KR101772945B1 - Photosensitive resin composition, cured film, method for producing cured film, organic el display device and liquid crystal display device - Google Patents

Photosensitive resin composition, cured film, method for producing cured film, organic el display device and liquid crystal display device Download PDF

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Abstract

본 발명은 감광성 수지 조성물의 보존 안정성, 감도 및 용제 제거 공정의 관용도(寬容度)가 뛰어나고, 또한, 투명성 및 내용제성이 뛰어난 경화막을 부여하는 감광성 수지 조성물을 제공하는 것. 또한, 상기 감광성 수지 조성물에 의해 형성된 경화막을 층간절연막으로서 구비하는, 신뢰성과 생산성이 높은, 유기 EL 표시 장치, 및, 액정 표시 장치를 제공하는 것을 과제로 한다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 감광성 수지 조성물은 (A) 카르복시기가 산분해성기로 보호된 잔기를 갖는 모노머 단위(1)와, 페놀성 수산기가 산분해성기로 보호된 잔기를 갖는 모노머 단위(2)와, 3원환의 환상 에테르 잔기 또는 4원환의 환상 에테르 잔기의 적어도 어느 하나를 갖는 모노머 단위(3)를 함유하는 공중합체, (B) 광산(光酸) 발생제, 및, (C) 용제를 함유하는 것을 특징으로 한다.
Disclosed is a photosensitive resin composition which is excellent in storage stability, sensitivity and tolerance of a solvent removal process of a photosensitive resin composition, and which gives a cured film excellent in transparency and solvent resistance. Another object of the present invention is to provide an organic EL display device and a liquid crystal display device which are provided with a cured film formed of the photosensitive resin composition as an interlayer insulating film and have high reliability and productivity.
(A) a monomer unit (1) in which a carboxyl group is protected with an acid-decomposable group and a monomer unit (2) in which a phenolic hydroxyl group is protected with an acid-decomposable group, And a monomer unit (3) having at least one of a cyclic ether residue of a 3-membered ring or a cyclic ether residue of a 4-membered ring, (B) a photoacid generator, and (C) .

Description

감광성 수지 조성물, 경화막, 경화막의 형성 방법, 유기 EL 표시 장치, 및, 액정 표시 장치{PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, CURED FILM, METHOD FOR PRODUCING CURED FILM, ORGANIC EL DISPLAY DEVICE AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a photosensitive resin composition, a cured film, a method of forming a cured film, an organic EL display device, and a liquid crystal display device,

본 발명은, 감광성 수지 조성물, 경화막, 경화막의 형성 방법, 유기 EL 표시 장치, 및, 액정 표시 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a photosensitive resin composition, a cured film, a method of forming a cured film, an organic EL display device, and a liquid crystal display device.

유기 EL 표시 장치나, 액정 표시 장치 등에는, 패턴 형성된 층간절연막이 마련되어 있다. 이 층간절연막의 형성에는, 필요로 하는 패턴 형상을 얻기 위한 공정수가 적고, 게다가 충분한 평탄성이 얻어진다는 것에서, 감광성 수지 조성물이 널리 사용되고 있다.In an organic EL display device, a liquid crystal display device, or the like, a patterned interlayer insulating film is provided. In forming the interlayer insulating film, the number of steps for obtaining a desired pattern shape is small, and furthermore, a sufficient level of flatness is obtained, so that a photosensitive resin composition is widely used.

상기와 같은 감광성 수지 조성물을 사용하여 패턴 형성된 층간절연막이나 평탄화막이, 투명성에 더하여, 내용제성이 뛰어난, 신뢰성이 높은 경화막인 것이 요구된다.A patterned interlayer insulating film or a planarizing film using the above photosensitive resin composition is required to have a highly reliable cured film having excellent solvent resistance in addition to transparency.

이와 같은 감광성 수지 조성물로서, 예를 들면, 특허문헌 1에는, (A) (a)불포화 카르복시산 또는 불포화 카르복시산무수물, (b)에폭시기를 갖는 라디칼 중합성 화합물 및 (c)다른 라디칼 중합성 화합물의 공중합체인 알칼리 수용액에 가용인 수지 및 (B) 감방사선성(感放射線性) 산 생성 화합물을 갖는 감광성 수지 조성물이 제안되어 있다.As such a photosensitive resin composition, for example, Patent Document 1 discloses a composition comprising (A) an unsaturated carboxylic acid or unsaturated carboxylic acid anhydride, (b) a radically polymerizable compound having an epoxy group, and (c) A resin soluble in an aqueous chain alkaline solution and (B) a radiation-sensitive (radiation-sensitive) acid-generating compound.

감광성 수지 조성물로서의 보존 안정성, 감도, 형성된 경화막의 높은 신뢰성을 확보할 수 있는 감광성 수지 조성물로서는, 예를 들면, 아세탈 구조 또는 케탈 구조를 갖는 (메타)아크릴산에스테르 화합물, 에폭시기를 갖는 라디칼 중합성 화합물, 및 다른 라디칼 중합성 화합물의 공중합체인 수지와, 방사선의 조사에 의해 pKa가 4.0 이하의 산을 발생하는 화합물을 함유하는 감방사선성 수지 조성물이 알려져 있다(예를 들면, 특허문헌 2 참조).Examples of the photosensitive resin composition capable of securing the storage stability, sensitivity and high reliability of the formed cured film as the photosensitive resin composition include (meth) acrylic acid ester compounds having an acetal structure or a ketal structure, radically polymerizable compounds having an epoxy group, And a radiation-sensitive resin composition containing a resin that is a copolymer of another radical polymerizable compound and a compound that generates an acid having a pKa of 4.0 or less by irradiation with radiation (see, for example, Patent Document 2).

일본 특개평5-165214호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-165214 일본 특허 제4207604호 공보Japanese Patent No. 4207604

특허문헌 1에 기재된 감광성 수지 조성물은 보존 안정성이 나쁨에 더하여, 감도가 부족하여, 유기 EL 표시 장치나, 액정 표시 장치의 제품의 생산성에 문제가 있었다.The photosensitive resin composition described in Patent Document 1 has poor storage stability and has a problem of productivity of an organic EL display device or a product of a liquid crystal display device because of insufficient sensitivity.

또한, 특허문헌 1 및 2에 기재된 감광성 수지 조성물은, 도포된 감광성 수지 조성물로부터 용제를 제거하는 용제 제거 공정에 있어서, 용제 제거 온도, 시간의 흔들림이 발생하면, 노광 공정, 현상 공정을 거쳐 패턴 형성된 층간절연막이나 평탄화막의 선폭 변동이 크고, 용제 제거 공정의 관용도(寬容度)가 부족함을 알 수 있었다. 이것은 제품의 수율의 점에서 큰 문제가 됨을 알 수 있었다.In the photosensitive resin composition described in Patent Documents 1 and 2, when the solvent removal temperature and time fluctuate in the solvent removal step of removing the solvent from the applied photosensitive resin composition, the photosensitive resin composition is patterned The line width of the interlayer insulating film or the flattening film fluctuates greatly and the tolerance of the solvent removal process is insufficient. This proved to be a major problem in terms of product yield.

따라서, 현재, 보존 안정성, 감도, 형성된 경화막의 높은 신뢰성(투명성, 내용제성 등)을 확보하면서, 용제 제거 공정의 관용도가 넓은 감광성 수지 조성물은 얻어지지 않는다.Therefore, at present, a photosensitive resin composition having high tolerance in the solvent removal step can not be obtained while securing storage stability, sensitivity, high reliability (transparency, solvent resistance, etc.) of the formed cured film.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 감광성 수지 조성물의 보존 안정성, 감도 및 용제 제거 공정의 관용도가 뛰어나고, 또한, 투명성 및 내용제성이 뛰어난 경화막을 부여하는 감광성 수지 조성물을 제공하는 것이다. 또한 다른 과제는, 이 감광성 수지 조성물에 의해 형성된 경화막을 층간절연막으로서 구비하는, 신뢰성과 생산성이 높은, 유기 EL 표시 장치, 및, 액정 표시 장치를 제공하는 것이다.A problem to be solved by the present invention is to provide a photosensitive resin composition which is excellent in storage stability, sensitivity and tolerance of a solvent removal step of a photosensitive resin composition, and which gives a cured film excellent in transparency and solvent resistance. Another object of the present invention is to provide an organic EL display device and a liquid crystal display device each having a cured film formed by the photosensitive resin composition as an interlayer insulating film and having high reliability and productivity.

또, 용제 제거 공정의 관용도란, 도포된 감광성 수지 조성물로부터 용제를 제거하는 용제 제거 공정에 있어서, 하기 (1) 또는 (2)가 발생했다고 해도, 선폭 변동없이 양호한 패턴을 형성할 수 있는 용제 제거 공정에 있어서의 관용도를 갖는 것을 말한다.It should be noted that the tolerance of the solvent removal process is not limited to the solvent removal which can form a good pattern without changing the line width even if the following (1) or (2) occurs in the solvent removal step of removing the solvent from the applied photosensitive resin composition: And has a tolerance in the process.

(1) 용제 제거 시간이 최적 시간보다 짧거나, 또는 길어짐(1) Solvent removal time is shorter or longer than optimum time

(2) 용제 제거 온도가 최적 온도보다도 낮거나, 또는 높아짐(2) The solvent removal temperature is lower or higher than the optimum temperature

본 발명의 상기 과제는, 이하의 <1>, <12>∼<14>, <16>, <17>에 기재된 수단에 의해 해결되었다. 바람직한 실시 태양인 <2>∼<11>, <15>와 함께 이하에 기재한다.The above problem of the present invention is solved by the means described in the following <1>, <12> - <14>, <16> and <17>. <2> to <11> and <15> which are preferred embodiments are described below.

<1> (A) 카르복시기가 산분해성기로 보호된 잔기를 갖는 모노머 단위(1)와, 페놀성 수산기가 산분해성기로 보호된 잔기를 갖는 모노머 단위(2)와, 3원환의 환상 에테르 잔기 또는 4원환의 환상 에테르 잔기의 적어도 어느 하나를 갖는 모노머 단위(3)를 함유하는 공중합체, (B) 광산(光酸) 발생제, 및, (C) 용제를 함유하는 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물,(A) a monomer unit (1) having a carboxyl group protected by an acid-decomposable group, a monomer unit (2) having a phenolic hydroxyl group protected by an acid-decomposable group, a cyclic ether residue of 3-membered ring or 4 (B) a photoacid generator, and (C) a solvent, wherein the photosensitive resin composition contains a monomer unit (3) having at least any one of a cyclic ether residue,

<2> 화학 증폭 포지티브형 감광성 수지 조성물인, <1>에 기재된 감광성 수지 조성물,&Lt; 2 > A photosensitive resin composition according to < 1 >, which is a chemically amplified positive photosensitive resin composition,

<3> 상기 모노머 단위(1)가, 카르복시기가 제3급 알킬기로 보호된 잔기, 카르복시기가 아세탈로 보호된 잔기, 및, 카르복시기가 케탈로 보호된 잔기로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 하나의 잔기를 갖는 모노머 단위이며, 상기 모노머 단위(2)가, 페놀성 수산기가 제3급 알킬기로 보호된 잔기, 페놀성 수산기가 아세탈로 보호된 잔기, 및, 페놀성 수산기가 케탈로 보호된 잔기로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 하나의 잔기를 갖는 모노머 단위인, <1> 또는 <2>에 기재된 감광성 수지 조성물,<3> The method according to <3>, wherein the monomer unit (1) has at least one residue selected from the group consisting of a residue in which a carboxyl group is protected with a tertiary alkyl group, a residue in which a carboxyl group is protected with an acetal, and a residue in which a carboxyl group is protected with a ketal Wherein the monomer unit (2) is selected from the group consisting of a residue in which the phenolic hydroxyl group is protected with a tertiary alkyl group, a residue in which the phenolic hydroxyl group is protected with an acetal, and a residue in which the phenolic hydroxyl group is ketal protected The photosensitive resin composition according to < 1 > or &lt; 2 &gt;, which is a monomer unit having at least one selected residue,

<4> 상기 모노머 단위(1)가, 카르복시기가 하기식(a)으로 표시되는 제3급 알킬기로 보호된 잔기, 및/또는, 카르복시기가 하기식(b)으로 표시되는 아세탈 또는 케탈로 보호된 잔기를 갖고, 상기 모노머 단위(2)가, 페놀성 수산기가 하기식(a)으로 표시되는 제3급 알킬기로 보호된 잔기, 및/또는, 페놀성 수산기가 하기식(b)으로 표시되는 아세탈 또는 케탈로 보호된 잔기를 갖는, <1>∼<3>의 어느 하나에 기재된 감광성 수지 조성물,The monomer unit (1) is preferably a copolymer wherein the carboxyl group is protected with a tertiary alkyl group represented by the following formula (a) and / or a carboxyl group is protected with an acetal or ketal represented by the following formula (b) And the monomer unit (2) is a residue in which the phenolic hydroxyl group is protected with a tertiary alkyl group represented by the following formula (a) and / or a residue in which the phenolic hydroxyl group is replaced with an acetal The photosensitive resin composition according to any one of < 1 > to < 3 >, wherein the photosensitive resin composition has a ketal-

Figure 112010066435470-pat00001
Figure 112010066435470-pat00001

식(a) 중, R1, R2 및 R3은, 각각 독립적으로 알킬기 또는 아릴기를 나타내고, R1, R2 및 R3의 어느 둘이 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 좋다.In formula (a), R 1 , R 2 and R 3 each independently represents an alkyl group or an aryl group, and any two of R 1 , R 2 and R 3 may be bonded to each other to form a ring.

Figure 112010066435470-pat00002
Figure 112010066435470-pat00002

식(b) 중, R4 및 R5는, 각각 독립적으로 수소 원자 또는 알킬기를 나타내지만, R4와 R5가 함께 수소 원자가 되는 경우는 없고, R6은, 알킬기를 나타내고, R4 또는 R5와, R6이 연결하여 환상 에테르를 형성해도 좋다.In the formula (b), R 4 and R 5 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group, but R 4 and R 5 do not form a hydrogen atom together, R 6 represents an alkyl group, and R 4 or R 5 and R &lt; 6 &gt; may be connected to form a cyclic ether.

<5> 상기 모노머 단위(3)가, 하기식(3a) 및 (3b)로 이루어지는 군에서 선택된 잔기를 갖는, <1>∼<4>의 어느 하나에 기재된 감광성 수지 조성물,<5> The photosensitive resin composition according to any one of <1> to <4>, wherein the monomer unit (3) has a residue selected from the group consisting of the following formulas (3a) and (3b)

Figure 112010066435470-pat00003
Figure 112010066435470-pat00003

Figure 112010066435470-pat00004
Figure 112010066435470-pat00004

식(3b) 중, R1b 및 R6b는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 알킬기를 나타내고, R2b, R3b, R4b, R5b, R7b, R8b, R9b, R10b는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 알킬기, 또는, 아릴기를 나타낸다.R 2b , R 3b , R 4b , R 5b , R 7b , R 8b , R 9b and R 10b each independently represents a hydrogen atom or an alkyl group, and R 1b and R 6b independently represent a hydrogen atom or an alkyl group, An atom, a halogen atom, an alkyl group, or an aryl group.

<6> (B) 광산 발생제가, 파장 300nm 이상 450nm 이하의 활성 광선의 조사에 의해 산을 발생하는 화합물인, <1>∼<5>의 어느 하나에 기재된 감광성 수지 조성물,<6> The photosensitive resin composition according to any one of <1> to <5>, wherein the photoacid generator (B) is a compound which generates an acid upon irradiation with an actinic ray having a wavelength of 300 nm or more and 450 nm or less,

<7> (B) 광산 발생제가, 하기식(4)으로 표시되는 옥심설포네이트 잔기를 갖는 화합물인, <1>∼<6>의 어느 하나에 기재된 감광성 수지 조성물,<7> The photosensitive resin composition according to any one of <1> to <6>, wherein the photoacid generator (B) is a compound having an oxime sulfonate residue represented by the following formula (4)

Figure 112010066435470-pat00005
Figure 112010066435470-pat00005

식(4) 중, R5는, 알킬기 또는 아릴기를 나타낸다.In the formula (4), R 5 represents an alkyl group or an aryl group.

<8> (B) 광산 발생제가, 식(OS-3), 식(OS-4) 또는 식(OS-5)으로 표시되는 화합물인, <1>∼<7>의 어느 하나에 기재된 감광성 수지 조성물,<8> The photosensitive resin according to any one of <1> to <7>, wherein the photo acid generator (B) is a compound represented by formula (OS-3), formula (OS- The composition,

Figure 112010066435470-pat00006
Figure 112010066435470-pat00006

식(OS-3)∼식(OS-5) 중, R1은 알킬기, 아릴기 또는 헤테로아릴기를 나타내고, R2는 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기, 아릴기 또는 할로겐 원자를 나타내고, R6은 각각 독립적으로, 할로겐 원자, 알킬기, 알킬옥시기, 설폰산기, 아미노설포닐기 또는 알콕시설포닐기를 나타내고, X는 O 또는 S를 나타내고, n은 1 또는 2를 나타내고, 식(OS-3)∼식(OS-4)에 있어서는 m은 0∼6의 정수를 나타내고, 식(OS-5)에 있어서는, m은 0∼4의 정수를 나타낸다.Expression (OS-3) ~ formula (OS-5) of, R 1 represents an alkyl group, an aryl group or a heteroaryl group, R 2 are, each independently, a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group or a halogen atom, R 6 Each independently represent a halogen atom, an alkyl group, an alkyloxy group, a sulfonic acid group, an aminosulfonyl group or an alkoxysulfonyl group, X represents O or S, n represents 1 or 2, In the formula (OS-4), m represents an integer of 0 to 6, and in the formula (OS-5), m represents an integer of 0 to 4.

<9> (B) 광산 발생제가, 하기식(5)으로 표시되는 화합물인, <1>∼<7>의 어느 하나에 기재된 감광성 수지 조성물,<9> The photosensitive resin composition according to any one of <1> to <7>, wherein the photoacid generator (B) is a compound represented by the following formula (5)

Figure 112010066435470-pat00007
Figure 112010066435470-pat00007

식(5) 중, R5는, 알킬기 또는 아릴기를 나타내고, X는, 알킬기, 알콕시기, 또는, 할로겐 원자를 나타내고, m은, 0∼3의 정수를 나타내고, m이 2 또는 3일 때, 복수의 X는 동일해도 달라도 좋다.Equation (5) of, R 5 is, represents an alkyl group or an aryl group, X is an alkyl group, an alkoxy group, or a halogen atom, m is, as an integer of 0~3, m is 2 or 3, The plural Xs may be the same or different.

<10> (D) 산화 방지제를 더 함유하는, <1>∼<9>의 어느 하나에 기재된 감광성 수지 조성물,<10> The photosensitive resin composition according to any one of <1> to <9>, further containing (D) an antioxidant,

<11> (E) 가교제를 더 함유하는, <1>∼<10>의 어느 하나에 기재된 감광성 수지 조성물,<11> The photosensitive resin composition according to any one of <1> to <10>, further comprising (E) a crosslinking agent,

<12> <1>∼<11>의 어느 하나에 기재된 감광성 수지 조성물에, 광 및/또는 열을 부여하여 형성된 경화막,<12> A photosensitive resin composition according to any one of <1> to <11>, wherein the cured film formed by imparting light and /

<13> (1) <1>∼<11>의 어느 하나에 기재된 감광성 수지 조성물을 기판 위에 도포하는 도포 공정, (2) 도포된 감광성 수지 조성물로부터 용제를 제거하는 용제 제거 공정, (3) 활성 광선으로 노광하는 노광 공정, (4) 수성 현상액으로 현상하는 현상 공정, 및, (5) 열경화하는 포스트베이킹 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 경화막의 형성 방법,(1) a step of applying the photosensitive resin composition described in any one of <1> to <11> on a substrate, (2) a solvent removing step of removing the solvent from the applied photosensitive resin composition, (3) (4) a developing step of developing with an aqueous developing solution; and (5) a post-baking step of thermally curing. The method for forming a cured film,

<14> <13>에 기재된 방법에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 경화막,<14> A cured film formed by the method described in <13>

<15> 층간절연막인, <12> 또는 <14>에 기재된 경화막,<15> A cured film according to <12> or <14> which is an interlayer insulating film,

<16> <12>, <14> 또는 <15>에 기재된 경화막을 구비하는 것을 특징으로 하는, 유기 EL 표시 장치,The organic EL display device according to any one of < 16 > < 12 >, < 14 &

<17> <12>, <14> 또는 <15>에 기재된 경화막을 구비하는 것을 특징으로 하는, 액정 표시 장치.<17> A liquid crystal display device comprising a cured film according to any one of <12>, <14> and <15>.

본 발명에 의하면, 감광성 수지 조성물의 보존 안정성, 감도 및 용제 제거 공정의 관용도가 뛰어나고, 또한, 투명성 및 내용제성이 뛰어난 경화막을 부여하는 감광성 수지 조성물을 제공할 수 있다. 또한, 상기 감광성 수지 조성물에 의해 형성된 경화막을 층간절연막으로서 구비하는, 신뢰성과 생산성이 높은, 유기 EL 표시 장치, 및, 액정 표시 장치를 제공할 수 있다.According to the present invention, it is possible to provide a photosensitive resin composition which is excellent in storage stability, sensitivity and tolerance of a solvent removal step of a photosensitive resin composition, and which gives a cured film excellent in transparency and solvent resistance. In addition, it is possible to provide an organic EL display device and a liquid crystal display device which are provided with a cured film formed of the photosensitive resin composition as an interlayer insulating film and have high reliability and productivity.

도 1은 유기 EL 표시 장치의 일례의 구성 개념도를 나타낸다. 바톰 에미션형의 유기 EL 표시 장치에 있어서의 기판의 모식적 단면도를 나타내며, 평탄화막(4)을 갖고 있다.
도 2는 액정 표시 장치의 일례의 구성 개념도를 나타낸다. 액정 표시 장치에 있어서의 액티브 매트릭스 기판의 모식적 단면도를 나타내며, 층간절연막인 경화막(17)을 갖고 있다.
Fig. 1 shows a configuration diagram of an example of an organic EL display device. 1 is a schematic cross-sectional view of a substrate in a bottom emission type organic EL display device, and has a planarization film 4.
2 is a conceptual diagram showing an example of the configuration of a liquid crystal display device. Sectional view of an active matrix substrate in a liquid crystal display device and has a cured film 17 as an interlayer insulating film.

본 발명의 감광성 수지 조성물은, (A) 카르복시기가 산분해성기로 보호된 잔기를 갖는 모노머 단위(1)와, 페놀성 수산기가 산분해성기로 보호된 잔기를 갖는 모노머 단위(2)와, 3원환의 환상 에테르 잔기 또는 4원환의 환상 에테르 잔기의 적어도 어느 하나를 갖는 모노머 단위(3)를 함유하는 공중합체(이하, (A) 공중합체라고도 한다), (B) 광산 발생제, 및, (C) 용제를 함유하는 것을 특징으로 한다.The photosensitive resin composition of the present invention comprises (A) a monomer unit (1) in which a carboxyl group is protected with an acid-decomposable group, a monomer unit (2) in which a phenolic hydroxyl group is protected with an acid-decomposable group and a monomer unit (B) a photoacid generator, and (C) a monomer containing a monomer unit (3) having at least one of a cyclic ether residue or a cyclic ether residue of a 4-membered ring And a solvent.

이하, 이들 (A)∼(C)로 표시되는 각 성분을 각각, 「(A) 성분」∼「(C) 성분」이라고도 한다.Hereinafter, each of the components represented by (A) to (C) is also referred to as "(A) component" to "(C) component".

본 발명의 감광성 수지 조성물은, 포지티브형 감광성 수지 조성물이다.The photosensitive resin composition of the present invention is a positive photosensitive resin composition.

또한, 본 발명의 감광성 수지 조성물은, 화학 증폭형의 포지티브형 감광성 수지 조성물(화학 증폭 포지티브형 감광성 수지 조성물)인 것이 바람직하다.The photosensitive resin composition of the present invention is preferably a chemically amplified positive photosensitive resin composition (chemically amplified positive photosensitive resin composition).

본 발명의 감광성 수지 조성물은, 활성 광선에 감응하는 광산 발생제로서 1,2-퀴논디아지드 화합물을 함유하지 않는 쪽이 바람직하다. 1,2-퀴논디아지드 화합물은, 축차형 광화학 반응에 의해 카르복시기를 생성하지만, 그 양자 수율은 반드시 1 이하이다.It is preferable that the photosensitive resin composition of the present invention does not contain a 1,2-quinonediazide compound as a photoacid generator sensitive to an actinic ray. The 1,2-quinonediazide compound generates a carboxy group by a sequential photochemical reaction, but its quantum yield is necessarily 1 or less.

이것에 대해 본 발명에서 사용하는 (B) 광산 발생제는, 활성 광선에 감응하여 생성하는 산이 보호된 산성기의 탈보호에 대해 촉매로서 작용하므로, 1개의 광양자의 작용으로 생성한 산이, 다수의 탈보호 반응에 기여하여, 양자 수율은 1을 초과하며, 예를 들면, 10의 몇 승과 같은 큰 값이 되어, 이른바 화학 증폭의 결과로서, 고감도가 얻어진다.On the other hand, the photoacid generator (B) used in the present invention acts as a catalyst for deprotection of an acid-protected acid generated in response to an actinic ray, Contributing to the deprotection reaction, the quantum yield exceeds 1, for example, becomes a large value such as several powers of 10, and high sensitivity is obtained as a result of so-called chemical amplification.

또한, 본 발명의 감광성 수지 조성물은, 내용제성의 관점에서, 후술하는 (E) 가교제를 더 함유하는 것이 바람직하다.Further, from the viewpoint of the solvent resistance, the photosensitive resin composition of the present invention preferably further contains a crosslinking agent (E) described later.

본 발명의 감광성 수지 조성물은, (A)∼(C) 성분을 함유함으로써, 보존 안정성이 뛰어나고, 높은 감도를 가짐과 함께, 용제 제거 공정의 관용도가 뛰어난 감광성 수지 조성물이 된다. 또한, 내용제성 및 내열투명성이 뛰어난 경화막이 얻어지는 감광성 수지 조성물을 제공할 수 있다.By containing the components (A) to (C), the photosensitive resin composition of the present invention is excellent in storage stability, has high sensitivity, and is a photosensitive resin composition excellent in tolerance in a solvent removal step. Further, it is possible to provide a photosensitive resin composition which can obtain a cured film excellent in solvent resistance and heat-resistant transparency.

이하, 본 발명을 상세하게 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail.

또, 본 명세서에 있어서의 기(원자단)의 표기에 있어서, 치환 및 무치환을 기재하여 있지 않은 표기는 치환기를 갖지 않는 것과 함께 치환기를 갖는 것도 포함하는 것이다. 예를 들면 「알킬기」란, 치환기를 갖지 않는 알킬기(무치환 알킬기)뿐 아니라, 치환기를 갖는 알킬기(치환 알킬기)도 포함하는 것이다. 여기서, 허용되는 치환기는, 불활성으로서, 그 특정한 기를 함유하는 화합물 본래의 화학적 기능을 변화시키지 않는 것이며, 허용되는 치환기로서, 할로겐 원자, 알콕시기, 수산기가 예시된다.In the notation of the group (atomic group) in the present specification, the notation in which substitution and non-substitution are not described includes those having a substituent and having a substituent. For example, the "alkyl group" includes not only an alkyl group having no substituent (an unsubstituted alkyl group) but also an alkyl group having a substituent (substituted alkyl group). Here, the permissible substituent is inert, does not change the original chemical function of the compound containing the specific group, and examples of the permissible substituent include a halogen atom, an alkoxy group and a hydroxyl group.

또한, 본 발명에 있어서, 「(메타)아크릴산에스테르」는, 아크릴산에스테르 및/또는 메타크릴산에스테르를 의미한다. 「(메타)아크릴산」 등에 대해서도 같다.In the present invention, "(meth) acrylic acid ester" means an acrylic acid ester and / or methacrylic acid ester. (Meth) acrylic acid &quot; and the like.

또한, 본 발명에 있어서, 수치 범위를 나타내는 「하한∼상한」의 기재는, 특별히 명시가 없는 한, 「하한 이상, 상한 이하」를 나타낸다. 즉, 단점(端點)인 하한 및 상한을 포함하는 수치 범위를 의미한다.In the present invention, "lower limit to upper limit" in the numerical range indicates "lower limit and higher limit, lower limit" unless otherwise specified. That is, it means a numerical range including a lower limit and an upper limit which are end points.

(A) 공중합체(A) Copolymer

본 발명의 감광성 수지 조성물이 함유하는 (A) 공중합체는,The copolymer (A) contained in the photosensitive resin composition of the present invention is preferably a copolymer

(1) : 카르복시기가 산분해성기로 보호된 모노머 단위(이하, 모노머 단위(1)라고도 한다),(1): a monomer unit in which the carboxyl group is protected with an acid-decomposable group (hereinafter also referred to as monomer unit (1)),

(2) : 페놀성 수산기가 산분해성기로 보호된 모노머 단위(이하, 모노머 단위(2)라고도 한다), 및,(2): a monomer unit in which the phenolic hydroxyl group is protected with an acid-decomposable group (hereinafter also referred to as monomer unit (2)),

(3) : 3원환의 환상 에테르 잔기 또는 4원환의 환상 에테르 잔기의 적어도 어느 하나를 갖는 모노머 단위(이하, 모노머 단위(3)라고도 한다)(3): a monomer unit having at least any one of a cyclic ether residue of a 3-membered ring and a cyclic ether residue of a 4-membered ring (hereinafter also referred to as a monomer unit (3)

을 갖는 중합체이다.&Lt; / RTI &gt;

(A) 공중합체는, 상기 모노머 단위(1)∼모노머 단위(3)를 필수 성분으로서 갖고, 그 밖의 모노머 단위(4)를 갖고 있어도 좋다. 또, 모노머 단위(1)∼모노머 단위(3)가 (A) 공중합체에 차지하는 비율은, 본 발명의 효과를 얻는 관점에서, 공중합체의 전 모노머 단위에 대해, 합계하여 60몰% 이상인 것이 바람직하고, 80몰% 이상인 것이 보다 바람직하다.The copolymer (A) may have the above monomer unit (1) to monomer unit (3) as essential components and may have other monomer unit (4). From the viewpoint of achieving the effect of the present invention, the ratio of the monomer units (1) to the monomer units (3) in the (A) copolymer is preferably 60% by mole or more based on the total monomer units of the copolymer , And more preferably 80 mol% or more.

또한, 본 발명에 사용하는 공중합체가 함유하는 모노머 단위를 도입하는 방법은, 중합법이어도 좋고, 고분자 반응법이어도 좋다. 중합법에서는, 소정의 관능기를 함유하는 모노머를 미리 합성한 후에, 이들 모노머를 공중합한다. 고분자 반응법에서는, 중합 반응을 행한 후에, 얻어진 공중합체의 모노머 단위에 함유되는 반응성기를 이용하여 필요한 관능기를 모노머 단위 중에 도입한다. 여기서, 관능기로서는, 카르복시기와 같은 알칼리 가용성기(산성기), 페놀성 수산기 또는 카르복시기를 보호함과 동시에 강산의 존재 하에서 분해하고 이들을 유리(遊離)하기 위한 보호기, 에폭시기 또는 옥세타닐기 등의 가교성기를 예시할 수 있다.The method of introducing the monomer unit contained in the copolymer used in the present invention may be a polymerization method or a polymer reaction method. In the polymerization method, monomers containing a predetermined functional group are synthesized in advance, and then these monomers are copolymerized. In the polymer reaction method, a necessary functional group is introduced into the monomer unit using a reactive group contained in the monomer unit of the obtained copolymer after the polymerization reaction. Examples of the functional group include a protecting group for protecting an alkali-soluble group (acidic group) such as a carboxyl group, a phenolic hydroxyl group or a carboxyl group and decomposing in the presence of strong acid and releasing them, a crosslinking group such as an epoxy group or an oxetanyl group Can be exemplified.

상기 (A) 성분의 공중합체에 있어서, 상기 모노머 단위(1)나 상기 모노머 단위(2), 상기 모노머 단위(3)의 상기 (A) 공중합체에의 도입은, 중합법이어도 고분자 반응법이어도 좋고, 이들의 두 방법을 병용해도 좋다.In the copolymer of the component (A), introduction of the monomer unit (1), the monomer unit (2) and the monomer unit (3) into the copolymer (A) Both of these methods may be used together.

중합법에서는, 카르복시기가 산분해성기로 보호된 잔기를 갖는 에틸렌성 불포화 화합물, 페놀성 수산기가 산분해성기로 보호된 잔기를 갖는 에틸렌성 불포화 화합물, 및, 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 에틸렌성 불포화 화합물을 혼합하고 부가 중합하여, 목적으로 하는 공중합체를 얻을 수 있다.In the polymerization method, an ethylenically unsaturated compound having a carboxyl group protected by an acid-decomposable group, an ethylenically unsaturated compound having a phenolic hydroxyl group protected by an acid-decomposable group and an ethylenically unsaturated compound having an epoxy group and / or an oxetanyl group Are mixed and subjected to addition polymerization to obtain a desired copolymer.

고분자 반응법에서는, 메타크릴산2-히드록시에틸을 공중합한 공중합체에 에피클로로히드린을 반응시켜 에폭시기를 도입하는 것을 예시할 수 있다. 이와 같이, 반응성기를 갖는 에틸렌성 불포화 화합물을 공중합한 후에, 측쇄에 남은 반응성기를 활용하여, 고분자 반응에 의해, 페놀성 수산기가 산분해성기로 보호된 잔기, 카르복시기가 산분해성기로 보호된 잔기, 및/또는, 가교성기와 같은 관능기를 측쇄에 도입할 수 있다.In the polymer reaction method, epichlorohydrin may be reacted with a copolymer obtained by copolymerizing 2-hydroxyethyl methacrylate to introduce an epoxy group. As described above, after the ethylenically unsaturated compound having a reactive group is copolymerized, a reactive group remaining in the side chain is used to remove a residue protected by an acid-decomposable group, a residue in which a carboxyl group is protected by an acid-decomposable group, and / Alternatively, a functional group such as a crosslinkable group may be introduced into the side chain.

(A) 공중합체의 산분해성기란 산의 존재 하에서 분해하는 것이 가능한 관능기를 나타낸다. 즉, 카르복시기가 산분해성기로 보호된 잔기를 갖는 모노머 단위는, 산에 의해 보호기가 분해함으로써, 카르복시기를 생성 가능하며, 또한, 페놀성 수산기가 산분해성기로 보호된 잔기를 갖는 모노머 단위는, 산에 의해 보호기가 분해함으로써, 페놀성 수산기를 생성 가능하다.The acid-decomposable group of the (A) copolymer represents a functional group capable of decomposing in the presence of an acid. That is, a monomer unit having a carboxyl group-protected residue by an acid-decomposable group is a monomer unit in which a carboxyl group can be produced by decomposition of a protecting group by an acid and a phenolic hydroxyl group is protected by an acid-decomposable group, By which the phenolic hydroxyl group can be generated.

본 발명에 있어서, (A) 공중합체는, 알칼리 불용성이며, 또한, 모노머 단위(1) 및 모노머 단위(2)가 갖는 산분해성기가 분해했을 때에 알칼리 가용성이 되는 수지인 것이 바람직하다. 여기서, 본 발명에 있어서 「알칼리 가용성」이란, 당해 화합물(수지)의 용액을 기판 위에 도포하고, 90℃에서 2분간 가열함으로써 형성되는 당해 화합물(수지)의 도막(두께3㎛)의, 23℃에 있어서의 0.4% 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액에 대한 용해 속도가, 0.005㎛/초 이상인 것을 말하고, 「알칼리 불용성」이란, 당해 화합물(수지)의 용액을 기판 위에 도포하고, 90℃에서 2분간 가열함으로써 형성되는 당해 화합물(수지)의 도막(두께3㎛)의, 23℃에 있어서의 0.4% 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액에 대한 용해 속도가, 0.005㎛/초 미만인 것을 말한다.In the present invention, the (A) copolymer is preferably a resin that is alkali-insoluble and becomes alkali-soluble when the acid decomposable group of the monomer unit (1) and the monomer unit (2) is decomposed. The term "alkali solubility" in the present invention means that the coating film (thickness: 3 μm) of the compound (resin) formed by applying the solution of the compound (resin) on a substrate and heating the same at 90 ° C. for 2 minutes at 23 ° C. Refers to a dissolution rate in an aqueous solution of 0.4% tetramethylammonium hydroxide in an aqueous solution of the compound (resin) in an aqueous solution of the compound Refers to a dissolution rate of a coating film (thickness 3 占 퐉) of the compound (resin) formed by heating in an aqueous solution of 0.4% tetramethylammonium hydroxide at 23 占 폚 of less than 0.005 占 퐉 / second.

상기 (A) 공중합체는, 상기 (A) 공중합체 전체를 알칼리 불용성으로 유지하는 한, 산성기의 도입을 배제하는 것은 아니고, 후술하는 카르복시기, 카르복시산무수물 잔기 등을 갖는 그 밖의 모노머 단위(4) 등을 갖고 있어도 좋다.The above-mentioned (A) copolymer does not exclude the introduction of an acidic group, but may contain other monomer units (4) having a carboxyl group, a carboxylic acid anhydride residue and the like, as long as the whole copolymer (A) remains alkali- And the like.

(A) 공중합체는, 부가 중합형의 중합체인 것이 바람직하고, (메타)아크릴산 및/또는 그 에스테르에 유래하는 모노머 단위를 함유하는 중합체인 것이 보다 바람직하다. 또, (메타)아크릴산 및/또는 그 에스테르에 유래하는 모노머 단위 이외의 모노머 단위, 예를 들면, 스티렌에 유래하는 모노머 단위나, 비닐 화합물에 유래하는 모노머 단위 등을 갖고 있어도 좋다.The (A) copolymer is preferably a polymer of addition polymerization type, more preferably a polymer containing monomer units derived from (meth) acrylic acid and / or an ester thereof. It may also contain monomer units other than the monomer units derived from (meth) acrylic acid and / or esters thereof, for example, monomer units derived from styrene, monomer units derived from vinyl compounds, and the like.

상기 (A) 공중합체는, (메타)아크릴산 및/또는 그 에스테르에 유래하는 모노머 단위를, 중합체에 있어서의 전 모노머 단위에 대해, 50몰% 이상 함유하는 것이 바람직하고, 90몰% 이상 함유하는 것이 보다 바람직하고, (메타)아크릴산 및/또는 그 에스테르에 유래하는 모노머 단위만으로 이루어지는 중합체인 것이 특히 바람직하다.The (A) copolymer preferably contains 50 mol% or more of monomer units derived from (meth) acrylic acid and / or its ester, relative to all monomer units in the polymer, and more preferably 90 mol% or more (Meth) acrylic acid and / or an ester thereof, and it is particularly preferable that the polymer is a polymer comprising only monomer units derived from (meth) acrylic acid and / or an ester thereof.

또, 「(메타)아크릴산 및/또는 그 에스테르에 유래하는 모노머 단위」를 「아크릴계 모노머 단위」라고도 한다.The "monomer unit derived from (meth) acrylic acid and / or its ester" is also referred to as "acrylic monomer unit".

이하, 모노머 단위(1), 모노머 단위(2), 및 모노머 단위(3)의 각각에 대해 설명한다.Hereinafter, each of the monomer unit (1), the monomer unit (2) and the monomer unit (3) will be described.

(1) 카르복시기가 산분해성기로 보호된 잔기를 갖는 모노머 단위(모노머 단위(1))(1) a monomer unit (monomer unit (1)) in which the carboxyl group has a moiety protected with an acid-

카르복시기가 산분해성기로 보호된 잔기를 갖는 모노머 단위로서는, 카르복시기를 갖는 모노머 단위의 카르복시기가, 산분해성기로 보호되어 있는 모노머 단위가 예시되고, 구체적으로는, (메타)아크릴산에 유래하고, 이 카르복시기를 산성분해기로 보호한 모노머 단위를 예시할 수 있다. 이하에 상술한다.Examples of the monomer unit having a carboxyl group-protected residue with an acid-decomposable group include a monomer unit in which a carboxyl group of a monomer unit having a carboxyl group is protected with an acid-decomposable group, specifically, a monomer unit derived from (meth) acrylic acid, And monomer units protected with an acid decomposer. This will be described in detail below.

(1-1) 카르복시기를 갖는 모노머 단위(1-1) Monomer unit having a carboxyl group

카르복시기를 갖는 모노머 단위로서는, 예를 들면, 불포화 모노카르복시산, 불포화 디카르복시산, 불포화 트리카르복시산 등의, 분자 중에 적어도 1개의 카르복시기를 갖는 불포화 카르복시산 등에 유래하는 모노머 단위를 들 수 있다.Examples of the monomer unit having a carboxyl group include a monomer unit derived from an unsaturated carboxylic acid having at least one carboxyl group in a molecule such as an unsaturated monocarboxylic acid, an unsaturated dicarboxylic acid and an unsaturated tricarboxylic acid.

카르복시기를 갖는 모노머 단위를 얻기 위해서 사용되는 불포화 카르복시산으로서는 이하에 예시하는 것이 사용된다.As the unsaturated carboxylic acid used for obtaining the monomer unit having a carboxyl group, those exemplified below are used.

즉, 불포화 모노카르복시산으로서는, 예를 들면, 아크릴산, 메타크릴산, 크로톤산, α-클로로아크릴산, 신남산 등을 들 수 있다.That is, examples of the unsaturated monocarboxylic acid include acrylic acid, methacrylic acid, crotonic acid,? -Chloroacrylic acid, cinnamic acid, and the like.

또한, 불포화 디카르복시산으로서는, 예를 들면, 말레산, 푸마르산, 이타콘산, 시트라콘산, 메사콘산 등을 들 수 있다.Examples of the unsaturated dicarboxylic acid include maleic acid, fumaric acid, itaconic acid, citraconic acid, and mesaconic acid.

또한, 카르복시기를 갖는 모노머 단위를 얻기 위해서 사용되는 불포화 다가 카르복시산은, 그 산무수물이어도 좋다. 구체적으로는, 무수말레산, 무수이타콘산, 무수시트라콘산 등을 들 수 있다. 또한, 불포화 다가 카르복시산은, 다가 카르복시산의 모노(2-메타크릴로일옥시알킬)에스테르이어도 좋고, 예를 들면, 숙신산모노(2-아크릴로일옥시에틸), 숙신산모노(2-메타크릴로일옥시에틸), 프탈산모노(2-아크릴로일옥시에틸), 프탈산모노(2-메타크릴로일옥시에틸) 등을 들 수 있다.The unsaturated polycarboxylic acid used to obtain the monomer unit having a carboxyl group may be an acid anhydride thereof. Specific examples thereof include maleic anhydride, itaconic anhydride, and citraconic anhydride. The unsaturated polycarboxylic acid may be a mono (2-methacryloyloxyalkyl) ester of a polyvalent carboxylic acid, for example, succinic acid mono (2-acryloyloxyethyl), succinic acid mono Oxyethyl), phthalic acid mono (2-acryloyloxyethyl), phthalic acid mono (2-methacryloyloxyethyl), and the like.

또한, 불포화 다가 카르복시산은, 그 양 말단 디카르복시폴리머의 모노(메타)아크릴레이트이어도 좋고, 예를 들면, ω-카르복시폴리카프로락톤모노아크릴레이트, ω-카르복시폴리카프로락톤모노메타크릴레이트 등을 들 수 있다.Further, the unsaturated polycarboxylic acid may be a mono (meth) acrylate of the both terminal dicarboxylic polymer thereof, and examples thereof include ω-carboxypolycaprolactone monoacrylate, ω-carboxypolycaprolactone monomethacrylate and the like. .

또한, 불포화 카르복시산으로서는, 아크릴산-2-카르복시에틸에스테르, 메타크릴산-2-카르복시에틸에스테르, 말레산모노알킬에스테르, 푸마르산모노알킬에스테르, 4-카르복시스티렌 등도 사용할 수 있다.Examples of the unsaturated carboxylic acid include acrylic acid-2-carboxyethyl ester, methacrylic acid-2-carboxyethyl ester, maleic acid monoalkyl ester, fumaric acid monoalkyl ester and 4-carboxystyrene.

그 중에서도, 현상성의 관점에서, 카르복시기를 갖는 모노머 단위(1-1)를 형성하기 위해서는, 아크릴산, 메타크릴산, 또는 불포화 다가 카르복시산의 무수물 등을 사용하는 것이 바람직하고, 아크릴산 또는 메타크릴산을 사용하는 것이 보다 바람직하다.Among them, from the viewpoint of developability, in order to form the monomer unit (1-1) having a carboxyl group, it is preferable to use acrylic acid, methacrylic acid, or an anhydride of an unsaturated polycarboxylic acid or the like and use acrylic acid or methacrylic acid .

카르복시기를 갖는 모노머 단위(1-1)는, 1종 단독으로 구성되어 있어도 좋고, 2종 이상으로 구성되어 있어도 좋다.The monomer unit (1-1) having a carboxyl group may be composed of one kind alone, or may be composed of two or more kinds.

(1-2) 에틸렌성 불포화기와 산무수물 잔기를 함께 갖는 모노머 단위(1-2) a monomer unit having an ethylenic unsaturated group and an acid anhydride moiety together

에틸렌성 불포화기와 산무수물 잔기를 함께 갖는 모노머 단위(1-2)는, 에틸렌성 불포화기를 갖는 모노머 단위 중에 존재하는 수산기와, 산무수물을 반응시켜 얻어진 모노머에 유래하는 단위인 것이 바람직하다.The monomer unit (1-2) having both an ethylenic unsaturated group and an acid anhydride residue is preferably a unit derived from a monomer obtained by reacting a hydroxyl group present in a monomer unit having an ethylenic unsaturated group with an acid anhydride.

산무수물로서는, 공지의 것을 사용할 수 있고, 구체적으로는, 무수말레산, 무수숙신산, 무수이타콘산, 무수프탈산, 테트라히드로무수프탈산, 헥사히드로무수프탈산, 무수클로렌드산 등의 2염기산무수물; 무수트리멜리트산, 무수피로멜리트산, 벤조페논테트라카르복시산무수물, 비페닐테트라카르복시산무수물 등의 산무수물을 들 수 있다. 이들 중에서는, 현상성의 관점에서, 무수프탈산, 테트라히드로무수프탈산, 또는 무수숙신산이 바람직하다.As the acid anhydride, known ones can be used, and specific examples include dibasic acid anhydrides such as maleic anhydride, succinic anhydride, itaconic anhydride, phthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, and anhydrous chloridic acid; Acid anhydrides such as trimellitic anhydride, pyromellitic anhydride, benzophenonetetracarboxylic anhydride and biphenyltetracarboxylic anhydride. Of these, phthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, or succinic anhydride are preferable from the viewpoint of developability.

수산기 및 에틸렌성 불포화기를 갖는 모노머 단위를 형성하기 위한 단량체로서는, 특별히 한정되지 않고, 공지의 단량체에서 적절히 선택할 수 있다.The monomer for forming a monomer unit having a hydroxyl group and an ethylenic unsaturated group is not particularly limited and may be appropriately selected from known monomers.

산무수물의 수산기에 대한 반응률은, 현상성의 관점에서, 바람직하게는 10몰%∼100몰%, 더욱 바람직하게는 30몰%∼100몰%이다.The reaction rate of the acid anhydride to the hydroxyl group is preferably 10 mol% to 100 mol%, more preferably 30 mol% to 100 mol%, from the viewpoint of developability.

(1-3) 카르복시기가 산분해성기로 보호된 잔기를 갖는 모노머 단위(1-3) a monomer unit having a carboxyl group protected with an acid-decomposable group

카르복시기가 산분해성기로 보호된 잔기를 갖는 모노머 단위는 상기 (1-1), 상기 (1-2)에 기재된 카르복시기가 이하에서 상세하게 설명하는 산분해성기에 의해 보호된 잔기를 갖는 모노머 단위이다.The monomer unit in which the carboxyl group has a moiety protected by an acid-decomposable group is a monomer unit having a moiety in which the carboxyl group described in (1-1) or (1-2) above is protected by an acid-decomposable group described in detail below.

산분해성기로서는, 이제까지 KrF용 포지티브형 레지스트, ArF용 포지티브형 레지스트에 있어서의 산분해성기로서 공지의 것을 사용할 수 있으며, 특별히 한정되지 않는다.As the acid decomposable group, there can be used any known acid decomposable group in the positive resist for KrF and the positive resist for ArF so far, and there is no particular limitation.

종래, 산분해성기로서는, 산에 의해 비교적 분해하기 쉬운 기(예를 들면, 테트라히드로피라닐기 등의 아세탈계 관능기)나 산에 의해 비교적 분해하기 어려운 기(예를 들면, t-부틸에스테르기, t-부틸카보네이트기 등의 t-부틸계 관능기)가 알려져 있다.Conventionally, examples of the acid decomposable group include groups which are relatively easily decomposable by an acid (for example, an acetal functional group such as a tetrahydropyranyl group) or groups which are relatively difficult to decompose by an acid (for example, a t- t-butyl functional group such as t-butyl carbonate group) are known.

이들 산분해성기 중에서도 카르복시기가 제3급 알킬기로 보호된 잔기, 카르복시기가 아세탈로 보호된 잔기, 또는, 카르복시기가 케탈로 보호된 잔기를 갖는 모노머 단위인 것이, 레지스트의 기본 물성, 특히 감도나 패턴 형상과 감광성 수지 조성물의 보존 안정성의 관점에서 바람직하다.Among these acid decomposable groups, the basic properties of the resist, particularly the sensitivity and pattern shape, are not particularly limited. Among these acid decomposable groups, a carboxyl group is protected with a tertiary alkyl group, a carboxyl group is protected with an acetal or a carboxyl group is protected with a ketal- And the storage stability of the photosensitive resin composition.

또한 산분해성기 중에서도 카르복시기가 하기식(a)으로 표시되는 제3급 알킬기로 보호된 잔기이거나, 하기식(b)으로 표시되는 아세탈 또는 케탈로 보호된 잔기인 것이, 용제 제거 공정의 관용도의 관점에서 보다 바람직하다.Among the acid decomposable groups, the carboxyl group is a residue protected with a tertiary alkyl group represented by the following formula (a), or an acetal or ketal-protected residue represented by the following formula (b) .

또, 카르복시기가 하기식(a)으로 표시되는 제3급 알킬기로 보호된 잔기인 경우, 잔기의 전체로서는, -C(=O)-O-CR1R2R3의 구조이며, 또한, 카르복시기가 하기식(b)으로 표시되는 아세탈 또는 케탈로 보호된 잔기인 경우, 잔기의 전체로서는, -C(=O)-O-CR4R5(OR6)의 구조이다.When the carboxyl group is a residue protected with a tertiary alkyl group represented by the following formula (a), the whole of the residue is a structure of -C (= O) -O-CR 1 R 2 R 3 , Is an acetal or ketal-protected residue represented by the following formula (b), the structure of the residue is -C (= O) -O-CR 4 R 5 (OR 6 ) as a whole.

Figure 112010066435470-pat00008
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식(a) 중, R1, R2 및 R3은, 각각 독립적으로 알킬기 또는 아릴기를 나타내고, R1, R2 및 R3의 어느 둘이 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 좋다.In formula (a), R 1 , R 2 and R 3 each independently represents an alkyl group or an aryl group, and any two of R 1 , R 2 and R 3 may be bonded to each other to form a ring.

식(a)에 있어서, R1, R2 및 R3이 알킬기를 나타내는 경우, 그 알킬기는 직쇄상, 분기쇄상 또는 환상의 어느 것이어도 좋다.In the formula (a), when R 1 , R 2 and R 3 represent an alkyl group, the alkyl group may be any of linear, branched or cyclic.

직쇄상 또는 분기쇄상의 알킬기로서는, 탄소수 1∼12인 것이 바람직하고, 탄소수 1∼6인 것이 보다 바람직하고, 탄소수 1∼4인 것이 더욱 바람직하다. 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, i-부틸기, sec-부틸기, t-부틸기, n-펜틸기, 네오펜틸기, n-헥실기, 텍실기(2,3-디메틸-2-부틸기), n-헵틸기, n-옥틸기, 2-에틸헥실기, n-노닐기, n-데실기 등을 들 수 있다.The straight chain or branched chain alkyl group preferably has 1 to 12 carbon atoms, more preferably 1 to 6 carbon atoms, and even more preferably 1 to 4 carbon atoms. Specific examples thereof include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an i-propyl group, an n-butyl group, an i-butyl group, a sec- Butyl group, n-heptyl group, n-octyl group, 2-ethylhexyl group, n-nonyl group and n-decyl group.

환상 알킬기로서는, 탄소수 3∼12인 것이 바람직하고, 탄소수 4∼8인 것이 보다 바람직하고, 탄소수 4∼6인 것이 더욱 바람직하다. 환상 알킬기로서는, 예를 들면 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기, 노르보르닐기, 이소보르닐기 등을 들 수 있다.The cyclic alkyl group preferably has 3 to 12 carbon atoms, more preferably 4 to 8 carbon atoms, and still more preferably 4 to 6 carbon atoms. Examples of the cyclic alkyl group include a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a cyclooctyl group, a norbornyl group, and an isobornyl group.

상기 알킬기는, 치환기를 갖고 있어도 좋고, 치환기로서는, 할로겐 원자, 아릴기, 알콕시기를 예시할 수 있다. 치환기로서 할로겐 원자를 갖는 경우, R1, R2, R3은 할로알킬기가 되고, 치환기로서 아릴기를 갖는 경우, R1, R2, R3은 아랄킬기가 된다.The alkyl group may have a substituent, and examples of the substituent include a halogen atom, an aryl group and an alkoxy group. When R 1 , R 2 and R 3 are a haloalkyl group and have an aryl group as a substituent, R 1 , R 2 and R 3 are an aralkyl group when they have a halogen atom as a substituent.

할로겐 원자로서는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자가 예시되고, 이들 중에서도 불소 원자 또는 염소 원자가 바람직하다.Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom, and among these, a fluorine atom or a chlorine atom is preferable.

또한, 상기 아릴기로서는, 탄소수 6∼20의 아릴기가 바람직하고, 보다 바람직하게는 탄소수 6∼12이며, 구체적으로는, 페닐기, α-메틸페닐기, 나프틸기 등을 예시할 수 있고, 아릴기로 치환된 알킬기 전체, 즉, 아랄킬기로서는, 벤질기, α-메틸벤질기, 페네틸기, 나프틸메틸기 등을 예시할 수 있다.The aryl group is preferably an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, more preferably 6 to 12 carbon atoms. Specific examples thereof include a phenyl group, an? -Methylphenyl group, a naphthyl group and the like, Examples of the alkyl group as a whole, that is, the aralkyl group, include a benzyl group, an a-methylbenzyl group, a phenethyl group, and a naphthylmethyl group.

상기 알콕시기로서는, 탄소수 1∼6의 알콕시기가 바람직하고, 보다 바람직하게는 탄소수 1∼4이며, 메톡시기 또는 에톡시기가 더욱 바람직하다.The alkoxy group is preferably an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, more preferably 1 to 4 carbon atoms, further preferably a methoxy group or an ethoxy group.

또한, 알킬기가 시클로알킬기인 경우, 그 시클로알킬기는 치환기로서 탄소수 1∼10의 직쇄상 또는 분기쇄상의 알킬기를 갖고 있어도 좋고, 알킬기가 직쇄상 또는 분기쇄상의 알킬기인 경우에는, 치환기로서 탄소수 3∼12의 시클로알킬기를 갖고 있어도 좋다.When the alkyl group is a cycloalkyl group, the cycloalkyl group may have a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms as a substituent. When the alkyl group is a straight chain or branched chain alkyl group, Or a cycloalkyl group having 1 to 12 carbon atoms.

이들의 치환기는, 상기 치환기로 더 치환되어 있어도 좋다.These substituents may be further substituted by the above substituents.

식(a)에 있어서, R1, R2 및 R3이 아릴기를 나타내는 경우, 그 아릴기는 탄소수 6∼12인 것이 바람직하고, 탄소수 6∼10인 것이 보다 바람직하다. 그 아릴기는 치환기를 갖고 있어도 좋고, 그 치환기로서는 탄소수 1∼6의 알킬기를 바람직하게 예시할 수 있다. 아릴기로서는, 예를 들면, 페닐기, 톨릴기, 크실릴기, 쿠메닐기, 1-나프틸기 등을 예시할 수 있다.In the formula (a), when R 1 , R 2 and R 3 represent an aryl group, the aryl group preferably has 6 to 12 carbon atoms, more preferably 6 to 10 carbon atoms. The aryl group may have a substituent, and as the substituent, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms can be preferably exemplified. As the aryl group, for example, a phenyl group, a tolyl group, a xylyl group, a cumenyl group, a 1-naphthyl group and the like can be mentioned.

또한, R1, R2 및 R3은 서로 결합하여, 그들이 결합하여 있는 탄소 원자와 일체로 되어 환을 형성할 수 있다. R1과 R2, R1과 R3 또는 R2와 R3이 결합한 경우의 환 구조로서는, 예를 들면 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 테트라히드로푸라닐기, 아다만틸기 및 테트라히드로피라닐기 등을 들 수 있다.Further, R 1 , R 2 and R 3 may combine with each other to form a ring together with the carbon atom to which they are bonded. Examples of the ring structure in the case where R 1 and R 2 , R 1 and R 3 or R 2 and R 3 are bonded include a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a tetrahydrofuranyl group, And examples thereof include a t-butyl group and a tetrahydropyranyl group.

카르복시산의 제3급 알킬에스테르 구조의 바람직한 예로서는, R1=R2=R3=메틸기나 R1=R2=메틸기와 R3=벤질기의 조합을 예시할 수 있다.As a preferable example of the tertiary alkyl ester structure of carboxylic acid, a combination of R 1 = R 2 = R 3 = methyl group, R 1 = R 2 = methyl group and R 3 = benzyl group can be exemplified.

Figure 112010066435470-pat00009
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식(b) 중, R4 및 R5는, 각각 독립적으로 수소 원자 또는 알킬기를 나타내지만, R4와 R5가 함께 수소 원자가 되는 경우는 없다. R6은, 알킬기를 나타낸다. R4 또는 R5와, R6이 연결하여 환상 에테르를 형성해도 좋다.In formula (b), R 4 and R 5 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group, but R 4 and R 5 do not become a hydrogen atom together. R 6 represents an alkyl group. R 4 or R 5 and R 6 may be connected to form a cyclic ether.

식(b) 중, R4 및 R5는, 각각 독립적으로 수소 원자 또는 알킬기를 나타내고, 그 알킬기는 직쇄상, 분기쇄상, 환상의 어느 것이어도 좋다. 여기서, R4 및 R5의 쌍방이 수소 원자를 나타내는 경우는 없고, R4 및 R5의 적어도 한쪽은 알킬기를 나타낸다.In formula (b), R 4 and R 5 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group, and the alkyl group may be any of linear, branched and cyclic. Here, both of R 4 and R 5 do not represent a hydrogen atom, and at least one of R 4 and R 5 represents an alkyl group.

그 알킬기는, 식(a)에 있어서 R1∼R3으로 나타낸 알킬기와 같으며, 바람직한 범위도 같다. 또, R4 및 R5의 어느 한쪽이, 수소 원자 또는 메틸기인 것이 바람직하다.The alkyl group is the same as the alkyl group represented by R 1 to R 3 in formula (a), and the preferable range is also the same. It is preferable that either R 4 or R 5 is a hydrogen atom or a methyl group.

식(b) 중, R6은 알킬기를 나타내고, 그 알킬기는, 식(a)에 있어서 R1∼R3으로 나타낸 알킬기와 같으며, 바람직한 범위도 같다.In the formula (b), R 6 represents an alkyl group, and the alkyl group is the same as the alkyl group represented by R 1 to R 3 in formula (a), and the preferable range is also the same.

식(b)으로 표시되는 잔기를 갖는 모노머 단위를 형성하기 위해서 사용되는 라디칼 중합성 단량체로서는, 예를 들면, 1-알콕시알킬아크릴레이트, 1-알콕시알킬메타크릴레이트, 1-(할로알콕시)알킬아크릴레이트, 1-(할로알콕시)알킬메타크릴레이트, 1-(아랄킬옥시)알킬아크릴레이트, 1-(아랄킬옥시)알킬메타크릴레이트, 아크릴산테트라히드로피란-2-일, 메타아크릴산테트라히드로피란-2-일, 아크릴산테트라히드로푸란-2-일, 메타아크릴산테트라히드로푸란-2-일 등을 들 수 있다. 이들 중에서, 1-알콕시알킬아크릴레이트, 1-알콕시알킬메타크릴레이트, 아크릴산테트라히드로피란-2-일, 메타아크릴산테트라히드로피란-2-일, 아크릴산테트라히드로푸란-2-일, 메타아크릴산테트라히드로푸란-2-일이 바람직하고, 1-알콕시알킬아크릴레이트, 1-알콕시알킬메타크릴레이트, 아크릴산테트라히드로푸란-2-일, 메타아크릴산테트라히드로푸란-2-일이 특히 바람직하다.Examples of the radical polymerizable monomer used for forming the monomer unit having a moiety represented by the formula (b) include 1-alkoxyalkyl acrylate, 1-alkoxyalkyl methacrylate, 1- (haloalkoxy) alkyl Acrylate, 1- (haloalkoxy) alkyl methacrylate, 1- (aralkyloxy) alkyl acrylate, 1- (aralkyloxy) alkyl methacrylate, tetrahydropyran- Pyran-2-yl, acrylic tetrahydrofuran-2-yl, methacrylic acid tetrahydrofuran-2-yl and the like. Among them, preferred are 1-alkoxyalkyl acrylate, 1-alkoxyalkyl methacrylate, tetrahydropyran-2-yl acrylate, tetrahydropyran-2-yl methacrylate, tetrahydrofuran-2-yl acrylate, Furan-2-yl is preferable, and 1-alkoxyalkyl acrylate, 1-alkoxyalkyl methacrylate, tetrahydrofuran-2-acrylate, methacrylic acid tetrahydrofuran-2-yl is particularly preferable.

1-알콕시알킬아크릴레이트, 1-알콕시알킬메타크릴레이트의 구체예로서는, 예를 들면, 1-에톡시에틸메타크릴레이트, 1-에톡시에틸아크릴레이트, 1-메톡시에틸메타크릴레이트, 1-메톡시에틸아크릴레이트, 1-n-부톡시에틸메타크릴레이트, 1-n-부톡시에틸아크릴레이트, 1-이소부톡시에틸메타크릴레이트, 1-(2-클로로에톡시)에틸메타크릴레이트, 1-(2-에틸헥실옥시)에틸메타크릴레이트, 1-n-프로폭시에틸메타크릴레이트, 1-시클로헥실옥시에틸메타크릴레이트, 1-(2-시클로헥실에톡시)에틸메타크릴레이트, 1-벤질옥시에틸메타크릴레이트 등을 들 수 있고, 이들은 단독 또는 2종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다.Specific examples of the 1-alkoxyalkyl acrylate and 1-alkoxyalkyl methacrylate include 1-ethoxyethyl methacrylate, 1-ethoxyethyl acrylate, 1-methoxyethyl methacrylate, 1- Methoxyethyl acrylate, 1-n-butoxyethyl methacrylate, 1-n-butoxyethyl acrylate, 1-isobutoxyethyl methacrylate, 1- (2-chloroethoxy) ethyl methacrylate, 1-cyclohexyloxyethyl methacrylate, 1- (2-ethylhexyloxy) ethyl methacrylate, 1-n-propoxyethyl methacrylate, 1-cyclohexyloxyethyl methacrylate, 1- , 1-benzyloxyethyl methacrylate, etc. These may be used alone or in combination of two or more.

식(b)으로 표시되는 잔기를 갖는 모노머 단위를 형성하기 위해서 사용되는 라디칼 중합성 단량체는, 시판의 것을 사용해도 좋고, 공지의 방법으로 합성한 것을 사용할 수도 있다. 예를 들면, 하기에 나타내는 바와 같이 (메타)아크릴산을 산 촉매의 존재 하에서 비닐에테르와 반응시킴으로써 합성할 수 있다.As the radically polymerizable monomer used for forming the monomer unit having a moiety represented by the formula (b), commercially available ones may be used, or those synthesized by known methods may be used. For example, it can be synthesized by reacting (meth) acrylic acid with a vinyl ether in the presence of an acid catalyst as shown below.

Figure 112010066435470-pat00010
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R11은, 수소 원자 또는 알킬기를 나타내고, 그 알킬기는, 식(a)에 있어서, R1∼R3으로서 나타낸 알킬기와 같다. R11로서는, 수소 원자 또는 메틸기가 바람직하다.R 11 represents a hydrogen atom or an alkyl group, and the alkyl group is the same as the alkyl group represented by R 1 to R 3 in formula (a). As R 11 , a hydrogen atom or a methyl group is preferable.

R12 및 R13은, -CH(R12)(R13)으로서, 식(b)에 있어서의 R5와 동의(同義)이며, R14는 식(b)에 있어서의 R4와 동의이며, R15는 식(b)에 있어서의 R6과 동의이며, 바람직한 범위도 같다.R 12 and R 13 are -CH (R 12 ) (R 13 ), which is synonymous with R 5 in formula (b), and R 14 is the same as R 4 in formula (b) , R &lt; 15 &gt; is the same as R &lt; 6 &gt; in formula (b)

상기 합성은 (메타)아크릴산을 그 밖의 모노머와 미리 공중합시켜 두고, 그 후에 산 촉매의 존재 하에서 비닐에테르와 반응시켜도 좋다.The above-mentioned synthesis may be carried out by previously copolymerizing (meth) acrylic acid with other monomers, and then reacting with vinyl ether in the presence of an acid catalyst.

모노머 단위(1)의 바람직한 구체예로서는, 하기의 모노머 단위가 예시하지만, 본 발명은 이것에 한정되는 것은 아니다.Specific preferred examples of the monomer unit (1) include the following monomer units, but the present invention is not limited thereto.

Figure 112010066435470-pat00011
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(A) 성분을 구성하는 모노머 단위 중, 모노머 단위(1)의 함유율은, 감도 및 용제 제거 공정의 관용도가 뛰어난 관점에서, 3∼70몰%가 바람직하고, 5∼60몰%가 보다 바람직하고, 10∼50몰%가 더욱 바람직하다.The content of the monomer unit (1) among the monomer units constituting the component (A) is preferably from 3 to 70 mol%, more preferably from 5 to 60 mol%, from the viewpoint of excellent sensitivity and tolerance in the solvent removal step , More preferably from 10 to 50 mol%.

(2) 페놀성 수산기가 산분해성기로 보호된 잔기를 갖는 모노머 단위(모노머 단위(2))(2) a monomer unit (monomer unit (2)) having a residue in which the phenolic hydroxyl group is protected with an acid-decomposable group

(2-1) 페놀성 수산기를 갖는 모노머 단위(2-1) Monomer unit having a phenolic hydroxyl group

페놀성 수산기를 갖는 모노머 단위는, 에틸렌성 불포화기에 유래하여, 페놀성 수산기를 갖는 것이 바람직하다. 페놀성 수산기의 모노머 단위에의 도입은, 미리 합성한 페놀계 수산기를 갖는 에틸렌성 불포화 화합물을 부가 중합해도 좋고, 또한, 반응성 측쇄를 갖는 에틸렌성 불포화 화합물에 유래하는 모노머 단위에, 고분자 반응에 의해 페놀성 수산기를 측쇄에 도입해도 좋다. 전자의 예로서는, 히드록시스티렌계 모노머의 부가 중합이 있고, 후자의 예로서는, 글리시딜(메타)아크릴레이트에 유래하는 (공)중합체에, 고분자 반응에 의해 페놀성 수산기를 도입한 모노머 단위를 예시할 수 있다. 이들 중에서는 α-메틸히드록시스티렌 및 페놀성 수산기를 갖는 (메타)아크릴레이트에 유래하는 모노머 단위는, 경화막의 투명성의 관점에서 바람직하다.The monomer unit having a phenolic hydroxyl group is preferably derived from an ethylenic unsaturated group and has a phenolic hydroxyl group. The introduction of the phenolic hydroxyl group into the monomer unit may be carried out by addition polymerization of an ethylenically unsaturated compound having a phenol-based hydroxyl group synthesized in advance, and addition of a monomer unit derived from an ethylenically unsaturated compound having a reactive side chain by a polymer reaction A phenolic hydroxyl group may be introduced into the side chain. Examples of the former include adduct polymerization of a hydroxystyrene monomer, and the latter examples include a monomer unit in which a phenolic hydroxyl group is introduced by a polymer reaction into a (co) polymer derived from glycidyl (meth) acrylate can do. Among these, monomer units derived from (meth) acrylate having? -Methylhydroxystyrene and a phenolic hydroxyl group are preferable from the viewpoint of transparency of the cured film.

페놀성 수산기를 갖는 모노머 단위로서는, 히드록시스티렌계나 노볼락계의 수지를 구성하는 모노머 단위를 들 수 있지만, 이들 중에서는 α-메틸히드록시스티렌에 유래하는 모노머 단위가, 투명성의 관점에서 바람직하다.Examples of the monomer unit having a phenolic hydroxyl group include a monomer unit constituting a hydroxystyrene-based or novolak-based resin, and among these, a monomer unit derived from -methylhydroxystyrene is preferable from the viewpoint of transparency .

페놀성 수산기를 갖는 모노머 단위 중에서도, 하기식(2)으로 표시되는 모노머 단위가 투명성, 용제 제거 공정의 관용도의 관점에서 바람직하다.Among the monomer units having a phenolic hydroxyl group, monomer units represented by the following formula (2) are preferable from the viewpoint of transparency and tolerance of the solvent removal step.

Figure 112010066435470-pat00012
Figure 112010066435470-pat00012

식(2) 중, R20은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R21은 단결합 또는 2가의 연결기를 나타내고, R22는 할로겐 원자 또는 알킬기를 나타내고, a는 1∼5의 정수를 나타내고, b는 0∼4의 정수를 나타내고, a+b는 5 이하이다. 또, R22가 2 이상 존재하는 경우, 이들 R22는 서로 달라도 좋고 동일해도 좋다.Formula (2) of, R 20 is a hydrogen atom or a methyl group, R 21 represents a single bond or a divalent linking group, R 22 represents a halogen atom or an alkyl group, a is an integer of 1~5, b is Represents an integer of 0 to 4, and a + b is 5 or less. When two or more R &lt; 22 &gt; are present, these R &lt; 22 &gt; may be the same or different.

상기 식(2) 중, R20은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, 메틸기인 것이 바람직하다.In the formula (2), R 20 represents a hydrogen atom or a methyl group, and is preferably a methyl group.

또한, R21은 단결합 또는 치환기를 가져도 좋은 2가의 연결기를 나타낸다. 그 연결기로서는 탄소수 1∼10의 알킬렌기를 예시할 수 있고, 그 알킬렌기는 직쇄상 및 분기쇄상의 어느 것이어도 좋다. R21이 알킬렌기인 구체예로서는, 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기, 이소프로필렌기, n-부틸렌기, 이소부틸렌기, tert-부틸렌기, 펜틸렌기, 이소펜틸렌기, 네오펜틸렌기 등을 들 수 있다. 그 중에서도, R21이 단결합, 탄소수 1∼5의 알킬렌기인 것이 바람직하고, 단결합, 메틸렌기, 에틸렌기인 것이 보다 바람직하다. 특히, 단결합인 경우에는, 감도를 향상시킬 수 있고, 또한 경화막으로 했을 때의 투명성을 향상시킬 수 있어, 바람직하다.R 21 represents a single bond or a divalent linking group which may have a substituent. The linking group is exemplified by an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, and the alkylene group may be either straight chain or branched chain. Specific examples of R 21 as the alkylene group include methylene, ethylene, propylene, isopropylene, n-butylene, isobutylene, tert-butylene, pentylene, have. Among them, R 21 is preferably a single bond or an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably a single bond, a methylene group or an ethylene group. Particularly, in the case of a single bond, the sensitivity can be improved and the transparency of the cured film can be improved, which is preferable.

또한, 상기 알킬렌기는 치환기를 갖고 있어도 좋고, 그 치환기로서는 수산기, 알콕시기, 할로겐 원자를 예시할 수 있다.The alkylene group may have a substituent, and examples of the substituent include a hydroxyl group, an alkoxy group and a halogen atom.

또한, a는 1∼5의 정수를 나타내지만, 본 발명의 효과의 관점이나, 제조가 용이하다는 점에서, a는 1 또는 2인 것이 바람직하고, a가 1인 것이 보다 바람직하다.A is an integer of 1 to 5, but a is preferably 1 or 2, and more preferably a is 1, from the viewpoint of the effects of the present invention and from the viewpoint of easy production.

또한, 벤젠환에 있어서의 수산기의 결합 위치는, R21과 결합하여 있는 탄소 원자를 기준(1위치)으로 했을 때, 4위치에 결합하여 있는 것이 바람직하다.It is preferable that the bonding position of the hydroxyl group in the benzene ring is bonded to the 4-position when the carbon atom bonded to R 21 is the reference (1-position).

R22는 할로겐 원자 또는 탄소수 1∼5의 직쇄 또는 분기쇄상의 알킬기인 것이 바람직하다. 구체적으로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기 등을 들 수 있다. 그 중에서도 제조가 용이하다는 점에서, 염소 원자, 브롬 원자, 메틸기 또는 에틸기인 것이 바람직하다.R 22 is preferably a halogen atom or a linear or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. Specific examples thereof include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a n-butyl group, an isobutyl group, a tert- butyl group, a pentyl group, an isopentyl group and a neopentyl group . Among them, chlorine atom, bromine atom, methyl group or ethyl group is preferable in view of easiness of production.

또한, b는 0∼4의 정수를 나타내고, 0인 것이 바람직하다.B represents an integer of 0 to 4, preferably 0.

R21의 연결기로서는, 알킬렌기 이외에, (공중합체의 주쇄의 측으로부터)알킬렌옥시카르보닐기 등을 바람직하게 예시할 수 있고, 이 경우는, 페놀성 수산기를 갖는 모노머 단위가 하기의 식(3)으로 표시되는 것이 바람직하다.As the linking group for R 21 , an alkyleneoxycarbonyl group and the like can be preferably exemplified (from the side of the main chain of the copolymer) in addition to the alkylene group. In this case, the monomer unit having a phenolic hydroxyl group is preferably represented by the following formula (3) .

Figure 112010066435470-pat00013
Figure 112010066435470-pat00013

식(3) 중, R30은, 식(2)에 있어서의 R20과 동의이며, R32는 식(2)에 있어서의 R22와 동의이며, a 및 b는 식(2)에 있어서의 a 및 b와 각각 동의이다. 또한, 바람직한 범위도 같다.In the formula (3), R 30 is the same as R 20 in the formula (2), R 32 is the same as R 22 in the formula (2), and a and b are as defined in the formula a and b, respectively. The preferred range is also the same.

식(3) 중, R33은, 2가의 연결기를 나타내고, 알킬렌기를 바람직하게 예시할 수 있다. 그 알킬렌기는, 직쇄상 또는 분기쇄상의 어느 것이어도 좋고, 탄소수 2∼6인 것이 바람직하고, 에틸렌기, 프로필렌기, 이소프로필렌기, n-부틸렌기, tert-부틸렌기, 펜틸렌기, 이소펜틸렌기, 네오펜틸렌기, 헥실렌기 등을 들 수 있다. 또한, 알킬렌기는 치환기를 갖고 있어도 좋고, 그 치환기로서는, 할로겐 원자, 수산기, 알콕시기 등을 들 수 있다.In the formula (3), R 33 represents a divalent linking group, and an alkylene group can be preferably exemplified. The alkylene group may be either linear or branched and preferably has 2 to 6 carbon atoms, and examples thereof include an ethylene group, a propylene group, an isopropylene group, an n-butylene group, a tert-butylene group, A neopentylene group, a hexylene group, and the like. The alkylene group may have a substituent, and examples of the substituent include a halogen atom, a hydroxyl group, and an alkoxy group.

이들 중에서도, R33으로서는, 에틸렌기, 프로필렌기, 2-히드록시프로필렌기인 것이, 감도 및 용제 제거 공정의 관용도의 관점에서 바람직하다.Of these, R 33 is preferably an ethylene group, a propylene group or a 2-hydroxypropylene group in view of the sensitivity and tolerance of the solvent removal step.

(2-2) 페놀성 수산기가 산분해성기로 보호된 잔기를 갖는 모노머 단위(2-2) a monomer unit having a phenolic hydroxyl group protected with an acid-decomposable group

페놀성 수산기가 산분해성기로 보호된 잔기를 갖는 모노머 단위는, (2-1)에 기재된 모노머 단위의 페놀성 수산기가, 이하에서 상세하게 설명하는 산분해성기에 의해 보호된 잔기를 갖는 모노머 단위이다.The monomer unit in which the phenolic hydroxyl group has a moiety protected by an acid-decomposable group is a monomer unit having a moiety protected by an acid-decomposable group described below in detail in the phenolic hydroxyl group of the monomer unit described in (2-1).

산분해성기로서는, KrF용 포지티브형 레지스트, ArF용 포지티브형 레지스트에 있어서의 산분해성기로서 공지의 것을 사용할 수 있으며, 특별히 한정되지 않는다.As the acid decomposable group, known ones can be used as the acid decomposable group in the positive resist for KrF and the positive resist for ArF, and are not particularly limited.

종래, 산분해성기로서는, 산에 의해 비교적 분해하기 쉬운 기(예를 들면, 테트라히드로피라닐기 등의 아세탈계 관능기)나 산에 의해 비교적 분해하기 어려운 기(예를 들면, t-부틸에스테르기, t-부틸카보네이트기 등의 t-부틸계 관능기)가 알려져 있다.Conventionally, examples of the acid decomposable group include groups which are relatively easily decomposable by an acid (for example, an acetal functional group such as a tetrahydropyranyl group) or groups which are relatively difficult to decompose by an acid (for example, a t- t-butyl functional group such as t-butyl carbonate group) are known.

산분해성기 중에서도 페놀성 수산기가 제3급 알킬기로 보호된 잔기, 페놀성 수산기가 아세탈로 보호된 잔기, 또는, 페놀성 수산기가 케탈로 보호된 잔기를 갖는 모노머 단위인 것이, 레지스트의 기본 물성, 특히 감도나 패턴 형상과 감광성 수지 조성물의 보존 안정성의 관점에서 바람직하다.Of the acid-decomposable groups, the basic unit of the resist is a monomer unit in which a phenolic hydroxyl group is protected with a tertiary alkyl group, a phenolic hydroxyl group is protected with an acetal, or a phenolic hydroxyl group is protected with a ketal, In view of sensitivity and pattern shape and storage stability of the photosensitive resin composition.

또한, 산분해성기 중에서도 페놀성 수산기가 상기 식(a)으로 표시되는 제3급 알킬기로 보호된 잔기이거나, 상기 식(b)으로 표시되는 아세탈 또는 케탈로 보호된 잔기인 것이, 용제 제거 공정의 관용도의 관점에서 보다 바람직하다.Among the acid decomposable groups, the phenolic hydroxyl group is a residue protected with a tertiary alkyl group represented by the above formula (a), or an acetal or ketal-protected residue represented by the above formula (b) It is more preferable from the standpoint of tolerance.

또, 페놀성 수산기가 상기 식(a)으로 표시되는 제3급 알킬기로 보호된 잔기인 경우, 잔기의 전체로서는, -Ph-O-CR1R2R3의 구조이며(여기서, Ph는 페닐렌기를 나타낸다), 또한, 페놀성 수산기가 상기 식(b)으로 표시되는 아세탈 또는 케탈로 보호된 잔기인 경우, 잔기의 전체로서는, -Ph-O-CR4R5(OR6)의 구조이다.When the phenolic hydroxyl group is a residue protected with a tertiary alkyl group represented by the above-mentioned formula (a), the total of the residues is a structure of -Ph-O-CR 1 R 2 R 3 (wherein Ph is phenyl And when the phenolic hydroxyl group is an acetal or ketal-protected residue represented by the above formula (b), the residue entirely has the structure of -Ph-O-CR 4 R 5 (OR 6 ) .

이들 모노머 단위는, 예를 들면, (메타)아크릴산과 페놀성 수산기를 갖는 알코올과의 에스테르를, 미리 수산기를 제3급 알코올 또는 아세탈 또는 케탈로 보호한 모노머로 유도한 후에, 다른 모노머와 공중합함으로써 (A) 성분의 공중합체에 도입할 수 있다.These monomer units can be obtained, for example, by esterifying (meth) acrylic acid with an alcohol having a phenolic hydroxyl group to a monomer previously protected with a tertiary alcohol, acetal or ketal, and then copolymerizing with another monomer Can be introduced into the copolymer of component (A).

미리 수산기를 제3급 알코올 또는 아세탈 또는 케탈로 보호한 모노머로 유도하기 위해서는, 공지의 방법을 채용할 수 있다. 예를 들면, 페놀성 수산기를 갖는 (메타)아크릴산에스테르를 산 촉매의 존재 하에서 비닐에테르 화합물과 반응시킴으로써 그 수산기를 아세탈 또는 케탈로 보호할 수 있다.A known method may be employed in order to previously introduce the hydroxyl group into a tertiary alcohol or a monomer protected with acetal or ketal. For example, the hydroxyl group may be protected with an acetal or a ketal by reacting a (meth) acrylic acid ester having a phenolic hydroxyl group with a vinyl ether compound in the presence of an acid catalyst.

페놀성 수산기의 제3급 알킬에테르 구조의 바람직한 예로서는, R1=R2=R3=메틸기나 R1=R2=메틸기로 R3=벤질기의 조합을 들 수 있다.Preferred examples of the tertiary alkyl ether structure of the phenolic hydroxyl group include a combination of R 1 = R 2 = R 3 = methyl group, R 1 = R 2 = methyl group and R 3 = benzyl group.

또한, 페놀성 수산기가 아세탈 또는 케탈로 보호된 잔기를 갖는 모노머 단위를 형성하기 위해서 사용되는 라디칼 중합성 단량체로서는, 예를 들면, 히드록시스티렌의 1-알콕시알킬 보호체, 히드록시스티렌의 테트라히드로피라닐 보호체, 히드록시스티렌의 테트라히드로푸라닐 보호체, α-메틸히드록시스티렌의 1-알콕시알킬 보호체, α-메틸히드록시스티렌의 테트라히드로피라닐 보호체, α-메틸히드록시스티렌의 테트라히드로푸라닐 보호체, 4-히드록시페닐메타크릴레이트의 1-알콕시알킬 보호체, 4-히드록시페닐메타크릴레이트의 테트라히드로피라닐 보호체, 4-히드록시페닐메타크릴레이트의 테트라히드로푸라닐 보호체, 4-히드록시벤조산(1-메타크릴로일옥시메틸)에스테르의 1-알콕시알킬 보호체, 4-히드록시벤조산(1-메타크릴로일옥시메틸)에스테르의 테트라히드로피라닐 보호체, 4-히드록시벤조산(1-메타크릴로일옥시메틸)에스테르의 테트라히드로푸라닐 보호체, 4-히드록시벤조산(2-메타크릴로일옥시에틸)에스테르의 1-알콕시알킬 보호체, 4-히드록시벤조산(2-메타크릴로일옥시에틸)에스테르의 테트라히드로피라닐 보호체, 4-히드록시벤조산(2-메타크릴로일옥시에틸)에스테르의 테트라히드로푸라닐 보호체, 4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시프로필)에스테르의 1-알콕시알킬 보호체, 4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시프로필)에스테르의 테트라히드로피라닐 보호체, 4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시프로필)에스테르의 테트라히드로푸라닐 보호체, 4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시-2-히드록시프로필)에스테르의 1-알콕시알킬 보호체, 4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시-2-히드록시프로필)에스테르의 테트라히드로피라닐 보호체, 4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시-2-히드록시프로필)에스테르의 테트라히드로푸라닐 보호체 등을 들 수 있다.Examples of the radical polymerizable monomer used for forming a monomer unit having a phenolic hydroxyl group having an acetal or ketal protected moiety include a 1-alkoxyalkyl protected product of hydroxystyrene, a tetrahydrofuran derivative of hydroxystyrene A tetrahydropyranyl protecting group of hydroxystyrene, a 1-alkoxyalkyl protecting group of? -Methylhydroxystyrene, a tetrahydropyranyl protecting group of? -Methylhydroxystyrene,? -Methylhydroxystyrene Hydroxyphenylmethacrylate, a tetrahydrofuranyl protected derivative of 4-hydroxyphenylmethacrylate, a tetrahydroxyphenylmethacrylate protected derivative of 4-hydroxyphenylmethacrylate, a tetrahydrofuranyl protected derivative of 4- (1-methacryloyloxymethyl) ester of 4-hydroxybenzoic acid (1-methacryloyloxymethyl) ester, a 1-alkoxyalkyl protected derivative of 4-hydroxybenzoic acid (1-methacryloyloxyethyl) ester of 4-hydroxybenzoic acid (1-methacryloyloxyethyl) ester, a tetrahydrofuranyl protected derivative of 4- (2-methacryloyloxyethyl) ester of 4-hydroxybenzoic acid (2-methacryloyloxyethyl) ester, a tetrahydrofuranyl protected derivative of 4- Alkoxyalkyl protecting group of 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxypropyl) ester, tetrahydropyranyl protecting group of 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxypropyl) ester (3-methacryloyloxypropyl) ester of 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxypropyl) ester, a tetrahydrofuranyl protected derivative of 4- Alkoxyalkyl protecting group, 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxy-2-hydroxy Profile) and the tetra ester of tetrahydro pyranyl be protected, 4-hydroxy-benzoic acid (3-meth-yloxy-2-hydroxypropyl methacrylate with) tetrahydrofuranyl protection package of the ester and the like.

이들 중에서, 4-히드록시페닐메타크릴레이트의 1-알콕시알킬 보호체, 4-히드록시페닐메타크릴레이트의 테트라히드로피라닐 보호체, 4-히드록시페닐메타크릴레이트의 테트라히드로푸라닐 보호체, 4-히드록시벤조산(1-메타크릴로일옥시메틸)에스테르의 1-알콕시알킬 보호체, 4-히드록시벤조산(1-메타크릴로일옥시메틸)에스테르의 테트라히드로피라닐 보호체, 4-히드록시벤조산(1-메타크릴로일옥시메틸)에스테르의 테트라히드로푸라닐 보호체, 4-히드록시벤조산(2-메타크릴로일옥시에틸)에스테르의 1-알콕시알킬 보호체, 4-히드록시벤조산(2-메타크릴로일옥시에틸)에스테르의 테트라히드로피라닐 보호체, 4-히드록시벤조산(2-메타크릴로일옥시에틸)에스테르의 테트라히드로푸라닐 보호체, 4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시프로필)에스테르의 1-알콕시알킬 보호체, 4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시프로필)에스테르의 테트라히드로피라닐 보호체, 4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시프로필)에스테르의 테트라히드로푸라닐 보호체, 4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시-2-히드록시프로필)에스테르의 1-알콕시알킬 보호체, 4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시-2-히드록시프로필)에스테르의 테트라히드로피라닐 보호체, 4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시-2-히드록시프로필)에스테르의 테트라히드로푸라닐 보호체가 투명성의 관점에서 바람직하다.Among them, a 1-alkoxyalkyl protected form of 4-hydroxyphenyl methacrylate, a tetrahydropyranyl protected form of 4-hydroxyphenyl methacrylate, a tetrahydrofuranyl protected form of 4-hydroxyphenyl methacrylate , A 1-alkoxyalkyl protected product of 4-hydroxybenzoic acid (1-methacryloyloxymethyl) ester, a tetrahydropyranyl protected product of 4-hydroxybenzoic acid (1-methacryloyloxymethyl) Alkoxyalkyl protected derivatives of 4-hydroxybenzoic acid (2-methacryloyloxyethyl) ester, tetrahydrofuranyl protected derivatives of 4-hydroxybenzoic acid (1-methacryloyloxyethyl) Tetrahydrofuranyl protected derivatives of 4-hydroxybenzoic acid (2-methacryloyloxyethyl) ester, tetrahydrofuranyl protected derivatives of 4-hydroxybenzoic acid (2-methacryloyloxyethyl) (3-methacryloyloxypropyl) ester of 1-alkoxy (3-methacryloyloxypropyl) ester of 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxypropyl) ester, tetrahydropyranyl protecting group of 4-hydroxybenzoic acid Alkoxyalkyl protected derivatives of 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxy-2-hydroxypropyl) ester, 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxy- ) Tetrahydrofuranyl protecting agent of ester, and a tetrahydrofuranyl protected derivative of 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxy-2-hydroxypropyl) ester are preferable from the viewpoint of transparency.

페놀성 수산기의 보호기의 구체예로서는, 1-알콕시알킬기를 들 수 있고, 그 1-알콕시알킬기의 구체예로서는, 예를 들면, 1-에톡시에틸기, 1-메톡시에틸기, 1-n-부톡시에틸기, 1-이소부톡시에틸기, 1-(2-클로로에톡시)에틸기, 1-(2-에틸헥실옥시)에틸기, 1-n-프로폭시에틸기, 1-시클로헥실옥시에틸기, 1-(2-시클로헥실에톡시)에틸기, 1-벤질옥시에틸기 등을 들 수 있고, 이들은 단독 또는 2종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다.Specific examples of the protecting group of the phenolic hydroxyl group include a 1-alkoxyalkyl group and specific examples of the 1-alkoxyalkyl group include 1-ethoxyethyl, 1-methoxyethyl, 1-n-butoxyethyl (1-cyclohexyloxy) ethyl group, 1-n-propoxyethyl group, 1-cyclohexyloxyethyl group, 1- (2- Cyclohexylethoxy) ethyl group, 1-benzyloxyethyl group, etc. These may be used alone or in combination of two or more.

모노머 단위(2)를 형성하기 위해서 사용되는 라디칼 중합성 단량체는, 시판의 것을 사용해도 좋고, 공지의 방법으로 합성한 것을 사용할 수도 있다. 예를 들면, 페놀성 수산기를 갖는 화합물을 산 촉매의 존재 하에서 비닐에테르와 반응시킴으로써 합성할 수 있다.As the radically polymerizable monomer used for forming the monomer unit (2), commercially available ones may be used, or those synthesized by known methods may be used. For example, a compound having a phenolic hydroxyl group can be synthesized by reacting with a vinyl ether in the presence of an acid catalyst.

상기 합성은 페놀성 수산기를 갖는 모노머를 그 밖의 모노머와 미리 공중합시켜 두고, 그 후에 산 촉매의 존재 하에서 비닐에테르와 반응시켜도 좋다.The above-mentioned synthesis may be carried out by previously copolymerizing a monomer having a phenolic hydroxyl group with another monomer, and then reacting with a vinyl ether in the presence of an acid catalyst.

이와 같은 페놀성 수산기를 산분해성기로 보호한 에틸렌성 불포화 화합물, 바람직하게는, (메타)아크릴산에스테르의 유도체를 공중합하여, 원하는 모노머 단위(2)를 성분(A)의 공중합체 중에 도입할 수 있다. 이와 같이 하여 도입된 모노머 단위(2)의 구체예로서는, 하기의 모노머 단위를 예시할 수 있지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.The desired monomer unit (2) can be introduced into the copolymer of the component (A) by copolymerizing such an ethylenically unsaturated compound protected with an acid-decomposable group, preferably a derivative of a (meth) acrylic acid ester . Specific examples of the monomer unit (2) thus introduced include the following monomer units, but the present invention is not limited thereto.

Figure 112010066435470-pat00014
Figure 112010066435470-pat00014

Figure 112010066435470-pat00015
Figure 112010066435470-pat00015

Figure 112010066435470-pat00016
Figure 112010066435470-pat00016

(A) 성분을 구성하는 모노머 단위 중, 모노머 단위(2)의 함유율은, 감도, 용제 제거 공정의 관용도의 관점에서, 3∼70몰%가 바람직하고, 5∼60몰%가 보다 바람직하고, 10∼50몰%가 더욱 바람직하다.The content of the monomer unit (2) in the monomer units constituting the component (A) is preferably from 3 to 70 mol%, more preferably from 5 to 60 mol%, from the viewpoint of sensitivity and tolerance in the solvent removal step , More preferably from 10 to 50 mol%.

(3) 3원환의 환상 에테르 잔기 또는 4원환의 환상 에테르 잔기의 적어도 어느 하나를 갖는 모노머 단위(모노머 단위(3))(3) a monomer unit (monomer unit (3)) having at least one of a cyclic ether residue of a 3-membered ring or a cyclic ether residue of a 4-membered ring;

상기 (A) 공중합체는, 3원환의 환상 에테르 잔기 또는 4원환의 환상 에테르 잔기의 적어도 어느 하나를 갖는 모노머 단위(모노머 단위(3))를 함유한다.The copolymer (A) contains a monomer unit (monomer unit (3)) having at least one of a cyclic ether residue of a 3-membered ring or a cyclic ether residue of a 4-membered ring.

상기 3원환의 환상 에테르 잔기는 에폭시기라고도 불리고, 4원환의 환상 에테르 잔기는 옥세타닐기라고도 불린다.The cyclic ether residue of the three-membered ring is also called an epoxy group, and the cyclic ether residue of the four-membered ring is also called an oxetanyl group.

상기 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 모노머 단위(3)로서는, 지환 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 모노머 단위인 것이 바람직하고, 옥세타닐기를 갖는 모노머 단위인 것이 보다 바람직하다.The monomer unit (3) having an epoxy group and / or an oxetanyl group is preferably a monomer unit having an alicyclic epoxy group and / or an oxetanyl group, and more preferably a monomer unit having an oxetanyl group.

지환 에폭시기는, 지방족환과 에폭시환이 축합환을 형성하고 있는 기이며, 바람직한 구체예로서는, 후술하는 3,4-에폭시시클로헥실기, 2,3-에폭시시클로헥실기, 2,3-에폭시시클로펜틸기 등을 들 수 있다.The alicyclic epoxy group is a group in which an aliphatic ring and an epoxy ring form a condensed ring, and specific examples thereof include 3,4-epoxycyclohexyl group, 2,3-epoxycyclohexyl group, 2,3-epoxycyclopentyl group, etc. .

또한, 옥세타닐기를 갖는 기로서는, 옥세탄기를 갖고 있으면 특별히 한정되지 않지만, (3-에틸옥세탄-3-일)메틸기를 바람직하게 예시할 수 있다.The group having an oxetanyl group is not particularly limited as long as it has an oxetane group, and (3-ethyloxetan-3-yl) methyl group is preferably exemplified.

에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 모노머 단위는, 하나의 모노머 단위 중에 에폭시기 또는 옥세타닐기를 적어도 하나 갖고 있으면 좋고, 하나 이상의 에폭시기 및 하나 이상의 옥세타닐기, 둘 이상의 에폭시기, 또는, 둘 이상의 옥세타닐기를 갖고 있어도 좋고, 특별히 한정되지 않지만, 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 합계 하나∼셋 갖는 것이 바람직하고, 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 합계 하나 또는 둘 갖는 것이 보다 바람직하고, 에폭시기 또는 옥세타닐기를 하나 갖는 것이 더욱 바람직하다.The monomer unit having an epoxy group and / or oxetanyl group may have at least one epoxy group or oxetanyl group in one monomer unit, and may contain at least one epoxy group and at least one oxetanyl group, two or more epoxy groups, And it is preferable to have one to three epoxy groups and / or oxetanyl groups in total, more preferably one or two epoxy groups and / or oxetanyl groups in total, more preferably epoxy group or oxetanyl group, More preferably has one aryl group.

에폭시기를 갖는 모노머 단위를 형성하기 위해서 사용되는 라디칼 중합성 단량체의 구체예로서는, 예를 들면, 아크릴산글리시딜, 메타크릴산글리시딜, α-에틸아크릴산글리시딜, α-n-프로필아크릴산글리시딜, α-n-부틸아크릴산글리시딜, 아크릴산-3,4-에폭시부틸, 메타크릴산-3,4-에폭시부틸, 아크릴산-6,7-에폭시헵틸, 메타크릴산-6,7-에폭시헵틸, α-에틸아크릴산-6,7-에폭시헵틸, o-비닐벤질글리시딜에테르, m-비닐벤질글리시딜에테르, p-비닐벤질글리시딜에테르, 일본 특허 제4168443호 공보의 단락0031∼0035에 기재된 지환식 에폭시 골격을 함유하는 화합물 등을 들 수 있다.Specific examples of the radical polymerizable monomer used for forming the monomer unit having an epoxy group include glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate, glycidyl? -Ethyl acrylate, glycidyl? -N-propyl acrylate Epoxycyclohexyl methacrylate, glycidyl acrylate, glycidyl? -N-butyl acrylate,? -Epoxybutyl acrylate,? -Epoxybutyl methacrylate, Epoxy heptyl,? -Ethylacrylic acid-6,7-epoxyheptyl, o-vinylbenzyl glycidyl ether, m-vinylbenzyl glycidyl ether, p-vinylbenzyl glycidyl ether, and Japanese Patent No. 4168443 Compounds containing an alicyclic epoxy skeleton described in Nos. 0031 to 0035, and the like.

옥세타닐기를 갖는 모노머 단위를 형성하기 위해서 사용되는 라디칼 중합성 단량체의 구체예로서는, 예를 들면, 일본 특개2001-330953호 공보의 단락0011∼0016에 기재된 옥세타닐기를 갖는 (메타)아크릴산에스테르 등을 들 수 있다.Specific examples of the radically polymerizable monomer used for forming the monomer unit having an oxetanyl group include (meth) acrylic esters having an oxetanyl group as described in paragraphs 0011 to 0016 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-330953 .

에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 모노머 단위를 형성하기 위해서 사용되는 라디칼 중합성 단량체의 구체예로서는, 메타크릴산에스테르 구조를 함유하는 모노머, 아크릴산에스테르 구조를 함유하는 모노머인 것이 바람직하다.As specific examples of the radical polymerizable monomer used for forming the monomer unit having an epoxy group and / or an oxetanyl group, a monomer containing a methacrylic ester structure and a monomer containing an acrylic ester structure are preferable.

이들 모노머 중에서, 더욱 바람직한 것으로서는, 일본 특허 제4168443호 공보의 단락0034∼0035에 기재된 지환식 에폭시 골격을 함유하는 화합물 및 일본 특개2001-330953호 공보의 단락0011∼0016에 기재된 옥세타닐기를 갖는 (메타)아크릴산에스테르이며, 특히 바람직한 것으로서는 일본 특개2001-330953호 공보의 단락0011∼0016에 기재된 옥세타닐기를 갖는 (메타)아크릴산에스테르이다. 이들 중에서도 바람직한 것은, 아크릴산3,4-에폭시시클로헥실메틸, 메타크릴산3,4-에폭시시클로헥실메틸, 아크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸, 및, 메타크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸이며, 가장 바람직한 것은 아크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸, 및, 메타크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸이다. 이들 모노머 단위는, 1종 단독 또는 2종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다.Of these monomers, compounds having an alicyclic epoxy skeleton described in paragraphs 0034 to 0035 of Japanese Patent No. 4168443 and compounds having an oxetanyl group described in paragraphs 0011 to 0016 of JP-A-2001-330953 (Meth) acrylic acid ester, and particularly preferred is a (meth) acrylic acid ester having an oxetanyl group as described in paragraphs 0011 to 0016 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-330953. Among these, preferred are acrylic esters such as 3,4-epoxycyclohexylmethyl acrylate, 3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate, methyl (3-ethyloxetan-3-yl) (3-ethyloxetan-3-yl) methyl, and methacrylic acid (3-ethyloxetan-3-yl) methyl. These monomer units may be used alone or in combination of two or more.

모노머 단위(3)가, 하기식(3a) 및 (3b)로 이루어지는 군에서 선택된 잔기를 갖는 것이 바람직하다.It is preferable that the monomer unit (3) has a residue selected from the group consisting of the following formulas (3a) and (3b).

Figure 112010066435470-pat00017
Figure 112010066435470-pat00017

모노머 단위(3)가, 상기 식(3a)으로 표시되는 세 잔기((3a-1), (3a-2), (3a-3))의 어느 하나를 가진다 함은, 식(3a)으로 표시되는 구조로부터 수소 원자를 하나 이상 제거한 기를 갖는 것을 의미한다.The fact that the monomer unit (3) has any of the three residues represented by the above formula (3a) ((3a-1), (3a-2), (3a-3) Quot; means a group having one or more hydrogen atoms removed from the structure.

모노머 단위(3)는, 3,4-에폭시시클로헥실기, 2,3-에폭시시클로헥실기, 2,3-에폭시시클로펜틸기를 갖는 것이 더욱 바람직하다.It is more preferable that the monomer unit (3) has a 3,4-epoxycyclohexyl group, a 2,3-epoxycyclohexyl group and a 2,3-epoxycyclopentyl group.

Figure 112010066435470-pat00018
Figure 112010066435470-pat00018

식(3b) 중, R1b 및 R6b는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 알킬기를 나타내고, R2b, R3b, R4b, R5b, R7b, R8b, R9b, R10b는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 알킬기, 또는, 아릴기를 나타낸다.R 2b , R 3b , R 4b , R 5b , R 7b , R 8b , R 9b and R 10b each independently represents a hydrogen atom or an alkyl group, and R 1b and R 6b independently represent a hydrogen atom or an alkyl group, An atom, a halogen atom, an alkyl group, or an aryl group.

식(3b) 중, R1b 및 R6b는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 알킬기를 나타내고, 수소 원자 또는 탄소수 1∼8의 알킬기인 것이 바람직하고, 수소 원자 또는 탄소수 1∼5의 알킬기(이하, 「저급 알킬기」라고도 한다)인 것이 보다 바람직하다.In formula (3b), R 1b and R 6b each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group, preferably a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, and is preferably a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms Alkyl group &quot;).

R2b, R3b, R4b, R5b, R7b, R8b, R9b, R10b는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 알킬기, 또는, 아릴기를 나타낸다.R 2b , R 3b , R 4b , R 5b , R 7b , R 8b , R 9b and R 10b each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group or an aryl group.

할로겐 원자로서는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자를 예시할 수 있고, 불소 원자 및 염소 원자가 보다 바람직하고, 불소 원자가 더욱 바람직하다.Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom, more preferably a fluorine atom and a chlorine atom, and more preferably a fluorine atom.

알킬기는, 직쇄상, 분기쇄상, 환상의 어느 것이어도 좋고, 또한, 치환기를 갖고 있어도 좋다. 직쇄상 및 분기쇄상의 알킬기로서는, 탄소수 1∼8인 것이 바람직하고, 탄소수 1∼6인 것이 보다 바람직하고, 탄소수 1∼4인 것이 더욱 바람직하다. 환상 알킬기로서는, 탄소수 3∼10인 것이 바람직하고, 탄소수 4∼8인 것이 보다 바람직하고, 탄소수 5∼7인 것이 더욱 바람직하다. 또, 직쇄상 및 분기쇄상의 알킬기는, 환상 알킬기로 치환되어 있어도 좋고, 환상 알킬기는 직쇄상 및/또는 분기쇄상 알킬기로 치환되어 있어도 좋다.The alkyl group may be any of linear, branched and cyclic, and may have a substituent. The straight chain and branched chain alkyl groups preferably have 1 to 8 carbon atoms, more preferably 1 to 6 carbon atoms, and still more preferably 1 to 4 carbon atoms. The cyclic alkyl group preferably has 3 to 10 carbon atoms, more preferably 4 to 8 carbon atoms, and still more preferably 5 to 7 carbon atoms. The linear or branched alkyl group may be substituted with a cyclic alkyl group, and the cyclic alkyl group may be substituted with a straight chain and / or branched chain alkyl group.

아릴기로서는, 탄소수 6∼20의 아릴기인 것이 바람직하고, 탄소수 6∼10의 아릴기인 것이 더욱 바람직하다.The aryl group is preferably an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, more preferably an aryl group having 6 to 10 carbon atoms.

상기 알킬기, 아릴기는, 또한 치환기를 갖고 있어도 좋고, 알킬기가 갖고 있어도 좋은 치환기로서는, 할로겐 원자, 아릴기를 예시할 수 있고, 아릴기가 갖고 있어도 좋은 치환기로서는, 할로겐 원자, 알킬기를 예시할 수 있다.Examples of the substituent which the alkyl group may have include a halogen atom and an aryl group. Examples of the substituent which the aryl group may have include a halogen atom and an alkyl group.

이들 중에서도, R2b, R3b, R4b, R5b, R7b, R8b, R9b, R10b는 각각 독립적으로 수소 원자, 불소 원자, 탄소수 1∼4의 알킬기, 페닐기, 또는, 탄소수 1∼4의 퍼플루오로알킬기인 것이 보다 바람직하다.R 2b , R 3b , R 4b , R 5b , R 7b , R 8b , R 9b and R 10b each independently represent a hydrogen atom, a fluorine atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, a phenyl group, More preferably a perfluoroalkyl group having 1 to 4 carbon atoms.

상기 식(3b)으로 표시되는 잔기로서는, (3-에틸옥세탄-3-일)메틸기를 바람직하게 예시할 수 있다.As the residue represented by the formula (3b), a (3-ethyloxetan-3-yl) methyl group can be preferably exemplified.

모노머 단위(3)의 바람직한 구체예로서는, 하기의 모노머 단위를 예시할 수 있지만, 본 발명은 이들의 구체예에 하등 한정되는 것은 아니다.As specific preferred examples of the monomer unit (3), the following monomer units can be exemplified, but the present invention is not limited to these specific examples.

Figure 112010066435470-pat00019
Figure 112010066435470-pat00019

(A) 성분을 구성하는 모노머 단위 중, 모노머 단위(3)의 함유량은, 형성된 막의 각종 내성과 투명성의 관점에서, 5몰%∼60몰%가 바람직하고, 10몰%∼55몰%가 보다 바람직하고, 20몰%∼50몰%가 더욱 바람직하다.The content of the monomer unit (3) among the monomer units constituting the component (A) is preferably from 5 mol% to 60 mol%, more preferably from 10 mol% to 55 mol%, from the viewpoint of various resistance and transparency of the formed film , More preferably from 20 mol% to 50 mol%.

(4) 그 밖의 모노머 단위(모노머 단위(4))(4) Other monomer units (monomer unit (4))

상기 (A) 공중합체는, 본 발명의 효과를 방해하지 않는 범위에서, 상기 (1)∼(3) 이외의 모노머 단위(4)(이하, 「(4) 그 밖의 모노머 단위」라고도 한다)를 함유해도 좋다.The copolymer (A) may further contain a monomer unit (4) other than the above (1) to (3) (hereinafter also referred to as "(4) other monomer units") within the range not hindering the effect of the present invention .

(4) 그 밖의 모노머 단위를 형성하기 위해서 사용되는 라디칼 중합성 단량체로서는, 예를 들면, 일본 특개2004-264623호 공보의 단락0021∼0024에 기재된 화합물을 들 수 있다(단, 상기 (1)∼(3)의 모노머 단위를 제외한다).(4) Examples of the radical polymerizable monomer used for forming other monomer units include the compounds described in paragraphs 0021 to 0024 of JP-A-2004-264623. (3) is excluded).

이들 중에서도, (메타)아크릴산디시클로펜타닐, (메타)아크릴산시클로헥실, 아크릴산시클로헥실과 같은 지환 구조 함유의 (메타)아크릴산에스테르류, (메타)아크릴산, (메타)아크릴산메틸, (메타)아크릴산2-히드록시에틸, 스티렌 등을 바람직하게 예시할 수 있다. 이들 중에서도, (메타)아크릴산, (메타)아크릴산메틸, (메타)아크릴산2-히드록시에틸, 스티렌을 보다 바람직하게 예시할 수 있고, (메타)아크릴산을 더욱 바람직하게 예시할 수 있다.Among them, (meth) acrylic acid esters containing an alicyclic structure such as dicyclopentanyl (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate and cyclohexyl acrylate, (meth) acrylic acid, methyl (meth) acrylate, -Hydroxyethyl, styrene and the like can be preferably exemplified. Among them, (meth) acrylic acid, methyl (meth) acrylate, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate and styrene can be more preferably exemplified, and (meth) acrylic acid can be more preferably exemplified.

(4) 그 밖의 모노머 단위가 유리 산성기를 갖는 경우, 그 유리 산성기는, 카르복시기인 것이 바람직하고, 또한, 유리 산성기로서, 페놀성 수산기를 가지고 있지 않는 것이 바람직하다. 즉, (4) 그 밖의 모노머 단위를 형성하기 위해서 사용되는 단량체로서, 히드록시스티렌과 같이, 산분해성기로 보호되어 있지 않는 페놀성 수산기를 갖는 단량체를 사용하지 않는 것이 바람직하다.(4) When the other monomer unit has a free acid group, the free acid group is preferably a carboxyl group, and it is preferable that the free acid group does not have a phenolic hydroxyl group. That is, it is preferable not to use a monomer having a phenolic hydroxyl group which is not protected with an acid-decomposable group, such as hydroxystyrene, as a monomer used for forming (4) other monomer units.

이들 모노머 단위(4)는, 1종 단독 또는 2종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다.These monomer units (4) may be used singly or in combination of two or more.

상기 (A) 공중합체를 구성하는 전 모노머 단위 중, 모노머 단위(4)를 함유시키는 경우에 있어서의 모노머 단위(4)의 함유율은, 1∼50몰%가 바람직하고, 3∼40몰%가 더욱 바람직하고, 5∼30몰%가 특히 바람직하다.The content of the monomer unit (4) in the case where the monomer unit (4) is contained among all the monomer units constituting the copolymer (A) is preferably from 1 to 50 mol%, more preferably from 3 to 40 mol% , And particularly preferably from 5 to 30 mol%.

상기 (A) 공중합체의 중량평균 분자량은, 1,000∼100,000인 것이 바람직하고, 2,000∼50,000인 것이 보다 바람직하다. 또, 본 발명에 있어서의 중량평균 분자량은, 겔투과 크로마토그래피(GPC)에 의한 폴리스티렌 환산 중량평균 분자량인 것이 바람직하다.The weight average molecular weight of the copolymer (A) is preferably 1,000 to 100,000, more preferably 2,000 to 50,000. The weight average molecular weight in the present invention is preferably a polystyrene reduced weight average molecular weight determined by gel permeation chromatography (GPC).

또한, 상기 (A) 공중합체의 합성법에 대해서도, 다양한 방법이 알려져 있지만, 일례를 들면, 적어도 모노머 단위(1), 모노머 단위(2) 및 모노머 단위(3)를 형성하기 위해서 사용되는 라디칼 중합성 단량체를 함유하는 라디칼 중합성 단량체 혼합물을 유기 용제 중, 라디칼 중합 개시제를 사용하여 중합함으로써 합성할 수 있다.Various methods are also known for the synthesis of the above copolymer (A). For example, there are known methods for synthesizing the radical polymerizable (meth) acrylate copolymer (A) used for forming at least the monomer unit (1), the monomer unit Can be synthesized by polymerization of a radically polymerizable monomer mixture containing a monomer in an organic solvent using a radical polymerization initiator.

이하, 본 발명에서 사용되는 상기 (A) 공중합체로서, 바람직한 것을 예시하지만, 본 발명은 이것에 한정되는 것은 아니다.Preferable examples of the (A) copolymer used in the present invention are illustrated below, but the present invention is not limited thereto.

또, 하기에 예시한 상기 (A) 공중합체의 중량평균 분자량은, 2,000∼50,000인 것이 바람직하다.The weight average molecular weight of the (A) copolymer shown below is preferably 2,000 to 50,000.

4-히드록시벤조산(2-메타크릴로일옥시메틸)에스테르의 에틸아세탈 보호체/1-에톡시에틸메타크릴레이트/글리시딜메타크릴레이트/메타크릴산/히드록시에틸메타크릴레이트Ethyl acetal protected product of 4-hydroxybenzoic acid (2-methacryloyloxymethyl) ester / 1-ethoxyethyl methacrylate / glycidyl methacrylate / methacrylic acid / hydroxyethyl methacrylate

4-히드록시벤조산(2-메타크릴로일옥시에틸)에스테르의 에틸아세탈 보호체/1-에톡시에틸메타크릴레이트/글리시딜메타크릴레이트/메타크릴산/히드록시에틸메타크릴레이트A protective group of ethyl acetal of 4-hydroxybenzoic acid (2-methacryloyloxyethyl) ester / 1-ethoxyethyl methacrylate / glycidyl methacrylate / methacrylic acid / hydroxyethyl methacrylate

4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시프로필)에스테르의 에틸아세탈 보호체/1-에톡시에틸메타크릴레이트/글리시딜메타크릴레이트/메타크릴산/히드록시에틸메타크릴레이트Ethyl acetal protection of 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxypropyl) ester / 1-ethoxyethyl methacrylate / glycidyl methacrylate / methacrylic acid / hydroxyethyl methacrylate

4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시-2-히드록시프로필)에스테르의 에틸아세탈 보호체/1-에톡시에틸메타크릴레이트/글리시딜메타크릴레이트/메타크릴산/히드록시에틸메타크릴레이트A protective group of ethyl acetal of 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxy-2-hydroxypropyl) ester / 1-ethoxyethyl methacrylate / glycidyl methacrylate / methacrylic acid / Methacrylate

4-히드록시페닐메타크릴레이트의 에틸아세탈 보호체/1-에톡시에틸메타크릴레이트/글리시딜메타크릴레이트/메타크릴산/히드록시에틸메타크릴레이트A protective group of ethyl acetal of 4-hydroxyphenyl methacrylate / 1-ethoxyethyl methacrylate / glycidyl methacrylate / methacrylic acid / hydroxyethyl methacrylate

4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시-2-히드록시프로필)에스테르의 에틸아세탈 보호체/1-에톡시에틸메타크릴레이트/글리시딜메타크릴레이트/메타크릴산/히드록시에틸메타크릴레이트/메타크릴산메틸A protective group of ethyl acetal of 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxy-2-hydroxypropyl) ester / 1-ethoxyethyl methacrylate / glycidyl methacrylate / methacrylic acid / Methacrylate / methyl methacrylate

4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시-2-히드록시프로필)에스테르의 테트라히드로피라닐 보호체/1-에톡시에틸메타크릴레이트/글리시딜메타크릴레이트/메타크릴산/히드록시에틸메타크릴레이트A tetrahydro pyranyl protected product of 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxy-2-hydroxypropyl) ester / 1-ethoxyethyl methacrylate / glycidyl methacrylate / methacrylic acid / Roxy ethyl methacrylate

4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시-2-히드록시프로필)에스테르의 에틸아세탈 보호체/메타아크릴산테트라히드로피란-2-일/글리시딜메타크릴레이트/메타크릴산/히드록시에틸메타크릴레이트A protective group of ethyl acetal of 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxy-2-hydroxypropyl) ester / tetrahydropyran-2-yl methacrylate / glycidyl methacrylate / methacrylic acid / Ethyl methacrylate

4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시-2-히드록시프로필)에스테르의 에틸아세탈 보호체/메타아크릴산테트라히드로푸란-2-일/글리시딜메타크릴레이트/메타크릴산/히드록시에틸메타크릴레이트A protective group of ethyl acetal of 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxy-2-hydroxypropyl) ester / methacrylic acid tetrahydrofuran-2-yl / glycidyl methacrylate / methacrylic acid / Ethyl methacrylate

4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시-2-히드록시프로필)에스테르의 에틸아세탈 보호체/1-에톡시에틸메타크릴레이트/3,4-에폭시시클로헥실메틸메타아크릴레이트/메타크릴산/히드록시에틸메타크릴레이트Ethyl acetal protected product of 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxy-2-hydroxypropyl) ester / 1-ethoxyethyl methacrylate / 3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate / Acid / hydroxyethyl methacrylate

4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시-2-히드록시프로필)에스테르의 에틸아세탈 보호체/1-에톡시에틸메타크릴레이트/3-(메타크릴로일옥시메틸)-3-에틸옥세탄/메타크릴산/히드록시에틸메타크릴레이트Ethyl acetal protected product of 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxy-2-hydroxypropyl) ester / 1-ethoxyethyl methacrylate / 3- (methacryloyloxymethyl) Oxetane / methacrylic acid / hydroxyethyl methacrylate

4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시-2-히드록시프로필)에스테르의 에틸아세탈 보호체/1-에톡시에틸메타크릴레이트/3-(메타크릴로일옥시메틸)-3-에틸-옥세탄/메타크릴산/히드록시에틸메타크릴레이트/메타크릴산메틸Ethyl acetal protected product of 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxy-2-hydroxypropyl) ester / 1-ethoxyethyl methacrylate / 3- (methacryloyloxymethyl) - oxetane / methacrylic acid / hydroxyethyl methacrylate / methyl methacrylate

4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시-2-히드록시프로필)에스테르의 테트라히드로피라닐 보호체/1-에톡시에틸메타크릴레이트/3-(메타크릴로일옥시메틸)-3-에틸옥세탄/메타크릴산/히드록시에틸메타크릴레이트A tetrahydrofuranyl protected product of 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxy-2-hydroxypropyl) ester / 1-ethoxyethyl methacrylate / 3- (methacryloyloxymethyl) -3 -Ethyloxetane / methacrylic acid / hydroxyethyl methacrylate

4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시-2-히드록시프로필)에스테르의 테트라히드로푸라닐 보호체/1-에톡시에틸메타크릴레이트/3-(메타크릴로일옥시메틸)-3-에틸옥세탄/메타크릴산/히드록시에틸메타크릴레이트A tetrahydrofuranyl protected product of 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxy-2-hydroxypropyl) ester / 1-ethoxyethyl methacrylate / 3- (methacryloyloxymethyl) -3 -Ethyloxetane / methacrylic acid / hydroxyethyl methacrylate

4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시-2-히드록시프로필)에스테르의 에틸아세탈 보호체/메타아크릴산테트라히드로피란-2-일/3-(메타크릴로일옥시메틸)-3-에틸-옥세탄/메타크릴산/히드록시에틸메타크릴레이트(Methacryloyloxymethyl) -3-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxy-2-hydroxypropyl) ester protected by ethyl acetal / methacrylic acid tetrahydropyran- Ethyl-oxetane / methacrylic acid / hydroxyethyl methacrylate

4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시-2-히드록시프로필)에스테르의 에틸아세탈 보호체/메타아크릴산테트라히드로푸란-2-일/3-(메타크릴로일옥시메틸)-3-에틸옥세탄/메타크릴산/히드록시에틸메타크릴레이트(3-methacryloyloxymethyl) -3-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxy-2-hydroxypropyl) ester protected with ethyl acetal / methacrylic acid tetrahydrofuran- Ethyl oxetane / methacrylic acid / hydroxyethyl methacrylate

4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시-2-히드록시프로필)에스테르의 에틸아세탈 보호체/tert-부틸메타크릴레이트/3-(메타크릴로일옥시메틸)-3-에틸옥세탄/메타크릴산/히드록시에틸메타크릴레이트Ethyl acetal protection product of 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxy-2-hydroxypropyl) ester / tert-butyl methacrylate / 3- (methacryloyloxymethyl) / Methacrylic acid / hydroxyethyl methacrylate

4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시-2-히드록시프로필)에스테르의 에틸아세탈 보호체/1-에톡시에틸메타크릴레이트/3-(메타크릴로일옥시메틸)-3-에틸옥세탄/메타크릴산/4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시-2-히드록시프로필)에스테르의 tert-부틸 보호체Ethyl acetal protected product of 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxy-2-hydroxypropyl) ester / 1-ethoxyethyl methacrylate / 3- (methacryloyloxymethyl) Butyl tert-butyl ester of oxetane / methacrylic acid / 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxy-2-hydroxypropyl)

4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시-2-히드록시프로필)에스테르의 에틸아세탈 보호체/1-에톡시에틸메타크릴레이트/3-(메타크릴로일옥시메틸)-3-에틸옥세탄/메타크릴산/tert-부틸메타크릴레이트Ethyl acetal protected product of 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxy-2-hydroxypropyl) ester / 1-ethoxyethyl methacrylate / 3- (methacryloyloxymethyl) Oxetane / methacrylic acid / tert-butyl methacrylate

(A) 공중합체는, 1종 단독 또는 2종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다.The (A) copolymers may be used alone or in combination of two or more.

본 발명의 감광성 수지 조성물 중의 상기 (A) 공중합체의 함유량은, 감광성 수지 조성물의 전 고형분에 대해, 20∼99중량%인 것이 바람직하고, 50∼97중량%인 것이 보다 바람직하고, 70∼95중량%인 것이 더욱 바람직하다. 함유량이 이 범위이면, 현상했을 때의 용제 제거 공정의 관용도가 양호하게 된다. 또, 감광성 수지 조성물의 고형분량이란, 용제 등의 휘발성 성분을 제외한 양을 나타낸다.The content of the copolymer (A) in the photosensitive resin composition of the present invention is preferably 20 to 99% by weight, more preferably 50 to 97% by weight, and more preferably 70 to 95% by weight based on the total solid content of the photosensitive resin composition. More preferably in weight%. When the content is within this range, the tolerance of the solvent removal step at the time of development becomes good. The solid content of the photosensitive resin composition means an amount excluding volatile components such as a solvent.

(B) 광산 발생제(B)

본 발명의 감광성 수지 조성물은, (B) 광산 발생제를 함유한다.The photosensitive resin composition of the present invention contains (B) a photoacid generator.

본 발명에서 사용되는 광산 발생제(「(B) 성분」이라고도 한다)로서는, 파장 300nm 이상, 바람직하게는 파장 300∼450nm의 활성 광선에 감응하여, 산을 발생하는 화합물이 바람직하지만, 그 화학 구조에 제한되는 것은 아니다. 또한, 파장 300nm 이상의 활성 광선에 직접 감응하지 않는 광산 발생제에 대해서도, 증감제와 병용함으로써 파장 300nm 이상의 활성 광선에 감응하여, 산을 발생하는 화합물이면, 증감제와 조합하여 바람직하게 사용할 수 있다.As the photoacid generator (also referred to as "component (B)") used in the present invention, a compound which generates an acid upon exposure to an actinic ray having a wavelength of 300 nm or longer, preferably 300-450 nm is preferable, . In the case of a photoacid generator which does not directly react with an actinic ray having a wavelength of 300 nm or more, a compound capable of generating an acid upon exposure to an actinic ray having a wavelength of 300 nm or more by using in combination with a sensitizer can be preferably used in combination with a sensitizer.

본 발명에서 사용되는 광산 발생제로서는, pKa가 4 이하의 산을 발생하는 광산 발생제가 바람직하고, pKa가 3 이하의 산을 발생하는 광산 발생제가 보다 바람직하다.As the photoacid generator used in the present invention, a photoacid generator that generates an acid with a pKa of 4 or less is preferable, and a photoacid generator that generates an acid with a pKa of 3 or less is more preferable.

광산 발생제의 예로서, 트리클로로메틸-s-트리아진류, 설포늄염이나 요오도늄염, 제4급 암모늄염류, 디아조메탄 화합물, 이미드설포네이트 화합물, 및, 옥심설포네이트 화합물 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 절연성의 관점에서, 옥심설포네이트 화합물을 사용하는 것이 바람직하다. 이들 광산 발생제는, 1종 단독 또는 2종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다.Examples of the photoacid generator include trichloromethyl-s-triazine, sulfonium salts and iodonium salts, quaternary ammonium salts, diazomethane compounds, imide sulfonate compounds, and oxime sulfonate compounds have. Of these, oxime sulfonate compounds are preferably used from the viewpoint of insulating properties. These photoacid generators may be used alone or in combination of two or more.

이들의 구체예로서는, 이하를 예시할 수 있다.Specific examples thereof include the following.

트리클로로메틸-s-트리아진류로서, 2-(3-클로로페닐)비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(4-메톡시페닐)비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(4-메틸티오페닐)비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(4-메톡시-β-스티릴)비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-피페로닐비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-[2-(푸란-2-일)에테닐]비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-[2-(5-메틸푸란-2-일)에테닐]비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-[2-(4-디에틸아미노-2-메틸페닐)에테닐]비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진, 또는, 2-(4-메톡시나프틸)비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진 등;As trichloromethyl-s-triazine, there can be mentioned 2- (3-chlorophenyl) bis (4,6-trichloromethyl) (4-methylthiophenyl) bis (4,6-trichloromethyl) -s-triazine, 2- (4-methoxy -? - styryl) bis , 2-piperonylbis (4,6-trichloromethyl) -s-triazine, 2- [2- (furan-2-yl) ethenyl] bis (4,6-trichloromethyl) -s-triazine, 2- [2- (5-methylfuran-2-yl) ethenyl] (4,6-trichloromethyl) -s-triazine or 2- (4-methoxynaphthyl) bis (4,6- 6-trichloromethyl) -s-triazine and the like;

디아릴요오도늄염류로서, 디페닐요오도늄트리플루오로아세테이트, 디페닐요오도늄트리플루오로메탄설포네이트, 4-메톡시페닐페닐요오도늄트리플루오로메탄설포네이트, 4-메톡시페닐페닐요오도늄트리플루오로아세테이트, 페닐-4-(2'-히드록시-1'-테트라데카옥시)페닐요오도늄트리플루오로메탄설포네이트, 4-(2'-히드록시-1'-테트라데카옥시)페닐요오도늄헥사플루오로안티모네이트, 또는, 페닐-4-(2'-히드록시-1'-테트라데카옥시)페닐요오도늄p-톨루엔설포네이트 등;As the diaryl iodonium salts, diphenyl iodonium trifluoroacetate, diphenyl iodonium trifluoromethane sulfonate, 4-methoxyphenylphenyl iodonium trifluoromethane sulfonate, 4-methoxy (2'-hydroxy-1'-tetradecarboxy) phenyl iodonium trifluoromethanesulfonate, phenyl 4- (2'-hydroxy-1'- -Tetradecaoxy) phenyliodonium hexafluoroantimonate or phenyl-4- (2'-hydroxy-1'-tetradecarboxy) phenyl iodonium p-toluenesulfonate;

트리아릴설포늄염류로서, 트리페닐설포늄트리플루오로메탄설포네이트, 트리페닐설포늄트리플루오로아세테이트, 4-메톡시페닐디페닐설포늄트리플루오로메탄설포네이트, 4-메톡시페닐디페닐설포늄트리플루오로아세테이트, 4-페닐티오페닐디페닐설포늄트리플루오로메탄설포네이트, 또는, 4-페닐티오페닐디페닐설포늄트리플루오로아세테이트 등;As the triarylsulfonium salts, triphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, triphenylsulfonium trifluoroacetate, 4-methoxyphenyldiphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, 4-methoxyphenyldiphenyl Sulfonium trifluoroacetate, 4-phenylthiophenyldiphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, or 4-phenylthiophenyldiphenylsulfonium trifluoroacetate; and the like;

제4급 암모늄염류로서, 테트라메틸암모늄부틸트리스(2,6-디플루오로페닐)보레이트, 테트라메틸암모늄헥실트리스(p-클로로페닐)보레이트, 테트라메틸암모늄헥실트리스(3-트리플루오로메틸페닐)보레이트, 벤질디메틸페닐암모늄부틸트리스(2,6-디플루오로페닐)보레이트, 벤질디메틸페닐암모늄헥실트리스(p-클로로페닐)보레이트, 벤질디메틸페닐암모늄헥실트리스(3-트리플루오로메틸페닐)보레이트 등;Examples of the quaternary ammonium salts include tetramethylammonium butyltris (2,6-difluorophenyl) borate, tetramethylammonium hexyltris (p-chlorophenyl) borate, tetramethylammonium hexyltris (3-trifluoromethylphenyl) (P-chlorophenyl) borate, benzyldimethylphenylammonium hexyltris (3-trifluoromethylphenyl) borate, and the like can be used. ;

디아조메탄 유도체로서, 비스(시클로헥실설포닐)디아조메탄, 비스(t-부틸설포닐)디아조메탄, 비스(p-톨루엔설포닐)디아조메탄 등;Diazomethane derivatives such as bis (cyclohexylsulfonyl) diazomethane, bis (t-butylsulfonyl) diazomethane, bis (p-toluenesulfonyl) diazomethane and the like;

이미드설포네이트 유도체로서, 트리플루오로메틸설포닐옥시비시클로[2.2.1]헵토-5-엔디카르복시이미드, 숙신이미드트리플루오로메틸설포네이트, 프탈이미드트리플루오로메틸설포네이트, N-히드록시나프탈이미드메탄설포네이트, N-히드록시-5-노르보르넨-2,3-디카르복시이미드프로판설포네이트 등;As the imide sulfonate derivative, trifluoromethylsulfonyloxybicyclo [2.2.1] hepto-5-endocarboximide, succinimide trifluoromethylsulfonate, phthalimide trifluoromethylsulfonate, N -Hydroxynaphthalimide methanesulfonate, N-hydroxy-5-norbornene-2,3-dicarboxyimidopropane sulfonate and the like;

옥심설포네이트 화합물로서, 이하에 나타내는 화합물.As the oxime sulfonate compound, the following compounds.

옥심설포네이트 화합물, 즉, 옥심설포네이트 잔기를 갖는 화합물로서는, 식(4)으로 표시되는 옥심설포네이트 잔기를 함유하는 화합물을 바람직하게 예시할 수 있다.As the oxime sulfonate compound, that is, the compound having an oxime sulfonate moiety, a compound containing an oxime sulfonate moiety represented by the formula (4) can be preferably exemplified.

Figure 112010066435470-pat00020
Figure 112010066435470-pat00020

식(4) 중, R5는, 알킬기 또는 아릴기를 나타낸다. 어느 기도 치환되어도 좋고, R5에 있어서의 알킬기는 직쇄상이어도 분기쇄상이어도 환상이어도 좋다. 허용되는 치환기는, 이하에 설명한다.In the formula (4), R 5 represents an alkyl group or an aryl group. The alkyl group in R &lt; 5 &gt; may be linear, branched or cyclic. The permissible substituents are described below.

R5의 알킬기로서는, 탄소수 1∼10의 직쇄상 또는 분기쇄상 알킬기가 바람직하다.As the alkyl group for R 5 , a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms is preferable.

R5의 알킬기는, 탄소수 6∼11의 아릴기, 탄소수 1∼10의 알콕시기, 또는, 시클로알킬기(7,7-디메틸-2-옥소노르보르닐기 등의 유교식(有橋式) 지환기를 함유하는, 바람직하게는 비시클로알킬기 등)로 치환되어도 좋다.The alkyl group of R 5 is preferably an aryl group having 6 to 11 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, or a cycloalkyl group (including bridged alicyclic groups such as a 7,7-dimethyl-2-oxonorbornyl group) , Preferably a bicycloalkyl group, etc.).

R5의 아릴기로서는, 탄소수 6∼11의 아릴기가 바람직하고, 페닐기 또는 나프틸기가 보다 바람직하다. R5의 아릴기는, 저급 알킬기, 알콕시기 혹은 할로겐 원자로 치환되어도 좋다.As the aryl group for R 5, an aryl group having 6 to 11 carbon atoms is preferable, and a phenyl group or a naphthyl group is more preferable. The aryl group of R 5 may be substituted with a lower alkyl group, an alkoxy group or a halogen atom.

식(4)으로 표시되는 옥심설포네이트 잔기를 함유하는 상기 화합물은, 하기식(5)으로 표시되는 옥심설포네이트 화합물인 것이 보다 바람직하다.The compound containing an oxime sulfonate residue represented by the formula (4) is more preferably an oxime sulfonate compound represented by the following formula (5).

Figure 112010066435470-pat00021
Figure 112010066435470-pat00021

식(5) 중, R5는, 식(4)에 있어서의 R5와 동의이며, X는, 알킬기, 알콕시기, 또는 할로겐 원자를 나타내고, m은, 0∼3의 정수를 나타내고, m이 2 또는 3일 때, 복수의 X는 동일해도 달라도 좋다.Equation (5) of, R 5 is and R 5 and consent of the formula (4), X is an alkyl group, an alkoxy group, or a halogen atom, m represents an integer of 0~3, m is 2 or 3, plural Xs may be the same or different.

X로 표시되는 알킬기로서는, 탄소 원자수 1∼4의 직쇄상 또는 분기상 알킬기가 바람직하다.As the alkyl group represented by X, a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms is preferable.

X로 표시되는 알콕시기로서는, 탄소 원자수 1∼4의 직쇄상 또는 분기상 알콕시기가 바람직하다.The alkoxy group represented by X is preferably a linear or branched alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms.

X로 표시되는 할로겐 원자로서는, 염소 원자 또는 불소 원자가 바람직하다.The halogen atom represented by X is preferably a chlorine atom or a fluorine atom.

m은, 0 또는 1이 바람직하다.m is preferably 0 or 1.

식(5) 중, m이 1이며, X가 메틸기이며, X의 치환 위치가 오르토 위치이며, R5가 탄소수 1∼10의 직쇄상 알킬기, 7,7-디메틸-2-옥소노르보르닐메틸기, 또는, p-톨릴기인 화합물이 특히 바람직하다.In the formula (5), m is 1, X is a methyl group, X is a substituted position in an ortho position, R 5 is a linear alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, a 7,7-dimethyl-2-oxonorbornylmethyl group Or a p-tolyl group is particularly preferable.

옥심설포네이트 화합물의 구체예로서는, 하기 화합물(i), 화합물(ii), 화합물(iii), 화합물(iv) 등을 들 수 있고, 1종 단독으로 사용하거나, 또는, 2종류 이상을 병용할 수 있다. 화합물(i)∼(iv)는, 시판품으로서, 입수할 수 있다. 또한, 다른 종류의 (B) 광산 발생제와 조합하여 사용할 수도 있다.Specific examples of the oxime sulfonate compound include the following compounds (i), (ii), (iii), (iv) and the like, and they can be used singly or in combination of two or more kinds. have. The compounds (i) to (iv) are commercially available. It may also be used in combination with other types of (B) photoacid generators.

Figure 112010066435470-pat00022
Figure 112010066435470-pat00022

식(4)으로 표시되는 옥심설포네이트 잔기를 함유하는 상기 화합물로서는, 식(Ⅱ)으로 표시되는 광산 발생제인 것도 바람직하다.The compound containing the oxime sulfonate residue represented by the formula (4) is also preferably the photo acid generator represented by the formula (II).

Figure 112010066435470-pat00023
Figure 112010066435470-pat00023

식(Ⅱ) 중, R4A는, 할로겐 원자, 수산기, 탄소 원자수 1∼4의 알킬기, 탄소 원자수 1∼4의 알콕시기, 시아노기 또는 니트로기를 나타내고, L은 0∼5의 정수를 나타낸다. R3A는, 탄소 원자수 1∼10의 알킬기, 탄소 원자수 1∼10의 알콕시기, 탄소 원자수 1∼5의 할로겐화알킬기, 탄소 원자수 1∼5의 할로겐화알콕시기, W로 치환되어 있어도 좋은 페닐기, W로 치환되어 있어도 좋은 나프틸기 또는 W로 치환되어 있어도 좋은 안트라닐기를 나타내고, W는, 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 탄소 원자수 1∼10의 알킬기, 탄소 원자수 1∼10의 알콕시기, 탄소 원자수 1∼5의 할로겐화알킬기 또는 탄소 원자수 1∼5의 할로겐화알콕시기를 나타내는 것이다.In formula (II), R 4A represents a halogen atom, a hydroxyl group, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, a cyano group or a nitro group, and L represents an integer of 0 to 5 . R 3A is an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a halogenated alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, A phenyl group, a naphthyl group which may be substituted with W, or an anthranyl group which may be substituted with W, W represents a halogen atom, a cyano group, a nitro group, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, An alkoxy group, a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a halogenated alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms.

식(Ⅱ)에 있어서의 R3A로서는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기, n-옥틸기, 트리플루오로메틸기, 펜타플루오로에틸기, 퍼플루오로-n-프로필기, 퍼플루오로-n-부틸기, p-톨릴기, 4-클로로페닐기 또는 펜타플루오로페닐기가 바람직하고, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기 또는 p-톨릴기인 것이 특히 바람직하다.Examples of R 3A in the formula (II) include methyl, ethyl, n-propyl, n-butyl, n-octyl, N-butyl group, p-tolyl group, 4-chlorophenyl group or pentafluorophenyl group is preferable, and methyl group, ethyl group, n-propyl group, n-butyl group or p-tolyl group is particularly preferable.

R4A로 표시되는 할로겐 원자로서는, 불소 원자, 염소 원자 또는 브롬 원자가 바람직하다.As the halogen atom represented by R 4A , a fluorine atom, a chlorine atom or a bromine atom is preferable.

R4A로 표시되는 탄소 원자수 1∼4의 알킬기로서는, 메틸기 또는 에틸기가 바람직하다.The alkyl group having 1 to 4 carbon atoms represented by R 4A is preferably a methyl group or an ethyl group.

R4A로 표시되는 탄소 원자수 1∼4의 알콕시기로서는, 메톡시기 또는 에톡시기가 바람직하다.As the alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms represented by R 4A , a methoxy group or an ethoxy group is preferable.

L로서는, 0∼2의 정수가 바람직하고, 0 또는 1이 특히 바람직하다.As L, an integer of 0 to 2 is preferable, and 0 or 1 is particularly preferable.

식(Ⅱ)으로 표시되는 광산 발생제에 포함되는 화합물의 바람직한 태양으로서는, R3A가, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기 또는 4-톨릴기를 나타내고, R4A가 수소 원자 또는 메톡시기를 나타내고, L이 0 또는 1의 태양이다.Equation (Ⅱ) As a preferred embodiment of the compounds included in the photo-acid generator represented by, R 3A is methyl group, ethyl group, n- propyl group, an n- butyl group, or represents a 4-tolyl, R 4A is a hydrogen atom or a methoxy And L is a sun of 0 or 1.

이하, 식(Ⅱ)으로 표시되는 광산 발생제에 포함되는 화합물의 특히 바람직한 예를 나타내지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, particularly preferred examples of the compound included in the photoacid generator represented by the formula (II) are shown, but the present invention is not limited thereto.

α-(메틸설포닐옥시이미노)벤질시아니드(R3A=메틸기, R4A=수소 원자)? - (methylsulfonyloxyimino) benzyl cyanide (R 3A = methyl group, R 4A = hydrogen atom)

α-(에틸설포닐옥시이미노)벤질시아니드(R3A=에틸기, R4A=수소 원자)? - (ethylsulfonyloxyimino) benzyl cyanide (R 3A = ethyl group, R 4A = hydrogen atom)

α-(n-프로필설포닐옥시이미노)벤질시아니드(R3A=n-프로필기, R4A=수소 원자)? - (n-propylsulfonyloxyimino) benzyl cyanide (R 3A = n-propyl group, R 4A = hydrogen atom)

α-(n-부틸설포닐옥시이미노)벤질시아니드(R3A=n-부틸기, R4A=수소 원자)? - (n-butylsulfonyloxyimino) benzyl cyanide (R 3A = n-butyl group, R 4A = hydrogen atom)

α-(4-톨루엔설포닐옥시이미노)벤질시아니드(R3A=4-톨릴기, R4A=수소 원자)? - (4-toluenesulfonyloxyimino) benzyl cyanide (R 3A = 4-tolyl group, R 4A = hydrogen atom)

α-〔(메틸설포닐옥시이미노)-4-메톡시페닐〕아세토니트릴(R3A=메틸기, R4A=메톡시기)? - [(methylsulfonyloxyimino) -4-methoxyphenyl] acetonitrile (R 3A = methyl group, R 4A = methoxy group)

α-〔(에틸설포닐옥시이미노)-4-메톡시페닐〕아세토니트릴(R3A=에틸기, R4A=메톡시기)? - [(ethylsulfonyloxyimino) -4-methoxyphenyl] acetonitrile (R 3A = ethyl group, R 4A = methoxy group)

α-〔(n-프로필설포닐옥시이미노)-4-메톡시페닐〕아세토니트릴(R3A=n-프로필기, R4A=메톡시기)methoxyphenyl] acetonitrile (R 3A = n-propyl group, R 4A = methoxy group)

α-〔(n-부틸설포닐옥시이미노)-4-메톡시페닐〕아세토니트릴(R3A=n-부틸기, R4A=메톡시기)? - [(n-butylsulfonyloxyimino) -4-methoxyphenyl] acetonitrile (R 3A = n-butyl group, R 4A =

α-〔(4-톨루엔설포닐옥시이미노)-4-메톡시페닐〕아세토니트릴(R3A=4-톨릴기, R4A=메톡시기)? - [(4-toluenesulfonyloxyimino) -4-methoxyphenyl] acetonitrile (R 3A = 4-tolyl group, R 4A =

상기 식(4)으로 표시되는 옥심설포네이트 잔기를 함유하는 화합물로서는, 식(OS-1)으로 표시되는 화합물인 것도 바람직하다.The compound containing an oxime sulfonate residue represented by the above formula (4) is also preferably a compound represented by the formula (OS-1).

Figure 112010066435470-pat00024
Figure 112010066435470-pat00024

상기 식(OS-1) 중, R1은, 수소 원자, 알킬기, 알케닐기, 알콕시기, 알콕시카르보닐기, 아실기, 카르바모일기, 설파모일기, 설포기, 시아노기, 아릴기, 또는, 헤테로아릴기를 나타낸다. R2는, 알킬기, 또는, 아릴기를 나타낸다.In the formula (OS-1), R 1 represents a hydrogen atom, an alkyl group, an alkenyl group, an alkoxy group, an alkoxycarbonyl group, an acyl group, a carbamoyl group, a sulfamoyl group, a sulfo group, a cyano group, Lt; / RTI &gt; R 2 represents an alkyl group or an aryl group.

X는 -O-, -S-, -NH-, -NR5-, -CH2-, -CR6H-, 또는, -CR6R7-를 나타내고, R5∼R7은 알킬기, 또는, 아릴기를 나타낸다.X is -O-, -S-, -NH-, -NR 5 -, -CH 2 -, -CR 6 H-, or, -CR 6 R 7 - represents a, R 5 ~R 7 is an alkyl group, or , And an aryl group.

R21∼R24는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 할로겐 원자, 알킬기, 알케닐기, 알콕시기, 아미노기, 알콕시카르보닐기, 알킬카르보닐기, 아릴카르보닐기, 아미드기, 설포기, 시아노기, 또는, 아릴기를 나타낸다. R21∼R24 중 둘은, 각각 서로 결합하여 환을 형성해도 좋다.R 21 to R 24 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, an alkenyl group, an alkoxy group, an amino group, an alkoxycarbonyl group, an alkylcarbonyl group, an arylcarbonyl group, an amide group, a sulfo group, a cyano group or an aryl group . Two of R 21 to R 24 may be bonded to each other to form a ring.

R21∼R24로서는, 수소 원자, 할로겐 원자, 및, 알킬기가 바람직하고, 또한, R21∼R24 중 적어도 둘이 서로 결합하여 아릴기를 형성하는 태양도 또한, 바람직하게 들 수 있다. 그 중에서도, R21∼R24가 모두 수소 원자인 태양이 감도의 관점에서 바람직하다.As R 21 to R 24 , a hydrogen atom, a halogen atom and an alkyl group are preferable, and at least two of R 21 to R 24 are bonded to each other to form an aryl group. Among them, the case where all of R 21 to R 24 are hydrogen atoms is preferable from the viewpoint of sensitivity.

기술한 관능기는, 모두, 치환기를 더 갖고 있어도 좋다.Each of the functional groups described above may further have a substituent.

상기 식(OS-1)으로 표시되는 화합물은, 하기식(OS-2)으로 표시되는 화합물인 것이 보다 바람직하다.The compound represented by the above formula (OS-1) is more preferably a compound represented by the following formula (OS-2).

Figure 112010066435470-pat00025
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상기 식(OS-2) 중, R1, R2, R21∼R24는, 각각 식(OS-1)에 있어서의 것과 동의이며, 바람직한 예도 또한 같다.In the formula (OS-2), R 1 , R 2 and R 21 to R 24 are the same as those in the formula (OS-1), and preferred examples are also the same.

이들 중에서도, 식(OS-1) 및 식(OS-2)에 있어서의 R1이 시아노기, 또는, 아릴기인 태양이 보다 바람직하고, 식(OS-2)으로 표시되고, R1이 시아노기, 페닐기 또는 나프틸기인 태양이 가장 바람직하다.Of these, formula (OS-1) and the equation is R 1 in (OS-2) a cyano group, or, more preferably an aryl group sun, and is represented by the expression (OS-2), R 1 is a cyano group , A phenyl group or a naphthyl group is most preferable.

또한, 상기 옥심설포네이트 화합물에 있어서, 옥심이나 벤조티아졸환의 입체 구조(E,Z 등)에 대해서는 각각, 어느 한쪽이어도, 혼합물이어도 좋다.In the oxime sulfonate compound, the stereostructure (E, Z, etc.) of the oxime or benzothiazole ring may be either one or a mixture thereof.

이하에, 본 발명에 호적(好適)하게 사용할 수 있는 식(OS-1)으로 표시되는 화합물의 구체예(예시 화합물b-1∼b-34)를 나타내지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 또, Me는 메틸기를 나타내고, Et는 에틸기를 나타내고, Bn은 벤질기를 나타내고, Ph는 페닐기를 나타낸다.Specific examples (Exemplary Compounds b-1 to b-34) of a compound represented by the formula (OS-1) which can be suitably used in the present invention are shown below, but the present invention is not limited thereto . Me represents a methyl group, Et represents an ethyl group, Bn represents a benzyl group, and Ph represents a phenyl group.

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상기 화합물 중에서도, 감도와 안정성과의 양립의 관점에서, b-9, b-16, b-31, b-33이 바람직하다.Of these compounds, b-9, b-16, b-31 and b-33 are preferred from the viewpoint of compatibility between sensitivity and stability.

상기 식(4)으로 표시되는 옥심설포네이트 잔기를 함유하는 화합물로서는, 식(OS-3), 식(OS-4) 또는 식(OS-5)으로 표시되는 옥심설포네이트 화합물인 것이 바람직하다.The oxime sulfonate residue-containing compound represented by the formula (4) is preferably an oxime sulfonate compound represented by the formula (OS-3), the formula (OS-4) or the formula (OS-5).

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(식(OS-3)∼식(OS-5) 중, R1은 알킬기, 아릴기 또는 헤테로아릴기를 나타내고, R2는 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기, 아릴기 또는 할로겐 원자를 나타내고, R6은 각각 독립적으로, 할로겐 원자, 알킬기, 알킬옥시기, 설폰산기, 아미노설포닐기 또는 알콕시설포닐기를 나타내고, X는 O 또는 S를 나타내고, n은 1 또는 2를 나타내고, 식(OS-3)∼식(OS-4)에 있어서는 m은 0∼6의 정수를 나타내고, 식(OS-5)에 있어서는, m은 0∼4의 정수를 나타낸다)Wherein R 1 represents an alkyl group, an aryl group or a heteroaryl group, each of R 2 independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group or a halogen atom, R 6 represents independently a halogen atom, an alkyl group, an alkyloxy group, a sulfonic acid group, an aminosulfonyl group or an alkoxysulfonyl group, X represents O or S, n represents 1 or 2, In the formula (OS-4), m represents an integer of 0 to 6, and in the formula (OS-5), m represents an integer of 0 to 4)

상기 식(OS-3)∼(OS-5) 중, R1에 있어서의 알킬기, 아릴기 또는 헤테로아릴기는, 치환기를 갖고 있어도 좋다.In the above formulas (OS-3) to (OS-5), the alkyl group, aryl group or heteroaryl group for R 1 may have a substituent.

상기 식(OS-3)∼(OS-5) 중, R1에 있어서의 알킬기로서는, 치환기를 갖고 있어도 좋은 총 탄소수 1∼30의 알킬기인 것이 바람직하다.Among the above-mentioned formulas (OS-3) to (OS-5), the alkyl group for R 1 is preferably an alkyl group having 1 to 30 total carbon atoms which may have a substituent.

R1에 있어서의 알킬기가 갖고 있어도 좋은 치환기로서는, 할로겐 원자, 알킬옥시기, 아릴옥시기, 알킬티오기, 아릴티오기, 알킬옥시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 아미노카르보닐기를 들 수 있다.Examples of the substituent which the alkyl group in R 1 may have include a halogen atom, an alkyloxy group, an aryloxy group, an alkylthio group, an arylthio group, an alkyloxycarbonyl group, an aryloxycarbonyl group and an aminocarbonyl group.

R1에 있어서의 알킬기로서는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, s-부틸기, t-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-옥틸기, n-데실기, n-도데실기, 트리플루오로메틸기, 퍼플루오로프로필기, 퍼플루오로헥실기, 벤질기, 페녹시에틸기, 메틸티오에틸기, 페닐티오에틸기, 에톡시카르보닐에틸기, 페녹시카르보닐에틸기, 디메틸아미노카르보닐에틸기를 들 수 있다.Examples of the alkyl group for R 1 include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an i-propyl group, an n-butyl group, an s-butyl group, N-decyl group, trifluoromethyl group, perfluoropropyl group, perfluorohexyl group, benzyl group, phenoxyethyl group, methylthioethyl group, phenylthioethyl group, ethoxycarbonylethyl group, A phenoxycarbonylethyl group, and a dimethylaminocarbonylethyl group.

이들 중에서도, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, s-부틸기, t-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-옥틸기, n-데실기, n-도데실기, 트리플루오로메틸기, 퍼플루오로프로필기, 퍼플루오로헥실기, 벤질기가 바람직하다.Of these, preferred are a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an i-propyl group, an n-butyl group, an s- An n-dodecyl group, a trifluoromethyl group, a perfluoropropyl group, a perfluorohexyl group, and a benzyl group are preferable.

또한, 상기 식(OS-3)∼(OS-5) 중, R1에 있어서의 아릴기로서는, 치환기를 가져도 좋은 총 탄소수 6∼30의 아릴기가 바람직하다.Among the above-mentioned formulas (OS-3) to (OS-5), the aryl group in R 1 is preferably an aryl group having 6 to 30 total carbon atoms which may have a substituent.

R1에 있어서의 아릴기가 갖고 있어도 좋은 치환기로서는, 할로겐 원자, 알킬기, 알킬옥시기, 아릴옥시기, 알킬티오기, 아릴티오기, 알킬옥시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 아미노카르보닐기, 설폰산기, 아미노설포닐기, 알콕시설포닐기를 들 수 있다.Examples of the substituent which the aryl group in R 1 may have include halogen atoms, alkyl groups, alkyloxy groups, aryloxy groups, alkylthio groups, arylthio groups, alkyloxycarbonyl groups, aryloxycarbonyl groups, aminocarbonyl groups, An alkoxy group, an alkoxy group, an alkoxy group, an alkoxy group,

R1에 있어서의 아릴기로서는, 페닐기, p-메틸페닐기, p-클로로페닐기, 펜타클로로페닐기, 펜타플루오로페닐기, o-메톡시페닐기, p-페녹시페닐기, p-메틸티오페닐기, p-페닐티오페닐기, p-에톡시카르보닐페닐기, p-페녹시카르보닐페닐기, p-디메틸아미노카르보닐페닐기를 들 수 있다.Examples of the aryl group for R 1 include a phenyl group, a p-methylphenyl group, a p-chlorophenyl group, a pentachlorophenyl group, a pentafluorophenyl group, an o-methoxyphenyl group, Phenylthiophenyl group, p-ethoxycarbonylphenyl group, p-phenoxycarbonylphenyl group, and p-dimethylaminocarbonylphenyl group.

이들 중에서도, 페닐기, p-메틸페닐기, p-클로로페닐기, 펜타클로로페닐기, 펜타플루오로페닐기, o-메톡시페닐기, p-페녹시페닐기가 바람직하다.Among them, a phenyl group, p-methylphenyl group, p-chlorophenyl group, pentachlorophenyl group, pentafluorophenyl group, o-methoxyphenyl group and p-phenoxyphenyl group are preferable.

또한, 상기 식(OS-3)∼(OS-5) 중, R1에 있어서의 헤테로아릴기로서는, 치환기를 가져도 좋은 총 탄소수 4∼30의 헤테로아릴기가 바람직하다.Among the above-mentioned formulas (OS-3) to (OS-5), the heteroaryl group for R 1 is preferably a heteroaryl group having 4 to 30 total carbon atoms which may have a substituent.

R1에 있어서의 헤테로아릴기가 갖고 있어도 좋은 치환기로서는, 할로겐 원자, 알킬기, 알킬옥시기, 아릴옥시기, 알킬티오기, 아릴티오기, 알킬옥시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 아미노카르보닐기, 설폰산기, 아미노설포닐기, 알콕시설포닐기를 들 수 있다.The substituent which R 1 may have as a heteroaryl group may be a halogen atom, an alkyl group, an alkyloxy group, an aryloxy group, an alkylthio group, an arylthio group, an alkyloxycarbonyl group, an aryloxycarbonyl group, an aminocarbonyl group, A sulfonyl group, and an alkoxysulfonyl group.

상기 식(OS-3)∼(OS-5) 중, R1에 있어서의 헤테로아릴기는, 적어도 하나의 환이 복소방향환이면 좋고, 예를 들면, 복소방향환과 벤젠환이 축환하여 있어도 좋다.Of the above-mentioned formulas (OS-3) to (OS-5), the heteroaryl group for R 1 may be at least one of the rings may be a heteroaromatic ring. For example, the heteroaromatic ring and the benzene ring may be coordinated.

R1에 있어서의 헤테로아릴기로서는, 치환기를 갖고 있어도 좋은, 티오펜환, 피롤환, 티아졸환, 이미다졸환, 푸란환, 벤조티오펜환, 벤조티아졸환, 및, 벤조이미다졸환으로 이루어지는 군에서 선택된 환에서 하나의 수소 원자를 제거한 기를 들 수 있다.Examples of the heteroaryl group for R 1 include a thiophene ring, a pyrrole ring, a thiazole ring, an imidazole ring, a furan ring, a benzothiophene ring, a benzothiazole ring, and a benzoimidazole ring which may have a substituent A group in which one hydrogen atom is removed from the ring selected in the group.

상기 식(OS-3)∼(OS-5) 중, R2는, 수소 원자, 알킬기 또는 아릴기인 것이 바람직하고, 수소 원자 또는 알킬기인 것이 보다 바람직하다.In the formulas (OS-3) to (OS-5), R 2 is preferably a hydrogen atom, an alkyl group or an aryl group, more preferably a hydrogen atom or an alkyl group.

상기 식(OS-3)∼(OS-5) 중, 화합물 중에 2 이상 존재하는 R2 중, 하나 또는 둘이 알킬기, 아릴기 또는 할로겐 원자인 것이 바람직하고, 하나가 알킬기, 아릴기 또는 할로겐 원자인 것이 보다 바람직하고, 하나가 알킬기이며, 또한 나머지가 수소 원자인 것이 특히 바람직하다.Of the formulas (OS-3) to (OS-5), one or two of R 2 present in two or more of the compounds are preferably an alkyl group, an aryl group or a halogen atom, And it is particularly preferable that one is an alkyl group and the remainder is a hydrogen atom.

상기 식(OS-3)∼(OS-5) 중, R2에 있어서의 알킬기 또는 아릴기는, 치환기를 갖고 있어도 좋다.In the above formulas (OS-3) to (OS-5), the alkyl group or aryl group in R 2 may have a substituent.

R2에 있어서의 알킬기 또는 아릴기가 갖고 있어도 좋은 치환기로서는, 상기 R1에 있어서의 알킬기 또는 아릴기가 갖고 있어도 좋은 치환기와 같은 기를 예시할 수 있다.Examples of the substituent which the alkyl group or the aryl group in R 2 may have include a group such as the substituent which the alkyl group or aryl group in R 1 may have.

R2에 있어서의 알킬기로서는, 치환기를 가져도 좋은 총 탄소수 1∼12의 알킬기인 것이 바람직하고, 치환기를 가져도 좋은 총 탄소수 1∼6의 알킬기인 것이 보다 바람직하다.The alkyl group in R 2 is preferably an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms in total which may have a substituent and more preferably an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms in total which may have a substituent.

R2에 있어서의 알킬기로서 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, i-부틸기, s-부틸기, t-부틸기, 알릴기, n-펜틸기, n-헥실기, n-옥틸기, n-데실기, n-도데실기, 퍼플루오로헥실기, 클로로메틸기, 브로모메틸기, 메톡시메틸기, 벤질기, 페녹시에틸기, 메틸티오에틸기, 페닐티오에틸기, 에톡시카르보닐에틸기, 페녹시카르보닐에틸기, 디메틸아미노카르보닐에틸기를 들 수 있다.Specific examples of the alkyl group for R 2 include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an i-propyl group, an n-butyl group, an i-butyl group, A perfluorohexyl group, a chloromethyl group, a bromomethyl group, a methoxymethyl group, a benzyl group, a phenoxyethyl group, a methylthioethyl group, a naphthyl group, a naphthyl group, , A phenylthioethyl group, an ethoxycarbonylethyl group, a phenoxycarbonylethyl group, and a dimethylaminocarbonylethyl group.

이들 중에서도, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, i-부틸기, s-부틸기, n-헥실기, 알릴기, 클로로메틸기, 브로모메틸기, 메톡시메틸기, 벤질기가 바람직하고, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, i-부틸기, s-부틸기, n-헥실기가 보다 바람직하고, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기, n-헥실기가 더욱 바람직하고, 메틸기가 특히 바람직하다.Among them, a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an i-propyl group, an n-butyl group, an i-butyl group, an s- , A benzyl group is preferable and a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an i-propyl group, an n- butyl group, Propyl group, n-butyl group and n-hexyl group are more preferable, and methyl group is particularly preferable.

R2에 있어서의 아릴기로서는, 치환기를 가져도 좋은 총 탄소수 6∼30의 아릴기인 것이 바람직하다.The aryl group in R 2 is preferably an aryl group having a total of 6 to 30 carbon atoms which may have a substituent.

R2에 있어서의 아릴기로서 구체적으로는, 페닐기, p-메틸페닐기, o-클로로페닐기, p-클로로페닐기, o-메톡시페닐기, p-페녹시페닐기, p-메틸티오페닐기, p-페닐티오페닐기, p-에톡시카르보닐페닐기, p-페녹시카르보닐페닐기, p-디메틸아미노카르보닐페닐기를 들 수 있다.Specific examples of the aryl group for R 2 include a phenyl group, a p-methylphenyl group, an o-chlorophenyl group, a p-chlorophenyl group, an o-methoxyphenyl group, Thiophenyl group, p-ethoxycarbonylphenyl group, p-phenoxycarbonylphenyl group, and p-dimethylaminocarbonylphenyl group.

이들 중에서도, 페닐기, p-메틸페닐기, o-클로로페닐기, p-클로로페닐기, o-메톡시페닐기, p-페녹시페닐기가 바람직하다.Among them, a phenyl group, a p-methylphenyl group, an o-chlorophenyl group, a p-chlorophenyl group, an o-methoxyphenyl group and a p-phenoxyphenyl group are preferable.

R2에 있어서의 할로겐 원자로서는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자를 들 수 있다.Examples of the halogen atom in R 2 include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom.

이들 중에서도, 염소 원자, 브롬 원자가 바람직하다.Of these, a chlorine atom and a bromine atom are preferable.

상기 식(OS-3)∼(OS-5) 중, X는 O 또는 S를 나타내고, O인 것이 바람직하다.Of the above formulas (OS-3) to (OS-5), X represents O or S, and is preferably O.

식(OS-3)∼(OS-5)에 있어서, X를 환원(環員)으로서 포함하는 환은, 5원환 또는 6원환이다.In the formulas (OS-3) to (OS-5), the ring containing X as a ring member is a 5-membered ring or a 6-membered ring.

상기 식(OS-3)∼(OS-5) 중, n은 1 또는 2를 나타내고, X가 O인 경우, n은 1인 것이 바람직하고, 또한, X가 S인 경우, n은 2인 것이 바람직하다.In the formulas (OS-3) to (OS-5), n represents 1 or 2, and when X is O, n is preferably 1. When X is S, n is 2 desirable.

상기 식(OS-3)∼(OS-5) 중, R6에 있어서의 알킬기 및 알킬옥시기는, 치환기를 갖고 있어도 좋다.In the above formulas (OS-3) to (OS-5), the alkyl group and alkyloxy group in R 6 may have a substituent.

상기 식(OS-3)∼(OS-5) 중, R6에 있어서의 알킬기로서는, 치환기를 갖고 있어도 좋은 총 탄소수 1∼30의 알킬기인 것이 바람직하다.Of the above-mentioned formulas (OS-3) to (OS-5), the alkyl group for R 6 is preferably an alkyl group having 1 to 30 total carbon atoms which may have a substituent.

R6에 있어서의 알킬기가 갖고 있어도 좋은 치환기로서는, 할로겐 원자, 알킬옥시기, 아릴옥시기, 알킬티오기, 아릴티오기, 알킬옥시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 아미노카르보닐기를 들 수 있다.Examples of the substituent which the alkyl group in R 6 may have include a halogen atom, an alkyloxy group, an aryloxy group, an alkylthio group, an arylthio group, an alkyloxycarbonyl group, an aryloxycarbonyl group and an aminocarbonyl group.

R6에 있어서의 알킬기로서는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, s-부틸기, t-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-옥틸기, n-데실기, n-도데실기, 트리플루오로메틸기, 퍼플루오로프로필기, 퍼플루오로헥실기, 벤질기, 페녹시에틸기, 메틸티오에틸기, 페닐티오에틸기, 에톡시카르보닐에틸기, 페녹시카르보닐에틸기, 디메틸아미노카르보닐에틸기를 들 수 있다.Examples of the alkyl group for R 6 include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an i-propyl group, an n-butyl group, an s- N-decyl group, trifluoromethyl group, perfluoropropyl group, perfluorohexyl group, benzyl group, phenoxyethyl group, methylthioethyl group, phenylthioethyl group, ethoxycarbonylethyl group, A phenoxycarbonylethyl group, and a dimethylaminocarbonylethyl group.

이들 중에서도, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, s-부틸기, t-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-옥틸기, n-데실기, n-도데실기, 트리플루오로메틸기, 퍼플루오로프로필기, 퍼플루오로헥실기, 벤질기가 바람직하다.Of these, preferred are a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an i-propyl group, an n-butyl group, an s- An n-dodecyl group, a trifluoromethyl group, a perfluoropropyl group, a perfluorohexyl group, and a benzyl group are preferable.

상기 식(OS-3)∼(OS-5) 중, R6에 있어서의 알킬옥시기로서는, 치환기를 가져도 좋은 총 탄소수 1∼30의 알킬옥시기인 것이 바람직하다.Of the above formulas (OS-3) to (OS-5), the alkyloxy group in R 6 is preferably an alkyloxy group having 1 to 30 total carbon atoms which may have a substituent.

R6에 있어서의 알킬옥시기가 갖고 있어도 좋은 치환기로서는, 할로겐 원자, 알킬옥시기, 아릴옥시기, 알킬티오기, 아릴티오기, 알킬옥시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 아미노카르보닐기를 들 수 있다.Examples of the substituent which the alkyloxy group of R 6 may have include a halogen atom, an alkyloxy group, an aryloxy group, an alkylthio group, an arylthio group, an alkyloxycarbonyl group, an aryloxycarbonyl group and an aminocarbonyl group.

R6에 있어서의 알킬옥시기로서는, 메틸옥시기, 에틸옥시기, 부틸옥시기, 헥실옥시기, 페녹시에틸옥시기, 트리클로로메틸옥시기, 에톡시에틸옥시기, 메틸티오에틸옥시기, 페닐티오에틸옥시기, 에톡시카르보닐에틸옥시기, 페녹시카르보닐에틸옥시기, 디메틸아미노카르보닐에틸옥시기를 들 수 있다.Examples of the alkyloxy group for R 6 include a methyloxy group, an ethyloxy group, a butyloxy group, a hexyloxy group, a phenoxyethyloxy group, a trichloromethyloxy group, an ethoxyethyloxy group, a methylthioethyloxy group, A phenylthioethyloxy group, an ethoxycarbonylethyloxy group, a phenoxycarbonylethyloxy group, and a dimethylaminocarbonylethyloxy group.

이들 중에서도, 메틸옥시기, 에틸옥시기, 부틸옥시기, 헥실옥시기, 페녹시에틸옥시기, 트리클로로메틸옥시기, 또는, 에톡시에틸옥시기가 바람직하다.Of these, methyloxy, ethyloxy, butyloxy, hexyloxy, phenoxyethyloxy, trichloromethyloxy or ethoxyethyloxy groups are preferred.

상기 식(OS-3)∼(OS-5) 중, R6에 있어서의 아미노설포닐기로서는, 메틸아미노설포닐기, 디메틸아미노설포닐기, 페닐아미노설포닐기, 메틸페닐아미노설포닐기, 아미노설포닐기를 들 수 있다.In the formulas (OS-3) to (OS-5), examples of the aminosulfonyl group for R 6 include a methylaminosulfonyl group, a dimethylaminosulfonyl group, a phenylaminosulfonyl group, a methylphenylaminosulfonyl group, .

상기 식(OS-3)∼(OS-5) 중, R6에 있어서의 알콕시설포닐기로서는, 메톡시설포닐기, 에톡시설포닐기, 프로필옥시설포닐기, 부틸옥시설포닐기를 들 수 있다.Of the above-mentioned formulas (OS-3) to (OS-5), examples of the alkoxysulfonyl group for R 6 include a methoxycarbonyl group, an ethoxycarbonyl group, an ethoxycarbonyl group, a propyloxysulfonyl group and a butyloxysulfonyl group.

또한, 상기 식(OS-3)∼(OS-5) 중, 식(OS-3)∼식(OS-4)에 있어서는 m은 0∼6의 정수를 나타내고, 식(OS-5)에 있어서는, m은 0∼4의 정수를 나타내며, 0∼2의 정수인 것이 바람직하고, 0 또는 1인 것이 보다 바람직하고, 0인 것이 특히 바람직하다.In the formulas (OS-3) to (OS-5), m represents an integer of 0 to 6 in the formulas (OS-3) to , m represents an integer of 0 to 4, preferably an integer of 0 to 2, more preferably 0 or 1, and particularly preferably 0.

또한, 상기 식(4)으로 표시되는 옥심설포네이트 잔기를 함유하는 화합물은, 하기식(OS-6)∼(OS-11)의 어느 하나로 표시되는 옥심설포네이트 화합물인 것이 특히 바람직하다.The oximesulfonate residue-containing compound represented by the formula (4) is particularly preferably an oxime sulfonate compound represented by any of the following formulas (OS-6) to (OS-11).

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(식(OS-6)∼(OS-11) 중, R1은 알킬기, 아릴기 또는 헤테로아릴기를 나타내고, R7은, 수소 원자 또는 브롬 원자를 나타내고, R8은 수소 원자, 탄소수 1∼8의 알킬기, 할로겐 원자, 클로로메틸기, 브로모메틸기, 브로모에틸기, 메톡시메틸기, 페닐기 또는 클로로페닐기를 나타내고, R9는 수소 원자, 할로겐 원자, 메틸기 또는 메톡시기를 나타내고, R10은 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다)Wherein R 1 represents an alkyl group, an aryl group or a heteroaryl group, R 7 represents a hydrogen atom or a bromine atom, R 8 represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, R 9 represents a hydrogen atom, a halogen atom, a methyl group or a methoxy group, R 10 represents a hydrogen atom or a lower alkyl group, a halogen atom, a chloromethyl group, a bromomethyl group, a bromoethyl group, a methoxymethyl group, a phenyl group or a chlorophenyl group, Methyl group)

식(OS-6)∼(OS-11)에 있어서의 R1은, 상기 식(OS-3)∼(OS-5)에 있어서의 R1과 동의이며, 바람직한 태양도 같다.Expression (OS-6) ~ R 1 in (OS-11) is, and R 1 and agreed in the formula (OS-3) ~ (OS -5), as a preferred aspect.

식(OS-6)에 있어서의 R7은, 수소 원자 또는 브롬 원자를 나타내고, 수소 원자인 것이 바람직하다.R 7 in the formula (OS-6) represents a hydrogen atom or a bromine atom and is preferably a hydrogen atom.

식(OS-6)∼(OS-11)에 있어서의 R8은, 수소 원자, 탄소수 1∼8의 알킬기, 할로겐 원자, 클로로메틸기, 브로모메틸기, 브로모에틸기, 메톡시메틸기, 페닐기 또는 클로로페닐기를 나타내고, 탄소수 1∼8의 알킬기, 할로겐 원자 또는 페닐기인 것이 바람직하고, 탄소수 1∼8의 알킬기인 것이 보다 바람직하고, 탄소수 1∼6의 알킬기인 것이 더욱 바람직하고, 메틸기인 것이 특히 바람직하다.R 8 in formulas (OS-6) to (OS-11) represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, a halogen atom, a chloromethyl group, a bromomethyl group, a bromoethyl group, a methoxymethyl group, More preferably an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, still more preferably an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, particularly preferably a methyl group, and is preferably an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, more preferably an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, a halogen atom or a phenyl group, .

식(OS-8) 및 식(OS-9)에 있어서의 R9는, 수소 원자, 할로겐 원자, 메틸기 또는 메톡시기를 나타내고, 수소 원자인 것이 바람직하다.R 9 in formulas (OS-8) and (OS-9) represents a hydrogen atom, a halogen atom, a methyl group or a methoxy group, and is preferably a hydrogen atom.

식(OS-8)∼(OS-11)에 있어서의 R10은, 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, 수소 원자인 것이 바람직하다.R 10 in formulas (OS-8) to (OS-11) represents a hydrogen atom or a methyl group and is preferably a hydrogen atom.

또한, 상기 옥심설포네이트 화합물에 있어서, 옥심의 입체 구조(E,Z)에 대해서는, 어느 한쪽이어도, 혼합물이어도 좋다.In the oxime sulfonate compound, either or both of the stereostructure (E, Z) of oxime may be used.

상기 식(OS-3)∼식(OS-5)으로 표시되는 옥심설포네이트 화합물의 구체예로서는, 하기 예시 화합물을 들 수 있지만, 본 발명은, 이들에 한정되는 것은 아니다.Specific examples of the oxime sulfonate compounds represented by the above formulas (OS-3) to (OS-5) include the following exemplified compounds, but the present invention is not limited thereto.

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본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서, (B) 광산 발생제는, (A) 공중합체 100중량부에 대해, 0.1∼10중량부 함유되는 것이 바람직하고, 0.5∼10중량부 함유되는 것이 보다 바람직하다.In the photosensitive resin composition of the present invention, the photoacid generator (B) is preferably contained in an amount of 0.1 to 10 parts by weight, more preferably 0.5 to 10 parts by weight, per 100 parts by weight of the copolymer (A) .

본 발명의 감광성 수지 조성물은, 활성 광선에 감응하는 광산 발생제로서, 필요에 따라, (B) 광산 발생제 이외의 광산 발생제를 함유해도 좋지만, 1,2-퀴논디아지드 화합물은 함유하지 않는 것이 바람직하다. 그 이유는, 1,2-퀴논디아지드 화합물은, 축차형 광화학 반응에 의해 카르복시기를 생성하지만, 그 양자 수율은 반드시 1 이하이며, 감도가 낮기 때문이다. 이것에 대해, (B) 광산 발생제는, 활성 광선에 감응하여 생성하는 산이, 보호된 산성기의 탈보호에 대해 촉매로서 작용하므로, 1개의 광양자의 작용으로 생성한 산이, 다수의 탈보호 반응에 기여하여, 양자 수율은 1을 초과하며, 예를 들면, 10의 몇 승과 같은 큰 값이 되어, 이른바 화학 증폭의 결과로서, 고감도가 얻어지는 것으로 추측된다.The photosensitive resin composition of the present invention may contain a photoacid generator other than the photoacid generator (B), if necessary, as a photoacid generator that is sensitive to an actinic ray, but it may contain a photoacid generator that does not contain a 1,2-quinonediazide compound . The reason is that the 1,2-quinonediazide compound generates a carboxyl group by a sequential photochemical reaction, but its quantum yield is always 1 or less and the sensitivity is low. On the other hand, in the case of the photoacid generator (B), the acid generated by the action of the actinic ray acts as a catalyst against the deprotection of the protected acidic group, so that the acid generated by the action of one photon activates a number of deprotection reactions And the quantum yield is greater than 1, for example, a large value such as several powers of 10, and it is presumed that a high sensitivity is obtained as a result of so-called chemical amplification.

본 발명의 감광성 수지 조성물은, (B) 광산 발생제와의 조합에 있어서, 그 분해를 촉진시키기 위해서, 증감제를 함유하는 것이 바람직하다.The photosensitive resin composition of the present invention preferably contains a sensitizer in combination with the photoacid generator (B) in order to accelerate the decomposition thereof.

증감제는, 활성 광선 또는 방사선을 흡수하여 전자 여기 상태가 된다. 전자 여기(勵起) 상태가 된 증감제는, 광산 발생제와 접촉하여, 전자 이동, 에너지 이동, 발열 등의 작용이 생긴다. 이것에 의해 광산 발생제는 화학 변화를 일으켜 분해하여, 산을 생성한다.The sensitizer absorbs an actinic ray or radiation to become an electron-excited state. The sensitizer in the electron-excited state comes into contact with the photoacid generator to generate electron transfer, energy transfer, heat generation, and the like. As a result, the photoacid generator decomposes by causing a chemical change to generate an acid.

바람직한 증감제의 예로서는, 이하의 화합물류에 속하여 있고, 또한 350nm∼450nm의 파장역의 어느 곳에 흡수 파장을 갖는 화합물을 들 수 있다.Examples of preferred sensitizers include compounds having an absorption wavelength anywhere in the wavelength range of 350 nm to 450 nm belonging to the following compounds.

다핵방향족류(예를 들면, 피렌, 페릴렌, 트리페닐렌, 안트라센, 9,10-디부톡시안트라센, 9,10-디에톡시안트라센,3,7-디메톡시안트라센, 9,10-디프로필옥시안트라센), 크산텐류(예를 들면, 플루오레세인, 에오신, 에리트로신, 로다민B, 로즈벵갈), 크산톤류(예를 들면, 크산톤, 티오크산톤, 디메틸티오크산톤, 디에틸티오크산톤), 시아닌류(예를 들면 티아카르보시아닌, 옥사카르보시아닌), 멜로시아닌류(예를 들면, 멜로시아닌, 카르보멜로시아닌), 로다시아닌류, 옥소놀류, 티아진류(예를 들면, 티오닌, 메틸렌 블루, 톨루이딘 블루), 아크리딘류(예를 들면, 아크리딘 오렌지, 클로로플라빈, 아크리플라빈), 아크리돈류(예를 들면, 아크리돈, 10-부틸-2-클로로아크리돈), 안트라퀴논류(예를 들면, 안트라퀴논), 스쿠알륨류(예를 들면, 스쿠알륨), 스티릴류, 베이스스티릴류(예를 들면, 2-[2-[4-(디메틸아미노)페닐]에테닐]벤조옥사졸), 쿠마린류(예를 들면, 7-디에틸아미노4-메틸쿠마린, 7-히드록시4-메틸쿠마린, 2,3,6,7-테트라히드로-9-메틸-1H,5H,11H-[1]벤조피라노[6,7,8-ij]퀴놀리진-11-논).Polynuclear aromatic compounds such as pyrene, perylene, triphenylene, anthracene, 9,10-dibutoxyanthracene, 9,10-diethoxyanthracene, 3,7-dimethoxyanthracene, 9,10- Anthracene, xanthone, xanthone, thioxanthone, dimethylthioxanthone, diethylthioxanthone, and the like), xanthone Thiocarbons, thiocarbons, thiocarbons, thiocarbons, thiocarbons, thiocarbons, thiocarbons, thiocarbons, thiocarbons, (For example, thionine, methylene blue, toluidine blue), acridines (e.g., acridine orange, chloroflavin, acriflavine), acridones -Butyl-2-chloroacridone), anthraquinones (e.g., anthraquinone), squaryliums (e.g., squalium), styryls, (For example, 2- [2- [4- (dimethylamino) phenyl] ethenyl] benzoxazole), coumarins (for example, 7-diethylamino 4-methylcoumarin, Methylcoumarin, 2,3,6,7-tetrahydro-9-methyl-1H, 5H, 11H- [1] benzopyrano [6,7,8-ij] quinolizine-11-pne).

이들 증감제 중에서도, 다핵방향족류, 아크리돈류, 스티릴류, 베이스스티릴류, 쿠마린류가 바람직하고, 다핵방향족류가 보다 바람직하다. 다핵방향족류 중에서도, 안트라센 유도체가 가장 바람직하다.Among these sensitizers, polynuclear aromatic compounds, acridones, styryls, base styryls and coumarins are preferable, and polynuclear aromatic compounds are more preferable. Among the polynuclear aromatic compounds, an anthracene derivative is most preferable.

(C) 용제(C) Solvent

본 발명의 감광성 수지 조성물은, (C) 용제를 함유한다.The photosensitive resin composition of the present invention contains (C) a solvent.

본 발명의 감광성 수지 조성물은, 필수 성분인 상기 (A) 성분 및 (B) 성분, 바람직한 성분인 후술하는 (D) 성분 및/또는 (E) 성분, 및, 또한 후술하는 임의 성분을, (C) 용제에 용해한 용액으로서 제조되는 것이 바람직하다.The photosensitive resin composition of the present invention is a photosensitive resin composition comprising the components (A) and (B) as essential components, the component (D) and / or the component (E) ) &Lt; / RTI &gt; solvent.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 사용되는 (C) 용제로서는, 공지의 용제를 사용할 수 있고, 에틸렌글리콜모노알킬에테르류, 에틸렌글리콜디알킬에테르류, 에틸렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류, 프로필렌글리콜모노알킬에테르류, 프로필렌글리콜디알킬에테르류, 프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류, 디에틸렌글리콜디알킬에테르류, 디에틸렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류, 디프로필렌글리콜모노알킬에테르류, 디프로필렌글리콜디알킬에테르류, 디프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류, 에스테르류, 케톤류, 아미드류, 락톤류 등을 예시할 수 있다.As the solvent (C) used in the photosensitive resin composition of the present invention, known solvents can be used, and examples thereof include ethylene glycol monoalkyl ethers, ethylene glycol dialkyl ethers, ethylene glycol monoalkyl ether acetates, propylene glycol monoalkyl ethers Propylene glycol dialkyl ethers, propylene glycol monoalkyl ether acetates, diethylene glycol dialkyl ethers, diethylene glycol monoalkyl ether acetates, dipropylene glycol monoalkyl ethers, dipropylene glycol dialkyl ethers, Dipropylene glycol monoalkyl ether acetates, esters, ketones, amides, lactones, and the like.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 사용되는 (C) 용제로서는, 예를 들면,As the solvent (C) used in the photosensitive resin composition of the present invention, for example,

(가)에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노프로필에테르, 에틸렌글리콜모노부틸에테르 등의 에틸렌글리콜모노알킬에테르류; (A) ethylene glycol monoalkyl ethers such as ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monopropyl ether and ethylene glycol monobutyl ether;

(나)에틸렌글리콜디메틸에테르, 에틸렌글리콜디에틸에테르, 에틸렌글리콜디프로필에테르 등의 에틸렌글리콜디알킬에테르류; (B) ethylene glycol dialkyl ethers such as ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether and ethylene glycol dipropyl ether;

(다)에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트 등의 에틸렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류; (C) ethylene glycol monoalkyl ether acetates such as ethylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, ethylene glycol monopropyl ether acetate and ethylene glycol monobutyl ether acetate;

(라)프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노프로필에테르, 프로필렌글리콜모노부틸에테르 등의 프로필렌글리콜모노알킬에테르류; (D) propylene glycol monoalkyl ethers such as propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monopropyl ether and propylene glycol monobutyl ether;

(마)프로필렌글리콜디메틸에테르, 프로필렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르 등의 프로필렌글리콜디알킬에테르류; (E) propylene glycol dialkyl ethers such as propylene glycol dimethyl ether, propylene glycol diethyl ether, diethylene glycol monomethyl ether and diethylene glycol monoethyl ether;

(바)프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노부틸에테르아세테이트 등의 프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류; (F) propylene glycol monoalkyl ether acetates such as propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate and propylene glycol monobutyl ether acetate;

(사)디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르 등의 디에틸렌글리콜디알킬에테르류; (G) diethylene glycol dialkyl ethers such as diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether and diethylene glycol ethyl methyl ether;

(아)디에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트 등의 디에틸렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류; (A) diethylene glycol monoalkyl ether acetates such as diethylene glycol monomethyl ether acetate, diethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol monopropyl ether acetate and diethylene glycol monobutyl ether acetate;

(자)디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜모노에틸에테르, 디프로필렌글리콜모노프로필에테르, 디프로필렌글리콜모노부틸에테르 등의 디프로필렌글리콜모노알킬에테르류; Dipropylene glycol monoalkyl ethers such as dipropylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monoethyl ether, dipropylene glycol monopropyl ether and dipropylene glycol monobutyl ether;

(차)디프로필렌글리콜디메틸에테르, 디프로필렌글리콜디에틸에테르, 디프로필렌글리콜에틸메틸에테르 등의 디프로필렌글리콜디알킬에테르류; (Carboxy) dipropylene glycol dialkyl ethers such as dipropylene glycol dimethyl ether, dipropylene glycol diethyl ether and dipropylene glycol ethyl methyl ether;

(카)디프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 디프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디프로필렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, 디프로필렌글리콜모노부틸에테르아세테이트 등의 디프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류; (K) dipropylene glycol monoalkyl ether acetates such as dipropylene glycol monomethyl ether acetate, dipropylene glycol monoethyl ether acetate, dipropylene glycol monopropyl ether acetate and dipropylene glycol monobutyl ether acetate;

(타)젖산메틸, 젖산에틸, 젖산n-프로필, 젖산이소프로필, 젖산n-부틸, 젖산이소부틸, 젖산n-아밀, 젖산이소아밀 등의 젖산에스테르류; (L) Lactic acid esters such as methyl lactate, ethyl lactate, n-propyl lactate, isopropyl lactate, isobutyl lactate, isobutyl lactate, n-amyl lactate, and lactic acid /

(파)아세트산n-부틸, 아세트산이소부틸, 아세트산n-아밀, 아세트산이소아밀, 아세트산n-헥실, 아세트산2-에틸헥실, 프로피온산에틸, 프로피온산n-프로필, 프로피온산이소프로필, 프로피온산n-부틸, 프로피온산이소부틸, 부티르산메틸, 부티르산에틸, 부티르산에틸, 부티르산n-프로필, 부티르산이소프로필, 부티르산n-부틸, 부티르산이소부틸 등의 지방족 카르복시산에스테르류; (Par) n-butyl acetate, isobutyl acetate, n-amyl acetate, isoamyl acetate, n-hexyl acetate, 2-ethylhexyl acetic acid, ethyl propionate, n-propyl propionate, isopropyl propionate, n- Aliphatic carboxylic acid esters such as isobutyl propionate, methyl butyrate, ethyl butyrate, ethyl butyrate, n-propyl butyrate, isopropyl butyrate, n-butyl butyrate and isobutyl butyrate;

(하)히드록시아세트산에틸, 2-히드록시-2-메틸프로피온산에틸, 2-히드록시-3-메틸부티르산에틸, 메톡시아세트산에틸, 에톡시아세트산에틸, 3-메톡시프로피온산메틸, 3-메톡시프로피온산에틸, 3-에톡시프로피온산메틸, 3-에톡시프로피온산에틸, 3-메톡시부틸아세테이트, 3-메틸-3-메톡시부틸아세테이트, 3-메틸-3-메톡시부틸프로피오네이트, 3-메틸-3-메톡시부틸부티레이트, 아세토아세트산메틸, 아세토아세트산에틸, 피르브산메틸, 피르브산에틸 등의 다른 에스테르류; (Lower) ethyl acetate, ethyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, ethyl 2-hydroxy-3-methylbutyrate, ethyl methoxyacetate, ethyl ethoxyacetate, methyl 3-methoxypropionate, 3-methoxybutyl acetate, 3-methyl-3-methoxybutyl propionate, 3-methyl-3-methoxypropionate, Methyl-3-methoxybutyl butyrate, methyl acetoacetate, ethyl acetoacetate, methyl pyruvate, and ethyl pyruvate;

(거)메틸에틸케톤, 메틸프로필케톤, 메틸-n-부틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 2-헵탄온, 3-헵탄온, 4-헵탄온, 시클로헥산온 등의 케톤류; (Er) ketones such as methyl ethyl ketone, methyl propyl ketone, methyl n-butyl ketone, methyl isobutyl ketone, 2-heptanone, 3-heptanone, 4-heptanone and cyclohexanone;

(너)N-메틸포름아미드, N,N-디메틸포름아미드, N-메틸아세트아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈 등의 아미드류; Amides such as N-methylformamide, N, N-dimethylformamide, N-methylacetamide, N, N-dimethylacetamide and N-methylpyrrolidone;

(더)γ-부티로락톤 등의 락톤류 등을 들 수 있다.(More) lactones such as? -Butyrolactone.

또한, 이들 용제에 또한 필요에 따라, 벤질에틸에테르, 디헥실에테르, 에틸렌글리콜모노페닐에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 이소포론, 카프로산, 카프릴산, 1-옥탄올, 1-노난올, 벤질알코올, 아니솔, 아세트산벤질, 벤조산에틸, 옥살산디에틸, 말레산디에틸, 탄산에틸렌, 탄산프로필렌 등의 용제를 첨가할 수도 있다.These solvents may also contain, if necessary, benzyl ethyl ether, dihexyl ether, ethylene glycol monophenyl ether acetate, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, isophorone, caproic acid, caprylic acid, Solvents such as octanol, 1-nonanol, benzyl alcohol, anisole, benzyl acetate, ethyl benzoate, diethyl oxalate, diethyl maleate, ethylene carbonate and propylene carbonate may also be added.

이들 용제는, 1종 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.These solvents may be used singly or in combination of two or more kinds.

본 발명에 사용할 수 있는 용제는, 프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류가 특히 바람직하다.As the solvent usable in the present invention, propylene glycol monoalkyl ether acetate is particularly preferable.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 (C) 용제의 함유량은, (A) 성분 100중량부당, 50∼3,000중량부인 것이 바람직하고, 100∼2,000중량부인 것이 보다 바람직하고, 150∼1,500중량부인 것이 더욱 바람직하다.The content of the solvent (C) in the photosensitive resin composition of the present invention is preferably 50 to 3,000 parts by weight, more preferably 100 to 2,000 parts by weight, and most preferably 150 to 1,500 parts by weight per 100 parts by weight of the component (A) More preferable.

<그 밖의 성분>&Lt; Other components >

본 발명의 감광성 수지 조성물에는, (A) 성분, (B) 성분, 및, (C) 성분 이외에, 필요에 따라, 임의 성분으로서, 이하에 기술하는 (D) 산화 방지제, (E) 가교제, (F) 밀착 개량제, (G) 염기성 화합물, (H) 계면활성제, (I) 가소제, 및, (J) 열라디칼 발생제, 및, 열산 발생제, 자외선 흡수제, 증점제, 및, 유기 또는 무기의 침전 방지제 등의 공지의 첨가제를 가할 수 있다.(D) an antioxidant, (E) a cross-linking agent, (C) an antioxidant, and (C) an antioxidant as described below as optional components, in addition to the components (A) F) a contact modifier, (G) a basic compound, (H) a surfactant, (I) a plasticizer, and (J) a thermal radical generator and a thermal acid generator, an ultraviolet absorber, a thickener, A known additive such as an inhibitor may be added.

(D) 산화 방지제(D) Antioxidants

본 발명의 감광성 수지 조성물은, (D) 산화 방지제를 함유하는 것이 바람직하다.The photosensitive resin composition of the present invention preferably contains (D) an antioxidant.

(D) 산화 방지제로서는, 공지의 산화 방지제를 함유할 수 있다. (D) 산화 방지제를 첨가함으로써, 경화막의 착색을 방지할 수 있거나, 또는, 분해에 의한 막두께 감소를 저감할 수 있고, 또한, 내열투명성이 뛰어나다는 이점이 있다.As the antioxidant (D), a known antioxidant may be contained. (D) the addition of an antioxidant can prevent the cured film from being colored, or can reduce the film thickness reduction due to decomposition, and has an advantage of being excellent in heat-resistant transparency.

이와 같은 산화 방지제로서는, 예를 들면, 인계 산화 방지제, 히드라지드류, 힌더드아민계 산화 방지제, 황계 산화 방지제, 페놀계 산화 방지제, 아스코르브산류, 황산아연, 당류, 아질산염, 아황산염, 티오황산염, 히드록시아민 유도체 등을 들 수 있다. 이들 중에서는, 경화막의 착색, 막두께 감소의 관점에서 특히 페놀계 산화 방지제가 바람직하다. 이들은 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 혼합하고 사용해도 좋다.Examples of such antioxidants include phosphorus antioxidants, hydrazides, hindered amine antioxidants, sulfur antioxidants, phenol antioxidants, ascorbic acids, zinc sulfate, sugars, nitrite, sulfite, thiosulfate, And a hydroxyamine derivative. Among them, a phenol-based antioxidant is particularly preferable from the viewpoint of coloring of the cured film and reduction of the film thickness. These may be used alone, or two or more kinds may be mixed and used.

페놀계 산화 방지제의 시판품으로서는, 예를 들면, 아데카스탑AO-60((주)ADEKA제), 아데카스탑AO-80((주)ADEKA제), 이르가녹스1098(치바재팬(주)제)을 들 수 있다.Examples of commercially available phenolic antioxidants include ADEKA STOP AO-60 (manufactured by ADEKA), ADEKA STOP AO-80 (manufactured by ADEKA), Irganox 1098 (manufactured by Chiba Japan Co., ).

(D) 산화 방지제의 함유량은, 감광성 수지 조성물의 전 고형분에 대해, 0.1∼6중량%인 것이 바람직하고, 0.2∼5중량%인 것이 보다 바람직하고, 0.5∼4중량%인 것이 특히 바람직하다. 이 범위로 함으로써, 형성된 막의 충분한 투명성이 얻어지고, 또한, 패턴 형성시의 감도도 양호하게 된다.The content of the antioxidant (D) is preferably 0.1 to 6% by weight, more preferably 0.2 to 5% by weight, and particularly preferably 0.5 to 4% by weight based on the total solid content of the photosensitive resin composition. When the content is in this range, sufficient transparency of the formed film can be obtained and sensitivity at the time of pattern formation can be improved.

또한, 산화 방지제 이외의 첨가제로서, "고분자 첨가제의 신전개((주)닛칸고교신분샤)"에 기재된 각종 자외선 흡수제나, 금속 불활성화제 등을 본 발명의 감광성 수지 조성물에 첨가해도 좋다.As the additives other than the antioxidant, various ultraviolet absorbers, metal deactivators, and the like described in "New developments of the polymer additive (Nikken Kogyo Shinbashi Co., Ltd.") may be added to the photosensitive resin composition of the present invention.

(E) 가교제(E) Crosslinking agent

본 발명의 감광성 수지 조성물은, 필요에 따라, (E) 가교제를 함유하는 것이 바람직하다.The photosensitive resin composition of the present invention preferably contains a crosslinking agent (E), if necessary.

(E) 가교제로서는, 예를 들면, 이하에 기술하는 분자 내에 2개 이상의 에폭시기 또는 옥세타닐기를 갖는 화합물, 알콕시메틸기 함유 가교제, 적어도 1개의 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물을 첨가할 수 있다. (E) 가교제를 첨가함으로써, 경화막을 보다 강고한 막으로 할 수 있다.As the crosslinking agent (E), for example, a compound having two or more epoxy groups or oxetanyl groups in the molecule described below, an alkoxymethyl group-containing crosslinking agent, and a compound having at least one ethylenically unsaturated double bond may be added. By adding the crosslinking agent (E), the cured film can be made into a stronger film.

<분자 내에 2개 이상의 에폭시기 또는 옥세타닐기를 갖는 화합물>&Lt; Compounds having two or more epoxy groups or oxetanyl groups in the molecule &

분자 내에 2개 이상의 에폭시기 또는 옥세타닐기를 갖는 화합물은 일반적으로 에폭시 수지, 옥세탄 수지라 불리는 화합물이다.A compound having two or more epoxy groups or oxetanyl groups in a molecule is generally a compound called an epoxy resin, oxetane resin.

분자 내에 2개 이상의 에폭시기를 함유하는 화합물의 구체예로서는, 비스페놀A형 에폭시 수지, 비스페놀F형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 지방족 에폭시 수지 등을 들 수 있다.Specific examples of the compound containing two or more epoxy groups in the molecule include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin, cresol novolak type epoxy resin, aliphatic epoxy resin and the like.

이들은 시판품으로서 입수할 수 있다. 예를 들면, 비스페놀A형 에폭시 수지로서는, JER827, JER828, JER834, JER1001, JER1002, JER1003, JER1055, JER1007, JER1009, JER1010(이상, 재팬에폭시레진(주)제), EPICLON860, EPICLON1050, EPICLON1051, EPICLON1055(이상, DIC(주)제) 등이, 비스페놀F형 에폭시 수지로서는, JER806, JER807, JER4004, JER4005, JER4007, JER4010(이상, 재팬에폭시레진(주)제), EPICLON830, EPICLON835(이상, DIC(주)제), LCE-21, RE-602S(이상, 니뽄가야쿠(주)제) 등이, 페놀노볼락형 에폭시 수지로서는, JER152, JER154, JER157S65, JER157S70(이상, 재팬에폭시레진(주)제), EPICLONN-740, EPICLONN-740, EPICLONN-770, EPICLONN-775(이상, DIC(주)제) 등이, 크레졸노볼락형 에폭시 수지로서는, EPICLONN-660, EPICLONN-665, EPICLONN-670, EPICLONN-673, EPICLONN-680, EPICLONN-690, EPICLONN-695(이상, DIC(주)제), EOCN-1020(이상, 니뽄가야쿠(주)제) 등이, 지방족 에폭시 수지로서는, ADEKARESINEP-4080S, 동(同)EP-4085S, 동EP-4088S(이상, (주)ADEKA제), 세록사이드 2021P, 세록사이드 2081, 세록사이드 2083, 세록사이드 2085, EHPE3150, EPOLEADPB3600, 동PB4700(이상, 다이셀가가쿠고교(주)제) 등을 들 수 있다. 그 밖에도, ADEKARESINEP-4000S, 동EP-4003S, 동EP-4010S, 동EP-4011S(이상, (주)ADEKA제), NC-2000, NC-3000, NC-7300, XD-1000, EPPN-501, EPPN-502(이상, (주)ADEKA제) 등을 들 수 있다. 이들은 1종 단독 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.These are available as commercial products. Examples of the bisphenol A epoxy resin include epoxy resins such as JER827, JER828, JER834, JER1001, JER1002, JER1003, JER1055, JER1007, JER1009, JER1010 (manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd.), EPICLON860, EPICLON1050, EPICLON1051, EPICLON1055 (Manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd.), EPICLON 830, EPICLON 835 (manufactured by DIC Co., Ltd.), and the like can be used as the bisphenol F type epoxy resin, JER806, JER807, JER4004, JER4005, JER4007, JER4010 JER152, JER154, JER157S65, and JER157S70 (all manufactured by Japan Epoxy Resins Co., Ltd.) (manufactured by Nippon Kayaku K.K.), phenol novolak type epoxy resin EPICLONN-740, EPICLONN-770 and EPICLONN-775 (manufactured by DIC Corporation), and EPICLONN-660, EPICLONN-665, EPICLONN- Examples of the aliphatic epoxy resin include ADEKARESINEP-4080S, EPICLONN-680, EPICLONN-690, EPICLONN-690, EPICLONN- 695 (manufactured by DIC Corporation), EOCN- EP-4085S (Manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd.), EP-4088S (manufactured by ADEKA, Inc.), Suloxide 2021P, Suloxide 2081, Suloxide 2083, Suloxide 2085, EHPE 3150, EPOLEADPB3600 and PB4700 . In addition, ADEKARESINEP-4000S, EP-4003S, EP-4010S and EP-4011S (manufactured by ADEKA), NC-2000, NC-3000, NC-7300, XD- , EPPN-502 (manufactured by ADEKA Co., Ltd.), and the like. These may be used alone or in combination of two or more.

이들 중에서 바람직한 것으로서는, 비스페놀A형 에폭시 수지, 비스페놀F형 에폭시 수지, 지방족 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지를 들 수 있다. 특히 비스페놀A형 에폭시 수지, 지방족 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지가 바람직하다.Of these, preferred are bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, aliphatic epoxy resin and phenol novolak type epoxy resin. Particularly, bisphenol A type epoxy resins, aliphatic epoxy resins and phenol novolak type epoxy resins are preferable.

분자 내에 2개 이상의 옥세탄기를 함유하는 화합물의 구체예로서, 아론옥세탄OXT-121, OXT-221, OX-SQ, PNOX(이상, 도아고세이(주)제)를 사용할 수 있다.As a specific example of the compound containing two or more oxetane groups in the molecule, Aromoxetane OXT-121, OXT-221, OX-SQ and PNOX (manufactured by DOA GOSEI CO., LTD.) Can be used.

분자 내에 2개 이상의 에폭시기 또는 옥세타닐기를 갖는 화합물의 감광성 수지 조성물에의 첨가량은 (A) 성분의 총량을 100중량부로 했을 때, 1∼50중량부가 바람직하고, 3∼30중량부가 보다 바람직하다.The amount of the compound having two or more epoxy groups or oxetanyl groups in the molecule to be added to the photosensitive resin composition is preferably 1 to 50 parts by weight, more preferably 3 to 30 parts by weight, based on 100 parts by weight of the total amount of the component (A) .

<알콕시메틸기 함유 가교제><Crosslinking agent containing alkoxymethyl group>

알콕시메틸기 함유 가교제로서는, 알콕시메틸화멜라민, 알콕시메틸화벤조구아나민, 알콕시메틸화글리콜라우릴 및 알콕시메틸화요소 등이 바람직하다. 이들은, 각각 메틸올화멜라민, 메틸올화벤조구아나민, 메틸올화글리콜라우릴, 또는, 메틸올화요소의 메틸올기를 알콕시메틸기로 변환함으로써 얻어진다. 이 알콕시메틸기의 종류에 대해서는 특별히 한정되는 것은 아니고, 예를 들면, 메톡시메틸기, 에톡시메틸기, 프로폭시메틸기, 부톡시메틸기 등을 들 수 있지만, 아웃가스(out-gas)의 발생량의 관점에서, 특히 메톡시메틸기가 바람직하다.As the alkoxymethyl group-containing crosslinking agent, alkoxymethylated melamine, alkoxymethylated benzoguanamine, alkoxymethylated glycolauryl and alkoxymethylated elements are preferable. These are obtained by converting methylol melamine, methylol benzoguanamine, methylol fatty acid glycoluril, or the methylol group of methylol moiety into an alkoxymethyl group, respectively. The kind of the alkoxymethyl group is not particularly limited, and examples thereof include a methoxymethyl group, an ethoxymethyl group, a propoxymethyl group, and a butoxymethyl group. From the viewpoint of the amount of out-gas generation, , And particularly preferably a methoxymethyl group.

이들 가교성 화합물 중, 알콕시메틸화멜라민, 알콕시메틸화벤조구아나민, 알콕시메틸화글리콜라우릴이 바람직한 가교성 화합물로서 들 수 있고, 투명성의 관점에서, 알콕시메틸화글리콜라우릴이 특히 바람직하다.Of these crosslinking compounds, alkoxymethylated melamine, alkoxymethylated benzoguanamine, and alkoxymethylated glycolyuril are preferable crosslinking compounds, and from the viewpoint of transparency, alkoxymethylated glycolauryl is particularly preferable.

이들 알콕시메틸기 함유 가교제는, 시판품으로서 입수 가능하며, 예를 들면, 사이멜300, 301, 303, 370, 325, 327, 701, 266, 267, 238, 1141, 272, 202, 1156, 1158, 1123, 1170, 1174, UFR65, 300(이상, 미쯔이사이아나미드(주)제), 니칼락MX-750, -032, -706, -708, -40, -31, -270, -280, -290, 니칼락MS-11, 니칼락MW-30HM, -100LM, -390, (이상, (주)산와케미컬제) 등을 바람직하게 사용할 수 있다.These alkoxymethyl group-containing crosslinking agents are commercially available, for example, from Cymel 300, 301, 303, 370, 325, 327, 701, 266, 267, 238, 1141, 272, 202, 1156, 1158, 1123 , 1170, 1174, UFR65, 300 (manufactured by Mitsui Cyanamid Co.), Nigalak MX-750, -032, -706, -708, -40, -31, -270, -280, -290 , Nicalac MS-11, Nicalac MW-30HM, -100 LM, -390 (manufactured by Sanwa Chemical Co., Ltd.), and the like can be preferably used.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 알콕시메틸기 함유 가교제를 사용하는 경우의 알콕시메틸기 함유 가교제의 첨가량은, (A) 성분 100중량부에 대해, 0.05∼50중량부인 것이 바람직하고, 0.5∼10중량부인 것이 보다 바람직하다. 이 범위에서 첨가함으로써, 현상시의 바람직한 알칼리 용해성과, 경화 후의 막의 뛰어난 내용제성이 얻어진다.When the alkoxymethyl group-containing crosslinking agent is used in the photosensitive resin composition of the present invention, the amount of the alkoxymethyl group-containing crosslinking agent to be added is preferably 0.05 to 50 parts by weight, more preferably 0.5 to 10 parts by weight per 100 parts by weight of the component (A) desirable. The addition in this range provides a favorable alkali solubility at the time of development and excellent solvent resistance of the film after curing.

<적어도 1개의 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물>&Lt; Compounds having at least one ethylenically unsaturated double bond >

적어도 1개의 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물로서는, 단관능 (메타)아크릴레이트, 2관능 (메타)아크릴레이트, 3관능 이상의 (메타)아크릴레이트 등의 (메타)아크릴레이트 화합물을 호적하게 사용할 수 있다.As the compound having at least one ethylenic unsaturated double bond, a (meth) acrylate compound such as monofunctional (meth) acrylate, bifunctional (meth) acrylate or trifunctional or higher functional (meth) have.

단관능 (메타)아크릴레이트로서는, 예를 들면, 2-히드록시에틸(메타)아크릴레이트, 카르비톨(메타)아크릴레이트, 이소보르닐(메타)아크릴레이트, 3-메톡시부틸(메타)아크릴레이트, 2-(메타)아크릴로일옥시에틸-2-히드록시프로필프탈레이트 등을 들 수 있다.Examples of the monofunctional (meth) acrylate include 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, carbitol (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate, 3-methoxybutyl And 2- (meth) acryloyloxyethyl-2-hydroxypropyl phthalate.

2관능 (메타)아크릴레이트로서는, 예를 들면, 에틸렌글리콜(메타)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메타)아크릴레이트, 1,9-노난디올디(메타)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 비스페녹시에탄올플루오렌디아크릴레이트, 비스페녹시에탄올플루오렌디아크릴레이트 등을 들 수 있다.Examples of the bifunctional (meth) acrylate include ethylene glycol (meth) acrylate, 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, 1,9-nonanediol (meth) acrylate, polypropylene glycol Di (meth) acrylate, tetraethylene glycol di (meth) acrylate, bisphenoxyethanol fluorene diacrylate, and bisphenoxyethanol fluorene diacrylate.

3관능 이상의 (메타)아크릴레이트로서는, 예를 들면 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메타)아크릴레이트, 트리((메타)아크릴로일옥시에틸)포스페이트, 펜타에리트리톨테트라(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다.Examples of trifunctional or higher (meth) acrylates include trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, tri ((meth) acryloyloxyethyl) phosphate, pentaerythritol tetra (Meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, and the like.

이들의 적어도 1개의 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물은, 1종 단독 또는 2종 이상을 조합하여 사용된다.These compounds having at least one ethylenic unsaturated double bond are used singly or in combination of two or more.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 적어도 1개의 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물의 사용 비율은, (A) 성분 100중량부에 대해, 50중량부 이하인 것이 바람직하고, 30중량부 이하인 것이 보다 바람직하다. 이와 같은 비율로 적어도 1개의 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물을 함유시킴으로써, 본 발명의 감광성 수지 조성물로부터 얻어지는 절연막의 내열성 및 표면 경도 등을 향상시킬 수 있다. 적어도 1개의 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물을 가하는 경우에는, (J) 열라디칼 발생제를 첨가하는 것이 바람직하다.The proportion of the compound having at least one ethylenically unsaturated double bond in the photosensitive resin composition of the present invention is preferably 50 parts by weight or less, more preferably 30 parts by weight or less, based on 100 parts by weight of the component (A) Do. By containing a compound having at least one ethylenically unsaturated double bond in such a ratio, the heat resistance and surface hardness of the insulating film obtained from the photosensitive resin composition of the present invention can be improved. When a compound having at least one ethylenically unsaturated double bond is added, (J) a heat radical generator is preferably added.

(F) 밀착 개량제(F) Adhesion improver

본 발명의 감광성 수지 조성물은, (F) 밀착 개량제를 함유해도 좋다.The photosensitive resin composition of the present invention may contain (F) an adhesion improver.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 사용할 수 있는 (F) 밀착 개량제는, 기재가 되는 무기물, 예를 들면, 실리콘, 산화실리콘, 질화실리콘 등의 실리콘 화합물, 금, 구리, 알루미늄 등의 금속과 절연막과의 밀착성을 향상시키는 화합물이다. 구체적으로는, 실란 커플링제, 티올계 화합물 등을 들 수 있다. 본 발명에서 사용되는 (F) 밀착 개량제로서의 실란 커플링제는, 계면의 개질을 목적으로 하는 것이며, 특별히 한정하지 않고, 공지의 것을 사용할 수 있다.The (F) adhesion improver that can be used in the photosensitive resin composition of the present invention can be obtained by reacting an inorganic substance to be a base material, for example, a silicon compound such as silicon, silicon oxide, or silicon nitride, a metal such as gold, Thereby improving adhesion. Specific examples thereof include silane coupling agents and thiol compounds. The silane coupling agent as the (F) adhesion improver used in the present invention is intended to modify the interface and is not particularly limited, and a known silane coupling agent can be used.

바람직한 실란 커플링제로서는, 예를 들면, γ-아미노프로필트리메톡시실란, γ-아미노프로필트리에톡시실란, γ-글리시독시프로필트리알콕시실란, γ-글리시독시프로필알킬디알콕시실란, γ-메타크릴옥시프로필트리알콕시실란, γ-메타크릴옥시프로필알킬디알콕시실란, γ-클로로프로필트리알콕시실란, γ-메르캅토프로필트리알콕시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리알콕시실란, 비닐트리알콕시실란을 들 수 있다.Preferable silane coupling agents include, for example,? -Aminopropyltrimethoxysilane,? -Aminopropyltriethoxysilane,? -Glycidoxypropyltrialkoxysilane,? -Glycidoxypropylalkyldialkoxysilane,? -Methacryloxypropyltrialkoxysilane,? -Methacryloxypropylalkyldialkoxysilane,? -Chloropropyltrialkoxysilane,? -Mercaptopropyltrialkoxysilane,? - (3,4-epoxycyclohexyl) ethyl tri Alkoxysilane, and vinyltrialkoxysilane.

이들 중, γ-글리시독시프로필트리알콕시실란이나 γ-메타크릴옥시프로필트리알콕시실란이 보다 바람직하고, γ-글리시독시프로필트리알콕시실란이 더욱 바람직하다.Among these,? -Glycidoxypropyltrialkoxysilane and? -Methacryloxypropyltrialkoxysilane are more preferable, and? -Glycidoxypropyltrialkoxysilane is more preferable.

이들은 1종 단독 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 이들은 기판과의 밀착성의 향상에 유효함과 함께, 기판과의 테이퍼각의 조정에도 유효하다.These may be used alone or in combination of two or more. These are effective for improving the adhesion with the substrate, and are also effective for adjusting the taper angle with the substrate.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 (F) 밀착 개량제의 함유량은, (A) 성분 100중량부에 대해, 0.1∼20중량부가 바람직하고, 0.5∼10중량부가 보다 바람직하다.The content of the (F) adhesion improver in the photosensitive resin composition of the present invention is preferably 0.1 to 20 parts by weight, more preferably 0.5 to 10 parts by weight, per 100 parts by weight of the component (A).

(G) 염기성 화합물(G) Basic compound

본 발명의 감광성 수지 조성물은, (G) 염기성 화합물을 함유해도 좋다.The photosensitive resin composition of the present invention may contain (G) a basic compound.

(G) 염기성 화합물로서는, 화학 증폭 레지스트로 사용되는 것 중에서 임의로 선택하여 사용할 수 있다. 예를 들면, 지방족 아민, 방향족 아민, 복소환식 아민, 제4급 암모늄히드록시드, 카르복시산의 제4급 암모늄염 등을 들 수 있다.As the basic compound (G), any of those used as a chemically amplified resist may be selected and used. Examples thereof include aliphatic amines, aromatic amines, heterocyclic amines, quaternary ammonium hydroxides, quaternary ammonium salts of carboxylic acids, and the like.

지방족 아민으로서는, 예를 들면, 트리메틸아민, 디에틸아민, 트리에틸아민, 디-n-프로필아민, 트리-n-프로필아민, 디-n-펜틸아민, 트리-n-펜틸아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 디시클로헥실아민, 디시클로헥실메틸아민 등을 들 수 있다.Examples of the aliphatic amine include aliphatic amines such as trimethylamine, diethylamine, triethylamine, di-n-propylamine, tri-n-propylamine, di- , Triethanolamine, dicyclohexylamine, dicyclohexylmethylamine, and the like.

방향족 아민으로서는, 예를 들면, 아닐린, 벤질아민, N,N-디메틸아닐린, 디페닐아민 등을 들 수 있다.Examples of the aromatic amine include aniline, benzylamine, N, N-dimethylaniline, and diphenylamine.

복소환식 아민으로서는, 예를 들면, 피리딘, 2-메틸피리딘, 4-메틸피리딘, 2-에틸피리딘, 4-에틸피리딘, 2-페닐피리딘, 4-페닐피리딘, N-메틸-4-페닐피리딘, 4-디메틸아미노피리딘, 이미다졸, 벤즈이미다졸, 4-메틸이미다졸, 2-페닐벤즈이미다졸, 2,4,5-트리페닐이미다졸, 니코틴, 니코틴산, 니코틴산아미드, 퀴놀린, 8-옥시퀴놀린, 피라진, 피라졸, 피리다진, 푸린, 피롤리딘, 피페리딘, 피페라진, 모르폴린, 4-메틸모르폴린, 1,5-디아자비시클로[4.3.0]-5-노넨, 1,8-디아자비시클로[5.3.0]-7-운데센 등을 들 수 있다.Examples of heterocyclic amines include pyridine, 2-methylpyridine, 4-methylpyridine, 2-ethylpyridine, 4-ethylpyridine, 2-phenylpyridine, 4-phenylpyridine, Benzimidazole, 4-methylimidazole, 2-phenylbenzimidazole, 2,4,5-triphenylimidazole, nicotine, nicotinic acid, nicotinamide, quinoline, 8- 4-methyl morpholine, 1,5-diazabicyclo [4.3.0] -5-nonene, pyrrolidine, piperidine, piperazine, morpholine, 1,8-diazabicyclo [5.3.0] -7-undecene and the like.

제4급 암모늄히드록시드로서는, 예를 들면, 테트라메틸암모늄히드록시드, 테트라에틸암모늄히드록시드, 테트라-n-부틸암모늄히드록시드, 테트라-n-헥실암모늄히드록시드 등을 들 수 있다.Examples of quaternary ammonium hydroxides include tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, tetra-n-butylammonium hydroxide and tetra-n-hexylammonium hydroxide. have.

카르복시산의 제4급 암모늄염으로서는, 예를 들면, 테트라메틸암모늄아세테이트, 테트라메틸암모늄벤조에이트, 테트라-n-부틸암모늄아세테이트, 테트라-n-부틸암모늄벤조에이트 등을 들 수 있다.Examples of the quaternary ammonium salt of carboxylic acid include tetramethylammonium acetate, tetramethylammonium benzoate, tetra-n-butylammonium acetate and tetra-n-butylammonium benzoate.

본 발명에 사용할 수 있는 염기성 화합물은, 1종 단독으로 사용해도, 2종 이상을 병용해도 좋지만, 2종 이상을 병용하는 것이 바람직하고, 2종을 병용하는 것이 보다 바람직하고, 복소환식 아민을 2종 병용하는 것이 더욱 바람직하다.The basic compounds usable in the present invention may be used singly or in combination of two or more kinds, but two or more kinds thereof are preferably used in combination, more preferably two kinds of them, and heterocyclic amines are substituted with 2 More preferably in combination.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 (G) 염기성 화합물의 함유량은, (A) 성분 100중량부에 대해, 0.001∼1중량부인 것이 바람직하고, 0.005∼0.2중량부인 것이 보다 바람직하다.The content of the (G) basic compound in the photosensitive resin composition of the present invention is preferably 0.001 to 1 part by weight, more preferably 0.005 to 0.2 part by weight, per 100 parts by weight of the component (A).

(H) 계면활성제(H) Surfactant

본 발명의 감광성 수지 조성물은, (H) 계면활성제를 함유해도 좋다.The photosensitive resin composition of the present invention may contain (H) a surfactant.

(H) 계면활성제로서는, 음이온계, 양이온계, 비이온계, 또는, 양성의 어느 것이라도 사용할 수 있지만, 바람직한 계면활성제는 비이온계 계면활성제이다.As the surfactant (H), any of anionic, cationic, nonionic or amphoteric surfactants can be used, but preferred surfactants are nonionic surfactants.

비이온계 계면활성제의 예로서는, 폴리옥시에틸렌 고급 알킬에테르류, 폴리옥시에틸렌 고급 알킬페닐에테르류, 폴리옥시에틸렌글리콜의 고급 지방산디에스테르류, 실리콘계, 불소계 계면활성제를 들 수 있다. 또한, 이하 상품명으로, KP(신에츠가가쿠고교(주)제), 폴리플로우(고에이샤가가쿠(주)제), 에프톱(JEMCO사제), 메가팩(DIC(주)제), 플로라도(스미토모-쓰리엠(주)제), 아사히가드, 서플론(아사히글래스(주)제), PolyFox(OMNOVA사제) 등의 각 시리즈를 들 수 있다.Examples of nonionic surfactants include polyoxyethylene higher alkyl ethers, polyoxyethylene higher alkyl phenyl ethers, higher fatty acid diesters of polyoxyethylene glycol, silicones, and fluorine surfactants. (Trade names, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), Polyflow (manufactured by Goeisha Chemical Co., Ltd.), F-top (manufactured by JEMCO), Megapack (manufactured by DIC Corporation) (Manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.) and PolyFox (manufactured by OMNOVA Co., Ltd.), and the like.

또한, 계면활성제로서, 하기식(1)으로 표시되는 구성 단위A 및 구성 단위B를 함유하고, 테트라히드로푸란(THF)을 용매로 한 경우의 겔투과 크로마토그래피로 측정되는 폴리스티렌 환산의 중량평균 분자량(Mw)이 1,000 이상 10,000 이하인 공중합체를 바람직한 예로서 들 수 있다.The surfactant preferably has a weight average molecular weight in terms of polystyrene measured by gel permeation chromatography when the surfactant contains the constituent unit A and the constituent unit B represented by the following formula (1) and tetrahydrofuran (THF) (Mw) of 1,000 or more and 10,000 or less can be mentioned as a preferable example.

Figure 112010066435470-pat00039
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(식(1) 중, R1 및 R3은 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R2는 탄소수 1 이상 4 이하의 직쇄 알킬렌기를 나타내고, R4는 수소 원자 또는 탄소수 1 이상 4 이하의 알킬기를 나타내고, L은 탄소수 3 이상 6 이하의 알킬렌기를 나타내고, p 및 q는 중합비를 나타내는 중량 백분율이며, p는 10중량% 이상 80중량% 이하의 수치를 나타내고, q는 20중량% 이상 90중량% 이하의 수치를 나타내고, r은 1 이상 18 이하의 정수를 나타내고, n은 1 이상 10 이하의 정수를 나타낸다)(Wherein R 1 and R 3 each independently represent a hydrogen atom or a methyl group, R 2 represents a straight chain alkylene group having 1 to 4 carbon atoms and R 4 represents a hydrogen atom or a C1- P represents an alkylene group having 3 to 6 carbon atoms, p and q represent weight percentages indicating polymerization ratios, p represents a value of 10 to 80 wt%, q represents 20 wt% Or more and 90% or less by weight, r is an integer of 1 or more and 18 or less, and n is an integer of 1 or more and 10 or less)

상기 L은, 하기식(2)으로 표시되는 분기 알킬렌기인 것이 바람직하다. 식(2)에 있어서의 R5는, 탄소수 1 이상 4 이하의 알킬기를 나타내고, 상용성과 피도포면에 대한 젖음성의 점에서, 탄소수 1 이상 3 이하의 알킬기가 바람직하고, 탄소수 2 또는 3의 알킬기가 보다 바람직하다. p와 q와의 합(p+q)은, p+q=100, 즉, 100중량%인 것이 바람직하다.It is preferable that L is a branched alkylene group represented by the following formula (2). R 5 in the formula (2) represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms and is preferably an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms in terms of compatibility and wettability to a surface to be coated, and an alkyl group having 2 or 3 carbon atoms More preferable. It is preferable that the sum (p + q) of p and q is p + q = 100, that is, 100% by weight.

Figure 112010066435470-pat00040
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상기 공중합체의 중량평균 분자량(Mw)은, 1,500 이상 5,000 이하가 보다 바람직하다.The weight average molecular weight (Mw) of the copolymer is more preferably from 1,500 to 5,000.

이들 계면활성제는, 1종 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.These surfactants may be used singly or in combination of two or more.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 (H) 계면활성제의 첨가량은, (A) 성분 100중량부에 대해, 10중량부 이하인 것이 바람직하고, 0.01∼10중량부인 것이 보다 바람직하고, 0.01∼1중량부인 것이 더욱 바람직하다.The amount of the surfactant (H) added to the photosensitive resin composition of the present invention is preferably 10 parts by weight or less, more preferably 0.01 to 10 parts by weight, and even more preferably 0.01 to 1 part by weight based on 100 parts by weight of the component (A) It is more desirable to be negative.

(I) 가소제(I) a plasticizer

본 발명의 감광성 수지 조성물은, (I) 가소제를 함유해도 좋다.The photosensitive resin composition of the present invention may contain (I) a plasticizer.

(I) 가소제로서는, 예를 들면, 디부틸프탈레이트, 디옥틸프탈레이트, 디도데실프탈레이트, 폴리에틸렌글리콜, 글리세린, 디메틸글리세린프탈레이트, 타르타르산디부틸, 아디프산디옥틸, 트리아세틸글리세린 등을 들 수 있다.Examples of the plasticizer (I) include dibutyl phthalate, dioctyl phthalate, didodecyl phthalate, polyethylene glycol, glycerin, dimethyl glycerine phthalate, dibutyl tartrate, dioctyl adipate and triacetyl glycerin.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 (I) 가소제의 첨가량은, (A) 성분 100중량부에 대해, 0.1∼30중량부인 것이 바람직하고, 1∼10중량부인 것이 보다 바람직하다.The amount of the plasticizer (I) added to the photosensitive resin composition of the present invention is preferably 0.1 to 30 parts by weight, more preferably 1 to 10 parts by weight, per 100 parts by weight of the component (A).

(J) 열라디칼 발생제(J) Thermal radical generator

본 발명의 감광성 수지 조성물은, (J) 열라디칼 발생제를 함유하고 있어도 좋고, 상술한 적어도 1개의 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물과 같은 에틸렌성 불포화 화합물을 함유하는 경우, (J) 열라디칼 발생제를 함유하는 것이 바람직하다.The photosensitive resin composition of the present invention may contain (J) a thermal radical generator, and when it contains an ethylenically unsaturated compound such as a compound having at least one ethylenically unsaturated double bond as described above, (J) a thermal radical It is preferable to contain the generator.

본 발명에 있어서의 열라디칼 발생제로서는, 공지의 라디칼 발생제를 사용할 수 있다.As the thermal radical generator in the present invention, a known radical generator may be used.

열라디칼 발생제는, 열의 에너지에 의해 라디칼을 발생하여, 중합성 화합물의 중합 반응을 개시 또는 촉진시키는 화합물이다. 열라디칼 발생제를 첨가함으로써, 얻어진 경화막이 보다 강인하게 되고, 내열성, 내용제성이 향상하는 경우가 있다.The thermal radical generator is a compound that generates radicals by heat energy to initiate or promote the polymerization reaction of the polymerizable compound. By adding a thermal radical generator, the resulting cured film becomes more tough, and heat resistance and solvent resistance are sometimes improved.

바람직한 열라디칼 발생제로서는, 방향족 케톤류, 오늄염 화합물, 유기 과산화물, 티오 화합물, 헥사아릴비이미다졸 화합물, 케토옥심에스테르 화합물, 보레이트 화합물, 아지늄 화합물, 메탈로센 화합물, 활성 에스테르 화합물, 탄소할로겐 결합을 갖는 화합물, 아조계 화합물, 비벤질 화합물 등을 들 수 있다.Preferred thermal radical generators include aromatic ketones, onium salt compounds, organic peroxides, thio compounds, hexaarylbimidazole compounds, ketooxime ester compounds, borate compounds, azinium compounds, metallocene compounds, active ester compounds, A compound having a bond, an azo-based compound, and a non-benzyl compound.

(J) 열라디칼 발생제는, 1종을 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 병용하는 것도 가능하다.As the thermal radical generator (J), one type may be used alone, or two or more types may be used in combination.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 (J) 열라디칼 발생제의 첨가량은, 막 물성 향상의 관점에서, (A) 공중합체를 100중량부로 했을 때, 0.01∼50중량부가 바람직하고, 0.1∼20중량부가 보다 바람직하고, 0.5∼10중량부인 것이 가장 바람직하다.The amount of the heat radical generator (J) to be added to the photosensitive resin composition of the present invention is preferably 0.01 to 50 parts by weight, more preferably 0.1 to 20 parts by weight, based on 100 parts by weight of the copolymer (A) More preferably 0.5 to 10 parts by weight.

(경화막의 형성 방법)(Method of forming a cured film)

다음으로, 본 발명의 경화막의 형성 방법을 설명한다.Next, a method of forming the cured film of the present invention will be described.

본 발명의 경화막의 형성 방법은, 이하의 (1)∼(5)의 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.The method for forming a cured film of the present invention is characterized by including the following steps (1) to (5).

(1) 본 발명의 감광성 수지 조성물을 기판 위에 도포하는 도포 공정(1) a coating step of applying the photosensitive resin composition of the present invention on a substrate

(2) 도포된 감광성 수지 조성물로부터 용제를 제거하는 용제 제거 공정(2) a solvent removing step of removing the solvent from the applied photosensitive resin composition

(3) 활성 광선에 의해 노광하는 노광 공정(3) an exposure process for exposing by an actinic ray

(4) 수성 현상액에 의해 현상하는 현상 공정(4) a development step of developing with an aqueous developer

(5) 열경화하는 포스트베이킹 공정(5) Post-baking process for thermosetting

이하에 각 공정을 순서대로 설명한다.Each step will be described below in order.

(1)의 도포 공정에서는, 본 발명의 감광성 수지 조성물을 기판 위에 도포하여 용제를 함유하는 습윤막으로 한다.(1), the photosensitive resin composition of the present invention is applied onto a substrate to form a wet film containing a solvent.

(2)의 용제 제거 공정에서는, 도포된 상기 막으로부터, 감압(배큠) 및/또는 가열에 의해, 용제를 제거하여 기판 위에 건조 도막을 형성시킨다.In the solvent removing step (2), the solvent is removed from the coated film by reduced pressure (vacuum) and / or heating to form a dried coating film on the substrate.

(3)의 노광 공정에서는, 얻어진 도막에 파장 300nm 이상 450nm 이하의 활성 광선을 조사한다. 이 공정에서는, (B) 광산 발생제가 분해하여 산이 발생한다. 발생한 산의 촉매 작용에 의해, (A) 공중합체 중에 함유되는 모노머 단위(1) 및 모노머 단위(2) 중의 산분해성기가 가수 분해되어, 카르복시기 및 페놀성 수산기가 생성한다.In the exposure step of (3), an active ray having a wavelength of 300 nm or more and 450 nm or less is irradiated to the obtained coating film. In this step, (B) the photoacid generator is decomposed to generate acid. The acid-decomposable group in the monomer unit (1) and the monomer unit (2) contained in the (A) copolymer is hydrolyzed by the catalytic action of the generated acid to produce a carboxyl group and a phenolic hydroxyl group.

산 촉매가 생성한 영역에 있어서, 상기 가수 분해 반응을 가속시키기 위해서, 필요에 따라, 노광 후 가열 처리 : Post Exposure Bake(이하, 「PEB」라고도 한다)를 행할 수 있다. PEB에 의해, 산분해성기로부터의 카르복시기 및 페놀성 수산기의 생성을 촉진시킬 수 있다.Post-exposure heat treatment: Post Exposure Bake (hereinafter, also referred to as &quot; PEB &quot;) may be performed as needed in order to accelerate the hydrolysis reaction in the region formed by the acid catalyst. With PEB, the generation of a carboxyl group and a phenolic hydroxyl group from the acid decomposable group can be promoted.

본 발명에 있어서의 모노머 단위(1) 및 모노머 단위(2) 중의 산분해성기는, 산분해의 활성화 에너지가 낮고, 노광에 의한 산 발생제 유래의 산에 의해 용이하게 분해하여, 카르복시기 및 페놀성 수산기를 발생하기 때문에, 반드시 PEB를 행하지 않고, 현상에 의해 포지티브 화상을 형성할 수도 있다.The acid decomposable group in the monomer unit (1) and the monomer unit (2) in the present invention has a low activation energy for acid decomposition and is easily decomposed by an acid derived from an acid generator by exposure to form a carboxyl group and a phenolic hydroxyl group A positive image can be formed by development without necessarily performing PEB.

또, 비교적 저온으로 PEB를 행함으로써, 가교 반응을 일으키지 않고, 산분해성기의 가수 분해를 촉진할 수도 있다. PEB를 행하는 경우의 온도는, 30℃ 이상 130℃ 이하인 것이 바람직하고, 40℃ 이상 110℃ 이하가 보다 바람직하고, 50℃ 이상 80℃ 이하가 특히 바람직하다.By performing PEB at a relatively low temperature, the hydrolysis of the acid decomposable group can be promoted without causing a crosslinking reaction. The temperature at which PEB is carried out is preferably 30 占 폚 to 130 占 폚, more preferably 40 占 폚 to 110 占 폚, and particularly preferably 50 占 폚 to 80 占 폚.

(4)의 현상 공정에서는, 유리(遊離)한 카르복시기 및 페놀성 수산기를 갖는 중합체를 알칼리성 현상액을 사용하여 현상한다. 알칼리성 현상액에 용해하기 쉬운 카르복시기 및 페놀성 수산기를 갖는 수지 조성물을 함유하는 노광부 영역을 제거함으로써, 포지티브 화상이 형성한다.(4), the free (liberated) carboxyl group and the polymer having a phenolic hydroxyl group are developed using an alkaline developer. A positive image is formed by removing the exposed region containing a resin composition having a carboxyl group and a phenolic hydroxyl group which is easily dissolved in an alkaline developing solution.

(5)의 포스트베이킹 공정에 있어서, 얻어진 포지티브 화상을 가열함으로써, 모노머 단위(1) 및 모노머 단위(2) 중의 산분해성기를 열분해하여 카르복시기 및 페놀성 수산기를 생성시키고, 에폭시기 및/또는 옥세타닐기(3원환의 환상 에테르 잔기 및/또는 4원환의 환상 에테르 잔기)와 가교시킴으로써, 경화막을 형성할 수 있다. 이 가열은, 150℃ 이상의 고온으로 가열하는 것이 바람직하고, 180∼250℃로 가열하는 것이 보다 바람직하고, 200∼250℃로 가열하는 것이 특히 바람직하다. 가열 시간은, 가열 온도 등에 따라 적절히 설정할 수 있지만, 10∼90분의 범위 내로 하는 것이 바람직하다.(1) and the monomer unit (2) by thermal decomposition of the acid-decomposable group in the post-baking step of the step (5) to produce a carboxyl group and a phenolic hydroxyl group, and an epoxy group and / or an oxetanyl group (A cyclic ether residue of a 3-membered ring and / or a cyclic ether residue of a 4-membered ring), whereby a cured film can be formed. This heating is preferably performed at a high temperature of 150 ° C or higher, more preferably 180 ° C to 250 ° C, and particularly preferably 200 ° C to 250 ° C. The heating time can be appropriately set according to the heating temperature and the like, but it is preferably within a range of 10 to 90 minutes.

포스트베이킹 공정 전에 활성 광선, 바람직하게는 자외선을, 현상 패턴에 전면 조사하는 공정을 가하면, 활성 광선조사에 의해 발생하는 산에 의해 가교 반응을 촉진할 수 있다.When a step of irradiating an entire surface of the development pattern with an actinic ray, preferably ultraviolet light, is carried out before the post-baking step, the cross-linking reaction can be promoted by an acid generated by actinic light irradiation.

다음으로, 본 발명의 감광성 수지 조성물을 사용한 경화막의 형성 방법을 구체적으로 설명한다.Next, a method for forming a cured film using the photosensitive resin composition of the present invention will be described in detail.

<감광성 수지 조성물의 제조 방법>&Lt; Method of producing photosensitive resin composition >

(A)∼(C)의 필수 성분을 소정의 비율로 임의의 방법으로 혼합하여, 교반 용해하여 감광성 수지 조성물을 제조한다. 예를 들면, (A) 또는 (B) 성분을, 각각 미리 (C) 용제에 용해시킨 용액으로 한 후, 이들을 소정의 비율로 혼합하고 수지 조성물을 제조할 수도 있다. 이상과 같이 제조한 조성물 용액은, 공경(孔徑) 0.2㎛의 필터 등을 사용하여 여과한 후에, 사용에 제공할 수도 있다.(A) to (C) are mixed in an arbitrary manner at a predetermined ratio, and dissolved by stirring to prepare a photosensitive resin composition. For example, it is also possible to prepare a solution in which the component (A) or (B) is dissolved in advance in the solvent (C), and then mix them in a predetermined ratio to prepare a resin composition. The composition solution prepared as described above may be used after being filtered using a filter having a pore diameter of 0.2 mu m or the like.

<도포 공정 및 용제 제거 공정><Coating Process and Solvent Removal Process>

수지 조성물을, 소정의 기판에 도포하고, 감압 및/또는 가열(프리베이킹)에 의해 용매를 제거함으로써, 원하는 건조 도막을 형성할 수 있다. 상기 기판으로서는, 예를 들면 액정 표시 소자의 제조에 있어서는, 편광판, 또한 필요에 따라 블랙 매트릭스층, 컬러 필터층을 마련하고, 또한 투명 도전 회로층을 마련한 유리판 등을 예시할 수 있다. 기판에의 도포 방법은 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 슬릿 코팅법, 스프레이법, 롤 코팅법, 회전 도포법 등의 방법을 사용할 수 있다. 그 중에서도 슬릿 코팅법이 대형 기판에 적합하다는 관점에서 바람직하다. 여기서 대형 기판이란, 각 변이 1m 이상의 크기의 기판을 말한다.A desired dry film can be formed by applying the resin composition to a predetermined substrate and removing the solvent by reduced pressure and / or heating (prebaking). As the substrate, for example, in the production of a liquid crystal display element, a polarizing plate, a glass plate provided with a black matrix layer, a color filter layer and a transparent electroconductive circuit layer as required can be exemplified. The coating method on the substrate is not particularly limited, and for example, a slit coating method, a spraying method, a roll coating method, and a spin coating method can be used. Among them, the slit coating method is preferable from the viewpoint of being suitable for a large substrate. Here, a large substrate refers to a substrate having a size of 1 m or more on each side.

또한, (2) 용제 제거 공정의 가열 조건은, 미노광부에 있어서의 (A) 성분 중의 모노머 단위(1) 및 모노머 단위(2) 등에 있어서 산분해성기가 분해하여, (A) 성분을 알칼리 현상액에 가용성으로 하지 않는 범위이며, 각 성분의 종류나 배합비에 따라서도 다르지만, 바람직하게는 80∼130℃에서 30∼120초간 정도이다.The heating condition of the solvent removal step (2) is such that the acid decomposable group decomposes in the monomer unit (1) and the monomer unit (2) in the component (A) in the unexposed portion and the component (A) And it varies depending on the kind of each component and blending ratio, and is preferably about 80 to 130 DEG C for about 30 to 120 seconds.

<노광 공정 및 현상 공정(패턴 형성 방법)>&Lt; Exposure step and development step (pattern formation method) >

노광 공정에서는, 도막을 마련한 기판에 소정의 패턴을 갖는 마스크를 통해, 활성 광선을 조사한다. 노광 공정 후, 필요에 따라 가열 처리(PEB)를 행한 후, 현상 공정에서는, 알칼리성 현상액을 사용하여 노광부 영역을 제거하여 화상 패턴을 형성한다.In the exposure step, an active ray is irradiated onto a substrate provided with a coating film through a mask having a predetermined pattern. After the exposure process, a heating process (PEB) is carried out if necessary, and in the development process, an exposed area is removed by using an alkaline developer to form an image pattern.

활성 광선에 의한 노광에는, 저압 수은등, 고압 수은등, 초고압 수은등, 케미컬 램프, LED광원, 엑시머 레이저 발생 장치 등을 사용할 수 있고, g선(436nm), i선(365nm), h선(405nm) 등의 파장 300nm 이상 450nm 이하의 파장을 갖는 활성 광선이 바람직하게 사용할 수 있다. 또한, 필요에 따라 장파장 커트 필터, 단파장 커트 필터, 밴드패쓰 필터와 같은 분광 필터를 통하여 조사광을 조정할 수도 있다.(436 nm), i-line (365 nm), h-line (405 nm), and the like can be used for the exposure by the active light beam, and a low pressure mercury lamp, high pressure mercury lamp, ultra high pressure mercury lamp, chemical lamp, LED light source, Of an active ray having a wavelength of 300 nm or more and 450 nm or less can be preferably used. If necessary, the irradiation light can be adjusted through a spectral filter such as a long wavelength cut filter, a short wavelength cut filter, or a band pass filter.

현상 공정에서 사용하는 현상액에는, 염기성 화합물을 사용한다. 염기성 화합물로서는, 예를 들면, 수산화리튬, 수산화나트륨, 수산화칼륨 등의 알칼리 금속 수산화물류; 탄산나트륨, 탄산칼륨 등의 알칼리 금속 탄산염류; 중탄산나트륨, 중탄산칼륨 등의 알칼리 금속 중탄산염류; 테트라메틸암모늄히드록시드, 테트라에틸암모늄히드록시드, 콜린히드록시드 등의 암모늄히드록시드류; 규산나트륨, 메타규산나트륨 등의 수용액을 사용할 수 있다. 또한, 상기 알칼리류의 수용액에 메탄올이나 에탄올 등의 수용성 유기 용제나 계면활성제를 적당량 첨가한 수용액을 현상액으로서 사용할 수도 있다.A basic compound is used for the developing solution used in the developing process. Examples of the basic compound include alkali metal hydroxide such as lithium hydroxide, sodium hydroxide and potassium hydroxide; Alkali metal carbonates such as sodium carbonate and potassium carbonate; Alkali metal bicarbonates such as sodium bicarbonate and potassium bicarbonate; Ammonium hydroxides such as tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, and choline hydroxide; An aqueous solution of sodium silicate, sodium metasilicate or the like can be used. An aqueous solution in which an appropriate amount of a water-soluble organic solvent such as methanol or ethanol or a surfactant is added to the aqueous alkaline solution may be used as a developer.

현상액의 pH는, 바람직하게는 10.0∼14.0이다.The pH of the developing solution is preferably 10.0 to 14.0.

현상 시간은, 바람직하게는 30∼180초간이며, 또한, 현상의 방법은 액성법, 딥핑법 등의 어느 것이어도 좋다. 현상 후에는, 유수 세정을 30∼90초간 행하여, 원하는 패턴을 형성시킬 수 있다.The developing time is preferably 30 to 180 seconds, and the developing method may be any of a liquid method and a dipping method. After the development, a desired pattern can be formed by conducting water washing for 30 to 90 seconds.

<포스트베이킹 공정(가교 공정)>&Lt; Post baking step (crosslinking step) >

현상에 의해 얻어진 미노광 영역에 대응하는 패턴에 대해, 핫플레이트나 오븐 등의 가열 장치를 사용하여, 소정의 온도, 예를 들면 180∼250℃에서 소정의 시간, 예를 들면 핫플레이트 상이면 5∼60분간, 오븐이면 30∼90분간, 가열 처리를 함으로써, (A) 성분에 있어서의 산분해성기를 분해하여, 카르복시기 및 페놀성 수산기를 발생시켜, (A) 성분 중의 에폭시기 및/또는 옥세타닐기인 가교성기와 반응하여, 가교시킴으로써, 내열성, 경도 등이 뛰어난 보호막이나 층간절연막을 형성할 수 있다. 또한, 가열 처리를 행할 때는 질소 분위기 하에서 행함으로써 투명성을 향상시킬 수도 있다.For example, at a predetermined temperature, for example, 180 to 250 DEG C, for a predetermined time, for example, in a hot plate state, by using a heating apparatus such as a hot plate or an oven to a pattern corresponding to the unexposed region, (A) by decomposing the acid-decomposable group in the component (A) to generate a carboxyl group and a phenolic hydroxyl group by heating the mixture for 60 minutes and 60 minutes in an oven for 30 to 90 minutes to obtain an epoxy group and / A protective film or an interlayer insulating film excellent in heat resistance and hardness can be formed by reacting with the crosslinkable group and crosslinking. In addition, transparency can be improved by performing the heat treatment in a nitrogen atmosphere.

또, 가열 처리에 앞서, 패턴을 형성한 기판에 활성 광선에 의해 재노광한 후, 포스트베이킹하는 것(재노광/포스트베이킹)에 의해 미노광 부분에 존재하는 (B) 성분으로부터 산을 발생시켜, 가교 공정을 촉진하는 촉매로서 기능시키는 것이 바람직하다.Prior to the heat treatment, an acid is generated from the component (B) present in the unexposed portion by post-baking (re-exposure / post-baking) after re-exposure to the substrate on which the pattern is formed by an actinic ray , And to function as a catalyst promoting the crosslinking process.

즉, 본 발명의 경화막의 형성 방법은, 현상 공정과 포스트베이킹 공정 사이에, 활성 광선에 의해 재노광하는 재노광 공정을 포함하는 것이 바람직하다.That is, the method of forming a cured film of the present invention preferably includes a re-exposure step of re-exposing by the actinic ray between the developing step and the post-baking step.

재노광 공정에 있어서의 노광은, 상기 노광 공정과 같은 수단에 의해 행하면 좋지만, 상기 재노광 공정에서는, 기판의 본 발명의 감광성 수지 조성물에 의해 막이 형성된 측에 대해, 전면 노광을 행하는 것이 바람직하다.The exposure in the re-exposure step may be performed by the same means as in the exposure step, but in the re-exposure step, it is preferable to perform the whole exposure on the side of the substrate where the film is formed by the photosensitive resin composition of the present invention.

재노광 공정의 바람직한 노광량은, 100∼1,000mJ/cm2이다.A preferable exposure amount of the re-exposure step is 100 to 1,000 mJ / cm &lt; 2 & gt ;.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 의해, 절연성이 뛰어나고, 고온으로 베이크된 경우에 있어서도 높은 투명성을 갖는 층간절연막이 얻어진다. 본 발명의 감광성 수지 조성물을 사용하여 이루어지는 층간절연막은, 높은 투명성을 갖고, 경화막 물성이 뛰어나기 때문에, 유기 EL 표시 장치나 액정 표시 장치의 용도에 유용하다.By the photosensitive resin composition of the present invention, an interlayer insulating film having excellent transparency can be obtained even when it is baked at a high temperature with excellent insulating properties. The interlayer insulating film formed using the photosensitive resin composition of the present invention is useful for an organic EL display device and a liquid crystal display device because it has high transparency and excellent physical properties of a cured film.

본 발명의 유기 EL 표시 장치나 액정 표시 장치로서는, 상기 본 발명의 감광성 수지 조성물을 사용하여 형성되는 평탄화막이나 층간절연막을 갖는 것 이외는 특별히 제한되지 않고, 다양한 구조를 취하는 공지의 각종 유기 EL 표시 장치나 액정 표시 장치를 들 수 있다.The organic EL display device and the liquid crystal display device of the present invention are not particularly limited except that they have a planarizing film or an interlayer insulating film formed using the photosensitive resin composition of the present invention and may be various known organic EL displays Device or a liquid crystal display device.

또한, 본 발명의 감광성 수지 조성물 및 본 발명의 경화막은, 상기 용도에 한정되지 않고 여러가지 용도에 사용할 수 있다. 예를 들면, 평탄화막이나 층간절연막 이외에도, 액정 표시 장치에 있어서의 액정층의 두께를 일정하게 유지하기 위한 스페이서나 고체 촬상 소자에 있어서 컬러 필터 위에 마련되는 마이크로렌즈 등에 호적하게 사용할 수 있다.Further, the photosensitive resin composition of the present invention and the cured film of the present invention are not limited to the above-mentioned use, and can be used for various purposes. For example, in addition to a planarizing film and an interlayer insulating film, a spacer for keeping the thickness of the liquid crystal layer in the liquid crystal display device constant, and a microlens provided on the color filter in the solid-state image pickup device can be used.

도 1은, 유기 EL 표시 장치의 일례의 구성 개념도를 나타낸다. 바톰 에미션형의 유기 EL 표시 장치에 있어서의 기판의 모식적 단면도를 나타내며, 평탄화막(4)을 갖고 있다.1 is a conceptual diagram showing an example of an organic EL display device. 1 is a schematic cross-sectional view of a substrate in a bottom emission type organic EL display device, and has a planarization film 4.

유리 기판(6) 위에 바톰 게이트형의 TFT(1)를 형성하고, 이 TFT(1)를 덮는 상태로 Si3N4로 이루어지는 절연막(3)이 형성되어 있다. 절연막(3)에, 여기서는 도시를 생략한 콘택트홀을 형성한 후, 이 콘택트홀을 통해 TFT(1)에 접속되는 배선(2)(높이1.0㎛)이 절연막(3) 위에 형성되어 있다. 배선(2)은, TFT(1) 사이 또는, 후의 공정에서 형성되는 유기 EL 소자와 TFT(1)를 접속하기 위한 것이다.A bottom gate type TFT 1 is formed on a glass substrate 6 and an insulating film 3 made of Si 3 N 4 is formed so as to cover the TFT 1. A wiring 2 (height 1.0 mu m) connected to the TFT 1 through the contact hole is formed on the insulating film 3 after forming a contact hole (not shown) in the insulating film 3. The wiring 2 is for connecting the organic EL element formed between the TFTs 1 or in a subsequent step to the TFT 1. [

또한, 배선(2)의 형성에 의한 요철을 평탄화하기 위해서, 배선(2)에 의한 요철을 메워넣는 상태로 절연막(3) 위에 평탄화층(4)이 형성되어 있다.The planarization layer 4 is formed on the insulating film 3 so as to fill the irregularities formed by the wirings 2 in order to planarize the irregularities formed by the formation of the wirings 2.

평탄화막(4) 위에는, 바톰 에미션형의 유기 EL 소자가 형성되어 있다. 즉, 평탄화막(4) 위에, ITO로 이루어지는 제1 전극(5)이, 콘택트홀(7)을 통해 배선(2)에 접속시켜 형성되어 있다. 또한, 제1 전극(5)은, 유기 EL 소자의 양극에 상당한다.On the planarizing film 4, a bottom emission type organic EL element is formed. That is, the first electrode 5 made of ITO is formed on the planarization film 4 by being connected to the wiring 2 through the contact hole 7. The first electrode 5 corresponds to the anode of the organic EL element.

제1 전극(5)의 주연(周緣)을 덮는 형상의 절연막(8)이 형성되어 있고, 이 절연막을 마련함으로써, 제1 전극(5)과 이후의 공정에서 형성하는 제2 전극 사이의 쇼트를 방지할 수 있다.An insulating film 8 is formed so as to cover the periphery of the first electrode 5. By providing this insulating film, a short circuit is formed between the first electrode 5 and the second electrode formed in the subsequent steps .

또한, 도 1에는 도시하지 않지만, 원하는 패턴 마스크를 통해, 정공 수송층, 유기 발광층, 전자 수송층을 순차 증착하여 마련하고, 이어서, 기판 상방의 전면에 Al으로 이루어지는 제2 전극을 형성하여, 밀봉용 유리판과 자외선 경화형 에폭시 수지를 사용하여 첩합함으로써 밀봉하여, 각 유기 EL 소자에 이것을 구동하기 위한 TFT(1)가 접속되어 이루어지는 액티브 매트릭스형의 유기 EL 표시 장치가 얻어진다.Although not shown in Fig. 1, a hole transport layer, an organic luminescent layer, and an electron transport layer are sequentially deposited by a desired pattern mask, then a second electrode made of Al is formed on the entire upper surface of the substrate, And an ultraviolet curing type epoxy resin are used to form an organic EL display device in which an active matrix type organic EL display device in which a TFT 1 for driving each organic EL element is connected to each organic EL element is sealed.

도 2는, 액티브 매트릭스 방식의 액정 표시 장치(10)의 일례를 나타내는 개념적 단면도이다. 이 컬러 액정 표시 장치(10)는, 배면에 백라이트 유닛(12)을 갖는 액정 패널로서, 액정 패널은, 편광 필름이 첩부(貼付)된 2매의 유리 기판(14,15) 사이에 배치된 모든 화소에 대응하는 TFT(16)의 소자가 배치되어 있다. 유리 기판 위에 형성된 각 소자에는, 경화막(17) 중에 형성된 콘택트홀(18)을 통하여, 화소 전극을 형성하는 ITO 투명 전극(19)이 배선되어 있다. ITO 투명 전극(19) 위에는, 액정(20)의 층과 블랙 매트릭스를 배치한 RGB 컬러 필터(22)가 마련되어 있다.2 is a conceptual cross-sectional view showing an example of the liquid crystal display device 10 of the active matrix type. This color liquid crystal display device 10 is a liquid crystal panel having a backlight unit 12 on its back surface and the liquid crystal panel is a liquid crystal display panel in which all of the liquid crystal display panel 10 is disposed between two glass substrates 14, Elements of the TFT 16 corresponding to the pixel are disposed. In each element formed on the glass substrate, an ITO transparent electrode 19 for forming a pixel electrode is wired through a contact hole 18 formed in the cured film 17. On the ITO transparent electrode 19, an RGB color filter 22 in which a layer of the liquid crystal 20 and a black matrix are arranged is provided.

[실시예][Example]

이하에 실시예 및 비교예를 참조하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 하등 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples and comparative examples, but the present invention is not limited to these examples.

(합성예)(Synthesis Example)

<페놀1(4-히드록시벤조산(2-메타크릴로일옥시에틸)에스테르)의 합성><Synthesis of phenol 1 (4-hydroxybenzoic acid (2-methacryloyloxyethyl) ester]

4-히드록시벤조산(2-히드록시에틸)에스테르 21g의 아세토니트릴 100ml 용액에, 교반 하, N,N-디메틸아세트아미드 20ml를 가하고, 또한 메타크릴산클로리드 20g을 가했다. 35℃에서 8시간, 교반하면서 반응시킨 후, 반응 혼합물을 빙수에 부어, 석출한 결정을 여취(濾取)하고, 아세트산에틸/n-헥산에서 재결정하여, 4-히드록시벤조산(2-메타크릴로일옥시에틸)에스테르를 얻었다.20 ml of N, N-dimethylacetamide was added to a solution of 21 g of 4-hydroxybenzoic acid (2-hydroxyethyl) ester in 100 ml of acetonitrile while stirring, and 20 g of methacrylic chloride was further added. The reaction mixture was poured into ice water and the precipitated crystals were collected by filtration and recrystallized from ethyl acetate / n-hexane to obtain 4-hydroxybenzoic acid (2-methacryloyl Chloroyloxyethyl) ester.

<페놀2(4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시프로필)에스테르)의 합성><Synthesis of phenol 2 (4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxypropyl) ester]

4-히드록시벤조산(3-히드록시프로필)에스테르 23g의 아세토니트릴 100ml 용액에, 교반 하, N-메틸피롤리돈 20ml를 가하고, 또한 메타크릴산클로리드 16g을 가했다. 35℃에서 8시간, 교반하면서 반응시킨 후, 반응 혼합물을 빙수에 부어, 석출한 결정을 여취하고, 아세트산에틸/n-헥산에서 재결정하여, 4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시프로필)에스테르를 얻었다.To a solution of 23 g of 4-hydroxybenzoic acid (3-hydroxypropyl) ester in 100 ml of acetonitrile was added 20 ml of N-methylpyrrolidone with stirring, and 16 g of methacrylic chloride was further added. The reaction mixture was poured into ice water, and the precipitated crystals were collected by filtration and recrystallized from ethyl acetate / n-hexane to obtain 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxypropyl ) &Lt; / RTI &gt; ester.

<페놀3(4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시-2-히드록시프로필)에스테르)의 합성><Synthesis of phenol 3 (4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxy-2-hydroxypropyl) ester]

p-히드록시벤조산 100g, 글리시딜메타크릴레이트 100g, 테트라부틸암모늄브로마이드 9.7g을 N-메틸피롤리돈 250ml 용액에 가하고, 90℃에서 6시간, 교반하면서 반응시킨 후, 반응 혼합물을 물/아세트산에틸 혼합 용매에 부어, 석출한 결정을 여취하고, 아세트산에틸/n-헥산에서 재결정하여, 4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시-2-히드록시프로필)에스테르를 얻었다.100 g of p-hydroxybenzoic acid, 100 g of glycidyl methacrylate and 9.7 g of tetrabutylammonium bromide were added to 250 ml of N-methylpyrrolidone and reacted with stirring at 90 DEG C for 6 hours, The crystals precipitated were collected by filtration and recrystallized from ethyl acetate / n-hexane to obtain 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxy-2-hydroxypropyl) ester.

<보호 페놀의 합성>&Lt; Synthesis of protected phenol >

상기와 같이 하여 얻어진 페놀1, 2, 및, 3, 및 후술하는 페놀4를 산 촉매 하, 에틸비닐에테르와 반응시킴으로써, 페놀성 수산기의 에틸아세탈 보호체(보호 페놀1, 2, 3, 및 4)를 얻었다.The phenol 1, 2, and 3 thus obtained and the phenol 4 described below were allowed to react with ethyl vinyl ether under an acid catalyst to obtain an ethyl acetal protective agent of a phenolic hydroxyl group (protected phenol 1, 2, 3, and 4 ).

또한 상기에서 페놀3(4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시-2-히드록시프로필)에스테르)의 페놀성 수산기를 공지의 합성법에 의해 tert-부틸로 보호한 페놀성 수산기의 tert-부틸 보호체(보호 페놀3')를 얻었다.In addition, the phenolic hydroxyl group of phenol 3 (4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxy-2-hydroxypropyl) ester) is protected with tert-butyl by a well- Butyl protected product (protected phenol 3 ').

<보호 카르복시산1의 합성>&Lt; Synthesis of protected carboxylic acid 1 >

메타크릴산을 산 촉매 하, 에틸비닐에테르와 반응시킴으로써, 1-에톡시에틸메타크릴레이트(보호 카르복시산1)를 얻었다.Methacrylic acid was reacted with ethyl vinyl ether under acid catalysis to obtain 1-ethoxyethyl methacrylate (protected carboxylic acid 1).

<보호 카르복시산2의 합성 : 메타크릴산테트라히드로푸란-2-일(MATHF)의 합성>&Lt; Synthesis of protected carboxylic acid 2: Synthesis of tetrahydrofuran-2-yl methacrylate (MATHF)

메타크릴산(86g, 1몰)을 15℃로 냉각해두고, 캠퍼설폰산(4.6g, 0.02몰)을 첨가했다. 그 용액에, 2,3-디히드로푸란(71g, 1몰, 1.0당량)을 적하했다. 1시간 교반한 후에, 포화 탄산수소나트륨 수용액(500ml)을 가하고, 아세트산에틸(500ml)로 추출하여, 황산마그네슘으로 건조 후, 불용물을 여과 후 40℃ 이하에서 감압 농축하여, 잔사(殘渣)의 황색 유상물(油狀物)을 감압 증류하여 비점(bp.) 54∼56℃/3.5mmHg 유분(留分)의 메타크릴산테트라히드로푸란-2-일(MATHF) 125g을 무색 유상물로서 얻었다(수율80%).Methacrylic acid (86 g, 1 mole) was cooled to 15 占 폚 and camphorsulfonic acid (4.6 g, 0.02 mole) was added. 2,3-dihydrofuran (71 g, 1 mole, 1.0 equivalent) was added dropwise to the solution. After stirring for 1 hour, a saturated aqueous solution of sodium hydrogencarbonate (500 ml) was added, extracted with ethyl acetate (500 ml) and dried over magnesium sulfate. The insoluble material was filtered off and concentrated under reduced pressure at 40 ° C or lower to obtain a residue The yellow oily matter was distilled under reduced pressure to obtain 125 g of tetrahydrofuran-2-yl methacrylate (MATHF) having a boiling point (bp.) Of 54 to 56 ° C / 3.5 mmHg as a colorless oil (Yield: 80%).

<그 밖의 모노머><Other Monomers>

(A) 성분의 공중합에 사용한 그 밖의 모노머를 이하에 예시한다.Other monomers used for the copolymerization of the component (A) are exemplified below.

페놀4 : 4-히드록시페닐메타크릴레이트(쇼와고분시(주)제)Phenol 4: 4-hydroxyphenyl methacrylate (manufactured by Showa Kobunshi Co., Ltd.)

t-BuMA : tert-부틸메타크릴레이트t-BuMA: tert-butyl methacrylate

GMA : 글리시딜메타크릴레이트GMA: glycidyl methacrylate

M100 : 3,4-에폭시시클로헥실메틸메타아크릴레이트(다이셀가가쿠(주)제)M100: 3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate (manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd.)

OXE-30 : 3-(메타크릴로일옥시메틸)-3-에틸옥세탄(오사카유키가가쿠고교(주))OXE-30: 3- (methacryloyloxymethyl) -3-ethyloxetane (Osaka Yuki Kagaku Kogyo Co., Ltd.)

MAA : 메타아크릴산MAA: methacrylic acid

HEMA : 2-히드록시에틸메타크릴레이트HEMA: 2-hydroxyethyl methacrylate

MMA : 메타아크릴산메틸MMA: methyl methacrylate

St : 스티렌St: Styrene

<합성예1(수지1의 합성)>&Lt; Synthesis Example 1 (Synthesis of Resin 1) >

모노머 성분으로서, 보호 페놀1(64.47g, 0.2몰), 보호 카르복시산1(31.64g, 0.2몰), GMA(56.86g, 0.4몰), MAA(8.61g, 0.1몰), 및, HEMA(13.01g, 0.1몰)를 사용하고, 라디칼 중합 개시제로서 V-601(디메틸-2,2'-아조비스(2-메틸프로피오네이트), 와코준야쿠고교(주)제, 7.50g)을 사용하고, 이들을 용제 PGMEA(프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 407.38g) 중에 있어서 6시간 중합 반응시킴으로써 수지1의 PGMEA 용액(고형분 농도 : 30중량%)을 얻었다. 또, 중합 온도는, 온도70℃로 조정했다.As the monomer component, protected phenol 1 (64.47 g, 0.2 mol), protected carboxylic acid 1 (31.64 g, 0.2 mol), GMA (56.86 g, 0.4 mol), MAA (8.61 g, 0.1 mol) and HEMA , 0.1 mole), V-601 (dimethyl-2,2'-azobis (2-methylpropionate), Wako Pure Chemical Industries, Ltd., 7.50 g) was used as a radical polymerization initiator, These were polymerized in a solvent PGMEA (propylene glycol monomethyl ether acetate, 407.38 g) for 6 hours to obtain a PGMEA solution (solid concentration: 30% by weight) of the resin 1. The polymerization temperature was adjusted to 70 ° C.

얻어진 수지1의 GPC에 의해 측정한 중량평균 분자량은 15,000이었다.The weight average molecular weight of the obtained Resin 1 as measured by GPC was 15,000.

<합성예2∼8, 및, 10∼15(수지2∼8, 및, 수지10∼15의 합성)>Synthesis Examples 2 to 8 and 10 to 15 (Synthesis of Resins 2 to 8 and Resins 10 to 15)

모노머 성분으로서 표 1 및 표 2에 기재된 모노머종, 첨가량으로 합성예1과 같은 방법에 의해 합성을 행했다. 얻어진 수지의 중량평균 분자량을 GPC에 의해 측정하고, 표 1 및 표 2에 기재했다.Synthesis was carried out by the same method as in Synthesis Example 1 at the monomer species and the addition amount shown in Tables 1 and 2 as monomer components. The weight-average molecular weight of the obtained resin was measured by GPC and is shown in Table 1 and Table 2. [

<합성예9(수지9의 합성)>&Lt; Synthesis Example 9 (Synthesis of Resin 9) >

모노머 성분으로서 표 1에 기재된 모노머종, 첨가량으로, 라디칼 중합 개시제V-601(와코준야쿠고교(주)제, 2.50g)을 사용하고, 그 이외는 합성예1과 같은 방법에 의해 합성을 행했다. 얻어진 수지9의 중량평균 분자량은 32,000이었다.Synthesis was carried out in the same manner as in Synthesis Example 1 except that a radical polymerization initiator V-601 (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd., 2.50 g) was used as the monomer component and the addition amount as shown in Table 1 as a monomer component . The weight average molecular weight of Resin 9 thus obtained was 32,000.

(실시예1)(Example 1)

<감광성 수지 조성물의 제작>&Lt; Preparation of Photosensitive Resin Composition >

하기 조성을 용해 혼합하여, 0.2㎛의 폴리테트라플루오로에틸렌제 필터로 여과하여, 실시예1의 감광성 수지 조성물을 얻었다.The following composition was dissolved and mixed, and the mixture was filtered through a 0.2 占 퐉 polytetrafluoroethylene filter to obtain a photosensitive resin composition of Example 1.

·〔(A) 수지〕로서 · [(A) resin] as

상술한 합성법으로 얻어진 수지1의 PGMEA 용액(고형분으로 100.0부)The PGMEA solution (100.0 parts by solid content) of the resin 1 obtained by the above-

·〔(B) 광산 발생제〕로서 · [(B) photoacid generator]

B-12.5부B-12.5 part

·〔기타〕로서 · As [Others]

밀착 개량제(KBM-403, 신에츠가가쿠고교(주)제, 하기 구조) 0.5부Adhesion improver (KBM-403, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., the following structure) 0.5 part

계면활성제(PolyFoxPF-6320, OMNOVA사제) 0.02부0.02 part of a surfactant (PolyFoxPF-6320, manufactured by OMNOVA)

(산화 방지제(아데카스탑AO-60, (주)ADEKA제, 하기 구조) 2.0부)(2.0 parts of an antioxidant (ADEKA STOP AO-60, manufactured by ADEKA, the following structure)

(가교제E-1(MX-270, 산와케미컬(주)제, 하기 구조) 2.0부)(Cross-linking agent E-1 (MX-270, manufactured by Sanwa Chemical Co., Ltd., 2.0 parts)

(가교제E-2(JER157S65, 재팬에폭시레진(주)제) 5.0부)(5.0 parts of cross-linking agent E-2 (JER157S65, manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd.)

(염기성 화합물G-1 : 1,8-디아자비시클로[5.4.0]운데센-7, 도쿄가세이고교(주)제) 0.1부)(Basic compound G-1: 1,8-diazabicyclo [5.4.0] undecene-7, manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.)

(실시예2∼49, 및 비교예1∼3)(Examples 2 to 49 and Comparative Examples 1 to 3)

실시예1의 각 성분량을, 하기 표 1에 기재된 바와 같이 변경한 이외는, 실시예1과 같이 하여, 실시예2∼18, 및 비교예1∼3의 감광성 수지 조성물을 각각 제조했다.The photosensitive resin compositions of Examples 2 to 18 and Comparative Examples 1 to 3 were prepared in the same manner as in Example 1 except that the respective component amounts of Example 1 were changed as shown in Table 1 below.

실시예15에 대해서는, 계면활성제를 W-3(하기기재의 구조)으로 변경한 이외는 실시예8과 같이 하여 감광성 수지 조성물을 제조했다.For Example 15, a photosensitive resin composition was prepared in the same manner as in Example 8 except that the surfactant was changed to W-3 (the following structure).

실시예16, 17에 대해서는 표 1에 기재된 바와 같이, 상기 실시예1의 감광성 수지 조성물의 제작에 기재된 괄호 내의 산화 방지제, 가교제E-1도 각각 첨가하고, 감광성 수지 조성물을 제조했다.For Examples 16 and 17, antioxidant and crosslinking agent E-1 in parentheses described in the preparation of the photosensitive resin composition of Example 1 were also added as shown in Table 1 to prepare a photosensitive resin composition.

실시예5∼17, 45, 비교예1에 대해서는 표 1 및 표 2에 기재된 바와 같이, 광산 발생제B-1 대신에, B-2를 사용했다.For Examples 5 to 17 and 45 and Comparative Example 1, B-2 was used instead of the photo acid generator B-1 as shown in Tables 1 and 2.

실시예18에 대해서는 표 1에 기재된 바와 같이, 광산 발생제B-1 대신에, B-3을 사용하고, 증감제로서 B-4를 B-3과 동(同) 첨가량 더 첨가했다.For Example 18, B-3 was used in place of the photoacid generator B-1, and B-4 as the sensitizer was added in the same amount as in Example B-3, as shown in Table 1.

실시예19∼31, 46, 48에 대해서는 표 2에 기재된 바와 같이, 광산 발생제B-1 대신에, B-5를 사용하고, 증감제로서 B-4를 B-5와 동 첨가량 더 첨가했다.For Examples 19 to 31, 46 and 48, B-5 was used in place of photoacid generator B-1, and B-4 as a sensitizer was further added in the same amount as B-5 as shown in Table 2 .

실시예32∼44, 47, 49에 대해서는 표 2에 기재된 바와 같이, 광산 발생제B-1 대신에, B-6을 사용했다.For Examples 32 to 44, 47 and 49, B-6 was used in place of the photo acid generator B-1 as shown in Table 2.

또, 실시예19∼49에 대해서는 표 2에 기재된 바와 같이, 상기 실시예1의 감광성 수지 조성물의 제작에 기재된 괄호 내의 염기성 화합물G-1, 필요에 따라 가교제E-2도 각각 첨가하고, 감광성 수지 조성물을 제조했다.For Examples 19 to 49, as shown in Table 2, the basic compound G-1 in the parentheses described in the preparation of the photosensitive resin composition of Example 1 and, if necessary, the crosslinking agent E-2 were also added, A composition was prepared.

비교예2 및 3은, 각각, 특허문헌 1 및 2의 실시예1에 기재된 감광성 수지 조성물을 제조하여, 평가했다.In Comparative Examples 2 and 3, the photosensitive resin compositions described in Example 1 of Patent Documents 1 and 2 were prepared and evaluated.

또, 사용한 각 소재는 이하와 같다.The respective materials used were as follows.

B-1 : 4,7-디-n-부톡시-1-나프틸테트라히드로티오페늄트리플루오로메탄설포네이트B-1: 4,7-di-n-butoxy-1-naphthyltetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate

B-2 : CGI-1397(치바스페셜티케미컬즈사제)B-2: CGI-1397 (manufactured by Ciba Specialty Chemicals)

B-3 : PAI-1001(미도리가가쿠(주)제)B-3: PAI-1001 (manufactured by Midori Kagaku Co., Ltd.)

B-4 : DBA(9,10-디부톡시안트라센, 가와사키가세이고교(주)제)B-4: DBA (9,10-dibutoxyanthracene, manufactured by Kawasaki Chemical Industry Co., Ltd.)

B-5 : 하기 구조의 화합물B-5: Compound of the following structure

B-6 : 하기 구조의 화합물B-6: Compound of the following structure

Figure 112010066435470-pat00041
Figure 112010066435470-pat00041

Figure 112010066435470-pat00042
Figure 112010066435470-pat00042

(합성예10 : 광산 발생제B-5의 합성)(Synthesis Example 10: Synthesis of Photoacid generator B-5)

1-1. 합성 중간체B-5A의 합성1-1. Synthesis of Synthetic Intermediate B-5A

2-아미노벤젠티올 : 31.3g(도쿄가세이고교(주)제)을 톨루엔 : 100mL(와코준야쿠고교(주)제)에 실온(25℃) 하 용해시켰다. 다음으로, 페닐아세틸클로리드 : 40.6g(도쿄가세이고교(주)제)을 적하하고, 실온 하 1시간, 이어서 100℃에서 2시간 교반하여 반응시켰다. 얻어진 반응액에 물 500mL를 넣어 석출한 염을 용해시켜, 톨루엔 유분을 추출, 추출액을 로터리 이베이퍼레이터로 농축시켜, 합성 중간체B-5A를 얻었다.(25 占 폚) in 100 ml of toluene (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) were dissolved in 31.3 g of 2-aminobenzenethiol (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.). Subsequently, 40.6 g of phenylacetyl chloride (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) was added dropwise, and the mixture was reacted by stirring at room temperature for 1 hour and then at 100 ° C for 2 hours. 500 mL of water was added to the obtained reaction solution to dissolve the precipitated salt, the toluene oil was extracted, and the extract was concentrated with a rotary evaporator to obtain a synthetic intermediate B-5A.

1-2. B-5의 합성1-2. Synthesis of B-5

상기와 같이 하여 얻어진 합성 중간체B-5A 2.25g을 테트라히드로푸란 : 10mL(와코준야쿠고교(주)제)에 혼합시킨 후, 빙욕(氷浴)에 담가 반응액을 5℃ 이하로 냉각했다. 다음으로, 테트라메틸암모늄히드록시드 : 4.37g(25중량% 메탄올 용액, Alfa Acer사제)을 적하하고, 빙욕 하 0.5시간 교반하여 반응시켰다. 또한, 아질산이소펜틸 : 7.03g을 내온 20℃ 이하로 유지하면서 적하하고, 적하 종료 후에 반응액을 실온까지 승온 후, 1시간 교반했다.2.25 g of the thus-obtained synthetic intermediate B-5A was mixed with 10 mL of tetrahydrofuran (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) and then immersed in an ice bath to cool the reaction solution to 5 ° C or less. Next, 4.37 g of tetramethylammonium hydroxide (25% by weight methanol solution, manufactured by Alfa Acer Co.) was added dropwise, and the mixture was reacted with stirring for 0.5 hour in an ice bath. Further, 7.03 g of isopentyl nitrite was added dropwise while keeping the internal temperature at 20 캜 or lower. After completion of dropwise addition, the reaction solution was heated to room temperature and stirred for 1 hour.

이어서, 반응액을 5℃ 이하로 냉각한 후, p-톨루엔설포닐클로리드(1.9g)(도쿄가세이고교(주)제)를 투입하고, 10℃ 이하를 유지하면서 1시간 교반했다. 그 후 물 80mL를 투입하고, 0℃에서 1시간 교반했다. 얻어진 석출물을 여과한 후, 이소프로필알코올(IPA) 60mL를 투입하고, 50℃로 가열하여 1시간 교반하여, 열시(熱時) 여과, 건조시킴으로써, (B-5 : 상기 구조) 1.8g을 얻었다.Subsequently, the reaction solution was cooled to 5 캜 or lower, p-toluenesulfonyl chloride (1.9 g, manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) was added thereto, and the mixture was stirred for 1 hour while maintaining the temperature at 10 캜 or lower. Then, 80 mL of water was added, and the mixture was stirred at 0 ° C for 1 hour. The resultant precipitate was filtered, and 60 mL of isopropyl alcohol (IPA) was added thereto. The mixture was heated to 50 占 폚 and stirred for 1 hour, filtered, and dried to obtain 1.8 g of (B-5: the above structure) .

얻어진 B-5의 1H-NMR 스펙트럼(300MHz, 중DMSO((D3C)2S=O))은, δ=8.2∼8.17(m,1H), 8.03∼8.00(m,1H), 7.95∼7.9(m,2H), 7.6∼7.45(m,9H), 2.45(s,3H)이었다.The resulting 1 H-NMR spectrum (300 MHz, DMSO ((D 3 C) 2 S = O) of the obtained B-5 was δ = 8.2-8.17 (m, 1H), 8.03-8.00 (M, 2H), 7.6-7.45 (m, 9H), 2.45 (s, 3H).

상기 1H-NMR 측정 결과로부터, 얻어진 B-5는, 1종 단독의 기하 이성체인 것이 추정된다.From the 1 H-NMR measurement results, it is estimated that the obtained B-5 is a single geometric isomer.

(합성예11 : B-6의 합성)(Synthesis Example 11: Synthesis of B-6)

2-나프톨(10g), 클로로벤젠(30mL)의 현탁 용액에 염화알루미늄(10.6g), 2-클로로프로피오닐클로리드(10.1g)를 첨가하고, 혼합액을 40℃로 가열하여 2시간 반응시켰다. 빙랭(氷冷) 하, 반응액에 4NHCl 수용액(60mL)을 적하하고, 아세트산에틸(50mL)을 첨가하여 분액했다. 유기층에 탄산칼륨(19.2g)을 가하고, 40℃에서 1시간 반응시킨 후, 2NHCl 수용액(60mL)을 첨가하여 분액하고, 유기층을 농축 후, 결정을 디이소프로필에테르(10mL)로 리슬러리하고, 여과, 건조하여 케톤 화합물(6.5g)을 얻었다.Aluminum chloride (10.6 g) and 2-chloropropionyl chloride (10.1 g) were added to a suspension of 2-naphthol (10 g) and chlorobenzene (30 mL), and the mixture was heated to 40 캜 for reaction for 2 hours. Under ice-cooling (ice cooling), 4N HCl aqueous solution (60 mL) was added dropwise to the reaction solution, and ethyl acetate (50 mL) was added to separate the layers. Potassium carbonate (19.2 g) was added to the organic layer, and the mixture was reacted at 40 占 폚 for 1 hour. 2N HCl aqueous solution (60 mL) was added to the mixture to separate the layers. The organic layer was concentrated, and the crystals were reslurried with diisopropyl ether Filtered and dried to obtain a ketone compound (6.5 g).

얻어진 케톤 화합물(3.0g), 메탄올(30mL)의 현탁 용액에 아세트산(7.3g), 50중량% 히드록시아민 수용액(8.0g)을 첨가하고, 가열 환류했다. 방랭 후, 물(50mL)을 가하고, 석출한 결정을 여과, 냉메탄올 세정 후, 건조하여 옥심 화합물(2.4g)을 얻었다.Acetic acid (7.3 g) and a 50 wt% aqueous solution of hydroxyamine (8.0 g) were added to the suspension of the obtained ketone compound (3.0 g) and methanol (30 mL), and the mixture was heated to reflux. After cooling, water (50 mL) was added, and the precipitated crystals were filtered, washed with cold methanol, and dried to obtain an oxime compound (2.4 g).

얻어진 옥심 화합물(1.8g)을 아세톤(20mL)에 용해시켜, 빙랭 하 트리에틸아민(1.5g), p-톨루엔설포닐클로리드(2.4g)를 첨가하고, 실온으로 승온하여 1시간 반응시켰다. 반응액에 물(50mL)을 첨가하고, 석출한 결정을 여과 후, 메탄올(20mL)로 리슬러리하고, 여과, 건조하여 B-6(2.3g)을 얻었다.The obtained oxime compound (1.8 g) was dissolved in acetone (20 mL), triethylamine (1.5 g) and p-toluenesulfonyl chloride (2.4 g) were added under ice-cooling, and the mixture was heated to room temperature and reacted for 1 hour. Water (50 mL) was added to the reaction solution, and the precipitated crystals were filtered and then slurry was rinsed with methanol (20 mL), followed by filtration and drying to obtain B-6 (2.3 g).

또, B-6의 1H-NMR 스펙트럼(300MHz, CDCl3)은, δ=8.3(d,1H), 8.0(d,2H), 7.9(d,1H), 7.8(d,1H), 7.6(dd,1H), 7.4(dd,1H)7.3(d,2H), 7.1(d.1H), 5.6(q,1H), 2.4(s,3H), 1.7(d,3H)이었다.In addition, 1 H-NMR spectrum of B-6 (300MHz, CDCl 3 ) is, δ = 8.3 (d, 1H ), 8.0 (d, 2H), 7.9 (d, 1H), 7.8 (d, 1H), 7.6 (d, 1H), 7.4 (dd, 1H) 7.3 (d, 2H), 7.1 (d, 1H), 5.6 (q,

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[표 1][Table 1]

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[표 2][Table 2]

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(평가)(evaluation)

<액 경시(經時) 안정성(액보존성)의 평가>Evaluation of Stability (Liquid Storage Properties)

제조 직후의 감광성 수지 조성물의 점도(초기 점도)와, 30℃에서 2주간 보관 후의 감광성 수지 조성물의 점도(경시 점도)를 E형 점도계(도키산교(주)제)로 측정하고, 경시 점도가 초기 점도(100%)에 대한 상대 평가로 했을 때에, 10% 이상 변화하는 것을 「3」, 점도의 변화가 10% 미만 5% 이상의 경우를 「2」, 점도의 변화가 5% 미만의 경우를 「1」로 했다.The viscosity (initial viscosity) of the photosensitive resin composition immediately after preparation and the viscosity (viscosity at the time of storage) of the photosensitive resin composition after storage at 30 ° C for 2 weeks were measured with an E-type viscometer (manufactured by Toki Sangyo Co., Ltd.) 3 &quot;, a case where the viscosity change is less than 10% and 5% or more is &quot; 2 &quot;, and a case where the viscosity change is less than 5% is referred to as &quot; 1 &quot;.

<감도의 평가>&Lt; Evaluation of sensitivity &

유리 기판(코닝1737, 0.7mm두께(코닝사제)) 위에, 스피너를 사용하여, 각 감광성 수지 조성물을 도포한 후, 100℃/60초간 핫플레이트 상에서 프리베이킹하여 용제를 휘발시켜, 막두께3.0㎛의 감광성 수지 조성물층을 형성했다.Each of the photosensitive resin compositions was coated on a glass substrate (Corning 1737, 0.7 mm thick (manufactured by Corning)) using a spinner and then pre-baked on a hot plate at 100 캜 for 60 seconds to volatilize the solvent. Of the photosensitive resin composition layer.

다음으로, 캐논(주)제 PLA-501F 노광기(초고압 수은 램프(365nm(i선), 405nm(h선), 436nm(g선)의 혼합선))를 사용하여, 소정의 마스크를 통해 노광했다. 그리고, 알칼리 현상액(0.4중량%의 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액)으로 23℃/60초간 현상한 후, 초순수로 20초간 린스했다. 이들의 조작에 의해 10㎛의 라인 앤드 스페이스를 1:1로 해상할 때의 최적 i선 노광량(Eopt)을 감도로 했다. 또, 평가 기준은 하기와 같다.Next, exposure was performed through a predetermined mask using a PLA-501F exposure device (a high-pressure mercury lamp (365 nm (i line), 405 nm (h line), 436 nm (g line) mixed line) manufactured by Canon Inc. . Then, the resist film was developed with an alkaline developer (0.4 wt% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution) at 23 DEG C for 60 seconds, and then rinsed with ultrapure water for 20 seconds. By these operations, the optimum i-line exposure amount (Eopt) at the time of resolving the line-and-space of 10 mu m at a ratio of 1: 1 was taken as the sensitivity. The evaluation criteria are as follows.

1 : 40mJ/cm2 미만1: Less than 40 mJ / cm 2

2 : 40mJ/cm2 이상 60mJ/cm2 미만 2: 40mJ / cm 2 or more and less than 60mJ / cm 2

3 : 60mJ/cm2 이상3: 60 mJ / cm 2 or more

<투명성의 평가><Evaluation of transparency>

유리 기판(코닝1737, 0.7mm두께(코닝사제)) 위에, 스피너를 사용하여, 각 감광성 수지 조성물을 도포한 후, 100℃에서 1분간 핫플레이트 상에서 프리베이킹하여 용제를 휘발시켜, 막두께3.0㎛의 감광성 수지 조성물층을 형성했다.Each of the photosensitive resin compositions was coated on a glass substrate (Corning 1737, 0.7 mm thick (manufactured by Corning)) using a spinner and then pre-baked on a hot plate at 100 캜 for one minute to volatilize the solvent. Of the photosensitive resin composition layer.

얻어진 감광성 수지 조성물층을, 캐논(주)제 PLA-501F 노광기(초고압 수은 램프)로 적산 조사량이 300mJ/cm2(조도 : 20mW/cm2, i선)가 되도록 노광하고, 그 후, 이 기판을 오븐으로 230℃에서 1시간 가열하여 경화막을 얻었다.The thus-obtained photosensitive resin composition layer was exposed with a PLA-501F exposure apparatus (ultra-high pressure mercury lamp) manufactured by Canon Inc. so that the cumulative irradiation dose was 300 mJ / cm 2 (illuminance: 20 mW / cm 2 , i-line) Was heated in an oven at 230 DEG C for 1 hour to obtain a cured film.

이 경화막을 갖는 유리 기판의 광선 투과율을 분광 광도계「150-20형 더블빔((주)히다치세이사쿠쇼제)」를 사용하여 400∼800nm의 범위의 파장에서 측정했다. 그 때의 최저 광선 투과율의 평가를 표 3 및 표 4에 나타낸다. 또, 평가 기준은 하기와 같다.The light transmittance of the glass substrate having the cured film was measured at a wavelength in the range of 400 to 800 nm using a spectrophotometer &quot; 150-20 type double beam (manufactured by Hitachi Seisakusho Co., Ltd.). Evaluation of the lowest light transmittance at that time is shown in Tables 3 and 4. The evaluation criteria are as follows.

1 : 95% 이상 1: 95% or more

2 : 92% 이상 95% 미만2: 92% or more and less than 95%

3 : 90% 이상 92% 미만3: 90% or more and less than 92%

4 : 88% 이상 90% 미만4: 88% or more and less than 90%

5 : 88% 미만5: Less than 88%

<내용제성의 평가>&Lt; Evaluation of solvent resistance &

상기 투명성의 평가와 같이 하여 유리 기판(코닝1737, 0.7mm두께(코닝사제)) 위에 경화막을 형성했다.A cured film was formed on a glass substrate (Corning 1737, 0.7 mm thick (manufactured by Corning)) as in the evaluation of the transparency.

얻어진 경화막의 막두께(T1)를 측정했다. 그리고, 이 경화막이 형성된 기판을 70℃로 온도 제어된 디메틸설폭시드 중에 20분간 침지시킨 후, 당해 경화막의 막두께(t1)를 측정하고, 침지에 의한 막두께 변화율{|t1-T1|/T1}×100〔%〕를 산출했다. 결과를 표 3 및 표 4에 나타낸다. 이 값이 3% 미만일 때, 경화막의 내용제성은 양호하다고 할 수 있다.The film thickness (T 1 ) of the obtained cured film was measured. Then, the substrate on which the cured film was formed was immersed in a dimethylsulfoxide controlled at a temperature of 70 캜 for 20 minutes, and then the film thickness t 1 of the cured film was measured, and the film thickness change rate {| t 1 -T 1 | / T 1 } × 100 [%] was calculated. The results are shown in Tables 3 and 4. When this value is less than 3%, the solvent resistance of the cured film can be said to be good.

1 : 1% 미만Less than 1: 1%

2 : 1% 이상 2% 미만2: 1% to less than 2%

3 : 2% 이상 3% 미만3: Less than 2% and less than 3%

4 : 3% 이상 4: 3% or more

<용제 제거 공정의 관용도의 평가>&Lt; Evaluation of tolerance of solvent removal process >

유리 기판(코닝1737, 0.7mm두께(코닝사제)) 위에, 스피너를 사용하여, 각 감광성 수지 조성물을 도포한 후, 90℃, 100℃, 110℃에서 60초간, 및 100℃에서 40초간, 80초간 핫플레이트 상에서 가열 용매 제거하여 막두께3.0㎛의 감광성 수지 조성물층을 형성했다. 얻어진 감광성 수지 조성물층을, 10㎛각의 패턴 개구부를 갖는 마스크를 통해, 캐논(주)제 PLA-501F 노광기(초고압 수은 램프)로 100℃/60초간의 가열 용매 제거 후, 0.4% 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액을 현상액으로 하여, 23℃에서 60초 현상 후에 10㎛각의 콘택트홀 패턴이 얻어지는 노광량(조도 : 20mW/cm2, i선)으로 노광을 행했다. 각각 노광 후의 기판을, 0.4% 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액을 현상액으로 하여, 23℃에서 60초의 패들 현상을 행했다. 이 때의 콘택트홀경(徑)과 10㎛와의 차가 0.5㎛ 미만일 때, 감광성 수지 조성물의 용제 제거 공정의 관용도는 양호하다고 할 수 있다.Each of the photosensitive resin compositions was coated on a glass substrate (Corning 1737, 0.7 mm thick (manufactured by Corning)) using a spinner, and then dried at 90 ° C, 100 ° C, 110 ° C for 60 seconds, And the heated solvent was removed on a hot plate for a second time to form a photosensitive resin composition layer having a film thickness of 3.0 mu m. The obtained photosensitive resin composition layer was removed with a heating solvent at 100 占 폚 for 60 seconds using a PLA-501F exposure device (ultra-high pressure mercury lamp) manufactured by Canon Inc., through a mask having a pattern opening of 10 占 퐉, and then 0.4% tetramethylammonium Exposure was performed at an exposure dose (illumination: 20 mW / cm 2 , i-line) at which contact hole patterns of 10 탆 square were obtained after development for 60 seconds at 23 캜 using a hydroxide aqueous solution as a developer. The exposed substrate was subjected to paddle development at 23 DEG C for 60 seconds using 0.4% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution as a developer. When the difference between the contact diameter at this time and the difference of 10 mu m is less than 0.5 mu m, the tolerance of the solvent removing step of the photosensitive resin composition can be said to be good.

1 : 0.3㎛ 미만1: less than 0.3 탆

2 : 0.3㎛ 이상 0.5㎛ 미만2: 0.3 탆 or more and less than 0.5 탆

3 : 0.5㎛ 이상3: 0.5 탆 or more

결과를 표 3 및 표 4에 나타낸다.The results are shown in Tables 3 and 4.

[표 3][Table 3]

Figure 112010066435470-pat00047
Figure 112010066435470-pat00047

[표 4][Table 4]

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(실시예50)(Example 50)

실시예38의 감광성 수지 조성물을 사용하여, 상기 실시예38과 같은 평가를, 초고압 수은 램프 대신에 UV-LED 광원 노광기를 사용하여 실시했다. 결과, 실시예38과 같은 결과가 얻어졌다.Using the photosensitive resin composition of Example 38, the same evaluation as in Example 38 was carried out using a UV-LED light source exposing device instead of an ultra high pressure mercury lamp. As a result, the same results as in Example 38 were obtained.

(실시예51)(Example 51)

박막 트랜지스터(TFT)를 사용한 유기 EL 표시 장치를 이하의 방법으로 제작했다(도 1 참조).An organic EL display device using a thin film transistor (TFT) was produced by the following method (see Fig. 1).

유리 기판(6) 위에 바톰 게이트형의 TFT(1)를 형성하고, 이 TFT(1)를 덮는 상태로 Si3N4로 이루어지는 절연막(3)을 형성했다. 다음으로, 이 절연막(3)에, 여기서는 도시를 생략한 콘택트홀을 형성한 후, 이 콘택트홀을 통해 TFT(1)에 접속되는 배선(2)(높이1.0㎛)을 절연막(3) 위에 형성했다. 이 배선(2)은, TFT(1) 사이 또는, 후의 공정에서 형성되는 유기 EL 소자와 TFT(1)를 접속하기 위한 것이다.A TFT 1 of a bottom gate type was formed on a glass substrate 6 and an insulating film 3 made of Si 3 N 4 was formed so as to cover the TFT 1. Next, a contact hole (not shown) is formed in the insulating film 3, and a wiring 2 (height 1.0 mu m) connected to the TFT 1 through the contact hole is formed on the insulating film 3 did. This wiring 2 is for connecting the organic EL element formed between the TFTs 1 or a later step to the TFT 1. [

또한, 배선(2)의 형성에 의한 요철을 평탄화하기 위해서, 배선(2)에 의한 요철을 메워넣는 상태로 절연막(3) 위에 평탄화층(4)을 형성했다. 절연막(3) 위에의 평탄화막(4)의 형성은, 실시예8의 감광성 수지 조성물을 기판 위에 스핀 도포하고, 핫플레이트 상에서 프리베이킹(100℃×1분)한 후, 마스크 상에서 고압 수은등을 사용하여 40mJ/cm2(조도20mW/cm2, i선) 조사한 후, 알칼리 수용액으로 현상하여 패턴을 형성하고, 230℃에서 60분간의 가열 처리를 행했다. 그 감광성 수지 조성물을 도포할 때의 도포성은 양호하고, 노광, 현상, 소성 후에 얻어진 경화막에는, 주름이나 크랙의 발생은 확인되지 않았다. 또한, 배선(2)의 평균 단차는 500nm, 제작한 평탄화막(4)의 막두께는 2,000nm이었다.The planarization layer 4 was formed on the insulating film 3 so as to fill the irregularities formed by the wirings 2 in order to planarize the irregularities formed by the formation of the wirings 2. The planarizing film 4 on the insulating film 3 was formed by spin-coating the photosensitive resin composition of Example 8 on a substrate, pre-baking it on a hot plate (at 100 캜 for 1 minute), and then using a high- Irradiated at 40 mJ / cm 2 (illuminance of 20 mW / cm 2 , i-line), developed with an alkali aqueous solution to form a pattern, and subjected to heat treatment at 230 캜 for 60 minutes. The coating property when the photosensitive resin composition was applied was good, and no wrinkles or cracks were observed in the cured film obtained after exposure, development and firing. The average step of the wiring 2 was 500 nm, and the thickness of the planarization film 4 was 2,000 nm.

다음으로, 얻어진 평탄화막(4) 위에, 바톰 에미션형의 유기 EL 소자를 형성했다. 우선, 평탄화막(4) 위에, ITO로 이루어지는 제1 전극(5)을, 콘택트홀(7)을 통해 배선(2)에 접속시켜 형성했다. 그 후, 레지스트를 도포, 프리베이킹하고, 원하는 패턴의 마스크를 통해 노광하여, 현상했다. 이 레지스트 패턴을 마스크로 하여, ITO 에천트를 사용한 웨트에칭에 의해 패턴 가공을 행했다. 그 후, 레지스트 박리액(모노에탄올아민과 디메틸설폭시드(DMSO)와의 혼합액)을 사용하여 그 레지스트 패턴을 박리했다. 이렇게 하여 얻어진 제1 전극(5)은, 유기 EL 소자의 양극에 상당한다.Next, an organic EL device of a bottom emission type was formed on the obtained planarization film (4). First, a first electrode 5 made of ITO was formed on the flattening film 4 by connecting it to the wiring 2 through the contact hole 7. Thereafter, the resist was applied, pre-baked, exposed through a mask of a desired pattern, and developed. Using this resist pattern as a mask, patterning was carried out by wet etching using ITO etchant. Thereafter, the resist pattern was peeled off using a resist stripping solution (a mixture of monoethanolamine and dimethyl sulfoxide (DMSO)). The first electrode 5 thus obtained corresponds to the anode of the organic EL element.

다음으로, 제1 전극(5)의 주연을 덮는 형상의 절연막(8)을 형성했다. 절연막에는, 실시예8의 감광성 수지 조성물을 사용하여, 상기와 같은 방법으로 절연막(8)을 형성했다. 이 절연막을 마련함으로써, 제1 전극(5)과 이후의 공정에서 형성하는 제2 전극 사이의 쇼트를 방지할 수 있다.Next, an insulating film 8 having a shape covering the periphery of the first electrode 5 was formed. As the insulating film, the insulating film 8 was formed using the photosensitive resin composition of Example 8 in the same manner as described above. By providing this insulating film, it is possible to prevent a short circuit between the first electrode 5 and the second electrode formed in a subsequent step.

또한, 진공 증착 장치 내에서 원하는 패턴 마스크를 통해, 정공 수송층, 유기 발광층, 전자 수송층을 순차 증착하여 마련했다. 이어서, 기판 상방의 전면에 Al으로 이루어지는 제2 전극을 형성했다. 얻어진 상기 기판을 증착기로부터 취출하고, 밀봉용 유리판과 자외선 경화형 에폭시 수지를 사용하여 첩합함으로써 밀봉했다.Further, a hole transporting layer, an organic light emitting layer, and an electron transporting layer were sequentially deposited through a desired pattern mask in a vacuum vapor deposition apparatus. Then, a second electrode made of Al was formed on the entire surface above the substrate. The obtained substrate was taken out from the evaporator, and sealed by bonding using a sealing glass plate and an ultraviolet curable epoxy resin.

이상과 같이 하여, 각 유기 EL 소자에 이것을 구동하기 위한 TFT(1)가 접속하여 이루어지는 액티브 매트릭스형의 유기 EL 표시 장치가 얻어졌다. 구동 회로를 통해 전압을 인가한 바, 양호한 표시 특성을 나타내며, 신뢰성이 높은 유기 EL 표시 장치임을 알 수 있었다.As described above, an active matrix type organic EL display device in which TFTs 1 for driving the organic EL elements are connected to each organic EL element was obtained. When the voltage was applied through the driving circuit, it was found that the organic EL display device exhibited good display characteristics and was highly reliable.

(실시예52)(Example 52)

실시예51에 있어서, 실시예8의 감광성 수지 조성물을 실시예48의 감광성 수지 조성물로 바뀐 이외는 마찬가지로 유기 EL 장치를 제작했다. 양호한 표시 특성을 나타내며, 신뢰성이 높은 유기 EL 표시 장치임을 알 수 있었다.An organic EL device was prepared in the same manner as in Example 51 except that the photosensitive resin composition of Example 8 was changed to the photosensitive resin composition of Example 48. [ The organic EL display device exhibits good display characteristics and is highly reliable.

(실시예53)(Example 53)

실시예46에 있어서, 실시예8의 감광성 수지 조성물을 실시예49의 감광성 수지 조성물로 바뀐 이외는 마찬가지로 유기 EL 장치를 제작했다. 양호한 표시 특성을 나타내며, 신뢰성이 높은 유기 EL 표시 장치임을 알 수 있었다.An organic EL device was prepared in the same manner as in Example 46 except that the photosensitive resin composition of Example 8 was changed to the photosensitive resin composition of Example 49. [ The organic EL display device exhibits good display characteristics and is highly reliable.

(실시예54)(Example 54)

일본 특허 제3321003호 공보의 도 1에 기재된 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치에 있어서, 층간절연막으로서 경화막(17)을 이하와 같이 형성하여, 실시예54의 액정 표시 장치를 얻었다.In the active matrix type liquid crystal display device shown in Fig. 1 of Japanese Patent No. 3321003, a liquid crystal display device of Example 54 was obtained by forming a cured film 17 as an interlayer insulating film as follows.

즉, 실시예17의 감광성 수지 조성물을 사용하여, 상기 실시예51에 있어서의 유기 EL 표시 장치의 평탄화막(4)의 형성 방법과 같은 방법으로, 층간절연막으로서 경화막(17)을 형성했다.That is, the photosensitive resin composition of Example 17 was used to form a cured film 17 as an interlayer insulating film in the same manner as in the method of forming the planarization film 4 of the organic EL display device in Example 51 above.

얻어진 액정 표시 장치에 대해, 구동 전압을 인가한 바, 양호한 표시 특성을 나타내며, 신뢰성이 높은 액정 표시 장치임을 알 수 있었다.When the driving voltage was applied to the obtained liquid crystal display device, the liquid crystal display device exhibited good display characteristics and was highly reliable.

(실시예55)(Example 55)

실시예54에 있어서, 실시예8의 감광성 수지 조성물을 실시예48의 감광성 수지 조성물로 바뀐 이외는 마찬가지로 액정 표시 장치를 제작했다. 양호한 표시 특성을 나타내며, 신뢰성이 높은 액정 표시 장치임을 알 수 있었다.A liquid crystal display device was manufactured in the same manner as in Example 54 except that the photosensitive resin composition of Example 8 was changed to the photosensitive resin composition of Example 48. [ The liquid crystal display device exhibits good display characteristics and is highly reliable.

(실시예56)(Example 56)

실시예54에 있어서, 실시예8의 감광성 수지 조성물을 실시예49의 감광성 수지 조성물로 바뀐 이외는 마찬가지로 액정 표시 장치를 제작했다. 양호한 표시 특성을 나타내며, 신뢰성이 높은 액정 표시 장치임을 알 수 있었다.A liquid crystal display device was manufactured in the same manner as in Example 54 except that the photosensitive resin composition of Example 8 was changed to the photosensitive resin composition of Example 49. The liquid crystal display device exhibits good display characteristics and is highly reliable.

1 : TFT(박막 트랜지스터)
2 : 배선
3 : 절연막
4 : 평탄화막
5 : 제1 전극
6 : 유리 기판
7 : 콘택트홀
8 : 절연막
10 : 액정 표시 장치
12 : 백라이트 유닛
14,15 : 유리 기판
16 : TFT
17 : 경화막
18 : 콘택트홀
19 : ITO 투명 전극
20 : 액정
22 : 컬러 필터
1: TFT (thin film transistor)
2: Wiring
3: Insulating film
4: Planarizing film
5: First electrode
6: glass substrate
7: Contact hole
8: Insulating film
10: Liquid crystal display
12: Backlight unit
14, 15: glass substrate
16: TFT
17:
18: Contact hole
19: ITO transparent electrode
20: liquid crystal
22: Color filter

Claims (17)

(A) 카르복시기가 산분해성기로 보호된 잔기를 갖는 모노머 단위(1)와, 페놀성 수산기가 산분해성기로 보호된 잔기를 갖는 모노머 단위(2)와, 3원환의 환상 에테르 잔기 또는 4원환의 환상 에테르 잔기의 적어도 어느 하나를 갖는 모노머 단위(3)를 함유하는 공중합체,
(B) 광산발생제(光酸發生劑), 및,
(C) 용제를 함유하는 것을 특징으로 하는
감광성 수지 조성물.
(A) a monomer unit (1) having a carboxyl group protected by an acid-decomposable group, a monomer unit (2) having a phenolic hydroxyl group protected by an acid-decomposable group, a cyclic ether residue of 3-membered ring, And a monomer unit (3) having at least any one of an ether residue and an ether residue,
(B) a photoacid generator, and
(C) a solvent.
Sensitive resin composition.
제1항에 있어서,
화학 증폭 포지티브형 감광성 수지 조성물인, 감광성 수지 조성물.
The method according to claim 1,
Wherein the photosensitive resin composition is a chemically amplified positive photosensitive resin composition.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 모노머 단위(1)가, 카르복시기가 제3급 알킬기로 보호된 잔기, 카르복시기가 아세탈로 보호된 잔기, 및, 카르복시기가 케탈로 보호된 잔기로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 하나의 잔기를 갖는 모노머 단위이며, 상기 모노머 단위(2)가, 페놀성 수산기가 제3급 알킬기로 보호된 잔기, 페놀성 수산기가 아세탈로 보호된 잔기, 및, 페놀성 수산기가 케탈로 보호된 잔기로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 하나의 잔기를 갖는 모노머 단위인, 감광성 수지 조성물.
3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the monomer unit (1) is a monomer unit having at least one residue selected from the group consisting of a residue in which a carboxyl group is protected with a tertiary alkyl group, a residue in which a carboxyl group is protected with an acetal, and a residue in which a carboxyl group is protected with a ketal , The monomer unit (2) is at least one selected from the group consisting of a residue in which the phenolic hydroxyl group is protected with a tertiary alkyl group, a residue in which the phenolic hydroxyl group is protected with an acetal, and a residue in which the phenolic hydroxyl group is ketal protected Wherein the monomer unit is a monomer unit having a moiety of at least one kind selected from the group consisting of
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 모노머 단위(1)가, 카르복시기가 하기식(a)으로 표시되는 제3급 알킬기로 보호된 잔기 및 카르복시기가 하기식(b)으로 표시되는 아세탈 또는 케탈로 보호된 잔기 중 적어도 어느 하나를 갖고, 상기 모노머 단위(2)가, 페놀성 수산기가 하기식(a)으로 표시되는 제3급 알킬기로 보호된 잔기 및 페놀성 수산기가 하기식(b)으로 표시되는 아세탈 또는 케탈로 보호된 잔기 중 적어도 어느 하나를 갖는, 감광성 수지 조성물.
Figure 112017053951432-pat00049

식(a) 중, R1, R2 및 R3은, 각각 독립적으로 알킬기 또는 아릴기를 나타내고, R1, R2 및 R3의 어느 둘이 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 좋다.
Figure 112017053951432-pat00050

식(b) 중, R4 및 R5는, 각각 독립적으로 수소 원자 또는 알킬기를 나타내지만, R4와 R5가 함께 수소 원자가 되는 경우는 없고, R6은, 알킬기를 나타내고, R4 또는 R5와, R6이 연결하여 환상 에테르를 형성해도 좋다.
3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the monomer unit (1) has at least one of a residue in which the carboxyl group is protected with a tertiary alkyl group represented by the following formula (a) and an acetal or ketal-protected residue in which the carboxyl group is represented by the following formula (b) , Wherein the monomer unit (2) is a residue in which the phenolic hydroxyl group is protected with a tertiary alkyl group represented by the following formula (a) and a residue in which the phenolic hydroxyl group is an acetal or ketal-protected residue represented by the following formula (b) Wherein the photosensitive resin composition has at least one of the following properties.
Figure 112017053951432-pat00049

In formula (a), R 1 , R 2 and R 3 each independently represents an alkyl group or an aryl group, and any two of R 1 , R 2 and R 3 may be bonded to each other to form a ring.
Figure 112017053951432-pat00050

In the formula (b), R 4 and R 5 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group, but R 4 and R 5 do not form a hydrogen atom together, R 6 represents an alkyl group, and R 4 or R 5 and R &lt; 6 &gt; may be connected to form a cyclic ether.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 모노머 단위(3)가, 하기식(3a) 및 (3b)로 이루어지는 군에서 선택된 잔기를 갖는, 감광성 수지 조성물.
Figure 112015098064759-pat00051

Figure 112015098064759-pat00052

식(3b) 중, R1b 및 R6b는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 알킬기를 나타내고, R2b, R3b, R4b, R5b, R7b, R8b, R9b, R10b는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 알킬기, 또는, 아릴기를 나타낸다.
3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the monomer unit (3) has a residue selected from the group consisting of the following formulas (3a) and (3b).
Figure 112015098064759-pat00051

Figure 112015098064759-pat00052

R 2b , R 3b , R 4b , R 5b , R 7b , R 8b , R 9b and R 10b each independently represents a hydrogen atom or an alkyl group, and R 1b and R 6b independently represent a hydrogen atom or an alkyl group, An atom, a halogen atom, an alkyl group, or an aryl group.
제1항 또는 제2항에 있어서,
(B) 광산발생제가, 파장 300nm 이상 450nm 이하의 활성 광선의 조사에 의해 산을 발생하는 화합물인, 감광성 수지 조성물.
3. The method according to claim 1 or 2,
(B) a photosensitive resin composition, wherein the photoacid generator is a compound which generates an acid upon irradiation with an actinic ray having a wavelength of 300 nm or more and 450 nm or less.
제1항 또는 제2항에 있어서,
(B) 광산발생제가, 하기식(4)으로 표시되는 옥심설포네이트 잔기를 갖는 화합물인, 감광성 수지 조성물.
Figure 112015098064759-pat00053

식(4) 중, R5는, 알킬기 또는 아릴기를 나타낸다.
3. The method according to claim 1 or 2,
(B) the photoacid generator is a compound having an oxime sulfonate residue represented by the following formula (4).
Figure 112015098064759-pat00053

In the formula (4), R 5 represents an alkyl group or an aryl group.
제1항 또는 제2항에 있어서,
(B) 광산발생제가, 식(OS-3), 식(OS-4) 또는 식(OS-5)으로 표시되는 화합물인, 감광성 수지 조성물.
Figure 112017013009959-pat00054

식(OS-3)∼식(OS-5) 중, R1은 알킬기, 아릴기 또는 헤테로아릴기를 나타내고, R2는 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기, 아릴기 또는 할로겐 원자를 나타내고, R6은 각각 독립적으로, 할로겐 원자, 알킬기, 알킬옥시기, 설폰산기, 아미노설포닐기 또는 알콕시설포닐기를 나타내고, X는 O 또는 S를 나타내고, n은 1 또는 2를 나타내고, 식(OS-3)∼식(OS-4)에 있어서는 m은 0∼6의 정수를 나타내고, 식(OS-5)에 있어서는, m은 0∼4의 정수를 나타낸다.
3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the photo acid generator (B) photoacid generator is a compound represented by formula (OS-3), formula (OS-4) or formula (OS-5).
Figure 112017013009959-pat00054

Expression (OS-3) ~ formula (OS-5) of, R 1 represents an alkyl group, an aryl group or a heteroaryl group, R 2 are, each independently, a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group or a halogen atom, R 6 Each independently represent a halogen atom, an alkyl group, an alkyloxy group, a sulfonic acid group, an aminosulfonyl group or an alkoxysulfonyl group, X represents O or S, n represents 1 or 2, In the formula (OS-4), m represents an integer of 0 to 6, and in the formula (OS-5), m represents an integer of 0 to 4.
제1항 또는 제2항에 있어서,
(B) 광산발생제가, 하기식(5)으로 표시되는 화합물인, 감광성 수지 조성물.
Figure 112015098064759-pat00055

식(5) 중, R5는, 알킬기 또는 아릴기를 나타내고, X는, 알킬기, 알콕시기, 또는, 할로겐 원자를 나타내고, m은, 0∼3의 정수를 나타내고, m이 2 또는 3일 때, 복수의 X는 동일해도 달라도 좋다.
3. The method according to claim 1 or 2,
(B) the photoacid generator is a compound represented by the following formula (5).
Figure 112015098064759-pat00055

Equation (5) of, R 5 is, represents an alkyl group or an aryl group, X is an alkyl group, an alkoxy group, or a halogen atom, m is, as an integer of 0~3, m is 2 or 3, The plural Xs may be the same or different.
제1항 또는 제2항에 있어서,
(D) 산화 방지제를 더 함유하는, 감광성 수지 조성물.
3. The method according to claim 1 or 2,
(D) an antioxidant.
제1항 또는 제2항에 있어서,
(E) 가교제를 더 함유하는, 감광성 수지 조성물.
3. The method according to claim 1 or 2,
(E) a crosslinking agent.
제1항 또는 제2항에 기재된 감광성 수지 조성물에, 광 및 열 중 적어도 어느 하나를 부여하여 형성된 것을 특징으로 하는 경화막.A cured film formed by applying at least one of light and heat to the photosensitive resin composition according to claim 1 or 2. (1) 제1항 또는 제2항에 기재된 감광성 수지 조성물을 기판 위에 도포하는 도포 공정,
(2) 도포된 감광성 수지 조성물로부터 용제를 제거하는 용제 제거 공정,
(3) 활성 광선으로 노광하는 노광 공정,
(4) 수성 현상액으로 현상하는 현상 공정, 및,
(5) 열경화하는 포스트베이킹 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는
경화막의 형성 방법.
(1) a coating step of applying the photosensitive resin composition according to any one of claims 1 to 3 on a substrate,
(2) a solvent removing step of removing the solvent from the applied photosensitive resin composition,
(3) an exposure process for exposing with an active light beam,
(4) a developing step of developing with an aqueous developing solution, and
(5) a post-baking step of thermally curing
Method of forming a cured film.
제13항에 기재된 방법에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 경화막.A cured film formed by the method according to claim 13. 제12항에 있어서,
층간절연막인 경화막.
13. The method of claim 12,
A cured film which is an interlayer insulating film.
제12항에 기재된 경화막을 구비하는 것을 특징으로 하는, 유기 EL 표시 장치.An organic EL display device comprising the cured film according to claim 12. 제12항에 기재된 경화막을 구비하는 것을 특징으로 하는, 액정 표시 장치.A liquid crystal display device comprising the cured film according to claim 12.
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