) (a1) 및 (a2) 이외의 올레핀계 불포화 화합물로 이루어지는 공중합체, (B) 방사선의 조사에 의해 pKa이 4.0 이하의 산을 발생하는 화합물을 함유하는 층간 절연막 형성용 감방사선성 수지 조성물이 제안되어 있다.In Patent Document 6, (A) a norbornene compound having an acetal structure or a ketal structure, (meth) acrylic ester compound having an acetal or ketal structure, (a2) a structural unit having a specific crosslinking group, And (a3) a copolymer comprising an olefinically unsaturated compound other than (a1) and (a2), (B) a radiation sensitive resin composition for forming an interlayer insulating film containing a compound capable of generating an acid having a pKa of 4.0 or less by irradiation with radiation A resin composition has been proposed.

일본국 특개2001-354822호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-354822 일본국 특개2000-241832호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-241832 일본국 특개2005-345757호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2005-345757 일본국 특허 제4637221호 공보Japanese Patent No. 4637221 일본국 특허 제4676542호 공보Japanese Patent No. 4676542 일본국 특허 제4207604호 공보Japanese Patent No. 4207604

그러나, 특허문헌 4∼6에 있어서 제안되어 있는 감광성 수지 조성물은, 층간 절연막 형성 후에 사용되는 레지스트의 박리액이나 N-메틸피롤리돈(NMP)에 대한 내성이 높지 않은 것, 또한 투명 전극막이나 금속과의 밀착성이 나쁜 것, 또한 드라이 에칭에 대한 내성이 높지 않으므로, 액정 표시 장치에 있어서의 표시 불량이 일어나기 쉬워, 개선이 요구되고 있었다.However, in the photosensitive resin compositions proposed in Patent Documents 4 to 6, there is a problem that resistance to a resist remover or N-methyl pyrrolidone (NMP) used after formation of an interlayer insulating film is not high, The adhesion to metal is poor, and the resistance to dry etching is not high. Therefore, defective display in a liquid crystal display device tends to occur, and improvement has been demanded.

본 발명은 이상과 같은 사정을 감안하여 이루어진 것이며, 이하의 과제를 해결하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and it is an object of the present invention to solve the following problems.

즉, 본 발명이 해결하려는 과제는, 고감도이며, 박리액이나 NMP에 대한 내성이 높고, 투명 전극막이나 금속과의 밀착성도 양호하며, 또한 드라이 에칭 내성이 우수해, 표시 장치에 있어서도 표시 불량이 일어나기 어려운 경화막을 얻을 수 있는 포지티브형 감광성 수지 조성물, 상기 감광성 수지 조성물을 경화하여 얻어지는 경화막 및 그 형성 방법, 그리고, 상기 경화막을 구비한 유기 EL 표시 장치 및 액정 표시 장치를 제공하는 것이다.That is, a problem to be solved by the present invention is to provide a high sensitivity, high resistance to a peeling liquid or NMP, good adhesion to a transparent electrode film or metal, and excellent dry etching resistance, A cured film obtained by curing the photosensitive resin composition, a method for forming the cured photosensitive resin composition, and an organic EL display device and a liquid crystal display device provided with the cured film.

본 발명의 상기 과제는, 이하의 <1>, <12>, <15>, <17> 또는 <18>에 기재된 수단에 의해 해결되었다. 바람직한 실시 태양인 <2>∼<11>, <13>, <14> 및 <16>과 함께 이하에 기재한다.The above object of the present invention has been solved by the means described in the following <1>, <12>, <15>, <17> or <18>. <2> to <11>, <13>, <14> and <16> which are preferred embodiments are described below.

<1> (성분 A) 적어도 (a1) 산기가 산분해성기로 보호된 잔기를 갖는 구성 단위와 (a2) 가교성기를 갖는 구성 단위를 갖는 공중합체, (성분 B) 산기가 산분해성기로 보호된 잔기를 갖는 구성 단위를 갖지 않고, 적어도 (b1) 산기를 갖는 구성 단위와 (b2) 가교성기를 갖는 구성 단위를 갖는 공중합체, (성분 C) 광산발생제, 및 (성분 D) 용제를 함유하는 것을 특징으로 하는 포지티브형 감광성 수지 조성물,&Lt; 1 > (Component A) a copolymer having at least (a1) a structural unit having a residue protected by an acid-decomposable group and (a2) a structural unit having a crosslinkable group, (Component B) (Component B) having a structural unit having (b1) an acid group and (b2) a structural unit having a crosslinkable group, (C) a photoacid generator, and A positive photosensitive resin composition,

<2> 상기 구성 단위(a1)가, 카르복시기가 아세탈 또는 케탈의 형태로 보호된 잔기를 갖는 구성 단위인, 상기 <2>에 기재된 포지티브형 감광성 수지 조성물,<2> The positive photosensitive resin composition according to <2>, wherein the structural unit (a1) is a structural unit having a carboxyl group in a form of acetal or ketal protected moiety,

<3> 상기 구성 단위(a1)가, 식 (a1-1)로 표시되는 구성 단위인, 상기 <1> 또는 <2>에 기재된 포지티브형 감광성 수지 조성물,<3> The positive photosensitive resin composition according to <1> or <2>, wherein the structural unit (a1) is a structural unit represented by formula (a1-1)

Figure 112012066016297-pat00001
Figure 112012066016297-pat00001

(식 중, R1은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R2은 탄소수 1∼6의 알킬기를 나타내며, R3은 탄소수 1∼6의 알킬기 또는 탄소수 4∼7의 시클로알킬기를 나타내고, R2과 R3은 연결하여 환을 형성해도 된다.)(Wherein R 1 represents a hydrogen atom or a methyl group, R 2 represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, R 3 represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or a cycloalkyl group having 4 to 7 carbon atoms, R 2 and R 3 may be connected to form a ring.)

<4> 상기 구성 단위(a2)가, 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 구성 단위인, 상기 <1>∼<3> 중 어느 하나에 기재된 포지티브형 감광성 수지 조성물,<4> The positive photosensitive resin composition according to any one of <1> to <3>, wherein the structural unit (a2) is a structural unit having an epoxy group and / or an oxetanyl group,

<5> 상기 구성 단위(b1)의 산기가, 카르복시기 또는 페놀성 수산기인, 상기 <1>∼<5> 중 어느 하나에 기재된 포지티브형 감광성 수지 조성물,<5> The positive photosensitive resin composition according to any one of <1> to <5>, wherein the acid group of the structural unit (b1) is a carboxyl group or a phenolic hydroxyl group.

<6> 상기 구성 단위(b2)가, 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 구성 단위인, 상기 <1>∼<5> 중 어느 하나에 기재된 포지티브형 감광성 수지 조성물,<6> The positive photosensitive resin composition according to any one of <1> to <5>, wherein the structural unit (b2) is a structural unit having an epoxy group and / or an oxetanyl group.

<7> 성분 B가, 식 (b3)으로 표시되는 구성 단위를 더 갖는, 상기 <1>∼<6> 중 어느 하나에 기재된 포지티브형 감광성 수지 조성물,<7> The positive photosensitive resin composition according to any one of <1> to <6>, wherein the component B further comprises a structural unit represented by the formula (b3)

Figure 112012066016297-pat00002
Figure 112012066016297-pat00002

(식 중, R4은 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다.)(Wherein R 4 represents a hydrogen atom or a methyl group).

<8> 성분 A의 함유량 WA과 성분 B의 함유량 WB의 중량 비율이 WA/WB=98/2∼20/80인, 상기 <1>∼<7> 중 어느 하나에 기재된 포지티브형 감광성 수지 조성물,<8> The positive-electrode active material according to any one of <1> to <7>, wherein the weight ratio of the content W A of the component A to the content W B of the component B is W A / W B = 98/2 to 20/80. Photosensitive resin composition,

<9> 성분 C가, 식 (c1)로 표시되는 옥심설포네이트 광산발생제인, 상기 <1>∼<8> 중 어느 하나에 기재된 포지티브형 감광성 수지 조성물,<9> The positive photosensitive resin composition according to any one of <1> to <8>, wherein the component C is the oxime sulfonate photoacid generator represented by the formula (c1)

Figure 112012066016297-pat00003
Figure 112012066016297-pat00003

(식 (c1) 중, R5 및 R6은 각각 독립적으로, 1가의 유기기를 나타내고, R5 및 R6은 연결하여 환을 형성하고 있어도 되고, R7은 알킬기, 시클로알킬기 또는 아릴기를 나타낸다.)(In the formula (c1), R 5 and R 6 each independently represent a monovalent organic group, R 5 and R 6 may be connected to form a ring, and R 7 represents an alkyl group, a cycloalkyl group or an aryl group. )

<10> 성분 C가, 식 (OS-3), 식 (OS-4), 식 (OS-5) 또는 식 (c4)로 표시되는 화합물인, 상기 <1>∼<9> 중 어느 하나에 기재된 포지티브형 감광성 수지 조성물,<10> The compound according to any one of <1> to <9>, wherein the component C is a compound represented by the formula (OS-3), formula (OS-4), formula (OS- The positive-working photosensitive resin composition,

Figure 112012066016297-pat00004
Figure 112012066016297-pat00004

(식 (OS-3)∼식 (OS-5) 중, R1은 알킬기, 아릴기 또는 헤테로아릴기를 나타내고, R2은 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기, 아릴기 또는 할로겐 원자를 나타내며, R6은 각각 독립적으로, 할로겐 원자, 알킬기, 알킬옥시기, 설폰산기, 아미노설포닐기 또는 알콕시설포닐기를 나타내고, X는 O 또는 S를 나타내며, n은 1 또는 2를 나타내고, m은 0∼6의 정수를 나타낸다.)Wherein R 1 represents an alkyl group, an aryl group or a heteroaryl group, R 2 each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group or a halogen atom, R 1 represents an alkyl group, an aryl group or a heteroaryl group, 6 each independently represent a halogen atom, an alkyl group, an alkyloxy group, a sulfonic acid group, an aminosulfonyl group or an alkoxysulfonyl group, X represents O or S, n represents 1 or 2, and m represents 0 to 6 Represents an integer.)

Figure 112012066016297-pat00005
Figure 112012066016297-pat00005

(식 중, RB1은 알킬기, 알콕시기 또는 할로겐 원자를 나타내고, RB2은 알킬기 또는 아릴기를 나타낸다.)(Wherein R B1 represents an alkyl group, an alkoxy group or a halogen atom, and R B2 represents an alkyl group or an aryl group.)

<11> 광증감제를 더 함유하는, 상기 <1>∼<10> 중 어느 하나에 기재된 포지티브형 감광성 수지 조성물,<11> The positive photosensitive resin composition according to any one of <1> to <10>, further containing a photosensitizer,

<12> (1) 상기 <1>∼<11> 중 어느 하나에 기재된 포지티브형 감광성 수지 조성물을 사용하여 기판 위에 막상(膜狀)의 층을 형성하는 층형성 공정, (2) 도포된 감광성 수지 조성물로부터 용제를 제거하는 용제 제거 공정, (3) 용제가 제거된 감광성 수지 조성물을 활성 광선에 의해 노광하는 노광 공정, (4) 노광된 감광성 수지 조성물을 수성 현상액에 의해 현상하는 현상 공정, 및 (5) 현상된 감광성 수지 조성물을 열경화하는 포스트베이킹 공정을 포함하는 경화막의 형성 방법,(1) a layer forming step of forming a film-like layer on a substrate by using the positive photosensitive resin composition according to any one of (1) to (11); (2) A solvent removing step of removing the solvent from the composition, (3) an exposure step of exposing the photosensitive resin composition from which the solvent has been removed by an actinic ray, (4) a developing step of developing the exposed photosensitive resin composition by an aqueous developer, and 5) a method of forming a cured film including a post-baking step of thermally curing the developed photosensitive resin composition,

<13> 상기 현상 공정 후, 상기 포스트베이킹 공정 전에, 현상된 감광성 수지 조성물을 전면(全面) 노광하는 공정을 포함하는, 상기 <12>에 기재된 경화막의 형성 방법,<13> The method for forming a cured film according to <12> above, which comprises a step of exposing the developed photosensitive resin composition to the whole surface after the development step and before the post-baking step,

<14> (6) 열경화하여 얻어진 경화막을 갖는 기판에 대하여 드라이 에칭을 행하는 드라이 에칭 공정을 더 포함하는, 상기 <12> 또는 <13>에 기재된 경화막의 형성 방법,<6> A method for forming a cured film according to <12> or <13>, further comprising a dry etching step of performing dry etching on a substrate having a cured film obtained by thermosetting,

<15> 상기 <12>∼<14> 중 어느 하나에 기재된 방법에 의해 형성된 경화막,<15> A cured film formed by the method according to any one of <12> to <14>

<16> 층간 절연막인, 상기 <15>에 기재된 경화막,<16> The cured film according to <15>, which is an interlayer insulating film,

<17> 상기 <15> 또는 <16>에 기재된 경화막을 구비하는 유기 EL 표시 장치,<17> An organic EL display device comprising the cured film according to <15> or <16>

<18> 상기 <15> 또는 <16>에 기재된 경화막을 구비하는 액정 표시 장치.<18> A liquid crystal display device comprising the cured film according to <15> or <16>.

본 발명에 의하면, 고감도이며, 박리액이나 NMP에 대한 내성이 높고, 투명 전극막이나 금속과의 밀착성도 양호하며, 또한 드라이 에칭 내성이 우수해, 표시 장치에 있어서도 표시 불량이 일어나기 어려운 경화막을 얻을 수 있는 포지티브형 감광성 수지 조성물, 상기 감광성 수지 조성물을 경화하여 얻어지는 경화막 및 그 형성 방법, 그리고, 상기 경화막을 구비한 유기 EL 표시 장치 및 액정 표시 장치를 제공할 수 있었다.According to the present invention, it is possible to obtain a cured film having high sensitivity, high resistance to peeling liquid and NMP, good adhesiveness to transparent electrode film and metal, excellent dry etching resistance, A cured film obtained by curing the photosensitive resin composition, a method for forming the cured film, and an organic EL display device and a liquid crystal display device provided with the cured film.

도 1은 유기 EL 표시 장치의 일례의 구성 개념도를 나타낸다. 보텀 에미션형의 유기 EL 표시 장치에 있어서의 기판의 모식적인 단면도를 나타내고, 평탄화막(4)을 갖고 있다.
도 2는 액정 표시 장치의 일례의 구성 개념도를 나타낸다. 액정 표시 장치에 있어서의 액티브 매트릭스 기판의 모식적인 단면도를 나타내고, 층간 절연막인 경화막(17)을 갖고 있다.
Fig. 1 shows a configuration diagram of an example of an organic EL display device. 1 is a schematic cross-sectional view of a substrate in a bottom emission type organic EL display device and has a planarization film 4.
2 is a conceptual diagram showing an example of the configuration of a liquid crystal display device. Sectional view of an active matrix substrate in a liquid crystal display device and has a cured film 17 as an interlayer insulating film.

이하, 본 발명에 대해서 상세하게 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail.

또한, 명세서 중, 「하한∼상한」의 기재는 「하한 이상, 상한 이하」를 나타내고, 「상한∼하한」의 기재는 「상한 이하, 하한 이상」를 나타낸다. 즉, 상한 및 하한을 포함하는 수치 범위를 나타낸다.In the specification, the description of "lower limit to upper limit" indicates "lower limit and higher limit," and the description of "upper limit to lower limit" indicates "upper limit or lower limit. That is, a numerical range including an upper limit and a lower limit.

또한, 「(성분 A) 적어도 (a1) 산기가 산분해성기로 보호된 잔기를 갖는 구성 단위와 (a2) 가교성기를 갖는 구성 단위를 갖는 공중합체」 등을 단순히 「성분 A」 등이라고 하고, 「(a1) 산기가 산분해성기로 보호된 잔기를 갖는 구성 단위」 등을 단순히 「구성 단위(a1)」 등이라고도 한다.A "copolymer having (a1) a structural unit having an acid group protected with an acid-decomposable group and (a2) a structural unit having a crosslinkable group" is referred to simply as "component A" (a1) a structural unit in which the acid group has a residue protected by an acid-decomposable group "and the like are simply referred to as" structural unit (a1) ".

또한, 「아크릴레이트」, 「메타크릴레이트」의 쌍방 혹은 어느 것을 가리킬 경우 「(메타)아크릴레이트」로, 「아크릴」, 「메타크릴」의 쌍방 혹은 중 어느 것을 가리킬 경우 「(메타)아크릴」로, 각각 기재하는 경우가 있다.Further, the term "(meth) acrylate" refers to both "acrylate" and "methacrylate", and "(meth) acrylate" , Respectively.

(포지티브형 감광성 수지 조성물)(Positive photosensitive resin composition)

본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물(이하, 단순히 「감광성 수지 조성물」이라고도 함)은, (성분 A) 적어도 (a1) 산기가 산분해성기로 보호된 잔기를 갖는 구성 단위와 (a2) 가교성기를 갖는 구성 단위를 갖는 공중합체, (성분 B) 산기가 산분해성기로 보호된 잔기를 갖는 구성 단위를 갖지 않고, 적어도 (b1) 산기를 갖는 구성 단위와 (b2) 가교성기를 갖는 구성 단위를 갖는 공중합체, (성분 C) 광산발생제, 및 (성분 D) 용제를 함유하는 것을 특징으로 한다.The positive photosensitive resin composition of the present invention (hereinafter also simply referred to as &quot; photosensitive resin composition &quot;) is a composition comprising (Component A) at least (a1) a structural unit having an acid group protected with an acid- decomposable group and (a2) (B) a copolymer having at least (a1) a constituent unit having an acidic group (b1) and a constituent unit having a crosslinkable group (b2) without a constituent unit having an acid- , (Component C) a photoacid generator, and (Component D) a solvent.

본 발명의 감광성 수지 조성물은, 특정의 수지 2성분(성분 A 및 성분 B) 및 광산발생제를 함유함으로써, 감도가 우수한 것이 된다. 또한, 본 발명의 감광성 수지 조성물은, 특정의 수지 2성분 및 광산발생제를 함유함으로써, 박리액, 특히 모노에탄올아민을 함유하는 박리액이나 NMP에 대한 내성이 높고, 투명 전극막이나 금속과의 밀착성도 양호하며, 또한 드라이 에칭 내성이 우수해, 표시 장치에 있어서도 표시 불량이 일어나기 어려운 경화막을 형성할 수 있다.The photosensitive resin composition of the present invention is excellent in sensitivity because it contains two specific resin components (component A and component B) and a photoacid generator. In addition, the photosensitive resin composition of the present invention contains a specific resin component and a photoacid generator, so that it has high resistance to a peeling liquid, especially a peeling liquid containing monoethanolamine or NMP, It is possible to form a cured film which is excellent in adhesion and is also excellent in dry etching resistance and which hardly causes defective display even in a display device.

또한, 본 발명의 감광성 수지 조성물은, 화학 증폭형의 포지티브형 감광성 수지 조성물(화학 증폭 포지티브형 감광성 수지 조성물)인 것이 바람직하다.The photosensitive resin composition of the present invention is preferably a chemically amplified positive photosensitive resin composition (chemically amplified positive photosensitive resin composition).

또한, 본 발명의 감광성 수지 조성물은, 드라이 에칭 레지스트용 포지티브형 감광성 수지 조성물로서 호적하게 사용할 수 있다.Further, the photosensitive resin composition of the present invention can be suitably used as a positive photosensitive resin composition for a dry etching resist.

또한, 본 명세서에서의 기(원자단)의 표기에 있어서, 치환 및 무치환을 기재하고 있지 않은 표기는, 치환기를 갖지 않은 것과 함께 치환기를 갖는 것도 포함하는 것이다. 예를 들면 「알킬기」란, 치환기를 갖지 않은 알킬기(무치환 알킬기)뿐만 아니라, 치환기를 갖는 알킬기(치환 알킬기)도 포함하는 것이다.In the description of the groups (atomic groups) in the present specification, the notations in which substitution and non-substitution are not described include those having a substituent as well as those having a substituent. For example, the "alkyl group" includes not only an alkyl group having no substituent (an unsubstituted alkyl group) but also an alkyl group having a substituent (substituted alkyl group).

또한, 본 발명에 사용하는 성분 A나 성분 B 등의 공중합체가 함유하는 구성 단위를 도입하는 방법은, 중합법이어도 되고, 고분자 반응법이어도 된다. 중합법에서는, 소정의 관능기를 함유하는 모노머를 미리 합성한 후에, 이들 모노머를 공중합한다. 고분자 반응법에서는, 중합 반응을 행한 후에, 얻어진 공중합체의 구성 단위에 함유되는 반응성기를 이용하여 필요한 관능기를 구성 단위 중에 도입한다. 여기에서, 관능기로서는, 카르복시기 또는 페놀성 수산기 등의 산기를 보호함과 동시에 강산의 존재 하에서 분해하여 이들을 유리(遊離)하기 위한 보호기, 에폭시기 또는 옥세타닐기 등의 가교성기, 또한, 페놀성 수산기나 카르복시기와 같은 알칼리 가용성기(산기) 등을 예시할 수 있다.The method of introducing the constituent unit contained in the copolymer such as the component A or the component B used in the present invention may be a polymerization method or a polymer reaction method. In the polymerization method, monomers containing a predetermined functional group are synthesized in advance, and then these monomers are copolymerized. In the polymer reaction method, a necessary functional group is introduced into the constituent unit by using a reactive group contained in the constituent unit of the obtained copolymer after the polymerization reaction. Examples of the functional group include a protecting group for protecting an acidic group such as a carboxyl group or a phenolic hydroxyl group and decomposing in the presence of strong acid to liberate them, a crosslinkable group such as an epoxy group or an oxetanyl group, And an alkali-soluble group (acid group) such as a carboxyl group.

(성분 A) 적어도 (a1) 산기가 산분해성기로 보호된 잔기를 갖는 구성 단위와 (a2) 가교성기를 갖는 구성 단위를 갖는 공중합체(Component A) A composition comprising at least (a1) a copolymer having a structural unit having an acid group protected with an acid-decomposable group and (a2) a structural unit having a crosslinkable group

본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물은, (성분 A) 적어도 (a1) 산기가 산분해성기로 보호된 잔기를 갖는 구성 단위와 (a2) 가교성기를 갖는 구성 단위를 갖는 공중합체를 함유한다.The positive photosensitive resin composition of the present invention comprises (A) a copolymer having at least (a1) a structural unit having an acid group-protected residue with an acid-decomposable group and (a2) a structural unit having a crosslinkable group.

또한, 상기 구성 단위(a1)과 상기 구성 단위(a2)는, 동일한 구성 단위여도 되지만, 상이한 구성 단위인 것이 바람직하다.The constituent unit (a1) and the constituent unit (a2) may be the same constituent unit, but are preferably different constituent units.

성분 A는 알칼리 불용성이며, 또한, 산분해성기가 분해했을 때에 알칼리 가용성이 되는 수지인 것이 바람직하다. 여기에서, 「산분해성기」란 산의 존재 하에서 분해 가능한 관능기를 의미한다. 또한, 「알칼리 가용성」이란, 화합물(수지)의 용액을 기판 위에 도포하고, 90℃에서 2분간 가열하여 형성한 도막(두께 3㎛)의, 23℃에서의 0.4중량% 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액에 대한 용해 속도가 0.01㎛/초 이상인 것을 말한다. 한편, 「알칼리 불용성」이란, 용해 속도가 0.01㎛/초 미만인 것을 말한다. 성분 A의 알칼리 용해 속도는 0.005㎛/초 미만인 것이 보다 바람직하다.Component A is preferably an alkali-insoluble resin that becomes alkali-soluble when the acid-decomposable group decomposes. Here, the "acid-decomposable group" means a functional group decomposable in the presence of an acid. "Alkali solubility" means that a coating solution (thickness: 3 μm) formed by applying a solution of a compound (resin) on a substrate and heating at 90 ° C. for 2 minutes is coated with 0.4 wt% tetramethylammonium hydroxide Means that the dissolution rate in an aqueous solution is 0.01 m / sec or more. On the other hand, "alkali insoluble" means that the dissolution rate is less than 0.01 μm / sec. It is more preferable that the alkali dissolution rate of the component A is less than 0.005 탆 / sec.

성분 A는, 부가 중합형의 수지인 것이 바람직하고, (메타)아크릴산 및/또는 그 에스테르에 유래하는 구성 단위를 함유하는 중합체인 것이 보다 바람직하다. 또한, 성분 A는, (메타)아크릴산 및/또는 그 에스테르에 유래하는 구성 단위 이외의 구성 단위, 예를 들면 스티렌이나 비닐 화합물에 유래하는 구성 단위 등을 갖고 있어도 된다.The component A is preferably an addition polymerization type resin, more preferably a polymer containing a (meth) acrylic acid and / or a structural unit derived from the ester thereof. Component A may also contain structural units other than the structural units derived from (meth) acrylic acid and / or esters thereof, for example, structural units derived from styrene or vinyl compounds.

성분 A는, (메타)아크릴산 및/또는 그 에스테르에 유래하는 모노머 단위를, 전 모노머 단위에 대하여, 50몰% 이상 함유하는 것이 바람직하고, 80몰% 이상 함유하는 것이 보다 바람직하며, 90몰% 이상 함유하는 것이 더 바람직하고, 100몰%함유하는 것이 특히 바람직하다.The component A preferably contains 50 mol% or more, more preferably 80 mol% or more, and more preferably 90 mol% or more of monomer units derived from (meth) acrylic acid and / Or more, and particularly preferably 100 mol% or less.

또한, 성분 A가 함유하는 구성 단위를 도입하는 방법은, 중합법이어도 되고, 고분자 반응법이어도 되며, 이들 2방법을 병용(倂用)해도 된다.The method of introducing the constituent unit contained in the component A may be a polymerization method, a polymer reaction method, or a combination of these two methods.

중합법에서는, 예를 들면 산기가 산분해성기로 보호된 잔기를 갖는 에틸렌성 불포화 화합물, 및 가교기를 갖는 에틸렌성 불포화 화합물, 카르복시기 및/또는 페놀성 수산기를 갖는 에틸렌성 불포화 화합물 등을 혼합하여 부가 중합하여, 목적으로 하는 공중합체를 얻을 수 있다.In the polymerization method, for example, an ethylenically unsaturated compound having an acid group-protected residue with an acid-decomposable group and an ethylenically unsaturated compound having a crosslinking group, an ethylenically unsaturated compound having a carboxyl group and / or a phenolic hydroxyl group, To obtain a desired copolymer.

고분자 반응법에서는, 메타크릴산2-히드록시에틸을 공중합한 공중합체에 에피클로로히드린을 반응시켜 에폭시기를 도입하는 것을 예시할 수 있다. 이와 같이, 반응성기를 갖는 에틸렌성 불포화 화합물을 공중합한 후에, 측쇄에 남은 반응성기를 활용하여, 고분자 반응에 의해, 페놀성 수산기 혹은 카르복시기가 산분해성기로 보호된 잔기, 및/또는, 가교기와 같은 관능기를 측쇄에 도입할 수 있다.In the polymer reaction method, epichlorohydrin may be reacted with a copolymer obtained by copolymerizing 2-hydroxyethyl methacrylate to introduce an epoxy group. As described above, after the ethylenically unsaturated compound having a reactive group is copolymerized, a reactive group remaining in the side chain is utilized to form a functional group such as a residue protected with an acid-decomposable group by a phenolic hydroxyl group or a carboxyl group and / Can be introduced into the side chain.

<구성 단위(a1)>&Lt; Structural unit (a1) >

성분 A는, (a1) 산기가 산분해성기로 보호된 잔기를 갖는 구성 단위를 적어도 갖는다. 성분 A가 구성 단위(a1)을 가짐으로써, 매우 고감도인 감광성 수지 조성물로 할 수 있다. Component A has at least (a1) a constituent unit having a residue whose acid group is protected with an acid-decomposable group. By having the constituent unit (a1) in the component A, a photosensitive resin composition with extremely high sensitivity can be obtained.

본 발명에 있어서의 「산기가 산분해성기로 보호된 잔기」는, 카르복시기가 아세탈의 형태로 보호된 잔기, 산기가 케탈의 형태로 보호된 잔기, 산기가 제3급 알킬기로 보호된 잔기, 또는, 산기가 제3급 알킬카보네이트기로 보호된 잔기이다.The "residue in which an acid group is protected with an acid-decomposable group" in the present invention means a residue in which a carboxyl group is protected in the form of an acetal, a residue in which an acid group is protected in a ketal form, a residue in which an acid group is protected with a tertiary alkyl group, And the acid group is a residue protected with a tertiary alkylcarbonate group.

산기로서는, 카르복시기, 및 페놀성 수산기를 바람직하게 들 수 있다.As the acid group, a carboxyl group and a phenolic hydroxyl group are preferably exemplified.

또한, 산기가 산분해성기로 보호된 잔기로서 구체적으로는, 예를 들면 후술하는 식 (A1)로 표시되는 기의 에스테르 구조, 테트라히드로피라닐에스테르기,또는, 테트라히드로푸라닐에스테르기 등의 아세탈 또는 케탈계 관능기나, t-부틸에스테르기, t-부틸카보네이트기 등의 제3급 알킬계 관능기를 들 수 있다.Specific examples of the residue of the acid group protected with an acid-decomposable group include esters of a group represented by the formula (A1) described below, acetal such as a tetrahydropyranyl ester group or a tetrahydrofuranyl ester group Or a tertiary alkyl-based functional group such as a ketal-based functional group, a t-butyl ester group, and a t-butylcarbonate group.

(a1-1) 카르복시기가 산분해성기로 보호된 잔기를 갖는 구성 단위(a1-1) a structural unit having a carboxyl group protected with an acid-decomposable group

카르복시기가 산분해성기로 보호된 잔기를 갖는 구성 단위란, 바람직하게는 후술하는 (a1-1-1), (a1-1-2)에 기재된 구성 단위에 함유되는 카르복시기가 산분해성기에 의해 보호된 잔기를 갖는 구성 단위이다.The constituent unit in which the carboxyl group has a moiety protected by an acid-decomposable group is preferably a moiety in which the carboxyl group contained in the constituent unit described in (a1-1-1) or (a1-1-2) described later is protected by an acid- .

산분해성기로서는, KrF용 포지티브형 레지스트, ArF용 포지티브형 레지스트에 있어서의 산분해성기로서 공지의 것을 사용할 수 있고, 특별히 한정되지 않는다. 산분해성기로서는, 산에 의해 비교적 분해하기 쉬운 기(예를 들면 테트라히드로피라닐기, 에톡시에틸기 등의 아세탈계 관능기)나, 산에 의해 비교적 분해하기 어려운 기(예를 들면 t-부틸에스테르기, t-부틸카보네이트기 등의 t-부틸계 관능기)가 알려져 있다. 구성 단위(a1-1)로서는, 카르복시기가 아세탈의 형태로 보호된 잔기, 또는, 카르복시기가 케탈의 형태로 보호된 잔기를 갖는 구성 단위가, 감도나 패턴 형상, 콘택트홀의 형성성의 관점에서 바람직하다.As the acid decomposable group, known ones can be used as the acid decomposable group in the positive resist for KrF and the positive resist for ArF, and there is no particular limitation. Examples of the acid decomposable group include groups which are relatively easily decomposable by an acid (for example, acetal functional groups such as tetrahydropyranyl group and ethoxyethyl group) and groups which are relatively difficult to decompose by an acid (for example, t-butyl ester group , t-butyl-based functional groups such as t-butyl carbonate groups) are known. As the structural unit (a1-1), a structural unit in which a carboxyl group is protected in the form of an acetal or a residue in which a carboxyl group is protected in the form of a ketal is preferable from the viewpoint of sensitivity, pattern shape, and formability of a contact hole.

또한, 산분해성기 중에서도 카르복시기가 식 (A1)로 표시되는 아세탈 또는 케탈의 형태로 보호된 잔기인 것이, 감도의 관점에서 보다 바람직하다. 또한, 카르복시기가 식 (A1)로 표시되는 아세탈 또는 케탈의 형태로 보호된 잔기일 경우, 잔기의 전체로서는, -C(=O)-O-CR1R2(OR3)의 구조로 되어 있다.Among the acid decomposable groups, from the viewpoint of sensitivity, the carboxyl group is a protected residue in the form of an acetal or ketal represented by the formula (A1). When the carboxy group is a protected residue in the form of an acetal or ketal represented by the formula (A1), the moiety has a structure of -C (= O) -O-CR 1 R 2 (OR 3 ) .

Figure 112012066016297-pat00006
Figure 112012066016297-pat00006

(식 (A1) 중, R1 및 R2은, 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 또는, 아릴기를 나타내고, 적어도 R1 및 R2 중 어느 한쪽이 알킬기, 또는, 아릴기이며, R3은 알킬기, 또는, 아릴기를 나타내고, R1 또는 R2과 R3이 연결하여 환상(環狀) 에테르를 형성해도 된다. 또한, 식 (A1)에 있어서의 파선 부분은, 다른 구조와의 결합 위치를 나타낸다.)Wherein at least one of R 1 and R 2 is an alkyl group or an aryl group and R 3 is an alkyl group or an aryl group, and R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group, or an aryl group, , Or an aryl group, and R 1 or R 2 and R 3 may be connected to form a cyclic ether. The broken line portion in the formula (A1) represents a bonding position with another structure .)

식 (A1) 중, R1, R2 및 R3에 있어서의, 당해 알킬기로서는, 직쇄상, 분기쇄상 또는 환상 중 어느 것이어도 된다.In the formula (A1), the alkyl group in R 1 , R 2 and R 3 may be any of linear, branched or cyclic.

직쇄상 또는 분기쇄상의 알킬기로서는, 탄소수 1∼12인 것이 바람직하고, 탄소수 1∼6인 것이 보다 바람직하며, 탄소수 1∼4인 것이 더 바람직하다. 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, i-부틸기, sec-부틸기, t-부틸기, n-펜틸기, 네오펜틸기, n-헥실기, 텍실기(2,3-디메틸-2-부틸기), n-헵틸기, n-옥틸기, 2-에틸헥실기, n-노닐기, n-데실기 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 메틸기, 에틸기가 바람직하다.The straight chain or branched chain alkyl group preferably has 1 to 12 carbon atoms, more preferably 1 to 6 carbon atoms, and more preferably 1 to 4 carbon atoms. Specific examples thereof include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an i-propyl group, an n-butyl group, an i-butyl group, a sec- Butyl group, n-heptyl group, n-octyl group, 2-ethylhexyl group, n-nonyl group and n-decyl group. Among them, a methyl group and an ethyl group are preferable.

환상 알킬기로서는, 탄소수 3∼12인 것이 바람직하고, 탄소수 4∼8인 것이 보다 바람직하며, 탄소수 4∼6인 것이 더 바람직하다. 환상 알킬기로서는, 예를 들면 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기, 노르보르닐기, 이소보르닐기 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 단환상의 것이 바람직하고, 시클로헥실기가 보다 바람직하다.The cyclic alkyl group preferably has 3 to 12 carbon atoms, more preferably 4 to 8 carbon atoms, and more preferably 4 to 6 carbon atoms. Examples of the cyclic alkyl group include a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a cyclooctyl group, a norbornyl group, and an isobornyl group. Among them, a monocyclic one is preferable, and a cyclohexyl group is more preferable.

상기 알킬기는, 치환기를 갖고 있어도 되고, 치환기로서는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등의 할로겐 원자, 탄소수 6∼20의 아릴기, 탄소수 1∼6의 알콕시기를 예시할 수 있다. 치환기로서 할로겐 원자를 가질 경우, R1, R2, R3은 할로알킬기가 되고, 치환기로서 아릴기를 가질 경우, R1, R2, R3은 아랄킬기가 된다. 아랄킬기로서는, 벤질기가 바람직하다.The alkyl group may have a substituent. Examples of the substituent include a halogen atom such as a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, and an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms. When R 1 , R 2 and R 3 are a haloalkyl group, and when they have an aryl group as a substituent, R 1 , R 2 and R 3 are an aralkyl group when they have a halogen atom as a substituent. As the aralkyl group, a benzyl group is preferable.

식 (A1) 중, R1, R2 및 R3에 있어서의 당해 아릴기로서는, 탄소수 6∼12인 것이 바람직하고, 탄소수 6∼10인 것이 보다 바람직하다. 당해 아릴기는 치환기를 갖고 있어도 되고, 당해 치환기로서는 탄소수 1∼6의 알킬기를 바람직하게 예시할 수 있다. 아릴기로서는, 예를 들면 페닐기, 톨릴기, 크실릴기, 쿠메닐기, 1-나프틸기 등을 예시할 수 있고, 페닐기가 바람직하다.In the formula (A1), the aryl group in R 1 , R 2 and R 3 preferably has 6 to 12 carbon atoms, more preferably 6 to 10 carbon atoms. The aryl group may have a substituent, and as the substituent, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms can be preferably exemplified. As the aryl group, for example, a phenyl group, a tolyl group, a xylyl group, a cumenyl group, a 1-naphthyl group and the like can be mentioned, and a phenyl group is preferable.

또한, 식 (A1) 중, R1, R2 및 R3은 서로 결합하여, 그들이 결합해 있는 탄소 원자와 일체로 되어 환을 형성할 수 있다. R1과 R2, R1과 R3 또는 R2과 R3이 결합했을 경우의 환 구조로서는, 예를 들면 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 테트라히드로푸라닐기, 아다만틸기 및 테트라히드로피라닐기 등을 들 수 있다.In formula (A1), R 1 , R 2 and R 3 may bond to each other to form a ring by being bonded to the carbon atom to which they are bonded. Examples of the ring structure when R 1 and R 2 , R 1 and R 3 or R 2 and R 3 are bonded include a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a tetrahydrofuranyl group, An adamantyl group, and a tetrahydropyranyl group.

또한, 식 (A1)에 있어서, R1 및 R2 중 어느 한쪽이, 수소 원자 또는 메틸기인 것이 바람직하다.In formula (A1), it is preferable that either R 1 or R 2 is a hydrogen atom or a methyl group.

식 (A1)로 표시되는 잔기를 갖는 구성 단위를 형성하기 위해 사용되는 라디칼 중합성 단량체는, 시판하는 것을 사용해도 되고, 예를 들면 일본국 특개2009-098616호 공보의 단락 0025∼0026에 기재된 방법 등, 공지의 방법으로 합성한 것을 사용해도 된다.As the radically polymerizable monomer used for forming the constituent unit having a moiety represented by the formula (A1), commercially available ones may be used, and for example, a method described in paragraphs 0025 to 0026 of JP 2009-098616 A , Etc., may be used.

카르복시기가 산분해성기로 보호된 잔기를 갖는 구성 단위(a1-1)로서는, 식 (A2)로 표시되는 구성 단위가 보다 바람직하다.As the structural unit (a1-1) having a carboxyl group protected by an acid-decomposable group, the structural unit represented by the formula (A2) is more preferable.

Figure 112012066016297-pat00007
Figure 112012066016297-pat00007

(식 (A2) 중, R1 및 R2은, 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기 또는 아릴기를 나타내고, 적어도 R1 및 R2 중 어느 한쪽이 알킬기 또는 아릴기이며, R3은 알킬기 또는 아릴기를 나타내고, R1 또는 R2과 R3이 연결하여 환상 에테르를 형성해도 되고, R4은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내며, X는 단결합 또는 아릴렌기를 나타낸다.)(In the formula (A2), R 1 and R 2 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group or an aryl group, at least one of R 1 and R 2 is an alkyl group or an aryl group, R 3 is an alkyl group or an aryl group , R 1 or R 2 and R 3 may be connected to form a cyclic ether, R 4 represents a hydrogen atom or a methyl group, and X represents a single bond or an arylene group.

식 (A2) 중, R1∼R3은, 식 (A1)에 있어서의 R1∼R3과 같으며, 바람직한 범위도 같다.In the formula (A2), R 1 to R 3 are the same as R 1 to R 3 in the formula (A1), and the preferable range is also the same.

식 (A2) 중, R1 및 R2은, 수소 원자, 또는, 탄소수 1∼3의 알킬기가 바람직하고, 수소 원자, 또는, 메틸기가 보다 바람직하다. R3은 직쇄상, 분기쇄상 혹은 환상의 탄소수 6 이하의 알킬기, 또는, 탄소수 7∼10의 아랄킬기가 바람직하고, 에틸기, 시클로헥실기, 벤질기가 보다 바람직하다. R1 또는 R2과 R3이 연결된 환상 에테르로서는, 테트라히드로피라닐기, 테트라히드로푸라닐기가 바람직하다. R4은 메틸기가 바람직하다. X는 단결합 또는 페닐렌기가 바람직하다.In formula (A2), R 1 and R 2 are preferably a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, more preferably a hydrogen atom or a methyl group. R 3 is preferably a straight chain, branched chain or cyclic alkyl group having 6 or less carbon atoms or an aralkyl group having 7 to 10 carbon atoms, more preferably an ethyl group, a cyclohexyl group or a benzyl group. The cyclic ether to which R 1 or R 2 and R 3 are connected is preferably a tetrahydropyranyl group or a tetrahydrofuranyl group. R 4 is preferably a methyl group. X is preferably a single bond or a phenylene group.

구성 단위(a1-1)의 바람직한 구체예로서는, 하기의 구성 단위를 예시할 수 있다. 또한, R은 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다.Specific preferred examples of the structural unit (a1-1) include the following structural units. R represents a hydrogen atom or a methyl group.

Figure 112012066016297-pat00008
Figure 112012066016297-pat00008

구성 단위(a1-1)로서는, 카르복시기가 식 (A3)으로 표시되는 제3급 알킬기에 의해 보호된 잔기를 갖는 구성 단위여도 된다. 아세탈 또는 케탈의 형태로 보호된 잔기에 비하면, 감도는 뒤떨어지지만, 보존 안정성이 우수하다는 점에서 바람직하다. 또한, 카르복시기가 식 (A3)으로 표시되는 제3급 알킬기에 의해 보호된 잔기일 경우, 잔기의 전체로서는, -C(=O)-O-CR1R2R3의 구조이다.As the structural unit (a1-1), the carboxyl group may be a structural unit having a residue protected by a tertiary alkyl group represented by the formula (A3). Compared with the protected residue in the form of acetal or ketal, the sensitivity is lower, but it is preferable from the viewpoint of excellent storage stability. Further, when the carboxy group is a residue protected by a tertiary alkyl group represented by the formula (A3), the whole of the moiety is a structure of -C (= O) -O-CR 1 R 2 R 3 .

Figure 112012066016297-pat00009
Figure 112012066016297-pat00009

식 (A3) 중, R1, R2 및 R3은, 각각 독립적으로 알킬기 또는 아릴기를 나타내고, R1, R2 및 R3 중 어느 2개가 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다. 식 (A3)에 있어서의 파선 부분은, 다른 구조와의 결합 위치를 나타낸다. 식 (A3)의 R1∼R3에 있어서의 알킬기, 아릴기의 구체예는, 식 (A1)에 있어서의 알킬기, 아릴기의 구체예와 같다.In formula (A3), R 1 , R 2 and R 3 each independently represents an alkyl group or an aryl group, and any two of R 1 , R 2 and R 3 may be bonded to each other to form a ring. The broken line part in the formula (A3) represents a bonding position with another structure. Specific examples of the alkyl group and the aryl group in R 1 to R 3 in the formula (A3) are the same as the specific examples of the alkyl group and the aryl group in the formula (A1).

식 (A3)에 있어서, 바람직한 예로서는, R1=R2=R3=메틸기의 조합이나, R1=R2=메틸기이고 R3=벤질기의 조합을 예시할 수 있다.In formula (A3), preferred examples include a combination of R 1 = R 2 = R 3 = methyl group, a combination of R 1 = R 2 = methyl group and R 3 = benzyl group.

(a1-2) 페놀성 수산기가 산분해성기로 보호된 잔기를 갖는 구성 단위(a1-2) a structural unit having a phenolic hydroxyl group protected with an acid-decomposable group

(a1-2) 페놀성 수산기가 산분해성기로 보호된 잔기를 갖는 구성 단위로서는, (a1-2-1) 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위의 페놀성 수산기가, 산분해성기에 의해 보호된 잔기를 갖는 구성 단위가 바람직하다.(a1-2) As the constituent unit in which the phenolic hydroxyl group has a moiety protected by an acid-decomposable group, the phenolic hydroxyl group of the constituent unit having a phenolic hydroxyl group (a1-2-1) A constituent unit is preferable.

(a1-2-1) 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위(a1-2-1) a structural unit having a phenolic hydroxyl group

페놀성 수산기를 갖는 구성 단위로서는, 히드록시스티렌계 구성 단위나 노볼락계의 수지에 있어서의 구성 단위를 들 수 있지만, 이들 중에서는 α-메틸히드록시스티렌에 유래하는 구성 단위가 투명성의 관점에서 바람직하다. 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위 중에서도, 식 (A4)로 표시되는 구성 단위가 투명성, 감도의 관점에서 바람직하다.Examples of the structural unit having a phenolic hydroxyl group include a hydroxystyrene-based structural unit and a structural unit in a novolak-based resin. Among these structural units, a structural unit derived from -methylhydroxystyrene is preferable from the viewpoint of transparency desirable. Among the constituent units having a phenolic hydroxyl group, the constituent unit represented by the formula (A4) is preferable from the viewpoints of transparency and sensitivity.

Figure 112012066016297-pat00010
Figure 112012066016297-pat00010

(식 (A4) 중, R20은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R21은 단결합 또는 2가의 연결기를 나타내며, R22은 각각 독립적으로 할로겐 원자 또는 알킬기를 나타내고, a는 1∼5의 정수를 나타내며, b는 0∼4의 정수를 나타내고, a+b는 5 이하이다.)(In the formula (A4), R 20 represents a hydrogen atom or a methyl group, R 21 represents a single bond or a divalent linking group, R 22 independently represents a halogen atom or an alkyl group, a represents an integer of 1 to 5, , B represents an integer of 0 to 4, and a + b is 5 or less.

R20은 메틸기인 것이 바람직하다.R 20 is preferably a methyl group.

R21의 2가의 연결기로서는 탄소 원자가 주쇄(主鎖)에 결합하는 에스테르 결합(-COO-), 알킬렌기를 예시할 수 있다. 알킬렌기로서는, 직쇄 또는 분기를 갖는 탄소수 1∼6의 알킬렌기가 바람직하다. -COO-일 경우에는, 감도를 향상시킬 수 있고, 또한 경화막의 투명성을 향상시킬 수 있으므로 바람직하다. 그 중에서도, R21 이 단결합, 에스테르 결합인 것이 바람직하다. 또한, 상기 2가의 연결기는, 치환기를 갖고 있어도 되고, 치환기로서는, 할로겐 원자, 수산기, 알콕시기 등을 들 수 있다.Examples of the divalent linking group of R 21 include an ester bond (-COO-) in which a carbon atom is bonded to a main chain (main chain), and an alkylene group. As the alkylene group, an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms having a straight chain or a branch is preferable. -COO-, it is preferable since the sensitivity can be improved and the transparency of the cured film can be improved. Among them, R 21 is preferably a single bond or an ester bond. The divalent linking group may have a substituent, and examples of the substituent include a halogen atom, a hydroxyl group, and an alkoxy group.

또한, a는 1∼5의 정수를 나타내지만, 제조가 용이하다는 점에서, a는 1 또는 2인 것이 바람직하고, a가 1인 것이 보다 바람직하다.A represents an integer of 1 to 5, but a is preferably 1 or 2, and more preferably a is 1, from the viewpoint of easy production.

또한, 벤젠환에 있어서의 수산기의 결합 위치는, R21과 결합해 있는 탄소 원자를 기준(1 위치)으로 했을 때, 4 위치에 결합해 있는 것이 바람직하다.It is preferable that the bonding position of the hydroxyl group in the benzene ring is bonded to the 4-position when the carbon atom bonded to R 21 is the reference (1 position).

R22은 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자 등의 할로겐 원자 또는 탄소수 1∼5의 직쇄 또는 분기쇄상의 알킬기이다. 그 중에서도 제조가 용이하므로, 염소 원자, 브롬 원자, 메틸기 또는 에틸기인 것이 바람직하다.R 22 is a halogen atom such as a fluorine atom, a chlorine atom or a bromine atom, or a linear or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. Among them, it is preferably a chlorine atom, a bromine atom, a methyl group or an ethyl group because of easy production.

(a1-2) 페놀성 수산기가 산분해성기로 보호된 잔기를 갖는 구성 단위(a1-2) a structural unit having a phenolic hydroxyl group protected with an acid-decomposable group

페놀성 수산기가 산분해성기로 보호된 잔기를 갖는 구성 단위는, (a1-2-1) 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위의 페놀성 수산기가, 산분해성기에 의해 보호된 잔기를 갖는 구성 단위이다.The constituent unit in which the phenolic hydroxyl group has a moiety protected by an acid-decomposable group is a constituent unit in which the phenolic hydroxyl group of the constituent unit having a phenolic hydroxyl group (a1-2-1) has a moiety protected by an acid-decomposable group.

산분해성기로서는, 상술한 바와 같이, 공지의 것을 사용할 수 있고, 특별히 한정되지 않는다.As the acid decomposable group, known ones can be used as described above, and there is no particular limitation.

페놀성 수산기가 산분해성기로 보호된 잔기 중에서도 페놀성 수산기가 아세탈 또는 케탈의 형태로 보호된 잔기를 갖는 구성 단위인 것이, 레지스트의 기본 물성, 특히 감도나 패턴 형상, 감광성 수지 조성물의 보존 안정성, 콘택트홀의 형성성의 관점에서 바람직하다. 또한, 페놀성 수산기가 산분해성기로 보호된 잔기 중에서도 페놀성 수산기가 식 (A1)로 표시되는 아세탈 또는 케탈의 형태로 보호된 잔기인 것이, 감도의 관점에서 보다 바람직하다. 이 경우, 잔기의 전체로서는, -Ar-O-CR1R2(OR3)의 구조로 되어 있다. 또한, Ar은 아릴렌기를 나타낸다.Among the residues in which the phenolic hydroxyl group is protected by an acid-decomposable group, the phenolic hydroxyl group is a structural unit having a protected moiety in the form of an acetal or a ketal. The basic properties of the resist, particularly the sensitivity and pattern shape, the storage stability of the photosensitive resin composition, And is preferable from the viewpoint of hole forming ability. Among the residues in which the phenolic hydroxyl group is protected by an acid-decomposable group, it is more preferable from the viewpoint of sensitivity that the phenolic hydroxyl group is a protected residue in the form of an acetal or ketal represented by the formula (A1). In this case, the whole of the moiety has a structure of -Ar-O-CR 1 R 2 (OR 3 ). Ar represents an arylene group.

페놀성 수산기의 아세탈에스테르 구조의 바람직한 예로서는, R1=R2=R3=메틸기나 R1=R2=메틸기이고 R3=벤질기의 조합을 예시할 수 있다.As preferred examples of the acetal ester structure of the phenolic hydroxyl group, a combination of R 1 = R 2 = R 3 = methyl group, R 1 = R 2 = methyl group and R 3 = benzyl group can be exemplified.

또한, 페놀성 수산기가 아세탈 또는 케탈의 형태로 보호된 잔기를 갖는 모노머 단위를 형성하기 위해 사용되는 라디칼 중합성 단량체로서는, 예를 들면 히드록시스티렌의 1-알콕시알킬 보호체, 히드록시스티렌의 테트라히드로피라닐 보호체, α-메틸히드록시스티렌의 1-알콕시알킬 보호체, α-메틸-히드록시스티렌의 테트라히드로피라닐 보호체, α-메틸히드록시스티렌의 테트라히드로푸라닐 보호체, 4-히드록시페닐메타크릴레이트의 1-알콕시알킬 보호체, 4-히드록시페닐메타크릴레이트의 테트라히드로피라닐 보호체, 및 4-히드록시페닐메타크릴레이트의 테트라히드로푸라닐 보호체 등을 들 수 있다. 이들 중에서, α-메틸히드록시스티렌의 1-알콕시알킬 보호체, 또는, α-메틸히드록시스티렌의 테트라히드로푸라닐 보호체가 바람직하다.Examples of the radically polymerizable monomer used for forming a monomer unit having a phenolic hydroxyl group in the form of an acetal or ketal protected moiety include a 1-alkoxyalkyl protected product of hydroxystyrene, a tetra A tetrahydrofuranyl protecting agent of? -Methylhydroxystyrene, a tetrahydrofuranyl protecting agent of? -Methylhydroxystyrene, a tetrahydrofuranyl protecting agent of? -Methylhydroxystyrene, a tetrahydrofuranyl protecting agent of? Hydroxyphenyl methacrylate, a tetrahydrofuranyl protected derivative of 4-hydroxyphenyl methacrylate, a tetrahydrofuranyl protected derivative of 4-hydroxyphenyl methacrylate, etc., . Among these, a 1-alkoxyalkyl protected product of? -Methylhydroxystyrene or a tetrahydrofuranyl protected product of? -Methylhydroxystyrene is preferable.

페놀성 수산기의 아세탈 보호기 및 케탈 보호기의 구체예로서는, 1-알콕시알킬기를 들 수 있고, 예를 들면 1-에톡시에틸기, 1-메톡시에틸기, 1-n-부톡시에틸기, 1-이소부톡시에틸기, 1-(2-클로로에톡시)에틸기, 1-(2-에틸헥실옥시)에틸기, 1-n-프로폭시에틸기, 1-시클로헥실옥시에틸기, 1-(2-시클로헥실에톡시)에틸기, 1-벤질옥시에틸기, 테트라히드로피라닐기, 및 테트라히드로푸라닐기 등을 들 수 있고, 그 중에서도 1-에톡시에틸기, 또는, 테트라히드로푸라닐기가 바람직하다. 이들은 1종 단독 또는 2종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다.Specific examples of the acetal protecting group and ketal protecting group of the phenolic hydroxyl group include a 1-alkoxyalkyl group, and examples thereof include a 1-ethoxyethyl group, a 1-methoxyethyl group, a 1-n-butoxyethyl group, , 1-cyclohexyloxyethyl group, 1- (2-cyclohexyloxy) ethyl group, 1- (2-ethylhexyloxy) , A 1-benzyloxyethyl group, a tetrahydropyranyl group, and a tetrahydrofuranyl group, and among them, a 1-ethoxyethyl group or a tetrahydrofuranyl group is preferable. These may be used alone or in combination of two or more.

구성 단위(a1-2)를 형성하기 위해 사용되는 라디칼 중합성 단량체는, 시판하는 것을 사용해도 되고, 공지의 방법으로 합성한 것을 사용할 수도 있다. 예를 들면 페놀성 수산기를 갖는 화합물을 산촉매의 존재 하에서 비닐에테르와 반응시킴으로써 합성할 수 있다. 상기의 합성은 페놀성 수산기를 갖는 모노머를 그 밖의 모노머와 미리 공중합시켜 놓고, 그 후에 산촉매의 존재 하에서 비닐에테르와 반응시켜도 된다.The radically polymerizable monomer used for forming the structural unit (a1-2) may be a commercially available one, or a compound synthesized by a known method may be used. For example, by reacting a compound having a phenolic hydroxyl group with a vinyl ether in the presence of an acid catalyst. The above-mentioned synthesis may be carried out by previously copolymerizing a monomer having a phenolic hydroxyl group with another monomer, and then reacting with a vinyl ether in the presence of an acid catalyst.

구성 단위(a1-2)의 바람직한 구체예로서는, 하기의 구성 단위를 예시할 수 있지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것이 아니다. 또한, R은 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다.Specific preferred examples of the structural unit (a1-2) include the following structural units, but the present invention is not limited thereto. R represents a hydrogen atom or a methyl group.

Figure 112012066016297-pat00011
Figure 112012066016297-pat00011

카르복시기가 산분해성기로 보호된 잔기를 갖는 구성 단위는, 페놀성 수산기가 산분해성기로 보호된 잔기를 갖는 구성 단위에 비하면, 현상이 빠르다. 그러므로, 빠르게 현상하고 싶을 경우에는 카르복시기가 산분해성기로 보호된 잔기를 갖는 구성 단위가 바람직하다. 역으로 현상을 느리게 하고 싶을 경우에는 페놀성 수산기가 산분해성기로 보호된 잔기를 갖는 구성 단위를 사용하는 것이 바람직하다.A constituent unit in which a carboxyl group has a moiety protected with an acid-decomposable group has a faster phenomenon than a constituent unit in which the phenolic hydroxyl group has a moiety protected with an acid-decomposable group. Therefore, when a rapid development is desired, a constitutional unit in which the carboxyl group has a residue protected by an acid-decomposable group is preferable. Conversely, when it is desired to slow the development, it is preferable to use a constitutional unit having a phenolic hydroxyl group having a residue protected by an acid-decomposable group.

이들 중에서도, 구성 단위(a1)은, 감도의 관점에서, 하기 식 (a1-1)로 표시되는 구성 단위인 것이 바람직하다.Among them, the structural unit (a1) is preferably a structural unit represented by the following formula (a1-1) from the viewpoint of sensitivity.

Figure 112012066016297-pat00012
Figure 112012066016297-pat00012

(식 (a1-1) 중, R1은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R2은 탄소수 1∼6의 알킬기를 나타내며, R3은 탄소수 1∼6의 알킬기 또는 탄소수 4∼7의 시클로알킬기를 나타내고, R2과 R3은 연결하여 환을 형성해도 된다.)(In the formula (a1-1), R 1 represents a hydrogen atom or a methyl group, R 2 represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, R 3 represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or a cycloalkyl group having 4 to 7 carbon atoms , And R 2 and R 3 may be connected to form a ring.)

식 (a1-1) 중, R1은 메틸기인 것이 바람직하다.In the formula (a1-1), it is preferable that R 1 is a methyl group.

식 (a1-1) 중, R2은 탄소수 1∼4의 알킬기인 것이 바람직하고, 메틸기인 것이 보다 바람직하다.In formula (a1-1), R 2 is preferably an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, more preferably a methyl group.

식 (a1-1) 중, R3은 탄소수 1∼4의 알킬기 또는 탄소수 5 또는 6의 시클로알킬기인 것이 바람직하고, 에틸기 또는 시클로헥실기인 것이 보다 바람직하다.In formula (a1-1), R 3 is preferably an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or a cycloalkyl group having 5 or 6 carbon atoms, more preferably an ethyl group or a cyclohexyl group.

식 (a1-1) 중, R2과 R3은 연결하여 환을 형성할 경우에는, R2과 R3이 연결된 기가, 탄소수 3∼6의 알킬렌기인 것이 바람직하고, 1,3-프로필렌기 또는 1,4-부틸렌기인 것이 보다 바람직하다.In the formula (a1-1), when R 2 and R 3 are connected to form a ring, the group to which R 2 and R 3 are connected is preferably an alkylene group having 3 to 6 carbon atoms, and the 1,3- Or a 1,4-butylene group.

성분 A를 구성하는 전 모노머 단위 중, 구성 단위(a1)을 형성하는 모노머 단위의 함유율은 10∼80몰%인 것이 바람직하고, 10∼70몰%가 보다 바람직하며, 20∼70몰%가 특히 바람직하다. 구성 단위(a1)을 상기의 비율로 함유시킴으로써, 고감도의 감광성 수지 조성물을 얻을 수 있다.The content of the monomer unit constituting the constituent unit (a1) is preferably 10 to 80 mol%, more preferably 10 to 70 mol%, and particularly preferably 20 to 70 mol%, in all the monomer units constituting the component A, desirable. By containing the structural unit (a1) in the above ratio, a highly sensitive photosensitive resin composition can be obtained.

<구성 단위(a2)>&Lt; Structural unit (a2) >

성분 A는, (a2) 가교성기를 갖는 구성 단위를 적어도 갖는다. Component A has at least (a2) a structural unit having a crosslinkable group.

가교성기로서는, 상술한 산기와 반응하여 공유 결합을 형성하는 것, 가교성기끼리 열이나 광의 작용에 의해 공유 결합을 형성하는 것이면 어느 것이어도 된다. 특히 열로 공유 결합을 형성하는 것이 바람직하다.As the crosslinkable group, any of those which form a covalent bond by reacting with the above-mentioned acid group, and those which form a covalent bond by the action of heat or light between the crosslinkable groups. It is particularly desirable to form covalent bonds with heat.

산기와 반응하여 공유 결합을 형성하는 가교성기를 갖는 구성 단위(a2)로서는, 에폭시기, 옥세타닐기 또는 N-알콕시메틸기를 갖는 기를 갖는 구성 단위가 바람직하고, 가교성기끼리 열이나 광의 작용에 의해 공유 결합을 형성하는 것으로서는 에틸렌성 불포화 결합이 바람직하다. 이들 가교성기 중에서도, 산기와 반응하여 공유 결합을 형성하는 것이 바람직하다.As the structural unit (a2) having a crosslinkable group which reacts with an acid group to form a covalent bond, a structural unit having a group having an epoxy group, an oxetanyl group or an N-alkoxymethyl group is preferable, and the crosslinkable groups are shared by heat or light Ethylenically unsaturated bonds are preferred as forming bonds. Among these crosslinkable groups, it is preferable to react with an acid group to form a covalent bond.

가교성기는, 특히, 에폭시기 또는 옥세타닐기를 갖는 구성 단위로서, 성분 A에 함유되는 것이 바람직하다. 또한, 구성 단위(a2)로서는, 에폭시기와 옥세타닐기의 양쪽의 기를 함유해도 되고, 에폭시기, 옥세타닐기 및 에틸렌성 불포화 결합의 3종의 기를 함유해도 된다.The crosslinkable group is preferably a structural unit having an epoxy group or an oxetanyl group, and is preferably contained in the component A. As the structural unit (a2), both groups of an epoxy group and an oxetanyl group may be contained, and three kinds of groups such as an epoxy group, an oxetanyl group and an ethylenic unsaturated bond may be contained.

상기 에폭시기 또는 옥세타닐기를 갖는 구성 단위로서는, 지환 에폭시기 또는 옥세타닐기를 갖는 구성 단위인 것이 바람직하고, 옥세타닐기를 갖는 구성 단위인 것이 보다 바람직하다.The structural unit having an epoxy group or an oxetanyl group is preferably a structural unit having an alicyclic epoxy group or an oxetanyl group, more preferably a structural unit having an oxetanyl group.

지환 에폭시기는, 지방족환과 에폭시환이 축합환을 형성하고 있는 기이며, 구체적으로는 예를 들면 3,4-에폭시시클로헥실기, 2,3-에폭시시클로헥실기, 2,3-에폭시시클로펜틸기 등을 바람직하게 들 수 있다.The alicyclic epoxy group is a group in which an aliphatic ring and an epoxy ring form a condensed ring. Specific examples thereof include 3,4-epoxycyclohexyl group, 2,3-epoxycyclohexyl group, 2,3-epoxycyclopentyl group and the like Can be preferably used.

옥세타닐기를 갖는 기로서는, 옥세탄환을 갖고 있으면, 특별히 제한은 없지만, (3-에틸옥세탄-3-일)메틸기를 바람직하게 예시할 수 있다.The group having an oxetanyl group is not particularly limited as long as it has an oxetanyl ring, but a (3-ethyloxetan-3-yl) methyl group can be preferably exemplified.

에폭시기 또는 옥세타닐기를 갖는 구성 단위는, 1개의 구성 단위 중에 에폭시기 또는 옥세타닐기를 적어도 1개 갖고 있으면 되고, 1개 이상의 에폭시기와 1개 이상의 옥세타닐기를 함유해도 되며, 2개 이상의 에폭시기, 또는, 2개 이상의 옥세타닐기를 갖고 있어도 되고, 특별히 한정되지 않지만, 에폭시기와 옥세타닐기를 합계 1∼3개 갖는 것이 바람직하며, 에폭시기와 옥세타닐기를 합계 1 또는 2개 갖는 것이 보다 바람직하고, 에폭시기와 옥세타닐기를 1개 갖는 것이 더 바람직하다.The structural unit having an epoxy group or an oxetanyl group may have at least one epoxy group or oxetanyl group in one structural unit, may contain at least one epoxy group and at least one oxetanyl group, and may contain two or more epoxy groups, Or may have two or more oxetanyl groups, and it is not particularly limited, but it is preferable that a total of 1 to 3 epoxy groups and oxetanyl groups are present, more preferably 1 or 2 epoxy groups and oxetanyl groups in total , And more preferably one epoxy group and oxetanyl group.

에폭시기를 갖는 구성 단위를 형성하기 위해 사용되는 라디칼 중합성 단량체의 구체예로서는, 예를 들면 아크릴산글리시딜, 메타크릴산글리시딜, α-에틸아크릴산글리시딜, α-n-프로필아크릴산글리시딜, α-n-부틸아크릴산글리시딜, 아크릴산-3,4-에폭시부틸, 메타크릴산-3,4-에폭시부틸, 아크릴산-6,7-에폭시헵틸, 메타크릴산-6,7-에폭시헵틸, α-에틸아크릴산-6,7-에폭시헵틸, o-비닐벤질글리시딜에테르, m-비닐벤질글리시딜에테르, p-비닐벤질글리시딜에테르, 일본국 특허 제4168443호 공보의 단락 0031∼0035에 기재된 지환식 에폭시 골격을 함유하는 화합물 등을 들 수 있다.Specific examples of the radical polymerizable monomer used to form the structural unit having an epoxy group include glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate, glycidyl? -Ethyl acrylate, glycidyl? -N-propyl acrylate Dicumyl acrylate, glycidyl alpha-n-butyl acrylate, 3,4-epoxybutyl acrylate, methacrylic acid-3,4-epoxybutyl acrylate, Heptyl,? -Ethyl acrylate-6,7-epoxyheptyl, o-vinylbenzyl glycidyl ether, m-vinylbenzyl glycidyl ether, p- vinylbenzyl glycidyl ether, paragraphs of Japanese Patent No. 4168443 Compounds containing an alicyclic epoxy skeleton described in Nos. 0031 to 0035, and the like.

옥세타닐기를 갖는 구성 단위를 형성하기 위해 사용되는 라디칼 중합성 단량체의 예로서는, 예를 들면 일본국 특개2001-330953호 공보의 단락 0011∼0016에 기재된 옥세타닐기를 갖는 (메타)아크릴산에스테르 등을 들 수 있다.Examples of the radical polymerizable monomer used for forming the oxetanyl group-containing structural unit include (meta) acrylic acid esters having an oxetanyl group as described in paragraphs 0011 to 0016 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-330953 .

에폭시기 또는 옥세타닐기를 갖는 구성 단위를 형성하기 위해 사용되는 라디칼 중합성 단량체의 예로서는, 메타크릴산 에스테르 구조를 함유하는 모노머, 아크릴산에스테르 구조를 함유하는 모노머인 것이 바람직하다.Examples of the radically polymerizable monomer used for forming the constituent unit having an epoxy group or an oxetanyl group are preferably a monomer containing a methacrylic acid ester structure or a monomer containing an acrylic ester structure.

이들 라디칼 중합성 단량체 중에서, 더 바람직한 것으로서는, 일본국 특허 제4168443호 공보의 단락 0034∼0035에 기재된 지환식 에폭시 골격을 함유하는 화합물 및 일본국 특개2001-330953호 공보의 단락 0011∼0016에 기재된 옥세타닐기를 갖는 (메타)아크릴산에스테르이며, 특히 바람직한 것으로서는 일본국 특개2001-330953호 공보의 단락 0011∼0016에 기재된 옥세타닐기를 갖는 (메타)아크릴산에스테르이다. 이들 중에서도 바람직한 것은, 아크릴산 3,4-에폭시시클로헥실메틸, 메타크릴산3,4-에폭시시클로헥실메틸, 아크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸, 및 메타크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸이며, 가장 바람직한 것은 아크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸, 및 메타크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸이다. 이들의 구성 단위는, 1종 단독 또는 2종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다.Of these radically polymerizable monomers, more preferred are compounds containing an alicyclic epoxy skeleton described in paragraphs 0034 to 0035 of Japanese Patent No. 4168443 and compounds described in paragraphs 0011 to 0016 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-330953 (Meth) acrylic acid ester having an oxetanyl group, and particularly preferred is a (meth) acrylic acid ester having an oxetanyl group as described in paragraphs 0011 to 001 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-330953. Among these, preferred are acrylic esters such as 3,4-epoxycyclohexylmethyl acrylate, 3,4-epoxycyclohexylmethacrylate, acrylic acid (3-ethyloxetan-3-yl) (3-ethyloxetan-3-yl) methyl, and methacrylic acid (3-ethyloxetan-3-yl) methyl. These constituent units may be used singly or in combination of two or more.

또한, 가교성기로서는, N-알콕시메틸기를 바람직하게 들 수 있고, N-알콕시메틸아미드기를 보다 바람직하게 들 수 있다. N-알콕시메틸기를 갖는 구성 단위로서는, 하기 식 (a2-1)로 표시되는 구성 단위가 바람직하다.As the crosslinkable group, an N-alkoxymethyl group is preferable, and an N-alkoxymethylamide group is more preferable. As the constituent unit having an N-alkoxymethyl group, a constituent unit represented by the following formula (a2-1) is preferable.

Figure 112012066016297-pat00013
Figure 112012066016297-pat00013

(식 (a2-1) 중, Ra1은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, Ra2은 탄소수 1∼20의 알킬기 또는 탄소수 6∼20의 아릴기를 나타내며, Ra3은 수소 원자, 탄소수 1∼20의 알킬기, 또는 탄소수 6∼20의 아릴기를 나타낸다.)(Wherein R a1 represents a hydrogen atom or a methyl group, R a2 represents an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms or an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, R a3 represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms , Or an aryl group having 6 to 20 carbon atoms.

식 (a2-1)에 있어서의 Ra1은, 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, 수소 원자가 바람직하다.R a1 in the formula (a2-1) represents a hydrogen atom or a methyl group, and is preferably a hydrogen atom.

식 (a2-1)에 있어서의 Ra2은, 탄소수 1∼20의 알킬기, 탄소수 6∼20의 아릴기를 나타내고, 상기 알킬기 또는 아릴기는 치환되어 있어도 되고, 치환기로서는 할로겐 원자, 수산기, 아미노기, 니트로기, 시아노기를 들 수 있다. 또한, Ra2으로서는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, n-부틸기, i-부틸기, s-부틸기, 시클로헥실기 또는 n-헥실기가 보다 바람직하고, 메틸기, 에틸기, n-부틸기, i-부틸기, 시클로헥실기 또는 n-헥실기가 더 바람직하며, 메틸기, n-부틸기 또는 i-부틸기가 특히 바람직하다.In the formula (a2-1), R a2 represents an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms or an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, and the alkyl group or aryl group may be substituted. Examples of the substituent include a halogen atom, a hydroxyl group, , And cyano group. R a2 is more preferably a methyl group, ethyl group, propyl group, n-butyl group, i-butyl group, s-butyl group, cyclohexyl group or n-hexyl group, an i-butyl group, a cyclohexyl group or an n-hexyl group is more preferable, and a methyl group, an n-butyl group or an i-butyl group is particularly preferable.

식 (a2-1)에 있어서의 Ra3은, 수소 원자, 탄소수 1∼20의 알킬기 또는 탄소수 6∼20의 아릴기를 나타내고, 상기 알킬기 또는 아릴기는 치환되어 있어도 되고, 치환기로서는 할로겐 원자, 수산기, 아미노기, 니트로기, 시아노기, 탄소수 1∼20의 알콕시기를 들 수 있다. Ra3은 수소 원자 또는 탄소수 1∼20의 알콕시메틸기가 보다 바람직하고, 수소 원자가 더 바람직하다.In the formula (a2-1), R a3 represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms or an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, and the alkyl or aryl group may be substituted. Examples of the substituent include a halogen atom, , A nitro group, a cyano group, and an alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms. R a3 is more preferably a hydrogen atom or an alkoxymethyl group having 1 to 20 carbon atoms, and more preferably a hydrogen atom.

식 (a2-1)로 표시되는 구성 단위를 형성하기 위해 사용되는 라디칼 중합성 단량체의 예로서는, N-메톡시메틸(메타)아크릴아미드, N-에톡시메틸(메타)아크릴아미드, N-n-부톡시메틸(메타)아크릴아미드, N-i-부톡시메틸(메타)아크릴아미드가 바람직하고, N-n-부톡시메틸(메타)아크릴아미드, N-i-부톡시메틸(메타)아크릴아미드가 보다 바람직하며, N-n-부톡시메틸아크릴아미드가 특히 바람직하다.Examples of the radical polymerizable monomer used for forming the structural unit represented by the formula (a2-1) include N-methoxymethyl (meth) acrylamide, N-ethoxymethyl (meth) acrylamide, Nn- Butoxymethyl (meth) acrylamide and N-butoxymethyl (meth) acrylamide are preferable, and Nn-butoxymethyl (meth) acrylamide and Ni- Particularly preferred is methoxymethylacrylamide.

구성 단위(a2)의 바람직한 구체예로서는, 하기의 구성 단위를 예시할 수 있다.As specific preferred examples of the structural unit (a2), the following structural units can be exemplified.

Figure 112012066016297-pat00014
Figure 112012066016297-pat00014

감도의 관점에서, 성분 A에 있어서의 구성 단위(a2)를 형성하는 모노머 단위의 함유 비율은, 성분 A를 구성하는 전 모노머 단위에 대하여, 10∼70몰%가 바람직하고, 15∼65몰%가 보다 바람직하며, 20∼60몰%가 더 바람직하다.From the viewpoint of sensitivity, the content ratio of the monomer unit constituting the constituent unit (a2) in the component A is preferably from 10 to 70 mol%, more preferably from 15 to 65 mol%, based on all the monomer units constituting the component A. [ , And more preferably 20 to 60 mol%.

밀착성 및 레지스트 박리액이나 NMP에 대한 내성의 관점에서, 성분 A에 있어서의 구성 단위(a2)를 형성하는 모노머 단위의 함유 비율은, 성분 A를 구성하는 전 모노머 단위에 대하여, 10∼70몰%가 바람직하고, 10∼60몰%가 보다 바람직하며, 10∼50몰%가 더 바람직하다.The content ratio of the monomer unit forming the constituent unit (a2) in the component A is preferably from 10 to 70 mol% based on all the monomer units constituting the component A from the viewpoints of adhesion, resistance to resist stripping solution and NMP, , More preferably from 10 to 60 mol%, further preferably from 10 to 50 mol%.

<그 밖의 구성 단위(a3)>&Lt; Other structural unit (a3) >

성분 A는, 본 발명의 효과를 방해하지 않는 범위에서, 그 밖의 구성 단위(a3)을 더 갖고 있어도 된다.The component A may further contain another structural unit (a3) within the range not hindering the effect of the present invention.

구성 단위(a3)을 형성하기 위해 사용되는 라디칼 중합성 단량체로서는, 예를 들면 일본국 특개2004-264623호 공보의 단락 0021∼0024에 기재된 화합물을 들 수 있다(단, 상기한 구성 단위(a1) 및 (a2)를 제외함).Examples of the radical polymerizable monomer used for forming the structural unit (a3) include the compounds described in paragraphs 0021 to 0024 of JP 2004-264623 A (however, the structural unit (a1) And (a2) are excluded).

또한, 성분 A는, 감도의 관점에서, 구성 단위(a3)으로서, 산기를 갖는 구성 단위를 더 갖는 것이 바람직하다.From the viewpoint of sensitivity, it is preferable that the component A further has a structural unit having an acid group as the structural unit (a3).

산기로서는, 카르복시기 및/또는 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위인 것이 보다 바람직하고, 카르복시기를 갖는 구성 단위인 것이 더 바람직하다.As the acid group, a structural unit having a carboxyl group and / or a phenolic hydroxyl group is more preferable, and a structural unit having a carboxyl group is more preferable.

구성 단위(a3)은, 아크릴산, 메타크릴산, p-히드록시스티렌, 및 α-메틸-p-히드록시스티렌으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종에 유래하는 구성 단위인 것이 바람직하고, 아크릴산 또는 메타크릴산에 유래하는 구성 단위인 것이 보다 바람직하며, 메타크릴산에 유래하는 구성 단위인 것이 특히 바람직하다.The structural unit (a3) is preferably a structural unit derived from at least one member selected from the group consisting of acrylic acid, methacrylic acid, p-hydroxystyrene, and -methyl-p-hydroxystyrene, More preferably a structural unit derived from methacrylic acid, and particularly preferably a structural unit derived from methacrylic acid.

또한, 구성 단위(a3)의 바람직한 예로서는, 수산기 함유 불포화 카르복시산에스테르, 지환 구조 함유 불포화 카르복시산에스테르, 스티렌, N 치환 말레이미드, 및 (메타)아크릴산메틸로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종에 유래하는 구성 단위도 들 수 있다.Preferable examples of the structural unit (a3) include a structure derived from at least one member selected from the group consisting of a hydroxyl group-containing unsaturated carboxylic acid ester, an alicyclic structure-containing unsaturated carboxylic acid ester, styrene, N-substituted maleimide, and (meth) And the like.

이들 중에서도, 전기 특성 향상의 관점에서, (메타)아크릴산트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일, (메타)아크릴산트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일옥시에틸, (메타)아크릴산이소보르닐, (메타)아크릴산시클로헥실, (메타)아크릴산2-메틸시클로헥실과 같은 지환 구조 함유의 (메타)아크릴산에스테르류, 또는, 스티렌과 같은 소수성(疎水性)의 모노머가 바람직하다.Among these, from the viewpoint of improvement of the electrical characteristics, it is preferable to use (meth) acrylic acid tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decan-8-yl, (meth) acrylic acid tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decan- (Meth) acrylic acid esters containing an alicyclic structure such as methyl (meth) acrylate, isopropyl (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate and 2-methylcyclohexyl Monomers are preferred.

감도의 관점에서, (메타)아크릴산2-히드록시에틸, N 치환 말레이미드가 바람직하다. 이들 중에서도, 지환 구조를 갖는 (메타)아크릴산에스테르류가 보다 바람직하다. 또한, 에칭 내성의 관점에서는, 스티렌이나 α-메틸스티렌 등의 스티렌류가 바람직하다.From the viewpoint of sensitivity, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate and N-substituted maleimide are preferable. Of these, (meth) acrylic acid esters having an alicyclic structure are more preferable. From the viewpoint of etching resistance, styrenes such as styrene and? -Methylstyrene are preferable.

이들의 구성 단위(a3)은, 1종 단독 또는 2종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다.These structural units (a3) may be used alone or in combination of two or more.

성분 A를 구성하는 전 모노머 단위 중, 구성 단위(a3)을 함유시킬 경우에 있어서의 구성 단위(a3)을 형성하는 모노머 단위의 함유 비율은 1∼50몰%가 바람직하고, 5∼40몰%가 더 바람직하며, 5∼30몰%가 특히 바람직하다.The content of the monomer unit forming the constituent unit (a3) in the case of containing the constituent unit (a3) among all the monomer units constituting the component A is preferably from 1 to 50 mol%, more preferably from 5 to 40 mol% , And particularly preferably from 5 to 30 mol%.

본 발명에 있어서의 성분 A의 중량 평균 분자량은 2,000∼100,000인 것이 바람직하고, 3,000∼50,000인 것이 보다 바람직하며, 4,000∼30,000인 것이 더 바람직하고, 10,000∼16,000인 것이 특히 바람직하다. 또한, 본 발명에 있어서의 중량 평균 분자량은, 테트라히드로푸란(THF)을 용매로 했을 경우의 겔투과 크로마토그래피(GPC)에 의한 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량인 것이 바람직하다.The weight average molecular weight of component A in the present invention is preferably 2,000 to 100,000, more preferably 3,000 to 50,000, even more preferably 4,000 to 30,000, and particularly preferably 10,000 to 16,000. The weight average molecular weight in the present invention is preferably a polystyrene reduced weight average molecular weight determined by gel permeation chromatography (GPC) when tetrahydrofuran (THF) is used as a solvent.

성분 A는, 1종 단독으로 사용해도, 2종 이상을 병용해도 된다.The component A may be used alone or in combination of two or more.

본 발명의 감광성 수지 조성물 중에 있어서의 성분 A의 함유량은, 감광성 수지 조성물의 전 고형분에 대하여, 20∼99중량%인 것이 바람직하고, 30∼95중량%인 것이 보다 바람직하며, 30∼70중량%인 것이 더 바람직하다. 함유량이 이 범위이면, 현상했을 때의 패턴 형성성이 양호해진다. 또한, 감광성 수지 조성물의 고형분량이란, 용제 등의 휘발성 성분을 제외한 양을 나타낸다.The content of the component A in the photosensitive resin composition of the present invention is preferably 20 to 99% by weight, more preferably 30 to 95% by weight, more preferably 30 to 70% by weight based on the total solid content of the photosensitive resin composition. Is more preferable. When the content is within this range, the pattern forming property upon development becomes good. The solid content of the photosensitive resin composition means an amount excluding a volatile component such as a solvent.

(성분 B) 산기가 산분해성기로 보호된 잔기를 갖는 구성 단위를 갖지 않고, 적어도 (b1) 산기를 갖는 구성 단위와 (b2) 가교성기를 갖는 구성 단위를 갖는 공중합체(Component B) A copolymer having an acid group having no structural unit having a residue protected by an acid-decomposable group and at least a structural unit having (b1) an acid group and (b2) a structural unit having a crosslinkable group

본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물은, 성분 A에 더하여, (성분 B) 산기가 산분해성기로 보호된 잔기를 갖는 구성 단위를 갖지 않고, 적어도 (b1) 산기를 갖는 구성 단위와 (b2) 가교성기를 갖는 구성 단위를 갖는 공중합체를 함유한다.The positive photosensitive resin composition of the present invention is characterized in that, in addition to the component A, (B) the acid group does not have a structural unit having a residue protected by an acid-decomposable group and the structural unit having at least (b1) an acid group and (b2) And a structural unit having a structural unit represented by the following general formula (1).

성분 B는, 성분 A에 있어서의 구성 단위(a1)인, 산기가 산분해성기로 보호된 잔기를 갖는 구성 단위를 갖지 않는다.Component B has no structural unit having an acid-decomposable group-protected residue, which is the structural unit (a1) in Component A,

또한, 상기 구성 단위(b1)과 상기 구성 단위(b2)는, 동일한 구성 단위여도 되지만, 상이한 구성 단위인 것이 바람직하다.The constituent unit (b1) and the constituent unit (b2) may be the same constituent unit, but are preferably different constituent units.

또한, 성분 B는, 알칼리 가용성인 것이 바람직하다.Component B is preferably alkali-soluble.

성분 B는, 부가 중합형의 수지인 것이 바람직하고, (메타)아크릴산 및/또는 그 에스테르에 유래하는 구성 단위를 함유하는 중합체인 것이 보다 바람직하다. 또한, 성분 A는, (메타)아크릴산 및/또는 그 에스테르에 유래하는 구성 단위 이외의 구성 단위, 예를 들면 스티렌이나 비닐 화합물에 유래하는 구성 단위 등을 갖고 있어도 된다.Component B is preferably an addition polymerization type resin, more preferably a polymer containing a constituent unit derived from (meth) acrylic acid and / or an ester thereof. Component A may also contain structural units other than the structural units derived from (meth) acrylic acid and / or esters thereof, for example, structural units derived from styrene or vinyl compounds.

성분 B는, (메타)아크릴산 및/또는 그 에스테르에 유래하는 모노머 단위를, 전 모노머 단위에 대하여, 50몰% 이상 함유하는 것이 바람직하고, 80몰% 이상 함유하는 것이 보다 바람직하며, 90몰% 이상 함유하는 것이 더 바람직하고, 100몰%함유하는 것이 특히 바람직하다.The component B preferably contains 50 mol% or more, more preferably 80 mol% or more, and more preferably 90 mol% or more of monomer units derived from (meth) acrylic acid and / Or more, and particularly preferably 100 mol% or less.

또한, 성분 B가 함유하는 구성 단위를 도입하는 방법은, 성분 A와 같이, 중합법이어도 되고, 고분자 반응법이어도 되며, 이들 2방법을 병용해도 된다.The method of introducing the constituent unit contained in the component B may be either a polymerization method like the component A, a polymer reaction method, or a combination of these two methods.

<구성 단위(b1)>&Lt; Construction unit (b1) >

성분 B는, (b1) 산기를 갖는 구성 단위를 적어도 갖는다.Component B has at least (b1) a structural unit having an acid group.

구성 단위(b1)로서는, 카르복시기 및/또는 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위인 것이 보다 바람직하고, 카르복시기를 갖는 구성 단위인 것이 더 바람직하다.As the constituent unit (b1), a constituent unit having a carboxyl group and / or a phenolic hydroxyl group is more preferable, and a constituent unit having a carboxyl group is more preferable.

카르복시기를 갖는 구성 단위를 형성하기 위해 사용되는 라디칼 중합성 단량체로서는, 예를 들면 아크릴산, 메타크릴산, 크로톤산 등의 모노카르복시산; 말레산, 푸마르산, 시트라콘산, 메사콘산, 이타콘산 등의 디카르복시산 등의 불포화 카르복시산을 바람직한 것으로서 들 수 있다.Examples of the radically polymerizable monomers used for forming the constituent unit having a carboxyl group include monocarboxylic acids such as acrylic acid, methacrylic acid and crotonic acid; And unsaturated carboxylic acids such as dicarboxylic acids such as maleic acid, fumaric acid, citraconic acid, mesaconic acid and itaconic acid.

또한, 카르복시산 무수물 잔기를 갖는 구성 단위를 형성하기 위해 사용되는 라디칼 중합성 단량체로서는, 예를 들면 무수 말레산, 무수 이타콘산 등을 바람직한 것으로서 들 수 있다.As the radical polymerizable monomer used for forming the constituent unit having a carboxylic acid anhydride moiety, for example, maleic anhydride, itaconic anhydride and the like are preferably used.

페놀성 수산기를 갖는 구성 단위를 형성하기 위해 사용되는 라디칼 중합성 단량체로서는, 예를 들면 p-히드록시스티렌, α-메틸-p-히드록시스티렌 등의 히드록시스티렌류, 일본국 특개2008-40183호 공보의 단락 0011∼0016에 기재된 화합물, 일본국 특허 제2888454호 공보의 단락 0007∼0010에 기재된 4-히드록시벤조산 유도체류, 4-히드록시벤조산과 메타크릴산글리시딜의 부가 반응물, 4-히드록시벤조산과 아크릴산글리시딜의 부가 반응물 등을 바람직한 것으로서 들 수 있다.Examples of the radical polymerizable monomer used for forming the constituent unit having a phenolic hydroxyl group include hydroxystyrenes such as p-hydroxystyrene and? -Methyl-p-hydroxystyrene, 4-hydroxybenzoic acid derivatives described in paragraphs 0007 to 0010 of Japanese Patent No. 2888454, addition reaction product of 4-hydroxybenzoic acid and glycidyl methacrylate, 4 - addition reaction product of hydroxybenzoic acid and glycidyl acrylate, and the like.

이들 중에서도, 메타크릴산, 아크릴산, 일본국 특개2008-40183호 공보의 단락 0011∼0016에 기재된 화합물, 일본국 특허 제2888454호 공보의 단락 0007∼0010에 기재된 4-히드록시벤조산 유도체류, 4-히드록시벤조산과 메타크릴산글리시딜의 부가 반응물, 4-히드록시벤조산과 아크릴산글리시딜의 부가 반응물이 더 바람직하고, 일본국 특개2008-40183호 공보의 단락 0011∼0016에 기재된 화합물, 일본국 특허 제2888454호 공보의 단락 0007∼0010에 기재된 4-히드록시벤조산 유도체류, 4-히드록시벤조산과 메타크릴산글리시딜의 부가 반응물, 4-히드록시벤조산과 아크릴산글리시딜의 부가 반응물이 바람직하고, 아크릴산, 메타크릴산, p-히드록시스티렌, 및 α-메틸-p-히드록시스티렌으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종에 유래하는 구성 단위인 것이 보다 바람직하고, 아크릴산 또는 메타크릴산에 유래하는 구성 단위인 것이 더 바람직하며, 메타크릴산에 유래하는 구성 단위인 것이 특히 바람직하다. 이들의 구성 단위는, 1종 단독 또는 2종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다.Of these, methacrylic acid, acrylic acid, compounds described in paragraphs 0011 to 0016 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-40183, 4-hydroxybenzoic acid derivatives described in paragraphs 0007 to 0010 of Japanese Patent No. 2888454, 4- Addition reaction products of hydroxybenzoic acid and glycidyl methacrylate, and addition reaction products of 4-hydroxybenzoic acid and glycidyl acrylate are more preferred, and compounds described in paragraphs 0011 to 001 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-40183, Hydroxybenzoic acid derivatives described in paragraphs 0007 to 0010 of Patent Publication No. 2888454, addition reaction products of 4-hydroxybenzoic acid and glycidyl methacrylate, addition reaction products of 4-hydroxybenzoic acid and glycidyl acrylate More preferably a structural unit derived from at least one member selected from the group consisting of acrylic acid, methacrylic acid, p-hydroxystyrene, and? -Methyl-p-hydroxystyrene, And that the constituent unit derived from acrylic acid or methacrylic acid, more preferably, it is a structural unit derived from methacrylic acid are particularly preferred. These constituent units may be used singly or in combination of two or more.

구성 단위(b1)의 바람직한 구체예로서는, 하기의 구성 단위를 예시할 수 있다.As specific preferred examples of the structural unit (b1), the following structural units can be exemplified.

Figure 112012066016297-pat00015
Figure 112012066016297-pat00015

이들 중에서도, 구성 단위(b1)로서는, (b1-1), (b1-2), (b1-11) 또는 (b1-12)인 것이 바람직하고, (b1-1) 또는 (b1-2)인 것이 보다 바람직하며, (b1-1)인 것이 특히 바람직하다.Among them, the structural unit (b1) is preferably (b1-1), (b1-2), (b1-11) or (b1-12) , More preferably (b1-1).

<구성 단위(b2)>&Lt; Construction unit (b2) >

성분 B는, (b2) 가교성기를 갖는 구성 단위를 적어도 갖는다.Component B has at least (b2) a structural unit having a crosslinkable group.

가교성기로서는, 상술한 산기와 반응하여 공유 결합을 형성하는 것, 가교성기끼리 열이나 광의 작용에 의해 공유 결합을 형성하는 것이면 어느 것이어도 된다.As the crosslinkable group, any of those which form a covalent bond by reacting with the above-mentioned acid group, and those which form a covalent bond by the action of heat or light between the crosslinkable groups.

성분 B에 있어서의 구성 단위(b2)는, 성분 A에 있어서의 구성 단위(a2)와 동의(同義)이며, 바람직한 태양도 같다.The constituent unit (b2) in the component B is synonymous with the constituent unit (a2) in the constituent A, and the preferred embodiment is also the same.

감도의 관점에서, 성분 B에 있어서의 구성 단위(b1)을 형성하는 모노머 단위의 함유 비율은, 성분 B를 구성하는 전 모노머 단위에 대하여, 5∼50몰%가 바람직하고, 5∼45몰%가 보다 바람직하며, 5∼40몰%가 더 바람직하다.From the viewpoint of sensitivity, the content ratio of the monomer unit constituting the constituent unit (b1) in the component B is preferably from 5 to 50 mol%, more preferably from 5 to 45 mol%, based on all monomer units constituting the component B, , And more preferably 5 to 40 mol%.

밀착성 및 레지스트 박리액이나 NMP에 대한 내성의 관점에서, 성분 B에 있어서의 구성 단위(b2)를 형성하는 모노머 단위의 함유 비율은, 성분 B를 구성하는 전 모노머 단위에 대하여, 10∼90몰%가 바람직하고, 15∼85몰%가 보다 바람직하며, 20∼80몰%가 더 바람직하다.The content ratio of the monomer unit forming the constituent unit (b2) in the component B is preferably from 10 to 90 mol% based on the total monomer units constituting the component B from the viewpoints of adhesion, resistance to resist stripping solution and NMP, , More preferably from 15 to 85 mol%, still more preferably from 20 to 80 mol%.

<그 밖의 구성 단위(b3)>&Lt; Other structural unit (b3) >

성분 B는, 본 발명의 효과를 방해하지 않는 범위에서, 그 밖의 구성 단위(b3)을 더 갖고 있어도 된다.The component B may further contain another structural unit (b3) within the range not hindering the effect of the present invention.

구성 단위(b3)을 형성하기 위해 사용되는 라디칼 중합성 단량체로서는, 예를 들면 일본국 특개2004-264623호 공보의 단락 0021∼0024에 기재된 화합물을 들 수 있다(단, 상기한 구성 단위(b1) 및 (b2), 그리고 산기가 산분해성기로 보호된 잔기를 갖는 구성 단위를 제외함).Examples of the radical polymerizable monomer used for forming the constituent unit (b3) include the compounds described in paragraphs 0021 to 0024 of JP 2004-264623 A (however, the above-mentioned constituent unit (b1) And (b2), and structural units having an acid-decomposable group-protected residue).

또한, 성분 A에 있어서의 구성 단위(a3)으로서 상술한 라디칼 중합성 단량체를 사용할 수도 있다.The above-mentioned radically polymerizable monomer may be used as the structural unit (a3) in the component A.

구성 단위(b3)을 형성하기 위해 사용되는 라디칼 중합성 단량체로서는, 에칭 내성의 관점에서, 스티렌이나 α-메틸스티렌 등의 스티렌류가 바람직하고, 스티렌 또는α-메틸스티렌이 보다 바람직하다.As the radical polymerizable monomer used for forming the structural unit (b3), styrene such as styrene or? -Methylstyrene is preferable, and styrene or? -Methylstyrene is more preferable from the viewpoint of etching resistance.

또한, 성분 B는, 에칭 내성의 관점에서, 하기 식 (b3)으로 표시되는 구성 단위를 더 갖는 것이 바람직하다. R4은 수소 원자인 것이 바람직하다.Further, from the viewpoint of the etching resistance, the component B preferably further comprises a structural unit represented by the following formula (b3). R 4 is preferably a hydrogen atom.

Figure 112012066016297-pat00016
Figure 112012066016297-pat00016

(식 중, R4은 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다.)(Wherein R 4 represents a hydrogen atom or a methyl group).

또한, 구성 단위(b3)의 예로서는, (메타)아크릴산에스테르류, 스티렌류, 및 N 치환 말레이미드로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종에 유래하는 구성 단위를 바람직하게 들 수 있고, (메타)아크릴산에스테르류, 및 스티렌류로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종에 유래하는 구성 단위를 보다 바람직하게 들 수 있다.Examples of the structural unit (b3) include structural units derived from at least one member selected from the group consisting of (meth) acrylic acid esters, styrenes, and N-substituted maleimides, and (meth) acrylic acid And a structural unit derived from at least one member selected from the group consisting of esters, styrenes, and the like.

그 중에서도, 구성 단위(b3)을 형성하기 위해 사용되는 라디칼 중합성 단량체로서는, (메타)아크릴산디시클로펜타닐, (메타)아크릴산시클로헥실, 아크릴산시클로헥실과 같은 지환 구조를 갖는 (메타)아크릴산에스테르류, (메타)아크릴산메틸, (메타)아크릴산2-히드록시에틸, 스티렌을 바람직하게 예시할 수 있고, (메타)아크릴산메틸, (메타)아크릴산2-히드록시에틸, 스티렌을 보다 바람직하게 예시할 수 있으며, (메타)아크릴산메틸을 더 바람직하게 예시할 수 있고, 메타크릴산메틸을 특히 바람직하게 예시할 수 있다.Among them, examples of the radically polymerizable monomer used for forming the structural unit (b3) include (meth) acrylic esters having an alicyclic structure such as dicyclopentanyl (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate, cyclohexyl acrylate (Meth) acrylate, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate and styrene, and more preferably methyl (meth) acrylate, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate and styrene And methyl (meth) acrylate can be more preferably exemplified, and methyl methacrylate is particularly preferably exemplified.

구성 단위(b3)은, 1종 단독 또는 2종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다.The structural unit (b3) may be used alone or in combination of two or more.

성분 B를 구성하는 전 모노머 단위 중, 구성 단위(b3)을 함유시킬 경우에 있어서의 구성 단위(b3)을 형성하는 모노머 단위의 함유 비율은, 드라이 에칭 내성의 관점에서, 1∼60몰%가 바람직하고, 3∼55몰%가 보다 바람직하며, 5∼50몰%가 더 바람직하다.The content of the monomer unit constituting the constituent unit (b3) in the case where the constituent unit (b3) is contained among all the monomer units constituting the component B is from 1 to 60 mol% , More preferably 3 to 55 mol%, and still more preferably 5 to 50 mol%.

본 발명에 있어서의 성분 B의 중량 평균 분자량은 2,000∼100,000인 것이 바람직하고, 3,000∼50,000인 것이 보다 바람직하며, 4,000∼30,000인 것이 더 바람직하고, 10,000∼16,000인 것이 특히 바람직하다. 또한, 본 발명에 있어서의 중량 평균 분자량은, 테트라히드로푸란(THF)을 용매로 했을 경우의 겔투과 크로마토그래피(GPC)에 의한 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량인 것이 바람직하다. The weight average molecular weight of Component B in the present invention is preferably 2,000 to 100,000, more preferably 3,000 to 50,000, even more preferably 4,000 to 30,000, and particularly preferably 10,000 to 16,000. The weight average molecular weight in the present invention is preferably a polystyrene reduced weight average molecular weight determined by gel permeation chromatography (GPC) when tetrahydrofuran (THF) is used as a solvent.

성분 B는, 1종 단독으로 사용해도, 2종 이상을 병용해도 된다.Component B may be used alone or in combination of two or more.

본 발명의 감광성 수지 조성물 중에 있어서의 성분 B의 함유량은, 감광성 수지 조성물의 전 고형분에 대하여, 20∼99중량%인 것이 바람직하고, 30∼95중량%인 것이 보다 바람직하며, 30∼70중량%인 것이 더 바람직하다. 함유량이 이 범위이면, 현상했을 때의 패턴 형성성이 양호해진다.The content of the component B in the photosensitive resin composition of the present invention is preferably 20 to 99% by weight, more preferably 30 to 95% by weight, more preferably 30 to 70% by weight based on the total solid content of the photosensitive resin composition. Is more preferable. When the content is within this range, the pattern forming property upon development becomes good.

또한, 본 발명의 감광성 수지 조성물 중에 있어서의 성분 A와 성분 B의 함유 비율은, (성분 A의 함유량)/(성분 B의 함유량)=0.5∼2인 것이 바람직하고, 0.8∼1.2인 것이 보다 바람직하며, 0.9∼1.1인 것이 더 바람직하다. 상기 범위이면, 본 발명의 효과를 보다 발휘할 수 있다.The content ratio of the component A and the component B in the photosensitive resin composition of the present invention is preferably 0.5 to 2 (content of component A) / (content of component B), more preferably 0.8 to 1.2 And more preferably 0.9 to 1.1. Within the above range, the effect of the present invention can be exerted more.

또한, 본 발명의 감광성 수지 조성물 중에서는, 본 발명의 효과를 방해하지 않는 범위에서 성분 A 및 성분 B 이외의 수지를 병용해도 된다. 단, 성분 A 및 성분 B 이외의 수지의 함유량은, 현상성의 관점에서, 성분 A의 함유량 및 성분 B의 함유량보다 적은 것이 바람직하다.In the photosensitive resin composition of the present invention, resins other than the component A and the component B may be used in combination within a range not hindering the effect of the present invention. It is preferable that the content of the resin other than the component A and the component B is smaller than the content of the component A and the content of the component B from the viewpoint of developability.

이와 같은 성분 A 및 성분 B 이외의 수지로서는, 측쇄에 카르복시기를 갖는 수지가 바람직하다. 예를 들면 일본국 특개소59-44615호, 일본국 특공소54-34327호, 일본국 특공소58-12577호, 일본국 특공소54-25957호, 일본국 특개소59-53836호, 일본국 특개소59-71048호의 각 공보에 기재되어 있는, 메타크릴산 공중합체, 아크릴산 공중합체, 이타콘산 공중합체, 크로톤산 공중합체, 말레산 공중합체, 부분 에스테르화 말레산 공중합체 등, 그리고 측쇄에 카르복시기를 갖는 산성 셀룰로오스 유도체, 수산기를 갖는 폴리머에 산무수물을 부가시킨 것 등을 들 수 있고, 또한 측쇄에 (메타)아크릴로일기를 갖는 고분자 중합체도 바람직한 것으로서 들 수 있다.As the resin other than the component A and the component B, a resin having a carboxyl group in the side chain is preferable. For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 59-44615, Japanese Patent Publication No. 54-34327, Japanese Patent Publication No. 58-12577, Japanese Patent Publication No. 54-25957, Japanese Patent Laid-Open No. 59-53836, Methacrylic acid copolymers, acrylic acid copolymers, itaconic acid copolymers, crotonic acid copolymers, maleic acid copolymers, partially esterified maleic acid copolymers, etc. described in the respective publications of JP-A No. 59-71048, An acidic cellulose derivative having a carboxyl group, an acid anhydride added to a polymer having a hydroxyl group, and the like, and a polymer having a (meth) acryloyl group in its side chain is also preferable.

상기 이외에, 일본국 특개평7-140654호 공보에 기재된, 2-히드록시프로필(메타)아크릴레이트/폴리스티렌 매크로모노머/벤질메타크릴레이트/메타크릴산 공중합체, 2-히드록시-3-페녹시프로필아크릴레이트/폴리메틸메타크릴레이트 매크로모노머/벤질메타크릴레이트/메타크릴산 공중합체, 2-히드록시에틸메타크릴레이트/폴리스티렌 매크로모노머/메틸메타크릴레이트/메타크릴산 공중합체, 2-히드록시에틸메타크릴레이트/폴리스티렌 매크로모노머/벤질메타크릴레이트/메타크릴산 공중합체 등을 들 수 있다.In addition to the above, there may be mentioned 2-hydroxypropyl (meth) acrylate / polystyrene macromonomer / benzyl methacrylate / methacrylic acid copolymer, 2-hydroxy-3-phenoxy Propyl acrylate / polymethyl methacrylate macromonomer / benzyl methacrylate / methacrylic acid copolymer, 2-hydroxyethyl methacrylate / polystyrene macromonomer / methyl methacrylate / methacrylic acid copolymer, 2-hydro Hydroxyethyl methacrylate / polystyrene macromonomer / benzyl methacrylate / methacrylic acid copolymer, and the like.

그 밖에도, 일본국 특개평7-207211호 공보, 일본국 특개평8-259876호 공보, 일본국 특개평10-300922호 공보, 일본국 특개평11-140144호 공보, 일본국 특개평11-174224호 공보, 일본국 특개2000-56118호 공보, 일본국 특개2003-233179호 공보, 일본국 특개2009-52020호 공보 등에 기재된 공지의 고분자 화합물을 사용할 수 있다.In addition, Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 7-207211, 8-259876, 10-300922, 11-140144, 11-174224 A publicly known polymer compound described in JP-A-2000-56118, JP-A-2003-233179, JP-A-2009-52020, etc. can be used.

또한 상기 이외에, 성분 A 및 성분 B 이외의 수지는, 구성 단위(a1), (a2), (a3), (b1), (b2), (b3)의 일부를 갖는 수지여도 된다. 이들 수지로서, 예를 들면 구성 단위(a1)만으로 이루어지는 수지, 구성 단위(a3)만으로 이루어지는 수지 등을 들 수 있다.In addition to the above, the resin other than the component A and the component B may be a resin having a part of the constituent units (a1), (a2), (a3), (b1), (b2) and (b3). These resins include, for example, a resin comprising only the constituent unit (a1) and a resin comprising only the constituent unit (a3).

이들의 성분 A 및 성분 B 이외의 수지는, 1종류만 함유하고 있어도 되고, 2종류 이상 함유하고 있어도 된다.These resins other than the component A and the component B may contain only one kind or two or more kinds of resins.

(성분 C) 광산발생제(Component C)

본 발명의 감광성 수지 조성물은, (성분 C) 광산발생제를 함유한다.The photosensitive resin composition of the present invention contains (Component C) photoacid generator.

성분 C로서는, 파장 300㎚ 이상, 바람직하게는 파장 300∼450㎚의 활성 광선에 감응하여, 산을 발생하는 화합물이 바람직하지만, 그 화학 구조에 제한되는 것이 아니다. 또한, 파장 300㎚ 이상의 활성 광선에 직접 감응하지 않는 광산발생제 에 대해서도, 증감제와 병용함으로써 파장 300㎚ 이상의 활성 광선에 감응하여, 산을 발생하는 화합물이면, 증감제와 조합시켜 바람직하게 사용할 수 있다.The component C is preferably a compound which generates an acid upon exposure to an actinic ray having a wavelength of 300 nm or more, preferably 300 to 450 nm, but is not limited to the chemical structure thereof. Also, in the case of a photoacid generator which does not directly react with an actinic ray having a wavelength of 300 nm or more, a compound capable of generating an acid upon exposure to an actinic ray having a wavelength of 300 nm or more by being used in combination with a sensitizer can be preferably used in combination with a sensitizer have.

성분 C로서는, pKa이 4 이하의 산을 발생하는 광산발생제가 바람직하고, pKa이 3 이하의 산을 발생하는 광산발생제가 보다 바람직하다. As the component C, a photoacid generator that generates an acid with a pKa of 4 or less is preferable, and a photoacid generator that generates an acid with a pKa of 3 or less is more preferable.

광산발생제의 예로서, 트리클로로메틸-s-트리아진류, 설포늄염이나 요오도늄염, 제4급 암모늄염류, 디아조메탄 화합물, 이미드설포네이트 화합물, 및 옥심설포네이트 화합물 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 고감도의 관점에서, 옥심설포네이트 화합물을 사용하는 것이 바람직하다. 이들 광산발생제는, 1종 단독 또는 2종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다.Examples of the photoacid generator include trichloromethyl-s-triazine, sulfonium salts and iodonium salts, quaternary ammonium salts, diazomethane compounds, imide sulfonate compounds and oxime sulfonate compounds . Of these, oxime sulfonate compounds are preferably used from the viewpoint of high sensitivity. These photoacid generators may be used alone or in combination of two or more.

이들의 구체예로서는, 이하를 예시할 수 있다.Specific examples thereof include the following.

트리클로로메틸-s-트리아진류로서, 2-(3-클로로페닐)-비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(4-메톡시페닐)-비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(4-메틸티오페닐)-비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(4-메톡시-β-스티릴)-비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-피페로닐-비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-[2-(푸란-2-일)에테닐]-비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-[2-(5-메틸푸란-2-일)에테닐]-비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-[2-(4-디에틸아미노-2-메틸페닐)에테닐]-비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진, 또는, 2-(4-메톡시나프틸)-비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진 등.As trichloromethyl-s-triazines, 2- (3-chlorophenyl) -bis (4,6-trichloromethyl) -s-triazine, 2- (4-methoxyphenyl) -S-triazine, 2- (4-methylthiophenyl) -bis (4,6-trichloromethyl) Triazine, 2-piperonyl-bis (4,6-trichloromethyl) -s-triazine, 2- [2- (furan- (4,6-trichloromethyl) -s-triazine, 2- [2- (5-methylfuran-2-yl) ethenyl] -bis (4,6-trichloromethyl) -s-triazine, or 2- (4-methylphenyl) ethenyl] -bis Naphthyl) -bis (4,6-trichloromethyl) -s-triazine and the like.

디아릴요오도늄염류로서, 디페닐요오도늄트리플루오로아세테이트, 디페닐요오도늄트리플루오로메탄설포네이트, 4-메톡시페닐페닐요오도늄트리플루오로메탄설포네이트, 4-메톡시페닐페닐요오도늄트리플루오로아세테이트, 페닐-4-(2'-히드록시-1'-테트라데카옥시)페닐요오도늄트리플루오로메탄설포네이트, 4-(2'-히드록시-1'-테트라데카옥시)페닐요오도늄헥사플루오로안티모네이트, 또는, 페닐-4-(2'-히드록시-1'-테트라데카옥시)페닐요오도늄p-톨루엔설포네이트 등.As the diaryl iodonium salts, diphenyl iodonium trifluoroacetate, diphenyl iodonium trifluoromethane sulfonate, 4-methoxyphenylphenyl iodonium trifluoromethane sulfonate, 4-methoxy (2'-hydroxy-1'-tetradecarboxy) phenyl iodonium trifluoromethanesulfonate, phenyl 4- (2'-hydroxy-1'- -Tetradecaoxy) phenyl iodonium hexafluoroantimonate, or phenyl-4- (2'-hydroxy-1'-tetradecaoxy) phenyl iodonium p-toluenesulfonate.

트리아릴설포늄염류로서, 트리페닐설포늄트리플루오로메탄설포네이트, 트리 페닐설포늄트리플루오로아세테이트, 4-메톡시페닐디페닐설포늄트리플루오로메탄설포네이트, 4-메톡시페닐디페닐설포늄트리플루오로아세테이트, 4-페닐티오페닐디페닐설포늄트리플루오로메탄설포네이트, 또는, 4-페닐티오페닐디페닐설포늄트리플루오로아세테이트 등.As the triarylsulfonium salts, triphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, triphenylsulfonium trifluoroacetate, 4-methoxyphenyldiphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, 4-methoxyphenyldiphenyl Sulfonium trifluoroacetate, 4-phenylthiophenyldiphenylsulfonium trifluoromethane sulfonate, or 4-phenylthiophenyldiphenylsulfonium trifluoroacetate.

제4급 암모늄염류로서, 테트라메틸암모늄부틸트리스(2,6-디플루오로페닐)보레이트, 테트라메틸암모늄헥실트리스(p-클로로페닐)보레이트, 테트라메틸암모늄헥실트리스(3-트리플루오로메틸페닐)보레이트, 벤질디메틸페닐암모늄부틸트리스(2,6-디플루오로페닐)보레이트, 벤질디메틸페닐암모늄헥실트리스(p-클로로페닐)보레이트, 벤질디메틸페닐암모늄헥실트리스(3-트리플루오로메틸페닐)보레이트 등.Examples of the quaternary ammonium salts include tetramethylammonium butyltris (2,6-difluorophenyl) borate, tetramethylammonium hexyltris (p-chlorophenyl) borate, tetramethylammonium hexyltris (3-trifluoromethylphenyl) (P-chlorophenyl) borate, benzyldimethylphenylammonium hexyltris (3-trifluoromethylphenyl) borate, and the like can be used. .

디아조메탄 유도체로서, 비스(시클로헥실설포닐)디아조메탄, 비스(t-부틸설포닐)디아조메탄, 비스(p-톨루엔설포닐)디아조메탄 등.Diazomethane derivatives such as bis (cyclohexylsulfonyl) diazomethane, bis (t-butylsulfonyl) diazomethane, bis (p-toluenesulfonyl) diazomethane and the like.

이미드설포네이트 유도체로서, 트리플루오로메틸설포닐옥시비시클로[2.2.1]헵트-5-엔-디카르복시이미드, 숙신이미드트리플루오로메틸설포네이트, 프탈이미드트리플루오로메틸설포네이트, N-히드록시나프탈이미드메탄설포네이트, N-히드록시-5-노르보르넨-2,3-디카르복시이미드프로판설포네이트 등.As the imide sulfonate derivative, trifluoromethylsulfonyloxybicyclo [2.2.1] hept-5-ene-dicarboxyimide, succinimide trifluoromethylsulfonate, phthalimide trifluoromethylsulfonate , N-hydroxynaphthalimide methanesulfonate, N-hydroxy-5-norbornene-2,3-dicarboxyimidopropane sulfonate, and the like.

본 발명의 감광성 수지 조성물은, (성분 C) 광산발생제로서, 하기 식 (c0)으로 표시되는 옥심설포네이트 잔기 중 적어도 1개를 갖는 옥심설포네이트 화합물을 함유하는 것이 바람직하다. 또한, 파선 부분은, 다른 화학 구조와의 결합 위치를 나타낸다.The photosensitive resin composition of the present invention preferably contains, as the (C) photoacid generator, an oxime sulfonate compound having at least one oxime sulfonate residue represented by the following formula (c0). In addition, the broken line indicates the bonding position with other chemical structures.

Figure 112012066016297-pat00017
Figure 112012066016297-pat00017

상기 식 (c0)으로 표시되는 옥심설포네이트 잔기 중 적어도 1개를 갖는 옥심설포네이트 화합물은, 하기 식 (c1)로 표시되는 화합물인 것이 바람직하다.The oxime sulfonate compound having at least one of the oxime sulfonate moieties represented by the formula (c0) is preferably a compound represented by the following formula (c1).

Figure 112012066016297-pat00018
Figure 112012066016297-pat00018

(식 (c1) 중, R5 및 R6은 각각 독립적으로, 1가의 유기기를 나타내고, R5 및 R6은 연결하여 환을 형성하고 있어도 되고, R7은 알킬기, 시클로알킬기 또는 아릴기를 나타낸다.)(In the formula (c1), R 5 and R 6 each independently represent a monovalent organic group, R 5 and R 6 may be connected to form a ring, and R 7 represents an alkyl group, a cycloalkyl group or an aryl group. )

식 (c1) 중, R5은 탄소 원자수 1∼6의 알킬기, 탄소 원자수 1∼4의 할로겐화 알킬기, 페닐기, 비페닐기, 나프틸기, 2-푸릴기, 2-티에닐기, 탄소 원자수 1∼4의 알콕시기 또는 시아노기를 나타낸다. R5이 페닐기, 비페닐기, 나프틸기 또는 안트라닐기일 경우, 이들 기는, 할로겐 원자, 수산기, 탄소 원자수 1∼4의 알킬기, 탄소 원자수 1∼4의 알콕시기 및 니트로기로 이루어지는 군에서 선택된 치환기에 의해 치환되어 있어도 된다.In formula (c1), R 5 represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a halogenated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, a phenyl group, a biphenyl group, a naphthyl group, a 2-furyl group, a 2-thienyl group, Or an alkoxy group or a cyano group. When R 5 is a phenyl group, a biphenyl group, a naphthyl group or an anthranyl group, these groups may be substituted with a substituent selected from the group consisting of a halogen atom, a hydroxyl group, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, Or the like.

식 (c1) 중, R6은 탄소 원자수 1∼10의 알킬기, 탄소 원자수 1∼10의 알콕시기, 탄소 원자수 1∼5의 할로겐화 알킬기, 탄소 원자수 1∼5의 할로겐화 알콕시기, W로 치환되어 있어도 되는 페닐기, W로 치환되어 있어도 되는 나프틸기 또는 W로 치환되어 있어도 되는 안트라닐기, 디알킬아미노기, 모르폴리노기, 또는 시아노기를 나타낸다. R6과 R5은 서로 결합하여 5원환 또는 6원환을 형성해도 되고, 상기 5원환 또는 6원환은 1개 또는 2개의 임의의 치환기를 가져도 되는 벤젠환과 결합해 있어도 된다.In formula (c1), R 6 represents an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a halogenated alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, W , An anthranyl group, a dialkylamino group, a morpholino group, or a cyano group which may be substituted with W or a naphthyl group which may be substituted with W; R 6 and R 5 may combine with each other to form a 5-membered ring or a 6-membered ring, and the 5-membered ring or the 6-membered ring may be bonded to a benzene ring which may have 1 or 2 arbitrary substituents.

식 (c1) 중, R7은 탄소 원자수 1∼10의 알킬기, 탄소 원자수 1∼10의 알콕시기, 탄소 원자수 1∼5의 할로겐화 알킬기, 탄소 원자수 1∼5의 할로겐화 알콕시기, W로 치환되어 있어도 되는 페닐기, W로 치환되어 있어도 되는 나프틸기 또는 W로 치환되어 있어도 되는 안트라닐기를 나타낸다. W는, 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 탄소 원자수 1∼10의 알킬기, 탄소 원자수 1∼10의 알콕시기, 탄소 원자수 1∼5의 할로겐화 알킬기 또는 탄소 원자수 1∼5의 할로겐화 알콕시기를 나타낸다.In formula (c1), R 7 represents an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a halogenated alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, W A naphthyl group which may be substituted with W, or an anthranyl group which may be substituted with W, W represents a halogen atom, a cyano group, a nitro group, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or a halogenated alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms Lt; / RTI &gt;

R5으로 나타나는 탄소 원자수 1∼6의 알킬기는, 직쇄 또는 분기쇄 알킬기여도 되고, 예를 들면 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, 이소아밀기, n-헥실기, 또는 2-에틸부틸기를 들 수 있다.The alkyl group having 1 to 6 carbon atoms represented by R 5 may be a linear or branched alkyl group and includes, for example, a methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, sec- , n-pentyl group, isoamyl group, n-hexyl group, or 2-ethylbutyl group.

R5으로 나타나는 탄소 원자수 1∼4의 할로겐화 알킬기로서는, 예를 들면 클로로메틸기, 트리클로로메틸기, 트리플루오로메틸기, 또는 2-브로모프로필기를 들 수 있다.Examples of the halogenated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms represented by R 5 include a chloromethyl group, a trichloromethyl group, a trifluoromethyl group, and a 2-bromopropyl group.

R5으로 나타나는 탄소 원자수 1∼4의 알콕시기로서는, 메톡시기 또는 에톡시기를 들 수 있다.Examples of the alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms represented by R 5 include a methoxy group and an ethoxy group.

R5이 페닐기, 비페닐기, 나프틸기 또는 안트라닐기를 나타낼 경우, 이들 기는, 할로겐 원자(예를 들면 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등), 수산기, 탄소 원자수 1∼4의 알킬기(예를 들면 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기), 탄소 원자수 1∼4의 알콕시기(예를 들면 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, i-프로폭시기, n-부톡시기) 및 니트로기로 이루어지는 군에서 선택된 치환기에 의해 치환되어 있어도 된다.When R 5 represents a phenyl group, a biphenyl group, a naphthyl group or an anthranyl group, these groups may be substituted with a halogen atom (e.g., a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom and the like), a hydroxyl group, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms Butyl group, a tert-butyl group), an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms (e.g., methoxy group, ethoxy group, n-propyl group, An isopropoxy group, a n-butoxy group), and a nitro group.

R6으로 나타나는 탄소 원자수 1∼10의 알킬기의 구체예로서는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, i-부틸기, s-부틸기, t-부틸기, n-아밀기, i-아밀기, s-아밀기, n-헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, n-노닐기, n-데실기 등을 들 수 있다.Specific examples of the alkyl group having 1 to 10 carbon atoms represented by R 6 include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an i-propyl group, an n-butyl group, an i- an n-hexyl group, an n-heptyl group, an n-octyl group, an n-nonyl group, a n-decyl group and the like.

R6으로 나타나는 탄소 원자수 1∼10의 알콕시기의 구체예로서는, 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, i-프로폭시기, n-부톡시기, n-아밀옥시기, n-옥틸옥시기, n-데실옥시기 등을 들 수 있다.Specific examples of the alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms represented by R 6 include methoxy, ethoxy, n-propoxy, i-propoxy, n-butoxy, A n-decyloxy group, and the like.

R6으로 나타나는 탄소 원자수 1∼5의 할로겐화 알킬기의 구체예로서는, 트리플루오로메틸기, 펜타플루오로에틸기, 퍼플루오로-n-프로필기, 퍼플루오로-n-부틸기, 퍼플루오로-n-아밀기 등을 들 수 있다.Specific examples of the halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms represented by R 6 include a trifluoromethyl group, a pentafluoroethyl group, a perfluoro-n-propyl group, a perfluoro-n-butyl group, - Amyl group.

R6으로 나타나는 탄소 원자수 1∼5의 할로겐화 알콕시기의 구체예로서는, 트리플루오로메톡시기, 펜타플루오로에톡시기, 퍼플루오로-n-프로폭시기, 퍼플루오로-n-부톡시기, 퍼플루오로-n-아밀옥시기 등을 들 수 있다.Specific examples of the halogenated alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms represented by R 6 include a trifluoromethoxy group, a pentafluoroethoxy group, a perfluoro-n-propoxy group, a perfluoro-n-butoxy group, Perfluoro-n-amyloxy group, and the like.

R6으로 나타나는 W로 치환되어 있어도 되는 페닐기의 구체예로서는, o-톨릴기, m-톨릴기, p-톨릴기, o-에틸페닐기, m-에틸페닐기, p-에틸페닐기, p-(n-프로필)페닐기, p-(i-프로필)페닐기, p-(n-부틸)페닐기, p-(i-부틸)페닐기, p-(s-부틸)페닐기, p-(t-부틸)페닐기, p-(n-아밀)페닐기, p-(i-아밀)페닐기, p-(t-아밀)페닐기, o-메톡시페닐기, m-메톡시페닐기, p-메톡시페닐기, o-에톡시페닐기, m-에톡시페닐기, p-에톡시페닐기, p-(n-프로폭시)페닐기, p-(i-프로폭시)페닐기, p-(n-부톡시)페닐기, p-(i-부톡시)페닐기, p-(s-부톡시)페닐기, p-(t-부톡시)페닐기, p-(n-아밀옥시)페닐기, p-(i-아밀옥시)페닐기, p-(t-아밀옥시)페닐기, p-클로로페닐기, p-브로모페닐기, p-플루오로페닐기, 2,4-디클로로페닐기, 2,4-디브로모페닐기, 2,4-디플루오로페닐기, 2,4,6-트리클로로페닐기, 2,4,6-트리브로모페닐기, 2,4,6-트리플루오로페닐기, 펜타클로로페닐기, 펜타브로모페닐기, 펜타플루오로페닐기, p-비페닐릴기 등을 들 수 있다.Specific examples of the phenyl group which may be substituted with W represented by R 6 include o-tolyl, m-tolyl, p-tolyl, o-ethylphenyl, m-ethylphenyl, Propyl) phenyl group, p- (n-butyl) phenyl group, p- (i- butyl) phenyl group, (o-amyl) phenyl group, o- methoxyphenyl group, m-methoxyphenyl group, p-methoxyphenyl group, o-ethoxyphenyl group, (n-butoxy) phenyl group, p- (i-butoxy) phenyl group, p- (T-amyloxy) phenyl group, p- (i-amyloxy) phenyl group, p- (t-butoxy) phenyl group, Phenyl group, p-chlorophenyl group, p-bromophenyl group, p-fluorophenyl group, 2,4-dichlorophenyl group, 2,4-dibromophenyl group, 2,4-difluorophenyl group, Trichlorophenyl group, 2,4,6-tribromophenyl group, 2 , 4,6-trifluorophenyl group, pentachlorophenyl group, pentabromophenyl group, pentafluorophenyl group, and p-biphenyl group.

R6으로 나타나는 W로 치환되어 있어도 되는 나프틸기의 구체예로서는, 2-메틸-1-나프틸기, 3-메틸-1-나프틸기, 4-메틸-1-나프틸기, 5-메틸-1-나프틸기, 6-메틸-1-나프틸기, 7-메틸-1-나프틸기, 8-메틸-1-나프틸기, 1-메틸-2-나프틸기, 3-메틸-2-나프틸기, 4-메틸-2-나프틸기, 5-메틸-2-나프틸기, 6-메틸-2-나프틸기, 7-메틸-2-나프틸기, 8-메틸-2-나프틸기 등을 들 수 있다.Specific examples of the naphthyl group which may be substituted with W represented by R 6 include a 2-methyl-1-naphthyl group, a 3-methyl-1-naphthyl group, Methyl-1-naphthyl group, 1-methyl-2-naphthyl group, 3-methyl-2-naphthyl group, 4-methyl Methyl-2-naphthyl group, 6-methyl-2-naphthyl group, 7-methyl-2-naphthyl group and 8-methyl-2-naphthyl group.

R6으로 나타나는 W로 치환되어 있어도 되는 안트라닐기의 구체예로서는, 2-메틸-1-안트라닐기, 3-메틸-1-안트라닐기, 4-메틸-1-안트라닐기, 5-메틸-1-안트라닐기, 6-메틸-1-안트라닐기, 7-메틸-1-안트라닐기, 8-메틸-1-안트라닐기, 9-메틸-1-안트라닐기, 10-메틸-1-안트라닐기, 1-메틸-2-안트라닐기, 3-메틸-2-안트라닐기, 4-메틸-2-안트라닐기, 5-메틸-2-안트라닐기, 6-메틸-2-안트라닐기, 7-메틸-2-안트라닐기, 8-메틸-2-안트라닐기, 9-메틸-2-안트라닐기, 10-메틸-2-안트라닐기 등을 들 수 있다.Specific examples of the anthranyl group which may be substituted with W represented by R 6 include a 2-methyl-1-anthranyl group, a 3-methyl-1-anthranyl group, a 4-methyl- Methyl-1-anthranyl, 7-methyl-1-anthranyl, 8-methyl-1-anthranyl, Anthranyl group, 6-methyl-2-anthranyl group, 7-methyl-2-anthranyl group, , 8-methyl-2-anthranyl group, 9-methyl-2-anthranyl group and 10-methyl-2-anthranyl group.

R6으로 나타나는 디알킬아미노기로서는, 디메틸아미노기, 디에틸아미노기, 디프로필아미노기, 디부틸아미노기, 디페닐아미노기 등을 들 수 있다.Examples of the dialkylamino group represented by R 6 include a dimethylamino group, a diethylamino group, a dipropylamino group, a dibutylamino group and a diphenylamino group.

식 (c1) 중, R7은, 알킬기, 시클로알킬기 또는 아릴기를 나타내고, 알킬기, 시클로알킬기 또는 아릴기를 나타내며, 탄소 원자수 1∼10의 알킬기, 탄소 원자수 3∼10의 시클로알킬기, 탄소 원자수 1∼5의 할로겐화 알킬기, 탄소 원자수 3∼10의 할로겐화 시클로알킬기, W로 치환되어 있어도 되는 페닐기, W로 치환되어 있어도 되는 나프틸기 또는 W로 치환되어 있어도 되는 안트라닐기인 것이 바람직하다. W는, 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 탄소 원자수 1∼10의 알킬기, 탄소 원자수 1∼10의 알콕시기, 탄소 원자수 1∼5의 할로겐화 알킬기 또는 탄소 원자수 1∼5의 할로겐화 알콕시기를 나타낸다.In the formula (c1), R 7 represents an alkyl group, a cycloalkyl group or an aryl group, and represents an alkyl group, a cycloalkyl group or an aryl group, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 10 carbon atoms, A halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a halogenated cycloalkyl group having 3 to 10 carbon atoms, a phenyl group optionally substituted with W, a naphthyl group optionally substituted with W, or an anthranyl group optionally substituted with W are preferable. W represents a halogen atom, a cyano group, a nitro group, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or a halogenated alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms Lt; / RTI &gt;

R7으로 나타나는 탄소 원자수 1∼10의 알킬기의 구체예로서는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, i-부틸기, s-부틸기, t-부틸기, n-아밀기, i-아밀기, s-아밀기, n-헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, n-노닐기, n-데실기 등을 들 수 있다.Specific examples of the alkyl group having 1 to 10 carbon atoms represented by R 7 include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an i-propyl group, an n-butyl group, an i- an n-hexyl group, an n-heptyl group, an n-octyl group, an n-nonyl group, a n-decyl group and the like.

R7으로 나타나는 탄소 원자수 1∼5의 할로겐화 알킬기의 구체예로서는, 트리플루오로메틸기, 펜타플루오로에틸기, 퍼플루오로-n-프로필기, 퍼플루오로-n-부틸기, 퍼플루오로-n-아밀기 등을 들 수 있다.Specific examples of the halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms represented by R 7 include a trifluoromethyl group, a pentafluoroethyl group, a perfluoro-n-propyl group, a perfluoro-n-butyl group, a perfluoro-n - Amyl group.

R7으로 나타나는 탄소 원자수 3∼10의 시클로알킬기의 구체예로서는, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 노르보르닐기, 이소보르닐기 등을 들 수 있다.Specific examples of the cycloalkyl group having 3 to 10 carbon atoms represented by R 7 include a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a norbornyl group and an isobornyl group.

R7으로 나타나는 탄소 원자수 3∼10의 할로겐화 시클로알킬기의 구체예로서는, 퍼플루오로시클로펜틸기, 퍼플루오로시클로헥실기, 퍼플루오로시클로헵틸기 등을 들 수 있다.Specific examples of the halogenated cycloalkyl group having 3 to 10 carbon atoms represented by R 7 include a perfluorocyclopentyl group, a perfluorocyclohexyl group, and a perfluorocycloheptyl group.

R7으로 나타나는 W로 치환되어 있어도 되는 페닐기의 구체예로서는, o-톨릴기, m-톨릴기, p-톨릴기, o-에틸페닐기, m-에틸페닐기, p-에틸페닐기, p-(n-프로필)페닐기, p-(i-프로필)페닐기, p-(n-부틸)페닐기, p-(i-부틸)페닐기, p-(s-부틸)페닐기, p-(t-부틸)페닐기, p-(n-아밀)페닐기, p-(i-아밀)페닐기, p-(t-아밀)페닐기, o-메톡시페닐기, m-메톡시페닐기, p-메톡시페닐기, o-에톡시페닐기, m-에톡시페닐기, p-에톡시페닐기, p-(n-프로폭시)페닐기, p-(i-프로폭시)페닐기, p-(n-부톡시)페닐기, p-(i-부톡시)페닐기, p-(s-부톡시)페닐기, p-(t-부톡시)페닐기, p-(n-아밀옥시)페닐기, p-(i-아밀옥시)페닐기, p-(t-아밀옥시)페닐기, p-클로로페닐기, p-브로모페닐기, p-플루오로페닐기, 2,4-디클로로페닐기, 2,4-디브로모페닐기, 2,4-디플루오로페닐기, 2,4,6-트리클로로페닐기, 2,4,6-트리브로모페닐기, 2,4,6-트리플루오로페닐기, 펜타클로로페닐기, 펜타브로모페닐기, 펜타플루오로페닐기, p-비페닐릴기 등을 들 수 있다.Specific examples of the phenyl group which may be substituted with W represented by R 7 include o-tolyl, m-tolyl, p-tolyl, o-ethylphenyl, m-ethylphenyl, Propyl) phenyl group, p- (n-butyl) phenyl group, p- (i- butyl) phenyl group, (o-amyl) phenyl group, o- methoxyphenyl group, m-methoxyphenyl group, p-methoxyphenyl group, o-ethoxyphenyl group, (n-butoxy) phenyl group, p- (i-butoxy) phenyl group, p- (T-amyloxy) phenyl group, p- (i-amyloxy) phenyl group, p- (t-butoxy) phenyl group, Phenyl group, p-chlorophenyl group, p-bromophenyl group, p-fluorophenyl group, 2,4-dichlorophenyl group, 2,4-dibromophenyl group, 2,4-difluorophenyl group, Trichlorophenyl group, 2,4,6-tribromophenyl group, 2 , 4,6-trifluorophenyl group, pentachlorophenyl group, pentabromophenyl group, pentafluorophenyl group, and p-biphenyl group.

R7으로 나타나는 W로 치환되어 있어도 되는 나프틸기의 구체예로서는, 2-메틸-1-나프틸기, 3-메틸-1-나프틸기, 4-메틸-1-나프틸기, 5-메틸-1-나프틸기, 6-메틸-1-나프틸기, 7-메틸-1-나프틸기, 8-메틸-1-나프틸기, 1-메틸-2-나프틸기, 3-메틸-2-나프틸기, 4-메틸-2-나프틸기, 5-메틸-2-나프틸기, 6-메틸-2-나프틸기, 7-메틸-2-나프틸기, 8-메틸-2-나프틸기 등을 들 수 있다.Specific examples of the naphthyl group which may be substituted with W represented by R 7 include a 2-methyl-1-naphthyl group, a 3-methyl-1-naphthyl group, Methyl-1-naphthyl group, 1-methyl-2-naphthyl group, 3-methyl-2-naphthyl group, 4-methyl Methyl-2-naphthyl group, 6-methyl-2-naphthyl group, 7-methyl-2-naphthyl group and 8-methyl-2-naphthyl group.

R7으로 나타나는 W로 치환되어 있어도 되는 안트라닐기의 구체예로서는, 2-메틸-1-안트라닐기, 3-메틸-1-안트라닐기, 4-메틸-1-안트라닐기, 5-메틸-1-안트라닐기, 6-메틸-1-안트라닐기, 7-메틸-1-안트라닐기, 8-메틸-1-안트라닐기, 9-메틸-1-안트라닐기, 10-메틸-1-안트라닐기, 1-메틸-2-안트라닐기, 3-메틸-2-안트라닐기, 4-메틸-2-안트라닐기, 5-메틸-2-안트라닐기, 6-메틸-2-안트라닐기, 7-메틸-2-안트라닐기, 8-메틸-2-안트라닐기, 9-메틸-2-안트라닐기, 10-메틸-2-안트라닐기 등을 들 수 있다.Specific examples of the anthranyl group which may be substituted with W represented by R 7 include a 2-methyl-1-anthranyl group, a 3-methyl-1-anthranyl group, a 4-methyl- Methyl-1-anthranyl, 7-methyl-1-anthranyl, 8-methyl-1-anthranyl, Anthranyl group, 6-methyl-2-anthranyl group, 7-methyl-2-anthranyl group, , 8-methyl-2-anthranyl group, 9-methyl-2-anthranyl group and 10-methyl-2-anthranyl group.

W로 나타나는 탄소 원자수 1∼10의 알킬기, 탄소 원자수 1∼10의 알콕시기, 탄소 원자수 1∼5의 할로겐화 알킬기, 및 탄소 원자수 1∼5의 할로겐화 알콕시의 구체예로서는, R6 또는 R7으로 나타나는 탄소 원자수 1∼10의 알킬기, 탄소 원자수 1∼10의 알콕시기, 탄소 원자수 1∼5의 할로겐화 알킬기, 및 탄소 원자수 1∼5의 할로겐화 알콕시기의 구체예로서 든 것과 같은 것을 들 수 있다.Specific examples of the alkyl group having 1 to 10 carbon atoms represented by W, the alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, the halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and the alkoxy halide having 1 to 5 carbon atoms include R 6 or R The same as those exemplified as the specific examples of the alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, the alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, the halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and the halogenated alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, &Lt; / RTI &gt;

R5과 R6은 서로 결합하여 5원환 또는 6원환을 형성해도 된다.R 5 and R 6 may combine with each other to form a 5-membered or 6-membered ring.

R5과 R6이 서로 결합하여 5원환 또는 6원환을 형성할 경우, 당해 5원환 또는 6원환으로서는, 탄소환식기 및 복소환식환기를 들 수 있고, 예를 들면 시클로펜탄, 시클로헥산, 시클로헵탄, 피롤, 푸란, 티오펜, 이미다졸, 옥사졸, 티아졸, 피란, 피리딘, 피라진, 모르폴린, 피페리딘 또는 피페라진환이어도 된다. 상기 5원환 또는 6원환은, 임의의 치환기를 가져도 되는 벤젠환과 결합해 있어도 되고, 그 예로서는, 테트라히드로나프탈렌, 디히드로안트라센, 인덴, 크로만, 플루오렌, 크산텐 또는 티옥산텐환계를 들 수 있다. 상기 5원환 또는 6원환은, 카르보닐기를 함유해도 되고, 그 예로서는, 시클로헥사디에논, 나프탈레논 및 안트론환계를 들 수 있다.When R 5 and R 6 are bonded to each other to form a 5-membered or 6-membered ring, examples of the 5-membered or 6-membered ring include a carbocyclic group and a heterocyclic group, and examples thereof include cyclopentane, cyclohexane, cycloheptane , Pyrrole, furan, thiophene, imidazole, oxazole, thiazole, pyran, pyridine, pyrazine, morpholine, piperidine or piperazine ring. The 5-membered or 6-membered ring may be bonded to a benzene ring which may have an arbitrary substituent. Examples thereof include tetrahydronaphthalene, dihydroanthracene, indene, chroman, fluorene, xanthene or thioxanthene ring systems. . The 5-membered or 6-membered ring may contain a carbonyl group, and examples thereof include cyclohexadieneone, naphthalenone and anthrone ring systems.

상기 식 (c1)로 표시되는 화합물의 호적한 태양의 하나는, 하기 식 (c1-1)로 표시되는 화합물이다. 식 (c1-1)로 표시되는 화합물은, 식 (c1)에서의 R5과 R6이 결합하여 5원환을 형성하고 있는 화합물이다.One of the favorable aspects of the compound represented by the formula (c1) is a compound represented by the following formula (c1-1). The compound represented by the formula (c1-1) is a compound in which R 5 and R 6 in the formula (c1) combine to form a 5-membered ring.

Figure 112012066016297-pat00019
Figure 112012066016297-pat00019

(식 (c1-1) 중, R7은 식 (c1)에 있어서의 R7과 동의이며, X는 알킬기, 알콕시기 또는 할로겐 원자를 나타내고, t는 0∼3의 정수를 나타내며, t가 2 또는 3일 때, 복수의 X는 동일해도 상이해도 된다.)(Wherein (c1-1), R 7 is R 7 and the consent of the formula (c1), X is an alkyl group, an alkoxy group or a halogen atom, t represents an integer of 0~3, t is 2 Or 3, the plurality of X's may be the same or different.)

X로 나타나는 알킬기로서는, 탄소 원자수 1∼4의, 직쇄상 또는 분기쇄상 알킬기가 바람직하다.As the alkyl group represented by X, a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms is preferable.

X로 나타나는 알콕시기로서는, 탄소 원자수 1∼4의 직쇄상 또는 분기쇄상 알콕시기가 바람직하다.As the alkoxy group represented by X, a straight chain or branched chain alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms is preferable.

X로 나타나는 할로겐 원자로서는, 염소 원자 또는 불소 원자가 바람직하다.As the halogen atom represented by X, a chlorine atom or a fluorine atom is preferable.

t로서는, 0 또는 1이 바람직하다.As t, 0 or 1 is preferable.

식 (c1-1) 중, t가 1이며, X가 메틸기이며, X의 치환 위치가 오르토 위치이며, R7이 탄소 원자수 1∼10의 직쇄상 알킬기, 7,7-디메틸-2-옥소놀보르닐메틸기, 또는, p-톨루일기인 화합물이 특히 바람직하다.In the formula (c1-1), t is 1, X is a methyl group, X is a substituted position in an ortho position, R 7 is a linear alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, 7,7-dimethyl- A norbornylmethyl group, or a p-toluyl group is particularly preferable.

식 (c1-1)로 표시되는 옥심설포네이트 화합물의 구체예로서는, 하기 화합물 (ⅰ), 화합물 (ⅱ), 화합물 (ⅲ), 화합물 (ⅳ) 등을 들 수 있고, 이들 화합물은, 1종 단독으로 사용해도 되고, 2종류 이상을 병용할 수도 있다. 화합물 (ⅰ)∼(ⅳ)는 시판품으로서 입수할 수 있다. Specific examples of the oxime sulfonate compound represented by the formula (c1-1) include the following compounds (i), (ii), (iii) and (iv) Or two or more of them may be used in combination. The compounds (i) to (iv) are commercially available.

또한, 다른 종류의 광산발생제와 조합하여 사용할 수도 있다.It may also be used in combination with other types of photoacid generators.

Figure 112012066016297-pat00020
Figure 112012066016297-pat00020

식 (c1)로 나타나는 화합물의 바람직한 태양의 하나로서는,As a preferred embodiment of the compound represented by the formula (c1)

R5이 탄소 원자수 1∼4의 알킬기, 트리플루오로메틸기, 페닐기, 클로로페닐기, 디클로로페닐기, 메톡시페닐기, 4-비페닐기, 나프틸기 또는 안트라닐기를 나타내고;R 5 represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, a trifluoromethyl group, a phenyl group, a chlorophenyl group, a dichlorophenyl group, a methoxyphenyl group, a 4-biphenyl group, a naphthyl group or an anthranyl group;

R6이 시아노기를 나타내고;R 6 represents a cyano group;

R7이 탄소 원자수 1∼10의 알킬기, 탄소 원자수 1∼10의 알콕시기, 탄소 원자수 1∼5의 할로겐화 알킬기, 탄소 원자수 1∼5의 할로겐화 알콕시기, W로 치환되어 있어도 되는 페닐기, W로 치환되어 있어도 되는 나프틸기 또는 W로 치환되어 있어도 되는 안트라닐기를 나타내고, W는, 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 탄소 원자수 1∼10의 알킬기, 탄소 원자수 1∼10의 알콕시기, 탄소 원자수 1∼5의 할로겐화 알킬기 또는 탄소 원자수 1∼5의 할로겐화 알콕시기를 나타내는 것이다.R 7 represents an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a halogenated alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, a phenyl group optionally substituted with W , A naphthyl group which may be substituted with W, or an anthranyl group which may be substituted with W, W represents a halogen atom, a cyano group, a nitro group, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms A halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a halogenated alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms.

식 (c1)로 나타나는 화합물로서는, 하기 식 (c1-2)로 나타나는 화합물인 것도 바람직하다.The compound represented by the formula (c1) is also preferably a compound represented by the following formula (c1-2).

Figure 112012066016297-pat00021
Figure 112012066016297-pat00021

식 (c1-2) 중, R8은 할로겐 원자, 수산기, 탄소 원자수 1∼4의 알킬기, 탄소 원자수 1∼4의 알콕시기 또는 니트로기를 나타내고, L은 0∼5의 정수를 나타낸다. R7은 탄소 원자수 1∼10의 알킬기, 탄소 원자수 1∼10의 알콕시기, 탄소 원자수 1∼5의 할로겐화 알킬기, 탄소 원자수 1∼5의 할로겐화 알콕시기, W로 치환되어 있어도 되는 페닐기, W로 치환되어 있어도 되는 나프틸기 또는 W로 치환되어 있어도 되는 안트라닐기를 나타내고, W는 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 탄소 원자수 1∼10의 알킬기, 탄소 원자수 1∼10의 알콕시기, 탄소 원자수 1∼5의 할로겐화 알킬기 또는 탄소 원자수 1∼5의 할로겐화 알콕시기를 나타낸다.In formula (c1-2), R 8 represents a halogen atom, a hydroxyl group, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms or a nitro group, and L represents an integer of 0 to 5. R 7 represents an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a halogenated alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, a phenyl group optionally substituted with W , A naphthyl group which may be substituted with W or an anthranyl group which may be substituted with W, W represents a halogen atom, a cyano group, a nitro group, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms , A halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or a halogenated alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms.

식 (c1-2)에 있어서의 R7으로서는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기, n-옥틸기, 트리플루오로메틸기, 펜타플루오로에틸기, 퍼플루오로-n-프로필기, 퍼플루오로-n-부틸기, p-톨릴기, 4-클로로페닐기 또는 펜타플루오로페닐기가 바람직하고, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기 또는 p-톨릴기인 것이 특히 바람직하다.Examples of R 7 in the formula (c1-2) include a methyl group, ethyl group, n-propyl group, n-butyl group, n-octyl group, trifluoromethyl group, pentafluoroethyl group, , A perfluoro-n-butyl group, a p-tolyl group, a 4-chlorophenyl group or a pentafluorophenyl group is preferable, and a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an n-butyl group or a p- .

R8으로 나타나는 할로겐 원자로서는, 불소 원자, 염소 원자 또는 브롬 원자가 바람직하다.As the halogen atom represented by R 8 , a fluorine atom, a chlorine atom or a bromine atom is preferable.

R8으로 나타나는 탄소 원자수 1∼4의 알킬기로서는, 메틸기 또는 에틸기가 바람직하다.The alkyl group having 1 to 4 carbon atoms represented by R 8 is preferably a methyl group or an ethyl group.

R8으로 나타나는 탄소 원자수 1∼4의 알콕시기로서는, 메톡시기 또는 에톡시기가 바람직하다.As the alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms represented by R 8 , a methoxy group or an ethoxy group is preferable.

L로서는 0∼2가 바람직하고, 0∼1이 특히 바람직하다.L is preferably 0 to 2, and particularly preferably 0 to 1.

식 (c1)로 표시되는 화합물 중, 식 (c1-2)로 표시되는 화합물에 포함되는 화합물의 바람직한 태양으로서는, 식 (c1) 중, R5이 페닐기 또는 4-메톡시페닐기를 나타내고, R6이 시아노기를 나타내며, R7이 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기 또는 4-톨릴기를 나타내는 태양이다.Among the compounds represented by the formula (c1), preferable examples of the compound included in the compound represented by the formula (c1-2) include a compound wherein R 5 represents a phenyl group or a 4-methoxyphenyl group, R 6 And R 7 represents a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an n-butyl group or a 4-tolyl group.

이하, 식 (c1)로 표시되는 화합물 중, 식 (c1-2)로 표시되는 화합물에 포함되는 화합물의 특히 바람직한 예를 나타내지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것이 아니다.Hereinafter, among the compounds represented by formula (c1), particularly preferred examples of the compounds included in the compound represented by formula (c1-2) are shown, but the present invention is not limited thereto.

α-(메틸설포닐옥시이미노)벤질시아니드(R5=페닐기, R6=시아노기, R7=메틸기)? - (methylsulfonyloxyimino) benzyl cyanide (R 5 = phenyl group, R 6 = cyano group, R 7 = methyl group)

α-(에틸설포닐옥시이미노)벤질시아니드(R5=페닐기, R6=시아노기, R7=에틸기)(R 5 = phenyl group, R 6 = cyano group, R 7 = ethyl group)

α-(n-프로필설포닐옥시이미노)벤질시아니드(R5=페닐기, R6=시아노기, R7=n-프로필기)(R 5 = phenyl group, R 6 = cyano group, R 7 = n-propyl group)

α-(n-부틸설포닐옥시이미노)벤질시아니드(R5=페닐기, R6=시아노기, R7=n-부틸기)(R 5 = phenyl group, R 6 = cyano group, R 7 = n-butyl group), and an α- (n-butylsulfonyloxyimino) benzyl cyanide

α-(4-톨루엔설포닐옥시이미노)벤질시아니드(R5=페닐기, R6=시아노기, R7=4-톨릴기)(R 5 = phenyl group, R 6 = cyano group, R 7 = 4-tolyl group)

α-〔(메틸설포닐옥시이미노)-4-메톡시페닐〕아세토니트릴(R5=4-메톡시페닐기, R6=시아노기, R7=메틸기)(R 5 = 4-methoxyphenyl, R 6 = cyano group, R 7 = methyl group)

α-〔(에틸설포닐옥시이미노)-4-메톡시페닐〕아세토니트릴(R5=4-메톡시페닐기, R6=시아노기, R7=에틸기)(R 5 = 4-methoxyphenyl, R 6 = cyano group, R 7 = ethyl group)

α-〔(n-프로필설포닐옥시이미노)-4-메톡시페닐〕아세토니트릴(R5=4-메톡시페닐기, R6=시아노기, R7=n-프로필기)(R 5 = 4-methoxyphenyl, R 6 = cyano group, R 7 = n-propyl group)

α-〔(n-부틸설포닐옥시이미노)-4-메톡시페닐〕아세토니트릴(R5=4-메톡시페닐기, R6=시아노기, R7=n-부틸기)(R 5 = 4-methoxyphenyl, R 6 = cyano group, R 7 = n-butyl group)

α-〔(4-톨루엔설포닐옥시이미노)-4-메톡시페닐〕아세토니트릴(R5=4-메톡시페닐기, R6=시아노기, R7=4-톨릴기)(R 5 = 4-methoxyphenyl, R 6 = cyano group, R 7 = 4-tolyl group)

또한, 상기 식 (c0)으로 표시되는 옥심설포네이트 잔기를 적어도 1개 갖는 화합물로서는, 하기 식 (OS-3), 식 (OS-4), 또는, 식 (OS-5)로 표시되는 옥심설포네이트 화합물인 것이 바람직하다.Examples of the compound having at least one oxime sulfonate residue represented by the formula (c0) include oximesulfosuccinimide represented by the following formula (OS-3), formula (OS-4) It is preferably a compound of the formula (I).

Figure 112012066016297-pat00022
Figure 112012066016297-pat00022

(식 (OS-3)∼(OS-5) 중, R1은 알킬기, 아릴기, 또는 헤테로아릴기를 나타내고, 복수 존재하는 R2은 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기, 아릴기, 또는 할로겐 원자를 나타내며, 복수 존재하는 R6은 각각 독립적으로, 할로겐 원자, 알킬기, 알킬옥시기, 설폰산기, 아미노설포닐기, 또는 알콕시설포닐기를 나타내고, X는 O 또는 S를 나타내며, n은 1 또는 2를 나타내고, m은 0∼6의 정수를 나타낸다.)(In the formulas (OS-3) to (OS-5), R 1 represents an alkyl group, an aryl group or a heteroaryl group, and the plurality of R 2 s present may be each independently a hydrogen atom, an alkyl group, R 6 represents a halogen atom, an alkyl group, an alkyloxy group, a sulfonic acid group, an aminosulfonyl group or an alkoxysulfonyl group, X represents O or S, and n represents 1 or 2, And m represents an integer of 0 to 6.)

상기 식 (OS-3)∼(OS-5) 중, R1으로 나타나는 알킬기, 아릴기 또는 헤테로아릴기는, 치환기를 갖고 있어도 된다.In the above formulas (OS-3) to (OS-5), the alkyl group, aryl group or heteroaryl group represented by R 1 may have a substituent.

상기 식 (OS-3)∼(OS-5) 중, R1으로 나타나는 알킬기로서는, 치환기를 갖고 있어도 되는 총 탄소수 1∼30의 알킬기인 것이 바람직하다.In the above formulas (OS-3) to (OS-5), the alkyl group represented by R 1 is preferably an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms in total which may have a substituent.

또한, 상기 식 (OS-3)∼(OS-5) 중, R1으로 나타나는 아릴기로서는, 치환기를 가져도 되는 총 탄소수 6∼30의 아릴기가 바람직하다.In the above formulas (OS-3) to (OS-5), the aryl group represented by R 1 is preferably an aryl group having a total of 6 to 30 carbon atoms and may have a substituent.

또한, 상기 식 (OS-3)∼(OS-5) 중, R1으로 나타나는 헤테로아릴기로서는, 치환기를 가져도 되는 총 탄소수 4∼30의 헤테로아릴기가 바람직하고, 적어도 1개의 복소 방향환(芳香環)이면 되고, 예를 들면 복소 방향환과 벤젠환이 축환(縮環)해 있어도 된다.In the above formulas (OS-3) to (OS-5), the heteroaryl group represented by R 1 is preferably a heteroaryl group having a total of 4 to 30 carbon atoms which may have a substituent, and at least one heteroaryl ring Aromatic ring), and for example, a heterocyclic aromatic ring and a benzene ring may be condensed.

R1으로 나타나는 알킬기, 아릴기 또는 헤테로아릴기가 갖고 있어도 되는 치환기로서는, 할로겐 원자, 알킬옥시기, 아릴옥시기, 알킬티오기, 아릴티오기, 알킬옥시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 아미노카르보닐기를 들 수 있다.Examples of the substituent which the alkyl group, aryl group or heteroaryl group represented by R 1 may have include a halogen atom, an alkyloxy group, an aryloxy group, an alkylthio group, an arylthio group, an alkyloxycarbonyl group, an aryloxycarbonyl group and an aminocarbonyl group have.

상기 식 (OS-3)∼(OS-5) 중, R2은 수소 원자, 알킬기, 또는 아릴기인 것이 바람직하고, 수소 원자 또는 알킬기인 것이 보다 바람직하다.Of the formulas (OS-3) to (OS-5), R 2 is preferably a hydrogen atom, an alkyl group or an aryl group, more preferably a hydrogen atom or an alkyl group.

상기 식 (OS-3)∼(OS-5) 중, 화합물 중에 2 이상 존재하는 R2 중, 1개 또는 2개가 알킬기, 아릴기 또는 할로겐 원자인 것이 바람직하고, 1개가 알킬기, 아릴기 또는 할로겐 원자인 것이 보다 바람직하며, 1개가 알킬기이며, 또한 나머지가 수소 원자인 것이 특히 바람직하다.Of these formulas (OS-3) to (OS-5), one or two of R 2 present in two or more of the compounds are preferably an alkyl group, an aryl group or a halogen atom, and one of R 2 is preferably an alkyl group, More preferably an atom, and it is particularly preferable that one is an alkyl group and the remainder is a hydrogen atom.

상기 식 (OS-3)∼(OS-5) 중, R2으로 나타나는 알킬기 또는 아릴기는, 치환기를 갖고 있어도 된다.In the above formulas (OS-3) to (OS-5), the alkyl group or aryl group represented by R 2 may have a substituent.

R2으로 나타나는 알킬기 또는 아릴기가 갖고 있어도 되는 치환기로서는, 상기 R1에 있어서의 알킬기 또는 아릴기가 갖고 있어도 되는 치환기와 같은 기를 예시할 수 있다.Examples of the substituent which the alkyl group or aryl group represented by R 2 may have include the same group as the substituent that the alkyl group or aryl group in R 1 may have.

상기 식 (OS-3)∼(OS-5) 중, R2으로 나타나는 알킬기로서는, 치환기를 가져도 되는 총 탄소수 1∼12의 알킬기인 것이 바람직하고, 치환기를 가져도 되는 총 탄소수 1∼6의 알킬기인 것이 보다 바람직하다.In the above formulas (OS-3) to (OS-5), the alkyl group represented by R 2 is preferably an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms in total which may have a substituent, More preferably an alkyl group.

R2으로 나타나는 알킬기로서는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기, n-헥실기가 바람직하고, 메틸기가 더 바람직하다.As the alkyl group represented by R 2 , a methyl group, ethyl group, n-propyl group, n-butyl group and n-hexyl group are preferable, and a methyl group is more preferable.

상기 식 (OS-3)∼(OS-5) 중, R2으로 나타나는 아릴기로서는, 치환기를 가져도 되는 총 탄소수 6∼30의 아릴기인 것이 바람직하다.In the above formulas (OS-3) to (OS-5), the aryl group represented by R 2 is preferably an aryl group having 6 to 30 total carbon atoms which may have a substituent.

R2으로 나타나는 아릴기로서 페닐기, p-메틸페닐기, o-클로로페닐기, p-클로로페닐기, o-메톡시페닐기, p-페녹시기페닐기가 바람직하다.As the aryl group represented by R 2 , a phenyl group, p-methylphenyl group, o-chlorophenyl group, p-chlorophenyl group, o-methoxyphenyl group or p-phenoxyphenyl group is preferable.

상기 식 (OS-3)∼(OS-5) 중, X는 O 또는 S를 나타내고, O인 것이 바람직하다.Of the above formulas (OS-3) to (OS-5), X represents O or S, and is preferably O.

상기 식 (OS-3)∼(OS-5)에 있어서, X를 환원으로서 함유하는 환은, 5원환 또는 6원환이다.In the formulas (OS-3) to (OS-5), the ring containing X as a reduction is a 5-membered ring or a 6-membered ring.

상기 식 (OS-3)∼(OS-5) 중, n은 1 또는 2를 나타내고, X가 O일 경우, n은 1인 것이 바람직하고, 또한 X가 S일 경우, n은 2인 것이 바람직하다.In the above formulas (OS-3) to (OS-5), n represents 1 or 2, and when X is O, n is preferably 1. When X is S, n is preferably 2 Do.

상기 식 (OS-3)∼(OS-5) 중, R6으로 나타나는 알킬기 및 알킬옥시기는, 치환기를 갖고 있어도 된다.In the above formulas (OS-3) to (OS-5), the alkyl group and alkyloxy group represented by R 6 may have a substituent.

상기 식 (OS-3)∼(OS-5) 중, R6으로 나타나는 알킬기로서는, 치환기를 갖고 있어도 되는 총 탄소수 1∼30의 알킬기인 것이 바람직하다.In the above formulas (OS-3) to (OS-5), the alkyl group represented by R 6 is preferably an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms in total which may have a substituent.

R6으로 나타나는 알킬옥시기로서는, 메틸옥시기, 에틸옥시기, 부틸옥시기, 헥실옥시기, 페녹시에틸옥시기, 트리클로로메틸옥시기, 또는, 에톡시에틸옥시기가 바람직하다.The alkyloxy group represented by R 6 is preferably a methyloxy group, an ethyloxy group, a butyloxy group, a hexyloxy group, a phenoxyethyloxy group, a trichloromethyloxy group, or an ethoxyethyloxy group.

R6에 있어서의 아미노설포닐기로서는, 메틸아미노설포닐기, 디메틸아미노설포닐기, 페닐아미노설포닐기, 메틸페닐아미노설포닐기, 아미노설포닐기를 들 수 있다.Examples of the aminosulfonyl group for R 6 include a methylaminosulfonyl group, a dimethylaminosulfonyl group, a phenylaminosulfonyl group, a methylphenylaminosulfonyl group and an aminosulfonyl group.

R6으로 나타나는 알콕시설포닐기로서는, 메톡시설포닐기, 에톡시설포닐기, 프로필옥시설포닐기, 부틸옥시설포닐기를 들 수 있다.Examples of the alkoxysulfonyl group represented by R 6 include a methoxysulfonyl group, an ethoxysulfonyl group, a propyloxysulfonyl group and a butyloxysulfonyl group.

R6으로 나타나는 알킬기 또는 알킬옥시기가 갖고 있어도 되는 치환기로서는, 할로겐 원자, 알킬옥시기, 아릴옥시기, 알킬티오기, 아릴티오기, 알킬옥시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 아미노카르보닐기를 들 수 있다.Examples of the substituent which the alkyl group or alkyloxy group represented by R 6 may have include a halogen atom, an alkyloxy group, an aryloxy group, an alkylthio group, an arylthio group, an alkyloxycarbonyl group, an aryloxycarbonyl group and an aminocarbonyl group.

또한, 상기 식 (OS-3)∼(OS-5) 중, m은 0∼6의 정수를 나타내고, 0∼2의 정수인 것이 바람직하고, 0 또는 1인 것이 보다 바람직하며, 0인 것이 특히 바람직하다.In the formulas (OS-3) to (OS-5), m represents an integer of 0 to 6, preferably an integer of 0 to 2, more preferably 0 or 1, Do.

또한, 상기 식 (OS-3)으로 표시되는 화합물은, 하기 식 (OS-6), 식 (OS-10) 또는 식 (OS-11)로 표시되는 화합물인 것이 특히 바람직하고, 상기 식 (OS-4)로 표시되는 화합물은, 하기 식 (OS-7)로 표시되는 화합물인 것이 특히 바람직하며, 상기 식 (OS-5)로 표시되는 화합물은, 하기 식 (OS-8) 또는 식 (OS-9)로 표시되는 화합물인 것이 특히 바람직하다.The compound represented by the formula (OS-3) is particularly preferably a compound represented by the following formula (OS-6), formula (OS-10) or formula (OS-11) 4) is particularly preferably a compound represented by the following formula (OS-7), and the compound represented by the formula (OS-5) -9) is particularly preferable.

Figure 112012066016297-pat00023
Figure 112012066016297-pat00023

식 (OS-6)∼(OS-11) 중, R1은 알킬기, 아릴기 또는 헤테로아릴기를 나타내고, R7은 수소 원자 또는 브롬 원자를 나타내며, R8은 수소 원자, 탄소수 1∼8의 알킬기, 할로겐 원자, 클로로메틸기, 브로모메틸기, 브로모에틸기, 메톡시메틸기, 페닐기 또는 클로로페닐기를 나타내고, R9은 수소 원자, 할로겐 원자, 메틸기 또는 메톡시기를 나타내며, R10은 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다.In the formulas (OS-6) to (OS-11), R 1 represents an alkyl group, an aryl group or a heteroaryl group, R 7 represents a hydrogen atom or a bromine atom, R 8 represents a hydrogen atom, , A halogen atom, a chloromethyl group, a bromomethyl group, a bromoethyl group, a methoxymethyl group, a phenyl group or a chlorophenyl group, R 9 represents a hydrogen atom, a halogen atom, a methyl group or a methoxy group, R 10 represents a hydrogen atom or a methyl group .

상기 식 (OS-6)∼(OS-11)에 있어서의 R1은, 상기 식 (OS-3)∼(OS-5)에 있어서의 R1과 동의이며, 바람직한 태양도 같다.The expression (OS-6) ~ R 1 in (OS-11) is, and R 1 and agreed in the formula (OS-3) ~ (OS -5), as a preferred aspect.

상기 식 (OS-6)에 있어서의 R7은, 수소 원자 또는 브롬 원자를 나타내고, 수소 원자인 것이 바람직하다.R 7 in the formula (OS-6) represents a hydrogen atom or a bromine atom and is preferably a hydrogen atom.

상기 식 (OS-6)∼(OS-11)에 있어서의 R8은, 수소 원자, 탄소수 1∼8의 알킬기, 할로겐 원자, 클로로메틸기, 브로모메틸기, 브로모에틸기, 메톡시메틸기, 페닐기 또는 클로로페닐기를 나타내고, 탄소수 1∼8의 알킬기, 할로겐 원자 또는 페닐기인 것이 바람직하며, 탄소수 1∼8의 알킬기인 것이 보다 바람직하고, 탄소수 1∼6의 알킬기인 것이 더 바람직하며, 메틸기인 것이 특히 바람직하다.R 8 in the formulas (OS-6) to (OS-11) represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, a halogen atom, a chloromethyl group, a bromomethyl group, a bromoethyl group, a methoxymethyl group, More preferably an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, still more preferably an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, particularly preferably a methyl group, and particularly preferably an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, preferably an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, a halogen atom or a phenyl group, Do.

상기 식 (OS-8) 및 식 (OS-9)에 있어서의 R9은, 수소 원자, 할로겐 원자, 메틸기 또는 메톡시기를 나타내고, 수소 원자인 것이 바람직하다.R 9 in the formulas (OS-8) and (OS-9) represents a hydrogen atom, a halogen atom, a methyl group or a methoxy group, and is preferably a hydrogen atom.

상기 식 (OS-8)∼(OS-11)에 있어서의 R10은, 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, 수소 원자인 것이 바람직하다.R 10 in formulas (OS-8) to (OS-11) represents a hydrogen atom or a methyl group, and is preferably a hydrogen atom.

또한, 상기 옥심설포네이트 화합물에 있어서, 옥심의 입체 구조 (E, Z)에 대해서는, 어느 한쪽이어도, 혼합물이어도 된다.In the oxime sulfonate compound, any of the three-dimensional structures (E, Z) of oxime may be a mixture or a mixture thereof.

상기 식 (OS-3)∼(OS-5)로 표시되는 옥심설포네이트 화합물의 구체예로서는, 하기 예시 화합물을 들 수 있지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것이 아니다.Specific examples of the oxime sulfonate compounds represented by the above formulas (OS-3) to (OS-5) include the following exemplified compounds, but the present invention is not limited thereto.

Figure 112012066016297-pat00024
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Figure 112012066016297-pat00030
Figure 112012066016297-pat00030

상기 식 (c0)으로 표시되는 옥심설포네이트 잔기를 적어도 1개를 갖는 옥심설포네이트 화합물의 호적한 다른 태양으로서는, 하기 식 (OS-1)로 표시되는 화합물을 들 수 있다.Another favorable embodiment of the oxime sulfonate compound having at least one oxime sulfonate moiety represented by the formula (c0) includes a compound represented by the following formula (OS-1).

Figure 112012066016297-pat00031
Figure 112012066016297-pat00031

상기 식 (OS-1) 중, R1은, 수소 원자, 알킬기, 알케닐기, 알콕시기, 알콕시카르보닐기, 아실기, 카르바모일기, 설파모일기, 설포기, 시아노기, 아릴기, 또는, 헤테로아릴기를 나타낸다. R2은 알킬기, 또는, 아릴기를 나타낸다.In the formula (OS-1), R 1 represents a hydrogen atom, an alkyl group, an alkenyl group, an alkoxy group, an alkoxycarbonyl group, an acyl group, a carbamoyl group, a sulfamoyl group, a sulfo group, a cyano group, Lt; / RTI &gt; R 2 represents an alkyl group or an aryl group.

X는 -O-, -S-, -NH-, -NR5-, -CH2-, -CR6H-, 또는, -CR6R7-을 나타내고, R5∼R7은 알킬기, 또는 아릴기를 나타낸다.X is -O-, -S-, -NH-, -NR 5 -, -CH 2 -, -CR 6 H-, or, -CR 6 R 7 - represents a, R 5 ~R 7 is an alkyl group, or Lt; / RTI &gt;

R21∼R24은 각각 독립적으로, 수소 원자, 할로겐 원자, 알킬기, 알케닐기, 알콕시기, 아미노기, 알콕시카르보닐기, 알킬카르보닐기, 아릴카르보닐기, 아미드기, 설포기, 시아노기, 또는, 아릴기를 나타낸다. R21∼R24 중 2개는, 각각 서로 결합하여 환을 형성해도 된다.R 21 to R 24 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, an alkenyl group, an alkoxy group, an amino group, an alkoxycarbonyl group, an alkylcarbonyl group, an arylcarbonyl group, an amide group, a sulfo group, a cyano group or an aryl group. Two of R 21 to R 24 may be bonded to each other to form a ring.

R21∼R24으로서는, 수소 원자, 할로겐 원자, 및 알킬기가 바람직하고, 또한 R21∼R24 중 적어도 2개가 서로 결합하여 아릴기를 형성하는 태양도 또한 바람직하게 들 수 있다. 그 중에서도, R21∼R24이 모두 수소 원자인 태양이 감도의 관점에서 바람직하다.As R 21 to R 24 , a hydrogen atom, a halogen atom, and an alkyl group are preferable, and at least two of R 21 to R 24 are bonded to each other to form an aryl group. Among them, the case where all of R 21 to R 24 are hydrogen atoms is preferable from the viewpoint of sensitivity.

상기한 치환기는, 모두, 치환기를 더 갖고 있어도 된다.Each of the substituents described above may further have a substituent.

상기 식 (OS-1)로 표시되는 화합물은, 하기 식 (OS-2)로 표시되는 화합물인 것이 보다 바람직하다.The compound represented by the above formula (OS-1) is more preferably a compound represented by the following formula (OS-2).

Figure 112012066016297-pat00032
Figure 112012066016297-pat00032

상기 식 (OS-2) 중, R1, R2, R21∼R24은, 각각 상기 식 (OS-1)에 있어서의 R1, R2, R21∼R24과 동의이며, 바람직한 예도 또한 같다.The expression (OS-2) of, R 1, R 2, R 21 ~R 24 are each of the formula and R 1, R 2, R 21 ~R 24 and agree in (OS-1), preferred examples It is also the same.

이들 중에서도, 식 (OS-1), 및 식 (OS-2)에서의 R1이 시아노기, 또는 아릴기인 태양이 보다 바람직하고, 식 (OS-2)로 나타나며, 또한 R1이 시아노기, 페닐기 또는 나프틸기인 태양이 가장 바람직하다.Of these, it appears as expression (OS-1), and expression (OS-2) R 1 is a cyano group, or an aryl group sun, and more preferably, the expression (OS-2) in, and R 1 is a cyano group, Most preferred are the sun or the naphthyl group.

또한, 상기 옥심설포네이트 화합물에 있어서, 옥심이나 벤조티아졸환의 입체구조(E, Z 등)에 대해서는 각각, 어느 한쪽이어도, 혼합물이어도 된다.In the oxime sulfonate compound, the stereostructure (E, Z, etc.) of oxime or benzothiazole ring may be either or both of them.

이하에, 본 발명에 호적하게 사용할 수 있는 식 (OS-1)로 표시되는 화합물의 구체예(예시 화합물 b-1∼b-34)를 나타내지만, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 또한, 구체예 중, Me는 메틸기를 나타내고, Et는 에틸기를 나타내며, Bn은 벤질기를 나타내고, Ph는 페닐기를 나타낸다.Specific examples (Exemplary Compounds b-1 to b-34) of a compound represented by the formula (OS-1) that can be used in the present invention are shown below, but the present invention is not limited thereto. In the specific examples, Me represents a methyl group, Et represents an ethyl group, Bn represents a benzyl group, and Ph represents a phenyl group.

Figure 112012066016297-pat00033
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Figure 112012066016297-pat00034
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Figure 112012066016297-pat00035

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Figure 112012066016297-pat00041

상기 화합물 중에서도, 감도와 안정성의 양립의 관점에서, b-9, b-16, b-31, b-33이 바람직하다.Among these compounds, b-9, b-16, b-31 and b-33 are preferable from the viewpoint of compatibility between sensitivity and stability.

본 발명의 감광성 수지 조성물은, 활성 광선에 감응하는 (성분 C) 광산발생제로서 1,2-퀴논디아지드 화합물을 함유하지 않는 것이 바람직하다. 그 이유는, 1,2-퀴논디아지드 화합물은, 축차 형광 화학 반응에 의해 카르복시기를 생성하지만, 그 양자 수율은 1 이하이며, 옥심설포네이트 화합물에 비해 감도가 낮기 때문이다. It is preferable that the photosensitive resin composition of the present invention does not contain a 1,2-quinonediazide compound as a photoacid generator (component C) sensitive to an actinic ray. The reason is that the 1,2-quinonediazide compound generates a carboxy group by sequential fluorescent chemistry, but its quantum yield is 1 or less, and the sensitivity is lower than that of the oxime sulfonate compound.

이에 대하여 옥심설포네이트 화합물은, 활성 광선에 감응하여 생성되는 산이 보호된 산성기의 탈보호에 대하여 촉매로서 작용하므로, 1개의 광량자의 작용으로 생성된 산이, 다수의 탈보호 반응에 기여하여, 양자 수율은 1을 초과하고, 예를 들면 10의 수승(數乘)과 같은 큰 값이 되어, 소위 화학 증폭의 결과로서, 고감도를 얻을 수 있는 것으로 추측된다.On the other hand, the oxime sulfonate compound acts as a catalyst against deprotection of an acidic group protected by an acid generated by the action of an actinic ray, so that an acid generated by the action of one photon contributes to a number of deprotection reactions, The yield is greater than 1, for example, a large value such as a power of 10, and it is presumed that a high sensitivity can be obtained as a result of so-called chemical amplification.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 (성분 C) 광산발생제의 함유량은, 성분 A 및 성분 B의 총 함유량 100중량부에 대하여, 0.1∼10중량부인 것이 바람직하고, 0.5∼10중량부인 것이 보다 바람직하다.The content of the photoacid generator (component C) in the photosensitive resin composition of the present invention is preferably 0.1 to 10 parts by weight, more preferably 0.5 to 10 parts by weight per 100 parts by weight of the total content of the component A and the component B desirable.

(성분 D) 용제(Component D) Solvent

본 발명의 감광성 수지 조성물은, (성분 D) 용제를 함유한다.The photosensitive resin composition of the present invention contains (Component D) a solvent.

본 발명의 감광성 수지 조성물은, 필수 성분인 성분 A, 성분 B 및 성분 C, 그리고 바람직한 성분인 후술하는 각종 첨가제의 임의 성분을, (성분 D) 용제에 용해 또는 분산한 액으로서 조제되는 것이 바람직하다.The photosensitive resin composition of the present invention is preferably prepared as a solution obtained by dissolving or dispersing the essential components of component A, component B and component C, and optional components of various additives described below, which are preferable components, in (solvent D) solvent .

본 발명의 감광성 수지 조성물에 사용되는 (성분 D) 용제로서는, 공지의 용제를 사용할 수 있고, 에틸렌글리콜모노알킬에테르류, 에틸렌글리콜디알킬에테르류, 에틸렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류, 프로필렌글리콜모노알킬에테르류, 프로필렌글리콜디알킬에테르류, 프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류, 디에틸렌글리콜디알킬에테르류, 디에틸렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류, 디프로필렌글리콜모노알킬에테르류, 디프로필렌글리콜디알킬에테르류, 디프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류, 에스테르류, 케톤류, 아미드류, 락톤류 등을 예시할 수 있다.As the solvent (component D) used in the photosensitive resin composition of the present invention, known solvents can be used, and examples thereof include ethylene glycol monoalkyl ethers, ethylene glycol dialkyl ethers, ethylene glycol monoalkyl ether acetates, propylene glycol monoalkyl There may be mentioned ethers, propylene glycol dialkyl ethers, propylene glycol monoalkyl ether acetates, diethylene glycol dialkyl ethers, diethylene glycol monoalkyl ether acetates, dipropylene glycol monoalkyl ethers, dipropylene glycol dialkyl ethers , Dipropylene glycol monoalkyl ether acetates, esters, ketones, amides, lactones, and the like.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 사용되는 (성분 D) 용제로서는, 예를 들면 (1) 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노프로필에테르, 에틸렌글리콜모노부틸에테르 등의 에틸렌글리콜모노알킬에테르류; (2) 에틸렌글리콜디메틸에테르, 에틸렌글리콜디에틸에테르, 에틸렌글리콜디프로필에테르 등의 에틸렌글리콜디알킬에테르류; (3) 에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트 등의 에틸렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류; (4) 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노프로필에테르, 프로필렌글리콜모노부틸에테르 등의 프로필렌글리콜모노알킬에테르류; (5) 프로필렌글리콜디메틸에테르, 프로필렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르 등의 프로필렌글리콜디알킬에테르류;Examples of the solvent (component D) used in the photosensitive resin composition of the present invention include (1) ethylene glycol monomethyl ether such as ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monopropyl ether, and ethylene glycol monobutyl ether; Alkyl ethers; (2) ethylene glycol dialkyl ethers such as ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether and ethylene glycol dipropyl ether; (3) ethylene glycol monoalkyl ether acetates such as ethylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, ethylene glycol monopropyl ether acetate and ethylene glycol monobutyl ether acetate; (4) propylene glycol monoalkyl ethers such as propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monopropyl ether and propylene glycol monobutyl ether; (5) propylene glycol dialkyl ethers such as propylene glycol dimethyl ether, propylene glycol diethyl ether, diethylene glycol monomethyl ether and diethylene glycol monoethyl ether;

(6) 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노부틸에테르아세테이트 등의 프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류; (7) 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르 등의 디에틸렌글리콜디알킬에테르류; (8) 디에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트 등의 디에틸렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류; (9) 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜모노에틸에테르, 디프로필렌글리콜모노프로필에테르, 디프로필렌글리콜모노부틸에테르등의 디프로필렌글리콜모노알킬에테르류; (10) 디프로필렌글리콜디메틸에테르, 디프로필렌글리콜디에틸에테르, 디프로필렌글리콜에틸메틸에테르 등의 디프로필렌글리콜디알킬에테르류;(6) propylene glycol monoalkyl ether acetates such as propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate and propylene glycol monobutyl ether acetate; (7) diethylene glycol dialkyl ethers such as diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether and diethylene glycol ethyl methyl ether; (8) diethylene glycol monoalkyl ether acetates such as diethylene glycol monomethyl ether acetate, diethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol monopropyl ether acetate and diethylene glycol monobutyl ether acetate; (9) dipropylene glycol monoalkyl ethers such as dipropylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monoethyl ether, dipropylene glycol monopropyl ether and dipropylene glycol monobutyl ether; (10) dipropylene glycol dialkyl ethers such as dipropylene glycol dimethyl ether, dipropylene glycol diethyl ether and dipropylene glycol ethyl methyl ether;

(11) 디프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 디프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디프로필렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, 디프로필렌글리콜모노부틸에테르아세테이트 등의 디프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류; (12) 젖산메틸, 젖산에틸, 젖산n-프로필, 젖산이소프로필, 젖산n-부틸, 젖산이소부틸, 젖산n-아밀, 젖산이소아밀 등의 젖산에스테르류; (13)아세트산n-부틸, 아세트산이소부틸, 아세트산n-아밀, 아세트산이소아밀, 아세트산n-헥실, 아세트산 2-에틸헥실, 프로피온산에틸, 프로피온산n-프로필, 프로피온산이소프로필, 프로피온산n-부틸, 프로피온산이소부틸, 부티르산메틸, 부티르산에틸, 부티르산에틸, 부티르산n-프로필, 부티르산이소프로필, 부티르산n-부틸, 부티르산이소부틸 등의 지방족 카르복시산에스테르류; (14) 히드록시아세트산에틸, 2-히드록시-2-메틸프로피온산에틸, 2-히드록시-3-메틸부티르산에틸, 메톡시아세트산에틸, 에톡시아세트산에틸, 3-메톡시프로피온메틸, 3-메톡시프로피온에틸, 3-에톡시프로피온메틸, 3-에톡시프로피온에틸, 3-메톡시부틸아세테이트, 3-메틸-3-메톡시부틸아세테이트, 3-메틸-3-메톡시부틸프로피오네이트, 3-메틸-3-메톡시부틸부티레이트, 아세토아세트산메틸, 아세토아세트산에틸, 피르브산메틸, 피르브산에틸 등의 다른 에스테르류;(11) dipropylene glycol monoalkyl ether acetates such as dipropylene glycol monomethyl ether acetate, dipropylene glycol monoethyl ether acetate, dipropylene glycol monopropyl ether acetate and dipropylene glycol monobutyl ether acetate; (12) Lactic acid esters such as methyl lactate, ethyl lactate, n-propyl lactate, isopropyl lactate, isobutyl lactate, isobutyl lactate, n-amyl lactate, and lactic acid / (13) A process for producing a compound represented by the following formula (1), wherein n is 1, Aliphatic carboxylic acid esters such as isobutyl propionate, methyl butyrate, ethyl butyrate, ethyl butyrate, n-propyl butyrate, isopropyl butyrate, n-butyl butyrate and isobutyl butyrate; (14) A process for producing a compound represented by the above formula (1), which comprises dissolving at least one compound selected from the group consisting of ethyl hydroxyacetate, ethyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, ethyl 2-hydroxy- 3-methoxybutyl acetate, 3-methyl-3-methoxybutyl propionate, 3-methoxypropionyl acetate, 3-methoxypropionyl acetate, Methyl-3-methoxybutyl butyrate, methyl acetoacetate, ethyl acetoacetate, methyl pyruvate, and ethyl pyruvate;

(15) 메틸에틸케톤, 메틸프로필케톤, 메틸-n-부틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 2-헵타논, 3-헵타논, 4-헵타논, 시클로헥산온 등의 케톤류; (16) N-메틸포름아미드, N,N-디메틸포름아미드, N-메틸아세트아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈 등의 아미드류; (17) γ-부틸올락톤 등의 락톤류 등을 들 수 있다.(15) ketones such as methyl ethyl ketone, methyl propyl ketone, methyl n-butyl ketone, methyl isobutyl ketone, 2-heptanone, 3-heptanone, 4-heptanone and cyclohexanone; (16) amides such as N-methylformamide, N, N-dimethylformamide, N-methylacetamide, N, N-dimethylacetamide and N-methylpyrrolidone; (17) lactones such as? -Butylolactone, and the like.

또한, 이들 용제에 필요에 따라, 벤질에틸에테르, 디헥실에테르, 에틸렌글리콜모노페닐에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 이소포론, 카프로산, 카프릴산, 1-옥탄올, 1-노날, 벤질알코올, 아니솔, 아세트산벤질, 벤조산에틸, 옥살산디에틸, 말레산디에틸, 탄산에틸렌, 탄산프로필렌 등의 용제를 더 첨가할 수도 있다.If necessary, benzyl ethyl ether, dihexyl ether, ethylene glycol monophenyl ether acetate, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, isophorone, caproic acid, caprylic acid, 1- It is also possible to add a solvent such as octanol, 1-nonal, benzyl alcohol, anisole, benzyl acetate, ethyl benzoate, diethyl oxalate, diethyl maleate, ethylene carbonate and propylene carbonate.

상기한 용제 중, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르, 및/또는, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트가 특히 바람직하다.Of these solvents, diethylene glycol ethyl methyl ether and / or propylene glycol monomethyl ether acetate are particularly preferred.

이들 용제는, 1종 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.These solvents may be used singly or in combination of two or more kinds.

본 발명에 사용할 수 있는 용제는, 1종 단독, 또는, 2종을 병용하는 것이 바람직하고, 2종을 병용하는 것이 보다 바람직하며, 프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류와 디에틸렌글리콜디알킬에테르류를 병용하는 것이 더 바람직하다.The solvent which can be used in the present invention is preferably a single solvent or a combination of two solvents, more preferably two solvents, more preferably propylene glycol monoalkyl ether acetates and diethylene glycol dialkyl ethers It is more preferable to use them in combination.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 (성분 D) 용제의 함유량은, 성분 A 및 성분 B의 총 함유량 100중량부당, 50∼3,000중량부인 것이 바람직하고, 100∼2,000중량부인 것이 보다 바람직하며, 150∼1,500중량부인 것이 더 바람직하다.The content of the solvent (component D) in the photosensitive resin composition of the present invention is preferably 50 to 3,000 parts by weight, more preferably 100 to 2,000 parts by weight, and most preferably 150 to 3,000 parts by weight, per 100 parts by weight of the total content of component A and component B. To 1,500 parts by weight.

<그 밖의 성분>&Lt; Other components >

본 발명의 감광성 수지 조성물에는, 그 밖의 성분을 함유할 수 있다.The photosensitive resin composition of the present invention may contain other components.

그 밖의 성분으로서, 본 발명의 감광성 수지 조성물은, 감도의 관점에서, 광증감제를 함유하는 것이 바람직하고, 액보존 안정성의 관점에서, 염기성 화합물을 함유하는 것이 바람직하며, 막물성의 관점에서, 가교제를 함유하는 것이 바람직하고, 기판 밀착성의 관점에서, 밀착 개량제를 함유하는 것이 바람직하며, 또한 도포성의 관점에서, 계면 활성제를 함유하는 것이 바람직하다.As the other components, the photosensitive resin composition of the present invention preferably contains a photosensitizer in view of sensitivity, and preferably contains a basic compound from the viewpoint of liquid storage stability, and from the viewpoint of film properties, It is preferable to contain a cross-linking agent. From the viewpoint of substrate adhesion, it is preferable to contain an adhesion improver, and from the viewpoint of coatability, a surfactant is preferably contained.

또한, 필요에 따라, 본 발명의 감광성 수지 조성물에는, 현상 촉진제, 산화 방지제, 가소제, 열 라디칼 발생제, 열산발생제, 산증식제, 자외선 흡수제, 증점제, 및 유기 또는 무기의 침전 방지제 등의, 공지의 첨가제를 가할 수 있다.If necessary, the photosensitive resin composition of the present invention may further contain additives such as a development accelerator, an antioxidant, a plasticizer, a heat radical generator, a thermal acid generator, an acid proliferator, an ultraviolet absorber, a thickener, A known additive may be added.

이하, 본 발명의 감광성 수지 조성물에 함유할 수 있는 그 밖의 성분을 설명한다.Hereinafter, other components that can be contained in the photosensitive resin composition of the present invention will be described.

〔광증감제〕[Photosensitizer]

본 발명의 감광성 수지 조성물은, 광증감제를 함유하는 것이 바람직하다.The photosensitive resin composition of the present invention preferably contains a photosensitizer.

광증감제를 함유함으로써, 노광 감도 향상에 유효하며, 노광 광원이 g, h선 혼합선일 경우에 특히 유효하다.By containing a photosensitizer, it is effective for improving exposure sensitivity, and is particularly effective when the exposure light source is a g- and h-line mixed line.

광증감제로서는, 안트라센 유도체, 아크리돈 유도체, 티오크산톤 유도체, 쿠마린 유도체, 베이스스티릴 유도체, 디스티릴벤젠 유도체가 바람직하다.As the photosensitizer, anthracene derivatives, acridone derivatives, thioxanthone derivatives, coumarin derivatives, basestyryl derivatives, and distyrylbenzene derivatives are preferable.

안트라센 유도체로서는, 안트라센, 9,10-디부톡시안트라센, 9,10-디클로로안트라센, 2-에틸-9,10-디메톡시안트라센, 9-히드록시메틸안트라센 9-브로모안트라센, 9-클로로안트라센, 9,10-디브로모안트라센, 2-에틸안트라센, 9,10-디메톡시안트라센이 바람직하다.Examples of the anthracene derivative include anthracene, 9,10-dibutoxyanthracene, 9,10-dichloroanthracene, 2-ethyl-9,10-dimethoxyanthracene, 9-hydroxymethylanthracene 9-bromoanthracene, 9,10-dibromoanthracene, 2-ethyl anthracene, and 9,10-dimethoxy anthracene are preferable.

아크리돈 유도체로서는, 아크리돈, N-부틸-2-클로로아크리돈, N-메틸아크리돈, 2-메톡시아크리돈, N-에틸-2-메톡시아크리돈이 바람직하다.As the acridone derivative, acridone, N-butyl-2-chloroacridone, N-methylacridone, 2-methoxyacridone and N-ethyl-2-methoxyacridone are preferable.

티오크산톤 유도체로서는, 티오크산톤, 디에틸티오크산톤, 1-클로로-4-프로폭시티오크산톤, 2-클로로티옥산톤이 바람직하다.As thioxanthone derivatives, thioxanthone, diethylthioxanthone, 1-chloro-4-propanedioxanthone and 2-chlorothioxanthone are preferable.

쿠마린 유도체로서는, 쿠마린-1, 쿠마린-6H, 쿠마린-110, 쿠마린-102가 바람직하다.As coumarin derivatives, coumarin-1, coumarin-6H, coumarin-110 and coumarin-102 are preferable.

베이스스티릴 유도체로서는, 2-(4-디메틸아미노스티릴)벤조옥사졸, 2-(4-디메틸아미노스티릴)벤조티아졸, 2-(4-디메틸아미노스티릴)나프토티아졸을 들 수 있다.Examples of the base styryl derivative include 2- (4-dimethylaminostyryl) benzoxazole, 2- (4-dimethylaminostyryl) benzothiazole and 2- (4-dimethylaminostyryl) naphthothiazole. have.

디스티릴벤젠 유도체로서는, 디스티릴벤젠, 디(4-메톡시스티릴)벤젠, 디(3,4,5-트리메톡시스티릴)벤젠을 들 수 있다.Examples of the distyrylbenzene derivative include distyrylbenzene, di (4-methoxystyryl) benzene and di (3,4,5-trimethoxystyryl) benzene.

이들 중에서도, 안트라센 유도체가 바람직하고, 9,10-디알콕시안트라센(알콕시기의 탄소수 1∼6)이 보다 바람직하다.Of these, anthracene derivatives are preferable, and 9,10-dialkoxyanthracene (having 1 to 6 carbon atoms in the alkoxy group) is more preferable.

광증감제의 구체예로서는, 하기를 들 수 있다. 또한, 하기에 있어서, Me는 메틸기, Et는 에틸기, Bu는 부틸기를 나타낸다.Specific examples of the photosensitizer include the following. In the following description, Me represents a methyl group, Et represents an ethyl group, and Bu represents a butyl group.

Figure 112012066016297-pat00042
Figure 112012066016297-pat00042

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 광증감제의 함유량은, 성분 A 및 성분 B의 총 함유량 100중량부에 대하여, 0.1∼10중량부인 것이 바람직하고, 0.5∼10중량부인 것이 보다 바람직하다. 광증감제의 함유량이 0.1중량부 이상이이면, 원하는 감도를 얻기 쉽고, 또한 10중량부 이하이면, 도막의 투명성을 확보하기 쉽다.The content of the photosensitizer in the photosensitive resin composition of the present invention is preferably from 0.1 to 10 parts by weight, more preferably from 0.5 to 10 parts by weight, per 100 parts by weight of the total content of the component A and the component B. When the content of the photosensitizer is 0.1 parts by weight or more, desired sensitivity is easily obtained, and when it is 10 parts by weight or less, transparency of the coating film is easily ensured.

〔염기성 화합물〕[Basic compound]

본 발명의 감광성 수지 조성물은, 액보존 안정성의 관점에서, 염기성 화합물을 함유하는 것이 바람직하다.The photosensitive resin composition of the present invention preferably contains a basic compound from the viewpoint of liquid storage stability.

염기성 화합물로서는, 화학 증폭 레지스터로 사용되는 것 중에서 임의로 선택하여 사용할 수 있다. 예를 들면 지방족 아민, 방향족 아민, 복소환식 아민, 제4급 암모늄히드록시드, 및 카르복시산의 제4급 암모늄염 등을 들 수 있다.As the basic compound, any of those used as a chemical amplification resistor may be selected and used. For example, aliphatic amines, aromatic amines, heterocyclic amines, quaternary ammonium hydroxides, and quaternary ammonium salts of carboxylic acids.

지방족 아민으로서는, 예를 들면 트리메틸아민, 디에틸아민, 트리에틸아민, 디-n-프로필아민, 트리-n-프로필아민, 디-n-펜틸아민, 트리-n-펜틸아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 디시클로헥실아민, 디시클로헥실메틸아민 등을 들 수 있다.Examples of the aliphatic amine include trimethylamine, diethylamine, triethylamine, di-n-propylamine, tri-n-propylamine, di- Triethanolamine, dicyclohexylamine, dicyclohexylmethylamine, and the like.

방향족 아민으로서는, 예를 들면 아닐린, 벤질아민, N,N-디메틸아닐린, 디페닐아민 등을 들 수 있다.Examples of the aromatic amine include aniline, benzylamine, N, N-dimethylaniline, and diphenylamine.

복소환식 아민으로서는, 예를 들면 피리딘, 2-메틸피리딘, 4-메틸피리딘, 2-에틸피리딘, 4-에틸피리딘, 2-페닐피리딘, 4-페닐피리딘, N-메틸-4-페닐피리딘, 4-디메틸아미노피리딘, 이미다졸, 벤즈이미다졸, 4-메틸이미다졸, 2-페닐벤즈이미다졸, 2,4,5-트리페닐이미다졸, 니코틴, 니코틴산, 니코틴산아미드, 퀴놀린, 8-옥시퀴놀린, 피라진, 피라졸, 피리다진, 푸린, 피롤리딘, 피페리딘, 피페라진, 모르폴린, 4-메틸모르폴린, N-시클로헥실-N'-[2-(4-모르포리닐)에틸]티오 요소(尿素), 1,5-디아자비시클로[4.3.0]-5-노넨, 1,8-디아자비시클로[5.3.0]-7-운데센 등을 들 수 있다.Examples of the heterocyclic amine include pyridine, 2-methylpyridine, 4-methylpyridine, 2-ethylpyridine, 4-ethylpyridine, 2-phenylpyridine, 4-phenylpyridine, N-methyl- Benzimidazole, 2-phenylbenzimidazole, 2,4,5-triphenylimidazole, nicotine, nicotinic acid, nicotinic acid amide, quinoline, 8-oxy Pyrrolidine, piperidine, piperazine, morpholine, 4-methylmorpholine, N-cyclohexyl-N '- [2- (4-morpholinyl) Ethyl] thiourea (urea), 1,5-diazabicyclo [4.3.0] -5-nonene, and 1,8-diazabicyclo [5.3.0] -7-undecene.

제4급 암모늄히드록시드로서는, 예를 들면 테트라메틸암모늄히드록시드, 테트라에틸암모늄히드록시드, 테트라-n-부틸암모늄히드록시드, 테트라-n-헥실암모늄히드록시드 등을 들 수 있다.Examples of quaternary ammonium hydroxides include tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, tetra-n-butylammonium hydroxide and tetra-n-hexylammonium hydroxide .

카르복시산의 제4급 암모늄염으로서는, 예를 들면 테트라메틸암모늄아세테이트, 테트라메틸암모늄벤조에이트, 테트라-n-부틸암모늄아세테이트, 테트라-n-부틸암모늄벤조에이트 등을 들 수 있다.Examples of the quaternary ammonium salt of carboxylic acid include tetramethylammonium acetate, tetramethylammonium benzoate, tetra-n-butylammonium acetate and tetra-n-butylammonium benzoate.

본 발명에 사용할 수 있는 염기성 화합물은, 1종 단독으로 사용해도, 2종 이상을 병용해도 되지만, 2종 이상을 병용하는 것이 바람직하고, 2종을 병용하는 것이 보다 바람직하며, 복소환식 아민을 2종 병용하는 것이 더 바람직하다.The basic compounds which can be used in the present invention may be used singly or in combination of two or more kinds. However, two or more kinds of basic compounds are preferably used together, and more preferably two kinds of basic compounds are used. It is more preferable to use them in combination.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 염기성 화합물의 함유량은, 성분 A 및 성분 B의 총 함유량 100중량부에 대하여, 0.001∼1중량부인 것이 바람직하고, 0.002∼0.2중량부인 것이 보다 바람직하다.The content of the basic compound in the photosensitive resin composition of the present invention is preferably 0.001 to 1 part by weight, more preferably 0.002 to 0.2 part by weight based on 100 parts by weight of the total content of component A and component B.

〔가교제〕[Crosslinking agent]

본 발명의 감광성 수지 조성물은, 필요에 따라, 가교제를 함유하는 것이 바람직하다. 가교제를 첨가함으로써, 본 발명의 감광성 수지 조성물에 의해 얻어지는 경화막을 보다 강고한 막으로 할 수 있다.The photosensitive resin composition of the present invention preferably contains a crosslinking agent, if necessary. By adding a crosslinking agent, the cured film obtained by the photosensitive resin composition of the present invention can be made into a stronger film.

가교제로서는, 예를 들면 이하에 서술하는 분자 내에 2개 이상의 에폭시기 또는 옥세타닐기를 갖는 화합물, 알콕시메틸기 함유 가교제, 적어도 1개의 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물, 또는, 블록 이소시아네이트계 가교제를 첨가할 수 있다.As the crosslinking agent, for example, a compound having two or more epoxy groups or oxetanyl groups in the molecule, an alkoxymethyl group-containing crosslinking agent, a compound having at least one ethylenically unsaturated double bond, or a block isocyanate crosslinking agent .

이들 가교제 중에서, 분자 내에 2개 이상의 에폭시기 또는 옥세타닐기를 갖는 화합물이 바람직하고, 에폭시 수지가 특히 바람직하다.Of these crosslinking agents, compounds having two or more epoxy groups or oxetanyl groups in the molecule are preferable, and epoxy resins are particularly preferable.

본 발명의 감광성 수지 조성물 중에 있어서의 가교제의 첨가량은, 감광성 수지 조성물의 전 고형분에 대하여, 0.05∼50중량부인 것이 바람직하고, 0.5∼44중량부인 것이 보다 바람직하며, 3∼40중량부인 것이 더 바람직하다. 이 범위로 첨가함으로써, 기계적 강도 및 내용제성이 우수한 경화막을 얻을 수 있다.The amount of the crosslinking agent to be added in the photosensitive resin composition of the present invention is preferably 0.05 to 50 parts by weight, more preferably 0.5 to 44 parts by weight, more preferably 3 to 40 parts by weight, relative to the total solid content of the photosensitive resin composition Do. When added in this range, a cured film excellent in mechanical strength and solvent resistance can be obtained.

-분자 내에 2개 이상의 에폭시기 또는 옥세타닐기를 갖는 화합물-- a compound having two or more epoxy groups or oxetanyl groups in the molecule -

분자 내에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 화합물의 구체예로서는, 비스페놀A형 에폭시 수지, 비스페놀F형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 지방족 에폭시 수지 등을 들 수 있다.Specific examples of the compound having two or more epoxy groups in the molecule include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin, cresol novolak type epoxy resin and aliphatic epoxy resin.

이들은 시판품으로서 입수할 수 있다. 예를 들면 비스페놀A형 에폭시 수지로서는, JER827, JER828, JER834, JER1001, JER1002, JER1003, JER1055, JER1007, JER1009, JER1010(이상, 쟈판에폭시레진(주)제), EPICLON860, EPICLON1050, EPICLON1051, EPICLON1055(이상, DIC(주)제) 등이며, 비스페놀F형 에폭시 수지로서는, JER806, JER807, JER4004, JER4005, JER4007, JER4010(이상, 쟈판에폭시레진(주)제), EPICLON830, EPICLON835(이상, DIC(주)제), LCE-21, RE-602S(이상, 니혼카야쿠(주)제) 등이며, 페놀노볼락형 에폭시 수지로서는, JER152, JER154, JER157S70, JER157S65(이상, 쟈판에폭시레진(주)제), EPICLON N-740, EPICLON N-740, EPICLON N-770, EPICLON N-775(이상, DIC(주)제) 등이며, 크레졸노볼락형 에폭시 수지로서는, EPICLON N-660, EPICLON N-665, EPICLON N-670, EPICLON N-673, EPICLON N-680, EPICLON N-690, EPICLON N-695(이상, DIC(주)제), EOCN-1020(이상, 니혼카야쿠(주)제) 등이며, 지방족 에폭시 수지로서는, ADEKA RESIN EP-4080S, 동(同) EP-4085S, 동 EP-4088S(이상, (주)ADEKA제), 세록사이드 2021P, 세록사이드 2081, 세록사이드 2083, 세록사이드 2085, EHPE3150, EPOLEAD PB 3600, 동 PB 4700(이상, 다이세루가가쿠고교(주)제) 등이다. 그 밖에도, ADEKA RESIN EP-4000S, 동 EP-4003S, 동 EP-4010S, 동 EP-4011S(이상, (주)ADEKA제), NC-2000, NC-3000, NC-7300, XD-1000, EPPN-501, EPPN-502(이상, (주)ADEKA제), 데나콜 EX-611, EX-612, EX-614, EX-614B, EX-622, EX-512, EX-521, EX-411, EX-421, EX-313, EX-314, EX-321, EX-211, EX-212, EX-810, EX-811, EX-850, EX-851, EX-821, EX-830, EX-832, EX-841, EX-911, EX-941, EX-920, EX-931, EX-212L, EX-214L, EX-216L, EX-321L, EX-850L, DLC-201, DLC-203, DLC-204, DLC-205, DLC-206, DLC-301, DLC-402(이상 나가세켐텍스(주)제), YH-300, YH-301, YH-302, YH-315, YH-324, YH-325(이상 신닛테츠가가쿠(주)제) 등을 들 수 있다.These are available as commercial products. Examples of the bisphenol A type epoxy resin include epoxy resins such as JER827, JER828, JER834, JER1001, JER1002, JER1003, JER1055, JER1007, JER1009, JER1010 (manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd.), EPICLON860, EPICLON1050, EPICLON1051, EPICLON1055 JER4005, JER4007, and JER4010 (manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd.), EPICLON 830, EPICLON 835 (manufactured by DIC Corporation), and the like can be used as the bisphenol F type epoxy resin. JER152, JER154, JER157S70, and JER157S65 (manufactured by Japan Epoxy Resins Co., Ltd.) as the phenol novolak type epoxy resin, EPICLON N-760, EPICLON N-770, EPICLON N-770 and EPICLON N-775 (manufactured by DIC Corporation) EPICLON N-670, EPICLON N-670, EPICLON N-670, EPICLON N-680, EPICLON N-690 and EPICLON N-695 (manufactured by DIC Corporation) As the aliphatic epoxy resin, ADEKA RESIN EP -4080S, copper EP-4085S, copper EP-4088S (manufactured by ADEKA Corporation), seroxid 2021P, seroxide 2081, seroxide 2083, seroxide 2085, EHPE 3150, EPOLEAD PB 3600, copper PB 4700 (Manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd.). In addition, ADEKA RESIN EP-4000S, EP-4003S, EP-4010S and EP-4011S (manufactured by ADEKA), NC-2000, NC-3000, NC-7300, XD- -501, EPPN-502 (manufactured by ADEKA Corporation), Denacol EX-611, EX-612, EX-614, EX-614B, EX- EX-821, EX-810, EX-810, EX-810, EX- DLC-201, DLC-203, EX-820, EX-841, EX-911, EX-941, EX-920, EX- YH-300, YH-301, YH-302, YH-315, YH-324, DLC-204, DLC-205, DLC-206, DLC-301 and DLC- YH-325 (manufactured by Shinnitetsu Kagaku Co., Ltd.).

이들은 1종 단독 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.These may be used alone or in combination of two or more.

이들 중에서도, 에폭시 수지를 바람직하게 들 수 있고, 비스페놀A형 에폭시 수지, 비스페놀F형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지 및 지방족 에폭시 수지를 보다 바람직하게 들 수 있으며, 비스페놀A형 에폭시 수지를 특히 바람직하게 들 수 있다.Among them, an epoxy resin is preferable, and a bisphenol A type epoxy resin, a bisphenol F type epoxy resin, a phenol novolac type epoxy resin and an aliphatic epoxy resin are more preferable, and a bisphenol A type epoxy resin is particularly preferable .

분자 내에 2개 이상의 옥세타닐기를 갖는 화합물의 구체예로서는, 아론옥세탄 OXT-121, OXT-221, OX-SQ, PNOX(이상, 도오아고오세이(주)제)를 사용할 수 있다.As specific examples of the compound having two or more oxetanyl groups in the molecule, Aromoxetane OXT-121, OXT-221, OX-SQ and PNOX (manufactured by Dowa Kasei Co., Ltd.) can be used.

또한, 옥세타닐기를 함유하는 화합물은, 단독으로 또는 에폭시기를 함유하는 화합물과 혼합하여 사용하는 것이 바람직하다.The oxetanyl group-containing compound is preferably used alone or in combination with a compound containing an epoxy group.

분자 내에 2개 이상의 에폭시기 또는 옥세타닐기를 갖는 화합물의 본 발명의 감광성 수지 조성물에의 첨가량은, 성분 A 및 성분 B의 총 함유량을 100중량부로 했을 때, 1∼50중량부가 바람직하고, 3∼30중량부가 보다 바람직하다.The amount of the compound having two or more epoxy groups or oxetanyl groups in the molecule added to the photosensitive resin composition of the present invention is preferably 1 to 50 parts by weight, more preferably 3 to 50 parts by weight, based on 100 parts by weight of the total content of the component A and the component B. [ More preferably 30 parts by weight.

-알콕시메틸기 함유 가교제-- crosslinking agent containing an alkoxymethyl group -

알콕시메틸기 함유 가교제로서는, 알콕시메틸화 멜라민, 알콕시메틸화 벤조구아나민, 알콕시메틸화 글리콜루릴 및 알콕시메틸화 요소 등이 바람직하다. 이들은, 각각 메틸올화 멜라민, 메틸올화 벤조구아나민, 메틸올화 글리콜루릴, 또는, 메틸올화 요소의 메틸올기를 알콕시메틸기로 변환함으로써 얻을 수 있다. 이 알콕시메틸기의 종류에 대해서는 특별히 한정되는 것이 아니라, 예를 들면 메톡시메틸기, 에톡시메틸기, 프로폭시메틸기, 부톡시메틸기 등을 들 수 있지만, 아웃 가스의 발생량의 관점에서, 특히 메톡시메틸기가 바람직하다.As the alkoxymethyl group-containing crosslinking agent, alkoxymethylated melamine, alkoxymethylated benzoguanamine, alkoxymethylated glycoluril and alkoxymethylated urea are preferable. These can be obtained by converting methylol melamine, methylol benzoguanamine, methylol glycoluril, or methylol group of methylol group into alkoxymethyl group, respectively. The kind of the alkoxymethyl group is not particularly limited, and examples thereof include a methoxymethyl group, an ethoxymethyl group, a propoxymethyl group, and a butoxymethyl group. From the viewpoint of the amount of generated outgas, in particular, a methoxymethyl group desirable.

이들 알콕시메틸기 함유 가교제 중, 알콕시메틸화 멜라민, 알콕시메틸화 벤조구아나민, 알콕시메틸화 글리콜루릴을 바람직한 가교제로서 들 수 있고, 투명성의 관점에서, 알콕시메틸화 글리콜루릴이 특히 바람직하다.Among these alkoxymethyl group-containing crosslinking agents, alkoxymethylated melamine, alkoxymethylated benzoguanamine, and alkoxymethylated glycoluril are preferable crosslinking agents. From the viewpoint of transparency, alkoxymethylated glycoluril is particularly preferable.

이들 알콕시메틸기 함유 가교제는, 시판품으로서 입수 가능하며, 예를 들면 사이멜 300, 301, 303, 370, 325, 327, 701, 266, 267, 238, 1141, 272, 202, 1156, 1158, 1123, 1170, 1174, UFR65, 300(이상, 미츠이사이아나미드(주)제), 니카락 MX-750, -032, -706, -708, -40, -31, -270, -280, -290, 니카락 MS-11, 니카락 MW-30HM, -100LM, -390(이상, (주) 산와케미컬제) 등을 바람직하게 사용할 수 있다.These alkoxymethyl group-containing crosslinking agents are commercially available, for example, from Cymel 300, 301, 303, 370, 325, 327, 701, 266, 267, 238, 1141, 272, 202, 1156, 1158, 1123, 1170, 1174, UFR 65, 300 (manufactured by Mitsui Cyanamid Co.), NIKARAK MX-750, -032, -706, -708, -40, -31, -270, -280, -290, NIKARAK MS-11, NIKARAK MW-30HM, -100 LM, -390 (manufactured by SANWA CHEMICAL CO., LTD.) And the like can be preferably used.

본 발명의 감광성 수지 조성물로 알콕시메틸기 함유 가교제를 사용할 경우의 알콕시메틸기 함유 가교제의 첨가량은, 성분 A 및 성분 B의 총 함유량 100중량부에 대하여, 0.05∼50중량부인 것이 바람직하고, 0.5∼10중량부인 것이 보다 바람직하다. 이 범위로 첨가함으로써, 현상시의 바람직한 알칼리 용해성과, 경화 후의 막이 우수한 내용제성을 얻을 수 있다.When an alkoxymethyl group-containing crosslinking agent is used in the photosensitive resin composition of the present invention, the amount of the alkoxymethyl group-containing crosslinking agent to be added is preferably 0.05 to 50 parts by weight, more preferably 0.5 to 10 parts by weight per 100 parts by weight of the total content of the components A and B It is more desirable to be negative. When added in this range, it is possible to obtain favorable alkali solubility at the time of development and excellent solvent resistance of the film after curing.

-적어도 1개의 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물-- a compound having at least one ethylenically unsaturated double bond -

적어도 1개의 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물로서는, 단관능 (메타)아크릴레이트, 2관능 (메타)아크릴레이트, 3관능 이상의 (메타)아크릴레이트 등의 (메타)아크릴레이트 화합물을 호적하게 사용할 수 있다.As the compound having at least one ethylenic unsaturated double bond, a (meth) acrylate compound such as monofunctional (meth) acrylate, bifunctional (meth) acrylate or trifunctional or higher functional (meth) have.

단관능 (메타)아크릴레이트로서는, 예를 들면 2-히드록시에틸(메타)아크릴레이트, 카르비톨(메타)아크릴레이트, 이소보르닐(메타)아크릴레이트, 3-메톡시부틸(메타)아크릴레이트, 2-(메타)아크릴로일옥시에틸-2-히드록시프로필프탈레이트 등을 들 수 있다.Examples of the monofunctional (meth) acrylate include 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, carbitol (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate, 3-methoxybutyl , 2- (meth) acryloyloxyethyl-2-hydroxypropyl phthalate, and the like.

2관능 (메타)아크릴레이트로서는, 예를 들면 에틸렌글리콜(메타)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메타)아크릴레이트, 1,9-노난디올디(메타)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 비스페녹시에탄올플루오렌디아크릴레이트, 비스페녹시에탄올플루오렌디아크릴레이트 등을 들 수 있다.Examples of the bifunctional (meth) acrylate include ethylene glycol (meth) acrylate, 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, 1,9-nonanediol (meth) acrylate, polypropylene glycol di (Meth) acrylate, tetraethylene glycol di (meth) acrylate, bisphenoxyethanol fluorene diacrylate, and bisphenoxyethanol fluorene diacrylate.

3관능 이상의 (메타)아크릴레이트로서는, 예를 들면 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메타)아크릴레이트, 트리(메타)아크릴로일옥시에틸)포스페이트, 펜타에리트리톨테트라(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다.Examples of the trifunctional or higher (meth) acrylate include trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, tri (meth) acryloyloxyethyl) phosphate, pentaerythritol tetra (Meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, and the like.

이들 중 적어도 1개의 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물은, 1종 단독 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.These compounds having at least one ethylenic unsaturated double bond among them may be used singly or in combination of two or more kinds.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 적어도 1개의 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물의 사용 비율은, 성분 A 및 성분 B의 총 함유량 100중량부에 대하여, 50중량부 이하인 것이 바람직하고, 30중량부 이하인 것이 보다 바람직하다. 이와 같은 비율로 적어도 1개의 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물을 함유시킴으로써, 본 발명의 감광성 수지 조성물로부터 얻어지는 경화막의 내열성 및 표면 경도 등을 향상시킬 수 있다. 적어도 1개의 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물을 가할 경우에는, 후술하는 열 라디칼 발생제를 첨가하는 것이 바람직하다.The proportion of the compound having at least one ethylenically unsaturated double bond in the photosensitive resin composition of the present invention is preferably 50 parts by weight or less based on 100 parts by weight of the total content of the component A and the component B, Or less. By containing a compound having at least one ethylenically unsaturated double bond in such a ratio, the heat resistance and surface hardness of the cured film obtained from the photosensitive resin composition of the present invention can be improved. When a compound having at least one ethylenically unsaturated double bond is added, it is preferable to add a thermal radical generator described later.

-블록 이소시아네이트계 가교제-- Block isocyanate cross-linking agent -

블록 이소시아네이트계 가교제로서는, 블록 이소시아네이트기를 갖는 화합물(블록 이소시아네이트 화합물)이면 특별히 제한은 없지만, 경화성의 관점에서, 1 분자 내에 2 이상의 블록 이소시아네이트기를 갖는 화합물인 것이 바람직하다.The block isocyanate cross-linking agent is not particularly limited as long as it is a compound having a block isocyanate group (block isocyanate compound), but from the viewpoint of curability, it is preferably a compound having two or more block isocyanate groups in one molecule.

또한, 본 발명에 있어서의 블록 이소시아네이트기란, 열에 의해 이소시아네이트기를 생성하는 것이 가능한 기이며, 예를 들면 블록제와 이소시아네이트기를 반응시켜 이소시아네이트기를 보호한 기를 바람직하게 예시할 수 있다. 또한, 상기 블록 이소시아네이트기는, 90℃∼250℃의 열에 의해 이소시아네이트기를 생성하는 것이 가능한 기인 것이 바람직하다.In addition, the block isocyanate group in the present invention is a group capable of generating an isocyanate group by heat, and for example, a group in which an isocyanate group is protected by reacting a block agent with an isocyanate group can be preferably exemplified. The block isocyanate group is preferably a group capable of generating an isocyanate group by heat at 90 to 250 캜.

또한, 블록 이소시아네이트계 가교제로서는, 그 골격은 특별히 한정되는 것이 아니라, 헥사메틸렌디이소시아네이트(HDI) 골격, 이소포론디이소시아네이트(IPDI) 골격, 및 HDI나 IPDI로부터 파생하는 프리폴리머형 골격의 화합물을 호적하게 사용할 수 있다.The skeleton of the block isocyanate-based crosslinking agent is not particularly limited, and a skeleton of a hexamethylene diisocyanate (HDI) skeleton, an isophorone diisocyanate (IPDI) skeleton and a prepolymer skeleton derived from HDI or IPDI Can be used.

상기 블록 이소시아네이트기에 있어서의 이소시아네이트기의 블록제로서는, 특별히 한정되는 것이 아니라, 디에스테르 화합물 등의 활성 메틸렌 화합물, 옥심 화합물, 락탐 화합물, 아민 화합물 등의 활성 수소 화합물을 바람직하게 사용할 수 있다. 이들 중에서도, 반응성의 관점에서, 활성 메틸렌 화합물이 특히 바람직하다.The blocking agent of the isocyanate group in the block isocyanate group is not particularly limited, and active hydrogen compounds such as active methylene compounds, oxime compounds, lactam compounds and amine compounds such as diester compounds can be preferably used. Of these, active methylene compounds are particularly preferable from the viewpoint of reactivity.

상기 활성 메틸렌 화합물로서는, 말론산디에틸, 말론산디메틸, 아세토아세트산에틸, 아세토아세트산메틸 등을 예시할 수 있다.Examples of the active methylene compound include diethyl malonate, dimethyl malonate, ethyl acetoacetate, and methyl acetoacetate.

상기 옥심 화합물로서는, 시클로헥산온옥심, 벤조페논옥심, 아세톡심 등을 예시할 수 있다.Examples of the oxime compounds include cyclohexanone oxime, benzophenone oxime, and acetoxime.

상기 락탐 화합물로서는, ε-카프로락탐, γ-부티로락탐 등을 예시할 수 있다.Examples of the lactam compound include ε-caprolactam, γ-butyrolactam, and the like.

상기 아민 화합물로서는, 아닐린, 디페닐아민, 에틸렌이민, 폴리에틸렌이민 등을 예시할 수 있다.Examples of the amine compound include aniline, diphenylamine, ethyleneimine, and polyethyleneimine.

또한, 상기 활성 수소 화합물은, 하기 식에 나타내는 바와 같이 이소시아네이트기와 반응하여, 블록 이소시아네이트기를 형성한다.Further, the active hydrogen compound reacts with an isocyanate group to form a block isocyanate group as shown in the following formula.

R-NCO+H-R'→R-NH-C(=O)-R'R-NCO + H-R '? R-NH-C (= O)

(식 중, H-R'는 활성 수소 화합물을 나타내고, H-R'에 있어서의 H는 활성 수소 원자를 나타내며, R은 이소시아네이트 화합물에 있어서의 당해 이소시아네이트기 이외의 부분을 나타내고, R'는 활성 수소 화합물에 있어서의 당해 활성 수소 원자 이외의 부분을 나타낸다.)(Wherein H - R 'represents an active hydrogen compound, H in H - R' represents an active hydrogen atom, R represents a part other than the isocyanate group in the isocyanate compound, and R ' Represents a part other than the active hydrogen atom in the hydrogen compound.)

이들 블록 이소시아네이트계 가교제는, 시판품으로서 입수 가능하며, 예를 들면 듀라네이트 MF-K60X, MF-K60B, MF-B60X, 17B-60P, TPA-B80E, E402-B80B, SBN-70D, K6000(이상, 아사히카세이케미컬(주)제), 데스모듈 BL3272, BL3575/1, BL3475, BL3370, BL4265, BL5375, VPLS2376/1, VPLS2257, VPLS2078/1, VPLS2352/1, 스미줄 BL3175(이상, 스미카바이에르우레탄(주)제), 우레하이퍼 PUR-1804(DIC(주)제) 등을 바람직하게 사용할 수 있다. 이들 중에서도, 듀라네이트 MF-K60X, MF-K60B, SBN-70D, K6000이 특히 바람직하다.These block isocyanate-based cross-linking agents are available as commercial products, for example, DURANATE MF-K60X, MF-K60B, MF-B60X, 17B-60P, TPA-B80E, E402-B80B, SBN- (Manufactured by Asahi Kasei Chemical Co., Ltd.), Desmodule BL3272, BL3575 / 1, BL3475, BL3370, BL4265, BL5375, VPLS2376 / 1, VPLS2257, VPLS2078 / 1, VPLS2352 / ), Urea Hyper PUR-1804 (manufactured by DIC Corporation), and the like can be preferably used. Of these, the durenate MF-K60X, MF-K60B, SBN-70D and K6000 are particularly preferable.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 블록 이소시아네이트계 가교제를 사용할 경우의 블록 이소시아네이트계 가교제의 첨가량은, 성분 A100중량부에 대하여, 0.1∼50중량부인 것이 바람직하고, 1∼20중량부인 것이 보다 바람직하며, 2∼15중량부인 것이 더 바람직하다. 이 범위로 첨가함으로써, 높은 감도와, 현상시의 바람직한 알칼리 용해성을 얻을 수 있다.When the block-isocyanate-based crosslinking agent is used in the photosensitive resin composition of the present invention, the amount of the block isocyanate-based crosslinking agent to be added is preferably from 0.1 to 50 parts by weight, more preferably from 1 to 20 parts by weight, By weight to 15 parts by weight. When added in this range, high sensitivity and favorable alkali solubility at the time of development can be obtained.

〔밀착 개량제〕[Adhesion improver]

본 발명의 감광성 수지 조성물은, 기판 밀착성의 관점에서, 밀착 개량제를 함유하는 것이 바람직하다.The photosensitive resin composition of the present invention preferably contains an adhesion improver from the viewpoint of substrate adhesion.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 사용할 수 있는 밀착 개량제는, 기판이 되는 무기물, 예를 들면 실리콘, 산화 실리콘, 질화 실리콘 등의 실리콘 화합물, 몰리브덴, 티타늄, 산화인듐주석, 금, 구리, 알루미늄 등의 금속과 절연막의 밀착성을 향상시키는 화합물이다. 구체적으로는, 실란커플링제, 티올계 화합물 등을 들 수 있다. 본 발명에서 사용되는 밀착 개량제로서의 실란커플링제는, 계면의 개질을 목적으로 하는 것이며, 특별히 한정하지 않고, 공지의 것을 사용할 수 있다.The adhesion improver that can be used in the photosensitive resin composition of the present invention may be an inorganic compound such as a silicon compound such as silicon, silicon oxide, or silicon nitride, a metal such as molybdenum, titanium, indium tin oxide, gold, And the adhesion of the insulating film. Specific examples thereof include silane coupling agents and thiol compounds. The silane coupling agent used as the adhesion improver for use in the present invention is not specifically limited and any known silane coupling agent may be used for the purpose of modifying the interface.

이들 중에서도, 실란커플링제를 바람직하게 예시할 수 있다.Among them, a silane coupling agent can be preferably exemplified.

바람직한 실란커플링제로서는, 예를 들면 γ-아미노프로필트리메톡시실란, γ-아미노프로필트리에톡시실란, γ-글리시독시프로필트리알콕시실란, γ-글리시독시프로필알킬디알콕시실란, γ-메타크릴옥시프로필트리알콕시실란, γ-메타크릴옥시프로필알킬디알콕시실란, γ-클로로프로필트리알콕시실란, γ-메르캅토프로필트리알콕시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리알콕시실란, 비닐트리알콕시실란을 들 수 있다.Preferable silane coupling agents include, for example,? -Aminopropyltrimethoxysilane,? -Aminopropyltriethoxysilane,? -Glycidoxypropyltrialkoxysilane,? -Glycidoxypropylalkyldialkoxysilane,? - Methacryloxypropyltrialkoxysilane,? -Mercaptopropyltrialkoxysilane,? - (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrialkoxysilane,? -Methacryloxypropyltrialkoxysilane,? - Silane, and vinyltrialkoxysilane.

이들 중, γ-글리시독시프로필트리알콕시실란, 및 γ-메타크릴옥시프로필트리알콕시실란이 보다 바람직하고, γ-글리시독시프로필트리알콕시실란이 더 바람직하다.Of these,? -Glycidoxypropyltrialkoxysilane and? -Methacryloxypropyltrialkoxysilane are more preferable, and? -Glycidoxypropyltrialkoxysilane is more preferable.

이들은 1종 단독 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 이들은 기판과의 밀착성의 향상에 유효함과 함께, 기판과의 테이퍼각의 조정에도 유효하다.These may be used alone or in combination of two or more. These are effective for improving the adhesion with the substrate, and are also effective for adjusting the taper angle with the substrate.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 밀착 개량제의 함유량은, 성분 A 및 성분 B의 총 함유량 100중량부에 대하여, 0.1∼20중량부가 바람직하고, 0.5∼10중량부가 보다 바람직하다.The content of the adhesion improver in the photosensitive resin composition of the present invention is preferably 0.1 to 20 parts by weight, more preferably 0.5 to 10 parts by weight, per 100 parts by weight of the total content of Component A and Component B.

〔계면 활성제〕〔Surfactants〕

본 발명의 감광성 수지 조성물은, 도포성의 관점에서, 계면 활성제를 함유하는 것이 바람직하다.The photosensitive resin composition of the present invention preferably contains a surfactant from the viewpoint of coatability.

계면 활성제로서는, 음이온계, 양이온계, 비이온계, 또는, 양성(兩性) 중 어느 것도 사용할 수 있지만, 바람직한 계면 활성제는 비이온계 계면 활성제이다.As the surfactant, any of anionic, cationic, nonionic, or amphoteric surfactants may be used, but a preferred surfactant is a nonionic surfactant.

비이온계 계면 활성제의 예로서는, 폴리옥시에틸렌 고급 알킬에테르류, 폴리옥시에틸렌 고급 알킬페닐에테르류, 폴리옥시에틸렌글리콜의 고급 지방산 디에스테르류, 불소계, 실리콘계 계면 활성제를 들 수 있다.Examples of the nonionic surfactant include polyoxyethylene higher alkyl ethers, polyoxyethylene higher alkyl phenyl ethers, higher fatty acid diesters of polyoxyethylene glycol, fluorine series, and silicone surfactants.

본 발명의 감광성 수지 조성물은, 계면 활성제로서, 불소계 계면 활성제, 및/또는, 실리콘계 계면 활성제를 함유하는 것이 보다 바람직하다.It is more preferable that the photosensitive resin composition of the present invention contains a fluorine-based surfactant and / or a silicon-based surfactant as a surfactant.

이들 불소계 계면 활성제, 실리콘계 계면 활성제로서, 예를 들면 일본국 특개소62-36663호, 일본국 특개소61-226746호, 일본국 특개소61-226745호, 일본국 특개소62-170950호, 일본국 특개소63-34540호, 일본국 특개평7-230165호, 일본국 특개평8-62834호, 일본국 특개평9-54432호, 일본국 특개평9-5988호, 일본국 특개2001-330953호 각 공보 기재의 계면 활성제를 들 수 있고, 시판하는 계면 활성제를 사용할 수도 있다.Examples of these fluorine-based surfactants and silicone-based surfactants include those described in Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 62-36663, 61-226746, 61-226745, 62-170950, Japanese Patent Application Laid-Open No. 63-34540, Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-230165, Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-62834, Japanese Laid-Open Patent Application No. 9-54432, Japanese Laid-Open Patent Application No. 9-5988, A surfactant described in each publication, and a commercially available surfactant may be used.

사용할 수 있는 시판하는 계면 활성제로서, 예를 들면 에프톱 EF301, EF303(이상, 신아키타카세이(주)제), 프로라이드 FC430, 431(이상, 스미토모스리엠(주)제), 메가팩 F171, F173, F176, F189, R08(이상, DIC(주)제), 서프론 S-382, SC101, 102, 103, 104, 105, 106(이상, 아사히가라스(주)제), PolyFox 시리즈(OMNOVA샤제) 등의 불소계 계면 활성제 또는 실리콘계 계면 활성제를 들 수 있다. 또한, 폴리실록산 폴리머 KP-341(신에츠가가쿠고교(주)제)도, 실리콘계 계면 활성제로서 사용할 수 있다.(Commercially available from Shin-A KITAKA SEI Co., Ltd.), Prolide FC 430, 431 (manufactured by Sumitomo 3M Co., Ltd.), Megafac F171, and others available as commercially available surfactants, F173, F176, F189 and R08 (manufactured by DIC Corporation), Surflon S-382, SC101, 102, 103, 104, 105 and 106 (manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.), PolyFox series (OMNOVA And fluorinated surfactants such as fluorinated surfactants and silicone surfactants. The polysiloxane polymer KP-341 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) can also be used as a silicone surfactant.

또한, 계면 활성제로서, 하기 식 (1)로 표시되는 구성 단위 A 및 구성 단위 B를 함유하여, 테트라히드로푸란(THF)을 용매로 했을 경우의 겔투과 크로마토그래피로 측정되는 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량(Mw)이 1,000 이상 10,000 이하인 공중합체를 바람직한 예로서 들 수 있다.The surfactant may further contain, as a surfactant, the structural unit A and the structural unit B represented by the following formula (1) and having a weight average molecular weight in terms of polystyrene measured by gel permeation chromatography when tetrahydrofuran (THF) (Mw) of 1,000 or more and 10,000 or less can be mentioned as a preferable example.

Figure 112012066016297-pat00043
Figure 112012066016297-pat00043

(식 (1) 중, R1 및 R3은 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R2은 탄소수 1 이상 4 이하의 직쇄 알킬렌기를 나타내며, R4은 수소 원자 또는 탄소수 1 이상 4 이하의 알킬기를 나타내고, L은 탄소수 3 이상 6 이하의 알킬렌기를 나타내며, p 및 q는 중합비를 나타내는 중량 백분률이며, p는 10중량% 이상 80중량% 이하의 수치를 나타내고, q는 20중량% 이상 90중량% 이하의 수치를 나타내며, r은 1 이상 18 이하의 정수를 나타내고, n은 1 이상 10 이하의 정수를 나타낸다.)(Wherein R 1 and R 3 are each independently a hydrogen atom or a methyl group, R 2 is a straight chain alkylene group having 1 to 4 carbon atoms and R 4 is a hydrogen atom or a C1- P represents an alkylene group having 3 to 6 carbon atoms, p and q each represent a weight percentage representing a polymerization ratio, p represents a value of 10 wt% or more and 80 wt% or less, q represents a weight % Or more and 90% or less by weight, r is an integer of 1 or more and 18 or less, and n is an integer of 1 or more and 10 or less.

상기 L은, 하기 식 (2)로 표시되는 분기 알킬렌기인 것이 바람직하다. 식 (2)에서의 R5은, 탄소수 1 이상 4 이하의 알킬기를 나타내고, 상용성(相溶性)과 피(被)도포면에 대한 젖음성의 점에서, 탄소수 1 이상 3 이하의 알킬기가 바람직하고, 탄소수 2 또는 3의 알킬기가 보다 바람직하다.It is preferable that L is a branched alkylene group represented by the following formula (2). R 5 in the formula (2) represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms and is preferably an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms in terms of compatibility and wettability to a coated surface, More preferably an alkyl group having 2 or 3 carbon atoms.

Figure 112012066016297-pat00044
Figure 112012066016297-pat00044

상기 공중합체의 중량 평균 분자량(Mw)은, 1,500 이상 5,000 이하가 보다 바람직하다.The weight average molecular weight (Mw) of the copolymer is more preferably from 1,500 to 5,000.

이들 계면 활성제는, 1종 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.These surfactants may be used singly or in combination of two or more.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 계면 활성제의 첨가량은, 성분 A 및 성분 B의 총 함유량 100중량부에 대하여, 10중량부 이하인 것이 바람직하고, 0.01∼10중량부인 것이 보다 바람직하며, 0.01∼1중량부인 것이 더 바람직하다.The amount of the surfactant to be added in the photosensitive resin composition of the present invention is preferably 10 parts by weight or less, more preferably 0.01 to 10 parts by weight, more preferably 0.01 to 1 part by weight based on 100 parts by weight of the total content of Component A and Component B More preferably by weight.

〔현상 촉진제〕[Development promoter]

본 발명의 감광성 수지 조성물은, 현상 촉진제를 함유하는 것이 바람직하다.The photosensitive resin composition of the present invention preferably contains a development accelerator.

현상 촉진제로서는, 현상 촉진 효과가 있는 임의의 화합물을 사용할 수 있지만, 카르복시기, 페놀성 수산기, 및 알킬렌옥시기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 기를 갖는 화합물인 것이 바람직하고, 카르복시기 또는 페놀성 수산기를 갖는 화합물이 보다 바람직하며, 페놀성 수산기를 갖는 화합물이 가장 바람직하다.As the development accelerator, any compound having a phenomenon of promoting development may be used, but it is preferably a compound having at least one kind of group selected from the group consisting of a carboxyl group, a phenolic hydroxyl group and an alkyleneoxy group, and a carboxyl group or a phenolic hydroxyl group Is more preferable, and a compound having a phenolic hydroxyl group is most preferable.

또한, 현상 촉진제의 분자량으로서는, 100∼2,000이 바람직하고, 150∼1,500이 더 바람직하며, 150∼1,000이 특히 바람직하다.The molecular weight of the development promoter is preferably 100 to 2,000, more preferably 150 to 1,500, and particularly preferably 150 to 1,000.

현상 촉진제의 예로서, 알킬렌옥시기를 갖는 것으로서는, 폴리에틸렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜의 모노메틸에테르, 폴리에틸렌글리콜의 디메틸에테르, 폴리에틸렌글리콜글리세릴에스테르, 폴리프로필렌글리콜글리세릴에스테르, 폴리프로필렌글리콜디글리세릴에스테르, 폴리부틸렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜-비스페놀A에테르, 폴리프로필렌글리콜-비스페놀A에테르, 폴리옥시에틸렌의 알킬에테르, 폴리옥시에틸렌의 알킬에스테르, 및 일본국 특개평9-222724호 공보에 기재된 화합물 등을 들 수 있다.As examples of the development accelerator, those having an alkyleneoxy group include polyethylene glycol, monomethyl ether of polyethylene glycol, dimethyl ether of polyethylene glycol, polyethylene glycol glyceryl ester, polypropylene glycol glyceryl ester, polypropylene glycol diglyceryl ester , Polybutylene glycol, polyethylene glycol-bisphenol A ether, polypropylene glycol-bisphenol A ether, alkyl ether of polyoxyethylene, alkyl ester of polyoxyethylene, and compounds described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-222724 .

카르복시기를 갖는 것으로서는, 일본국 특개2000-66406호 공보, 일본국 특개평9-6001호 공보, 일본국 특개평10-20501호 공보, 일본국 특개평11-338150호 공보 등에 기재된 화합물을 들 수 있다.Examples of compounds having a carboxyl group include compounds described in JP 2000-66406 A, JP 9-6001 B, JP 10-20501 A, JP 11-338150 A, and the like have.

페놀성 수산기를 갖는 것으로서는, 일본국 특개2005-346024호 공보, 일본국 특개평10-133366호 공보, 일본국 특개평9-194415호 공보, 일본국 특개평9-222724호 공보, 일본국 특개평11-171810호 공보, 일본국 특개2007-121766호 공보, 일본국 특개평9-297396호 공보, 일본국 특개2003-43679호 공보 등에 기재된 화합물을 들 수 있다. 이들 중에서도, 벤젠환수가 2∼10개의 페놀 화합물이 호적하며, 벤젠환수가 2∼5개의 페놀 화합물이 더 호적하다. 특히 바람직한 것으로서는, 일본국 특개평10-133366호 공보에 용해 촉진제로서 개시되어 있는 페놀성 화합물을 들 수 있다.Examples of those having a phenolic hydroxyl group include those disclosed in JP-A-2005-346024, JP-A-10-133366, JP-A-9-194415, JP-A-9-222724, The compounds described in JP-A-11-171810, JP-A-2007-121766, JP-A-9-297396, JP-A-2003-43679, etc. Among these, phenol compounds having 2 to 10 benzene ring numbers are preferred, and phenol compounds having 2 to 5 benzene ring numbers are more favorable. Particularly preferred examples include phenolic compounds disclosed as dissolution accelerators in JP-A-10-133366.

현상 촉진제는, 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용하는 것도 가능하다.The development accelerator may be used alone or in combination of two or more.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 현상 촉진제의 첨가량은, 감도와 잔막율의 관점에서, 성분 A 및 성분 B의 총 함유량을 100중량부로 했을 때, 0.1∼30중량부가 바람직하고, 0.2∼20중량부가 보다 바람직하며, 0.5∼10중량부인 것이 가장 바람직하다.The addition amount of the development accelerator in the photosensitive resin composition of the present invention is preferably from 0.1 to 30 parts by weight, more preferably from 0.2 to 20 parts by weight, based on 100 parts by weight of the total content of the component A and the component B from the viewpoints of sensitivity and residual film ratio More preferably 0.5 to 10 parts by weight.

〔산화 방지제〕[Antioxidant]

본 발명의 감광성 수지 조성물은, 산화 방지제를 함유해도 된다.The photosensitive resin composition of the present invention may contain an antioxidant.

산화 방지제로서는, 공지의 산화 방지제를 함유할 수 있다. 산화 방지제를 첨가함으로써, 경화막의 착색을 방지할 수 있고, 또는, 분해에 의한 막두께 감소를 저감할 수 있으며, 또한 내열 투명성이 우수하다는 이점이 있다.As the antioxidant, a known antioxidant may be contained. Addition of an antioxidant has the advantage of being able to prevent the cured film from being colored or to reduce the film thickness reduction due to decomposition and also to have excellent heat-resistant transparency.

이와 같은 산화 방지제로서는, 예를 들면 인계 산화 방지제, 히드라지드류, 힌더드아민계 산화 방지제, 황계 산화 방지제, 페놀계 산화 방지제, 아스코르브산류, 황산아연, 당류, 아질산염, 아황산염, 티오황산염, 히드록실아민 유도체 등을 들 수 있다. 이들 중에서는, 경화막의 착색, 막두께 감소의 관점에서 특히 페놀계 산화 방지제가 바람직하다. 이들은 1종 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 혼합하여 사용해도 된다.Examples of such antioxidants include phosphorus antioxidants, hydrazides, hindered amine antioxidants, sulfur antioxidants, phenol antioxidants, ascorbic acids, zinc sulfate, sugars, nitrite salts, sulfites, thiosulfates, hydroxyl Amine derivatives and the like. Among them, a phenol-based antioxidant is particularly preferable from the viewpoint of coloring of the cured film and reduction of the film thickness. These may be used alone or in combination of two or more.

페놀계 산화 방지제의 시판품으로서는, 예를 들면 (주)ADEKA제의 아데카스타브 AO-20, 아데카스타브 AO-30, 아데카스타브 AO-40, 아데카스타브 AO-50, 아데카스타브 AO-60, 아데카스타브 AO-70, 아데카스타브 AO-80, 아데카스타브 AO-330, 스미토모가가쿠(주)제의 sumilizerGM, sumilizerGS, sumilizerMDP-S, sumilizerBBM-S, sumilizerWX-R, sumilizerGA-80, 치바쟈판(주)제의 IRGANOX1010, IRGANOX1035, IRGANOX1076, IRGANOX1098, IRGANOX1135, IRGANOX1330, IRGANOX1726, IRGANOX1425WL, IRGANOX1520L, IRGANOX245, IRGANOX259, IRGANOX3114, IRGANOX565, IRGAMOD295, (주)에피아이코포레이션제의 요시녹스 BHT, 요시녹스 BB, 요시녹스 2246G, 요시녹스 425, 요시녹스 250, 요시녹스 930, 요시녹스 SS, 요시녹스 TT, 요시녹스 917, 요시녹스 314 등을 들 수 있다.Examples of commercially available products of phenolic antioxidants include adecastab AO-20, adecastab AO-30, adecastab AO-40, adecastab AO-50, adecastab AO- SumilizerGS, sumilizerMDP-S, sumilizerBBM-S, sumilizerWX-R, sumilizer GA-80, Adekastab AO-80, Adekastab AO- IRGANOX1010, IRGANOX1035, IRGANOX1076, IRGANOX1098, IRGANOX1135, IRGANOX1330, IRGANOX1726, IRGANOX1425WL, IRGANOX1520L, IRGANOX245, IRGANOX259, IRGANOX3114, IRGANOX565, IRGAMOD295 manufactured by Ciba Japan KK, Yoshinox BHT, Yoshinox BB, Yoshinox 2246G, Yoshinox 425, Yoshinox 250, Yoshinox 930, Yoshinox SS, Yoshinox TT, Yoshinox 917, Yoshinox 314 and the like.

그 중에서도, 아데카스타브 AO-60, 아데카스타브 AO-80(이상, (주)ADEKA제), 이루가녹스 1098(치바쟈판(주)제)을 바람직하게 들 수 있다.Among them, adecastab AO-60, adecastab AO-80 (manufactured by ADEKA), and Irganox 1098 (manufactured by Ciba Japan) are preferably used.

산화 방지제의 함유량은, 감광성 수지 조성물의 전 고형분에 대하여, 0.1∼6중량%인 것이 바람직하고, 0.2∼5중량%인 것이 보다 바람직하며, 0.5∼4중량%인 것이 특히 바람직하다. 이 범위로 함으로써, 형성된 막의 충분한 투명성을 얻을 수 있으며, 또한, 패턴 형성시의 감도도 양호해진다.The content of the antioxidant is preferably 0.1 to 6% by weight, more preferably 0.2 to 5% by weight, and particularly preferably 0.5 to 4% by weight based on the total solid content of the photosensitive resin composition. Within this range, sufficient transparency of the formed film can be obtained, and sensitivity at the time of pattern formation is also improved.

또한, 산화 방지제 이외의 첨가제로서, “고분자 첨가제의 신전개((주)일간 공업 신문사)”에 기재된 각종 자외선 흡수제나, 금속 불활성화제 등을 본 발명의 감광성 수지 조성물에 첨가해도 된다.As the additives other than the antioxidant, various ultraviolet absorbers, metal deactivators, and the like described in &quot; New developments of the polymer additive &quot; (Ilgan Kogyo Shimbun) may be added to the photosensitive resin composition of the present invention.

〔가소제〕[Plasticizer]

본 발명의 감광성 수지 조성물은, 가소제를 함유해도 된다.The photosensitive resin composition of the present invention may contain a plasticizer.

가소제로서는, 예를 들면 디부틸프탈레이트, 디옥틸프탈레이트, 디도데실프탈레이트, 폴리에틸렌글리콜, 글리세린, 디메틸글리세린프탈레이트, 타르타르산디부틸, 아디프산디옥틸, 트리아세틸글리세린 등을 들 수 있다.Examples of the plasticizer include dibutyl phthalate, dioctyl phthalate, didodecyl phthalate, polyethylene glycol, glycerin, dimethyl glycerine phthalate, dibutyl tartrate, dioctyl adipate, triacetyl glycerin and the like.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 가소제의 함유량은, 성분 A 및 성분 B의 총 함유량 100중량부에 대하여, 0.1∼30중량부인 것이 바람직하고, 1∼10중량부인 것이 보다 바람직하다.The content of the plasticizer in the photosensitive resin composition of the present invention is preferably 0.1 to 30 parts by weight, more preferably 1 to 10 parts by weight, based on 100 parts by weight of the total content of Component A and Component B.

〔열 라디칼 발생제〕[Heat radical generator]

본 발명의 감광성 수지 조성물은, 열 라디칼 발생제를 함유하고 있어도 되고, 상술한 적어도 1개의 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물과 같은 에틸렌성 불포화 화합물을 함유할 경우, 열 라디칼 발생제를 함유하는 것이 바람직하다.The photosensitive resin composition of the present invention may contain a thermal radical generator and may contain an ethylenically unsaturated compound such as a compound having at least one ethylenically unsaturated double bond as described above and may contain a thermal radical generator desirable.

본 발명에 있어서의 열 라디칼 발생제로서는, 공지의 열 라디칼 발생제를 사용할 수 있다.As the thermal radical generator in the present invention, a known thermal radical generator may be used.

열 라디칼 발생제는, 열의 에너지에 의해 라디칼을 발생하여, 중합성 화합물의 중합 반응을 개시 또는 촉진시키는 화합물이다. 열 라디칼 발생제를 첨가함으로써, 얻어진 경화막이 보다 강인해져, 내열성, 내용제성이 향상할 경우가 있다.The thermal radical generator is a compound that generates radicals by heat energy to initiate or promote the polymerization reaction of the polymerizable compound. By adding a thermal radical generator, the resulting cured film becomes stronger, and heat resistance and solvent resistance may be improved.

바람직한 열 라디칼 발생제로서는, 방향족 케톤류, 오늄염 화합물, 유기 과산화물, 티오 화합물, 헥사아릴비이미다졸 화합물, 케토옥심에스테르 화합물, 보레이트 화합물, 아지늄 화합물, 메탈로센 화합물, 활성 에스테르 화합물, 탄소 할로겐 결합을 갖는 화합물, 아조계 화합물, 비벤질 화합물 등을 들 수 있다.Preferred thermal radical generators include aromatic ketones, onium salt compounds, organic peroxides, thio compounds, hexaarylbimidazole compounds, ketooxime ester compounds, borate compounds, azinium compounds, metallocene compounds, active ester compounds, A compound having a bond, an azo-based compound, and a non-benzyl compound.

열 라디칼 발생제는, 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용하는 것도 가능하다.One kind of thermal radical generator may be used alone, or two or more kinds of thermal radical generators may be used in combination.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 열 라디칼 발생제의 함유량은, 막물성 향상의 관점에서, 성분 A 및 성분 B의 총 함유량을 100중량부로 했을 때, 0.01∼50중량부가 바람직하고, 0.1∼20중량부가 보다 바람직하며, 0.5∼10중량부인 것이 가장 바람직하다.The content of the heat radical generator in the photosensitive resin composition of the present invention is preferably 0.01 to 50 parts by weight, more preferably 0.1 to 20 parts by weight, based on 100 parts by weight of the total content of the component A and the component B, More preferably from 0.5 to 10 parts by weight.

〔열산발생제〕[Thermal acid generator]

본 발명에서는, 저온 경화에서의 막물성 등을 개량하기 위해서, 열산발생제를 사용해도 된다.In the present invention, a thermal acid generator may be used in order to improve physical properties of the film in low-temperature curing.

본 발명에 사용할 수 있는 열산발생제란, 열에 의해 산이 발생하는 화합물이며, 바람직하게는 열분해점이 130℃∼250℃, 보다 바람직하게는 150℃∼220℃의 범위의 화합물이며, 예를 들면 가열에 의해 설폰산, 카르복시산, 디설포닐이미드 등의 저(低)구핵성의 산을 발생하는 화합물이다.The thermal acid generator which can be used in the present invention is a compound which generates acid by heat and is preferably a compound having a thermal decomposition point in the range of 130 to 250 캜, more preferably 150 to 220 캜, And is a compound which generates a low nucleophilic acid such as sulfonic acid, carboxylic acid, and disulfonylimide.

열산발생제에 의해 발생하는 산으로서는, pKa이 2 이하로 강한, 설폰산이나, 전자 구인기(求引基)로 치환한 알킬 또는 아릴카르복시산, 동일하게 전자 구인기로 치환한 디설포닐이미드 등이 바람직하다. 전자 구인기로서는, 불소 원자 등의 할로겐 원자, 트리플루오로메틸기 등의 할로알킬기, 니트로기, 시아노기를 들 수 있다.Examples of the acid generated by the thermal acid generator include an alkyl or aryl carboxylic acid substituted with a sulfonic acid or an electron-withdrawing group having a strong pKa of 2 or less, disulfonylimide similarly substituted with an electron-withdrawing group, and the like desirable. Examples of the electron-withdrawing group include a halogen atom such as a fluorine atom, a haloalkyl group such as a trifluoromethyl group, a nitro group, and a cyano group.

또한, 본 발명에 있어서는, 노광광의 조사에 의해 실질적으로 산을 발생시키지 않고, 열에 의해 산을 발생시키는 설폰산에스테르를 사용하는 것도 바람직하다.In the present invention, it is also preferable to use a sulfonic acid ester which generates an acid by heat without generating an acid substantially by irradiation with exposure light.

노광광의 조사에 의해 실질적으로 산을 발생시키고 있지 않은 것은, 화합물의 노광 전후에서의 IR 스펙트럼이나 NMR 스펙트럼 측정에 의해, 스펙트럼에 변화가 없는 것으로 판정할 수 있다.It can be determined that there is no change in the spectrum by IR spectroscopy or NMR spectrum measurement before and after exposure of the compound, in which substantially no acid is generated by irradiation of the exposure light.

설폰산에스테르의 분자량은 230∼1,000인 것이 바람직하고, 230∼800인 것이 보다 바람직하다.The molecular weight of the sulfonic acid ester is preferably from 230 to 1,000, more preferably from 230 to 800.

본 발명에 사용할 수 있는 설폰산에스테르는, 시판하는 것을 사용해도 되고, 공지의 방법으로 합성한 것을 사용해도 된다. 설폰산에스테르는, 예를 들면 염기성 조건 하에서, 설포닐클로리드 내지는 설폰산 무수물을 대응하는 다가 알코올과 반응시킴으로써 합성할 수 있다.The sulfonic acid ester which can be used in the present invention may be a commercially available one or a synthesized one synthesized by a known method. Sulfonic acid esters can be synthesized, for example, by reacting a sulfonyl chloride or a sulfonic acid anhydride with a corresponding polyhydric alcohol under basic conditions.

열산발생제의 감광성 수지 조성물에의 함유량은, 성분 A 및 성분 B의 총 함유량을 100중량부로 했을 때, 0.5∼20중량부가 바람직하고, 1∼15중량부가 보다 바람직하다.The content of the thermal acid generator in the photosensitive resin composition is preferably 0.5 to 20 parts by weight, more preferably 1 to 15 parts by weight, based on 100 parts by weight of the total content of the component A and the component B. [

〔산증식제〕[Acid growth agent]

본 발명의 감광성 수지 조성물은, 감도 향상을 목적으로, 산증식제를 사용할 수 있다.In the photosensitive resin composition of the present invention, an acid propagating agent may be used for the purpose of improving the sensitivity.

본 발명에 사용할 수 있는 산증식제는, 산촉매 반응에 의해 산을 더 발생시켜 반응계 내의 산농도를 상승시킬 수 있는 화합물이며, 산이 존재하지 않은 상태에서는 안정하게 존재하는 화합물이다. 이와 같은 화합물은, 1회의 반응으로 1개 이상의 산이 증가하기 때문에, 반응의 진행에 수반하여 가속적으로 반응이 진행되지만, 발생된 산 자체가 자기 분해를 유기(誘起)하기 때문에, 여기에서 발생하는 산의 강도는, 산해리 정수, pKa로서 3 이하인 것이 바람직하고, 특히 2 이하인 것이 바람직하다.The acid-proliferating agent which can be used in the present invention is a compound capable of generating an acid by further acid catalysis reaction to increase the acid concentration in the reaction system, and is a compound stably present in the absence of acid. In such a compound, since at least one acid increases in one reaction, the reaction accelerates progressing with the progress of the reaction, but since the generated acid itself induces (induces) self-decomposition, The strength of the acid is preferably 3 or less, more preferably 2 or less, as the acid dissociation constant, pKa.

산증식제의 구체예로서는, 일본국 특개평10-1508호 공보의 단락 0203∼0223, 일본국 특개평10-282642호 공보의 단락 0016∼0055, 및 일본국 특표평9-512498호 공보 제39쪽 12줄째∼제47쪽 2줄째에 기재된 화합물을 들 수 있다.Specific examples of the acid proliferating agent include those described in paragraphs 0203 to 023 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-1508, paragraphs 0016 to 555 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-282642, and Japanese Patent Publication No. 9-512498 12th line to 47th page 2nd line.

구체적으로는, 하기의 화합물 등을 들 수 있다.Specifically, the following compounds and the like can be mentioned.

Figure 112012066016297-pat00045
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본 발명에서 사용할 수 있는 산증식제로서는, 산발생제로부터 발생한 산에 의해 분해하고, 디클로로아세트산, 트리클로로아세트산, 메탄설폰산, 벤젠설폰산, 트리플루오로메탄설폰산, 페닐포스폰산 등의 pKa이 3 이하의 산을 발생시키는 화합물을 들 수 있다.Examples of the acidic proliferative agent that can be used in the present invention include acids decomposed by acids generated from an acid generator and decomposed with pKa such as dichloroacetic acid, trichloroacetic acid, methanesulfonic acid, benzenesulfonic acid, trifluoromethanesulfonic acid and phenylphosphonic acid And compounds capable of generating an acid of 3 or less.

산증식제의 감광성 수지 조성물에의 함유량은, 광산발생제 100중량부에 대하여, 10∼1,000중량부로 하는 것이, 노광부와 미노광부의 용해 콘트라스트의 관점에서 바람직하고, 20∼500중량부로 하는 것이 더 바람직하다.The content of the acid proliferating agent in the photosensitive resin composition is preferably from 10 to 1,000 parts by weight based on 100 parts by weight of the photoacid generator from the viewpoint of dissolution contrast between the exposed portion and the unexposed portion and is preferably from 20 to 500 parts by weight More preferable.

(경화막의 형성 방법)(Method of forming a cured film)

다음으로, 본 발명의 경화막의 형성 방법을 설명한다.Next, a method of forming the cured film of the present invention will be described.

본 발명의 경화막의 형성 방법은, 본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물을 사용하는 것 이외에 특별히 제한은 없지만, 이하의 (1)∼(5)의 공정을 포함하는 것이 바람직하다.The method of forming the cured film of the present invention is not particularly limited but is preferably the following steps (1) to (5), except that the positive photosensitive resin composition of the present invention is used.

(1) 본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물을 사용하여 기판 위에 막상(膜狀)의 층을 형성하는 층형성 공정(1) a layer forming step of forming a film-like layer on a substrate by using the positive photosensitive resin composition of the present invention

(2) 도포된 감광성 수지 조성물로부터 용제를 제거하는 용제 제거 공정(2) a solvent removing step of removing the solvent from the applied photosensitive resin composition

(3) 용제가 제거된 감광성 수지 조성물을 활성 광선에 의해 노광하는 노광 공정(3) an exposure step of exposing the photosensitive resin composition from which the solvent has been removed by an actinic ray

(4) 노광된 감광성 수지 조성물을 수성 현상액에 의해 현상하는 현상 공정(4) a developing step of developing the exposed photosensitive resin composition with an aqueous developing solution

(5) 현상된 감광성 수지 조성물을 열경화하는 포스트베이킹 공정(5) a post-baking step of thermally curing the developed photosensitive resin composition

본 발명의 경화막의 형성 방법에 있어서는, 상기 노광 공정에 있어서의 노광 후에, 가열 처리를 행하지 않고, 상기 (4)의 현상 공정을 행해도 된다.In the method for forming a cured film of the present invention, after the exposure in the above exposure step, the above-described developing step (4) may be performed without performing the heat treatment.

또한, 상기 포스트베이킹 공정 전에, 현상된 감광성 수지 조성물을 전면 노광하는 공정을 더 포함하고 있어도 된다.Further, before the post-baking step, the step of exposing the developed photosensitive resin composition may further include the step of:

또한, 본 발명의 경화막의 형성 방법은, (6) 열경화하여 얻어진 경화막을 갖는 기판에 대하여 드라이 에칭을 행하는 드라이 에칭 공정을 더 포함하는 것이 바람직하다.Further, the method for forming a cured film of the present invention preferably further includes (6) a dry etching step for performing dry etching on the substrate having the cured film obtained by thermal curing.

이하에 각 공정을 순서대로 설명한다.Each step will be described below in order.

(1)의 층형성 공정에서는, 본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물을 사용하여 기판 위에 막상의 층을 형성하여 용제를 함유하는 습윤막으로 하는 것이 바람직하다.In the layer forming step of (1), it is preferable to form a film layer on the substrate using the positive photosensitive resin composition of the present invention to form a wet film containing a solvent.

(2)의 용제 제거 공정에서는, 도포된 상기의 막으로부터, 용제를 제거한다. 용제 제거 공정에서는, 예를 들면 감압(배큠) 및/또는 가열에 의해, 용제를 제거하여 기판 위에 건조 도막을 형성시키는 것이 바람직하다.In the solvent removing step (2), the solvent is removed from the applied film. In the solvent removing step, it is preferable to remove the solvent by, for example, decompression (baking) and / or heating to form a dried coating film on the substrate.

(3)의 노광 공정에서는, 얻어진 도막에 파장 300㎚ 이상 450㎚ 이하의 활성 광선을 조사하는 것이 바람직하다. 이 공정에서는, 특정 산발생제가 분해하여 산이 발생한다. 발생한 산의 촉매 작용에 의해, 성분 A 중에 함유되는 구성 단위(a1) 중의 산분해성기가 분해되어, 산기가 생성된다.In the exposure step of (3), it is preferable to irradiate the obtained coating film with an actinic ray having a wavelength of 300 nm or more and 450 nm or less. In this step, a specific acid generator decomposes and an acid is generated. By the catalytic action of the generated acid, the acid-decomposable group in the constituent unit (a1) contained in the component A is decomposed to generate an acid group.

산촉매가 생성된 영역에서, 상기의 분해 반응을 가속시키기 위해, 필요에 따라, 노광 후 가열 처리: Post Exposure Bake(이하, 「PEB」라고도 함)를 행해도 된다. PEB에 의해, 산분해성기로부터의 산기의 생성을 촉진시킬 수 있다.In the region where the acid catalyst is generated, Post Exposure Bake (hereinafter also referred to as &quot; PEB &quot;) may be performed, if necessary, to accelerate the above decomposition reaction. By PEB, generation of an acid group from the acid decomposable group can be promoted.

특정 수지에 있어서의 구성 단위(a1) 중의 산분해성기는, 산분해의 활성화에너지가 낮아, 노광에 의한 광산발생제 유래의 산에 의해 용이하게 분해하고, 산기를 생기게 하기 때문에, 반드시 PEB를 행할 필요는 없다. 따라서, 노광 공정 후, 가열 처리를 행하지 않고 상기 현상 공정을 행하는 것이 바람직하다. 보다 상세하게는, (3)의 노광 공정 후, PEB를 행하지 않고, (4)의 현상 공정에 의해 현상을 행함으로써, 포지티브 화상을 형성하는 것이 바람직하다.The acid decomposable group in the structural unit (a1) in the specific resin is low in the activation energy of acid decomposition and is easily decomposed by an acid derived from the photoacid generator due to exposure to generate an acid cycle. There is no. Therefore, it is preferable to carry out the above developing step without performing the heat treatment after the exposure step. More specifically, it is preferable to form a positive image by performing development by the developing process of (4) without performing PEB after the exposure process of (3).

또한, 비교적 저온에서 PEB를 행함으로써, 가교 반응을 일으키지 않고, 산분해성기의 분해를 촉진할 수도 있다. PEB를 행할 경우의 온도는 30℃ 이상 130℃ 이하인 것이 바람직하고, 40℃ 이상 110℃ 이하가 보다 바람직하며, 50℃ 이상 90℃ 이하가 특히 바람직하다.Further, by performing PEB at a relatively low temperature, the decomposition of the acid decomposable group can be promoted without causing a crosslinking reaction. The temperature at which PEB is carried out is preferably 30 占 폚 to 130 占 폚, more preferably 40 占 폚 to 110 占 폚, and particularly preferably 50 占 폚 to 90 占 폚.

(4)의 현상 공정에서는, 유리한 산기를 갖는 성분 A 및 산기를 갖는 성분 B를, 알칼리성 현상액을 사용하여 현상하는 것이 바람직하다. 알칼리성 현상액에 용해하기 쉬운 산기를 갖는 감광성 수지 조성물을 함유하는 노광부 영역을 제거함으로써, 포지티브 화상을 형성할 수 있다.In the developing step of the developing roller 4, it is preferable to develop the component A having an advantageous acid group and the component B having an acid group using an alkaline developing solution. A positive image can be formed by removing the exposed region containing the photosensitive resin composition having an acid group easily dissolvable in an alkaline developing solution.

(5)의 포스트베이킹 공정에 있어서, 얻어진 포지티브 화상을 가열함으로써, 예를 들면 구성 단위(b1) 중의 산기, 및 구성 단위(a1) 중의 산분해성기를 열분해하여 생성된 산기와, 구성 단위(a2) 및 구성 단위(b2) 중의 가교성기와 가교시켜, 경화막을 형성할 수 있다. 이 가열은, 150℃ 이상의 고온으로 가열하는 것이 바람직하고, 180∼250℃로 가열하는 것이 보다 바람직하며, 200∼250℃로 가열하는 것이 특히 바람직하다. 가열 시간은, 가열 온도 등에 따라 적의(適宜) 설정할 수 있지만, 10∼90분의 범위 내로 하는 것이 바람직하다.(A2) obtained by thermally decomposing an acid group and an acid-decomposable group in the constituent unit (a1), for example, by heating the obtained positive image in the post-baking step of the constituent unit (5) And the structural unit (b2) to form a cured film. This heating is preferably carried out at a high temperature of 150 ° C or higher, more preferably 180 ° C to 250 ° C, and particularly preferably 200 ° C to 250 ° C. The heating time can be appropriately set depending on the heating temperature and the like, but is preferably within a range of 10 to 90 minutes.

본 발명의 감광성 수지 조성물로부터 얻어진 경화막은, 드라이 에칭 레지스트로서 호적하게 사용할 수 있다.The cured film obtained from the photosensitive resin composition of the present invention can be suitably used as a dry etching resist.

(5)의 포스트베이킹 공정에 의해 열경화하여 얻어진 경화막을 드라이 에칭 레지스트로서 사용할 경우, 에칭 처리로서는 애싱, 플라즈마 에칭, 오존 에칭 등의 드라이 에칭 처리를 행할 수 있다.When the cured film obtained by thermal curing by the post-baking process of step (5) is used as a dry etching resist, dry etching such as ashing, plasma etching, ozone etching and the like can be performed as the etching process.

(6)의 드라이 에칭 공정에 있어서는, 반응 가스 중에 기판을 노출하여 에칭을 시행하는 반응성 가스 에칭 처리나, 반응 가스를 플라즈마에 의해 이온화·라디칼화하여 에칭을 시행하는 반응성 이온 에칭(RIE) 등, 공지의 드라이 에칭 처리를 예시할 수 있다. 이들 가스종이나 에칭 방법은, 드라이 에칭하는 재료, 원하는 속도나 정밀도 등에 따라 적의 선택하면 된다. 또한, 드라이 에칭을 행하는 장치로서는, 공지의 장치를 사용할 수 있다.In the dry etching process of the step (6), a reactive gas etching process in which etching is performed by exposing a substrate in a reaction gas, a reactive ion etching (RIE) process in which a reactive gas is ionized and radicalized by plasma, A known dry etching treatment can be exemplified. These gas species and etching methods may be appropriately selected depending on the material to be dry-etched, desired speed, precision, and the like. As a device for performing dry etching, a known device can be used.

또한, 포스트베이킹 공정 전에, 현상된 감광성 수지 조성물을 전면 노광하는 공정을 포함하는 것이 바람직하고, 현상된 감광성 수지 조성물의 패턴에 활성 광선, 바람직하게는 자외선을, 전면 조사하는 공정을 더하면, 활성 광선의 조사에 의해 발생하는 산에 의해 가교 반응을 촉진할 수 있다.In addition, it is preferable to include a step of exposing the developed photosensitive resin composition to the whole before the post-baking step, and when a step of irradiating the pattern of the developed photosensitive resin composition with an actinic ray, preferably ultraviolet light, The crosslinking reaction can be promoted by the acid generated by irradiation of the crosslinking agent.

다음으로, 본 발명의 감광성 수지 조성물을 사용한 경화막의 형성 방법을 구체적으로 설명한다.Next, a method for forming a cured film using the photosensitive resin composition of the present invention will be described in detail.

〔감광성 수지 조성물의 조제 방법〕[Method for preparing photosensitive resin composition]

특정 수지 및 산발생제의 필수 성분에, 필요에 따라 용제를 소정의 비율로 또한 임의의 방법으로 혼합하고, 교반 용해하여 감광성 수지 조성물을 조제한다. 예를 들면 특정 수지 또는 산발생제를, 각각 미리 용제에 용해시킨 용액으로 한 후, 이들을 소정의 비율로 혼합하여 감광성 수지 조성물을 조제할 수도 있다. 이상과 같이 조제한 감광성 수지 조성물의 용액은, 공경(孔徑) 0.1㎛의 필터 등을 사용하여 여과한 후에, 사용에 제공할 수도 있다.The photosensitive resin composition is prepared by mixing an essential component of a specific resin and an acid generator, if necessary, with a solvent in a predetermined ratio and optionally by stirring and dissolving. For example, a photosensitive resin composition may be prepared by preparing a solution in which a specific resin or acid generator is dissolved in each solvent in advance, and mixing them in a predetermined ratio. The solution of the photosensitive resin composition prepared as described above may be used after being filtered using a filter having a pore diameter of 0.1 mu m or the like.

<층형성 공정 및 용제 제거 공정><Layer Formation Process and Solvent Removal Process>

감광성 수지 조성물을 사용하여, 소정의 기판에 막상의 층을 형성하고, 감압 및/또는 가열(프리베이킹)에 의해 용제를 제거함으로써, 원하는 건조 도막을 형성할 수 있다. 상기의 기판으로서는, 예를 들면 액정 표시 장치의 제조에 있어서는, 편광판, 또한 필요에 따라 블랙 매트릭스층, 컬러 필터층을 마련하고, 투명 도전 회로층을 마련한 더 유리판 등을 예시할 수 있다. 기판에의 층형성 방법은 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 슬릿 코팅법, 스프레이법, 롤 코팅법, 회전 도포법 등의 도포 방법을 사용할 수 있다. 그 중에서도 슬릿 코팅법이 대형 기판에 적합하다는 관점에서 바람직하다. 여기에서 대형 기판이란, 각 변이 1m 이상의 크기의 기판을 말한다.A desired dry film can be formed by forming a film layer on a predetermined substrate using a photosensitive resin composition and removing the solvent by reduced pressure and / or heating (prebaking). As the substrate, for example, in the production of a liquid crystal display device, a polarizing plate, a further glass plate provided with a black matrix layer and a color filter layer as necessary, and a transparent conductive circuit layer provided thereon can be exemplified. The method for forming the layer on the substrate is not particularly limited, and for example, a coating method such as a slit coating method, a spray method, a roll coating method, and a spin coating method can be used. Among them, the slit coating method is preferable from the viewpoint of being suitable for a large substrate. Here, a large substrate refers to a substrate having a size of 1 m or more on each side.

또한, (2) 용제 제거 공정의 가열 조건은, 미노광부에 있어서의 성분 A 중의 구성 단위(a1)에 있어서 산분해성기가 분해하며, 또한, 성분 A를 알칼리 현상액에 가용성으로 하지 않는 범위이며, 각 성분의 종류나 배합비에 따라서도 상이하지만, 바람직하게는 70∼120℃에서 30∼300초간 정도이다.The heating conditions for the solvent removal step (2) are those in which the acid-decomposable group decomposes in the constituent unit (a1) in the component A in the unexposed portion and the component A is not soluble in the alkali developer, But it is preferably about 70 to 120 DEG C for about 30 to about 300 seconds.

<노광 공정><Exposure Step>

(3) 노광 공정에서는, 감광성 수지 조성물의 건조 도막을 마련한 기판에 소정의 패턴의 활성 광선을 조사한다. 노광은 마스크를 통해 행해도 되고, 소정의 패턴을 직접 묘화해도 된다. 파장 300㎚ 이상 450㎚ 이하의 파장을 갖는 활성 광선을 바람직하게 사용할 수 있다. 노광 공정 후, 필요에 따라 PEB를 행해도 된다.(3) In the exposure step, the substrate provided with the dried coating film of the photosensitive resin composition is irradiated with a predetermined pattern of actinic rays. The exposure may be performed through a mask, or a predetermined pattern may be directly drawn. An active ray having a wavelength of 300 nm or more and 450 nm or less can be preferably used. After the exposure process, PEB may be performed if necessary.

활성 광선에 의한 노광에는, 저압 수은등, 고압 수은등, 초고압 수은등, 케미컬 램프, 레이저 발생 장치, LED 광원 등을 사용할 수 있다.A low-pressure mercury lamp, a high-pressure mercury lamp, an ultra-high-pressure mercury lamp, a chemical lamp, a laser generator, an LED light source, or the like can be used for exposure by an actinic ray.

수은등을 사용할 경우에는 g선(436㎚), i선(365㎚), h선(405㎚) 등의 파장을 갖는 활성 광선을 바람직하게 사용할 수 있다. 수은등은 레이저에 비하면, 대면적의 노광에 적합하다는 점에서 바람직하다.When a mercury lamp is used, an actinic ray having a wavelength of g-line (436 nm), i-line (365 nm) and h-line (405 nm) can be preferably used. The mercury lamp is preferable in that it is suitable for exposure of a large area as compared with a laser.

레이저를 사용할 경우에는 고체 (YAG) 레이저로는 343㎚, 355㎚를 호적하게 사용할 수 있고, 엑시머 레이저로는 351㎚(XeF)를 호적하게 사용할 수 있으며, 또한 반도체 레이저로는 375㎚, 405㎚를 호적하게 사용할 수 있다. 이 중에서도, 안정성, 코스트 등의 점으로부터 355㎚, 405㎚가 보다 바람직하다. 레이저는 1회 혹은 복수회로 나누어, 도막에 조사할 수 있다.When a laser is used, 343 nm and 355 nm can be used as a solid-state (YAG) laser, and 351 nm (XeF) can be suitably used as an excimer laser. . Of these, 355 nm and 405 nm are more preferable from the standpoints of stability and cost. The laser can be irradiated onto the coating film by dividing it into one or a plurality of circuits.

레이저의 1펄스당 에너지 밀도는 0.1mJ/㎠ 이상 10,000mJ/㎠ 이하인 것이 바람직하다. 도막을 충분히 경화시키기 위해서는, 0.3mJ/㎠ 이상이 보다 바람직하고, 0.5mJ/㎠ 이상이 가장 바람직하며, 어브레이션 현상에 의해 도막을 분해시키지 않도록 하기 위해서는, 1,000mJ/㎠ 이하가 보다 바람직하고, 100mJ/㎠ 이하가 가장 바람직하다.The energy density per pulse of the laser is preferably from 0.1 mJ / cm2 to 10,000 mJ / cm2. More preferably not less than 0.3 mJ / cm 2, most preferably not less than 0.5 mJ / cm 2, and more preferably not more than 1,000 mJ / cm 2 in order to prevent the coating film from being decomposed by the abrasion phenomenon, Most preferably 100 mJ / cm 2 or less.

또한, 펄스폭은, 0.1nsec 이상 30,000nsec 이하인 것이 바람직하다. 어브레이션 현상에 의해 색도막을 분해시키지 않도록 하기 위해서는, 0.5nsec 이상이 보다 바람직하고, 1nsec 이상이 가장 바람직하며, 스캔 노광시에 맞춤 정밀도를 향상시키기 위해서는, 1,000nsec 이하가 보다 바람직하고, 50nsec 이하가 가장 바람직하다.The pulse width is preferably from 0.1 nsec to 30,000 nsec. In order to prevent the chromaticity film from being decomposed by the ablation phenomenon, it is more preferably 0.5 nsec or more, most preferably 1 nsec or more, and more preferably 1,000 nsec or less and 50 nsec or less Most preferred.

또한, 레이저의 주파수는, 1㎐ 이상 50,000㎐ 이하가 바람직하고, 10㎐ 이상 1,000㎐ 이하가 보다 바람직하다.The frequency of the laser is preferably 1 Hz to 50,000 Hz, more preferably 10 Hz to 1,000 Hz.

또한, 레이저의 주파수는, 노광 처리 시간을 짧게 하기 위해서는, 10㎐ 이상이 보다 바람직하고, 100㎐ 이상이 가장 바람직하며, 스캔 노광시에 맞춤 정밀도를 향상시키기 위해서는, 10,000㎐ 이하가 보다 바람직하고, 1,000㎐ 이하가 가장 바람직하다.In order to shorten the exposure processing time, the frequency of the laser is more preferably 10 Hz or more, most preferably 100 Hz or more, and more preferably 10,000 Hz or less in order to improve the fitting accuracy at the time of the scan exposure, And most preferably 1,000 Hz or less.

레이저는 수은등과 비교하면, 초점을 좁히는 것이 용이하며, 노광 공정에서의 패턴 형성의 마스크가 불필요하여 코스트 다운할 수 있다는 점에서 바람직하다.Compared with a mercury lamp, a laser is preferable in that it is easy to narrow the focus, and a mask for forming a pattern in the exposure process is unnecessary and cost can be reduced.

본 발명에 사용 가능한 노광 장치로서는, 특별히 제한은 없지만 시판되고 있는 것으로서는, Callisto((주)브이·테크놀로지제)나 AEGIS((주)브이·테크놀로지제)나 DF2200G(다이니혼스크린세이조(주)제) 등이 사용 가능하다. 또한 상기 이외의 장치도 호적하게 사용할 수 있다.Examples of the exposure apparatus that can be used in the present invention include, but are not limited to, those sold by Callisto (manufactured by V Technology), AEGIS (manufactured by V Technology) and DF2200G (manufactured by Dainippon Screen- ) Can be used. Also, devices other than those described above can be used suitably.

또한, 필요에 따라 장파장 커트 필터, 단파장 커트 필터, 밴드패스 필터와 같은 분광 필터를 통과시켜 조사광을 조정할 수도 있다.If necessary, the irradiation light may be adjusted by passing through a spectral filter such as a long wavelength cut filter, a short wavelength cut filter, or a band pass filter.

<현상 공정><Development Process>

(4) 현상 공정에서는, 염기성 현상액을 사용하여 노광부 영역을 제거하여 화상 패턴을 형성한다. 현상액에 사용하는 염기성 화합물로서는, 예를 들면 수산화리튬, 수산화나트륨, 수산화칼륨 등의 알칼리 금속 수산화물류; 탄산나트륨, 탄산칼륨 등의 알칼리 금속 탄산염류; 중탄산나트륨, 중탄산칼륨 등의 알칼리 금속 중탄산염류; 테트라메틸암모늄히드록시드, 테트라에틸암모늄히드록시드, 콜린히드록시드 등의 암모늄히드록시드류; 규산나트륨, 메타규산나트륨 등의 수용액을 사용할 수 있다. 또한, 상기 알칼리류의 수용액에 메탄올이나 에탄올 등의 수용성 유기 용제나 계면 활성제를 적당량 첨가한 수용액을 현상액으로서 사용할 수도 있다.(4) In the developing process, an exposed pattern area is removed by using a basic developing solution to form an image pattern. Examples of the basic compound used in the developer include alkali metal hydroxide such as lithium hydroxide, sodium hydroxide, potassium hydroxide and the like; Alkali metal carbonates such as sodium carbonate and potassium carbonate; Alkali metal bicarbonates such as sodium bicarbonate and potassium bicarbonate; Ammonium hydroxides such as tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, and choline hydroxide; An aqueous solution of sodium silicate, sodium metasilicate or the like can be used. An aqueous solution in which an appropriate amount of a water-soluble organic solvent such as methanol or ethanol or a surfactant is added to the aqueous alkaline solution may be used as a developer.

현상액의 pH는, 현상 가능하면 특별히 제한은 없지만, 10.0∼14.0인 것이 바람직하다.The pH of the developer is not particularly limited as far as development is feasible, but it is preferably 10.0 to 14.0.

테트라메틸암모늄히드록시드의 0.2∼2.38중량% 수용액으로 현상되는 것이 바람직하고, 0.4중량%, 0.5중량%, 0.7중량%, 2.38중량% 수용액으로 현상되는 것이 더 바람직하다.It is preferable to develop it in an aqueous solution of 0.2 to 2.38% by weight of tetramethylammonium hydroxide, more preferably in an aqueous solution of 0.4% by weight, 0.5% by weight, 0.7% by weight and 2.38% by weight.

현상 시간은, 바람직하게는 30∼180초간이며, 또한, 현상의 방법은 액성법(液盛法), 디프법, 샤워법 등 어느 것이어도 된다. 현상 후는, 유수 세정을 10∼90초간 행하여, 원하는 패턴을 형성시킬 수 있다.The developing time is preferably 30 to 180 seconds, and the developing method may be any of a liquid method, a dipping method, and a shower method. After the development, a desired pattern can be formed by conducting water washing for 10 to 90 seconds.

현상 후에, 린스 공정을 행할 수도 있다. 린스 공정에서는, 현상 후의 기판을 순수(純水) 등으로 세정함으로써, 부착해 있는 현상액 제거, 현상 잔사(殘渣) 제거를 행한다. 린스 방법으로서는, 공지의 방법을 사용할 수 있다. 예를 들면 샤워 린스나 디프 린스 등을 들 수 있다.After the development, a rinsing process may be performed. In the rinsing step, the developed substrate is cleaned with pure water or the like to remove the adhering developer and residual developing residue. As the rinsing method, a known method can be used. For example, a shower rinse or a deep rinse.

<포스트베이킹 공정(가교 공정)>&Lt; Post baking step (crosslinking step) >

현상에 의해 얻어진 미노광 영역에 대응하는 패턴에 대해서, 핫플레이트나 오븐 등의 가열 장치를 사용하여, 소정의 온도, 예를 들면 180∼250℃에서 소정의 시간, 예를 들면 핫플레이트 위면 5∼60분간, 오븐이면 30∼90분간, 가열 처리를 함으로써, 특정 수지 중의 산분해성기를 분해하여, 카르복시기 및/또는 페놀성 수산기를 발생시켜, 특정 수지 중의 에폭시기 및/또는 옥세타닐기인 가교성기와 반응하여, 가교시킴으로써, 내열성, 경도 등이 우수한 보호막이나 층간 절연막을 형성할 수 있다. 또한, 가열 처리를 행할 때는 질소 분위기 하에서 행함으로써 투명성을 향상시킬 수도 있다.The pattern corresponding to the unexposed area obtained by the development is heated at a predetermined temperature, for example, 180 to 250 占 폚 for a predetermined time, for example, 60 minutes and an oven for 30 to 90 minutes to decompose an acid-decomposable group in a specific resin to generate a carboxyl group and / or a phenolic hydroxyl group, and react with a crosslinkable group which is an epoxy group and / or an oxetanyl group in a specific resin By crosslinking, a protective film or an interlayer insulating film excellent in heat resistance, hardness and the like can be formed. In addition, transparency can be improved by performing the heat treatment in a nitrogen atmosphere.

포스트베이킹 전에, 비교적 저온에서 베이킹을 행한 후에 포스트베이킹할 수도 있다(미들베이킹 공정의 추가). 미들베이킹을 행할 경우에는, 90∼150℃에서 1∼60분 가열한 후에, 200℃ 이상의 고온에서 포스트베이킹하는 것이 바람직하다. 또한, 미들베이킹, 포스트베이킹을 3단계 이상의 다단계로 나누어 가열할 수도 있다. 이와 같은 미들베이킹, 포스트베이킹의 고안에 의해, 패턴의 테이퍼각을 조정할 수 있다. 이들 가열은, 핫플레이트, 오븐, 적외선 히터 등, 공지의 가열 방법을 사용할 수 있다.Post-baking may be performed after baking at a relatively low temperature before the post-baking (addition of the middle baking step). In the case of performing the middle baking, post baking is preferably performed at a high temperature of 200 DEG C or more after heating at 90 to 150 DEG C for 1 to 60 minutes. In addition, middle baking and post baking may be divided into three or more stages and heated. The taper angle of the pattern can be adjusted by devising such a middle baking and post baking. For these heating, a known heating method such as a hot plate, an oven, and an infrared heater can be used.

또한, 가열 처리에 앞서, 패턴을 형성한 기판에 활성 광선에 의해 재노광한 후, 포스트베이킹함(재노광/포스트베이킹)으로써 미노광 부분에 존재하는 산발생제 (B)로부터 산을 발생시켜, 가교를 촉진하는 촉매로서 기능시키는 것이 바람직하다.Prior to the heat treatment, the substrate on which the pattern is formed is re-exposed by an actinic ray, and then an acid is generated from the acid generator (B) present in the unexposed portion by post-baking (re-exposure / post-baking) , And to function as a catalyst for promoting crosslinking.

즉, 본 발명에 있어서의 경화막의 형성 방법은, 현상 공정과 포스트베이킹 공정 사이에, 활성 광선에 의해 재노광하는 공정을 포함하는 것이 바람직하다.That is, the method for forming a cured film in the present invention preferably includes a step of re-exposure by an actinic ray between the developing step and the post-baking step.

재노광 공정에 있어서의 노광은, 상기 노광 공정과 같은 수단에 의해 행하면 되지만, 상기 재노광 공정에서는, 기판의 본 발명의 감광성 수지 조성물에 의해 막이 형성된 측에 대하여, 전면 노광을 행하는 것이 바람직하다. 재노광 공정의 바람직한 노광량으로서는 100∼1,000mJ/㎠이다.The exposure in the re-exposure step may be performed by the same means as in the exposure step, but in the re-exposure step, it is preferable to perform the entire exposure on the side of the substrate where the film is formed by the photosensitive resin composition of the present invention. The preferable exposure amount of the re-exposure process is 100 to 1,000 mJ / cm &lt; 2 &gt;.

<드라이 에칭 공정><Dry Etching Process>

본 발명에 있어서의 드라이 에칭 공정은, 상기 포스트베이킹 공정에 있어서, 열경화하여 얻어진 경화막을 갖는 기판에 대하여 드라이 에칭을 행하는 공정이다. 본 발명의 감광성 수지 조성물로부터 얻어진 경화막은, 드라이 에칭 내성이 우수하므로, 드라이 에칭 조건에 노출해도, 막감소량이 적다.The dry etching step in the present invention is a step of performing dry etching on a substrate having a cured film obtained by thermal curing in the post baking step. The cured film obtained from the photosensitive resin composition of the present invention is excellent in dry etching resistance, so that even when exposed to dry etching conditions, the amount of film reduction is small.

상기 드라이 에칭 공정에 있어서는, 상술한 바와 같이,In the dry etching process, as described above,

본 발명에 있어서 사용할 수 있는 피드라이 에칭 재료로서는, 실리콘, 이산화규소, 질화규소, 알루미나, 유리, 유리-세라믹스, 비화갈륨, 인화인듐, 구리, 알루미늄, 니켈, 철, 강, 구리-실리콘 합금, 인듐-주석 산화물 피복 유리; 금속, 반도체, 및 절연 재료의 패터닝 영역을 함유하는 임의의 기판 등이 포함되지만, 그들에 한정되지 않는다.Examples of the feed-lye etching material usable in the present invention include silicon, silicon dioxide, silicon nitride, alumina, glass, glass-ceramics, gallium arsenide, indium phosphide, copper, aluminum, nickel, iron, - tin oxide coated glass; But are not limited to, metals, semiconductors, and any substrate containing a patterned region of an insulating material, and the like.

플라즈마의 발생법으로서는, 특별히 제한은 없고, 감압 플라즈마법, 대기 플라즈마법 모두 적용할 수 있다.The generation method of the plasma is not particularly limited, and both the reduced-pressure plasma method and the atmospheric plasma method can be applied.

또한, 플라즈마 에칭에는, 예를 들면 헬륨, 아르곤, 크립톤, 크세논 중에서 선택되는 불활성 가스, O2, CF4, C2F4, N2, CO2, SF6, CHF3, 적어도 O, N, F 또는 Cl을 함유하는 반응성 가스를 바람직하게 사용할 수 있다.The plasma etching may be performed by using an inert gas selected from, for example, helium, argon, krypton, and xenon, an inert gas selected from O 2 , CF 4 , C 2 F 4 , N 2 , CO 2 , SF 6 , CHF 3 , A reactive gas containing F or Cl can be preferably used.

드라이 에칭 공정에서는, 예를 들면 하지(下地)가 SiNx나 SiO2 등의 실리콘계의 층일 경우, O2와 CF4, SiF6 등의 불소계의 반응 가스를 사용하는 것이 바람직하다.In the dry etching process, for example, when the underlying layer is a silicon-based layer such as SiN x or SiO 2 , it is preferable to use a fluorine-based reaction gas such as O 2 , CF 4 or SiF 6 .

또한, 드라이 에칭 공정에 있어서의 기판과, 상기 도포 공정에 있어서의 기판은, 동일한 것이어도 상이한 것이어도 된다. 예를 들면 상기 도포 공정에 있어서의 기판을 가상의 기판으로 하고 상기 드라이 에칭 공정 전까지 다른 기판에 당해 경화막을 전사(轉寫) 등 행해도 된다.The substrate in the dry etching step and the substrate in the coating step may be the same or different. For example, the substrate in the coating step may be a virtual substrate, and the cured film may be transferred onto another substrate before the dry etching step.

또한, 본 발명의 감광성 수지 조성물을 경화하여 얻어진 경화막은, 드라이 에칭이나 웨트 에칭 등의 에칭 처리시의 희생층으로 해도 호적하게 사용할 수 있고, 에칭 처리 후에 상기 경화막을 박리할 때에는, 애싱 등의 기지(旣知)의 드라이 플라즈마 프로세스나, 알칼리 약품 처리 등의 기지의 웨트 프로세스에 의한 박리를 행할 수 있다. 본 발명의 경화막은 베이킹 공정을 거쳐 경화하고 있기 때문에, 드라이 플라즈마 프로세스에 의한 박리가 특히 바람직하다.The cured film obtained by curing the photosensitive resin composition of the present invention can also be suitably used as a sacrifice layer for etching treatment such as dry etching or wet etching. When the cured film is peeled off after the etching treatment, It is possible to carry out delamination by a known wet process such as a dry plasma process or an alkaline chemical process. Since the cured film of the present invention is cured through the baking process, peeling by the dry plasma process is particularly preferable.

에칭용 레지스트로서 평면 레지스트로서 사용한 경우에도, 산소 플라즈마 처리를 호적하게 사용할 수 있지만, 약액에 의한 가열 처리에 의해 레지스트를 박리 제거하는 것도 가능하다.Even when used as a flat resist as an etching resist, an oxygen plasma treatment can be suitably used, but it is also possible to peel off the resist by a heat treatment with a chemical solution.

본 발명의 감광성 수지 조성물을 경화하여 얻어진 경화막은, 드라이 에칭 레지스트로서 특히 호적하게 사용할 수 있다.The cured film obtained by curing the photosensitive resin composition of the present invention can be particularly suitably used as a dry etching resist.

본 발명의 경화막은, 본 발명의 감광성 수지 조성물을 경화하여 얻어진 경화막이며, 층간 절연막으로서 호적하게 사용할 수 있다. 또한, 본 발명의 경화막은, 본 발명의 경화막의 형성 방법에 의해 얻어진 경화막인 것이 바람직하다.The cured film of the present invention is a cured film obtained by curing the photosensitive resin composition of the present invention and can be suitably used as an interlayer insulating film. The cured film of the present invention is preferably a cured film obtained by the method of forming a cured film of the present invention.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 의해, 높은 감도를 갖고, 현상시에 있어서의 잔사의 발생이 억제되며, 또한, 평활성이 우수한 표면을 갖는 경화막을 얻을 수 있고, 당해 경화막은 층간 절연막으로서 유용하다. 또한, 본 발명의 감광성 수지 조성물을 사용하여 이루어지는 층간 절연막은, 높은 투명성을 갖고, 양호한 형상의 패턴 형상을 형성할 수 있으며, 또한, 그 표면의 평활성도 우수하므로, 유기 EL 표시 장치나 액정 표시 장치의 용도로 유용하다.With the photosensitive resin composition of the present invention, it is possible to obtain a cured film having a high sensitivity, suppressing the generation of residues during development, and having a surface with excellent smoothness, and the cured film is useful as an interlayer insulating film. Further, the interlayer insulating film formed using the photosensitive resin composition of the present invention has high transparency, can form a pattern of a good shape, and is also excellent in the smoothness of its surface. Therefore, an organic EL display device, a liquid crystal display . &Lt; / RTI &gt;

본 발명의 감광성 수지 조성물을 적용할 수 있는 유기 EL 표시 장치나 액정 표시 장치로서는, 본 발명의 감광성 수지 조성물을 사용하여 형성되는 경화막을 평탄화막이나 보호막, 층간 절연막으로서 사용하는 것 이외는, 특별히 제한되지 않고, 다양한 구조를 취하는 공지의 각종 유기 EL 표시 장치나 액정 표시 장치를 들 수 있다.As the organic EL display device or liquid crystal display device to which the photosensitive resin composition of the present invention can be applied, the cured film formed using the photosensitive resin composition of the present invention is particularly limited except that the cured film is used as a planarizing film, a protective film, And various known organic EL display devices and liquid crystal display devices having various structures can be given.

또한, 본 발명의 감광성 수지 조성물 및 본 발명의 경화막은, 상기 용도에 한정되지 않고 여러가지 용도로 사용할 수 있다. 예를 들면 평탄화막이나 보호막, 층간 절연막 이외에도, 액정 표시 장치에 있어서의 액정층의 두께를 일정하게 유지하기 위한 스페이서나 고체 촬상 소자에 있어서 컬러 필터 위에 마련되는 마이크로렌즈, 에칭용 레지스트, 특히 바람직하게는 드라이 에칭용 레지스트 등에 호적하게 사용할 수 있다.In addition, the photosensitive resin composition of the present invention and the cured film of the present invention are not limited to the above-described use, and can be used for various purposes. For example, a spacer for keeping the thickness of the liquid crystal layer in the liquid crystal display device constant, a microlens provided on the color filter in the solid-state image pickup device, an etching resist, Can be suitably used for a dry etching resist or the like.

도 1은 본 발명의 감광성 수지 조성물을 사용한 유기 EL 표시 장치의 일례의 구성 개념도를 나타낸다. 보텀 에미션형의 유기 EL 표시 장치에 있어서의 기판의 모식적인 단면도를 나타내고, 평탄화막(4)을 갖고 있다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a structural conceptual diagram showing an example of an organic EL display device using the photosensitive resin composition of the present invention. Fig. 1 is a schematic cross-sectional view of a substrate in a bottom emission type organic EL display device and has a planarization film 4.

유리 기판(6) 위에 보텀 게이트형의 TFT(1)를 형성하고, 이 TFT(1)를 덮은 상태로 Si3N4로 이루어지는 절연막(3)이 형성되어 있다. 절연막(3)에, 여기에서는 도시를 생략한 콘택트홀을 형성한 후, 이 콘택트홀을 개재(介在)하여 TFT(1)에 접속되는 배선(2)(높이 1.0㎛)이 절연막(3) 위에 형성되어 있다. 배선(2)은, TFT(1) 사이 또는, 후의 공정에서 형성되는 유기 EL 소자와 TFT(1)를 접속하기 위한 것이다.A bottom gate type TFT 1 is formed on a glass substrate 6 and an insulating film 3 made of Si 3 N 4 is formed so as to cover the TFT 1. A contact hole (not shown) is formed in the insulating film 3 and a wiring 2 (height 1.0 mu m) connected to the TFT 1 is formed on the insulating film 3 with this contact hole interposed therebetween Respectively. The wiring 2 is for connecting the organic EL element formed between the TFTs 1 or in a subsequent step to the TFT 1. [

또한, 배선(2)의 형성에 의한 요철을 평탄화하기 위해, 배선(2)에 의한 요철을 메워넣는 상태로 절연막(3) 위에 평탄화막(4)이 형성되어 있다.The flattening film 4 is formed on the insulating film 3 so as to fill the irregularities formed by the wirings 2 in order to planarize the irregularities due to the formation of the wirings 2.

평탄화막(4) 위에는, 보텀 에미션형의 유기 EL 소자가 형성되어 있다. 즉, 평탄화막(4) 위에, ITO로 이루어지는 제1 전극(5)이, 콘택트홀(7)을 개재하여 배선(2)에 접속시켜 형성되어 있다. 제1 전극(5)은, 유기 EL 소자의 양극(陽極)에 상당한다.On the planarizing film 4, a bottom-emission organic EL element is formed. That is, a first electrode 5 made of ITO is formed on the planarization film 4 by being connected to the wiring 2 via the contact hole 7. The first electrode 5 corresponds to the anode of the organic EL element.

제1 전극(5)의 주연(周緣)을 덮는 형상의 절연막(8)이 형성되어 있으며, 이 절연막(8)을 마련함으로써, 제1 전극(5)과 이 후의 공정에서 형성하는 제2 전극 사이의 쇼트를 방지할 수 있다.The insulating film 8 is formed so as to cover the periphery of the first electrode 5. By providing the insulating film 8, the first electrode 5 and the second electrode Can be prevented.

또한, 도 1에는 도시하고 있지 않지만, 원하는 패턴 마스크를 통해, 정공 수송층, 유기 발광층, 전자 수송층을 순차 증착하여 마련하고, 계속하여, 기판 위방의 전면에 Al으로 이루어지는 제2 전극을 형성하고, 봉지용 유리판과 자외선 경화형 에폭시 수지를 사용하여 첩합(貼合)함으로써 봉지하고, 각 유기 EL 소자에 이를 구동하기 위한 TFT(1)가 접속되어 이루어지는 액티브 매트릭스형의 유기 EL 표시 장치를 얻을 수 있다.Although not shown in Fig. 1, a hole transporting layer, an organic light emitting layer, and an electron transporting layer are sequentially deposited by a desired pattern mask. Subsequently, a second electrode made of Al is formed on the entire upper side of the substrate, An organic EL display device of an active matrix type in which an organic EL element is sealed by bonding using a glass plate for ultraviolet curing type epoxy resin and the TFT 1 for driving each organic EL element is connected can be obtained.

도 2는 액티브 매트릭스 방식의 액정 표시 장치(10)의 일례를 나타내는 개념적 단면도이다. 이 컬러 액정 표시 장치(10)는, 배면에 백라이트 유닛(12)을 갖는 액정 패널로서, 액정 패널은, 편광 필름이 첩부(貼付)된 2매의 유리 기판(14, 15) 사이에 배치된 모든 화소에 대응하는 TFT(16)의 소자가 배치되어 있다. 유리 기판 위에 형성된 각 소자에는, 경화막(17) 중에 형성된 콘택트홀(18)을 통과시켜, 화소 전극을 형성하는 ITO 투명 전극(19)이 배선되어 있다. ITO 투명 전극(19) 위에는, 액정(20)의 층과 블랙 매트릭스를 배치한 RGB 컬러 필터(22)가 마련되어 있다.Fig. 2 is a conceptual cross-sectional view showing an example of the active matrix type liquid crystal display device 10. Fig. This color liquid crystal display device 10 is a liquid crystal panel having a backlight unit 12 on its back surface and the liquid crystal panel is a liquid crystal display panel in which all of the two glass substrates 14 and 15 that are stuck Elements of the TFT 16 corresponding to the pixel are disposed. Each element formed on the glass substrate is wired with an ITO transparent electrode 19 which passes through the contact hole 18 formed in the cured film 17 and forms a pixel electrode. On the ITO transparent electrode 19, an RGB color filter 22 in which a layer of the liquid crystal 20 and a black matrix are arranged is provided.

[실시예][Example]

다음으로, 실시예에 의해 본 발명을 더 구체적으로 설명한다. 단, 본 발명은, 이들 실시예에 의해 한정되는 것이 아니다. 또한, 특별히 명시가 없는 한, 「부」, 「%」는 중량 기준이다.Next, the present invention will be described more specifically with reference to Examples. However, the present invention is not limited to these examples. Unless otherwise specified, "parts" and "%" are by weight.

<합성예 1>&Lt; Synthesis Example 1 &

냉각관, 교반기를 구비한 플라스크에, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르 150중량부를 넣고, 질소 분위기 하에서 90℃로 승온했다. 그 용액에, 단량체 성분으로서 메타크릴산1-에톡시에틸 41.3중량부, 3-에틸-3-옥세타닐메틸메타크릴레이트 31.0중량부, 메타크릴산 5.6중량부, 2-에틸헥실메타크릴레이트 17.0중량부, 그리고 중합 개시제로서 디메틸-2,2'-아조비스(2-메틸프로피오네이트) 10.0중량부를 용해시켜, 2시간 걸쳐 적하했다. 적하 종료 후 2시간 교반했다. 그 용액에 디메틸-2,2'-아조비스(2-메틸프로피오네이트) 2.5중량부를 더 첨가하고, 2시간 더 교반하여, 반응을 종료시켰다. 그에 따라 공중합체 A-1을 얻었다. 중량 평균 분자량은 11,000이었다.In a flask equipped with a cooling tube and a stirrer, 150 parts by weight of diethylene glycol ethyl methyl ether was added and the temperature was raised to 90 占 폚 under a nitrogen atmosphere. To the solution, 41.3 parts by weight of 1-ethoxyethyl methacrylate, 31.0 parts by weight of 3-ethyl-3-oxetanylmethyl methacrylate, 5.6 parts by weight of methacrylic acid, 2-ethylhexyl methacrylate And 10.0 parts by weight of dimethyl-2,2'-azobis (2-methylpropionate) as a polymerization initiator were dissolved and dissolved dropwise over 2 hours. After completion of dropwise addition, stirring was continued for 2 hours. 2.5 parts by weight of dimethyl-2,2'-azobis (2-methylpropionate) was further added to the solution, and the mixture was further stirred for 2 hours to terminate the reaction. Thus, Copolymer A-1 was obtained. The weight average molecular weight was 11,000.

<합성예 2∼41>&Lt; Synthesis Examples 2 to 41 &

사용한 모노머 및 그 양을 변경한 것 이외는, 합성예 1과 같이 하여, 표 1, 표 2에 나타내는 공중합체 A-2∼A-15, a-1∼a-5, B-1∼B-16, 및 b-1∼b-5를 각각 합성했다. 합성된 각 공중합체의 조성비(몰%) 및 중량 평균 분자량(Mw)은, 표 1 및 표 2에 나타낸 바와 같다.2 to A-15, a-1 to a-5, B-1 to B-5 shown in Tables 1 and 2, except that the monomers used and the amounts thereof were changed, 16, and b-1 to b-5, respectively. The composition ratios (mol%) and the weight average molecular weight (Mw) of each of the synthesized copolymers are shown in Tables 1 and 2.

[표 1][Table 1]

Figure 112012066016297-pat00046
Figure 112012066016297-pat00046

[표 2][Table 2]

Figure 112012066016297-pat00047
Figure 112012066016297-pat00047

표 1 및 표 2 중의 약호는 이하와 같다.The abbreviations in Tables 1 and 2 are as follows.

MAEVE: 메타크릴산1-에톡시에틸MAEVE: 1-ethoxyethyl methacrylate

MATHF: 테트라히드로푸란-2-일메타크릴레이트MATHF: tetrahydrofuran-2-yl methacrylate

MACHOE: 1-(시클로헥실옥시)에틸메타크릴레이트MACHOE: 1- (cyclohexyloxy) ethyl methacrylate

MATHP: 테트라히드로-2H-피란-2-일메타크릴레이트MATHP: tetrahydro-2H-pyran-2-yl methacrylate

PHSEVE: p-히드록시스티렌의 1-에톡시에틸기 보호체PHSEVE: 1-ethoxyethyl protective group of p-hydroxystyrene

OXE-30: 메타크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸(오사카유기가가쿠고교(주)제)OXE-30: Methacrylic acid (3-ethyloxetan-3-yl) methyl (manufactured by Osaka Organic Chemical Industry Co., Ltd.)

GMA: 글리시딜메타크릴레이트GMA: glycidyl methacrylate

NBMA: n-부톡시메틸아크릴아미드NBMA: n-butoxymethyl acrylamide

VBGE: p-비닐벤질글리시딜에테르VBGE: p-vinylbenzyl glycidyl ether

MAA: 메타크릴산MAA: methacrylic acid

PHS: p-히드록시스티렌PHS: p-hydroxystyrene

HEMA: 2-에틸헥실메타크릴레이트HEMA: 2-ethylhexyl methacrylate

AA: 아크릴산AA: Acrylic acid

THFFMA: 테트라히드로푸르푸릴메타크릴레이트THFFMA: tetrahydrofurfuryl methacrylate

St: 스티렌St: Styrene

α-MeSt: α-메틸스티렌α-MeSt: α-methylstyrene

㎜A: 메틸메타크릴레이트MmA: methyl methacrylate

DCPM: 메타크릴산(트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일)DCPM: methacrylic acid (tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decan-8-yl)

(실시예 1∼68 및 비교예 1∼11)(Examples 1 to 68 and Comparative Examples 1 to 11)

표 3∼표 5에 기재한 양(고형분)을, 고형분 농도가 27중량%가 되도록 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르:프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트=1:1(중량비)의 혼합 용제에 용해시킨 후, 공경 0.2㎛의 멤브레인 필터로 여과하여, 실시예 1∼68 및 비교예 1∼11의 감광성 수지 조성물을 각각 조제했다.(Solid content) shown in Tables 3 to 5 was dissolved in a mixed solvent of diethylene glycol methyl ethyl ether: propylene glycol monomethyl ether acetate = 1: 1 (weight ratio) so that the solid concentration became 27% by weight, And filtered through a membrane filter having a pore size of 0.2 탆 to prepare photosensitive resin compositions of Examples 1 to 68 and Comparative Examples 1 to 11, respectively.

[표 3][Table 3]

Figure 112012066016297-pat00048
Figure 112012066016297-pat00048

[표 4][Table 4]

Figure 112012066016297-pat00049
Figure 112012066016297-pat00049

[표 5][Table 5]

Figure 112012066016297-pat00050
Figure 112012066016297-pat00050

상기 표 중, 각종 첨가제의 약호는 하기와 같다.In the above table, the abbreviations of various additives are as follows.

C-1: 하기 구조의 화합물(합성품)C-1: Compound of the following structure (synthesized product)

C-2: 하기 구조의 화합물(합성품)C-2: Compound of the following structure (synthesized product)

C-3: 하기 구조의 화합물(합성품)C-3: Compound of the following structure (synthesized product)

C-4: CGI-1397(BASF샤제)C-4: CGI-1397 (BASF)

C-5: 하기 구조의 화합물(일본국 특표2002-528451호 공보의 단락 0108에 기재된 방법에 따라 합성함)C-5: Compound of the following structure (synthesized according to the method described in paragraph 0108 of Japanese Patent Application No. 2002-528451)

C-6: PAI-1001(미도리가가쿠(주)제)C-6: PAI-1001 (manufactured by Midori Kagaku Co., Ltd.)

C-7: 4,7-디-n-부톡시-1-나프틸테트라히드로티오페늄트리플루오로메탄설포네이트C-7: 4,7-di-n-butoxy-1-naphthyltetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate

Figure 112012066016297-pat00051
Figure 112012066016297-pat00051

<C-1의 합성><Synthesis of C-1>

2-나프톨(10g), 클로로벤젠(30mL)의 현탁 용액에 염화알루미늄(10.6g), 2-클로로프로피오닐클로리드(10.1g)를 첨가하고, 혼합액을 40℃로 가열하여 2시간 반응시켰다. 빙냉 하에서, 반응액에 4N HCl 수용액(60mL)을 적하하고, 아세트산에틸(50mL)을 첨가하여 분액했다. 유기층에 탄산칼륨(19.2g)을 가해, 40℃에서 1시간 반응시킨 후, 2N HCl 수용액(60mL)을 첨가하여 분액하고, 유기층을 농축 후, 결정을 디이소프로필에테르(10mL)로 리슬러리하고, 여과, 건조하여 케톤 화합물(6.5g)을 얻었다.Aluminum chloride (10.6 g) and 2-chloropropionyl chloride (10.1 g) were added to a suspension of 2-naphthol (10 g) and chlorobenzene (30 mL), and the mixture was heated to 40 캜 for reaction for 2 hours. Under ice-cooling, 4N HCl aqueous solution (60 mL) was added dropwise to the reaction solution, and ethyl acetate (50 mL) was added to separate the layers. Potassium carbonate (19.2 g) was added to the organic layer, and the mixture was reacted at 40 占 폚 for 1 hour. 2N HCl aqueous solution (60 mL) was added thereto to separate the layers. The organic layer was concentrated and the crystals were reslurried with diisopropyl ether , Filtered and dried to obtain a ketone compound (6.5 g).

얻어진 케톤 화합물(3.0g), 메탄올(18mL)의 현탁 용액에 아세트산(7.3g), 50중량% 히드록실아민 수용액(8.0g)을 첨가하고, 10시간 가열 환류했다. 방냉 후, 물(50mL)을 가하고, 석출한 결정을 여과, 냉메탄올 세정 후, 건조하여 옥심 화합물(2.4g)을 얻었다.Acetic acid (7.3 g) and a 50 wt% hydroxylamine aqueous solution (8.0 g) were added to the suspension of the resulting ketone compound (3.0 g) and methanol (18 mL), and the mixture was heated under reflux for 10 hours. After allowing to cool, water (50 mL) was added, and the precipitated crystals were filtered, washed with cold methanol, and dried to obtain an oxime compound (2.4 g).

얻어진 옥심 화합물(1.8g)을 아세톤(20mL)에 용해시켜, 빙냉 하에서 트리에틸아민(1.5g), p-톨루엔설포닐클로리드(2.4g)를 첨가하고, 실온으로 승온하여 1시간 반응시켰다. 반응액에 물(50mL)을 첨가하고, 석출한 결정을 여과 후, 메탄올(20mL)로 리슬러리하고, 여과, 건조하여 C-1(2.3g)을 얻었다. The resulting oxime compound (1.8 g) was dissolved in acetone (20 mL), and triethylamine (1.5 g) and p-toluenesulfonyl chloride (2.4 g) were added under ice-cooling, and the mixture was heated to room temperature and reacted for 1 hour. Water (50 mL) was added to the reaction solution, and the precipitated crystals were filtered and then slurry was reslurried with methanol (20 mL), followed by filtration and drying to obtain C-1 (2.3 g).

또한, C-1의 1H-NMR 스펙트럼(300M㎐, CDCl3)은, δ=8.3(d,1H), 8.0(d,2H), 7.9(d,1H), 7.8(d,1H), 7.6(dd,1H), 7.4(dd,1H), 7.3(d,2H), 7.1(d.1H), 5.6(q,1H), 2.4(s,3H), 1.7(d,3H)이었다.In addition, C-1 1 H-NMR spectrum (300M㎐, CDCl 3) of the, δ = 8.3 (d, 1H ), 8.0 (d, 2H), 7.9 (d, 1H), 7.8 (d, 1H), (D, 1H), 7.4 (dd, 1H), 7.3 (d, 2H), 7.1 (d, 1H), 5.6 (q,

<C-2의 합성><Synthesis of C-2>

2-나프톨(20g)을 N,N-디메틸아세트아미드(150mL)에 용해시켜, 탄산칼륨(28.7g), 2-브로모옥탄산에틸(52.2g)을 첨가하여 100℃에서 2시간 반응시켰다. 반응액에 물(300mL), 아세트산에틸(200mL)을 첨가하여 분액하고, 유기층을 농축 후, 48중량% 수산화나트륨 수용액(23g), 에탄올(50mL), 물(50mL)을 첨가하고, 2시간 반응시켰다. 반응액을 1N HCl 수용액(500mL)에 넣고, 석출한 결정을 여과, 수세하여 카르복시산 조체(粗體)를 얻은 후, 폴리인산 30g을 첨가하여 170℃에서 30분 반응시켰다. 반응액을 물(300mL)에 넣고, 아세트산에틸(300mL)을 첨가하여 분액하고, 유기층을 농축한 후 실리카겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 케톤 화합물(10g)을 얻었다.2-Naphthol (20 g) was dissolved in N, N-dimethylacetamide (150 ml). Potassium carbonate (28.7 g) and ethyl 2-bromoacetate (52.2 g) were added and reacted at 100 ° C for 2 hours. Water (300 mL) and ethyl acetate (200 mL) were added to the reaction mixture and the mixture was separated. The organic layer was concentrated, and 48 wt% aqueous sodium hydroxide solution (23 g), ethanol (50 mL) and water (50 mL) . The reaction solution was poured into 1N HCl aqueous solution (500 mL), and the precipitated crystals were filtered and washed with water to obtain a crude carboxylic acid. Then 30 g of polyphosphoric acid was added and the reaction was carried out at 170 DEG C for 30 minutes. The reaction solution was poured into water (300 mL) and ethyl acetate (300 mL) was added thereto to separate the layers. The organic layer was concentrated and purified by silica gel column chromatography to obtain a ketone compound (10 g).

얻어진 케톤 화합물(10.0g), 메탄올(100mL)의 현탁 용액에 아세트산나트륨(30.6g), 염산히드록실아민(25.9g), 황산마그네슘(4.5g)을 첨가하고, 24시간 가열 환류했다. 방냉 후, 물(150mL), 아세트산에틸(150mL)을 첨가하여 분액하고, 유기층을 물 80mL로 4회 분액하고, 농축한 후 실리카겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 옥심 화합물(5.8g)을 얻었다.Sodium acetate (30.6 g), hydroxylamine hydrochloride (25.9 g) and magnesium sulfate (4.5 g) were added to the resulting suspension of the ketone compound (10.0 g) and methanol (100 mL) and the mixture was refluxed for 24 hours. After allowing to cool, water (150 mL) and ethyl acetate (150 mL) were added to separate the layers. The organic layer was separated into four portions of 80 mL of water, concentrated, and then purified by silica gel column chromatography to obtain an oxime compound (5.8 g).

얻어진 옥심(3.1g)에 대하여, C-1과 같이 설포네이트화를 행하여, C-2(3.2g)를 얻었다.The obtained oxime (3.1 g) was sulfonated as in C-1 to obtain C-2 (3.2 g).

또한, C-2의 1H-NMR 스펙트럼(300M㎐, CDCl3)은, δ=8.3(d,1H), 8.0(d,2H), 7.9(d,1H), 7.8(d,1H), 7.6(dd,1H), 7.5(dd,1H), 7.3(d,2H), 7.1(d.1H), 5.6(dd,1H), 2.4(s,3H), 2.2(ddt,1H), 1.9(ddt,1H), 1.4∼1.2(m,8H), 0.8(t,3H)이었다.In addition, 1 H-NMR spectrum (300M㎐, CDCl3) of the C-2 is, δ = 8.3 (d, 1H ), 8.0 (d, 2H), 7.9 (d, 1H), 7.8 (d, 1H), 7.6 (dd, 1H), 7.5 (dd, 1H), 7.3 (d, 2H), 7.1 (d, 1H), 5.6 ddt, 1H), 1.4-1.2 (m, 8H), 0.8 (t, 3H).

<C-3의 합성><Synthesis of C-3>

C-1에 있어서의 p-톨루엔설포닐클로리드 대신에 벤젠설포닐클로리드를 사용한 것 이외는, C-1과 같이 하여 C-3을 합성했다.C-3 was synthesized in the same manner as C-1, except that benzenesulfonyl chloride was used instead of p-toluenesulfonyl chloride in C-1.

또한, C-3의 1H-NMR 스펙트럼(300M㎐, CDCl3)은, δ=8.3(d,1H), 8.1(d,2H), 7.9(d,1H), 7.8(d,1H), 7.7-7.5(m,4H), 7.4(dd,1H), 7.1(d.1H), 5.6(q,1H), 1.7(d,3H)이었다.In addition, C-3 1 H-NMR spectrum (300M㎐, CDCl 3) of the, δ = 8.3 (d, 1H ), 8.1 (d, 2H), 7.9 (d, 1H), 7.8 (d, 1H), (D, 1H), 7.1 (d, 1H), 5.6 (q, 1H), 1.7 (d, 3H).

E-1: DBA(9,10-디부톡시안트라센, 가와사키카세이고교(주)제)E-1: DBA (9,10-dibutoxyanthracene, manufactured by Kawasaki Kasei Kogyo Co., Ltd.)

E-2: DETX(디에틸티오크산톤)E-2: DETX (diethyl thioxanthone)

F-1: 1,5-디아자비시클로[4,3,0]-5-노넨(도쿄카세이고교(주)제)F-1: 1,5-diazabicyclo [4,3,0] -5-nonene (manufactured by Tokyo Kasei Kogyo Co., Ltd.)

F-2: 하기 구조의 화합물F-2: Compound of the following structure

Figure 112012066016297-pat00052
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G-1: JER157S65(미쓰비시가가쿠(주)제)G-1: JER157S65 (manufactured by Mitsubishi Kagaku Co., Ltd.)

G-2: JER1031S(미쓰비시가가쿠(주)제)G-2: JER1031S (manufactured by Mitsubishi Kagaku Co., Ltd.)

G-3: 데나콜 EX-612(나가세켐텍스(주)제)G-3: Denacol EX-612 (manufactured by Nagase ChemteX Corporation)

G-4: 데나콜 EX-321L(나가세켐텍스(주)제)G-4: Denacol EX-321L (manufactured by Nagase ChemteX Corporation)

G-5: MF-K60X(아사히카세이케미컬(주)제)G-5: MF-K60X (manufactured by Asahi Kasei Chemical Co., Ltd.)

H-1: 3-글리시독시프로필트리메톡시실란(KBM-403, 신에츠가가쿠고교(주)제)H-1: 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane (KBM-403, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.)

H-2: 3-글리시독시프로필트리에톡시실란(KBE-403, 신에츠가가쿠고교(주)제)H-2: 3-glycidoxypropyltriethoxysilane (KBE-403, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.)

H-3: 3-아크릴록시프로필트리메톡시실란(KBM-5103, 신에츠가가쿠고교(주)제)H-3: 3-acryloxypropyltrimethoxysilane (KBM-5103, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.)

Ⅰ-1: 하기 구조의 화합물I-1: Compound of the following structure

Ⅰ-2: 실리콘계 계면 활성제 SH-8400FLUID(도레이·다우코닝(주)제)I-2: Silicone surfactant SH-8400FLUID (manufactured by Toray Dow Corning Co., Ltd.)

Figure 112012066016297-pat00053
Figure 112012066016297-pat00053

<내약품성(박리액 내성)의 평가>&Lt; Evaluation of chemical resistance (release liquid resistance) >

유리 기판(코닝 1737, 0.7㎜ 두께(코닝사제)) 위에, 각 감광성 수지 조성물을 슬릿 도포한 후, 90℃/120초 핫플레이트 위에서 가열에 의해 용제를 제거하여, 막두께 4.0㎛의 감광성 수지 조성물층을 형성했다.Each of the photosensitive resin compositions was coated with a slit on a glass substrate (Corning 1737, 0.7 mm thick (manufactured by Corning)), and then the solvent was removed by heating on a hot plate at 90 DEG C for 120 seconds to obtain a photosensitive resin composition Layer.

얻어진 감광성 수지 조성물층을, 캐논(주)제 PLA-501F 노광기(초고압 수은 램프)로 적산 조사량이 300mJ/㎠(조도: 20mW/㎠, i선)가 되도록 노광하고, 그 후, 이 기판을 오븐에서 230℃로 1시간 가열하여 경화막을 얻었다.The obtained photosensitive resin composition layer was exposed to light with an integrated irradiation amount of 300 mJ / cm 2 (illuminance: 20 mW / cm 2, i-line) with a PLA-501F exposure device (ultra high pressure mercury lamp) manufactured by Canon Inc., At 230 占 폚 for 1 hour to obtain a cured film.

그 경화막을 모노에탄올아민으로 60℃에서 5분 침지시키고, 그 막을 끌어올려 표면의 액을 닦아낸 후에, 바로 막두께를 측정했다. 침지 전의 막두께와, 침지 후의 막두께를 비교하여, 증가한 비율을 퍼센트로 표기했다. 결과를 표 6∼표 8에 나타냈다. 수치로서는 작을수록 경화막의 박리액 내성은 양호하며, A 또는 B가 바람직하다.The cured film was immersed in monoethanolamine at 60 DEG C for 5 minutes, the film was pulled up to wipe out the liquid on the surface, and the film thickness was immediately measured. The film thickness before immersion and the film thickness after immersion were compared, and the increased ratio was expressed as a percentage. The results are shown in Tables 6 to 8. The smaller the numerical value is, the better the peel solution resistance of the cured film is, and A or B is preferable.

팽윤율(%)=침지 후의 막두께(㎛)/침지 전의 막두께(㎛)×100Swelling rate (%) = film thickness after immersion (占 퐉) / film thickness before immersion (占 퐉) 占 100

A: 100% 이상 105% 미만A: 100% or more and less than 105%

B: 105% 이상 110% 미만B: 105% or more and less than 110%

C: 110% 이상C: 110% or more

<내약품성(NMP 내성)의 평가>&Lt; Evaluation of chemical resistance (NMP resistance) >

유리 기판(코닝 1737, 0.7㎜ 두께(코닝사제)) 위에, 각 감광성 수지 조성물을 슬릿 도포한 후, 90℃/120초 핫플레이트 위에서 가열에 의해 용제를 제거하여, 막두께 4.0㎛의 감광성 수지 조성물층을 형성했다.Each of the photosensitive resin compositions was coated with a slit on a glass substrate (Corning 1737, 0.7 mm thick (manufactured by Corning)), and then the solvent was removed by heating on a hot plate at 90 DEG C for 120 seconds to obtain a photosensitive resin composition Layer.

얻어진 감광성 수지 조성물층을, 캐논(주)제 PLA-501F 노광기(초고압 수은 램프)로 적산 조사량이 300mJ/㎠(조도: 20mW/㎠, i선)가 되도록 노광하고, 그 후, 이 기판을 오븐에서 230℃로 1시간 가열하여 경화막을 얻었다.The obtained photosensitive resin composition layer was exposed to light with an integrated irradiation amount of 300 mJ / cm 2 (illuminance: 20 mW / cm 2, i-line) with a PLA-501F exposure device (ultra high pressure mercury lamp) manufactured by Canon Inc., At 230 占 폚 for 1 hour to obtain a cured film.

그 경화막을 NMP로 80℃에서 10분 침지시키고, 그 막을 끌어올려 표면의 액을 닦아낸 후에, 바로 막두께를 측정했다. 침지 전의 막두께와, 침지 후의 막두께를 비교하여, 증가한 비율을 퍼센트로 표기했다. 결과를 표 6∼표 8에 나타냈다. 수치로서는 작을수록 경화막의 NMP 내성은 양호하며, A 또는 B가 바람직하다.The cured film was immersed in NMP at 80 DEG C for 10 minutes, the film was pulled up to wipe out the liquid on the surface, and the film thickness was immediately measured. The film thickness before immersion and the film thickness after immersion were compared, and the increased ratio was expressed as a percentage. The results are shown in Tables 6 to 8. The smaller the numerical value is, the better the NMP resistance of the cured film is, and A or B is preferable.

팽윤율(%)=침지 후의 막두께(㎛)/침지 전의 막두께(㎛)×100Swelling rate (%) = film thickness after immersion (占 퐉) / film thickness before immersion (占 퐉) 占 100

A: 100% 이상 105% 미만A: 100% or more and less than 105%

B: 105% 이상 110% 미만B: 105% or more and less than 110%

C: 110% 이상C: 110% or more

<경화막의 밀착성>&Lt; Adhesion of cured film &

ITO(산화인듐주석) 기판, Mo(몰리브덴) 기판, 티타늄(Ti) 기판 위에, 각 감광성 수지 조성물을 슬릿 도포한 후, 90℃/120초 핫플레이트 위에서 가열에 의해 용제를 제거하여, 막두께 4.0㎛의 감광성 수지 조성물층을 형성했다. 얻어진 감광성 수지 조성물층을, 캐논(주)제 PLA-501F 노광기(초고압 수은 램프)로 적산 조사량이 300mJ/㎠(조도: 20mW/㎠, i선)가 되도록 노광하고, 그 후, 이 기판을 오븐에서 230℃로 1시간 가열하여 경화막을 얻었다. 경화막에 커터를 사용하여, 종횡으로 1㎜의 간격으로 칼자국을 내고, 스카치테이프를 사용하여 테이프 박리 시험을 행했다. 테이프 이면에 전사된 경화막의 면적으로부터 경화막과 기판간의 밀착성을 평가했다. 그 결과를 표 6∼표 8에 나타냈다. 수치로서는 작을수록 하지 기판과의 밀착성이 높고, A 또는 B가 바람직하다.Each of the photosensitive resin compositions was coated with a slit on an ITO (indium tin oxide) substrate, a Mo (molybdenum) substrate, and a titanium (Ti) substrate and then the solvent was removed by heating on a hot plate at 90 deg. Mu m of the photosensitive resin composition layer. The obtained photosensitive resin composition layer was exposed to light with an integrated irradiation amount of 300 mJ / cm 2 (illuminance: 20 mW / cm 2, i-line) with a PLA-501F exposure device (ultra high pressure mercury lamp) manufactured by Canon Inc., At 230 占 폚 for 1 hour to obtain a cured film. A cutter was used for the cured film, a nick was formed at intervals of 1 mm in the vertical and horizontal directions, and a tape peeling test was conducted using a scotch tape. The adhesion between the cured film and the substrate was evaluated from the area of the cured film transferred on the back side of the tape. The results are shown in Tables 6 to 8. The smaller the numerical value is, the higher the adhesion to the substrate is, and A or B is preferable.

A: 전사된 면적이 1% 미만A: Less than 1% of transferred area

B: 전사된 면적이 1% 이상 5% 미만B: Transferred area is 1% or more and less than 5%

C: 전사된 면적이 5% 이상C: Transferred area of 5% or more

<내(耐)드라이 에칭성>&Lt; Dry etching resistance >

유리 기판(코닝 1737, 0.7㎜ 두께(코닝사제)) 위에, 각 감광성 수지 조성물을 슬릿 도포한 후, 90℃/120초 핫플레이트 위에서 가열에 의해 용제를 제거하여, 막두께 4.0㎛의 감광성 수지 조성물층을 형성했다.Each of the photosensitive resin compositions was coated with a slit on a glass substrate (Corning 1737, 0.7 mm thick (manufactured by Corning)), and then the solvent was removed by heating on a hot plate at 90 DEG C for 120 seconds to obtain a photosensitive resin composition Layer.

얻어진 감광성 수지 조성물층을, 캐논(주)제 PLA-501F 노광기(초고압 수은 램프)로 적산 조사량이 300mJ/㎠(조도: 20mW/㎠, i선)가 되도록 노광하고, 그 후, 이 기판을 오븐에서 230℃로 1시간 가열하여 경화막을 얻었다. 당해 경화막을 드라이 에칭 장치 「CDE-80N((주)시바우라메카토로닉스제)」를 사용하여, 에칭 가스로서 CF4 50ml/분, O2 10ml/분, 출력 400mW, 에칭 시간 90초의 조건으로 드라이 에칭을 행했다. 그 막감소량으로부터 에칭 속도를 산출했다. 그 결과를 표 6∼표 8에 나타냈다. 수치로서는 작을수록 내드라이 에칭성이 높고, A 또는 B가 바람직하다.The resulting photosensitive resin composition layer was exposed to light with an integrated irradiation amount of 300 mJ / cm 2 (illuminance: 20 mW / cm 2, i-line) with a PLA-501F exposure device (ultra high pressure mercury lamp) manufactured by Canon Inc., At 230 占 폚 for 1 hour to obtain a cured film. The cured film was subjected to etching with a dry etching apparatus "CDE-80N (Shibaura Mechatronics Co., Ltd.)" as an etching gas under conditions of CF 4 50 ml / min, O 2 10 ml / min, output 400 mW, Dry etching was performed. The etching rate was calculated from the film reduction amount. The results are shown in Tables 6 to 8. The smaller the numerical value is, the higher the dry etching resistance is, and A or B is preferable.

A: 30Å/초 이상 35Å/초 미만A: 30 Å / sec to 35 Å / sec

B: 35Å/초 이상 40Å/초 미만B: 35 Å / sec or more and less than 40 Å / sec

C: 40Å/초 이상 45Å/초 미만C: 40 Å / sec to 45 Å / sec

<감도의 평가>&Lt; Evaluation of sensitivity &

유리 기판(코닝 1737, 0.7㎜ 두께(코닝사제)) 위에, 각 감광성 수지 조성물을 슬릿 도포한 후, 90℃/120초 핫플레이트 위에서 프리베이킹하여 용제를 휘발시켜, 막두께 4.0㎛의 감광성 수지 조성물층을 형성했다.Each of the photosensitive resin compositions was coated with a slit on a glass substrate (Corning 1737, 0.7 mm thick (manufactured by Corning)) and then pre-baked on a 90 ° C / 120 sec hot plate to volatilize the solvent to obtain a photosensitive resin composition Layer.

다음으로, 얻어진 감광성 수지 조성물층을, 캐논(주)제 PLA-501F 노광기(초고압 수은 램프)를 사용하여, 소정의 마스크를 통해 노광했다. 그리고, 노광 후의 감광성 조성물층을, 알칼리 현상액(0.3중량%의 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액)으로 23℃/60초간 현상한 후, 초순수로 20초 린스했다.Next, the obtained photosensitive resin composition layer was exposed through a predetermined mask using a PLA-501F exposure device (ultra-high pressure mercury lamp) manufactured by CANON CO., LTD. Then, the exposed photosensitive composition layer was developed with an alkaline developer (0.3 wt% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution) at 23 DEG C for 60 seconds, and rinsed with ultrapure water for 20 seconds.

이들의 조작에 의해 13㎛의 라인 앤드 스페이스를 1:1로 해상할 때의 최적 i선 노광량(Eopt)을 감도로 했다. 결과를 표 6∼표 8에 나타냈다. 수치로서는 작을수록 바람직하고, A 및 B가 실용상 문제가 없는 레벨이며, C는 생산성의 관점에서 바람직하지 못하다.With these operations, the optimum i-line exposure amount (Eopt) when resolving a line-and-space of 13 mu m at a ratio of 1: 1 was taken as sensitivity. The results are shown in Tables 6 to 8. The smaller the numerical value is, the more preferable A and B are the levels at which there is no practical problem, and C is not preferable from the viewpoint of productivity.

A: 50mJ/㎠ 미만A: Less than 50 mJ / cm 2

B: 50mJ/㎠ 이상 300mJ/㎠ 미만B: 50 mJ / cm 2 or more and less than 300 mJ / cm 2

C: 300mJ/㎠ 이상C: 300 mJ / cm 2 or more

<표시 장치에 있어서의 표시 성능 평가><Evaluation of Display Performance in Display Device>

박막 트랜지스터(TFT)를 사용한 액정 표시 장치를 이하의 방법으로 제작했다(도 2 참조). 일본국 특허 제3321003호 공보의 도 1 및 도 2에 기재된 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치에 있어서, 층간 절연막으로서 경화막(17)을 이하와 같이 하여 형성하고, 액정 표시 장치를 얻었다. 즉, 유리 기판(6) 위에 보텀 게이트형의 TFT(1)를 형성하고, 이 TFT(1)를 덮은 상태로 Si3N4로 이루어지는 절연막(3)을 형성했다. 다음으로, 이 절연막(3)에, 콘택트홀을 형성한 후, 이 콘택트홀을 개재하여 TFT(1)에 접속되는 배선(2)(높이 1.0㎛)을 절연막(3) 위에 형성했다.A liquid crystal display device using a thin film transistor (TFT) was produced by the following method (see Fig. 2). In the active matrix type liquid crystal display device shown in Figs. 1 and 2 of Japanese Patent No. 3321003, a cured film 17 as an interlayer insulating film was formed as follows to obtain a liquid crystal display device. That is, a bottom gate type TFT 1 was formed on a glass substrate 6, and an insulating film 3 made of Si 3 N 4 was formed while covering the TFT 1. Next, after a contact hole was formed in the insulating film 3, a wiring 2 (height 1.0 mu m) connected to the TFT 1 via the contact hole was formed on the insulating film 3.

또한, 배선(2)의 형성에 의한 요철을 평탄화하기 위해, 배선(2)에 의한 요철을 메워넣는 상태로 절연막(3) 위에 평탄화막(4)을 형성했다. 절연막(3) 위에의 평탄화막(4)의 형성은, 실시예 1∼57, 비교예 1∼9의 각 감광성 수지 조성물을 기판 위에 스핀 도포하고, 핫플레이트 위에서 프리베이킹(90℃×2분)한 후, 마스크 위에서 고압 수은등을 사용하여 i선(365㎚)을 25mJ/㎠(조도 20mW/㎠) 조사한 후, 알카리 수용액으로 현상하여 패턴을 형성하고, 230℃에서 60분간의 가열 처리를 행했다. 당해 감광성 수지 조성물을 도포할 때의 도포성은 양호하고, 노광, 현상, 소성(燒成) 후에 얻어진 경화막에는, 주름이나 크랙의 발생은 보이지 않았다. 또한, 배선(2)의 평균 단차는 500㎚, 제작한 평탄화막(4)의 막두께는 2,000㎚였다.In order to planarize the irregularities due to the formation of the wirings 2, the flattening film 4 was formed on the insulating film 3 in a state in which the irregularities by the wirings 2 were filled. The planarizing film 4 on the insulating film 3 was formed by spin coating each of the photosensitive resin compositions of Examples 1 to 57 and Comparative Examples 1 to 9 on the substrate and prebaking (90 DEG C x 2 minutes) on a hot plate, After irradiating i-line (365 nm) with 25 mJ / cm 2 (roughness 20 mW / cm 2) using a high-pressure mercury lamp on the mask, the pattern was formed by developing with an aqueous alkaline solution and heat treatment was performed at 230 ° C. for 60 minutes. The coating properties upon application of the photosensitive resin composition were satisfactory, and wrinkles and cracks were not observed in the cured films obtained after exposure, development and firing. In addition, the average step of the wiring 2 was 500 nm, and the film thickness of the prepared planarization film 4 was 2,000 nm.

얻어진 액정 표시 장치에 대하여 구동 전압을 인가하여, 그레이의 테스트 신호를 입력시켰을 때의 그레이 표시를 육안으로 관찰하고, 표시 불균일의 발생의 유무를 평가했다. 결과를 표 6∼표 8에 나타냈다. A 및 B가 실용상 문제가 없는 레벨이다.A driving voltage was applied to the obtained liquid crystal display device, and a gray display at the time of inputting a gray test signal was visually observed to evaluate the occurrence of display unevenness. The results are shown in Tables 6 to 8. A and B are levels at which there is no practical problem.

A: 전혀 불균일이 보이지 않음(매우 좋음)A: No irregularities at all (very good)

B: 표시부에 희미하게 불균일이 보이지만 실용 레벨(좋음)B: The display shows faint non-uniformity, but the practical level (good)

C: 표시부에 강한 불균일이 보임(나쁨)C: Strong unevenness on the display (poor)

[표 6][Table 6]

Figure 112012066016297-pat00054
Figure 112012066016297-pat00054

[표 7][Table 7]

Figure 112012066016297-pat00055
Figure 112012066016297-pat00055

[표 8][Table 8]

Figure 112012066016297-pat00056
Figure 112012066016297-pat00056

본 발명의 감광성 수지 조성물은, 고감도이며, 박리액이나 NMP에 대한 내성이 높고, 또한, 투명 전극막이나 금속과의 밀착성도 양호하며, 또한, 드라이 에칭 내성이 우수함을 알 수 있었다.It was found that the photosensitive resin composition of the present invention had a high sensitivity, a high resistance to peeling liquid and NMP, good adhesion to a transparent electrode film and a metal, and excellent dry etching resistance.

(실시예 69)(Example 69)

박막 트랜지스터(TFT)를 사용한 유기 EL 표시 장치를 이하의 방법으로 제작했다(도 1 참조).An organic EL display device using a thin film transistor (TFT) was produced by the following method (see Fig. 1).

유리 기판(6) 위에 보텀 게이트형의 TFT(1)를 형성하고, 이 TFT(1)를 덮은 상태로 Si3N4로 이루어지는 절연막(3)을 형성했다. 다음으로 이 절연막(3)에, 여기에서는 도시를 생략한 콘택트홀을 형성한 후, 이 콘택트홀을 개재하여 TFT(1)에 접속되는 배선(2)(높이 1.0㎛)을 절연막(3) 위에 형성했다. 이 배선(2)은, TFT(1) 사이,또는, 후의 공정에서 형성되는 유기 EL 소자와 TFT(1)를 접속하기 위한 것이다.A bottom gate type TFT 1 was formed on a glass substrate 6 and an insulating film 3 made of Si 3 N 4 was formed while covering the TFT 1. Next, a contact hole (not shown) is formed in the insulating film 3, and a wiring 2 (height 1.0 mu m) connected to the TFT 1 via the contact hole is formed on the insulating film 3 . The wirings 2 are for connecting the organic EL element formed between the TFTs 1 or a later step to the TFT 1. [

또한, 배선(2)의 형성에 의한 요철을 평탄화하기 위해, 배선(2)에 의한 요철을 메워넣는 상태로 절연막(3) 위에 평탄화층(4)을 형성했다. 절연막(3) 위에의 평탄화막(4)의 형성은, 실시예 1의 감광성 수지 조성물을 기판 위에 스핀 도포하고, 핫플레이트 위에서 프리베이킹(90℃×2분)한 후, 마스크 위에서 고압 수은등 을 사용하여 i선(365㎚)을 45mJ/㎠(조도 20mW/㎠) 조사한 후, 알카리 수용액으로 현상하여 패턴을 형성하고, 230℃에서 60분간의 가열 처리를 행했다. 당해 감광성 수지 조성물을 도포할 때의 도포성은 양호하고, 노광, 현상, 소성 후에 얻어진 경화막에는, 주름이나 크랙의 발생은 보이지 않았다. 또한, 배선(2)의 평균 단차는 500㎚, 제작한 평탄화막(4)의 막두께는 2,000㎚였다.In order to planarize the irregularities formed by the formation of the wirings 2, the planarization layer 4 was formed on the insulating film 3 in a state in which irregularities by the wirings 2 were filled. The planarizing film 4 on the insulating film 3 was formed by spin-coating the photosensitive resin composition of Example 1 on a substrate, pre-baking it on a hot plate (90 占 폚 for 2 minutes), and then using a high- , Irradiated with i-line (365 nm) at 45 mJ / cm 2 (illuminance: 20 mW / cm 2), developed with an aqueous alkaline solution to form a pattern, and subjected to heat treatment at 230 ° C for 60 minutes. The coating properties upon application of the photosensitive resin composition were good, and wrinkles and cracks were not observed in the cured films obtained after exposure, development and firing. In addition, the average step of the wiring 2 was 500 nm, and the film thickness of the prepared planarization film 4 was 2,000 nm.

다음으로, 얻어진 평탄화막(4) 위에, 보텀 에미션형의 유기 EL 소자를 형성했다. 우선, 평탄화막(4) 위에, ITO로 이루어지는 제1 전극(5)을, 콘택트홀(7)을 개재하여 배선(2)에 접속시켜 형성했다. 그 후, 레지스트를 도포, 프리베이킹하고, 원하는 패턴의 마스크를 통해 노광하고, 현상했다. 이 레지스트 패턴을 마스크로 하여, ITO 엣첸트를 사용한 웨트 에칭에 의해 패턴 가공을 행했다. 그 후, 레지스트 박리액(모노에탄올아민과 디메틸설폭시드(DMSO)의 혼합액)을 사용하여 당해 레지스트 패턴을 박리했다. 이렇게 하여 얻어진 제1 전극(5)은, 유기 EL 소자의 양극에 상당한다.Next, a bottom-emission type organic EL device was formed on the obtained planarization film 4. First, a first electrode 5 made of ITO was formed on the flattening film 4 by being connected to the wiring 2 through the contact hole 7. Thereafter, the resist was coated and prebaked, exposed through a mask of a desired pattern, and developed. Using this resist pattern as a mask, patterning was carried out by wet etching using ITO etchant. Thereafter, the resist pattern was peeled off using a resist stripping solution (a mixture of monoethanolamine and dimethyl sulfoxide (DMSO)). The first electrode 5 thus obtained corresponds to the anode of the organic EL element.

다음으로, 제1 전극(5)의 주연을 덮은 형상의 절연막(8)을 형성했다. 절연막에는, 실시예 3의 감광성 수지 조성물을 사용하여, 상기와 같은 방법으로 절연막(8)을 형성했다. 이 절연막을 마련함으로써, 제1 전극(5)과 이 후의 공정에서 형성하는 제2 전극 사이의 쇼트를 방지할 수 있다.Next, an insulating film 8 having a shape covering the periphery of the first electrode 5 was formed. As the insulating film, the insulating film 8 was formed in the same manner as above using the photosensitive resin composition of Example 3. By providing this insulating film, a short circuit can be prevented between the first electrode 5 and the second electrode formed in the subsequent step.

또한, 진공 증착 장치 내에서 원하는 패턴 마스크를 통해, 정공 수송층, 유기 발광층, 전자 수송층을 순차 증착하여 마련했다. 계속하여, 기판 위방의 전면에 Al으로 이루어지는 제2 전극을 형성했다. 얻어진 상기 기판을 증착기로부터 취출(取出)하여 봉지용 유리판과 자외선 경화형 에폭시 수지를 사용하여 첩합함으로써 봉지했다.Further, a hole transporting layer, an organic light emitting layer, and an electron transporting layer were sequentially deposited through a desired pattern mask in a vacuum vapor deposition apparatus. Subsequently, a second electrode made of Al was formed on the entire surface above the substrate. The obtained substrate was taken out from the evaporator and sealed by bonding using a sealing glass plate and an ultraviolet curable epoxy resin.

이상과 같이 하여, 각 유기 EL 소자에 이를 구동하기 위한 TFT(1)가 접속하여 이루어지는 액티브 매트릭스형의 유기 EL 표시 장치를 얻을 수 있었다. 구동 회로를 통해 전압을 인가한 바, 양호한 표시 특성을 나타내어, 신뢰성이 높은 유기 EL 표시 장치임을 알 수 있었다.As described above, an organic EL display device of an active matrix type in which the TFTs 1 for driving the organic EL elements were connected to each organic EL element was obtained. When a voltage was applied through the driving circuit, good display characteristics were exhibited and it was found that the organic EL display device was highly reliable.

(실시예 70)(Example 70)

실시예 69에 있어서, 실시예 1의 감광성 수지 조성물을 실시예 16의 감광성 수지 조성물로 대신한 것 이외는 마찬가지로 유기 EL 장치를 제작했다. 양호한 표시 특성을 나타내어, 신뢰성이 높은 유기 EL 표시 장치임을 알 수 있었다.An organic EL device was produced in the same manner as in Example 69 except that the photosensitive resin composition of Example 16 was replaced with the photosensitive resin composition of Example 16. Exhibited good display characteristics, indicating that the organic EL display device is highly reliable.

(실시예 71)(Example 71)

실시예 69에 있어서, 실시예 1의 감광성 수지 조성물을 실시예 31의 감광성 수지 조성물로 대신한 것 이외는 마찬가지로 유기 EL 장치를 제작했다. 양호한 표시 특성을 나타내어, 신뢰성이 높은 유기 EL 표시 장치임을 알 수 있었다.An organic EL device was prepared in the same manner as in Example 69 except that the photosensitive resin composition of Example 31 was replaced with the photosensitive resin composition of Example 31. Exhibited good display characteristics, indicating that the organic EL display device is highly reliable.

(실시예 72)(Example 72)

일본국 특허 제3321003호 공보의 도 1 및 도 2에 기재된 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치에 있어서, 층간 절연막으로서 경화막(17)을 이하와 같이 하여 형성하고, 실시예 72의 액정 표시 장치를 얻었다.In the active matrix type liquid crystal display device described in Figs. 1 and 2 of Japanese Patent No. 3321003, a cured film 17 as an interlayer insulating film was formed as follows to obtain a liquid crystal display device of Example 72. [

즉, 실시예 1의 감광성 수지 조성물을 사용하여, 상기 실시예 69에 있어서의 유기 EL 표시 장치의 평탄화막(4)의 형성 방법과 같은 방법으로, 층간 절연막으로서 경화막(17)을 형성했다.That is, the photosensitive resin composition of Example 1 was used to form a cured film 17 as an interlayer insulating film in the same manner as in the method of forming the planarization film 4 of the organic EL display device in Example 69.

얻어진 액정 표시 장치에 대하여, 구동 전압을 인가한 바, 양호한 표시 특성을 나타내어, 신뢰성이 높은 액정 표시 장치임을 알 수 있었다.When the driving voltage was applied to the obtained liquid crystal display device, good display characteristics were exhibited and it was found that the liquid crystal display device was highly reliable.

(실시예 73)(Example 73)

실시예 72에 있어서, 실시예 1의 감광성 수지 조성물을 실시예 16의 감광성 수지 조성물로 대신한 것 이외는 마찬가지로 액정 표시 장치를 제작했다. 양호한 표시 특성을 나타내어, 신뢰성이 높은 액정 표시 장치임을 알 수 있었다.A liquid crystal display device was manufactured in the same manner as in Example 72 except that the photosensitive resin composition of Example 1 was replaced with the photosensitive resin composition of Example 16. And exhibited good display characteristics, indicating that the liquid crystal display device is highly reliable.

(실시예 74)(Example 74)

실시예 72에 있어서, 실시예 1의 감광성 수지 조성물을 실시예 31의 감광성 수지 조성물로 대신한 것 이외는 마찬가지로 액정 표시 장치를 제작했다. 양호한 표시 특성을 나타내어, 신뢰성이 높은 액정 표시 장치임을 알 수 있었다.A liquid crystal display device was prepared in the same manner as in Example 72 except that the photosensitive resin composition of Example 31 was replaced with the photosensitive resin composition of Example 31. And exhibited good display characteristics, indicating that the liquid crystal display device is highly reliable.

(실시예 75)(Example 75)

실시예 72에 있어서, 실시예 1의 감광성 수지 조성물을 실시예 60의 감광성 수지 조성물로 대신한 것 이외는 마찬가지로 액정 표시 장치를 제작했다. 양호한 표시 특성을 나타내어, 신뢰성이 높은 액정 표시 장치임을 알 수 있었다.A liquid crystal display was manufactured in the same manner as in Example 72 except that the photosensitive resin composition of Example 1 was replaced with the photosensitive resin composition of Example 60. [ And exhibited good display characteristics, indicating that the liquid crystal display device is highly reliable.

1: TFT(박막 트랜지스터) 2: 배선
3: 절연막 4: 평탄화막
5: 제1 전극 6: 유리 기판
7: 콘택트홀 8: 절연막
10: 액정 표시 장치 12: 백라이트 유닛
14, 15: 유리 기판 16: TFT
17: 경화막 18: 콘택트홀
19: ITO 투명 전극 20: 액정
22: 컬러 필터
1: TFT (thin film transistor) 2: wiring
3: insulating film 4: planarization film
5: first electrode 6: glass substrate
7: Contact hole 8: Insulating film
10: liquid crystal display device 12: backlight unit
14, 15: glass substrate 16: TFT
17: cured film 18: contact hole
19: ITO transparent electrode 20: liquid crystal
22: Color filter

Claims (18)

(성분 A) 적어도 (a1) 산기가 산분해성기로 보호된 잔기를 갖는 구성 단위와 (a2) 가교성기를 갖는 구성 단위를 갖는 공중합체,
(성분 B) 산기가 산분해성기로 보호된 잔기를 갖는 구성 단위를 갖지 않고, 적어도 (b1) 산기를 갖는 구성 단위와 (b2) 가교성기를 갖는 구성 단위를 갖는 공중합체,
(성분 C) 광산발생제, 및
(성분 D) 용제를 함유하고,
상기 구성 단위(a2) 및 상기 구성 단위(b2)에 있어서의 가교성기가 각각 독립적으로 에폭시기, 옥세타닐기 또는 N-알콕시메틸기이며,
성분 C가, 트리클로로메틸-s-트리아진류, 설포늄염, 요오도늄염, 제4급 암모늄염류, 디아조메탄 화합물, 이미드설포네이트 화합물, 및 옥심설포네이트 화합물로 이루어지는 군에서 선택된 화합물인 것을 특징으로 하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
(Component A) a copolymer having at least (a1) a structural unit having an acid group protected by an acid-decomposable group and (a2) a structural unit having a crosslinkable group,
(Component B) a copolymer having at least (a1) a structural unit having an acidic group and (b2) a structural unit having a crosslinkable group, wherein the acid group has no structural unit having a residue protected by an acid-
(Component C) photoacid generator, and
(Component D) a solvent,
, The crosslinkable groups in the structural unit (a2) and the structural unit (b2) are each independently an epoxy group, an oxetanyl group or an N-alkoxymethyl group,
Component C is a compound selected from the group consisting of trichloromethyl-s-triazine, sulfonium salts, iodonium salts, quaternary ammonium salts, diazomethane compounds, imide sulfonate compounds and oxime sulfonate compounds Wherein the positive photosensitive resin composition is a positive photosensitive resin composition.
제1항에 있어서,
상기 구성 단위(a1)가, 카르복시기가 아세탈 또는 케탈의 형태로 보호된 잔기를 갖는 구성 단위인 포지티브형 감광성 수지 조성물.
The method according to claim 1,
Wherein the structural unit (a1) is a structural unit having a carboxyl group in a form protected with an acetal or ketal moiety.
제1항에 있어서,
상기 구성 단위(a1)가, 식 (a1-1)로 표시되는 구성 단위인 포지티브형 감광성 수지 조성물.
Figure 112012066016297-pat00057

(식 중, R1은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R2은 탄소수 1∼6의 알킬기를 나타내며, R3은 탄소수 1∼6의 알킬기 또는 탄소수 4∼7의 시클로알킬기를 나타내고, R2과 R3은 연결하여 환을 형성해도 된다.)
The method according to claim 1,
Wherein the structural unit (a1) is a structural unit represented by the formula (a1-1).
Figure 112012066016297-pat00057

(Wherein R 1 represents a hydrogen atom or a methyl group, R 2 represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, R 3 represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or a cycloalkyl group having 4 to 7 carbon atoms, R 2 and R 3 may be connected to form a ring.)
제1항에 있어서,
상기 구성 단위(a2)가, 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 구성 단위인 포지티브형 감광성 수지 조성물.
The method according to claim 1,
Wherein the structural unit (a2) is a structural unit having an epoxy group and / or an oxetanyl group.
제1항에 있어서,
상기 구성 단위(b1)의 산기가, 카르복시기 또는 페놀성 수산기인 포지티브형 감광성 수지 조성물.
The method according to claim 1,
Wherein the acid group of the structural unit (b1) is a carboxyl group or a phenolic hydroxyl group.
제1항에 있어서,
상기 구성 단위(b2)가, 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 구성 단위인 포지티브형 감광성 수지 조성물.
The method according to claim 1,
Wherein the structural unit (b2) is a structural unit having an epoxy group and / or an oxetanyl group.
제1항에 있어서,
성분 B가, 식 (b3)으로 표시되는 구성 단위를 더 갖는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
Figure 112012066016297-pat00058

(식 중, R4은 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다.)
The method according to claim 1,
Wherein the component B further comprises the structural unit represented by the formula (b3).
Figure 112012066016297-pat00058

(Wherein R 4 represents a hydrogen atom or a methyl group).
제1항에 있어서,
성분 A의 함유량 WA과 성분 B의 함유량 WB의 중량 비율이 WA/WB=98/2∼20/80인 포지티브형 감광성 수지 조성물.
The method according to claim 1,
When the content W A and W B of the content weight ratio of component B in component A W A / W B = 98 / 2~20 / 80 of a positive photosensitive resin composition.
제1항에 있어서,
성분 C가, 식 (c1)로 표시되는 옥심설포네이트 광산발생제인 포지티브형 감광성 수지 조성물.
Figure 112012066016297-pat00059

(식 (c1) 중, R5 및 R6은 각각 독립적으로, 1가의 유기기를 나타내고, R5 및 R6은 연결하여 환을 형성하고 있어도 되고, R7은 알킬기, 시클로알킬기 또는 아릴기를 나타낸다.)
The method according to claim 1,
Wherein the component C is the oxime sulfonate photo-acid generator represented by the formula (c1).
Figure 112012066016297-pat00059

(In the formula (c1), R 5 and R 6 each independently represent a monovalent organic group, R 5 and R 6 may be connected to form a ring, and R 7 represents an alkyl group, a cycloalkyl group or an aryl group. )
제1항에 있어서,
성분 C가, 식 (OS-3), 식 (OS-4), 식 (OS-5) 또는 식 (c4)로 표시되는 화합물인 포지티브형 감광성 수지 조성물.
Figure 112012066016297-pat00060

(식 (OS-3)∼식 (OS-5) 중, R1은 알킬기, 아릴기 또는 헤테로아릴기를 나타내고, R2은 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기, 아릴기 또는 할로겐 원자를 나타내며, R6은 각각 독립적으로, 할로겐 원자, 알킬기, 알킬옥시기, 설폰산기, 아미노설포닐기 또는 알콕시설포닐기를 나타내고, X는 O 또는 S를 나타내며, n은 1 또는 2를 나타내고, m은 0∼6의 정수를 나타낸다.)
Figure 112012066016297-pat00061

(식 중, RB1은 알킬기, 알콕시기 또는 할로겐 원자를 나타내고, RB2은 알킬기 또는 아릴기를 나타낸다.)
The method according to claim 1,
Wherein the component C is a compound represented by the formula (OS-3), the formula (OS-4), the formula (OS-5) or the formula (c4).
Figure 112012066016297-pat00060

Wherein R 1 represents an alkyl group, an aryl group or a heteroaryl group, R 2 each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group or a halogen atom, R 1 represents an alkyl group, an aryl group or a heteroaryl group, 6 each independently represent a halogen atom, an alkyl group, an alkyloxy group, a sulfonic acid group, an aminosulfonyl group or an alkoxysulfonyl group, X represents O or S, n represents 1 or 2, and m represents 0 to 6 Represents an integer.)
Figure 112012066016297-pat00061

(Wherein R B1 represents an alkyl group, an alkoxy group or a halogen atom, and R B2 represents an alkyl group or an aryl group.)
제1항에 있어서,
광증감제를 더 함유하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
The method according to claim 1,
A positive photosensitive resin composition further comprising a photosensitizer.
(1) 제1항 내지 제11항 중 어느 1항에 기재된 포지티브형 감광성 수지 조성물을 사용하여 기판 위에 막상의 층을 형성하는 층형성 공정,
(2) 도포된 감광성 수지 조성물로부터 용제를 제거하는 용제 제거 공정,
(3) 용제가 제거된 감광성 수지 조성물을 활성 광선에 의해 노광하는 노광 공정,
(4) 노광된 감광성 수지 조성물을 수성 현상액에 의해 현상하는 현상 공정, 및
(5) 현상된 감광성 수지 조성물을 열경화하는 포스트베이킹 공정을 포함하는 경화막의 형성 방법.
(1) a layer forming step of forming a film-like layer on a substrate by using the positive photosensitive resin composition according to any one of claims 1 to 11,
(2) a solvent removing step of removing the solvent from the applied photosensitive resin composition,
(3) an exposure step of exposing the photosensitive resin composition from which the solvent has been removed by an actinic ray,
(4) a developing step of developing the exposed photosensitive resin composition with an aqueous developing solution, and
(5) A post-baking step of thermally curing the developed photosensitive resin composition.
제12항에 있어서,
상기 현상 공정 후, 상기 포스트베이킹 공정 전에, 현상된 감광성 수지 조성물을 전면(全面) 노광하는 공정을 포함하는 경화막의 형성 방법.
13. The method of claim 12,
And a step of exposing the developed photosensitive resin composition to the whole surface after the development step and before the post-baking step.
제12항에 있어서,
(6) 열경화하여 얻어진 경화막을 갖는 기판에 대하여 드라이 에칭을 행하는 드라이 에칭 공정을 더 포함하는 경화막의 형성 방법.
13. The method of claim 12,
(6) A method for forming a cured film, which further comprises a dry etching step of performing dry etching on the substrate having the cured film obtained by thermosetting.
제12항에 기재된 방법에 의해 형성된 경화막.A cured film formed by the method according to claim 12. 제15항에 있어서,
층간 절연막인 경화막.
16. The method of claim 15,
A cured film which is an interlayer insulating film.
제15항에 기재된 경화막을 구비하는 유기 EL 표시 장치.An organic EL display device comprising the cured film according to claim 15. 제15항에 기재된 경화막을 구비하는 액정 표시 장치.A liquid crystal display device comprising the cured film according to claim 15.
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