KR101738464B1 - Photosensitive resin composition, method for forming cured film, cured film, organic el display device, and liquid-crystal display device - Google Patents

Photosensitive resin composition, method for forming cured film, cured film, organic el display device, and liquid-crystal display device Download PDF

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Abstract

감도가 높고, 투명성이 높고, 내약품성이 높고, 경화막의 기판과의 밀착성이 높고, 드라이 에칭 내성이 뛰어나고, 유전율이 낮은 경화막을 얻을 수 있는 감광성 수지 조성물의 제공.
(A) 하기 (1) 및 (2) 중 적어도 한쪽을 만족시키는 중합체를 포함하는 중합체 성분,
(1) (a1) 산기가 산 분해성기로 보호된 잔기를 갖는 구성 단위, 및 (a2) 가교성기를 갖는 구성 단위를 갖는 중합체,
(2) (a1) 산기가 산 분해성기로 보호된 잔기를 갖는 구성 단위를 갖는 중합체, 및 (a2) 가교성기를 갖는 구성 단위를 갖는 중합체,
(B) 광산 발생제, (C) 어덕트형 블록 폴리이소시아네이트 화합물, 및 (D) 용제를 포함하는 감광성 수지 조성물.
A photosensitive resin composition capable of obtaining a cured film having high sensitivity, high transparency, high chemical resistance, high adhesion of a cured film to a substrate, excellent dry etching resistance, and low dielectric constant.
(A) a polymer component comprising a polymer satisfying at least one of the following (1) and (2)
(1) a polymer comprising (a1) a structural unit having a residue protected by an acid-decomposable group and (a2) a structural unit having a structural unit having a crosslinkable group,
(2) a polymer having (a1) a constituent unit having a residue protected by an acid-decomposable group, and (a2) a polymer having a constituent unit having a crosslinkable group,
(B) a photoacid generator, (C) an adduct type block polyisocyanate compound, and (D) a solvent.

Description

감광성 수지 조성물, 경화막의 형성 방법, 경화막, 유기 EL 표시 장치, 및 액정 표시 장치{PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, METHOD FOR FORMING CURED FILM, CURED FILM, ORGANIC EL DISPLAY DEVICE, AND LIQUID-CRYSTAL DISPLAY DEVICE}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a photosensitive resin composition, a method of forming a cured film, a cured film, an organic EL display device, and a liquid crystal display device,

본 발명은 포지티브형 감광성 수지 조성물, 경화막의 형성 방법, 경화막, 액정 표시 장치, 및 유기 EL 표시 장치에 관한 것이다. 더욱 상세하게는 액정 표시 장치, 유기 EL 표시 장치, 집적 회로 소자, 고체 촬상 소자 등의 전자 부품의 평탄화막, 보호막이나 층간 절연막의 형성에 바람직한 포지티브형 감광성 수지 조성물 및 그것을 사용한 경화막의 형성 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a positive photosensitive resin composition, a method of forming a cured film, a cured film, a liquid crystal display, and an organic EL display. More particularly, the present invention relates to a planarizing film for electronic components such as a liquid crystal display, an organic EL display, an integrated circuit element, and a solid-state imaging element, a positive photosensitive resin composition suitable for forming a protective film or an interlayer insulating film, and a method for forming a cured film using the same. will be.

박막 트랜지스터(이하, 「TFT」라고 기재함)형 액정 표시 소자나 자기 헤드 소자, 집적 회로 소자, 고체 촬상 소자 등의 전자 부품에는 일반적으로 층 형상으로 배치되는 배선의 사이를 절연하기 위해서 층간 절연막이 설치되어 있다. 층간 절연막을 형성하는 재료로서는 필요로 하는 패턴 형상을 얻기 위한 공정수가 적고 또한 충분한 평탄성을 갖는 것이 바람직하기 때문에, 감광성 수지 조성물이 폭넓게 사용되고 있다. 이러한 감광성 수지 조성물로서는, 예를 들면 특허문헌 1을 들 수 있다.Description of the Related Art [0002] In order to insulate a wiring layer, which is generally arranged in layers, in an electronic component such as a thin film transistor (hereinafter referred to as "TFT") type liquid crystal display element, a magnetic head element, an integrated circuit element, Is installed. As the material for forming the interlayer insulating film, it is preferable that the number of steps for obtaining a necessary pattern shape is small and sufficient flatness is achieved, and thus a photosensitive resin composition is widely used. As such a photosensitive resin composition, for example, Patent Document 1 can be mentioned.

상기 전자 부품 중, 예를 들면 TFT형 액정 표시 소자는 상기 층간 절연막 상에 투명 전극막(ITO)을 형성하고, 또한 그 위에 몰리브덴(Mo)이나 티타늄(Ti) 등의 금속으로 이루어지는 배선이 형성되고, 액정 배향막을 형성하는 공정을 거쳐서 제조되기 때문에 층간 절연막은 투명 전극막의 형성 공정에 있어서 고온 조건에 노출되거나, 전극의 패턴 형성에 사용되는 레지스트의 박리액이나, 액정 배향막 형성시에 사용되는 NMP(N-메틸피롤리돈)에 노출되게 되기 때문에 이것들에 대한 충분한 내성이 필요해진다.Among the above electronic components, for example, in a TFT type liquid crystal display element, a transparent electrode film (ITO) is formed on the interlayer insulating film, a wiring made of metal such as molybdenum (Mo) or titanium (Ti) , The liquid crystal alignment layer is formed. Therefore, the interlayer insulating layer may be exposed to high temperature conditions in the process of forming the transparent electrode layer, or may be exposed to a stripping liquid of a resist used for pattern formation of an electrode, an NMP N-methylpyrrolidone), so that sufficient resistance to these substances is required.

또한, 층간 절연막이 투명 전극막 또는 그 위에 형성되는 배선(금속)과의 밀착성이 나쁠 경우에는 패널의 표시에 문제가 발생하기 쉬워지기 때문에, 투명 전극막이나 배선과의 밀착성도 요구된다. 층간 절연막은 드라이 에칭 공정이 가해지는 경우도 있기 때문에, 드라이 에칭에 대한 충분한 내성도 필요해진다.In addition, when the interlayer insulating film has poor adhesion to the transparent electrode film or the wiring (metal) formed thereon, problems are likely to occur in the display of the panel, and adhesion with the transparent electrode film or wiring is also required. Since the interlayer insulating film may be subjected to a dry etching process, sufficient resistance to dry etching is also required.

최근, 전자 재료 분야에 있어서는 고집적화, 다기능화, 고성능화의 진행에 따라 회로 저항이나 배선간의 콘덴서 용량이 증대하고, 소비전력이나 지연 시간의 증대를 초래하고 있다. 그 중에서도 지연 시간의 증대는 디바이스의 신호 스피드의 저하나 크로스토크 발생의 큰 요인이 되기 때문에, 이 지연 시간을 감소시켜서 디바이스의 고속화를 도모하기 위해 기생 용량의 저감이 요청되고 있다. 이 기생 용량을 저감시키기 위해서, 층간 절연막의 저유전율화의 요구가 높아져 오고 있다. 아크릴계 수지로 이루어지는 층간 절연막은 규소 질화막(SiN, 비유전율 약 8), 규소산 질화막(SiON, 비유전율 약 4.5), 규소 산화막(SiO, 비유전율 약 4) 등에 비해 낮지만, 상기 이유로부터 더 나은 저유전율화가 요망되고 있다.BACKGROUND ART In recent years, in the field of electronic materials, circuit resistance and capacitor capacity between wirings increase with progress of high integration, multifunctionalization, and high performance, resulting in increase of power consumption and delay time. Among them, the increase of the delay time is a factor of the decrease of the signal speed of the device and the generation of the crosstalk. Therefore, it is required to reduce the parasitic capacitance in order to reduce the delay time and increase the speed of the device. In order to reduce the parasitic capacitance, a demand for lowering the dielectric constant of the interlayer insulating film has been increasing. The interlayer insulating film made of an acrylic resin is lower than the silicon nitride film (SiN, relative dielectric constant: about 8), silicon oxynitride film (SiON, relative dielectric constant: about 4.5), silicon oxide film (SiO 2, relative dielectric constant: about 4) A reduction in the dielectric constant is desired.

특허문헌 2에는 도료(자동차용, 또는 분체 도료, 제관용, 프리코트 메탈), 접착제, 섬유 가공제 등에 유용한, 화학적으로 안정되어 내후성, 및 특히 저온 경화성이 뛰어난 블록 이소시아네이트를 포함하는 수지 조성물이 기재되어 있지만, 층간 절연막에 관한 기재는 없다. 블록 이소시아네이트 화합물을 층간 절연막에 적용한 예로서는 특허문헌 3을 들 수 있다.Patent Document 2 discloses a resin composition comprising a block isocyanate which is chemically stable and excellent in weatherability and particularly low temperature curability, which is useful for paints (for automobiles, powders, coatings, precoated metals), adhesives, However, there is no description concerning the interlayer insulating film. An example of applying a block isocyanate compound to an interlayer insulating film is disclosed in Patent Document 3.

일본 특허 공개 2011-209681호 공보Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2011-209681 일본 특허 공개 평 8-165326호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 8-165326 일본 특허 공개 평 2008-3532호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-3532

여기에서, 특허문헌 3에 있어서 제안되어 있는 감광성 수지 조성물은 블록 이소시아네이트로서, 우레트디온 구조를 갖는 블록 이소시아네이트 화합물을 포함한다. 본원 발명자가 검토한 결과, 이러한 우레트디온 구조를 갖는 블록 이소시아네이트 화합물을 포함하는 감광성 수지 조성물은 층간 절연막 형성 후에 사용되는 레지스트의 박리액이나 N-메틸피롤리돈(NMP)에 대한 내성이 낮고, 경화막 형성 후의 금속과의 밀착성이 나쁘고, 또한 드라이 에칭에 대한 내성이 낮은 것을 알 수 있었다. 결과적으로, 액정 표시 장치에 있어서의 표시 문제가 일어나기 쉬워 개선이 요구되고 있었다. 특허문헌 3에 기재된 감광성 수지 조성물은 층간 절연막의 유전율이 더 높고, 크로스토크의 발생이 큰 문제가 되고 있었다.Here, the photosensitive resin composition proposed in Patent Document 3 includes a block isocyanate and a block isocyanate compound having a uretdione structure. The inventors of the present invention have found that a photosensitive resin composition containing a block isocyanate compound having a uretdione structure has low resistance to a resist remover or N-methyl pyrrolidone (NMP) used after forming an interlayer insulating film, The adhesion to the metal after the formation of the cured film was poor, and the resistance to dry etching was low. As a result, a display problem in a liquid crystal display device tends to occur, and improvement has been demanded. The photosensitive resin composition described in Patent Document 3 has a problem that the dielectric constant of the interlayer insulating film is higher and the occurrence of crosstalk is significant.

본 발명은 이상과 같은 사정을 비추어 보아 이루어진 것으로서, 감도가 높고, 투명성이 높고, 내약품성이 높고, 경화막의 기판과의 밀착성이 높고, 드라이 에칭 내성에 뛰어나고, 유전율이 낮은 경화막을 얻을 수 있는 감광성 수지 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한, 감광성 수지 조성물을 경화해서 얻어지는 경화막 및 그 형성 방법, 및 상기 경화막을 구비한 유기 EL 표시 장치 및 액정 표시 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances and has as its object to provide a photosensitive resin composition which has high sensitivity, It is an object of the present invention to provide a resin composition. It is still another object of the present invention to provide a cured film obtained by curing a photosensitive resin composition, a method of forming the same, and an organic EL display device and a liquid crystal display device provided with the cured film.

감광성 수지 조성물의 유전율을 저하시키기 위해서는 일반적으로 OH기를 감소시키는 것이 유효하다고 생각되고 있다. 여기에서, OH기를 감소시킨다고 하면 중합체 성분 중의 산 분해성기나 가교성기의 비율을 감소시키는 것이 생각된다. 그러나, 가교성기 등의 비율을 감소시키면 내약품성이 떨어져 버린다. 그리고, 본 발명에서는 반응성이 좋은 어덕트형 블록 이소시아네이트 화합물을 사용함으로써, 산 분해성기나 가교성기의 비율을 감소시키지 않고 OH기를 감소시키는 것에 성공한 것이다.It is generally considered that reducing the OH group is effective for lowering the dielectric constant of the photosensitive resin composition. If the OH group is reduced, it is considered that the ratio of the acid-decomposable group and the crosslinkable group in the polymer component is reduced. However, if the ratio of the crosslinkable group is reduced, the chemical resistance is reduced. In the present invention, by using an amine type block isocyanate compound having a good reactivity, the OH group was successfully reduced without reducing the ratio of the acid-decomposable group and the crosslinkable group.

구체적으로는, 이하의 수단에 의해 상기 과제는 해결되었다.Specifically, the above problem has been solved by the following means.

<1> (A) 하기 (1) 및 (2) 중 적어도 한쪽을 만족시키는 중합체를 포함하는 중합체 성분,&Lt; 1 > A polymer composition comprising (A) a polymer component comprising a polymer satisfying at least one of the following (1) and (2)

(1) (a1) 산기가 산 분해성기로 보호된 잔기를 갖는 구성 단위, 및 (a2) 가교성기를 갖는 구성 단위를 갖는 중합체,(1) a polymer comprising (a1) a structural unit having a residue protected by an acid-decomposable group and (a2) a structural unit having a structural unit having a crosslinkable group,

(2) (a1) 산기가 산 분해성기로 보호된 잔기를 갖는 구성 단위를 갖는 중합체, 및 (a2) 가교성기를 갖는 구성 단위를 갖는 중합체,(2) a polymer having (a1) a constituent unit having a residue protected by an acid-decomposable group, and (a2) a polymer having a constituent unit having a crosslinkable group,

(B) 광산 발생제,(B) a photoacid generator,

(C) 어덕트형 블록 폴리이소시아네이트 화합물, 및(C) an adduct type block polyisocyanate compound, and

(D) 용제,(D) a solvent,

를 포함하는 감광성 수지 조성물..

<2> (C) 어덕트형 블록 폴리이소시아네이트 화합물이 하기 일반식(C)으로 나타내어지는 화합물인 <1>에 기재된 감광성 수지 조성물.<2> (C) The photosensitive resin composition according to <1>, wherein the adduct block polyisocyanate compound is a compound represented by the following formula (C).

일반식(C)In the general formula (C)

Ra-{O(C=O)-NH-Rb-NHCO-B}nRa- {O (C = O) -NH-Rb-NHCO-B} n

[일반식(C) 중, Ra는 n가의 탄화수소기이고, Rb는 2가의 탄화수소기이고, B는 이소시아네이트를 블록하는 기를 나타낸다. n은 3∼6의 정수이다. n개의 Rb 및 B는 각각 동일하거나 달라도 좋다][In the general formula (C), Ra is an n-valent hydrocarbon group, Rb is a divalent hydrocarbon group, and B represents a group blocking isocyanate. n is an integer of 3 to 6; n Rb and B may be the same or different,

<3> 일반식(C)에 있어서의 Ra가 분기의 지방족 탄화수소기인 <2>에 기재된 감광성 수지 조성물.&Lt; 3 > The photosensitive resin composition according to < 2 >, wherein Ra in general formula (C) is a branched aliphatic hydrocarbon group.

<4> 일반식(C)에 있어서의 B가 옥심 화합물, 락탐 화합물, 페놀 화합물, 알콜 화합물, 아민 화합물, 활성 메틸렌 화합물, 피라졸 화합물, 메르캅탄 화합물, 이미다졸 화합물 및 이미드 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 화합물 유래의 기인 <2> 또는 <3>에 기재된 감광성 수지 조성물.<4> A positive resist composition according to <4>, wherein B in the general formula (C) is at least one compound selected from the group consisting of oxime compounds, lactam compounds, phenol compounds, alcohol compounds, amine compounds, active methylene compounds, pyrazole compounds, mercaptan compounds, imidazole compounds and imide compounds Or a group derived from a compound selected from the group consisting of a halogen atom and a halogen atom.

<5> 화학 증폭 포지티브형인 <1>∼<4> 중 어느 하나에 기재된 감광성 수지 조성물.<5> A photosensitive resin composition according to any one of <1> to <4>, which is a chemically amplified positive type.

<6> 상기 산 분해성기가 아세탈의 형태로 보호된 구조를 갖는 기인 <1>∼<5> 중 어느 하나에 기재된 감광성 수지 조성물.<6> The photosensitive resin composition according to any one of <1> to <5>, wherein the acid-decomposable group is a group having a protected structure in the form of an acetal.

<7> 상기 구성 단위(a1)가 하기 일반식(A2')으로 나타내어지는 구성 단위인 <1>∼<6> 중 어느 하나에 기재된 화학 증폭형 포지티브형 감광성 수지 조성물.<7> The chemical amplification type positive photosensitive resin composition according to any one of <1> to <6>, wherein the structural unit (a1) is a structural unit represented by the following general formula (A2 ').

일반식(A2')(A2 ')

Figure 112014106526920-pct00001
Figure 112014106526920-pct00001

[일반식(A2') 중, R1 및 R2는 각각 수소 원자, 알킬기 또는 아릴기를 나타내고, 적어도 R1 및 R2 중 어느 한쪽이 알킬기 또는 아릴기이며, R3은 알킬기 또는 아릴기를 나타내고, R1 또는 R2와, R3이 연결되어 환상 에테르를 형성해도 좋고, R4는 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, X는 단결합 또는 아릴렌기를 나타낸다]Wherein R 1 and R 2 each represent a hydrogen atom, an alkyl group or an aryl group, at least one of R 1 and R 2 is an alkyl group or an aryl group, R 3 is an alkyl group or an aryl group, R 1 or R 2 and R 3 may be connected to form a cyclic ether, R 4 represents a hydrogen atom or a methyl group, and X represents a single bond or an arylene group,

<8> 상기 (A) 중합체 성분 중 어느 하나가 산기를 더 함유하는 중합체인 <1>∼<7> 중 어느 하나에 기재된 감광성 수지 조성물.<8> The photosensitive resin composition according to any one of <1> to <7>, wherein any one of the polymer components (A) is a polymer further containing an acid group.

<9> (a2) 가교성기를 갖는 구성 단위에 포함되는 가교성기가 에폭시기, 옥세타닐기, 및 -NH-CH2-O-R(R은 수소 원자 또는 탄소수 1∼20의 알킬기)로 나타내어지는 기로부터 선택되는 적어도 1종인 <1>∼<8> 중 어느 하나에 기재된 감광성 수지 조성물.(A2) The crosslinkable group contained in the structural unit having a crosslinkable group is selected from the group consisting of an epoxy group, an oxetanyl group and -NH-CH 2 -OR (R is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms) The photosensitive resin composition according to any one of < 1 > to < 8 &gt;, which is at least one selected.

<10> (C) 어덕트형 블록 폴리이소시아네이트 화합물이 톨릴렌디이소시아네이트, 디페닐메탄디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트 및 이소포론디이소시아네이트로부터 선택되는 적어도 1종의 이소시아네이트 화합물로부터 합성되는 폴리이소시아네이트 프리폴리머의 이소시아네이트기를 블록제로 블록한 것인 <1>∼<9> 중 어느 하나에 기재된 감광성 수지 조성물.(C) The isocyanate of a polyisocyanate prepolymer synthesized from at least one isocyanate compound selected from tolylene diisocyanate, diphenylmethane diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, and isophorone diisocyanate, wherein the adduct type block polyisocyanate compound 1 &gt; to &lt; 9 &gt;. 2. The photosensitive resin composition according to any one of &lt; 1 &gt;

<11> (C) 어덕트형 블록 폴리이소시아네이트 화합물이 디이소시아네이트 화합물과 트리메틸올프로판의 반응에 의해 얻어진 것인 <1>∼<10> 중 어느 하나에 기재된 감광성 수지 조성물.<11> (C) The photosensitive resin composition according to any one of <1> to <10>, wherein the adduct block-type polyisocyanate compound is obtained by a reaction of a diisocyanate compound and trimethylolpropane.

<12> 산화방지제를 더 포함하는 <1>∼<11> 중 어느 하나에 기재된 감광성 수지 조성물.<12> The photosensitive resin composition according to any one of <1> to <11>, further comprising an antioxidant.

<13> (1) <1>∼<12> 중 어느 하나에 기재된 감광성 수지 조성물을 기판 상에 적용하는 공정,(13) A method for producing a photosensitive resin composition, comprising the steps of: applying the photosensitive resin composition described in any one of <1> to <12>

(2) 적용된 감광성 수지 조성물로부터 용제를 제거하는 공정,(2) a step of removing the solvent from the applied photosensitive resin composition,

(3) 활성 방사선에 의해 노광하는 공정,(3) a step of exposing by actinic radiation,

(4) 수성 현상액에 의해 현상하는 공정, 및(4) a step of developing with an aqueous developer, and

(5) 열 경화하는 포스트 베이킹 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 경화막의 제조 방법.(5) a post-baking step of thermally curing the cured film.

<14> 상기 현상 공정 후 상기 포스트 베이킹 공정 전에, 현상된 감광성 수지 조성물을 전면 노광하는 공정을 포함하는 <13>에 기재된 경화막의 형성 방법.<14> The method of forming a cured film according to <13>, comprising a step of exposing the developed photosensitive resin composition to the whole surface after the development step and before the post-baking step.

<15> (6) 열 경화해서 얻어진 경화막을 갖는 기판에 대하여 드라이 에칭을 행하는 드라이 에칭 공정을 더 포함하는 <13> 또는 <14>에 기재된 경화막의 형성 방법.(6) A method for forming a cured film as described in (13) or (14), further comprising a dry etching step of performing dry etching on the substrate having the cured film obtained by thermosetting.

<16> <1>∼<12> 중 어느 하나에 기재된 감광성 수지 조성물을 경화해서 이루어지는 경화막.<16> A cured film obtained by curing the photosensitive resin composition according to any one of <1> to <12>.

<17> 층간 절연막인 <16>에 기재된 경화막.<17> The cured film according to <16>, which is an interlayer insulating film.

<18> <16> 또는 <17>에 기재된 경화막을 갖는 액정 표시 장치 또는 유기 EL 표시 장치.&Lt; 18 > A liquid crystal display device or an organic EL display device having a cured film according to < 16 > or < 17 >.

(발명의 효과)(Effects of the Invention)

본 발명에 의해, 감도가 높고, 투명성이 높고, 내약품성이 높고, 경화막의 기판과의 밀착성이 높고, 드라이 에칭 내성이 뛰어나고, 유전율이 낮은 경화막을 얻을 수 있는 감광성 수지 조성물을 제공하는 것이 가능하게 되었다.According to the present invention, it is possible to provide a photosensitive resin composition capable of obtaining a cured film having high sensitivity, high transparency, high chemical resistance, high adhesion of a cured film to a substrate, excellent dry etching resistance, and low dielectric constant .

도 1은 유기 EL 표시 장치의 일례의 구성 개념도를 나타낸다. 바텀 에미션형의 유기 EL 표시 장치에 있어서의 기판의 모식적 단면도를 나타내고, 평탄화막(4)을 갖고 있다.
도 2는 액정 표시 장치의 일례의 구성 개념도를 나타낸다. 액정 표시 장치에 있어서의 액티브 매트릭스 기판의 모식적 단면도를 나타내고, 층간 절연막인 경화막(17)을 갖고 있다.
Fig. 1 shows a configuration diagram of an example of an organic EL display device. Sectional schematic view of a substrate in a bottom emission type organic EL display device and has a planarization film 4. [
2 is a conceptual diagram showing an example of the configuration of a liquid crystal display device. Sectional view of an active matrix substrate in a liquid crystal display device and has a cured film 17 as an interlayer insulating film.

이하에 있어서, 본 발명의 내용에 대해서 상세하게 설명한다. 이하에 기재하는 구성 요건의 설명은 본 발명의 대표적인 실시형태에 의거해서 이루어지는 경우가 있지만, 본 발명은 그러한 실시형태에 한정되는 것은 아니다. 또한, 본원 명세서에 있어서 「∼」이란 그 전후에 기재되는 수치를 하한값 및 상한값으로서 포함하는 의미로 사용된다.Hereinafter, the contents of the present invention will be described in detail. The following description of the constituent elements described below may be made on the basis of exemplary embodiments of the present invention, but the present invention is not limited to such embodiments. In the present specification, &quot; &quot; is used to mean that the numerical values described before and after that are included as the lower limit value and the upper limit value.

또한, 본 명세서에 있어서의 기(원자단)의 표기에 있어서 치환 및 무치환을 기재하고 있지 않은 표기는 치환기를 갖지 않는 것과 함께 치환기를 갖는 것도 포함하는 것이다. 예를 들면, 「알킬기」란 치환기를 갖지 않는 알킬기(무치환 알킬기)뿐만 아니라, 치환기를 갖는 알킬기(치환 알킬기)도 포함하는 것이다.In the present specification, the notation in which the substituent and the non-substituent are not described in the notation of the group (atomic group) includes not only a substituent but also a substituent. For example, the "alkyl group" includes not only an alkyl group having no substituent (an unsubstituted alkyl group) but also an alkyl group having a substituent (substituted alkyl group).

[감광성 수지 조성물][Photosensitive resin composition]

본 발명의 감광성 수지 조성물(이하, 단순히 「본 발명의 조성물」이라고 하는 경우가 있음)은 (A) 하기 (1) 및 (2) 중 적어도 한쪽을 만족시키는 중합체를 포함하는 중합체 성분, (B) 광산 발생제, (C) 어덕트형 블록 폴리이소시아네이트 화합물, 및 (D) 용제를 포함하는 것을 특징으로 한다.(A) a polymer component comprising a polymer satisfying at least one of the following (1) and (2); (B) A photo acid generator, (C) an adduct type block polyisocyanate compound, and (D) a solvent.

(1) (a1) 산기가 산 분해성기로 보호된 잔기를 갖는 구성 단위, 및 (a2) 가교성기를 갖는 구성 단위를 갖는 중합체,(1) a polymer comprising (a1) a structural unit having a residue protected by an acid-decomposable group and (a2) a structural unit having a structural unit having a crosslinkable group,

(2) (a1)산기가 산 분해성기로 보호된 잔기를 갖는 구성 단위를 갖는 중합체, 및 (a2) 가교성기를 갖는 구성 단위를 갖는 중합체,(2) a polymer having (a1) a constituent unit having a residue protected by an acid-decomposable group, and (a2) a polymer having a constituent unit having a crosslinkable group,

본 발명의 감광성 수지 조성물은 포지티브형 감광성 수지 조성물이다. 또한, 본 발명의 감광성 수지 조성물은 화학 증폭형의 포지티브형 감광성 수지 조성물(화학 증폭 포지티브형 감광성 수지 조성물)인 것이 바람직하다.The photosensitive resin composition of the present invention is a positive photosensitive resin composition. Further, the photosensitive resin composition of the present invention is preferably a chemically amplified positive photosensitive resin composition (chemically amplified positive photosensitive resin composition).

이하, 본 발명의 감광성 수지 조성물에 대해서 각 성분의 바람직한 형태를 순서대로 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the components of the photosensitive resin composition of the present invention will be described in order.

<(A) 중합체 성분><(A) Polymer Component>

본 발명의 조성물은 중합체 성분으로서, (1) (a1) 산기가 산 분해성기로 보호된 잔기를 갖는 구성 단위와 (a2) 가교성기를 갖는 구성 단위를 갖는 중합체, 및 (2) (a1) 산기가 산 분해성기로 보호된 잔기를 갖는 구성 단위를 갖는 중합체와 (a2) 가교성기를 갖는 구성 단위를 갖는 중합체 중 적어도 한쪽을 포함한다. 또한, 이것들 이외의 중합체를 포함하고 있어도 좋다. 본 발명에 있어서의 (A) 중합체 성분(이하, 「(A)성분」이라고 하는 경우가 있음)은 특별히 설명하지 않는 한 상기 (1) 및/또는 (2)에 추가하여 필요에 따라서 첨가되는 다른 중합체를 포함시킨 것을 의미한다.(1) a polymer having (a1) a structural unit having an acid group protected with an acid-decomposable group and (a2) a structural unit having a crosslinkable group, and (2) (A2) a polymer having a constituent unit having a crosslinkable group and a polymer having a constituent unit having a moiety protected with an acid-decomposable group. In addition, polymers other than these may be contained. The polymer component (A) (hereinafter may be referred to as the "component (A)") in the present invention is not particularly limited unless otherwise specified in addition to the above (1) and / or (2) Quot; means that a polymer is included.

(A)성분은 부가 중합형의 수지인 것이 바람직하고, (메타)아크릴산 및/또는 그 에스테르로부터 유래되는 구성 단위를 포함하는 중합체인 것이 보다 바람직하다. 또한, (메타)아크릴산 및/또는 그 에스테르로부터 유래되는 구성 단위 이외의 구성 단위, 예를 들면 스티렌으로부터 유래되는 구성 단위나, 비닐 화합물로부터 유래되는 구성 단위 등을 갖고 있어도 좋다.The component (A) is preferably an addition polymerization type resin, more preferably a polymer comprising a constituent unit derived from (meth) acrylic acid and / or an ester thereof. Further, it may contain a structural unit other than the structural unit derived from (meth) acrylic acid and / or an ester thereof, for example, a structural unit derived from styrene or a structural unit derived from a vinyl compound.

상기 (A)성분은 (메타)아크릴산 및/또는 그 에스테르로부터 유래되는 구성 단위를 중합체에 있어서의 전체 구성 단위에 대하여, 50몰% 이상 함유하는 것이 바람직하고, 90몰% 이상 함유하는 것이 보다 바람직하고, (메타)아크릴산 및/또는 그 에스테르로부터 유래되는 구성 단위만으로 이루어지는 중합체인 것이 특히 바람직하다.The component (A) preferably contains a constituent unit derived from (meth) acrylic acid and / or an ester thereof in an amount of 50 mol% or more, more preferably 90 mol% or more, relative to all the constituent units in the polymer And a polymer comprising only constituent units derived from (meth) acrylic acid and / or esters thereof.

또한, 「(메타)아크릴산 및/또는 그 에스테르로부터 유래되는 구성 단위」를 「아크릴계 구성 단위」라고도 한다. 또한, 「(메타)아크릴산」은 「메타크릴산 및/또는 아크릴산」을 의미하는 것으로 한다.Further, the "structural unit derived from (meth) acrylic acid and / or its ester" is also referred to as "acrylic structural unit". Further, "(meth) acrylic acid" means "methacrylic acid and / or acrylic acid".

(A) 공중합체는 전체로서 알칼리 불용성인 것이 바람직하고, 또한 구성 단위(a1)가 갖는 산 분해성기가 분해되었을 때에 알칼리 가용성이 되는 수지인 것이 바람직하다. 여기에서, 산 분해성기란 산의 존재 하에서 분해되는 것이 가능한 관능기를 의미한다. 즉, 카르복실기가 산 분해성기로 보호된 보호 카르복실기를 갖는 구성 단위는 산에 의해 보호기가 분해됨으로써 카르복실기를 생성 가능하고, 또한 페놀성 수산기가 산 분해성기로 보호된 보호 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위는 산에 의해 보호기가 분해됨으로써 페놀성 수산기를 생성 가능하다. 여기에서, 본 발명에 있어서 「알칼리 가용성」이란 상기 화합물(수지)의 용액을 기판 상에 도포하고 90℃에서 2분간 가열함으로써 형성되는 상기 화합물(수지)의 도막(두께 3㎛)의, 23℃에 있어서의 0.4% 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액에 대한 용해 속도가 0.01㎛/초 이상인 것을 말하고, 「알칼리 불용성」이란 상기 화합물(수지)의 용액을 기판 상에 도포하고 90℃에서 2분간 가열함으로써 형성되는 상기 화합물(수지)의 도막(두께 3㎛)의, 23℃에 있어서의 0.4% 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액에 대한 용해 속도가 0.01㎛/초 미만인 것을 말한다.The copolymer (A) is preferably alkali-insoluble as a whole, and is preferably a resin that becomes alkali-soluble when the acid-decomposable group of the structural unit (a1) is decomposed. Herein, the acid-decomposable group means a functional group capable of decomposing in the presence of an acid. That is, the constituent unit having a protected carboxyl group protected by an acid-decomposable group in the carboxyl group is a constituent unit in which a protective group is decomposed by an acid to form a carboxyl group and the phenolic hydroxyl group is protected by an acid- By which the phenolic hydroxyl group can be generated. Here, in the present invention, the term "alkali solubility" means that the coating film (thickness 3 μm) of the compound (resin) formed by applying a solution of the above-mentioned compound (resin) onto a substrate and heating at 90 ° C. for 2 minutes at 23 ° C. Means that the dissolution rate in 0.4% aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide in the solution is 0.01 m / sec or more. The term &quot; alkali insoluble &quot; means that the solution of the compound (resin) is coated on a substrate and heated at 90 DEG C for 2 minutes Means that the dissolution rate of the coating film (thickness 3 占 퐉) of the compound (resin) to be formed in an aqueous 0.4% tetramethylammonium hydroxide solution at 23 占 폚 is less than 0.01 占 퐉 / second.

상기 (A) 중합체는 후술하는 카르복실기, 카르복실산 무수물 유래의 구조 및/또는 페놀성 수산기를 갖는 그 밖의 구성 단위 등을 갖고 있어도 좋다. 단, 산성기의 도입을 하는 경우에는 상기 (A) 중합체 전체를 알칼리 불용성으로 유지하는 범위에서 도입하는 것이 바람직하다.The polymer (A) may have a structure derived from a carboxyl group, a carboxylic acid anhydride, and / or other structural units having a phenolic hydroxyl group, which will be described later. However, in the case of introducing an acidic group, it is preferable to introduce the acidic group in the range of keeping the entire polymer (A) insoluble in alkali.

<<구성 단위(a1)>><< Constituent unit (a1) >>

성분A는 (a1) 산기가 산 분해성기로 보호된 잔기를 갖는 구성 단위를 적어도 갖는다. (A) 성분이 구성 단위(a1)를 가짐으로써, 매우 고감도인 감광성 수지 조성물로 할 수 있다.Component A has at least (a1) a constituent unit having an acid group having a residue protected by an acid-decomposable group. The component (A) has the structural unit (a1), whereby a highly sensitive photosensitive resin composition can be obtained.

본 발명에 있어서의 「산기가 산 분해성기로 보호된 잔기」는 산기 및 산 분해성기로서 공지의 것을 사용할 수 있고, 특별하게 한정되지 않는다. 구체적인 산기로서는 카르복실기, 및 페놀성 수산기를 바람직하게 들 수 있다. 또한, 산 분해성기로서는 산에 의해 비교적 분해되기 쉬운 기[예를 들면, 후술하는 식(A1)으로 나타내어지는 기의 에스테르 구조, 테트라히드로피라닐에스테르기, 또는 테트라히드로푸라닐에스테르기 등의 아세탈계 관능기]나 산에 의해 비교적 분해되기 어려운 기(예를 들면, tert-부틸에스테르기 등의 제 3급 알킬기, tert-부틸카보네이트기 등의 제 3급 알킬카보네이트기)를 사용할 수 있다.The "residue in which an acid group is protected by an acid-decomposable group" in the present invention may be any known acid group or acid-decomposable group, and is not particularly limited. Specific examples of the acid group include a carboxyl group and a phenolic hydroxyl group. Examples of the acid decomposable group include groups which are relatively easily decomposed by an acid (for example, an ester structure of a group represented by the formula (A1) described below, an acetal such as a tetrahydropyranyl ester group or a tetrahydrofuranyl ester group (Tertiary alkyl group such as tert-butyl ester group, tertiary alkylcarbonate group such as tert-butyl carbonate group) can be used.

(a1) 산기가 산 분해성기로 보호된 잔기를 갖는 구성 단위는 산 분해성기로 보호된 보호 카르복실기를 갖는 구성 단위, 또는 산 분해성기로 보호된 보호 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위인 것이 바람직하다.(a1) The constituent unit in which the acid group has a residue protected by an acid-decomposable group is preferably a constituent unit having a protected carboxyl group protected with an acid-decomposable group or a constituent unit having a protected phenolic hydroxyl group protected with an acid-decomposable group.

이하, 산 분해성기로 보호된 보호 카르복실기를 갖는 구성 단위(a1-1)와, 산 분해성기로 보호된 보호 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위(a1-2)에 대해서 순서대로 각각 설명한다.Hereinafter, the structural unit (a1-1) having a protected carboxyl group protected with an acid-decomposable group and the structural unit (a1-2) having a protected phenolic hydroxyl group protected with an acid-decomposable group will be described in order.

<<<(a1-1) 산 분해성기로 보호된 보호 카르복실기를 갖는 구성 단위>>><<< (a1-1) Structural unit having a protected carboxyl group protected with an acid-decomposable group >>>

상기 산 분해성기로 보호된 보호 카르복실기를 갖는 구성 단위(a1-1)는 카르복실기를 갖는 구성 단위의 카르복실기가 이하에 상세하게 설명하는 산 분해성기에 의해 보호된 보호 카르복실기를 갖는 구성 단위이다.The structural unit (a1-1) having a protected carboxyl group protected with an acid-decomposable group is a structural unit having a carboxyl group of the structural unit having a carboxyl group and having a protected carboxyl group protected by an acid-decomposable group described in detail below.

상기 산 분해성기로 보호된 보호 카르복실기를 갖는 구성 단위(a1-1)에 사용할 수 있는 상기 카르복실기를 갖는 구성 단위로서는 특별하게 제한은 없고 공지의 구성 단위를 사용할 수 있다. 예를 들면, 불포화 모노카르복실산, 불포화 디카르복실산, 불포화 트리카르복실산 등의, 분자 중에 적어도 1개의 카르복실기를 갖는 불포화 카르복실산 등으로부터 유래되는 구성 단위(a1-1-1)나, 에틸렌성 불포화기와 산 무수물 유래의 구조를 모두 갖는 구성 단위(a1-1-2)를 들 수 있다.The structural unit having a carboxyl group which can be used for the structural unit (a1-1) having a protected carboxyl group protected with an acid-decomposable group is not particularly limited and a known structural unit can be used. (A1-1-1) derived from an unsaturated carboxylic acid having at least one carboxyl group in the molecule such as an unsaturated monocarboxylic acid, an unsaturated dicarboxylic acid and an unsaturated tricarboxylic acid; , And a structural unit (a1-1-2) having both an ethylenic unsaturated group and an acid anhydride derived structure.

이하, 상기 카르복실기를 갖는 구성 단위로서 사용되는 (a1-1-1) 분자 중에 적어도 1개의 카르복실기를 갖는 불포화 카르복실산 등으로부터 유래되는 구성 단위와, (a1-1-2) 에틸렌성 불포화기와 산 무수물 유래의 구조를 모두 갖는 구성 단위에 대해서 각각 순서대로 설명한다.(A1-1-1) a constituent unit derived from an unsaturated carboxylic acid or the like having at least one carboxyl group in the molecule and (a1-1-2) a constituent unit derived from an ethylenic unsaturated group and an acid And structural units having both structures derived from anhydride will be described in order.

<<<<(a1-1-1) 분자 중에 적어도 1개의 카르복실기를 갖는 불포화 카르복실산 등으로부터 유래되는 구성 단위>>>><<<< (a1-1-1) Constituent units derived from an unsaturated carboxylic acid having at least one carboxyl group in the molecule, etc. >>>>

상기 분자 중에 적어도 1개의 카르복실기를 갖는 불포화 카르복실산 등으로부터 유래되는 구성 단위(a1-1-1)로서 본 발명에서 사용되는 불포화 카르복실산으로서는 이하에 예시하는 바와 같은 것이 사용된다. 즉, 불포화 모노카르복실산으로서는 예를 들면 아크릴산, 메타크릴산, 크로톤산, α-클로로아크릴산, 계피산 등을 들 수 있다. 또한, 불포화 디카르복실산으로서는 예를 들면 말레산, 푸말산, 이타콘산, 시트라콘산, 메사콘산 등을 들 수 있다. 또한, 카르복실기를 갖는 구성 단위를 얻기 위해서 사용되는 불포화 다가 카르복실산은 그 산 무수물이라도 좋다. 구체적으로는 무수 말레산, 무수 이타콘산, 무수 시트라콘산 등을 들 수 있다. 또한, 불포화 다가 카르복실산은 다가 카르복실산의 모노(2-메타크릴로일옥시알킬)에스테르라도 좋고, 예를 들면 숙신산 모노(2-아크릴로일옥시에틸), 숙신산 모노(2-메타크릴로일옥시에틸), 프탈산 모노(2-아크릴로일옥시에틸), 프탈산 모노(2-메타크릴로일옥시에틸) 등을 들 수 있다. 또한, 불포화 다가 카르복실산은 그 양쪽 말단 디카르복시 폴리머의 모노(메타)아크릴레이트라도 좋고, 예를 들면 ω-카르복시폴리카프로락톤모노아크릴레이트, ω-카르복시폴리카프로락톤모노메타크릴레이트 등을 들 수 있다. 또한, 불포화 카르복실산으로서는 아크릴산-2-카르복시에틸에스테르, 메타크릴산-2-카르복시에틸에스테르, 말레산 모노알킬에스테르, 푸말산 모노알킬에스테르, 4-카르복시스티렌 등도 사용할 수 있다.As the constituent unit (a1-1-1) derived from an unsaturated carboxylic acid or the like having at least one carboxyl group in the molecule, the following exemplified unsaturated carboxylic acids are used. That is, examples of the unsaturated monocarboxylic acid include acrylic acid, methacrylic acid, crotonic acid,? -Chloroacrylic acid, cinnamic acid, and the like. Examples of the unsaturated dicarboxylic acid include maleic acid, fumaric acid, itaconic acid, citraconic acid, and mesaconic acid. The unsaturated polycarboxylic acid used for obtaining the constituent unit having a carboxyl group may be an acid anhydride thereof. Specific examples thereof include maleic anhydride, itaconic anhydride, and citraconic anhydride. The unsaturated polycarboxylic acid may be a mono (2-methacryloyloxyalkyl) ester of a polycarboxylic acid, for example, mono (2-acryloyloxyethyl) succinate, mono Mono (2-acryloyloxyethyl) phthalate mono (2-methacryloyloxyethyl), and the like. The unsaturated polycarboxylic acid may be a mono (meth) acrylate of the both terminal dicarboxylic polymers thereof, and examples thereof include ω-carboxypolycaprolactone monoacrylate and ω-carboxypolycaprolactone monomethacrylate. have. Examples of the unsaturated carboxylic acid include acrylic acid-2-carboxyethyl ester, methacrylic acid-2-carboxyethyl ester, maleic acid monoalkyl ester, fumaric acid monoalkyl ester and 4-carboxystyrene.

그 중에서도 현상성의 관점으로부터, 상기 분자 중에 적어도 1개의 카르복실기를 갖는 불포화 카르복실산 등으로부터 유래되는 구성 단위(a1-1-1)를 형성하기 위해서는 아크릴산, 메타크릴산, 또는 불포화 다가 카르복실산의 무수물 등을 사용하는 것이 바람직하고, 아크릴산 또는 메타크릴산을 사용하는 것이 보다 바람직하다.Among them, from the viewpoint of developability, in order to form the structural unit (a1-1-1) derived from an unsaturated carboxylic acid or the like having at least one carboxyl group in the molecule, acrylic acid, methacrylic acid or an unsaturated polycarboxylic acid It is preferable to use anhydride or the like, and acrylic acid or methacrylic acid is more preferably used.

상기 분자 중에 적어도 1개의 카르복실기를 갖는 불포화 카르복실산 등으로부터 유래되는 구성 단위(a1-1-1)는 1종 단독으로 구성되어 있어도 좋고, 2종 이상으로 구성되어 있어도 좋다.The structural unit (a1-1-1) derived from an unsaturated carboxylic acid or the like having at least one carboxyl group in the molecule may be composed of one kind alone, or two or more kinds.

<<<<(a1-1-2) 에틸렌성 불포화기와 산 무수물 유래의 구조를 모두 갖는 구성 단위>>>><<<< (a1-1-2) Constituent units having both structures derived from an ethylenic unsaturated group and an acid anhydride >>>>

에틸렌성 불포화기와 산 무수물 유래의 구조를 모두 갖는 구성 단위(a1-1-2)는 에틸렌성 불포화기를 갖는 구성 단위 중에 존재하는 수산기와 산 무수물을 반응시켜서 얻어진 모노머로부터 유래되는 단위인 것이 바람직하다.The structural unit (a1-1-2) having both the ethylenic unsaturated group and the structure derived from an acid anhydride is preferably a unit derived from a monomer obtained by reacting a hydroxyl group and an acid anhydride present in a structural unit having an ethylenic unsaturated group.

상기 산 무수물로서는 공지의 것을 사용할 수 있고, 구체적으로는 무수 말레산, 무수 숙신산, 무수 이타콘산, 무수 프탈산, 테트라히드로 무수 프탈산, 헥사히드로 무수 프탈산, 무수 클로렌드산 등의 2염기산 무수물; 무수 트리멜리트산, 무수 피로멜리트산, 벤조페논테트라카르복실산 무수물, 비페닐테트라카르복실산 무수물 등의 산 무수물을 들 수 있다. 이들 중에서는 현상성의 관점으로부터 무수 프탈산, 테트라히드로 무수 프탈산, 또는 무수 숙신산이 바람직하다.Specific examples of the acid anhydride include dibasic acid anhydrides such as maleic anhydride, succinic anhydride, itaconic anhydride, phthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, and anhydrous chloridic acid; And acid anhydrides such as trimellitic anhydride, pyromellitic anhydride, benzophenonetetracarboxylic acid anhydride, and biphenyltetracarboxylic acid anhydride. Of these, phthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, or succinic anhydride are preferable from the viewpoint of developability.

상기 산 무수물의 수산기에 대한 반응률은 현상성의 관점으로부터 바람직하게는 10∼100몰%, 보다 바람직하게는 30∼100몰%이다.The reaction rate of the acid anhydride with respect to the hydroxyl group is preferably 10 to 100 mol%, more preferably 30 to 100 mol% from the viewpoint of developability.

<<<<구성 단위(a1-1)에 사용할 수 있는 산 분해성기>>>><<<< Acid decomposable group which can be used in the structural unit (a1-1) >>>>

상기 산 분해성기로 보호된 보호 카르복실기를 갖는 구성 단위(a1-1)에 사용할 수 있는 상기 산 분해성기로서는 상술의 산 분해성기를 사용할 수 있다.As the acid decomposable group that can be used for the structural unit (a1-1) having a protected carboxyl group protected with the acid decomposable group, the acid decomposable group may be used.

이들 산 분해성기 중에서도 카르복실기가 아세탈의 형태로 보호된 보호 카르복실기인 것이 감광성 수지 조성물의 기본 물성, 특히 감도나 패턴 형상, 컨택트홀의 형성성, 감광성 수지 조성물의 보존 안정성의 관점으로부터 바람직하다. 또한, 산 분해성기 중에서도 카르복실기가 하기 일반식(a1-1)으로 나타내어지는 아세탈의 형태로 보호된 보호 카르복실기인 것이 감도의 관점으로부터 보다 바람직하다. 또한, 카르복실기가 하기 일반식(a1-1)으로 나타내어지는 아세탈의 형태로 보호된 보호 카르복실기일 경우, 보호 카르복실기의 전체로서는 -(C=O)-O-CR101R102(OR103)의 구조로 되어 있다.Among these acid decomposable groups, the carboxyl group is preferably a protected carboxyl group protected in the form of an acetal from the viewpoints of the basic physical properties of the photosensitive resin composition, particularly from the viewpoints of sensitivity and pattern shape, contact hole formation, and storage stability of the photosensitive resin composition. Among the acid decomposable groups, from the viewpoint of sensitivity, it is more preferable that the carboxyl group is a protected carboxyl group protected in the form of an acetal represented by the following general formula (a1-1). When the carboxyl group is a protected carboxyl group protected in the form of an acetal represented by the following general formula (a1-1), the structure of - (C═O) -O-CR 101 R 102 (OR 103 ) .

일반식(a1-1)In general formula (a1-1)

Figure 112014106526920-pct00002
Figure 112014106526920-pct00002

[식(a1-1) 중, R101 및 R102는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 알킬기를 나타내고, 단 R101과 R102가 모두 수소 원자인 경우를 제외한다. R103은 알킬기를 나타낸다. R101 또는 R102와, R103이 연결되어 환상 에테르를 형성해도 좋다][In the formula (a1-1), R 101 and R 102 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group, except that R 101 and R 102 are both hydrogen atoms. R 103 represents an alkyl group. R 101 or R 102 and R 103 may be connected to form a cyclic ether)

상기 일반식(a1-1) 중, R101∼R103은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 알킬기를 나타내고, 상기 알킬기는 직쇄상, 분기쇄상, 환상 중 어느 것이라도 좋다. 여기에서, R101 및 R102의 쌍방이 수소 원자를 나타낼 일은 없고, R101 및 R102 중 적어도 한쪽은 알킬기를 나타낸다.In the general formula (a1-1), R 101 to R 103 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group, and the alkyl group may be any of linear, branched and cyclic. Here, both of R 101 and R 102 do not represent a hydrogen atom, and at least one of R 101 and R 102 represents an alkyl group.

상기 일반식(a1-1)에 있어서, R101, R102 및 R103이 알킬기를 나타낼 경우, 상기 알킬기는 직쇄상, 분기쇄상 또는 환상 중 어느 것이라도 좋다.When R 101 , R 102 and R 103 in the general formula (a1-1) represent an alkyl group, the alkyl group may be any of linear, branched or cyclic.

상기 직쇄상 또는 분기쇄상의 알킬기로서는 탄소수 1∼12인 것이 바람직하고, 탄소수 1∼6인 것이 보다 바람직하고, 탄소수 1∼4인 것이 더욱 바람직하다. 구체적으로는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, i-부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, 네오펜틸기, n-헥실기, 텍실기(2,3-디메틸-2-부틸기), n-헵틸기, n-옥틸기, 2-에틸헥실기, n-노닐기, n-데실기 등을 들 수 있다.The straight-chain or branched-chain alkyl group preferably has 1 to 12 carbon atoms, more preferably 1 to 6 carbon atoms, and even more preferably 1 to 4 carbon atoms. Specific examples include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an i-propyl group, an n-butyl group, an i-butyl group, a sec- Butyl group, n-heptyl group, n-octyl group, 2-ethylhexyl group, n-nonyl group and n-decyl group.

상기 환상 알킬기로서는 탄소수 3∼12인 것이 바람직하고, 탄소수 4∼8인 것이 보다 바람직하고, 탄소수 4∼6인 것이 더욱 바람직하다. 상기 환상 알킬기로서는, 예를 들면 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기, 노보닐기, 이소보닐기 등을 들 수 있다.The cyclic alkyl group preferably has 3 to 12 carbon atoms, more preferably 4 to 8 carbon atoms, and still more preferably 4 to 6 carbon atoms. Examples of the cyclic alkyl group include a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a cyclooctyl group, a norbornyl group and an isobonyl group.

상기 알킬기는 치환기를 갖고 있어도 좋고, 치환기로서는 할로겐 원자, 아릴기, 알콕시기를 예시할 수 있다. 치환기로서 할로겐 원자를 가질 경우, R101, R102, R103은 할로알킬기가 되고, 치환기로서 아릴기를 가질 경우, R101, R102, R103은 아랄킬기가 된다.The alkyl group may have a substituent, and examples of the substituent include a halogen atom, an aryl group, and an alkoxy group. When a substituent having a halogen atom, R 101, R 102, R 103 is a haloalkyl group, if having an aryl group as a substituent, R 101, R 102, R 103 is an aralkyl group.

상기 할로겐 원자로서는 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자가 예시되고, 이들 중에서도 불소 원자 또는 염소 원자가 바람직하다.Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom, and among these, a fluorine atom or a chlorine atom is preferable.

또한, 상기 아릴기로서는 탄소수 6∼20의 아릴기가 바람직하고, 보다 바람직하게는 탄소수 6∼12이며, 구체적으로는 페닐기, α-메틸페닐기, 나프틸기 등을 예시할 수 있고, 아릴기로 치환된 알킬기 전체, 즉 아랄킬기로서는 벤질기, α-메틸벤질기, 페네틸기, 나프틸메틸기 등을 예시할 수 있다.The aryl group is preferably an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, more preferably an aryl group having 6 to 12 carbon atoms, and more preferably a phenyl group, an -methylphenyl group, a naphthyl group, etc., As the whole, that is, the aralkyl group, benzyl group,? -Methylbenzyl group, phenethyl group, naphthylmethyl group and the like can be exemplified.

상기 알콕시기로서는 탄소수 1∼6의 알콕시기가 바람직하고, 보다 바람직하게는 탄소수 1∼4이며, 메톡시기 또는 에톡시기가 보다 바람직하다.The alkoxy group is preferably an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, more preferably 1 to 4 carbon atoms, and more preferably a methoxy group or an ethoxy group.

또한, 상기 알킬기가 시클로알킬기일 경우, 상기 시클로알킬기는 치환기로서 탄소수 1∼10의 직쇄상 또는 분기쇄상의 알킬기를 갖고 있어도 좋고, 알킬기가 직쇄상 또는 분기쇄상의 알킬기일 경우에는 치환기로서 탄소수 3∼12의 시클로알킬기를 갖고 있어도 좋다.When the alkyl group is a cycloalkyl group, the cycloalkyl group may have a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms as a substituent. When the alkyl group is a straight chain or branched chain alkyl group, Or a cycloalkyl group having 1 to 12 carbon atoms.

이들 치환기는 상기 치환기로 더 치환되어 있어도 좋다.These substituents may be further substituted by the above substituents.

상기 일반식(a1-1)에 있어서 R101, R102 및 R103이 아릴기를 나타낼 경우, 상기 아릴기는 탄소수 6∼12인 것이 바람직하고, 탄소수 6∼10인 것이 보다 바람직하다. 상기 아릴기는 치환기를 갖고 있어도 좋고, 상기 치환기로서는 탄소수 1∼6의 알킬기를 바람직하게 예시할 수 있다. 아릴기로서는, 예를 들면 페닐기, 톨릴기, 실릴기, 쿠메닐기, 1-나프틸기 등을 예시할 수 있다.When R 101 , R 102 and R 103 in the general formula (a1-1) represent an aryl group, the aryl group preferably has 6 to 12 carbon atoms, more preferably 6 to 10 carbon atoms. The aryl group may have a substituent, and as the substituent, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms is preferably exemplified. As the aryl group, for example, a phenyl group, a tolyl group, a silyl group, a cumenyl group, a 1-naphthyl group and the like can be mentioned.

또한, R101, R102 및 R103은 서로 결합하고, 그것들이 결합되어 있는 탄소 원자와 하나가 되어 환을 형성할 수 있다. R101과 R102, R101과 R103 또는 R102와 R103이 결합했을 경우의 환 구조로서는, 예를 들면 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 테트라히드로푸라닐기, 아다만틸기 및 테트라히드로피라닐기 등을 들 수 있다.Further, R 101 , R 102 and R 103 may bond together to form a ring together with the carbon atom to which they are bonded. Examples of the ring structure when R 101 and R 102 , R 101 and R 103, or R 102 and R 103 are bonded include a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a tetrahydrofuranyl group, An adamantyl group, and a tetrahydropyranyl group.

또한, 상기 일반식(a1-1)에 있어서 R101 및 R102 중 어느 한쪽이 수소 원자 또는 메틸기인 것이 바람직하다.In the general formula (a1-1), it is preferable that either R 101 or R 102 is a hydrogen atom or a methyl group.

상기 일반식(a1-1)으로 나타내어지는 보호 카르복실기를 갖는 구성 단위를 형성하기 위해서 사용되는 라디칼 중합성 단량체는 시판하는 것을 사용해도 좋고, 공지의 방법으로 합성한 것을 사용할 수도 있다. 예를 들면, 일본 특허 공개 2011-221494호 공보의 단락번호 0037∼0040에 기재된 합성 방법 등으로 합성할 수 있다.The radically polymerizable monomer used for forming the constituent unit having a protective carboxyl group represented by the general formula (a1-1) may be a commercially available one, or a compound synthesized by a known method may be used. For example, it can be synthesized by the synthesis method described in the paragraphs Nos. 0037 to 0040 of Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2011-221494.

상기 산 분해성기로 보호된 보호 카르복실기를 갖는 구성 단위(a1-1)의 제 1의 바람직한 형태는 식(A2')으로 나타내어지는 구성 단위이다.A first preferred form of the structural unit (a1-1) having a protected carboxyl group protected with an acid-decomposable group is a structural unit represented by the formula (A2 ').

식(A2')The formula (A2 ')

Figure 112014106526920-pct00003
Figure 112014106526920-pct00003

[일반식(A2') 중, R1 및 R2는 각각 수소 원자, 알킬기 또는 아릴기를 나타내고, 적어도 R1 및 R2 중 어느 한쪽이 알킬기 또는 아릴기이며, R3은 알킬기 또는 아릴기를 나타내고, R1 또는 R2와, R3이 연결되어 환상 에테르를 형성해도 좋고, R4는 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, X는 단결합 또는 아릴렌기를 나타낸다]Wherein R 1 and R 2 each represent a hydrogen atom, an alkyl group or an aryl group, at least one of R 1 and R 2 is an alkyl group or an aryl group, R 3 is an alkyl group or an aryl group, R 1 or R 2 and R 3 may be connected to form a cyclic ether, R 4 represents a hydrogen atom or a methyl group, and X represents a single bond or an arylene group,

R1 및 R2가 알킬기인 경우, 탄소수는 1∼10의 알킬기가 바람직하다. R1 및 R2가 아릴기인 경우, 페닐기가 바람직하다. R1 및 R2는 각각 수소 원자 또는 탄소수 1∼4의 알킬기가 바람직하다.When R 1 and R 2 are alkyl groups, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms is preferable. When R 1 and R 2 are aryl groups, a phenyl group is preferred. Each of R 1 and R 2 is preferably a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.

R3은 알킬기 또는 아릴기를 나타내고, 탄소수 1∼10의 알킬기가 바람직하고, 1∼6의 알킬기가 보다 바람직하다.R 3 represents an alkyl group or an aryl group, preferably an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, more preferably an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms.

X는 단결합 또는 아릴렌기를 나타내고, 단결합이 바람직하다.X represents a single bond or an arylene group, with a single bond being preferred.

상기 산 분해성기로 보호된 보호 카르복실기를 갖는 구성 단위(a1-1)의 제 2의 바람직한 형태는 하기 일반식의 구조 단위이다.A second preferred form of the structural unit (a1-1) having a protected carboxyl group protected with an acid-decomposable group is a structural unit represented by the following general formula:

Figure 112014106526920-pct00004
Figure 112014106526920-pct00004

(식 중, R121은 수소 원자 또는 탄소수 1∼4의 알킬기를 나타내고, L1은 카르보닐기 또는 페닐렌기를 나타내고, R122∼R128은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1∼4의 알킬기를 나타낸다)(Wherein R 121 represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, L 1 represents a carbonyl group or a phenylene group, and R 122 to R 128 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms)

R121은 수소 원자 또는 메틸기가 바람직하다.R 121 is preferably a hydrogen atom or a methyl group.

L1은 카르보닐기가 바람직하다.L 1 is preferably a carbonyl group.

R122∼R128은 수소 원자가 바람직하다.R 122 to R 128 are preferably a hydrogen atom.

상기 산 분해성기로 보호된 보호 카르복실기를 갖는 구성 단위(a1-1)의 바람직한 구체예로서는 하기의 구성 단위를 예시할 수 있다. 또한, R은 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다.Preferable specific examples of the structural unit (a1-1) having a protected carboxyl group protected with the acid-decomposable group include the following structural units. R represents a hydrogen atom or a methyl group.

Figure 112014106526920-pct00005
Figure 112014106526920-pct00005

<<<(a1-2) 산 분해성기로 보호된 보호 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위>>><<< (a1-2) Protecting Protected by Acid-Decomposable Group Constituent with a phenolic hydroxyl group >>>

상기 산 분해성기로 보호된 보호 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위(a1-2)는 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위가 이하에 상세하게 설명하는 산 분해성기에 의해 보호된 보호 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위이다.The structural unit (a1-2) having a protected phenolic hydroxyl group protected by the acid-decomposable group is a structural unit having a protected phenolic hydroxyl group, the structural unit having a phenolic hydroxyl group being protected by an acid-decomposable group described in detail below.

<<<<(a1-2-1) 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위>>>><<<< (a1-2-1) Constituent with phenolic hydroxyl group >>>>

상기 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위로서는 히드록시스티렌계 구성 단위나 노볼락계의 수지에 있어서의 구성 단위를 들 수 있지만, 이들 중에서는 히드록시스티렌, 또는 α-메틸히드록시스티렌로부터 유래되는 구성 단위가 투명성의 관점으로부터 바람직하다. 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위 중에서도 하기 일반식(a1-2)으로 나타내어지는 구성 단위가 투명성, 감도의 관점으로부터 바람직하다.Examples of the structural unit having a phenolic hydroxyl group include a hydroxystyrene-based structural unit and a constitutional unit in a novolak-based resin. Of these structural units, hydroxystyrene or? -Methylhydroxystyrene-derived structural units Is preferable from the viewpoint of transparency. Among the structural units having a phenolic hydroxyl group, structural units represented by the following general formula (a1-2) are preferable from the viewpoints of transparency and sensitivity.

일반식(a1-2)In general formula (a1-2)

Figure 112014106526920-pct00006
Figure 112014106526920-pct00006

[일반식(a1-2) 중, R220은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R221은 단결합 또는 2가의 연결기를 나타내고, R222는 할로겐 원자 또는 탄소수 1∼5의 직쇄 또는 분기쇄상의 알킬기를 나타내고, a는 1∼5의 정수를 나타내고, b는 0∼4의 정수를 나타내고, a+b는 5 이하이다. 또한, R222가 2 이상 존재할 경우, 이들 R222는 서로 달라도 좋고 동일해도 좋다]Wherein R 220 represents a hydrogen atom or a methyl group, R 221 represents a single bond or a divalent linking group, and R 222 represents a halogen atom or a linear or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, A represents an integer of 1 to 5, b represents an integer of 0 to 4, and a + b is 5 or less. When two or more R &lt; 222 &gt; are present, these R &lt; 222 &

상기 일반식(a1-2) 중, R220은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, 메틸기인 것이 바람직하다.In the general formula (a1-2), R 220 represents a hydrogen atom or a methyl group, and is preferably a methyl group.

또한, R221은 단결합 또는 2가의 연결기를 나타낸다. 단결합일 경우에는 감도를 향상시킬 수 있고, 또한 경화막의 투명성을 향상시킬 수 있으므로 바람직하다. R221의 2가의 연결기로서는 알킬렌기를 예시할 수 있고, R221이 알킬렌기인 구체예로서는 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기, 이소프로필렌기, n-부틸렌기, 이소부틸렌기, tert-부틸렌기, 펜틸렌기, 이소펜틸렌기, 네오펜틸렌기, 헥실렌기 등을 들 수 있다. 그 중에서도 R221이 단결합, 메틸렌기, 에틸렌기인 것이 바람직하다. 또한, 상기 2가의 연결기는 치환기를 갖고 있어도 좋고, 치환기로서는 할로겐 원자, 수산기, 알콕시기 등을 들 수 있다.R 221 represents a single bond or a divalent linking group. In the case of single-crystal combination, it is preferable since the sensitivity can be improved and the transparency of the cured film can be improved. Examples of the divalent linking group of R 221 include alkylene groups and specific examples of R 221 is an alkylene group include a methylene group, an ethylene group, a propylene group, an isopropylene group, an n-butylene group, an isobutylene group, Pentylene group, isopentylene group, neopentylene group, hexylene group and the like. Among them, R &lt; 221 &gt; is preferably a single bond, a methylene group or an ethylene group. The divalent linking group may have a substituent, and examples of the substituent include a halogen atom, a hydroxyl group, and an alkoxy group.

또한, a는 1∼5의 정수를 나타내지만, 본 발명의 효과의 관점이나 제조가 용이하다고 하는 점으로부터 a는 1 또는 2인 것이 바람직하고, a가 1인 것이 보다 바람직하다.Although a represents an integer of 1 to 5, a is preferably 1 or 2, and more preferably a is 1, from the viewpoint of the effects of the present invention and easiness of production.

또한, 벤젠환에 있어서의 수산기의 결합 위치는 R221과 결합되어 있는 탄소 원자를 기준(1위치)으로 했을 때, 4위치에 결합되어 있는 것이 바람직하다.It is preferable that the bonding position of the hydroxyl group in the benzene ring is bonded to the 4-position when the carbon atom bonded to R 221 is the reference (1 position).

R222는 할로겐 원자 또는 탄소수 1∼5의 직쇄 또는 분기쇄상의 알킬기이다.R 222 is a halogen atom or a straight or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms.

구체적으로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기 등을 들 수 있다. 그 중에서도 제조가 용이하다고 하는 점으로부터 염소 원자, 브롬 원자, 메틸기 또는 에틸기인 것이 바람직하다.Specific examples thereof include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a n-butyl group, an isobutyl group, a tert- butyl group, a pentyl group, an isopentyl group and a neopentyl group . Among them, a chlorine atom, a bromine atom, a methyl group or an ethyl group is preferable in view of easiness of production.

또한, b는 0 또는 1∼4의 정수를 나타낸다.B represents 0 or an integer of 1 to 4;

<<<<구성 단위(a1-2)에 사용할 수 있는 산 분해성기>>>><<<< Acid decomposable group which can be used in the structural unit (a1-2) >>>>

상기 산 분해성기로 보호된 보호 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위(a1-2)에 사용할 수 있는 상기 산 분해성기로서는, 상기 산 분해성기로 보호된 보호 카르복실기를 갖는 구성 단위(a1-1)에 사용할 수 있는 상기 산 분해성기와 마찬가지로 공지의 것을 사용할 수 있고, 특별하게 한정되지 않는다. 산 분해성기 중에서도 아세탈로 보호된 보호 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위인 것이 감광성 수지 조성물의 기본 물성, 특히 감도나 패턴 형상, 감광성 수지 조성물의 보존 안정성, 컨택트홀의 형성성의 관점으로부터 바람직하다. 또한, 산 분해성기 중에서도 페놀성 수산기가 상기 일반식(a1-1)으로 나타내어지는 아세탈의 형태로 보호된 보호 페놀성 수산기인 것이 감도의 관점으로부터 보다 바람직하다. 또한, 페놀성 수산기가 상기 일반식(a1-1)으로 나타내어지는 아세탈의 형태로 보호된 보호 페놀성 수산기일 경우, 보호 페놀성 수산기의 전체로서는 -Ar-O-CR101R102(OR103)의 구조로 되어 있다. 또한, Ar은 아릴렌기를 나타낸다.The acid decomposable group which can be used for the structural unit (a1-2) having a protected phenolic hydroxyl group protected by the acid-decomposable group is preferably an acid decomposable group which can be used for the structural unit (a1-1) having a protected carboxyl group protected with the acid- As well as the acid-decomposable group, known ones can be used, and they are not particularly limited. Among the acid decomposable groups, structural units having a protective phenolic hydroxyl group protected by an acetal are preferred from the viewpoints of basic physical properties of the photosensitive resin composition, particularly from the viewpoints of sensitivity and pattern shape, storage stability of the photosensitive resin composition, and formability of contact holes. Among the acid decomposable groups, from the viewpoint of sensitivity, the phenolic hydroxyl group is more preferably a protected phenolic hydroxyl group protected in the form of an acetal represented by the above general formula (a1-1). Further, when the phenolic hydroxyl group is a protected phenolic hydroxyl group protected in the form of an acetal represented by the general formula (a1-1), -Ar-O-CR 101 R 102 (OR 103 ) . Ar represents an arylene group.

페놀성 수산기의 아세탈 에스테르 구조의 바람직한 예는 R101=R102=R103=메틸기나 R101=R102=메틸기이며 R103=벤질기의 조합을 예시할 수 있다.Preferable examples of the acetal ester structure of the phenolic hydroxyl group include R 101 = R 102 = R 103 = methyl group, R 101 = R 102 = methyl group, and R 103 = benzyl group.

또한, 페놀성 수산기가 아세탈의 형태로 보호된 보호 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위를 형성하기 위해서 사용되는 라디칼 중합성 단량체로서는, 예를 들면 일본 특허 공개 2011-215590호 공보의 단락번호 0042에 기재된 것 등을 들 수 있다.Examples of the radically polymerizable monomer used to form a structural unit having a protected phenolic hydroxyl group in which the phenolic hydroxyl group is protected in the form of an acetal include those described in Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2011-215590 And the like.

이들 중에서 4-히드록시페닐메타크릴레이트의 1-알콕시알킬 보호체, 4-히드록시페닐메타크릴레이트의 테트라히드로피라닐 보호체가 투명성의 관점으로부터 바람직하다.Of these, a 1-alkoxyalkyl protected derivative of 4-hydroxyphenyl methacrylate and a tetrahydropyranyl protected derivative of 4-hydroxyphenyl methacrylate are preferred from the viewpoint of transparency.

페놀성 수산기의 아세탈 보호기의 구체예로서는 1-알콕시알킬기를 들 수 있고, 예를 들면 1-에톡시에틸기, 1-메톡시에틸기, 1-n-부톡시에틸기, 1-이소부톡시에틸기, 1-(2-클로로에톡시)에틸기, 1-(2-에틸헥실옥시)에틸기, 1-n-프로폭시에틸기, 1-시클로헥실옥시에틸기, 1-(2-시클로헥실에톡시)에틸기, 1-벤질옥시에틸기 등을 들 수 있고, 이것들은 단독 또는 2종류 이상을 조합시켜서 사용할 수 있다.Specific examples of the acetal protecting group of the phenolic hydroxyl group include 1-alkoxyalkyl groups, and examples thereof include a 1-ethoxyethyl group, a 1-methoxyethyl group, a 1-n-butoxyethyl group, 1-cyclohexyloxy) ethyl group, 1- (2-cyclohexyloxy) ethyl group, 1-naphthyloxy group, Oxyethyl group, etc. These may be used alone or in combination of two or more.

상기 산 분해성기로 보호된 보호 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위(a1-2)를 형성하기 위해서 사용되는 라디칼 중합성 단량체는 시판하는 것을 사용해도 좋고, 공지의 방법으로 합성한 것을 사용할 수도 있다. 예를 들면, 페놀성 수산기를 갖는 화합물을 산 촉매의 존재 하에서 비닐에테르와 반응시킴으로써 합성할 수 있다. 상기 합성은 페놀성 수산기를 갖는 모노머를 그 밖의 모노머와 미리 공중합시켜 놓고, 그 후에 산 촉매의 존재 하에서 비닐에테르와 반응시켜도 좋다.The radically polymerizable monomer used for forming the structural unit (a1-2) having a protected phenolic hydroxyl group protected with the acid-decomposable group may be commercially available or may be synthesized by a known method. For example, a compound having a phenolic hydroxyl group can be synthesized by reacting with a vinyl ether in the presence of an acid catalyst. The above-mentioned synthesis may be carried out by previously copolymerizing a monomer having a phenolic hydroxyl group with other monomers, and then reacting with a vinyl ether in the presence of an acid catalyst.

상기 산 분해성기로 보호된 보호 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위(a1-2)의 바람직한 구체예로서는 하기의 구성 단위를 예시할 수 있지만, 본 발명은 이것들에 한정되는 것은 아니다.Specific preferred examples of the structural unit (a1-2) having a protected phenolic hydroxyl group protected with the acid-decomposable group include the following structural units, but the present invention is not limited thereto.

Figure 112014106526920-pct00007
Figure 112014106526920-pct00007

Figure 112014106526920-pct00008
Figure 112014106526920-pct00008

Figure 112014106526920-pct00009
Figure 112014106526920-pct00009

<<<구성 단위(a1)의 바람직한 형태>>><<< Preferable Form of Constituent Unit (a1) >>>

상기 구성 단위(a1)를 함유하는 중합체가 실질적으로 구성 단위(a2)를 포함하지 않을 경우, 구성 단위(a1)는 그 구성 단위(a1)를 함유하는 중합체 중 20∼100몰%가 바람직하고, 30∼90몰%가 보다 바람직하다.When the polymer containing the structural unit (a1) does not substantially contain the structural unit (a2), the structural unit (a1) is preferably 20 to 100 mol% in the polymer containing the structural unit (a1) And more preferably from 30 to 90 mol%.

상기 구성 단위(a1)를 함유하는 중합체가 하기 구성 단위(a2)를 함유할 경우, 구성 단위(a1)는 그 구성 단위(a1)와 구성 단위(a2)를 함유하는 중합체 중 감도의 관점으로부터 3∼70몰%가 바람직하고, 10∼60몰%가 보다 바람직하다. 또한, 특히 상기 구성 단위(a1)에 사용할 수 있는 상기 산 분해성기가 카르복실기가 아세탈의 형태로 보호된 보호 카르복실기를 갖는 구성 단위일 경우, 20∼50몰%가 바람직하고, 30∼45몰%가 보다 바람직하다.When the polymer containing the constituent unit (a1) contains the following constituent unit (a2), the constituent unit (a1) is preferably a polymer containing the constituent unit (a1) and the constituent unit (a2) To 70 mol%, and more preferably 10 mol% to 60 mol%. In particular, when the acid-decomposable group usable in the structural unit (a1) is a structural unit having a carboxyl group protected in the form of an acetal in the carboxyl group, the content is preferably 20 to 50 mol%, more preferably 30 to 45 mol% desirable.

상기 산 분해성기로 보호된 보호 카르복실기를 갖는 구성 단위(a1-1)는 상기 산 분해성기로 보호된 보호 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위(a1-2)에 비하면 현상이 빠르다고 하는 특징이 있다. 따라서, 빨리 현상하고 싶을 경우에는 산 분해성기로 보호된 보호 카르복실기를 갖는 구성 단위(a1-1)가 바람직하다. 반대로 현상을 늦게 하고 싶을 경우에는 산 분해성기로 보호된 보호 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위(a1-2)를 사용하는 것이 바람직하다.The structural unit (a1-1) having a protected carboxyl group protected with the acid-decomposable group is characterized in that the phenomenon is faster than that of the structural unit (a1-2) having a protected phenolic hydroxyl group protected by the acid decomposable group. Therefore, when it is desired to develop quickly, the structural unit (a1-1) having a protected carboxyl group protected with an acid-decomposable group is preferable. On the other hand, when it is desired to delay the development, it is preferable to use the structural unit (a1-2) having a protected phenolic hydroxyl group protected with an acid-decomposable group.

<<(a2) 가교기를 갖는 구성 단위>><< (a2) Structural unit having a crosslinking group >>

(A)성분은 가교기를 갖는 구성 단위(a2)를 갖는다. 상기 가교기는 가열 처리에 의해 경화 반응을 일으키는 기이면 특별하게 한정은 되지 않는다. 바람직한 가교기를 갖는 구성 단위의 형태로서는 에폭시기, 옥세타닐기, -NH-CH2-O-R(R은 탄소수 1∼20의 알킬기)로 나타내어지는 기 및 에틸렌성 불포화기로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1개를 포함하는 구성 단위를 들 수 있고, 에폭시기, 옥세타닐기, 및 -NH-CH2-O-R(R은 탄소수 1∼20의 알킬기)로 나타내어지는 기로부터 선택되는 적어도 1종인 것이 바람직하다. 그 중에서도 본 발명의 감광성 수지 조성물은 상기 (A)성분이 에폭시기 및 옥세타닐기 중 적어도 1개를 포함하는 구성 단위를 포함하는 것이 보다 바람직하고, 옥세타닐기를 포함하는 구성 단위를 포함하는 것이 특히 바람직하다. 보다 상세하게는 이하의 것을 들 수 있다.(A) has a structural unit (a2) having a crosslinking group. The crosslinking group is not particularly limited as long as it is a group which causes a curing reaction by a heat treatment. Preferable examples of the structural unit having a crosslinking group include at least one selected from the group consisting of an epoxy group, an oxetanyl group, a group represented by -NH-CH 2 -OR (R is an alkyl group having from 1 to 20 carbon atoms), and an ethylenic unsaturated group , And is preferably at least one selected from the group consisting of an epoxy group, an oxetanyl group and -NH-CH 2 -OR (R is an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms). Among them, the photosensitive resin composition of the present invention preferably contains a constituent unit containing at least one of an epoxy group and an oxetanyl group, and more preferably contains a constituent unit containing an oxetanyl group desirable. More specifically, the following can be mentioned.

<<<(a2-1) 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 구성 단위>>><<< (a2-1) Constituent Unit Having an Epoxy Group and / or an Oxetanyl Group >>>

상기 (A) 공중합체는 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 구성 단위[구성 단위(a2-1)]를 함유하는 것이 바람직하다. 상기 3원환의 환상 에테르기는 에폭시기라고도 불리고, 4원환의 환상 에테르기는 옥세타닐기라고도 불린다. 상기 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 구성 단위(a2-1)로서는 지환 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 구성 단위인 것이 바람직하고, 옥세타닐기를 갖는 구성 단위인 것이 보다 바람직하다.The copolymer (A) preferably contains a structural unit (structural unit (a2-1)) having an epoxy group and / or an oxetanyl group. The cyclic ether group of the 3-membered ring is also called an epoxy group, and the cyclic ether group of the 4-membered ring is also called an oxetanyl group. The structural unit (a2-1) having an epoxy group and / or an oxetanyl group is preferably a structural unit having an alicyclic epoxy group and / or an oxetanyl group, and more preferably a structural unit having an oxetanyl group.

상기 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 구성 단위(a2-1)는 1개의 구성 단위 중에 에폭시기 또는 옥세타닐기를 적어도 1개 갖고 있으면 좋고, 1개 이상의 에폭시기 및 1개 이상의 옥세타닐기, 2개 이상의 에폭시기, 또는 2개 이상의 옥세타닐기를 갖고 있어도 좋고, 특별하게 한정되지 않지만 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 합계 1∼3개 갖는 것이 바람직하고, 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 합계 1 또는 2개 갖는 것이 보다 바람직하고, 에폭시기 또는 옥세타닐기를 1개 갖는 것이 더욱 바람직하다.The structural unit (a2-1) having an epoxy group and / or oxetanyl group may have at least one epoxy group or oxetanyl group in one structural unit, and may contain at least one epoxy group and at least one oxetanyl group, Or an oxetanyl group. The epoxy group and / or the oxetanyl group is preferably, but not limited to, a total of 1 to 3 epoxy groups and / or an oxetanyl group, and the epoxy group and / More preferably an epoxy group or an oxetanyl group, and still more preferably one epoxy group or oxetanyl group.

에폭시기를 갖는 구성 단위를 형성하기 위해서 사용되는 라디칼 중합성 단량체의 구체예로서는, 예를 들면 아크릴산 글리시딜, 메타크릴산 글리시딜, α-에틸아크릴산 글리시딜, α-n-프로필아크릴산 글리시딜, α-n-부틸아크릴산 글리시딜, 아크릴산-3,4-에폭시부틸, 메타크릴산-3,4-에폭시부틸, 아크릴산-3,4-에폭시시클로헥실메틸, 메타크릴산-3,4-에폭시시클로헥실메틸, α-에틸아크릴산-3,4-에폭시시클로헥실메틸, o-비닐벤질글리시딜에테르, m-비닐벤질글리시딜에테르, p-비닐벤질글리시딜에테르, 일본 특허 제 4168443호 공보의 단락번호 0031∼0035에 기재된 지환식 에폭시 골격을 함유하는 화합물 등을 들 수 있다.Specific examples of the radical polymerizable monomer used for forming the structural unit having an epoxy group include glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate, glycidyl? -Ethyl acrylate, glycidyl? -N-propyl acrylate Dicyclohexylmethyl acrylate, glycidyl alpha-n-butyl acrylate, 3,4-epoxybutyl acrylate, methacrylic acid-3,4-epoxybutyl acrylate, 3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate, -Epoxy cyclohexylmethyl,? -Ethylacrylic acid-3,4-epoxycyclohexylmethyl, o-vinylbenzyl glycidyl ether, m-vinylbenzyl glycidyl ether, p-vinylbenzyl glycidyl ether, Compounds having an alicyclic epoxy skeleton described in paragraphs [0031] to [00300] of EP-A-4168443, and the like.

옥세타닐기를 갖는 구성 단위를 형성하기 위해서 사용되는 라디칼 중합성 단량체의 구체예로서는, 예를 들면 일본 특허 공개 2001-330953호 공보의 단락번호 0011∼0016에 기재된 옥세타닐기를 갖는 (메타)아크릴산 에스테르 등을 들 수 있다.Specific examples of the radically polymerizable monomer used for forming the oxetanyl group-containing structural unit include (meth) acrylic acid esters having an oxetanyl group described in paragraphs 0011 to 001 of JP-A No. 2001-330953 And the like.

상기 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 구성 단위(a2-1)를 형성하기 위해서 사용되는 라디칼 중합성 단량체의 구체예로서는 메타크릴산 에스테르 구조를 함유하는 모노머, 아크릴산 에스테르 구조를 함유하는 모노머인 것이 바람직하다.Specific examples of the radically polymerizable monomer used to form the structural unit (a2-1) having an epoxy group and / or an oxetanyl group are monomers containing a methacrylic acid ester structure and monomers containing an acrylic ester structure Do.

이들 모노머 중에서 더욱 바람직한 것으로서는 일본 특허 제 4168443호 공보의 단락번호 0034∼0035에 기재된 지환식 에폭시 골격을 함유하는 화합물 및 일본 특허 공개 2001-330953호 공보의 단락번호 0011∼0016에 기재된 옥세타닐기를 갖는 (메타)아크릴산 에스테르이며, 특히 바람직한 것으로서는 일본 특허 공개 2001-330953호 공보의 단락번호 0011∼0016에 기재된 옥세타닐기를 갖는 (메타)아크릴산 에스테르이다. 이들 중에서도 바람직한 것은 메타크릴산 글리시딜, 아크릴산 3,4-에폭시시클로헥실메틸, 메타크릴산 3,4-에폭시시클로헥실메틸, 아크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸, 및 메타크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸이며, 가장 바람직한 것은 아크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸, 및 메타크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸이다. 이것들의 구성 단위는 1종 단독 또는 2종류 이상을 조합시켜서 사용할 수 있다.Among these monomers, compounds containing an alicyclic epoxy skeleton described in paragraphs [0034] to [00300] of Japanese Patent No. 4168443 and oxetanyl groups described in paragraphs [0011] to [0000] of JP-A No. 2001-330953 (Meth) acrylic acid ester having an oxetanyl group as described in paragraphs 0011 to 001 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-330953. Among these, glycidyl methacrylate, 3,4-epoxycyclohexylmethyl acrylate, 3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate, methyl (3-ethyloxetan-3-yl) (3-ethyloxetan-3-yl) methyl, and most preferred are acrylic acid (3-ethyloxetan-3-yl) methyl and methacrylic acid (3-ethyloxetan-3-yl) methyl. These structural units may be used singly or in combination of two or more.

상기 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 구성 단위(a2-1)로서는 일본 특허 공개 2011-215590호 공보의 단락번호 0053∼0055의 기재를 참작할 수 있다.As the above-mentioned structural unit (a2-1) having an epoxy group and / or an oxetanyl group, the description of paragraphs 0053 to 0055 of Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2011-215590 may be taken into consideration.

상기 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 구성 단위(a2-1)의 바람직한 구체예로서는 하기의 구성 단위를 예시할 수 있다. 또한, R은 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다.Preferable specific examples of the above-mentioned structural unit (a2-1) having an epoxy group and / or an oxetanyl group include the following constitutional units. R represents a hydrogen atom or a methyl group.

Figure 112014106526920-pct00010
Figure 112014106526920-pct00010

본 발명에 있어서, 감도의 관점으로부터는 옥세타닐기가 바람직하다. 또한, 투과율(투명성)의 관점으로부터는 지환 에폭시기 및 옥세타닐기가 바람직하다. 이상으로부터, 본 발명에 있어서는 에폭시기 및/또는 옥세타닐기로서는 지환 에폭시기 및 옥세타닐기가 바람직하고, 옥세타닐기가 특히 바람직하다.In the present invention, an oxetanyl group is preferable from the viewpoint of sensitivity. From the viewpoint of transmittance (transparency), alicyclic epoxy groups and oxetanyl groups are preferred. From the above, as the epoxy group and / or oxetanyl group in the present invention, an alicyclic epoxy group and an oxetanyl group are preferable, and an oxetanyl group is particularly preferable.

<<<(a2-2) 에틸렌성 불포화기를 갖는 구성 단위>>><<< (a2-2) Structural unit having an ethylenic unsaturated group >>>

상기 가교기를 갖는 구성 단위(a2) 중 1개로서, 에틸렌성 불포화기를 갖는 구성 단위(a2-2)를 들 수 있다(이하, 「구성 단위(a2-2)」라고도 한다). 상기 에틸렌성 불포화기를 갖는 구성 단위(a2-2)로서는 측쇄에 에틸렌성 불포화기를 갖는 구성 단위가 바람직하고, 말단에 에틸렌성 불포화기를 갖고 탄소수 3∼16의 측쇄를 갖는 구성 단위가 보다 바람직하고, 하기 일반식(a2-2-1)으로 나타내어지는 측쇄를 갖는 구성 단위가 더욱 바람직하다.(A2-2) having an ethylenic unsaturated group (hereinafter also referred to as &quot; structural unit (a2-2) &quot;) as one of the structural units (a2) having a crosslinking group. As the structural unit (a2-2) having an ethylenically unsaturated group, a structural unit having an ethylenic unsaturated group at the side chain is preferable, a structural unit having an ethylenic unsaturated group at the end and a side chain having 3 to 16 carbon atoms is more preferable, And a structural unit having a side chain represented by the general formula (a2-2-1) is more preferable.

일반식(a2-2-1)(A2-2-1)

Figure 112014106526920-pct00011
Figure 112014106526920-pct00011

[일반식(a2-2-1) 중, R301은 탄소수 1∼13의 2가의 연결기를 나타내고, R302는 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, *은 가교기를 갖는 구성 단위(a2)의 주쇄에 연결되는 부위를 나타낸다]In the general formula (a2-2-1), R 301 represents a divalent linking group having 1 to 13 carbon atoms, R 302 represents a hydrogen atom or a methyl group, and * represents a linkage to the main chain of the structural unit (a2) Lt; / RTI &gt;

R301은 탄소수 1∼13의 2가의 연결기로서 알케닐기, 시클로알케닐기, 아릴렌기 또는 이것들을 조합시킨 기를 포함하고, 에스테르 결합, 에테르 결합, 아미드 결합, 우레탄 결합 등의 결합을 포함하고 있어도 좋다. 또한, 2가의 연결기는 임의의 위치에 히드록시기, 카르복실기 등의 치환기를 갖고 있어도 좋다. R301의 구체예로서는 하기 2가의 연결기를 들 수 있다.R 301 may be a divalent linking group having 1 to 13 carbon atoms, such as an alkenyl group, a cycloalkenyl group, an arylene group, or a combination thereof, and may include a bond such as an ester bond, an ether bond, an amide bond or a urethane bond. The divalent linking group may have a substituent such as a hydroxyl group or a carboxyl group at an arbitrary position. Specific examples of R 301 include the following divalent linking groups.

Figure 112014106526920-pct00012
Figure 112014106526920-pct00012

상기 일반식(a2-2-1)으로 나타내어지는 측쇄 중에서도 상기 R301로 나타내어지는 2가의 연결기를 포함해서 지방족의 측쇄가 바람직하다.Among the side chains represented by the general formula (a2-2-1), aliphatic side chains including the divalent linking group represented by R 301 are preferable.

그 밖의 (a2-2) 에틸렌성 불포화기를 갖는 구성 단위에 대해서는 일본 특허 공개 2011-215580호 공보의 단락번호 0077∼0090의 기재를 참작할 수 있다.For the other (a2-2) constituent unit having an ethylenic unsaturated group, the description of paragraphs 0077 to 0090 in Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2011-215580 may be taken into consideration.

<<<(a2-3) -NH-CH2-O-R(R은 탄소수 1∼20의 알킬기)로 나타내어지는 기를 갖는 구성 단위>>><<< (a2-3) Structural unit having a group represented by -NH-CH 2 -OR (R is an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms) >>>

본 발명에서 사용하는 공중합체는 -NH-CH2-O-R(R은 탄소수 1∼20의 알킬기)로 나타내어지는 기를 갖는 구성 단위(a2-3)도 바람직하다. 구성 단위(a2-3)를 가짐으로써 완만한 가열 처리에 의해 경화 반응을 일으킬 수 있고, 여러 가지 특성이 뛰어난 경화막을 얻을 수 있다. 여기에서, R은 탄소수 1∼9의 알킬기가 바람직하고, 탄소수 1∼4의 알킬기가 보다 바람직하다. 또한, 알킬기는 직쇄, 분기 또는 환상의 알킬기 중 어느 것이라도 좋지만, 바람직하게는 직쇄 또는 분기의 알킬기이다. 구성 단위(a2)는 보다 바람직하게는 하기 일반식(1)으로 나타내어지는 기를 갖는 구성 단위이다.Copolymer used in the present invention is -NH-CH 2 -OR is also preferred structural units (a2-3) having a group represented by (R is an alkyl group of 1 to 20 carbon atoms). By having the constituent unit (a2-3), a curing reaction can be caused by a gentle heat treatment, and a cured film excellent in various properties can be obtained. Here, R is preferably an alkyl group having 1 to 9 carbon atoms, more preferably an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. The alkyl group may be any of linear, branched or cyclic alkyl groups, but is preferably a linear or branched alkyl group. The structural unit (a2) is more preferably a structural unit having a group represented by the following general formula (1).

일반식(1)In general formula (1)

Figure 112014106526920-pct00013
Figure 112014106526920-pct00013

(상기 식 중, R1은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R2는 탄소수 1∼20의 알킬기를 나타낸다)(Wherein R 1 represents a hydrogen atom or a methyl group, and R 2 represents an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms)

R2는 탄소수 1∼9의 알킬기가 바람직하고, 탄소수 1∼4의 알킬기가 더욱 바람직하다. 또한, 알킬기는 직쇄, 분기 또는 환상의 알킬기 중 어느 것이라도 좋지만, 바람직하게는 직쇄 또는 분기의 알킬기이다.R 2 is preferably an alkyl group having 1 to 9 carbon atoms, more preferably an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. The alkyl group may be any of linear, branched or cyclic alkyl groups, but is preferably a linear or branched alkyl group.

R2의 구체예로서는 메틸기, 에틸기, n-부틸기, i-부틸기, 시클로헥실기, 및 n-헥실기를 들 수 있다. 그 중에서도 i-부틸기, n-부틸기, 메틸기가 바람직하다.Specific examples of R 2 include a methyl group, an ethyl group, an n-butyl group, an i-butyl group, a cyclohexyl group and an n-hexyl group. Of these, an i-butyl group, an n-butyl group and a methyl group are preferable.

<<<구성 단위(a2)의 바람직한 형태>>><<< Preferable Form of Constituent Unit (a2) >>>

상기 구성 단위(a2)를 함유하는 중합체가 실질적으로 구성 단위(a1)를 포함하지 않을 경우, 구성 단위(a2)는 그 구성 단위(a2)를 함유하는 중합체 중 5∼90몰%가 바람직하고, 20∼80몰%가 보다 바람직하다.When the polymer containing the structural unit (a2) does not substantially contain the structural unit (a1), the structural unit (a2) is preferably from 5 to 90 mol% of the polymer containing the structural unit (a2) And more preferably 20 to 80 mol%.

상기 구성 단위(a2)를 함유하는 중합체가 상기 구성 단위(a1)를 함유할 경우, 구성 단위(a2)는 그 구성 단위(a1)와 구성 단위(a2)를 함유하는 중합체 중 감도의 관점으로부터 3∼70몰%가 바람직하고, 10∼60몰%가 보다 바람직하다.When the polymer containing the structural unit (a2) contains the structural unit (a1), the structural unit (a2) is preferably a polymer containing the structural unit (a1) and the structural unit (a2) To 70 mol%, and more preferably 10 mol% to 60 mol%.

본 발명에서는 어느 형태에 상관없이 (A)성분의 전체 구성 단위 중 구성 단위(a2)를 3∼70몰% 더 함유하는 것이 바람직하고, 10∼60몰% 더 함유하는 것이 보다 바람직하다.In the present invention, the content of the structural unit (a2) in the total structural units of the component (A) is preferably 3 to 70 mol%, more preferably 10 to 60 mol%.

상기 수치의 범위 내이면, 감광성 수지 조성물로부터 얻어지는 경화막의 투명성 및 ITO 스퍼터 내성이 양호해진다.Within the above range, the transparency of the cured film obtained from the photosensitive resin composition and the ITO sputter resistance are improved.

<<(a3) 그 밖의 구성 단위>><< (a3) Other constituent units >>

본 발명에 있어서, (A)성분은 상기 구성 단위 (a1) 및/또는 (a2)에 추가해서 이것들 이외의 다른 구성 단위(a3)를 갖고 있어도 좋다. 이들 구성 단위는 상기 중합체 (1) 및/또는 (2)가 포함되어 있어도 좋다. 또한, 상기 중합체 (1) 또는 (2)와는 별도로, 다른 구성 단위(a3)를 갖는 중합체 성분을 갖고 있어도 좋다. 상기 중합체 (1) 또는 (2)와는 별도로 다른 구성 단위(a3)를 갖는 중합체를 포함할 경우, 그 중합체 성분의 배합량은 전체 중합체 성분 중 60질량% 이하인 것이 바람직하고, 40질량% 이하인 것이 보다 바람직하고, 20질량% 이하인 것이 더욱 바람직하다.In the present invention, the component (A) may contain other structural units (a3) in addition to the structural units (a1) and / or (a2). These constituent units may contain the polymer (1) and / or (2). Further, apart from the polymer (1) or (2), a polymer component having another structural unit (a3) may be contained. When a polymer having another constituent unit (a3) is contained separately from the polymer (1) or (2), the amount of the polymer component is preferably 60 mass% or less, more preferably 40 mass% or less By mass, and more preferably not more than 20% by mass.

그 밖의 구성 단위(a3)로 되는 모노머로서는 특별하게 제한은 없고, 예를 들면 스티렌류, (메타)아크릴산 알킬에스테르, (메타)아크릴산 환상 알킬에스테르, (메타)아크릴산 아릴에스테르, 불포화 디카르복실산 디에스테르, 비시클로 불포화 화합물류, 말레이미드 화합물류, 불포화 방향족 화합물, 공역 디엔계 화합물, 불포화 모노카르복실산, 불포화 디카르복실산, 불포화 디카르복실산 무수물, 그 밖의 불포화 화합물을 들 수 있다. 또한, 후술하는 바와 같이 산기를 갖는 구성 단위를 갖고 있어도 좋다. 그 밖의 구성 단위(a3)로 되는 모노머는 단독 또는 2종류 이상을 조합시켜서 사용할 수 있다.The monomer constituting the other constituent unit (a3) is not particularly limited and includes, for example, styrenes, alkyl (meth) acrylates, cyclic alkyl (meth) acrylates, (meth) acrylic acid aryl esters, unsaturated dicarboxylic acids Unsaturated aromatic compounds, conjugated diene compounds, unsaturated monocarboxylic acids, unsaturated dicarboxylic acids, unsaturated dicarboxylic acid anhydrides, and other unsaturated compounds can be cited as examples of the unsaturated dicarboxylic acid compound . Further, as described later, it may have a structural unit having an acid group. The monomers constituting the other constituent unit (a3) may be used alone or in combination of two or more.

이하에, 본 발명의 중합체 성분의 바람직한 실시형태를 들지만, 본 발명은 이것들에 한정되는 것은 아닌 것은 말할 필요도 없다.Hereinafter, preferred embodiments of the polymer component of the present invention are mentioned, but it is needless to say that the present invention is not limited to these.

(제 1 실시형태)(First Embodiment)

중합체(1)가 1종 또는 2종 이상의 그 밖의 구성 단위(a3)를 더 갖는 형태.Wherein the polymer (1) further comprises one or more other structural units (a3).

(제 2 실시형태)(Second Embodiment)

중합체(2)의 (a1) 산기가 산 분해성기로 보호된 잔기를 갖는 구성 단위를 갖는 중합체가 1종 또는 2종 이상의 그 밖의 구성 단위(a3)를 더 갖는 형태.(A1) a form in which the polymer having a constituent unit having a residue protected with an acid-decomposable group in the polymer (2) further contains one or more other constituent units (a3).

(제 3 실시형태)(Third Embodiment)

중합체(2)의 (a2) 하기 일반식(I)으로 나타내어지는 구성 단위를 갖는 중합체가 1종 또는 2종 이상의 그 밖의 구성 단위를 더 갖는 형태.(A2) a form in which the polymer having a constituent unit represented by the following general formula (I) further comprises one or more other constituent units.

(제 4 실시형태)(Fourth Embodiment)

상기 제 1∼제 3 실시형태 중 어느 하나에 있어서, 그 밖의 구성 단위로서 적어도 산기를 포함하는 구성 단위를 포함하는 형태.In any one of the first to third embodiments, a form including at least an acid group-containing constituent unit as another constituent unit.

(제 5 실시형태)(Fifth Embodiment)

상기 제 1∼제 3 실시형태 중 어느 하나에 있어서, 그 밖의 구성 단위로서 중합체(1) 및/또는 중합체(2)가 적어도 산기를 포함하는 구성 단위를 포함하는 형태.In any one of the first to third embodiments, the polymer (1) and / or the polymer (2) as the other constitutional unit include a constitutional unit containing at least an acid group.

(제 6 실시형태)(Sixth Embodiment)

상기 중합체 (1) 또는 (2)와는 별도로, 다른 구성 단위(a3)를 갖는 중합체를 갖는 형태. 이 경우의 다른 구성 단위(a3)로서는 산기를 포함하는 구성 단위, 가교성기를 갖는 구성 단위 등이 예시된다.Apart from the polymer (1) or (2), a form having a polymer having another structural unit (a3). Examples of the other structural unit (a3) in this case include a structural unit containing an acid group, a structural unit having a crosslinkable group, and the like.

(제 7 실시형태)(Seventh Embodiment)

상기 제 1∼제 6 실시형태의 2 이상의 조합으로 이루어지는 형태.And a combination of two or more of the first to sixth embodiments.

구성 단위(a3)는 구체적으로는 스티렌, tert-부톡시스티렌, 메틸스티렌, 히드록시스티렌, α-메틸스티렌, 아세톡시스티렌, 메톡시스티렌, 에톡시스티렌, 클로로스티렌, 비닐벤조산 메틸, 비닐벤조산 에틸, 4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시프로필)에스테르, (메타)아크릴산, (메타)아크릴산 메틸, (메타)아크릴산 에틸, (메타)아크릴산 n-프로필, (메타)아크릴산 이소프로필, (메타)아크릴산 2-히드록시에틸, (메타)아크릴산 2-히드록시프로필, (메타)아크릴산 벤질, (메타)아크릴산 이소보닐, 아크릴로니트릴, 에틸렌글리콜모노아세트아세테이트모노(메타)아크릴레이트 등에 의한 구성 단위를 들 수 있다. 이 밖에, 일본 특허 공개 2004-264623호 공보의 단락번호 0021∼0024에 기재된 화합물을 들 수 있다.Specific examples of the structural unit (a3) include styrene, tert-butoxystyrene, methylstyrene, hydroxystyrene,? -Methylstyrene, acetoxystyrene, methoxystyrene, ethoxystyrene, chlorostyrene, methyl vinylbenzoate, (Meth) acrylic acid, methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, n-propyl (meth) acrylate, isopropyl (meth) acrylate, Acrylate, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, benzyl (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate, acrylonitrile, ethylene glycol monoacetate mono And the like. In addition, the compounds described in paragraphs 0021 to 0024 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-264623 can be mentioned.

또한, 그 밖의 구성 단위(a3)로서 스티렌류, 지방족 환식 골격을 갖는 기가 전기 특성의 관점에서 바람직하다. 구체적으로는 스티렌, tert-부톡시스티렌, 메틸스티렌, 히드록시스티렌, α-메틸스티렌, 디시클로펜타닐(메타)아크릴레이트, 시클로헥실(메타)아크릴레이트, 이소보닐(메타)아크릴레이트, 벤질(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다.In addition, as the other structural unit (a3), a styrene group or a group having an alicyclic cyclic skeleton is preferable in view of electrical characteristics. Specific examples include styrene, tert-butoxystyrene, methylstyrene, hydroxystyrene,? -Methylstyrene, dicyclopentanyl (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate, isobonyl Methacrylate, and the like.

또한, 그 밖의 구성 단위(a3)로서 (메타)아크릴산 알킬에스테르가 밀착성의 관점에서 바람직하다. 구체적으로는, (메타)아크릴산 메틸, (메타)아크릴산 에틸, (메타)아크릴산 프로필, (메타)아크릴산 n-부틸 등을 들 수 있고, (메타)아크릴산 메틸이 보다 바람직하다. 중합체(A)를 구성하는 구성 단위 중, 상기 구성 단위(a3)의 함유율은 60몰% 이하가 바람직하고, 50몰% 이하가 보다 바람직하고, 40몰% 이하가 더욱 바람직하다. 하한값으로서는 0몰%라도 좋지만, 예를 들면 1몰% 이상으로 할 수 있고, 또한 5몰% 이상으로 할 수 있다. 상기 수치의 범위 내이면 감광성 수지 조성물로부터 얻어지는 경화막의 여러 가지 특성이 양호해진다.In addition, as the other structural unit (a3), a (meth) acrylic acid alkyl ester is preferable from the viewpoint of adhesion. Specific examples thereof include methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate and n-butyl (meth) acrylate. More preferred is methyl (meth) acrylate. The content of the structural unit (a3) in the polymer (A) is preferably 60 mol% or less, more preferably 50 mol% or less, and still more preferably 40 mol% or less. The lower limit value may be 0 mol%, for example, 1 mol% or more, and may be 5 mol% or more. Within the range of the above-mentioned numerical values, various properties of the cured film obtained from the photosensitive resin composition are improved.

그 밖의 구성 단위(a3)로서, 산기를 포함하는 것이 바람직하다. 산기를 포함함으로써, 알칼리성의 현상액에 녹기 쉬워져서 본 발명의 효과가 보다 효과적으로 발휘된다. 본 발명에 있어서의 산기란 pKa가 7보다 작은 프로톤 해리성기를 의미한다. 산기는 통상 산기를 형성할 수 있는 모노머를 이용하여 산기를 포함하는 구성 단위로서 수지에 도입된다. 이러한 산기를 포함하는 구성 단위를 수지 중에 포함시킴으로써 알칼리 가용성이 커지는 경향이 있다.As the other structural unit (a3), it is preferable to include an acid group. By including an acid group, it becomes easy to dissolve in an alkaline developing solution, and the effect of the present invention is more effectively exerted. The acid group in the present invention means a proton dissociable group having a pKa smaller than 7. The acid group is introduced into the resin as a constituent unit containing an acid group by using a monomer capable of forming an acid group. The inclusion of such a structural unit containing an acid group in the resin tends to increase the alkali solubility.

본 발명에서 사용되는 산기로서는 카르복실산기 유래의 것, 술폰아미드기로부터 유래되는 것, 포스폰산기로부터 유래되는 것, 술폰산기로부터 유래되는 것, 페놀성 수산기로부터 유래되는 것, 술폰아미드기, 술포닐이미드기 등이 예시되고, 카르복실산기 유래의 것 및/또는 페놀성 수산기로부터 유래되는 것이 바람직하다.Examples of the acid group used in the present invention include those derived from a carboxylic acid group, those derived from a sulfonamide group, those derived from a phosphonic acid group, those derived from a sulfonic acid group, those derived from a phenolic hydroxyl group, sulfonamide groups, And the like, and those derived from a carboxylic acid group and / or derived from a phenolic hydroxyl group are preferable.

본 발명에서 사용되는 산기를 포함하는 구성 단위는 스티렌으로부터 유래되는 구성 단위나, 비닐 화합물로부터 유래되는 구성 단위, (메타)아크릴산 및/또는 그 에스테르로부터 유래되는 구성 단위인 것이 보다 바람직하다.The structural unit containing an acid group used in the present invention is more preferably a structural unit derived from styrene, a structural unit derived from a vinyl compound, and (meth) acrylic acid and / or an ester thereof.

본 발명에서는, 특히 카르복실기를 갖는 구성 단위, 또는 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위를 함유하는 것이 감도의 관점에서 바람직하다.In the present invention, it is particularly preferable to contain a constituent unit having a carboxyl group or a constituent unit having a phenolic hydroxyl group from the viewpoint of sensitivity.

산기를 포함하는 구성 단위는 전체 중합체 성분의 구성 단위의 1∼80몰%가 바람직하고, 1∼50몰%가 보다 바람직하고, 5∼40몰%가 더욱 바람직하고, 5∼30몰%가 특히 바람직하고, 5∼20몰%가 가장 바람직하다.The constituent unit containing an acid group is preferably from 1 to 80 mol%, more preferably from 1 to 50 mol%, still more preferably from 5 to 40 mol%, and particularly preferably from 5 to 30 mol%, of the constituent units of the whole polymer component , And most preferably 5 to 20 mol%.

본 발명에서는 상기 중합체 (1) 또는 (2)와는 별도로, 다른 구성 단위(a3)를 갖는 중합체를 포함하고 있어도 좋다. 이 경우의 다른 구성 단위(a3)로서는 산기를 포함하는 구성 단위, 가교성기를 갖는 구성 단위 등이 예시된다.In the present invention, in addition to the polymer (1) or (2), a polymer having another structural unit (a3) may be contained. Examples of the other structural unit (a3) in this case include a structural unit containing an acid group, a structural unit having a crosslinkable group, and the like.

이러한 중합체로서는 측쇄에 카르복실기를 갖는 수지가 바람직하다. 예를 들면, 일본 특허 공개 소 59-44615호, 일본 특허 공고 소 54-34327호, 일본 특허 공고 소 58-12577호, 일본 특허 공고 소 54-25957호, 일본 특허 공개 소 59-53836호, 일본 특허 공개 소 59-71048호의 각 공보에 기재되어 있는 바와 같은 메타크릴산 공중합체, 아크릴산 공중합체, 이타콘산 공중합체, 크로톤산 공중합체, 말레산 공중합체, 부분 에스테르화 말레산 공중합체 등, 및 측쇄에 카르복실기를 갖는 산성 셀룰로오스 유도체, 수산기를 갖는 폴리머에 산 무수물을 부가시킨 것 등을 들 수 있고, 또한 측쇄에 (메타)아크릴로일기를 갖는 고분자 중합체도 바람직한 것으로서 들 수 있다.As such a polymer, a resin having a carboxyl group in the side chain is preferable. For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 59-44615, Japanese Patent Publication No. 54-34327, Japanese Patent Publication No. 58-12577, Japanese Patent Publication No. 54-25957, Japanese Patent Application Laid-open No. 59-53836, Methacrylic acid copolymers, acrylic acid copolymers, itaconic acid copolymers, crotonic acid copolymers, maleic acid copolymers, partially esterified maleic acid copolymers and the like as disclosed in the respective publications of Japanese Patent Application Laid-Open No. 59-71048 Acidic cellulose derivatives having a carboxyl group in a side chain, acid anhydride added to a polymer having a hydroxyl group, and the like, and a polymer having a (meth) acryloyl group in the side chain is also preferable.

예를 들면, 벤질(메타)아크릴레이트/(메타)아크릴산 공중합체, 2-히드록시에틸(메타)아크릴레이트/벤질(메타)아크릴레이트/(메타)아크릴산 공중합체, 일본 특허 공개 평 7-140654호 공보에 기재된 2-히드록시프로필(메타)아크릴레이트/폴리스티렌 매크로모노머/벤질메타크릴레이트/메타크릴산 공중합체, 2-히드록시-3-페녹시프로필아크릴레이트/폴리메틸메타크릴레이트 매크로모노머/벤질메타크릴레이트/메타크릴산 공중합체, 2-히드록시에틸메타크릴레이트/폴리스티렌 매크로모노머/메틸메타크릴레이트/메타크릴산 공중합체, 2-히드록시에틸메타크릴레이트/폴리스티렌 매크로모노머/벤질메타크릴레이트/메타크릴산 공중합체 등을 들 수 있다.(Meth) acrylate / (meth) acrylic acid copolymer, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate / benzyl (meth) acrylate / (Meth) acrylate / polystyrene macromonomer / benzyl methacrylate / methacrylic acid copolymer, 2-hydroxy-3-phenoxypropyl acrylate / polymethyl methacrylate macromonomer / Benzyl methacrylate / methacrylic acid copolymer, 2-hydroxyethyl methacrylate / polystyrene macromonomer / methyl methacrylate / methacrylic acid copolymer, 2-hydroxyethyl methacrylate / polystyrene macromonomer / benzyl Methacrylate / methacrylic acid copolymer, and the like.

그 밖에도 일본 특허 공개 평 7-207211호 공보, 일본 특허 공개 평 8-259876호 공보, 일본 특허 공개 평 10-300922호 공보, 일본 특허 공개 평 11-140144호 공보, 일본 특허 공개 평 11-174224호 공보, 일본 특허 공개 2000-56118호 공보, 일본 특허 공개 2003-233179호 공보, 일본 특허 공개 2009-52020호 공보 등에 기재된 공지의 고분자 화합물을 사용할 수 있다.In addition, Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 7-207211, 8-259876, 10-300922, 11-140144, 11-174224 A publicly known polymer compound described in Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 2000-56118, 2003-233179, and 2009-52020 can be used.

이들 중합체는 1종류만 포함하고 있어도 좋고, 2종류 이상 포함하고 있어도 좋다.These polymers may contain only one kind or two or more kinds.

이들 중합체로서 시판되고 있는 SMA 1000P, SMA 2000P, SMA 3000P, SMA 1440F, SMA 17352P, SMA 2625P, SMA 3840F(이상, 사토머사 제), ARUFON UC-3000, ARUFON UC-3510, ARUFON UC-3900, ARUFON UC-3910, ARUFON UC-3920, ARUFON UC-3080[이상, 도아 고세이(주) 제], Joncryl 690, Joncryl 678, Joncryl 67, Joncryl 586(이상, BASF 제) 등을 사용할 수도 있다.As these polymers, commercially available SMA 1000P, SMA 2000P, SMA 3000P, SMA 1440F, SMA 17352P, SMA 2625P, SMA 3840F (manufactured by Satoruma Corporation), ARUFON UC-3000, ARUFON UC-3510, ARUFON UC- JUNCRYL 690, JONCRYL 678, JONCRYL 67 and JONCYLRY 586 (manufactured by BASF) may be used as the antifouling coating agent, such as UF-3910, ARUFON UC-3920 and ARUFON UC-3080.

<<(A) 중합체의 분자량>><< (A) Molecular weight of polymer >>

(A) 중합체의 분자량은 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량으로 바람직하게는 1,000∼200,000, 보다 바람직하게는 2,000∼50,000의 범위이다. 상기 수치의 범위 내이면 여러 가지 특성이 양호하다. 수평균 분자량과 중량 평균 분자량의 비(분산도)는 1.0∼5.0이 바람직하고, 1.5∼3.5가 보다 바람직하다.The molecular weight of the polymer (A) is preferably from 1,000 to 200,000, more preferably from 2,000 to 50,000, in terms of polystyrene reduced weight average molecular weight. Within the range of the above numerical values, various characteristics are good. The ratio (number of dispersions) of the number average molecular weight to the weight average molecular weight is preferably 1.0 to 5.0, more preferably 1.5 to 3.5.

<<(A) 중합체의 제조 방법>><< (A) Method of producing polymer >>

또한, (A)성분의 합성법에 대해서도 여러 가지 방법이 알려져 있지만, 일례를 들면 적어도 상기 (a1) 및 상기 (a3)으로 나타내어지는 구성 단위를 형성하기 위해서 사용되는 라디칼 중합성 단량체를 포함하는 라디칼 중합성 단량체 혼합물을 유기 용제 중, 라디칼 중합 개시제를 이용하여 중합함으로써 합성할 수 있다. 또한, 소위 고분자 반응에 의해 합성할 수도 있다.Various methods are also known for the method of synthesizing the component (A). For example, a radical polymerization method comprising a radical polymerizable monomer used for forming at least the constituent units represented by (a1) and (a3) Can be synthesized by polymerization of a monomeric monomer mixture in an organic solvent using a radical polymerization initiator. It may also be synthesized by a so-called polymer reaction.

본 발명의 감광성 수지 조성물은 전체 고형분에 대하여 (A)성분을 50∼99.9질량%의 비율로 포함하는 것이 바람직하고, 70∼98질량%의 비율로 포함하는 것이 보다 바람직하다.The photosensitive resin composition of the present invention preferably contains the component (A) in an amount of 50 to 99.9 mass%, more preferably 70 to 98 mass%, based on the total solid content.

<(B) 광산 발생제>&Lt; (B) Photo acid generator >

본 발명에서 사용되는 광산 발생제로서는 파장 300㎚ 이상, 바람직하게는 파장 300∼450㎚의 활성 광선에 감응하여 산을 발생시키는 화합물이 바람직하지만, 그 화학 구조에 제한되는 것은 아니다. 또한, 파장 300㎚ 이상의 활성 광선에 직접 감응하지 않는 광산 발생제에 대해서도 증감제와 병용함으로써 파장 300㎚ 이상의 활성 광선에 감응하여 산을 발생시키는 화합물이면 증감제와 조합시켜서 바람직하게 사용할 수 있다. 본 발명에서 사용되는 광산 발생제로서는 pKa가 4 이하인 산을 발생시키는 광산 발생제가 바람직하고, pKa가 3 이하인 산을 발생시키는 광산 발생제가 보다 바람직하다.The photoacid generator used in the present invention is preferably a compound which generates an acid upon exposure to an actinic ray having a wavelength of 300 nm or more, preferably 300 to 450 nm, but is not limited to the chemical structure thereof. Also, for a photoacid generator which does not directly react with an actinic ray having a wavelength of 300 nm or more, a compound capable of generating an acid in response to an actinic ray having a wavelength of 300 nm or more by being used in combination with a sensitizer can be preferably used in combination with a sensitizer. As the photoacid generator used in the present invention, a photoacid generator that generates an acid with a pKa of 4 or less is preferable, and a photoacid generator that generates an acid with a pKa of 3 or less is more preferable.

(B)성분은 감도의 관점으로부터 옥심술포네이트 화합물인 것이 바람직하다.The component (B) is preferably an oxime sulfonate compound from the viewpoint of sensitivity.

광산 발생제의 예로서, 트리클로로메틸-s-트리아진류, 술포늄염이나 요오드늄염, 제 4급 암모늄염류, 디아조메탄 화합물, 이미드술포네이트 화합물, 및 옥심술포네이트 화합물 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 절연성의 관점으로부터 옥심술포네이트 화합물을 사용하는 것이 바람직하다. 이들 광산 발생제는 1종 단독 또는 2종류 이상을 조합시켜서 사용할 수 있다. 트리클로로메틸-s-트리아진류, 디아릴요오드늄염류, 트리아릴술포늄염류, 제 4급 암모늄염류, 및 디아조메탄 유도체의 구체예로서는 일본 특허 공개 2011-221494호 공보의 단락번호 0077∼0078에 기재된 화합물을 예시할 수 있다.Examples of the photoacid generator include trichloromethyl-s-triazine, sulfonium salts and iodonium salts, quaternary ammonium salts, diazomethane compounds, imidosulfonate compounds and oxime sulfonate compounds . Among them, it is preferable to use an oxime sulfonate compound from the viewpoint of insulation. These photoacid generators may be used alone or in combination of two or more. Specific examples of trichloromethyl-s-triazine, diaryl iodonium salts, triarylsulfonium salts, quaternary ammonium salts, and diazomethane derivatives are disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2011-221494 The compounds described can be exemplified.

옥심술포네이트 화합물, 즉 옥심술포네이트 구조를 갖는 화합물로서는 하기 일반식(B1)으로 나타내어지는 옥심술포네이트 구조를 함유하는 화합물을 바람직하게 예시할 수 있다.As the oxime sulfonate compound, that is, the compound having an oxime sulfonate structure, a compound containing an oxime sulfonate structure represented by the following general formula (B1) can be preferably exemplified.

일반식(B1)In general formula (B1)

Figure 112014106526920-pct00014
Figure 112014106526920-pct00014

[일반식(B1) 중, R21은 알킬기, 아릴기, 불화알킬기, 불화아릴기를 나타낸다. 파선은 다른 기와의 결합을 나타낸다][In the formula (B1), R 21 represents an alkyl group, an aryl group, an alkyl fluoride group or an aryl fluoride group. The dashed line indicates the combination with other tiles.

어느 기나 치환되어도 좋고, R21에 있어서의 알킬기는 직쇄상이라도 좋고 분기상이라도 좋고 환상이라도 좋다. 허용되는 치환기는 이하에 설명한다.The alkyl group in R &lt; 21 &gt; may be linear, branched or cyclic. The permissible substituents are described below.

R21의 알킬기로서는 탄소수 1∼10의 직쇄상 또는 분기상 알킬기가 바람직하다. R21의 알킬기는 탄소수 6∼11의 아릴기, 탄소수 1∼10의 알콕시기, 또는 시클로알킬기(7,7-디메틸-2-옥소노보닐기 등의 유교식 지환기를 포함하는, 바람직하게는 비시클로알킬기 등)로 치환되어도 좋다.As the alkyl group for R 21 , a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms is preferable. The alkyl group of R 21 is preferably an aryl group having 6 to 11 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, or a cycloalkyl group (including a polycyclic alicyclic group such as a 7,7-dimethyl-2-oxononyl group, An alkyl group or the like).

R21의 아릴기로서는 탄소수 6∼11의 아릴기가 바람직하고, 페닐기 또는 나프틸기가 보다 바람직하다. R21의 아릴기는 저급 알킬기, 알콕시기 또는 할로겐 원자로 치환되어도 좋다.As the aryl group for R 21, an aryl group having 6 to 11 carbon atoms is preferable, and a phenyl group or a naphthyl group is more preferable. The aryl group of R 21 may be substituted with a lower alkyl group, an alkoxy group or a halogen atom.

상기 일반식(B1)으로 나타내어지는 옥심술포네이트 구조를 함유하는 상기 화합물은 하기 일반식(B2)으로 나타내어지는 옥심술포네이트 화합물인 것도 바람직하다.It is also preferable that the compound containing an oxime sulfonate structure represented by the general formula (B1) is an oxime sulfonate compound represented by the following general formula (B2).

Figure 112014106526920-pct00015
Figure 112014106526920-pct00015

[식(B2) 중, R42는 알킬기, 아릴기, 불화알킬기, 불화아릴기를 나타내고, X는 알킬기, 알콕시기, 또는 할로겐 원자를 나타내고, m4는 0∼3의 정수를 나타내고, m4가 2 또는 3일 때, 복수의 X는 동일하거나 달라도 좋다]Of the formula (B2), R 42 is an alkyl group, an aryl group, represents a fluorinated alkyl group, a fluorinated aryl group, X is an alkyl group, an alkoxy group, or halogen atom, m4 represents an integer of 0~3, m4 is 2 or 3, the plurality of X's may be the same or different]

X로서의 알킬기는 탄소수 1∼4의 직쇄상 또는 분기상 알킬기가 바람직하다.The alkyl group as X is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.

X로서의 알콕시기는 탄소수 1∼4의 직쇄상 또는 분기상 알콕시기가 바람직하다.The alkoxy group as X is preferably a linear or branched alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms.

X로서의 할로겐 원자는 염소 원자 또는 불소 원자가 바람직하다.The halogen atom as X is preferably a chlorine atom or a fluorine atom.

m4는 0 또는 1이 바람직하다.m4 is preferably 0 or 1.

상기 일반식(B2) 중, m4가 1이고, X가 메틸기이고, X의 치환 위치가 오르토 위치이고, R42가 탄소수 1∼10의 직쇄상 알킬기, 7,7-디메틸-2-옥소노보닐메틸기, 또는 p-톨루일기인 화합물이 특히 바람직하다.In the above general formula (B2), and m4 are 1, X is a methyl group, and the substitution position of X in o-position, R 42 is a straight chain alkyl group, 7,7-dimethyl-2-oxo Novo carbonyl having 1 to 10 carbon atoms Methyl group, or p-toluyl group is particularly preferable.

상기 일반식(B1)으로 나타내어지는 옥심술포네이트 구조를 함유하는 화합물은 하기 일반식(B3)으로 나타내어지는 옥심술포네이트 화합물인 것도 보다 바람직하다.The compound containing an oxime sulfonate structure represented by the general formula (B1) is more preferably an oxime sulfonate compound represented by the following general formula (B3).

Figure 112014106526920-pct00016
Figure 112014106526920-pct00016

[식(B3) 중, R43은 식(B2)에 있어서의 R42와 동의이며, X1은 할로겐 원자, 수산기, 탄소수 1∼4의 알킬기, 탄소수 1∼4의 알콕시기, 시아노기 또는 니트로기를 나타내고, n4는 0∼5의 정수를 나타낸다]Equation (B3) of, R 43 is R 42 and agreed in the formula (B2), X 1 is an alkoxy group of the alkyl group, having 1 to 4 carbon atoms a halogen atom, a hydroxyl group, having 1 to 4 carbon atoms, a cyano group or a nitro group And n4 represents an integer of 0 to 5,

상기 일반식(B3)에 있어서의 R43으로서는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기, n-옥틸기, 트리플루오로메틸기, 펜타플루오로에틸기, 퍼플루오로-n-프로필기, 퍼플루오로-n-부틸기, p-톨릴기, 4-클로로페닐기 또는 펜타플루오로페닐기가 바람직하고, n-옥틸기가 특히 바람직하다.Examples of R 43 in the general formula (B3) include methyl, ethyl, n-propyl, n-butyl, n-octyl, A perfluoro-n-butyl group, a p-tolyl group, a 4-chlorophenyl group or a pentafluorophenyl group is preferable, and an n-octyl group is particularly preferable.

X1로서는 탄소수 1∼5의 알콕시기가 바람직하고, 메톡시기가 보다 바람직하다.X 1 is preferably an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably a methoxy group.

n4로서는 0∼2가 바람직하고, 0∼1이 특히 바람직하다.n4 is preferably 0 to 2, and particularly preferably 0 to 1.

상기 일반식(B3)으로 나타내어지는 화합물의 구체예로서는 α-(메틸술포닐옥시이미노)벤질시아니드, α-(에틸술포닐옥시이미노)벤질시아니드, α-(n-프로필술포닐옥시이미노)벤질시아니드, α-(n-부틸술포닐옥시이미노)벤질시아니드, α-(4-톨루엔술포닐옥시이미노)벤질시아니드, α-[(메틸술포닐옥시이미노)-4-메톡시페닐]아세토니트릴, α-[(에틸술포닐옥시이미노)-4-메톡시페닐]아세토니트릴, α-[(n-프로필술포닐옥시이미노)-4-메톡시페닐]아세토니트릴, α-[(n-부틸술포닐옥시이미노)-4-메톡시페닐]아세토니트릴, α-[(4-톨루엔술포닐옥시이미노)-4-메톡시페닐]아세토니트릴을 들 수 있다.Specific examples of the compound represented by the above general formula (B3) include? - (methylsulfonyloxyimino) benzyl cyanide,? - (ethylsulfonyloxyimino) benzyl cyanide,? - (n-propylsulfonyloxyimino) Benzyl cyanide,? - (methylsulfonyloxyimino) -4-methoxyphenyl, benzyl cyanide,? - (n-butylsulfonyloxyimino) benzyl cyanide, - [(ethylsulfonyloxyimino) -4-methoxyphenyl] acetonitrile, alpha - [(n-propylsulfonyloxyimino) -4-methoxyphenyl] acetonitrile, n-butylsulfonyloxyimino) -4-methoxyphenyl] acetonitrile, and? - [(4-toluenesulfonyloxyimino) -4-methoxyphenyl] acetonitrile.

바람직한 옥심술포네이트 화합물의 구체예로서는 하기 화합물 (i)∼(viii) 등을 들 수 있고, 1종 단독으로 사용, 또는 2종류 이상을 병용할 수 있다. 화합물 (i)∼(viii)은 시판품으로서 입수할 수 있다. 또한, 다른 종류의 (B) 광산 발생제와 조합시켜서 사용할 수도 있다.Specific examples of the preferable oxime sulfonate compound include the following compounds (i) to (viii), and they may be used singly or in combination of two or more kinds. The compounds (i) to (viii) are commercially available. It may also be used in combination with other types of (B) photoacid generators.

Figure 112014106526920-pct00017
Figure 112014106526920-pct00017

상기 일반식(B1)으로 나타내어지는 옥심술포네이트 구조를 함유하는 화합물로서는 하기 일반식(OS-1)으로 나타내어지는 화합물인 것도 바람직하다.The compound containing an oxime sulfonate structure represented by the above general formula (B1) is also preferably a compound represented by the following general formula (OS-1).

Figure 112014106526920-pct00018
Figure 112014106526920-pct00018

상기 일반식(OS-1) 중, R101은 수소 원자, 알킬기, 알케닐기, 알콕시기, 알콕시카르보닐기, 아실기, 카르바모일기, 술파모일기, 술포기, 시아노기, 아릴기, 또는 헤테로아릴기를 나타낸다. R102는 알킬기, 또는 아릴기를 나타낸다.In the general formula (OS-1), R 101 represents a hydrogen atom, an alkyl group, an alkenyl group, an alkoxy group, an alkoxycarbonyl group, an acyl group, a carbamoyl group, a sulfamoyl group, a sulfo group, a cyano group, Lt; / RTI &gt; R 102 represents an alkyl group or an aryl group.

X101은 -O-, -S-, -NH-, -NR105-, -CH2-, -CR106H-, 또는 -CR105R107-를 나타내고, R105∼R107은 알킬기, 또는 아릴기를 나타낸다. 101 X is -O-, -S-, -NH-, -NR 105 -, -CH 2 -, -CR 106 H-, or -CR 105 R 107 - represents a, R 105 ~R 107 is an alkyl group, or Lt; / RTI &gt;

R121∼R124는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 알킬기, 알케닐기, 알콕시기, 아미노기, 알콕시카르보닐기, 알킬카르보닐기, 아릴카르보닐기, 아미드기, 술포기, 시아노기, 또는 아릴기를 나타낸다. R121∼R124 중 2개는 각각 서로 결합해서 환을 형성해도 좋다.R 121 to R 124 independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, an alkenyl group, an alkoxy group, an amino group, an alkoxycarbonyl group, an alkylcarbonyl group, an arylcarbonyl group, an amide group, a sulfo group, a cyano group or an aryl group. Two of R 121 to R 124 may be bonded to each other to form a ring.

R121∼R124로서는 수소 원자, 할로겐 원자, 및 알킬기가 바람직하고, 또한 R121∼R1 24 중 적어도 2개가 서로 결합해서 아릴기를 형성하는 형태도 또한 바람직하게 들 수 있다. 그 중에서도 R121∼R124가 모두 수소 원자인 형태가 감도의 관점으로부터 바람직하다.As R 121 to R 124 , a hydrogen atom, a halogen atom, and an alkyl group are preferable, and at least two of R 121 to R 1 24 are bonded to each other to form an aryl group. Among them, a form in which all of R 121 to R 124 are hydrogen atoms is preferable from the viewpoint of sensitivity.

상술의 관능기는 모두 치환기를 더 갖고 있어도 좋다.All of the functional groups described above may further have a substituent.

상기 일반식(OS-1)으로 나타내어지는 화합물의 바람직한 예로서는, 일본 특허 공개 2011-221496호 공보의 단락번호 0194∼0202에 기재된 일반식 및 그 예시 화합물을 들 수 있다.Preferable examples of the compound represented by the above general formula (OS-1) include the general formulas described in paragraphs 0194 to 0202 of JP-A No. 2011-221496 and exemplified compounds thereof.

본 발명에서는 상기 일반식(B1)으로 나타내어지는 옥심술포네이트 구조를 함유하는 화합물로서는 하기 일반식(OS-3), 하기 일반식(OS-4) 또는 하기 일반식(OS-5)으로 나타내어지는 옥심술포네이트 화합물인 것이 바람직하다.In the present invention, the compound having an oxime sulfonate structure represented by the general formula (B1) is represented by the following general formula (OS-3), the following general formula (OS-4) It is preferable that the luminescent oxime sulfonate compound is a luminescent oxime sulfonate compound.

Figure 112014106526920-pct00019
Figure 112014106526920-pct00019

[일반식(OS-3)∼일반식(OS-5) 중, R22, R25 및 R28은 각각 독립적으로 알킬기, 아릴기 또는 헤테로아릴기를 나타내고, R23, R26 및 R29는 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 아릴기 또는 할로겐 원자를 나타내고, R24, R27 및 R30은 각각 독립적으로 할로겐 원자, 알킬기, 알킬옥시기, 술폰산기, 아미노술포닐기 또는 알콕시술포닐기를 나타내고, X1∼X3은 각각 독립적으로 산소 원자 또는 황 원자를 나타내고, n1∼n3은 각각 독립적으로 1 또는 2를 나타내고, m1∼m3은 각각 독립적으로 0∼6의 정수를 나타낸다]In the formulas (OS-3) to (OS-5), R 22 , R 25 and R 28 each independently represent an alkyl group, an aryl group or a heteroaryl group, and R 23 , R 26 and R 29 each represent An alkyl group, an aryl group or a halogen atom; R 24 , R 27 and R 30 each independently represent a halogen atom, an alkyl group, an alkyloxy group, a sulfonic acid group, an aminosulfonyl group or an alkoxysulfonyl group; X 1 to X 3 each independently represents an oxygen atom or a sulfur atom, n 1 to n 3 each independently represents 1 or 2, and m 1 to m 3 each independently represent an integer of 0 to 6,

상기 일반식 (OS-3)∼(OS-5) 중, R22, R25 및 R28에 있어서의 알킬기, 아릴기 또는 헤테로아릴기는 치환기를 갖고 있어도 좋다.In the general formulas (OS-3) to (OS-5), the alkyl group, aryl group or heteroaryl group in R 22 , R 25 and R 28 may have a substituent.

상기 식 (OS-3)∼(OS-5) 중, R22, R25 및 R28에 있어서의 알킬기로서는 치환기를 갖고 있어도 좋은 총 탄소수 1∼30의 알킬기인 것이 바람직하다.Of the above-mentioned formulas (OS-3) to (OS-5), the alkyl group for R 22 , R 25 and R 28 is preferably an alkyl group having 1 to 30 total carbon atoms which may have a substituent.

또한, 상기 일반식 (OS-3)∼(OS-5) 중, R22, R25 및 R28에 있어서의 아릴기로서는 치환기를 가져도 좋은 총 탄소수 6∼30의 아릴기가 바람직하다.Of the above general formulas (OS-3) to (OS-5), the aryl group in R 22 , R 25 and R 28 is preferably an aryl group having 6 to 30 total carbon atoms which may have a substituent.

또한, 상기 일반식 (OS-3)∼(OS-5) 중, R1에 있어서의 헤테로아릴기로서는 치환기를 가져도 좋은 총 탄소수 4∼30의 헤테로아릴기가 바람직하다.Among the above general formulas (OS-3) to (OS-5), the heteroaryl group for R 1 is preferably a heteroaryl group having 4 to 30 total carbon atoms which may have a substituent.

상기 일반식 (OS-3)∼(OS-5) 중, R22, R25 및 R28에 있어서의 헤테로아릴기는 적어도 1개의 환이 복소 방향환이면 좋고, 예를 들면 복소 방향환과 벤젠환이 축환되어 있어도 좋다.Of the above-mentioned general formulas (OS-3) to (OS-5), the heteroaryl group for R 22 , R 25 and R 28 may be at least one of the rings is a heteroaromatic ring. For example, a heteroaromatic ring and a benzene ring are ring- There may be.

상기 일반식 (OS-3)∼(OS-5) 중, R23, R26 및 R29는 수소 원자, 알킬기 또는 아릴기인 것이 바람직하고, 수소 원자 또는 알킬기인 것이 보다 바람직하다.In the general formulas (OS-3) to (OS-5), R 23 , R 26 and R 29 are preferably a hydrogen atom, an alkyl group or an aryl group, more preferably a hydrogen atom or an alkyl group.

상기 일반식 (OS-3)∼(OS-5) 중, 화합물 중에 2 이상 존재하는 R23, R26 및 R29 중, 1개 또는 2개가 알킬기, 아릴기 또는 할로겐 원자인 것이 바람직하고, 1개가 알킬기, 아릴기 또는 할로겐 원자인 것이 보다 바람직하고, 1개가 알킬기이며 또한 나머지가 수소 원자인 것이 특히 바람직하다.Of the above-mentioned general formulas (OS-3) to (OS-5), one or two of R 23 , R 26 and R 29 present in two or more of the compounds are preferably an alkyl group, an aryl group or a halogen atom, More preferably an alkyl group, an aryl group or a halogen atom, and it is particularly preferable that one is an alkyl group and the remainder is a hydrogen atom.

상기 일반식 (OS-3)∼(OS-5) 중, R23, R26 및 R29에 있어서의 알킬기 또는 아릴기는 치환기를 갖고 있어도 좋다. 여기에서, R23, R26 및 R29에 있어서의 알킬기 또는 아릴기가 갖고 있어도 좋은 치환기로서는 상기 R22, R25 및 R28에 있어서의 알킬기 또는 아릴기가 갖고 있어도 좋은 치환기와 마찬가지의 기를 예시할 수 있다.In the general formulas (OS-3) to (OS-5), the alkyl group or aryl group in R 23 , R 26 and R 29 may have a substituent. Examples of the substituent which the alkyl group or aryl group in R 23 , R 26 and R 29 may have include the same groups as the substituent which the alkyl group or aryl group in R 22 , R 25 and R 28 may have have.

R23, R26 및 R29에 있어서의 알킬기로서는 치환기를 가져도 좋은 총 탄소수 1∼12의 알킬기인 것이 바람직하고, 치환기를 가져도 좋은 총 탄소수 1∼6의 알킬기인 것이 보다 바람직하다.The alkyl group in R 23 , R 26 and R 29 is preferably an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms in total which may have a substituent and more preferably an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms in total.

R23, R26 및 R29에 있어서의 아릴기로서는 치환기를 가져도 좋은 총 탄소수 6∼30의 아릴기인 것이 바람직하다.The aryl group for R 23 , R 26 and R 29 is preferably an aryl group having 6 to 30 total carbon atoms which may have a substituent.

R23, R26 및 R29에 있어서의 할로겐 원자로서는 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자를 들 수 있다.Examples of the halogen atom in R 23 , R 26 and R 29 include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom.

이들 중에서도 염소 원자, 브롬 원자가 바람직하다.Of these, a chlorine atom and a bromine atom are preferable.

상기 일반식 (OS-3)∼(OS-5) 중, X1∼X3은 각각 독립적으로 O 또는 S를 나타내고, O인 것이 바람직하다.In the general formulas (OS-3) to (OS-5), X 1 to X 3 each independently represents O or S, and is preferably O.

상기 일반식 (OS-3)∼(OS-5)에 있어서, X1∼X3을 환원으로서 포함하는 환은 5원환 또는 6원환이다.In the general formulas (OS-3) to (OS-5), the ring containing X 1 to X 3 as a reduction is a 5-membered ring or a 6-membered ring.

상기 일반식 (OS-3)∼(OS-5) 중, n1∼n3은 각각 독립적으로 1 또는 2를 나타내고, X1∼X3이 O일 경우 n1∼n3은 각각 독립적으로 1인 것이 바람직하고, 또한 X1∼X3이 S일 경우 n1∼n3은 각각 독립적으로 2인 것이 바람직하다.In the above general formula (OS-3) ~ (OS -5), n1~n3 each independently represents 1 or 2, when X 1 is O n1~n3 ~X 3 should preferably be each independently 1 , And when X 1 to X 3 are S, n 1 to n 3 are each independently preferably 2.

상기 일반식 (OS-3)∼(OS-5) 중, R24, R27 및 R30은 각각 독립적으로 할로겐 원자, 알킬기, 알킬옥시기, 술폰산기, 아미노술포닐기 또는 알콕시술포닐기를 나타낸다. 그 중에서도 R24, R27 및 R30은 각각 독립적으로 알킬기 또는 알킬옥시기인 것이 바람직하다.In the general formulas (OS-3) to (OS-5), R 24 , R 27 and R 30 each independently represent a halogen atom, an alkyl group, an alkyloxy group, a sulfonic acid group, an aminosulfonyl group or an alkoxysulfonyl group. Among them, R 24 , R 27 and R 30 are each independently preferably an alkyl group or an alkyloxy group.

R24, R27 및 R30에 있어서의 알킬기, 알킬옥시기, 술폰산기, 아미노술포닐기 및 알콕시술포닐기는 치환기를 갖고 있어도 좋다.The alkyl group, alkyloxy group, sulfonic acid group, aminosulfonyl group and alkoxysulfonyl group in R 24 , R 27 and R 30 may have a substituent.

상기 일반식 (OS-3)∼(OS-5) 중, R24, R27 및 R30에 있어서의 알킬기로서는 치환기를 갖고 있어도 좋은 총 탄소수 1∼30의 알킬기인 것이 바람직하다.Of the above-mentioned general formulas (OS-3) to (OS-5), the alkyl group for R 24 , R 27 and R 30 is preferably an alkyl group having 1 to 30 total carbon atoms which may have a substituent.

상기 일반식 (OS-3)∼(OS-5) 중, R24, R27 및 R30에 있어서의 알킬옥시기로서는 치환기를 가져도 좋은 총 탄소수 1∼30의 알킬옥시기인 것이 바람직하다.Of the above-mentioned general formulas (OS-3) to (OS-5), the alkyloxy group in R 24 , R 27 and R 30 is preferably an alkyloxy group having 1 to 30 total carbon atoms which may have a substituent.

그 밖에, 일반식 (OS-3)∼(OS-5)의 바람직한 범위나 예시 화합물에 대해서는 일본 특허 공개 2011-227449호 공보의 단락번호 0171∼0200의 기재를 참작할 수 있다.In addition, for the preferred ranges of the general formulas (OS-3) to (OS-5) and the exemplified compounds, reference may be made to the description of paragraphs 0171 to 0200 of JP-A No. 2011-227449.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서, (B) 광산 발생제는 감광성 수지 조성물 중의 전체 수지 성분[바람직하게는 고형분, 보다 바람직하게는 상기 (A) 공중합체] 100질량부에 대하여 0.1∼10질량부 사용하는 것이 바람직하고, 0.5∼10질량부 사용하는 것이 보다 바람직하다. 2종 이상을 병용할 수도 있다.In the photosensitive resin composition of the present invention, the photoacid generator (B) is used in an amount of 0.1 to 10 parts by mass relative to 100 parts by mass of the total resin component (preferably solid content, more preferably the above (A) copolymer) in the photosensitive resin composition And it is more preferable to use 0.5 to 10 parts by mass. Two or more species may be used in combination.

<(C) 어덕트형 블록 폴리이소시아네이트 화합물>&Lt; (C) Adduct type block polyisocyanate compound >

본 발명의 감광성 수지 조성물은 (C) 어덕트형 블록 폴리이소시아네이트 화합물을 함유한다. 어덕트형 블록 폴리이소시아네이트 화합물은 포스트 베이킹시에 있어서 탈보호되어 이소시아네이트기가 생성되고, 활성 수소 화합물, 중합체 성분의 구성 단위(a1)나 구성 단위(a2)가 갖는 카르복실기나 페놀성 수산기와 반응하여 가교 구조를 형성하는 것으로 추정된다. 또한, 이소시아네이트기는 중합체 성분이 페놀성 수산기 이외의 수산기 또는 알킬렌옥시기를 갖는 구성 단위(a4)를 가질 경우, 그 수산기와도 가교 구조를 형성하는 것으로 추정된다.The photosensitive resin composition of the present invention contains (C) an adduct type block polyisocyanate compound. The duct-type block polyisocyanate compound is deprotected at the time of post-baking to produce an isocyanate group and reacted with a carboxyl group or a phenolic hydroxyl group of the constituent unit (a1) or the constituent unit (a2) of the active hydrogen compound, Structure. &Lt; / RTI &gt; Further, it is presumed that the isocyanate group forms a crosslinking structure with the hydroxyl group when the polymer component has the structural unit (a4) having a hydroxyl group or an alkyleneoxy group other than the phenolic hydroxyl group.

어덕트형 폴리 이소시아네이트 화합물이란 다가 알콜과 폴리이소시아네이트 화합물의 부가체를 말한다. 어덕트형 블록 폴리이소시아네이트 화합물은 통상 어덕트형 폴리이소시아네이트 화합물에 블록제를 반응시키고, 블록된 이소시아네이트기(이하, 「블록 이소시아네이트기」라고 하는 경우가 있음)를 형성함으로써 얻어진다. 본 발명에서 사용하는 어덕트형 블록 폴리이소시아네이트 화합물은 열(예를 들면, 90℃∼250℃)에 의해 이소시아네이트기를 생성하는 것이 가능한 것이 바람직하다.An adduct-type polyisocyanate compound means an adduct of a polyhydric alcohol and a polyisocyanate compound. The duct-type block polyisocyanate compound is usually obtained by reacting an adduct-type polyisocyanate compound with a block agent to form a blocked isocyanate group (hereinafter sometimes referred to as "block isocyanate group"). The duct-type block polyisocyanate compound used in the present invention is preferably capable of producing an isocyanate group by heat (for example, 90 ° C to 250 ° C).

본 발명에서 사용하는 어덕트형 블록 폴리이소시아네이트 화합물은 1분자 내에 2 이상의 블록 이소시아네이트기를 갖는 화합물인 것이 바람직하고, 1분자 내에 3∼6의 블록 이소시아네이트기를 갖는 화합물인 것이 보다 바람직하다.The duct-type block polyisocyanate compound used in the present invention is preferably a compound having two or more block isocyanate groups in one molecule, more preferably a compound having 3 to 6 block isocyanate groups in one molecule.

본 발명의 어덕트형 블록 폴리이소시아네이트 화합물의 합성에 사용되는 폴리이소시아네이트로서는 디이소시아네이트 화합물이 바람직하다. 디이소시아네이트 화합물로서는 그 골격은 특별하게 한정되는 것은 아니고, 1분자 중에 디이소시아네이트기를 2개 갖는 것이면 어떤 것이라도 좋고, 탄화수소기(지방족기, 지환족기 또는 방향족기)를 갖는 디이소시아네이트 화합물이 바람직하다. 탄화수소기의 탄소수로서는 2∼30이 바람직하고, 2∼20이 보다 바람직하다.As the polyisocyanate used in the synthesis of the adduct type block polyisocyanate compound of the present invention, a diisocyanate compound is preferable. The skeleton of the diisocyanate compound is not particularly limited, and any diisocyanate compound having two diisocyanate groups in one molecule may be used, and diisocyanate compounds having a hydrocarbon group (aliphatic group, alicyclic group or aromatic group) are preferable. The number of carbon atoms of the hydrocarbon group is preferably from 2 to 30, more preferably from 2 to 20.

본 발명에서는 특히 탄화수소기가 지방족 또는 방향족 6원환 화합물만으로 이루어지는 기, 지방족 또는 방향족 6원환 화합물과 -CH2-의 조합으로 이루어지는 기, 및 이들 기로 알킬기(바람직하게는 메틸기)가 치환되어 있는 기가 바람직하다.In the present invention, particularly preferred is a group in which the hydrocarbon group is composed only of an aliphatic or aromatic 6-membered ring compound, a group formed of a combination of an aliphatic or aromatic 6-membered ring compound and -CH 2 -, and an alkyl group (preferably a methyl group) .

디이소시아네이트 화합물의 분자량은 100∼1000인 것이 바람직하다.The molecular weight of the diisocyanate compound is preferably 100 to 1000.

디이소시아네이트 화합물은, 예를 들면 2,4-톨릴렌디이소시아네이트, 2,6-톨릴렌디이소시아네이트, 이소포론디이소시아네이트, 1,6-헥사메틸렌디이소시아네이트, 1,3-트리메틸렌디이소시아네이트, 1,4-테트라메틸렌디이소시아네이트, 2,2,4-트리메틸헥사메틸렌디이소시아네이트, 2,4,4-트리메틸헥사메틸렌디이소시아네이트, 1,9-노나메틸렌디이소시아네이트, 1,10-데카메틸렌디이소시아네이트, 1,4-시클로헥산디이소시아네이트, 2,2'-디에틸에테르디이소시아네이트, 디페닐메탄-4,4'-디이소시아네이트, o-크실렌디이소시아네이트, m-크실렌디이소시아네이트, p-크실렌디이소시아네이트, 메틸렌비스(시클로헥실이소시아네이트), 시클로헥산-1,3-디메틸렌디이소시아네이트, 시클로헥산-1,4-디메틸렌디이소시아네이트, 1,5-나프탈렌디이소시아네이트, p-페닐렌디이소시아네이트, 3,3'-메틸렌디톨릴렌-4,4'-디이소시아네이트, 4,4'-디페닐에테르디이소시아네이트, 테트라클로로페닐렌디이소시아네이트, 노보난디이소시아네이트, 수소화 1,3-크실릴렌디이소시아네이트, 수소화 1,4-크실릴렌디이소시아네이트 등의 이소시아네이트 화합물 및 이들 화합물로부터 파생하는 프리폴리머형의 골격의 화합물을 바람직하게 사용할 수 있다. 이들 중에서도 톨릴렌디이소시아네이트(TDI)나 디페닐메탄디이소시아네이트(MDI), 헥사메틸렌디이소시아네이트(HDI), 이소포론디이소시아네이트(IPDI)가 특히 바람직하다.Examples of the diisocyanate compound include 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, isophorone diisocyanate, 1,6-hexamethylene diisocyanate, 1,3-trimethylene diisocyanate, 1,4 1,6-hexamethylene diisocyanate, 1,6-hexamethylene diisocyanate, tetramethylene diisocyanate, 2,2,4-trimethylhexamethylene diisocyanate, 2,4,4-trimethylhexamethylene diisocyanate, 1,9-nonamethylene diisocyanate, 4-cyclohexane diisocyanate, 4-cyclohexane diisocyanate, 2,2'-diethyl ether diisocyanate, diphenylmethane-4,4'-diisocyanate, o-xylene diisocyanate, m-xylene diisocyanate, (Cyclohexyl isocyanate), cyclohexane-1,3-dimethylene diisocyanate, cyclohexane-1,4-dimethylene diisocyanate, 1,5-naphthalene diisocyanate, Cyanate, 3,3'-methylene ditolylene-4,4'-diisocyanate, 4,4'-diphenyl ether diisocyanate, tetrachlorophenylenediisocyanate, norbornadiisocyanate, hydrogenated 1,3-xylylene diisocyanate , Hydrogenated 1,4-xylylene diisocyanate and the like, and compounds having a skeleton of a prepolymer type derived from these compounds can be preferably used. Among them, tolylene diisocyanate (TDI), diphenylmethane diisocyanate (MDI), hexamethylene diisocyanate (HDI) and isophorone diisocyanate (IPDI) are particularly preferable.

본 발명의 어덕트형 블록 폴리이소시아네이트 화합물의 합성에 사용되는 다가 알콜로서는 가수의 하한으로서는 3가 이상인 것이 바람직하고, 가수의 상한으로서는 6가 이하인 것이 바람직하다. 분자량으로서는 50∼700의 분자량을 갖는 것이 바람직하고, 50∼500의 분자량을 갖는 것이 보다 바람직하다. 또한, 지방족 다가 알콜인 것이 바람직하고, 환상 구조를 갖지 않는 지방족 다가 알콜인 것이 바람직하다. 본 발명에서 사용하는 다가 알콜로서는 분기의 지방족 탄화수소기에 OH기가 3개 이상 결합된 기인 것이 바람직하다. 이러한 지방족 탄화수소기의 탄소수는 3∼30이 바람직하고, 4∼20이 보다 바람직하다. OH기의 수는 3∼6개가 바람직하다.The lower limit of the number of polyhydric alcohols used in the synthesis of the adduct-type block polyisocyanate compound of the present invention is preferably 3 or more, and the upper limit of the number of polyhydric alcohols is preferably 6 or less. The molecular weight is preferably from 50 to 700, more preferably from 50 to 500. Further, it is preferably an aliphatic polyhydric alcohol, and is preferably an aliphatic polyhydric alcohol having no cyclic structure. The polyhydric alcohol used in the present invention is preferably a group in which three or more OH groups are bonded to the aliphatic hydrocarbon group of the branch. The number of carbon atoms of the aliphatic hydrocarbon group is preferably 3 to 30, more preferably 4 to 20. The number of OH groups is preferably 3 to 6.

구체적으로는 글리세롤, 트리메틸올에탄, 트리메틸올프로판(TMP), 트리메틸올옥탄, 1,2,6-헥산트리올, 2,4-디히드록시-3-히드록시메틸펜탄, 1,1,1-트리스(비스히드록시메틸)프로판, 2,2-비스(히드록시메틸)부탄올 등의 3가 알콜; 펜타에리스리톨, 디글리세롤 등의 4가 알콜; 아라비트, 리비톨, 크실리톨 등의 5가 알콜(펜티트); 소르비트, 만니트, 갈락티톨, 아로즐시트 등의 6가 알콜(헥시트) 등을 들 수 있다. 그 중에서도 트리메틸올프로판 및 펜타에리스리톨이 특히 바람직하다.Specific examples include glycerol, trimethylolethane, trimethylolpropane (TMP), trimethylolooctane, 1,2,6-hexanetriol, 2,4-dihydroxy-3-hydroxymethylpentane, 1,1,1 Trihydric alcohols such as tris (bishydroxymethyl) propane and 2,2-bis (hydroxymethyl) butanol; Quaternary alcohols such as pentaerythritol and diglycerol; Pentahydric alcohols (pentit) such as arabit, ribitol and xylitol; Hexahydrate such as sorbitol, mannitol, galactitol, and arzoidate, and the like. Among them, trimethylol propane and pentaerythritol are particularly preferable.

본 발명의 어덕트형 블록 폴리이소시아네이트 화합물의 합성에 사용되는 블록제로서는 옥심 화합물, 락탐 화합물, 페놀 화합물, 알콜 화합물, 아민 화합물, 활성 메틸렌 화합물, 피라졸 화합물, 메르캅탄 화합물, 이미다졸계 화합물, 및 이미드계 화합물 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 옥심 화합물, 락탐 화합물, 페놀 화합물, 알콜 화합물, 아민 화합물, 및 활성 메틸렌 화합물, 피라졸 화합물로부터 선택되는 블록제가 보다 바람직하고, 옥심 화합물, 락탐 화합물, 페놀 화합물 및 알콜 화합물로부터 선택되는 블록제가 보다 바람직하다.Examples of the block agent used in the synthesis of the adduct type block polyisocyanate compound of the present invention include oxime compounds, lactam compounds, phenol compounds, alcohol compounds, amine compounds, active methylene compounds, pyrazole compounds, mercaptan compounds, imidazole compounds, And imide compounds. Among them, a block agent selected from an oxime compound, a lactam compound, a phenol compound, an alcohol compound, an amine compound, an active methylene compound and a pyrazole compound is more preferable, and a block agent selected from oxime compounds, lactam compounds, phenol compounds and alcohol compounds More preferable.

상기 옥심 화합물로서는 옥심, 및 케토옥심을 들 수 있고, 구체적으로는 아세톡심, 포름알독심, 시클로헥산옥심, 메틸에틸케톤옥심, 시클로헥산온옥심, 벤조페논옥심, 아세톡심 등을 예시할 수 있다.Examples of the oxime compounds include oxime and ketooxime. Specific examples thereof include acetoxime, formaldehyde, cyclohexane oxime, methyl ethyl ketone oxime, cyclohexanone oxime, benzophenone oxime, acetoxime and the like .

상기 락탐 화합물로서는 ε-카프로락탐, γ-부티로락탐 등을 예시할 수 있다.Examples of the lactam compound include ε-caprolactam, γ-butyrolactam, and the like.

상기 페놀 화합물로서는 페놀, 나프톨, 크레졸, 크실레놀, 할로겐 치환 페놀 등을 예시할 수 있다.Examples of the phenol compound include phenol, naphthol, cresol, xylenol, halogen-substituted phenol, and the like.

상기 알콜 화합물로서는 메탄올, 에탄올, 프로판올, 부탄올, 시클로헥산올, 에틸렌글리콜모노알킬에테르, 프로필렌글리콜모노알킬에테르, 락트산 알킬 등을 예시할 수 있다.Examples of the alcohol compound include methanol, ethanol, propanol, butanol, cyclohexanol, ethylene glycol monoalkyl ether, propylene glycol monoalkyl ether, and alkyl lactate.

상기 아민 화합물로서는 1급 아민 및 2급 아민을 들 수 있고, 방향족 아민, 지방족 아민, 지환족 아민 어느 것이나 좋고, 아닐린, 디페닐아민, 에틸렌이민, 폴리에틸렌이민 등을 예시할 수 있다.Examples of the amine compound include primary amines and secondary amines, and aromatic amines, aliphatic amines, and alicyclic amines are preferred, and aniline, diphenylamine, ethyleneimine, and polyethyleneimine.

상기 활성 메틸렌 화합물로서는 말론산 디에틸, 말론산 디메틸, 아세토아세트산 에틸, 아세토아세트산 메틸 등을 예시할 수 있다.Examples of the active methylene compound include diethyl malonate, dimethyl malonate, ethyl acetoacetate, and methyl acetoacetate.

상기 피라졸 화합물로서는 피라졸, 메틸피라졸, 디메틸피라졸 등을 예시할 수 있다.Examples of the pyrazole compound include pyrazole, methylpyrazole, dimethylpyrazole, and the like.

상기 메르캅탄 화합물로서는 알킬메르캅탄, 아릴메르캅탄 등을 예시할 수 있다.Examples of the mercaptan compound include alkyl mercaptans, aryl mercaptans, and the like.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 사용되는 어덕트형 블록 폴리이소시아네이트 화합물은 시판품으로서 입수 가능하고, 예를 들면 타케네이트 D-120N[비스(이소시아네이트메틸)시클로헥산(H6XDI)과 트리메틸올프로판(TMP)의 아닥트], D-110N(XDI와 TMP의 아닥트), D-140N(IPDI와 TMP의 아닥트), D-212L(TDI와 TMP의 아닥트)[이상, 미츠이 카가쿠(주) 제]을 들 수 있다.The duct-type block polyisocyanate compound used in the photosensitive resin composition of the present invention can be obtained as a commercially available product, and examples thereof include tokenate D-120N [bis (isocyanate methyl) cyclohexane (H6XDI) and trimethylol propane D-110N (adduct of XDI and TMP), D-140N (adduct of IPDI and TMP), D-212L (adduct of TDI and TMP) [manufactured by Mitsui Chemicals, Inc.] .

본 발명에서는 (C) 어덕트형 블록 폴리이소시아네이트 화합물이 하기 일반식(C)으로 나타내어지는 화합물인 것이 바람직하다.In the present invention, the (C) adduct type block polyisocyanate compound is preferably a compound represented by the following formula (C).

일반식(C)In the general formula (C)

Ra-{O(C=O)-NH-Rb-NHCO-B}nRa- {O (C = O) -NH-Rb-NHCO-B} n

[일반식(C) 중, Ra는 n가의 탄화수소기이고, Rb는 2가의 탄화수소기이고, B는 이소시아네이트를 블록하는 기를 나타낸다. n은 3∼6의 정수이다. n개의 Rb 및 B는 각각 동일하거나 달라도 좋다][In the general formula (C), Ra is an n-valent hydrocarbon group, Rb is a divalent hydrocarbon group, and B represents a group blocking isocyanate. n is an integer of 3 to 6; n Rb and B may be the same or different,

일반식(C)에 있어서의 Ra는 지방족 탄화수소기인 것이 바람직하고, 분기의 지방족 탄화수소기인 것이 바람직하다. 분기의 지방족 탄화수소기를 채용함으로써 중합체 성분과의 상용성이 향상되고, 본 발명의 효과가 보다 효과적으로 발휘된다.Ra in the general formula (C) is preferably an aliphatic hydrocarbon group, and is preferably a branched aliphatic hydrocarbon group. By employing branched aliphatic hydrocarbon groups, the compatibility with the polymer component is improved, and the effect of the present invention is more effectively exhibited.

Ra의 탄소수는 3∼30이 바람직하고, 4∼20이 보다 바람직하고, 4∼15가 더욱 바람직하다.The carbon number of Ra is preferably from 3 to 30, more preferably from 4 to 20, and even more preferably from 4 to 15.

Rb는 탄화수소기이며, 지방족 탄화수소기라도 좋고, 방향족 탄화수소기라도 좋다. 또한, 직쇄 또는 분기, 환상 중 어느 탄화수소기라도 좋다. Rb의 탄소수는 2∼30이 바람직하고, 2∼20이 보다 바람직하고, 2∼15가 더욱 바람직하다.Rb is a hydrocarbon group, which may be an aliphatic hydrocarbon group or an aromatic hydrocarbon group. In addition, any hydrocarbon group of straight chain, branched chain or cyclic hydrocarbon may be used. The carbon number of Rb is preferably from 2 to 30, more preferably from 2 to 20, and still more preferably from 2 to 15.

B는 옥심 화합물, 락탐 화합물, 페놀 화합물, 알콜 화합물, 아민 화합물, 활성 메틸렌 화합물, 피라졸 화합물, 메르캅탄 화합물, 이미다졸 화합물 및 이미드 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 화합물 유래의 기인 것이 바람직하고, 옥심 화합물, 락탐 화합물, 페놀 화합물, 알콜 화합물, 아민 화합물, 및 활성 메틸렌 화합물, 피라졸 화합물로부터 선택되는 블록제가 더욱 바람직하고, 옥심 화합물, 락탐 화합물, 페놀 화합물 및 알콜 화합물로부터 선택되는 블록제가 특히 바람직하다.B is preferably a group derived from an oxime compound, a lactam compound, a phenol compound, an alcohol compound, an amine compound, an active methylene compound, a pyrazole compound, a mercaptan compound, an imidazole compound and an imide compound, A block agent selected from an oxime compound, a lactam compound, a phenol compound, an alcohol compound, an amine compound, and an active methylene compound and a pyrazole compound is more preferable and a block agent selected from an oxime compound, a lactam compound, a phenol compound and an alcohol compound is particularly preferable Do.

n은 3∼6의 정수이며, 3 또는 4가 보다 바람직하다.n is an integer of 3 to 6, and 3 or 4 is more preferable.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서, 어덕트형 폴리 이소시아네이트인 블록 이소시아네이트 화합물은 감광성 수지 조성물의 전체 고형분에 대하여 0.1∼8질량%인 것이 바람직하고, 0.2∼7질량%인 것이 보다 바람직하고, 0.5∼5질량%인 것이 가장 바람직하다. 2종 이상을 병용할 수도 있다.In the photosensitive resin composition of the present invention, the block isocyanate compound, which is an adduct type polyisocyanate, is preferably contained in an amount of from 0.1 to 8% by mass, more preferably from 0.2 to 7% by mass, Most preferably 5% by mass. Two or more species may be used in combination.

본 발명의 조성물은 본 발명에서 사용되는 중합체 (1) 또는 (2), 및 다른 구성 단위(a3)를 갖는 중합체 이외에, 어덕트형 블록 폴리이소시아네이트로부터 생성되는 이소시아네이트와 반응하는 관능기를 갖는 화합물을 실질적으로 포함하지 않는 것이 바람직하다. 이 경우의 실질적으로란 본 발명의 효과에 영향을 주지 않는 범위이며, 예를 들면 전체 성분의 1질량% 이하인 것을 말한다. 이러한 화합물을 포함시키지 않음으로써 이소시아네이트와 중합체의 가교가 저해되지 않고, 경화막의 가교 밀도를 보다 향상시킬 수 있다.The composition of the present invention may contain, in addition to the polymer having the polymer (1) or (2) and the other structural unit (a3) used in the present invention, a compound having a functional group capable of reacting with isocyanate produced from the adduct type block polyisocyanate . In this case, the term substantially does not affect the effect of the present invention, and refers to, for example, 1 mass% or less of the total components. By not including such a compound, the crosslinking between the isocyanate and the polymer is not inhibited, and the crosslinking density of the cured film can be further improved.

<다른 가교제>&Lt; Other crosslinking agent &

본 발명의 감광성 수지 조성물은 가교제로서, 상기 어덕트형 블록 폴리이소시아네이트에 추가하여 다른 가교제를 포함하고 있어도 좋다. 다른 가교제로서는 분자 내에 2개 이상의 에폭시기 또는 옥세타닐기를 갖는 화합물, 알콕시메틸기 함유 가교제, 및/또는 적어도 1개의 에틸렌성 불포화 2중 결합을 갖는 화합물이 예시된다.The photosensitive resin composition of the present invention may contain, as a crosslinking agent, other crosslinking agents in addition to the above-mentioned adduct type block polyisocyanate. Examples of other crosslinking agents include compounds having two or more epoxy groups or oxetanyl groups in the molecule, alkoxymethyl group-containing crosslinking agents, and / or compounds having at least one ethylenically unsaturated double bond.

-알콕시메틸기 함유 가교제-- crosslinking agent containing an alkoxymethyl group -

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서는 상기 블록 이소시아네이트 이외에 기지의 가교제를 사용할 수 있고, 예를 들면 알콕시메틸기 함유 가교제를 바람직하게 사용할 수 있다.In the photosensitive resin composition of the present invention, a known crosslinking agent other than the block isocyanate may be used, and for example, an alkoxymethyl group-containing crosslinking agent may be preferably used.

알콕시메틸기 함유 가교제의 구체예로서는 알콕시메틸화 멜라민, 알콕시메틸화 벤조구아나민, 알콕시메틸화 글리콜우릴 및 알콕시메틸화 요소 등을 바람직하게 들 수 있다. 이들은 각각 메틸올화 멜라민, 메틸올화 벤조구아나민, 메틸올화 글리콜우릴, 또는 메틸올화 요소의 메틸올기를 알콕시메틸기로 변환함으로써 얻어진다.Specific examples of the alkoxymethyl group-containing crosslinking agent include alkoxymethylated melamine, alkoxymethylated benzoguanamine, alkoxymethylated glycoluril and alkoxymethylated urea. These are obtained by converting the methylol group of methylol melamine, methylol benzoguanamine, methylol glycoluryl, or methylol group into an alkoxymethyl group, respectively.

이 알콕시메틸기의 종류에 대해서는 특별하게 한정되는 것은 아니고, 예를 들면 메톡시메틸기, 에톡시메틸기, 프로폭시메틸기, 부톡시메틸기 등을 들 수 있지만, 아웃 가스의 발생량의 관점으로부터 메톡시메틸기가 특히 바람직하다.The type of the alkoxymethyl group is not particularly limited, and examples thereof include a methoxymethyl group, an ethoxymethyl group, a propoxymethyl group, and a butoxymethyl group. From the viewpoint of the amount of generated outgas, desirable.

이들 알콕시메틸기 함유 가교제 중, 알콕시메틸화 멜라민, 알콕시메틸화 벤조구아나민, 알콕시메틸화 글리콜우릴을 바람직한 알콕시메틸기 함유 가교제로서 들 수 있고, 내약품성 효과의 관점으로부터 알콕시메틸화 멜라민이 특히 바람직하다.Among these alkoxymethyl group-containing crosslinking agents, alkoxymethylated melamine, alkoxymethylated benzoguanamine, and alkoxymethylated glycoluril are preferable examples of the crosslinking agent containing an alkoxymethyl group, and alkoxymethylated melamine is particularly preferable from the viewpoint of chemical resistance effect.

이들 알콕시메틸기 함유 가교제는 시판품으로서 입수 가능하고, 예를 들면 사이멜 300, 301, 303, 370, 325, 327, 701, 266, 267, 238, 1141, 272, 202, 1156, 1158, 1123, 1170, 1174, UFR65, 300[이상, 미츠이 사이안아미드(주) 제], 니카라크 MX-750, -032, -706, -708, -40, -31, -270, -280, -290, 니카라크 MS-11, 니카라크 MW-30HM, -100LM, -390[이상, (주)산와 케미컬 제] 등을 바람직하게 사용할 수 있다.These alkoxymethyl group-containing crosslinking agents are commercially available, for example, from Cymel 300, 301, 303, 370, 325, 327, 701, 266, 267, 238, 1141, 272, 202, 1156, 1158, 1123, 1170 , 1174, UFR65, 300 or more, manufactured by Mitsui Cyanamid Co., Ltd., Nikarac MX-750, -032, -706, -708, -40, -31, -270, -280, -290, Lack MS-11, NIKARAK MW-30HM, -100 LM, -390 (manufactured by Sanwa Chemical Co., Ltd.), and the like.

본 발명의 감광성 수지 조성물이 알콕시메틸기 함유 가교제를 함유할 경우, 본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 알콕시메틸기 함유 가교제의 첨가량은 감광성 수지 조성물의 전체 고형분에 대하여 0.1∼10질량%인 것이 바람직하고, 0.2∼7질량%인 것이 보다 바람직하고, 0.5∼5질량%인 것이 가장 바람직하다.When the photosensitive resin composition of the present invention contains an alkoxymethyl group-containing crosslinking agent, the amount of the alkoxymethyl group-containing crosslinking agent to be added to the photosensitive resin composition of the present invention is preferably from 0.1 to 10% by mass relative to the total solid content of the photosensitive resin composition, More preferably 0.2 to 7% by mass, and most preferably 0.5 to 5% by mass.

-분자 내에 2개 이상의 에폭시기 또는 옥세타닐기를 갖는 화합물-- a compound having two or more epoxy groups or oxetanyl groups in the molecule -

본 발명의 감광성 수지 조성물은 성분 C로서 분자 내에 2개 이상의 에폭시기 또는 옥세타닐기를 갖는 화합물을 함유하는 것이 바람직하다.The photosensitive resin composition of the present invention preferably contains, as Component C, a compound having two or more epoxy groups or oxetanyl groups in the molecule.

분자 내에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 화합물의 구체예로서는 비스페놀A형 에폭시 수지, 비스페놀F형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 지방족 에폭시 화합물 등을 들 수 있다. 상기 지방족 에폭시 화합물은 직쇄 및/또는 분기의 탄소쇄와 에폭시기를 갖는 수지이며, 탄소쇄에 수소 원자 이외에 산소 원자, 질소 원자, 황 원자, 염소 원자 등이 결합되어 있어도 좋다. 상기 지방족 에폭시 화합물은 직쇄 및/또는 분기의 탄소쇄와, 수소 원자와, 에폭시기로 이루어지는 수지, 또는 그 수지로 수산기가 치환되어 있는 수지가 특히 바람직하다. 에폭시기의 수는 1∼4가 바람직하고, 2 또는 3이 보다 바람직하다.Specific examples of the compound having two or more epoxy groups in the molecule include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin, cresol novolak type epoxy resin and aliphatic epoxy compound. The aliphatic epoxy compound may be a resin having a straight chain and / or branched carbon chain and an epoxy group, and the carbon chain may be bonded with an oxygen atom, a nitrogen atom, a sulfur atom, a chlorine atom, etc. in addition to a hydrogen atom. The aliphatic epoxy compound is particularly preferably a resin comprising a linear and / or branched carbon chain, a hydrogen atom and an epoxy group, or a resin in which the hydroxyl group is substituted with the resin. The number of epoxy groups is preferably 1 to 4, more preferably 2 or 3.

이들은 시판품으로서 입수할 수 있다. 예를 들면, 비스페놀A형 에폭시 수지로서는 JER827, JER828, JER834, JER1001, JER1002, JER1003, JER1055, JER1007, JER1009, JER1010[이상, 재팬 에폭시 레진(주) 제], EPICLON860, EPICLON1050, EPICLON1051, EPICLON1055[이상, DIC(주) 제] 등이며, 비스페놀F형 에폭시 수지로서는 JER806, JER807, JER4004, JER4005, JER4007, JER4010[이상, 재팬 에폭시 레진(주) 제], EPICLON830, EPICLON835[이상, DIC(주) 제], LCE-21, RE-602S[이상, 니폰카야쿠(주) 제] 등이며, 페놀노볼락형 에폭시 수지로서는 JER152, JER154, JER157S70, JER157S65[이상, 재팬 에폭시 레진(주) 제], EPICLON N-740, EPICLON N-740, EPICLON N-770, EPICLON N-775[이상, DIC(주) 제] 등이며, 크레졸노볼락형 에폭시 수지로서는 EPICLON N-660, EPICLON N-665, EPICLON N-670, EPICLON N-673, EPICLON N-680, EPICLON N-690, EPICLON N-695[이상, DIC(주) 제], EOCN-1020[이상, 니폰카야쿠(주) 제] 등이며, 지방족 에폭시 수지로서는 ADEKA RESIN EP-4080S, 동 EP-4085S, 동 EP-4088S[이상, (주)ADEKA 제], 지방족 에폭시 화합물로서는 셀록사이드 2021P, 셀록사이드 2081, 셀록사이드 2083, 셀록사이드 2085, EHPE3150, EPOLEAD PB 3600, 동 PB 4700[이상, 다이셀 카가쿠 코교(주) 제] 등이다. 그 밖에도 ADEKA RESIN EP-4000S, 동 EP-4003S, 동 EP-4010S, 동 EP-4011S[이상, (주)ADEKA 제], NC-2000, NC-3000, NC-7300, XD-1000, EPPN-501, EPPN-502[이상, (주)ADEKA 제] 등을 들 수 있다.These are available as commercial products. Examples of the bisphenol A epoxy resin include epoxy resins such as JER827, JER828, JER834, JER1001, JER1002, JER1003, JER1055, JER1007, JER1009, JER1010 (manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd.), EPICLON860, EPICLON1050, EPICLON1051, EPICLON1055 (Manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd.), EPICLON 830, EPICLON 835 (manufactured by DIC Co., Ltd.), and the like as the bisphenol F type epoxy resin, and JER806, JER807, JER4004, JER4005, JER4007, JER157, JER157S70, and JER157S65 (manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd.), EPICLON (trade name, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), and the like as the phenol novolak type epoxy resin, 660, EPICLON N-665, EPICLON N-770 (manufactured by DIC Corporation), and the like. Examples of the cresol novolac epoxy resin include EPICLON N-640, 670, EPICLON N-690, EPICLON N-690, EPICLON N-690 and EPOCLON N-695 (manufactured by DIC Corporation) and EOCN-1020 As the resin, ADE Examples of the aliphatic epoxy compounds include Celloxide 2021P, Celloxide 2081, Celloxide 2083, Celloxide 2085, EHPE 3150, EPOLEAD PB 3600 (manufactured by Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd.), KA RESIN EP-4080S, Copper EP- , PB 4700 (manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd.), and the like. In addition, ADEKA RESIN EP-4000S, EP-4003S, EP-4010S and EP-4011S (manufactured by ADEKA Corporation), NC-2000, NC-3000, NC-7300, XD- 501, EPPN-502 [manufactured by ADEKA Co., Ltd.].

또한, 지방족 에폭시 화합물로서는 하기 식(X-1)으로 나타내어지는 화합물을 들 수 있다.Examples of the aliphatic epoxy compound include compounds represented by the following formula (X-1).

Figure 112014106526920-pct00020
Figure 112014106526920-pct00020

[식(X-1) 중, A는 직쇄 또는 분기의 탄화수소기를 나타내고, 치환기로서 수산기를 갖고 있어도 좋고, n은 1∼4의 정수를 나타낸다](In the formula (X-1), A represents a linear or branched hydrocarbon group, may have a hydroxyl group as a substituent, and n represents an integer of 1 to 4)

식(X-1)에 있어서의 A의 탄소수는 1∼20이 바람직하고, 1∼15가 보다 바람직하고, 2∼10이 더욱 바람직하고, 2∼6이 특히 바람직하다.The carbon number of A in the formula (X-1) is preferably from 1 to 20, more preferably from 1 to 15, still more preferably from 2 to 10, and particularly preferably from 2 to 6.

식(X-1)에 있어서의 n은 1∼4의 정수를 나타내고, 2 또는 3이 바람직하다.N in the formula (X-1) represents an integer of 1 to 4, preferably 2 or 3.

지방족 에폭시 화합물로서는 하기 식(X-2)으로 나타내어지는 화합물인 것이 보다 바람직하다.The aliphatic epoxy compound is more preferably a compound represented by the following formula (X-2).

Figure 112014106526920-pct00021
Figure 112014106526920-pct00021

[식(X-2) 중, A'는 직쇄 또는 분기의 탄화수소기를 나타내고, 치환기로서 수산기를 갖고 있어도 좋고, n은 1∼4의 정수를 나타낸다](In the formula (X-2), A 'represents a linear or branched hydrocarbon group, may have a hydroxyl group as a substituent, and n represents an integer of 1 to 4)

식(X-2)에 있어서의 A'의 탄소수는 1∼18이 바람직하고, 1∼13이 보다 바람직하고, 2∼8이 더욱 바람직하다.The carbon number of A 'in the formula (X-2) is preferably from 1 to 18, more preferably from 1 to 13, and still more preferably from 2 to 8.

식(X-2)에 있어서의 n은 1∼4의 정수를 나타내고, 2 또는 3이 바람직하다.N in the formula (X-2) represents an integer of 1 to 4, and 2 or 3 is preferable.

본 발명에서 바람직하게 사용할 수 있는 지방족 에폭시 화합물로서는 데나콜 EX-611, EX-612, EX-614, EX-614B, EX-622, EX-512, EX-521, EX-411, EX-421, EX-313, EX-314, EX-321, EX-211, EX-212, EX-810, EX-811, EX-850, EX-851, EX-821, EX-830, EX-832, EX-841, EX-911, EX-941, EX-920, EX-931, EX-212L, EX-214L, EX-321L, EX-850L, EX-211L, EX-946L, EX-946L, DLC-201, DLC-203, DLC-204, DLC-205, DLC-206, DLC-301, DLC-402[이상, 나가세 켐텍스(주) 제], YH-300, YH-301, YH-302, YH-315, YH-324, YH-325[이상, 신닛테츠 카가쿠(주) 제] 등을 들 수 있다.Exemplary aliphatic epoxy compounds that can be used in the present invention include DENACOL EX-611, EX-612, EX-614, EX-614B, EX-622, EX-512, EX-521, EX- EX-821, EX-821, EX-821, EX-821, EX-821, EX- EX-941, EX-941, EX-941, EX-920, EX- 300, YH-301, YH-302, and YH-315 (manufactured by NAGASE CAMEDO CO., LTD.), DLC-203, DLC-203, DLC-205, DLC-206, DLC- , YH-324, and YH-325 [manufactured by Shinnitetsu Kagaku Co., Ltd.].

이들 중, 하기에 나타내는 트리메틸올프로판트리글리시딜에테르 또는 네오펜틸글리콜디글리시딜에테르가 특히 바람직하다. 상기 중, EX-321, EX-321L, EX-211, EX-211L[이상, 나가세 켐텍스(주) 제]이 이것들에 해당한다.Of these, trimethylolpropane triglycidyl ether or neopentyl glycol diglycidyl ether shown below is particularly preferable. Among these, EX-321, EX-321L, EX-211 and EX-211L (manufactured by Nagase ChemteX Corporation) correspond to these.

Figure 112014106526920-pct00022
Figure 112014106526920-pct00022

이것들은 1종 단독 또는 2종 이상을 조합시켜서 사용할 수 있다.These may be used singly or in combination of two or more.

이들 중에서도 에폭시 수지, 및 지방족 에폭시 화합물을 바람직하게 들 수 있고, 비스페놀A형 에폭시 수지, 비스페놀F형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 및 지방족 에폭시 화합물을 보다 바람직하게 들 수 있고, 비스페놀A형 에폭시 수지, 및 지방족 에폭시 화합물을 특히 바람직하게 들 수 있다.Among them, an epoxy resin and an aliphatic epoxy compound are preferable, and a bisphenol A type epoxy resin, a bisphenol F type epoxy resin, a phenol novolak type epoxy resin and an aliphatic epoxy compound are more preferable, and a bisphenol A type Epoxy resins, and aliphatic epoxy compounds are particularly preferred.

분자 내에 2개 이상의 옥세타닐기를 갖는 화합물의 구체예로서는, 아론 옥세탄 OXT-121, OXT-221, OX-SQ, PNOX[이상, 도아 고세이(주) 제]를 사용할 수 있다.As specific examples of the compound having two or more oxetanyl groups in the molecule, Aromoxetane OXT-121, OXT-221, OX-SQ and PNOX (manufactured by Doago Kosai Co., Ltd.) can be used.

또한, 옥세타닐기를 포함하는 화합물은 단독으로 또는 에폭시기를 포함하는 화합물과 혼합해서 사용하는 것이 바람직하다.The oxetanyl group-containing compound is preferably used alone or in combination with a compound containing an epoxy group.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서, 분자 내에 2개 이상의 에폭시기 또는 옥세타닐기를 갖는 화합물을 사용할 경우, 분자 내에 2개 이상의 에폭시기 또는 옥세타닐기를 갖는 화합물의 감광성 수지 조성물로의 첨가량은 성분A 100질량부에 대하여 0.1∼50질량부가 바람직하고, 0.5∼30질량부가 보다 바람직하고, 1∼10질량부가 더욱 바람직하다.When a compound having two or more epoxy groups or oxetanyl groups in the molecule is used in the photosensitive resin composition of the present invention, the addition amount of the compound having two or more epoxy groups or oxetanyl groups in the molecule to the photosensitive resin composition is preferably from 100 to 100 parts by weight, Is preferably from 0.1 to 50 parts by mass, more preferably from 0.5 to 30 parts by mass, further preferably from 1 to 10 parts by mass.

-적어도 1개의 에틸렌성 불포화 2중 결합을 갖는 화합물-- a compound having at least one ethylenically unsaturated double bond -

적어도 1개의 에틸렌성 불포화 2중 결합을 갖는 화합물로서는 단관능 (메타)아크릴레이트, 2관능 (메타)아크릴레이트, 3관능 이상의 (메타)아크릴레이트 등의 (메타)아크릴레이트 화합물을 바람직하게 사용할 수 있다.As the compound having at least one ethylenic unsaturated double bond, a (meth) acrylate compound such as monofunctional (meth) acrylate, bifunctional (meth) acrylate or trifunctional or more (meth) acrylate can be preferably used have.

단관능 (메타)아크릴레이트로서는, 예를 들면 2-히드록시에틸(메타)아크릴레이트, 카르비톨(메타)아크릴레이트, 이소보닐(메타)아크릴레이트, 3-메톡시부틸(메타)아크릴레이트, 2-(메타)아크릴로일옥시에틸-2-히드록시프로필프탈레이트 등을 들 수 있다.Examples of the monofunctional (meth) acrylate include 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, carbitol (meth) acrylate, isobonyl (meth) acrylate, 3-methoxybutyl (meth) 2- (meth) acryloyloxyethyl-2-hydroxypropyl phthalate, and the like.

2관능 (메타)아크릴레이트로서는, 예를 들면 에틸렌글리콜(메타)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메타)아크릴레이트, 1,9-노난디올디(메타)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 비스페녹시에탄올플루오렌디아크릴레이트, 비스페녹시에탄올플루오렌디아크릴레이트 등을 들 수 있다.Examples of the bifunctional (meth) acrylate include ethylene glycol (meth) acrylate, 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, 1,9-nonanediol (meth) acrylate, polypropylene glycol di (Meth) acrylate, tetraethylene glycol di (meth) acrylate, bisphenoxyethanol fluorene diacrylate, and bisphenoxyethanol fluorene diacrylate.

3관능 이상의 (메타)아크릴레이트로서는, 예를 들면 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨트리(메타)아크릴레이트, 트리((메타)아크릴로일옥시에틸)포스페이트, 펜타에리스리톨테트라(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨펜타(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들 중 적어도 1개의 에틸렌성 불포화 2중 결합을 갖는 화합물은 1종 단독 또는 2종 이상을 조합시켜서 사용된다.Examples of the trifunctional or more (meth) acrylate include trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, tri ((meth) acryloyloxyethyl) phosphate, pentaerythritol tetra ) Acrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, and the like. These compounds having at least one ethylenically unsaturated double bond are used alone or in combination of two or more.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서 1개의 에틸렌성 불포화 2중 결합을 갖는 화합물을 사용할 경우, 본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 적어도 1개의 에틸렌성 불포화 2중 결합을 갖는 화합물의 사용 비율은 성분A 100질량부에 대하여 50질량부 이하인 것이 바람직하고, 30질량부 이하인 것이 보다 바람직하다. 이러한 비율로 적어도 1개의 에틸렌성 불포화 2중 결합을 갖는 화합물을 함유시킴으로써, 본 발명의 감광성 수지 조성물로부터 얻어지는 경화막의 내열성 및 표면 경도 등을 향상시킬 수 있다. 적어도 1개의 에틸렌성 불포화 2중 결합을 갖는 화합물을 첨가할 경우에는 후술의 열 라디칼 발생제를 첨가하는 것이 바람직하다.When a compound having one ethylenically unsaturated double bond in the photosensitive resin composition of the present invention is used, the use ratio of the compound having at least one ethylenically unsaturated double bond in the photosensitive resin composition of the present invention is preferably from 0.1 to 10 parts by weight, It is preferably 50 parts by mass or less, more preferably 30 parts by mass or less, based on 100 parts by mass. By containing a compound having at least one ethylenically unsaturated double bond in such a ratio, heat resistance and surface hardness of the cured film obtained from the photosensitive resin composition of the present invention can be improved. When a compound having at least one ethylenically unsaturated double bond is added, it is preferable to add a heat radical generator described later.

<(D) 용제>&Lt; (D) Solvent >

본 발명의 감광성 수지 조성물은 용제를 함유한다.The photosensitive resin composition of the present invention contains a solvent.

본 발명의 감광성 수지 조성물은 필수 성분인 성분A∼성분C, 및 각종 첨가제의 임의 성분을 용제에 용해 또는 분산시킨 액으로서 조제되는 것이 바람직하다.It is preferable that the photosensitive resin composition of the present invention is prepared as a solution obtained by dissolving or dispersing components A to C as essential components and optional components of various additives in a solvent.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 사용되는 용제로서는 공지의 용제를 사용할 수 있고, 에틸렌글리콜모노알킬에테르류, 에틸렌글리콜디알킬에테르류, 에틸렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류, 프로필렌글리콜모노알킬에테르류, 프로필렌글리콜디알킬에테르류, 프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류, 디에틸렌글리콜디알킬에테르류, 디에틸렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류, 디프로필렌글리콜모노알킬에테르류, 디프로필렌글리콜디알킬에테르류, 디프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류, 에스테르류, 케톤류, 아미드류, 락톤류 등을 예시할 수 있다.As the solvent used in the photosensitive resin composition of the present invention, a known solvent can be used, and examples thereof include ethylene glycol monoalkyl ethers, ethylene glycol dialkyl ethers, ethylene glycol monoalkyl ether acetates, propylene glycol monoalkyl ethers, propylene glycol Propylene glycol monoalkyl ether acetates, diethylene glycol dialkyl ethers, diethylene glycol monoalkyl ether acetates, dipropylene glycol monoalkyl ethers, dipropylene glycol dialkyl ethers, dipropylene glycol mono Alkyl ether acetates, esters, ketones, amides, lactones, and the like.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 사용되는 용제로서는, 예를 들면 (1) 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노프로필에테르, 에틸렌글리콜모노부틸에테르 등의 에틸렌글리콜모노알킬에테르류; (2) 에틸렌글리콜디메틸에테르, 에틸렌글리콜디에틸에테르, 에틸렌글리콜디프로필에테르 등의 에틸렌글리콜디알킬에테르류; (3) 에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트 등의 에틸렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류; (4) 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노프로필에테르, 프로필렌글리콜모노부틸에테르 등의 프로필렌글리콜모노알킬에테르류; (5) 프로필렌글리콜디메틸에테르, 프로필렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르 등의 프로필렌글리콜디알킬에테르류;Examples of the solvent used in the photosensitive resin composition of the present invention include (1) ethylene glycol monoalkyl ethers such as ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monopropyl ether, and ethylene glycol monobutyl ether; (2) ethylene glycol dialkyl ethers such as ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether and ethylene glycol dipropyl ether; (3) ethylene glycol monoalkyl ether acetates such as ethylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, ethylene glycol monopropyl ether acetate and ethylene glycol monobutyl ether acetate; (4) propylene glycol monoalkyl ethers such as propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monopropyl ether and propylene glycol monobutyl ether; (5) propylene glycol dialkyl ethers such as propylene glycol dimethyl ether, propylene glycol diethyl ether, diethylene glycol monomethyl ether and diethylene glycol monoethyl ether;

(6) 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노부틸에테르아세테이트 등의 프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류; (7) 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르 등의 디에틸렌글리콜디알킬에테르류; (8) 디에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트 등의 디에틸렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류; (9) 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜모노에틸에테르, 디프로필렌글리콜모노프로필에테르, 디프로필렌글리콜모노부틸에테르 등의 디프로필렌글리콜모노알킬에테르류; (10) 디프로필렌글리콜디메틸에테르, 디프로필렌글리콜디에틸에테르, 디프로필렌글리콜에틸메틸에테르 등의 디프로필렌글리콜디알킬에테르류;(6) propylene glycol monoalkyl ether acetates such as propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate and propylene glycol monobutyl ether acetate; (7) diethylene glycol dialkyl ethers such as diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether and diethylene glycol ethyl methyl ether; (8) diethylene glycol monoalkyl ether acetates such as diethylene glycol monomethyl ether acetate, diethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol monopropyl ether acetate and diethylene glycol monobutyl ether acetate; (9) dipropylene glycol monoalkyl ethers such as dipropylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monoethyl ether, dipropylene glycol monopropyl ether and dipropylene glycol monobutyl ether; (10) dipropylene glycol dialkyl ethers such as dipropylene glycol dimethyl ether, dipropylene glycol diethyl ether and dipropylene glycol ethyl methyl ether;

(11) 디프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 디프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디프로필렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, 디프로필렌글리콜모노부틸에테르아세테이트 등의 디프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류; (12) 락트산 메틸, 락트산 에틸, 락트산 n-프로필, 락트산 이소프로필, 락트산 n-부틸, 락트산 이소부틸, 락트산 n-아밀, 락트산 이소아밀 등의 락트산 에스테르류; (13) 아세트산 n-부틸, 아세트산 이소부틸, 아세트산 n-아밀, 아세트산 이소아밀, 아세트산 n-헥실, 아세트산 2-에틸헥실, 프로피온산 에틸, 프로피온산 n-프로필, 프로피온산 이소프로필, 프로피온산 n-부틸, 프로피온산 이소부틸, 부티르산 메틸, 부티르산 에틸, 부티르산 n-프로필, 부티르산 이소프로필, 부티르산 n-부틸, 부티르산 이소부틸 등의 지방족 카르복실산 에스테르류; (14) 히드록시아세트산 에틸, 2-히드록시-2-메틸프로피온산 에틸, 2-히드록시-3-메틸부티르산 에틸, 메톡시아세트산 에틸, 에톡시아세트산 에틸, 3-메톡시프로피온메틸, 3-메톡시프로피온에틸, 3-에톡시프로피온메틸, 3-에톡시프로피온에틸, 3-메톡시부틸아세테이트, 3-메틸-3-메톡시부틸아세테이트, 3-메틸-3-메톡시부틸프로피오네이트, 3-메틸-3-메톡시부틸부틸레이트, 아세토아세트산 메틸, 아세토아세트산 에틸, 피루브산 메틸, 피루브산 에틸 등의 다른 에스테르류;(11) dipropylene glycol monoalkyl ether acetates such as dipropylene glycol monomethyl ether acetate, dipropylene glycol monoethyl ether acetate, dipropylene glycol monopropyl ether acetate and dipropylene glycol monobutyl ether acetate; (12) Lactic acid esters such as methyl lactate, ethyl lactate, n-propyl lactate, isopropyl lactate, n-butyl lactate, isobutyl lactate, n-amyl lactate and isoamyl lactate; (13) A process for producing a compound represented by the general formula (13), wherein n-butyl acetate, isobutyl acetate, n-amyl acetate, isoamyl acetate, n-hexyl acetate, 2-ethylhexyl acetate, ethyl propionate, n-propyl propionate, Aliphatic carboxylic acid esters such as isobutyl, methyl butyrate, ethyl butyrate, n-propyl butyrate, isopropyl butyrate, n-butyl butyrate and isobutyl butyrate; (14) A process for producing a compound represented by the above formula (1), which comprises dissolving at least one compound selected from the group consisting of ethyl hydroxyacetate, ethyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, ethyl 2-hydroxy- 3-methoxybutyl acetate, 3-methyl-3-methoxybutyl propionate, 3-methoxypropionyl acetate, 3-methoxypropionyl acetate, Methyl-3-methoxybutyl butyrate, methyl acetoacetate, ethyl acetoacetate, methyl pyruvate and ethyl pyruvate;

(15) 메틸에틸케톤, 메틸프로필케톤, 메틸-n-부틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 2-헵탄온, 3-헵탄온, 4-헵탄온, 시클로헥산온 등의 케톤류; (16) N-메틸포름아미드, N,N-디메틸포름아미드, N-메틸아세트아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈 등의 아미드류; (17) γ-부티로락톤 등의 락톤류 등을 들 수 있다.(15) ketones such as methyl ethyl ketone, methyl propyl ketone, methyl n-butyl ketone, methyl isobutyl ketone, 2-heptanone, 3-heptanone, 4-heptanone and cyclohexanone; (16) amides such as N-methylformamide, N, N-dimethylformamide, N-methylacetamide, N, N-dimethylacetamide and N-methylpyrrolidone; (17) lactones such as? -Butyrolactone, and the like.

또한, 이들 용제에 필요에 따라서 벤질에틸에테르, 디헥실에테르, 에틸렌글리콜모노페닐에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 이소포론, 카프로산, 카프릴산, 1-옥탄올, 1-노날, 벤질알콜, 아니졸, 아세트산 벤질, 벤조산 에틸, 옥살산 디에틸, 말레산 디에틸, 탄산 에틸렌, 탄산 프로필렌 등의 용제를 더 첨가할 수도 있다.In these solvents, if necessary, benzyl ethyl ether, dihexyl ether, ethylene glycol monophenyl ether acetate, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, isophorone, caproic acid, caprylic acid, Benzyl alcohol, anisole, benzyl acetate, ethyl benzoate, diethyl oxalate, diethyl maleate, ethylene carbonate, propylene carbonate and the like may be further added.

상기한 용제 중, 특히 바람직하게는 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트이다.Of the above solvents, particularly preferred are diethylene glycol ethyl methyl ether and propylene glycol monomethyl ether acetate.

본 발명에 사용할 수 있는 용제는 1종 단독, 또는 2종 이상을 병용할 수 있다.Solvents usable in the present invention may be used alone or in combination of two or more.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 용제의 함유량은 중합체 성분 100질량부당 50∼3,000질량부인 것이 바람직하고, 100∼2,000질량부인 것이 보다 바람직하고, 150∼1,500질량부인 것이 더욱 바람직하다.The content of the solvent in the photosensitive resin composition of the present invention is preferably 50 to 3,000 parts by mass, more preferably 100 to 2,000 parts by mass, and further preferably 150 to 1,500 parts by mass per 100 parts by mass of the polymer component.

<그 밖의 성분>&Lt; Other components >

본 발명의 감광성 수지 조성물은 상기 성분A∼성분D를 필수 성분으로 하고, 그 밖의 임의 성분을 함유하고 있어도 좋다. 임의의 성분으로서는 (성분E) 증감제, (성분F) 염기성 화합물, (성분G) 계면활성제, (성분H) 밀착 개량제, (성분I) 산화방지제, 현상 촉진제, 가소제, 열 라디칼 발생제, 열산 발생제, 산 증식제, 자외선 흡수제, 증점제, 및 유기 또는 무기의 침전 방지제 등을 들 수 있다. 본 발명에서 사용할 수 있는 첨가제는 이것들에 한정되는 것은 아니고, 해당 분야에서 공지의 여러 가지 첨가제를 사용할 수 있다.The photosensitive resin composition of the present invention may contain the above-mentioned components A to D as essential components and may contain other arbitrary components. Examples of optional components include (component E) a sensitizer, (component F) basic compound, (component G) surfactant, (component H) adhesion improver, (component I) antioxidant, development accelerator, plasticizer, thermal radical generator, An acid generator, an ultraviolet absorber, a thickener, and an organic or inorganic precipitation inhibitor. The additives usable in the present invention are not limited to these, and various additives known in the field can be used.

그 밖의 성분으로서는 본 발명의 감광성 수지 조성물은 기판 밀착성의 관점으로부터 밀착 개량제를 함유하는 것이 바람직하고, 액 보존 안정성의 관점으로부터 염기성 화합물을 함유하는 것이 바람직하고, 도포성의 관점으로부터 계면활성제(불소계 계면활성제, 규소계 계면활성제 등)를 함유하는 것이 바람직하다.As the other components, the photosensitive resin composition of the present invention preferably contains an adhesion improver from the viewpoint of substrate adhesion, and preferably contains a basic compound from the viewpoint of the liquid storage stability. From the viewpoint of coating properties, the surfactant , A silicon-based surfactant, and the like).

또한, 감도의 관점으로부터 현상 촉진제를 함유하는 것이 바람직하다. 또한, 감도의 관점으로부터 증감제를 첨가하는 것이 바람직하다.Further, it is preferable to contain a phenomenon promoter from the viewpoint of sensitivity. It is also preferable to add a sensitizer from the viewpoint of sensitivity.

이하, 본 발명의 감광성 수지 조성물에 포함할 수 있는 그 밖의 성분을 설명한다.Hereinafter, other components that can be included in the photosensitive resin composition of the present invention will be described.

<증감제><Increase / decrease>

본 발명의 감광성 수지 조성물은 증감제를 함유하는 것이 바람직하다. 광 증감제를 함유함으로써 노광 감도 향상에 유효하고, 노광 광원이 g, h선 혼합선의 경우에 특히 유효하다.The photosensitive resin composition of the present invention preferably contains a sensitizer. It is effective for improving the exposure sensitivity by containing a photosensitizer, and the exposure light source is particularly effective in the case of g and h line mixed lines.

증감제로서는 안트라센 유도체, 아크리돈 유도체, 티오크산톤 유도체, 쿠마린 유도체, 베이스 스티릴 유도체, 디스티릴벤젠 유도체가 바람직하다.As the sensitizer, an anthracene derivative, an acridone derivative, a thioxanthone derivative, a coumarin derivative, a basestyryl derivative, and a distyrylbenzene derivative are preferable.

안트라센 유도체로서는 안트라센, 9,10-디부톡시안트라센, 9,10-디클로로안트라센, 2-에틸-9,10-디메톡시안트라센, 9-히드록시메틸안트라센, 9-브로모안트라센, 9-클로로안트라센, 9,10-디브로모안트라센, 2-에틸안트라센, 9,10-디메톡시안트라센이 바람직하다.Examples of the anthracene derivative include anthracene, 9,10-dibutoxyanthracene, 9,10-dichloroanthracene, 2-ethyl-9,10-dimethoxyanthracene, 9- hydroxymethylanthracene, 9-bromoanthracene, 9,10-dibromoanthracene, 2-ethyl anthracene, and 9,10-dimethoxy anthracene are preferable.

아크리돈 유도체로서는 아크리돈, N-부틸-2-클로로아크리돈, N-메틸아크리돈, 2-메톡시아크리돈, N-에틸-2-메톡시아크리돈이 바람직하다.As the acridone derivative, acridone, N-butyl-2-chloroacridone, N-methylacridone, 2-methoxyacridone and N-ethyl-2-methoxyacridone are preferable.

티오크산톤 유도체로서는 티오크산톤, 디에틸티옥산톤, 1-클로로-4-프로폭시 티오크산톤, 2-클로로티오크산톤이 바람직하다.As the thioxanthone derivative, thioxanthone, diethylthioxanthone, 1-chloro-4-propoxythioxanthone and 2-chlorothioxanthone are preferable.

쿠마린 유도체로서는 쿠마린-1, 쿠마린-6H, 쿠마린-110, 쿠마린-102가 바람직하다.As coumarin derivatives, coumarin-1, coumarin-6H, coumarin-110 and coumarin-102 are preferable.

베이스스티릴 유도체로서는 2-(4-디메틸아미노스티릴)벤조옥사졸, 2-(4-디메틸아미노스티릴)벤조티아졸, 2-(4-디메틸아미노스티릴)나프토티아졸을 들 수 있다.Examples of the base styryl derivative include 2- (4-dimethylaminostyryl) benzoxazole, 2- (4-dimethylaminostyryl) benzothiazole and 2- (4-dimethylaminostyryl) naphthothiazole .

디스티릴벤젠 유도체로서는 디스티릴벤젠, 디(4-메톡시스티릴)벤젠, 디(3,4,5-트리메톡시스티릴)벤젠을 들 수 있다. 이들 중에서도 안트라센 유도체가 바람직하고, 9,10-디알콕시안트라센(알콕시기의 탄소수 1∼6)이 보다 바람직하다.Examples of the distyrylbenzene derivative include distyrylbenzene, di (4-methoxystyryl) benzene and di (3,4,5-trimethoxystyryl) benzene. Among these, anthracene derivatives are preferable, and 9,10-dialkoxyanthracene (having 1 to 6 carbon atoms in the alkoxy group) is more preferable.

광 증감제의 구체예로서는 하기를 들 수 있다. 또한, 하기에 있어서 Me는 메틸기, Et는 에틸기, Bu는 부틸기를 나타낸다.Specific examples of the photosensitizer include the following. In the following, Me represents a methyl group, Et represents an ethyl group, and Bu represents a butyl group.

Figure 112014106526920-pct00023
Figure 112014106526920-pct00023

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 광 증감제의 함유량은 성분A 및 성분B의 총 함유량 100중량부에 대하여 0.1∼10중량부인 것이 바람직하고, 0.5∼10중량부인 것이 보다 바람직하다. 광 증감제의 함유량이 0.1중량부 이상이면 원하는 감도를 얻기 쉽고, 또한 10중량부 이하이면 도막의 투명성을 확보하기 쉽다.The content of the photosensitizer in the photosensitive resin composition of the present invention is preferably 0.1 to 10 parts by weight, more preferably 0.5 to 10 parts by weight based on 100 parts by weight of the total content of Component A and Component B. When the content of the photosensitizer is 0.1 parts by weight or more, desired sensitivity is easily obtained. When the content of the photosensitizer is 10 parts by weight or less, transparency of the coating film is easily ensured.

<염기성 화합물>&Lt; Basic compound >

본 발명의 감광성 수지 조성물은 염기성 화합물을 함유하는 것이 바람직하다.The photosensitive resin composition of the present invention preferably contains a basic compound.

염기성 화합물로서는 화학 증폭레지스터에서 사용되는 것 중으로부터 임의로 선택해서 사용할 수 있다. 예를 들면, 지방족 아민, 방향족 아민, 복소환식 아민, 제 4급 암모늄히드록시드, 및 카르복실산의 제 4급 암모늄염 등을 들 수 있다.The basic compound can be arbitrarily selected from those used in the chemical amplification resistor. Examples thereof include aliphatic amines, aromatic amines, heterocyclic amines, quaternary ammonium hydroxides, and quaternary ammonium salts of carboxylic acids.

본 발명의 감광성 수지 조성물은 액 보존 안정성의 관점으로부터 염기성 화합물을 함유하는 것이 바람직하다.The photosensitive resin composition of the present invention preferably contains a basic compound from the viewpoint of liquid storage stability.

염기성 화합물로서는 화학 증폭레지스터에서 사용되는 것 중으로부터 임의로 선택해서 사용할 수 있다. 예를 들면, 지방족 아민, 방향족 아민, 복소환식 아민, 제 4급 암모늄히드록시드, 및 카르복실산의 제 4급 암모늄염 등을 들 수 있다.The basic compound can be arbitrarily selected from those used in the chemical amplification resistor. Examples thereof include aliphatic amines, aromatic amines, heterocyclic amines, quaternary ammonium hydroxides, and quaternary ammonium salts of carboxylic acids.

지방족 아민으로서는, 예를 들면 트리메틸아민, 디에틸아민, 트리에틸아민, 디-n-프로필아민, 트리-n-프로필아민, 디-n-펜틸아민, 트리-n-펜틸아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 디시클로헥실아민, 디시클로헥실메틸아민 등을 들 수 있다.Examples of the aliphatic amine include trimethylamine, diethylamine, triethylamine, di-n-propylamine, tri-n-propylamine, di- Triethanolamine, dicyclohexylamine, dicyclohexylmethylamine, and the like.

방향족 아민으로서는, 예를 들면 아닐린, 벤질아민, N,N-디메틸아닐린, 디페닐아민 등을 들 수 있다.Examples of the aromatic amine include aniline, benzylamine, N, N-dimethylaniline, and diphenylamine.

복소환식 아민으로서는, 예를 들면 피리딘, 2-메틸피리딘, 4-메틸피리딘, 2-에틸피리딘, 4-에틸피리딘, 2-페닐피리딘, 4-페닐피리딘, N-메틸-4-페닐피리딘, 4-디메틸아미노피리딘, 이미다졸, 벤즈이미다졸, 4-메틸이미다졸, 2-페닐벤즈이미다졸, 2,4,5-트리페닐이미다졸, 니코틴, 니코틴산, 니코틴산 아미드, 퀴놀린, 8-옥시퀴놀린, 피라진, 피라졸, 피리다진, 푸린, 피롤리딘, 피페리딘, 피페라진, 모르폴린, 4-메틸모르폴린, N-시클로헥실-N'-2-(4-모르폴리닐)에틸]티오요소, 1,5-디아자비시클로[4.3.0]-5-노넨, 1,8-디아자비시클로[5.3.0]-7-운데센 등을 들 수 있다.Examples of the heterocyclic amine include pyridine, 2-methylpyridine, 4-methylpyridine, 2-ethylpyridine, 4-ethylpyridine, 2-phenylpyridine, 4-phenylpyridine, N-methyl- Benzimidazole, 2-phenylbenzimidazole, 2,4,5-triphenylimidazole, nicotine, nicotinic acid, nicotinic acid amide, quinoline, 8-oxy Pyrrolidine, piperidine, piperazine, morpholine, 4-methylmorpholine, N-cyclohexyl-N'-2- (4-morpholinyl) ethyl Thiourea, 1,5-diazabicyclo [4.3.0] -5-nonene, and 1,8-diazabicyclo [5.3.0] -7-undecene.

제 4급 암모늄히드록시드로서는, 예를 들면 테트라메틸암모늄히드록시드, 테트라에틸암모늄히드록시드, 테트라-n-부틸암모늄히드록시드, 테트라-n-헥실암모늄히드록시드 등을 들 수 있다.Examples of quaternary ammonium hydroxides include tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, tetra-n-butylammonium hydroxide and tetra-n-hexylammonium hydroxide .

카르복실산의 제 4급 암모늄염으로서는, 예를 들면 테트라메틸암모늄아세테이트, 테트라메틸암모늄벤조에이트, 테트라-n-부틸암모늄아세테이트, 테트라-n-부틸암모늄벤조에이트 등을 들 수 있다.Examples of the quaternary ammonium salt of carboxylic acid include tetramethylammonium acetate, tetramethylammonium benzoate, tetra-n-butylammonium acetate and tetra-n-butylammonium benzoate.

본 발명에 사용할 수 있는 염기성 화합물은 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 병용해도 좋다.The basic compounds usable in the present invention may be used singly or in combination of two or more kinds.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 염기성 화합물의 함유량은 중합체 성분 100질량부에 대하여 0.001∼3질량부인 것이 바람직하고, 0.005∼1질량부인 것이 보다 바람직하다.The content of the basic compound in the photosensitive resin composition of the present invention is preferably 0.001 to 3 parts by mass, more preferably 0.005 to 1 part by mass based on 100 parts by mass of the polymer component.

<계면활성제(불소계 계면활성제, 실리콘계 계면활성제 등)>&Lt; Surfactant (fluorine-based surfactant, silicon-based surfactant, etc.) >

본 발명의 감광성 수지 조성물은 (성분G) 계면활성제(불소계 계면활성제, 실리콘계 계면활성제 등)를 함유하는 것이 바람직하다.The photosensitive resin composition of the present invention preferably contains (Component G) a surfactant (a fluorine-based surfactant, a silicon-based surfactant, etc.).

계면활성제로서는 하기에 나타내는 구성 단위A와 구성 단위B를 포함하는 공중합체(3)를 바람직한 예로서 들 수 있다. 그 공중합체의 중량 평균 분자량(Mw)은 1,000 이상 10,000 이하인 것이 바람직하고, 1,500 이상 5,000 이하인 것이 보다 바람직하다. 중량 평균 분자량은 겔 퍼미에이션 크로마토그래피에서 측정되는 폴리스티렌 환산의 값이다.As the surfactant, a copolymer (3) containing the constituent unit A and the constituent unit B shown below may be mentioned as a preferable example. The weight average molecular weight (Mw) of the copolymer is preferably 1,000 or more and 10,000 or less, and more preferably 1,500 or more and 5,000 or less. The weight average molecular weight is a value in terms of polystyrene measured by gel permeation chromatography.

Figure 112014106526920-pct00024
Figure 112014106526920-pct00024

공중합체(3) 중, R21 및 R23은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R22는 탄소수 1 이상 4 이하의 직쇄 알킬렌기를 나타내고, R24는 수소 원자 또는 탄소수 1 이상 4 이하의 알킬기를 나타내고, L은 탄소수 3 이상 6 이하의 알킬렌기를 나타내고, p 및 q는 중합비를 나타내는 질량 백분율이며, p는 10질량% 이상 80질량% 이하의 수치를 나타내고, q는 20질량% 이상 90질량% 이하의 수치를 나타내고, r은 1 이상 18 이하의 정수를 나타내고, n은 1 이상 10 이하의 정수를 나타낸다.In the copolymer (3), R 21 and R 23 each independently represent a hydrogen atom or a methyl group, R 22 represents a straight chain alkylene group having 1 to 4 carbon atoms and R 24 represents a hydrogen atom or a C1- P is an integer of not less than 10 mass% and not more than 80 mass%, q is not less than 20 mass% And n represents an integer of 1 or more and 10 or less.

구성 단위B 중에 있어서의 L은 하기 식(4)으로 나타내어지는 알킬렌기인 것이 바람직하다.L in the constituent unit B is preferably an alkylene group represented by the following formula (4).

Figure 112014106526920-pct00025
Figure 112014106526920-pct00025

식(4) 중, R25는 탄소수 1 이상 4 이하의 알킬기를 나타내고, 상용성과 피도포면에 대한 습윤성의 점에서 탄소수 1 이상 3 이하의 알킬기가 바람직하고, 탄소수 2 또는 3의 알킬기가 보다 바람직하다.In the formula (4), R 25 represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and is preferably an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms in terms of compatibility and wettability to a surface to be coated, more preferably an alkyl group having 2 or 3 carbon atoms .

또한, p와 q의 합(p+q)은 p+q=100, 즉 100질량%인 것이 바람직하다.It is also preferable that the sum (p + q) of p and q is p + q = 100, that is, 100% by mass.

불소계 계면활성제, 실리콘계 계면활성제의 예로서, 구체적으로는 일본 특허 공개 소 62-36663호, 일본 특허 공개 소 61-226746호, 일본 특허 공개 소 61-226745호, 일본 특허 공개 소 62-170950호, 일본 특허 공개 소 63-34540호, 일본 특허 공개 평 7-230165호, 일본 특허 공개 평 8-62834호, 일본 특허 공개 평 9-54432호, 일본 특허 공개 평 9-5988호, 일본 특허 공개 2001-330953호 등의 각 공보 기재의 계면활성제를 들 수 있고, 시판의 계면활성제를 사용할 수도 있다. 사용할 수 있는 시판의 계면활성제로서, 예를 들면 에프톱 EF301, EF303,[이상, 신아키타 카세이(주) 제], 플루오라드 FC430, 431[이상, 스미토모스리엠(주) 제], 메가팩 F171, F173, F176, F189, R08[이상, DIC(주) 제], 서플론 S-382, SC101, 102, 103, 104, 105, 106[이상, 아사히가라스(주) 제], PolyFox 시리즈(OMNOVA사 제) 등의 불소계 계면활성제 또는 실리콘계 계면활성제를 들 수 있다. 또한, 폴리실록산 폴리머 KP-341[신에쓰 가가꾸 고교(주) 제]도 실리콘계 계면활성제로서 사용할 수 있다.Specific examples of the fluorine-based surfactant and the silicon-based surfactant include Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 62-36663, 61-226746, 61-226745, 62-170950, Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 63-34540, 7-230165, 8-62834, 9-54432, 9-5988, 2001- 330953, and the like, and commercially available surfactants may also be used. (Commercially available from Shin-Akita Kasei Co., Ltd.), Fluorad FC430, 431 (manufactured by Sumitomo 3M Ltd.), Megafac F171 (available from Sumitomo Chemical Co., Ltd.) , F173, F176, F189, R08 (manufactured by DIC Corporation), Surfron S-382, SC101, 102, 103, 104, 105 and 106 (manufactured by Asahi Glass Co., OMNOVA), and silicone surfactants. The polysiloxane polymer KP-341 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) can also be used as a silicone surfactant.

이들 계면활성제는 1종 단독으로 또는 2종 이상을 혼합해서 사용할 수 있다. 또한, 불소계 계면활성제와 실리콘계 계면활성제를 병용해도 좋다.These surfactants may be used singly or in combination of two or more. Further, a fluorine-based surfactant and a silicone-based surfactant may be used in combination.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 (성분G) 계면활성제(불소계 계면활성제, 실리콘계 계면활성제 등)의 첨가량은 성분A 100질량부에 대하여 10질량부 이하인 것이 바람직하고, 0.01∼10질량부인 것이 보다 바람직하고, 0.01∼3질량부인 것이 더욱 바람직하다.The amount of the surfactant (fluorine surfactant, silicone surfactant, etc.) (component G) in the photosensitive resin composition of the present invention is preferably 10 parts by mass or less, more preferably 0.01 to 10 parts by mass, per 100 parts by mass of the component A And more preferably 0.01 to 3 parts by mass.

<밀착 개량제>&Lt; Adhesion improving agent &

본 발명의 감광성 수지 조성물은 밀착 개량제를 함유하는 것이 바람직하다.The photosensitive resin composition of the present invention preferably contains an adhesion improver.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 사용할 수 있는 (성분H) 밀착 개량제는 기판이 되는 무기물, 예를 들면 규소, 산화규소, 질화규소 등의 규소 화합물, 금, 구리, 알루미늄, 몰리브덴, 티타늄 등의 금속과 절연막의 밀착성을 향상시키는 화합물이다. 구체적으로는 실란커플링제, 티올계 화합물 등을 들 수 있다. 본 발명에서 사용되는 (성분H) 밀착 개량제로서의 실란커플링제는 계면의 개질을 목적으로 하는 것이며, 특별하게 한정되지 않고 공지의 것을 사용할 수 있다.The adhesion improver (component H) that can be used in the photosensitive resin composition of the present invention is an adhesion improving agent that can be used as a substrate, an inorganic substance such as a silicon compound such as silicon, silicon oxide, or silicon nitride, a metal such as gold, copper, aluminum, molybdenum, Of the present invention. Specific examples thereof include silane coupling agents and thiol compounds. The silane coupling agent as the (H) adhesion improver used in the present invention is intended to modify the interface and is not particularly limited, and a known silane coupling agent can be used.

바람직한 실란커플링제로서는 1,2-비스(트리에톡시실릴)에탄, 1,4-비스(트리메톡시실릴)부탄, 1-메틸디메톡시실릴-4-트리메톡시실릴부탄, 1,4-비스(메틸디메톡시실릴)부탄, 1,5-비스(트리메톡시실릴)펜탄, 1,4-비스(트리메톡시실릴)펜탄, 1-메틸디메톡시실릴-5-트리메톡시실릴펜탄, 1,5-비스(메틸디메톡시실릴)펜탄, 1,6-비스(트리메톡시실릴)헥산, 1,4-비스(트리메톡시실릴)헥산, 1,5-비스(트리메톡시실릴)헥산, 2,5-비스(트리메톡시실릴)헥산, 1,6-비스(메틸디메톡시실릴)헥산, 1,7-비스(트리메톡시실릴)헵탄, 2,5-비스(트리메톡시실릴)헵탄, 2,6-비스(트리메톡시실릴)헵탄, 1,8-비스(트리메톡시실릴)옥탄, 2,5-비스(트리메톡시실릴)옥탄, 2,7-비스(트리메톡시실릴)옥탄, 1,9-비스(트리메톡시실릴)노난, 2,7-비스(트리메톡시실릴)노난, 1,10-비스(트리메톡시실릴)데칸, 3,8-비스(트리메톡시실릴)데칸, 비닐트리클로로실란, 1,3-비스(트리클로로실란)프로판, 1,3-비스(트리브로모실란)프로판, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필메틸디에톡시실란, γ-글리시독시프로필트리에톡시실란, γ-메타크릴옥시프로필메틸디메톡시실란, p-스티릴트리메톡시실란, γ-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, γ-메타크릴옥시프로필메틸디에톡시실란, γ-메타크릴옥시프로필트리에톡시실란, γ-아크릴옥시프로필트리메톡시실란, N-(β-아미노에틸)-γ-아미노프로필메틸디메톡시실란, N-(β-아미노에틸)-γ-아미노프로필트리메톡시실란, N-(β-아미노에틸)-γ-아미노프로필트리에톡시실란, γ-아미노프로필트리메톡시실란, γ-아미노프로필트리에톡시실란, N-페닐-γ-아미노프로필트리메톡시실란, γ-메르캅토프로필트리메톡시실란, γ-메르캅토프로필트리에톡시실란, 메르캅토메틸트리메톡시실란, 디메톡시-3-메르캅토프로필메틸실란, 2-(2-아미노에틸티오에틸)디에톡시메틸실란, 3-(2-아세톡시에틸티오프로필)디메톡시메틸실란, 2-(2-아미노에틸티오에틸)트리에톡시실란, 디메톡시메틸-3-(3-페녹시프로필티오프로필)실란, 비스(트리에톡시실릴프로필)디술피드, 비스(트리에톡시실릴프로필)테트라술피드, 1,4-비스(트리에톡시실릴)벤젠, 비스(트리에톡시실릴)에탄, 1,6-비스(트리메톡시실릴)헥산, 1,8-비스(트리에톡시실릴)옥탄, 1,2-비스(트리메톡시실릴)데칸, 비스(트리에톡시실릴프로필)아민, 비스(트리메톡시실릴프로필)우레아, γ-클로로프로필트리메톡시실란, γ-트리에톡시실릴프로필(메타)아크릴레이트, γ-우레이도프로필트리에톡시실란, 트리메틸실라놀, 디페닐실란디올, 트리페닐실라놀 등을 들 수 있다.Preferred examples of the silane coupling agent include 1,2-bis (triethoxysilyl) ethane, 1,4-bis (trimethoxysilyl) butane, 1-methyldimethoxysilyl- Bis (trimethoxysilyl) pentane, 1-methyldimethoxysilyl-5-trimethoxysilylpentane, 1,1-bis (trimethoxysilyl) pentane, Bis (trimethoxysilyl) pentane, 1,5-bis (trimethoxysilyl) hexane, 1,5-bis (trimethoxysilyl) pentane, (Trimethoxysilyl) hexane, 1,7-bis (trimethoxysilyl) heptane, 2,5-bis (trimethoxysilyl) hexane, Bis (trimethoxysilyl) octane, 2,7-bis (trimethoxysilyl) heptane, 1,8-bis (Methoxysilyl) octane, 1,9-bis (trimethoxysilyl) nonane, 2,7-bis (trimethoxysilyl) ( Vinyl trichlorosilane, 1,3-bis (trichlorosilane) propane, 1,3-bis (tribromosilane) propane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, Glycidoxypropyltrimethoxysilane,? -Glycidoxypropyltriethoxysilane,? -Glycidoxypropyltrimethoxysilane,? -Glycidoxypropyltrimethoxysilane,? -Glycidoxypropyltrimethoxysilane,? -Glycidoxypropyltrimethoxysilane, Methacryloxypropyltrimethoxysilane,? -Methacryloxypropylmethyldiethoxysilane,? -Methacryloxypropyltriethoxysilane,? -Methacryloxypropyltrimethoxysilane,? -Methacryloxypropyltrimethoxysilane,? -Methacryloxypropyltrimethoxysilane,? -Methacryloxypropyltrimethoxysilane, (? -aminoethyl) -? - aminopropyltrimethoxysilane, N- (? - aminoethyl) -? - aminopropylmethyldimethoxysilane, N- -Aminoethyl) -? - aminopropyltriethoxysilane,? -Aminopropyltrimethoxysilane,? -Aminopropyltri Silane, N-phenyl-γ-aminopropyltrimethoxysilane, γ-mercaptopropyltrimethoxysilane, γ-mercaptopropyltriethoxysilane, mercaptomethyltrimethoxysilane, dimethoxy-3-mercapto (2-aminoethylthioethyl) diethoxymethylsilane, 3- (2-acetoxyethylthiopropyl) dimethoxymethylsilane, 2- (2-aminoethylthioethyl) triethoxysilane, Bis (triethoxysilylpropyl) disulfide, bis (triethoxysilylpropyl) tetrasulfide, 1,4-bis (triethoxysilyl) silane, Benzene, bis (triethoxysilyl) ethane, 1,6-bis (trimethoxysilyl) hexane, 1,8-bis (triethoxysilyl) (Trimethoxysilylpropyl) amine, bis (trimethoxysilylpropyl) urea,? -Chloropropyltrimethoxysilane,? -Triethoxysilylpropyl (meth) acrylate Agent, and the like in the γ- ureidopropyl triethoxysilane, trimethyl silanol, diphenyl silane diol, triphenyl silanol.

그 밖에도 이하에 나타내는 화합물을 바람직한 것으로서 들 수 있지만, 본 발명은 이들 화합물에 제한되는 것은 아니다.In addition, the compounds shown below are preferred, but the present invention is not limited to these compounds.

Figure 112014106526920-pct00026
Figure 112014106526920-pct00026

Figure 112014106526920-pct00027
Figure 112014106526920-pct00027

Figure 112014106526920-pct00028
Figure 112014106526920-pct00028

Figure 112014106526920-pct00029
Figure 112014106526920-pct00029

Figure 112014106526920-pct00030
Figure 112014106526920-pct00030

상기 각 식 중, R 및 R1은 각각 이하의 구조로부터 선택되는 부분 구조를 나타낸다. 분자 내에 복수의 R 및 R1이 존재할 경우, 이것들은 서로 동일하거나 달라도 좋고, 합성 적성 상은 동일한 것이 바람직하다.In the above formulas, R and R 1 each represent a partial structure selected from the following structures. When a plurality of R and R &lt; 1 &gt; are present in the molecule, they may be the same or different, and the synthetic aptitude is preferably the same.

Figure 112014106526920-pct00031
Figure 112014106526920-pct00031

상기 실란커플링제는 적당하게 합성해서 얻는 것도 가능하지만, 시판품을 사용하는 것이 비용의 면으로부터 바람직하고, 예를 들면 신에쓰 가가꾸 고교(주), 도레이 다우코닝(주), 모멘티브퍼포먼스머티리얼즈(주), 칫소(주) 등으로부터 시판되고 있는 실란 제품, 실란커플링제 등의 시판품이 이것에 상당하기 때문에, 본 발명의 수지 조성물에 이들 시판품을 목적에 따라서 적당하게 선택해서 사용해도 좋다.The silane coupling agent can be suitably synthesized. However, it is preferable to use a commercially available product from the viewpoint of cost. For example, it is possible to use silane coupling agents such as Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., Dorey Dow Corning Co., Ltd., Momentive Performance Materials A silane coupling agent, and the like, which are commercially available from Asahi Chemical Industry Co., Ltd., Chisso Co., Ltd., and silane coupling agent, etc., and these commercial products may be appropriately selected and used in the resin composition of the present invention.

이들 중, γ-글리시독시프로필트리알콕시실란, 및 γ-메타크릴옥시프로필트리알콕시실란, 비스(트리에톡시실릴프로필)디술피드, 비스(트리에톡시실릴프로필)테트라술피드를 바람직하게 사용할 수 있다.Of these, γ-glycidoxypropyltrialkoxysilane and γ-methacryloxypropyltrialkoxysilane, bis (triethoxysilylpropyl) disulfide, and bis (triethoxysilylpropyl) tetrasulfide are preferably used .

또한, 본 발명에서는 밀착 개량제로서 일반식(1)으로 나타내어지는 밀착 개량제도 예시된다.Also, in the present invention, the adhesion improver represented by the general formula (1) is exemplified as the adhesion improver.

일반식(1)In general formula (1)

Figure 112014106526920-pct00032
Figure 112014106526920-pct00032

[일반식(1) 중, R1은 반응성기를 갖지 않는 치환기이고, R2는 알킬기이며, n은 1∼3의 정수이다][In the general formula (1), R 1 is a substituent having no reactive group, R 2 is an alkyl group, and n is an integer of 1 to 3)

일반식(1)으로 나타내어지는 밀착 개량제로서는 하기의 화합물이 예시된다.Examples of the adhesion improver represented by the general formula (1) include the following compounds.

Figure 112014106526920-pct00033
Figure 112014106526920-pct00033

상기에 있어서 Ph는 페닐기이다.In the above, Ph is a phenyl group.

이것들은 1종 단독 또는 2종 이상을 조합시켜서 사용할 수 있다. 이것들은 기판과의 밀착성의 향상에 유효함과 아울러 기판과의 테이퍼각의 조정에도 유효하다.These may be used singly or in combination of two or more. These are effective in improving the adhesion to the substrate and also in adjusting the taper angle with the substrate.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 (성분H) 밀착 개량제의 함유량은 성분A 100질량부에 대하여 0.1∼30질량부가 바람직하고, 0.5∼20질량부가 보다 바람직하다.The content of the (H) adhesion improver in the photosensitive resin composition of the present invention is preferably from 0.1 to 30 parts by mass, more preferably from 0.5 to 20 parts by mass, per 100 parts by mass of the component (A).

<현상 촉진제>&Lt; Development accelerator &

본 발명의 감광성 수지 조성물은 현상 촉진제를 함유하는 것이 바람직하다.The photosensitive resin composition of the present invention preferably contains a development accelerator.

현상 촉진제로서는 현상 촉진 효과가 있는 임의의 화합물을 사용할 수 있지만, 카르복실기, 페놀성 수산기, 및 알킬렌옥시기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 구조를 갖는 화합물인 것이 바람직하고, 카르복실기 또는 페놀성 수산기를 갖는 화합물이 보다 바람직하고, 페놀성 수산기를 갖는 화합물이 가장 바람직하다.As the development accelerator, any compound having a phenomenon of promoting development can be used. However, it is preferably a compound having at least one structure selected from the group consisting of a carboxyl group, a phenolic hydroxyl group, and an alkyleneoxy group, and a carboxyl group or a phenolic hydroxyl group Is more preferable, and a compound having a phenolic hydroxyl group is most preferable.

또한, 현상 촉진제의 분자량으로서는 100∼2,000이 바람직하고, 150∼1,500이 더욱 바람직하고, 150∼1,000이 가장 바람직하다.The molecular weight of the development promoter is preferably 100 to 2,000, more preferably 150 to 1,500, and most preferably 150 to 1,000.

현상 촉진제의 예로서, 알킬렌옥시기를 갖는 것으로서는 폴리에틸렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜의 모노메틸에테르, 폴리에틸렌글리콜의 디메틸에테르, 폴리에틸렌글리콜글리세릴에스테르, 폴리프로필렌글리콜글리세릴에스테르, 폴리프로필렌글리콜디글리세릴에스테르, 폴리부틸렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜-비스페놀A 에테르, 폴리프로필렌글리콜-비스페놀A 에테르, 폴리옥시에틸렌의 알킬에테르, 폴리옥시에틸렌의 알킬에스테르, 및 일본 특허 공개 평 9-222724호 공보에 기재된 화합물 등을 들 수 있다.As examples of the development accelerator, those having an alkyleneoxy group include polyethylene glycol, monomethyl ether of polyethylene glycol, dimethyl ether of polyethylene glycol, polyethylene glycol glyceryl ester, polypropylene glycol glyceryl ester, polypropylene glycol diglyceryl ester, Polybutylene glycol, polyethylene glycol-bisphenol A ether, polypropylene glycol-bisphenol A ether, alkyl ether of polyoxyethylene, alkyl ester of polyoxyethylene, and compounds described in JP-A 9-222724 .

카르복실기를 갖는 것으로서는 일본 특허 공개 2000-66406호 공보, 일본 특허 공개 평 9-6001호 공보, 일본 특허 공개 평 10-20501호 공보, 일본 특허 공개 평 11-338150호 공보 등에 기재된 화합물을 들 수 있다.Examples of compounds having a carboxyl group include compounds described in JP-A-2000-66406, JP-A-9-6001, JP-A-10-20501, JP-A-11-338150 .

페놀성 수산기를 갖는 것으로서는 일본 특허 공개 2005-346024호 공보, 일본 특허 공개 평 10-133366호 공보, 일본 특허 공개 평 9-194415호 공보, 일본 특허 공개 평 9-222724호 공보, 일본 특허 공개 평 11-171810호 공보, 일본 특허 공개 2007-121766호 공보, 일본 특허 공개 평 9-297396호 공보, 일본 특허 공개 2003-43679호 공보 등에 기재된 화합물을 들 수 있다. 이들 중에서도 벤젠환수가 2∼10개인 페놀 화합물이 바람직하고, 벤젠환수가 2∼5개인 페놀 화합물이 더욱 바람직하다. 특히 바람직한 것으로서는 일본 특허 공개 평 10-133366호 공보에 용해 촉진제로서 개시되어 있는 페놀성 화합물을 들 수 있다.Examples of compounds having a phenolic hydroxyl group include compounds disclosed in JP-A-2005-346024, JP-A-10-133366, JP-A-9-194415, JP-A-9-222724, 11-171810, JP-A-2007-121766, JP-A-9-297396, JP-A-2003-43679, etc. Among them, a phenol compound having 2 to 10 benzene ring is preferable, and a phenol compound having 2 to 5 benzene ring number is more preferable. Particularly preferred examples include phenolic compounds disclosed as dissolution accelerators in JP-A-10-133366.

현상 촉진제는 1종을 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 병용하는 것도 가능하다.The development accelerator may be used alone or in combination of two or more.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 현상 촉진제의 첨가량은 감도와 잔막률의 관점으로부터 중합체 성분을 100질량부로 했을 때 0.1∼30질량부가 바람직하고, 0.2∼20질량부가 보다 바람직하고, 0.5∼10질량부인 것이 가장 바람직하다.The addition amount of the development accelerator in the photosensitive resin composition of the present invention is preferably from 0.1 to 30 parts by mass, more preferably from 0.2 to 20 parts by mass, more preferably from 0.5 to 10 parts by mass based on 100 parts by mass of the polymer component from the viewpoints of sensitivity and residual film ratio Minority is most desirable.

<산화방지제><Antioxidant>

본 발명의 감광성 수지 조성물은 산화방지제를 함유해도 좋다. 산화방지제로서는 공지의 산화방지제를 함유할 수 있다. 산화방지제를 첨가함으로써 경화막의 착색을 방지할 수 있거나, 또는 분해에 의한 막 두께 감소를 저감시킬 수 있고, 또한 내열 투명성이 뛰어나다고 하는 이점이 있다.The photosensitive resin composition of the present invention may contain an antioxidant. As the antioxidant, a known antioxidant may be contained. Addition of an antioxidant can prevent coloration of the cured film or reduce the reduction in film thickness due to decomposition and has an advantage of excellent heat-resistant transparency.

이러한 산화방지제로서는, 예를 들면 인계 산화방지제, 아미드류, 히드라지드류, 힌더드아민계 산화방지제, 유황계 산화방지제, 페놀계 산화방지제, 아스코르브산류, 황산 아연, 당류, 아질산염, 아황산염, 티오유산염, 히드록실아민 유도체 등을 들 수 있다. 이들 중에서는 경화막의 착색, 막 두께 감소의 관점으로부터 특히 페놀계 산화방지제, 아미드계 산화방지제, 히드라지드계 산화방지제, 유황계 산화방지제가 바람직하다. 이들은 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 혼합해서 사용해도 좋다.Examples of such antioxidants include phosphorus antioxidants, amides, hydrazides, hindered amine antioxidants, sulfur antioxidants, phenol antioxidants, ascorbic acids, zinc sulfate, sugars, nitrite, sulfite, thiophosphate , Hydroxylamine derivatives, and the like. Among these, phenol-based antioxidants, amide-based antioxidants, hydrazide-based antioxidants and sulfur-based antioxidants are particularly preferable from the viewpoint of coloring of a cured film and reduction of film thickness. These may be used singly or in combination of two or more.

페놀계 산화방지제의 시판품으로서는, 예를 들면 아데카스터브 AO-15, 아데카스터브 AO-18, 아데카스터브 AO-20, 아데카스터브 AO-23, 아데카스터브 AO-30, 아데카스터브 AO-37, 아데카스터브 AO-40, 아데카스터브 AO-50, 아데카스터브 AO-51, 아데카스터브 AO-60, 아데카스터브 AO-70, 아데카스터브 AO-80, 아데카스터브 AO-330, 아데카스터브 AO-412S, 아데카스터브 AO-503, 아데카스터브 A-611, 아데카스터브 A-612, 아데카스터브 A-613, 아데카스터브 PEP-4C, 아데카스터브 PEP-8, 아데카스터브 PEP-8W, 아데카스터브 PEP-24G, 아데카스터브 PEP-36, 아데카스터브 PEP-36Z, 아데카스터브 HP-10, 아데카스터브 2112, 아데카스터브 260, 아데카스터브 522A, 아데카스터브 1178, 아데카스터브 1500, 아데카스터브 C, 아데카스터브 135A, 아데카스터브 3010, 아데카스터브 TPP, 아데카스터브 CDA-1, 아데카스터브 CDA-6, 아데카스터브 ZS-27, 아데카스터브 ZS-90, 아데카스터브 ZS-91[이상, (주)ADEKA 제], 일가녹스 245FF, 일가녹스 1010FF, 일가녹스 MD1024, 일가녹스 1035FF, 일가녹스 1098, 일가녹스 1330, 일가녹스 1520L, 일가녹스 3114, 일가녹스 1726, 일가포스 168, 일가모드 295[BASF(주) 제] 등을 들 수 있다. 그 중에서도 아데카스터브 AO-60, 아데카스터브 AO-80, 일가녹스 1726, 일가녹스 1035FF, 일가녹스 1098을 바람직하게 사용할 수 있다.Examples of commercially available products of phenolic antioxidants include Adekastab AO-15, Adekastube AO-18, Adekastube AO-20, Adekastube AO-23, Adekastube AO-30, Adekastube AO- 60, Adeka Stove AO-70, Adeka Stove AO-80, Adeka Stove AO-50, Adeka Stove AO-60, Adeka Stove AO- 330, ADEKA STUB AO-412S, ADEKA STUB AO-503, ADEKA STUB A-611, ADEKA STUB A-612, ADEKA STUB A-613, ADEKA STUB PEP-4C, ADEKA STUB PEP-8 , Adeka Stove PEP-8W, Adeka Stove PEP-24G, Adeka Stove PEP-36, Adeka Stove PEP-36Z, Adeka Stub HP-10, Adeka Stub 2112, Adeka Stab 260, Adeka Stab 522A Adeka Stove CDA-1, Adeka Stave CDA-6, Adeka Stove CDA-1, Adeka Stave CDA-1, Adeka Stave CDA-1, Adeka Stave CDA- (Manufactured by ADEKA Co., Ltd.), Igarox 245FF, Igarox 1010FF, Igarox MD1024, Igarazox 1035FF, Igarazox 1098, and Igarashi ZS-91 Knox 1330, Igaraz Knight 1520L, Igaraz Knight 3114, Igaraz Knight 1726, Igarashi Force 168, Family Mode 295 (manufactured by BASF), and the like. Of these, Adekastab AO-60, Adekastab AO-80, Igarox 1726, Igarox 1035FF and Igarox 1098 can be preferably used.

산화방지제의 함유량은 감광성 수지 조성물의 전체 고형분에 대하여 0.1∼6질량%인 것이 바람직하고, 0.2∼5질량%인 것이 보다 바람직하고, 0.5∼4질량%인 것이 특히 바람직하다. 이 범위로 함으로써, 형성된 막의 충분한 투명성이 얻어지고 또한 패턴 형성시의 감도도 양호해진다.The content of the antioxidant is preferably 0.1 to 6% by mass, more preferably 0.2 to 5% by mass, and particularly preferably 0.5 to 4% by mass based on the total solid content of the photosensitive resin composition. When the content is in this range, sufficient transparency of the formed film can be obtained and sensitivity at the time of pattern formation can be improved.

또한, 산화방지제 이외의 첨가제로서 "고분자 첨가제의 신전개[(주)닛칸코교신분사]"에 기재된 각종 자외선 흡수제나, 금속 불활성화제 등을 본 발명의 감광성 수지 조성물에 첨가해도 좋다.Further, various ultraviolet absorbers, metal deactivators, and the like described in "New developments of polymer additive (Nikkan Kogyo Seisakusho Co., Ltd. ", as an additive other than the antioxidant may be added to the photosensitive resin composition of the present invention.

<가소제><Plasticizer>

본 발명의 감광성 수지 조성물은 가소제를 함유해도 좋다.The photosensitive resin composition of the present invention may contain a plasticizer.

가소제의 상세로서는 일본 특허 공개 2012-073609호 공보의 단락번호 0108의 기재를 참작할 수 있고, 이 내용은 본원 명세서에 도입된다.As the details of the plasticizer, reference may be made to the description of paragraph No. 0108 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-073609, the contents of which are incorporated herein by reference.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 가소제의 함유량은 성분A 100질량부에 대하여 0.1∼30질량부인 것이 바람직하고, 1∼10질량부인 것이 보다 바람직하다.The content of the plasticizer in the photosensitive resin composition of the present invention is preferably from 0.1 to 30 parts by mass, more preferably from 1 to 10 parts by mass, per 100 parts by mass of the component A. [

<열 라디칼 발생제>&Lt; Heat radical generator >

본 발명의 감광성 수지 조성물은 열 라디칼 발생제를 포함하고 있어도 좋고, 열 라디칼 발생제로서는 일본 특허 공개 2012-073609호 공보의 단락번호 0109의 기재를 참작할 수 있고, 이 내용은 본원 명세서에 도입된다.The photosensitive resin composition of the present invention may contain a heat radical generator. As the heat radical generator, reference may be made to paragraph No. 0109 of JP-A-2007-073609, the contents of which are incorporated herein by reference .

열 라디칼 발생제는 1종을 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 병용하는 것도 가능하다.One kind of thermal radical generator may be used alone, or two or more kinds of thermal radical generators may be used in combination.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 열 라디칼 발생제의 함유량은 막 물성 향상의 관점으로부터 성분A를 100질량부로 했을 때 0.01∼50질량부가 바람직하고, 0.1∼20질량부가 보다 바람직하고, 0.5∼10질량부인 것이 가장 바람직하다.The content of the heat radical generator in the photosensitive resin composition of the present invention is preferably from 0.01 to 50 parts by mass, more preferably from 0.1 to 20 parts by mass, more preferably from 0.5 to 10 parts by mass, Most preferred is the part by mass.

<열산 발생제><Thermal acid generator>

본 발명에서는 저온 경화에서의 막 물성 등을 개량하기 위해서, 열산 발생제를 사용해도 좋다.In the present invention, a thermal acid generator may be used in order to improve physical properties of the film in low-temperature curing.

본 발명의 열산 발생제란 열에 의해 산이 발생되는 화합물이며, 통상 열 분해점이 130℃∼250℃, 바람직하게는 150℃∼220℃의 범위인 화합물이고, 예를 들면 가열에 의해 술폰산, 카르복실산, 디술포닐이미드 등의 저구핵성의 산을 발생시키는 화합물이다.The thermal acid generator of the present invention is a compound which generates an acid by heat and is usually a compound having a thermal decomposition point in the range of 130 ° C to 250 ° C, preferably 150 ° C to 220 ° C. For example, a sulfonic acid, , A disulfonyl imide, and the like.

발생 산으로서는 pKa가 2 이하로 강한, 술폰산이나 전자 구인성기의 치환된 알킬카르복실산 또는 아릴카르복실산, 마찬가지로 전자 구인성기의 치환된 디술포닐이미드 등이 바람직하다. 전자 구인성기로서는 불소 원자 등의 할로겐 원자, 트리플루오로메틸기 등의 할로알킬기, 니트로기, 시아노기를 들 수 있다.As the generated acid, a substituted alkylcarboxylic acid or arylcarboxylic acid having a pKa of not more than 2, such as a sulfonic acid or an electron-withdrawing group, and a disulfonylimide substituted with an electron-withdrawing group are preferable. Examples of the electron-attracting group include a halogen atom such as a fluorine atom, a haloalkyl group such as a trifluoromethyl group, a nitro group, and a cyano group.

또한, 본 발명에 있어서는 노광 광의 조사에 의해 실질적으로 산을 발생시키지 않고, 열에 의해 산을 발생시키는 술포네이트를 사용하는 것도 바람직하다. 노광 광의 조사에 의해 실질적으로 산을 발생시키고 있지 않은 것은 화합물의 노광 전후에서의 IR 스펙트럼, NMR 스펙트럼 측정에 의해 스펙트럼에 변화가 없는 것으로 판정할 수 있다.In the present invention, it is also preferable to use a sulfonate which generates an acid by heat without substantially generating an acid by irradiation with exposure light. It can be judged that there is no change in the spectrum by measuring the IR spectrum and the NMR spectrum before and after exposure of the compound, in which substantially no acid is generated by the irradiation of the exposure light.

술폰산 에스테르의 분자량은 바람직하게는 230∼1,000, 보다 바람직하게는 230∼800이다.The molecular weight of the sulfonic acid ester is preferably 230 to 1,000, more preferably 230 to 800.

본 발명에서 사용 가능한 술폰산 에스테르는 시판하는 것을 사용해도 좋고, 공지의 방법으로 합성한 것을 사용해도 좋다. 술폰산 에스테르는 예를 들면 염기성 조건 하, 술포닐클로리드 내지는 술폰산 무수물을 대응하는 다가 알콜과 반응시킴으로써 합성할 수 있다.The sulfonic acid esters usable in the present invention may be commercially available or may be synthesized by known methods. The sulfonic acid ester can be synthesized, for example, by reacting sulfonyl chloride or sulfonic anhydride with the corresponding polyhydric alcohol under basic conditions.

열산 발생제의 감광성 수지 조성물로의 함유량은 중합체 성분을 100질량부로 했을 때 0.5∼20질량부가 바람직하고, 1∼15질량부가 특히 바람직하다.The content of the thermal acid generator in the photosensitive resin composition is preferably 0.5 to 20 parts by mass, particularly preferably 1 to 15 parts by mass, based on 100 parts by mass of the polymer component.

<산 증식제><Acid-proliferating agent>

본 발명의 감광성 수지 조성물은 감도 향상을 목적으로, 산 증식제를 사용할 수 있다.For the purpose of improving the sensitivity, the photosensitive resin composition of the present invention can use an acid growth agent.

본 발명에 있어서 사용하는 산 증식제는 산 촉매 반응에 의해 산을 더욱 발생시켜서 반응계 내의 산 농도를 상승시킬 수 있는 화합물이며, 산이 존재하지 않는 상태에서는 안정되게 존재하는 화합물이다. 이러한 화합물은 1회의 반응으로 1개 이상의 산이 증가하기 때문에 반응의 진행에 따라 가속적으로 반응이 진행되지만, 발생한 산 자체가 자기 분해를 유기하기 때문에 여기에서 발생하는 산의 강도는 산 해리 정수(pKa)로서 3 이하인 것이 바람직하고, 2 이하인 것이 특히 바람직하다.The acid-proliferating agent used in the present invention is a compound capable of increasing the acid concentration in the reaction system by further generating an acid by an acid catalytic reaction, and is a compound stably present in the absence of acid. These compounds accelerate the reaction progressively as the reaction progresses due to the increase of at least one acid in one reaction. However, since the generated acid itself undergoes self-decomposition, the strength of the acid generated here is the acid dissociation constant (pKa ) Is preferably 3 or less, and particularly preferably 2 or less.

산 증식제의 구체예로서는 일본 특허 공개 평 10-1508호 공보의 단락 0203∼0223, 일본 특허 공개 평 10-282642호 공보의 단락 0016∼0055, 및 일본 특허 공표 평 9-512498호 공보 제 39쪽 12줄째∼제 47쪽 2줄째에 기재된 화합물을 들 수 있다.Specific examples of acid proliferating agents are described in paragraphs 0203 to 023 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-1508, paragraphs 0016 to 555 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-282642, and Japanese Patent Publication No. 9-512498, Line to page 47, and the second line.

본 발명에서 사용할 수 있는 산 증식제로서는 광산 발생제로부터 발생된 산에 의해 분해되어 디클로로아세트산, 트리클로로아세트산, 메탄술폰산, 벤젠술폰산, 트리플루오로메탄술폰산, 페닐포스폰산 등의 pKa가 3 이하인 산을 발생시키는 화합물을 들 수 있다.Examples of the acid growth agent that can be used in the present invention include acids having a pKa of 3 or less such as dichloroacetic acid, trichloroacetic acid, methanesulfonic acid, benzenesulfonic acid, trifluoromethanesulfonic acid, and phenylphosphonic acid decomposed by an acid generated from a photo- . &Lt; / RTI &gt;

산 증식제의 감광성 수지 조성물로의 함유량은 광산 발생제 100질량부에 대하여 10∼1,000질량부로 하는 것이 노광부와 미노광부의 용해 콘트라스트의 관점으로부터 바람직하고, 20∼500질량부로 하는 것이 더욱 바람직하다.The content of the acid proliferating agent in the photosensitive resin composition is preferably from 10 to 1,000 parts by mass based on 100 parts by mass of the photoacid generator from the viewpoint of dissolution contrast between the exposed portion and the unexposed portion, more preferably from 20 to 500 parts by mass .

[경화막의 제조 방법][Process for producing a cured film]

이어서, 본 발명의 경화막의 제조 방법을 설명한다.Next, a method for producing the cured film of the present invention will be described.

본 발명의 경화막의 제조 방법은 이하의 (1)∼(5)의 공정을 포함하는 것이 바람직하다.The method for producing the cured film of the present invention preferably includes the following steps (1) to (5).

(1) 본 발명의 감광성 수지 조성물을 기판 상에 적용하는 공정,(1) a step of applying the photosensitive resin composition of the present invention onto a substrate,

(2) 적용된 감광성 수지 조성물로부터 용제를 제거하는 공정,(2) a step of removing the solvent from the applied photosensitive resin composition,

(3) 용제가 제거된 감광성 수지 조성물을 활성 광선에 의해 노광하는 공정,(3) a step of exposing the photosensitive resin composition from which the solvent has been removed by an actinic ray,

(4) 노광된 감광성 수지 조성물을 수성 현상액에 의해 현상하는 공정, 및(4) a step of developing the exposed photosensitive resin composition by an aqueous developer, and

(5) 현상된 감광성 수지 조성물을 열 경화 하는 포스트 베이킹 공정(5) a post-baking step of thermally curing the developed photosensitive resin composition

이하에 각 공정을 순차적으로 설명한다.Each step will be described below in order.

(1)의 적용 공정에서는 본 발명의 감광성 수지 조성물을 기판 상에 적용해서 용제를 포함하는 습윤막으로 하는 것이 바람직하다.(1), it is preferable that the photosensitive resin composition of the present invention is applied to a substrate to form a wet film containing a solvent.

또한, 감광성 수지 조성물을 기판에 도포하기 전에 기판의 세정을 행하는 것이 바람직하고, 또한 기판 세정 후에 헥사메틸디실라잔으로 기판 표면을 처리하는 것이 보다 바람직하다. 이 처리를 함으로써, 감광성 수지 조성물의 기판으로의 밀착성이 향상된다. 또한, 헥사메틸디실라잔으로 기판 표면을 처리하는 방법으로서는 특별하게 한정되지 않지만, 예를 들면 헥사메틸디실라잔 증기 중에 기판을 노출시켜 두는 방법 등을 들 수 있다.Further, it is preferable to clean the substrate before applying the photosensitive resin composition to the substrate, and more preferably, the substrate surface is treated with hexamethyldisilazane after the substrate is cleaned. By this treatment, the adhesion of the photosensitive resin composition to the substrate is improved. The method of treating the surface of the substrate with hexamethyldisilazane is not particularly limited, and for example, a method of exposing the substrate to hexamethyldisilazane vapor may be mentioned.

(2)의 용제 제거 공정에서는 적용된 상기 막으로부터 감압(배큠) 및/또는 가열에 의해 용제를 제거해서 기판 상에 건조 도막을 형성시킨다.In the solvent removal step (2), the solvent is removed from the applied film by reduced pressure (vacuum) and / or heating to form a dried coating film on the substrate.

(3)의 노광 공정에서는 얻어진 도막에 파장 300㎚ 이상 450㎚ 이하의 활성 광선을 조사한다. 이 공정에서는 (B) 광산 발생제가 분해되어 산이 발생한다. 발생한 산의 촉매 작용에 의해, (A) 공중합체 중에 포함되는 산 분해성기가 가수분해되어서 카르복실기 또는 페놀성 수산기가 생성된다.(3), an actinic ray having a wavelength of 300 nm or more and 450 nm or less is irradiated to the obtained coating film. In this step (B), the photoacid generator is decomposed to generate acid. The acid-decomposable group contained in the (A) copolymer is hydrolyzed by the catalytic action of the generated acid to form a carboxyl group or a phenolic hydroxyl group.

산 촉매가 생성된 영역에 있어서, 상기 가수분해 반응을 가속시키기 위해서 노광 후 가열 처리: Post Exposure Bake(이하, 「PEB」라고도 함)를 행한다. PEB에 의해, 산 분해성기로부터의 카르복실기 또는 페놀성 수산기의 생성을 촉진시킬 수 있다. PEB를 행할 경우의 온도는 30℃ 이상 130℃ 이하인 것이 바람직하고, 40℃ 이상 110℃ 이하가 보다 바람직하고, 50℃ 이상 100℃ 이하가 특히 바람직하다.Post-exposure heat treatment: Post Exposure Bake (hereinafter, also referred to as &quot; PEB &quot;) is performed to accelerate the hydrolysis reaction in the region where the acid catalyst is generated. PEB can promote the generation of a carboxyl group or a phenolic hydroxyl group from an acid-decomposable group. The temperature at which PEB is carried out is preferably 30 占 폚 to 130 占 폚, more preferably 40 占 폚 to 110 占 폚, and particularly preferably 50 占 폚 to 100 占 폚.

본 발명에 있어서의 식(a1-1)으로 나타내어지는 구성 단위 중의 산 분해성기는 산 분해의 활성화 에너지가 낮고, 노광에 의한 산 발생제 유래의 산에 의해 용이하게 분해되어 카르복실기 또는 페놀성 수산기를 생성시키기 때문에, 반드시 PEB를 행하지 않고 현상에 의해 포지티브 화상을 형성할 수도 있지만, 본 발명의 경화막의 제조 방법에서는 본 발명의 감광성 수지 조성물을 이용하여 (5)의 포스트 베이킹 공정을 행함으로써 얻어진 경화막은 열 플로우를 적게 할 수 있다. 그 때문에, 본 발명의 경화막의 제조 방법에서 얻어진 경화막은, 예를 들면 레지스트로서 기판에 사용한 경우에 기판마다 본 발명의 경화막을 가열했다고 해도 패턴의 해상성이 거의 악화되지 않는다. 또한, 본 명세서 중 「열 플로우」란 노광 및 현상 공정에 의해 형성된 패턴 경화막의 단면 형상이, 그 경화막을 가열(바람직하게는 180℃ 이상, 보다 바람직하게는 200℃∼240℃)했을 때에 변형되어 치수, 테이퍼각 등이 열화되는 것을 말한다.The acid decomposable group in the constituent unit represented by the formula (a1-1) in the present invention has a low activation energy for acid decomposition and is easily decomposed by an acid derived from an acid generator by exposure to generate a carboxyl group or a phenolic hydroxyl group A positive image can be formed by development without necessarily performing PEB. However, in the method for producing a cured film of the present invention, the cured film obtained by carrying out the post-baking step (5) using the photosensitive resin composition of the present invention, The flow can be reduced. Therefore, when the cured film obtained by the method for producing a cured film of the present invention is used, for example, as a resist, the resolution of the pattern hardly deteriorates even if the cured film of the present invention is heated for each substrate. In the present specification, the term &quot; heat flow &quot; means that the cross-sectional shape of the patterned cured film formed by the exposure and development processes is deformed when the cured film is heated (preferably 180 ° C or higher, more preferably 200 ° C to 240 ° C) Dimension, taper angle, etc. are deteriorated.

(4)의 현상 공정에서는 유리된 카르복실기 또는 페놀성 수산기를 갖는 공중합체를 알칼리성 현상액을 이용하여 현상한다. 알칼리성 현상액에 용해되기 쉬운 카르복실기 또는 페놀성 수산기를 갖는 수지 조성물을 포함하는 노광부 영역을 제거함으로써, 포지티브 화상이 형성된다.In the developing step of (4), the liberated copolymer having a carboxyl group or a phenolic hydroxyl group is developed using an alkaline developer. A positive image is formed by removing an exposed region including a resin composition having a carboxyl group or a phenolic hydroxyl group which is easily dissolved in an alkaline developer.

(5)의 포스트 베이킹 공정에 있어서, 얻어진 포지티브 화상을 가열함으로써 구성 단위(a1) 중의 산 분해성기를 열 분해하여 카르복실기 또는 페놀성 수산기를 생성시키고, 구성 단위(a2)의 가교기, 가교제 등과 가교시킴으로써 경화막을 형성할 수 있다. 이 가열은 150℃ 이상의 고온으로 가열하는 것이 바람직하고, 180∼250℃로 가열하는 것이 보다 바람직하고, 200∼240℃로 가열하는 것이 특히 바람직하다. 가열 시간은 가열 온도 등에 의해 적당하게 설정할 수 있지만, 10∼120분의 범위 내로 하는 것이 바람직하다.(A1) by thermally decomposing an acid-decomposable group in the constituent unit (a1) to produce a carboxyl group or a phenolic hydroxyl group in the post-baking step of the step (5) and crosslinking the crosslinking group, the crosslinking agent and the like of the constituent unit A cured film can be formed. This heating is preferably performed at a high temperature of 150 ° C or higher, more preferably 180 ° C to 250 ° C, and particularly preferably 200 ° C to 240 ° C. The heating time can be appropriately set depending on the heating temperature and the like, but is preferably within a range of 10 to 120 minutes.

포스트 베이킹 공정 전에 활성 광선, 바람직하게는 자외선을 현상 패턴에 전면 조사하는 공정을 추가하면 활성 광선 조사에 의해 발생하는 산에 의해 가교 반응을 촉진할 수 있다.When the step of irradiating the development pattern with an actinic ray, preferably ultraviolet light, to the development pattern is added before the post-baking process, the crosslinking reaction can be promoted by the acid generated by the actinic light irradiation.

또한, 본 발명의 감광성 수지 조성물로부터 얻어진 경화막은 드라이 에칭 레지스트로서 사용할 수도 있다.The cured film obtained from the photosensitive resin composition of the present invention may also be used as a dry etching resist.

(5)의 포스트 베이킹 공정에 의해 열 경화해서 얻어진 경화막을 드라이 에칭 레지스트로서 사용할 경우, 에칭 처리로서는 애싱, 플라즈마 에칭, 오존 에칭 등의 드라이 에칭 처리를 행할 수 있다.When the cured film obtained by thermal curing by the post baking step of the step (5) is used as a dry etching resist, dry etching treatment such as ashing, plasma etching, ozone etching and the like can be performed as the etching treatment.

또한, 본 발명의 형성 방법은 (6) 열 경화해서 얻어진 경화막을 갖는 기판에 대하여 드라이 에칭을 행하는 드라이 에칭 공정을 포함하고 있어도 좋다.Further, the forming method of the present invention may include (6) a dry etching step of performing dry etching on the substrate having the cured film obtained by thermosetting.

이어서, 본 발명의 감광성 수지 조성물을 사용한 경화막의 제조 방법을 구체적으로 설명한다.Next, a method for producing a cured film using the photosensitive resin composition of the present invention will be described in detail.

<감광성 수지 조성물의 조제 방법>&Lt; Preparation method of photosensitive resin composition >

(A)∼(D)의 필수 성분을 소정의 비율로 또한 임의의 방법으로 혼합하고, 교반 용해해서 감광성 수지 조성물을 조제한다. 예를 들면, (A)∼(C)성분을 각각 미리 (D)용제에 용해시킨 용액으로 한 후, 이것들을 소정의 비율로 혼합해서 수지 조성물을 조제할 수도 있다. 이상과 같이 조제한 조성물 용액은 구멍 지름 0.2㎛의 필터 등을 이용하여 여과한 후에 사용에 제공할 수도 있다.The essential components of (A) to (D) are mixed in a predetermined ratio in an arbitrary manner, and the mixture is stirred and dissolved to prepare a photosensitive resin composition. For example, it is also possible to prepare a solution in which the components (A) to (C) are respectively dissolved in a solvent (D), and then these components are mixed at a predetermined ratio to prepare a resin composition. The composition solution prepared as described above may be used after being filtered using a filter having a pore size of 0.2 mu m or the like.

<적용 공정 및 용제 제거 공정><Application Process and Solvent Removal Process>

감광성 수지 조성물을 소정의 기판에 적용하고, 감압 및/또는 가열(프리베이킹)에 의해 용제를 제거함으로써 원하는 건조 도막을 형성할 수 있다. 상기 기판으로서는, 예를 들면 액정 표시 소자의 제조에 있어서는 편광판, 필요에 따라서 블랙 매트릭스층, 컬러 필터층을 더 설치하고, 투명 도전 회로층을 더 설치한 유리판 등을 예시할 수 있다. 감광성 수지 조성물을 기판에 적용하는 방법으로서는 특별하게 제한은 없지만, 그 중에서도 본 발명에서는 기판에 감광성 수지 조성물을 도포하는 것이 바람직하다. 기판으로의 도포 방법은 특별하게 한정되지 않고, 예를 들면 슬릿 코팅법, 스프레이법, 롤 코팅법, 회전 도포법, 유연 도포법, 슬릿 앤드 스핀법 등의 방법을 사용할 수 있다. 그 중에서도 슬릿 코팅법이 대형 기판에 적합하다는 관점에서 바람직하다. 여기에서, 대형 기판이란 각 변이 1m 이상인 크기의 기판을 말한다. 또한, 고정밀한 패널을 제조할 때에는 각 변이 1m 이하인 중소형이라고 불리는 크기의 기판을 사용하는 경우도 있고, 그 경우 회전 도포법, 슬릿 앤드 스핀법이 바람직하다.A desired dry film can be formed by applying the photosensitive resin composition to a predetermined substrate and removing the solvent by reduced pressure and / or heating (prebaking). As the substrate, for example, a glass plate in which a polarizing plate, a black matrix layer and a color filter layer, if necessary, and a transparent electroconductive circuit layer are further provided in the production of a liquid crystal display element can be exemplified. The method of applying the photosensitive resin composition to the substrate is not particularly limited, but in the present invention, it is preferable to apply the photosensitive resin composition to the substrate. The method of applying the coating liquid to the substrate is not particularly limited and slit coating, spraying, roll coating, spin coating, spin coating, slit-and-spin coating, and the like can be used. Among them, the slit coating method is preferable from the viewpoint of being suitable for a large substrate. Here, a large substrate refers to a substrate having a size of 1 m or more on each side. When manufacturing a high-precision panel, a substrate having a size of 1 m or less in each side called a medium-small size may be used. In that case, the spin coating method and the slit-and-spin method are preferable.

또한, (2) 용제 제거 공정의 가열 조건은 미노광부에 있어서의 (A)성분 중의 구성 단위(a1)에 있어서 산 분해성기가 분해되어 (A)성분을 알칼리 현상액에 가용성으로 하지 않는 범위이며, 각 성분의 종류나 배합비에 따라서도 다르지만 바람직하게는 70∼130℃에서 30∼300초간 정도이다.(2) The heating conditions in the solvent removal step are those in which the acid-decomposable groups in the constituent unit (a1) in the component (A) in the unexposed portion are decomposed to make the component (A) not soluble in the alkali developer, But it is preferably about 70 to 130 占 폚 for 30 to 300 seconds depending on the kind of the component and the blending ratio.

<노광 공정 및 현상 공정(패턴 형성 방법)>&Lt; Exposure step and development step (pattern formation method) >

노광 공정에서는 도막을 설치한 기판에 소정의 패턴을 갖는 마스크를 통해서 활성 광선을 조사한다. 노광 공정의 후에 필요에 따라서 가열 처리(PEB)를 행한 후, 현상 공정에서는 알칼리성 현상액을 이용하여 노광부 영역을 제거해서 화상 패턴을 형성한다.In the exposure step, an active ray is irradiated onto a substrate provided with a coating film through a mask having a predetermined pattern. After the exposure process, if necessary, a heat treatment (PEB) is performed. In the development process, an exposed pattern area is removed using an alkaline developer to form an image pattern.

활성 광선에 의한 노광에는 저압 수은등, 고압 수은등, 초고압 수은등, 케미컬 램프, LED 광원, 엑시머레이저 발생 장치 등을 사용할 수 있고, g선(436㎚), i선(365㎚), h선(405㎚) 등의 파장 300㎚ 이상 450㎚ 이하의 파장을 갖는 활성 광선을 바람직하게 사용할 수 있다. 또한, 필요에 따라서 장파장 컷오프 필터, 단파장 컷오프 필터, 밴드패스 필터와 같은 분광 필터를 통과시켜서 조사광을 조정할 수도 있다.(436 nm), i-line (365 nm), h-line (405 nm), and the like can be used for the exposure by the active light beam. ) Can be preferably used as the active light ray having a wavelength of 300 nm or more and 450 nm or less. If necessary, the irradiation light may be adjusted by passing through a spectral filter such as a long wavelength cutoff filter, a short wavelength cutoff filter, or a bandpass filter.

현상 공정에서 사용하는 현상액에는 염기성 화합물이 포함되는 것이 바람직하다. 염기성 화합물로서는, 예를 들면 수산화리튬, 수산화나트륨, 수산화칼륨 등의 알칼리 금속 수산화물류; 탄산 나트륨, 탄산 칼륨 등의 알칼리 금속 탄산염류; 중탄산 나트륨, 중탄산 칼륨 등의 알칼리 금속 중탄산염류; 테트라메틸암모늄히드록시드, 테트라에틸암모늄히드록시드, 콜린히드록시드 등의 암모늄히드록시드류; 규산 나트륨, 메타규산 나트륨 등의 수용액을 사용할 수 있다. 또한, 상기 알칼리류의 수용액에 메탄올이나 에탄올 등의 수용성 유기 용제나 계면활성제를 적당량 첨가한 수용액을 현상액으로서 사용할 수도 있다.The developing solution used in the developing step preferably contains a basic compound. Examples of the basic compound include alkali metal hydroxide such as lithium hydroxide, sodium hydroxide and potassium hydroxide; Alkali metal carbonates such as sodium carbonate and potassium carbonate; Alkali metal bicarbonates such as sodium bicarbonate and potassium bicarbonate; Ammonium hydroxides such as tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, and choline hydroxide; An aqueous solution of sodium silicate, sodium metasilicate or the like can be used. An aqueous solution in which an appropriate amount of a water-soluble organic solvent such as methanol or ethanol or a surfactant is added to the aqueous alkaline solution may be used as a developer.

현상액의 pH는 바람직하게는 10.0∼14.0이다.The pH of the developing solution is preferably 10.0 to 14.0.

현상 시간은 바람직하게는 30∼500초간이며, 또한 현상의 방법은 액 채움법, 딥법 등의 어느 것이라도 좋다. 현상 후에는 유수 세정을 10∼300초간 행하여 원하는 패턴을 형성시킬 수 있다.The developing time is preferably 30 to 500 seconds, and the developing method may be any of a liquid filling method and a dipping method. After the development, washing with water for 10 to 300 seconds is carried out to form a desired pattern.

현상의 후에, 린스 공정을 행할 수도 있다. 린스 공정에서는 현상 후의 기판을 순수 등으로 세정함으로써 부착되어 있는 현상액 제거, 현상 잔사 제거를 행한다. 린스 방법은 공지의 방법을 사용할 수 있다. 예를 들면, 샤워 린스나 딥 린스 등을 들 수 있다.After the development, a rinsing process may be performed. In the rinsing step, the developed substrate is cleaned with pure water or the like to remove the attached developing solution and remove the developing residue. As the rinsing method, known methods can be used. Examples thereof include shower rinses and deep rinses.

<포스트 베이킹 공정(가교 공정)>&Lt; Post baking step (crosslinking step) >

현상에 의해 얻어진 미노광 영역에 대응하는 패턴에 대해서, 핫플레이트나 오븐 등의 가열 장치를 이용하여 소정의 온도, 예를 들면 180∼250℃에서 소정의 시간, 예를 들면 핫플레이트 상이면 5∼90분간, 오븐이면 30∼120분간 가열 처리를 함으로써 가교 반응을 진행시킴으로써 내열성, 경도 등이 뛰어난 보호막이나 층간 절연막을 형성할 수 있다. 또한, 가열 처리를 행할 때에는 질소 분위기 하에서 행함으로써 투명성을 향상시킬 수도 있다.For example, 180 to 250 DEG C for a predetermined time, for example, from 5 to 90 DEG on a hot plate, using a heating apparatus such as a hot plate or an oven to a pattern corresponding to the unexposed area obtained by the development, Minute or in an oven for 30 to 120 minutes, a protective film or an interlayer insulating film excellent in heat resistance and hardness can be formed. Further, when the heat treatment is performed, transparency can be improved by performing the heat treatment in a nitrogen atmosphere.

포스트 베이킹의 전에, 비교적 저온에서 베이킹을 행한 후에 포스트 베이킹할 수도 있다(미들 베이킹 공정의 추가). 미들 베이킹을 행할 경우에는 90∼150℃에서 1∼60분 가열한 후에, 200℃ 이상의 고온에서 포스트 베이킹하는 것이 바람직하다. 또한, 미들 베이킹, 포스트 베이킹을 3단계 이상의 다단계로 나누어서 가열할 수도 있다. 이러한 미들 베이킹, 포스트 베이킹의 고안에 의해, 패턴의 테이퍼각을 조정할 수 있다. 이들 가열은 핫플레이트, 오븐, 적외선 히터 등, 공지의 가열 방법을 사용할 수 있다.Post baking may be performed after baking at a relatively low temperature (post-baking) (addition of the middle baking process). In the case of performing the middle baking, post-baking is preferably performed at a high temperature of 200 DEG C or higher after heating at 90 to 150 DEG C for 1 to 60 minutes. In addition, middle baking and post baking may be divided into three or more stages and heated. The taper angle of the pattern can be adjusted by devising such middle baking and post baking. For these heating, a known heating method such as a hot plate, an oven, and an infrared heater can be used.

또한, 가열 처리에 앞서 패턴을 형성한 기판에 활성 광선에 의해 재노광한 후, 포스트 베이킹(재노광/포스트 베이킹)함으로써 미노광 부분에 존재하는 (B)성분으로부터 산을 발생시켜 가교 공정을 촉진하는 촉매로서 기능시키는 것이 바람직하다.Further, the substrate on which the pattern has been formed is re-exposed to the substrate by the actinic ray before the heat treatment, and then post baking (re-exposure / post baking) is performed to generate an acid from the component (B) present in the unexposed portion to accelerate the cross- As a catalyst.

즉, 본 발명의 경화막의 제조 방법은 현상 공정과 포스트 베이킹 공정 사이에 활성 광선에 의해 재노광하는 재노광 공정을 포함하는 것이 바람직하다. 재노광 공정에 있어서의 노광은 상기 노광 공정과 마찬가지의 수단에 의해 행하면 좋지만, 상기 재노광 공정에서는 기판의 본 발명의 감광성 수지 조성물에 의해 막이 형성된 측에 대하여 전면 노광을 행하는 것이 바람직하다.That is, the method for producing a cured film of the present invention preferably includes a re-exposure step for re-exposure by an actinic ray between the developing step and the post-baking step. The exposure in the re-exposure step may be performed by the same means as in the exposure step. In the re-exposure step, however, it is preferable to perform the entire exposure on the side of the substrate where the film is formed by the photosensitive resin composition of the present invention.

재노광 공정의 바람직한 노광량으로서는 100∼1,000mJ/㎠이다.The preferable exposure amount of the re-exposure process is 100 to 1,000 mJ / cm &lt; 2 &gt;.

[경화막][Coating film]

본 발명의 경화막은 본 발명의 감광성 수지 조성물을 경화해서 얻어진 경화막이다.The cured film of the present invention is a cured film obtained by curing the photosensitive resin composition of the present invention.

본 발명의 경화막은 층간 절연막으로서 바람직하게 사용할 수 있다. 또한, 본 발명의 경화막은 본 발명의 경화막의 제조 방법에 의해 얻어진 경화막인 것이 바람직하다.The cured film of the present invention can be preferably used as an interlayer insulating film. It is preferable that the cured film of the present invention is a cured film obtained by the method for producing a cured film of the present invention.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 의해, 절연성이 뛰어나고 고온에서 베이킹된 경우에 있어서도 높은 투명성을 갖는 층간 절연막이 얻어진다. 본 발명의 감광성 수지 조성물을 사용하여 이루어지는 층간 절연막은 높은 투명성을 갖고, 경화막 물성이 뛰어나기 때문에 유기 EL 표시 장치나 액정 표시 장치의 용도에 유용하다.With the photosensitive resin composition of the present invention, an interlayer insulating film having excellent transparency can be obtained even when the insulating resin is baked at a high temperature. The interlayer insulating film formed using the photosensitive resin composition of the present invention has high transparency and is excellent in physical properties of the cured film, and thus is useful for an organic EL display device and a liquid crystal display device.

[유기 EL 표시 장치, 액정 표시 장치][Organic EL display device, liquid crystal display device]

본 발명의 유기 EL 표시 장치 및 액정 표시 장치는 본 발명의 경화막을 구비하는 것을 특징으로 한다.The organic EL display device and the liquid crystal display device of the present invention are characterized by including the cured film of the present invention.

본 발명의 유기 EL 표시 장치나 액정 표시 장치로서는 상기 본 발명의 감광성 수지 조성물을 이용하여 형성되는 평탄화막이나 층간 절연막, 격벽을 갖는 것 이외에는 특별하게 제한되지 않고, 여러 가지 구조를 채용하는 공지의 각종 유기 EL 표시 장치나 액정 표시 장치를 들 수 있다.The organic EL display device or the liquid crystal display device of the present invention is not particularly limited, except that it has a planarizing film, an interlayer insulating film, and a partition wall formed using the photosensitive resin composition of the present invention, and various known ones employing various structures Organic EL display devices and liquid crystal display devices.

구체적인 본 발명의 감광성 수지 조성물을 이용하여 형성되는 평탄화막이나 층간 절연막, 격벽을 갖는 유기 EL 표시 장치로서는, 예를 들면 본 발명의 감광성 수지 조성물을 이용하여 형성되는 일본 특허 공개 2011-107476호 공보의 도 2에 기재된 뱅크층(16) 및 평탄화막(57)을 갖는 유기 EL 장치, 일본 특허 공개 2010-9793호 공보의 도 4(a)에 기재된 격벽(12) 및 평탄화막(102)을 갖는 유기 EL 장치, 일본 특허 공개 2010-27591호 공보의 도 10에 기재된 뱅크층(221) 및 제 3 층간 절연막(216b)을 갖는 유기 EL 장치, 일본 특허 공개 2009-128577호 공보의 도 4(a)에 기재된 제 2 층간 절연막(125) 및 제 3 층간 절연막(126)을 갖는 유기 EL 장치, 일본 특허 공개 2010-182638호 공보의 도 3에 기재된 평탄화막(12) 및 화소 분리 절연막(14)을 갖는 유기 EL 장치 등을 들 수 있다.As a flattening film, an interlayer insulating film, and an organic EL display device having partition walls formed using the specific photosensitive resin composition of the present invention, for example, Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2011-107476, which is formed using the photosensitive resin composition of the present invention An organic EL device having the bank layer 16 and the planarization film 57 shown in Fig. 2, the partition wall 12 described in Fig. 4 (a) of JP-A No. 2010-9793 and the organic An EL device, an organic EL device having the bank layer 221 and the third interlayer insulating film 216b shown in FIG. 10 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 2010-27591, and Japanese Patent Application Laid-Open No. 2009-128577, An organic EL device having a second interlayer insulating film 125 and a third interlayer insulating film 126 described in Japanese Unexamined Patent Publication (Kokai) No. 2010-182638, a planarization film 12 and a pixel- EL devices and the like.

예를 들면, 본 발명의 유기 EL 표시 장치 및 액정 표시 장치가 구비하는 TFT(Thin-Film Transistor)의 구체예로서는 아모퍼스 규소-TFT, 저온 폴리규소-TFT, 산화물 반도체 TFT 등을 들 수 있다. 본 발명의 경화막은 전기 특성이 뛰어나기 때문에, 이들 TFT에 조합시켜서 바람직하게 사용할 수 있다.For example, specific examples of a TFT (Thin-Film Transistor) included in the organic EL display device and the liquid crystal display device of the present invention include an amorphous silicon-TFT, a low temperature polysilicon TFT, and an oxide semiconductor TFT. Since the cured film of the present invention has excellent electric characteristics, it can be preferably used in combination with these TFTs.

또한, 본 발명의 액정 표시 장치가 채용할 수 있는 액정 표시 장치의 방식으로서는 TN(Twisted Nematic) 방식, VA(Virtical Alignment) 방식, IPS(In-Place-Switching) 방식, FFS(Frings Field Switching) 방식, OCB(Optical Compensated Bend) 방식 등을 들 수 있다.As a method of a liquid crystal display device that can be employed in the liquid crystal display device of the present invention, a Twisted Nematic (TN) method, a VA (Virtical Alignment) method, an IPS (In-Place-Switching) method, a FFS , An OCB (Optical Compensated Bend) method, and the like.

또한, 본 발명의 액정 표시 장치가 채용할 수 있는 액정 배향막의 구체적인 배향 방식으로서는 러빙 배향법, 광 배향법 등을 들 수 있다. 또한, 일본 특허 공개 2003-149647호 공보나 일본 특허 공개 2011-257734호 공보에 기재된 PSA(Polymer Sustained Alignment) 기술에 의해 폴리머 배향 지지되어 있어도 좋다.Specific examples of the alignment method of the liquid crystal alignment film that can be employed in the liquid crystal display of the present invention include a rubbing alignment method and a photo alignment method. It may also be polymer-oriented supported by the PSA (Polymer Sustained Alignment) technique described in Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 2003-149647 and 2011-257734.

또한, 본 발명의 감광성 수지 조성물 및 본 발명의 경화막은 상기 용도에 한정되지 않고 여러 가지 용도에 사용할 수 있다. 예를 들면, 평탄화막이나 층간 절연막 이외에도 컬러 필터의 보호막이나, 액정 표시 장치에 있어서의 액정층의 두께를 일정하게 유지하기 위한 스페이서나 고체 촬상 소자에 있어서 컬러 필터 상에 설치되는 마이크로렌즈 등에 바람직하게 사용할 수 있다.Further, the photosensitive resin composition of the present invention and the cured film of the present invention are not limited to the above-mentioned use, and can be used for various purposes. For example, in addition to a planarizing film and an interlayer insulating film, a protective film for a color filter, a spacer for keeping the thickness of the liquid crystal layer in the liquid crystal display device constant, and a microlens provided on the color filter in the solid- Can be used.

도 1은 유기 EL 표시 장치의 일례의 구성 개념도를 나타낸다. 바텀 에미션형의 유기 EL 표시 장치에 있어서의 기판의 모식적 단면도를 나타내고, 평탄화막(4)을 갖고 있다.Fig. 1 shows a configuration diagram of an example of an organic EL display device. Sectional schematic view of a substrate in a bottom emission type organic EL display device and has a planarization film 4. [

유리 기판(6) 상에 바텀 게이트형의 TFT(1)를 형성하고, 이 TFT(1)를 덮는 상태로 Si3N4로 이루어지는 절연막(3)이 형성되어 있다. 절연막(3)에, 여기에서는 도시를 생략한 컨택트홀을 형성한 후, 이 컨택트홀을 통해서 TFT(1)에 접속되는 배선(2)(높이 1.0㎛)이 절연막(3) 상에 형성되어 있다. 배선(2)은 TFT(1) 사이 또는 후의 공정에서 형성되는 유기 EL 소자와 TFT(1)를 접속하기 위한 것이다.A bottom gate type TFT 1 is formed on a glass substrate 6 and an insulating film 3 made of Si 3 N 4 is formed so as to cover the TFT 1. A contact hole (not shown) is formed in the insulating film 3 and a wiring 2 (height 1.0 mu m) connected to the TFT 1 through the contact hole is formed on the insulating film 3 . The wiring 2 is for connecting the organic EL element formed between the TFTs 1 or later and the TFT 1. [

또한, 배선(2)의 형성에 의한 요철을 평탄화하기 위해서, 배선(2)에 의한 요철을 매설하는 상태로 절연막(3) 상에 평탄화층(4)이 형성되어 있다.The flattening layer 4 is formed on the insulating film 3 in a state in which the irregularities by the wiring 2 are buried in order to planarize the irregularities due to the formation of the wiring 2. [

평탄화막(4) 상에는 바텀 에미션형의 유기 EL 소자가 형성되어 있다. 즉, 평탄화막(4) 상에 ITO로 이루어지는 제 1 전극(5)이 컨택트홀(7)을 통해서 배선(2)에 접속시켜서 형성되어 있다. 또한, 제 1 전극(5)은 유기 EL 소자의 양극에 상당한다.On the planarizing film 4, a bottom-emission organic EL element is formed. That is, a first electrode 5 made of ITO is formed on the flattening film 4 by being connected to the wiring 2 through the contact hole 7. The first electrode 5 corresponds to the anode of the organic EL element.

제 1 전극(5)의 둘레 가장자리를 덮는 형상의 절연막(8)이 형성되어 있고, 이 절연막(8)을 설치함으로써 제 1 전극(5)과 이후의 공정에서 형성하는 제 2 전극 사이의 쇼트를 방지할 수 있다.An insulating film 8 is formed so as to cover the periphery of the first electrode 5. By providing the insulating film 8, a short circuit is formed between the first electrode 5 and the second electrode formed in the subsequent steps .

또한, 도 1에는 도시하고 있지 않지만 원하는 패턴 마스크를 통해서 정공 수송층, 유기 발광층, 전자 수송층을 순차적으로 증착해서 설치하고, 이어서 기판 상방의 전면에 Al로 이루어지는 제 2 전극을 형성하고, 밀봉용 유리판과 자외선 경화형 에폭시 수지를 이용하여 접합시킴으로써 밀봉하고, 각 유기 EL 소자에 이것을 구동하기 위한 TFT(1)가 접속되어서 이루어지는 액티브 매트릭스형의 유기 EL 표시 장치가 얻어진다.Although not shown in FIG. 1, a hole transporting layer, an organic light emitting layer, and an electron transporting layer are sequentially deposited through a desired pattern mask. Then, a second electrode made of Al is formed on the entire upper surface of the substrate, It is possible to obtain an active matrix type organic EL display device in which an organic EL element is sealed by bonding using an ultraviolet curable epoxy resin and a TFT 1 for driving each organic EL element is connected.

도 2는 액티브 매트릭스 방식의 액정 표시 장치(10)의 일례를 나타내는 개념적 단면도이다. 이 컬러 액정 표시 장치(10)는 배면에 백라이트 유닛(12)을 갖는 액정 패널이며, 액정 패널은 편광 필름이 부착된 2매의 유리 기판(14, 15) 사이에 배치된 모든 화소에 대응하는 TFT(16)의 소자가 배치되어 있다. 유리 기판 상에 형성된 각 소자에는 경화막(17) 중에 형성된 컨택트홀(18)을 통과해서 화소 전극을 형성하는 ITO 투명 전극(19)이 배선되어 있다. ITO 투명 전극(19) 상에는 액정(20)의 층과 블랙 매트릭스를 배치한 RGB 컬러 필터(22)가 설치되어 있다.Fig. 2 is a conceptual cross-sectional view showing an example of the active matrix type liquid crystal display device 10. Fig. The color liquid crystal display device 10 is a liquid crystal panel having a backlight unit 12 on its back surface and the liquid crystal panel is constituted by a TFT corresponding to all pixels arranged between two glass substrates 14, (16) are disposed on the substrate. An ITO transparent electrode 19 for passing through the contact hole 18 formed in the cured film 17 and forming the pixel electrode is wired to each element formed on the glass substrate. On the ITO transparent electrode 19, an RGB color filter 22 in which a layer of a liquid crystal 20 and a black matrix are arranged is provided.

[실시예][Example]

이하에 실시예를 들어서 본 발명을 더욱 구체적으로 설명한다. 이하의 실시예에 나타내는 재료, 사용량, 비율, 처리 내용, 처리 순서 등은 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 한 적당하게 변경할 수 있다. 따라서, 본 발명의 범위는 이하에 나타내는 구체예에 한정되는 것은 아니다. 또한, 특별히 기재하지 않는 한 「부」, 「%」는 질량 기준이다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail by way of examples. The materials, the amounts used, the ratios, the contents of processing, the processing procedures, and the like shown in the following examples can be appropriately changed without departing from the gist of the present invention. Therefore, the scope of the present invention is not limited to the following specific examples. Unless specifically stated, &quot; part &quot; and &quot;% &quot; are based on mass.

이하의 합성예에 있어서, 이하의 부호는 각각 이하의 화합물을 나타낸다.In the following Synthesis Examples, the following symbols respectively represent the following compounds.

MATHF: 메타크릴산 테트라히드로푸란-2-일(합성품)MATHF: tetrahydrofuran-2-yl methacrylate (synthetic)

MAEVE: 메타크릴산 1-에톡시에틸(합성품)MAEVE: 1-ethoxyethyl methacrylate (synthetic)

MATHP: 메타크릴산 테트라히드로-2H-피란-2-일[신나카무라 카가쿠 코교(주) 제]MATHP: tetrahydro-2H-pyran-2-yl methacrylate (manufactured by Shin Nakamura Kagaku Kogyo Co., Ltd.)

StOEVE: 4-(1-에톡시에틸옥시)스티렌(합성품)StOEVE: 4- (1-ethoxyethyloxy) styrene (synthetic)

OXE-30: 메타크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸[오사카 유키 카가쿠 코교(주) 제]OXE-30: methacrylic acid (3-ethyloxetan-3-yl) methyl [manufactured by Osaka Yuki Kagaku Kogyo Co., Ltd.]

GMA: 글리시딜메타크릴레이트[와코쥰야쿠 코교(주) 제]GMA: glycidyl methacrylate (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.)

NBMA: n-부톡시메틸아크릴아미드[미쓰비시레이온(주) 제]NBMA: n-butoxymethyl acrylamide [manufactured by Mitsubishi Rayon Co., Ltd.]

MAA: 메타크릴산[와코쥰야쿠 코교(주) 제]MAA: methacrylic acid (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.)

AA: 아크릴산[와코쥰야쿠 코교(주) 제]AA: Acrylic acid (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.)

HEMA: 메타크릴산 2-히드록시에틸[와코쥰야쿠 코교(주) 제]HEMA: 2-hydroxyethyl methacrylate (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.)

St: 스티렌[와코쥰야쿠 코교(주) 제]St: styrene (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.)

DCPM: 디시클로펜타닐메타크릴레이트[히타치 카세이 코교(주) 제]DCPM: dicyclopentanyl methacrylate (manufactured by Hitachi Kasei Kogyo Co., Ltd.)

MMA: 메타크릴산 메틸[와코쥰야쿠 코교(주) 제]MMA: Methyl methacrylate (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.)

BzMA: 메타크릴산 벤질[와코쥰야쿠 코교(주) 제]BzMA: Benzyl methacrylate (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.)

V-601: 디메틸-2,2'-아조비스(2-메틸프로피오네이트)[와코쥰야쿠 코교(주) 제]V-601: Dimethyl-2,2'-azobis (2-methylpropionate) (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.)

V-65: 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴)[와코쥰야쿠 코교(주) 제]V-65: 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.)

CHOEMA: 메타크릴산 1-(시클로헥실옥시)에틸(합성품)CHOEMA: 1- (cyclohexyloxy) ethyl methacrylate (synthetic)

THFFMA: 테트라히드로푸르푸릴메타크릴레이트[와코쥰야쿠 코교(주) 제]THFFMA: tetrahydrofurfuryl methacrylate (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.)

HS-EDM: 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르[토호 카가쿠 코교(주) 제, 하이솔브 EDM]HS-EDM: Diethylene glycol ethyl methyl ether (High-Solv EDM, manufactured by Toho Chemical Industries, Ltd.)

PGMEA: 메톡시프로필아세테이트[쇼와 덴코사 제]PGMEA: Methoxypropyl acetate [manufactured by Showa Denko K.K.]

<MATHF의 합성><Synthesis of MATHF>

메타크릴산(86g, 1㏖)을 15℃로 냉각시켜 두고, 캠퍼술폰산(4.6g, 0.02㏖)을 첨가했다. 그 용액에 2-디히드로푸란(71g, 1㏖, 1.0당량)을 적하했다. 1시간 교반한 후에 포화 탄산 수소나트륨(500㎖)을 첨가하고, 아세트산 에틸(500㎖)로 추출하여 황산 마그네슘으로 건조 후, 불용물을 여과 후 40℃ 이하에서 감압 농축하고, 잔사의 황색 유상물을 감압 증류해서 비점(bp.) 54∼56℃/3.5㎜Hg 유분(留分)의 메타크릴산 테트라히드로푸란-2-일(MATHF) 125g을 무색 유상물로서 얻었다(수율 80%).Methacrylic acid (86 g, 1 mol) was cooled to 15 占 폚 and camphorsulfonic acid (4.6 g, 0.02 mol) was added. 2-dihydrofuran (71 g, 1 mol, 1.0 equivalent) was added dropwise to the solution. After stirring for 1 hour, saturated sodium hydrogencarbonate (500 ml) was added. The mixture was extracted with ethyl acetate (500 ml) and dried over magnesium sulfate. The insoluble material was filtered off and concentrated under reduced pressure at 40 ° C or lower. 125 g of tetrahydrofuran-2-yl methacrylate (MATHF) having a boiling point (bp.) Of 54 to 56 ° C / 3.5 mmHg was obtained as a colorless oil (yield: 80%).

<MAEVE의 합성><Synthesis of MAEVE>

에틸비닐에테르 144.2부(2몰 당량)에 페노티아진 0.5부를 첨가하고, 반응계 중을 10℃ 이하로 냉각시키면서 메타크릴산 86.1부(1몰 당량)를 적하 후, 실온(25℃)에서 4시간 교반했다. p-톨루엔술폰산 피리디늄 5.0부를 첨가 후 실온에서 2시간 교반하고, 하룻밤 실온 방치했다. 반응액에 탄산 수소나트륨 5부 및 황산 나트륨 5부를 첨가하여 실온에서 1시간 교반하고, 불용물을 여과 후 40℃ 이하에서 감압 농축하고, 잔사의 황색 유상물을 감압 증류해서 비점(bp.) 43∼45℃/7㎜Hg 유분의 메타크릴산 1-에톡시에틸 134.0부를 무색 유상물로서 얻었다.(1 molar equivalent) of methacrylic acid was added dropwise to 144.2 parts (2 molar equivalents) of ethyl vinyl ether while 0.5 part of phenothiazine was added and the reaction system was cooled to 10 DEG C or lower. The mixture was then stirred at room temperature (25 DEG C) for 4 hours Lt; / RTI &gt; 5.0 parts of pyridinium p-toluenesulfonate was added, and the mixture was stirred at room temperature for 2 hours and allowed to stand at room temperature overnight. 5 parts of sodium hydrogencarbonate and 5 parts of sodium sulfate were added to the reaction mixture, and the mixture was stirred at room temperature for 1 hour. The insoluble material was filtered and concentrated under reduced pressure at 40 ° C or lower. The yellow oil was distilled under reduced pressure to obtain a boiling point (bp) of 43 To obtain 134.0 parts of 1-ethoxyethyl methacrylate as a colorless oil at ~ 45 占 폚 / 7 mm Hg fraction.

또한, CHOEMA 및 MATHF는 에틸비닐에테르를 대응하는 화합물로 변경한 것 이외에는 상기 메타크릴산 1-에톡시에틸과 마찬가지의 방법으로 합성했다.CHOEMA and MATHF were synthesized in the same manner as in the above 1-ethoxyethyl methacrylate except that ethyl vinyl ether was changed to the corresponding compound.

[중합체A1의 합성][Synthesis of polymer A1]

HS-EDM(82부)을 질소 기류 하, 90℃로 가열 교반했다. MATHF[43부(전체 단량체 성분 중의 40.5㏖%에 상당)], OXE-30[48부(전체 단량체 성분 중의 37.5㏖%에 상당)], MAA[6부(전체 단량체 성분 중의 9.5㏖%에 상당)], HEMA[11부(전체 단량체 성분 중의 12.5㏖%에 상당)], 라디칼 중합 개시제 V-601[상품명, 와코쥰야쿠 코교(주) 제, 4.3부] 및 PGMEA(82부)의 혼합 용액을 2시간 걸쳐서 적하하고, 2시간 90℃에서 더 반응시킴으로써 중합체A1의 PGMEA 용액(고형분 농도: 40%)을 얻었다.HS-EDM (82 parts) was heated and stirred in a nitrogen stream at 90 占 폚. MATHF [43 parts (corresponding to 40.5 mol% of total monomer components)], OXE-30 [48 parts (corresponding to 37.5 mol% in total monomer components)], MAA [6 parts (corresponding to 9.5 mol% ), A mixed solution of HEMA [11 parts (corresponding to 12.5 mol% in total monomer components)], radical polymerization initiator V-601 (trade name, manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd., 4.3 parts) and PGMEA Was added dropwise over 2 hours and further reacted at 90 DEG C for 2 hours to obtain a PGMEA solution of polymer A1 (solid concentration: 40%).

얻어진 중합체A1의 겔 퍼미에이션 크로마토그래피(GPC)에 의해 측정한 중량 평균 분자량은 15,000이었다.The polymer A1 thus obtained had a weight average molecular weight of 15,000 as measured by gel permeation chromatography (GPC).

<다른 중합체 A2∼A12의 합성>&Lt; Synthesis of other polymers A2 to A12 >

사용한 각 모노머 및 그 사용량을 하기 표 2에 기재된 것으로 변경한 것 이외에는 중합체A1의 합성과 마찬가지로 해서 각 공중합체를 각각 합성했다.Each of the copolymers was synthesized in the same manner as in the synthesis of the polymer A1, except that the monomers used and the amounts of the monomers used were changed to those shown in Table 2 below.

Figure 112014106526920-pct00034
Figure 112014106526920-pct00034

상기 표 중의 특별하게 단위를 붙이고 있지 않은 수치는 ㏖%를 단위로 한다. 또한, 중합 개시제의 수치는 단량체 성분을 100㏖%로 했을 경우의 ㏖%이다.The numerical values not specifically given in the above table are in mol%. The numerical value of the polymerization initiator is mol% when the monomer component is taken as 100 mol%.

고형분 농도는 이하의 식에 의해 산출할 수 있다.The solid content concentration can be calculated by the following equation.

고형분 농도: 단량체의 머(mers) 중량/(단량체 중량+용제 중량)×100(단위: 질량%)Solid concentration: mers weight of monomers / (monomer weight + solvent weight) x 100 (unit: mass%)

또한, 개시제로서 V-601을 사용한 경우에는 반응 온도를 90℃로 하고, V-65를 사용한 경우에는 반응 온도를 70℃로 했다.Further, when V-601 was used as the initiator, the reaction temperature was set to 90 ° C, and when V-65 was used, the reaction temperature was set to 70 ° C.

<실시예 및 비교예>&Lt; Examples and Comparative Examples &

(1) 감광성 수지 조성물의 조제(1) Preparation of Photosensitive Resin Composition

하기 표에 나타내는 각 성분을 혼합해서 균일한 용액으로 한 후, 0.1㎛의 포어 사이즈를 갖는 폴리테트라플루오로에틸렌제 필터를 이용하여 여과하고, 실시예 및 비교예의 감광성 수지 조성물의 용액을 각각 조제했다.Each component shown in the following table was mixed to prepare a homogeneous solution and then filtered using a polytetrafluoroethylene filter having a pore size of 0.1 mu m to prepare solutions of the photosensitive resin compositions of Examples and Comparative Examples .

Figure 112014106526920-pct00035
Figure 112014106526920-pct00035

Figure 112014106526920-pct00036
Figure 112014106526920-pct00036

또한, 표 중의 약호는 이하와 같다.The abbreviations in the tables are as follows.

<중합체><Polymer>

A1∼A12: 상기 합성예에 따라서 합성한 중합체A1 to A12: Polymers synthesized according to Synthesis Example

A13: UC-3910[도아 고세이(주) 제]A13: UC-3910 (manufactured by Toagosei Co., Ltd.)

A14: Joncryl 67(BASF사 제)A14: Joncryl 67 (manufactured by BASF)

<광산 발생제>&Lt;

B1: 하기 구조의 화합물(합성품)B1: Compound of the following structure (synthesized product)

B2: 하기 구조의 화합물(합성품)B2: Compound of the following structure (synthesized product)

B3: 하기 구조의 화합물(합성품)B3: Compound of the following structure (synthesized product)

B4: CGI-1397(BASF사 제)B4: CGI-1397 (manufactured by BASF)

B5: 하기 구조의 화합물(일본 특허 공표 2002-528451호 공보의 단락 0108에 기재된 방법에 따라서 합성함)B5: Compound having the following structure (synthesized according to the method described in paragraph 0108 of Japanese Patent Publication No. 2002-528451)

<B1의 합성><Synthesis of B1>

2-나프톨(10g), 클로로벤젠(30㎖)의 현탁 용액에 염화알루미늄(10.6g), 2-클로로프로피오닐클로리드(10.1g)를 첨가하고, 혼합액을 40℃로 가열해서 2시간 반응시켰다. 빙냉 하, 반응액에 4N HCl 수용액(60㎖)을 적하하고, 아세트산 에틸(50㎖)을 첨가해서 분액했다. 유기층에 탄산 칼륨(19.2g)을 첨가하여 40℃에서 1시간 반응시킨 후, 2N HCl 수용액(60㎖)을 첨가해서 분액하고 유기층을 농축 후, 결정을 디이소프로필에테르(10㎖)로 리슬러리하고, 여과, 건조해서 케톤 화합물(6.5g)을 얻었다.Aluminum chloride (10.6 g) and 2-chloropropionyl chloride (10.1 g) were added to a suspension of 2-naphthol (10 g) and chlorobenzene (30 ml), and the mixture was heated to 40 캜 for reaction for 2 hours . 4N HCl aqueous solution (60 ml) was added dropwise to the reaction solution under cooling with ice, and ethyl acetate (50 ml) was added to separate the layers. Potassium carbonate (19.2 g) was added to the organic layer, and the mixture was reacted at 40 ° C for 1 hour. 2N HCl aqueous solution (60 ml) was added thereto to separate the liquid. The organic layer was concentrated, and crystals were dissolved in diisopropyl ether Filtered, and dried to obtain a ketone compound (6.5 g).

얻어진 케톤 화합물(3.0g), 메탄올(18㎖)의 현탁 용액에 아세트산(7.3g), 50중량% 히드록실아민 수용액(8.0g)을 첨가하여 10시간 가열 환류했다. 방치 냉각 후, 물(50㎖)을 첨가하여 석출된 결정을 여과, 냉 메탄올 세정 후 건조해서 옥심 화합물(2.4g)을 얻었다.Acetic acid (7.3 g) and a 50% by weight hydroxylamine aqueous solution (8.0 g) were added to the resulting suspension of the ketone compound (3.0 g) and methanol (18 ml), and the mixture was heated under reflux for 10 hours. After allowing to stand still, water (50 ml) was added to the precipitated crystals, and the precipitated crystals were filtered, washed with cold methanol and dried to obtain an oxime compound (2.4 g).

얻어진 옥심 화합물(1.8g)을 아세톤(20㎖)에 용해시키고, 빙냉 하 트리에틸아민(1.5g), p-톨루엔술포닐클로리드(2.4g)를 첨가하고, 실온으로 승온해서 1시간 반응시켰다. 반응액에 물(50㎖)을 첨가하여 석출된 결정을 여과 후 메탄올(20㎖)로 리슬러리하고, 여과, 건조해서 B1(2.3g)을 얻었다.The obtained oxime compound (1.8 g) was dissolved in acetone (20 ml), triethylamine (1.5 g) and p-toluenesulfonyl chloride (2.4 g) were added under ice-cooling, and the mixture was allowed to react at room temperature for 1 hour . Water (50 ml) was added to the reaction solution, and the precipitated crystals were filtered and then slurry was rinsed with methanol (20 ml), followed by filtration and drying to obtain B1 (2.3 g).

또한, B1의 1H-NMR 스펙트럼(300㎒, CDCl3)은 δ=8.3(d, 1H), 8.0(d, 2H), 7.9(d, 1H), 7.8(d, 1H), 7.6(dd, 1H), 7.4(dd, 1H), 7.3(d, 2H), 7.1(d, 1H), 5.6(q, 1H), 2.4(s, 3H), 1.7(d, 3H)이었다.(D, 1H), 7.8 (d, 1H), 7.6 (d, 1H), 7.6 (dd, 1H ), 7.4 (dd, 1H), 7.3 (d, 2H), 7.1 (d, 1H), 5.6 (q,

<B2의 합성><Synthesis of B2>

2-나프톨(20g)을 N,N-디메틸아세트아미드(150㎖)에 용해시키고, 탄산 칼륨(28.7g), 2-브로모옥탄산 에틸(52.2g)을 첨가해서 100℃에서 2시간 반응시켰다. 반응액에 물(300㎖), 아세트산 에틸(200㎖)을 첨가해서 분액하고 유기층을 농축 후, 48중량% 수산화나트륨 수용액(23g), 에탄올(50㎖), 물(50㎖)을 첨가하여 2시간 반응시켰다. 반응액을 1N HCl 수용액(500㎖)에 담그고, 석출된 결정을 여과, 수세해서 카르복실산 조체를 얻은 후, 폴리 인산 30g을 첨가해서 170℃에서 30분 반응시켰다. 반응액을 물(300㎖)에 담그고, 아세트산 에틸(300㎖)을 첨가해서 분액하고, 유기층을 농축한 후 실리카겔 컬럼 크로마토그래피에서 정제하여 케톤 화합물(10g)을 얻었다.2-Naphthol (20 g) was dissolved in N, N-dimethylacetamide (150 ml), potassium carbonate (28.7 g) and ethyl 2-bromooxinate (52.2 g) were added and reacted at 100 ° C for 2 hours. Water (300 ml) and ethyl acetate (200 ml) were added to the reaction mixture to separate the layers. The organic layer was concentrated, and 48% by weight aqueous sodium hydroxide solution (23 g), ethanol (50 ml) Lt; / RTI &gt; The reaction solution was immersed in a 1N HCl aqueous solution (500 ml), and the precipitated crystals were filtered and washed with water to obtain a carboxylic acid salt. Then, 30 g of polyphosphoric acid was added and reacted at 170 ° C for 30 minutes. The reaction solution was immersed in water (300 ml) and ethyl acetate (300 ml) was added to separate the layers. The organic layer was concentrated and purified by silica gel column chromatography to obtain a ketone compound (10 g).

얻어진 케톤 화합물(10.0g), 메탄올(100㎖)의 현탁 용액에 아세트산 나트륨(30.6g), 염산 히드록실아민(25.9g), 황산 마그네슘(4.5g)을 첨가하여 24시간 가열 환류했다. 방치 냉각 후, 물(150㎖), 아세트산 에틸(150㎖)을 첨가해서 분액하고, 유기층을 물 80㎖로 4회 분액하고 농축한 후, 실리카겔 컬럼 크로마토그래피에서 정제해서 옥심 화합물(5.8g)을 얻었다.Sodium acetate (30.6 g), hydrochloric acid hydroxylamine (25.9 g) and magnesium sulfate (4.5 g) were added to the suspension of the obtained ketone compound (10.0 g) and methanol (100 ml), and the mixture was heated to reflux for 24 hours. Water (150 ml) and ethyl acetate (150 ml) were added to separate the layers, and the organic layer was separated into four portions of 80 ml of water and concentrated. The residue was purified by silica gel column chromatography to obtain 5.8 g of oxime compound .

얻어진 옥심(3.1g)에 대하여, B1과 마찬가지로 술포네이트화를 행하여 B2(3.2g)를 얻었다.The obtained oxime (3.1 g) was sulfonated in the same manner as in B1 to give B2 (3.2 g).

또한, B2의 1H-NMR 스펙트럼(300㎒, CDCl3)은 δ=8.3(d, 1H), 8.0(d, 2H), 7.9(d, 1H), 7.8(d, 1H), 7.6(dd, 1H), 7.5(dd, 1H), 7.3(d, 2H), 7.1(d, 1H), 5.6(dd, 1H), 2.4(s, 3H), 2.2(ddt, 1H), 1.9(ddt, 1H), 1.4∼1.2(m, 8H), 0.8(t, 3H)이었다.(D, 1H), 7.8 (d, 1H), 7.6 (dd, 1H), 7.6 ), 7.5 (dd, 1H), 7.3 (d, 2H), 7.1 (d, 1H), 5.6 (dd, , 1.4 to 1.2 (m, 8H) and 0.8 (t, 3H).

<B3의 합성><Synthesis of B3>

B1에 있어서의 p-톨루엔술포닐클로리드 대신에 벤젠술포닐클로리드를 사용한 것 이외에는 B1과 마찬가지로 해서 B3을 합성했다.B3 was synthesized in the same manner as B1 except that benzene sulfonyl chloride was used in place of p-toluenesulfonyl chloride in B1.

또한, B3의 1H-NMR 스펙트럼(300㎒, CDCl3)은 δ=8.3(d, 1H), 8.1(d, 2H), 7.9(d, 1H), 7.8(d, 1H), 7.7-7.5(m, 4H), 7.4(dd, 1H), 7.1(d, 1H), 5.6(q, 1H), 1.7(d, 3H)이었다.(D, 1H), 7.8 (d, 1H), 7.7 (d, 1H), 7.7-7.5 (m, , 7.4 (dd, 1H), 7.1 (d, 1H), 5.6 (q, 1H), 1.7 (d, 3H).

Figure 112014106526920-pct00037
Figure 112014106526920-pct00037

<가교제><Cross-linking agent>

<C1의 합성><Synthesis of C1>

비스(이소시아네이트메틸)시클로헥산(H6XDI)과, 트리메틸올프로판(TMP)을 반응시켜서 얻어진 아닥트 이소시아네이트 「타케네이트 D-120N」[미츠이 카가쿠(주) 제] 100부와, 메틸에틸케톤옥심 50부를 반응 용기에 투입하여 100℃에서 6시간 반응시킴으로써 투명한 점조 액체로 이루어지는 블록 이소시아네이트 C1을 얻었다. IR 측정의 결과, NCO기에 기인하는 2250㎝-1의 흡수 피크가 없는 것을 확인했다(이것은 3관능의 블록 이소시아네이트기를 갖는 블록 이소시아네이트 화합물을 주로 포함한다).100 parts of an adduct isocyanate &quot; Takenate D-120N &quot; (manufactured by Mitsui Chemicals, Inc.) obtained by reacting bis (isocyanatomethyl) cyclohexane (H6XDI) with trimethylol propane (TMP) and 100 parts of methyl ethyl ketone oxime 50 Was charged in a reaction vessel and reacted at 100 DEG C for 6 hours to obtain a block isocyanate C1 composed of a transparent viscous liquid. As a result of the IR measurement, it was confirmed that there is no absorption peak at 2250 cm -1 due to the NCO group (this mainly includes a block isocyanate compound having a trifunctional block isocyanate group).

<C2∼C20의 합성><Synthesis of C2 to C20>

합성시에 사용한 아닥트 이소시아네이트 및 블록 화합물을 하기의 것으로 변경한 것 이외에는 C1의 합성과 마찬가지로 해서 합성을 행했다.Synthesis was carried out in the same manner as in the synthesis of C1, except that the adduct isocyanate and the block compound used in the synthesis were changed to the following.

C2: 타케네이트 D-110N[m-크실릴렌-디이소시아네이트(XDI)와 TMP의 아닥트, 미츠이 카가쿠(주) 제]을 메틸에틸케톤옥심으로 블록한 블록 이소시아네이트C2: Block isocyanate obtained by blockade of tokenate D-110N [m-xylylene-diisocyanate (XDI) and adduct of TMP, manufactured by Mitsui Chemicals, Inc.) with methyl ethyl ketone oxime

C3: 타케네이트 D-140N[이소포론디이소시아네이트(IPDI)와 TMP의 아닥트, 미츠이 카가쿠(주) 제]을 메틸에틸케톤옥심으로 블록한 블록 이소시아네이트C3: Block isocyanate Block isocyanate obtained by blockade of D-140N [isophorone diisocyanate (IPDI) and adduct of TMP, manufactured by Mitsui Chemicals, Inc.) with methyl ethyl ketone oxime

C4: 타케네이트 D-140N을 ε-카프로락탐으로 블록한 블록 이소시아네이트C4: block isocyanate blocked with ε-caprolactam with tokenate D-140N

C5: 타케네이트 D-140N을 페놀로 블록한 블록 이소시아네이트C5: Block isocyanate blocked with phenol D-140N

C6: 타케네이트 D-140N을 아세토아세트산 에틸로 블록한 블록 이소시아네이트C6: block isocyanate obtained by blocking tocinate D-140N with ethyl acetoacetate

C7: 타케네이트 D-140N을 디메틸피라졸로 블록한 블록 이소시아네이트C7: Block isocyanate obtained by blockade of the tokenate D-140N with dimethyl pyrazole

C8: 타케네이트 D-212L[톨릴렌디이소시아네이트(TDI)와 TMP의 아닥트, 미츠이 카가쿠(주) 제]을 메틸에틸케톤옥심으로 블록한 블록 이소시아네이트C8: Block isocyanate obtained by blockade of tokenate D-212L (tolylene diisocyanate (TDI) and adduct of TMP, manufactured by Mitsui Chemicals, Inc.) with methyl ethyl ketone oxime

C9: 타케네이트 D-212L을 ε-카프로락탐으로 블록한 블록 이소시아네이트C9: Block isocyanate blocked with &lt; RTI ID = 0.0 &gt; epsilon -caprolactam &lt; / RTI &

C10: 타케네이트 D-212L을 페놀로 블록한 블록 이소시아네이트C10: block isocyanate blocked with phenol D-212L

C11: 타케네이트 D-212L을 부탄올로 블록한 블록 이소시아네이트C11: Block isocyanate blocked with butanol D-212L

C12: 타케네이트 D-212L을 디페닐아민으로 블록한 블록 이소시아네이트C12: Block isocyanate blocked with diphenylamine for tocinate D-212L

C13: 타케네이트 D-212L을 아세토아세트산 에틸로 블록한 블록 이소시아네이트C13: Block isocyanate in which tocinate D-212L was blocked with ethyl acetoacetate

C14: 타케네이트 D-212L을 디메틸피라졸로 블록한 블록 이소시아네이트C14: Block isocyanate obtained by block copolymerization of tokenate D-212L with dimethyl pyrazole

C15: 타케네이트 D-212L을 부틸메르캅탄으로 블록한 블록 이소시아네이트C15: Block isocyanate blocked with butyl mercaptan on tokenate D-212L

C16: 코로네이트 AP 스테이블 M[톨릴렌디이소시아네이트(TDI)와 TMP의 아닥트체를 페놀 및 크실레놀로 블록한 블록 이소시아네이트, 닛폰 폴리우레탄 코교(주)]C16: Coronate AP Stable M [block isocyanate blocked with adduct of tolylene diisocyanate (TDI) and TMP with phenol and xylenol, Nippon Polyurethane Coating Co., Ltd.)

C17: 디페닐메탄디이소시아네이트(MDI)와 TMP의 아닥트체를 메틸에틸케톤옥심으로 블록한 블록 이소시아네이트C17: Block isocyanate (MDI) obtained by blocking adduct of diphenylmethane diisocyanate (MDI) and TMP with methyl ethyl ketone oxime

C18: 헥사메틸렌디이소시아네이트(HDI)와 TMP의 아닥트체를 메틸에틸케톤옥심으로 블록한 블록 이소시아네이트C18: A block isocyanate obtained by blocking an adduct of hexamethylene diisocyanate (HDI) and TMP with methyl ethyl ketone oxime

C19: 톨릴렌디이소시아네이트(TDI)와 펜타에리스리톨의 아닥트체를 페놀로 블록한 블록 이소시아네이트C19: Block isocyanate obtained by phenol blocking adduct of tolylene diisocyanate (TDI) and pentaerythritol

C20: C-2612[헥사메틸렌디이소시아네이트(HDI)와 1,3-부탄디올의 아닥트, 닛폰 폴리우레탄 코교(주) 제]를 ε-카프로락탐으로 블록한 블록 이소시아네이트Block isocyanate obtained by blocking C20: C-2612 (hexamethylene diisocyanate (HDI) and adduct of 1,3-butanediol, manufactured by Nippon Polyurethane Coatings Co., Ltd.) with? -Caprolactam

C21: 톨릴렌디이소시아네이트(TDI)와 1,3,5-시클로헥산트리올의 아닥트체를 페놀로 블록한 블록 이소시아네이트C21: Block isocyanate obtained by blocking adduct of tolylene diisocyanate (TDI) and 1,3,5-cyclohexanetriol with phenol

C22: 톨릴렌디이소시아네이트(TDI)와 크실리톨의 아닥트체를 페놀로 블록한 블록 이소시아네이트C22: Block isocyanate obtained by blocking phenol with adduct of tolylene diisocyanate (TDI) and xylitol

C23: VESTAGON B1065(우레트디온 구조를 갖는 블록 폴리이소시아네이트, 데구사AG사 제)C23: VESTAGON B1065 (block polyisocyanate having uretdione structure, manufactured by Degussa AG)

C24: VESTAGON BF1540(우레트디온 구조를 갖는 블록 폴리이소시아네이트, 데구사AG사 제)C24: VESTAGON BF1540 (block polyisocyanate having uretdione structure, manufactured by Degussa AG)

C25: JER-157S65[다관능 노볼락형 에폭시 수지, 가교제, 미쓰비시 카가쿠(주) 제]C25: JER-157S65 [polyfunctional novolak type epoxy resin, cross-linking agent, manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation]

C26: 데나콜 EX-211L[액상 지방족 에폭시 화합물, 나가세 켐텍스(주) 제]C26: Denacol EX-211L [liquid-phase aliphatic epoxy compound, manufactured by Nagase Chemtex Co., Ltd.]

<용제><Solvent>

D1: 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트D1: Propylene glycol monomethyl ether acetate

<증감제><Increase / decrease>

E1: DBA[9,10-디부톡시안트라센, 가와사키 카세이 코교(주) 제]E1: DBA [9,10-dibutoxyanthracene, manufactured by Kawasaki Kasei Kogyo Co., Ltd.]

<염기성 화합물>&Lt; Basic compound >

F1: 1,5-디아자비시클로[4,3,0]-5-노넨[도쿄 카세이 코교(주) 제]F1: 1,5-Diazabicyclo [4,3,0] -5-nonene (manufactured by Tokyo Kasei Kogyo Co., Ltd.)

F2: 하기 구조의 화합물F2: Compound of the following structure

Figure 112014106526920-pct00038
Figure 112014106526920-pct00038

<계면활성제><Surfactant>

G1: 하기 구조의 화합물G1: Compound of the following structure

Figure 112014106526920-pct00039
Figure 112014106526920-pct00039

<산화방지제><Antioxidant>

I1: 일가녹스 1035FF(산화방지제, BASF사 제)I1: Ilganox 1035FF (antioxidant, manufactured by BASF)

I2: 일가녹스 1098(산화방지제, BASF사 제)I2: Igarox 1098 (antioxidant, manufactured by BASF)

I3: 아데카스터브 AO-60[산화방지제, (주)ADEKA 제]I3: ADEKA STUB AO-60 [Antioxidant, manufactured by ADEKA Co., Ltd.]

<밀착 개량제>&Lt; Adhesion improving agent &

H1: 3-글리시독시프로필트리메톡시실란{KBM-403[신에쓰 가가꾸 고교(주) 제]}H1: 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane {KBM-403 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.)}

H2: 비스(트리에톡시실릴프로필)디술피드{Z-6920[도레이 다우코닝(주) 제]}H2: bis (triethoxysilylpropyl) disulfide {Z-6920 (manufactured by Toray Dow Corning)}

H3: 비스(트리에톡시실릴프로필)테트라술피드{KBE-846[신에쓰 가가꾸 고교(주) 제]}H3: Bis (triethoxysilylpropyl) tetrasulfide {KBE-846 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.)}

H4: 데실트리메톡시실란{KBM-3103[신에쓰 가가꾸 고교(주) 제]}H4: decyltrimethoxysilane {KBM-3103 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.)}

(2) 감광성 수지 조성물의 평가(2) Evaluation of Photosensitive Resin Composition

(2-1) 감도의 평가(2-1) Evaluation of sensitivity

규소 산화막을 갖는 규소 웨이퍼 상에 실시예 및 비교예의 감광성 수지 조성물의 용액을 각각 스핀 도포한 후, 90℃에서 120초간 핫플레이트 상에 있어서 프리베이킹해서 막 두께 3㎛의 도막을 형성했다.Each of the solutions of the photosensitive resin compositions of the examples and comparative examples was spin-coated on a silicon wafer having a silicon oxide film, and then pre-baked on a hot plate at 90 캜 for 120 seconds to form a coating film having a film thickness of 3 탆.

이어서, i선 스테퍼[캐논(주) 제 FPA-3000i5+]를 이용하여 소정의 마스크를 통해서 노광했다. 노광 후, 10분간 기판을 실온에서 방치한 후 0.4%의 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액에 의해 23℃에서 60초간 액 채움법에 의해 현상하고, 초순수로 45초간 더 린스했다. 이들 조작에 의해 10㎛의 라인 앤드 스페이스를 1:1로 해상할 때의 최적 노광량(Eopt)을 감도로 했다. 감도는 70mJ/㎠보다 저노광량의 경우에 고감도라고 할 수 있다. 평가 결과를 하기 표에 나타낸다. 또한, 하기 표의 감도의 칸에서 「*」로 기재되어 있는 것은 200mJ/㎠에서 패턴 형성할 수 없었던 것을 나타낸다.Subsequently, exposure was performed through a predetermined mask using an i-line stepper (FPA-3000i5 + manufactured by Canon Inc.). After the exposure, the substrate was allowed to stand at room temperature for 10 minutes, then developed by 0.4% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution at 23 占 폚 for 60 seconds by liquid filling, and further rinsed with ultra pure water for 45 seconds. By these operations, the optimum exposure amount (Eopt) at the time of resolving the line-and-space of 10 mu m at a ratio of 1: 1 was set as the sensitivity. The sensitivity can be said to be high in the case of a low exposure amount than 70 mJ / cm 2. The evaluation results are shown in the following table. In addition, "*" in the sensitivity column of the following table indicates that the pattern could not be formed at 200 mJ / cm 2.

(2-2) 내열 투명성의 평가(2-2) Evaluation of heat resistance transparency

유리 기판(이글 2000 코닝사 제)에 실시예 1∼52 및 비교예 1∼7의 감광성 수지 조성물의 용액을 스핀 도포한 후, 90℃에서 120초간 핫플레이트 상에 있어서 프리베이킹해서 막 두께 3㎛의 도막을 형성했다. 얻어진 도막을 0.4%의 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액에 의해 23℃에서 60초간 액 채움법에 의해 현상하고 초순수로 45초간 린스한 후, 캐논(주) 제 PLA-501F 노광기(초고압 수은 램프)로 적산 조사량이 300mJ/㎠(조도: 20mW/㎠)가 되도록 노광하고, 그 후에 이 기판을 오븐에서 230℃로 1시간 가열해서 경화막을 얻었다. 얻어진 경화막을 오븐에서 230℃로 2시간 더 가열한 후, 광선 투과율을 분광 광도계 「150-20형 더블빔[(주)히타치 세이사쿠쇼 제]」을 이용하여 400∼800㎚의 범위의 파장에서 측정했다. 그때의 최저 광선 투과율의 평가(내열 투명성의 평가)를 하기 표에 나타낸다.A solution of the photosensitive resin compositions of Examples 1 to 52 and Comparative Examples 1 to 7 was spin-coated on a glass substrate (manufactured by Eagle 2000 Corporation), pre-baked on a hot plate at 90 캜 for 120 seconds, To form a coating film. The resulting coating film was developed by a liquid filling method at 23 캜 for 60 seconds with 0.4% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution, rinsed with ultra pure water for 45 seconds, and then developed with a PLA-501F exposure machine (super high pressure mercury lamp) And the total amount of irradiation was 300 mJ / cm 2 (light intensity: 20 mW / cm 2). Thereafter, this substrate was heated in an oven at 230 캜 for one hour to obtain a cured film. The obtained cured film was further heated in an oven at 230 DEG C for 2 hours, and then the light transmittance was measured at a wavelength in the range of 400 to 800 nm using a spectrophotometer &quot; 150-20 type double beam [manufactured by Hitachi Seisakusho] Respectively. Evaluation of the lowest light transmittance (evaluation of heat resistance transparency) at that time is shown in the following table.

평가 기준은 하기와 같다. 또한, 최저 광선 투과율의 값은 230℃에서 2시간 가열 후의 막 두께 2㎛당의 값으로 환산하고 있다.The evaluation criteria are as follows. In addition, the value of the lowest light transmittance is converted into a value per film thickness of 2 占 퐉 after being heated at 230 占 폚 for 2 hours.

A: 92% 이상A: 92% or more

B: 87% 이상 92% 미만B: 87% or more and less than 92%

C: 87% 미만C: less than 87%

(2-3) 내약품성(박리액 내성)의 평가(2-3) Evaluation of chemical resistance (release liquid resistance)

유리 기판[코닝 1737, 0.7㎜ 두께(코닝사 제)] 상에 각 감광성 수지 조성물을 슬릿 도포한 후, 90℃/120초 핫플레이트 상에서 가열에 의해 용제를 제거하여 막 두께 4.0㎛의 감광성 수지 조성물층을 형성했다.Each of the photosensitive resin compositions was coated with a slit on a glass substrate (Corning 1737, 0.7 mm thick (manufactured by Corning)), and then the solvent was removed by heating on a 90 ° C / 120 sec hot plate to obtain a photosensitive resin composition layer .

얻어진 감광성 수지 조성물층을 캐논(주) 제 PLA-501F 노광기(초고압 수은 램프)로 적산 조사량이 300mJ/㎠(조도: 20mW/㎠, i선)가 되도록 노광하고, 그 후에 이 기판을 오븐에서 230℃로 1시간 가열해서 경화막을 얻었다.The thus-obtained photosensitive resin composition layer was exposed to a cumulative irradiation dose of 300 mJ / cm 2 (illuminance: 20 mW / cm 2, i-line) with a PLA-501F exposure apparatus (ultra high pressure mercury lamp) manufactured by Canon Inc., Lt; 0 &gt; C for 1 hour to obtain a cured film.

그 경화막을 모노에탄올아민에 60℃에서 5분 침지시키고, 그 막을 인상해서 표면의 액을 닦아낸 후에 바로 막 두께를 측정했다. 침지 전의 막 두께와 침지 후의 막 두께를 비교하고, 증가한 비율을 퍼센트로 표기했다. 결과를 하기 표에 나타냈다. 수치로서는 작을수록 경화막의 박리액 내성은 양호하고, A 또는 B가 바람직하다.The cured film was immersed in monoethanolamine at 60 DEG C for 5 minutes, and the film was pulled up to wipe off the liquid on the surface, and the film thickness was immediately measured. The film thickness before immersion and the film thickness after immersion were compared, and the increased ratio was expressed in percent. The results are shown in the following table. The smaller the numerical value is, the better the peel solution resistance of the cured film is, and A or B is preferable.

팽윤율(%)=침지 후의 막 두께(㎛)/침지 전의 막 두께(㎛)×100Swelling rate (%) = film thickness after immersion (占 퐉) / film thickness before immersion (占 퐉) 占 100

A: 100% 이상 105% 미만A: 100% or more and less than 105%

B: 105% 이상 110% 미만B: 105% or more and less than 110%

C: 110% 이상C: 110% or more

(2-4) 내약품성(NMP 내성)의 평가(2-4) Evaluation of Chemical Resistance (NMP Tolerance)

유리 기판[코닝 1737, 0.7㎜ 두께(코닝사 제)] 상에 각 감광성 수지 조성물을 슬릿 도포한 후, 90℃/120초 핫플레이트 상에서 가열에 의해 용제를 제거하여 막 두께 4.0㎛의 감광성 수지 조성물층을 형성했다.Each of the photosensitive resin compositions was coated with a slit on a glass substrate (Corning 1737, 0.7 mm thick (manufactured by Corning)), and then the solvent was removed by heating on a 90 ° C / 120 sec hot plate to obtain a photosensitive resin composition layer .

얻어진 감광성 수지 조성물층을 캐논(주) 제 PLA-501F 노광기(초고압 수은 램프)로 적산 조사량이 300mJ/㎠(조도: 20mW/㎠, i선)가 되도록 노광하고, 그 후에 이 기판을 오븐에서 230℃로 1시간 가열해서 경화막을 얻었다.The thus-obtained photosensitive resin composition layer was exposed to a cumulative irradiation dose of 300 mJ / cm 2 (illuminance: 20 mW / cm 2, i-line) with a PLA-501F exposure apparatus (ultra high pressure mercury lamp) manufactured by Canon Inc., Lt; 0 &gt; C for 1 hour to obtain a cured film.

그 경화막을 NMP에 80℃로 10분 침지시키고, 그 막을 인상해서 표면의 액을 닦아낸 후에 바로 막 두께를 측정했다. 침지 전의 막 두께와 침지 후의 막 두께를 비교하고, 증가한 비율을 퍼센트로 표기했다. 결과를 하기 표에 나타냈다. 수치로서는 작을수록 경화막의 NMP 내성은 양호하고, A 또는 B가 바람직하다.The cured film was immersed in NMP at 80 DEG C for 10 minutes, and the film was pulled up to wipe out the liquid on the surface, and the film thickness was immediately measured. The film thickness before immersion and the film thickness after immersion were compared, and the increased ratio was expressed in percent. The results are shown in the following table. The smaller the numerical value is, the better the NMP resistance of the cured film is, and A or B is preferable.

팽윤율(%)=침지 후의 막 두께(㎛)/침지 전의 막 두께(㎛)×100Swelling rate (%) = film thickness after immersion (占 퐉) / film thickness before immersion (占 퐉) 占 100

A: 100% 이상 105% 미만A: 100% or more and less than 105%

B: 105% 이상 110% 미만B: 105% or more and less than 110%

C: 110% 이상C: 110% or more

(2-5) 경화막의 밀착성 평가(2-5) Evaluation of adhesion of a cured film

Mo(몰리브덴) 기판 상에 각 감광성 수지 조성물을 슬릿 도포한 후, 90℃/120초 핫플레이트 상에서 가열에 의해 용제를 제거하여 막 두께 4.0㎛의 감광성 수지 조성물층을 형성했다. 얻어진 감광성 수지 조성물층을 캐논(주) 제 PLA-501F 노광기(초고압 수은 램프)로 적산 조사량이 300mJ/㎠(조도: 20mW/㎠, i선)가 되도록 노광하고, 그 후에 이 기판을 오븐에서 230℃로 1시간 가열해서 경화막을 얻었다. 경화막에 커터를 이용하여 종횡에 1㎜의 간격으로 절개부를 넣고, 스카치테이프를 이용하여 테이프 박리 시험을 행했다. 테이프 이면에 전사된 경화막의 면적으로부터 경화막과 기판간의 밀착성을 평가했다. 그 결과를 하기 표에 나타냈다. 수치로서는 작을수록 바탕 기판과의 밀착성이 높고, A 또는 B가 바람직하다.Each of the photosensitive resin compositions was coated with a slit on a Mo (molybdenum) substrate, and then the solvent was removed by heating on a hot plate at 90 DEG C for 120 seconds to form a photosensitive resin composition layer having a film thickness of 4.0 mu m. The thus-obtained photosensitive resin composition layer was exposed to a cumulative irradiation dose of 300 mJ / cm 2 (illuminance: 20 mW / cm 2, i-line) with a PLA-501F exposure apparatus (ultra high pressure mercury lamp) manufactured by Canon Inc., Lt; 0 &gt; C for 1 hour to obtain a cured film. The cured film was cut at intervals of 1 mm vertically and horizontally using a cutter, and a tape peeling test was conducted using a scotch tape. The adhesion between the cured film and the substrate was evaluated from the area of the cured film transferred on the back side of the tape. The results are shown in the following table. The smaller the numerical value is, the higher the adhesion to the base substrate is, and A or B is preferable.

A: 전사된 면적이 1% 미만A: Less than 1% of transferred area

B: 전사된 면적이 1% 이상 5% 미만B: Transferred area is 1% or more and less than 5%

C: 전사된 면적이 5% 이상C: Transferred area of 5% or more

(2-6) 내드라이 에칭성의 평가(2-6) Evaluation of dry etching resistance

유리 기판[코닝 1737, 0.7㎜ 두께(코닝사 제)] 상에 각 감광성 수지 조성물을 슬릿 도포한 후, 90℃/120초 핫플레이트 상에서 가열에 의해 용제를 제거하여 막 두께 4.0㎛의 감광성 수지 조성물층을 형성했다.Each of the photosensitive resin compositions was coated with a slit on a glass substrate (Corning 1737, 0.7 mm thick (manufactured by Corning)), and then the solvent was removed by heating on a 90 ° C / 120 sec hot plate to obtain a photosensitive resin composition layer .

얻어진 감광성 수지 조성물층을 캐논(주) 제 PLA-501F 노광기(초고압 수은 램프)로 적산 조사량이 300mJ/㎠(조도: 20mW/㎠, i선)가 되도록 노광하고, 그 후에 이 기판을 오븐에서 230℃로 1시간 가열해서 경화막을 얻었다. 그 경화막을 드라이 에칭 장치 「CDE-80N[(주)시바우라 메커트로닉스 제]」를 사용하고, 에칭 가스로서 CF4 50㎖/분, O2 10㎖/분, 출력 400mW, 에칭 시간 90초의 조건으로 드라이 에칭을 행했다. 그 막 감소량으로부터 에칭 속도를 산출했다. 그 결과를 표 5 및 표 6에 나타냈다. 수치로서는 작을수록 내드라이 에칭성이 높고, A 또는 B가 바람직하다.The thus-obtained photosensitive resin composition layer was exposed to a cumulative irradiation dose of 300 mJ / cm 2 (illuminance: 20 mW / cm 2, i-line) with a PLA-501F exposure apparatus (ultra high pressure mercury lamp) manufactured by Canon Inc., Lt; 0 &gt; C for 1 hour to obtain a cured film. The cured film was subjected to dry etching under the conditions of CF4 50 ml / min, O2 10 ml / min, output 400 mW, and etching time 90 seconds as a dry etching apparatus "CDE-80N" (Shibaura Mechatronics, Etching was performed. The etching rate was calculated from the film reduction amount. The results are shown in Tables 5 and 6. The smaller the numerical value is, the higher the dry etching resistance is, and A or B is preferable.

A: 30Å/초 이상 35Å/초 미만A: 30 Å / sec to 35 Å / sec

B: 35Å/초 이상 40Å/초 미만B: 35 Å / sec or more and less than 40 Å / sec

C: 40Å/초 이상 45Å/초 미만C: 40 Å / sec to 45 Å / sec

(2-7) 비유전율의 측정(2-7) Measurement of relative dielectric constant

유리 기판상(10㎝×10㎝×0.5㎜)에 재료:프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트=1:1(중량비)이 되도록 혼합한 액을 스핀 코터를 이용하여 건조 막 두께가 0.35㎛가 되도록 도포한 뒤, 90℃에서 2분 건조시켰다. 또한, 초고압 수은등으로 300mJ 노광하고, 230℃로 60분 오븐에서 더 가열하여 막 두께 경화막을 형성했다. 이 경화막을 23℃, 60%RH, 24시간 조습한 후, CV-Map(Four Dimensions, inc. 제)으로 1㎒에서 비유전율을 측정했다. 그 결과를 하기 표에 나타냈다. 수치로서는 작을수록 좋고, A 또는 B가 바람직하다.The solution was mixed on a glass substrate (10 cm x 10 cm x 0.5 mm) so that the ratio of the material: propylene glycol monomethyl ether acetate = 1: 1 (weight ratio) was applied to the dried film to a dry film thickness of 0.35 m using a spin coater Then, it was dried at 90 DEG C for 2 minutes. Further, the film was exposed at 300 mJ with an ultra-high-pressure mercury lamp, and further heated in an oven at 230 DEG C for 60 minutes to form a film thickness cured film. The cured film was conditioned at 23 ° C and 60% RH for 24 hours, and then the relative dielectric constant was measured at 1 MHz using CV-Map (Four Dimensions, inc.). The results are shown in the following table. The smaller the numerical value, the better, and A or B is preferable.

A: 3.6 미만A: less than 3.6

B: 3.6 이상 3.9 미만B: 3.6 or more and less than 3.9

C: 3.9 미만C: Less than 3.9

(2-8) 표시 장치에 있어서의 표시 불균일(패널 표시 불균일)의 평가(2-8) Evaluation of display irregularity (display irregularity of panel) in the display device

박막 트랜지스터(TFT)를 사용한 액정 표시 장치를 이하의 방법으로 제작했다(도 1, 2 참조). 일본 특허 제 3321003호 공보의 도 1 및 도 2에 기재된 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치에 있어서, 층간 절연막으로서 경화막(17)을 이하와 같이 해서 형성하여 액정 표시 장치를 얻었다.A liquid crystal display device using a thin film transistor (TFT) was produced by the following method (see Figs. 1 and 2). In the active matrix type liquid crystal display device described in Figs. 1 and 2 of Japanese Patent No. 3321003, a cured film 17 as an interlayer insulating film was formed as follows to obtain a liquid crystal display device.

즉, 유리 기판(6) 상에 바텀 게이트형의 TFT(1)을 형성하고, 이 TFT(1)을 덮는 상태로 Si3N4로 이루어지는 절연막(3)을 형성했다. 이어서, 이 절연막(3)에 컨택트홀을 형성한 후, 이 컨택트홀을 통해서 TFT(1)에 접속되는 배선(2)(높이 1.0㎛)을 절연막(3) 상에 형성했다.That is, the bottom gate type TFT 1 was formed on the glass substrate 6, and the insulating film 3 made of Si 3 N 4 was formed so as to cover the TFT 1. Subsequently, a contact hole was formed in the insulating film 3, and a wiring 2 (height 1.0 mu m) connected to the TFT 1 through the contact hole was formed on the insulating film 3.

또한, 배선(2)의 형성에 의한 요철을 평탄화하기 위해서, 배선(2)에 의한 요철을 매설하는 상태로 절연막(3) 상에 평탄화막(4)을 형성했다. 절연막(3) 상으로의 평탄화막(4)의 형성은 실시예 1∼52, 비교예 1∼9의 각 감광성 수지 조성물을 기판 상에 스핀 도포하고 핫플레이트 상에서 프리베이킹(90℃×2분)한 후, 마스크 상으로부터 고압 수은등을 이용하여 i선(365㎚)을 25mJ/㎠(조도 20mW/㎠) 조사한 후 알칼리 수용액으로 현상해서 패턴을 형성하고, 230℃에서 60분간의 가열 처리를 행했다. 상기 감광성 수지 조성물을 도포할 때의 도포성은 양호하고, 노광, 현상, 소성 후에 얻어진 경화막에는 주름이나 크랙의 발생은 확인되지 않았다. 또한, 배선(2)의 평균 단차는 500㎚, 제작한 평탄화막(4)의 막 두께는 2,000㎚였다.In order to planarize the irregularities formed by the formation of the wirings 2, the flattening film 4 was formed on the insulating film 3 in a state in which irregularities by the wirings 2 were buried. Formation of the planarization film 4 on the insulating film 3 was carried out by spin-coating each of the photosensitive resin compositions of Examples 1 to 52 and Comparative Examples 1 to 9 on a substrate, prebaking (90 DEG C x 2 minutes) on a hot plate, Thereafter, an i-line (365 nm) was irradiated from the mask top with a high-pressure mercury lamp at 25 mJ / cm 2 (illuminance of 20 mW / cm 2) and then developed with an alkali aqueous solution to form a pattern and subjected to heat treatment at 230 ° C. for 60 minutes. The coating property when the photosensitive resin composition was applied was good, and no wrinkles or cracks were observed in the cured film obtained after exposure, development and firing. In addition, the average step of the wiring 2 was 500 nm, and the film thickness of the prepared planarization film 4 was 2,000 nm.

얻어진 액정 표시 장치에 대하여 구동 전압을 인가하고, 그레이의 테스트 신호를 입력시켰을 때의 그레이 표시를 육안으로 관찰하고, 표시 불균일의 발생의 유무를 하기 평가 기준에 따라서 평가했다.The obtained gray scale display was visually observed when a driving voltage was applied to the obtained liquid crystal display device and a gray test signal was inputted, and the presence or absence of display unevenness was evaluated according to the following evaluation criteria.

A: 완전히 불균일이 보이지 않는다(매우 좋음)A: I can not see completely unevenness (very good)

B: 유리 기판의 가장자리 부분에 희미하게 불균일이 보이지만, 표시부에 문제 없음(좋음)B: The edge portion of the glass substrate shows a slight irregularity, but no problem on the display portion (good)

C: 표시부에 희미하게 불균일이 보이지만 실용 레벨(보통)C: The display shows faint unevenness, but at a practical level (normal)

D: 표시부에 불균일이 있다(약간 나쁨)D: There is irregularity on the display part (slightly bad)

E: 표시부에 강한 불균일이 있다(매우 나쁨)E: There is strong unevenness on the display (very bad)

Figure 112014106526920-pct00040
Figure 112014106526920-pct00040

하기 표로부터, 본 발명의 감광성 수지 조성물은 모두 매우 감도가 높고, 내열투명성이 양호하고, 내약품성이 뛰어나고, 투명 전극막이나 금속과의 밀착성도 양호하고, 또한 드라이 에칭 내성에도 뛰어난 것을 알 수 있었다. 또한, 액정 표시 불균일도 없고, 고품질인 패널을 제조하는 것이 가능한 것을 알 수 있었다.The following table shows that the photosensitive resin composition of the present invention has a high sensitivity, a good heat-resistant transparency, excellent chemical resistance, good adhesion to a transparent electrode film and metal, and excellent dry etching resistance . Further, it was found that it is possible to manufacture a panel of high quality without any liquid crystal display unevenness.

이에 대하여, 본 발명의 감광성 수지 조성물과는 다른 비교예의 감광성 수지 조성물은 모두 감도, 내열 투명성, 내약품성, 표시 불균일의 모든 항목을 만족시키는 것이 없는 것을 알 수 있다.On the other hand, all of the photosensitive resin compositions of Comparative Examples other than the photosensitive resin composition of the present invention do not satisfy all the items of sensitivity, heat resistance transparency, chemical resistance and display unevenness.

<실시예 58>&Lt; Example 58 >

실시예 41의 표시 불균일 평가에 있어서, 이하의 도포 프로세스만 변경하여 마찬가지의 액정 표시 장치를 얻었다.In the evaluation of display unevenness in Example 41, only the following coating process was changed to obtain the same liquid crystal display device.

즉, 실시예 41의 감광성 수지 조성물을 슬릿 코팅법[도쿄 일렉트론(주) 제 CL1700]으로 도포한 후, 90℃/120초 핫플레이트 상에서 가열에 의해 용제를 제거하여 막 두께 4.0㎛의 감광성 수지 조성물층을 형성했다. 얻어진 도막은 평탄하고 불균일이 없는 양호한 면상이었다. 또한, 액정 표시 장치로서의 성능도 실시예 41과 마찬가지로 양호했다.That is, the photosensitive resin composition of Example 41 was applied by a slit coating method (CL1700, manufactured by Tokyo Electron Co., Ltd.), and then the solvent was removed by heating on a hot plate at 90 DEG C for 120 seconds to obtain a photosensitive resin composition Layer. The obtained coating film was flat and had a good surface without any unevenness. The performance as a liquid crystal display device was also good as in Example 41. [

<실시예 59><Example 59>

실시예 41의 표시 불균일 평가에 있어서, 이하의 도포 프로세스만 변경하여 마찬가지의 액정 표시 장치를 얻었다.In the evaluation of display unevenness in Example 41, only the following coating process was changed to obtain the same liquid crystal display device.

즉, 실시예 41의 감광성 수지 조성물을 슬릿 앤드 스핀법[다이니폰스크린 세이조(주) 제 SF-700]으로 도포한 후, 90℃/120초 핫플레이트 상에서 가열에 의해 용제를 제거하여 막 두께 4.0㎛의 감광성 수지 조성물층을 형성했다. 얻어진 도막은 평탄하고 불균일이 없는 양호한 면상이었다. 또한, 액정 표시 장치로서의 성능도 실시예 41과 마찬가지로 양호했다.That is, the photosensitive resin composition of Example 41 was applied by a slit-and-spin method (SF-700, manufactured by Dainippon Screen Seal Co., Ltd.), and then the solvent was removed by heating on a hot plate at 90 deg. Thereby forming a photosensitive resin composition layer having a thickness of 4.0 m. The obtained coating film was flat and had a good surface without any unevenness. The performance as a liquid crystal display device was also good as in Example 41. [

<실시예 60>&Lt; Example 60 >

박막 트랜지스터(TFT)를 사용한 유기 EL 표시 장치를 이하의 방법으로 제작했다(도 1 참조).An organic EL display device using a thin film transistor (TFT) was produced by the following method (see Fig. 1).

유리 기판(6) 상에 바텀 게이트형의 TFT(1)를 형성하고, 이 TFT(1)를 덮는 상태로 Si3N4로 이루어지는 절연막(3)을 형성했다. 이어서 이 절연막(3)에, 여기에서는 도시를 생략한 컨택트홀을 형성한 후, 이 컨택트홀을 통해서 TFT(1)에 접속되는 배선(2)(높이 1.0㎛)을 절연막(3) 상에 형성했다. 이 배선(2)은 TFT(1) 사이, 또는 후의 공정에서 형성되는 유기 EL 소자와 TFT(1)를 접속하기 위한 것이다.A bottom gate type TFT 1 was formed on a glass substrate 6 and an insulating film 3 made of Si 3 N 4 was formed so as to cover the TFT 1. A contact hole (not shown) is formed in the insulating film 3 and a wiring 2 (height 1.0 mu m) connected to the TFT 1 through the contact hole is formed on the insulating film 3 did. The wiring 2 is for connecting the organic EL element formed between the TFTs 1 or a later step to the TFT 1. [

또한, 배선(2)의 형성에 의한 요철을 평탄화하기 위해서, 배선(2)에 의한 요철을 매설하는 상태로 절연막(3) 상에 평탄화층(4)을 형성했다. 절연막(3) 상으로의 평탄화막(4)의 형성은 실시예 41의 감광성 수지 조성물을 기판 상에 스핀 도포하고 핫플레이트 상에서 프리베이킹(90℃×2분)한 후, 마스크 상으로부터 고압 수은등을 이용하여 i선(365㎚)을 45mJ/㎠(조도 20mW/㎠)조사한 후 알칼리 수용액으로 현상해서 패턴을 형성하고, 230℃에서 60분간의 가열 처리를 행했다. 상기 감광성 수지 조성물을 도포할 때의 도포성은 양호하고, 노광, 현상, 소성의 후에 얻어진 경화막에는 주름이나 크랙의 발생은 확인되지 않았다. 또한, 배선(2)의 평균 단차는 500㎚, 제작한 평탄화막(4)의 막 두께는 2,000㎚였다.The planarization layer 4 was formed on the insulating film 3 in a state in which the irregularities due to the wirings 2 were buried in order to planarize the irregularities due to the formation of the wirings 2. The formation of the planarization film 4 on the insulating film 3 was performed by spin-coating the photosensitive resin composition of Example 41 on a substrate, pre-baking (90 占 폚 for 2 minutes) on a hot plate, (365 nm) was irradiated with 45 mJ / cm 2 (roughness 20 mW / cm 2) and then developed with an aqueous alkali solution to form a pattern, and heat treatment was performed at 230 ° C. for 60 minutes. The coating properties when the photosensitive resin composition was applied were good, and wrinkles and cracks were not observed in the cured films obtained after exposure, development and firing. In addition, the average step of the wiring 2 was 500 nm, and the film thickness of the prepared planarization film 4 was 2,000 nm.

이어서, 얻어진 평탄화막(4) 상에 바텀 에미션형의 유기 EL 소자를 형성했다. 우선, 평탄화막(4) 상에 ITO로 이루어지는 제 1 전극(5)을 컨택트홀(7)을 통해서 배선(2)에 접속시켜서 형성했다. 그 후에, 레지스트를 도포, 프리베이킹하고, 원하는 패턴의 마스크를 통해서 노광하고 현상했다. 이 레지스트 패턴을 마스크로 해서 ITO 에첸트를 사용한 습식 에칭에 의해 패턴 가공을 행했다. 그 후에, 레지스트 박리액[모노에탄올아민과 디메틸술폭시드(DMSO)의 혼합액]을 이용하여 그 레지스트 패턴을 박리했다. 이렇게 해서 얻어진 제 1 전극(5)은 유기 EL 소자의 양극에 상당한다.Subsequently, a bottom-emission organic EL device was formed on the obtained planarization film 4. Then, First, a first electrode 5 made of ITO was formed on the flattening film 4 by connecting it to the wiring 2 through the contact hole 7. Thereafter, the resist was applied, pre-baked, exposed through a mask of a desired pattern, and developed. Pattern processing was performed by wet etching using ITO etchant using this resist pattern as a mask. Thereafter, the resist pattern was peeled off using a resist stripping solution (mixture of monoethanolamine and dimethyl sulfoxide (DMSO)). The thus obtained first electrode 5 corresponds to the anode of the organic EL element.

이어서, 제 1 전극(5)의 둘레 가장자리를 덮는 형상의 절연막(8)을 형성했다. 절연막에는 실시예 41의 감광성 수지 조성물을 사용하고, 상기와 마찬가지의 방법으로 절연막(8)을 형성했다. 이 절연막을 설치함으로써, 제 1 전극(5)과 이후의 공정에서 형성하는 제 2 전극 사이의 쇼트를 방지할 수 있다.Then, an insulating film 8 having a shape covering the periphery of the first electrode 5 was formed. An insulating film 8 was formed in the same manner as above using the photosensitive resin composition of Example 41 as an insulating film. By providing this insulating film, it is possible to prevent a short circuit between the first electrode 5 and the second electrode formed in a subsequent step.

또한, 진공 증착 장치 내에서 원하는 패턴 마스크를 통해서 정공 수송층, 유기 발광층, 전자 수송층을 순차적으로 증착해서 설치했다. 이어서, 기판 상방의 전면이 Al로 이루어지는 제 2 전극을 형성했다. 얻어진 상기 기판을 증착기로부터 인출하고, 밀봉용 유리판과 자외선 경화형 에폭시 수지를 이용하여 접합시킴으로써 밀봉했다.Further, a hole transporting layer, an organic light emitting layer, and an electron transporting layer were sequentially deposited through a desired pattern mask in a vacuum evaporation apparatus. Subsequently, a second electrode made of Al on the entire upper surface of the substrate was formed. The obtained substrate was taken out from the evaporator, and sealed by bonding using a sealing glass plate and an ultraviolet curable epoxy resin.

이상과 같이 하여, 각 유기 EL 소자에 이것을 구동하기 위한 TFT(1)가 접속해서 이루어지는 액티브 매트릭스형의 유기 EL 표시 장치가 얻어졌다. 구동 회로를 통해서 전압을 인가한 결과, 양호한 표시 특성을 나타내고 신뢰성이 높은 유기 EL 표시 장치인 것을 알 수 있었다.As described above, an active matrix type organic EL display device in which TFTs 1 for driving the organic EL elements were connected to each organic EL element was obtained. As a result of applying a voltage through the driving circuit, it was found that the organic EL display device exhibited good display characteristics and was highly reliable.

1 : TFT(박막 트랜지스터) 2 : 배선
3 : 절연막 4 : 평탄화막
5 : 제 1 전극 6 : 유리 기판
7 : 컨택트홀 8 : 절연막
10 : 액정 표시 장치 12 : 백라이트 유닛
14, 15 : 유리 기판 16 : TFT
17 : 경화막 18 : 컨택트홀
19 : ITO 투명 전극 20 : 액정
22 : 컬러필터
1: TFT (thin film transistor) 2: wiring
3: insulating film 4: planarization film
5: first electrode 6: glass substrate
7: Contact hole 8: Insulating film
10: liquid crystal display device 12: backlight unit
14, 15: glass substrate 16: TFT
17: curing film 18: contact hole
19: ITO transparent electrode 20: liquid crystal
22: Color filter

Claims (19)

하기 1 또는 2 중 적어도 한쪽을 만족시키는 중합체를 포함하는 중합체 성분;
1: 산기가 산 분해성기로 보호된 잔기를 갖는 구성 단위 a1, 및 가교성기를 갖는 구성 단위 a2를 갖는 중합체로서, 상기 구성 단위 a2에 포함되는 가교성기는 에폭시기, 옥세타닐기, 및 -NH-CH2-O-R로 나타내어지는 기로부터 선택되는 적어도 1종이며, R은 수소 원자 또는 탄소수 1∼20의 알킬기인 중합체,
2: 산기가 산 분해성기로 보호된 잔기를 갖는 구성 단위 a1를 갖는 중합체, 및 가교성기를 갖는 구성 단위 a2를 갖는 중합체로서, 상기 구성 단위 a2에 포함되는 가교성기는 에폭시기, 옥세타닐기, 및 -NH-CH2-O-R로 나타내어지는 기로부터 선택되는 적어도 1종이며, R은 수소 원자 또는 탄소수 1∼20의 알킬기인 중합체,
광산 발생제;
하기 일반식(C)으로 나타내어지는 어덕트형 블록 폴리이소시아네이트 화합물; 및
용제
를 포함하는 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
일반식(C)
Ra-{O(C=O)-NH-Rb-NHCO-B}n
[일반식(C) 중, Ra는 n가의 탄화수소기이고, Rb는 2가의 탄화수소기이고, B는 이소시아네이트를 블록하는 기를 나타낸다; n은 3∼6의 정수이다; n개의 Rb 및 B는 각각 동일하거나 달라도 좋다]
A polymer component comprising a polymer which satisfies at least one of the following 1 or 2;
1: a polymer having a constituent unit a1 having a residue protected by an acid-decomposable group and a constituent unit a2 having a crosslinkable group, wherein the crosslinking group contained in the constituent unit a2 is an epoxy group, an oxetanyl group and -NH-CH 2 -OR, R is at least one selected from the group consisting of a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms,
2: a polymer having a structural unit a1 having a residue protected by an acid-decomposable group and a structural unit a2 having a crosslinkable group, wherein the crosslinkable group contained in the structural unit a2 is an epoxy group, an oxetanyl group, NH-CH 2 -OR, R is at least one selected from the group consisting of a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms,
Photoacid generators;
An adduct type block polyisocyanate compound represented by the following formula (C); And
solvent
Wherein the photosensitive resin composition is a photosensitive resin composition.
In the general formula (C)
Ra- {O (C = O) -NH-Rb-NHCO-B} n
In the general formula (C), Ra is an n-valent hydrocarbon group, Rb is a divalent hydrocarbon group, and B represents a group blocking isocyanate; n is an integer from 3 to 6; n Rb and B may be the same or different,
삭제delete 제 1 항에 있어서,
일반식(C)에 있어서의 Ra는 분기의 지방족 탄화수소기인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
The method according to claim 1,
The photosensitive resin composition according to (C), wherein Ra is a branched aliphatic hydrocarbon group.
제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,
일반식(C)에 있어서의 B는 옥심 화합물, 락탐 화합물, 페놀 화합물, 알콜 화합물, 아민 화합물, 활성 메틸렌 화합물, 피라졸 화합물, 메르캅탄 화합물, 이미다졸 화합물 및 이미드 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 화합물 유래의 기인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
The method according to claim 1 or 3,
B in the general formula (C) is selected from the group consisting of an oxime compound, a lactam compound, a phenol compound, an alcohol compound, an amine compound, an active methylene compound, a pyrazole compound, a mercaptan compound, an imidazole compound and an imide compound A group derived from a compound.
제 1 항에 있어서,
화학 증폭 포지티브형인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
The method according to claim 1,
Wherein the photosensitive resin composition is a chemically amplified positive type.
제 1 항에 있어서,
상기 산 분해성기는 아세탈의 형태로 보호된 구조를 갖는 기인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
The method according to claim 1,
Wherein the acid-decomposable group is a group having a protected structure in the form of an acetal.
제 1 항에 있어서,
상기 구성 단위 a1은 하기 일반식(A2')으로 나타내어지는 구성 단위인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
일반식(A2')
Figure 112016090932116-pct00041

[일반식(A2') 중, R1 및 R2는 각각 수소 원자, 알킬기 또는 아릴기를 나타내고, 적어도 R1 및 R2 중 어느 한쪽이 알킬기 또는 아릴기이고, R3은 알킬기 또는 아릴기를 나타내고, R1 또는 R2와, R3이 연결되어서 환상 에테르를 형성해도 좋고, R4는 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, X는 단결합 또는 아릴렌기를 나타낸다]
The method according to claim 1,
Wherein the constituent unit a1 is a constituent unit represented by the following formula (A2 ').
(A2 ')
Figure 112016090932116-pct00041

Wherein R 1 and R 2 each represent a hydrogen atom, an alkyl group or an aryl group, at least one of R 1 and R 2 is an alkyl group or an aryl group, R 3 is an alkyl group or an aryl group, R 1 or R 2 and R 3 may be connected to form a cyclic ether, R 4 represents a hydrogen atom or a methyl group, and X represents a single bond or an arylene group,
제 1 항에 있어서,
상기 중합체 성분 중 어느 하나가 산기를 더 함유하는 중합체인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
The method according to claim 1,
Wherein any one of the polymer components is a polymer further containing an acid group.
삭제delete 제 1 항에 있어서,
어덕트형 블록 폴리이소시아네이트 화합물은 톨릴렌디이소시아네이트, 디페닐메탄디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트 및 이소포론디이소시아네이트로부터 선택되는 적어도 1종의 이소시아네이트 화합물로부터 합성되는 폴리이소시아네이트 프리폴리머의 이소시아네이트기를 블록제로 블록한 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
The method according to claim 1,
The duct-type block polyisocyanate compound is a block-blocked isocyanate group of a polyisocyanate prepolymer synthesized from at least one isocyanate compound selected from tolylene diisocyanate, diphenylmethane diisocyanate, hexamethylene diisocyanate and isophorone diisocyanate Wherein the photosensitive resin composition is a photosensitive resin composition.
제 1 항에 있어서,
어덕트형 블록 폴리이소시아네이트 화합물은 디이소시아네이트 화합물과 트리메틸올프로판의 반응에 의해 얻어진 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
The method according to claim 1,
Wherein the adducted block polyisocyanate compound is obtained by a reaction between a diisocyanate compound and trimethylol propane.
제 1 항에 있어서,
산화방지제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
The method according to claim 1,
The photosensitive resin composition according to claim 1, further comprising an antioxidant.
제 1 항에 기재된 감광성 수지 조성물을 기판 상에 적용하는 공정,
적용된 감광성 수지 조성물로부터 용제를 제거하는 공정,
활성 방사선으로 노광하는 공정,
수성 현상액으로 현상하는 공정, 및
열 경화하는 포스트 베이킹 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 경화막의 형성 방법.
A step of applying the photosensitive resin composition according to claim 1 onto a substrate,
A step of removing the solvent from the applied photosensitive resin composition,
A step of exposing with active radiation,
A step of developing with an aqueous developer, and
And a post-baking step of thermally curing the cured film.
제 13 항에 있어서,
상기 현상 공정 후 상기 포스트 베이킹 공정 전에, 현상된 감광성 수지 조성물을 전면 노광하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 경화막의 형성 방법.
14. The method of claim 13,
And a step of exposing the developed photosensitive resin composition to the whole before the post-baking step after the developing step.
제 13 항에 있어서,
열 경화해서 얻어진 경화막을 갖는 기판에 대하여 드라이 에칭을 행하는 드라이 에칭 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 경화막의 형성 방법.
14. The method of claim 13,
Further comprising a dry etching step of performing dry etching on the substrate having the cured film obtained by thermal curing.
제 1 항에 기재된 감광성 수지 조성물을 경화해서 이루어지는 것을 특징으로 하는 경화막.A cured film formed by curing the photosensitive resin composition according to claim 1. 제 16 항에 있어서,
층간 절연막인 것을 특징으로 하는 경화막.
17. The method of claim 16,
Wherein the cured film is an interlayer insulating film.
제 16 항에 기재된 경화막을 갖는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.A liquid crystal display device having the cured film according to claim 16. 제 16 항에 기재된 경화막을 갖는 것을 특징으로 하는 유기 EL 표시 장치.
An organic EL display device having the cured film according to claim 16.
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