KR20150003138A - Photosensitive curable resin composition, cured film and method for the cured film - Google Patents

Photosensitive curable resin composition, cured film and method for the cured film Download PDF

Info

Publication number
KR20150003138A
KR20150003138A KR20140170320A KR20140170320A KR20150003138A KR 20150003138 A KR20150003138 A KR 20150003138A KR 20140170320 A KR20140170320 A KR 20140170320A KR 20140170320 A KR20140170320 A KR 20140170320A KR 20150003138 A KR20150003138 A KR 20150003138A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
group
alkyl group
general formula
solvent
resin composition
Prior art date
Application number
KR20140170320A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
마사노리 히키타
사토루 야마다
겐타 야마자키
Original Assignee
후지필름 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 후지필름 가부시키가이샤 filed Critical 후지필름 가부시키가이샤
Publication of KR20150003138A publication Critical patent/KR20150003138A/en

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F220/00Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
    • C08F220/02Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
    • C08F220/10Esters
    • C08F220/26Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/0045Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/022Quinonediazides
    • G03F7/023Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/027Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/40Treatment after imagewise removal, e.g. baking

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Abstract

The present invention has the purpose to provide a photosensitive resin composition, which has a high sensitivity, an excellent storage stability, and an excellent reliability of an obtained cured film (in particular, chemical resistance), and a large exposure margin or development margin when manufacturing a cured film. As a means to achieve the purpose, provided is a photosensitive resin composition, which comprises (A) a polymer component including a repeat unit originated from a monomer having a carboxyl group protected with an acid labile group, and/or a repeat unit originated from a monomer having a phenolic hydroxide group protected by an acid labile group (a1), and a repeat unit (a2) having a cross linking group, in the identical polymer and/or different polymers; (B) a compound having an oxime sulfonate residue group represented by general formula (b1); and (C) a solvent, wherein the solvent includes at least one solvent having a boiling point less than 180°C, and at least one solvent having a boiling point of 180°C or higher, and (the sum amount of the solvent having a boiling point less than 180°C):(the sum amount of the solvent having a boiling point of 180°C or higher) is 99:1-50:50 in mass conversion.

Description

감광성 수지 조성물, 경화막 및 그 제조 방법{PHOTOSENSITIVE CURABLE RESIN COMPOSITION, CURED FILM AND METHOD FOR THE CURED FILM}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a photosensitive resin composition, a cured film, and a method of manufacturing the same. BACKGROUND ART [0002]

본 발명은 감광성 수지 조성물, 경화막 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 또한, 당해 경화막을 사용한 유기 EL 표시 장치, 및 액정 표시 장치 등의 전자 디바이스에 관한 것이다. 더 상세하게는, 유기 EL 표시 장치, 액정 표시 장치, 집적 회로 소자, 고체 촬상 소자 등의 전자 부품의 평탄화막, 보호막이나 층간 절연막의 형성에 호적(好適)한, 포지티브형 감광성 수지 조성물 및 그것을 사용한 경화막의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a photosensitive resin composition, a cured film and a method for producing the same. Further, the present invention relates to an organic EL display device using the cured film, and an electronic device such as a liquid crystal display device. More particularly, the present invention relates to a positive type photosensitive resin composition suitable for forming a planarizing film, a protective film or an interlayer insulating film of an electronic component such as an organic EL display device, a liquid crystal display device, an integrated circuit device, And a method for producing a cured film.

유기 EL 표시 장치나 액정 표시 장치 등에는, 일반적으로 층상(層狀)으로 배치되는 배선의 사이를 절연하기 위해 패턴 형성된 층간 절연막이 마련되어 있다. 이 층간 절연막의 형성에는, 필요로 하는 패턴 형상을 얻기 위한 공정수가 적고, 게다가 충분한 평탄성을 갖는 것이 바람직하므로, 감광성 수지 조성물이 널리 사용되고 있다.In an organic EL display device, a liquid crystal display device, or the like, a patterned interlayer insulating film is provided so as to insulate between wirings generally arranged in layers. In order to form this interlayer insulating film, it is preferable that the number of steps for obtaining a necessary pattern shape is small and furthermore, it is desired to have sufficient flatness, and thus a photosensitive resin composition is widely used.

상기와 같은 감광성 수지 조성물을 사용하여 패턴 형성된 층간 절연막이나 평탄화막에는, 투명성에 더하여, 내(耐)용제성이나 상층에 스퍼터링되는 산화인듐주석(ITO)에의 내성이 우수한 것과 같은, 신뢰성이 높은 경화막인 것이 요구된다.In the patterned interlayer insulating film and the planarizing film using the photosensitive resin composition as described above, a highly reliable curing film such as a film having excellent transparency and excellent resistance to solvent resistance and sputtered indium tin oxide (ITO) .

또한 근년에는 유기 EL 표시 장치나 액정 표시 장치를 고정세(高精細)한 표시 특성으로 하기 위해, 감광성 수지 조성물의 고해상성이 요구되고 있다.Further, in recent years, high resolution of a photosensitive resin composition has been required in order to make display characteristics of an organic EL display device and a liquid crystal display device high definition.

여기에서, 감광성 수지 조성물로서는, 일본국 특개2004-264623호 공보에 기재된 것이 알려져 있다. 또한, 감광성 수지 조성물에 사용되는 용제도 지금까지 널리 검토되어지고 있으며, 예를 들면 미노광부 잔막률이 큰 레지스트 패턴을 형성 가능한 화학 증폭 포지티브형 레지스트 조성물이 제안되어 있다(예를 들면 일본국 특개2001-56558호 공보).As the photosensitive resin composition, those disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-264623 are known. In addition, a solvent for use in a photosensitive resin composition has been extensively studied so far, and for example, a chemically amplified positive resist composition capable of forming a resist pattern having a large residual ratio of unexposed portions has been proposed (see, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 2001 -56558).

그러나 본원 발명자가 일본국 특개2004-264623호 공보 및 일본국 특개2001-56558호 공보를 검토한 바, 이들의 조성물은, 고감도이며, 보존 안정성이 우수하고, 얻어지는 경화막의 신뢰성(특히 내약품성)이 우수하며, 경화막 제조시의 노광 마진이나 현상 마진이 넓은 감광성 수지 조성물이 아님을 알 수 있었다. 또한, 감광성 조성물의 표면에, ITO를 스퍼터링 등에 의해 마련할 경우, 이에 대한 내성도 요구된다. 본원 발명은 이러한 문제점을 해결하는 것을 목적으로 한 것으로서, 고감도이며, 보존 안정성이 우수하고, 얻어지는 경화막의 신뢰성(특히 내약품성)이 우수하며, 경화막 제조시의 노광 마진이나 현상 마진이 넓고, ITO 스퍼터 내성이 우수한 감광성 수지 조성물 등을 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한, ITO를 스퍼터링 등에 의해 마련할 경우에 대한 내성(이하, 「ITO 스퍼터 내성」이라고 하는 경우가 있음)을 갖는 감광성 수지 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.However, the inventors of the present invention have studied the Japanese Unexamined Patent Application Publication Nos. 2004-264623 and 2001-56558, and have found that these compositions have high sensitivity, excellent storage stability, and reliability (particularly, chemical resistance) And it was found that the photosensitive resin composition was not a wide exposure margin or a developing margin at the time of producing a cured film. Further, when ITO is provided on the surface of the photosensitive composition by sputtering or the like, resistance to such is also required. The object of the present invention is to provide a cured film which has high sensitivity, excellent storage stability, excellent reliability (particularly, chemical resistance) of the obtained cured film, broad exposure margin and development margin at the time of producing a cured film, And a photosensitive resin composition excellent in sputter resistance. It is also an object of the present invention to provide a photosensitive resin composition having resistance to ITO by sputtering or the like (hereinafter sometimes referred to as " ITO sputter resistance ").

이러한 상황 하에서, 본원 발명자가 예의 검토를 행한 결과, 감광성 수지 조성물에 있어서, 용제 성분으로서 6, 비점이 180℃ 미만의 용제와 180℃ 이상의 용제를, (비점이 180℃ 미만의 용제의 합계량):(비점이 180℃ 이상의 용제 합계량)이 99:1∼50:50이 되도록 비율로 사용함으로써, 상기 과제를 해결할 수 있음을 발견했다.Under these circumstances, the inventors of the present invention have conducted an intensive study. As a result of intensive studies, it has been found that a photosensitive resin composition containing 6 as a solvent component, a solvent having a boiling point of less than 180 캜 and a solvent having a boiling point of 180 캜 or higher, (The total amount of the solvent having a boiling point of 180 DEG C or higher) is in the range of 99: 1 to 50:50, the above problems can be solved.

구체적으로는, 하기 <1>, <7>, <9> 또는 <11> 이하의 수단에 의해, 바람직하게는, 하기 <2>∼<6>, <8> 및 <10>의 수단에 의해, 상기 과제는 달성되었다.Specifically, it is preferable to use the means described in <2> to <6>, <8> and <10> described below by means of the following <1>, <7>, <9> , The above problem has been achieved.

<1> (A) 산분해성기로 보호된 카르복시기를 갖는 모노머 유래의 반복 단위, 및/또는, 산분해성기로 보호된 페놀성 수산기를 갖는 모노머 유래의 반복 단위(a1)와, 가교기를 갖는 구성 단위(a2)를, 동일한 중합체 및/또는 상이한 중합체에 함유하는 중합체 성분,(1) A resin composition comprising (A) a repeating unit derived from a monomer having a carboxyl group protected with an acid-decomposable group and / or a repeating unit (a1) derived from a monomer having a phenolic hydroxyl group protected with an acid- a2) in the same polymer and / or different polymer,

(B) 하기 일반식(b1)으로 표시되는 옥심설포네이트 잔기를 함유하는 화합물, 및(B) a compound containing an oxime sulfonate residue represented by the following general formula (b1), and

Figure pat00001
Figure pat00001

(일반식(b1) 중, R5은 알킬기 또는 아릴기를 나타낸다.)(In the general formula (b1), R 5 represents an alkyl group or an aryl group.)

(C) 용제를 함유하고, 상기 용제로서, 적어도 1종의 비점이 180℃ 미만의 용제와, 적어도 1종의 비점이 180℃ 이상의 용제를 함유하고, (비점이 180℃ 미만의 용제의 합계량):(비점이 180℃ 이상의 용제 합계량)이 질량 환산으로 99:1∼50:50인 감광성 수지 조성물.(C) at least one kind of solvent having a boiling point of less than 180 deg. C and at least one kind of solvent having a boiling point of 180 deg. C or more as the above-mentioned solvent, : A total amount of the solvent having a boiling point of 180 占 폚 or more) is 99: 1 to 50:50 in terms of mass.

<2> 상기 비점이 180℃ 이상의 용제의 분배 계수(LogP)가 -0.5∼1.0의 범위인 <1>에 기재된 감광성 수지 조성물.<2> The photosensitive resin composition according to <1>, wherein the partition coefficient (Log P) of the solvent having a boiling point of 180 ° C or higher is in a range of -0.5 to 1.0.

<3> 상기 (B) 옥심설포네이트 잔기를 함유하는 화합물로서, 하기 일반식(OS-3), 일반식(OS-4), 일반식(OS-5), 및 일반식(b2)으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 함유하는 <1> 또는 <2>에 기재된 감광성 수지 조성물.(3) The oxime sulfonate compound according to any one of (1) to (3), wherein the compound (B) is a compound containing an oxime sulfonate residue represented by the following general formula (OS-3), OS- Lt; 1 &gt; or &lt; 2 &gt;.

Figure pat00002
Figure pat00002

(일반식(OS-3)∼일반식(OS-5) 중, R1은 알킬기, 아릴기 또는 헤테로아릴기를 나타내고, R2은 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기, 아릴기 또는 할로겐 원자를 나타내며, R6은 각각 독립적으로, 할로겐 원자, 알킬기, 알킬옥시기, 설폰산기, 아미노설포닐기 또는 알콕시설포닐기를 나타내고, X는 O 또는 S를 나타내며, n은 1 또는 2를 나타내고, m은 0∼6의 정수를 나타낸다.)(In the general formulas (OS-3) to (OS-5), R 1 represents an alkyl group, an aryl group or a heteroaryl group, each R 2 independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group or a halogen atom , R 6 each independently represents a halogen atom, an alkyl group, an alkyloxy group, a sulfonic acid group, an aminosulfonyl group or an alkoxysulfonyl group, X represents O or S, n represents 1 or 2, Represents an integer of 6.)

Figure pat00003
Figure pat00003

(일반식(b2) 중, R5은 알킬기 또는 아릴기를 나타내고, X는 알킬기, 알콕시기, 또는, 할로겐 원자를 나타내며, m은 0∼3의 정수를 나타내고, m이 2 또는 3일 때, 복수의 X는 동일해도 상이해도 된다.)(In the general formula (b2), R 5 represents an alkyl group or an aryl group, X represents an alkyl group, an alkoxy group or a halogen atom, m represents an integer of 0 to 3, and when m is 2 or 3, X may be the same or different.)

<4> 상기 가교기를 갖는 모노머 유래의 반복 단위(a2)가, 3원환 및/또는 4원환의 환상(環狀) 에테르 잔기, 및 에틸렌성 불포화기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 함유하는 <1>∼<3> 중 어느 한 항에 기재된 감광성 수지 조성물.The repeating unit (a2) derived from the monomer having a crosslinking group is preferably a repeating unit (a2) containing at least one member selected from the group consisting of a cyclic ether residue of a 3-membered ring and / or a 4-membered ring, The photosensitive resin composition according to any one of < 1 > to < 3 >.

<5> (E) 에폭시 수지를 더 함유하는 <1>∼<4> 중 어느 한 항에 기재된 감광성 수지 조성물.<5> The photosensitive resin composition according to any one of <1> to <4>, further comprising (E) an epoxy resin.

<6> 화학 증폭 포지티브형 감광성 수지 조성물인 <1>∼<5> 중 어느 한 항에 기재된 감광성 수지 조성물.&Lt; 6 > The photosensitive resin composition according to any one of < 1 > to < 5 >, which is a chemically amplified positive photosensitive resin composition.

<7> (1) <1>∼<6> 중 어느 한 항에 기재된 감광성 수지 조성물을 기판 위에 적용하는 공정,(7) A process for producing a photosensitive resin composition, comprising the steps of (1) applying the photosensitive resin composition described in any one of (1) to (6)

(2) 적용된 감광성 수지 조성물로부터 용제를 제거하는 공정,(2) a step of removing the solvent from the applied photosensitive resin composition,

(3) 활성 방사선으로 노광하는 공정,(3) a step of exposing with active radiation,

(4) 현상액으로 현상하는 공정, 및(4) a step of developing with a developer, and

(5) 열경화하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 경화막의 형성 방법.(5) A method of forming a cured film, which comprises a step of thermally curing.

<8> 상기 현상하는 공정 후, 열경화하는 공정 전에, 전면(全面) 노광하는 공정을 포함하는 <7>에 기재된 경화막의 형성 방법.<8> The method for forming a cured film according to <7>, which comprises a step of exposing the entire surface after the developing step and before the step of heat curing.

<9> <7> 또는 <8>에 기재된 형성 방법에 의해 형성된 경화막.<9> A cured film formed by the forming method described in <7> or <8>.

<10> 층간 절연막인 <9>에 기재된 경화막.<10> The cured film according to <9>, which is an interlayer insulating film.

<11> <9> 또는 <10>에 기재된 경화막을 포함하는 유기 EL 표시 장치 또는 액정 표시 장치.<11> An organic EL display device or liquid crystal display device comprising the cured film according to <9> or <10>.

본 발명에 의하면, 고감도이며, 보존 안정성이 우수하고, 얻어지는 경화막의 신뢰성(특히 내약품성)이 우수하며, 경화막 제조시의 노광 마진이나 현상 마진이 넓고, ITO 스퍼터 내성이 우수한 감광성 수지 조성물을 제공하는 것이 가능해졌다.According to the present invention, there is provided a photosensitive resin composition which has high sensitivity, excellent storage stability, excellent reliability (particularly, chemical resistance) of the obtained cured film, broad exposure margin and development margin at the time of producing a cured film, and excellent resistance to ITO sputtering .

도 1은 유기 EL 표시 장치의 일례의 구성 개념도를 나타낸다. 보텀 에미션형의 유기 EL 표시 장치에 있어서의 기판의 모식적 단면도를 나타내고, 평탄화막(4)을 갖고 있다.
도 2는 액정 표시 장치의 일례의 구성 개념도를 나타낸다. 액정 표시 장치에 있어서의 액티브 매트릭스 기판의 모식적 단면도를 나타내고, 층간 절연막인 경화막(17)을 갖고 있다.
Fig. 1 shows a configuration diagram of an example of an organic EL display device. 1 is a schematic cross-sectional view of a substrate in a bottom emission type organic EL display device and has a planarization film 4.
2 is a conceptual diagram showing an example of the configuration of a liquid crystal display device. Sectional view of an active matrix substrate in a liquid crystal display device and has a cured film 17 as an interlayer insulating film.

이하에서, 본 발명의 내용에 대해서 상세하게 설명한다. 또한, 본원 명세서에서 「∼」란 그 전후에 기재되는 수치를 하한치 및 상한치로서 포함하는 의미로 사용된다. 본 명세서에서, 알킬기 등의 「기」는, 특별히 서술하지 않는 한, 치환기를 갖고 있어도 되고, 갖고 있지 않아도 된다. 또한, 탄소수가 한정되어 있는 기의 경우, 당해 탄소수는, 치환기가 갖는 탄소수를 포함한 수를 의미하고 있다. 또한, 유기 EL 소자란, 유기 일렉트로 루미네센스 소자를 의미한다.Hereinafter, the contents of the present invention will be described in detail. In the present specification, &quot; ~ &quot; is used to mean that the numerical values described before and after the lower limit and the upper limit are included. In the present specification, "a group" such as an alkyl group may or may not have a substituent unless otherwise specified. In the case of a group having a limited number of carbon atoms, the number of carbon atoms means the number including the carbon number of the substituent. The organic EL element means an organic electroluminescence element.

본 발명의 감광성 수지 조성물은, (A) 산분해성기로 보호된 카르복시기를 갖는 모노머 유래의 반복 단위, 및/또는, 산분해성기로 보호된 페놀성 수산기를 갖는 모노머 유래의 반복 단위(a1)와, 가교기를 갖는 모노머 유래의 반복 단위(a2)를 갖는 공중합체, (B) 하기 일반식(b1)으로 표시되는 옥심설포네이트 잔기를 함유하는 화합물, 및 (C) 용제를 함유하고, 상기 용제로서, 적어도 1종의 비점이 180℃ 미만의 용제와, 적어도 1종의 비점이 180℃ 이상의 용제를 함유하고, (비점이 180℃ 미만의 용제의 합계량):(비점이 180℃ 이상의 용제 합계량)이 99:1∼50:50인 것을 특징으로 한다.The photosensitive resin composition of the present invention comprises (A) a repeating unit derived from a monomer having a carboxyl group protected with an acid decomposable group and / or a repeating unit (a1) derived from a monomer having a phenolic hydroxyl group protected with an acid decomposable group, (B) a compound containing an oxime sulfonate residue represented by the following general formula (b1), and (C) a solvent, wherein the solvent is at least one selected from the group consisting of (A total amount of the solvent having a boiling point of 180 DEG C or higher) and a solvent having a boiling point of 180 DEG C or higher and a solvent having a boiling point of 180 DEG C or higher, 1 to 50:50.

Figure pat00004
Figure pat00004

(일반식(b1) 중, R5은 알킬기 또는 아릴기를 나타낸다.)(In the general formula (b1), R 5 represents an alkyl group or an aryl group.)

이와 같은 구성으로 함으로써, 감도, 보존 안정성, 내용제성, 및 노광 마진 중 어느 것에도 우수한 감광성 수지 조성물을 얻을 수 있다.By such a constitution, a photosensitive resin composition excellent in sensitivity, storage stability, solvent resistance, and exposure margin can be obtained.

이와 같은 감광성 수지 조성물은, 어느 정도 막 중에 용매가 남아있는 상태로 포스트베이킹되기 때문에, 가교 반응이 보다 촉진되기 쉽고, 치밀한 막을 형성할 수 있어, ITO 스퍼터 내성이 향상한다고 생각할 수 있다.Such a photosensitive resin composition is post-baked to some extent with a solvent remaining in the film, so that the crosslinking reaction is more likely to be promoted, and a dense film can be formed, thereby improving the resistance to ITO sputtering.

이하, 본 발명의 감광성 수지 조성물에 대해서 상세하게 설명한다.Hereinafter, the photosensitive resin composition of the present invention will be described in detail.

(A) 중합체(A) Polymer

본 발명의 조성물은, 중합체 성분으로서, (1) (a1) 산기가 산분해성기로 보호된 잔기를 갖는 구성 단위 및 (a2) 가교성기를 갖는 구성 단위를 갖는 중합체, 그리고 (2) (a1) 산기가 산분해성기로 보호된 잔기를 갖는 구성 단위를 갖는 중합체 및 (a2) 가교성기를 갖는 구성 단위를 갖는 중합체 중 적어도 한쪽을 함유한다. 또한, 이들 이외의 중합체를 함유하고 있어도 된다. 본 발명에서의 (A) 중합체 성분(이하, 「(A) 성분」이라는 경우가 있음)은, 특별히 서술하지 않는 한, 상기 (1)및/또는 (2)에 더하여, 필요에 따라 첨가되는 다른 중합체를 함유한 것을 의미한다.(1) a polymer having (a1) a structural unit having an acid group protected by an acid-decomposable group and (a2) a structural unit having a crosslinkable group, and (2) (A2) a polymer having a structural unit having a crosslinkable group and a polymer having a structural unit having a residue protected with an acid-decomposable group. It may contain other polymers. The polymer component (A) (hereinafter sometimes referred to as "component (A)") in the present invention may contain, in addition to the above (1) and / or (2) Quot; polymer &quot;

(A) 성분은, 상기 모노머 단위(a1) 및 모노머 단위(a2) 이외에도, 그 밖의 모노머 단위(a3)를 함유하고 있어도 된다.The component (A) may contain other monomer unit (a3) in addition to the monomer unit (a1) and the monomer unit (a2).

본 발명에서는, 산분해성기로 보호된 카르복시기를 갖는 모노머 유래의 반복 단위 및 산분해성기로 보호된 페놀성 수산기를 갖는 모노머 유래의 반복 단위 중, 산분해성기로 보호된 카르복시기를 갖는 모노머 유래의 반복 단위가 바람직하다.In the present invention, among repeating units derived from a monomer having a carboxyl group protected by an acid-decomposable group and repeating units derived from a monomer having a phenolic hydroxyl group protected with an acid-decomposable group, a repeating unit derived from a monomer having a carboxyl group protected with an acid- Do.

(A) 공중합체는 알칼리 불용성이며, 또한, 모노머 단위(a1)가 갖는 산분해성기가 분해했을 때에 알칼리 가용성이 되는 수지인 것이 바람직하다. 여기에서, 산분해성기란 산의 존재 하에서 분해하는 것이 가능한 관능기를 의미한다. 즉, 산분해성기로 보호된 카르복시기를 갖는 모노머 유래의 반복 단위는, 산에 의해 보호기가 분해함으로써, 카르복시기를 생성 가능하며, 또한, 산분해성기로 보호된 페놀성 수산기를 갖는 모노머 유래의 반복 단위는, 산에 의해 보호기가 분해함으로써, 페놀성 수산기를 생성 가능하다. 여기에서, 본 발명에서 「알칼리 가용성」이란, 당해 화합물(수지)의 용액을 기판 위에 도포하고, 90℃에서 2분간 가열함으로써 형성되는 당해 화합물(수지)의 도막(두께 3㎛)의, 23℃에서의 0.4% 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액에 대한 용해 속도가 0.01㎛/초 이상임을 말하고, 「알칼리 불용성」이란, 당해 화합물(수지)의 용액을 기판 위에 도포하고, 90℃에서 2분간 가열함으로써 형성되는 당해 화합물(수지)의 도막(두께 3㎛)의, 23℃에서의 0.4% 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액에 대한 용해 속도가 0.01㎛/초 미만임을 말한다.It is preferable that the (A) copolymer is a resin that is alkali-insoluble and becomes alkali-soluble when the acid-decomposable group of the monomer unit (a1) is decomposed. Herein, the acid-decomposable group means a functional group capable of decomposing in the presence of an acid. That is, in the repeating unit derived from a monomer having a carboxyl group protected with an acid-decomposable group, the repeating unit derived from a monomer having a phenolic hydroxyl group protected by an acid and capable of forming a carboxyl group by decomposition of a protecting group and protected with an acid- By decomposing the protecting group by an acid, it is possible to generate a phenolic hydroxyl group. Here, in the present invention, "alkali solubility" means that the coating solution (thickness 3 μm) of the compound (resin) formed by heating the solution of the compound (resin) on a substrate at 90 ° C. for 2 minutes at 23 ° C. Means that the dissolution rate in the 0.4% aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide in the aqueous solution is 0.01 탆 / second or more. "Alkali insoluble" means that the solution of the compound (resin) is coated on the substrate and heated at 90 캜 for 2 minutes Means that the dissolution rate of the coating film (thickness 3 占 퐉) of the compound (resin) to be formed in an aqueous 0.4% tetramethylammonium hydroxide solution at 23 占 폚 is less than 0.01 占 퐉 / second.

상기 (A) 공중합체는, 상기 (A) 공중합체 전체를 알칼리 불용성으로 유지하는 한, 산성기의 도입을 배제하는 것이 아니라, 후술하는 카르복시기, 카르복시산 무수물 잔기 및/또는 페놀성 수산기를 갖는 그 밖의 모노머 단위 등을 갖고 있어도 된다.The above-mentioned (A) copolymer does not exclude the introduction of an acidic group, as long as the whole of the copolymer (A) is kept insoluble in alkali, but the other carboxyl group, A monomer unit or the like.

(A) 공중합체는, 부가 중합형의 수지인 것이 바람직하고, (메타)아크릴산 및/또는 그 에스테르에 유래하는 모노머 단위를 주성분으로서 함유하는 중합체이다. 또한, 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 범위 내에서, (메타)아크릴산 및/또는 그 에스테르에 유래하는 모노머 단위 이외의 모노머 단위, 예를 들면 스티렌에 유래하는 모노머 단위나, 비닐 화합물에 유래하는 모노머 단위 등을 갖고 있어도 된다.The (A) copolymer is preferably a polymer of addition polymerization type and is a polymer containing, as a main component, a monomer unit derived from (meth) acrylic acid and / or an ester thereof. Furthermore, within the scope of not deviating from the spirit of the present invention, it is also possible to use monomer units other than the monomer units derived from (meth) acrylic acid and / or esters thereof, for example, monomer units derived from styrene, monomers derived from vinyl compounds Unit or the like.

상기 (A) 공중합체는, (메타)아크릴산 및/또는 그 에스테르에 유래하는 모노머 단위를, 중합체에 있어서의 전 모노머 단위에 대하여, 50몰% 이상 함유하는 것이 바람직하고, 90몰% 이상 함유하는 것이 보다 바람직하며, (메타)아크릴산 및/또는 그 에스테르에 유래하는 모노머 단위만으로 이루어지는 중합체인 것이 특히 바람직하다. The (A) copolymer preferably contains monomer units derived from (meth) acrylic acid and / or esters thereof in an amount of 50 mol% or more relative to all monomer units in the polymer, more preferably 90 mol% or more (Meth) acrylic acid and / or an ester thereof. It is particularly preferable that the polymer is a polymer comprising only monomer units derived from (meth) acrylic acid and / or an ester thereof.

또한, 「(메타)아크릴산 및/또는 그 에스테르에 유래하는 모노머 단위」를 「아크릴계 모노머 단위」라고도 한다. 또한, 「(메타)아크릴산」은, 「메타크릴산 및/또는 아크릴산」을 의미하는 것으로 한다.Further, the "monomer unit derived from (meth) acrylic acid and / or its ester" is also referred to as "acrylic monomer unit". Further, "(meth) acrylic acid" means "methacrylic acid and / or acrylic acid".

이하, 모노머 단위(a1), 모노머 단위(a2), 각각에 대해서 설명한다.Hereinafter, the monomer unit (a1) and the monomer unit (a2) will be respectively described.

(a1) 산분해성기로 보호된 카르복시기를 갖는 모노머 유래의 반복 단위, 또는, 산분해성기로 보호된 페놀성 수산기를 갖는 모노머 유래의 반복 단위(a1) a repeating unit derived from a monomer having a carboxyl group protected with an acid-decomposable group, or a repeating unit derived from a monomer having a phenolic hydroxyl group protected with an acid-

(A) 성분은, 산분해성기로 보호된 카르복시기를 갖는 모노머 유래의 반복 단위, 또는, 산분해성기로 보호된 페놀성 수산기를 갖는 모노머 유래의 반복 단위를 갖는다. (A) 성분이 모노머 단위(a1)를 가짐으로써, 매우 고감도의 감광성 수지 조성물로 할 수 있다.The component (A) has a repeating unit derived from a monomer having a carboxyl group protected with an acid-decomposable group or a repeating unit derived from a monomer having a phenolic hydroxyl group protected with an acid-decomposable group. By having the monomer unit (a1) as the component (A), a highly sensitive photosensitive resin composition can be obtained.

(a1-1) 산분해성기로 보호된 카르복시기를 갖는 모노머 유래의 반복 단위(a1-1) a repeating unit derived from a monomer having a carboxyl group protected with an acid-decomposable group

(a1-1-1) 카르복시기를 갖는 모노머 단위(a1-1-1) a monomer unit having a carboxyl group

카르복시기를 갖는 모노머 단위로서는, 예를 들면 불포화 모노카르복시산, 불포화 디카르복시산, 불포화 트리카르복시산 등의, 분자 중에 적어도 1개의 카르복시기를 갖는 불포화 카르복시산 등에 유래하는 모노머 단위를 들 수 있다.Examples of the monomer unit having a carboxyl group include a monomer unit derived from an unsaturated carboxylic acid having at least one carboxyl group in a molecule such as an unsaturated monocarboxylic acid, an unsaturated dicarboxylic acid and an unsaturated tricarboxylic acid.

카르복시기를 갖는 모노머 단위를 얻기 위해 사용되는 불포화 카르복시산으로서는 이하에 드는 것을 사용할 수 있다. 즉, 불포화 모노카르복시산으로서는, 예를 들면 아크릴산, 메타크릴산, 크로톤산, α-클로로아크릴산, 신남산 등을 들 수 있다. 또한, 불포화 디카르복시산으로서는, 예를 들면 말레산, 푸마르산, 이타콘산, 시트라콘산, 메사콘산 등을 들 수 있다. 또한, 카르복시기를 갖는 모노머 단위를 얻기 위해 사용되는 불포화 다가 카르복시산은, 그 산무수물이어도 된다. 구체적으로는, 무수 말레산, 무수 이타콘산, 무수 시트라콘산 등을 들 수 있다. 또한, 불포화 다가 카르복시산은, 다가 카르복시산의 모노(2-메타크릴로일옥시알킬)에스테르여도 되고, 예를 들면 숙신산모노(2-아크릴로일옥시에틸), 숙신산모노(2-메타크릴로일옥시에틸), 프탈산모노(2-아크릴로일옥시에틸), 프탈산모노(2-메타크릴로일옥시에틸) 등을 들 수 있다.As the unsaturated carboxylic acid to be used for obtaining the monomer unit having a carboxyl group, the following can be used. Examples of the unsaturated monocarboxylic acid include acrylic acid, methacrylic acid, crotonic acid,? -Chloroacrylic acid, cinnamic acid, and the like. Examples of the unsaturated dicarboxylic acid include maleic acid, fumaric acid, itaconic acid, citraconic acid, and mesaconic acid. The unsaturated polycarboxylic acid used for obtaining a monomer unit having a carboxyl group may be an acid anhydride thereof. Specific examples thereof include maleic anhydride, itaconic anhydride, and citraconic anhydride. The unsaturated polycarboxylic acid may be a mono (2-methacryloyloxyalkyl) ester of a polyvalent carboxylic acid, and examples thereof include monosaccharide mono (2-acryloyloxyethyl), succinic acid mono Ethyl), phthalic acid mono (2-acryloyloxyethyl), phthalic acid mono (2-methacryloyloxyethyl), and the like.

또한, 불포화 다가 카르복시산은, 그 양(兩) 말단 디카르복시폴리머의 모노(메타)아크릴레이트여도 되고, 예를 들면 ω-카르복시폴리카프로락톤모노아크릴레이트, ω-카르복시폴리카프로락톤모노메타크릴레이트 등을 들 수 있다.Further, the unsaturated polycarboxylic acid may be mono (meth) acrylate of the both terminal dicarboxylic polymer, and examples thereof include ω-carboxypolycaprolactone monoacrylate, ω-carboxypolycaprolactone monomethacrylate and the like .

또한, 불포화 카르복시산으로서는, 아크릴산-2-카르복시에틸에스테르, 메타크릴산-2-카르복시에틸에스테르, 말레산모노알킬에스테르, 푸마르산모노알킬에스테르, 4-카르복시스티렌 등도 사용할 수 있다. 그 중에서도, 현상성의 관점에서, 카르복시기를 갖는 모노머 단위를 형성하기 위해서는, 아크릴산, 메타크릴산, 또는 불포화 다가 카르복시산의 무수물 등을 사용하는 것이 바람직하고, 아크릴산 또는 메타크릴산을 사용하는 것이 보다 바람직하다.Examples of the unsaturated carboxylic acid include acrylic acid-2-carboxyethyl ester, methacrylic acid-2-carboxyethyl ester, maleic acid monoalkyl ester, fumaric acid monoalkyl ester and 4-carboxystyrene. Among them, from the viewpoint of developability, in order to form a monomer unit having a carboxyl group, it is preferable to use acrylic acid, methacrylic acid, or an anhydride of an unsaturated polycarboxylic acid, and more preferably use acrylic acid or methacrylic acid .

카르복시기를 갖는 모노머 단위(a1-1-1)는, 1종 단독으로 구성되어 있어도 되고, 2종 이상으로 구성되어 있어도 된다.The monomer unit (a1-1-1) having a carboxyl group may be composed of one kind alone, or may be composed of two or more kinds.

(a1-1-2) 에틸렌성 불포화기와 산무수물 잔기를 모두 갖는 모노머 단위(a1-1-2) a monomer unit having both an ethylenic unsaturated group and an acid anhydride residue

에틸렌성 불포화기와 산무수물 잔기를 모두 갖는 모노머 단위(a1-2)는, 에틸렌성 불포화기를 갖는 모노머 단위 중에 존재하는 수산기와 산무수물을 반응시켜 얻어진 모노머에 유래하는 단위인 것이 바람직하다.The monomer unit (a1-2) having both an ethylenic unsaturated group and an acid anhydride residue is preferably a monomer-derived unit obtained by reacting a hydroxyl group and an acid anhydride present in a monomer unit having an ethylenic unsaturated group.

산무수물로서는, 공지의 것을 사용할 수 있고, 구체적으로는, 무수 말레산, 무수 숙신산, 무수 이타콘산, 무수 프탈산, 테트라히드로 무수 프탈산, 헥사히드로 무수 프탈산, 무수 크로렌드산 등의 2염기산 무수물; 무수 트리멜리트산, 무수 피로멜리트산, 벤조페논테트라카르복시산 무수물, 비페닐테트라카르복시산 무수물 등의 산무수물을 들 수 있다. 이들 중에서는, 현상성의 관점에서, 무수 프탈산, 테트라히드로 무수 프탈산, 또는 무수 숙신산이 바람직하다.As the acid anhydride, known dicarboxylic acid anhydrides such as maleic anhydride, succinic anhydride, itaconic anhydride, phthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride and anhydride anhydride; Acid anhydrides such as trimellitic anhydride, pyromellitic anhydride, benzophenonetetracarboxylic anhydride and biphenyltetracarboxylic anhydride. Of these, phthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, or succinic anhydride are preferable from the viewpoint of developability.

산무수물의 수산기에 대한 반응률은, 현상성의 관점에서, 바람직하게는 10∼100몰%, 보다 바람직하게는 30∼100몰%이다.The reaction rate of the acid anhydride to the hydroxyl group is preferably 10 to 100 mol%, more preferably 30 to 100 mol% from the viewpoint of developability.

(a1-1-3) 산분해성기로 보호된 카르복시기를 갖는 모노머 유래의 반복 단위(a1-1-3) a repeating unit derived from a monomer having a carboxyl group protected with an acid-decomposable group

산분해성기로 보호된 카르복시기를 갖는 모노머 유래의 반복 단위란, 바람직하게는 상기 (a1-1-1), 상기 (a1-1-2)에 기재된 카르복시기가 이하에 상세하게 설명하는 산분해성기에 의해 보호된 잔기를 갖는 모노머 단위이다.The repeating unit derived from a monomer having a carboxyl group protected with an acid-decomposable group is preferably a repeating unit derived from the above-mentioned (a1-1-1), the carboxyl group described in the above (a1-1-2) &Lt; / RTI &gt;

산분해성기로서는, 지금까지 KrF용 포지티브형 레지스트, ArF용 포지티브형 레지스트에 있어서의 산분해성기로서 공지의 것을 사용할 수 있고, 특별히 한정되지 않는다. 종래, 산분해성기로서는, 산에 의해 비교적 분해하기 쉬운 기(예를 들면, 테트라히드로피라닐기 등의 아세탈계 관능기)나 산에 의해 비교적 분해하기 어려운 기(예를 들면, t-부틸에스테르기, t-부틸카보네이트기 등의 t-부틸계 관능기)가 알려져 있다.As the acid decomposable group, there can be used any known acid decomposable group in the positive resist for KrF and the positive resist for ArF, and there is no particular limitation. Conventionally, examples of the acid decomposable group include groups which are relatively easily decomposable by an acid (for example, an acetal functional group such as a tetrahydropyranyl group) or groups which are relatively difficult to decompose by an acid (for example, a t- t-butyl functional group such as t-butyl carbonate group) are known.

이들 산분해성기 중에서도 카르복시기가 아세탈로 보호된 잔기, 또는, 카르복시기가 케탈로 보호된 잔기를 갖는 모노머 단위인 것이, 레지스트의 기본 물성, 특히 감도나 패턴 형상, 콘택트홀의 형성성, 감광성 수지 조성물의 보존 안정성의 관점에서 바람직하다. 또한 산분해성기 중에서도 카르복시기가 하기 식(a1-1)으로 표시되는 아세탈 또는 케탈로 보호된 잔기인 것이, 감도의 관점에서 보다 바람직하다. 또한, 카르복시기가 하기 식(a1-1)으로 표시되는 아세탈 또는 케탈로 보호된 잔기일 경우, 잔기의 전체로서는, -(C=O)-O-CR1R2(OR3)의 구조로 되어 있다.Among these acid decomposable groups, it is preferable that the carboxyl group is a monomer unit having an acetal-protected residue or a carboxyl group-having a carboxylate-protected residue, and the basic properties of the resist, particularly the sensitivity and pattern shape, the formation of contact holes, It is preferable from the viewpoint of stability. Among the acid decomposable groups, it is more preferable from the viewpoint of sensitivity that the carboxy group is an acetal or ketal-protected residue represented by the following formula (a1-1). When the carboxy group is an acetal or ketal-protected residue represented by the following formula (a1-1), the moiety has a structure of - (C═O) -O-CR 1 R 2 (OR 3 ) have.

Figure pat00005
Figure pat00005

(식(a1-1) 중, R1 및 R2은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 알킬기를 나타내고, 단, R1과 R2이 모두 수소 원자일 경우를 제외한다. R3은 알킬기를 나타낸다. R1 또는 R2과, R3이 연결하여 환상 에테르를 형성해도 된다.)(In formula (a1-1), R 1 and R 2 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group, provided that when R 1 and R 2 are both hydrogen atoms, R 3 represents an alkyl group, R 1 or R &lt; 2 &gt; and R &lt; 3 &gt; may be connected to form a cyclic ether.

식(a1-1) 중, R1∼R3은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 알킬기를 나타내고, 당해 알킬기는 직쇄상, 분기쇄상, 환상 중 어느 것이어도 된다. 여기에서, R1 및 R2의 쌍방이 수소 원자를 나타내지 않고, R1 및 R2 중 적어도 한쪽은 알킬기를 나타낸다.In formula (a1-1), R 1 to R 3 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group, and the alkyl group may be any of linear, branched and cyclic. Wherein both of R 1 and R 2 do not represent a hydrogen atom, and at least one of R 1 and R 2 represents an alkyl group.

식(a1-1)에서, R1, R2 및 R3이 알킬기를 나타낼 경우, 당해 알킬기는 직쇄상, 분기쇄상 또는 환상 중 어느 것이어도 된다.In formula (a1-1), when R 1 , R 2 and R 3 represent an alkyl group, the alkyl group may be linear, branched or cyclic.

직쇄상 또는 분기쇄상의 알킬기로서는, 탄소수 1∼12인 것이 바람직하고, 탄소수 1∼6인 것이 보다 바람직하며, 탄소수 1∼4인 것이 더 바람직하다. 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, i-부틸기, sec-부틸기, t-부틸기, n-펜틸기, 네오펜틸기, n-헥실기, 텍실기(2,3-디메틸-2-부틸기), n-헵틸 기, n-옥틸기, 2-에틸헥실기, n-노닐기, n-데실기 등을 들 수 있다.The straight chain or branched chain alkyl group preferably has 1 to 12 carbon atoms, more preferably 1 to 6 carbon atoms, and more preferably 1 to 4 carbon atoms. Specific examples thereof include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an i-propyl group, an n-butyl group, an i-butyl group, a sec- Butyl group, n-heptyl group, n-octyl group, 2-ethylhexyl group, n-nonyl group and n-decyl group.

환상의 알킬기로서는, 탄소수 3∼12인 것이 바람직하고, 탄소수 4∼8인 것이 보다 바람직하며, 탄소수 4∼6인 것이 더 바람직하다. 환상의 알킬기로서는, 예를 들면 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기, 노르보르닐기, 이소보르닐기 등을 들 수 있다.The cyclic alkyl group preferably has 3 to 12 carbon atoms, more preferably 4 to 8 carbon atoms, and more preferably 4 to 6 carbon atoms. Examples of the cyclic alkyl group include a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a cyclooctyl group, a norbornyl group, and an isobornyl group.

상기 알킬기는, 치환기를 갖고 있어도 되고, 치환기로서는, 할로겐 원자, 아릴기, 알콕시기를 예시할 수 있다. 치환기로서 할로겐 원자를 가질 경우, R1, R2, R3은 할로알킬기가 되고, 치환기로서 아릴기를 가질 경우, R1, R2, R3은 아랄킬기가 된다.The alkyl group may have a substituent, and examples of the substituent include a halogen atom, an aryl group and an alkoxy group. When R 1 , R 2 and R 3 are a haloalkyl group, and when they have an aryl group as a substituent, R 1 , R 2 and R 3 are an aralkyl group when they have a halogen atom as a substituent.

할로겐 원자로서는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자가 예시되고, 이들 중에서도 불소 원자 또는 염소 원자가 바람직하다.Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom, and among these, a fluorine atom or a chlorine atom is preferable.

또한, 상기 아릴기로서는, 탄소수 6∼20의 아릴기가 바람직하고, 보다 바람직하게는 탄소수 6∼12이며, 구체적으로는, 페닐기, α-메틸페닐기, 나프틸기 등을 예시할 수 있고, 아릴기로 치환된 알킬기 전체, 즉, 아랄킬기로서는, 벤질기, α-메틸벤질기, 페네틸기, 나프틸메틸기 등을 예시할 수 있다.The aryl group is preferably an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, more preferably 6 to 12 carbon atoms. Specific examples thereof include a phenyl group, an? -Methylphenyl group, a naphthyl group and the like, Examples of the alkyl group as a whole, that is, the aralkyl group, include a benzyl group, an a-methylbenzyl group, a phenethyl group, and a naphthylmethyl group.

상기 알콕시기로서는, 탄소수 1∼6의 알콕시기가 바람직하고, 보다 바람직하게는 탄소수 1∼4이며, 메톡시기 또는 에톡시기가 보다 바람직하다.The alkoxy group is preferably an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, more preferably 1 to 4 carbon atoms, and more preferably a methoxy group or an ethoxy group.

또한, 알킬기가 환상의 알킬기일 경우, 당해 환상의 알킬기는 치환기로서 탄소수 1∼10의 직쇄상 또는 분기쇄상의 알킬기를 갖고 있어도 되고, 알킬기가 직쇄상 또는 분기쇄상의 알킬기일 경우에는, 치환기로서 탄소수 3∼12의 환상의 알킬기를 갖고 있어도 된다.When the alkyl group is a cyclic alkyl group, the cyclic alkyl group may have a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms as a substituent. When the alkyl group is a straight chain or branched chain alkyl group, And may have 3 to 12 cyclic alkyl groups.

이들 치환기는, 상기 치환기로 더 치환되어 있어도 된다.These substituents may be further substituted by the above substituents.

식(a1-1)에서, R1, R2 및 R3이 아릴기를 나타낼 경우, 당해 아릴기는 탄소수 6∼12인 것이 바람직하고, 탄소수 6∼10인 것이 보다 바람직하다. 당해 아릴기는 치환기를 갖고 있어도 되고, 당해 치환기로서는 탄소수 1∼6의 알킬기를 바람직하게 예시할 수 있다. 아릴기로서는, 예를 들면 페닐기, 톨릴기, 쿠메닐기, 1-나프틸기 등을 예시할 수 있다.In formula (a1-1), R 1 and R 2 And R 3 represents an aryl group, the aryl group preferably has 6 to 12 carbon atoms, more preferably 6 to 10 carbon atoms. The aryl group may have a substituent, and as the substituent, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms can be preferably exemplified. As the aryl group, for example, a phenyl group, a tolyl group, a cumenyl group, a 1-naphthyl group and the like can be mentioned.

또한, R1, R2 및 R3은 서로 결합하여, 그들이 결합해 있는 탄소 원자와 일체로 되어 환을 형성할 수 있다. R1과 R2, R1과 R3 또는 R2과 R3이 결합했을 경우의 환구조로서는, 예를 들면 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 테트라히드로푸라닐기, 아다만틸기 및 테트라히드로피라닐기 등을 들 수 있다.Further, R 1 , R 2 and R 3 may be bonded to each other to form a ring with the carbon atom to which they are bonded. Examples of the ring structure when R 1 and R 2 , R 1 and R 3 or R 2 and R 3 are bonded include a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a tetrahydrofuranyl group, An adamantyl group, and a tetrahydropyranyl group.

또한, 식(a1-1)에서, R1 및 R2 중 어느 한쪽이, 수소 원자 또는 메틸기인 것이 바람직하다.In formula (a1-1), it is preferable that either R 1 or R 2 is a hydrogen atom or a methyl group.

식(a1-1)으로 표시되는 잔기를 갖는 모노머 단위를 형성하기 위해 사용되는 라디칼 중합성 단량체는, 시판하는 것을 사용해도 되고, 공지의 방법으로 합성한 것을 사용할 수도 있다. 예를 들면 하기에 나타내는 바와 같이 (메타)아크릴산을 산촉매의 존재 하에서 비닐에테르와 반응시킴으로써 합성할 수 있다.The radically polymerizable monomer used for forming the monomer unit having a moiety represented by the formula (a1-1) may be a commercially available product, or a product synthesized by a known method may be used. For example, by reacting (meth) acrylic acid with a vinyl ether in the presence of an acid catalyst as shown below.

Figure pat00006
Figure pat00006

R11은 수소 원자 또는 알킬기를 나타내고, 당해 알킬기는, 식(a1-1)에서, R1∼R3으로서 나타낸 알킬기와 같다. R11으로서는, 수소 원자 또는 메틸기가 바람직하다.R 11 represents a hydrogen atom or an alkyl group, and the alkyl group is the same as the alkyl group represented by R 1 to R 3 in formula (a1-1). As R 11 , a hydrogen atom or a methyl group is preferable.

R12 및 R13은, -CH(R12) (R13)으로서, 식(a1-1)에서의 R2과 동의(同義)이며, R14은 식(a)에서의 R1과 동의이며, R15은 식(a1-1)에서의 R3과 동의이며, 또한 이들은 바람직한 범위도 같다.R 12 and R 13 are -CH (R 12 ) (R 13 ), synonymous with R 2 in formula (a1-1), R 14 is the same as R 1 in formula (a) , R &lt; 15 &gt; is the same as R &lt; 3 &gt; in formula (a1-1)

상기의 합성은 (메타)아크릴산을 그 밖의 모노머와 미리 공중합시켜 두고, 그 후에 산촉매의 존재 하에서 비닐에테르와 반응시켜도 된다.The above-mentioned synthesis may be carried out by previously copolymerizing (meth) acrylic acid with other monomers, and then reacting with vinyl ether in the presence of an acid catalyst.

본 발명에서 모노머 단위(a1-1)로서는, 이하의 것을 바람직한 예로서 들 수 있다.In the present invention, the following monomer unit (a1-1) is a preferable example.

Figure pat00007
Figure pat00007

(상기 식 중, R1은 각각, 수소 원자 또는 탄소수 1∼4의 알킬기를 나타내고, L1은 카르보닐기 또는 페닐렌기를 나타내며, R2은 각각, 탄소수 1∼4의 알킬기를 나타낸다. n1 및 n2는 각각 1∼5의 정수이며, n3은 1∼4의 정수이며, n4는 1∼3의 정수이다.)(Wherein R 1 is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, L 1 is a carbonyl group or a phenylene group, and R 2 is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.) N 1 and n 2 are N3 is an integer of 1 to 4, and n4 is an integer of 1 to 3.)

R1은 각각, 수소 원자 또는 탄소수 1∼4의 알킬기를 나타내고, 수소 원자 또는 메틸기가 바람직하고, 메틸기가 더 바람직하다.Each R 1 represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, preferably a hydrogen atom or a methyl group, and more preferably a methyl group.

L1은 카르보닐기 또는 페닐렌기를 나타내고, 카르보닐기가 보다 바람직하다.L 1 represents a carbonyl group or a phenylene group, and a carbonyl group is more preferable.

R2은 각각, 수소 원자 또는 탄소수 1∼4의 알킬기를 나타내고, 수소 원자 또는 메틸기가 바람직하고, 모두 수소 원자인 것이 보다 바람직하다.R 2 each represent a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, preferably a hydrogen atom or a methyl group, and more preferably all hydrogen atoms.

n1, n2, n3 및 n4는 각각, 0이 바람직하다.n1, n2, n3 and n4 are each preferably 0.

상기 중에서도, 특히, (1), (2), (5) 또는 (7)이 바람직하고, (2) 또는 (7)이 더 바람직하며, (7)이 특히 바람직하다.Among them, in particular, (1), (2), (5) or (7) is preferable, (2) or (7) is more preferable and (7) is particularly preferable.

산분해성기로 보호된 카르복시기를 갖는 모노머 유래의 반복 단위(a1-1)의 바람직한 구체예로서는, 하기의 모노머 단위를 예시할 수 있다. 또한, R은 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다.As preferable specific examples of the monomer-derived repeating unit (a1-1) having a carboxyl group protected with an acid-decomposable group, the following monomer units can be exemplified. R represents a hydrogen atom or a methyl group.

Figure pat00008
Figure pat00008

(a1-2) 산분해성기로 보호된 페놀성 수산기를 갖는 모노머 유래의 반복 단위(a1-2) a repeating unit derived from a monomer having a phenolic hydroxyl group protected with an acid-decomposable group

(a1-2-1) 페놀성 수산기를 갖는 모노머 단위(a1-2-1) a monomer unit having a phenolic hydroxyl group

페놀성 수산기를 갖는 모노머 단위로서는, 히드록시스티렌계 모노머 단위나 노볼락계의 수지에 있어서의 모노머 단위를 들 수 있지만, 이들 중에서는 α-메틸히드록시스티렌에 유래하는 모노머 단위가, 투명성의 관점에서 바람직하다. 페놀성 수산기를 갖는 모노머 단위 중에서도, 식(a1-2)으로 표시되는 모노머 단위가 투명성, 감도의 관점에서 바람직하다.Examples of the monomer unit having a phenolic hydroxyl group include a hydroxystyrene-based monomer unit and a monomer unit in a novolak-based resin. Of these, monomer units derived from -methylhydroxystyrene are preferred from the viewpoint of transparency . Among the monomer units having a phenolic hydroxyl group, the monomer units represented by the formula (a1-2) are preferred from the viewpoints of transparency and sensitivity.

Figure pat00009
Figure pat00009

(식(a1-2) 중, R20은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R21은 단결합 또는 연결기를 나타내며, R22은 할로겐 원자 또는 알킬기를 나타내고, a는 1∼5의 정수를 나타내며, b는 0∼4의 정수를 나타내고, a+b는 5 이하이다. 또한, R22이 2 이상 존재할 경우, 이들 R22은 상호 상이해도 되고 동일해도 된다.)(In the formula (a1-2), R 20 represents a hydrogen atom or a methyl group, R 21 represents a single bond or a linking group, R 22 represents a halogen atom or an alkyl group, a represents an integer of 1 to 5, b Is an integer of 0 to 4, and a + b is not more than 5. When two or more R 22 are present, these R 22 may be mutually the same or may be the same.)

식(a1-2) 중, R20은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, 메틸기인 것이 바람직하다.In formula (a1-2), R 20 represents a hydrogen atom or a methyl group, and is preferably a methyl group.

또한, R21은 단결합 또는 2가의 연결기를 나타낸다. 단결합일 경우에는, 감도를 향상시킬 수 있고, 또한 경화막의 투명성을 향상시킬 수 있으므로 바람직하다. R21의 2가의 연결기로서는 알킬렌기를 예시할 수 있고, R21이 알킬렌기인 구체예로서는, 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기, 이소프로필렌기, n-부틸렌기, 이소부틸렌기, tert-부틸렌기, 펜틸렌기, 이소펜틸렌기, 네오펜틸렌기, 헥실렌기 등을 들 수 있다. 그 중에서도, R21이 단결합, 메틸렌기, 에틸렌기인 것이 바람직하다. 또한, 상기 2가의 연결기는, 치환기를 갖고 있어도 되고, 치환기로서는, 할로겐 원자, 수산기, 알콕시기 등을 들 수 있다.R 21 represents a single bond or a divalent linking group. In the case of single-crystal combination, it is preferable since sensitivity can be improved and transparency of the cured film can be improved. Examples of the divalent linking group of R 21 include an alkylene group and specific examples of R 21 is an alkylene group include a methylene group, an ethylene group, a propylene group, an isopropylene group, an n-butylene group, an isobutylene group, , Pentylene group, isopentylene group, neopentylene group, hexylene group and the like. Among them, R 21 is preferably a single bond, a methylene group or an ethylene group. The divalent linking group may have a substituent, and examples of the substituent include a halogen atom, a hydroxyl group, and an alkoxy group.

또한, a는 1∼5의 정수를 나타내지만, 본 발명의 효과의 관점이나, 제조가 용이하다는 점에서, a는 1 또는 2인 것이 바람직하고, a가 1인 것이 보다 바람직하다.A is an integer of 1 to 5, but a is preferably 1 or 2, and more preferably a is 1, from the viewpoint of the effects of the present invention and from the viewpoint of easy production.

또한, 벤젠환에 있어서의 수산기의 결합 위치는, R21과 결합해 있는 탄소 원자를 기준(1위치)으로 했을 때, 4위치에 결합해 있는 것이 바람직하다.It is preferable that the bonding position of the hydroxyl group in the benzene ring is bonded to the 4-position when the carbon atom bonded to R 21 is the reference (1 position).

R22은 할로겐 원자 또는 탄소수 1∼5의 직쇄 또는 분기쇄상의 알킬기이다. 구체적으로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기 등을 들 수 있다. 그 중에서도 제조가 용이하다는 점에서, 염소 원자, 브롬 원자, 메틸기 또는 에틸기인 것이 바람직하다.R 22 is a halogen atom or a straight or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. Specific examples thereof include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a n-butyl group, an isobutyl group, a tert- butyl group, a pentyl group, an isopentyl group and a neopentyl group . Among them, chlorine atom, bromine atom, methyl group or ethyl group is preferable in view of easiness of production.

또한, b는 0 또는 1∼4의 정수를 나타낸다.B represents 0 or an integer of 1 to 4;

페놀성 수산기를 갖는 모노머 단위 중에서도, 상기 식(a1-2) 중, R21이 알킬렌기가 아닐 경우에는, 식(a1-2')으로 표시되는 모노머 단위가, 투명성 및 감도의 관점에서 더 바람직하다. R21의 연결기로서는, 알킬렌기 이외에, (공중합체의 주쇄(主鎖)의 측으로부터) 알킬렌옥시카르보닐기 등을 바람직하게 예시할 수 있고, 이 경우에는, 페놀성 수산기를 갖는 모노머 단위가 하기의 식(a1-2')으로 표시되는 것이 바람직하다.Among the monomer units having a phenolic hydroxyl group, when R 21 in the formula (a1-2) is not an alkylene group, the monomer unit represented by the formula (a1-2 ') is more preferred in terms of transparency and sensitivity Do. As the linking group for R 21 , an alkyleneoxycarbonyl group and the like can be preferably exemplified (from the side of the main chain (main chain) of the copolymer) in addition to the alkylene group. In this case, the monomer unit having a phenolic hydroxyl group is preferably Is preferably represented by the formula (a1-2 ').

Figure pat00010
Figure pat00010

(식(a1-2') 중, R30은 식(a1-2)에서의 R20과 동의이며, R32은 식(a1-2)에서의 R22과 동의이며, a 및 b는 식(a1-2)에서의 a 및 b와 각각 동의이다. 또한, 바람직한 범위도 같다.)(In formula (a1-2 '), R 30 is the same as R 20 in formula (a1-2), R 32 is the same as R 22 in formula (a1-2), and a and b are as defined in formula and a and b in a1-2), respectively.

식(a1-2') 중, R33은 2가의 연결기를 나타내고, 알킬렌기를 바람직하게 예시할 수 있다. 당해 알킬렌기는, 직쇄상 또는 분기쇄상 중 어느 것도 좋고, 탄소수 2∼6인 것이 바람직하고, 에틸렌기, 프로필렌기, 이소프로필렌기, n-부틸렌기, tert-부틸렌기, 펜틸렌기, 이소펜틸렌기, 네오펜틸렌기, 헥실렌기 등을 들 수 있다. 또한, 2가의 연결기는, 치환기를 갖고 있어도 되고, 치환기로서는, 할로겐 원자, 수산기, 알콕시기 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, R33으로서는, 에틸렌기, 프로필렌기, 2-히드록시프로필렌기인 것이, 감도의 관점에서 바람직하다.In the formula (a1-2 '), R 33 represents a divalent linking group, and an alkylene group can be preferably exemplified. The alkylene group may be either linear or branched and preferably has 2 to 6 carbon atoms, and examples thereof include an ethylene group, a propylene group, an isopropylene group, an n-butylene group, a tert-butylene group, a pentylene group, , Neopentylene group, hexylene group, and the like. The divalent linking group may have a substituent, and examples of the substituent include a halogen atom, a hydroxyl group, and an alkoxy group. Among them, R 33 is preferably an ethylene group, a propylene group or a 2-hydroxypropylene group from the viewpoint of sensitivity.

(a1-2-2) 산분해성기로 보호된 페놀성 수산기를 갖는 모노머 유래의 반복 단위(a1-2-2) a repeating unit derived from a monomer having a phenolic hydroxyl group protected with an acid-decomposable group

산분해성기로 보호된 페놀성 수산기를 갖는 모노머 유래의 반복 단위는, (a1-2-1) 페놀성 수산기를 갖는 모노머 단위의 페놀성 수산기가, 이하에 상세하게 설명하는 산분해성기에 의해 보호된 잔기를 갖는 모노머 단위이다. 산분해성기로서는, 상술한 바와 같이, 공지의 것을 사용할 수 있고, 특별히 한정되지 않는다. 산분해성기 중에서도 페놀성 수산기가 아세탈로 보호된 잔기, 또는, 페놀성 수산기가 케탈로 보호된 잔기를 갖는 모노머 단위인 것이, 레지스트의 기본 물성, 특히 감도나 패턴 형상, 감광성 수지 조성물의 보존 안정성, 콘택트홀의 형성성의 관점에서 바람직하다. 또한, 산분해성기 중에서도 페놀성 수산기가 식(a1-1)으로 표시되는 아세탈 또는 케탈로 보호된 잔기인 것이, 감도의 관점에서 보다 바람직하다. 또한, 페놀성 수산기가 식(a1-1)으로 표시되는 아세탈 또는 케탈로 보호된 잔기일 경우, 잔기의 전체로서는, -Ar-O-CR1R2(OR3)의 구조로 되어 있다. 또한, Ar은 아릴렌기를 나타낸다.The repeating unit derived from a monomer having a phenolic hydroxyl group protected with an acid-decomposable group is preferably a repeating unit derived from a monomer (a1-2-1) in which the phenolic hydroxyl group of the monomer unit having a phenolic hydroxyl group is a residue protected by an acid- &Lt; / RTI &gt; As the acid decomposable group, known ones can be used as described above, and there is no particular limitation. Among the acid decomposable groups, it is preferred that the phenolic hydroxyl group is a monomer unit having an acetal-protected residue or a phenolic hydroxyl group-having a ketal-protected residue, and the basic properties of the resist, particularly the sensitivity and pattern shape, the storage stability of the photosensitive resin composition, In view of the formation of contact holes. Among the acid decomposable groups, from the viewpoint of sensitivity, it is more preferable that the phenolic hydroxyl group is an acetal or ketal-protected residue represented by the formula (a1-1). Further, when the phenolic hydroxyl group is an acetal or ketal-protected residue represented by the formula (a1-1), the residues have a structure of -Ar-O-CR 1 R 2 (OR 3 ) as a whole. Ar represents an arylene group.

페놀성 수산기의 아세탈에스테르 구조의 바람직한 예는, R1=R2=R3=메틸기나 R1=R2=메틸기이고 R3=벤질기의 조합을 예시할 수 있다.Preferable examples of the acetal ester structure of the phenolic hydroxyl group are R 1 = R 2 = R 3 = methyl group, R 1 = R 2 = methyl group and R 3 = benzyl group.

또한, 페놀성 수산기가 아세탈 또는 케탈로 보호된 잔기를 갖는 모노머 단위를 형성하기 위해 사용되는 라디칼 중합성 단량체로서는, 예를 들면 히드록시스티렌의 1-알콕시알킬 보호체, 히드록시스티렌의 테트라히드로피라닐 보호체, α-메틸-히드록시스티렌의 1-알콕시알킬 보호체, α-메틸-히드록시스티렌의 테트라히드로피라닐 보호체, 4-히드록시페닐메타크릴레이트의 1-알콕시알킬 보호체, 4-히드록시페닐메타크릴레이트의 테트라히드로피라닐 보호체, 4-히드록시벤조산(1-메타크릴로일옥시메틸)에스테르의 1-알콕시알킬 보호체, 4-히드록시벤조산(1-메타크릴로일옥시메틸)에스테르의 테트라히드로피라닐 보호체, 4-히드록시벤조산(2-메타크릴로일옥시에틸)에스테르의 1-알콕시알킬 보호체, 4-히드록시벤조산(2-메타크릴로일옥시에틸)에스테르의 테트라히드로피라닐 보호체, 4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시프로필)에스테르의 1-알콕시알킬 보호체, 4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시프로필)에스테르의 테트라히드로피라닐 보호체, 4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시-2-히드록시프로필)에스테르의 1-알콕시알킬 보호체, 4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시-2-히드록시프로필)에스테르의 테트라히드로피라닐 보호체 등을 들 수 있다.Examples of the radically polymerizable monomer used for forming a monomer unit having a phenolic hydroxyl group having an acetal or ketal protected moiety include a 1-alkoxyalkyl protected product of hydroxystyrene, a tetrahydrofuran of hydroxystyrene Alkoxyalkyl protecting group of? -Methyl-hydroxystyrene, a tetrahydropyranyl protecting group of? -Methyl-hydroxystyrene, a 1-alkoxyalkyl protective group of 4-hydroxyphenyl methacrylate, Hydroxyphenyl methacrylate, 1-alkoxyalkyl protected derivatives of 4-hydroxybenzoic acid (1-methacryloyloxymethyl) ester, 4-hydroxybenzoic acid (1-methacryloyl (2-methacryloyloxyethyl) ester, 4-hydroxybenzoic acid (2-methacryloyloxyethyl) ester, 4-hydroxybenzoic acid Oxyethyl) ester Alkoxyalkyl protected form of 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxypropyl) ester, tetrahydrofuran of 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxypropyl) ester, Alkoxyalkyl protected derivatives of 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxy-2-hydroxypropyl) ester, 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxy- Tetrahydrofuranyl protected form of hydroxypropyl ester).

이들 중에서, 4-히드록시페닐메타크릴레이트의 1-알콕시알킬 보호체, 4-히드록시페닐메타크릴레이트의 테트라히드로피라닐 보호체, 4-히드록시벤조산(1-메타크릴로일옥시메틸)에스테르의 1-알콕시알킬 보호체, 4-히드록시벤조산(1-메타크릴로일옥시메틸)에스테르의 테트라히드로피라닐 보호체, 4-히드록시벤조산(2-메타크릴로일옥시에틸)에스테르의 1-알콕시알킬 보호체, 4-히드록시벤조산(2-메타크릴로일옥시에틸)에스테르의 테트라히드로피라닐 보호체, 4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시프로필)에스테르의 1-알콕시알킬 보호체, 4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시프로필)에스테르의 테트라히드로피라닐 보호체, 4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시-2-히드록시프로필)에스테르의 1-알콕시알킬 보호체, 4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시-2-히드록시프로필)에스테르의 테트라히드로피라닐 보호체가 투명성의 관점에서 바람직하다.Among them, a 1-alkoxyalkyl protected form of 4-hydroxyphenyl methacrylate, a tetrahydropyranyl protected form of 4-hydroxyphenyl methacrylate, a protected form of 4-hydroxybenzoic acid (1-methacryloyloxymethyl) (2-methacryloyloxyethyl) ester of 4-hydroxybenzoic acid (1-methacryloyloxyethyl) ester, a protected tetrahydrothiopyranyl derivative of 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxypropyl) ester of a 4-hydroxybenzoic acid (2-methacryloyloxyethyl) ester, a tetrahydrothiopyranyl protected derivative of a 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxypropyl) ester of 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxypropyl) ester, a tetrahydropyranyl protected derivative of 4-hydroxybenzoic acid Alkoxyalkyl protecting group of 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxy-2-hy Tetrahydrothiopyranyl protecting group of the ester is preferable from the viewpoint of transparency.

페놀성 수산기의 아세탈 보호기 및 케탈 보호기의 구체예로서는, 1-알콕시알킬기를 들 수 있고, 예를 들면 1-에톡시에틸기, 1-메톡시에틸기, 1-n-부톡시에틸기, 1-이소부톡시에틸기, 1-(2-클로로에톡시)에틸기, 1-(2-에틸헥실옥시)에틸기, 1-n-프로폭시에틸기, 1-시클로헥실옥시에틸기, 1-(2-시클로헥실에톡시)에틸기, 1-벤질옥시에틸기 등을 들 수 있고, 이들은 단독 또는 2종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다.Specific examples of the acetal protecting group and ketal protecting group of the phenolic hydroxyl group include a 1-alkoxyalkyl group, and examples thereof include a 1-ethoxyethyl group, a 1-methoxyethyl group, a 1-n-butoxyethyl group, , 1-cyclohexyloxyethyl group, 1- (2-cyclohexyloxy) ethyl group, 1- (2-ethylhexyloxy) , 1-benzyloxyethyl group, etc. These may be used alone or in combination of two or more.

모노머 단위(a1)를 형성하기 위해 사용되는 라디칼 중합성 단량체는, 시판하는 것을 사용해도 되고, 공지의 방법으로 합성한 것을 사용할 수도 있다. 예를 들면 페놀성 수산기를 갖는 화합물을 산촉매의 존재 하에서 비닐에테르와 반응시킴으로써 합성할 수 있다. 상기의 합성은 페놀성 수산기를 갖는 모노머를 그 밖의 모노머와 미리 공중합시켜 두고, 그 후에 산촉매의 존재 하에서 비닐에테르와 반응시켜도 된다.The radically polymerizable monomer used for forming the monomer unit (a1) may be a commercially available product, or a product synthesized by a known method may be used. For example, by reacting a compound having a phenolic hydroxyl group with a vinyl ether in the presence of an acid catalyst. The above-mentioned synthesis may be carried out by previously copolymerizing a monomer having a phenolic hydroxyl group with another monomer, and then reacting with a vinyl ether in the presence of an acid catalyst.

모노머 단위(a1-2)의 바람직한 구체예로서는, 하기의 모노머 단위를 예시할 수 있다.Specific preferred examples of the monomer unit (a1-2) include the following monomer units.

Figure pat00011
Figure pat00011

(A) 성분을 구성하는 모노머 단위 중, 모노머 단위(a1)의 함유율은, 감도의 관점에서, (A) 성분의 공중합체를 전체로서, 3∼70몰%가 바람직하고, 5∼60몰%가 보다 바람직하며, 10∼50몰%가 더 바람직하다.The content of the monomer unit (a1) among the monomer units constituting the component (A) is preferably from 3 to 70 mol%, more preferably from 5 to 60 mol%, from the viewpoint of sensitivity, , And more preferably 10 to 50 mol%.

산분해성기로 보호된 카르복시기를 갖는 모노머 유래의 반복 단위는, 산분해성기로 보호된 페놀성 수산기를 갖는 모노머 유래의 반복 단위에 비하면, 현상이 빠르다는 특징이 있다. 그러므로, 빠르게 현상하고 싶을 경우에는 산분해성기로 보호된 카르복시기를 갖는 모노머 유래의 반복 단위가 바람직하다. 역으로 현상을 느리게 하고 싶을 경우에는 산분해성기로 보호된 페놀성 수산기를 갖는 모노머 유래의 반복 단위를 사용하는 것이 바람직하다.The repeating unit derived from a monomer having a carboxyl group protected with an acid-decomposable group is characterized in that it is faster than a repeating unit derived from a monomer having a phenolic hydroxyl group protected with an acid-decomposable group. Therefore, when a rapid development is desired, a monomer-derived repeating unit having a carboxyl group protected with an acid-decomposable group is preferable. Conversely, when it is desired to slow the development, it is preferable to use a monomer-derived repeating unit having a phenolic hydroxyl group protected with an acid-decomposable group.

(a2) 가교기를 갖는 모노머 단위(a2) a monomer unit having a crosslinking group

(A) 성분은, 가교기를 갖는 모노머 단위(a2)를 갖는다. 상기 가교기는, 가열 처리로 경화 반응을 일으키는 기이면 특별히 한정은 되지 않는다. 바람직한 가교기를 갖는 모노머 단위의 태양으로서는, 3원환 및/또는 4원환의 환상 에테르 잔기, 및 에틸렌성 불포화기로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 1개를 함유하는 모노머 단위를 들 수 있다. 보다 상세하게는, 이하의 것을 들 수 있다.The component (A) has a monomer unit (a2) having a crosslinking group. The crosslinking group is not particularly limited as long as it is a group causing a curing reaction by a heat treatment. Preferable examples of the monomer unit having a crosslinking group include a monomer unit containing at least one member selected from the group consisting of a cyclic ether residue of a 3-membered ring and / or a 4-membered ring, and an ethylenic unsaturated group. More specifically, the following can be mentioned.

(a2-1) 3원환 및/또는 4원환의 환상 에테르 잔기를 갖는 모노머 단위(a2-1) a monomer unit having a cyclic ether residue of a 3-membered ring and / or a 4-membered ring

상기 (A) 공중합체는, 3원환 및/또는 4원환의 환상 에테르 잔기를 갖는 모노머 단위(모노머 단위(a2-1))를 함유하는 것이 바람직하다. 상기 3원환의 환상 에테르 잔기는 에폭시기라고도 하며, 4원환의 환상 에테르 잔기는 옥세타닐기라고도 한다. 상기 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 모노머 단위(a2-1)로서는, 지환 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 모노머 단위인 것이 바람직하고, 옥세타닐기를 갖는 모노머 단위인 것이 보다 바람직하다.The above (A) copolymer preferably contains a monomer unit (monomer unit (a2-1)) having a cyclic ether residue of a 3-membered ring and / or a 4-membered ring. The cyclic ether residue of the three-membered ring is also referred to as an epoxy group, and the cyclic ether residue of the four-membered ring is also referred to as an oxetanyl group. The monomer unit (a2-1) having an epoxy group and / or an oxetanyl group is preferably a monomer unit having an alicyclic epoxy group and / or an oxetanyl group, and more preferably a monomer unit having an oxetanyl group.

에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 모노머 단위는, 1개의 모노머 단위 중에 에폭시기 또는 옥세타닐기를 적어도 1개 갖고 있으면 되고, 1개 이상의 에폭시기 및 1개 이상의 옥세타닐기, 2개 이상의 에폭시기, 또는, 2개 이상의 옥세타닐기를 갖고 있어도 되며, 특별히 한정되지 않지만, 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 합계 1∼3개 갖는 것이 바람직하고, 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 합계 1 또는 2개 갖는 것이 보다 바람직하며, 에폭시기 또는 옥세타닐기를 1개 갖는 것이 더 바람직하다.The monomer unit having an epoxy group and / or oxetanyl group may have at least one epoxy group or oxetanyl group in one monomer unit, and may contain at least one epoxy group and at least one oxetanyl group, two or more epoxy groups, May have two or more oxetanyl groups, and it is not particularly limited, but it is preferable that the epoxy group and / or oxetanyl group in total have 1 to 3, and it is more preferable that the epoxy group and / or oxetanyl group has 1 or 2 in total More preferably one having an epoxy group or oxetanyl group.

에폭시기를 갖는 모노머 단위를 형성하기 위해 사용되는 라디칼 중합성 단량체의 구체예로서는, 예를 들면 아크릴산글리시딜, 메타크릴산글리시딜, α-에틸아크릴산글리시딜, α-n-프로필아크릴산글리시딜, α-n-부틸아크릴산글리시딜, 아크릴산-3,4-에폭시부틸, 메타크릴산-3,4-에폭시부틸, 아크릴산-6,7-에폭시헵틸, 메타크릴산-6,7-에폭시헵틸, α-에틸아크릴산-6,7-에폭시헵틸, o-비닐벤질글리시딜에테르, m-비닐벤질글리시딜에테르, p-비닐벤질글리시딜에테르, 일본국 특허 제4168443호 공보의 단락 0031∼0035에 기재된 지환식 에폭시 골격을 함유하는 화합물 등을 들 수 있다.Specific examples of the radical polymerizable monomer used to form the monomer unit having an epoxy group include glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate, glycidyl? -Ethyl acrylate, glycidyl? -N-propyl acrylate Dicumyl acrylate, glycidyl alpha-n-butyl acrylate, 3,4-epoxybutyl acrylate, methacrylic acid-3,4-epoxybutyl acrylate, Heptyl,? -Ethyl acrylate-6,7-epoxyheptyl, o-vinylbenzyl glycidyl ether, m-vinylbenzyl glycidyl ether, p- vinylbenzyl glycidyl ether, paragraphs of Japanese Patent No. 4168443 Compounds containing an alicyclic epoxy skeleton described in Nos. 0031 to 0035, and the like.

옥세타닐기를 갖는 모노머 단위를 형성하기 위해 사용되는 라디칼 중합성 단량체의 구체예로서는, 예를 들면 일본국 특개2001-330953호 공보의 단락 0011∼0016에 기재된 옥세타닐기를 갖는 (메타)아크릴산에스테르 등을 들 수 있다.Specific examples of the radically polymerizable monomer used to form the monomer unit having an oxetanyl group include (meth) acrylic esters having an oxetanyl group described in paragraphs 0011 to 0016 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-330953 .

에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 모노머 단위를 형성하기 위해 사용되는 라디칼 중합성 단량체의 구체예로서는, 메타크릴산에스테르 구조를 함유하는 모노머, 아크릴산에스테르 구조를 함유하는 모노머인 것이 바람직하다.As specific examples of the radically polymerizable monomer used for forming the monomer unit having an epoxy group and / or an oxetanyl group, a monomer containing a methacrylic ester structure and a monomer containing an acrylic ester structure are preferable.

이들 모노머 중에서, 더 바람직한 것으로서는, 일본국 특허 제4168443호 공보의 단락 0034∼0035에 기재된 지환식 에폭시 골격을 함유하는 화합물 및 일본국 특개2001-330953호 공보의 단락 0011∼0016에 기재된 옥세타닐기를 갖는 (메타)아크릴산에스테르이며, 특히 바람직한 것으로서는 일본국 특개2001-330953호 공보의 단락 0011∼0016에 기재된 옥세타닐기를 갖는 (메타)아크릴산에스테르이다. 이들 중에서도 바람직한 것은, 아크릴산3,4-에폭시시클로헥실메틸, 메타크릴산3,4-에폭시시클로헥실메틸, 아크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸, 및 메타크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸이며, 가장 바람직한 것은 아크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸, 및 메타크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸이다. 이들 모노머 단위는, 1종 단독 또는 2종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다.Among these monomers, more preferred are compounds containing an alicyclic epoxy skeleton described in paragraphs 0034 to 0035 of Japanese Patent No. 4168443 and oxetanyls described in paragraphs 0011 to 0016 of JP-A No. 2001-330953 (Meth) acrylic acid ester having an oxetanyl group as described in paragraphs 0011 to 001 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-330953. Among these, preferred are acrylic esters such as 3,4-epoxycyclohexylmethyl acrylate, 3,4-epoxycyclohexylmethacrylate, acrylic acid (3-ethyloxetan-3-yl) (3-ethyloxetan-3-yl) methyl, and methacrylic acid (3-ethyloxetan-3-yl) methyl. These monomer units may be used alone or in combination of two or more.

모노머 단위(a2-1)가, 하기 식(a2-1-1) 및 식(a2-1-2)으로 이루어지는 군에서 선택된 잔기를 갖는 것이 바람직하다.It is preferable that the monomer unit (a2-1) has a residue selected from the group consisting of the following formulas (a2-1-1) and (a2-1-2).

Figure pat00012
Figure pat00012

모노머 단위(a2-1)가, 상기 식(a2-1-1)으로 표시되는 3개의 잔기 중 어느 것을 갖는다는 것은, 식(a2-1-1)으로 표시되는 구조로부터 수소 원자를 1개 이상 제외한 기를 가짐을 의미한다.The fact that the monomer unit (a2-1) has any of the three residues represented by the above formula (a2-1-1) means that from the structure represented by the formula (a2-1-1), one or more hydrogen atoms It means that you have a period to exclude.

모노머 단위(a2-1)는, 3,4-에폭시시클로헥실기, 2,3-에폭시시클로헥실기, 2,3-에폭시시클로펜틸기를 갖는 것이 더 바람직하다.It is more preferable that the monomer unit (a2-1) has a 3,4-epoxycyclohexyl group, a 2,3-epoxycyclohexyl group and a 2,3-epoxycyclopentyl group.

Figure pat00013
Figure pat00013

(식(a2-1-2) 중, R1b 및 R6b은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 알킬기를 나타내고, R2b, R3b, R4b, R5b, R7b, R8b, R9b, R10b은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 알킬기, 또는, 아릴기를 나타낸다.)(Wherein R 1b and R 6b each independently represents a hydrogen atom or an alkyl group, and R 2b , R 3b , R 4b , R 5b , R 7b , R 8b , R 9b , R 10b Each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, or an aryl group.

식(a2-1-2) 중, R1b 및 R6b은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 알킬기를 나타내고, 수소 원자 또는 탄소수 1∼8의 알킬기인 것이 바람직하고, 수소 원자 또는 탄소수 1∼5의 알킬기(이하, 「저급 알킬기」라고도 함)인 것이 보다 바람직하다.In the formula (a2-1-2), R 1b and R 6b each independently represents a hydrogen atom or an alkyl group, preferably a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, and is preferably a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms Hereinafter also referred to as &quot; lower alkyl group &quot;).

R2b, R3b, R4b, R5b, R7b, R8b, R9b, R10b은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 알킬기, 또는, 아릴기를 나타낸다.R 2b , R 3b , R 4b , R 5b , R 7b , R 8b , R 9b and R 10b each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group or an aryl group.

할로겐 원자로서는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자를 예시할 수 있고, 불소 원자 및 염소 원자가 보다 바람직하고, 불소 원자가 더 바람직하다. Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom, more preferably a fluorine atom and a chlorine atom, and more preferably a fluorine atom.

알킬기는, 직쇄상, 분기쇄상, 환상 중 어느 것이어도 되고, 또한, 치환기를 갖고 있어도 된다. 직쇄상 및 분기쇄상의 알킬기로서는, 탄소수 1∼8인 것이 바람직하고, 탄소수 1∼6인 것이 보다 바람직하며, 탄소수 1∼4인 것이 더 바람직하다. 환상 알킬기로서는, 탄소수 3∼10인 것이 바람직하고, 탄소수 4∼8인 것이 보다 바람직하며, 탄소수 5∼7인 것이 더 바람직하다. 또한, 직쇄상 및 분기쇄상의 알킬기는, 환상 알킬기로 치환되어 있어도 되고, 환상 알킬기는 직쇄상 및/또는 분기쇄상 알킬기로 치환되어 있어도 된다.The alkyl group may be straight chain, branched chain or cyclic, and may have a substituent. The straight-chain or branched-chain alkyl group preferably has 1 to 8 carbon atoms, more preferably 1 to 6 carbon atoms, and more preferably 1 to 4 carbon atoms. The cyclic alkyl group preferably has 3 to 10 carbon atoms, more preferably 4 to 8 carbon atoms, and more preferably 5 to 7 carbon atoms. The straight chain or branched chain alkyl group may be substituted with a cyclic alkyl group, and the cyclic alkyl group may be substituted with a straight chain and / or branched chain alkyl group.

아릴기로서는, 탄소수 6∼20의 아릴기인 것이 바람직하고, 탄소수 6∼10의 아릴기인 것이 더 바람직하다.The aryl group is preferably an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, more preferably an aryl group having 6 to 10 carbon atoms.

상기 알킬기, 아릴기는, 또한 치환기를 갖고 있어도 되고, 알킬기가 갖고 있어도 되는 치환기로서는, 할로겐 원자, 아릴기를 예시할 수 있고, 아릴기가 갖고 있어도 되는 치환기로서는, 할로겐 원자, 알킬기를 예시할 수 있다.The alkyl group and the aryl group may further have a substituent. Examples of the substituent which the alkyl group may have include a halogen atom and an aryl group. Examples of the substituent which the aryl group may have include a halogen atom and an alkyl group.

이들 중에서도, R2b, R3b, R4b, R5b, R7b, R8b, R9b, R10b은 각각 독립적으로 수소 원자, 불소 원자, 탄소수 1∼4의 알킬기, 페닐기, 또는, 탄소수 1∼4의 퍼플루오로알킬기인 것이 보다 바람직하다.Of these, R 2b , R 3b , R 4b , R 5b , R 7b , R 8b , R 9b and R 10b are each independently a hydrogen atom, a fluorine atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, a phenyl group, More preferably a perfluoroalkyl group having 1 to 4 carbon atoms.

상기 식(a2-1-2)으로 표시되는 잔기를 갖는 기로서는, (3-에틸옥세탄-3-일)메틸기를 바람직하게 예시할 수 있다.As the group having a residue represented by the above formula (a2-1-2), a (3-ethyloxetan-3-yl) methyl group can be preferably exemplified.

모노머 단위(a2-1)의 바람직한 구체예로서는, 하기의 모노머 단위를 예시할 수 있다. 또한, R은 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다.As specific preferred examples of the monomer unit (a2-1), the following monomer units can be exemplified. R represents a hydrogen atom or a methyl group.

Figure pat00014
Figure pat00014

본 발명에 있어서, 경화 감도의 관점에서는, 3원환 및 4원환의 환상 에테르 잔기 중에서도, 옥세타닐기가 바람직하다. 또한, 본 발명에 있어서, 투과율(투명성)의 관점에서는, 지환 에폭시기 및 옥세타닐기가 바람직하다. 이상에서, 본 발명에 있어서는, 3원환 및 4원환의 환상 에테르 잔기로서는, 지환 에폭시기 및 옥세타닐기가 바람직하고, 옥세타닐기가 특히 바람직하다.In the present invention, from the viewpoint of curing sensitivity, an oxetanyl group is preferable among the cyclic ether residue of three-membered ring and four-membered ring. In the present invention, from the viewpoint of transmittance (transparency), alicyclic epoxy groups and oxetanyl groups are preferred. In the present invention, as the cyclic ether residue of a 3-membered ring and a 4-membered ring, an alicyclic epoxy group and an oxetanyl group are preferable, and an oxetanyl group is particularly preferable.

(a2-2)-NH-CH2-O-R(R는 탄소수 1∼20의 알킬기)로 표시되는 기를 갖는 구성 단위(a2-2) -NH-CH 2 -OR a configuration having a group represented by (R is an alkyl group of 1 to 20 carbon atoms) unit

본 발명에서 사용하는 공중합체는, -NH-CH2-O-R(R은 탄소수 1∼20의 알킬기)로 표시되는 기를 갖는 구성 단위(a2-2)도 바람직하다. 구성 단위(a2-2)를 가짐으로써, 완만한 가열 처리로 경화 반응을 일으킬 수 있어, 제(諸)특성이 우수한 경화막을 얻을 수 있다. 여기에서, R은 탄소수 1∼9의 알킬기가 바람직하고, 탄소수 1∼4의 알킬기가 보다 바람직하다. 또한, 알킬기는, 직쇄, 분기 또는 환상의 알킬기 중 어느 것이어도 되지만, 바람직하게는, 직쇄 또는 분기의 알킬기이다. 구성 단위(a2)는, 보다 바람직하게는, 하기 일반식(a2-20)으로 표시되는 기를 갖는 구성 단위이다.Copolymer used in the present invention, -NH-CH 2 -OR is also preferred structural units (a2-2) having a group represented by (R is an alkyl group of 1 to 20 carbon atoms). By having the structural unit (a2-2), the curing reaction can be caused by a gentle heat treatment, and a cured film excellent in various characteristics can be obtained. Here, R is preferably an alkyl group having 1 to 9 carbon atoms, more preferably an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. The alkyl group may be any of linear, branched or cyclic alkyl groups, but is preferably a linear or branched alkyl group. The structural unit (a2) is more preferably a structural unit having a group represented by the following general formula (a2-20).

일반식(a2-20)In general formula (a2-20)

Figure pat00015
Figure pat00015

(일반식(a2-20) 중, R1은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R2은 탄소수 1∼20의 알킬기를 나타낸다.)(In the general formula (a2-20), R 1 represents a hydrogen atom or a methyl group, and R 2 represents an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms.)

R2은 탄소수 1∼9의 알킬기가 바람직하고, 탄소수 1∼4의 알킬기가 더 바람직하다. 또한, 알킬기는, 직쇄, 분기 또는 환상의 알킬기 중 어느 것이어도 되지만, 바람직하게는, 직쇄 또는 분기의 알킬기이다.R 2 is preferably an alkyl group having 1 to 9 carbon atoms, more preferably an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. The alkyl group may be any of linear, branched or cyclic alkyl groups, but is preferably a linear or branched alkyl group.

R2의 구체예로서는, 메틸기, 에틸기, n-부틸기, i-부틸기, 시클로헥실기, 및 n-헥실기를 들 수 있다. 그 중에서도 i-부틸기, n-부틸기, 메틸기가 바람직하다.Specific examples of R 2 include a methyl group, an ethyl group, an n-butyl group, an i-butyl group, a cyclohexyl group, and an n-hexyl group. Of these, an i-butyl group, an n-butyl group and a methyl group are preferable.

(a2-3) 에틸렌성 불포화기를 갖는 모노머 단위(a2-3) a monomer unit having an ethylenic unsaturated group

가교기를 갖는 모노머 단위(a2)의 하나로서, 에틸렌성 불포화기를 갖는 모노머 단위(a2-3)를 들 수 있다(이하, 「모노머 단위(a2-3)」라고도 함). 상기 에틸렌성 불포화기를 갖는 모노머 단위(a2-3)로서는, 측쇄에 에틸렌성 불포화기를 갖는 모노머 단위가 바람직하고, 말단에 에틸렌성 불포화기를 갖고, 탄소수 3∼16의 측쇄를 갖는 모노머 단위가 보다 바람직하며, 식(a2-3-1)으로 표시되는 측쇄를 갖는 모노머 단위가 더 바람직하다.One monomer unit (a2) having a crosslinking group includes a monomer unit (a2-3) having an ethylenically unsaturated group (hereinafter also referred to as "monomer unit (a2-3)"). The monomer unit (a2-3) having an ethylenically unsaturated group is preferably a monomer unit having an ethylenically unsaturated group in its side chain, more preferably a monomer unit having an ethylenically unsaturated group at the end and having a side chain of 3 to 16 carbon atoms , And a monomer unit having a side chain represented by the formula (a2-3-1) is more preferable.

Figure pat00016
Figure pat00016

(식(a2-3-1) 중, R1은 탄소수 1∼13의 2가의 연결기를 나타내고, R3은 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다.)(In the formula (a2-3-1), R 1 represents a divalent linking group having 1 to 13 carbon atoms, and R 3 represents a hydrogen atom or a methyl group.)

R1은, 탄소수 1∼13의 2가의 연결기로서, 알케닐기, 아릴렌기 또는 이들을 조합한 기를 함유하고, 에스테르 결합, 에테르 결합, 아미드 결합, 우레탄 결합 등의 결합을 함유하고 있어도 된다. 알케닐기는, 환상의 알케닐기여도 된다. 또한, 2가의 연결기는, 임의의 위치에 히드록시기, 카르복시기 등의 치환기를 갖고 있어도 된다. R1의 구체예로서는, 식(A-1)∼식(A-10)으로 표시되는 2가의 연결기를 들 수 있다.R 1 is a divalent linking group having 1 to 13 carbon atoms which contains an alkenyl group, an arylene group, or a combination thereof, and may contain a bond such as an ester bond, an ether bond, an amide bond, a urethane bond, or the like. The alkenyl group may also be a cyclic alkenyl group. The divalent linking group may have a substituent such as a hydroxy group or a carboxy group at an arbitrary position. Specific examples of R 1 include divalent linking groups represented by formulas (A-1) to (A-10).

Figure pat00017
Figure pat00017

식(a2-3-1)으로 표시되는 측쇄 중에서도, 지방족의 측쇄가 바람직하다. 식(a2-3-1)으로 표시되는 연결기를 갖는 측쇄 중에서도, 말단이 아크릴로일기 또는 메타크릴로일기인 측쇄가 보다 바람직하다.Of the side chains represented by the formula (a2-3-1), aliphatic side chains are preferred. Among the side chains having a linking group represented by the formula (a2-3-1), a side chain having an acryloyl group or a methacryloyl group at the end is more preferable.

또한, 상기 식(a2-3-1)으로 표시되는 측쇄에 함유되는 에틸렌성 불포화기는, 상기 (A) 중합체 150∼2,000g에 대하여 1몰 함유되는 것이 바람직하고, 200∼1,300g에 대하여 1몰 함유되는 것이 보다 바람직하다.The ethylenic unsaturated group contained in the side chain represented by the formula (a2-3-1) is preferably contained in an amount of 1 mole relative to 150 to 2000 g of the polymer (A), more preferably 1 mole It is more preferable that it is contained.

식(a2-3-1)으로 표시되는 측쇄를 갖는 모노머 단위(a2-3)를 얻는 방법은, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 미리 라디칼 중합 등의 중합 방법에 의해, 특정 관능기를 갖는 중합체를 생성하고, 그 특정 관능기와 반응하는 기 및 말단에 에틸렌성 불포화기를 갖는 화합물(이하, 특정 화합물이라고 함)을 반응시킴으로써 모노머 단위(a2-3)를 갖는 공중합체로 할 수 있다.The method for obtaining the monomer unit (a2-3) having a side chain represented by the formula (a2-3-1) is not particularly limited, and for example, a method of polymerizing a polymer having a specific functional group by a polymerization method such as radical polymerization in advance (A2-3) can be obtained by reacting a compound having an ethylenic unsaturated group at the terminal and a group (hereinafter referred to as a specific compound) reacting with the specific functional group.

여기에서, 상기 특정 관능기로서는, 카르복시기, 에폭시기, 히드록시기, 활성 수소를 갖는 아미노기, 페놀성 수산기, 이소시아네이트기 등을 들 수 있다. 특정 관능기를 갖는 중합체를 합성하기 위한 특정 관능기를 갖는 모노머에 대해서는 후술한다.Examples of the specific functional group include a carboxyl group, an epoxy group, a hydroxyl group, an amino group having an active hydrogen, a phenolic hydroxyl group, and an isocyanate group. Monomers having specific functional groups for synthesizing a polymer having a specific functional group will be described later.

상기 특정 관능기와 상기 특정 화합물이 갖는 특정 관능기와 반응하는 기의 조합으로서는, 카르복시기와 에폭시기의 조합, 카르복시기와 옥세타닐기의 조합, 히드록시기와 이소시아네이트기의 조합, 페놀성 수산기와 에폭시기의 조합, 카르복시기와 이소시아네이트기의 조합, 아미노기와 이소시아네이트기의 조합, 히드록시기와 산클로리드의 조합 등을 들 수 있다.Examples of the combination of the specific functional group and the group that reacts with the specific functional group possessed by the specific compound include a combination of a carboxyl group and an epoxy group, a combination of a carboxyl group and an oxetanyl group, a combination of a hydroxy group and an isocyanate group, a combination of a phenolic hydroxyl group and an epoxy group, A combination of an isocyanate group, a combination of an amino group and an isocyanate group, and a combination of a hydroxy group and an acid chloride.

또한, 상기 특정 화합물로서는, 글리시딜메타크릴레이트, 글리시딜아크릴레이트, 3,4-에폭시시클로헥실메틸메타크릴레이트, 3,4-에폭시시클로헥실메틸아크릴레이트, 이소시아네이트에틸메타크릴레이트, 이소시아네이트에틸아크릴레이트, 메타크릴산클로리드, 아크릴산클로리드, 메타크릴산, 아크릴산 등을 들 수 있다.Examples of the specific compound include glycidyl methacrylate, glycidyl acrylate, 3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate, 3,4-epoxycyclohexylmethyl acrylate, isocyanate ethyl methacrylate, isocyanate Ethyl acrylate, methacrylic chloride, acryl chloride, methacrylic acid, and acrylic acid.

바람직한 특정 관능기와 특정 화합물의 조합으로서는, 특정 관능기인 카르복시기와 특정 화합물인 글리시딜메타크릴레이트의 조합, 및 특정 관능기인 히드록시기와 특정 화합물인 이소시아네이트에틸메타크릴레이트의 조합을 들 수 있다.Preferred examples of the combination of the specific functional group and the specific compound include a combination of a carboxyl group as a specific functional group and glycidyl methacrylate as a specific compound and a combination of a hydroxy group as a specific functional group and isocyanate ethyl methacrylate as a specific compound.

본 발명에 있어서, 모노머 단위(a2-3)는, 식(a2-3-2)으로 표시되는 모노머 단위인 것이 바람직하다.In the present invention, the monomer unit (a2-3) is preferably a monomer unit represented by the formula (a2-3-2).

Figure pat00018
Figure pat00018

(식(a2-3-2) 중, R1은 식(a2-3-1)에서의 R1과 동의이며 바람직한 범위도 같다. R2, R3은 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다.)(Formula (a2-3-2) of, R 1 and R 1 are the same also accept a preferable range in the formula (a2-3-1). R 2, R 3 are, each independently, a hydrogen atom or a methyl group, respectively .)

이하에, 특정 관능기를 갖는 중합체를 얻기 위해 필요한, 특정 관능기를 갖는 모노머의 구체예를 들지만 이들에 한정되는 것이 아니다.Specific examples of the monomer having a specific functional group required for obtaining a polymer having a specific functional group include, but are not limited to, the following.

카르복시기를 갖는 모노머로서는, 예를 들면 아크릴산, 메타크릴산, 크로톤산, 모노(2-(아크릴로일옥시)에틸)프탈레이트, 모노(2-(메타크릴로일옥시)에틸)프탈레이트, N-(카르복시페닐)말레이미드, N-(카르복시페닐)메타크릴아미드, N-(카르복시페닐)아크릴아미드 등을 들 수 있다.Examples of the monomer having a carboxyl group include mono (2- (acryloyloxy) ethyl) phthalate, N- ( (Carboxyphenyl) maleimide, N- (carboxyphenyl) methacrylamide, N- (carboxyphenyl) acrylamide and the like.

에폭시기를 갖는 모노머로서는, 예를 들면 글리시딜메타크릴레이트, 글리시딜아크릴레이트, 알릴글리시딜에테르, 3-에테닐-7-옥사비시클로[4.1.0]헵탄, 1,2-에폭시-5-헥센, 1,7-옥사디엔모노에폭사이드, 3,4-에폭시시클로헥실메틸메타크릴레이트, 3,4-에폭시시클로헥실메틸아크릴레이트 등을 들 수 있다.Examples of the monomer having an epoxy group include glycidyl methacrylate, glycidyl acrylate, allyl glycidyl ether, 3-ethenyl-7-oxabicyclo [4.1.0] heptane, 5-hexene, 1,7-oxadiene monoepoxide, 3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate, and 3,4-epoxycyclohexylmethyl acrylate.

히드록시기를 갖는 모노머로서는, 예를 들면 2-히드록시에틸아크릴레이트, 2-히드록시에틸메타크릴레이트, 2-히드록시프로필아크릴레이트, 2-히드록시프로필메타크릴레이트, 4-히드록시부틸아크릴레이트, 4-히드록시부틸메타크릴레이트, 2,3-디히드록시프로필아크릴레이트, 2,3-디히드록시프로필메타크릴레이트, 디에틸렌글리콜모노아크릴레이트, 디에틸렌글리콜모노메타크릴레이트, 카프로락톤2-(아크릴로일옥시)에틸에스테르, 카프로락톤2-(메타크릴로일옥시)에틸에스테르, 폴리(에틸렌글리콜)에틸에테르아크릴레이트, 폴리(에틸렌글리콜)에틸에테르메타크릴레이트, 5-아크릴로일옥시-6-히드록시노르보르넨-2-카르복실릭-6-락톤, 5-메타크릴로일옥시-6-히드록시노르보르넨-2-카르복실릭-6-락톤 등을 들 수 있다.Examples of the monomer having a hydroxyl group include 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, 2-hydroxypropyl acrylate, 2-hydroxypropyl methacrylate, 4-hydroxybutyl acrylate , 4-hydroxybutyl methacrylate, 2,3-dihydroxypropyl acrylate, 2,3-dihydroxypropyl methacrylate, diethylene glycol monoacrylate, diethylene glycol monomethacrylate, caprolactone (Ethylene glycol) ethyl ether acrylate, poly (ethylene glycol) ethyl ether methacrylate, 5-acryloyl acrylate, 2-acryloyloxyethyl acrylate, 2- (acryloyloxy) ethyl ester, caprolactone 2- Hydroxy-norbornene-2-carboxyl-6-lactone, 5-methacryloyloxy-6-hydroxy norbornene-2-carboxyl- have.

활성 수소를 갖는 아미노기를 갖는 모노머로서는, 2-아미노에틸아크릴레이트, 2-아미노메틸메타크릴레이트 등을 들 수 있다.Examples of the monomer having an amino group having active hydrogen include 2-aminoethyl acrylate and 2-aminomethyl methacrylate.

페놀성 수산기를 갖는 모노머로서는, 예를 들면 히드록시스티렌, N-(히드록시페닐)아크릴아미드, N-(히드록시페닐)메타크릴아미드, N-(히드록시페닐)말레이미드 등을 들 수 있다.Examples of the monomer having a phenolic hydroxyl group include hydroxystyrene, N- (hydroxyphenyl) acrylamide, N- (hydroxyphenyl) methacrylamide and N- (hydroxyphenyl) maleimide .

또한, 이소시아네이트기를 갖는 모노머로서는, 예를 들면 아크릴로일에틸이소시아네이트, 메타크릴로일에틸이소시아네이트, m-테트라메틸자일렌이소시아네이트 등을 들 수 있다.Examples of the monomer having an isocyanate group include acryloylethyl isocyanate, methacryloyl isocyanate, and m-tetramethyl xylene isocyanate.

또한, 본 발명에 있어서는, 특정 관능기를 갖는 중합체를 얻을 때에, 상술한 특정 관능기를 갖는 모노머와 (a1) 산분해성기로 보호된 카르복시기를 갖는 모노머 유래의 반복 단위, 또는, 산분해성기로 보호된 페놀성 수산기를 갖는 모노머 유래의 반복 단위가 되는 모노머를 병용(倂用)한다. 또한, 후술하는 (a1) 및 (a2) 이외의 그 밖의 모노머 단위(a3)가 되는 모노머를 병용할 수 있다.Further, in the present invention, in the case of obtaining a polymer having a specific functional group, it is preferable to use a monomer having a specific functional group as described above and (a1) a repeating unit derived from a monomer having a carboxyl group protected with an acid-decomposable group, A monomer which is a repeating unit derived from a monomer having a hydroxyl group is used in combination. Monomers other than the above-mentioned (a1) and (a2) which are other monomer units (a3) may be used in combination.

본 발명에 사용하는 특정 관능기를 갖는 중합체를 얻는 방법은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 특정 관능기를 갖는 모노머, 그 이외의 모노머 및 원하는 바에 따라 중합 개시제 등을 공존시킨 용제 중에서, 50∼110℃의 온도 하에서 중합 반응시킴으로써 얻을 수 있다. 그때, 사용되는 용제는, 특정 관능기를 갖는 중합체를 구성하는 모노머 및 특정 관능기를 갖는 중합체를 용해하는 것이면 특별히 한정되지 않는다. 구체예로서는, 후술하는 (C) 용제에 기재하는 용제를 들 수 있다. 이와 같이 하여 얻어지는 특정 관능기를 갖는 중합체는, 통상, 용제에 용해한 용액의 상태이다.The method for obtaining the polymer having a specific functional group to be used in the present invention is not particularly limited. For example, in a solvent in which a monomer having a specific functional group, a monomer other than the monomer, and a polymerization initiator, Followed by a polymerization reaction at a temperature. The solvent to be used at that time is not particularly limited as long as it dissolves the monomer constituting the polymer having a specific functional group and the polymer having a specific functional group. Specific examples thereof include the solvents described in the solvent (C) described later. The polymer having the specific functional group thus obtained is usually in the state of a solution dissolved in a solvent.

계속하여, 얻어진 특정 관능기를 갖는 중합체와 특정 화합물을 반응시켜, 측쇄의 말단에 에틸렌성 불포화기를 갖는 모노머 단위(a2-3)를 얻을 수 있다. 그때, 통상은, 특정 관능기를 갖는 중합체의 용액을 반응에 제공한다. 예를 들면 카르복시기를 갖는 아크릴 중합체의 용액에, 벤질트리에틸암모늄클로리드 등의 촉매 존재 하, 80℃∼150℃의 온도에서 글리시딜메타크릴레이트를 반응시킴으로써, 모노머 단위(a2-3)를 얻을 수 있다.Subsequently, the obtained polymer having a specific functional group is allowed to react with a specific compound to obtain a monomer unit (a2-3) having an ethylenic unsaturated group at the end of the side chain. Then, usually, a solution of a polymer having a specific functional group is provided in the reaction. For example, glycidyl methacrylate is reacted with a solution of an acrylic polymer having a carboxyl group at a temperature of 80 ° C to 150 ° C in the presence of a catalyst such as benzyltriethylammonium chloride to form a monomer unit (a2-3) Can be obtained.

또한, 모노머 단위(a2-3)를 형성하기 위해, 상술한 바와 같은 고분자 반응을 사용하는 것 외에, 아릴메타크릴레이트, 알릴아크릴레이트 등을 라디칼 중합성 단량체로서 사용해도 된다. 이들 모노머 단위는, 단독 또는 2종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다.In addition to using the above-mentioned polymer reaction for forming the monomer unit (a2-3), aryl methacrylate, allylacrylate and the like may be used as the radical polymerizable monomer. These monomer units may be used alone or in combination of two or more.

본 발명에서는, 모노머 단위(a2)로서, 모노머 단위(a2-1)를 함유하는 것이 바람직하다.In the present invention, the monomer unit (a2) preferably contains the monomer unit (a2-1).

(A) 성분을 구성하는 모노머 단위 중, 모노머 단위(a2)의 함유량은, 형성된 막의 각종 내성과 투명성의 관점에서, 5∼60몰%가 바람직하고, 10∼55몰%가 보다 바람직하며, 20∼50몰%가 더 바람직하다. 상기의 수치의 범위 내이면, 감광성 수지 조성물로부터 얻어지는 경화막의 투명성 및 ITO 스퍼터 내성이 양호해진다.The content of the monomer unit (a2) among the monomer units constituting the component (A) is preferably from 5 to 60 mol%, more preferably from 10 to 55 mol%, and most preferably from 20 to 20 mol%, from the viewpoints of various resistance and transparency of the formed film. To 50 mol% is more preferable. Within the above range, the transparency of the cured film obtained from the photosensitive resin composition and the ITO sputter resistance are improved.

<<<구성 단위(a2)의 바람직한 태양>>>Preferred embodiments of the <<< constituent unit (a2) >>>

상기 구성 단위(a2)를 함유하는 중합체가, 실질적으로 구성 단위(a1)를 함유하지 않을 경우, 구성 단위(a2)는, 당해 구성 단위(a2)를 함유하는 중합체 중, 5∼90몰%가 바람직하고, 20∼80몰%가 보다 바람직하다.When the polymer containing the constituent unit (a2) does not substantially contain the constituent unit (a1), the constituent unit (a2) accounts for from 5 to 90 mol% of the polymer containing the constituent unit (a2) , More preferably from 20 to 80 mol%.

상기 구성 단위(a2)를 함유하는 중합체가, 상기 구성 단위(a1)를 함유할 경우, 단구성 단위(a2)는, 당해 구성 단위(a1)와 구성 단위(a2)를 함유하는 중합체 중, 약품 내성의 관점에서 3∼70몰%가 바람직하고, 10∼60몰%가 보다 바람직하다.When the polymer containing the structural unit (a2) contains the structural unit (a1), the structural unit (a2) is a polymer containing the structural unit (a1) and the structural unit (a2) But is preferably 3 to 70 mol%, more preferably 10 to 60 mol% from the viewpoint of resistance.

본 발명에서는, 또한, 어느 쪽의 태양에 상관없이, (A) 성분의 전 구성 단위 중, 구성 단위(a2)를 3∼70몰% 함유하는 것이 바람직하고, 10∼60몰% 함유하는 것이 보다 바람직하다.In the present invention, it is preferable to contain the structural unit (a2) in an amount of 3 to 70 mol%, preferably 10 to 60 mol%, of the total structural units of the component (A) desirable.

상기의 수치의 범위 내이면, 감광성 수지 조성물로부터 얻어지는 경화막의 투명성 및 약품 내성이 양호해진다.Within the above range, the transparency and chemical resistance of the cured film obtained from the photosensitive resin composition are improved.

(a3) 그 밖의 모노머 단위(a3) Other monomer units

본 발명에 있어서, (A) 성분은, 상기 모노머 단위(a1) 및 (a2)를 제외하고, 그 밖의 모노머 단위(a3)를 갖고 있어도 된다. 그 밖의 모노머 단위(a3)가 되는 모노머로서는, 예를 들면 스티렌류, (메타)아크릴산알킬에스테르, (메타)아크릴산 환상 알킬에스테르, (메타)아크릴산아릴에스테르, 불포화 디카르복시산디에스테르, 비시클로 불포화 화합물류, 말레이미드 화합물류, 불포화 방향족 화합물, 공역 디엔계 화합물, 불포화 모노카르복시산, 불포화 디카르복시산, 불포화 디카르복시산 무수물, 그 밖의 불포화 화합물을 들 수 있다.In the present invention, the component (A) may have other monomer units (a3) except for the monomer units (a1) and (a2). Examples of the monomer which is the other monomer unit (a3) include styrene, alkyl (meth) acrylate, cyclic alkyl (meth) acrylate, aryl (meth) acrylate, unsaturated dicarboxylic acid diester, An unsaturated aromatic compound, a conjugated diene compound, an unsaturated monocarboxylic acid, an unsaturated dicarboxylic acid, an unsaturated dicarboxylic acid anhydride, and other unsaturated compounds.

구체적으로는, 스티렌, tert-부톡시스티렌, 메틸스티렌, 히드록시스티렌, α-메틸스티렌, 아세톡시스티렌, 메톡시스티렌, 에톡시스티렌, 클로로스티렌, 비닐벤조산메틸, 비닐벤조산에틸, (메타)아크릴산, (메타)아크릴산메틸, (메타)아크릴산에틸, (메타)아크릴산n-프로필, (메타)아크릴산이소프로필, (메타)아크릴산tert-부틸, (메타)아크릴산2-히드록시에틸, (메타)아크릴산2-히드록시프로필, (메타)아크릴산벤질, (메타)아크릴산이소보르닐, 글리시딜메타크릴레이트, 아크릴로니트릴 등에 의한 구성 단위를 들 수 있다. 이 밖에, 일본국 특개2004-264623호 공보의 단락 0021∼0024에 기재된 화합물을 들 수 있다. 그 중에서도, (최종) 가열 처리로 모노머 단위(a2)나 별도 첨가의 가교제와 반응하는 기가 발생하는 기가, 막 강도의 관점에서 바람직하다. 구체적으로는 (메타)아크릴산 제3급 알킬에스테르가 바람직하고, (메타)아크릴산tert-부틸이 보다 바람직하다. 모노머 단위(a3)가 되는 모노머는, 단독 또는 2종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다.Specific examples include styrene, tert-butoxystyrene, methylstyrene, hydroxystyrene,? -Methylstyrene, acetoxystyrene, methoxystyrene, ethoxystyrene, chlorostyrene, vinylbenzoate, ethyl vinylbenzoate, (Meth) acrylate, tert-butyl (meth) acrylate, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, isopropyl (meth) acrylate, Acrylate, 2-hydroxypropyl acrylate, benzyl (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate, glycidyl methacrylate, acrylonitrile and the like. In addition, the compounds described in paragraphs 0021 to 0024 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-264623 can be mentioned. Among them, a group in which a group reacting with the monomer unit (a2) or a separately added crosslinking agent is generated by the (final) heating treatment is preferable from the viewpoint of film strength. Specifically, a tertiary alkyl (meth) acrylate ester is preferable, and tert-butyl (meth) acrylate is more preferable. The monomers to be the monomer unit (a3) may be used alone or in combination of two or more.

또한, (A) 공중합체는, 보호되어 있지 않은 카르복시기를 갖는 모노머 단위, 또는, 보호되어 있지 않은 페놀성 수산기를 갖는 모노머 단위를 1∼15몰% 함유하는 것이 감도의 점에서 바람직하다.The (A) copolymer preferably contains 1 to 15 mol% of a monomer unit having an unprotected carboxyl group or a monomer unit having an unprotected phenolic hydroxyl group, from the viewpoint of sensitivity.

(A) 공중합체의 분자량은, 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량에서, 바람직하게는 1,000∼200,000, 보다 바람직하게는 2,000∼50,000의 범위이다. 상기의 수치의 범위 내이면, 감도와 ITO 스퍼터 내성이 보다 양호하다.The molecular weight of the (A) copolymer is preferably in the range of 1,000 to 200,000, more preferably 2,000 to 50,000, in terms of polystyrene reduced weight average molecular weight. Within the above range, the sensitivity and ITO sputter resistance are better.

본 발명의 감광성 수지 조성물은, (A) 공중합체 성분을, 80중량% 이상의 비율로 함유하는 것이 바람직하다. (A) 공중합체는, 1종류만 함유하고 있어도 되고, 2종류 이상을 함유하고 있어도 된다. 본 발명에서는, 2종류 이상이 바람직하다. 2종류 이상으로 함으로써, 내용제성이 보다 향상하는 경향이 있다.The photosensitive resin composition of the present invention preferably contains the copolymer component (A) in a proportion of 80 wt% or more. The (A) copolymer may contain only one kind, or may contain two or more kinds. In the present invention, two or more kinds are preferable. By using two or more of them, the solvent resistance tends to be further improved.

또한, (A) 성분의 합성법에 대해서도, 다양한 방법이 알려져 있지만, 일례를 들면, 적어도 상기 (a1) 및 상기 (a2)로 나타나는 모노머 단위를 형성하기 위해 사용되는 라디칼 중합성 단량체를 함유하는 라디칼 중합성 단량체 혼합물을 유기 용제 중, 라디칼 중합 개시제를 사용하여 중합함으로써 합성할 수 있다.Various methods are also known for the method of synthesizing the component (A). For example, a radical polymerization method using a radical polymerization monomer containing at least a radically polymerizable monomer used for forming the monomer unit represented by the above-mentioned (a1) Can be synthesized by polymerization of a monomeric monomer mixture in an organic solvent using a radical polymerization initiator.

(B) 광산발생제(B)

본 발명에서는, 하기 식(b1)으로 표시되는 옥심설포네이트 화합물을 함유한다. 본 발명에서는, 상기 용제로서, 비점이 180℃ 미만의 용제와 비점이 180℃ 이상의 용제를 사용하고, 또한, 옥심설포네이트를 사용할 경우에, 고감도이며, 내약품성이 우수하고, 또한, 보존 안정성이 우수한 감광성 조성물을 제공하는 것이 가능해진다.In the present invention, an oxime sulfonate compound represented by the following formula (b1) is contained. In the present invention, when a solvent having a boiling point of less than 180 deg. C and a solvent having a boiling point of 180 deg. C or more are used and oxime sulfonate is used as the solvent, high sensitivity, excellent chemical resistance, and storage stability It becomes possible to provide an excellent photosensitive composition.

Figure pat00019
Figure pat00019

(일반식(b1) 중, R5은 알킬기 또는 아릴기를 나타낸다.)(In the general formula (b1), R 5 represents an alkyl group or an aryl group.)

R5의 알킬기로서는, 탄소수 1∼10의 직쇄상 또는 분기상 알킬기가 바람직하다. R5의 알킬기는, 탄소수 6∼11의 아릴기, 탄소수 1∼10의 알콕시기, 또는, 환상의 알킬기(7,7-디메틸-2-옥소노르보르닐기 등의 유교(有橋)식 지환기를 함유하는, 바람직하게는 비시클로알킬기 등)로 치환되어도 된다.As the alkyl group for R 5 , a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms is preferable. The alkyl group of R 5 is preferably an aryl group having 6 to 11 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, or a cyclic alkyl group (such as a 7-dimethyl-2-oxonorbornyl group) , Preferably a bicycloalkyl group, or the like).

R5의 아릴기로서는, 탄소수 6∼11의 아릴기가 바람직하고, 페닐기 또는 나프틸기가 보다 바람직하다. R5의 아릴기는, 저급 알킬기, 알콕시기 혹은 할로겐 원자로 치환되어도 된다.As the aryl group for R 5, an aryl group having 6 to 11 carbon atoms is preferable, and a phenyl group or a naphthyl group is more preferable. The aryl group of R 5 may be substituted with a lower alkyl group, an alkoxy group or a halogen atom.

상기 식(b1)으로 표시되는 옥심설포네이트 화합물로서는, 식(OS-3), 식(OS-4) 또는 식(OS-5)으로 표시되는 옥심설포네이트 화합물인 것이 바람직하다.The oxime sulfonate compound represented by the formula (b1) is preferably an oxime sulfonate compound represented by the formula (OS-3), the formula (OS-4) or the formula (OS-5).

Figure pat00020
Figure pat00020

(식(OS-3)∼식(OS-5) 중, R1은 알킬기, 아릴기 또는 헤테로아릴기를 나타내고, R2은 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기, 아릴기 또는 할로겐 원자를 나타내며, R6은 각각 독립적으로, 할로겐 원자, 알킬기, 알킬옥시기, 설폰산기, 아미노설포닐기 또는 알콕시설포닐기를 나타내고, X는 O 또는 S를 나타내며, n은 1 또는 2를 나타내고, m은 0∼6의 정수를 나타낸다.)Wherein R 1 represents an alkyl group, an aryl group or a heteroaryl group, R 2 each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group or a halogen atom, R 1 represents an alkyl group, an aryl group or a heteroaryl group, 6 each independently represent a halogen atom, an alkyl group, an alkyloxy group, a sulfonic acid group, an aminosulfonyl group or an alkoxysulfonyl group, X represents O or S, n represents 1 or 2, and m represents 0 to 6 Represents an integer.)

상기 식(OS-3)∼(OS-5) 중, R1에서의 알킬기, 아릴기 또는 헤테로아릴기는, 치환기를 갖고 있어도 된다.Of the above formulas (OS-3) to (OS-5), the alkyl group, aryl group or heteroaryl group for R 1 may have a substituent.

상기 식(OS-3)∼(OS-5) 중, R1에서의 알킬기로서는, 치환기를 갖고 있어도 되는 총 탄소수 1∼30의 알킬기인 것이 바람직하다.Of the above formulas (OS-3) to (OS-5), the alkyl group for R 1 is preferably an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms in total which may have a substituent.

R1에서의 알킬기가 갖고 있어도 되는 치환기로서는, 할로겐 원자, 알킬옥시기, 아릴옥시기, 알킬티오기, 아릴티오기, 알킬옥시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 아미노카르보닐기를 들 수 있다.Examples of the substituent which the alkyl group in R 1 may have include a halogen atom, an alkyloxy group, an aryloxy group, an alkylthio group, an arylthio group, an alkyloxycarbonyl group, an aryloxycarbonyl group and an aminocarbonyl group.

R1에서의 알킬기로서는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, s-부틸기, t-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-옥틸기, n-데실기, n-도데실기, 트리플루오로메틸기, 퍼플루오로프로필기, 퍼플루오로헥실기, 벤질기, 페녹시에틸기, 메틸티오에틸기, 페닐티오에틸기, 에톡시카르보닐에틸기, 페녹시카르보닐에틸기, 디메틸아미노카르보닐에틸기를 들 수 있다.Examples of the alkyl group for R 1 include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an i-propyl group, an n-butyl group, an s-butyl group, , n-decyl, n-dodecyl, trifluoromethyl, perfluoropropyl, perfluorohexyl, benzyl, phenoxyethyl, methylthioethyl, phenylthioethyl, ethoxycarbonylethyl, phenoxyl A cyclopropylmethyl group, a cyclopropylmethyl group, a cyclopropylmethyl group, a cyclohexylmethyl group,

이들 중에서도, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, s-부틸기, t-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-옥틸기, n-데실기, n-도데실기, 트리플루오로메틸기, 퍼플루오로프로필기, 퍼플루오로헥실기, 벤질기가 바람직하다.Of these, preferred are a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an i-propyl group, an n-butyl group, an s- An n-dodecyl group, a trifluoromethyl group, a perfluoropropyl group, a perfluorohexyl group, and a benzyl group are preferable.

또한, 상기 식(OS-3)∼(OS-5) 중, R1에서의 아릴기로서는, 치환기를 가져도 되는 총 탄소수 6∼30의 아릴기가 바람직하다.Of the above-mentioned formulas (OS-3) to (OS-5), the aryl group for R 1 is preferably an aryl group having 6 to 30 total carbon atoms which may have a substituent.

R1에서의 아릴기가 갖고 있어도 되는 치환기로서는, 할로겐 원자, 알킬기, 알킬옥시기, 아릴옥시기, 알킬티오기, 아릴티오기, 알킬옥시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 아미노카르보닐기, 설폰산기, 아미노설포닐기, 알콕시설포닐기를 들 수 있다.Examples of the substituent which the aryl group in R 1 may have include halogen atoms, alkyl groups, alkyloxy groups, aryloxy groups, alkylthio groups, arylthio groups, alkyloxycarbonyl groups, aryloxycarbonyl groups, aminocarbonyl groups, sulfonic acid groups, , And an alkoxysulfonyl group.

R1에서의 아릴기로서는, 페닐기, p-메틸페닐기, p-클로로페닐기, 펜타클로로페닐기, 펜타플루오로페닐기, o-메톡시페닐기, p-페녹시페닐기, p-메틸티오페닐기, p-페닐티오페닐기, p-에톡시카르보닐페닐기, p-페녹시카르보닐페닐기, p-디메틸아미노카르보닐페닐기를 들 수 있다.Examples of the aryl group for R 1 include a phenyl group, a p-methylphenyl group, a p-chlorophenyl group, a pentachlorophenyl group, a pentafluorophenyl group, an o-methoxyphenyl group, Thiophenyl group, p-ethoxycarbonylphenyl group, p-phenoxycarbonylphenyl group, and p-dimethylaminocarbonylphenyl group.

이들 중에서도, 페닐기, p-메틸페닐기, p-클로로페닐기, 펜타클로로페닐기, 펜타플루오로페닐기, o-메톡시페닐기, p-페녹시페닐기가 바람직하다.Among them, a phenyl group, p-methylphenyl group, p-chlorophenyl group, pentachlorophenyl group, pentafluorophenyl group, o-methoxyphenyl group and p-phenoxyphenyl group are preferable.

또한, 상기 식(OS-3)∼(OS-5) 중, R1에서의 헤테로아릴기로서는, 치환기를 가져도 되는 총 탄소수 4∼30의 헤테로아릴기가 바람직하다.Among the above-mentioned formulas (OS-3) to (OS-5), the heteroaryl group for R 1 is preferably a heteroaryl group having 4 to 30 total carbon atoms which may have a substituent.

R1에서의 헤테로아릴기가 갖고 있어도 되는 치환기로서는, 할로겐 원자, 알킬기, 알킬옥시기, 아릴옥시기, 알킬티오기, 아릴티오기, 알킬옥시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 아미노카르보닐기, 설폰산기, 아미노설포닐기, 알콕시설포닐기를 들 수 있다.Examples of the substituent which the heteroaryl group in R 1 may have include a halogen atom, alkyl group, alkyloxy group, aryloxy group, alkylthio group, arylthio group, alkyloxycarbonyl group, aryloxycarbonyl group, aminocarbonyl group, sulfonic acid group, An alkoxy group, an alkoxy group, an alkoxy group, an alkoxy group,

상기 식(OS-3)∼(OS-5) 중, R1에서의 헤테로아릴기는, 적어도 1개의 환이 복소 방향환이어도 되고, 예를 들면 복소 방향환과 벤젠환이 축환(縮環)해 있어도 된다.Of the above-mentioned formulas (OS-3) to (OS-5), at least one of the heteroaryl groups in R 1 may be a heteroaromatic ring, for example, a heterocyclic aromatic ring and a benzene ring may be condensed.

R1에서의 헤테로아릴기로서는, 치환기를 갖고 있어도 되는, 티오펜환, 피롤환, 티아졸환, 이미다졸환, 푸란환, 벤조티오펜환, 벤조티아졸환, 및 벤조이미다졸환으로 이루어지는 군에서 선택된 환으로부터 1개의 수소 원자를 제외한 기를 들 수 있다.Examples of the heteroaryl group for R 1 include a group consisting of a thiophene ring, a pyrrole ring, a thiazole ring, an imidazole ring, a furan ring, a benzothiophen ring, a benzothiazole ring, and a benzoimidazole ring which may have a substituent And a group excluding one hydrogen atom from the selected ring.

상기 식(OS-3)∼(OS-5) 중, R2은 수소 원자, 알킬기 또는 아릴기인 것이 바람직하고, 수소 원자 또는 알킬기인 것이 보다 바람직하다.Of the above formulas (OS-3) to (OS-5), R 2 is preferably a hydrogen atom, an alkyl group or an aryl group, more preferably a hydrogen atom or an alkyl group.

상기 식(OS-3)∼(OS-5) 중, 화합물 중에 2 이상 존재하는 R2 중, 1개 또는 2개가 알킬기, 아릴기 또는 할로겐 원자인 것이 바람직하고, 1개가 알킬기, 아릴기 또는 할로겐 원자인 것이 보다 바람직하며, 1개가 알킬기이며, 또한 나머지가 수소 원자인 것이 특히 바람직하다.Of these formulas (OS-3) to (OS-5), one or two of R 2 present in two or more of the compounds are preferably an alkyl group, an aryl group or a halogen atom, and one of R 2 is preferably an alkyl group, More preferably an atom, and it is particularly preferable that one is an alkyl group and the remainder is a hydrogen atom.

상기 식(OS-3)∼(OS-5) 중, R2에서의 알킬기 또는 아릴기는, 치환기를 갖고 있어도 된다.Among the above-mentioned formulas (OS-3) to (OS-5), the alkyl group or aryl group in R 2 may have a substituent.

R2에서의 알킬기 또는 아릴기가 갖고 있어도 되는 치환기로서는, 상기 R1에서의 알킬기 또는 아릴기가 갖고 있어도 되는 치환기와 같은 기를 예시할 수 있다.Examples of the substituent which the alkyl group or aryl group in R 2 may have include the same group as the substituent that the alkyl group or aryl group in R 1 may have.

R2에서의 알킬기로서는, 치환기를 가져도 되는 총 탄소수 1∼12의 알킬기인 것이 바람직하고, 치환기를 가져도 되는 총 탄소수 1∼6의 알킬기인 것이 보다 바람직하다.The alkyl group in R 2 is preferably an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms in total which may have a substituent, and more preferably an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms in total which may have a substituent.

R2에서의 알킬기로서 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, i-부틸기, s-부틸기, t-부틸기, 알릴기, n-펜틸기, n-헥실기, n-옥틸기, n-데실기, n-도데실기, 퍼플루오로헥실기, 클로로메틸기, 브로모메틸기, 메톡시메틸기, 벤질기, 페녹시에틸기, 메틸티오에틸기, 페닐티오에틸기, 에톡시카르보닐에틸기, 페녹시카르보닐에틸기, 디메틸아미노카르보닐에틸기를 들 수 있다.Specific examples of the alkyl group for R 2 include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an i-propyl group, an n-butyl group, an i- N-hexyl group, n-hexyl group, n-octyl group, n-decyl group, n-dodecyl group, perfluorohexyl group, chloromethyl group, bromomethyl group, methoxymethyl group, benzyl group, A phenylthioethyl group, an ethoxycarbonylethyl group, a phenoxycarbonylethyl group, and a dimethylaminocarbonylethyl group.

이들 중에서도, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, i-부틸기, s-부틸기, n-헥실기, 알릴기, 클로로메틸기, 브로모메틸기, 메톡시메틸기, 벤질기가 바람직하고, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, i-부틸기, s-부틸기, n-헥실기가 보다 바람직하며, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기, n-헥실기가 더 바람직하고, 메틸기가 특히 바람직하다.Among them, a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an i-propyl group, an n-butyl group, an i-butyl group, an s- , A benzyl group is preferable and a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an i-propyl group, an n-butyl group, Propyl group, n-butyl group and n-hexyl group are more preferable, and methyl group is particularly preferable.

R2에서의 아릴기로서는, 치환기를 가져도 되는 총 탄소수 6∼30의 아릴기인 것이 바람직하다.The aryl group in R 2 is preferably an aryl group having a total of 6 to 30 carbon atoms which may have a substituent.

R2에서의 아릴기로서 구체적으로는, 페닐기, p-메틸페닐기, o-클로로페닐기, p-클로로페닐기, o-메톡시페닐기, p-페녹시페닐기, p-메틸티오페닐기, p-페닐티오페닐기, p-에톡시카르보닐페닐기, p-페녹시카르보닐페닐기, p-디메틸아미노카르보닐페닐기를 들 수 있다.Specific examples of the aryl group for R 2 include a phenyl group, a p-methylphenyl group, an o-chlorophenyl group, a p-chlorophenyl group, an o-methoxyphenyl group, Phenyl group, p-ethoxycarbonylphenyl group, p-phenoxycarbonylphenyl group, and p-dimethylaminocarbonylphenyl group.

이들 중에서도, 페닐기, p-메틸페닐기, o-클로로페닐기, p-클로로페닐기, o-메톡시페닐기, p-페녹시페닐기가 바람직하다.Among them, a phenyl group, a p-methylphenyl group, an o-chlorophenyl group, a p-chlorophenyl group, an o-methoxyphenyl group and a p-phenoxyphenyl group are preferable.

R2에서의 할로겐 원자로서는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자를 들 수 있다.Examples of the halogen atom in R 2 include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom.

이들 중에서도, 염소 원자, 브롬 원자가 바람직하다.Of these, a chlorine atom and a bromine atom are preferable.

상기 식(OS-3)∼(OS-5) 중, X는 O 또는 S를 나타내고, O인 것이 바람직하다.Of the above formulas (OS-3) to (OS-5), X represents O or S, and is preferably O.

식(OS-3)∼(OS-5)에서, X를 환원으로서 함유하는 환은, 5원환 또는 6원환이다.In the formulas (OS-3) to (OS-5), the ring containing X as a reduction is a 5-membered ring or a 6-membered ring.

상기 식(OS-3)∼(OS-5) 중, n은 1 또는 2를 나타내고, X가 O일 경우, n은 1인 것이 바람직하고, 또한, X가 S일 경우, n은 2인 것이 바람직하다.In the formulas (OS-3) to (OS-5), n represents 1 or 2, and when X is O, n is preferably 1. When X is S, n is 2 desirable.

상기 식(OS-3)∼(OS-5) 중, R6에서의 알킬기 및 알킬옥시기는, 치환기를 갖고 있어도 된다.In the above formulas (OS-3) to (OS-5), the alkyl group and alkyloxy group in R 6 may have a substituent.

상기 식(OS-3)∼(OS-5) 중, R6에서의 알킬기로서는, 치환기를 갖고 있어도 되는 총 탄소수 1∼30의 알킬기인 것이 바람직하다.Of the above-mentioned formulas (OS-3) to (OS-5), the alkyl group for R 6 is preferably an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms in total which may have a substituent.

R6에서의 알킬기가 갖고 있어도 되는 치환기로서는, 할로겐 원자, 알킬옥시기, 아릴옥시기, 알킬티오기, 아릴티오기, 알킬옥시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 아미노카르보닐기를 들 수 있다.Examples of the substituent which the alkyl group in R 6 may have include a halogen atom, an alkyloxy group, an aryloxy group, an alkylthio group, an arylthio group, an alkyloxycarbonyl group, an aryloxycarbonyl group and an aminocarbonyl group.

R6에서의 알킬기로서는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, s-부틸기, t-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-옥틸기, n-데실기, n-도데실기, 트리플루오로메틸기, 퍼플루오로프로필기, 퍼플루오로헥실기, 벤질기, 페녹시에틸기, 메틸티오에틸기, 페닐티오에틸기, 에톡시카르보닐에틸기, 페녹시카르보닐에틸기, 디메틸아미노카르보닐에틸기를 들 수 있다.Examples of the alkyl group for R 6 include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an i-propyl group, an n-butyl group, an s- , n-decyl, n-dodecyl, trifluoromethyl, perfluoropropyl, perfluorohexyl, benzyl, phenoxyethyl, methylthioethyl, phenylthioethyl, ethoxycarbonylethyl, phenoxyl A cyclopropylmethyl group, a cyclopropylmethyl group, a cyclopropylmethyl group, a cyclohexylmethyl group,

이들 중에서도, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, s-부틸기, t-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-옥틸기, n-데실기, n-도데실기, 트리플루오로메틸기, 퍼플루오로프로필기, 퍼플루오로헥실기, 벤질기가 바람직하다.Of these, preferred are a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an i-propyl group, an n-butyl group, an s- An n-dodecyl group, a trifluoromethyl group, a perfluoropropyl group, a perfluorohexyl group, and a benzyl group are preferable.

상기 식(OS-3)∼(OS-5) 중, R6에서의 알킬옥시기로서는, 치환기를 가져도 되는 총 탄소수 1∼30의 알킬옥시기인 것이 바람직하다.Of the above-mentioned formulas (OS-3) to (OS-5), the alkyloxy group for R 6 is preferably an alkyloxy group having 1 to 30 total carbon atoms which may have a substituent.

R6에서의 알킬옥시기가 갖고 있어도 되는 치환기로서는, 할로겐 원자, 알킬옥시기, 아릴옥시기, 알킬티오기, 아릴티오기, 알킬옥시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 아미노카르보닐기를 들 수 있다.Examples of the substituent which the alkyloxy group in R 6 may have include a halogen atom, an alkyloxy group, an aryloxy group, an alkylthio group, an arylthio group, an alkyloxycarbonyl group, an aryloxycarbonyl group and an aminocarbonyl group.

R6에서의 알킬옥시기로서는, 메틸옥시기, 에틸옥시기, 부틸옥시기, 헥실옥시기, 페녹시에틸옥시기, 트리클로로메틸옥시기, 에톡시에틸옥시기, 메틸티오에틸옥시기, 페닐티오에틸옥시기, 에톡시카르보닐에틸옥시기, 페녹시카르보닐에틸옥시기, 디메틸아미노카르보닐에틸옥시기를 들 수 있다.Examples of the alkyloxy group for R 6 include a methyloxy group, an ethyloxy group, a butyloxy group, a hexyloxy group, a phenoxyethyloxy group, a trichloromethyloxy group, an ethoxyethyloxy group, a methylthioethyloxy group, a phenyl A thioethyloxy group, an ethoxycarbonylethyloxy group, a phenoxycarbonylethyloxy group, and a dimethylaminocarbonylethyloxy group.

이들 중에서도, 메틸옥시기, 에틸옥시기, 부틸옥시기, 헥실옥시기, 페녹시에틸옥시기, 트리클로로메틸옥시기, 또는, 에톡시에틸옥시기가 바람직하다.Of these, methyloxy, ethyloxy, butyloxy, hexyloxy, phenoxyethyloxy, trichloromethyloxy or ethoxyethyloxy groups are preferred.

상기 식(OS-3)∼(OS-5) 중, R6에서의 아미노설포닐기로서는, 메틸아미노설포닐기, 디메틸아미노설포닐기, 페닐아미노설포닐기, 메틸페닐아미노설포닐기, 아미노설포닐기를 들 수 있다.Of the above-mentioned formulas (OS-3) to (OS-5), examples of the aminosulfonyl group in R 6 include a methylaminosulfonyl group, a dimethylaminosulfonyl group, a phenylaminosulfonyl group, a methylphenylaminosulfonyl group and an aminosulfonyl group have.

상기 식(OS-3)∼(OS-5) 중, R6에서의 알콕시설포닐기로서는, 메톡시설포닐기, 에톡시설포닐기, 프로필옥시설포닐기, 부틸옥시설포닐기를 들 수 있다.Of the above-mentioned formulas (OS-3) to (OS-5), examples of the alkoxysulfonyl group for R 6 include a methoxycarbonyl group, an ethoxycarbonyl group, a propoxycarbonyl group and a butyloxycarbonyl group.

또한, 상기 식(OS-3)∼(OS-5) 중, m은 0∼6의 정수를 나타내고, 0∼2의 정수인 것이 바람직하고, 0 또는 1인 것이 보다 바람직하며, 0인 것이 특히 바람직하다.In the formulas (OS-3) to (OS-5), m represents an integer of 0 to 6, preferably an integer of 0 to 2, more preferably 0 or 1, Do.

또한, 상기 식(b1)으로 표시되는 옥심설포네이트 화합물을 함유하는 화합물은, 하기 식(OS-6)∼(OS-11) 중 어느 것으로 표시되는 옥심설포네이트 화합물인 것이 특히 바람직하다.The compound containing the oxime sulfonate compound represented by the formula (b1) is particularly preferably an oxime sulfonate compound represented by any of the following formulas (OS-6) to (OS-11).

Figure pat00021
Figure pat00021

(식(OS-6)∼(OS-11) 중, R1은 알킬기, 아릴기 또는 헤테로아릴기를 나타내고, R7은 수소 원자 또는 브롬 원자를 나타내며, R8은 수소 원자, 탄소수 1∼8의 알킬기, 할로겐 원자, 클로로메틸기, 브로모메틸기, 브로모에틸기, 메톡시메틸기, 페닐기 또는 클로로페닐기를 나타내고, R9은 수소 원자, 할로겐 원자, 메틸기 또는 메톡시기를 나타내며, R10은 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다.)(In the formulas (OS-6) to (OS-11), R 1 represents an alkyl group, an aryl group or a heteroaryl group, R 7 represents a hydrogen atom or a bromine atom and R 8 represents a hydrogen atom, R 9 represents a hydrogen atom, a halogen atom, a methyl group or a methoxy group, R 10 represents a hydrogen atom or a methyl group, a halogen atom, a chlorine atom, Lt; / RTI &gt;

식(OS-6)∼(OS-11)에서의 R1은 상기 식(OS-3)∼(OS-5)에서의 R1과 동의이며, 바람직한 태양도 같다.Expression (OS-6) ~ R 1 in (OS-11) is R 1 and agreed in the formula (OS-3) ~ (OS -5), as a preferred aspect.

식(OS-6)에서의 R7은 수소 원자 또는 브롬 원자를 나타내고, 수소 원자인 것이 바람직하다.R 7 in the formula (OS-6) represents a hydrogen atom or a bromine atom, and is preferably a hydrogen atom.

식(OS-6)∼(OS-11)에서의 R8은 수소 원자, 탄소수 1∼8의 알킬기, 할로겐 원자, 클로로메틸기, 브로모메틸기, 브로모에틸기, 메톡시메틸기, 페닐기 또는 클로로페닐기를 나타내고, 탄소수 1∼8의 알킬기, 할로겐 원자 또는 페닐기인 것이 바람직하고, 탄소수 1∼8의 알킬기인 것이 보다 바람직하며, 탄소수 1∼6의 알킬기인 것이 더 바람직하고, 메틸기인 것이 특히 바람직하다.R 8 in formulas (OS-6) to (OS-11) represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, a halogen atom, a chloromethyl group, a bromomethyl group, a bromoethyl group, a methoxymethyl group, And is preferably an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, a halogen atom or a phenyl group, more preferably an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, further preferably an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, particularly preferably a methyl group.

식(OS-8) 및 식(OS-9)에서의 R9은 수소 원자, 할로겐 원자, 메틸기 또는 메톡시기를 나타내고, 수소 원자인 것이 바람직하다.R 9 in formulas (OS-8) and (OS-9) represents a hydrogen atom, a halogen atom, a methyl group or a methoxy group, and is preferably a hydrogen atom.

식(OS-8)∼(OS-11)에서의 R10은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, 수소 원자인 것이 바람직하다.R 10 in the formulas (OS-8) to (OS-11) represents a hydrogen atom or a methyl group, and is preferably a hydrogen atom.

또한, 상기 옥심설포네이트 화합물에 있어서, 옥심의 입체 구조(E, Z)에 대해서는, 어느 한쪽이어도, 혼합물이어도 된다.In the oxime sulfonate compound, any of the three-dimensional structures (E, Z) of oxime may be a mixture or a mixture thereof.

상기 식(OS-3)∼식(OS-5)으로 표시되는 옥심설포네이트 화합물의 구체예로서는, 하기 예시 화합물을 들 수 있지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것이 아니다.Specific examples of the oxime sulfonate compounds represented by the above formulas (OS-3) to (OS-5) include the following exemplified compounds, but the present invention is not limited thereto.

Figure pat00022
Figure pat00022

Figure pat00023
Figure pat00023

Figure pat00024
Figure pat00024

식(b1)으로 표시되는 옥심설포네이트 화합물을 함유하는 상기 화합물로서는, 식(OS-1)으로 표시되는 화합물인 것도 바람직하다.The compound containing the oxime sulfonate compound represented by the formula (b1) is preferably a compound represented by the formula (OS-1).

Figure pat00025
Figure pat00025

(식(OS-1) 중, R1은 수소 원자, 알킬기, 알케닐기, 알콕시기, 알콕시카르보닐기, 아실기, 카르바모일기, 설파모일기, 설포기, 시아노기, 아릴기, 또는, 헤테로아릴기를 나타낸다. R2은 알킬기, 또는, 아릴기를 나타낸다.)Wherein R 1 represents a hydrogen atom, an alkyl group, an alkenyl group, an alkoxy group, an alkoxycarbonyl group, an acyl group, a carbamoyl group, a sulfamoyl group, a sulfo group, a cyano group, an aryl group or a heteroaryl group R 2 represents an alkyl group or an aryl group.

X는 -O-, -S-, -NH-, -NR5-, -CH2-, -CR6H-, 또는, -CR6R7-을 나타내고, R5∼R7은 알킬기, 또는, 아릴기를 나타낸다. X is -O-, -S-, -NH-, -NR 5 -, -CH 2 -, -CR 6 H-, or, -CR 6 R 7 - represents a, R 5 ~R 7 is an alkyl group, or , And an aryl group.

R21∼R24은 각각 독립적으로, 수소 원자, 할로겐 원자, 알킬기, 알케닐기, 알콕시기, 아미노기, 알콕시카르보닐기, 알킬카르보닐기, 아릴카르보닐기, 아미드기, 설포기, 시아노기, 또는, 아릴기를 나타낸다. R21∼R24 중 2개는, 각각 서로 결합하여 환을 형성해도 된다. R 21 to R 24 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, an alkenyl group, an alkoxy group, an amino group, an alkoxycarbonyl group, an alkylcarbonyl group, an arylcarbonyl group, an amide group, a sulfo group, a cyano group or an aryl group. Two of R 21 to R 24 may be bonded to each other to form a ring.

R21∼R24으로서는, 수소 원자, 할로겐 원자, 및 알킬기가 바람직하고, 또한, R21∼R24 중 적어도 2개가 서로 결합하여 아릴기를 형성하는 태양도 또한, 바람직하게 들 수 있다. 그 중에서도, R21∼R24 모두 수소 원자인 태양이 감도의 관점에서 바람직하다.As R 21 to R 24 , a hydrogen atom, a halogen atom, and an alkyl group are preferable, and at least two of R 21 to R 24 are bonded to each other to form an aryl group. Among them, the case where all of R 21 to R 24 are hydrogen atoms is preferable from the viewpoint of sensitivity.

기술(旣述)한 관능기는, 모두, 치환기를 더 갖고 있어도 된다.Each of the functional groups described above may further have a substituent.

상기 식(OS-1)으로 표시되는 화합물은, 하기 식(OS-2)으로 표시되는 화합물인 것이 바람직하다.The compound represented by the above formula (OS-1) is preferably a compound represented by the following formula (OS-2).

Figure pat00026
Figure pat00026

상기 식(OS-2) 중, R1, R2, R21∼R24은, 각각 식(OS-1)에서의 것과 동의이며, 바람직한 예도 또한 같다. R 1 , R 2 and R 21 to R 24 in the formula (OS-2) are the same as those in the formula (OS-1), and preferred examples are also the same.

이들 중에서도, 식(OS-1) 및 식(OS-2)에서의 R1이 시아노기, 또는, 아릴기인 태양이 보다 바람직하고, 식(OS-2)으로 표시되고, R1이 시아노기, 페닐기 또는 나프틸기인 태양이 가장 바람직하다.Among them, R 1 in the formulas (OS-1) and (OS-2) is preferably a cyano group or an aryl group, more preferably represented by the formula (OS-2), R 1 is a cyano group, Most preferred are the sun or the naphthyl group.

또한, 상기 옥심설포네이트 화합물에 있어서, 옥심이나 벤조티아졸환의 입체구조(E, Z등)에 대해서는 각각, 어느 한쪽이어도, 혼합물이어도 된다.In the oxime sulfonate compound, the stereostructure (E, Z, etc.) of oxime or benzothiazole ring may be either or both of them.

이하에, 본 발명에 호적하게 사용할 수 있는 식(OS-1)으로 표시되는 화합물의 구체예(예시 화합물 b-1∼b-34)를 나타내지만, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 또한, Me는 메틸기를 나타내고, Et는 에틸기를 나타내며, Bn은 벤질기를 나타내고, Ph는 페닐기를 나타낸다.Specific examples (Exemplary Compounds b-1 to b-34) of a compound represented by the formula (OS-1) that can be used in the present invention are shown below, but the present invention is not limited thereto. Me represents a methyl group, Et represents an ethyl group, Bn represents a benzyl group, and Ph represents a phenyl group.

Figure pat00027
Figure pat00027

Figure pat00028
Figure pat00028

Figure pat00029
Figure pat00029

상기 화합물 중에서도, 감도와 안정성의 양립의 관점에서, b-9, b-16, b-31, b-33이 바람직하다.Among these compounds, b-9, b-16, b-31 and b-33 are preferable from the viewpoint of compatibility between sensitivity and stability.

식(b1)으로 표시되는 옥심설포네이트 화합물을 함유하는 상기 화합물은, 하기 식(b2)으로 표시되는 옥심설포네이트 화합물인 것도 바람직하다.It is also preferable that the compound containing the oxime sulfonate compound represented by the formula (b1) is an oxime sulfonate compound represented by the following formula (b2).

Figure pat00030
Figure pat00030

(식(b2) 중, R5은 알킬기 또는 아릴기를 나타내고, X는 알킬기, 알콕시기, 또는, 할로겐 원자를 나타내며, m은 0∼3의 정수를 나타내고, m이 2 또는 3일 때, 복수의 X는 동일해도 상이해도 된다.)(In the formula (b2), R 5 represents an alkyl group or an aryl group, X represents an alkyl group, an alkoxy group or a halogen atom, m represents an integer of 0 to 3, and when m is 2 or 3, X may be the same or different.)

X로서의 알킬기는, 탄소수 1∼4의 직쇄상 또는 분기상 알킬기가 바람직하다.The alkyl group as X is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.

X로서의 알콕시기는, 탄소수 1∼4의 직쇄상 또는 분기상 알콕시기가 바람직하다.The alkoxy group as X is preferably a linear or branched alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms.

X로서의 할로겐 원자는, 염소 원자 또는 불소 원자가 바람직하다.The halogen atom as X is preferably a chlorine atom or a fluorine atom.

m은 0 또는 1이 바람직하다.m is preferably 0 or 1.

식(b2) 중, m이 1이며, X가 메틸기이며, X의 치환 위치가 오르토 위치이며, R5이 탄소수 1∼10의 직쇄상 알킬기, 7,7-디메틸-2-옥소노르보르닐메틸기, 또는 p-톨루일기인 화합물이 특히 바람직하다.In the formula (b2), m is 1, X is a methyl group, X is a substituted position in an ortho position, R 5 is a linear alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, a 7,7-dimethyl-2-oxonorbornylmethyl group , Or a p-toluyl group is particularly preferable.

식(b1)으로 표시되는 옥심설포네이트 화합물을 함유하는 화합물은, 식(b3)으로 표시되는 옥심설포네이트 화합물인 것도 바람직하다.The compound containing an oxime sulfonate compound represented by the formula (b1) is also preferably an oxime sulfonate compound represented by the formula (b3).

Figure pat00031
Figure pat00031

(식 중, RB1은 알킬기, 알콕시기, 또는, 할로겐 원자를 나타내고, RB2은 알킬기 또는 아릴기를 나타낸다.)(Wherein R B1 represents an alkyl group, an alkoxy group, or a halogen atom, and R B2 represents an alkyl group or an aryl group.)

RB1은 알콕시기가 바람직하고, 탄소수 1∼5의 알콕시기가 바람직하며, 메톡시기가 보다 바람직하다.R B1 is preferably an alkoxy group, more preferably an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, and more preferably a methoxy group.

RB2으로서는, 알킬기가 바람직하고, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기, n-옥틸기, 트리플루오로메틸기, 펜타플루오로에틸기, 퍼플루오로-n-프로필기, 퍼플루오로-n-부틸기, p-톨릴기, 4-클로로페닐기 또는 펜타플루오로페닐기가 바람직하다.R B2 is preferably an alkyl group and is preferably a methyl group, ethyl group, n-propyl group, n-butyl group, n-octyl group, trifluoromethyl group, pentafluoroethyl group, perfluoro- a n-butyl group, a p-tolyl group, a 4-chlorophenyl group or a pentafluorophenyl group.

바람직한 옥심설포네이트 화합물의 구체예로서는, 하기 화합물(ⅰ)∼(ⅷ) 등을 들 수 있고, 1종 단독으로 사용하거나, 또는, 2종류 이상을 병용할 수 있다. 화합물(ⅰ)∼(ⅷ)은, 시판품으로서 입수할 수 있다. 또한, 다른 종류의 (B) 광산발생제와 조합하여 사용할 수도 있다.Specific examples of preferred oxime sulfonate compounds include the following compounds (i) to (vii), and they may be used singly or in combination of two or more. The compounds (i) to (vii) are commercially available. It may also be used in combination with other types of (B) photoacid generators.

Figure pat00032
Figure pat00032

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서, (B) 옥심설포네이트 화합물은, 감광성 수지 조성물 중의 전 수지 성분(바람직하게는 고형분, 보다 바람직하게는 상기 (A) 공중합체) 100질량부에 대하여, 0.1∼10질량부 사용하는 것이 바람직하고, 0.5∼10질량부 사용하는 것이 보다 바람직하다.In the photosensitive resin composition of the present invention, the oxime sulfonate compound (B) is preferably used in an amount of from 0.1 to 100 parts by weight based on 100 parts by weight of the total resin component (preferably a solid component, more preferably the above (A) 10 parts by mass, and more preferably 0.5 to 10 parts by mass.

(C) 용제(C) Solvent

본 발명에서는, 용제로서, 적어도 1종의 비점이 180℃ 미만의 용제와, 적어도 1종의 비점이 180℃ 이상의 용제를 함유한다. 그리고, (비점이 180℃ 미만의 용제의 합계량):(비점이 180℃ 이상의 용제 합계량)이 질량 환산으로 99:1∼50:50이며, 바람직하게는 99:1∼70:30, 보다 바람직하게는 99:1∼90:10, 가장 바람직하게는 99:1∼95:5의 비율로 배합된다.In the present invention, at least one solvent contains a solvent having a boiling point of less than 180 占 폚 and at least one solvent having a boiling point of 180 占 폚 or higher. The total amount of the solvent (the total amount of the solvent having a boiling point of less than 180 캜) (the total amount of the solvent having a boiling point of 180 캜 or more) is 99: 1 to 50:50, preferably 99: 1 to 70:30, Is blended in a ratio of 99: 1 to 90: 10, and most preferably 99: 1 to 95: 5.

특히, (비점이 180℃ 미만의 용제의 합계량):(비점이 180℃ 이상의 용제 합계량)을 99:1∼90:10의 범위로 함으로써, 감광성 수지 조성물의 도포성을 악화시키지 않는다는 효과를 얻을 수 있다.In particular, when the ratio of the solvent (the total amount of the solvent having a boiling point of less than 180 캜) to the total amount of the solvent (the total amount of the solvent having a boiling point of 180 캜 or more) is in the range of 99: 1 to 90:10, the effect of preventing the coating property of the photosensitive resin composition from being deteriorated have.

이와 같은 2종류 이상의 용제를 사용하고, 광산발생제로서, 일반식(b1)으로 표시되는 옥심설포네이트 잔기를 함유하는 화합물을 채용함으로써, 감도, 보존 안정성, 내용제성, 및 노광 마진 중 어느 것에도 우수한 감광성 수지 조성물을 얻을 수 있다. 특히, 광산발생제와의 조합으로, 효과가 나타난 것은, 매우 예상 외의 일이다.By employing a compound containing the oxime sulfonate moiety represented by the general formula (b1) as the photoacid generator by using two or more kinds of such solvents, it is possible to provide a photosensitive composition which is excellent in sensitivity, storage stability, solvent resistance, An excellent photosensitive resin composition can be obtained. Particularly, it is very unexpected that the effect is exhibited in combination with the photoacid generator.

(비점이 180℃ 미만의 용제)(Solvent having a boiling point lower than 180 deg. C)

본 발명에 있어서의 비점이 180℃ 미만의 용제는, 비점이 120∼179℃인 것이 바람직하고, 130∼178℃인 것이 보다 바람직하며, 140∼178℃인 것이 더 바람직하다.In the present invention, the solvent having a boiling point of less than 180 캜 preferably has a boiling point of 120 to 179 캜, more preferably 130 to 178 캜, and even more preferably 140 to 178 캜.

본 발명에 있어서의 비점이 180℃ 미만의 용제는, 1종류여도 되고, 2종류 이상이어도 된다. 2종류 이상의 경우에는, 각각의 성분의 비점이 180℃ 미만이면 된다.In the present invention, the solvent having a boiling point of less than 180 占 폚 may be one kind or two or more types. In the case of two or more types, the boiling point of each component may be less than 180 占 폚.

비점이 180℃ 미만의 용제는, 공지의 용제를 사용할 수 있고, 구체적으로는, 에틸렌글리콜모노알킬에테르류, 에틸렌글리콜디알킬에테르류, 에틸렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류, 프로필렌글리콜모노알킬에테르류, 프로필렌글리콜디알킬에테르류, 프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류, 디에틸렌글리콜디알킬에테르류, 디에틸렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류, 디프로필렌글리콜모노알킬에테르류, 디프로필렌글리콜디알킬에테르류, 디프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류, 에스테르류, 케톤류, 아미드류, 락톤류 등으로서, 비점이 180℃ 미만의 것을 널리 채용할 수 있다.As the solvent having a boiling point lower than 180 ° C, a known solvent can be used. Specific examples thereof include ethylene glycol monoalkyl ethers, ethylene glycol dialkyl ethers, ethylene glycol monoalkyl ether acetates, propylene glycol monoalkyl ethers, Propylene glycol dialkyl ethers, propylene glycol monoalkyl ether acetates, diethylene glycol dialkyl ethers, diethylene glycol monoalkyl ether acetates, dipropylene glycol monoalkyl ethers, dipropylene glycol dialkyl ethers, dipropylene Glycol monoalkyl ether acetates, esters, ketones, amides, lactones and the like having a boiling point of less than 180 ° C can be widely employed.

바람직하게는, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(PGMEA), 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르(하이소르브 EDM), 3-에톡시프로피온산에틸이다.Preferred are propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA), diethylene glycol ethyl methyl ether (hyposorb EDM) and ethyl 3-ethoxypropionate.

비점이 180℃ 미만의 용제는, 분배 계수(LogP)가 -0.5∼1.0인 것이 바람직하고, -0.3∼0.8인 것이 보다 바람직하다. 이와 같은 범위로 함으로써, 폴리머와의 상용성(相溶性)이 보다 양호해져, ITO 스퍼터 내성이 보다 향상하는 경향이 있다.The solvent having a boiling point of less than 180 占 폚 preferably has a distribution coefficient LogP of -0.5 to 1.0, more preferably -0.3 to 0.8. By setting such a range, the compatibility with the polymer becomes better, and the resistance to ITO sputtering tends to be further improved.

본 명세서에서, 분배 계수(LogP)는, 옥탄올-물 분배계수를 나타낸다. 옥탄올-물 분배계수(LogP값)의 측정은, 일반적으로 JIS 일본 공업 규격 Z7260-107(2000)에 기재된 플라스크 침투법에 의해 실시할 수 있다. 또한, 옥탄올-물 분배계수(LogP값)는 실측 대신에, 계산 화학적 방법 혹은 경험적 방법에 의해 어림잡는 것도 가능하다. 계산 방법으로서는, Crippen's fragmentation법(J. Chem. Inf. Comput. Sci., 27, 21(1987)), Viswanadhan's fragmentation법(J. Chem. Inf. Comput. Sci., 29, 163(1989)), Broto's fragmentation법(Eur. J. Med. Chem. -Chim. Theor., 19, 71(1984)) 등을 사용하는 것이 알려져 있다. 본 발명에서는, Crippen's fragmentation법(J. Chem. Inf. Comput. Sci., 27, 21(1987))을 사용한다.In this specification, the partition coefficient (LogP) represents the octanol-water partition coefficient. The octanol-water partition coefficient (LogP value) can be measured by a flask permeation method generally described in JIS Japan Industrial Standard Z7260-107 (2000). In addition, the octanol-water partition coefficient (LogP value) can be estimated by computational chemical methods or empirical methods instead of actual measurements. As a calculation method, Crippen's fragmentation method (J. Chem. Inf. Comput. Sci., 27, 21 (1987)), Viswanadhan's fragmentation method (J. Chem. Inf. Broto's fragmentation method (Eur. J. Med. Chem., Chim. Theor., 19, 71 (1984)). In the present invention, Crippen's fragmentation method (J. Chem. Inf. Comput. Sci., 27, 21 (1987)) is used.

CLogP값이란, 1-옥탄올과 물에의 분배 계수 P의 상용 대수 LogP를 계산에 의해 구한 값이다. CLogP값의 계산에 사용하는 방법이나 소프트웨어에 대해서는 공지의 것을 사용할 수 있지만, 본 발명에서는 Cambridge Soft사의 시스템: Chem Draw Pro에 조입(組入)된 CLOGP 프로그램을 사용했다.The CLogP value is a value obtained by calculating the common logarithm LogP of the partition coefficient P of 1-octanol and water. Although known methods and software for the calculation of the CLogP value can be used, the present invention uses the CLOGP program embedded in the system of Cambridge Soft Corporation: Chem Draw Pro.

또한, 어느 화합물의 LogP의 값이, 측정 방법 혹은 계산 방법에 따라 상이할 경우에, 당해 화합물이 본 발명의 범위 내인지의 여부는, Crippen's fragmentation법에 의해 판단하는 것이 된다.Whether or not the value of LogP of any compound differs depending on the measurement method or the calculation method is within the scope of the present invention is determined by the Crippen's fragmentation method.

(비점이 180℃ 이상의 용제(보조 용제))(Solvent (auxiliary solvent) having a boiling point of 180 DEG C or higher)

본 발명에 있어서의 이상이 180℃ 이상의 용제(이하, 보조 용제라고도 함)는, 비점이 180∼260℃인 것이 바람직하고, 180∼250℃인 것이 보다 바람직하며, 180∼240℃인 것이 더 바람직하다.In the present invention, the solvent having an abnormality of 180 占 폚 or higher (hereinafter also referred to as an auxiliary solvent) preferably has a boiling point of 180 to 260 占 폚, more preferably 180 to 250 占 폚, further preferably 180 to 240 占 폚 Do.

본 발명에 있어서의 비점이 180℃ 이상의 용제는, 1종류여도 되고, 2종류 이상이어도 된다. 2종류 이상의 경우에는, 각각의 성분의 비점이 180℃ 이상이면 된다.In the present invention, the solvent having a boiling point of 180 ° C or higher may be one kind or two or more types. In the case of two or more types, the boiling point of each component may be 180 캜 or higher.

비점이 180℃ 이상의 용제는, 탄산에틸렌(EC, 261℃), 탄산프로필렌(PC, 240℃)(모두 간토가가쿠제), 디프로필렌글리콜메틸에테르(DPM, 190℃), 트리프로필렌글리콜메틸에테르(TPM, 242℃), 디프로필렌글리콜n-프로필에테르(DPNP, 212℃), 디프로필렌글리콜n-부틸에테르(DPNB, 229℃), 트리프로필렌글리콜n-부틸에테르(TPNB, 274℃), 디프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트(DPMA, 213℃), 프로필렌글리콜디아세테이트(PGDA, 190℃), 1,3-부틸렌글리콜디아세테이트(1,3-BGDA, 232℃), 1,4-부탄디올디아세테이트(1,4-BDDA, 220℃), 1,6-헥산디올디아세테이트(1,6-HDDA, 260℃), 디프로필렌글리콜메틸-n-프로필에테르(DPMNP, 203℃), 에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트(BMGAC, 188℃), 디에틸렌글리콜모노에틸에테르(EDG, 202℃), 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트(EDGAC, 217℃), 디에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트(BDGAC, 247℃), 1,3-부틸렌글리콜(1,3-BG, 208℃), 트리아세틸렌(DRA-150, 260℃), 젖산에틸아세테이트(ELA, 181℃), 디프로필렌글리콜메틸-n-부틸에테르(DPMNB, 216℃)(이상 다이세루가가쿠제) 등을 들 수 있고, BDGAc, ELA, 1,3-BGDA, PGDA, PC가 바람직하고, ELA, 1,3-BGDA, PGDA, PC가 보다 바람직하다.(EC, 261 占 폚), propylene carbonate (PC, 240 占 폚) (all Kanto Kagaku), dipropylene glycol methyl ether (DPM, 190 占 폚), tripropylene glycol methyl ether (DPNB, 229 占 폚), tripropylene glycol n-butyl ether (TPNB, 274 占 폚), dipentaerythritol n-butyl ether Propylene glycol diethylacetate (PGDA, 190 占 폚), 1,3-butylene glycol diacetate (1,3-BGDA, 232 占 폚), 1,4-butanediol diacetate (1,4-BDDA, 220 占 폚), 1,6-hexane diol diacetate (1,6-HDDA, 260 占 폚), dipropylene glycol methyl n-propyl ether (DPMNP, 203 占 폚), ethylene glycol monobutyl Diethyleneglycol monoethyl ether (EDG, 202 占 폚), diethylene glycol monoethyl ether acetate (EDGAC, 217 占 폚), diethylene glycol (DRA-150, 260 占 폚), ethyl lactate (ELA, 181 占 폚), 1,3-butylene glycol 1,3-BGDA, PGDA and PC are preferable, and ELA, 1, 2, 3, 4, 5 and 6 are preferable, and diethylene glycol methyl n-butyl ether (DPMNB, 216 캜) 3-BGDA, PGDA and PC are more preferable.

본 발명에서는, 비점이 180℃ 이상의 용제는, 분배 계수(LogP)가 -0.5∼1.0인 것이 보존 안정성의 관점에서 바람직하고, -0.3∼0.8인 것이 보다 바람직하다. 그 중에서도 탄산에틸렌(EC, 0.3), 탄산프로필렌(PC, 0.62)(모두 간토가가쿠제), 프로필렌글리콜디아세테이트(PGDA, -0.23), 1,3-부틸렌글리콜디아세테이트(1,3-BGDA, 0.09), 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트(EDGAC, -0.02), 젖산에틸아세테이트(ELA, 0.32)(이상 다이세루가가쿠제)가 특히 바람직하다.In the present invention, the solvent having a boiling point of 180 캜 or higher is preferably -0.5 to 1.0 in terms of the partition coefficient (Log P) in view of storage stability, and more preferably -0.3 to 0.8. Among them, ethylene carbonate (EC, 0.3), propylene carbonate (PC, 0.62) (all Kanto Kagaku Co.), propylene glycol diacetate (PGDA, -0.23), 1,3-butylene glycol diacetate BGDA, 0.09), diethylene glycol monoethyl ether acetate (EDGAC, -0.02), and lactic acid ethyl acetate (ELA, 0.32) (available from Daicel Chemical Industries, Ltd.).

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 (C) 용제의 함유량은, 비점이 180℃ 이상의 용제와, 비점이 180℃ 미만의 용제의 합계량이, 수지 성분 100중량부당, 100∼1000중량부인 것이 바람직하고, 150∼900중량부인 것이 보다 바람직하며, 200∼800중량부인 것이 더 바람직하다.The content of the solvent (C) in the photosensitive resin composition of the present invention is preferably 100 to 1,000 parts by weight per 100 parts by weight of the resin component, the total amount of the solvent having a boiling point of 180 캜 or more and the solvent having a boiling point of less than 180 캜 More preferably 150 to 900 parts by weight, and still more preferably 200 to 800 parts by weight.

가교제(架橋劑)The crosslinking agent

본 발명의 감광성 수지 조성물은, 필요에 따라, 가교제를 함유한다. 가교제로서는, 예를 들면 이하에 서술하는 분자 내에 2개 이상의 에폭시기 또는 옥세타닐기를 갖는 화합물, 알콕시메틸기 함유 가교제, 적어도 1개의 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물을 첨가할 수 있다. 가교제를 첨가함으로써, 경화막을 보다 강고한 막으로 할 수 있다. 가교제로서는 이하의 것을 첨가할 수 있다.The photosensitive resin composition of the present invention contains a crosslinking agent, if necessary. As the crosslinking agent, for example, a compound having two or more epoxy groups or oxetanyl groups in the molecule, an alkoxymethyl group-containing crosslinking agent, and a compound having at least one ethylenically unsaturated double bond may be added as described below. By adding a crosslinking agent, the cured film can be made into a stronger film. As the crosslinking agent, the following may be added.

<분자 내에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 화합물>&Lt; Compounds having two or more epoxy groups in the molecule &

분자 내에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 화합물의 구체예로서는, 비스페놀A형 에폭시 수지, 비스페놀F형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 지방족 에폭시 수지 등을 들 수 있다.Specific examples of the compound having two or more epoxy groups in the molecule include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin, cresol novolak type epoxy resin and aliphatic epoxy resin.

이들은 시판품으로서 입수할 수 있다. 예를 들면 비스페놀A형 에폭시 수지로서는, JER827, JER828, JER834, JER1001, JER1002, JER1003, JER1055, JER1007, JER1009, JER1010(이상, 쟈판에폭시레진(주)제), EPICLON860, EPICLON1050, EPICLON1051, EPICLON1055(이상, DIC(주)제) 등을, 비스페놀F형 에폭시 수지로서는, JER806, JER807, JER4004, JER4005, JER4007, JER4010(이상, 쟈판에폭시레진(주)제), EPICLON830, EPICLON835(이상, DIC(주)제), LCE-21, RE-602S(이상, 니혼가야쿠(주)제) 등을, 페놀노볼락형 에폭시 수지로서는, JER152, JER154, JER157S65, JER157S70(이상, 쟈판에폭시레진(주)제), EPICLON N-740, EPICLON N-740, EPICLON N-770, EPICLON N-775(이상, DIC(주)제) 등을, 크레졸노볼락형 에폭시 수지로서는, EPICLON N-660, EPICLON N-665, EPICLON N-670, EPICLON N-673, EPICLON N-680, EPICLON N-690, EPICLON N-695(이상, DIC(주)제), EOCN-1020(이상, 니혼가야쿠(주)제) 등을, 지방족 에폭시 수지로서는, ADEKA RESIN EP-4080S, 동(同) EP-4085S, 동 EP-4088S(이상, (주)ADEKA제), 세록사이드 2021P, 세록사이드 2081, 세록사이드 2083, 세록사이드 2085, EHPE3150, EPOLEAD PB 3600, 동 PB 4700(이상, 다이세루가가쿠고교(주)제) 등을 들 수 있다. 그 밖에도, ADEKA RESIN EP-4000S, 동 EP-4003S, 동 EP-4010S, 동 EP-4011S(이상, (주)ADEKA제), NC-2000, NC-3000, NC-7300, XD-1000, EPPN-501, EPPN-502(이상, (주)ADEKA제) 등을 들 수 있다. 이들은 1종 단독 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. These are available as commercial products. Examples of the bisphenol A type epoxy resin include epoxy resins such as JER827, JER828, JER834, JER1001, JER1002, JER1003, JER1055, JER1007, JER1009, JER1010 (manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd.), EPICLON860, EPICLON1050, EPICLON1051, EPICLON1055 JER4005, JER4007, and JER4010 (manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd.), EPICLON830, EPICLON835 (manufactured by DIC Corporation), and the like as the bisphenol F type epoxy resin, JER152, JER154, JER157S65, and JER157S70 (manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd.) as the phenol novolak type epoxy resin, and LCE-21, RE-602S (manufactured by Nihon Kayaku Co., EPICLON N-760, EPICLON N-770, EPICLON N-770 and EPICLON N-775 (manufactured by DIC Corporation) as the cresol novolak type epoxy resin, EPICLON N-670, EPICLON N-670, EPICLON N-680, EPICLON N-690, EPICLON N-690 and EPICLON N-695 (manufactured by DIC Corporation) , Aliphatic epoxy resins include ADEKA RESIN EP-4080S, copper EP04085S, EP-4088S (manufactured by ADEKA), Suloxide 2021P, Suloxide 2081, Suloxide 2083, Suloxide 2085, EHPE3150, EPOLEAD PB 3600 and PB 4700 Manufactured by Kagaku Kogyo Co., Ltd.) and the like. In addition, ADEKA RESIN EP-4000S, EP-4003S, EP-4010S and EP-4011S (manufactured by ADEKA), NC-2000, NC-3000, NC-7300, XD- -501, and EPPN-502 (manufactured by ADEKA Co., Ltd.). These may be used alone or in combination of two or more.

이들 중에서 바람직한 것으로서는, 비스페놀A형 에폭시 수지, 비스페놀F형 에폭시 수지, 지방족 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지를 들 수 있다. 특히 비스페놀A형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 지방족 에폭시 수지가 바람직하다.Of these, preferred are bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, aliphatic epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin and cresol novolak type epoxy resin. Particularly preferred are bisphenol A type epoxy resins, phenol novolak type epoxy resins and aliphatic epoxy resins.

<분자 내에 2개 이상의 옥세타닐기를 갖는 화합물>&Lt; Compounds having two or more oxetanyl groups in the molecule >

분자 내에 2개 이상의 옥세타닐기를 갖는 화합물의 구체예로서, OXT-121, OXT-221, OX-SQ, PNOX(이상, 도오아고세이(주)제)를 사용할 수 있다.As specific examples of the compound having two or more oxetanyl groups in the molecule, OXT-121, OXT-221, OX-SQ and PNOX (manufactured by Dowa Kosei K.K.) may be used.

에폭시기 또는 옥세타닐기를 갖는 화합물의 감광성 수지 조성물에의 첨가량은 수지 성분의 총량을 100중량부로 했을 때, 1∼50중량부가 바람직하고, 3∼30중량부가 보다 바람직하다.The amount of the compound having an epoxy group or oxetanyl group added to the photosensitive resin composition is preferably 1 to 50 parts by weight, more preferably 3 to 30 parts by weight, based on 100 parts by weight of the total amount of the resin components.

<알콕시메틸기 함유 가교제><Crosslinking agent containing alkoxymethyl group>

알콕시메틸기 함유 가교제로서는, 알콕시메틸화멜라민, 알콕시메틸화벤조구아나민, 알콕시메틸화글리콜우릴 및 알콕시메틸화요소 등이 바람직하다. 이들은, 각각 메틸올화멜라민, 메틸올화벤조구아나민, 메틸올화글리콜우릴, 또는, 메틸올화요소의 메틸올기를 알콕시메틸기로 변환함으로써 얻을 수 있다. 이 알콕시메틸기의 종류에 대해서는 특별히 한정되는 것이 아니라, 예를 들면 메톡시메틸기, 에톡시메틸기, 프로폭시메틸기, 부톡시메틸기 등을 들 수 있지만, 아웃 가스의 발생량의 관점에서, 특히 메톡시메틸기가 바람직하다. 이들의 가교성 화합물 중, 알콕시메틸화멜라민, 알콕시메틸화벤조구아나민, 알콕시메틸화글리콜우릴이 바람직한 가교성 화합물로서 들 수 있고, 투명성의 관점에서, 알콕시메틸화글리콜우릴이 특히 바람직하다.As the alkoxymethyl group-containing crosslinking agent, alkoxymethylated melamine, alkoxymethylated benzoguanamine, alkoxymethylated glycoluril and alkoxymethylated urea are preferable. These can be obtained by converting methylol melamine, methylol benzoguanamine, methylol glycoluryl, or the methylol group of the methylol moiety into an alkoxymethyl group, respectively. The kind of the alkoxymethyl group is not particularly limited, and examples thereof include a methoxymethyl group, an ethoxymethyl group, a propoxymethyl group, and a butoxymethyl group. From the viewpoint of the amount of generated outgas, in particular, a methoxymethyl group desirable. Among these crosslinkable compounds, alkoxymethylated melamine, alkoxymethylated benzoguanamine, and alkoxymethylated glycoluril are preferable crosslinking compounds, and from the viewpoint of transparency, alkoxymethylated glycoluril is particularly preferable.

이들 알콕시메틸기 함유 가교제는, 시판품으로서 입수 가능하며, 예를 들면 사이멜 300, 301, 303, 370, 325, 327, 701, 266, 267, 238, 1141, 272, 202, 1156, 1158, 1123, 1170, 1174, UFR65, 300(이상, 미츠이사이아나미드(주)제), 니카락쿠 MX-750, -032, -706, -708, -40, -31, -270, -280, -290, 니카락쿠 MS-11, 니카락쿠 MW-30HM, -100LM, -390, (이상, (주)산와케미컬제) 등을 바람직하게 사용 할 수 있다.These alkoxymethyl group-containing crosslinking agents are commercially available, for example, from Cymel 300, 301, 303, 370, 325, 327, 701, 266, 267, 238, 1141, 272, 202, 1156, 1158, 1123, 1170, 1174, UFR65, 300 (manufactured by Mitsui Cyanamid Co., Ltd.), NIKARAKU MX-750, -032, -706, -708, -40, -31, -270, -280, -290, NIKARAKU MS-11, NIKARAKU MW-30HM, -100 LM, -390 (manufactured by SANWA CHEMICAL CO., LTD.) And the like can be preferably used.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 알콕시메틸기 함유 가교제를 사용할 경우의 알콕시메틸기 함유 가교제의 첨가량은, 수지 성분 100중량부에 대하여, 0.05∼50중량부인 것이 바람직하고, 0.5∼10중량부인 것이 보다 바람직하다. 이 범위에서 첨가함으로써, 현상시의 바람직한 알칼리 용해성과, 경화 후의 막의 우수한 내용제성을 얻을 수 있다.When an alkoxymethyl group-containing crosslinking agent is used in the photosensitive resin composition of the present invention, the amount of the alkoxymethyl group-containing crosslinking agent to be added is preferably 0.05 to 50 parts by weight, more preferably 0.5 to 10 parts by weight, per 100 parts by weight of the resin component. By adding it in this range, favorable alkali solubility at the time of development and excellent solvent resistance of the film after curing can be obtained.

<적어도 1개의 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물>&Lt; Compounds having at least one ethylenically unsaturated double bond >

적어도 1개의 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물로서는, 단관능 (메타)아크릴레이트, 2관능 (메타)아크릴레이트, 3관능 이상의 (메타)아크릴레이트 등의 (메타)아크릴레이트 화합물을 호적하게 사용할 수 있다.As the compound having at least one ethylenic unsaturated double bond, a (meth) acrylate compound such as monofunctional (meth) acrylate, bifunctional (meth) acrylate or trifunctional or higher functional (meth) have.

단관능 (메타)아크릴레이트로서는, 예를 들면 2-히드록시에틸(메타)아크릴레이트, 카르비톨(메타)아크릴레이트, 이소보로닐(메타)아크릴레이트, 3-메톡시부틸(메타)아크릴레이트, 2-(메타)아크릴로일옥시에틸-2-히드록시프로필프탈레이트 등을 들 수 있다.Examples of the monofunctional (meth) acrylate include 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, carbitol (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate, 3-methoxybutyl And 2- (meth) acryloyloxyethyl-2-hydroxypropyl phthalate.

2관능 (메타)아크릴레이트로서는, 예를 들면 에틸렌글리콜(메타)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메타)아크릴레이트, 1,9-노난디올디(메타)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 비스페녹시에탄올플루오렌디아크릴레이트, 비스페녹시에탄올플루오렌디아크릴레이트 등을 들 수 있다.Examples of the bifunctional (meth) acrylate include ethylene glycol (meth) acrylate, 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, 1,9-nonanediol (meth) acrylate, polypropylene glycol di (Meth) acrylate, tetraethylene glycol di (meth) acrylate, bisphenoxyethanol fluorene diacrylate, and bisphenoxyethanol fluorene diacrylate.

3관능 이상의 (메타)아크릴레이트로서는, 예를 들면 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메타)아크릴레이트, 트리((메타)아크릴로일옥시에틸)포스페이트, 펜타에리트리톨테트라(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다.Examples of trifunctional or higher (meth) acrylates include trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, tri ((meth) acryloyloxyethyl) phosphate, pentaerythritol tetra (Meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, and the like.

이들 중 적어도 1개의 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물은, 1종 단독 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.These compounds having at least one ethylenic unsaturated double bond among them may be used singly or in combination of two or more kinds.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 적어도 1개의 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물의 사용 비율은, 수지 성분 100중량부에 대하여, 50중량부 이하인 것이 바람직하고, 30중량부 이하인 것이 보다 바람직하다. 이와 같은 비율로 적어도 1개의 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물을 함유시킴으로써, 본 발명의 감광성 수지 조성물로부터 얻어지는 절연막의 내열성 및 표면 경도 등을 향상시킬 수 있다. 적어도 1개의 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물을 가할 경우에는, (J) 열라디칼발생제를 첨가하는 것이 바람직하다.The proportion of the compound having at least one ethylenically unsaturated double bond in the photosensitive resin composition of the present invention is preferably 50 parts by weight or less, more preferably 30 parts by weight or less, based on 100 parts by weight of the resin component. By containing a compound having at least one ethylenically unsaturated double bond in such a ratio, the heat resistance and surface hardness of the insulating film obtained from the photosensitive resin composition of the present invention can be improved. When a compound having at least one ethylenically unsaturated double bond is added, it is preferable to add (J) a thermal radical generator.

증감제Increase / decrease agent

본 발명의 감광성 수지 조성물은, 감방사선 산발생제와의 조합에 있어서, 그 분해를 촉진시키기 위해, 증감제를 함유하는 것이 바람직하다. 증감제는, 활성 광선 또는 방사선을 흡수하여 전자 여기(勵起) 상태가 된다. 전자 여기 상태가 된 증감제는, 광산발생제와 접촉하여, 전자 이동, 에너지 이동, 발열 등의 작용이 발생한다. 이에 따라 광산발생제는 화학 변화를 일으켜 분해하고, 산(酸)을 생성한다. 바람직한 증감제의 예로서는, 이하의 화합물류에 속해 있으며, 또한 350㎚로부터 450㎚의 파장역 중 어느 것에 흡수 파장을 갖는 화합물을 들 수 있다.The photosensitive resin composition of the present invention preferably contains a sensitizer in combination with a radiation-sensitive acid generator in order to promote its decomposition. The sensitizer absorbs an actinic ray or radiation to become an electron-excited state. The sensitizer brought into the electron-excited state comes into contact with the photoacid generator to generate electron movement, energy transfer, heat generation, and the like. As a result, the photoacid generator decomposes by chemical change and generates acid. Examples of preferred sensitizers include compounds having an absorption wavelength in any of the wavelength ranges from 350 nm to 450 nm belonging to the following compounds.

다핵 방향족류(예를 들면 피렌, 페릴렌, 트리페닐렌, 안트라센, 9,10-디부톡시안트라센, 9,10-디에톡시안트라센, 3,7-디메톡시안트라센, 9,10-디프로필옥시안트라센), 크산텐류(예를 들면 플루오레세인, 에오신, 에리트로신, 로다민 B, 로즈벵갈), 크산톤류(예를 들면 크산톤, 티오크산톤, 디메틸티오크산톤, 디에틸티오크산톤), 시아닌류(예를 들면 티아카르보시아닌, 옥사카르보시아닌), 멜로시아닌류(예를 들면 멜로시아닌, 카르보멜로시아닌), 로다시아닌류, 옥소놀류, 티아진류(예를 들면 티오닌, 메틸렌 블루, 톨루이딘 블루), 아크리딘류(예를 들면 아크리딘 오렌지, 클로로플라빈, 아크리플라빈), 아크리돈류(예를 들면 아크리돈, 10-부틸-2-클로로아크리돈), 안트라퀴논류(예를 들면 안트라퀴논), 스쿠알륨류(예를 들면 스쿠알륨), 스티릴류, 베이스 스티릴류(예를 들면 2-[2-[4-(디메틸아미노)페닐]에테닐]벤조옥사졸), 쿠마린류(예를 들면 7-디에틸아미노4-메틸쿠마린, 7-히드록시4-메틸쿠마린, 2,3,6,7-테트라히드로-9-메틸-1H,5H,11H[1]벤조피라노[6,7,8-ij]퀴놀리진-11-논).Polynuclear aromatic compounds such as pyrene, perylene, triphenylene, anthracene, 9,10-dibutoxyanthracene, 9,10-diethoxyanthracene, 3,7-dimethoxyanthracene, 9,10- Xanthones such as xanthone, thioxanthone, dimethylthioxanthone, and diethylthioxanthone), xanthan derivatives such as xanthone (e.g., fluorene, eosin, erythrosine, rhodamine B and rose bengal) (Such as thiocarbocyanine, oxacarbocyanine), melocyanines (e.g., melocyanine, carbomeroxy), rhodacyanines, oxonols, thiazines (Such as acridine orange, chloroflavin, acriflavine), acridones (such as acridone, 10-butyl-2-chloro-thiophene, (Such as anthraquinone), squaryliums (e.g., squalium), styryls, (For example, 2- [2- [4- (dimethylamino) phenyl] ethenyl] benzoxazole), coumarins (for example, 7-diethylamino 4-methylcoumarin, , 2,3,6,7-tetrahydro-9-methyl-1H, 5H, 11H [1] benzopyrano [6,7,8-ij] quinolizine-11-pne).

이들 증감제 중에서도, 다핵 방향족류, 아크리돈류, 스티릴류, 베이스 스티릴류, 쿠마린류가 바람직하고, 다핵 방향족류가 보다 바람직하다. 다핵 방향족류 중에서도 안트라센 유도체가 가장 바람직하다.Among these sensitizers, polynuclear aromatic compounds, acridones, styryls, base styryls and coumarins are preferable, and polynuclear aromatic compounds are more preferable. Of the polynuclear aromatics, anthracene derivatives are most preferred.

밀착 개량제Adhesion improver

본 발명의 감광성 수지 조성물은, 밀착 개량제로서, 실란커플링제를 함유해도 된다. 본 발명의 감광성 수지 조성물에 사용할 수 있는 실란커플링제는, 기재가 되는 무기물, 예를 들면 실리콘, 산화실리콘, 질화실리콘 등의 실리콘 화합물, 금, 구리, 알루미늄 등의 금속과 절연막의 밀착성을 향상시키는 화합물이다.The photosensitive resin composition of the present invention may contain a silane coupling agent as an adhesion improver. The silane coupling agent that can be used in the photosensitive resin composition of the present invention is a silane coupling agent that improves the adhesion of an inorganic substance to be a base material, for example, a silicon compound such as silicon, silicon oxide, silicon nitride, or the like, metal such as gold, / RTI &gt;

바람직한 실란커플링제로서는, 예를 들면 γ-아미노프로필트리메톡시실란, γ-아미노프로필트리에톡시실란, γ-글리시독시프로필트리알콕시실란, γ-글리시독시프로필알킬디알콕시실란, γ-메타크릴옥시프로필트리알콕시실란, γ-메타크릴옥시프로필알킬디알콕시실란, γ-클로로프로필트리알콕시실란, γ-메르캅토프로필트리알콕시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리알콕시실란, 비닐트리알콕시실란을 들 수 있다. 이들 중, γ-글리시독시프로필트리알콕시실란이나 γ-메타크릴옥시프로필트리알콕시실란이 보다 바람직하고, γ-글리시독시프로필트리알콕시실란이 더 바람직하다. 이들은 1종 단독 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 이들은 기판과의 밀착성의 향상에 유효함과 함께, 기판과의 테이퍼각의 조정에도 유효하다.Preferable silane coupling agents include, for example,? -Aminopropyltrimethoxysilane,? -Aminopropyltriethoxysilane,? -Glycidoxypropyltrialkoxysilane,? -Glycidoxypropylalkyldialkoxysilane,? - Methacryloxypropyltrialkoxysilane,? -Mercaptopropyltrialkoxysilane,? - (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrialkoxysilane,? -Methacryloxypropyltrialkoxysilane,? - Silane, and vinyltrialkoxysilane. Among these,? -Glycidoxypropyltrialkoxysilane and? -Methacryloxypropyltrialkoxysilane are more preferable, and? -Glycidoxypropyltrialkoxysilane is more preferable. These may be used alone or in combination of two or more. These are effective for improving the adhesion with the substrate, and are also effective for adjusting the taper angle with the substrate.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 실란커플링제의 함유량은, 수지 성분 100중량부에 대하여, 0.1∼20중량부가 바람직하고, 0.5∼10중량부가 보다 바람직하다.The content of the silane coupling agent in the photosensitive resin composition of the present invention is preferably 0.1 to 20 parts by weight, more preferably 0.5 to 10 parts by weight, per 100 parts by weight of the resin component.

계면 활성제Surfactants

본 발명의 감광성 수지 조성물은, 계면 활성제를 함유해도 된다. 계면 활성제로서는, 음이온계, 양이온계, 비이온계, 또는, 양성(兩性) 중 어느 것도 사용할 수 있지만, 바람직한 계면 활성제는 비이온계 계면 활성제이다.The photosensitive resin composition of the present invention may contain a surfactant. As the surfactant, any of anionic, cationic, nonionic, or amphoteric surfactants may be used, but a preferred surfactant is a nonionic surfactant.

비이온계 계면 활성제의 예로서는, 폴리옥시에틸렌 고급 알킬에테르류, 폴리옥시에틸렌 고급 알킬페닐에테르류, 폴리옥시에틸렌글리콜의 고급 지방산 디에스테르류, 실리콘계, 불소계 계면 활성제를 들 수 있다. 또한, 이하 상품명에서, KP(신에츠가가쿠고교(주)제), 폴리플로우(교에이샤가가쿠(주)제), 에프톱(JEMCO샤제), 메가팩(DIC(주)제), 플루오라드(스미토모스리엠(주)제), 아사히가드, 서프론(아사히가라스(주)제), PolyFox(OMNOVA샤제) 등의 각 시리즈를 들 수 있다.Examples of nonionic surfactants include polyoxyethylene higher alkyl ethers, polyoxyethylene higher alkyl phenyl ethers, higher fatty acid diesters of polyoxyethylene glycol, silicones, and fluorine surfactants. (Trade name, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), Polyflow (manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.), F-top (manufactured by JEMCO Co., Ltd.), Megapack (Manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.), and PolyFox (OMNOVA SHUSHE), and the like.

또한, 계면 활성제로서, 하기 식(1)으로 표시되는 구성 단위 A 및 구성 단위 B를 함유하고, 테트라히드로푸란(THF)을 용매로 했을 경우의 겔투과 크로마토그래피로 측정되는 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량(Mw)이 1,000 이상 10,000 이하인 공중합체를 바람직한 예로서 들 수 있다.The surfactant preferably has a weight average molecular weight in terms of polystyrene measured by gel permeation chromatography when the surfactant contains the constituent unit A and the constituent unit B represented by the following formula (1) and tetrahydrofuran (THF) (Mw) of 1,000 or more and 10,000 or less can be mentioned as a preferable example.

Figure pat00033
Figure pat00033

(식(1) 중, R1 및 R3은 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R2은 탄소수 1 이상 4 이하의 직쇄 알킬렌기를 나타내며, R4은 수소 원자 또는 탄소수 1 이상 4 이하의 알킬기를 나타내고, L은 탄소수 3 이상 6 이하의 알킬렌기를 나타내며, p 및 q는 중합비를 나타내는 중량 백분률이고, p은 10중량% 이상 80중량% 이하의 수치를 나타내며, q는 20중량% 이상 90중량% 이하의 수치를 나타내고, r은 1 이상 18 이하의 정수를 나타내며, n은 1 이상 10 이하의 정수를 나타낸다.)(Wherein R 1 and R 3 are each independently a hydrogen atom or a methyl group, R 2 is a straight chain alkylene group having 1 to 4 carbon atoms and R 4 is a hydrogen atom or a C1- P represents an alkylene group having 3 to 6 carbon atoms, p and q each represent a weight percentage representing a polymerization ratio, p represents a value of 10 wt% or more and 80 wt% or less, q represents a weight % Or more and 90% or less by weight, r is an integer of 1 or more and 18 or less, and n is an integer of 1 or more and 10 or less.

상기 L은, 하기 식(2)으로 표시되는 분기 알킬렌기인 것이 바람직하다. 식(2)에서의 R5은 탄소수 1 이상 4 이하의 알킬기를 나타내고, 상용성과 피도포면에 대한 젖음성의 점에서, 탄소수 1 이상 3 이하의 알킬기가 바람직하고, 탄소수 2 또는 3의 알킬기가 보다 바람직하다. p와 q의 합(p+q)은, p+q=100, 즉, 100중량%인 것이 바람직하다.It is preferable that L is a branched alkylene group represented by the following formula (2). R 5 in the formula (2) represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and from the viewpoint of compatibility and wettability to the surface to be coated, an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms is preferable, and an alkyl group having 2 or 3 carbon atoms is more preferable Do. It is preferable that the sum (p + q) of p and q is p + q = 100, that is, 100% by weight.

Figure pat00034
Figure pat00034

상기 공중합체의 중량 평균 분자량(Mw)은, 1,500 이상 5,000 이하가 보다 바람직하다. The weight average molecular weight (Mw) of the copolymer is more preferably from 1,500 to 5,000.

이들의 계면 활성제는, 1종 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.These surfactants may be used singly or in combination of two or more.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 (H) 계면 활성제의 첨가량은, 수지 성분 100중량부에 대하여, 10중량부 이하인 것이 바람직하고, 0.01∼10중량부인 것이 보다 바람직하며, 0.01∼1중량부인 것이 더 바람직하다.The amount of the surfactant (H) added to the photosensitive resin composition of the present invention is preferably 10 parts by weight or less, more preferably 0.01 to 10 parts by weight, and more preferably 0.01 to 1 part by weight, based on 100 parts by weight of the resin component More preferable.

열라디칼발생제Thermal radical generator

본 발명의 감광성 수지 조성물은, 열라디칼발생제를 함유하고 있어도 된다. 본 발명에 있어서의 열라디칼발생제로서는, 공지의 열라디칼발생제를 사용할 수 있다.The photosensitive resin composition of the present invention may contain a thermal radical generator. As the thermal radical generator in the present invention, a known thermal radical generator may be used.

열라디칼발생제는, 열의 에너지에 의해 라디칼을 발생하고, 중합성 화합물의 중합 반응을 개시 또는 촉진시키는 화합물이다. 열라디칼발생제를 첨가함으로써, 얻어진 경화막이 보다 강인해져, 내열성, 내용제성이 향상할 경우가 있다.The thermal radical generator is a compound which generates radicals by the energy of heat and initiates or promotes the polymerization reaction of the polymerizable compound. By adding a thermal radical generator, the resulting cured film becomes stronger, and heat resistance and solvent resistance may be improved.

바람직한 열라디칼발생제로서는, 방향족 케톤류, 오늄염 화합물, 유기 과산화물, 티오 화합물, 헥사아릴비이미다졸 화합물, 케토옥심에스테르 화합물, 보레이트 화합물, 아지늄 화합물, 메탈로센 화합물, 활성 에스테르 화합물, 탄소 할로겐 결합을 갖는 화합물, 아조계 화합물, 비벤질(bibenzyl) 화합물 등을 들 수 있다. 열라디칼발생제는, 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용하는 것도 가능하다.Preferred thermal radical generators include aromatic ketones, onium salt compounds, organic peroxides, thio compounds, hexaarylbimidazole compounds, ketooxime ester compounds, borate compounds, azinium compounds, metallocene compounds, active ester compounds, A compound having a bond, an azo compound, a bibenzyl compound, and the like. One kind of thermal radical generator may be used alone, or two or more kinds of thermal radical generators may be used in combination.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 열라디칼발생제의 첨가량은, 중합체를 100중량부로 했을 때, 0.01∼50중량부가 바람직하고, 0.1∼20중량부가 보다 바람직하며, 0.5∼10중량부인 것이 가장 바람직하다.The addition amount of the heat radical generator in the photosensitive resin composition of the present invention is preferably 0.01 to 50 parts by weight, more preferably 0.1 to 20 parts by weight, most preferably 0.5 to 10 parts by weight, based on 100 parts by weight of the polymer Do.

산화 방지제Antioxidant

본 발명의 감광성 수지 조성물은, 산화 방지제를 함유해도 된다. 산화 방지제로서는, 공지의 산화 방지제를 함유할 수 있다. 산화 방지제를 첨가함으로써, 경화막의 착색을 방지할 수 있고, 또는, 분해에 의한 막두께 감소를 저감할 수 있으며, 또한 내열 투명성이 우수하다는 이점이 있다.The photosensitive resin composition of the present invention may contain an antioxidant. As the antioxidant, a known antioxidant may be contained. Addition of an antioxidant has the advantage of being able to prevent the cured film from being colored or to reduce the film thickness reduction due to decomposition and also to have excellent heat-resistant transparency.

이와 같은 산화 방지제로서는, 예를 들면 인계 산화 방지제, 히드라지드류, 힌더드아민계 산화 방지제, 황계 산화 방지제, 페놀계 산화 방지제, 아스코르브산류, 황산아연, 당류, 아질산염, 아황산염, 티오황산염, 히드록실아민 유도체 등을 들 수 있다. 이들 중에서는, 경화막의 착색, 막두께 감소의 관점에서 특히 페놀계 산화 방지제가 바람직하다. 이들은 1종 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 혼합하여 사용해도 된다.Examples of such antioxidants include phosphorus antioxidants, hydrazides, hindered amine antioxidants, sulfur antioxidants, phenol antioxidants, ascorbic acids, zinc sulfate, sugars, nitrite salts, sulfites, thiosulfates, hydroxyl Amine derivatives and the like. Among them, a phenol-based antioxidant is particularly preferable from the viewpoint of coloring of the cured film and reduction of the film thickness. These may be used alone or in combination of two or more.

페놀계 산화 방지제의 시판품으로서는, 예를 들면 아데카스타브 AO-60, 아데카스타브 AO-80(이상, (주)ADEKA제), 이르가녹스 1098(치바쟈판(주)제)을 들 수 있다.Examples of commercially available products of phenolic antioxidants include adecastab AO-60, adecastab AO-80 (manufactured by ADEKA), and Irganox 1098 (manufactured by Ciba Japan Co., Ltd.) .

산화 방지제의 함유량은, 감광성 수지 조성물의 전 고형분에 대하여, 0.1∼6질량%인 것이 바람직하고, 0.2∼5질량%인 것이 보다 바람직하며, 0.5∼4질량%인 것이 특히 바람직하다. 이 범위로 함으로써, 형성된 막의 충분한 투명성을 얻을 수 있고, 또한, 패턴 형성시의 감도도 양호해진다.The content of the antioxidant is preferably 0.1 to 6% by mass, more preferably 0.2 to 5% by mass, and particularly preferably 0.5 to 4% by mass based on the total solid content of the photosensitive resin composition. Within this range, sufficient transparency of the formed film can be obtained and the sensitivity at the time of pattern formation becomes good.

또한, 산화 방지제 이외의 첨가제로서, “고분자 첨가제의 신전개((주)일간 공업 신문사)”에 기재된 각종 자외선 흡수제나, 금속 불활성화제 등을 본 발명의 감광성 수지 조성물에 첨가해도 된다.As the additives other than the antioxidant, various ultraviolet absorbers, metal deactivators, and the like described in &quot; New developments of the polymer additive &quot; (Ilgan Kogyo Shimbun) may be added to the photosensitive resin composition of the present invention.

염기성 화합물Basic compound

본 발명의 감광성 수지 조성물은, 염기성 화합물을 함유해도 된다. 염기성 화합물로서는, 화학 증폭 레지스트에 사용되는 것 중에서 임의로 선택하여 사용할 수 있다. 예를 들면 지방족 아민, 방향족 아민, 복소환식 아민, 제4급 암모늄히드록시드, 카르복시산의 제4급 암모늄염 등을 들 수 있다.The photosensitive resin composition of the present invention may contain a basic compound. As the basic compound, any of those used in the chemically amplified resist can be selected and used. Examples thereof include aliphatic amines, aromatic amines, heterocyclic amines, quaternary ammonium hydroxides, quaternary ammonium salts of carboxylic acids, and the like.

지방족 아민으로서는, 예를 들면 트리메틸아민, 디에틸아민, 트리에틸아민, 디-n-프로필아민, 트리-n-프로필아민, 디-n-펜틸아민, 트리-n-펜틸아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 디시클로헥실아민, 디시클로헥실메틸아민 등을 들 수 있다.Examples of the aliphatic amine include trimethylamine, diethylamine, triethylamine, di-n-propylamine, tri-n-propylamine, di- Triethanolamine, dicyclohexylamine, dicyclohexylmethylamine, and the like.

방향족 아민으로서는, 예를 들면 아닐린, 벤질아민, N,N-디메틸아닐린, 디페닐아민 등을 들 수 있다.Examples of the aromatic amine include aniline, benzylamine, N, N-dimethylaniline, and diphenylamine.

복소환식 아민으로서는, 예를 들면 피리딘, 2-메틸피리딘, 4-메틸피리딘, 2-에틸피리딘, 4-에틸피리딘, 2-페닐피리딘, 4-페닐피리딘, N-메틸-4-페닐피리딘, 4-디메틸아미노피리딘, 이미다졸, 벤즈이미다졸, 4-메틸이미다졸, 2-페닐벤즈이미다졸, 2,4,5-트리페닐이미다졸, 니코틴, 니코틴산, 니코틴산아미드, 퀴놀린, 8-옥시퀴놀린, 피라진, 피라졸, 피리다진, 푸린, 피롤리딘, 피페리딘, 피페라진, 모르폴린, 4-메틸모르폴린, 1,5-디아자비시클로[4.3.0]-5-노넨, 1,8-디아자비시클로[5.3.0]-7-운데센 등을 들 수 있다.Examples of the heterocyclic amine include pyridine, 2-methylpyridine, 4-methylpyridine, 2-ethylpyridine, 4-ethylpyridine, 2-phenylpyridine, 4-phenylpyridine, N-methyl- Benzimidazole, 2-phenylbenzimidazole, 2,4,5-triphenylimidazole, nicotine, nicotinic acid, nicotinic acid amide, quinoline, 8-oxy 4-methyl morpholine, 1,5-diazabicyclo [4.3.0] -5-nonene, 1, 2-diazabicyclo [4.3.0] -naphthalene, pyrazine, pyridazine, pyridine, pyrrolidine, piperidine, piperazine, morpholine, , 8-diazabicyclo [5.3.0] -7-undecene, and the like.

제4급 암모늄히드록시드로서는, 예를 들면 테트라메틸암모늄히드록시드, 테트라에틸암모늄히드록시드, 테트라-n-부틸암모늄히드록시드, 테트라-n-헥실암모늄히드록시드 등을 들 수 있다.Examples of quaternary ammonium hydroxides include tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, tetra-n-butylammonium hydroxide and tetra-n-hexylammonium hydroxide .

카르복시산의 제4급 암모늄염으로서는, 예를 들면 테트라메틸암모늄아세테이트, 테트라메틸암모늄벤조에이트, 테트라-n-부틸암모늄아세테이트, 테트라-n-부틸암모늄벤조에이트 등을 들 수 있다.Examples of the quaternary ammonium salt of carboxylic acid include tetramethylammonium acetate, tetramethylammonium benzoate, tetra-n-butylammonium acetate and tetra-n-butylammonium benzoate.

본 발명에 사용할 수 있는 염기성 화합물은, 1종 단독으로 사용해도, 2종 이상을 병용해도 되지만, 2종 이상을 병용하는 것이 바람직하고, 2종을 병용하는 것이 보다 바람직하며, 복소환식 아민을 2종 병용하는 것이 더 바람직하다.The basic compounds which can be used in the present invention may be used singly or in combination of two or more kinds. However, two or more basic compounds are preferably used together, and more preferably two kinds of basic compounds are used. It is more preferable to use them in combination.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 염기성 화합물의 함유량은, 수지 성분 100중량부에 대하여, 0.001∼1중량부인 것이 바람직하고, 0.005∼0.2중량부인 것이 보다 바람직하다.The content of the basic compound in the photosensitive resin composition of the present invention is preferably 0.001 to 1 part by weight, more preferably 0.005 to 0.2 part by weight, per 100 parts by weight of the resin component.

(경화막의 형성 방법)(Method of forming a cured film)

이어서, 본 발명의 경화막의 형성 방법을 설명한다.Next, a method of forming the cured film of the present invention will be described.

본 발명의 경화막의 형성 방법은, 이하의 (1)∼(5)의 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.The method for forming a cured film of the present invention is characterized by including the following steps (1) to (5).

(1) 본 발명의 감광성 수지 조성물을 기판 위에 적용하는 공정(1) a step of applying the photosensitive resin composition of the present invention onto a substrate

(2) 적용된 감광성 수지 조성물로부터 용제를 제거하는 공정(2) a step of removing the solvent from the applied photosensitive resin composition

(3) 활성 광선에 의해 노광하는 공정(3) a step of exposing by an actinic ray

(4) 현상액에 의해 현상하는 공정(4) Step of developing with developer

(5) 열경화하는 공정(포스트베이킹 공정)(5) Heat curing step (post baking step)

이하에 각 공정을 순서대로 설명한다.Each step will be described below in order.

(1)의 적용 공정에서는, 본 발명의 감광성 수지 조성물을 기판 위에 적용(통상은, 도포)하여 용제를 함유하는 습윤막으로 한다.In the application step of (1), the photosensitive resin composition of the present invention is applied (usually, coated) on a substrate to form a wet film containing a solvent.

(2)의 용제 제거 공정에서는, 적용된 상기의 막으로부터, 감압(배큠) 및/또는 가열에 의해, 용제를 제거하여 기판 위에 건조막을 형성시킨다.In the solvent removal step (2), the solvent is removed from the applied film by depressurization (heating) and / or heating to form a dried film on the substrate.

(3)의 노광 공정에서는, 얻어진 도막에 파장 300㎚ 이상 450㎚ 이하의 활성 광선을 조사(照射)한다. 이 공정에서는, (B) 광산발생제가 분해하여 산이 발생한다. 발생한 산의 촉매 작용에 의해, (A) 공중합체 중에 함유되는 산분해성기가 가수 분해되어, 카르복시기 또는 페놀성 수산기가 생성된다.(3), an active ray having a wavelength of 300 nm or more and 450 nm or less is irradiated to the obtained coating film. In this step, (B) the photoacid generator is decomposed to generate acid. By the catalytic action of the generated acid, the acid-decomposable group contained in the (A) copolymer is hydrolyzed to produce a carboxyl group or a phenolic hydroxyl group.

산촉매가 생성된 영역에서, 상기의 가수 분해 반응을 가속시키기 위해, 필요에 따라, 노광 후 가열 처리: Post Exposure Bake(이하, 「PEB」라고도 함)를 행할 수 있다. PEB에 의해, 산분해성기로부터의 카르복시기 또는 페놀성 수산기의 생성을 촉진시킬 수 있다.Post-exposure heat treatment: Post Exposure Bake (hereinafter, also referred to as &quot; PEB &quot;) may be performed, if necessary, in order to accelerate the hydrolysis reaction in the region where the acid catalyst is generated. With PEB, the generation of a carboxyl group or a phenolic hydroxyl group from an acid-decomposable group can be promoted.

본 발명에 있어서의 식(a1-1)으로 표시되는 모노머 단위 중의 산분해성기는, 산분해의 활성화 에너지가 낮고, 노광에 의한 산발생제 유래의 산에 의해 용이하게 분해하여, 카르복시기 또는 페놀성 수산기를 발생시키기 때문에, 반드시 PEB를 행하지 않고, 현상에 의해 포지티브 화상을 형성할 수도 있다.The acid-decomposable group in the monomer unit represented by the formula (a1-1) in the present invention has a low activation energy for acid decomposition and is easily decomposed by an acid derived from an acid generator upon exposure to form a carboxyl group or a phenolic hydroxyl group A positive image can be formed by development without necessarily performing PEB.

또한, 비교적 저온에서 PEB를 행함으로써, 가교 반응을 일으키지 않고, 산분해성기의 가수 분해를 촉진할 수도 있다. PEB를 행할 경우의 온도는, 30℃ 이상 130℃ 이하인 것이 바람직하고, 40℃ 이상 110℃ 이하가 보다 바람직하며, 50℃ 이상 80℃ 이하가 특히 바람직하다.Further, by performing PEB at a relatively low temperature, the hydrolysis of the acid decomposable group can be promoted without causing a crosslinking reaction. The temperature at which PEB is carried out is preferably 30 占 폚 to 130 占 폚, more preferably 40 占 폚 to 110 占 폚, and particularly preferably 50 占 폚 to 80 占 폚.

(4)의 현상 공정에서는, 수성 현상액, 예를 들면 유리(遊離)한 카르복시기 또는 페놀성 수산기를 갖는 공중합체를 알칼리성 현상액을 사용하여 현상한다. 알칼리성 현상액에 용해하기 쉬운 카르복시기 또는 페놀성 수산기를 갖는 수지 조성물을 함유하는 노광부 영역을 제거함으로써, 포지티브 화상이 형성한다.(4), an aqueous developer, for example, a copolymer having a liberated carboxyl group or a phenolic hydroxyl group is developed using an alkaline developer. A positive image is formed by removing the exposed region containing a resin composition having a carboxyl group or a phenolic hydroxyl group which is easily dissolved in an alkaline developer.

(5)의 포스트베이킹 공정에서, 얻어진 포지티브 화상을 가열함으로써, 모노머 단위(a1) 중의 산분해성기를 열분해하여 카르복시기 또는 페놀성 수산기를 생성시켜, 모노머 단위(a2)의 가교기와 가교시킴으로써, 경화막을 형성할 수 있다. 이 가열은, 150℃ 이상의 고온으로 가열하는 것이 바람직하고, 180∼250℃로 가열하는 것이 보다 바람직하며, 200∼250℃로 가열하는 것이 특히 바람직하다. 가열 시간은, 가열 온도 등에 따라 적의(適宜) 설정할 수 있지만, 10∼90분의 범위 내로 하는 것이 바람직하다.(A2) by thermal decomposition of an acid-decomposable group in the monomer unit (a1) by heating the obtained positive image in a post-baking step of the monomer unit (5) to form a cured film can do. This heating is preferably carried out at a high temperature of 150 ° C or higher, more preferably 180 ° C to 250 ° C, and particularly preferably 200 ° C to 250 ° C. The heating time can be appropriately set depending on the heating temperature and the like, but is preferably within a range of 10 to 90 minutes.

포스트베이킹 공정 전에 활성 광선, 바람직하게는 자외선을 현상 패턴에 전면 조사하는 공정을 더하면, 활성 광선 조사에 의해 발생하는 산에 의해 가교 반응을 촉진할 수 있다.When a step of irradiating an entire surface of the development pattern with an actinic ray, preferably ultraviolet light, is performed before the post-baking step, the cross-linking reaction can be promoted by an acid generated by actinic light irradiation.

이어서, 본 발명의 감광성 수지 조성물을 사용한 경화막의 형성 방법을 구체적으로 설명한다.Next, a method for forming a cured film using the photosensitive resin composition of the present invention will be described in detail.

<감광성 수지 조성물의 조제 방법>&Lt; Preparation method of photosensitive resin composition >

각종 성분을 소정의 비율로 또한 임의의 방법으로 혼합하고, 교반 용해하여 감광성 수지 조성물을 조제한다. 예를 들면 각각의 성분을 미리 (C) 용제에 용해시킨 용액으로 한 후, 이들을 소정의 비율로 혼합하여 수지 조성물을 조제할 수도 있다. 이상과 같이 조제한 조성물 용액은, 공경(孔徑) 0.2㎛의 필터 등을 사용하여 여과한 후에, 사용에 제공할 수도 있다.Various components are mixed in a predetermined ratio in any manner, and the mixture is stirred and dissolved to prepare a photosensitive resin composition. For example, it is also possible to prepare a solution in which each component is dissolved in advance in the solvent (C), and then mix them in a predetermined ratio to prepare a resin composition. The composition solution prepared as described above may be used after being filtered using a filter having a pore diameter of 0.2 mu m or the like.

<적용 공정 및 용제 제거 공정><Application Process and Solvent Removal Process>

감광성 수지 조성물을, 소정의 기판에 적용하고, 감압 및/또는 가열(프리베이킹)에 의해 용제를 제거함으로써, 원하는 건조 도막을 형성할 수 있다. 상기의 기판으로서는, 예를 들면 액정 표시 소자의 제조에 있어서는, 편광판, 또한 필요에 따라 블랙 매트릭스층, 컬러 필터층을 마련하고, 또한 투명 도전 회로층을 마련한 유리판 등을 예시할 수 있다. 기판에의 적용 방법은 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 슬릿 코팅법, 스프레이법, 롤 코팅법, 회전 도포법 등의 방법을 사용할 수 있다. 그 중에서도 슬릿 코팅법이 대형 기판에 적합하다는 관점에서 바람직하다. 대형 기판으로 제조하면 생산성이 높고 바람직하다. 여기에서 대형 기판이란, 각 변이 1m 이상의 크기의 기판을 말한다. The desired dry film can be formed by applying the photosensitive resin composition to a predetermined substrate and removing the solvent by reduced pressure and / or heating (prebaking). Examples of the above substrate include a polarizing plate and a glass plate provided with a black matrix layer and a color filter layer as necessary and provided with a transparent conductive circuit layer in the production of a liquid crystal display element. The application method to the substrate is not particularly limited, and for example, a slit coating method, a spraying method, a roll coating method, and a spin coating method can be used. Among them, the slit coating method is preferable from the viewpoint of being suitable for a large substrate. When manufactured from a large-sized substrate, productivity is high and preferable. Here, a large substrate refers to a substrate having a size of 1 m or more on each side.

또한, (2) 용제 제거 공정의 가열 조건은, 미노광부에서의 수지 성분 중의 모노머 단위(a1)에서 산분해성기가 분해하여, 수지 성분을 알칼리 현상액에 가용성으로 하지 않는 범위이며, 각 성분의 종류나 배합비에 따라서도 상이하지만, 바람직하게는 80∼130℃에서 30∼120초간 정도이다.The heating conditions in the solvent removal step (2) are those in which the acid decomposable group decomposes in the monomer unit (a1) in the resin component in the unexposed portion and the resin component is not soluble in the alkali developing solution. But it is preferably about 80 to 130 占 폚 for about 30 to 120 seconds.

<노광 공정 및 현상 공정(패턴 형성 방법)>&Lt; Exposure step and development step (pattern formation method) >

노광 공정에서는, 도막을 마련한 기판에 소정의 패턴을 갖는 마스크를 개재(介在)하여, 활성 광선을 조사한다. 노광 공정 후, 필요에 따라 가열 처리(PEB)를 행한 후, 현상 공정에서는, 알칼리성 현상액을 사용하여 노광부 영역을 제거하여 화상 패턴을 형성한다.In the exposure step, a mask having a predetermined pattern is interposed between the substrate provided with the coating film and the active ray is irradiated. After the exposure process, a heating process (PEB) is carried out if necessary, and in the development process, an exposed area is removed by using an alkaline developer to form an image pattern.

활성 광선에 의한 노광에는, 저압 수은등, 고압 수은등, 초고압 수은등, 케미컬 램프, LED 광원, 엑시머레이저 발생 장치 등을 사용할 수 있고, g선(436㎚), i선(365㎚), h선(405㎚) 등의 파장 300㎚ 이상 450㎚ 이하의 파장을 갖는 활성 광선을 바람직하게 사용할 수 있다. 또한, 필요에 따라 장파장 커트 필터, 단파장 커트 필터, 밴드패스 필터와 같은 분광 필터를 통과시켜 조사광을 조정할 수도 있다.(436 nm), i-line (365 nm), h-line (405 nm), and the like can be used for the exposure by the active light beam. Nm) or the like having a wavelength of 300 nm or more and 450 nm or less can be preferably used. If necessary, the irradiation light may be adjusted by passing through a spectral filter such as a long wavelength cut filter, a short wavelength cut filter, or a band pass filter.

현상 공정에서 사용하는 현상액에는, 염기성 화합물이 함유되는 것이 바람직하다. 염기성 화합물로서는, 예를 들면 수산화리튬, 수산화나트륨, 수산화칼륨 등의 알칼리 금속 수산화물류; 탄산나트륨, 탄산칼륨 등의 알칼리 금속 탄산염류; 중탄산나트륨, 중탄산칼륨 등의 알칼리 금속 중탄산염류; 테트라메틸암모늄히드록시드, 테트라에틸암모늄히드록시드, 콜린히드록시드 등의 암모늄히드록시드류; 규산나트륨, 메타규산나트륨 등의 수용액을 사용할 수 있다. 또한, 상기 알칼리류의 수용액에 메탄올이나 에탄올 등의 수용성 유기 용제나 계면 활성제를 적당량 첨가한 수용액을 현상액으로서 사용할 수도 있다.It is preferable that a developer to be used in the developing process contains a basic compound. Examples of the basic compound include alkali metal hydroxide such as lithium hydroxide, sodium hydroxide and potassium hydroxide; Alkali metal carbonates such as sodium carbonate and potassium carbonate; Alkali metal bicarbonates such as sodium bicarbonate and potassium bicarbonate; Ammonium hydroxides such as tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, and choline hydroxide; An aqueous solution of sodium silicate, sodium metasilicate or the like can be used. An aqueous solution in which an appropriate amount of a water-soluble organic solvent such as methanol or ethanol or a surfactant is added to the aqueous alkaline solution may be used as a developer.

현상액의 pH는, 바람직하게는 10.0∼14.0이다.The pH of the developing solution is preferably 10.0 to 14.0.

현상 시간은, 바람직하게는 30∼180초간이며, 또한, 현상의 방법은 액성법(液盛法), 디프법 등 중 어느 것이어도 된다. 현상 후는, 유수(流水) 세정을 30∼90초간 행하여, 원하는 패턴을 형성시킬 수 있다.The developing time is preferably 30 to 180 seconds, and the developing method may be any of a liquid method, a dipping method and the like. After the development, a desired pattern can be formed by performing an aqueous (water) cleaning for 30 to 90 seconds.

<포스트베이킹 공정(가교 공정)>&Lt; Post baking step (crosslinking step) >

현상에 의해 얻어진 미노광 영역에 대응하는 패턴에 대해서, 핫플레이트나 오븐 등의 가열 장치를 사용하여, 소정의 온도, 예를 들면 180∼250℃에서 소정의 시간, 예를 들면 핫플레이트상이면 5∼60분간, 오븐이면 30∼90분간, 가열 처리를 함으로써, 수지 성분에 있어서의 산분해성기를 분해하여, 카르복시기 또는 페놀성 수산기를 발생시켜, 모노머 단위(a2) 중의 가교성기와 반응시켜 가교시킴으로써, 내열성, 경도 등이 우수한 보호막이나 층간 절연막을 형성할 수 있다. 또한, 가열 처리를 행할 때에는 질소 분위기 하에서 행함으로써 투명성을 향상시킬 수도 있다.The pattern corresponding to the unexposed area obtained by the development is heated at a predetermined temperature, for example, 180 to 250 占 폚, for a predetermined time, for example, 5 to 5 minutes on a hot plate, using a heating apparatus such as a hot plate or an oven. (A2) by dissolving an acid-decomposable group in the resin component to generate a carboxyl group or a phenolic hydroxyl group by performing heat treatment for 30 minutes to 60 minutes in an oven for 30 to 90 minutes to cause crosslinking reaction with the crosslinkable group in the monomer unit , Hardness, and the like can be formed. Further, when the heat treatment is performed, transparency can be improved by performing the heat treatment in a nitrogen atmosphere.

또한, 가열 처리에 앞서, 패턴을 형성한 기판에 활성 광선에 의해 재노광한 후, 포스트베이킹하는 것(재노광/포스트베이킹)에 의해 미노광 부분에 존재하는 (B) 성분으로부터 산을 발생시켜, 가교 공정을 촉진하는 촉매로서 기능시키는 것이 바람직하다.Prior to the heat treatment, an acid is generated from the component (B) present in the unexposed portion by post-baking (re-exposure / post-baking) after re-exposure to the substrate on which the pattern is formed by an actinic ray , And to function as a catalyst promoting the crosslinking process.

즉, 본 발명의 경화막의 형성 방법은, 현상 공정과 포스트베이킹 공정 사이에, 활성 광선에 의해 재노광하는 재노광 공정을 포함하는 것이 바람직하다. 재노광 공정에서의 노광은, 상기 노광 공정과 같은 수단에 의해 행하면 되지만, 상기 재노광 공정에서는, 기판의 본 발명의 감광성 수지 조성물에 의해 막이 형성된 측에 대하여, 전면 노광을 행하는 것이 바람직하다.That is, the method of forming a cured film of the present invention preferably includes a re-exposure step of re-exposing by the actinic ray between the developing step and the post-baking step. The exposure in the re-exposure step may be performed by the same means as in the exposure step, but in the re-exposure step, it is preferable to perform the entire exposure on the side of the substrate where the film is formed by the photosensitive resin composition of the present invention.

재노광 공정의 바람직한 노광량으로서는, 100∼1,000mJ/㎠이다.The preferable exposure amount of the re-exposure process is 100 to 1,000 mJ / cm &lt; 2 &gt;.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 의해, 절연성이 우수하고, 고온에서 베이킹되었을 경우에 있어서도 높은 투명성을 갖는 층간 절연막을 얻을 수 있다. 본 발명의 감광성 수지 조성물을 사용하여 이루어지는 층간 절연막은, 높은 투명성을 갖고, 경화막 물성이 우수하기 때문에, 유기 EL 표시 장치나 액정 표시 장치의 용도에 유용하다.The photosensitive resin composition of the present invention can provide an interlayer insulating film having high transparency even when the insulating resin is baked at a high temperature. The interlayer insulating film formed using the photosensitive resin composition of the present invention is useful for an organic EL display device or a liquid crystal display device because it has high transparency and excellent physical properties of a cured film.

본 발명의 유기 EL 표시 장치나 액정 표시 장치로서는, 상기 본 발명의 감광성 수지 조성물을 사용하여 형성되는 평탄화막이나 층간 절연막을 갖는 것 이외는 특별히 제한되지 않고, 다양한 구조를 취하는 공지의 각종 유기 EL 표시 장치나 액정 표시 장치를 들 수 있다.The organic EL display device and the liquid crystal display device of the present invention are not particularly limited except that they have a planarizing film or an interlayer insulating film formed using the photosensitive resin composition of the present invention and may be various known organic EL displays Device or a liquid crystal display device.

또한, 본 발명의 감광성 수지 조성물 및 본 발명의 경화막은, 상기 용도에 한정되지 않고 여러가지 용도에 사용할 수 있다. 예를 들면 평탄화막이나 층간 절연막 이외에도, 컬러 필터의 보호막이나, 액정 표시 장치에 있어서의 액정층의 두께를 일정하게 유지하기 위한 스페이서나 고체 촬상 소자에 있어서 컬러 필터 위에 마련되는 마이크로 렌즈 등에 호적하게 사용할 수 있다.Further, the photosensitive resin composition of the present invention and the cured film of the present invention are not limited to the above-mentioned use, and can be used for various purposes. For example, in addition to a planarizing film or an interlayer insulating film, a protective film for a color filter, a spacer for keeping the thickness of the liquid crystal layer in a liquid crystal display device constant, a micro lens provided on a color filter in a solid- .

도 1은 유기 EL 표시 장치의 일례의 구성 개념도를 나타낸다. 보텀 에미션형의 유기 EL 표시 장치에서의 기판의 모식적 단면도를 나타내고, 평탄화막(4)을 갖고 있다.Fig. 1 shows a configuration diagram of an example of an organic EL display device. 1 is a schematic cross-sectional view of a substrate in a bottom emission type organic EL display device and has a planarization film 4.

유리 기판(6) 위에 보텀 게이트형의 TFT(1)를 형성하고, 이 TFT(1)를 덮는 상태로 Si3N4로 이루어지는 절연막(3)이 형성되어 있다. 절연막(3)에, 여기에서는 도시를 생략한 콘택트홀을 형성한 후, 이 콘택트홀을 개재하여 TFT(1)에 접속되는 배선(2)(높이 1.0㎛)이 절연막(3) 위에 형성되어 있다. 배선(2)은, TFT(1) 사이 또는, 후의 공정에서 형성되는 유기 EL 소자와 TFT(1)를 접속하기 위한 것이다.A bottom gate type TFT 1 is formed on a glass substrate 6 and an insulating film 3 made of Si 3 N 4 is formed so as to cover the TFT 1. A wiring 2 (height 1.0 mu m) connected to the TFT 1 via the contact hole is formed on the insulating film 3 after forming a contact hole (not shown) in the insulating film 3 . The wiring 2 is for connecting the organic EL element formed between the TFTs 1 or in a subsequent step to the TFT 1. [

또한, 배선(2)의 형성에 의한 요철을 평탄화하기 위해, 배선(2)에 의한 요철을 메워 넣는 상태로 절연막(3) 위에 평탄화층(4)이 형성되어 있다.The planarization layer 4 is formed on the insulating film 3 so as to fill the irregularities formed by the wirings 2 in order to planarize the irregularities formed by the formation of the wirings 2.

평탄화막(4) 위에는, 보텀 에미션형의 유기 EL 소자가 형성되어 있다. 즉, 평탄화막(4) 위에, ITO로 이루어지는 제1 전극(5)이, 콘택트홀(7)을 개재하여 배선(2)에 접속시켜 형성되어 있다. 또한, 제1 전극(5)은, 유기 EL 소자의 양극에 상당한다.On the planarizing film 4, a bottom-emission organic EL element is formed. That is, a first electrode 5 made of ITO is formed on the planarization film 4 by being connected to the wiring 2 via the contact hole 7. The first electrode 5 corresponds to the anode of the organic EL element.

제1 전극(5)의 주연(周緣)을 덮는 형상의 절연막(8)이 형성되어 있으며, 이 절연막(8)을 마련함으로써, 제1 전극(5)과 이 후의 공정에서 형성하는 제2 전극 사이의 쇼트를 방지할 수 있다.The insulating film 8 is formed so as to cover the periphery of the first electrode 5. By providing the insulating film 8, the first electrode 5 and the second electrode Can be prevented.

또한, 도 1에는 도시하고 있지 않지만, 원하는 패턴 마스크를 개재하여, 정공 수송층, 유기 발광층, 전자 수송층을 순차 증착하여 마련하고, 계속하여, 기판 상방의 전면에 Al으로 이루어지는 제2 전극을 형성하고, 봉지용(封止用) 유리판과 자외선 경화형 에폭시 수지를 사용하여 첩합(貼合)시킴으로써 봉지하고, 각 유기 EL 소자에 이를 구동하기 위한 TFT(1)가 접속되어 이루어지는 액티브 매트릭스형의 유기 EL 표시 장치를 얻을 수 있다.Although not shown in Fig. 1, a hole transporting layer, an organic light emitting layer, and an electron transporting layer are sequentially evaporated and deposited via a desired pattern mask. Then, a second electrode made of Al is formed on the entire upper surface of the substrate, An organic EL display device of an active matrix type in which an encapsulating glass plate and an ultraviolet curing type epoxy resin are used to bond them to each other and the TFTs 1 for driving the organic EL elements are connected, Can be obtained.

도 2는 액티브 매트릭스 방식의 액정 표시 장치(10)의 일례를 나타내는 개념적 단면도이다. 이 컬러 액정 표시 장치(10)는, 배면에 백라이트 유닛(12)을 갖는 액정 패널로서, 액정 패널은, 편광 필름이 첩부(貼付)된 2매의 유리 기판(14, 15) 사이에 배치된 모든 화소에 대응하는 TFT(16)의 소자가 배치되어 있다. 유리 기판 위에 형성된 각 소자에는, 경화막(17) 중에 형성된 콘택트홀(18)을 개재하여, 화소 전극을 형성하는 ITO 투명 전극(19)이 배선되어 있다. ITO 투명 전극(19) 위에는, 액정(20)의 층과 블랙 매트릭스를 배치한 RGB 컬러 필터(22)가 마련되어 있다.Fig. 2 is a conceptual cross-sectional view showing an example of the active matrix type liquid crystal display device 10. Fig. This color liquid crystal display device 10 is a liquid crystal panel having a backlight unit 12 on its back surface and the liquid crystal panel is a liquid crystal display panel in which all of the two glass substrates 14 and 15 that are stuck Elements of the TFT 16 corresponding to the pixel are disposed. In each element formed on the glass substrate, an ITO transparent electrode 19 for forming a pixel electrode is wired through a contact hole 18 formed in the cured film 17. On the ITO transparent electrode 19, an RGB color filter 22 in which a layer of the liquid crystal 20 and a black matrix are arranged is provided.

실시예Example

이어서, 실시예에 의해 본 발명을 더 구체적으로 설명한다. 단, 본 발명은, 이들 실시예에 의해 한정되는 것이 아니다. 또한, 특별히 명시가 없는 한, 「부」, 「%」는 중량 기준이다.EXAMPLES Next, the present invention will be described more specifically with reference to Examples. However, the present invention is not limited to these examples. Unless otherwise specified, "parts" and "%" are by weight.

본 실시예에서, 이하의 부호는 각각 이하의 화합물을 나타낸다.In the present embodiment, the following symbols each represent the following compounds.

V-65: 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴)V-65: 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile)

GMA: 글리시딜메타크릴레이트GMA: glycidyl methacrylate

MAA: 메타크릴산MAA: methacrylic acid

MMA: 메틸메타크릴레이트(와코쥰야쿠고교제)MMA: methyl methacrylate (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.)

NBMA: n-부톡시메틸아크릴아미드(도쿄가세이제)NBMA: n-butoxymethyl acrylamide (Tokyo Kasei now)

HEMA: 메타크릴산2-히드록시에틸(와코쥰야쿠고교제)HEMA: 2-hydroxyethyl methacrylate (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.)

PGMEA: 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(쇼와덴코제)PGMEA: Propylene glycol monomethyl ether acetate (manufactured by Showa Denko)

MAEVE: 메타크릴산1-에톡시에틸(와코쥰야쿠고교제)MAEVE: 1-ethoxyethyl methacrylate (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.)

OXE-30: 메타크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸(오사카유기가가쿠고교(주)제)OXE-30: Methacrylic acid (3-ethyloxetan-3-yl) methyl (manufactured by Osaka Organic Chemical Industry Co., Ltd.)

M100: 메타크릴산3,4-에폭시시클로헥실메틸(다이세루가가쿠고교(주)제)M100: 3,4-epoxycyclohexylmethacrylate (manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd.)

CHOEMA: 메타크릴산1-(시클로헥실옥시)에틸CHOEMA: 1- (cyclohexyloxy) ethyl methacrylate

MATHF: 메타크릴산테트라히드로푸란-2-일MATHF: tetrahydrofuran-2-yl methacrylate

Ph-1: α-메틸히드록시스티렌Ph-1: alpha -methylhydroxystyrene

P-Ph-1: α-메틸히드록시스티렌의 1-에톡시에틸 보호체P-Ph-1: 1-ethoxyethyl protected form of? -Methylhydroxystyrene

St: 스티렌St: Styrene

<MATHF(메타크릴산테트라히드로푸란-2-일)의 합성>&Lt; Synthesis of MATHF (tetrahydrofuran-2-yl methacrylate)

메타크릴산(86g, 1mol)을 15℃로 냉각해 두고, 캄퍼설폰산(4.6g, 0.02mol)을 첨가했다. 그 용액에, 2,3-디히드로푸란(71g, 1mol, 1.0당량)을 적하했다. 1시간 교반한 후에, 포화 탄산수소나트륨 수용액(500mL)을 가하고, 아세트산에틸(500mL)로 추출하고, 황산마그네슘으로 건조 후, 불용물을 여과 후 40℃ 이하에서 감압 농축하고, 잔사(殘渣)의 황색 유상물(油狀物)을 감압 증류하여 비점(bp.) 54∼56℃/3.5㎜Hg 유분(留分)의 메타크릴산테트라히드로푸란-2-일(MATHF) 125g을 무색 유상물로서 얻었다(수율 80%).Methacrylic acid (86 g, 1 mol) was cooled to 15 DEG C and camphorsulfonic acid (4.6 g, 0.02 mol) was added. 2,3-dihydrofuran (71 g, 1 mol, 1.0 equivalent) was added dropwise to the solution. After stirring for 1 hour, a saturated aqueous solution of sodium hydrogencarbonate (500 mL) was added, extracted with ethyl acetate (500 mL), dried over magnesium sulfate, filtered, and concentrated under reduced pressure at 40 ° C or lower. The yellow oily matter was distilled under reduced pressure to obtain 125 g of tetrahydrofuran-2-yl methacrylate (MATHF) having a boiling point (bp.) Of 54 to 56 ° C / 3.5 mmHg as a colorless oil (Yield: 80%).

<CHOEMA(메타크릴산1-(시클로헥실옥시)에틸)의 합성>&Lt; CHOEMA (Synthesis of 1- (cyclohexyloxy) ethyl methacrylate)

상기 MAEVE의 합성법과 같은 방법으로 CHOEMA의 합성을 행했다.CHOEMA was synthesized in the same manner as in the synthesis of MAEVE.

<P-Ph-1(α-메틸히드록시스티렌의 1-에톡시에틸 보호체)의 합성><Synthesis of P-Ph-1 (1-ethoxyethyl protected product of? -Methylhydroxystyrene)

P-Ph-1은, Ph-1을 산촉매 하에서, 에틸비닐에테르와 반응시킴으로써, 페놀성 수산기의 에틸아세탈 보호체로서, P-Ph-1을 얻었다.P-Ph-1 was obtained by reacting Ph-1 with ethyl vinyl ether under an acid catalyst to obtain P-Ph-1 as an ethyl acetal protecting agent for a phenolic hydroxyl group.

<중합체 A-1의 합성>&Lt; Synthesis of Polymer A-1 &

본 발명의 성분 A에 해당하는 중합체 A-1을 이하와 같이 합성했다.Polymer A-1 corresponding to component A of the present invention was synthesized as follows.

에틸비닐에테르 144.2부(2몰 당량)에 페노티아진 0.5부를 첨가하고, 반응계 중을 10℃ 이하로 냉각하면서 메타크릴산 86.1부(1몰 당량)를 적하 후, 실온(25℃)에서 4시간 교반했다. p-톨루엔설폰산피리디늄 5.0부를 첨가 후, 실온에서 2시간 교반하고, 하룻밤 실온 방치했다. 반응액에 탄산수소나트륨 5부 및 황산나트륨 5부를 첨가하고, 실온에서 1시간 교반하여, 불용물을 여과 후 40℃ 이하에서 감압 농축하고, 잔사의 황색 유상물을 감압 증류하여 비점(bp.) 43∼45℃/7㎜Hg 유분의 메타크릴산1-에톡시에틸 134.0부를 무색 유상물로서 얻었다.(1 molar equivalent) of methacrylic acid was added dropwise to 144.2 parts (2 molar equivalents) of ethyl vinyl ether while 0.5 part of phenothiazine was added and the reaction system was cooled to 10 DEG C or lower. The mixture was then stirred at room temperature (25 DEG C) for 4 hours Lt; / RTI &gt; 5.0 parts of p-toluenesulfonic acid pyridinium was added, and the mixture was stirred at room temperature for 2 hours and allowed to stand at room temperature overnight. 5 parts of sodium hydrogencarbonate and 5 parts of sodium sulfate were added to the reaction mixture, and the mixture was stirred at room temperature for 1 hour. The insoluble material was filtered and concentrated under reduced pressure at 40 ° C or lower. The yellow oil was distilled under reduced pressure to obtain a boiling point (bp) of 43 To obtain 134.0 parts of 1-ethoxyethyl methacrylate as a colorless oil at ~ 45 占 폚 / 7 mm Hg fraction.

얻어진 메타크릴산1-에톡시에틸(63.28부(0.4몰 당량)), GMA(42.65부(0.3몰 당량)), MAA(8.61부(0.1몰 당량)), HEMA(26.03부(0.2몰 당량)) 및 PGMEA(110.8부)의 혼합 용액을 질소 기류 하에서, 70℃로 가열했다. 이 혼합 용액을 교반하면서, 라디칼 중합 개시제 V-65(와코쥰야쿠고교(주)제, 4부) 및 PGMEA(100.0부)의 혼합 용액을 2.5시간 걸쳐 적하했다. 적하가 종료하고 나서, 70℃에서 4시간 반응시킴으로써, 중합체 A-1의 PGMEA 용액(고형분 농도: 40%)을 얻었다.The obtained methacrylic acid 1-ethoxyethyl (63.28 parts (0.4 molar equivalent)), GMA (42.65 parts (0.3 molar equivalent)), MAA (8.61 parts (0.1 molar equivalent) ) And PGMEA (110.8 parts) was heated to 70 占 폚 under a nitrogen stream. While stirring the mixed solution, a mixed solution of a radical polymerization initiator V-65 (4 parts by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) and PGMEA (100.0 parts) was added dropwise over 2.5 hours. After completion of the dropwise addition, PGMEA solution (solid concentration: 40%) of polymer A-1 was obtained by reacting at 70 DEG C for 4 hours.

얻어진 중합체 A-1의 겔투과 크로마토그래피(GPC)에 의해 측정한 중량 평균 분자량은 15,000이었다.The polymer A-1 thus obtained had a weight average molecular weight of 15,000 as measured by gel permeation chromatography (GPC).

<중합체 A-2∼A-10, A-12∼A-21의 합성><Synthesis of Polymers A-2 to A-10 and A-12 to A-21>

사용한 각 모노머 및 그 사용량을, 하기 표 1에 기재된 것으로 변경한 것 이외는, 중합체 A-1의 합성과 같이 하여, 중합체 A-2∼A-10, A-12∼A-21을 각각 합성했다. 또한 A-10에 대해서, 합성에 사용하는 용제를 각각 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르(상품명: 하이소르브 EDM, 도호가가쿠고교 가부시키가이샤제), 3-에톡시프로피온산에틸(다이세루가가쿠 가부시키가이샤제)로 변경한 것 이외는 모두 같은 방법으로 합성을 행하고, 각각 A-14 및 A-15로 했다. 이들의 중량 평균 분자량은 A-10과 같았다.Polymers A-2 to A-10 and A-12 to A-21 were synthesized in the same manner as in the synthesis of Polymer A-1, except that the respective monomers used and the amounts used were changed as shown in Table 1 . The solvent used for the synthesis of A-10 was replaced with diethylene glycol ethyl methyl ether (trade name: Hyosorb EDM, manufactured by Tohoku Kagaku Kogyo K.K.) and ethyl 3-ethoxypropionate Except that the catalyst was changed to A-14 and A-15, respectively. Their weight average molecular weights were the same as those of A-10.

<중합체 A-11의 합성>&Lt; Synthesis of Polymer A-11 >

3구 플라스크에, 용제로서, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르(상품명: 하이소르브 EDM, 도호가가쿠고교 가부시키가이샤제, 35.7g)를 넣고, 질소 분위기 하에서 90℃로 승온했다. 그 용액에, MAA(와코쥰야쿠고교제, 3.48g), MMA(0.43g), HEMA(0.55g), St(12.64g), NBMA(6.70g), V-601(2,2'-아조비스(2-메틸프로피오네이트, 와코쥰야쿠고교제, 3.47g, 모노머에 대하여 8mol%)를 용해시켜, 2시간 걸쳐 적하했다. 적하 종료 후 2시간 교반했다. 그 용액에 V-601(1.84g, 모노머에 대하여 2mol%)을 더 첨가하여, 2시간 더 교반하고, 반응을 종료시켰다. 그에 따라 바인더 A-11을 얻었다. 중량 평균 분자량은 12000이었다.In a three-necked flask, diethylene glycol ethyl methyl ether (trade name: Hyosorb EDM, manufactured by Toho Chemical Industry Co., Ltd., 35.7 g) was added as a solvent and the temperature was raised to 90 占 폚 in a nitrogen atmosphere. To the solution was added MAA (3.48 g, manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.), MMA (0.43 g), HEMA (0.55 g), St (12.64 g), NBMA (2-methylpropionate, 3.47 g, manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd., 8 mol% based on the monomer) was added dropwise over 2 hours. After completion of dropwise addition, stirring was continued for 2 hours. g, and 2 mol% based on the monomer) were further added and stirred for 2 hours to terminate the reaction, whereby a binder A-11 was obtained.

[표 1][Table 1]

Figure pat00035
Figure pat00035

실시예 및 비교예에 사용한 각 화합물을 나타내는 약호의 상세는, 이하와 같다.Details of the abbreviations used for the compounds used in Examples and Comparative Examples are as follows.

B-1: CGI-1397(하기에 나타내는 구조의 화합물, 치바·스페셜티·케미컬사제)B-1: CGI-1397 (compound having the structure shown below, manufactured by Chiba Specialty Chemicals)

B-2: α-(p-톨루엔설포닐옥시이미노)페닐아세토니트릴(합성 방법은 하기에 나타냄)B-2:? - (p-toluenesulfonyloxyimino) phenylacetonitrile (synthesis method is shown below)

B-3: 하기에 나타내는 구조의 화합물(합성 방법은 하기에 나타냄)B-3: Compound having the structure shown below (synthesis method is shown below)

B-4: 트리페닐설포늄노나플루오로부탄설포네이트B-4: Triphenylsulfonium nonafluorobutanesulfonate

B-5: 하기에 나타내는 구조의 화합물(NAI-101, 미도리가가쿠제)B-5: Compound having the structure shown below (NAI-101, Midori Kagaku Co., Ltd.)

C-1: 젖산에틸아세테이트(ELA, 다이세루가가쿠(주)제, 비점 181℃, LogP=0.32)C-1: Lactic acid ethyl acetate (ELA, manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd., boiling point 181 캜, LogP = 0.32)

C-2: 1,3-부틸렌글리콜디아세테이트(1,3-BGDA, 다이세루가가쿠(주)제, 비점 232℃, LogP=0.09)C-2: 1,3-butylene glycol diacetate (1,3-BGDA, manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd., boiling point 232 ° C, LogP = 0.09)

C-3: 프로필렌글리콜디아세테이트(PGDA, 다이세루가가쿠(주)제, 비점 190℃, LogP=-0.23)C-3: Propylene glycol diacetate (PGDA, manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd., boiling point 190 占 폚, LogP = -0.23)

C-4: 프로필렌카보네이트(PC, 간토가가쿠제, 비점 240℃, LogP=0.62)C-4: propylene carbonate (PC, Kanto Kagaku Co., boiling point 240 ° C, LogP = 0.62)

C-5: 1,6-헥산디올디아세테이트(1,6-HDDA, 다이세루가가쿠(주)제, 비점 260℃, LogP=1.06)C-5: 1,6-hexanediol diacetate (1,6-HDDA, manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd., boiling point 260 ° C, LogP = 1.06)

C-6: 하기에 나타내는 구조의 화합물(도쿄가세이(주)제, LogP=-0.51)C-6: A compound having the structure shown below (LogP = -0.51, manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.)

C-7: 트리프로필렌글리콜n-부틸에테르(TPNB, 다이세루가가쿠(주)제, 비점 274℃, LogP=1.46)C-7: Tripropylene glycol n-butyl ether (TPNB, manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd., boiling point: 274 ° C, LogP = 1.46)

L-1: DBA(9,10-디부톡시안트라센, 하기에 나타내는 구조, 가와사키가세이고교(주)제)L-1: DBA (9,10-dibutoxyanthracene, structure shown below, manufactured by Kawasaki Chemical Industry Co., Ltd.)

E-1: JER157S65(페놀노볼락형 에폭시 수지, 쟈판에폭시레진(주)제)E-1: JER157S65 (phenol novolak type epoxy resin, Japan Epoxy Resin Co., Ltd.)

E-2: JER828(비스페놀A형 에폭시 수지, 쟈판에폭시레진(주)제)E-2: JER828 (bisphenol A type epoxy resin, Japan Epoxy Resin Co., Ltd.)

G-1: KBM-403(3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 하기에 나타내는 구조, 신에츠가가쿠고교(주)제)G-1: KBM-403 (3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, structure shown below, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.)

H-1: 1,5-디아자비시클로[4.3.0]-5-노넨(도쿄가세이고교제)H-1: 1,5-diazabicyclo [4.3.0] -5-nonene (available from Tokyo Gagai)

H-2: 트리페닐이미다졸(도쿄가세이고교제)H-2: Triphenylimidazole (companion Tokyo)

H-3: 하기에 나타내는 구조의 화합물(도요가세이고교제)H-3: A compound having the structure shown below

I-1: W-3(하기에 나타내는 구조, DIC제)I-1: W-3 (structure shown below, made by DIC)

Figure pat00036
Figure pat00036

Figure pat00037
Figure pat00037

상기 식에서의 Bu는, 부틸기를 나타낸다.Bu in the above formula represents a butyl group.

Figure pat00038
Figure pat00038

Figure pat00039
Figure pat00039

〔B-2의 합성〕[Synthesis of B-2]

일본국 특표2002-528451호 공보의 단락 0108에 기재된 방법에 따라, α-(p-톨루엔설포닐옥시이미노)페닐아세토니트릴을 합성했다.Α- (p-toluenesulfonyloxyimino) phenylacetonitrile was synthesized according to the method described in paragraph 0108 of Japanese Patent Application No. 2002-528451.

〔B-3의 합성〕[Synthesis of B-3]

2-나프톨(10g), 클로로벤젠(30mL)의 현탁 용액에 염화알루미늄(10.6g), 2-클로로프로피오닐클로리드(10.1g)를 첨가하고, 혼합액을 40℃로 가열하여 2시간 반응시켰다. 빙냉 하에서, 반응액에 4N HCl 수용액(60mL)을 적하하고, 아세트산에틸(50mL)을 첨가하여 분액했다. 유기층에 탄산칼륨(19.2g)을 가하고, 40℃에서 1시간 반응시킨 후, 2N HCl 수용액(60mL)을 첨가하여 분액하고, 유기층을 농축 후, 결정(結晶)을 디이소프로필에테르(10mL)로 리슬러리하고, 여과, 건조하여 케톤 화합물(6.5g)을 얻었다.Aluminum chloride (10.6 g) and 2-chloropropionyl chloride (10.1 g) were added to a suspension of 2-naphthol (10 g) and chlorobenzene (30 mL), and the mixture was heated to 40 캜 for reaction for 2 hours. Under ice-cooling, 4N HCl aqueous solution (60 mL) was added dropwise to the reaction solution, and ethyl acetate (50 mL) was added to separate the layers. Potassium carbonate (19.2 g) was added to the organic layer, and the mixture was reacted at 40 占 폚 for 1 hour. 2N HCl aqueous solution (60 mL) was added thereto to separate the liquid. The organic layer was concentrated, and crystals were dissolved in diisopropyl ether The residue was slurry, filtered, and dried to obtain a ketone compound (6.5 g).

얻어진 케톤 화합물(3.0g), 메탄올(30mL)의 현탁 용액에 아세트산(7.3g), 50중량% 히드록실아민 수용액(8.0g)을 첨가하고, 가열 환류했다. 방냉 후, 물(50mL)을 가하여, 석출한 결정을 여과, 냉메탄올 세정 후, 건조하여 옥심 화합물(2.4g)을 얻었다.Acetic acid (7.3 g) and a 50% by weight hydroxylamine aqueous solution (8.0 g) were added to the resulting suspension of the ketone compound (3.0 g) and methanol (30 mL), and the mixture was heated to reflux. After allowing to cool, water (50 mL) was added, and the precipitated crystals were filtered, washed with cold methanol, and dried to obtain an oxime compound (2.4 g).

얻어진 옥심 화합물(1.8g)을 아세톤(20mL)에 용해시켜, 빙냉 하에서 트리에틸아민(1.5g), p-톨루엔설포닐클로리드(2.4g)를 첨가하고, 실온으로 승온하여 1시간 반응시켰다. 반응액에 물(50mL)을 첨가하여, 석출한 결정을 여과 후, 메탄올(20mL)로 리슬러리하고, 여과, 건조하여 B-7(2.3g)을 얻었다.The resulting oxime compound (1.8 g) was dissolved in acetone (20 mL), and triethylamine (1.5 g) and p-toluenesulfonyl chloride (2.4 g) were added under ice-cooling, and the mixture was heated to room temperature and reacted for 1 hour. Water (50 mL) was added to the reaction solution, and the precipitated crystals were filtered and then slurry with methanol (20 mL), followed by filtration and drying to obtain B-7 (2.3 g).

또한, B-3의 1H-NMR 스펙트럼(300㎒, CDCl3)은, δ=8.3(d,1H), 8.0(d,2H), 7.9(d,1H), 7.8(d,1H), 7.6(dd,1H), 7.4(dd,1H), 7.3(d,2H), 7.1(d.1H), 5.6(q,1H), 2.4(s,3H), 1.7(d,3H)이었다.In addition, 1 H-NMR spectrum of B-3 (300㎒, CDCl 3 ) is, δ = 8.3 (d, 1H ), 8.0 (d, 2H), 7.9 (d, 1H), 7.8 (d, 1H), (D, 1H), 7.4 (dd, 1H), 7.3 (d, 2H), 7.1 (d, 1H), 5.6 (q,

(실시예 1)(Example 1)

하기 조성 1이 되도록 각 성분을 용해 혼합하고, 구경(口徑) 0.2㎛의 폴리테트라플루오르에틸렌제 필터로 여과하여, 실시예 1의 감광성 수지 조성물을 얻었다.Each component was dissolved and mixed so that the following composition 1 was obtained, and the solution was filtered through a polytetrafluoroethylene filter having a diameter of 0.2 탆 to obtain a photosensitive resin composition of Example 1.

<조성 1><Composition 1>

·(A) 공중합체: 중합체 A-1의 PGMEA 용액(고형분 40%) 고형분에서 100.0부(A) Copolymer: PGMEA solution of polymer A-1 (solid content 40%) 100.0 parts in solid content

·(B) 광산발생제: 상기에 나타내는 B-1 2.0부(B) Photoacid generator: 2.0 parts of B-1 shown above

·(L) 증감제: 상기에 나타내는 L-1 2.0부(L) sensitizer: 2.0 parts of L-1 shown above

·(C) 용제: 젖산에틸아세테이트(ELA) 3.0부(C) Solvent: Lactic acid ethyl acetate (ELA) 3.0 parts

·(E) 가교제: 상기에 나타내는 E-1 2.0부(E) Crosslinking agent: 2.0 parts of E-1 shown above

·(G) 밀착 개량제: 상기에 나타내는 G-1 0.5부(G) Adhesion improving agent: 0.5 parts of G-1 shown above

·(H) 염기성 화합물: 상기에 나타내는 H-1 0.1부(H) Basic compound: 0.1 part of H-1 shown above

·(H) 염기성 화합물: 상기에 나타내는 H-2 0.01부(H) Basic compound: 0.01 part of H-2 shown above

·(I) 계면 활성제: 상기에 나타내는 I-1 0.02부(I) Surfactant: 0.02 part of I-1 shown above

(실시예 및 비교예)(Examples and Comparative Examples)

실시예 1에서 사용한 각 화합물을, 하기 표에 기재된 화합물로, 각각, 변경한 것 이외는, 실시예 1과 같은 첨가량으로 용해 혼합하고, 실시예 및 비교예의 감광성 수지 조성물을 조제했다. 또한, 실시예 44∼47에 대해서는 하기 표 3에 기재된 화합물로 변경한 것에 더하여, 보조 용제의 양을 실시예 1의 2배의 양을 더 첨가하여, 감광성 수지 조성물을 조정했다. 그 이외에 대해서 하기 표 3에 기재한 대로 화합물을 변경하고, 평가를 행했다.The respective compounds used in Example 1 were dissolved and mixed in the same amounts as in Example 1, except that the compounds described in the following table were changed, and photosensitive resin compositions of Examples and Comparative Examples were prepared. In addition, in Examples 44 to 47, in addition to the compounds described in Table 3 below, the amount of the auxiliary solvent was further added in an amount twice that of Example 1 to adjust the photosensitive resin composition. Other than that, the compounds were changed as shown in the following Table 3 and evaluated.

비교예 5는, 일본국 특개평5-165214호 공보의 실시예 1에 기재된 조성물을 사용했다. 비교예 6은, 일본국 특개2004-264623호 공보의 실시예 1에 기재된 조성물을 사용했다. 비교예 7은, 일본국 특개2001-056558호 공보에 기재된 조성물을 사용했다. 비교예 8은, 일본국 특개2005-301210호 공보의 실시예 1에 기재된 조성물을 사용했다.In Comparative Example 5, the composition described in Example 1 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-165214 was used. In Comparative Example 6, the composition described in Example 1 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-264623 was used. In Comparative Example 7, the composition described in Japanese Patent Laid-Open No. 2001-056558 was used. In Comparative Example 8, the composition described in Example 1 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 2005-301210 was used.

이상에 의해 얻어진 실시예 및 비교예의 감광성 수지 조성물에 대해서, 이하에 나타내는 각 평가를 행했다.The following evaluations were performed on the photosensitive resin compositions of the examples and comparative examples obtained as described above.

<감도의 평가>&Lt; Evaluation of sensitivity &

유리 기판(코닝 1737, 0.7㎜ 두께(코닝샤제)) 위에, 각 감광성 수지 조성물을 슬릿 도포한 후, 90℃/120초 핫플레이트상에서 프리베이킹하여 용제를 휘발시켜, 막두께 3.0㎛의 감광성 수지 조성물층을 형성했다.Each of the photosensitive resin compositions was coated with a slit on a glass substrate (Corning 1737, 0.7 mm thick (Corning Co.)), and then prebaked on a hot plate at 90 DEG C for 120 seconds to volatilize the solvent to obtain a photosensitive resin composition Layer.

이어서, 얻어진 감광성 수지 조성물층을, 캐논(주)제 PLA-501F 노광기(초고압 수은 램프)를 사용하여, 소정의 마스크를 개재하여 노광했다. 그리고, 노광 후의 감광성 수지 조성물층을, 알칼리 현상액(0.4중량%의 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액)에서 23℃/60초간 현상한 후, 초순수로 20초 린스했다. Subsequently, the obtained photosensitive resin composition layer was exposed using a PLA-501F Exposure Machine (ultra-high pressure mercury lamp) manufactured by Canon Inc. via a predetermined mask. Then, the exposed photosensitive resin composition layer was developed in an alkaline developer (0.4 wt% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution) at 23 DEG C / 60 seconds, and rinsed with ultrapure water for 20 seconds.

이들 조작에 의해 10㎛의 라인 앤드 스페이스를 1:1로 해상할 때의 최적 i선 노광량(Eopt)을 감도로 했다. 또한, 평가 기준은 하기와 같다. 「1」 및 「2」가 실용상 문제없는 레벨이다. 결과를 하기 표에 나타낸다.With these operations, the optimum i-line exposure amount (Eopt) at the time of resolving the line-and-space of 10 mu m at a ratio of 1: 1 was taken as the sensitivity. The evaluation criteria are as follows. Quot; 1 &quot; and &quot; 2 &quot; The results are shown in the following table.

1: Eopt가 40mJ/㎠ 미만1: Eopt is less than 40 mJ / cm 2

2: Eopt가 40mJ/㎠ 이상 60mJ/㎠ 미만2: Eopt less than 40mJ / cm2 and less than 60mJ / cm2

3: Eopt가 60mJ/㎠ 이상 80mJ/㎠ 미만3: Eopt is 60mJ / cm2 or more and less than 80mJ / cm2

4: Eopt가 80mJ/㎠ 이상4: Eopt more than 80mJ / ㎠

<보존 안정성의 평가><Evaluation of Storage Stability>

감광성 수지 조성물의 조정 직후의 감도를, 상기로 같은 방법으로 평가하여 초기 감도로 했다. 동일한 조성물을 30℃에서 1주일 보관했을 경우와, 2주일 보관했을 경우에 각각 감도를 측정하고, 초기 감도에 비해 어느 정도 변화되었는지의 상대값을 3단계로 평가했다. 「1」 및 「2」가 실용상 문제없는 레벨이다. 결과를 하기 표에 나타낸다.The sensitivity immediately after the adjustment of the photosensitive resin composition was evaluated by the same method as described above to obtain the initial sensitivity. Sensitivity was measured when the same composition was stored at 30 DEG C for one week and when it was stored for two weeks, and the relative value of how much the composition was changed from the initial sensitivity was evaluated in three steps. Quot; 1 &quot; and &quot; 2 &quot; The results are shown in the following table.

1: 감도의 변화가 5% 미만1: Sensitivity change less than 5%

2: 감도의 변화가 5% 이상 10% 미만2: Sensitivity change from 5% to less than 10%

3: 감도의 변화가 10% 이상 15% 미만3: Sensitivity change from 10% to less than 15%

4: 감도의 변화가 15% 이상4: 15% or more change in sensitivity

<내용제성의 평가>&Lt; Evaluation of solvent resistance &

유리 기판(코닝 1737, 0.7㎜ 두께(코닝샤제)) 위에, 각 감광성 수지 조성물을 슬릿 도포한 후, 90℃/120초 핫플레이트상에서 가열에 의해 용제를 제거하여, 막두께 3.0㎛의 감광성 수지 조성물층을 형성했다.Each of the photosensitive resin compositions was coated with a slit on a glass substrate (Corning 1737, 0.7 mm thick (Corning Co.)), and then the solvent was removed by heating on a hot plate at 90 DEG C for 120 seconds to obtain a photosensitive resin composition Layer.

얻어진 감광성 수지 조성물층을, 캐논(주)제 PLA-501F 노광기(초고압 수은 램프)로 적산 조사량이 300mJ/㎠(조도: 20mW/㎠, i선)가 되도록 노광하고, 그 후, 이 기판을 오븐에서 230℃에서 1시간 가열하여 경화막을 얻었다.The obtained photosensitive resin composition layer was exposed to light with an integrated irradiation amount of 300 mJ / cm 2 (illuminance: 20 mW / cm 2, i-line) with a PLA-501F exposure device (ultra high pressure mercury lamp) manufactured by Canon Inc., At 230 占 폚 for 1 hour to obtain a cured film.

얻어진 경화막의 막두께(T1)를 측정했다. 그리고, 이 경화막이 형성된 기판을 70℃로 온도 제어된 디메틸설폭시드 중에 20분간 침지시킨 후, 침지 후의 경화막의 막두께(t1)를 측정하고, 침지에 의한 막두께 변화율 {|t1-T1|/T1}×100〔%〕을 산출했다. 결과를 하기 표에 나타낸다.The film thickness (T 1 ) of the obtained cured film was measured. Then, the cured film was immersed 20 minutes while controlling the temperature of dimethyl sulfoxide a substrate formed of a 70 ℃, the cured film and measure the film thickness (t 1) after immersion, the film thickness change ratio by an immersion {| t 1 -T 1 | / T 1 } × 100 [%]. The results are shown in the following table.

막두께 변화율의 값이 1% 미만(즉, 기준 1∼3의 결과가 얻어진 경우)일 때, 경화막의 내용제성은 양호하다고 할 수 있다.When the value of the film thickness change rate is less than 1% (that is, when the results of criteria 1 to 3 are obtained), the cured film has good solvent resistance.

1: 막두께 변화율의 값이 0.2% 미만1: The value of the film thickness change ratio was less than 0.2%

2: 막두께 변화율의 값이 0.2% 이상 0.5% 미만2: The value of the film thickness change rate is 0.2% or more and less than 0.5%

3: 막두께 변화율의 값이 0.5% 이상 1% 미만3: value of film thickness change rate is 0.5% or more and less than 1%

4: 막두께 변화율의 값이 1% 이상4: value of the film thickness change ratio is 1% or more

<노광 마진의 평가>&Lt; Evaluation of exposure margin &

10㎛의 라인 앤드 스페이스가 얻어지는 노광량(조도: 20mW/㎠, i선)으로 노광을 행했을 때, 노광량을 증감(×1.25 및 ×0.75)시켰을 경우의 현상 후의 5㎛ 라인 앤드 스페이스 패턴의 라인 선폭 변화를 평가했다. 결과를 하기 표에 나타낸다. 선폭 변화가 0.5㎛ 미만의 경우, 즉 평가 「2」 이하의 경우, 노광 마진은 양호하다고 할 수 있다. 결과를 하기 표에 나타낸다.(Line width) of the post-development 5 占 퐉 line-and-space pattern in the case where the exposure amount was increased or decreased (占 1.25 and 占 0.75) when exposure was performed at an exposure amount (illumination: 20 mW / I evaluated the change. The results are shown in the following table. When the line width variation is less than 0.5 mu m, that is, when the variation is less than the evaluation &quot; 2 &quot;, the exposure margin is good. The results are shown in the following table.

1: 선폭 변화가 0.3㎛ 미만1: Line width change is less than 0.3 탆

2: 선폭 변화가 0.3㎛ 이상 0.5㎛ 미만2: Line width change is 0.3 탆 or more and less than 0.5 탆

3: 선폭 변화가 0.5㎛ 이상 0.7㎛ 미만3: Line width change is not less than 0.5 탆 and less than 0.7 탆

4: 선폭 변화가 0.7㎛ 이상4: Line width change of 0.7 탆 or more

<현상 마진의 평가><Evaluation of Developing Margin>

10㎛의 라인 앤드 스페이스가 얻어지는 노광량(조도: 20mW/㎠, i선)으로 노광을 행했을 때, 현상 시간을 증감(×1.25 및 ×0.75)시켰을 경우의 현상 후의 5㎛ 라인 앤드 스페이스 패턴의 라인 선폭 변화를 평가했다. 결과를 하기 표에 나타낸다. 선폭 변화가 0.5㎛ 미만의 경우, 즉 평가 「2」 이하의 경우, 노광 마진은 양호하다고 할 수 있다. 결과를 하기 표에 나타낸다.(Line width) of the developed 5 占 퐉 line and space pattern when the developing time was increased or decreased (占 1.25 and 占 0.75) when exposure was performed at an exposure amount (illuminance: 20 mW / cm2, i line) The line width change was evaluated. The results are shown in the following table. When the line width variation is less than 0.5 mu m, that is, when the variation is less than the evaluation &quot; 2 &quot;, the exposure margin is good. The results are shown in the following table.

1: 선폭 변화가 0.3㎛ 미만1: Line width change is less than 0.3 탆

2: 선폭 변화가 0.3㎛ 이상 0.5㎛ 미만2: Line width change is 0.3 탆 or more and less than 0.5 탆

3: 선폭 변화가 0.5㎛ 이상 0.7㎛ 미만3: Line width change is not less than 0.5 탆 and less than 0.7 탆

4: 선폭 변화가 0.7㎛ 이상4: Line width change of 0.7 탆 or more

<ITO 적성의 평가><Evaluation of ITO aptitude>

상기 내용제성의 평가와 같이 하여 유리 기판(코닝 1737, 0.7㎜ 두께(코닝샤제)) 위에 막두께 3.0㎛의 경화막을 형성했다. 이 경화막 위에, ITO 투명 전극을 스퍼터(ULVAC샤제, SIH-3030, 스퍼터 온도 200℃)에 의해 형성했다. 스퍼터 후의 경화막의 표면을 광학 현미경(500배)으로 관찰하고, 이하의 관점에서 평가했다.A cured film having a film thickness of 3.0 占 퐉 was formed on a glass substrate (Corning 1737, 0.7 mm thick (Corning Co.)) as in the evaluation of the solvent resistance. On this cured film, an ITO transparent electrode was formed by sputtering (ULVAC SHARE, SIH-3030, sputtering temperature: 200 캜). The surface of the cured film after the sputtering was observed with an optical microscope (500 times) and evaluated from the following viewpoints.

1: 경화막의 표면에 주름의 발생 없음1: No wrinkles on the surface of the cured film

2: 경화막의 표면에 근소하게 주름의 발생 있음2: Wrinkles are slightly formed on the surface of the cured film

3: 경화막의 표면에 현저한 주름의 발생 있음3: There is significant wrinkle on the surface of the cured film

4: 크랙의 발생 있음4: Occurrence of crack

ITO 투명 전극을 스퍼터에 의해 형성한 후에, 경화막 표면에 현저한 주름이나 크랙이 관측되었을 경우, 경화막의 투과율 저하를 야기하기 때문에, 바람직하지 못하다. 즉 「1」 및 「2」가 실용상 문제없는 레벨이다.When a remarkable wrinkle or crack is observed on the surface of the cured film after the ITO transparent electrode is formed by sputtering, the transmittance of the cured film is lowered, which is undesirable. That is, &quot; 1 &quot; and &quot; 2 &quot;

[표 2][Table 2]

Figure pat00040
Figure pat00040

[표 3][Table 3]

Figure pat00041
Figure pat00041

상기 표로부터 분명한 바와 같이, 본 발명의 조성물을 사용했을 경우에는, 감도, 보존 안정성, 내용제성 및 노광 마진 중 어느 것에도 우수한 조성물임을 알 수 있었다.As is apparent from the above table, when the composition of the present invention was used, it was found that the composition was excellent in sensitivity, storage stability, solvent resistance and exposure margin.

또한, 보조 용제의 분배 계수가 -0.5 미만의 것은, 가장 좋았던 실시예에 비하면, 보존 안정성이 약간 뒤떨어지는 경향이 있고(실시예 50), 1.0 이상의 것은, 가장 좋았던 실시예에 비하면, ITO 스퍼터 내성이 약간 뒤떨어지는 경향이 있음을 알 수 있었다(실시예 49).When the distribution coefficient of the auxiliary solvent is less than -0.5, the storage stability tends to be slightly inferior to that of the best embodiment (Example 50). When the auxiliary solvent has a partition coefficient of less than -0.5, the ITO sputter resistance (Example 49). &Lt; tb &gt; &lt; TABLE &gt;

또한, 보다 고(高)비점인 보조 용제를 사용했을 경우(예를 들면 비점 270℃ 이상), 가장 좋았던 실시예에 비하면, 내용제성이 약간 뒤떨어지는 경향이 있음을 알 수 있었다(실시예 51).It was also found that the solvent resistance tends to be slightly lower than that of the best example (Example 51) when using an auxiliary solvent having a higher boiling point (for example, a boiling point of 270 占 폚 or more) .

한편, 일반식(b1)으로 표시되는 옥심설포네이트 잔기를 함유하는 화합물을 구조가 근사(近似)한 이미드설포네이트 화합물을 사용해도(비교예 4), 본 발명의 효과는 전혀 나타나지 않았음을 알 수 있었다.On the other hand, even when an imide sulfonate compound having an approximate structure of a compound containing an oxime sulfonate residue represented by the general formula (b1) is used (Comparative Example 4), the effect of the present invention is not exhibited at all Could know.

덧붙여, 주용제로서, 2종류를 블렌드했을 경우, ITO 스퍼터 내성이 보다 향상함을 알 수 있었다.In addition, it was found that the ITO sputter resistance was further improved by blending two kinds of main solvents.

또한, 공중합체로서, 2성분을 배합함으로써, 내용제성이 보다 향상하는 경향이 있음을 알 수 있었다.Further, it was found that when the two components were blended as the copolymer, the solvent resistance tended to be further improved.

(실시예 68)(Example 68)

실시예 1의 감광성 수지 조성물을 사용하여, 상기 실시예 1과 같은 평가를, 초고압 수은 램프로 바꾸어 UV-LED 광원 노광기를 사용하여 실시했다. 그 결과, 실시예 1과 같은 결과를 얻을 수 있었다.Using the photosensitive resin composition of Example 1, evaluation was carried out in the same manner as in Example 1 using a UV-LED light source exposing apparatus instead of an ultra-high pressure mercury lamp. As a result, the same results as in Example 1 were obtained.

(실시예 69)(Example 69)

실시예 21의 감광성 수지 조성물을 사용하여, 기판을 유리 기판으로부터 실리콘 웨이퍼로 변경한 것 이외는, 실시예 21의 감광성 수지 조성물에 대하여 행한 감도의 평가와 같이 하여, 감도 및 평가를 행했다. 그 결과, 실시예 21과 같은 결과를 얻을 수 있었다.Sensitivity and evaluation were performed in the same manner as in the evaluation of the sensitivity of the photosensitive resin composition of Example 21 except that the substrate was changed from a glass substrate to a silicon wafer using the photosensitive resin composition of Example 21. [ As a result, the same results as in Example 21 were obtained.

(실시예 70)(Example 70)

실시예 11의 감광성 수지 조성물을 사용하여, 노광기를, 캐논(주)제 노광기로부터, (주)니콘제 FX-803M(gh-Line 스테퍼)으로 변경한 것 이외는, 실시예 11의 감광성 수지 조성물에 대하여 행한 감도의 평가와 같이 하여, 감도의 평가를 행했다. 그 결과, 실시예 11과 같은 결과를 얻을 수 있었다.The photosensitive resin composition of Example 11 was obtained in the same manner as in Example 11 except that the photosensitive resin composition of Example 11 was used and the exposure machine was changed from an exposure machine manufactured by Canon Inc. to FX-803M (gh-Line stepper) The sensitivity was evaluated in the same manner as in the evaluation of the sensitivity. As a result, the same result as in Example 11 was obtained.

(실시예 71)(Example 71)

실시예 11의 감광성 수지 조성물을 사용하여, 노광기를, 캐논(주)제 노광기로부터, 355㎚ 레이저 노광기로 변경하여 355㎚ 레이저 노광을 행한 것 이외는, 실시예 11의 감광성 수지 조성물에 대하여 행한 감도의 평가와 같이 하여, 감도의 평가를 행했다. 그 결과, 실시예 11과 같은 결과를 얻을 수 있었다.The sensitivity to the photosensitive resin composition of Example 11, except that the photosensitive resin composition of Example 11 was used to change the exposure machine from an exposure device manufactured by Canon Inc. to a 355 nm laser exposure device and to perform 355 nm laser exposure , The sensitivity was evaluated. As a result, the same result as in Example 11 was obtained.

또한, 355㎚ 레이저 노광기로서는, (주)브이테크놀로지제의 「EGIS」를 사용하고(파장 355㎚, 펄스폭 6nsec), 노광량은 OPHIR샤제의 「PE10B-V2」를 사용하여 측정했다.As the 355 nm laser exposure device, "EGIS" (wavelength 355 nm, pulse width 6 nsec) manufactured by V-Technology Co., Ltd. was used and the exposure amount was measured using "PE10B-V2" OPHIR SHARSE.

상기한 대로, 실시예의 감광성 수지 조성물은, 기판, 노광기의 여하에 관계없이, 우수한 감도를 나타냄을 알 수 있다.As described above, it can be seen that the photosensitive resin composition of the examples exhibits excellent sensitivity regardless of whether the substrate or the exposure machine is used.

(실시예 72)(Example 72)

박막 트랜지스터(TFT)를 사용한 유기 EL 표시 장치를 이하의 방법으로 제작했다(도 1 참조).An organic EL display device using a thin film transistor (TFT) was produced by the following method (see Fig. 1).

유리 기판(6) 위에 보텀 게이트형의 TFT(1)를 형성하고, 이 TFT(1)를 덮는 상태로 Si3N4로 이루어지는 절연막(3)을 형성했다. 이어서, 이 절연막(3)에, 여기에서는 도시를 생략한 콘택트홀을 형성한 후, 이 콘택트홀을 개재하여 TFT(1)에 접속되는 배선(2)(높이 1.0㎛)을 절연막(3) 위에 형성했다. 이 배선(2)은, TFT(1) 사이 또는, 후의 공정에서 형성되는 유기 EL 소자와 TFT(1)를 접속하기 위한 것이다.A bottom gate type TFT 1 was formed on a glass substrate 6 and an insulating film 3 made of Si 3 N 4 was formed so as to cover the TFT 1. Subsequently, a contact hole (not shown) is formed in the insulating film 3, and a wiring 2 (height 1.0 mu m) connected to the TFT 1 via the contact hole is formed on the insulating film 3 . This wiring 2 is for connecting the organic EL element formed between the TFTs 1 or a later step to the TFT 1. [

또한, 배선(2)의 형성에 의한 요철을 평탄화하기 위해, 배선(2)에 의한 요철을 메워 넣는 상태로 절연막(3) 위에 평탄화층(4)을 형성했다. 절연막(3) 위에의 평탄화막(4)의 형성은, 실시예 31의 감광성 수지 조성물을 기판 위에 스핀 도포하고, 핫플레이트상에서 프리베이킹(90℃×2분)한 후, 마스크상에서 고압 수은등을 사용하여 i선(365㎚)을 45mJ/㎠(조도 20mW/㎠) 조사한 후, 알카리 수용액으로 현상하여 패턴을 형성하고, 230℃에서 60분간의 가열 처리를 행했다. 당해 감광성 수지 조성물을 도포할 때의 도포성은 양호하며, 노광, 현상, 소성(燒成) 후에 얻어진 경화막에는, 주름이나 크랙의 발생은 보이지 않았다. 또한, 배선(2)의 평균 단차(段差)는 500㎚, 제작한 평탄화막(4)의 막두께는 2,000㎚였다.In order to planarize the irregularities formed by the formation of the wirings 2, the planarization layer 4 was formed on the insulating film 3 in a state in which irregularities by the wirings 2 were filled. The planarizing film 4 on the insulating film 3 was formed by spin-coating the photosensitive resin composition of Example 31 on the substrate, prebaking (90 占 폚 for 2 minutes) on a hot plate, using a high-pressure mercury lamp on the mask , Irradiated with i-line (365 nm) at 45 mJ / cm 2 (illuminance: 20 mW / cm 2), developed with an aqueous alkaline solution to form a pattern, and subjected to heat treatment at 230 ° C for 60 minutes. The coating properties upon application of the photosensitive resin composition were satisfactory, and wrinkles and cracks were not observed in the cured films obtained after exposure, development and firing. The average step difference of the wiring 2 was 500 nm, and the film thickness of the prepared planarization film 4 was 2,000 nm.

이어서, 얻어진 평탄화막(4) 위에, 보텀 에미션형의 유기 EL 소자를 형성했다. 우선, 평탄화막(4) 위에, ITO로 이루어지는 제1 전극(5)을, 콘택트홀(7)을 개재하여 배선(2)에 접속시켜 형성했다. 그 후, 레지스트를 도포, 프리베이킹하고, 원하는 패턴의 마스크를 개재하여 노광하고, 현상했다. 이 레지스트 패턴을 마스크로 하여, ITO 에천트를 사용한 웨트 에칭에 의해 패턴 가공을 행했다. 그 후, 레지스트 박리액(모노에탄올아민과 디메틸설폭시드(DMSO)의 혼합액)을 사용하여 당해 레지스트 패턴을 박리했다. 이렇게 하여 얻어진 제1 전극(5)은, 유기 EL 소자의 양극에 상당한다.Subsequently, a bottom-emission type organic EL device was formed on the obtained planarization film 4. First, a first electrode 5 made of ITO was formed on the flattening film 4 by being connected to the wiring 2 through the contact hole 7. Thereafter, the resist was applied and prebaked, exposed through a mask of a desired pattern, and developed. Using this resist pattern as a mask, patterning was carried out by wet etching using ITO etchant. Thereafter, the resist pattern was peeled off using a resist stripping solution (a mixture of monoethanolamine and dimethyl sulfoxide (DMSO)). The first electrode 5 thus obtained corresponds to the anode of the organic EL element.

이어서, 제1 전극(5)의 주연을 덮는 형상의 절연막(8)을 형성했다. 절연막에는, 실시예 31의 감광성 수지 조성물을 사용하여, 상기와 같은 방법으로 절연막(8)을 형성했다. 이 절연막을 마련함으로써, 제1 전극(5)과 이 후의 공정에서 형성하는 제2 전극 사이의 쇼트를 방지할 수 있다.Then, an insulating film 8 having a shape covering the periphery of the first electrode 5 was formed. As the insulating film, the insulating film 8 was formed using the photosensitive resin composition of Example 31 in the same manner as described above. By providing this insulating film, a short circuit can be prevented between the first electrode 5 and the second electrode formed in the subsequent step.

또한, 진공 증착 장치 내에서 원하는 패턴 마스크를 개재하여, 정공 수송층, 유기 발광층, 전자 수송층을 순차 증착하여 마련했다. 계속하여, 기판 상방의 전면에 Al으로 이루어지는 제2 전극을 형성했다. 얻어진 상기 기판을 증착기로부터 취출(取出)하고, 봉지용 유리판과 자외선 경화형 에폭시 수지를 사용하여 첩합함으로써 봉지했다.Further, a hole transporting layer, an organic light emitting layer, and an electron transporting layer were sequentially vapor-deposited in a vacuum deposition apparatus through a desired pattern mask. Subsequently, a second electrode made of Al was formed on the entire upper surface of the substrate. The obtained substrate was taken out from the evaporator and sealed by bonding using a sealing glass plate and an ultraviolet curable epoxy resin.

이상과 같이 하여, 각 유기 EL 소자에 이를 구동하기 위한 TFT(1)가 접속하여 이루어지는 액티브 매트릭스형의 유기 EL 표시 장치를 얻을 수 있었다. 구동 회로를 통해 전압을 인가한 바, 양호한 표시 특성을 나타내어, 신뢰성이 높은 유기 EL 표시 장치임을 알 수 있었다.As described above, an organic EL display device of an active matrix type in which the TFTs 1 for driving the organic EL elements were connected to each organic EL element was obtained. When a voltage was applied through the driving circuit, good display characteristics were exhibited and it was found that the organic EL display device was highly reliable.

(실시예 73)(Example 73)

실시예 72에 있어서, 실시예 31의 감광성 수지 조성물을 실시예 41의 감광성 수지 조성물로 대신한 것 이외는 마찬가지로 유기 EL 장치를 제작했다. 양호한 표시 특성을 나타내어, 신뢰성이 높은 유기 EL 표시 장치임을 알 수 있었다.An organic EL device was prepared in the same manner as in Example 72 except that the photosensitive resin composition of Example 31 was replaced with the photosensitive resin composition of Example 41. [ Exhibited good display characteristics, indicating that the organic EL display device is highly reliable.

(실시예 74)(Example 74)

실시예 72에 있어서, 실시예 31의 감광성 수지 조성물을 실시예 51의 감광성 수지 조성물로 대신한 것 이외는 마찬가지로 유기 EL 장치를 제작했다. 양호한 표시 특성을 나타내어, 신뢰성이 높은 유기 EL 표시 장치임을 알 수 있었다.An organic EL device was produced in the same manner as in Example 72 except that the photosensitive resin composition of Example 31 was replaced with the photosensitive resin composition of Example 51. [ Exhibited good display characteristics, indicating that the organic EL display device is highly reliable.

(실시예 75)(Example 75)

일본국 특허 제3321003호 공보의 도 1 및 도 2에 기재된 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치에 있어서, 층간 절연막으로서 경화막(17)을 이하와 같이 하여 형성하여, 실시예 75의 액정 표시 장치를 얻었다.In the active matrix type liquid crystal display device shown in Figs. 1 and 2 of Japanese Patent No. 3321003, a cured film 17 as an interlayer insulating film was formed as follows to obtain a liquid crystal display device of Example 75. Fig.

즉, 실시예 46의 감광성 수지 조성물을 사용하여, 상기 실시예 72에 있어서의 유기 EL 표시 장치의 평탄화막(4)의 형성 방법과 같은 방법으로, 층간 절연막으로서 경화막(17)을 형성했다.That is, the photosensitive resin composition of Example 46 was used to form a cured film 17 as an interlayer insulating film in the same manner as the method of forming the planarization film 4 of the organic EL display device in the above-mentioned Example 72. [

얻어진 액정 표시 장치에 대하여, 구동 전압을 인가한 바, 양호한 표시 특성을 나타내어, 신뢰성이 높은 액정 표시 장치임을 알 수 있었다.When the driving voltage was applied to the obtained liquid crystal display device, good display characteristics were exhibited and it was found that the liquid crystal display device was highly reliable.

(실시예 76)(Example 76)

실시예 75에 있어서, 실시예 46의 감광성 수지 조성물을 실시예 56의 감광성 수지 조성물로 대신한 것 이외는 마찬가지로 액정 표시 장치를 제작했다. 양호한 표시 특성을 나타내어, 신뢰성이 높은 액정 표시 장치임을 알 수 있었다.A liquid crystal display device was manufactured in the same manner as in Example 75 except that the photosensitive resin composition of Example 46 was replaced with the photosensitive resin composition of Example 56. And exhibited good display characteristics, indicating that the liquid crystal display device is highly reliable.

(실시예 77)(Example 77)

실시예 75에 있어서, 실시예 46의 감광성 수지 조성물을 실시예 66의 감광성 수지 조성물로 대신한 것 이외는 마찬가지로 액정 표시 장치를 제작했다. 양호한 표시 특성을 나타내어, 신뢰성이 높은 액정 표시 장치임을 알 수 있었다.A liquid crystal display was manufactured in the same manner as in Example 75 except that the photosensitive resin composition of Example 46 was replaced with the photosensitive resin composition of Example 66. [ And exhibited good display characteristics, indicating that the liquid crystal display device is highly reliable.

1: TFT(박막 트랜지스터) 2: 배선
3: 절연막 4: 평탄화막
5: 제1 전극 6: 유리 기판
7: 콘택트홀 8: 절연막
10: 액정 표시 장치 12: 백라이트 유닛
14, 15: 유리 기판 16: TFT
17: 경화막 18: 콘택트홀
19: ITO 투명 전극 20: 액정
22: 컬러 필터
1: TFT (thin film transistor) 2: wiring
3: insulating film 4: planarization film
5: first electrode 6: glass substrate
7: Contact hole 8: Insulating film
10: liquid crystal display device 12: backlight unit
14, 15: glass substrate 16: TFT
17: cured film 18: contact hole
19: ITO transparent electrode 20: liquid crystal
22: Color filter

Claims (18)

(A) 산분해성기로 보호된 카르복시기를 갖는 모노머 유래의 반복 단위, 및/또는, 산분해성기로 보호된 페놀성 수산기를 갖는 모노머 유래의 반복 단위(a1)와, 가교기를 갖는 구성 단위(a2)를, 동일한 중합체 및/또는 상이한 중합체에 함유하는 중합체 성분,
(B) 하기 일반식(b1)으로 표시되는 옥심설포네이트 잔기를 함유하는 화합물, 및
Figure pat00042

(일반식(b1) 중, R5은 알킬기, 또는 아릴기를 나타낸다.)
(C) 용제를 함유하고, 상기 용제로서, 적어도 1종의 비점이 180℃ 미만의 용제와, 적어도 1종의 비점이 180℃ 이상의 용제를 함유하고, (비점이 180℃ 미만의 용제의 합계량):(비점이 180℃ 이상의 용제 합계량)이 질량 환산으로 99:1∼50:50인 감광성 수지 조성물.
(A) a repeating unit derived from a monomer having a carboxyl group protected with an acid-decomposable group and / or a repeating unit (a1) derived from a monomer having a phenolic hydroxyl group protected with an acid-decomposable group and a crosslinking group- , Polymer components contained in the same polymer and / or different polymers,
(B) a compound containing an oxime sulfonate residue represented by the following general formula (b1), and
Figure pat00042

(In the general formula (b1), R 5 represents an alkyl group or an aryl group.)
(C) at least one kind of solvent having a boiling point of less than 180 deg. C and at least one kind of solvent having a boiling point of 180 deg. C or more as the above-mentioned solvent, : A total amount of the solvent having a boiling point of 180 占 폚 or higher) is 99: 1 to 50:50 in terms of mass.
제1항에 있어서,
상기 비점이 180℃ 이상의 용제의 분배 계수(LogP)가 -0.5∼1.0의 범위인 감광성 수지 조성물.
The method according to claim 1,
And the partition coefficient (Log P) of the solvent having a boiling point of 180 캜 or higher is in a range of -0.5 to 1.0.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 (B) 옥심설포네이트 잔기를 함유하는 화합물로서, 하기 일반식(OS-3), 일반식(OS-4), 일반식(OS-5), 및 일반식(b2)으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 함유하는 감광성 수지 조성물.
Figure pat00043

(일반식(OS-3)∼일반식(OS-5) 중, R1은 알킬기, 아릴기 또는 헤테로아릴기를 나타내고, R2은 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기, 아릴기 또는 할로겐 원자를 나타내며, R6은 각각 독립적으로, 할로겐 원자, 알킬기, 알킬옥시기, 설폰산기, 아미노설포닐기 또는 알콕시설포닐기를 나타내고, X는 O 또는 S를 나타내며, n은 1 또는 2를 나타내고, m은 0∼6의 정수를 나타낸다.)
Figure pat00044

(일반식(b2) 중, R5은 알킬기 또는 아릴기를 나타내고, X는 알킬기, 알콕시기, 또는, 할로겐 원자를 나타내며, m은 0∼3의 정수를 나타내고, m이 2 또는 3일 때, 복수의 X는 동일해도 상이해도 된다.)
3. The method according to claim 1 or 2,
The compound containing the oxime sulfonate residue (B) is selected from the group consisting of the following general formula (OS-3), general formula (OS-4), general formula (OS-5), and general formula (b2) By weight based on the total weight of the photosensitive resin composition.
Figure pat00043

(In the general formulas (OS-3) to (OS-5), R 1 represents an alkyl group, an aryl group or a heteroaryl group, each R 2 independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group or a halogen atom , R 6 each independently represents a halogen atom, an alkyl group, an alkyloxy group, a sulfonic acid group, an aminosulfonyl group or an alkoxysulfonyl group, X represents O or S, n represents 1 or 2, Represents an integer of 6.)
Figure pat00044

(In the general formula (b2), R 5 represents an alkyl group or an aryl group, X represents an alkyl group, an alkoxy group or a halogen atom, m represents an integer of 0 to 3, and when m is 2 or 3, X may be the same or different.)
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 가교기를 갖는 모노머 유래의 반복 단위(a2)가, 3원환 및/또는 4원환의 환상(環狀) 에테르 잔기, 및 에틸렌성 불포화기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 함유하는 감광성 수지 조성물.
3. The method according to claim 1 or 2,
(A2) derived from a monomer having a crosslinking group contains at least one member selected from the group consisting of a cyclic ether residue of a 3-membered ring and / or a 4-membered ring, and an ethylenic unsaturated group.
제1항 또는 제2항에 있어서,
(E) 에폭시 수지를 더 함유하는 감광성 수지 조성물.
3. The method according to claim 1 or 2,
(E) an epoxy resin.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 (B) 옥심설포네이트 잔기를 함유하는 화합물로서, 하기 일반식(OS-3), 일반식(OS-4), 일반식(OS-5), 및 일반식(b2)으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 함유하고, 상기 가교기를 갖는 모노머 유래의 반복 단위(a2)가, 3원환 및/또는 4원환의 환상 에테르 잔기, 및 에틸렌성 불포화기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 함유하는 감광성 수지 조성물.
Figure pat00045

(일반식(OS-3)∼일반식(OS-5) 중, R1은 알킬기, 아릴기 또는 헤테로아릴기를 나타내고, R2은 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기, 아릴기 또는 할로겐 원자를 나타내며, R6은 각각 독립적으로, 할로겐 원자, 알킬기, 알킬옥시기, 설폰산기, 아미노설포닐기 또는 알콕시설포닐기를 나타내고, X는 O 또는 S를 나타내며, n은 1 또는 2를 나타내고, m은 0∼6의 정수를 나타낸다.)
Figure pat00046

(일반식(b2) 중, R5은 알킬기 또는 아릴기를 나타내고, X는 알킬기, 알콕시기, 또는, 할로겐 원자를 나타내며, m은 0∼3의 정수를 나타내고, m이 2 또는 3일 때, 복수의 X는 동일해도 상이해도 된다.)
3. The method according to claim 1 or 2,
The compound containing the oxime sulfonate residue (B) is selected from the group consisting of the following general formula (OS-3), general formula (OS-4), general formula (OS-5), and general formula (b2) (A2) derived from a monomer having a crosslinking group contains at least one member selected from the group consisting of a cyclic ether residue of a 3-membered ring and / or a 4-membered ring, and an ethylenic unsaturated group Sensitive resin composition.
Figure pat00045

(In the general formulas (OS-3) to (OS-5), R 1 represents an alkyl group, an aryl group or a heteroaryl group, each R 2 independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group or a halogen atom , R 6 each independently represents a halogen atom, an alkyl group, an alkyloxy group, a sulfonic acid group, an aminosulfonyl group or an alkoxysulfonyl group, X represents O or S, n represents 1 or 2, Represents an integer of 6.)
Figure pat00046

(In the general formula (b2), R 5 represents an alkyl group or an aryl group, X represents an alkyl group, an alkoxy group or a halogen atom, m represents an integer of 0 to 3, and when m is 2 or 3, X may be the same or different.)
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 (B) 옥심설포네이트 잔기를 함유하는 화합물로서, 하기 일반식(OS-3), 일반식(OS-4), 일반식(OS-5), 및 일반식(b2)으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 함유하고, (E) 에폭시 수지를 더 함유하는 감광성 수지 조성물.
Figure pat00047

(일반식(OS-3)∼일반식(OS-5) 중, R1은 알킬기, 아릴기 또는 헤테로아릴기를 나타내고, R2은 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기, 아릴기 또는 할로겐 원자를 나타내며, R6은 각각 독립적으로, 할로겐 원자, 알킬기, 알킬옥시기, 설폰산기, 아미노설포닐기 또는 알콕시설포닐기를 나타내고, X는 O 또는 S를 나타내며, n은 1 또는 2를 나타내고, m은 0∼6의 정수를 나타낸다.)
Figure pat00048

(일반식(b2) 중, R5은 알킬기 또는 아릴기를 나타내고, X는 알킬기, 알콕시기, 또는, 할로겐 원자를 나타내며, m은 0∼3의 정수를 나타내고, m이 2 또는 3일 때, 복수의 X는 동일해도 상이해도 된다.)
3. The method according to claim 1 or 2,
The compound containing the oxime sulfonate residue (B) is selected from the group consisting of the following general formula (OS-3), general formula (OS-4), general formula (OS-5), and general formula (b2) , And further contains an epoxy resin (E).
Figure pat00047

(In the general formulas (OS-3) to (OS-5), R 1 represents an alkyl group, an aryl group or a heteroaryl group, each R 2 independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group or a halogen atom , R 6 each independently represents a halogen atom, an alkyl group, an alkyloxy group, a sulfonic acid group, an aminosulfonyl group or an alkoxysulfonyl group, X represents O or S, n represents 1 or 2, Represents an integer of 6.)
Figure pat00048

(In the general formula (b2), R 5 represents an alkyl group or an aryl group, X represents an alkyl group, an alkoxy group or a halogen atom, m represents an integer of 0 to 3, and when m is 2 or 3, X may be the same or different.)
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 (B) 옥심설포네이트 잔기를 함유하는 화합물로서, 하기 일반식(OS-3), 일반식(OS-4), 일반식(OS-5), 및 일반식(b2)으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 함유하고, 상기 가교기를 갖는 모노머 유래의 반복 단위(a2)가, 3원환 및/또는 4원환의 환상 에테르 잔기, 및 에틸렌성 불포화기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 함유하고, (E) 에폭시 수지를 더 함유하는 감광성 수지 조성물.
Figure pat00049

(일반식(OS-3)∼일반식(OS-5) 중, R1은 알킬기, 아릴기 또는 헤테로아릴기를 나타내고, R2은 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기, 아릴기 또는 할로겐 원자를 나타내며, R6은 각각 독립적으로, 할로겐 원자, 알킬기, 알킬옥시기, 설폰산기, 아미노설포닐기 또는 알콕시설포닐기를 나타내고, X는 O 또는 S를 나타내며, n은 1 또는 2를 나타내고, m은 0∼6의 정수를 나타낸다.)
Figure pat00050

(일반식(b2) 중, R5은 알킬기 또는 아릴기를 나타내고, X는 알킬기, 알콕시기, 또는, 할로겐 원자를 나타내며, m은 0∼3의 정수를 나타내고, m이 2 또는 3일 때, 복수의 X는 동일해도 상이해도 된다.)
3. The method according to claim 1 or 2,
The compound containing the oxime sulfonate residue (B) is selected from the group consisting of the following general formula (OS-3), general formula (OS-4), general formula (OS-5), and general formula (b2) (A2) derived from a monomer having a crosslinking group contains at least one member selected from the group consisting of a cyclic ether residue of a 3-membered ring and / or a 4-membered ring, and an ethylenic unsaturated group , And (E) an epoxy resin.
Figure pat00049

(In the general formulas (OS-3) to (OS-5), R 1 represents an alkyl group, an aryl group or a heteroaryl group, each R 2 independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group or a halogen atom , R 6 each independently represents a halogen atom, an alkyl group, an alkyloxy group, a sulfonic acid group, an aminosulfonyl group or an alkoxysulfonyl group, X represents O or S, n represents 1 or 2, Represents an integer of 6.)
Figure pat00050

(In the general formula (b2), R 5 represents an alkyl group or an aryl group, X represents an alkyl group, an alkoxy group or a halogen atom, m represents an integer of 0 to 3, and when m is 2 or 3, X may be the same or different.)
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 가교기를 갖는 모노머 유래의 반복 단위(a2)가, 3원환 및/또는 4원환의 환상 에테르 잔기, 및 에틸렌성 불포화기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 함유하고, (E) 에폭시 수지를 더 함유하는 감광성 수지 조성물.
3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the repeating unit (a2) derived from a monomer having a crosslinking group contains at least one member selected from the group consisting of a cyclic ether residue of a 3-membered ring and / or a 4-membered ring, and an ethylenic unsaturated group, By weight.
제1항 또는 제2항에 있어서,
화학 증폭 포지티브형 감광성 수지 조성물인, 감광성 수지 조성물.
3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the photosensitive resin composition is a chemically amplified positive photosensitive resin composition.
(1) 제1항 또는 제2항에 기재된 감광성 수지 조성물을 기판 위에 적용하는 공정,
(2) 적용된 감광성 수지 조성물로부터 용제를 제거하는 공정,
(3) 활성 방사선으로 노광하는 공정,
(4) 현상액으로 현상하는 공정, 및
(5) 열경화하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 경화막의 형성 방법.
(1) a step of applying the photosensitive resin composition described in any one of claims 1 or 2 on a substrate,
(2) a step of removing the solvent from the applied photosensitive resin composition,
(3) a step of exposing with active radiation,
(4) a step of developing with a developer, and
(5) A method of forming a cured film, which comprises a step of thermally curing.
제11항에 있어서,
상기 현상하는 공정 후, 열경화하는 공정 전에, 전면(全面) 노광하는 공정을 포함하는 경화막의 형성 방법.
12. The method of claim 11,
A step of exposing the entire surface after the developing step and before the step of heat curing.
제11항에 기재된 경화막의 형성 방법에 의해 형성된 경화막.A cured film formed by the method for forming a cured film according to claim 11. 제12항에 기재된 경화막의 형성 방법에 의해 형성된 경화막.A cured film formed by the method for forming a cured film according to claim 12. 제13항에 있어서,
층간 절연막인 경화막.
14. The method of claim 13,
A cured film which is an interlayer insulating film.
제14항에 있어서,
층간 절연막인 경화막.
15. The method of claim 14,
A cured film which is an interlayer insulating film.
제13항에 기재된 경화막을 포함하는, 유기 EL 표시 장치 또는 액정 표시 장치. An organic EL display device or liquid crystal display device comprising the cured film according to claim 13. 제14항에 기재된 경화막을 포함하는, 유기 EL 표시 장치 또는 액정 표시 장치.
An organic EL display device or liquid crystal display device comprising the cured film according to claim 14.
KR20140170320A 2011-09-29 2014-12-02 Photosensitive curable resin composition, cured film and method for the cured film KR20150003138A (en)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011214200 2011-09-29
JPJP-P-2011-214200 2011-09-29
JP2012180770A JP5468650B2 (en) 2011-09-29 2012-08-17 Photosensitive resin composition, cured film and method for producing the same
JPJP-P-2012-180770 2012-08-17

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120107009A Division KR101546230B1 (en) 2011-09-29 2012-09-26 Photosensitive curable resin composition, cured film and method for the cured film

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20150003138A true KR20150003138A (en) 2015-01-08

Family

ID=48529138

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR20140170320A KR20150003138A (en) 2011-09-29 2014-12-02 Photosensitive curable resin composition, cured film and method for the cured film

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP5468650B2 (en)
KR (1) KR20150003138A (en)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6096202B2 (en) * 2012-09-28 2017-03-15 富士フイルム株式会社 Photosensitive resin composition and method for producing pattern using the same
JP6200721B2 (en) * 2013-08-01 2017-09-20 富士フイルム株式会社 Pattern forming method and electronic device manufacturing method using the same
JP6136727B2 (en) * 2013-08-02 2017-05-31 Jsr株式会社 Radiation sensitive resin composition, cured film, method for forming the same, and display element
JP6082473B2 (en) * 2013-09-30 2017-02-15 富士フイルム株式会社 Photosensitive resin composition, method for producing cured film, cured film, liquid crystal display device, and organic EL display device
JP6463370B2 (en) * 2014-09-30 2019-01-30 太陽インキ製造株式会社 Photosensitive resin composition, dry film and cured film thereof, and printed wiring board using them
KR20180042313A (en) * 2015-09-30 2018-04-25 후지필름 가부시키가이샤 Resin film, colored photosensitive composition, production method of resin film, color filter, light-shielding film, solid-state image pickup device, and image display device
JP6832557B2 (en) * 2016-07-13 2021-02-24 根上工業株式会社 Resin composition
WO2020049865A1 (en) * 2018-09-05 2020-03-12 富士フイルム株式会社 Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, resist film, pattern forming method, and method for producing electronic device
CN114276239B (en) * 2021-12-29 2023-10-27 徐州博康信息化学品有限公司 Preparation method of ketal structure-containing acid-sensitive photoresist resin monomer

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4676542B2 (en) * 2008-03-28 2011-04-27 富士フイルム株式会社 Positive photosensitive resin composition and cured film forming method using the same
CN102193316B (en) * 2010-03-15 2015-11-18 富士胶片株式会社 The formation method of positive type photosensitive organic compound, cured film, cured film, organic EL display and liquid crystal indicator

Also Published As

Publication number Publication date
JP5468650B2 (en) 2014-04-09
JP2013083937A (en) 2013-05-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101789813B1 (en) Photosensitive resin composition, method for forming cured film, cured film, organic electroluminescence display device, and liquid crystal display device
JP5524037B2 (en) Photosensitive resin composition, cured film, method for forming cured film, organic EL display device, and liquid crystal display device
JP5451570B2 (en) Photosensitive resin composition, method for forming cured film, cured film, organic EL display device, and liquid crystal display device
TWI550338B (en) Photosensitive resin composition, oxime sulfonate compound, method for forming cured film, cured film, organic el display device and liquid crystal display device
KR101570447B1 (en) Positive photosensitive resin composition, method for forming cured film, cured film, liquid crystal display device, and organic el display device
KR101882722B1 (en) Positive working photosensitive resin composition
JP5451569B2 (en) Photosensitive resin composition, cured film, method for forming cured film, organic EL display device, and liquid crystal display device
TWI550351B (en) Positive type photosensitive resin composition, manufacturing method of cured film, cured film, liquid crystal display device and organic el display device
JP5417422B2 (en) Positive photosensitive resin composition
JP5468650B2 (en) Photosensitive resin composition, cured film and method for producing the same
JP5846622B2 (en) Photosensitive resin composition, cured film, method for forming cured film, organic EL display device, and liquid crystal display device
KR102099092B1 (en) Photo-sensitive resin composition, method for manufacturing cured film by using the same, cured film, liquid crystal display and organic el device
JP5492812B2 (en) Photosensitive resin composition, cured film, method for forming cured film, organic EL display device, and liquid crystal display device
KR20110042011A (en) Photosensitive resin composition, cured film, method for producing cured film, organic el display device and liquid crystal display device
JP5548604B2 (en) Photosensitive resin composition
JP2013171101A (en) Positive photosensitive resin composition, production method of cured film, cured film, organic el display device and liquid crystal display device
JP5524036B2 (en) Positive photosensitive resin composition, method for forming cured film, cured film, liquid crystal display device, and organic EL display device
JP5517860B2 (en) Photosensitive resin composition, method for forming cured film, cured film, organic EL display device, and liquid crystal display device
KR101546230B1 (en) Photosensitive curable resin composition, cured film and method for the cured film
KR101964685B1 (en) Positive-type photosensitive resin composition, method for forming cured film, cured film, organic el display device, and, liquid crystal display device
JP5335045B2 (en) Photosensitive resin composition, oxime sulfonate compound, method for forming cured film, cured film, organic EL display device, and liquid crystal display device
KR102098125B1 (en) Photo-curable resin composition, method for manufacturing cured film, cured film, organic el device and liquid crystal display
JP2013060537A (en) Copolymer for photoresist and method of producing the same

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
A201 Request for examination