KR20130033314A - Photosensitive resin composition, method of producing cured film, cured film, organic el display device, and liquid crystal display device - Google Patents

Photosensitive resin composition, method of producing cured film, cured film, organic el display device, and liquid crystal display device Download PDF

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켄타 야마자키
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Abstract

PURPOSE: A photosensitive resin composition, a hardened film using the same, a manufacturing method thereof, an organic EL display device and a liquid crystal display device are provided to be able to manufacture a photosensitive resin composition having high chemical resistance after curing and a very high sensitivity by obtaining a hardened film with low transparency decline in heating. CONSTITUTION: A photosensitive resin composition comprises a resin with the acetal structure in which the alkali solubility is changed with the acid action, a photo acid generator, a cross-linking agent, and a solvent. The cross-linking agent includes a block isocyanate compound. The parent structure of the block isocyanate compound is the burette structure. The isocyanate functional group of the block isocyanate compound is blocked by a blocking agent selected from the group consisting of oxime compound, lactam compound, phenol compound, alcohol compound, amine compound, activated methylene compound, pyrazole compound, mercaptan compound, imidazole compound, and imide compound. The photo acid generator is oxime sulfonate compound. A liquid crystal display device(10) uses the photosensitive resin composition.

Description

감광성 수지 조성물, 경화막의 형성 방법, 경화막, 유기 EL 표시 장치, 및 액정 표시 장치{PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, METHOD OF PRODUCING CURED FILM, CURED FILM, ORGANIC EL DISPLAY DEVICE, AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE}Photosensitive resin composition, the method of forming a cured film, a cured film, an organic EL display apparatus, and a liquid crystal display device {PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, METHOD OF PRODUCING CURED FILM, CURED FILM, ORGANIC EL DISPLAY DEVICE, AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE}

본 발명은 감광성 수지 조성물, 경화막의 형성 방법, 경화막, 유기 EL 표시 장치, 및 액정 표시 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a photosensitive resin composition, a method of forming a cured film, a cured film, an organic EL display device, and a liquid crystal display device.

더욱 상세하게는 유기 EL 표시 장치, 액정 표시 장치, 집적 회로 소자, 고체 촬상 소자 등의 전자부품의 평탄화막, 보호막이나 층간 절연막의 형성에 바람직한 포지티브형 감광성 수지 조성물 및 그것을 사용한 경화막의 형성 방법에 관한 것이다.More specifically, it relates to a positive photosensitive resin composition suitable for the formation of planarization films, protective films and interlayer insulating films of electronic components such as organic EL displays, liquid crystal displays, integrated circuit devices, solid-state imaging devices, and a method of forming a cured film using the same. will be.

유기 EL 표시 장치나, 액정 표시 장치 등에는 패턴 형성된 층간 절연막이 형성되어 있다. 이 층간 절연막의 형성에는 필요로 하는 패턴 형상을 얻기 위한 공정수가 적고, 또한 충분한 평탄성이 얻어진다는 점에서 감광성 수지 조성물이 널리 사용되고 있다.A patterned interlayer insulating film is formed in an organic EL display device, a liquid crystal display device, or the like. The photosensitive resin composition is widely used for the formation of this interlayer insulation film in that the number of steps for obtaining the required pattern shape is small and sufficient flatness is obtained.

상기 표시 장치에 있어서의 층간 절연막에는 절연성, 내용제성, 내열성, 및 산화 인듐주석(ITO) 스퍼터 적성이 우수하다는 경화막의 물성에 추가해서 높은 투명성이 요망되고 있다. 이 때문에, 투명성이 우수한 아크릴계 수지를 막형성 성분으로서 사용하는 것이 시도되고 있다.In addition to the physical properties of the cured film which is excellent in insulation, solvent resistance, heat resistance, and indium tin oxide (ITO) sputterability, the interlayer insulating film in the said display apparatus is desired. For this reason, it is tried to use acrylic resin excellent in transparency as a film formation component.

한편, 팩시밀리, 전자복사기, 고체 촬상 소자 등의 온칩 컬러필터의 결상광학계 또는 광섬유 커넥터의 광학계 재료로서 3~100㎛ 정도의 렌즈 지름을 갖는 마이크로 렌즈, 또는 이들 마이크로 렌즈를 규칙적으로 배열한 마이크로 렌즈 어레이가 사용되고 있다.On the other hand, a microlens having a lens diameter of about 3 to 100 µm as an imaging system of an on-chip color filter such as a facsimile, an electronic copying machine, a solid-state imaging device, or an optical fiber connector, or a microlens array in which these microlenses are regularly arranged Is being used.

마이크로 렌즈 또는 마이크로 렌즈 어레이의 형성에는 렌즈에 상당하는 레지스트 패턴을 형성한 후, 가열 처리함으로써 멜트플로우시켜서 그대로 렌즈로서 이용하는 방법이나, 멜트플로우시킨 렌즈 패턴을 마스크로 해서 드라이 에칭에 의해 하지에 렌즈 형상을 전사시키는 방법 등이 알려져 있다. 상기 렌즈 패턴의 형성에는 감광성 수지 조성물이 폭넓게 사용되고 있다.To form a microlens or microlens array, a resist pattern corresponding to the lens is formed and then melt-flowed by heat treatment to be used as a lens, or by using a melt-flowed lens pattern as a mask and dry etching to form a lens. And a method for transferring the same is known. The photosensitive resin composition is widely used for formation of the said lens pattern.

이러한 감광성 수지 조성물로서는 예를 들면, 일본 특허 공개 평 10-26829호 공보, 일본 특허 공개 2004-264623호 공보, 및 일본 특허 공개 2008-3532호 공보를 들 수 있다.As such a photosensitive resin composition, Unexamined-Japanese-Patent No. 10-26829, Unexamined-Japanese-Patent No. 2004-264623, and Unexamined-Japanese-Patent No. 2008-3532 are mentioned, for example.

이러한 표시 장치류의 제조에는 에칭액, 박리액, N-메틸피롤리돈(NMP) 등 다양한 약액이 사용되고, 이들 약액에 대한 내성이 필수로 된다. 예를 들면, 일본 특허 공개 2008-3532호 공보에는 박리액인 MEA(모노에탄올아민)에 대한 내성 향상에 관한 발명이 개시되어 있지만, 다른 약액, 특히 NMP에 대한 내성 향상에 대해서는 기재가 없다.Various chemical liquids, such as an etching liquid, a peeling liquid, and N-methylpyrrolidone (NMP), are used for manufacture of such display apparatuses, and resistance to these chemical liquids becomes essential. For example, Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2008-3532 discloses an invention relating to improvement in resistance to MEA (monoethanolamine) as a stripping solution, but does not describe improvement in resistance to other chemicals, particularly NMP.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 경화 후의 내약품성이 높고, 또한 가열해도 투명성 저하가 작은 경화막이 얻어져서 매우 높은 감도를 갖는 감광성 수지 조성물을 제공하는 것에 있다. The problem to be solved by the present invention is to provide a photosensitive resin composition having a very high sensitivity by obtaining a cured film having high chemical resistance after curing and small transparency drop even when heated.

또한, 본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 상기 감광성 수지 조성물을 사용한 경화막 및 그 제조 방법, 상기 경화막을 구비한 유기 EL 표시 장치 및 액정 표시 장치를 제공하는 것에 있다.Further, another object of the present invention is to provide a cured film using the photosensitive resin composition, a method for producing the same, an organic EL display device having the cured film, and a liquid crystal display device.

본 발명의 상기 과제는 이하의 <1>, <11>, <15>, <17> 또는 <18>에 기재된 수단에 의해 해결되었다. 바람직한 실시형태인 <2>~<10>, <12>~<14> 및 <16>과 함께 이하에 기재한다.The said subject of this invention was solved by the means as described in the following <1>, <11>, <15>, <17>, or <18>. It describes below with <2>-<10>, <12>-<14>, and <16> which is preferable embodiment.

<1> (성분 A) 아세탈 구조를 갖고, 산의 작용에 의해 알칼리 용해성이 변화되는 수지, (성분 B) 광산발생제, (성분 C) 가교제, 및 (성분 D) 용제를 포함하고, 성분 C는 블록 이소시아네이트 화합물을 포함하고, 상기 블록 이소시아네이트 화합물의 모구조는 뷰렛 구조인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물,<1> (component A) Resin which has an acetal structure and whose alkali solubility changes by the action of an acid, (component B) photoacid generator, (component C) crosslinking agent, and (component D) solvent, Comprising: Is a block isocyanate compound, and the parent structure of the block isocyanate compound is a photosensitive resin composition,

<2> <1>에 있어서, 상기 블록 이소시아네이트 화합물의 이소시아네이트기는 옥심 화합물, 락탐 화합물, 페놀 화합물, 알콜 화합물, 아민 화합물, 활성 메틸렌 화합물, 피라졸 화합물, 메르캅탄 화합물, 이미다졸계 화합물, 및 이미드계 화합물로 이루어지는 군에서 선택된 블록화제로 블록되어 있는 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물,<2> The isocyanate group of the block isocyanate compound according to <1>, wherein an oxime compound, a lactam compound, a phenol compound, an alcohol compound, an amine compound, an active methylene compound, a pyrazole compound, a mercaptan compound, an imidazole compound, and already Photosensitive resin composition characterized by blocking with a blocking agent selected from the group consisting of a de-based compound,

<3> <1> 또는 <2>에 있어서, 상기 블록 이소시아네이트 화합물은 톨릴렌디이소시아네이트(TDI), 디페닐메탄디이소시아네이트(MDI), 헥사메틸렌디이소시아네이트(HDI), 및 이소포론디이소시아네이트(IPDI)로 이루어지는 군에서 선택된 화합물을 다량화해서 얻어진 뷰렛 구조를 갖는 다량체의 이소시아네이트기를 블록제로 블록한 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물,<3> The <1> or <2>, wherein the block isocyanate compound is tolylene diisocyanate (TDI), diphenylmethane diisocyanate (MDI), hexamethylene diisocyanate (HDI), and isophorone diisocyanate (IPDI) Photosensitive resin composition characterized by blocking the isocyanate group of the multimer which has a burette structure obtained by multiplying the compound selected from the group which consists of a blocking agent,

<4> <1>~<3> 중 어느 하나에 있어서, 상기 블록 이소시아네이트 화합물의 함유량은 감광성 수지 조성물의 전체 고형분량에 대해서 0.1~8질량%의 범위인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물,<4> The photosensitive resin composition in any one of <1>-<3> whose content of the said block isocyanate compound is 0.1-8 mass% with respect to the total solid content of the photosensitive resin composition,

<5> <1>~<4> 중 어느 하나에 있어서, 성분 A는 카르복실기가 아세탈 구조에 의해 보호된 잔기를 갖는 구성 단위(a1)를 갖는 중합체인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물,<5> Photosensitive resin composition in any one of <1>-<4> whose component A is a polymer which has a structural unit (a1) which has a residue by which the carboxyl group was protected by the acetal structure,

<6> <1>~<5> 중 어느 하나에 있어서, 성분 A는 카르복실기 또는 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위(a2)를 갖는 중합체인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물,<6> Photosensitive resin composition in any one of <1>-<5> whose component A is a polymer which has a structural unit (a2) which has a carboxyl group or a phenolic hydroxyl group,

<7> <1>~<6> 중 어느 하나에 있어서, 성분 B는 옥심술포네이트 화합물인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물,<7> Photosensitive resin composition in any one of <1>-<6> whose component B is an oxime sulfonate compound,

<8> <1>~<7> 중 어느 하나에 있어서, 성분 A는 (a3) 가교성기를 갖는 구성 단위를 갖는 중합체인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물,<8> Photosensitive resin composition in any one of <1>-<7> whose component A is a polymer which has a structural unit which has a crosslinkable group (a3),

<9> <8>에 있어서, (a3) 가교성기를 갖는 구성 단위에 포함되는 가교성기는 에폭시기, 옥세타닐기, 및 -NH-CH2-O-R(R은 수소원자 또는 탄소수 1~20의 알킬기를 나타낸다)로 나타내어지는 기로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 1종인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물,<9><8> method, (a3) cross-linking group contained in the structural unit having a crosslinking group is an epoxy group, an oxetanyl group, and a -NH-CH 2 -OR (R is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms in Photosensitive resin composition, characterized in that at least one selected from the group consisting of

<10> <1>~<9> 중 어느 하나에 있어서, 산화 방지제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물,<10> Photosensitive resin composition in any one of <1>-<9> which further contains antioxidant,

<11> (1) 상기 <1>~<10> 중 어느 하나에 기재된 감광성 수지 조성물을 기판 상에 적용하는 적용 공정, (2) 적용된 감광성 수지 조성물로부터 용제를 제거하는 용제 제거 공정, (3) 용제가 제거된 감광성 수지 조성물을 활성 광선에 의해 노광하는 노광 공정, (4) 노광된 감광성 수지 조성물을 수성 현상액에 의해 현상하는 현상 공정, 및 (5)현상된 감광성 수지 조성물을 열경화하는 포스트 베이킹 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 경화막의 형성 방법,<11> (1) The application process of applying the photosensitive resin composition in any one of said <1>-<10> on a board | substrate, (2) The solvent removal process of removing a solvent from the applied photosensitive resin composition, (3) An exposure step of exposing the photosensitive resin composition from which the solvent has been removed by actinic light, (4) a developing step of developing the exposed photosensitive resin composition with an aqueous developer, and (5) a post-baking step of thermosetting the developed photosensitive resin composition. A method of forming a cured film comprising a step,

<12> <11>에 있어서, 상기 현상 공정 후 상기 포스트 베이킹 공정 전에 현상된 감광성 수지 조성물을 전체면 노광하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 경화막의 형성 방법,<12> The method for forming a cured film according to <11>, comprising a step of exposing the entire surface of the photosensitive resin composition developed after the developing step and before the post-baking step.

<13> <11>에 있어서, 상기 현상 공정 후 상기 포스트 베이킹 공정 전에 현상된 감광성 수지 조성물을 전체면 노광하는 공정을 포함하지 않는 것을 특징으로 하는 경화막의 형성 방법,<13> The method for forming a cured film according to <11>, which does not include a step of exposing the entire surface of the photosensitive resin composition developed after the developing step and before the post-baking step.

<14> <11>~<13> 중 어느 하나에 있어서, (6) 열경화해서 얻어진 경화막을 갖는 기판에 대해서 드라이 에칭을 행하는 드라이 에칭 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 경화막의 형성 방법,<14> The method for forming a cured film according to any one of <11> to <13>, further comprising (6) a dry etching step of performing dry etching on the substrate having a cured film obtained by thermosetting.

<15> 상기 <11>~<14> 중 어느 하나에 기재된 방법에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 경화막,<15> Cured film formed by the method in any one of said <11>-<14>,

<16> <15>에 있어서, 층간 절연막인 것을 특징으로 하는 경화막,<16> The cured film as described in <15> which is an interlayer insulation film,

<17> 상기 <15> 또는 <16>에 기재된 경화막을 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 EL 표시 장치,<17> The organic electroluminescence display provided with the cured film as described in said <15> or <16>,

<18> 상기 <15> 또는 <16>에 기재된 경화막을 구비하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.<18> The liquid crystal display device provided with the cured film as described in said <15> or <16>.

(발명의 효과)(Effects of the Invention)

본 발명에 의하면, 경화 후의 내약품성이 높고, 또한 가열해도 투명성 저하가 작은 경화막이 얻어져 매우 높은 감도를 갖는 감광성 수지 조성물을 제공할 수 있었다.According to this invention, the cured film with high chemical-resistance after hardening and small transparency fall even if it heats was obtained, and the photosensitive resin composition which has very high sensitivity was able to be provided.

또한, 본 발명에 의하면, 상기 감광성 수지 조성물을 사용한 경화막 및 그 제조 방법, 상기 경화막을 구비한 유기 EL 표시 장치 및 액정 표시 장치를 제공할 수 있었다.Moreover, according to this invention, the cured film using the said photosensitive resin composition, its manufacturing method, the organic electroluminescence display provided with the said cured film, and the liquid crystal display device were provided.

도 1은 본 발명의 감광성 수지 조성물을 사용한 경화막을 절연막, 평탄화막으로서 적용한 유기 EL 표시 장치의 일례의 구성을 나타내는 모식적 단면도이다.
도 2는 본 발명의 감광성 수지 조성물을 사용한 경화막을 적용한 액정 표시 장치의 일례를 나타내는 구성을 나타내는 모식적 단면도이다.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is typical sectional drawing which shows the structure of an example of the organic electroluminescent display which applied the cured film using the photosensitive resin composition of this invention as an insulating film and a planarization film.
It is typical sectional drawing which shows the structure which shows an example of the liquid crystal display device which applied the cured film using the photosensitive resin composition of this invention.

이하, 본 발명에 대해서 상세하게 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail.

또한, 명세서 중 「하한~상한」의 기재는 「하한 이상, 상한 이하」를 나타내고, 「상한~하한」의 기재는 「상한 이하, 하한 이상」을 나타낸다. 즉, 상한 및 하한을 포함하는 수치범위를 나타낸다.In addition, description of "lower limit-an upper limit" shows "lower limit or more and an upper limit or less" in the specification, and description of "upper limit-lower limit" represents "upper limit or less, lower limit or more". That is, the numerical range including an upper limit and a lower limit is shown.

또한, 「(성분 A) 아세탈 구조를 갖고, 산의 작용에 의해 알칼리 용해성이 변화되는 수지」 등을 단지 「성분 A」 등이라고도 하고, 「카르복실기가 아세탈 구조에 의해 보호된 잔기를 갖는 구성 단위(a1)」 등을 단지 「구성 단위(a1)」 등이라고도 한다. In addition, "resin which (component A) has an acetal structure and whose alkali solubility changes by the action of an acid", etc. is also called "component A" etc. only, and "the structural unit which has a residue by which the carboxyl group was protected by the acetal structure a1) ”and the like are also simply referred to as“ structural unit (a1) ”or the like.

또한, 「아크릴레이트」, 「메타크릴레이트」의 쌍방 또는 어느 하나를 가리킬 경우 「(메타)아크릴레이트」라고, 「아크릴」, 「메타크릴」의 쌍방 또는 어느 하나를 가리킬 경우 「(메타)아크릴」이라고 각각 기재하는 경우가 있다.In addition, when both or one of "acrylate" and "methacrylate" are referred to as "(meth) acrylate", and when referring to both or both of "acryl" and "methacryl", it is "(meth) acryl And may be described respectively.

(감광성 수지 조성물)(Photosensitive resin composition)

본 발명의 감광성 수지 조성물은 (성분 A) 아세탈 구조를 갖고, 산의 작용에 의해 알칼리 용해성이 변화되는 수지, (성분 B) 광산발생제, (성분 C) 가교제, 및 (성분 D) 용제를 포함하고, 성분 C가 블록 이소시아네이트 화합물을 포함하고, 상기 블록 이소시아네이트 화합물의 모구조가 뷰렛 구조인 것을 특징으로 한다. The photosensitive resin composition of this invention has the (component A) acetal structure, and contains resin in which alkali solubility changes by the action of an acid, (component B) photoacid generator, (component C) crosslinking agent, and (component D) solvent The component C contains a block isocyanate compound, and the parent structure of the block isocyanate compound is a burette structure.

일반적으로 표시 장치류의 제조에 사용되는 에칭액, 박리액, N-메틸피롤리돈(NMP) 등의 각 약액은 경화막에의 작용 원리, 침투력 등에 차가 있고, 어떤 약액에의 내성 향상이 그대로 다른 약액에의 내성 향상으로는 되지 않으므로 특히 NMP에 대한 약액 내성 향상에 대해서 예의 검토한 결과, 본 발명을 상도하기에 이르렀다. 또한, 예기하지 않는 효과로서 본 발명의 감광성 수지 조성물을 사용함으로써 표시 불균일이 없는 고품위의 표시 장치를 제조하는 것이 가능해졌다.In general, each chemical liquid such as etching liquid, peeling liquid, and N-methylpyrrolidone (NMP) used in the manufacture of display devices differs in the principle of operation to the cured film, penetration, and the like, and the improvement in resistance to certain chemical liquids is different. Since the resistance to chemical liquids is not improved, in particular, as a result of earnestly examining the chemical liquid resistance to NMP, the present invention has been considered. In addition, by using the photosensitive resin composition of this invention as an unexpected effect, it became possible to manufacture the high quality display apparatus without a display nonuniformity.

또한, 본 발명의 감광성 수지 조성물은 포지티브형 감광성 수지 조성물인 것이 바람직하고, 화학증폭형의 포지티브형 감광성 수지 조성물(화학증폭 포지티브형 감광성 수지 조성물)인 것이 보다 바람직하다.Moreover, it is preferable that it is a positive photosensitive resin composition, and, as for the photosensitive resin composition of this invention, it is more preferable that it is a chemically amplified positive photosensitive resin composition (chemical amplification positive photosensitive resin composition).

또한, 본 명세서 중에 있어서는 노광 후의 가열 처리(Post Exposure Baking)를 PEB라고 칭하는 경우가 있다.In addition, in this specification, the heat exposure after exposure (Post Exposure Baking) may be called PEB.

이하, 감광성 수지 조성물을 구성하는 각 성분에 대해서 설명한다.Hereinafter, each component which comprises the photosensitive resin composition is demonstrated.

또한, 본 명세서에 있어서의 기(원자단)의 표기에 있어서 치환 및 무치환을 기재하지 않는 표기는 치환기를 갖지 않는 것과 함께 치환기를 갖는 것도 포함하는 것이다. 예를 들면 「알킬기」란 치환기를 갖지 않는 알킬기(무치환 알킬기) 뿐만 아니라, 치환기를 갖는 알킬기(치환 알킬기)도 포함하는 것이다.In addition, in description of group (atom group) in this specification, the description which is not describing substitution and unsubstitution includes what has a substituent with the thing which does not have a substituent. For example, an "alkyl group" includes not only the alkyl group (unsubstituted alkyl group) which does not have a substituent but the alkyl group (substituted alkyl group) which has a substituent.

(성분 A) 아세탈 구조를 갖고, 산의 작용에 의해 알칼리 용해성이 변화되는 수지(Component A) Resin which has an acetal structure and changes alkali solubility by action of an acid.

본 발명의 감광성 수지 조성물은 (성분 A) 아세탈 구조를 갖고, 산의 작용에 의해 알칼리 용해성이 변화되는 수지를 함유한다.The photosensitive resin composition of this invention has resin (component A) acetal structure, and contains resin in which alkali solubility changes by the action of an acid.

또한, 성분 A는 카르복실기가 아세탈 구조에 의해 보호된 잔기를 갖는 구성 단위(a1), 카르복실기 또는 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위(a2)를 적어도 갖는 중합체인 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable that component A is a polymer which has a structural unit (a1) which has a structural unit (a1) which has a residue in which a carboxyl group was protected by the acetal structure, a carboxyl group, or a phenolic hydroxyl group.

또한, 성분 A는 상기 구성 단위(a1) 및 구성 단위(a2) 이외의 구성 단위를 함유해도 좋다.In addition, the component A may contain structural units other than the said structural unit (a1) and a structural unit (a2).

성분 A는 산의 작용에 의해 알칼리 용해성이 변화되는 수지이며, 카르복실기가 아세탈 구조에 의해 보호된 잔기를 갖는 구성 단위(a1)를 갖고, 또한 상기 아세탈 구조가 분해되었을 때에 알칼리 가용성이 되는 수지인 것이 바람직하다.Component A is a resin in which alkali solubility is changed by the action of an acid, and has a structural unit (a1) having a moiety in which a carboxyl group is protected by an acetal structure, and is a resin that becomes alkali-soluble when the acetal structure is decomposed. desirable.

또한, 본 발명에 있어서의 「알칼리 가용성」이란 상기 화합물(수지)의 용액을 기판 상에 도포하고, 90℃에서 2분간 가열함으로써 형성되는 상기 화합물(수지)의 도막(두께 3㎛)의 23℃에 있어서의 0.4질량% 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액에 대한 용해 속도가 0.01㎛/초 이상인 것을 말하고, 「알칼리 불용성」이란 상기 화합물(수지)의 용액을 기판 상에 도포하고, 90℃에서 2분간 가열함으로써 형성되는 상기 화합물(수지)의 도막(두께 3㎛)의 23℃에 있어서의 0.4질량% 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액에 대한 용해 속도가 0.01㎛/초 미만, 바람직하게는 0.005㎛/초 미만인 것을 말한다. In addition, "alkali-soluble" in this invention is 23 degreeC of the coating film (3 micrometers in thickness) of the said compound (resin) formed by apply | coating the solution of the said compound (resin) on a board | substrate, and heating at 90 degreeC for 2 minutes. The dissolution rate with respect to the 0.4 mass% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution in is said to be 0.01 micrometer / sec or more, and "alkali insoluble" is a solution of the said compound (resin) apply | coated on a board | substrate, and it is 90 minutes at 90 degreeC The dissolution rate with respect to the 0.4 mass% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution in 23 degreeC of the coating film (3 micrometers in thickness) of the said compound (resin) formed by heating is less than 0.01 micrometer / sec, Preferably it is 0.005 micrometer / sec I say less than.

또한, 「산의 작용에 의해 알칼리 용해성이 변화된다」란 산을 작용시키기 전과 후에 23℃에 있어서의 0.4질량% 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액에 대한 용해 속도가 변화되는 것을 말한다.In addition, "alkali solubility changes by the effect | action of an acid" means that the dissolution rate with respect to the 0.4 mass% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution in 23 degreeC changes before and after making an acid react.

성분 A는 아크릴계 중합체인 것이 바람직하다. It is preferable that component A is an acrylic polymer.

본 발명에 있어서의 「아크릴계 중합체」는 부가 중합형 수지이며, (메타)아크릴산 또는 그 에스테르에 유래하는 구성 단위를 포함하는 중합체이며, (메타)아크릴산 또는 그 에스테르에 유래하는 구성 단위 이외의 구성 단위, 예를 들면, 스티렌류에 유래하는 구성 단위나 비닐 화합물에 유래하는 구성 단위 등을 갖고 있어도 좋다. 또한, (메타)아크릴산 및 그 에스테르에 유래하는 구성 단위를 모두 포함해도 좋다."Acryl-type polymer" in this invention is addition polymerization type resin, is a polymer containing the structural unit derived from (meth) acrylic acid or its ester, and structural units other than the structural unit derived from (meth) acrylic acid or its ester For example, you may have a structural unit derived from styrene, the structural unit derived from a vinyl compound, etc. Moreover, you may include all the structural units derived from (meth) acrylic acid and its ester.

성분 A는 (메타)아크릴산 또는 그 에스테르에 유래하는 모노머 단위를 성분 A에 있어서의 전체 모노머 단위에 대해서 50몰% 이상인 것이 바람직하고, 80몰% 이상인 것이 보다 바람직하고, (메타)아크릴산 또는 그 에스테르에 유래하는 모노머 단위만으로 이루어지는 중합체인 것이 특히 바람직하다.It is preferable that component A is 50 mol% or more with respect to the whole monomeric unit in component A, and, as for the component unit derived from (meth) acrylic acid or its ester, it is more preferable that it is 80 mol% or more, (meth) acrylic acid or its ester It is especially preferable that it is a polymer which consists only of the monomeric unit derived from.

또한, 「(메타)아크릴산 및/또는 그 에스테르에 유래하는 모노머 단위」를 「아크릴계 모노머 단위」라고도 한다. 또한, (메타)아크릴산은 메타크릴산 및/또는 아크릴산을 의미하는 것으로 한다.In addition, "the monomer unit derived from (meth) acrylic acid and / or its ester" is also called "acrylic-type monomer unit." In addition, (meth) acrylic acid shall mean methacrylic acid and / or acrylic acid.

본 발명에 있어서의 「아세탈 구조」에는 특별히 기재하지 않는 한 협의의 아세탈 구조 및 케탈 구조의 양쪽을 포함하는 것으로 한다.The "acetal structure" in the present invention shall include both the acetal structure and the ketal structure in consultation unless otherwise specified.

성분 A는 아세탈 구조 또는 케탈 구조를 갖고 있어도, 아세탈 구조 및 케탈 구조의 양쪽을 갖고 있어도 좋다.The component A may have an acetal structure or a ketal structure, or may have both an acetal structure and a ketal structure.

아세탈 구조로서는 하기 식(I)으로 나타내어지는 구조인 것이 바람직하다.It is preferable that it is a structure represented by following formula (I) as an acetal structure.

Figure pat00001
Figure pat00001

R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소원자, 직쇄상 또는 분기상 알킬기 또는 시클로알킬기를 나타낸다. 단, R1 및 R2 중 적어도 1개는 알킬기 또는 시클로알킬기를 나타낸다. R 1 and R 2 each independently represent a hydrogen atom, a straight or branched alkyl group or a cycloalkyl group. Provided that at least one of R 1 and R 2 represents an alkyl group or a cycloalkyl group.

R3은 직쇄상 또는 분기상 알킬기, 시클로알킬기 또는 아랄킬기를 나타낸다.R 3 represents a linear or branched alkyl group, a cycloalkyl group or an aralkyl group.

R1또는 R2와, R3이 연결해서 환상 에테르를 형성해도 좋다.R 1 or R 2 and R 3 may be connected to form a cyclic ether.

또한, 식(I)에 있어서의 파선부분은 다른 구조와의 결합 위치를 나타낸다.In addition, the broken-line part in Formula (I) shows the coupling position with another structure.

식(I)의 R1 및 R2에 있어서의 알킬기는 탄소수 1~6의 직쇄상 또는 분기상 알킬기가 바람직하다. R1 및 R2로서의 시클로알킬기는 탄소수 3~6의 시클로알킬기가 바람직하다.The alkyl group in R 1 and R 2 in formula (I) is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms. The cycloalkyl group as R 1 and R 2 is preferably a cycloalkyl group having 3 to 6 carbon atoms.

R3에 있어서의 알킬기는 탄소수 1~10의 직쇄상 또는 분기상 알킬기가 바람직하다. R3으로서의 시클로알킬기는 탄소수 3~10의 시클로알킬기가 바람직하다.The alkyl group in R 3 is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms. The cycloalkyl group as R 3 is preferably a cycloalkyl group having 3 to 10 carbon atoms.

R3에 있어서의 아랄킬기는 탄소수 7~10의 아랄킬기가 바람직하다. The aralkyl group in R 3 is preferably an aralkyl group having 7 to 10 carbon atoms.

R1 또는 R2와, R3이 연결해서 환상 에테르를 형성할 때에는 R1 또는 R2와, R3이 연결해서 탄소수 2~5의 알킬렌쇄를 형성하는 것이 바람직하다.When R 1 or R 2 and R 3 connect to form a cyclic ether, it is preferable that R 1 or R 2 and R 3 connect to form an alkylene chain having 2 to 5 carbon atoms.

R3에 있어서의 알킬기, 시클로알킬기, 아랄킬기는 치환기를 갖고 있어도 좋고, 치환기로서는 예를 들면, 알킬기, 알콕시기, 할로겐원자를 들 수 있고, 치환기의 탄소수는 6 이하가 바람직하다.The alkyl group, cycloalkyl group, and aralkyl group in R 3 may have a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group, an alkoxy group, and a halogen atom, and the carbon number of the substituent is preferably 6 or less.

식(I)에 있어서, R1 및 R2 중 하나가 수소원자인 카르복실산의 아세탈에스테르 구조(-COOR7)에 있어서의 R7로서는 예를 들면, 1-메톡시에틸기, 1-에톡시에틸기, 1-n-프로폭시에틸기, 1-i-프로폭시에틸기, 1-n-부톡시에틸기, 1-i-부톡시에틸기, 1-sec-부톡시에틸기, 1-t-부톡시에틸기, 1-시클로펜틸옥시에틸기, 1-시클로헥실옥시에틸기, 1-노르보르닐옥시에틸기, 1-보르닐옥시에틸, 1-벤질옥시에틸기, 1-페네틸옥시에틸기, 시클로헥실(메톡시)메틸기, 시클로헥실(에톡시)메틸기, 시클로헥실(n-프로폭시)메틸기, 시클로헥실(i-프로폭시)메틸기, 시클로헥실(시클로헥실옥시)메틸기, 시클로헥실(벤질옥시)메틸기, α-메톡시벤질기, α-에톡시벤질기, α-n-프로폭시벤질기, α-i-프로폭시벤질기, α-시클로헥실옥시벤질기, α-벤질옥시벤질기, 2-페닐-1-메톡시에틸기, 2-페닐-1-에톡시에틸기, 2-페닐-1-n-프로폭시에틸기, 2-페닐-1-i-프로폭시에틸기, 2-페닐-1-시클로헥실옥시에틸기, 2-페닐-1-벤질옥시에틸기, 2-테트라히드로푸라닐기, 2-테트라히드로피라닐기 등을 들 수 있다.Formula (I) according to, R 1 and R 2 is one, for example, as the R 7 in the structure of the acetal ester carboxylic acids (-COOR 7) hydrogen atom, 1-methoxyethyl group, 1-ethoxy Ethyl group, 1-n-propoxyethyl group, 1-i-propoxyethyl group, 1-n-butoxyethyl group, 1-i-butoxyethyl group, 1-sec-butoxyethyl group, 1-t-butoxyethyl group, 1-cyclopentyloxyethyl group, 1-cyclohexyloxyethyl group, 1-norbornyloxyethyl group, 1-bornyloxyethyl, 1-benzyloxyethyl group, 1-phenethyloxyethyl group, cyclohexyl (methoxy) methyl group, Cyclohexyl (ethoxy) methyl group, cyclohexyl (n-propoxy) methyl group, cyclohexyl (i-propoxy) methyl group, cyclohexyl (cyclohexyloxy) methyl group, cyclohexyl (benzyloxy) methyl group, (alpha) -methoxy Benzyl group, α-ethoxybenzyl group, α-n-propoxybenzyl group, α-i-propoxybenzyl group, α-cyclohexyloxybenzyl group, α-benzyloxybenzyl group, 2-phenyl-1-me Methoxyethyl group, 2-phenyl-1-ethoxy Cyethyl group, 2-phenyl-1-n-propoxyethyl group, 2-phenyl-1-i-propoxyethyl group, 2-phenyl-1-cyclohexyloxyethyl group, 2-phenyl-1-benzyloxyethyl group, 2- Tetrahydrofuranyl group, 2-tetrahydropyranyl group, etc. are mentioned.

식(I)에 있어서 R1 및 R2 모두가 수소원자가 아닌 카르복실산의 케탈에스테르 구조(-COOR8)에 있어서의 R8로서는 예를 들면, 1-메틸-1-메톡시에틸기, 1-메틸-1-에톡시에틸기, 1-메틸-1-n-프로폭시에틸기, 1-메틸-1-i-프로폭시에틸기, 1-메틸-1-n-부톡시에틸기, 1-메틸-1-i-부톡시에틸기, 1-메틸-1-sec-부톡시에틸기, 1-메틸-1-t-부톡시에틸기, 1-메틸-1-시클로펜틸옥시에틸기, 1-메틸-1-시클로헥실옥시에틸기, 1-메틸-1-노르보르닐옥시에틸기, 1-메틸-1-보르닐옥시에틸기, 1-메틸-1-벤질옥시에틸기, 1-메틸-1-페네틸옥시에틸기, 1-시클로헥실-1-메톡시에틸기, 1-시클로헥실-1-에톡시에틸기, 1-시클로헥실-1-n-프로폭시에틸기, 1-시클로헥실-1-i-프로폭시에틸기, 1-시클로헥실-1-시클로헥실옥시에틸기, 1-시클로헥실-1-벤질옥시에틸기, 1-페닐-1-메톡시에틸기, 1-페닐-1-에톡시에틸기, 1-페닐-1-n-프로폭시에틸기, 1-페닐-1-i-프로폭시에틸기, 1-페닐-1-시클로헥실옥시에틸기, 1-페닐-1-벤질옥시에틸기, 1-벤질-1-메톡시에틸기, 1-벤질-1-에톡시에틸기, 1-벤질-1-n-프로폭시에틸기, 1-벤질-1-i-프로폭시에틸기, 1-벤질-1-시클로헥실옥시에틸기, 1-벤질-1-벤질옥시에틸기, 2-메틸2-테트라히드로푸라닐기, 2-메틸-2-테트라히드로피라닐기, 1-메톡시시클로펜틸기, 1-메톡시-시클로헥실기 등을 들 수 있다.Formula (I) R 1 and R 2 both are Examples of R 8 in the structure ketal ester (-COOR 8) of the carboxylic acid rather than hydrogen atoms, 1-methyl-1-methoxyethyl group, 1-In Methyl-1-ethoxyethyl group, 1-methyl-1-n-propoxyethyl group, 1-methyl-1-i-propoxyethyl group, 1-methyl-1-n-butoxyethyl group, 1-methyl-1- i-butoxyethyl group, 1-methyl-1-sec-butoxyethyl group, 1-methyl-1-t-butoxyethyl group, 1-methyl-1-cyclopentyloxyethyl group, 1-methyl-1-cyclohexyloxy Ethyl group, 1-methyl-1-norbornyloxyethyl group, 1-methyl-1-bornyloxyethyl group, 1-methyl-1-benzyloxyethyl group, 1-methyl-1-phenethyloxyethyl group, 1-cyclohexyl -1-methoxyethyl group, 1-cyclohexyl-1-ethoxyethyl group, 1-cyclohexyl-1-n-propoxyethyl group, 1-cyclohexyl-1-i-propoxyethyl group, 1-cyclohexyl-1 -Cyclohexyloxyethyl group, 1-cyclohexyl-1-benzyloxyethyl group, 1-phenyl-1-methoxyethyl group, 1-phenyl-1-ethoxyethyl group, 1- Neyl-1-n-propoxyethyl group, 1-phenyl-1-i-propoxyethyl group, 1-phenyl-1-cyclohexyloxyethyl group, 1-phenyl-1-benzyloxyethyl group, 1-benzyl-1-me Methoxyethyl group, 1-benzyl-1-ethoxyethyl group, 1-benzyl-1-n-propoxyethyl group, 1-benzyl-1-i-propoxyethyl group, 1-benzyl-1-cyclohexyloxyethyl group, 1- Benzyl-1-benzyloxyethyl group, 2-methyl2-tetrahydrofuranyl group, 2-methyl-2-tetrahydropyranyl group, 1-methoxycyclopentyl group, 1-methoxy-cyclohexyl group, etc. may be mentioned. .

상기 카르복실산의 아세탈에스테르 구조 또는 케탈에스테르 구조에 있어서 프로세스 안정성의 관점에서 아세탈에스테르 구조가 보다 바람직하다. 카르복실산의 아세탈에스테르 구조(-COOR7)에 있어서의 바람직한 R7로서는 1-에톡시에틸기, 1-시클로헥실옥시에틸기, 2-테트라히드로푸라닐기, 2-테트라히드로피라닐기가 바람직하고, 감도의 관점에서 1-에톡시에틸기, 1-시클로헥실옥시에틸기가 특히 바람직하다.In an acetal ester structure or a ketal ester structure of the said carboxylic acid, an acetal ester structure is more preferable from a process stability viewpoint. Acetal ester structure of carboxylic acids (-COOR 7) Preferred R 7 as 1-ethoxyethyl group, 1-cyclohexyl-oxy group, 2-tetrahydrofuranyl group, 2-tetrahydropyranyl groups are preferred, and the sensitivity in the In view of the above, 1-ethoxyethyl group and 1-cyclohexyloxyethyl group are particularly preferable.

<카르복실기가 아세탈 구조에 의해 보호된 잔기를 갖는 구성 단위(a1)><Structural unit (a1) having a residue in which a carboxyl group is protected by an acetal structure>

성분 A는 카르복실기가 아세탈 구조에 의해 보호된 잔기를 갖는 구성 단위(a1)를 적어도 갖는 것이 바람직하다. It is preferable that component A has at least structural unit (a1) which has a residue by which the carboxyl group was protected by the acetal structure.

구성 단위(a1)를 형성하기 위해서 사용되는 화합물로서는 카르복실기가 보호됨으로써 구성 단위(a1)를 형성하기 위해서 사용되는 화합물이 될 수 있는 것이면 사용할 수 있다. 카르복실기를 갖는 화합물로서는 예를 들면, 아크릴산, 메타크릴산, 크로톤산, α-메틸-p-카르복시스티렌 등의 모노카르복실산; 말레산, 푸말산, 시트라콘산, 메사콘산, 이타콘산 등의 디카르복실산을 들 수 있고, 특히 아크릴산, 메타크릴산이 바람직하다. 또한, 구성 단위(a1)로서는 이들 카르복실기가 아세탈 구조에 의해 보호된 카르복실산 유래의 구성 단위를 바람직한 것으로서 들 수 있다.As a compound used for forming a structural unit (a1), if a carboxyl group is protected and it can become the compound used for forming a structural unit (a1), it can be used. As a compound which has a carboxyl group, For example, Monocarboxylic acids, such as acrylic acid, methacrylic acid, a crotonic acid, (alpha) -methyl- p-carboxy styrene; And dicarboxylic acids such as maleic acid, fumaric acid, citraconic acid, mesaconic acid and itaconic acid, and acrylic acid and methacrylic acid are particularly preferred. Moreover, as a structural unit (a1), the structural unit derived from the carboxylic acid in which these carboxyl groups were protected by the acetal structure is mentioned as a preferable thing.

구성 단위(a1)를 형성하기 위해서 사용되는 라디칼 중합성 단량체의 바람직한 구체예로서는 예를 들면, 1-에톡시에틸메타크릴레이트, 1-에톡시에틸아크릴레이트, 1-메톡시에틸메타크릴레이트, 1-메톡시에틸아크릴레이트, 1-n-부톡시에틸메타크릴레이트, 1-n-부톡시에틸아크릴레이트, 1-이소부톡시에틸메타크릴레이트, 1-i-부톡시에틸아크릴레이트, 1-(2-에틸헥실옥시)에틸메타크릴레이트, 1-(2-에틸헥실옥시)에틸아크릴레이트, 1-n-프로폭시에틸메타크릴레이트, 1-n-프로폭시에틸아크릴레이트, 1-시클로헥실옥시에틸메타크릴레이트, 1-시클로헥실옥시에틸아크릴레이트, 1-(2-시클로헥실에톡시)에틸메타크릴레이트, 1-(2-시클로헥실에톡시)에틸아크릴레이트, 1-벤질옥시에틸메타크릴레이트, 1-벤질옥시에틸아크릴레이트, 메타크릴산 테트라히드로-2H-피란-2-일, 아크릴산 테트라히드로-2H-피란-2-일, 메타크릴산 테트라히드로푸란-2-일, 아크릴산 테트라히드로푸란-2-일 등을 들 수 있다. 그 중에서도 1-에톡시에틸메타크릴레이트, 1-에톡시에틸아크릴레이트, 메타크릴산 테트라히드로푸란-2-일, 아크릴산 테트라히드로푸란-2-일, 1-시클로헥실옥시에틸메타크릴레이트 및 1-시클로헥실옥시에틸아크릴레이트가 특히 바람직하다. 이들 구성 단위(a1)는 1종 단독 또는 2종류 이상을 조합해서 사용할 수 있다.As a preferable specific example of the radically polymerizable monomer used in order to form a structural unit (a1), for example, 1-ethoxyethyl methacrylate, 1-ethoxyethyl acrylate, 1-methoxyethyl methacrylate, 1 -Methoxyethyl acrylate, 1-n-butoxyethyl methacrylate, 1-n-butoxyethyl acrylate, 1-isobutoxyethyl methacrylate, 1-i-butoxyethyl acrylate, 1- ( 2-ethylhexyloxy) ethyl methacrylate, 1- (2-ethylhexyloxy) ethyl acrylate, 1-n-propoxyethyl methacrylate, 1-n-propoxyethyl acrylate, 1-cyclo Hexyloxyethyl methacrylate, 1-cyclohexyloxyethyl acrylate, 1- (2-cyclohexylethoxy) ethyl methacrylate, 1- (2-cyclohexylethoxy) ethyl acrylate, 1-benzyloxyethyl Methacrylate, 1-benzyloxyethyl acrylate, methacrylic acid tetrahydro-2H-pyran-2-yl, And the like can be mentioned methacrylic acid tetrahydro -2H- pyran-2-yl methacrylate, tetrahydrofuran-2-yl, tetrahydrofuran-2-yl acrylate. Among them, 1-ethoxyethyl methacrylate, 1-ethoxyethyl acrylate, tetrahydrofuran-2-yl methacrylate, tetrahydrofuran-2-yl acrylate, 1-cyclohexyloxyethyl methacrylate, and 1 Cyclohexyloxyethyl acrylate is particularly preferred. These structural units (a1) can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.

구성 단위(a1)를 형성하기 위해서 사용되는 라디칼 중합성 단량체는 시판의 것을 사용해도 좋고, 공지의 방법으로 합성한 것을 사용할 수도 있다. 예를 들면, 하기 식(II)으로 나타내어지는 단량체이면, 하기에 나타낸 바와 같이 (메타)아크릴산을 산촉매의 존재 하에서 비닐에테르 화합물과 반응시킴으로써 합성할 수 있다.A commercially available radical may be used for the radically polymerizable monomer used in order to form a structural unit (a1), and what synthesize | combined by a well-known method can also be used. For example, as long as it is a monomer represented by following formula (II), it can synthesize | combine by reacting (meth) acrylic acid with a vinyl ether compound in presence of an acidic catalyst, as shown below.

Figure pat00002
Figure pat00002

식(II)에 있어서, R6은 수소원자 또는 메틸기를 나타내고, R5는 식(I)에 있어서의 R3과 동의이다.In Formula (II), R <6> represents a hydrogen atom or a methyl group, and R <5> is synonymous with R <3> in Formula (I).

또한, 구성 단위(a1)는 보호되는 카르복실기를 후술하는 구성 단위(a2)~(a5)나 그 전구체와 중합한 후에 카르복실기를 비닐에테르 화합물과 반응시킴으로써도 형성할 수 있다. 또한, 이렇게 해서 형성되는 바람직한 구성 단위의 구체예는 상기 라디칼 중합성 단량체의 바람직한 구체예 유래의 구성 단위와 동일하다.In addition, the structural unit (a1) can also be formed by reacting a carboxyl group with a vinyl ether compound after polymerizing with the structural units (a2) to (a5) described later and the precursor thereof. In addition, the specific example of the preferable structural unit formed in this way is the same as the structural unit derived from the preferable specific example of the said radically polymerizable monomer.

구성 단위(a1)는 하기 식(5)으로 나타내어지는 구성 단위가 바람직하다.As for the structural unit (a1), the structural unit represented by following formula (5) is preferable.

Figure pat00003
Figure pat00003

식(5) 중, R1은 수소원자 또는 탄소수 1~4의 알킬기를 나타내고, L1은 카르보닐기 또는 페닐렌기를 나타내고, R21~R27은 각각 독립적으로 수소원자 또는 탄소수 1~4의 알킬기를 나타낸다.In formula (5), R 1 represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, L 1 represents a carbonyl group or a phenylene group, and R 21 to R 27 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. Indicates.

구성 단위(a1)의 바람직한 구체예로서는 하기의 구성 단위(a1-1)~(a1-8)를 예시할 수 있다. 이들 중에서 특히 바람직한 것은 (a1-1)~(a1-4), (a1-7) 및 (a1-8)로 나타내어지는 구성 단위이다.As a preferable specific example of a structural unit (a1), the following structural unit (a1-1)-(a1-8) can be illustrated. Among these, especially preferable are structural units represented by (a1-1)-(a1-4), (a1-7), and (a1-8).

Figure pat00004
Figure pat00004

상기 구성 단위(a1)를 함유하는 중합체가 실질적으로 가교성기를 갖는 구성 단위(a3)를 포함하지 않는 경우 구성 단위(a1)를 형성하는 모노머 단위의 함유율은 상기 구성 단위(a1)를 함유하는 중합체 중 20~100몰%가 바람직하고, 30~90몰%가 보다 바람직하다. When the polymer containing the structural unit (a1) does not include the structural unit (a3) having a substantially crosslinkable group, the content rate of the monomer unit forming the structural unit (a1) is a polymer containing the structural unit (a1). 20-100 mol% is preferable and 30-90 mol% is more preferable.

상기 구성 단위(a1)를 함유하는 중합체가 구성 단위(a3)를 함유할 경우 구성 단위(a1)를 형성하는 모노머 단위의 함유율은 상기 구성 단위(a1)와 구성 단위(a3)를 함유하는 중합체 중 감도의 관점에서 3~70몰%가 바람직하고, 10~60몰%가 보다 바람직하다. 또한, 특히 상기 구성 단위(a1)에 있어서의 상기 산분해성기가 카르복실기가 아세탈의 형태로 보호된 보호 카르복실기인 구성 단위인 경우 구성 단위(a1)를 형성하는 모노머 단위의 함유율은 20~50몰%가 바람직하고, 30~45몰%가 보다 바람직하다.When the polymer containing the structural unit (a1) contains the structural unit (a3), the content rate of the monomer unit forming the structural unit (a1) is in the polymer containing the structural unit (a1) and the structural unit (a3). 3-70 mol% is preferable from a viewpoint of a sensitivity, and 10-60 mol% is more preferable. Moreover, especially when the said acid-decomposable group in the said structural unit (a1) is a structural unit which is a protective carboxyl group in which the carboxyl group was protected by the form of acetal, the content rate of the monomeric unit which forms a structural unit (a1) is 20-50 mol%. It is preferable and 30-45 mol% is more preferable.

<카르복실기 또는 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위(a2)><Structural unit (a2) which has a carboxyl group or phenolic hydroxyl group>

성분 A는 카르복실기 또는 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위(a2)를 적어도 갖는 것이 바람직하고, 카르복실기를 갖는 구성 단위(a2-1)를 적어도 갖는 것이 보다 바람직하다.It is preferable that component A has at least a structural unit (a2) which has a carboxyl group or phenolic hydroxyl group, and it is more preferable to have a structural unit (a2-1) which has a carboxyl group at least.

카르복실기를 갖는 구성 단위(a2-1)로서는 예를 들면, 불포화 모노카르복실산, 불포화 디카르복실산, 불포화 트리카르복실산 등의 분자 중에 적어도 1개의 카르복실기를 갖는 불포화 카르복실산 등에 유래하는 구성 단위를 들 수 있다. As a structural unit (a2-1) which has a carboxyl group, For example, the structure derived from unsaturated carboxylic acid etc. which have at least 1 carboxyl group in molecules, such as unsaturated monocarboxylic acid, unsaturated dicarboxylic acid, and unsaturated tricarboxylic acid, etc. A unit is mentioned.

카르복실기를 갖는 구성 단위(a2-1)를 얻기 위해서 사용되는 불포화 카르복실산으로서는 이하에 예시하는 것이 사용된다.What is illustrated below is used as an unsaturated carboxylic acid used in order to acquire the structural unit (a2-1) which has a carboxyl group.

즉, 불포화 모노카르복실산으로서는 아크릴산, 메타크릴산, 크로톤산, α-클로로아크릴산, 계피산 등을 예시할 수 있다.That is, as unsaturated monocarboxylic acid, acrylic acid, methacrylic acid, crotonic acid, (alpha)-chloroacrylic acid, cinnamic acid etc. can be illustrated.

또한, 불포화 디카르복실산으로서는 말레산, 푸말산, 이타콘산, 시트라콘산, 메사콘산 등을 예시할 수 있다.Moreover, maleic acid, fumaric acid, itaconic acid, citraconic acid, mesaconic acid etc. can be illustrated as unsaturated dicarboxylic acid.

또한, 카르복실기를 갖는 구성 단위(a2-1)을 얻기 위해서 사용되는 불포화 다가 카르복실산은 그 산무수물이어도 좋다. 구체적으로는 무수 말레산, 무수 이타콘산, 무수 시트라콘산 등을 들 수 있다. 또한, 불포화 다가 카르복실산은 다가 카르복실산의 모노(2-메타크릴로일옥시알킬)에스테르이어도 좋고, 예를 들면, 숙신산 모노(2-아크릴로일옥시에틸), 숙신산 모노(2-메타크릴로일옥시에틸), 프탈산 모노(2-아크릴로일옥시에틸), 프탈산 모노(2-메타크릴로일옥시에틸) 등을 들 수 있다.Moreover, the acid anhydride may be sufficient as unsaturated polyhydric carboxylic acid used in order to acquire the structural unit (a2-1) which has a carboxyl group. Specific examples thereof include maleic anhydride, itaconic anhydride, and citraconic anhydride. In addition, the unsaturated polyhydric carboxylic acid may be mono (2-methacryloyloxyalkyl) ester of polyhydric carboxylic acid. For example, succinic acid mono (2-acryloyloxyethyl) and succinic acid mono (2-methacryl) Royloxyethyl), mono (2-acryloyloxyethyl) phthalate, mono (2-methacryloyloxyethyl) phthalate, etc. are mentioned.

또한, 불포화 다가 카르복실산은 그 양 말단 디카르복시폴리머의 모노(메타)아크릴레이트이어도 좋고, 예를 들면, ω-카르복시폴리카프로락톤모노아크릴레이트, ω-카르복시폴리카프로락톤모노메타크릴레이트 등을 들 수 있다.In addition, the unsaturated polyhydric carboxylic acid may be mono (meth) acrylate of the both terminal dicarboxy polymers, for example, ω-carboxypolycaprolactone monoacrylate, ω-carboxypolycaprolactone monomethacrylate, and the like. Can be.

또한, 불포화 카르복실산으로서는 아크릴산-2-카르복시에틸에스테르, 메타크릴산-2-카르복시에틸에스테르, 말레산 모노알킬에스테르, 푸말산 모노알킬에스테르, 4-카르복시스티렌 등도 사용할 수 있다.As the unsaturated carboxylic acid, acrylic acid-2-carboxyethyl ester, methacrylic acid-2-carboxyethyl ester, maleic acid monoalkyl ester, fumaric acid monoalkyl ester, 4-carboxystyrene and the like can also be used.

그 중에서도 현상성의 관점에서 카르복실기를 갖는 구성 단위(a2-1)를 형성하기 위해서는 아크릴산, 메타크릴산을 사용하는 것이 바람직하고, 메타크릴산을 사용하는 것이 보다 바람직하다. Especially, in order to form the structural unit (a2-1) which has a carboxyl group from a developable viewpoint, it is preferable to use acrylic acid and methacrylic acid, and it is more preferable to use methacrylic acid.

또한, 카르복실기를 갖는 구성 단위(a2-1)는 수산기를 갖는 구성 단위와 산무수물을 반응시킴으로써도 얻을 수 있다.In addition, the structural unit (a2-1) which has a carboxyl group can also be obtained by making the structural unit and hydroxyl acid anhydride which have a hydroxyl group react.

산무수물로서는 공지의 것을 사용할 수 있고, 구체적으로는 무수 말레산, 무수 숙신산, 무수 이타콘산, 무수 프탈산, 테트라히드로 무수 프탈산, 헥사히드로 무수 프탈산, 무수 클로렌드산 등의 이염기산 무수물; 무수 트리멜리트산, 무수 피로멜리트산, 벤조페논테트라카르복실산 무수물, 비페닐테트라카르복실산 무수물 등의 산무수물을 들 수 있다. 이들 중에서는 현상성의 관점에서 무수 프탈산, 테트라히드로 무수 프탈산 또는 무수 숙신산이 바람직하다.As an acid anhydride, a well-known thing can be used, Specifically, Dibasic acid anhydrides, such as maleic anhydride, succinic anhydride, itaconic acid anhydride, phthalic anhydride, tetrahydro phthalic anhydride, hexahydro phthalic anhydride, chloric anhydride; Acid anhydrides, such as trimellitic anhydride, a pyromellitic dianhydride, a benzophenone tetracarboxylic anhydride, a biphenyl tetracarboxylic anhydride, are mentioned. In these, phthalic anhydride, tetrahydro phthalic anhydride, or succinic anhydride is preferable from a developable viewpoint.

페놀성 수산기를 갖는 구성 단위(a2-2)를 형성하기 위해서 사용되는 라디칼 중합성 단량체로서는 예를 들면, p-히드록시스티렌, α-메틸-p-히드록시스티렌 등의 히드록시스티렌류, 일본 특허 공개 2008-40183호 공보의 단락 0011~0016에 기재된 화합물, 일본 특허 제2888454호 공보의 단락 0007~0010에 기재된 4-히드록시벤조산 유도체류, 4-히드록시벤조산과 메타크릴산 글리시딜의 부가 반응물, 4-히드록시벤조산과 아크릴산 글리시딜의 부가 반응물 등을 바람직한 것으로서 들 수 있다.As a radically polymerizable monomer used in order to form the structural unit (a2-2) which has a phenolic hydroxyl group, For example, hydroxystyrenes, such as p-hydroxy styrene and (alpha) -methyl- p-hydroxy styrene, Japan Of the compounds described in paragraphs 0011 to 0016 of JP 2008-40183 A, the 4-hydroxybenzoic acid derivatives of paragraphs 0007 to 0010 of JP 2888454 A, 4-hydroxybenzoic acid and glycidyl methacrylate The addition reaction product, addition reaction product of 4-hydroxybenzoic acid and glycidyl acrylate, etc. are mentioned as a preferable thing.

구성 단위(a2)를 형성하기 위해서 사용되는 라디칼 중합성 단량체 중에서도 메타크릴산, 아크릴산, 일본 특허 공개 2008-40183호 공보의 단락 0011~0016에 기재된 화합물, 일본 특허 제2888454호 공보의 단락 0007~0010에 기재된 4-히드록시벤조산 유도체류, 4-히드록시벤조산과 메타크릴산 글리시딜의 부가 반응물, 4-히드록시벤조산과 아크릴산 글리시딜의 부가 반응물이 더욱 바람직하지만, 투명성의 관점에서 메타크릴산, 아크릴산이 특히 바람직하다. 이들 구성 단위는 1종 단독 또는 2종류 이상을 조합해서 사용할 수 있다.Among the radically polymerizable monomers used to form the structural unit (a2), methacrylic acid, acrylic acid, the compounds described in paragraphs 0011 to 0016 of JP 2008-40183 A, and paragraphs 0007 to 0010 of JP 2888454 A. The 4-hydroxybenzoic acid derivatives described above, the addition reactant of 4-hydroxybenzoic acid and glycidyl methacrylate, and the addition reactant of 4-hydroxybenzoic acid and glycidyl acrylate are more preferable, but from the viewpoint of transparency, methacryl Acids and acrylic acids are particularly preferred. These structural units can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.

구성 단위(a2)는 성분 A가 알칼리 가용성이 안되는 범위에서 도입하는 것이 바람직하다. 성분 A가 구성 단위(a2)를 갖는 경우 성분 A를 구성하는 전체 모노머 단위 중 구성 단위(a2)를 형성하는 모노머 단위의 함유율은 2~20몰%인 것이 바람직하고, 2~15몰%가 더욱 바람직하고, 3~15몰%가 특히 바람직하다. 구성 단위(a2)를 상기 비율로 함유시킴으로써 고감도가 얻어지고, 또한, 현상성도 양호해진다.It is preferable to introduce a structural unit (a2) in the range in which component A is not alkali-soluble. When component A has a structural unit (a2), it is preferable that the content rate of the monomer unit which forms a structural unit (a2) among all the monomer units which comprise component A is 2-20 mol%, and 2-15 mol% is furthermore It is preferable and 3-15 mol% is especially preferable. By containing a structural unit (a2) in the said ratio, high sensitivity is obtained and developability is also favorable.

<가교기를 갖는 구성 단위(a3)><Structural unit (a3) having a crosslinker >>

성분 A는 가교기를 갖는 구성 단위(a3)를 가져도 좋다. 상기 가교기는 가열 처리로 경화 반응을 일으키는 기이면 특별히 한정되지 않는다. 바람직한 가교기를 갖는 구성 단위의 형태로서는 에폭시기, 옥세타닐기, -NH-CH2-O-R(R은 수소원자 또는 탄소수 1~20의 알킬기를 나타낸다)로 나타내어지는 기 및 에틸렌성 불포화기로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 1개를 포함하는 구성 단위를 들 수 있고, 에폭시기, 옥세타닐기, 및 -NH-CH2-O-R(R은 수소원자 또는 탄소수 1~20의 알킬기를 나타낸다)로 나타내어지는 기로부터 선택되는 적어도 1종인 것이 바람직하다. 그 중에서도 성분 A가 에폭시기 및 옥세타닐기 중 적어도 1개를 포함하는 구성 단위를 포함하는 것이 보다 바람직하고, 옥세타닐기를 포함하는 구성 단위를 포함하는 것이 특히 바람직하다. 보다 상세하게는 이하의 것을 들 수 있다.Component A may have a structural unit (a3) which has a crosslinking group. The crosslinking group is not particularly limited as long as it is a group causing a curing reaction by heat treatment. In the form of structural units having a preferred cross-linking Examples of the epoxy group, oxetanyl group, -NH-CH 2 -OR (R is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms) groups represented by and an ethylenically unsaturated group selected from the group consisting of there may be mentioned a structural unit comprising one, at least, an epoxy group, an oxetanyl group, and a -NH-CH 2 -OR at least selected from the groups represented by (R represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms) It is preferable that it is 1 type. Especially, it is more preferable that component A contains the structural unit containing at least 1 of an epoxy group and an oxetanyl group, and it is especially preferable to include the structural unit containing an oxetanyl group. In more detail, the following are mentioned.

<<에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 구성 단위(a3-1)>><< structural unit (a3-1) which has an epoxy group and / or an oxetanyl group >>

성분 A는 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 구성 단위(구성 단위(a3-1))를 함유하는 것이 바람직하다. 상기 3원환의 환상 에테르기는 에폭시기라고도 불리며, 4원환의 환상 에테르기는 옥세타닐기라고도 불린다. 상기 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 구성 단위(a3-1)로서는 지환 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 구성 단위인 것이 바람직하고, 옥세타닐기를 갖는 구성 단위인 것이 보다 바람직하다. It is preferable that component A contains the structural unit (structural unit (a3-1)) which has an epoxy group and / or an oxetanyl group. The three-membered ring cyclic ether group is also called an epoxy group, and the four-membered ring cyclic ether group is also called an oxetanyl group. As a structural unit (a3-1) which has the said epoxy group and / or oxetanyl group, it is preferable that it is a structural unit which has an alicyclic epoxy group and / or oxetanyl group, and it is more preferable that it is a structural unit which has an oxetanyl group.

상기 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 구성 단위(a3-1)는 1개의 구성 단위 중에 에폭시기 또는 옥세타닐기를 적어도 1개 갖고 있으면 좋고, 1개 이상의 에폭시기 및 1개 이상의 옥세타닐기, 2개 이상의 에폭시기, 또는 2개 이상의 옥세타닐기를 갖고 있어도 좋고, 특별히 한정되지 않지만, 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 합계 1~3개 갖는 것이 바람직하고, 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 합계 1개 또는 2개 갖는 것이 보다 바람직하고, 에폭시기 또는 옥세타닐기를 1개 갖는 것이 더욱 바람직하다.The structural unit (a3-1) which has the said epoxy group and / or oxetanyl group should just have at least 1 epoxy group or oxetanyl group in one structural unit, and at least 1 epoxy group and 1 or more oxetanyl group, two Although it may have the above epoxy group or two or more oxetanyl groups, it is not specifically limited, It is preferable to have 1-3 epoxy groups and / or oxetanyl groups in total, One epoxy group and / or oxetanyl group in total or It is more preferable to have two, and it is still more preferable to have one epoxy group or oxetanyl group.

에폭시기를 갖는 구성 단위를 형성하기 위해서 사용되는 라디칼 중합성 단량체의 구체예로서는 예를 들면, 아크릴산 글리시딜, 메타크릴산 글리시딜, α-에틸아크릴산 글리시딜, α-n-프로필아크릴산 글리시딜, α-n-부틸아크릴산 글리시딜, 아크릴산-3,4-에폭시부틸, 메타크릴산-3,4-에폭시부틸, 아크릴산-3,4-에폭시시클로헥실메틸, 메타크릴산-3,4-에폭시시클로헥실메틸, α-에틸아크릴산-3,4-에폭시시클로헥실메틸, o-비닐벤질글리시딜에테르, m-비닐벤질글리시딜에테르, p-비닐벤질글리시딜에테르, 일본 특허 제4168443호 공보의 단락번호 0031~0035에 기재된 지환식 에폭시 골격을 함유하는 화합물 등을 들 수 있다. As a specific example of the radically polymerizable monomer used in order to form the structural unit which has an epoxy group, glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate, the glycidyl (alpha)-ethyl acrylate, the glycine (alpha)-n-propyl acrylate, for example. Dyl, α-n-butylacrylic acid glycidyl, acrylic acid-3,4-epoxybutyl, methacrylic acid-3,4-epoxybutyl, acrylic acid-3,4-epoxycyclohexylmethyl, methacrylic acid-3,4 -Epoxycyclohexylmethyl, alpha -ethylacrylic acid-3,4-epoxycyclohexylmethyl, o-vinylbenzyl glycidyl ether, m-vinylbenzyl glycidyl ether, p-vinylbenzyl glycidyl ether, Japanese Patent The compound containing the alicyclic epoxy skeleton of Paragraph No. 0031 of Unexamined-Japanese-Patent No. 0031-0035, etc. are mentioned.

옥세타닐기를 갖는 구성 단위를 형성하기 위해서 사용되는 라디칼 중합성 단량체의 구체예로서는 예를 들면, 일본 특허 공개 2001-330953호 공보의 단락번호 0011~0016에 기재된 옥세타닐기를 갖는 (메타)아크릴산 에스테르 등을 들 수 있다.As a specific example of the radically polymerizable monomer used in order to form the structural unit which has an oxetanyl group, the (meth) acrylic acid ester which has the oxetanyl group of Paragraph No. 0011-0016 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2001-330953, for example. Etc. can be mentioned.

상기 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 구성 단위(a3-1)를 형성하기 위해서 사용되는 라디칼 중합성 단량체의 구체예로서는 메타크릴산 에스테르 구조를 함유하는 모노머, 아크릴산 에스테르 구조를 함유하는 모노머인 것이 바람직하다.As a specific example of the radically polymerizable monomer used in order to form the structural unit (a3-1) which has the said epoxy group and / or oxetanyl group, it is preferable that it is a monomer containing a methacrylic acid ester structure, and a monomer containing an acrylic ester structure. Do.

이들 모노머 중에서 더욱 바람직한 것으로서는 일본 특허 제4168443호 공보의 단락번호 0034~0035에 기재된 지환식 에폭시 골격을 함유하는 화합물 및 일본 특허 공개 2001-330953호 공보의 단락번호 0011~0016에 기재된 옥세타닐기를 갖는 (메타)아크릴산 에스테르이며, 특히 바람직한 것으로서는 일본 특허 공개 2001-330953호 공보의 단락번호 0011~0016에 기재된 옥세타닐기를 갖는 (메타)아크릴산 에스테르이다. 이들 중에서도 바람직한 것은 메타크릴산 글리시딜, 아크릴산 3,4-에폭시시클로헥실메틸, 메타크릴산 3,4-에폭시시클로헥실메틸, 아크릴산 (3-에틸옥세탄-3-일)메틸, 및 메타크릴산 (3-에틸옥세탄-3-일)메틸이며, 가장 바람직한 것은 아크릴산 (3-에틸옥세탄-3-일)메틸, 및 메타크릴산 (3-에틸옥세탄-3-일)메틸이다. 이들 구성 단위는 1종 단독 또는 2종류 이상을 조합해서 사용할 수 있다.More preferred among these monomers are compounds containing alicyclic epoxy skeletons described in paragraphs 0034 to 0035 of Japanese Patent No. 4168443 and oxetanyl groups described in paragraphs 0011 to 0016 of Japanese Patent Laid-Open No. 2001-330953. It is (meth) acrylic acid ester which has, and especially preferable is (meth) acrylic acid ester which has the oxetanyl group of Paragraph No. 0011 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2001-330953-0016. Preferred among these are methacrylic acid glycidyl, acrylic acid 3,4-epoxycyclohexylmethyl, methacrylic acid 3,4-epoxycyclohexylmethyl, acrylic acid (3-ethyloxetan-3-yl) methyl, and methacrylic Acid (3-ethyloxetan-3-yl) methyl, most preferred is acrylic acid (3-ethyloxetan-3-yl) methyl, and methacrylic acid (3-ethyloxetan-3-yl) methyl. These structural units can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.

상기 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 구성 단위(a3-1)로서는 일본 특허 공개 2011-215590호 공보의 단락번호 0053~0055의 기재를 참작할 수 있다.As a structural unit (a3-1) which has the said epoxy group and / or oxetanyl group, Paragraph No. 0053 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2011-215590-description of 0055 can be considered into consideration.

상기 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 구성 단위(a3-1)의 바람직한 구체예로서는 하기의 구성 단위를 예시할 수 있다. 또한, R은 수소원자 또는 메틸기를 나타낸다.The following structural unit can be illustrated as a preferable specific example of structural unit (a3-1) which has the said epoxy group and / or oxetanyl group. R represents a hydrogen atom or a methyl group.

Figure pat00005
Figure pat00005

본 발명에 있어서, 감도의 관점에서는 옥세타닐기가 바람직하다. 또한, 투과율(투명성)의 관점에서는 지환 에폭시기 및 옥세타닐기가 바람직하다. 이상으로부터 본 발명에 있어서는 에폭시기 및/또는 옥세타닐기로서는 지환 에폭시기 및 옥세타닐기가 바람직하고, 옥세타닐기가 특히 바람직하다.In the present invention, an oxetanyl group is preferable from the viewpoint of sensitivity. Moreover, an alicyclic epoxy group and an oxetanyl group are preferable from a viewpoint of transmittance | permeability (transparency). As mentioned above, in this invention, as an epoxy group and / or an oxetanyl group, an alicyclic epoxy group and an oxetanyl group are preferable, and an oxetanyl group is especially preferable.

<<에틸렌성 불포화기를 갖는 구성 단위(a3-2)>><< structural unit (a3-2) which has an ethylenically unsaturated group >>

상기 가교기를 갖는 구성 단위(a3)의 하나로서 에틸렌성 불포화기를 갖는 구성 단위(a3-2)를 들 수 있다(이하, 「구성 단위(a3-2)」라고도 한다). 상기 에틸렌성 불포화기를 갖는 구성 단위(a3-2)로서는 측쇄에 에틸렌성 불포화기를 갖는 구성 단위가 바람직하고, 말단에 에틸렌성 불포화기를 갖고, 탄소수 3~16의 측쇄를 갖는 구성 단위가 보다 바람직하고, 하기 식(a3-2-1)으로 나타내어지는 측쇄를 갖는 구성 단위가 더욱 바람직하다.The structural unit (a3-2) which has an ethylenically unsaturated group is mentioned as one of the structural units (a3) which have the said crosslinking group (henceforth "a structural unit (a3-2)"). As a structural unit (a3-2) which has the said ethylenically unsaturated group, the structural unit which has an ethylenically unsaturated group in a side chain is preferable, The structural unit which has an ethylenically unsaturated group at the terminal, and has a C3-C16 side chain, The structural unit which has a side chain represented by following formula (a3-2-1) is more preferable.

Figure pat00006
Figure pat00006

(식(a3-2-1) 중, R301은 탄소수 1~13의 2가의 연결기를 나타내고, R302는 수소원자 또는 메틸기를 나타내고, *은 가교기를 갖는 구성 단위(a3)의 주쇄에 연결하는 부위를 나타낸다)(In formula (a3-2-1), R 301 represents a C1-C13 divalent linking group, R 302 represents a hydrogen atom or a methyl group, and * is connected to the main chain of the structural unit (a3) having a crosslinking group). Indicates a site)

R301은 탄소수 1~13의 2가의 연결기이며, 알케닐기, 시클로알케닐기, 아릴렌기 또는 이들을 조합시킨 기를 포함하고, 에스테르 결합, 에테르 결합, 아미드 결합, 우레탄 결합 등의 결합을 포함하고 있어도 좋다. 또한, 2가의 연결기는 임의의 위치에 히드록시기, 카르복실기 등의 치환기를 갖고 있어도 좋다. R301의 구체예로서는 하기의 2가의 연결기를 들 수 있다.R 301 is a C1-C13 divalent linking group, and may include an alkenyl group, a cycloalkenyl group, an arylene group, or a combination thereof, and may include a bond such as an ester bond, an ether bond, an amide bond, or a urethane bond. In addition, the divalent linking group may have substituents, such as a hydroxyl group and a carboxyl group, in arbitrary positions. Specific examples of R 301 include the following divalent linking groups.

Figure pat00007
Figure pat00007

상기 식(a3-2-1)으로 나타내어지는 측쇄 중에서도 상기 R301로 나타내어지는 2가의 연결기를 포함하고 지방족의 측쇄가 바람직하다.Among the side chains represented by the formula (a3-2-1), an aliphatic side chain containing a divalent linking group represented by R 301 is preferable.

그 외, 에틸렌성 불포화기를 갖는 구성 단위(a3-2)에 대해서는 일본 특허 공개 2011-215580호 공보의 단락번호 0077~0090의 기재를 참작할 수 있다.In addition, description of Paragraph No. 0077-0090 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2011-215580 can be considered about the structural unit (a3-2) which has an ethylenically unsaturated group.

<<-NH-CH2-O-R(R은 수소원자 또는 탄소수 1~20의 알킬기를 나타낸다)로 나타내어지는 기를 갖는 구성 단위(a3-3)>> << - NH-CH 2 -OR ( R represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms), a structural unit (a3-3) having a group represented by >>

본 발명에서 사용하는 공중합체는 -NH-CH2-O-R(R은 수소원자 또는 탄소수 1~20의 알킬기를 나타낸다)로 나타내어지는 기를 갖는 구성 단위(a3-3)도 바람직하다. 구성 단위(a3-3)를 가짐으로써 완만한 가열 처리로 경화 반응을 일으킬 수 있고, 여러가지 특성이 우수한 경화막을 얻을 수 있다. 여기에서, R은 탄소수 1~9의 알킬기가 바람직하고, 탄소수 1~4의 알킬기가 보다 바람직하다. 또한, 알킬기는 직쇄, 분기 또는 환상의 알킬기 중 어느 것이어도 좋지만, 직쇄 또는 분기의 알킬기인 것이 바람직하다. 구성 단위(a3-3)는 하기 식(a3-3-1)으로 나타내어지는 기를 갖는 구성 단위인 것이 보다 바람직하다.The copolymer used in the present invention is also preferably a structural unit (a3-3) having a group represented by -NH-CH 2 -OR (R represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms). By having structural unit (a3-3), hardening reaction can be raise | generated by loose | gentle heat processing, and the cured film excellent in various characteristics can be obtained. Here, R is preferably an alkyl group having 1 to 9 carbon atoms, and more preferably an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. Moreover, although an alkyl group may be any of a linear, branched or cyclic alkyl group, it is preferable that it is a linear or branched alkyl group. The structural unit (a3-3) is more preferably a structural unit having a group represented by the following formula (a3-3-1).

Figure pat00008
Figure pat00008

(식 중, R331은 수소원자 또는 메틸기를 나타내고, R332는 탄소수 1~20의 알킬기를 나타낸다)In the formula, R 331 represents a hydrogen atom or a methyl group, and R 332 represents an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms.

R332는 탄소수 1~9의 알킬기가 바람직하고, 탄소수 1~4의 알킬기가 더욱 바람직하다. 또한, 알킬기는 직쇄, 분기 또는 환상의 알킬기 중 어느 것이어도 좋지만, 직쇄 또는 분기의 알킬기인 것이 바람직하다. R 332 is preferably an alkyl group having 1 to 9 carbon atoms, more preferably an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. Moreover, although an alkyl group may be any of a linear, branched or cyclic alkyl group, it is preferable that it is a linear or branched alkyl group.

R332의 구체예로서는 메틸기, 에틸기, n-부틸기, i-부틸기, 시클로헥실기, 또는 n-헥실기를 들 수 있다. 그 중에서도 i-부틸기, n-부틸기, 또는 메틸기가 바람직하다.As a specific example of R <332> , a methyl group, an ethyl group, n-butyl group, i-butyl group, a cyclohexyl group, or n-hexyl group is mentioned. Of these, an i-butyl group, an n-butyl group, or a methyl group is preferable.

<<구성 단위(a3)의 바람직한 형태>><< preferable form of structural unit (a3) >>

상기 구성 단위(a3)를 함유하는 중합체가 실질적으로 구성 단위(a1)를 포함하지 않는 경우 구성 단위(a3)를 함유하는 중합체를 구성하는 전체 모노머 단위 중 구성 단위(a3)를 형성하는 모노머 단위의 함유량은 5~90몰%가 바람직하고, 20~80몰%가 보다 바람직하다. When the polymer containing the structural unit (a3) does not substantially include the structural unit (a1), the monomer unit forming the structural unit (a3) of all the monomer units constituting the polymer containing the structural unit (a3) 5-90 mol% is preferable and, as for content, 20-80 mol% is more preferable.

상기 구성 단위(a3)를 함유하는 중합체가 상기 구성 단위(a1)를 함유할 경우 구성 단위(a3)를 함유하는 중합체를 구성하는 전체 모노머 단위 중 구성 단위(a3)를 형성하는 모노머 단위의 함유량은 감도의 관점에서 3~70몰%가 바람직하고, 10~60몰%가 보다 바람직하다. When the polymer containing the said structural unit (a3) contains the said structural unit (a1), content of the monomer unit which forms a structural unit (a3) among all the monomer units which comprise the polymer containing a structural unit (a3) is 3-70 mol% is preferable from a viewpoint of a sensitivity, and 10-60 mol% is more preferable.

본 발명에서는 또한 어느 형태에 상관없이 성분 A를 구성하는 전체 모노머 단위 중 구성 단위(a3)를 형성하는 모노머 단위의 함유량은 3~70몰%인 것이 바람직하고, 10~60몰%인 것이 보다 바람직하다.In the present invention, the content of the monomer unit forming the structural unit (a3) among all the monomer units constituting the component A is preferably 3 to 70 mol%, more preferably 10 to 60 mol%, regardless of which form. Do.

상기 수치의 범위내이면 감광성 수지 조성물로부터 얻어지는 경화막의 투명성 및 ITO 스퍼터 내성이 양호해진다.If it is in the said numerical range, transparency of the cured film obtained from the photosensitive resin composition, and ITO sputter resistance will become favorable.

<그 밖의 구성 단위(a4)><Other structural unit (a4)>

성분 A는 본 발명의 효과를 방해하지 않는 범위에서 상기 구성 단위(a1)~(a3) 이외의 구성 단위(a4)를 갖고 있어도 좋다.The component A may have structural units (a4) other than the said structural units (a1)-(a3) in the range which does not prevent the effect of this invention.

구성 단위(a4)를 형성하기 위해서 사용되는 라디칼 중합성 단량체로서는 예를 들면, 일본 특허 공개 2004-264623호 공보의 단락 0021~0024에 기재된 화합물을 들 수 있다(단, 상기 구성 단위(a1)~(a3)를 제외함). As a radically polymerizable monomer used in order to form a structural unit (a4), Paragraph 0021 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2004-264623-the compound of 0024 can be mentioned, for example, However, the said structural unit (a1)- (a3)).

이들 중에서도 전기 특성 향상의 관점에서 (메타)아크릴산 디시클로펜타닐, (메타)아크릴산 시클로헥실, 아크릴산 시클로헥실과 같은 지환 구조 함유의 (메타)아크릴산 에스테르류나, (메타)아크릴산 메틸, (메타)아크릴산 에틸, (메타)아크릴산 프로필, (메타)아크릴산 n-부틸과 같은 지환구조를 함유하지 않는 (메타)아크릴산 알킬에스테르가 바람직하다. 또한, 투명성의 관점에서는 (메타)아크릴산 메틸이 바람직하다. 또한, 에칭 내성의 관점에서는 스티렌이나 α-메틸스티렌 등의 스티렌류가 바람직하다. 또한, 감도 향상의 관점에서는 페놀성 수산기 이외의 수산기 또는 알킬렌옥시기를 갖는 구성 단위도 바람직하다. Among these, from the viewpoint of electrical characteristics improvement, (meth) acrylic acid esters containing alicyclic structures such as dicyclopentanyl (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate, and cyclohexyl acrylate, methyl (meth) acrylate and ethyl (meth) acrylate (Meth) acrylic-acid alkylester which does not contain alicyclic structures, such as propyl (meth) acrylic acid and n-butyl (meth) acrylate, is preferable. In addition, methyl (meth) acrylate is preferable from the viewpoint of transparency. Moreover, styrene, such as styrene and (alpha) -methylstyrene, is preferable from a viewpoint of etching tolerance. Moreover, the structural unit which has hydroxyl groups or alkyleneoxy groups other than a phenolic hydroxyl group is also preferable from a viewpoint of a sensitivity improvement.

성분 A는 구성 단위(a4)를 1종 단독 또는 2종류 이상 갖고 있어도, 갖고 있지 않아도 좋지만, 갖고 있지 않는 즉, 성분 A가 구성 단위(a1)~(a3)로 이루어지는 군에서 선택된 구성 단위로 이루어지는 수지인 것이 바람직하다.Although component A may have one type or two or more types of structural unit (a4), it is not necessary to have it, but it does not have, ie, component A consists of a structural unit selected from the group which consists of structural units (a1)-(a3). It is preferable that it is resin.

성분 A를 구성하는 전체 모노머 단위 중 구성 단위(a4)를 형성하는 모노머 단위의 함유율은 0~40몰%인 것이 바람직하다. 성분 A가 구성 단위(a4)를 갖는 경우 성분 A를 구성하는 전체 모노머 단위 중 구성 단위(a4)를 형성하는 모노머 단위의 함유율은 1~40몰%가 바람직하고, 5~30몰%가 보다 바람직하고, 5~25몰%가 특히 바람직하다.It is preferable that the content rate of the monomeric unit which forms a structural unit (a4) among all the monomeric units which comprise component A is 0-40 mol%. When the component A has a structural unit (a4), 1-40 mol% is preferable and, as for the content rate of the monomeric unit which forms a structural unit (a4) among all the monomeric units which comprise component A, 5-30 mol% is more preferable. 5-25 mol% is especially preferable.

성분 A의 중량 평균 분자량은 1,000~50,000인 것이 바람직하고, 2,000~30,000인 것이 보다 바람직하고, 3,000~20,000인 것이 더욱 바람직하다. 또한, 본 발명에 있어서의 중량 평균 분자량은 겔퍼미에이션 크로마토그래피(GPC)에 의한 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량이다.It is preferable that the weight average molecular weight of component A is 1,000-50,000, It is more preferable that it is 2,000-30,000, It is still more preferable that it is 3,000-20,000. In addition, the weight average molecular weight in this invention is polystyrene conversion weight average molecular weight by gel permeation chromatography (GPC).

또한, 성분 A가 갖는 각 구성 단위를 도입하는 방법으로서는 중합법이어도 좋고, 고분자 반응법이어도 좋고, 이들 두가지 방법을 병용해도 좋다. Moreover, as a method of introducing each structural unit which component A has, a polymerization method may be sufficient, a polymer reaction method may be sufficient, and these two methods may be used together.

중합법에서는 소정의 관능기를 함유하는 모노머를 미리 합성한 후에 이들 모노머를 공중합한다. 즉, 구성 단위(a1), 구성 단위(a2), 구성 단위(a3), 및 필요에 따라 구성 단위(a4)를 형성하기 위해서 사용되는 라디칼 중합성 단량체를 포함하는 라디칼 중합성 단량체 혼합물을 유기 용제 중 라디칼 중합 개시제를 사용해서 중합 함으로써 합성할 수 있다.In the polymerization method, monomers containing a predetermined functional group are synthesized in advance, and then these monomers are copolymerized. That is, a radically polymerizable monomer mixture containing a structural unit (a1), a structural unit (a2), a structural unit (a3), and a radically polymerizable monomer used for forming the structural unit (a4) as needed is an organic solvent. It can synthesize | combine by superposing | polymerizing using a medium radical polymerization initiator.

고분자 반응법에서는 중합 반응을 행한 후에 얻어진 공중합체의 구성 단위에 포함되는 반응성기를 이용해서 필요한 관능기를 구성 단위 중에 도입한다.In the polymer reaction method, necessary functional groups are introduced into the structural unit using a reactive group included in the structural unit of the copolymer obtained after the polymerization reaction.

본 발명의 감광성 수지 조성물 중에 있어서의 성분 A의 함유량은 감광성 수지 조성물의 전체 고형분에 대해서 20~99질량%인 것이 바람직하고, 25~97질량%인 것이 보다 바람직하고, 30~95질량%인 것이 더욱 바람직하다. 함유량이 이 범위이면 현상했을 때의 패턴 형성성이 양호해진다. 또한, 감광성 수지 조성물의 고형분량이란 용제 등의 휘발성 성분을 제외한 양을 나타낸다. 성분 A는 감광성 수지 조성물에 1종 단독 또는 2종류 이상을 조합해서 사용할 수 있다.It is preferable that content of the component A in the photosensitive resin composition of this invention is 20-99 mass% with respect to the total solid of the photosensitive resin composition, It is more preferable that it is 25-97 mass%, It is 30-95 mass% More preferred. If content is this range, the pattern formation property at the time of image development will become favorable. In addition, solid content of the photosensitive resin composition shows the quantity except volatile components, such as a solvent. Component A can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types for photosensitive resin composition.

본 발명의 감광성 수지 조성물로서는 성분 A와는 다른 중합체 성분을 별도로 갖고 있어도 좋다. 성분 A와는 다른 중합체 성분을 포함할 경우 상기 중합체 성분의 배합량은 전체 중합체 성분 중 80질량% 이하인 것이 바람직하고, 70질량% 이하인 것이 보다 바람직하고, 60질량% 이하인 것이 더욱 바람직하다.As the photosensitive resin composition of this invention, you may have the polymer component different from the component A separately. When including the polymer component different from the component A, it is preferable that the compounding quantity of the said polymer component is 80 mass% or less in all the polymer components, It is more preferable that it is 70 mass% or less, It is further more preferable that it is 60 mass% or less.

성분 A와는 다른 중합체 성분의 구성 단위로서는 상술한 카르복실기 또는 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위(a2), 가교성기를 갖는 구성 단위(a3) 등이 예시되고, 본 발명의 효과를 방해하지 않는 범위에서 구성 단위(a2) 및 구성 단위(a3) 이외의 구성 단위(a4)를 갖고 있어도 좋다.As a structural unit of a polymer component different from the component A, the structural unit (a2) which has a carboxyl group or phenolic hydroxyl group mentioned above, the structural unit (a3) which has a crosslinkable group, etc. are illustrated, and is comprised in the range which does not prevent the effect of this invention. You may have structural units (a4) other than a unit (a2) and a structural unit (a3).

특히, 성분 A가 상기 가교기를 갖는 구성 단위(a3)를 갖고 있지 않는 수지인 경우 본 발명의 감광성 수지 조성물은 가교기를 갖는 구성 단위(a3)를 갖는 수지를 더 함유하는 것이 바람직하고, 카르복실기 또는 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위(a2) 및 가교기를 갖는 구성 단위(a3)을 갖는 수지를 더 함유하는 것이 보다 바람직하다.In particular, when component A is resin which does not have a structural unit (a3) which has the said crosslinking group, it is preferable that the photosensitive resin composition of this invention further contains resin which has a structural unit (a3) which has a crosslinking group, and it is a carboxyl group or a phenol. It is more preferable to further contain resin which has a structural unit (a2) which has a hydroxyl group, and a structural unit (a3) which has a crosslinking group.

이러한 중합체로서는 측쇄에 카르복실기를 갖는 수지가 바람직하다. 예를 들면, 일본 특허 공개 소 59-44615호, 일본 특허 공고 소 54-34327호, 일본 특허 공고 소 58-12577호, 일본 특허 공고 소 54-25957호, 일본 특허 공개 소 59-53836호, 일본 특허 공개 소 59-71048호의 각 공보에 기재되어 있는 메타크릴산 공중합체, 아크릴산 공중합체, 이타콘산 공중합체, 크로톤산 공중합체, 말레산 공중합체, 부분 에스테르화 말레산 공중합체 등 및 측쇄에 카르복실기를 갖는 산성 셀룰로오스 유도체, 수산기를 갖는 폴리머에 산무수물을 부가시킨 것 등을 들 수 있고, 또한 측쇄에 (메타)아크릴로일기를 갖는 고분자 중합체도 바람직한 것으로서 들 수 있다.As such a polymer, resin which has a carboxyl group in a side chain is preferable. For example, Japanese Patent Publication No. 59-44615, Japanese Patent Publication 54-34327, Japanese Patent Publication 58-12577, Japanese Patent Publication 54-25957, Japanese Patent Publication 59-53836, Japan Methacrylic acid copolymers, acrylic acid copolymers, itaconic acid copolymers, crotonic acid copolymers, maleic acid copolymers, partially esterified maleic acid copolymers and the like described in each publication of Japanese Patent Application Laid-Open No. 59-71048 The acid cellulose derivative which has the thing, the thing which added the acid anhydride to the polymer which has a hydroxyl group, etc. are mentioned, The high molecular polymer which has a (meth) acryloyl group in a side chain is also mentioned as a preferable thing.

예를 들면, 벤질(메타)아크릴레이트/(메타)아크릴산 공중합체, 2-히드록시에틸(메타)아크릴레이트/벤질(메타)아크릴레이트/(메타)아크릴산 공중합체, 일본 특허 공개 평 7-140654호 공보에 기재된 2-히드록시프로필(메타)아크릴레이트/폴리스티렌 매크로 모노머/벤질메타크릴레이트/메타크릴산 공중합체, 2-히드록시-3-페녹시프로필아크릴레이트/폴리메틸메타크릴레이트 매크로 모노머/벤질메타크릴레이트/메타크릴산 공중합체, 2-히드록시에틸메타크릴레이트/폴리스티렌 매크로 모노머/메틸메타크릴레이트/메타크릴산 공중합체, 2-히드록시에틸메타크릴레이트/폴리스티렌 매크로 모노머/벤질메타크릴레이트/메타크릴산 공중합체 등을 들 수 있다.For example, benzyl (meth) acrylate / (meth) acrylic acid copolymer, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate / benzyl (meth) acrylate / (meth) acrylic acid copolymer, Japanese Patent Laid-Open No. 7-140654 2-hydroxypropyl (meth) acrylate / polystyrene macromonomer / benzyl methacrylate / methacrylic acid copolymer, 2-hydroxy-3-phenoxypropylacrylate / polymethylmethacrylate macromonomer described in Japanese Patent Application Laid-Open / Benzyl methacrylate / methacrylic acid copolymer, 2-hydroxyethyl methacrylate / polystyrene macro monomer / methyl methacrylate / methacrylic acid copolymer, 2-hydroxyethyl methacrylate / polystyrene macro monomer / benzyl Methacrylate / methacrylic acid copolymer, and the like.

그 밖에도, 일본 특허 공개 평 7-207211호 공보, 일본 특허 공개 평 8-259876호 공보, 일본 특허 공개 평 10-300922호 공보, 일본 특허 공개 평 11-140144호 공보, 일본 특허 공개 평 11-174224호 공보, 일본 특허 공개 2000-56118호 공보, 일본 특허 공개 2003-233179호 공보, 일본 특허 공개 2009-52020호 공보등에 기재된 공지의 고분자 화합물을 사용할 수 있다.In addition, Japanese Patent Laid-Open No. 7-207211, Japanese Patent Laid-Open No. 8-259876, Japanese Patent Laid-Open No. 10-300922, Japanese Patent Laid-Open No. 11-140144, Japanese Patent Laid-Open No. 11-174224 The well-known high molecular compound of Unexamined-Japanese-Patent No. 2000-56118, Unexamined-Japanese-Patent No. 2003-233179, Unexamined-Japanese-Patent No. 2009-52020, etc. can be used.

이들 중합체는 1종류만 포함하고 있어도 좋고, 2종류 이상 포함하고 있어도 좋다.One type of these polymers may be included and they may be included two or more types.

이들 중합체로서 시판되고 있는 SMA 1000P, SMA 2000P, SMA 3000P, SMA 1440F, SMA 17352P, SMA 2625P, SMA 3840F(이상, 사토머사제), ARUFON UC-3000, ARUFON UC-3510, ARUFON UC-3900, ARUFON UC-3910, ARUFON UC-3920, ARUFON UC-3080(이상, 도아 고세이(주)제), Joncryl 690, Joncryl 678, Joncryl 67, Joncryl 586(이상, BASF사제) 등을 사용할 수도 있다.SMA 1000P, SMA 2000P, SMA 3000P, SMA 1440F, SMA 17352P, SMA 2625P, SMA 3840F (above, manufactured by Satoma), ARUFON UC-3000, ARUFON UC-3510, ARUFON UC-3900, ARUFON UC-3910, ARUFON UC-3920, ARUFON UC-3080 (above, manufactured by Toagosei Co., Ltd.), Joncryl 690, Joncryl 678, Joncryl 67, Joncryl 586 (above, BASF Corporation), etc. can also be used.

(성분 B) 광산발생제(Component B) Photoacid Generator

본 발명의 감광성 수지 조성물은 (성분 B) 광산발생제를 함유한다. The photosensitive resin composition of this invention contains the (component B) photoacid generator.

본 발명에서 사용되는 (성분 B) 광산발생제로서는 파장 300nm 이상, 바람직하게는 파장 300~450nm의 활성 광선에 감응하고, 산을 발생하는 화합물이 바람직하지만, 그 화학구조에 제한되는 것은 아니다. 또한, 파장 300nm 이상의 활성 광선에 직접 감응하지 않는 광산발생제에 대해서도 증감제와 병용함으로써 파장 300nm 이상의 활성 광선에 감응하고, 산을 발생하는 화합물이면 증감제와 조합해서 바람직하게 사용할 수 있다.As the (component B) photoacid generator used in the present invention, a compound which is sensitive to actinic light having a wavelength of 300 nm or more, preferably having a wavelength of 300 to 450 nm and generates an acid is preferable, but the chemical structure is not limited. Moreover, if it is a compound which sensitizes actinic light of wavelength 300nm or more and generate | occur | produces acid also by using together with a sensitizer about the photo-acid generator which does not directly react to actinic light of wavelength 300nm or more, it can use preferably in combination with a sensitizer.

본 발명에서 사용되는 광산발생제로서는 산해리 정수(pKa)가 4 이하인 산을 발생하는 광산발생제가 바람직하고, pKa가 3 이하인 산을 발생하는 광산발생제가 보다 바람직하다. As the photoacid generator used in the present invention, a photoacid generator for generating an acid having an acid dissociation constant (pKa) of 4 or less is preferable, and a photoacid generator for generating an acid having a pKa of 3 or less is more preferable.

또한, pKa에 대해서는 공지의 측정 방법, 공지의 산출 방법, 및/또는 문헌값 등에 의해 값을 구할 수 있다.In addition, about pKa, a value can be calculated | required by a well-known measuring method, a well-known calculation method, and / or a literature value.

광산발생제의 예로서 트리클로로메틸-s-트리아진류, 술포늄염이나 요오드늄염, 제4급 암모늄염류, 디아조메탄 화합물, 이미드술포네이트 화합물, 및 옥심술포네이트 화합물 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 고감도의 관점에서 옥심술포네이트 화합물을 사용하는 것이 바람직하다. 이들 광산발생제는 1종 단독 또는 2종류 이상을 조합해서 사용할 수 있다.Examples of the photoacid generator include trichloromethyl-s-triazines, sulfonium salts and iodonium salts, quaternary ammonium salts, diazomethane compounds, imidesulfonate compounds, and oxime sulfonate compounds. Among these, it is preferable to use an oxime sulfonate compound from a viewpoint of high sensitivity. These photoacid generators can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.

이들 구체예로서는 이하를 예시할 수 있다.The following can be illustrated as these specific examples.

트리클로로메틸-s-트리아진류로서 2-(3-클로로페닐)-비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(4-메톡시페닐)-비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(4-메틸티오페닐)-비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(4-메톡시-β-스티릴)-비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-피페로닐-비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-[2-(푸란-2-일)에테닐]-비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-[2-(5-메틸푸란-2-일)에테닐]-비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-[2-(4-디에틸아미노-2-메틸페닐)에테닐]-비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진, 또는 2-(4-메톡시나프틸)-비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진 등.2- (3-chlorophenyl) -bis (4,6-trichloromethyl) -s-triazine, 2- (4-methoxyphenyl) -bis (4,6- as trichloromethyl-s-triazines Trichloromethyl) -s-triazine, 2- (4-methylthiophenyl) -bis (4,6-trichloromethyl) -s-triazine, 2- (4-methoxy-β-styryl)- Bis (4,6-trichloromethyl) -s-triazine, 2-piperonyl-bis (4,6-trichloromethyl) -s-triazine, 2- [2- (furan-2-yl) Ethenyl] -bis (4,6-trichloromethyl) -s-triazine, 2- [2- (5-methylfuran-2-yl) ethenyl] -bis (4,6-trichloromethyl)- s-triazine, 2- [2- (4-diethylamino-2-methylphenyl) ethenyl] -bis (4,6-trichloromethyl) -s-triazine, or 2- (4-methoxynaph Ethyl) -bis (4,6-trichloromethyl) -s-triazine and the like.

디아릴요오드늄염류로서 디페닐요오드늄트리플루오로아세테이트, 디페닐요오드늄트리플루오로메탄술포네이트, 4-메톡시페닐페닐요오드늄트리플루오로메탄술포네이트, 4-메톡시페닐페닐요오드늄트리플루오로아세테이트, 페닐-4-(2'-히드록시-1'-테트라데카옥시)페닐요오드늄트리플루오로메탄술포네이트, 4-(2'-히드록시-1'-테트라데카옥시)페닐요오드늄헥사플루오로안티모네이트, 또는 페닐-4-(2'-히드록시-1'-테트라데카옥시)페닐요오드늄p-톨루엔술포네이트 등.As diaryl iodonium salts, diphenyl iodonium trifluoroacetate, diphenyl iodonium trifluoromethanesulfonate, 4-methoxyphenylphenyl iodonium trifluoromethanesulfonate, 4-methoxyphenylphenyl iodonium tri Fluoroacetate, Phenyl-4- (2'-hydroxy-1'-tetradecaoxy) phenyliodoniumtrifluoromethanesulfonate, 4- (2'-hydroxy-1'-tetradecaoxy) phenyliodine Nium hexafluoroantimonate, or phenyl-4- (2'-hydroxy-1'- tetradecaoxy) phenyl iodonium p-toluenesulfonate, and the like.

트리아릴술포늄염류로서 트리페닐술포늄트리플루오로메탄술포네이트, 트리페닐술포늄트리플루오로아세테이트, 4-메톡시페닐디페닐술포늄트리플루오로메탄술포네이트, 4-메톡시페닐디페닐술포늄트리플루오로아세테이트, 4-페닐티오페닐디페닐술포늄트리플루오로메탄술포네이트, 또는 4-페닐티오페닐디페닐술포늄트리플루오로아세테이트 등.As triarylsulfonium salts, triphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, triphenylsulfonium trifluoroacetate, 4-methoxyphenyldiphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, 4-methoxyphenyldiphenylsul Phonium trifluoroacetate, 4-phenylthiophenyldiphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, 4-phenylthiophenyldiphenylsulfonium trifluoroacetate, and the like.

제4급 암모늄염류로서 테트라메틸암모늄부틸트리스(2,6-디플루오로페닐)볼레이트, 테트라메틸암모늄헥실트리스(p-클로로페닐)볼레이트, 테트라메틸암모늄헥실트리스(3-트리플루오로메틸페닐)볼레이트, 벤질디메틸페닐암모늄부틸트리스(2,6-디플루오로페닐)볼레이트, 벤질디메틸페닐암모늄헥실트리스(p-클로로페닐)볼레이트, 벤질디메틸페닐암모늄헥실트리스(3-트리플루오로메틸페닐)볼레이트 등.Tetramethylammoniumbutyltris (2,6-difluorophenyl) borate, tetramethylammoniumhexyltris (p-chlorophenyl) borate, tetramethylammoniumhexyltris (3-trifluoromethylphenyl as quaternary ammonium salts ) Borate, benzyldimethylphenylammoniumbutyltris (2,6-difluorophenyl) borate, benzyldimethylphenylammoniumhexyltris (p-chlorophenyl) borate, benzyldimethylphenylammoniumhexyltris (3-trifluoro Methylphenyl) borate and the like.

디아조메탄 유도체로서 비스(시클로헥실술포닐)디아조메탄, 비스(t-부틸술포닐)디아조메탄, 비스(p-톨루엔술포닐)디아조메탄 등.Diazomethane derivatives such as bis (cyclohexylsulfonyl) diazomethane, bis (t-butylsulfonyl) diazomethane, bis (p-toluenesulfonyl) diazomethane and the like.

이미드술포네이트 유도체로서 트리플루오로메틸술포닐옥시비시클로[2.2.1]-헵토-5-엔-디카르복시이미드, 숙신이미드트리플루오로메틸술포네이트, 프탈이미드트리플루오로메틸술포네이트, N-히드록시나프탈이미드메탄술포네이트, N-히드록시-5-노르보르넨-2,3-디카르복시이미드프로판술포네이트 등.Trifluoromethylsulfonyloxybicyclo [2.2.1] -hepto-5-ene-dicarboxyimide, succinimidetrifluoromethylsulfonate, phthalimide trifluoromethylsulfonate as an imide sulfonate derivative , N-hydroxynaphthalimide methanesulfonate, N-hydroxy-5-norbornene-2,3-dicarboxyimidepropanesulfonate and the like.

본 발명의 감광성 수지 조성물은 (성분 B) 광산발생제로서 하기 식(1)으로 나타내어지는 옥심술포네이트 잔기를 적어도 1개 갖는 옥심술포네이트 화합물을 포함하는 것이 바람직하다. 또한, 파선부분은 다른 화학구조와의 결합 위치를 나타낸다.It is preferable that the photosensitive resin composition of this invention contains the oxime sulfonate compound which has at least one oxime sulfonate residue represented by following formula (1) as a (component B) photoacid generator. In addition, the broken line portion shows the bonding position with other chemical structures.

Figure pat00009
Figure pat00009

상기 식(1)으로 나타내어지는 옥심술포네이트 잔기를 적어도 1개 갖는 화합물로서는 하기 식(OS-3), 식(OS-4), 또는 식(OS-5)으로 나타내어지는 옥심술포네이트 화합물인 것이 바람직하다.As a compound which has at least one oxime sulfonate residue represented by said Formula (1), the oxime sulfonate compound represented by a following formula (OS-3), a formula (OS-4), or a formula (OS-5) Is preferably.

Figure pat00010
Figure pat00010

(식(OS-3)~(OS-5) 중, R1은 알킬기, 아릴기 또는 헤테로아릴기를 나타내고, 복수 존재하는 R2는 각각 독립적으로 수소원자, 알킬기, 아릴기 또는 할로겐원자를 나타내고, 복수 존재하는 R6은 각각 독립적으로 할로겐원자, 알킬기, 알킬옥시기, 술폰산기, 아미노술포닐기 또는 알콕시술포닐기를 나타내고, X는 O 또는 S를 나타내고, n은 1 또는 2를 나타내고, m은 0~6의 정수를 나타낸다)(In formula (OS-3)-(OS-5), R <1> represents an alkyl group, an aryl group, or heteroaryl group, and two or more R <2> represents a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, or a halogen atom each independently, A plurality of R 6 's each independently represent a halogen atom, an alkyl group, an alkyloxy group, a sulfonic acid group, an aminosulfonyl group or an alkoxysulfonyl group, X represents O or S, n represents 1 or 2, and m is 0 Represents an integer of -6)

상기 식(OS-3)~(OS-5) 중 R1로 나타내어지는 알킬기, 아릴기 또는 헤테로아릴기는 치환기를 갖고 있어도 좋다.The alkyl group, aryl group, or heteroaryl group represented by R 1 in the formulas (OS-3) to (OS-5) may have a substituent.

상기 식(OS-3)~(OS-5) 중 R1로 나타내어지는 알킬기로서는 치환기를 갖고 있어도 좋은 총탄소수 1~30의 알킬기인 것이 바람직하다. It is preferable that it is a C1-C30 alkyl group which may have a substituent as said alkyl group represented by R <1> in said Formula (OS-3)-(OS-5).

R1로 나타내어지는 알킬기가 갖고 있어도 좋은 치환기로서는 할로겐원자, 알킬옥시기, 아릴옥시기, 알킬티오기, 아릴티오기, 알킬옥시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 아미노카르보닐기를 들 수 있다.Examples of the substituent which the alkyl group represented by R 1 may have include a halogen atom, an alkyloxy group, an aryloxy group, an alkylthio group, an arylthio group, an alkyloxycarbonyl group, an aryloxycarbonyl group, and an aminocarbonyl group.

상기 식(OS-3)~(OS-5) 중, R1로 나타내어지는 알킬기로서는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, s-부틸기, t-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-옥틸기, n-데실기, n-도데실기, 트리플루오로메틸기, 퍼플루오로프로필기, 퍼플루오로헥실기, 벤질기 등을 들 수 있다.As said alkyl group represented by R <1> in said formula (OS-3)-(OS-5), a methyl group, an ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, n-butyl group, s-butyl group, t-butyl group , n-pentyl group, n-hexyl group, n-octyl group, n-decyl group, n-dodecyl group, trifluoromethyl group, perfluoropropyl group, perfluorohexyl group, benzyl group, etc. are mentioned. .

또한, 상기 식(OS-3)~(OS-5) 중 R1로 나타내어지는 아릴기로서는 치환기를 가져도 좋은 총탄소수 6~30의 아릴기가 바람직하다.Moreover, as an aryl group represented by R <1> in said Formula (OS-3)-(OS-5), the C6-C30 aryl group which may have a substituent is preferable.

R1로 나타내어지는 아릴기가 갖고 있어도 좋은 치환기로서는 할로겐원자, 알킬기, 알킬옥시기, 아릴옥시기, 알킬티오기, 아릴티오기, 알킬옥시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 아미노카르보닐기, 술폰산기, 아미노술포닐기, 알콕시술포닐기를 들 수 있다.Substituents which may have an aryl group represented by R 1 are halogen atom, alkyl group, alkyloxy group, aryloxy group, alkylthio group, arylthio group, alkyloxycarbonyl group, aryloxycarbonyl group, aminocarbonyl group, sulfonic acid group, aminosulfonyl group And an alkoxysulfonyl group.

R1로 나타내어지는 아릴기로서는 페닐기, p-메틸페닐기, p-클로로페닐기, 펜타클로로페닐기, 펜타플루오로페닐기, o-메톡시페닐기, p-페녹시페닐기가 바람직하다.As the aryl group represented by R 1 , a phenyl group, p-methylphenyl group, p-chlorophenyl group, pentachlorophenyl group, pentafluorophenyl group, o-methoxyphenyl group and p-phenoxyphenyl group are preferable.

또한, 상기 식(OS-3)~(OS-5) 중 R1로 나타내어지는 헤테로아릴기로서는 치환기를 가져도 좋은 총탄소수 4~30의 헤테로아릴기가 바람직하다.Moreover, as a heteroaryl group represented by R <1> in said Formula (OS-3)-(OS-5), the heteroaryl group of 4-30 total carbons which may have a substituent is preferable.

R1로 나타내어지는 헤테로아릴기가 갖고 있어도 좋은 치환기로서는 할로겐원자, 알킬기, 알킬옥시기, 아릴옥시기, 알킬티오기, 아릴티오기, 알킬옥시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 아미노카르보닐기, 술폰산기, 아미노술포닐기, 알콕시술포닐기를 들 수 있다.Substituents which may have a heteroaryl group represented by R 1 are halogen atom, alkyl group, alkyloxy group, aryloxy group, alkylthio group, arylthio group, alkyloxycarbonyl group, aryloxycarbonyl group, aminocarbonyl group, sulfonic acid group, aminosulfo A silyl group and an alkoxysulfonyl group are mentioned.

상기 식(OS-3)~(OS-5) 중 R1로 나타내어지는 헤테로아릴기는 적어도 1개의 복소 방향환이면 좋고, 예를 들면, 복소 방향환과 벤젠환이 축합되어 있어도 좋다.The heteroaryl group represented by R 1 in the formulas (OS-3) to (OS-5) may be at least one heteroaromatic ring, and for example, the heteroaromatic ring and the benzene ring may be condensed.

R1로 나타내어지는 헤테로아릴기로서는 치환기를 갖고 있어도 좋은 티오펜환, 피롤환, 티아졸환, 이미다졸환, 푸란환, 벤조티오펜환, 벤조티아졸환, 및 벤조이미다졸환으로 이루어지는 군에서 선택된 환으로부터 1개의 수소원자를 제외한 기를 들 수 있다.The heteroaryl group represented by R 1 is selected from the group consisting of a thiophene ring, a pyrrole ring, a thiazole ring, an imidazole ring, a furan ring, a benzothiophene ring, a benzothiazole ring, and a benzoimidazole ring which may have a substituent. The group remove | excluding one hydrogen atom from a ring is mentioned.

상기 식(OS-3)~(OS-5) 중, R2는 수소원자, 알킬기, 또는 아릴기인 것이 바람직하고, 수소원자 또는 알킬기인 것이 보다 바람직하다.In the formulas (OS-3) to (OS-5), R 2 is preferably a hydrogen atom, an alkyl group, or an aryl group, and more preferably a hydrogen atom or an alkyl group.

상기 식(OS-3)~(OS-5) 중, 화합물 중에 2 이상 존재하는 R2 중 1개 또는 2개가 알킬기, 아릴기 또는 할로겐원자인 것이 바람직하고, 1개가 알킬기, 아릴기 또는 할로겐원자인 것이 보다 바람직하고, 1개가 알킬기이며, 또한 나머지가 수소원자인 것이 특히 바람직하다.In the formulas (OS-3) to (OS-5), one or two of R 2 present in the compound is preferably an alkyl group, an aryl group or a halogen atom, and one is an alkyl group, an aryl group or a halogen atom. It is more preferable that it is more preferable that one is an alkyl group and the remainder is a hydrogen atom.

상기 식(OS-3)~(OS-5) 중 R2로 나타내어지는 알킬기 또는 아릴기는 치환기를 갖고 있어도 좋다.The alkyl group or aryl group represented by R 2 in the formulas (OS-3) to (OS-5) may have a substituent.

R2로 나타내어지는 알킬기 또는 아릴기가 갖고 있어도 좋은 치환기로서는 상기 R1에 있어서의 알킬기 또는 아릴기가 갖고 있어도 좋은 치환기와 같은 기를 예시할 수 있다.As a substituent which the alkyl group or aryl group represented by R <2> may have, the group similar to the substituent which the alkyl group or aryl group in said R <1> may have can be illustrated.

상기 식(OS-3)~(OS-5) 중 R2로 나타내어지는 알킬기로서는 치환기를 가져도 좋은 총탄소수 1~12의 알킬기인 것이 바람직하고, 치환기를 가져도 좋은 총탄소수 1~6의 알킬기인 것이 보다 바람직하다.As said alkyl group represented by R <2> in said Formula (OS-3)-(OS-5), it is preferable that it is a C1-C12 alkyl group which may have a substituent, and the C1-C6 alkyl group which may have a substituent is preferable. It is more preferable that is.

R2로 나타내어지는 알킬기로서는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, i-부틸기, s-부틸기, n-헥실기, 알릴기, 클로로메틸기, 브로모메틸기, 메톡시메틸기, 벤질기가 바람직하고, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, i-부틸기, s-부틸기, n-헥실기가 보다 바람직하고, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기, n-헥실기가 더욱 바람직하고, 메틸기가 특히 바람직하다.Examples of the alkyl group represented by R 2 include methyl group, ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, n-butyl group, i-butyl group, s-butyl group, n-hexyl group, allyl group, chloromethyl group and bromomethyl group , Methoxymethyl group and benzyl group are preferable, methyl group, ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, n-butyl group, i-butyl group, s-butyl group and n-hexyl group are more preferable, methyl group, The ethyl group, n-propyl group, n-butyl group and n-hexyl group are more preferable, and a methyl group is especially preferable.

상기 식(OS-3)~(OS-5) 중 R2로 나타내어지는 아릴기로서는 치환기를 가져도 좋은 총탄소수 6~30의 아릴기인 것이 바람직하다.As an aryl group represented by R <2> in said Formula (OS-3)-(OS-5), it is preferable that it is a C6-C30 aryl group which may have a substituent.

R2로 나타내어지는 아릴기로서 페닐기, p-메틸페닐기, o-클로로페닐기, p-클로로페닐기, o-메톡시페닐기, p-페녹시페닐기가 바람직하다.As an aryl group represented by R <2> , a phenyl group, p-methylphenyl group, o-chlorophenyl group, p-chlorophenyl group, o-methoxyphenyl group, and p-phenoxyphenyl group are preferable.

R2로 나타내어지는 할로겐원자로서는 불소원자, 염소원자, 브롬원자, 요오드원자를 들 수 있다. 이들 중에서도 염소원자, 브롬원자가 바람직하다.Examples of the halogen atom represented by R 2 include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom. Among these, a chlorine atom and a bromine atom are preferable.

상기 식(OS-3)~(OS-5) 중 X는 O 또는 S를 나타내고, O인 것이 바람직하다.In said formula (OS-3)-(OS-5), X represents O or S, and it is preferable that it is O.

상기 식(OS-3)~(OS-5)에 있어서 X를 환원으로서 포함하는 환은 5원환 또는 6원환이다.In the formulas (OS-3) to (OS-5), the ring containing X as a reduction is a 5-membered ring or a 6-membered ring.

상기 식(OS-3)~(OS-5) 중 n은 1 또는 2를 나타내고, X가 O인 경우 n은 1인 것이 바람직하고, 또한, X가 S인 경우 n은 2인 것이 바람직하다.In formulas (OS-3) to (OS-5), n represents 1 or 2, and when X is O, n is preferably 1, and when X is S, n is preferably 2.

상기 식(OS-3)~(OS-5) 중 R6으로 나타내어지는 알킬기 및 알킬옥시기는 치환기를 갖고 있어도 좋다.In the formulas (OS-3) to (OS-5), the alkyl group and alkyloxy group represented by R 6 may have a substituent.

상기 식(OS-3)~(OS-5) 중 R6으로 나타내어지는 알킬기로서는 치환기를 갖고 있어도 좋은 총탄소수 1~30의 알킬기인 것이 바람직하다.It is preferable that it is a C1-C30 alkyl group which may have a substituent as said alkyl group represented by R <6> in said Formula (OS-3)-(OS-5).

R6으로 나타내어지는 알킬기가 갖고 있어도 좋은 치환기로서는 할로겐원자, 알킬옥시기, 아릴옥시기, 알킬티오기, 아릴티오기, 알킬옥시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 아미노카르보닐기를 들 수 있다.Examples of the substituent which the alkyl group represented by R 6 may have include a halogen atom, an alkyloxy group, an aryloxy group, an alkylthio group, an arylthio group, an alkyloxycarbonyl group, an aryloxycarbonyl group, and an aminocarbonyl group.

상기 식(OS-3)~(OS-5) 중 R6으로 나타내어지는 알킬기로서는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, s-부틸기, t-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-옥틸기, n-데실기, n-도데실기, 트리플루오로메틸기, 퍼플루오로프로필기, 퍼플루오로헥실기, 벤질기가 바람직하다.Examples of the alkyl group represented by R 6 in the formulas (OS-3) to (OS-5) include a methyl group, an ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, n-butyl group, s-butyl group, t-butyl group, n-pentyl group, n-hexyl group, n-octyl group, n-decyl group, n-dodecyl group, trifluoromethyl group, perfluoropropyl group, perfluorohexyl group, and benzyl group are preferable.

상기 식(OS-3)~(OS-5) 중 R6으로 나타내어지는 알킬옥시기로서는 치환기를 가져도 좋은 총탄소수 1~30의 알킬옥시기인 것이 바람직하다.It is preferable that it is a C1-C30 alkyloxy group which may have a substituent as said alkyloxy group represented by R <6> in said Formula (OS-3)-(OS-5).

R6으로 나타내어지는 알킬옥시기가 갖고 있어도 좋은 치환기로서는 할로겐원자, 알킬옥시기, 아릴옥시기, 알킬티오기, 아릴티오기, 알킬옥시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 아미노카르보닐기를 들 수 있다.Examples of the substituent which the alkyloxy group represented by R 6 may have include a halogen atom, an alkyloxy group, an aryloxy group, an alkylthio group, an arylthio group, an alkyloxycarbonyl group, an aryloxycarbonyl group, and an aminocarbonyl group.

상기 식(OS-3)~(OS-5) 중 R6으로 나타내어지는 알킬옥시기로서는 메틸옥시기, 에틸옥시기, 부틸옥시기, 헥실옥시기, 페녹시에틸옥시기, 트리클로로메틸옥시기, 또는 에톡시에틸옥시기가 바람직하다.Examples of the alkyloxy group represented by R 6 in the formulas (OS-3) to (OS-5) include a methyloxy group, an ethyloxy group, a butyloxy group, a hexyloxy group, a phenoxyethyloxy group, and a trichloromethyloxy group. Or an ethoxyethyloxy group is preferable.

R6에 있어서의 아미노술포닐기로서는 메틸아미노술포닐기, 디메틸아미노술포닐기, 페닐아미노술포닐기, 메틸페닐아미노술포닐기, 아미노술포닐기를 들 수 있다.Examples of the aminosulfonyl group for R 6 include a methylaminosulfonyl group, dimethylaminosulfonyl group, phenylaminosulfonyl group, methylphenylaminosulfonyl group, and aminosulfonyl group.

R6으로 나타내어지는 알콕시술포닐기로서는 메톡시술포닐기, 에톡시술포닐기, 프로필옥시술포닐기, 부틸옥시술포닐기를 들 수 있다.Examples of the alkoxysulfonyl group represented by R 6 include a methoxysulfonyl group, an ethoxysulfonyl group, a propyloxysulfonyl group, and a butyloxysulfonyl group.

또한, 상기 식(OS-3)~(OS-5) 중 m은 0~6의 정수를 나타내고, 0~2의 정수인 것이 바람직하고, 0 또는 1인 것이 보다 바람직하고, 0인 것이 특히 바람직하다.Moreover, in said formula (OS-3)-(OS-5), m represents the integer of 0-6, it is preferable that it is an integer of 0-2, It is more preferable that it is 0 or 1, It is especially preferable that it is 0 .

또한, 상기 식(OS-3)으로 나타내어지는 화합물은 하기 식(OS-6), (OS-10) 또는 (OS-11)으로 나타내어지는 화합물인 것이 특히 바람직하고, 상기 식(OS-4)으로 나타내어지는 화합물은 하기 식(OS-7)으로 나타내어지는 화합물인 것이 특히 바람직하고, 상기 식(OS-5)으로 나타내어지는 화합물은 하기 식(OS-8) 또는 식(OS-9)으로 나타내어지는 화합물인 것이 특히 바람직하다.Moreover, it is especially preferable that the compound represented by said Formula (OS-3) is a compound represented by following formula (OS-6), (OS-10), or (OS-11), The said formula (OS-4) It is particularly preferable that the compound represented by the formula is a compound represented by the following formula (OS-7), and the compound represented by the formula (OS-5) is represented by the following formula (OS-8) or formula (OS-9) It is particularly preferred that it is a losing compound.

Figure pat00011
Figure pat00011

(식(OS-6)~(OS-11) 중, R1은 알킬기, 아릴기 또는 헤테로아릴기를 나타내고, R7은 수소원자 또는 브롬원자를 나타내고, R8은 수소원자, 탄소수 1~8의 알킬기, 할로겐원자, 클로로메틸기, 브로모메틸기, 브로모에틸기, 메톡시메틸기, 페닐기 또는 클로로페닐기를 나타내고, R9는 수소원자, 할로겐원자, 메틸기 또는 메톡시기를 나타내고, R10은 수소원자 또는 메틸기를 나타낸다)(In formula (OS-6)-(OS-11), R <1> represents an alkyl group, an aryl group, or a heteroaryl group, R <7> represents a hydrogen atom or a bromine atom, R <8> is a hydrogen atom and C1-C8 An alkyl group, a halogen atom, a chloromethyl group, a bromomethyl group, a bromoethyl group, a methoxymethyl group, a phenyl group or a chlorophenyl group, R 9 represents a hydrogen atom, a halogen atom, a methyl group or a methoxy group, and R 10 represents a hydrogen atom or a methyl group Indicates)

상기 식(OS-6)~(OS-11)에 있어서의 R1은 상기 식(OS-3)~(OS-5)에 있어서의 R1과 동의이며, 바람직한 형태도 같다.The expression (OS-6) ~ R 1 in (OS-11) is R 1 and agreed in the formula (OS-3) ~ (OS -5), as a preferred form.

상기 식(OS-6)에 있어서의 R7은 수소원자 또는 브롬원자를 나타내고, 수소원자인 것이 바람직하다.R <7> in said Formula (OS-6) represents a hydrogen atom or a bromine atom, and it is preferable that it is a hydrogen atom.

상기 식(OS-6)~(OS-11)에 있어서의 R8은 수소원자, 탄소수 1~8의 알킬기, 할로겐원자, 클로로메틸기, 브로모메틸기, 브로모에틸기, 메톡시메틸기, 페닐기 또는 클로로페닐기를 나타내고, 탄소수 1~8의 알킬기, 할로겐원자 또는 페닐기인 것이 바람직하고, 탄소수 1~8의 알킬기인 것이 보다 바람직하고, 탄소수 1~6의 알킬기인 것이 더욱 바람직하고, 메틸기인 것이 특히 바람직하다. R 8 in the formulas (OS-6) to (OS-11) is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, a halogen atom, a chloromethyl group, a bromomethyl group, a bromoethyl group, a methoxymethyl group, a phenyl group or a chloro It is preferable that it is a C1-C8 alkyl group, a halogen atom, or a phenyl group, It is more preferable that it is a C1-C8 alkyl group, It is still more preferable that it is a C1-C6 alkyl group, It is especially preferable that it is a methyl group .

상기 식(OS-8) 및 식(OS-9)에 있어서의 R9는 수소원자, 할로겐원자, 메틸기 또는 메톡시기를 나타내고, 수소원자인 것이 바람직하다.R 9 in the formulas (OS-8) and (OS-9) represents a hydrogen atom, a halogen atom, a methyl group or a methoxy group, and is preferably a hydrogen atom.

상기 식(OS-8)~(OS-11)에 있어서의 R10은 수소원자 또는 메틸기를 나타내고, 수소원자인 것이 바람직하다.R <10> in said Formula (OS-8)-(OS-11) represents a hydrogen atom or a methyl group, and it is preferable that it is a hydrogen atom.

또한, 상기 옥심술포네이트 화합물에 있어서 옥심의 입체구조(E, Z)에 대해서는 어느 하나이어도 혼합물이어도 좋다.In addition, in the said oxime sulfonate compound, any one or a mixture may be sufficient about the stereo structure (E, Z) of an oxime.

상기 식(OS-3)~식(OS-5)으로 나타내어지는 옥심술포네이트 화합물의 구체예로서는 하기 예시 화합물을 들 수 있지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.Although the following exemplary compound is mentioned as a specific example of the oxime sulfonate compound represented by said formula (OS-3)-a formula (OS-5), This invention is not limited to these.

Figure pat00012
Figure pat00012

Figure pat00013
Figure pat00013

Figure pat00014
Figure pat00014

상기 식(1)으로 나타내어지는 옥심술포네이트기를 적어도 1개 갖는 옥심술포네이트 화합물의 바람직한 다른 형태로서는 하기 식(OS-1)으로 나타내어지는 화합물을 들 수 있다.As a preferable another aspect of the oxime sulfonate compound which has at least one oxime sulfonate group represented by said formula (1), the compound represented by a following formula (OS-1) is mentioned.

Figure pat00015
Figure pat00015

상기 식(OS-1) 중, R1은 수소원자, 알킬기, 알케닐기, 알콕시기, 알콕시카르보닐기, 아실기, 카르바모일기, 술파모일기, 술포기, 시아노기, 아릴기, 또는 헤테로아릴기를 나타낸다. R2는 알킬기, 또는 아릴기를 나타낸다.In formula (OS-1), R 1 represents a hydrogen atom, an alkyl group, an alkenyl group, an alkoxy group, an alkoxycarbonyl group, an acyl group, a carbamoyl group, a sulfamoyl group, a sulfo group, a cyano group, an aryl group, or a heteroaryl group. Indicates. R 2 represents an alkyl group or an aryl group.

X는 -O-, -S-, -NH-, -NR5-, -CH2-, -CR6H-, 또는 -CR6R7-을 나타내고, R5~R7은 알킬기, 또는 아릴기를 나타낸다.X represents -O-, -S-, -NH-, -NR 5- , -CH 2- , -CR 6 H-, or -CR 6 R 7- , R 5 to R 7 is an alkyl group, or aryl Group.

R21~R24는 각각 독립적으로 수소원자, 할로겐원자, 알킬기, 알케닐기, 알콕시기, 아미노기, 알콕시카르보닐기, 알킬카르보닐기, 아릴카르보닐기, 아미드기, 술포기, 시아노기, 또는 아릴기를 나타낸다. R21~R24 중 2개는 각각 서로 결합해서 환을 형성해도 좋다.R 21 to R 24 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, an alkenyl group, an alkoxy group, an amino group, an alkoxycarbonyl group, an alkylcarbonyl group, an arylcarbonyl group, an amide group, a sulfo group, a cyano group, or an aryl group. Two of R 21 to R 24 may be bonded to each other to form a ring.

R21~R24로서는 수소원자, 할로겐원자, 및 알킬기가 바람직하고, 또한, R21~R24 중 적어도 2개가 서로 결합해서 아릴기를 형성하는 형태도 또 바람직하게 들 수 있다. 그 중에서도 R21~R24가 모두 수소원자인 형태가 감도의 관점에서 바람직하다.As R <21> -R <24> , a hydrogen atom, a halogen atom, and an alkyl group are preferable, Moreover, the form which at least 2 of R <21> -R <24> couple | bonds with each other and forms an aryl group is also mentioned preferably. Especially, the form in which R <21> -R <24> is all hydrogen atoms is preferable from a viewpoint of a sensitivity.

상기한 치환기는 모두 치환기를 더 갖고 있어도 좋다.All of the above substituents may further have a substituent.

상기 식(OS-1)으로 나타내어지는 화합물은 하기 식(OS-2)으로 나타내어지는 화합물인 것이 보다 바람직하다. It is more preferable that the compound represented by said formula (OS-1) is a compound represented by a following formula (OS-2).

Figure pat00016
Figure pat00016

상기 식(OS-2) 중, R1, R2, R21~R24는 각각 식(OS-1)에 있어서의 R1, R2, R21~R24와 동의이며, 바람직한 예도 또 동일하다.The expression (OS-2) of, R 1, R 2, R 21 ~ R 24 is R 1, R 2, R 21 ~ R 24 and agree in each expression (OS-1), preferred examples same again Do.

이들 중에서도 식(OS-1) 및 식(OS-2)에 있어서의 R1이 시아노기, 또는 아릴기인 형태가 보다 바람직하고, 식(OS-2)으로 나타내어지며, R1이 시아노기, 페닐기 또는 나프틸기인 형태가 가장 바람직하다.Among these, the form whose R <1> in a formula (OS-1) and a formula (OS-2) is a cyano group or an aryl group is more preferable, It is represented by a formula (OS-2), R <1> is a cyano group and a phenyl group Or a naphthyl group is most preferred.

또한, 상기 옥심술포네이트 화합물에 있어서 옥심이나 벤조티아졸환의 입체구조(E, Z 등)에 대해서는 각각 어느 하나이어도 혼합물이어도 좋다.In addition, in the said oxime sulfonate compound, the stereostructure (E, Z etc.) of an oxime and a benzothiazole ring may be respectively any, or a mixture may be sufficient.

이하에, 본 발명에 바람직하게 사용할 수 있는 식(OS-1)으로 나타내어지는 화합물의 구체예(예시 화합물 b-1~b-34)를 나타내지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 또한, 구체예 중 Me는 메틸기를 나타내고, Et는 에틸기를 나타내고, Bn은 벤질기를 나타내고, Ph는 페닐기를 나타낸다.Although the specific example (example compound b-1-b-34) of the compound represented by the formula (OS-1) which can be used suitably for this invention below is shown, this invention is not limited to this. In the specific examples, Me represents a methyl group, Et represents an ethyl group, Bn represents a benzyl group, and Ph represents a phenyl group.

Figure pat00017
Figure pat00017

Figure pat00018
Figure pat00018

Figure pat00019
Figure pat00019

Figure pat00020
Figure pat00020

상기 화합물 중에서도 감도와 안정성의 양립의 관점에서 b-9, b-16, b-31, b-33이 바람직하다.Among the above-mentioned compounds, b-9, b-16, b-31, and b-33 are preferable from the viewpoint of both sensitivity and stability.

식(1)으로 나타내어지는 옥심술포네이트 잔기를 적어도 1개 갖는 화합물의 바람직한 형태의 하나는 하기 식(2-1)으로 나타내어지는 화합물이다. 식(2-1)으로 나타내어지는 화합물은 식(2)에 있어서의 R2A와 R1A가 결합해서 5원환을 형성하고 있는 화합물이다.One of the preferable forms of the compound which has at least one oxime sulfonate residue represented by Formula (1) is a compound represented by following formula (2-1). The compound represented by the formula (2-1) is a compound in which R 2A and R 1A in the formula (2) are bonded to form a 5-membered ring.

Figure pat00021
Figure pat00021

(식(2-1) 중, R3A는 탄소수 1~8의 알킬기, p-톨루일기, 페닐기, 캄포릴기, 트리플루오로메틸기 또는 노나플루오로부틸기를 나타내고, X는 알킬기, 알콕시기, 또는 할로겐원자를 나타내고, t는 0~3의 정수를 나타내고, t가 2 또는 3일 때 복수의 X는 동일해도 달라도 좋다)(In formula (2-1), R <3A> represents a C1-C8 alkyl group, p-toluyl group, a phenyl group, a camphoryl group, a trifluoromethyl group, or a nonafluorobutyl group, and X represents an alkyl group, an alkoxy group, or a halogen. An atom, t represents an integer of 0 to 3, and when t is 2 or 3, a plurality of X may be the same or different)

상기 식(2-1)의 R3A에 있어서의 탄소수 1~8의 알킬기, 및 노나플루오로부틸기는 직쇄이어도, 분기를 갖고 있어도 좋다. 또한, 상기 R3A에 있어서의 알킬기의 탄소수는 1~4인 것이 바람직하고, 1~3인 것이 보다 바람직하다. The C1-C8 alkyl group and nonafluorobutyl group in R <3A> of said Formula (2-1) may be linear, or may have a branch. Moreover, it is preferable that it is 1-4, and, as for carbon number of the alkyl group in said R <3A> , it is more preferable that it is 1-3.

또한, 상기 R3A에 있어서의 캄포릴(camphoryl)기와 황원자의 결합 위치는 특별히 제한은 없지만, 10위치인 것이 바람직하다. 즉, 상기 캄포릴기는 10-캄포릴기인 것이 바람직하다.In addition, although the binding position of a camphoryl group and a sulfur atom in R <3A> is not restrict | limited, It is preferable that it is 10-position. That is, the camphoryl group is preferably a 10-camphoryl group.

상기 식(2-1)에 있어서의 R3A는 메틸기, n-프로필기, n-옥틸기, p-톨루일기 또는 캄포릴기가 바람직하고, n-프로필기, n-옥틸기, p-톨루일기 또는 캄포릴기인 것이 보다 바람직하고, n-프로필기 또는 p-톨루일기인 것이 더욱 바람직하다.R 3A in the formula (2-1) is preferably a methyl group, n-propyl group, n-octyl group, p-toluyl group or camphoryl group, and n-propyl group, n-octyl group, p-toluyl group Or it is more preferable that it is a camphoryl group, It is further more preferable that it is n-propyl group or p-toluyl group.

X로 나타내어지는 알킬기로서는 탄소원자수 1~4의 직쇄상 또는 분기상 알킬기가 바람직하다.As an alkyl group represented by X, a C1-C4 linear or branched alkyl group is preferable.

X로 나타내어지는 알콕시기로서는 탄소원자수 1~4의 직쇄상 또는 분기상 알콕시기가 바람직하다.As the alkoxy group represented by X, a linear or branched alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms is preferable.

X로 나타내어지는 할로겐원자로서는 염소원자 또는 불소원자가 바람직하다.As the halogen atom represented by X, a chlorine atom or a fluorine atom is preferable.

t로서는 0 또는 1이 바람직하다.As t, 0 or 1 is preferable.

식(2-1) 중 t가 1이며, X가 메틸기이며, X의 치환 위치가 오르토 위치이며, R3A가 탄소원자수 1~10의 직쇄상 알킬기, 7,7-디메틸-2-옥소노르보르닐메틸기, 또는 p-톨루일기인 화합물이 특히 바람직하다.In formula (2-1), t is 1, X is a methyl group, X is a substituted position ortho-position, R <3A> is a linear alkyl group of 1-10 carbon atoms, and 7,7- dimethyl- 2-oxonorbor Particularly preferred are compounds which are a methylmethyl group or a p-toluyl group.

식(2-1)으로 나타내어지는 옥심술포네이트 화합물의 구체예로서는 하기 화합물(i), 화합물(ii), 화합물(iii), 화합물(iv) 등을 들 수 있고, 이들 화합물은 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 병용할 수도 있다. 화합물(i)~(iv)은 시판품으로서 입수할 수 있다.Specific examples of the oxime sulfonate compound represented by the formula (2-1) include the following compounds (i), (ii), (iii) and (iv) Two or more types may be used in combination. Compound (i)-(iv) can be obtained as a commercial item.

또한, 다른 종류의 특정 광산발생제와 조합해서 사용할 수도 있다.It can also be used in combination with other specific photoacid generators.

Figure pat00022
Figure pat00022

식(1)으로 나타내어지는 옥심술포네이트 잔기를 적어도 1개 갖는 화합물로서는 하기 식(2-2)으로 나타내어지는 화합물인 것이 바람직하다.As a compound which has at least one oxime sulfonate residue represented by Formula (1), it is preferable that it is a compound represented by following formula (2-2).

Figure pat00023
Figure pat00023

(식(2-2) 중, R4A는 할로겐원자, 수산기, 탄소원자수 1~4의 알킬기, 탄소원자수 1~4의 알콕시기, 또는 니트로기를 나타내고, L은 0~5의 정수를 나타낸다. R5A는 탄소원자수 1~10의 알킬기, 탄소원자수 1~10의 알콕시기, 탄소원자수 1~5의 할로겐화 알킬기, 탄소원자수 1~5의 할로겐화 알콕시기, W로 치환되어 있어도 좋은 페닐기, W로 치환되어 있어도 좋은 나프틸기 또는 W로 치환되어 있어도 좋은 안트라닐기를 나타내고, W는 할로겐원자, 시아노기, 니트로기, 탄소원자수 1~10의 알킬기, 탄소원자수 1~10의 알콕시기, 탄소원자수 1~5의 할로겐화 알킬기 또는 탄소원자수 1~5의 할로겐화 알콕시기를 나타낸다)(In formula (2-2), R <4A> represents a halogen atom, a hydroxyl group, a C1-C4 alkyl group, a C1-C4 alkoxy group, or a nitro group, and L shows the integer of 0-5.) 5A is substituted with an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a halogenated alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, a phenyl group which may be substituted with W, and substituted with W Or an anthranyl group which may be substituted with a naphthyl group which may be present, or W represents a halogen atom, a cyano group, a nitro group, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, or a carbon atom having 1 to 5 carbon atoms. Halogenated alkyl group or halogenated alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms)

식(2-2)에 있어서의 R5A로서는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기, n-옥틸기, 트리플루오로메틸기, 펜타플루오로에틸기, 퍼플루오로-n-프로필기, 퍼플루오로-n-부틸기, p-톨릴기, 4-클로로페닐기 또는 펜타플루오로페닐기가 바람직하고, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기 또는 p-톨릴기인 것이 특히 바람직하다. As R 5A in Formula (2-2), a methyl group, an ethyl group, n-propyl group, n-butyl group, n-octyl group, trifluoromethyl group, pentafluoroethyl group, perfluoro-n-propyl group, Perfluoro-n-butyl group, p-tolyl group, 4-chlorophenyl group, or pentafluorophenyl group is preferable, and it is especially preferable that they are a methyl group, an ethyl group, n-propyl group, n-butyl group, or p-tolyl group.

R4A로 나타내어지는 할로겐원자로서는 불소원자, 염소원자 또는 브롬원자가 바람직하다.As the halogen atom represented by R 4A , a fluorine atom, a chlorine atom or a bromine atom is preferable.

R4A로 나타내어지는 탄소원자수 1~4의 알킬기로서는 메틸기 또는 에틸기가 바람직하다.As the alkyl group having 1 to 4 carbon atoms represented by R 4A , a methyl group or an ethyl group is preferable.

R4A로 나타내어지는 탄소원자수 1~4의 알콕시기로서는 메톡시기 또는 에톡시기가 바람직하다.As the alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms represented by R 4A , a methoxy group or an ethoxy group is preferable.

L로서는 0~2가 바람직하고, 0~1이 특히 바람직하다.As L, 0-2 are preferable and 0-1 are especially preferable.

식(1)으로 나타내어지는 옥심술포네이트 잔기를 적어도 1개 갖는 화합물 중 식(2-2)으로 나타내어지는 화합물에 포함되는 화합물의 바람직한 형태로서는 식(2-2) 중 R4A가 페닐기 또는 4-메톡시페닐기를 나타내고, R5A가 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기 또는 4-톨릴기를 나타내는 형태이다.As a preferable aspect of the compound contained in the compound represented by Formula (2-2) among the compounds which have at least 1 oxime sulfonate residue represented by Formula (1), R <4A> is a phenyl group or 4 in Formula (2-2). It is a form which represents a methoxyphenyl group and R <5A> represents a methyl group, an ethyl group, n-propyl group, n-butyl group, or 4-tolyl group.

이하, 식(1)으로 나타내어지는 옥심술포네이트 잔기를 적어도 1개 갖는 화합물 중 식(2-2)으로 나타내어지는 화합물에 포함되는 화합물의 특히 바람직한 예를 나타내지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, although the especially preferable example of the compound contained in the compound represented by Formula (2-2) among the compound which has at least one oxime sulfonate residue represented by Formula (1) is shown, this invention is limited to these. It is not.

α-(메틸술포닐옥시이미노)벤질시아니드(R4A=페닐기, R5A=메틸기)α- (methylsulfonyloxyimino) benzyl cyanide (R 4A = phenyl group, R 5A = methyl group)

α-(에틸술포닐옥시이미노)벤질시아니드(R4A=페닐기, R5A=에틸기)α- (ethylsulfonyloxyimino) benzyl cyanide (R 4A = phenyl group, R 5A = ethyl group)

α-(n-프로필술포닐옥시이미노)벤질시아니드(R4A=페닐기, R5A=n-프로필기)α- (n-propylsulfonyloxyimino) benzyl cyanide (R 4A = phenyl group, R 5A = n-propyl group)

α-(n-부틸술포닐옥시이미노)벤질시아니드(R4A=페닐기, R5A=n-부틸기)α- (n-butylsulfonyloxyimino) benzyl cyanide (R 4A = phenyl group, R 5A = n-butyl group)

α-(4-톨루엔술포닐옥시이미노)벤질시아니드(R4A=페닐기, R5A=4-톨릴기)α- (4-toluenesulfonyloxyimino) benzyl cyanide (R 4A = phenyl group, R 5A = 4-tolyl group)

α-〔(메틸술포닐옥시이미노)-4-메톡시페닐〕아세토니트릴(R4A=4-메톡시페닐기, R5A=메틸기)α-[(methylsulfonyloxyimino) -4-methoxyphenyl] acetonitrile (R 4A = 4-methoxyphenyl group, R 5A = methyl group)

α-〔(에틸술포닐옥시이미노)-4-메톡시페닐〕아세토니트릴(R4A=4-메톡시페닐기, R5A=에틸기)α-[(ethylsulfonyloxyimino) -4-methoxyphenyl] acetonitrile (R 4A = 4-methoxyphenyl group, R 5A = ethyl group)

α-〔(n-프로필술포닐옥시이미노)-4-메톡시페닐〕아세토니트릴(R4A=4-메톡시페닐기, R5A=n-프로필기)α-[(n-propylsulfonyloxyimino) -4-methoxyphenyl] acetonitrile (R 4A = 4-methoxyphenyl group, R 5A = n-propyl group)

α-〔(n-부틸술포닐옥시이미노)-4-메톡시페닐〕아세토니트릴(R4A=4-메톡시페닐기, R5A=n-부틸기)α-[(n-butylsulfonyloxyimino) -4-methoxyphenyl] acetonitrile (R 4A = 4-methoxyphenyl group, R 5A = n-butyl group)

α-〔(4-톨루엔술포닐옥시이미노)-4-메톡시페닐〕아세토니트릴(R4A=4-메톡시페닐기, R5A=4-톨릴기)α-[(4-toluenesulfonyloxyimino) -4-methoxyphenyl] acetonitrile (R 4A = 4-methoxyphenyl group, R 5A = 4-tolyl group)

본 발명의 감광성 수지 조성물은 활성 광선에 감응하는 (성분 B) 광산발생제로서 1,2-퀴논디아지드 화합물을 포함하지 않는 것이 바람직하다. 그 이유는 1,2-퀴논디아지드 화합물은 순차 형광 화학 반응에 의해 카르복실기를 생성하지만, 그 양자 수율은 1 이하이며, 옥심술포네이트 화합물에 비해서 감도가 낮기 때문이다. It is preferable that the photosensitive resin composition of this invention does not contain a 1, 2- quinonediazide compound as a photoacid generator (component B) sensitive to actinic light. The reason is that the 1,2-quinonediazide compound generates a carboxyl group by sequential fluorescence chemical reaction, but its quantum yield is 1 or less, and its sensitivity is lower than that of the oxime sulfonate compound.

이것에 대해서 옥심술포네이트 화합물은 활성 광선에 감응해서 생성되는 산이 보호된 산성기의 탈보호에 대해서 촉매로서 작용하므로, 1개의 광량자의 작용으로 생성된 산이 다수의 탈보호 반응에 기여하고, 양자 수율은 1을 초과하고, 예를 들면, 10의 수승과 같은 큰 값이 되고, 소위 화학 증폭의 결과로서 고감도가 얻어지는 것이라고 추측된다.On the other hand, since the oxime sulfonate compound acts as a catalyst for the deprotection of the acid group protected by the acid generated in response to actinic light, the acid produced by the action of one photon contributes to many deprotection reactions, both The yield exceeds 1, for example, becomes a large value such as a power of 10, and it is estimated that high sensitivity is obtained as a result of so-called chemical amplification.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서 (성분 B) 광산발생제는 성분 A 100질량부에 대해서 0.1~10질량부 사용하는 것이 바람직하고, 0.5~10질량부 사용하는 것이 보다 바람직하다.In the photosensitive resin composition of this invention, it is preferable to use 0.1-10 mass parts with respect to 100 mass parts of component A, and, as for the (component B) photoacid generator, it is more preferable to use 0.5-10 mass parts.

(성분 C) 가교제(Component C) Crosslinking Agent

본 발명의 감광성 수지 조성물은 (성분 C) 가교제를 함유한다. The photosensitive resin composition of this invention contains the (component C) crosslinking agent.

또한, 본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 (성분 C) 가교제는 모구조가 뷰렛 구조인 블록 이소시아네이트 화합물을 포함하는 것을 특징으로 한다.Moreover, the (component C) crosslinking agent in the photosensitive resin composition of this invention is characterized by including the block isocyanate compound whose parent structure is a biuret structure.

상기 블록 이소시아네이트 화합물은 포스트 베이킹시에 있어서 탈보호되어 이소시아네이트기가 생성되고, 활성수소 화합물, 예를 들면, 성분 A가 구성 단위(a4)를 갖는 경우 그 수산기와, 성분 A가 구성 단위(a1)나 구성 단위(a2)를 갖는 경우 카르복실기나 페놀성 수산기와 반응해서 가교 구조를 형성하는 것이라고 추정된다.When the block isocyanate compound is deprotected at the time of post-baking, an isocyanate group is formed, and when the active hydrogen compound, for example, component A has a structural unit (a4), the hydroxyl group, and component A is a structural unit (a1) When it has a structural unit (a2), it is estimated that it reacts with a carboxyl group or phenolic hydroxyl group, and forms a crosslinked structure.

또한, 본 발명의 감광성 수지 조성물은 성분 C로서 분자내에 2개 이상의 에폭시기 또는 옥세타닐기를 갖는 화합물, 알콕시메틸기 함유 가교제, 및/또는 적어도 1개의 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물 등을 함유하고 있어도 좋다.Moreover, the photosensitive resin composition of this invention may contain the compound which has two or more epoxy groups or oxetanyl group in a molecule, the alkoxy methyl group containing crosslinking agent, and / or the compound which has at least 1 ethylenically unsaturated double bond, etc. as a component C. good.

-블록 이소시아네이트 화합물-Block isocyanate compound

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 블록 이소시아네이트 화합물은 모구조가 뷰렛 구조인 블록 이소시아네이트 화합물이다. 본 발명에 있어서의 블록 이소시아네이트계 화합물로서는 경화성의 관점에서 1분자내에 2개 이상의 블록 이소시아네이트기를 갖는 화합물인 것이 바람직하다.The block isocyanate compound in the photosensitive resin composition of this invention is a block isocyanate compound whose parent structure is a biuret structure. As a block isocyanate type compound in this invention, it is preferable that it is a compound which has two or more block isocyanate groups in 1 molecule from a sclerosis | hardenability viewpoint.

또한, 본 발명에 있어서의 블록 이소시아네이트기란 열에 의해 이소시아네이트기를 생성하는 것이 가능한 기이며, 예를 들면, 블록제와 이소시아네이트기를 반응시켜서 이소시아네이트기를 보호한 기를 바람직하게 예시할 수 있다. 또한, 상기 블록 이소시아네이트기는 90℃~250℃의 열에 의해 이소시아네이트기를 생성하는 것이 가능한 기인 것이 바람직하다.In addition, the block isocyanate group in this invention is group which can produce an isocyanate group by heat, For example, group which protected the isocyanate group by making a blocking agent react with an isocyanate group can be illustrated preferably. Moreover, it is preferable that the said block isocyanate group is group which can produce an isocyanate group by the heat of 90 degreeC-250 degreeC.

블록 이소시아네이트 화합물의 모구조의 합성에 사용되는 이소시아네이트 화합물로서는 1분자 중에 이소시아네이트기를 2개 이상 갖는 것이면 어떤 것이라도 좋고, 지방족, 지환족 또는 방향족의 폴리이소시아네이트이면 좋지만, 예를 들면 2,4-톨릴렌디이소시아네이트, 2,6-톨릴렌디이소시아네이트, 이소포론디이소시아네이트, 1,6-헥사메틸렌디이소시아네이트, 1,3-트리메틸렌디이소시아네이트, 1,4-테트라메틸렌디이소시아네이트, 2,2,4-트리메틸헥사메틸렌디이소시아네이트, 2,4,4-트리메틸헥사메틸렌디이소시아네이트, 1,9-노나메틸렌디이소시아네이트, 1,10-데카메틸렌디이소시아네이트, 1,4-시클로헥산디이소시아네이트, 2,2'-디에틸에테르디이소시아네이트, 디페닐메탄-4,4'-디이소시아네이트, o-크실렌디이소시아네이트, m-크실렌디이소시아네이트, p-크실렌디이소시아네이트, 메틸렌비스(시클로헥실이소시아네이트), 시클로헥산-1,3-디메틸렌디이소시아네이트, 시클로헥산-1,4-디메틸렌디이소시아네이트, 1,5-나프탈렌디이소시아네이트, p-페닐렌디이소시아네이트, 3,3'-메틸렌디톨릴렌-4,4'-디이소시아네이트, 4,4'-디페닐에테르디이소시아네이트, 테트라클로로페닐렌디이소시아네이트, 노르보르난디이소시아네이트, 수소화 1,3-크실릴렌디이소시아네이트, 수소화 1,4-크실릴렌디이소시아네이트 등의 이소시아네이트 화합물 및 이들의 화합물로부터 파생되는 프리폴리머형의 골격의 화합물을 바람직하게 사용할 수 있다. 이들 중에서도 톨릴렌디이소시아네이트(TDI)나 디페닐메탄디이소시아네이트(MDI), 헥사메틸렌디이소시아네이트(HDI), 이소포론디이소시아네이트(IPDI)가 특히 바람직하다.As an isocyanate compound used for synthesis | combination of the parent structure of a block isocyanate compound, as long as it has 2 or more isocyanate groups in 1 molecule, what kind of thing may be sufficient as it, and what is necessary is just an aliphatic, alicyclic, or aromatic polyisocyanate, for example, 2, 4- tolylene di Isocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, isophorone diisocyanate, 1,6-hexamethylene diisocyanate, 1,3-trimethylene diisocyanate, 1,4-tetramethylene diisocyanate, 2,2,4-trimethylhexa Methylene diisocyanate, 2,4,4-trimethylhexamethylene diisocyanate, 1,9-nonamethylene diisocyanate, 1,10-decamethylene diisocyanate, 1,4-cyclohexanediisocyanate, 2,2'-diethyl Ether diisocyanate, diphenylmethane-4,4'-diisocyanate, o-xylene diisocyanate, m-xylene diisocyanate, p- Silylene diisocyanate, methylenebis (cyclohexyl isocyanate), cyclohexane-1,3-dimethylene diisocyanate, cyclohexane-1,4-dimethylene diisocyanate, 1,5-naphthalene diisocyanate, p-phenylenedi isocyanate, 3,3'-methyleneditolylene-4,4'-diisocyanate, 4,4'-diphenylether diisocyanate, tetrachlorophenylene diisocyanate, norbornane diisocyanate, hydrogenated 1,3-xylylene diisocyanate, hydrogenation Isocyanate compounds, such as 1, 4- xylylene diisocyanate, and the compound of the prepolymer type skeleton derived from these compounds can be used preferably. Among these, tolylene diisocyanate (TDI), diphenylmethane diisocyanate (MDI), hexamethylene diisocyanate (HDI), and isophorone diisocyanate (IPDI) are especially preferable.

상기 뷰렛 구조란 하기 식(bi)으로 나타내어지는 구조이며, 하기 식(bi-1)으로 나타내어지는 구조인 것이 바람직하고, 하기 식(bi-2)으로 나타내어지는 구조인 것이 보다 바람직하다. 또한, 하기 식 중, 파선부분은 다른 구조와의 결합 부분이다.The biuret structure is a structure represented by the following formula (bi), preferably a structure represented by the following formula (bi-1), and more preferably a structure represented by the following formula (bi-2). In addition, in a following formula, a broken line part is a coupling part with another structure.

Figure pat00024
Figure pat00024

(식(bi-1) 및 식(bi-2) 중, R1, R2 및 R3은 각각 독립적으로 지방족, 지환족 또는 방향족계 디이소시아네이트의 이소시아네이트기 이외의 잔기를 나타내고, R4 및 R5는 각각 독립적으로 수소원자, 알킬기 또는 아릴기를 나타낸다)(In formula (bi-1) and formula (bi-2), R <1> , R <2> and R <3> respectively independently represent residues other than the isocyanate group of aliphatic, alicyclic, or aromatic diisocyanate, R <4> and R 5 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group or an aryl group)

사용하는 지방족, 지환족 또는 방향족계 디이소시아네이트로서는 상기에 기재한 지방족, 지환족 또는 방향족의 폴리이소시아네이트 중 디이소시아네이트인 것을 바람직하게 사용할 수 있다.As the aliphatic, cycloaliphatic or aromatic diisocyanate to be used, a diisocyanate among the aliphatic, cycloaliphatic or aromatic polyisocyanates described above can be preferably used.

블록 이소시아네이트 화합물에 있어서의 뷰렛 구조의 형성 방법으로서는 특별히 제한은 없고, 공지의 방법에 의해 형성하면 좋지만, 예를 들면, 이소시아네이트 화합물의 3량화에 의해 용이하게 형성할 수 있다.There is no restriction | limiting in particular as a formation method of the burette structure in a block isocyanate compound, Although what is necessary is just to form by a well-known method, For example, it can form easily by trimerization of an isocyanate compound.

상기 블록 이소시아네이트 화합물의 블록 구조를 형성하는 블록제로서는 옥심 화합물, 락탐 화합물, 페놀 화합물, 알콜 화합물, 아민 화합물, 활성 메틸렌 화합물, 피라졸 화합물, 메르캅탄 화합물, 이미다졸계 화합물, 이미드계 화합물 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 옥심 화합물, 락탐 화합물, 페놀 화합물, 알콜 화합물, 피라졸 화합물로부터 선택되는 블록제가 특히 바람직하다.Examples of the block agent forming the block structure of the block isocyanate compound include oxime compounds, lactam compounds, phenol compounds, alcohol compounds, amine compounds, active methylene compounds, pyrazole compounds, mercaptan compounds, imidazole compounds, imide compounds and the like. Can be mentioned. Among these, the blocking agent selected from an oxime compound, a lactam compound, a phenol compound, an alcohol compound, and a pyrazole compound is especially preferable.

상기 옥심 화합물로서는 옥심, 및 케토옥심을 들 수 있고, 구체적으로는 아세톡심, 포름알독심, 시클로헥산옥심, 메틸에틸케톤옥심, 시클로헥사논옥심, 벤조페논옥심, 아세톡심 등을 예시할 수 있다.As said oxime compound, an oxime and a keto oxime are mentioned, Specifically, an acetoxime, a form aldoxin sim, a cyclohexane oxime, a methyl ethyl ketone oxime, a cyclohexanone oxime, a benzophenone oxime, an acetoxime, etc. can be illustrated. .

상기 락탐 화합물로서는 ε-카프로락탐, γ-부티로락탐 등을 예시할 수 있다.(Epsilon) -caprolactam, (gamma) -butyrolactam, etc. can be illustrated as said lactam compound.

상기 페놀 화합물로서는 페놀, 나프톨, 크레졸, 크실레놀, 할로겐 치환 페놀 등을 예시할 수 있다.As said phenolic compound, phenol, naphthol, cresol, xylenol, a halogen substituted phenol, etc. can be illustrated.

상기 알콜 화합물로서는 메탄올, 에탄올, 프로판올, 부탄올, 시클로헥사놀, 에틸렌글리콜모노알킬에테르, 프로필렌글리콜모노알킬에테르, 락트산 알킬 등을 예시할 수 있다.Examples of the alcohol compound include methanol, ethanol, propanol, butanol, cyclohexanol, ethylene glycol monoalkyl ether, propylene glycol monoalkyl ether, alkyl lactate, and the like.

상기 아민 화합물로서는 제1급 아민 및 제2급 아민을 들 수 있고, 방향족 아민, 지방족 아민, 지환족 아민 중 어느 것이라도 좋고, 아닐린, 디페닐아민, 에틸렌이민, 폴리에틸렌이민 등을 예시할 수 있다.As said amine compound, a primary amine and a secondary amine can be mentioned, Any of an aromatic amine, an aliphatic amine, and an alicyclic amine may be sufficient, and aniline, diphenylamine, ethyleneimine, polyethyleneimine, etc. can be illustrated. .

상기 활성 메틸렌 화합물로서는 말론산 디에틸, 말론산 디메틸, 아세토아세트산 에틸, 아세토아세트산 메틸 등을 예시할 수 있다.Examples of the active methylene compound include diethyl malonate, dimethyl malonate, ethyl acetoacetate, methyl acetoacetate, and the like.

상기 피라졸 화합물로서는 피라졸, 메틸피라졸, 디메틸피라졸 등을 예시할 수 있다.Pyrazole, methylpyrazole, dimethyl pyrazole, etc. can be illustrated as said pyrazole compound.

상기 메르캅탄 화합물로서는 알킬메르캅탄, 아릴메르캅탄 등을 예시할 수 있다.Alkyl mercaptan, an aryl mercaptan, etc. can be illustrated as said mercaptan compound.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 사용되는 모구조가 뷰렛 구조인 블록 이소시아네이트 화합물은 시판품으로서 입수 가능하며, 예를 들면, 듈라네이트 17B-60PX, 17B-60P(이상, 아사히 카세이 케미컬즈(주)제)를 들 수 있다.The block isocyanate compound whose parent structure used for the photosensitive resin composition of this invention is a biuret structure can be obtained as a commercial item, For example, Dulanate 17B-60PX, 17B-60P (above, Asahi Kasei Chemicals make) Can be mentioned.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서 모구조가 뷰렛 구조인 블록 이소시아네이트 화합물은 감광성 수지 조성물의 전체 고형분에 대해서 0.1~8질량%인 것이 바람직하고, 0.2~7질량%인 것이 보다 바람직하고, 0.5~5질량%인 것이 가장 바람직하다. 2종 이상을 병용할 수도 있다.In the photosensitive resin composition of this invention, it is preferable that the block isocyanate compound whose mother structure is a biuret structure is 0.1-8 mass% with respect to the total solid of the photosensitive resin composition, It is more preferable that it is 0.2-7 mass%, 0.5-5 It is most preferable that it is mass%. You may use 2 or more types together.

-알콕시메틸기 함유 가교제--Alkoxymethyl group-containing crosslinking agent-

또한, 본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서는 상기 블록 이소시아네이트 이외에 기지의 가교제를 사용할 수 있고, 예를 들면, 알콕시메틸기 함유 가교제를 바람직하게 사용할 수 있다.Moreover, in the photosensitive resin composition of this invention, a known crosslinking agent can be used other than the said block isocyanate, For example, an alkoxy methyl group containing crosslinking agent can be used preferably.

알콕시메틸기 함유 가교제의 구체예로서는 알콕시메틸화 멜라민, 알콕시메틸화 벤조구아나민, 알콕시메틸화 글리콜우릴 및 알콕시메틸화 요소 등을 바람직하게 들 수 있다. 이들은 각각 메티롤화 멜라민, 메티롤화 벤조구아나민, 메티롤화 글리콜우릴, 또는 메티롤화 요소의 메티롤기를 알콕시메틸기로 변환함으로써 얻어진다.Specific examples of the alkoxymethyl group-containing crosslinking agent include alkoxymethylated melamine, alkoxymethylated benzoguanamine, alkoxymethylated glycoluril, alkoxymethylated urea and the like. These are obtained by converting the metyrol groups of methirolated melamine, methirolized benzoguanamine, methirolized glycoluril, or methirolated urea to an alkoxymethyl group, respectively.

이 알콕시메틸기의 종류에 대해서는 특별히 한정되는 것은 아니고, 예를 들면, 메톡시메틸기, 에톡시메틸기, 프로폭시메틸기, 부톡시메틸기 등을 들 수 있지만, 아웃 가스의 발생량의 관점에서 메톡시메틸기가 특히 바람직하다.It does not specifically limit about the kind of this alkoxy methyl group, For example, a methoxymethyl group, an ethoxymethyl group, a propoxymethyl group, butoxymethyl group etc. are mentioned, A methoxymethyl group is especially the point of view of the generation amount of outgas. desirable.

이들 알콕시메틸기 함유 가교제 중 알콕시메틸화 멜라민, 알콕시메틸화 벤조구아나민, 알콕시메틸화 글리콜우릴을 바람직한 알콕시메틸기 함유 가교제로서 들 수 있고, 내약품성 효과의 관점에서 알콕시메틸화 멜라민이 특히 바람직하다.Among these alkoxymethyl group-containing crosslinking agents, alkoxymethylated melamine, alkoxymethylated benzoguanamine, and alkoxymethylated glycoluril are mentioned as preferred alkoxymethyl group-containing crosslinking agents, and alkoxymethylated melamine is particularly preferable from the viewpoint of chemical resistance effect.

이들 알콕시메틸기 함유 가교제는 시판품으로서 입수 가능하며, 예를 들면, 사이멜 300, 301, 303, 370, 325, 327, 701, 266, 267, 238, 1141, 272, 202, 1156, 1158, 1123, 1170, 1174, UFR65, 300(이상, 미츠이 사이아나미드(주)제), 니카락 MX-750, -032, -706, -708, -40, -31, -270, -280, -290, 니카락 MS-11, 니카락 MW-30HM, -100LM, -390(이상, (주)산와 케미컬제) 등을 바람직하게 사용할 수 있다.These alkoxymethyl group containing crosslinking agents are available as a commercial item, For example, Cymel 300, 301, 303, 370, 325, 327, 701, 266, 267, 238, 1141, 272, 202, 1156, 1158, 1123, 1170, 1174, UFR65, 300 (more than Mitsui Saianamid Co., Ltd.), Nikarak MX-750, -032, -706, -708, -40, -31, -270, -280, -290, Nikarak MS-11, Nikarak MW-30HM, -100LM, -390 (above, acid and chemicals make), etc. can be used preferably.

본 발명의 감광성 수지 조성물이 알콕시메틸기 함유 가교제를 함유하는 경우 본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 알콕시메틸기 함유 가교제의 첨가량은 감광성 수지 조성물의 전체 고형분에 대해서 0.1~10질량%인 것이 바람직하고, 0.2~7질량%인 것이 보다 바람직하고, 0.5~5질량%인 것이 가장 바람직하다.When the photosensitive resin composition of this invention contains an alkoxy methyl group containing crosslinking agent, it is preferable that the addition amount of the alkoxy methyl group containing crosslinking agent in the photosensitive resin composition of this invention is 0.1-10 mass% with respect to the total solid of the photosensitive resin composition, and is 0.2 It is more preferable that it is-7 mass%, and it is most preferable that it is 0.5-5 mass%.

-분자내에 2개 이상의 에폭시기 또는 옥세타닐기를 갖는 화합물-Compounds having two or more epoxy groups or oxetanyl groups in the molecule

본 발명의 감광성 수지 조성물은 성분 C로서 분자내에 2개 이상의 에폭시기 또는 옥세타닐기를 갖는 화합물을 함유하는 것이 바람직하다. It is preferable that the photosensitive resin composition of this invention contains the compound which has two or more epoxy groups or oxetanyl group in a molecule as component C.

분자내에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 화합물의 구체예로서는 비스페놀A형 에폭시 수지, 비스페놀F형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 지방족 에폭시 화합물 등을 들 수 있다. 상기 지방족 에폭시 화합물은 직쇄 및/또는 분기의 탄소쇄와 에폭시기를 갖는 수지로서, 탄소쇄에 수소원자 이외에 산소원자, 질소원자, 황원자, 염소원자 등이 결합하고 있어도 좋다. 상기 지방족 에폭시 화합물은 직쇄 및/또는 분기의 탄소쇄와, 수소원자와, 에폭시기로 이루어지는 수지, 또는 상기 수지에 수산기가 치환되어 있는 수지가 특히 바람직하다. 에폭시기의 수는 1~4가 바람직하고, 2 또는 3이 보다 바람직하다.As a specific example of the compound which has two or more epoxy groups in a molecule | numerator, a bisphenol-A epoxy resin, a bisphenol F-type epoxy resin, a phenol novolak-type epoxy resin, a cresol novolak-type epoxy resin, an aliphatic epoxy compound, etc. are mentioned. The aliphatic epoxy compound is a resin having a linear and / or branched carbon chain and an epoxy group, in which an oxygen atom, a nitrogen atom, a sulfur atom, a chlorine atom, or the like may be bonded to the carbon chain in addition to a hydrogen atom. The aliphatic epoxy compound is particularly preferably a linear and / or branched carbon chain, a hydrogen atom, a resin composed of an epoxy group, or a resin in which a hydroxyl group is substituted for the resin. 1-4 are preferable and, as for the number of an epoxy group, 2 or 3 is more preferable.

이들은 시판품으로서 입수할 수 있다. 예를 들면, 비스페놀A형 에폭시 수지로서는 JER827, JER828, JER834, JER1001, JER1002, JER1003, JER1055, JER1007, JER1009, JER1010(이상, 재팬에폭시레진(주)제), EPICLON860, EPICLON1050, EPICLON1051, EPICLON1055(이상, DIC(주)제) 등이며, 비스페놀F형 에폭시 수지로서는 JER806, JER807, JER4004, JER4005, JER4007, JER4010(이상, 재팬에폭시레진(주)제), EPICLON830, EPICLON835(이상, DIC(주)제), LCE-21, RE-602S(이상, 니폰 카야쿠(주)제) 등이며, 페놀노볼락형 에폭시 수지로서는 JER152, JER154, JER157S70, JER157S65(이상, 재팬에폭시레진(주)제), EPICLON N-740, EPICLON N-740, EPICLON N-770, EPICLON N-775(이상, DIC(주)제) 등이며, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지로서는 EPICLON N-660, EPICLON N-665, EPICLON N-670, EPICLON N-673, EPICLON N-680, EPICLON N-690, EPICLON N-695(이상, DIC(주)제), EOCN-1020(이상, 니폰 카야쿠(주)제) 등이며, 지방족 에폭시 수지로서는 ADEKA RESIN EP-4080S, 동 EP-4085S, 동 EP-4088S(이상, (주)ADEKA제), 지방족 에폭시 화합물로서는 셀록사이드 2021P, 셀록사이드 2081, 셀록사이드 2083, 셀록사이드 2085, EHPE3150, EPOLEAD PB 3600, 동 PB 4700(이상, 다이셀 카가쿠 고교(주)제) 등이다. 그 밖에도, ADEKA RESIN EP-4000S, 동 EP-4003S, 동 EP-4010S, 동 EP-4011S(이상, (주)ADEKA제), NC-2000, NC-3000, NC-7300, XD-1000, EPPN-501, EPPN-502(이상, (주)ADEKA제) 등을 들 수 있다.These are available as commercial products. For example, as a bisphenol-A epoxy resin, JER827, JER828, JER834, JER1001, JER1002, JER1003, JER1055, JER1007, JER1009, JER1010 (above, Japan Epoxy Resin Co., Ltd.), EPICLON860, EPICLON 1050, EPICLON 1055 (EPICLON 10 55) , DIC Co., Ltd.) and the like, and as bisphenol F type epoxy resins, JER806, JER807, JER4004, JER4005, JER4007, JER4010 (above, Japan Epoxy Resin Co., Ltd.), EPICLON830, EPICLON835 (above, DIC Co., Ltd. product) ), LCE-21, RE-602S (above, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), and the like, and phenol novolac type epoxy resins include JER152, JER154, JER157S70, and JER157S65 (above, manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd.), EPICLON N-740, EPICLON N-740, EPICLON N-770, EPICLON N-775 (above, manufactured by DIC Corporation) and the like, and examples of cresol novolac type epoxy resins include EPICLON N-660, EPICLON N-665, and EPICLON N-. 670, EPICLON N-673, EPICLON N-680, EPICLON N-690, EPICLON N-695 (above, made by DIC Corporation), EOCN-1020 (above, made by Nippon Kayaku Co., Ltd.), and aliphatic epoxy As resin, ADEKA RESIN EP- 4080S, copper EP-4085S, copper EP-4088S (above, made by ADEKA Co., Ltd.), as the aliphatic epoxy compound, ceoxide 2021P, ceoxide 2081, ceoxide 2083, ceoxide 2085, EHPE3150, EPOLEAD PB 3600, and copper PB 4700 (Above, Daicel Kagaku Kogyo Co., Ltd.) etc. are mentioned. In addition, ADEKA RESIN EP-4000S, East EP-4003S, East EP-4010S, East EP-4011S (above, made by ADEKA Corporation), NC-2000, NC-3000, NC-7300, XD-1000, EPPN -501, EPPN-502 (above, made by ADEKA Corporation), etc. are mentioned.

또한, 지방족 에폭시 화합물로서는 하기 식(X-1)으로 나타내어지는 화합물을 들 수 있다.Moreover, as an aliphatic epoxy compound, the compound represented by a following formula (X-1) is mentioned.

Figure pat00025
Figure pat00025

(식(X-1) 중, A는 직쇄 또는 분기의 탄화수소기를 나타내고, 치환기로서 수산기를 갖고 있어도 좋고, n은 1~4의 정수를 나타낸다)(In formula (X-1), A represents a linear or branched hydrocarbon group, may have a hydroxyl group as a substituent, and n represents the integer of 1-4.)

식(X-1)에 있어서의 A의 탄소수는 1~20이 바람직하고, 1~15가 보다 바람직하고, 2~10이 더욱 바람직하고, 2~6이 특히 바람직하다. 1-20 are preferable, as for carbon number of A in Formula (X-1), 1-15 are more preferable, 2-10 are more preferable, and 2-6 are especially preferable.

식(X-1)에 있어서의 n은 1~4의 정수를 나타내고, 2 또는 3이 바람직하다.N in Formula (X-1) represents the integer of 1-4, and 2 or 3 is preferable.

지방족 에폭시 화합물로서는 하기 식(X-2)으로 나타내어지는 화합물인 것이 보다 바람직하다.As an aliphatic epoxy compound, it is more preferable that it is a compound represented by a following formula (X-2).

Figure pat00026
Figure pat00026

(식(X-2) 중, A'는 직쇄 또는 분기의 탄화수소기를 나타내고, 치환기로서 수산기를 갖고 있어도 좋고, n은 1~4의 정수를 나타낸다)(In formula (X-2), A 'represents a linear or branched hydrocarbon group, may have a hydroxyl group as a substituent, and n represents the integer of 1-4.)

식(X-2)에 있어서의 A'의 탄소수는 1~18이 바람직하고, 1~13이 보다 바람직하고, 2~8이 더욱 바람직하다. 1-18 are preferable, as for carbon number of A 'in Formula (X-2), 1-13 are more preferable, and 2-8 are more preferable.

식(X-2)에 있어서의 n은 1~4의 정수를 나타내고, 2 또는 3이 바람직하다.N in Formula (X-2) represents the integer of 1-4, and 2 or 3 is preferable.

본 발명에서 바람직하게 사용할 수 있는 지방족 에폭시 화합물로서는 데나콜 EX-611, EX-612, EX-614, EX-614B, EX-622, EX-512, EX-521, EX-411, EX-421, EX-313, EX-314, EX-321, EX-211, EX-212, EX-810, EX-811, EX-850, EX-851, EX-821, EX-830, EX-832, EX-841, EX-911, EX-941, EX-920, EX-931, EX-212L, EX-214L, EX-321L, EX-850L, EX-211L, EX-946L, EX-946L, DLC-201, DLC-203, DLC-204, DLC-205, DLC-206, DLC-301, DLC-402(이상, 나가세 켐텍스(주)제), YH-300, YH-301, YH-302, YH-315, YH-324, YH-325(이상, 신닛테츠 카가쿠(주)제) 등을 들 수 있다.Aliphatic epoxy compounds which can be preferably used in the present invention include Denacol EX-611, EX-612, EX-614, EX-614B, EX-622, EX-512, EX-521, EX-411, EX-421, EX-313, EX-314, EX-321, EX-211, EX-212, EX-810, EX-811, EX-850, EX-851, EX-821, EX-830, EX-832, EX- 841, EX-911, EX-941, EX-920, EX-931, EX-212L, EX-214L, EX-321L, EX-850L, EX-211L, EX-946L, EX-946L, DLC-201, DLC-203, DLC-204, DLC-205, DLC-206, DLC-301, DLC-402 (above, Nagase Chemtex Co., Ltd.), YH-300, YH-301, YH-302, YH-315 , YH-324, YH-325 (above, Shin-Nitetsu Kagaku Co., Ltd.), etc. are mentioned.

이들 중 하기에 나타내는 트리메티롤프로판트리글리시딜에테르 또는 네오펜틸글리콜디글리시딜에테르가 특히 바람직하다. 상기 중 EX-321, EX-321L, EX-211, EX-211L(이상, 나가세 켐텍스(주)제)이 이들에 해당된다.Among these, the trimetholol propane triglycidyl ether or neopentyl glycol diglycidyl ether shown below is especially preferable. Among these, EX-321, EX-321L, EX-211, and EX-211L (above, Nagase Chemtex Co., Ltd.) correspond to these.

Figure pat00027
Figure pat00027

이들은 1종 단독 또는 2종 이상을 조합해서 사용할 수 있다.These may be used alone or in combination of two or more.

이들 중에서도 에폭시 수지, 및 지방족 에폭시 화합물을 바람직하게 들 수 있고, 비스페놀A형 에폭시 수지, 비스페놀F형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 및 지방족 에폭시 화합물을 보다 바람직하게 들 수 있고, 비스페놀A형 에폭시 수지, 및 지방족 에폭시 화합물을 특히 바람직하게 들 수 있다.Among these, an epoxy resin and an aliphatic epoxy compound are mentioned preferably, A bisphenol-A epoxy resin, a bisphenol F-type epoxy resin, a phenol novolak-type epoxy resin, and an aliphatic epoxy compound are mentioned more preferable, Bisphenol-A type Epoxy resins and aliphatic epoxy compounds are particularly preferred.

분자내에 2개 이상의 옥세타닐기를 갖는 화합물의 구체예로서는 아론옥세탄 OXT-121, OXT-221, OX-SQ, PNOX(이상, 도아 고세이(주)제)를 사용할 수 있다.As a specific example of the compound which has two or more oxetanyl groups in a molecule | numerator, Aaronoxetane OXT-121, OXT-221, OX-S ', PNOX (above, Toagosei Co., Ltd. product) can be used.

또한, 옥세타닐기를 포함하는 화합물은 단독으로 또는 에폭시기를 포함하는 화합물과 혼합해서 사용하는 것이 바람직하다.In addition, it is preferable to use the compound containing an oxetanyl group individually or in mixture with the compound containing an epoxy group.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서 분자내에 2개 이상의 에폭시기 또는 옥세타닐기를 갖는 화합물을 사용할 경우 분자내에 2개 이상의 에폭시기 또는 옥세타닐기를 갖는 화합물의 감광성 수지 조성물에의 첨가량은 성분 A 100질량부에 대해서 0.1~50질량부가 바람직하고, 0.5~30질량부가 보다 바람직하고, 1~10질량부가 더욱 바람직하다.When using the compound which has two or more epoxy groups or oxetanyl group in a molecule | numerator in the photosensitive resin composition of this invention, the addition amount of the compound which has two or more epoxy groups or oxetanyl group in a molecule | numerator to the photosensitive resin composition is 100 mass parts of component A 0.1-50 mass parts is preferable with respect to, 0.5-30 mass parts is more preferable, and 1-10 mass parts is more preferable.

-적어도 1개의 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물-A compound having at least one ethylenically unsaturated double bond

적어도 1개의 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물로서는 단관능 (메타)아크릴레이트, 2관능 (메타)아크릴레이트, 3관능 이상의 (메타)아크릴레이트 등의 (메타)아크릴레이트 화합물을 바람직하게 사용할 수 있다.As a compound which has at least 1 ethylenically unsaturated double bond, (meth) acrylate compounds, such as monofunctional (meth) acrylate, bifunctional (meth) acrylate, and trifunctional or more (meth) acrylate, can be used preferably. .

단관능 (메타)아크릴레이트로서는 예를 들면, 2-히드록시에틸(메타)아크릴레이트, 카르비톨(메타)아크릴레이트, 이소보르닐(메타)아크릴레이트, 3-메톡시부틸(메타)아크릴레이트, 2-(메타)아크릴로일옥시에틸-2-히드록시프로필프탈레이트 등을 들 수 있다.As monofunctional (meth) acrylate, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, carbitol (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate, 3-methoxybutyl (meth) acrylate, for example And 2- (meth) acryloyloxyethyl-2-hydroxypropyl phthalate, and the like.

2관능 (메타)아크릴레이트로서는 예를 들면, 에틸렌글리콜(메타)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메타)아크릴레이트, 1,9-노난디올디(메타)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 비스페녹시에탄올플루오렌디아크릴레이트, 비스페녹시에탄올플루오렌디아크릴레이트 등을 들 수 있다.As a bifunctional (meth) acrylate, for example, ethylene glycol (meth) acrylate, 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, 1,9-nonanediol di (meth) acrylate, polypropylene glycol di (Meth) acrylate, tetraethylene glycol di (meth) acrylate, bisphenoxyethanol fluorene diacrylate, bisphenoxy ethanol fluorene diacrylate, etc. are mentioned.

3관능 이상의 (메타)아크릴레이트로서는 예를 들면, 트리메티롤프로판트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨트리(메타)아크릴레이트, 트리((메타)아크릴로일옥시에틸)포스페이트, 펜타에리스리톨테트라(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨펜타(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다.As (meth) acrylate more than trifunctional, for example, trimethol propane tri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, tri ((meth) acryloyloxyethyl) phosphate, pentaerythritol tetra ( Meta) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, and the like.

이들 중 적어도 1개의 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물은 1종 단독 또는 2종 이상을 조합해서 사용된다.The compound which has at least 1 ethylenically unsaturated double bond among these is used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서 1개의 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물을 사용할 경우 본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 적어도 1개의 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물의 사용 비율은 성분 A 100질량부에 대해서 50질량부 이하인 것이 바람직하고, 30질량부 이하인 것이 보다 바람직하다. 이러한 비율로 적어도 1개의 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물을 함유시킴으로써 본 발명의 감광성 수지 조성물로부터 얻어지는 경화막의 내열성 및 표면 경도 등을 향상시킬 수 있다. 적어도 1개의 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물을 첨가하는 경우에는 후술의 열 라디칼 발생제를 첨가하는 것이 바람직하다.When using the compound which has one ethylenically unsaturated double bond in the photosensitive resin composition of this invention, the use ratio of the compound which has at least 1 ethylenically unsaturated double bond in the photosensitive resin composition of this invention is 100 mass parts of component A. It is preferable that it is 50 mass parts or less with respect to, and it is more preferable that it is 30 mass parts or less. By containing the compound which has at least 1 ethylenically unsaturated double bond in such a ratio, the heat resistance, surface hardness, etc. of the cured film obtained from the photosensitive resin composition of this invention can be improved. When adding the compound which has at least 1 ethylenically unsaturated double bond, it is preferable to add the thermal radical generator mentioned later.

(성분 D) 용제(Component D) Solvent

본 발명의 감광성 수지 조성물은 (성분 D) 용제를 함유한다.The photosensitive resin composition of this invention contains the (component D) solvent.

본 발명의 감광성 수지 조성물은 필수 성분인 성분 A~성분 C, 및 바람직한 성분인 후술의 각종 첨가제의 임의 성분을 (성분 D) 용제에 용해 또는 분산시킨 액으로 해서 조제되는 것이 바람직하다.It is preferable that the photosensitive resin composition of this invention is prepared as the liquid which melt | dissolved or disperse | distributed the arbitrary components of component A-component C which are essential components, and the various additives mentioned later which are preferable components in the (component D) solvent.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 사용되는 (성분 D) 용제로서는 공지의 용제를 사용할 수 있고, 에틸렌글리콜모노알킬에테르류, 에틸렌글리콜디알킬에테르류, 에틸렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류, 프로필렌글리콜모노알킬에테르류, 프로필렌글리콜디알킬에테르류, 프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류, 디에틸렌글리콜디알킬에테르류, 디에틸렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류, 디프로필렌글리콜모노알킬에테르류, 디프로필렌글리콜디알킬에테르류, 디프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류, 에스테르류, 케톤류, 아미드류, 락톤류 등을 예시할 수 있다.As a (component D) solvent used for the photosensitive resin composition of this invention, a well-known solvent can be used and ethylene glycol monoalkyl ethers, ethylene glycol dialkyl ethers, ethylene glycol monoalkyl ether acetates, propylene glycol monoalkyl ethers Propylene glycol dialkyl ethers, propylene glycol monoalkyl ether acetates, diethylene glycol dialkyl ethers, diethylene glycol monoalkyl ether acetates, dipropylene glycol monoalkyl ethers, dipropylene glycol dialkyl ethers, Dipropylene glycol monoalkyl ether acetates, esters, ketones, amides, lactones, etc. can be illustrated.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 사용되는 (성분 D) 용제로서는 예를 들면, (1)에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노프로필에테르, 에틸렌글리콜모노부틸에테르 등의 에틸렌글리콜모노알킬에테르류; (2)에틸렌글리콜디메틸에테르, 에틸렌글리콜디에틸에테르, 에틸렌글리콜디프로필에테르 등의 에틸렌글리콜디알킬에테르류; (3)에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트 등의 에틸렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류; (4)프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노프로필에테르, 프로필렌글리콜모노부틸에테르 등의 프로필렌글리콜모노알킬에테르류; (5)프로필렌글리콜디메틸에테르, 프로필렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르 등의 프로필렌글리콜디알킬에테르류;Examples of the (component D) solvent used in the photosensitive resin composition of the present invention include (1) ethylene glycol mono, such as ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monopropyl ether, and ethylene glycol monobutyl ether. Alkyl ethers; (2) ethylene glycol dialkyl ethers such as ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, and ethylene glycol dipropyl ether; (3) ethylene glycol monoalkyl ether acetates such as ethylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, ethylene glycol monopropyl ether acetate, and ethylene glycol monobutyl ether acetate; (4) propylene glycol monoalkyl ethers such as propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monopropyl ether, and propylene glycol monobutyl ether; (5) propylene glycol dialkyl ethers such as propylene glycol dimethyl ether, propylene glycol diethyl ether, diethylene glycol monomethyl ether and diethylene glycol monoethyl ether;

(6)프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노부틸에테르아세테이트 등의 프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류; (7)디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르 등의 디에틸렌글리콜디알킬에테르류; (8)디에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트 등의 디에틸렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류; (9)디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜모노에틸에테르, 디프로필렌글리콜모노프로필에테르, 디프로필렌글리콜모노부틸에테르 등의 디프로필렌글리콜모노알킬에테르류; (10)디프로필렌글리콜디메틸에테르, 디프로필렌글리콜디에틸에테르, 디프로필렌글리콜에틸메틸에테르 등의 디프로필렌글리콜디알킬에테르류;(6) propylene glycol monoalkyl ether acetates such as propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate, and propylene glycol monobutyl ether acetate; (7) diethylene glycol dialkyl ethers such as diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, and diethylene glycol ethyl methyl ether; (8) diethylene glycol monoalkyl ether acetates such as diethylene glycol monomethyl ether acetate, diethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol monopropyl ether acetate and diethylene glycol monobutyl ether acetate; (9) dipropylene glycol monoalkyl ethers such as dipropylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monoethyl ether, dipropylene glycol monopropyl ether and dipropylene glycol monobutyl ether; (10) dipropylene glycol dialkyl ethers such as dipropylene glycol dimethyl ether, dipropylene glycol diethyl ether, and dipropylene glycol ethyl methyl ether;

(11)디프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 디프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디프로필렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, 디프로필렌글리콜모노부틸에테르아세테이트 등의 디프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류; (12)락트산 메틸, 락트산 에틸, 락트산 n-프로필, 락트산 이소프로필, 락트산 n-부틸, 락트산 이소부틸, 락트산 n-아밀, 락트산 이소아밀 등의 락트산 에스테르류; (13) 아세트산 n-부틸, 아세트산 이소부틸, 아세트산 n-아밀, 아세트산 이소아밀, 아세트산 n-헥실, 아세트산 2-에틸헥실, 프로피온산 에틸, 프로피온산 n-프로필, 프로피온산 이소프로필, 프로피온산 n-부틸, 프로피온산 이소부틸, 부티르산 메틸, 부티르산 에틸, 부티르산 n-프로필, 부티르산 이소프로필, 부티르산 n-부틸, 부티르산 이소부틸 등의 지방족 카르복실산 에스테르류; (14)히드록시아세트산 에틸, 2-히드록시-2-메틸프로피온산 에틸, 2-히드록시-3-메틸부티르산 에틸, 메톡시아세트산 에틸, 에톡시아세트산 에틸, 3-메톡시프로피온메틸, 3-메톡시프로피온에틸, 3-에톡시프로피온메틸, 3-에톡시프로피온에틸, 3-메톡시부틸아세테이트, 3-메틸-3-메톡시부틸아세테이트, 3-메틸-3-메톡시부틸프로피오네이트, 3-메틸-3-메톡시부틸부틸레이트, 아세토아세트산 메틸, 아세토아세트산 에틸, 피루브산 메틸, 피루브산 에틸 등의 다른 에스테르류;(11) dipropylene glycol monoalkyl ether acetates such as dipropylene glycol monomethyl ether acetate, dipropylene glycol monoethyl ether acetate, dipropylene glycol monopropyl ether acetate, and dipropylene glycol monobutyl ether acetate; (12) lactic acid esters such as methyl lactate, ethyl lactate, n-propyl lactate, isopropyl lactate, n-butyl lactate, isobutyl lactate, n-amyl lactate, and isoamyl lactate; (13) n-butyl acetate, isobutyl acetate, n-amyl acetate, isoamyl acetate, n-hexyl acetate, 2-ethylhexyl acetate, ethyl propionate, ethyl propionate n-propyl, propionic acid isopropyl, n-butyl propionate, propionic acid Aliphatic carboxylic acid esters such as isobutyl, methyl butyrate, ethyl butyrate, n-propyl butyrate, isopropyl butyrate, n-butyl butyrate and isobutyl butyrate; (14) ethyl hydroxyacetate, ethyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, ethyl 2-hydroxy-3-methylbutyrate, ethyl methoxyacetate, ethyl ethoxyacetate, 3-methoxypropionmethyl, 3-meth Oxypropionethyl, 3-ethoxypropionmethyl, 3-ethoxypropionethyl, 3-methoxybutyl acetate, 3-methyl-3-methoxybutyl acetate, 3-methyl-3-methoxybutylpropionate, 3 Other esters such as methyl-3-methoxybutylbutyrate, methyl acetoacetate, ethyl acetoacetate, methyl pyruvate and ethyl pyruvate;

(15)메틸에틸케톤, 메틸프로필케톤, 메틸-n-부틸 케톤, 메틸이소부틸케톤, 2-헵타논, 3-헵타논, 4-헵타논, 시클로헥사논 등의 케톤류; (16)N-메틸포름아미드, N,N-디메틸포름아미드, N-메틸아세트아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈 등의 아미드류; (17)γ-부티로락톤 등의 락톤류 등을 들 수 있다. (15) ketones such as methyl ethyl ketone, methyl propyl ketone, methyl-n-butyl ketone, methyl isobutyl ketone, 2-heptanone, 3-heptanone, 4-heptanone, and cyclohexanone; (16) amides such as N-methylformamide, N, N-dimethylformamide, N-methylacetamide, N, N-dimethylacetamide, and N-methylpyrrolidone; Lactone, such as (17) (gamma) -butyrolactone, etc. are mentioned.

또한, 이들 용제에 또한 필요에 따라서 벤질에틸에테르, 디헥실에테르, 에틸렌글리콜모노페닐에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 이소포론, 카프론산, 카프릴산, 1-옥타놀, 1-노날, 벤질알콜, 아니솔, 아세트산 벤질, 벤조산 에틸, 옥살산 디에틸, 말레산 디에틸, 탄산 에틸렌, 탄산 프로필렌 등의 용제를 첨가할 수도 있다.In addition, benzyl ethyl ether, dihexyl ether, ethylene glycol monophenyl ether acetate, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, isophorone, capronic acid, caprylic acid, and 1- Solvents, such as octanol, 1-nonal, benzyl alcohol, anisole, benzyl acetate, ethyl benzoate, diethyl oxalate, diethyl maleate, ethylene carbonate, and propylene carbonate, can also be added.

상기한 용제 중 특히 바람직하게는 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트이다.Among the above solvents, diethylene glycol ethyl methyl ether and propylene glycol monomethyl ether acetate are particularly preferable.

본 발명에 사용할 수 있는 용제는 1종 단독, 또는 2종 이상을 병용할 수 있다. The solvent which can be used for this invention can use together single 1 type or 2 types or more.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 (성분 D) 용제의 함유량은 성분 A 100질량부당, 50~3,000질량부인 것이 바람직하고, 100~2,000질량부인 것이 보다 바람직하고, 150~1,500질량부인 것이 더욱 바람직하다.It is preferable that content of the (component D) solvent in the photosensitive resin composition of this invention is 50-3,000 mass parts per 100 mass parts of component A, It is more preferable that it is 100-2,000 mass parts, It is still more preferable that it is 150-1,500 mass parts Do.

<그 밖의 성분>&Lt; Other components >

본 발명의 감광성 수지 조성물은 상기 성분 A~성분 D를 필수 성분으로 하고, 그 외, 임의 성분을 함유하고 있어도 좋다. 임의의 성분으로서는 (성분 E) 증감제, (성분 F) 염기성 화합물, (성분 G) 계면활성제, (성분 H) 밀착 개량제, (성분 I) 현상 촉진제, (성분 J) 산화 방지제, (성분 K) 가소제, (성분 L) 열 라디칼 발생제, (성분 M) 열산발생제, (성분 N) 산증식제, 자외선 흡수제, 증점제, 및 유기 또는 무기의 침전 방지제 등을 들 수 있다. 본 발명에서 사용할 수 있는 첨가제는 이들에 한정되는 것은 아니고, 상기 분야에서 공지의 각종 첨가제를 사용할 수 있다.The photosensitive resin composition of this invention may use the said component A-component D as an essential component, and may contain other arbitrary components. Optional components include (component E) sensitizer, (component F) basic compound, (component G) surfactant, (component H) adhesion improving agent, (component I) development accelerator, (component J) antioxidant, (component K) Plasticizer, (component L) thermal radical generator, (component M) thermal acid generator, (component N) acid increasing agent, ultraviolet absorber, thickener, organic or inorganic precipitation inhibitor, etc. are mentioned. The additive which can be used by this invention is not limited to these, Various additives well-known in the said field can be used.

그 밖의 성분으로서는 본 발명의 감광성 수지 조성물은 기판 밀착성의 관점에서 (성분 H) 밀착 개량제를 함유하는 것이 바람직하고, 액보존 안정성의 관점에서 (성분 F) 염기성 화합물을 함유하는 것이 바람직하고, 도포성의 관점에서 (성분 G) 계면활성제(불소계 계면활성제, 실리콘계 계면활성제 등)를 함유하는 것이 바람직하다. As another component, it is preferable that the photosensitive resin composition of this invention contains a (component H) adhesion improving agent from a viewpoint of board | substrate adhesiveness, and it is preferable to contain a (component F) basic compound from a viewpoint of liquid storage stability, and is coatable It is preferable to contain (component G) surfactant (fluorine type surfactant, silicone type surfactant, etc.) from a viewpoint.

또한, 감도의 관점에서 (성분 I) 현상 촉진제를 함유하는 것이 바람직하다. 또한, 감도의 관점에서 (성분 E) 증감제를 첨가하는 것이 바람직하다. Moreover, it is preferable to contain a (component I) development accelerator from a viewpoint of a sensitivity. Moreover, it is preferable to add a (component E) sensitizer from a viewpoint of a sensitivity.

이하, 본 발명의 감광성 수지 조성물에 포함할 수 있는 그 밖의 성분을 설명한다.Hereinafter, the other component which can be included in the photosensitive resin composition of this invention is demonstrated.

(성분 E) 증감제(Component E) sensitizer

본 발명의 감광성 수지 조성물은 (성분 E) 광증감제를 함유하는 것이 바람직하다.It is preferable that the photosensitive resin composition of this invention contains the (component E) photosensitizer.

광증감제를 함유함으로써 노광 감도 향상에 유효하며, 노광 광원이 g, h선 혼합선인 경우에 특히 유효하다.By containing a photosensitizer, it is effective for the improvement of exposure sensitivity, and it is especially effective when an exposure light source is g and h-ray mixed lines.

광증감제로서는 안트라센 유도체, 아크리돈 유도체, 티오크산톤 유도체, 쿠마린 유도체, 베이스스티릴 유도체, 디스티릴벤젠 유도체가 바람직하다. As the photosensitizer, anthracene derivatives, acridon derivatives, thioxanthone derivatives, coumarin derivatives, basestyryl derivatives and distyrylbenzene derivatives are preferable.

안트라센 유도체로서는 안트라센, 9,10-디부톡시안트라센, 9,10-디클로로안트라센, 2-에틸-9,10-디메톡시안트라센, 9-히드록시메틸안트라센, 9-브로모안트라센, 9-클로로안트라센, 9,10-디브로모안트라센, 2-에틸안트라센, 9,10-디메톡시안트라센이 바람직하다.Anthracene derivatives include anthracene, 9,10-dibutoxyanthracene, 9,10-dichloroanthracene, 2-ethyl-9,10-dimethoxyanthracene, 9-hydroxymethylanthracene, 9-bromoanthracene, 9-chloroanthracene, 9,10-dibromoanthracene, 2-ethylanthracene and 9,10-dimethoxyanthracene are preferred.

아크리돈 유도체로서는 아크리돈, N-부틸-2-클로로아크리돈, N-메틸아크리돈, 2-메톡시아크리돈, N-에틸-2-메톡시아크리돈이 바람직하다. As the acridon derivative, acridon, N-butyl-2-chloroacridone, N-methylacridone, 2-methoxyacridone, and N-ethyl-2-methoxyacridone are preferable.

티오크산톤 유도체로서는 티오크산톤, 디에틸티오크산톤, 1-클로로-4-프로폭시티오크산톤, 2-클로로티오크산톤이 바람직하다.As a thioxanthone derivative, thioxanthone, diethyl thioxanthone, 1-chloro-4- propoxy thioxanthone, and 2-chloro thioxanthone are preferable.

쿠마린 유도체로서는 쿠마린-1, 쿠마린-6H, 쿠마린-110, 쿠마린-102가 바람직하다.As coumarin derivatives, coumarin-1, coumarin-6H, coumarin-110, and coumarin-102 are preferable.

베이스스티릴 유도체로서는 2-(4-디메틸아미노스티릴)벤조옥사졸, 2-(4-디메틸아미노스티릴)벤조티아졸, 2-(4-디메틸아미노스티릴)나프토티아졸을 들 수 있다.Examples of the base styryl derivatives include 2- (4-dimethylaminostyryl) benzoxazole, 2- (4-dimethylaminostyryl) benzothiazole and 2- (4-dimethylaminostyryl) naphthothiazole. .

디스티릴벤젠 유도체로서는 디스티릴벤젠, 디(4-메톡시스티릴)벤젠, 디(3,4,5-트리메톡시스티릴)벤젠을 들 수 있다.Examples of the distyrylbenzene derivatives include distyrylbenzene, di (4-methoxystyryl) benzene, and di (3,4,5-trimethoxystyryl) benzene.

이들 중에서도 안트라센 유도체가 바람직하고, 9,10-디알콕시안트라센(알콕시기의 탄소수 1~6)이 보다 바람직하다.Among these, an anthracene derivative is preferable and 9,10- dialkoxy anthracene (C1-C6 of an alkoxy group) is more preferable.

광증감제의 구체예로서는 하기를 들 수 있다. 또한, 하기에 있어서 Me는 메틸기, Et는 에틸기, Bu는 부틸기를 나타낸다.The following is mentioned as a specific example of a photosensitizer. In the following, Me represents a methyl group, Et represents an ethyl group, and Bu represents a butyl group.

Figure pat00028
Figure pat00028

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 광증감제의 함유량은 성분 A 및 성분 B의 총함유량 100질량부에 대해서 0.1~10질량부인 것이 바람직하고, 0.5~10질량부인 것이 보다 바람직하다. 광증감제의 함유량이 0.1질량부 이상이면 소망의 감도가 얻어지기 쉽고, 또한, 10질량부 이하이면 도막의 투명성을 확보하기 쉽다.It is preferable that it is 0.1-10 mass parts with respect to 100 mass parts of total content of component A and the component B, and, as for content of the photosensitizer in the photosensitive resin composition of this invention, it is more preferable that it is 0.5-10 mass parts. If content of a photosensitizer is 0.1 mass part or more, desired sensitivity will be easy to be obtained, and if it is 10 mass parts or less, transparency of a coating film will be easy to be ensured.

(성분 F) 염기성 화합물(Component F) Basic Compound

본 발명의 감광성 수지 조성물은 액 보존 안정성의 관점에서 (성분 F) 염기성 화합물을 함유하는 것이 바람직하다. It is preferable that the photosensitive resin composition of this invention contains a (component F) basic compound from a viewpoint of liquid storage stability.

염기성 화합물로서는 화학 증폭 레지스트에서 이용되는 것 중에서 임의로 선택해서 사용할 수 있다. 예를 들면, 지방족 아민, 방향족 아민, 복소환식 아민, 제4급 암모늄히드록시드, 및 카르복실산의 제4급 암모늄염 등을 들 수 있다.It can be used selecting arbitrarily as a basic compound from what is used by chemically amplified resist. For example, aliphatic amine, aromatic amine, heterocyclic amine, quaternary ammonium hydroxide, quaternary ammonium salt of carboxylic acid, etc. are mentioned.

지방족 아민으로서는 예를 들면, 트리메틸아민, 디에틸아민, 트리에틸아민, 디-n-프로필아민, 트리-n-프로필아민, 디-n-펜틸아민, 트리-n-펜틸아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 디시클로헥실아민, 디시클로헥실메틸아민 등을 들 수 있다.Examples of the aliphatic amines include trimethylamine, diethylamine, triethylamine, di-n-propylamine, tri-n-propylamine, di-n-pentylamine, tri-n-pentylamine, diethanolamine, Triethanolamine, dicyclohexylamine, dicyclohexyl methylamine, etc. are mentioned.

방향족 아민으로서는 예를 들면, 아닐린, 벤질아민, N,N-디메틸아닐린, 디페닐아민 등을 들 수 있다.As aromatic amine, aniline, benzylamine, N, N- dimethylaniline, diphenylamine, etc. are mentioned, for example.

복소환식 아민으로서는 예를 들면, 피리딘, 2-메틸피리딘, 4-메틸피리딘, 2-에틸피리딘, 4-에틸피리딘, 2-페닐피리딘, 4-페닐피리딘, N-메틸-4-페닐피리딘, 4-디메틸아미노피리딘, 이미다졸, 벤즈이미다졸, 4-메틸이미다졸, 2-페닐벤즈이미다졸, 2,4,5-트리페닐이미다졸, 니코틴, 니코틴산, 니코틴산 아미드, 퀴놀린, 8-옥시퀴놀린, 피라진, 피라졸, 피리다진, 푸린, 피롤리딘, 피페리딘, 피페라진, 모르폴린, 4-메틸모르폴린, N-시클로헥실-N'-[2-(4-모르폴리닐)에틸]티오요소, 1,5-디아자비시클로 [4.3.0]-5-노넨, 1,8-디아자비시클로[5.3.0]-7-운데센 등을 들 수 있다.As the heterocyclic amine, for example, pyridine, 2-methylpyridine, 4-methylpyridine, 2-ethylpyridine, 4-ethylpyridine, 2-phenylpyridine, 4-phenylpyridine, N-methyl-4-phenylpyridine, 4 -Dimethylaminopyridine, imidazole, benzimidazole, 4-methylimidazole, 2-phenylbenzimidazole, 2,4,5-triphenylimidazole, nicotine, nicotinic acid, nicotinic acid amide, quinoline, 8-oxy Quinoline, pyrazine, pyrazole, pyridazine, purine, pyrrolidine, piperidine, piperazine, morpholine, 4-methylmorpholine, N-cyclohexyl-N '-[2- (4-morpholinyl) Ethyl] thiourea, 1,5-diazabicyclo [4.3.0] -5-nonene, 1,8-diazabicyclo [5.3.0] -7-undecene, etc. are mentioned.

제4급 암모늄히드록시드로서는 예를 들면, 테트라메틸암모늄히드록시드, 테트라에틸암모늄히드록시드, 테트라-n-부틸암모늄히드록시드, 테트라-n-헥실암모늄히드록시드 등을 들 수 있다.As quaternary ammonium hydroxide, tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, tetra-n-butylammonium hydroxide, tetra-n-hexyl ammonium hydroxide, etc. are mentioned, for example. .

카르복실산의 제4급 암모늄염으로서는 예를 들면, 테트라메틸암모늄아세테이트, 테트라메틸암모늄벤조에이트, 테트라-n-부틸암모늄아세테이트, 테트라-n-부틸암모늄벤조에이트 등을 들 수 있다.As quaternary ammonium salt of carboxylic acid, tetramethylammonium acetate, tetramethylammonium benzoate, tetra-n-butylammonium acetate, tetra-n-butylammonium benzoate, etc. are mentioned, for example.

본 발명에 사용할 수 있는 염기성 화합물은 1종 단독으로 사용해도, 2종 이상을 병용해도 좋다.The basic compounds usable in the present invention may be used singly or in combination of two or more kinds.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 (성분 F) 염기성 화합물의 함유량은 성분 A 100질량부에 대해서 0.001~1질량부인 것이 바람직하고, 0.002~0.2질량부인 것이 보다 바람직하다.It is preferable that it is 0.001-1 mass part with respect to 100 mass parts of component A, and, as for content of the (component F) basic compound in the photosensitive resin composition of this invention, it is more preferable that it is 0.002-0.2 mass part.

(성분 G) 계면활성제(불소계 계면활성제, 실리콘계 계면활성제 등)(Component G) Surfactant (fluorine type surfactant, silicone type surfactant, etc.)

본 발명의 감광성 수지 조성물은 (성분 G) 계면활성제(불소계 계면활성제, 실리콘계 계면활성제 등)를 함유하는 것이 바람직하다.It is preferable that the photosensitive resin composition of this invention contains (component G) surfactant (fluorine-type surfactant, silicone type surfactant, etc.).

계면활성제로서는 하기에 나타내는 구성 단위 A와 구성 단위 B를 포함하는 공중합체(3)를 바람직한 예로서 들 수 있다. 상기 공중합체의 중량 평균 분자량(Mw)은 1,000 이상 10,000 이하인 것이 바람직하고, 1,500 이상 5,000 이하인 것이 보다 바람직하다. 중량 평균 분자량은 겔퍼미에이션 크로마토그래피로 측정되는 폴리스티렌 환산의 값이다.As the surfactant, a copolymer (3) containing the constituent unit A and the constituent unit B shown below may be mentioned as a preferable example. The weight average molecular weight (Mw) of the copolymer is preferably 1,000 or more and 10,000 or less, and more preferably 1,500 or more and 5,000 or less. The weight average molecular weight is a value of polystyrene conversion measured by gel permeation chromatography.

Figure pat00029
Figure pat00029

공중합체(3) 중, R21 및 R23은 각각 독립적으로 수소원자 또는 메틸기를 나타내고, R22는 탄소수 1 이상 4 이하의 직쇄 알킬렌기를 나타내고, R24는 수소원자 또는 탄소수 1 이상 4 이하의 알킬기를 나타내고, L은 탄소수 3 이상 6 이하의 알킬렌기를 나타내고, p 및 q는 중합비를 나타내는 질량 백분률이며, p는 10질량% 이상 80질량% 이하의 수치를 나타내고, q는 20질량% 이상 90질량% 이하의 수치를 나타내고, r은 1 이상 18 이하의 정수를 나타내고, n은 1 이상 10 이하의 정수를 나타낸다.In the copolymer (3), R 21 and R 23 each independently represent a hydrogen atom or a methyl group, R 22 represents a straight alkylene group having 1 to 4 carbon atoms, and R 24 represents a hydrogen atom or 1 to 4 carbon atoms. An alkyl group is represented, L represents a C3-C6 alkylene group, p and q are the mass percentages which show a polymerization ratio, p represents the numerical value of 10 mass% or more and 80 mass% or less, q is 20 mass% The numerical value of 90 mass% or more is shown, r represents the integer of 1 or more and 18 or less, n represents the integer of 1 or more and 10 or less.

구성 단위 B 중에 있어서의 L은 하기 식(4)으로 나타내어지는 알킬렌기인 것이 바람직하다.L in the constituent unit B is preferably an alkylene group represented by the following formula (4).

Figure pat00030
Figure pat00030

식(4) 중, R25는 탄소수 1 이상 4 이하의 알킬기를 나타내고, 상용성과 피도포면에 대한 젖음성의 점에서 탄소수 1 이상 3 이하의 알킬기가 바람직하고, 탄소수 2 또는 3의 알킬기가 보다 바람직하다.In formula (4), R <25> represents a C1-C4 alkyl group, A C1-C3 alkyl group is preferable from a compatible point and wettability with respect to a to-be-coated surface, and a C2-C3 alkyl group is more preferable. .

또한, p와 q의 합(p+q)은 p+q=100, 즉, 100질량%인 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable that the sum (p + q) of p and q is p + q = 100, ie, 100 mass%.

불소계 계면활성제, 실리콘계 계면활성제의 예로서 구체적으로는 일본 특허 공개 소 62-36663호, 일본 특허 공개 소 61-226746호, 일본 특허 공개 소 61-226745호, 일본 특허 공개 소 62-170950호, 일본 특허 공개 소 63-34540호, 일본 특허 공개 평 7-230165호, 일본 특허 공개 평 8-62834호, 일본 특허 공개 평 9-54432호, 일본 특허 공개 평 9-5988호, 일본 특허 공개 2001-330953호 등의 각 공보에 기재된 계면활성제를 들 수 있고, 시판의 계면활성제를 사용할 수도 있다. 사용할 수 있는 시판의 계면활성제로서, 예를 들면 에프톱 EF301, EF303(이상, 신아키타 카세이(주)제), 플루오라드 FC430, 431(이상, 스미토모 쓰리엠(주)제), 메가팩 F171, F173, F176, F189, R08(이상, DIC(주)제), 서프론 S-382, SC101, 102, 103, 104, 105, 106(이상, 아사히 가라스(주)제), PolyFox 시리즈(OMNOVA사제) 등의 불소계 계면활성제 또는 실리콘계 계면활성제를 들 수 있다. 또한, 폴리실록산 폴리머 KP-341(신에츠 카가쿠 고교(주)제)도 실리콘계 계면활성제로서 사용할 수 있다.As examples of fluorine-based surfactants and silicone-based surfactants, specifically, Japanese Patent Publication No. 62-36663, Japanese Patent Publication No. 61-226746, Japanese Patent Publication No. 61-226745, Japanese Patent Publication No. 62-170950, Japan Japanese Patent Laid-Open No. 63-34540, Japanese Patent Laid-Open No. 7-230165, Japanese Patent Laid-Open No. 8-62834, Japanese Patent Laid-Open No. 9-54432, Japanese Patent Laid-Open No. 9-5988, Japanese Patent Laid-Open 2001-330953 Surfactant as described in each publication, such as No., is mentioned, A commercially available surfactant can also be used. As a commercially available surfactant which can be used, for example, F-top EF301, EF303 (above, Shin Akita Kasei Co., Ltd.), fluoride FC430, 431 (above, Sumitomo 3M Co., Ltd.), Megapack F171, F173 , F176, F189, R08 (above, made by DIC Corporation), Supron S-382, SC101, 102, 103, 104, 105, 106 (above, made by Asahi Glass Co., Ltd.), PolyFox series (made by OMNOVA Corporation) Fluorine-based surfactants such as a) or silicone-based surfactants. Moreover, polysiloxane polymer KP-341 (made by Shin-Etsu Kagaku Kogyo Co., Ltd.) can also be used as a silicone type surfactant.

이들 계면활성제는 1종 단독으로 또는 2종 이상을 혼합해서 사용할 수 있다. 또한, 불소계 계면활성제와 실리콘계 계면활성제를 병용해도 좋다.These surfactants may be used singly or in combination of two or more. Moreover, you may use together a fluorochemical surfactant and silicone type surfactant.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 (성분 G) 계면활성제(불소계 계면활성제, 실리콘계 계면활성제 등)의 첨가량은 성분 A 100질량부에 대해서 10질량부이하인 것이 바람직하고, 0.01~10질량부인 것이 보다 바람직하고, 0.01~1질량부인 것이 더욱 바람직하다.It is preferable that the addition amount of (component G) surfactant (fluorine-type surfactant, silicone type surfactant, etc.) in the photosensitive resin composition of this invention is 10 mass parts or less with respect to 100 mass parts of component A, and it is 0.01-10 mass parts more It is preferable and it is more preferable that it is 0.01-1 mass part.

(성분 H) 밀착 개량제(Component H) Adhesion improver

본 발명의 감광성 수지 조성물은 (성분 H) 밀착 개량제를 함유하는 것이 바람직하다.It is preferable that the photosensitive resin composition of this invention contains the (component H) adhesion improving agent.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 사용할 수 있는 (성분 H) 밀착 개량제는 기판이 되는 무기물, 예를 들면, 실리콘, 산화 실리콘, 질화 실리콘 등의 실리콘 화합물, 금, 구리, 알루미늄, 몰리브덴, 티타늄 등의 금속과 절연막의 밀착성을 향상시키는 화합물이다. 구체적으로는 실란 커플링제, 티올계 화합물 등을 들 수 있다. 본 발명에서 사용되는 (성분 H) 밀착 개량제로서의 실란 커플링제는 계면의 개질을 목적으로 하는 것이며, 특별히 한정되지 않고 공지의 것을 사용할 수 있다.The (component H) adhesion improving agent which can be used for the photosensitive resin composition of this invention is an inorganic substance used as a board | substrate, for example, silicon compounds, such as silicon, silicon oxide, silicon nitride, metals, such as gold, copper, aluminum, molybdenum, titanium, etc. It is a compound which improves the adhesiveness of an insulating film. Specifically, a silane coupling agent, a thiol type compound, etc. are mentioned. The silane coupling agent as the (component H) adhesion improving agent used in the present invention is for the purpose of modifying the interface, and a known one can be used without particular limitation.

바람직한 실란 커플링제로서는 1,2-비스(트리에톡시실릴)에탄, 1,4-비스(트리메톡시실릴)부탄, 1-메틸디메톡시실릴-4-트리메톡시실릴부탄, 1,4-비스(메틸디메톡시실릴)부탄, 1,5-비스(트리메톡시실릴)펜탄, 1,4-비스(트리메톡시실릴)펜탄, 1-메틸디메톡시실릴-5-트리메톡시실릴펜탄, 1,5-비스(메틸디메톡시실릴)펜탄, 1,6-비스(트리메톡시실릴)헥산, 1,4-비스(트리메톡시실릴)헥산, 1,5-비스(트리메톡시실릴)헥산, 2,5-비스(트리메톡시실릴)헥산, 1,6-비스(메틸디메톡시실릴)헥산, 1,7-비스(트리메톡시실릴)헵탄, 2,5-비스(트리메톡시실릴)헵탄, 2,6-비스(트리메톡시실릴)헵탄, 1,8-비스(트리메톡시실릴)옥탄, 2,5-비스(트리메톡시실릴)옥탄, 2,7-비스(트리메톡시실릴)옥탄, 1,9-비스(트리메톡시실릴)노난, 2,7-비스(트리메톡시실릴)노난, 1,10-비스(트리메톡시실릴)데칸, 3,8-비스(트리메톡시실릴)데칸, 비닐트리클로로실란, 1,3-비스(트리클로로실란)프로판, 1,3-비스(트리브로모실란)프로판, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필메틸디에톡시실란, γ-글리시독시프로필트리에톡시실란, γ-메타크릴옥시프로필메틸디메톡시실란, p-스티릴트리메톡시실란, γ-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, γ-메타크릴옥시프로필메틸디에톡시실란, γ-메타크릴옥시프로필트리에톡시실란, γ-아크릴옥시프로필트리메톡시실란, N-(β-아미노에틸)-γ-아미노프로필메틸디메톡시실란, N-(β-아미노에틸)-γ-아미노프로필트리메톡시실란, N-(β-아미노에틸)-γ-아미노프로필트리에톡시실란, γ-아미노프로필트리메톡시실란, γ-아미노프로필트리에톡시실란, N-페닐-γ-아미노프로필트리메톡시실란, γ-메르캅토프로필트리메톡시실란, γ-메르캅토프로필트리에톡시실란, 메르캅토메틸트리메톡시실란, 디메톡시-3-메르캅토프로필메틸실란, 2-(2-아미노에틸티오에틸)디에톡시메틸실란, 3-(2-아세톡시에틸티오프로필)디메톡시메틸실란, 2-(2-아미노에틸티오에틸)트리에톡시실란, 디메톡시메틸-3-(3-페녹시프로필티오프로필)실란, 비스(트리에톡시실릴프로필)디술피드, 비스(트리에톡시실릴프로필)테트라술피드, 1,4-비스(트리에톡시실릴)벤젠, 비스(트리에톡시실릴)에탄, 1,6-비스(트리메톡시실릴)헥산, 1,8-비스(트리에톡시실릴)옥탄, 1,2-비스(트리메톡시실릴)데칸, 비스(트리에톡시실릴프로필)아민, 비스(트리메톡시실릴프로필)우레아, γ-클로로프로필트리메톡시실란, γ-트리에톡시실릴프로필(메타)아크릴레이트, γ-우레이도프로필트리에톡시실란, 트리메틸실라놀, 디페닐실란디올, 트리페닐실라놀 등을 들 수 있다.Preferred silane coupling agents include 1,2-bis (triethoxysilyl) ethane, 1,4-bis (trimethoxysilyl) butane, 1-methyldimethoxysilyl-4-trimethoxysilylbutane, 1,4- Bis (methyldimethoxysilyl) butane, 1,5-bis (trimethoxysilyl) pentane, 1,4-bis (trimethoxysilyl) pentane, 1-methyldimethoxysilyl-5-trimethoxysilylpentane, 1,5-bis (methyldimethoxysilyl) pentane, 1,6-bis (trimethoxysilyl) hexane, 1,4-bis (trimethoxysilyl) hexane, 1,5-bis (trimethoxysilyl) Hexane, 2,5-bis (trimethoxysilyl) hexane, 1,6-bis (methyldimethoxysilyl) hexane, 1,7-bis (trimethoxysilyl) heptane, 2,5-bis (trimethoxy Silyl) heptane, 2,6-bis (trimethoxysilyl) heptane, 1,8-bis (trimethoxysilyl) octane, 2,5-bis (trimethoxysilyl) octane, 2,7-bis (tri Methoxysilyl) octane, 1,9-bis (trimethoxysilyl) nonane, 2,7-bis (trimethoxysilyl) nonane, 1,10-bis (trimethoxysilyl) decane, 3,8-bis ( Rimethoxysilyl) decane, vinyltrichlorosilane, 1,3-bis (trichlorosilane) propane, 1,3-bis (tribromosilane) propane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, β- ( 3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, γ-glycidoxypropyltriethoxysilane, γ-meta Krilloxypropylmethyldimethoxysilane, p-styryltrimethoxysilane, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, γ-methacryloxypropylmethyldiethoxysilane, γ-methacryloxypropyltriethoxysilane, γ-acryloxypropyltrimethoxysilane, N- (β-aminoethyl) -γ-aminopropylmethyldimethoxysilane, N- (β-aminoethyl) -γ-aminopropyltrimethoxysilane, N- (β -Aminoethyl) -γ-aminopropyltriethoxysilane, γ-aminopropyltrimethoxysilane, γ-aminopropyltrie Cysilane, N-phenyl-γ-aminopropyltrimethoxysilane, γ-mercaptopropyltrimethoxysilane, γ-mercaptopropyltriethoxysilane, mercaptomethyltrimethoxysilane, dimethoxy-3-mercapto Propylmethylsilane, 2- (2-aminoethylthioethyl) diethoxymethylsilane, 3- (2-acetoxyethylthiopropyl) dimethoxymethylsilane, 2- (2-aminoethylthioethyl) triethoxysilane, Dimethoxymethyl-3- (3-phenoxypropylthiopropyl) silane, bis (triethoxysilylpropyl) disulfide, bis (triethoxysilylpropyl) tetrasulfide, 1,4-bis (triethoxysilyl ) Benzene, bis (triethoxysilyl) ethane, 1,6-bis (trimethoxysilyl) hexane, 1,8-bis (triethoxysilyl) octane, 1,2-bis (trimethoxysilyl) decane , Bis (triethoxysilylpropyl) amine, bis (trimethoxysilylpropyl) urea, γ-chloropropyltrimethoxysilane, γ-triethoxysilylpropyl (meth) acrylate Y, γ-ureidopropyltriethoxysilane, trimethylsilanol, diphenylsilanediol, triphenylsilanol and the like.

그 밖에도, 이하에 나타내는 화합물을 바람직한 것으로서 들 수 있지만, 본 발명은 이들 화합물에 제한되는 것은 아니다.In addition, although the compound shown below is mentioned as a preferable thing, this invention is not limited to these compounds.

Figure pat00031
Figure pat00031

Figure pat00032
Figure pat00032

Figure pat00033
Figure pat00033

상기 각 식 중 R 및 R1은 각각 이하의 구조로부터 선택되는 부분 구조를 나타낸다. 분자내에 복수의 R 및 R1이 존재할 경우 이들은 서로 동일해도 달라도 좋고, 합성적성 상은 동일한 것이 바람직하다.In said each formula, R and R <1> represent the partial structure chosen from the following structures, respectively. When a plurality of R and R 1 are present in the molecule, they may be the same as or different from each other, and the synthetic phases are preferably the same.

Figure pat00034
Figure pat00034

상기 실란 커플링제는 적당히 합성해서 얻는 것도 가능하지만, 시판품을 사용하는 것이 비용의 면에서 바람직하고, 예를 들면, 신에츠 카가쿠 고교(주), 도레이 다우코닝(주), 모멘티브 퍼포먼스 마테리알즈(주), 칫소(주) 등으로부터 시판되고 있는 실란 제품, 실란 커플링제 등의 시판품이 이것에 상당하므로 본 발명의 수지 조성물에 이들 시판품을 목적에 따라서 적당히 선택해서 사용해도 좋다.Although the said silane coupling agent can also be suitably synthesize | combined, it is preferable to use a commercial item from a cost viewpoint, For example, Shin-Etsu Kagaku Kogyo Co., Ltd., Toray Dow Corning Co., Ltd., Momentive performance materials Since commercial items, such as a silane product marketed from Chisso Co., Ltd., etc., a silane coupling agent, correspond to this, you may select these commercial items suitably for the resin composition of this invention according to the objective.

이들 중 γ-글리시독시프로필트리알콕시실란, γ-메타크릴옥시프로필트리알콕시실란, 비스(트리에톡시실릴프로필)디술피드, 비스(트리에톡시실리리프로필)테트라술피드를 바람직하게 사용할 수 있다.Of these, γ-glycidoxypropyltrialkoxysilane, γ-methacryloxypropyltrialkoxysilane, bis (triethoxysilylpropyl) disulfide and bis (triethoxysililypropyl) tetrasulfide can be preferably used. have.

또한, 본 발명에서는 밀착 개량제로서는 식(H-1)으로 나타내어지는 밀착 개량제도 예시된다.In addition, in this invention, an adhesion improving agent represented by Formula (H-1) is also illustrated as an adhesion improving agent.

(RH1)4-n'-Si-(ORH2)n'(H-1)(R H1 ) 4-n ' -Si- (OR H2 ) n' (H-1)

(식(H-1) 중, RH1은 반응성기를 갖지 않는 치환기를 나타내고, RH2는 알킬기를 나타내고, n'은 1~3의 정수를 나타낸다)(In Formula (H-1), R H1 represents a substituent having no reactive group, R H2 represents an alkyl group, and n 'represents an integer of 1 to 3).

식(H-1)으로 나타내어지는 밀착 개량제로서는 하기의 화합물이 예시된다. 또한, 하기 화합물 중에 있어서의 Ph는 페닐기를 나타낸다.Examples of the adhesion improving agent represented by the formula (H-1) include the following compounds. In addition, Ph in the following compound represents a phenyl group.

Figure pat00035
Figure pat00035

Figure pat00036
Figure pat00036

이들은 1종 단독 또는 2종 이상을 조합해서 사용할 수 있다. 이들은 기판과의 밀착성의 향상에 유효함과 아울러 기판과의 테이퍼각의 조정에도 유효하다.These may be used alone or in combination of two or more. They are effective for improving the adhesiveness with a board | substrate and also for adjusting the taper angle with a board | substrate.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 (성분 H) 밀착 개량제의 함유량은 성분 A 100질량부에 대해서 0.1~20질량부가 바람직하고, 0.5~10질량부가 보다 바람직하다.0.1-20 mass parts is preferable with respect to 100 mass parts of component A, and, as for content of the (component H) adhesion improving agent in the photosensitive resin composition of this invention, 0.5-10 mass parts is more preferable.

(성분 I) 현상 촉진제(Component I) Development accelerator

본 발명의 감광성 수지 조성물은 (성분 I) 현상 촉진제를 함유하는 것이 바람직하다.It is preferable that the photosensitive resin composition of this invention contains (component I) image development promoter.

(성분 I) 현상 촉진제로서는 현상 촉진 효과가 있는 임의의 화합물을 사용할 수 있지만, 카르복실기, 페놀성 수산기, 및 알킬렌옥시기로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 1종의 구조를 갖는 화합물인 것이 바람직하고, 카르복실기 또는 페놀성 수산기를 갖는 화합물이 보다 바람직하고, 페놀성 수산기를 갖는 화합물이 가장 바람직하다. (Component I) Although any compound which has image development promoting effect can be used as a development accelerator, it is preferable that it is a compound which has at least 1 sort (s) of structure chosen from the group which consists of a carboxyl group, a phenolic hydroxyl group, and an alkyleneoxy group, and is a carboxyl group or The compound which has a phenolic hydroxyl group is more preferable, and the compound which has a phenolic hydroxyl group is the most preferable.

또한, (성분 I) 현상 촉진제의 분자량으로서는 100~2,000이 바람직하고, 150~1,500이 더욱 바람직하고, 150~1,000이 가장 바람직하다.Moreover, as a molecular weight of (component I) image development promoter, 100-2,000 are preferable, 150-1,500 are more preferable, 150-1,000 are the most preferable.

현상 촉진제의 예로서 알킬렌옥시기를 갖는 것으로서는 폴리에틸렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜의 모노메틸에테르, 폴리에틸렌글리콜의 디메틸에테르, 폴리에틸렌글리콜글리세릴에스테르, 폴리프로필렌글리콜글리세릴에스테르, 폴리프로필렌글리콜디글리세릴에스테르, 폴리부틸렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜-비스페놀A에테르, 폴리프로필렌글리콜-비스페놀A에테르, 폴리옥시에틸렌의 알킬에테르, 폴리옥시에틸렌의 알킬에스테르, 및 일본 특허 공개 평 9-222724호 공보에 기재된 화합물 등을 들 수 있다. Examples of the development promoter include polyethylene glycol, monomethyl ether of polyethylene glycol, dimethyl ether of polyethylene glycol, polyethylene glycol glyceryl ester, polypropylene glycol glyceryl ester, polypropylene glycol diglyceryl ester and poly Butylene glycol, polyethylene glycol bisphenol A ether, polypropylene glycol bisphenol A ether, alkyl ether of polyoxyethylene, alkyl ester of polyoxyethylene, and the compounds described in JP-A-9-222724 have.

카르복실기를 갖는 것으로서는 일본 특허 공개 2000-66406호 공보, 일본 특허 공개 평 9-6001호 공보, 일본 특허 공개 평 10-20501호 공보, 일본 특허 공개 평 11-338150호 공보 등에 기재된 화합물을 들 수 있다.As a thing which has a carboxyl group, the compound of Unexamined-Japanese-Patent No. 2000-66406, Unexamined-Japanese-Patent No. 9-6001, Unexamined-Japanese-Patent No. 10-20501, Unexamined-Japanese-Patent No. 11-338150, etc. are mentioned. .

페놀성 수산기를 갖는 것으로서는 일본 특허 공개 2005-346024호 공보, 일본 특허 공개 평 10-133366호 공보, 일본 특허 공개 평 9-194415호 공보, 일본 특허 공개 평 9-222724호 공보, 일본 특허 공개 평 11-171810호 공보, 일본 특허 공개 2007-121766호 공보, 일본 특허 공개 평 9-297396호 공보, 일본 특허 공개 2003-43679호 공보 등에 기재된 화합물을 들 수 있다. 이들 중에서도 벤젠환수가 2~10개인 페놀 화합물이 바람직하며, 벤젠환수가 2~5개인 페놀 화합물이 더욱 바람직하다. 특히 바람직한 것으로서는 일본 특허 공개 평 10-133366호 공보에 용해 촉진제로서 개시되어 있는 페놀성 화합물을 들 수 있다.As having a phenolic hydroxyl group, Unexamined-Japanese-Patent No. 2005-346024, Unexamined-Japanese-Patent No. 10-133366, Unexamined-Japanese-Patent No. 9-194415, Unexamined-Japanese-Patent No. 9-222724, Unexamined-Japanese-Patent No. The compound of 11-171810, Unexamined-Japanese-Patent No. 2007-121766, Unexamined-Japanese-Patent No. 9-297396, Unexamined-Japanese-Patent No. 2003-43679, etc. are mentioned. Among these, the phenol compound of 2-10 benzene rings is preferable, and the phenol compound of 2-5 benzene rings is more preferable. As a particularly preferable thing, the phenolic compound disclosed as a dissolution promoter in Unexamined-Japanese-Patent No. 10-133366 is mentioned.

(성분 I) 현상 촉진제는 1종을 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 병용하는 것도 가능하다.(Component I) The image development promoter may be used individually by 1 type, and can also use 2 or more types together.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 (성분 I) 현상 촉진제의 첨가량은 감도와 잔막율의 관점에서 성분 A를 100질량부로 했을 때 0.1~30질량부가 바람직하고, 0.2~20질량부가 보다 바람직하고, 0.5~10질량부인 것이 가장 바람직하다.0.1-30 mass parts is preferable, and, as for the addition amount of the (component I) image development promoter in the photosensitive resin composition of this invention, when component A is 100 mass parts from a viewpoint of a sensitivity and a residual film ratio, 0.2-20 mass parts is more preferable, It is most preferable that it is 0.5-10 mass parts.

(성분 J) 산화 방지제(Component J) Antioxidant

본 발명의 감광성 수지 조성물은 (성분 J) 산화 방지제를 함유해도 좋다. (성분 J) 산화 방지제로서는 공지의 산화 방지제를 함유할 수 있다. (성분 J) 산화 방지제를 첨가함으로써 경화막의 착색을 방지할 수 있거나, 또는 분해에 의한 막두께 감소를 저감할 수 있고, 또한, 내열투명성이 우수하다는 이점이 있다.The photosensitive resin composition of this invention may contain the (component J) antioxidant. (Component J) As antioxidant, a well-known antioxidant can be contained. (Component J) By adding antioxidant, coloring of a cured film can be prevented, the film thickness reduction by decomposition can be reduced, and there exists an advantage that it is excellent in heat transparency.

이러한 산화 방지제로서는 예를 들면, 인계 산화 방지제, 아미드류, 히드라지드류, 힌다드아민계 산화 방지제, 유황계 산화 방지제, 페놀계 산화 방지제, 아스코르브산류, 황산 아연, 당류, 아질산염, 아황산염, 티오황산염, 히드록실아민 유도체 등을 들 수 있다. 이들 중에서는 경화막의 착색, 막두께 감소의 관점에서 특히 페놀계 산화 방지제, 아미드계 산화 방지제, 히드라지드계 산화 방지제, 유황계 산화 방지제가 바람직하다. 이들은 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 혼합해서 사용해도 좋다. Examples of such antioxidants include phosphorus antioxidants, amides, hydrazides, hindered amine antioxidants, sulfur antioxidants, phenolic antioxidants, ascorbic acids, zinc sulfate, sugars, nitrites, sulfites and thiosulfates. And hydroxylamine derivatives. Among these, phenolic antioxidants, amide antioxidants, hydrazide antioxidants, and sulfur antioxidants are particularly preferable from the viewpoint of coloring the cured film and reducing the film thickness. These may be used individually by 1 type and may mix and use 2 or more types.

페놀계 산화 방지제의 시판품으로서는 예를 들면, 아데카스타브 AO-15, 아데카스타브 AO-18, 아데카스타브 AO-20, 아데카스타브 AO-23, 아데카스타브 AO-30, 아데카스타브 AO-37, 아데카스타브 AO-40, 아데카스타브 AO-50, 아데카스타브 AO-51, 아데카스타브 AO-60, 아데카스타브 AO-70, 아데카스타브 AO-80, 아데카스타브 AO-330, 아데카스타브 AO-412S, 아데카스타브 AO-503, 아데카스타브 A-611, 아데카스타브 A-612, 아데카스타브 A-613, 아데카스타브 PEP-4C, 아데카스타브 PEP-8, 아데카스타브 PEP-8W, 아데카스타브 PEP-24G, 아데카스타브 PEP-36, 아데카스타브 PEP-36Z, 아데카스타브 HP-10, 아데카스타브 2112, 아데카스타브 260, 아데카스타브 522A, 아데카스타브 1178, 아데카스타브 1500, 아데카스타브 C, 아데카스타브 135A, 아데카스타브 3010, 아데카스타브 TPP, 아데카스타브 CDA-1, 아데카스타브 CDA-6, 아데카스타브 ZS-27, 아데카스타브 ZS-90, 아데카스타브 ZS-91(이상, (주)ADEKA제), 이르가녹스 245FF, 이르가녹스 1010FF, 이르가녹스 MD1024, 이르가녹스 1035FF, 이르가녹스 1098, 이르가녹스 1330, 이르가녹스 1520L, 이르가녹스 3114, 이르가녹스 1726, 이르가포스 168, 이르가모드 295(BASF(주)제) 등을 들 수 있다. 그 중에서도 아데카스타브 AO-60, 아데카스타브 AO-80, 이르가녹스 1726, 이르가녹스 1035FF, 이르가녹스 1098을 바람직하게 사용할 수 있다.As a commercial item of a phenolic antioxidant, adecastab AO-15, adecastab AO-18, adecastab AO-20, adecastab AO-23, adecastab AO-30, adecastab AO -37, Adecastab AO-40, Adecastab AO-50, Adecastab AO-51, Adecastab AO-60, Adecastab AO-70, Adecastab AO-80, Adecastab AO- 330, AdecastaB AO-412S, Adecastab AO-503, Adecastab A-611, Adecastab A-612, Adecastab A-613, Adecastab PEP-4C, Adecastab PEP-8 , Adecastab PEP-8W, Adecastab PEP-24G, Adecastab PEP-36, Adecastab PEP-36Z, Adecastab HP-10, Adecastab 2112, Adecastab 260, Adecastab 522A , Adecastab 1178, Adecastab 1500, Adecastab C, Adecastab 135A, Adecastab 3010, Adecastab TPP, Adecastab CDA-1, Adecastab CDA-6, Adecastab ZS-27, Adecastab ZS-90, Adecastab ZS-91 (above, made by ADEKA), Irganox 245FF, Irganox 1010FF, Irganox MD1024, Irganox 1035FF, Irganox 1098, Irganox 1330, Irganox 1520L, Irganox 3114, Irganox 1726, Irgaphos 168, Irgamod 295 (made by BASF Corporation), etc. are mentioned. Among them, Adecastab AO-60, Adecastab AO-80, Irganox 1726, Irganox 1035FF, and Irganox 1098 can be preferably used.

(성분 J) 산화 방지제의 함유량은 감광성 수지 조성물의 전체 고형분에 대해서 0.1~6질량%인 것이 바람직하고, 0.2~5질량%인 것이 보다 바람직하고, 0.5~4질량%인 것이 특히 바람직하다. 이 범위로 함으로써 형성된 막의 충분한 투명성이 얻어지고, 또한 패턴 형성시의 감도도 양호해진다.(Component J) It is preferable that content of antioxidant is 0.1-6 mass% with respect to the total solid of the photosensitive resin composition, It is more preferable that it is 0.2-5 mass%, It is especially preferable that it is 0.5-4 mass%. With this range, sufficient transparency of the film formed can be obtained, and sensitivity at the time of pattern formation becomes good.

또한, 산화 방지제 이외의 첨가제로서 "고분자 첨가제의 새전개((주)닛칸 고교 신문사)"에 기재된 각종 자외선 흡수제나, 금속 불활성화제 등을 본 발명의 감광성 수지 조성물에 첨가해도 좋다.Moreover, you may add various ultraviolet absorbers, metal deactivators, etc. which were described in "The development of polymer additive (Nikkan Kogyo Shimbun)" as additives other than antioxidant to the photosensitive resin composition of this invention.

(성분 K) 가소제(Component K) Plasticizer

본 발명의 감광성 수지 조성물은 (성분 K) 가소제를 함유해도 좋다.The photosensitive resin composition of this invention may contain the (component K) plasticizer.

(성분 K) 가소제로서는 예를 들면, 디부틸프탈레이트, 디옥틸프탈레이트, 디도데실프탈레이트, 폴리에틸렌글리콜, 글리세린, 디메틸글리세린프탈레이트, 주석산 디부틸, 아디프산 디옥틸, 트리아세틸글리세린 등을 들 수 있다.(Component K) Examples of the plasticizer include dibutyl phthalate, dioctyl phthalate, didodecyl phthalate, polyethylene glycol, glycerin, dimethyl glycerine phthalate, dibutyl stannate, adipic acid dioctyl, triacetylglycerine, and the like.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 (성분 K) 가소제의 함유량은 성분 A 100질량부에 대해서 0.1~30질량부인 것이 바람직하고, 1~10질량부인 것이 보다 바람직하다.It is preferable that it is 0.1-30 mass parts with respect to 100 mass parts of component A, and, as for content of the (component K) plasticizer in the photosensitive resin composition of this invention, it is more preferable that it is 1-10 mass parts.

(성분 L) 열 라디칼 발생제(Component L) Thermal Radical Generator

본 발명의 감광성 수지 조성물은 (성분 L) 열 라디칼 발생제를 포함하고 있어도 좋고, 상술한 것 중 적어도 1개의 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물과 같은 에틸렌성 불포화 화합물을 함유할 경우 (성분 L) 열 라디칼 발생제를 함유하는 것이 바람직하다.The photosensitive resin composition of this invention may contain the (component L) thermal radical generator, and contains the ethylenically unsaturated compound like the compound which has at least 1 ethylenically unsaturated double bond among the above-mentioned (component L) It is preferred to contain a thermal radical generator.

본 발명에 있어서의 열 라디칼 발생제로서는 공지의 열 라디칼 발생제를 사용할 수 있다.As the thermal radical generator in the present invention, a known thermal radical generator can be used.

열 라디칼 발생제는 열의 에너지에 의해 라디칼을 발생하고, 중합성 화합물의 중합 반응을 개시 또는 촉진시키는 화합물이다. 열 라디칼 발생제를 첨가함으로써 얻어진 경화막이 보다 강인해져 내열성, 내용제성이 향상되는 경우가 있다.The thermal radical generator is a compound that generates radicals by the energy of heat and initiates or promotes the polymerization reaction of the polymerizable compound. The cured film obtained by adding a thermal radical generating agent becomes tough more, and heat resistance and solvent resistance may improve.

바람직한 열 라디칼 발생제로서는 방향족 케톤류, 오늄염 화합물, 유기 과산화물, 티오 화합물, 헥사아릴비이미다졸 화합물, 케토옥심에스테르 화합물, 볼레이트 화합물, 아지늄 화합물, 메탈로센 화합물, 활성 에스테르 화합물, 탄소 할로겐 결합을 갖는 화합물, 아조계 화합물, 비벤질 화합물 등을 들 수 있다.Preferred thermal radical generators include aromatic ketones, onium salt compounds, organic peroxides, thio compounds, hexaarylbiimidazole compounds, ketooxime ester compounds, borate compounds, azinium compounds, metallocene compounds, active ester compounds, carbon halogens The compound which has a bond, an azo compound, a bibenzyl compound, etc. are mentioned.

(성분 L) 열 라디칼 발생제는 1종을 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 병용하는 것도 가능하다.(Component L) A thermal radical generating agent may be used individually by 1 type, and can also use 2 or more types together.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 (성분 L) 열 라디칼 발생제의 함유량은 막물성 향상의 관점에서 성분 A를 100질량부로 했을 때 0.01~50질량부가 바람직하고, 0.1~20질량부가 보다 바람직하고, 0.5~10질량부인 것이 가장 바람직하다.When content of the (component L) thermal radical generating agent in the photosensitive resin composition of this invention makes component A 100 mass parts from a viewpoint of film | membrane physical property improvement, 0.01-50 mass parts is preferable, 0.1-20 mass parts is more preferable And 0.5-10 mass parts is the most preferable.

(성분 M) 열산발생제(Component M) Thermal Acid Generator

본 발명에서는 저온 경화에서의 막물성 등을 개량하기 위해서 (성분 M) 열산발생제를 사용해도 좋다.In this invention, in order to improve the film | membrane property etc. in low temperature hardening, you may use (component M) thermal acid generator.

본 발명의 열산발생제란 열에 의해 산이 발생하는 화합물이며, 통상 열분해점이 130℃~250℃, 바람직하게는 150℃~220℃의 범위의 화합물이며, 예를 들면, 가열에 의해 술폰산, 카르복실산, 디술포닐이미드 등의 저구핵성의 산을 발생하는 화합물이다.The thermal acid generator of the present invention is a compound in which an acid is generated by heat, and is usually a compound having a thermal decomposition point of 130 ° C to 250 ° C, preferably 150 ° C to 220 ° C, and for example, sulfonic acid and carboxylic acid by heating. It is a compound which produces low nucleophilic acid, such as a disulfonylimide.

발생산으로서는 pKa가 2 이하로 강한 술폰산이나 전자구인성기가 치환된 알킬카르복실산 또는 아릴카르복실산, 마찬가지로 전자구인성기가 치환된 디술포닐이미드 등이 바람직하다. 전자구인성기로서는 불소원자 등의 할로겐원자, 트리플루오로메틸기 등의 할로알킬기, 니트로기, 시아노기를 들 수 있다.As the generated acid, sulfonic acid having a strong pKa of 2 or less, alkyl carboxylic acid or aryl carboxylic acid substituted with an electron withdrawing group, and disulfonylimide substituted with an electron withdrawing group are likewise preferred. Examples of the electron withdrawing group include haloalkyl groups such as halogen atoms such as fluorine atoms and trifluoromethyl groups, nitro groups and cyano groups.

또한, 본 발명에 있어서는 노광광의 조사에 의해 실질적으로 산을 발생하지 않고, 열에 의해 산을 발생하는 술폰산 에스테르를 사용하는 것도 바람직하다. 노광광의 조사에 의해 실질적으로 산을 발생하고 있지 않는 것은 화합물의 노광 전후에서의 IR 스펙트럼, NMR 스펙트럼 측정에 의해 스펙트럼에 변화가 없는 것으로 판정할 수 있다.In the present invention, it is also preferable to use a sulfonic acid ester which does not generate an acid substantially by irradiation with exposure light and generates an acid by heat. The fact that an acid does not generate | occur | produce substantially by irradiation of exposure light can be judged that there is no change in a spectrum by IR spectrum and NMR spectrum measurement before and after exposure of a compound.

술폰산 에스테르의 분자량은 바람직하게는 230~1,000, 보다 바람직하게는 230~800이다.The molecular weight of the sulfonic acid ester is preferably 230 to 1,000, more preferably 230 to 800.

본 발명에서 사용 가능한 술폰산 에스테르는 시판의 것을 사용해도 좋고, 공지의 방법으로 합성한 것을 사용해도 좋다. 술폰산 에스테르는 예를 들면, 염기성 조건 하에서 술포닐클로리드 내지는 술폰산 무수물을 대응하는 다가 알콜과 반응시킴으로써 합성할 수 있다.The sulfonic acid ester which can be used by this invention may use a commercially available thing, and may use the thing synthesize | combined by a well-known method. The sulfonic acid esters can be synthesized, for example, by reacting sulfonyl chloride or sulfonic anhydride with the corresponding polyhydric alcohol under basic conditions.

(성분 M) 열산발생제의 감광성 수지 조성물에의 함유량은 성분 A를 100질량부로 했을 때 0.5~20질량부가 바람직하고, 1~15질량부가 특히 바람직하다.(Component M) When content of the thermal acid generator to the photosensitive resin composition makes component A 100 mass parts, 0.5-20 mass parts is preferable, and 1-15 mass parts is especially preferable.

(성분 N) 산증식제(Component N) Acid Extender

본 발명의 감광성 수지 조성물은 감도 향상을 목적으로 (성분 N) 산증식제를 사용할 수 있다.The photosensitive resin composition of this invention can use the (component N) acid increasing agent for the purpose of a sensitivity improvement.

본 발명에 있어서 사용하는 산증식제는 산촉매 반응에 의해 더욱 산을 발생해서 반응계내의 산농도를 상승시킬 수 있는 화합물이며, 산이 존재하지 않는 상태에서는 안정되게 존재하는 화합물이다. 이러한 화합물은 1회의 반응으로 1개 이상의 산이 증가하므로 반응의 진행에 따라 가속적으로 반응이 진행되지만, 발생한 산 자체가 자기 분석을 유기하므로 여기에서 발생하는 산의 강도는 산해리 정수(pKa)로서 3 이하인 것이 바람직하고, 2 이하인 것이 특히 바람직하다.The acid increasing agent used in the present invention is a compound capable of further generating an acid by an acid catalyst reaction to increase the acid concentration in the reaction system, and is a compound which is stably present in a state where no acid is present. Since one or more acids are increased in one reaction, the compound accelerates as the reaction proceeds. However, since the generated acid itself is self-analyzed, the intensity of the acid generated therein is acid dissociation constant (pKa). It is preferable that it is the following, and it is especially preferable that it is 2 or less.

산증식제의 구체예로서는 일본 특허 공개 평 10-1508호 공보의 단락 0203~0223, 일본 특허 공개 평 10-282642호 공보의 단락 0016~0055, 및 및 일본 특허 공표 평 9-512498호 공보 제39페이지 12줄째~제47페이지 2줄째에 기재된 화합물을 들 수 있다.As a specific example of an acid multiplying agent, Paragraph 0203-0223 of Unexamined-Japanese-Patent No. 10-1508, Paragraph 0016-0055 of Unexamined-Japanese-Patent No. 10-282642, and Japanese Unexamined-Japanese-Patent No. 9-512498 page 39 The compound of 12th line-2nd line of a 47th page is mentioned.

본 발명에서 사용할 수 있는 산증식제로서는 산발생제로부터 발생한 산에 의해 분해되어 디클로로아세트산, 트리클로로아세트산, 메탄술폰산, 벤젠술폰산, 트리플루오로메탄술폰산, 페닐포스폰산 등의 pKa가 3 이하인 산을 발생시키는 화합물을 들 수 있다.As an acid increasing agent which can be used in the present invention, an acid having a pKa of 3 or less, such as dichloroacetic acid, trichloroacetic acid, methanesulfonic acid, benzenesulfonic acid, trifluoromethanesulfonic acid, and phenylphosphonic acid, is decomposed by an acid generated from an acid generator. The compound to generate | occur | produce is mentioned.

산증식제의 감광성 수지 조성물에의 함유량은 (성분 B) 광산발생제 100질량부에 대해서 10~1,000질량부로 하는 것이 노광부와 미노광부의 용해 콘트라스트의 관점에서 바람직하고, 20~500질량부로 하는 것이 더욱 바람직하다.It is preferable to set content of the acid increasing agent to the photosensitive resin composition as 10-1,000 mass parts with respect to 100 mass parts of (component B) photoacid generators from a viewpoint of the dissolution contrast of an exposure part and an unexposed part, and to set it as 20-500 mass parts. More preferred.

<감광성 수지 조성물의 조제 방법><Preparation method of the photosensitive resin composition>

성분 A~성분 C, 및 (성분 D) 용제의 필수성분을 소정의 비율로 또한 임의의 방법으로 혼합하고, 교반 용해해서 감광성 수지 조성물을 조제한다. 예를 들면, 성분 A, 성분 B 또는 성분 C를 각각 미리 (성분 D) 용제에 용해시킨 용액으로 한 후 이들을 소정의 비율로 혼합해서 감광성 수지 조성물을 조제할 수도 있다. 이렇게 조제한 감광성 수지 조성물은 구멍직경 0.1㎛ 정도의 필터 등을 사용해서 여과한 후에 사용에 제공할 수도 있다.The essential components of the component A-the component C and the (component D) solvent are mixed by a predetermined ratio, also by arbitrary methods, are stirred and dissolved, and the photosensitive resin composition is prepared. For example, after making the component A, the component B, or the component C into the solution which melt | dissolved in the (component D) solvent previously, respectively, these can be mixed in a predetermined ratio, and the photosensitive resin composition can also be prepared. The photosensitive resin composition thus prepared may be used for use after being filtered using a filter having a pore diameter of about 0.1 μm or the like.

(경화막의 형성 방법)(Formation method of hardened film)

이어서 본 발명의 경화막의 형성 방법을 설명한다.Next, the formation method of the cured film of this invention is demonstrated.

본 발명의 경화막의 형성 방법은 본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물을 사용하는 것 이외에 특별히 제한은 없지만, 이하의 (1)~(5)의 공정을 포함하는 것이 바람직하다.Although the formation method of the cured film of this invention does not have a restriction | limiting in particular except using the positive photosensitive resin composition of this invention, It is preferable to include the process of the following (1)-(5).

(1)본 발명의 감광성 수지 조성물을 기판 상에 적용하는 공정;(1) Process of applying photosensitive resin composition of this invention on board | substrate;

(2)적용된 감광성 수지 조성물로부터 용제를 제거하는 공정;(2) Process of removing solvent from applied photosensitive resin composition;

(3)용제가 제거된 감광성 수지 조성물을 활성 광선에 의해 노광하는 공정;(3) Process of exposing photosensitive resin composition from which solvent was removed by actinic light;

(4)노광된 감광성 수지 조성물을 수성 현상액에 의해 현상하는 공정;(4) developing the exposed photosensitive resin composition with an aqueous developer;

(5)현상된 열경화하는 포스트 베이킹 공정.(5) Post-baking process to develop developed thermoset.

이하에 각 공정을 순서대로 설명한다.Each step will be described below in order.

이어서, 본 발명의 감광성 수지 조성물을 사용한 경화막의 형성 방법을 구체적으로 설명한다.Next, the formation method of the cured film using the photosensitive resin composition of this invention is demonstrated concretely.

<적용 공정 및 용제 제거 공정><Application process and solvent removal process>

(1)의 적용 공정에서는 본 발명의 감광성 수지 조성물을 기판 상에 적용(바람직하게는 도포)해서 용제를 포함하는 습윤막으로 하는 것이 바람직하다. 감광성 수지 조성물을 기판에 도포하기 전에 알칼리 세정이나 플라즈마 세정이라는 기판의 세정을 행하는 것이 바람직하고, 또한 기판 세정 후에 헥사메틸디실라잔으로 기판 표면을 처리하는 것이 보다 바람직하다. 이 처리를 행함으로써 감광성 수지 조성물의 기판에의 밀착성이 향상되는 경향이 있다. 헥사메틸디실라잔으로 기판 표면을 처리하는 방법으로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 헥사메틸디실라잔 증기에 중에 기판을 노출시켜 두는 방법 등을 들 수 있다.In the application process of (1), it is preferable to apply the photosensitive resin composition of this invention on a board | substrate (preferably apply | coating), and to set it as the wet film containing a solvent. It is preferable to wash | clean the board | substrate, such as alkali washing and plasma washing, before applying a photosensitive resin composition to a board | substrate, and it is more preferable to process a board | substrate surface with hexamethyldisilazane after a board | substrate washing. There exists a tendency for the adhesiveness to the board | substrate of the photosensitive resin composition to improve by performing this process. Although it does not specifically limit as a method of processing a board | substrate surface with hexamethyldisilazane, For example, the method of exposing a board | substrate to hexamethyldisilazane steam, etc. are mentioned.

상기 기판으로서는 무기 기판, 수지, 수지 복합 재료 등을 들 수 있다.As said board | substrate, an inorganic board | substrate, resin, resin composite material, etc. are mentioned.

무기 기판으로서는 예를 들면 유리, 석영, 실리콘, 실리콘나이트라이드, 및 이들과 같은 기판 상에 몰리브덴, 티타늄, 알루미늄, 구리 등을 증착한 복합 기판을 들 수 있다.As an inorganic substrate, the composite board | substrate which deposited molybdenum, titanium, aluminum, copper, etc. on glass, quartz, silicon, silicon nitride, and these substrates is mentioned, for example.

수지로서는 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리부틸렌나프탈레이트, 폴리스티렌, 폴리카보네이트, 폴리술폰, 폴리에테르술폰, 폴리아릴레이트, 알릴디글리콜카보네이트, 폴리아미드, 폴리이미드, 폴리아미드이미드, 폴리에테르이미드, 폴리벤즈아졸, 폴리페닐렌설파이드, 폴리시클로올레핀, 노르보르넨 수지, 폴리클로로트리플루오로에틸렌 등의 불소 수지, 액정 폴리머, 아크릴 수지, 에폭시 수지, 실리콘 수지, 아이오노머 수지, 시아네이트 수지, 가교 푸말산 디에스테르 수지, 환상 폴리올레핀, 폴리 방향족 에테르, 말레이미드-올레핀 공중합체, 셀룰로오스, 에피술피드 수지 등의 합성 수지로 이루어지는 기판을 들 수 있다.As the resin, polybutylene terephthalate, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polybutylene naphthalate, polystyrene, polycarbonate, polysulfone, polyethersulfone, polyarylate, allyl diglycol carbonate, polyamide, polyimide, polyamide Mid, polyetherimide, polybenzazole, polyphenylene sulfide, polycycloolefin, fluorine resin such as norbornene resin, polychlorotrifluoroethylene, liquid crystal polymer, acrylic resin, epoxy resin, silicone resin, ionomer resin And a substrate made of synthetic resin such as cyanate resin, crosslinked fumaric acid diester resin, cyclic polyolefin, polyaromatic ether, maleimide-olefin copolymer, cellulose and episulfide resin.

이들 기판은 상기 형태 대로 사용되는 경우는 적고, 통상 최종 제품의 형태에 의해, 예를 들면 TFT 소자와 같은 다층 적층 구조가 형성되어 있다.These board | substrates are rarely used as the said form, and the multilayer laminated structure like a TFT element is normally formed by the form of a final product, for example.

기판에의 적용 방법은 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 슬릿 코팅법, 스프레이법, 롤 코팅법, 회전 도포법, 유연 도포법, 슬릿앤드스핀법 등의 방법을 사용할 수 있다. 또한, 일본 특허 공개 2009-145395호 공보에 기재되어 있는 소위 프리웨트법을 적용하는 것도 가능하다.The application method to a board | substrate is not specifically limited, For example, methods, such as the slit coating method, the spray method, the roll coating method, the rotation coating method, the cast application method, the slit and spin method, can be used. Moreover, it is also possible to apply what is called a prewet method described in Unexamined-Japanese-Patent No. 2009-145395.

적용했을 때의 웨트 막두께는 특별히 한정되는 것은 아니고, 용도에 따른 막두께로 도포할 수 있지만, 바람직하게는 0.5~10㎛의 범위로 사용된다.The wet film thickness at the time of application is not specifically limited, Although it can apply | coat with the film thickness according to a use, Preferably it is used in the range of 0.5-10 micrometers.

또한, (2)의 용제 제거 공정의 가열 조건은 미노광부에 있어서의 성분 A를 알칼리 현상액에 가용성으로 하지 않는 범위이며, 각 성분의 종류나 배합비에 의해서도 다르지만, 70~120℃에서 30~300초간 정도인 것이 바람직하다.In addition, the heating conditions of the solvent removal process of (2) are the range which does not make component A in an unexposed part soluble in an alkaline developing solution, and although it changes also with the kind and compounding ratio of each component, it is for 30 to 300 second at 70-120 degreeC. It is preferable that it is about degree.

<노광 공정>Exposure process

(3)의 노광 공정에서는 도막을 설치한 기판에 소정의 패턴을 갖는 마스크를 통해 활성 광선을 조사한다. 이 공정에서는 광산발생제가 분해되어 산이 발생한다. 발생된 산의 촉매작용에 의해, 예를 들면, 도막 성분 중에 포함되는 산분해성기가 가수분해되어서 카르복실기 또는 페놀성 수산기가 생성된다.In the exposure process of (3), actinic light is irradiated to the board | substrate with a coating film through the mask which has a predetermined pattern. In this process, the acid generator is decomposed to generate acid. By the catalysis of the generated acid, for example, an acid-decomposable group contained in the coating film component is hydrolyzed to generate a carboxyl group or a phenolic hydroxyl group.

활성 광선에 의한 노광 광원으로서는 저압 수은등, 고압 수은등, 초고압 수은등, 케미칼 램프, LED 광원, 엑시머 레이저 발생 장치 등을 사용할 수 있고, g선(436nm), i선(365nm), h선(405nm) 등의 파장 300nm 이상 450nm 이하의 파장을 갖는 활성 광선을 바람직하게 사용할 수 있다. 또한, 필요에 따라 장파장 컷필터, 단파장 컷필터, 밴드패스 필터와 같은 분광 필터를 통해서 조사광을 조정할 수도 있다.As an exposure light source by active light, a low pressure mercury lamp, a high pressure mercury lamp, an ultra high pressure mercury lamp, a chemical lamp, an LED light source, an excimer laser generator, etc. can be used, and g line | wire (436 nm), i line | wire (365 nm), h line | wire (405 nm), etc. can be used. The actinic light which has a wavelength of 300 nm or more and 450 nm or less can be used preferably. Moreover, irradiation light can also be adjusted through spectroscopic filters, such as a long wavelength cut filter, a short wavelength cut filter, and a bandpass filter, as needed.

노광 장치로서는 미러 프로젝션 얼라이너, 스텝퍼, 스캐너, 프록시미티, 콘택트, 마이크로 렌즈 어레이, 레이저 노광 등 각종 방식의 노광기를 사용할 수 있다.As exposure apparatus, the exposure machine of various systems, such as a mirror projection aligner, a stepper, a scanner, a proximity, a contact, a micro lens array, and laser exposure, can be used.

산촉매가 생성된 영역에 있어서 상기 가수분해반응을 가속시키기 위해서 노광 후 가열 처리:Post Exposure Bake(이하, 「PEB」이라고도 한다)를 행할 수 있다. PEB에 의해, 예를 들면, 성분 A가 갖고 있어도 좋은 산분해성기로부터의 카르복실기 또는 페놀성 수산기의 생성을 촉진시킬 수 있다. PEB를 행할 경우의 온도는 30℃ 이상 130℃ 이하인 것이 바람직하고, 40℃ 이상 110℃ 이하가 보다 바람직하고, 50℃ 이상 100℃ 이하가 특히 바람직하다.Post-exposure heat treatment: (hereinafter also referred to as "PEB") may be performed in order to accelerate the hydrolysis reaction in the region where the acid catalyst is generated. PEB can promote formation of a carboxyl group or phenolic hydroxyl group from the acid-decomposable group which component A may have, for example. It is preferable that the temperature at the time of PEB is 30 degreeC or more and 130 degrees C or less, 40 degreeC or more and 110 degrees C or less are more preferable, 50 degreeC or more and 100 degrees C or less are especially preferable.

성분 A가 갖고 있어도 좋은 산분해성기는 산분해의 활성화 에너지가 낮고, 노광에 의한 산발생제 유래의 산에 의해 용이하게 분해되어 바람직하게는 카르복실기 또는 페놀성 수산기를 발생하기 때문에 반드시 PEB를 행하지 않고 현상에 의해 포지티브 화상을 형성할 수도 있다.The acid-decomposable group which component A may have has a low activation energy for acid decomposition and is easily decomposed by an acid derived from an acid generator upon exposure, and preferably generates a carboxyl group or a phenolic hydroxyl group. It is also possible to form a positive image.

<현상 공정>Development Process

(4)의 현상 공정에서는 예를 들면, 유리된 카르복실기 또는 페놀성 수산기를 갖는 공중합체를 알카리성 현상액을 사용해서 현상한다. 알카리성 현상액에 용해되기 쉬운 바람직하게는 카르복실기 또는 페놀성 수산기를 갖는 수지 조성물을 포함하는 노광부 영역을 제거함으로써 포지티브 화상이 형성된다.In the development process of (4), the copolymer which has a free carboxyl group or phenolic hydroxyl group is developed using an alkaline developing solution, for example. A positive image is formed by removing the exposure part area | region containing the resin composition which preferably has a carboxyl group or phenolic hydroxyl group which is easy to melt | dissolve in an alkaline developing solution.

현상 공정에서 사용하는 현상액에는 염기성 화합물이 포함되는 것이 바람직하다. 염기성 화합물로서는 예를 들면, 수산화 리튬, 수산화 나트륨, 수산화 칼륨 등의 알칼리 금속 수산화물류; 탄산 나트륨, 탄산 칼륨 등의 알칼리 금속 탄산염류; 중탄산 나트륨, 중탄산 칼륨 등의 알칼리 금속 중탄산염류; 테트라메틸암모늄히드록시드, 테트라에틸암모늄히드록시드, 콜린히드록시드 등의 암모늄히드록시드류; 규산 나트륨, 메타규산 나트륨 등의 수용액을 사용할 수 있다. 또한, 상기 알칼리류의 수용액에 메탄올이나 에탄올 등의 수용성 유기 용제나 계면활성제를 적당량 첨가한 수용액을 현상액으로서 사용할 수도 있다.It is preferable that a basic compound is contained in the developing solution used at the image development process. As a basic compound, For example, alkali metal hydroxides, such as lithium hydroxide, sodium hydroxide, potassium hydroxide; Alkali metal carbonates such as sodium carbonate and potassium carbonate; Alkali metal bicarbonates such as sodium bicarbonate and potassium bicarbonate; Ammonium hydroxides such as tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, and choline hydroxide; An aqueous solution of sodium silicate, sodium metasilicate or the like can be used. Moreover, the aqueous solution which added an appropriate amount of water-soluble organic solvents, such as methanol and ethanol, and surfactant to the aqueous solution of the said alkalis can also be used as a developing solution.

바람직한 현상액으로서 테트라에틸암모늄히드록시드의 0.4질량% 수용액, 0.5질량% 수용액, 0.7질량% 수용액, 2.38질량% 수용액을 들 수 있다.As a preferable developing solution, the 0.4 mass% aqueous solution, the 0.5 mass% aqueous solution, the 0.7 mass% aqueous solution, and the 2.38 mass% aqueous solution of tetraethylammonium hydroxide are mentioned.

현상액의 pH는 바람직하게는 10.0~14.0이다.The pH of the developing solution is preferably 10.0 to 14.0.

현상 시간은 바람직하게는 30~500초간이며, 또한 현상의 방법은 퍼들법, 딥법 중 어느 것이어도 좋다. 현상 후에는 유수세정을 바람직하게는 30~300초간 행하여 소망의 패턴을 형성시킬 수 있다.The developing time is preferably 30 to 500 seconds, and the developing method may be either a puddle method or a dip method. After development, flowing water washing is preferably performed for 30 to 300 seconds to form a desired pattern.

현상 후에 린스 공정을 행할 수도 있다. 린스 공정에서는 현상 후의 기판을 순수 등으로 세정함으로써 부착되어 있는 현상액 제거, 현상 잔사 제거를 행한다. 린스 방법은 공지의 방법을 사용할 수 있다. 예를 들면 샤워 린스나 딥 린스 등을 들 수 있다.A rinse process may be performed after image development. In the rinsing step, the developer is removed and the developer residue is removed by washing the substrate after development with pure water or the like. The rinse method can use a well-known method. For example, shower rinse, deep rinse, etc. are mentioned.

<포스트 베이킹 공정(가교 공정)><Post Baking Process (Crosslinking Process)>

(5)의 포스트 베이킹 공정에서는 얻어진 포지티브 화상을 가열함으로써, 예를 들면, 성분 A가 갖고 있어도 좋은 산분해성기를 열분해해서 카르복실기 또는 페놀성 수산기를 생성시키고, 가교성기, 가교제 등과 가교시킴으로써 경화막을 형성할 수 있다. 이 가열은 핫플레이트나 오븐 등의 가열 장치를 사용하고, 소정의 온도, 예를 들면 180~250℃에서 소정의 시간, 예를 들면 핫플레이트 상이라면 5~90분간, 오븐이면 30~120분간 가열 처리를 하는 것이 바람직하다. 이렇게 가교 반응을 진행시킴으로써 내열성, 경도 등이 보다 우수한 보호막이나 층간 절연막을 형성할 수 있다. 또한, 가열 처리를 행할 때는 질소 분위기 하에서 행함으로써 투명성을 보다 향상시킬 수도 있다.In the post-baking process of (5), by heating the obtained positive image, for example, the acid-decomposable group which component A may have may be thermally decomposed to generate a carboxyl group or a phenolic hydroxyl group, and crosslinked with a crosslinkable group, a crosslinking agent or the like to form a cured film. Can be. This heating is performed using a heating device such as a hot plate or an oven, heating at a predetermined temperature, for example, 180 to 250 ° C. for a predetermined time, for example, 5 to 90 minutes for a hot plate and 30 to 120 minutes for an oven. It is preferable to perform the treatment. By advancing a crosslinking reaction in this way, a protective film and an interlayer insulation film excellent in heat resistance, hardness, etc. can be formed. In addition, when performing heat processing, transparency can also be improved by performing in nitrogen atmosphere.

포스트 베이킹 전에 비교적 저온에서 베이킹을 행한 후에 포스트 베이킹할 수도 있다(미들 베이킹 공정의 추가). 미들 베이킹를 행하는 경우는 90~150℃에서 1~60분 가열한 후에 200℃ 이상의 고온에서 포스트 베이킹하는 것이 바람직하다. 또한, 미들 베이킹, 포스트 베이킹을 3단계 이상의 다단층으로 나누어서 가열할 수도 있다. 이러한 미들 베이킹, 포스트 베이킹의 연구에 의해 패턴의 테이퍼각을 조정할 수 있다. 이들 가열은 핫플레이트, 오븐, 적외선 히터 등 공지의 가열 방법을 사용할 수 있다. Post-baking may be performed after baking at a relatively low temperature before post-baking (addition of middle baking process). When middle baking is performed, it is preferable to post-bak at high temperature 200 degreeC or more after heating at 90-150 degreeC for 1 to 60 minutes. In addition, middle baking and post-baking can also be divided | segmented into three or more stages of a multilayer, and it can heat. The taper angle of a pattern can be adjusted by the study of such a middle baking and post-baking. These heatings can use well-known heating methods, such as a hotplate, oven, and an infrared heater.

또한, 선택하는 각 재료의 특성에 의해 가교도가 부족하다고 예상되는 경우는 포스트 베이킹에 앞서 패턴을 형성한 기판에 활성 광선에 의해 전체면 재노광(포스트 노광)한 후 포스트 베이킹함으로써 미노광 부분에 존재하는 광산발생제로부터 산을 발생시켜 가교 공정을 촉진하는 촉매로서 기능시킬 수 있고, 막의 경화 반응을 촉진시킬 수 있다. 포스트 노광 공정을 포함하는 경우의 바람직한 노광량으로서는 100~3,000mJ/㎠가 바람직하고, 100~500mJ/㎠가 특히 바람직하다.If the degree of crosslinking is expected to be insufficient due to the characteristics of each material to be selected, it is present in the unexposed part by post-baking the whole surface by post acting on the substrate on which the pattern is formed before post-baking (post exposure). The acid can be generated from the photoacid generator to function as a catalyst for promoting the crosslinking process, and the curing reaction of the film can be promoted. As a preferable exposure amount in the case of including a post exposure process, 100-3,000mJ / cm <2> is preferable and 100-500mJ / cm <2> is especially preferable.

한편, 상기 이외의 경우에 있어서는 재노광 공정을 행하지 않는 것도 가능하다. 생산성을 향상시킴과 아울러 고온·고습 상태에서의 안정성을 높일 수 있다.On the other hand, it is also possible not to perform a re-exposure process in the case of that excepting the above. In addition to improving productivity, stability in high temperature and high humidity conditions can be enhanced.

또한, 본 발명의 감광성 수지 조성물로부터 얻어진 경화막은 드라이 에칭 레지스트로서 사용할 수도 있다. 포스트 베이킹 공정에 의해 열경화해서 얻어진 경화막을 드라이 에칭 레지스트로서 사용할 경우 에칭 처리로서는 애싱, 플라즈마 에칭, 오존 에칭 등의 드라이 에칭 처리를 행할 수 있다.Moreover, the cured film obtained from the photosensitive resin composition of this invention can also be used as a dry etching resist. When using the cured film obtained by thermosetting by the post-baking process as a dry etching resist, dry etching processes, such as ashing, plasma etching, and ozone etching, can be performed as an etching process.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 의해 절연성이 우수하고, 고온에서 베이킹된 경우에 있어서도 높은 투명성을 갖는 경화막이 얻어지고, 층간 절연막으로서 유용하다. 본 발명의 감광성 수지 조성물을 사용해서 이루어지는 층간 절연막은 높은 투명성을 갖고, 경화막물성이 우수하므로 유기 EL 표시 장치나 액정 표시 장치의 용도에 유용하다.By the photosensitive resin composition of this invention, the cured film which is excellent in insulation and has high transparency even when baked at high temperature is obtained, and is useful as an interlayer insulation film. Since the interlayer insulation film formed using the photosensitive resin composition of this invention has high transparency and excellent cured film physical property, it is useful for the use of an organic electroluminescence display or a liquid crystal display device.

본 발명의 유기 EL 표시 장치나 액정 표시 장치로서는 상기 본 발명의 감광성 수지 조성물을 사용해서 형성되는 경화막을 평탄화막이나 층간 절연막으로서 사용하는 것 이외는 특별히 제한되지 않고, 여러가지 구조를 취하는 공지의 각종 유기 EL 표시 장치나 액정 표시 장치를 들 수 있다.The organic EL display device or liquid crystal display device of the present invention is not particularly limited except for using a cured film formed by using the photosensitive resin composition of the present invention as a planarization film or an interlayer insulating film, and various known organic compounds having various structures. An EL display device and a liquid crystal display device are mentioned.

예를 들면, 본 발명의 유기 EL 표시 장치 및 액정 표시 장치가 구비하는 TFT(Thin-Film Transistor)의 구체예로서는 어모퍼스 실리콘-TFT, 저온 폴리실리콘-TFT, 산화물 반도체 TFT 등을 들 수 있다. 본 발명의 경화막은 전기 특성이 우수하므로 이들 TFT에 조합해서 바람직하게 사용할 수 있다.For example, amorphous silicon TFT, low temperature polysilicon TFT, oxide semiconductor TFT etc. are mentioned as a specific example of TFT (Thin-Film Transistor) with which the organic electroluminescence display and liquid crystal display of this invention are equipped. Since the cured film of this invention is excellent in an electrical property, it can be used conveniently in combination with these TFT.

또한, 본 발명의 액정 표시 장치가 취할 수 있는 액정 표시 장치의 방식으로서는 TN(Twisted Nematdic) 방식, VA(Virtical Alignment) 방식, IPS(In-Place-Switching) 방식, FFS(Frings Field Switching) 방식, OCB(Optical Compensated Bend) 방식 등을 들 수 있다.The liquid crystal display device of the present invention may be a twisted nematdic (TN) method, a vertical alignment (VA) method, an in-place-switching (IPS) method, a frings field switching (FFS) method, OCB (Optical Compensated Bend) method and the like.

또한, 본 발명의 액정 표시 장치가 취할 수 있는 액정 배향막의 구체적인 배향 방식으로서는 러빙 배향법, 광 배향법 등을 들 수 있다. 또한, 일본 특허 공개 2003-149647호 공보나 일본 특허 공개 2011-257734호 공보에 기재된 PSA(Polymer Sustained Alignment) 기술에 의해 폴리머 배향 지지되어 있어도 좋다.Moreover, the rubbing orientation method, the photo-alignment method, etc. are mentioned as a specific orientation system of the liquid crystal aligning film which the liquid crystal display device of this invention can take. Furthermore, the polymer orientation may be supported by the PSA (Polymer Sustained Alignment) technique described in JP-A-2003-149647 or JP-A-2011-257734.

도 1은 본 발명의 감광성 수지 조성물을 사용한 경화막을 절연막, 평탄화막으로서 적용한 유기 EL 표시 장치의 일례의 구성을 나타내는 모식적 단면도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is typical sectional drawing which shows the structure of an example of the organic electroluminescent display which applied the cured film using the photosensitive resin composition of this invention as an insulating film and a planarization film.

도 1에 나타내는 유기 EL 표시 장치는 보텀 이미션형의 유기 EL 표시 장치이다. The organic EL display device shown in FIG. 1 is a bottom emission type organic EL display device.

도 1 중, 유리 기판(6) 상에는 보텀 게이트형의 TFT(1)가 형성되고, 이 TFT(1)를 덮는 상태로 Si3N4로 이루어지는 절연막(3)이 형성되어 있다. 절연막(3)에 여기에서는 도시를 생략한 콘택트홀을 형성한 후, 이 콘택트홀을 통해 TFT(1)에 접속되는 배선(2)(높이 1.0㎛)이 절연막(3) 상에 형성되어 있다. 배선(2)은 TFT(1) 사이 또는 후공정에서 형성되는 유기 EL 소자와 TFT(1)를 접속하기 위한 것이다.Of Figure 1, the insulating film 3 is TFT (1) of the bottom gate type formed on the glass substrate 6 is formed, made of a state covering the TFT (1) to the Si 3 N 4 is formed. After the contact holes (not shown here) are formed in the insulating film 3, a wiring 2 (1.0 μm in height) connected to the TFT 1 through the contact holes is formed on the insulating film 3. The wiring 2 is for connecting the TFT 1 with the organic EL element formed between the TFTs 1 or in a later step.

또한, 배선(2)의 형성에 의한 요철을 평탄화하기 위해서 배선(2)에 의한 요철을 메워넣는 상태로 절연막(3) 상에 평탄화막(4)이 형성되어 있다.In addition, in order to planarize the unevenness caused by the formation of the wiring 2, the flattening film 4 is formed on the insulating film 3 in a state of filling the unevenness by the wiring 2.

평탄화막(4) 상에는 보텀 이미션형의 유기 EL 소자가 형성되어 있다. 즉, 평탄화막(4) 상에 ITO로 이루어지는 제 1 전극(5)이 콘택트홀(7)을 통해 배선(2)에 접속시켜서 형성되어 있다. 제 1 전극(5)은 유기 EL 소자의 양극에 상당하다.On the planarization film 4, the bottom emission type organic electroluminescent element is formed. That is, on the planarization film 4, the 1st electrode 5 which consists of ITO is connected to the wiring 2 through the contact hole 7, and is formed. The 1st electrode 5 is corresponded to the anode of organic electroluminescent element.

제 1 전극(5)의 둘레가장자리를 덮는 형상의 절연막(8)이 형성되어 있고, 이 절연막(8)을 형성함으로써 제 1 전극(5)과 이 후의 공정에서 형성하는 제 2 전극 사이의 쇼트를 방지할 수 있다.The insulating film 8 of the shape which covers the periphery of the 1st electrode 5 is formed, and by forming this insulating film 8, the short between the 1st electrode 5 and the 2nd electrode formed in a subsequent process is formed. You can prevent it.

또한, 도 1에는 도시되어 있지 않지만, 소망의 패턴 마스크를 통해 정공 수송층, 유기 발광층, 전자 수송층을 순차 증착해서 설치하고, 이어서, 기판 상방의 전체면에 Al로 이루어지는 제 2 전극을 형성하고, 밀봉용 유리판과 자외선 경화형 에폭시 수지를 사용해서 접합함으로써 밀봉하고, 각 유기 EL 소자에 이것을 구동하기 위한 TFT(1)가 접속되어 이루어지는 액티브 매트릭스형 유기 EL 표시 장치가 얻어진다.Although not shown in FIG. 1, a hole transporting layer, an organic light emitting layer, and an electron transporting layer are sequentially deposited and provided through a desired pattern mask, and then a second electrode made of Al is formed on the entire surface above the substrate and sealed. It is sealed by bonding using a glass plate for glass and an ultraviolet curable epoxy resin, and an active matrix organic EL display device in which a TFT 1 for driving this is connected to each organic EL element is obtained.

도 2는 본 발명의 감광성 수지 조성물을 사용한 경화막을 적용한 액정 표시 장치의 일례를 나타내는 모식적 단면도이다.It is typical sectional drawing which shows an example of the liquid crystal display device which applied the cured film using the photosensitive resin composition of this invention.

도 2에 나타내는 액정 표시 장치는 액티브 매트릭스 방식의 액정 표시 장치이다.The liquid crystal display device shown in FIG. 2 is an active matrix liquid crystal display device.

도 2 중 액정 표시 장치(10)는 배면에 백라이트 유닛(12)을 갖는 액정 패널로서, 상기 액정 패널은 편광 필름이 접착된 2매의 유리 기판(14,15) 사이에 배치된 모든 화소에 대응하는 TFT(16)의 소자가 배치되어 있다. 유리 기판 상에 형성된 각 소자에는 경화막(17) 중에 형성된 콘택트홀(18)을 통해 화소전극을 형성하는 ITO 투명전극(19)이 배선되어 있다. ITO 투명전극(19) 상에는 액정(20)의 층과 블랙 매트릭스를 배치한 RGB 컬러필터(22)가 형성되어 있다.In FIG. 2, the liquid crystal display device 10 is a liquid crystal panel having a backlight unit 12 on the back side, which corresponds to all pixels disposed between two glass substrates 14 and 15 to which a polarizing film is bonded. The elements of the TFT 16 are arranged. In each element formed on the glass substrate, an ITO transparent electrode 19 for forming a pixel electrode through a contact hole 18 formed in the cured film 17 is wired. On the ITO transparent electrode 19, the RGB color filter 22 which has arrange | positioned the layer of the liquid crystal 20 and a black matrix is formed.

(실시예)(Example)

이하에 실시예를 들어서 본 발명을 더욱 구체적으로 설명한다. 이하의 실시예에 나타내는 재료, 사용량, 비율, 처리 내용, 처리 순서 등은 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 한 적당히 변경할 수 있다. 따라서, 본 발명의 범위는 이하에 나타내는 구체예에 한정되는 것은 아니다. 또한, 특별히 언급이 없는 한 「부」, 「%」는 질량기준이다.An Example is given to the following and this invention is demonstrated to it further more concretely. The materials, the amounts used, the ratios, the treatment contents, the treatment sequences, and the like shown in the following examples can be appropriately changed without departing from the spirit of the present invention. Therefore, the scope of the present invention is not limited to the specific example shown below. In addition, "part" and "%" are mass references | standards unless there is particular notice.

이하의 합성예에 있어서 이하의 부호는 각각 이하의 화합물을 나타낸다.In the following synthesis examples, the following codes | symbols represent the following compounds, respectively.

V-65:2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴)(와코 쥰야쿠 고교(주)제)V-65: 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) (made by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.)

V-601:디메틸-2,2'-아조비스(2-메틸프로피오네이트)(와코 쥰야쿠 고교(주)제)V-601: dimethyl-2,2'-azobis (2-methylpropionate) (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.)

MAEVE:메타크릴산 1-에톡시에틸(합성품)MAEVE: Methacrylic acid 1-ethoxyethyl (synthetic product)

MATHF:메타크릴산 테트라히드로푸란-2-일(합성품)MATHF: methacrylate tetrahydrofuran-2-yl (synthetic product)

MATHP:메타크릴산 테트라히드로-2H-피란-2-일(신나카무라 카가쿠 고교(주)제)MATHP: methacrylate tetrahydro-2H-pyran-2-yl (manufactured by Shinnakamura Kagaku Kogyo Co., Ltd.)

CHOEMA:메타크릴산 1-(시클로헥실옥시)에틸(합성품)CHOEMA: Methacrylic acid 1- (cyclohexyloxy) ethyl (synthetic product)

StOEVE:4-(1-에톡시에틸옥시)스티렌(합성품)StOEVE: 4- (1-ethoxyethyloxy) styrene (synthetic product)

NBMA:n-부톡시메틸아크릴아미드(미츠비시 레이온(주)제)NBMA: n-butoxymethyl acrylamide (made by Mitsubishi Rayon Co., Ltd.)

GMA:글리시딜메타크릴레이트(와코 쥰야쿠 고교(주)제)GMA: glycidyl methacrylate (made by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.)

OXE-30:메타크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸(오사카유기 카가쿠 고교(주)제)Oxe-30: methacrylic acid (3-ethyloxetan-3-yl) methyl (manufactured by Osaka Organic Kagaku Kogyo KK)

HEMA:메타크릴산 2-히드록시에틸(와코 쥰야쿠 고교(주)제)HEMA: 2-hydroxyethyl methacrylate (made by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.)

St:스티렌(와코 쥰야쿠 고교(주)제)St: Styrene (made by Wako Pure Yakugo High School)

MMA:메타크릴산 메틸(와코 쥰야쿠 고교(주)제)MMA: Methyl methacrylate (made by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.)

BzMA:메타크릴산 벤질(와코 쥰야쿠 고교(주)제)BzMA: methacrylate benzyl (product made by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.)

MAA:메타크릴산(와코 쥰야쿠 고교(주)제)MAA: Methacrylic acid (product made by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.)

AA:아크릴산(와코 쥰야쿠 고교(주)제)AA: acrylic acid (made by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.)

DCPM:디시클로펜타닐메타크릴레이트(히타치 카세이 고교(주)제)DCPM: Dicyclopentanyl methacrylate (made by Hitachi Kasei Kogyo Co., Ltd.)

HS-EDM:디에틸렌글리콜에틸메틸에테르(도호 카가쿠 고교(주)제, 하이솔브 EDM)HS-EDM: diethylene glycol ethyl methyl ether (Toho Kagaku Kogyo Co., Ltd., high-solve EDM)

<MATHF의 합성><Mathf Synthesis>

메타크릴산(86g, 1몰)을 15℃로 냉각해 두고, 캠퍼술폰산(4.6g, 0.02몰)을 첨가했다. 그 용액에 2-디히드로푸란(71g, 1몰, 1.0당량)을 적하했다. 1시간 교반한 후에 포화 탄산수소나트륨(500mL)을 첨가하고, 아세트산 에틸(500mL)로 추출하고, 황산 마그네슘으로 건조 후 불용물을 여과 후 40℃ 이하에서 감압 농축하고, 잔사의 황색 유상물을 감압 증류해서 비점(bp.) 54~56℃/3.5mmHg 유분(留分)의 메타크릴산 테트라히드로푸란-2-일(MATHF) 125g을 무색 유상물로서 얻었다(수율 80%).Methacrylic acid (86 g, 1 mol) was cooled to 15 degreeC, and camphor sulfonic acid (4.6 g, 0.02 mol) was added. 2-dihydrofuran (71 g, 1 mol, 1.0 equivalent) was dripped at this solution. After stirring for 1 hour, saturated sodium bicarbonate (500 mL) was added, extracted with ethyl acetate (500 mL), dried over magnesium sulfate, and the insolubles were filtered and concentrated under reduced pressure at 40 占 폚 or lower, and the yellow oily residue was dried under reduced pressure. Distillation was carried out to obtain 125 g of methacrylic acid tetrahydrofuran-2-yl (MATHF) having a boiling point of 54 to 56 ° C / 3.5 mmHg fraction as a colorless oil (yield 80%).

<MAEVE의 합성><Synthesis of MAEVE>

에틸비닐에테르 144.2부(2몰당량)에 페노티아진 0.5부를 첨가하고, 반응계 중을 10℃ 이하로 냉각하면서 메타크릴산 86.1부(1몰당량)를 적하 후 실온(25℃)에서 4시간 교반했다. p-톨루엔술폰산 피리듐 5.0부를 첨가 후 실온에서 2시간 교반하고, 하룻밤 실온 방치했다. 반응액에 탄산수소나트륨 5부 및 황산 나트륨 5부를 첨가하고, 실온에서 1시간 교반하고, 불용물을 여과 후 40℃ 이하로 감압 농축하고, 잔사의 황색 유상물을 감압 증류해서 비점(bp.) 43~45℃/7mmHg 유분의 메타크릴산 1-에톡시에틸 134.0부를 무색 유상물로서 얻었다.0.5 part of phenothiazine was added to 144.2 parts (2 molar equivalents) of ethyl vinyl ether, and 86.1 parts (1 molar equivalent) of methacrylic acid was added dropwise while cooling the reaction system to 10 ° C. or lower, followed by stirring at room temperature (25 ° C.) for 4 hours. did. After adding 5.0 parts of p-toluenesulfonic-acid pyridium, it stirred at room temperature for 2 hours, and was left to stand overnight at room temperature. 5 parts of sodium hydrogencarbonate and 5 parts of sodium sulfate were added to the reaction solution, the mixture was stirred at room temperature for 1 hour, the insolubles were concentrated under reduced pressure to 40 ° C. or lower, and the yellow oily substance was distilled under reduced pressure to give a boiling point (b.). 134.0 parts of methacrylic acid 1-ethoxyethyl of 43-45 degreeC / 7mmHg fraction were obtained as a colorless oil.

또한, CHOEMA 및 MATHF는 에틸비닐에테르를 대응하는 화합물로 변경한 것 이외에 상기 메타크릴산 1-에톡시에틸과 같은 방법으로 합성했다.In addition, CHOEMA and MATHF were synthesize | combined by the same method as the said methacrylic acid 1-ethoxyethyl except having changed the ethyl vinyl ether into the corresponding compound.

〔중합체 A1의 합성〕Synthesis of Polymer A1

얻어진 메타크릴산 1-에톡시에틸 66.41부(0.42몰당량), 메타크릴산 6.89부(0.08몰당량), GMA 49.75부(0.35몰당량), 메타크릴산 2-히드록시에틸 19.52부(0.15몰등량), 및 PGMEA 132.5부의 혼합 용액을 질소 기류 하에서 70℃로 가열했다. 이 혼합 용액을 교반하면서 라디칼 중합 개시제 V-65(와코 쥰야쿠 고교(주)제, 12.4부), 및 PGMEA 100.0부의 혼합 용액을 2.5시간에 걸쳐서 적하했다. 적하가 종료된 후 70℃에서 4시간 반응시킴으로써 중합체 A1의 PGMEA 용액(고형분 농도:40%)을 얻었다. 얻어진 중합체 A1의 겔퍼미에이션 크로마토그래피(GPC)에 의해 측정한 중량 평균 분자량은 8,000이었다.66.41 parts (0.42 molar equivalent) of methacrylic acid 1-ethoxyethyl obtained, 6.89 parts (0.08 molar equivalent) of methacrylic acid, 49.75 parts (0.35 molar equivalent) of GMA, 19.52 parts (0.15 mole of 2-hydroxyethyl methacrylic acid) Equivalence) and a mixed solution of 132.5 parts of PGMEA were heated to 70 degreeC under nitrogen stream. While stirring this mixed solution, the mixed solution of radical polymerization initiator V-65 (made by Wako Pure Chemical Industries Ltd., 12.4 parts) and 100.0 parts of PGMEA was dripped over 2.5 hours. After completion of the dropwise addition, the mixture was reacted at 70 ° C for 4 hours to obtain a PGMEA solution (solid content concentration: 40%) of polymer A1. The weight average molecular weight measured by the gel permeation chromatography (GPC) of the obtained polymer A1 was 8,000.

〔중합체 A2~A5의 합성〕[Synthesis of Polymers A2 to A5]

중합체 A1의 합성에서 사용한 각 모노머를 표 1에 기재된 각 구성 단위(a1)~(a4)로 변경하고, 각 구성 단위의 사용량을 표 1에 기재된 것으로 변경한 것 외에는 중합체 A1의 합성과 동일하게 해서 중합체 A2~A5를 각각 합성했다. 또한, 라디칼 중합 개시제 V-65의 첨가량은 표 1에 기재된 분자량이 되도록 각각 조정했다.Each monomer used in the synthesis of the polymer A1 was changed to each structural unit (a1) to (a4) shown in Table 1, and the same amount as that of the synthesis of the polymer A1 except that the amount of each structural unit was changed to that shown in Table 1 Polymers A2 to A5 were synthesized, respectively. In addition, the addition amount of the radical polymerization initiator V-65 was adjusted so that it might become the molecular weight of Table 1, respectively.

Figure pat00037
Figure pat00037

〔중합체 A'1의 합성〕Synthesis of Polymer A'1

HS-EDM(82부)을 질소기류 하에서 90℃로 가열 교반했다. MATHF(43부(40.5몰%당량)), OXE-30(48부(37.5몰%당량)), MAA(6부(9.5몰%당량)), HEMA(11부(12.5몰%당량)), 라디칼 중합 개시제 V-601(상품명, 와코 쥰야쿠 고교(주)제, 4.3부) 및 PGMEA(82부)의 혼합 용액을 2시간에 걸쳐서 적하하고, 또한 2시간 90℃에서 반응시킴으로써 중합체 A'1의 PGMEA 용액(고형분 농도:40%)을 얻었다.HS-EDM (82 parts) was stirred by heating at 90 ° C. under a nitrogen stream. MATHF (43 parts (40.5 mole% equivalent)), OXE-30 (48 parts (37.5 mole% equivalent)), MAA (6 parts (9.5 mole% equivalent)), HEMA (11 parts (12.5 mole% equivalent)), Polymer A'1 by dropping a mixed solution of radical polymerization initiator V-601 (trade name, manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd., 4.3 parts) and PGMEA (82 parts) over 2 hours, and reacting at 90 ° C for 2 hours. PGMEA solution (solid content: 40%) was obtained.

얻어진 중합체 A'1의 겔투과 크로마토그래피(GPC)에 의해 측정한 중량 평균 분자량은 15,000이었다.The weight average molecular weight measured by the gel permeation chromatography (GPC) of the obtained polymer A'1 was 15,000.

<다른 중합체 A'2~A'12의 합성><Synthesis of other polymers A'2 to A'12>

사용한 각 모노머 및 그 사용량을 하기 표 2에 기재된 것으로 변경한 것 외에는 중합체 A'1의 합성과 동일하게 해서 각 공중합체를 각각 합성했다.Each copolymer was synthesize | combined similarly to the synthesis | combination of polymer A'1 except having changed each used monomer and its usage amount as shown in following Table 2.

Figure pat00038
Figure pat00038

표 2 중의 특히 단위를 붙이지 않은 수치는 몰%를 단위로 한다. 또한, 개시제의 수치는 단량체 성분을 100몰%로 한 경우의 몰%이다. In particular, the numerical value without a unit in Table 2 is based on mol%. In addition, the numerical value of an initiator is mol% when the monomer component is 100 mol%.

고형분 농도는 이하의 식에 의해 산출할 수 있다.Solid content concentration can be computed by the following formula | equation.

고형분 농도:모노머 질량/(모노머 질량+용매 질량)×100(단위:질량%)Solid content concentration: Monomer mass / (monomer mass + solvent mass) * 100 (unit: mass%)

또한, 개시제로서 V-601을 사용한 경우는 반응 온도를 90℃로 하고, V-65를 사용한 경우는 반응 온도를 70℃로 했다.In addition, when V-601 was used as an initiator, reaction temperature was 90 degreeC, and when V-65 was used, reaction temperature was 70 degreeC.

<실시예 1~11, 66 및 67, 및, 비교예 1~4><Examples 1-11, 66 and 67, and Comparative Examples 1-4>

(1)감광성 수지 조성물의 조제(1) Preparation of photosensitive resin composition

하기 표 3에 나타내는 각 성분을 혼합해서 균일한 용액으로 한 후, 0.1㎛의 포어 사이즈를 갖는 폴리테트라플루오로에틸렌제 필터를 사용해서 여과하고, 실시예 1~11, 66 및 67, 및, 비교예 1~4의 감광성 수지 조성물의 용액을 각각 조제했다.After mixing each component shown in following Table 3 to make a uniform solution, it filtered using the polytetrafluoroethylene filter which has a pore size of 0.1 micrometer, and compares Examples 1-11, 66 and 67, and, The solution of the photosensitive resin composition of Examples 1-4 was prepared, respectively.

<비교예 5:일본 특허 공개 평 10-26829호 공보의 실시예 1에 기재된 조성물><Comparative Example 5: Composition described in Example 1 of Japanese Patent Laid-Open No. 10-26829>

환류 냉각기를 구비한 플라스크를 사용하고, 이 플라스크내를 질소 치환한 후 중합 개시제로서 2,2'-아조비스이소부틸로니트릴 7.0g을 락트산 에틸에 용해한 용액 200g을 플라스크내에 투입했다. 이어서, 스티렌 35g, 메타크릴산 20g, 메타크릴산 t-부틸 30g 및 메타크릴산-2-히드록시에틸 15g을 투입한 후, 천천히 교반하면서 액의 온도를 70℃로 상승시키고, 이 온도를 7시간 유지해서 단량체를 공중합하고, 공중합체 용액(공중합체분 31.6질량%)을 300g 얻었다.After using a flask equipped with a reflux condenser, nitrogen was substituted in the flask, and then 200 g of a solution in which 7.0 g of 2,2'-azobisisobutylonitrile was dissolved in ethyl lactate was added to the flask as a polymerization initiator. Subsequently, 35 g of styrene, 20 g of methacrylic acid, 30 g of methacrylic acid t-butyl and 15 g of methacrylic acid-2-hydroxyethyl were added thereto, and then the temperature of the liquid was raised to 70 ° C. with slow stirring, and the temperature was increased to 7 ° C. It hold | maintained for time, copolymerized the monomer, and obtained 300g of copolymer solutions (31.6 mass% of copolymer components).

상기에서 얻어진 공중합체 용액을 공중합체분이 23질량%가 되도록 락트산 에틸로 희석하고, 그 공중합체 용액 100g(공중합체분 23g)에 디페닐요오드늄-9,10-디메톡시안트라센-2-술포네이트 0.69g 및 계면활성제 BM-1000(BM Chemie사제)을 용해 혼합시켰다. 이어서, 용액을 구멍직경 0.22㎛의 미리포어 필터로 여과함으로써 비교예 5의 감광성 수지 조성물을 얻었다.The copolymer solution obtained above was diluted with ethyl lactate such that the copolymer content was 23% by mass, and diphenyliodonium-9,10-dimethoxyanthracene-2-sulfonate was added to 100 g (23 g) of the copolymer solution. 0.69 g and surfactant BM-1000 (manufactured by BM Chemie) were dissolved and mixed. Subsequently, the photosensitive resin composition of the comparative example 5 was obtained by filtering a solution with the pore diameter filter of 0.22 micrometer of pore diameters.

<비교예 6:일본 특허 공개 2004-264623호 공보의 실시예 1에 기재된 조성물><Comparative Example 6: Composition described in Example 1 of Japanese Patent Laid-Open No. 2004-264623>

냉각관, 교반기를 구비한 플라스크에 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 7질량부, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르 200질량부를 투입했다. 계속해서 1-(시클로헥실옥시)에틸메타크릴레이트 40질량부, 스티렌 5질량부, 메타크릴산 글리시딜 45질량부, 2-히드록시에틸메타크릴레이트 10질량부 및 α-메틸스티렌다이머 3질량부를 투입하여 질소 치환한 후, 천천히 교반을 시작했다. 용액의 온도를 70℃로 상승시키고, 이 온도를 5시간 유지하여 공중합체를 포함하는 중합체 용액을 얻었다. 얻어진 공중합체의 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량(Mw)은 11,000이었다. 또한, 여기에서 얻어진 중합체 용액의 고형분 농도는 31.6질량%이었다. 7 mass parts of 2,2'- azobis (2, 4- dimethylvaleronitrile), and 200 mass parts of diethylene glycol ethyl methyl ether were thrown into the flask provided with the cooling tube and the stirrer. Subsequently, 40 parts by mass of 1- (cyclohexyloxy) ethyl methacrylate, 5 parts by mass of styrene, 45 parts by mass of glycidyl methacrylate, 10 parts by mass of 2-hydroxyethyl methacrylate, and α-methylstyrene dimer After adding 3 parts by mass of nitrogen and replacing, slowly stirring was started. The temperature of the solution was raised to 70 ° C, and this temperature was maintained for 5 hours to obtain a polymer solution containing a copolymer. The polystyrene reduced weight average molecular weight (Mw) of the obtained copolymer was 11,000. In addition, the solid content concentration of the polymer solution obtained here was 31.6 mass%.

상기 얻어진 중합체 용액을 공중합체 100질량부(고형분)에 상당하는 양, 및 4,7-디-n-부톡시-1-나프틸테트라히드로티오페늄트리플루오로메탄술포네이트 5질량부를 고형분 농도가 30질량%가 되도록 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르에 용해시킨 후, 구경 0.2㎛의 멤브레인 필터로 여과하고, 비교예 6의 감광성 수지 조성물을 조제했다.Solid content concentration of the said polymer solution which is equivalent to 100 mass parts (solid content) of copolymers, and 5 mass parts of 4,7-di-n-butoxy-1- naphthyl tetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate After melt | dissolving in diethylene glycol methyl ethyl ether so that it might be set to 30 mass%, it filtered by the membrane filter of 0.2 micrometer of calibers, and prepared the photosensitive resin composition of the comparative example 6.

Figure pat00039
Figure pat00039

또한, 표 3 중의 약호는 이하와 같다.In addition, the symbol of Table 3 is as follows.

B1:CGI-1397(치바재팬(주)제)B1: CGI-1397 (product made in Chiba Japan)

B2:PAI-101(미도리 카가쿠(주)제)B2: PAI-101 (made in Midori Kagaku Co., Ltd.)

B3:하기 화합물B3: the following compound

B4:하기 화합물B4: the following compound

C1:듈라네이트 17B-60PX(아사히 카세이 케미컬즈(주)제)C1: Dulanate 17B-60PX (made by Asahi Kasei Chemicals Co., Ltd.)

또한, C1은 모구조가 뷰렛 구조이며, 또한 블록 구조가 옥심 에스테르 구조인 블록 이소시아네이트 화합물이다.In addition, C1 is a block isocyanate compound whose parent structure is a biuret structure and whose block structure is an oxime ester structure.

C3:니카락 MW-100LM(알콕시메틸화 멜라민 화합물, 산와케미컬(주)제)C3: Nikarak MW-100LM (alkoxy methylated melamine compound, Sanwa Chemical Co., Ltd. product)

C4:듈라네이트 D101(아사히 카세이 케미컬즈(주)제)C4: Dulanate D101 (made by Asahi Kasei Chemicals Co., Ltd.)

C5:타케네이트 D-110N (미츠이 카가쿠(주)제)C5: Takenate D-110N (made by Mitsui Kagaku Co., Ltd.)

또한, C4 및 C5는 모구조가 뷰렛 구조이며, 또한 블록 구조가 옥심 에스테르 구조인 블록 이소시아네이트 화합물이다.In addition, C4 and C5 are block isocyanate compounds whose parent structure is a biuret structure and a block structure is an oxime ester structure.

C6:VESTAGON B1065(데구사 AG사제)C6: VESTAGON B1065 (product made in Degusa AG company)

또한, C6은 우레토디온 구조(비뷰렛 구조)를 갖는 블록 이소시아네이트 화합물이다.In addition, C6 is a block isocyanate compound which has a uretodione structure (biburet structure).

C7:JER-157S65(다관능 노볼락형 에폭시 수지, 가교제, 미츠비시 카가쿠(주)제)C7: JER-157S65 (multifunctional novolac type epoxy resin, crosslinking agent, Mitsubishi Kagaku Co., Ltd. product)

D1:프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트D1: propylene glycol monomethyl ether acetate

F1:하기 구조의 화합물F1: Compound of the following structure

G1:하기 구조의 화합물 W-3G1: Compound W-3 having the following structure

H1:3-글리시독시프로필트리메톡시실란(KBM-403(신에츠 카가쿠 고교(주)제))H1: 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane (KBM-403 (made by Shin-Etsu Kagaku Kogyo KK))

Figure pat00040
Figure pat00040

Figure pat00041
Figure pat00041

〔B3의 합성〕[Synthesis of B3]

2-나프톨(10g), 클로로벤젠(30mL)의 현탁 용액에 염화 알루미늄(10.6g), 2-클로로프로피오닐클로리드(10.1g)를 첨가하고, 혼합액을 40℃로 가열해서 2시간 반응시켰다. 빙냉 하에서 반응액에 4NHCl 수용액(60mL)을 적하하고, 아세트산 에틸(50mL)을 첨가해서 분액했다. 유기층에 탄산 칼륨(19.2g)을 첨가하고 40℃에서 1시간 반응시킨 후, 2NHCl 수용액(60mL)을 첨가해서 분액하고, 유기층을 농축 후 결정을 디이소프로필에테르(10mL)로 리슬러리하고 여과, 건조해서 케톤 화합물(6.5g)을 얻었다. Aluminum chloride (10.6 g) and 2-chloropropionyl chloride (10.1 g) were added to a suspension solution of 2-naphthol (10 g) and chlorobenzene (30 mL), and the mixed solution was heated to 40 ° C and reacted for 2 hours. 4NHCl aqueous solution (60 mL) was dripped at the reaction liquid under ice cooling, and ethyl acetate (50 mL) was added and liquid-separated. Potassium carbonate (19.2 g) was added to the organic layer, and the resultant was reacted at 40 ° C for 1 hour, followed by separating an aqueous solution of 2NHCl (60 mL), followed by concentration of the organic layer. It dried and the ketone compound (6.5g) was obtained.

얻어진 케톤 화합물(3.0g), 메탄올(30mL)의 현탁 용액에 아세트산(7.3g), 50질량% 히드록실아민 수용액(8.0g)을 첨가하고 가열 환류했다. 방냉 후 물(50mL)을 첨가하고, 석출한 결정을 여과, 냉메탄올 세정 후 건조해서 옥심 화합물(2.4g)을 얻었다. Acetic acid (7.3g) and 50 mass% hydroxylamine aqueous solution (8.0g) were added and heated and refluxed to the obtained ketone compound (3.0g) and the suspension solution of methanol (30mL). After cooling, water (50 mL) was added, and the precipitated crystals were filtered, washed with cold methanol, and dried to obtain an oxime compound (2.4 g).

얻어진 옥심 화합물(1.8g)을 아세톤(20mL)에 용해시켜 빙냉 하에서 트리에틸아민(1.5g), p-톨루엔술포닐클로리드(2.4g)를 첨가하고, 실온으로 승온해서 1시간 반응시켰다. 반응액에 물(50mL)을 첨가하고, 석출된 결정을 여과 후 메탄올(20mL)로 리슬러리하고, 여과, 건조해서 B3(2.3g)을 얻었다.The obtained oxime compound (1.8 g) was dissolved in acetone (20 mL), triethylamine (1.5 g) and p-toluenesulfonyl chloride (2.4 g) were added under ice-cooling, and it heated up to room temperature and made it react for 1 hour. Water (50 mL) was added to the reaction solution, and the precipitated crystals were filtered off, reslurried with methanol (20 mL), filtered and dried to obtain B3 (2.3 g).

또한, B3의 1H-NMR 스펙트럼(300MHz, CDCl3)은 δ=8.3(d,1H), 8.0(d,2H), 7.9(d,1H), 7.8(d,1H), 7.6(dd,1H), 7.4(dd,1H), 7.3(d,2H), 7.1(d.1H), 5.6(q,1H), 2.4(s,3H), 1.7(d,3H)이었다.In addition, the 1 H-NMR spectrum (300MHz, CDCl 3 ) of B3 is δ = 8.3 (d, 1H), 8.0 (d, 2H), 7.9 (d, 1H), 7.8 (d, 1H), 7.6 (dd, 1H), 7.4 (dd, 1H), 7.3 (d, 2H), 7.1 (d. 1H), 5.6 (q, 1H), 2.4 (s, 3H) and 1.7 (d, 3H).

〔B4의 합성〕[Synthesis of B4]

2-나프톨(20g)을 N,N-디메틸아세트아미드(150mL)에 용해시키고, 탄산 칼륨(28.7g), 2-브로모옥탄산 에틸(52.2g)을 첨가해서 100℃에서 2시간 반응시켰다. 반응액에 물(300mL), 아세트산 에틸(200mL)을 첨가해서 분액하고, 유기층을 농축 후 48질량% 수산화 나트륨 수용액(23g), 에탄올(50mL), 물(50mL)을 첨가하고, 2시간 반응시켰다. 반응액을 1N HCl 수용액(500mL)에 쏟고, 석출된 결정을 여과, 수세해서 카르복실산 조체를 얻은 후, 폴리인산 30g을 첨가해서 170℃에서 30분 반응시켰다. 반응액을 물(300mL)에 쏟고, 아세트산 에틸(300mL)을 첨가해서 분액하고, 유기층을 농축한 후 실리카겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하고, 케톤 화합물(10g)을 얻었다.2-naphthol (20 g) was dissolved in N, N-dimethylacetamide (150 mL), potassium carbonate (28.7 g) and ethyl 2-bromooctanoate (52.2 g) were added and allowed to react at 100 ° C for 2 hours. Water (300 mL) and ethyl acetate (200 mL) were added to the reaction solution, the organic layer was concentrated and 48 mass% aqueous sodium hydroxide solution (23 g), ethanol (50 mL), and water (50 mL) were added and the mixture was allowed to react for 2 hours. . The reaction solution was poured into 1N HCl aqueous solution (500 mL), and the precipitated crystals were filtered and washed with water to obtain a crude carboxylic acid. Then, 30 g of polyphosphoric acid was added and reacted at 170 ° C for 30 minutes. The reaction solution was poured into water (300 mL), ethyl acetate (300 mL) was added to the solution, the organic layer was concentrated and purified by silica gel column chromatography to obtain a ketone compound (10 g).

얻어진 케톤 화합물(10.0g), 메탄올(100mL)의 현탁 용액에 아세트산 나트륨(30.6g), 염산 히드록실아민(25.9g), 황산 마그네슘(4.5g)을 첨가하고, 24시간 가열 환류했다. 방냉 후 물(150mL), 아세트산 에틸(150mL)을 첨가해서 분액하고, 유기층을 물 80mL로 4회 분액하고, 농축한 후 실리카겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 옥심 화합물(5.8g)을 얻었다. Sodium acetate (30.6 g), hydroxylamine hydrochloride (25.9 g), and magnesium sulfate (4.5 g) were added to the obtained ketone compound (10.0 g) and the suspension solution of methanol (100 mL), and it heated and refluxed for 24 hours. After cooling, water (150 mL) and ethyl acetate (150 mL) were added and the mixture was separated. The organic layer was separated four times with 80 mL of water, concentrated, and purified by silica gel column chromatography to obtain an oxime compound (5.8 g).

얻어진 옥심(3.1g)에 대해서 B3과 마찬가지로 술포네이트화를 행하고, B4(3.2g)를 얻었다.The obtained oxime (3.1 g) was sulfonated similarly to B3, and B4 (3.2 g) was obtained.

또한, B4의 1H-NMR 스펙트럼(300MHz, CDCl3)은 δ=8.3(d,1H), 8.0(d,2H), 7.9(d,1H), 7.8(d,1H), 7.6(dd,1H), 7.5(dd,1H), 7.3(d,2H), 7.1(d.1H), 5.6(dd,1H), 2.4(s,3H), 2.2(ddt,1H), 1.9(ddt,1H), 1.4~1.2(m,8H), 0.8(t,3H)이었다.In addition, the 1 H-NMR spectrum (300MHz, CDCl 3 ) of B4 is δ = 8.3 (d, 1H), 8.0 (d, 2H), 7.9 (d, 1H), 7.8 (d, 1H), 7.6 (dd, 1H), 7.5 (dd, 1H), 7.3 (d, 2H), 7.1 (d.1H), 5.6 (dd, 1H), 2.4 (s, 3H), 2.2 (ddt, 1H), 1.9 (ddt, 1H ), 1.4 to 1.2 (m, 8H), and 0.8 (t, 3H).

<실시예 12~28 및 비교예 7~14><Examples 12-28 and Comparative Examples 7-14>

(1)감광성 수지 조성물의 조제(1) Preparation of photosensitive resin composition

하기 표 4에 나타내는 각 성분을 혼합해서 균일한 용액으로 한 후 0.1㎛의 포어 사이즈를 갖는 폴리테트라플루오로에틸렌제 필터를 사용해서 여과하고, 실시예 12~28 및 비교예 7~14의 감광성 수지 조성물의 용액을 각각 조제했다. 또한, 표 4 중의 첨가량의 단위는 질량부이며, 비율은 질량기준이다.After mixing each component shown in following Table 4 to make a uniform solution, it filtered using the polytetrafluoroethylene filter which has a pore size of 0.1 micrometer, and the photosensitive resin of Examples 12-28 and Comparative Examples 7-14. Each solution of the composition was prepared. In addition, the unit of the addition amount in Table 4 is a mass part, and a ratio is a mass reference | standard.

Figure pat00042
Figure pat00042

또한, 중합체 및 광산발생제 이외의 표 4 중의 약호는 이하와 같다.In addition, the symbol of Table 4 other than a polymer and a photo-acid generator is as follows.

C'1:듈라네이트 17B-60PX(아사히 카세이 케미컬즈(주)제)C'1: Dulanate 17B-60PX (made by Asahi Kasei Chemicals Co., Ltd.)

C'2:듈라네이트 17B-60P (아사히 카세이 케미컬즈(주)제)C'2: Dulanate 17B-60P (made by Asahi Kasei Chemicals Co., Ltd.)

또한, C'1 및 C'2는 모구조가 뷰렛 구조이며, 또한 블록 구조가 옥심에스테르 구조인 블록 이소시아네이트 화합물이다.In addition, C'1 and C'2 are block isocyanate compounds whose parent structure is a biuret structure and a block structure is an oxime ester structure.

C'6:니카락 MW-100LM(알콕시메틸화 멜라민 화합물, 산와케미컬(주)제)C'6: Nikarak mw-100lm (alkoxy methylated melamine compound, manufactured by Sanwa Chemical Co., Ltd.)

C'7:듈라네이트 D101(아사히 카세이 케미컬즈(주)제)C'7: Dulanate D101 (made by Asahi Kasei Chemicals Co., Ltd.)

C'8:타케네이트 D-110N(미츠이 카가쿠(주)제)C'8: Takenate D-110N (product made by Mitsui Kagaku Co., Ltd.)

또한, C'7 및 C'8은 비블록 이소시아네이트 화합물, 즉, 이소시아네이트 화합물이다.In addition, C'7 and C'8 are nonblock isocyanate compounds, ie isocyanate compounds.

C'9:VESTAGON B1065(데구사 AG사제)C'9: VESTAGON B1065 (product made in Degusa AG company)

또한, C'9는 우레토디온 구조(비뷰렛 구조)를 갖는 블록 이소시아네이트 화합물이다.In addition, C'9 is a block isocyanate compound which has a uretodione structure (biburet structure).

C'10:JER-157S65(다관능 노볼락형 에폭시 수지, 가교제, 미츠비시 카가쿠(주)제)C'10: JER-157S65 (multifunctional novolak type epoxy resin, crosslinking agent, product of Mitsubishi Kagaku Co., Ltd.)

C'11:데나콜 EX-321L(액상 지방족 에폭시 화합물, 나가세 켐텍스(주)제)C'11: Denacol EX-321L (liquid aliphatic epoxy compound, Nagase Chemtex Co., Ltd. product)

C'12:데나콜 EX-211L(액상 지방족 에폭시 화합물, 나가세 켐텍스(주)제)C'12: Denacol EX-211L (liquid aliphatic epoxy compound, Nagase Chemtex Co., Ltd. product)

D1:상기 화합물(프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트)D1: the said compound (propylene glycol monomethyl ether acetate)

F1:상기 화합물F1: the compound

G1:상기 화합물(화합물 W-3)G1: the said compound (compound W-3)

H'1:3-글리시독시프로필트리메톡시실란(KBM-403(신에츠 카가쿠 고교(주)제))H'1: 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane (KBM-403 (made by Shin-Etsu Kagaku Kogyo KK))

H'2:비스(트리에톡시실릴프로필)디술피드(Z-6920(도레이 다우코닝(주)제))H'2: Bis (triethoxysilylpropyl) disulfide (Z-6920 (made by Toray Dow Corning))

H'3:비스(트리에톡시실릴프로필)테트라술피드(KBE-846(신에츠 카가쿠 고교(주)제))H'3: Bis (triethoxysilylpropyl) tetrasulfide (KBE-846 (made by Shin-Etsu Kagaku Kogyo Co., Ltd.))

I'1:이르가녹스 1726(산화 방지제, BASF사제)I'1: Irganox 1726 (antioxidant, BASF company make)

I'2:이르가녹스 1035FF(산화 방지제, BASF사제)I'2: Irganox 1035FF (antioxidant, BASF company make)

I'3:이르가녹스 1098(산화 방지제, BASF사제)I'3: Irganox 1098 (antioxidant, BASF company make)

I'4:아데카스타브 AO-60(산화 방지제, (주)ADEKA제)I'4: Adecastab AO-60 (antioxidant, product made in ADEKA)

I'5:아데카스타브 AO-70(산화 방지제, (주)ADEKA제)I'5: Adecastub AO-70 (antioxidant, product made in ADEKA)

표 4 중에 있어서의 (성분 B) 광산발생제의 약호는 이하와 같다.The symbol of the (component B) photo-acid generator in Table 4 is as follows.

B'1:IRGACURE PAG-103(상품명, 하기에 나타내는 구조, BASF사제)B'1: IRGACURE PAG-103 (brand name, structure shown below, product made in BASF Corporation)

B'2:PAI-101(상품명, 상기 B2에 나타내는 구조, 미도리 카가쿠(주)제)B'2: PAI-101 (product name, the structure shown in the said B2, Midori Kagaku Corporation make)

B'5:하기에 나타내는 구조(합성예를 후술한다)B'5: Structure shown below (Synthesis example is mentioned later)

B'6:하기에 나타내는 구조(합성예를 후술한다)B'6: Structure shown below (Synthesis example is mentioned later)

Figure pat00043
Figure pat00043

Figure pat00044
Figure pat00044

<B'5의 합성><Synthesis of B'5>

1-1.합성 중간체 B'5A의 합성1-1.Synthesis of Synthetic Intermediate B'5A

2-아미노벤젠티올:31.3g(도쿄 카세이 고교(주)제)을 톨루엔:100mL(와코 쥰야쿠 고교(주)제)에 실온(25℃) 하에서 용해시켰다. 이어서, 얻어진 용액에 페닐아세틸클로리드:40.6g(도쿄 카세이 고교(주)제)을 적하하고, 실온 하에서 1시간, 이어서 100℃에서 2시간 교반하여 반응시켰다. 얻어진 반응액에 물 500mL를 넣어 석출된 염을 용해시키고, 톨루엔 유분을 추출, 추출액을 로터리 에바포레이터로 농축시켜 합성 중간체 B'5A를 얻었다.2-aminobenzenethiol: 31.3 g (manufactured by Tokyo Kasei Kogyo Co., Ltd.) was dissolved in toluene: 100 mL (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) under room temperature (25 ° C). Subsequently, 40.6 g of phenylacetyl chloride (made by Tokyo Kasei Kogyo Co., Ltd.) was dripped at the obtained solution, and it stirred for 1 hour and then made it react at 100 degreeC for 2 hours at room temperature. 500 mL of water was put into the obtained reaction liquid, the precipitated salt was dissolved, the toluene fraction was extracted, the extract was concentrated with the rotary evaporator, and the synthetic intermediate B'5A was obtained.

1-2. B'5의 합성1-2. Synthesis of B'5

상기한 바와 같이 해서 얻어진 합성 중간체 B'5A 2.25g을 테트라히드로푸란:10mL(와코 쥰야쿠 고교(주)제)에 혼합시킨 후 빙욕에 담궈 반응액을 5℃ 이하로 냉각했다. 이어서, 반응액에 테트라메틸암모늄히드록시드:4.37g(25질량% 메탄올 용액, AlfaAcer사제)을 적하하고, 빙욕 하에서 0.5시간 교반하여 반응시켰다. 또한, 아질산 이소펜틸:7.03g을 내온 20℃ 이하로 유지하면서 적하하고, 적하 종료 후에 반응액을 실온까지 승온 후 1시간 교반했다.2.25 g of the synthetic intermediate B'5A obtained as described above was mixed in 10 mL of tetrahydrofuran (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.), and then immersed in an ice bath to cool the reaction solution to 5 ° C or lower. Then, tetramethylammonium hydroxide: 4.37g (25 mass% methanol solution, the AlfaAcer company make) was dripped at the reaction liquid, and it stirred for 0.5 hour and reacted under ice bath. Moreover, isopentyl nitrite: 7.03g was dripped keeping it at internal temperature 20 degreeC or less, and after completion | finish of dripping, after heating up the reaction liquid to room temperature, it stirred for 1 hour.

이어서, 반응액을 5℃ 이하로 냉각한 후 p-톨루엔술포닐클로리드(1.9g)(도쿄 카세이 고교(주)제)를 투입하고, 10℃ 이하를 유지하면서 1시간 교반했다. 그 후 물 80mL를 투입하고, 0℃에서 1시간 교반했다. 얻어진 석출물을 여과한 후, 이소프로필알콜(IPA) 60mL를 투입하고, 50℃로 가열해서 1시간 교반하고, 열시 여과, 건조시킴으로써 B'5(상술의 구조) 1.8g을 얻었다.Subsequently, after cooling the reaction liquid to 5 degrees C or less, p-toluenesulfonyl chloride (1.9 g) (made by Tokyo Kasei Kogyo Co., Ltd.) was thrown in, and it stirred for 1 hour, maintaining 10 degrees C or less. Then, 80 mL of water was thrown in and it stirred at 0 degreeC for 1 hour. After filtering the obtained precipitate, 60 mL of isopropyl alcohols (IPA) were added, it heated at 50 degreeC, stirred for 1 hour, was filtered and dried at the time, and 1.8 g of B'5 (structure mentioned above) was obtained.

얻어진 B'5의 1H-NMR 스펙트럼(300MHz, 중DMSO((D3C)2S=O))는 δ=8.2~8.17(m,1H), 8.03~8.00(m,1H), 7.95~7.9(m,2H), 7.6~7.45(m,9H), 2.45(s,3H)이었다. The 1 H-NMR spectrum (300 MHz, medium DMSO ((D 3 C) 2 S = O)) of the obtained B'5 is δ = 8.2 to 8.17 (m, 1H), 8.03 to 8.00 (m, 1H), and 7.95 to 7.9 (m, 2H), 7.6-7.45 (m, 9H), and 2.45 (s, 3H).

상기 1H-NMR 측정 결과로부터 얻어진 B'5는 1종 단독의 기하 이성체인 것이 추정된다.It is estimated that B'5 obtained from the said 1 H-NMR measurement result is a single geometric isomer.

<B'6의 합성><Synthesis of B'6>

2-나프톨(10g), 클로로벤젠(30mL)의 현탁 용액에 염화 알루미늄(10.6g), 2-클로로프로피오닐클로리드(10.1g)를 첨가하고, 혼합액을 40℃로 가열해서 2시간 반응시켰다. 빙냉 하에서 반응액에 4NHCl 수용액(60mL)을 적하하고, 아세트산 에틸(50mL)을 첨가해서 분액했다. 유기층에 탄산 칼륨(19.2g)을 첨가하고, 40℃에서 1시간 반응시킨 후, 2NHCl 수용액(60mL)을 첨가해서 분액하고, 유기층을 농축 후 결정을 디이소프로필에테르(10mL)로 리슬러리하고, 여과, 건조해서 케톤 화합물(6.5g)을 얻었다.Aluminum chloride (10.6 g) and 2-chloropropionyl chloride (10.1 g) were added to a suspension solution of 2-naphthol (10 g) and chlorobenzene (30 mL), and the mixed solution was heated to 40 ° C and reacted for 2 hours. 4NHCl aqueous solution (60 mL) was dripped at the reaction liquid under ice cooling, and ethyl acetate (50 mL) was added and liquid-separated. Potassium carbonate (19.2 g) was added to the organic layer and reacted at 40 ° C for 1 hour, followed by separating an aqueous solution of 2NHCl (60 mL), separating the organic layer, and recrystallizing the crystals with diisopropyl ether (10 mL), It filtered and dried and the ketone compound (6.5g) was obtained.

얻어진 케톤 화합물(3.0g), 메탄올(30mL)의 현탁 용액에 아세트산(7.3g), 50질량% 히드록실아민 수용액(8.0g)을 첨가하고, 가열 환류했다. 방냉 후 물(50mL)을 첨가하여 석출된 결정을 여과, 냉메탄올 세정 후 건조해서 옥심 화합물(2.4g)을 얻었다.Acetic acid (7.3g) and 50 mass% hydroxylamine aqueous solution (8.0g) were added and heated and refluxed to the obtained ketone compound (3.0g) and the suspension solution of methanol (30 mL). After cooling, water (50 mL) was added, and the precipitated crystals were filtered, washed with cold methanol, and dried to obtain an oxime compound (2.4 g).

얻어진 옥심 화합물(1.8g)을 아세톤(20mL)에 용해시키고, 빙냉 하에서 트리에틸아민(1.5g), p-톨루엔술포닐클로리드(2.4g)를 첨가하고, 실온으로 승온해서 1시간 반응시켰다. 반응액에 물(50mL)을 첨가하고, 석출된 결정을 여과 후 메탄올(20mL)로 리슬러리하고, 여과, 건조해서 B'6(상술의 구조) 2.3g을 얻었다.The obtained oxime compound (1.8 g) was dissolved in acetone (20 mL), triethylamine (1.5 g) and p-toluenesulfonyl chloride (2.4 g) were added under ice-cooling, and it heated up to room temperature and made it react for 1 hour. Water (50 mL) was added to the reaction solution, and the precipitated crystals were filtered off, reslurried with methanol (20 mL), filtered and dried to obtain 2.3 g of B'6 (structure described above).

또한, B'6의 1H-NMR 스펙트럼(300MHz, CDCl3)은 δ=8.3(d,1H), 8.0(d,2H), 7.9(d,1H), 7.8(d,1H), 7.6(dd,1H), 7.4(dd,1H), 7.3(d,2H), 7.1(d.1H), 5.6(q,1H), 2.4(s,3H), 1.7(d,3H)이었다.In addition, the 1 H-NMR spectrum (300 MHz, CDCl 3 ) of B'6 is δ = 8.3 (d, 1H), 8.0 (d, 2H), 7.9 (d, 1H), 7.8 (d, 1H), and 7.6 ( dd, 1H), 7.4 (dd, 1H), 7.3 (d, 2H), 7.1 (d. 1H), 5.6 (q, 1H), 2.4 (s, 3H) and 1.7 (d, 3H).

<실시예 29~65 및 비교예 15><Examples 29-65 and Comparative Example 15>

(1)감광성 수지 조성물의 조제(1) Preparation of photosensitive resin composition

하기 표 5에 나타내는 각 성분을 혼합해서 균일한 용액으로 한 후, 0.1㎛의 포어 사이즈를 갖는 폴리테트라플루오로에틸렌제 필터를 사용해서 여과하고, 실시예 29~65 및 비교예 15의 감광성 수지 조성물의 용액을 각각 조제했다. 또한, 표 5 중의 첨가량의 단위는 질량부이며, 비율은 질량기준이다.After mixing each component shown in following Table 5 to make a uniform solution, it filtered using the polytetrafluoroethylene filter which has a pore size of 0.1 micrometer, and the photosensitive resin composition of Examples 29-65 and the comparative example 15. The solution of was prepared respectively. In addition, the unit of the addition amount in Table 5 is a mass part, and a ratio is a mass reference | standard.

Figure pat00045
Figure pat00045

또한, A'1~A'12 및 광산발생제 이외의 표 5 중의 약호는 이하와 같다.In addition, the symbol of Table 5 other than A'1-A'12 and a photo-acid generator is as follows.

A'13:ARUFON UC-3910(도아 고세이(주)제)A'13: ARUFON UC-3910 (product made by Toa Kosei Co., Ltd.)

A'14:Joncryl 67(BASF사제)A'14: Joncryl 67 (made by BASF Corporation)

C"1:듈라네이트 17B-60PX(아사히 카세이 케미컬즈(주)제)C "1: Dullanate 17B-60PX (made by Asahi Kasei Chemicals Co., Ltd.)

또한, C"1은 모구조가 뷰렛 구조이며, 또한 블록 구조가 옥심 에스테르 구조인 블록 이소시아네이트 화합물이다.In addition, C "1 is a block isocyanate compound whose parent structure is a biuret structure and a block structure is an oxime ester structure.

C"10:JER-157S65(다관능 노볼락형 에폭시 수지, 가교제, 미츠비시 카가쿠(주)제)C "10: JER-157S65 (polyfunctional novolak-type epoxy resin, crosslinking agent, Mitsubishi Kagaku Corporation make)

C"13:톨릴렌디이소시아네이트(TDI)의 메틸에틸케톤옥심 블록 구조를 갖는 모구조가 뷰렛 구조인 블록 이소시아네이트Block isocyanate whose parent structure which has the methyl ethyl ketone oxime block structure of C "13: tolylene diisocyanate (TDI) is a biuret structure

C"14:디페닐메탄디이소시아네이트(MDI)의 메틸에틸케톤옥심 블록 구조를 갖는 모구조가 뷰렛 구조인 블록 이소시아네이트Block isocyanate whose parent structure having the methyl ethyl ketone oxime block structure of C "14: diphenylmethane diisocyanate (MDI) is a biuret structure.

C"15:헥사메틸렌디이소시아네이트(HDI)의 메틸에틸케톤옥심 블록 구조를 갖는 모구조가 뷰렛 구조인 블록 이소시아네이트Block isocyanate whose parent structure which has the methyl ethyl ketone oxime block structure of C "15: hexamethylene diisocyanate (HDI) is a biuret structure

C"16:헥사메틸렌디이소시아네이트(HDI)의 ε-카프로락탐 블록 구조를 갖는 모구조가 뷰렛 구조인 블록 이소시아네이트Block isocyanate whose parent structure having ε-caprolactam block structure of C "16: hexamethylene diisocyanate (HDI) is a biuret structure

C"17:헥사메틸렌디이소시아네이트(HDI)의 페놀 블록 구조를 갖는 모구조가 뷰렛 구조인 블록 이소시아네이트Block isocyanate whose parent structure having a phenol block structure of C "17: hexamethylene diisocyanate (HDI) is a biuret structure

C"18:헥사메틸렌디이소시아네이트(HDI)의 부탄올 블록 구조를 갖는 모구조가 뷰렛 구조인 블록 이소시아네이트Block isocyanate whose parent structure having butanol block structure of C "18: hexamethylene diisocyanate (HDI) is biuret structure

C"19:헥사메틸렌디이소시아네이트(HDI)의 디페닐아민 블록 구조를 갖는 모구조가 뷰렛 구조인 블록 이소시아네이트Block isocyanate whose parent structure having the diphenylamine block structure of C "19: hexamethylene diisocyanate (HDI) is a biuret structure.

C"20:헥사메틸렌디이소시아네이트(HDI)의 아세토아세트산 에틸 블록 구조를 갖는 모구조가 뷰렛 구조인 블록 이소시아네이트Block isocyanate whose parent structure having acetoacetic acid ethyl block structure of C "20: hexamethylene diisocyanate (HDI) is a biuret structure

C"21:헥사메틸렌디이소시아네이트(HDI)의 디메틸피라졸 블록 구조를 갖는 모구조가 뷰렛 구조인 블록 이소시아네이트Block isocyanates wherein the parent structure having a dimethylpyrazole block structure of C " 21: hexamethylene diisocyanate (HDI) is a biuret structure

C"22:헥사메틸렌디이소시아네이트(HDI)의 알킬메르캅탄 블록 구조를 갖는 모구조가 뷰렛 구조인 블록 이소시아네이트Block isocyanate whose parent structure having the alkyl mercaptan block structure of C "22: hexamethylene diisocyanate (HDI) is a biuret structure

C"23:이소포론디이소시아네이트(IPDI)의 메틸에틸케톤옥심 블록 구조를 갖는 모구조가 뷰렛 구조인 블록 이소시아네이트Block isocyanate whose parent structure which has the methyl ethyl ketone oxime block structure of C "23: isophorone diisocyanate (IPDI) is a biuret structure

C"24:이소포론디이소시아네이트(IPDI)의 ε-카프로락탐 블록 구조를 갖는 모구조가 뷰렛 구조인 블록 이소시아네이트Block isocyanates wherein the parent structure having an ε-caprolactam block structure of C ″ 24: isophorone diisocyanate (IPDI) is a biuret structure

C"25:이소포론디이소시아네이트(IPDI)의 페놀 블록 구조를 갖는 모구조가 뷰렛 구조인 블록 이소시아네이트Block isocyanates whose parent structure having a phenol block structure of C "25: isophorone diisocyanate (IPDI) is a biuret structure

C"26:이소포론디이소시아네이트(IPDI)의 아세토아세트산 에틸 블록 구조를 갖는 모구조가 뷰렛 구조인 블록 이소시아네이트Block isocyanate whose parent structure having acetoacetic acid ethyl block structure of C "26: isophorone diisocyanate (IPDI) is a biuret structure

C"27:이소포론디이소시아네이트(IPDI)의 디메틸피라졸 블록 구조를 갖는 모구조가 뷰렛 구조인 블록 이소시아네이트Block isocyanates wherein the parent structure having a dimethylpyrazole block structure of C " 27: isophorone diisocyanate (IPDI) is a biuret structure.

D1:상기 화합물(프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트)D1: the said compound (propylene glycol monomethyl ether acetate)

E"1:DBA(9,10-디부톡시안트라센, 가와사키 카세이 고교(주)제)E "1: DBA (9,10-dibutoxy anthracene, the Kawasaki Kasei Kogyo Co., Ltd. product)

F2:하기 구조의 화합물(화합물 F-2)F2: Compound having the following structure (Compound F-2)

Figure pat00046
Figure pat00046

G1:상기 화합물(화합물 W-3)G1: the said compound (compound W-3)

H"1:3-글리시독시프로필트리메톡시실란(KBM-403(신에츠 카가쿠 고교(주)제))H "1: 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane (KBM-403 (made by Shin-Etsu Kagaku Kogyo KK))

H"4:헥실트리메톡시실란(KBM-3063(신에츠 카가쿠 고교(주)제))H "4: hexyl trimethoxysilane (KBM-3063 (made by Shin-Etsu Kagaku Kogyo Co., Ltd.))

I"2:이르가녹스 1035FF(산화 방지제, BASF사제)I "2: Irganox 1035FF (antioxidant, product made by BASF company)

I"3:이르가녹스 1098(산화 방지제, BASF사제)I "3: Irganox 1098 (antioxidant, BASF Corporation make)

I"4:아데카스타브 AO-60(산화 방지제, (주)ADEKA제)I "4: Adecaster AO-60 (antioxidant, product made in ADEKA)

표 5 중에 있어서의 (성분 B) 광산발생제의 약호는 이하와 같다.The symbol of the (component B) photo-acid generator in Table 5 is as follows.

B"6:하기에 나타내는 구조(합성예를 후술한다)B "6: Structure shown below (Synthesis example is mentioned later)

B"7:하기 구조의 화합물(일본 특허 공표 2002-528451호 공보의 단락 0108에 기재된 방법에 따라서 합성했다)B "7: The compound of the following structure (it synthesize | combined according to the method of Paragraph 0108 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2002-528451).

Figure pat00047
Figure pat00047

<B"6의 합성><Synthesis of B "6>

2-나프톨(10g), 클로로벤젠(30mL)의 현탁 용액에 염화 알루미늄(10.6g), 2-클로로프로피오닐클로리드(10.1g)를 첨가하고, 혼합액을 40℃로 가열해서 2시간 반응시켰다. 빙냉 하에서 반응액에 4NHCl 수용액(60mL)을 적하하고, 아세트산 에틸(50mL)을 첨가해서 분액했다. 유기층에 탄산 칼륨(19.2g)을 첨가하고, 40℃에서 1시간 반응시킨 후, 2NHCl 수용액(60mL)을 첨가해서 분액하고, 유기층을 농축 후 결정을 디이소프로필에테르(10mL)로 리슬러리하고, 여과, 건조해서 케톤 화합물(6.5g)을 얻었다.Aluminum chloride (10.6 g) and 2-chloropropionyl chloride (10.1 g) were added to a suspension solution of 2-naphthol (10 g) and chlorobenzene (30 mL), and the mixed solution was heated to 40 ° C and reacted for 2 hours. 4NHCl aqueous solution (60 mL) was dripped at the reaction liquid under ice cooling, and ethyl acetate (50 mL) was added and liquid-separated. Potassium carbonate (19.2 g) was added to the organic layer and reacted at 40 ° C for 1 hour, followed by separating an aqueous solution of 2NHCl (60 mL), separating the organic layer, and recrystallizing the crystals with diisopropyl ether (10 mL), It filtered and dried and the ketone compound (6.5g) was obtained.

얻어진 케톤 화합물(3.0g), 메탄올(30mL)의 현탁 용액에 아세트산(7.3g), 50질량% 히드록실아민 수용액(8.0g)을 첨가하고, 가열 환류했다. 방냉 후 물(50mL)을 첨가하고, 석출된 결정을 여과, 냉메탄올 세정 후 건조해서 옥심 화합물(2.4g)을 얻었다.Acetic acid (7.3g) and 50 mass% hydroxylamine aqueous solution (8.0g) were added and heated and refluxed to the obtained ketone compound (3.0g) and the suspension solution of methanol (30 mL). After cooling, water (50 mL) was added, and the precipitated crystals were filtered, washed with cold methanol, and dried to obtain an oxime compound (2.4 g).

얻어진 옥심 화합물(1.8g)을 아세톤(20mL)에 용해시키고, 빙냉 하에서 트리에틸아민(1.5g), p-톨루엔술포닐클로리드(2.4g)를 첨가하고, 실온으로 승온해서 1시간 반응시켰다. 반응액에 물(50mL)을 첨가하고, 석출된 결정을 여과 후 메탄올(20mL)로 리슬러리하고, 여과, 건조해서 B"6(상술의 구조) 2.3g을 얻었다. The obtained oxime compound (1.8 g) was dissolved in acetone (20 mL), triethylamine (1.5 g) and p-toluenesulfonyl chloride (2.4 g) were added under ice-cooling, and it heated up to room temperature and made it react for 1 hour. Water (50 mL) was added to the reaction solution, and the precipitated crystals were filtered off, reslurried with methanol (20 mL), filtered and dried to obtain 2.3 g of B''6 (structure described above).

또한, B"6의 1H-NMR 스펙트럼(300MHz, CDCl3)은 δ=8.3(d,1H), 8.0(d,2H), 7.9(d,1H), 7.8(d,1H), 7.6(dd,1H), 7.4(dd,1H), 7.3(d,2H), 7.1(d.1H), 5.6(q,1H), 2.4(s,3H), 1.7(d,3H)이었다.In addition, the 1 H-NMR spectrum (300 MHz, CDCl 3 ) of B ″ 6 shows δ = 8.3 (d, 1H), 8.0 (d, 2H), 7.9 (d, 1H), 7.8 (d, 1H), and 7.6 ( dd, 1H), 7.4 (dd, 1H), 7.3 (d, 2H), 7.1 (d. 1H), 5.6 (q, 1H), 2.4 (s, 3H) and 1.7 (d, 3H).

<C"13의 합성><Synthesis of C> 13>

톨릴렌디이소시아네이트의 뷰렛체 100질량부와, 메틸에틸케톤 옥심 50질량부를 반응 용기에 투입하고, 100℃에서 6시간 반응시킴으로써 투명한 점조액체로 이루어지는 블록 이소시아네이트 C"13을 얻었다. IR 측정의 결과, NCO기에 기인하는 2,250cm-1의 흡수 피크가 없는 것을 확인했다(C"13은 3관능의 블록 이소시아네이트기를 갖는 블록 이소시아네이트 화합물을 주로 포함한다).Block mass isocyanate C "13 which consists of a transparent viscous liquid was obtained by putting 100 mass parts of biuret bodies of tolylene diisocyanate, and 50 mass parts of methyl ethyl ketone oxime into a reaction container, and making it react at 100 degreeC for 6 hours. As a result of IR measurement, NCO It was confirmed that there was no absorption peak of 2,250 cm −1 due to the group (C ″ 13 mainly includes a block isocyanate compound having a trifunctional block isocyanate group).

<C"14~C"27의 합성><Synthesis of C "14-C" 27>

합성시에 사용한 디이소시아네이트의 뷰렛체 및 블록 화합물을 변경한 것 외에는 C"13의 합성과 동일하게 해서 합성을 행했다.Synthesis was carried out in the same manner as in the synthesis of C ″ 13, except that the biuret body and the block compound of the diisocyanate used in the synthesis were changed.

(2)감광성 수지 조성물의 평가(2) Evaluation of the photosensitive resin composition

(감도의 평가)(Evaluation of sensitivity)

실리콘 산화막을 갖는 실리콘 웨이퍼 상에 실시예 1~67 및 비교예 1~15의 감광성 수지 조성물의 용액을 각각 스핀 도포한 후 90℃에서 120초간 핫플레이트 상에 있어서 프리베이킹해서 막두께 3㎛의 도막을 형성했다. After spin-coating a solution of the photosensitive resin composition of Examples 1-67 and Comparative Examples 1-15, respectively, on the silicon wafer which has a silicon oxide film, it prebaked on a hotplate at 90 degreeC for 120 second, and the coating film of 3 micrometers in thickness Formed.

이어서, i선 스텝퍼(캐논(주)제 FPA-3000i5+)를 사용하여 소정의 마스크를 통해 노광했다. 노광 후 10분간 기판을 실온에서 방치한 후 0.4%의 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액에 의해 23℃에서 60초간 퍼들법에 의해 현상하고, 또한 초순수로 45초간 린스했다. 이들의 조작에 의해 10㎛의 라인앤드스페이스를 1:1로 해상할 때의 최적 노광량(Eopt)을 감도로 했다. 감도는 70mJ/㎠보다 저노광량의 경우에 고감도라고 할 수 있다. 평가 결과를 표 6~8에 나타낸다. 또한, 표 6의 감도의 란에서 「*」는 200mJ/㎠로 패턴 형성할 수 없었던 것을 나타낸다.Subsequently, it exposed through the predetermined mask using the i-line stepper (FPA-3000i5 + by Canon Corporation). After leaving the substrate for 10 minutes after exposure, the substrate was developed by a puddle method at 23 ° C. for 60 seconds with 0.4% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution, followed by rinsing with ultrapure water for 45 seconds. By these operations, the optimum exposure dose (Eopt) at the time of resolving a 10-micrometer line and space at 1: 1 was set as the sensitivity. Sensitivity can be said to be high sensitivity in the case of low exposure amount than 70mJ / cm <2>. The evaluation results are shown in Tables 6 to 8. In addition, in the column of the sensitivity of Table 6, "*" shows that pattern formation could not be carried out at 200mJ / cm <2>.

(내열투명성의 평가)(Evaluation of heat transparency)

유리 기판(이글 2000 코닝사제)에 실시예 1~67 및 비교예 1~15의 감광성 수지 조성물의 용액을 스핀 도포한 후 90℃에서 120초간 핫플레이트 상에 있어서 프리베이킹해서 막두께 3㎛의 도막을 형성했다. 얻어진 도막을 0.4%의 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액에 의해 23℃에서 60초간 퍼들법에 의해 현상하고, 또한 초순수로 45초간 린스한 후 캐논(주)제 PLA-501F 노광기(초고압 수은 램프)로 적산 조사량이 300mJ/㎠(조도:20mW/㎠)가 되도록 노광하고, 그 후, 이 기판을 오븐에서 230℃에서 1시간 가열해서 경화막을 얻었다. 얻어진 경화막을 오븐에서 230℃에서 2시간 더 가열한 후, 광선 투과율을 분광 광도계「150-20형 더블빔(Hitachi, Ltd.제)」을 사용해서 400~800nm의 범위의 파장으로 측정했다. 그 때의 최저 광선 투과율의 평가(내열투명성의 평가)를 표 6~8에 나타낸다.After spin-coating the solution of the photosensitive resin composition of Examples 1-67 and Comparative Examples 1-15 with a glass substrate (made by Eagle 2000 Corning Co., Ltd.), it prebaked on a hotplate at 90 degreeC for 120 second, and the coating film of 3 micrometers in thickness Formed. The obtained coating film was developed by a puddle method at 23 ° C. for 60 seconds with an aqueous 0.4% tetramethylammonium hydroxide solution, and further rinsed with ultrapure water for 45 seconds, followed by a PLA-501F exposure machine (ultra high pressure mercury lamp) manufactured by Canon Corporation. It exposed so that accumulated irradiation amount might be 300mJ / cm <2> (roughness: 20mW / cm <2>), Then, this board | substrate was heated at 230 degreeC in oven for 1 hour, and the cured film was obtained. After heating the obtained cured film further at 230 degreeC in oven, the light transmittance was measured with the wavelength of 400-800 nm using the spectrophotometer "150-20 type double beam (made by Hitachi, Ltd.)." Evaluation of the minimum light transmittance at that time (evaluation of heat transparency) is shown in Tables 6-8.

평가 기준은 하기와 같다. 또한, 최저 광선 투과율의 값은 230℃에서 2시간 가열 후의 막두께 2㎛당의 값으로 환산하고 있다.The evaluation criteria are as follows. In addition, the value of minimum light transmittance is converted into the value per film thickness of 2 micrometers after heating at 230 degreeC for 2 hours.

0:92% 이상0: 92% or more

1:87% 이상 92% 미만1: 87% or more but less than 92%

2:85% 이상 87% 미만2: 85% or more but less than 87%

3:82% 이상 85% 미만3: 82% or more and less than 85%

4:82% 미만Less than 4: 82%

(내약품성의 평가)(Evaluation of chemical resistance)

유리 기판(이글 2000 코닝사제)에 실시예 1~67 및 비교예 1~15의 감광성 수지 조성물의 용액을 스핀 도포한 후 90℃에서 120초간 핫플레이트 상에 있어서 프리베이킹해서 막두께 3㎛의 도막을 형성했다. 얻어진 도막을 캐논(주)제 PLA-501F 노광기(초고압 수은 램프)로 적산 조사량이 300mJ/㎠(조도:20mW/㎠)가 되도록 노광하고, 그 후, 이 기판을 오븐에서 230℃에서 1시간 가열해서 경화막을 얻었다. 얻어진 경화막을 70℃ 10분간 N-메틸피롤리돈(NMP)에 침지시켜 침지 전후에서의 막두께를 측정했다. 이하를 「팽윤율」로 정의하고, 이하의 기준으로 평가를 행했다.After spin-coating the solution of the photosensitive resin composition of Examples 1-67 and Comparative Examples 1-15 with a glass substrate (made by Eagle 2000 Corning Co., Ltd.), it prebaked on a hotplate at 90 degreeC for 120 second, and the coating film of 3 micrometers in thickness Formed. The obtained coating film was exposed by Canon's PLA-501F exposure machine (ultra high pressure mercury lamp) so that accumulated irradiation amount might be 300 mJ / cm 2 (roughness: 20 mW / cm 2), and then the substrate was heated at 230 ° C. in an oven for 1 hour. And the cured film was obtained. The obtained cured film was immersed in N-methylpyrrolidone (NMP) for 70 degreeC for 10 minutes, and the film thickness before and behind immersion was measured. The following was defined as "swelling ratio" and the following references | standards evaluated.

팽윤율(%)=침지 후의 막두께(㎛)/침지 전의 막두께(㎛)×100-100Swelling rate (%) = film thickness after immersion (µm) / film thickness before immersion (µm) x 100-100

0:팽윤율 2% 미만0: less than 2% of swelling ratio

1:팽윤율 2% 이상 4% 미만1: 2% or more swelling rate less than 4%

2:팽윤율 4% 이상 6% 미만2: 4% or more swelling rate less than 6%

3:팽윤율 6% 이상 8% 미만3: Swelling rate 6% or more and less than 8%

4:팽윤율 8% 이상4: 8% or more swelling ratio

(표시 장치에 있어서의 표시 불균일의 평가)(Evaluation of display nonuniformity in display device)

박막 트랜지스터(TFT)를 사용한 액정 표시 장치를 이하의 방법으로 제작했다(도 1, 2 참조). 일본 특허 제3321003호 공보의 도 1 및 도 2에 기재된 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치에 있어서 층간 절연막으로서 경화막(17)을 이하와 같이 해서 형성하고, 액정 표시 장치를 얻었다.A liquid crystal display device using a thin film transistor (TFT) was produced by the following method (see FIGS. 1 and 2). In the active matrix liquid crystal display device of FIGS. 1 and 2 of Japanese Patent No. 3321003, a cured film 17 was formed as follows as an interlayer insulating film to obtain a liquid crystal display device.

즉, 유리 기판(6) 상에 보텀 게이트형 TFT(1)를 형성하고, 이 TFT(1)를 덮는 상태로 Si3N4로 이루어지는 절연막(3)을 형성했다. 이어서, 이 절연막(3)에 콘택트홀을 형성한 후, 이 콘택트홀을 통해 TFT(1)에 접속되는 배선(2)(높이 1.0㎛)을 절연막(3) 상에 형성했다.In other words, to form the glass substrate 6, the insulating film 3 made of Si 3 N 4 forms a bottom gate type TFT (1) on, and in a state covering the TFT (1). Subsequently, after forming a contact hole in this insulating film 3, the wiring 2 (height 1.0 micrometer in height) connected to the TFT 1 through this contact hole was formed on the insulating film 3.

또한, 배선(2)의 형성에 의한 요철을 평탄화하기 위해서 배선(2)에 의한 요철을 메워넣는 상태로 절연막(3) 상에 평탄화막(4)을 형성했다. 절연막(3) 상에의 평탄화막(4)의 형성은 실시예 1~67, 비교예 1~15의 각 감광성 수지 조성물을 기판 상에 스핀 도포하고, 핫플레이트 상에서 프리베이킹(90℃×2분)한 후 마스크 상에서 고압 수은등을 사용해서 i선(365nm)을 25mJ/㎠(조도 20mW/㎠) 조사한 후 알칼리 수용액으로 현상해서 패턴을 형성하고, 230℃에서 60분간의 가열 처리를 행했다. 상기 감광성 수지 조성물을 도포할 때의 도포성은 양호하며, 노광, 현상, 소성 후에 얻어진 경화막에는 주름이나 크랙의 발생은 확인되지 않았다. 또한, 배선(2)의 평균 단차는 500nm, 제작된 평탄화막(4)의 막두께는 2,000nm이었다.In addition, in order to planarize the unevenness caused by the formation of the wiring 2, the planarization film 4 was formed on the insulating film 3 in a state of filling the unevenness by the wiring 2. Formation of the planarization film 4 on the insulating film 3 spin-coated each photosensitive resin composition of Examples 1-67 and Comparative Examples 1-15 on a board | substrate, and prebaking (90 degreeC * 2 minutes on a hotplate) After irradiating 25mJ / cm <2> (roughness 20mW / cm <2>) of i lines (365 nm) using a high pressure mercury lamp on the mask, it developed by alkaline aqueous solution, the pattern was formed, and it heat-processed at 230 degreeC for 60 minutes. The applicability | paintability at the time of apply | coating the said photosensitive resin composition was favorable, and generation | occurrence | production of a wrinkle and a crack was not recognized in the cured film obtained after exposure, image development, and baking. In addition, the film thickness of the planarization film 4 which produced 500 nm and the average level | step difference of the wiring 2 was 2,000 nm.

얻어진 액정 표시 장치에 대해서 구동 전압을 인가하고, 그레이의 테스트 신호를 입력시켰을 때의 그레이 표시를 육안으로 관찰하고, 표시 불균일의 발생 유무를 하기 평가 기준에 따라서 평가했다.The drive voltage was applied to the obtained liquid crystal display device, the gray display when the gray test signal was input was visually observed, and the presence or absence of display nonuniformity was evaluated according to the following evaluation criteria.

0:전혀 불균일이 보여지지 않는다(매우 좋다)0: Unevenness is not seen at all (very good)

1:유리 기판의 가장자리부분에 희미하게 불균일이 보여지지만, 표시부에 문제 없음(좋다)1: unevenness is seen on the edge of the glass substrate, but there is no problem in the display part (good)

2:표시부에 희미하게 불균일이 보여지지만 실용 레벨(보통)2: unevenness is seen faintly in the display part, but practical use level (usually)

3:표시부에 불균일이 있다(다소 나쁘다)3: There is irregularity in indication part (slightly bad)

4:표시부에 강한 불균일이 있다(매우 나쁘다)4: There is strong unevenness in display part (very bad)

Figure pat00048
Figure pat00048

Figure pat00049
Figure pat00049

Figure pat00050
Figure pat00050

표 6~8로부터 본 발명의 감광성 수지 조성물은 모두 매우 감도가 높고, 내열투명성이 양호하며, 내약품성이 우수한 것을 알 수 있다. 또한, 액정 표시 불균일도 없고, 고품질의 패널을 제조하는 것이 가능한 것을 알 수 있다.It can be seen from Tables 6 to 8 that all of the photosensitive resin compositions of the present invention have very high sensitivity, good thermal transparency, and excellent chemical resistance. Moreover, it turns out that there is no liquid crystal display nonuniformity and it is possible to manufacture a high quality panel.

이것에 대해서 본 발명의 감광성 수지 조성물과는 다른 비교예의 감광성 수지 조성물은 모두 감도, 내열투명성, 내약품성, 표시 불균일이 모든 항목을 만족하는 것이 없는 것을 알 수 있다.On the other hand, as for the photosensitive resin composition of the comparative example different from the photosensitive resin composition of this invention, it turns out that a sensitivity, heat-transparency, chemical resistance, and display nonuniformity do not satisfy all the items.

<실시예 68><Example 68>

실시예 43의 표시 불균일 평가에 있어서 이하의 도포 프로세스만 변경하고, 동일한 액정 표시 장치를 얻었다.In the display nonuniformity evaluation of Example 43, only the following coating processes were changed and the same liquid crystal display device was obtained.

즉, 실시예 43의 감광성 수지 조성물을 슬릿 코팅법(도쿄 일렉트론(주)제 CL1700)로 도포한 후, 90℃/120초 핫플레이트 상에서 가열에 의해 용제를 제거하고, 막두께 4.0㎛의 감광성 수지 조성물층을 형성했다. 얻어진 도막은 평탄하며 불균일이 없는 양호한 면형상이었다. 또한, 액정 표시 장치로서의 성능도 실시예 43과 마찬가지로 양호했다.That is, after apply | coating the photosensitive resin composition of Example 43 with the slit coating method (CL1700 by Tokyo Electron Co., Ltd.), a solvent is removed by heating on a 90 degreeC / 120 second hotplate, and the photosensitive resin of 4.0 micrometers of film thicknesses is carried out. The composition layer was formed. The obtained coating film was flat and favorable surface shape without nonuniformity. Moreover, the performance as a liquid crystal display device was also favorable similarly to Example 43.

<실시예 69><Example 69>

실시예 43의 표시 불균일 평가에 있어서 이하의 도포 프로세스만 변경하고, 동일한 액정 표시 장치를 얻었다.In the display nonuniformity evaluation of Example 43, only the following coating processes were changed and the same liquid crystal display device was obtained.

즉, 실시예 43의 감광성 수지 조성물을 슬릿앤드스핀법(다이니폰 스크린 세이조(주)제 SF-700G3)으로 도포한 후 90℃/120초 핫플레이트 상에서 가열에 의해 용제를 제거하고, 막두께 4.0㎛의 감광성 수지 조성물층을 형성했다. 얻어진 도막은 평탄하며 불균일이 없는 양호한 면형상이었다. 또한, 액정 표시 장치로서의 성능도 실시예 43과 마찬가지로 양호했다.That is, after apply | coating the photosensitive resin composition of Example 43 with the slit-and-spin method (SF-700G3 by Dainippon Screen Seijo Co., Ltd.), a solvent is removed by heating on a 90 degreeC / 120 second hotplate, and a film thickness is carried out. A 4.0 micrometers photosensitive resin composition layer was formed. The obtained coating film was flat and favorable surface shape without nonuniformity. Moreover, the performance as a liquid crystal display device was also favorable similarly to Example 43.

<실시예 70><Example 70>

실시예 43의 표시 불균일 평가에 있어서 얻어진 액정 표시 장치를 120℃ 100% RH의 고온고습조건 하에서 1주일 노출시킨 후 분해해서 경화막의 하지 밀착성을 평가한 결과 밀착성은 양호했다.Adhesiveness was favorable as a result of exposing the liquid crystal display device obtained in the display nonuniformity evaluation of Example 43 for one week under 120 degreeC 100% RH high temperature, high humidity conditions, and decomposing | disassembling and evaluating the base adhesiveness of a cured film.

<실시예 71><Example 71>

박막 트랜지스터(TFT)를 사용한 유기 EL 표시 장치를 이하의 방법으로 제작했다(도 1 참조).An organic EL display device using a thin film transistor (TFT) was produced by the following method (see Fig. 1).

유리 기판(6) 상에 보텀 게이트형의 TFT(1)을 형성하고, 이 TFT(1)를 덮는 상태로 Si3N4로 이루어지는 절연막(3)을 형성했다. 이어서, 이 절연막(3)에 여기에서는 도시를 생략한 콘택트홀을 형성한 후, 이 콘택트홀을 통해 TFT(1)에 접속되는 배선(2)(높이 1.0㎛)을 절연막(3) 상에 형성했다. 이 배선(2)은 TFT(1) 사이 또는 후공정에서 형성되는 유기 EL 소자와 TFT(1)를 접속하기 위한 것이다.A glass substrate 6, the insulating film 3 made of Si 3 N 4 forming a TFT (1) of the bottom gate type on, and in a state covering the TFT (1) was formed. Subsequently, a contact hole (not shown here) is formed in the insulating film 3, and then a wiring 2 (1.0 μm in height) connected to the TFT 1 through the contact hole is formed on the insulating film 3. did. This wiring 2 is for connecting the TFT 1 with the organic EL element formed between the TFTs 1 or in a later step.

또한, 배선(2)의 형성에 의한 요철을 평탄화하기 위해서 배선(2)에 의한 요철을 메워넣는 상태로 절연막(3) 상에 평탄화층(4)을 형성했다. 절연막(3) 상에의 평탄화막(4)의 형성은 실시예 43의 감광성 수지 조성물을 기판 상에 스핀 도포하고, 핫플레이트 상에서 프리베이킹(90℃×2분)한 후 마스크 상으로부터 고압 수은등을 사용해서 i선(365nm)을 45mJ/㎠(조도 20mW/㎠) 조사한 후, 알칼리 수용액으로 현상해서 패턴을 형성하고, 230℃에서 60분간의 가열 처리를 행했다. 상기 감광성 수지 조성물을 도포할 때의 도포성은 양호하며, 노광, 현상, 소성 후에 얻어진 경화막에는 주름이나 크랙의 발생은 확인되지 않았다. 또한, 배선(2)의 평균 단차는 500nm, 제작한 평탄화막(4)의 막두께는 2,000nm이었다.In addition, in order to planarize the unevenness caused by the formation of the wiring 2, the planarization layer 4 was formed on the insulating film 3 in a state of filling the unevenness of the wiring 2. Formation of the planarization film 4 on the insulating film 3 is performed by spin-coating the photosensitive resin composition of Example 43 on a substrate, prebaking (90 ° C. × 2 minutes) on a hot plate, and then applying a high pressure mercury lamp from the mask. After irradiating i line | wire (365 nm) to 45 mJ / cm <2> (roughness 20 mW / cm <2>), it developed with alkaline aqueous solution, the pattern was formed, and the heat processing for 60 minutes was performed at 230 degreeC. The applicability | paintability at the time of apply | coating the said photosensitive resin composition was favorable, and generation | occurrence | production of a wrinkle and a crack was not recognized in the cured film obtained after exposure, image development, and baking. In addition, the film thickness of the planarization film 4 which produced 500 nm of average level | step differences of the wiring 2 was 2,000 nm.

이어서, 얻어진 평탄화막(4) 상에 보텀 이미션형 유기 EL 소자를 형성했다. 우선, 평탄화막(4) 상에 ITO로 이루어지는 제 1 전극(5)을 콘택트홀(7)을 통해 배선(2)에 접속시켜서 형성했다. 그 후, 레지스트를 도포, 프리베이킹하고, 소망의 패턴의 마스크를 통해 노광하고, 현상했다. 이 레지스트 패턴을 마스크로 해서 ITO 에천트를 사용한 웨트 에칭에 의해 패턴 가공을 행했다. 그 후, 레지스트 박리액(모노에탄올아민과 디메틸술폭시드(DMSO)의 혼합액)을 사용해서 상기 레지스트 패턴을 박리했다. 이렇게 해서 얻어진 제 1 전극(5)은 유기 EL 소자의 양극에 상당하다.Next, a bottom emission type organic EL device was formed on the obtained planarization film 4. First, on the planarization film 4, the 1st electrode 5 which consists of ITO was connected to the wiring 2 through the contact hole 7, and was formed. Then, the resist was apply | coated and prebaked, and it exposed and developed through the mask of a desired pattern. Using this resist pattern as a mask, pattern processing was performed by wet etching using ITO etchant. Then, the said resist pattern was stripped using the resist stripping liquid (mixed liquid of monoethanolamine and dimethyl sulfoxide (DMSO)). The 1st electrode 5 obtained in this way is corresponded to the anode of organic electroluminescent element.

이어서, 제 1 전극(5)의 주변을 덮는 형상의 절연막(8)을 형성했다. 절연막에는 실시예 43의 감광성 수지 조성물을 사용해서 상기와 동일한 방법으로 절연막(8)을 형성했다. 이 절연막을 형성함으로써 제 1 전극(5)과 이 후의 공정에서 형성하는 제 2 전극 사이의 쇼트를 방지할 수 있다.Next, the insulating film 8 of the shape which covers the periphery of the 1st electrode 5 was formed. The insulating film 8 was formed in the insulating film by the method similar to the above using the photosensitive resin composition of Example 43. By forming this insulating film, the short between the 1st electrode 5 and the 2nd electrode formed in a subsequent process can be prevented.

또한, 진공 증착 장치내에서 소망의 패턴 마스크를 통해 정공 수송층, 유기 발광층, 전자 수송층을 순차 증착해서 형성했다. 이어서, 기판 상방의 전체면에 Al로 이루어지는 제 2 전극을 형성했다. 얻어진 상기 기판을 증착기로부터 인출하고, 밀봉용 유리판과 자외선 경화형 에폭시 수지를 사용해서 접합함으로써 밀봉했다.Further, the hole transporting layer, the organic light emitting layer, and the electron transporting layer were sequentially deposited through a desired pattern mask in a vacuum vapor deposition apparatus. Next, the 2nd electrode which consists of Al was formed in the whole surface above a board | substrate. The obtained said board | substrate was taken out from the vapor deposition machine, and it sealed by bonding together using the sealing glass plate and an ultraviolet curable epoxy resin.

이상과 같이 해서, 각 유기 EL 소자에 이것을 구동하기 위한 TFT(1)가 접속해서 이루어지는 액티브 매트릭스형 유기 EL 표시 장치가 얻어졌다. 구동 회로를 통해 전압을 인가한 결과 양호한 표시 특성을 나타내고, 신뢰성이 높은 유기 EL 표시 장치인 것을 알 수 있었다.As described above, an active matrix organic EL display device obtained by connecting the TFT 1 for driving this to each organic EL element was obtained. As a result of applying a voltage through the driving circuit, it was found that the display device exhibited good display characteristics and was a highly reliable organic EL display device.

1:TFT(박막 트랜지스터) 2:배선
3:절연막 4:평탄화막
5:제1전극 6:유리 기판
7:콘택트홀 8:절연막
10:액정 표시 장치 12:백라이트 유닛
14,15:유리 기판 16:TFT
17:경화막 18:콘택트홀
19:ITO 투명전극 20:액정
22:컬러필터
1: TFT (thin film transistor) 2: wiring
3: insulation film 4: flattening film
5: first electrode 6: glass substrate
7: Contact hole 8: Insulation film
10: liquid crystal display device 12: backlight unit
14,15: glass substrate 16: TFT
17: Curing film 18: Contact hole
19: ITO transparent electrode 20: liquid crystal
22: color filter

Claims (18)

(성분 A) 아세탈 구조를 갖고 산의 작용에 의해 알칼리 용해성이 변화되는 수지,
(성분 B) 광산발생제,
(성분 C) 가교제, 및
(성분 D) 용제를 포함하고;
상기 성분 C는 블록 이소시아네이트 화합물을 포함하고,
상기 블록 이소시아네이트 화합물의 모구조는 뷰렛 구조인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
(Component A) resin which has an acetal structure and whose alkali solubility changes by the action of an acid,
(Component B) a photoacid generator,
(Component C) a crosslinking agent, and
(Component D) a solvent is included;
Component C comprises a block isocyanate compound,
The parent structure of the said block isocyanate compound is a biuret structure, The photosensitive resin composition characterized by the above-mentioned.
제 1 항에 있어서,
상기 블록 이소시아네이트 화합물의 이소시아네이트기는 옥심 화합물, 락탐 화합물, 페놀 화합물, 알콜 화합물, 아민 화합물, 활성 메틸렌 화합물, 피라졸 화합물, 메르캅탄 화합물, 이미다졸계 화합물, 및 이미드계 화합물로 이루어지는 군에서 선택된 블록화제로 블록되어 있는 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
The method of claim 1,
The isocyanate group of the block isocyanate compound is a blocking agent selected from the group consisting of oxime compounds, lactam compounds, phenol compounds, alcohol compounds, amine compounds, active methylene compounds, pyrazole compounds, mercaptan compounds, imidazole compounds, and imide compounds. It is blocked, The photosensitive resin composition characterized by the above-mentioned.
제 1 항에 있어서,
상기 블록 이소시아네이트 화합물은 톨릴렌디이소시아네이트(TDI), 디페닐메탄디이소시아네이트(MDI), 헥사메틸렌디이소시아네이트(HDI), 및 이소포론디이소시아네이트(IPDI)로 이루어지는 군에서 선택된 화합물을 다량화해서 얻어진 뷰렛 구조를 갖는 다량체의 이소시아네이트기를 블록제로 블록한 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
The method of claim 1,
The said block isocyanate compound is a burette structure obtained by multiplying the compound selected from the group which consists of tolylene diisocyanate (TDI), diphenylmethane diisocyanate (MDI), hexamethylene diisocyanate (HDI), and isophorone diisocyanate (IPDI). The photosensitive resin composition characterized by blocking the isocyanate group of the multimer which has a block agent.
제 1 항에 있어서,
상기 블록 이소시아네이트 화합물의 함유량은 상기 감광성 수지 조성물의 전체 고형분량에 대해서 0.1~8질량%의 범위인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
The method of claim 1,
Content of the said block isocyanate compound is 0.1-8 mass% with respect to the total solid amount of the said photosensitive resin composition, The photosensitive resin composition characterized by the above-mentioned.
제 1 항에 있어서,
상기 성분 A는 카르복실기가 아세탈 구조에 의해 보호된 잔기를 갖는 구성 단위(a1)를 갖는 중합체인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
The method of claim 1,
Said component A is a polymer which has a structural unit (a1) which has a residue in which a carboxyl group was protected by the acetal structure, The photosensitive resin composition characterized by the above-mentioned.
제 1 항에 있어서,
상기 성분 A는 카르복실기 또는 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위(a2)를 갖는 중합체인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
The method of claim 1,
Said component A is a polymer which has a structural unit (a2) which has a carboxyl group or phenolic hydroxyl group, The photosensitive resin composition characterized by the above-mentioned.
제 1 항에 있어서,
상기 성분 B는 옥심술포네이트 화합물인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
The method of claim 1,
The said component B is an oxime sulfonate compound, The photosensitive resin composition characterized by the above-mentioned.
제 1 항에 있어서,
상기 성분 A는 (a3) 가교성기를 갖는 구성 단위를 갖는 중합체인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
The method of claim 1,
Said component A is a polymer which has a structural unit which has (a3) crosslinkable group, The photosensitive resin composition characterized by the above-mentioned.
제 1 항에 있어서,
상기 (a3) 가교성기를 갖는 구성 단위에 포함되는 가교성기는 에폭시기, 옥세타닐기, 및 -NH-CH2-O-R(R은 수소원자 또는 탄소수 1~20의 알킬기를 나타낸다)로 나타내어지는 기로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 1종인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
The method of claim 1,
Crosslinking group contained in the structural unit having the (a3) is a crosslinking group comprising a group represented by an epoxy group, an oxetanyl group, and a -NH-CH 2 -OR (R represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms) Photosensitive resin composition, characterized in that at least one selected from the group.
제 1 항에 있어서,
산화 방지제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
The method of claim 1,
The photosensitive resin composition which further contains antioxidant.
(1) 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 기재된 감광성 수지 조성물을 기판 상에 적용하는 적용 공정,
(2) 적용된 감광성 수지 조성물로부터 용제를 제거하는 용제 제거 공정,
(3) 용제가 제거된 감광성 수지 조성물을 활성 광선에 의해 노광하는 노광 공정,
(4) 노광된 감광성 수지 조성물을 수성 현상액에 의해 현상하는 현상 공정, 및
(5)현상된 감광성 수지 조성물을 열경화하는 포스트 베이킹 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 경화막의 형성 방법.
(1) An application step of applying the photosensitive resin composition according to any one of claims 1 to 10 on a substrate,
(2) a solvent removal step of removing the solvent from the applied photosensitive resin composition,
(3) an exposure step of exposing the photosensitive resin composition from which the solvent is removed by actinic light;
(4) a developing step of developing the exposed photosensitive resin composition with an aqueous developer; and
(5) A method of forming a cured film, comprising a post-baking step of thermosetting the developed photosensitive resin composition.
제 11 항에 있어서,
상기 현상 공정 후 상기 포스트 베이킹 공정 전에 현상된 감광성 수지 조성물을 전체면 노광하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 경화막의 형성 방법.
The method of claim 11,
And a step of exposing the entire surface of the photosensitive resin composition developed after the developing step and before the post-baking step.
제 11 항에 있어서,
상기 현상 공정 후 상기 포스트 베이킹 공정 전에 현상된 감광성 수지 조성물을 전체면 노광하는 공정을 포함하지 않는 것을 특징으로 하는 경화막의 형성 방법.
The method of claim 11,
A method of forming a cured film, comprising a step of exposing the entire surface of the photosensitive resin composition developed after the developing step and before the post-baking step.
제 11 항에 있어서,
(6) 열경화해서 얻어진 경화막을 갖는 기판에 대해서 드라이 에칭을 행하는 드라이 에칭 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 경화막의 형성 방법.
The method of claim 11,
(6) The method of forming a cured film, further comprising a dry etching step of performing dry etching on a substrate having a cured film obtained by thermosetting.
제 11 항에 기재된 경화막의 형성 방법에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 경화막.It formed by the formation method of the cured film of Claim 11, The cured film characterized by the above-mentioned. 제 15 항에 있어서,
층간 절연막인 것을 특징으로 하는 경화막.
The method of claim 15,
It is an interlayer insulation film, The cured film characterized by the above-mentioned.
제 15 항에 기재된 경화막을 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 EL 표시 장치.The cured film of Claim 15 is provided, The organic electroluminescence display characterized by the above-mentioned. 제 15 항에 기재된 경화막을 구비하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
The cured film of Claim 15 is provided, The liquid crystal display device characterized by the above-mentioned.
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