KR101618897B1 - Process for producing cured film, photosensitive resin composition, cured film, organic electro-luminescence display and liquid crystal display - Google Patents

Process for producing cured film, photosensitive resin composition, cured film, organic electro-luminescence display and liquid crystal display Download PDF

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Abstract

(과제) 고감도이며 안정된 감도로 제조할 수 있고, 컨택트홀의 패터닝 성능이나 ITO 스퍼터 내성, 내열 투명성이 우수한 경화막을 슬릿 코트에 의해 제조하는 제조 방법을 제공하는 것.
(해결 수단) 감광성 수지 조성물을 10 ℃ 이하의 온도로 하는 공정, 감광성 수지 조성물을 기판 상에 슬릿 코트하는 공정, 도포된 감광성 수지 조성물에서 용제를 제거하는 공정, 용제를 제거한 감광성 수지 조성물을 활성 광선에 의해 노광하는 공정, 실온에서 45 초 이상 경과시키는 공정, 수성 현상액에 의해 현상하는 공정, 열경화시키는 공정을 포함하며, 감광성 수지 조성물이 (성분 A) 산기가 산분해성기로 보호된 잔기를 갖는 구성 단위, 가교기를 갖는 구성 단위, 카르복실기 및/또는 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위를 함유하는 공중합체, (성분 B) 광 산발생제 그리고 (성분 C) 용제를 함유하는 경화막의 제조 방법.
(PROBLEMS) To provide a manufacturing method for manufacturing a cured film having high sensitivity and stable sensitivity and excellent in patterning performance of a contact hole, resistance to ITO sputtering, and heat resistance transparency by means of a slit coat.
A step of slitting the photosensitive resin composition on a substrate; a step of removing the solvent from the applied photosensitive resin composition; a step of removing the solvent from the photosensitive resin composition; , A step of exposing at room temperature for 45 seconds or more, a step of developing with an aqueous developing solution, and a step of thermosetting, wherein the photosensitive resin composition comprises (Component A) a structural unit having an acid group protected with an acid- , A structural unit having a crosslinking group, a copolymer containing a structural unit having a carboxyl group and / or a phenolic hydroxyl group, a component (B) a photoacid generator, and (C) a solvent.

Description

경화막의 제조 방법, 감광성 수지 조성물, 경화 막, 유기 EL 표시 장치, 및 액정 표시 장치{PROCESS FOR PRODUCING CURED FILM, PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, CURED FILM, ORGANIC ELECTRO-LUMINESCENCE DISPLAY AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a process for producing a cured film, a photosensitive resin composition, a cured film, an organic EL display, and a liquid crystal display device using the cured film,

본 발명은 경화 막의 제조 방법, 감광성 수지 조성물, 경화막, 유기 EL 표시 장치 및 액정 표시 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a method for producing a cured film, a photosensitive resin composition, a cured film, an organic EL display, and a liquid crystal display.

종래, 액정 표시 소자, 집적 회로 소자, 고체 촬상 소자, 유기 EL 등의 전자 부품에 있어서는, 일반적으로 전자 부품 표면의 평탄성을 부여하기 위한 평탄화막, 전자 부품의 열화나 손상을 방지하기 위한 보호막이나, 절연성을 유지하기 위한 층간 절연막을 형성할 때에 감광성 수지 조성물이 사용된다. 최근의 표시 장치의 대형화에 따라, 슬릿 코터에 의해 도포·제조할 수 있는 슬릿 코트 적성이 요구되게 되었다. 또한 이 대형화에 따라, 노광에 시간이 걸리게 되어, 노광 시간 단축을 위해 고감도가 요구되게 되었다.2. Description of the Related Art Conventionally, in electronic parts such as liquid crystal display elements, integrated circuit elements, solid-state image pickup elements, and organic EL elements, a planarizing film for imparting flatness to the surface of electronic components and a protective film for preventing deterioration or damage of the electronic components, A photosensitive resin composition is used to form an interlayer insulating film for maintaining insulation. With the recent increase in size of display devices, slit coat suitability that can be coated and manufactured by a slit coater is required. Also, with this increase in size, exposure takes time, and high sensitivity is required for shortening the exposure time.

특허문헌 1 에는, 카르복실기 함유 폴리머, 퀴논디아지드 화합물, 특정한 오늄을 혼합한 감광성 수지 조성물을 슬릿 도포하는 것이 개시되어 있다. 그러나, 이 조성물에서는 감도가 충분하지 않다. 고감도의 층간 절연막용 조성물로서, 예를 들어, 특허문헌 2 및 3 에는, 아세탈 구조 그리고 에폭시기 또는 가교성기를 함유하는 수지, 산발생제를 함유하는 화학 증폭형의 감방사선성 수지 조성물이 개시되어 있다.Patent Document 1 discloses coating a slit with a photosensitive resin composition obtained by mixing a carboxyl group-containing polymer, a quinone diazide compound and a specific onium. However, the sensitivity of this composition is not sufficient. As a composition for a highly sensitive interlayer insulating film, for example, Patent Documents 2 and 3 disclose a chemically amplified radiation sensitive resin composition containing an acid generator and a resin containing an acetal structure and an epoxy group or a crosslinkable group .

일본 공개특허공보 2009-075329호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2009-075329 일본 공개특허공보 2004-254623호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2004-254623 일본 공개특허공보 2009-098616호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2009-098616

본 발명자들이 검토한 결과, 특허문헌 2 및 3 의 고감도의 감광성 수지 조성물을 슬릿 코트한 경우에는, 그 감도가 안정되지 않은 것을 알 수 있었다. 또, 슬릿 코트하여 절연막을 제조한 경우에는, 컨택트홀의 패터닝 성능이 충분하지 않게 된다는 문제가 발생하는 것으로 판명되었다. 이것은 화학 증폭형의 감광성 수지 조성물을 슬릿 코트에 의해 절연막으로 할 때의 새로운 과제이다.As a result of the studies by the present inventors, it has been found that the sensitivity is not stable when the photosensitive resin composition of Patent Documents 2 and 3 is slit-coated. It has also been found that when the insulating film is produced by slit coating, the patterning performance of the contact hole becomes insufficient. This is a new problem when the chemical amplification type photosensitive resin composition is used as an insulating film by a slit coat.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 고감도이며 안정된 감도로 제조할 수 있고, 컨택트홀의 패터닝 성능이나 ITO 스퍼터 적성, 내열 투명성이 우수한 경화막을 슬릿 코트에 의해 제조하는 제조 방법, 상기 제조 방법에 사용되는 감광성 수지 조성물, 상기 제조 방법에 의해 제조된 경화막, 상기 경화막을 포함하는 유기 EL 표시 장치, 및 액정 표시 장치를 제공하는 것이다.A problem to be solved by the present invention is to provide a manufacturing method of a cured film which can be manufactured with a high sensitivity and a stable sensitivity and which is excellent in patterning performance of a contact hole, ITO sputter suitability and heat resistance transparency by a slit coat, A cured film produced by the above production method, an organic EL display device including the cured film, and a liquid crystal display device.

본 발명의 상기 과제는 이하의 <1> ∼ <12> 에 기재된 수단에 의해 해결되었다.The above problem of the present invention is solved by the means described in the following <1> to <12>.

<1> (1) 감광성 수지 조성물을 10 ℃ 이하의 온도로 하는 저온 처리 공정, (2) 상기 감광성 수지 조성물을 기판 상에 슬릿 코트하는 도포 공정, (3) 도포된 상기 감광성 수지 조성물에서 용제를 제거하는 용제 제거 공정, (4) 용제를 제거한 상기 감광성 수지 조성물을 활성 광선에 의해 노광하는 노광 공정, (5) 실온에서 45 초 이상 경과시키는 공정, (6) 수성 현상액에 의해 현상하는 현상 공정, 및 (7) 열경화시키는 포스트 베이크 공정을 이 순서로 포함하고, 상기 감광성 수지 조성물이, (성분 A) 적어도 (a1) 산기가 산분해성기로 보호된 잔기를 갖는 구성 단위, (a2) 가교기를 갖는 구성 단위, (a3) 카르복실기 및/또는 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위를 함유하는 공중합체, (성분 B) 광산 발생제, 그리고, (성분 C) 용제를 함유하는 것을 특징으로 하는 경화막의 제조 방법,(1) a low-temperature treatment step of setting the photosensitive resin composition to a temperature of 10 ° C or lower, (2) a coating step of slitting the photosensitive resin composition on a substrate, (3) (4) an exposure step of exposing the photosensitive resin composition from which the solvent has been removed by an actinic ray, (5) a step of elongating at room temperature for 45 seconds or more, (6) a developing step of developing with an aqueous developer, And (7) a post-baking step of thermosetting in this order, wherein the photosensitive resin composition comprises (A) at least (a1) a structural unit having an acid group protected by an acid-decomposable group, (a2) (A3) a copolymer containing a structural unit having a carboxyl group and / or a phenolic hydroxyl group, (B) a photoacid generator, and (C) a solvent. Way,

<2> 상기 구성 단위 (a1) 이 카르복실기가 아세탈 또는 케탈로 보호된 잔기를 갖는 구성 단위인 <1> 에 기재된 경화막의 제조 방법, &Lt; 2 &gt; The process for producing a cured film according to &lt; 1 &gt;, wherein the structural unit (a1) is a structural unit having a carboxyl group in an acetal- or ketal-

<3> 상기 구성 단위 (a1) 이 식 (A2) 로 나타내는 <1> 또는 <2> 에 기재된 경화막의 제조 방법,<3> The method for producing a cured film according to <1> or <2>, wherein the structural unit (a1)

[화학식 1][Chemical Formula 1]

Figure 112011004390327-pat00001
Figure 112011004390327-pat00001

(식 (A2) 중, R1 및 R2 는 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기 또는 아릴기를 나타내고, 적어도 R1 및 R2 중 어느 일방이 알킬기 또는 아릴기이고, R3 은 알킬기 또는 아릴기를 나타내고, R1 또는 R2 와 R3 이 연결되어 고리형 에테르를 형성해도 되고, R4 는 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, X 는 단결합 또는 아릴렌기를 나타낸다)(In the formula (A2), R 1 and R 2 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group or an aryl group, at least one of R 1 and R 2 is an alkyl group or an aryl group, R 3 is an alkyl group or an aryl group, R 1 or R 2 and R 3 may be connected to form a cyclic ether, R 4 represents a hydrogen atom or a methyl group, and X represents a single bond or an arylene group)

<4> 상기 구성 단위 (a2) 가 에폭시기, 옥세타닐기 및 에틸렌성 불포화기로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 1 개의 기를 갖는 <1> ∼ <3> 중 어느 하나에 기재된 경화막의 제조 방법,<4> The method for producing a cured film according to any one of <1> to <3>, wherein the structural unit (a2) has at least one group selected from the group consisting of an epoxy group, an oxetanyl group and an ethylenic unsaturated group,

<5> 상기 구성 단위 (a2) 가 지환 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 <1> ∼ <4> 중 어느 하나에 기재된 경화막의 제조 방법,<5> The method for producing a cured film according to any one of <1> to <4>, wherein the structural unit (a2) has an alicyclic epoxy group and / or an oxetanyl group,

<6> 상기 성분 B 가 옥심술포네이트 잔기를 갖는 화합물인 <1> ∼ <5> 중 어느 하나에 기재된 경화막의 제조 방법,<6> The method for producing a cured film according to any one of <1> to <5>, wherein the component B is a compound having an oxime sulfonate residue,

<7> 상기 성분 B 가 식 (OS-3), 식 (OS-4) 또는 식 (OS-5) 로 나타내는 화합물인 <1> ∼ <6> 중 어느 하나에 기재된 경화막의 제조 방법,<7> The method for producing a cured film according to any one of <1> to <6>, wherein the component B is a compound represented by the formula (OS-3), the formula (OS-

[화학식 2](2)

Figure 112011004390327-pat00002
Figure 112011004390327-pat00002

(식 (OS-3) ∼ 식 (OS-5) 중, R1 은 알킬기, 아릴기 또는 헤테로아릴기를 나타내고, R2 는 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 아릴기 또는 할로겐 원자를 나타내고, R6 은 각각 독립적으로 할로겐 원자, 알킬기, 알킬옥시기, 술폰산기, 아미노술포닐기 또는 알콕시술포닐기를 나타내고, X 는 O 또는 S 를 나타내고, n 은 1 또는 2 를 나타내고, m 은 0 ∼ 6 의 정수를 나타낸다)(Formula (OS-3) ~ formula (OS-5) of, R 1 is an alkyl group, an aryl group or a heteroaryl group, R 2 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group or a halogen atom, R 6 An alkyl group, an alkyloxy group, a sulfonic acid group, an aminosulfonyl group or an alkoxysulfonyl group, X represents O or S, n represents 1 or 2, and m represents an integer of 0 to 6, )

<8> 상기 감광성 수지 조성물이 화학 증폭 포지티브형 감광성 수지 조성물인 <1> ∼ <7> 중 어느 하나에 기재된 경화막의 제조 방법,<8> The method for producing a cured film according to any one of <1> to <7>, wherein the photosensitive resin composition is a chemically amplified positive photosensitive resin composition,

<9> <1> ∼ <8> 중 어느 하나에 기재된 경화막의 제조 방법에 사용되는 감광성 수지 조성물,<9> A photosensitive resin composition for use in the method for producing a cured film according to any one of <1> to <8>

<10> <1> ∼ <8> 중 어느 하나에 기재된 경화막의 제조 방법에 의해 제조된 경화막,&Lt; 10 &gt; A cured film produced by the method for producing a cured film according to any one of &lt; 1 &gt; to &lt; 8 &

<11> <10> 에 기재된 경화막을 구비하는 유기 EL 표시 장치,&Lt; 11 &gt; An organic EL display device having the cured film described in &lt; 10 &

<12> <10> 에 기재된 경화막을 구비하는 액정 표시 장치.<12> A liquid crystal display device comprising the cured film according to <10>.

본 발명에 의해, 고감도이며 안정된 감도로 제조할 수 있고, 컨택트홀의 패터닝 성능이나 ITO 스퍼터 적성, 내열 투명성이 우수한 층간 절연막을 슬릿 코트에 의해 제조하는 경화막의 제조 방법, 상기 제조 방법에 사용되는 감광성 수지 조성물, 상기 제조 방법에 의해 제조된 경화막, 상기 경화막을 포함하는 유기 EL 표시 장치, 및 액정 표시 장치를 제공할 수 있었다.The present invention provides a method for producing a cured film which can be produced with a high sensitivity and a stable sensitivity and which is produced by a slit coat with an interlayer insulating film excellent in patterning performance of a contact hole, ITO sputtering suitability and heat resistance transparency, A composition, a cured film produced by the above production method, an organic EL display including the cured film, and a liquid crystal display device.

도 1 은 유기 EL 표시 장치의 일례의 구성 개념도이다.
도 2 는 액정 표시 장치의 일례를 나타내는 개념적 단면도이다.
1 is a conceptual diagram showing an example of an organic EL display device.
2 is a conceptual cross-sectional view showing an example of a liquid crystal display device.

본 발명의 경화막의 제조 방법은 (1) 감광성 수지 조성물을 10 ℃ 이하의 온도로 하는 저온 처리 공정, (2) 상기 감광성 수지 조성물을 기판 상에 슬릿 코트하는 도포 공정, (3) 도포된 상기 감광성 수지 조성물에서 용제를 제거하는 용제 제거 공정, (4) 용제를 제거한 상기 감광성 수지 조성물을 활성 광선에 의해 노광하는 노광 공정, (5) 실온에서 45 초 이상 경과시키는 공정, (6) 수성 현상액에 의해 현상하는 현상 공정, 및 (7) 열경화시키는 포스트 베이크 공정을 이 순서로 포함하고, 상기 감광성 수지 조성물이 (성분 A) 적어도 (a1) 산기가 산분해성기로 보호된 잔기를 갖는 구성 단위, (a2) 가교기를 갖는 구성 단위, (a3) 카르복실기 및/또는 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위를 함유하는 공중합체, (성분 B) 광산 발생제, 그리고, (성분 C) 용제를 함유하는 것을 특징으로 한다. 이하, 본 발명을 상세하게 설명한다. 또한, 본 발명에 있어서, 수치 범위를 나타내는 「A ∼ B」의 기재는, 특별히 언급이 없는 한, 「A 이상 B 이하」를 의미하고, 단점 (端点) 인 A 및 B 를 포함하는 수치 범위를 의미한다.The method for producing the cured film of the present invention comprises the steps of: (1) a low-temperature treatment step of setting the photosensitive resin composition at a temperature of 10 DEG C or lower; (2) a coating step of slitting the photosensitive resin composition on a substrate; (3) (4) a step of exposing the photosensitive resin composition from which the solvent has been removed by exposure to actinic light, (5) a step of elongating at room temperature for 45 seconds or more, (6) (A1) a structural unit having an acid group protected with an acid-decomposable group, (a2) a structural unit having an acid group protected with an acid-decomposable group, and (7) a post-baking step of thermally curing the composition, (A3) a copolymer containing a structural unit having a carboxyl group and / or a phenolic hydroxyl group, (B) a photoacid generator, and (C) a solvent. It shall be. Hereinafter, the present invention will be described in detail. In the present invention, the description of &quot; A to B &quot; indicating the numerical range means &quot; A to B &quot; unless otherwise stated, and includes numerical ranges including A and B which are end points it means.

Ⅰ. 감광성 수지 조성물Ⅰ. Photosensitive resin composition

본 발명의 경화막의 제조 방법에 사용되는 감광성 수지 조성물 (이하, 본 발명의 감광성 수지 조성물이라고도 한다) 은 상기 성분 A ∼ 성분 C 를 함유하고, 필요에 따라, (성분 D) 증감제, (성분 E) 가교제, (성분 F) 밀착 개량제, (성분 G) 염기성 화합물, (성분 H) 계면 활성제 등을 함유한다. 이하, 각 성분에 대하여 설명한다.The photosensitive resin composition (hereinafter also referred to as the photosensitive resin composition of the present invention) used in the method for producing a cured film of the present invention contains the above components A to C and, if necessary, a sensitizer (component D) ), A crosslinking agent (Component F), an adhesion improver, (Component G), a basic compound (Component H), and a surfactant. Hereinafter, each component will be described.

(성분 A)(Component A)

본 발명의 감광성 수지 조성물은 (성분 A) 적어도 (a1) 산기가 산분해성기로 보호된 잔기를 갖는 구성 단위, (a2) 가교기를 갖는 구성 단위, (a3) 카르복실기 및/또는 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위를 함유하는 공중합체를 함유한다. 성분 A 는 알칼리 불용성이고, 또한, 산분해성기가 분해되었을 때 알칼리 가용성이 되는 수지인 것이 바람직하다. 여기서, 「산분해성기」란 산의 존재하에서 분해 가능한 관능기를 의미한다. 또, 「알칼리 가용성」이란, 화합물 (수지) 의 용액을 기판 상에 도포하고, 90 ℃ 에서 2 분간 가열하여 형성한 도포막 (두께 3 ㎛) 의 23 ℃ 에 있어서의 0.4 중량% 테트라메틸암모늄하이드록사이드 수용액에 대한 용해 속도가 0.01 ㎛/초 이상인 것을 말한다. 한편, 「알칼리 불용성」이란, 용해 속도가 0.01 ㎛/초 미만인 것을 말한다. 성분 A 의 알칼리 용해 속도는 0.005 ㎛/초 미만인 것이 보다 바람직하다.The photosensitive resin composition of the present invention is a photosensitive resin composition comprising (A) at least (a1) a structural unit having an acid group protected by an acid-decomposable group, (a2) a structural unit having a crosslinking group, (a3) a structure having a carboxyl group and / or a phenolic hydroxyl group Lt; / RTI &gt; units. Component A is preferably an alkali-insoluble resin which becomes alkali-soluble when the acid-decomposable group is decomposed. Here, the "acid-decomposable group" means a functional group decomposable in the presence of an acid. "Alkali solubility" is a condition in which a solution of a compound (resin) is coated on a substrate, and a coating film (thickness 3 μm) formed by heating at 90 ° C. for 2 minutes is coated with 0.4 wt% tetramethylammonium hydroxide Means that the dissolution rate in the aqueous solution of the lockside is not less than 0.01 탆 / second. On the other hand, "alkali insoluble" means that the dissolution rate is less than 0.01 μm / sec. It is more preferable that the alkali dissolution rate of the component A is less than 0.005 mu m / second.

성분 A 는 부가 중합형 수지인 것이 바람직하고, (메트)아크릴산 및/또는 그 에스테르에서 유래하는 구성 단위를 포함하는 중합체인 것이 보다 바람직하다. 「(메트)아크릴산」이란, 「아크릴산 및/또는 메타크릴산」과 동일한 의미이다. 또한, 성분 A 는 (메트)아크릴산 및/또는 그 에스테르에서 유래하는 구성 단위 이외의 구성 단위, 예를 들어, 스티렌이나 비닐 화합물에서 유래하는 구성 단위 등을 갖고 있어도 된다.The component A is preferably an addition polymerizable resin, more preferably a polymer comprising a constituent unit derived from (meth) acrylic acid and / or an ester thereof. The term "(meth) acrylic acid" has the same meaning as "acrylic acid and / or methacrylic acid". The component A may also contain constituent units other than the constituent units derived from (meth) acrylic acid and / or esters thereof, for example, constituent units derived from styrene or a vinyl compound.

성분 A 는 (메트)아크릴산 및/또는 그 에스테르에서 유래하는 모노머 단위를 전체 모노머 단위에 대해, 50 몰% 이상 함유하는 것이 바람직하고, 90 몰% 이상 함유하는 것이 보다 바람직하고, 100 몰% 함유하는 중합체인 것이 특히 바람직하다.The component A preferably contains a monomer unit derived from (meth) acrylic acid and / or an ester thereof in an amount of preferably 50 mol% or more, more preferably 90 mol% or more, and more preferably 100 mol% Polymers are particularly preferred.

또, 성분 A 가 함유하는 구성 단위를 도입하는 방법은 중합법이어도 되고, 고분자 반응법이어도 되며, 이들 2 방법을 병용해도 된다.Incidentally, the method of introducing the constituent unit contained in the component A may be a polymerization method, a polymer reaction method, or a combination of these two methods.

중합법에서는, 예를 들어, 산기가 산분해성기로 보호된 잔기를 갖는 에틸렌성 불포화 화합물 및 가교기를 갖는 에틸렌성 불포화 화합물, 카르복실기 및/또는 페놀성 수산기를 갖는 에틸렌성 불포화 화합물 등을 혼합하고 부가 중합하여, 목적으로 하는 공중합체를 얻을 수 있다.In the polymerization method, for example, an ethylenically unsaturated compound having a residue protected with an acid-decomposable group and an ethylenically unsaturated compound having a crosslinking group, an ethylenically unsaturated compound having a carboxyl group and / or a phenolic hydroxyl group, To obtain a desired copolymer.

고분자 반응법에서는, 메타크릴산 2-하이드록시에틸을 공중합한 공중합체에 에피클로로히드린을 반응시켜 에폭시기를 도입하는 것을 예시할 수 있다. 이와 같이, 반응성기를 갖는 에틸렌성 불포화 화합물을 공중합한 후에, 측사슬에 남는 반응성기를 활용하여, 고분자 반응에 의해, 페놀성 수산기 혹은 카르복실기가 산분해성기로 보호된 잔기 및/또는 가교기와 같은 관능기를 측사슬에 도입할 수 있다.In the polymer reaction method, epichlorohydrin may be reacted with a copolymer obtained by copolymerizing 2-hydroxyethyl methacrylate to introduce an epoxy group. After the ethylenically unsaturated compound having a reactive group is copolymerized, a reactive group remaining on the side chain is utilized to cause a functional group such as a residue protected by an acid-decomposable group and / or a crosslinking group to be a phenolic hydroxyl group or a carboxyl group Chain.

(구성 단위 (a1))(Constituent unit (a1))

성분 A 는 (a1) 산기가 산분해성기로 보호된 잔기를 갖는 구성 단위를 함유한다. 성분 A 가 구성 단위 (a1) 을 가짐에 따라, 매우 고감도인 감광성 수지 조성물로 할 수 있다. 산기로는, 카르복실기 및 페놀성 수산기를 들 수 있다.Component A contains (a1) a constituent unit in which the acid group has a moiety protected with an acid-decomposable group. As the component A has the constituent unit (a1), a photosensitive resin composition having extremely high sensitivity can be obtained. Examples of the acid group include a carboxyl group and a phenolic hydroxyl group.

(a1-1) 카르복실기가 산분해성기로 보호된 잔기를 갖는 구성 단위(a1-1) a structural unit having a carboxyl group protected with an acid-decomposable group

(a1-1) 카르복실기가 산분해성기로 보호된 잔기를 갖는 구성 단위 (이하, 「구성 단위 (a1-1)」이라고도 한다) 로는, 후술하는 (a1-1-1), (a1-1-2) 에 기재된 구성 단위에 포함되는 카르복실기가 산분해성에 의해 보호된 잔기를 갖는 구성 단위인 것이 바람직하다.(a1-1) The constituent unit (hereinafter also referred to as &quot; constituent unit (a1-1) &quot;) in which the carboxyl group has a residue protected by an acid- ) Is a constituent unit having a carboxyl group-protected moiety by acid decomposability.

(a1-1-1) 카르복실기를 갖는 구성 단위(a1-1-1) a structural unit having a carboxyl group

카르복실기를 갖는 구성 단위로는, 불포화 모노카르복실산, 불포화 디카르복실산, 불포화 트리카르복실산 등의 분자 중에 적어도 1 개의 카르복실기를 갖는 불포화 카르복실산 등에서 유래하는 구성 단위를 들 수 있다.Examples of the constituent unit having a carboxyl group include a constituent unit derived from an unsaturated carboxylic acid having at least one carboxyl group in a molecule such as an unsaturated monocarboxylic acid, an unsaturated dicarboxylic acid, and an unsaturated tricarboxylic acid.

불포화 모노카르복실산으로는, (메트)아크릴산, 크로톤산, α-클로로아크릴산, 계피산 등을 들 수 있다. 또, 불포화 디카르복실산으로는, 예를 들어, 말레산, 푸마르산, 이타콘산, 시트라콘산, 메사콘산 등을 들 수 있다. 불포화 다가 카르복실산은 그 산무수물이어도 되고, 구체적으로는 무수 말레산, 무수 이타콘산, 무수 시트라콘산 등을 들 수 있다. 또, 불포화 다가 카르복실산은 다가 카르복실산의 모노(2-(메트)아크릴로일옥시알킬)에스테르이어도 되고, 예를 들어, 숙신산모노(2-(메트)아크릴로일옥시에틸), 프탈산모노(2-(메트)아크릴로일옥시에틸) 등을 들 수 있다. 또한, 불포화 다가 카르복실산은 그 양 말단 디카르복시 폴리머의 모노(메트)아크릴레이트이어도 되고, 예를 들어, ω-카르복시폴리카프로락톤모노(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 또, 불포화 카르복실산으로는, (메트)아크릴산-2-카르복시에틸에스테르, 말레산모노알킬에스테르, 푸마르산모노알킬에스테르, 4-카르복시스티렌 등도 사용할 수 있다. 그 중에서도, 현상성의 관점에서, 카르복실기를 갖는 구성 단위를 형성하기 위해서는, (메트)아크릴산 또는 불포화 다가 카르복실산의 무수물 등을 사용하는 것이 바람직하고, (메트)아크릴산을 사용하는 것이 보다 바람직하다.Examples of the unsaturated monocarboxylic acid include (meth) acrylic acid, crotonic acid,? -Chloroacrylic acid, cinnamic acid and the like. Examples of the unsaturated dicarboxylic acid include maleic acid, fumaric acid, itaconic acid, citraconic acid, and mesaconic acid. The unsaturated polycarboxylic acid may be an acid anhydride. Specific examples thereof include maleic anhydride, itaconic anhydride, and citraconic anhydride. The unsaturated polycarboxylic acid may be a mono (2- (meth) acryloyloxyalkyl) ester of a polycarboxylic acid, and may be, for example, succinic acid mono (2- (meth) acryloyloxyethyl), phthalic acid mono (2- (meth) acryloyloxyethyl), and the like. Further, the unsaturated polycarboxylic acid may be a mono (meth) acrylate of the both terminal dicarboxylic polymer, for example, omega -carboxypolycaprolactone mono (meth) acrylate and the like. Examples of the unsaturated carboxylic acid include (meth) acrylic acid-2-carboxyethyl ester, maleic acid monoalkyl ester, fumaric acid monoalkyl ester and 4-carboxystyrene. Among them, from the viewpoint of developability, in order to form a structural unit having a carboxyl group, it is preferable to use anhydride of (meth) acrylic acid or an unsaturated polycarboxylic acid, and it is more preferable to use (meth) acrylic acid.

카르복실기를 갖는 구성 단위 (a1-1-1) 은 1 종 단독으로 구성되어 있어도 되고, 2 종 이상으로 구성되어 있어도 된다.The structural unit (a1-1-1) having a carboxyl group may be composed of one kind alone, or may be composed of two or more kinds.

(a1-1-2) 에틸렌성 불포화기와 산무수물 잔기를 모두 갖는 구성 단위(a1-1-2) a structural unit having both an ethylenic unsaturated group and an acid anhydride residue

에틸렌성 불포화기와 산무수물 잔기를 함께 갖는 구성 단위 (a1-1-2) 는 에틸렌성 불포화기를 갖는 화합물 중에 존재하는 수산기와 산무수물을 반응시켜 얻어진 모노머에서 유래하는 구성 단위인 것이 바람직하다. 또한, 이하의 설명에 있어서, 산무수물 잔기란, 수산기와 산무수물이 반응함으로써 생성된 잔기의 의미이고, 예를 들어, 에스테르 결합 및 카르복실기를 갖는 잔기이다.The constituent unit (a1-1-2) having both an ethylenic unsaturated group and an acid anhydride residue is preferably a constituent unit derived from a monomer obtained by reacting a hydroxyl group and an acid anhydride present in a compound having an ethylenic unsaturated group. In the following description, the acid anhydride residue means a residue formed by reacting a hydroxyl group and an acid anhydride, and is, for example, a residue having an ester bond and a carboxyl group.

산무수물로는, 공지된 것을 사용할 수 있으며, 구체적으로는 무수 말레산, 무수 숙신산, 무수 이타콘산, 무수 프탈산, 테트라하이드로 무수 프탈산, 헥사하이드로 무수 프탈산, 무수 클로렌드산 등의 2 염기산 무수물 ; 무수 트리멜리트산, 무수 피로멜리트산, 벤조페논테트라카르복실산 무수물, 비페닐테트라카르복실산 무수물 등의 산무수물을 들 수 있다. 이들 중에서는, 현상성의 관점에서, 무수 프탈산, 테트라하이드로 무수 프탈산 또는 무수 숙신산이 바람직하다.As the acid anhydride, known dicarboxylic acid anhydrides such as maleic anhydride, succinic anhydride, itaconic anhydride, phthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, and anhydrous chloridic acid; And acid anhydrides such as trimellitic anhydride, pyromellitic anhydride, benzophenonetetracarboxylic acid anhydride, and biphenyltetracarboxylic acid anhydride. Of these, phthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride or succinic anhydride are preferable from the viewpoint of developability.

산무수물의 수산기에 대한 반응률은, 현상성의 관점에서, 바람직하게는 10 ∼ 100 몰%, 보다 바람직하게는 30 ∼ 100 몰% 이다.The reaction rate of the acid anhydride to the hydroxyl group is preferably 10 to 100 mol%, more preferably 30 to 100 mol% from the viewpoint of developability.

(a1-1) 카르복실기가 산분해성기로 보호된 잔기를 갖는 구성 단위(a1-1) a structural unit having a carboxyl group protected with an acid-decomposable group

카르복실기가 산분해성기로 보호된 잔기를 갖는 구성 단위란, 바람직하게는 상기 (a1-1-1), 상기 (a1-1-2) 에 기재된 구성 단위에 포함되는 카르복실기가 산분해성기에 의해 보호된 잔기를 갖는 구성 단위이다.The constituent unit in which the carboxyl group has a moiety protected by an acid-decomposable group is preferably a moiety in which the carboxyl group contained in the constituent unit of (a1-1-1) or (a1-1-2) is protected by an acid-decomposable group .

산분해성기로는, KrF 용 포지티브형 레지스트, ArF 용 포지티브형 레지스트 에 있어서의 산분해성기로서 공지된 것을 사용할 수 있으며, 특별히 한정되지 않는다. 산분해성기로는, 산에 의해 비교적 잘 분해되는 기 (예를 들어, 테트라하이드로피라닐기, 에톡시에틸기 등의 아세탈계 관능기) 나, 산에 의해 비교적 잘 분해되지 않는 기 (예를 들어, t-부틸에스테르기, t-부틸카보네이트기 등의 t-부틸계 관능기) 가 알려져 있다. 구성 단위 (a1-1) 로는, 카르복실기가 아세탈로 보호된 잔기, 또는 카르복실기가 케탈로 보호된 잔기를 갖는 구성 단위가 감도나 패턴 형상, 컨택트홀의 형성성의 관점에서 바람직하다.As the acid decomposable group, those known as acid decomposable groups in positive resists for KrF and positive resists for ArF can be used, and there is no particular limitation. Examples of the acid-decomposable group include a group which is relatively well decomposed by an acid (e.g., an acetal-based functional group such as a tetrahydropyranyl group or an ethoxyethyl group) or a group which is relatively poorly decomposed by an acid (for example, Butyl ester group, t-butyl carbonate group and other t-butyl functional groups) are known. As the structural unit (a1-1), a structural unit in which a carboxyl group is protected with an acetal, or a structural unit in which a carboxyl group is protected with a ketal is preferable in view of sensitivity, pattern shape, and formation of a contact hole.

또한 산분해성기 중에서도 카르복실기가 식 (A1) 로 나타내는 아세탈 또는 케탈로 보호된 잔기인 것이 감도의 관점에서 보다 바람직하다. 또한, 카르복실기가 식 (A1) 로 나타내는 아세탈 또는 케탈로 보호된 잔기인 경우, 잔기의 전체로서는, -C(=O)-O-CR1R2(OR3) 의 구조로 되어 있다.Among the acid decomposable groups, the carboxyl group is more preferably an acetal or ketal-protected residue represented by the formula (A1) from the viewpoint of sensitivity. In addition, when the carboxyl group is an acetal or ketal-protected residue represented by the formula (A1), the moiety has a structure of -C (= O) -O-CR 1 R 2 (OR 3 ) as a whole.

[화학식 3](3)

Figure 112011004390327-pat00003
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(식 (A1) 중, R1 및 R2 는 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기 또는 아릴기를 나타내고, 적어도 R1 및 R2 중 어느 일방이 알킬기 또는 아릴기이고, R3 은 알킬기 또는 아릴기를 나타내고, R1 또는 R2 와 R3 이 연결되어 고리형 에테르를 형성해도 된다. 식 (A1) 에 있어서의 파선 부분은 다른 구조와의 결합 위치를 나타낸다)(In the formula (A1), R 1 and R 2 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group or an aryl group, at least one of R 1 and R 2 is an alkyl group or an aryl group, R 3 represents an alkyl group or an aryl group, R 1 or R 2 and R 3 may be connected to form a cyclic ether. The broken line in formula (A1) represents the bonding position with other structures.

식 (A1) 중, R1, R2 및 R3 에 있어서의 그 알킬기로는, 직사슬형, 분기사슬형 또는 고리형 중 어느 것이어도 된다.In the formula (A1), the alkyl group in R 1 , R 2 and R 3 may be any of linear, branched or cyclic.

직사슬형 또는 분기사슬형의 알킬기로는, 탄소수 1 ∼ 12 인 것이 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 6 인 것이 보다 바람직하며, 탄소수 1 ∼ 4 인 것이 더욱 바람직하다. 구체적으로는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, i-부틸기, sec-부틸기, t-부틸기, n-펜틸기, 네오펜틸기, n-헥실기, 텍실기(2,3-디메틸-2-부틸기), n-헵틸기, n-옥틸기, 2-에틸헥실기, n-노닐기, n-데실기 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 메틸기, 에틸기가 바람직하다.The linear or branched alkyl group preferably has 1 to 12 carbon atoms, more preferably 1 to 6 carbon atoms, and more preferably 1 to 4 carbon atoms. Specific examples thereof include a methyl group, ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, n-butyl group, i-butyl group, sec- Butyl group, n-heptyl group, n-octyl group, 2-ethylhexyl group, n-nonyl group and n-decyl group. Among them, a methyl group and an ethyl group are preferable.

고리형 알킬기로는, 탄소수 3 ∼ 12 인 것이 바람직하고, 탄소수 4 ∼ 8 인 것이 보다 바람직하며, 탄소수 4 ∼ 6 인 것이 더욱 바람직하다. 고리형 알킬기로는, 예를 들어 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기, 노르보르닐기, 이소보르닐기 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 단고리형인 것이 바람직하고, 시클로헥실기가 보다 바람직하다.The cyclic alkyl group preferably has 3 to 12 carbon atoms, more preferably 4 to 8 carbon atoms, and more preferably 4 to 6 carbon atoms. Examples of the cyclic alkyl group include a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a cyclooctyl group, a norbornyl group, and an isobornyl group. Among them, monocyclic ones are preferable, and cyclohexyl groups are more preferable.

상기 알킬기는 치환기를 갖고 있어도 되고, 치환기로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등의 할로겐 원자, 탄소수 6 ∼ 20 의 아릴기, 탄소수 1 ∼ 6 의 알콕시기를 예시할 수 있다. 치환기로서 할로겐 원자를 갖는 경우, R1, R2, R3 은 할로알킬기가 되고, 치환기로서 아릴기를 갖는 경우, R1, R2, R3 은 아르알킬기가 된다. 아르알킬기로는 벤질기가 바람직하다.The alkyl group may have a substituent. Examples of the substituent include a halogen atom such as a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, and an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms. When R 1 , R 2 and R 3 are a haloalkyl group and have an aryl group as a substituent, R 1 , R 2 and R 3 are aralkyl groups when they have a halogen atom as a substituent. The aralkyl group is preferably a benzyl group.

식 (A1) 중, R1, R2 및 R3 에 있어서의 그 아릴기로는, 탄소수 6 ∼ 12 인 것이 바람직하고, 탄소수 6 ∼ 10 인 것이 보다 바람직하다. 그 아릴기는 치환기를 갖고 있어도 되며, 그 치환기로는 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기를 바람직하게 예시할 수 있다. 아릴기로는, 예를 들어, 페닐기, 톨릴기, 자일릴기, 쿠메닐기, 1-나프틸기 등을 예시할 수 있으며, 페닐기가 바람직하다.In the formula (A1), the aryl group in R 1 , R 2 and R 3 preferably has 6 to 12 carbon atoms, more preferably 6 to 10 carbon atoms. The aryl group may have a substituent, and as the substituent, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms can be preferably exemplified. As the aryl group, for example, a phenyl group, a tolyl group, a xylyl group, a cumenyl group, a 1-naphthyl group and the like can be mentioned, and a phenyl group is preferable.

또, 식 (A1) 중, R1, R2 및 R3 은 서로 결합하여, 그것들이 결합하고 있는 탄소 원자와 하나가 되어 고리를 형성할 수 있다. R1 과 R2, R1 과 R3 또는 R2 와 R3 이 결합된 경우의 고리 구조로는, 예를 들어 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 테트라하이드로푸라닐기, 아다만틸기 및 테트라하이드로피라닐기 등을 들 수 있다.In the formula (A1), R 1 , R 2 and R 3 may combine with each other to form a ring together with the carbon atoms to which they are bonded. Examples of the ring structure in the case where R 1 and R 2 , R 1 and R 3 or R 2 and R 3 are bonded include a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a tetrahydrofuranyl group , An adamantyl group, and a tetrahydropyranyl group.

또한, 식 (A1) 에 있어서, R1 및 R2 중 어느 일방이 수소 원자 또는 메틸기인 것이 바람직하다.In formula (A1), it is preferable that either one of R 1 and R 2 is a hydrogen atom or a methyl group.

식 (A1) 로 나타내는 잔기를 갖는 구성 단위를 형성하기 위해 사용되는 라디칼 중합성 단량체는 시판되는 것을 사용해도 되고, 예를 들어 일본 공개특허공보 2009-098616호의 단락 0025 ∼ 0026 에 기재된 방법 등, 공지된 방법에 의해 합성한 것을 사용해도 된다.The commercially available radically polymerizable monomers used for forming the constituent unit having a moiety represented by the formula (A1) may be used. For example, the method described in paragraphs 0025 to 0026 of JP-A No. 2009-098616, May be used.

카르복실기가 산분해성기로 보호된 잔기를 갖는 구성 단위 (a1-1) 로는, 식 (A2) 로 나타내는 구성 단위가 보다 바람직하다.As the structural unit (a1-1) having a carboxyl group protected by an acid-decomposable group, the structural unit represented by the formula (A2) is more preferable.

[화학식 4][Chemical Formula 4]

Figure 112011004390327-pat00004
Figure 112011004390327-pat00004

(식 (A2) 중, R1 및 R2 는 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기 또는 아릴기를 나타내고, 적어도 R1 및 R2 중 어느 일방이 알킬기 또는 아릴기이며, R3 은 알킬기 또는 아릴기를 나타내고, R1 또는 R2 와 R3 이 연결되어 고리형 에테르를 형성해도 되고, R4 는 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, X 는 단결합 또는 아릴렌기를 나타낸다)(In the formula (A2), R 1 and R 2 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group or an aryl group, at least one of R 1 and R 2 is an alkyl group or an aryl group, R 3 is an alkyl group or an aryl group, R 1 or R 2 and R 3 may be connected to form a cyclic ether, R 4 represents a hydrogen atom or a methyl group, and X represents a single bond or an arylene group)

식 (A2) 중, R1 ∼ R3 은 식 (A1) 에 있어서의 R1 ∼ R3 과 동일하고, 바람직한 범위도 동일하다.Formula (A2) of, R 1 ~ R 3 are the same as R 1 ~ R 3 in the formula (A1), and are also the same preferable range.

식 (A2) 중, R1 및 R2 는 수소 원자, 또는 탄소수 1 ∼ 3 의 알킬기가 바람직하고, 수소 원자 또는 메틸기가 보다 바람직하다. R3 은 직사슬형, 분기사슬형 혹은 고리형의 탄소수 6 이하의 알킬기, 또는 탄소수 7 ∼ 10 의 아르알킬기가 바람직하고, 에틸기, 시클로헥실기, 벤질기가 보다 바람직하다. R1 또는 R2 와 R3 이 연결된 고리형 에테르로는, 테트라하이드로피라닐기, 테트라하이드로푸라닐 기가 바람직하다. R4 는 메틸기가 바람직하다. X 는 단결합 또는 페닐렌기가 바람직하다.In the formula (A2), R 1 and R 2 are preferably a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, more preferably a hydrogen atom or a methyl group. R 3 is preferably a linear, branched or cyclic alkyl group having 6 or less carbon atoms or an aralkyl group having 7 to 10 carbon atoms, more preferably an ethyl group, a cyclohexyl group or a benzyl group. As the cyclic ether in which R 1 or R 2 and R 3 are connected, a tetrahydropyranyl group or a tetrahydrofuranyl group is preferable. R 4 is preferably a methyl group. X is preferably a single bond or a phenylene group.

구성 단위 (a1-1) 의 바람직한 구체예로는, 하기의 구성 단위를 예시할 수 있다. 또한, R 은 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다.As specific preferred examples of the structural unit (a1-1), the following structural units can be exemplified. R represents a hydrogen atom or a methyl group.

[화학식 5][Chemical Formula 5]

Figure 112011004390327-pat00005
Figure 112011004390327-pat00005

구성 단위 (a1-1) 로는, 카르복실기가 식 (A3) 으로 나타내는 제 3 급 알킬기로 보호된 잔기를 갖는 구성 단위이어도 된다. 아세탈 또는 케탈로 보호된 잔기와 비교하면, 감도는 떨어지지만, 보존 안정성이 우수한 점에서 바람직하다. 또한, 카르복실기가 식 (A3) 으로 나타내는 제 3 급 알킬기로 보호된 잔기인 경우, 잔기의 전체로는, -C(=O)-O-CR1R2R3 의 구조이다.As the structural unit (a1-1), the carboxyl group may be a structural unit having a residue protected with a tertiary alkyl group represented by the formula (A3). Compared with an acetal or ketal-protected residue, the sensitivity is lowered, but it is preferable from the viewpoint of excellent storage stability. Further, when the carboxyl group is a residue protected with a tertiary alkyl group represented by the formula (A3), the whole of the residue is a structure of -C (= O) -O-CR 1 R 2 R 3 .

[화학식 6][Chemical Formula 6]

Figure 112011004390327-pat00006
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식 (A3) 중, R1, R2 및 R3 은 각각 독립적으로 알킬기 또는 아릴기를 나타내고, R1, R2 및 R3 중 어느 2 개가 서로 결합하여 고리를 형성하고 있어도 된다. 식 (A3) 에 있어서의 파선 부분은 다른 구조와의 결합 위치를 나타낸다. 식 (A3) 의 R1 ∼ R3 에 있어서의 알킬기, 아릴기의 구체예는 식 (A1) 에 있어서의 알킬기, 아릴기의 구체예와 동일하다.In formula (A3), R 1 , R 2 and R 3 each independently represents an alkyl group or an aryl group, and any two of R 1 , R 2 and R 3 may be bonded to each other to form a ring. The broken line part in the formula (A3) represents a bonding position with another structure. Specific examples of the alkyl group and aryl group in R 1 to R 3 in the formula (A3) are the same as the specific examples of the alkyl group and the aryl group in the formula (A1).

식 (A3) 에 있어서, 바람직한 예로는, R1 = R2 = R3 = 메틸기의 조합이나, R1 = R2 = 메틸기이고 R3 = 벤질기의 조합을 예시할 수 있다.In the formula (A3), a preferable example is a combination of R 1 = R 2 = R 3 = methyl group, a combination of R 1 = R 2 = methyl group and R 3 = benzyl group.

(a1-2) 페놀성 수산기가 산분해성기로 보호된 잔기를 갖는 구성 단위(a1-2) a structural unit having a phenolic hydroxyl group protected with an acid-decomposable group

(a1-2) 페놀성 수산기가 산분해성기로 보호된 잔기를 갖는 구성 단위로는, (a1-2-1) 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위의 페놀성 수산기가 산분해성기에 의해 보호된 잔기를 갖는 구성 단위가 바람직하다.(a1-2) As the constituent unit in which the phenolic hydroxyl group has a moiety protected by an acid-decomposable group, the constituent unit (a1-2-1) having a phenolic hydroxyl group of the constituent unit having a phenolic hydroxyl group has a moiety protected by an acid- A constituent unit is preferable.

(a1-2-1) 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위(a1-2-1) a structural unit having a phenolic hydroxyl group

페놀성 수산기를 갖는 구성 단위로는, 하이드록시스티렌계 구성 단위나 노볼락계의 수지에 있어서의 구성 단위를 들 수 있는데, 이들 중에서는 α-메틸하이드록시스티렌에서 유래하는 구성 단위가 투명성의 관점에서 바람직하다. 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위 중에서도, 식 (A4) 로 나타내는 구성 단위가 투명성, 감도의 관점에서 바람직하다.Examples of the structural unit having a phenolic hydroxyl group include a structural unit derived from a hydroxystyrene-based structural unit or a novolak-based resin. Of these structural units, structural units derived from -methylhydroxystyrene are preferred from the viewpoint of transparency . Among the constituent units having a phenolic hydroxyl group, a constituent unit represented by the formula (A4) is preferable in view of transparency and sensitivity.

[화학식 7](7)

Figure 112011004390327-pat00007
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(식 (A4) 중, R20 은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R21 은 단결합 또는 2 가의 연결기를 나타내고, R22 는 각각 독립적으로 할로겐 원자 또는 알킬기를 나타내고, a 는 1 ∼ 5 의 정수를 나타내고, b 는 0 ∼ 4 의 정수를 나타내고, a + b 는 5 이하이다)(In the formula (A4), R 20 represents a hydrogen atom or a methyl group, R 21 represents a single bond or a divalent linking group, R 22 independently represents a halogen atom or an alkyl group, and a represents an integer of 1 to 5 , B represents an integer of 0 to 4, and a + b is 5 or less)

R20 은 메틸기인 것이 바람직하다.R 20 is preferably a methyl group.

R21 의 2 가의 연결기로는 탄소 원자가 주사슬에 결합되는 에스테르 결합 (-COO-), 알킬렌기를 예시할 수 있다. 알킬렌기로는, 직사슬 또는 분기를 갖는 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬렌기가 바람직하다. -COO- 인 경우에는, 감도를 향상시킬 수 있고, 또한 경화막의 투명성을 향상시킬 수 있으므로 바람직하다. 그 중에서도, R21 이 단결합, 에스테르 결합인 것이 바람직하다. 또, 상기 2 가의 연결기는 치환기를 갖고 있어도 되고, 치환기로는 할로겐 원자, 수산기, 알콕시기 등을 들 수 있다.Examples of the divalent linking group of R 21 include an ester bond (-COO-) in which a carbon atom is bonded to the main chain, and an alkylene group. As the alkylene group, an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms having a linear or branched group is preferable. -COO-, it is preferable since the sensitivity can be improved and the transparency of the cured film can be improved. Among them, R 21 is preferably a single bond or an ester bond. The divalent linking group may have a substituent, and examples of the substituent include a halogen atom, a hydroxyl group, and an alkoxy group.

또, a 는 1 ∼ 5 의 정수를 나타내지만, 제조가 용이한 점에서, a 는 1 또는 2 인 것이 바람직하고, a 가 1 인 것이 보다 바람직하다.A represents an integer of 1 to 5, but a is preferably 1 or 2, and more preferably a is 1, from the viewpoint of easy production.

또, 벤젠 고리에 있어서의 수산기의 결합 위치는, R21 과 결합되어 있는 탄소 원자를 기준 (1 위치) 으로 했을 때, 4 위치에 결합되어 있는 것이 바람직하다.It is preferable that the bonding position of the hydroxyl group in the benzene ring is bonded to the 4-position when the carbon atom bonded to R 21 is the reference (1 position).

R22 는 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자 등의 할로겐 원자 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 직사슬 또는 분기사슬형의 알킬기이다. 그 중에서도 제조가 용이한 점에서, 염소 원자, 브롬 원자, 메틸기 또는 에틸기인 것이 바람직하다.R 22 is a halogen atom such as a fluorine atom, a chlorine atom or a bromine atom, or a linear or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. Among them, a chlorine atom, a bromine atom, a methyl group or an ethyl group is preferable in view of easiness of production.

(a1-2) 페놀성 수산기가 산분해성기로 보호된 잔기를 갖는 구성 단위(a1-2) a structural unit having a phenolic hydroxyl group protected with an acid-decomposable group

페놀성 수산기가 산분해성기로 보호된 잔기를 갖는 구성 단위는 (a1-2-1) 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위의 페놀성 수산기가 산분해성기에 의해 보호된 잔기를 갖는 구성 단위이다.The constituent unit in which the phenolic hydroxyl group has a moiety protected by an acid-decomposable group is a constituent unit in which the phenolic hydroxyl group of the constituent unit having a phenolic hydroxyl group (a1-2-1) has a moiety protected by an acid-decomposable group.

산분해성기로는, 전술한 바와 같이, 공지된 것을 사용할 수 있으며, 특별히 한정되지 않는다.As the acid-decomposable group, any known acid-decomposable group can be used and is not particularly limited.

페놀성 수산기가 산분해성기로 보호된 잔기 중에서도 페놀성 수산기가 아세탈 또는 케탈로 보호된 잔기를 갖는 구성 단위인 것이 레지스트의 기본 물성, 특히 감도나 패턴 형상, 감광성 수지 조성물의 보존 안정성, 컨택트홀의 형성성의 관점에서 바람직하다. 또한, 페놀성 수산기가 산분해성기로 보호된 잔기 중에서도 페놀성 수산기가 식 (A1) 로 나타내는 아세탈 또는 케탈로 보호된 잔기인 것이 감도의 관점에서 보다 바람직하다. 이 경우, 잔기의 전체로는, -Ar-O-CR1R2(OR3) 의 구조로 되어 있다. 또한, Ar 은 아릴렌기를 나타낸다.Among the residues protected with an acid-decomposable group, a phenolic hydroxyl group is a constituent unit having a residue protected by an acetal or ketal, and the basic physical properties of the resist, particularly the sensitivity and pattern shape, the storage stability of the photosensitive resin composition, . Among the residues in which the phenolic hydroxyl group is protected by an acid-decomposable group, the phenolic hydroxyl group is more preferably an acetal or ketal-protected residue represented by formula (A1) from the viewpoint of sensitivity. In this case, the whole of the residue has a structure of -Ar-O-CR 1 R 2 (OR 3 ). Ar represents an arylene group.

페놀성 수산기의 아세탈에스테르 구조의 바람직한 예로는, R1 = R2 = R3 = 메틸기나 R1 = R2 = 메틸기이고 R3 = 벤질기의 조합을 예시할 수 있다.Preferable examples of the acetal ester structure of the phenolic hydroxyl group include a combination of R 1 = R 2 = R 3 = methyl group, R 1 = R 2 = methyl group and R 3 = benzyl group.

또, 페놀성 수산기가 아세탈 또는 케탈로 보호된 잔기를 갖는 구성 단위를 형성하기 위해 사용되는 라디칼 중합성 단량체로는, 예를 들어, 하이드록시스티렌의 1-알콕시알킬 보호체, 하이드록시스티렌의 테트라하이드로피라닐 보호체, α-메틸하이드록시스티렌의 1-알콕시알킬 보호체, α-메틸-하이드록시스티렌의 테트라하이드로피라닐 보호체, 4-하이드록시페닐메타크릴레이트의 1-알콕시알킬 보호체, 4-하이드록시페닐메타크릴레이트의 테트라하이드로피라닐 보호체, 4-하이드록시벤조산(1-메타크릴로일옥시메틸)에스테르의 1-알콕시알킬 보호체, 4-하이드록시벤조산(1-메타크릴로일옥시메틸)에스테르의 테트라하이드로피라닐 보호체, 4-하이드록시벤조산(2-메타크릴로일옥시에틸)에스테르의 1-알콕시알킬 보호체, 4-하이드록시벤조산(2-메타크릴로일옥시에틸)에스테르의 테트라하이드로피라닐 보호체, 4-하이드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시프로필)에스테르의 1-알콕시알킬 보호체, 4-하이드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시프로필)에스테르의 테트라하이드로피라닐 보호체, 4-하이드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시-2-하이드록시프로필)에스테르의 1-알콕시알킬 보호체, 4-하이드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시-2-하이드록시프로필)에스테르의 테트라하이드로피라닐 보호체 등을 들 수 있다. 이들 중에서, α-메틸-하이드록시스티렌의 1-알콕시알킬 보호체가 바람직하다.Examples of the radical polymerizable monomer used for forming a constituent unit having a phenolic hydroxyl group having an acetal or ketal protected moiety include a 1-alkoxyalkyl protected form of hydroxystyrene, a tetra A 1-alkoxyalkyl protected product of? -Methylhydroxystyrene, a tetrahydropyranyl protected product of? -Methyl-hydroxystyrene, a 1-alkoxyalkyl protected product of 4-hydroxyphenyl methacrylate , A tetrahydro pyranyl protective group of 4-hydroxyphenyl methacrylate, a 1-alkoxyalkyl protected group of 4-hydroxybenzoic acid (1-methacryloyloxymethyl) ester, a 4-hydroxybenzoic acid (2-methacryloyloxyethyl) ester of 4-hydroxybenzoic acid, 4-hydroxybenzoic acid (2-methacryloyloxyethyl) ester of 4-hydroxybenzoic acid Work Alkoxyalkyl protecting group of 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxypropyl) ester, 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxypropyl) Alkoxyalkyl protecting group of 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxy-2-hydroxypropyl) ester, 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxyphenyl) Hydroxy-2-hydroxypropyl) ester, and the like. Among them, a 1-alkoxyalkyl protected product of? -Methyl-hydroxystyrene is preferable.

페놀성 수산기의 아세탈 보호기 및 케탈 보호기의 구체예로는, 1-알콕시알킬기를 들 수 있으며, 예를 들어, 1-에톡시에틸기, 1-메톡시에틸기, 1-n-부톡시에틸기, 1-이소부톡시에틸기, 1-(2-클로로에톡시)에틸기, 1-(2-에틸헥실옥시)에틸기, 1-n-프로폭시에틸기, 1-시클로헥실옥시에틸기, 1-(2-시클로헥실에톡시)에틸기, 1-벤질옥시에틸기 등을 들 수 있고, 그 중에서도 1-에톡시에틸기가 바람직하다. 이들은 단독 또는 2 종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다.Specific examples of the acetal protecting group and the ketal protecting group of the phenolic hydroxyl group include a 1-alkoxyalkyl group, and examples thereof include a 1-ethoxyethyl group, a 1-methoxyethyl group, a 1-n-butoxyethyl group, (1-cyclohexyloxy) ethyl group, 1-n-propyloxyethyl group, 1-cyclohexyloxyethyl group, 1- (2-cyclohexyloxy) ethyl group, Ethoxy) ethyl group, 1-benzyloxyethyl group and the like, among which a 1-ethoxyethyl group is preferable. These may be used alone or in combination of two or more.

구성 단위 (a1-2) 를 형성하기 위해 사용되는 라디칼 중합성 단량체는 시판되는 것을 사용해도 되고, 공지된 방법에 의해 합성한 것을 사용할 수도 있다. 예를 들어, 페놀성 수산기를 갖는 화합물을 산 촉매의 존재하에서 비닐에테르와 반응시킴으로써 합성할 수 있다. 상기 합성은 페놀성 수산기를 갖는 모노머를 그 밖의 모노머와 미리 공중합시켜 두고, 그 후에 산 촉매의 존재하에서 비닐에테르와 반응시켜도 된다.The radically polymerizable monomer used for forming the structural unit (a1-2) may be a commercially available one, or a compound synthesized by a known method may be used. For example, a compound having a phenolic hydroxyl group can be synthesized by reacting with a vinyl ether in the presence of an acid catalyst. The above-mentioned synthesis may be carried out by previously copolymerizing a monomer having a phenolic hydroxyl group with another monomer, and then reacting with a vinyl ether in the presence of an acid catalyst.

구성 단위 (a1-2) 의 바람직한 구체예로는, 하기의 구성 단위를 예시할 수 있는데, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다. 또한, R 은 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다.Specific preferred examples of the structural unit (a1-2) include the following structural units, but the present invention is not limited thereto. R represents a hydrogen atom or a methyl group.

[화학식 8][Chemical Formula 8]

Figure 112011004390327-pat00008
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카르복실기가 산분해성기로 보호된 잔기를 갖는 구성 단위는 페놀성 수산기가 산분해성기로 보호된 잔기를 갖는 구성 단위에 비하면 현상이 빠르다. 따라서, 빨리 현상하고자 하는 경우에는 카르복실기가 산분해성기로 보호된 잔기를 갖는 구성 단위가 바람직하다. 반대로 현상을 느리게 하고자 하는 경우에는 페놀성 수산기가 산분해성기로 보호된 잔기를 갖는 구성 단위를 사용하는 것이 바람직하다.The constituent unit in which the carboxyl group has a moiety protected by an acid-decomposable group has a faster phenomenon than a constituent unit in which the phenolic hydroxyl group has a moiety protected with an acid-decomposable group. Therefore, when it is desired to develop quickly, a constituent unit in which the carboxyl group has a residue protected by an acid-decomposable group is preferable. On the other hand, when the development is to be slowed, it is preferable to use a constitutional unit having a residue whose phenolic hydroxyl group is protected with an acid-decomposable group.

성분 A 를 구성하는 모노머 단위 중, 구성 단위 (a1) 에서 유래하는 모노머 단위의 함유율은, 감도의 관점에서, 성분 A 의 공중합체의 전체 모노머 단위 중, 20 ∼ 60 몰% 가 바람직하고, 30 ∼ 50 몰% 가 보다 바람직하다.The content of the monomer unit derived from the structural unit (a1) among the monomer units constituting the component A is preferably from 20 to 60 mol%, more preferably from 30 to 60 mol%, based on the whole monomer units of the copolymer of the component A, More preferably 50 mol%.

(구성 단위 (a2))(The constituent unit (a2))

성분 A 는 (a2) 가교기를 갖는 구성 단위를 함유한다. 상기 가교기로는, 가열 처리에 의해, 가교 반응을 일으키는 기가 바람직하다. 바람직한 가교기를 갖는 구성 단위의 양태로는, 3 원자 고리 및/또는 4 원자 고리의 고리형 에테르 잔기, 그리고, 에틸렌성 불포화기로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 1 개를 포함하는 구성 단위를 들 수 있다.Component A contains (a2) a structural unit having a crosslinking group. As the crosslinking group, a group which causes a crosslinking reaction by a heat treatment is preferable. As a mode of the structural unit having a preferable crosslinking group, a structural unit containing at least one selected from the group consisting of a cyclic ether residue of a triple ring and / or a four-membered ring and an ethylenic unsaturated group is exemplified.

(a2-1) 3 원자 고리 및/또는 4 원자 고리의 고리형 에테르 잔기를 갖는 구성 단위(a2-1) a structural unit having a cyclic ether residue of a triple ring and / or a four-membered ring

상기 3 원자 고리의 고리형 에테르 잔기는 에폭시기라고도 불리며, 4 원자 고리의 고리형 에테르 잔기는 옥세타닐기로도 불린다. 이들 고리형 에테르 잔기는, 가열 처리에 의해, 카르복실기 또는 페놀성 수산기와 반응하여 공유 결합을 형성하여 가교 반응을 일으킨다. 상기 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 구성 단위 (a2-1) 로는, 지환 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 구성 단위인 것이 바람직하고, 옥세타닐기를 갖는 구성 단위인 것이 보다 바람직하다.The cyclic ether residue of the triple atomic ring is also called an epoxy group, and the cyclic ether residue of the four-membered ring is also called an oxetanyl group. These cyclic ether residue reacts with a carboxyl group or a phenolic hydroxyl group by heat treatment to form a covalent bond to cause a crosslinking reaction. The structural unit (a2-1) having an epoxy group and / or an oxetanyl group is preferably a structural unit having an alicyclic epoxy group and / or an oxetanyl group, and more preferably a structural unit having an oxetanyl group.

에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 구성 단위는 1 개의 구성 단위 중에 에폭시기 또는 옥세타닐기를 적어도 1 개 갖고 있으면 되고, 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 합계 1 ∼ 3 개 갖는 것이 바람직하고, 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 합계 1 또는 2 개 갖는 것이 보다 바람직하고, 에폭시기 또는 옥세타닐기를 1 개 갖는 것이 더욱 바람직하다.The structural unit having an epoxy group and / or an oxetanyl group may have at least one epoxy group or oxetanyl group in one structural unit, preferably has 1 to 3 epoxy groups and / or oxetanyl groups in total, / Or oxetanyl groups in total, and more preferably one having an epoxy group or oxetanyl group.

에폭시기를 갖는 구성 단위를 형성하기 위해 사용되는 라디칼 중합성 단량체의 구체예로는, 예를 들어, (메트)아크릴산글리시딜, 3,4-에폭시시클로헥실메틸(메트)아크릴레이트, α-에틸(메트)아크릴산글리시딜, α-n-프로필(메트)아크릴산글리시딜, α-n-부틸(메트)아크릴산글리시딜, (메트)아크릴산-3,4-에폭시부틸, (메트)아크릴산-6,7-에폭시헵틸, α-에틸(메트)아크릴산-6,7-에폭시헵틸, o-비닐벤질글리시딜에테르, m-비닐벤질글리시딜에테르, p-비닐벤질글리시딜에테르, 일본 특허 제 4168443호의 단락 0031 ∼ 0035 에 기재된 지환식 에폭시 골격을 함유하는 화합물 등을 들 수 있다.Specific examples of the radical polymerizable monomer used for forming the structural unit having an epoxy group include glycidyl (meth) acrylate, 3,4-epoxycyclohexylmethyl (meth) acrylate, (Meth) acrylate, glycidyl (meth) acrylate, glycidyl α-n-propyl (meth) acrylate, glycidyl α- Vinylbenzyl glycidyl ether, p-vinylbenzyl glycidyl ether, p-vinylbenzyl glycidyl ether,? -Butyl benzyl glycidyl ether,? -Butyl benzyl glycidyl ether, Compounds containing an alicyclic epoxy skeleton described in paragraphs 0031 to 0035 of Japanese Patent No. 4168443, and the like.

옥세타닐기를 갖는 구성 단위를 형성하기 위해 사용되는 라디칼 중합성 단량체의 구체예로는, 예를 들어, 일본 공개특허공보 2001-330953호의 단락 0011 ∼ 0016 에 기재된 옥세타닐기를 갖는 (메트)아크릴산에스테르 등을 들 수 있다.Specific examples of the radically polymerizable monomer used for forming the oxetanyl group-containing structural unit include (meth) acrylic acid having an oxetanyl group described in paragraphs 0011 to 0016 of JP 2001-330953 A Esters and the like.

본 발명에 있어서는, 구성 단위 (a2) 를 형성하기 위해 사용되는 라디칼 중합성 단량체로는, (메트)아크릴산에스테르 구조를 함유하는 단량체인 것이 바람직하다.In the present invention, the radical polymerizable monomer used for forming the structural unit (a2) is preferably a monomer containing a (meth) acrylic acid ester structure.

이들 모노머 중에서, 더욱 바람직한 것으로는, 일본 특허 제 4168443호의 단락 0034 ∼ 0035 에 기재된 지환식 에폭시 골격을 함유하는 화합물 및 일본 공개특허공보 2001-330953호의 단락 0011 ∼ 0016 에 기재된 옥세타닐기를 갖는 (메트)아크릴산에스테르이고, 특히 바람직한 것으로는 일본 공개특허공보 2001-330953호의 단락 0011 ∼ 0016 에 기재된 옥세타닐기를 갖는 (메트)아크릴산에스테르이다. 이들 중에서도 바람직한 것은 (메트)아크릴산 3,4-에폭시시클로헥실메틸, (메트)아크릴산 (3-에틸옥세탄-3-일)메틸이고, 가장 바람직한 것은 (메트)아크릴산 (3-에틸옥세탄-3-일)메틸이다. 이들의 구성 단위는 1 종 단독 또는 2 종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다.Among these monomers, more preferred are compounds containing an alicyclic epoxy skeleton described in paragraphs 0034 to 0035 of Japanese Patent No. 4168443 and compounds having an oxetanyl group described in paragraphs 0011 to 0016 of JP-A-2001-330953 ) Acrylate, and particularly preferred is a (meth) acrylic acid ester having an oxetanyl group as described in paragraphs 0011 to 0016 of JP-A No. 2001-330953. Among them, preferred is (meth) acrylic acid 3,4-epoxycyclohexylmethyl and (meth) acrylic acid (3-ethyloxetan- Yl) methyl. These structural units may be used alone or in combination of two or more.

구성 단위 (a2-1) 이 식 (A5) 로 나타내는 구조로부터 수소 원자를 1 개 제거한 잔기 및 식 (A6) 으로 나타내는 잔기로 이루어지는 군에서 선택된 잔기를 갖는 것이 바람직하다.It is preferable that the structural unit (a2-1) has a residue selected from the group consisting of a residue obtained by removing one hydrogen atom from the structure represented by the formula (A5) and a residue represented by the formula (A6).

[화학식 9][Chemical Formula 9]

Figure 112011004390327-pat00009
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(식 (A6) 중, R1b 및 R6b 는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 알킬기를 나타내고, R2b, R3b, R4b, R5b, R7b, R8b, R9b 및 R10b 는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 알킬기 또는 아릴기를 나타낸다. 식 (A6) 에 있어서의 파선 부분은 다른 구조와의 결합 위치를 나타낸다)(Wherein R 1b and R 6b each independently represents a hydrogen atom or an alkyl group, and R 2b , R 3b , R 4b , R 5b , R 7b , R 8b , R 9b and R 10b each independently represents A hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group or an aryl group, and the broken line portion in the formula (A6) represents a bonding position with another structure)

식 (A6) 중, R1b 및 R6b 는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 알킬기를 나타내고, 수소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 8 의 알킬기인 것이 바람직하고, 수소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기인 것이 보다 바람직하다.In formula (A6), R 1b and R 6b each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group, preferably a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, more preferably a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms .

R2b, R3b, R4b, R5b, R7b, R8b, R9b 및 R10b 는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 알킬기 또는 아릴기를 나타낸다.R 2b , R 3b , R 4b , R 5b , R 7b , R 8b , R 9b and R 10b each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group or an aryl group.

할로겐 원자로는, 불소 원자 및 염소 원자가 보다 바람직하고, 불소 원자가 더욱 바람직하다.As the halogen atom, a fluorine atom and a chlorine atom are more preferable, and a fluorine atom is more preferable.

알킬기는 직사슬형, 분기사슬형, 고리형 중 어느 것이어도 된다. 직사슬형 및 분기사슬형 알킬기로는, 탄소수 1 ∼ 8 인 것이 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 6 인 것이 보다 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 4 인 것이 더욱 바람직하다. 고리형 알킬기로는, 탄소수 3 ∼ 10 인 것이 바람직하고, 탄소수 4 ∼ 8 인 것이 보다 바람직하고, 탄소수 5 ∼ 7 인 것이 더욱 바람직하다. 또한, 직사슬형 및 분기사슬형 알킬기는 고리형 알킬기로 치환되어 있어도 되고, 고리형 알킬기는 직사슬형 및/또는 분기사슬형 알킬기로 치환되어 있어도 된다.The alkyl group may be any of linear, branched, and cyclic. The linear and branched alkyl groups preferably have 1 to 8 carbon atoms, more preferably 1 to 6 carbon atoms, and even more preferably 1 to 4 carbon atoms. The cyclic alkyl group preferably has 3 to 10 carbon atoms, more preferably 4 to 8 carbon atoms, and still more preferably 5 to 7 carbon atoms. The linear or branched alkyl group may be substituted with a cyclic alkyl group, and the cyclic alkyl group may be substituted with a linear and / or branched alkyl group.

아릴기로는, 탄소수 6 ∼ 20 의 아릴기인 것이 바람직하고, 탄소수 6 ∼ 10 의 아릴기인 것이 더욱 바람직하다.The aryl group is preferably an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, more preferably an aryl group having 6 to 10 carbon atoms.

상기 알킬기, 아릴기는 추가로 치환기를 갖고 있어도 되고, 알킬기를 갖고 있어도 되는 치환기로는, 할로겐 원자, 아릴기를 예시할 수 있고, 아릴기를 갖고 있어도 되는 치환기로는, 할로겐 원자, 알킬기를 예시할 수 있다.The alkyl group and the aryl group may further have a substituent. Examples of the substituent which may have an alkyl group include a halogen atom and an aryl group. Examples of the substituent which may have an aryl group include a halogen atom and an alkyl group .

이들 중에서도, R2b, R3b, R4b, R5b, R7b, R8b, R9b 및 R10b 는 각각 독립적으로 수소 원자, 불소 원자, 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬기, 페닐기, 또는 탄소수 1 ∼ 4 의 퍼플루오로알킬기인 것이 보다 바람직하다.Of these, R 2b , R 3b , R 4b , R 5b , R 7b , R 8b , R 9b and R 10b are each independently a hydrogen atom, a fluorine atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, a phenyl group, Of a perfluoroalkyl group.

식 (A6) 으로 나타내는 잔기로는, (3-에틸옥세탄-3-일)메틸기를 바람직하게 예시할 수 있다.As the residue represented by the formula (A6), a (3-ethyloxetan-3-yl) methyl group can be preferably exemplified.

구성 단위 (a2-1) 의 바람직한 구체예로는, 하기의 구성 단위를 예시할 수 있다. 또한, R 은 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다. Specific preferred examples of the structural unit (a2-1) include the following structural units. R represents a hydrogen atom or a methyl group.

[화학식 10][Chemical formula 10]

Figure 112011004390327-pat00010
Figure 112011004390327-pat00010

본 발명에 있어서는 투과율 (투명성) 의 관점에서, 옥세타닐기가 바람직하다. 또, 전기 특성의 관점에서는 지환 에폭시기가 바람직하다.In the present invention, an oxetanyl group is preferable from the viewpoint of the transmittance (transparency). From the viewpoint of electrical characteristics, alicyclic epoxy groups are preferred.

(a2-3) 에틸렌성 불포화기를 갖는 구성 단위(a2-3) a structural unit having an ethylenic unsaturated group

구성 단위 (a2) 의 하나로서, 에틸렌성 불포화기를 갖는 구성 단위 (a2-3) 을 들 수 있다. 구성 단위 (a2-3) 으로는, 예를 들어 일본 공개특허공보 2008-256974호의 단락 0010 ∼ 0040 에 기재된 구성 단위를 본 발명에 있어서도 사용할 수 있다. 구성 단위 (a2-3) 으로는, 측사슬에 에틸렌성 불포화기를 갖는 구성 단위가 바람직하고, 말단에 에틸렌성 불포화기를 갖고, 탄소수 3 ∼ 16 의 측사슬을 갖는 구성 단위가 보다 바람직하고, 식 (A7) 로 나타내는 측사슬을 갖는 구성 단위가 더욱 바람직하다.As one of the structural units (a2), structural units (a2-3) having an ethylenic unsaturated group can be mentioned. As the structural unit (a2-3), for example, structural units described in paragraphs 0010 to 0040 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-256974 may be used in the present invention. As the constituent unit (a2-3), a constituent unit having an ethylenic unsaturated group in the side chain is preferable, a constituent unit having an ethylenic unsaturated group at the terminal and having a side chain of 3 to 16 carbon atoms is more preferable, More preferably a structural unit having a side chain represented by A7).

[화학식 11](11)

Figure 112011004390327-pat00011
Figure 112011004390327-pat00011

(식 (A7) 중, R1 은 탄소수 1 ∼ 13 의 2 가의 연결기를 나타내고, R3 은 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다. 식 (A7) 에 있어서의 파선 부분은 주사슬과의 결합 위치를 나타낸다)(In the formula (A7), R 1 represents a divalent linking group having 1 to 13 carbon atoms, and R 3 represents a hydrogen atom or a methyl group, and the broken line portion in the formula (A7) represents a bonding position with the main chain)

R1 은 탄소수 1 ∼ 13 의 2 가의 연결기로서, 알케닐기, 시클로알케닐기, 아릴렌기 또는 이들을 조합한 기를 포함하고, 에스테르 결합, 에테르 결합, 아미드 결합, 우레탄 결합 등의 결합을 포함하고 있어도 된다. 또, 2 가의 연결기는 임의의 위치에 하이드록시기, 카르복실기 등의 치환기를 갖고 있어도 된다. R1 의 구체예로는, 일본 공개특허공보 2008-256974호의 단락 0016 ∼ 0017 에 기재된 연결기를 들 수 있다.R 1 is a divalent linking group having 1 to 13 carbon atoms, which may include an alkenyl group, a cycloalkenyl group, an arylene group, or a combination thereof, and may include a bond such as an ester bond, an ether bond, an amide bond or a urethane bond. The divalent linking group may have a substituent such as a hydroxyl group or a carboxyl group at an arbitrary position. Specific examples of R 1 include the linkers described in paragraphs 0016 to 0017 of Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2008-256974.

또, 상기 식 (A7) 로 나타내는 측사슬에 포함되는 에틸렌성 불포화기는 성분 A 150 ∼ 2,000 g 에 대해 1 몰 함유되는 것이 바람직하고, 200 ∼ 1,300 g 에 대해 1 몰 함유되는 것이 보다 바람직하다.The ethylenic unsaturated group contained in the side chain represented by the formula (A7) is preferably contained in an amount of 1 mole per 150 to 2,000 g of Component A, more preferably 1 mole per 200 to 1,300 g.

본 발명에 있어서, 구성 단위 (a2-3) 은 식 (A8) 로 나타내는 구성 단위인 것이 바람직하다.In the present invention, the structural unit (a2-3) is preferably a structural unit represented by the formula (A8).

[화학식 12][Chemical Formula 12]

Figure 112011004390327-pat00012
Figure 112011004390327-pat00012

(식 (A8) 중, R1 은 탄소수 1 ∼ 13 의 2 가의 연결기를 나타내고, R2, R3 은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다)(In the formula (A8), R 1 represents a divalent linking group having 1 to 13 carbon atoms, and R 2 and R 3 each independently represent a hydrogen atom or a methyl group)

식 (A8) 에 있어서의 R1 은 식 (A7) 에 있어서의 R1 과 동일한 의미이며, 바람직한 범위도 동일하다.R 1 in the formula (A8) is the same meaning as that of R 1 in the formula (A7), the preferred range is also the same.

식 (A7) 로 나타내는 측사슬을 갖는 구성 단위 (a2-3) 을 얻는 방법은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 미리 라디칼 중합 등의 중합 방법에 의해, 특정 관능기를 갖는 중합체를 생성시키고, 그 특정 관능기와 반응하는 기 및 말단에 에틸렌성 불포화기를 갖는 화합물 (이하, 특정 화합물이라고 칭한다) 을 반응시킴으로써 구성 단위 (a2-3) 을 갖는 공중합체로 할 수 있다. 특정 관능기, 특정 관능기를 갖는 중합체, 및 특정 화합물의 구체예는, 일본 공개특허공보 2008-256974호의 단락 0019 ∼ 0031 에 기재되어 있고, 본 발명에 있어서도 사용할 수 있다.The method for obtaining the structural unit (a2-3) having a side chain represented by the formula (A7) is not particularly limited. For example, a polymer having a specific functional group is produced in advance by a polymerization method such as radical polymerization, A copolymer having a structural unit (a2-3) can be obtained by reacting a group reacting with a specific functional group and a compound having an ethylenic unsaturated group at an end (hereinafter referred to as a specific compound). Specific examples of specific functional groups, polymers having specific functional groups, and specific compounds are described in paragraphs 0019 to 0031 of Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2008-256974, and they can also be used in the present invention.

또, 본 발명에 있어서는, 특정 관능기를 갖는 중합체를 얻을 때, 전술한 특정 관능기를 갖는 모노머와 구성 단위 (a1) 이 되는 모노머, 또한 후술하는 구성 단위 (a3) 이 되는 모노머를 병용한다.In the present invention, when a polymer having a specific functional group is obtained, the aforementioned monomers having the specific functional groups described above are used in combination with the monomers constituting the constituent units (a1) and the constituent units (a3) described later.

본 발명에 사용하는 특정 관능기를 갖는 중합체를 얻는 방법, 및 특정 관능기를 갖는 중합체와 특정 화합물을 반응시켜, 구성 단위 (a2-3) 을 얻는 방법으로는, 한정되지 않지만, 예를 들어 일본 공개특허공보 2008-256974호의 단락 0038 ∼ 0040 을 참조할 수 있다.A method for obtaining a polymer having a specific functional group to be used in the present invention and a method for obtaining a structural unit (a2-3) by reacting a specific functional group with a polymer having a specific functional group include, but are not limited to, Reference can be made to paragraphs 0038 to 0040 of Publication No. 2008-256974.

성분 A 를 구성하는 전체 모노머 단위 중, 구성 단위 (a2) 에서 유래하는 모노머 단위의 함유량은, 형성된 막의 ITO 스퍼터 적성 등의 각종 내성과 투명성의 관점에서, 20 ∼ 45 몰% 가 바람직하고, 20 ∼ 40 몰% 가 보다 바람직하다.The content of the monomer unit derived from the structural unit (a2) among the total monomer units constituting the component A is preferably from 20 to 45 mol%, more preferably from 20 to 45 mol% from the viewpoint of various resistance and transparency such as ITO sputtering property of the formed film, And more preferably 40 mol%.

(구성 단위 (a3))(The constituent unit (a3))

성분 A 는 성분 A 가 알칼리 가용성이 되지 않는 범위에서 (a3) 카르복실기 및/또는 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위를 함유한다. 카르복실기에는, 카르복실산 무수물 잔기도 포함한다.The component A contains (a3) a constitutional unit having a carboxyl group and / or a phenolic hydroxyl group within a range in which the component A is not soluble in an alkali. The carboxyl group also includes a carboxylic acid anhydride residue.

카르복실기를 갖는 구성 단위를 형성하기 위해 사용되는 라디칼 중합성 단량체로는, 예를 들어, (메트)아크릴산, 크로톤산 등의 모노카르복실산 ; 말레산, 푸마르산, 시트라콘산, 메사콘산, 이타콘산 등의 디카르복실산이 바람직하다. 또, 카르복실산 무수물 잔기를 갖는 구성 단위를 형성하기 위해 사용되는 라디칼 중합성 단량체로는, 예를 들어, 무수 말레산, 무수 이타콘산 등이 바람직하다. 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위를 형성하는 라디칼 중합성 단량체로는, 예를 들어, p-하이드록시스티렌, α-메틸-p-하이드록시스티렌 등의 하이드록시스티렌류, 일본 공개특허공보 2008-40183호의 단락 0011 ∼ 0016 에 기재된 화합물, 일본 특허 제2888454호의 단락 0007 ∼ 0010 에 기재된 4-하이드록시벤조산 유도체류, 4-하이드록시벤조산과 메타크릴산글리시딜의 부가 반응물, 4-하이드록시벤조산과 아크릴산글리시딜의 부가 반응물 등이 바람직하다. 이들 중에서도, (메트)아크릴산, 하이드록시스티렌류가 보다 바람직하다. 이들 구성 단위는 1 종 단독 또는 2 종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다.Examples of the radical polymerizable monomer used for forming the structural unit having a carboxyl group include monocarboxylic acids such as (meth) acrylic acid and crotonic acid; maleic acid, fumaric acid, citraconic acid, mesaconic acid, itaconic acid And the like. As the radical polymerizable monomer used for forming the constituent unit having a carboxylic acid anhydride residue, for example, maleic anhydride, itaconic anhydride and the like are preferable. Examples of the radically polymerizable monomers forming the constituent unit having a phenolic hydroxyl group include hydroxystyrenes such as p-hydroxystyrene and? -Methyl-p-hydroxystyrene, those disclosed in JP-A-2008-40183 4-hydroxybenzoic acid derivatives as described in paragraphs 0007 to 0010 of Japanese Patent No. 2888454, addition reaction products of 4-hydroxybenzoic acid and glycidyl methacrylate, 4-hydroxybenzoic acid and 4-hydroxybenzoic acid derivatives, Addition reaction products of glycidyl acrylate and the like are preferable. Among them, (meth) acrylic acid and hydroxystyrene are more preferable. These constituent units may be used alone or in combination of two or more.

구성 단위 (a3) 의 바람직한 구체예로는, 하기의 구성 단위를 예시할 수 있다. 또한, R 은 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다.Specific preferred examples of the structural unit (a3) include the following structural units. R represents a hydrogen atom or a methyl group.

[화학식 13][Chemical Formula 13]

Figure 112011004390327-pat00013
Figure 112011004390327-pat00013

우수한 감도, 현상성이 얻어지는 점에서, 상기 성분 A 를 구성하는 전체 모노머 단위 중, 구성 단위 (a3) 에서 유래하는 모노머 단위의 함유율은 1 ∼ 20 몰% 가 바람직하고, 5 ∼ 15 몰% 가 보다 바람직하다.The content of the monomer unit derived from the constituent unit (a3) is preferably from 1 to 20 mol%, more preferably from 5 to 15 mol%, of the total monomer units constituting the component A from the viewpoint of obtaining excellent sensitivity and developability desirable.

(그 밖의 구성 단위)(Other constituent units)

성분 A 는, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에서, 상기 구성 단위 (a1) ∼ (a3) 이외의 그 밖의 구성 단위를 함유해도 된다. 그 밖의 구성 단위를 형성하기 위해 사용되는 라디칼 중합성 단량체로는, 예를 들어, 일본 공개특허공보 2004-264623호의 단락 0021 ∼ 0024 에 기재된 화합물을 들 수 있다 (단, 상기 (a1) ∼ (a3) 의 구성 단위를 형성하는 화합물을 제외한다).The component A may contain other constitutional units other than the above-mentioned constitutional units (a1) to (a3) within the range not impairing the effect of the present invention. Examples of the radical polymerizable monomer used for forming other constituent units include the compounds described in paragraphs 0021 to 0024 of JP-A No. 2004-264623 (provided that (a1) to (a3 ) Are excluded).

이들 중에서도, 전기 특성 향상의 관점에서 (메트)아크릴산디시클로펜타닐, (메트)아크릴산시클로헥실과 같은 지환 구조 함유의 (메트)아크릴산에스테르류가 바람직하다. 투명성의 관점에서 (메트)아크릴산메틸이 바람직하다. 감도의 관점에서 (메트)아크릴산 2-하이드록시에틸, 알킬 말단 폴리알킬렌글리콜(메트)아크릴레이트가 바람직하다. 이들 중에서도, (메트)아크릴산 2-하이드록시에틸이 보다 바람직하다. 그 밖의 구성 단위는 1 종 단독 또는 2 종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 성분 A 를 구성하는 전체 구성 단위 중, 그 밖의 구성 단위의 함유율은 0 ∼ 30 몰% 가 바람직하고, 5 ∼ 25 몰% 가 보다 바람직하다.Among them, (meth) acrylic acid esters containing an alicyclic structure such as dicyclopentanyl (meth) acrylate and cyclohexyl (meth) acrylate are preferred from the viewpoint of improvement of electrical characteristics. From the viewpoint of transparency, methyl (meth) acrylate is preferable. From the viewpoint of sensitivity, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate and alkyl-terminated polyalkylene glycol (meth) acrylate are preferred. Among them, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate is more preferable. The other structural units may be used alone or in combination of two or more. The content ratio of the other structural units in the total structural units constituting the component A is preferably 0 to 30 mol%, more preferably 5 to 25 mol%.

성분 A 의 중량 평균 분자량은 1,000 ∼ 100,000 인 것이 바람직하고, 2,000 ∼ 50,000 인 것이 보다 바람직하다. 또한, 본 발명에 있어서의 중량 평균 분자량은 겔 퍼미에이션 크로마토그래피 (GPC) 에 의한 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량이다.The weight average molecular weight of the component A is preferably 1,000 to 100,000, more preferably 2,000 to 50,000. The weight average molecular weight in the present invention is the polystyrene reduced weight average molecular weight determined by gel permeation chromatography (GPC).

또, 상기 성분 A 의 공중합체의 합성법에 대해서도, 여러 가지 방법이 알려져 있는데, 일례를 들면, 적어도 구성 단위 (a1), 구성 단위 (a2) 및 구성 단위 (a3) 을 형성하기 위해 사용되는 라디칼 중합성 단량체를 포함하는 라디칼 중합성 단량체 혼합물을 유기 용제 중, 라디칼 중합 개시제를 사용하여 중합함으로써 합성하는 방법을 들 수 있다.Various methods are also known for the method of synthesizing the copolymer of the component A. For example, the radical polymerization (hereinafter referred to as radical polymerization) used for forming the constituent unit (a1), the constituent unit A method of synthesizing a radical polymerizable monomer mixture containing a monomer by polymerization in an organic solvent using a radical polymerization initiator.

이하, 본 발명에서 사용되는 성분 A 로서 바람직한 것을 예시하는데, 본 발명은 이것에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, preferable examples of the component A used in the present invention are illustrated, but the present invention is not limited thereto.

메타크릴산 1-에톡시에틸/메타크릴산 tert-부틸/메타크릴산글리시딜/메타크릴산 공중합체1-ethoxyethyl methacrylate / tert-butyl methacrylate / glycidyl methacrylate / methacrylic acid copolymer

메타크릴산 1-에톡시에틸/메타크릴산테트라하이드로-2H-피란-2-일/메타크릴산글리시딜/메타크릴산 공중합체Methoxyethyl methacrylate / 1-ethoxyethyl methacrylate / tetrahydro-2H-pyran-2-yl methacrylate / glycidyl methacrylate / methacrylic acid copolymer

메타크릴산 1-에톡시에틸/메타크릴산 2-하이드록시에틸/메타크릴산 3,4-에폭시시클로헥실메틸/메타크릴산 공중합체Methacrylic acid 1-ethoxyethyl / methacrylic acid 2-hydroxyethyl / methacrylic acid 3,4-epoxycyclohexylmethyl / methacrylic acid copolymer

메타크릴산 1-에톡시에틸/메타크릴산 2-하이드록시에틸/메타크릴산 3,4-에폭시시클로헥실메틸/4-하이드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시-2-하이드록시프로필)에스테르 공중합체Methacrylic acid 1-ethoxyethyl methacrylate / 2-hydroxyethyl methacrylate / methacrylic acid 3,4-epoxycyclohexylmethyl / 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxy- Ester copolymer

메타크릴산 1-에톡시에틸/메타크릴산 2-하이드록시에틸/메타크릴산 3,4-에폭시시클로헥실메틸/4-하이드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시프로필)에스테르 공중합체(3-methacryloyloxypropyl) ester copolymer of 1-ethoxyethyl methacrylate / 2-hydroxyethyl methacrylate / 3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate / 4-hydroxybenzoic acid

메타크릴산 1-에톡시에틸/메타크릴산 2-하이드록시에틸/메타크릴산 3,4-에폭시시클로헥실메틸/4-하이드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시프로필)에스테르 공중합체(3-methacryloyloxypropyl) ester copolymer of 1-ethoxyethyl methacrylate / 2-hydroxyethyl methacrylate / 3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate / 4-hydroxybenzoic acid

메타크릴산 1-에톡시에틸/메타크릴산 2-하이드록시에틸/메타크릴산 3,4-에폭시시클로헥실메틸/4-하이드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시프로필)에스테르/메타크릴산메틸 공중합체Methacrylic acid 1-ethoxyethyl / methacrylic acid 2-hydroxyethyl / methacrylic acid 3,4-epoxycyclohexylmethyl / 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxypropyl) ester / methacrylic acid Methyl copolymer

메타크릴산테트라하이드로-2H-피란-2-일/메타크릴산 3,4-에폭시시클로헥실메틸/4-하이드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시프로필)에스테르 공중합체Methacrylic acid tetrahydro-2H-pyran-2-yl / methacrylic acid 3,4-epoxycyclohexylmethyl / 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxypropyl)

메타크릴산테트라하이드로-2H-피란-2-일/메타크릴산 3,4-에폭시시클로헥실메틸/4-하이드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시프로필)에스테르/메타크릴산 2-하이드록시에틸 공중합체Methacrylic acid tetrahydro-2H-pyran-2-yl / methacrylic acid 3,4-epoxycyclohexylmethyl / 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxypropyl) ester / methacrylic acid 2-hydroxy Ethyl copolymer

메타크릴산 1-에톡시에틸/메타크릴산 (3-에틸옥세탄-3-일)메틸/4-하이드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시프로필)에스테르 공중합체 (3-ethyloxetan-3-yl) methyl / 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxypropyl) ester copolymer of methacrylic acid 1-ethoxyethyl /

메타크릴산테트라하이드로-2H-피란-2-일/메타크릴산 (3-에틸옥세탄-3-일)메틸/4-하이드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시프로필)에스테르/메타크릴산 2-하이드록시에틸 공중합체Methacrylic acid (3-ethyloxetan-3-yl) methyl / 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxypropyl) ester / methacrylic acid 2-hydroxyethyl copolymer

메타크릴산 1-(시클로헥실옥시)에틸/메타크릴산/메타크릴산 (3-에틸옥세탄-3-일)메틸/메타크릴산 2-하이드록시에틸 공중합체Methacrylic acid / (methacrylic acid / 3-ethyloxetane-3-yl) methyl methacrylate / 2-hydroxyethyl methacrylate copolymer

메타크릴산 1-에톡시에틸/메타크릴산/메타크릴산 (3-에틸옥세탄-3-일)메틸/메타크릴산 2-하이드록시에틸 공중합체Methoxyethyl methacrylate / methacrylic acid / methacrylic acid (3-ethyloxetan-3-yl) methyl / methacrylic acid 2-hydroxyethyl copolymer

아크릴산 1-에톡시에틸/아크릴산/아크릴산 (3-에틸옥세탄-3-일)메틸/아크릴산 2-하이드록시에틸 공중합체Acrylic acid / acrylic acid (3-ethyloxetan-3-yl) methyl / acrylic acid 2-hydroxyethyl copolymer

메타크릴산 1-에톡시에틸/메타크릴산/메타크릴산글리시딜/메타크릴산 2-하이드록시에틸/스티렌 공중합체1-ethoxyethyl methacrylate / methacrylic acid / glycidyl methacrylate / 2-hydroxyethyl methacrylate / styrene copolymer

메타크릴산 1-에톡시에틸/메타크릴산/메타크릴산글리시딜/메타크릴산 2-하이드록시에틸/메타크릴산디시클로펜타닐 공중합체1-ethoxyethyl methacrylate / methacrylic acid / glycidyl methacrylate / 2-hydroxyethyl methacrylate / dicyclopentyl methacrylate copolymer

메타크릴산테트라 하이드로푸란-2-일/메타크릴산/메타크릴산글리시딜/메타크릴산 2-하이드록시에틸 공중합체2-yl methacrylate / methacrylic acid / glycidyl methacrylate / 2-hydroxyethyl methacrylate copolymer

메타크릴산테트라하이드로푸란-2-일/메타크릴산/메타크릴산 (3-에틸옥세탄-3-일)메틸/메타크릴산 2-하이드록시에틸 공중합체Methyl methacrylate / 2-hydroxyethyl methacrylate / methacrylic acid / methacrylic acid (3-ethyloxetan-3-yl) methyl / methacrylic acid / tetrahydrofuran-

성분 A 는 1 종 단독 또는 2 종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다.Component A may be used alone or in combination of two or more.

본 발명의 감광성 수지 조성물 중의 성분 A 의 함유량은, 감광성 수지 조성물의 전체 고형분에 대해, 20 ∼ 99 중량% 인 것이 바람직하고, 40 ∼ 97 중량% 인 것이 보다 바람직하며, 60 ∼ 95 중량% 인 것이 더욱 바람직하다. 함유량이 이 범위이면, 현상했을 때의 패턴 형성성이 양호해진다. 또한, 감광성 수지 조성물의 고형분량이란, 용제 등의 휘발성 성분을 제외한 양을 나타낸다.The content of the component A in the photosensitive resin composition of the present invention is preferably 20 to 99% by weight, more preferably 40 to 97% by weight, and more preferably 60 to 95% by weight based on the total solid content of the photosensitive resin composition More preferable. When the content is within this range, the pattern forming property upon development becomes good. The solid content of the photosensitive resin composition means an amount excluding a volatile component such as a solvent.

또한, 본 발명의 감광성 수지 조성물 중에서는, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에서 성분 A 이외의 수지를 병용해도 된다. 단, 성분 A 이외의 수지의 함유량은 현상성의 관점에서 성분 A 의 함유량보다 적은 것이 바람직하다.In the photosensitive resin composition of the present invention, a resin other than the component A may be used in combination within a range not hindering the effect of the present invention. However, the content of the resin other than the component A is preferably smaller than the content of the component A from the viewpoint of developability.

(성분 B) 광산 발생제(Component B)

본 발명의 감광성 수지 조성물은 (성분 B) 광산 발생제를 함유한다. 본 발명에서 사용되는 광산 발생제로는, 파장 300 ㎚ 이상, 바람직하게는 파장 300 ∼ 450 ㎚ 의 활성 광선에 감응하여, 산을 발생시키는 화합물이 바람직하지만, 그 화학 구조에 제한되는 것은 아니다. 또, 파장 300 ㎚ 이상의 활성 광선에 직접 감응하지 않는 광산 발생제에 대해서도, 증감제와 병용함으로써 파장 300 ㎚ 이상의 활성 광선에 감응하여, 산을 발생시키는 화합물이면, 증감제와 조합하여 바람직하게 사용할 수 있다.The photosensitive resin composition of the present invention (component B) contains a photoacid generator. The photoacid generator used in the present invention is preferably a compound which generates an acid upon exposure to an actinic ray having a wavelength of 300 nm or more, preferably 300 to 450 nm, but is not limited to the chemical structure thereof. Also, in the case of a photoacid generator which does not directly react with an actinic ray having a wavelength of 300 nm or more, a compound capable of generating an acid upon exposure to an actinic ray having a wavelength of 300 nm or more by being used in combination with a sensitizer, have.

본 발명에서 사용되는 광산 발생제로는, pKA 가 4 이하인 산을 발생시키는 광산 발생제가 바람직하고, pKa 가 3 이하인 산을 발생시키는 광산 발생제가 보다 바람직하다. As the photoacid generator used in the present invention, a photoacid generator that generates an acid with a pKA of 4 or less is preferable, and a photoacid generator that generates an acid with a pKa of 3 or less is more preferable.

광산 발생제의 예로서, 트리클로로메틸-s-트리아진류, 술포늄염이나 요오드늄염, 제 4 급 암모늄염류, 디아조메탄 화합물, 이미드술포네이트 화합물, 및 옥심술포네이트 화합물 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 절연성의 관점에서, 옥심술포네이트 화합물을 사용하는 것이 바람직하다. 이들 광산 발생제는 1 종 단독 또는 2 종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다.Examples of the photoacid generator include trichloromethyl-s-triazine, sulfonium salts and iodonium salts, quaternary ammonium salts, diazomethane compounds, imidosulfonate compounds and oxime sulfonate compounds . Among them, from the viewpoint of the insulating property, it is preferable to use an oxime sulfonate compound. These photoacid generators may be used alone or in combination of two or more.

옥심술포네이트 화합물, 즉, 옥심술포네이트 잔기를 갖는 화합물로는, 식 (B1) 의 옥심술포네이트 잔기를 갖는 화합물을 바람직하게 예시할 수 있다.As the oxime sulfonate compound, that is, the compound having an oxime sulfonate moiety, a compound having an oxime sulfonate moiety of the formula (B1) can be preferably exemplified.

[화학식 14][Chemical Formula 14]

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식 (B1) 중, R5 는 알킬기, 알콕시기, 아릴기 또는 할로겐 원자를 나타낸다. 식 (B1) 에 있어서의 파선 부분은 다른 구조와의 결합 위치를 나타낸다.In the formula (B1), R 5 represents an alkyl group, an alkoxy group, an aryl group or a halogen atom. The broken line portion in the formula (B1) represents the bonding position with other structures.

R5 의 알킬기로는, 탄소수 1 ∼ 10 의 직사슬형 또는 분기형 알킬기가 바람직하다. R5 의 알킬기는 할로겐 원자 (불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자), 시아노기, 니트로기, 탄소수 6 ∼ 11 의 아릴기, 탄소수 1 ∼ 10 의 알콕시기, 또는 시클로알킬기 (7,7-디메틸-2-옥소노르보닐기 등의 유교 (有橋) 식 지환기를 포함하는, 바람직하게는 비시클로아르킬기 등) 로 치환되어도 된다.As the alkyl group for R 5 , a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms is preferable. The alkyl group of R &lt; 5 &gt; is a halogen atom (fluorine atom, chlorine atom, bromine atom, iodine atom), cyano group, nitro group, aryl group of 6 to 11 carbon atoms, alkoxy group of 1 to 10 carbon atoms, -Dimethyl-2-oxononyl group and the like, preferably a bicycloaryl group, and the like).

R5 의 알콕시기로는, 탄소수 1 ∼ 4 의 직사슬형 또는 분기사슬형의 알콕시기가 바람직하고, 메톡시기 또는 에톡시기가 보다 바람직하다. 그 알콕시기는 알킬기와 동일하게 치환되어도 된다.As the alkoxy group for R 5 , a linear or branched alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms is preferable, and a methoxy group or an ethoxy group is more preferable. The alkoxy group may be substituted in the same manner as the alkyl group.

R5 의 아릴기로는, 탄소수 6 ∼ 11 의 아릴기가 바람직하고, 페닐기 또는 나프틸기가 보다 바람직하다. R5 의 아릴기는 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기, 알콕시기 또는 할로겐 원자로 치환되어도 된다.As the aryl group for R 5, an aryl group having 6 to 11 carbon atoms is preferable, and a phenyl group or a naphthyl group is more preferable. The aryl group of R &lt; 5 &gt; may be substituted with an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, an alkoxy group or a halogen atom.

식 (B1) 로 나타내는 옥심술포네이트 잔기를 함유하는 화합물은 식 (B2) 로 나타내는 옥심술포네이트 화합물인 것이 보다 바람직하다.The compound containing an oxime sulfonate residue represented by the formula (B1) is more preferably an oxime sulfonate compound represented by the formula (B2).

[화학식 15][Chemical Formula 15]

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Figure 112011004390327-pat00015

(식 (B2) 중, R5 는 식 (B1) 에 있어서의 R5 와 동일한 의미이며, X 는 알킬기, 알콕시기 또는 할로겐 원자를 나타내고, m 은 0 ∼ 3 의 정수를 나타내고, m 이 2 또는 3 일 때, 복수의 X 는 동일해도 되고 상이해도 된다)(Wherein (B2), R 5 is the same meaning as R 5 in the formula (B1), X is an alkyl group, an alkoxy group or a halogen atom, m is an integer of 0 ~ 3, m is 2 or 3, the plurality of X's may be the same or different)

X 에 있어서의 알킬기는 탄소수 1 ∼ 4 의, 직사슬형 또는 분기사슬형 알킬기가 바람직하다. 알콕시기는 탄소수 1 ∼ 4 의 직사슬형 또는 분기사슬형 알콕시기가 바람직하다. 할로겐 원자는 염소 원자 또는 불소 원자가 바람직하다.The alkyl group in X is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. The alkoxy group is preferably a linear or branched alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms. The halogen atom is preferably a chlorine atom or a fluorine atom.

m 은 0 또는 1 이 바람직하다.m is preferably 0 or 1.

식 (B2) 중, m 이 1 이고, X 가 메틸기이고, X 의 치환 위치가 오르토 위치이고, R5 가 탄소수 1 ∼ 10 의 직사슬형 알킬기, 7,7-디메틸-2-옥소노르보르닐메틸기, 또는 p-톨루일기인 화합물이 특히 바람직하다.In the formula (B2), m is 1, X is a methyl group, the substitution position of X is an ortho position, R 5 is a linear alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, 7,7-dimethyl-2-oxonorbornyl Methyl group, or p-toluyl group is particularly preferable.

식 (B1) 로 나타내는 옥심술포네이트 잔기를 함유하는 화합물은 식 (B3) 으로 나타내는 옥심술포네이트 화합물인 것도 바람직하다.It is also preferable that the compound containing an oxime sulfonate group represented by the formula (B1) is an oxime sulfonate compound represented by the formula (B3).

[화학식 16][Chemical Formula 16]

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(식 (B3) 중, R5 는 식 (B1) 에 있어서의 R5 와 동일한 의미이며, X' 는 할로겐 원자, 수산기, 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬기, 탄소수 1 ∼ 4 의 알콕시기 또는 니트로기를 나타내고, l 은 0 ∼ 5 의 정수를 나타낸다)(Formula (B3) of, R 5 has the formula (a same meaning as R 5 in B1), X 'represents a halogen atom, a hydroxyl group, an alkoxy group or a nitro group with a carbon number of alkyl group of from 1 to 4, having from 1 to 4 carbon atoms , and l represents an integer of 0 to 5)

식 (B3) 에 있어서의 R5 로는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기, n-옥틸기, 트리플루오로메틸기, 펜타플루오로에틸기, 퍼플루오로-n-프로필기, 퍼플루오로-n-부틸기, p-톨릴기, 4-클로로페닐기 또는 펜타플루오로페닐기가 바람직하고, n-옥틸기가 특히 바람직하다.Examples of R 5 in the formula (B3) include methyl, ethyl, n-propyl, n-butyl, n-octyl, N-butyl group, p-tolyl group, 4-chlorophenyl group or pentafluorophenyl group is preferable, and n-octyl group is particularly preferable.

X' 로는, 탄소수 1 ∼ 5 의 알콕시기가 바람직하고, 메톡시기가 보다 바람직하다.As X ', an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms is preferable, and a methoxy group is more preferable.

l 로는, 0 ∼ 2 의 정수가 바람직하고, 0 또는 1 이 특히 바람직하다.As l, an integer of 0 to 2 is preferable, and 0 or 1 is particularly preferable.

식 (B3) 으로 나타내는 화합물의 구체예로는, α-(메틸술포닐옥시이미노)벤질시아니드, α-(에틸술포닐옥시이미노)벤질시아니드, α-(n-프로필술포닐옥시이미노)벤질시아니드, α-(n-부틸술포닐옥시이미노)벤질시아니드, α-(4-톨루엔술포닐옥시이미노)벤질시아니드, α-[(메틸술포닐옥시이미노)-4-메톡시페닐]아세토니트릴, α-[(에틸술포닐옥시이미노)-4-메톡시페닐]아세토니트릴, α-[(n-프로필술포닐옥시이미노)-4-메톡시페닐]아세토니트릴, α-[(n-부틸술포닐옥시이미노)-4-메톡시페닐]아세토니트릴, α-[(4-톨루엔술포닐옥시이미노)-4-메톡시페닐]아세토니트릴 등을 들 수 있다.Specific examples of the compound represented by formula (B3) include α- (methylsulfonyloxyimino) benzyl cyanide, α- (ethylsulfonyloxyimino) benzyl cyanide, α- (n-propylsulfonyloxyimino) Benzyl cyanide,? - (methylsulfonyloxyimino) -4-methoxyphenyl, benzyl cyanide,? - (n-butylsulfonyloxyimino) benzyl cyanide, - [(ethylsulfonyloxyimino) -4-methoxyphenyl] acetonitrile, alpha - [(n-propylsulfonyloxyimino) -4-methoxyphenyl] acetonitrile, n-butylsulfonyloxyimino) -4-methoxyphenyl] acetonitrile, and? - [(4-toluenesulfonyloxyimino) -4-methoxyphenyl] acetonitrile.

그 중에서도, 바람직한 옥심술포네이트 화합물의 구체예로는, (ⅰ) ∼ (ⅵ) 을 들 수 있으며, 1 종 단독으로 사용하거나 또는 2 종류 이상을 병용할 수 있다. 화합물 (ⅰ) ∼ (ⅵ) 은 시판품으로서 입수할 수 있다. 또, 다른 종류의 광산 발생제와 조합하여 사용할 수도 있다.Among them, specific examples of the preferable oxime sulfonate compound include (i) to (vi), and they may be used singly or in combination of two or more. The compounds (i) to (vi) are commercially available. It may also be used in combination with other types of photoacid generators.

[화학식 17][Chemical Formula 17]

Figure 112011004390327-pat00017
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상기 식 (B1) 로 나타내는 옥심술포네이트 잔기를 함유하는 화합물로는, 식 (OS-1) 로 나타내는 화합물인 것도 바람직하다.As the compound containing an oxime sulfonate residue represented by the above formula (B1), a compound represented by the formula (OS-1) is also preferable.

[화학식 18][Chemical Formula 18]

Figure 112011004390327-pat00018
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상기 식 (OS-1) 중, R1 은 수소 원자, 알킬기, 알케닐기, 알콕시기, 알콕시카르보닐기, 아실기, 카르바모일기, 술파모일기, 술포기, 시아노기, 아릴기, 또는 헤테로아릴기를 나타낸다. R2 는 알킬기 또는 아릴기를 나타낸다.In the formula (OS-1), R 1 represents a hydrogen atom, an alkyl group, an alkenyl group, an alkoxy group, an alkoxycarbonyl group, an acyl group, a carbamoyl group, a sulfamoyl group, a sulfo group, a cyano group, an aryl group or a heteroaryl group . R 2 represents an alkyl group or an aryl group.

상기 식 (OS-1) 중, X 는 -O-, -S-, -NH-, -NR5-, -CH2-, -CR6H- 또는 -CR6R7- 을 나타내고, R5 ∼ R7 은 알킬기 또는 아릴기를 나타낸다.The expression (OS-1), X is -O-, -S-, -NH-, -NR 5 -, -CH 2 -, -CR 6 H- or -CR 6 R 7 - represents a, R 5 R 7 represents an alkyl group or an aryl group.

상기 식 (OS-1) 중, R21 ∼ R24 는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 알킬기, 알케닐기, 알콕시기, 아미노기, 알콕시카르보닐기, 알킬카르보닐기, 아릴카르보닐기, 아미드기, 술포기, 시아노기 또는 아릴기를 나타낸다. R21 ∼ R24 중 2 개는 각각 서로 결합하여 고리를 형성해도 된다.In the formula (OS-1), R 21 to R 24 each independently represents a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, an alkenyl group, an amino group, an alkoxycarbonyl group, an alkylcarbonyl group, an arylcarbonyl group, An oxygen atom or an aryl group. Two of R 21 to R 24 may be bonded to each other to form a ring.

R21 ∼ R24 로는, 수소 원자, 할로겐 원자, 및 알킬기가 바람직하고, 또, R21 ∼ R24 중 적어도 2 개가 서로 결합하여 아릴기를 형성하는 양태도 또한 바람직하게 들 수 있다. 그 중에서도, R21 ∼ R24 가 모두 수소 원자인 양태가 감도의 관점에서 바람직하다.As R 21 to R 24 , a hydrogen atom, a halogen atom, and an alkyl group are preferable, and at least two of R 21 to R 24 are bonded to each other to form an aryl group. Among them, embodiments in which all of R 21 to R 24 are hydrogen atoms are preferable from the viewpoint of sensitivity.

이미 서술한 관능기는 모두 추가로 치환기를 갖고 있어도 된다.All of the above-described functional groups may further have a substituent.

상기 식 (OS-1) 로 나타내는 화합물은 하기 식 (OS-2) 로 나타내는 화합물인 것이 보다 바람직하다.The compound represented by the above formula (OS-1) is more preferably a compound represented by the following formula (OS-2).

[화학식 19][Chemical Formula 19]

Figure 112011004390327-pat00019
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상기 식 (OS-2) 중, R1, R2, R21 ∼ R24 는 각각 식 (OS-1) 에 있어서의 것과 동일한 의미이며, 바람직한 예도 또한 동일하다.In the formula (OS-2), R 1 , R 2 and R 21 to R 24 have the same meanings as those in the formula (OS-1), and preferable examples are also the same.

이들 중에서도, 식 (OS-1) 및 식 (OS-2) 에 있어서의 R1 이 시아노기, 또는 아릴기인 양태가 보다 바람직하고, 식 (OS-2) 로 나타내고, R1 이 시아노기, 페닐기 또는 나프틸기인 양태가 가장 바람직하다.Among them, the embodiment wherein R 1 in the formulas (OS-1) and (OS-2) is a cyano group or an aryl group is more preferable and is represented by the formula (OS-2), R 1 is a cyano group, Or naphthyl group is most preferred.

또, 상기 옥심술포네이트 화합물에 있어서, 옥심이나 벤조티아졸고리의 입체 구조 (E, Z 등) 에 대해서는 각각 어느 일방이어도 되고, 혼합물이어도 된다.In the oxime sulfonate compound, the stereostructure (E, Z, etc.) of the oxime or benzothiazole ring may be either one or a mixture thereof.

이하에, 본 발명에 바람직하게 사용할 수 있는 식 (OS-1) 로 나타내는 화합물의 구체예 (예시 화합물 b-1 ∼ b-34) 를 나타내는데, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 또한, Me 는 메틸기를 나타내고, Et 는 에틸기를 나타내고, Bn 은 벤질기를 나타내고, Ph 는 페닐기를 나타낸다.Specific examples (Exemplary Compounds b-1 to b-34) of a compound represented by the formula (OS-1) which can be preferably used in the present invention are shown below, but the present invention is not limited thereto. Me represents a methyl group, Et represents an ethyl group, Bn represents a benzyl group, and Ph represents a phenyl group.

[화학식 20][Chemical Formula 20]

Figure 112011004390327-pat00020
Figure 112011004390327-pat00020

[화학식 21][Chemical Formula 21]

Figure 112011004390327-pat00021
Figure 112011004390327-pat00021

[화학식 22][Chemical Formula 22]

Figure 112011004390327-pat00022
Figure 112011004390327-pat00022

[화학식 23](23)

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Figure 112011004390327-pat00023

상기 화합물 중에서도, 감도와 안정성의 양립이라는 관점에서, b-9, b-16, b-31, b-33 이 바람직하다.Among these compounds, b-9, b-16, b-31 and b-33 are preferable from the viewpoint of compatibility between sensitivity and stability.

상기 식 (B1) 로 나타내는 옥심술포네이트 잔기를 함유하는 화합물로는, 식 (OS-3), 식 (OS-4) 또는 식 (OS-5) 로 나타내는 옥심술포네이트 화합물인 것이 보 바람직하다.The compound containing an oxime sulfonate residue represented by the above formula (B1) is preferably an oxime sulfonate compound represented by the formula (OS-3), the formula (OS-4) or the formula (OS-5) Do.

[화학식 24]&Lt; EMI ID =

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Figure 112011004390327-pat00024

(식 (OS-3) ∼ 식 (OS-5) 중, R1 은 알킬기, 아릴기 또는 헤테로아릴기를 나타내고, R2 는 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 아릴기 또는 할로겐 원자를 나타내고, R6 은 각각 독립적으로 할로겐 원자, 알킬기, 알킬옥시기, 술폰산기, 아미노술포닐기 또는 알콕시술포닐기를 나타내고, X 는 O 또는 S 를 나타내고, n 은 1 또는 2 를 나타내고, m 은 0 ∼ 6 의 정수를 나타낸다)(Formula (OS-3) ~ formula (OS-5) of, R 1 is an alkyl group, an aryl group or a heteroaryl group, R 2 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group or a halogen atom, R 6 An alkyl group, an alkyloxy group, a sulfonic acid group, an aminosulfonyl group or an alkoxysulfonyl group, X represents O or S, n represents 1 or 2, and m represents an integer of 0 to 6, )

상기 식 (OS-3) ∼ (OS-5) 중, R1 에 있어서의 알킬기, 아릴기 또는 헤테로아릴기는 치환기를 갖고 있어도 된다.In the above formulas (OS-3) to (OS-5), the alkyl group, aryl group or heteroaryl group in R 1 may have a substituent.

상기 식 (OS-3) ∼ (OS-5) 중, R1 에 있어서의 알킬기로는, 치환기를 갖고 있어도 되는 총탄소수 1 ∼ 30 의 알킬기인 것이 바람직하다.Of the above-mentioned formulas (OS-3) to (OS-5), the alkyl group for R 1 is preferably an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms which may have a substituent.

R1 에 있어서의 알킬기가 갖고 있어도 되는 치환기로는, 할로겐 원자, 알킬옥시기, 아릴옥시기, 알킬티오기, 아릴티오기, 알킬옥시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 아미노카르보닐기를 들 수 있다.Examples of the substituent which the alkyl group in R 1 may have include a halogen atom, an alkyloxy group, an aryloxy group, an alkylthio group, an arylthio group, an alkyloxycarbonyl group, an aryloxycarbonyl group and an aminocarbonyl group.

R1 에 있어서의 알킬기로는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, s-부틸기, t-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-옥틸기, n-데실기, n-도데실기, 트리플루오로메틸기, 퍼플루오로프로필기, 퍼플루오로헥실기, 벤질기가 바람직하다.Examples of the alkyl group for R 1 include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an i-propyl group, an n-butyl group, An octyl group, an n-decyl group, an n-dodecyl group, a trifluoromethyl group, a perfluoropropyl group, a perfluorohexyl group, and a benzyl group.

또, 상기 식 (OS-3) ∼ (OS-5) 중, R1 에 있어서의 아릴기로는, 치환기를 가져도 되는 총탄소수 6 ∼ 30 의 아릴기가 바람직하다.Among the above-mentioned formulas (OS-3) to (OS-5), the aryl group in R 1 is preferably an aryl group having 6 to 30 carbon atoms which may have a substituent.

R1 에 있어서의 아릴기가 갖고 있어도 되는 치환기로는, 할로겐 원자, 알킬기, 알킬옥시기, 아릴옥시기, 알킬티오기, 아릴티오기, 알킬옥시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 아미노카르보닐기, 술폰산기, 아미노술포닐기, 알콕시술포닐기를 들 수 있다.Examples of the substituent which the aryl group in R 1 may have include a halogen atom, an alkyl group, an alkyloxy group, an aryloxy group, an alkylthio group, an arylthio group, an alkyloxycarbonyl group, an aryloxycarbonyl group, an aminocarbonyl group, A sulfonyl group, and an alkoxysulfonyl group.

R1 에 있어서의 아릴기로는, 페닐기, p-메틸페닐기, p-클로로페닐기, 펜타클로로페닐기, 펜타플루오로페닐기, o-메톡시페닐기, p-페녹시페닐기가 바람직하다.As the aryl group for R 1 , a phenyl group, p-methylphenyl group, p-chlorophenyl group, pentachlorophenyl group, pentafluorophenyl group, o-methoxyphenyl group or p-phenoxyphenyl group is preferable.

또, 상기 식 (OS-3) ∼ (OS-5) 중, R1 에 있어서의 헤테로아릴기로는, 치환기를 가져도 되는 총탄소수 4 ∼ 30 의 헤테로아릴기가 바람직하다.Among the above-mentioned formulas (OS-3) to (OS-5), the heteroaryl group for R 1 is preferably a heteroaryl group having 4 to 30 carbon atoms which may have a substituent.

R1 에 있어서의 헤테로아릴기가 갖고 있어도 되는 치환기로는, 할로겐 원자, 알킬기, 알킬옥시기, 아릴옥시기, 알킬티오기, 아릴티오기, 알킬옥시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 아미노카르보닐기, 술폰산기, 아미노술포닐기, 알콕시술포닐기를 들 수 있다.The substituent which R 1 may have as a heteroaryl group includes a halogen atom, an alkyl group, an alkyloxy group, an aryloxy group, an alkylthio group, an arylthio group, an alkyloxycarbonyl group, an aryloxycarbonyl group, an aminocarbonyl group, An aminosulfonyl group, and an alkoxysulfonyl group.

상기 식 (OS-3) ∼ (OS-5) 중, R1 에 있어서의 헤테로아릴기는 적어도 1 개의 고리가 복소 방향 고리이면 되고, 예를 들어, 복소 방향 고리와 벤젠 고리가 축환되어 있어도 된다.Of the above-mentioned formulas (OS-3) to (OS-5), the heteroaryl group for R 1 may be at least one of the rings may be a heterocyclic ring. For example, the heterocyclic ring and the benzene ring may be covalently bonded.

R1 에 있어서의 헤테로아릴기로는, 치환기를 갖고 있어도 되는 티오펜 고리, 피롤 고리, 티아졸 고리, 이미다졸 고리, 푸란 고리, 벤조티오펜 고리, 벤조티아졸 고리 및 벤조이미다졸 고리로 이루어지는 군에서 선택된 고리로부터 1 개의 수소 원자를 제거한 기를 들 수 있다.Examples of the heteroaryl group for R 1 include a group consisting of a thiophene ring, a pyrrole ring, a thiazole ring, an imidazole ring, a furan ring, a benzothiophene ring, a benzothiazole ring and a benzoimidazole ring which may have a substituent And a group in which one hydrogen atom has been removed from the ring selected in

상기 식 (OS-3) ∼ (OS-5) 중, R2 는 수소 원자, 알킬기 또는 아릴기인 것이 바람직하고, 수소 원자 또는 알킬기인 것이 보다 바람직하다.In the formulas (OS-3) to (OS-5), R 2 is preferably a hydrogen atom, an alkyl group or an aryl group, more preferably a hydrogen atom or an alkyl group.

상기 식 (OS-3) ∼ (OS-5) 중, 화합물 중에 2 이상 존재하는 R2 중, 1 개 또는 2 개가 알킬기, 아릴기 또는 할로겐 원자인 것이 바람직하고, 1 개가 알킬기, 아릴기 또는 할로겐 원자인 것이 보다 바람직하며, 1 개가 알킬기이고, 또한 나머지가 수소 원자인 것이 특히 바람직하다.Of these formulas (OS-3) to (OS-5), one or two of R 2 present in two or more of the compounds are preferably an alkyl group, an aryl group or a halogen atom, and one of R 2 is preferably an alkyl group, More preferably an atom, and it is particularly preferable that one is an alkyl group and the remainder is a hydrogen atom.

상기 식 (OS-3) ∼ (OS-5) 중, R2 에 있어서의 알킬기 또는 아릴기는 치환기를 갖고 있어도 된다.Among the above-mentioned formulas (OS-3) to (OS-5), the alkyl group or aryl group in R 2 may have a substituent.

R2 에 있어서의 알킬기 또는 아릴기가 갖고 있어도 되는 치환기로는, 상기 R1 에 있어서의 알킬기 또는 아릴기가 갖고 있어도 되는 치환기와 동일한 기를 예시할 수 있다.Examples of the substituent that the alkyl group or aryl group in R 2 may have include the same group as the substituent that the alkyl group or aryl group in R 1 may have.

R2 에 있어서의 알킬기로는, 치환기를 가져도 되는 총탄소수 1 ∼ 12 의 알킬기인 것이 바람직하고, 치환기를 가져도 되는 총탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기인 것이 보다 바람직하다.The alkyl group for R 2 is preferably an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms which may have a substituent and more preferably an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms which may have a substituent.

R2 에 있어서의 알킬기로는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, i-부틸기, s-부틸기, n-헥실기, 알릴기, 클로로메틸기, 브로모메틸기, 메톡시메틸기, 벤질기가 바람직하고, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, i-부틸기, s-부틸기, n-헥실기가 보다 바람직하고, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기, n-헥실기가 더욱 바람직하고, 메틸기가 특히 바람직하다.Examples of the alkyl group for R 2 include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an i-propyl group, an n-butyl group, an i-butyl group, More preferably a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an i-propyl group, an n-butyl group, an i-butyl group, an s- A methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an n-butyl group and an n-hexyl group are more preferable, and a methyl group is particularly preferable.

R2 에 있어서의 아릴기로는, 치환기를 가져도 되는 총탄소수 6 ∼ 30 의 아릴기인 것이 바람직하다.The aryl group in R 2 is preferably an aryl group having 6 to 30 carbon atoms which may have a substituent.

R2 에 있어서의 아릴기로는, 페닐기, p-메틸페닐기, o-클로로페닐기, p-클로로페닐기, o-메톡시페닐기, p-페녹시페닐기가 바람직하다.As the aryl group for R 2 , a phenyl group, p-methylphenyl group, o-chlorophenyl group, p-chlorophenyl group, o-methoxyphenyl group or p-phenoxyphenyl group is preferable.

R2 에 있어서의 할로겐 원자로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자를 들 수 있다.Examples of the halogen atom in R 2 include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom.

이들 중에서도, 염소 원자, 브롬 원자가 바람직하다.Of these, a chlorine atom and a bromine atom are preferable.

상기 식 (OS-3) ∼ (OS-5) 중, X 는 O 또는 S 를 나타내고, O 인 것이 바람직하다.Of the above formulas (OS-3) to (OS-5), X represents O or S, and is preferably O.

식 (OS-3) ∼ (OS-5) 에 있어서, X 를 고리 원자로서 포함하는 고리는 5 원자 고리 또는 6 원자 고리이다.In the formulas (OS-3) to (OS-5), the ring containing X as a ring atom is a five-membered ring or a six-membered ring.

상기 식 (OS-3) ∼ (OS-5) 중, n 은 1 또는 2 를 나타내고, X 가 O 인 경우, n 은 1 인 것이 바람직하고, 또, X 가 S 인 경우, n 은 2 인 것이 바람직하다.In the formulas (OS-3) to (OS-5), n represents 1 or 2, and when X is O, n is preferably 1. When X is S, n is 2 desirable.

상기 식 (OS-3) ∼ (OS-5) 중, R6 에 있어서의 알킬기 및 알킬옥시기는 치환기를 갖고 있어도 된다.Among the above-mentioned formulas (OS-3) to (OS-5), the alkyl group and alkyloxy group in R 6 may have a substituent.

상기 식 (OS-3) ∼ (OS-5) 중, R6 에 있어서의 알킬기로는, 치환기를 갖고 있어도 되는 총탄소수 1 ∼ 30 의 알킬기인 것이 바람직하다.Of the above-mentioned formulas (OS-3) to (OS-5), the alkyl group in R 6 is preferably an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms which may have a substituent.

R6 에 있어서의 알킬기가 갖고 있어도 되는 치환기로는, 할로겐 원자, 알킬옥시기, 아릴옥시기, 알킬티오기, 아릴티오기, 알킬옥시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 아미노카르보닐기를 들 수 있다.Examples of the substituent which the alkyl group in R 6 may have include a halogen atom, an alkyloxy group, an aryloxy group, an alkylthio group, an arylthio group, an alkyloxycarbonyl group, an aryloxycarbonyl group and an aminocarbonyl group.

R6 에 있어서의 알킬기로는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, s-부틸기, t-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-옥틸기, n-데실기, n-도데실기, 트리플루오로메틸기, 퍼플루오로프로필기, 퍼플루오로헥실기, 벤질기가 바람직하다.Examples of the alkyl group for R 6 include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an i-propyl group, an n-butyl group, an s- An octyl group, an n-decyl group, an n-dodecyl group, a trifluoromethyl group, a perfluoropropyl group, a perfluorohexyl group, and a benzyl group.

상기 식 (OS-3) ∼ (OS-5) 중, R6 에 있어서의 알킬옥시기로는, 치환기를 가져도 되는 총탄소수 1 ∼ 30 의 알킬옥시기인 것이 바람직하다.Of the above-mentioned formulas (OS-3) to (OS-5), the alkyloxy group in R 6 is preferably an alkyloxy group having 1 to 30 carbon atoms which may have a substituent.

R6 에 있어서의 알킬옥시기가 갖고 있어도 되는 치환기로는, 할로겐 원자, 알킬옥시기, 아릴옥시기, 알킬티오기, 아릴티오기, 알킬옥시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 아미노카르보닐기를 들 수 있다.Examples of the substituent which the alkyloxy group in R 6 may have include a halogen atom, an alkyloxy group, an aryloxy group, an alkylthio group, an arylthio group, an alkyloxycarbonyl group, an aryloxycarbonyl group and an aminocarbonyl group.

R6 에 있어서의 알킬옥시기로는, 메틸옥시기, 에틸옥시기, 부틸옥시기, 헥실옥시기, 페녹시에틸옥시기, 트리클로로메틸옥시기, 또는 에톡시에틸옥시기가 바람직하다.As the alkyloxy group for R 6 , a methyloxy group, an ethyloxy group, a butyloxy group, a hexyloxy group, a phenoxyethyloxy group, a trichloromethyloxy group, or an ethoxyethyloxy group is preferable.

상기 식 (OS-3) ∼ (OS-5) 중, R6 에 있어서의 아미노술포닐기로는, 메틸아미노술포닐기, 디메틸아미노술포닐기, 페닐아미노술포닐기, 메틸페닐아미노술포닐기, 아미노술포닐기를 들 수 있다.Of the above-mentioned formulas (OS-3) to (OS-5), examples of the aminosulfonyl group for R 6 include a methylaminosulfonyl group, a dimethylaminosulfonyl group, a phenylaminosulfonyl group, a methylphenylaminosulfonyl group and an aminosulfonyl group .

상기 식 (OS-3) ∼ (OS-5) 중, R6 에 있어서의 알콕시술포닐기로는, 메톡시 술포닐기, 에톡시술포닐기, 프로필옥시술포닐기, 부틸옥시술포닐기를 들 수 있다.Of the above-mentioned formulas (OS-3) to (OS-5), examples of the alkoxysulfonyl group for R 6 include methoxysulfonyl group, ethoxysulfonyl group, propyloxysulfonyl group and butyloxysulfonyl group .

또, 상기 식 (OS-3) ∼ (OS-5) 중, m 은 0 ∼ 6 의 정수를 나타내고, 0 ∼ 2 의 정수인 것이 바람직하고, 0 또는 1 인 것이 보다 바람직하고, 0 인 것이 특히 바람직하다.In the formulas (OS-3) to (OS-5), m represents an integer of 0 to 6, preferably an integer of 0 to 2, more preferably 0 or 1, Do.

또, 상기 식 (4) 로 나타내는 옥심술포네이트 잔기를 함유하는 화합물은 하기 식 (OS-6) ∼ (OS-11) 중 어느 것으로 나타내는 옥심술포네이트 화합물인 것이 특히 바람직하다.It is particularly preferable that the compound containing an oxime sulfonate residue represented by the above formula (4) is an oxime sulfonate compound represented by any of the following formulas (OS-6) to (OS-11).

[화학식 25](25)

Figure 112011004390327-pat00025
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(식 (OS-6) ∼ (OS-11) 중, R1 은 알킬기, 아릴기 또는 헤테로아릴기를 나타내고, R7 은 수소 원자 또는 브롬 원자를 나타내고, R8 은 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 8 의 알킬기, 할로겐 원자, 클로로메틸기, 브로모메틸기, 브로모에틸기, 메톡시메틸기, 페닐기 또는 클로로페닐기를 나타내고, R9 는 수소 원자, 할로겐 원자, 메틸기 또는 메톡시기를 나타내고, R10 은 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다)Wherein R 1 represents an alkyl group, an aryl group or a heteroaryl group, R 7 represents a hydrogen atom or a bromine atom, and R 8 represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms R 9 represents a hydrogen atom, a halogen atom, a methyl group or a methoxy group, R 10 represents a hydrogen atom or a methyl group, a halogen atom, a halogen atom, a chloromethyl group, a bromomethyl group, a bromoethyl group, a methoxymethyl group, a phenyl group or a chlorophenyl group, Lt; / RTI &

식 (OS-6) ∼ (OS-11) 에 있어서의 R1 은 상기 식 (OS-3) ∼ (OS-5) 에 있어서의 R1 과 동일한 의미이며, 바람직한 양태도 동일한 의미이다.Expression (OS-6) ~ R 1 in (OS-11) is the same meaning as that of R 1 in the formula (OS-3) ~ (OS -5), a preferred embodiment is also the same meaning.

식 (OS-6) 에 있어서의 R7 은 수소 원자 또는 브롬 원자를 나타내고, 수소 원자인 것이 바람직하다.R 7 in the formula (OS-6) represents a hydrogen atom or a bromine atom, and is preferably a hydrogen atom.

식 (OS-6) ∼ (OS-11) 에 있어서의 R8 은 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 8 의 알킬기, 할로겐 원자, 클로로메틸기, 브로모메틸기, 브로모에틸기, 메톡시메틸기, 페닐기 또는 클로로페닐기를 나타내고, 탄소수 1 ∼ 8 의 알킬기, 할로겐 원자 또는 페닐기인 것이 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 8 의 알킬기인 것이 보다 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기인 것이 더욱 바람직하고, 메틸기인 것이 특히 바람직하다.R 8 in the formulas (OS-6) to (OS-11) represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, a halogen atom, a chloromethyl group, a bromomethyl group, a bromoethyl group, a methoxymethyl group, And is preferably an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, a halogen atom or a phenyl group, more preferably an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, further preferably an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, particularly preferably a methyl group.

식 (OS-8) 및 식 (OS-9) 에 있어서의 R9 는 수소 원자, 할로겐 원자, 메틸기 또는 메톡시기를 나타내고, 수소 원자인 것이 바람직하다.R 9 in formulas (OS-8) and (OS-9) represents a hydrogen atom, a halogen atom, a methyl group or a methoxy group, and is preferably a hydrogen atom.

식 (OS-8) ∼ (OS-11) 에 있어서의 R10 은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, 수소 원자인 것이 바람직하다.R 10 in the formulas (OS-8) to (OS-11) represents a hydrogen atom or a methyl group, and is preferably a hydrogen atom.

또, 상기 옥심술포네이트 화합물에 있어서, 옥심의 입체 구조 (E, Z) 에 대해서는, 어느 일방이어도 되고, 혼합물이어도 된다.In the oxime sulfonate compound, the three-dimensional structure (E, Z) of oxime may be either one of them or a mixture thereof.

상기 식 (OS-3) ∼ 식 (OS-5) 로 나타내는 옥심술포네이트 화합물의 구체예로는, 하기 예시 화합물을 들 수 있는데, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.Specific examples of the oxime sulfonate compound represented by the above formulas (OS-3) to (OS-5) include the following exemplified compounds, but the present invention is not limited thereto.

[화학식 26](26)

Figure 112011004390327-pat00026
Figure 112011004390327-pat00026

[화학식 27](27)

Figure 112011004390327-pat00027
Figure 112011004390327-pat00027

[화학식 28](28)

Figure 112011004390327-pat00028
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[화학식 29][Chemical Formula 29]

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[화학식 30](30)

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Figure 112011004390327-pat00030

[화학식 31](31)

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[화학식 32](32)

Figure 112011004390327-pat00032
Figure 112011004390327-pat00032

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서, 광산 발생제는, 감도와 투명성의 관점에서, 성분 A 100 중량부에 대해, 0.1 ∼ 10 중량부 사용하는 것이 바람직하고, 0.5 ∼ 10 중량부 사용하는 것이 보다 바람직하다.In the photosensitive resin composition of the present invention, the photoacid generator is preferably used in an amount of 0.1 to 10 parts by weight, more preferably 0.5 to 10 parts by weight, based on 100 parts by weight of the component A from the viewpoints of sensitivity and transparency Do.

(성분 C) 용제(Component C) Solvent

본 발명의 감광성 수지 조성물은 (성분 C) 용제를 함유한다. 본 발명의 감광성 수지 조성물은 필수 성분인 성분 A 및 성분 B 와, 후술하는 임의 성분을 용제에 용해시킨 용액으로서 조제되는 것이 바람직하다.The photosensitive resin composition of the present invention contains (Component C) a solvent. It is preferable that the photosensitive resin composition of the present invention is prepared as a solution in which a component A and a component B as essential components and an optional component described later are dissolved in a solvent.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 사용되는 (성분 C) 용제로는, 공지된 용제를 사용할 수 있으며, 에틸렌글리콜모노알킬에테르류, 에틸렌글리콜디알킬에테르류, 에틸렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류, 프로필렌글리콜모노알킬에테르류, 프로필렌글리콜디알킬에테르류, 프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류, 디에틸렌글리콜디알킬에테르류, 디에틸렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류, 디프로필렌글리콜모노알킬에테르류, 디프로필렌글리콜디알킬에테르류, 디프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류, 에스테르류, 케톤류, 아미드류, 락톤류 등을 예시할 수 있다. 이들 용제의 구체예로는, 일본 공개특허공보 2009-098616호의 단락 0062 를 참조할 수 있다. 본 발명에 사용할 수 있는 용제는 1 종 단독 또는 2 종 이상을 병용해도 되며, 2 종을 병용하는 것이 바람직하고, 프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류와 다른 용제를 병용하는 것이 보다 바람직하고, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트와 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르의 병용이 더욱 바람직하다.As the (C) solvent used in the photosensitive resin composition of the present invention, known solvents may be used, and examples thereof include ethylene glycol monoalkyl ethers, ethylene glycol dialkyl ethers, ethylene glycol monoalkyl ether acetates, propylene glycol mono Alkyl ethers, propylene glycol dialkyl ethers, propylene glycol monoalkyl ether acetates, diethylene glycol dialkyl ethers, diethylene glycol monoalkyl ether acetates, dipropylene glycol monoalkyl ethers, dipropylene glycol dialkyl ether Dipropylene glycol monoalkyl ether acetates, esters, ketones, amides, lactones, and the like. As specific examples of these solvents, reference can be made to paragraph 0062 of Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2009-098616. The solvents which can be used in the present invention may be used alone or in combination of two or more kinds. It is preferable to use two kinds of solvents in combination, more preferably propylene glycol monoalkyl ether acetates and other solvents. Propylene glycol mono The use of methyl ether acetate and diethylene glycol ethyl methyl ether is more preferable.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 용제의 함유량은, 슬릿 코트에 적합한 점도로 조정하는 관점에서, 성분 A 100 중량부당, 50 ∼ 3,000 중량부인 것이 바람직하고, 100 ∼ 2,000 중량부인 것이 보다 바람직하고, 150 ∼ 1,500 중량부인 것이 더욱 바람직하다.The content of the solvent in the photosensitive resin composition of the present invention is preferably 50 to 3,000 parts by weight, more preferably 100 to 2,000 parts by weight, per 100 parts by weight of the component A from the viewpoint of adjusting the viscosity to a suitable level for the slit coat, More preferably 150 to 1,500 parts by weight.

또한, 감광성 수지 조성물의 점도는 1 ∼ 50 mPa·s 가 바람직하고, 1 ∼ 30 mPa·s 가 보다 바람직하고, 1 ∼ 20 mPa·s 가 더욱 바람직하다. 점도는, 예를 들어 토기 산업 (주) 제조의 RE-80L 형 회전 점도계를 이용하여, 25 ± 0.2 ℃ 에서 측정한다. 측정시의 회전 속도는, 5 mPa·s 미만은 100 rpm, 5 mPa·s 이상 10 mPa·s 미만은 50 rpm, 10 mPa·s 이상 30 mPa·s 미만은 20 rpm, 30 mPa·s 이상은 10 rpm 으로 각각 실시한다.The viscosity of the photosensitive resin composition is preferably 1 to 50 mPa · s, more preferably 1 to 30 mPa · s, and even more preferably 1 to 20 mPa · s. The viscosity is measured at 25 占 0.2 占 폚 by using, for example, RE-80L type rotational viscometer manufactured by Toki Kogyo KK. The rotation speed at the time of measurement is 100 rpm for 5 mPa · s, 50 rpm for 5 mPa · s or more and less than 10 mPa · s, 20 rpm for 10 mPa · s or more and 30 mPa · s or more for less than 30 mPa · s 10 rpm, respectively.

(임의 성분)(Optional component)

본 발명의 감광성 수지 조성물에는, 성분 A ∼ 성분 C 이외에, 필요에 따라, 임의 성분으로서 이하에 서술하는 첨가제를 첨가할 수 있다.In the photosensitive resin composition of the present invention, in addition to the components A to C, optional additives described below may be added, if necessary.

(성분 D) 증감제(Component D)

본 발명에 있어서, 상기 광산 발생제의 분해를 촉진시키기 위해 (성분 D) 증감제를 첨가하는 것이 바람직하다. 증감제는, 활성 광선 또는 방사선을 흡수하여 전자 여기 상태가 된다. 전자 여기 상태가 된 증감제는, 광산 발생제와 접촉하여, 전자 이동, 에너지 이동, 발열 등의 작용이 발생한다. 이로써 광산 발생제는 화학 변화를 일으켜 분해되고, 산을 생성시킨다. In the present invention, it is preferable to add a sensitizer (component D) in order to accelerate the decomposition of the photoacid generator. The sensitizer absorbs an actinic ray or radiation to become an electron-excited state. The sensitizer brought into the electron-excited state comes into contact with the photoacid generator to generate electron movement, energy transfer, heat generation, and the like. As a result, the photoacid generator is decomposed by a chemical change to generate an acid.

바람직한 증감제의 예로는, 이하의 화합물류에 속하고, 또한 350 ∼ 450 ㎚ 의 파장역 중 어느 것에 흡수 파장을 갖는 화합물을 들 수 있다.Examples of preferred sensitizers include compounds having an absorption wavelength in any of the wavelength ranges of 350 to 450 nm belonging to the following compounds.

증감제의 구체예로는, 다핵 방향족류 (예를 들어, 피렌, 페릴렌, 트리페닐렌, 안트라센, 9,10-디부톡시안트라센, 9,10-디에톡시안트라센, 3,7-디메톡시안트라센, 9,10-디프로필옥시안트라센), 잔텐류 (예를 들어, 플루오레세인, 에오신, 에리스로신, 로다민 B, 로즈벤갈), 잔톤류 (예를 들어, 잔톤, 티옥산톤, 디메틸티옥산톤, 디에틸티옥산톤), 시아닌류 (예를 들어 티아카르보시아닌, 옥사카르보시아닌), 메로시아닌류 (예를 들어, 메로시아닌, 카르보메로시아닌), 로더시아닌류, 옥소시아놀류, 티아딘류 (예를 들어, 티오닌, 메틸렌블루, 톨루이딘블루), 아크리딘류 (예를 들어, 아크리딘 오렌지, 클로로플라빈, 아크릴플라빈), 아크리돈류 (예를 들어, 아크리돈, 10-부틸-2-클로로아크리돈), 안트라퀴논류 (예를 들어, 안트라퀴논), 스쿠아릴리움류 (예를 들어, 스쿠아릴리움), 스티릴류, 베이스스티릴류, 쿠마린류 (예를 들어, 7-디에틸아미노 4-메틸쿠마린) 를 들 수 있고, 특히 다핵 방향족류, 아크리돈류, 쿠마린류, 베이스스티릴류가 바람직하고, 다핵 방향족류, 아크리돈류가 보다 바람직하고, 안트라센 유도체, 10-부틸-2-클로로아크리돈이 더욱 바람직하다.Specific examples of the sensitizer include polynuclear aromatic compounds such as pyrene, perylene, triphenylene, anthracene, 9,10-dibutoxyanthracene, 9,10-diethoxyanthracene, 3,7-dimethoxyanthracene , 9,10-dipropyloxyanthracene), xanthines (e.g., fluorescein, eosine, erythrosine, rhodamine B, rose benzal), zotonates (e.g., xanthones, thioxanthones, (For example, oxycarbonyl, oxetane, diethylthioxanthone), cyanines (e.g., thiacarbocyanine, oxacarbocyanine), merocyanines (Such as thionine, methylene blue, toluidine blue), acridines (e.g., acridine orange, chloroflavin, acrylic flavin), acridones (for example, (For example, acridone, 10-butyl-2-chloroacridone), anthraquinones (for example, anthraquinone), squaryliums Diethylamino 4-methylcoumarin), and particularly preferably a polynuclear aromatic compound, an acridone compound, a coumarin compound, and a base styryl compound. More preferably a polynuclear aromatic group and an acridone, and more preferably an anthracene derivative and 10-butyl-2-chloroacridone.

증감제의 첨가량은, 감도, 투명성의 양립의 관점에서, 광산 발생제 100 중량부에 대해, 20 ∼ 300 중량부가 바람직하고, 30 ∼ 200 중량부가 특히 바람직하다.The addition amount of the sensitizer is preferably from 20 to 300 parts by weight, and particularly preferably from 30 to 200 parts by weight, based on 100 parts by weight of the photoacid generator, from the viewpoints of both sensitivity and transparency.

(성분 E) 가교제(Component E) Crosslinking agent

본 발명의 감광성 수지 조성물에는, 필요에 따라, (성분 E) 가교제를 첨가한다. 가교제로는, 분자 내에 2 개 이상의 에폭시기 또는 옥세타닐기를 갖는 화합물, 알콕시메틸기 함유 가교제, 적어도 1 개의 에틸렌성 불포화 2 중 결합을 갖는 화합물을 들 수 있다. 가교제를 첨가함으로써, 경화막을 보다 강고한 막으로 할 수 있다.To the photosensitive resin composition of the present invention, a crosslinking agent (component E) is added, if necessary. Examples of the crosslinking agent include a compound having two or more epoxy groups or oxetanyl groups in the molecule, an alkoxymethyl group-containing crosslinking agent, and a compound having at least one ethylenically unsaturated double bond. By adding a crosslinking agent, the cured film can be made into a stronger film.

분자 내에 2 개 이상의 에폭시기를 갖는 화합물의 구체예로는, 비스페놀 A 형 에폭시 수지, 비스페놀 F 형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 지방족 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 구체예로는 일본 공개특허공보 2009-258723호의 단락 0042 에 기재된 화합물 이외에, JER-157S65 (다관능 노볼락형 에폭시 수지) 를 들 수 있다. 그 중에서도, 비스페놀 A 형 에폭시 수지, 비스페놀 F 형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지가 바람직하고, 페놀 노볼락형 에폭시 수지가 보다 바람직하다.Specific examples of the compound having two or more epoxy groups in the molecule include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin, cresol novolak type epoxy resin and aliphatic epoxy resin. Specific examples thereof include JER-157S65 (polyfunctional novolak type epoxy resin) in addition to the compound described in paragraph 0042 of JP-A No. 2009-258723. Among them, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin and phenol novolak type epoxy resin are preferable, and phenol novolak type epoxy resin is more preferable.

분자 내에 2 개 이상의 옥세타닐기를 갖는 화합물의 구체예로는, 아론옥세탄 OXT-121, OXT-221, OX-SQ, PNOX (이상, 토아 합성 (주) 제조) 를 들 수 있다. 또, 옥세타닐기를 포함하는 화합물은 단독으로 또는 에폭시기를 포함하는 화합물과 혼합하여 사용할 수 있다.Specific examples of the compound having two or more oxetanyl groups in the molecule include aroxoxetane OXT-121, OXT-221, OX-SQ and PNOX (manufactured by Toa Gosei Co., Ltd.). The oxetanyl group-containing compound may be used alone or in combination with a compound containing an epoxy group.

알콕시메틸기 함유 가교제로는, 알콕시메틸화 멜라민, 알콕시메틸화 벤조구아나민, 알콕시메틸화 글리콜우릴 및 알콕시메틸화 우레아 등이 바람직하다. 이들은 각각 메틸올화 멜라민, 메틸올화 벤조구아나민, 메틸올화 글리콜우릴, 또는 메틸올화 우레아의 메틸올기를 알콕시메틸기로 변환함으로써 얻어진다. 이 알콕시메틸기의 종류에 대해서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 메톡시메틸기, 에톡시메틸기, 프로폭시메틸기, 부톡시메틸기 등을 들 수 있는데, 아웃 가스의 발생량의 관점에서, 특히 메톡시메틸기가 바람직하다.As the alkoxymethyl group-containing crosslinking agent, alkoxymethylated melamine, alkoxymethylated benzoguanamine, alkoxymethylated glycoluril and alkoxymethylated urea are preferable. These are obtained by converting methylol groups of methylol melamine, methylol benzoguanamine, methylol glycoluryl, or methylol urea into alkoxymethyl groups, respectively. The kind of the alkoxymethyl group is not particularly limited, and examples thereof include a methoxymethyl group, an ethoxymethyl group, a propoxymethyl group, and a butoxymethyl group. From the viewpoint of the amount of generated outgas, in particular, a methoxymethyl group desirable.

적어도 1 개의 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 화합물로는, 단관능 (메트)아크릴레이트, 2 관능 (메트)아크릴레이트, 3 관능 이상의 (메트)아크릴레이트 등의 (메트)아크릴레이트 화합물을 바람직하게 사용할 수 있다. 단관능 (메트)아크릴레이트로는, 예를 들어, 2-하이드록시에틸(메트)아크릴레이트, 카르비톨(메트)아크릴레이트, 이소보르닐(메트)아크릴레이트, 3-메톡시부틸(메트)아크릴레이트, 2-(메트)아크릴로일옥시에틸-2-하이드록시프로필프탈레이트 등을 들 수 있다. 2 관능 (메트)아크릴레이트로는, 예를 들어, 에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메트)아크릴레이트, 1,9-노난디올디(메트)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 비스페녹시에탄올플루오렌디아크릴레이트, 비스페녹시에탄올플루오렌디아크릴레이트 등을 들 수 있다. 3 관능 이상의 (메트)아크릴레이트로는, 예를 들어 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 트리((메트)아크릴로일옥시에틸)포스페이트, 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.As the compound having at least one ethylenic unsaturated bond, a (meth) acrylate compound such as monofunctional (meth) acrylate, bifunctional (meth) acrylate or trifunctional or more functional (meth) have. Examples of the monofunctional (meth) acrylate include 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, carbitol (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate, 3-methoxybutyl Acrylate, 2- (meth) acryloyloxyethyl-2-hydroxypropyl phthalate, and the like. Examples of the bifunctional (meth) acrylate include ethylene glycol (meth) acrylate, 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, 1,9-nonanediol di Glycol di (meth) acrylate, tetraethylene glycol di (meth) acrylate, bisphenoxyethanol fluorene diacrylate, and bisphenoxyethanol fluorene diacrylate. Examples of the trifunctional or more (meth) acrylate include trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, tri ((meth) acryloyloxyethyl) Tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, and the like.

적어도 1 개의 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 화합물을 첨가하는 경우에는, 열라디칼 발생제를 첨가하는 것이 바람직하다. 본 발명에 있어서는, 성분 E 로는, 분자 내에 2 개 이상의 에폭시기 또는 옥세타닐기를 갖는 화합물이 바람직하다. 열라디칼 발생제로는, 공지된 열라디칼 발생제를 사용할 수 있으며, 예를 들어, 일본 공개특허공보 2009-218509호 의 단락 0037 에 기재되어 있다.When a compound having at least one ethylenic unsaturated bond is added, it is preferable to add a heat radical generator. In the present invention, as the component E, a compound having two or more epoxy groups or oxetanyl groups in the molecule is preferable. As the thermal radical generator, a known thermal radical generator can be used, for example, described in paragraph 0037 of JP-A No. 2009-218509.

우수한 경화막의 내열성, 내용제성 및 경도가 얻어지는 관점에서, 성분 E 의 첨가량은, 성분 A 100 중량부에 대해, 1 ∼ 50 중량부가 바람직하고, 3 ∼ 30 중량부가 보다 바람직하고, 5 ∼ 20 중량부가 더욱 바람직하다.The amount of the component E to be added is preferably from 1 to 50 parts by weight, more preferably from 3 to 30 parts by weight, still more preferably from 5 to 20 parts by weight, based on 100 parts by weight of the component A from the viewpoint of obtaining heat resistance, solvent resistance and hardness of an excellent cured film More preferable.

(성분 F) 밀착 개량제(Component F) Adhesion improving agent

본 발명의 감광성 수지 조성물은 (성분 F) 밀착 개량제를 함유해도 된다. 밀착 개량제는 기재가 되는 무기물, 예를 들어, 실리콘, 산화 실리콘, 질화 실리콘 등의 실리콘 화합물, 금, 구리, 알루미늄 등의 금속과 절연막으로서의 경화막의 밀착성을 향상시키는 화합물이다. 구체적으로는 실란 커플링제, 티올계 화합물 등을 들 수 있다. 밀착 개량제로서의 실란 커플링제는 계면의 개질을 목적으로 하는 것으로, 특별히 한정되지 않고, 공지된 것을 사용할 수 있다.The photosensitive resin composition of the present invention may contain (Component F) an adhesion improver. The adhesion improver is a compound that improves the adhesion of an inorganic substance as a substrate, for example, a silicon compound such as silicon, silicon oxide, or silicon nitride, or a metal such as gold, copper, or aluminum and a cured film as an insulating film. Specific examples thereof include silane coupling agents and thiol compounds. The silane coupling agent as the adhesion improver is not specifically limited and known ones can be used for the purpose of modifying the interface.

실란 커플링제로는, 일본 공개특허공보 2009-98616호의 단락 0048 에 기재된 실란 커플링제가 바람직하고, 그 중에서도 γ-글리시독시프로필트리알콕시실란이나γ-메타크릴옥시프로필트리알콕시실란이 보다 바람직하고, γ-글리시독시프로필트리알콕시실란이 더욱 바람직하고, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란이 특히 바람직하다. 이들은 1 종 단독 또는 2 종 이상을 병용할 수 있다. 이들은 기판과의 밀착성의 향상, 및 기판과의 테이퍼각의 조정에도 유효하다.As the silane coupling agent, a silane coupling agent described in paragraph 0048 of Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2009-98616 is preferable, and among them,? -Glycidoxypropyltrialkoxysilane and? -Methacryloxypropyltrialkoxysilane are more preferable ,? -glycidoxypropyltrialkoxysilane is more preferable, and? -glycidoxypropyltrimethoxysilane is particularly preferable. These may be used singly or in combination of two or more. These are effective for improving the adhesion with the substrate and adjusting the taper angle with the substrate.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 밀착 개량제의 함유량은, 성분 A 100 중량부에 대해, 0.1 ∼ 20 중량부가 바람직하고, 0.5 ∼ 10 중량부가 보다 바람직하다.The content of the adhesion improver in the photosensitive resin composition of the present invention is preferably 0.1 to 20 parts by weight, more preferably 0.5 to 10 parts by weight, per 100 parts by weight of Component A. [

(성분 G) 염기성 화합물(Component G) The basic compound

본 발명의 감광성 수지 조성물은 (성분 G) 염기성 화합물을 함유해도 된다.The photosensitive resin composition of the present invention may contain (Component G) a basic compound.

염기성 화합물로는, 화학 증폭 레지스트로 사용되는 것 중에서 임의로 선택하여 사용할 수 있다. 예를 들어, 일본 공개특허공보 2009-098616호의 단락 0051 ∼ 0056 에 기재된 지방족 아민, 방향족 아민, 복소 고리형 아민, 제 4 급 암모늄하이드록사이드, 카르복실산의 제 4 급 암모늄염 등을 들 수 있고, 그 중에서도, 복소 고리형 아민이 바람직하고, 피리딘 고리를 갖는 복소 고리형 아민, 비시클로 고리를 갖는 복소 고리형 아민이 보다 바람직하고, 1,5-디아자비시클로[4.3.0]-5-노넨, 1,8-디아자비시클로[5.3.0]-7-운데센이 더욱 바람직하다.As the basic compound, any of those used as a chemically amplified resist may be selected and used. Examples thereof include aliphatic amines, aromatic amines, heterocyclic amines, quaternary ammonium hydroxides and quaternary ammonium salts of carboxylic acids described in paragraphs 0051 to 0056 of JP-A No. 2009-098616 Among them, a heterocyclic amine is preferable, a heterocyclic amine having a pyridine ring and a heterocyclic amine having a bicyclo ring are more preferable, and 1,5-diazabicyclo [4.3.0] -5- Nonene, and 1,8-diazabicyclo [5.3.0] -7-undecene are more preferable.

염기성 화합물은 1 종 단독으로 사용해도, 2 종 이상을 병용해도 되지만, 2 종 이상을 병용하는 것이 바람직하고, 2 종을 병용하는 것이 보다 바람직하고, 복소 고리형 아민을 2 종 병용하는 것이 더욱 바람직하다. 감도 안정성의 관점에서, 염기성 화합물의 함유량은, 성분 A 100 중량부에 대해, 0.001 ∼ 1 중량부인 것이 바람직하고, 0.005 ∼ 0.2 중량부인 것이 보다 바람직하다.The basic compound may be used singly or in combination of two or more, but it is preferable to use two or more kinds of them in combination, more preferably two kinds, more preferably two kinds of heterocyclic amines in combination Do. The content of the basic compound is preferably 0.001 to 1 part by weight, more preferably 0.005 to 0.2 part by weight based on 100 parts by weight of the component A from the viewpoint of sensitivity stability.

(성분 H) 계면 활성제(Component H) Surfactant

본 발명의 감광성 수지 조성물은 (성분 H) 계면 활성제를 함유해도 된다.The photosensitive resin composition of the present invention may contain (Component H) a surfactant.

계면 활성제로는, 아니온계, 카티온계, 노니온계 또는 양쪽성 중 어느 것도 사용할 수 있지만, 바람직한 계면 활성제는 노니온계 계면 활성제이다. 구체적으로는 일본 공개특허공보 2009-098616호의 단락 0058 에 기재된 노니온계 계면 활성제를 들 수 있고, 그 중에서도 불소계 계면 활성제가 바람직하다. 이들 계면 활성제는 1 종 단독으로 또는 2 종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.As the surfactant, any of anionic, cationic, nonionic or amphoteric surfactants may be used, but preferred nonionic surfactants are nonionic surfactants. Specific examples thereof include nonionic surfactants described in paragraph 0058 of Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2009-098616, and among them, fluorinated surfactants are preferred. These surfactants may be used alone or in combination of two or more.

또, 계면 활성제로서 하기 식 (1) 로 나타내는 구성 단위 A 및 구성 단위 B를 포함하며, 테트라하이드로푸란 (THF) 을 용매로 한 경우의 겔 퍼미에이션 크로마토그래피에 의해 측정되는 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량 (Mw) 이 1,000 이상 10,000 이하인 공중합체를 바람직한 예로 들 수 있다.It is also preferred that the surfactant contains a constituent unit A and a constituent unit B represented by the following formula (1) and has a weight average molecular weight in terms of polystyrene measured by gel permeation chromatography when tetrahydrofuran (THF) (Mw) of 1,000 or more and 10,000 or less.

[화학식 33](33)

Figure 112011004390327-pat00033
Figure 112011004390327-pat00033

(식 (1) 중, R1 및 R3 은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R2 는 탄소수 1 이상 4 이하의 직사슬 알킬렌기를 나타내고, R4 는 수소 원자 또는 탄소수 1 이상 4 이하의 알킬기를 나타내고, L 은 탄소수 3 이상 6 이하의 알킬렌기를 나타내고, p 및 q 는 중합비를 나타내는 중량 백분율이고, p 는 10 중량% 이상 80 중량% 이하의 수치를 나타내고, q 는 20 중량% 이상 90 중량% 이하의 수치를 나타내고, r 은 1 이상 18 이하의 정수를 나타내고, n 은 1 이상 10 이하의 정수를 나타낸다)(Wherein R 1 and R 3 each independently represent a hydrogen atom or a methyl group, R 2 represents a linear alkylene group having 1 to 4 carbon atoms and R 4 represents a hydrogen atom or a C1- P represents an alkylene group having 3 to 6 carbon atoms, p and q represent weight percentages indicating polymerization ratios, p represents a value of 10 to 80 wt%, q represents 20 wt% Or more and 90% or less by weight, r is an integer of 1 or more and 18 or less, and n is an integer of 1 or more and 10 or less)

상기 L 은 하기 식 (2) 로 나타내는 분기 알킬렌기인 것이 바람직하다. 식 (2) 에 있어서의 R5 는 탄소수 1 이상 4 이하의 알킬기를 나타내고, 상용성과 피도포면에 대한 젖음성 면에서, 탄소수 1 이상 3 이하의 알킬기가 바람직하고, 탄소수 2 또는 3 의 알킬기가 보다 바람직하다. p 와 q 합 (p + q) 은 p + q = 100, 즉, 100 중량% 인 것이 바람직하다.It is preferable that L is a branched alkylene group represented by the following formula (2). R 5 in the formula (2) represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and from the viewpoints of compatibility and wettability to the surface to be coated, an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms is preferable, and an alkyl group having 2 or 3 carbon atoms is more preferable Do. It is preferable that the sum of p and q (p + q) is p + q = 100, that is, 100% by weight.

[화학식 34](34)

Figure 112011004390327-pat00034
Figure 112011004390327-pat00034

상기 공중합체의 중량 평균 분자량 (Mw) 은 1,500 이상 5,000 이하가 보다 바람직하다.The weight average molecular weight (Mw) of the copolymer is more preferably from 1,500 to 5,000.

슬릿 도포 적성의 관점에서, 본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 계면 활성제의 첨가량은, 성분 A 100 중량부에 대해, 10 중량부 이하가 바람직하고, 0.01 ∼ 10 중량부가 보다 바람직하고, 0.01 ∼ 1 중량부가 더욱 바람직하다.The amount of the surfactant added to the photosensitive resin composition of the present invention is preferably 10 parts by weight or less, more preferably 0.01 to 10 parts by weight, and most preferably 0.01 to 1 part by weight, per 100 parts by weight of the component A, The weight portion is more preferable.

(그 밖의 성분)(Other components)

본 발명의 감광성 수지 조성물에는, 필요에 따라, 가소제, 열라디칼 발생제, 열산발생제, 산증식제, 현상 촉진제, 산화 방지제 등의 그 밖의 성분을 첨가할 수 있다. 이들의 성분에 대해서는, 예를 들어 일본 공개특허공보 2009-098616호, 일본 공개특허공보 2009-244801호에 기재된 것, 그 밖의 공지된 것을 사용할 수 있다. 또, "고분자 첨가제의 신전개 ((주) 일간 공업 신문사)" 에 기재된 각종 자외선 흡수제나, 금속 불활성화제 등을 본 발명의 감광성 수지 조성물에 첨가해도 된다.In the photosensitive resin composition of the present invention, other components such as plasticizers, thermal radical generators, thermal acid generators, acid propagating agents, development promoters, and antioxidants may be added as necessary. As for these components, for example, those disclosed in JP-A-2009-098616, JP-A-2009-244801, and other known compounds can be used. In addition, various ultraviolet absorbers, metal deactivators, and the like described in "New Developments of Polymer Additives " (Japan Daily Newspaper) may be added to the photosensitive resin composition of the present invention.

(감광성 수지 조성물의 조제 방법)(Method for preparing photosensitive resin composition)

성분 A ∼ 성분 C 의 필수 성분, 및 필요에 따라 임의 성분을 소정의 비율로 또한 임의의 방법으로 혼합하고, 교반 용해시켜 감광성 수지 조성물을 조제한다. 예를 들어, 성분 A 또는 성분 B 를, 각각 미리 용제에 용해시킨 용액으로 한 후, 이들을 소정의 비율로 혼합하여 감광성 수지 조성물을 조제할 수도 있다. 이상과 같이 조제한 감광성 수지 조성물은, 구멍 직경 0.2 ㎛ 의 필터 등을 이용하여 여과한 후에, 사용에 제공할 수도 있다.The essential components of the components A to C and, if necessary, optional components are mixed in a predetermined ratio in any manner and dissolved by stirring to prepare a photosensitive resin composition. For example, it is also possible to prepare a solution in which each of the component A or the component B is previously dissolved in a solvent, and then mix them in a predetermined ratio to prepare a photosensitive resin composition. The photosensitive resin composition prepared as described above may be used after being filtered using a filter having a pore diameter of 0.2 탆 or the like.

Ⅱ. 경화막의 제조 방법Ⅱ. Method for producing a cured film

본 발명의 경화막의 제조 방법은 (1) 상기 감광성 수지 조성물을 10 ℃ 이하의 온도로 하는 저온 처리 공정, (2) 상기 감광성 수지 조성물을 기판 상에 슬릿 코트하는 도포 공정, (3) 도포된 상기 감광성 수지 조성물에서 용제를 제거하는 용제 제거 공정, (4) 용제를 제거한 상기 감광성 수지 조성물을 활성 광선에 의해 노광하는 노광 공정, (5) 실온에서 45 초 이상 경과시키는 공정, (6) 수성 현상액에 의해 현상하는 현상 공정, 및 (7) 열경화시키는 포스트 베이크 공정을 이 순서로 포함하는 것을 특징으로 한다. 이하에 각 공정을 순서대로 설명한다.The method for producing a cured film of the present invention comprises the steps of: (1) a low-temperature treatment step of keeping the photosensitive resin composition at a temperature of 10 ° C or lower; (2) a coating step of slitting the photosensitive resin composition on a substrate; (3) (4) a step of exposing the photosensitive resin composition from which the solvent has been removed by exposure to actinic light, (5) a step of elongating at room temperature for 45 seconds or more, (6) And (7) a post-baking step for thermally curing the resin in this order. Each step will be described below in order.

(1) 상기 감광성 수지 조성물을 10 ℃ 이하의 온도로 하는 저온 처리 공정(1) a low-temperature treatment step of bringing the photosensitive resin composition to a temperature of 10 캜 or lower

본 발명에서는, 상기 감광성 수지 조성물을 도포하기 전에 10 ℃ 이하의 온도로 하는 저온 처리 공정을 실시한다. 처리 온도는 10 ℃ 이하이면 특별히 제한되지 않지만, 홀 형성성, ITO 스퍼터 적성의 관점에서, -50 ∼ 0 ℃ 가 바람직하고, -30 ∼ -10 ℃ 가 보다 바람직하다.In the present invention, a low-temperature treatment step is carried out at a temperature of 10 DEG C or lower before the application of the photosensitive resin composition. The treatment temperature is not particularly limited as long as the treatment temperature is 10 占 폚 or less, but is preferably -50 to 0 占 폚, and more preferably -30 to -10 占 폚, from the viewpoints of hole forming property and ITO sputtering suitability.

처리 시간에 특별히 제한은 없지만, 20 분 이상이 바람직하고, 30 분 이상이 보다 바람직하고, 40 분 이상이 가장 바람직하다. 이 범위로 함으로써 보다 성능을 향상시킬 수 있다. 또한, 처리 시간의 상한은 특별히 없지만, 조성물의 경년 (經年) 열화 방지의 관점에서, 365 일 이하가 바람직하고, 180 일 이하가 보다 바람직하다.The treatment time is not particularly limited, but is preferably 20 minutes or more, more preferably 30 minutes or more, and most preferably 40 minutes or more. By setting this range, performance can be further improved. The upper limit of the treatment time is not particularly limited, but is preferably 365 days or less, and more preferably 180 days or less, from the viewpoint of prevention of aging deterioration of the composition.

(2) 상기 감광성 수지 조성물을 기판 상에 슬릿 코트하는 도포 공정(2) a coating process for slit-coating the photosensitive resin composition on a substrate

(2) 의 도포 공정에서는, 본 발명의 감광성 수지 조성물을 기판 상에 슬릿 코트 (슬릿 도포) 하여 용제를 포함하는 습윤막을 형성한다.(2), the photosensitive resin composition of the present invention is slit-coated (slit-coated) on a substrate to form a wet film containing a solvent.

상기 기판으로는, 예를 들어 액정 표시 소자의 제조에 있어서는, 편광판, 또 필요에 따라 블랙 매트릭스층, 컬러 필터층을 형성하고, 또한 투명 도전 회로층을 형성한 유리판 등을 예시할 수 있다. 슬릿 도포법은 대형 기판에 적합하다는 관점에서 바람직하다. 여기서 대형 기판이란, 가로 세로 1 m × 1 m 이상 가로세로 5 m × 5 m 이하의 기판을 가리킨다.Examples of the substrate include a polarizing plate, a glass plate on which a black matrix layer and a color filter layer are formed and a transparent electroconductive circuit layer is formed, if necessary, in the production of a liquid crystal display device. The slit coating method is preferable from the viewpoint of being suitable for a large substrate. Here, a large substrate refers to a substrate having a width of at least 1 m × 1 m and a width of at least 5 m × 5 m.

종래의 소형 기판에 있어서는, 스핀 코트가 이용되어 왔다. 기판이 대형이 됨에 따라, 기판을 회전시키시 곤란해져, 스핀레스 코터가 사용되게 되었다. 특히 제 6 세대 기판 (대략 1,500 × 1,800 ㎜) 보다 큰 기판에서는, 스핀 코트에 의해 기판을 회전시키는 것이 불가능한 것으로 여겨지고 있다. 또, 슬릿 코터에는, 성액 (省液) (슬릿 & 스핀 코트의 약 1/3), 택트 타임 단축, 플린지 (기판 단부 (端部) 의 두껍게 칠한 영역) 나 이면으로의 돌아들어감이 없기 때문에 EBR (엣지·백·린스) 처리가 필요하지 않게 된다는 이점이 있다. 종래의 스핀 코트의 경우에는, 기판에 대해 수평 방향의 힘이 액에 작용한다. 한편, 슬릿 코터의 경우에는, 액을 기판에 올리는 것만으로 기판 상의 액에 대해서는 어떠한 외력도 작용하지 않는다. 이와 같은 액 (감광성 조성물) 에 대한 이력의 차 때문에, 성능의 차가 발생하는 것으로 추정된다. 본 발명에 있어서는, 시판되는 슬릿 코터를 사용할 수 있다.In conventional small substrates, spin coating has been used. As the substrate becomes larger, it becomes difficult to rotate the substrate, and a spinless coater is used. Especially in a substrate larger than the sixth generation substrate (approximately 1,500 x 1,800 mm), it is considered impossible to rotate the substrate by the spin coat. In addition, the slit coater is free from liquid (slit & spin coat) to about 1/3, tact time is shortened, and fringe (thickened area of the end portion of the substrate) There is an advantage that EBR (edge, back, rinse) treatment is not required. In the case of the conventional spin coat, a force in the horizontal direction acts on the liquid. On the other hand, in the case of the slit coater, no external force acts on the liquid on the substrate merely by placing the liquid on the substrate. It is presumed that a difference in performance occurs due to the difference in history for such a liquid (photosensitive composition). In the present invention, a commercially available slit coater can be used.

(3) 도포된 상기 감광성 수지 조성물에서 용제를 제거하는 용제 제거 공정(3) a solvent removing step of removing the solvent in the applied photosensitive resin composition

(3) 의 용제 제거 공정에서는, 도포된 상기 막에서, 감압 (버큠) 및/또는 가열에 의해, 용제를 제거하고 기판 상에 건조 도포막을 형성시킨다. 본 발명에 있어서는, 가열에 의해, 용제를 제거하고 기판 상에 건조 도포막을 형성시키는 것이 바람직하다.In the solvent removing step of (3), the solvent is removed from the applied film by depressurization (bubbling) and / or heating to form a dried coating film on the substrate. In the present invention, it is preferable to remove the solvent by heating to form a dry coating film on the substrate.

용제 제거 공정의 가열 조건은 미노광부에 있어서의 성분 A 중의 구성 단위 (a1) 에 있어서 산분해성기가 분해되어, 성분 A 를 알칼리 현상액에 가용성으로 하지 않는 범위이고, 각 성분의 종류나 배합비에 따라 상이하지만, 바람직하게는 80 ∼ 130 ℃ 에서 30 ∼ 120 초간 정도이다.The heating conditions for the solvent removal step are those in which the acid decomposable groups in the constituent unit (a1) in the component A in the unexposed portion are decomposed and the component A is not soluble in the alkali developing solution. Depending on the kind and the compounding ratio of the components, However, it is preferably about 80 to 130 DEG C for about 30 to 120 seconds.

건조 도포막의 두께는 0.1 ∼ 30 ㎛ 가 바람직하고, 1.0 ∼ 8.0 ㎛ 가 보다 바람직하다.The thickness of the dried coating film is preferably 0.1 to 30 mu m, more preferably 1.0 to 8.0 mu m.

(4) 용제를 제거한 상기 감광성 수지 조성물을 활성 광선에 의해 노광하는 노광 공정(4) an exposure step of exposing the photosensitive resin composition from which the solvent has been removed by an actinic ray

(4) 의 노광 공정에서는, 얻어진 도포막에 파장 300 ∼ 450 ㎚ 의 활성 광선을 조사한다. 이 공정에서는, 광산 발생제가 분해되어 산이 발생한다. 발생된 산의 촉매 작용에 의해, 성분 A 에 포함되는 구성 단위 (a1) 중의 산분해성기가 분해되어 산기가 생성된다.(4), an active ray having a wavelength of 300 to 450 nm is irradiated to the obtained coating film. In this step, the photoacid generator is decomposed to generate acid. By the catalytic action of the generated acid, the acid-decomposable group in the constituent unit (a1) contained in the component A is decomposed to generate an acid group.

활성 광선에 의한 노광에는, 저압 수은등, 고압 수은등, 초고압 수은등, LED 광원, 케미컬 램프, 레이저 발생 장치 등을 사용할 수 있다. 수은등을 사용하는 경우에는 g 선 (436 ㎚), i 선 (365 ㎚), h 선 (405 ㎚) 등의 파장을 갖는 활성 광선을 바람직하게 사용할 수 있다. 이 경우 마스크를 통해 노광한다. 수은등은 레이저에 비하면, 대면적의 노광에 적합하다는 점에서 바람직하다.A low-pressure mercury lamp, a high-pressure mercury lamp, an ultra-high-pressure mercury lamp, an LED light source, a chemical lamp, a laser generator, or the like can be used for exposure by an actinic ray. When a mercury lamp is used, an actinic ray having a wavelength of g-line (436 nm), i-line (365 nm) and h-line (405 nm) can be preferably used. In this case, exposure is performed through a mask. The mercury lamp is preferable in that it is suitable for exposure of a large area as compared with a laser.

레이저를 사용하는 경우에는 고체 (YAG) 레이저에서는 343 ㎚, 355 ㎚ 가 사용되고, 엑시머 레이저에서는 351 ㎚ (XeF) 가 사용되고, 또한 반도체 레이저에서는 375 ㎚, 405 ㎚ 가 사용된다. 이 중에서도 안정성, 비용 등의 면에서 355 ㎚, 405 ㎚ 가 보다 바람직하다. 레이저는 1 회 또는 복수 회로 나누어 도포막에 조사할 수 있다.In the case of using a laser, 343 nm and 355 nm are used for a solid-state (YAG) laser and 351 nm (XeF) for an excimer laser, and 375 nm and 405 nm are used for a semiconductor laser. Of these, 355 nm and 405 nm are more preferable in terms of stability and cost. The laser beam can be irradiated onto the coating film once or plural times.

레이저의 1 펄스당 에너지 밀도는 0.1 ∼ 10,000 mJ/㎠ 가 바람직하다. 도포막을 충분히 경화시키려면, 0.3 mJ/㎠ 이상이 바람직하고, 0.5 mJ/㎠ 이상이 보다 바람직하다. 어블레이션 현상에 의해 도포막을 분해시키지 않기 위해서는, 1,000 mJ/㎠ 이하가 바람직하고, 100 mJ/㎠ 이하가 보다 바람직하다.The energy density per pulse of the laser is preferably 0.1 to 10,000 mJ / cm 2. In order to sufficiently cure the coating film, it is preferably 0.3 mJ / cm 2 or more, more preferably 0.5 mJ / cm 2 or more. In order not to decompose the coating film due to the ablation phenomenon, it is preferably 1,000 mJ / cm2 or less, more preferably 100 mJ / cm2 or less.

또, 펄스 폭은 0.1 ∼ 30,000 nsec 인 것이 바람직하다. 어블레이션 현상에 의해 색 도포막을 분해시키지 않도록 하려면, 0.5 nsec 이상이 보다 바람직하고, 1 nsec 이상이 가장 바람직하다. 스캔 노광시에 맞춰 정밀도를 향상시키려면, 1,000 nsec 이하가 보다 바람직하고, 50 nsec 이하가 가장 바람직하다.The pulse width is preferably 0.1 to 30,000 nsec. In order not to decompose the color coated film by the ablation phenomenon, 0.5 nsec or more is more preferable, and 1 nsec or more is most preferable. In order to improve the accuracy in accordance with the scanning exposure, 1,000 nsec or less is more preferable, and 50 nsec or less is most preferable.

또한, 레이저의 주파수는 1 ∼ 50,000 Hz 가 바람직하고, 10 ∼ 1,000 Hz 가 보다 바람직하다. 레이저의 주파수가 1 Hz 이상이면, 노광 처리 시간이 적당하고, 50,000 Hz 이하이면, 스캔 노광시에 맞춰 정밀도가 향상된다. 노광 처리 시간을 짧게 하려면, 10 Hz 이상이 보다 바람직하고, 100 Hz 이상이 가장 바람직하고, 스캔 노광시에 맞춰 정밀도를 향상시키려면, 10,000 Hz 이하가 보다 바람직하고, 1,000 Hz 이하가 가장 바람직하다.Further, the frequency of the laser is preferably 1 to 50,000 Hz, more preferably 10 to 1,000 Hz. If the frequency of the laser is 1 Hz or more, the exposure processing time is adequate, and if the frequency is 50,000 Hz or less, the accuracy is improved in accordance with the scanning exposure. In order to shorten the exposure processing time, more preferably 10 Hz or more, most preferably 100 Hz or more, and more preferably 10,000 Hz or less, and most preferably 1,000 Hz or less, in order to improve the precision in accordance with the scanning exposure.

레이저는 수은등과 비교하면, 초점을 좁히기 용이하고, 노광 공정에서의 패턴 형성의 마스크가 불필요하고, 또는 소형 마스크이어도 되기 때문에 비용 다운할 수 있다는 점에서 바람직하다. 본 발명에 사용 가능한 노광 장치로는, 특별히 제한은 없고, 시판품으로는, Callisto ((주) 브이·테크놀로지 제조), AEGIS ((주) 브이·테크놀로지 제조), DF2200G (다이닛폰 스크린 제조 (주) 제조) 등을 들 수 있다. 또, 필요에 따라 장파장 컷 필터, 단파장 컷 필터, 밴드 패스 필터와 같은 분광 필터를 통해 조사광을 조정할 수도 있다.Compared with a mercury lamp, a laser is preferable in that the focus can be narrowed easily, a mask for pattern formation in the exposure process is unnecessary, or a small mask can be used, which is preferable in cost reduction. Examples of commercially available products include commercially available products such as Callisto (manufactured by V Technology), AEGIS (manufactured by V Technology), DF2200G (manufactured by Dainippon Screen Co., Ltd.) And the like. If necessary, irradiation light can be adjusted through a spectral filter such as a long wavelength cut filter, a short wavelength cut filter, or a band pass filter.

산 촉매가 생성된 영역에 있어서, 상기 분해 반응을 가속시키기 위해, 필요에 따라, 노광 후 가열 처리 : Post Exposure Bake (이하, 「PEB」라고도 한다) 를 실시할 수 있다. PEB 에 의해, 산분해성기의 분해를 촉진시킬 수 있다. 본 발명에 있어서는, PEB 를 실시하지 않고, 현상에 의해 포지티브 화상을 형성하는 양태가 바람직하다. 또한, 비교적 저온에서 PEB 를 실시함으로써, 가교 반응을 일으키지 않고, 산분해성기의 분해를 촉진할 수도 있다. PEB 를 실시하는 경우의 온도는, 50 ∼ 110 ℃ 가 바람직하고, 60 ∼ 90 ℃ 가 보다 바람직하다.In order to accelerate the decomposition reaction in the region where the acid catalyst is formed, Post Exposure Bake (hereinafter, also referred to as &quot; PEB &quot;) may be carried out, if necessary, after the exposure. The decomposition of the acid decomposable group can be promoted by PEB. In the present invention, a mode in which a positive image is formed by development without PEB is preferable. Further, by conducting PEB at a relatively low temperature, decomposition of the acid decomposable group can be accelerated without causing a crosslinking reaction. The temperature at which PEB is carried out is preferably 50 to 110 占 폚, more preferably 60 to 90 占 폚.

(5) 실온에서 45 초 이상 경과시키는 공정(5) Process of elongating at room temperature for 45 seconds or more

(5) 의 공정은, (4) 노광 공정과 (6) 현상 공정 사이에, 기판을 대략 실온에서 45 초 이상 경과시키는 공정이다. 그 공정 중에는, 기판을 움직이지 않고 방치하고 있어도, 반송 등의 이유로 기판을 움직여도 지장없다. 이 경과시키는 시간은 감도 안정성의 관점에서 45 초 이상이고, 60 초 이상이 바람직하고, 90 초 이상이 보다 바람직하고, 120 초 이상이 가장 바람직하다. 상한은 특별히 없지만 제조 효율 등의 관점에서 10 분 이하가 바람직하고, 5 분 이하가 보다 바람직하다. 실온 (온도) 은 10 ∼ 45 ℃ 가 바람직하고, 10 ∼ 40 ℃ 가 보다 바람직하고, 15 ∼ 30 ℃ 가 더욱 바람직하다. 이 범위로 함으로써 감도를 안정시킬 수 있다. 대형 기판에 있어서는, 감도가 불안정하면, 잔류물이 발생하는 등 큰 문제가 될 수 있다. 상기 PEB 는 공정 전에 실시해도 되고, 후에 실시해도 되며, 중간에 실시해도 된다 (예를 들어, 노광 후, 30 초 경과한 후에 PEB 를 실시하고, 다시 40 초 경과시킨다). 본 발명에 있어서는, 공정의 간략화라는 관점에서, (5) 의 공정의 전후, 또는 그 사이에 PEB 를 형성하지 않는 양태가 바람직하다.(5) is a step of passing the substrate at a room temperature for 45 seconds or more between (4) the exposure step and (6) the developing step. During the process, even if the substrate is left without moving, the substrate may be moved for transportation or the like. The elapsed time is preferably 45 seconds or more from the viewpoint of sensitivity stability, preferably 60 seconds or more, more preferably 90 seconds or more, and most preferably 120 seconds or more. Although there is no upper limit, the upper limit is preferably 10 minutes or less, more preferably 5 minutes or less, from the viewpoint of production efficiency and the like. The room temperature (temperature) is preferably 10 to 45 占 폚, more preferably 10 to 40 占 폚, and further preferably 15 to 30 占 폚. By setting this range, the sensitivity can be stabilized. In a large-sized substrate, if the sensitivity is unstable, a large amount of residue may be generated. The PEB may be performed before the process, or may be performed later (for example, after 30 seconds have elapsed after exposure, PEB is performed and again 40 seconds have elapsed). In the present invention, from the viewpoint of simplification of the process, it is preferable that the PEB is not formed before, after, or between the steps of (5).

(6) 수성 현상액에 의해 현상하는 현상 공정(6) Developing process developed by aqueous developer

(6) 의 현상 공정에서는, 산기를 갖는 중합체를, 알칼리성 현상액을 사용하여 현상하는 것이 바람직하다. 알칼리성 현상액에 잘 용해되는 산기를 갖는 공중합체를 포함하는 노광부 영역을 제거함으로써, 포지티브 화상이 형성된다.In the developing step of the developing roller 6, it is preferable to develop the polymer having an acid group using an alkaline developing solution. A positive image is formed by removing the exposed region including the copolymer having an acid group well dissolved in an alkaline developer.

현상 공정에서는, 염기성 현상액을 사용하는 것이 바람직하다. 염기성 화합물로는, 예를 들어, 수산화리튬, 수산화나트륨, 수산화칼륨 등의 알칼리 금속 수산화물류 ; 탄산나트륨, 탄산칼륨 등의 알칼리 금속 탄산염류 ; 중탄산나트륨, 중탄산칼륨 등의 알칼리 금속 중탄산염류 ; 테트라메틸암모늄하이드록사이드, 테트라에틸암모늄하이드록사이드, 콜린하이드록사이드 등의 암모늄 하이드록사이드류 ; 규산나트륨, 메타규산나트륨 등의 수용액을 사용할 수 있다. 또, 상기 염기류의 수용액에 메탄올이나 에탄올 등의 수용성 유기 용제나 계면 활성제를 적당량 첨가한 수용액을 현상액으로서 사용할 수도 있다.In the development step, it is preferable to use a basic developer. Examples of the basic compound include alkali metal hydroxide such as lithium hydroxide, sodium hydroxide and potassium hydroxide; Alkali metal carbonates such as sodium carbonate and potassium carbonate; Alkali metal bicarbonates such as sodium bicarbonate and potassium bicarbonate; Ammonium hydroxides such as tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide and cholinehydroxide; An aqueous solution of sodium silicate, sodium metasilicate or the like can be used. An aqueous solution in which an appropriate amount of a water-soluble organic solvent such as methanol or ethanol or a surfactant is added to the aqueous solution of the base may be used as a developer.

현상액의 pH 는 바람직하게는 10.0 ∼ 14.0 이다. 현상 시간은 바람직하게는 30 ∼ 180 초간이며, 또, 현상 수법은 액 마운팅법, 딥법 등 어느 것이어도 된다. 현상 후에는, 흐르는 물에서 세정을 30 ∼ 90 초간 실시해도 된다. The pH of the developing solution is preferably 10.0 to 14.0. The developing time is preferably 30 to 180 seconds, and the developing method may be any of a liquid mounting method and a dipping method. After development, cleaning may be carried out in running water for 30 to 90 seconds.

(7) 열경화시키는 포스트 베이크 공정(7) Post-baking process for thermosetting

(7) 의 포스트 베이크 공정에 있어서, 얻어진 포지티브 화상을 가열함으로써, 구조 단위 (a2) 를 가교시켜, 내열성, 경도 등이 우수한 경화막을 형성할 수 있다. 이 가열은, 현상에 의해 얻어진 미노광 영역에 대응하는 패턴에 대하여, 핫플레이트나 오븐 등의 가열 장치를 이용하여, 150 ℃ 이상의 고온으로 가열하는 것이 바람직하고, 180 ∼ 250 ℃ 로 가열하는 것이 보다 바람직하고, 200 ∼ 250 ℃ 로 가열하는 것이 특히 바람직하다.(A2) can be crosslinked by heating the obtained positive image in the post-baking step of the step (7), whereby a cured film excellent in heat resistance and hardness can be formed. The heating is preferably performed at a high temperature of 150 DEG C or higher by using a heating apparatus such as a hot plate or an oven with respect to a pattern corresponding to the unexposed area obtained by development, And particularly preferably 200 to 250 ° C.

가열 시간은 가열 온도 등에 따라 적절히 설정할 수 있는데, 5 ∼ 90 분의 범위 내로 하는 것이 바람직하다. 예를 들어 핫플레이트 상이라면 5 ∼ 60 분간, 오븐이라면 30 ∼ 90 분간 가열 처리를 한다. 또, 가열 처리를 실시할 때에는 질소 분위기하에서 실시함으로써 투명성을 향상시킬 수도 있다.The heating time can be suitably set according to the heating temperature and the like, and is preferably within a range of 5 to 90 minutes. For example, if it is a hot plate, heat it for 5 ~ 60 minutes, if it is an oven for 30 ~ 90 minutes. When the heat treatment is carried out, the transparency can be improved by performing the heat treatment in a nitrogen atmosphere.

또한, 구성 단위 (a2) 의 가교기가 에폭시기 또는 옥세타닐기인 경우에는, 가열 처리에 앞서, 패턴을 형성한 기판에 활성 광선, 바람직하게는 자외선에 의해 재노광한 후, 포스트 베이크하는 것 (재노광/포스트 베이크) 에 의해 미노광 부분에 존재하는 성분 B 로부터 산을 발생시켜, 가교 공정을 촉진하는 촉매로서 기능시키는 것이 바람직하다.When the crosslinking group of the constituent unit (a2) is an epoxy group or an oxetanyl group, the substrate on which the pattern is formed is re-exposed by an actinic ray, preferably ultraviolet ray, before the heat treatment, It is preferable to function as a catalyst for promoting the crosslinking step by generating an acid from the component B present in the unexposed portion by the exposure / post-baking).

재노광 공정에 있어서의 노광은 상기 노광 공정과 동일한 수단에 의해 실시하면 되는데, 상기 재노광 공정에서는, 기판의 막이 형성된 측에 대해, 전면 (全面) 노광을 실시하는 것이 바람직하다. 재노광 공정의 바람직한 노광량으로는, 100 ∼ 1,000 mJ/㎠ 이다.The exposure in the re-exposure step may be carried out by the same means as in the exposure step. In the re-exposure step, it is preferable to perform the entire surface exposure on the side where the film of the substrate is formed. The preferable exposure amount of the re-exposure process is 100 to 1,000 mJ / cm &lt; 2 &gt;.

Ⅲ. 경화막, 유기 EL 표시 장치, 액정 표시 장치Ⅲ. A cured film, an organic EL display, a liquid crystal display

본 발명의 경화막의 제조 방법에 의해, 절연성이 우수하고, 고온에서 베이크 된 경우에도 높은 투명성을 갖는 경화막이 얻어진다. 본 발명의 감광성 수지 조성물을 사용하여 이루어지는 층간 절연막은 높은 투명성을 갖고, 경화막 물성이 우수하기 때문에, 유기 EL 표시 장치나 액정 표시 장치의 용도에 유용하다. 본 발명의 유기 EL 표시 장치나 액정 표시 장치로는, 상기 본 발명의 경화막의 제조 방법을 이용하여 형성되는 평탄화막, 보호층, 층간 절연막으로서의 경화막을 갖는 것 이외에는 특별히 제한되지 않고, 여러 가지 구조를 취하는 공지된 각종 유기 EL 표시 장치나 액정 표시 장치를 들 수 있다.By the process for producing a cured film of the present invention, a cured film having high transparency can be obtained even when it is excellent in insulation and baked at a high temperature. The interlayer insulating film formed using the photosensitive resin composition of the present invention has high transparency and is excellent in physical properties of a cured film, and thus is useful for an organic EL display device or a liquid crystal display device. The organic EL display device and the liquid crystal display device of the present invention are not particularly limited, except that the organic EL display device and the liquid crystal display device have a planarizing film, a protective layer, and a cured film as an interlayer insulating film formed by the method for producing a cured film of the present invention, And various known organic EL display devices and liquid crystal display devices.

또, 본 발명의 감광성 수지 조성물 및 본 발명의 경화막은 상기 용도로 한정되지 않고 여러 가지 용도로 사용할 수 있다. 예를 들어, 평탄화막, 보호층, 층간 절연막 이외에도, 액정 표시 장치에 있어서의 액정층의 두께를 일정하게 유지하기 위한 스페이서나 고체 촬상 소자에 있어서 컬러 필터 상에 형성되는 마이크로 렌즈 등에 바람직하게 사용할 수 있다.In addition, the photosensitive resin composition of the present invention and the cured film of the present invention are not limited to the above-mentioned applications and can be used for various purposes. For example, besides the planarizing film, the protective layer, and the interlayer insulating film, a spacer for maintaining the thickness of the liquid crystal layer in the liquid crystal display device constantly, and a microlens formed on the color filter in the solid- have.

도 1 은 유기 EL 표시 장치의 일례의 구성 개념도를 나타낸다. 보텀 에미션형 유기 EL 표시 장치에 있어서의 기판의 모식적 단면도를 나타내며, 평탄화막 (4) 을 갖고 있다. 유리 기판 (6) 상에 보텀 게이트형 TFT (박막 트랜지스터) (1) 를 형성하고, 이 TFT (1) 를 덮은 상태에서 Si3N4 로 이루어지는 절연막 (3) 이 형성되어 있다. 절연막 (3) 에, 여기서는 도시를 생략한 컨택트홀을 형성한 후, 이 컨택트홀을 통해 TFT (1) 에 접속되는 배선 (2) (높이 1.0 ㎛) 이 절연막 (3) 상에 형성되어 있다. 배선 (2) 은 TFT (1) 사이 또는 후의 공정에서 형성되는 유기 EL 소자와 TFT (1) 를 접속하기 위한 것이다. 또한, 배선 (2) 의 형성에 의한 요철을 평탄화하기 위해, 배선 (2) 에 의한 요철을 매립한 상태로 절연막 (3) 상에 평탄화층 (4) 이 형성되어 있다. 평탄화막 (4) 상에는, 보텀 에미션형의 유기 EL 소자가 형성되어 있다. 즉, 평탄화막 (4) 상에, ITO 로 이루어지는 제 1 전극 (5) 이 컨택트홀 (7) 을 통해 배선 (2) 에 접속되도록 형성되어 있다. 또, 제 1 전극 (5) 은 유기 EL 소자의 양극에 상당한다. 제 1 전극 (5) 의 둘레 가장자리를 덮는 형상의 절연막 (8) 이 형성되어 있고, 이 절연막 (8) 을 형성함으로써, 제 1 전극 (5) 과 이 후공정에서 형성되는 제 2 전극 사이의 쇼트를 방지할 수 있다.Fig. 1 shows a configuration diagram of an example of an organic EL display device. 1 is a schematic cross-sectional view of a substrate in a bottom emission type organic EL display device, and has a planarization film 4. A bottom gate type TFT (thin film transistor) 1 is formed on a glass substrate 6 and an insulating film 3 made of Si 3 N 4 is formed with the TFT 1 covered. A wiring 2 (height 1.0 mu m) connected to the TFT 1 through the contact hole is formed on the insulating film 3 after forming a contact hole (not shown) in the insulating film 3. The wiring 2 is for connecting the organic EL element formed between the TFTs 1 or later and the TFT 1. [ The flattening layer 4 is formed on the insulating film 3 with the irregularities formed by the wirings 2 buried in order to planarize the irregularities formed by the formation of the wirings 2. On the planarizing film 4, a bottom-emission organic EL element is formed. That is, the first electrode 5 made of ITO is formed on the planarization film 4 so as to be connected to the wiring 2 through the contact hole 7. The first electrode 5 corresponds to the anode of the organic EL element. The insulating film 8 is formed so as to cover the periphery of the first electrode 5. By forming the insulating film 8, the short circuit between the first electrode 5 and the second electrode formed in the subsequent step Can be prevented.

또한, 도 1 에는 도시하지 않지만, 원하는 패턴 마스크를 통해, 정공 수송층, 유기 발광층, 전자 수송층을 순차 증착하여 형성하고, 이어서, 기판 상방의 전면에 Al 로 이루어지는 제 2 전극을 형성하고, 밀봉용 유리판과 자외선 경화형 에폭시 수지를 사용하여 첩합 (貼合) 함으로써 밀봉하고, 각 유기 EL 소자에 이것을 구동시키기 위한 TFT (1) 가 접속되어 이루어지는 액티브 매트릭스형 유기 EL 표시 장치가 얻어진다.Although not shown in Fig. 1, a hole transport layer, an organic luminescent layer, and an electron transport layer are sequentially deposited by evaporation through a desired pattern mask. Then, a second electrode made of Al is formed on the entire upper surface of the substrate, An organic EL display device in which an organic EL element is sealed by bonding using an ultraviolet curable epoxy resin and a TFT 1 for driving each organic EL element is connected is obtained.

도 2 는 액티브 매트릭스 방식의 액정 표시 장치 (10) 의 일례를 나타내는 개념적 단면도이다. 이 컬러의 액정 표시 장치 (10) 는 배면에 백라이트 유닛 (12) 을 갖는 액정 패널로서, 액정 패널은 편광 필름이 첩부된 2 장의 유리 기판 (14, 15) 사이에 배치된 모든 화소에 대응하는 TFT (16) 의 소자가 배치되어 있다. 유리 기판 상에 형성된 각 소자에는, 경화막 (17) 중에 형성된 컨택트홀 (18) 을 통해, 화소 전극을 형성하는 ITO 투명 전극 (19) 이 배선되어 있다. ITO 투명 전극 (19) 상에는, 액정 (20) 층과 블랙 매트릭스를 배치한 RGB 컬러 필터 (22) 가 형성되어 있다.Fig. 2 is a conceptual cross-sectional view showing an example of the active matrix type liquid crystal display device 10. Fig. The liquid crystal display device 10 of this color is a liquid crystal panel having a backlight unit 12 on its back surface. The liquid crystal panel is a liquid crystal display panel in which TFTs corresponding to all the pixels arranged between two glass substrates 14, (16) are disposed on the substrate. In each element formed on the glass substrate, an ITO transparent electrode 19 for forming a pixel electrode is wired through a contact hole 18 formed in the cured film 17. On the ITO transparent electrode 19, an RGB color filter 22 in which a liquid crystal layer 20 and a black matrix are arranged is formed.

실시예Example

이하, 본 발명을 실시예에 의해 상세하게 설명한다. 단, 본 발명은 이들 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다. 또한, 특별히 언급하지 않는 한, 「부」는 「중량부」를, 「%」는 「중량%」를 의미한다. Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to examples. However, the present invention is not limited to these examples. Unless specifically stated, "part" means "part by weight" and "%" means "% by weight".

1. 공중합체의 합성1. Synthesis of Copolymer

<공중합체 A-1 의 합성>&Lt; Synthesis of Copolymer A-1 &gt;

에틸비닐에테르 144.2 부 (2 몰 당량) 에 페노티아진 0.5 부를 첨가하고, 반응계 중을 10 ℃ 이하로 냉각시키면서 메타크릴산 86.1 부 (1 몰 당량) 를 적하한 후, 실온 (25 ℃) 에서 4 시간 교반하였다. p-톨루엔술폰산피리디늄 5.0 부를 첨가한 후, 실온에서 2 시간 교반하고, 하룻밤 실온에 방치하였다. 반응액에 탄산수소나트륨 5 부 및 황산나트륨 5 부를 첨가하고, 실온에서 1 시간 교반하고, 불용물을 여과한 후 40 ℃ 이하에서 감압 농축하여, 잔류물의 황색 유상물을 감압 증류하여 비점 (bp.) 43 ∼ 45 ℃/7 ㎜Hg 유분 (留分) 의 메타크릴산 1-에톡시에틸 134.0 부를 무색 유상물로서 얻었다.(1 molar equivalent) of methacrylic acid was added dropwise to 144.2 parts (2 molar equivalents) of ethyl vinyl ether while 0.5 part of phenothiazine was added and the reaction system was cooled to 10 DEG C or lower. Lt; / RTI &gt; After 5.0 parts of pyridinium p-toluenesulfonate was added, the mixture was stirred at room temperature for 2 hours and allowed to stand at room temperature overnight. 5 parts of sodium hydrogencarbonate and 5 parts of sodium sulfate were added to the reaction mixture, and the mixture was stirred at room temperature for 1 hour. The insoluble material was filtered, and the filtrate was concentrated under reduced pressure at 40 DEG C or lower. The yellow oily residue was distilled under reduced pressure to obtain the boiling point (bp. To obtain 134.0 parts of 1-ethoxyethyl methacrylate of 43 to 45 占 폚 / 7 mmHg fraction as a colorless oil.

얻어진 메타크릴산 1-에톡시에틸 (66.41 부 (0.42 몰 당량)), 메타크릴산 (6.89 부 (0.08 몰 당량)), 글리시딜메타크릴레이트 (GMA) (49.75 부 (0.35 몰 당량)), 메타크릴산 2-하이드록시에틸 (19.52 부 (0.15 몰 등량)) 및 프로필렌글리콜 모노메틸에테르아세테이트 (PGMEA) (132.5 부) 의 혼합 용액을 질소 기류하, 70 ℃ 로 가열하였다. 이 혼합 용액을 교반하면서, 라디칼 중합 개시제 V-65 (2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴), 와코 준야쿠 공업 (주) 제조, 12.4 부) 및 PGMEA (100.0 부) 의 혼합 용액을 2.5 시간에 걸쳐 적하하였다. 적하가 종료된 후, 70 ℃ 에서 4 시간 반응시킴으로써 공중합체 A-1 의 PGMEA 용액 (고형분 농도 : 40 중량%) 을 얻었다. 얻어진 공중합체 A-1 의 겔 퍼미에이션 크로마토그래피 (GPC) 에 의해 측정한 중량 평균 분자량 (Mw) 은 8,000 이었다.Methacrylic acid (6.89 parts (0.08 molar equivalents)) and glycidyl methacrylate (GMA) (49.75 parts (0.35 molar equivalents)) of the obtained methacrylic acid 1-ethoxyethyl (66.41 parts (19.52 parts (0.15 mol equivalent) of methacrylic acid and 132.5 parts of propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) was heated to 70 占 폚 under a nitrogen stream. While stirring this mixed solution, a radical polymerization initiator V-65 (2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile), 12.4 parts by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) and PGMEA (100.0 parts) Was added dropwise over 2.5 hours. After completion of the dropwise addition, the reaction was carried out at 70 DEG C for 4 hours to obtain a PGMEA solution (solid concentration: 40% by weight) of the copolymer A-1. The weight average molecular weight (Mw) of the obtained copolymer A-1 as measured by gel permeation chromatography (GPC) was 8,000.

[화학식 35](35)

Figure 112011004390327-pat00035
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<공중합체 A-2 ∼ A-16 및 A'-1 ∼ A'-3 의 합성><Synthesis of Copolymers A-2 to A-16 and A'-1 to A'-3>

모노머 종 및 그 사용량을 표 1 에 나타내는 것으로 변경한 것 이외에는, 공중합체 A-1 의 합성과 동일하게 하여, 공중합체 A-2 ∼ A-16 및 A'-1 ∼ A'-3 을 각각 합성하였다. 라디칼 중합 개시제 V-65 첨가량은 표 1 에 기재된 분자량이 되도록 조정하였다.Copolymers A-2 to A-16 and A'-1 to A'-3 were synthesized in the same manner as in the synthesis of copolymer A-1, except that the monomer species and the amount thereof used were changed to those shown in Table 1. Respectively. The addition amount of the radical polymerization initiator V-65 was adjusted so as to have the molecular weight shown in Table 1. [

Figure 112011004390327-pat00036
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또한, 표 1 에 기재된 공중합비는 몰비이고, 표 1 중의 약호는 이하와 같다.The copolymerization ratios shown in Table 1 are molar ratios, and the abbreviations in Table 1 are as follows.

MAEVE : 메타크릴산 1-에톡시에틸MAEVE: 1-ethoxyethyl methacrylate

CHOEMA : 메타크릴산 1-(시클로헥실옥시)에틸CHOEMA: 1- (cyclohexyloxy) ethyl methacrylate

THPMA : 테트라하이드로-2H-피란-2-일메타크릴레이트THPMA: tetrahydro-2H-pyran-2-yl methacrylate

MATHF:메타크릴산테트라하이드로푸란-2-일MATHF: tetrahydrofuran-2-yl methacrylate

또한, MATHF 는 이하와 같이 하여 합성하였다.MATHF was synthesized as follows.

메타크릴산 (86 g, 1 ㏖) 을 15 ℃ 로 냉각시켜 두고, 캄파술폰산 (4.6 g, 0.02 ㏖) 을 첨가하였다. 그 용액에, 2,3-디하이드로푸란 (71 g, 1 ㏖, 1.0 당량) 을 적하하였다. 1 시간 교반한 후에, 포화 탄산수소나트륨 수용액 (500 ㎖) 을 첨가하고, 아세트산에틸 (500 ㎖) 로 추출하여, 황산마그네슘으로 건조시킨 후, 불용물을 여과한 후 40 ℃ 이하에서 감압 농축하고, 잔류물의 황색 유상물을 감압 증류하여 비점 (bp.) 54 ∼ 56 ℃/3.5 ㎜Hg 유분의 메타크릴산테트라하이드로푸란-2-일 (MATHF) 125 g 을 무색 유상물로서 얻었다 (수율 80 %).Methacrylic acid (86 g, 1 mol) was cooled to 15 DEG C and camphorsulfonic acid (4.6 g, 0.02 mol) was added. 2,3-dihydrofuran (71 g, 1 mol, 1.0 equivalent) was added dropwise to the solution. After stirring for 1 hour, a saturated aqueous solution of sodium hydrogencarbonate (500 ml) was added, extracted with ethyl acetate (500 ml), dried over magnesium sulfate, filtered, The yellow oil of the residue was distilled under reduced pressure to obtain 125 g of a tetrahydrofuran-2-yl methacrylate (MATHF) having a boiling point (bp.) Of 54 to 56 DEG C / 3.5 mmHg as a colorless oil (yield 80% .

[화학식 36](36)

Figure 112011004390327-pat00037
Figure 112011004390327-pat00037

GMA : 글리시딜메타크릴레이트GMA: glycidyl methacrylate

OXE-30:메타크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸 (오사카 유기 화학 공업 (주) 제조)OXE-30: Methacrylic acid (3-ethyloxetan-3-yl) methyl (Osaka Organic Chemical Industry Co., Ltd.)

ECHMMA : 3,4-에폭시시클로헥실메틸메타크릴레이트ECHMMA: 3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate

MAA:메타크릴산MAA: methacrylic acid

α-MHS : α-메틸하이드록시스티렌α-MHS: α-methylhydroxystyrene

HEMA : 메타크릴산 2-하이드록시에틸HEMA: 2-hydroxyethyl methacrylate

PME-400 : 메틸 말단 폴리에틸렌글리콜메타크릴레이트 (브렘머 PME-400, 니치유 (주) 제조)PME-400: methyl-terminated polyethylene glycol methacrylate (Blemmer PME-400, manufactured by Nichiyu)

DCPM : 메타크릴산디시클로펜타닐DCPM: di-cyclopentanyl methacrylate

2. 감광성 수지 조성물의 조제2. Preparation of Photosensitive Resin Composition

(실시예 1 ∼ 44, 비교예 1 ∼ 7, 실시예 101 ∼ 139, 실시예 201 ∼ 239, 및 실시예 301 ∼ 308)(Examples 1 to 44, Comparative Examples 1 to 7, Examples 101 to 139, Examples 201 to 239, and Examples 301 to 308)

표 2 ∼ 표 5 에 나타내는 성분을 혼합하고, 추가로 C1 : 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트와 C2:디에틸렌글리콜에틸메틸에테르의 1:1 혼합 용제를 첨가하여 점도 3.0 mPa·s 로 하고, 0.2 ㎛ 의 폴리테트라플루오로에틸렌제 필터를 이용하여 여과하여, 포지티브형 감광성 수지 조성물을 조제하였다.The components shown in Tables 2 to 5 were mixed and the viscosity was adjusted to 3.0 mPa · s by addition of a 1: 1 mixed solvent of C1: propylene glycol monomethyl ether acetate and C2: diethylene glycol ethyl methyl ether, And then filtered through a polytetrafluoroethylene filter to prepare a positive photosensitive resin composition.

Figure 112011004390327-pat00038
Figure 112011004390327-pat00038

Figure 112011004390327-pat00039
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Figure 112011004390327-pat00040
Figure 112011004390327-pat00040

Figure 112011004390327-pat00041
Figure 112011004390327-pat00041

또한, 표 2 ∼ 표 5 중의 약호는 이하와 같다.The abbreviations in Tables 2 to 5 are as follows.

[화학식 37](37)

Figure 112011004390327-pat00042
Figure 112011004390327-pat00042

B5 : α-(4-톨루엔술포닐옥시이미노)벤질시아니드 (일본 공표특허공보 2002-528451호의 단락 0108 에 기재된 방법에 따라 합성하였다)B5: α- (4-Toluenesulfonyloxyimino) benzyl cyanide (synthesized according to the method described in paragraph 0108 of Japanese Unexamined Patent Publication No. 2002-528451)

B6 : α-[(4-톨루엔술포닐옥시이미노)-4-메톡시페닐]아세토니트릴 (PAI-101, 미도리 화학 (주) 제조)B6: α - [(4-toluenesulfonyloxyimino) -4-methoxyphenyl] acetonitrile (PAI-101, manufactured by Midori Kagaku Co., Ltd.)

D1 : NBCA (10-부틸-2-클로로아크리돈, 구로가네 카세이 (주) 제조)D1: NBCA (10-butyl-2-chloroacridone, manufactured by Kurogane Kasei Co., Ltd.)

D2 : DBA (9,10-디부톡시안트라센, 가와사키 카세이 공업 (주) 제조)D2: DBA (9,10-dibutoxyanthracene, manufactured by Kawasaki Kasei Kogyo Co., Ltd.)

E1 : JER-157S65 (다관능 노볼락형 에폭시 수지 (에폭시 당량 200 ∼ 220 g/eq), 재팬 에폭시 레진 (주) 제조)E1: JER-157S65 (polyfunctional novolac epoxy resin (epoxy equivalents: 200 to 220 g / eq), Japan Epoxy Resin Co., Ltd.)

F1 : KBM-403 (3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 신에츠 화학 공업 (주) 제조)F1: KBM-403 (3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.)

G1 : 4-디메틸아미노피리딘G1: 4-Dimethylaminopyridine

G2 : 1,5-디아자비시클로[4.3.0]-5-노넨G2: 1,5-Diazabicyclo [4.3.0] -5-nonene

H1 : PolyFox PF-6320 (불소계 계면 활성제, OMNOVA 사 제조)H1: PolyFox PF-6320 (fluorine surfactant, manufactured by OMNOVA)

W-3 : 하기 화합물W-3: The following compound

[화학식 38](38)

Figure 112011004390327-pat00043
Figure 112011004390327-pat00043

(광산 발생제 B-10 의 합성)(Synthesis of photo acid generator B-10)

1-1. 합성 중간체 B-10A 의 합성1-1. Synthesis of synthetic intermediate B-10A

2-아미노벤젠티올 : 31.3 g (토쿄 카세이 공업 (주) 제조) 을 톨루엔 : 100 ㎖ (와코 준야쿠 공업 (주) 제조) 에 실온 (25 ℃) 하 용해시켰다. 다음으로, 페닐아세틸클로라이드 : 40.6 g (토쿄 카세이 공업 (주) 제조) 을 적하하고, 실온하 1 시간, 이어서 100 ℃ 에서 2 시간 교반하여 반응시켰다. 얻어진 반응액에 물 500 ㎖ 를 넣고 석출된 염을 용해시키고, 톨루엔 유분을 추출, 추출액을 로터리 이배포레이터로 농축시켜, 합성 중간체 B-10A 를 얻었다.31.3 g (manufactured by Tokyo Kasei Kogyo Co., Ltd.) of 2-aminobenzenethiol was dissolved in 100 ml of toluene (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) at room temperature (25 ° C). Next, 40.6 g of phenylacetyl chloride (manufactured by Tokyo Kasei Kogyo Co., Ltd.) was added dropwise, and the mixture was reacted by stirring at room temperature for 1 hour and then at 100 ° C for 2 hours. 500 ml of water was added to the obtained reaction solution, and the precipitated salt was dissolved. Toluene oil was extracted and the extract was concentrated with a rotary evaporator to obtain a synthetic intermediate B-10A.

1-2. B-10 의 합성1-2. Synthesis of B-10

상기와 같이 하여 얻어진 합성 중간체 B-10A 2.25 g 를 테트라하이드로푸란 : 10 ㎖ (와코 준야쿠 공업 (주) 제조) 에 혼합시킨 후, 빙욕에 담그어 반응액을 5 ℃ 이하로 냉각시켰다. 다음으로, 테트라메틸암모늄하이드록사이드 : 4.37 g (25 중량% 메탄올 용액, Alfa Acer 사 제조) 을 적하하고, 빙욕하 0.5 시간 교반하고 반응시켰다. 또한, 아질산이소펜틸 : 7.03 g 을 내온 20 ℃ 이하로 유지하면서 적하하고, 적하 종료 후에 반응액을 실온까지 승온시킨 후, 1 시간 교반하였다.2.25 g of the thus-obtained synthetic intermediate B-10A was mixed with 10 ml of tetrahydrofuran (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.), and then immersed in an ice bath to cool the reaction solution to 5 占 폚 or less. Next, 4.37 g of tetramethylammonium hydroxide (25% by weight methanol solution, manufactured by Alfa Acer) was added dropwise, and the mixture was stirred and reacted on ice for 0.5 hour. Further, 7.03 g of isopentyl nitrite was added dropwise while keeping the temperature at 20 캜 or lower, and after completion of dropwise addition, the temperature of the reaction solution was raised to room temperature, followed by stirring for 1 hour.

이어서, 반응액을 5 ℃ 이하로 냉각시킨 후, p-톨루엔술포닐클로라이드 (1.9 g) (토쿄 카세이 공업 (주) 제조) 를 투입하고, 10 ℃ 이하를 유지하면서 1 시간 교반하였다. 그 후 물 80 ㎖ 를 투입하고, 0 ℃ 에서 1 시간 교반하였다. 얻어진 석출물을 여과한 후, 이소프로필알코올 (IPA) 60 ㎖ 를 투입하고, 50 ℃ 로 가열하여 1 시간 교반한 후, 열시 (熱時) 여과, 건조시킴으로써, (B-5 : 상기 구조) 1.8 g 을 얻었다.Subsequently, the reaction solution was cooled to 5 캜 or lower, p-toluenesulfonyl chloride (1.9 g) (manufactured by Tokyo Kasei Kogyo Co., Ltd.) was added thereto, and the mixture was stirred for 1 hour while maintaining the temperature at 10 캜 or lower. Then, 80 ml of water was added thereto, and the mixture was stirred at 0 ° C for 1 hour. The resulting precipitate was filtered and then 60 ml of isopropyl alcohol (IPA) was added. The mixture was heated to 50 占 폚 and stirred for 1 hour and then filtered and dried to obtain 1.8 g of the compound (B-5: &Lt; / RTI &gt;

얻어진 B-10 의 1H-NMR 스펙트럼 (300 MHz, 중 (重) DMSO ((D3C)2S=O)) 은 δ = 8.2 ∼ 8.17 (m, 1H), 8.03 ∼ 8.00 (m, 1H), 7.95 ∼ 7.9 (m, 2H), 7.6 ∼ 7.45 (m, 9H), 2.45 (s, 3H) 이었다.The 1 H-NMR spectrum (300 MHz, heavy DMSO ((D 3 C) 2 S = O) of the obtained B-10 was δ = 8.2 to 8.17 (m, 1H), 8.03 to 8.00 ), 7.95-7.9 (m, 2H), 7.6-7.45 (m, 9H), 2.45 (s, 3H).

상기의 1H-NMR 측정 결과로부터 얻어진 B-10 은 1 종 단독의 기하 이성체인 것으로 추정된다.It is estimated that B-10 obtained from the above 1 H-NMR measurement result is a single geometric isomer.

(광산 발생제 B-11 의 합성)(Synthesis of photo acid generator B-11)

2-나프톨 (10 g), 클로로벤젠 (30 ㎖) 의 현탁 용액에 염화알루미늄 (10.6 g), 2-클로로프로피오닐클로라이드 (10.1 g) 를 첨가하고, 혼합액을 40 ℃ 로 가열하여 2 시간 반응시켰다. 빙랭하, 반응액에 4N HCl 수용액 (60 ㎖) 을 적하하고, 아세트산에틸 (50 ㎖) 을 첨가하여 분액하였다. 유기층에 탄산칼륨 (19.2 g) 을 첨가하고, 40 ℃ 에서 1 시간 반응시킨 후, 2N HCl 수용액 (60 ㎖) 을 첨가하여 분액하고, 유기층을 농축한 후, 결정을 디이소프로필에테르 (10 ㎖) 로 리슬러리하고, 여과, 건조시켜 케톤 화합물 (6.5 g) 을 얻었다.Aluminum chloride (10.6 g) and 2-chloropropionyl chloride (10.1 g) were added to a suspension of 2-naphthol (10 g) and chlorobenzene (30 ml), and the mixture was heated to 40 캜 for reaction for 2 hours . Under ice-cooling, 4N HCl aqueous solution (60 ml) was added dropwise to the reaction solution, and ethyl acetate (50 ml) was added to separate the layers. Potassium carbonate (19.2 g) was added to the organic layer, and the mixture was reacted at 40 占 폚 for 1 hour. 2N HCl aqueous solution (60 ml) was added to the mixture to separate the layers. The organic layer was concentrated, and crystals were dissolved in diisopropyl ether , Filtered and dried to obtain a ketone compound (6.5 g).

얻어진 케톤 화합물 (3.0 g), 메탄올 (30 ㎖) 의 현탁 용액에 아세트산 (7.3 g), 50 중량% 하이드록실아민 수용액 (8.0 g) 을 첨가하고, 가열 환류하였다. 방랭 후, 물 (50 ㎖) 을 첨가하고, 석출된 결정을 여과, 냉 (冷) 메탄올 세정한 후, 건조시켜 옥심 화합물 (2.4 g) 을 얻었다.Acetic acid (7.3 g) and a 50% by weight hydroxylamine aqueous solution (8.0 g) were added to the resulting suspension of the ketone compound (3.0 g) and methanol (30 ml), and the mixture was heated to reflux. After cooling, water (50 ml) was added, and the precipitated crystals were filtered, washed with cold methanol, and then dried to obtain an oxime compound (2.4 g).

얻어진 옥심 화합물 (1.8 g) 을 아세톤 (20 ㎖) 에 용해시키고, 빙랭하 트리에틸아민 (1.5 g), p-톨루엔술포닐클로라이드 (2.4 g) 를 첨가하고, 실온으로 승온 시켜 1 시간 반응시켰다. 반응액에 물 (50 ㎖) 을 첨가하고, 석출된 결정을 여과한 후, 메탄올 (20 ㎖) 로 리슬러리하고, 여과, 건조시켜 B-11 (2.3 g) 을 얻었다.The resulting oxime compound (1.8 g) was dissolved in acetone (20 ml), triethylamine (1.5 g) and p-toluenesulfonyl chloride (2.4 g) were added under ice-cooling, and the mixture was allowed to react at room temperature for 1 hour. Water (50 ml) was added to the reaction solution, and the precipitated crystals were filtered, and then slurry was reslurried with methanol (20 ml), followed by filtration and drying to obtain B-11 (2.3 g).

또한, B-11 의 1H-NMR 스펙트럼 (300 MHz, CDCl3) 은 δ = 8.3 (d, 1H), 8.0 (d, 2H), 7.9 (d, 1H), 7.8 (d, 1H), 7.6 (dd, 1H), 7.4 (dd, 1H) 7.3 (d, 2H), 7.1 (d, 1H), 5.6 (q, 1H), 2.4 (s, 3H), 1.7 (d, 3H) 이었다.In addition, 1 H-NMR spectrum of B-11 (300 MHz, CDCl 3) is δ = 8.3 (d, 1H) , 8.0 (d, 2H), 7.9 (d, 1H), 7.8 (d, 1H), 7.6 (d, 1H), 7.4 (dd, 1H) 7.3 (d, 2H), 7.1 (d, 1H), 5.6

(광산 발생제 B-11 의 합성)(Synthesis of photo acid generator B-11)

2-나프톨 (20 g) 을 N,N-디메틸아세트아미드 (150 ㎖) 에 용해시키고, 탄산칼륨 (28.7 g), 2-브로모옥탄산에틸 (52.2 g) 을 첨가하고 100 ℃ 에서 2 시간 반응시켰다. 반응액에 물 (300 ㎖), 아세트산에틸 (200 ㎖) 을 첨가하여 분액하고, 유기층을 농축한 후, 48 중량% 수산화나트륨 수용액 (23 g), 에탄올 (50 ㎖), 물 (50 ㎖) 을 첨가하고, 2 시간 반응시켰다. 반응액을 1N HCl 수용액 (500 ㎖) 에 넣고, 석출된 결정을 여과, 수세하여 카르복실산 조체 (粗體) 를 얻은 후, 폴리인산 30 g 을 첨가하고 170 ℃ 에서 30 분 반응시켰다. 반응액을 물 (300 ㎖) 에 넣고, 아세트산에틸 (300 ㎖) 을 첨가하여 분액하고, 유기층을 농축한 후 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피로 정제하여, 케톤 화합물 (10 g) 을 얻었다.2-Naphthol (20 g) was dissolved in N, N-dimethylacetamide (150 ml), potassium carbonate (28.7 g) and ethyl 2-bromooxinate (52.2 g) were added and reacted at 100 ° C for 2 hours . Water (300 ml) and ethyl acetate (200 ml) were added to the reaction mixture and the mixture was separated. The organic layer was concentrated, and a 48 wt% aqueous sodium hydroxide solution (23 g), ethanol (50 ml) And the mixture was reacted for 2 hours. The reaction solution was poured into 1N HCl aqueous solution (500 ml), and the precipitated crystals were filtered and washed with water to obtain a crude carboxylic acid. Then, 30 g of polyphosphoric acid was added and reacted at 170 ° C for 30 minutes. The reaction solution was poured into water (300 ml), and ethyl acetate (300 ml) was added thereto for liquid separation. The organic layer was concentrated and purified by silica gel column chromatography to obtain a ketone compound (10 g).

얻어진 케톤 화합물 (10.0 g), 메탄올 (100 ㎖) 의 현탁 용액에 아세트산나트륨 (30.6 g), 염산하이드록실아민 (25.9 g), 황산마그네슘 (4.5 g) 을 첨가하고, 24 시간 가열 환류하였다. 방랭 후, 물 (150 ㎖), 아세트산에틸 (150 ㎖) 을 첨가하여 분액하고, 유기층을 물 80 ㎖ 로 4 회 분액하고, 농축한 후 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피로 정제하여 옥심 화합물 (5.8 g) 을 얻었다.Sodium acetate (30.6 g), hydroxylamine hydrochloride (25.9 g) and magnesium sulfate (4.5 g) were added to the resulting suspension of the ketone compound (10.0 g) and methanol (100 ml) and the mixture was refluxed for 24 hours. After cooling, water (150 ml) and ethyl acetate (150 ml) were added to separate the layers. The organic layer was separated 4 times with 80 ml of water, concentrated and purified by silica gel column chromatography to obtain an oxime compound (5.8 g) .

얻어진 옥심 (3.1 g) 에 대해, B-11 과 동일하게 술포네이트화를 실시하여, B-12 (3.2 g) 를 얻었다.The resulting oxime (3.1 g) was sulfonated in the same manner as B-11 to obtain B-12 (3.2 g).

또한, B-12 의 1H-NMR 스펙트럼 (300 MHz, CDCl3) 은 δ = 8.3 (d, 1H), 8.0 (d, 2H), 7.9 (d, 1H), 7.8 (d, 1H), 7.6 (dd, 1H), 7.5 (dd, 1H) 7.3 (d, 2H), 7.1 (d. 1H), 5.6 (dd, 1H), 2.4 (s, 3H), 2.2 (ddt, 1H), 1.9 (ddt, 1H), 1.4 ∼ 1.2 (m, 8H), 0.8 (t, 3H) 이었다.In addition, 1 H-NMR spectrum of B-12 (300 MHz, CDCl 3) is δ = 8.3 (d, 1H) , 8.0 (d, 2H), 7.9 (d, 1H), 7.8 (d, 1H), 7.6 (s, 3H), 2.2 (ddt, 1H), 1.9 (ddt, 1H), 7.5 (dd, , 1H), 1.4-1.2 (m, 8H), 0.8 (t, 3H).

(광산 발생제 B-13 의 합성)(Synthesis of photo acid generator B-13)

B-11 에 있어서의 p-톨루엔술포닐클로라이드 대신에 벤젠술포닐클로라이드를 사용한 것 이외에는, B-11 과 동일하게 하여 B-13 을 합성하였다.B-13 was synthesized in the same manner as B-11 except that benzenesulfonyl chloride was used instead of p-toluenesulfonyl chloride in B-11.

또한, B-13 의 1H-NMR 스펙트럼 (300 MHz, CDCl3) 은 δ = 8.3 (d, 1H), 8.1 (d, 2H), 7.9 (d, 1H), 7.8 (d, 1H), 7.7-7.5 (m, 4H), 7.4 (dd, 1H), 7.1 (d, 1H), 5.6 (q, 1H), 1.7 (d, 3H) 이었다.In addition, 1 H-NMR spectrum of B-13 (300 MHz, CDCl 3) is δ = 8.3 (d, 1H) , 8.1 (d, 2H), 7.9 (d, 1H), 7.8 (d, 1H), 7.7 (M, 4H), 7.4 (dd, 1H), 7.1 (d, 1H), 5.6

[화학식 39][Chemical Formula 39]

Figure 112011004390327-pat00044
Figure 112011004390327-pat00044

B-14: 4,7-디-n-부톡시-1-나프틸테트라하이드로티오페늄트리플루오로메탄술포네이트B-14: 4,7-di-n-butoxy-1-naphthyltetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate

B-15 : 트리플루오로메틸술포닐옥시비시클로[2.2.1]-헵토-5-엔-디카르복시이미드B-15: Trifluoromethylsulfonyloxybicyclo [2.2.1] -hept-5-en-dicarboxyimide

3. 평가3. Evaluation

(실시예 1)(Example 1)

실시예 1 의 감광성 수지 조성물을 사용하여, 하기의 평가를 실시하였다.Using the photosensitive resin composition of Example 1, the following evaluations were carried out.

<감도의 평가>&Lt; Evaluation of sensitivity &

조제한 감광성 수지 조성물을 표 6 에 나타내는 조건에서 일단, 저온 처리하여, 실온 (23 ℃) 으로 되돌렸다. 2,160 × 2,460 ㎜ 의 유리 기판 상에 감광성 수지 조성물을 슬릿 도포한 후, 90 ℃ 에서 90 초간 핫플레이트 상에서 프리 베이크하고 용제를 제거하여 막 두께 3 ㎛ 의 도포막을 형성하였다. 다음으로, FX-85S (i 선 사양, (주) 니콘 제조) 를 이용하여, 소정의 마스크를 통해 노광하였다. 노광 후, 표 6 에 나타내는 온도에서, 표 6 에 나타내는 시간만큼 경과시킨 후, 0.4 중량% 의 테트라메틸암모늄하이드록사이드 수용액에 의해 25 ℃ 에서 35 초간 샤워 현상한 후, 초순수로 1 분간 린스하였다. 이들 조작에 의해 10 ㎛ 의 라인 앤드 스페이스를 1 : 1 로 해상할 때의 최적 노광량 (Eopt) 을 구하였다. 이것을 10 회 반복하여, 그 산술 평균을 감도로 하였다. 감도는, 50 mJ/㎠ 보다 저노광량인 경우에, 고감도라고 할 수 있다. 결과를 표 6 에 나타내었다.The prepared photosensitive resin composition was once subjected to low-temperature treatment under the conditions shown in Table 6, and returned to room temperature (23 캜). A photosensitive resin composition was applied to a glass substrate having a size of 2,160 mm x 2,460 mm, slit coated, and then prebaked on a hot plate at 90 DEG C for 90 seconds to remove the solvent to form a coating film having a thickness of 3 mu m. Next, exposure was performed through a predetermined mask using FX-85S (i-line specification, manufactured by Nikon Corporation). After the exposure, the coating solution was subjected to the time shown in Table 6 at the temperature shown in Table 6, showered at 25 캜 for 35 seconds with 0.4% by weight aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide, and rinsed with ultrapure water for 1 minute. By these operations, the optimum exposure dose (Eopt) at the time of resolving a line-and-space of 10 mu m at a ratio of 1: 1 was determined. This was repeated 10 times, and the arithmetic mean was taken as the sensitivity. The sensitivity can be said to be a high sensitivity when the exposure amount is lower than 50 mJ / cm 2. The results are shown in Table 6.

<감도 안정성의 평가><Evaluation of Sensitivity Stability>

감도 측정에 의해 구한 10 회 최적 노광량 중, 최대값을 Emax, 최저값을 Emin 으로 하여, (Emax - Emin) ÷ (감도) × 100 의 값이 0 이상 5 미만 : A, 5 이상 10 미만 : B, 10 이상 : C 로 하였다. 이 값은 작을수록 감도 안정성이 있고, A 또는 B 의 평가이면 실용상 문제없다. C 평가에서는 잔류물 등의 문제가 발생할 수 있으므로 허용할 수 없다. 결과를 표 6 에 나타내었다.(Emax - Emin) / (sensitivity) x 100 is 0 or more and less than 5: A, 5 or more and less than 10: B, Emax, 10 or more: C. The smaller the value is, the more stable the sensitivity, and there is no practical problem if A or B is evaluated. In the C evaluation, problems such as residues may occur, which is not permissible. The results are shown in Table 6.

<내열 투명성의 평가>&Lt; Evaluation of heat resistance transparency &

조제한 감광성 수지 조성물을 표 6 에 나타내는 조건에서 저온 처리하여, 실온 (23 ℃) 으로 되돌렸다.The prepared photosensitive resin composition was subjected to low-temperature treatment under the conditions shown in Table 6 and returned to room temperature (23 캜).

유리 기판 (코닝사 제조) 에 감광성 수지 조성물을 슬릿 도포한 후, 90 ℃ 에서 120 초간 핫플레이트 상에서 프리 베이크함으로써 용제를 제거하여 막 두께 3 ㎛ 의 도포막을 형성하였다. FX-85S (i 선 사양, (주) 니콘 제조) 를 이용하여, 최적 노광량으로 전면 노광하고, 표 6 에 나타내는 온도에서, 표 6 에 나타내는 시간만큼 경과시킨 후, 감도 평가와 동일하게 하여 현상 처리하고, 초순수로 1 분간 린스하였다. 얻어진 도포막에 FX-85S 로 적산 조사량이 300 mJ/㎠ (조도 : 20 mW/㎠) 가 되도록 노광하고, 이 기판을 오븐으로 230 ℃ 에서 1 시간 가열하여 경화막을 얻었다. 얻어진 경화막을 다시 오븐으로 230 ℃ 에서 2 시간 추가로 가열한 후, 광선 투과율을 분광 광도계 「150-20 형 더블빔」((주) 히타치 제작소 제조) 을 이용하여 400 ∼ 800 ㎚ 의 범위의 파장으로 측정하였다. 그 때의 최저 광선 투과율의 평가 결과 (내열 투명성의 평가 결과) 를 표 6 에 나타낸다. 평가 기준은 하기와 같다.The photosensitive resin composition was applied to a glass substrate (manufactured by Corning Incorporated) with a slit, and then prebaked on a hot plate at 90 DEG C for 120 seconds to remove the solvent to form a coating film having a thickness of 3 mu m. The entire exposure was performed at an optimum exposure dose using FX-85S (i-ray specification, manufactured by Nikon Corporation), elapsed by the time shown in Table 6 at the temperature shown in Table 6, And rinsed with ultrapure water for 1 minute. The obtained coating film was exposed with FX-85S so that the integrated irradiation amount became 300 mJ / cm 2 (light intensity: 20 mW / cm 2), and the substrate was heated in an oven at 230 ° C for 1 hour to obtain a cured film. The obtained cured film was further heated in an oven at 230 DEG C for 2 hours, and then the light transmittance was measured using a spectrophotometer &quot; 150-20 type double beam &quot; (manufactured by Hitachi, Ltd.) to a wavelength in the range of 400 to 800 nm Respectively. Table 6 shows the evaluation results of the lowest light transmittance (evaluation results of heat resistance and transparency) at that time. The evaluation criteria are as follows.

A : 93 % 이상A: 93% or more

B : 88 % 이상 93 % 미만B: 88% or more and less than 93%

C: 83 % 이상 88 % 미만C: 83% or more and less than 88%

D: 83 % 미만D: Less than 83%

<ITO 스퍼터 적성><ITO sputter suitability>

내열 투명성의 평가와 동일하게 하여, 최종 가열 처리 후의 경화막을 얻었다. 이 경화막 상에, ITO 투명 전극을 스퍼터 (ULVAC 사 제조, SIH-3030, 스퍼터 온도 200 ℃) 에 의해 형성하였다. 스퍼터 후의 경화막의 표면을 광학 현미경 (500 배) 으로 관찰하고, 이하의 기준에 의해 평가하였다.The cured film after the final heat treatment was obtained in the same manner as in the evaluation of the heat resistance transparency. On this cured film, an ITO transparent electrode was formed by sputtering (SIH-3030, manufactured by ULVAC, sputtering temperature: 200 占 폚). The surface of the cured film after the sputtering was observed with an optical microscope (500 times) and evaluated according to the following criteria.

A : 경화막의 표면에 전혀 주름의 발생이 없음A: No wrinkles on the surface of the cured film at all

B : 경화막의 표면에 조금 주름이 관찰됨 (허용 범위)B: Small wrinkles were observed on the surface of the cured film (allowable range)

C : 경화막의 표면에 주름의 발생이 있음C: Wrinkles occur on the surface of the cured film

ITO 투명 전극을 스퍼터에 의해 형성한 후, 경화막 표면에 주름이 관측된 경우, 경화막의 투과율 저하를 일으키므로 바람직하지 않다. 결과를 표 6 에 나타내었다.When wrinkles are observed on the surface of the cured film after the ITO transparent electrode is formed by sputtering, the transmittance of the cured film is lowered, which is undesirable. The results are shown in Table 6.

<컨택트홀의 형성성의 평가><Evaluation of Formability of Contact Hole>

기판을 실리콘 웨이퍼로 변경한 것 이외에는, 감도 평가와 동일하게 하여 막 두께 3.0 ㎛ 의 도포막을 형성하였다. 다음으로, i 선 스테퍼 (캐논 (주) 제조 FPA-3000i5+) 를 이용하여, 컨택트홀에 상당하는 직경 10 ㎛ 의 홀 패턴을 갖는 마스크에서 최적 노광량 노광하였다.A coating film having a thickness of 3.0 탆 was formed in the same manner as in the sensitivity evaluation except that the substrate was changed to a silicon wafer. Next, an i-line stepper (FPA-3000i5 + manufactured by Canon Inc.) was used to expose an optimal exposure amount in a mask having a hole pattern having a diameter of 10 mu m corresponding to the contact hole.

상기와 동일하게 현상, 린스하여, 컨택트홀 패턴을 형성하였다. 여기서, 형성된 컨택트홀 밑바닥의 직경을 전자 현미경에 의해 측정하였다. 또한, 컨택트홀이 형성된 현상 후의 도포막에 대해, 초고압 수은등을 이용하여 파장 365 ㎚ 에 있어서 500 mJ/㎠ 의 광을 조사한 후, 오븐 중에서, 220 ℃ 에서 60 분간 가열하였다. 여기서, 컨택트홀의 밑바닥의 직경을 상기와 동일하게 하여 측정하였다.Development and rinsing were carried out in the same manner as described above to form a contact hole pattern. Here, the diameter of the bottom of the formed contact hole was measured by an electron microscope. The coated film after the development in which the contact holes were formed was irradiated with light of 500 mJ / cm 2 at a wavelength of 365 nm using an ultra-high pressure mercury lamp, and then heated in an oven at 220 캜 for 60 minutes. Here, the diameter of the bottom of the contact hole was measured in the same manner as described above.

본 평가에서는, 형성된 컨택트홀 밑바닥의 직경에 대하여, 가열 전후에 측정한 2 개의 측정값의 차가 0.5 ㎛ 미만인 것을 「A」, 0.5 ㎛ 이상 1.0 ㎛ 미만인 것을 「B」, 1.0 ㎛ 이상인 것을 「C」로서 평가하였다. 가열 전후에서의 직경의 차가 작을수록, 컨택트홀 직경의 제어가 용이해지므로 바람직하다. A 또는 B 이면 실용할 수 있다.In this evaluation, "A" indicates a difference between two measured values measured before and after heating, "B" indicates a difference between 0.5 μm and less than 1.0 μm, "C" indicates a difference of not less than 1.0 μm with respect to the diameter of the bottom of the formed contact hole, . The smaller the difference in diameter before and after heating, the better the control of the diameter of the contact hole becomes, which is preferable. A or B is practical.

또, 가열 후의 홀 단면 (斷面) 을 관찰하여, 순 (順) 테이퍼 형상인 것을 A, 수직인 것을 B, 역테이퍼인 것을 C 로 하였다. 순테이퍼인 것이 바람직하고, A 이면 실용할 수 있다. 결과를 표 6 에 나타내었다.A hole cross section after heating was observed, and A, A, and B were A, B, and C, respectively. It is preferable that the taper is a net taper, and if A, practical use is possible. The results are shown in Table 6.

(실시예 2 ∼ 21, 실시예 26 ∼ 28, 실시예 30 ∼ 44, 실시예 101 ∼ 121, 실시예 126 ∼ 129, 실시예 131 ∼ 139, 실시예 201 ∼ 221, 실시예 226 ∼ 229, 실시예 231 ∼ 239, 및 실시예 301 ∼ 304)(Examples 2 to 21, Examples 26 to 28, Examples 30 to 44, Examples 101 to 121, Examples 126 to 129, Examples 131 to 139, Examples 201 to 221, Examples 226 to 229, Examples 231 to 239, and Examples 301 to 304)

표 2 ∼ 표 5 와 같이 감광성 수지 조성물의 처방을 표 6 ∼ 표 9 와 같이 저온 처리 공정, 노광 후에 기판을 방치하는 조건 (온도, 시간) 을 변경한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여, 감광성 수지 조성물 및 경화막의 평가를 실시하였다.The procedures of the low-temperature treatment as shown in Tables 6 to 9 and the conditions (temperature and time) for leaving the substrate after exposure were changed as shown in Tables 2 to 5 as shown in Tables 6 to 9, The resin composition and the cured film were evaluated.

(실시예 22 ∼ 25)(Examples 22 to 25)

노광 후에 기판을 방치하는 조건 (온도, 시간) 을 노광 후 23 ℃ 에서 90 초 경과 후에 핫플레이트에서 80 ℃ 60 초의 PEB 를 실시하고, 또한 23 ℃ 에서 35 초 경과한 후에 현상하는 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여 감광성 수지 조성물 및 경화막을 평가하였다. 결과를 표 6 에 나타내었다.The conditions (temperature, time) for leaving the substrate after exposure were changed to PEB at 80 캜 for 60 seconds on a hot plate after lapse of 90 seconds at 23 캜 after exposure and development was performed after elapse of 35 seconds at 23 캜, 1, the photosensitive resin composition and the cured film were evaluated. The results are shown in Table 6.

(실시예 29)(Example 29)

패턴 노광을 이하의 레이저 노광으로 한 것 이외에는 실시예 8 과 동일하게 실시하였다 (기판 사이즈는 적절히 조정). 막 두께 3 ㎛ 의 건조 도포막으로부터 150 ㎛ 의 간격을 개재하여, 소정의 포토마스크를 세트하고, 파장 355 ㎚ 의 레이저를 최적 노광량 조사하였다. 또한, 레이저 장치는 (주) 브이·테크놀로지 제조의 「AEGIS」를 사용하고 (파장 355 ㎚, 펄스 폭 6 nsec), 노광량은 OPHIR 사 제조의 「PE10B-V2」를 사용하여 측정하였다. 레이저로도 수은등과 동일하게 패턴을 형성할 수 있는 것을 알 수 있었다.Except that the pattern exposure was performed with the following laser exposure, the same procedure was performed as in Example 8 (the substrate size was appropriately adjusted). A predetermined photomask was set through a 150 占 퐉 interval from the dried film having a film thickness of 3 占 퐉, and the laser beam having a wavelength of 355nm was irradiated with the optimum exposure dose. Further, the laser device used was "AEGIS" (manufactured by V-Technology Co., Ltd.) (wavelength: 355 nm, pulse width: 6 nsec) and the exposure amount was measured using "PE10B-V2" manufactured by OPHIR. It was found that a laser can form a pattern in the same manner as a mercury lamp.

(실시예 122 ∼ 125)(Examples 122 to 125)

노광 후에 기판을 방치하는 조건 (온도, 시간) 을 노광 후 23 ℃ 에서 90 초 경과 후에 핫플레이트에서 80 ℃ 60 초의 PEB 를 실시하고, 또한 23 ℃ 에서 35 초 경과한 후에 현상하는 것 이외에는, 실시예 101 과 동일하게 하여 감광성 수지 조성물 및 경화막을 평가하였다. 결과를 표 7 에 나타내었다.The conditions (temperature, time) for leaving the substrate after exposure were changed to PEB at 80 캜 for 60 seconds on a hot plate after lapse of 90 seconds at 23 캜 after exposure and development was performed after elapse of 35 seconds at 23 캜, 101, the photosensitive resin composition and the cured film were evaluated. The results are shown in Table 7.

(실시예 130)(Example 130)

패턴 노광을 이하의 레이저 노광으로 한 것 이외에는 실시예 108 과 동일하게 실시하였다 (기판 사이즈는 적절히 조정). 막 두께 3 ㎛ 의 건조 도포막으로부터 150 ㎛ 의 간격을 개재하여, 소정의 포토마스크를 세트하고, 파장 355 ㎚ 의 레이저를 최적 노광량 조사하였다. 또한, 레이저 장치는 (주) 브이·테크놀로지 제조의 「AEGIS」를 사용하고 (파장 355 ㎚, 펄스 폭 6 nsec), 노광량은 OPHIR 사 제조의 「PE10B-V2」를 사용하여 측정하였다. 레이저로도 수은등과 동일하게 패턴을 형성할 수 있는 것을 알 수 있었다.The procedure of Example 108 was carried out except that the pattern exposure was performed with the following laser exposure (the substrate size was appropriately adjusted). A predetermined photomask was set through a 150 占 퐉 interval from the dried film having a film thickness of 3 占 퐉, and the laser beam having a wavelength of 355nm was irradiated with the optimum exposure dose. Further, the laser device used was "AEGIS" (manufactured by V-Technology Co., Ltd.) (wavelength: 355 nm, pulse width: 6 nsec) and the exposure amount was measured using "PE10B-V2" manufactured by OPHIR. It was found that a laser can form a pattern in the same manner as a mercury lamp.

(실시예 222 ∼ 225)(Examples 222 to 225)

노광 후에 기판을 방치하는 조건 (온도, 시간) 을 노광 후 23 ℃ 에서 90 초 경과 후에 핫플레이트에서 80 ℃ 60 초의 PEB 를 실시하고, 또한 23 ℃ 에서 35 초 경과한 후에 현상하는 것 이외에는, 실시예 201 과 동일하게 하여 감광성 수지 조성물 및 경화막을 평가하였다. 결과를 표 8 에 나타내었다.The conditions (temperature, time) for leaving the substrate after exposure were changed to PEB at 80 캜 for 60 seconds on a hot plate after lapse of 90 seconds at 23 캜 after exposure and development was performed after elapse of 35 seconds at 23 캜, 201, the photosensitive resin composition and the cured film were evaluated. The results are shown in Table 8.

(실시예 230)(Example 230)

패턴 노광을 이하의 레이저 노광으로 한 것 이외에는 실시예 208 과 동일하게 실시하였다 (기판 사이즈는 적절히 조정). 막 두께 3 ㎛ 의 건조 도포막으로부터 150 ㎛ 의 간격을 개재하여, 소정의 포토마스크를 세트하고, 파장 355 ㎚ 의 레이저를 최적 노광량 조사하였다. 또한, 레이저 장치는 (주) 브이·테크놀로지 제조의 「AEGIS」를 사용하고 (파장 355 ㎚, 펄스 폭 6 nsec), 노광량은 OPHIR 사 제조의 「PE10B-V2」를 사용하여 측정하였다. 레이저로도 수은등과 동일하게 패턴을 형성할 수 있는 것을 알 수 있었다.The procedure of Example 208 was carried out except that the pattern exposure was performed with the following laser exposure (the substrate size was appropriately adjusted). A predetermined photomask was set through a 150 占 퐉 interval from the dried film having a film thickness of 3 占 퐉, and the laser beam having a wavelength of 355nm was irradiated with the optimum exposure dose. Further, the laser device used was "AEGIS" (manufactured by V-Technology Co., Ltd.) (wavelength: 355 nm, pulse width: 6 nsec) and the exposure amount was measured using "PE10B-V2" manufactured by OPHIR. It was found that a laser can form a pattern in the same manner as a mercury lamp.

(실시예 305 ∼ 308)(Examples 305 to 308)

조성물을 표 5 와 같이 변경하고, 노광 후에 기판을 방치하는 조건 (온도, 시간) 을 노광 후 23 ℃ 에서 90 초 경과 후에 핫플레이트에서 80 ℃ 60 초의 PEB 를 실시하고, 또한 23 ℃ 에서 35 초 경과한 후에 현상하는 것 이외에는, 실시예 101 과 동일하게 하여 감광성 수지 조성물 및 경화막을 평가하였다. 결과를 표 9 에 나타내었다.The composition (composition) was changed as shown in Table 5, and the conditions (temperature, time) for leaving the substrate after exposure were 90 seconds at 23 占 폚 after exposure and then subjected to PEB at 80 占 폚 for 60 seconds on a hot plate. , The photosensitive resin composition and the cured film were evaluated in the same manner as in Example 101. The results are shown in Table 9.

(비교예 1 ∼ 7)(Comparative Examples 1 to 7)

표 2 와 같이 처방을 표 6 과 같이 저온 처리, 노광 후에 기판을 방치하는 조건 (온도, 시간) 을 변경한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 비교예 1, 2, 4 ∼ 6 의 감광성 수지 조성물을 조제하고, 실시예 1 과 동일하게 하여 감광성 수지 조성물 및 경화막을 평가하였다. 또한, 비교예 3 은 일본 공개특허공보 2009-98616호에 기재된 실시예 7 의 조성물을 C1 : 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트와 C2 : 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르의 1 : 1 혼합 용제로 점도 3.0 mPa·s 로 조정하고, 실시예 1 과 동일하게 감광성 수지 조성물 및 경화막을 평가하였다. 비교예 7 에 대해서는, 일본 공개특허공보 2009-75329호의 실시예 17 의 조성물을 사용하여, 실시예 1 과 동일하게 감광성 수지 조성물 및 경화막을 평가하였다.The photosensitive resin compositions of Comparative Examples 1, 2, and 4 to 6 were prepared in the same manner as in Example 1, except that the conditions (temperature, time) for leaving the substrate after the low temperature treatment and exposure were changed as shown in Table 2, , And the photosensitive resin composition and the cured film were evaluated in the same manner as in Example 1. [ In Comparative Example 3, the composition of Example 7 described in JP-A-2009-98616 was mixed with C1: a mixture of propylene glycol monomethyl ether acetate and C2: diethylene glycol ethyl methyl ether in a ratio of 3.0 mPa · s, and the photosensitive resin composition and the cured film were evaluated in the same manner as in Example 1. With respect to Comparative Example 7, the photosensitive resin composition and the cured film were evaluated in the same manner as in Example 1, using the composition of Example 17 of JP-A-2009-75329.

Figure 112011004390327-pat00045
Figure 112011004390327-pat00045

Figure 112011004390327-pat00046
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Figure 112011004390327-pat00047
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Figure 112011004390327-pat00048
Figure 112011004390327-pat00048

표 6 ∼ 표 9 에 나타내는 결과로부터 이하에 기재된 것을 알 수 있다.From the results shown in Tables 6 to 9, the following can be found.

실시예 전반에 있어서, 성분 A, 성분 B, 및 성분 C 를 함유하는 감광성 수지 조성물에, 소정의 저온 처리 공정, 실온에서 45 초 이상 경과시키는 공정을 실시함으로써, 슬릿 도포에 의해, 만족할 만한 성능의 층간 절연막이 얻어지는 것을 알 수 있다. 상세하게는, 저온 처리 공정을 조정함으로써, 컨택트홀의 형성성, ITO 스퍼터 적성 등을 보다 향상시킬 수 있다 (실시예 1 ∼ 16). 또, 실온에서 경과시키는 시간을 길게함으로써, 조금이기는 하지만 감도가 향상되는 것을 알 수 있다 (실시예 12, 30 ∼ 36).In the first half of the example, the photosensitive resin composition containing the component A, the component B and the component C was subjected to a predetermined low-temperature treatment step and a step of elongating at room temperature for 45 seconds or more, whereby a satisfactory performance An interlayer insulating film can be obtained. Specifically, by adjusting the low-temperature treatment process, the formation of contact holes, ITO sputtering aptitude and the like can be further improved (Examples 1 to 16). In addition, it can be seen that the sensitivity is improved by slightly lengthening the elapsed time at room temperature (Examples 12, 30 to 36).

성분 A, 성분 B 및 성분 C 를 함유하는 범위에서, 여러 가지의 조성으로 성능을 달성할 수 있는 것을 알 수 있다 (실시예 18 ∼ 29). 모든 구성 단위가(메트)아크릴레이트로 이루어지고, (a2) 성분으로서 옥세타닐기를 사용한 공중합체에서는, 내열 투명성이 우수한 것을 알 수 있다. 저온 처리 공정없이 슬릿 도포하면, 감도 안정성이 없고, 또한, 컨택트홀의 형성성, ITO 스퍼터 적성 등의 성능을 동시에 만족하는 경우가 없다 (비교예 1, 3). 또, 실온에서 경과시키는 시간이 짧으면 감도가 안정되지 않는 것, 컨택트홀 직경의 변화가 큰 것을 알 수 있다 (비교예 2). (a1) (a2) (a3) 중 어느 것을 갖지 않는 폴리머에서는, 감도, 감도 안정성, 컨택트홀 형성성 등의 모든 특성을 동시에 만족할 수 없는 것을 알 수 있다 (비교예 4 ∼ 7).It can be seen that performance can be achieved with various compositions in the range containing Component A, Component B and Component C (Examples 18 to 29). It can be seen that all of the constituent units are composed of (meth) acrylate, and the copolymer using an oxetanyl group as the component (a2) is excellent in heat-resistant transparency. When a slit is applied without a low temperature treatment process, there is no sensitivity stability, and the performance such as the formation of contact holes and the ITO sputtering suitability are not satisfied at the same time (Comparative Examples 1 and 3). In addition, it can be seen that when the time elapsed at room temperature is short, the sensitivity is not stable, and the change in contact hole diameter is large (Comparative Example 2). (a1), (a2) and (a3), all characteristics such as sensitivity, sensitivity stability, and contact hole forming properties can not be satisfied at the same time (Comparative Examples 4 to 7).

실시예 101 ∼ 139, 201 ∼ 239, 실시예 301 ∼ 308 과 같이 다양한 폴리머, 광산 발생제로도 본 발명의 효과가 발휘되는 것을 알 수 있다. 또, 실시예 201 ∼ 239, 301 ∼ 304 와 같이, 나프토푸란 모핵의 광산 발생제를 사용하면 투명성이 특히 높은 것을 알 수 있다.It can be seen that the effects of the present invention are exhibited also in various polymers and photoacid generators as in Examples 101 to 139, 201 to 239 and Examples 301 to 308. In addition, as in Examples 201 to 239 and 301 to 304, it can be seen that transparency is particularly high when a photo acid generator of naphthofuran precursor is used.

(실시예 45)(Example 45)

실시예 8 의 감도 평가에 있어서, 기판을 HDMS (헥사메틸디실라잔) 로 표면 처리한 유리 기판으로 변경한 것 이외에는 동일하게 하여 평가하였다. 실시예 8 와 마찬가지로 깨끗하게 패턴을 제조할 수 있었다.In the sensitivity evaluation of Example 8, evaluation was made in the same manner, except that the substrate was changed to a glass substrate surface-treated with HDMS (hexamethyldisilazane). It was possible to produce a pattern clearly as in Example 8.

(실시예 140)(Example 140)

실시예 108 의 감도 평가에 있어서, 기판을 HDMS (헥사메틸디실라잔) 로 표면 처리한 유리 기판으로 변경한 것 이외에는 동일하게 하여 평가하였다. 실시예 108 과 마찬가지로 깨끗하게 패턴을 제조할 수 있었다.In the sensitivity evaluation of Example 108, evaluation was made in the same manner, except that the substrate was changed to a glass substrate surface-treated with HDMS (hexamethyldisilazane). It was possible to produce a clear pattern in the same manner as in Example 108.

(실시예 240)(Example 240)

실시예 208 의 감도 평가에 있어서, 기판을 HDMS (헥사메틸디실라잔) 로 표면 처리한 유리 기판으로 변경한 것 이외에는 동일하게 하여 평가하였다. 실시예 208 과 마찬가지로 깨끗하게 패턴을 제조할 수 있었다.In the sensitivity evaluation of Example 208, evaluation was made in the same manner, except that the substrate was changed to a glass substrate surface-treated with HDMS (hexamethyldisilazane). A pattern could be produced clearly as in Example 208. [

(실시예 46)(Example 46)

실시예 8 의 감도 평가에 있어서, 노광기를 FX-85S (ghi 선 사양, (주) 니콘 제조) 에 i 선 컷 필터를 설치한 것 (즉, gh 선 노광) 으로 변경한 것 이외에는 동일하게 하여 평가하였다. 실시예 8 과 마찬가지로 깨끗하게 패턴을 제조할 수 있었다.Except that the sensitivity evaluation of Example 8 was changed to an exposure apparatus provided with an i-line cut filter (FX-85S (ghi line specification, manufactured by Nikon Corporation) (that is, gh line exposure) Respectively. It was possible to produce a clear pattern in the same manner as in Example 8.

<도포성의 평가><Evaluation of Coating Properties>

(실시예 47 ∼ 50)(Examples 47 to 50)

실시예 8 의 감광성 수지 조성물 조제에 있어서, 용제량을 조정하여 점도 18.0 mPa·s 로 한 것 이외에는 실시예 8 과 동일하게 하여 실시예 47 의 감광성 수지 조성물을 조제하였다. 실시예 48 ∼ 50 의 감광성 수지 조성물에 대해서도 실시예 47 과 동일하게 하여, 점도 22.0 mPa·s, 29.0 mPa·s, 31.0 mPa·s 로 조정하였다.The photosensitive resin composition of Example 47 was prepared in the same manner as in Example 8 except that the amount of the solvent was adjusted to adjust the viscosity to 18.0 mPa · s in the preparation of the photosensitive resin composition of Example 8. The viscosity of the photosensitive resin compositions of Examples 48 to 50 was adjusted to 22.0 mPa · s, 29.0 mPa · s, and 31.0 mPa · s, respectively, in the same manner as in Example 47.

실시예 8, 실시예 47 ∼ 50 의 감광성 수지 조성물에 대하여, 이하와 같이 하여 도포성을 평가하였다. 도쿄 일렉트론 (주) 제조의 CL1700 을 이용하여, 1,500 ㎜ × 1,800 ㎜ 의 유리 기판에, 건조 후의 도포막 두께가 3.0 ㎛ 가 되도록 슬릿 코트하였다. 건조는 90 ℃ 90 초간 핫플레이트에서 가열하였다. 도포면을 육안으로 관찰하여 줄무늬 형상 얼룩의 개수를 카운트하여, 하기 기준으로 평가하였다. 그 결과를 표에 나타낸다. A, B, C 이면 허용할 수 있다.The coating properties of the photosensitive resin compositions of Example 8 and Examples 47 to 50 were evaluated as follows. CL 1700 manufactured by Tokyo Electron Co., Ltd. was used to slit coat a 1,500 mm x 1,800 mm glass substrate so that the coated film thickness after drying was 3.0 탆. Drying was carried out on a hot plate at 90 DEG C for 90 seconds. The coated surface was visually observed to count the number of stripe-shaped unevenness, and the evaluation was made based on the following criteria. The results are shown in the table. A, B, and C are acceptable.

도포면에 줄무늬 형상의 얼룩이 전혀 없는 것 : ANo streaks on the coated surface: A

1 ∼ 3 개 있는 것 : B Having 1-3: B

4 ∼ 5 개 있는 것 : CHaving 4 ~ 5: C

6 개 이상 있는 : DWith more than 6: D

Figure 112011004390327-pat00049
Figure 112011004390327-pat00049

(실시예 141 ∼ 144)(Examples 141 to 144)

실시예 108 의 감광성 수지 조성물 조제에 있어서, 용제량을 조정하여 점도 18.0 mPa·s 로 한 것 이외에는 실시예 108 과 동일하게 하여 실시예 141 의 감광성 수지 조성물을 조제하였다. 실시예 142 ∼ 144 의 감광성 수지 조성물에 대해서도 실시예 140 과 동일하게 하여, 점도 22.0 mPa·s, 29.0 mPa·s, 31.0 mPa·s 로 조정하였다. A photosensitive resin composition of Example 141 was prepared in the same manner as in Example 108 except that the amount of the solvent was adjusted to adjust the viscosity to 18.0 mPa · s in the preparation of the photosensitive resin composition of Example 108. The viscosity of the photosensitive resin compositions of Examples 142 to 144 was adjusted to 22.0 mPa · s, 29.0 mPa · s, and 31.0 mPa · s, respectively, in the same manner as in Example 140.

실시예 108, 실시예 141 ∼ 144 의 감광성 수지 조성물에 대하여, 상기와 동일하게 하여, 도포성을 평가하였다.The coating properties of the photosensitive resin compositions of Example 108 and Examples 141 to 144 were evaluated in the same manner as above.

Figure 112011004390327-pat00050
Figure 112011004390327-pat00050

(실시예 241 ∼ 244)(Examples 241 to 244)

실시예 208 의 감광성 수지 조성물 조제에 있어서, 용제량을 조정하여 점도 18.0 mPa·s 로 한 것 이외에는 실시예 208 과 동일하게 하여 실시예 241 의 감광성 수지 조성물을 조제하였다. 실시예 242 ∼ 244 의 감광성 수지 조성물에 대해서도 실시예 241 과 동일하게 하여, 점도 22.0 mPa·s, 29.0 mPa·s, 31.0 mPa·s 로 조정하였다.A photosensitive resin composition of Example 241 was prepared in the same manner as in Example 208 except that the amount of the solvent was adjusted to adjust the viscosity to 18.0 mPa · s in the preparation of the photosensitive resin composition of Example 208. The viscosity of the photosensitive resin compositions of Examples 242 to 244 was adjusted to 22.0 mPa · s, 29.0 mPa · s, and 31.0 mPa · s, respectively, in the same manner as in Example 241.

실시예 208, 실시예 241 ∼ 244 의 감광성 수지 조성물에 대하여, 상기와 동일하게 하여, 도포성을 평가하였다.The coating properties of the photosensitive resin compositions of Example 208 and Examples 241 to 244 were evaluated in the same manner as above.

Figure 112011004390327-pat00051
Figure 112011004390327-pat00051

(비교예 8)(Comparative Example 8)

실시예 8 의 감광성 수지 조성물을 사용하여, 이하와 같이 하여 슬릿 코트의 성액성을 평가하였다. 토쿄 일렉트론 (주) 제조의 CL1700 을 이용하여, 1,500 ㎜ × 1,800 ㎜ 의 유리 기판에, 건조 후의 도포막 두께가 3.0 ㎛ 가 되도록 슬릿 코트하였다. 건조는 90 ℃ 에서 90 초간 핫플레이트에서 가열하였다. 건조막으로서 기판 상에 남아 있는 고형분으로부터 환산하면, 슬릿 코트시에 사용한 감광성 수지 조성물의 80 wt% 이상이 기판 상에 남아 있는 것을 알 수 있었다.Using the photosensitive resin composition of Example 8, the liquid-tightness of the slit coat was evaluated as follows. CL 1700 manufactured by Tokyo Electron Co., Ltd. was used to slit coat a 1,500 mm x 1,800 mm glass substrate so that the coated film thickness after drying was 3.0 탆. The drying was carried out at 90 DEG C for 90 seconds on a hot plate. From the solid content remaining on the substrate as a dried film, it was found that 80 wt% or more of the photosensitive resin composition used in slit coating remained on the substrate.

실시예 8 의 감광성 수지 조성물의 제조에 있어서, 용제량을 조정하여 점도 35.0 mPa·s 로 한 것 이외에는 실시예 8 과 동일하게 하여 스핀 코트용의 비교예 8 의 조성물을 얻었다. 비교예 8 의 조성물을 150 ㎜ × 150 ㎜ 의 유리 기판에 건조 후의 도포막 두께가 3.0 ㎛ 가 되도록 스핀 코트하였다. 건조는 90 ℃ 90 초간 핫플레이트에서 가열하였다. 건조막으로서 기판 상에 남아 있는 고형분으로부터 환산하면, 스핀 코트시에 사용한 감광성 수지 조성물 중, 기판 상에 남아 있는 것은 15 wt% 이하인 것을 알 수 있었다. 또, 1,500 ㎜ × 1,800 ㎜ 의 유리 기판에 스핀 코트하는 것을 시도했지만, 기판을 회전시킬 수 없었다. 이와 같이, 슬릿 코트는 성액성, 대형 대응이 우수한 도포 방법이다.A composition of Comparative Example 8 for spin coating was obtained in the same manner as in Example 8 except that the amount of the solvent was adjusted to adjust the viscosity to 35.0 mPa · s in the production of the photosensitive resin composition of Example 8. The composition of Comparative Example 8 was spin-coated on a 150 mm x 150 mm glass substrate so that the coating film thickness after drying was 3.0 占 퐉. Drying was carried out on a hot plate at 90 DEG C for 90 seconds. From the solid content remaining on the substrate as a dried film, it was found that the amount of the photosensitive resin composition remaining on the substrate during spin coating was 15 wt% or less. Further, an attempt was made to spin-coat the glass substrate with 1,500 mm x 1,800 mm, but the substrate could not be rotated. As described above, the slit coat is a coating method excellent in lubrication and large size.

(실시예 51)(Example 51)

박막 트랜지스터 (TFT) 를 사용한 유기 EL 표시 장치를 이하의 방법에 의해 제조하였다 (도 1 참조). 유리 기판 (6) 상에 보텀 게이트형 TFT (1) 를 형성하고, 이 TFT (1) 를 덮은 상태에서 Si3N4 로 이루어진 절연막 (3) 을 형성하였다. 다음으로, 이 절연막 (3) 에, 여기서는 도시를 생략한 컨택트홀을 형성한 후, 이 컨택트홀을 통해 TFT (1) 에 접속되는 배선 (2) (높이 1.0 ㎛) 을 절연막 (3) 상에 형성하였다. 이 배선 (2) 은 TFT (1) 사이 또는 후공정에서 형성되는 유기 EL 소자와 TFT (1) 를 접속하기 위한 것이다.An organic EL display device using a thin film transistor (TFT) was manufactured by the following method (see Fig. 1). The bottom gate type TFT 1 was formed on the glass substrate 6 and the insulating film 3 made of Si 3 N 4 was formed while covering the TFT 1. Next, a contact hole (not shown) is formed in the insulating film 3, and a wiring 2 (height 1.0 mu m) connected to the TFT 1 through the contact hole is formed on the insulating film 3 . The wiring 2 is for connecting the organic EL element formed between the TFTs 1 or the subsequent steps and the TFT 1. [

또한, 배선 (2) 의 형성에 의한 요철을 평탄화하기 위해, 배선 (2) 에 의한 요철을 매립한 상태에서 절연막 (3) 상에 평탄화층 (4) 을 형성하였다. 절연막 (3) 상에 대한 평탄화막 (4) 의 형성은, 저온 처리한 실시예 12 의 감광성 수지 조성물을 기판 상에 슬릿 코트하고, 핫플레이트 상에서 프리 베이크 (90 ℃ × 2 분) 한 후, 마스크 상으로부터 고압 수은 등을 이용하여 i 선 (365 ㎚) 을 20 mJ/㎠ (조도 20 mW/㎠) 조사한 후, 125 초간, 실온 (23 ℃) 에서 경과시켜, 알칼리 수용액에서 현상하여 패턴을 형성하고, 230 ℃ 에서 60 분간의 가열 처리를 실시하였다. 그 감광성 수지 조성물을 도포할 때의 도포성은 양호하고, 노광, 현상, 소성 후에 얻어진 경화막에는, 주름이나 크랙의 발생은 관찰되지 않았다. 또한, 배선 (2) 의 평균 단차는 500 ㎚, 제조된 평탄화막 (4) 의 막 두께는 2,000 ㎚ 였다.The planarization layer 4 was formed on the insulating film 3 in a state in which the irregularities due to the wiring 2 were buried in order to planarize the irregularities due to the formation of the wiring 2. [ The planarizing film 4 was formed on the insulating film 3 by slit-coating the photosensitive resin composition of Example 12 subjected to low-temperature treatment on the substrate, pre-baking (90 DEG C x 2 minutes) on a hot plate, (365 nm) was irradiated with 20 mJ / cm 2 (illuminance: 20 mW / cm 2) from high-pressure mercury or the like, developed for 125 seconds at room temperature (23 ° C) and developed in an aqueous alkaline solution to form a pattern , And a heat treatment was performed at 230 캜 for 60 minutes. The coating property when the photosensitive resin composition was applied was good, and no wrinkles or cracks were observed in the cured film obtained after exposure, development and firing. The average step of the wiring 2 was 500 nm, and the thickness of the planarizing film 4 was 2,000 nm.

다음으로, 얻어진 평탄화막 (4) 상에, 보텀 이미션형 유기 EL 소자를 형성하였다. 먼저, 평탄화막 (4) 상에, ITO 로 이루어지는 제 1 전극 (5) 을, 컨택트홀 (7) 을 통해 배선 (2) 에 접속시켜 형성하였다. 그 후, 레지스트를 도포, 프리 베이크하고, 원하는 패턴의 마스크를 통해 노광하고, 현상하였다. 이 레지스트 패턴을 마스크로 하여 ITO 에천트 사용한 웨트 에칭에 의해 패턴 가공을 실시하였다. 그 후, 레지스트 박리액 (모노에탄올아민과 디메틸술폭사이드 (DMSO) 의 1 : 1 혼합액) 을 사용하여 그 레지스트 패턴을 박리하였다. 이렇게 하여 얻어진 제 1 전극 (5) 은 유기 EL 소자의 양극에 상당한다.Next, a bottom emission type organic EL device was formed on the obtained planarization film 4. [ First, a first electrode 5 made of ITO was formed on the flattening film 4 by connecting it to the wiring 2 through the contact hole 7. Thereafter, the resist was applied, pre-baked, exposed through a mask of a desired pattern, and developed. Using this resist pattern as a mask, patterning was performed by wet etching using ITO as a catalyst. Thereafter, the resist pattern was peeled off using a resist stripping solution (a 1: 1 mixture of monoethanolamine and dimethyl sulfoxide (DMSO)). The first electrode 5 thus obtained corresponds to the anode of the organic EL element.

다음으로, 제 1 전극 (5) 의 둘레 가장자리를 덮는 형상의 절연막 (8) 을 형성하였다. 절연막 (8) 에는, 실시예 7 의 감광성 수지 조성물을 사용하여, 상기와 동일한 방법에 의해 형성하였다. 이 절연막 (8) 을 형성함으로써, 제 1 전극 (5) 과 이 후의 공정에서 형성하는 제 2 전극 사이의 쇼트를 방지할 수 있다.Next, an insulating film 8 having a shape covering the periphery of the first electrode 5 was formed. The insulating film 8 was formed by the same method as above using the photosensitive resin composition of Example 7. By forming the insulating film 8, it is possible to prevent a short circuit between the first electrode 5 and the second electrode formed in the subsequent step.

또한, 진공 증착 장치 내에서 원하는 패턴 마스크를 통해, 정공 수송층, 유기 발광층, 전자 수송층을 순차 증착하여 형성하였다. 이어서, 기판 상방의 전면에 Al 로 이루어진 제 2 전극을 형성하였다. 얻어진 상기 기판을 증착기로부터 꺼내어, 밀봉용 유리판과 자외선 경화형 에폭시 수지를 사용하여 첩합함으로써 밀봉하였다.Further, a hole transporting layer, an organic light emitting layer, and an electron transporting layer were sequentially deposited through a desired pattern mask in a vacuum evaporation apparatus. Then, a second electrode made of Al was formed on the entire upper surface of the substrate. The obtained substrate was taken out from the evaporator, and sealed by bonding using a sealing glass plate and an ultraviolet curable epoxy resin.

이상과 같이 하여 각 유기 EL 소자에 이것을 구동시키기 위한 TFT (1) 가 접속하여 이루어지는 액티브 매트릭스형 유기 EL 표시 장치를 얻을 수 있었다. 구동 회로를 통해 전압을 인가한 결과, 양호한 표시 특성을 나타내고, 신뢰성이 높은 유기 EL 표시 장치인 것을 알 수 있었다.As described above, an active matrix type organic EL display device in which TFTs 1 for driving the organic EL elements were connected to each organic EL element was obtained. As a result of applying a voltage through the driving circuit, it was found that the organic EL display device exhibits good display characteristics and is highly reliable.

(실시예 145)(Example 145)

실시예 107 의 조성물을 사용하여 절연막 (8) 을 형성한 것 이외에는 실시예 51 과 동일하게 유기 EL 표시 장치를 제조하였다. 구동 회로를 통해 전압을 인가한 결과, 양호한 표시 특성을 나타내고, 신뢰성이 높은 유기 EL 표시 장치인 것을 알 수 있었다.An organic EL display device was produced in the same manner as in Example 51 except that the insulating film 8 was formed using the composition of Example 107. [ As a result of applying a voltage through the driving circuit, it was found that the organic EL display device exhibits good display characteristics and is highly reliable.

(실시예 245)(Example 245)

실시예 207 의 조성물을 사용하여 절연막 (8) 을 형성한 것 이외에는 실시예 51 과 동일하게 유기 EL 표시 장치를 제조하였다. 구동 회로를 개재하여 전압을 인가한 결과, 양호한 표시 특성을 나타내고, 신뢰성이 높은 유기 EL 표시 장치인 것을 알 수 있었다.An organic EL display device was manufactured in the same manner as in Example 51 except that the insulating film 8 was formed using the composition of Example 207. [ As a result of applying a voltage through the driving circuit, it was found that the organic EL display device exhibits good display characteristics and is highly reliable.

(실시예 52)(Example 52)

일본 특허 제3321003호의 도 1 및 도 2 에 기재된 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치에 있어서, 층간 절연막으로서 경화막 (17) 을 이하와 같이 하여 형성하고, 실시예 52 의 액정 표시 장치를 얻었다.In the active matrix type liquid crystal display device shown in Figs. 1 and 2 of Japanese Patent No. 3321003, a cured film 17 was formed as an interlayer insulating film in the following manner, and a liquid crystal display device of Example 52 was obtained.

즉, 실시예 12 의 감광성 수지 조성물을 사용하여 상기 실시예 51 에 있어서의 유기 EL 표시 장치의 평탄화막 (4) 의 형성 방법과 동일한 방법으로 층간 절연막으로서 경화막 (17) 을 형성하였다. 얻어진 액정 표시 장치에 대해, 구동 전압을 인가한 결과, 양호한 표시 특성을 나타내고, 신뢰성이 높은 액정 표시 장치인 것을 알 수 있었다.That is, the photosensitive resin composition of Example 12 was used to form a cured film 17 as an interlayer insulating film in the same manner as in the method of forming the planarization film 4 of the organic EL display device in Example 51 above. As a result of applying the driving voltage to the obtained liquid crystal display device, it was found that the liquid crystal display device exhibited good display characteristics and was highly reliable.

(실시예 146)(Example 146)

실시예 138 의 조성물을 사용하여 경화막 (17) 을 형성한 것 이외에는 실시예 52 와 동일하게 액정 표시 장치를 제조하였다. 구동 전압을 인가한 결과, 양호한 표시 특성을 나타내고, 신뢰성이 높은 액정 표시 장치인 것을 알 수 있었다.A liquid crystal display device was produced in the same manner as in Example 52 except that the cured film 17 was formed using the composition of Example 138. [ As a result of application of the driving voltage, it was found that the liquid crystal display device exhibited good display characteristics and was highly reliable.

(실시예 246)(Example 246)

실시예 238 의 조성물을 사용하여 경화막 (17) 을 형성한 것 이외에는 실시예 52 와 동일하게 액정 표시 장치를 제조하였다. 구동 전압을 인가한 결과, 양호한 표시 특성을 나타내고, 신뢰성이 높은 액정 표시 장치인 것을 알 수 있었다.A liquid crystal display device was produced in the same manner as in Example 52 except that the cured film 17 was formed using the composition of Example 238. [ As a result of application of the driving voltage, it was found that the liquid crystal display device exhibited good display characteristics and was highly reliable.

1 : TFT
2 : 배선
3 : 절연막
4 : 평탄화막
5 : 제 1 전극
6 : 유리 기판
7 : 컨택트홀
8 : 절연막
10 : 액정 표시 장치
12 : 백라이트 유닛
14, 15 : 유리 기판
16 : TFT
17 : 경화막
18 : 컨택트홀
19 : ITO 투명 전극
20 : 액정
22 : 컬러 필터
1: TFT
2: Wiring
3: Insulating film
4: Planarizing film
5: First electrode
6: glass substrate
7: Contact hole
8: Insulating film
10: Liquid crystal display
12: Backlight unit
14, 15: glass substrate
16: TFT
17:
18: Contact hole
19: ITO transparent electrode
20: liquid crystal
22: Color filter

Claims (12)

(1) 감광성 수지 조성물을 10 ℃ 이하의 온도로 하는 저온 처리 공정,
(2) 상기 감광성 수지 조성물을 기판 상에 슬릿 코트하는 도포 공정,
(3) 도포된 상기 감광성 수지 조성물에서 용제를 제거하는 용제 제거 공정,
(4) 용제를 제거한 상기 감광성 수지 조성물을 활성 광선에 의해 노광하는 노광 공정,
(5) 실온에서 45 초 이상 경과시키는 공정,
(6) 수성 현상액에 의해 현상하는 현상 공정, 및
(7) 열경화시키는 포스트 베이크 공정을 이 순서로 포함하고,
상기 감광성 수지 조성물이
(성분 A) 적어도 (a1) 산기가 산분해성기로 보호된 잔기를 갖는 구성 단위, (a2) 가교기를 갖는 구성 단위, (a3) 카르복실기 및/또는 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위를 함유하는 공중합체,
(성분 B) 광산 발생제, 그리고,
(성분 C) 용제를 함유하는 것을 특징으로 하는 경화막의 제조 방법.
(1) a low-temperature processing step of setting the photosensitive resin composition to a temperature of 10 占 폚 or lower,
(2) a coating step for slit-coating the photosensitive resin composition on a substrate,
(3) a solvent removing step of removing the solvent in the applied photosensitive resin composition,
(4) an exposure step of exposing the photosensitive resin composition from which the solvent has been removed by an actinic ray,
(5) a step of elongating at room temperature for 45 seconds or more,
(6) a developing step of developing by an aqueous developing solution, and
(7) a post-baking process for thermosetting in this order,
The above photosensitive resin composition
(Component A) A resin composition comprising at least (a1) a structural unit having an acid-decomposable group-protected residue, (a2) a structural unit having a crosslinking group, (a3) a copolymer containing a structural unit having a carboxyl group and / or a phenolic hydroxyl group,
(Component B) photoacid generator,
(Component C) a solvent.
제 1 항에 있어서,
상기 구성 단위 (a1) 이 카르복실기가 아세탈 또는 케탈로 보호된 잔기를 갖는 구성 단위인 경화막의 제조 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the constituent unit (a1) is a constitutional unit having a carboxyl group as an acetal or ketal protected residue.
제 1 항에 있어서,
상기 구성 단위 (a1) 이 식 (A2) 로 나타내는 경화막의 제조 방법.
[화학식 1]
Figure 112011004390327-pat00052

(식 (A2) 중, R1 및 R2 는 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기 또는 아릴기를 나타내고, 적어도 R1 및 R2 중 어느 일방이 알킬기 또는 아릴기이고, R3 은 알킬기 또는 아릴기를 나타내고, R1 또는 R2 와 R3 이 연결되어 고리형 에테르를 형성해도 되고, R4 는 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, X 는 단결합 또는 아릴렌기를 나타낸다)
The method according to claim 1,
Wherein the constituent unit (a1) is represented by the formula (A2).
[Chemical Formula 1]
Figure 112011004390327-pat00052

(In the formula (A2), R 1 and R 2 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group or an aryl group, at least one of R 1 and R 2 is an alkyl group or an aryl group, R 3 is an alkyl group or an aryl group, R 1 or R 2 and R 3 may be connected to form a cyclic ether, R 4 represents a hydrogen atom or a methyl group, and X represents a single bond or an arylene group)
제 1 항에 있어서,
상기 구성 단위 (a2) 가 에폭시기, 옥세타닐기 및 에틸렌성 불포화기로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 1 개의 기를 갖는 경화막의 제조 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the structural unit (a2) has at least one group selected from the group consisting of an epoxy group, an oxetanyl group and an ethylenic unsaturated group.
제 1 항에 있어서,
상기 구성 단위 (a2) 가 지환 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 경화막의 제조 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the constituent unit (a2) has an alicyclic epoxy group and / or an oxetanyl group.
제 1 항에 있어서,
상기 성분 B 가 옥심술포네이트 잔기를 갖는 화합물인 경화막의 제조 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the component B is a compound having an oxime sulfonate moiety.
제 1 항에 있어서,
상기 성분 B 가 식 (OS-3), 식 (OS-4) 또는 식 (OS-5) 로 나타내는 화합물인 경화막의 제조 방법.
[화학식 2]
Figure 112011004390327-pat00053

(식 (OS-3) ∼ 식 (OS-5) 중, R1 은 알킬기, 아릴기 또는 헤테로아릴기를 나타내고, R2 는 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 아릴기 또는 할로겐 원자를 나타내고, R6 은 각각 독립적으로 할로겐 원자, 알킬기, 알킬옥시기, 술폰산기, 아미노술포닐기 또는 알콕시술포닐기를 나타내고, X 는 O 또는 S 를 나타내고, n 은 1 또는 2 를 나타내고, m 은 0 ∼ 6 의 정수를 나타낸다)
The method according to claim 1,
Wherein the component B is a compound represented by the formula (OS-3), the formula (OS-4) or the formula (OS-5).
(2)
Figure 112011004390327-pat00053

(Formula (OS-3) ~ formula (OS-5) of, R 1 is an alkyl group, an aryl group or a heteroaryl group, R 2 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group or a halogen atom, R 6 An alkyl group, an alkyloxy group, a sulfonic acid group, an aminosulfonyl group or an alkoxysulfonyl group, X represents O or S, n represents 1 or 2, and m represents an integer of 0 to 6, )
제 1 항에 있어서,
상기 감광성 수지 조성물이 화학 증폭 포지티브형 감광성 수지 조성물인 경화막의 제조 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the photosensitive resin composition is a chemically amplified positive photosensitive resin composition.
삭제delete 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 기재된 경화막의 제조 방법에 의해 제조된 경화막.A cured film produced by the method for producing a cured film according to any one of claims 1 to 8. 제 10 항에 기재된 경화막을 구비하는 유기 EL 표시 장치.An organic EL display device comprising the cured film according to claim 10. 제 10 항에 기재된 경화막을 구비하는 액정 표시 장치.A liquid crystal display device comprising the cured film according to claim 10.
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